KR20240024287A - Cvd 반응기용 증발 공급원 - Google Patents

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KR20240024287A
KR20240024287A KR1020247003850A KR20247003850A KR20240024287A KR 20240024287 A KR20240024287 A KR 20240024287A KR 1020247003850 A KR1020247003850 A KR 1020247003850A KR 20247003850 A KR20247003850 A KR 20247003850A KR 20240024287 A KR20240024287 A KR 20240024287A
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피터 제발트 로퍼
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아익스트론 에스이
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Abstract

본 발명은 CVD 반응기(1, 1', 1")에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체로서, 증발 디바이스(2, 2', 2")로 유입되는 캐리어 가스 흐름을 제공하기 위한 입력 질량-흐름 제어기(10), (11)를 포함하고, 캐리어 가스 흐름은 증발 디바이스(2, 2', 2")의 용기(4)에 저장되는 출발 물질(3)의 증기를 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 통해 CVD 반응기(1, 1', 1")로 전달되고, 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")의 총 압력은 압력 제어기(8)에 의해 미리 정해진 값으로 보유될 수 있는 프로세스 가스 제공용 조립체에 관한 것이다. CVD 반응기로 공급되는 출발 물질(3)의 질량 흐름을 시간 경과에 따라 충분히 일정하게 유지하기 위해, 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")을 통해 흐르는 가스 스트림은 질량 유량 제어기에 의해 제어되고, 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9") 내의 출발 물질의 농도는 미리정의된 총 압력으로 측정된다.

Description

CVD 반응기용 증발 공급원
[0001] 본 발명은 CVD 반응기, 특히 MOCVD 반응기에서 사용하기 위한 프로세스 가스 제공용 조립체에 관한 것이다. 캐리어 가스, 예를 들어 수소 또는 질소는 유입구 질량 흐름 제어기 또는 복수의 유입구 질량 흐름 제어기들의 조립체와 함께 제공된다. 캐리어 가스는 선택적으로 CVD 반응기의 가스 유입구 요소로 개방되는 프로세스 가스 공급 라인에, 또는 증발 장치 형태의 공급원의 유입구에 직접 연결될 수 있다. 후자의 경우, 증발 장치의 유출구가 프로세스 가스 공급 라인에 연결되어 증발 장치의 용기에 저장된 액체 또는 고체 출발 물질의 증기가 캐리어 가스와 함께 프로세스 가스 공급 라인을 통해 CVD 반응기로 전달된다. 용기 내 출발 물질의 증기 압력은 용기를 가열하거나 냉각할 수 있는 온도 제어 장치에 의해 조정될 수 있다. 조립체가 MOCVD 반응기에서 사용되는 경우, 용기는 유기 금속 출발 물질을 포함한다. 추가 가스 공급원들이 제공되며, 이와 함께 다른, 특히 기체상 출발 물질들이 CVD 반응기의 가스 유입구 요소로 직접 공급되어, 2 개의 서로 다른 화학 원소들의 가스들, 예를 들어 주족 V 및 주족 III의 원소들이 CVD의 프로세스 챔버로 공급되어, 주족 III 및 주족 V의 원소들의 반도체 층이 프로세스 챔버에 배열된 기판 상에 증착되고, 기판이 프로세스 온도로 가열된다.
[0002] 또한, 용기에 저장된 가스, 예를 들어 프로판 등의 질량 흐름이 제공되고, 캐리어 가스와 함께 하나 이상의 CVD 반응기들로 이송되는 중앙 가스 공급 장치에 공급원들이 제공될 수도 있다. 캐리어 가스 내 반응성 가스의 농도는 다를 수 있다. 그러나 용기에 저장된 가스 대신에, 고체 또는 액체 출발 물질이 기화되고 그 증기가 위에서 설명한 방식으로 캐리어 가스에 의해 하나 이상의 CVD 반응기들로 전달되는 공급원이 사용될 수도 있다. 여기서도 가스 스트림 내 반응성 가스의 농도는 시간이 지남에 따라, 특히 용기들이 변경된 경우 달라질 수 있다.
[0003] EP 1 870 490 A2는 질량 흐름 제어기에 의해 조절되는 캐리어 가스가 증발기의 유입구로 공급되는 공급 라인을 갖는 증발 디바이스를 설명한다. 증발기의 유출구는 프로세스 가스 공급 라인으로 개방되고, 그 안으로 다른 캐리어 가스 공급 라인이 개방된다. 밸런스 가스가 이 캐리어 가스 공급 라인을 통해 흐르고, 이에 의해 증발기에서 나오는 프로세스 가스 흐름이 희석된다. 압력 조절기가 제공되고, 이에 의해 소스의 용기 내 및 프로세스 가스 공급 라인 내의 총 압력이 일정한 값으로 유지되도록 보상 가스의 질량 흐름이 조정된다.
[0004] 또한, 프로세스 가스 공급 라인에 측정 장치를 배열하고, 이에 의해 프로세스 가스 공급 라인에서 출발 물질의 증기의 농도 및/또는 분압을 측정하는 것이 종래 기술로부터 공지되어 있다. 이를 위해, 특히 사운드 신호, 특히 초음파 신호를 생성하고 프로세스 가스 내에서 사운드 전파 시간 또는 음속을 측정하는 측정 장치들이 사용된다. 음속은 캐리어 가스 내 출발 물질의 농도에 따라 달라지므로, 이러한 방식으로 얻은 측정값들로부터 농도 및/또는 분압을 결정할 수 있다. 그러나, 이 측정 조립체의 측정값은 또한 프로세스 가스 공급 라인 및/또는 측정 장치의 측정 챔버 내의 총 압력에 의존한다.
[0005] 또한, 미리 정해진 프로세스 가스의 흐름을 CVD 반응기의 가스 유입구 요소로 공급하는 것이 바람직하며, 특히 서로 다른 지점들에 배열된 가스 유입구 개구부들을 통해 다양한 미리 정해진 프로세스 가스의 흐름들을 CVD 반응기로 공급하는 것이 바람직하다. 또한, 프로세스 가스들이 시간이 지남에 따라 안정된 농도로 제공될 수 있는 중앙 가스 공급 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
[0006] 본 발명의 목적은 정밀하게 조정 가능한 출발 물질의 질량 흐름을 CVD 반응기에 공급하는 것이다.
