KR20240036821A - 이종 접합 광 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 이종 접합 광센서는, 기판 상에 형성되는 제1 전극 및, 제1 전극 상에 형성되되, 제1 전극이 노출되도록 일부면에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 에너지 준위를 가지는 물질로 이루어진다. 이에 의해, 본 발명은 그래핀-ITO 전극의 이종 접합 구조를 적용함으로써 높은 광 감도를 갖는다.
Description
본 발명은 이종 접합 광센서에 관한 것으로서, 특히, 그래핀-ITO 전극의 이종 접합 구조를 적용함으로써 높은 광 감도를 가지는 이종 접합 광센서에 관한 것이다.
광센서는 빛 자체 또는 빛에 포함되는 정보를 전기신호로 변환하여 검지하는 소자이며 광에너지를 전기 신호로 변환하는 일종의 변환기(transducer)이다.
광센서의 특징으로는 검지하는 방법이 비파괴, 고속도 및 주변에 영향을 주지 않는 다는 것이다. 광센서의 검출 대상으로는 가시광선, 자외선, 적외선 등이 있으며 이들은 파장 크기와 전자기파 특성에도 차이가 있다.
따라서 사용목적에 따라 검출 파장에 민감한 센서 소자를 선택하여야 한다. 광센서는 스마트폰을 비롯한 가전제품용, 자동차용, 산업용, 홈오토메이션용, 헬스케어용, 엔터테인먼트용, 보안 및 감시용 등 광범위한 분야에 다양한 용도로 활용되고 있다.
반도체 재질을 이용한 포토다이오드(photodiode)도 광센서의 일종이다. 광센서는 활용도가 넓어지면서 기존 광센서보다 크기가 작고 반응속도가 빠르며 높은 감도의 광센서를 개발하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다.
이에 대한 종래 기술로서, 그래핀 전극을 이용한 광센서는 단일 원자층 구조의 그래핀 두께(0.345 nm)가 매우 얇아 광 에너지 흡수가 충분하지 않고, 생성된 전자-정공의 재결합 속도가 빠른 단점을 가지고 있다.
또한, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; 이하 'ITO'라 함) 전극 광센서는 암 전류(dark current; DC) 대비 광전류(photo current; PC) 비율(PC/DC ratio)이 낮고, 이로 인해 광 검출기의 성능 지표인 광 응답도(responsivity) 및 광 검출능(detectivity)이 낮은 단점을 가지고 있다.
최근 새로운 광센서로 많은 연구가 진행되고 있는 산화 아연(ZnO) 재질의 광 센서 경우 산소 흡착으로 암 전류(dark current)는 매우 낮으나 광응답에 따른 광전류 상승 및 하강 시간이 느려 이를 개선하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그래핀-ITO 전극의 이종 접합 구조를 적용함으로써 높은 광 감도를 갖는 이종 접합 광센서를 제공하는 것이다.
또한, 낮은 동작 전압에서도 높은 감도를 가짐으로써 저전력 센서로 제조할 수 있는 이종 접합 광센서를 제공하는 것이다.
또한, 그래핀-ITO 전극의 이종 접합 구조가 쇼트키 접합함으로써 암전류를 낮추고, 광 응답도 및 광 검출능을 높인 이종 접합 광센서를 제공하는 것이다.
또한, 제작 공정이 용이하고, 소형화가 가능한 이종 접합 광센서를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서는, 기판 상에 형성되는 제1 전극; 및, 상기 제1 전극 상에 형성되되, 상기 제1 전극이 노출되도록 일부면에 형성되는 제2 전극;을 포함하며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 다른 에너지 준위를 가지는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 전극은 그래핀(graphene)으로 이루어지고, 상기 제2 전극은 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어질 수 있다.
다르게는, 상기 제1 전극은 인듐 주석 산화물로 이루어지고, 상기 제2 전극은 그래핀으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 전극과 제2 전극은 빛에 노출되는 면적이 동일할 수 있다.
또한, 상기 기판은, 실리콘(Si), 산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 게르마늄(Ge), 유리(glass), SOI(Silicon on Insulator), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리스티렌(Poly styrene, PS), 폴리카보네이트(Poly carbonate, PC), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌나프팅레이트(Poly ethylenenaphthalate, PEN) 및 폴리아릴레이트(Poly acrylate, PAR) 중 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따른 이종 접합 광센서는 그래핀-ITO 전극의 이종 접합 구조를 적용함으로써 높은 광 감도를 갖는다.
