KR20240017592A

KR20240017592A - 기판처리장치

Info

Publication number: KR20240017592A
Application number: KR1020220095478A
Authority: KR
Inventors: 엄용택; 방승덕; 정민욱
Original assignee: 주식회사 원익아이피에스
Priority date: 2022-08-01
Filing date: 2022-08-01
Publication date: 2024-02-08

Abstract

본 발명은 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 처리를 수행하는 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 분사되는 공정가스를 도입하는 가스도입부(211)가 형성되는 가스분사부(200)와; 상기 가스도입부(211)에 연통되도록 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되며, 플라즈마를 생성하여 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 라디칼화하여 공급하는 플라즈마생성부(300)와; 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 설치되며, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이에서 상기 공정가스가 이동하는 공급유로(S2)를 형성하는 제1관통홀(401)이 구비되는 냉각플레이트부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.

기판처리공정 중 애싱공정(Ashing process)은, 감광막(Photo Resist)을 이용한 식각공정 후 잔류하는 감광막을 제거하는 공정을 지칭한다.

일반적으로, 애싱공정은 해리된 공정가스, 예컨대, 플라즈마를 통해 이온화(Ionization)된 라디칼을 사용하여 진행되며, 따라서 애싱공정을 위한 기판처리장치는 공정챔버 내부의 처리공간으로 해리된 공정가스를 공급하기 위한 플라즈마생성기를 구비한다.

한편, 종래 기판처리장치는 열매체가 순환되는 유로가 형성된 백킹플레이트 상부에 플라즈마생성기가 설치된다.

여기서 플라즈마생성기의 설치를 위해 백킹플레이트에서 플라즈마생성기와 중첩되는 영역에는 유로를 설치할 수 없어 백킹플레이트 온도 균일도가 저하되고, 플라즈마생성기에 인접한 주변 구조물에 열손상이 발생하는 문제점이 있다.

이를 개선하기 위해, 플라즈마생성기를 백킹플레이트로부터 상측으로 이격시켜 설치하는 방법이 제안되었으나, 이 경우 플라즈마생성기로부터 공정챔버 내부 처리공간까지의 공정가스 공급유로 길이가 증가하여 공급유로 내부에서 다량의 라디칼이 소멸되는 문제점이 있다.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 플라즈마생성부 주변 구조물에 대한 손상을 방지함과 동시에 공정가스 라디칼 소멸을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 분사되는 공정가스를 도입하는 가스도입부(211)가 형성되는 가스분사부(200)와; 상기 가스도입부(211)에 연통되도록 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되며, 플라즈마를 생성하여 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 라디칼화하여 공급하는 플라즈마생성부(300)와; 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 설치되며, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이에서 상기 공정가스가 이동하는 공급유로(S2)를 형성하는 제1관통홀(401)이 구비되는 냉각플레이트부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.

상기 플라즈마생성부(300)와 상기 냉각플레이트부(400) 사이 및 상기 냉각플레이트부(400)와 상기 가스분사부(200) 사이 중 적어도 하나에 설치되는 절연플레이트부(500)를 추가로 포함할 수 있다.

상기 절연플레이트부(500)는, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이가 연통하도록 상기 제1관통홀(401)과 함께 상기 공급유로(S2)를 형성하는 제2관통홀(501)이 구비될 수 있다.

상측이 상기 플라즈마생성부(300) 저면에 결합하고, 하측이 상기 가스분사부(200)와 연결되는 도킹어댑터부(600)를 추가로 포함할 수 있다.

상기 도킹어댑터부(600)는, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이를 연통하도록 상기 제1관통홀(401)과 함께 상기 공급유로(S2)를 형성하는 제3관통홀(601)이 구비될 수 있다.

상기 도킹어댑터부(600)는, 상기 냉각플레이트부(400) 상면에 일체로 형성될 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 상면에 상기 냉각플레이트부(400), 상기 절연플레이트부(500) 및 상기 도킹어댑터부(600) 중 적어도 하나가 매립되어 설치되는 설치홈(201)이 형성될 수 있다.

상기 설치홈(201)은, 상기 플라즈마생성부(300) 중 적어도 일부가 매립되어 설치될 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 상기 개구부에 설치되며 복수의 상기 플라즈마생성부(300)에 대응되는 위치에 상기 가스도입부(211)가 형성되는 백킹플레이트(210)를 포함할 수 있다.

상기 백킹플레이트(210)는, RF전원이 인가될 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 상기 백킹플레이트(210) 하부 중 상기 가스도입부(211)에 평면 상 중첩되는 위치에 구비되는 확산플레이트(230)를 포함할 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 일단이 상기 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 상기 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 상기 확산플레이트(230)에 결합하여 상기 확산플레이트(230)를 지지하는 복수의 지지샤프트(240)를 포함할 수 있다.

상기 냉각플레이트부(400)는, 평면 상 복수의 상기 지지샤프트(240)들 내측에 구비될 수 있다.

상기 냉각플레이트부(400)는, 평면 상 복수의 상기 지지샤프트(240)들과 중첩되도록, 복수의 상기 지지샤프트(240)들 상부에 구비될 수 있다.

상기 가스도입부(211) 하측에 설치되어, 상기 가스도입부(211)를 통해 공급되는 상기 공정가스를 수평방향으로 확산하는 확산부재(700)를 추가로 포함할 수 있다.

