WO2020126531A1 - Magnetanordnung für eine plasmaquelle zur durchführung von plasmabehandlungen - Google Patents

Magnetanordnung für eine plasmaquelle zur durchführung von plasmabehandlungen Download PDF

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WO2020126531A1
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Jörg Vetter
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Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon
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Definitions

  • the present invention relates generally to a plasma source and, more particularly, to a plasma source with a magnet assembly
  • Plasma generation that is used to pass a current through a gas by applying a sufficiently high voltage between a cathode and an anode, such as argon or another noble gas, at defined low pressures.
  • an anode such as argon or another noble gas
  • the plasma generation of a gas or gas mixture in the form of a low-pressure plasma can take place through the interaction of high-energy electrons with gases which are provided by an electron source and are accelerated to defined energies by suitable electrodes.
  • an electron source can be, for example, a cathodic vacuum arc evaporator consisting of a suitably shielded arc cathode and an arc anode which receives the arc electrons.
  • these arc electrons are drawn off with suitable electrodes and accelerated at high energy.
  • the gas plasma generated in this way can be used for different plasma treatments of substrates.
  • inert gas ions eg
  • argon ions generated thereby serve to ion-clean the substrates.
  • Chemical compounds excited in the plasma, if appropriate broken down, and atomized molecules of the gases and gas mixtures can be used for the thermochemical treatment of substrates or even for layer deposition. It is important to set the local plasma generation in terms of the treatment goals with suitable electrodes in terms of shape, arrangement and operating parameters.
  • One goal is to design the electrodes so that these do not protrude into the treatment room and can be loaded with high power densities and are as easy to maintain as possible.
  • the aim of the invention is to make the plasma on the electrodes generating the gas plasma adjustable in terms of time and location by means of suitable magnetic fields at least on one electrode introduced into the treatment chamber, as a result of which the local and temporal plasma distribution in the treatment room can be adjusted.
  • the invention relates to a vacuum chamber for performing a plasma treatment comprising a plasma treatment area which is surrounded by chamber walls of the vacuum chamber, and a plasma source.
  • the plasma source comprises at least one cathode arranged in the vacuum chamber for cathodic vacuum arc evaporation with an arc anode which is connected to the vacuum chamber and at least one electrode arranged in the vacuum chamber.
  • a shield can be arranged in front of the cathode and the electrode has a working surface for collecting the electrons emitted by the cathode, which is characterized in that the working surface is a two-dimensional surface for collecting the electrons emitted by the cathode.
  • the two-dimensional surface has a first orthogonal extension to a surface normal and a second orthogonal extension, the first orthogonal extension being perpendicular to the second orthogonal extension and an aspect ratio of the first orthogonal extension to the second orthogonal extension being between 0.1 and 1.
  • a magnet for generating a magnetic field which acts on the working surface of the electrode is arranged in, on or in and on the vacuum chamber.
  • the magnet may include a front magnet and / or a rear magnet.
  • the front magnet is arranged in the area of the working surface for generating a front magnetic field and the rear magnet is arranged behind the working surface for generating a rear magnetic field.
  • the magnet according to the invention can be designed as a magnetic circuit, that is to say as a coil or a plurality of magnets be.
  • the magnetic circuit surrounds the work surface or is arranged in front of the work surface.
  • an electrode according to the invention comprises an entire magnet system, comprising a front and a rear magnetic circuit.
  • any number of electrodes and cathodes can be arranged in the vacuum chamber.
  • a magnet can be arranged on each electrode or only on a subset of a plurality of electrodes. Magnets on the rear and / or on the front can be arranged on the electrodes.
  • At least one magnet for generating a magnetic field is arranged on the electrode in the vacuum chamber.
  • a first electrode and a second electrode can be present.
  • the first electrode can be influenced by a first front-side magnetic field and the second electrode by a second front-side magnetic field.
  • the first electrode has a first rear magnetic field and the second electrode has a second rear magnetic field. If there are several electrodes, some of the electrodes (or a first electrode) can have a magnetic field on the back, while another part of the electrodes (or a second one)
  • Electrode has a magnetic field on the front. If there are several electrodes, they can preferably be connected to a common power supply unit, or can of course also be connected to different power supply units (current sources).
  • a magnet on a vacuum chamber according to the invention can be a
  • Permanent magnet system and / or include an electromagnet. If the magnet comprises an electromagnet, the electromagnet can be attached to the electrode
  • Electrodes in front so any number of electrodes can be an adjustable
  • Adjustable magnetic fields according to the invention can be adjustable, inter alia, by means of different current intensities, a specific magnet arrangement and different polarities. If there are several magnets, the polarities of the magnets, in particular of the rear or front magnet, can be reversible.
  • the electrode according to the invention can in particular be an evaporator be, which comprises at least one metal. All of the measures described above can be used, among other things, to adjust and influence the homogeneity of the plasma. This is because the discharge can also be changed by one or more electrodes using a magnetic field. The operation of multiple electrodes, each with a power supply
  • Homogeneity while maintaining the higher plasma excitation can be controlled by specifying and adjusting current values.
  • the etching rate and etching homogeneity can also be set.
  • an etching profile can also be achieved by controlling coils and / or arranging the magnets
  • Typical industrial cathodic vacuum arc evaporators can be used as electron sources.
  • a shield In front of a cathodic vacuum arc evaporator (later also simply an arc evaporator) which is used as an electron source, a shield can be provided which is designed in such a way that it withstands the heat input by the vacuum arc evaporation.
  • the dimensioning of an area of such a shield should be larger than the entire area of the cathodic vacuum arc evaporator, which comprises a surface to be evaporated, in order to avoid vapor deposition of the substrates.
  • One or more electron collecting electrodes could be used in the form of uncooled electrodes.
  • the use of uncooled electrodes can limit the power that can be applied to the electrodes. It is therefore more advantageous to use cooled electrodes, for example water-cooled electrodes.
  • one or more typical (arc) power supplies can be used, which can deliver a voltage of up to 100V and a current of up to 400A. With appropriate dimensioning of the work surface and operating mode, current densities between 0.1 to 5 A / cm 2 and power densities between 0.25 to 500 W / cm 2 can be achieved at the electrodes.
  • a total gas pressure in the range from 0.01 Pa to 5 Pa should be maintained in the chamber during the plasma treatment, preferably a gas pressure in the range from 0.1 Pa to 2 Pa.
  • Typical gases are argon, hydrogen, nitrogen or hydrocarbon gases (eg C 2 H 2 , acetylene), which are used as pure gases or gas mixtures, depending on the treatment goal.
  • the vacuum chamber according to the invention can include both the large number of electrodes and the large number of cathodes, in particular cathodic vacuum arc evaporators.
  • cathodes can have a single shield or several shields.
  • cathodes, in particular cathodic vacuum arc evaporators, with one shield can advantageously be arranged with at least one electrode in the vacuum chamber.
  • an equal number of electrodes and cathodes in particular cathodic vacuum arc evaporators
  • more electrodes than cathodes in particular cathodic vacuum arc evaporators
  • more cathodes in particular cathodic vacuum arc evaporators
  • cathodes in particular cathodic vacuum arc evaporators
  • the electrodes and cathodes can be arranged at different points in the vacuum chamber (walls, ceiling, floor).
  • the plasma distribution in the vacuum chamber can be adjusted both via the arrangement and via the number of electrodes and cathodes (in particular cathodic vacuum arc evaporators).
  • an improvement in the etching depth and / or the etching homogeneity on a substrate can be achieved in an ion etching process, for example.
  • the use of more than one electrode allows the use of different currents on the electrodes and a time selective application of the currents, so that its improved control of plasma generation is made possible.
  • the electron current at the electrode can be adjusted by adjusting the electrode voltage.
  • Low electrode voltages result in low electron current and low plasma activity.
  • a typical maximum electron current at the one or more electrodes should be chosen at approximately 120% of the cathodic vacuum arc evaporator current. For example: If in a vacuum chamber containing argon at an argon pressure of 0.5 Pa, a cathodic one Vacuum arc evaporator is used as the electron source, the cathodic vacuum arc evaporator being operated at an arc current of 100 A, the total electrode current should be set to approximately 120 A. This means that the current at one electrode or, if more than one electrode is used, the sum of the individual currents at the individual electrodes should be set to a maximum of 120 A. An electrode current that is less than or equal to the arc current is preferred.
  • each electrode can be operated on a separate power supply unit or on a specific group of power supply units, so that the electrodes can be switched to operate them at a maximum current or to operate them in parallel at a maximum current by applying different voltages to the different electrodes.
  • Typical values of electrode voltages are in the range of 10 V - 50 V and typical electrode currents are in the range of 10 A - 200 A.
  • the present invention can also be used to carry out coating processes, for example for applying diamond-like carbon (DLC) layers.
  • DLC diamond-like carbon
  • a DLC layer of the type aC: H is to be applied, a mixture of an acetylene (C 2 H 2 ) gas flow and an argon gas flow should be fed to the chamber.
  • Virtually any coating device designed to perform vacuum coating processes such as PVD arc evaporation processes or PVD sputtering processes, including HiPIMS, or plasma-assisted chemical deposition processes (PA-CVD) can be adapted to perform plasma treatment processes in accordance with the present invention.
  • PVD arc evaporation processes or PVD sputtering processes including HiPIMS, or plasma-assisted chemical deposition processes (PA-CVD)
  • PA-CVD plasma-assisted chemical deposition processes
  • the magnet for generating a magnetic field should be arranged on the electrode in the chamber.
  • the magnet can be the front magnet, which can be controlled manually, so that his magnetic field can be changed.
  • the front magnet could also be a permanent magnet.
  • the electron-accelerating electrode is not spatially linear in the sense of a ratio between the length of the electrode and the cross sections, which are often rectangular or circular or elliptical.
  • the two-dimensional surface has the first orthogonal extension to the surface normal and the second orthogonal extension, the first orthogonal extension running perpendicular to the second orthogonal extension.
  • the aspect ratio of the first orthogonal dimension to the second orthogonal dimension is between 0.1 and 1.
  • the aspect ratio of the first orthogonal dimension to the second orthogonal dimension can also be between 0.2 and 1, in particular between 0.4 and 1, in particular 1 lie.
  • the work surface can be in the range between 5 to 2000 cm 2 , in particular 25 to 320 cm 2 .
  • the two-dimensional surface can be circular, ellipsoidal but also rectangular or have other suitable shapes. Is the
  • the first orthogonal extension corresponds to a first edge length and the second orthogonal extension to a second edge length corresponds to the two-dimensional one
  • the first orthogonal extension and the second orthogonal extension correspond in particular to distances from opposite vertices of the two-dimensional one
  • Two-dimensional also refers to the fact that the electrons hit an essentially planar surface.
  • the surface itself can have a certain structuring due to the manufacture or use. This structuring can be caused by erosion of the electrode
  • Electrodes structured and eroded in this way are also regarded as essentially planar in the context of the invention.
  • the ratio between a maximum depth of the structuring and the smaller orthogonal extension (in relation to the first orthogonal extension or second orthogonal extension according to the invention) of the two-dimensional surface of the electrode is at most 0.4, in particular at most 0.3, in particular at most 0.2 .
  • the maximum depth of the structuring should therefore always be smaller than the smaller orthogonal extension.
  • the two-dimensional surface of the electrode preferably has active magnetic fields.
  • a circular electrode is operated, which preferably has an electrode diameter of 100 mm.
  • the electrode can be attached to a wall of the vacuum chamber and can also be arranged at least partially in the chamber wall. If the electrode is at least partially arranged in the chamber wall, this has the clear advantage that the electrode does not protrude significantly into the coating space.
  • the electrodes can be attached to different chamber walls. If, for example, two two-dimensional electrodes are installed, the two two-dimensional electrodes are preferably arranged on opposite chamber walls. Of course, there is also the possibility that several two-dimensional electrodes are arranged on adjacent and / or several two-dimensional electrodes on the same chamber wall.
  • a first and a second electrode are preferably at a distance of 20 to 400 mm, in particular from 100 to 300 mm, in particular 200 mm, if these are operated one above the other or next to one another on a chamber wall.
  • the arrangement of the two-dimensional electrode on a chamber wall has in particular the following advantages over the prior art with a linear electrode within the vacuum chamber.
  • the plasma treatment area inside the vacuum chamber, especially in the center of the vacuum chamber offers more free space. Through this free space, a better use of the chamber can be achieved.
  • the substrates to be treated can be better distributed within the vacuum chamber, since the free space created in the chamber means that there is more space for distributing the substrates to be treated. This also enables a homogeneous plasma treatment of the substrate surfaces, in particular if the substrates to be treated can be arranged more uniformly in the chamber.
  • Another advantage of the arrangement according to the invention is that simple cooling of these electrodes according to the invention is made possible.
  • a two-dimensional surface such as is present in the electrodes according to the invention is of course much easier and more effectively coolable than would be possible with a linear electrode.
  • the cooling of the electron-receiving surface can be direct (water flow) or indirect. Clamping a suitable electrode material onto a heat sink is indirect.
  • a metal can in particular be titanium (Ti), zirconium (Zr) or aluminum (Al).
  • the material of the cathode can also consist of another suitable element, another suitable alloy (titanium alloys and / or zirconium alloys and / or aluminum and aluminum alloys) or another suitable metal which promotes adsorption of hydrogen and / or oxygen.
  • Such properties of the cathode of the vacuum arc evaporator can also be used, inter alia, to achieve a better vacuum quality for carrying out the plasma processes.
  • Electrodes All possible target materials known from the prior art of cathodic vacuum arc evaporators are suitable as electrode materials.
  • carbon targets made of pure carbon or alloys such as copper-carbon alloys can also be used as electrode material.
  • Steel, copper, copper alloys, aluminum, aluminum alloys or conductive evaporator materials such as aluminum titanium, chromium or vanadium are also suitable as electrode material.
  • a plurality of electrodes can be arranged in the vacuum chamber.
  • Each electrode preferably comprises one Working surface according to the invention.
  • a first and a second electrode are present in the vacuum chamber, a second front magnet can be arranged in front of a second working surface of the second electrode.
  • the second front magnet can also be arranged at least partially next to or around the second work surface.
  • the first front magnet can be arranged in front of the first work surface and / or the first front magnet can be arranged at least partially next to or around the first work surface.
  • a polarity of the magnet according to the invention or the magnetic circuit can be adjusted as desired.
  • the front and the rear magnet (or magnetic circuit) can have the same or reverse polarity.
  • the first front magnet can have the same polarity as the second front magnet.
  • the magnets can have a changeable polarity.
  • the first electrode and the second electrode can be connected to a common power supply or the first electrode can be connected to a first power supply and the second electrode can be connected to a second power supply.
  • the plurality of electrodes can comprise a first group of electrodes which is connected to a first power supply and a second group of electrodes which is connected to a second power supply.
  • the changeable polarity of the first front magnet and / or second front magnet can be adjusted by reversing a current which is applied to the first magnet and / or to the second magnet or is regulated.
  • Fig. 1 shows an example of a known vacuum chamber for performing a plasma treatment.
  • Fig. 2 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for performing a plasma treatment with an electrode according to a first embodiment.
  • FIG. 2 a shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with a rectangular electrode according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 2 b shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with an electrode with a switch between the electrode and the power supply according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 2 c shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with an electrode with a switch for reversing the polarity of a power supply in accordance with a further exemplary embodiment.
  • FIG. 3 shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with two electrodes according to the invention with a power supply unit according to another exemplary embodiment.
  • Fig. 4 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with two electrodes according to the invention with two power supplies according to a further embodiment.
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with an electrode according to the invention and two cathodes according to a further exemplary embodiment.
  • 6 shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with two electrodes according to the invention and two cathodes according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 7 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with two electrodes according to the invention and two cathodes according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 8 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with three electrodes according to the invention and three cathodes according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 8 a shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with three electrodes according to the invention and three cathodes according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 9 shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with three electrodes according to the invention, on different chamber walls according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 9 a shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with three electrodes according to the invention, on different chamber parts according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 10 shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment according to an exemplary embodiment of the invention with a magnet on the front.
  • FIG. 11 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment according to a further exemplary embodiment with a magnet on the front and rear.
  • 12 shows a schematic illustration of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment according to another exemplary embodiment with a magnet on the front and rear.
  • FIG. 13 shows a schematic illustration of a magnetic field configuration for two electrodes according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 14 shows a schematic representation of a vacuum chamber according to the invention for carrying out a plasma treatment with two magnets on the back with separate power supplies according to one exemplary embodiment.
  • Electrode arrangement with a front and rear magnet according to another embodiment.
  • FIG. 16 shows a diagram of magnetic field measurements according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 17 shows a schematic representation of a magnetic field configuration for two electrodes with front and rear magnets according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 18 shows a diagram of an etching depth that is influenced by magnetic fields according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 19 shows a diagram of an etching depth according to an example system according to the invention.
  • Fig. 20 shows a table of experimental results in comparison of various glow discharge systems with the known prior art.
  • a coating process such as a coating by means of physical gas deposition (PVD) or a diamond-like carbon coating
  • PVD physical gas deposition
  • a diamond-like carbon coating an arc-assisted glow discharge process (also ion-etching process) can be carried out on one or more substrates.
  • the ion etching process is used to prepare or condition the surfaces, which means that the substrate surfaces are heated and etched using ion bombardment. This conditioning improves the bond between the substrate and the coating. 1 shows a conventional ion etching process system.
  • the system comprises a vacuum chamber 1 with evaporators 7 (evaporators in the following, short for arc cathode of a cathodic vacuum arc evaporator), which are arranged on opposite sides of the chamber 1.
  • the evaporators 7 are connected to direct current sources 8 and can be operated at voltages of 40 V and currents up to 300 A.
  • Shutters or shields 12 are connected to the walls of the chamber 1 and are rotatably arranged such that the shutters 12 can be rotated such that the corresponding electrode 7 is either shielded or unshielded.
  • a linear electrode 13 is connected to the chamber and is immediately spaced from the evaporators 7.
  • the linear electrode 13 can be connected to the current sources 11, 14 via switches 15, 16, 17 and, in the operating state, has the same voltage along the electrode 3.
  • the current sources 11, 14 are also connected to the wall of the chamber 1 and can optionally connected to a rotatable substrate holder 10 via the switches 15, 16.
