KR20240026123A - Polyamic acid, polyimide and their uses - Google Patents

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히로유키 와쿠이
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도요보 가부시키가이샤
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Abstract

적어도 카르복실산류, 디아민류 및 실세스퀴옥산 유도체의 공중합 반응물인 폴리아미드산이며, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 디카르복실산 무수물기 또는 2개 이상의 아미노기를 갖고, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수가 특정 범위(예컨대 상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 디카르복실산 무수물기를 갖는 경우, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수가 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 상기 카르복실산류에 유래하는 구조 단위의 몰수와의 합계에 대하여 0.0001배 이상 0.09배 이하)에 있는 폴리아미드산. It is a polyamic acid that is a copolymerization product of at least carboxylic acids, diamines, and silsesquioxane derivatives, and the silsesquioxane derivative has two or more dicarboxylic anhydride groups or two or more amino groups, and the silsesquioxane derivative The number of moles of structural units derived from the oxane derivative is within a certain range (for example, when the silsesquioxane derivative has the two or more dicarboxylic acid anhydride groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative is set to A polyamic acid that is at least 0.0001 times and not more than 0.09 times the total number of moles of structural units derived from the sesquioxane derivative and the number of moles of structural units derived from the above-mentioned carboxylic acids.

Description

폴리아미드산, 폴리이미드 및 그 용도Polyamic acid, polyimide and their uses

본 발명은, 실세스퀴옥산 화합물을 공중합 성분으로서 포함하는 폴리아미드산, 이것을 이미드화하여 이루어지는 폴리이미드 및 그 용도에 관한 것이며, 그 용도로서는 예컨대 폴리이미드 필름, 그 적층체, 플렉시블 전자 디바이스 등을 들 수 있다. The present invention relates to a polyamic acid containing a silsesquioxane compound as a copolymerization component, a polyimide obtained by imidating the same, and uses thereof, such as polyimide films, laminates thereof, flexible electronic devices, etc. I can hear it.

폴리이미드 필름은 우수한 내열성, 양호한 기계 특성을 갖고, 게다가 플렉시블한 소재로서 전기 및 전자 분야에서 널리 사용되고 있다. 그러나, 일반적인 폴리이미드 필름은 황갈색으로 착색되어 있기 때문에, 표시 장치 등의 빛의 투과가 필요한 부분에 적용할 수는 없다. Polyimide film has excellent heat resistance and good mechanical properties, and is widely used in the electrical and electronic fields as a flexible material. However, since general polyimide films are colored yellow-brown, they cannot be applied to areas that require light transmission, such as display devices.

한편, 표시 장치는 박형화, 경량화가 진행되고, 더구나 플렉시블화가 요구되고 있다. 그 때문에 기판 재료를 유리 기판으로부터 플렉시블한 고분자 필름 기판으로 바꾸려고 하는 시도가 진행되고 있다. 그러나, 착색된 폴리이미드 필름은, 광선 투과를 ON/OFF함으로써 표시를 실행하는 액정 디스플레이의 기판 재료로서는 사용할 수 없고, 표시 장치의 구동 회로가 탑재되는 TAB, COF 등의 주변 회로나, 반사형 표시 방식 내지 자발광형 표시 장치에 있어서의 배면 측 등, 극히 일부에밖에 적용할 수 없었다.Meanwhile, display devices are becoming thinner and lighter, and more flexible devices are being required. Therefore, attempts are being made to change the substrate material from a glass substrate to a flexible polymer film substrate. However, colored polyimide films cannot be used as a substrate material for liquid crystal displays that display by turning on/off light transmission, and cannot be used in peripheral circuits such as TAB or COF on which the drive circuit of the display device is mounted, or in reflective displays. It could only be applied to a very small number of areas, such as the back side of anti-corrosion or self-luminous display devices.

이러한 배경에서 무색 투명한 폴리이미드 필름의 개발이 진행되고 있다. 폴리이미드 필름을 플렉시블 전자 회로 기판으로서 이용하는 경우, 무색 투명성, 낮은 선팽창율(CTE), 낮은 리타데이션(Rth)에 더하여, 절곡에 대한 내성이나 회로 형성 시의 고온 조건 하에서 기계 강도를 유지할 필요가 있기 때문에, 높은 탄성률, 기계 강도 및 높은 유리 전이 온도(Tg)가 요구된다.Against this background, development of colorless and transparent polyimide films is in progress. When using a polyimide film as a flexible electronic circuit board, in addition to colorless transparency, low coefficient of linear expansion (CTE), and low retardation (Rth), it is necessary to maintain resistance to bending and mechanical strength under high temperature conditions during circuit formation. Therefore, high elastic modulus, mechanical strength, and high glass transition temperature (Tg) are required.

대표적인 예로서, 불소화폴리이미드 수지나 반지환식 혹은 전지환식 폴리이미드 수지 등을 이용한 무색 투명의 폴리이미드 필름을 개발하는 시도가 있다(특허문헌 1∼3). 이들 필름은 착색이 적으며 또한 투명성을 갖고 있지만, 착색되어 있는 폴리이미드 필름 정도로는 기계 강도가 오르지 않고, 또한 공업적 생산 및 고온에 노출되는 용도를 상정한 경우, 열분해 내지 산화 반응 등이 생기기 때문에 반드시 무색성, 투명성을 유지할 수 있는 것은 아니다. As a representative example, there has been an attempt to develop a colorless and transparent polyimide film using fluorinated polyimide resin, semi-cyclic or polycyclic polyimide resin, etc. (Patent Documents 1 to 3). These films have little coloring and are transparent, but the mechanical strength does not increase with colored polyimide films, and in cases where industrial production and applications exposed to high temperatures are assumed, thermal decomposition or oxidation reactions occur. It is not necessarily possible to maintain colorlessness and transparency.

이러안 관점에서, 산소 함유량을 규정한 기체를 뿜어 내면서 가열 처리하는 방법이 제안되어 있지만(특허문헌 4), 산소 농도 18% 미만이 되는 환경에서는 그 제조 비용이 높아, 공업적 생산은 매우 곤란하다. From this point of view, a method of heat treatment while blowing out a gas with a specified oxygen content has been proposed (Patent Document 4), but the manufacturing cost is high in an environment where the oxygen concentration is less than 18%, and industrial production is very difficult. .

또한, 유기 재료의 특성을 한층 더 향상시키는 수단으로서, 유기 재료와 무기 재료를 복합화시킴으로써, 무기 재료의 특성인 높은 내열성, 내약품성, 높은 표면 경도 등을 부여하게 한, 소위 유기-무기 하이브리드화 기술이 있다. 예컨대 투명 폴리이미드와 실리카 나노 입자를 복합화함으로써, 투명성을 유지하면서 CTE나 Rth, Tg를 개선할 수 있다는 것이 알려져 있다. 그러나, 실리카 나노 입자의 혼합량을 늘림에 따라서 필름은 딱딱하고 부서지기 쉬워, 기계 강도가 저하한다는 과제가 있다. In addition, as a means of further improving the properties of organic materials, the so-called organic-inorganic hybridization technology is used to impart the characteristics of inorganic materials, such as high heat resistance, chemical resistance, and high surface hardness, by combining organic and inorganic materials. There is. For example, it is known that CTE, Rth, and Tg can be improved while maintaining transparency by combining transparent polyimide and silica nanoparticles. However, as the mixing amount of silica nanoparticles increases, the film becomes hard and brittle, and the mechanical strength decreases.

한편, RSiO3/21.5를 기본 단위로 하는 실세스퀴옥산은, R에 유기 재료와 반응할 수 있는 치환기를 갖게 함으로써 용이하게 유기-무기 하이브리드 경화물을 제공할 수 있기 때문에, 실용화 검토가 진행되고 있다(예컨대 특허문헌 5). 내열성이 높고 유연성이 있는 실세스퀴옥산을 폴리이미드와 복합화함으로써 내열성이나 가공성을 높이는 시도가 이루어지고 있다. 폴리이미드의 이미드부와 실세스퀴옥산의 전하 이동 상호작용에 의해 열분해 온도가 향상되는 것이 알려져 있다(비특허문헌 1). On the other hand, silsesquioxane with RSiO 3/21.5 as the basic unit can easily provide an organic-inorganic hybrid cured product by having a substituent in R that can react with organic materials, so studies for practical use are underway. There is (for example, patent document 5). Attempts are being made to improve heat resistance and processability by complexing silsesquioxane, which has high heat resistance and flexibility, with polyimide. It is known that the thermal decomposition temperature is improved by charge transfer interaction between the imide portion of polyimide and silsesquioxane (Non-patent Document 1).

[특허문헌 1] 일본 특허공개 평11-106508호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 11-106508 [특허문헌 2] 일본 특허공개 2002-146021호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Publication No. 2002-146021 [특허문헌 3] 일본 특허공개 2002-348374호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Publication No. 2002-348374 [특허문헌 4] WO2008/146637호 공보[Patent Document 4] Publication No. WO2008/146637 [특허문헌 5] 일본 특허 제3653976호 공보[Patent Document 5] Japanese Patent No. 3653976 [특허문헌 6] 일본 특허공개 2004-331647호 공보[Patent Document 6] Japanese Patent Publication No. 2004-331647 [특허문헌 7] 일본 특허공개 2006-265243호 공보[Patent Document 7] Japanese Patent Publication No. 2006-265243 [특허문헌 8] 일본 특허공개 2007-302635호 공보[Patent Document 8] Japanese Patent Publication No. 2007-302635 [특허문헌 9] WO2003/024870호[Patent Document 9] WO2003/024870

[비특허문헌 1] Thermochimica Acta 2004, 417, pp. 133-142[Non-patent Document 1] Thermochimica Acta 2004, 417, pp. 133-142 [비특허문헌 2] European Polymer Journal 2011, 47 (6), pp. 1328-1337[Non-patent Document 2] European Polymer Journal 2011, 47 (6), pp. 1328-1337 [비특허문헌 3] Chemistry Letters, 2014, Vol.43, No. 10, pp.1532-1534[Non-patent Document 3] Chemistry Letters, 2014, Vol.43, No. 10, pp.1532-1534 [비특허문헌 4] Chemistry Letters, 2018, Vol.47, No. 12, pp.1530-1533[Non-patent Document 4] Chemistry Letters, 2018, Vol.47, No. 12, pp.1530-1533

그러나, 유연성이 있는 실세스퀴옥산 구조가 폴리이미드의 강성을 저하시키기 때문에, 실세스퀴옥산 복합 폴리이미드는 통상 비교적 낮은 탄성률이나 낮은 Tg를 보인다고 하는 문제가 있었다(비특허문헌 2).However, since the flexible silsesquioxane structure reduces the rigidity of the polyimide, silsesquioxane composite polyimide usually has a problem of showing a relatively low elastic modulus and low Tg (Non-patent Document 2).

이상과 같이, 낮은 선팽창 계수와 높은 내열성을 가지면서 또한 기계 강도가 높은 무색 투명한 폴리이미드 필름의 제조는 매우 어렵다. 반지환식 혹은 전지환식의 폴리이미드는, 지환식 구조를 갖는 단량체 성분을 늘리면, 무색 투명성은 향상되지만, 분자간 상호작용의 저감으로 인해 기계 강도가 저하하여 필름으로서의 생산은 어렵게 된다. 한편, 방향족 단량체를 도입하면, 분자간 상호작용의 증대에 의해 인성(靭性)이 올라가 필름의 기계 특성은 개선되지만, 착색되기 쉽게 되어 무색 투명성은 저하한다. 수지 성분과 굴절률이 가까운 필러(무기 성분)를 도입함으로써 내열성과 무색 투명성은 개선되고, 게다가 선팽창 계수는 내려가고, 가공 적성은 개선되지만, 수지 물성을 보면, 딱딱하고 부서지기 쉬워 기계 특성은 저하한다.As described above, it is very difficult to manufacture a colorless and transparent polyimide film that has a low coefficient of linear expansion and high heat resistance while also having high mechanical strength. For semi-cyclic or polyalicyclic polyimides, colorless transparency improves when the monomer component having an alicyclic structure is increased, but mechanical strength decreases due to a decrease in intermolecular interactions, making it difficult to produce it as a film. On the other hand, when an aromatic monomer is introduced, the toughness increases and the mechanical properties of the film improve due to increased intermolecular interactions, but it becomes prone to coloring and the colorless transparency decreases. By introducing a filler (inorganic component) with a close refractive index to the resin component, heat resistance and colorless transparency are improved, the coefficient of linear expansion is lowered, and processing suitability is improved. However, looking at the physical properties of the resin, it becomes hard and brittle, and the mechanical properties deteriorate. .

따라서, 내열성, 기계 특성 등의 실용 특성과 무색성(투명성 내지 백색성)은 트레이드오프 관계에 있어, 특히 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름을 제조하는 방법의 출현이 요구되고 있었다.Therefore, there is a trade-off relationship between practical properties such as heat resistance and mechanical properties and colorlessness (transparency to whiteness), and there has been a demand for a method of producing polyimide films with improved toughness while maintaining other main properties. .

그래서, 본 발명의 목적은, 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름을 제조하기 위한 원료 등으로서 유용한 폴리아미드산을 제공하는 데에 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 이러한 폴리아미드산을 포함하는 폴리아미드산 조성물 및 이 폴리아미드산을 이미드화하여 이루어지는 폴리이미드를 제공하는 데에 있다. 여기서, 「다른 주된 특성을 유지」란, 후술하는 실시예의 3종류의 소성 조건, 구체적으로는 B1, B2 및 B3 중 적어도 B1에서 「다른 주된 특성」을 유지하는 것을 의미한다. Therefore, the purpose of the present invention is to provide a polyamic acid useful as a raw material for producing a polyimide film with improved toughness while maintaining other main properties. Another object of the present invention is to provide a polyamic acid composition containing this polyamic acid and a polyimide obtained by imidating this polyamic acid. Here, “maintaining other main characteristics” means maintaining “other main characteristics” under three types of firing conditions in the Examples described later, specifically, at least B1 among B1, B2, and B3.

더욱이, 본 발명의 다른 목적은, 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름, 그 적층체, 그리고 폴리이미드 필름을 이용한 플렉시블 전자 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다. Furthermore, another object of the present invention is to provide a polyimide film with improved toughness while maintaining other main characteristics, a laminate thereof, a flexible electronic device using the polyimide film, and a method for manufacturing the same.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 특정량의 실세스퀴옥산 화합물을 공중합 성분으로서 포함하는 폴리아미드산에 의해 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다. As a result of intensive research to solve the above problem, the present inventors have found that the above object can be achieved by a polyamic acid containing a specific amount of a silsesquioxane compound as a copolymerization component, and have completed the present invention. .

즉, 본 발명에는 이하의 내용이 포함된다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] 적어도 카르복실산류, 디아민류 및 실세스퀴옥산 유도체의 공중합 반응물인 폴리아미드산으로서, [1] Polyamic acid, which is a copolymerization product of at least carboxylic acids, diamines, and silsesquioxane derivatives,

상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 디카르복실산 무수물기 또는 2개 이상의 아미노기를 갖고, The silsesquioxane derivative has two or more dicarboxylic anhydride groups or two or more amino groups,

상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 디카르복실산 무수물기를 갖는 경우, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수(단, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개를 넘는 디카르복실산 무수물기를 갖는 경우, 이 몰수는 상기 실세스퀴옥산 유도체의 총 몰수를 상기 실세스퀴옥산 유도체의 상기 디카르복실산 무수물기의 총수로 나눠 2배한 수이다)는, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 상기 카르복실산류에 유래하는 구조 단위의 몰수의 합계에 대하여 0.0001배 이상 0.09배 이하이고, When the silsesquioxane derivative has two or more dicarboxylic acid anhydride groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative (provided that the silsesquioxane derivative has more than two dicarboxylic acid anhydride groups) When having an acid anhydride group, this number of moles is the total number of moles of the silsesquioxane derivative divided by the total number of dicarboxylic acid anhydride groups of the silsesquioxane derivative divided by 2) is the number of moles of the silsesquioxane derivative is 0.0001 times or more and 0.09 times or less relative to the sum of the number of moles of structural units derived from and the number of moles of structural units derived from the above carboxylic acids,

상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 아미노기를 갖는 경우, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수(단, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개를 넘는 아미노기를 갖는 경우, 이 몰수는 상기 실세스퀴옥산 유도체의 총몰수를 상기 실세스퀴옥산 유도체의 상기 아미노기의 총수로 나눠 2배한 수이다)는, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 상기 디아민류에 유래하는 구조 단위의 몰수의 합계에 대하여 0.0001배 이상 0.09배 이하인 폴리아미드산. When the silsesquioxane derivative has more than two amino groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative (however, when the silsesquioxane derivative has more than two amino groups, this number of moles is is the total number of moles of the silsesquioxane derivative divided by the total number of amino groups of the silsesquioxane derivative and doubled) is the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative and the number of moles of structural units derived from the diamines A polyamic acid that is 0.0001 times to 0.09 times the total number of moles of structural units.

[2] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 디카르복실산 무수물기를 갖는 [1]에 기재한 폴리아미드산. [2] The polyamic acid according to [1], wherein the silsesquioxane derivative has the two or more dicarboxylic anhydride groups.

[3] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 아미노기를 갖는 [1]에 기재한 폴리아미드산. [3] The polyamic acid according to [1], wherein the silsesquioxane derivative has the two or more amino groups.

[4] 상기 각 아미노기가, 상기 아미노기와, 상기 실세스퀴옥산 유도체를 구성하는 Si 중, 상기 아미노기에 결합상 가장 가까운 Si를 연결하는 연결기를 갖고, [4] Each of the amino groups has a linking group that connects the amino group to Si that is closest in bond to the amino group among the Si constituting the silsesquioxane derivative,

상기 연결기가, 각각 독립적으로 상기 아미노기에 결합한, 치환 또는 비치환의 방향족환을 갖는 [3]에 기재한 폴리아미드산. The polyamic acid according to [3], wherein the linking group each independently has a substituted or unsubstituted aromatic ring bonded to the amino group.

[5] 상기 폴리아미드산이 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산2무수물에 유래하는 구조 단위를 갖지 않는 [1]∼[4]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [5] The polyamic acid according to any one of [1] to [4], wherein the polyamic acid does not have a structural unit derived from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.

[6] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 더블덱커형 구조, 바구니형 구조, 랜덤형 구조, 사다리형 구조 또는 의자형 구조를 갖는 [1]∼[5]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [6] The polyamic acid according to any one of [1] to [5], wherein the silsesquioxane derivative has a double decker structure, a basket structure, a random structure, a ladder structure, or a chair structure.

[7] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-D1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [7] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-D1”) Amic acid.

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z1은 각각 독립적으로 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, Z 1 is each independently a structure represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있어도 좋고, 연결기로 연결되어 있어도 좋다.)X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 may be connected by a single bond or may be connected by a linking group.)

Figure pct00002
Figure pct00002

[8] R1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기 또는 페닐기를 나타내는 [7]에 기재한 폴리아미드산. [8] The polyamic acid according to [7], wherein R 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, an isooctyl group, a trifluoropropyl group, or a phenyl group.

[9] R1이 페닐기를 나타내는 [7] 또는 [8]에 기재한 폴리아미드산. [9] The polyamic acid according to [7] or [8], wherein R 1 represents a phenyl group.

[10] Q1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [7]∼[9]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [10] The polyamic acid according to any one of [7] to [9], wherein Q 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[11] Q1이 메틸기를 나타내는 [7]∼[10]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [11] The polyamic acid according to any one of [7] to [10], wherein Q 1 represents a methyl group.

[12] 일반식 (Z1-1)에서의 X는, 각각 독립적으로 치환 혹은 비치환의 방향족환, 또는 비치환의 탄소수 4∼10의 지방족환인 [7]∼[11]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [12] In the general formula (Z1-1), mountain.

[13] Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있는 [7]∼[12]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [13] The polyamic acid according to any one of [7] to [12], in which X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 are connected by a single bond.

[14] Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si는 연결기로 연결되어 있는 [7]∼[12]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [14] The polyamic acid according to any one of [7] to [12], in which X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 are connected by a linking group.

[15] Z1이 다음에 나타내는 세 가지 구조의 어느 하나인 [7]∼[14]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [15] The polyamic acid according to any one of [7] to [14], wherein Z 1 is one of the three structures shown below.

Figure pct00003
Figure pct00003

Figure pct00004
Figure pct00004

[16] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-D2」라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [16] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-D2”) Amic acid.

Figure pct00005
Figure pct00005

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z1은 각각 독립되어 있고, Z 1 is each independent,

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 1 are structures represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, X belonging to Z 1 and O adjacent to Z 1 are connected by a linker,

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1이 존재하는 경우, 그 구조가 아닌 Z1은 H 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이고,If Z 1 that is not a structure represented by the general formula (Z1-1) exists, Z 1 that is not the structure is H or a structure represented by the general formula (Z1-S),

일반식 (Z1-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z1-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00006
Figure pct00006

Figure pct00007
Figure pct00007

[17] R1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기 또는 페닐기를 나타내는 [16]에 기재한 폴리아미드산.[17] The polyamic acid according to [16], wherein R 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, an isooctyl group, a trifluoropropyl group, or a phenyl group.

[18] R1이 페닐기를 나타내는 [16] 또는 [17]에 기재한 폴리아미드산.[18] The polyamic acid according to [16] or [17], wherein R 1 represents a phenyl group.

[19] 일반식 (Z1-1)에서의 X는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [16]∼[18]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [19] The polyamic acid according to any one of [16] to [18], wherein X in the general formula (Z1-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[20] 상기 연결기가 카르보닐기인 [16]∼[19]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [20] The polyamic acid according to any one of [16] to [19], wherein the linking group is a carbonyl group.

[21] Z1이 다음에 나타내는 구조인 [16]∼[20]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산.[21] The polyamic acid according to any one of [16] to [20], wherein Z 1 has the structure shown below.

Figure pct00008
Figure pct00008

[22] 일반식 (Z1-S)에서의 QS1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [16]∼[21]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [22] The polyamic acid according to any one of [16] to [21], wherein Q S1 in the general formula (Z1-S) each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[23] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-C1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [23] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-C1”) Amic acid.

Figure pct00009
Figure pct00009

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z1은 각각 독립되어 있고, Z 1 is each independent,

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 1 are structures represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, X belonging to Z 1 and O adjacent to Z 1 are connected by a linker,

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1이 존재하는 경우, 그 구조가 아닌 Z1은 H 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이고, If Z 1 that is not a structure represented by the general formula (Z1-1) exists, Z 1 that is not the structure is H or a structure represented by the general formula (Z1-S),

일반식 (Z1-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z1-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

[24] R1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기 또는 페닐기를 나타내는 [23]에 기재한 폴리아미드산. [24] The polyamic acid according to [23], wherein R 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, an isooctyl group, a trifluoropropyl group, or a phenyl group.

[25] R1이 페닐기를 나타내는 [23] 또는 [24]에 기재한 폴리아미드산. [25] The polyamic acid according to [23] or [24], wherein R 1 represents a phenyl group.

[26] 일반식 (Z1-1)에서의 X는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [23]∼[25]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산.[26] The polyamic acid according to any one of [23] to [25], wherein X in the general formula (Z1-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[27] 상기 연결기가 카르보닐기인 [23]∼[26]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [27] The polyamic acid according to any one of [23] to [26], wherein the linking group is a carbonyl group.

[28] Z1이 다음에 나타내는 구조인 [23]∼[27]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [28] The polyamic acid according to any one of [23] to [27], wherein Z 1 has the structure shown below.

Figure pct00012
Figure pct00012

[29] 일반식 (Z1-S)에서의 QS1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [23]∼[28]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [29] The polyamic acid according to any one of [23] to [28], wherein Q S1 in the general formula (Z1-S) each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[30] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-Q1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [30] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-Q1”) Amic acid.

Figure pct00013
Figure pct00013

(식 중, Z1은 각각 독립되어 있고,(In the formula, Z 1 is each independent,

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 1 are structures represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, X belonging to Z 1 and O adjacent to Z 1 are connected by a linker,

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1이 존재하는 경우, 그 구조가 아닌 Z1은 H 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이고, If Z 1 that is not a structure represented by the general formula (Z1-1) exists, Z 1 that is not the structure is H or a structure represented by the general formula (Z1-S),

일반식 (Z1-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z1-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00014
Figure pct00014

Figure pct00015
Figure pct00015

[31] 일반식 (Z1-1)에서의 X는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [30]에 기재한 폴리아미드산. [31] The polyamic acid according to [30], wherein X in the general formula (Z1-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[32] 일반식 (Z1-S)에서의 QS1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [30] 또는 [31]에 기재한 폴리아미드산. [32] The polyamic acid according to [30] or [31], wherein Q S1 in the general formula (Z1-S) each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[33] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-D1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [33] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-D1”) Amic acid.

Figure pct00016
Figure pct00016

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기,(In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z2는, 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, Z 2 is each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있어도 좋으며, 연결기로 연결되어 있어도 좋고, Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 may be connected by a single bond or may be connected by a linking group,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 Si는 연결기로 연결되어 있다.)The amino group belonging to general formula (Z2-2) and Si adjacent to Z 2 are connected by a linking group.)

Figure pct00017
Figure pct00017

Figure pct00018
Figure pct00018

[34] R1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기 또는 페닐기를 나타내는 [33]에 기재한 폴리아미드산. [34] The polyamic acid according to [33], wherein R 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, an isooctyl group, a trifluoropropyl group, or a phenyl group.

[35] R1이 페닐기를 나타내는 [33] 또는 [34]에 기재한 폴리아미드산. [35] The polyamic acid according to [33] or [34], wherein R 1 represents a phenyl group.

[36] Q1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [33]∼[35]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [36] The polyamic acid according to any one of [33] to [35], wherein Q 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[37] Q1이 메틸기를 나타내는 [33]∼[36]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [37] The polyamic acid according to any one of [33] to [36], wherein Q 1 represents a methyl group.

[38] 일반식 (Z2-1)에서의 Y는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [33]∼[37]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [38] The polyamic acid according to any one of [33] to [37], wherein Y in the general formula (Z2-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[39] Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있는 [33]∼[38]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [39] The polyamic acid according to any one of [33] to [38], in which Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 are connected by a single bond.

[40] Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si는 연결기로 연결되어 있는 [33]∼[39]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [40] The polyamic acid according to any one of [33] to [39], in which Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 are connected by a linking group.

[41] Z2가 다음에 나타내는 2개의 구조의 어느 하나인 [33]∼[40]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [41] The polyamic acid according to any one of [33] to [40], wherein Z 2 is one of the two structures shown below.

Figure pct00019
Figure pct00019

Figure pct00020
Figure pct00020

[42] Z2가 다음에 나타내는 구조인 [33]∼[41]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [42] The polyamic acid according to any one of [33] to [41], wherein Z 2 has the structure shown below.

Figure pct00021
Figure pct00021

[43] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-D2」라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [43] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-D2”) Amic acid.

Figure pct00022
Figure pct00022

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z2는 각각 독립되어 있고, Z 2 is each independent,

Z2의 적어도 2개가 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 2 are structures represented by the general formula (Z2-1) or structures represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 are connected by a linker,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, The amino group belonging to general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 are connected by a linking group,

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2가 존재하는 경우, 이들 구조가 아닌 Z2는 H 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이고, If there is a Z 2 that is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula (Z2-2), Z 2 other than these structures is expressed as H or general formula (Z2-S) It is a structure that

일반식 (Z2-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z2-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00023
Figure pct00023

Figure pct00024
Figure pct00024

Figure pct00025
Figure pct00025

[44] R1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기 또는 페닐기를 나타내는 [43]에 기재한 폴리아미드산. [44] The polyamic acid according to [43], wherein R 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, an isooctyl group, a trifluoropropyl group, or a phenyl group.

[45] R1이 페닐기를 나타내는 [43] 또는 [44]에 기재한 폴리아미드산. [45] The polyamic acid according to [43] or [44], wherein R 1 represents a phenyl group.

[46] 일반식 (Z2-1)에서의 Y는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [44]∼[46]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [46] The polyamic acid according to any one of [44] to [46], wherein Y in the general formula (Z2-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[47] 일반식 (Z1-S)에서의 QS1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [43]∼[46]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [47] The polyamic acid according to any one of [43] to [46], wherein Q S1 in the general formula (Z1-S) each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[48] Z2의 적어도 2개가 다음에 나타내는 세 가지 구조의 어느 하나인 [43]∼[47]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [48] The polyamic acid according to any one of [43] to [47], wherein at least two of Z 2 are any of the three structures shown below.

Figure pct00026
Figure pct00026

Figure pct00027
Figure pct00027

Figure pct00028
Figure pct00028

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이다.)Q 2 is Y constituting a single bond, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or an alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) It is a group in which the carbon adjacent to is substituted with a hetero atom.)

[49] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-C1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [49] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-C1”) Amic acid.

Figure pct00029
Figure pct00029

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z2는 각각 독립되어 있고, Z 2 is each independent,

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 are connected by a linker,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, The amino group belonging to general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 are connected by a linking group,

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2가 존재하는 경우, 이들의 구조가 아닌 Z2는 H 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이고, If there is a Z 2 that is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula (Z2-2), Z 2 that is not one of these structures is expressed as H or the general formula (Z2-S) The structure is displayed,

일반식 (Z2-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기,Q S1 in the general formula (Z2-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00030
Figure pct00030

Figure pct00031
Figure pct00031

Figure pct00032
Figure pct00032

[50] R1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기 또는 페닐기를 나타내는 [49]에 기재한 폴리아미드산. [50] The polyamic acid according to [49], wherein R 1 each independently represents a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, an isooctyl group, a trifluoropropyl group, or a phenyl group.

[51] R1이 페닐기를 나타내는 [49] 또는 [50]에 기재한 폴리아미드산. [51] The polyamic acid according to [49] or [50], wherein R 1 represents a phenyl group.

[52] 일반식 (Z2-1)에서의 Y는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [49]∼[51]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [52] The polyamic acid according to any one of [49] to [51], wherein Y in the general formula (Z2-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[53] 일반식 (Z1-S)에서의 QS1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [49]∼[52]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [53] The polyamic acid according to any one of [49] to [52], wherein Q S1 in the general formula (Z1-S) each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[54] Z2의 적어도 2개가 다음에 나타내는 세 가지 구조의 어느 하나인 [49]∼[53]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [54] The polyamic acid according to any one of [49] to [53], wherein at least two of Z 2 are any of the three structures shown below.

Figure pct00033
Figure pct00033

Figure pct00034
Figure pct00034

Figure pct00035
Figure pct00035

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이다.)Q 2 is Y constituting a single bond, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or an alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) It is a group in which the carbon adjacent to is substituted with a hetero atom.)

[55] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-Q1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조를 갖는 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [55] The polysaccharide according to any one of [1] to [6], wherein the silsesquioxane derivative has a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-Q1”) Amic acid.

Figure pct00036
Figure pct00036

(식 중, Z2는 각각 독립되어 있고, (In the formula, Z 2 is each independent,

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 are connected by a linker,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, The amino group belonging to general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 are connected by a linking group,

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2가 존재하는 경우, 이들의 구조가 아닌 Z2는 H 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이고, If there is a Z 2 that is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula (Z2-2), Z 2 that is not one of these structures is expressed as H or the general formula (Z2-S) The structure is displayed,

일반식 (Z2-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z2-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00037
Figure pct00037

Figure pct00038
Figure pct00038

Figure pct00039
Figure pct00039

[56] 일반식 (Z2-1)에서의 Y는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 방향족환인 [55]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [56] The polyamic acid according to any one of [55], wherein Y in the general formula (Z2-1) is each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring.

[57] 일반식 (Z1-S)에서의 QS1이 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기 또는 페닐기를 나타내는 [55] 또는 [56]에 기재한 폴리아미드산. [57] The polyamic acid according to [55] or [56], wherein Q S1 in the general formula (Z1-S) each independently represents a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group.

[58] 상기 실세스퀴옥산 유도체가, [58] The silsesquioxane derivative is,

일반식: R1Si(OR2)3으로 표시되는 티올기 함유 트리알콕시실란류 a1과, General formula: thiol group-containing trialkoxysilanes a1 represented by R 1 Si(OR 2 ) 3 ,

(식 중, R1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 탄소수 4∼8의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기의 적어도 하나의 수소가 티올기로 치환되어 있는 유기기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 탄소수 4∼8의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)(Wherein, R 1 represents an organic group in which at least one hydrogen of an aliphatic hydrocarbon group with 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group with 4 to 8 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group with 6 to 8 carbon atoms is substituted with a thiol group, R 2 independently represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group with 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group with 4 to 8 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group with 6 to 8 carbon atoms.)

티올기를 갖지 않는 트리알콕시실란류 a2의 축합물 B의 티올기와, The thiol group of the condensate B of trialkoxysilanes a2 without a thiol group,

비닐기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 및 산염화물기에서 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 갖는 디카르복실산무수물 C의 상기 반응성기The above reactive group of dicarboxylic acid anhydride C having at least one reactive group selected from vinyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group and acid chloride group

가 반응하여 이루어지는 실세스퀴옥산 유도체인 [1]∼[6]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. The polyamic acid according to any one of [1] to [6], which is a silsesquioxane derivative formed by reacting with .

[59] 상기 실세스퀴옥산 유도체가 하기 일반식 (1) 및 (2)로 표시되는 구조 단위를 갖는 [1]∼[6] 및 [58]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [59] The polyamic acid according to any one of [1] to [6] and [58], wherein the silsesquioxane derivative has structural units represented by the following general formulas (1) and (2).

Figure pct00040
Figure pct00040

(식 중, Q1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, Q2는 단일 결합, 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 탄소수 1∼8의 탄화수소기의 탄소 원자의 하나 이상이 산소로 치환되어 있는 유기기 또는 카르보닐기이고, X는 탄소-탄소 결합이거나, 또는 탄소수 4∼10의 지방족환, 방향족환, 혹은 이들을 구성하는 탄소의 일부가 산소 혹은 황으로 치환된 복소환이고, 이들에 결합하는 수소의 하나 이상이 탄화수소기로 치환되어 있어도 좋고, 1.0≤m≤2.0이며, 1.4≤n≤1.6이다.)(Wherein, Q 1 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and Q 2 represents a single bond, a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, or a carbon atom of a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. At least one of is an organic group or carbonyl group substituted with oxygen, and It is a small group, and one or more of the hydrogens bonded to them may be substituted with a hydrocarbon group, and 1.0 ≤ m ≤ 2.0, 1.4 ≤ n ≤ 1.6.)

Figure pct00041
Figure pct00041

(식 중, Q3은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, 1.4≤n≤1.6이다.)(In the formula, Q 3 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and 1.4≤n≤1.6.)

[60] 상기 트리알콕시실란류 a2의 몰비([a2의 몰수]/[a1의 몰수+a2의 몰수]) 또는 일반식(2)로 표시되는 구조 단위의 몰비([구조 단위(2)]/[구조 단위(1)+구조 단위(2)])가 0.1 이상 0.7 이하인 [59]에 기재한 폴리아미드산. [60] The molar ratio of the trialkoxysilanes a2 ([moles of a2]/[moles of a1+moles of a2]) or the molar ratio of the structural unit represented by general formula (2) ([structural unit (2)]/ The polyamic acid described in [59] wherein [structural unit (1) + structural unit (2)]) is 0.1 or more and 0.7 or less.

[61] 상기 카르복실산류가 지환식 테트라카르복실산무수물, 방향족 테트라카르복실산무수물, 트리카르복실산류 및 디카르복실산류로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종인 [1]∼[60]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [61] Any one of [1] to [60], wherein the carboxylic acid is at least one selected from the group consisting of alicyclic tetracarboxylic acid anhydride, aromatic tetracarboxylic acid anhydride, tricarboxylic acid, and dicarboxylic acid. Polyamic acid described in .

[62] 상기 카르복실산류가 피로멜리트산2무수물 및 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물의 적어도 한쪽을 포함하는 [1]∼[61]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [62] The poly according to any one of [1] to [61], wherein the carboxylic acids include at least one of pyromellitic dianhydride and 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride. Amic acid.

[63] 상기 카르복실산류가 피로멜리트산2무수물을 포함하는 [1]∼[62]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [63] The polyamic acid according to any one of [1] to [62], wherein the carboxylic acids include pyromellitic dianhydride.

[64] 상기 카르복실산류가 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물을 포함하는 [1]∼[63]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산.[64] The polyamic acid according to any one of [1] to [63], wherein the carboxylic acids include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride.

[65] 상기 디아민류가 방향족 디아민류, 지방족 디아민류 및 지환식 디아민류로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종인 [1]∼[64]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [65] The polyamic acid according to any one of [1] to [64], wherein the diamine is at least one selected from the group consisting of aromatic diamines, aliphatic diamines, and alicyclic diamines.

[66] 상기 디아민류가 2,2'-디트리플루오로메틸-4,4'-디아미노비페닐 및 4-아미노-N-(4-아미노페닐)벤즈아미드의 적어도 한쪽을 포함하는 [1]∼[65]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [66] [1] wherein the diamines include at least one of 2,2'-ditrifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl and 4-amino-N-(4-aminophenyl)benzamide ] The polyamic acid according to any one of [65] to [65].

[67] 상기 디아민류가 2,2'-디트리플루오로메틸-4,4'-디아미노비페닐을 포함하는 [1]∼[66]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [67] The polyamic acid according to any one of [1] to [66], wherein the diamine includes 2,2'-ditrifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl.

[68] 상기 디아민류가 4-아미노-N-(4-아미노페닐)벤즈아미드를 포함하는 [1]∼[67]의 어느 하나에 기재한 폴리아미드산. [68] The polyamic acid according to any one of [1] to [67], wherein the diamine includes 4-amino-N-(4-aminophenyl)benzamide.

[69] [1]∼[68]의 어느 한 항에 기재한 폴리아미드산과 용매를 포함하는 폴리아미드산 조성물. [69] A polyamic acid composition containing the polyamic acid according to any one of [1] to [68] and a solvent.

[70] [1]∼[68]의 어느 한 항에 기재한 폴리아미드산이 이미드화되어 이루어지는 폴리이미드. [70] A polyimide obtained by imidizing the polyamic acid according to any one of [1] to [68].

[71] [70]에 기재한 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름. [71] A polyimide film containing the polyimide described in [70].

[72] [71]에 기재한 폴리이미드 필름과 무기 기판을 포함하는 적층체. [72] A laminate comprising the polyimide film described in [71] and an inorganic substrate.

[73] [72]에 기재한 적층체의 폴리이미드 필름면에 전자 디바이스를 형성하는 공정과, [73] A process of forming an electronic device on the polyimide film surface of the laminate described in [72],

상기 무기 기판을 박리하는 공정을 포함하는 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법. A method of manufacturing a flexible electronic device including a step of peeling off the inorganic substrate.

[74] [71]에 기재한 폴리이미드 필름과 그 폴리이미드 필름에 형성된 전자 디바이스를 포함하는 플렉시블 전자 디바이스. [74] A flexible electronic device comprising the polyimide film according to [71] and an electronic device formed on the polyimide film.

본 발명에 의하면, 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름을 제조하기 위한 원료 등으로서 유용한 폴리아미드산을 제공할 수 있다. 또한, 이러한 폴리아미드산을 포함하는 폴리아미드산 조성물 및 이 폴리아미드산을 이미드화하여 이루어지는 폴리이미드를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a polyamic acid useful as a raw material for producing a polyimide film with improved toughness while maintaining other main properties. Additionally, a polyamic acid composition containing this polyamic acid and a polyimide obtained by imidating this polyamic acid can be provided.

더욱이, 본 발명에 의하면, 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름, 그 적층체, 그리고 폴리이미드 필름을 이용한 플렉시블 전자 디바이스 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다. Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a polyimide film with improved toughness while maintaining other main characteristics, a laminate thereof, a flexible electronic device using the polyimide film, and a method for manufacturing the same.

도 1은 합성예 2-1에서 사용한 SQ109(PGMEA 용액)의 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 2는 PGMEA의 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼을 도시하는 도면이다. 여기서, δ=2.2는 기구 세정용 아세톤에 유래하는 피크이다.
도 3은 합성예 2-1로 사용한 노르보르넨산무수물의 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼을 도시하는 도면이다. 여기서, δ=2.2는 기구 세정용 아세톤에 유래하는 피크이다.
도 4는 합성예 2-1에서의 반응 후의 반응 혼합물의 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 5는 합성예 2-2에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ2의 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 6은 합성예 2-3에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ3의 1H NMR(DMSO-d6) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 7은 합성예 2-4에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ4의 1H NMR(DMSO-d6) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 8은 합성예 2-5에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ5의 1H NMR(DMSO-d6) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 9는 합성예 2-6에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ6의 1H NMR(DMSO-d6) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 10은 합성예 2-7에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ7의 1H NMR(DMSO-d6) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 11은 합성예 2-8에서 얻은 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ8의 1H NMR(DMSO-d6) 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
Figure 1 is a diagram showing the 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum of SQ109 (PGMEA solution) used in Synthesis Example 2-1.
Figure 2 is a diagram showing the 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum of PGMEA. Here, δ=2.2 is a peak derived from acetone for instrument cleaning.
Figure 3 is a diagram showing the 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum of norbornene anhydride used in Synthesis Example 2-1. Here, δ=2.2 is a peak derived from acetone for instrument cleaning.
FIG. 4 is a diagram showing a 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum of the reaction mixture after the reaction in Synthesis Example 2-1.
Figure 5 is a diagram showing the 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum of silsesquioxane SQ2 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-2.
Figure 6 is a diagram showing the 1 H NMR (DMSO-d 6 ) spectrum of silsesquioxane SQ3 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-3.
Figure 7 is a diagram showing the 1 H NMR (DMSO-d 6 ) spectrum of silsesquioxane SQ4 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-4.
Figure 8 is a diagram showing the 1 H NMR (DMSO-d 6 ) spectrum of silsesquioxane SQ5 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-5.
Figure 9 is a diagram showing the 1 H NMR (DMSO-d 6 ) spectrum of silsesquioxane SQ6 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-6.
Figure 10 is a diagram showing the 1 H NMR (DMSO-d 6 ) spectrum of silsesquioxane SQ7 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-7.
Figure 11 is a diagram showing the 1 H NMR (DMSO-d 6 ) spectrum of silsesquioxane SQ8 having an acid anhydride group obtained in Synthesis Example 2-8.

이하에 본 발명에 관해서 상세히 설명하지만, 이들은 본 발명의 일 양태이며, 본 발명은 이들 내용에 한정되지 않는다. The present invention will be described in detail below, but these are one aspect of the present invention, and the present invention is not limited to these contents.

또한, 이하에서는 실세스퀴옥산 유도체를 실세스퀴옥산 화합물이라고 하는 경우가 있다. 즉, 실세스퀴옥산 유도체라는 용어와 실세스퀴옥산 화합물이라는 용어를 동의어로서 이용한다. 따라서, 실세스퀴옥산 유도체를 실세스퀴옥산 화합물이라고 바꿔 말할 수 있다. In addition, hereinafter, silsesquioxane derivatives may be referred to as silsesquioxane compounds. That is, the terms silsesquioxane derivative and silsesquioxane compound are used as synonyms. Therefore, silsesquioxane derivatives can be referred to as silsesquioxane compounds.

본 발명의 폴리아미드산은 적어도 카르복실산류와 디아민류와 실세스퀴옥산 유도체의 공중합 반응물이다. 후술하는 것과 같이, 실세스퀴옥산 유도체는 2개 이상의 디카르복실산 무수물기(이하, 단순히 「산무수물기」라고 하는 경우가 있다) 또는 2개 이상의 아미노기를 갖는다. 이하, 이들에 관해서 설명한다. The polyamic acid of the present invention is a copolymerization product of at least carboxylic acids, diamines, and silsesquioxane derivatives. As will be described later, silsesquioxane derivatives have two or more dicarboxylic acid anhydride groups (hereinafter sometimes simply referred to as “acid anhydride groups”) or two or more amino groups. Below, these will be explained.

<실세스퀴옥산 유도체> <Silsesquioxane derivatives>

실세스퀴옥산 유도체는 2개 이상의 디카르복실산 무수물기(즉, 산무수물기) 또는 2개 이상의 아미노기를 갖는다. 이로써, 실세스퀴옥산 유도체를 카르복실산류 및 디아민류와 공중합할 수 있고, 그 결과, 폴리이미드 필름의 인성을 개선할 수 있다. 그 상세한 이유(즉, 실세스퀴옥산 유도체를 카르복실산류 및 디아민류와 공중합함으로써 폴리이미드 필름의 인성 개선에 이르는 이유)는 분명하지 않지만, 무기 필러 등과 비교하여 비교적 유연한 실세스퀴옥산 골격이 미소한 도메인으로 되어, 모재인 폴리이미드의 변형을 허용하기 쉽게 되기 때문이라고 생각된다. Silsesquioxane derivatives have two or more dicarboxylic acid anhydride groups (i.e., acid anhydride groups) or two or more amino groups. As a result, the silsesquioxane derivative can be copolymerized with carboxylic acids and diamines, and as a result, the toughness of the polyimide film can be improved. The detailed reason (i.e., the reason for improving the toughness of polyimide film by copolymerizing silsesquioxane derivatives with carboxylic acids and diamines) is not clear, but the relatively flexible silsesquioxane skeleton compared to inorganic fillers, etc. It is thought that this is because it becomes one domain, making it easier to allow deformation of the polyimide, which is the base material.

또한, 실세스퀴옥산은, 주로 T 단위로 구성된 실록산(예컨대 8개의 T 단위로 구성된 T8형, 10개의 T 단위로 구성된 T10형, 12개의 T 단위로 구성된 T12형)을 의미하는 용어로서 사용되지만, 이것보다도 광의로 사용되는 경우가 있다. 구체적으로 실세스퀴옥산은, 주로 T 단위로 구성된 실록산뿐만 아니라, 주로 12개 이하의 Q 단위로 구성된 실록산(예컨대 8개의 Q 단위로 구성된 Q8형이나 10개의 Q 단위로 구성된 Q10형)도 의미하는 용어로서 사용되는 경우가 있다. 덧붙여 말하자면, T 단위는 RSiO1.5로 표시되는 단위이다. Q 단위는 SiO2로 표시되는 단위이다. 이들에 있어서 R은 유기기를 나타낼 수 있다. In addition, silsesquioxane is a term meaning a siloxane consisting mainly of T units (e.g., type T 8 consisting of 8 T units, type T 10 consisting of 10 T units, type T 12 consisting of 12 T units). However, there are cases where it is used in a broader sense than this. Specifically, silsesquioxane includes not only siloxanes composed mainly of T units, but also siloxanes mainly composed of 12 or less Q units (e.g., type Q 8 composed of 8 Q units or type Q 10 composed of 10 Q units). There are cases where it is used as a term to mean something. Incidentally, the T unit is the unit expressed as RSiO 1.5 . The Q unit is a unit expressed as SiO 2 . In these, R may represent an organic group.

본 명세서에 있어서, 실세스퀴옥산 유도체의 「실세스퀴옥산」은 광의로 사용된다. 즉, 실세스퀴옥산 유도체의 「실세스퀴옥산」은 주로 T 단위로 구성된 실록산뿐만 아니라, 주로 12개 이하의 Q 단위로 구성된 실록산을 포함한다. 이로써, 「실세스퀴옥산 유도체」도 주로 T 단위로 구성된 실록산 유도체뿐만 아니라, 주로 12개 이하의 Q 단위로 구성된 실록산 유도체를 포함한다. In this specification, “silsesquioxane” of a silsesquioxane derivative is used in a broad sense. That is, “silsesquioxane” of the silsesquioxane derivative includes not only siloxane mainly composed of T units, but also siloxane mainly composed of 12 or less Q units. Accordingly, “silsesquioxane derivatives” also include not only siloxane derivatives mainly composed of T units, but also siloxane derivatives mainly composed of 12 or less Q units.

실세스퀴옥산 유도체가 주로 T 단위로 구성되는 경우, T 단위 이외의 단위, 예컨대 M 단위(R3SiO0.5로 표시되는 기), D 단위(R2SiO로 표시되는 단위), Q 단위를 포함하고 있어도 좋다. 「실세스퀴옥산 유도체가 주로 T 단위로 구성된다」란, T 단위의 개수가 T 단위 이외의 단위의 개수(예컨대 M 단위, D 단위, Q 단위의 합계 개수)보다 많다는 것을 의미한다. 따라서, 예컨대 실세스퀴옥산 유도체가 8개의 T 단위와 2개의 D 단위로 구성되어 있어도 좋다. 실세스퀴옥산 유도체가 주로 Q 단위로 구성되는 경우도, Q 단위 이외의 단위, 예컨대 M 단위, D 단위, T 단위를 포함하고 있어도 좋다. 「실세스퀴옥산 유도체가 주로 Q 단위로 구성된다」란, Q 단위의 개수가 Q 단위 이외의 단위의 개수(예컨대 M 단위, D 단위, T 단위의 합계 개수)보다 많다는 것을 의미한다. 여기서, M 단위, D 단위에 있어서도 R은 유기기를 나타낼 수 있다. If the silsesquioxane derivative consists mainly of T units, units other than T units, such as M units (groups represented by R 3 Si O0.5 ), D units (units represented by R 2 SiO), Q units It may be included. “The silsesquioxane derivative is mainly composed of T units” means that the number of T units is greater than the number of units other than T units (for example, the total number of M units, D units, and Q units). Therefore, for example, the silsesquioxane derivative may be composed of 8 T units and 2 D units. Even when the silsesquioxane derivative is mainly composed of Q units, it may also contain units other than Q units, such as M units, D units, and T units. “The silsesquioxane derivative is mainly composed of Q units” means that the number of Q units is greater than the number of units other than Q units (for example, the total number of M units, D units, and T units). Here, R may represent an organic group in the M unit and D unit as well.

실세스퀴옥산 유도체는, 더블덱커형 구조를 갖고 있어도 좋고, 바구니형 구조를 갖고 있어도 좋고, 랜덤형 구조를 갖고 있어도 좋고, 사다리형 구조를 갖고 있어도 좋고, 의자형 구조를 갖고 있어도 좋다. 그 중에서도 더블덱커형 구조, 바구니형 구조, 랜덤형 구조가 바람직하다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다는 이유에서 완전 축합형 구조(실라놀기를 포함하지 않는 구조)가 바람직하다. 예컨대 더블덱커형 구조, 바구니형 구조가 보다 바람직하다. The silsesquioxane derivative may have a double decker-type structure, a basket-type structure, a random-type structure, a ladder-type structure, or a chair-type structure. Among them, a double decker-type structure, a basket-type structure, and a random-type structure are preferable. A fully condensed structure (a structure that does not contain silanol groups) is preferable because it can suppress gelation of the polyamic acid solution. For example, a double decker type structure or a basket type structure are more preferable.

더블덱커형 구조는 폐환되어 있어도 좋고 개환되어 있어도 좋다. 폐환된 더블덱커형 구조로서, 예컨대 후술하는 일반식 AA-D1로 표시되는 구조나, 후술하는 일반식 AM-D1로 표시되는 구조를 들 수 있다. 한편, 개환된 더블덱커형 구조로서, 예컨대 후술하는 일반식 AA-D2로 표시되는 구조나, 후술하는 일반식 AM-D2로 표시되는 구조를 들 수 있다. The double decker type structure may be ring-closed or ring-opened. Examples of the ring-closed double decker structure include a structure represented by the general formula AA-D1 described later, and a structure represented by the general formula AM-D1 described later. On the other hand, examples of the ring-opened double decker structure include a structure represented by the general formula AA-D2, which will be described later, and a structure represented by the general formula AM-D2, which will be described later.

바구니형 구조는 완전 바구니형 구조라도 좋고 불완전 바구니형 구조(예컨대 코너 오픈형 구조 등)라도 좋다. 완전 바구니형 구조는 바구니 안에 닫힌 공간이 형성된 구조이다. 예컨대 완전 바구니형 구조는, 실록산 결합 Si-O-Si로 구성된 변을 4개 갖는 사변 형상의 평면 6개로 둘러싸인 공간이 형성된 구조(이하, 이 완전 바구니형 구조를 「육면체형 완전 바구니형 구조」라고 하는 경우가 있다.)일 수 있다. 한편, 불완전 바구니형 구조는 바구니 안에 바구니 밖으로 개방된 공간이 형성된 구조이다. The basket-type structure may be a complete basket-type structure or an incomplete basket-type structure (for example, an open corner structure, etc.). A complete basket-type structure is a structure in which a closed space is formed within the basket. For example, a complete basket-shaped structure is a structure in which a space is formed surrounded by six quadrilateral planes with four sides made of siloxane bonded Si-O-Si (hereinafter, this complete basket-shaped structure is referred to as a “hexahedral perfect basket-shaped structure”). There are cases where it happens.) It can be. On the other hand, the incomplete basket-type structure is a structure in which an open space is formed inside the basket and outside the basket.

불완전 바구니형 구조로서 예컨대 코너 오픈형 구조를 들 수 있다. 코너 오픈형 구조로서, 예컨대 후술하는 일반식 AA-C1로 표시되는 구조나, 후술하는 일반식 AM-C1로 표시되는 구조를 들 수 있다. An example of an incomplete basket-type structure is an open corner structure. Examples of the corner open structure include a structure represented by the general formula AA-C1, which will be described later, and a structure represented by the general formula AM-C1, which will be described later.