상기 확산부재(700)는, 측면에 경사면이 형성되는 원뿔 또는 각뿔 형상일 수 있다.

상기 냉각플레이트부(400)는, 상기 제1관통홀(401)이 형성되는 냉각플레이트(410)와, 상기 냉각플레이트(410) 내에 열매체가 흐르도록 구비되는 제1냉각유로(420)를 포함할 수 있다.

상기 냉각플레이트부(400)는, 상기 제1냉각유로(420)의 양단에 각각 구비되어 외부 열매체공급장치와 연결되는 도입부(430) 및 배출부(440)를 포함할 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 내부에 열매체가 흐르도록 미리 설정된 패턴으로 구비되며, 외부 열교환장치에 연결되어 내부에 상기 열매체가 순환하는 제2냉각유로(250)를 추가로 포함할 수 있다.

상기 제1냉각유로(420)는, 상기 제2냉각유로(250)로부터 상기 열매체를 공급받도록, 상기 제2냉각유로(250)와 직렬, 병렬 또는 이들의 조합으로 연결되어 서로 연통할 수 있다.

상기 플라즈마생성부(300)는, 복수개이며, 상기 냉각플레이트부(400)는, 복수의 상기 플라즈마생성부(300) 중 적어도 하나에 대응되어 설치될 수 있다.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 플라즈마생성부를 공정챔버 내부의 처리공간에 근접 설치하여 플라즈마생성부에서 처리공간 사이의 공정가스 공급유로 길이를 단축함으로써, 공급유로 내부에서 라디칼이 소멸되는 것을 최소화할 수 있어 공정효율 및 공정제어가 뛰어난 이점이 있다.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 플라즈마생성부 하부에 설치되는 구조물들 각각에 형성된 관통홀을 연결하여 공정가스 공급유로를 구성함으로써, 공정가스 공급유로 길이를 보다 효과적으로 단축할 수 있는 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 플라즈마생성부 하부에 별도의 냉각플레이트부를 설치함으로써, 백킹플레이트의 온도 균일도를 향상시킬 수 있고, 플라즈마생성부에 인접한 주변 구조물의 손상을 방지할 수 있는 이점이 있다.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 냉각플레이트부를 구비함으로써, 공정가스 누출을 방지하기 위하여 설치되는 실링부재 및 공정가스 확산을 위한 확산부재를 효과적으로 냉각함으로써 고온에 따른 손상을 방지할 수 있는 이점이 있다.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 일 실시예에 따른 냉각플레이트부 설치모습을 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 다른 실시예에 따른 냉각플레이트부 설치모습을 보여주는 단면도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 다른 실시예에 따른 냉각플레이트부 설치모습을 보여주는 단면도이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 다른 실시예에 따른 냉각플레이트부 설치모습을 보여주는 단면도이다.
도 6은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 가스분사부 상측 설치구성의 모습을 보여주는 분해사시도이다.
도 7은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 일 실시예에 따른 냉각플레이트부의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 8a 내지 도 8c는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 냉각플레이트부 및 냉각유로의 다양한 실시예에 따른 형성모습을 보여주는 평면도들이다.

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 분사되는 공정가스를 도입하는 가스도입부(211)가 형성되는 가스분사부(200)와; 상기 가스도입부(211)에 연통되도록 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되며, 플라즈마를 생성하여 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 라디칼화하여 공급하는 플라즈마생성부(300)와; 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 설치되며, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이에서 상기 공정가스가 이동하는 공급유로(S2)를 형성하는 제1관통홀(401)이 구비되는 냉각플레이트부(400)를 포함한다.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 냉각플레이트부(400) 사이 및 상기 냉각플레이트부(400)와 상기 가스분사부(200) 사이 중 적어도 하나에 설치되는 절연플레이트부(500)를 추가로 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상측이 상기 플라즈마생성부(300) 저면에 결합하고, 하측이 상기 가스분사부(200)와 연결되는 도킹어댑터부(600)를 추가로 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 가스도입부(211) 하측에 설치되어, 상기 가스도입부(211)를 통해 공급되는 상기 공정가스를 수평방향으로 확산하는 확산부재(700)를 추가로 포함할 수 있다.

여기서 기판처리의 대상인 기판(1)은, 식각, 증착 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 적용 가능하다.

상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구부가 형성되는 챔버본체(120)와, 챔버본체(120)의 개구부에 탈착가능하게 결합된 상부리드(110)를 포함할 수 있다.

상기 챔버본체(120)는, 기판지지부(20) 등이 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 처리공간(S1)에 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 내측벽에 하나 이상의 게이트(130)가 형성될 수 있다.

상기 상부리드(110)는, 챔버본체(120)의 개구를 복개하여 챔버본체(120)와 함께 밀폐된 처리공간(S1)을 형성하는 구성으로서, 어떠한 구성도 적용 가능하다.

예를 들면, 상기 상부리드(110)는, 절연부재(900)가 개재되어 후술하는 가스분사부(200)가 관통되어 설치될 수 있도록 중앙부에 개구가 구비되는 프레임 형상 등 다양한 구성이 가능하다.

또한, 다른 예로서, 상기 상부리드(110)는, 가스분사부(200)와 별도의 절연부재(900) 없이 접촉할 수 있으며, 이 경우 상기 가스분사부(200)에 RF전원이 인가되지 않아 전기절연의 필요성이 낮은 경우에 적용될 수 있다.

