KR20240023996A - 유전체 에칭에서 프로파일 트위스팅 제어 - Google Patents
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Abstract
기판 프로세싱 장치는 플라즈마를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위해 상부 전극 및 하부 전극을 갖는 진공 챔버 및 프로세싱 존을 포함한다. 상부 전극은 기판이 챔버 내에 포지셔닝될 때 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 포함한다. 장치는 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 구성된 적어도 하나의 자기장 소스, 및 적어도 하나의 자기장 소스 및 상부 전극에 커플링된 제어기를 포함한다. 제어기는 프로세스 가스를 사용하여 플라즈마를 생성하기 위해 상부 전극과 하부 전극 사이에 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력을 인가하도록 구성된다. 제어기는 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하고, 여기서 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다.
Description
본 명세서에 개시된 주제는 일반적으로 플라즈마-기반 기판 제작 (예를 들어, 용량 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 또는 유도 커플링 플라즈마 (inductively coupled plasma; ICP) 기판 제작) 동안 유전체 에칭 프로세스들, 예컨대 고 종횡비 (high aspect ratio; HAR) 유전체 에칭 프로세스들에서 프로파일 트위스팅 제어를 위한 방법들, 시스템들 및 머신-판독 가능 저장 매체들에 관한 것이다.
반도체 기판 프로세싱 시스템들은 에칭, 물리적 기상 증착 (physical vapor deposition; PVD), 화학적 기상 증착 (chemical vapor deposition; CVD), 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착 (plasma-enhanced CVD; PECVD), 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD), 플라즈마 강화된 원자 층 증착 (plasma-enhanced ALD; PEALD), 펄싱된 증착 층 (pulsed deposition layer; PDL), 플라즈마 강화된 펄싱된 증착 층 (plasma-enhanced PDL; PEPDL) 및 레지스트 (resist) 제거를 포함하는 기법들에 의해 반도체 기판들을 프로세싱하기 위해 사용된다. 반도체 기판 프로세싱 장치의 일 타입은 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 진공 챔버를 포함하는 용량 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 를 사용하는 플라즈마 프로세싱 장치이고, 여기서 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력은 반응 챔버에서 반도체 기판들을 프로세싱하기 위해 플라즈마로 프로세스 가스를 여기하도록 (excite) 전극들 사이에 인가된다. 또 다른 타입의 반도체 기판 프로세싱 장치는 유도 커플링 플라즈마 (inductively coupled plasma; ICP) 프로세싱 장치이다.
기판들을 제작하기 위한 CCP-기반 진공 챔버 또는 ICP-기반 진공 챔버와 같은 반도체 기판 프로세싱 시스템들에서, 기판 표면에서의 에칭 균일성 및 전체적 이온 틸팅은 플라즈마 밀도 균일성에 의해 영향을 받는다. 이러한 반도체 기판 프로세싱 시스템들에서, 슬릿 에칭은 유전체 에칭 워크플로우의 최종 단계들 중 하나이고 따라서 메모리 홀들과 같은 기존 피처들의 상호 작용 (클리핑 (clipping)) 을 방지하기 위해 매우 엄격한 임계 치수 (critical dimension; CD) 허용 오차들과 연관될 수 있다. 하나 이상의 프로파일 방향 변화들이 발생할 수 있는 비이상적인 프로파일 형상으로서 기술될 수 있는 슬릿 프로파일 트위스팅은 특히 3D NAND 슬릿 피처들의 고 종횡비 (high aspect ratio; HAR), 에칭에 대한 고려 사항이다. 트위스팅된 프로파일들은 전체 슬릿을 따라 또는 구조체 또는 다이의 국부화된 영역들에서 발생할 수 있다. 부가적으로, 트위스팅된 프로파일들은 기존 피처들의 클리핑 위험뿐만 아니라 CD 허용 오차들에 대한 예상보다 더 큰 비컴플라이언스 (non-compliance) 와 연관되고, 이는 반도체 기판 제작 동안 바람직한 결과들이 아니다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시한다. 이 섹션에 기술된 정보는 이하의 개시된 주제에 대한 일부 맥락을 숙련된 기술자에게 제공하도록 제시된다는 것에 주의해야 하고, 인정된 종래 기술로 간주되지 않아야 한다. 더 구체적으로, 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
우선권 주장
본 출원은 2021년 6월 21일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 63/213,010 호의 우선권의 이점을 주장하고, 이는 전체가 본 명세서에 참조로서 인용된다.
진공 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위해 머신-판독 가능 매체들 상에 인스트럭션들로서 저장된 방법들, 시스템들, 및 컴퓨터 프로그램들이 제시된다. 일 일반적인 양태는 기판 프로세싱 장치를 포함한다. 장치는 플라즈마를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 갖는 진공 챔버를 포함한다. 장치는 상부 전극을 더 포함한다. 상부 전극은 진공 챔버 내에 배치되고 (dispose) 그리고 일반적으로 기판의 표면에 평행한 표면을 포함한다. 장치는 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 구성된 적어도 하나의 자기장 소스를 더 포함한다. 장치는 적어도 하나의 자기장 소스 및 상부 전극에 커플링된 제어기를 더 포함한다. 제어기는 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력을 인가하도록 구성된다. 제어기는 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하도록 더 구성된다. 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다.
또 다른 일반적인 양태는 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법을 포함한다. 방법은 진공 챔버의 프로세싱 존 내에 프로세스 가스를 공급하는 단계를 포함한다. 방법은 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 RF 전력을 인가하는 단계를 더 포함한다. 상부 전극은 기판의 표면에 평행한 표면을 포함한다. 방법은 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류를 인가하는 단계를 더 포함한다. 방법은 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하는 단계를 더 포함한다. 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다.
부가적인 일반적인 양태는 머신에 의해 실행될 때, 머신으로 하여금 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하는 비일시적인 머신-판독 가능 저장 매체를 포함한다. 동작들은 진공 챔버의 프로세싱 존 내에 프로세스 가스를 공급하는 동작을 포함한다. 동작들은 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 RF 전력을 인가하는 동작을 더 포함한다. 상부 전극은 기판의 표면에 평행한 표면을 포함한다. 동작들은 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류를 인가하는 동작을 더 포함한다. 동작들은 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하는 동작을 더 포함하고, 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다.
첨부된 도면들 중 다양한 도면들은 단지 본 개시의 예시적인 실시 예들을 예시하고 그 범위를 제한하는 것으로 간주될 수 없다.
도 1은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 기판들을 제작하기 위한, 에칭 챔버와 같은 진공 챔버를 예시한다.
도 2는 일부 예시적인 실시 예들에 따라 개시된 기법들을 사용하여 완화될 수 있는 기판 슬릿 피처들의 상이한 타입들의 충전을 예시한다.
도 3a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 시스 불균일성을 발생시키는 편평한 상부 전극을 사용하는 진공 챔버를 예시한다.
도 3b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 3a의 진공 챔버와 연관된 이온 입사 각도들 (또는 이온 틸팅) 을 예시한다.
도 3c는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 시스 균일성을 발생시키는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버를 예시한다.
도 4a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 시스 균일성의 그래프를 예시한다.
도 4b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 이온 틸팅 균일성의 그래프를 예시한다.
도 5는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 밀도의 그래프를 예시한다.
도 6a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 각도 에너지 분포의 그래프들을 예시한다.
도 6b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 각도 에너지 분포의 그래프들을 예시한다.
도 7은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 슬릿 프로파일 트위스팅 완화와 관련하여 플라즈마 밀도 균일성 및 시스 균일성을 개선하기 위해 편평한 상부 전극과 자기장 소스를 사용하는 진공 챔버의 블록도를 예시한다.
도 8은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 전류의 변화들과 관련하여 슬릿 프로파일 트위스팅의 개선을 예시하는 다이어그램 (diagram) 이다.
도 9는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 전류와 관련하여 체계적 (systematic) 트위스팅의 그래프를 예시한다.
도 10a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 프로세싱 존 내에서 불균일한 플라즈마 밀도를 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 10b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 10a의 진공 챔버의 평면도를 예시한다.
도 10c는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 10a의 진공 챔버의 측면도를 예시한다.
도 11a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 활성 자기장을 생성하기 위한 자기장 소스로서 사용된 코일을 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 11b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스에 대한 장착 옵션들을 예시하는 도 11a의 진공 챔버의 측면도이다.
도 12는 일부 실시 예들에 따른, 도 1의 진공 챔버의 상단 플레이트 상에 장착된 예시적인 자기장 소스를 예시한다.
도 13은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법의 플로우 차트이다.
도 14는 하나 이상의 예시적인 방법 실시 예들이 구현될 수도 있거나 하나 이상의 예시적인 실시 예들이 제어될 수도 있는 머신의 일 예를 예시하는 블록도이다.
도 1은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 기판들을 제작하기 위한, 에칭 챔버와 같은 진공 챔버를 예시한다.
도 2는 일부 예시적인 실시 예들에 따라 개시된 기법들을 사용하여 완화될 수 있는 기판 슬릿 피처들의 상이한 타입들의 충전을 예시한다.
도 3a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 시스 불균일성을 발생시키는 편평한 상부 전극을 사용하는 진공 챔버를 예시한다.
도 3b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 3a의 진공 챔버와 연관된 이온 입사 각도들 (또는 이온 틸팅) 을 예시한다.
도 3c는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 시스 균일성을 발생시키는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버를 예시한다.
도 4a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 시스 균일성의 그래프를 예시한다.
도 4b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 이온 틸팅 균일성의 그래프를 예시한다.
도 5는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 밀도의 그래프를 예시한다.
도 6a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 각도 에너지 분포의 그래프들을 예시한다.
도 6b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 각도 에너지 분포의 그래프들을 예시한다.
도 7은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 슬릿 프로파일 트위스팅 완화와 관련하여 플라즈마 밀도 균일성 및 시스 균일성을 개선하기 위해 편평한 상부 전극과 자기장 소스를 사용하는 진공 챔버의 블록도를 예시한다.
도 8은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 전류의 변화들과 관련하여 슬릿 프로파일 트위스팅의 개선을 예시하는 다이어그램 (diagram) 이다.
도 9는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 전류와 관련하여 체계적 (systematic) 트위스팅의 그래프를 예시한다.
도 10a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 프로세싱 존 내에서 불균일한 플라즈마 밀도를 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 10b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 10a의 진공 챔버의 평면도를 예시한다.
도 10c는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 10a의 진공 챔버의 측면도를 예시한다.
