KR20240028176A - Apparatus for inspecting semi-conductor and system comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 기술적 사상은 반도체 소자가 탑재되는 소켓을 복수 개 포함하는 소켓부; 및 상기 소켓과 연결되고, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를 포함하고 상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 스위치들, 서로 다른 상기 복수 개의 스위치들의 입력단과 연결되어, 상기 스위치에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 OR게이트들, 및 서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 복수 개의 출력단을 포함하고, 상기 복수 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스를 포함하는 반도체 소자 검사 장치를 제공한다.The technical idea of the present invention is to include a socket unit including a plurality of sockets on which semiconductor devices are mounted; and a module portion connected to the socket and providing a signal to the socket, wherein the module portion is connected to a different socket and configured to transmit a signal to the socket. The plurality of switches are different from each other. a plurality of OR gates connected to the input terminals of the OR gates and configured to transmit a signal to the switch, and a plurality of output terminals connected to first input terminals of the different OR gates, and transmitting signals to the plurality of OR gates. A semiconductor device inspection device including a demux configured to transmit is provided.
Description
본 발명은 반도체 소자 검사 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 채널 수를 줄여 더 많은 소켓을 포함할 수 있는 반도체 소자 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device inspection device, and more specifically, to a semiconductor device inspection device that can include more sockets by reducing the number of channels.
반도체 소자의 생산에 있어서, 번인 테스트(burn-in test)는 일반적인 사용환경(예컨대 실온)보다 가혹한 조건(예를 들어, 125℃ 이상의 일정한 온도가 유지되는 챔버(chamber)내에서 각 반도체 소자의 특성에 맞게 설계된 번인 보드에 상기 반도체 소자를 장착하고 특정 시간 동안 상기 챔버의 온도를 예를 들어, 125℃ 이상의 일정한 온도로 유지하는 조건)하에서 수명 가속시험(Accelerated life test)을 통하여 일반적인 환경 하에서 보다 좀더 빠르게 반도체 소자의 초기 불량을 검출해 낼 수 있도록 함으로써 반도체 소자를 출하한 후에 발생할 수 있는 반도체 소자에 대한 잠재적인 불량을 검출하는데 그 목적이 있다.In the production of semiconductor devices, a burn-in test is performed to measure the characteristics of each semiconductor device under harsher conditions than the general use environment (e.g., room temperature) (e.g., in a chamber where a constant temperature of 125°C or higher is maintained). By mounting the semiconductor device on a burn-in board designed for The purpose is to detect potential defects in semiconductor devices that may occur after they are shipped by quickly detecting initial defects in semiconductor devices.
그리고, 번인 테스트가 끝난 후에 상기 번인 테스트를 통과한 상기 반도체 소자를 대상으로 동작 테스트가 수행된다. 상기 동작 테스트는 상기 반도체 소자를 어플리케이션 세트((application set) 또는 실장 세트)에 장착한 후 시행되는 테스트를 말한다. 즉, 번인 테스트와 상기 동작 테스트는 서로 분리되어 서로 다른 장치에서 각각 진행된다. 따라서 반도체 소자를 테스트하는 시간이 많이 소요된다.Then, after the burn-in test is completed, an operation test is performed on the semiconductor device that passed the burn-in test. The operation test refers to a test performed after mounting the semiconductor device on an application set (application set) or mounting set. That is, the burn-in test and the operation test are separated from each other and performed in different devices. Therefore, it takes a lot of time to test semiconductor devices.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 소자 별로 신호를 제공할 수 있는 반도체 소자 검사 장치를 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor device inspection device that can provide signals for each semiconductor device.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 소자의 조절을 위한 채널 수를 줄인 반도체 소자 검사 장치를 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor device inspection device with a reduced number of channels for controlling semiconductor devices.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.In addition, the problem to be solved by the technical idea of the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 반도체 소자가 탑재되는 소켓을 복수 개 포함하는 소켓부; 및 상기 소켓과 연결되고, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를 포함하고 상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 스위치들, 서로 다른 상기 복수 개의 스위치들의 입력단과 연결되어, 상기 스위치에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 OR게이트들, 및 서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 복수 개의 출력단을 포함하고, 상기 복수 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스를 포함하는 반도체 소자 검사 장치를 제공한다.In order to solve the above problem, the technical idea of the present invention is to include a socket unit including a plurality of sockets on which semiconductor devices are mounted; and a module portion connected to the socket and providing a signal to the socket, wherein the module portion is connected to a different socket and configured to transmit a signal to the socket. The plurality of switches are different from each other. a plurality of OR gates connected to the input terminals of the OR gates and configured to transmit a signal to the switch, and a plurality of output terminals connected to first input terminals of the different OR gates, and transmitting signals to the plurality of OR gates. A semiconductor device inspection device including a demux configured to transmit is provided.