실세스퀴옥산 유도체는 2개 이상의 산무수물기를 가질 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 산무수물기를 가짐으로써 디아민과 반응할 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체 1 분자 당 산무수물기의 수는, 예컨대 3 이상이라도 좋고, 4 이상이라도 좋고, 5 이상이라도 좋고, 6 이상이라도 좋다. 1 분자 당 산무수물기의 수는, 예컨대 10 이하라도 좋고, 8 이하라도 좋다. 특히 실세스퀴옥산 유도체가 바구니형 구조 또는 더블덱커형 구조를 갖는 경우, 1 분자 당 산무수물기의 수는, 예컨대 2 이상 8 이하가 바람직하고, 2, 3, 4가 보다 바람직하다. 한편, 실세스퀴옥산 유도체가 랜덤형 구조를 갖는 경우, 1 분자 당 산무수물기의 수는, 2∼10이 바람직하고, 2.5∼6이 보다 바람직하다. 산무수물기의 수가 이 범위 내이면, 얻어지는 폴리이미드쇄가 적절하게 가교되기 때문에, 폴리이미드 필름의 인성을 한층 더 개선할 수 있다. Silsesquioxane derivatives may have two or more acid anhydride groups. Silsesquioxane derivatives can react with diamines by having two or more acid anhydride groups. The number of acid anhydride groups per molecule of the silsesquioxane derivative may be, for example, 3 or more, 4 or more, 5 or more, or 6 or more. The number of acid anhydride groups per molecule may be, for example, 10 or less, or 8 or less. In particular, when the silsesquioxane derivative has a basket-like structure or a double decker-type structure, the number of acid anhydride groups per molecule is preferably, for example, 2 or more and 8 or less, and more preferably 2, 3, or 4. On the other hand, when the silsesquioxane derivative has a random structure, the number of acid anhydride groups per molecule is preferably 2 to 10, and more preferably 2.5 to 6. If the number of acid anhydride groups is within this range, the resulting polyimide chain is crosslinked appropriately, and the toughness of the polyimide film can be further improved.

또한, 실세스퀴옥산 유도체는, 2개 이상의 산무수물기를 갖는 경우, 후술하는 2개 이상의 아미노기를 갖지 않는다. In addition, when the silsesquioxane derivative has two or more acid anhydride groups, it does not have two or more amino groups described later.

이러한 실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-D1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수 있다. Such silsesquioxane derivatives may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-D1”).

Figure pct00042
Figure pct00042

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z1은 각각 독립적으로 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, Z 1 is each independently a structure represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있어도 좋고, 연결기로 연결되어 있어도 좋다.)X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 may be connected by a single bond or may be connected by a linking group.)

Figure pct00043
Figure pct00043

또한, 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 일반식 AA-D1의 범위 내의 모든 기하 이성체를 포함한다. 예컨대 일반식 AA-D1로 표시되는 기하 이성체로서, Si에 결합하는 한 쌍의 Q1 및 Z1이 고리 평면에 결합하는 방향이 다른 기하 이성체가 존재하는 바, 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 이들을 포함한다. Additionally, the silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D1 includes all geometric isomers within the scope of the general formula AA-D1. For example, as a geometric isomer represented by the general formula AA-D1, a pair of Q 1 and Z 1 bonded to Si exist in different directions of bonding to the ring plane, so the sil represented by the general formula AA-D1 Sesquioxane derivatives include these.

R1에 관해서, 비치환의 알킬기로서, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기를 들 수 있다. 이들(엄밀하게는 프로필기 이후)은 직쇄상이라도 분기상이라도 좋다. 예컨대 프로필기는 n-프로필기(즉, 1-프로필기)라도 이소프로필기(즉, 1-메틸에틸기)라도 좋다. 예컨대 부틸기는 n-부틸기라도 이소부틸기라도 sec-부틸기라도 tert-부틸기(즉, 1,1-디메틸에틸기)라도 좋다. 헥실기는 예컨대 1,1,2-트리메틸프로필기라도 좋다. 옥틸기는 예컨대 2,2,4-트리메틸펜틸기라도 좋다. 분기상의 비치환의 알킬기로서, 예컨대 이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, 이소옥틸기, 1,1,2-트리메틸프로필기, 2,2,4-트리메틸펜틸기를 들 수 있다. Regarding R 1 , examples of the unsubstituted alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, and nonyl group. These (strictly speaking, after the propyl group) may be linear or branched. For example, the propyl group may be an n-propyl group (i.e., 1-propyl group) or an isopropyl group (i.e., 1-methylethyl group). For example, the butyl group may be n-butyl, isobutyl, sec-butyl, or tert-butyl (i.e., 1,1-dimethylethyl). The hexyl group may be, for example, a 1,1,2-trimethylpropyl group. The octyl group may be, for example, a 2,2,4-trimethylpentyl group. Examples of the branched unsubstituted alkyl group include isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, isooctyl group, 1,1,2-trimethylpropyl group, and 2,2,4-trimethylpentyl group.

R1에 관해서, 치환의 알킬기는, 예컨대 상술한 비치환의 알킬기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 할로겐 원자로 치환된 기일 수 있다. 할로겐 원자로서는 불소 원자, 즉, F가 바람직하다. 치환의 알킬기로서 예컨대 -CH2CH2CF3, -CH2CH2CF2CF3, -CH2CH2CF2CF2CF3, -CH2CH2CF2CF2CF2CF3, -CH2CH2CF2CF2CF2CF2CF3, -CH2CH2CF2CF2CF2CF2CF2CF3, -CH2CH2CF(CF3)2, -CH2CH(CF3)CF2CF3, -CH(CF3)CH2CF2CF3, -CH2C(CF3)2CF3, -C(CF3)2CH2CF3, -CH2CH2CF2CF(CF3)2, -CH2CH2CF(CF3)CF2CF3, -CH2CH2C(CF3)2CF3을 들 수 있다. 이것에 더하여, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -CF2CF2CF2CF3, -CF2CF(CF3)2, -C(CF3)3, -(CF2)4CF3, -(CF2)2CF(CF3)2, -CF2C(CF3)3 ,-CF(CF3)CF2CF2CF3, -(CF2)5CF3, -(CF2)3CF(CF3)2, -(CF2)4CF(CF3)2, -(CF2)7CF3, -(CF2)5CF(CF3)2, -(CF2)6CF(CF3)2를 들 수도 있다. 그 중에서도 트리플루오로프로필기, 즉, -CH2CH2CF3이 바람직하다. Regarding R 1 , the substituted alkyl group may be, for example, a group in which any number of hydrogen atoms constituting the unsubstituted alkyl group described above are substituted with halogen atoms. The halogen atom is preferably a fluorine atom, that is, F. As a substituted alkyl group, for example -CH 2 CH 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 , - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF(CF 3 ) 2 , -CH 2 CH( CF 3 )CF 2 CF 3 , -CH(CF 3 )CH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 C(CF 3 ) 2 CF 3 , -C(CF 3 ) 2 CH 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF 2 CF(CF 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CF (CF 3 )CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 C(CF 3 ) 2 CF 3 . In addition to this, -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , -CF(CF 3 ) 2 , -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 , -CF 2 CF(CF 3 ) 2 , -C(CF 3 ) 3 , -(CF 2 ) 4 CF 3 , -(CF 2 ) 2 CF(CF 3 ) 2 , -CF 2 C(CF 3 ) 3 ,-CF(CF 3 )CF 2 CF 2 CF 3 , -(CF 2 ) 5 CF 3 , -(CF 2 ) 3 CF(CF 3 ) 2 , -(CF 2 ) 4 CF(CF 3 ) 2 , -(CF 2 ) 7 CF 3 , -(CF 2 ) 5 CF(CF 3 ) 2 , -(CF 2 ) 6 CF(CF 3 ) 2 . Among them, trifluoropropyl group, that is, -CH 2 CH 2 CF 3 is preferable.

R1의 알킬기(구체적으로는 탄소수 1∼9의, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬기)는 불포화 결합을 갖고 있어도 좋다. 예컨대 비닐기, 2-프로페닐기, 3-부테닐기, 5-헥세닐기, 7-옥테닐기를 들 수 있다.The alkyl group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms) for R 1 may have an unsaturated bond. Examples include vinyl group, 2-propenyl group, 3-butenyl group, 5-hexenyl group, and 7-octenyl group.

R1의 알킬기(구체적으로는 탄소수 1∼9의, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬기)의 탄소수는 1∼8이 바람직하고, 1, 2, 3, 4 또는 8이 바람직하다. 여기서, 이 탄소수는 치환기를 포함한 탄소수를 의미한다. The alkyl group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group with 1 to 9 carbon atoms) for R 1 preferably has 1 to 8 carbon atoms, and preferably 1, 2, 3, 4 or 8. Here, this carbon number means the carbon number including the substituent.

R1에 관해서, 비치환의 아릴기로서 예컨대 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 플루오레닐기를 들 수 있다. Regarding R 1 , examples of unsubstituted aryl groups include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, and fluorenyl group.

R1에 관해서, 치환의 아릴기는, 예컨대 상술한 비치환의 아릴기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 다른 원자 및/또는 다른 원자단으로 치환된 기일 수 있다. 예컨대 상술한 비치환의 아릴기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 알킬기(구체적으로는 탄소수 1∼9의, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬기)로 치환된 기일 수 있다. 상술한 비치환의 아릴기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 할로겐 원자로 치환된 기일 수도 있다. 할로겐 원자로서는 불소 원자, 즉, F가 바람직하다. 치환의 아릴기로서, 예컨대 o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 4-에틸페닐기, 4-프로필페닐기, 4-부틸페닐기, 4-펜틸페닐기, 4-헵틸페닐기, 4-옥틸페닐기, 4-노닐페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리에틸페닐기, 4-(1-메틸에틸)페닐기, 4-(1,1-디메틸에틸)페닐기, 4-(2-에틸헥실)페닐기, 2,4,6-트리스(1-메틸에틸)페닐기를 들 수 있다. 이에 더하여, 펜타플루오로페닐기, 4-플루오로페닐기, 4-클로로페닐기, 4-브로모페닐기를 들 수도 있다. 또한, 4-메톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 4-프로폭시페닐기, 4-부톡시페닐기, 4-펜틸옥시페닐기, 4-헵틸옥시페닐기, 4-(1-메틸에톡시)페닐기, 4-(2-메틸프로폭시)페닐기, 4-(1,1-디메틸에톡시)페닐기, 4-에테닐페닐기, 4-(1-메틸에테닐)페닐기, 4-(3-부테닐)페닐기를 들 수도 있다. Regarding R 1 , the substituted aryl group may be, for example, a group in which the hydrogen atoms constituting the above-mentioned unsubstituted aryl group are substituted with any number of other atoms and/or other atomic groups. For example, the unsubstituted aryl group described above may be a group in which any number of hydrogen atoms are substituted with an alkyl group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms). The unsubstituted aryl group described above may be a group in which any number of hydrogen atoms are substituted with halogen atoms. The halogen atom is preferably a fluorine atom, that is, F. As a substituted aryl group, for example, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, 4-ethylphenyl group, 4-propylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-pentylphenyl group, 4-heptylphenyl group, 4-octyl group. Phenyl group, 4-nonylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 2,4,6-triethylphenyl group, 4-(1-methylethyl)phenyl group, 4-(1,1- Dimethylethyl)phenyl group, 4-(2-ethylhexyl)phenyl group, and 2,4,6-tris(1-methylethyl)phenyl group. In addition, pentafluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 4-chlorophenyl group, and 4-bromophenyl group may be mentioned. In addition, 4-methoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 4-propoxyphenyl group, 4-butoxyphenyl group, 4-pentyloxyphenyl group, 4-heptyloxyphenyl group, 4-(1-methylethoxy)phenyl group, 4 -(2-methylpropoxy)phenyl group, 4-(1,1-dimethylethoxy)phenyl group, 4-ethenylphenyl group, 4-(1-methylethenyl)phenyl group, 4-(3-butenyl)phenyl group You may hear it.

R1의 아릴기(구체적으로는 탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기)의 탄소수는 12 이하가 바람직하고, 8 이하가 보다 바람직하고, 6 이하가 더욱 바람직하다. 이 탄소수는 치환기를 포함한 탄소수를 의미한다. The number of carbon atoms of the aryl group (specifically, a substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less) of R 1 is preferably 12 or less, more preferably 8 or less, and still more preferably 6 or less. This carbon number refers to the carbon number including the substituent.

R1의 아릴알킬기, 특히 비치환의 아릴알킬기로서, 예컨대 벤질기, 페네틸기를 들 수 있다. R1에 관해서, 치환의 아릴알킬기는, 예컨대 상술한 비치환의 아릴알킬기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 다른 원자 및/또는 다른 원자단으로 치환된 기일 수 있다. 예컨대 상술한 비치환의 아릴알킬기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 알킬기(구체적으로는 탄소수 1∼9의, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬기)로 치환된 기일 수 있다. 상술한 비치환의 아릴알킬기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 할로겐 원자로 치환된 기일 수도 있다. 할로겐 원자로서는 불소 원자, 즉, F가 바람직하다. Examples of the arylalkyl group for R 1 , especially the unsubstituted arylalkyl group, include benzyl group and phenethyl group. Regarding R 1 , the substituted arylalkyl group may be, for example, a group in which the hydrogen atoms constituting the above-mentioned unsubstituted arylalkyl group are substituted with any number of other atoms and/or different atomic groups. For example, the unsubstituted arylalkyl group described above may be a group in which any number of hydrogen atoms are substituted with an alkyl group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms). The unsubstituted arylalkyl group described above may be a group in which hydrogen atoms constituting an arbitrary number of halogen atoms are substituted. The halogen atom is preferably a fluorine atom, that is, F.

R1의 아릴알킬기(구체적으로는 탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기)의 탄소수는 12 이하가 바람직하고, 10 이하가 보다 바람직하고, 8 이하가 더욱 바람직하다. 이 탄소수는 치환기를 포함한 탄소수를 의미한다.The number of carbon atoms of the arylalkyl group (specifically, a substituted or unsubstituted arylalkyl group with 15 carbon atoms or less) for R 1 is preferably 12 or less, more preferably 10 or less, and still more preferably 8 or less. This carbon number refers to the carbon number including the substituent.

R1은 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기, 페닐기가 바람직하다. 그 중에서도 방향환 사이의 상호작용이 있으며 높은 내열성을 보이므로 페닐기가 보다 바람직하다. R 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isobutyl group, isooctyl group, trifluoropropyl group, or phenyl group. Among them, the phenyl group is more preferable because there is interaction between aromatic rings and it exhibits high heat resistance.

Q1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 Q1의 설명으로서도 취급할 수 있다. Q1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로는 Q1은 제조 난이도가 비교적 높지 않다고 하는 이유에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. The description of Q 1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q 1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q 1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q 1 is preferably a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group, and a methyl group is more preferable because the manufacturing difficulty is relatively low.

Z1에 관해서, 일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. Regarding Z 1 , It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings.

비치환의 방향족환으로서, 예컨대 벤젠환, 나프탈렌환을 들 수 있다. 그 중에서도 제조의 난도가 비교적 높지 않다고 하는 이유에서 벤젠환이 바람직하다. 한편, 치환의 방향족환은, 예컨대 상술한 비치환의 방향족환을 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기로 치환된 기일 수 있다. 이 알킬기의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 이 알킬기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Examples of unsubstituted aromatic rings include benzene rings and naphthalene rings. Among them, a benzene ring is preferable because the difficulty in manufacturing is relatively low. Meanwhile, the substituted aromatic ring may be, for example, a group in which any number of hydrogen atoms constituting the unsubstituted aromatic ring described above are substituted with a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. The description of this alkyl group is omitted because it overlaps with the description of R 1 . Accordingly, the description of R 1 can also be treated as a description of this alkyl group.

비치환의 방향족환을 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환으로서, 예컨대 피리딘환, 피롤환, 푸란환, 티오펜환, 티아졸환(예컨대 1,3-티아졸환)을 들 수 있다. 헤테로 원자로서 예컨대 질소 원자, 산소 원자, 황 원자를 들 수 있다. 한편, 치환의 방향족환을 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환은, 예컨대 상술한 비치환의 복소환을 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기로 치환된 구조일 수 있다. 이 알킬기의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 이 알킬기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Heterocycles in which at least one carbon constituting the unsubstituted aromatic ring is substituted with a hetero atom include, for example, a pyridine ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophene ring, and a thiazole ring (for example, a 1,3-thiazole ring). Examples of heteroatoms include nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. On the other hand, a heterocycle in which at least one carbon constituting the substituted aromatic ring is substituted with a hetero atom is, for example, a substituted or unsubstituted, straight chain ring having 1 to 9 carbon atoms in an arbitrary number of hydrogen atoms constituting the above-mentioned unsubstituted heterocycle. Alternatively, it may be a structure substituted with a branched alkyl group. The description of this alkyl group is omitted because it overlaps with the description of R 1 . Accordingly, the description of R 1 can also be treated as a description of this alkyl group.

탄소수 4∼10의 비치환의 지방족환으로서, 예컨대 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 시클로노난, 시클로데칸, 노르보르난(즉, 비시클로[2.2.1]헵탄), 비시클로[2.2.2]옥탄을 들 수 있다. 그 중에서도 비교적 열안정성이 높다고 하는 이유에서, 노르보르난, 비시클로[2.2.2]옥탄과 같은 가교환식의 지방족환이 바람직하고, 노르보르난, 비시클로[2.2.2]옥탄이 보다 바람직하고, 노르보르난이 더욱 바람직하다. 한편, 치환의 지방족환은, 예컨대 상술한 비치환의 지방족환을 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 탄소수 1∼6의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기로 치환된 기일 수 있다. 이 알킬기의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 이 알킬기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Unsubstituted aliphatic rings having 4 to 10 carbon atoms, such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclononane, cyclodecane, norbornane (i.e., bicyclo[2.2.1]heptane), Cyclo[2.2.2]octane can be mentioned. Among them, because of their relatively high thermal stability, cross-linked aliphatic rings such as norbornane and bicyclo[2.2.2]octane are preferable, and norbornane and bicyclo[2.2.2]octane are more preferable. Norbornane is more preferred. On the other hand, the substituted aliphatic ring may be, for example, a group in which any number of hydrogen atoms constituting the above-mentioned unsubstituted aliphatic ring are substituted with a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The description of this alkyl group is omitted because it overlaps with the description of R 1 . Accordingly, the description of R 1 can also be treated as a description of this alkyl group.

탄소수 4∼10의 비치환의 지방족환을 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환으로서, 예컨대 노르보르난의 다리목 원자(bridgehead atom) 사이, 구체적으로는 노르보르난의 최단의 다리를 구성하는 다리목 원자 사이의 메틸렌기를 구성하는 C 원자가 산소 원자로 치환된 구조를 들 수 있다. 즉, 노르보르난의 다리목 원자 사이의 메틸렌기가 에테르 결합으로 치환된 구조를 들 수 있다. 이밖에, 예컨대 티안, 디티안(예컨대 1,4-디티안)을 들 수도 있다. 헤테로 원자로서 예컨대 질소 원자, 산소 원자, 황 원자를 들 수 있다. 한편, 탄소수 4∼10의 치환의 지방족환을 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환은, 예컨대 상술한 비치환의 복소환을 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 탄소수 1∼6의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기로 치환된 기일 수 있다. 이 알킬기의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 이 알킬기의 설명으로서도 취급할 수 있다. A heterocycle in which at least one carbon constituting an unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms is substituted with a hetero atom, for example, between the bridgehead atoms of norbornane, specifically the shortest bridge of norbornane. An example is a structure in which the C atom constituting the methylene group between the constituting bridge atoms is replaced with an oxygen atom. That is, a structure in which the methylene group between the bridge atoms of norbornane is substituted with an ether bond can be mentioned. In addition, for example, thiane and dithiane (for example, 1,4-dithiane) may be mentioned. Examples of heteroatoms include nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. On the other hand, a heterocycle in which at least one carbon constituting a substituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms is substituted with a hetero atom is, for example, a substituted ring having an arbitrary number of hydrogen atoms constituting the above-mentioned unsubstituted heterocycle having 1 to 6 carbon atoms. Alternatively, it may be a group substituted with an unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group. The description of this alkyl group is omitted because it overlaps with the description of R 1 . Accordingly, the description of R 1 can also be treated as a description of this alkyl group.

또한, 지방족환(구체적으로는 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환)의 탄소수는, 예컨대 6 이상이라도 좋고, 7 이상이라도 좋고, 8 이상이라도 좋다. 이 탄소수는 9 이하라도 좋고, 8 이하라도 좋다. 이 탄소수는 치환기를 포함한 탄소수를 의미한다. Additionally, the number of carbon atoms of the aliphatic ring (specifically, a substituted or unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms) may be, for example, 6 or more, 7 or more, or 8 or more. This carbon number may be 9 or less, and may be 8 or less. This carbon number refers to the carbon number including the substituent.

이들 고리(구체적으로는 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 또는 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환)의 적어도 2개가 축합한 고리, 즉, 축합환으로서, 예컨대 벤조푸란(예컨대 1-벤조푸란), 벤조티오펜(예컨대 1-벤조치오펜), 벤조티아졸을 들 수 있다. At least two of these rings (specifically, a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom) are condensed. Examples of one ring, that is, a condensed ring, include benzofuran (eg, 1-benzofuran), benzothiophene (eg, 1-benzothiophene), and benzothiazole.

400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, X는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. 시판 제품(예컨대 닛폰자이료기켄(주) 제조의 DDSQ)으로서 입수할 수 있다고 하는 관점에서, 탄소수 4∼10의, 치환 또는 비치환의 지방족환이 바람직하고, 비치환의 탄소수 4∼10의 지방족환이 바람직하다.For the reason that yellowing of polyimide (for example, polyimide film) can be further suppressed under high temperature conditions around 400°C, it is preferable that X is a substituted or unsubstituted aromatic ring. From the viewpoint of manufacturing difficulty, an unsubstituted aromatic ring is more preferable. From the viewpoint of being available as a commercial product (e.g. DDSQ manufactured by Nippon Zairyo Ken Co., Ltd.), a substituted or unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms is preferable, and an unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms is preferable. .

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있어도 좋고, 연결기로 연결되어 있어도 좋다. 양자를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 하기의 구조식 (C-S)로 표시되는 기, 에스테르기(즉, 에스테르 결합), 아미드기(즉, 아미드 결합) 및 이들의 임의의 2개 이상의 조합을 들 수 있다. 여기서, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 may be connected by a single bond or may be connected by a linking group. As a linking group connecting the two, for example, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, a group represented by the following structural formula (CS), an ester group (i.e., an ester bond), an amide group ( That is, amide bond) and any combination of two or more thereof. Here, each connector may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00044
Figure pct00044

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고,Q 2 is a single bond, substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, substituted or unsubstituted arylene group, or It is a group in which the adjacent carbon is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 O는 Z1에 인접해 있는 Si와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다.)The O shown at the end is connected to Si adjacent to Z 1 , and the Q 2 shown at the end is connected to X.)

「끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 X와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 X와 이어져 있다는 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to X” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to In the case where the carbon adjacent to

연결기에 관해서, 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기로서, 예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기, tert-부틸렌기, n-펜틸렌기, n-헥실렌기, n-헵틸렌기, n-옥틸렌기를 들 수 있다. Regarding linking groups, unsubstituted, straight-chain or branched alkylene groups, such as methylene group, ethylene group, n-propylene group, n-butylene group, tert-butylene group, n-pentylene group, n-hexylene group, n- Heptylene group and n-octylene group can be mentioned.

치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기는, 예컨대 상술한 비치환의 알킬렌기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 할로겐 원자로 치환된 기일 수 있다. 할로겐 원자로서 예컨대 불소 원자를 들 수 있다. The substituted, straight-chain or branched alkylene group may be, for example, a group in which any number of hydrogen atoms constituting the unsubstituted alkylene group described above are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom.

알킬렌기(구체적으로는 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기)의 탄소수는 10 이하가 바람직하고, 6 이하가 보다 바람직하고, 3 이하가 더욱 바람직하다. 이 탄소수는 치환기를 포함한 탄소수를 의미한다. The number of carbon atoms of the alkylene group (specifically, substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) is preferably 10 or less, more preferably 6 or less, and still more preferably 3 or less. This carbon number refers to the carbon number including the substituent.

연결기에 관해서, 비치환의 아릴렌기로서, 예컨대 o-페닐렌기, m-페닐렌기, p-페닐렌기, 나프틸렌기(예컨대 2,6-나프틸렌기)를 들 수 있다.Regarding the linking group, examples of the unsubstituted arylene group include o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, and naphthylene group (eg, 2,6-naphthylene group).

치환의 아릴렌기는, 예컨대 상술한 비치환의 아릴렌기를 구성하는 수소 원자가 임의의 수만큼 알킬기(예컨대 메틸기)로 치환된 기일 수 있다. The substituted arylene group may be, for example, a group in which any number of hydrogen atoms constituting the unsubstituted arylene group described above are substituted with an alkyl group (for example, a methyl group).

아릴렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의 아릴렌기)의 탄소수는 15 이하가 바람직하고, 12 이하가 보다 바람직하고, 7 이하가 더욱 바람직하다. 이 탄소수는 치환기를 포함한 탄소수를 의미한다. The number of carbon atoms of the arylene group (specifically, the substituted or unsubstituted arylene group) is preferably 15 or less, more preferably 12 or less, and still more preferably 7 or less. This carbon number refers to the carbon number including the substituent.

구조식 (C-S)로 표시되는 연결기에 관해서, Q1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 Q1의 설명으로서도 취급할 수 있다. Q1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 Q1은 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding the linking group represented by structural formula (CS), the description of Q 1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q 1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q 1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, or phenyl group.

n은 0∼8의 정수이다. n은 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 선팽창 계수(CTE)를 낮출 수 있다고 하는 이유에서 5 이하가 바람직하고, 3 이하가 보다 바람직하고, 1 이하, 즉, 0 또는 1이 더욱 바람직하다. n is an integer from 0 to 8. Since n can lower the coefficient of linear expansion (CTE) of polyimide (for example, polyimide film), n is preferably 5 or less, more preferably 3 or less, and even more preferably 1 or less, that is, 0 or 1.

구조식 (C-S)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2의 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)의 설명은, 상술한 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 상술한 알킬렌기의 설명을 Q2의 알킬렌기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Regarding the linking group represented by structural formula (CS), the description of the alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) of Q 2 refers to the alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain) described above. or branched alkylene group), so it is omitted because it overlaps with the description. Accordingly, the description of the alkylene group described above can also be treated as an explanation of the alkylene group of Q 2 .

구조식 (C-S)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2의 아릴렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의 아릴렌기)의 설명은, 상술한 아릴렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의 아릴렌기)의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 상술한 아릴렌기의 설명을 Q2의 아릴렌기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Regarding the linking group represented by structural formula (CS), the description of the arylene group (specifically, a substituted or unsubstituted arylene group) of Q 2 overlaps with the description of the arylene group (specifically, a substituted or unsubstituted arylene group) described above. It is omitted because it is Accordingly, the description of the arylene group described above can also be treated as a description of the arylene group of Q 2 .

구조식 (C-S)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2는, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기로서, 예컨대 상술한 알킬렌기의 구체예(예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기, tert-부틸렌기, n-펜틸렌기, n-헥실렌기, n-헵틸렌기, n-옥틸렌기)를 구성하는 탄소(구체적으로는 X에 인접하는 탄소)가 헤테로 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도 n-부틸렌기, 즉, 테트라메틸렌기의 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자(예컨대 산소 원자 또는 황 원자)로 치환된 기가 바람직하다. 또한 이 경우, 이 기(즉, Q2)의 탄소수는 3이다. Regarding the linking group represented by the structural formula (CS), Q 2 is a group in which the carbon adjacent to (For example, methylene group, ethylene group, n-propylene group, n-butylene group, tert-butylene group, n-pentylene group, n-hexylene group, n-heptylene group, n-octylene group) Examples of this include groups in which the carbon adjacent to Among them, an n-butylene group, that is, a group in which the carbon adjacent to Also in this case, the carbon number of this group (i.e. Q2) is 3.

구조식 (C-S)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2는, 헤테로 원자로서 예컨대 질소 원자, 산소 원자, 황 원자를 들 수 있다. 그 중에서도 산소 원자, 황 원자가 바람직하고, 산소 원자가 보다 바람직하다. Regarding the linking group represented by structural formula (CS), Q 2 is a hetero atom, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. Among these, an oxygen atom and a sulfur atom are preferable, and an oxygen atom is more preferable.

연결기로서는, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기와 아미드기의 조합이 바람직하고, p-페닐렌기와 아미드기의 조합이 보다 바람직하다. 구체적으로는 하기의 구조가 바람직하다. 또한, 하기의 구조식에서는 p-페닐렌기가 Si와 결합해 있음을 나타낸한다. 아미드기가 X와 결합해 있음을 나타낸다. 즉, 아미드기를 구성하는 탄소가 X와 결합해 있음을 나타낸다.As the linking group, a combination of a substituted or unsubstituted arylene group and an amide group is preferable, and a combination of a p-phenylene group and an amide group is more preferable. Specifically, the following structure is preferable. Additionally, the structural formula below shows that the p-phenylene group is bonded to Si. It indicates that the amide group is bonded to X. In other words, it indicates that the carbon constituting the amide group is bonded to X.

Figure pct00045
Figure pct00045

양자(즉, Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si)가 이 연결기로 연결되어 있는 경우, Z1은 하기의 구조가 바람직하다. When both (that is, X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 ) are connected by this linking group, Z 1 preferably has the following structure.

Figure pct00046
Figure pct00046

양자(즉, Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 Si)는 단일 결합으로 이어져 있는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 양자가 단일 결합으로 이어져 있음으로써, 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있기 때문이다. Both (i.e., X belonging to Z 1 and Si adjacent to Z 1 ) are preferably connected by a single bond. This is because the two are connected by a single bond, so that yellowing of polyimide (for example, polyimide film) under high temperature conditions can be further suppressed.

양자가 단일 결합으로 이어져 있는 경우, 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조로서는 하기의 구조가 바람직하다. 즉, 양자가 단일 결합으로 이어져 있는 경우, Z1은 하기의 구조인 것이 바람직하다. When both are connected by a single bond, the following structure is preferable as the structure represented by general formula (Z1-1). That is, when both are connected by a single bond, Z 1 preferably has the following structure.

Figure pct00047
Figure pct00047

일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 일본 특허공개 2004-331647호 공보(이것에 대응하는 특허공보는 일본 특허 제448334호 공보이다),일본 특허공개 2006-265243호 공보(이것에 대응하는 특허공보는 일본 특허 제5082258호이다), 일본 특허공개 2007-302635호 공보(이것에 대응하는 특허공보는 일본 특허 제4946169호이다), WO2003/024870호에 기재된 방법에 기초하여 제조할 수 있다. Silsesquioxane derivatives represented by the general formula AA-D1 are described, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-331647 (the corresponding patent publication is Japanese Patent Application Publication No. 448334) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-265243 (this). The corresponding patent publication is Japanese Patent No. 5082258), Japanese Patent Laid-Open No. 2007-302635 (the corresponding patent publication is Japanese Patent No. 4946169), and WO2003/024870. You can.

예컨대 이들 문헌에 기초하여 일반식 AA-D1에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자인 화합물을 제조하여, 이 화합물(즉, Z1로서의 H와 Z1에 인접하는 Si를 포함하는 SiH기를 갖는 화합물)과, 산무수물기를 갖는 화합물을 반응시킨다고 하는 수순으로 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체를 제조할 수 있다. 이 반응에서는 예컨대 히드로실릴화를 이용할 수 있다. 즉, SiH기를 갖는 화합물이, Si-H 결합의 절단을 동반하여, 탄소-탄소 이중 결합과 같은 불포화 결합에 부가하는 반응을 이용할 수 있다. 히드로실릴화를 이용하는 경우, 산무수물기를 갖는 화합물이 탄소-탄소 이중 결합과 같은 불포화 결합(예컨대 비닐기)을 갖고 있을 수 있다. 한편, SiH기를 갖는 화합물과 산무수물기를 갖는 화합물의 반응에서는, 커플링 반응, 구체적으로는 루테늄이나 백금, 팔라듐, 로듐 등의 귀금속 촉매를 이용한, SiH기를 갖는 화합물과, 할로겐화아릴의 커플링 반응을 이용할 수도 있다. 커플링 반응을 이용하는 경우, 산무수물기를 갖는 화합물 혹은 산무수물기로 변환 가능한 작용기를 갖는 화합물이 할로겐화아릴 구조를 갖고 있을 수 있다. 산무수물기로 변환 가능한 작용기로서 예컨대 디에스테르기를 들 수 있다. For example, based on these documents, a compound in which all Z 1 in the general formula AA-D1 is a hydrogen atom was prepared, and this compound (i.e., a compound having a SiH group containing H as Z 1 and Si adjacent to Z 1 ) was prepared. A silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D1 can be produced by reacting a compound having an acid anhydride group with a silsesquioxane derivative. In this reaction, for example, hydrosilylation can be used. That is, a reaction in which a compound having a SiH group is added to an unsaturated bond such as a carbon-carbon double bond along with cleavage of the Si-H bond can be used. When hydrosilylation is used, the compound having an acid anhydride group may have an unsaturated bond such as a carbon-carbon double bond (eg, a vinyl group). On the other hand, in the reaction between a compound having a SiH group and a compound having an acid anhydride group, a coupling reaction is performed, specifically, a coupling reaction between a compound having a SiH group and an aryl halide using a noble metal catalyst such as ruthenium, platinum, palladium, and rhodium. You can also use it. When using a coupling reaction, a compound having an acid anhydride group or a compound having a functional group that can be converted to an acid anhydride group may have an aryl halide structure. Examples of functional groups that can be converted to acid anhydride groups include diester groups.

또한, 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체 중, 예컨대 다음의 실세스퀴옥산 유도체는 시판 제품(예컨대 닛폰자이료기켄(주) 제조의 DDSQ)으로서 입수할 수 있다. In addition, among the silsesquioxane derivatives represented by the general formula AA-D1, for example, the following silsesquioxane derivatives can be obtained as commercial products (for example, DDSQ manufactured by Nippon Dairy Science Ken Co., Ltd.).

Figure pct00048
Figure pct00048

실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-D2」라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수도 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-D2”).

Figure pct00049
Figure pct00049

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z1은 각각 독립되어 있고, Z 1 is each independent,

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 1 are structures represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, X belonging to Z 1 and O adjacent to Z 1 are connected by a linker,

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1이 존재하는 경우, 그 구조가 아닌 Z1은 H 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이고, If Z 1 that is not a structure represented by the general formula (Z1-1) exists, Z 1 that is not the structure is H or a structure represented by the general formula (Z1-S),

일반식 (Z1-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z1-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00050
Figure pct00050

Figure pct00051
Figure pct00051

또한, 일반식 AA-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 일반식 AA-D2의 범위 내의 모든 기하 이성체를 포함한다. 예컨대 일반식 AA-D2로 표시되는 기하 이성체로서, Si에 결합하는 한 쌍의 R1 및 O-Z1이 고리 평면에 결합하는 방향이 다른 기하 이성체가 존재하는 바, 일반식 AA-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 이들을 포함한다. Additionally, silsesquioxane derivatives represented by the general formula AA-D2 include all geometric isomers within the scope of the general formula AA-D2. For example, as a geometric isomer represented by the general formula AA-D2, a pair of R 1 and OZ 1 bonded to Si exist in different directions of bonding to the ring plane, so the sil represented by the general formula AA-D2 Sesquioxane derivatives include these.

일반식 AA-D2의 R1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 일반식 AA-D2의 R1의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 R1은 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기, 페닐기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. The description of R 1 in the general formula AA-D2 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 in the general formula AA-D1 can also be treated as an explanation of R 1 in the general formula AA-D2. Therefore, for example, R 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isobutyl group, isooctyl group, trifluoropropyl group, or phenyl group, and more preferably a phenyl group.

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이다. 즉, Z1 4개 중 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조라도 좋고, 3개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조라도 좋고, 4개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조라도 좋다.It is a structure in which at least two of Z 1 are represented by the general formula (Z1-1). In other words, out of four Z 1s , two may be represented by the general formula (Z1-1), three may be represented by the general formula (Z1-1), and four may be represented by the general formula (Z1-1). Any structure that works is fine.

Z1에 관해서, 일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AA-D2에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AA-D2에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, X는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 1 , It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of Accordingly, the explanation of X of general formula (Z1-1) in general formula AA-D1 can also be treated as the explanation of Therefore, it is preferable that From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 하기 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. A linking group that connects I can hear it. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00052
Figure pct00052

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is a single bond, substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, substituted or unsubstituted arylene group, or It is a group in which the adjacent carbon is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 Si는 Z1에 인접해 있는 O와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다.)Si, shown at the end, is connected to O adjacent to Z 1 , and Q 2 , shown at the end, is connected to X.)

「끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 X와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 X와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to X” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to In the case where the carbon adjacent to

연결기가 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기인 경우, 연결기로서의 알킬렌기의 설명은 일반식 AA-D1의 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 알킬렌기의 설명을 이 알킬렌기(즉, 일반식 AA-D2의 알킬렌기)의 설명으로서도 취급할 수 있다. When the linking group is a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, the description of the alkylene group as the linking group is the description of the alkylene group (specifically, the substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) of the general formula AA-D1. It is omitted because it is redundant. Accordingly, the description of the alkylene group of the general formula AA-D1 can also be treated as an explanation of this alkylene group (that is, the alkylene group of the general formula AA-D2).

연결기가 치환 혹은 비치환의 아릴렌기인 경우, 연결기로서의 아릴렌기의 설명은 일반식 AA-D1의 아릴렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의 아릴렌기)의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 아릴렌기의 설명을 이 아릴렌기(즉, 일반식 AA-D2의 아릴렌기)의 설명으로서도 취급할 수 있다. When the linking group is a substituted or unsubstituted arylene group, the description of the arylene group as the linking group is omitted because it overlaps with the description of the arylene group (specifically, the substituted or unsubstituted arylene group) of the general formula AA-D1. Accordingly, the description of the arylene group of the general formula AA-D1 can also be treated as an explanation of this arylene group (that is, the arylene group of the general formula AA-D2).

구조식 (C)로 표시되는 연결기에 관해서, Q1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 Q1의 설명으로서도 취급할 수 있다. Q1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 Q1은 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding the linking group represented by structural formula (C), the description of Q 1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q 1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q 1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, or phenyl group.

n은 0∼8의 정수이다. n은 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 선팽창 계수(CTE)를 낮게 할 수 있다고 하는 이유에서 5 이하가 바람직하고, 3 이하가 보다 바람직하고, 1 이하, 즉, 0 또는 1이 더욱 바람직하다.n is an integer from 0 to 8. n is preferably 5 or less, more preferably 3 or less, and even more preferably 1 or less, that is, 0 or 1, for the reason that the coefficient of linear expansion (CTE) of polyimide (for example, polyimide film) can be lowered.

구조식 (C)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2의 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)의 설명은 일반식 AA-D1의 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 알킬렌기의 설명을 Q2의 알킬렌기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Regarding the linking group represented by structural formula (C), the alkylene group (specifically, substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) of Q 2 is described as the alkylene group (specifically, substituted or unsubstituted) of general formula AA-D1. It is omitted because it overlaps with the description of (cyclic, straight-chain, or branched alkylene group). Accordingly, the description of the alkylene group of general formula AA-D1 can also be treated as the description of the alkylene group of Q 2 .

구조식 (C)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2의 아릴렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의 아릴렌기)의 설명은 일반식 AA-D1의 아릴렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의 아릴렌기)의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 아릴렌기의 설명을 Q2의 아릴렌기의 설명으로서도 취급할 수 있다. Regarding the linking group represented by structural formula (C), the description of the arylene group (specifically, the substituted or unsubstituted arylene group) of Q 2 is that of the arylene group (specifically, the substituted or unsubstituted arylene group) of the general formula AA-D1. It is omitted because it is redundant with the explanation. Accordingly, the description of the arylene group of general formula AA-D1 can also be treated as the description of the arylene group of Q 2 .

구조식 (C)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2는, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기로서, 예컨대 일반식 AA-D1에서 예시한 알킬렌기의 구체예(예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기, tert-부틸렌기, n-펜틸렌기, n-헥실렌기, n-헵틸렌기, n-옥틸렌기)를 구성하는 탄소(구체적으로는 X에 인접하는 탄소)가 헤테로 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도 n-부틸렌기, 즉, 테트라메틸렌기의 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자(예컨대 산소 원자 또는 황 원자)로 치환된 기가 바람직하다. 또한, 이 경우, 이 기(즉, Q2)의 탄소수는 3이다. Regarding the linking group represented by structural formula (C), Q 2 is a group in which the carbon adjacent to Specific examples of an alkylene group (e.g., methylene group, ethylene group, n-propylene group, n-butylene group, tert-butylene group, n-pentylene group, n-hexylene group, n-heptylene group, n-octylene group) A group in which the carbon constituting (specifically, the carbon adjacent to X) is substituted with a hetero atom can be mentioned. Among them, an n-butylene group, that is, a group in which the carbon adjacent to Also, in this case, the number of carbon atoms of this group (i.e. Q 2 ) is 3.

구조식 (C)로 표시되는 연결기에 관해서, Q2는, 헤테로 원자로서 예컨대 질소 원자, 산소 원자, 황 원자를 들 수 있다. 그 중에서도 산소 원자, 황 원자가 바람직하고, 산소 원자가 보다 바람직하다. Regarding the linking group represented by structural formula (C), Q 2 is a hetero atom, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. Among these, an oxygen atom and a sulfur atom are preferable, and an oxygen atom is more preferable.

연결기로서는 카르보닐기가 바람직하다. 연결기가 카르보닐기인 경우, 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조로서는 하기의 구조가 바람직하다. 즉, 연결기가 카르보닐기인 경우, Z1은 하기의 구조인 것이 바람직하다. As the linking group, a carbonyl group is preferable. When the linking group is a carbonyl group, the following structure is preferable as the structure represented by general formula (Z1-1). That is, when the linking group is a carbonyl group, Z 1 preferably has the following structure.

Figure pct00053
Figure pct00053

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1은 H, 즉, 수소 원자 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이다. 만일 Z1이 H이면, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉽게 되는 경우가 있다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다는 이유에서, 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조가 바람직하다. Z 1 , which is not a structure represented by the general formula (Z1-1), is H, that is, a hydrogen atom, or a structure represented by the general formula (Z1-S). If Z 1 is H, gelation of the polyamic acid solution may easily occur. For the reason that gelation of the polyamic acid solution can be suppressed, the structure represented by the general formula (Z1-S) is preferable.

일반식 (Z1-S)에서의 QS1에 관해서, QS1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 QS1의 설명으로서도 취급할 수 있다. QS1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 QS1은 원료 입수성의 관점에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding Q S1 in the general formula (Z1-S), the description of Q S1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q S1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q S1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q S1 is preferably a methyl group, ethyl group, or phenyl group from the viewpoint of raw material availability.

4개의 Z1의 구체적인 조합에 관해서, Z1의 4개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. Regarding the specific combination of four Z 1s , it is preferable that the four Z 1s have a structure represented by the general formula (Z1-1).

일반식 AA-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 예컨대 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체의 제조에 관한 설명에서 열거한 문헌에 기재된 방법에 기초하여 제조할 수 있다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D2 can be produced, for example, based on the method described in the literature listed in the description of the production of the silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D1.

예컨대 이들 문헌에 기초하여, 일반식 AA-D2에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자 혹은 나트륨 원자인 화합물을 제조하고, 이 화합물(즉, Z1로서의 H 혹은 Na와 Z1에 인접하는 O를 포함하는 실라놀기를 갖는 화합물)과, 무수트리멜리트산클로리드와 같은, 산무수물기를 갖는 산염화물을 반응시킨다고 하는 수순으로 일반식 AA-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체를 제조할 수 있다. 또한, 일반식 AA-D2에 있어서, 모든 Z1이 수소 원자인 화합물은 시판 제품(예컨대 Hybrid Plastics사 제조의 SO1460)으로서 입수할 수도 있다.For example, based on these documents, a compound was prepared in which all Z 1 in the general formula AA-D2 is a hydrogen atom or a sodium atom, and this compound (i.e., H or Na as Z 1 and O adjacent to Z 1 was prepared) A silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D2 can be produced by the procedure of reacting a compound having a silanol group (a compound having a silanol group) with an acid chloride having an acid anhydride group, such as trimellitic anhydride chloride. In addition, in the general formula AA-D2, compounds in which all Z 1 is a hydrogen atom can also be obtained as a commercial product (for example, SO1460 manufactured by Hybrid Plastics).

이 수순 대신에, 예컨대 일반식 AA-D2에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자 혹은 나트륨 원자인 화합물을 제조하고, 이 화합물(즉, Z1로서의 H 혹은 Na와 Z1에 인접하는 O를 포함하는 실라놀기를 갖는 화합물)과, 메틸디클로로실란과 같은, SiH기를 갖는 오르가노디클로로실란을 반응시켜, 그 생성물(즉, SiH기를 갖는 생성물)과 산무수물기를 갖는 화합물을 반응시킨다고 하는 수순으로 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체를 제조할 수도 있다. Instead of this procedure, for example, a compound in the general formula AA-D2 is prepared in which all Z 1 's are hydrogen atoms or sodium atoms, and this compound (i.e., a compound containing H or Na as Z 1 and O adjacent to Z 1 General formula AA is obtained by reacting a compound having a silanol group) with an organodichlorosilane having a SiH group, such as methyldichlorosilane, and reacting the product (i.e., a product having a SiH group) with a compound having an acid anhydride group. A silsesquioxane derivative represented by -D1 can also be prepared.

또한, 일반식 AA-D2에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자 혹은 나트륨 원자인 화합물을 제조하고, 이 화합물(즉, Z1로서의 H 혹은 Na와 Z1에 인접하는 O를 포함하는 실라놀기를 갖는 화합물)과 산무수물기를 갖는 디클로로실란 유도체와의 폐환 반응(엔드 캡핑 반응)에 의해서, 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체를 제조할 수도 있다.In addition, a compound in which all Z 1 in the general formula AA-D2 is a hydrogen atom or a sodium atom is prepared, and this compound (i.e., a compound having a silanol group containing H or Na as Z 1 and O adjacent to Z 1 A silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D1 can also be produced by a ring closure reaction (end capping reaction) between a compound) and a dichlorosilane derivative having an acid anhydride group.

일반식 AA-D2에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자 혹은 나트륨 원자인 화합물을 제조하고, 이 화합물(즉, Z1로서의 H 혹은 Na와 Z1에 인접하는 O를 포함하는 실라놀기를 갖는 화합물)과, 디메틸클로로실란과 같은, SiH기를 갖는 오르가노클로로실란을 반응시켜, 그 생성물(즉, SiH기를 갖는 생성물)과 산무수물기를 갖는 화합물을 반응시킨다고 하는 수순으로 일반식 AA-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체를 제조할 수도 있다. Prepare a compound in which all Z 1 's in the general formula AA-D2 are hydrogen atoms or sodium atoms, and this compound (i.e., a compound having a silanol group containing H or Na as Z 1 and O adjacent to Z 1 ) A substance represented by the general formula AA-D2 is carried out by reacting an organochlorosilane having a SiH group, such as dimethylchlorosilane, and reacting the product (i.e., a product having a SiH group) with a compound having an acid anhydride group. Sesquioxane derivatives can also be prepared.

실라놀기를 갖는 화합물(즉, Z1로서의 H와 Z1에 인접하는 O를 포함하는 실라놀기를 갖는 화합물)과, 무수트리멜리트산클로리드와 같은 산무수물기를 갖는 산염화물과의 반응, 혹은 SiH기를 갖는 오르가노클로로실란과의 반응에 앞서서, 실라놀기의 일부에 캡핑을 실시하여도 좋다. 캡핑을 위해서, 예컨대 실라놀기를 갖는 화합물에, 예컨대 트리페닐클로로실란과 같은 트리오르가노클로로실란을 반응시킬 수 있다. SiH기를 갖는 생성물과 산무수물기를 갖는 화합물과의 반응에서는 예컨대 히드로실릴화를 이용할 수 있다. 즉, SiH기를 갖는 생성물이, Si-H 결합의 절단을 동반하여, 탄소-탄소 이중 결합과 같은 불포화 결합에 부가하는 반응을 이용할 수 있다. 히드로실릴화를 이용하는 경우, 산무수물기를 갖는 화합물이 탄소-탄소 이중 결합과 같은 불포화 결합(예컨대 비닐기)을 갖고 있을 수 있다. 한편, SiH기를 갖는 생성물과 산무수물기를 갖는 화합물의 반응에서는, 커플링 반응, 구체적으로는 루테늄이나 백금, 팔라듐, 로듐 등의 귀금속 촉매를 이용한, SiH기를 갖는 생성물과, 할로겐화아릴과의 커플링 반응을 이용할 수도 있다. 커플링 반응을 이용하는 경우, 산무수물기를 갖는 화합물 혹은 산무수물기로 변환 가능한 작용기를 갖는 화합물이 할로겐화아릴 구조를 갖고 있을 수 있다. 산무수물기로 변환 가능한 작용기로서 예컨대 디에스테르기를 들 수 있다.The reaction between a compound having a silanol group (i.e., a compound having a silanol group containing H as Z 1 and O adjacent to Z 1 ) and an acid chloride having an acid anhydride group such as trimellitic anhydride chloride, or a SiH group Prior to reaction with the organochlorosilane, a portion of the silanol group may be capped. For capping, a compound having a silanol group can be reacted with, for example, a triorganochlorosilane such as triphenylchlorosilane. In the reaction between a product having a SiH group and a compound having an acid anhydride group, hydrosilylation can be used, for example. That is, a reaction in which a product having a SiH group is added to an unsaturated bond such as a carbon-carbon double bond along with cleavage of the Si-H bond can be used. When hydrosilylation is used, the compound having an acid anhydride group may have an unsaturated bond such as a carbon-carbon double bond (eg, a vinyl group). On the other hand, in the reaction between a product having a SiH group and a compound having an acid anhydride group, there is a coupling reaction, specifically, a coupling reaction between a product having a SiH group and an aryl halide using a noble metal catalyst such as ruthenium, platinum, palladium, and rhodium. You can also use . When using a coupling reaction, a compound having an acid anhydride group or a compound having a functional group that can be converted to an acid anhydride group may have an aryl halide structure. Examples of functional groups that can be converted to acid anhydride groups include diester groups.

또한, 이 설명(구체적으로는 각종 반응의 설명을 포함하는, 일반식 AA-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체의 제조에 관한 설명)은 말할 필요도 없이 일반식 AA-D2 이외의 구조의 실세스퀴옥산 유도체를 제조하기 위한 설명으로서도 적절하게취급할 수 있다.In addition, needless to say, this description (specifically, a description of the production of silsesquioxane derivatives represented by the general formula AA-D2, including descriptions of various reactions) contains silsesquioxane derivatives with structures other than the general formula AA-D2. It can also be appropriately treated as an explanation for producing sesquioxane derivatives.

실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-C1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수도 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-C1”).

Figure pct00054
Figure pct00054

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기,(In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z1은 각각 독립되어 있고, Z 1 is each independent,

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 1 are structures represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, X belonging to Z 1 and O adjacent to Z 1 are connected by a linker,

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1이 존재하는 경우, 그 구조가 아닌 Z1은 H 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이고, If Z 1 that is not a structure represented by the general formula (Z1-1) exists, Z 1 that is not the structure is H or a structure represented by the general formula (Z1-S),

일반식 (Z1-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z1-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00055
Figure pct00055

Figure pct00056
Figure pct00056

또한, 일반식 AA-C1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 일반식 AA-C1의 범위 내의 모든 기하 이성체를 포함한다. 예컨대 일반식 AA-C1로 표시되는 기하 이성체로서, Si에 결합하는 한 쌍의 R1 및 O-Z1이 고리 평면에 결합하는 방향이 다른 기하 이성체가 존재하는 바, 일반식 AA-C1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 이들을 포함한다. Additionally, silsesquioxane derivatives represented by the general formula AA-C1 include all geometric isomers within the scope of the general formula AA-C1. For example, as a geometric isomer represented by the general formula AA-C1, a pair of R 1 and OZ 1 bonded to Si exist in different directions of bonding to the ring plane, so the sil represented by the general formula AA-C1 Sesquioxane derivatives include these.

일반식 AA-C1의 R1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 일반식 AA-C1의 R1의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 R1은 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기, 페닐기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. The description of R 1 in the general formula AA-C1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 of the general formula AA-D1 can also be treated as an explanation of R 1 of the general formula AA-C1. Therefore, for example, R 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isobutyl group, isooctyl group, trifluoropropyl group, or phenyl group, and more preferably a phenyl group.