[0007] 또한, 본 발명은 공급원의 용기 및 프로세스 가스 공급 라인 모두에서 총 압력이 일정한 값으로 유지되도록 하는 조치들을 규정하는 것을 목적으로 한다.
[0008] 본 발명은 또한 CVD 반응기 및 프로세스 가스 제공용 방법을 설명하는 목적에 기초한다.
[0009] 본 발명의 목적은 청구항들에 명시된 발명에 의해 달성된다. 종속 청구항들은 독립 청구항들의 유리한 추가 발전들일 뿐만 아니라 그 자체로 과제에 대한 해결책들이기도 하다.
[0010] 본 발명은 일차적으로 그리고 본질적으로, 공지된 CVD 반응기에서 사용하기 위한 프로세스 가스 제공용 조립체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조립체는 CVD 반응기를 위한 가스 공급 시스템의 일부일 수 있다. 조립체는 캐리어 가스 공급원에 연결되거나 연결될 수 있는 공급 라인을 갖는다. 그러나, 여러 개의 공급 라인들이 제공될 수도 있으며, 이들은 서로 다른 캐리어 가스 공급원들에 연결될 수 있다. 따라서, 서로 다른 캐리어 가스들이 사용될 수 있다. 조립체는 배출 라인을 가지며, 배출 라인은 특히 프로세스 가스 공급 라인으로서 CVD 반응기의 가스 유입구 요소에 연결될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 캐리어 가스, 반응성 가스 또는 캐리어 가스와 증기 또는 반응성 가스의 혼합물의 제1 질량 흐름을 제공하기 위한 제1 유입구 질량 흐름 제어기를 포함할 수 있다. 제1 유입구 질량 흐름 제어기의 유입구는 캐리어 가스 공급원에 연결될 수 있다. 제1 유입구 질량 흐름 제어기의 유출구는 증발 장치의 공급 라인에 연결될 수 있다. 이는 스위칭 디바이스에 의해 수행될 수 있다. 증발 장치는 증발 부피를 형성하는 용기를 갖는다. 증발될 출발 물질은 용기에 저장될 수 있다. 이는 액체 또는 고체 출발 물질일 수 있다. 공급 라인은 공급 라인을 통해 유입되는 캐리어 가스가 분말 또는 액체 출발 물질을 통과하여 출발 물질의 증기로 포화되도록 하는 방식으로 용기로 배출된다. 증발 부피에서 발생하는 증발 장치의 배출 라인은 프로세스 가스 공급 라인에 연결되어 CVD 반응기로 연결된다. 캐리어 가스와 반응성 가스, 예를 들어 기화된 출발 물질로 구성된 질량 흐름은 프로세스 가스 공급 라인으로, 그리고/또는 프로세스 가스 공급 라인을 통해 CVD 반응기로 흐른다. 다른 기체상 출발 물질이 CVD 반응기로 배출될 때 통과하는 추가 공급 라인들이 제공될 수 있다. 특히, 주족 III의 원소의 유기금속 출발 물질이 기화되고, 주족 V의 원소의 가스가 별도의 공급 라인을 통해 CVD 반응기로 공급되는 것이 제공된다.
[0011] 그러나, 유입구 질량 흐름 제어기의 유입구는 또한 반응성 가스의 공급원에 연결될 수 있다. 위에서 설명한 변형에서는 캐리어 가스만이 유입구 질량 흐름 제어기를 통해 흐르는 반면, 제2 변형에서는 반응성 가스, 또는 반응성 가스와 캐리어 가스의 혼합물, 또는 중앙 증발 장치에서 생성된 증기가 특히 캐리어 가스와 함께 유입구 질량 흐름 제어기를 통해 흐른다. 이 변형에서 가스 공급원들은 중앙 가스 공급 장치에 할당되고 복수의 CVD 반응기들에 하나 이상의 프로세스 가스들을 공급하는 중앙 가스 공급원들일 수 있다. 중앙 증발 장치는 전술한 특성들을 가질 수 있는데, 여기서 중앙 증발 장치는 증발될 출발 물질을 수용하기 위한 더 큰 용기를 가지며, 이 용기는 저장 용기로부터 연속적으로 재충전되는 것이 제공될 수 있다.
[0012] 프로세스 가스의 공급원은 기체상 출발 물질이 저장되는 용기이고, 여기서 기체상 출발 물질은 예를 들어, 수소화물일 수 있다. 그러나, 기체상 출발 물질은 임의의 다른 반응성 가스, 즉 특히 탄소 함유 가스, 실리콘 함유 가스 등일 수도 있다. 가스는 가장 순수한 형태로 용기에 저장될 수 있다. 그러나 가스는 가스 혼합물로서 다른 가스와 함께 용기에 저장될 수도 있다. 특히 후자의 경우, 용기 내의 반응성 가스의 농도는 개개의 배치(batch)에 따라 달라질 수 있다.