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 반도체 소자가 탑재되는 소켓을 2N 개 포함하는 소켓부; 및 상기 소켓과 연결되고, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를 포함하고 상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 2N 개의 스위치들, 서로 다른 상기 2N 개의 스위치들의 입력단과 적어도 하나 연결되어, 상기 2N 개의 스위치들에 신호를 전달하도록 구성된 2N 개의 OR게이트들, 및 서로 다른 상기 2N 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 2N 개의 출력단을 포함하고, 상기 2N 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스, 상기 2N 개의 OR게이트들의 제2 입력단과 연결되어, 상기 2N 개의 OR게이트에 동일한 신호를 전달하는 제1 채널, 및 상기 디먹스의 서로 다른 입력단과 연결되어 신호를 전달하는 N개의 제2 채널들을 포함하고, 상기 디먹스는 2N 개의 출력값들을 형성하여, 상기 2N 개의 출력값들을 서로 다른 상기 OR게이트의 제1 입력단에 전달하고, 상기 2N 개의 OR게이트들은 서로 다른 상기 스위치와 연결되고, 상기 2N 개의 스위치들은 서로 다른 상기 소켓과 연결되고, N은 2이상의 정수임을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치를 제공한다.In order to solve the above problem, the technical idea of the present invention is to include a socket unit including 2 N sockets on which semiconductor devices are mounted; and a module part connected to the socket and providing a signal to the socket; wherein the module part is connected to different sockets and configured to transmit signals to the sockets, 2 N switches, the 2 N different switches 2 N OR gates connected to at least one input terminal of the switches and configured to transmit signals to the 2 N switches , and 2 N output terminals connected to the first input terminals of the different 2 N OR gates. A demux configured to transmit a signal to the 2N OR gates, a first channel connected to a second input terminal of the 2N OR gates and transmitting the same signal to the 2N OR gates, and It includes N second channels connected to different input terminals of the demux to transmit signals, and the demux forms 2 N output values, and the 2 N output values are connected to different first input terminals of the OR gate. and the 2 N OR gates are connected to different switches, the 2 N switches are connected to different sockets, and N is an integer of 2 or more.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 호스트로부터 입력받은 테스트 신호의 전압 크기와, 내부 온도를 조절할 수 있는 번인 챔버; 및 상기 번인 챔버 내에 장착되어, 상기 번인 챔버로부터 상기 테스트 신호를 입력받는 번인 보드;를 포함하되, 상기 번인 보드는 반도체 소자가 탑재되는 소켓을 복수 개 포함하는 소켓부; 및 상기 소켓과 연결되며, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를 포함하고 상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 스위치들, 서로 다른 상기 복수 개의 스위치들의 입력단과 연결되어, 상기 스위치에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 OR게이트들, 및 서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 복수 개의 출력단을 포함하고, 상기 복수 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 시스템을 제공한다.In order to solve the above problem, the technical idea of the present invention is to include a burn-in chamber capable of controlling the voltage magnitude of the test signal input from the host and the internal temperature; and a burn-in board mounted in the burn-in chamber and receiving the test signal from the burn-in chamber, wherein the burn-in board includes a socket portion including a plurality of sockets on which semiconductor devices are mounted. and a module portion connected to the socket and providing a signal to the socket, wherein the module portion is connected to a different socket and configured to transmit a signal to the socket. The plurality of switches are different from each other. a plurality of OR gates connected to the input terminals of the OR gates and configured to transmit a signal to the switch, and a plurality of output terminals connected to first input terminals of the different OR gates, and transmitting signals to the plurality of OR gates. Provided is a semiconductor device inspection system comprising a demux configured to transmit.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자 검사 장치는, 반도체 소자 개별 또는 전체로 신호를 제공할 수 있어 반도체 소자 검사시 보다 정확한 검사값을 얻을 수 있다.The semiconductor device inspection device according to the technical idea of the present invention can provide signals to each or all semiconductor devices, so that more accurate inspection values can be obtained when inspecting semiconductor devices.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자 검사 장치는, 반도체 소자 별로 할당된 스위치를 제어하기 위한 채널 수가 적어 하나의 보드당 탑재하는 소켓의 수가 증가할 수 있다.In the semiconductor device inspection device according to the technical idea of the present invention, the number of channels for controlling switches allocated to each semiconductor device is small, so the number of sockets mounted on one board can be increased.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 반도체 검사 장치의 디먹스의 진리표의 예를 보인다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 작동 모습을 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 작동 모습을 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 7은 도 6의 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram schematically showing a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram schematically showing the semiconductor inspection device of FIG. 1.
FIG. 3 shows an example of a truth table of demux of the semiconductor inspection device of FIG. 1.
Figure 4 is a circuit diagram schematically showing the operation of a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a circuit diagram schematically showing the operation of a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a block diagram schematically showing a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a circuit diagram schematically showing the semiconductor inspection device of FIG. 6.
8 is a block diagram schematically showing a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.
본 실시 예들은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 일부 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 실시예들을 특정한 개시형태에 대해 한정하려는 의도가 아니다.Since these embodiments can be subject to various changes and have various forms, some embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present embodiments to the specific disclosure form.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다. 도 2는 도 1의 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 회로도이다.1 is a block diagram schematically showing a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram schematically showing the semiconductor inspection device of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 검사 장치는 소켓부 및 모듈부를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2 , a semiconductor inspection device may include a socket portion and a module portion.