도 11a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 활성 자기장을 생성하기 위한 자기장 소스로서 사용된 코일을 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 11b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스에 대한 장착 옵션들을 예시하는 도 11a의 진공 챔버의 측면도이다.
도 12는 일부 실시 예들에 따른, 도 1의 진공 챔버의 상단 플레이트 상에 장착된 예시적인 자기장 소스를 예시한다.
도 13은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법의 플로우 차트이다.
도 14는 하나 이상의 예시적인 방법 실시 예들이 구현될 수도 있거나 하나 이상의 예시적인 실시 예들이 제어될 수도 있는 머신의 일 예를 예시하는 블록도이다.
예시적인 방법들, 시스템들, 및 컴퓨터 프로그램들은 편평한 상부 전극 및 적어도 하나의 자기장 소스를 사용하여 기판 제작 장비에서 슬릿 프로파일 트위스팅을 제어하는 것에 관한 것이다. 예들은 단순히 가능한 변형들을 예시한다 (typify). 달리 명시적으로 언급되지 않는 한, 컴포넌트들 (components) 및 기능들은 선택 가능하고 (optional), 결합될 수도 있거나 세분화될 수도 있고, 그리고 동작들이 순서가 가변할 수도 있거나 결합될 수도 있거나 세분화될 수도 있다. 이하의 기술에서, 설명의 목적들을 위해, 예시적인 실시 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적 상세들이 제시된다. 그러나, 당업자들에게 본 개시가 이들 구체적 상세들 없이 실시될 수도 있다는 것이 자명할 것이다.
기판 슬릿 프로파일들의 트위스팅은 하나 이상의 프로파일 방향 변화들이 발생하는 비이상적인 프로파일 형상과 연관된다. 트위스팅된 프로파일들은 CD 허용 오차들에 대해 예상보다 더 큰 비컴플라이언스 (non-compliance) 를 갖고 그리고 전체 슬릿을 따라 또는 구조체 또는 다이의 국부화된 영역들에서 발생할 수 있기 때문에, 기판 제작 동안 (예를 들어, 3D NAND 슬릿 피처들의 고 종횡비 (high aspect ratio; HAR) 에칭 동안) 기존 피처들의 클리핑 (clipping) 위험이 있다.
2 개의 별개의 메커니즘들이 트위스팅―무작위 (random) 트위스팅 및 체계적 (systematic) 트위스팅―을 유발할 수도 있다. 무작위 트위스팅에서, 순환적 프로세스의 차등 에칭 레이트들 또는 비이상적인 에칭 프론트 (etch front) 프로파일들은 무작위 방향성 변화들을 발생시킨다. 체계적 트위스팅에서, 비이상적인 유입 이온 궤적들은 피처 내 (in-feature) 충전 메커니즘 및 이온 산란 메커니즘을 통해 복수의 슬릿 피처들에 걸쳐 반복되는 트위스팅 프로파일들을 발생시킨다. 이와 관련하여, 무작위 트위스팅은 (예를 들어, 프로세스-구동된) 에칭 프로세스 차이들로부터 발생하고, 그리고 체계적 트위스팅은 (예를 들어, 이온-구동된) 비이상적인 이온 각도 분포로부터 발생한다.
본 명세서에 개시된 기법들은 기판 제작 프로세스들 동안 (예를 들어, HAR 유전체 에칭 프로세스들을 포함하는 유전체 에칭 프로세스들 동안) 체계적 트위스팅을 완화시키는 것과 연관된다. 더 구체적으로, 튜닝 가능한 자기장 소스는 체계적 슬릿 트위스팅 결함들을 최소화할 수 있는 시스 균일성을 개선하고 더 이상적인 인입 이온 궤적들을 제공하기 위한 수단으로서 플라즈마 밀도 균일성을 수정하도록 기판 제작 프로세스 동안 사용된다. 부가적으로, 자기장 소스는 균일한 이온 궤적들의 조합으로 균일한 2 차 전자 생성이 증가된 표면 전하 중성화를 통해 HAR 유전체 에칭에서 체계적 트위스팅을 최소화하도록 실현될 수 있는, 편평한 상부 전극을 갖는 진공 챔버들과 관련하여 사용될 수도 있다. 개시된 기법들은 슬릿들, 트렌치들, 홀들을 발생시키는 유전체 에칭 프로세스들 및/또는 임의의 다른 HAR 유전체 에칭 프로세스들을 포함하는 기판 제작 프로세스들 동안 체계적 트위스팅을 완화하는 것과 관련하여 사용될 수도 있다.
플라즈마 밀도 균일성을 조정하기 위한 예시적인 기법들은 구역 (zonal) 플로우 분포, 전극 갭, 압력, 및 전력 전달을 포함한다. 그러나, 이들 기법들 중 다수는 레이트 균일성, CD 균일성, 및 피처의 전체 CD 제어에 대한 상당한 트레이드-오프들 (trade-offs) 과 연관된다. 플라즈마 밀도 균일성을 조정하기 위한 또 다른 기법은 상부 전극을 "성형"하는 것이다 (예를 들어, 상부 전극의 하나 이상의 표면들은 커브되고 (curved) 기판의 표면과 평행하지 않다). 성형된 상부 전극은 플라즈마 밀도 균일성을 조정하기 위한 효과적인 방법일 수도 있지만, 프로세스 변화들은 전극 형상과 상호 작용하여 시간 소모적이고 비용이 많이 드는 (예를 들어, 부품 교체와 연관됨) 복수의 사이클들의 전극 설계와 프로세스 최적화를 발생시킨다. 이에 더하여, 성형된 전극은 또한 슬릿 프로파일 트위스팅에 기여하는, HAR 슬릿 피처 적용 예들에 대해 증가된 충전을 발생시키는 2 차 전자 생성을 디튜닝할 (detune) 수 있다.
개시된 기법들은 높은 2 차 전자 수율들을 유지할 수 있고 그리고 전극 설계 변화들 없이 다른 프로세스 노브들을 사용하여 독립적인 튜닝 가능성을 인에이블할 (enable) 수 있는 플라즈마 밀도 균일성을 개선하도록 사용될 수 있다. 이와 관련하여, 개시된 기법들은 슬릿 피처에서 수직 이온 궤적들 (normal ion trajectories) 을 동시에 인에이블하는 동안 충전을 감소시킴으로써 기판에 걸친 체계적 슬릿 트위스팅을 감소시키기 위해 더 큰 프로세스 윈도우들을 인에이블하도록 사용될 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 개시된 기법들은 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 편평한 (성형되지 않은 (non-shaped)) 상부 전극을 갖는 진공 챔버와 (예를 들어, 플라즈마 볼륨에 대해 외부에 배치된 (dispose)) 튜닝 가능한 자기장 소스의 조합의 사용을 포함한다.
자기장 소스의 사용이 없으면, 편평한 상부 전극은 균일한 2 차 전자 생성과 함께 불균일한 플라즈마 밀도 및 이온 궤적을 발생시킨다. 자기장 소스를 진공 챔버에 추가함으로써, 플라즈마 밀도는 체계적 트위스팅을 상당히 감소시키기 위해 2 차 전자들과 협력하여 작동하는 이상적인 이온 궤적들을 생성하도록 프로세스 가스 플로우, 압력, 전력, 또는 전극 갭과 독립적으로 튜닝될 수 있다.
3D NAND 디바이스들에 대한 슬릿 피처 종횡비가 계속해서 증가함에 따라 충분한 2 차 전자 생성과 함께 수직 이온 궤적들이 기판 충전을 최소화하도록 사용된다. 개시된 기법들은 플라즈마 밀도 균일성 제어를 위해 다른 전통적인 프로세스 노브들과 조합하여 전자기장 강도의 공동-최적화 (co-optimization) 를 인에이블하여, 하드웨어 개입 없이 복잡한 유전체 에칭들을 위한 솔루션의 더 빠른 속도를 발생시킨다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "편평한 전극"은 성형되지 않고 그리고 기판의 표면에 평행한 적어도 하나의 표면을 포함하는 진공 챔버 전극 (예를 들어, 상부 전극) 을 지칭한다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "성형된 전극"은 기판의 표면에 평행하지 않은 적어도 하나의 표면을 포함하는 진공 챔버 전극을 지칭한다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "축방향 자기장 (axial magnetic field)"은 진공 챔버 내에서 기판의 표면에 직교하는 자기장을 나타낸다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "방사상 자기장"은 진공 챔버 내에서 기판의 표면에 평행한 자기장을 나타낸다. 축방향 자기장 및 방사상 자기장은 본 명세서에서 또한 "활성 장 (active field)" 또는 "활성 자기장"으로 지칭되는 자기장을 형성한다. 일부 양태들에서, (예를 들어, 도 1과 관련하여 논의된 바와 같이) 자기장 제어기는 체계적 슬릿 트위스팅 결함들을 최소화할 수 있는 목표된 시스 균일성을 달성하고 더 이상적인 인입 이온 궤적들을 제공하도록, 플라즈마 밀도 균일성을 개선하기 위해 (예를 들어, 하나 이상의 기판 프로세싱 장치들, 예컨대 용량 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 기반 기판 프로세싱 장치들 또는 유도 커플링 플라즈마 (inductively coupled plasma; ICP) 기반 기판 프로세싱 장치들의 진공 챔버 내 기판의 전체 표면에 걸친 플라즈마 밀도를 제어하기 위해) 개별 방사상 또는 축방향 활성 자기장들, 뿐만 아니라 방사상 활성 자기장 및 축방향 활성 자기장 모두의 조합을 관리하기 위해 사용될 수도 있다.
개시된 기법들을 사용하는 예시적인 진공 챔버들은 도 1 및 도 7과 관련하여 논의된다. 도 13은 이러한 기법들을 사용하여 기판 프로세싱을 위한 방법의 예시적인 플로우 차트를 제공하고, 그리고 도 14는 개시된 기법들과 관련하여 사용될 수도 있는 예시적인 디바이스를 예시한다. 도 2는 개시된 기법들을 사용하여 완화될 수도 있는 상이한 타입들의 충전을 예시한다. 도 3a 내지 도 3c는 시스 균일성에 대한 상부 전극의 형상을 변화시키는 효과들을 예시하고, 관련 그래프들은 도 4a 내지 도 6b에 예시된다. 도 8 및 도 9는 체계적 트위스팅을 감소시킬 때 자기장 소스와 조합하여 편평한 상부 전극을 사용하는 개시된 기법들의 효과들을 예시한다. 도 10a 내지 도 12는 개시된 기법들과 관련하여 사용될 수 있는, 자기장 소스의 상이한 실시 예들을 예시한다.