  • gas such as argon
  • gas source 6 can be admitted into the chamber 1 from a gas source 6 via the inlet 4.
  • electrons are generated by the evaporator 7 and accelerated in the direction of the linear electrode 13.
  • the electrons excite the argon gas atoms and thus generate partially ionized argon atoms, which are deposited on a surface of a substrate 9 in order to prepare them for the coating.
  • This system can only be set by means of the direct current sources 8, 11, 14 and the rotating substrate holder 10.
  • the system is thus characterized by limited ionization, limited adjustability of the plasma activation by the linear electrode 13, and limited adjustability of the homogeneity in the chamber 1.
  • 2 shows a schematically shown vacuum-tight chamber 100, an evaporator 110, which is provided in the chamber 100 and can be arranged directly on the wall of the chamber 100.
  • a power supply 1 1 1 is provided, which has a negative pole. This negative pole of the power supply 1 1 1 or the current source 1 1 1 is connected to the evaporator 1 10.
  • the evaporator 1 10 is thus a cathode 1 10.
  • the evaporator 1 10 emits, as shown, arc electrons which are initially partially extracted and accelerated with the electrode according to the invention and thus the working gas argon (Ar) (often also neon (Ne) or any other suitable gas or mixture of gases) and consequently generate a plasma.
  • argon Ar
  • Ne neon
  • a positive acceleration voltage is applied to the electrode 120, which enables an electrode current to the electrode.
  • the electrode can generally be controlled via the voltage or the current, or else by the energy consisting of the product of the voltage and the current.
  • the ions of the plasma then strike a surface of the substrate S, which is preferably provided centered in the chamber 100, in order to prepare and activate its surfaces for a subsequent coating process, for example by cleaning or etching.
  • a shield 115 is also movably arranged in the chamber 100 in FIG. 2, so that the shield 115 can optionally be positioned between the evaporator 110 and the substrate S.
  • the shield 115 can either be rotated or otherwise moved in front of the evaporator 110 in order to protect the substrate S from contamination by the evaporator 110 during this process. If cathodic vacuum arc evaporation is not present, the shield can be moved to another suitable position.
  • a single electrode 120 is provided.
  • the electrode 120 is connected to a positive pole of a power supply unit 121 and the electrode 120 is consequently an anode 120.
  • the plasma that can be generated in the system can be influenced.
  • the electrons emitted by the evaporator 110 are guided to the position of the electrodes / anodes 120 along a first and a second electron path 150.
  • a plasma that can be generated in the chamber 100 can in turn be accelerated in the same direction.
  • the first electrode 120 By suitably positioning the first electrode 120 at a desired position, a better / easier control of the plasma flow in the chamber 100 is possible and consequently an improved control of the ion bombardment and etching of the substrate.
  • the embodiment according to FIG. 2a shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 100 with a structure similar to the chamber 100 according to the embodiment according to FIG. 2.
  • the two-dimensional surface for collecting the electrons emitted by the cathode of the first electrode 120a according to FIG. 2a is, however, rectangular, whereas the two-dimensional surface of the first electrode 120 according to FIG. 2 is circular.
  • the two-dimensional surface for collecting the electrons emitted by the evaporator has a first orthogonal extension to a surface normal and a second orthogonal extension, the first orthogonal extension being perpendicular to the second orthogonal extension and an aspect ratio of the first orthogonal extension to the second orthogonal one Expansion is between 0, 1 and 1.
  • the first orthogonal extension and the second orthogonal extension correspond in particular to the diameter of the two-dimensional surface.
  • the first orthogonal extension corresponds to a first edge length and the second orthogonal extension corresponds to a second edge length of the two-dimensional surface.
  • the embodiment according to FIG. 2b shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 100 with a structure similar to that of chamber 100 according to the embodiment according to FIG. 2.
  • the embodiment according to FIG. 2b includes one between the first electrode 120 and the power supplies 121, 122 switched switch device 123.
  • the power supply 121 is arranged with the positive pole on the switch S1 of the switch device 123 and the power supply 122 is arranged with the negative pole on the switch S2 of the switch device 123.
  • the electrode 120 can be used according to the invention Plasma electrode (also anode) can be used. If switch S1 is open and switch S2 is closed, electrode 120 can be used for (sheet) coating processes or sputtering processes (ie target).
  • the embodiment according to FIG. 2c shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 100 with an analogous structure to the chamber 100 according to the embodiment according to FIG. 2.
  • the embodiment according to FIG. 2c comprises a circuit connected between the first electrode 120 and the power supply 121 Switch device 123.
  • the power supply unit 121 is arranged with the positive pole on the switch S1 of the switch device 123 and with the negative pole on the switch S2 of the switch device 123.
  • the positive pole of the power supply 121 is connected to ground via the one switch S3 and the negative pole of the power supply 121 is connected to ground via the one switch S4.
  • the electrode 120 can be used as the plasma electrode according to the invention. If switch S1 is open and switch S2 is closed, switch S3 is closed and switch S4 is open, electrode 120 can be used for (sheet) coating processes or sputtering processes.
  • FIG. 3 shows the schematically shown vacuum-tight chamber 100.
  • the first electrode 120 and the second electrode 130 are connected to a positive pole of the same power supply 121 or the same current source 121. Consequently, the first electrode 120 and the second electrode 130 are a first anode 120 and a second anode 130.
  • the use of different currents and / or different time intervals at the current source 121 of the anodes 120 and 130 can influence the plasma that can be generated in the system.
  • the embodiment according to FIG. 4 shows the schematically illustrated vacuum-tight chamber 100.
  • a first power supply unit 121 is arranged on the first electrode 120 and a second power supply unit 131 is arranged on the second electrode 130.
  • the plasma that can be generated in the system can be influenced by using different currents and / or different time intervals on the first power supply 121 and the second power supply 131, in particular since the first power supply can supply the first electrode 120 with a first current and the second power supply can supply the second electrode 130 with a second current.
  • the first and second streams can be adjustable independently of one another, so that the distribution of the plasma can be shaped by the first and the second streams.
  • the first power supply 121 can supply the first electrode 120 with the first current during a first time interval and the second power supply 131 can supply the second electrode 130 with the second current during a second time interval.
  • the first and second time intervals can be separated or overlapping as desired.
  • exemplary embodiments of plasma sources are shown schematically.
  • a vacuum chamber according to the invention hereinafter referred to as chamber
  • a large number of electrodes 120, 130 according to the invention , 140 with a two-dimensional surface for collecting the electrons emitted by a cathode which can be arranged in the chamber.
  • a very important advantage of this arrangement is the possibility of positioning the electrodes on one or more walls of the chamber, which enables an improvement in the distribution of the substrates to be treated with plasma in the chamber. As a result, the area for plasma treatment in the chamber can be better utilized, which results in higher efficiency.
  • a vacuum-tight chamber 100 is shown schematically in FIG. 3 or 4.
  • An evaporator 110 is in the Chamber 100 is provided and can be arranged directly in the wall or on the wall of chamber 1 10.
  • the evaporator 110 can comprise one or more metals, such as titanium and / or any other metal intended for evaporation.
  • a negative pole of the power supply or the power source is connected to the evaporator 1 10 and thus connects the evaporator 1 10 in the form of a cathode.
  • the vaporizer 110 is ignited, for example, by means of a trigger unit, arc electrons are emitted, which are accelerated by means of the electrode according to the invention and collide with one or more gases such as, for example, argon (Ar), neon (Ne) or any other suitable gas or gases together, which were let into the chamber 1 10, and so produce a plasma.
  • gases such as, for example, argon (Ar), neon (Ne) or any other suitable gas or gases together, which were let into the chamber 1 10, and so produce a plasma.
  • the ions of the plasma then bombard the surfaces of the one or more substrates (not shown here) that are provided in the chamber 100 to prepare their surfaces for, for example, cleaning or etching for a subsequent coating process.
  • One or more shields 15 are movably provided in the chamber 100, so that the shield 115 can optionally be positioned between the evaporator 110 and the substrate.
  • the shield 115 can either be rotated or otherwise moved in front of the evaporator to protect the substrates from contamination by the evaporator 110 during this process. If cathodic vacuum arc evaporation is not present, the shield can be moved to another suitable position.
  • two electrodes, a first electrode 120 and a second electrode 130 are provided in the chamber 100.
  • the first and second electrodes 120, 130 are connected to a positive pole of the at least one power supply or current source and thus connect the first and second electrodes 120, 130 as first and second anodes.
  • a common power supply unit 121 can be connected to the first electrode 120 and the second electrode 130.
  • an equal voltage can be applied to the first electrode 120 and the second electrode 130. This voltage can be applied to both electrodes 120, 130 at the same time and for the same time period.
  • a first power supply 121 can power the first electrode 120 during a first Supply a time interval with a current and a second power supply unit 131 supply the second electrode 130 with a current during a second time interval.
  • the first and second time intervals can be separated or overlapping as desired.
  • the first electrode 120 may be connected to a first power supply 121 and the second electrode 130 may be connected to a second power supply 131.
  • the first power supply 121 can supply the first electrode 120 with a first current
  • the second power supply 131 can supply the second electrode 130 with a second current.
  • FIGS. 3 and 4 the electrons emitted by the evaporator 110 flow to the positions of the first and second electrodes 120, 130.
  • the individual first electrode 120 and second electrode 130 By suitably positioning the individual first electrode 120 and second electrode 130 at the desired locations, one is better control of the plasma flow in the chamber 100 is possible and consequently an improved control of the ion bombardment and etching of the substrate S.
  • FIG. 9 illustrates an exemplary embodiment in which three individual electrodes, a first electrode 120, a second electrode 130 and a third electrode 140 are provided are. This results in a corresponding first, second and third electron path 160, which is directed in the direction of the first, second and third electrodes 120, 130, 140, respectively. 3 and 4, the electrodes 120, 130 are arranged opposite the evaporator 110.
  • the electrodes 120, 130, 140 are arranged on different parts of the chamber.
  • any suitable positioning of the first, second or optionally also third electrode is possible in order to influence the electron flow in such a way that improved plasma activation and homogeneity in the chamber can be achieved.
  • any number of electrodes in the chamber are possible in order to direct the electron flow onto a desired path. 3, 4 and 9 can be used with an applied current of 100 A; however, any other suitable current intensity can of course also be used.
  • FIG. 5 shows a further exemplary embodiment of a chamber 200, in which several evaporators are provided.
  • the chamber 200 comprises a first evaporator 210 and a second evaporator 220, which are connected as cathodes, that is to say connected to a negative pole of a first power supply unit 21 1 and a second power supply unit 221.
  • the first and second evaporators 210, 220 are provided on the wall of the chamber 200.
  • the first or second evaporator 210, 220 can also be arranged on a suitable structure of the wall of the chamber 200 or in the chamber 200.
  • a rotatable or otherwise movable shield 230 is provided in the vicinity of the first and second evaporators 210, 220.
  • the shield 230 can be of a size sufficient to shield both evaporators 210, 220.
  • chamber 200 may include first and second shields associated with the first and second evaporators 210, 220 (not shown here).
  • a first electrode 240 is provided in the chamber 200, which is connected as an anode, that is to say connected to the positive pole of a first current source 241.
  • the electrons emitted by the first evaporator 210 and the electrons emitted by the second evaporator 220 flow towards the first electrode 240. It is understood that any desired number of evaporators can be used with any desired number of individual electrodes so that the system can include an appropriate number of evaporators and an appropriate number of electrodes.
  • the embodiment according to FIG. 6 shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 200 with a structure similar to that of the chamber 200 according to the embodiment according to FIG. 5.
  • the embodiment according to FIG. 6 differs from FIG. 5 in that a first electrode 240 and a second electrode 250 are present.
  • the first electrode 240 and the second electrode 250 are connected to a positive pole of the same power supply unit 241 or the same current source 241. Consequently, the first electrode 240 and the second electrode 250 are connected as a first anode 240 and a second anode 250.
  • the common power supply unit is connected to the first electrode 240 and the second electrode 250, in this arrangement an equal current can be supplied to the first electrode 240 and the second electrode 250 are applied. This current can be applied to both electrodes 240, 250 at the same time and for the same period of time.
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment of a plasma source, in which several evaporators are provided.
  • a chamber 200 comprises a first evaporator 210 and a second evaporator 220, which are connected as cathodes.
  • the first and second evaporators 210, 220 may be provided in the wall of the chamber 200 or otherwise on the chamber 200.
  • the first or second evaporator 210, 220 can also be arranged on a suitable structure of the chamber 200 or in the chamber 200.
  • a rotatable or otherwise movable shield 230 is provided in the vicinity of the first and second evaporators 210, 220.
  • the shield 230 may be of a size sufficient to shield both evaporators 210, 220.
  • chamber 200 may include first and second shields associated with first evaporator 110 and second evaporator 220, respectively.
  • a first electrode 240 and a second electrode 250 are provided in the chamber 200, both of which are connected as an anode.
  • the electrons emitted by the first evaporator 210 flow towards the first electrode 240 and the electrons emitted from the second evaporator 220 towards the second electrode 250.
  • the system of FIG. 6 may include two evaporators and four individual electrodes so that electrons flow from the first evaporator 210 to two individual electrodes and the electrons flow from the second evaporator to two other individual electrodes.
  • the embodiment according to FIG. 7 shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 200 with an analogous structure to the chamber 200 according to the embodiment according to FIG. 6.
  • the embodiment according to FIG. 7 differs from FIG. 6, however, in that the first Electrode 240 has a first power supply unit 241 and a second power supply unit 251 is arranged on the second electrode 250.
  • the plasma that can be generated in the system can be influenced, in particular since the first one Power supply unit can supply the first electrode 240 with a first current and the second power supply unit can supply the second electrode 250 with a second current.
  • the first and second streams can be adjustable independently of one another, so that the distribution of the plasma can be shaped by the first and the second streams.
  • the first power supply 241 can supply the first electrode 240 with the first current during a first time interval and the second power supply 251 can supply the second electrode 250 with the second current during a second time interval.
  • the first and second time intervals can be separated or overlapping as desired.
  • evaporators 210, 220 with at least one anode 240, 250.
  • ⁇ 8 can be used in particular in large systems.
  • Several plasma sources can be provided in the chamber by arranging evaporators 31 1, 321, 331 and electrodes 340, 350, 360 along the height of the chamber, that is, along the height of the plasma treatment area, the plasma source in each case at least one evaporator and comprises one, two or more individual electrodes.
  • Each electrode can be supplied by its own power supply unit or a switchable power supply unit can be used by several electrodes at the same time.
  • the chamber 300 of FIG. 8 comprises a first evaporator 310, a second evaporator 320 and a third evaporator 330, which are connected as cathodes, that is to say with a negative pole of a first power supply unit 31 1, a second power supply unit 321 and one third power supply 331 are connected.
  • the first, second and third evaporators 310, 320 and 330 are provided on the same wall of the chamber 300.
  • the first, second and third evaporators 310, 320 and 330 can also be arranged on a suitable structure of the wall of the chamber 300 or in the chamber 300.
  • first, second and third evaporators 310, 320 and 330 on different walls, or first and third evaporators 310 and 330 on one wall and the second evaporator 320 on another wall.
  • Three rotatable or otherwise movable shields 334, 332 and 333 are provided in the vicinity of the first, second and third evaporators 310, 320 and 330, respectively.
  • chamber 300 may include a shield that is sized which is sufficient to shield all evaporators 310, 320, 330.
  • a first electrode 340, a second electrode 350 and a third electrode 360 are provided in the chamber 300, which are connected as anodes 340, 350, 360, that is to say with the positive pole in each case with a first power supply unit 341, a second power supply unit 351 and a third power supply 361 is connected.
  • the electrons emitted by the first evaporator 310, the electrons emitted by the second evaporator 320 and the electrons emitted by the third evaporator 330 flow in the direction of the three anodes 340, 350, 360.
  • the electrodes 340, 350, 360 are arranged opposite the evaporators 310, 320, 330.
  • any suitable positioning of the first, second and third electrodes is possible in order to influence the electron flow in such a way that improved plasma activation and homogeneity in the chamber can be achieved.
  • any number of electrodes in the chamber are possible in order to direct the electron flow onto a desired path.
  • the current applied to the evaporators 310, 320, 330 can be 100 A, but of course any other suitable current strength can also be used.
  • FIG. 8 a shows a further exemplary embodiment of a chamber 300, with an analogous structure to the chamber in FIG. 8, but the power supply units of the first electrode 340, the second electrode 350 and the third electrode 360 are operated with different energies.
  • the homogeneity of a plasma can be improved via the different energies, and the distribution of a plasma can be better controlled by adjusting the energies on the respective power supply units accordingly.
  • the substrate S can be biased both negatively and positively, the positive bias having to be less than that of the electrode, since otherwise all of the electrons flow to the substrate.
  • a suitably pre-stressed substrate is also suitable for additional plasma control.
  • the chamber 100, 200 in Operating state fed a working gas and a process gas.
  • the working gas is preferably argon (Ar) and hydrogen (H2) and the process gas is preferably nitrogen (N2).
  • the exemplary embodiment according to FIG. 9 shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 100 with an analogous structure to the chamber 100 according to the exemplary embodiment according to FIG. 2.
  • the exemplary embodiment according to FIG. 9 differs from FIG. 2 in that a first electrode 120, a second electrode 130 and a third electrode 140 are present and a first power supply unit 121 is arranged on the first electrode 120, a second power supply unit 131 is arranged on the second electrode 130 and a third power supply unit 141 is arranged on the third electrode 140.
  • the plasma that can be generated in the system can be influenced by using different energies and / or different time intervals on the first power supply 121, the second power supply 131 and the third power supply 141, in particular since the first power supply 121 supplies the first electrode 120 with a first energy and the second power supply 131 can supply the second electrode 130 with a second energy and the third power supply 141 can supply the third electrode 140 with a third energy.
  • the first, second and third energy can be set independently of one another, so that the distribution of the plasma can be shaped by the first, second and third energy.
  • FIG. 9 illustrates an exemplary embodiment in which three individual electrodes, a first electrode 120, a second electrode 130 and a third electrode 140 are provided. This results in a corresponding first, second and third electron path 160, which is directed in the direction of the first, second and third electrodes 120, 130, 140, respectively.
  • the electrodes 120, 130, 140 are arranged opposite the evaporator 110.