소켓부(200)는 복수 개의 소켓(210)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 소켓부(200)는 A x B의 격자형으로 배열된 복수 개의 소켓(210)을 포함할 수 있다. 소켓(210)은 반도체 소자가 탑재될 수 있다. 소켓부(200)는 복수 개의 소켓(210)을 각각 전기적으로 연결하는 금속 배선을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 소켓부(200)는 16 x 16의 격자형으로 256개의 소켓(210)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 소켓부(200)는 20 x 16의 격자형으로 320개의 소켓(210)을 포함할 수 있다.The
모듈부(100)는 복수 개의 스위치들(110), 복수 개의 OR게이트들(120), 디먹스(130), 제1 채널(140), 복수 개의 제2 채널들(150)을 포함할 수 있다.The
모듈부(100)의 복수 개의 스위치들(110)은 소켓(210)과 연결될 수 있다. 구체적으로 스위치의 출력단은 소켓(210)의 입력단과 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 스위치의 개수와 소켓(210)의 개수는 동일할 수 있다. 복수 개의 스위치들(110)은 서로 다른 소켓(210)과 연결될 수 있다. 다시 말해, 소켓(210)마다 스위치가 연결되어, 복수 개의 소켓(210)을 개별적으로 조절할 수 있다. 일 실시예에서, 스위치에 HIGH 신호가 입력되는 경우, 소켓(210)에 HIGH 신호가 전달될 수 있다. 스위치에 LOW 신호가 입력되는 경우, 소켓(210)에 LOW 신호가 전달될 수 있다.A plurality of
모듈부(100)의 복수 개의 OR게이트들(120)은 복수 개의 스위치들(110)과 연결될 수 있다. 구체적으로 복수 개의 OR게이트들(120)은 서로 다른 복수 개의 스위치들(110)과 연결될 수 있다. 다시 말해 OR게이트의 출력단과 스위치의 입력단은 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, OR게이트의 개수와 스위치의 개수는 동일할 수 있다.A plurality of
모듈부(100)의 복수 개의 OR게이트들(120)은 각각 제1 입력단 및 제2 입력단을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, OR게이트의 제1 입력단 또는 제2 입력단에 HIGH 신호가 입력되면, OR게이트는 스위치의 입력단에 HIGH 신호를 전달할 수 있다. OR게이트는 제1 입력단 및 제2 입력단에서 LOW신호를 입력받으면, 스위치의 입력단에 LOW신호를 전달할 수 있다.The plurality of
모듈부(100)의 제1 채널(140)은 모듈부의 OR게이트와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 채널(140)은 복수 개의 OR게이트들(120)과 연결될 수 있다. 다시 말해, 제1 채널(140)은 복수 개의 OR게이트들(120)의 제2 입력단과 연결될 수 있다. 제1 채널(140)은 HIGH 신호 또는 LOW 신호를 복수 개의 OR게이트들(120)에 입력할 수 있다. 즉, 제1 채널(140)은 동일한 신호를 모든 OR게이트에 입력할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 채널(140)이 HIGH 신호를 복수 개의 OR게이트들(120)에 입력하면, 복수 개의 OR게이트들(120)은 모두 HIGH 신호를 출력하여, 스위치를 통해 모든 소켓(210)에 HIGH 신호가 전달될 수 있다.The
모듈부(100)의 디먹스(130)는 복수 개의 OR게이트들(120)과 연결될 수 있다. 구체적으로, 디먹스(130)의 복수 개의 출력단은 복수 개의 OR게이트들(120)의 제1 입력단과 연결될 수 있다. 즉, 디먹스(130)의 복수 개의 출력단은 서로 다른 복수 개의 OR게이트들(120)의 제1 입력단과 연결될 수 있다.The
모듈부(100)의 복수 개의 제2 채널들(150)은 모듈부(100)의 디먹스(130)와 연결될 수 있다. 다시 말해, 복수 개의 제2 채널들(150)은 디먹스(130)의 서로 다른 입력단과 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 채널의 개수는 디먹스(130)의 입력단의 개수와 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 복수 개의 제2 채널들(150)은 서로 다른 신호를 디먹스(130)에 입력할 수 있다. 제2 채널들을 통해 입력된 신호에 따라 디먹스는 다른 출력값을 형성할 수 있다. 디먹스의 출력값에 대해 보다 구체적으로 도 3에서 후술하도록 한다.The plurality of
모듈부(100)는 복수 개의 서브 모듈을 포함할 수 있다. 예를 들어, 소켓부가 A x B 격자형으로 배열된 경우, 모듈부는 B개의 서브 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 서브 모듈은 소켓부의 제1 열에 배열된 소켓을 제어하고, 제2 서브 모듈은 제2 열에 배열된 소켓을 제어할 수 있다. 일부 실시예에서, 서브 모듈은 복수 개의 스위치, 복수 개의 OR게이트, 디먹스, 제1 채널, 제2 채널을 포함할 수 있다. 서브 모듈을 통해 복수 개의 소켓들이 배치된 열에 서로 다른 신호를 전달할 수 있다. 즉, 하나의 열에 배치된 복수 개의 소켓은 동일한 제1 채널의 신호를 받을 수 있다. 다시 말해, 서로 다른 열에 배치된 소켓들은 다른 제1 채널의 신호를 받을 수 있다.The
본 발명의 반도체 소자 검사 장치는 스위치를 통해 개별적으로 소켓을 조절할 수 있어, 개별적으로 반도체 소자의 검사를 진행할 수 있다. 따라서, 다른 요소에 의한 검사의 오류가 생기는 경우를 방지할 수 있다. 즉, 오작동하는 반도체 소자가 있는 경우, 오작동하는 반도체 소자의 검사 데이터를 전송할 때 정상 작동하는 반도체 소자의 결과에 영향을 미치는 현상을 방지할 수 있다.The semiconductor device inspection device of the present invention can individually control sockets through a switch, allowing individual inspection of semiconductor devices. Therefore, it is possible to prevent inspection errors caused by other factors. That is, if there is a malfunctioning semiconductor device, it is possible to prevent a phenomenon that affects the results of a normally operating semiconductor device when transmitting inspection data of the malfunctioning semiconductor device.