도 1은 일 실시 예에 따른, 기판들을 제작하기 위한 진공 챔버 (100) (예를 들어, 에칭 챔버) 를 예시한다. 2 개의 전극들 사이에 전기장을 여기시키는 것은 진공 챔버 내에서 무선 주파수 (radio frequency; RF) 가스 방전을 획득하기 위한 방법들 중 하나이다. 오실레이팅 (oscillating) 전압이 전극들 사이에 인가될 때, 획득된 방전은 CCP (Capacitive Coupled Plasma) 방전으로 지칭된다.
플라즈마 (102) 가 전자-중성자 (electron-neutral) 충돌들에 의해 유발된 다양한 분자들의 해리에 의해 생성된 광범위한 다양한 화학적으로 반응성 부산물들을 획득하기 위해 안정한 피드스톡 (feedstock) 가스들을 활용하여 생성될 수도 있다. 에칭의 화학적 양태는 중성 가스 분자들 및 중성 가스 분자들의 해리된 부산물들과 에칭될 표면의 분자들의 반응 및 펌핑 제거될 (pump away) 수 있는 휘발성 분자들을 생성하는 것을 수반한다. 플라즈마가 생성될 때, 양이온들이 기판 표면으로부터 재료를 제거하기에 충분한 에너지로 웨이퍼 표면에 부딪히도록 (strike) 챔버 벽들로부터 플라즈마를 분리하는 공간-전하 시스를 가로질러 플라즈마로부터 가속화된다. 기판 표면으로부터 재료들을 선택적으로 그리고 이방성으로 제거하기 위해 매우 에너제틱하고 (energetic) 화학적으로 반응성인 이온들을 사용하는 프로세스는 반응성 이온 에칭 (reactive ion etch; RIE) 이라고 한다. 개시된 기법들은 축방향 자기장 및 방사상 자기장을 사용하여 플라즈마 밀도 및 시스 균일성을 제어함으로써 RIE 균일성을 개선한다.
제어기 (116) (또한 자기장 제어기 또는 MFC로 지칭됨) 는 RF 생성기 (118), 가스 소스들 (122), 및 가스 펌프 (120) 와 같은 챔버 내의 상이한 엘리먼트들을 제어함으로써 진공 챔버 (100) 의 동작을 관리한다. 일 실시 예에서, CF4 및 C4F8과 같은 플루오로카본 가스들이 이방성이고 선택적인 에칭 성능들을 위해 유전체 에칭 프로세스에서 프로세스 가스들로서 사용되지만, 본 명세서에 기술된 원리들은 다른 플라즈마-생성 가스들에 적용될 수있다. 플루오로카본 가스들은 더 작은 분자 라디칼 및 원자 라디칼을 포함하는 화학적으로 반응성 부산물들로 용이하게 해리된다. 이들 화학적으로 반응성 부산물들은 유전체 재료를 에칭한다.
진공 챔버 (100) 는 상단 (또는 상부) 전극 (upper electrode; UE) (104) 및 하단 (또는 하부) 전극 (108) 을 갖는 프로세싱 챔버를 예시한다. 상부 전극 (104) 은 RF 생성기 (미도시) 에 접지되거나 커플링될 수도 있고, 그리고 하부 전극 (108) 은 매칭 네트워크 (114) 를 통해 RF 생성기 (118) 에 커플링된다. RF 생성기 (118) 는 하나 또는 복수의 (예를 들어, 2 또는 3) 상이한 RF 주파수들로 RF 전력을 제공한다. 특정한 동작을 위해 진공 챔버 (100) 의 목표된 구성에 따라, 3 개의 RF 주파수들 중 적어도 하나는 턴온될 (turn on) 수도 있거나 턴오프될 (turn off) 수도 있다. 도 1에 도시된 실시 예에서, RF 생성기 (118) 는 예를 들어 400 ㎑, 2 ㎒, 27 ㎒ 및 60 ㎒ 주파수들을 제공하도록 구성되지만, 다른 주파수들이 또한 가능하다. 일부 양태들에서, 하부 전극 (108) 은 기판 (106) 을 지지하는 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 의 일부이다.
진공 챔버 (100) 는 가스 소스(들) (122) 에 의해 제공된 프로세스 가스를 진공 챔버 (100) 의 프로세싱 존 (134) 내로 입력하기 위한 상부 전극 (104) 상의 가스 샤워헤드, 및 프로세스 가스로 하여금 가스 펌프 (120) 에 의해 진공 챔버 (100) 로부터 펌핑되게 하는 천공된 한정 (confinement) 링 (112) 을 포함한다. 일부 예시적인 실시 예들에서, 가스 펌프 (120) 는 터보 분자 (turbomolecular) 펌프이지만, 다른 타입들의 가스 펌프들이 활용될 수도 있다.
기판 (106) 이 진공 챔버 (100) 내에 존재할 때, 기판 (106) 의 표면 상의 균일한 에칭을 위해 플라즈마 (102) 의 하단 표면에서 균일한 RF 장이 있도록 실리콘 포커스 링 (110) 이 기판 (106) 옆에 위치된다. 도 1의 실시 예는 상부 전극 (104) 이 대칭 RF 접지 전극 (124) 에 의해 둘러싸인 (surround) 트라이오드 반응기 (triode reactor) 구성을 도시한다. 절연체 (126) 는 상부 전극 (104) 으로부터 접지 전극 (124) 을 격리하는 유전체이다. ICP-기반 구현 예들을 포함하는 진공 챔버 (100) 의 다른 구현 예들이 또한 개시된 실시 예들의 범위를 변경하지 않고 가능하다.
기판 (106) 은, 예를 들어, (예를 들어, 100 ㎜, 150 ㎜, 200 ㎜, 300 ㎜, 450 ㎜, 또는 더 큰 직경을 갖고, 예를 들어, 원소-반도체 재료들 (예를 들어, 실리콘 (Si) 또는 게르마늄 (Ge)) 또는 화합물-반도체 재료들 (예를 들어, 실리콘 게르마늄 (SiGe) 또는 갈륨 비소 (GaAs)) 을 포함하는) 웨이퍼들을 포함할 수 있다. 부가적으로, 다른 기판들은 예를 들어, (반도체 재료들이 도포될 수도 있는) 석영 또는 사파이어와 같은 유전체 재료들을 포함한다.
RF 생성기 (118) 에 의해 생성된 주파수 각각은 기판 제작 프로세스에서 특정한 목적을 위해 선택될 수도 있다. 도 1의 예에서, 400 ㎑, 2 ㎒, 27 ㎒ 및 60 ㎒로 제공된 RF 전력들을 사용하여, 400 ㎑ 또는 2 ㎒ RF 전력은 이온 에너지 제어를 제공하고, 그리고 27 ㎒ 전력 및 60 ㎒ 전력은 플라즈마 밀도 및 화학 물질의 해리 패턴들의 제어를 제공한다. 이 구성은 RF 전력 각각이 턴온되거나 턴오프될 수도 있는, 기판들 또는 웨이퍼들 상의 초 저 (ultra-low) 이온 에너지를 사용하는 특정한 프로세스들, 및 이온 에너지가 낮아야 하는 (예를 들어, 700 또는 200 eV 미만) 특정한 프로세스들 (예를 들어, 로우-k (low-k) 재료들에 대한 약한 에칭) 을 인에이블한다. 이 구성을 사용하여 인에이블될 수 있는 다른 프로세스들은 HAR 유전체 에칭을 위해 초 고 (ultra-high) 이온 에너지를 사용하는 프로세스들을 포함한다.
일부 양태들에서, 진공 챔버 (100) 는 기판 (106) 의 표면 (예를 들어, 표면 (128)) 에 평행한 적어도 하나의 표면 (예를 들어, 표면 (105)) 을 포함하는 편평한 상부 전극 (104) 을 사용한다. 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이, 편평한 상부 전극의 사용은 기판 슬릿 피처들과 관련하여 불균일한 시스 및 수직이 아닌 (non-normal) 이온 궤적들을 유발하는 불균일한 플라즈마 밀도를 발생시킨다. 예시적인 실시 예에서, 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 은 균일한 시스 및 수직 이온 궤적들을 유발하는 플라즈마 밀도 균일성을 개선하도록 적어도 하나의 자기장 소스 (예를 들어, 코일일 수도 있는 자기장 소스 (138)) 에 의해 도입될 수도 있다. 적어도 하나의 자기장 소스는 MFC (116) 를 통해 구성되고, 모니터링되고, 그리고 제어될 수도 있다. 일부 양태들에서, 하나 이상의 활성 자기장들은 하나 이상의 활성 자기장들 각각의 크기 (또는 적어도 2 개의 활성 자기장들의 크기들의 비) 가 미리 구성된 문턱 값에 도달하여, 프로세싱 존 (134) 내에서 기판 (106) 의 표면에 걸친 시스 및 플라즈마 밀도 균일성을 용이하게 하도록 프로세싱 존 (134) 내에 도입된 하나 이상의 축방향 활성 자기장들 (132A) 및 하나 이상의 방사상 활성 자기장들 (132B) 을 포함할 수도 있다.
일부 양태들에서, MFC (116) 는 통신 링크 (144) 를 통해 자기장 소스 (138) 의 동작을 구성하고 관리한다. 일부 실시 예들에서, 자기장 소스 (138) 는 지지 구조체 (140) 를 통해 진공 챔버 (100) 의 상단 플레이트 (136) 상에 장착된 코일이다. 일부 양태들에서, MFC (116) 는 하나 이상의 활성 자기장들을 나타내는 신호를 검출하도록 구성된 자기장 센서 (142) 를 사용한다. 예를 들어, MFC (116) 는 하나 이상의 자기장 소스들을 통한 전류, 하나 이상의 활성 자기장들의 크기, 또는 하나 이상의 활성 자기장들의 극성 중 하나 이상을 결정하도록 검출된 신호를 사용할 수도 있다. 하나 이상의 활성 자기장들을 나타내는 결정된 신호는 하나 이상의 자기장 소스들을 통한 전류를 조정하기 위해 MFC (116) 에 의해 사용될 수도 있다. 자기장 센서 (142) 로부터 검출된 신호를 사용하여 MFC (116) 에 의해 수행된 예시적인 기능들은 이하에 그리고 도 13과 관련하여 논의된다. 일부 실시 예들에서, 센서 (142) 는 기판 (106) 의 수평 평면 (예를 들어, 표면 (128)) 에 평행한 수평 평면에 배치될 (place) 수도 있다. 부가적으로, 센서 (142) 는 센서의 수직 축 (예를 들어, 수평 평면에 직교하는 축) 이 기판 (106) 의 수직 축 (예를 들어, 중심 수직 축) 과 평행하도록 (또는 일치하도록) 배치될 수도 있다.