  • any suitable positioning of the first, second or optionally also third electrode is possible in order to influence the electron flow in such a way that improved plasma activation and homogeneity in the chamber can be achieved. Accordingly, any number of electrodes in the chamber are possible in order to direct the electron flow onto a desired path.
  • FIG. 9a shows a schematically illustrated vacuum-tight chamber 100 with an analogous structure to the chamber 100 according to the exemplary embodiment according to FIG. 9.
  • the electrodes 120, 130, 140 are not only on chamber walls the chamber 100 arranged.
  • the first electrode 120 is arranged on a chamber wall
  • the second electrode 130 is arranged on a chamber ceiling
  • the third electrode 140 on the chamber floor.
  • the arrangement of the electrodes in the chamber can be adapted as desired, among other things to control a plasma distribution.
  • a vacuum chamber according to the invention can be used for ion etching processes and can be equipped with a plurality of individual electrodes, wherein different electrodes can be supplied with different currents. The same or different currents, even at different times, can be applied to the different electrodes in order to manipulate the plasma activation and the etching in the desired manner.
  • the electron paths 150, 160, 260 contained in the figures are only shown schematically, since the electron paths 150, 160, 260 naturally lead past the shields 115, 230, 332, 333, 334 and not through them.
  • a magnet for generating a magnetic field is arranged in the vacuum chamber, in particular in the vicinity of the electrodes, or in the case of a plurality of electrodes in the vicinity of at least one electrode of this plurality (not shown here).
  • This magnet is particularly preferably arranged on the working surface of the electrode.
  • the magnet may include a front magnet and / or a rear magnet.
  • the front magnet is arranged in the area of the working surface for generating a front magnetic field and the rear magnet is arranged behind the working surface for generating a rear magnetic field. If there are a large number of electrodes, it can also be on one electrode or on one Subset of the plurality of electrodes a front and / or a rear magnet can be arranged.
  • the substrate S can be biased both negatively and positively, the positive bias should be smaller than that of the electrode, since otherwise all of the electrons flow to the substrate.
  • argon (Ar) and hydrogen (H2) can preferably be supplied as the working gas and nitrogen (N2) can preferably be supplied as the process gas.
  • FIG. 10-12 in which exemplary embodiment are shown in which magnetic fields can be applied to the individual electrodes of the vacuum chamber.
  • An electron path can be controlled in a magnetic field, which influences the charged particles in the plasma accordingly. More specifically, the diffusion of the charged particles by the magnetic field is hindered. This reduces the loss of electrons and ions and increases the electron density.
  • solenoids in the form of coils are positioned around the chamber from one end to an opposite end to create a magnetic field within the chamber.
  • Other conventional systems use permanent magnets, which are arranged below the substrate and are moved to generate the magnetic field.
  • none of these configurations allows the flow of electrons to be controlled in such a way that the homogeneity can be adjusted and improved.
  • FIG. 10 shows an example in which an electrode 300 is arranged in the vicinity of or within an electromagnet 302.
  • the electromagnet 302 can be a coil which is wound around the electrode 30, that is to say is arranged in the region of a working surface of the electrode.
  • the magnetic field on the electrode 30 is on the front. No back magnetic field was generated.
  • the electrode 30 comprises the electromagnetic coil 302, which is provided in the vicinity of or around the electrode 30 (that is to say in FIG Area of the work surface and / or at least partially arranged next to the work surface).
  • An electromagnetic coil 301 is positioned near the electrode 30 behind the work surface to be as the back Magnet to generate a back magnetic field.
  • the electromagnetic coil can comprise a ferritic core or also no ferritic core, depending on the desired magnetic field strength.
  • the two coils 301, 302 are arranged to have the same polarity. In Fig. 12, the magnetic fields between the electromagnetic coils 301 and 302 have an opposite polarity.
  • This change in the polarity of the (back and front) magnetic fields can be achieved by changing the direction of the current through the coil 301.
  • the magnetic field can thus be set on a single coil.
  • the diagram in FIG. 16 shows an example of the magnetic field strength (in mT, Y-axis) that is perpendicular to the surface (round electrode, 5 cm radius, zero point corresponds to the center of the electrode, X-axis radius starting from the electrode center in cm) with a coil current of 3A was measured.
  • the middle curve shows the strength of the magnetic field of FIG. 10, with no rear magnetic field being generated.
  • the upper curve shows the strength of the magnetic field according to FIG.
  • Fig. 13 shows another embodiment of the present invention.
  • the system shown in Fig. 13 is a vacuum chamber for performing a plasma treatment with a magnetic field configuration for two electrodes.
  • An evaporator 450 is provided within the chamber and can be directly (at least partially) embedded or connected to the chamber wall.
  • a negative pole of a 100A power source can be connected to the evaporator and connects the evaporator as a cathode.
  • electrons are emitted when the evaporator is ignited, and the electrons collide with an argon (Ar) gas that has been introduced into the chamber, thereby generating the plasma.
  • the ions in the plasma then bombard the surfaces of one or more substrates, not shown, arranged in the chamber to be cleaned and / or etched.
  • One or more shields are movably positioned in the chamber such that the shield can be selectively positioned between the evaporator and the substrate.
  • the shield can be rotated or otherwise moved in front of the evaporator 450 prior to the ignition of the cathodic vacuum arc evaporators to protect the substrate from contaminants. If the arc generated by the cathodic vacuum evaporator is not present, the shields can be moved to a non-shielding position.
  • at least one single electrode should be provided in the chamber. In FIG.
  • a first electrode 460 and a second electrode 470 are provided, which are connected to a positive pole of a (for example 80A) power supply unit (also a power source) and thus connect the electrodes 460, 470 as anodes. Accordingly, the electrons flow from the evaporator 450 in the direction of the position of the electrodes 460, 470. The accelerates the generated plasma in the same direction.
  • a first rear magnet 480 and a second rear magnet 490 for generating a rear magnetic field are arranged behind the working surfaces of the electrodes 460, 470.
  • the back magnetic fields can be applied to the electrodes by means of an electromagnet by placing an electromagnetic coil behind the working surfaces of the electrodes 460, 470.
  • the substrate current can be increased, in particular doubled, with essentially the same ion etching performance, which consequently leads to an increased etching of the substrate (s).
  • any number of evaporators and also electrodes can be used in the system (as already shown in the explanations for FIGS. 5-8a). Larger systems and / or larger chambers, for example, may need two or more evaporators to generate a larger number of electrons.
  • FIG. 14 shows an example of a chamber 400 with a structure similar to the exemplary embodiment according to FIG. 17.
  • the first electrode and the second electrode of FIG. 14 are connected to different power supplies (power supply U1 and Power supply U2).
  • power supply U1 and Power supply U2 are connected to different power supplies.
  • the polarities of the two coils can be controlled and changed independently of one another, which of course can improve the etching homogeneity.
  • a front-side magnet (also a magnetic circuit) is arranged on the first electrode 460 and the second electrode 470 in the vacuum chamber 400 in FIG. 14.
  • a first rear magnet 480 is arranged on the first electrode 460 and a second rear magnet 490 is arranged on the second electrode 470.
  • the rear magnets 480, 490 are connected to different power supplies (power supply 1 and power supply 2).
  • the front magnets are arranged in the vacuum chamber 400 (ie under vacuum), while the rear magnets 480, 490 are arranged outside the vacuum chamber 400 (ie under atmospheric pressure). It goes without saying that magnets can also comprise permanent magnets.
  • the vacuum chamber according to the invention should comprise a magnet which is arranged on, next to or around the (two-dimensional) working surface of the electrode in or outside the (vacuum) chamber in order to generate a magnetic field.
  • the magnet can comprise a front magnet and / or a rear magnet.
  • the front-side magnet 302 is arranged in the region of the working surface 461 for generating a front-side magnetic field
  • the rear-side magnet 301 is arranged behind the working surface 461 for generating a rear-side magnetic field.
  • the front magnet can also be arranged at least partially next to the work surface.
  • Both the front magnet and the rear magnet can be designed as electromagnets, in particular as coils.
  • the magnetic field can be both pulsed, its strength can be adjusted with essentially the same field direction, and the field direction can also be reversed.
  • the polarity of the magnetic field can be adjusted by changing the current direction in the coil.
  • Particularly preferred when using the inventive Vacuum chamber programs are specified in which the current in the coils changes.
  • a current of 3 A can be used for a first time interval and a current of 3 A with a reversed current direction can be used for a second time interval.
  • the first and second time intervals can of course be the same but of course different.
  • the currents can also be of different strengths.
  • the magnetic field generated by the coil can be controlled via the time, the direction and the current intensity.
  • the system according to the invention can also comprise a multiplicity of magnets on the front and / or on the back, that is to say a magnet on the front and / or on the back, which are arranged in a ring.
  • the front magnet 302 may be annular or a plurality of front magnets 302 may be arranged in a ring as a magnetic circuit.
  • the plurality may include 20 magnets arranged in a particular pattern, each magnet spaced from the other.
  • a second plurality of permanent magnets can be arranged radially within the first plurality of magnets.
  • the plurality may have an opposite polarity to the second plurality.
  • the rear magnet 301 can also be designed as a plurality of magnets which are arranged behind the working surface 461 of the electrode in a predefinable structure.
  • the diameter of the front magnet can be a factor of 1.1 to 2 larger than the diameter of the Electrode.
  • magnetization of the magnets should run largely parallel to the surface normal of the working surface 461.
  • the front magnets 302 can be arranged in front of as well as next to and around the work surface 461. It is also possible for a magnetic circuit to consist of two magnets, one pole being arranged in front of the work surface and one pole being arranged next to (above or below) the work surface. In particular, the front magnets also be arranged so that they can move relative to the work surface.
  • the magnet or magnets in such a way that any magnetic field structure (shape and strength) can be generated on the working surface of the two-dimensional electrode. It is possible, for example, that the magnetic field strength is greater in the outer area of the work surface than in an inner area of the work surface, but also vice versa.
  • a magnet according to the invention can at least partially be designed as a permanent magnet, it being possible for all typical magnet materials such as hard ferrites, AlNiCo, NdFeB, SmCo to be used as bulk materials or as plastic-bonded magnets.
  • the magnet can be made from a molded body or can be segmented.
  • Typical magnetic field strengths which are preferably used in a vacuum chamber according to the invention have a magnetic field strength of a vertical component of the magnetic field on the electrode according to the invention between 0.1 and 100 mT, preferably 1 to 50 mT, in particular 2 to 20 mT.
  • a substrate holder can be arranged in the chamber.
  • the substrate holder preferably comprises a plurality of high-speed steel substrates arranged at different heights in the vertical direction.
  • the substrate holder is rotatably arranged in the chamber, so that a substrate holder plate can be rotated about a central axis of the substrate holder.
  • each vertical arrangement of the substrate can be rotated about its individual axis.
  • the first electrode and, if present, the second electrode have a diameter of 100 mm, for example, and are arranged in the chamber at predeterminable vertical positions.
  • measurements can be made on the electrodes at three different heights: at 210 mm corresponding to a lower end of the second electrode B; At 340 mm, corresponding to 30 mm above a lower end of the first electrode; and 470 mm corresponding to 60 mm above the upper end of the first electrode A.
  • the etched substrates were steel bodies (100Cr6) which were rotated twice in the vacuum chamber.
  • FIG. 17 shows a chamber similar to that described above, with additional front-side magnetic fields being applied to the electrodes.
  • the front magnetic fields of the first electrode 460 (A) and second electrode 470 (B) have opposite polarities.
  • the magnetic fields can be used to adjust the plasma generation in the vicinity of the first and second electrodes 460, 470, which can be achieved by changing the direction of the currents applied to the corresponding coils.
  • a current of 80 A is applied to the electrodes
  • a current of 40 A is applied to the first electrodes 460 (A) and a current of 40 A to the second electrode 470 (B).
  • the currents at the first electrode 460 (A) and the second electrode 470 (B) remain close to 40 A when the polarities of the magnetic fields applied to the electrodes 460, 470 are oppositely oriented. However, if the applied magnetic fields have the same polarity, the current at the first electrode will approach approximately 80 A while the current at the second electrode will be close to 0 A. This is because the electron current at the second electrode is almost completely shielded in this case.
  • the diagram and the table in FIGS. 18 and 20 show the measurements as made at the specified heights in a device according to FIG. 17.
  • a graph of the results is shown in Fig. 18.
  • the X axis represents the vertical position above the lower edge of the lower circular electrode B (210 mm), or in other words, the predeterminable height measured in mm and the Y axis represents the etching depth in nm. that the substrates which are provided at higher vertical positions on the substrate holder show a weaker etching of the substrates than with those substrates which are positioned at lower positions on the substrate holder.
  • the upper line in the diagram shows the embodiment of FIG. 17; while the one under line shows a known system with a linear electrode.
  • the X axis represents the vertical position above the lower edge of the lower circular electrode B (210 mm), or in other words, the predeterminable height measured in mm and the Y axis represents the etching depth in nm.
  • the etching depth of the bottom measurement (bot, 210mm) is 250 nm.
  • the depth of the middle measurement (mid, 340mm) is 210 nm, which corresponds to 84% of the bottom etching depth, and the depth at the upper measuring point (top, 470mm) is 1 10 nm , which corresponds to 48% of the bottom etching depth.
  • the substrate current is high at 4.5 A and the etching depth at the upper measurement (470 mm) is 760 nm.
  • the mean measurement (340 mm) is 620 nm (86%) and the bottom measurement (340 mm) is 300 nm (39%). If the polarities are changed by reversing the direction of the current applied to the coil, a reverse effect can be observed at the etching depth.
  • the current applied to the first electrode is 49 A and the current applied to the second electrode is 31 A.
  • the substrate current was measured to be 4 A. The greatest measured depth in this configuration is found at the bottom measurement (210 mm) at 640nm.
  • the middle measurement (340 mm) gives 490 nm (76%) and the upper measurement (470mm) is 240 nm (38%).
  • etching rate is essentially constant over the entire height of the substrate holder. Since the etching profiles show opposite tendencies from top to bottom with the same polarity of the magnetic field and with the opposite polarity, homogeneity can be achieved by superimposing the etching profiles on certain time intervals. The selected time can be short, such as 1 to 10 revolutions of the substrate holder, or longer if desired. In the example of the configuration according to FIG. 17, it was found that good homogeneity can be achieved if 2/3 of the process time (for example 40 min) is used when applying front magnetic fields of the same polarity (as in the third row of the results according to FIG. 20) and upper curve Fig. 19) and 1/3 of the process time (20 min) front magnetic fields with opposite polarity are used (as shown in the 4th row of results in Fig. 20).
  • an ion etching system according to the invention can be equipped with a large number of individual electrodes, it being possible for different electrodes to be supplied with different currents. The same or different currents, also at different times, can be applied to the different electrodes in order to manipulate the plasma activation and the etching in the desired manner.

Abstract

Um die Atztiefe und/oder die Atzhomogenität bei einem Substrat zu verbessern, wird eine Plasmaquelle mit einem oder mehreren einzelnen Elektroden oder ein oder mehreren Magneten vorgeschlagen. Der Magnet erzeugt ein Magnetfeld in der Nähe der Elektroden, welches rückseitig oder vorderseitig sein kann.

Description

MAGNETANORDNUNG FÜR EINE PLASMAQUELLE
ZUR DURCHFÜHRUNG VON PLASMABEHANDLUNGEN
TECHNISCHES GEBIET
[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ganz allgemein eine Plasmaquelle und im Speziellen eine Plasmaquelle mit einer Magnetanordnung
HINTERGRUND
[0002] Zum einen kann die elektrische Glimmentladung zur
Plasmaerzeugung, die auf den Durchgang eines Stromes durch ein Gas durch das Anlegen einer hinreichend hohen Spannung zwischen einer Kathode und einer Anode, wie zum Beispiel Argon oder ein anderes Edelgas bei definierten niedrigen Drücken gebildet wird, eingesetzt werden. Zum anderen kann die Plasmaerzeugung eines Gases oder Gasgemisches in Form eines Niederdruckplasmas durch die Wechselwirkung hochenergetischer Elektronen mit Gasen erfolgen, die durch eine Elektronenquelle bereitgestellt werden und durch geeignete Elektroden auf definierte Energien beschleunigt werden, genutzt werden. Eine solche Elektronenquelle kann beispielsweise ein kathodischer Vakuumbogenverdampfer bestehend aus einer geeignet abgeschirmten Bogenkathode und einer die Bogenelektronen aufnehmende Bogenanode sein. Zur Gasplasmaerzeugung werden diese Bogenelektronen mit geeigneten Elektroden abgesogen und dabei hochenergetisch beschleunigt. Das dadurch erzeugte Gasplasma kann für unterschiedliche Plasmabehandlungen von Substraten genutzt werden. Beispielsweise dienen dadurch erzeugte Inertgasionen (z.B.) Argonionen einer lonenreinigung der Substrate. Im Plasma angeregte, gegebenenfalls zerlegte chemische Verbindungen sowie atomisierte Moleküle der Gase und Gasgemische können zur thermochemischen Behandlung von Substraten oder gar zur Schichtabscheidung eingesetzt werden. Dabei gilt es, die lokale Plasmaerzeugung definiert hinsichtlich der Behandlungsziele mit geeigneten Elektroden in Form, Anordnung und Betriebsparametern einzustellen. Ein Ziel ist dabei die Elektroden so auszuführen, dass diese nicht störend in den Behandlungsraum ragen und mit hohen Leistungsdichten beaufschlagbar sind und möglichst einfach zu warten sind. Weiterhin besteht das Ziel der Erfindung darin, das Plasma an den das Gasplasma erzeugenden Elektroden mittels von geeigneten Magnetfeldern zumindest an einer in die Behandlungskammer eingebrachten Elektrode zeitlich und örtlich einstellbar zu gestalten, wodurch die örtliche und zeitliche Plasmaverteilung im der Behandlungsraum einstellbar wird.
BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
[0003] Die Erfindung betrifft eine Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung umfassend einen Plasmabehandlungsbereich, der von Kammerwänden der Vakuumkammer umschlossen ist, sowie eine Plasmaquelle. Hierbei umfasst die Plasmaquelle mindestens eine in der Vakuumkammer angeordnete Kathode zur kathodischen Vakuumbogenverdampfung mit einer Bogenanode welche mit der Vakuumkammer verbunden ist und mindestens eine in der Vakuumkammer angeordnete Elektrode. Vor der Kathode kann eine Abschirmung angeordnet werden und die Elektrode besitzt eine Arbeitsoberfläche zum Auffangen der von der Kathode emittierten Elektronen welche dadurch gekennzeichnet ist, dass die Arbeitsoberfläche eine zweidimensionale Oberfläche zum Auffangen der von der Kathode emittierten Elektronen ist. Die zweidimensionale Oberfläche hat eine zu einer Oberflächennormale erste orthogonale Ausdehnung und eine zweite orthogonale Ausdehnung, wobei die erste orthogonale Ausdehnung senkrecht zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung verläuft und ein Längenverhältnis der ersten orthogonalen Ausdehnung zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung zwischen 0, 1 und 1 liegt. Dabei ist ein Magnet zum Erzeugen eines Magnetfeldes welches auf die Arbeitsoberfläche der Elektrode einwirkt, in, an oder in und an der Vakuumkammer angeordnet.
[0004] Im Allgemeinen kann der Magnet einen vorderseitigen Magneten und / oder einen rückseitigen Magneten umfassen. Der vorderseitige Magnet ist im Bereich der Arbeitsoberfläche zum Erzeugen eines vorderseitigen Magnetfeldes angeordnet und der rückseitige Magnet ist hinter der Arbeitsoberfläche zum Erzeugen eines rückseitigen Magnetfeldes angeordnet. Der erfindungsgemässe Magnet kann als ein Magnetkreis, also als eine Spule oder eine Vielzahl von Magneten, ausgestaltet sein. Der Magnetkreis umschliesst die Arbeitsoberfläche, beziehungsweise ist vor der Arbeitsoberfläche angeordnet, Besonders bevorzugt umfasst eine erfindungsgemässe Elektrode ein ganzes Magnetsystem, umfassend einen vorderseitigen und einen rückseitigen Magnetkreis.
[0005] In Ausführung der Erfindung kann eine beliebige Anzahl von Elektroden und Kathoden in der Vakuumkammer angeordnet sein. Hierbei kann an jeder Elektrode ein Magnet angeordnet sein oder nur an einer Teilmenge einer Vielzahl von Elektroden. Hierbei können an den Elektroden rückseitige und / oder vorderseitige Magneten angeordnet sein.
[0006] Erfindungsgemäss ist mindestens ein Magnet zum Erzeugen eines Magnetfeldes an der Elektrode in der Vakuumkammer angeordnet. Hierbei können eine erste Elektrode eine zweite Elektrode vorliegen. Hierbei kann die erste Elektrode von einem ersten vorderseitigen Magnetfeld und die zweite Elektrode von einem zweiten vorderseitigen Magnetfeld beeinflusst werden. Auch ist es in Ausführung der Erfindung denkbar, dass die erste Elektrode ein erstes rückseitigen Magnetfeld und die zweite Elektrode ein zweites rückseitiges Magnetfeld hat. Bei mehreren Elektroden kann ein Teil der Elektroden (beziehungsweise eine erste Elektrode) ein rückseitiges Magnetfeld haben, während ein anderer Teil der Elektroden (beziehungsweise eine zweite
Elektrode) ein vorderseitiges Magnetfeld hat. Liegen mehrere Elektroden vor können diese vorzugsweise an einem gemeinsam Netzteil angeschlossen sein, oder können selbstverständlich auch an verschiedene Netzteile (Stromquellen) angeschlossen sein. Ein Magnet an einer erfindungsgemässen Vakuumkammer kann ein
Permanentmagnetsystem und/oder einen Elektromagneten umfassen. Umfasst der Magnet einen Elektromagneten kann der Elektromagnet als an die Elektrode
gekoppelte, elektromagnetische Spule ausgestaltet sein. Liegt eine Vielzahl von
Elektroden vor, so kann eine beliebige Anzahl der Elektroden ein einstellbares
Magnetfeld haben. Einstellbare Magnetfelder gemäss der Erfindung können unter anderem durch verschiedene Stromstärken, eine spezifische Magnetanordnung und verschiedene Polaritäten einstellbar sein. Liegen mehrere Magnete vor können die Polaritäten der Magnete, insbesondere des rückseitigen oder vorderseitigen Magnets umkehrbar sein. Die erfindungsgemässe Elektrode kann insbesondere ein Verdampfer sein, welcher mindestens ein Metall umfasst. All die vorrangehend beschriebenen Massnahmen können unter andrem dazu dienen, die Homogenität des Plasmas einzustellen und zu beeinflussen. Dies kommt daher, da die Entladung sich zusätzlich bei einer oder mehreren Elektroden durch ein Magnetfeld verändern lässt. Dabei kann durch das Betreiben von mehreren Elektroden mit je einer Stromversorgung die
Homogenität bei Beibehaltung der stärkeren Plasmaanregung durch die Vorgabe und Anpassung von Stromwerten gesteuert werden. Durch die Einstellung der Homogenität des Plasmas und folglich durch die erfindungsgemässen Magnetfelder ist
beispielsweise auch die Ätzrate und Ätzhomogenität einstellbar. Insbesondere kann ein Ätzprofil auch durch Steuerung von Spulen und/oder Anordnung der Magnete
beeinflusst werden.
[0007] Als Elektronquellen können typische industrielle kathodische Vakuumbogenverdampfer verwendet werden. Vor einem kathodischen Vakuumbogenverdampfer (später auch einfach Bogenverdampfer), der als Elektronenquelle verwendet wird, kann eine Abschirmung vorgesehen sein, die derart ausgestaltet ist, dass sie dem Wärmeeintrag durch die Vakuumbogenverdampfung standhält. Die Dimensionierung einer Fläche einer solchen Abschirmung sollte grösser sein als die gesamte Fläche der kathodischen Vakuumbogenverdampfer, welche eine zu verdampfende Oberfläche umfasst, um eine Bedampfung der Substrate zu vermeiden.
[0008] Eine oder mehrere Elektronen sammelnde Elektroden könnten in Form von ungekühlten Elektroden verwendet werden. Die Verwendung von ungekühlten Elektroden kann jedoch zu einer Limitierung der Leistung führen, mit welcher die Elektroden beaufschlagt werden können. Daher werden vorteilhafter gekühlte Elektroden, zum Beispiel wassergekühlte Elektroden verwendet.
[0009] Als Energieversorgung für die Elektroden können eine oder mehrere typische (Lichtbogen-) Netzgeräte verwendet werden, die eine Spannung von bis zu 100V und einen Strom von bis zu 400A liefern können. Hierbei können bei entsprechender Dimensionierung der Arbeitsoberfläche und Betriebsart an den Elektroden Stromdichten zwischen 0,1 bis 5 A/cm2 und Leistungsdichten zwischen 0,25 bis 500 W/cm2 erreicht werden. [0010] In der Kammer sollte ein totaler Gasdruck in einem Bereich von 0,01 Pa bis 5 Pa während der Plasmabehandlung aufrechterhalten werden, bevorzugt ein Gasdruck im Bereich von 0, 1 Pa bis 2 Pa. Typische Gase sind dabei Argon, Wasserstoff, Stickstoff oder Kohlenwasserstoffgase (z.B. C2H2, Acetylen), die je nach Behandlungsziel als reine Gase oder Gasmischungen eingesetzt werden.
[0011] Die erfindungsgemässe Vakuumkammer kann sowohl die Vielzahl von Elektroden, als auch die Vielzahl von Kathoden, insbesondere kathodischen Vakuumbogenverdampfern, umfassen. Hierbei können mehrere Kathoden eine einzige Abschirmung oder mehrere Abschirmungen besitzen. Mehrere Kathoden, insbesondere kathodische Vakuumbogenverdampfer, mit der einen Abschirmung können dabei vorteilhaft mit mindestens einer Elektrode in der Vakuumkammer angeordnet sein. Insbesondere kann in der Vakuumkammer auch eine gleiche Anzahl von Elektroden und Kathoden (insbesondere kathodischen Vakuumbogenverdampfern), mehr Elektroden als Kathoden (insbesondere kathodische Vakuumbogenverdampfer), oder mehr Kathoden (insbesondere kathodische Vakuumbogenverdampfer) als Elektroden umfassen. Die Elektroden und Kathoden können hierbei an verschiedenen Stellen in der Vakuumkammer (Wände, Decke, Boden) angeordnet sein. Sowohl über die Anordnung als auch über die Anzahl der Elektroden und Kathoden (insbesondere kathodischen Vakuumbogenverdampfer), kann die Plasmaverteilung in der Vakuumkammer eingestellt werden. Ausserdem kann so zum Beispiel in einem lonenätzprozess eine Verbesserung der Ätztiefe und / oder der Ätzhomogenität an einem Substrat erreicht werden. Die Verwendung von mehr als einer Elektrode erlaubt den Einsatz von verschiedenen Strömen an den Elektroden sowie eine Zeit selektive Anwendung der Ströme, sodass seine verbesserte Kontrolle der Plasmaerzeugung ermöglicht wird.
[0012] Der Elektronenstrom an der Elektrode kann durch eine Anpassung der Elektrodenspannung eingestellt werden. Niedrige Elektrodenspannungen resultieren in einem niedrigen Elektronenstrom und einer niedrigen Plasmaaktivität.
[0013] Ein typischer maximaler Elektronenstrom an der einen oder den mehreren Elektroden sollte bei ungefähr 120% des Stromes des kathodischen Vakuumbogenverdampfers gewählt werden. Zum Beispiel: Wenn in einer Vakuumkammer, die Argon bei einem Argon Druck on 0,5 Pa enthält, ein kathodischer Vakuumbogenverdampfer als Elektronenquelle verwendet wird, wobei der kathodische Vakuumbogenverdampfer bei einem Bogenstrom von 100 A betrieben wird, sollte der gesamte Elektrodenstrom auf ungefähr 120 A eingestellt werden. Das heisst, dass der Strom an der einen Elektrode, bzw. wenn mehr als eine Elektrode verwendet wird die Summe der einzelnen Ströme an den einzelnen Elektroden, auf maximal 120 A eingestellt werden sollte. Bevorzugt ist ein Elektrodenstrom, der kleiner oder gleich dem Bogenstrom ist.
[0014] Wenn eine Vielzahl von Elektroden (mehr als eine Elektrode) entlang einer Kammerwand derart angeordnet sind, dass sie über die Höhe der Vakuumkammer verteilt sind, kann jede Elektrode an einem separaten Netzteil oder an einer bestimmten Gruppe von Netzteilen betrieben werden, so dass die Elektroden umgeschaltet werden können, um sie mit einem maximalem Strom zu betreiben oder um sie parallel mit einem maximalen Strom zu betreiben, indem verschiedene Spannungen an die verschiedenen Elektroden angelegt werden. Typische Werte von Elektrodenspannungen liegen im Bereich von 10 V - 50 V und typische Elektrodenströme liegen im Bereich von 10 A - 200 A.
[0015] Die vorliegende Erfindung kann ausserdem zur Durchführung von Beschichtungsprozessen verwendet werden, zum Beispiel zum Aufbringen von Diamant ähnlichen Kohlenstoff (DLC) Schichten. Im Fall, dass eine DLC Schicht vom Typ a-C:H aufgebracht werden soll, sollte der Kammer eine Mischung aus einem Acetylen (C2H2) Gasfluss und einem Argon Gasfluss zugeführt werden.
[0016] Praktisch jede Beschichtungsvorrichtung, die für die Durchführung von Vakuumbeschichtungsprozessen ausgelegt ist, wie z.B. PVD- Bogenverdampfungsprozesse oder PVD-Sputterprozesse, einschliesslich HiPIMS, oder plasmaunterstützte chemische Abscheidungsprozesse (PA-CVD), kann für die Durchführung von Plasmabehandlungsprozessen gemäss der vorliegenden Erfindung angepasst werden.
[0017] Bei der erfindungsgemässen Anordnung soll in der Kammer der Magnet zum Erzeugen eines Magnetfeldes an der Elektrode angeordnet sein. Der Magnet kann dabei der vorderseitiger Magnet sein, welcher manuell steuerbar ist, sodass sein Magnetfeld verändert werden kann. Der vorderseitige Magnet könnte aber auch ein Permanentmagnet sein.
[0018] Bei der erfindungsgemässen Anordnung ist die Elektronen beschleunigende Elektrode nicht räumlich linear im Sinne eines Verhältnisses zwischen der Länge der Elektrode und der Querschnitte, die häufig rechteckig bzw. kreisförmig oder elliptischen sind. Es werden im Wesentlichen zweidimensionale Elektroden verwendet. D.h. die zweidimensionale Oberfläche hat die zu der Oberflächennormale erste orthogonale Ausdehnung und die zweite orthogonale Ausdehnung, wobei die erste orthogonale Ausdehnung senkrecht zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung verläuft. Das Längenverhältnis der ersten orthogonalen Ausdehnung zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung liegt zwischen 0, 1 und 1. Das Längenverhältnis der ersten orthogonalen Ausdehnung zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung kann auch zwischen 0,2 und 1 , insbesondere zwischen 0,4 und 1 , in speziellen bei 1 liegen. Die Arbeitsoberfläche kann dabei im Bereich zwischen 5 bis 2000 cm2, insbesondere 25 bis 320 cm2 liegen. Die zweidimensionale Oberfläche kann kreisförmig, ellipsoidisch aber auch rechteckig sein oder andere geeignete Formen aufweisen. Ist die
zweidimensionale Oberfläche kreisförmig entsprechen die erste orthogonale
Ausdehnung und die zweite orthogonale Ausdehnung insbesondere dem Durchmesser der zweidimensionalen Oberfläche. Ist die zweidimensionale Oberfläche rechteckig entspricht die erste orthogonale Ausdehnung einer ersten Kantenlänge und die zweite orthogonale Ausdehnung einer zweiten Kantenlänge der zweidimensionalen
Oberfläche. Ist die zweidimensionale Oberfläche ellipsoidisch entsprechen die erste orthogonale Ausdehnung und die zweite orthogonale Ausdehnung insbesondere Abständen von gegenüberliegenden Scheitelpunkten der zweidimensionalen
Oberfläche. Zweidimensional nimmt unter anderen auch darauf Bezug, dass die Elektronen auf eine im Wesentlichen planare Fläche treffen. Die Fläche selbst kann jedoch durch die Herstellung oder Verwendung bedingt eine gewisse Strukturierung aufweisen. Diese Strukturierung kann durch Erosion der Elektrode bei einer
Verwendung als Beschichtungsquelle, oder durch Reinigung der Elektrode über zum Beispiel Strahlen oder Schleifen auftreten. Dabei kann durch die Erosion, die Elektrode derart abgetragen werden, dass sie keine glatte beziehungsweise regelmässige Struktur / Rand mehr aufweist. Derart strukturierte und erodierte Elektroden werden im Rahmen der Erfindung auch als im Wesentlichen planar angesehen. Das Verhältnis zwischen einer maximalen Tiefe der Strukturierung und der kleineren orthogonalen Ausdehnung (in Bezug auf die erfindungsgemässe erste orthogonale Ausdehnung oder zweite orthogonale Ausdehnung) der zweidimensionalen Oberfläche der Elektrode beträgt maximal 0,4, insbesondere maximal 0,3, im speziellen maximal 0,2. Die maximale Tiefe der Strukturierung sollte also immer kleiner sein, als die kleinere orthogonale Ausdehnung. Hierbei weist die zwei-dimensionale Oberfläche der Elektrode vorzugsweise aktive Magnetfelder auf.
[0019] Im einfachsten Falle wird eine kreisförmige Elektrode betrieben, die vorzugsweise einen Elektrodendurchmesser von 100 mm besitzt. Hierbei kann die Elektrode, an einer Wand der Vakuumkammer befestigt sein und auch zumindest teilweise in der Kammerwand angeordnet sein. Ist die Elektrode zumindest teilweise in der Kammerwand angeordnet, hat dies den deutlichen Vorteil, dass die Elektrode nicht massgeblich in den Beschichtungsraum hineinragt. Wenn, wie vorrangehend beschreiben, mehrere zwei-dimensionale Elektroden vorliegen, können die Elektroden an unterschiedlichen Kammerwänden befestigt sein. Werden beispielsweise zwei zweidimensionale Elektroden eingebaut, sind die zwei zweidimensionalen Elektroden vorzugsweise an gegenüberliegenden Kammerwänden angeordnet. Selbstverständlich gibt es aber auch die Möglichkeit, dass mehrere zwei-dimensionale Elektroden, an benachbarten und / oder mehrere zwei-dimensionale Elektroden an der gleichen Kammerwand angeordnet sind. Dabei haben eine erste und eine zweite Elektrode vorzugsweise einen Abstand von 20 bis 400 mm, insbesondere von 100 bis 300 mm, im speziellen 200mm, wenn diese an einer Kammerwand übereinander oder nebeneinander betrieben werden.
[0020] Die Anordnung der zweidimensionalen Elektrode an einer Kammerwand hat dabei insbesondere folgende Vorteile gegenüber dem Stand der Technik mit einer linearen Elektrode innerhalb der Vakuumkammer. Der Plasmabehandlungsbereich innerhalb der Vakuumkammer, insbesondere im Zentrum der Vakuumkammer, bietet mehr freien Raum. Durch diesen freien Raum kann somit eine bessere Nutzung der Kammer erreicht werden. Für eine bessere Nutzung der Kammer können die zu behandelnden Substrate innerhalb der Vakuumkammer besser verteilt werden, da durch den geschaffenen freien Raum in der Kammer mehr Platz zum Verteilen der zu behandelnden Substrate vorliegt. Hierdurch kann auch eine homogene Plasmabehandlung der Substratoberflächen ermöglicht werden, insbesondere wenn die zu behandelnden Substrate gleichmässiger in der Kammer angeordnet werden können. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemässen Anordnung ist, dass eine einfache Kühlung dieser erfindungsgemässen Elektroden ermöglicht wird. Eine zweidimensionale Oberfläche wie sie bei den erfindungsgemässen Elektroden vorliegt, ist selbstverständlich deutlich einfacher und effektiver kühlbar, als es bei einer linearen Elektrode möglich wäre. Die Kühlung der die Elektronen-aufnehmende Fläche kann direkt (wasserangeströmt) oder indirekt sein. Indirekt ist dabei das Klemmen eines geeigneten Elektrodenmaterials auf einen Kühlkörper.