또한, 상기 상부리드(110)는, 생략될 수 있으며, 챔버본체(120)에 후술하는 가스분사부(200)가 직접 접촉 및 지지되어 설치될 수 있으며, 다른 예로서 상부리드(110)와 가스분사부(200), 특히 후술하는 백킹플레이트(210)가 일체로 형성될 수 있음은 또한 물론이다.

상기 기판지지부(20)는, 공정챔버(100) 내 처리공간(S1) 하측에 설치되어 기판(1)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

예를 들면, 상기 기판지지부(20)는, 기판(1)이 안착되는 기판안착부(21)와, 기판안착부(21)가 상하이동 가능하도록 기판안착부(21)의 하측에 설치되는 지지축(22)을 포함할 수 있다.

상기 기판지지부(20)는, 게이트(130)를 통한 기판(1)의 도입 및 반출을 위하여 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있으며, 더 나아가 기판(1)을 가열하거나 냉각하는 등 온도제어를 위하여 히터 등 온도제어부재가 추가로 설치될 수 있다.

상기 배기부(40)는, 공정챔버(100) 바닥면에 형성되어 처리공간(S1)을 배기하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

상기 배기부(40)는, 공정챔버(100) 바닥면 중 일측에 형성되어 외부펌프와 연결되는 구성으로서, 처리공간(S1)에 대한 배기를 수행할 수 있다.

특히, 상기 처리공간(S1)은, 진공상태로 공정이 수행될 수 있는 바, 처리공간(S1)에 대한 진공분위기를 형성할 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 개구부에 결합하여 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 처리공간(S1)에 공정가스를 분사하는 구성일 수 있다.

이때, 상기 가스분사부(200)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상면에 후술하는 냉각플레이트부(400), 절연플레이트부(500) 및 도킹어댑터부(600) 중 적어도 하나가 매립되어 설치되는 설치홈(201)이 형성될 수 있다.

더 나아가, 상기 설치홈(201)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마생성부(300) 중 적어도 일부가 매립되어 설치될 수 있다.

이를 위해, 상기 설치홈(201)은, 가스분사부(200), 보다 구체적으로는 백킹플레이트(210) 상면에 홈 형상으로 형성될 수 있으며, 매립되는 구성에 대응되는 크기와 형상으로 형성될 수 있다.

즉, 상기 설치홈(201)은, 냉각플레이트부(400)가 매립되어 설치되는 경우, 냉각플레이트부(400)에 대응되는 형상의 홈으로 형성될 수 있으며, 플라즈마생성부(300) 중 적어도 일부가 매립되어 설치되는 경우 이에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.

한편, 상기 설치홈(201)은, 냉각플레이트부(400), 절연플레이트부(500), 도킹어댑터부(600) 및 플라즈마생성부(300)가 매립되도록 각각에 대응되는 형상 및 단차를 가지고 형성될 수 있다.

또한 다른 예로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 설치홈(201)이 생략되고 백킹플레이트(210) 상면에 냉각플레이트부(400), 절연플레이트부(500), 도킹어댑터부(600) 및 플라즈마생성부(300)가 안착되거나, 상면으로부터 상측으로 이격되어 설치될 수 있음은 또한 물론이다.

상기 가스분사부(200)는, 개구부에 설치되며 복수의 플라즈마생성부(300)들에 대응되는 위치에 복수의 가스도입부(211)들이 형성되는 백킹플레이트(210)를 포함할 수 있다.

또한, 상기 가스분사부(200)는, 백킹플레이트(210) 하부 중 가스도입부(211)에 평면 상 중첩되는 위치에 구비되는 확산플레이트(230)를 추가로 포함할 수 있다.

또한, 상기 가스분사부(200)는, 백킹플레이트(210)와 사이에 확산플레이트(230)가 설치되는 확산공간(S3)을 형성하도록 백킹플레이트(210) 하부에 설치되며, 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공들이 형성되는 분사플레이트(220)를 추가로 포함할수 있다.

또한, 상기 가스분사부(200)는, 일단이 백킹플레이트(210) 저면에 결합하고, 타단이 확산플레이트(230)에 결합하여 확산플레이트(230)를 지지하는 복수의 지지샤프트(240)를 포함할 수 있다.

상기 가스분사부(200)는, 내부에 열매체가 흐르도록 미리 설정된 패턴으로 구비되며, 외부 열교환장치에 연결되어 내부에 열매체가 순환하는 제2냉각유로(250)를 추가로 포함할 수 있다.

상기 백킹플레이트(210)는, 공정챔버(100) 상단에 설치되며 각각 공정가스가 공급되는 가스도입부(211)들이 형성되는 구성일 수 있다.

이때, 상기 백킹플레이트(210)는, 중심 측 가스도입부(211)가 후술하는 제1플라즈마생성부(310)와 연결되어 라디칼화된 공정가스를 공급받을 수 있으며, 가장자리 측 가스도입부(211)가 후술하는 제2플라즈마생성부(320)와 연결되어 라디칼화된 공정가스를 공급받을 수 있다.

이로써, 상기 백킹플레이트(210)는, 외부로부터 공정가스를 공급받을 수 있으며, 하측에 설치되는 확산플레이트(230)를 거쳐 처리공간(S1)에 공정가스를 전달할 수 있다.