본 발명의 반도체 소자 검사 장치는 디먹스를 통해 복수 개의 소켓을 조절하기 위한 채널의 수를 줄일 수 있다. 디먹스를 통해 N개의 채널로 2N개의 소켓을 조절할 수 있어, 소켓을 조절하기 위한 채널 수가 줄어들 수 있다. 동일한 채널을 통해 조절할 수 있는 소켓의 수가 증가하여, 소켓부에 위치시킬 수 있는 소켓의 수가 증가할 수 있다.The semiconductor device inspection device of the present invention can reduce the number of channels for controlling a plurality of sockets through demux. Through demux, 2 N sockets can be controlled with N channels, so the number of channels for controlling sockets can be reduced. As the number of sockets that can be controlled through the same channel increases, the number of sockets that can be placed in the socket unit can increase.
본 발명의 반도체 소자 검사 장치는 OR게이트를 통해 복수 개의 소켓을 전체 또는 일부분만 조절할 수 있다. 즉, OR게이트에 동일한 신호를 입력할 수 있는 채널을 연결하여, 복수 개의 소켓들이 동시에 HIGH 신호를 전달받게 할 수 있다.The semiconductor device inspection device of the present invention can control all or only a portion of a plurality of sockets through an OR gate. In other words, by connecting a channel that can input the same signal to the OR gate, a plurality of sockets can receive a HIGH signal at the same time.
도 3은 도 1의 반도체 검사 장치의 디먹스의 진리표의 예를 보인다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 작동 모습을 개략적으로 나타내는 회로도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 작동 모습을 개략적으로 나타내는 회로도이다.FIG. 3 shows an example of a truth table of demux of the semiconductor inspection device of FIG. 1. Figure 4 is a circuit diagram schematically showing the operation of a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention. Figure 5 is a circuit diagram schematically showing the operation of a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 반도체 검사 장치는 소켓부 및 모듈부를 포함할 수 있다. 도 3 내지 도 5를 참조하여, 구체적인 소켓의 수를 포함하는 반도체 검사 장치에 대해 설명한다. 앞서 도 1에서 설명한 반도체 검사 장치와 중복된 내용을 생략하고, 차이점 위주로 설명한다.Referring to FIGS. 3 to 5 , the semiconductor inspection device may include a socket portion and a module portion. With reference to FIGS. 3 to 5 , a semiconductor inspection device including a specific number of sockets will be described. Content that overlaps with the semiconductor inspection device previously described in FIG. 1 will be omitted, and the description will focus on differences.
소켓부는 2N 개의 소켓을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 소켓부(200)는 A x B의 격자형으로 배열된 2N 개의 소켓(210)을 포함할 수 있다. 소켓(210)은 반도체 소자가 탑재될 수 있다. 소켓부(200)는 2N 개의 소켓(210)을 각각 전기적으로 연결하는 금속 배선을 포함할 수 있다.The socket portion may include 2 N sockets. In one embodiment, the
모듈부(100)는 2N 개의 스위치들(110), 2N 개의 OR게이트들(120), 디먹스(130), 제1 채널(140), N개의 제2 채널(150)을 포함할 수 있다. N은 2이상의 정수일 수 있다.The
모듈부(100)의 2N 개의 스위치들(110)은 소켓(210)과 연결될 수 있다. 구체적으로 스위치의 출력단은 소켓(210)의 입력단과 연결될 수 있다. 2N 개의 스위치들(110)은 서로 다른 소켓(210)과 연결될 수 있다. 다시 말해, 소켓(210)마다 스위치가 연결되어, 2N 개의 소켓(210)을 개별적으로 조절할 수 있다.The 2N
모듈부(100)의 2N 개의 OR게이트들(120)은 2N 개의 스위치들(110)과 연결될 수 있다. 구체적으로 2N 개의 OR게이트들(120)은 서로 다른 2N 개의 스위치들(110)과 연결될 수 있다. 다시 말해 OR게이트의 출력단과 스위치의 입력단은 연결될 수 있다.The 2N OR