[0013] CVD 반응기에는 프로세스 온도로 가열될 수 있는 서셉터가 있고, 그 위에 코팅될 기판이 위치한다. 또한, 여러 개의 기판들이 CVD 반응기의 프로세스 챔버에서 동시에 코팅될 수도 있다. 이를 위해, 서로 다른 프로세스 가스들은 가스 유입구 요소를 통해 캐리어 가스와 함께 프로세스 챔버로 공급된다. 본 발명에 따르면, 압력 조절기의 유입구는 제1 유입구 질량 흐름 제어기가 연결된 제2 또는 동일한 캐리어 가스 공급원에 연결되는 것이 제안된다. 압력 조절기는 프로세스 가스 공급 라인의 총 압력을 일정한 값으로 유지하기 위해, 프로세스 가스 공급 라인으로 공급되는 밸런스 가스를 공급할 수 있다. 압력 조절기를 통해, 기화 장치의 용기 내의 총 압력도 동시에 일정한 값으로 유지될 수 있다. 본 발명의 추가 양태에 따르면, 압력 조절기의 유출구와 CVD 반응기 사이의 프로세스 가스 공급 라인 또는 압력 조절기의 하류에 적어도 하나의 추가 질량 흐름 제어기가 배열되는 것이 제안된다. 프로세스 가스 질량 흐름은 이 질량 흐름 제어기를 통해 흐르기 때문에, 아래에서는 이를 프로세스 가스 질량 흐름 제어기로 지칭한다. 본 발명의 추가 양태에 따르면, 출발 물질 증기의 농도 또는 분압을 측정하는 장치가 압력 조절기의 유출구와 CVD 반응기 사이의 프로세스 가스 공급 라인 또는 압력 조절기의 하류와 프로세스 가스 질량 흐름 제어기의 상류에 배열되는 것이 제안된다. 압력 조절기를 사용하면, 농도 및/또는 분압을 측정하기 위해 이 측정 장치의 측정 챔버에서 총 압력이 일정한 값으로 유지되고, 초음파 발생기에 의해 사운드 신호가 생성되며, 사운드 전파 시간이 측정 섹션에서 측정될 수 있으므로 측정된 값이 총 압력의 변화에 의해 왜곡되지 않는다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기는 측정 장치와 CVD 반응기 사이에 배열될 수 있다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기는 CVD 반응기로 유입되는 반응성 가스의 질량 흐름을 제어한다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기와 압력 조절기 및 농도 및/또는 분압 측정 장치의 조합은 프로세스 가스 질량 흐름 제어기 및/또는 유입구 가스 질량 흐름 제어기의 설정값을 보정할 수 있다는 장점도 있다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기에 의해 공급되는 질량 흐름 값은 프로세스 가스 공급 라인의 증기 농도 또는 분압에 따라 달라질 수 있다. 위에서 설명한 조치들을 통해, 출발 물질의 조정 가능한 질량 흐름의 부정확성들과 관련하여 MOCVD 반응기용 공급원 조립체의 성능을 개선할 수 있다. 위에서 설명한 양태들 중 하나 또는 위에서 설명한 본 발명의 여러 양태들의 추가 개발에 따르면, 압력 센서에 의해 일정한 총 압력으로 유지되는 프로세스 가스 흐름 또는 농도 또는 분압과 관련하여 측정 장치에 의해 결정된 질량 흐름을 여러 부분 질량 흐름들로 분할하는 것이 가능하다. 이를 위해, 프로세스 가스 공급 라인은 둘 이상의 가스 공급 라인들로 분할될 수 있으며, 가스 공급 라인들 각각에는 프로세스 가스 질량 흐름 제어기가 배열된다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들에 의해 조절된 프로세스 가스의 질량 흐름들은 서로 다른 지점들에서 CVD 반응기의 프로세스 챔버로 공급될 수 있다. 이를 위해, CVD 반응기는 다양한 지점들 배열된 복수의 가스 유입구 개구부들을 갖는 가스 유입구 요소를 가질 수 있다. 본 발명의 추가 개발에서, 단일 압력 조절기는 복수의 밸런스 가스들을 생성하는 데 사용될 수 있으며, 이는 서로 다른 반응기 조립체들의 프로세스 가스 공급 라인들로 공급될 수 있다. 이 구성에서 서로 다른 CVD 반응기들의 프로세스 가스 공급 라인들은 동일한 총 압력으로 유지된다. 이를 위해, 압력 조절기의 유출구는 다양한 가스 공급 라인들을 통해 다양한 프로세스 가스 공급 라인들에 연결되며, 여기서 가스 공급 라인들은 바람직하게는 각각 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들의 상류 및/또는 농도 또는 분압을 측정하기 위한 측정 장치의 상류에서 프로세스 가스 공급 라인으로 배출된다.
[0014] 프로세스 가스를 제공하기 위한 본 발명에 따른 조립체에서, 특히 압력 조절기로 캐리어 가스의 밸런스 가스 흐름을 공급함으로써 프로세스 가스 공급 라인의 총 압력이 미리 정해진 값으로 유지되거나 유지될 수 있으며, 여기서 프로세스 가스 공급 라인을 통해 CVD 반응기로 흐르는 가스 스트림은 압력 조절기의 하류 또는 압력 조절기에 의해 공급되는 밸런스 가스의 공급 지점에서 프로세스 가스 공급 라인에 배열된 질량 흐름 제어기로 조절되는 것이 제공될 수 있다.
[0015] 본 발명에 따른 장치 및 본 발명에 따른 방법을 사용하면, 중앙 가스 공급원에 의해 생성되거나 각각의 CVD 반응기에 개별적으로 할당된 가스 공급원에 의해 생성되는 프로세스 가스 질량 흐름이 일정한 압력으로 유지될 수 있다. 또한, 공급원에 의해 공급되는 질량 흐름에 관계없이 캐리어 가스 흐름 내의 반응성 가스의 농도를 일정한 값으로 유지하는 것이 가능하다. 또한, 단 하나의 압력 조절기를 사용하여 단일 또는 다수의 CVD 반응기들과 연관된 복수의 증발 용기들 내의 압력을 공통 압력으로 유지하는 것이 가능하다.
[0016] 본 발명의 변형은 그러한 가스 공급 장치 또는 그러한 종류의 CVD 반응기에 관한 것으로, 기화 액체, 기화 고체 또는 가스 실린더로부터 공급되는 출발 물질일 수 있는 기체상 출발 물질의 공급원이 시간에 따라 가변적인 캐리어 가스 내의 출발 물질의 농도를 제공한다. 또한, 이러한 종류의 공급원으로 출발 물질의 분압이 시간적으로 일정한 프로세스 가스의 시간적으로 일정한 질량 흐름을 제공하기 위해, 기체상 출발 물질은 압력 조절기의 가스 공급 라인이 개방되는 프로세스 가스 공급 라인으로 유입구 질량 흐름 제어기를 통해 공급되고, 프로세스 가스 공급 라인의 총 압력은 밸런스 가스를 공급하여 일정한 값으로 유지되는 것이 제안된다. 분압의 농도를 측정하는 측정 장치의 압력도 압력 조절기에서 일정하게 유지된다. 측정 장치는 제어 장치에 공급되는 측정값을 전달한다. 이 제어 장치는 프로세스 가스 질량 흐름 제어기가 일정하게 유지되는 혼합물과 함께 가스 혼합물을 수용하도록 유입구 질량 흐름 제어기가 작동하는 설정값을 제공할 수 있다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기는 측정 장치의 하류에 제공될 수 있다.