또한, 낮은 동작 전압에서도 높은 감도를 가짐으로써 저전력 센서로 제조할 수 있다.
또한, 제조 공정이 단순하여 소형화에 적합한 효과를 발휘할 수 있다.
나아가, 광전자, 의료기기, 태양전지, 바이오센서 등의 다양한 분야에서 활용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 구조를 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 스택 구성을 간략하게 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 스택 구성을 간략하게 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인듐 주석 산화물과 그래핀 전극에 대한 전계방사형 주사전자현미경(FE-SEM) 분석 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 비교예와 본 발명의 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 실시간 광 에너지 변화에 따른 본 발명의 이종 접합 광센서의 반응 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 비교예와 본 발명의 이종 접합 광센서의 광전류 비율을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 스택 구성을 간략하게 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 스택 구성을 간략하게 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인듐 주석 산화물과 그래핀 전극에 대한 전계방사형 주사전자현미경(FE-SEM) 분석 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 비교예와 본 발명의 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 실시간 광 에너지 변화에 따른 본 발명의 이종 접합 광센서의 반응 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 비교예와 본 발명의 이종 접합 광센서의 광전류 비율을 나타내는 그래프이다.
이하에서 본 발명의 기술적 사상을 명확화하기 위하여 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성요소에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 도면들 중 실질적으로 동일한 기능구성을 갖는 구성요소들에 대하여는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 참조번호 및 부호들을 부여하였다. 설명의 편의를 위하여 필요한 경우에는 장치와 방법을 함께 서술하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 구조를 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 이종 접합 광센서는 기판(110) 상에 적층된 제1 전극(120) 및 제2 전극(130)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 지지기판으로 다양한 종류의 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어 기판(110)은 실리콘(Si), 산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 게르마늄(Ge), 유리(glass), SOI(Silicon on Insulator), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리스티렌(Poly styrene, PS), 폴리카보네이트(Poly carbonate, PC), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌나프팅레이트(Poly ethylenenaphthalate, PEN) 및 폴리아릴레이트(Poly acrylate, PAR) 중 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게, 기판(110)은 실리콘(Si)을 모재로 하여 표면을 산화시킨 산화규소(SiO2)가 형성된 기판으로 구현될 수 있다.
제1 전극(120)과 제2 전극(130)은 에너지 밴드갭(energy bandgap) 및 페르미 준위(Fermi level)가 상이하여 서로 다른 에너지 준위를 가지는 물질 접합에 의해 이종 접합 구조를 형성할 수 있다.
제1 전극(120)은 금속 특성과 표면 기능화에 따라 n-형 및 p-형 반도체 특성을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(120)은 강도가 우수하고 빠른 전자 이동도(200,000 cm2/(V*s)), 높은 빛 투과율 특성을 가질 수 있다. 바람직하게, 제1 전극(120)은 그래핀으로 구현될 수 있다. 여기서, 그래핀은 벌집 모양으로 탄소가 육각형 구조를 이루고 있는 2차원(2D) 물질로, 화학적/물리적 안정성이 우수하고 전기 전도도가 높은 재질일 수 있다.
제2 전극(130)은 n-형 반도체로 이루어지며, 가요성, 광 투과율, 전기 전도성이 우수하고 넓은 밴드 특성을 가질 수 있다. 바람직하게, 제2 전극(130)은 ITO로 구현될 수 있다.
본 발명의 이종 접합 광센서는 그래핀 전극과 ITO 박막 전극을 접합시켜 이종 접합을 형성하고 그래핀-ITO 이종 접합을 이용함으로써, 높은 광 감도를 가지는 반면 제작 공정이 용이하여 소형화에 장점이 있고 낮은 동작 전압에서도 높은 감도를 나타내어 저전력 센서의 구현이 가능한 장점을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 스택 구성을 간략하게 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 이종 접합 광센서는 기판(110) 상에 제1 전극(120)을 형성하고, 제1 전극(120) 상에 제2 전극(130)이 형성된 구조를 나타낸다. 이때, 제1 전극(120)은 시트(sheet) 형태로 전사하여 형성되고, 제2 전극(130)은 제1 전극(130) 상에 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 증착하여 형성될 수 있다. 한편, 제2 전극(130)은 격자 균일도를 높이기 위해 박막 전극 증착 후 어닐링 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 여기서, 어닐링 공정은 2× 10-2 torr 기압의 챔버 내에서 기판(110)의 온도를 400℃로 유지하면서 10분간 어닐링(annealing)이 수행될 수 있다.