또한, 상기 백킹플레이트(210)는, RF전원이 인가될 수 있으며, 이때 인가된 RF전원을 결합되어 설치되는 확산플레이트(230)에 전달할 수 있다.

이때, 상기 백킹플레이트(210) 가장자리와 공정챔버(100), 보다 구체적으로는 탑리드(110) 사이에 전기적 절연을 위한 절연부재(900)가 배치될 수 있으며, 이로써 서로 독립된 전기적 상태를 유지할 수 있다.

한편, 다른 예로서, 백킹플레이트(210)에 RF전원이 인가되고 확산플레이트(230)와 별도의 절연부재를 두고 결합됨에 따라 확산플레이트(230)로의 RF전원 전달을 차단할수도 있고, 백킹플레이트(210)에 RF전원이 미인가될 수도 있음은 또한 물론이다.

상기 가스도입부(211)는, 백킹플레이트(210)에 공정가스를 도입하기 위해 형성되는 구성으로서, 보다 구체적으로는 백킹플레이트(210) 중심에 관통하여 형성될 수 있다.

이때, 상기 가스도입부(211)는, 수직방향으로 관통되어 형성될 수 있으며, 상측이 전술한 제1플라즈마생성부(310)에 연결되며, 하측으로 갈수록 내경이 증가하도록 형성될 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 가스도입부(211)는, 백킹플레이트(210)를 상면에서 일정깊이만큼 수직으로 관통하여 형성되는 상측가스도입홀(211a)과, 상측가스도입홀(211a)로부터 하측방향으로 연장 형성되며 하측으로 갈수록 내경이 증가하도록 경사진 형상으로 형성되는 하측가스도입홀(211b)을 포함할 수 있다.

이로써 상기 가스도입부(211)는, 통과하는 공정가스가 자연스럽게 수평방향으로 일정부분 확산할 수 있으며, 후술하는 확산부재(700) 및 확산플레이트(230)를 통해 공정가스의 확산을 유도하여 공급할 수 있다.

한편, 상기 가스도입부(211)는, 중심 측과 가장자리 측에 후술하는 플라즈마생성부(300)에 대응되어 복수개 형성될 수 있으며, 일예로서, 중심 측에 한개와 이를 중심으로 가장자리 측에 복수개 형성될 수 있다.

한편, 상기 백킹플레이트(210)는, 플레이트부재로서, 기판(1)의 형상에 대응되어 평면 상 사각형으로 형성될 수 있으며, 다른 예로서, 평면 상 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다.

상기 확산플레이트(230)는, 백킹플레이트(210) 하측에 구비되어 가스도입부(211)를 통해 공급되는 공정가스를 확산하여 처리공간(S1)으로 전달하는 구성일 수 있다.

즉, 상기 확산플레이트(230)는, 백킹플레이트(210)로부터 이격되도록 백킹플레이트(210) 저면에 지지되어 설치될 수 있다.

예를 들면, 상기 확산플레이트(230)는, 백킹플레이트(210) 하부 중 가스도입부(211)들에 대응되는 위치에 각각 개별적으로 복수개 설치될 수 있다.

상기 확산플레이트(230)는, 가스도입부(211)에 대응되는 위치에서 대응되는 원형 또는 타원형으로 형성되어 공급되는 공정가스를 수평 사방으로 확산유도할 수 있다.

이때, 상기 확산플레이트(230)는, 전술한 바와 같이 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있으며, 다른 예로서 사각형의 플레이트 및 더 나아가 다각형의 플레이트일 수 있다.

또한, 상기 확산플레이트(230)는, 후술하는 확산공 형성을 포함한 가공이 용이하고 내구성이 뛰어난 금속재질로 제작될 수 있으며, 이때 처리공간(S1)에 노출되는 저면에 표면처리가 수행될 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 확산플레이트(230)는, 금속재질로서, 처리공간에 노출되는 저면 중 적어도 일부에 대한 강화를 위해 표면처리가 수행될 수 있으며, 보다 구체적으로는, 알루미늄을 포함한 금속재질의 저면이 처리공간(S1)에 노출되는 점을 고려하여, 강성 및 내부식성을 강화하기 위해 아노다이징 처리되거나, Y203코팅이 수행될 수 있다.

또한, 상기 확산플레이트(230)는, 도입되는 공정가스의 수평방향 확산뿐만 아니라, 하측으로의 공정가스 전달을 위하여 공정가스가 통과하도록 관통 형성되는 다수의 확산공을 포함할 수 있다.

이때, 상기 확산공은, 상면 및 저면을 수직으로 관통하여 다수개 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 평면 상 균일한 간격으로 행과 열을 맞춰 형성될 수 있다.

상기 확산공은, 수직방향으로 각각 형성되는 가스도입부(211)와 평행하도록 형성되고, 이에 따라 도입되는 공정가스가 진행방향의 변화없이 수직방향으로 전달되도록 유도할 수 있다.

상기 분사플레이트는, 백킹플레이트(210) 하부에 설치되어, 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공들이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 전술한 바와 같이 생략될 수도 있다.

예를 들면, 상기 분사플레이트(220)는, 백킹플레이트(210)의 하측에 간격을 두고 설치되며, 처리공간(S1)으로 가스를 분사하기 위한 복수의 분사공들이 형성될 수 있다.

