KR20240020113A - 터치 구동 회로 및 터치 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20240020113A
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신승록
김상규
이정훈
이득수
장윤나라
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 개시의 실시예들은, 단위 터치 센서에 따라 기준 터치 영역과 비-기준 터치 영역을 구분하고, 기준 터치 영역에 위치하는 터치 전극 라인과 비-기준 터치 영역에 위치하는 터치 전극 라인의 구동을 독립적으로 수행하는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 기준 터치 영역과 비-기준 터치 영역에서 단위 터치 센서의 차이로 인한 신호의 왜곡을 방지 또는 감소시키며 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있다.

Description

터치 구동 회로 및 터치 디스플레이 장치{TOUCH DRIVING CIRCUIT AND TOUCH DISPLAY DEVICE}
본 개시의 실시예들은, 터치 구동 회로 및 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는, 디스플레이 패널에 포함된 다수의 터치 전극을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치는, 다수의 터치 전극을 구동하고, 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치를 인식할 수 있다. 디스플레이 장치는, 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행하는 기능을 제공할 수 있다.
디스플레이 패널의 영역에 따라 해당 영역에 배치된 터치 전극에서 검출되는 신호의 왜곡이 발생할 수 있다. 터치 전극에서 검출되는 신호의 왜곡으로 인해 터치 센싱의 정확도가 저하될 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 디스플레이 패널에 배치된 터치 전극으로부터 검출되는 신호의 왜곡과 신호의 왜곡으로 인해 터치 센싱의 정확도가 저하되는 것을 방지할 수 있는 방안을 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 액티브 영역과 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 다수의 발광 소자들, 다수의 발광 소자들 상의 봉지 층, 봉지 층 상에 위치하고 제1 방향을 따라 전기적으로 연결된 둘 이상의 터치 구동 전극들을 포함하는 다수의 터치 구동 전극 라인들, 및 봉지 층 상에 위치하고 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 전기적으로 연결된 둘 이상의 터치 센싱 전극들을 포함하는 다수의 터치 센싱 전극 라인들을 포함하는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
다수의 터치 구동 전극 라인들 각각과 다수의 터치 센싱 전극 라인들 각각의 교차에 기초하여 단위 터치 센서가 정의될 수 있다.
액티브 영역은 단위 터치 센서의 면적이 상이한 기준 터치 영역과 비-기준 터치 영역을 포함할 수 있다.
비-기준 터치 영역에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식 또는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식의 적어도 하나는 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식 또는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식과 상이할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 제1 영역에 위치하는 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들을 구동하고 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 제1 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호를 동시에 공급하는 제1 구동부, 및 제1 영역과 상이한 제2 영역에 위치하는 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들로 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호가 공급되는 기간과 상이한 기간에 터치 구동 신호를 공급하고 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나는 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들 사이에 위치하는 제2 구동부를 포함하는 터치 구동 회로를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은, 제1 영역에 위치하는 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들 중 둘 이상의 제1 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 연결된 다수의 제1 센싱 유닛들, 및 제1 영역과 상이한 제2 영역에 위치하는 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들의 적어도 하나와 전기적으로 연결되고 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 분리된 적어도 하나의 제2 센싱 유닛을 포함하는 터치 구동 회로를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의하면, 디스플레이 패널에 배치된 터치 전극으로부터 검출되는 신호의 왜곡을 방지하고, 터치 센싱의 정확도를 개선할 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에 포함된 서브픽셀의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에 포함된 터치 센서 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에 터치 전극이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에 터치 전극이 배치된 구조에 따라 영역이 구분되는 예시를 나타낸 도면이다.
도 7과 도 8은 도 6에 도시된 예시에 따라 구분된 영역별로 터치 구동 전극 라인이 구동되는 방식의 예시들을 나타낸 도면이다.
도 9와 도 10은 도 6에 도시된 예시에 따라 구분된 영역별로 터치 센싱 전극 라인을 통해 센싱이 수행되는 방식의 예시들을 나타낸 도면이다.
도 11과 도 12는 도 6에 도시된 예시에 따라 구분된 영역별로 수행되는 터치 전극 라인의 구동 또는 센싱을 제어하는 터치 구동 회로의 구성의 예시들을 나타낸 도면이다.
이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다. 도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에 포함된 서브픽셀(SP)의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110)과, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140)를 포함할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 구동을 위한 구성 이외에 터치 센싱을 위한 구성을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(110)은, 다수의 서브픽셀(SP)이 배치되는 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 논-액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다. 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 디스플레이 패널(110)에 배치될 수 있다. 다수의 서브픽셀(SP)이 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 위치할 수 있다.
게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어될 수 있다. 게이트 구동 회로(120)는, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다.
게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 게이트 구동 회로(120)는, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 양 측에 위치할 수도 있다.
각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드에 연결될 수 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 디스플레이 패널(110)에 직접 배치될 수도 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 디스플레이 패널(110)과 연결된 필름 상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.
데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(DATA)를 수신하고 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환할 수 있다. 데이터 구동 회로(130)는, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압(Vdata)을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 할 수 있다.
데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 시프트 레지스터, 래치 회로, 디지털 아날로그 컨버터, 및 출력 버퍼 등을 포함할 수 있다. 데이터 구동 회로(130)는, 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 양 측에 위치할 수도 있다.
각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 디스플레이 패널(110)의 본딩 패드에 연결될 수 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 직접 배치될 수도 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. 이러한 경우, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 디스플레이 패널(110)에 연결된 필름 상에 실장되고, 필름 상의 배선들을 통해 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 구동을 제어할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 인쇄 회로 기판 또는 가요성 인쇄 회로 상에 실장될 수 있다. 컨트롤러(140)는, 인쇄 회로 기판 또는 가요성 인쇄 회로를 통해 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)와 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 설정된 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 제어할 수 있다. 컨트롤러(140)는, 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하고 변환된 영상 데이터(DATA)를 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE: Data Enable), 및 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신할 수 있다.
컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고, 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.
일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 및 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 게이트 구동 회로(120)로 출력할 수 있다.
게이트 스타트 펄스(GSP)는, 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 동작 스타트 타이밍을 제어할 수 있다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어할 수 있다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 타이밍 정보를 지정할 수 있다.
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.
소스 스타트 펄스(SSP)는, 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어할 수 있다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호일 수 있다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는, 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로를 더 포함할 수 있다.
각각의 서브픽셀(SP)은, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차에 의해 정의되는 영역일 수 있으며, 터치 디스플레이 장치(100)의 유형에 따라 액정 층이 배치되거나, 광을 발산하는 소자가 배치될 수 있다.
일 예로, 터치 디스플레이 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 경우, 다수의 서브픽셀(SP)에 유기 발광 다이오드(OLED)와 여러 회로 소자가 배치될 수 있다. 여러 회로 소자에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류를 제어함으로써, 영상 데이터에 대응하는 밝기를 각각의 서브픽셀(SP)이 나타낼 수 있다.
또는, 경우에 따라, 서브픽셀(SP)에 발광 다이오드(LED), 마이크로 발광 다이오드(μLED) 또는 양자점 발광 다이오드(QLED)가 배치될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 서브픽셀(SP)은 발광 소자(ED)로 공급되는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함할 수 있다.
서브픽셀(SP)은, 서브픽셀(SP)의 구동을 위해 발광 소자(ED)와 구동 트랜지스터(DRT) 이외에 적어도 하나의 회로 소자를 포함할 수 있다.
일 예로, 서브픽셀(SP)은, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5) 및 스토리지 커패시터(Cstg)를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 예시는 6개의 트랜지스터와 1개의 커패시터가 배치된 6T1C 구조를 나타내나, 본 개시의 실시예들은 이에 한정되지 아니한다. 도 2에 도시된 예시는 트랜지스터가 P 타입인 경우를 나타내나, 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터의 적어도 일부는 N 타입일 수도 있다.