예시적인 실시 예에서, MFC (116) 는 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 (134) 내에 플라즈마 (102) 를 생성하기 위해 진공 챔버 (100) 의 상부 전극 (104) 과 하부 전극 (108) 사이에 (예를 들어, RF 생성기 (118) 를 통해) RF 전력을 인가하도록 구성된다. MFC (116) 는 기판 (106) 의 프로세싱 동안 자기장 소스 (138) 를 통한 전류를 제어하도록 더 구성되고, 여기서 전류의 인가는 (기판 (106) 내 슬릿 프로파일들의 체계적 트위스팅의 완화 및 개선된 플라즈마 밀도 균일성을 발생시키는) 프로세싱 존 (134) 을 통한 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 생성을 유발한다. 일부 양태들에서, 전류는 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다. 예를 들어, 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 적어도 하나의 특성은 적어도 하나의 코일의 코일과 연관된 하나 이상의 코일 전류 (예를 들어, 적어도 하나의 코일은 자기장 소스 (138) 로서 구성됨), 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 자기장 크기, 및 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함한다.
일부 실시 예들에서, 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 적어도 하나의 특성 (예를 들어, 전류, 크기, 또는 극성 (polarization)) 에 대응하는 타깃 값은 진공 챔버 (100) 내의 기판 프로세싱과 연관된 공지된 특성들 (예를 들어, 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도) 에 기초하여 (예를 들어, 기판 (106) 을 프로세싱하기 위해 진공 챔버를 사용하기 전에) 선험적으로 결정될 수도 있다. 이와 관련하여, MFC (116) 는 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도를 검출하도록 더 구성된다. 일부 양태들에서, 체계적 트위스팅의 정도는 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 체계적 트위스팅의 정도는 (예를 들어, 프로세싱된 기판의 분석에 기초하여) 선험적으로 결정될 수도 있다. 다른 양태들에서, MFC (116) 는 (예를 들어, 기판 (106) 의 프로세싱 동안) 동적으로 체계적 트위스팅의 정도를 결정하도록 구성된다. 이와 관련하여, 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값은 동적으로 조정될 수도 있고, 이는 또한 MFC (116) 로 하여금 자기장 소스 (138) 의 전류를 동적으로 조정하게 할 수도 있다. 다른 양태들에서, 자기장 소스 (138) 의 전류는 기판 프로세싱 전에 설정되고 그리고 기판 프로세싱 내내 (throughout) 일정하게 유지된다.
예시적인 실시 예에서, MFC (116) 는 체계적 트위스팅의 정도에 기초하여 자기장 소스 (138) 를 통한 전류를 조정하도록 더 구성된다. 일부 양태들에서, 상부 전극의 표면 (105) 과 하부 전극 (108) 의 표면 사이의 거리는 체계적 트위스팅의 정도에 기초하여 구성된다. 다른 양태들에서, MFC (116) 는 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하도록 더 구성된다. 일부 실시 예들에서, 자기장 센서 (142) 는 하나 이상의 활성 자기장들을 나타내는 신호를 검출하도록 구성된다. 검출된 신호는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기를 나타낼 수도 있고, 그리고 MFC (116) 는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기와 타깃 값에 대응하는 자기장 크기 사이의 차에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속 전류를 조정하도록 더 구성된다. 일부 양태들에서, 검출된 신호는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성을 나타내고, 그리고 MFC (116) 는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 및 타깃 값에 대응하는 자기장 극성에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속 전류를 조정하도록 더 구성된다. 일부 실시 예들에서, 적어도 하나의 자기장 소스 (138) 는 미리 결정된 직경의 적어도 하나의 코일을 포함하고, 적어도 하나의 코일은 기판 (106) 의 표면 (128) 에 실질적으로 평행하다.
도 2는 일부 예시적인 실시 예들에 따라 개시된 기법들을 사용하여 완화될 수 있는 기판 슬릿 피처들의 상이한 타입들의 충전을 예시한다. 도 2를 참조하면, 슬릿 피처 (200) 는 음으로 대전된 상단 영역 (202) 및 양으로 대전된 하단 영역 (204) 에 기초한 수직 충전과 연관된다. 슬릿 피처들 (206 및 208) 은 양전하 및 음전하가 슬릿 피처들의 마주 보는 수직 표면들 상에 배치되는 병렬 충전과 연관된다.
일부 양태들에서, 수직 충전은 슬릿 피처 (200) 에 의해 예시된 바와 같이, 측방향 에칭 (또는 "마우스 바이트 (mouse bite)"/뾰족한 결함 (pointy defect)) 에 기여하고 그리고 이온 충돌 (ion bombardment) 의 전체 효율을 감소시킨다.
슬릿 피처 (206) 는 체계적 트위스팅 및 무작위 트위스팅, 옥사이드 콘택트 타원도 (ellipticity), 이온 궤적 편향, 비대칭 폴리머 증착 및 병합 (merge) 을 위해 인접 피처들을 푸싱하는 (push) 것 (예를 들어, "마우스 바이트" 및 "부리 (beak)") 에 기여하는, 하단-지배적인 (bottom-dominated) 병렬 충전 메커니즘과 연관된다. 슬릿 피처 (208) 는 체계적 트위스팅에 기여하는, 상단-지배적인 (top-dominated) 병렬 충전 메커니즘과 연관된다. 부가적으로, 상단-지배적인 병렬 충전의 시간 종속성은 또한 마스크 소비 및 타입에 따라 변화할 수도 있다.
예시된 수직 및 병렬 충전은 성형된 상부 전극과 연관된 전자 불균일성 (예를 들어, 수직이 아닌 입사각들) 에 의해 유발된다. 병렬 충전은 이온들을 편향시킬 수 있고 수직 충전은 이온들을 느리게 하여, 슬릿 피처들의 트위스팅 및 다른 결함들의 증가에 기여하기 때문에 두 충전 타입들 모두 바람직하지 않다. 일부 양태들에서, 수직 및 병렬 충전은 개시된 기법들을 사용하여 (예를 들어, 자기장 소스와 조합하여 편평한 상부 전극을 사용하여) 완화될 수도 있다.
도 3a는 편평한 상부 전극 (302) 및 기판 (304) 을 지지하는 (하단 전극을 포함할 수도 있는) ESC (306) 를 사용하는 진공 챔버 (300A) 를 예시한다. 도 3a에 예시된 바와 같이, 편평한 상부 전극 (302) 을 사용하는 것은 (도 3b에서 알 수 있는 바와 같이) 수직이 아닌 이온 궤적들과 연관된 불균일한 시스 (310) 및 2 차 전자들 (308) 에 대한 수직 입사각들을 발생시킨다.
도 3b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 3a의 진공 챔버와 연관된 수직이 아닌 이온 입사 각도들 (또는 이온 틸팅) 의 다이어그램 (diagram) (300B) 을 예시한다. 도 3b를 참조하면, 불균일한 시스 (310) 는 이온 산란 (312) 및 수직이 아닌 이온 입사각들을 발생시키고, 이는 기판 슬릿 피처들의 트위스팅에 기여한다.
도 3c는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 시스 균일성을 발생시키는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버를 예시한다. 도 3c를 참조하면, 진공 챔버 (300C) 는 성형된 (내측) 상부 전극 (316) 및 기판 (304) 을 지지하는 (하단 전극을 포함할 수도 있는) ESC (314) 를 사용한다. 도 3c에 예시된 바와 같이, 성형된 상부 전극 (316) 을 사용하는 것은 수직 이온 궤적들과 연관된 균일한 시스 (320) 및 2 차 전자들 (318) 에 대한 수직이 아닌 입사각들을 발생시킨다.
일부 실시 예들에서, 개시된 기법들은 시스 균일성을 개선하고 수직 이온 궤적들 및 최적의 전체적 이온 틸트를 획득하기 위해 편평한 상부 전극 (302) 및 자기장 소스 (예를 들어, 자기장 소스 (138)) 와 연관된 2 차 전자들 (308) 에 대한 수직 입사각들의 이점을 사용한다.
도 4a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 시스 균일성의 그래프 (400A) 를 예시한다. 도 3a 및 그래프 (400a) 에 예시된 바와 같이, 편평한 상부 전극은 시스 벤딩 (또는 불균일성) 과 연관되어, 왜곡된 이온 입사각들을 유발한다.
도 4b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 이온 틸팅 균일성의 그래프 (400B) 를 예시한다. 도 4b 및 도 3c에 예시된 바와 같이, 성형된 상부 전극은 개선된 이온 틸팅 균일성을 발생시킨다. 그러나, 성형된 상부 전극 솔루션은 전자 균일성 (밀도 및 입사각) 을 희생하여 시스 벤딩 및 전체적 이온 틸팅을 개선한다.
도 5는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 또는 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 밀도의 그래프 (500) 를 예시한다. 도 5를 참조하면, 전체적 틸팅을 위해 (예를 들어, 성형된 상부 전극을 사용함으로써) 시스 균일성을 개선하는 것은 불균일한 전자 밀도를 발생시킨다는 것이 주지될 수 있다. 편평하고 성형된 상부 전극들과 연관된 각도 에너지 분포가 도 6a 및 도 6b에 예시된다.
도 6a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 편평한 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 각도 에너지 분포의 그래프들을 예시한다. 도 6a를 참조하면, 그래프들 (600A, 602A, 및 604A) 은 각각 30 ㎜, 79 ㎜, 및 110 ㎜의 기판 반경들에서 편평한 상부 전극을 사용하는 것과 연관된 각도 에너지 분포를 예시한다. 그래프들 (600A 내지 604A) 로부터 주지된 바와 같이, 전자 궤적은 진공 챔버가 편평한 상부 전극을 사용할 때 기판의 직경을 따른 넓은 범위의 전자 에너지 분포와 수직이다.
도 6b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 성형된 상부 전극을 사용하는 진공 챔버와 연관된 전자 각도 에너지 분포의 그래프들을 예시한다. 도 6b를 참조하면, 그래프들 (600B, 602B, 및 604B) 은 각각 30 ㎜, 79 ㎜, 및 110 ㎜의 기판 반경들에서 성형된 상부 전극을 사용하는 것과 연관된 각도 에너지 분포를 예시한다. 그래프들 (600B 내지 604B) 로부터 주지된 바와 같이, 기판의 직경을 따른 전자 에너지 분포의 범위 및 전자 궤적은 불균일하고 반경에 종속된다.