A-A’ 단면도로 보았을 때, 제2 전극(130)은 제1 전극(120) 상에 형성되되, 제1 전극(120)이 노출되도록 일부 면에 형성될 수 있다.
이에, 빛이 조사되었을 경우 이종 접합 광센서는 제1 전극(120)과 제2 전극(130)이 모두 빛에 노출되어 반응할 수 있다.
바람직하게, 제1 전극(120)과 제2 전극(130)은 빛에 노출되는 면적이 동일할 수 있다.
결국, 본 발명의 이종 접합 관센서는 광센서의 감도 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 스택 구성을 간략하게 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 3을 참조하면, 이종 접합 광센서는 기판(110) 상에 제1 전극(230)을 형성하고, 제1 전극(230) 상에 제2 전극(220)이 형성된 구조를 나타낸다. 이때, 제1 전극(230)은 기판(110) 상에 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착하여 형성되고, 제2 전극(220)는 제1 전극(230) 상에 시트(sheet) 형태로 전사하여 형성될 수 있다. 한편, 제1 전극(230)은 격자 균일도를 높이기 위해 박막 전극 증착 후 어닐링 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 여기서, 어닐링 공정은 2× 10-2 torr 기압의 챔버 내에서 기판(110)의 온도를 400℃로 유지하면서 10분간 어닐링 공정이 수행될 수 있다.
이러한 제1 전극(230)과 제2 전극(220)은 에너지 밴드갭(energy bandgap) 및 페르미 준위(Fermi level)가 상이하여 서로 다른 에너지 준위를 가지는 물질 접합에 의해 이종 접합 구조를 형성할 수 있다.
제1 전극(230)은 n-형 반도체로 이루어지며, 가요성, 광 투과율, 전기 전도성이 우수하고 넓은 밴드 특성을 가질 수 있다. 바람직하게, 제1 전극(230)은 ITO로 구현될 수 있다.
제2 전극(220)은 금속 특성과 표면 기능화에 따라 n-형 및 p-형 반도체 특성을 가질 수 있다.
또한, 제2 전극(220)은 강도가 우수하고 빠른 전자 이동도(200,000 cm2/(V*s)), 높은 빛 투과율 특성을 가질 수 있다. 바람직하게, 제2 전극(220)은 그래핀으로 구현될 수 있다. 여기서, 그래핀은 벌집 모양으로 탄소가 육각형 구조를 이루고 있는 2차원(2D) 물질로, 화학적/물리적 안정성이 우수하고 전기 전도도가 높은 재질일 수 있다.
A-A’ 단면도로 보았을 때, 제2 전극(220)은 제1 전극(230) 상에 형성되되, 제1 전극(230)이 노출되도록 일부 면에 형성될 수 있다.
이에, 빛이 조사되었을 경우 이종 접합 광센서는 제2 전극(220)과 제1 전극(230)이 모두 빛에 노출되어 반응할 수 있다.
바람직하게, 제1 전극(230)과 제2 전극(220)은 빛에 노출되는 면적이 동일할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인듐 주석 산화물과 그래핀 전극에 대한 전계방사형 주사전자현미경(FE-SEM) 분석 사진이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, (a)는 FE-SEM 장비를 이용하여 측정한 제2 전극(130)인 ITO 전극의 단면도를 보이고 있으며, ITO 전극 두께는 25 nm임을 알 수 있다. (b)는 FE-SEM을 이용한 제1 전극(120)인 그래핀 전극 표면을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
본 발명의 이종 접합 광센서를 평가하기 위하여, LED 광원(파장 468nm)을 이용하였으며 광원 에너지 변화(197 uW, 702 uW, 2.13 mW, 10 mW)에 따른 광 응답 반응은 암실에서 실시하였다. 특히, 제1 전극과 제2 전극 접합(이하 '그래핀-ITO 이종 접합'이라 함)의 특성을 분석하기 위하여 빛을 조사하지 않는 조건(dark)에서 전압을 인가하고 전압-전류 특성을 분석하였다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 그래핀-ITO 이종 접합은 인가전압에 따라 순방향 바이어스(인가전압 > 0 V) 경우 전류가 비선형적으로 증가하는 것을 알 수 있다.