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이다. 즉, Z1 3개 중 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조라도 좋고, 3개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조라도 좋다.It is a structure in which at least two of Z 1 are represented by the general formula (Z1-1). That is, a structure in which two of the three Z 1s are represented by the general formula (Z1-1) may be sufficient, and a structure in which three Z 1s are represented by the general formula (Z1-1) may be used.

Z1에 관해서, 일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AA-C1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AA-C1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, X는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 1 , It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of X in general formula (Z1-1) in general formula AA-C1 is omitted because it overlaps with the explanation of Accordingly, the explanation of X of general formula (Z1-1) in general formula AA-D1 can also be treated as the explanation of Therefore, it is preferable that From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 하기 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. A linking group that connects I can hear it. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00057
Figure pct00057

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is a single bond, substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, substituted or unsubstituted arylene group, or It is a group in which the adjacent carbon is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 Si는 Z1에 인접해 있는 O와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다.)Si, shown at the end, is connected to O adjacent to Z 1 , and Q 2 , shown at the end, is connected to X.)

「끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 X와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 X와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to X” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to In the case where the carbon adjacent to

연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AA-C1의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 연결기로서는 카르보닐기가 바람직하다. 연결기가 카르보닐기인 경우, 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조로서는 하기의 구조가 바람직하다. 즉, 연결기가 카르보닐기인 경우, Z1은 하기의 구조인 것이 바람직하다. The description of the connecting group is omitted because it overlaps with the description of the connecting group of general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula AA-C1. Therefore, for example, a carbonyl group is preferred as the linking group. When the linking group is a carbonyl group, the following structure is preferable as the structure represented by general formula (Z1-1). That is, when the linking group is a carbonyl group, Z 1 preferably has the following structure.

Figure pct00058
Figure pct00058

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1은 H, 즉, 수소 원자 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이다. 만일 Z1이 H이면, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기쉽게 되는 경우가 있다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다고 하는 이유에서, 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조가 바람직하다. Z 1 , which is not a structure represented by the general formula (Z1-1), is H, that is, a hydrogen atom, or a structure represented by the general formula (Z1-S). If Z 1 is H, gelation of the polyamic acid solution may easily occur. For the reason that gelation of the polyamic acid solution can be suppressed, the structure represented by the general formula (Z1-S) is preferable.

일반식 (Z1-S)에서의 QS1에 관해서, QS1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 QS1의 설명으로서도 취급할 수 있다. QS1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 QS1은 원료 입수성의 관점에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding Q S1 in the general formula (Z1-S), the description of Q S1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q S1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q S1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q S1 is preferably a methyl group, ethyl group, or phenyl group from the viewpoint of raw material availability.

3개의 Z1의 구체적인 조합에 관해서, Z1의 2개가 하기의 구조이고, 하나가 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. Regarding the specific combination of three Z 1 , it is preferable that two of Z 1 have the following structures and one has the structure represented by the general formula (Z1-S).

Figure pct00059
Figure pct00059

일반식 AA-C1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 예컨대 일반식 AA-C1에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자인 화합물을 제조하는 것 이외에는, 일반식 AA-D2에서 설명한 수순과 같은 수순으로 제조할 수 있다. 일반식 AA-C1에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자인 화합물은 예컨대 다음 문헌에 기재된 방법에 기초하여 제조할 수 있다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-C1 can be prepared by, for example, the same procedures as those described in the general formula AA-D2, except that all Z 1s in the general formula AA-C1 are hydrogen atoms. It can be manufactured. Compounds in which all Z 1s in the general formula AA-C1 are hydrogen atoms can be produced, for example, based on the methods described in the following documents.

Chemistry Letters, 2014, Vol. 43, No. 10, pp. 1532-1534Chemistry Letters, 2014, Vol. 43, No. 10, pp. 1532-1534

또한, 일반식 AA-C1에 있어서, 모든 Z1이 수소 원자인 화합물은 시판 제품(예컨대 Hybrid Plastics사 제조의 SO1450이나 SO1458)으로서 입수할 수도 있다. In addition, in the general formula AA-C1, compounds in which all Z 1 is a hydrogen atom can also be obtained as commercial products (for example, SO1450 or SO1458 manufactured by Hybrid Plastics).

실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AA-Q1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수도 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AA-Q1”).

Figure pct00060
Figure pct00060

(식 중, Z1은 각각 독립되어 있고, (In the formula, Z 1 is each independent,

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 1 are structures represented by the general formula (Z1-1),

일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, In the general formula (Z1-1), Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, X belonging to Z 1 and O adjacent to Z 1 are connected by a linker,

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1이 존재하는 경우, 그 구조가 아닌 Z1은 H 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이고, If Z 1 that is not a structure represented by the general formula (Z1-1) exists, Z 1 that is not the structure is H or a structure represented by the general formula (Z1-S),

일반식 (Z1-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z1-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00061
Figure pct00061

Figure pct00062
Figure pct00062

Z1의 적어도 2개가 일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조이다. Z1 8개 전부가 이 구조라도 좋지만, Z1 8개 중 2개∼6개가 이 구조인 것이 바람직하고, 2개∼4개가 이 구조인 것이 보다 바람직하고, 2개 또는 3개가 이 구조인 것이 더욱 바람직하다. It is a structure in which at least two of Z 1 are represented by the general formula (Z1-1). All eight Z 1s may have this structure, but it is preferable that 2 to 6 of the 8 Z 1s have this structure, more preferably 2 to 4 have this structure, and 2 or 3 have this structure. It is more desirable.

Z1에 관해서, 일반식 (Z1-1)에서의 X는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AA-Q1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AA-Q1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, X는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 1 , It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of X in general formula (Z1-1) in general formula AA-Q1 is omitted because it overlaps with the explanation of Accordingly, the explanation of X of general formula (Z1-1) in general formula AA-D1 can also be treated as the explanation of Therefore, it is preferable that From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z1에 속하는 X와 Z1에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 하기의 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. A linking group that connects You can raise your flag. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00063
Figure pct00063

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is a single bond, substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, substituted or unsubstituted arylene group, or It is a group in which the adjacent carbon is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 Si는 Z1에 인접해 있는 O와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다.)Si, shown at the end, is connected to O adjacent to Z 1 , and Q 2 , shown at the end, is connected to X.)

「끝에 표시된 Q2는 X와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 X와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 X에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 X와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to X” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to In the case where the carbon adjacent to

연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AA-Q1의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. The description of the connecting group is omitted because it overlaps with the description of the connecting group of general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula AA-Q1.

일반식 (Z1-1)로 표시되는 구조가 아닌 Z1은 H, 즉, 수소 원자 또는 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조이다. 만일 Z1이 H이면, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉽게 되는 경우가 있다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다는 이유에서, 일반식 (Z1-S)로 표시되는 구조가 바람직하다. Z 1 , which is not a structure represented by the general formula (Z1-1), is H, that is, a hydrogen atom, or a structure represented by the general formula (Z1-S). If Z 1 is H, gelation of the polyamic acid solution may easily occur. For the reason that gelation of the polyamic acid solution can be suppressed, the structure represented by the general formula (Z1-S) is preferable.

일반식 (Z1-S)에서의 QS1에 관해서, QS1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 QS1의 설명으로서도 취급할 수 있다. QS1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 QS1은 원료 입수성의 관점에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding Q S1 in the general formula (Z1-S), the description of Q S1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 in the general formula AA-D1 can also be treated as the description of Q S1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q S1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q S1 is preferably a methyl group, ethyl group, or phenyl group from the viewpoint of raw material availability.

일반식 AA-Q1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 예컨대 일반식 AA-Q1에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자인 화합물을 제조하는 것 이외에는, 일반식 AA-D2에서 설명한 수순과 같은 수순으로 제조할 수 있다. 일반식 AA-Q1에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자인 화합물은, 예컨대 다음 문헌에 기재된 방법에 기초하여, 모든 Z1이 수소 원자인 화합물에 대응하는 테트라메틸암모늄염을 산을 이용하여 프로톤화함으로써 제조할 수 있다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-Q1 can be prepared by, for example, the same procedures as those described in the general formula AA-D2, except that all Z 1s in the general formula AA-Q1 are hydrogen atoms. It can be manufactured. The compound in which all Z 1 in the general formula AA-Q1 is a hydrogen atom is obtained by protonating the tetramethylammonium salt corresponding to the compound in which all Z 1 is a hydrogen atom using an acid, for example, based on the method described in the following document. It can be manufactured.

Chemistry Letters, 2018, Vol. 47, No. 12, pp. 1530-1533Chemistry Letters, 2018, Vol. 47, no. 12, pp. 1530-1533

또한, 일반식 AA-Q1에 있어서, 모든 Z1이 수소 원자인 화합물에 대응하는 테트라메틸암모늄염은 시판 제품(예컨대 Hybrid Plastics사 MS0860)으로서 입수할 수도 있다. Additionally, in the general formula AA-Q1, tetramethylammonium salts corresponding to compounds in which all Z 1 are hydrogen atoms can also be obtained as commercial products (for example, MS0860 from Hybrid Plastics).

랜덤형 구조를 갖는 실세스퀴옥산 유도체의 예는 후술한다. Examples of silsesquioxane derivatives with random structures will be described later.

실세스퀴옥산 유도체는 2개 이상의 아미노기를 가질 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 아미노기를 갖는 경우에는 카르복실산류와 반응할 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체 1 분자 당 아미노기의 수는, 예컨대 3 이상이라도 좋고, 4 이상이라도 좋고, 5 이상이라도 좋고, 6 이상이라도 좋다. 1 분자 당 아미노기의 수는, 예컨대 10 이하라도 좋고, 8 이하라도 좋다. 특히 실세스퀴옥산 유도체가 바구니형 구조를 갖는 경우, 1 분자 당 아미노기의 수는, 예컨대 2 이상 8 이하가 바람직하다. 한편, 실세스퀴옥산 유도체가 랜덤형 구조인 경우, 1 분자 당 아미노기의 수는 2∼10이 바람직하고, 2.5∼6이 보다 바람직하다. 아미노기의 수가 이 범위 내이면, 얻어지는 폴리이미드쇄가 적절하게 가교되기 때문에, 폴리이미드 필름의 인성을 한층 더 개선할 수 있다. Silsesquioxane derivatives may have two or more amino groups. If the silsesquioxane derivative has two or more amino groups, it may react with carboxylic acids. The number of amino groups per molecule of the silsesquioxane derivative may be, for example, 3 or more, 4 or more, 5 or more, or 6 or more. The number of amino groups per molecule may be, for example, 10 or less, or 8 or less. In particular, when the silsesquioxane derivative has a basket-like structure, the number of amino groups per molecule is preferably, for example, 2 or more and 8 or less. On the other hand, when the silsesquioxane derivative has a random structure, the number of amino groups per molecule is preferably 2 to 10, and more preferably 2.5 to 6. If the number of amino groups is within this range, the resulting polyimide chain is crosslinked appropriately, so the toughness of the polyimide film can be further improved.

또한, 실세스퀴옥산 유도체는, 2개 이상의 아미노기를 갖는 경우, 상술한 2개 이상의 산무수물기를 갖지 않는다.Additionally, when the silsesquioxane derivative has two or more amino groups, it does not have the two or more acid anhydride groups described above.

각 아미노기는, 아미노기와, 실세스퀴옥산 유도체를 구성하는 Si 중, 아미노기에 결합상 가장 가까운 Si를 연결하는 연결기를 갖는 것이 바람직하다. 연결기의 설명은, 후술하는 일반식 AM-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체에서 상세히 설명하기 때문에, 중복을 피할 목적으로 여기서는 간단한 설명에 그친다. 연결기는 예컨대 후술하는 일반식 AM-D1에 있어서의 Z2에서 설명하는 구조를 들 수 있다. 즉, 양자(아미노기와, 실세스퀴옥산 유도체를 구성하는 Si 중 아미노기에 결합상 가장 가까운 Si의 양자)를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 후술하는 구조식 (C-S)로 표시되는 기, 에스테르기(즉, 에스테르 결합), 아미드기(즉, 아미드 결합) 및 이들의 임의의 2개 이상의 조합을 들 수 있다. 이것에 더하여, 아미노기가 Y로 표시되는 고리에 결합해 있는 경우에는(후술하는 일반식 AM-D1 참조), 연결기가 Y로 표시되는 고리를 더 갖고 있을 수 있다. 즉, 이 경우에는, 연결기가, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 후술하는 구조식 (C-S)로 표시되는 기, 에스테르기(즉, 에스테르 결합), 아미드기(즉, 아미드 결합) 또는 이들의 임의의 2개 이상의 조합을 갖고 있을 수 있으며 또한 Y로 표시되는 고리를 더 갖고 있을 수 있다. 여기서, Y가 치환 또는 비치환의 방향족환인 경우, 치환 또는 비치환의 방향족환에 아미노기가 결합해 있을 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. Each amino group preferably has a linking group that connects the amino group to Si that is closest in bonding to the amino group among the Si constituting the silsesquioxane derivative. Since the description of the linking group is explained in detail in the silsesquioxane derivative represented by the general formula AM-D1 described later, the description is limited here to avoid duplication. Examples of the linking group include the structure described by Z 2 in the general formula AM-D1 described later. That is, it is a linking group that connects protons (an amino group and a proton of Si that is bond-closest to the amino group among Si constituting the silsesquioxane derivative), such as a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, or a substituted or unsubstituted alkylene group. Examples include an arylene group, a group represented by the structural formula (CS) described later, an ester group (i.e., an ester bond), an amide group (i.e., an amide bond), and any combination of two or more thereof. In addition, when the amino group is bonded to the ring represented by Y (see general formula AM-D1 described later), the linking group may further have a ring represented by Y. That is, in this case, the linking group is a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, a group represented by the structural formula (CS) described later, an ester group (i.e., ester bond), and an amide group. (i.e., amide bond) or any combination of two or more thereof, and may further have a ring represented by Y. Here, when Y is a substituted or unsubstituted aromatic ring, an amino group may be bonded to the substituted or unsubstituted aromatic ring. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

연결기는, 각각 독립적으로 아미노기에 결합한, 치환 혹은 비치환의 방향족환을 갖는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 연결기가 방향족환 대신에 지방족환을 갖는 경우와 비교하여, 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있기 때문이다. 치환 혹은 비치환의 방향족환의 설명은, 후술하는 일반식 AM-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체에서 상세히 설명하기 때문에, 중복을 피할 목적으로 여기서는 생략한다.It is preferable that the linking groups each independently have a substituted or unsubstituted aromatic ring bonded to an amino group. This is because, compared to the case where the linking group has an aliphatic ring instead of an aromatic ring, yellowing of the polyimide (for example, polyimide film) under high temperature conditions can be further suppressed. The description of the substituted or unsubstituted aromatic ring is explained in detail in the silsesquioxane derivative represented by the general formula AM-D1 described later, so it is omitted here to avoid duplication.

실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-D1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-D1”).

Figure pct00064
Figure pct00064

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z2는 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, Z 2 is each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있어도 좋으며, 연결기로 연결되어 있어도 좋고, Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 may be connected by a single bond or may be connected by a linking group,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 Si는 연결기로 연결되어 있다.)The amino group belonging to general formula (Z2-2) and Si adjacent to Z 2 are connected by a linking group.)

Figure pct00065
Figure pct00065

Figure pct00066
Figure pct00066

또한, 일반식 AM-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 일반식 AM-D1의 범위 내의 모든 기하 이성체를 포함한다. 예컨대 일반식 AM-D1로 표시되는 기하 이성체로서, Si에 결합하는 한 쌍의 Q1 및 Z2가 고리 평면에 결합하는 방향이 다른 기하 이성체가 존재하는 바, 일반식 AM-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 이들을 포함한다. Additionally, silsesquioxane derivatives represented by the general formula AM-D1 include all geometric isomers within the scope of the general formula AM-D1. For example, as a geometric isomer represented by the general formula AM-D1, a pair of Q 1 and Z 2 bonded to Si exist in different geometrical isomers in the direction of bonding to the ring plane, and are represented by the general formula AM-D1. Sesquioxane derivatives include these.

일반식 AM-D1의 R1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 일반식 AM-D1의 R1의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 R1은 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기, 페닐기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. The description of R 1 in the general formula AM-D1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 of the general formula AA-D1 can also be treated as an explanation of R 1 of the general formula AM-D1. Therefore, for example, R 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isobutyl group, isooctyl group, trifluoropropyl group, or phenyl group, and more preferably a phenyl group.

Q1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 Q1의 설명으로서도 취급할 수 있다. Q1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 Q1은 제조의 난이도가 비교적 높지 않다고 하는 이유에서, 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. The description of Q 1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q 1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q 1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q 1 is preferably a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group, and a methyl group is more preferable because the difficulty of production is relatively low.

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AM-D1에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AM-D1에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, Y는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 2 , Y in the general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms, and at least one of the carbons constituting these rings is a hetero atom. It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of Y in general formula (Z2-1) in general formula AM-D1 is omitted because it overlaps with the explanation of X in general formula (Z1-1) in general formula AA-D1. Accordingly, the explanation of Therefore, for the reason that yellowing of polyimide (for example, polyimide film) can be further suppressed under high temperature conditions, for example, around 400°C, it is preferable that Y is a substituted or unsubstituted aromatic ring. From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si는 단일 결합으로 이어져 있어도 좋고, 연결기로 연결되어 있어도 좋다. 양자를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 하기 구조식 (C-S)로 표시되는 기, 에스테르기(즉, 에스테르 결합), 아미드기(즉, 아미드 결합) 및 이들의 임의의 2개 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 may be connected by a single bond or may be connected by a linking group. As a linking group connecting the two, for example, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, a group represented by the following structural formula (CS), an ester group (i.e., an ester bond), an amide group (i.e. , amide bond) and any combination of two or more thereof. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00067
Figure pct00067

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is adjacent to Y constituting a single bond, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or an alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group). is a group in which the carbon is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 O는 Z2에 인접해 있는 Si와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다.)The O shown at the end is connected to Si adjacent to Z 2 , and the Q 2 shown at the end is connected to Y.)

「끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 Y와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 Y와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to Y” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to Y, and Q 2 shown at the end is an alkylene group, arylene group, or alkylene group. When the carbon adjacent to Y constituting the group is a group substituted with a hetero atom, it means that the alkylene group, arylene group, or group in which the carbon adjacent to Y constituting the alkylene group is substituted with a hetero atom is connected to Y.

일반식 AM-D1에 있어서의 연결기의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 연결기의 설명을 일반식 AM-D1에 있어서의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. The description of the connecting group in the general formula AM-D1 is omitted because it overlaps with the description of the connecting group in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of the linking group in the general formula AA-D1 can also be treated as a description of the linking group in the general formula AM-D1.

따라서, 예컨대 연결기로서는, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기와 아미드기의 조합이 바람직하고, p-페닐렌기와 아미드기의 조합이 보다 바람직하다. 구체적으로는 하기의 구조가 바람직하다. 또한, 하기의 구조식에서는 p-페닐렌기가 Si와 결합해 있음을 나타낸다. 아미드기가 Y와 결합해 있음을 나타낸다. 즉, 아미드기를 구성하는 탄소가 Y와 결합해 있음을 나타낸다. Therefore, for example, as the linking group, a combination of a substituted or unsubstituted arylene group and an amide group is preferable, and a combination of a p-phenylene group and an amide group is more preferable. Specifically, the following structure is preferable. Additionally, the structural formula below indicates that the p-phenylene group is bonded to Si. It indicates that the amide group is bonded to Y. In other words, it indicates that the carbon constituting the amide group is bonded to Y.

Figure pct00068
Figure pct00068

양자(즉, Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si)가 이 연결기로 연결되어 있는 경우, Z2는 하기의 구조가 바람직하다. 이 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. When both (that is, Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 ) are connected by this linking group, Z 2 preferably has the following structure. In this structure, the position of the amino group may be the ortho position, the meta position, or the para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00069
Figure pct00069

양자(즉, Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 Si)는 단일 결합으로 이어져 있는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 양자가 단일 결합으로 이어져 있음으로써, 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있기 때문이다. Both (i.e., Y belonging to Z 2 and Si adjacent to Z 2 ) are preferably connected by a single bond. This is because the two are connected by a single bond, so that yellowing of polyimide (for example, polyimide film) under high temperature conditions can be further suppressed.

양자가 단일 결합으로 이어져 있는 경우, 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조로서는 하기의 구조가 바람직하다. 즉, 양자가 단일 결합으로 이어져 있는 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. 이 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. When both are connected by a single bond, the following structure is preferable as the structure represented by general formula (Z2-1). That is, when both are connected by a single bond, Z 2 preferably has the following structure. In this structure, the position of the amino group may be the ortho position, the meta position, or the para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00070
Figure pct00070

즉, Z2는 하기의 구조가 보다 바람직하다. That is, Z 2 preferably has the following structure.

Figure pct00071
Figure pct00071

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 Si는 연결기로 연결되어 있다. 양자를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 상술한 구조식 (C-S)로 표시되는 기, 에스테르기(즉, 에스테르 결합), 아미드기(즉, 아미드 결합) 및 이들의 임의의 2개 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. Regarding Z 2 , the amino group belonging to the general formula (Z2-2) and Si adjacent to Z 2 are connected by a linking group. As a linking group connecting the two, for example, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, a group represented by the above-mentioned structural formula (CS), an ester group (i.e., an ester bond), an amide group ( That is, amide bond) and any combination of two or more thereof. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

일반식 AM-D1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 연결기의 설명을 일반식 AM-D1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. 일반식 AM-D1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 일반식 AM-D1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기는, 제조의 난이도가 비교적 높지 않다고 하는 이유에서, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 6 이하의, 비치환의 직쇄의 알킬렌기가 보다 바람직하고, n-프로필렌기, 즉, 트리메틸렌기가 더욱 바람직하다. The description of the linking group of general formula (Z2-2) in general formula AM-D1 is omitted because it overlaps with the description of the linking group in general formula AA-D1. Accordingly, the description of the linking group in the general formula AA-D1 can also be treated as an explanation of the linking group of the general formula (Z2-2) in the general formula AM-D1. Since there is a specific most suitable example specific to the linking group of the general formula (Z2-2) in the general formula AM-D1, a description of the most suitable specific example is added. Specifically, the linking group of general formula (Z2-2) in general formula AM-D1 is preferably a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, and has 6 or less carbon atoms for the reason that the difficulty of production is relatively low. An unsubstituted straight-chain alkylene group is more preferable, and an n-propylene group, that is, a trimethylene group, is more preferable.

Z2의 2개 모두가 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조인 것, 또는 Z2의 2개 모두가 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다.It is preferable that both Z 2 have a structure represented by the general formula (Z2-1), or that both Z 2 have a structure represented by the general formula (Z2-2).

일반식 AM-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 예컨대 일반식 AA-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체의 제조에 관한 설명에서 열거한 문헌에 기재된 방법에 기초하여 제조할 수 있다. 예컨대 산무수물기를 갖는 화합물 대신에, 아미노기를 갖는 화합물을 사용하는 것 이외에는, 일반식 AA-D1에서 설명한 수순과 같은 수순으로 제조할 수 있다. 또한, 아미노기를 갖는 화합물에 있어서 아미노기는 보호되어 있어도 좋다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AM-D1 can be produced, for example, based on the method described in the literature listed in the description of the production of the silsesquioxane derivative represented by the general formula AA-D1. For example, it can be produced in the same manner as the procedure described in general formula AA-D1, except that a compound having an amino group is used instead of the compound having an acid anhydride group. Additionally, in compounds having an amino group, the amino group may be protected.

또한, 일반식 AM-D1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체 중, 후술하는 실시예에서 사용한 다음의 실세스퀴옥산 유도체는, 일본 특허공개 2006-265243호 공보에서 제조되었다는 것이 기재되어 있다. In addition, among the silsesquioxane derivatives represented by the general formula AM-D1, it is described that the following silsesquioxane derivatives used in the examples described later were manufactured in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-265243.

Figure pct00072
Figure pct00072

실세스퀴옥산 유도체는, 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-D2」라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수도 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-D2”).

Figure pct00073
Figure pct00073

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z2는 각각 독립되어 있고, Z 2 is each independent,

Z2의 적어도 2개가 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 2 are structures represented by the general formula (Z2-1) or structures represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 are connected by a linker,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, The amino group belonging to general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 are connected by a linking group,

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2가 존재하는 경우, 이들의 구조가 아닌 Z2는 H 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이고, If there is a Z 2 that is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula (Z2-2), Z 2 that is not one of these structures is expressed as H or the general formula (Z2-S) The structure is displayed,

일반식 (Z2-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z2-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00074
Figure pct00074

Figure pct00075
Figure pct00075

Figure pct00076
Figure pct00076

또한, 일반식 AM-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 일반식 AM-D2의 범위 내의 모든 기하 이성체를 포함한다. 예컨대 일반식 AM-D2로 표시되는 기하 이성체로서, Si에 결합하는 한 쌍의 R1 및 O-Z2가 고리 평면에 결합하는 방향이 다른 기하 이성체가 존재하는 바, 일반식 AM-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 이들을 포함한다. Additionally, silsesquioxane derivatives represented by the general formula AM-D2 include all geometric isomers within the scope of the general formula AM-D2. For example, as a geometric isomer represented by the general formula AM-D2, a pair of R 1 and OZ 2 bonded to Si exist in different directions of bonding to the ring plane, so the sil represented by the general formula AM-D2 Sesquioxane derivatives include these.

일반식 AM-D2의 R1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 일반식 AM-D2의 R1의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 R1은 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기, 페닐기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. The description of R 1 in the general formula AM-D2 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 in the general formula AA-D1 can also be treated as the description of R 1 in the general formula AM-D2. Therefore, for example, R 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isobutyl group, isooctyl group, trifluoropropyl group, or phenyl group, and more preferably a phenyl group.

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이다. 즉, Z2 4개 중 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋고, 3개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋고, 4개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋다. At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2). In other words, two of the four Z 2s may each independently have a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2), and three of them may each independently have the general formula (Z2-1). A structure represented by or a structure represented by the general formula (Z2-2) may be used, or the four structures may each be independently represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2).

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AM-D2에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AM-D2에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, X는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 2 , Y in the general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms, and at least one of the carbons constituting these rings is a hetero atom. It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of Y in general formula (Z2-1) in general formula AM-D2 is omitted because it overlaps with the explanation of X in general formula (Z1-1) in general formula AA-D1. Accordingly, the explanation of Therefore, it is preferable that From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 하기 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. As a linking group connecting Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 , for example, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a carbonyl group, a substituted or unsubstituted arylene group, or a group represented by the following structural formula (C) I can hear it. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00077
Figure pct00077

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is Y constituting a single bond, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or an alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) is a group in which the carbon adjacent to is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 Si는 Z2에 인접해 있는 O와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다.)Si shown at the end is connected to O adjacent to Z 2 , and Q 2 shown at the end is connected to Y.)

「끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 Y와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 Y와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to Y” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to Y, and Q 2 shown at the end is an alkylene group, arylene group, or alkylene group. When the carbon adjacent to Y constituting the group is a group substituted with a hetero atom, it means that the alkylene group, arylene group, or group in which the carbon adjacent to Y constituting the alkylene group is substituted with a hetero atom is connected to Y.

연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AM-D2의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 연결기로서는 카르보닐기가 바람직하다. 연결기가 카르보닐기인 경우, 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조로서는 하기의 구조가 바람직하다. 즉, 연결기가 카르보닐기인 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. 이 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위차라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. The description of the connecting group is omitted because it overlaps with the description of the connecting group of general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula AM-D2. Therefore, for example, a carbonyl group is preferred as the linking group. When the linking group is a carbonyl group, the following structure is preferable as the structure represented by general formula (Z2-1). That is, when the linking group is a carbonyl group, Z 2 preferably has the following structure. In this structure, the position of the amino group may be the ortho position, the meta position, or the para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00078
Figure pct00078

이에 더하여, 연결기로서는 구조식 (C)로 표시되는 기도 바람직하다. 연결기가 구조식 (C)로 표시되는 기인 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. 이 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. In addition, as the linking group, a group represented by structural formula (C) is also preferred. When the linking group is a group represented by structural formula (C), Z 2 preferably has the following structure. In this structure, the position of the amino group may be the ortho position, the meta position, or the para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00079
Figure pct00079

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 일반식 (Z2-1)의 연결기와 같은 예를 들 수 있다. 즉, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. Regarding Z 2 , examples of the linking group that connects the amino group belonging to the general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 include the linking group of the general formula (Z2-1). That is, examples thereof include substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene groups, carbonyl groups, substituted or unsubstituted arylene groups, and groups represented by structural formula (C). Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

일반식 AM-D2에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AM-D2에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 구조식 (C)로 표시되는 기가 바람직하다. 연결기가 구조식 (C)로 표시되는 기인 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. The description of the linking group of the general formula (Z2-2) in the general formula AM-D2 is omitted because it overlaps with the explanation of the linking group of the general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of the general formula AA-D2 can also be treated as an explanation of the linking group of the general formula (Z2-2) in the general formula AM-D2. Therefore, for example, a group represented by structural formula (C) is preferred. When the linking group is a group represented by structural formula (C), Z 2 preferably has the following structure.

Figure pct00080
Figure pct00080

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2는 H, 즉, 수소 원자 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이다. 만일 Z2가 H이면, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉽게 되는 경우가 있다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다는 이유에서, 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조가 바람직하다.Z 2 , which is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula ( Z2-2 ), is H, that is, a hydrogen atom, or a structure represented by the general formula (Z2-S). If Z 2 is H, gelation of the polyamic acid solution may easily occur. For the reason that gelation of the polyamic acid solution can be suppressed, the structure represented by the general formula (Z2-S) is preferable.

일반식 (Z2-S)에서의 QS1에 관해서, QS1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 QS1의 설명으로서도 취급할 수 있다. QS1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 QS1은 원료 입수성의 관점에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding Q S1 in the general formula (Z2-S), the description of Q S1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q S1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q S1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q S1 is preferably a methyl group, ethyl group, or phenyl group from the viewpoint of raw material availability.

4개의 Z2의 구체적인 조합에 관해서, Z2의 4개 모두가 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조인 것, 또는 Z2의 4개 모두가 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. Regarding the specific combination of four Z 2 , a structure in which all four Z 2 are represented by the general formula (Z2-1), or a structure in which all four Z 2 are represented by the general formula (Z2-2) It is desirable to be

일반식 AM-D2로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 산무수물기를 갖는 화합물 대신에, 아미노기를 갖는 화합물을 사용하는 것 이외에는, 일반식 AA-D2에서 설명한 수순과 같은 수순으로 제조할 수 있다. 또한, 아미노기를 갖는 화합물에 있어서 아미노기는 보호되어 있어도 좋다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AM-D2 can be produced by the same procedures as those described in the general formula AA-D2, except that a compound having an amino group is used instead of the compound having an acid anhydride group. Additionally, in compounds having an amino group, the amino group may be protected.

실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-C1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수도 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-C1”).

Figure pct00081
Figure pct00081

(식 중, R1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, R 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

Z2는 각각 독립되어 있고, Z 2 is each independent,

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 are connected by a linker,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, The amino group belonging to general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 are connected by a linking group,

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2가 존재하는 경우, 이들의 구조가 아닌 Z2는 H 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이고, If there is a Z 2 that is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula (Z2-2), Z 2 that is not one of these structures is expressed as H or the general formula (Z2-S) The structure is displayed,

일반식 (Z2-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z2-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00082
Figure pct00082

Figure pct00083
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Figure pct00084
Figure pct00084

또한, 일반식 AM-C1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 일반식 AM-C1의 범위내의 모든 기하 이성체를 포함한다. 예컨대 일반식 AM-C1로 표시되는 기하 이성체로서, Si에 결합하는 한 쌍의 R1 및 O-Z2가 고리 평면에 결합하는 방향이 다른 기하 이성체가 존재하는 바, 일반식 AM-C1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는 이들을 포함한다. Additionally, silsesquioxane derivatives represented by the general formula AM-C1 include all geometric isomers within the scope of the general formula AM-C1. For example, as a geometric isomer represented by the general formula AM-C1, a pair of R 1 and OZ 2 bonded to Si have different bonding directions to the ring plane, so there is a geometric isomer represented by the general formula AM-C1. Sesquioxane derivatives include these.

일반식 AM-C1의 R1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 일반식 AM-C1의 R1의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 R1은 메틸기, 에틸기, 이소부틸기, 이소옥틸기, 트리플루오로프로필기, 페닐기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다.The description of R 1 in the general formula AM-C1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 in the general formula AA-D1 can also be treated as a description of R 1 in the general formula AM-C1. Therefore, for example, R 1 is preferably a methyl group, ethyl group, isobutyl group, isooctyl group, trifluoropropyl group, or phenyl group, and more preferably a phenyl group.

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이다. 즉, Z2 3개 중 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋고, 3개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋다. At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2). In other words, two of the three Z 2s may each independently have a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2), and the three Z 2s may each have a structure independently expressed by the general formula (Z2-1). A structure represented by or a structure represented by the general formula (Z2-2) may be used.

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AM-C1에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AM-C1에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, Y는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 2 , Y in the general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms, and at least one of the carbons constituting these rings is a hetero atom. It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of Y in general formula (Z2-1) in general formula AM-C1 is omitted because it overlaps with the explanation of X in general formula (Z1-1) in general formula AA-D1. Accordingly, the explanation of Therefore, for the reason that yellowing of polyimide (for example, polyimide film) can be further suppressed under high temperature conditions, for example, around 400°C, it is preferable that Y is a substituted or unsubstituted aromatic ring. From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 하기의 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. A linking group connecting Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 , such as a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a carbonyl group, a substituted or unsubstituted arylene group, represented by the following structural formula (C) You can raise your flag. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00085
Figure pct00085

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is Y constituting a single bond, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or an alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group) is a group in which the carbon adjacent to is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 Si는 Z2에 인접해 있는 O와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다.)Si shown at the end is connected to O adjacent to Z 2 , and Q 2 shown at the end is connected to Y.)

「끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 Y와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 Y와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to Y” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to Y, and Q 2 shown at the end is an alkylene group, arylene group, or alkylene group. When the carbon adjacent to Y constituting the group is a group substituted with a hetero atom, it means that the alkylene group, arylene group, or group in which the carbon adjacent to Y constituting the alkylene group is substituted with a hetero atom is connected to Y.

연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AM-C1의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 연결기로서는 카르보닐기가 바람직하다. 연결기가 카르보닐기인 경우, 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조로서는 하기의 구조가 바람직하다. 즉, 연결기가 카르보닐기인 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. 이 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. The description of the connecting group is omitted because it overlaps with the description of the connecting group of general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula AM-C1. Therefore, for example, a carbonyl group is preferred as the linking group. When the linking group is a carbonyl group, the following structure is preferable as the structure represented by general formula (Z2-1). That is, when the linking group is a carbonyl group, Z 2 preferably has the following structure. In this structure, the position of the amino group may be the ortho position, the meta position, or the para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00086
Figure pct00086

이에 더하여, 연결기로서는 구조식 (C)로 표시되는 기도 바람직하다. 연결기가 구조식 (C)로 표시되는 기인 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. 이 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. In addition, as the linking group, a group represented by structural formula (C) is also preferred. When the linking group is a group represented by structural formula (C), Z 2 preferably has the following structure. In this structure, the position of the amino group may be the ortho position, the meta position, or the para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00087
Figure pct00087

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서 일반식 (Z2-1)의 연결기와 같은 예를 들 수 있다. 즉, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. Regarding Z 2 , examples of the linking group that connects the amino group belonging to the general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 include the linking group of the general formula (Z2-1). That is, examples thereof include substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene groups, carbonyl groups, substituted or unsubstituted arylene groups, and groups represented by structural formula (C). Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

일반식 AM-C1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AM-C1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 구조식 (C)로 표시되는 기가 바람직하다. 연결기가 구조식 (C)로 표시되는 기인 경우, Z2는 하기의 구조인 것이 바람직하다. The description of the linking group of the general formula (Z2-2) in the general formula AM-C1 is omitted because it overlaps with the explanation of the linking group of the general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula (Z2-2) in general formula AM-C1. Therefore, for example, a group represented by structural formula (C) is preferred. When the linking group is a group represented by structural formula (C), Z 2 preferably has the following structure.

Figure pct00088
Figure pct00088

Z2의 적어도 2개가 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조인 것, 또는 Z2의 적어도 2개가 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. It is preferable that at least two of Z 2 have a structure represented by the general formula (Z2-1), or that at least two of Z 2 have a structure represented by the general formula (Z2-2).

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2는 H, 즉, 수소 원자 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이다. 만일 Z2가 H이면, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉽게 되는 경우가 있다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다는 이유에서, 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조가 바람직하다.Z 2 , which is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula ( Z2-2 ), is H, that is, a hydrogen atom, or a structure represented by the general formula (Z2-S). If Z 2 is H, gelation of the polyamic acid solution may easily occur. For the reason that gelation of the polyamic acid solution can be suppressed, the structure represented by the general formula (Z2-S) is preferable.

일반식 (Z2-S)에서의 QS1에 관해서, QS1의 설명은 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, R1의 설명을 QS1의 설명으로서도 취급할 수 있다. QS1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 QS1은 원료 입수성의 관점에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하다.Regarding Q S1 in the general formula (Z2-S), the description of Q S1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 . In this way, the description of R 1 can also be treated as the description of Q S1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q S1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q S1 is preferably a methyl group, ethyl group, or phenyl group from the viewpoint of raw material availability.

3개의 Z2의 구체적인 조합에 관해서, Z2의 2개가 하기의 구조이고, 하나가 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. 하기의 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. Regarding the specific combination of three Z 2 , it is preferable that two of Z 2 have the following structures and one has the structure represented by the general formula (Z2-S). In the structure below, the position of the amino group may be an ortho position, a meta position, or a para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00089
Figure pct00089

3개의 Z2의 구체적인 조합에 관해서, Z2의 2개가 하기의 구조이고, 1개가 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조인 것도 바람직하다. 하기의 구조에 있어서 아미노기의 위치는, 오르토 위치라도 좋고, 메타 위치라도 좋고, 파라 위치라도 좋다. 그 중에서도 파라 위치가 바람직하다. Regarding the specific combination of three Z 2 , it is also preferable that two of Z 2 have the following structures and one has the structure represented by the general formula (Z2-S). In the structure below, the position of the amino group may be an ortho position, a meta position, or a para position. Among them, the para position is preferable.

Figure pct00090
Figure pct00090

3개의 Z2의 구체적인 조합에 관해서, Z2의 2개가 하기의 구조이고, 1개가 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조인 것도 바람직하다. Regarding the specific combination of three Z 2 , it is also preferable that two of Z 2 have the following structures and one has the structure represented by the general formula (Z2-S).

Figure pct00091
Figure pct00091

일반식 AM-C1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 산무수물기를 갖는 화합물 대신에, 아미노기를 갖는 화합물을 사용하는 것 이외에는, 일반식 AA-C1에서 설명한 수순과 같은 수순으로 제조할 수 있다. 또한, 아미노기를 갖는 화합물에 있어서 아미노기는 보호되어 있어도 좋다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AM-C1 can be produced by the same procedures as those described in the general formula AA-C1, except that a compound having an amino group is used instead of the compound having an acid anhydride group. Additionally, in compounds having an amino group, the amino group may be protected.

실세스퀴옥산 유도체는 예컨대 하기 일반식(이하, 「일반식 AM-Q1」이라고 하는 경우가 있다.)으로 표시되는 구조일 수도 있다. The silsesquioxane derivative may, for example, have a structure represented by the following general formula (hereinafter sometimes referred to as “general formula AM-Q1”).

Figure pct00092
Figure pct00092

(식 중, Z2는 각각 독립되어 있고, (In the formula, Z 2 is each independent,

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이고, At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2),

일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이고, Y in general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring with 4 to 10 carbon atoms, or a heterocycle in which at least one carbon constituting these rings is substituted with a hetero atom, Or it is a ring made by condensing at least two of these,

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 are connected by a linker,

일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O는 연결기로 연결되어 있고, The amino group belonging to general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 are connected by a linking group,

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2가 존재하는 경우, 이들의 구조가 아닌 Z2는 H 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이고, If there is a Z 2 that is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula (Z2-2), Z 2 that is not one of these structures is expressed as H or the general formula (Z2-S) The structure is displayed,

일반식 (Z2-S)에서의 QS1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, Q S1 in the general formula (Z2-S) is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타낸다.)Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less.)

Figure pct00093
Figure pct00093

Figure pct00094
Figure pct00094

Figure pct00095
Figure pct00095

Z2의 적어도 2개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조이다. Z2 8개 전부가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋지만, Z2 8개 중 2개∼6개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋고, 2개∼4개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋고, 2개 또는 3개가 각각 독립적으로 일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조 또는 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조라도 좋다. At least two of Z 2 are each independently a structure represented by the general formula (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2). A structure in which all eight Z 2s are independently represented by the general formula (Z2-1) or a structure in which the general formula (Z2-2) may be used is acceptable, but 2 to 6 of the 8 Z 2s are each independently expressed by the general formula. A structure represented by (Z2-1) or a structure represented by the general formula (Z2-2) may be used, and 2 to 4 structures each independently represented by the general formula (Z2-1) or the general formula (Z2-2) may be used. ) may be used, or two or three structures may each be independently represented by the general formula (Z2-1) or structures represented by the general formula (Z2-2).

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-1)에서의 Y는, 치환 혹은 비치환의 방향족환, 탄소수 4∼10의, 치환 혹은 비치환의 지방족환, 이들의 고리를 구성하는 탄소의 적어도 하나가 헤테로 원자로 치환된 복소환, 또는 이들의 적어도 2개가 축합한 고리이다. 일반식 AM-Q1에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명은 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1에 있어서의 일반식 (Z1-1)의 X의 설명을 일반식 AM-Q1에 있어서의 일반식 (Z2-1)의 Y의 설명으로서도 취급할 수 있다. 따라서, 예컨대 400℃ 부근의 고온 조건 하에서의 폴리이미드(예컨대 폴리이미드 필름)의 황변을 한층 더 억제할 수 있다고 하는 이유에서, Y는 치환 또는 비치환의 방향족환인 것이 바람직하다. 제조의 난이도라는 관점을 더하면, 비치환의 방향족환이 보다 바람직하다. Regarding Z 2 , Y in the general formula (Z2-1) is a substituted or unsubstituted aromatic ring, a substituted or unsubstituted aliphatic ring having 4 to 10 carbon atoms, and at least one of the carbons constituting these rings is a hetero atom. It is a substituted heterocycle, or a ring made by condensing at least two of these rings. The explanation of Y in general formula (Z2-1) in general formula AM-Q1 is omitted because it overlaps with the explanation of X in general formula (Z1-1) in general formula AA-D1. Accordingly, the explanation of Therefore, for the reason that yellowing of polyimide (for example, polyimide film) can be further suppressed under high temperature conditions, for example, around 400°C, it is preferable that Y is a substituted or unsubstituted aromatic ring. From the viewpoint of difficulty in production, an unsubstituted aromatic ring is more preferable.

Z2에 속하는 Y와 Z2에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서, 예컨대 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 하기의 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. A linking group connecting Y belonging to Z 2 and O adjacent to Z 2 , such as a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a carbonyl group, a substituted or unsubstituted arylene group, represented by the following structural formula (C) You can raise your flag. Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

Figure pct00096
Figure pct00096

(식 중, Q1은, 각각 독립적으로 탄소수 1∼9의, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, (In the formula, Q 1 is each independently a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms,

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 A substituted or unsubstituted aryl group with 15 carbon atoms or less, or

탄소수 15 이하의, 치환 혹은 비치환의 아릴알킬기를 나타내고, Represents a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 15 carbon atoms or less,

n은 0∼8의 정수이고, n is an integer from 0 to 8,

Q2는, 단일 결합, 치환 혹은 비치환의, 직쇄 혹은 분기의 알킬렌기, 치환 혹은 비치환의 아릴렌기, 또는 알킬렌기(구체적으로는 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기)를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기이고, Q 2 is a single bond, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or an alkylene group (specifically, a substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene group). It is a group in which the adjacent carbon is substituted with a hetero atom,

끝에 표시된 Si는 Z2에 인접해 있는 O와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다.)Si shown at the end is connected to O adjacent to Z 2 , and Q 2 shown at the end is connected to Y.)

「끝에 표시된 Q2는 Y와 이어져 있다」란, 끝에 표시된 Q2가 단일 결합인 경우, 끝에 표시된 Q2에 인접하는 Si가 Y와 이어져 있고, 끝에 표시된 Q2가 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 알킬렌기를 구성하는 Y에 인접하는 탄소가 헤테로 원자로 치환된 기가 Y와 이어져 있음을 의미한다. “Q 2 shown at the end is connected to Y” means that when Q 2 shown at the end is a single bond, Si adjacent to Q 2 shown at the end is connected to Y, and Q 2 shown at the end is an alkylene group, arylene group, or alkylene group. When the carbon adjacent to Y constituting the group is a group substituted with a hetero atom, it means that the alkylene group, arylene group, or group in which the carbon adjacent to Y constituting the alkylene group is substituted with a hetero atom is connected to Y.

연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AM-Q1의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. The description of the connecting group is omitted because it overlaps with the description of the connecting group of general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula AM-Q1.

Z2에 관해서, 일반식 (Z2-2)에 속하는 아미노기와 Z2에 인접해 있는 O를 연결하는 연결기로서 일반식 (Z2-1)의 연결기와 같은 예를 들 수 있다. 즉, 치환 또는 비치환의, 직쇄 또는 분기의 알킬렌기, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴렌기, 구조식 (C)로 표시되는 기를 들 수 있다. 또한, 연결기는 각각 독립되어 있을 수 있다. 즉, 각 연결기는 독자적인 구조일 수 있다. Regarding Z 2 , examples of the linking group that connects the amino group belonging to the general formula (Z2-2) and O adjacent to Z 2 include the linking group of the general formula (Z2-1). That is, examples thereof include substituted or unsubstituted, straight-chain or branched alkylene groups, carbonyl groups, substituted or unsubstituted arylene groups, and groups represented by structural formula (C). Additionally, each connecting group may be independent. In other words, each connector may have a unique structure.

일반식 AM-Q1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명은 일반식 AA-D2의 연결기의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D2의 연결기의 설명을 일반식 AM-Q1에 있어서의 일반식 (Z2-2)의 연결기의 설명으로서도 취급할 수 있다. The description of the linking group of the general formula (Z2-2) in the general formula AM-Q1 is omitted because it overlaps with the explanation of the linking group of the general formula AA-D2. Accordingly, the description of the linking group of general formula AA-D2 can also be treated as the explanation of the linking group of general formula (Z2-2) in general formula AM-Q1.

일반식 (Z2-1)로 표시되는 구조도 일반식 (Z2-2)로 표시되는 구조도 아닌 Z2는 H, 즉, 수소 원자 또는 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조이다. 만일 Z2가 H이면, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉽게 되는 경우가 있다. 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제할 수 있다는 이유에서, 일반식 (Z2-S)로 표시되는 구조가 바람직하다.Z 2 , which is neither a structure represented by the general formula (Z2-1) nor a structure represented by the general formula ( Z2-2 ), is H, that is, a hydrogen atom, or a structure represented by the general formula (Z2-S). If Z 2 is H, gelation of the polyamic acid solution may easily occur. For the reason that gelation of the polyamic acid solution can be suppressed, the structure represented by the general formula (Z2-S) is preferable.

일반식 (Z2-S)에서의 QS1에 관해서, QS1의 설명은 일반식 AA-D1의 R1의 설명과 중복되기 때문에 생략한다. 이로써, 일반식 AA-D1의 R1의 설명을 QS1의 설명으로서도 취급할 수 있다. QS1에 특유의 가장 적합한 구체예가 있기 때문에 가장 적합한 구체예의 설명을 추가한다. 구체적으로 QS1은 원료 입수성의 관점에서 메틸기, 에틸기, 페닐기가 바람직하다. Regarding Q S1 in the general formula (Z2-S), the description of Q S1 is omitted because it overlaps with the description of R 1 in the general formula AA-D1. Accordingly, the description of R 1 in the general formula AA-D1 can also be treated as the description of Q S1 . Since there is a specific most suitable embodiment for Q S1 , a description of the most suitable embodiment is added. Specifically, Q S1 is preferably a methyl group, ethyl group, or phenyl group from the viewpoint of raw material availability.

일반식 AM-Q1로 표시되는 실세스퀴옥산 유도체는, 산무수물기를 갖는 화합물 대신에 아미노기를 갖는 화합물을 사용하는 것 이외에는, 일반식 AA-Q1에서 설명한 수순과 같은 수순으로 제조할 수 있다. 또한, 아미노기를 갖는 화합물에 있어서 아미노기는 보호되어 있어도 좋다. The silsesquioxane derivative represented by the general formula AM-Q1 can be produced by the same procedures as those described in the general formula AA-Q1, except that a compound having an amino group is used instead of a compound having an acid anhydride group. Additionally, in compounds having an amino group, the amino group may be protected.

<랜덤형 구조를 갖는 실세스퀴옥산 유도체의 예_실세스퀴옥산 화합물 A> <Example of silsesquioxane derivative with random structure_Silsesquioxane Compound A>

랜덤형 구조를 갖는 실세스퀴옥산 유도체의 예로서, 이하에 설명하는, 2개 이상의 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 화합물 A를 들 수 있다. 또한, 실세스퀴옥산 화합물 A는 신규의 실세스퀴옥산 화합물이다.An example of a silsesquioxane derivative having a random structure includes silsesquioxane compound A, which has two or more acid anhydride groups and is described below. Additionally, silsesquioxane compound A is a novel silsesquioxane compound.

신규의 실세스퀴옥산 화합물 A는, 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물인 축합물 B의 티올기와, 비닐기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 및 산염화물기에서 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 갖는 디카르복실산무수물 C의 반응성기가 반응하여 이루어지는 실세스퀴옥산 화합물이다.The novel silsesquioxane compound A is a thiol group of condensate B, which is a thiol group-containing silsesquioxane compound, and at least one reactive group selected from a vinyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, and an acid chloride group. It is a silsesquioxane compound formed by reacting with the reactive group of dicarboxylic acid anhydride C.

축합물 B는, 일반식: R1Si(OR2)3으로 표시되는 티올기 함유 트리알콕시실란류 a1과, Condensate B is a thiol group-containing trialkoxysilane a1 represented by the general formula: R 1 Si(OR 2 ) 3 ,

(식 중, R1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기의 적어도 하나의 수소가 티올기로 치환되어 있는 유기기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)(In the formula, R 1 represents an organic group in which at least one hydrogen of an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is substituted with a thiol group, and R 2 independently represents a hydrogen atom and 1 carbon atom. Represents ~8 aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, or aromatic hydrocarbon group.)

티올기를 갖지 않는 트리알콕시실란류 a2의 축합물 B이다. It is a condensate B of trialkoxysilanes a2 without a thiol group.

또한, 실세스퀴옥산 화합물 A의 구조는 2개의 반복 단위로서 부분적으로 특정할 수도 있다. 즉, 신규의 실세스퀴옥산 화합물 A는 하기의 일반식 (1) 및 (2)로 표시되는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. Additionally, the structure of silsesquioxane compound A may be partially specified as two repeating units. That is, the novel silsesquioxane compound A preferably has structural units represented by the following general formulas (1) and (2).

Figure pct00097
Figure pct00097

(식 중, Q1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, Q2는 단일 결합, 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 탄소수 1∼8의 탄화수소기의 탄소 원자의 하나 이상이 산소로 치환되어 있는 유기기 또는 카르보닐기이고, X는 탄소-탄소 결합이거나 또는 탄소수 4∼10의 지방족환, 방향족환 혹은 이들을 구성하는 탄소의 일부가 산소 또는 황으로 치환된 복소환이며, 이들에 결합하는 수소의 하나 이상이 탄화수소기로 치환되어 있어도 좋고, 1.0≤m≤2.0이며, 1.4≤n≤1.6이다.)(Wherein, Q 1 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and Q 2 represents a single bond, a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, or a carbon atom of a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. At least one of is an organic group or carbonyl group substituted with oxygen, and , one or more of the hydrogens bonded to them may be substituted with a hydrocarbon group, and 1.0≤m≤2.0 and 1.4≤n≤1.6.)

Figure pct00098
Figure pct00098

(식 중, Q3은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, 1.4≤n≤1.6이다.)(In the formula, Q 3 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and 1.4≤n≤1.6.)

신규의 실세스퀴옥산 화합물 A는 예컨대 이하의 공정을 순차 포함하는 제조 방법에 의해 적합하게 제조할 수 있다. The novel silsesquioxane compound A can be suitably produced, for example, by a production method sequentially including the following steps.

일반식: R1Si(OR2)3으로 표시되는 티올기 함유 트리알콕시실란류 a1과, General formula: thiol group-containing trialkoxysilanes a1 represented by R 1 Si(OR 2 ) 3 ,

(식 중, R1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기의 적어도 하나의 수소가 티올기로 치환되어 있는 유기기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)(In the formula, R 1 represents an organic group in which at least one hydrogen of an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is substituted with a thiol group, and R 2 independently represents a hydrogen atom and 1 carbon atom. Represents ~8 aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, or aromatic hydrocarbon group.)