또한, 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터는, 일 예로, 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon)으로 이루어진 반도체 층이나 산화물 반도체(Oxide)로 이루어진 반도체 층을 포함할 수 있다. 또는, 경우에 따라, 서브픽셀(SP)에 저온 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체 층을 포함하는 트랜지스터와 산화물 반도체로 이루어진 반도체 층을 포함하는 트랜지스터가 혼합되어 배치될 수도 있다.
제1 트랜지스터(T1)는, 데이터 라인(DL)과 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는, 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급되는 제1 스캔 신호(Scan1)에 의해 제어될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 것을 제어할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 노드(N2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드일 수 있다. 제3 노드(N3)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는, 제2 게이트 라인(GL2)을 통해 공급되는 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해 제어될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압의 변화를 보상하는 동작을 수행할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는, 기준 전압(Vref)이 공급되는 라인과 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는, 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는, 제1 노드(N1)가 방전되거나, 제1 노드(N1)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 것을 제어할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는, 제3 노드(N3)와 제5 노드(N5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 노드(N5)는, 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결된 노드일 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는, 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는, 발광 소자(ED)로 구동 전류가 공급되는 타이밍을 제어할 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는, 기준 전압(Vref)이 공급되는 라인과 제5 노드(N5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는, 제2 게이트 라인(GL2)을 통해 공급되는 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해 제어될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는, 제5 노드(N5)가 방전되거나, 제5 노드(N5)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 것을 제어할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는, 제4 노드(N4)와 제3 노드(N3) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 노드(N4)는, 제1 구동 전압(VDD)이 공급되는 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 구동 전압(VDD)은, 일 예로, 고전위 구동 전압일 수 있다. 제4 노드(N4)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는, 제2 노드(N2)의 전압과 제4 노드(N4)의 전압 차이에 의해 제어될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)는, 발광 소자(ED)로 공급되는 구동 전류를 제어할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는, 제4 노드(N4)와 전기적으로 연결된 백 게이트 전극을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 전기적으로 연결된 백 게이트 전극에 의해 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 출력이 안정적으로 이루어질 수 있다. 백 게이트 전극은, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 채널로 외부 광이 입사되는 것을 차단하기 위한 금속 층을 이용하여 배치될 수 있다.
발광 소자(ED)는, 제5 노드(N5)와 제2 구동 전압(VSS)이 공급되는 라인 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 구동 전압(VSS)은, 일 예로, 저전위 구동 전압일 수 있다.
발광 소자(ED)는, 제5 노드(N5)와 전기적으로 연결된 제1 전극 층(E1), 제2 구동 전압(VSS)이 인가되는 제2 전극 층(E2) 및 제1 전극 층(E1)과 제2 전극 층(E2) 사이에 배치된 발광 층(EL)을 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)는, 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 공급되는 구동 전류에 따른 밝기를 나타낼 수 있다. 발광 소자(ED)의 구동 타이밍은 제4 트랜지스터(T4)에 의해 제어될 수 있다.
도 2에 도시된 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 간략히 설명하면, 제2 게이트 라인(GL2)을 통해 턴-온 레벨의 제2 스캔 신호(Scan2)가 공급될 수 있다. 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터가 P 타입이므로, 턴-온 레벨은 로우 레벨일 수 있다.
턴-온 레벨의 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해 제2 트랜지스터(T2)와 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온 될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되므로, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 구동 전압(VDD)에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압이 반영된 전압이 제2 트랜지스터(T2)를 통해 제2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 이러한 과정을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압의 변화가 보상될 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)가 턴-온 되므로, 제5 노드(N5)에 기준 전압(Vref)이 인가될 수 있다. 제5 노드(N5)가 초기화될 수 있다.
이후, 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 턴-온 레벨의 제1 스캔 신호(Scan1)가 공급될 수 있다.
턴-온 레벨의 제1 스캔 신호(Scan1)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되므로, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 인가될 수 있다
스토리지 커패시터(Cstg)의 양단에 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압이 반영된 제1 구동 전압(VDD)이 인가된 상태가 될 수 있다.
이후, 발광 제어 라인(EML)을 통해 턴-온 레벨의 발광 제어 신호(EM)가 공급될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)와 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온 될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)가 턴-온 되므로, 제1 노드(N1)의 전압이 기준 전압(Vref)으로 변경될 수 있다. 제1 노드(N1)와 커플링된 제2 노드(N2)의 전압이 제1 노드(N1)의 전압의 변화에 따라 변경될 수 있다.
제2 노드(N2)에 제1 구동 전압(VDD)에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압과 데이터 전압(Vdata)이 반영된 전압이 인가된 상태가 되고, 제4 노드(N4)에 제1 구동 전압(VDD)이 인가된 상태가 될 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압과 제4 노드(N4)의 전압 간의 차이는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압이 반영된 전압일 수 있다. 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 구동 전류가 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 공급될 수 있다.
제4 트랜지스터(DRT)가 턴-온 되므로, 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 공급되는 구동 전류가 발광 소자(ED)로 공급될 수 있다.
발광 소자(ED)가 구동 전류에 따른 밝기를 나타내며, 발광 소자(ED)를 포함하는 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 대응하는 이미지를 표시할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들은, 영상을 표시하는 디스플레이 패널(110)에 터치 센서 구조를 구현하여, 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 센싱하는 기능을 제공할 수 있다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에 포함된 터치 센서 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 터치 전극 라인(TEL)과 다수의 터치 라우팅 배선(TL)을 포함할 수 있다. 터치 디스플레이 장치(100)는, 다수의 터치 전극 라인(TEL)과 다수의 터치 라우팅 배선(TL)을 구동하는 터치 구동 회로(150)를 포함할 수 있다.
다수의 터치 전극 라인(TEL) 각각은, 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 터치 구동 회로(150)와 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(150)는, 별도로 배치될 수도 있고, 경우에 따라, 디스플레이 구동을 위한 회로와 통합되어 배치될 수도 있다. 일 예로, 터치 구동 회로(150)는, 데이터 구동 회로(130)와 통합된 형태로 배치될 수 있다.
다수의 터치 전극 라인(TEL) 각각은, 일 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 다수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 또한, 다수의 터치 전극 라인(TEL) 각각은, 다수의 터치 전극(TE)을 서로 전기적으로 연결하는 다수의 터치 전극 연결 패턴(CL)을 포함할 수 있다.
일 예로, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 제1 방향을 따라 배열된 다수의 X-터치 전극(X-TE)과 다수의 X-터치 전극(X-TE)을 서로 전기적으로 연결하는 다수의 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)을 포함할 수 있다.
다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)을 서로 전기적으로 연결하는 다수의 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)을 포함할 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 또는, X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)은 서로 동일한 층에 배치될 수도 있다. 이러한 경우, X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL) 중 하나는 터치 전극(TE)과 다른 층에 배치될 수 있다.
터치 전극(TE)은, 일 예로, 사각형일 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.
터치 전극(TE)은, 투명한 도전성 물질로 이루어져 디스플레이 패널(110)의 영상 표시 기능을 방해하지 않으면서 배치될 수 있다.
또는, 터치 전극(TE)은, 불투명한 금속으로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우, 터치 전극(TE)은, 디스플레이 패널(110)에 배치된 발광 소자(ED)의 발광 영역과 대응하는 영역이 개구된 형태일 수 있다. 일 예로, 터치 전극(TE)은 메쉬 형태로 구현되어 발광 영역을 회피하여 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판(SUB)은, 다수의 서브픽셀(SP)이 배치된 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 논-액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다.
액티브 영역(AA)은, 발광 소자(ED)에 의해 광이 발산되는 발광 영역(EA)과 발광 영역(EA) 이외의 영역인 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다.