이때, 상기 복수의 분사공은 처리공간(S1)으로 가스를 분사하기 위한 구성으로서, 다양한 형상, 개수, 배치가 가능하다.

즉, 상기 분사플레이트(220)는, 백킹플레이트(2100와의 사이에 확산플레이트(230)가 설치되기 위한 확산공간(S3)을 형성하여 확산공간(S3) 내 확산플레이트(230)가 설치되도록 유도할 수 있다.

또한, 다른 예로서, 상기 분사플레이트(220)가 생략되거나, 분사플레이트(220)가 설치되고 확산플레이트(230)가 생략될 수도 있다.

상기 지지샤프트(240)는, 일단이 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 확산플레이트(230)에 결합하여 확산플레이트(230)를 지지하는 구성일 수 있다.

즉, 상기 지지샤프트(240)는, 확산플레이트(230)를 백킹플레이트(210)에 형성되는 가스도입부(211)에 평면 상 중첩되도록 백킹플레이트(210)에 고정하여 지지하는 구성일 수 있다.

이를 위해, 상기 지지샤프트(240)는, 수직으로 설치되며 타단이 확산플레이트(230) 가장자리 측에 결합하고, 일단이 백킹플레이트(210) 중 설치홈(201) 위치에 결합하여 확산플레이트(230)를 안정적으로 지지할 수 있다.

한편, 상기 지지샤프트(240)는, 백킹플레이트(210) 및 확산플레이트(230)에 대한 유지보수 과정에서, 백킹플레이트(210) 상측에서 접근 가능하도록, 일단이 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합될 수 있으며, 이로써 플라즈마생성부(300)가 백킹플레이트(210)로부터 상측으로 이격하여 배치됨에 따라 보다 용이하게 유지보수가 수행될 수 있다.

한편, 상기 지지샤프트(240)는, 일단이 후술하는 냉각플레이트부(400) 하측에 위치하도록 설치될 수 있으며, 다른 예로서 평면 상 복수의 지지샤프트(240) 내에 냉각플레이트부(400)가 위치하도록 배치될 수 있다.

상기 제2냉각유로(250)는, 내부에 열매체가 흐르도록 미리 설정된 패턴으로 구비되며, 외부 열교환장치에 연결되어 내부에 상기 열매체가 순환하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

예를 들면, 상기 제2냉각유로(250)는, 백킹플레이트(210) 내에 열매체가 흐르고 열교환을 수행할 수 있도록 열매체가 흐르는 유로로 형성될 수 있으며, 백킹플레이트(210) 내부에 대한 가공을 통해 형성될 수 있으며, 다른 예로서 백킹플레이트(210) 내부에 별도의 배관을 설치하여 형성할 수도 있다.

한편, 상기 제2냉각유로(250)는, 백킹플레이트(210) 내에 미리 설정된 패턴으로 형성되며 내부에 열매체가 순환하여 열교환을 수행함으로써, 백킹플레이트(210)에 대한 냉각을 수행할 수 있다.

이로써, 상기 제2냉각유로(250)는, 외부 주변 구성과의 열교환을 통해, 실링부재, 확산부재(700)를 포함하는 주변 구성의 플라즈마생성부(300)로부터의 고온에 따른 손상을 방지할 수 있다.

이때, 상기 제2냉각유로(250)는, 백킹플레이트(210) 내 다양한 패턴으로 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 균일한 냉각이 가능하도록 중심을 지나는 임의이 직선에 대하여 선대칭을 이루도록 형성될 수 있다.

한편, 상기 제2냉각유로(250)는, 외부 열교환장치와 연결되는 열매체도입부(260)와 열매체배출부(270)가 각각 형성될 수 있으며, 열교환장치, 열매체도입부(260), 제2냉각유로(250) 및 열매체배출부(270)로 형성되는 유로를 열매체가 지속적으로 순환함으로써 백킹플레이트(210) 및 주변구성에 대한 냉각을 수행할 수 있다

상기 플라즈마생성부(300)는, 가스도입부(211)에 연통되도록 가스분사부(200) 상측에 배치되며, 플라즈마를 생성하여 가스분사부(200)에 공정가스를 라디칼화하여 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

이때, 상기 플라즈마생성부(300)는, 상기 플라즈마생성부(300)는, 복수의 가스도입부(211)에 대응되어 복수개 구비될 수 있으며, 가스도입부(211)와 일대일로 대응되어 배치되거나, 일정 수의 가스도입부(211)들에 한개씩 대응되어 복수개 구비될 수도 있다.

예를 들면, 상기 플라즈마생성부(300)는, 평면 상 가스분사부(200) 중심 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 가스분사부(200)에 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제1플라즈마생성부(310)와, 평면 상 가스분사부(200) 가장자리 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 가스분사부(200)에 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제2플라즈마생성부(320)를 포함할 수 있다.

이때, 제1플라즈마생성부(310)는, 평면 상 백킹플레이트(210) 중심에 단수개 구비될 수 있으며, 제2플라즈마생성부(320)는, 평면 상 백킹플레이트(210) 가장자리 측에 복수개 구비될 수 있다.

일예로, 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 사각형의 백킹플레이트(210)에 대하여 모서리, 즉 변부 측에 대응되어 4개가 구비될 수 있으며 다른 예로서, 코너측에 대응되어 4개가 구비될 수 있다.