또한, 역방향 바이어스(인가전압 < 0 V)에서는 미세한 누설전류가 흐르는 것을 볼 수 있다. 이러한 전압-전류 특성은 메탈과 n-형 반도체의 이종 접합 특성이다. 그래핀-ITO 이종 접합에서 제1 전극인 그래핀 전극은 금속 전극이며 제2 전극인 ITO 박막 전극은 n-형 반도체 전극으로 동작한다.
따라서, 순방향 바이어스(인가전압 > 0 V)에서는 그래핀-ITO 이종 접합의 에너지 장벽이 감소할 때 까지는 전류가 흐르지 않다가 에너지 장벽이 낮아진 특정 전압(VTH = 0.2 V)에서 전류가 급격히 증가하는 것을 볼 수 있다. 순방향 바이어스와는 반대로 역방향 바이어스 에서는 그래핀-ITO 접합의 에너지 장벽이 역방향 인가 전압에 의해 누설전류 이외에는 전류가 흐르지 않는 것을 알 수 있다.
도 6은 비교예와 본 발명의 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
광 조사에 따른 이종 접합 광센서에서 발생하는 전기 신호는 소스미터를 이용하여 전류 크기로 평가하였다. 이외에도 전류가 흐르면 저항 성분에 의해 이종 접합 광센서에 전압이 유기되므로 센서 전압 변화를 측정하는 방식의 검출기로도 가능하다. 또한, 전압과 전류 변화에 따라 나타내는 전도율 및 저항율 변화 등 센서의 전기 신호 검출을 통한 광센서도 포함하고 있다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 비교예로 (a) ITO 박막 전극 및 (b) 그래핀 전극와 본 발명의 (c) 이종 접합 광센서의 전류-전압 특성 곡선을 나타내고 있다. 그래프에서 암(dark) 곡선은 광원을 조사하지 않는 조건에서 광 센서 전류-전압특성을 나타내며 그 외 곡선은 조사하는 빛의 에너지 변화에 따른 특성을 나타내었다.
(a)와 (b)에서 보는 것과 같이 ITO 박막 전극과 그래핀 전극을 이용한 광센서는 광원의 에너지 변화에 따라 광센서의 전류-전압 특성 곡선이 다르게 나타나는 것을 알 수 있다. 그러나 전류 변화 값이 작아 빛에 대한 센서 감도가 상대적으로 낮은 것을 알 수 있다.
반면, (c)에서 보는 것과 같이 이종 접합의 광센서의 경우 광원 에너지에 비례하여 전류 크기가 명확하게 증가하는 것을 볼 수 있다.
특히, 그래핀-ITO 전극에 역방향 바이어스를 인가하는 경우 광 검출 감도가 증가하고 역방향 바이어스 전압 크기가 증가할수록 광원을 조사하였을 때 발생하는 광전류 값이 증폭되는 현상을 볼 수 있다.
빛을 이종 접합 광센서에 조사하면 조사되는 빛에 의해 광전류가 제2전극(130)인 ITO 박만 전극 표면에서도 발생하지만 ITO 전극의 광 투과율이 90% 이상이기 때문에 ITO 전극을 투과한 빛에 의해 제1 전극인(120)인 그래핀 전극에서도 광전류가 발생하게 된다.
투과한 빛에 의해 그래핀 전극에서 발생한 전자는 그래핀-ITO 접합의 에너지 장벽 때문에 흐르지 못하다가 역방향 바이어스 전압을 더욱 증가시키면 그래핀-ITO 이종 접합의 에너지 장벽은 얇아지고, 전계가 크게 증가하여 높은 전계에 의해 그래핀-ITO 이종 접합의 에너지 장벽에 때문에 흐르지 못하던 전자가 얇아진 에너지 벽을 뚫고 흐르는(tunneling effect) 현상이 발생한다.
이에, 역방향 바이어스 전압 크기를 증가시킬수록 전자의 터널링 효과는 증가하게 되고, 터널링 전류가 증가하여 광전류 값이 증가하는 증폭 현상을 보이고 있다. 즉, 그래핀-ITO 이종 접합의 역방향 바이어스 상태에서 조사하는 광 에너지에 따라 광전류가 증가하는 것이 확인되며, 광 에너지가 197 uW에서 10 mW까지 증가함에 따라 광전류 또한 증가하는 것을 확인하였다.