버퍼 층(BUF)이 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)가 버퍼 층(BUF) 상에 배치될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는, 액티브 층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(미도시)을 포함할 수 있다.
액티브 층(ACT)은, 버퍼 층(BUF) 상에 위치할 수 있다. 액티브 층(ACT)은, 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 액티브 층(ACT)은, 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 또는, 액티브 층(ACT)은, 산화물 반도체로 이루어질 수도 있다.
게이트 절연 층(GI)이 액티브 층(ACT) 상에 배치될 수 있다.
게이트 전극(GE)은, 게이트 절연 층(GI) 상에 위치할 수 있다. 게이트 전극(GE)은, 제1 금속 층(M1)을 이용하여 배치될 수 있다.
제1 금속 층(M1)을 이용하여 여러 신호 라인이 배치될 수 있다.
일 예로, 제2 구동 전압(VSS)을 공급하는 제2 전원 라인(VSL)이 제1 금속 층(M1)을 이용하여 배치될 수 있다.
제2 전원 라인(VSL)은, 논-액티브 영역(NA)에 위치할 수 있다. 경우에 따라, 제2 전원 라인(VSL)은, 액티브 영역(AA)에 위치할 수 있다.
제2 전원 라인(VSL)은, 제2 전극 층(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전원 라인(VSL)과 제2 전극 층(E2) 사이의 적어도 일부 영역에 제2 전극 연결 패턴(CCP)이 위치할 수 있다.
제1 층간 절연 층(ILD1)이 게이트 전극(GE) 상에 배치될 수 있다.
커패시터 전극(CE)이 제1 층간 절연 층(ILD1) 상에 위치할 수 있다. 커패시터 전극(CE)은, 제2 금속 층(M2)을 이용하여 배치될 수 있다.
커패시터 전극(CE)은, 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트 전극(GE)과 스토리지 커패시터(Cstg)를 형성할 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TFT1)는, 일 예로, 도 2에 도시된 구동 트랜지스터(DRT)일 수 있다.
제2 층간 절연 층(ILD2)이 커패시터 전극(CE) 상에 배치될 수 있다.
소스 전극(SE)이 제2 층간 절연 층(ILD2) 상에 위치할 수 있다. 소스 전극(SE)은, 컨택홀을 통해 액티브 층(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(SE)은, 제3 금속 층(M3)을 이용하여 배치될 수 있다.
제3 금속 층(M3)을 이용하여 여러 신호 라인이 배치될 수 있다.
일 예로, 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 라인(DL)이 제3 금속 층(M3)을 이용하여 배치될 수 있다. 제1 구동 전압(VDD)을 공급하는 제1 전원 라인(VDL)이 제3 금속 층(M3)을 이용하여 배치될 수 있다.
제1 전원 라인(VDL)의 일부분은 액티브 영역(AA)에 위치할 수 있다. 경우에 따라, 제1 전원 라인(VDL)은, 논-액티브 영역(NA)에 위치할 수 있다.
데이터 라인(DL), 제1 전원 라인(VDL) 및 제2 전원 라인(VSL) 등은, 여러 금속 층의 적어도 일부를 이용하여 다양하게 배치될 수 있다.
도 4는 데이터 라인(DL)과 제1 전원 라인(VDL)이 제3 금속 층(M3)을 이용하여 배치된 예시를 도시하나, 데이터 라인(DL)과 제1 전원 라인(VDL)은, 제1 금속 층(M1)이나 제2 금속 층(M2)을 이용하여 배치될 수도 있다.
또한, 도 4에 도시된 예시와 같이, 제1 전원 라인(VDL)은, 제3 금속 층(M3)으로 이루어진 부분과 제4 금속 층(M4)으로 이루어진 부분을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 전원 라인(VDL)의 저항이 감소될 수 있다.
제3 층간 절연 층(ILD3)이 제3 금속 층(M3) 상에 배치될 수 있다.
제1 평탄화 층(PAC1)이 제3 층간 절연 층(ILD3) 상에 배치될 수 있다. 제1 평탄화 층(PAC1)은, 일 예로, 유기 물질로 이루어질 수 있다.
제4 금속 층(M4)이 제1 평탄화 층(PAC1) 상에 위치할 수 있다.
제4 금속 층(M4)을 이용하여 제1 전원 라인(VDL)의 일부분이 배치될 수 있다.
제4 금속 층(M4)을 이용하여 제1 전극 연결 패턴(ACP)이 배치될 수 있다. 제1 전극 연결 패턴(ACP)에 의해 제2 박막 트랜지스터(TFT2)와 발광 소자(ED)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는, 일 예로, 도 2에 도시된 제4 트랜지스터(T4)나 제5 트랜지스터(T5)일 수 있다.
제2 평탄화 층(PAC2)이 제4 금속 층(M4) 상에 배치될 수 있다. 제2 평탄화 층(PAC2)은, 일 예로, 유기 물질로 이루어질 수 있다.
발광 소자(ED)가 제2 평탄화 층(PAC2) 상에 배치될 수 있다.
발광 소자(ED)의 제1 전극 층(E1)이 제2 평탄화 층(PAC2) 상에 위치할 수 있다.
뱅크 층(BNK)이 제1 전극 층(E1)의 일부분을 노출시키며 제2 평탄화 층(PAC2) 상에 배치될 수 있다.
발광 층(EL)이 제1 전극 층(E1) 상에 위치할 수 있다. 발광 층(EL)이 뱅크 층(BNK)의 일부분 상에 위치할 수 있다.
제2 전극 층(E2)이 발광 층(EL)과 뱅크 층(BNK) 상에 위치할 수 있다.
뱅크 층(BNK)에 의해 발광 영역(EA)이 결정될 수 있다.
봉지 층(ENCAP)이 발광 소자(ED) 상에 배치될 수 있다. 봉지 층(ENCAP)은, 단일 층으로 이루어질 수도 있고, 다수의 층으로 이루어질 수도 있다. 일 예로, 봉지 층(ENCAP)은, 제1 무기 층, 유기 층 및 제2 무기 층으로 이루어질 수 있다.
봉지 층(ENCAP) 상에 터치 센서 구조가 배치될 수 있다.
일 예로, 터치 버퍼 층(TBUF)이 봉지 층(ENCAP) 상에 위치할 수 있다. 터치 버퍼 층(TBUF)은, 일 예로, 무기 물질로 이루어질 수 있다. 경우에 따라, 터치 버퍼 층(TBUF)은 배치되지 않을 수 있다. 이러한 경우, 터치 센서 구조에 포함된 전극이 봉지 층(ENCAP) 상에 직접 배치될 수 있다.
터치 전극 연결 패턴(CL)이 터치 버퍼 층(TBUF) 상에 위치할 수 있다.
터치 절연 층(TILD)이 터치 전극 연결 패턴(CL) 상에 위치할 수 있다. 터치 절연 층(TILD)은, 유기 물질일 수도 있고, 무기 물질일 수도 있다. 터치 절연 층(TILD)이 유기 물질인 경우, 터치 절연 층(TILD)과 터치 전극 연결 패턴(CL) 사이에 무기 물질로 이루어진 층이 더 배치될 수 있다.
터치 전극(TE)이 터치 절연 층(TILD) 상에 위치할 수 있다.
터치 보호 층(TPAC)이 터치 전극(TE) 상에 배치될 수 있다.
터치 전극(TE)과 터치 전극 연결 패턴(CL)이 복수의 층을 이용하여 배치되므로, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 포함하는 터치 센서 구조가 용이하게 구현될 수 있다.
터치 전극(TE)과 터치 전극 연결 패턴(CL)은, 발광 영역(EA)을 회피하여 배치될 수 있다. 터치 전극(TE)과 터치 전극 연결 패턴(CL)은, 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다.