즉, 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 복수개이며, 제1플라즈마생성부(310)에 대하여 평면 상 점대칭으로 배치될 수 있다.

한편, 후술하는 냉각플레이트부(400)는, 제1플라즈마생성부(310)에 대응되는 위치에 설치될 수 있으며, 다른 예로서 제1플라즈마생성부(310) 및 복수의 제2플라즈마생성부(320) 각각의 위치에 대응되어 설치될 수 있음은 또한 물론이다.

즉, 상기 냉각플레이트부(400)는, 복수의 플라즈마생성부(300) 중 적어도 하나에 대응되어 설치될 수 있다.

상기 냉각플레이트부(400)는, 플라즈마생성부(300)와 가스분사부(200) 사이에 설치되며, 플라즈마생성부(300)와 가스도입부(211) 사이에서 공정가스가 이동하는 공급유로(S2)를 형성하는 제1관통홀(401)이 구비되는 구성일 수 있다.

예를 들면, 상기 냉각플레이트부(400)는, 제1관통홀(401)이 형성되는 냉각플레이트(410)와, 냉각플레이트(410) 내에 열매체가 흐르도록 구비되는 제1냉각유로(420)를 포함할 수 있다.

또한, 상기 냉각플레이트부(400)는, 제1냉각유로(420)의 양단에 각각 구비되어 외부 열매체공급장치와 연결되는 도입부(430) 및 배출부(440)를 포함할 수 있다.

상기 냉각플레이트(410)는, 제1관통홀(401)이 형성되며 플라즈마생성부(300)와 가스분사부(200) 사이에 설치되고, 공급유로(S2)를 형성하는 구성일 수 있다.

또한, 상기 냉각플레이트(410)는, 내부에 제1냉각유로(420)를 구비함으로써, 실링부재 및 확산부재(700)를 포함하는 주변구성, 특히 플라즈마생성부(300)에 최근접한 위치에서 플라즈마생성부(300)로부터 생성되는 열에 의한 손상을 방지하도록 냉각을 수행할 수 있다.

이를 위해, 상기 냉각플레이트(410)는, 외부 열매체공급장치와 연결되어 열매체를 공급하는 도입부(430)와 열교환이 완료된 열매체를 반출하는 배출부(440)와 냉각플레이트(410) 내부에 미리 설정된 패턴으로 가공 또는 배관설치를 통해 형성되는 제1냉각유로(420)를 통해 열매체가 내부에 유동할 수 있다.

한편, 상기 열매체는 외부 열교환장치를 통해 순환하여 열교환을 수행하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 플라즈마생성부(300)에 의한 고온을 신속하게 냉각하기 위하여 별도로 열매체를 공급하는 열매체공급장치를 통해 공급될 수 있다.

상기 냉각플레이트부(400)는, 평면 상 복수의 지지샤프트(240)들 내측에 구비될 수 있으며, 다른 예로서 평면 상 상기 지지샤프트(240)들과 중첩되도록, 복수의 지지샤프트(240)들 상부에 구비될 수 있다.

또한, 상기 냉각플레이트(410)는, 복수의 플라즈마생성부(300) 각각에 대응되는 위치, 즉 가스도입부(211)에 설치될 수 있으며, 복수개로 구비되어 복수의 가스도입부(211) 각각에 설치되거나 전술한 백킹플레이트(210) 중심 측에 배치되는 제1플라즈마생성부(310)에 대응되는 위치에 단수로 설치될 수 있다.

상기 냉각플레이트(410)는 중공으로, 제1관통홀(411)이 형성되며, 제1관통홀(411)과 가스도입부(211)가 대응되도록 배치되어 플라즈마생성부(300)와 가스도입부(211) 사이를 연통할 수 있다.

이때, 상기 제1관통홀(411)은 가스도입부(211)보다 직경이 같거나 작을 수 있다.

한편, 상기 제1냉각유로(420)는, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 제2냉각유로(250)로부터 열매체를 공급받도록, 제2냉각유로(250)와 직렬, 병렬 또는 이들의 조합으로 연결되어 서로 연통할 수 있다.

즉, 상기 제1냉각유로(420)는, 냉각플레이트(410) 내부에 형성된 상태에서 백킹플레이트(210)에 구비되는 제2냉각유로(250)와 부분 및 전체적으로 연결되도록 설치될 수 있다.

예를 들면, 상기 제1냉각유로(420)는, 도 8b에 도시된 바와 같이, 도입부(430) 및 배출부(440)가 제2냉각유로(250)로부터 분기되는 분기라인에 연결되어 제2냉각유로(250)에 공급 및 반출되는 열매체 일부를 전달받아 열교환을 수행할 수 있다.

또한, 다른 예로서, 상기 제1냉각유로(420)는, 도 8a에 도시된 바와 같이, 도입부(430) 및 배출부(440)가 제2냉각유로(250)와 직렬로 연결되어, 제2냉각유로(250)와 함께 일방향의 열매체 이동을 위한 유로를 함께 형성할 수 있다.

한편, 전술한 바와 달리, 도 8c에 도시된 바와 같이 제1냉각유로(420)와 제2냉각유로(250)는 서로 독립적으로 구성될 수 있으며, 이때 제1냉각유로(420)는 외부 열매체공급장치에 연결되어 냉각된 열매체를 공급받고, 제2냉각유로(250)는 열교환장치에 연결되어 열매체가 순환할 수 있다.