[0017] 따라서, 기체상 출발 물질 또는 기체상 출발 물질과 캐리어 가스의 혼합물의 가스 흐름에서, 유입구 질량 흐름 제어기에 의해 조절되고, 출발 물질의 분압이 시간에 따라 변동될 수 있는, 압력 조절기에 의해 조절되는 캐리어 가스의 희석 가스 흐름이 유입구 질량 흐름 제어기의 하류에 공급되도록 제공될 수 있으며, 이 두 가스 스트림들은 출발 물질의 분압 또는 농도를 측정하기 위한 측정 장치로 공급되며, 여기서 측정 장치의 측정 셀 내의 총 압력은 압력 조절기로 일정하게 유지되고, 밸런스 가스 스트림도 측정 셀에 공급되며, 출발 물질의 질량 흐름은 측정 셀 내에서 출발 물질의 농도 또는 분압이 좁은 한계들 내에서만 변화하는 방식으로 제어 디바이스로 변화된다. 출발 물질의 질량 흐름과 희석 가스 스트림의 질량 흐름의 합은 측정 지점의 하류에 제공되는 프로세스 가스 질량 흐름 제어기에 의해 일정하게 유지되며, 이는 압력 조절기를 통해 희석 가스 흐름의 변화를 일으킨다.
[0018] 본 발명을 이하에서 예시적인 실시예를 참조하여 보다 상세히 설명한다. 도면에서:
도 1은 기화된 유기 금속 출발 물질을 제공하기 위한 공급원 조립체의 개략도를 도시하고,
도 2는 도 1의 개략도이지만, 압력 조절기(8)가 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12")을 통해 총 3 개의 반응기 조립체들의 다양한 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")에 연결되는 제2 예시적 실시예의 개략도를 도시하고, 그리고
도 3은 도 1의 개략도로서, 프로세스 가스 공급 라인(9)이 2 개의 프로세스 가스 공급 라인들(9', 9")로 분할되고, 프로세스 가스 각각이 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')에 의해 2 개의 프로세스 가스 공급 라인들(9', 9")을 통해 CVD 반응기(1)의 가스 유입구 요소의 서로 다른 가스 유입 개구부들(15, 15')로 흐르게 되는 개략도를 도시하고,
도 4는 본 발명의 추가의 예시적인 실시예를 도시하는데, 여기서 반응성 가스는 개개의 배치에 의존하는 반응성 가스의 농도를 포함하는 가스 용기로부터 채취되고,
도 5는 증발 공급원을 갖는 중앙 가스 공급원이 다수의 CVD 반응기들에 공급하는 추가의 예시적인 실시예를 도시하고,
도 6은 CVD 반응기가 복수의 가스 공급원들로부터 공급되고, 복수의 가스 공급원들 각각에 대해 증발 용기에서 동일한 총 압력이 유지되는 본 발명의 다른 예시적인 실시예를 도시한다. 실시예에 대한 설명,
도 7은 중앙 기화 공급원(19)으로부터의 반응성 가스의 증기가 사용되는 추가의 예시적인 실시예를 도시하고,
도 8은 2 개의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')이 서로 병렬로 연결되는 추가의 예시적인 실시예를 도시하고, 그리고
도 9는 2 개의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')이 서로 병렬로 연결되는 추가의 예시적인 실시예를 도시한다.
[0019] 도 1 내지 도 3 및 도 5 및 도 6에 도시된 공급원 조립체들은 각각 고체 또는 액체 출발 물질(3)의 증기를 제공하기 위한 적어도 하나의 공급원을 가지며, 고체 또는 액체 출발 물질(3)은 증발 장치(2, 2', 2")의 용기(4) 내에 포함된다. 증발 장치(2, 2', 2")는 캐리어 가스가 용기(4) 내로 유입될 때 통과할 수 있는 공급 라인을 갖는다. 캐리어 가스, 예를 들어 수소, 질소 또는 불활성 가스는 출발 물질의 증기로 포화되어 배출 라인을 통해 용기(4)를 빠져나간다.
[0020] 용기(4)의 공급 라인 및 배출 라인은 스위칭 디바이스(5)에 연결되며, 스위칭 디바이스(5)는 하나 이상의 유입구 질량 흐름 제어기들(10, 11)(이하, 본 명세서에서 캐리어 가스 질량 흐름 제어기들로 지칭)의 조립체로부터 공급되는 캐리어 가스 흐름이 용기(4)를 통과하거나 용기(4)를 지나도록 전환될 수 있는 다수의 밸브들을 구비하고 있다.
[0021] 캐리어 가스 질량 흐름을 제공하기 위한 조립체는 서로 다른 흐름 범위들을 갖는 2 개의 질량 흐름 제어기들(10, 11)의 예시적인 실시예에서 구성된다. 예를 들어, 질량 흐름 제어기(11)는 질량 흐름 제어기(10)보다 더 큰 흐름 범위를 가질 수 있다. 캐리어 가스 공급 라인(6)은 양쪽 질량 흐름 제어기들(10, 11)에 연결되고, 차단 밸브는 질량 흐름 제어기(11)에 대한 공급 라인에 배열된다.
[0022] 공급원 조립체는 하나 이상의 기판들(17)이 프로세스 챔버(18)의 저부를 형성하는 가열된 서셉터(16) 상에 지지되는 CVD 반응기(1, 1', 1")를 위한 유기 금속 출발 물질을 제공하는 데 사용된다.
[0023] 예시적인 실시예들은 각각 적어도 하나의 CVD 반응기(1, 1', 1")를 갖는다. 도 1에 예시된 예시적인 실시예에서, 증발 장치(2)로부터 캐리어 가스에 의해 이송되는 출발 물질의 증기가 공급되는 프로세스 가스 공급 라인(9)은 CVD 반응기(1)의 가스 유입구 개구부(15)로 개방된다.
[0024] 도 2에 도시된 예시적인 실시예에서, 각각에 증발 장치(2, 2', 2")로부터 캐리어 가스에 의해 이송되는 출발 물질의 증기가 공급되는 3 개의 서로 다른 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")이 각각 CVD 반응기(1, 1', 1")의 가스 유입구 개구부(15) 내로 개방되어 있다. 여기서, 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12")로 분할된 배출 라인을 갖는 단일 압력 조절기(8)는 서로 다른 CVD 반응기들(1, 1', 1")의 복수의 공급원 조립체들에 연결된다.