[0021] Als Material der Kathode der Elektronenquelle auf der Basis eines kathodischen Vakuumbogenverdampfers (später auch einfach als Verdampfer bezeichnet), kann vorzugsweise ein Metall insbesondere Titan (Ti), Zirkonium (Zr) oder Aluminium (AI) sein. Selbstverständlich kann die das Material der Kathode auch aus einem anderen geeigneten Element, einer anderen geeigneten Legierung (Titanlegierungen und/oder Zirkoniumlegierungen und/oder Aluminium sowie Aluminiumlegierungen) oder einem anderen geeigneten Metall bestehen, welches eine Adsorption von Wasserstoff und / oder Sauerstoff begünstigt. Durch derartige Eigenschaften der Kathode des Vakuumbogenverdampfers kann unter anderem auch eine bessere Vakuumqualität für die Durchführung der Plasmaverfahren erreicht werden. Als Elektrodenmaterialien sind alle möglichen aus dem Stand der Technik bekannten Targetmaterialien der kathodischen Vakuumbogenverdampfer geeignet. Auch können als Elektrodenmaterial unter anderem Kohlenstofftargets verwendet werden, welche aus reinem Kohlenstoff oder Legierungen wie Kupferkohlenstofflegierungen. Auch als Elektrodenmaterial geeignet sind Stahl, Kupfer, Kupferlegierungen, Aluminium, Aluminiumlegierungen, oder leitfähige Verdampfermaterialien wie Aluminiumtitan, Chrom oder Vanadium.
[0022] In Ausführung der Erfindung kann eine Vielzahl von Elektroden in der Vakuumkammer angeordnet sein. Hierbei umfasst vorzugsweise jede Elektrode eine erfindungsgemässe Arbeitsoberfläche. Liegt eine erste und eine zweite Elektrode in der Vakuumkammer vor, kann ein zweiter vorderseitiger Magnet vor einer zweiten Arbeitsoberfläche der zweiten Elektrode angeordnet sein. Auch kann der zweite vorderseitige Magnet zumindest teilweise neben oder um die zweite Arbeitsoberfläche angeordnet sein. Des Weiteren kann der erste vorderseitige Magnet vor der ersten Arbeitsoberfläche angeordnet sein und / oder der erste vorderseitige Magnet zumindest teilweise neben oder um die erste Arbeitsoberfläche angeordnet sein.
[0023] Eine Polarität des erfindungsgemässen Magneten beziehungsweise der Magnetkreises kann beliebig angepasst werden. Hierbei können der vorderseitige und der rückseitige Magnet (beziehungsweise Magnetkreis) eine gleiche oder umgekehrte Polarität aufweisen. Bei der Vielzahl von Elektroden kann der erste vorderseitige Magnet eine gleiche Polarität wie der zweite vorderseitige Magnet besitzen. Zudem ist es möglich, dass eine erste Polarität des ersten vorderseitigen Magneten umgekehrt zu einer zweiten Polarität des zweiten vorderseitigen Magneten ist. Das gleich gilt auch für die rückseitigen Magneten. Insbesondere können die Magneten eine veränderbare Polarität haben.
[0024] In der Praxis können die erste Elektrode und die zweite Elektrode an ein gemeinsames Netzteil angeschlossen sein oder die erste Elektrode an ein erstes Netzteil und die zweite Elektrode an ein zweites Netzteil angeschlossen sein. Dabei kann insbesondere die Vielzahl von Elektroden eine erste Gruppe von Elektroden umfasst, welche mit einem ersten Netzteil verbunden ist und eine zweite Gruppe von Elektroden umfasst, welche mit einem zweiten Netzteil verbunden ist. Wenn die erste Elektrode und die zweite Elektrode mit dem gemeinsamen Netzteil verbunden sind, ist die veränderbare Polarität des ersten vorderseitige Magneten und/oder zweiten vorderseitige Magneten einstellbar, indem ein Strom der an den ersten Magnet und/oder an den zweiten Magnet angelegt wird, umgekehrt beziehungsweise reguliert wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
[0025] In allen Zeichnungen und in der gesamten Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugszeichen die gleichen Elemente, Merkmale und Strukturen, ausser falls anders beschrieben. Die relative Grösse und Darstellung dieser Elemente kann, aus Gründen der Klarheit, Veranschaulichung oder Zweckmässigkeit nicht massgerecht sein.
[0026] Fig. 1 zeigt ein Beispiel einer bekannten Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung.
[0027] Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit einer Elektrode gemäss einem ersten Ausführungsbeispiel.
[0028] Fig. 2 a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit einer rechteckigen Elektrode gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0029] Fig. 2 b zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit einer Elektrode mit einem Schalter zwischen Elektrode und Stromversorgung gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0030] Fig. 2 c zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit einer Elektrode mit einem Schalter zur Umpolung einer Stromversorgung gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0031] Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit zwei erfindungsgemässen Elektroden mit einem Netzteil gemäss einem anderen Ausführungsbeispiel.
[0032] Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit zwei erfindungsgemässen Elektroden mit zwei Netzteilen gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0033] Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit einer erfindungsgemässen Elektrode und zwei Kathoden gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel. [0034] Fig. 6 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit zwei erfindungsgemässen Elektroden und zwei Kathoden gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0035] Fig. 7 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit zwei erfindungsgemässen Elektroden und zwei Kathoden gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0036] Fig. 8 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit drei erfindungsgemässen Elektroden und drei Kathoden gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0037] Fig. 8 a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit drei erfindungsgemässen Elektroden und drei Kathoden gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0038] Fig. 9 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit drei erfindungsgemässen Elektroden, an verschiedenen Kammerwänden gemäss einem anderen Ausführungsbeispiel.
[0039] Fig. 9 a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit drei erfindungsgemässen Elektroden, an verschiedenen Kammerteilen gemäss einem anderen Ausführungsbeispiel.
[0040] Fig. 10 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung gemäss einem Ausführungsbeispiels der Erfindung mit einem vorderseitigen Magneten.
[0041] Fig. 1 1 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel mit einem vorderseitigen und rückseitigen Magneten. [0042] Fig. 12 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung gemäss einem anderen Ausführungsbeispiel mit einem vorderseitigen und rückseitigen Magneten.
[0043] Fig. 13 zeigt eine schematische Darstellung einer magnetischen Feldkonfiguration für zwei Elektroden gemäss einem Ausführungsbeispiel.
[0044] Fig. 14 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit zwei rückseitigen Magneten mit getrennten Stromversorgungen gemäss einem Ausführungsbeispiels.
[0045] Fig. 15 zeigt eine schematische Darstellung einer
Elektrodenanordnung mit einem vorderseitigen und rückseitigen Magneten gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0046] Fig. 16 zeigt ein Diagramm von Magnetfeldmessungen gemäss einem Ausführungsbeispiel.
[0047] Fig. 17 zeigt eine schematische Darstellung einer magnetischen Feldkonfiguration für zwei Elektroden mit vorderseitigen und rückseitigen Magneten gemäss einem weiteren Ausführungsbeispiel.
[0048] Fig. 18 zeigt ein Diagramm einer Ätztiefe, der von Magnetfeldern gemäss einem Ausführungsbeispiel beeinflusst ist.
[0049] Fig. 19 zeigt ein Diagramm einer Ätztiefe gemäss einem erfindungsgemässen Beispielsystem.
[0050] Fig. 20 zeigt eine Tabelle von experimentellen Ergebnissen im Vergleich verschiedener Glimmentladungssysteme mit dem bekannten Stand der Technik.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
[0051] In den Zeichnungen sind Beispiele beschrieben, die ein oder mehrere Ausführungsbeispiele umfassen. Dabei ist die Erfindung nicht auf die beschriebenen Beispiele beschränkt. Zum Beispiel können ein oder mehrere Merkmale eines Ausführungsbeispiels auch in einem anderen Ausführungsbeispiel verwirklicht sein oder sogar in einem anderen Typ von Vorrichtung vorgesehen werden. [0052] Bevor ein Beschichtungsprozess, wie zum Beispiel eine Beschichtung mittels physikalischer Gasabscheidung (PVD) oder eine diamantähnliche Kohlenstoffbeschichtung durchgeführt wird, kann ein Lichtbogen unterstützter Glimmentladungsprozess (auch lonenätzprozess) auf einem oder mehreren Substraten ausgeführt werden. Dabei wird der lonenätzprozess verwendet, um die Oberflächen vorzubereiten bzw. zu konditionieren, das heisst, die Substratoberflächen werden mittels eines Ionen Bombardements erhitzt und geäzt. Diese Konditionierung verbessert die Bindung zwischen dem Substrat und der Beschichtung. In Fig. 1 ist ein konventionelles lonenätzprozess System dargestellt. Das System umfasst eine Vakuumkammer 1 mit Verdampfern 7 (Verdampfer im Folgenden kurz für Bogenkathode eines kathodischen Vakuumbogenverdampfers), die an gegenüberliegenden Seiten der Kammer 1 angeordnet sind. Die Verdampfer 7 sind mit Gleichstromquellen 8 verbunden und können bei Spannungen von 40 V und Strömen bis zu 300 A betrieben werden. Shutter oder Abschirmungen 12 sind mit den Wänden der Kammer 1 verbunden und sind derart rotierbar angeordnet, dass die Shutter 12 so rotiert werden können, dass die entsprechende Elektrode 7 entweder abgeschirmt oder nicht abgeschirmt ist. Eine lineare Elektrode 13 ist mit der Kammer verbunden und gleich von den Verdampfern 7 beabstandet. Die lineare Elektrode 13 kann an die Stromquellen 1 1 , 14 über Schalter 15, 16, 17 verbunden werden und besitzt im Betriebszustand eine gleiche Spannung längs der Elektrode 3. Die Stromquellen 1 1 , 14 sind ausserdem mit der Wand der Kammer 1 verbunden und können wahlweise über die Schalter 15, 16 mit einem rotierbaren Substrathalter 10 verbunden werden. Über das Ventil 5 kann Gas, wie zum Beispiel Argon, von einer Gasquelle 6 über den Einlass 4 in die Kammer 1 eingelassen werden, wenn eine Lichtbogenentladung gezündet wird, werden vom Verdampfer 7 Elektronen erzeugt und in Richtung der linearen Elektrode 13 beschleunigt. Die Elektronen regen die Argongas Atome an und erzeugen so teilweise ionisierte Argonatome, die auf einer Oberfläche eines Substrats 9 abgesetzt werden um diese so für die Beschichtung vorzubereiten. Dieses System kann nur mittels der Gleichstromquellen 8, 1 1 , 14 und dem rotierenden Substrathalter 10 eingestellt werden. Somit ist das System durch begrenzte Ionisation, begrenzte Einsteilbarkeit der Plasmaaktivierung durch die lineare Elektrode 13, sowie begrenzte Einsteilbarkeit der Homogenität in der Kammer 1 gekennzeichnet. [0053] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2 zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100, einen Verdampfer 1 10, welcher in der Kammer 100 vorgesehen ist und unmittelbar an der Wand der Kammer 100 angeordnet werden kann. Ausserdem ist ein Netzteil 1 1 1 vorgesehen, welches einen negativen Pol besitzt. Dieser negative Pol des Netzteils 1 1 1 oder der Stromquelle 1 1 1 ist mit dem Verdampfer 1 10 verbunden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Verdampfer 1 10 somit eine Kathode 1 10. Der Verdampfer 1 10 emittiert wie dargestellt Bogenelektronen, die mit der erfindungsgemässen Elektrode zunächst teilweise abgesogen und beschleunigt werden und somit das Arbeitsgas Argon (Ar) (oft auch Neon (Ne) oder irgendeinem anderen geeigneten Gas oder Mischung von Gasen) anregen und folglich ein Plasma erzeugen. Dazu wird an die Elektrode 120 eine positive Beschleunigungsspannung angelegt, die einen Elektrodenstrom zur Elektrode ermöglicht. Die Steuerung der Elektrode kann allgemein über die Spannung oder den Strom erfolgen, oder aber auch durch die Energie bestehend aus dem Produkt von Spannung und Strom erfolgen. Die Ionen des Plasmas treffen dann auf eine Oberfläche des Substrates S, welches vorzugsweise zentriert in der Kammer 100 vorgesehen ist, um dessen Oberflächen zum Beispiel durch Reinigung oder Ätzen für einen nachfolgenden Beschichtungsprozess vorzubereiten und zu aktivieren. In der Kammer 100 der Fig. 2 ist ausserdem eine Abschirmung 1 15 beweglich angeordnet, sodass die Abschirmung 115 wahlweise zwischen dem Verdampfer 1 10 und dem Substrat S positioniert werden kann. Somit kann vor der Zündung der kathodischen Vakuumbogenverdampfung die Abschirmung 1 15 entweder rotiert oder in anderer Weise vor den Verdampfer 1 10 bewegt werden, um das Substrat S vor Verunreinigungen durch den Verdampfer 1 10 während dieses Prozesses zu schützen. Wenn die kathodische Vakuumbogenverdampfung nicht vorhanden ist, kann die Abschirmung in eine andere geeignete Position bewegt werden.
[0054] Gemäss Fig. 2 ist eine einzige Elektrode 120 vorgesehen. Die Elektrode 120 ist mit einem positiven Pol eines Netzteils 121 verbunden und die Elektrode 120 ist folglich eine Anode 120. Durch die Verwendung von unterschiedlichen Strömen und / oder unterschiedlichen Zeitintervallen an der Stromquelle 121 der Anode 120 kann das im System erzeugbare Plasma beeinflusst werden. [0055] Wie in Fig. 2 dargestellt, werden die vom Verdampfer 1 10 emittierten Elektronen zur Position der Elektroden/Anoden 120 entlang eines ersten und eines zweiten Elektronenweges 150 geführt. Somit ist wiederum ein in der Kammer 100 generierbares Plasma in dieselbe Richtung beschleunigbar. Durch geeignete Positionierung der ersten Elektrode 120 an einer gewünschten Position ist eine bessere / einfachere Kontrolle des Plasmaflusses in der Kammer 100 möglich und folglich eine verbesserte Kontrolle des lonenbeschusses und Ätzens des Substrates.
[0056] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2a zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 100 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2. Die zweidimensionale Oberfläche zum Auffangen der von der Kathode emittierten Elektronen der ersten Elektrode 120a gemäss Fig. 2a ist jedoch rechteckig, wohingegen die zweidimensionale Oberfläche der ersten Elektrode 120 gemäss Fig. 2 kreisförmig ist. Hierbei besitzt die zweidimensionale Oberfläche zum Auffangen der von dem Verdampfer emittierten Elektronen, eine zu einer Oberflächennormalen erste orthogonale Ausdehnung und eine zweite orthogonale Ausdehnung, wobei die erste orthogonale Ausdehnung senkrecht zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung verläuft und ein Längenverhältnis der ersten orthogonalen Ausdehnung zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung zwischen 0, 1 und 1 liegt. Bei der kreisförmigen Elektrode 120 entsprechen die erste orthogonale Ausdehnung und die zweite orthogonale Ausdehnung insbesondere dem Durchmesser der zweidimensionalen Oberfläche. Bei der rechteckigen Elektrode 120a entspricht die erste orthogonale Ausdehnung einer ersten Kantenlänge und die zweite orthogonale Ausdehnung einer zweiten Kantenlänge der zweidimensionalen Oberfläche.
[0057] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2b zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 100 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2. Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2b umfasst jedoch eine zwischen die erste Elektrode 120 und die Netzteile 121 , 122 geschaltete Schaltervorrichtung 123. Das Netzteil 121 ist mit dem positiven Pol am Schalter S1 der Schaltervorrichtung 123 angeordnet und das Netzteil 122 ist mit dem negativen Pol am Schalter S2 der Schaltervorrichtung 123 angeordnet. Ist der Schalter S1 geschlossen und der Schalter S2 offen kann die Elektrode 120 als erfindungsgemässe Plasmaelektrode (also auch Anode) verwendet werden. Ist Schalter S1 offen und Schalter S2 geschlossen kann die Elektrode 120 für (Bogen-)Beschichtungsverfahren oder Sputterprozesse (also Target) verwendet werden.
[0058] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2c zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 100 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2. Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2c umfasst jedoch eine zwischen die erste Elektrode 120 und das Netzteile 121 geschaltete Schaltervorrichtung 123. Das Netzteil 121 ist mit dem positiven Pol am Schalter S1 der Schaltervorrichtung 123 angeordnet und mit dem negativen Pol am Schalter S2 der Schaltervorrichtung 123 angeordnet. Ausserdem ist das der positive Pol des Netzteils 121 über die einen Schalter S3 mit einer Erdung verbunden und der negative Pol des Netzteils 121 über die einen Schalter S4 mit der Erdung verbunden. Ist der Schalter S1 geschlossen, der Schalter S2 offen, der Schalter S3 offen und der Schalter S4 geschlossen, kann die Elektrode 120 als erfindungsgemässe Plasmaelektrode verwendet werden. Ist Schalter S1 offen und Schalter S2 geschlossen der Schalter S3 geschlossen und der Schalter S4 offen, kann die Elektrode 120 für (Bogen-)Beschichtungsverfahren oder Sputterprozesse verwendet werden.
[0059] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 3 zeigt die schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100. Hierbei sind die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 130 mit einem positiven Pol desselben Netzteils 121 oder derselben Stromquelle 121 verbunden. Folglich sind die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 130 eine erste Anode 120 und eine zweite Anode 130. Durch die Verwendung von unterschiedlichen Strömen und / oder unterschiedlichen Zeitintervallen an der Stromquelle 121 der Anoden 120 und 130 kann das im System erzeugbare Plasma beeinflusst werden.