도 7은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 슬릿 프로파일 트위스팅 완화와 관련하여 플라즈마 밀도 균일성 및 시스 균일성을 개선하기 위해 편평한 상부 전극과 자기장 소스를 사용하는 진공 챔버 (702) 의 블록도 (701) 를 예시한다. 도 7을 참조하면, 진공 챔버 (702) 는 편평한 상부 전극 (708) 및 기판 (706) 을 지지하는 (하단 전극을 포함할 수도 있는) ESC (704) 를 포함한다. 일부 양태들에서, 상부 전극 (708) 은 외측 상부 전극 (710) 에 근접하게 배치된 내측 상부 전극일 수도 있다. 다이어그램 (700) 에 예시된 바와 같이, 편평한 상부 전극 (708) 을 사용하는 것은 (도 3b에 도시된 바와 같이) 수직이 아닌 이온 궤적들과 연관된 불균일한 시스 (714A) 및 2 차 전자들 (712) 에 대한 수직 입사각들을 발생시킨다. 일부 실시 예들에서, 플라즈마 밀도 균일성 및 시스 균일성은 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 사용된 (다이어그램 (701) 에 예시된 바와 같이) 자기장 소스 (716) 를 사용함으로써 개선된다. 하나 이상의 활성 자기장들은 플라즈마 밀도 균일성의 개선을 유발하여, 더 균일한 시스 (714B) 를 발생시킨다. 이와 관련하여, 편평한 상부 전극 및 자기장 소스를 사용하는 개시된 기법들은 (수직 이온 입사각들 및 전체적 이온 틸팅 균일성을 갖는) 균일한 시스 및 2 차 전자들 (712) 에 대한 수직 입사각들을 갖는 것의 조합을 발생시키고, 이는 기판 프로세싱 동안 기판 슬릿 프로파일 피처들에서 (예를 들어, 도 8에 예시된 바와 같이) 체계적 트위스팅의 발생 (incidence) 을 실질적으로 감소시킨다.
도 8은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 전류의 변화들과 관련하여 슬릿 프로파일 트위스팅의 개선을 예시하는 다이어그램 (800) 이다. 도 8을 참조하면, (상이한 크기들의 활성 자기장들을 발생시키는) 자기장 소스의 상이한 전류들과 연관될 수도 있는 상이한 기판 프로세싱 레시피들 (802, 804, 및 806) 이 예시된다. 도 8에서 알 수 있는 바와 같이, 무작위 프로파일 트위스팅 (810) 이 실질적으로 변화되지 않은 채로 남아 있는 동안, 자기장 소스 전류가 0 A로부터 8 A로 증가함에 따라 체계적 프로파일 트위스팅 (808) 이 (5.31의 측정 값으로부터 2.41의 측정 값으로) 감소된다. 자기장 소스 전류의 증가에 기초한 체계적 트위스팅의 개선이 또한 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 전류와 관련하여 체계적 트위스팅의 그래프 (900) 를 예시하는 도 9에서 주지된다.
도 10a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 프로세싱 존 내에서 불균일한 플라즈마 밀도를 갖는 진공 챔버 (1002) 의 사시도 (1000) 를 예시한다. 도 10a를 참조하면, 진공 챔버 (1002) 는 프로세싱 존 (1004) 내에서 불균일한 플라즈마 밀도를 발생시킬 수도 있는, 편평한 상부 전극을 (예를 들어, 기판 슬릿 피처들의 수직 또는 병렬 충전을 감소시키기 위해) 사용할 수도 있다. 그러나, 불균일한 플라즈마 밀도는 시스 벤딩을 유발하여 불균일한 시스 (1016) 를 발생시키고, 이는 결국 트위스팅 및 다른 슬릿 피처 결함들에 기여하는 비이상적인 (예를 들어, 수직이 아닌) 이온 궤적들을 유발한다.
예시적인 실시 예에서, 편평한 상부 전극의 사용으로부터 발생하는 불균일한 플라즈마 밀도 및 불균일한 시스는 프로세싱 존 (1004) 내에 활성 자기장 (1006) 을 도입함으로써 완화될 수 있다. 활성 자기장 (1006) 은 (예를 들어, 도 11a 내지 도 12에 예시된 바와 같이) 적어도 하나의 자기장 소스에 의해 생성되고 그리고 대응하는 크기들 Bz들 및 크기들 Br들을 갖는 축방향 활성 자기장 (1008) 및 방사상 활성 자기장 (1010) 중 하나 또는 모두를 포함한다. 프로세싱 존 (1004) 내 활성 자기장 (1006) 은 프로세싱 존 (1004) 내 기판 표면에 걸쳐 더 큰 플라즈마 균일성을 발생시키도록 MFC (116) 를 통해 구성될 수도 있다. 더 구체적으로, 적어도 하나의 자기장 소스는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값이 (예를 들어, 도 1과 관련하여 기술된 MFC (116) 의 기능들과 관련하여 논의된 바와 같이) 달성되도록 하나 이상의 활성 자기장들 (예를 들어, 활성 자기장 (1006)) 을 생성하기 위해 개시된 기법들에 기초하여 사용될 수도 있다. 도 10a는 단일 활성 자기장을 예시하지만, 본 개시는 이와 관련하여 제한되지 않고 복수의 활성 자기장들 (예를 들어, 기판의 표면에 평행한 복수의 활성 자기장들, 활성 자기장들 중 하나 이상이 기판의 표면에 직교하는 복수의 활성 자기장들, 등) 이 또한 사용될 수도 있다.
도 10b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 10a의 진공 챔버 (1002) 의 평면도를 예시한다. 도 10c는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 도 10a의 진공 챔버 (1002) 의 측면도를 예시한다. 도 10c를 참조하면, 진공 챔버 (1002) 는 (도 1의 상단 플레이트 (136) 와 같을 수 있는) 상단 플레이트 (1012) 뿐만 아니라 프로세싱 존 (1004) 내에서 기판을 프로세싱하는 것과 관련하여 사용되는 다양한 설비들 (1014) (예를 들어, RF 컴포넌트들 및 통신 링크들, 가스 전달, 히터들, 고 전압 클램프들, 기판 전달 메커니즘들, 등) 을 포함할 수 있다. 상단 플레이트 (1012) 는 가스 플로우를 핸들링하기 위한 열-커플러들 (thermo-couplers) 및 보조 컴포넌트들, 온도 제어를 위한 전력, 가스 진공 기능들과 연관된 기계적 컴포넌트들, 자기장 센서들 (예를 들어, 센서 (142)), 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시 예에서, 상단 플레이트 (1012) 또는 설비들 (1014) 은 플라즈마 밀도에 대한 편평한 상부 전극을 사용하는 것의 불균일성 효과들에 대응하기 위해 하나 이상의 활성 자기장들 (예를 들어, 축방향 활성 자기장 (1008) 및 방사상 활성 자기장 (1010) 을 포함하는 활성 자기장 (1006)) 을 생성할 수 있는 하나 이상의 자기장 소스들 (예를 들어, 자기장 소스 (138)) 을 장착하기 위해 사용될 수도 있다. 이와 관련하여, 플라즈마 밀도 균일성 및 시스 균일성은 (편평한 상부 전극을 사용하는 동안) 활성 자기장 (1006) 을 생성함으로써 (예를 들어, 하나 이상의 자기장 소스들을 통해 전류를 인가함으로써) 그리고 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성 (예를 들어, 하나 이상의 자기장 소스들을 통한 목표된 전류, 하나 이상의 활성 자기장들의 목표된 극성, 또는 목표된 크기) 에 대응하는 타깃 값에 기초하여 전류를 제어함으로써 개선될 수도 있다.
도 11a는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 활성 자기장을 생성하기 위한 자기장 소스로서 사용된 코일을 갖는 진공 챔버 (1102) 의 사시도를 예시한다. 코일은 단일 나선형 코일 또는 단일 코일을 형성하도록 함께 단단히 랩핑된 (wrap) 복수의 루프들일 수도 있다. 도 11a를 참조하면, (진공 챔버 (100) 와 같을 수도 있는) 진공 챔버 (1102) 는 (예를 들어, 도 1 및 도 10a와 관련하여 논의된 바와 같이) 편평한 상부 전극의 사용으로부터 발생하는 프로세싱 존 내에서 불균일한 플라즈마 밀도를 경험할 수도 있다.
일부 양태들에서, 자기장 소스 (1104) (예를 들어, 코일) 는 진공 챔버 (1102) 내에 활성 자기장 (1106) 을 생성하도록 구성될 수도 있다. 활성 자기장 (1106) 은 크기 Bz를 갖는 축방향 자기장 (1110) 및 크기 Br을 갖는 방사상 자기장 (1112) 을 포함할 수도 있다. 일부 양태들에서, 활성 자기장 (1106) 은 자기장 제어기 (예를 들어, MFC (116)) 에 의해 구성되고, 주기적으로 모니터링되고, 그리고 조정될 수도 있다. 예를 들어, 활성 자기장의 하나 이상의 특성들 (예를 들어, 자기장 소스 (1104) 에 대한 전류, 극성, 크기, 등) 은 진공 챔버 (1102) 내 플라즈마 분포의 균일성을 조정하도록 구성될 수도 있다.
예시적인 실시 예에서, MFC (116) 는 활성 자기장 (1106) 의 동적 조정들을 수행하도록 (예를 들어, 전류, 극성, 또는 크기를 결정하도록) 활성 자기장 (1106) 을 나타내는 신호들을 검출하기 위해 자기장 센서 (예를 들어, 센서 (142)) 를 사용할 수도 있다. 예를 들어, MFC (116) 는 코일 (1104) 의 전류 (예를 들어, 직류 (DC)) 를 조정할 수도 있고, 이에 따라 활성 자기장 (1106) 의 크기 (및 대응하는 크기 Bz 및 크기 Br) 를 변화시킬 수도 있다. 일부 양태들에서, 전류는 진공 챔버 내에서 균일한 플라즈마 분포가 달성되도록 활성 자기장 (1106) 의 크기가 타깃 값 (예를 들어, 선험적으로 미리 구성되고 결정된 목표된 자기장 크기, 목표된 전류, 또는 목표된 극성) 에 대응하게 조정될 수도 있다. 다른 양태들에서, MFC (116) 는 목표된 총 Bz 및/또는 Br이 챔버 매칭을 위한 더 우수한 균일성을 달성하거나 목표된 에칭 균일성을 달성하기 위해 플라즈마 균일성을 변화시키기 위해 챔버 내에서 달성되도록 자기장 소스 (1104) 의 상이한 특성들 (예를 들어, 전류, 크기, 극성, 등) 을 조정할 수도 있다.