티올기를 갖지 않는 트리알콕시실란류 a2와, 물을, 산성 촉매를 이용하여 가수분해 반응시켜 반응 혼합물 x를 얻는 제1 공정, A first step of obtaining a reaction mixture x by hydrolyzing trialkoxysilanes a2 without a thiol group and water using an acidic catalyst,

상기 반응 혼합물 x로부터 상기 산성 촉매를 제거하여 반응 혼합물 y를 얻는 제2 공정,A second process of removing the acidic catalyst from the reaction mixture x to obtain a reaction mixture y,

염기성 촉매를 포함하는 극성 용제와 상기 반응 혼합물 y를 혼합하여 축합시킴으로써 티올기를 갖는 축합물 B를 얻는 제3 공정 및 A third step of obtaining condensate B having a thiol group by mixing and condensing the reaction mixture y with a polar solvent containing a basic catalyst, and

상기 축합물 B와, 비닐기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 및 산염화물기에서 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 갖는 디카르복실산무수물 C를 반응시키는 제4 공정.A fourth step of reacting the condensate B with dicarboxylic anhydride C having at least one reactive group selected from vinyl, alkenyl, cycloalkenyl, alkynyl, and acid chloride groups.

또한, 시판되고 있는 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물(축합물 B)과, 비닐기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 및 산염화물기에서 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 갖는 디카르복실산무수물 C를 반응시킴으로써 얻을 수도 있다. In addition, a commercially available thiol group-containing silsesquioxane compound (condensate B) and a dicarboxylic acid anhydride having at least one reactive group selected from vinyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, and acid chloride group. It can also be obtained by reacting C.

<축합물 B(티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물)> <Condensate B (silsesquioxane compound containing thiol group)>

축합물 B는, 티올기 함유 트리알콕시실란류 a1과, 티올기를 갖지 않는 트리알콕시실란류 a2의 축합물이다. 축합물 B로서는, 예컨대 유기·무기 하이브리드 수지 콤포세란 SQ(품명: SQ107 혹은 SQ109, 아라카와가가쿠고교가부시키가이샤)를 사용할 수 있다. 혹은 상기 제1 공정∼제3 공정을 포함하는 방법으로 합성한 축합물 B를 사용할 수 있다. Condensate B is a condensate of trialkoxysilanes a1 containing a thiol group and trialkoxysilanes a2 without a thiol group. As the condensate B, for example, the organic-inorganic hybrid resin Composeran SQ (product name: SQ107 or SQ109, Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.) can be used. Alternatively, condensate B synthesized by a method including the first to third steps above can be used.

<제1 공정> <First process>

제1 공정은, 일반식: R1Si(OR2)3으로 표시되는 티올기 함유 트리알콕시실란류 a1과, 티올기를 갖지 않는 트리알콕시실란류 a2와, 물을, 산성 촉매를 이용하여 가수분해 반응시켜 반응 혼합물 x를 얻는 공정이다. The first step is hydrolyzing a thiol group-containing trialkoxysilane a1 represented by the general formula: R 1 Si(OR 2 ) 3 , a thiol group-free trialkoxysilane a2, and water using an acidic catalyst. This is the process of obtaining reaction mixture x by reacting.

(식 중, R1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기의 적어도 하나의 수소가 티올기로 치환되어 있는 유기기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)(In the formula, R 1 represents an organic group in which at least one hydrogen of an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is substituted with a thiol group, and R 2 independently represents a hydrogen atom and 1 carbon atom. Represents ~8 aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, or aromatic hydrocarbon group.)

여기서, 「탄소수 1∼8」은 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 수식하는 것이지만, 최소 탄소수와의 관계에서 볼 때, 보다 정확하게는 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 탄소수 4∼8의 지환식 탄화수소기 또는 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기를 의미한다. 또한, 「탄소수 1∼8」 등의 탄소수의 한정은 치환기를 포함하는 유기기 전체의 탄소수를 의미한다. Here, “carbon number 1 to 8” modifies an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group, but in terms of the relationship with the minimum carbon number, it more accurately refers to an aliphatic hydrocarbon group with a carbon number of 1 to 8 and a carbon number of 4 to 8. refers to an alicyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 8 carbon atoms. Additionally, limitations on the number of carbon atoms such as “carbon number 1 to 8” mean the number of carbon atoms of the entire organic group including the substituent.

보다 상세하게는 상기 일반식에 있어서, R1은 직쇄 또는 분기쇄, 혹은 지방족환을 갖는 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 또는 탄화수소기를 갖고 있어도 좋은, 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기의 적어도 하나의 수소가 티올기로 치환되어 있는 유기기를 나타낸다. R1로서는, 폴리머쇄에 유연성을 부여할 수 있다는 관점에서 직쇄 탄화수소기가 바람직하고, 내열성을 높일 수 있다는 관점에서 지환식 탄화수소기나 방향족 탄화수소기가 바람직하다. More specifically, in the above general formula, R 1 is a hydrocarbon group of 1 to 8 carbon atoms having a linear or branched chain or an aliphatic ring, or at least one aromatic hydrocarbon group of 6 to 8 carbon atoms, which may have a hydrocarbon group. It represents an organic group in which hydrogen is replaced by a thiol group. As R 1 , a straight-chain hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of providing flexibility to the polymer chain, and an alicyclic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of improving heat resistance.

R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 직쇄 또는 분기쇄, 혹은 지방족환을 갖는 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 또는 탄화수소기를 갖고 있어도 좋은, 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. R2로서는 가수분해 반응의 반응성이라는 관점에서 탄소수 1∼4의 알킬기가 바람직하다. 특히 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. R 2 independently represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group with 1 to 8 carbon atoms having a straight or branched chain, or an aliphatic ring, or an aromatic hydrocarbon group with 6 to 8 carbon atoms, which may have a hydrocarbon group. R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms from the viewpoint of reactivity in the hydrolysis reaction. In particular, a methyl group or an ethyl group is preferred.

티올기 함유 트리알콕시실란류 a1(이하, 성분 (a1)이라고 한다)의 구체예로서는 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리프로폭시실란, 3-메르캅토프로필트리부톡시실란, 1,4-디메르캅토-2-(트리메톡시실릴)부탄, 1,4-디메르캅토-2-(트리에톡시실릴)부탄, 1,4-디메르캅토-2-(트리프로폭시실릴)부탄, 1,4-디메르캅토-2-(트리부톡시실릴)부탄, 2-메르캅토메틸-3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 2-메르캅토메틸-3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 2-메르캅토메틸-3-메르캅토프로필트리프로폭시실란, 2-메르캅토메틸-3-메르캅토프로필트리부톡시실란, 1,2-디메르캅토에틸트리메톡시실란, 1,2-디메르캅토에틸트리에톡시실란, 1,2-디메르캅토에틸트리프로폭시실란, 1,2-디메르캅토에틸트리부톡시실란 등을 들 수 있고, 상기 예시 화합물은 어느 하나 단독으로 또는 적절하게 조합하여 사용할 수 있다. 상기 예시 화합물 중, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란은, 가수분해 반응의 반응성이 높으며 또한 입수가 용이하기 때문에 특히 바람직하다. Specific examples of thiol group-containing trialkoxysilanes a1 (hereinafter referred to as component (a1)) include 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, and 3-mercaptopropyltripropoxysilane. , 3-Mercaptopropyltributoxysilane, 1,4-dimercapto-2-(trimethoxysilyl)butane, 1,4-dimercapto-2-(triethoxysilyl)butane, 1,4 -Dimercapto-2-(tripropoxysilyl)butane, 1,4-dimercapto-2-(tributoxysilyl)butane, 2-mercaptomethyl-3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 2 -Mercaptomethyl-3-mercaptopropyltriethoxysilane, 2-mercaptomethyl-3-mercaptopropyltripropoxysilane, 2-mercaptomethyl-3-mercaptopropyltributoxysilane, 1,2 -Dimercaptoethyltrimethoxysilane, 1,2-dimercaptoethyltriethoxysilane, 1,2-dimercaptoethyltripropoxysilane, 1,2-dimercaptoethyltributoxysilane, etc. can be mentioned, and any of the above exemplary compounds can be used alone or in appropriate combinations. Among the above exemplary compounds, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is particularly preferable because it has high hydrolysis reactivity and is easy to obtain.

티올기를 갖지 않는 트리알콕시실란류 a2(이하, 성분 (a2)라고 한다)로서는 일반식: R3Si(OR2)3으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. Trialkoxysilanes a2 (hereinafter referred to as component (a2)) that do not have a thiol group include compounds represented by the general formula: R 3 Si(OR 2 ) 3 .

(식 중, R3은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)(In the formula, R 3 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and R 2 independently represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. It represents a hydrocarbon group.)

보다 상세하게는 R3은 직쇄 또는 분기쇄, 혹은 지방족환을 갖는 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 또는 탄화수소기를 갖고 있어도 좋은, 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. R2는, 성분 (a1)에 관해서 설명한 것과 같지만, 성분 (a1)에 있어서의 R2와 동일하더라도 다르더라도 좋다.More specifically, R 3 represents a hydrocarbon group of 1 to 8 carbon atoms having a linear or branched chain or an aliphatic ring, or an aromatic hydrocarbon group of 6 to 8 carbon atoms which may have a hydrocarbon group. R 2 is the same as described for component (a1), but may be the same or different from R 2 in component (a1).

성분 (a2)의 구체예로서는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등을 사용할 수 있다. 성분 (a2)는 어느 하나 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들을 이용함으로써 티올기의 양을 조정할 수 있기 때문에, 최종적으로 얻어지는 폴리이미드의 가교도를 조정하거나 폴리이미드 내 무기 성분의 비율을 높이거나 할 수 있다.Specific examples of component (a2) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and phenyltriethoxysilane. Component (a2) can be used individually or in combination of two or more. Since the amount of thiol groups can be adjusted by using these, the degree of crosslinking of the finally obtained polyimide can be adjusted or the ratio of inorganic components in the polyimide can be increased.

알콕시실란류 내에서의 트리알콕시실란류 a2의 몰비([a2의 몰수]/[a1의 몰수+a2의 몰수])는 0.1 이상 0.7 이하인 것이 바람직하고, 0.2 이상 0.7 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 몰비가 클수록 1 분자 당 포함되는 티올기량은 감소하고, 값이 작을수록 티올기량은 증가한다. 이 범위 내에 있음으로써, 얻어지는 폴리이미드쇄가 적절하게 가교되기 때문에, 물성에 관한 개선 효과도 충분하게 된다. The molar ratio ([moles of a2]/[moles of a1 + moles of a2]) of trialkoxysilanes a2 in alkoxysilanes is preferably 0.1 or more and 0.7 or less, and more preferably 0.2 or more and 0.7 or less. As the molar ratio increases, the amount of thiol groups contained per molecule decreases, and as the molar ratio decreases, the amount of thiol groups increases. By falling within this range, the obtained polyimide chain is crosslinked appropriately, and the effect of improving physical properties is also sufficient.

티올기 함유 실세스퀴옥산인 축합물 B는, 성분 (a1)과 성분 (a2)를 이용하여 이들을 가수분해한 후에 축합하여 얻을 수 있다. 제1 공정에서는, 가수분해 반응에 의해서, 성분 (a1)이나 성분 (a2)에 포함되는 알콕시기가 실라놀기로 되어, 알코올이 부생한다. Condensate B, which is a thiol group-containing silsesquioxane, can be obtained by hydrolyzing component (a1) and component (a2) and then condensing them. In the first step, the alkoxy group contained in component (a1) or component (a2) becomes a silanol group through a hydrolysis reaction, and alcohol is produced as a by-product.

가수분해 반응에 필요한 물의 양은, 몰비([가수분해 반응에 이용하는 물의 몰수]/[성분 (a1)과 성분 (a2)에 포함되는 각 알콕시기의 합계 몰수])로 0.4∼10이 바람직하다. 이 몰비가 0.4 이상 0.5 미만인 경우, 얻어지는 티올기 함유 실세스퀴옥산 중에 알콕시기가 일부 잔존하게 되지만, 무기 재료에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 0.5∼10인 경우에는, 얻어지는 티올기 함유 실세스퀴옥산 중에 실질적으로 알콕시기가 잔존하지 않고, 후막 경화물을 제작하기 쉽다.The amount of water required for the hydrolysis reaction is preferably 0.4 to 10 in terms of a molar ratio ([number of moles of water used in the hydrolysis reaction]/[total number of moles of each alkoxy group contained in component (a1) and component (a2)]). When this molar ratio is 0.4 or more and less than 0.5, some alkoxy groups remain in the obtained thiol group-containing silsesquioxane, but adhesion to inorganic materials can be improved. Additionally, in the case of 0.5 to 10, substantially no alkoxy group remains in the obtained thiol group-containing silsesquioxane, and it is easy to produce a thick film cured product.

또한, 성분 (a1)과 성분 (a2) 이외에, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위(예컨대 50 몰% 이하)에서 디알콕시실란류 및/또는 테트라알콕시실란류를 추가로 사용할 수도 있다. In addition to component (a1) and component (a2), dialkoxysilanes and/or tetraalkoxysilanes may be additionally used within a range that does not impair the effect of the present invention (for example, 50 mol% or less).

가수분해 반응에 이용하는 촉매에는, 종래 공지된 가수분해 촉매로서 기능할 수 있는 산성 촉매를 임의로 이용할 수 있다. 단, 가수분해 반응 후에 산 촉매를 실질적으로 제거해 둘 필요가 있기 때문에, 제거가 용이한 것이 바람직하다. 이러한 것으로서, 비점이 낮아 감압에 의해서 제거할 수 있는 포름산이나, 여과 등의 방법에 의해서 용이하게 제거할 수 있는, 고체 산 촉매를 예로 들 수 있다.As the catalyst used in the hydrolysis reaction, a conventionally known acidic catalyst that can function as a hydrolysis catalyst can be used arbitrarily. However, since it is necessary to substantially remove the acid catalyst after the hydrolysis reaction, it is preferable that it is easy to remove. Examples of such include formic acid, which has a low boiling point and can be removed by reduced pressure, and solid acid catalysts, which can be easily removed by methods such as filtration.

고체 산 촉매로서는 양이온 교환 수지, 활성 백토, 카본계 고체 산 등을 들 수 있다. 그 중에서도 양이온 교환 수지는 촉매 활성이 높으면서 입수가 용이하기 때문에 바람직하다. 양이온 교환 수지에는, 강산형 양이온 교환 수지, 약산형 양이온 교환 수지를 사용할 수 있다. 강산형 이온 교환 수지로서는, 다이아이온 SK 시리즈, 동 UBK 시리즈, 동 PK 시리즈, 동 HPK25·PCP 시리즈(모두 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 상품명), 앰버라이트 IR120B, 동 IR124, 동 200CT, 동 252, 앰버제트 1020, 동 1024, 동 1060, 동 1220, 앰버리스트 15DRY, 동 15JWET, 동 16WET, 동 31WET, 동 35WET(모두 오르가노(주) 제조의 상품명) 등, 약산형 이온 교환 수지로서는, 다이아이온 WK 시리즈, 동 WK40(모두 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 상품명), 앰버라이트 FPC3500, 동 IRC76(모두 오르가노(주) 제조의 상품명) 등을 들 수 있다. 반응 속도나 부반응의 억제 등에 따라 사용하는 이온 교환 수지의 타입을 임의로 선택할 수 있지만, 반응성에서 볼 때 강산성 이온 교환 수지가 특히 바람직하다. Examples of solid acid catalysts include cation exchange resins, activated clay, and carbon-based solid acids. Among them, cation exchange resins are preferable because they have high catalytic activity and are easy to obtain. As the cation exchange resin, a strong acid type cation exchange resin or a weak acid type cation exchange resin can be used. As strong acid type ion exchange resins, Diaion SK series, Copper UBK series, Copper PK series, Copper HPK25/PCP series (all brand names manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Amberlight IR120B, Copper IR124, Copper 200CT, Copper 252 , Amber Jet 1020, Copper 1024, Copper 1060, Copper 1220, Amberlist 15DRY, Copper 15JWET, Copper 16WET, Copper 31WET, Copper 35WET (all brand names manufactured by Organo Co., Ltd.), etc. Examples include the Aion WK series, WK40 (all brand names manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Amberlight FPC3500, and IRC76 (all brand names manufactured by Organo Co., Ltd.). The type of ion exchange resin used can be arbitrarily selected depending on the reaction rate, suppression of side reactions, etc., but a strongly acidic ion exchange resin is particularly preferable from the viewpoint of reactivity.

산 촉매의 첨가량은, 성분 (a1) 및 성분 (a2)의 합계 100 질량부에 대하여 0.1∼25 질량부인 것이 바람직하고, 1∼10 질량부인 것이 보다 바람직하다. 25 질량부 이하이면, 후공정에서 제거하기가 용이하게 되고, 경제적으로 유리하게 되는 경향이 있다. 한편, 0.1 질량부 이상이면, 반응을 적절하게 진행시킬 수 있어, 반응 시간이 지나치게 길어지지 않는 경향이 있다. The amount of the acid catalyst added is preferably 0.1 to 25 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of component (a1) and component (a2). If it is 25 parts by mass or less, it becomes easy to remove in a later process and tends to be economically advantageous. On the other hand, if it is 0.1 part by mass or more, the reaction can proceed appropriately, and the reaction time tends not to become excessively long.

반응 온도, 시간은 성분 (a1)이나 성분 (a2)의 반응성에 따라서 임의로 설정할 수 있지만, 통상 0∼100℃ 정도, 바람직하게는 20∼60℃, 1분∼2시간 정도이다. 상기 가수분해 반응은 용제의 존재 하 또는 비존재 하에서 행할 수 있지만, 용제를 이용하지 않는 것이 바람직하다. 용제를 이용하는 경우, 용제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 임의의 용제를 1종류 이상 선택하여 이용할 수 있지만, 후술하는 축합 반응에 이용하는 용제와 동일한 것을 이용하는 것이 바람직하다. The reaction temperature and time can be set arbitrarily depending on the reactivity of component (a1) or component (a2), but is usually about 0 to 100°C, preferably 20 to 60°C and about 1 minute to 2 hours. The hydrolysis reaction can be carried out in the presence or absence of a solvent, but it is preferable not to use a solvent. When using a solvent, the type of solvent is not particularly limited, and one or more types of arbitrary solvents can be selected and used, but it is preferable to use the same solvent as the solvent used in the condensation reaction described later.

<제2 공정> <Second process>

제2 공정은 상기 반응 혼합물 x로부터 상기 산성 촉매를 제거하여 반응 혼합물 y를 얻는 공정이다. 즉, 제1 공정에서의 가수분해 반응 종료 후, 계 내에서 산촉매를 실질적으로 제거해 둘 필요가 있다. 제거하지 않는 경우, 후술하는 축합 반응에 있어서 반응이 진행되지 않거나, 실라놀기가 완전히 소비되지 않거나, 이상한 고분자량화 때문에 계가 겔화되어 버리거나 하기 때문에, 목적으로 하는 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B)을 얻을 수 없다. The second process is a process of obtaining reaction mixture y by removing the acidic catalyst from the reaction mixture x. That is, after completion of the hydrolysis reaction in the first step, it is necessary to substantially remove the acid catalyst from the system. If it is not removed, the reaction may not proceed in the condensation reaction described later, the silanol group may not be completely consumed, or the system may gel due to abnormal high molecular weight, so the desired thiol group-containing silsesquioxane (condensate) B) cannot be obtained.

산성 촉매를 제거하는 방법은 이용한 촉매에 따라서 공지된 각종 방법에서 적절하게 선택할 수 있다. 예컨대 상술한 것과 같이, 포름산을 이용한 경우에는 감압에 의해서, 고체 산 촉매를 이용한 경우는 축합 반응의 종료 여과 등의 방법에 의해서 용이하게 제거할 수 있다. The method for removing the acid catalyst can be appropriately selected from various known methods depending on the catalyst used. For example, as described above, when formic acid is used, it can be easily removed by reduced pressure, and when a solid acid catalyst is used, it can be easily removed by methods such as filtration at the end of the condensation reaction.

또한, 가수분해 반응이 종료되고, 계 내에서 산 촉매를 제거한 후나, 산 촉매의 제거와 동시에 감압 등의 방법에 의해서 부생된 알코올이나 불필요한 물을 제거하여도 좋다. 또한, 제거 후에 축합 반응에 이용하는 용제에 의해서 희석함으로써, 후의 축합 반응에 있어서 가수분해 반응물을 첨가하기 쉽게 할 수도 있다.In addition, after the hydrolysis reaction is completed and the acid catalyst is removed from the system, or at the same time as the acid catalyst is removed, by-produced alcohol or unnecessary water may be removed by a method such as pressure reduction. Additionally, by diluting it with a solvent used in the condensation reaction after removal, it is possible to make it easier to add the hydrolysis reactant in the subsequent condensation reaction.

<제3 공정> <Third process>

제3 공정은, 염기성 촉매를 포함하는 극성 용제와 상기 반응 혼합물 y를 혼합하여 축합시킴으로써, 티올기를 갖는 축합물 B를 얻는 공정이다. 축합 반응에 있어서는, 상기한 실라놀기 사이에서 물이 부생되고, 또한 실라놀기와 알콕시기 사이에서는 알코올이 부생되어, 실록산 결합을 형성한다. 축합 반응에는, 종래 공지된 탈수 축합 촉매로서 기능할 수 있는 염기성 촉매를 임의로 이용할 수 있다.The third step is a step of obtaining condensate B having a thiol group by mixing and condensing the reaction mixture y with a polar solvent containing a basic catalyst. In the condensation reaction, water is by-produced between the above-mentioned silanol groups, and alcohol is by-produced between the silanol groups and alkoxy groups to form a siloxane bond. For the condensation reaction, any conventionally known basic catalyst that can function as a dehydration condensation catalyst can be used.

염기성 촉매로서는 염기성이 높은 것이 바람직하며, 구체예로서는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 등의 알칼리염류, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노나-5-엔 등의 유기 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드 등의 암모늄히드록시드류 등을 들 수 있다. 상기 예시 화합물은 어느 하나 단독으로 또는 적절하게 조합하여 사용할 수 있다. 상기 예시 화합물 중, 테트라메틸암모늄히드록시드는, 촉매 활성이 높으면서 입수가 용이하기 때문에 특히 바람직하다. 또한, 이들 염기성 촉매를 수용액으로서 이용하는 경우에는, 축합 반응의 공정에서도 가수분해 반응이 진행되기 때문에, 가수분해 시에 이용하는 물의 양을 염기성 촉매가 포함하는 물의 양만큼 미리 줄여 두는 등, 적절하게 조정할 필요가 있다.The basic catalyst is preferably one with high basicity, and specific examples include alkali salts such as sodium hydroxide (NaOH), potassium hydroxide (KOH), calcium hydroxide (Ca(OH) 2 ), and 1,8-diazabicyclo[5.4.0]unde. Organic amines such as car-7-ene and 1,5-diazabicyclo[4.3.0]nona-5-ene, and ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide. You can. The above exemplary compounds can be used alone or in appropriate combinations. Among the above exemplary compounds, tetramethylammonium hydroxide is particularly preferable because it has high catalytic activity and is easy to obtain. In addition, when these basic catalysts are used as aqueous solutions, the hydrolysis reaction proceeds even in the condensation reaction process, so it is necessary to adjust the amount of water used during hydrolysis appropriately, such as reducing it in advance by the amount of water contained in the basic catalyst. There is.

염기성 촉매의 첨가량은, 성분 (a1) 및 성분 (a2)의 합계 100 질량부에 대하여 0.01∼5 질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼2 질량부인 것이 보다 바람직하다. 염기성 촉매의 첨가량이 5 질량부 이하이면, 얻어진 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B)을 이용하여 제작한 경화물이 착색하기 어렵게 되고, 촉매를 제거하는 경우, 제거 공정이 용이하게 되는 경향이 있다. 한편, 0.01 질량부 이상이면, 반응을 적절하게 진행시킬 수 있어, 반응 시간이 지나치게 길어지지 않는 경향이 있다.The amount of basic catalyst added is preferably 0.01 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 2 parts by mass, based on a total of 100 parts by mass of component (a1) and component (a2). If the amount of basic catalyst added is 5 parts by mass or less, the cured product produced using the obtained thiol group-containing silsesquioxane (condensate B) becomes difficult to color, and when the catalyst is removed, the removal process tends to become easy. There is. On the other hand, if it is 0.01 part by mass or more, the reaction can proceed appropriately, and the reaction time tends not to become excessively long.

반응 온도는 성분 (a1)이나 성분 (a2)의 반응성에 따라서 각각 임의로 설정할 수 있지만, 통상은 40∼150℃ 정도, 바람직하게는 60∼100℃ 정도이다. 축합 반응은, 극성 용제의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하고, 얻어지는 실세스퀴옥산 화합물 A 및 그 공중합물인 아미드산 용액의 안정성, 그리고 얻어지는 필름의 품질이라는 관점에서, 톨루엔 등의 비극성 용매는 포함하지 않는 쪽이 보다 바람직하다. The reaction temperature can be set arbitrarily depending on the reactivity of component (a1) or component (a2), but is usually about 40 to 150°C, preferably about 60 to 100°C. The condensation reaction is preferably carried out in the presence of a polar solvent, and does not contain a non-polar solvent such as toluene from the viewpoint of the stability of the resulting silsesquioxane compound A and its copolymer, an amic acid solution, and the quality of the resulting film. This is more preferable.

극성 용제로서는, 물과 상용성을 보이는 극성 용제가 바람직하고, 특히 글리콜에테르류가 바람직하다. 또한, 글리콜에테르류 중에서도 디알킬글리콜에테르계 용제가 특히 바람직하다. 물과 상용성을 보이는 디알킬글리콜에테르계 용제로서는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등을 들 수 있다. 또한, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르아세테이트계 용제를 이용할 수도 있다. As a polar solvent, a polar solvent showing compatibility with water is preferable, and glycol ethers are particularly preferable. Moreover, among glycol ethers, dialkyl glycol ether-based solvents are particularly preferable. Examples of dialkyl glycol ether solvents that are compatible with water include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, and diethylene glycol diethyl ether. Additionally, glycol ether acetate-based solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), dipropylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether acetate can also be used.

또한, 축합 반응은, 반응 온도로 설정하고, 탈수 축합 촉매를 첨가한 극성 용제에 대하여, 가수분해 반응에서 얻은 가수분해물을 포함하는 용액을 순차 첨가하는 방법에 의해서 실시할 수 있다. 첨가 방법은 공지된 각종 방법에서 적절하게 선택할 수 있다. 첨가에 걸리는 시간은 성분 (a1)이나 성분 (a2)의 반응성에 따라서 각각 임의로 설정할 수 있지만, 통상은 30분∼12시간 정도이다. Additionally, the condensation reaction can be performed by setting the reaction temperature and sequentially adding a solution containing the hydrolyzate obtained from the hydrolysis reaction to the polar solvent to which the dehydration condensation catalyst has been added. The addition method can be appropriately selected from various known methods. The time required for addition can be arbitrarily set depending on the reactivity of component (a1) or component (a2), but is usually about 30 minutes to 12 hours.

상기 방법으로 축합 반응을 행할 때는, 미반응의 실라놀기가 실질적으로 없어질 때까지 반응을 행하는 것이 바람직하다. 미반응의 실라놀기가 잔존하는 경우, 얻어지는 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B)이나 축합물 B를 포함하는 조성물의 보관 안정성이 저하하거나, 내열성이 저하하거나 하기 때문에 바람직하지 못하다. When carrying out the condensation reaction by the above method, it is preferable to carry out the reaction until the unreacted silanol groups are substantially eliminated. If unreacted silanol groups remain, the storage stability of the resulting thiol group-containing silsesquioxane (condensate B) or the composition containing condensate B is undesirable because the storage stability or heat resistance is reduced.

또한, 미반응 알콕시기의 합계 몰비([미반응 알콕시기의 합계 몰수]/[성분 (a1)이나 성분 (a2)에 포함되는 각 알콕시기의 합계 몰수])가 0.2 이하가 되도록 진행시키는 것이 바람직하고, 실질적으로 0으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 이 몰비가 0을 넘고 0.2 이하인 경우에는, 얻어지는 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B) 내에 알콕시기가 일부 잔존하게 되지만, 무기 재료에 대한 밀착성이 향상된다는 점에서 바람직하다. 몰비를 0으로 함으로써 실질적으로 알콕시기가 잔존하지 않고, 후막 경화물을 제작하기 쉽다는 점이나, 얻어지는 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B) 중에 포함되는 바구니형 구조가 최대가 되기 때문에, 경화물의 내열성이 향상된다는 점에서 특히 바람직하다. 또한, 0이 아닌 경우에는, 얻어지는 축합물 B 중에 포함되는 랜덤형 실세스퀴옥산의 양이 많아지고, 축합물 B의 분자량(Mw)이 커지는 경향이 있다. In addition, it is preferable to proceed so that the total molar ratio of unreacted alkoxy groups ([total number of moles of unreacted alkoxy groups]/[total number of moles of each alkoxy group contained in component (a1) or component (a2)]) is 0.2 or less. And it is more desirable to set it to substantially 0. When this molar ratio exceeds 0 and is 0.2 or less, some alkoxy groups remain in the resulting thiol group-containing silsesquioxane (condensate B), but this is preferable because adhesion to inorganic materials improves. By setting the molar ratio to 0, substantially no alkoxy groups remain, making it easy to produce a thick film cured product, and because the basket-like structure contained in the resulting thiol group-containing silsesquioxane (condensate B) is maximized, hardening This is particularly desirable because the heat resistance of water is improved. In addition, when it is not 0, the amount of random silsesquioxane contained in the obtained condensate B increases, and the molecular weight (Mw) of the condensate B tends to increase.

상기 축합 반응은, 성분 (a1)과 성분 (a2)의 합계 농도가 2∼80 질량% 정도가 되도록 용제 희석하여 행하는 것이 바람직하고, 15∼75 질량%인 것이 보다 바람직하다. 축합 반응에 의해서 생성되는 물 및 알코올의 비점보다 높은 비점을 갖는 용제를 이용하면, 반응계 내에서 이들을 유거(留去)할 수 있기 때문에 바람직하다. 상기 농도가 2 질량% 이상인 경우는, 얻어지는 경화성 조성물에 포함되는 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B)이 충분한 양으로 되기 때문에 바람직하다. 80 질량% 이하인 경우는, 반응 중에 겔화되기 어렵게 되어, 생성되는 축합물 B의 분자량이 적절하게 되는 경향이 있다. The condensation reaction is preferably carried out by solvent dilution so that the total concentration of component (a1) and component (a2) is about 2 to 80 mass%, and more preferably 15 to 75 mass%. It is preferable to use a solvent having a boiling point higher than that of the water and alcohol produced by the condensation reaction because these can be distilled off within the reaction system. When the concentration is 2% by mass or more, it is preferable because a sufficient amount of thiol group-containing silsesquioxane (condensate B) is contained in the resulting curable composition. If it is 80% by mass or less, it becomes difficult to gel during the reaction, and the molecular weight of the resulting condensate B tends to be appropriate.

상기 축합 반응 종료 후, 이용한 촉매를 제거하면, 티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B)이나 축합물 B를 포함하여 이루어지는 폴리이미드의 안정성이 향상되기 때문에 바람직하다. 제거 방법은 이용한 촉매에 따라서 공지된 각종 방법에서 적절하게 선택할 수 있다. 예컨대 테트라메틸암모늄히드록시드를 이용한 경우는, 축합 반응 종료 후, 양이온 교환 수지로 흡착, 제거하는 등의 방법에 의해 제거할 수 있다. It is preferable to remove the used catalyst after completion of the condensation reaction because the stability of the thiol group-containing silsesquioxane (condensate B) or the polyimide comprising the condensate B is improved. The removal method can be appropriately selected from various known methods depending on the catalyst used. For example, when tetramethylammonium hydroxide is used, after the condensation reaction is completed, it can be removed by methods such as adsorption and removal with a cation exchange resin.

<제4 공정> <Fourth process>

제4 공정은, 상기 축합물 B와, 비닐기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 및 산염화물기에서 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 갖는 디카르복실산무수물 C를 반응시키는 공정이다. The fourth step is a step of reacting the condensate B with dicarboxylic anhydride C having at least one type of reactive group selected from vinyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, and acid chloride group.

디카르복실산무수물 C(이하, 성분 (C)라고 한다)에는, 티올기와 반응 가능한 작용기를 갖는 디카르복실산무수물이 이용된다. 예컨대 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 혹은 산염화물기를 갖는 디카르복실산무수물을 이용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 비닐기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 산염화물기를 갖는 디카르복실산무수물을 이용할 수 있다. 특히 디카르복실산무수물 C로서는 하기의 구조가 바람직하다. As dicarboxylic acid anhydride C (hereinafter referred to as component (C)), a dicarboxylic acid anhydride having a functional group capable of reacting with a thiol group is used. For example, a dicarboxylic acid anhydride having a vinyl group, an acrylic group, a methacryl group, an allyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, or an acid chloride group can be used. More preferably, a dicarboxylic acid anhydride having a vinyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, or acid chloride group can be used. In particular, the dicarboxylic acid anhydride C has the following structure.

Figure pct00099
Figure pct00099

이들 중, 하기 화합물과 산염화물기를 갖는 화합물은 반응성이 높기 때문에 특히 바람직하다. 또한, 반응성이 낮은 디카르복실산무수물 C를 이용하는 경우, UV광만으로는 완전히 반응을 진행시키기가 어렵기 때문에, 산소나 염화철 등의 산화 촉매를 병용하는 쪽이 바람직하다. Among these, the following compounds and compounds having an acid chloride group are particularly preferable because they have high reactivity. Additionally, when using dicarboxylic anhydride C with low reactivity, it is difficult to completely proceed with the reaction using UV light alone, so it is preferable to use an oxidation catalyst such as oxygen or iron chloride in combination.

Figure pct00100
Figure pct00100

또한, 디카르복실산무수물 C 중, 방향환 구조를 갖는 무수프탈산 화합물은, 얻어지는 폴리이미드의 내열성을 높일 수 있다는 관점 및 고온 조건 하에서의 황변을 억제할 수 있다는 점에서 바람직하고, 구조 내에 지환식 구조를 갖는 무수말레산 및 시클로헥산디카르복실산무수물은 무색 투명성을 높일 수 있다는 점에서 바람직하다. In addition, among the dicarboxylic anhydrides C, phthalic anhydride compounds having an aromatic ring structure are preferable from the viewpoint of increasing the heat resistance of the resulting polyimide and suppressing yellowing under high temperature conditions, and having an alicyclic structure in the structure Maleic anhydride and cyclohexanedicarboxylic anhydride having , are preferred in that they can increase colorless transparency.

티올기 함유 실세스퀴옥산(축합물 B)과 디카르복실산무수물 C의 반응에는, 티올-엔 반응 혹은 티올기와 산염화물기 사이의 반응을 이용할 수 있다. For the reaction between thiol group-containing silsesquioxane (condensate B) and dicarboxylic acid anhydride C, a thiol-ene reaction or a reaction between a thiol group and an acid chloride group can be used.

티올-엔 반응의 경우, 탄소-탄소 이중 결합의 종류나 라디칼 중합개시제의 유무에 따라 반응 기구가 다르다는 것이 알려져 있다. 즉, 라디칼 중합성이 낮은 비닐기, 알릴기를 갖는 화합물을 성분 (C)로서 이용한 경우에는, 엔-티올 반응만이 진행되고, 축합물 B 내 티올기와 성분 (C) 내 탄소-탄소 이중 결합이 거의 1:1(몰비)로 반응하여 바람직하다. 한편, 라디칼 중합성이 높은 아크릴기, 메타크릴기를 갖는 화합물을 성분 (C)로서 이용한 경우에는, 라디칼 중합개시제를 병용한 경우는 특히 성분 (C) 내 탄소-탄소 이중 결합의 중합 반응도 병행하여 진행되고, 축합물 B 내 티올기와 성분 (C) 내의 탄소-탄소 이중 결합이 1:1∼100(몰비) 정도로 반응하기 때문에, 발명의 효과를 충분히 얻지 못하는 경우가 있다. 상기한 관점에서, 라디칼 중합성이 낮은 비닐기, 알릴기를 갖는 성분 (C)를 이용한 경우에는, 몰비([축합물 B에 포함되는 티올기의 몰수]/[성분 (C)에 포함되는 탄소-탄소 이중 결합의 몰수])가 0.9∼2.5가 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0이다. 이 몰비가 0.9 이상인 경우는, 자외선 경화 후에 탄소-탄소 이중 결합이 잔존하기 어렵고, 내후성이 향상되는 경향이 있다. 또한, 2.5 이하인 경우는, 경화물의 가교 밀도가 충분하게 되어, 내열성을 향상시키는 경향이 있다.In the case of thiol-ene reaction, it is known that the reaction mechanism varies depending on the type of carbon-carbon double bond and the presence or absence of a radical polymerization initiator. That is, when a compound having a vinyl group or an allyl group with low radical polymerizability is used as component (C), only the en-thiol reaction proceeds, and the thiol group in the condensate B and the carbon-carbon double bond in component (C) It is preferable that the reaction occurs at an almost 1:1 (molar ratio). On the other hand, when a compound having a highly radically polymerizable acrylic or methacryl group is used as component (C), and especially when a radical polymerization initiator is used together, the polymerization reaction of the carbon-carbon double bond in component (C) also proceeds in parallel. Since the thiol group in the condensate B and the carbon-carbon double bond in component (C) react at about 1:1 to 100 (molar ratio), the effect of the invention may not be fully obtained. From the above viewpoint, when component (C) having a vinyl group or an allyl group with low radical polymerizability is used, the molar ratio ([number of moles of thiol group contained in condensate B]/[carbon contained in component (C)- It is preferable to mix so that the mole number of carbon double bonds] is 0.9 to 2.5, and more preferably 1.0. When this molar ratio is 0.9 or more, it is difficult for carbon-carbon double bonds to remain after ultraviolet curing, and weather resistance tends to improve. In addition, when it is 2.5 or less, the crosslinking density of the cured product becomes sufficient and heat resistance tends to be improved.

티올-엔 반응의 개시제에는, 자외광원이나 유기 재료, 무기 재료, 산소를 이용할 수 있다. 자외광원에는, 예컨대 고압수은 램프 혹은 할로겐 램프 혹은 크세논 램프 혹은 자외 LED를 이용할 수 있다.As an initiator for the thiol-ene reaction, an ultraviolet light source, organic material, inorganic material, or oxygen can be used. As an ultraviolet light source, for example, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, a xenon lamp, or an ultraviolet LED can be used.

사용 가능한 개시제로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 광양이온 개시제, 광라디칼 개시제, 산화제 등을 임의로 선택할 수 있다. 광양이온 개시제로서는, 자외선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물인 술포늄염, 요오도늄염, 메탈로센 화합물, 벤조인토실레이트 등을 들 수 있고, 이들의 시판 제품으로서는 예컨대 사이라큐어 UVI-6970, 동 UVI-6974, 동 UVI-6990(모두 미국 유니온카바이드사 제조의 상품명), 이르가큐어 264(BASF사 제조), CIT-1682(닛폰소다(주) 제조) 등이 있다. 광양이온 중합개시제의 사용량은, 상기 조성물 100 질량부에 대하여, 통상 10 질량부 정도 이하, 바람직하게는 1∼5 질량부가 된다. The initiator that can be used is not particularly limited, and conventionally known photocationic initiators, radical photoinitiators, oxidizing agents, etc. can be arbitrarily selected. Examples of photocationic initiators include sulfonium salts, iodonium salts, metallocene compounds, and benzointosylate, which are compounds that generate acid upon irradiation of ultraviolet rays. Commercially available products thereof include, for example, Cyracure UVI-6970. , UVI-6974, UVI-6990 (all brand names manufactured by Union Carbide, USA), Irgacure 264 (manufactured by BASF), and CIT-1682 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.). The amount of the photocationic polymerization initiator used is usually about 10 parts by mass or less, preferably 1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the composition.

광라디칼 개시제로서는, 다로큐어 1173, 이르가큐어 651, 이르가큐어 184, 이르가큐어 907(모두 BASF사 제조의 상품명), 벤조페논 등을 들 수 있고, 상기 조성물 100 질량부에 대하여 5 질량부 정도 이하, 바람직하게는 0.1∼2 질량부가 된다. 또한, 산화철이나 염화철 등의 산화제를 첨가함으로써 반응을 촉진할 수 있다. 단, 높은 내열성, 투명성이 요구되는 기재 필름 용도에서는, 광반응개시제나 광증감제를 사용하지 않고, 자외광원이나 산소를 이용하여 반응시키는 것이 바람직하다. Examples of the photoradical initiator include Darocure 1173, Irgacure 651, Irgacure 184, Irgacure 907 (all brand names manufactured by BASF), benzophenone, etc., 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composition. or less, preferably 0.1 to 2 parts by mass. Additionally, the reaction can be promoted by adding an oxidizing agent such as iron oxide or iron chloride. However, in base film applications requiring high heat resistance and transparency, it is preferable to carry out the reaction using an ultraviolet light source or oxygen without using a photoreaction initiator or photosensitizer.

티올기와 산염화물기 사이의 반응의 경우, 실세스퀴옥산(축합물 B)의 티올기량과 실라놀기량의 합과 동등한 당량 이상의 산염화물기를 갖는 디카르복실산무수물을 첨가하는 것이 바람직하다. 산염화물기를 갖는 디카르복실산무수물의 첨가량이 적으면, 부생하는 염산이 촉매가 되어 실라놀기끼리 축합이 일어나기 때문에, 겔화하기 쉽게 되는 경향이 있고, 디카르복실산무수물의 첨가량이 많은 만큼 그 폐해를 감소시키기 쉽게 된다. 또한, 그 경우, 미반응의 산염화물기가 폴리아미드산에 공중합되어, 폴리아미드이미드가 생성되는 경우가 있다.In the case of the reaction between the thiol group and the acid chloride group, it is preferable to add a dicarboxylic acid anhydride having an acid chloride group in an amount equivalent to or more than the sum of the thiol group amount and the silanol group amount of silsesquioxane (condensate B). If the amount of dicarboxylic acid anhydride having an acid chloride group added is small, the by-produced hydrochloric acid becomes a catalyst and condensation occurs between silanol groups, so gelation tends to occur, and as the amount of dicarboxylic acid anhydride added is large, the harmful effects are reduced. It becomes easy to reduce. Additionally, in that case, unreacted acid chloride groups may copolymerize with polyamic acid to produce polyamidoimide.

또한, 티올기와 산염화물기 사이의 반응의 경우, 부생성물로서 염산이 발생하므로 pH 조정제로서 염기를 첨가하여도 좋다. 염기로서 유기 염기, 3급 아민 및 무기 염기를 이용할 수 있다. 유기 염기의 예는, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 이미다졸, N-메틸카프로락탐, 이미다졸, N,N-디메틸아닐린 및 N,N-디에틸아닐린을 들 수 있다. 3급 아민의 예는, 피리딘, 콜리딘, 루티딘 및 트리에틸아민을 들 수 있다. 무기 염기의 예는, 수산화칼륨, 수산화 나트륨, 탄산칼륨, 탄산나트륨, 탄산수소칼륨 및 탄산수소나트륨을 들 수 있다. 단, 높은 내열성, 투명성이 요구되는 기재 필름 용도에서는 휘발성 염기를 이용하여 반응시키는 것이 바람직하다. 염기의 첨가나 용액 가열에 의해 염산을 제거함으로써, 실세스퀴옥산의 과잉 반응에 의한 겔화를 억제할 수 있다.Additionally, in the case of a reaction between a thiol group and an acid chloride group, hydrochloric acid is generated as a by-product, so a base may be added as a pH adjuster. As the base, organic bases, tertiary amines and inorganic bases can be used. Examples of organic bases include N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, Examples include 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, imidazole, N-methylcaprolactam, imidazole, N,N-dimethylaniline, and N,N-diethylaniline. Examples of tertiary amines include pyridine, collidine, lutidine, and triethylamine. Examples of inorganic bases include potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium carbonate, sodium carbonate, potassium bicarbonate, and sodium bicarbonate. However, in base film applications requiring high heat resistance and transparency, it is preferable to carry out the reaction using a volatile base. By removing hydrochloric acid by adding a base or heating the solution, gelation due to excessive reaction of silsesquioxane can be suppressed.

반응에 이용하는 용매로서 다음을 들 수 있다. 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 이미다졸, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 디에틸술폭시드, 디메틸술폰, 디에틸술폰, 헥사메틸술폰아미드, 크레졸, 페놀, 크실레놀, 디에틸렌글리콜디메틸에테르(디글라임), 트리에틸렌글리콜디메틸에테르(트리글라임), 테트라글라임, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 디옥산, 테트라히드로푸란 및 γ-부티로락톤. 이들의 적어도 2개를 혼합하여 이용하여도 좋다. 특히 생산성이나 필름의 광학 특성을 고려하면, 유기 용제의 주성분으로서 N,N-디메틸아세트아미드 혹은 N-메틸-2-피롤리돈 혹은 γ-부티로락톤을 이용하는 것이 바람직하다. 또한 이들 유기 용매와 더불어, 톨루엔, 크실렌 등의 빈용매를 폴리이미드계 수지 또는 그 전구체가 석출되지 않을 정도로 사용하여도 좋다.Solvents used in the reaction include the following. Benzene, toluene, xylene, mesitylene, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N- Diethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, imidazole, N-methylcaprolactam, dimethylsulfoxide, diethylsulfoxide, dimethylsulfone, dimethylsulfoxide Ethyl sulfone, hexamethyl sulfonamide, cresol, phenol, xylenol, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), triethylene glycol dimethyl ether (triglyme), tetraglyme, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) , dioxane, tetrahydrofuran and γ-butyrolactone. You may use a mixture of at least two of these. In particular, considering productivity and optical properties of the film, it is preferable to use N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, or γ-butyrolactone as the main component of the organic solvent. In addition to these organic solvents, poor solvents such as toluene and xylene may be used to the extent that the polyimide resin or its precursor does not precipitate.

제4 공정에서 얻어지는 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 화합물 A는, 반응 후의 용액을 그대로 사용하는 것도 가능하지만, 이물, 겔 형상물을 여과하여 분별하거나, 용매를 유거하여 분말로서 사용할 수도 있다. The silsesquioxane compound A having an acid anhydride group obtained in the fourth step can be used as is as a solution after the reaction, but it can also be used as a powder by filtering and separating foreign substances and gel-like substances, or by distilling off the solvent.

<산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 화합물 A의 구조> <Structure of silsesquioxane compound A having an acid anhydride group>

이상과 같이 하여 얻을 수 있는 실세스퀴옥산 화합물 A는, 하기 일반식 (1) 및 (2)로 표시되는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하고, 일반식 (1) 및 (2)로 표시되는 구조 단위만을 갖는 것이 보다 바람직하다. The silsesquioxane compound A obtained as described above preferably has structural units represented by the following general formulas (1) and (2), and has structural units represented by the general formulas (1) and (2). It is more desirable to have only one.

Figure pct00101
Figure pct00101

(식 중, Q1은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, Q2는 단일 결합, 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 탄소수 1∼8의 탄화수소기의 탄소 원자의 하나 이상이 산소로 치환되어 있는 유기기 또는 카르보닐기이고, X는 탄소-탄소 결합이거나 또는 탄소수 4∼10의 지방족환, 방향족환, 혹은 이들을 구성하는 탄소의 일부가 산소 또는 황으로 치환된 복소환이며, 이들에 결합하는 수소의 하나 이상이 탄화수소기로 치환되어 있어도 좋고, 1.0≤m≤2.0이며, 1.4≤n≤1.6이다.)(Wherein, Q 1 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and Q 2 represents a single bond, a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, or a carbon atom of a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. at least one of which is an organic group or carbonyl group substituted with oxygen, and and one or more of the hydrogens bonded to them may be substituted with a hydrocarbon group, and 1.0≤m≤2.0 and 1.4≤n≤1.6.)

Figure pct00102
Figure pct00102

(식 중, Q3은 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, 1.4≤n≤1.6이다.)(In the formula, Q 3 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and 1.4≤n≤1.6.)

보다 상세하게는, 일반식 (1)에서의 Q1은, 직쇄 또는 분기쇄, 혹은 지방족환을 갖는 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 또는 탄화수소기를 갖고 있어도 좋은, 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. Q1로서는 폴리머쇄에 유연성을 부여할 수 있다는 관점에서 직쇄 탄화수소기가 바람직하고, 내열성을 높일 수 있다는 관점에서 지환식 탄화수소기나 방향족 탄화수소기가 바람직하다. More specifically, Q 1 in the general formula (1) represents a hydrocarbon group of 1 to 8 carbon atoms having a straight chain or branched chain or an aliphatic ring, or an aromatic hydrocarbon group of 6 to 8 carbon atoms that may have a hydrocarbon group. . As Q 1 , a straight-chain hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of providing flexibility to the polymer chain, and an alicyclic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of improving heat resistance.

Q1의 구체예로서는, 티올기 함유 트리알콕시실란류 a1로서 예시한 화합물의 Si 원자와 S 원자가 결합하는 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. Specific examples of Q 1 include a hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group where the Si atom and the S atom of the compound exemplified as thiol group-containing trialkoxysilane a1 are bonded.

Q2는, 단일 결합, 직쇄 또는 분기쇄를 갖는 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 그 탄소 원자의 하나 이상이 산소로 치환되어 있는 산소 함유 탄화수소기 또는 카르보닐기이다. Q2로서는, 폴리머쇄에 유연성을 부여할 수 있다는 관점에서 직쇄 탄화수소기가 바람직하고, 내열성을 높일 수 있다는 관점에서 단일 결합이나 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기가 바람직하다.Q 2 is a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms having a single bond, a straight chain, or a branched chain, an oxygen-containing hydrocarbon group in which at least one carbon atom is replaced with oxygen, or a carbonyl group. As Q 2 , a straight-chain hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of providing flexibility to the polymer chain, and a single bond, an alicyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of improving heat resistance.

X는, 탄소-탄소 결합이거나, 또는 탄소수 4∼10의 지방족환, 탄소수 6∼10의 방향족환, 혹은 이들을 구성하는 탄소의 일부가 산소 또는 황으로 치환된 복소환이며, 이들에 결합하는 수소의 하나 이상이 탄화수소기로 치환되어 있어도 좋다. X로서는, 폴리머쇄에 유연성을 부여할 수 있다는 관점에서 탄소-탄소 결합이 바람직하고, 내열성을 높일 수 있다는 관점에서 단일 결합이나 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 특히 X가 방향족 탄화수소기인 경우, 내열성이 높아지며 또한 고온 조건 하의 변색을 억제할 수 있다는 관점에서 바람직하다. X is a carbon-carbon bond, or a complex of 4-10 fats, an aromatic epidemic of 6 to 10 carbon atoms, or a portion of the carbon constituting them with oxygen or sulfur, and binding to these hydrogen One or more may be substituted with a hydrocarbon group. As for In particular, when X is an aromatic hydrocarbon group, it is preferable from the viewpoint of increasing heat resistance and suppressing discoloration under high temperature conditions.

Q2 및 X의 구체예로서는, 디카르복실산무수물 C로서 예시한 화합물의 반응 잔기 중, 디카르복실산 무수물기를 제외한 부분을 들 수 있다. 또한, X가 지방족환 또는 방향족환을 구성하는 탄소의 일부가 산소 또는 황으로 치환된 복소환인 경우의 예를 하기 화학식에 나타낸다. Specific examples of Q 2 and Additionally, an example of a case where

Figure pct00103
Figure pct00103

m에 관해서는, 1.0≤m≤2.0이며, 입체 장해가 작고 디카르복실산 무수물기의 반응성이 높아진다는 관점에서, m은 1인 것이 바람직하다. m이 1.0<m<2.0(즉, 정수 이외)인 경우, 성분 (a1)로서, 하나의 티올기를 갖는 것과 2개의 티올기를 갖는 것이 병용된다. Regarding m, it is 1.0≤m≤2.0, and m is preferably 1 from the viewpoint of small steric hindrance and increased reactivity of the dicarboxylic anhydride group. When m is 1.0<m<2.0 (i.e., other than an integer), as component (a1), one having one thiol group and one having two thiol groups are used in combination.

n에 관해서는, 1.4≤n≤1.6이며, 보다 균일한 3차원 구조를 형성한다는 관점에서, n은 1.5인 것이 바람직하다. n이 1.5 이외인 경우를 상정하고 있는 것은, 원료 내에 트리알콕시실란뿐만 아니라, 디알콕시실란이나 테트라알콕시실란이 소량 혼재하는 것을 허용한다는 취지이다. Regarding n, 1.4≤n≤1.6, and from the viewpoint of forming a more uniform three-dimensional structure, n is preferably 1.5. The assumption that n is other than 1.5 is intended to allow a small amount of not only trialkoxysilane but also dialkoxysilane and tetraalkoxysilane to be mixed in the raw materials.