모듈부(100)의 제1 채널(140)은 모듈부의 OR게이트와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 채널(140)은 2N 개의 OR게이트들(120)과 연결될 수 있다. 다시 말해, 제1 채널(140)은 2N 개의 OR게이트들(120)의 제2 입력단과 연결될 수 있다. 즉, 제1 채널(140)은 동일한 신호를 2N 개의 OR게이트들에 입력할 수 있다.The
모듈부(100)의 디먹스(130)는 2N 개의 OR게이트들(120)과 연결될 수 있다. 구체적으로, 디먹스(130)의 2N 개의 출력단은 2N 개의 OR게이트들(120)의 제1 입력단과 연결될 수 있다. 즉, 디먹스(130)의 2N 개의 출력단은 서로 다른 2N 개의 OR게이트들(120)의 제1 입력단과 연결될 수 있다.The
모듈부(100)의 N 개의 제2 채널들(150)은 모듈부(100)의 디먹스(130)와 연결될 수 있다. 다시 말해, N 개의 제2 채널들(150)은 디먹스(130)의 서로 다른 입력단과 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, N 개의 제2 채널들(150)은 서로 다른 신호를 디먹스(130)에 입력할 수 있다. N 개의 제2 채널들(150)을 통해 입력된 신호에 따라 디먹스(130)는 2N 개의 출력값을 형성할 수 있다. 디먹스(130)는 2N 개의 출력값을 서로 다른 2N 개의 OR게이트들(120)의 제1 입력단에 전달할 수 있다.The N
도 3은 N이 4인 경우 디먹스(130)의 진리표를 나타내는 예시이다. 도 3에 따르면, 4개의 제2 채널들(150)은 디먹스(130)의 입력단과 연결될 수 있다. 4개의 제2 채널들(150)을 통해 입력된 신호에 따라, 디먹스(130)는 디먹스(130)의 16개의 출력단 중 하나의 출력단에서 HIGH 신호를 OR게이트에 전달할 수 있다. 즉, 모듈부(100)는 4개의 채널을 통해 16개의 소켓을 개별적으로 조절할 수 있다. 다시 말해, 동일한 채널 개수를 통해 많은 소켓을 개별적으로 조절할 수 있다.Figure 3 is an example showing the truth table of the
도 4는 제1 채널(140)이 OR게이트에 LOW 신호를 전달하는 경우의 반도체 소자 검사 장치의 작동 모습을 나타낸다. 도 5는 제1 채널(140)이 OR게이트에 HIGH 신호를 전달하는 경우의 반도체 소자 검사 장치의 작동 모습을 나타낸다.Figure 4 shows the operation of the semiconductor device inspection device when the
일 실시예에서, OR게이트는 하나의 입력단에 HIGH 신호가 입력되면, 출력단에서 HIGH 신호를 출력할 수 있다. 따라서, OR게이트의 제2 입력단과 연결된 제1 채널(140)이 동일한 HIGH 신호를 16개의 OR게이트들(120)에 전달하면, 16개의 OR게이트들은 서로 다른 스위치들(110)에 HIGH 신호를 전달하여, 모든 소켓(210)에 HIGH 신호를 전달할 수 있다. In one embodiment, the OR gate can output a HIGH signal from the output terminal when a HIGH signal is input to one input terminal. Therefore, when the
일 실시예에서, OR게이트는 하나의 입력단에 LOW 신호가 입력되면, 타 입력단에서 입력된 신호에 따라 OR게이트의 출력 신호는 달라질 수 있다. 구체적으로, 제1 채널(140)에서 OR게이트의 제2 입력단에 LOW 신호를 전달하면, 디먹스(130)와 연결된 OR게이트의 제1 입력단에 전달되는 신호에 따라 OR게이트의 출력 신호가 달라질 수 있다. 다시 말해, 제1 채널(140)에서 OR게이트의 제2 입력단에 LOW 신호를 전달하면, 모듈부(100)는 디먹스(130)를 통해 16개의 OR게이트들(120)을 개별적으로 조절할 수 있다. 즉, 모듈부(100)는 제1 채널(140) 및 복수 개의 OR게이트들(120)을 통해 복수 개의 소켓(210)의 전부 또는 개별적으로 조절할 수 있다.In one embodiment, when a LOW signal is input to one input terminal of the OR gate, the output signal of the OR gate may vary depending on the signal input from the other input terminal. Specifically, when a LOW signal is transmitted from the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다. 도 7은 도 6의 반도체 검사 장치를 개략적으로 나타내는 회로도이다.Figure 6 is a block diagram schematically showing a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a circuit diagram schematically showing the semiconductor inspection device of FIG. 6.
도 6 및 도 7을 참조하면, 반도체 검사 장치는 소켓부 및 모듈부를 포함할 수 있다. 도 6의 반도체 검사 장치와 앞서 설명한 도 1의 반도체 검사 장치와 중복된 부분을 생략하고, 차이점 위주로 설명한다.Referring to FIGS. 6 and 7 , the semiconductor inspection device may include a socket portion and a module portion. Overlapping parts between the semiconductor inspection device of FIG. 6 and the semiconductor inspection device of FIG. 1 described above will be omitted, and the description will focus on the differences.