도 11b는 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 자기장 소스 (1104) 에 대한 장착 옵션들을 예시하는 도 11a의 진공 챔버 (1102) 의 측면도이다. 도 11b를 참조하면, 예시적인 실시 예에서, 자기장 소스 (1104) (예를 들어, 코일) 는 진공 챔버 (1102) 내에, 그리고 프로세싱 존 (1114) 에 근접하게 내부적으로 장착될 수도 있다. 예시적인 실시 예에서, 코일 (1104) 은 (도 1의 상단 플레이트 (136) 과 같을 수 있는) 진공 챔버 (1102) 의 상단 플레이트 (1116) 에 고정된 페데스탈 (1118) (예를 들어, 도 1 및 도 12에 예시된 지지 구조체 (140)) 상에 장착될 수도 있다. 예시적인 실시 예에서, 코일 (1104) 은 또한 연결부들 (1120) 을 통해 진공 챔버 (1102) 의 내부 표면 (예를 들어, 도 11b에 예시된 바와 같은 상단 표면) 에 장착될 수도 있다.
예시적인 실시 예에서, 코일 (1104) 은 진공 챔버 (1102) 의 외부에 배치될 수도 있다. 예시적인 실시 예에서, 복수의 코일들은 활성 자기장들을 생성하기 위해 자기장 소스들로서 사용될 수도 있고, 여기서 코일 각각은 상이하게 (예를 들어, 진공 챔버 내부 또는 외부에) 포지셔닝될 수도 있다.
도 12는 일부 실시 예들에 따른, 도 1의 진공 챔버의 상단 플레이트 상에 장착된 예시적인 자기장 소스를 예시한다. 도 12를 참조하면, 지지 구조체 (140) 는 자기장 소스 (예를 들어, 코일) (138) 를 포함하는 금속 하우징을 포함할 수도 있다. 일부 양태들에서, 센서 (142) 는 브래킷 (1202) (또는 또 다른 장착 메커니즘) 을 통해 지지 구조체 (140) 에 (예를 들어, 지지 구조체 (140) 의 표면 상에) 장착될 수도 있다.
도 13은 일부 예시적인 실시 예들에 따른, 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법 (1300) 의 플로우 차트이다. 방법 (1300) 은 도 1의 MFC (116) 또는 도 14의 프로세서 (1402) 와 같은 자기장 제어기에 의해 수행될 수도 있는 동작들 (1302, 1304, 1306, 및 1308) 을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 도 14의 프로세서 (1402) 는 MFC (116) 의 기능들을 수행하는 프로세싱 회로망 (circuitry) 을 포함할 수도 있다.
도 13을 참조하면, 동작 (1302) 에서, 프로세스 가스가 진공 챔버의 프로세싱 존 내에 공급된다. 예를 들어, MFC (116) 는 가스 소스 (122) 로부터 프로세싱 존 (134) 내로 프로세스 가스의 공급을 인에이블한다. 동작 (1304) 에서, RF 전력은 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에서 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 인가된다. 상부 전극은 진공 챔버 내에 배치되고 그리고 기판이 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 포함한다. 예를 들어, MFC (116) 는 RF 생성기 (118) 를 사용하여 상부 전극 (104) 과 하부 전극 (108) 사이에 RF 전력을 인가한다. 부가적으로, 상부 전극 (104) 은 기판 (106) 의 표면 (128) 에 평행한 적어도 하나의 표면 (예를 들어, 표면 (105)) 을 포함한다.
동작 (1306) 에서, 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하도록 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류가 인가된다. 예를 들어, MFC (116) 는 프로세싱 존 (134) 을 통해 하나 이상의 활성 자기장들 (130) 을 생성하도록 자기장 소스 (138) 를 통해 전류를 인가한다. 동작 (1308) 에서, 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류는 기판의 프로세싱 동안 (예를 들어, MFC (116) 에 의해) 제어되고, 여기서 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다.
도 14는 본 명세서에 기술된 하나 이상의 예시적인 프로세스 실시 예들이 구현되거나 제어될 수도 있는 머신 (1400) 의 일 예를 예시하는 블록도이다. 대안적인 실시 예들에서, 머신 (1400) 은 독립형 (standalone) 디바이스로서 동작할 수도 있거나, 다른 머신들에 연결될 (예를 들어, 네트워킹될) 수도 있다. 네트워킹된 배치 (deployment) 에서, 머신 (1400) 은 서버-클라이언트 네트워크 환경들에서 서버 머신, 클라이언트 머신 또는 두 가지 머신 모두로서 동작할 수도 있다. 일 예에서, 머신 (1400) 은 P2P (peer-to-peer) (또는 다른 분산된) 네트워크 환경의 피어 (peer) 머신으로 작용할 수도 있다. 또한, 단일 머신 (1400) 만이 예시되지만, 용어 "머신"은 본 명세서에 논의된, 클라우드 컴퓨팅, 서비스형 소프트웨어 (software as a service; SaaS) 또는 다른 컴퓨터 클러스터 구성들 (computer cluster configurations) 과 같은 방법론들 중 임의의 하나 이상을 수행하기 위해 인스트럭션들의 세트 (또는 복수의 세트들) 를 개별적으로 또는 공동으로 실행하는 머신들의 임의의 집합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 기술된 예들은, 로직, 몇몇 컴포넌트들 또는 메커니즘들을 포함할 수도 있고 또는 이에 의해 동작할 수도 있다. 회로망은 하드웨어 (예를 들어, 단순 회로들, 게이트들, 로직) 를 포함하는 유형 개체들 (tangible entities) 로 구현된 회로들의 집합이다. 회로망 부재 (circuitry membership) 는 시간 및 기본 하드웨어 변동성에 대해 유연할 수도 있다. 회로망들은 동작할 때 단독으로 또는 조합하여, 지정된 동작들을 수행할 수도 있는 부재들을 포함한다. 일 예에서, 회로망의 하드웨어는 특정한 동작을 수행하기 위해 변경할 수 없게 설계 (예를 들어, 하드웨어에 내장 (hardwired)) 될 수도 있다. 일 예에서, 회로망의 하드웨어는 특정 동작의 인스트럭션들을 인코딩하기 위해 물리적으로 (예를 들어, 자기적으로, 전기적으로, 불변 질량 입자들의 이동 가능한 배치에 의해) 변경된 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함하여, 가변적으로 연결된 물리적 컴포넌트들 (예를 들어, 실행 유닛들, 트랜지스터들, 단순 회로들) 을 포함할 수도 있다. 물리적 컴포넌트들을 연결할 때, 하드웨어 구성요소의 기본적인 전기적 특성들이 변화된다 (예를 들어, 절연체로부터 도체로 또는 그 반대로). 인스트럭션들은 동작 중일 때 임베딩된 (embed) 하드웨어 (예를 들어, 실행 유닛들 또는 로딩 메커니즘) 로 하여금 특정 동작의 일부들을 수행하기 위해 가변 연결부들을 통해 하드웨어 내에 회로망의 부재들을 생성하게 한다. 따라서, 컴퓨터 판독 가능 매체는 디바이스가 동작 중일 때 회로망의 다른 컴포넌트들에 통신 가능하게 (communicatively) 커플링된다. 일부 양태들에서, 임의의 물리적 컴포넌트들은 2 개 이상의 회로망의 2 개 이상의 부재에서 사용될 수도 있다. 예를 들어, 동작 하에, 실행 유닛들은 일 시점에서 제 1 회로망의 제 1 회로에서 사용될 수도 있고, 상이한 시점에 제 1 회로망의 제 2 회로, 또는 제 2 회로망의 제 3 회로에 의해 재사용될 수도 있다.
머신 (예를 들어, 컴퓨터 시스템) (1400) 은 하드웨어 프로세서 (1402) (예를 들어, CPU (central processing unit), 하드웨어 프로세서 코어 (core), 또는 이들의 임의의 조합), GPU (graphics processing uni) (1403), 메인 메모리 (1404) 및 정적 메모리 (1406) 를 포함할 수도 있고, 이들 중 일부 또는 전부는 인터링크 (interlink) (예를 들어, 버스 (bus)) (1408) 를 통해 서로 통신할 수도 있다. 머신 (1400) 은 디스플레이 디바이스 (1410), 영숫자 입력 디바이스 (alphanumeric input device) (1412) (예를 들어, 키보드) 및 사용자 인터페이스 (user interface; UI) 내비게이션 디바이스 (1414) (예를 들어, 마우스) 를 더 포함할 수도 있다. 일 예에서, 디스플레이 디바이스 (1410), 영숫자 입력 디바이스 (1412) 및 UI 내비게이션 디바이스 (1414) 는 터치 스크린 디스플레이일 수도 있다. 머신 (1400) 은 대용량 저장 디바이스 (예를 들어, 드라이브 유닛) (1416), 신호 생성 디바이스 (1418)(예를 들어, 스피커), 네트워크 인터페이스 디바이스 (1420) 및 GPS (global positioning system) 센서, 나침반, 가속도계, 또는 또 다른 센서와 같은, 하나 이상의 센서들 (1421) 을 부가적으로 포함할 수도 있다. 머신 (1400) 은 하나 이상의 주변 디바이스들 (예를 들어, 프린터, 카드 리더기) 과 통신하거나 제어하도록 직렬 (예를 들어, USB (universal serial bus)), 병렬 또는 다른 유선 또는 무선 (예를 들어, 적외선 (infrared; IR), NFC (near field communication)) 연결과 같은, 출력 제어기 (1428) 를 포함할 수도 있다.
예시적인 실시 예에서, 하드웨어 프로세서 (1402) 는 적어도 도 1 내지 도 13과 관련하여 상기 논의된 바와 같이 자기장 제어기 (116) 의 기능들을 수행할 수도 있다.