또한, 일반식(2)에서의 Q3은, 직쇄 또는 분기쇄, 혹은 지방족환을 갖는 탄소수 1∼8의 탄화수소기, 또는 탄화수소기를 갖고 있어도 좋은, 탄소수 6∼8의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. Q3으로서는, 결정화 억제, 내열성 향상의 관점에서 단쇄 및 분기쇄 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기가 바람직하다. Q3의 구체예로서는, 트리알콕시실란류 a2로서 예시한 화합물의 Si 원자에 결합하는 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. In addition, Q 3 in the general formula (2) represents a hydrocarbon group of 1 to 8 carbon atoms having a straight chain or branched chain, or an aliphatic ring, or an aromatic hydrocarbon group of 6 to 8 carbon atoms, which may have a hydrocarbon group. As Q 3 , a short-chain or branched-chain hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of suppressing crystallization and improving heat resistance. Specific examples of Q 3 include a hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group bonded to the Si atom of a compound exemplified as trialkoxysilane a2.

일반식 (1) 및 (2)로 표시되는 구조 단위를 갖는 실세스퀴옥산 화합물 A에 있어서, 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위의 몰비([구조 단위(2)]/[구조 단위(1)+구조 단위(2)])가 0.1 이상 0.7 이하인 것이 바람직하고, 0.2 이상 0.7 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 몰비가 클수록 1 분자 당 포함되는 티오에테르기 혹은 티오에스테르기의 양은 감소하고, 값이 작을수록 티오에테르기 혹은 티오에스테르기의 양은 증가한다. 이 범위 내에 있음으로써, 얻어지는 폴리이미드쇄가 적절하게 가교되기 때문에, 물성에 관한 개선 효과도 충분하게 된다. In the silsesquioxane compound A having structural units represented by general formulas (1) and (2), the molar ratio of the structural units represented by general formula (2) ([structural unit (2)]/[structural unit ( 1) + structural unit (2)]) is preferably 0.1 or more and 0.7 or less, and more preferably 0.2 or more and 0.7 or less. As the molar ratio increases, the amount of thioether group or thioester group contained per molecule decreases, and as the value decreases, the amount of thioether group or thioester group increases. By falling within this range, the obtained polyimide chain is crosslinked appropriately, and the effect of improving physical properties is also sufficient.

실세스퀴옥산 화합물 A의 1 분자 당 산무수물기의 수(작용기수)는 2∼10이 바람직하고, 2.5∼6이 보다 바람직하다. 작용기수가 이 범위 내이면, 얻어지는 폴리이미드쇄가 적절하게 가교되기 때문에, 물성에 관한 개선 효과도 충분하게 된다.The number of acid anhydride groups (number of functional groups) per molecule of silsesquioxane compound A is preferably 2 to 10, and more preferably 2.5 to 6. If the number of functional groups is within this range, the polyimide chain obtained is appropriately crosslinked, and the effect of improving physical properties is sufficient.

실세스퀴옥산 화합물 A의 분자량은 400∼5000이 바람직하고, 600∼3000이 보다 바람직하다. 분자량이 이 범위 내이면, 얻어지는 폴리이미드의 불균일화가 생기기 어렵고, 균일한 가교 구조를 얻기 쉽다. The molecular weight of silsesquioxane compound A is preferably 400 to 5000, and more preferably 600 to 3000. If the molecular weight is within this range, non-uniformity of the obtained polyimide is unlikely to occur and it is easy to obtain a uniform crosslinked structure.

일반식 (1) 및 (2)는, 랜덤하게 결합해 있는 것을 얻기 쉽지만, 양자가 규칙적으로 결합함으로써, 바구니형(더블덱커형을 포함한다) 또는 일부가 개방된 바구니형, 사다리형의 실세스퀴옥산 화합물로 할 수 있다.General formulas (1) and (2) are easy to obtain randomly combined, but by combining them regularly, they can be formed into basket-shaped (including double decker-type), partially open basket-shaped, or ladder-shaped real sets. This can be done with a quinoxane compound.

이러한 구조의 실세스퀴옥산 화합물 A를 얻는 방법으로서는, 축합물 B(티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물) 단계에서, 바구니형 또는 일부가 개방된 바구니형, 사다리형의 실세스퀴옥산 화합물을 얻어 놓는 방법이나, 이러한 구조를 갖는 시판되는 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물을 이용하는 방법을 들 수 있다. As a method of obtaining silsesquioxane compound A of this structure, in the condensate B (thiol group-containing silsesquioxane compound) step, a silsesquioxane compound in the form of a basket or a partially open basket or ladder is obtained. A method of placing it or a method of using a commercially available thiol group-containing silsesquioxane compound having this structure is included.

축합물 B는 디알킬실란디올의 탈수 축합이나 디알킬실란디올과 디알킬디클로로실란의 탈염화수소 반응에 의해서 합성 가능하다. 이용하는 촉매나 용제, 기질 농도를 조정함으로써 특정 구조의 생성 비율을 높일 수 있다. 얻어진 생성물을 재결정이나 용매 세정, 컬럼 분리 등의 방법으로 정제함으로써 특정 구조를 단리할 수 있다. 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 총설문헌((1) 「실리콘 넓어지는 응용 분야와 기술 동향」, 오노 요시아키(小野義昭) 저, 화학공업일보사, (2) 「실리콘의 과학」, 마츠모토 노부오(松本信雄) 저, 전자정보통신학회, (3) 「실리콘의 최신 응용 기술」, 구마다 마코토(熊田誠), 와다 다다시(和田正) 감수, CMC슛판, (4) 「규소 화합물의 선정과 최적 이용 기술」, 기술정보협회 편, (5) 「21세기의 유기 규소 과학」, 다마오 고헤이(玉尾皓平) 감수, CMC슛판, (6) 「실세스퀴옥산 재료의 화학과 응용 전개」, 이토 마키(伊藤眞樹) 감수, CMC슛판) 등에 기재한 방법을 채용할 수 있다. 바구니형 구조의 일종인 TH 8은 예컨대 염화철 존재 하에 트리클로로실란의 가수분해에 의해 합성할 수 있다(Bull. Chem. Soc. Jpn., 73, 215(2000)). TH 8을 출발 물질에 또 화학 수식을 실시함으로써 다양한 유도체를 합성할 수 있다. 예컨대 TH 8의 히드로실릴화에 의한 유기기 도입의 경우, 백금 촉매의 존재 하에, 알케닐 화합물을 반응시킴으로써 유기기가 도입된다. TH 8을 염소와 반응시키면 TCl 8이 얻어지고, 오르토포름산메틸을 또 반응시키면 메톡시기를 도입할 수 있다. 더블덱커 구조인 TPh 4TPh 3(ONa)3은 트리메톡시(페닐)실란을 수산화나트륨 존재 하에서 가수분해하면 거의 정량적으로 생성된다. 사다리형 구조를 갖는 축합물 B를 합성하는 방법으로서는, 트리클로로(페닐)실란의 가수분해 후, 수산화칼륨을 촉매로 하는 알칼리 평형화 반응에 의해 합성하는 방법(Chem. Rev., 95, 1409(1995))이나, 상관 이동 촉매를 이용한 트리클로로(페닐)실란의 가수분해 중축합에 의해 합성하는 방법(규소화학협회지, (8), 16(1997))을 들 수 있다.Condensate B can be synthesized by dehydration condensation of dialkylsilanediol or dehydrochlorination reaction of dialkylsilanediol and dialkyldichlorosilane. By adjusting the catalyst, solvent, or substrate concentration used, the production rate of a specific structure can be increased. A specific structure can be isolated by purifying the obtained product by methods such as recrystallization, solvent washing, and column separation. The method is not particularly limited, but for example, review articles ((1) “Silicon’s expanding application fields and technology trends”, by Yoshiaki Ono, Chemical Industry Daily, (2) “Science of Silicon”, Nobuo Matsumoto (松本)信雄), Electronic Information and Communications Society, (3) 「Latest application technology of silicon」, Makoto Kumada, supervised by Tadashi Wada, CMC Shutpan, (4) 「Selection and optimality of silicon compounds Utilization Technology", Technical Information Association edition, (5) "Organosilicon Science in the 21st Century", supervised by Kohei Tamao, CMC Shotpan, (6) "Development of Chemistry and Application of Silsesquioxane Materials", Ito The method described in Maki Supervision, CMC Shotpan, etc. can be adopted. T H 8 , a type of basket-like structure, can be synthesized, for example, by hydrolysis of trichlorosilane in the presence of iron chloride (Bull. Chem. Soc. Jpn., 73, 215 (2000)). Various derivatives can be synthesized by further chemically modifying T H 8 to the starting material. For example, in the case of introducing an organic group by hydrosilylation of T H 8 , an organic group is introduced by reacting an alkenyl compound in the presence of a platinum catalyst. When T H 8 is reacted with chlorine, T Cl 8 is obtained, and when methyl orthoformate is further reacted, a methoxy group can be introduced. T Ph 4 T Ph 3 (ONa) 3 , which has a double decker structure, is produced almost quantitatively when trimethoxy(phenyl)silane is hydrolyzed in the presence of sodium hydroxide. A method of synthesizing condensate B having a ladder-like structure is a method of hydrolyzing trichloro(phenyl)silane followed by an alkali equilibration reaction using potassium hydroxide as a catalyst (Chem. Rev., 95, 1409 (1995) )), or a method of synthesis by hydrolytic polycondensation of trichloro(phenyl)silane using a correlation transfer catalyst (Journal of the Silicon Chemical Society, (8), 16 (1997)).

<폴리아미드산> <Polyamic acid>

본 발명의 폴리아미드산은, 적어도 이상과 같은, 실세스퀴옥산 유도체(즉, 실세스퀴옥산 화합물)과 카르복실산류와 디아민류의 공중합 반응물이다. The polyamic acid of the present invention is, at least as described above, a copolymerization product of a silsesquioxane derivative (i.e., a silsesquioxane compound), carboxylic acids, and diamines.

특히 실세스퀴옥산 화합물로서 2를 넘는 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 화합물을 이용하는 경우, 공중합 성분으로서 폴리이미드에 가교 구조를 형성할 수 있다. In particular, when a silsesquioxane compound having an acid anhydride group exceeding 2 is used as the silsesquioxane compound, a crosslinked structure can be formed in the polyimide as a copolymerization component.

폴리이미드에 관해서는, 일반적으로 내열성, 기계 특성 등의 실용 특성과 무색성(투명성 내지 백색성)은 트레이드오프 관계에 있어, 특히 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름을 제조하는 방법의 출현이 요구되고 있었다. Regarding polyimide, there is generally a trade-off relationship between practical properties such as heat resistance and mechanical properties and colorlessness (transparency to whiteness), and in particular, a method of producing a polyimide film with improved toughness while maintaining other main properties The emergence of was being demanded.

실세스퀴옥산 화합물을 공중합 성분으로 하는 폴리아미드산을 이용함으로써, 다른 주된 특성을 유지하면서 인성이 개선된 폴리이미드 필름을 제조할 수 있기 때문에, 그 원료 등으로서 본 발명의 폴리아미드산은 특히 유용하다. 폴리이미드 필름은, 예컨대 용액 내에서 폴리아미드산을 합성하는 공정과, 폴리아미드산 용액을 필름화하는 공정과, 폴리아미드산을 이미드화하는 공정을 포함함으로써 얻을 수 있다. By using a polyamic acid containing a silsesquioxane compound as a copolymerization component, a polyimide film with improved toughness can be produced while maintaining other main properties, and therefore, the polyamic acid of the present invention is particularly useful as a raw material thereof. . A polyimide film can be obtained, for example, by including a step of synthesizing polyamic acid in a solution, a step of forming a polyamic acid solution into a film, and a step of imidizing the polyamic acid.

<폴리아미드산의 합성> <Synthesis of polyamic acid>

폴리아미드산의 합성은, 예컨대 용매 내에서 적어도 카르복실산류와 디아민류와 실세스퀴옥산 화합물을 반응시킬 수 있다. 즉, 실세스퀴옥산 화합물 이외의 모노머 성분으로서 적어도 카르복실산류와 디아민류를 이용할 수 있다. For the synthesis of polyamic acid, for example, at least carboxylic acids, diamines, and silsesquioxane compounds can be reacted in a solvent. That is, at least carboxylic acids and diamines can be used as monomer components other than the silsesquioxane compound.

카르복실산류로서는, 특별히 제한은 없고, 폴리이미드 합성, 폴리아미드이미드 합성, 폴리아미드 합성에 통상 이용되는 지환식 테트라카르복실산무수물 및 방향족 테트라카르복실산무수물 및 트리카르복실산류 및 디카르복실산류 등을 이용할 수 있다. 내열성의 관점에서는, 방향족류가 바람직하고, 투명성의 관점에서는 지환식류가 바람직하다. 이들은 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. There are no particular restrictions on the carboxylic acids, and include alicyclic tetracarboxylic anhydride, aromatic tetracarboxylic anhydride, tricarboxylic acid, and dicarboxylic acid commonly used in polyimide synthesis, polyamidoimide synthesis, and polyamide synthesis. etc. can be used. From the viewpoint of heat resistance, aromatics are preferable, and from the viewpoint of transparency, alicyclics are preferable. These may be used individually, or two or more types may be used together.

본 발명에서의 지환식 테트라카르복실산무수물로서는, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로헥산테트라카르복실산, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산, 비시클로[2,2,1]헵탄-2,3,5,6-테트라카르복실산, 비시클로[2,2,2]옥탄-2,3,5,6-테트라카르복실산, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산, 테트라히드로안트라센-2,3,6,7-테트라카르복실산, 테트라데카히드로-1,4:5,8:9,10-트리메타노안트라센-2,3,6,7-테트라카르복실산, 데카히드로나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산, 데카히드로-1,4:5,8-디메타노나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산, 데카히드로-1,4-에타노-5,8-메타노나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로펜타논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산(별칭 「노르보르난-2-스피로-2'-시클로펜타논-5'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산」), 메틸노르보르난-2-스피로-α-시클로펜타논-α'-스피로-2''-(메틸노르보르난)-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로헥사논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산(별칭 「노르보르난-2-스피로-2'-시클로헥사논-6'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산」), 메틸노르보르난-2-스피로-α-시클로헥사논-α'-스피로-2''-(메틸노르보르난)-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로프로파논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로부타논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로헵타논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로옥타논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로노나논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로데카논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로운데카논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로도데카논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로트리데카논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로테트라데카논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-시클로펜타데카논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-(메틸시클로펜타논)-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산, 노르보르난-2-스피로-α-(메틸시클로헥사논)-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산 등의 테트라카르복실산 및 이들의 산무수물을 들 수 있다. 이들 중에서도 2개의 산무수물 구조를 갖는 2무수물이 적합하며, 특히 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물, 1,2,3,4-시클로헥산테트라카르복실산2무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산2무수물이 바람직하고, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산2무수물이 보다 바람직하고, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물이 더욱 바람직하다. 또한, 이들은 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. Examples of the alicyclic tetracarboxylic acid anhydride in the present invention include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, and 1,2,3,4. -Cyclohexanetetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic acid, bicyclo[2,2,1] Heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, bicyclo[2,2,2]octane-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, bicyclo[2,2,2]oct- 7-N-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, tetrahydroanthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid, tetradecahydro-1,4:5,8:9,10- Trimethanoanthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid, decahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid, decahydro-1,4:5,8-dimethanonaphthalene -2,3,6,7-tetracarboxylic acid, decahydro-1,4-ethano-5,8-methanonaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid, norbornane-2 -Spiro-α-cyclopentanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid (aka "norbornane-2-spiro-2 '-cyclopentanone-5'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid"), methylnorbornane-2-spiro-α-cyclo Pentanone-α'-spiro-2''-(methylnorbornane)-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclohexanone- α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid (aka "norbornane-2-spiro-2'-cyclohexanone-6'- Spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid"), methylnorbornane-2-spiro-α-cyclohexanone-α'-spiro-2 ''-(methylnorbornane)-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclopropanone-α'-spiro-2''- norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclobutanone-α'-spiro-2''-norbornane-5, 5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cycloheptanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6, 6''-Tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclooctanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracar Boxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclononanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane -2-spiro-α-cyclodecanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α -Cycloundecanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclododecanone-α '-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclotridecanone-α'-spiro-2 ''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclotetradecanone-α'-spiro-2''-norborne I-5,5'',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-cyclopentadecanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5 '',6,6''-tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-(methylcyclopentanone)-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'', 6,6''-Tetracarboxylic acid, norbornane-2-spiro-α-(methylcyclohexanone)-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6 Tetracarboxylic acids such as ''-tetracarboxylic acid and their acid anhydrides can be mentioned. Among these, dianhydrides having two acid anhydride structures are suitable, especially 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride is preferred, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxyl Acid dianhydride is more preferable, and 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride is still more preferable. In addition, these may be used individually, or two or more types may be used together.

본 발명에서의 방향족 테트라카르복실산무수물로서는, 4,4'-(2,2-헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산, 4,4'-옥시디프탈산, 비스(1,3-디옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-5-카르복실산)1,4-페닐렌, 비스(1,3-디옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-5-일)벤젠-1,4-디카르복실레이트, 4,4'-[4,4'-(3-옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-1,1-디일)비스(벤젠-1,4-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 4,4'-[(3-옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-1,1-디일)비스(톨루엔-2,5-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[(3-옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-1,1-디일)비스(1,4-크실렌-2,5-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[4,4'-(3-옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-1,1-디일)비스(4-이소프로필-톨루엔-2,5-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[4,4'-(3-옥소-1,3-디히드로-2-벤조푸란-1,1-디일)비스(나프탈렌-1,4-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[4,4'-(3H-2,1-벤즈옥사티올-1,1-디옥사이드-3,3-디일)비스(벤젠-1,4-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 4,4'-[(3H-2,1-벤즈옥사티올-1,1-디옥사이드-3,3-디일)비스(톨루엔-2,5-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[(3H-2,1-벤즈옥사티올-1,1-디옥사이드-3,3-디일)비스(1,4-크실렌-2,5-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[4,4'-(3H-2,1-벤즈옥사티올-1,1-디옥사이드-3,3-디일)비스(4-이소프로필-톨루엔-2,5-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 4,4'-[4,4'-(3H-2,1-벤즈옥사티올-1,1-디옥사이드-3,3-디일)비스(나프탈렌-1,4-디일옥시)]디벤젠-1,2-디카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산, 피로멜리트산, 4,4'-[스피로(크산텐-9,9'-플루오렌)-2,6-디일비스(옥시카르보닐)]디프탈산, 4,4'-[스피로(크산텐-9,9'-플루오렌)-3,6-디일비스(옥시카르보닐)]디프탈산 등의 테트라카르복실산 및 이들의 산무수물을 들 수 있다. 또한, 방향족 테트라카르복실산류는 단독으로 이용하여도 좋고 2종 이상을 병용하여도 좋다.Examples of the aromatic tetracarboxylic anhydride in the present invention include 4,4'-(2,2-hexafluoroisopropylidene)diphthalic acid, 4,4'-oxydiphthalic acid, and bis(1,3-dioxo-). 1,3-dihydro-2-benzofuran-5-carboxylic acid) 1,4-phenylene, bis (1,3-dioxo-1,3-dihydro-2-benzofuran-5-yl) Benzene-1,4-dicarboxylate, 4,4'-[4,4'-(3-oxo-1,3-dihydro-2-benzofuran-1,1-diyl)bis(benzene-1 ,4-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 4,4'-[(3-oxo-1, 3-dihydro-2-benzofuran-1,1-diyl)bis(toluene-2,5-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4,4'-[(3- oxo-1,3-dihydro-2-benzofuran-1,1-diyl)bis(1,4-xylene-2,5-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4 ,4'-[4,4'-(3-oxo-1,3-dihydro-2-benzofuran-1,1-diyl)bis(4-isopropyl-toluene-2,5-diyloxy) ]Dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4,4'-[4,4'-(3-oxo-1,3-dihydro-2-benzofuran-1,1-diyl)bis(naphthalene) -1,4-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4,4'-[4,4'-(3H-2,1-benzoxathiol-1,1-dioxide- 3,3-diyl)bis(benzene-1,4-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 4,4'-[( 3H-2,1-benzoxathiol-1,1-dioxide-3,3-diyl)bis(toluene-2,5-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4,4 '-[(3H-2,1-benzoxathiol-1,1-dioxide-3,3-diyl)bis(1,4-xylene-2,5-diyloxy)]dibenzene-1,2- Dicarboxylic acid, 4,4'-[4,4'-(3H-2,1-benzoxathiol-1,1-dioxide-3,3-diyl)bis(4-isopropyl-toluene-2, 5-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 4,4'-[4,4'-(3H-2,1-benzoxathiol-1,1-dioxide-3,3 -diyl)bis(naphthalene-1,4-diyloxy)]dibenzene-1,2-dicarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3 ,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid, pyromellitic acid, 4,4'-[spiro(xanthene-9,9'-fluorene)-2,6-diylbis(oxycarbonyl)] Tetracarboxylic acids such as diphthalic acid, 4,4'-[spiro(xanthene-9,9'-fluorene)-3,6-diylbis(oxycarbonyl)]diphthalic acid, and their acid anhydrides. You can. In addition, aromatic tetracarboxylic acids may be used individually or two or more types may be used in combination.

트리카르복실산류로서는, 트리멜리트산, 1,2,5-나프탈렌트리카르복실산, 디페닐에테르-3,3',4'-트리카르복실산, 디페닐술폰-3,3',4'-트리카르복실산 등의 방향족 트리카르복실산, 혹은 헥사히드로트리멜리트산 등의 상기 방향족 트리카르복실산의 수소 첨가물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 프로필렌글리콜비스트리멜리테이트, 1,4-부탄디올비스트리멜리테이트, 폴리에틸렌글리콜비스트리멜리테이트 등의 알킬렌글리콜비스트리멜리테이트 및 이들의 1무수물, 에스테르화물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1개의 산무수물 구조를 갖는 1무수물이 적합하며, 특히 트리멜리트산무수물, 헥사히드로트리멜리트산무수물이 바람직하다. 또한, 이들은 단독으로 사용하여도 좋고 복수를 조합하여 사용하여도 좋다.Tricarboxylic acids include trimellitic acid, 1,2,5-naphthalene tricarboxylic acid, diphenyl ether-3,3',4'-tricarboxylic acid, and diphenyl sulfone-3,3',4'. -Aromatic tricarboxylic acids such as tricarboxylic acid, or hydrogenated products of these aromatic tricarboxylic acids such as hexahydrotrimellitic acid, ethylene glycol bistrimellitate, propylene glycol bistrimellitate, and 1,4-butanediol. Alkylene glycol bistri mellitate, such as bistri mellitate and polyethylene glycol bistri mellitate, and monoanhydrides and esters thereof. Among these, monoanhydrides having one acid anhydride structure are suitable, and trimellitic acid anhydride and hexahydrotrimellitic acid anhydride are particularly preferable. In addition, these may be used individually or in combination of plurality.

디카르복실산류로서는, 테레프탈산, 이소프탈산, 오르토프탈산, 나프탈렌디카르복실산, 4,4'-옥시디벤젠카르복실산 등의 방향족 디카르복실산, 혹은 1,6-시클로헥산디카르복실산 등의 상기 방향족 디카르복실산의 수소 첨가물, 옥살산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 헵탄2산, 옥탄2산, 아젤라산, 세바신산, 운데카2산, 도데칸2산, 2-메틸숙신산 및 이들의 산염화물 혹은 에스테르화물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 방향족 디카르복실산 및 그 수소 첨가물이 적합하며, 특히 테레프탈산, 1,6-시클로헥산디카르복실산, 4,4'-옥시디벤젠카르복실산이 바람직하다. 또한, 디카르복실산류는 단독으로 사용하여도 좋고 복수를 조합하여 사용하여도 좋다. As dicarboxylic acids, aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid, naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-oxydibenzenecarboxylic acid, or 1,6-cyclohexanedicarboxylic acid. Hydrogenated products of the above aromatic dicarboxylic acids, such as oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, heptanoic acid, octanoic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, 2- Examples include methylsuccinic acid and acid chlorides or esters thereof. Among these, aromatic dicarboxylic acids and their hydrogenated products are suitable, and terephthalic acid, 1,6-cyclohexanedicarboxylic acid, and 4,4'-oxydibenzenecarboxylic acid are particularly preferable. In addition, dicarboxylic acids may be used individually or in combination of multiple dicarboxylic acids.

카르복실산류로서는 특히 하기에서 선택되는 화학식으로 표시되는 1종 이상의 화합물인 것이 바람직하다. As carboxylic acids, it is particularly preferable that they are one or more compounds represented by the chemical formulas selected below.

Figure pct00104
Figure pct00104

즉, 이들 중 1종 이상의 화합물에 유래하는 구조 단위를 폴리아미드산이 갖는 것이 바람직하다. 또한, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산2무수물, 즉, BPDA에 유래하는 구조 단위를 폴리아미드산이 갖지 않아도 좋다. That is, it is preferable that the polyamic acid has a structural unit derived from one or more of these compounds. Additionally, the polyamic acid does not need to have a structural unit derived from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, that is, BPDA.

본 발명에서의 디아민류로서는, 특별히 제한은 없고, 폴리이미드 합성, 폴리아미드이미드 합성, 폴리아미드 합성에 통상 이용되는 방향족 디아민류, 지방족 디아민류, 지환식 디아민류를 이용할 수 있다. 내열성의 관점에서는 방향족 디아민류가 바람직하고, 투명성의 관점에서는 지환식 디아민이 바람직하다. 디아민류는 단독으로 이용하여도 좋고 2종 이상을 병용하여도 좋다. The diamines in the present invention are not particularly limited, and aromatic diamines, aliphatic diamines, and alicyclic diamines commonly used in polyimide synthesis, polyamidoimide synthesis, and polyamide synthesis can be used. Aromatic diamines are preferable from the viewpoint of heat resistance, and alicyclic diamines are preferable from the viewpoint of transparency. Diamines may be used individually or two or more types may be used in combination.

방향족 디아민류로서는, 예컨대 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)벤젠, 2,2'-디트리플루오로메틸-4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, m-아미노벤질아민, p-아미노벤질아민, 4-아미노-N-(4-아미노페닐)벤즈아미드, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 2,2'-트리플루오로메틸-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 1,4-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,3-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-2-[4-(4-아미노페녹시)-3-메틸페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3-메틸페닐]프로판, 2-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-2-[4-(4-아미노페녹시)-3,5-디메틸페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-디메틸페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폭시드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,4-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 4,4'-비스[(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,1-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 1,1-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폭시드, 4,4'-비스[3-(4-아미노페녹시)벤조일]디페닐에테르, 4,4'-비스[3-(3-아미노페녹시)벤조일]디페닐에테르, 4,4'-비스[4-(4-아미노-α,α-디메틸벤질)페녹시]벤조페논, 4,4'-비스[4-(4-아미노-α,α-디메틸벤질)페녹시]디페닐술폰, 비스[4-{4-(4-아미노페녹시)페녹시}페닐]술폰, 1,4-비스[4-(4-아미노페녹시)페녹시-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)페녹시-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노-6-트리플루오로메틸페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노-6-플루오로페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노-6-메틸페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노-6-시아노페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 3,3'-디아미노-4,4'-디페녹시벤조페논, 4,4'-디아미노-5,5'-디페녹시벤조페논, 3,4'-디아미노-4,5'-디페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4-페녹시벤조페논, 4,4'-디아미노-5-페녹시벤조페논, 3,4'-디아미노-4-페녹시벤조페논, 3,4'-디아미노-5'-페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디비페녹시벤조페논, 4,4'-디아미노-5,5'-디비페녹시벤조페논, 3,4'-디아미노-4,5'-디비페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4-비페녹시벤조페논, 4,4'-디아미노-5-비페녹시벤조페논, 3,4'-디아미노-4-비페녹시벤조페논, 3,4'-디아미노-5'-비페녹시벤조페논, 1,3-비스(3-아미노-4-페녹시벤조일)벤젠, 1,4-비스(3-아미노-4-페녹시벤조일)벤젠, 1,3-비스(4-아미노-5-페녹시벤조일)벤젠, 1,4-비스(4-아미노-5-페녹시벤조일)벤젠, 1,3-비스(3-아미노-4-비페녹시벤조일)벤젠, 1,4-비스(3-아미노-4-비페녹시벤조일)벤젠, 1,3-비스(4-아미노-5-비페녹시벤조일)벤젠, 1,4-비스(4-아미노-5-비페녹시벤조일)벤젠, 2,6-비스[4-(4-아미노-α,α-디메틸벤질)페녹시]벤조니트릴, 4,4'-[9H-플루오렌-9,9-디일]비스아닐린(별칭 「9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌」), 스피로(크산텐-9,9'-플루오렌)-2,6-디일비스(옥시카르보닐)]비스아닐린, 4,4'-[스피로(크산텐-9,9'-플루오렌)-2,6-디일비스(옥시카르보닐)]비스아닐린, 4,4'-[스피로(크산텐-9,9'-플루오렌)-3,6-디일비스(옥시카르보닐)]비스아닐린, 5-아미노-2-(p-아미노페닐)벤조옥사졸, 6-아미노-2-(p-아미노페닐)벤조옥사졸, 5-아미노-2-(m-아미노페닐)벤조옥사졸, 6-아미노-2-(m-아미노페닐)벤조옥사졸, 2,2'-p-페닐렌비스(5-아미노벤조옥사졸), 2,2'-p-페닐렌비스(6-아미노벤조옥사졸), 1-(5-아미노벤조옥사졸로)-4-(6-아미노벤조옥사졸로)벤젠, 2,6-(4,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:5,4-d']비스옥사졸, 2,6-(4,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:4,5-d']비스옥사졸, 2,6-(3,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:5,4-d']비스옥사졸, 2,6-(3,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:4,5-d']비스옥사졸, 2,6-(3,3'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:5,4-d']비스옥사졸, 2,6-(3,3'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:4,5-d']비스옥사졸 등을 들 수 있다. 또한, 상기 방향족 디아민의 방향환 상의 수소 원자의 일부 혹은 전부가 할로겐 원자, 탄소수 1∼3의 알킬기 혹은 알콕실기, 또는 시아노기로 치환되어도 좋고, 또한 상기 탄소수 1∼3의 알킬기 혹은 알콕실기의 수소 원자의 일부 혹은 전부가 할로겐 원자로 치환되어도 좋다. As aromatic diamines, for example, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,4-bis[2-(4-aminophenyl)-2-propyl]benzene, 1,4-bis( 4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)benzene, 2,2'-ditrifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)bi Phenyl, 4,4'-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ketone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis [4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-aminobenzylamine, p-aminobenzylamine, 4- Amino-N-(4-aminophenyl)benzamide, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2' -Trifluoromethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl Sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzo Phenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methane, 1,1-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ethane, 1,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ethane, 1,1-bis[4-(4-amino) Phenoxy)phenyl]propane, 1,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,3-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis [4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,1-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]butane, 1,3-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl] Butane, 1,4-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]butane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]butane, 2,3-bis[4-(4 -Aminophenoxy)phenyl]butane, 2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-2-[4-(4-aminophenoxy)-3-methylphenyl]propane, 2,2-bis[4 -(4-aminophenoxy)-3-methylphenyl]propane, 2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-2-[4-(4-aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl] Propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1 ,3,3,3-hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy) si) benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfide , bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfoxide, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4 -(4-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,3-bis[4-(4-aminophenoxy)benzoyl]benzene, 1,3-bis[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzene, 1,4-bis[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzene, 4,4'-bis[(3-aminophenoxy)benzoyl]benzene, 1,1-bis[4-(3-aminophenok) Si) phenyl] propane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 2,2-bis [3- (3-aminophenok) C)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, 1,1-bis[4-(3-aminophenok) Si) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, 4,4'-bis [3- (4-aminophenoxy)benzoyl]diphenyl ether, 4,4'-bis[3-(3-aminophenoxy)benzoyl]diphenyl ether, 4,4'-bis[4-(4-amino-α ,α-dimethylbenzyl)phenoxy]benzophenone, 4,4'-bis[4-(4-amino-α,α-dimethylbenzyl)phenoxy]diphenylsulfone, bis[4-{4-(4- Aminophenoxy)phenoxy}phenyl]sulfone, 1,4-bis[4-(4-aminophenoxy)phenoxy-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 1,3-bis[4-(4-amino) Phenoxy) phenoxy-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 1,3-bis[4-(4-amino-6-trifluoromethylphenoxy)-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 1,3 -bis[4-(4-amino-6-fluorophenoxy)-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 1,3-bis[4-(4-amino-6-methylphenoxy)-α,α -dimethylbenzyl]benzene, 1,3-bis[4-(4-amino-6-cyanophenoxy)-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 3,3'-diamino-4,4'-dipe Noxybenzophenone, 4,4'-diamino-5,5'-diphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-4,5'-diphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino -4-phenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-phenoc Cybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-divinoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5,5'-diviphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino- 4,5'-Dibiphenoxybenzophenone, 3,3'-Diamino-4-biphenoxybenzophenone, 4,4'-Diamino-5-biphenoxybenzophenone, 3,4'-Diamino -4-biphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-biphenoxybenzophenone, 1,3-bis(3-amino-4-phenoxybenzoyl)benzene, 1,4-bis( 3-amino-4-phenoxybenzoyl)benzene, 1,3-bis(4-amino-5-phenoxybenzoyl)benzene, 1,4-bis(4-amino-5-phenoxybenzoyl)benzene, 1, 3-bis(3-amino-4-biphenoxybenzoyl)benzene, 1,4-bis(3-amino-4-biphenoxybenzoyl)benzene, 1,3-bis(4-amino-5-biphenok) Cibenzoyl)benzene, 1,4-bis(4-amino-5-biphenoxybenzoyl)benzene, 2,6-bis[4-(4-amino-α,α-dimethylbenzyl)phenoxy]benzonitrile, 4,4'-[9H-fluorene-9,9-diyl]bisaniline (aka "9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene"), spiro(xanthene-9,9'-fluorene )-2,6-diylbis(oxycarbonyl)]bisaniline, 4,4'-[spiro(xanthene-9,9'-fluorene)-2,6-diylbis(oxycarbonyl)]bis Aniline, 4,4'-[spiro(xanthene-9,9'-fluorene)-3,6-diylbis(oxycarbonyl)]bisaniline, 5-amino-2-(p-aminophenyl)benzo Oxazole, 6-amino-2-(p-aminophenyl)benzoxazole, 5-amino-2-(m-aminophenyl)benzoxazole, 6-amino-2-(m-aminophenyl)benzoxazole , 2,2'-p-phenylenebis(5-aminobenzoxazole), 2,2'-p-phenylenebis(6-aminobenzooxazole), 1-(5-aminobenzooxazolo)- 4-(6-Aminobenzoxazolo)benzene, 2,6-(4,4'-diaminodiphenyl)benzo[1,2-d:5,4-d']bisoxazole, 2,6- (4,4'-diaminodiphenyl)benzo[1,2-d:4,5-d']bisoxazole, 2,6-(3,4'-diaminodiphenyl)benzo[1,2 -d:5,4-d']bisoxazole, 2,6-(3,4'-diaminodiphenyl)benzo[1,2-d:4,5-d']bisoxazole, 2, 6-(3,3'-diaminodiphenyl)benzo[1,2-d:5,4-d']bisoxazole, 2,6-(3,3'-diaminodiphenyl)benzo[1 ,2-d:4,5-d']bisoxazole, etc. are mentioned. In addition, part or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of the aromatic diamine may be substituted with a halogen atom, an alkyl group or alkoxyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a cyano group, and the hydrogen of the alkyl group or alkoxyl group having 1 to 3 carbon atoms may be substituted. Some or all of the atoms may be replaced with halogen atoms.

지환식 디아민류로서는, 예컨대 1,4-디아미노시클로헥산, 1,4-디아미노-2-메틸시클로헥산, 1,4-디아미노-2-에틸시클로헥산, 1,4-디아미노-2-n-프로필시클로헥산, 1,4-디아미노-2-이소프로필시클로헥산, 1,4-디아미노-2-n-부틸시클로헥산, 1,4-디아미노-2-이소부틸시클로헥산, 1,4-디아미노-2-sec-부틸시클로헥산, 1,4-디아미노-2-tert-부틸시클로헥산, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸시클로헥실아민), 9,10-비스(4-아미노페닐)아데닌, 2,4-비스(4-아미노페닐)시클로부탄-1,3-디카르복실산디메틸 등을 들 수 있다. Examples of alicyclic diamines include 1,4-diaminocyclohexane, 1,4-diamino-2-methylcyclohexane, 1,4-diamino-2-ethylcyclohexane, and 1,4-diamino-2. -n-propylcyclohexane, 1,4-diamino-2-isopropylcyclohexane, 1,4-diamino-2-n-butylcyclohexane, 1,4-diamino-2-isobutylcyclohexane, 1,4-diamino-2-sec-butylcyclohexane, 1,4-diamino-2-tert-butylcyclohexane, 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylcyclohexylamine), 9, 10-bis(4-aminophenyl)adenine, 2,4-bis(4-aminophenyl)cyclobutane-1,3-dicarboxylic acid dimethyl, etc.

디아민류로서는 특히 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB) 혹은 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA)를 포함하는 것이 바람직하고, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB) 혹은 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA)인 것이 보다 바람직하다.As diamines, it is particularly preferable to include 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) or 4,4'-diaminobenzanilide (DABA), 4 ,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) or 4,4'-diaminobenzanilide (DABA) is more preferable.

실세스퀴옥산 화합물, 즉, 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 산무수물기를 갖는 경우, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수(단, 실세스퀴옥산 유도체가 2개를 넘는 산무수물기를 갖는 경우, 이 몰수는 실세스퀴옥산 유도체의 총 몰수를 실세스퀴옥산 유도체의 산무수물기의 총수로 나눠 2배한 수이다)는, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 카르복실산류에 유래하는 구조 단위의 몰수의 합계에 대하여 0.0001배 이상이다. 여기서, 「실세스퀴옥산 유도체의 산무수물기의 총수」란, 실세스퀴옥산 유도체 1 분자 당 산무수물기의 수를 의미한다. When the silsesquioxane compound, that is, the silsesquioxane derivative, has two or more acid anhydride groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative (provided, that the acid anhydride group having more than two silsesquioxane derivatives When having a group, this number of moles is the total number of moles of the silsesquioxane derivative divided by the total number of acid anhydride groups of the silsesquioxane derivative and doubled) is the number of moles of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative and the number of moles of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative It is 0.0001 times or more than the total number of moles of structural units derived from boxylic acids. Here, “the total number of acid anhydride groups of the silsesquioxane derivative” means the number of acid anhydride groups per molecule of the silsesquioxane derivative.

즉, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰 함유율(구체적으로는 2가의 단량체를 기준으로 하는 몰 함유율. 즉, 2가 환산의 몰 함유율)이 0.0001 몰% 이상이다. 몰 함유율은 이하의 계산으로 구해지는 값이다. That is, the molar content of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative (specifically, the molar content based on the divalent monomer, that is, the molar content in divalent conversion) is 0.0001 mol% or more. The molar content rate is a value obtained by the following calculation.

(nA/(nA+nD))×100(nA/(nA+nD))×100

(여기서, nA는 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 총 몰수를 산무수물기의 총수로 나눠 2배한 수이고, nD는 카르복실산류에 유래하는 구조 단위의 몰수이다.)(Here, nA is the total number of moles of structural units derived from silsesquioxane derivatives divided by the total number of acid anhydride groups and doubled, and nD is the number of moles of structural units derived from carboxylic acids.)

또한, 여기서도 「산무수물기의 총수」란, 실세스퀴옥산 유도체 1 분자 당 산무수물기의 수를 의미한다.In addition, here too, the “total number of acid anhydride groups” means the number of acid anhydride groups per molecule of silsesquioxane derivative.

실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수가 0.0001배 이상임으로써, 폴리이미드 필름의 인성을 효과적으로 개선할 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는, 0.001배 이상이 바람직하고, 0.005배 이상이 보다 바람직하고, 0.01배 이상이 더욱 바람직하다. When the mole number of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative is 0.0001 times or more, the toughness of the polyimide film can be effectively improved. The number of moles of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative is preferably 0.001 times or more, more preferably 0.005 times or more, and still more preferably 0.01 times or more.

한편, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는 0.09배 이하이다. 즉, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰 함유율이 0.09 몰% 이하이다. 0.09배 이하임으로써, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 CTE의 증가 정도를 억제할 수 있다. 즉, CTE를 유지할 수 있다. 즉, CTE의 대폭적인 증가를 억제할 수 있다. 또한, 열분해 온도나 유리 전이 온도를 유지할 수 있다. 즉, 열분해 온도나 유리 전이 온도의 대폭적인 저하를 억제할 수 있다. 더구나, 폴리이미드 필름의 인성을 효과적으로 개선할 수 있다. 이에 더하여, 실세스퀴옥산 유도체가 SiOH기(예컨대 잔류의 SiOH기)를 갖고 있는 경우에, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉬운 경향이 있는(이 경향은 특히 랜덤형 구조의 실세스퀴옥산 유도체에서 강하다) 바, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수가 0.09배 이하임으로써, 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제하거나 또는 저감할 수 있다. 즉, 폴리아미드산 용액의 경시 안정성을 향상시킬 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는 0.08배 이하가 바람직하다. 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는 0.07배 이하라도 좋고, 0.06배 이하라도 좋다. On the other hand, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative is 0.09 times or less. That is, the molar content of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative is 0.09 mol% or less. By being 0.09 times or less, the degree of increase in CTE derived from silsesquioxane derivatives can be suppressed. In other words, CTE can be maintained. In other words, a significant increase in CTE can be suppressed. Additionally, the thermal decomposition temperature and glass transition temperature can be maintained. In other words, a significant decrease in thermal decomposition temperature or glass transition temperature can be suppressed. Moreover, the toughness of the polyimide film can be effectively improved. In addition, when the silsesquioxane derivative has a SiOH group (e.g., a residual SiOH group), gelation of the polyamic acid solution tends to occur (this tendency is particularly prevalent in the silsesquioxane derivative with a random structure). (strongly in ), by setting the molar number of structural units derived from the silsesquioxane derivative to 0.09 times or less, gelation of the polyamic acid solution can be suppressed or reduced. In other words, the temporal stability of the polyamic acid solution can be improved. The number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative is preferably 0.08 times or less. The number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative may be 0.07 times or less, and may be 0.06 times or less.

실세스퀴옥산 화합물, 즉, 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 아미노기를 갖는 경우, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수(단, 실세스퀴옥산 유도체가 2개를 넘는 아미노기를 갖는 경우, 이 몰수는 실세스퀴옥산 유도체의 총 몰수를 실세스퀴옥산 유도체의 아미노기의 총수로 나눠 2배한 수이다)는, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 디아민류에 유래하는 구조 단위의 몰수의 합계에 대하여 0.0001배 이상이다. 여기서, 「실세스퀴옥산 유도체의 아미노기의 총수」란, 실세스퀴옥산 유도체 1 분자 당 아미노기의 수를 의미한다. When a silsesquioxane compound, that is, a silsesquioxane derivative, has two or more amino groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative (provided, that the silsesquioxane derivative has more than two amino groups) In this case, this number of moles is the total number of moles of the silsesquioxane derivative divided by the total number of amino groups of the silsesquioxane derivative and doubled) is the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative and the number of moles derived from diamines It is 0.0001 times more than the total number of moles of structural units. Here, “total number of amino groups of silsesquioxane derivative” means the number of amino groups per molecule of silsesquioxane derivative.

즉, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰 함유율(구체적으로는 2가의 단량체를 기준으로 하는 몰 함유율. 즉, 2가 환산의 몰 함유율)이 0.0001 몰% 이상이다. 몰 함유율은 이하의 계산으로 구해지는 값이다. That is, the molar content of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative (specifically, the molar content based on the divalent monomer, that is, the molar content in divalent conversion) is 0.0001 mol% or more. The molar content rate is a value obtained by the following calculation.

(nA/(nA+nD))×100(nA/(nA+nD))×100

(여기서, nA는 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 총 몰수를 아미노기의 총수로 나눠 2배한 수이고, nD는 디아민류에 유래하는 구조 단위의 몰수이다.)(Here, nA is the total number of moles of structural units derived from silsesquioxane derivatives divided by the total number of amino groups and doubled, and nD is the number of moles of structural units derived from diamines.)

또한, 여기서도 「아미노기의 총수」란, 실세스퀴옥산 유도체 1 분자 당 아미노기의 수를 의미한다. Also, here, the “total number of amino groups” means the number of amino groups per molecule of silsesquioxane derivative.

실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수가 0.0001배 이상임으로써, 폴리이미드 필름의 인성을 효과적으로 개선할 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는, 0.001배 이상이 바람직하고, 0.005배 이상이 보다 바람직하고, 0.01배 이상이 더욱 바람직하다. When the mole number of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative is 0.0001 times or more, the toughness of the polyimide film can be effectively improved. The number of moles of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative is preferably 0.001 times or more, more preferably 0.005 times or more, and still more preferably 0.01 times or more.

한편, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는 0.09배 이하이다. 즉, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰 함유율이 0.09 몰% 이하이다. 0.09배 이하임으로써, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 CTE의 증가 정도를 억제할 수 있다. 즉, CTE를 유지할 수 있다. 즉, CTE의 대폭적인 증가를 억제할 수 있다. 또한, 열분해 온도나 유리 전이 온도를 유지할 수 있다. 즉, 열분해 온도나 유리 전이 온도의 대폭적인 저하를 억제할 수 있다. 더구나, 폴리이미드 필름의 인성을 효과적으로 개선할 수 있다. 이에 더하여, 실세스퀴옥산 유도체가 SiOH기(예컨대 잔류의 SiOH기)를 갖고 있는 경우에, 폴리아미드산 용액의 겔화가 생기기 쉬운 경향이 있는(이 경향은 특히 랜덤형 구조의 실세스퀴옥산 유도체에서 강하다) 바, 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수가 0.09배 이하임으로써, 폴리아미드산 용액의 겔화를 억제하거나 또는 저감할 수 있다. 즉, 폴리아미드산 용액의 경시 안정성을 향상시킬 수 있다. 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는 0.08배 이하가 바람직하다. 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수는 0.07배 이하라도 좋고, 0.06배 이하라도 좋다. On the other hand, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative is 0.09 times or less. That is, the molar content of the structural unit derived from the silsesquioxane derivative is 0.09 mol% or less. By being 0.09 times or less, the degree of increase in CTE derived from silsesquioxane derivatives can be suppressed. In other words, CTE can be maintained. In other words, a significant increase in CTE can be suppressed. Additionally, the thermal decomposition temperature and glass transition temperature can be maintained. In other words, a significant decrease in thermal decomposition temperature or glass transition temperature can be suppressed. Moreover, the toughness of the polyimide film can be effectively improved. In addition, when the silsesquioxane derivative has a SiOH group (e.g., a residual SiOH group), gelation of the polyamic acid solution tends to occur (this tendency is particularly prevalent in the silsesquioxane derivative with a random structure). (strongly in ), by setting the molar number of structural units derived from the silsesquioxane derivative to 0.09 times or less, gelation of the polyamic acid solution can be suppressed or reduced. In other words, the temporal stability of the polyamic acid solution can be improved. The number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative is preferably 0.08 times or less. The number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative may be 0.07 times or less, and may be 0.06 times or less.

폴리아미드산의 합성에 이용하는 용매에는, 폴리아미드산과 그 모노머를 용해하는 용매라면 어떠한 것이나 이용할 수 있으며, 예컨대 비프로톤성 용매, 페놀계 용매, 에테르 및 글리콜계 용매 등을 들 수 있다.The solvent used in the synthesis of polyamic acid can be any solvent that dissolves polyamic acid and its monomers, and examples include aprotic solvents, phenol-based solvents, ether and glycol-based solvents.

구체적으로 비프로톤성 용매로서는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸요소 등의 아미드계 용매; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 락톤계 용매; 헥사메틸포스포릭아미드, 헥사메틸포스핀트리아미드 등의 함인계 아미드계 용매; 디메틸술폰, 디메틸술폭시드, 술포란 등의 함황계 용매; 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 피콜린, 피리딘 등의 3급 아민계 용매; 아세트산(2-메톡시-1-메틸에틸) 등의 에스테르계 용매 등을 들 수 있다.Specifically, aprotic solvents include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 1,3-dimethylimidazolidinone, Amide-based solvents such as tetramethylurea; Lactone-based solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone; Phosphorus-containing amide-based solvents such as hexamethylphosphoricamide and hexamethylphosphinetriamide; Sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide, and sulfolane; Ketone-based solvents such as cyclohexanone and methylcyclohexanone; Tertiary amine-based solvents such as picoline and pyridine; and ester-based solvents such as acetic acid (2-methoxy-1-methylethyl).

페놀계 용매로서는, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀 등을 들 수 있다. 에테르 및 글리콜계 용매로서는, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄, 비스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]에테르, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등을 들 수 있다. Examples of phenol-based solvents include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, and 2,6-xylenol. , 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, etc. Examples of ether and glycol-based solvents include 1,2-dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, 1,2-bis(2-methoxyethoxy)ethane, and bis[2-(2-methoxyethyl). Toxy)ethyl]ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, etc. are mentioned.

그 중에서도 용해성이나 도막 형성성의 관점에서, 용매로서는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸아세트아미드 또는 γ-부티로락톤을 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다. 상기한 용매는 단독으로 또는 2종류 이상 혼합하여 이용하여도 좋다. Among them, from the viewpoint of solubility and film formation, it is preferable that the solvent contains N-methyl-2-pyrrolidone, N,N'-dimethylacetamide, or γ-butyrolactone as a main component. The above-described solvents may be used individually or in combination of two or more types.

합성 시의 조건으로서는, 반응 온도는 -30∼200℃가 바람직하고, 20∼180℃가 보다 바람직하고, 20∼100℃가 특히 바람직하다. 실온(20∼25℃) 또는 적당한 반응 온도에서 교반을 계속하여, 폴리이미드 전구체의 점도가 일정하게 된 시점을 반응의 종점으로 할 수 있다. 상기 반응은 통상 3∼100시간에 완료 가능하다. As conditions during synthesis, the reaction temperature is preferably -30 to 200°C, more preferably 20 to 180°C, and especially preferably 20 to 100°C. Stirring can be continued at room temperature (20-25°C) or an appropriate reaction temperature, and the end point of the reaction can be set when the viscosity of the polyimide precursor becomes constant. The reaction can usually be completed in 3 to 100 hours.

<폴리아미드산 조성물> <Polyamic acid composition>

본 발명의 폴리아미드산 조성물은 이상과 같은 폴리아미드산과 용매를 포함하는 것이다. 폴리아미드산 조성물에는, 합성 시에 사용한 용매와는 다른 용매를 함유하는 것도 가능하지만, 제조 공정이 번잡해지는 것을 피한다는 관점에서, 합성 시에 사용한 용매가 함유되는 것이 바람직하다. 따라서, 폴리아미드산 조성물에 함유되는 용매의 주성분이 N-메틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸아세트아미드 또는 γ-부티로락톤인 것이 바람직하다. The polyamic acid composition of the present invention contains the polyamic acid and solvent as described above. It is possible for the polyamic acid composition to contain a solvent different from the solvent used during synthesis, but from the viewpoint of avoiding a complicated manufacturing process, it is preferable to contain the solvent used during synthesis. Therefore, it is preferable that the main component of the solvent contained in the polyamic acid composition is N-methyl-2-pyrrolidone, N,N'-dimethylacetamide, or γ-butyrolactone.

폴리아미드산의 함유량으로서는, 제막 시의 막 두께의 관점에서, 폴리아미드산 조성물 중에 5∼30 질량%가 바람직하고, 10∼20 질량%가 보다 바람직하다. 함유량이 이 범위에 있으면, 취급성이 우수한 막 두께의 박막을 얻을 수 있다. The content of polyamic acid is preferably 5 to 30% by mass, and more preferably 10 to 20% by mass, in the polyamic acid composition from the viewpoint of film thickness at the time of film formation. If the content is within this range, a thin film with excellent handleability can be obtained.

폴리아미드산 조성물에는, 접착성부여제, 계면활성제, 레벨링제, 산화방지제, UV흡수제, 화학이미드화제, 착색제, 블루잉제(bluing agent) 등의 임의 성분을 더 포함하여도 좋다. 또한, 폴리이미드 필름에 포함할 수 있는, 필러 등을 더 포함하여도 좋다. The polyamic acid composition may further contain optional ingredients such as an adhesion agent, a surfactant, a leveling agent, an antioxidant, a UV absorber, a chemical imidizing agent, a colorant, and a bluing agent. Additionally, fillers that can be included in the polyimide film may be further included.

<폴리이미드> <Polyimide>

본 발명의 폴리이미드는 이상에서 설명한 폴리아미드산이 이미드화되어 이루어지는 것이다. 폴리이미드는 예컨대 상기 폴리아미드산을 가열함으로써 얻을 수 있다. 가열함으로써 폴리아미드산의 카르복시기가 각각 탈수 폐환하여, 폴리아미드산이 이미드화되고, 폴리이미드 구조를 형성하게 된다.The polyimide of the present invention is obtained by imidizing the polyamic acid described above. Polyimide can be obtained, for example, by heating the polyamic acid. By heating, the carboxyl groups of the polyamic acid are each dehydrated and ring-closed, and the polyamic acid is imidized to form a polyimide structure.