모듈부(100)는 복수 개의 스위치들(110), 복수 개의 OR게이트들(120), 디먹스(130), 제1 채널(140), 복수 개의 제2 채널들(150), 조절기(160)를 포함할 수 있다.The
모듈부(100)의 조절기(160)는 제1 시간을 보정할 수 있다. 제1 시간은 제1 채널(140) 또는 제2 채널(150)을 통해 입력된 신호가 소켓(210)에 전달될 때까지 걸리는 시간일 수 있다. 다시 말해, 모듈부(100)는 조절기(160)를 통해 입력된 신호가 소켓(210)에 전달될 때까지 걸리는 시간을 보정할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 채널들(150)을 통해 입력된 신호는 디먹스(130), OR게이트(120), 스위치(110)를 통해 소켓(210)에 전달되기 때문에 입력된 신호가 소켓(210)에 전달되는 딜레이가 발생할 수 있다. 또한 제1 채널(140)을 통해 입력된 신호는 OR게이트(120), 스위치(110)를 통해 소켓(210)에 전달되기 때문에 입력된 신호가 소켓에 전달되는 딜레이가 발생할 수 있다. 이렇게 제1 채널(140) 또는 제2 채널(150)을 통해 입력된 신호에 발생한 딜레이를 측정하여, 모듈부(100)는 조절기(160)를 통해 신호 딜레이인 제1 시간을 보상할 수 있다. 반도체 검사 장치는 조절기(160)를 통해 딜레이를 보상하여 정확한 검사 결과값을 얻을 수 있다.The
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 시스템(1000)을 개략적으로 나타내는 블록도이다.Figure 8 is a block diagram schematically showing a semiconductor inspection system 1000 according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 반도체 검사 시스템은 번인 챔버, 번인 보드 및 호스트를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, a semiconductor inspection system may include a burn-in chamber, a burn-in board, and a host.
도 8을 참조하면, 번인 챔버(1200)는 복수의 번인 보드(Burn-In Board; BIB)가 장착될 수 있다. 번인 챔버(1200)는 호스트(1300)로부터 입력 받은 테스트 신호의 전압 크기를 조절하고, 번인 챔버 내부의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 번인 챔버(1200)는 번인 테스트 모드에서, 내부 온도를 상온보다 높게 설정할 수 있다. 또한, 번인 챔버(1200)는, 번인 보드(1100)에 고온 또는 고전압을 인가하는 번인 테스트 모드에서, 호스트(1300)로부터 수신한 테스트 신호를 번인 보드(1100)에 제공할 수 있다. 본 발명의 번인 챔버(1200)는, 번인 테스트 모드 내에서, 번인 보드(1100)의 소켓에 연결된 복수의 반도체 장치(Device Under Test; 이하 DUT)에 대해 동작 테스트를 수행할 수 있다. 이어서, 번인 챔버(1200)는 상기 테스트 신호에 대한 출력값을 호스트(1300)에 전달할 수 있다.Referring to FIG. 8, the burn-in
번인 챔버(1200)는 번인 보드(1100)에 고온, 고전압과 같은 심한 스트레스를 가함으로써 초기 불량 도달시점을 인위적으로 앞당기는 과정에서 발생된 불량 반도체 칩을 선별할 수 있다. 또한, 이러한 심한 스트레스가 번인 보드(1100)에 인가되는 동안, 번인 보드(1100)의 소켓에 연결된 복수의 DUT에 테스트 신호를 전달하여 동작 테스트를 수행할 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 번인 챔버(1200)는 반도체 소자를 테스트하는데 소비되는 시간을 감소시키고, 상기 반도체 소자를 테스트하는데 소비되는 비용 또한 절감할 수 있다.The burn-in
호스트(1300)는 번인 챔버(1200) 내의 번인 보드(1100)에 장착된 복수의 DUT를 테스트하기 위한 테스트 신호를 번인 보드(1100)에 제공할 수 있다.The
호스트(1300)는 연산부, 신호 출력부, 컨트롤러를 포함한다. 연산부는 커맨드를 처리하는 중앙처리장치(CPU) 또는 현장 프로그래머블 게이트 어레이(Field Programmable Gate Arrary; 이하 FPGA)를 포함할 수 있다. FPGA는 프로그래머블 논리 블록과 프로그래밍가능 내부선이 포함된 반도체 소자이다. 프로그래머블 논리 블록은 AND, OR, XOR, NOT, 또는 더 복잡한 디코더 나 계산기능의 조합 기능 같은 기본적인 논리 게이트의 기능을 복제하여 프로그래밍할 수 있다. 연산부는 테스트 신호를 생성하여 신호 출력부에 전달한다. 테스트 신호는 어드레스(Address), 데이터(Data), 및 커맨드(command)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The
신호 출력부는 연산부로부터 수신한 테스트 신호를 변환하여 번인 보드(1100)에 전달할 수 있다. 예를 들어, 신호 출력부는 수신한 테스트 신호를 VOH와 VOL 사이의 전압 크기를 갖도록 변환하여 번인 보드(1100)에 제공할 수 있다. 또한, 신호 출력부는 테스트 신호에 포함된 어드레스(Address), 데이터(Data), 및 커맨드(command)를 각각 분리하여 처리한 뒤, 번인 보드(1100)에 제공할 수 있다.The signal output unit may convert the test signal received from the calculation unit and transmit it to the burn-in
컨트롤러는 연산부의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러는 연산부에서 적절한 테스트 신호를 생성할 수 있도록 명령을 전달하고, 번인 보드(1100)로부터 나온 출력값을 분석하도록 연산부를 제어할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The controller can control the operation of the calculation unit. For example, the controller may control the calculation unit to transmit commands so that the calculation unit can generate an appropriate test signal and analyze the output value from the burn-in
번인 보드(1100)는 모듈부(100)와 소켓부(200)를 포함할 수 있다. 도 8의 반도체 검사 시스템의 모듈부(100) 및 소켓부(200)는 앞서 설명한 도 1의 반도체 검사 장치(10)와 중복되어 설명을 생략한다. 번인 보드는 번인 챔버에 탑재될 수 있다. 번인 챔버는 번인 보드를 탑재할 수 있는 슬롯을 포함할 수 있다. 번인 챔버는 복수 개의 슬롯을 포함할 수 있다.The burn-in
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.So far, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. will be. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.