대용량 저장 디바이스 (1416) 는 본 명세서에 기술된 기법들 또는 기능들 중 임의의 하나 이상에 의해 구현되거나 활용되는, 데이터 구조들 또는 인스트럭션들 (1424) (예를 들어, 소프트웨어) 의 하나 이상의 세트들이 저장되는 머신-판독 가능 매체 (1422) 를 포함할 수도 있다. 인스트럭션들 (1424) 은 또한 머신 (1400) 에 의한 인스트럭션들의 실행 동안 메인 메모리 (1404) 내에, 정적 메모리 (1406) 내에, 하드웨어 프로세서 (1402) 내에, 또는 GPU (1403) 내에 완전히 또는 적어도 부분적으로 존재할 수도 있다. 일 예에서, 하드웨어 프로세서 (1402), GPU (1403), 메인 메모리 (1404), 정적 메모리 (1406), 또는 대용량 저장 디바이스 (1416) 중 하나 또는 임의의 조합은 머신-판독 가능 매체를 구성할 수도 있다.
머신-판독 가능 매체 (1422) 가 단일 매체로 예시되었지만, 용어 "머신-판독 가능 매체"는 하나 이상의 인스트럭션들 (1424) 을 저장하도록 구성된 단일 매체 또는 복수의 매체들 (예를 들어, 중앙 집중되거나 분산된 데이터베이스 및/또는 연관된 캐시들과 서버들) 을 포함할 수도 있다.
용어 "머신-판독 가능 매체"는 머신 (1400) 에 의한 실행을 위해 인스트럭션들 (1424) 을 저장하고, 인코딩하고 또는 전달할 수 있고 그리고 머신 (1400) 으로 하여금 본 개시의 기법들 중 임의의 하나 이상을 수행하게 하거나, 이러한 인스트럭션들 (1424) 에 의해 사용되거나 인스트럭션들 (1424) 과 연관된 데이터 구조들을 저장하고, 인코딩하거나 전달할 수 있는, 임의의 매체를 포함할 수도 있다. 비제한적인 머신-판독 가능 매체 예들은 고체 상태 메모리들 및 광학 매체 및 자기 매체를 포함할 수도 있다. 일 예에서, 대용량 머신-판독 가능 매체는 불변 (예를 들어, 정지 (rest)) 질량을 갖는 복수의 입자들을 갖는 머신-판독 가능 매체 (1422) 를 포함한다. 따라서, 대용량 머신-판독 가능 매체들은 일시적인 전파 신호들이 아니다. 대용량 머신-판독 가능 매체들의 특정한 예들은 반도체 메모리 디바이스들 (예를 들어, EPROM (Electrically Programmable Read-Only Memory), EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)) 및 플래시 메모리 디바이스들; 내부 하드 디스크들 및 이동식 디스크들과 같은 자기 (magnetic) 디스크들; 자기-광학 (magneto-optical) 디스크들; 및 CD-ROM 및 DVD-ROM 디스크들과 같은, 비휘발성 메모리를 포함할 수도 있다.
인스트럭션들 (1424) 은 또한 네트워크 인터페이스 디바이스 (1420) 를 통해 송신 매체를 사용하여 통신 네트워크 (1426) 를 거쳐 송신되거나 수신될 수도 있다.
선행하는 기법들의 구현은 임의의 수의 하드웨어 및 소프트웨어의 사양들, 구성들 또는 예시적인 배치들을 통해 달성될 수도 있다. 본 명세서에 기술된 기능적 유닛들 또는 성능들은 이들의 구현 독립성을 더 구체적으로 강조하기 위해 컴포넌트들 또는 모듈들로 지칭되거나 라벨링될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 이러한 컴포넌트들은 임의의 수의 소프트웨어 형태 또는 하드웨어 형태로 구현될 수도 있다. 예를 들어, 컴포넌트 또는 모듈은 커스텀 VLSI (very-large-scale integration) 회로들 또는 게이트 어레이들, 로직 칩들, 트랜지스터들 또는 다른 개별 컴포넌트들과 같은 기성 (off-the-shelf) 반도체들을 포함하는 하드웨어 회로로서 구현될 수도 있다. 컴포넌트 또는 모듈은 또한 필드-프로그래밍 가능 게이트 어레이들, 프로그램 가능 어레이 로직, 프로그램 가능 로직 디바이스들, 등과 같은 프로그램 가능 하드웨어 디바이스들로 구현될 수도 있다. 컴포넌트들 또는 모듈들은 또한 다양한 타입들의 프로세서들에 의한 실행을 위한 소프트웨어로 구현될 수도 있다. 실행 가능한 코드의 식별된 컴포넌트 또는 모듈은 예를 들어, 컴퓨터 인스트럭션들의 하나 이상의 물리적 블록 (block) 또는 논리적 블록을 포함할 수도 있고, 예를 들어, 객체, 절차 또는 함수로서 조직될 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 식별된 컴포넌트 또는 모듈의 실행 파일들 (executables) 은 물리적으로 함께 위치될 필요는 없지만, 논리적으로 함께 결합될 때, 컴포넌트 또는 모듈을 포함하고 컴포넌트 또는 모듈에 대해 명시된 목적을 달성하는 상이한 위치들에 저장된 전혀 다른 (disparate) 인스트럭션들을 포함할 수도 있다.
실제로, 실행 가능한 코드의 컴포넌트 또는 모듈은 단일 인스트럭션 또는 많은 인스트럭션들일 수도 있고, 그리고 심지어 몇몇 상이한 코드 세그먼트들에 걸쳐, 상이한 프로그램들 사이에서, 그리고 몇몇 메모리 디바이스들 또는 프로세싱 시스템들에 걸쳐 분배될 수도 있다. 특히, 기술된 프로세스의 일부 양태들 (예컨대 코드 재작성 및 코드 분석) 은 코드가 (예를 들어, 센서 또는 로봇에 임베딩된 컴퓨터에) 전개되는 프로세싱 시스템과 상이한 프로세싱 시스템 상에서 (예를 들어, 데이터 센터의 컴퓨터에서) 발생할 수도 있다. 유사하게, 동작 데이터는 컴포넌트들 또는 모듈들 내에서 본 명세서에서 식별될 수도 있고 예시될 수도 있고 그리고 임의의 적합한 형태로 구현될 수도 있고 임의의 적합한 타입의 데이터 구조 내에 조직될 수도 있다. 동작 데이터는 단일 데이터 세트로서 수집될 수도 있고 또는 상이한 저장 디바이스들을 포함하여 상이한 위치들에 걸쳐 분배될 수도 있고, 적어도 부분적으로, 단지 시스템 또는 네트워크 상의 전자 신호들로서 존재할 수도 있다. 컴포넌트들 또는 모듈들은 목표된 기능들을 수행하도록 동작 가능한 에이전트들을 포함하여 패시브 또는 액티브일 수도 있다.
추가 참고 사항들 및 예들
예 1은 기판 프로세싱 장치이고, 기판 프로세싱 장치는 플라즈마를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 포함하는 진공 챔버; 상부 전극 및 하부 전극으로서, 상부 전극은 진공 챔버 내에 배치되고 그리고 기판이 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 갖는, 상부 전극 및 하부 전극; 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 구성된 적어도 하나의 자기장 소스; 및 적어도 하나의 자기장 소스 및 상부 전극에 커플링되는 제어기를 포함하고 그리고 제어기는 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 상부 전극과 하부 전극 사이에 무선 주파수 전력을 인가하고; 그리고 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하도록 구성되고, 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초한다.
예 2에서, 예 1의 주제는 다음을 포함한다: 제어기는 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도를 검출하도록 더 구성되고, 체계적 트위스팅 정도는 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초한다.
예 3에서, 예 2의 주제는 다음을 포함한다: 제어기는 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 조정하도록 더 구성된다.
예 4에서, 예 2 및 예 3의 주제는 다음을 포함한다: 상부 전극의 표면과 하부 전극의 표면 사이의 거리는 체계적 트위스팅의 정도에 기초하여 구성된다.
예 5에서, 예 2 내지 예 4의 주제는 다음을 포함한다: 제어기는 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하도록 더 구성된다.
예 6에서, 예 1 내지 예 5의 주제는 다음을 포함한다: 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성은, 적어도 하나의 자기장 소스로서 구성된 적어도 하나의 코일과 연관된 코일 전류; 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기; 및 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함한다.
예 7에서, 예 6의 주제는 하나 이상의 활성 자기장들을 나타내는 신호를 검출하도록 구성된 자기장 센서를 포함한다.
예 8에서, 예 7의 주제는 다음을 포함한다: 검출된 신호는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기를 나타내고 그리고 제어기는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기와 타깃 값에 대응하는 자기장 크기 사이의 차에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속하는 전류를 조정하도록 더 구성된다.
예 9에서, 예 7 및 예 8의 주제는 다음을 포함한다: 검출된 신호는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성을 나타내고 그리고 제어기는 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 및 타깃 값에 대응하는 자기장 극성에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속하는 전류를 조정하도록 더 구성된다.
예 10에서, 예 1 내지 예 9의 주제는 다음을 포함한다: 적어도 하나의 자기장 소스는 미리 결정된 직경의 적어도 하나의 코일을 포함하고, 적어도 하나의 코일은 기판의 표면에 실질적으로 평행하다.
예 11은 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법이고, 방법은: 진공 챔버의 프로세싱 존 내에 프로세스 가스를 공급하는 단계; 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 RF 전력을 인가하는 단계로서, 상부 전극은 진공 챔버 내에 배치되고 그리고 기판이 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 갖는, RF 전력을 인가하는 단계; 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류를 인가하는 단계; 및 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하는 단계로서, 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초하는, 전류를 제어하는 단계를 포함한다.
예 12에서, 예 11의 주제는 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도를 검출하는 단계를 포함하고, 체계적 트위스팅 정도는 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초한다.
예 13에서, 예 12의 주제는 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 조정하는 것을 포함한다.
예 14에서, 예 12 및 예 13의 주제는 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하는 것을 포함한다.
예 15에서, 예 11 내지 예 14의 주제는 다음을 포함한다: 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성은, 적어도 하나의 자기장 소스로서 구성된 적어도 하나의 코일과 연관된 코일 전류; 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기; 및 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함한다.
예 16에서, 예 15의 주제는, 적어도 하나의 자기장 소스와 연관된 자기장 센서를 통해 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기를 검출하는 단계; 및 하나 이상의 활성 자기장들의 검출된 자기장 크기와 타깃 값에 대응하는 자기장 크기 사이의 차에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속하는 전류를 조정하는 단계를 포함한다.
예 17은 머신에 의해 실행될 때, 머신으로 하여금 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하는 비일시적인 머신-판독 가능 저장 매체이고, 동작들은, 진공 챔버의 프로세싱 존 내에 프로세스 가스를 공급하는 동작; 프로세스 가스를 사용하여 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 RF 전력을 인가하는 동작으로서, 상부 전극은 진공 챔버 내에 배치되고 그리고 기판이 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 갖는, RF 전력을 인가하는 동작; 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류를 인가하는 동작; 및 기판의 프로세싱 동안 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하는 동작으로서, 전류는 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초하는, 전류를 제어하는 동작을 포함한다.