[0060] Da das gemeinsame Netzteil mit der ersten Elektrode 120 und der zweiten Elektrode 130 verbunden ist, kann mit dieser Anordnung eine gleiche Spannung an die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 130 angelegt werden. Dieser Strom kann an beide Elektroden 120, 130 zur selben Zeit und für dieselbe Zeitdauer angelegt werden. [0061] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 4 zeigt die schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 4 ist an der ersten Elektrode 120 eine erstes Netzteil 121 und an der zweiten Elektrode 130 eine zweites Netzteil 131 angeordnet ist. Hierbei kann durch die Verwendung von unterschiedlichen Strömen und / oder unterschiedlichen Zeitintervallen an dem ersten Netzteil 121 und dem zweiten Netzteil 131 das im System erzeugbare Plasma beeinflusst werden, insbesondere da das erste Netzteil die erste Elektrode 120 mit einem ersten Strom versorgen und das zweite Netzteil kann die zweite Elektrode 130 mit einem zweiten Strom versorgen. Der erste und zweite Strom, können hierbei unabhängig voneinander einstellbar sein, sodass die Verteilung des Plasmas durch den ersten und den zweiten Strom formbar ist. Hierbei kann das erste Netzteil 121 die erste Elektrode 120 während eines ersten Zeitintervalls mit dem ersten Strom versorgen und das zweite Netzteil 131 die zweite Elektrode 130 während eines zweiten Zeitintervalls mit dem zweiten Strom versorgen. Das erste und das zweite Zeitintervall können je nach Wunsch voneinander getrennt oder überlappend sein.
[0062] In den Ausführungsbeispielen gemäss Fig. 2-4 liegt jeweils ein einziger Verdampfer 1 10 vor, wodurch ein Plasmabogen erzeugt wird, mit mindestens einer Anode 120, 130.
[0063] In Fig. 3, 4 und 9 sind Ausführungsbeispiele von Plasmaquellen schematisch dargestellt. Um den Fluss von Elektronen in der Kammer 100 (also eine erfindungsgemässe Vakuumkammer, im Folgenden als Kammer bezeichnet) besser kontrollieren zu können, sind, anders als bei der eine lineare Elektrode umfassenden Vorrichtung gemäss Fig. 1 , eine Vielzahl von erfindungsgemässen Elektroden 120, 130, 140 mit einer zweidimensionale Oberfläche zum Auffangen der von einer Kathode emittierten Elektronen vorgesehen, die in der Kammer angeordnet werden können. Ein sehr wichtiger Vorteil dieser Anordnung besteht in der Möglichkeit die Elektroden an einer oder mehreren Wänden der Kammer zu positionieren, wodurch eine Verbesserung einer Verteilung der mit Plasma zu-behandelnden Substrate in der Kammer ermöglicht wird. Dadurch kann in der Kammer der Bereich zur Plasmabehandlung besser ausgenutzt werden, wodurch eine höhere Effizienz erzielt wird. Beispielsweise ist in Fig. 3 oder 4 eine vakuumdichte Kammer 100 schematisch dargestellt, Ein Verdampfer 1 10 ist in der Kammer 100 vorgesehen und kann unmittelbar in die Wand oder an die Wand der Kammer 1 10 angeordnet werden. Der Verdampfer 1 10 kann eines oder mehrere Metalle, wie zum Beispiel Titan und / oder jedes andere zur Verdampfung vorgesehene Metall umfassen. Ein negativer Pol des Netzteils oder der Stromquelle ist mit dem Verdampfer 1 10 verbunden und verbindet den Verdampfer 1 10 somit in Form einer Kathode. Wenn der Verdampfer 1 10 zum Beispiel mittels einer Triggereinheit gezündet wird, werden Bogenelektronen emittiert, welche mittels der erfindungsgemässen Elektrode beschleunigt werden und stossen mit einem oder mehreren Gasen wie zum Beispiel Argon (Ar), Neon (Ne) oder irgendeinem anderen geeigneten Gas oder Gasen zusammen, die in die Kammer 1 10 eingelassen wurden, und erzeugen so ein Plasma. Die Ionen des Plasmas bombardieren dann die Oberflächen des einen oder der mehreren Substrate (hier nicht gezeigt), die in der Kammer 100 vorgesehen sind, um deren Oberflächen zum Beispiel durch Reinigung oder Ätzen für einen nachfolgenden Beschichtungsprozess vorzubereiten. Eine oder mehrere Abschirmungen 1 15 sind in der Kammer 100 beweglich vorgesehen, so dass die Abschirmung 1 15 wahlweise zwischen dem Verdampfer 1 10 und dem Substrat positioniert werden kann. Somit kann vor der Zündung der kathodischen Vakuumbogenverdampfung die Abschirmung 1 15 entweder rotiert oder in anderer Weise vor den Verdampfer bewegt werden, um die Substrate vor Verunreinigungen durch den Verdampfer 1 10 während dieses Prozesses zu schützen. Wenn die kathodische Vakuumbogenverdampfung nicht vorhanden ist, kann die Abschirmung in eine andere geeignete Position bewegt werden.
[0064] Gemäss Fig. 3 und 4 sind zwei Elektroden, eine erste Elektrode 120 und eine zweite Elektrode 130 in der Kammer 100 vorgesehen. Die erste und zweite Elektrode 120, 130 sind mit einem positiven Pol des zumindest eines Netzteils oder Stromquelle verbunden und verbinden damit die erste und zweite Elektrode 120, 130 als erste und zweite Anode. Beispielsweise kann wie in Fig. 3 dargestellt ein gemeinsames Netzteil 121 mit der ersten Elektrode 120 und der zweiten Elektrode 130 verbunden werden. In dieser Anordnung kann eine gleiche Spannung an die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 130 angelegt werden. Diese Spannung kann an beide Elektroden 120, 130 zur selben Zeit und für dieselbe Zeitdauer angelegt werden. Alternativ kann gemäss Fig. 4 ein erstes Netzteil 121 die erste Elektrode 120 während eines ersten Zeitintervalls mit einem Strom versorgen und ein zweites Netzteil 131 die zweite Elektrode 130 während eines zweiten Zeitintervalls mit einem Strom versorgen. Das erste und das zweite Zeitintervall können je nach Wunsch voneinander getrennt oder überlappend sein. In einem anderen Beispiel kann die erste Elektrode 120 mit einem ersten Netzteil 121 verbunden sein und die zweite Elektrode 130 kann mit einem zweiten Netzteil 131 verbunden sein. Somit kann das erste Netzteil 121 die erste Elektrode 120 mit einem ersten Strom versorgen und das zweite Netzteil 131 kann die zweite Elektrode 130 mit einem zweiten Strom versorgen. Durch die Verwendung von unterschiedlichen Strömen und / oder unterschiedlichen Zeitintervallen kann das im System erzeugte Plasma beeinflusst, gesteuert oder auch homogenisiert werden.
[0065] Wie in Fig. 3 und 4 dargestellt, fliessen die vom Verdampfer 1 10 emittierten Elektronen zu den Positionen der ersten und zweiten Elektroden 120, 130. Durch geeignete Positionierung der individuellen ersten Elektrode 120 und zweiten Elektrode 130 an den gewünschten Orten ist eine bessere Kontrolle des Plasmaflusses in der Kammer 100 möglich und folglich eine verbesserte Kontrolle des lonenbombardements und Ätzens des Substrats S. Fig. 9 illustriert ein Ausführungsbeispiel, bei welchem drei einzelne Elektroden, eine erste Elektrode 120, eine zweite Elektrode 130 und eine dritte Elektrode 140 vorgesehen sind. Somit resultiert ein entsprechender erster, zweiter und dritter Elektronenweg 160, der jeweils in Richtung der ersten, zweiten und dritten Elektrode 120, 130, 140 gerichtet ist. In den schematischen Zeichnungen gemäss Fig. 3 und 4 sind die Elektroden 120, 130 gegenüber dem Verdampfer 1 10 angeordnet. In der schematischen Zeichnungen gemäss Fig. 9 sind die Elektroden 120, 130, 140 hingegen an verschiedenen Kammerteilen angeordnet. Es versteht sich jedoch, dass jede geeignete Positionierung der ersten, zweiten oder optional auch dritten Elektrode möglich ist, um den Elektronenfluss derart zu beeinflussen, dass eine verbesserte Plasmaaktivierung und Homogenität in der Kammer erreichbar ist. Entsprechend ist jede Anzahl von Elektroden in der Kammer möglich, um den Elektronenfluss auf eine gewünschte Bahn zu lenken. Der Verdampfer 1 10 gemäss Fig. 3, 4 und 9 kann mit einem angelegten Strom von 100 A verwendet werden; jedoch kann selbstverständlich auch jede andere geeignete Stromstärke verwendet werden. [0066] Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Kammer 200, bei welcher mehrere Verdampfer vorgesehen sind. Die Kammer 200 umfasst einen ersten Verdampfer 210 und einen zweiten Verdampfer 220, die als Kathoden angeschlossen sind, also mit einem negativen Pol einer ersten Netzteils 21 1 und eines zweiten Netzteils 221 verbunden sind. Der erste und zweite Verdampfer 210, 220 sind an der Wand der Kammer 200 vorgesehen. Alternativ kann der erste oder zweite Verdampfer 210, 220 auch an einer geeigneten Struktur der Wand der Kammer 200 oder in der Kammer 200 angeordnet sein. Eine rotierbare oder anders bewegbare Abschirmung 230 ist in der Nähe des ersten und zweiten Verdampfers 210, 220 vorgesehen. Die Abschirmung 230 kann eine Grösse haben, welche ausreicht, um beide Verdampfer 210, 220 abzuschirmen. Alternativ kann die Kammer 200 eine erste und zweite Abschirmung umfassen, die jeweils zum ersten Verdampfer und zum zweiten Verdampfer 210, 220 gehört (hier nicht gezeigt). Ausserdem ist in der Kammer 200 eine erste Elektrode 240 vorgesehen, welche als Anode angeschlossen ist, also mit dem positiven Pol einer ersten Stromquelle 241 verbunden ist. Wie durch die Elektronenwege 260 dargestellt, fliessen die vom ersten Verdampfer 210 emittierten Elektronen und die vom zweiten Verdampfer 220 emittierten Elektronen in Richtung der ersten Elektrode 240. Es versteht sich, dass jede gewünschte Anzahl von Verdampfern mit jeder gewünschten Anzahl von individuellen Elektroden benutzt werden kann, sodass das System eine geeignete Anzahl von Verdampfern und eine geeignete Anzahl von Elektroden umfassen kann.
[0067] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 6 zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 200 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 200 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 5. Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 6 unterscheidet sich jedoch von Fig. 5 darin, dass eine erste Elektrode 240 und eine zweite Elektrode 250 vorliegen. Hierbei sind die erste Elektrode 240 und die zweite Elektrode 250 mit einem positiven Pol desselben Netzteils 241 oder derselben Stromquelle 241 verbunden. Folglich sind die erste Elektrode 240 und die zweite Elektrode 250 als eine erste Anode 240 und eine zweite Anode 250 geschaltet.
[0068] Da das gemeinsame Netzteil mit der ersten Elektrode 240 und der zweiten Elektrode 250 verbunden ist, kann in dieser Anordnung ein gleicher Strom an die erste Elektrode 240 und die zweite Elektrode 250 angelegt werden. Dieser Strom kann an beide Elektroden 240, 250 zur selben Zeit und für dieselbe Zeitdauer angelegt werden.
[0069] Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Plasmaquelle, bei welcher mehrere Verdampfer vorgesehen sind. Eine Kammer 200 umfasst einen ersten Verdampfer 210 und einen zweiten Verdampfer 220, die als Kathoden angeschlossen sind. Der erste und zweite Verdampfer 210, 220 kann in der Wand der Kammer 200 oder anders an der Kammer 200 vorgesehen sein. Alternativ kann der erste oder zweite Verdampfer 210, 220 auch an einer geeigneten Struktur der Kammer 200 oder in der Kammer 200 angeordnet sein. Eine rotierbare oder anders bewegbare Abschirmung 230 ist in der Nähe des ersten und zweiten Verdampfers 210, 220 vorgesehen. Die Abschirmung 230 kann eine Grösse haben, die ausreicht, um beide Verdampfer 210, 220 abzuschirmen. Alternativ kann die Kammer 200 eine erste und zweite Abschirmung umfassen, die jeweils zum ersten Verdampfer 1 10 und zum zweiten Verdampfer 220 gehört. Ausserdem ist in der Kammer 200 eine erste Elektrode 240 und eine zweite Elektrode 250 vorgesehen, welche beide als Anode angeschlossen sind. Wie durch die Elektronenwege 260 dargestellt, fliessen die vom ersten Verdampfer 210 emittierten Elektronen in Richtung zur ersten Elektrode 240 und die vom zweiten Verdampfer 220 emittierten Elektronen in Richtung zur zweiten Elektrode 250. Es versteht sich, dass jede gewünschte Anzahl von Verdampfern mit jeder gewünschten Anzahl von individuellen Elektroden benutzt werden kann. So kann das System der Fig. 6 zum Beispiel zwei Verdampfer und vier individuelle Elektroden umfassen, so dass Elektronen vom ersten Verdampfer 210 zu zwei individuellen Elektroden fliessen und die Elektronen vom zweiten Verdampfer zu zwei anderen individuellen Elektroden fliessen.
[0070] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 7 zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 200 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 200 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 6. Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 7 unterscheidet sich jedoch von Fig. 6 darin, dass an der ersten Elektrode 240 ein erstes Netzteil 241 und an der zweiten Elektrode 250 eine zweites Netzteil 251 angeordnet ist. Hierbei kann durch die Verwendung von unterschiedlichen Strömen und / oder unterschiedlichen Zeitintervallen an des ersten Netzteils 241 und des zweiten Netzteils 251 das im System erzeugbare Plasma beeinflusst werden, insbesondere da das erste Netzteil die erste Elektrode 240 mit einem ersten Strom versorgen und das zweite Netzteil kann die zweite Elektrode 250 mit einem zweiten Strom versorgen. Der erste und zweite Strom können hierbei unabhängig voneinander einstellbar sein, sodass die Verteilung des Plasmas durch den ersten und den zweiten Strom formbar ist. Hierbei kann das erste Netzteil 241 die erste Elektrode 240 während eines ersten Zeitintervalls mit dem ersten Strom versorgen und das zweite Netzteil 251 die zweite Elektrode 250 während eines zweiten Zeitintervalls mit dem zweiten Strom versorgen. Das erste und das zweite Zeitintervall können je nach Wunsch voneinander getrennt oder überlappend sein.
[0071] In den Ausführungsbeispielen gemäss Fig. 5-7 liegen jeweils zwei Verdampfer 210, 220 vor mit mindestens einer Anode 240, 250.
[0072] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 8 kann insbesondere in grossen Systemen zur Anwendung kommen. Mehrere Plasmaquellen können in der Kammer vorgesehen sein, indem Verdampfer 31 1 , 321 , 331 und Elektroden 340, 350, 360 entlang der Höhe der Kammer, das heisst entlang der Höhe des Plasmabehandlungsbereichs angeordnet sind, wobei die Plasmaquelle in jedem Fall mindestens einen Verdampfer und eine, zwei oder mehr einzelne Elektroden umfasst. Dabei kann jede Elektrode von einem eigenen Netzteil versorgt werden oder aber ein schaltbares Netzteil kann von mehreren Elektroden gleichzeitig benutzt werden.
[0073] Die Kammer 300 der Fig. 8 umfasst dabei einen ersten Verdampfer 310, einen zweiten Verdampfer 320 und einen dritten Verdampfer 330, die als Kathoden angeschlossen sind, also mit einem negativen Pol eines ersten Netzteils 31 1 , eines zweiten Netzteils 321 und eines dritten Netzteils 331 verbunden sind. Der erste, zweite und dritte Verdampfer 310, 320 und 330 sind an derselben Wand der Kammer 300 vorgesehen. Alternativ können der erste, zweite und dritte Verdampfer 310, 320 und 330 auch an einer geeigneten Struktur der Wand der Kammer 300 oder in der Kammer 300 angeordnet sein. Ausserdem können erste, zweite und dritte Verdampfer 310, 320 und 330 an verschiedenen Wänden, beziehungsweise erste und dritte Verdampfer 310 und 330 an einer Wand und der zweite Verdampfer 320 an einer anderen Wand. Drei rotierbare oder anders bewegbare Abschirmungen 334, 332 und 333 sind jeweils in der Nähe des ersten, zweiten und dritten Verdampfers 310, 320 und 330 vorgesehen. Alternativ kann die Kammer 300 eine Abschirmung umfassen, welche eine Grösse hat, welche ausreicht, um alle Verdampfer 310, 320, 330 abzuschirmen. Ausserdem ist in der Kammer 300 eine erste Elektrode 340, eine zweite Elektrode 350 und eine dritte Elektrode 360 vorgesehen, welche als Anoden 340, 350, 360 angeschlossen sind, also mit dem positiven Pol jeweils mit einem ersten Netzteil 341 , einem zweiten Netzteil 351 und einem dritten Netzteil 361 verbunden ist. Wie durch die Elektronenwege dargestellt, fliessen die vom ersten Verdampfer 310 emittierten Elektronen, die vom zweiten Verdampfer 320 emittierten Elektronen und die vom dritten Verdampfer 330 emittierten Elektronen in Richtung der drei Anoden 340, 350, 360.
[0074] In der schematischen Zeichnung gemäss Fig. 8 sind die Elektroden 340, 350, 360 gegenüber dem Verdampfern 310, 320, 330 angeordnet. Es versteht sich jedoch, dass jede geeignete Positionierung der ersten, zweiten und dritten Elektrode möglich ist, um den Elektronenfluss derart zu beeinflussen, dass eine verbesserte Plasmaaktivierung und Homogenität in der Kammer erreichbar ist. Entsprechend ist jede Anzahl von Elektroden in der Kammer möglich, um den Elektronenfluss auf eine gewünschte Bahn zu lenken. Der an die Verdampfer 310, 320, 330 angelegte Strom kann 100 A betragen, jedoch kann selbstverständlich auch jede andere geeignete Stromstärke verwendet werden.
[0075] In dem Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 8 liegen also drei Verdampfer 310, 320 und 330 vor mit drei Anoden 340, 350 und 360 vor.
[0076] Fig. 8 a zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Kammer 300, mit einem analogen Aufbau zur Kammer in Fig. 8, jedoch werden die Netzteile der ersten Elektrode 340, der zweiten Elektrode 350 und der dritten Elektrode 360 mit verschiedenen Energien betrieben. Über die verschiedenen Energien kann unter anderem die Homogenität eines Plasmas verbessert werden, als auch die Verteilung eines Plasmas besser gesteuert werden, indem die Energien an den jeweiligen Netzteilen entsprechend eingestellt werden.