폴리이미드는 폴리아미드산을 용매 내에서 가열함으로써 얻을 수 있다. 폴리아미드산을 이미드화할 때의 가열 온도는 용매 내에서는 150∼220℃가 바람직하다. Polyimide can be obtained by heating polyamic acid in a solvent. The heating temperature for imidizing the polyamic acid in the solvent is preferably 150 to 220°C.

또한, 폴리이미드는, 후술하는 것과 같이, 용매를 포함하는 폴리아미드산 조성물을 기재에 도포하여 가열함으로써 막형 또는 필름형의 성형체로서 제공할 수 있다. 폴리아미드산을 이미드화할 때의 가열 온도는, 용매가 어느 정도 이상 건조한 상태에서는 250∼400℃가 바람직하다. 용매를 포함하는 폴리아미드산 조성물에 말단 아미노기 밀봉제를 첨가하여 열처리함으로써 말단 아미노기의 산화에 의한 착색을 억제할 수 있다. 말단 아미노기 밀봉제로서는, 아미노기와 반응하여 화학 결합을 형성하는 화합물이라면 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 무수아세트산을 이용할 수 있다. In addition, polyimide can be provided as a film-shaped or film-shaped molded body by applying a polyamic acid composition containing a solvent to a substrate and heating it, as described later. The heating temperature when imidizing polyamic acid is preferably 250 to 400°C when the solvent is dry to a certain extent. Coloration due to oxidation of terminal amino groups can be suppressed by adding a terminal amino group sealant to a polyamic acid composition containing a solvent and heat treating it. The terminal amino group sealant is not particularly limited as long as it is a compound that reacts with an amino group to form a chemical bond, but for example, acetic anhydride can be used.

또한, 열이미드화 대신에 화학이미드화에 의해 폴리이미드를 얻을 수도 있다. 그 경우, 이미드화 촉진제에는 3급 아민을 이용하는 것이 바람직하다. 3급 아민으로서는 복소환식의 3급 아민이 더욱 바람직하다. 복소환식 3급 아민의 바람직한 구체예로서는, 피리딘, 2,5-디에틸피리딘, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 들 수 있다. Additionally, polyimide can also be obtained by chemical imidization instead of thermal imidization. In that case, it is preferable to use a tertiary amine as the imidization accelerator. As the tertiary amine, heterocyclic tertiary amine is more preferable. Preferred specific examples of heterocyclic tertiary amines include pyridine, 2,5-diethylpyridine, picoline, quinoline, and isoquinoline.

<폴리이미드 필름> <Polyimide film>

본 발명의 폴리이미드 필름은 이상과 같은 폴리이미드를 포함하는 것이다. 폴리이미드 필름이 2층 이상으로 구성되는 경우, 적어도 1층에 본 발명의 폴리이미드를 포함하는 것이면 된다. The polyimide film of the present invention contains the polyimide described above. When the polyimide film is composed of two or more layers, at least one layer may contain the polyimide of the present invention.

폴리이미드 필름은, 예컨대 폴리아미드산 용액을 기판 상에 캐스트하고, 가열하여 용제를 휘발시킴으로써 두께 1∼100 ㎛의 균일한 그린 필름으로 하여, 이것을 이미드화함으로써 얻을 수 있다. 이러한 캐스팅법으로 필름을 형성하는 경우에 이용하는 기판으로서는 고분자 필름, 유리판, 실리콘 고무판, 금속판 등을 들 수 있다. A polyimide film can be obtained, for example, by casting a polyamic acid solution on a substrate, heating it to volatilize the solvent to form a uniform green film with a thickness of 1 to 100 μm, and imidizing this. Substrates used when forming a film by this casting method include polymer films, glass plates, silicone rubber plates, and metal plates.

고분자 필름으로서, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름 A4100(도요보가부시키가이샤 제조)을 이용할 수 있다. 또한, 소정 두께의 그린 필름을 얻을 때는, 폴리아미드산 용액의 농도를 조정하는 방법이나, 코터의 갭 사이를 조정하는 방법, 캐스트를 반복하여 목적으로 하는 막 두께가 되도록 적층하는 방법을 채용할 수 있고, 이로써 원하는 막 두께의 기판을 작성할 수 있다. 또한, 얻어진 그린 필름을 열처리함으로써 열이미드화하여, 폴리이미드 필름을 얻을 수 있다. As a polymer film, for example, polyethylene terephthalate film A4100 (manufactured by Toyobo Corporation) can be used. In addition, when obtaining a green film of a certain thickness, a method of adjusting the concentration of the polyamic acid solution, a method of adjusting the gap between the coaters, or a method of repeating casting and laminating to achieve the desired film thickness can be adopted. Thereby, a substrate with a desired film thickness can be created. Additionally, the obtained green film can be thermally imidized by heat treatment to obtain a polyimide film.

폴리이미드 필름은, 단층 구성이라도 상관없고, 2층 이상의 적층 구성이라도 상관없다. 폴리이미드 필름의 물리적 강도나 무기 기판과의 박리 용이성에서 볼 때, 2층 이상의 적층 구성인 것이 바람직하고, 3층 이상의 적층 구성이라도 지장없다. 또한, 본 명세서에서는, 폴리이미드 필름이 2층 이상의 적층 구성인 경우의 물성(황색도 지수, 전광선 투과율, 헤이즈 등)은, 달리 언급되지 않는 한, 폴리이미드 필름 전체의 값을 말한다. The polyimide film may have a single-layer structure or a laminated structure of two or more layers. In view of the physical strength of the polyimide film and the ease of peeling from the inorganic substrate, a laminated structure of two or more layers is preferable, and a laminated structure of three or more layers is not a problem. In addition, in this specification, the physical properties (yellowness index, total light transmittance, haze, etc.) when the polyimide film has a laminated structure of two or more layers refer to the values of the entire polyimide film, unless otherwise specified.

폴리이미드 필름의 두께는 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 이상이다. 상기 폴리이미드 필름의 두께의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 플렉시블 전자 디바이스로서 이용하기 위해서는 200 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90 ㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다. 지나치게 얇으면 필름 제작, 반송이 곤란하고, 지나치게 두꺼우면 롤 반송 등이 곤란하게 된다. The thickness of the polyimide film is preferably 5 μm or more, and more preferably 7 μm or more. The upper limit of the thickness of the polyimide film is not particularly limited, but for use as a flexible electronic device, it is preferably 200 μm or less, more preferably 90 μm or less, and still more preferably 50 μm or less. If it is too thin, film production and transportation will be difficult, and if it is too thick, roll transportation, etc. will be difficult.

본 발명에서의 폴리이미드 필름의 전광선 투과율은 75% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 85% 이상이며, 더욱 바람직하게는 87% 이상이고, 더한층 바람직하게는 88% 이상이다. 상기 폴리이미드 필름의 전광선 투과율의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 플렉시블 전자 디바이스로서 이용하기 위해서는 98% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 97% 이하이다.The total light transmittance of the polyimide film in the present invention is preferably 75% or more, more preferably 85% or more, further preferably 87% or more, and even more preferably 88% or more. The upper limit of the total light transmittance of the polyimide film is not particularly limited, but for use as a flexible electronic device, it is preferably 98% or less, and more preferably 97% or less.

본 발명에서의 폴리이미드 필름의 헤이즈는 1.0 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.8 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.5 이하이고, 더한층 바람직하게는 0.3 이하이다. The haze of the polyimide film in the present invention is preferably 1.0 or less, more preferably 0.8 or less, further preferably 0.5 or less, and even more preferably 0.3 or less.

본 발명에서의 폴리이미드 필름의 황색도 지수(이하, 「옐로우 인덱스」 또는 「YI」라고도 한다.)는 20 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 이하이며, 더욱 바람직하게는 10 이하이고, 더한층 바람직하게는 5 이하이다. 상기 폴리이미드 필름의 황색도 지수의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 플렉시블 전자 디바이스로서 이용하기 위해서는 0.1 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 이상이며, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이다. The yellowness index (hereinafter also referred to as “yellow index” or “YI”) of the polyimide film in the present invention is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, further preferably 10 or less, and further more preferably 10 or less. Preferably it is 5 or less. The lower limit of the yellowness index of the polyimide film is not particularly limited, but for use as a flexible electronic device, it is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and even more preferably 0.3 or more.

본 발명에서의 폴리이미드 필름의 두께 방향 위상차(Rth)는 500 nm 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 300 nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 200 nm 이하이고, 더한층 바람직하게는 100 nm 이하이다. 상기 폴리이미드 필름의 Rth의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 플렉시블 전자 디바이스로서 이용하기 위해서는 0.1 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 nm 이상이다. The thickness direction retardation (Rth) of the polyimide film in the present invention is preferably 500 nm or less, more preferably 300 nm or less, further preferably 200 nm or less, and even more preferably 100 nm or less. The lower limit of Rth of the polyimide film is not particularly limited, but for use as a flexible electronic device, it is preferably 0.1 nm or more, and more preferably 0.5 nm or more.

또한, 본 발명의 폴리이미드 필름은, 폴리이미드 필름의 성막 과정에 있어서 연신을 행하여 실현할 수도 있다. 이러한 연신 조작은, 폴리이미드 용액을 폴리이미드 필름 제작용 지지체에 도포, 건조하여 1∼50 질량%의 용매를 포함하는 폴리이미드 필름으로 하고, 또한 폴리이미드 필름 제작용 지지체 상에서 혹은 상기 지지체로부터 벗겨낸 상태에서 1∼50 질량%의 용매를 포함하는 폴리이미드 필름을 고온 처리하여 건조시키는 과정에서, MD 방향으로 1.5배부터 4.0배로, TD 방향으로 1.4배부터 3.0배로 연신함으로써 실현할 수 있다. 이때에 폴리이미드 필름 제작용 지지체에 미연신의 열가소성 고분자 필름을 이용하여, 열가소성 고분자 필름과 폴리이미드 필름을 동시에 연신한 후에 열가소성 고분자 필름으로부터 연신 후의 폴리이미드 필름을 박리함으로써, 특히 MD 방향의 연신 시에 폴리이미드 필름에 들어가는 상처를 방지할 수 있어, 보다 고품위의 무색 투명성이 높은 폴리이미드 필름을 얻을 수 있다. Additionally, the polyimide film of the present invention can also be realized by stretching during the film formation process of the polyimide film. In this stretching operation, the polyimide solution is applied to a support for producing a polyimide film and dried to form a polyimide film containing 1 to 50% by mass of a solvent, and the polyimide solution is formed on the support for producing a polyimide film or peeled from the support. In the process of drying a polyimide film containing 1 to 50% by mass of a solvent at high temperature, it can be achieved by stretching from 1.5 to 4.0 times in the MD direction and from 1.4 to 3.0 times in the TD direction. At this time, an unstretched thermoplastic polymer film is used as a support for polyimide film production, the thermoplastic polymer film and the polyimide film are stretched simultaneously, and then the stretched polyimide film is peeled from the thermoplastic polymer film, especially during stretching in the MD direction. Damage to the polyimide film can be prevented, and a higher quality, colorless and highly transparent polyimide film can be obtained.

상기 폴리이미드 필름의 50℃부터 200℃ 사이의 평균 선팽창 계수(CTE)는 60 ppm/K 이하인 것이 바람직하다. 바람직하게는 50 ppm/K 이하, 보다 바람직하게는 35 ppm/K 이하이다. 또한, -20 ppm/K 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 -10 ppm/K 이상이다. CTE가 상기 범위이면, 일반적인 지지체(무기 기판)와의 선팽창 계수의 차를 작게 유지할 수 있고, 열을 가하는 프로세스에 제공하여도 폴리이미드 필름과 무기 기판이 벗겨지거나 혹은 지지체마다 휘는 것을 피할 수 있다. 여기서 CTE란, 온도에 대하여 가역적인 신축을 나타내는 팩터이다. 또한, 상기 폴리이미드 필름의 CTE의 측정 방법은 실시예에 기재한 방법에 의한다. It is preferable that the average coefficient of linear expansion (CTE) of the polyimide film between 50°C and 200°C is 60 ppm/K or less. Preferably it is 50 ppm/K or less, more preferably 35 ppm/K or less. Additionally, it is preferably -20 ppm/K or more, and more preferably -10 ppm/K or more. If the CTE is within the above range, the difference in linear expansion coefficient with a general support (inorganic substrate) can be kept small, and peeling of the polyimide film and the inorganic substrate or bending of the support can be avoided even when subjected to a heat process. Here, CTE is a factor representing reversible expansion and contraction with respect to temperature. In addition, the method for measuring CTE of the polyimide film is the method described in the Examples.

상기 폴리이미드 필름에는 필러를 함유할 수 있다. 필러로서는, 특별히 한정되지 않고, 실리카, 카본, 세라믹 등을 들 수 있고, 그 중에서도 실리카인 것이 바람직하다. 이들 필러를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 병용하여도 좋다. 필러를 첨가함으로써, 폴리이미드 필름 표면에 돌기가 부여되고, 이에 따라 폴리이미드 필름 표면의 미끄러움성이 높아진다. 또한, 필러를 첨가함으로써 폴리이미드 필름의 CTE 및 Rth를 낮게 억제할 수도 있다. 필러의 평균 입자 지름은 1 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 nm 이상이다. 또한, 1 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500 nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 100 nm 이하이다. The polyimide film may contain filler. The filler is not particularly limited and includes silica, carbon, ceramics, etc., and among these, silica is preferable. These fillers may be used individually, or two or more types may be used together. By adding filler, protrusions are provided on the surface of the polyimide film, thereby increasing the slipperiness of the surface of the polyimide film. Additionally, the CTE and Rth of the polyimide film can be suppressed low by adding filler. The average particle diameter of the filler is preferably 1 nm or more, and more preferably 5 nm or more. Additionally, it is preferably 1 μm or less, more preferably 500 nm or less, and even more preferably 100 nm or less.

폴리이미드 필름에 있어서의 필러 함유량은 필러의 평균 입자 지름에 따라서 조정하는 것이 바람직하다. 필러의 입자 지름이 30 nm 이상인 경우는, 바람직하게는 0.01∼5 질량%이며, 보다 바람직하게는 0.01∼3 질량%이고, 더욱 바람직하게는 0.01∼2 질량%이고, 특히 바람직하게는 0.01∼1 질량%이다. 한편, 평균 입자 지름이 30 nm 미만인 경우는, 바람직하게는 0.01∼50 질량%이며, 보다 바람직하게는 0.01∼40 질량%이고, 더욱 바람직하게는 0.01∼30 질량%이고, 특히 바람직하게는 0.01∼20 질량%이다. 함유량을 상기 범위에서 조정함으로써, 폴리이미드 필름의 투명성을 손상시키는 일 없이 폴리이미드 필름 표면의 미끄러움성을 높게 유지할 수 있고, 또한 폴리이미드 필름의 CTE 및 Rth를 낮게 억제할 수 있다. The filler content in the polyimide film is preferably adjusted according to the average particle diameter of the filler. When the particle diameter of the filler is 30 nm or more, it is preferably 0.01 to 5 mass%, more preferably 0.01 to 3 mass%, further preferably 0.01 to 2 mass%, especially preferably 0.01 to 1 mass%. It is mass%. On the other hand, when the average particle diameter is less than 30 nm, it is preferably 0.01 to 50 mass%, more preferably 0.01 to 40 mass%, further preferably 0.01 to 30 mass%, and especially preferably 0.01 to 0.01 mass%. It is 20% by mass. By adjusting the content within the above range, the slipperiness of the surface of the polyimide film can be maintained high without impairing the transparency of the polyimide film, and the CTE and Rth of the polyimide film can be suppressed low.

폴리이미드 필름에 있어서의 필러 첨가 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 상술한 폴리아미드산(폴리이미드 전구체)용액을 제작할 때 혹은 제작한 후에, 분체로 첨가하는 방법, 필러/용매의 형태(슬러리)로 첨가하는 방법 등을 들 수 있고, 그 중에서도 특히 슬러리로 첨가하는 방법이 바람직하다. 슬러리로서는 특별히 한정되지 않지만, 평균 입자 지름 10 nm의 실리카가 20 질량%의 농도로 N,N-디메틸아세트아미드(DMAC)에 분산된 슬러리(예컨대 닛산가가쿠고교 제조 「스노우텍스(등록상표) DMAC-ST」나, 평균 입자 지름 80 nm의 실리카가 20 질량%의 농도로 N,N-디메틸아세트아미드(DMAC)에 분산된 슬러리(예컨대 닛산가가쿠고교 제조의 「스노우텍스(등록상표) DMAC-ST-ZL」), 평균 입자 지름 10 nm의 실리카가 20 질량%의 농도로 N-메틸피롤리돈(NMP)에 분산된 슬러리(예컨대 닛산가가쿠고교 제조 「스노우텍스(등록상표) NMP-ST」 등을 들 수 있다. The method of adding filler to the polyimide film is not particularly limited, but may include adding it as a powder when or after producing the polyamic acid (polyimide precursor) solution described above, or in the form of a filler/solvent (slurry). A method of adding it is included, and among these, a method of adding it as a slurry is particularly preferable. The slurry is not particularly limited, but is a slurry in which silica with an average particle diameter of 10 nm is dispersed in N,N-dimethylacetamide (DMAC) at a concentration of 20% by mass (for example, "Snowtex (registered trademark) DMAC-" manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) ST" or a slurry in which silica with an average particle diameter of 80 nm is dispersed in N,N-dimethylacetamide (DMAC) at a concentration of 20% by mass (e.g., "Snowtex (registered trademark) DMAC-ST- manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) ZL"), a slurry in which silica with an average particle diameter of 10 nm is dispersed in N-methylpyrrolidone (NMP) at a concentration of 20% by mass (for example, "Snowtex (registered trademark) NMP-ST" manufactured by Nissan Chemical Industries, etc.) I can hear it.

상기 폴리이미드 필름에는 착색제를 함유할 수 있다. 예컨대 옅은 황색의 폴리이미드 필름에 청색의 착색제를 혼합함으로써 필름의 Y.I.를 저감할 수 있다. The polyimide film may contain a colorant. For example, the Y.I. of the film can be reduced by mixing a blue colorant with a light yellow polyimide film.

착색제로서는, 예컨대 유기 안료, 무기 안료 또는 염료를 들 수 있지만, 착색막의 내열성, 신뢰성 및 내광성을 향상시키기 위해서는 유기 안료, 무기 안료가 바람직하다. 내열성의 관점에서, 착색제는 220℃ 이상의 1% 열중량 감소 온도를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 착색제의 1% 열중량 감소 온도는, TGA 장치(TGA-50, 시마즈세이사쿠쇼)를 이용하여 측정할 수 있다. 이 측정은, 약 10 mg의 착색제를 알루미늄팬에 실어, 질소 분위기 하, 10℃/분의 승온 속도로 측정된다. 그런 다음에, 150℃에 도달한 시점에서의 중량을 기점으로 하여, 중량이 1% 감소한 시점의 온도(1% 중량 감소 온도: Td1)를 읽어 들이면 된다. Colorants include, for example, organic pigments, inorganic pigments or dyes, but organic pigments and inorganic pigments are preferred in order to improve the heat resistance, reliability and light resistance of the colored film. From the viewpoint of heat resistance, it is preferable that the colorant has a 1% thermogravity reduction temperature of 220°C or higher. Additionally, the 1% thermogravity reduction temperature of the colorant can be measured using a TGA device (TGA-50, Shimadzu Seisakusho). In this measurement, approximately 10 mg of colorant is placed in an aluminum pan and measured at a temperature increase rate of 10°C/min under a nitrogen atmosphere. Then, starting from the weight when it reaches 150°C, read the temperature at which the weight decreases by 1% (1% weight loss temperature: Td 1 ).

유기 안료로서는, 예컨대 디케토피롤로피롤계 안료; 아조, 디스아조, 폴리아조 등의 아조계 안료; 구리프탈로시아닌, 할로겐화구리프탈로시아닌, 무금속 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌계 안료; 아미노안트라퀴논, 디아미노디안트라퀴논, 안트라피리미딘, 플라반트론, 안트안트론, 인단트론, 피란트론, 비올란트론 등의 안트라퀴논계 안료; 퀴나크리돈계 안료; 디옥사진계 안료; 페리논계 안료; 페릴렌계 안료; 티오인디고계 안료; 이소인돌린계 안료; 이소인돌리논계 안료; 퀴노프탈론계 안료; 스렌계 안료; 금속 착체계 안료 등을 들 수 있다. Examples of organic pigments include diketopyrrolopyrrole pigments; Azo pigments such as azo, disazo, and polyazo; Phthalocyanine-based pigments such as copper phthalocyanine, halogenated copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanine; Anthraquinone-based pigments such as aminoanthraquinone, diaminodianthraquinone, anthrapyrimidine, flavanthrone, anthanthrone, indanthrone, pyranthrone, and violanthrone; Quinacridone-based pigments; Dioxazine-based pigments; Perinone-based pigment; perylene-based pigment; Thioindigo pigments; Isoindoline pigments; Isoindolinone pigments; Quinophthalone pigments; srene-based pigment; Metal complex pigments, etc. can be mentioned.

무기 안료로서는, 예컨대 산화티탄, 아연화, 황화아연, 연백, 탄산칼슘, 침강성 황산바륨, 화이트 카본, 알루미나 화이트, 카올린 클레이, 탈크, 벤토나이트, 흑색 산화철, 카드뮴 레드, 벵갈라, 몰리브덴 레드, 몰리브데이트 오렌지, 크롬 버밀리언, 황연, 카드뮴 옐로우, 황색 산화철, 티탄 옐로우, 산화크롬, 비리디언, 티탄 코발트 그린, 코발트 그린, 코발트 크롬 그린, 빅토리아 그린, 군청, 감청, 코발트 블루, 셀룰리언 블루, 코발트 실리카 블루, 코발트 아연 실리카 블루, 망간 바이올렛, 코발트 바이올렛 등을 들 수 있다. Inorganic pigments include, for example, titanium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, soft white, calcium carbonate, precipitated barium sulfate, white carbon, alumina white, kaolin clay, talc, bentonite, black iron oxide, cadmium red, bengala, molybdenum red, and molybdate orange. , chrome vermilion, yellow lead, cadmium yellow, yellow iron oxide, titanium yellow, chromium oxide, viridian, titanium cobalt green, cobalt green, cobalt chrome green, Victoria green, ultramarine blue, royal blue, cobalt blue, cellulian blue, cobalt silica blue. , cobalt zinc silica blue, manganese violet, cobalt violet, etc.

염료로서는, 예컨대 아조 염료, 안트라퀴논 염료, 축합 다환 방향족 카르보닐 염료, 인디고이드 염료, 카르보늄 염료, 프탈로시아닌 염료, 메틴 염료, 폴리메틴 염료 등을 들 수 있다. Examples of dyes include azo dyes, anthraquinone dyes, condensed polycyclic aromatic carbonyl dyes, indigoid dyes, carbonium dyes, phthalocyanine dyes, methine dyes, and polymethine dyes.

상기 폴리이미드 필름의 인장 파단 강도는, 60 MPa 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 120 MPa 이상이며, 더욱 바람직하게는 160 MPa 이상이다. 인장 파단 강도의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 사실상 1000 MPa 정도 미만이다. 상기 인장 파단 강도가 60 MPa 이상이면, 무기 기판으로부터 박리할 때에 상기 폴리이미드 필름이 파단되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 폴리이미드 필름의 인장 파단 강도의 측정 방법은 실시예에 기재한 방법에 의한다. 또한, 캐스팅 애플리케이터를 이용하여 유리 기판 상에 도포하고 나서 제작한 경우에도 캐스팅 애플리케이터 도포에 평행 방향과 수직 방향의 직교하는 2 방향을 각각 (MD 방향), (TD 방향)으로 했다. 이하, 인장 파단 신도, 인장 탄성률도 마찬가지다.The tensile breaking strength of the polyimide film is preferably 60 MPa or more, more preferably 120 MPa or more, and even more preferably 160 MPa or more. The upper limit of the tensile breaking strength is not particularly limited, but is in fact less than about 1000 MPa. If the tensile breaking strength is 60 MPa or more, the polyimide film can be prevented from breaking when peeling from the inorganic substrate. In addition, the method for measuring the tensile breaking strength of the polyimide film is the method described in the Examples. In addition, even in the case of production after application on a glass substrate using a casting applicator, the two directions parallel to and perpendicular to the application with the casting applicator were defined as (MD direction) and (TD direction), respectively. Hereinafter, the same applies to tensile elongation at break and tensile modulus of elasticity.

상기 폴리이미드 필름의 인장 파단 신도는, 1% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5% 이상이며, 더욱 바람직하게는 10% 이상이다. 상기 인장 파단 신도가 5% 이상이면 취급성이 우수하다. 또한, 상기 폴리이미드 필름의 인장 파단 신도의 측정 방법은 실시예에 기재한 방법에 의한다. The tensile elongation at break of the polyimide film is preferably 1% or more, more preferably 5% or more, and still more preferably 10% or more. If the tensile elongation at break is 5% or more, handleability is excellent. In addition, the method of measuring the tensile elongation at break of the polyimide film is based on the method described in the Examples.

상기 폴리이미드 필름의 인장 탄성률은, 2 GPa 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 GPa 이상이며, 더욱 바람직하게는 4 GPa 이상이다. 상기 인장 탄성률이 3 GPa 이상이면, 무기 기판으로부터 박리할 때의 상기 폴리이미드 필름의 신장 변형이 적고, 취급성이 우수하다. 상기 인장 탄성률은, 20 GPa 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 12 GPa 이하이며, 더욱 바람직하게는 10 GPa 이하이다. 상기 인장 탄성률이 20 GPa 이하이면, 상기 폴리이미드 필름을 플렉시블한 필름으로서 사용할 수 있다. 또한, 상기 폴리이미드 필름의 인장 탄성률의 측정 방법은 실시예에 기재한 방법에 의한다. The tensile modulus of elasticity of the polyimide film is preferably 2 GPa or more, more preferably 3 GPa or more, and still more preferably 4 GPa or more. If the tensile modulus is 3 GPa or more, the polyimide film undergoes little stretching strain when peeled from the inorganic substrate, and handling properties are excellent. The tensile modulus is preferably 20 GPa or less, more preferably 12 GPa or less, and even more preferably 10 GPa or less. If the tensile modulus is 20 GPa or less, the polyimide film can be used as a flexible film. In addition, the method of measuring the tensile modulus of elasticity of the polyimide film is based on the method described in the Examples.

상기 폴리이미드 필름은, 인장 탄성률을 어느 정도 유지하면서 인성이 향상되었기 때문에, 인장 강도와 신도의 곱인 항장곱이 종래의 폴리이미드 필름와 비교하여 개선되었다. 즉, 본 발명의 폴리이미드 필름의 인장 시험에 있어서의 항장곱은 300 MPa·% 이상인 것이 바람직하고, 1,000 MPa·% 이상인 것이 보다 바람직하고, 1,200 MPa·% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상한은 특별히 설정되지 않지만, 필름 취급성의 관점에서, 인장 시험에서의 항장곱이 20,000 MPa·% 이하인 것이 바람직하다. 항장곱은 예컨대 18,000 MPa·% 이하라도 좋고, 15,000 MPa·% 이하라도 좋고, 10,000 MPa·% 이하라도 좋다. Since the toughness of the polyimide film was improved while maintaining the tensile modulus to a certain degree, the tensile strength product, which is the product of tensile strength and elongation, was improved compared to the conventional polyimide film. That is, the tensile strength of the polyimide film of the present invention in the tensile test is preferably 300 MPa·% or more, more preferably 1,000 MPa·% or more, and still more preferably 1,200 MPa·% or more. The upper limit is not particularly set, but from the viewpoint of film handleability, it is preferable that the tensile product in the tensile test is 20,000 MPa·% or less. The term product may be, for example, 18,000 MPa·% or less, 15,000 MPa·% or less, and 10,000 MPa·% or less.

상기 폴리이미드 필름은, 그 제조 시에 있어서 폭이 300 mm 이상, 길이가 10 m 이상인 장척의 폴리이미드 필름으로서 권취된 형태로 얻어지는 것이 바람직하고, 권취 코어에 권취된 롤형 폴리이미드 필름의 형태인 것이 보다 바람직하다. 상기 폴리이미드 필름이 롤형으로 감겨 있으면, 롤형으로 감긴 폴리이미드 필름이라는 형태로 수송하기가 용이하게 된다.During its production, the polyimide film is preferably obtained in a wound form as a long polyimide film with a width of 300 mm or more and a length of 10 m or more, and is in the form of a roll-shaped polyimide film wound around a core. It is more desirable. If the polyimide film is wound in a roll shape, it becomes easy to transport in the form of a roll wound polyimide film.

상기 폴리이미드 필름에 있어서는, 핸들링성 및 생산성을 확보하기 위해서, 폴리이미드 필름 중에 입자 지름이 10∼1000 nm 정도인 활재(입자)를, 0.03∼3 질량% 정도 첨가·함유시켜, 폴리이미드 필름 표면에 미세한 요철을 부여하여, 미끄러움성을 확보하는 것이 바람직하다. In the above polyimide film, in order to ensure handling properties and productivity, about 0.03 to 3% by mass of a lubricant (particles) with a particle diameter of about 10 to 1000 nm is added or contained in the polyimide film to form a surface of the polyimide film. It is desirable to secure slipperiness by providing fine irregularities.

또한, 폴리이미드 필름이 2층 이상의 적층 구성을 갖는 경우, 각 층 단독의 CTE의 차가 다르면 휘어짐의 원인이 되기 때문에 바람직하지 못하다. 그 때문에, 무기 기판과 접촉하는 제1 폴리이미드 필름층과, 상기 무기 기판과 접촉하지 않고서 상기 제1 폴리이미드 필름과 인접하는 제2 폴리이미드 필름층의 CTE 차는, 바람직하게는 40 ppm/K 이하이며, 보다 바람직하게는 30 ppm/K 이하이고, 더욱 바람직하게는 15 ppm/K 이하이다. 특히 상기 제2 폴리이미드 필름 중 가장 막 두께가 두꺼운 층이 상기 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 폴리이미드 필름은 막 두께 방향으로 대칭 구조로 되어 있으면 휘어짐이 발생하기 어려워 바람직하다. Additionally, when the polyimide film has a laminated structure of two or more layers, it is undesirable because the difference in CTE of each layer alone can cause warping. Therefore, the CTE difference between the first polyimide film layer in contact with the inorganic substrate and the second polyimide film layer adjacent to the first polyimide film without contact with the inorganic substrate is preferably 40 ppm/K or less. , more preferably 30 ppm/K or less, and even more preferably 15 ppm/K or less. In particular, it is preferable that the thickest layer of the second polyimide film is within the above range. In addition, it is preferable that the polyimide film has a symmetrical structure in the film thickness direction because it is difficult to cause bending.

상기 2층 이상의 적층 구성의 폴리이미드 필름에 있어서는, 특히 상기 무기 기판과 접촉하는 제1 폴리이미드 필름층과, 상기 제1 폴리이미드 필름층과 인접하는 제2 폴리이미드 필름층(이하, 단순히 「제2 폴리이미드 필름층)이라고도 한다.)의 계면에서 섞이는 두께는, 제1 폴리이미드 필름층의 1층분의 두께와 제2 폴리이미드 필름층의 1층분의 두께의 합보다 적으면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제1 폴리이미드 필름층의 1층분의 두께와 제2 폴리이미드 필름층의 1층분의 두께의 합의 99% 이하인 것 바람직하고, 80% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 하한에 관해서도 특별히 한정되지 않지만, 공업적으로는 10 nm 이상이면 문제 없고, 20 nm 이상이라도 지장없다. 또한, 각 층의 기능에 현저한 차이가 있어, 각각의 기능을 상쇄시키지 않고서 충분히 발휘시킬 필요가 있는 경우는, 각 층에 차지하는 섞이는 영역을 50% 이하로 억제하는 것이 바람직하고, 30% 이하로 억제하는 것이 보다 바람직하고, 10% 이하로 억제하는 것이 더욱 바람직하다. In the polyimide film having a laminated structure of two or more layers, in particular, a first polyimide film layer in contact with the inorganic substrate and a second polyimide film layer adjacent to the first polyimide film layer (hereinafter simply referred to as “the first polyimide film layer”) 2 The thickness mixed at the interface of the polyimide film layer is not particularly limited as long as it is less than the sum of the thickness of one layer of the first polyimide film layer and the thickness of one layer of the second polyimide film layer. , it is preferably 99% or less of the sum of the thickness of one layer of the first polyimide film layer and the thickness of one layer of the second polyimide film layer, more preferably 80% or less, and even more preferably 50% or less. Additionally, there is no particular limitation regarding the lower limit, but industrially, there is no problem as long as it is 10 nm or more, and even if it is 20 nm or more, there is no problem. In addition, when there is a significant difference in the functions of each layer and it is necessary to fully exert each function without canceling it out, it is desirable to suppress the mixing area occupied by each layer to 50% or less, and to 30% or less. It is more preferable to do so, and it is even more preferable to suppress it to 10% or less.

섞임이 적은 층을 형성하는 수단은 특별히 한정되지 않지만, 제1 폴리이미드 필름층과 제2 폴리이미드 필름층의 2층을 동시에 용액 제막으로 제작하는 것보다, 제1 폴리이미드 필름층 또는 제2 폴리이미드 필름층의 어느 1층을 제작하고, 가열공정을 거친 후에 다음 층을 제작하는 것이 바람직하다. 가열 공정이 도중 단계, 완료되는 경우 양쪽 모두를 포함한다. 가열 공정이 완료되고 나서 다음 층을 만드는 쪽이 섞임이 적은 것으로 할 수 있지만, 완성된 필름 표면은 이미 반응성을 잃어 버린 경우가 많고, 표면에 작용기가 적기 때문에, 2개의 층의 접착력이 약해 실용상 문제가 일어나는 경우도 있다. 이 때문에, 섞임이 적은 경우라도 10 nm 이상은 섞임이 일어나는 계면이 바람직하다.The means for forming a low-mixing layer is not particularly limited, but rather than producing two layers of the first polyimide film layer and the second polyimide film layer simultaneously by solution film forming, the first polyimide film layer or the second polyimide film layer is used. It is desirable to produce one layer of the mid film layer and then produce the next layer after going through a heating process. The heating process includes both steps along the way and when it is completed. Making the next layer after the heating process is completed can result in less mixing, but the surface of the finished film often has already lost its reactivity, and since there are few functional groups on the surface, the adhesion between the two layers is weak, making it difficult for practical use. Sometimes problems arise. For this reason, even when mixing is small, an interface where mixing occurs for 10 nm or more is desirable.

물성이 다른 재료(수지)를 2층 구성의 필름으로 함으로써 여러 가지 특성을 겸비하는 필름을 제작할 수도 있다. 또한, 두께 방향에 대칭 구조로 적층(예컨대 제1 폴리이미드 필름층/제2 폴리이미드 필름층/제1 폴리이미드 필름층)시킴으로써, 필름 전체의 CTE의 밸런스가 양호하게 되어, 휘어짐이 발생하기 어려운 필름으로 할 수 있다. 또한, 어느 한 층을 자외나 적외에 흡수를 갖는 층으로 함으로써 분광 특성에 특징을 갖게 하는 것이나, 굴절률이 다른 층에 의해서 빛의 입사·출사를 제어하는 것 등을 생각할 수 있다. 또한, 제1 폴리이미드 필름층에 활제를 첨가함으로써, 필름 전체의 광학 물성 및 열 물성은 제2 폴리이미드 필름층과 유사한 특성을 유지하면서 필름의 미끄러움성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 제1 폴리이미드 필름층과 제2 폴리이미드 필름층의 폴리머 조성은 동일하더라도 다르더라도 좋다.It is also possible to produce a film with various properties by forming a two-layer film of materials (resins) with different physical properties. In addition, by laminating in a symmetrical structure in the thickness direction (e.g., first polyimide film layer/second polyimide film layer/first polyimide film layer), the balance of CTE of the entire film becomes good, and warping is less likely to occur. You can do it with film. In addition, it is conceivable to provide characteristic spectral characteristics by making one layer a layer that absorbs ultraviolet or infrared radiation, or to control the incidence and emission of light by using layers with different refractive indices. Additionally, by adding a lubricant to the first polyimide film layer, the slipperiness of the film can be improved while maintaining the optical and thermal properties of the entire film similar to those of the second polyimide film layer. In this case, the polymer composition of the first polyimide film layer and the second polyimide film layer may be the same or different.

2층 이상의 층 구성의 필름을 제작하는 수단으로서, 2층 이상의 동시 토출이 가능한 T 다이에 의한 동시 도공, 1층 도포한 후에 다음 층을 도포하는 축차 도공, 1층 도포한 후에 건조를 진행시키고 나서 다음 층을 도공하는 방법, 1층의 필름화를 끝내고 나서 다음 층을 도공하는 방법, 혹은 열가소성의 층을 넣음에 따른 가열 라미네이트에서의 다층화 등 다양한 방법이 생각되지만, 본 특허에서는, 기존의 다양한 도포 방법, 다층화 수법을 적절하게 도입할 수 있다.As a means of producing a film with a layer structure of two or more layers, simultaneous coating using a T die capable of simultaneous discharge of two or more layers, sequential coating by applying the next layer after applying one layer, and drying after applying the first layer Various methods can be considered, such as a method of coating the next layer, a method of coating the next layer after completing the filmization of the first layer, or multilayering by heating laminate by adding a thermoplastic layer, but in this patent, the various existing coating methods are used. method, multi-layered methods can be appropriately introduced.

<적층체> <Laminate>

본 발명의 적층체는 이상과 같은 폴리이미드 필름과 무기 기판을 포함하는 것이다. 상기 적층체에 있어서도, 폴리이미드 필름이 2층 이상으로 구성되는 경우, 적어도 1층에 본 발명의 폴리이미드를 포함하는 것이면 된다. 또한, 폴리이미드 필름에 더하여, 폴리이미드 필름 이외의 투명 고내열 필름을 적층하여도 좋다. The laminate of the present invention includes the polyimide film and an inorganic substrate as described above. Also in the above laminate, when the polyimide film is composed of two or more layers, at least one layer may contain the polyimide of the present invention. Additionally, in addition to the polyimide film, a transparent highly heat-resistant film other than the polyimide film may be laminated.

투명 고내열 필름으로서는 PET, PEN, PVC, 아크릴, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 등을 들 수 있다. 투명 고내열 필름은 폴리이미드 필름의 어느 측에나 사용할 수 있다. Examples of transparent high heat-resistant films include PET, PEN, PVC, acrylic, polystyrene, and polycarbonate. Transparent high heat-resistant film can be used on either side of the polyimide film.

폴리이미드 필름과 무기 기판 사이에는 실란커플링제층, 접착제층, 점착제층 등을 더 포함하고 있어도 좋다. 또한, 폴리이미드 필름의 표면에는 배선층, 도전막층, 금속층 등을 포함하고 있어도 좋다. A silane coupling agent layer, an adhesive layer, an adhesive layer, etc. may be further included between the polyimide film and the inorganic substrate. Additionally, the surface of the polyimide film may include a wiring layer, a conductive film layer, a metal layer, etc.

<무기 기판> <Inorganic substrate>

상기 무기 기판으로서는, 무기물을 포함하는 기판으로서 이용할 수 있는 판형인 것이면 되며, 예컨대 유리판, 세라믹판, 반도체 웨이퍼, 금속 등을 주체로 하고있는 것, 그리고 이들 유리판, 세라믹판, 반도체 웨이퍼, 금속의 복합체로서 이들을 적층한 것, 이들이 분산되어 있는 것, 이들의 섬유가 함유되어 있는 것 등을 들 수 있다. The inorganic substrate may be any plate-shaped that can be used as a substrate containing an inorganic material, such as a substrate mainly made of glass plates, ceramic plates, semiconductor wafers, metals, etc., and composites of these glass plates, ceramic plates, semiconductor wafers, and metals. Examples include those in which they are laminated, those in which they are dispersed, and those in which these fibers are contained.

상기 유리판으로서는, 석영 유리, 고규산 유리(96% 실리카), 소다석회 유리, 납 유리, 알루미노붕규산 유리, 붕규산 유리(파일렉스(등록상표)), 붕규산 유리(무알칼리), 붕규산 유리(마이크로시트), 알루미노규산염 유리 등이 포함된다. 이들 중에서도 선팽창 계수가 5 ppm/K 이하인 것이 바람직하고, 시판 제품이면, 액정용 유리인 코닝사 제조의 「코닝(등록상표) 7059」나 「코닝(등록상표) 1737」, 「EAGLE」, 아사히가라스사 제조의 「AN100」, 닛폰덴키가라스사 제조의 「OA10, OA11G」, SCHOTT사 제조의 「AF32」 등이 바람직하다.As the glass plate, quartz glass, high silica glass (96% silica), soda lime glass, lead glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass (Pilex (registered trademark)), borosilicate glass (alkali-free), borosilicate glass (micro sheet), aluminosilicate glass, etc. Among these, those with a linear expansion coefficient of 5 ppm/K or less are preferable, and commercially available products include liquid crystal glass, such as "Corning (registered trademark) 7059" manufactured by Corning, "Corning (registered trademark) 1737", "EAGLE", and Asahi Glass. “AN100” manufactured by Nippon Denki Glass, “OA10, OA11G” manufactured by Nippon Denki Glass, and “AF32” manufactured by SCHOTT, etc. are preferred.

상기 반도체 웨이퍼로서는, 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 웨이퍼, 게르마늄, 실리콘-게르마늄, 갈륨-비소, 알루미늄-갈륨-인듐, 질소-인-비소-안티몬, SiC, InP(인듐인), InGaAs, GaInNAs, LT, LN, ZnO(산화아연)이나 CdTe(카드뮴텔루라이드), ZnSe(셀레늄화아연) 등의 웨이퍼를 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게 이용되는 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼이며, 특히 바람직하게는 8 인치 이상 사이즈의 경면 연마 실리콘 웨이퍼이다. The semiconductor wafer is not particularly limited, but includes silicon wafer, germanium, silicon-germanium, gallium-arsenide, aluminum-gallium-indium, nitrogen-phosphorus-arsenic-antimony, SiC, InP (indium phosphorus), InGaAs, GaInNAs, LT. , LN, ZnO (zinc oxide), CdTe (cadmium telluride), and ZnSe (zinc selenide) wafers. Among these, the wafer used preferably is a silicon wafer, and a mirror-polished silicon wafer with a size of 8 inches or more is particularly preferable.

상기 금속으로서는, W, Mo, Pt, Fe, Ni, Au와 같은 단일 원소 금속이나, 인코넬, 모넬, 니모닉, 탄소구리, Fe-Ni계 인바 합금, 수퍼 인바 합금과 같은 합금 등이 포함된다. 또한, 이들 금속에, 다른 금속층, 세라믹층을 부가하여 이루어지는 다층 금속판도 포함된다. 이 경우, 부가층과의 전체 선팽창 계수(CTE)가 낮으면, 주 금속층에 Cu, Al 등도 이용된다. 부가 금속층으로서 사용되는 금속으로서는, 고내열 필름과의 밀착성을 강고하게 하는 것, 확산이 없는 것, 내약품성이나 내열성이 좋은 것 등의 특성을 갖는 것이라면 한정되는 것은 아니지만, Cr, Ni, TiN, Mo 함유 Cu 등을 적합한 예로서 들 수 있다. The metal includes single element metals such as W, Mo, Pt, Fe, Ni, and Au, and alloys such as Inconel, Monel, Nimonic, carbon copper, Fe-Ni-based Invar alloy, and super Invar alloy. It also includes multilayer metal plates made by adding other metal layers and ceramic layers to these metals. In this case, if the overall coefficient of linear expansion (CTE) with the additional layer is low, Cu, Al, etc. are also used in the main metal layer. The metal used as the additional metal layer is not limited as long as it has properties such as strong adhesion to the high heat-resistant film, no diffusion, good chemical resistance and heat resistance, but Cr, Ni, TiN, Mo Suitable examples include Cu-containing and the like.

본 발명에서의 세라믹판으로서는, Al2O3, 멀라이트, AlN, SiC, 결정화 유리, 코디에라이트, 스포듀민, Pb-BSG+CaZrO3+Al2O3, 결정화 유리+Al2O3, 결정화 Ca-BSG, BSG+Quartz, BSG+Quartz, BSG+Al2O3, Pb-BSG+Al2O3, 글라스-세라믹, 제로더재 등의 기반용 세라믹스가 포함된다. Ceramic plates in the present invention include Al2O3, mullite, AlN, SiC, crystallized glass, cordierite, spodumene, Pb-BSG+CaZrO3+Al2O3, crystallized glass+Al2O3, crystallized Ca-BSG, BSG+Quartz, BSG. Includes base ceramics such as +Quartz, BSG+Al2O3, Pb-BSG+Al2O3, glass-ceramic, and zero the material.

상기 무기 기판의 평면 부분은 충분히 평탄한 것이 바람직하다. 구체적으로는 표면거칠기의 P-V치가 50 nm 이하, 보다 바람직하게는 20 nm 이하, 더욱 바람직하게는 5 nm 이하이다. 이보다 거칠면, 폴리이미드 필름층과 무기 기판의 박리 강도가 불충분하게 되는 경우가 있다. It is preferable that the planar portion of the inorganic substrate is sufficiently flat. Specifically, the P-V value of the surface roughness is 50 nm or less, more preferably 20 nm or less, and even more preferably 5 nm or less. If it is rougher than this, the peeling strength between the polyimide film layer and the inorganic substrate may become insufficient.

상기 무기 기판의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 취급성의 관점에서 10 mm 이하의 두께가 바람직하고, 3 mm 이하가 보다 바람직하고, 1.3 mm 이하가 더욱 바람직하다. 두께의 하한에 관해서는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 0.07 mm이상, 보다 바람직하게는 0.15 mm 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 mm 이상이다. 지나치게 얇으면 파손되기 쉬워 핸들링이 곤란하게 된다. 또 지나치게 두꺼우면 무겁게 되어 핸들링이 곤란하게 된다. The thickness of the inorganic substrate is not particularly limited, but from the viewpoint of handling, a thickness of 10 mm or less is preferable, 3 mm or less is more preferable, and 1.3 mm or less is still more preferable. The lower limit of the thickness is not particularly limited, but is preferably 0.07 mm or more, more preferably 0.15 mm or more, and even more preferably 0.3 mm or more. If it is too thin, it is easy to break, making handling difficult. Also, if it is too thick, it becomes heavy and difficult to handle.

<적층체의 형성> <Formation of laminate>

본 발명의 적층체로서는, 상기 폴리이미드 필름과 상기 무기 기판을 접착제를 실질적으로 사용하지 않고서 적층한 것이 바람직하다. 폴리이미드 필름이 2층 이상의 적층 구성을 갖는 경우는, 무기 기판과 접촉하는 상기 제1 폴리이미드 필름과, 상기 무기 기판에는 접촉하지 않고서 상기 제1 폴리이미드 필름층과 인접하는 제2 폴리이미드 필름층을 함유하는 것이 바람직하다. 상기 제2 폴리이미드 필름은 또한 복수의 적층 구성을 갖고 있어도 좋다. 또한, 적층체의 두께 방향에 있어서, 양단부가 무기 기판으로 되는 구성(예컨대 무기 기판/제1 폴리이미드 필름/제2 폴리이미드 필름/제1 폴리이미드 필름/무기 기판)이라도 지장없다. 이 경우, 양단부에 있어서의 폴리이미드 필름과 무기 기판은 실질적으로 접착제를 사용하지 않는다.The laminate of the present invention is preferably one in which the polyimide film and the inorganic substrate are laminated without substantially using an adhesive. When the polyimide film has a laminated structure of two or more layers, the first polyimide film is in contact with the inorganic substrate, and the second polyimide film layer is adjacent to the first polyimide film layer without contacting the inorganic substrate. It is preferable to contain. The second polyimide film may further have a plurality of laminated structures. Additionally, in the thickness direction of the laminate, there is no problem even if both ends are formed of an inorganic substrate (for example, an inorganic substrate/first polyimide film/second polyimide film/first polyimide film/inorganic substrate). In this case, the polyimide film and the inorganic substrate at both ends do not use substantially any adhesive.

적층체의 형성은, 폴리이미드 필름을 제작한 후에 무기 기판과 적층하는 방법, 또는 폴리이미드 필름을 무기 기판 상에 직접 또는 다른 층을 통해 형성하는 방법의 어느 것이라도 좋다. 다른 층을 통해 형성하는 경우, 실란커플링제층 등의 박리 용이층을 개재시키는 것이 바람직하다. 또한, 적절한 박리력으로 제어하기 위해서 무기 기판에 표면 처리를 실시하여도 좋다. The laminate may be formed by either producing a polyimide film and then laminating it with an inorganic substrate, or forming the polyimide film directly on the inorganic substrate or through another layer. When forming through another layer, it is preferable to interpose an easily peelable layer such as a silane coupling agent layer. Additionally, the inorganic substrate may be subjected to surface treatment to control the peeling force to an appropriate level.

적층체의 형상은 특별히 한정되지 않고, 정방형이라도 장방형이라도 지장없다. 바람직하게는 장방형이며, 장변의 길이가 300 mm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500 mm 이상이고, 더욱 바람직하게는 1000 mm 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 공업적으로 사용되고 있는 사이즈, 재질의 기판을 치환할 수 있는 것이 바람직하다. 20000 mm 이하이면 충분하며, 10000 mm 이하라도 지장없다. The shape of the laminate is not particularly limited, and may be square or rectangular. It is preferably rectangular, and the length of the long side is preferably 300 mm or more, more preferably 500 mm or more, and still more preferably 1000 mm or more. The upper limit is not particularly limited, but it is desirable to be able to replace substrates of the size and material used industrially. Anything less than 20000 mm is sufficient, and even less than 10000 mm is not a problem.

본 발명의 적층체는 300℃ 가열 시의 휘어짐량이 10 mm 이하인 것이 바람직하다. 내열성이 양호하게 되기 때문에, 보다 바람직하게는 8 mm 이하이며, 더욱 바람직하게는 6 mm 이하이다. 휘어짐량의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 공업적으로는 0.01 mm 이상이면 충분하며, 0.1 mm 이상이라도 지장없다. The laminate of the present invention preferably has a warp amount of 10 mm or less when heated at 300°C. Since heat resistance becomes good, it is more preferably 8 mm or less, and even more preferably 6 mm or less. The lower limit of the amount of deflection is not particularly limited, but industrially, 0.01 mm or more is sufficient, and 0.1 mm or more is not a problem.

<접착제> <Adhesive>

무기 기판과 폴리이미드 필름 사이에는 실질적으로 접착제층이 개재하지 않는 것이 바람직하다. 여기서 본 발명에서 말하는 접착제층이란 Si(규소) 성분을 질량비로 10% 미만(10 질량% 미만)인 것을 가르킨다. 또한, 실질적으로 사용하지 않는다(개재하지 않는다)란, 무기 기판과 폴리이미드 필름 사이에 개재하는 접착제층의 두께가 0.4 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.05 ㎛ 이하이고, 특히 바람직하게는 0.03 ㎛ 이하이고, 가장 바람직하게는 0 ㎛이다. It is preferable that no adhesive layer is substantially interposed between the inorganic substrate and the polyimide film. Here, the adhesive layer referred to in the present invention refers to a Si (silicon) component containing less than 10% by mass (less than 10% by mass). In addition, not substantially used (not interposed) means that the thickness of the adhesive layer interposed between the inorganic substrate and the polyimide film is preferably 0.4 μm or less, more preferably 0.1 μm or less, and even more preferably 0.05 μm or less. It is ㎛ or less, particularly preferably 0.03 ㎛ or less, and most preferably 0 ㎛.

<실란커플링제(SCA)> <Silane coupling agent (SCA)>

적층체에 있어서, 폴리이미드 필름과 무기 기판 사이에 실란커플링제의 층을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 실란커플링제란, Si(규소) 성분을 10 질량% 이상 함유하는 화합물을 말한다. 또한 구조 중에 알콕시기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 메틸기가 들어가 있지 않는 것이 바람직하다. 실란커플링제층을 이용함으로써 폴리이미드 필름과 무기 기판의 중간층을 얇게 할 수 있기 때문에 가열 중의 탈가스 성분이 적고, 웨트 프로세스에 있어서도 용출하기 어렵고, 설령 용출이 일어나더라도 미량에 머문다고 하는 효과가 나온다. 실란커플링제는, 내열성이 향상되기 때문에 산화규소 성분을 많이 포함하는 것이 바람직하고, 특히 400℃ 정도의 온도에서의 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 실란커플링제층의 두께는 0.2 ㎛ 미만인 것이 바람직하다. 플렉시블 전자 디바이스로서 사용하는 범위로서는, 100 nm 이하(0.1 ㎛ 이하)가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 10 nm이다. 통상적으로 제작하면 0.10 ㎛ 이하 정도가 된다. 또한, 최대한 실란커플링제가 적을 것을 바라는 프로세스에서는 5 nm 이하라도 사용 가능하다. 1 nm 이하에서는, 박리 강도가 저하하거나 혹은 부분적으로 붙지 않는 부분이 나올 우려가 있기 때문에, 1 nm 이상인 것이 바람직하다. In the laminate, it is preferable to have a layer of silane coupling agent between the polyimide film and the inorganic substrate. In the present invention, a silane coupling agent refers to a compound containing 10% by mass or more of a Si (silicon) component. Additionally, it is preferable to have an alkoxy group in the structure. Additionally, it is preferable that a methyl group is not contained. By using a silane coupling agent layer, the intermediate layer between the polyimide film and the inorganic substrate can be thinned, so there are fewer outgassing components during heating, it is difficult to elute even in a wet process, and even if elution occurs, it remains in a trace amount. . Since the silane coupling agent improves heat resistance, it is preferable that it contains a large amount of silicon oxide component, and it is especially preferable that it has heat resistance at a temperature of about 400°C. The thickness of the silane coupling agent layer is preferably less than 0.2 μm. The range used as a flexible electronic device is preferably 100 nm or less (0.1 μm or less), more preferably 50 nm or less, and still more preferably 10 nm. When manufactured normally, it is about 0.10 ㎛ or less. Additionally, in processes where the silane coupling agent is desired to be as small as possible, even 5 nm or less can be used. If it is 1 nm or less, there is a risk that the peeling strength may decrease or partially non-stick portions may appear, so it is preferable that it is 1 nm or more.