예 18에서, 예 17의 주제는 다음을 포함한다: 동작들은 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도를 검출하는 동작을 더 포함하고, 체계적 트위스팅 정도는 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초한다.
예 19에서, 예 18의 주제는, 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 조정하는 것을 더 포함하는 동작들을 포함한다.
예 20에서, 예 18 및 예 19의 주제는 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하는 것을 더 포함하는 동작들을 포함한다.
예 21에서, 예 17 내지 예 20의 주제는 다음을 포함한다: 적어도 하나의 특성은, 적어도 하나의 자기장 소스로서 구성된 적어도 하나의 코일과 연관된 코일 전류; 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기; 및 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함한다.
예 22는 프로세싱 회로망에 의해 실행될 때, 프로세싱 회로망으로 하여금 예 1 내지 예 21 중 임의의 예를 구현하도록 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하는 적어도 하나의 머신-판독 가능 매체이다.
예 23은 예 1 내지 예 21 중 임의의 예를 구현하기 위한 수단을 포함하는 장치이다.
예 24는 예 1 내지 예 21 중 임의의 예를 구현하기 위한 시스템이다.
예 25는 예 1 내지 예 21 중 임의의 예를 구현하는 방법이다.
본 명세서 전반에서, 복수의 예들이 단일 예로서 기술된 컴포넌트들, 동작들, 또는 구조체들을 구현할 수도 있다. 하나 이상의 방법들의 개별 동작들이 별개의 동작들로 예시되고 기술되었지만, 개별 동작들 중 하나 이상은 동시에 수행될 수도 있고, 동작들이 예시된 순서로 수행될 것을 요구하지 않는다. 예시적인 구성들에 대해 별개의 컴포넌트들로서 제시된 구조체들 및 기능은 결합된 구조체 또는 컴포넌트로서 구현될 수도 있다. 유사하게, 단일 컴포넌트로서 제시된 구조체들 및 기능은 별개의 컴포넌트들로서 구현될 수도 있다. 이들 및 다른 변형들, 수정들, 추가들, 및 개선들은 본 명세서의 주제의 범위 내에 속한다.
본 명세서에서 예시된 실시 예들은 당업자들로 하여금 개시된 교시들 (teachings) 을 실시할 수 있게 하도록 충분히 상세하게 기술된다. 다른 실시 예들은 구조적 및 논리적 대용물들 및 변화들이 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수도 있도록, 이로부터 사용되고 유도될 수도 있다. 이 상세한 기술은 따라서 제한하는 의미로 생각되지 않고, 다양한 실시 예들의 범위는 첨부된 청구항들로 인정되는 등가물들의 전체 범위와 함께, 첨부된 청구항들에 의해서만 규정된다.
실시 예들이 상기 피처들의 서브 세트를 특징으로 할 수도 있기 때문에 청구항들은 본 명세서에 개시된 모든 피처들을 제시하지 않을 수도 있다. 또한, 실시 예들은 특정한 예에서 개시된 것보다 더 적은 피처들을 포함할 수도 있다. 따라서, 이하의 청구항들은 별개의 실시 예로서 독립되는 청구항과 함께, 본 명세서에서 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 통합된다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "또는 (or)"은 포괄적이거나 배타적인 의미로 해석될 수도 있다. 게다가, 복수의 예들이 단일 예로서 본 명세서에 기술된 리소스들, 동작들 또는 구조체들을 위해 제공될 수도 있다. 부가적으로, 다양한 리소스들, 동작들, 모듈들, 엔진들 및 데이터 저장부들 사이의 경계들은 다소 임의적이고, 특정한 동작들이 특정한 예시적인 구성들의 맥락에서 예시된다. 기능의 다른 할당들이 구상되고 그리고 본 개시의 다양한 실시 예들의 범위 내에 속할 수도 있다. 일반적으로, 예시적인 구성들에서 별개의 리소스들로서 제시된 구조체들 및 기능은 결합된 구조체 또는 리소스로서 구현될 수도 있다. 유사하게, 단일 리소스로서 제시된 구조체들 및 기능은 별개의 리소스들로서 구현될 수도 있다. 이들 및 다른 변형들, 수정들, 추가들 및 개선들은 첨부된 청구항들에 의해 나타낸 바와 같이 본 개시의 실시 예들의 범위 내에 속한다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다 예시로서 간주된다.
Claims (21)
- 기판 프로세싱 장치에 있어서,
플라즈마를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 포함하는 진공 챔버;
상부 전극 및 하부 전극으로서, 상기 상부 전극은 상기 진공 챔버 내에 배치되고 (dispose) 그리고 상기 기판이 상기 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 상기 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 갖는, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극;
상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 구성된 적어도 하나의 자기장 소스; 및
상기 적어도 하나의 자기장 소스 및 상기 상부 전극에 커플링되는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는,
프로세스 가스를 사용하여 상기 프로세싱 존 내에 상기 플라즈마를 생성하기 위해 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력을 인가하고; 그리고
상기 기판의 상기 프로세싱 동안 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 전류를 제어하도록 구성되고, 상기 전류는 상기 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초하는, 기판 프로세싱 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 (systematic) 트위스팅 정도를 검출하도록 더 구성되고, 상기 체계적 트위스팅 정도는 상기 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초하는, 기판 프로세싱 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 상기 전류를 조정하도록 더 구성되는, 기판 프로세싱 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 상부 전극의 상기 표면과 상기 하부 전극의 표면 사이의 거리는 상기 체계적 트위스팅의 정도에 기초하여 구성되는, 기판 프로세싱 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 상기 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하도록 더 구성되는, 기판 프로세싱 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 적어도 하나의 특성은,
상기 적어도 하나의 자기장 소스로서 구성된 적어도 하나의 코일과 연관된 코일 전류;
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기; 및
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함하는, 기판 프로세싱 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 하나 이상의 활성 자기장들을 나타내는 신호를 검출하도록 구성된 자기장 센서를 더 포함하는, 기판 프로세싱 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 검출된 신호는 상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 자기장 크기를 나타내고 그리고 상기 제어기는,
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 자기장 크기와 상기 타깃 값에 대응하는 자기장 크기 사이의 차에 기초하여 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속하는 전류를 조정하도록 더 구성되는, 기판 프로세싱 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 검출된 신호는 상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 자기장 극성을 나타내고 그리고 상기 제어기는,
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 자기장 극성 및 상기 타깃 값에 대응하는 자기장 극성에 기초하여 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속하는 전류를 조정하도록 더 구성되는, 기판 프로세싱 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 자기장 소스는 미리 결정된 직경의 적어도 하나의 코일을 포함하고, 상기 적어도 하나의 코일은 상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행한, 기판 프로세싱 장치. - 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법에 있어서,
진공 챔버의 프로세싱 존 내에 프로세스 가스를 공급하는 단계;
상기 프로세스 가스를 사용하여 상기 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 상기 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 RF 전력을 인가하는 단계로서, 상기 상부 전극은 상기 진공 챔버 내에 배치되고 그리고 기판이 상기 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 상기 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 갖는, 상기 RF 전력을 인가하는 단계;
상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류를 인가하는 단계; 및
상기 기판의 프로세싱 동안 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 상기 전류를 제어하는 단계로서, 상기 전류는 상기 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초하는, 상기 전류를 제어하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도를 검출하는 단계를 더 포함하고, 상기 체계적 트위스팅 정도는 상기 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초하는, 기판 프로세싱 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 상기 전류를 조정하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 상기 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 적어도 하나의 특성은,
상기 적어도 하나의 자기장 소스로서 구성된 적어도 하나의 코일과 연관된 코일 전류;
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기; 및
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함하는, 기판 프로세싱 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 자기장 소스와 연관된 자기장 센서를 통해 상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 자기장 크기를 검출하는 단계; 및
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 상기 검출된 자기장 크기와 상기 타깃 값에 대응하는 자기장 크기 사이의 차에 기초하여 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 후속하는 전류를 조정하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법. - 머신에 의해 실행될 때, 상기 머신으로 하여금 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하는 머신-판독 가능 저장 매체에 있어서,
상기 동작들은,
진공 챔버의 프로세싱 존 내에 프로세스 가스를 공급하는 동작;
상기 프로세스 가스를 사용하여 상기 프로세싱 존 내에 플라즈마를 생성하기 위해 상기 진공 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이에 RF 전력을 인가하는 동작으로서, 상기 상부 전극은 상기 진공 챔버 내에 배치되고 그리고 상기 기판이 상기 진공 챔버 내에 포지셔닝될 때 상기 기판의 표면에 실질적으로 평행한 표면을 갖는, 상기 RF 전력을 인가하는 동작;
상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 활성 자기장들을 생성하기 위해 적어도 하나의 자기장 소스를 통해 전류를 인가하는 동작; 및
상기 기판의 상기 프로세싱 동안 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 상기 전류를 제어하는 동작으로서, 상기 전류는 상기 하나 이상의 활성 자기장들의 적어도 하나의 특성에 대응하는 타깃 값에 기초하는, 상기 전류를 제어하는 동작을 포함하는, 머신 판독 가능 저장 매체. - 제 17 항에 있어서,
상기 동작들은,
상기 기판 내의 복수의 슬릿 프로파일들과 연관된 체계적 트위스팅 정도를 검출하는 동작을 더 포함하고, 상기 체계적 트위스팅 정도는 상기 복수의 슬릿 프로파일들의 하나 이상의 측정 값들에 기초하는, 머신 판독 가능 저장 매체. - 제 18 항에 있어서,
상기 동작들은,
상기 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 상기 적어도 하나의 자기장 소스를 통한 상기 전류를 조정하는 동작을 더 포함하는, 머신 판독 가능 저장 매체. - 제 18 항에 있어서,
상기 동작들은,
상기 체계적 트위스팅 정도에 기초하여 상기 프로세스 가스의 플로우 레이트를 조정하는 동작을 더 포함하는, 머신 판독 가능 저장 매체. - 제 17 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 특성은,
상기 적어도 하나의 자기장 소스로서 구성된 적어도 하나의 코일과 연관된 코일 전류;
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 크기; 및
상기 하나 이상의 활성 자기장들의 자기장 극성 중 하나 이상을 포함하는, 머신 판독 가능 저장 매체.
Applications Claiming Priority (3)
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