[0077] Wie aus den Fig. 4-8 erkenntlich kann das Substrat S sowohl negativ, als auch positiv vorgespannt werden, wobei die positive Vorspannung kleiner als die der Elektrode sein muss, da ansonsten die gesamten Elektronen zum Substrat fliessen. Selbstverständlich eignet sich ein entsprechend vorgespanntes Substrat auch zu zusätzlichen Plasmasteuerung. Ausserdem werden der Kammer 100, 200 im Betriebszustand ein Arbeitsgas und ein Prozessgas zugeführt. Das Arbeitsgas ist hierbei vorzugsweise Argon (Ar) und Wasserstoff (H2) und das Prozessgas vorzugsweise Stickstoff (N2).
[0078] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 9 zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 100 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 2. Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 9 unterscheidet sich jedoch von Fig. 2 darin, dass eine erste Elektrode 120, eine zweite Elektrode 130 und eine dritte Elektrode 140 vorliegen und an der ersten Elektrode 120 einem ersten Netzteil 121 , an der zweiten Elektrode 130 eine zweites Netzteil 131 und an der dritten Elektrode 140 eine drittes Netzteil 141 angeordnet ist. Hierbei kann durch die Verwendung von unterschiedlichen Energien und / oder unterschiedlichen Zeitintervallen an dem ersten Netzteil 121 , dem zweiten Netzteil 131 und dem dritten Netzteil 141 das im System erzeugbare Plasma beeinflusst werden, insbesondere da das erste Netzteil 121 die erste Elektrode 120 mit einer ersten Energie versorgt und das zweite Netzteil 131 kann die zweite Elektrode 130 mit einer zweiten Energie versorgen und das dritte Netzteil 141 kann die dritte Elektrode 140 mit einer dritten Energie versorgen. Die erste, zweite und dritte Energie können hierbei unabhängig voneinander einstellbar sein, sodass die Verteilung des Plasmas durch die erste, die zweite und die dritte Energie formbar ist.
[0079] Fig. 9 illustriert ein Ausführungsbeispiel, bei welchem also drei einzelne Elektroden, eine erste Elektrode 120, eine zweite Elektrode 130 und eine dritte Elektrode 140 vorgesehen sind. Somit resultiert ein entsprechender erster, zweiter und dritter Elektronenweg 160, der jeweils in Richtung der ersten, zweiten und dritten Elektrode 120, 130, 140 gerichtet ist. In den schematischen Zeichnungen gemäss Fig. 13 sind die Elektroden 120, 130, 140 gegenüber dem Verdampfer 1 10 angeordnet. Es versteht sich jedoch, dass jede geeignete Positionierung der ersten, zweiten oder optional auch dritten Elektrode möglich ist, um den Elektronenfluss derart zu beeinflussen, dass eine verbesserte Plasmaaktivierung und Homogenität in der Kammer erreichbar ist. Entsprechend ist jede Anzahl von Elektroden in der Kammer möglich, um den Elektronenfluss auf eine gewünschte Bahn zu lenken. [0080] Das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 9a zeigt eine schematisch dargestellte vakuumdichte Kammer 100 mit einem analogen Aufbau wie die Kammer 100 gemäss Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 9. Bei Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 9a sind die Elektroden 120, 130, 140 jedoch nicht nur an Kammerwänden der Kammer 100 angeordnet. Die erste Elektrode 120 ist an einer Kammerwand angeordnet, die zweite Elektrode 130 ist an einer Kammerdecke angeordnet und die dritte Elektrode 140 am Kammerboden. Die Anordnung der Elektroden in der Kammer kann, um unter anderem eine Plasmaverteilung zu steuern, beliebig angepasst werden.
[0081] Während unterschiedliche beispielhafte Konfigurationen im Rahmen dieser Anmeldung gezeigt und beschrieben wurden, fallen natürlich auch weitere Ausführungsbeispiele mit jeglicher Anzahl von Verdampfern und jeglicher Anzahl von Elektroden in den Schutzbereich der hier beanspruchten Erfindung. Darüber hinaus kann eine erfindungsgemässe Vakuumkammer für lonenätzprozesse verwendet werden und mit einer Mehrzahl von einzelnen Elektroden ausgerüstet sein, wobei verschiedene Elektroden mit verschiedenen Strömen versorgt sein können. An die verschiedenen Elektroden können gleiche oder verschiedene Ströme, auch zu verschiedenen Zeiten angelegt werden, um die Plasmaaktivierung und das Ätzen in gewünschter Weise zu manipulieren.
[0082] Die in den Figuren enthaltenen Elektronenwege 150, 160, 260 sind nur schematisch dargestellt, da die Elektronenwege 150, 160, 260 selbstverständlich an den Abschirmungen 1 15, 230, 332, 333, 334 vorbeiführen und nicht durch diese hindurch.
[0083] In den Fig. 2 bis 9a ist in der Vakuumkammer, insbesondere in der Nähe der Elektroden, oder bei einer Vielzahl von Elektroden in der Nähe mindestens einer Elektrode dieser Vielzahl, ein Magnet zum Erzeugen eines Magnetfeldes angeordnet (hier nicht gezeigt). Dieser Magnet ist besonders bevorzugt an der Arbeitsoberfläche der Elektrode angeordnet. Im Allgemeinen kann der Magnet einen vorderseitigen Magneten und / oder einen rückseitigen Magneten umfassen. Der vorderseitige Magnet ist im Bereich der Arbeitsoberfläche zum Erzeugen eines vorderseitigen Magnetfeldes angeordnet und der rückseitige Magnet ist hinter der Arbeitsoberfläche zum Erzeugen eines rückseitigen Magnetfeldes angeordnet. Bei Vorliegen einer Vielzahl von Elektroden kann auch an einer Elektrode oder an einer Teilmenge der Vielzahl von Elektroden ein vorderseitigen und / oder ein rückseitiger Magnet angeordnet sein. Das Substrat S kann sowohl negativ, als auch positiv vorgespannt werden, wobei die positive Vorspannung kleiner als die der Elektrode sein sollte, da ansonsten die gesamten Elektronen zum Substrat fliessen. Im Betriebszustand kann als Arbeitsgas vorzugsweise Argon (Ar) und Wasserstoff (H2) und als Prozessgas vorzugsweise Stickstoff (N2) zugeführt werden.
[0084] Nun wenden wir uns den Fig. 10-12 zu, in welchen Ausführungsbeispiel gezeigt sind, bei denen Magnetfelder an die einzelnen Elektroden der Vakuumkammer angelegt werden können. In einem Magnetfeld kann ein Elektronenweg kontrolliert werden, was die geladenen Partikel im Plasma entsprechend beeinflusst. Genauer gesagt, wird die Diffusion der geladenen Partikel durch das Magnetfeld behindert. Dadurch wird der Verlust an Elektronen und Ionen reduziert und die Elektronendichte erhöht. Üblicherweise werden Elektromagnete in Form von Spulen um die Kammer herum von einem Ende zu einem gegenüberliegenden Ende positioniert, um ein Magnetfeld innerhalb der Kammer zu erzeugen. Andere konventionelle Systeme verwenden Permanentmagnete, die unterhalb des Substrats angeordnet sind und zur Erzeugung des Magnetfeldes bewegt werden. Jedoch erlaubt keine dieser Konfigurationen den Fluss der Elektronen derart zu kontrollieren, dass die Homogenität einstellbar und verbesserbar ist. Bei den hier beschriebenen Ausführungsbeispielen wird ein Magnetfeld an jede einzelne Elektrode angelegt. Fig. 10 zeigt ein Beispiel, bei welchem eine Elektrode 300 in der Nähe oder innerhalb eines Elektromagneten 302 angeordnet ist. Beispielweise kann der Elektromagnet 302 eine Spule sein, die um die Elektrode 30 gewickelt ist, also im Bereich einer Arbeitsoberfläche der Elektrode angeordnet ist. In diesem Fall ist das Magnetfeld an der Elektrode 30 vorderseitig. Kein rückseitiges Magnetfeld wurde erzeugt.
[0085] Die Fig. 1 1 -12 zeigen Ausführungsbeispiele mit rückseitigen Magneten 320 und vorderseitigen Magneten 310. In Fig. 1 1 umfasst die Elektrode 30 die elektromagnetische Spule 302, die in der Nähe oder um die Elektrode 30 herum vorgesehen ist (also im Bereich der Arbeitsoberfläche und / oder zumindest teilweise neben der Arbeitsoberfläche angeordnet). Eine elektromagnetische Spule 301 ist in der Nähe der Elektrode 30 hinter der Arbeitsoberfläche positioniert, um als rückseitiger Magnet ein rückseitiges Magnetfeld zu erzeugen. Die elektromagnetische Spule kann einen ferritischen Kern oder aber auch keinen ferritischen Kern umfassen, abhängig von der gewünschten Magnetfeldstärke. Wie gezeigt sind die beiden Spulen 301 , 302 so angeordnet, dass sie dieselbe Polarität haben. In Fig. 12 haben die Magnetfelder zwischen den elektromagnetischen Spulen 301 und 302 eine entgegengesetzte Polarität. Dieser Wechsel in der Polarität der (rückseitigen und vorderseitigen) Magnetfelder kann erreicht werden, indem die Richtung des Stromes durch die Spule 301 gewechselt wird. Somit ist das Magnetfeld an einer einzelnen Spule einstellbar. Das Diagramm der Fig. 16 zeigt ein Beispiel der Magnetfeldstärke (in mT, Y-Achse), die senkrecht zur Oberfläche (Runde Elektrode, 5cm Radius, Nullpunkt entspricht Zentrum der Elektrode, X-Achse Radius ausgehend von Elektrodenzentrum in cm) bei einem Spulenstrom von 3A gemessen wurde. Die mittlere Kurve zeigt die Stärke des Magnetfelds der Fig. 10, wobei kein rückseitiges Magnetfeld erzeugt wurde. Die obere Kurve zeigt die Stärke des Magnetfeldes gemäss Fig. 1 1 , bei welcher das Magnetfeld durch Spulen erzeugt wurde, die gleich polarisiert sind; und die untere Kurve zeigt die Stärke des magnetischen Feldes gemäss Fig. 12, bei welcher das Magnetfeld durch Spulen erzeugt wurde, welche entgegengesetzt polarisiert sind. Bei der oberen Kurve liegt ein Tunnelfeld vor, da die obere Kurve ab ungefähr ±3,2 im negativen Bereich verläuft und somit das Magnetfeld ab diesem Radius eine umgekehrte Richtung aufweist. Bei der unteren Kurve hingegen, weist das aus der Arbeitsoberfläche austretende Magnetfeld nur eine Richtung auf.
[0086] Fig. 13 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das in Fig. 13 gezeigte System, ist eine Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung mit einer magnetischen Feldkonfiguration für zwei Elektroden. Ein Verdampfer 450 ist innerhalb der Kammer vorgesehen und kann direkt (zumindest teilweise) in die Kammerwand eingebettet oder mit dieser verbunden sein. Ein negativer Pol einer 100A Stromquelle kann mit dem Verdampfer verbunden sein und verbindet den Verdampfer damit als Kathode. Somit werden Elektronen emittiert, wenn der Verdampfer gezündet wird und die Elektronen kollidieren mit einem Argon (Ar) Gas, das in die Kammer eingeführt wurde und erzeugen so das Plasma. Die Ionen im Plasma bombardieren dann die Oberflächen von einem oder mehreren nicht gezeigten Substraten, die in der Kammer angeordnet sind um gereinigt und / oder geätzt zu werden. Eine oder mehrere Abschirmungen sind derart beweglich in der Kammer positioniert, dass die Abschirmung wahlweise zwischen dem Verdampfer und dem Substrat positioniert werden können. Somit kann die Abschirmung vor der Zündung der kathodischen Vakuumbogenverdampfer rotiert oder in anderer Weise vor den Verdampfer 450 bewegt werden, um das Substrat vor Verunreinigungen zu schützen. Wenn der durch den kathodischen Vakuumbogenverdampfer erzeugte Lichtbogen nicht vorhanden ist, können die Abschirmungen in eine nicht abschirmende Position bewegt werden. In einer erfindungsgemässen Kammer sollte zumindest eine einzelne Elektrode in der Kammer vorgesehen sein. In Fig. 13 sind jedoch eine erste Elektrode 460 und eine zweite Elektrode 470 vorgesehen, welche an einem positiven Pol eines (zum Beispiel 80A) Netzteils (auch Stromquelle) angeschlossen sind und verbindet die Elektroden 460, 470 somit als Anoden. Entsprechend fliessen die Elektronen von dem Verdampfer 450 in Richtung der Position der Elektroden 460, 470. Das Beschleunigt das generierte Plasma in dieselbe Richtung. Hinter den Arbeitsoberflächen der Elektroden 460, 470 ist ein erster rückseitiger Magnet 480 und ein zweiter rückseitiger Magnet 490 zum Erzeugen eines rückseitigen Magnetfeldes angeordnet. Die rückseitigen Magnetfelder können an die Elektroden mittels eines Elektromagneten angelegt werden, indem eine elektromagnetische Spule hinter der Arbeitsoberflächen der Elektroden 460, 470 angeordnet wird. Bei Benutzung von Elektroden mit Magnetfeldern, kann der ein Substratstrom erhöht, insbesondere verdoppelt werden bei einer in wesentlichen selben lonenätz-Performance, was in Folge zu einem erhöhten Ätzen des Substrates (der Substrate) führt.
[0087] Obwohl in Fig. 13 nur ein einzelner Verdampfer 450 gezeigt ist, kann (wie bereits in den Ausführungen zu Fig. 5-8a gezeigt) jede beliebige Anzahl von Verdampfern und auch Elektroden im System verwendet werden. Grössere Systeme und / oder grössere Kammern können zum Beispiel zwei oder mehr Verdampfer benötigen, um eine grössere Anzahl von Elektronen zu erzeugen.
[0088] Fig. 14 zeigt ein Beispiel einer Kammer 400 mit einem ähnlichen Aufbau wie das Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 17. Im Unterschied zu Fig. 15 sind die erste Elektrode und die zweite Elektrode der Fig. 14 an unterschiedliche Stromversorgungen angeschlossen (Stromversorgung U1 und Stromversorgung U2). Hierdurch können die Polaritäten der beiden Spulen unabhängig voneinander gesteuert und geändert werden, wodurch selbstverständlich eine Verbesserung der Ätz- Homogenität erreicht werden kann.
[0089] In der Vakuumkammer 400 der Fig. 14 ist hierbei jeweils ein vorderseitiger Magnet (auch Magnetkreis) an der ersten Elektrode 460 und der zweiten Elektrode 470 angeordnet. Ausserdem ist an der ersten Elektrode 460 ein erster rückseitiger Magnet 480 angeordnet und an der zweiten Elektrode 470 ist ein zweiter rückseitiger Magnet 490 angeordnet. Wie vorrangehend beschrieben sind die rückseitigen Magnete 480, 490 an unterschiedliche Stromversorgungen angeschlossen (Stromversorgung 1 und Stromversorgung 2). Der vorderseitigen Magneten sind in der Vakuumkammer 400 (also unter Vakuum) angeordnet während die rückseitigen Magneten 480, 490 ausserhalb der Vakuumkammer 400 (also unter Atmosphärendruck) angeordnet sind. Es versteht sich, dass Magnete auch Permanentmagnete umfassen können. Wie vorrangehend beschrieben, sollte die erfindungsgemässe Vakuumkammer einen Magneten umfassen, welcher zum Erzeugen eines Magnetfeldes an, neben oder um die (zweidimensionalen) Arbeitsoberfläche der Elektrode in oder ausserhalb der (Vakuum-) Kammer angeordnet ist. Hierbei kann der Magnet einen vorderseitigen Magneten und / oder einen rückseitigen Magneten umfassen. In Fig. 15 ist hierbei der vorderseitige Magnet 302 im Bereich der Arbeitsoberfläche 461 zum Erzeugen eines vorderseitigen Magnetfeldes angeordnet und der rückseitige Magnet 301 hinter der Arbeitsoberfläche 461 zum Erzeugen eines rückseitigen Magnetfeldes angeordnet. Selbstverständlich kann der vorderseitige Magnet auch zumindest teilweise neben der Arbeitsoberfläche angeordnet sein. Sowohl der vorderseitige Magnet, als auch der rückseitige Magnet können als Elektromagneten, insbesondere als Spulen ausgestaltet sein. Durch Verwendung von Elektromagneten wird eine zeitliche Steuerung des Magnetfeldes (rückseitiges oder vorderseitiges, insbesondere resultierendes Magnetfeld bei Verwendung von rückseitigem und vorderseitigen) ermöglicht. Dabei kann das Magnetfeld sowohl gepulst werden, als auch deren Stärke bei im Wesentlichen gleicher Feldrichtung angepasst werden und auch die Feldrichtung umgekehrt werden. Durch Änderung der Stromrichtung in der Spule kann die Polarität des Magnetfeldes angepasst werden. Besonders bevorzugt können bei Verwendung der erfindungsgemässen Vakuumkammer Programme vorgegeben werden, bei welchen sich der Strom in den Spulen ändert. Hierbei kann zum Beispiel ein Strom von 3 A für ein erstes Zeitintervall verwendet werden und ein Strom von 3 A mit einer umgekehrten Stromrichtung für ein zweites Zeitintervall verwendet werden. Das erste und zweite Zeitintervall können gleich aber auch selbstverständlich unterschiedlich sein. Auch die Ströme können unterschiedlich stark sein. Zusammenfassend kann das durch die Spule erzeugte Magnetfeld über die Zeit, die Richtung und über die Stromstärke gesteuert werden.
[0090] Das erfindungsgemässe System kann auch eine Vielzahl von vorderseitigen und / oder rückseitigen Magneten also ein vorderseitiger und / oder rückseitiger Magnetkreis umfassen, die ringförmig angeordnet sind. Wie zum Beispiel in Fig. 15 gezeigt, kann der vorderseitige Magnet 302 ringförmig sein beziehungsweise eine Vielzahl von vorderseitigen Magneten 302 ringförmig als Magnetkreis angeordnet sein. Die Vielzahl kann zum Beispiel 20 Magnete umfassen, welche in einem bestimmten Muster angeordnet sind, wobei jeder Magnet von dem anderen beabstandet ist. Um das vorderseitige Magnetfeld zu erzeugen kann eine zweite Vielzahl von Permanentmagneten radial innerhalb der ersten Vielzahl von Magneten angeordnet sein. Die Vielzahl kann eine entgegengesetzte Polarität zu der zweiten Vielzahl aufweisen. Auch der rückseitige Magnet 301 kann als eine Vielzahl von Magneten ausgestaltet sein, welche hinter der Arbeitsoberfläche 461 der Elektrode in einer vorgebbaren Struktur angeordnet sind.