그래핀-ITO 이종 접합은 광센서를 사용하기 위해 순방향 및 역방향 바이어스 동작이 가능하나, 역방향 바이어스 전압을 인가하였을 때 순방향 바이어스 전압 인가대비 암전류 크기가 작고 광 검출 감도가 증가하는 것을 볼 수 있다. 따라서 본 발명의 이종 접합 광 센서 동작을 위한 인가전압은 역방향 바이어스로 인가하는 것이 바람직하다.
도 7은 실시간 광 에너지 변화에 따른 본 발명의 이종 접합 광센서의 반응 특성을 나타내는 그래프이다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 이종 접합 광센서에 조사하는 광원 에너지에 따른 광전류 변화를 실시간 검출 결과를 나타낸다. 이를 통해 조사하는 LED 광 에너지 크기에 따라 광전류 크기가 증가하는 것을 확인하였다. LED 광원의 온/오프(on/off)에 따라 이종 접합 광센서가 매우 빠르게 동작하였으며 반복적인 측정에도 광센서는 안정적인 결과를 나타냄을 알 수 있다.
도 8은 비교예와 본 발명의 이종 접합 광센서의 광전류 비율을 나타내는 그래프이다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 광전류 비율은 일반적으로 광 센서 성능 평가지표로 널리 사용되는 Iph 비율((ION - IOFF)/IOFF)을 나타낸다.
(a)는 ITO 박막 전극의 Iph 비율, (b)는 그래핀 전극의 Iph 비율 그리고 (c)는 이종 접합 광 센서 Iph 비율을 나타낸다.
비교예인 (a) 및 (b)와 본 발명인 (c)를 비교하여 보면, 본 발명의 이종 접합 광센서는 ITO 박막 전극 광센서에 비해 58배 높은 Iph 비율을 나타내며, 그래핀 전극 광센서에 비해 200,000배 높은 Iph 비율을 나타내고 있음을 알 수 있다.
또한, (c)와 같이 이종 접합 센서의 경우 센서 인가 전압이 0 V에서도 높은 Iph 값을 나타내고 있어 저전력 광 센서 제작이 가능하다.
또한, 광전류 비율을 통해서 그래핀-ITO 광센서는 높은 광 검출 능력과 조사하는 광에 빠르게 반응하는 것을 알 수 있다.
결국, 반복적인 실험에서도 동일한 결과를 보여주고 있어 본 발명의 이종 접합 광센서의 높은 안정성을 확인할 수 있었다.
지금까지 본 발명에 대하여 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 중심으로 상세히 살펴보았다. 이러한 실시예들은 이 발명을 한정하려는 것이 아니라 예시적인 것에 불과하며, 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 전술한 설명이 아니라 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다. 비록 본 명세서에 특정한 용어들이 사용되었으나 이는 단지 본 발명의 개념을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 본 발명의 각 단계는 반드시 기재된 순서대로 수행되어야 할 필요는 없고, 병렬적, 선택적 또는 개별적으로 수행될 수 있다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 본질적인 기술사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 형태 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 균등물은 현재 공지된 균등물뿐만 아니라 장래에 개발될 균등물 즉 구조와 무관하게 동일한 기능을 수행하도록 발명된 모든 구성요소를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
110: 기판
120, 230: 제1 전극
130, 220: 제2 전극
120, 230: 제1 전극
130, 220: 제2 전극
Claims (5)
- 기판 상에 형성되는 제1 전극; 및,
상기 제1 전극 상에 형성되되, 상기 제1 전극이 노출되도록 일부면에 형성되는 제2 전극;을 포함하며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 다른 에너지 준위를 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종 접합 광 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 그래핀(graphene)으로 이루어지고,
상기 제2 전극은 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 접합 광 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 인듐 주석 산화물로 이루어지고,
상기 제2 전극은 그래핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 접합 광 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극과 제2 전극은 빛에 노출되는 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 이종 접합 광 센서. - 제1항에 있어서,
상기 기판은,
실리콘(Si), 산화규소(SiO2), 탄화규소(SiC), 게르마늄(Ge), 유리(glass), SOI(Silicon on Insulator), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리스티렌(Poly styrene, PS), 폴리카보네이트(Poly carbonate, PC), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌나프팅레이트(Poly ethylenenaphthalate, PEN) 및 폴리아릴레이트(Poly acrylate, PAR) 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 광 센서.
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