[0025] 도 3에 예시된 예시적인 실시예에서, 증발 장치(2)로부터 캐리어 가스에 의해 이송되는 출발 물질의 증기가 공급되는 프로세스 가스 공급 라인(9)은 2 개의 프로세스 가스 공급 라인들(9', 9")로 분할된다. 이러한 프로세스 가스 공급 라인들(9', 9") 각각에는 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13')가 있다. 2 개의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')에 의해 조절된 질량 흐름은 동일한 CVD 반응기(1)의 서로 다른 2 개의 가스 유입구 개구부들(15, 15')로 흐른다. 개별적으로 조절되는 2 개의 프로세스 가스 흐름들이 생성되고, 이러한 흐름들은 서로 다른 지점들에서 CVD 반응기의 프로세스 챔버(18)로 공급된다.
[0026] 예시적인 실시예들은 압력 조절기(8)를 도시한다. 압력 조절기(8)는 캐리어 가스 공급 라인(7)에 연결된다. 캐리어 가스 공급 라인(7)은 캐리어 가스 공급 라인(6)이 연결되는 동일한 캐리어 가스 공급원에 연결될 수 있다. 그러나, 캐리어 가스 공급 라인(7)을 다른 캐리어 가스 공급원에 연결할 수도 있다. 압력 조절기(8)로 공급되는 캐리어 가스 흐름은 압력 조절기(8)를 통해 흐르며, 압력 조절기(8)는 압력 조절기(8)의 유출구에 연결된 가스 공급 라인(12, 12', 12")의 압력이 일정한 값으로 유지되도록 설정된다. 이를 위해 압력 조절기(8)에는 제어 루프가 있다. 또한, 압력 조절기(8)는 증발 장치들(2, 2', 2")의 용기들(4)의 총 압력을 일정한 값으로 유지한다. 가스 공급 라인들(12, 12', 12")은 용기(4)의 하류에 있는 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")로 개방된다.
[0027] 또한, 예시적인 실시예들은 캐리어 가스 내의 출발 물질의 농도 또는 분압을 결정할 수 있는 선택적인 측정 장치들(14, 14', 14")을 도시한다. 특히, 에피슨이라는 이름으로 알려진 장치가 측정 장치로서 사용될 수 있다. 이 측정 장치를 사용하면, 비행 시간 측정에 의해 측정값이 얻어지며, 이는 한편으로는 출발 물질의 농도 및/또는 분압에 의존하지만 다른 한편으로는 측정 장치의 측정 챔버 내 총 압력에 의존한다. 압력 조절기(8)에 의해 생성된 밸런스 가스 흐름은 측정 장치들(14, 14', 14")의 상류에 있는 각각의 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 공급된다. 이러한 방식으로, 측정 장치(14, 14', 14")의 측정 챔버 내의 총 압력은 일정한 값으로 유지된다.
[0028] 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9") 각각에는 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")가 있고, 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 통해 개개의 CVD 반응기(1, 1', 1")로 공급되는 프로세스 가스의 질량 흐름이 조절될 수 있다. 이러한 구성의 결과로, 개개의 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")는 캐리어 가스와 출발 물질의 증기로 구성된 혼합물의 질량 흐름을 조절하며, 여기서 출발 물질의 분압은 알려져 있다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기의 설정값의 임의의 필요한 조정은 측정 장치(14, 14', 14")에 의해 측정된 값을 사용하여 수행될 수 있다.
[0029] 도 4에 예시된 예시적인 실시예에서, 캐리어 가스에 의해 전달되는 반응성 가스를 제공하기 위한 공급원(19)은 순수한 반응성 가스, 예를 들어 주족 V 또는 주족 IV의 원소의 수화물이 저장되는 용기(20), 예를 들어, 가스 보틀(gas bottle)을 갖는다. 그러나, 서로 다른 가스, 예를 들어 프로판도 가스 실린더에 저장될 수 있다. 특히, 희석된 반응성 가스가 이미 용기(20)에 저장되어 있는 경우, 예를 들어 반응성 가스와 캐리어 가스, 예를 들어 수소 또는 질소의 혼합물이 저장되어 있는 경우 제공될 수 있다. 본 경우에서는 유입구 질량 흐름 제어기인 질량 흐름 제어기(10)를 통해, 반응성 가스 또는 가스 혼합물의 미리 정해진 질량 흐름이 제공된다. 유입구 질량 흐름 제어기(10)와 평행하게, 더 넓은 범위의 값들을 갖는 질량 흐름 제어기(11)가 있고, 질량 흐름 제어기는 선택적으로 전환될 수 있다.
[0030] 측정 장치(14) 내의 총 압력이 일정한 값으로 유지되는 방식으로, 밸런스 가스 흐름이 압력 조절기(8)를 통해 이미 가스 흐름에 공급된다. 프로세스 가스 공급 라인(9) 내의 프로세스 가스의 농도는 측정 장치(14)에서 결정될 수 있다. 프로세스 가스 공급 라인(9)을 통과하는 프로세스 가스 흐름 내의 반응성 가스의 농도는 유입구 질량 흐름 제어기(19)를 통해 제어 디바이스(21)에 의해 일정한 값으로 유지될 수 있다.
[0031] 용기(20)는 중앙 가스 공급 장치에 의해 형성될 수 있다.
[0032] 도 4에서 참조 번호 20으로 표시된 공급원은 또한 도 1 내지 도 3에 설명된 바와 같은 공급원 조립체에 의해, 즉 증발될 고체 또는 액체 출발 물질(3)이 위치하는 용기(4)를 갖는 증발 장치(2)에 의해 형성될 수 있다. 이러한 장치는 도 7에 도시되어 있다. 캐리어 가스는 적어도 하나의 캐리어 가스 질량 흐름 제어기(10, 11)를 통해 전술한 방식으로 용기(4)로 공급되어, 출발 물질의 증기와 캐리어 가스의 혼합물이 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)를 통해 흐르고, 캐리어 가스 내의 출발 물질의 증기 농도는 달라질 수 있다. 용기(4)는 복수의 지역 가스 공급 시설(26)에 공급되는 캐리어 가스에 의해 이송되는 영구 증기 스트림을 전달하는 중앙 증발 공급원(19)의 일부이다. 용기(4)의 내용물은 다른 용기(27)로부터 연속적으로 재충전될 수 있다.