터치 전극(TE)과 터치 전극 연결 패턴(CL)이 봉지 층(ENCAP) 상에 배치되며, 발광 영역(EA)을 회피하여 위치하므로, 디스플레이 패널(110)의 영상 표시 기능에 영향을 주지 않으면서 디스플레이 패널(110)에 터치 센서 구조가 포함될 수 있다.
도 4에 도시되지 않았으나, 터치 전극(TE)과 연결된 터치 라우팅 배선(TL)이 봉지 층(ENCAP)의 경사면을 따라 배치될 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL)은, 터치 전극(TE)과 동일 층에 위치할 수도 있고, 터치 전극 연결 패턴(CL)과 동일 층에 위치할 수도 있다. 또는, 두 개의 층을 이용하여 터치 라우팅 배선(TL)이 배치될 수도 있다. 터치 라우팅 배선(TL)은, 논-액티브 영역(NA)에 위치하는 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 서로 교차하며 배치된 구조에서, 터치 구동 회로(150)가 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 터치 전극 라인(TEL)을 구동하며 터치 센싱을 수행할 수 있다.
일 예로, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 하나는 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극 라인일 수 있다. X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 다른 하나는 터치 센싱 신호가 검출되는 터치 센싱 전극 라인일 수 있다.
터치 구동 회로(150)는, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 서로 다른 신호가 인가된 상태에서 사용자에 의한 터치 시 발생하는 상호 커패시턴스의 변화를 검출할 수 있다.
터치 구동 회로(150)는, 검출된 상호 커패시턴스의 변화에 따른 센싱 데이터를 터치 컨트롤러로 전달할 수 있다. 터치 컨트롤러는, 터치 구동 회로(150)로부터 수신한 센싱 데이터에 기초하여 디스플레이 패널(110)에 대한 터치 발생 여부와 터치 좌표를 검출할 수 있다.
디스플레이 패널(110)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은, 액티브 영역(AA)에서 다수의 영역에 분할되어 배치될 수도 있다.
터치 전극 라인(TEL)이 영역 별로 분할되어 배치되므로, 터치 전극 라인(TEL)의 로드가 감소될 수 있다. 디스플레이 패널(110)의 면적이 증가하는 경우, 터치 전극 라인(TEL)의 로드를 감소시키며 터치 센싱의 성능이 개선될 수 있다.
또한, 디스플레이 패널(110)에서 터치 전극 라인(TEL)이 배치된 위치에 따라 터치 전극 라인(TEL)을 구동 또는 센싱하는 방식이 상이할 수 있다. 터치 전극 라인(TEL)의 위치에 따라 터치 전극 라인(TEL)을 다르게 구동하므로, 영역에 따라 터치 전극 라인(TEL)의 차이가 존재하는 경우에 터치 전극 라인(TEL)을 통한 터치 센싱의 편차나 왜곡을 감소시킬 수 있다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에 터치 전극(TE)이 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에 터치 전극(TE)이 배치된 구조에 따라 영역이 구분되는 예시를 나타낸 도면이다.
도 5와 도 6을 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 액티브 영역(AA)에 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 배치될 수 있다. 일 예로, n개(n은 자연수)의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 m개(m은 자연수)의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다.
n개의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 둘 이상의 X-터치 전극(X-TE) 및 둘 이상의 X-터치 전극(X-TE) 사이를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)은, 둘 이상의 제1 X-터치 전극(X-TE-1)과 적어도 하나의 제1 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL-1)을 포함할 수 있다.
m개의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 둘 이상의 Y-터치 전극(Y-TE) 및 둘 이상의 Y-터치 전극(Y-TE) 사이를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은, 둘 이상의 제1 Y-터치 전극(Y-TE-1)과 적어도 하나의 제1 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-1)을 포함할 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 하나는 터치 구동 전극 라인일 수 있다. X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 다른 하나는 터치 센싱 전극 라인일 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)이 터치 구동 전극 라인이고, Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 터치 센싱 전극 라인인 경우를 예시적으로 설명한다. 경우에 따라, X-터치 전극 라인(X-TEL)이 터치 센싱 전극 라인이고, Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 터치 구동 전극 라인일 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)의 교차에 의해 단위 터치 센서(UTS)가 정의될 수 있다. 단위 터치 센서(UTS)는, 일 예로, 하나의 터치 좌표가 검출되는 노드를 의미할 수 있다. X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차하는 영역에서 X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)에 의해 단위 터치 센서(UTS)가 구성될 수 있다.
단위 터치 센서(UTS)는, 하나의 터치 좌표가 검출되는 노드이므로, 액티브 영역(AA)에서 단위 터치 센서(UTS)의 크기는 일정할 수 있다.
또는, 경우에 따라, 액티브 영역(AA)의 위치에 따라 단위 터치 센서(UTS)의 크기가 상이할 수 있다. 단위 터치 센서(UTS)의 크기가 상이할 경우, 터치 전극(TE)의 면적 차이로 인해 검출되는 신호의 편차 또는 왜곡이 발생할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 단위 터치 센서(UTS)에 따라 액티브 영역(AA)을 다수의 영역으로 구분하고, 다수의 영역별로 구동 또는 센싱 방식을 독립적으로 적용하여 단위 터치 센서(UTS)의 크기 차이로 인해 센싱의 정확도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
일 예로, 액티브 영역(AA)은, 기준 터치 영역(RTA)과 비-기준 터치 영역(NRTA)을 포함할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 다수의 제1 단위 터치 센서(UTS1)가 위치할 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 다수의 제2 단위 터치 센서(UTS2)가 위치할 수 있다.
제1 단위 터치 센서(UTS1)의 형태 또는 크기의 적어도 하나는 제2 단위 터치 센서(UTS2)의 형태 또는 크기와 상이할 수 있다. 일 예로, 제1 단위 터치 센서(UTS1)의 크기는 제2 단위 터치 센서(UTS2)의 크기보다 클 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 다수의 제1 단위 터치 센서(UTS1)의 크기는 일정할 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 제2 단위 터치 센서(UTS2)는 형태 또는 크기가 상이한 둘 이상의 제2 단위 터치 센서(UTS2)를 포함할 수 있다.
도 5와 도 6에 도시된 예시는 기준 터치 영역(RTA)이 액티브 영역(AA)의 중앙에 위치하고 비-기준 터치 영역(NRTA)이 액티브 영역(AA)의 외곽에 위치하는 경우를 나타낸다. 경우에 따라, 기준 터치 영역(RTA)의 일부분이 액티브 영역(AA)의 외곽에 위치할 수도 있다.
각 영역에 위치하는 단위 터치 센서(UTS)의 균일도나 크기에 따라 기준 터치 영역(RTA)과 비-기준 터치 영역(NRTA)이 구분될 수 있다.
또한, 도 5와 도 6에 도시된 예시는 각각의 터치 전극 라인(TEL)이 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 전체적으로 연결된 경우를 나타낸다. 그러나, 경우에 따라, 터치 전극 라인(TEL)이 액티브 영역(AA)에서 다수의 영역에 분할되어 배치된 구조에서도 위치에 따라 단위 터치 센서(UTS)의 형태나 크기가 상이한 경우에 본 개시의 실시예들이 적용될 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 터치 전극 라인(TEL)과 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 전극 라인(TEL)은 상이하게 구동될 수 있다. 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식이 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식과 상이할 수 있다. 또한, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식이 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식과 상이할 수 있다.
일 예로, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식은 기준 터치 영역(RTA)의 상측에 위치하는 제1 비-기준 터치 영역(NRTA1), 제5 비-기준 터치 영역(NRTA5) 및 제6 비-기준 터치 영역(NRTA6)에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식과 상이할 수 있다. 즉, 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)부터 제(n-1) X-터치 전극 라인(X-TEL-(n-1))을 구동하는 방식은 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)을 구동하는 방식과 상이할 수 있다.