상기 절연플레이트부(500)는, 플라즈마생성부(300)와 냉각플레이트부(400) 사이 및 냉각플레이트부(400)와 가스분사부(200) 사이 중 적어도 하나에 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

이때, 상기 절연플레이트부(500)는, 플라즈마생성부(300)와 가스분사부(200) 사이에 구비되는 구성으로서, 가스분사부(200)와 플라즈마생성부(300) 사이의 전기적 절연을 수행하는 구성일 수 있다.

즉, 상기 절연플레이트부(500)는, 전기적 절연이 가능한 절연재질로 구비될 수 있으며, 전원인가부를 통해 플라즈마생성부(300)에 RF전원 인가 시 가스분사부(200)와의 사이에 차폐 및 전기적 절연을 수행할 수 있다.

또한, 상기 절연플레이트부(500)는, 백킹플레이트(210)에 대한 RF전원 인가 시 플라즈마생성부(300)와의 전기적 절연을 통해 이들 사이의 전기, 자기적 간섭을 차단할 수 있다.

이를 위해, 상기 절연플레이트부(500)는, 플라즈마생성부(300)와 냉각플레이트부(400) 사이 및 냉각플레이트부(400)와 가스분사부(200) 사이 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.

일예로, 상기 절연플레이트부(500)는, 가스분사부(200) 상면에 접촉하여 설치될 수 있으며, 상측에 냉각플레이트부(400)가 구비되어, 냉각플레이트부(400)와 가스분사부(200)에 접촉하여 설치될 수 있다.

이때, 상기 절연플레이트부(500)는, 플라즈마생성부(300)와 가스도입부(211) 사이가 연통하도록 제1관통홀(401)과 함께 공급유로(S2)를 형성하는 제2관통홀(501)이 구비될 수 있다.

즉, 상기 절연플레이트부(500)는, 중공으로서, 제2관통홀(501)이 형성되며 제2관통홀(501)이 제1관통홀(401)과 함께 플라즈마생성부(300)와 가스도입부(211) 사이에 공정가스가 이동하기 위한 공급유로(S2)를 형성할 수 있다.

상기 도킹어댑터부(600)는, 상측이 플라즈마생성부(300) 저면에 결합하고, 하측이 가스분사부(200)와 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

즉, 상기 도킹어댑터부(600)는, 플라즈마생성부(300)에 결합한 상태에서 가스분사부(200)와 연결, 일예로 냉각플레이트부(400)에 하측이 결합함으로써 가스분사부(200)와 연결되어 플라즈마생성부(300)를 가스분사부(200)에 고정설치하기 위한 구성일 수 있다.

이때, 상기 도킹어댑터부(600)는, 전술한 냉각플레이트부(400) 및 절연플레이트부(500)와 같이 플라즈마생성부(300)와 가스도입부(211) 사이를 연통하도록 제1관통홀(401)과 함께 공급유로(S2)를 형성하는 제3관통홀(601)이 구비될 수 있다.

또한, 상기 도킹어댑터부(600)는, 냉각플레이트부(400)와 플라즈마생성부(300) 사이에 별도부재로 구비될 수 있으며, 다른 예로서 냉각플레이트부(400) 상면에 일체로 형성되어 플라즈마생성부(300)에 결합할 수도 있다.

한편, 가스분사부(200), 절연플레이트부(500), 냉각플레이트부(400), 도킹어댑터부(600) 및 플라즈마생성부(300)는 체결부재(800)를 통해 서로 결합되어 설치될 수 있다.

예를 들면, 상기 냉각플레이트부(400)와 절연플레이트부(500)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 각각을 수직으로 관통하여 결합하는 복수의 제1체결부재(820)를 통해 서로 결합될 수 있으며, 이 상태에서 냉각플레이트부(400) 상면에 복수의 제2체결부재(810)가 결합되어 도킹어댑터부(600) 또는 플라즈마생성부(300) 저면을 관통하여 결합 또는 삽입됨으로써 서로 고정 및 설치될 수 있다.

이 상태에서, 냉각플레이트부(400)와 백킹플레이트(210)는 별도의 제3체결부재 또는 제1체결부재(820)가 냉각플레이트부(400)를 관통하여 고정할 수 있으며, 이들 사이에 실링부재(미도시)가 설치될 수 있다.

한편, 상기 실링부재(미도시)는, 백킹플레이트(210)와 절연플레이트부(500), 절연플레이트부(500)와 냉각플레이트부(400), 냉각플레이트부(400)와 도킹어댑터부(600) 및 도킹어댑터부(600)와 플라즈마생성부(300) 사이 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.

또한, 절연플레이트부(500) 또는 도킹어댑터부(600)가 생략되거나 절연플레이트부(500)의 위치가 냉각플레이트부(400)와 도킹어댑터부(600) 사이에 위치하는 등 다양하게 변경될 수 있음은 또한 물론이다.

상기 전원인가부는, 가스분사부(200) 상면에 배치되어, 플라즈마생성부(300)에 RF전원을 인가하는 구성일 수 있다.

이때, 상기 전원인가부는, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 각각에 독립적으로 RF전원 인가 가능함으로써, 이들 플라즈마생성부(300)를 독립적으로 제어할 수 있다.