[0033] 도 7은 이러한 종류의 2 개의 지역 가스 공급 시설들(26)을 도시하는데, 각각은 CVD 반응기(1)에 가스를 공급하기 위한 것이다. 본 경우에는 캐리어 가스 및 증기의 혼합물인 반응성 출발 물질이 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)로 공급될 때 사용되는 스위칭 밸브들(24)이 제공된다. 스위칭 밸브(24)를 통해, 캐리어 가스 또는 반응성 가스는 원하는 대로 유입구 질량 흐름 제어기(10)로 공급될 수 있다. 캐리어 가스는 지역 가스 공급 시설(26)의 파이프라인들을 플러시하기 위해 공급된다. 각각의 가스 공급 시설(26)은 측정 장치(14)의 측정 셀에서 출발 물질의 농도가 일정한 값으로 유지되도록 반응성 가스의 질량 흐름을 조정할 수 있는 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)를 갖는다.
[0034] 도 5는 도 3에 도시된 실시예의 변형으로서 추가의 예시적인 실시예를 도시한다. 여기서, 프로세스 가스의 질량 흐름은 여러 개의 하위 흐름들로 분할되고, 각각의 흐름은 서로 다른 CVD 반응기들(1, 1', 1")로 라우팅되며, 개별 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")는 각각의 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에 할당되어 CVD 반응기(1, 1', 1")로 이어지게 된다.
[0035] 도 6에 예시된 예시적인 실시예는 유기 금속 화합물과 같은 고체 또는 액체 출발 물질의 여러 서로 다른 공급원들에 연결되는 CVD 반응기를 도시한다. 측정 장치(14, 14', 14")는 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 출발 물질의 개개의 농도를 측정하기 위해 각각의 공급원에 할당된다. 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9") 각각을 통해 흐르는 프로세스 가스의 가스 흐름은 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")로 조절할 수 있다. 프로세스 가스 질량 흐름들은 CVD 반응기의 가스 유입구 요소로 흐르고, 프로세스 가스들은 가스 유입구 요소의 다양한 가스 유입구 개구부들로부터 배출될 수 있다.
[0036] 도 8은 위에서 설명한 몇 가지 예시적인 실시예들의 추가의 변형을 도시한다. 반응성 가스 또는 반응성 가스와 캐리어 가스의 혼합물 또는 증기와 캐리어 가스의 혼합물은 전술한 방식으로 프로세스 가스 공급 라인(9)으로 공급되며, 여기서 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)가 제공될 수 있고, 질량 흐름 제어기(10, 11)의 설정값을 지정하여 유입구 질량 흐름 제어기가 작동될 수 있다. 제1 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13)가 제공되며, 이는 CVD 반응기(1)로 연속적으로 공급되는 프로세스 가스의 질량 흐름을 제공한다. 제2 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13')에 의해 제공되는 프로세스 가스는 선택적으로 스위칭 밸브(22)로 CVD 반응기(1) 또는 배출 가스 라인(23)으로 공급될 수도 있다. 이러한 종류의 장치를 사용하면, 질량 흐름 제어기(13, 13')를 통해 흐르는 프로세스 가스의 총 질량 흐름이 일정하게 유지되기 때문에, CVD 반응기(1)로 공급되는 질량 흐름이 매우 짧은 시간 내에 변경될 수 있다. 그 결과, 제어 디바이스(21)의 효과는 방해받지 않는다.
[0037] 유사한 장치가 도 9에 도시되어 있다. 그러나, 여기서 제2 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13')는 배출 가스 라인(23)에 직접 연결되어 있어서, 질량 흐름 제어기(13')를 통해 흐르는 질량 흐름은 CVD 반응기(1)에 도달하지 않고, 제1 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13)를 통과하는 질량 흐름만 도달하게 된다. 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13)를 통과하는 프로세스 가스의 질량 흐름은 개방 루프 제어 디바이스(25)에 의해 변화될 수 있다. 동시에, 배출 가스 라인(23)으로의 프로세스 가스 질량 흐름도 제2 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13')에 의해 변경된다. 2 개의 프로세스 가스 질량 흐름들은 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')을 통해 흐르는 프로세스 가스 질량 흐름들의 합이 일정하게 유지되는 방식으로 변경된다. 이러한 방식으로, 층들은 층 두께에 따라 층 특성들이 변화하는 CVD 반응기(1) 내의 기판 상에 증착될 수 있다. 도 8 및 도 9에 예시된 예시적인 실시예들에서 프로세스 가스의 전체 흐름이 일정하게 유지되기 때문에, 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)는 방해받지 않는다.
[0038] 상술한 요소들이 캐리어 가스의 흐름 방향으로 다음과 같은 순서로 배열되는 것이 유리한 것으로 간주된다: 증발 장치(2, 2', 2")는 압력 조절기(8)의 가스 공급 라인(12, 12', 12")의 공급 지점의 상류에 배열된다. 측정 장치(14)는 압력 조절기(8) 및/또는 압력 조절기(8)의 가스 공급 라인(12, 12', 12")의 공급 지점의 하류에 배열된다. 적어도 하나의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")는 측정 장치(14)의 하류에 배열된다.
[0039] 또한, 버블러로서 구현된 증발 장치(2, 2', 2")를 각각 구비하는 다수의 공급원 조립체들이 병렬로 연결되고, 공통 압력 조절기(8)가 버블러의 용기(4) 내의 압력을 일정하게 유지하는 데 사용되는 것이 유리한 것으로 간주된다. 프로세스 가스들을 서로 다른 프로세스 챔버들(18)로 공급하기 위해, 다양한 가스 시스템들이 제공될 수 있다.