또한, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식은 기준 터치 영역(RTA)의 하측에 위치하는 제2 비-기준 터치 영역(NRTA2), 제7 비-기준 터치 영역(NRTA7) 및 제8 비-기준 터치 영역(NRTA8)에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식과 상이할 수 있다. 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)부터 제(n-1) X-터치 전극 라인(X-TEL-(n-1))을 구동하는 방식은 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)을 구동하는 방식과 상이할 수 있다.
다른 예로, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식은 기준 터치 영역(RTA)의 좌측에 위치하는 제3 비-기준 터치 영역(NRTA3), 제5 비-기준 터치 영역(NRTA5) 및 제7 비-기준 터치 영역(NRTA7)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식과 상이할 수 있다. 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)부터 제(m-1) Y-터치 전극 라인(Y-TEL-(m-1))을 통해 센싱을 수행하는 방식은 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)을 통해 센싱을 수행하는 방식과 상이할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식은 기준 터치 영역(RTA)의 우측에 위치하는 제4 비-기준 터치 영역(NRTA4), 제6 비-기준 터치 영역(NRTA6) 및 제8 비-기준 터치 영역(NRTA8)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식과 상이할 수 있다. 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)부터 제(m-1) Y-터치 전극 라인(Y-TEL-(m-1))을 통해 센싱을 수행하는 방식은 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)을 통해 센싱을 수행하는 방식과 상이할 수 있다.
제5 비-기준 터치 영역(NRTA5), 제6 비-기준 터치 영역(NRTA6), 제7 비-기준 터치 영역(NRTA7) 및 제8 비-기준 터치 영역(NRTA8)에서 터치 구동 전극 라인의 구동 방식과 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식은 기준 터치 영역(RTA)와 상이할 수 있다.
이와 같이, 터치 전극 라인(TEL)이 위치하는 영역에 따라 단위 터치 센서(UTS)의 형태가 크기가 상이한 구조에서, 영역별로 터치 전극 라인(TEL)의 구동 방식 또는 센싱 방식을 상이하게 하므로, 단위 터치 센서(UTS)의 차이로 인한 신호 왜곡을 방지 또는 감소시키며 터치 센싱의 정확도가 개선될 수 있다.
도 7과 도 8은 도 6에 도시된 예시에 따라 구분된 영역별로 터치 구동 전극 라인이 구동되는 방식의 예시들을 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1), 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2), …, 제(n-1) X-터치 전극 라인(X-TEL-(n-1)) 및 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)으로 터치 구동 신호가 공급되는 방식의 예시를 나타낸다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)부터 제(n-1) X-터치 전극 라인(X-TEL-(n-1))으로 터치 구동 신호가 공급되는 기간은 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)과 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)으로 터치 구동 신호가 공급되는 기간과 상이할 수 있다.
일 예로, 제1 기간(P1)에 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
제1 기간(P1)과 상이한 제2 기간(P2)에 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 부분을 포함하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 제1 단위 터치 센서(UTS1)와 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 제2 단위 터치 센서(UTS2)가 동일한 터치 센싱 전극 라인의 부분을 포함할 수 있다. 크기가 상이한 단위 터치 센서(UTS)에서 발생하는 커패시턴스의 변화가 동일한 터치 센싱 전극 라인을 통해 센싱될 경우 신호의 왜곡이 발생할 수 있다. 제1 단위 터치 센서(UTS1)와 제2 단위 터치 센서(UTS2)가 구동되는 기간을 분리해줌으로써, 터치 센싱 전극 라인을 통해 검출되는 신호의 왜곡이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 중 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 동시에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
일 예로, 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2), 제3 X-터치 전극 라인(X-TEL-3), 제4 X-터치 전극 라인(X-TEL-4) 및 제5 X-터치 전극 라인(X-TEL-5)으로 동시에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
터치 구동 신호가 동시에 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 공급되므로, 터치 구동의 효율이 개선될 수 있다.
터치 구동 신호가 공급되는 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 중 적어도 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다.
일 예로, 제1 시간(t1)에 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2), 제3 X-터치 전극 라인(X-TEL-3) 및 제4 X-터치 전극 라인(X-TEL-4)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 제5 X-터치 전극 라인(X-TEL-5)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다. 제5 X-터치 전극 라인(X-TEL-5)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상의 역위상일 수 있다.
유사하게, 제2 시간(t2), 제3 시간(t3) 및 제4 시간(t4) 각각에 제4 X-터치 전극 라인(X-TEL-4), 제3 X-터치 전극 라인(X-TEL-3) 및 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)으로 역위상의 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 동시에 공급되는 터치 구동 신호의 위상을 다르게 하여 터치가 검출되는 좌표를 구별하며 터치 구동의 효율을 개선할 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)과 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)은 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 상이한 기간에 구동될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)과 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)으로 터치 구동 신호가 순차적으로 공급될 수 있다. 일 예로, 제5 시간(t5)에 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)으로 터치 구동 신호가 공급될 수 있다. 제6 시간(t6)에 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)으로 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)이 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 상이한 기간에 구동되므로, 비-기준 터치 영역(NRTA)에서 발생하는 터치로 인해 검출되는 신호의 왜곡을 방지 또는 감소시키며 터치 센싱이 수행될 수 있다.
도 7에 도시된 예시는 기준 터치 영역(RTA)의 상측과 하측에 각각 1개의 X-터치 전극 라인(X-TEL)이 배치된 예시를 나타내나, 경우에 따라, 기준 터치 영역(RTA)의 상측과 하측 각각에 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)이 위치할 수도 있다.
또한, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 터치 구동 신호가 동시에 공급될 수도 있다.
도 8을 참조하면, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 제1 기간(P1)에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 제2 기간(P2)에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
제1 기간(P1)에 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 동시에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
제2 기간(P2)에 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 동시에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)의 적어도 하나로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다.
일 예로, 제5 시간(t5)에 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)으로 정위상의 터치 구동 신호가 공급될 수 있다. 제5 시간(t5)에 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)으로 역위상의 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
제6 시간(t6)에 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)으로 역위상의 터치 구동 신호가 공급될 수 있다. 제6 시간(t6)에 제n X-터치 전극 라인(X-TEL-n)으로 정위상의 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 둘 이상의 X-터치 전극 라인(X-TEL)으로 위상이 상이한 터치 구동 신호가 동시에 공급되므로, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 효율이 개선될 수 있다.
또한, 비-기준 터치 영역(NRTA)의 터치 구동 전극 라인이 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 구동 전극 라인과 구별되는 기간에 구동되므로, 비-기준 터치 영역(NRTA)과 기준 터치 영역(RTA)의 동시 구동에 따른 신호 왜곡을 방지할 수 있다.
또한, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 통한 센싱 방식은 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 통한 센싱 방식과 구별되거나, 상이할 수 있다.
도 9와 도 10은 도 6에 도시된 예시에 따라 구분된 영역별로 터치 센싱 전극 라인을 통해 센싱이 수행되는 방식의 예시들을 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1), 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2), …, 제(m-1) Y-터치 전극 라인(Y-TEL-(m-1)) 및 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)을 통해 터치 센싱 신호가 검출되는 방식의 예시를 나타낸다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 차동 센싱 방식에 의해 구동될 수 있다. 인접한 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 동일한 센싱 유닛(SU)에 연결되어 터치 센싱이 수행될 수 있다.