10: 반도체 소자 검사 장치
1000: 반도체 소자 검사 시스템
100: 모듈부
110: 스위치
120: OR게이트
130: 디먹스
140: 제1 채널
150: 제2 채널
160: 조절기
200: 소켓부
210: 소켓
1100: 번인 보드
1200: 번인 챔버
1300: 호스트10: Semiconductor device inspection device 1000: Semiconductor device inspection system
100: module part 110: switch
120: OR gate 130: Demux
140: 1st channel 150: 2nd channel
160: regulator 200: socket portion
210: Socket 1100: Burn-in board
1200: Burn-in chamber 1300: Host
Claims (10)
상기 소켓과 연결되고, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를
포함하고
상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 스위치들,
서로 다른 상기 복수 개의 스위치들의 입력단과 연결되어, 상기 스위치에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 OR게이트들, 및
서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 복수 개의 출력단을 포함하고, 상기 복수 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스를
포함하는 반도체 소자 검사 장치.A socket portion including a plurality of sockets on which semiconductor devices are mounted; and
a module unit connected to the socket and providing a signal to the socket;
including
The module unit is connected to different sockets and includes a plurality of switches configured to transmit signals to the sockets,
A plurality of OR gates connected to different input terminals of the plurality of switches and configured to transmit signals to the switches, and
A demux comprising a plurality of output terminals connected to first input terminals of the plurality of different OR gates, and configured to transmit signals to the plurality of OR gates.
A semiconductor device inspection device including:
상기 소켓과 상기 복수 개의 스위치들의 개수는 동일하고,
상기 복수 개의 스위치들은 서로 다른 상기 소켓과 연결되는 것을
특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.According to claim 1,
The number of sockets and the plurality of switches is the same,
The plurality of switches are connected to different sockets.
A semiconductor device inspection device characterized by:
상기 복수 개의 스위치들과 상기 복수 개의 OR게이트들의 개수는 동일하고,
상기 모듈부는 상기 복수 개의 OR게이트들의 제2 입력단과 연결되어, 상기 복수 개의 OR 게이트들에 동일한 신호를 전달하는 제1 채널을 포함하고,
상기 복수 개의 OR게이트들은 서로 다른 상기 스위치와 연결되어, 신호를 전달하는 것을
특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.According to claim 1,
The number of the plurality of switches and the plurality of OR gates are the same,
The module unit includes a first channel connected to second input terminals of the plurality of OR gates and transmitting the same signal to the plurality of OR gates,
The plurality of OR gates are connected to different switches to transmit signals.
A semiconductor device inspection device characterized by:
상기 모듈부는 상기 디먹스의 서로 다른 입력단과 연결되어, 신호를 전달하는 복수 개의 제2 채널들을 포함하고,
상기 디먹스는 상기 복수 개의 제2 채널들을 통해 입력된 신호에 따라 복수 개의 출력값들을 형성하고, 상기 복수 개의 출력값들을 서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단에 전달하는 것을
특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.According to claim 1,
The module unit is connected to different input terminals of the demux and includes a plurality of second channels for transmitting signals,
The demux forms a plurality of output values according to signals input through the plurality of second channels, and transmits the plurality of output values to the first input terminals of the plurality of different OR gates.
A semiconductor device inspection device characterized by:
상기 모듈부는 상기 제2 채널을 N개 포함하고,
상기 디먹스는 2N 개의 출력값을 형성하고,
N은 2이상의 정수임을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.According to clause 4,
The module unit includes N second channels,
The demux forms 2 N output values,
A semiconductor device inspection device wherein N is an integer of 2 or more.