[0040] 전술한 내용들은 본 출원에 포함된 발명들을 전체적으로 설명하기 위한 것으로서, 각각은 적어도 다음의 특징 조합들을 통해 독립적으로 종래 기술을 발전시키며, 상기 특징 조합들의 2 개, 다수 또는 전부가 결합될 수도 있다. 즉,
[0041] 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로부터 CVD 반응기로 흐르는 가스 스트림이 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0042] 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 통해 전달된 반응성 가스가 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)를 통해 흐르고, 가스 공급원은 반응성 가스를 저장하는 용기이거나, 캐리어 가스로 전달된 증기를 제공하는 증기 공급원(19)인 것을 특징으로 하는 조립체, 또는 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)에 의해 제공되는 캐리어 가스 흐름이 증발 장치(2, 2', 2")의 증발 용기(2)를 통해 흐르고, 증발 장치(2, 2', 2")에서 생성된 증기는 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 캐리어 가스에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0043] 측정 장치(14, 14', 14")가 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 기화된 또는 기체상 출발 물질(3)의 농도 또는 분압을 측정하기 위한 압력 조절기(8)의 하류에 제공되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0044] 각각이 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에 연결되는 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12")을 갖는 압력 조절기(8)의 유출구, 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9") 각각은 서로 다른 CVD 반응기(1, 1', 1")에 할당되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0045] 프로세스 가스 공급 라인(9)을 통해 흐르고 압력 조절기(8)에 의해 미리 정해진 총 압력으로 유지되는 프로세스 가스 흐름이 여러 부분 흐름들로 분할되고, 그리고/또는 2 개의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')이 병렬로 연결되고, 그리고/또는 프로세스 가스 흐름이 각각 질량 흐름에 따라 제어되는 2 개의 서로 다른 가스 유입구 개구부들(15, 15')을 통해 CVD 반응기(1)의 프로세스 챔버(18) 내로 공급되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0046] 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)가 복수의 유입구 질량 흐름 제어기들(10, 11)을 갖는 유입구 질량 흐름 제어기 장치의 일부이고, 그리고/또는 캐리어 가스 흐름이 선택적으로 증발 장치(2, 2', 2")의 용기(4)로 공급되거나 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 직접 공급될 수 있는 스위칭 디바이스(5)가 제공되고, 그리고/또는 증발 장치(2, 2', 2")의 용기(4)가 가열 또는 냉각될 수 있는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0047] 측정 장치들(14, 14', 14")의 출력은 병렬로 연결된 복수의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')에 연결되고, 복수의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13') 각각은 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")을 통해 CVD 반응기(1, 1', 1")에 연결되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0048] 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12")을 갖는 압력 조절기(8)의 출력이 각각에 의해 서로 다른 가스 공급원(19; 2-5)에 연결되고, 다양한 반응성 가스들이 제공되며, 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")을 통해 하나 이상의 CVD 반응기들(1, 1', 1")에 연결되는 것을 특징으로 하는 조립체;
[0049] 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 출발 물질의 농도 또는 분압을 일정한 값으로 유지하기 위해, 유입구 질량 흐름 제어기(11)에 대한 설정값을 지정하는 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)를 특징으로 하는 조립체;
[0050] CVD 반응기(1, 1', 1")로 공급되는 프로세스 가스를 제공하기 위한 배열을 특징으로 하는 CVD 반응기 조립체;
[0051] 캐리어 가스로 전달되는 반응성 가스의 질량 흐름이 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11) 및 가스 공급원(19; 2-5)과 함께 제공되고, 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 통해 하나 이상의 CVD 반응기들(1, 1', 1")로 전달되는 것을 특징으로 하는 CVD 반응기에 사용하기 위한 프로세스 가스 제공 방법;
[0052] 출발 물질의 농도 또는 분압이 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9") 내의 측정 장치(14, 14', 14")로 측정되고, 특히 프로세스 가스 질량 흐름 제어기의 설정값이 이러한 방식으로 얻어진 측정값으로 보정되고, 그리고/또는 질량 흐름 제어기(11)를 통해 측정 장치(14, 14', 14")의 상류에 있는 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 희석 가스를 공급함으로써 농도 또는 분압이 이러한 방식으로 얻어진 측정 값으로 일정한 값으로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법;
[0053] 압력 조절기(8)의 유출구로부터 흐르는 캐리어 가스의 질량 흐름이 복수의 질량 흐름들로 분할되고, 복수의 질량 흐름들 각각은 서로 다른 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")로, 그리고 증발 장치(2, 2', 2")로부터 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")을 통해 CVD 반응기(1, 1', 1")로 배출되는 것을 특징으로 하는 방법;
[0054] 공급원(19; 2-5)에 의해 제공되는 프로세스 가스 질량 흐름이 각각 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13')에 의해 제어되고, 다양한 가스 유입구 개구부들(15, 15')을 통해 CVD 반응기(1, 1', 1")의 프로세스 챔버(18) 내로 또는 서로 다른 CVD 반응기들(1, 1', 1")로 흐르는 것을 특징으로 하는 방법.
[0055] 개시된 모든 특징들은 (단독으로, 또한 서로 조합하여) 본 발명에 필수적이다. 또한, 본 출원의 개시에는 본 출원의 청구항들에 하기 문헌의 특징들을 포함시키기 위한 목적으로, 연관된/첨부된 우선권 문헌들(이전 출원의 사본)의 개시 내용 전체가 포함된다. 참조 청구항의 특징들이 없더라도, 종속 청구항들의 특징들은 특히 상기 청구항들에 기초하여 분할 출원들을 하기 위한 목적으로 종래 기술의 독립적인 발명적 발전들을 특징 짓는다. 각각의 청구항에 명시된 본 발명은 앞의 설명에 정의된 특징들, 특히 참조 번호들이 제공되거나, 그리고/또는 참조 번호들의 목록에 표시된 특징들 중 하나 이상을 추가로 가질 수 있다. 본 발명은 특히 개개의 의도된 용도에 명백히 불필요하거나 기술적으로 동등한 다른 수단들로 대체될 수 있는 경우, 앞의 설명에 명기된 개별 특징들이 구현되지 않은 설계 형태들에 관한 것이다.