일 예로, 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)은 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)을 통해 제1 센싱 유닛(SU1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 인접한 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)은 제3 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-3)을 통해 제1 센싱 유닛(SU1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 센싱 유닛(SU1)은, 터치 구동 회로(150) 내에 위치할 수 있다. 제1 센싱 유닛(SU1)은, 일 예로, 적어도 하나의 피드백 커패시터(Cf)와 증폭기(Amp)를 포함할 수 있다. 제1 센싱 유닛(SU1)으로부터 출력되는 신호(Vout)는 적분기와 아날로그 디지털 컨버터로 전달될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 적분기나 아날로그 디지털 컨버터가 제1 센싱 유닛(SU1)에 포함될 수도 있다.
제1 센싱 유닛(SU1)은, 일 예로, 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)을 통해 검출되는 제1 뮤추얼 커패시턴스(Cm1)과 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)을 통해 검출되는 제2 뮤추얼 커패시턴스(Cm2)의 차이에 해당하는 값을 출력할 수 있다.
제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)이나 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)에 형성되는 기생 커패시턴스로 인해 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)을 통해 검출되는 신호에 노이즈가 포함될 수 있다.
일 예로, 봉지 층(ENCAP) 아래에 위치하는 제2 전극 층(E2)과 기생 커패시턴스(Cp1, Cp2)가 형성될 수 있다. 제2 전극 층(E2)은, 제2 전극 층(E2) 아래에 위치하는 디스플레이 신호 라인에 인가되는 신호의 변동에 따라 흔들릴 수 있다. 이러한 경우, 제2 전극 층(E2)과 기생 커패시턴스(Cp1, Cp2)가 형성된 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2) 또는 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)을 통해 검출되는 신호에 노이즈가 포함될 수 있다.
제1 센싱 유닛(SU1)이 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)으로부터 검출되는 신호의 차이 값에 해당된 신호를 출력하므로, 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 제3 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-3)의 공통적인 노이즈가 제거될 수 있다. 이에 따라, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 통한 터치 센싱의 정확도가 개선될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구동하는 센싱 유닛(SU)과 별도의 센싱 유닛(SU)에 의해 구동될 수 있다.
일 예로, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m) 각각은 별도의 제2 센싱 유닛(SU2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 9에 도시된 예시와 같이, 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)이 제m Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-m)을 통해 제2 센싱 유닛(SU2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 단일 센싱 방식에 의해 구동될 수 있다.
제2 센싱 유닛(SU2)은, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)과 전기적으로 분리될 수 있다. 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)과 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 독립적으로 구동될 수 있다.
제2 센싱 유닛(SU2)은, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1) 또는 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)에 형성되는 뮤추얼 커패시턴스(Cm)에 대응하는 신호(Vout)를 출력할 수 있다. 제2 센싱 유닛(SU2)은, 단일 센싱 방식에 의해 구동되므로, 제2 센싱 유닛(SU2)에 의해 출력되는 신호(Vout)는 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)에 의한 영향을 받을 수 있다. 이러한 기생 커패시턴스(Cp)에 의한 영향은, 일 예로, 제2 센싱 유닛(SU2)에 의해 출력되는 신호(Vout)를 디지털 형태의 신호로 처리하는 과정에서 제거 또는 감소될 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 간의 차동 센싱을 통해 터치 센싱이 수행되므로, 해당 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)으로부터 검출되는 신호의 노이즈가 제거될 수 있다.
또한, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)과 별도로 구동되므로, 단위 터치 센서(UTS)의 크기가 상이한 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)의 차동 센싱으로 인한 신호의 왜곡을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
또한, 경우에 따라, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 간의 차동 센싱에 의해 터치 센싱이 수행될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 제1 센싱 유닛(SU1)에 의해 차동 센싱 방식으로 구동될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)이 제2 센싱 유닛(SU2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 센싱 유닛(SU2)은, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)을 통해 검출되는 신호와 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)을 통해 검출되는 신호의 차이에 해당하는 신호(Vout)를 출력할 수 있다. 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m) 간의 공통적인 노이즈가 제거될 수 있다.
제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)은 인접하지 아니하나, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 노이즈는 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m)의 노이즈와 유사할 수 있다.
일 예로, 액티브 영역(AA)의 양 측에 게이트 구동 회로(120)가 위치할 수 있다. 또는, 액티브 영역(AA) 내에서 논-액티브 영역(NA)과 인접한 영역에 게이트 구동 회로(120)가 위치할 수 있다. 게이트 구동 회로(120)로 신호를 공급하는 라인과 액티브 영역(AA)의 양 측에 위치하는 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 간에 형성되는 기생 커패시턴스가 유사할 수 있다.
또는, 경우에 따라, 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 구동 회로(130)가 액티브 영역(AA)의 양 측에 위치할 수도 있다. 이러한 경우, 데이터 구동 회로(130)의 구동에 따른 디스플레이 노이즈가 유사할 수 있다.
액티브 영역(AA)의 양 측에 위치하는 디스플레이 구동을 위한 회로에 의한 노이즈가 유사할 수 있으므로, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 제m Y-터치 전극 라인(Y-TEL-m) 간의 차동 센싱을 통해 공통적인 노이즈가 제거되며, 터치 센싱의 정확도가 개선될 수 있다.
또한, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 통한 센싱이 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 통한 센싱과 구별되어 수행되므로, 단위 터치 센서(UTS)의 차이로 인한 신호의 왜곡을 방지 또는 감소시키며 터치 센싱이 수행될 수 있다.
도 11과 도 12는 도 6에 도시된 예시에 따라 구분된 영역별로 수행되는 터치 전극 라인(TEL)의 구동 또는 센싱을 제어하는 터치 구동 회로(150)의 구성의 예시들을 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 터치 구동 회로(150)는, 제1 구동부(151)와 제2 구동부(152)를 포함할 수 있다.
제1 구동부(151)는, 일 예로, 제1 영역(A1)에 위치하는 터치 구동 전극 라인을 구동할 수 있다. 제2 구동부(152)는, 일 예로, 제2 영역(A2)에 위치하는 터치 구동 전극 라인을 구동할 수 있다.
도 11에 도시된 예시는 제1 방향을 따라 전기적으로 연결된 X-터치 전극 라인(X-TEL)이 터치 구동 전극 라인인 경우를 나타내나, 경우에 따라, 제2 방향을 따라 전기적으로 연결된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 터치 구동 전극 라인일 수도 있다.
제1 영역(A1)은, 기준 터치 영역(RTA)을 포함할 수 있다. 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 구동 전극 라인의 일부분이 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치할 수 있다.
따라서, 제1 영역(A1)은, 비-기준 터치 영역(NRTA)의 일부를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 영역(A1)은, 제3 비-기준 터치 영역(NRTA3)과 제4 비-기준 터치 영역(NRTA4)을 포함할 수 있다.
제2 영역(A2)은, 제1 영역(A1) 이외의 영역일 수 있다. 제2 영역(A2)은, 기준 터치 영역(RTA)과 중첩하지 않는 영역일 수 있다. 제2 영역(A2)은, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하지 않는 터치 구동 전극 라인이 위치하는 영역일 수 있다.
제2 영역(A2)은, 일 예로, 제1 비-기준 터치 영역(NRTA1), 제2 비-기준 터치 영역(NRTA2), 제5 비-기준 터치 영역(NRTA5), 제6 비-기준 터치 영역(NRTA6), 제7 비-기준 터치 영역(NRTA7) 및 제8 비-기준 터치 영역(NRTA8)을 포함할 수 있다.
제2 영역(A2) 사이에 제1 영역(A1)에 위치할 수 있다. 제2 영역(A2) 사이에 기준 터치 영역(RTA)이 위치할 수 있다.
제1 구동부(151)는, 제1 영역(A1)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인 중 둘 이상의 터치 구동 전극 라인으로 동시에 터치 구동 신호를 공급할 수 있다. 둘 이상의 터치 구동 전극 라인 중 적어도 하나로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다.