본 발명에서의 실란커플링제는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 아미노기 혹은 에폭시기를 가진 것이 바람직하다. 실란커플링제의 구체예로서는, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란비닐트리클로르실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란염산염, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 트리스(3- 트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 클로로메틸페네틸트리메톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이 중 바람직한 것으로서는, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 아미노페네틸트리메톡시실란, 아미노페닐아미노메틸페네틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 프로세스에서 내열성을 요구하는 경우, Si와 아미노기 등의 사이를 방향족으로 연결한 것이 바람직하다. The silane coupling agent in the present invention is not particularly limited, but preferably has an amino group or an epoxy group. Specific examples of silane coupling agents include N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-2-(aminoethyl )-3-Aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propyl Amine, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxy Silane vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxysilane Doxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3 -Methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(vinylbenzyl) -2-Aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercapto Propyltrimethoxysilane, bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide, 3-isocyanate propyltriethoxysilane, tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate, chloromethylphenethyltrimethoxysilane, Chloromethyltrimethoxysilane, etc. are mentioned. Among these, preferred ones include N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-2-(aminoethyl). -3-Aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine , 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane , aminophenyltrimethoxysilane, aminophenethyltrimethoxysilane, aminophenylaminomethylphenethyltrimethoxysilane, etc. When heat resistance is required in the process, it is preferable to link Si and amino groups etc. with aromatics.

폴리이미드 필름과 상기 무기 기판의 박리 강도는 0.3 N/cm 이하일 필요가 있다. 이에 따라, 폴리이미드 필름 상에 디바이스를 형성한 후, 상기 폴리이미드 필름과 무기 기판의 박리가 매우 용이하게 된다. 그 때문에, 대량 생산이 가능한 디바이스 연결체를 제조할 수 있어, 플렉시블 전자 디바이스의 제조가 용이하게 된다. 상기 박리 강도는 0.25 N/cm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 N/cm 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.15 N/cm 이하이고, 특히 바람직하게는 0.12 N/cm 이하이다. 또한, 0.03 N/cm 이상인 것이 바람직하다. 폴리이미드 필름 상에 디바이스를 형성할 때에 적층체가 박리되지 않게 되므로, 보다 바람직하게는 0.06 N/cm 이상이며, 더욱 바람직하게는 0.08 N/cm 이상이고, 특히 바람직하게는 0.1 N/cm 이상이다. 상기 박리 강도는, 폴리이미드 필름과 상기 무기 기판을 맞붙인 후, 대기 분위기 하에서 100℃ 10분간 열처리한 후의 적층체의 값이다(초기 박리 강도). 또한, 상기 초기 박리 강도 측정 시의 적층체를 또 질소 분위기 하에서 300℃ 1시간 열처리한 후의 적층체에서도 박리 강도가 상기 범위 내인 것이 바람직하다(300℃ 가열 처리 후 박리 강도). The peel strength of the polyimide film and the inorganic substrate needs to be 0.3 N/cm or less. Accordingly, after forming a device on a polyimide film, peeling of the polyimide film and the inorganic substrate becomes very easy. Therefore, it is possible to manufacture a device connection that can be mass-produced, making it easy to manufacture flexible electronic devices. The peel strength is preferably 0.25 N/cm or less, more preferably 0.2 N/cm or less, further preferably 0.15 N/cm or less, and particularly preferably 0.12 N/cm or less. Additionally, it is preferably 0.03 N/cm or more. Since the laminate does not peel when forming a device on a polyimide film, it is more preferably 0.06 N/cm or more, further preferably 0.08 N/cm or more, and especially preferably 0.1 N/cm or more. The peel strength is the value of the laminate after the polyimide film and the inorganic substrate are bonded together and then heat treated at 100°C for 10 minutes in an air atmosphere (initial peel strength). In addition, it is preferable that the peel strength of the laminate at the time of the initial peel strength measurement and the laminate after heat treatment at 300°C for 1 hour in a nitrogen atmosphere is within the above range (peel strength after heat treatment at 300°C).

본 발명의 적층체는 예컨대 이하의 수순으로 제작할 수 있다. 미리 무기 기판의 적어도 일면을 실란커플링제 처리하여, 실란커플링제 처리된 면과, 폴리이미드 필름을 겹치고, 양자를 가압에 의해서 적층하는 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 미리 폴리이미드 필름의 적어도 일면을 실란커플링제 처리하여, 실란커플링제 처리된 면과, 무기 기판을 겹치고, 양자를 가압에 의해서 적층하여도 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 폴리이미드 필름이 2층 이상의 적층 구성을 갖는 경우는, 제1 폴리이미드 필름을 무기 기판에 겹치는 것이 바람직하다. 가압 방법으로서는, 대기 중에서의 통상의 프레스 혹은 라미네이트 혹은 진공 중에서의 프레스 혹은 라미네이트를 들 수 있지만, 전면의 안정적인 박리 강도를 얻기 위해서는, 큰 사이즈의 적층체(예컨대 200 mm 초과)에서는 대기 중에서의 라미네이트가 바람직하다. 이에 대하여 200 mm 이하 정도의 작은 사이즈의 적층체이면 진공 중에서의 프레스가 바람직하다. 진공도는 통상의 오일 회전 펌프에 의한 진공으로 충분하고, 10 Torr 이하 정도면 충분하다. 바람직한 압력으로서는, 1 MPa에서 20 MPa이며, 더욱 바람직하게는 3 MPa에서 10 MPa이다. 압력이 높으면, 기판을 파손할 우려가 있고, 압력이 낮으면, 밀착하지 않는 부분이 나오는 경우가 있다. 바람직한 온도로서는 90℃부터 500℃, 더욱 바람직하게는 100℃부터 400℃이며, 온도가 높으면 필름에 손상을 주고, 온도가 낮으면 밀착력이 약한 경우가 있다. The laminate of the present invention can be produced, for example, by the following procedures. A laminate can be obtained by treating at least one side of the inorganic substrate in advance with a silane coupling agent, overlapping the silane coupling agent-treated side with a polyimide film, and laminating them by pressing. Additionally, a laminate can be obtained by treating at least one side of the polyimide film in advance with a silane coupling agent, overlapping the silane coupling agent-treated side with an inorganic substrate, and laminating both by pressing. Additionally, when the polyimide film has a laminated structure of two or more layers, it is preferable to overlap the first polyimide film on the inorganic substrate. Pressing methods include normal press or laminate in air or press or laminate in vacuum. However, in order to obtain stable peeling strength of the entire surface, for large-sized laminates (e.g., exceeding 200 mm), laminate in air is required. desirable. In contrast, if the laminate is small in size, about 200 mm or less, pressing in a vacuum is preferable. The vacuum level using a normal oil rotary pump is sufficient, and 10 Torr or less is sufficient. Preferred pressures are 1 MPa to 20 MPa, and more preferably 3 MPa to 10 MPa. If the pressure is high, there is a risk of damaging the substrate, and if the pressure is low, there may be parts that do not adhere well. The preferred temperature is 90°C to 500°C, more preferably 100°C to 400°C. If the temperature is high, the film may be damaged, and if the temperature is low, the adhesion may be weak.

<플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법> <Method for manufacturing flexible electronic devices>

본 발명의 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 적층체의 폴리이미드 필름면에 전자 디바이스를 형성하는 공정과, 상기 무기 기판을 박리하는 공정을 포함하는 것이다. 이와 같이 하여, 폴리이미드 필름면에 전자 디바이스가 형성된 플렉시블 전자 디바이스를 제조할 수 있다. The manufacturing method of the flexible electronic device of the present invention includes a step of forming an electronic device on the polyimide film surface of the laminate of the present invention and a step of peeling off the inorganic substrate. In this way, a flexible electronic device in which the electronic device is formed on the polyimide film surface can be manufactured.

따라서, 본 발명의 플렉시블 전자 디바이스는, 본 발명의 폴리이미드 필름과, 그 폴리이미드 필름에 형성된 전자 디바이스를 포함하는 것이다.Therefore, the flexible electronic device of the present invention includes the polyimide film of the present invention and an electronic device formed on the polyimide film.

상기 적층체를 이용하면, 기존의 전자 디바이스 제조용 설비, 프로세스를 이용하여 플렉시블 전자 디바이스를 용이하게 제작할 수 있다. 구체적으로는 적층체의 폴리이미드 필름 상에 전자 디바이스를 형성하고, 적층체로부터 폴리이미드 필름마다 박리함으로써 플렉시블 전자 디바이스를 제작할 수 있다.Using the above laminate, flexible electronic devices can be easily manufactured using existing electronic device manufacturing equipment and processes. Specifically, a flexible electronic device can be produced by forming an electronic device on a polyimide film of a laminated body and peeling each polyimide film from the laminated body.

본 명세서에 있어서 전자 디바이스란, 전기 배선을 담당하는 편면, 양면 혹은 다층 구조를 갖는 배선 기판, 트랜지스터, 다이오드 등의 능동 소자나, 저항, 커패시터, 인덕터 등의 수동 디바이스를 포함하는 전자 회로, 기타 압력, 온도, 빛, 습도 등을 센싱하는 센서 소자, 바이오센서 소자, 발광 소자, 액정 표시, 전기 영동 표시, 자발광 표시 등의 화상 표시 소자, 무선, 유선에 의한 통신 소자, 연산 소자, 기억 소자, MEMS 소자, 태양전지, 박막 트랜지스터 등을 말한다.In this specification, an electronic device refers to a wiring board with a single-sided, double-sided, or multi-layer structure responsible for electrical wiring, an electronic circuit including active elements such as transistors and diodes, passive devices such as resistors, capacitors, and inductors, and other pressure devices. , sensor elements that sense temperature, light, humidity, etc., biosensor elements, light-emitting elements, image display elements such as liquid crystal displays, electrophoretic displays, and self-luminous displays, wireless and wired communication elements, computing elements, memory elements, This refers to MEMS devices, solar cells, thin film transistors, etc.

또한, 이 배선 기판 내에 폴리이미드를 관통하는 전극인, 인터포저 기능도 포함된다. 개략적으로 관통시킴으로써, 후에 무기 기판을 벗겨낸 후에 관통 전극을 제작하는 공정은 대폭 생략된다. 관통 구멍의 제작에는 기지의 수법을 사용하면 된다. 예컨대 폴리이미드 필름에, UV 나노 레이저에 의해 관통 구멍이 뚫린다. 이어서, 예컨대 양면 프린트 배선판의 스루홀 내지는 다층 프린트 배선판에 있어서의 비아홀에 이용되는 정법을 응용함으로써 상기 관통 구멍에 도전성 금속이 채워지고, 아울러 필요에 부응하는 금속에 의한 배선 패턴이 형성된다고 하는 수법이 있다.Additionally, an interposer function, which is an electrode that penetrates the polyimide within this wiring board, is also included. By roughly penetrating, the process of manufacturing a penetrating electrode after peeling off the inorganic substrate is largely omitted. A known method can be used to make the through hole. For example, a through hole is created in a polyimide film using a UV nano laser. Next, for example, by applying a method used for through holes in a double-sided printed wiring board or via holes in a multilayer printed wiring board, the through holes are filled with a conductive metal, and a wiring pattern using the metal that meets the needs is formed. there is.

폴리이미드 필름에서는, 상기한 것과 같이 관통 전극을 뚫은 후에 무기 기판에 맞붙이는 경우도 있을 수 있다. 무기 기판과 폴리이미드 필름을 맞붙인 후에 관통 전극을 제작하는 경우도 있을 수 있다. 폴리이미드 필름을 관통시켜 거기를 금속화할 수도 있지만, 폴리이미드 필름의 한쪽으로부터 구멍을 뚫어 반대측의 표면으로 관통하지 않는 상태에서 거기를 금속화할 수도 있다.In the case of polyimide film, as described above, there may be cases where the through electrode is drilled and then bonded to an inorganic substrate. There may be cases where a penetrating electrode is manufactured after bonding an inorganic substrate and a polyimide film. Although it is possible to penetrate the polyimide film and metallize it, it is also possible to make a hole from one side of the polyimide film and metallize it without penetrating into the surface of the opposite side.

<무기 기판을 박리하는 공정> <Process of peeling off the inorganic substrate>

본 발명의 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법은, 적층체의 폴리이미드 필름면에 전자 디바이스를 형성한 후, 상기 무기 기판을 박리하는 공정을 포함한다. 상기 무기 기판을 박리할 때, 폴리이미드 필름과 무기 기판의 계면에서 박리시키는 경우 외에, 2층 이상으로 구성된 폴리이미드 필름의 1층 이상과 함께 박리하거나, 상기 무기 기판을 다른 임의의 층과 함께 박리하는 것도 가능하다. The method for manufacturing a flexible electronic device of the present invention includes forming an electronic device on the polyimide film surface of the laminate and then peeling off the inorganic substrate. When peeling the inorganic substrate, in addition to peeling at the interface between the polyimide film and the inorganic substrate, peeling together with one or more layers of a polyimide film composed of two or more layers, or peeling the inorganic substrate together with any other layer It is also possible to do so.

폴리이미드 필름과 무기 기판의 계면에서 박리시키는 경우, 즉, 디바이스 구비 폴리이미드 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 핀셋 등으로 끝에서 걷어 올리는 방법, 폴리이미드 필름에 절입을 넣어, 절입 부분의 한 변에 점착 테이프를 붙인 후에 그 테이프 부분으로부터 걷어 올리는 방법, 폴리이미드 필름의 절입 부분의 한 변을 진공 흡착한 후에 그 부분으로부터 걷어 올리는 방법 등을 채용할 수 있다. 또한, 박리 시에, 폴리이미드 필름의 절입 부분에 곡률이 작은 굴곡이 생기면, 그 부분의 디바이스에 응력이 가해지게 되어 디바이스를 파괴할 우려가 있기 때문에, 최대한 곡률이 큰 상태에서 벗기는 것이 바람직하다. 예컨대 곡률이 큰 롤에 권취하면서 걷어 올리거나, 혹은 곡률이 큰 롤이 박리 부분에 위치하는 구성의 기계를 사용하여 걷어 올리는 것이 바람직하다. In the case of peeling at the interface between the polyimide film and the inorganic substrate, that is, the method of peeling the device-equipped polyimide film from the inorganic substrate is not particularly limited, but may include lifting from the end with tweezers or the like, or making a cut in the polyimide film. , a method of attaching an adhesive tape to one side of the incised portion and then lifting it up from the tape portion, or a method of vacuum suctioning one side of the incised portion of the polyimide film and then lifting it up from that portion, etc. can be adopted. Additionally, during peeling, if a bend with a small curvature occurs at the cut portion of the polyimide film, stress is applied to the device at that portion and there is a risk of destroying the device, so it is preferable to peel it off with as much curvature as possible. For example, it is preferable to roll up while winding on a roll with a large curvature, or to roll up using a machine configured such that a roll with a large curvature is located at the peeling portion.

상기 폴리이미드 필름에 절입을 넣는 방법으로서는, 날붙이 등의 절삭구에 의해서 폴리이미드 필름을 절단하는 방법이나, 레이저와 적층체를 상대적으로 스캔하게 함으로써 폴리이미드 필름을 절단하는 방법, 워터제트와 적층체를 상대적으로 스캔하게 함으로써 폴리이미드 필름을 절단하는 방법, 반도체 칩의 다이싱 장치에 의해 약간 유리층까지 절입하면서 폴리이미드 필름을 절단하는 방법 등이 있지만, 특별히 방법이 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상술한 방법을 채용함에 있어서, 절삭구에 초음파를 중첩시키는 수법이나, 왕복 동작이나 상하 동작 등을 부가하여 절삭 성능을 향상시키는 등의 수법을 적절하게 채용할 수도 있다. Methods for making incisions in the polyimide film include a method of cutting the polyimide film with a cutting tool such as a blade, a method of cutting the polyimide film by relatively scanning the laser and the laminate, and a water jet and the laminate. There is a method of cutting the polyimide film by relatively scanning, a method of cutting the polyimide film while slightly cutting into the glass layer using a semiconductor chip dicing device, etc., but the method is not particularly limited. For example, when employing the above-described method, methods such as superimposing ultrasonic waves on the cutting tool or improving cutting performance by adding reciprocating motion, up and down motion, etc. may be appropriately employed.

또한, 박리하는 부분에 미리 별도의 보강 기재를 맞붙여 보강 기재마다 박리하는 방법도 유용하다. 박리하는 플렉시블 전자 디바이스가 표시 디바이스의 백플레인인 경우, 미리 표시 디바이스의 프론트플레인을 맞붙이고, 무기 기판 상에서 일체화한 후에 양자를 동시에 벗겨내어, 플렉시블한 표시 디바이스를 얻을 수도 있다. Additionally, a method of attaching a separate reinforcing base material in advance to the area to be peeled off and peeling off each reinforcing base material is also useful. When the flexible electronic device to be peeled is the backplane of a display device, the front plane of the display device can be bonded in advance, integrated on an inorganic substrate, and then both can be peeled off simultaneously to obtain a flexible display device.

또한, 무기 기판을 2층 이상으로 구성된 폴리이미드 필름의 1층 이상과 같이 박리하는 경우, 무기 기판과의 계면으로부터 경(輕)박리력이 되도록 2층 이상으로 구성된 폴리이미드 필름의 계면의 박리력을 조정해 두고서 상기한 방법과 같은 식으로 하여 박리할 수 있다. 폴리이미드 필름의 계면의 박리력 조정은, 각 층의 폴리이미드의 종류나, 상층을 도포할 때의 하층의 이미드화 정도에 따라서 조정할 수 있다. In addition, when peeling an inorganic substrate together with one or more layers of a polyimide film composed of two or more layers, the peeling force of the interface of the polyimide film composed of two or more layers is such that a light peeling force is obtained from the interface with the inorganic substrate. After adjusting, it can be peeled in the same manner as described above. The peeling force at the interface of the polyimide film can be adjusted according to the type of polyimide in each layer or the degree of imidization of the lower layer when applying the upper layer.

상기 무기 기판을 다른 임의의 층과 함께 박리하는 경우, 무기 기판과의 밀착력이 보다 높고, 폴리이미드 필름과의 박리력이 조정된 접착제층 등을 형성해 두고서 상기한 방법과 같은 식으로 박리할 수 있다. When peeling the inorganic substrate together with other optional layers, an adhesive layer, etc., which has a higher adhesion with the inorganic substrate and an adjusted peeling force with the polyimide film, can be formed and then peeled in the same manner as the above-mentioned method. .

실시예Example

이하, 본 발명에 관해서 실시예를 이용하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 합성예, 실시예에서의 각 물성치 등은 이하의 방법으로 측정했다. Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples as long as it does not depart from the gist of the invention. In addition, each physical property in the synthesis examples and examples was measured by the following method.

<폴리이미드 필름의 두께 측정> <Measurement of thickness of polyimide film>

필름의 두께를 마이크로미터(파인류프사 제조, 밀리트론 1245D)를 이용하여 측정했다. 또한, 같은 측정을 3회 행하여, 그 산술 평균치를 채용했다. The thickness of the film was measured using a micrometer (Militron 1245D, manufactured by Pineleup Co., Ltd.). Additionally, the same measurement was performed three times, and the arithmetic mean value was adopted.

<전광선 투과율> <Total light transmittance>

HAZEMETER(NDH5000, 닛폰덴쇼쿠사 제조)를 이용하여 필름의 전광선 투과율(TT)을 측정했다. 광원에는 D65 램프를 사용했다. 또한, 같은 측정을 3회 행하여, 그 산술 평균치를 채용했다. The total light transmittance (TT) of the film was measured using HAZEMETER (NDH5000, manufactured by Nippon Denshoku Corporation). A D65 lamp was used as the light source. Additionally, the same measurement was performed three times, and the arithmetic mean value was adopted.

<헤이즈> <Haize>

HAZEMETER(NDH5000, 닛폰덴쇼쿠사 제로)를 이용하여 필름의 헤이즈를 측정했다. 광원에는 D65 램프를 사용했다. 또한, 같은 측정을 3회 행하여, 그 산술 평균치를 채용했다. The haze of the film was measured using HAZEMETER (NDH5000, Nippon Denshoku Corporation Zero). A D65 lamp was used as the light source. Additionally, the same measurement was performed three times, and the arithmetic mean value was adopted.

<옐로우 인덱스> <Yellow Index>

컬러미터(ZE6000, 닛폰덴쇼쿠사 제로) 및 C2 광원을 사용하여, ASTM D1925에 준하여 필름의 3자극치 XYZ치를 측정하고, 하기 식에 의해 황색도 지수(YI)를 산출했다. 또한, 같은 측정을 3회 행하여, 그 산술 평균치를 채용했다. Using a color meter (ZE6000, Nippon Denshoku Corporation Zero) and C2 light source, the tristimulus value XYZ values of the film were measured according to ASTM D1925, and the yellowness index (YI) was calculated using the following formula. Additionally, the same measurement was performed three times, and the arithmetic mean value was adopted.

YI=100×(1.28X-1.06Z)/YYI=100×(1.28X-1.06Z)/Y

<굴절률, 리타데이션(Rth)><Refractive index, retardation (Rth)>

아베굴절률계(NAR-4T, ATAGO)를 이용하여 굴절률을 측정하여, 면방향 위상차 Rth를 산출했다. 구체적으로는 필름의 굴절률 (Nx,Nz), (Ny,Nz)를 각각 측정하여, 하기 식으로 ΔP를 산출했다. 또한 ΔP에 필름 두께(단위 ㎛)를 곱함으로써 면방향 위상차 Rth(nm)를 산출했다. 이때, Rth는 필름의 표면 및 이면의 평균치로 나타낸다. The refractive index was measured using an Abbe refractometer (NAR-4T, ATAGO), and the in-plane phase difference Rth was calculated. Specifically, the refractive index (Nx, Nz) and (Ny, Nz) of the film were measured, respectively, and ΔP was calculated using the following formula. Additionally, the in-plane retardation Rth (nm) was calculated by multiplying ΔP by the film thickness (unit ㎛). At this time, Rth is expressed as the average value of the front and back sides of the film.

ΔP=(Nx+Ny)/2-NzΔP=(Nx+Ny)/2-Nz

Rth(nm)=ΔP×두께×1000Rth(nm)=ΔP×thickness×1000

열분해 온도 (Td1) Pyrolysis temperature (Td 1 )

TGA 장치(TGA-50, 시마즈세이사쿠쇼)를 이용하여 측정했다. 측정은 약 10 mg의 필름을 알루미늄팬에 실어, 질소 분위기 하, 10℃/분의 승온 속도로 실시했다. 150℃에 도달한 시점에서의 중량을 기점으로 하여, 중량이 1% 감소한 시점의 온도(1% 중량 감소 온도: Td1)를 읽어 들였다. It was measured using a TGA device (TGA-50, Shimadzu Seisakusho). The measurement was performed by placing about 10 mg of film on an aluminum pan and carrying out a temperature increase rate of 10°C/min under a nitrogen atmosphere. Starting from the weight when it reached 150°C, the temperature at which the weight decreased by 1% (1% weight loss temperature: Td 1 ) was read.

<유리 전이 온도(Tg), 선팽창 계수(CTE)> <Glass transition temperature (Tg), coefficient of linear expansion (CTE)>

TMA(TMA4000S, BRUKER AXIS)를 이용하여 측정했다. 필름을 폭 15 mm×길이 2 mm의 세그먼트로 컷트하여, 척 사이 10 mm, 하중 5 gf로 장치에 셋트했다. 아르곤 분위기 하, 20℃/분의 승온 속도로 250℃까지 승온 후, 5℃/분의 속도로 30℃까지 강온. 그 후, 열분해가 생기지 않는 온도(Td1-20℃)까지 10℃/분으로 승온했다. 강온 시의 200℃∼50℃ 구간의 기울기로부터 CTE를 산출하여, 2번째 승온 시의 변곡점을 Tg로 했다. Measured using TMA (TMA4000S, BRUKER AXIS). The film was cut into segments of 15 mm in width x 2 mm in length, and set in the device with 10 mm between chucks and a load of 5 gf. Under an argon atmosphere, the temperature was raised to 250°C at a rate of 20°C/min, and then lowered to 30°C at a rate of 5°C/min. After that, the temperature was raised at 10°C/min to the temperature at which thermal decomposition did not occur (Td1-20°C). CTE was calculated from the slope in the 200°C to 50°C section when the temperature was lowered, and the inflection point at the second temperature increase was set as Tg.

<인장 탄성률, 인장 강도, 신도, 항장곱><Tensile modulus, tensile strength, elongation, tensile product>

텐실론(오토그라프 AG-IS, 시마즈세이사쿠쇼)을 이용하여 다음과 같이 시험을 실시했다. 필름을 도포 시의 흐름 방향(MD 방향)으로 5 mm×길이 50 mm의 세그먼트형으로 잘라낸 것을 시험편으로 했다. 세그먼트의 양끝 30 mm를 에어죠의 척으로 파지하여, 실온 하에, 인장 속도 50 mm/분의 조건으로 MD 방향의 인장 탄성률, 파단 인장 강도 및 파단 신도를 구했다. 인장 탄성률은 변형-응력 곡선의 초기의 탄성 구배로부터 구했다. 측정은 각 수준 N=5로 행하고, 최대치 및 최소치를 제외한 3점의 평균치를 데이터로서 취급했다. 파단 인장 강도와 파단 신도의 곱을 항장곱으로 했다. The test was conducted as follows using Tensilon (Autograph AG-IS, Shimadzu Seisakusho). The film was cut into segments of 5 mm x 50 mm in length in the flow direction (MD direction) at the time of application, which were used as test pieces. 30 mm of both ends of the segment were gripped with an air jaw chuck, and the tensile modulus of elasticity in the MD direction, tensile strength at break, and elongation at break were determined at room temperature and under the condition of a tensile speed of 50 mm/min. The tensile modulus was obtained from the initial elastic gradient of the strain-stress curve. Measurements were performed at each level N = 5, and the average value of 3 points excluding the maximum and minimum values was treated as data. The product of the tensile strength at break and the elongation at break was taken as the length product.

<산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 화합물의 1H NMR 측정> < 1 H NMR measurement of silsesquioxane compound having an acid anhydride group>

각 시료를 이용하여 하기 조건으로 1H NMR 측정을 실시했다. 1 H NMR measurement was performed using each sample under the following conditions.

장치: 브루커바이오스핀사 제조 DPX400(실시예 1∼2) 혹은 Agilent 제조 400MR(실시예 3∼9)Apparatus: DPX400 manufactured by Bruker Biospin (Examples 1 to 2) or 400MR manufactured by Agilent (Examples 3 to 9)

용매: 중클로로포름(CDCl3)(실시예 1∼2) 혹은 중DMSO(DMSO-d6)(실시예 3∼9)Solvent: deuterated chloroform (CDCl 3 ) (Examples 1 to 2) or deuterated DMSO (DMSO-d 6 ) (Examples 3 to 9)

시료 농도: 3 mg/1 mL Sample concentration: 3 mg/1 mL

측정 온도: 실온(24℃)Measurement temperature: room temperature (24℃)

공명 주파수: 400 MHzResonant frequency: 400 MHz

적산 횟수: 32회Integration count: 32 times

실시예 1∼9, 그리고 비교예 1∼6 및 8Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6 and 8

우선, 실시예 1∼9와 비교예 1∼6 및 8에 관해서 설명한다. 구체적으로는 이들에 관해서, 실세스퀴옥산 화합물의 합성이나, 폴리아미드산 용액의 합성, 폴리이미드 필름의 작성, 각종 평가 결과 등에 관해서 설명한다. First, Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6 and 8 will be described. Specifically, these will be explained regarding the synthesis of silsesquioxane compounds, synthesis of polyamic acid solutions, preparation of polyimide films, various evaluation results, etc.

[합성예 1-1: 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물 1의 합성][Synthesis Example 1-1: Synthesis of thiol group-containing silsesquioxane compound 1]

교반기, 냉각관, 분수기, 온도계, 적하 깔대기, 질소 취입구를 갖춘 반응 장치에, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란 11.8 g(60.0 mmol), 메틸트리메톡시실란 2.72 g(20.0 mmol)([성분 (a2)의 몰수]/[성분 (a1)과 성분 (a2)의 합계 몰수]=0.25), 이온교환수 1.9 g([가수분해 반응에 이용하는 물의 몰수]/[성분 (a1), (a2)에 포함되는 알콕시기의 몰수의 합계](몰비)=0.45), 양이온 교환 수지 1.0 g을 주입하여, 실온에서 30분간 가수분해 반응시켰다. 반응 후, 양이온 교환 수지를 여과하여 분별한 후, 이것을 에틸렌글리콜디메틸에테르(DMG) 5 g으로 희석하여, 가수분해물 용액을 얻었다.In a reaction apparatus equipped with a stirrer, cooling tube, fountain, thermometer, dropping funnel, and nitrogen inlet, 11.8 g (60.0 mmol) of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane and 2.72 g (20.0 mmol) of methyltrimethoxysilane ( [Number of moles of component (a2)]/[Total number of moles of component (a1) and component (a2)]=0.25), ion-exchanged water 1.9 g ([Number of moles of water used for hydrolysis reaction]/[Component (a1), ( [sum of moles of alkoxy groups contained in a2)] (molar ratio) = 0.45), 1.0 g of cation exchange resin was injected, and hydrolysis reaction was performed at room temperature for 30 minutes. After the reaction, the cation exchange resin was filtered and diluted with 5 g of ethylene glycol dimethyl ether (DMG) to obtain a hydrolyzate solution.

이어서, 별도의 반응 용기에 DMG를 9 g, 테트라메틸암모늄히드록시드 25% 수용액을 0.05 g 주입하여, 80℃로 가열했다. 여기에 앞의 가수분해물 용액을 2시간30분 걸쳐 적하했다. 적하 중에 테트라메틸암모늄히드록시드가 용해되고, 반응액은 클리어하게 되었다. 적하 후 또 15분간 80℃에서 반응시킨 후, 25℃로 냉각했다. 여기에 양이온 교환 수지 0.5 g을 주입하여, 실온에서 4시간 교반했다. 교반 중에 테트라메틸암모늄히드록시드가 흡착되어, 반응액은 클리어하게 되었다. 양이온 교환 수지를 여과하여 분별함으로써, 티올기 함유 실세스퀴옥산(1 분자 당 평균 티올기수=6개)의 용액을 얻었다. 톨루엔을 첨가하여, 감압 하 70℃로 가열함으로써 가수분해에 의해서 발생한 메탄올과 물, 톨루엔의 일부를 유거했다. 적절하게 톨루엔을 추가하여, 최종 고형분 농도가 72%가 되도록 조정했다.Next, 9 g of DMG and 0.05 g of 25% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution were injected into a separate reaction vessel, and heated to 80°C. The above hydrolyzate solution was added dropwise over a period of 2 hours and 30 minutes. Tetramethylammonium hydroxide was dissolved during the dropwise addition, and the reaction liquid became clear. After dropwise addition, reaction was performed at 80°C for another 15 minutes and then cooled to 25°C. 0.5 g of cation exchange resin was injected here, and stirred at room temperature for 4 hours. Tetramethylammonium hydroxide was adsorbed during stirring, and the reaction liquid became clear. By filtering and fractionating the cation exchange resin, a solution of thiol group-containing silsesquioxane (average number of thiol groups per molecule = 6) was obtained. Toluene was added and heated to 70°C under reduced pressure to distill off some of the methanol, water, and toluene generated by hydrolysis. Toluene was added appropriately to adjust the final solid concentration to 72%.

[합성예 1-2: 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물 2의 합성][Synthesis Example 1-2: Synthesis of thiol group-containing silsesquioxane compound 2]

3-메르캅토프로필트리메톡시실란 8.83 g(45.0 mmol), 메틸트리메톡시실란 5.44 g(40.0 mmol)([성분 (a2)의 몰수]/[성분 (a1)과 성분 (a2)의 합계 몰수]=0.47), 이온교환수 2.0 g([가수분해 반응에 이용하는 물의 몰수]/[성분 (a1), (a2)에 포함되는 알콕시기의 몰수의 합계](몰비)=0.45)로 한 것 이외에는 합성예 1-1과 같은 식으로 합성했다. 얻어진 티올기 함유 실세스퀴옥산의 1 분자 당 평균 티올기수는 4.5개이고, 최종 고형분 농도는 72 질량%였다. 8.83 g (45.0 mmol) of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 5.44 g (40.0 mmol) of methyltrimethoxysilane ([number of moles of component (a2)]/[sum of moles of component (a1) and component (a2) ]=0.47), except that 2.0 g of ion-exchanged water ([number of moles of water used in the hydrolysis reaction]/[sum of moles of alkoxy groups contained in components (a1) and (a2)] (molar ratio)=0.45) It was synthesized in the same manner as Synthesis Example 1-1. The average number of thiol groups per molecule of the obtained thiol group-containing silsesquioxane was 4.5, and the final solid concentration was 72% by mass.

[합성예 1-3: 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물 3의 합성][Synthesis Example 1-3: Synthesis of thiol group-containing silsesquioxane compound 3]

3-메르캅토프로필트리메톡시실란 4.91 g(25.0 mmol), 메틸트리메톡시실란 6.81 g(50.0 mmol)([성분 (a2)의 몰수]/[성분 (a1)과 성분 (a2)의 합계 몰수]=0.67) 이온교환수 1.8 g([가수분해 반응에 이용하는 물의 몰수]/[성분 (a1), (a2)에 포함되는 알콕시기의 몰수의 합계](몰비)=0.45)로 한 것 이외에는 합성예 1-1과 같은 식으로 합성했다. 얻어진 티올기 함유 실세스퀴옥산의 1 분자 당 평균 티올기수는 2.5개이고, 최종 고형분 농도는 72 질량%였다.4.91 g (25.0 mmol) of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 6.81 g (50.0 mmol) of methyltrimethoxysilane ([number of moles of component (a2)]/[sum of moles of component (a1) and component (a2) ]=0.67) Synthesis other than 1.8 g of ion-exchanged water ([number of moles of water used for hydrolysis reaction]/[sum of number of moles of alkoxy groups contained in components (a1) and (a2)] (molar ratio) = 0.45) It was synthesized in the same manner as Example 1-1. The average number of thiol groups per molecule of the obtained thiol group-containing silsesquioxane was 2.5, and the final solid concentration was 72% by mass.

[합성예 2-1: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ1의 합성][Synthesis Example 2-1: Synthesis of silsesquioxane SQ1 having an acid anhydride group]

하기 티올기 함유 실세스퀴옥산 용액(아라카와가가쿠고교(주) 제조, 콤포세란 SQ-109) 10 g(티올기량 16.7 mmol), 노르보르넨산무수물 2.74 g(16.7 mmol)을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ1을 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 노르보르넨이 반응하고 있음을 확인했다. 얻어진 용액을 PTFE 필터(세공 지름 10 ㎛)로 여과한 후에, 후술하는 폴리아미드산 용액의 합성에 사용했다(SQ3∼SQ9에 관해서도 마찬가지다).Add 10 g (thiol group amount: 16.7 mmol) of the following thiol group-containing silsesquioxane solution (Composeran SQ-109, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) and 2.74 g (16.7 mmol) of norbornene acid anhydride into a reaction vessel. By irradiating ultraviolet light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes while stirring, silsesquioxane SQ1 having an acid anhydride group was obtained as a colorless and transparent solution. NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and norbornene were reacting. The obtained solution was filtered through a PTFE filter (pore diameter: 10 μm) and then used for the synthesis of a polyamic acid solution described later (the same applies to SQ3 to SQ9).

콤포세란 SQ-109: 메틸트리메톡시실란과 3-메르캅토프로필트리메톡시실란의 축합물, 몰비(전자/(전자+후자))=2/8, 용제 PGMEA, 고형분 농도 25 질량%.Composceran SQ-109: condensate of methyltrimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, molar ratio (electron/(electron + latter)) = 2/8, solvent PGMEA, solid content concentration 25% by mass.

또한, 상기 몰비나 1 분자 당 평균 티올기수는 다음과 같이 산출했다. 콤포세란 SQ-109의 1H NMR 측정에 있어서, 메틸기 유래의 프로톤(δ=0.0∼0.2 부근, 3H)과 프로필티올기 유래의 프로톤(δ=0.2∼0.8 부근, 2H)의 적분비로부터, 메틸트리메톡시실란과 3-메르캅토프로필트리메톡시실란의 몰비를 산출했다. 1 분자 당 평균 티올기수는, 상기 티올기와 메틸기의 비율, 구조 단위 당 분자량(SiO1.5Me=67.1, SiO1.5C3H6SH=127.2), 용액의 티올기 당량(600 g/eq.), 고형분 농도 25 질량%로부터 산출했다. In addition, the molar ratio and average number of thiol groups per molecule were calculated as follows. In the 1 H NMR measurement of compoceran SQ-109, from the integration ratio of the proton derived from the methyl group (around δ = 0.0 to 0.2, 3H) and the proton derived from the propylthiol group (around δ = 0.2 to 0.8, 2H), methyl The molar ratio of trimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane was calculated. The average number of thiol groups per molecule is the ratio of the thiol group to the methyl group, molecular weight per structural unit (SiO 1.5 Me = 67.1, SiO 1.5 C 3 H 6 SH = 127.2), thiol group equivalent in solution (600 g/eq.), It was calculated from a solid content concentration of 25% by mass.

참고를 위해서 NMR 측정 결과를 도 1∼4에 도시한다. 도 1에는 SQ-109(PGMEA 용액, 도 2에는 PGMEA, 도 3에는 노르보르넨산무수물, 도 4에는 반응 후의 반응 혼합물에 관한 각 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼이 도시되어 있다. 도 4에서는, 노르보르넨산무수물의 이중 결합에 유래하는 피크(δ=6.3 등)가 소실되어 있어, 티올기와 이중 결합의 반응이 진행되었다고 생각된다. For reference, the NMR measurement results are shown in FIGS. 1 to 4. Figure 1 shows the 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum for SQ-109 (PGMEA solution, Figure 2 for PGMEA, Figure 3 for norbornene anhydride, and Figure 4 for the reaction mixture after reaction. In Figure 4, The peak (δ = 6.3, etc.) derived from the double bond of norbornene anhydride has disappeared, so it is thought that the reaction between the thiol group and the double bond has progressed.

[합성예 2-2: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ2의 합성][Synthesis Example 2-2: Synthesis of silsesquioxane SQ2 having an acid anhydride group]

티올기 함유 실세스퀴옥산 용액(아라카와가가쿠고교(주) 제조, 콤포세란 SQ-109) 10 g(티올기량 16.7 mmol), 노르보르넨산무수물 2.74 g(16.7 mmol), 염화철(III) 1 mg을 반응 용기에 넣어, 10분간 교반함으로써, 옅은 황색 용액(황색 착색은 염화철에 유래한다고 생각된다)으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ2를 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 노르보르넨이 반응하고 있음을 확인했다. 10 g of thiol group-containing silsesquioxane solution (Composeran SQ-109, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd. (thiol group amount: 16.7 mmol), norbornene anhydride 2.74 g (16.7 mmol), iron (III) chloride 1 mg. was placed in a reaction vessel and stirred for 10 minutes to obtain silsesquioxane SQ2 having an acid anhydride group as a pale yellow solution (yellow coloring is thought to originate from iron chloride). NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and norbornene were reacting.

참고를 위해서 NMR 측정 결과로서 도 5에는 반응 후의 반응 혼합물의 1H NMR(CDCl3) 스펙트럼을 도시한다. 도 5에서는, 노르보르넨산무수물의 이중 결합에 유래하는 피크(δ=6.3 등)가 소실되어 있어, 티올기와 이중 결합의 반응이 진행되었다고 생각된다.For reference, FIG. 5 shows the 1 H NMR (CDCl 3 ) spectrum of the reaction mixture after the reaction as an NMR measurement result. In Figure 5, the peak (δ = 6.3, etc.) derived from the double bond of norbornene anhydride has disappeared, so it is believed that the reaction between the thiol group and the double bond has progressed.

[합성예 2-3: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ3의 합성][Synthesis Example 2-3: Synthesis of silsesquioxane SQ3 having an acid anhydride group]

합성예 1-1에서 얻은 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물 1의 용액을 20 g(티올기량 97.0 mmol), 노르보르넨산무수물 15.9 g(97.0 mmol), PGMEA 10.0 g을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ3을 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 노르보넨이 반응하고 있음을 확인했다. 20 g (thiol group amount: 97.0 mmol) of the solution of thiol group-containing silsesquioxane compound 1 obtained in Synthesis Example 1-1, 15.9 g (97.0 mmol) of norbornene anhydride, and 10.0 g of PGMEA were added to a reaction vessel and stirred. By irradiating ultraviolet light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes, silsesquioxane SQ3 having an acid anhydride group was obtained as a colorless and transparent solution. NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and norbornene were reacting.

[합성예 2-4: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ4의 합성][Synthesis Example 2-4: Synthesis of silsesquioxane SQ4 having an acid anhydride group]

합성예 1-2에서 얻은 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물 2의 용액을 20 g(티올기량 77.9 mmol), 노르보르넨산무수물 12.8 g(77.9 mmol), PGMEA 10.0 g을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ4를 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 노르보르넨이 반응하고 있음을 확인했다. 20 g (thiol group amount: 77.9 mmol) of the solution of thiol group-containing silsesquioxane compound 2 obtained in Synthesis Example 1-2, 12.8 g (77.9 mmol) of norbornene anhydride, and 10.0 g of PGMEA were added to a reaction vessel and stirred. By irradiating ultraviolet light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes, silsesquioxane SQ4 having an acid anhydride group was obtained as a colorless and transparent solution. NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and norbornene were reacting.

[합성예 2-5: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ5의 합성][Synthesis Example 2-5: Synthesis of silsesquioxane SQ5 having an acid anhydride group]

합성예 1-3에서 얻은 티올기 함유 실세스퀴옥산 화합물 3의 용액을 20 g(티올기량 54.5 mmol), 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산무수물 8.95 g(54.5 mmol), PGMEA 10.0 g을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ5를 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산무수물이 반응하고 있음을 확인했다. The solution of thiol group-containing silsesquioxane compound 3 obtained in Synthesis Example 1-3 was mixed with 20 g (thiol group amount: 54.5 mmol), 8.95 g (54.5 mmol) of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 10.0 g of PGMEA was placed in a reaction vessel and irradiated with ultraviolet light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes while stirring to obtain silsesquioxane SQ5 having an acid anhydride group as a colorless transparent solution. NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride were reacting.

[합성예 2-6: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ6의 합성][Synthesis Example 2-6: Synthesis of silsesquioxane SQ6 having an acid anhydride group]

티올기 함유 트리알콕시실란 용액(아라카와가가쿠고교(주) 제조, 콤포세란 SQ-109) 6 g(티올기량 10.0 mmol), 알릴숙신산무수물 1.40 g(10.0 mmol)을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ6을 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 알릴숙신산무수물이 반응하고 있음을 확인했다. Add 6 g (thiol group amount: 10.0 mmol) of thiol group-containing trialkoxysilane solution (Composeran SQ-109, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) and 1.40 g (10.0 mmol) of allyl succinic anhydride into a reaction vessel, and stir while stirring. By irradiating with external light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes, silsesquioxane SQ6 having an acid anhydride group was obtained as a colorless transparent solution. NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and allylsuccinic anhydride were reacting.

[합성예 2-7: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ7의 합성][Synthesis Example 2-7: Synthesis of silsesquioxane SQ7 having an acid anhydride group]

티올기 함유 트리알콕시실란 용액(아라카와가가쿠고교(주) 제조, 콤포세란 SQ-109) 6 g(티올기량 10.0 mmol), exo-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈산무수물 1.66 g(10.0 mmol)을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ7을 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 exo-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈산무수물이 반응하고 있음을 확인했다. thiol group-containing trialkoxysilane solution (Composeran SQ-109, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) 6 g (thiol group amount 10.0 mmol), exo-3,6-epoxy-1,2,3,6-tetrahydro 1.66 g (10.0 mmol) of phthalic anhydride was placed in a reaction vessel and irradiated with ultraviolet light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes while stirring to obtain silsesquioxane SQ7 having an acid anhydride group as a colorless transparent solution. . By NMR and IR measurements, it was confirmed that the thiol group and exo-3,6-epoxy-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride were reacting.

[합성예 2-8: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ8의 합성][Synthesis Example 2-8: Synthesis of silsesquioxane SQ8 having an acid anhydride group]

티올기 함유 트리알콕시실란 용액(아라카와가가쿠고교(주) 제조, 콤포세란 SQ-109) 3 g(티올기량5.0 mmol), 5,6-디히드로-1,4-디티인-2,3-디카르복실산무수물 0.94 g(5.0 mmol), γ-부티로락톤(5 mL)을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 자외광(스폿큐어 SP-11, USHIO사 제조)을 20분간 조사함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ8을 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 5,6-디히드로-1,4-디티인-2,3-디카르복실산무수물이 반응하고 있음을 확인했다. Thiol group-containing trialkoxysilane solution (Composeran SQ-109 manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) 3 g (thiol group amount 5.0 mmol), 5,6-dihydro-1,4-dithiine-2,3- 0.94 g (5.0 mmol) of dicarboxylic acid anhydride and γ-butyrolactone (5 mL) were placed in a reaction vessel, and irradiated with ultraviolet light (Spotcure SP-11, manufactured by USHIO) for 20 minutes while stirring, until colorless and transparent. Silsesquioxane SQ8 having an acid anhydride group was obtained as a solution. NMR and IR measurements confirmed that the thiol group and 5,6-dihydro-1,4-dithiine-2,3-dicarboxylic anhydride were reacting.

[합성예 2-9: 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ9의 합성][Synthesis Example 2-9: Synthesis of silsesquioxane SQ9 having an acid anhydride group]

티올기 함유 트리알콕시실란 용액(아라카와가가쿠고교(주) 제조, 콤포세란 SQ-109) 6 g(티올기량 10.0 mmol)을 반응 용기에 넣어, 교반하면서 무수트리멜리트산클로리드 2.10 g(10.0 mmol)을 천천히 첨가했다. 실온 하에 24시간 교반함으로써, 무색 투명 용액으로서 산무수물기를 갖는 실세스퀴옥산 SQ9를 얻었다. NMR 및 IR 측정에 의해, 티올기와 산염화물기가 반응하고 있음을 확인했다. Add 6 g (thiol group amount: 10.0 mmol) of trialkoxysilane solution containing a thiol group (Composeran SQ-109, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) to a reaction vessel, and add 2.10 g (10.0 mmol) of trimellitic anhydride chloride while stirring. ) was added slowly. By stirring at room temperature for 24 hours, silsesquioxane SQ9 having an acid anhydride group was obtained as a colorless and transparent solution. By NMR and IR measurements, it was confirmed that the thiol group and the acid chloride group were reacting.

[실시예 A: 폴리아미드산 용액 A의 합성][Example A: Synthesis of polyamic acid solution A]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 5.88 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 9.74 g), SQ1 용액(0.655 g)을 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 125.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 A를 얻었다(CBDA/SQ1/TFMB의 몰비=0.985/0.015/1.00). 여기서, SQ1의 몰비는, 산무수물기 2가 당을 기준으로 하여 계산한 값이며, 구체적으로는 실세스퀴옥산 화합물에 유래하는 단위 구조의 총 몰수를 상기 디카르복실산 무수물기의 총수로 나눠 2배한 수로서 계산된다(이하의 몰비에 관해서도 마찬가지). While passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 5.88 g), 4,4'-diamino-2,2'- Bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB, 9.74 g) and SQ1 solution (0.655 g) were added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 125.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain poly Amic acid solution A was obtained (molar ratio of CBDA/SQ1/TFMB=0.985/0.015/1.00). Here, the molar ratio of SQ1 is a value calculated based on the acid anhydride group divalent sugar, and specifically, the total number of moles of unit structures derived from the silsesquioxane compound is divided by the total number of dicarboxylic acid anhydride groups. It is calculated as a number doubled (the same applies to the mole ratio below).

[실시예 B: 폴리아미드산 용액 B의 합성][Example B: Synthesis of polyamic acid solution B]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 5.88 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 6.92 g), SQ1 용액(0.655 g)을 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 133.7 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B를 얻었다(CBDA/SQ1/DABA의 몰비=0.985/0.015/1.00). While passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 5.88 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 6.92 g) g), SQ1 solution (0.655 g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 133.7 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution B (CBDA/SQ1/DABA molar ratio=0.985/0.015/1.00).

[실시예 Ca: 폴리아미드산 용액 Ca의 합성][Example Ca: Synthesis of polyamic acid solution Ca]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.88 g), SQ1 용액(0.328 g)을 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 67.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 Ca를 얻었다(PMDA/SQ1/TFMB의 몰비=0.985/0.015/1.00). Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 4.88 g) and SQ1 solution (0.328 g) were added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 67.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution Ca (PMDA/SQ1/ Molar ratio of TFMB = 0.985/0.015/1.00).

[실시예 Cb: 폴리아미드산 용액 Cb의 합성][Example Cb: Synthesis of polyamic acid solution Cb]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.90 g), SQ3 용액(0.227 g)을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 66.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 Cb를 얻었다(PMDA/SQ3/TFMB의 몰비=0.98/0.02/1.00).Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 4.90 g) and SQ3 solution (0.227 g) were added, dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 66.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution Cb (PMDA/ Molar ratio of SQ3/TFMB = 0.98/0.02/1.00).

[실시예 Cc: 폴리아미드산 용액 Cc의 합성][Example Cc: Synthesis of polyamic acid solution Cc]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.90 g), SQ4 용액(0.258 g)을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 66.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 Cc를 얻었다(PMDA/SQ4/TFMB의 몰비=0.98/0.02/1.00). Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 4.90 g) and SQ4 solution (0.258 g) were added, dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 66.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution Cc (PMDA/ Molar ratio of SQ4/TFMB = 0.98/0.02/1.00).

[실시예 Cd: 폴리아미드산 용액 Cd의 합성][Example Cd: Synthesis of polyamic acid solution Cd]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.90 g), SQ5 용액(0.325 g)을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 66.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 Cd를 얻었다(PMDA/SQ5/TFMB의 몰비=0.98/0.02/1.00). Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 4.90 g) and SQ5 solution (0.325 g) were added, dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 66.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution Cd (PMDA/ molar ratio of SQ5/TFMB=0.98/0.02/1.00).

[실시예 Ce: 폴리아미드산 용액 Ce의 합성][Example Ce: Synthesis of polyamic acid solution Ce]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.90 g), SQ9 용액(0.354 g)을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 66.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 Ce를 얻었다(PMDA/SQ9/TFMB의 몰비=0.985/0.015/1.00).Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 4.90 g) and SQ9 solution (0.354 g) were added, dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 66.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution Ce (PMDA/ Molar ratio of SQ9/TFMB=0.985/0.015/1.00).

[실시예 D: 폴리아미드산 용액 D의 합성][Example D: Synthesis of polyamic acid solution D]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 3.47 g), SQ1 용액(0.328 g)을 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 63.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 D를 얻었다(PMDA/SQ1/DABA의 몰비=0.985/0.015/1.00). Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g), 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 3.47 g), and SQ1 solution (0.328 g) were added while passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction tube and stirring blade. , was dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 63.0 g), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution D (molar ratio of PMDA/SQ1/DABA = 0.985/0.015/1.00).

[비교예 A1: 폴리아미드산 용액 A1의 합성][Comparative Example A1: Synthesis of polyamic acid solution A1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 19.6 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 32.3 g)을 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 279.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 A1을 얻었다(CBDA/TFMB의 몰비=1.00/1.00). 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 19.6 g), 4,4'-diamino-2,2'- while passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. Bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB, 32.3 g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 279.0 g), and stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution A1 ( Molar ratio of CBDA/TFMB=1.00/1.00).