1 CVD 반응기
1' CVD 반응기
1" CVD 반응기
2 증발 장치
2' 증발 장치
2" 증발 장치
3 출발 물질
4 용기
5 스위칭 디바이스
6 캐리어 가스 공급 라인
7 캐리어 가스 공급 라인
8 압력 조절기
9 프로세스 가스 공급 라인
9' 프로세스 가스 공급 라인
9" 프로세스 가스 공급 라인
10 입력 질량 흐름 제어기
11 입력 질량 흐름 제어기
12 가스 공급 라인
12' 가스 공급 라인
12" 가스 공급 라인
13 프로세스 가스 질량 흐름 제어기
13' 프로세스 가스 질량 흐름 제어기
13" 프로세스 가스 질량 흐름 제어기
14 측정 장치
14' 측정 장치
14" 측정 장치
15 가스 유입구 개구부
15' 가스 유입구 개구부
16 서셉터
17 기판
18 프로세스 챔버
19 중앙 증발 공급원
20 용기
21 폐쇄 루프 제어 디바이스
22 밸브
23 배출 가스 라인
24 밸브
25 개방 루프 제어 디바이스
26 지역 가스 공급 시설들
27 용기

Claims (13)

  1. CVD 반응기(1, 1', 1")에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체로서,
    프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 통해 상기 CVD 반응기(1, 1', 1")로 전달되는 캐리어 가스로 이송되는 기체상 출발 물질의 질량 흐름을 제공하기 위한 입력 질량 흐름 제어기(10, 11)를 갖고 총 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치 및 상기 캐리어 가스 내 출발 물질의 농도 또는 분압을 측정하기 위한 측정 장치(14, 14', 14")가 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에 배열되는 가스 공급원(2-5, 19, 20)을 구비하고, 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 상기 출발 물질의 농도 또는 분압이 일정한 값을 유지하게 되는 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)를 구비하고, 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 밸런스 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급 라인(7)을 구비하며,
    상기 압력 측정 장치는 상기 밸런스 가스를 전달하는 압력 조절기(8)를 포함하고, 상기 측정 장치(14, 14', 14")의 하류에 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")가 배열되고, 상기 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)는 상기 압력 조절기(8)로 총 압력을 일정한 값으로 유지하면서 상기 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")로 상기 CVD 반응기로 유입되는 출발 물질의 질량 흐름을 조절하도록 설계되는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 통해 전달되는 반응성 가스는 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)를 통해 흐르고, 상기 가스 공급원은 상기 반응성 가스를 저장하는 용기이거나, 상기 캐리어 가스에서 전달되는 증기를 제공하는 증기 공급원(19)이며, 또는 상기 유입구 질량 흐름 제어기(10, 11)에 의해 제공되는 캐리어 가스 흐름이 증발 장치(2, 2', 2")의 증발 용기(2)를 통해 흐르고, 상기 증발 장치(2, 2', 2")에서 생성된 증기가 상기 캐리어 가스에 의해 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 전달되는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 압력 조절기(8)의 출력은 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12")을 통해 연결되고, 상기 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12") 각각은 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")을 구비하며, 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9") 각각은 서로 다른 CVD 반응기(1, 1', 1")에 할당되는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 가스 공급 라인(9)을 통해 흐르고 상기 압력 조절기(8)에 의해 미리 정해진 총 압력으로 유지되는 프로세스 가스 흐름이 복수의 하위 흐름들로 분할되는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    2 개의 프로세스 가스 질량 흐름 제어기들(13, 13')이 병렬로 연결되고, 그리고/또는 상기 프로세스 가스 흐름이 각각 질량 흐름에 따라 제어되는 2 개의 서로 다른 가스 유입구 개구부들(15, 15')을 통해 상기 CVD 반응기(1)의 프로세스 챔버(18)로 공급되는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력 조절기(8)의 출력이 복수의 가스 공급 라인들(12, 12', 12") 각각에 의해 다양한 반응성 가스들이 제공되는 서로 다른 가스 공급원(19; 2-5)에 연결되고, 상기 서로 다른 가스 공급원(19; 2-5)은 프로세스 가스 공급 라인들(9, 9', 9")을 통해 하나 이상의 CVD 반응기들(1, 1', 1")에 연결되는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐쇄 루프 제어 디바이스(21)는 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 상기 출발 물질의 농도 또는 분압을 일정한 값으로 유지하기 위해, 상기 유입구 질량 흐름 제어기(11)에 대한 설정값을 지정하는,
    CVD 반응기에서의 사용을 위한 프로세스 가스 제공용 조립체.
  8. CVD 반응기 조립체로서,
    적어도 하나의 캐리어 가스 공급원 및 하나의 CVD 반응기(1, 1', 1")를 구비하고,
    제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 따라 상기 CVD 반응기(1, 1', 1")로 공급되는 프로세스 가스를 제공하기 위한 조립체를 포함하는,
    CVD 반응기 조립체.
  9. 특히 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 따른, 조립체에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법으로서,
    압력 측정 장치 및 측정 장치(14, 14', 14")를 사용하여 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 출발 물질의 농도 또는 분압 및 총 압력이 측정되고, 상기 CVD 반응기(1, 1', 1")로 유입되는 상기 출발 물질의 질량 흐름이 일정한 값으로 유지되고, 밸런스 가스가 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 공급되며, 상기 밸런스 가스의 공급으로 인해 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")의 총 압력이 일정한 값으로 유지되고, 상기 CVD 반응기(1, 1', 1")로 유입되는 출발 물질의 질량 흐름이 상기 측정 장치(14, 14', 14")의 하류에 배열된 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13', 13")를 통해 일정한 값으로 유지되는,
    조립체에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 출발 물질의 농도 또는 분압이 측정 장치(14, 14', 14")를 통해 상기 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")에서 측정되고, 특히 이러한 방식으로 얻어진 측정 값으로 상기 프로세스 가스 질량 흐름 제어기의 설정값이 보정되고, 그리고/또는 이러한 방식으로 얻어진 측정 값으로 상기 농도 또는 상기 분압이 일정한 값으로 유지되는,
    조립체에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  11. 제9 항 또는 제10 항에 있어서,
    상기 압력 조절기(8)의 유출구에서 흘러나오는 캐리어 가스의 질량 흐름이 복수의 질량 흐름들로 분할되고, 상기 복수의 질량 흐름들 각각은 서로 다른 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9")으로 배출되고, 프로세스 가스 질량 흐름이 증발 장치(2, 2', 2")로부터 상기 서로 다른 프로세스 가스 공급 라인(9, 9', 9") 각각을 통해 CVD 반응기(1, 1', 1")로 흐르는,
    조립체에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  12. 제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급원(19; 2-5)에 의해 제공되는 프로세스 가스 질량 흐름이 복수의 부분 흐름들로 분할되고, 상기 복수의 부분 흐름들 각각은 프로세스 가스 질량 흐름 제어기(13, 13')에 의해 제어되거나, 다양한 가스 유입구 개구부들(15, 15')을 통해 조절된 방식으로 상기 CVD 반응기(1, 1', 1")의 프로세스 챔버(18)로 흐르거나, 다양한 CVD 반응기(1, 1', 1")로 흐르는,
    조립체에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  13. 제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항의 특징들 중 하나 이상을 포함하는 조립체 또는 방법.
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