[0091] Der ringförmige vorderseitige Magnet 302 gemäss Fig. 15 weist einen grösseren Durchmesser auf als die runde Arbeitsoberfläche 461 der Elektrode 460. In Ausführung der Erfindung kann der Durchmesser des vorderseitigen Magneten um einen Faktor 1 ,1 bis 2 grösser sein als der Durchmesser der Elektrode.
[0092] Prinzipiell sollte eine Magnetisierung der Magnete weitgehend parallel zur Oberflächennormalen der Arbeitsoberfläche 461 verlaufen. Hierfür können die vorderseitigen Magnete 302 sowohl vor, als auch neben und um die Arbeitsoberfläche 461 angeordnet sein. Auch ist es möglich das ein Magnetkreis aus zwei Magneten besteht, wobei ein Pol vor der Arbeitsoberfläche und ein Pol neben (über oder unter) der Arbeitsoberfläche angeordnet ist. Insbesondere können die vorderseitigen Magneten auch beweglich angeordnet sein, sodass sie ihre Position relativ zur Arbeitsoberfläche ändern können.
[0093] Zusammenfassend wir eine Anordnung des Magnets (oder der Magnete) derart vorgenommen, dass eine beliebige Magnetfeldstruktur (Form und Stärke) an der Arbeitsoberfläche der zweidimensionalen Elektrode erzeugt werden kann. Dabei ist es zum Beispiel möglich, dass die Magnetfeldstärke im äusseren Bereich der Arbeitsoberfläche grösser ist als in einem inneren Bereich der Arbeitsoberfläche, aber auch umgekehrt.
[0094] Allgemein kann ein erfindungsgemässer Magnet zumindest teilweise als Permanentmagnet ausgestaltet sein, wobei alle typischen Magnetmaterialien wie Hartferrite, AINiCo, NdFeB, SmCo als Volumenmaterialien oder als kunststoffgebundene Magnete zum Einsatz kommen können. Der Magnet kann aus einem Formkörper gefertigt sein, oder aber segmentiert sein. Typische Magnetfeldstärke welche bei einer erfindungsgemässen Vakuumkammer vorzugsweise verwendet werden haben eine Magnetfeldstärke einer senkrechten Komponente des Magnetfeldes auf der erfindungsgemäßen Elektrode zwischen 0, 1 und 100 mT, vorzugsweise 1 bis 50 mT, insbesondere 2 bis 20 mT.
[0095] In allen aufgeführten Ausführungsbeispielen kann ein Substrathalter in der Kammer angeordnet sein. Der Substrathalter umfasst vorzugsweise eine Vielzahl von Hochgeschwindigkeitsstahlsubstraten, die in vertikaler Richtung in verschiedenen Höhen angeordnet sind. Der Substrathalter ist rotierbar in der Kammer angeordnet, sodass eine Substrathalterplatte um eine zentrale Achse des Substrathalters rotiert werden kann. Zusätzlich ist jede vertikale Anordnung des Substrats um seine individuelle Achse rotierbar. Die erste Elektrode und sofern vorhanden die zweite Elektrode haben beispielsweise Durchmesser von 100mm und sind in der Kammer an vorgebbaren vertikalen Positionen angeordnet. Um die Effekte an den einzelnen Elektroden und den Magnetfeldern während eines Experimentes zu beobachten, können Messungen an den Elektroden an drei unterschiedlichen Höhen vorgenommen: Bei 210 mm entsprechend einem unteren Ende der zweiten Elektrode B; Bei 340 mm entsprechend 30 mm über einem unterem Ende der ersten Elektrode; und 470 mm entsprechend 60 mm über dem oberen Ende der ersten Elektrode A. Die geätzten Substrate waren Stahlkörper (100Cr6), welche zweifach in der Vakuumkammer rotiert wurden.
[0096] In Fig. 17 ist nun eine ähnliche Kammer wie oben beschrieben dargestellt, wobei zusätzlich vorderseitige Magnetfelder an die Elektroden angelegt sind. Die vorderseitigen Magnetfelder der ersten Elektrode 460 (A) und zweiten Elektrode 470 (B) haben entgegengesetzte Polaritäten. Die Magnetfelder können dazu benutz werden, die Plasmaerzeugung in der Nähe der ersten und zweiten Elektrode 460, 470 anzupassen, was durch die Änderung der Richtung der Ströme, welche an die entsprechenden Spulen angelegt werden, erreicht werden kann. Wenn ein Strom von 80 A an die Elektroden angelegt wird, wird der ersten Elektroden 460 (A) ein Strom von 40 A und der zweiten Elektrode 470 (B) ein Strom von 40 A zugeführt. Wie zu sehen ist, bleiben die Ströme an der ersten Elektrode 460 (A) und der zweiten Elektrode 470 (B) nahe bei 40 A, wenn die Polaritäten der Magnetfelder, welche an die Elektroden 460, 470 angelegt, entgegengesetzt orientiert sind. Wenn jedoch die angelegten Magnetfelder dieselbe Polarität haben erreicht der Strom an der ersten Elektrode annährend 80 A, während der Strom an der zweiten Elektrode nahe 0 A ist. Dies kommt daher, dass der Elektronenstrom an der zweiten Elektrode in diesem Fall fast komplett abgeschirmt wird.
[0097] Das Diagramm und die Tabelle der Fig. 18 und 20 zeigen die Messungen wie an den vorgegebenen Höhen bei einer Vorrichtung gemäss 17 vorgenommen. Ein Diagramm der Resultate ist in Fig. 18 gezeigt. Die X-Achse repräsentiert die vertikale Position über dem unteren Rand der unteren kreisförmigen Elektrode B (210 mm), oder in anderem Worten, die vorgebbare Höhe gemessen im mm und die Y-Achse repräsentiert die Ätztiefe in nm. Man kann dem Diagramm entnehmen, dass die Substrate, die an höheren senkrechten Positionen an dem Substrathalter vorgesehen sind, ein schwächeres Ätzen der Substrate zeigen als bei denjenigen Substraten, die an niedrigeren Positionen am Substrathalter positioniert sind. Die obere Linie im Diagramm zeigt das Ausführungsbeispiel von Fig. 17; während die unter Linie ein bekanntes System mit einer linearen Elektrode zeigt. Gemäss Fig. 17 in welcher zwei einzelne Elektroden parallel betrieben werden, ist eine signifikant höhere Ätzrate aufgrund eines höheren Substratstromes in der Kammer zu beobachten. Die Homogenität ist jedoch nicht verbessert, wie bei dem Abfall der Ätztiefe mit absteigender Höhe zu sehen ist. Fig. 19 hingegen zeigt ein Ausführungsbeispiel bei welchem über zeitliche Variation der Polarität der Magnete die Homogenität im Vergleich zum Stand der Technik (unter Linie) verbessert wurde. Die X-Achse repräsentiert die vertikale Position über dem unteren Rand der unteren kreisförmigen Elektrode B (210 mm), oder in anderem Worten, die vorgebbare Höhe gemessen im mm und die Y-Achse repräsentiert die Ätztiefe in nm.
[0098] Die erste Reihe der Tabelle von Fig. 20, die mit «Stand. » bezeichnet ist, zeigt die Messung, die an einem bekannten System mit einer konventionellen linearen Elektrode vorgenommen wurden. An der linearen Elektrode wurde 80 A angelegt und der Substratstrom wurde zu 1 ,9 A gemessen. Die Ätztiefe der Bodenmessung (bot, 210mm) ist 250 nm. Die Tiefe bei der mittleren Messung (mid, 340mm) ist 210 nm, was 84% der Bodenätztiefe entspricht, und die Tiefe am oberen Messpunkt (top, 470mm) ist 1 10 nm, was 48 % der Bodenätztiefe entspricht. Bei den beschriebenen Ausführungen mit zwei einzelnen Elektroden bei denen nur rückseitige Magnetfelder an die Elektroden angelegt wurden, zeigen eine verstärktes Ätzen aufgrund des erhöhten Substratstromes von 3,4 A, es bleiben jedoch dieselben Probleme mit der Homogenität. An jede Elektrode wird ein Strom von 40 A angelegt. Die Ätztiefe bei der Bodenmessung (bot, 210mm) ist 420 nm. Die Ätztiefe bei der mittleren Messung (mid, 340mm) ist 350nm (83%) und die Tiefe bei der oberen Messung (top, 470mm) ist 180 nm (43%). Die nächsten beiden Zeilen zeigen die Resultate wie sie erhalten werden, wenn an die Elektroden Magnetfelder angelegt werden. Wenn Felder mit selber Polarität angelegt werden, beträgt der Strom an der ersten Elektrode 75 A und der Strom an der zweiten Elektrode 5 A. Der Substratstrom ist hoch bei 4,5 A und Ätztiefe an der oberen Messung (470 mm) ist 760nm. Die mittlere Messung (340 mm) ist 620 nm (86%) und die Bodenmessung (340 mm) ist 300 nm (39%). Wenn die Polaritäten durch Umkehrung der Richtung des an die Spule angelegten Stromes geändert werden, ist ein umgekehrt Effekt an der Ätztiefe zu beobachten. Der an die erste Elektrode angelegte Strom ist 49 A und der an die zweite Elektrode angelegte Strom ist 31 A. Der Substratstrom wurde zu 4 A gemessen. Die grösste gemessen Tiefe in dieser Konfiguration findet sich an der Bodenmessung (210 mm) zu 640nm. Die mittlere Messung (340 mm) liefert 490 nm (76%) und die obere Messung (470mm) beträgt 240 nm (38%). [0099] Gewünscht ist es, eine Homogenität in der Kammer zu erreichen, bei welcher die Ätzrate in wesentlichen über die ganze Höhe des Substrathalters konstant ist. Da die Ätzprofile bei derselben Polarität des Magnetfeldes und bei der entgegensetzten Polarität entgegensetzte Tendenzen von oben nach unten zeigen, kann Homogenität dadurch erreicht werden, dass man die Ätzprofile zu bestimmen Zeitintervallen überlagert. Die gewählte Zeit kann kurz sein, wie zum Beispiel 1 bis 10 Umdrehungen des Substrathalters oder länger, falls gewünscht. Im Beispiel der Konfiguration gemäss Fig. 17 wurde gefunden, dass eine gute Homogenität erreicht werden kann wenn 2/3 der Prozesszeit (z.B. 40 min) bei Anlegen von vorderseitigen Magnetfeldern gleicher Polarität verwendet wird (wie in der dritten Reihe der Ergebnisse gemäss Fig. 20 und obere Kurve Fig. 19) und 1/3 der Prozesszeit (20 min) vorderseitige Magnetfelder mit entgegengesetzter Polarität verwendet werden (wie in der 4. Reihe der Ergebnisse in Fig. 20 gezeigt).
[00100] Während unterschiedliche beispielhafte Konfigurationen im Rahmen dieser Anmeldung gezeigt und beschrieben wurden, fallen natürlich auch weitere Ausführungsbeispiele mit jeglicher Anzahl von Verdampfern und jeglicher Anzahl von Elektroden in den Schutzbereich der hier beanspruchten Erfindung. Darüber hinaus kann ein erfindungsgemässes lonenätzsystem mit einer Vielzahl von einzelnen Elektroden ausgerüstet sein, wobei verschiedene Elektroden mit verschiedenen Strömen versorgt sein können. An die verschiedenen Elektroden können gleiche oder verschiedene Ströme, auch zu verschiedenen Zeiten angelegt werden um die Plasmaaktivierung und das Ätzen in gewünschter Weise zu manipulieren.
[00101] Obwohl im Rahmen der vorliegenden Anmeldung bereits eine ganze Reihe von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, versteht es sich von selbst, dass weitere Variationen möglich sind. Zum Beispiel können die beschrieben Ausführungsformen in geeigneter Weise kombiniert und ergänzt werden bzw. durch gleichwirkende äquivalente Merkmale ersetzt werden. Entsprechend fallen auch solche anderen Lösungen in den Schutzbereich der beanspruchten Erfindung.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Vakuumkammer zur Durchführung einer Plasmabehandlung umfassend einen Plasmabehandlungsbereich, der von Kammerwänden umschlossen ist, sowie eine Plasmaquelle umfassend:
mindestens eine in der Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) angeordnete Kathode (1 10, 210, 220, 310, 320, 330, 450) zur kathodischen
Vakuumbogenverdampfung mit einer Bogenanode welche mit der
Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) verbunden ist; eine vor der Kathode anordnenbare Abschirmung (1 15, 230, 332, 333, 334);
mindestens eine in der Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) angeordnete Elektrode (30,120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470), wobei die Elektrode (30,120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) eine Arbeitsoberfläche (461 ) zum Auffangen der von der Kathode (1 10, 210, 220,
310, 320, 330, 450) emittierten Elektronen umfasst; dadurch gekennzeichnet, dass die Arbeitsoberfläche (461 ) eine zweidimensionale Oberfläche zum Auffangen der von der Kathode (1 10, 210, 220, 310, 320, 330, 450) emittierten Elektronen ist, und die zweidimensionale Oberfläche eine zu einer Oberflächennormale erste orthogonale Ausdehnung und eine zweite orthogonale Ausdehnung besitzt, wobei die erste orthogonale Ausdehnung senkrecht zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung verläuft und ein Längenverhältnis der ersten orthogonalen Ausdehnung zu der zweiten orthogonalen Ausdehnung zwischen 0, 1 und 1 liegt; und
mindestens ein Magnet (301 , 302, 480, 490) zum Erzeugen eines Magnetfeldes, welches auf die Arbeitsoberfläche (461 ) der Elektrode (30,120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) einwirkt, in, an oder in und an der
Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) angeordnet ist.
2. Vakuumkammer nach Anspruch 1 , wobei der Magnet (301 , 302, 480, 490) einen vorderseitigen Magneten (302) und / oder einen rückseitigen Magneten (301 , 480, 490) umfasst, wobei der vorderseitige Magnet (302) im Bereich der
Arbeitsoberfläche (461 ) zum Erzeugen eines vorderseitigen Magnetfeldes angeordnet ist und der rückseitige Magnet (301 , 480, 490) hinter der
Arbeitsoberfläche (461 ) zum Erzeugen eines rückseitigen Magnetfeldes angeordnet ist.
3. Vakuumkammer nach Anspruch 2, wobei der vorderseitige Magnet (302) vor der Arbeitsoberfläche (461 ) angeordnet ist und / oder der vorderseitige Magnet (302) zumindest teilweise neben oder um die Arbeitsoberfläche (461 )
angeordnet ist und / oder wobei der vorderseitige Magnet (302) und / oder der rückseitige Magnet (301 , 480, 490) in der Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) angeordnet ist, oder der rückseitige Magnet (301 , 480, 490) ausserhalb der Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) angeordnet ist.
4. Vakuumkammer nach einem der Ansprüche 2 bis 3, wobei der vorderseitige Magnet (302) und / oder der rückseitige Magnet (301 , 480, 490) einen
Permanentmagnet und / oder einen Elektromagnet umfassen oder der vorderseitige Magnet (302) und / oder der rückseitige Magnet (301 , 480, 490) als eine an die Elektrode (30,120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) gekoppelte, elektromagnetische Spule (480, 490) ausgestaltet ist.
5. Vakuumkammer nach einem der vorrangehenden Ansprüche umfassend eine erste Elektrode mit einer ersten Arbeitsoberfläche zum Auffangen der von der Kathode (1 10, 210, 220, 310, 320, 330, 450) emittierten Elektronen und eine zweite Elektrode mit einer zweiten Arbeitsoberfläche zum Auffangen der von der Kathode (1 10, 210, 220, 310, 320, 330, 450) emittierten Elektronen und / oder eine Vielzahl von Kathoden (1 10, 210, 220, 310, 320, 330, 450).
6. Vakuumkammer nach einem der Ansprüche 2 bis 5, umfassend eine Vielzahl von Elektroden (30, 120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470), wobei an mindestens einer der Elektroden (30, 120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) der vor der Arbeitsoberfläche (461 ) angeordnete vorderseitige Magnet (302) und der hinter der Arbeitsoberfläche (461 )
angeordneten rückseitige Magnet (301 , 480, 490) angeordnet ist.
7. Vakuumkammer nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei der vorderseitige Magnet (302) und der rückseitige Magnet (301 , 480, 490), Elektromagneten sind und die Vakuumkammer (100, 200, 300, 400) weiter eine Stromquelle umfasst, welche mit dem rückseitigen Magnet (302) und dem vorderseitigen Magnet (301 , 480, 490) verbunden ist, wobei die Stromquelle derart ausgestaltet ist, dass ein Stromfluss zu dem rückseitigen Magnet (302) und dem vorderseitigen Magneten (301 , 480, 490) so eingestellt werden kann, dass eine Polarität des rückseitigen und des vorderseitigen Magneten umkehrbar ist.
8. Vakuumkammer nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Vielzahl von Elektroden (30,120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) mit einem
gemeinsamen Netzteil verbunden sind oder die Vielzahl von Elektroden (30, 120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) eine erste Gruppe von Elektroden (30, 120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) umfasst, welche mit einem ersten Netzteil verbunden ist und eine zweite Gruppe von Elektroden (30, 120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) umfasst, welche mit einem zweiten Netzteil verbunden ist.
9. Vakuumkammer nach Anspruch 5, wobei im Bereich der ersten
Arbeitsoberfläche, insbesondere vor und / oder neben und / oder um die erste Arbeitsoberfläche, ein erster vorderseitiger Magnet zum Erzeugen eines vorderseitigen Magnetfeldes angeordnet ist und hinter der zweiten
Arbeitsoberfläche ein zweiter rückseitiger Magnet zum Erzeugen eines zweiten rückseitigen Magnetfeldes angeordnet ist.
10. Vakuumkammer nach einem der vorrangehenden Ansprüche, wobei eine Magnetfeldstärke einer senkrechten Komponente auf der Elektrode (30,120, 120a, 130, 140, 240, 250, 340, 350, 360, 460, 470) zwischen 0, 1 und 100 mT, vorzugsweise 1 bis 50 mT, insbesondere 2 bis 20 mT beträgt.
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