[비교예 B1: 폴리아미드산 용액 B1의 합성][Comparative Example B1: Synthesis of polyamic acid solution B1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 3.98 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 4.58 g)를 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 76.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B1을 얻었다(CBDA/DABA의 몰비=1.00/1.00).1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 3.98 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 4.58 g) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 76.0 g), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution B1 (molar ratio of CBDA/DABA = 1.00/1.00).

[실시예 B2: 폴리아미드산 용액 B2의 합성][Example B2: Synthesis of polyamic acid solution B2]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 2.94 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 3.54 g), SQ1 용액(1.00 g)을 넣어, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 90 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B2를 얻었다(CBDA/SQ1/DABA의 몰비=0.955/0.045/1.00). 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 2.94 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 3.54 g) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. g), SQ1 solution (1.00 g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 90 g), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution B2 (CBDA/SQ1/DABA molar ratio=0.955/0.045/1.00).

[비교예 B4: 폴리아미드산 용액 B4의 합성][Comparative Example B4: Synthesis of polyamic acid solution B4]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 3.98 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 4.55 g)를 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 76.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반했다. 그 후, SQ-109(0.546 g)를 첨가하고, 또 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B4를 얻었다(CBDA/DABA/SQ-109의 몰비=1.00/1.00/0.01).While passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 3.98 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 4.55 g) g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 76.0 g), and then stirred at 25°C for 24 hours. After that, SQ-109 (0.546 g) was added and stirred for 24 hours to obtain polyamic acid solution B4 (molar ratio of CBDA/DABA/SQ-109 = 1.00/1.00/0.01).

[비교예 B5: 폴리아미드산 용액 B5의 합성][Comparative Example B5: Synthesis of polyamic acid solution B5]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 3.98 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 4.55 g)를 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 76.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반했다. 그 후, SQ-109(8.19 g)를 첨가하고, 또 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B5를 얻었다(CBDA/DABA/SQ-109의 몰비=1.00/1.00/0.15).While passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 3.98 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 4.55 g) g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 76.0 g), and then stirred at 25°C for 24 hours. After that, SQ-109 (8.19 g) was added and stirred for 24 hours to obtain polyamic acid solution B5 (molar ratio of CBDA/DABA/SQ-109 = 1.00/1.00/0.15).

[비교예 B6: 폴리아미드산 용액 B6의 합성][Comparative Example B6: Synthesis of polyamic acid solution B6]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 3.98 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 4.55 g)를 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 76.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반했다. 그 후, SQ-109(27.3 g)를 첨가하고, 또 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B6을 얻었다(CBDA/DABA/SQ-109의 몰비=1.00/1.00/0.50).While passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 3.98 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 4.55 g) g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 76.0 g), and then stirred at 25°C for 24 hours. After that, SQ-109 (27.3 g) was added and stirred for 24 hours to obtain polyamic acid solution B6 (molar ratio of CBDA/DABA/SQ-109 = 1.00/1.00/0.50).

[비교예 C1: 폴리아미드산 용액 C1의 합성][Comparative Example C1: Synthesis of polyamic acid solution C1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 6.54 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 9.61 g)을 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 164.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 C1을 얻었다(PMDA/TFMB의 몰비=1.00/1.00). Pyromellitic dianhydride (PMDA, 6.54 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction tube and stirring blade. , 9.61 g) was added and dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 164.0 g), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution C1 (molar ratio of PMDA/TFMB = 1.00/1.00).

[비교예 D1: 폴리아미드산 용액 D1의 합성][Comparative Example D1: Synthesis of polyamic acid solution D1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.27 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 3.41 g)를 넣고, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 63.0 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 D1을 얻었다(PMDA/DABA의 몰비=1.00/1.00).Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.27 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 3.41 g) were added while passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction tube and stirring blade, and N,N-dimethylacetate was added. After dissolving in amide (DMAc, 63.0 g), polyamic acid solution D1 was obtained by stirring at 25°C for 24 hours (molar ratio of PMDA/DABA = 1.00/1.00).

이상의 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리아미드산 용액을 이하의 방법으로 필름화하여, 광학 특성, 열 특성, 기계 특성을 측정했다. The polyamic acid solutions obtained in the above examples and comparative examples were filmed by the following method, and optical properties, thermal properties, and mechanical properties were measured.

[실시예 1][Example 1]

폴리아미드산 용액 A를, 캐스팅 애플리케이터를 이용하여 폴리에스테르 필름(A4100, 도요보 제품) 상에 도포하여, 질소 분위기 하에 100℃×18분 가열했다. 얻어진 그린 필름을 커터로 절단한 후, 폴리에스테르 필름으로부터 벗겨내어, 금속 틀에 고정했다. 질소 분위기 하, 10℃/분의 속도로 단계적으로 승온하면서 200℃×10분, 250℃×10분, 300℃×10분, 350℃×10분 순차 가열함으로써 열적으로 이미드화를 행했다. 방냉 후, 금속 틀로부터 떼어냄으로써 폴리이미드 필름을 얻었다. Polyamic acid solution A was applied onto a polyester film (A4100, Toyobo product) using a casting applicator, and heated at 100°C for 18 minutes in a nitrogen atmosphere. The obtained green film was cut with a cutter, peeled off from the polyester film, and fixed to a metal frame. Thermal imidization was performed by sequentially heating to 200°C x 10 min, 250°C x 10 min, 300°C x 10 min, and 350°C x 10 min while gradually increasing the temperature at a rate of 10°C/min under a nitrogen atmosphere. After cooling, the polyimide film was obtained by removing it from the metal frame.

[실시예 2∼5][Examples 2 to 5]

실시예 1에 있어서, 폴리아미드산 용액 A 대신에 폴리아미드산 용액 B, Ca∼Ce, D, B2를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 식으로 행하여 폴리이미드 필름을 얻었다. 그 때에 사용한 성분과 평가 결과를 표 1에 나타낸다. A polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1, except that polyamic acid solution B, Ca∼Ce, D, and B2 were used instead of polyamic acid solution A. The ingredients used at that time and the evaluation results are shown in Table 1.

[비교예 1∼9][Comparative Examples 1 to 9]

실시예 1에 있어서, 폴리아미드산 용액 A 대신에 폴리아미드산 용액 A1, B1, B4, B5, B6, C1, D1을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 식으로 행하여 폴리이미드 필름을 얻었다. 그 때에 사용한 성분과 평가 결과를 표 1에 나타낸다. A polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1, except that polyamic acid solutions A1, B1, B4, B5, B6, C1, and D1 were used instead of polyamic acid solution A. The ingredients used at that time and the evaluation results are shown in Table 1.

Figure pct00105
Figure pct00105

표 1에 나타내는 것과 같이, 구조 중에 1 몰%의 SQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 1, 2, 3a, 4)은, SQ1을 포함하지 않는 것 이외에는 같은 조성을 포함하는 폴리이미드 필름(비교예 1, 2, 6, 9)과 비교하여, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Tg, CTE를 보이며 또한 항장곱이 증대되고 있는 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, the polyimide film (Examples 1, 2, 3a, 4) containing 1 mol% of SQ1 in the structure is the polyimide film (Comparative Example) containing the same composition except that it does not contain SQ1. Compared to 1, 2, 6, 9), it shows almost the same total light transmittance, haze, yellow index, Tg, and CTE, and also shows that the term product is increasing.

실시예 2, 비교예 3, 비교예 4, 비교예 5를 비교하면, 말단에 산무수물기를 갖는 SQ1 대신에 산무수물기를 갖지 않는 SQ-109를 혼합한 경우, 첨가량을 1%, 15%, 50%로 늘림에 따라서 폴리아미드산 용액 및 폴리이미드 필름의 백탁이 보였다. 또한, SQ-109를 혼합한 경우는 항장곱의 증대는 보이지 않고, 첨가량을 늘림에 따라서 취약한 막으로 되었다. Comparing Example 2, Comparative Example 3, Comparative Example 4, and Comparative Example 5, when SQ-109, which does not have an acid anhydride group at the terminal, was mixed instead of SQ1, which has an acid anhydride group at the terminal, the addition amount was 1%, 15%, and 50%. As the percentage was increased, cloudiness of the polyamic acid solution and polyimide film was observed. Additionally, when SQ-109 was mixed, no increase in the field product was observed, and as the amount added, the film became weaker.

실시예 3a∼3e, 비교예 6을 비교하면, 실시예 3a∼3e는 비교예 6과 비교하여 항장곱이 향상되었다. Comparing Examples 3a to 3e and Comparative Example 6, the term product of Examples 3a to 3e was improved compared to Comparative Example 6.

(응용예 1)(Application example 1)

실시예 Ca의 용액에 활제로서 콜로이달 실리카를 NMP에 분산하여 이루어지는 분산체(닛산가가쿠고교 제조 「스노우텍스(등록상표) NMP-ST-ZL」)를, 콜로이달 실리카(활제)량이 폴리아미드산 용액 내 폴리머 고형분 총량의 0.3 질량%가 되도록 가하여, 실온에서 24시간 교반했다. 이것을 실시예 Ca2 용액으로 했다. Example: A dispersion (“Snowtex (registered trademark) NMP-ST-ZL” manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) formed by dispersing colloidal silica in NMP as a lubricant in a solution of Ca was prepared so that the amount of colloidal silica (lubricant) was polyamic acid. It was added to make 0.3% by mass of the total amount of polymer solids in the solution, and stirred at room temperature for 24 hours. This was used as the example Ca2 solution.

이어서, 실시예 Ca2 용액을, 콤마코터를 이용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름 A4100(도요보가부시키가이샤 제조)의 무활재면(無滑材面) 상에 최종 막 두께가 1.5 ㎛가 되도록 도포하고, 이어서 실시예 Ca 용액을 실시예 Ca2 용액 상에 최종 막 두께가 22 ㎛가 되도록 다이코터에 의해서 도포했다. 이것을 110℃에서 10분간 건조했다. 건조 후에 자기 지지성을 얻은 폴리아미드산 필름을 지지체로 한 A4100 필름으로부터 박리하고, 핀을 배치한 핀 시트를 갖는 핀 텐터에 통과시키고, 필름 단부를 핀에 삽입함으로써 파지하고, 필름이 파단되지 않도록 또 불필요한 늘어짐이 생기지 않도록 핀 시트 간격을 조정하여 반송하고, 200℃에서 3분, 250℃에서 3분, 300℃에서 3분, 400℃에서 3분의 조건으로 가열하여, 이미드화 반응을 진행시켰다. 그 후, 2분 동안에 실온까지 냉각하고, 필름 양끝의 평면성이 나쁜 부분을 슬리터로 잘라내고, 롤 형상으로 감아 올려, 폭 450 mm의 폴리이미드 필름 A1을 500 m 얻었다. Next, the Example Ca2 solution was applied using a comma coater on the non-lubricated surface of polyethylene terephthalate film A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) so that the final film thickness was 1.5 ㎛, and then The Example Ca solution was applied on the Example Ca2 solution by a die coater so that the final film thickness was 22 μm. This was dried at 110°C for 10 minutes. The polyamic acid film that has achieved self-supporting properties after drying is peeled from the A4100 film as a support, passed through a pin tenter having a pin sheet on which pins are placed, and the ends of the film are held by inserting them into the pins to prevent the film from breaking. In addition, the pin sheet spacing was adjusted to prevent unnecessary sagging, and it was transported, heated at 200°C for 3 minutes, 250°C for 3 minutes, 300°C for 3 minutes, and 400°C for 3 minutes to proceed with the imidization reaction. . After that, it was cooled to room temperature for 2 minutes, and the parts with poor planarity at both ends of the film were cut out with a slitter and rolled up into a roll to obtain 500 m of polyimide film A1 with a width of 450 mm.

(응용예 2)(Application example 2)

우선, 실시예 3a(PMDA/TFMB/SQ1)에서 얻은 폴리이미드 필름을 360 mm×460 mm의 장방형으로 잘라냈다. 이어서, 필름 표면 처리로서 UV/O3 조사기(LAN테크니칼 제조 SKR1102N-03)를 이용하여, UV/O3을 3분간 조사했다. 이때 UV/O3 램프와 필름의 거리는 30 mm로 했다.First, the polyimide film obtained in Example 3a (PMDA/TFMB/SQ1) was cut into a rectangle of 360 mm x 460 mm. Next, as a film surface treatment, UV/O 3 was irradiated for 3 minutes using a UV/O 3 irradiator (SKR1102N-03 manufactured by LAN Technical). At this time, the distance between the UV/O 3 lamp and the film was set to 30 mm.

디스플레이용 유리(370 mm×470 mm, 두께 0.7 mm의 유리 기판: 닛폰덴키가라스사 제조 OA10G)에 실란커플링제로서 3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교사 제조 KBM-903)을 스프레이코터로 도포했다. 또한 유리 기판은, 순수 세정, 건조 후에 UV/O3 조사기(LAN테크니칼 제조 SKR1102N-03)로 1분간 조사하여 드라이 세정한 것을 이용했다.Spray 3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM-903, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silane coupling agent on display glass (370 mm × 470 mm, 0.7 mm thick glass substrate: OA10G manufactured by Nippon Denki Glass Co., Ltd.). Applied with a coater. In addition, the glass substrate was washed with pure water, dried, then irradiated with a UV/O 3 irradiator (SKR1102N-03 manufactured by LAN Technical) for 1 minute and then dry cleaned.

이어서, 실란커플링제를 도포한 유리 기판을, 실리콘 고무 롤러를 장비한 롤 라미네이터에 셋트하고, 우선 실란커플링제 도포면에 스포이드로 500 ml의 순수를 기판 전체로 퍼져 나가도록 적하하여, 기판을 적셨다. Next, the glass substrate coated with the silane coupling agent was set on a roll laminator equipped with a silicone rubber roller, and first, 500 ml of pure water was dropped onto the surface coated with the silane coupling agent using a dropper so as to spread over the entire substrate to wet the substrate.

상기 표면 처리를 한 폴리이미드 필름의 표면 처리면을, 유리 기판의 실란커플링제 도포면, 즉, 순수로 적신 면에 대향하도록 겹쳐, 유리 기판 한쪽의 한 변으로부터 순차 회전 롤로 폴리이미드 필름과 유리 기판 사이의 순수를 밀어내면서 가압하고, 유리 기판과 폴리이미드 필름을 라미네이트하여 가적층체를 얻었다. 사용한 라미네이터는 MCK사 제조의 유효 롤 폭 650 mm의 라미네이터이며, 접합 조건은 에어원 압력: 0.5 MPa, 라미네이트 속도: 50 mm/초, 롤 온도: 22℃, 환경 온도 22도, 습도 55% RH였다. The surface-treated surface of the above-mentioned surface-treated polyimide film is overlapped to face the silane coupling agent-coated surface of the glass substrate, that is, the surface wetted with pure water, and a roll is sequentially rotated from one side of the glass substrate between the polyimide film and the glass substrate. The pure water was pressed while pushing out, and a glass substrate and a polyimide film were laminated to obtain a provisional laminate. The laminator used was a laminator with an effective roll width of 650 mm manufactured by MCK, and the bonding conditions were air source pressure: 0.5 MPa, laminating speed: 50 mm/sec, roll temperature: 22°C, environmental temperature 22°C, and humidity 55% RH. .

얻어진 가적층체를, 클린 오븐에서 200℃ 10분간 가열 처리하여, 폴리이미드 필름과 유리 기판을 포함하는 적층체를 얻었다. The obtained temporary laminated body was heat-treated at 200°C for 10 minutes in a clean oven to obtain a laminated body including a polyimide film and a glass substrate.

얻어진 적층체의 폴리이미드 필름면에, 이하의 공정에 의해 텅스텐막(막 두께 75 nm)을 형성하고, 또한 대기에 닿는 일 없이 절연막으로서 산화실리콘막(막 두께 150 nm)을 적층 형성했다. 이어서, 플라즈마 CVD법으로 하지 절연막으로 되는 산화질화실리콘막(막 두께 100 nm)을 형성하고, 또한 대기에 닿는 일 없이 아모르퍼스 실리콘막(막 두께 54 nm)을 적층 형성했다. On the polyimide film side of the obtained laminate, a tungsten film (film thickness: 75 nm) was formed by the following process, and a silicon oxide film (film thickness: 150 nm) was further formed as an insulating film without contact with the atmosphere. Next, a silicon oxynitride film (film thickness: 100 nm) serving as an underlying insulating film was formed by plasma CVD, and an amorphous silicon film (film thickness: 54 nm) was further formed by laminating the film without contact with the atmosphere.

얻어진 아모르퍼스 실리콘막을 이용하여 TFT 소자를 제작했다. 우선, 아모르퍼스 실리콘 박막을 패터닝하여 소정 형상의 실리콘 영역을 형성하고, 적절하게 게이트 절연막의 형성, 게이트 전극의 형성, 활성 영역에의 도핑에 의한 소스 영역 또는 드레인 영역의 형성, 층간 절연막의 형성, 소스 전극 및 드레인 전극의 형성, 활성화 처리를 실시하여, P 채널 TFT의 어레이를 제작했다.A TFT device was manufactured using the obtained amorphous silicon film. First, an amorphous silicon thin film is patterned to form a silicon region of a predetermined shape, followed by appropriate formation of a gate insulating film, formation of a gate electrode, formation of a source region or drain region by doping the active region, formation of an interlayer insulating film, Source and drain electrodes were formed and activation processing was performed to produce an array of P-channel TFTs.

TFT 어레이 외주의 0.5 mm 정도 내측을 따라 UV-YAG 레이저로 폴리이미드 필름부를 달구어서 끊고, 잘린 부위의 단부로부터 얇은 면도칼형의 날을 이용하여 떠 올리는 식으로 박리를 행하여, 플렉시블한 A3 사이즈의 TFT 어레이를 얻었다. 박리는 극미력(極微力)으로 가능하며, TFT에 손상을 주지 않고서 박리할 수 있었다. 얻어진 플렉시블 TFT 어레이는 5 mmφ의 둥근막대에 감아 붙이라도 성능 열화는 보이지 않고, 양호한 특성을 유지했다. The polyimide film is cut by heating it with a UV-YAG laser along the inside of about 0.5 mm of the outer circumference of the TFT array, and then peeled from the end of the cut area by using a thin razor-shaped blade to create a flexible A3-sized TFT. I got the array. Peeling was possible with extremely small force, and it could be done without damaging the TFT. Even when the obtained flexible TFT array was wound around a 5 mm phi round bar, no performance deterioration was observed and good characteristics were maintained.

실시예 11 이후 및 비교예 11 이후After Example 11 and Comparative Example 11

이어서, 실시예 11 이후와 비교예 11 이후에 관해서 설명한다. 구체적으로는 이들에 관해서, 실세스퀴옥산 화합물의 합성이나, 폴리아미드산 용액의 합성, 폴리이미드 필름의 작성, 각종 평가 결과 등에 관해서 설명한다. Next, Example 11 and beyond and Comparative Example 11 and beyond will be described. Specifically, these will be explained regarding the synthesis of silsesquioxane compounds, synthesis of polyamic acid solutions, preparation of polyimide films, various evaluation results, etc.

[산무수물기 함유 더블덱커형 실세스퀴옥산 유도체 1(이하, 「AASQ1」이라고 한다.)의 입수][Obtainment of acid anhydride group-containing double decker-type silsesquioxane derivative 1 (hereinafter referred to as “AASQ1”)]

산무수물기 함유 더블덱커형 실세스퀴옥산 유도체 1(즉, AASQ1)로서, 닛폰자이료기켄(주) 제조의 DDSQ를 입수했다. 여기서, DDSQ, 즉 AASQ1은 분말형 제품이다. As the acid anhydride group-containing double decker-type silsesquioxane derivative 1 (i.e., AASQ1), DDSQ manufactured by Nippon Zairyogen Co., Ltd. was obtained. Here, DDSQ, or AASQ1, is a powder-type product.

Figure pct00106
Figure pct00106

[아미노기 함유 더블덱커형 실세스퀴옥산 유도체 1(이하, 「AMSQ1」이라고 한다.)의 합성][Synthesis of amino group-containing double decker-type silsesquioxane derivative 1 (hereinafter referred to as “AMSQ1”)]

다음 구조로 표시되는 아미노기 함유 더블덱커형 실세스퀴옥산 유도체 1(즉, AMSQ1)을 일본 특허공개 2006-265243호 공보에 기재된 방법으로 제조했다. Amino group-containing double-decker type silsesquioxane derivative 1 (i.e., AMSQ1) represented by the following structure was produced by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-265243.

Figure pct00107
Figure pct00107

[산무수물기 함유 더블덱커형 실세스퀴옥산 유도체 2(이하, 「AASQ2」라고 한다.)의 합성][Synthesis of acid anhydride group-containing double decker-type silsesquioxane derivative 2 (hereinafter referred to as “AASQ2”)]

일반식 AA-D2에 있어서의 모든 Z1이 수소 원자이고, 모든 R1이 페닐기인 화합물 0.535 g(0.500 mmol)과 THF(15 mL)를 반응 용기에 넣어, 실온 하에서 교반함으로써 이 화합물을 용해시켰다. 이 용액에, 무수트리멜리트산클로리드 0.421 g(2.0 mmol)을 천천히 가했다. 이것을 실온 하에서 3시간 교반함으로써 반응액을 얻었다. 이 반응액을 감압 농축하고, 그 잔사를 진공 하에 120℃에서 건조시켜, 미반응의 무수트리멜리트산클로리드를 제거했다. NMR 및 IR 측정에 의해, 목적 반응이 진행되고 있음을 확인했다. 이러한 수순으로 산무수물기 함유 더블덱커형 실세스퀴옥산 유도체 2(즉, AASQ2)를 얻었다. 0.535 g (0.500 mmol) of a compound in which all Z1 in the general formula AA-D2 is a hydrogen atom and all R1 is a phenyl group and THF (15 mL) were placed in a reaction vessel and stirred at room temperature to dissolve the compound. To this solution, 0.421 g (2.0 mmol) of trimellitic anhydride chloride was slowly added. A reaction solution was obtained by stirring this at room temperature for 3 hours. This reaction solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was dried at 120°C under vacuum to remove unreacted trimellitic anhydride chloride. NMR and IR measurements confirmed that the desired reaction was progressing. Through this procedure, double decker-type silsesquioxane derivative 2 (i.e., AASQ2) containing an acid anhydride group was obtained.

[산무수물기 함유 코너 오픈형 실세스퀴옥산 유도체 3(이하, 「AASQ3」이라고 한다.)의 합성][Synthesis of acid anhydride group-containing corner-open silsesquioxane derivative 3 (hereinafter referred to as “AASQ3”)]

일반식 AA-C1에 있어서, 모든 Z1이 수소 원자이며, 모든 R1이 페닐기인 화합물(Hybrid Plastics사 제조의 SO1458) 0.466 g(0.500 mmol)과 THF(15 mL)를 반응 용기에 넣어, 실온 하에서 교반함으로써 이 화합물을 용해시켰다. 이 용액에, 무수트리멜리트산클로리드 0.316 g(1.5 mmol)을 천천히 가했다. 이것을 실온 하에서 3시간 교반함으로써 반응액을 얻었다. 이 반응액을 감압 농축하고, 그 잔사를 진공 하에 120℃에서 건조시켜, 미반응의 무수트리멜리트산클로리드를 제거했다. NMR 및 IR 측정에 의해, 목적 반응이 진행되고 있음을 확인했다. 이러한 수순으로 산무수물기 함유 코너 오픈형 실세스퀴옥산 유도체 3(즉, AASQ3)을 얻었다. In the general formula AA-C1, 0.466 g (0.500 mmol) of a compound in which all Z 1 is a hydrogen atom and all R 1 is a phenyl group (SO1458 manufactured by Hybrid Plastics) and THF (15 mL) are placed in a reaction vessel and incubated at room temperature. This compound was dissolved by stirring under low temperature. To this solution, 0.316 g (1.5 mmol) of trimellitic anhydride chloride was slowly added. A reaction solution was obtained by stirring this at room temperature for 3 hours. This reaction solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was dried at 120°C under vacuum to remove unreacted trimellitic anhydride chloride. NMR and IR measurements confirmed that the desired reaction was progressing. Through this procedure, acid anhydride group-containing open-corner silsesquioxane derivative 3 (i.e., AASQ3) was obtained.

[폴리아미드산 용액 A-1의 합성][Synthesis of polyamic acid solution A-1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 3.922 g) 및 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 6.405 g)을 넣어, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 80 ml)에 용해한 후, 25℃에서 18시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 A-1을 얻었다(CBDA/TFMB의 몰비=1.00/1.00). 즉, 표 2에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 A-1을 합성했다. 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 3.922 g) and 4,4'-diamino-2,2'- were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. Bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB, 6.405 g) was added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 80 ml), and then stirred at 25°C for 18 hours to prepare polyamic acid solution A-1. Obtained (molar ratio of CBDA/TFMB = 1.00/1.00). That is, polyamic acid solution A-1 was synthesized according to the formulation shown in Table 2.

[폴리아미드산 용액 A-2의 합성][Synthesis of polyamic acid solution A-2]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 1.961 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 3.268 g) 및 AASQ1(0.303 g)을 넣어, γ-부티로락톤(γ BL, 32 ml)에 용해한 후, 25℃에서 18시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 A-2를 얻었다(CBDA/AASQ1/TFMB의 몰비=0.98/0.02/1.00). 즉, 표 2에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 A-2를 합성했다. 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 1.961 g), 4,4'-diamino-2,2'- while passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. Bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB, 3.268 g) and AASQ1 (0.303 g) were added, dissolved in γ-butyrolactone (γ BL, 32 ml), and stirred at 25°C for 18 hours to obtain polyamic acid. Solution A-2 was obtained (molar ratio of CBDA/AASQ1/TFMB=0.98/0.02/1.00). That is, polyamic acid solution A-2 was synthesized according to the formulation shown in Table 2.

[폴리아미드산 용액 A-3의 합성][Synthesis of polyamic acid solution A-3]

폴리아미드산 용액 A-2의 합성과 같은 수순으로 표 2에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 A-3을 제작했다. Polyamic acid solution A-3 was prepared according to the formulation shown in Table 2 in the same procedure as the synthesis of polyamic acid solution A-2.

[폴리아미드산 용액 B-1의 합성][Synthesis of polyamic acid solution B-1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 7.844 g) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 8.954 g)를 넣어, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 151 ml)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B-1을 얻었다(CBDA/DABA의 몰비=1.00/0.985). 즉, 표 2에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 B-1을 합성했다. 또한, DABA의 8.954 g은 몰로 환산하면 98.5 mmol이다. 이것에 관해서, 예비 실험에서, DABA 100 mmol 또 CBDA 100 mmol을 주입하여 합성한 폴리아미드산 용액이 제막에 알맞지 않은 고점도의 용액으로 되었기 때문에, 폴리아미드산 용액 B-1을 합성함에 있어서는 DABA를 98.5 mmol로 했다.While passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 7.844 g) and 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 8.954 g) g) was added and dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 151 ml), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution B-1 (molar ratio of CBDA/DABA = 1.00/0.985). That is, polyamic acid solution B-1 was synthesized according to the formulation shown in Table 2. Additionally, 8.954 g of DABA is 98.5 mmol when converted to mole. Regarding this, in a preliminary experiment, the polyamic acid solution synthesized by injecting 100 mmol of DABA and 100 mmol of CBDA resulted in a high viscosity solution unsuitable for film formation, so when synthesizing polyamic acid solution B-1, DABA was used at 98.5%. It was taken as mmol.

[폴리아미드산 용액 B-2의 합성][Synthesis of polyamic acid solution B-2]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산2무수물(CBDA, 2.942 g), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA, 3.588 g) 및 AASQ1(1.170 g)을 넣어, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc, 53 ml)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 B-1을 얻었다(CBDA/AASQ1/DABA의 몰비=0.95/0.05/1.00). 즉, 표 2에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 B-2를 합성했다. 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA, 2.942 g), 4,4'-diaminobenzanilide (DABA, 3.588 g) while passing nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. g) and AASQ1 (1.170 g) were added, dissolved in N,N-dimethylacetamide (DMAc, 53 ml), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution B-1 (CBDA/AASQ1/DABA) molar ratio = 0.95/0.05/1.00). That is, polyamic acid solution B-2 was synthesized according to the formulation shown in Table 2.

[폴리아미드산 용액 C-1의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-1]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 4.362 g) 및 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 6.405 g)을 넣어, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 164 ml)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 C-1을 얻었다(PMDA/TFMB의 몰비=1.00/1.00). 즉, 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-1을 합성했다. Pyromellitic dianhydride (PMDA, 4.362 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 6.405 g) was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 164 ml), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution C-1 (molar ratio of PMDA/TFMB = 1.00). /1.00). That is, polyamic acid solution C-1 was synthesized according to the formulation shown in Table 3.

[폴리아미드산 용액 C-2의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-2]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.272 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.902 g) 및 AASQ1(0.454 g)을 넣어, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 52 ml)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 C-2를 얻었다(PMDA/AASQ1/TFMB의 몰비=0.98/0.02/1.00). 즉, 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-2를 합성했다. Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.272 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction tube and stirring blade. , 4.902 g) and AASQ1 (0.454 g) were added and dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 52 ml), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution C-2 (PMDA) /AASQ1/TFMB molar ratio=0.98/0.02/1.00). That is, polyamic acid solution C-2 was synthesized according to the formulation shown in Table 3.

[폴리아미드산 용액 C-3의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-3]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 3.272 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 4.708 g) 및 AMSQ1(0.401 g)을 넣어, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 67 ml)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 C-3을 얻었다(PMDA/AMSQ1/TFMB의 몰비=1.00/0.02/0.98). 즉, 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-3을 합성했다. Pyromellitic dianhydride (PMDA, 3.272 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction tube and stirring blade. , 4.708 g) and AMSQ1 (0.401 g) were added and dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 67 ml), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution C-3 (PMDA) /AMSQ1/TFMB molar ratio=1.00/0.02/0.98). That is, polyamic acid solution C-3 was synthesized according to the formulation shown in Table 3.

[폴리아미드산 용액 C-4의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-4]

폴리아미드산 용액 C-3의 합성과 같은 수순으로 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-4를 합성했다. Polyamic acid solution C-4 was synthesized according to the formulation shown in Table 3 in the same procedure as the synthesis of polyamic acid solution C-3.

[폴리아미드산 용액 C-5의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-5]

폴리아미드산 용액 C-3의 합성과 같은 수순으로 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-5를 합성했다. Polyamic acid solution C-5 was synthesized according to the formulation shown in Table 3 in the same procedure as the synthesis of polyamic acid solution C-3.

[폴리아미드산 용액 C-6의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-6]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 1.42 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 2.12 g) 및 AASQ2(0.117 g)를 넣어, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 30 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 C-6을 얻었다(PMDA/AASQ2/TFMB의 몰비=0.98/0.01/1.00). 즉, 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-6을 합성했다. Pyromellitic dianhydride (PMDA, 1.42 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction pipe and stirring blade. , 2.12 g) and AASQ2 (0.117 g) were added and dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 30 g), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution C-6 (PMDA) /AASQ2/TFMB molar ratio=0.98/0.01/1.00). That is, polyamic acid solution C-6 was synthesized according to the formulation shown in Table 3.

[폴리아미드산 용액 C-7의 합성][Synthesis of polyamic acid solution C-7]

질소 도입관, 교반날개를 갖춘 반응기에 질소를 통과시키면서 피로멜리트산2무수물(PMDA, 1.64 g), 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB, 2.45 g) 및 AASQ3(0.196 g)을 넣어, N-메틸-2-피롤리돈(NMP, 19 g)에 용해한 후, 25℃에서 24시간 교반함으로써 폴리아미드산 용액 C-6을 얻었다(PMDA/AASQ3/TFMB의 몰비=0.98/0.02/1.00). 즉, 표 3에 나타내는 배합에 따라서 폴리아미드산 용액 C-6을 합성했다. Pyromellitic dianhydride (PMDA, 1.64 g) and 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) were passed through nitrogen through a reactor equipped with a nitrogen introduction tube and stirring blade. , 2.45 g) and AASQ3 (0.196 g) were added and dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP, 19 g), and then stirred at 25°C for 24 hours to obtain polyamic acid solution C-6 (PMDA) /AASQ3/TFMB molar ratio=0.98/0.02/1.00). That is, polyamic acid solution C-6 was synthesized according to the formulation shown in Table 3.

이들 폴리아미드산 용액을 이용하여 이하의 방법으로 폴리이미드 필름을 제작하여, 폴리이미드 필름의 광학 특성, 열 특성, 기계 특성을 측정했다. A polyimide film was produced using these polyamic acid solutions by the following method, and the optical properties, thermal properties, and mechanical properties of the polyimide film were measured.

[비교예 11][Comparative Example 11]

폴리아미드산 용액 A-1을, 캐스팅 애플리케이터를 이용하여 폴리에스테르 필름(A4100, 도요보 제품) 상에 도포하고, 폴리에스테르 필름 상의 폴리아미드산 용액을 소정의 조건(구체적으로는 후술하는 GF1)으로 가열했다. 이 가열에 의해서 얻은 그린 필름을 커터로 절단한 후, 폴리에스테르 필름으로부터 벗겨내어 금속 틀에 고정했다. 금속 틀에 고정된 그린 필름을 소정의 조건(구체적으로는 후술하는 B1)으로 가열함으로써 열적으로 이미드화를 행했다. 방냉 후, 금속 틀로부터 떼어냄으로서 폴리이미드 필름을 얻었다. Polyamic acid solution A-1 was applied on a polyester film (A4100, Toyobo product) using a casting applicator, and the polyamic acid solution on the polyester film was applied under predetermined conditions (specifically, GF1 described later). heated. The green film obtained by this heating was cut with a cutter, peeled off from the polyester film, and fixed to a metal frame. Thermal imidization was performed by heating the green film fixed to the metal frame under predetermined conditions (specifically, B1 described later). After cooling, the polyimide film was obtained by removing it from the metal frame.

[실시예 11∼19 및 비교예 12∼18][Examples 11 to 19 and Comparative Examples 12 to 18]

폴리아미드산 용액 A-1 대신에, 표 2∼3에 나타내는 폴리아미드산 용액을 이용한 것, 표 2∼3에 나타내는 GF 제작 조건으로 폴리아미드산 용액을 가열한 것 및 표 2∼3에 나타내는 소성 조건으로 그린 필름을 가열한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 폴리이미드 필름을 얻었다. Instead of polyamic acid solution A-1, the polyamic acid solution shown in Tables 2 to 3 was used, the polyamic acid solution was heated under the GF production conditions shown in Tables 2 to 3, and baking shown in Tables 2 to 3. A polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the green film was heated under the following conditions.

[실시예 20][Example 20]

폴리아미드산 용액 C-2를, 콤마코터를 이용하여 폴리에스테르 필름(A4100, 도요보 제품) 상에 도포하고, 폴리에스테르 필름 상의 폴리아미드산 용액을 소정의 조건(구체적으로는 후술하는 GF3)으로 가열했다. 이 가열에 의해서 얻은 그린 필름을 커터로 절단한 후, 폴리에스테르 필름으로부터 벗겨내어, Xenomax(등록상표) 필름(Xenomax Japan사 제조)을 도려낸 틀에 캠톤 테이프로 고정했다. 틀에 고정된 그린 필름을 소정의 조건(구체적으로는 후술하는 B3)으로 가열함으로써 열적으로 이미드화를 행했다. 방냉 후, 틀로부터 떼어냄으로써 폴리이미드 필름을 얻었다. Polyamic acid solution C-2 was applied on a polyester film (A4100, Toyobo product) using a comma coater, and the polyamic acid solution on the polyester film was coated under predetermined conditions (specifically, GF3, described later). heated. The green film obtained by this heating was cut with a cutter, peeled off from the polyester film, and fixed to the frame from which the Xenomax (registered trademark) film (manufactured by Xenomax Japan) was cut out with Campton tape. Thermal imidization was performed by heating the green film fixed to the frame under predetermined conditions (specifically, B3 described later). After cooling, the polyimide film was obtained by removing it from the mold.

Figure pct00108
Figure pct00108

Figure pct00109
Figure pct00109

이들 표에서, GF1 및 GF2 및 GF3은 그린 필름을 형성하기 위한 가열 조건이다. GF1은, 폴리에스테르 필름 상의 폴리아미드산 용액을 질소 분위기 하에서 100℃×18분으로 가열했음을 나타낸다. 한편, GF2는, 폴리에스테르 필름 상의 폴리아미드산 용액을 질소 분위기 하에서 100℃×20분으로 가열했음을 나타낸다. GF3은, 폴리에스테르 필름 상의 폴리아미드산 용액을 대기 하에서 120℃×12분으로 가열했음을 나타낸다. In these tables, GF1 and GF2 and GF3 are heating conditions for forming green films. GF1 indicates that the polyamic acid solution on the polyester film was heated at 100°C for 18 minutes under a nitrogen atmosphere. On the other hand, GF2 indicates that the polyamic acid solution on the polyester film was heated at 100°C for 20 minutes under a nitrogen atmosphere. GF3 indicates that the polyamic acid solution on the polyester film was heated at 120°C x 12 minutes in air.

B1 및 B2 및 B3은 그린 필름의 소성 조건이다. B1에서도 B2에서도 B3에서도 그린 필름을 열이미드화할 수 있다. B1은, 그린 필름을 질소 분위기 하에서 10℃/분의 속도로 단계적으로 승온하면서 200℃×10분, 250℃×10분, 300℃×10분, 350℃×10분 순차 가열했음을 나타낸다. 한편, B2는, 그린 필름을 질소 분위기 하에서 10℃/분의 속도로 단계적으로 승온하면서 300℃×60분, 400℃×30분 순차 가열했음을 나타낸다. B3은, 그린 필름을 대기 하에, 220℃의 노 안에서 3분, 270℃의 노 안에서 3분, 320℃의 노 안에서 3분, 370℃의 노 안에서 3분 순차 가열했음을 나타낸다. B1 and B2 and B3 are the firing conditions of the green film. Green films can be thermally imidized in B1, B2, or B3. B1 indicates that the green film was heated sequentially at 200°C x 10 min, 250°C x 10 min, 300°C x 10 min, and 350°C x 10 min while gradually increasing the temperature at a rate of 10°C/min under a nitrogen atmosphere. On the other hand, B2 indicates that the green film was heated sequentially at 300°C x 60 minutes and 400°C x 30 minutes while gradually increasing the temperature at a rate of 10°C/min under a nitrogen atmosphere. B3 indicates that the green film was sequentially heated under air for 3 minutes in a furnace at 220°C, 3 minutes in a furnace at 270°C, 3 minutes in a furnace at 320°C, and 3 minutes in a furnace at 370°C.

또한, 이들 표에서 특성을 나타내는 셀 안의 「-」는 미측정임을 나타낸다. 측정 자체가 불가능했던 특성(예컨대 비교예 17의 CTE)의 셀에는 「측정 불가」라고 기재했다.In addition, in these tables, “-” in cells representing characteristics indicates unmeasured. In cells of characteristics for which measurement itself was impossible (for example, CTE in Comparative Example 17), “Measurement not possible” was written.

표 2에 나타내는 것과 같이, CBDA 및 TFMB의 배합계에 있어서, 구조 중에 2 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 11)이나, 5 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 12)은, AASQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 11)과 비교하여, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Td1(즉, 열분해 온도), Tg, CTE를 보이면서 항장곱이 우수했다. 이들 특성 중, CTE 에 관해서는, 구조 중에 2 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 11)이나, 5 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 12)은, AASQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 11)과 비교하여, CTE가 증가하는 경향은 있었지만, CTE의 증가 정도는 허용할 수 있는 레벨이었다(이와 같은 사정에서, 이 고찰에서는 헤이즈에 관해서도 「거의 동등」이었다고 표현하고 있다. 이하, 마찬가지다.).As shown in Table 2, in the blend system of CBDA and TFMB, a polyimide film containing 2 mol% AASQ1 in the structure (Example 11) or a polyimide film containing 5 mol% AASQ1 (Example 12), compared to the polyimide film not containing AASQ1 (Comparative Example 11), shows almost the same total light transmittance, haze, yellow index, Rth, Td 1 (i.e., thermal decomposition temperature), Tg, and CTE, and is excellent in terms of field product. did. Among these properties, regarding CTE, the polyimide film (Example 11) containing 2 mol% AASQ1 in the structure and the polyimide film (Example 12) containing 5 mol% AASQ1 contained AASQ1. Compared to the polyimide film without (Comparative Example 11), there was a tendency for CTE to increase, but the degree of increase in CTE was at an acceptable level (under these circumstances, in this study, haze was also said to be “almost equal”) It is expressed. Hereinafter, the same applies.).

CBDA 및 DABA의 배합계에 있어서도, 구조 중에 5 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 13)은, AASQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 12)과 비교하여, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Td1(즉, 열분해 온도), Tg, CTE를 보이면서 항장곱이 우수했다. Even in the blended system of CBDA and DABA, the polyimide film (Example 13) containing 5 mol% of AASQ1 in the structure had an almost equal total light transmittance compared to the polyimide film (Comparative Example 12) not containing AASQ1. , haze, yellow index, Rth, Td 1 (i.e., thermal decomposition temperature), Tg, and CTE, and the term product was excellent.

표 3에 나타내는 것과 같이, PMDA 및 TFMB의 배합계에 있어서도, 구조 중에 2 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 14)은, AASQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 13)과 비교하여, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Td1(즉, 열분해 온도), Tg, CTE를 보이면서 항장곱이 우수했다.As shown in Table 3, even in the mixture system of PMDA and TFMB, the polyimide film (Example 14) containing 2 mol% of AASQ1 in the structure is similar to the polyimide film (Comparative Example 13) that does not contain AASQ1. In comparison, the total light transmittance, haze, yellow index, Rth, Td 1 (i.e., thermal decomposition temperature), Tg, and CTE were almost equivalent, and the term product was excellent.

폴리이미드 필름의 소성 조건이 B1보다도 엄격한 경우, 구체적으로는 TFT 어레이의 제작 공정에서, 폴리이미드 필름이 보다 한층 더 고온 환경에 노출될 수 있음을 상정한 다음에 설정된 B2인 경우, 구조 중에 2 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 15)은, AASQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 14)과 비교하여, 옐로우 인덱스로 뒤떨어졌지만, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, Rth, Tg, CTE를 보이고, 항장곱이 우수했다. 덧붙여 말하자면, 폴리이미드 필름의 소성 조건이 B1보다도 약간 엄격한 정도인 BF3인 경우, 구조 중에 2 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 20)은, AASQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 14)과 비교하여, 거의 동등한 옐로우 인덱스를 보였다. When the firing conditions of the polyimide film are more stringent than those of B1, specifically, in the case of B2, which is set after assuming that the polyimide film may be exposed to an even higher temperature environment during the production process of the TFT array, 2 moles are used in the structure. The polyimide film containing % AASQ1 (Example 15) was inferior in yellow index to the polyimide film not containing AASQ1 (Comparative Example 14), but had almost equivalent total light transmittance, haze, Rth, Tg, It showed CTE and the term product was excellent. Incidentally, when the firing conditions of the polyimide film are BF3, which is slightly more stringent than B1, the polyimide film containing 2 mol% of AASQ1 in the structure (Example 20) is similar to the polyimide film containing no AASQ1 (Comparative Compared to example 14), it showed almost the same yellow index.

소성 조건이 B1라도 B2라도, 구조 중에 2 몰%의 AMSQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 16 및 17)은, AMSQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 13 및 14)과 비교하여, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Tg, CTE를 보이면서 항장곱이 우수했다. 소성 조건이 B2로 공통된 실시예 17과 비교예 14에 관해서는, AMSQ1이 AASQ1과 비교하여 열분해하기 어렵고, 그 결과, 구조 중에 2 몰%의 AMSQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 17)에서는, 구조 중에 2 몰%의 AASQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 15)과 비교하여, 열분해에 기인하는 옐로우 인덱스의 상승(즉, 옐로우 인덱스의 악화)를 억제할 수 있었다고 생각된다. Regardless of whether the firing conditions are B1 or B2, the polyimide film containing 2 mol% of AMSQ1 in the structure (Examples 16 and 17) has almost The field product was excellent, showing equivalent total light transmittance, haze, yellow index, Rth, Tg, and CTE. Regarding Example 17 and Comparative Example 14, in which the firing conditions were common to B2, AMSQ1 was less likely to thermally decompose compared to AASQ1, and as a result, in the polyimide film containing 2 mol% of AMSQ1 in the structure (Example 17), Compared to the polyimide film (Example 15) containing 2 mol% of AASQ1 in the structure, it is believed that the increase in yellow index (i.e., deterioration of yellow index) due to thermal decomposition was suppressed.

한편, 구조 중에 10 몰%의 AMSQ1을 포함하는 폴리이미드 필름(비교예 15 및 16)은, AMSQ1을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 13 및 14)과 비교하여, 파단 신도가 낮고, 항장곱이 뒤떨어졌다. 덧붙여 말하자면, 비교예 17 및 18에서는, 막이 취약하여 측정 중에 파단되었기 때문에, CTE를 측정할 수 없었다. On the other hand, the polyimide film containing 10 mol% of AMSQ1 in the structure (Comparative Examples 15 and 16) has a lower elongation at break and a lower tensile length product than the polyimide film (Comparative Examples 13 and 14) which does not contain AMSQ1. fell behind Incidentally, in Comparative Examples 17 and 18, the CTE could not be measured because the membrane was weak and broke during measurement.

또한, AASQ1이나 AMSQ1과 동일하게 AASQ2나 AASQ3에서도 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Td1(즉, 열분해 온도), Tg, CTE를 유지하면서 항장곱을 개선할 수 있었다. 구체적으로는 구조 중에 대략 1 몰%의 AASQ2를 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 18)은, AASQ2를 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 14)과 비교하여 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Td1(즉, 열분해 온도), Tg, CTE를 보이면서 항장곱이 우수했다. 구조 중에 2 몰%의 AASQ3을 포함하는 폴리이미드 필름(실시예 19)은, AASQ3을 포함하지 않는 폴리이미드 필름(비교예 14)과 비교하여, 거의 동등한 전광선 투과율, 헤이즈, 옐로우 인덱스, Rth, Td1(즉, 열분해 온도), Tg, CTE를 보이면서 항장곱이 우수했다. In addition, like AASQ1 or AMSQ1, the field product was able to be improved in AASQ2 or AASQ3 while maintaining total light transmittance, haze, yellow index, Rth, Td 1 (i.e., thermal decomposition temperature), Tg, and CTE. Specifically, the polyimide film (Example 18) containing approximately 1 mol% of AASQ2 in the structure has almost the same total light transmittance, haze, yellow index, and The term product was excellent, showing Rth, Td 1 (i.e., thermal decomposition temperature), Tg, and CTE. The polyimide film containing 2 mol% of AASQ3 in the structure (Example 19) had almost equivalent total light transmittance, haze, yellow index, Rth, and Td compared to the polyimide film not containing AASQ3 (Comparative Example 14). The term product was excellent, showing 1 (i.e. pyrolysis temperature), Tg, and CTE.

이상과 같이, 본 발명의 폴리이미드 필름은, 실세스퀴옥산 화합물을 포함하지 않는 경우와 비교하여, 동등 레벨의 광학 특성, 열 특성을 유지하면서 양호한 기계 특성을 갖는다는 것이 드러났다. 본 발명의 폴리이미드 필름은 우수한 광학 특성, 무색 투명성을 가지면서 또한 기계 특성이 우수하고, 비교적 낮은 CTE를 보이기 때문에, 상기 필름을 유리 등의 평면상에서 또 강성이 있는 무기 기판에 맞붙인 후에 필름 상에 각종 전자 디바이스 가공을 실시하여, 최종적으로 무기 기판으로부터 박리함으로써, 플렉시블한 전자 디바이스를 제작할 수 있다. As described above, it was revealed that the polyimide film of the present invention has good mechanical properties while maintaining optical properties and thermal properties at the same level as compared to the case that does not contain a silsesquioxane compound. The polyimide film of the present invention has excellent optical properties, colorless transparency, excellent mechanical properties, and a relatively low CTE. Therefore, the polyimide film is bonded to a rigid inorganic substrate on a flat surface such as glass, and then formed into a film. By performing various electronic device processing and finally peeling from the inorganic substrate, a flexible electronic device can be produced.

Claims (11)

적어도 카르복실산류, 디아민류 및 실세스퀴옥산 유도체의 공중합 반응물인 폴리아미드산으로서,
상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개 이상의 디카르복실산 무수물기 또는 2개 이상의 아미노기를 갖고,
상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 디카르복실산 무수물기를 갖는 경우, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수(단, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개를 넘는 디카르복실산 무수물기를 갖는 경우, 이 몰수는 상기 실세스퀴옥산 유도체의 총 몰수를, 상기 실세스퀴옥산 유도체의 상기 디카르복실산 무수물기의 총수로 나눠 2배한 수이다)는, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 상기 카르복실산류에 유래하는 구조 단위의 몰수의 합계에 대하여 0.0001배 이상 0.09배 이하이고,
상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 아미노기를 갖는 경우, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수(단, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 2개를 넘는 아미노기를 갖는 경우, 이 몰수는 상기 실세스퀴옥산 유도체의 총 몰수를, 상기 실세스퀴옥산 유도체의 상기 아미노기의 총수로 나눠 2배한 수이다)는, 상기 실세스퀴옥산 유도체에 유래하는 구조 단위의 몰수와 상기 디아민류에 유래하는 구조 단위의 몰수의 합계에 대하여 0.0001배 이상 0.09배 이하인 폴리아미드산.
Polyamic acid, which is a copolymerization product of at least carboxylic acids, diamines, and silsesquioxane derivatives,
The silsesquioxane derivative has two or more dicarboxylic anhydride groups or two or more amino groups,
When the silsesquioxane derivative has two or more dicarboxylic acid anhydride groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative (provided that the silsesquioxane derivative has more than two dicarboxylic acid anhydride groups) When having an acid anhydride group, this number of moles is the total number of moles of the silsesquioxane derivative divided by the total number of dicarboxylic acid anhydride groups of the silsesquioxane derivative and doubled) is the number of moles of the silsesquioxane derivative. It is 0.0001 times or more and 0.09 times or less relative to the sum of the number of moles of structural units derived from the derivative and the number of moles of structural units derived from the above carboxylic acids,
When the silsesquioxane derivative has more than two amino groups, the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative (however, when the silsesquioxane derivative has more than two amino groups, this number of moles is is the total number of moles of the silsesquioxane derivative divided by the total number of amino groups of the silsesquioxane derivative and doubled) is the number of moles of structural units derived from the silsesquioxane derivative and the diamines A polyamic acid that is 0.0001 times to 0.09 times the total number of moles of structural units from which it is derived.
제1항에 있어서, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 디카르복실산 무수물기를 갖는 폴리아미드산. The polyamic acid according to claim 1, wherein the silsesquioxane derivative has at least two dicarboxylic anhydride groups. 제1항에 있어서, 상기 실세스퀴옥산 유도체가 상기 2개 이상의 아미노기를 갖는 폴리아미드산. The polyamic acid according to claim 1, wherein the silsesquioxane derivative has at least two amino groups. 제3항에 있어서,
상기 각 아미노기가, 상기 아미노기와, 상기 실세스퀴옥산 유도체를 구성하는 Si 중, 상기 아미노기에 결합상 가장 가까운 Si를 연결하는 연결기를 갖고,
상기 연결기가 각각 독립적으로 상기 아미노기에 결합한 치환 또는 비치환의 방향족환을 갖는 폴리아미드산.
According to paragraph 3,
Each of the amino groups has a linking group that connects the amino group to Si that is closest in bond to the amino group among the Si constituting the silsesquioxane derivative,
A polyamic acid in which each of the linking groups independently has a substituted or unsubstituted aromatic ring bonded to the amino group.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리아미드산이 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산2무수물에 유래하는 구조 단위를 갖지 않는 폴리아미드산. The polyamic acid according to any one of claims 1 to 4, wherein the polyamic acid does not have a structural unit derived from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재한 폴리아미드산과 용매를 포함하는 폴리아미드산 조성물. A polyamic acid composition comprising the polyamic acid according to any one of claims 1 to 5 and a solvent. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재한 폴리아미드산이 이미드화되어 이루어지는 폴리이미드. A polyimide obtained by imidizing the polyamic acid according to any one of claims 1 to 5. 제7항에 기재한 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름. A polyimide film comprising the polyimide according to claim 7. 제8항에 기재한 폴리이미드 필름과 무기 기판을 포함하는 적층체. A laminate comprising the polyimide film according to claim 8 and an inorganic substrate. 제9항에 기재한 적층체의 폴리이미드 필름면에 전자 디바이스를 형성하는 공정과,
상기 무기 기판을 박리하는 공정을 포함하는, 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법.
A process of forming an electronic device on the polyimide film surface of the laminate according to claim 9,
A method of manufacturing a flexible electronic device, comprising the step of peeling off the inorganic substrate.
제8항에 기재한 폴리이미드 필름과 그 폴리이미드 필름에 형성된 전자 디바이스를 포함하는 플렉시블 전자 디바이스. A flexible electronic device comprising the polyimide film according to claim 8 and an electronic device formed on the polyimide film.
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