제2 구동부(152)는, 제2 영역(A2)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인으로 터치 구동 신호를 공급할 수 있다.
제2 구동부(152)는, 제2 영역(A2)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인으로 제1 구동부(151)가 터치 구동 신호를 공급하는 기간과 상이한 기간에 터치 구동 신호를 공급할 수 있다.
제2 구동부(152)는, 제2 영역(A2)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인으로 터치 구동 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
또는, 제2 구동부(152)는, 제2 영역(A2)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인 중 둘 이상의 터치 구동 전극 라인으로 터치 구동 신호를 동시에 공급할 수 있다. 둘 이상의 터치 구동 전극 라인으로 동시에 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 상이할 수 있다.
이와 같이, 제2 구동부(152)가 제1 구동부(151)와 상이한 기간에 제1 구동부(151)와 독립적으로 제2 영역(A2)에 위치하는 터치 구동 전극 라인을 구동하므로, 단위 터치 센서(UTS)의 크기가 상이한 제2 영역(A2)의 구동에 따른 신호의 왜곡을 방지 또는 감소시키며 터치 센싱이 수행될 수 있다.
터치 구동 회로(150)에 포함되고 터치 센싱 신호를 검출하는 센싱 유닛(SU)도 영역에 따라 구분될 수 있다.
도 12를 참조하면, 터치 구동 회로(150)는, 제1 센싱 유닛 그룹(SUG1)과 제2 센싱 유닛 그룹(SUG2)을 포함할 수 있다.
제1 센싱 유닛 그룹(SUG1)은, 다수의 제1 센싱 유닛(SU1)을 포함할 수 있다. 다수의 제1 센싱 유닛(SU1)은, 제3 영역(A3)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 구동할 수 있다.
제2 센싱 유닛 그룹(SUG2)은, 적어도 하나의 제2 센싱 유닛(SU2)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제2 센싱 유닛(SU2)은, 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 구동할 수 있다.
도 12는 제2 방향을 따라 전기적으로 연결된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 터치 센싱 전극 라인인 경우를 예시적으로 나타낸다. 경우에 따라, 제1 방향을 따라 전기적으로 연결된 X-터치 전극 라인(X-TEL)이 터치 센싱 전극 라인일 수도 있다.
제3 영역(A3)은, 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 센싱 전극 라인이 위치하는 영역일 수 있다. 일 예로, 제3 영역(A3)은, 기준 터치 영역(RTA), 제1 비-기준 터치 영역(NRTA1) 및 제2 비-기준 터치 영역(NRTA2)을 포함할 수 있다.
제4 영역(A4)은, 제3 영역(A3) 이외의 영역일 수 있다. 제4 영역(A4)은, 제3 영역(A3)과 중첩하지 않는 터치 센싱 전극 라인이 위치하는 영역일 수 있다. 제4 영역(A4)은, 일 예로, 제3 비-기준 터치 영역(NRTA3), 제4 비-기준 터치 영역(NRTA4), 제5 비-기준 터치 영역(NRTA5), 제6 비-기준 터치 영역(NRTA6), 제7 비-기준 터치 영역(NRTA7) 및 제8 비-기준 터치 영역(NRTA8)을 포함할 수 있다.
제4 영역(A4) 사이에 제3 영역(A3)이 위치할 수 있다. 제4 영역(A4) 사이에 기준 터치 영역(RTA)이 위치할 수 있다.
제1 센싱 유닛 그룹(SUG1)에 포함된 다수의 제1 센싱 유닛(SU1)은, 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인과 전기적으로 분리될 수 있다. 제2 센싱 유닛 그룹(SUG2)에 포함된 적어도 하나의 제2 센싱 유닛(SU2)은, 제3 영역(A3)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인과 전기적으로 분리될 수 있다. 제3 영역(A3)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인과 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인이 별도의 센싱 유닛(SU)에 의해 구동될 수 있다.
제1 센싱 유닛(SU1)은, 제3 영역(A3)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 차동 센싱 방식으로 구동할 수 있다. 터치 센싱 전극 라인의 공통적인 노이즈가 제거된 신호 검출에 의해 터치 센싱이 수행될 수 있다.
제2 센싱 유닛(SU2)은, 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 단일 센싱 방식으로 구동할 수 있다. 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인으로부터 검출된 신호의 노이즈는 디지털 처리를 수행하는 과정에서 제거될 수 있다.
또는, 제2 센싱 유닛(SU2)은, 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인을 차동 센싱 방식으로 구동할 수 있다. 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인의 공통적인 노이즈가 제거될 수 있다.
제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인이 제3 영역(A3)과 별도로 구동되므로, 단위 터치 센서(UTS)의 차이로 인한 신호 왜곡이 방지 또는 감소될 수 있다.
또한, 디스플레이 구동을 위한 회로가 배치된 위치로 인해 노이즈가 유사한 제4 영역(A4)의 터치 센싱 전극 라인 간에 차동 센싱을 수행하므로, 제4 영역(A4)에 위치하는 터치 센싱 전극 라인으로부터 검출되는 신호의 노이즈를 감소시키며 터치 센싱이 수행될 수 있다.
이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 논-액티브 영역(NA)을 포함하는 기판(SUB), 기판(SUB) 상의 다수의 발광 소자들(ED), 다수의 발광 소자들(ED) 상의 봉지 층(ENCAP), 봉지 층(ENCAP) 상에 위치하고 제1 방향을 따라 전기적으로 연결된 둘 이상의 터치 구동 전극들을 포함하는 다수의 터치 구동 전극 라인들, 및 봉지 층(ENCAP) 상에 위치하고 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 전기적으로 연결된 둘 이상의 터치 센싱 전극들을 포함하는 다수의 터치 센싱 전극 라인들을 포함하고, 다수의 터치 구동 전극 라인들 각각과 다수의 터치 센싱 전극 라인들 각각의 교차에 기초하여 단위 터치 센서(UTS)가 정의되고, 액티브 영역(AA)은 단위 터치 센서(UTS)의 면적이 상이한 기준 터치 영역(RTA)과 비-기준 터치 영역(NRTA)을 포함하며, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식 또는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식의 적어도 하나는 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 터치 구동 전극 라인의 구동 방식 또는 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식과 상이할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 다수의 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들로 동시에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인들로 기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 다수의 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호가 공급되는 기간과 상이한 기간에 터치 구동 신호가 공급될 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하고 터치 구동 신호가 동시에 공급되는 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들 중 적어도 하나로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호가 순차적으로 공급될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호가 동시에 공급될 수 있다. 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하고 터치 구동 신호가 동시에 공급되는 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들 사이에 기준 터치 영역(RTA)의 적어도 일부가 위치할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 다수의 터치 센싱 전극 라인들 중 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 동일한 센싱 유닛(SU)과 전기적으로 연결될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 터치 센싱 전극 라인들 각각은 별도의 센싱 유닛(SU)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또는, 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 터치 센싱 전극 라인들 중 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 동일한 센싱 유닛(SU)과 전기적으로 연결될 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)의 터치 센싱 전극 라인과 전기적으로 연결된 센싱 유닛(SU)은 기준 터치 영역(RTA)의 터치 센싱 전극 라인과 전기적으로 분리될 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하고 동일한 센싱 유닛(SU)과 전기적으로 연결된 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 서로 인접하게 위치할 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하고 동일한 센싱 유닛(SU)과 전기적으로 연결된 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들 사이에 적어도 하나의 터치 센싱 전극 라인이 위치할 수 있다.
비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하고 동일한 센싱 유닛(SU)과 전기적으로 연결된 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들 사이에 기준 터치 영역(RTA)의 적어도 일부가 위치할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 부분을 포함하는 다수의 터치 구동 전극 라인들로 공급되는 터치 구동 신호의 진폭은 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 다수의 터치 구동 전극 라인들로 공급되는 터치 구동 신호의 진폭과 동일할 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 단위 터치 센서(UTS)의 면적은 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 단위 터치 센서(UTS)의 면적보다 클 수 있다.