상기 모듈부는 상기 복수 개의 OR게이트들의 제2 입력단과 연결되는 제1 채널; 및
상기 디먹스의 서로 다른 입력단과 연결되는 복수 개의 제2 채널;을 포함하고,
상기 모듈부는 상기 제1 채널 또는 상기 제2 채널을 통해 입력되는 신호가 상기 소켓에 전달되는 제1 시간을 보정하는 조절기;를
포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.According to claim 1,
The module unit includes a first channel connected to second input terminals of the plurality of OR gates; and
A plurality of second channels connected to different input terminals of the demux,
The module unit includes a controller that corrects a first time at which a signal input through the first channel or the second channel is transmitted to the socket;
A semiconductor device inspection device comprising:
상기 소켓과 연결되고, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를
포함하고
상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 2N 개의 스위치들,
서로 다른 상기 2N 개의 스위치들의 입력단과 적어도 하나 연결되어, 상기 2N 개의 스위치들에 신호를 전달하도록 구성된 2N 개의 OR게이트들, 및
서로 다른 상기 2N 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 2N 개의 출력단을 포함하고, 상기 2N 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스,
상기 2N 개의 OR게이트들의 제2 입력단과 연결되어, 상기 2N 개의 OR게이트에 동일한 신호를 전달하는 제1 채널, 및
상기 디먹스의 서로 다른 입력단과 연결되어 신호를 전달하는 N개의 제2 채널들을
포함하고,
상기 디먹스는 2N 개의 출력값들을 형성하여, 상기 2N 개의 출력값들을 서로 다른 상기 OR게이트의 제1 입력단에 전달하고,
상기 2N 개의 OR게이트들은 서로 다른 상기 스위치와 연결되고,
상기 2N 개의 스위치들은 서로 다른 상기 소켓과 연결되고,
N은 2이상의 정수임을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.A socket portion including 2 N sockets on which semiconductor devices are mounted; and
a module unit connected to the socket and providing a signal to the socket;
including
The module unit is connected to different sockets and includes 2 N switches configured to transmit signals to the sockets,
2 N OR gates connected to at least one input terminal of the 2 N switches and configured to transmit a signal to the 2 N switches , and
A demux comprising 2 N output terminals connected to first input terminals of the 2 N OR gates, and configured to transmit signals to the 2 N OR gates,
A first channel connected to the second input terminal of the 2 N OR gates and transmitting the same signal to the 2 N OR gates, and
N second channels connected to different input terminals of the demux to transmit signals
Contains,
The demux forms 2 N output values and transmits the 2 N output values to different first input terminals of the OR gate,
The 2 N OR gates are connected to different switches,
The 2 N switches are connected to different sockets,
A semiconductor device inspection device wherein N is an integer of 2 or more.
상기 번인 챔버 내에 장착되어, 상기 번인 챔버로부터 상기 테스트 신호를 입력받는 번인 보드;를
포함하되,
상기 번인 보드는 반도체 소자가 탑재되는 소켓을 복수 개 포함하는 소켓부; 및
상기 소켓과 연결되며, 상기 소켓에 신호를 제공하는 모듈부;를 포함하고
상기 모듈부는 서로 다른 상기 소켓과 연결되어, 상기 소켓에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 스위치들,
서로 다른 상기 복수 개의 스위치들의 입력단과 연결되어, 상기 스위치에 신호를 전달하도록 구성된 복수 개의 OR게이트들, 및
서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단과 연결되는 복수 개의 출력단을 포함하고, 상기 복수 개의 OR게이트들에 신호를 전달하도록 구성된 디먹스를
포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 시스템.a burn-in chamber capable of controlling the voltage level of the test signal input from the host and the internal temperature; and
a burn-in board mounted in the burn-in chamber and receiving the test signal from the burn-in chamber;
Including,
The burn-in board includes a socket portion including a plurality of sockets on which semiconductor devices are mounted; and
It is connected to the socket and includes a module unit that provides a signal to the socket.
The module unit is connected to different sockets and includes a plurality of switches configured to transmit signals to the sockets,
A plurality of OR gates connected to different input terminals of the plurality of switches and configured to transmit signals to the switches, and
A demux comprising a plurality of output terminals connected to first input terminals of the plurality of different OR gates, and configured to transmit signals to the plurality of OR gates.
A semiconductor device inspection system comprising:
상기 번인 챔버는 복수 개의 슬롯들을 포함하고,
상기 복수 개의 슬롯들은 상기 번인 보드가 결합하도록 구성된 것을
특징으로 하는 반도체 소자 검사 시스템.According to clause 8,
The burn-in chamber includes a plurality of slots,
The plurality of slots are configured to be combined with the burn-in board.
Features a semiconductor device inspection system.
상기 소켓부는 2N 개의 소켓들을 포함하고,
상기 모듈부는 2N 개의 상기 스위치 및 2N 개의 상기 OR게이트를 포함하고,
상기 모듈부는 상기 복수 개의 OR게이트들의 제2 입력단과 연결되어, 상기 복수 개의 OR게이트에 동일한 신호를 전달하는 제1 채널 및
상기 디먹스의 서로 다른 입력단과 연결되어 신호를 전달하는 N개의 제2 채널들을 포함하고,
상기 디먹스는 2N개의 출력값들을 형성하여, 상기 2N 개의 출력값들을 서로 다른 상기 복수 개의 OR게이트들의 제1 입력단에 전달하고,
상기 복수 개의 OR게이트들은 서로 다른 상기 스위치에 연결되고,
상기 복수 개의 스위치들은 서로 다른 상기 소켓에 연결되고,
N은 2이상의 정수임을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 시스템.
According to clause 8,
The socket portion includes 2 N sockets,
The module unit includes 2 N switches and 2 N OR gates,
The module unit is connected to the second input terminal of the plurality of OR gates and transmits the same signal to the plurality of OR gates, and
Includes N second channels connected to different input terminals of the demux to transmit signals,
The demux forms 2 N output values and transmits the 2 N output values to first input terminals of the plurality of different OR gates,
The plurality of OR gates are connected to different switches,
The plurality of switches are connected to different sockets,
A semiconductor device inspection system wherein N is an integer of 2 or more.
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