기준 터치 영역(RTA)에 위치하는 단위 터치 센서들(UTS)의 면적은 일정할 수 있다. 비-기준 터치 영역(NRTA)에 위치하는 단위 터치 센서들(UTS) 중 적어도 두 개의 면적은 상이할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)는, 제1 영역에 위치하는 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들을 구동하고 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 제1 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호를 동시에 공급하는 제1 구동부(151), 및 제1 영역과 상이한 제2 영역에 위치하는 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들로 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호가 공급되는 기간과 상이한 기간에 터치 구동 신호를 공급하고, 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나는 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들 사이에 위치하는 제2 구동부(152)를 포함할 수 있다.
제2 구동부(152)는, 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
제2 구동부(152)는, 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 제2 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호를 동시에 공급할 수 있다. 둘 이상의 제2 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나로 공급되는 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 터치 구동 신호의 위상과 상이할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 회로(150)는, 제1 영역에 위치하는 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들 중 둘 이상의 제1 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 연결된 다수의 제1 센싱 유닛들(SU1), 및 제1 영역과 상이한 제2 영역에 위치하는 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들의 적어도 하나와 전기적으로 연결되고 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 분리된 적어도 하나의 제2 센싱 유닛(SU2)을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 제2 센싱 유닛(SU2)은, 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들 각각과 전기적으로 연결된 다수의 제2 센싱 유닛(SU2)을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 제2 센싱 유닛(SU2) 각각은 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들 중 둘 이상의 제2 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 연결될 수 있다. 둘 이상의 제2 터치 센싱 전극 라인들 사이에 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들의 적어도 하나가 위치할 수 있다.
이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치 디스플레이 장치 110: 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로 130: 데이터 구동 회로
140: 컨트롤러 150: 터치 구동 회로

Claims (20)

  1. 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 다수의 발광 소자들;
    상기 다수의 발광 소자들 상의 봉지 층;
    상기 봉지 층 상에 위치하고, 제1 방향을 따라 전기적으로 연결된 둘 이상의 터치 구동 전극들을 포함하는 다수의 터치 구동 전극 라인들; 및
    상기 봉지 층 상에 위치하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 전기적으로 연결된 둘 이상의 터치 센싱 전극들을 포함하는 다수의 터치 센싱 전극 라인들을 포함하고,
    상기 다수의 터치 구동 전극 라인들 각각과 상기 다수의 터치 센싱 전극 라인들 각각의 교차에 기초하여 단위 터치 센서가 정의되고, 상기 액티브 영역은 상기 단위 터치 센서의 면적이 상이한 기준 터치 영역과 비-기준 터치 영역을 포함하며,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 터치 구동 전극 라인의 구동 방식 또는 상기 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식의 적어도 하나는 상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 상기 터치 구동 전극 라인의 구동 방식 또는 상기 터치 센싱 전극 라인의 센싱 방식과 상이한 터치 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들로 동시에 터치 구동 신호가 공급되고,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들로 상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들로 상기 터치 구동 신호가 공급되는 기간과 상이한 기간에 터치 구동 신호가 공급되는 터치 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하고 상기 터치 구동 신호가 동시에 공급되는 상기 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들 중 적어도 하나로 공급되는 상기 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 상기 터치 구동 신호의 위상과 상이한 터치 디스플레이 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들로 상기 터치 구동 신호가 순차적으로 공급되는 터치 디스플레이 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들로 상기 터치 구동 신호가 동시에 공급되고,
    상기 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나로 공급되는 상기 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 상기 터치 구동 신호의 위상과 상이한 터치 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하고 상기 터치 구동 신호가 동시에 공급되는 상기 둘 이상의 터치 구동 전극 라인들 사이에 상기 기준 터치 영역의 적어도 일부가 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 상기 다수의 터치 센싱 전극 라인들 중 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 동일한 센싱 유닛과 전기적으로 연결되고,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 다수의 터치 센싱 전극 라인들 각각은 별도의 센싱 유닛과 전기적으로 연결된 터치 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 상기 다수의 터치 센싱 전극 라인들 중 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 동일한 센싱 유닛과 전기적으로 연결되고,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 다수의 터치 센싱 전극 라인들 중 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 동일한 센싱 유닛과 전기적으로 연결된 터치 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 비-기준 터치 영역의 상기 터치 센싱 전극 라인과 전기적으로 연결된 센싱 유닛은 상기 기준 터치 영역의 상기 터치 센싱 전극 라인과 전기적으로 분리된 터치 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하고 상기 동일한 센싱 유닛과 전기적으로 연결된 상기 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들은 서로 인접하게 위치하고,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하고 상기 동일한 센싱 유닛과 전기적으로 연결된 상기 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들 사이에 적어도 하나의 터치 센싱 전극 라인이 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 비-기준 터치 영역에 위치하고 상기 동일한 센싱 유닛과 전기적으로 연결된 상기 적어도 두 개의 터치 센싱 전극 라인들 사이에 상기 기준 터치 영역의 적어도 일부가 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 부분을 포함하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들로 공급되는 터치 구동 신호의 진폭은 상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 다수의 터치 구동 전극 라인들로 공급되는 터치 구동 신호의 진폭과 동일한 터치 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 상기 단위 터치 센서의 면적은 상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 단위 터치 센서의 면적보다 큰 터치 디스플레이 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기준 터치 영역에 위치하는 상기 단위 터치 센서들의 면적은 일정하고, 상기 비-기준 터치 영역에 위치하는 상기 단위 터치 센서들 중 적어도 두 개의 면적은 상이한 터치 디스플레이 장치.
  15. 제1 영역에 위치하는 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들을 구동하고, 상기 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 제1 터치 구동 전극 라인들로 터치 구동 신호를 동시에 공급하는 제1 구동부; 및
    상기 제1 영역과 상이한 제2 영역에 위치하는 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들로 상기 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들로 상기 터치 구동 신호가 공급되는 기간과 상이한 기간에 터치 구동 신호를 공급하고, 상기 다수의 제1 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나는 상기 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들 사이에 위치하는 제2 구동부
    를 포함하는 터치 구동 회로.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 구동부는,
    상기 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들로 상기 터치 구동 신호를 순차적으로 공급하는 터치 구동 회로.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제2 구동부는,
    상기 다수의 제2 터치 구동 전극 라인들 중 둘 이상의 제2 터치 구동 전극 라인들로 상기 터치 구동 신호를 동시에 공급하고, 상기 둘 이상의 제2 터치 구동 전극 라인들의 적어도 하나로 공급되는 상기 터치 구동 신호의 위상은 나머지로 공급되는 상기 터치 구동 신호의 위상과 상이한 터치 구동 회로.
  18. 제1 영역에 위치하는 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들 중 둘 이상의 제1 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 연결된 다수의 제1 센싱 유닛들; 및
    상기 제1 영역과 상이한 제2 영역에 위치하는 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들의 적어도 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 분리된 적어도 하나의 제2 센싱 유닛
    을 포함하는 터치 구동 회로.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제2 센싱 유닛은 상기 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들 각각과 전기적으로 연결된 다수의 제2 센싱 유닛을 포함하는 터치 구동 회로.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제2 센싱 유닛 각각은 상기 다수의 제2 터치 센싱 전극 라인들 중 둘 이상의 제2 터치 센싱 전극 라인들과 전기적으로 연결되고, 상기 둘 이상의 제2 터치 센싱 전극 라인들 사이에 상기 다수의 제1 터치 센싱 전극 라인들의 적어도 하나가 위치하는 터치 구동 회로.
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