또한, 상기 전원인가부는, 상기 가스분사부(200) 상면, 플라즈마생성부(300) 및 전원인가부에 인접한 위치에 배치되는 매칭부를 통해 전원인가부로부터 공급되는 RF전원을 임피던스매칭하여 제공할 수 있다.

상기 매칭부는, 플라즈마를 발생시키는 고주파 RF전력을 플라즈마생성부(300)로 공급할 때 임피던스정합을 통해 효과적인 전력의 전달을 위하여 전원인가부와 플라즈마생성부(300) 사이를 연결하도록 설치될 수 있다.

상기 매칭부는, 모터에 의해 구동되는 에어 가변 커패시터(AVC;Air Variable Capacity), 진공 가변 커패시터(VVC;Vacuuum Variable Capacity)로 구성될 수 있다.

따라서, 상기 매칭부는, 전원인가부의 출력 임피던스와 플라즈마생성부(300) 부하 임피던스를 서로 정합이 되도록 임피던스를 조절함으로써, 전원인가부 출력이 플라즈마생성부(300)에 전부 공급되지 못하고 일부가 반사되어 다시 되돌아오는 현상에 의하여 발생될 수 있는 파워손실과 전원인가부 손상을 방지할 수 있다.

상기 확산부재(700)는, 가스도입부(211) 하측에 설치되어, 가스도입부(211)를 통해 공급되는 공정가스를 수평방향으로 확산하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.

예를 들면, 상기 확산부재(700)는, 측면에 경사면이 형성되는 원뿔 또는 각뿔 구조로서, 가스도입부 내에 정방향으로 설치되어 상측으로부터 도입되는 공정가스를 경사면을 타고 측면방향으로 일부 확산되도록 유도할 수 있다.

이때, 상기 확산부재(700)는, 백킹플레이트(210) 저면에 지지되도록 설치될 수 있으며, 다른 예로서, 후술하는 확산플레이트(230) 상면에 돌출되도록 구비될 수도 있다.

또한, 상기 확산부재(700)는, 전술한 하측가스도입홀(211b)의 하측으로 갈수록 확장되는 내면에 대응되는 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 가스도입부(211) 내면과 함께 공정가스의 수평방향으로 확산을 유도할 수 있다.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.

100: 공정챔버 200: 가스분사부
300: 플라즈마생성부 400: 냉각플레이트부

Claims

상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와;
상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 분사되는 공정가스를 도입하는 가스도입부(211)가 형성되는 가스분사부(200)와;
상기 가스도입부(211)에 연통되도록 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되며, 플라즈마를 생성하여 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 라디칼화하여 공급하는 플라즈마생성부(300)와;
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 설치되며, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이에서 상기 공정가스가 이동하는 공급유로(S2)를 형성하는 제1관통홀(401)이 구비되는 냉각플레이트부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 냉각플레이트부(400) 사이 및 상기 냉각플레이트부(400)와 상기 가스분사부(200) 사이 중 적어도 하나에 설치되는 절연플레이트부(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 2에 있어서,
상기 절연플레이트부(500)는,
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이가 연통하도록 상기 제1관통홀(401)과 함께 상기 공급유로(S2)를 형성하는 제2관통홀(501)이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 2에 있어서,
상측이 상기 플라즈마생성부(300) 저면에 결합하고, 하측이 상기 가스분사부(200)와 연결되는 도킹어댑터부(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 4에 있어서,
상기 도킹어댑터부(600)는,
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스도입부(211) 사이를 연통하도록 상기 제1관통홀(401)과 함께 상기 공급유로(S2)를 형성하는 제3관통홀(601)이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 4에 있어서,
상기 도킹어댑터부(600)는,
상기 냉각플레이트부(400) 상면에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 4에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
상면에 상기 냉각플레이트부(400), 상기 절연플레이트부(500) 및 상기 도킹어댑터부(600) 중 적어도 하나가 매립되어 설치되는 설치홈(201)이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 7에 있어서,
상기 설치홈(201)은,
상기 플라즈마생성부(300) 중 적어도 일부가 매립되어 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
상기 개구부에 설치되며 복수의 상기 플라즈마생성부(300)에 대응되는 위치에 상기 가스도입부(211)가 형성되는 백킹플레이트(210)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 9에 있어서,
상기 백킹플레이트(210)는,
RF전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 9에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
상기 백킹플레이트(210) 하부 중 상기 가스도입부(211)에 평면 상 중첩되는 위치에 구비되는 확산플레이트(230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 11에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
일단이 상기 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 상기 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 상기 확산플레이트(230)에 결합하여 상기 확산플레이트(230)를 지지하는 복수의 지지샤프트(240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 12에 있어서,
상기 냉각플레이트부(400)는,
평면 상 복수의 상기 지지샤프트(240)들 내측에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 12에 있어서,
상기 냉각플레이트부(400)는,
평면 상 복수의 상기 지지샤프트(240)들과 중첩되도록, 복수의 상기 지지샤프트(240)들 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,
상기 가스도입부(211) 하측에 설치되어, 상기 가스도입부(211)를 통해 공급되는 상기 공정가스를 수평방향으로 확산하는 확산부재(700)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 15에 있어서,
상기 확산부재(700)는,
측면에 경사면이 형성되는 원뿔 또는 각뿔 형상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,
상기 냉각플레이트부(400)는,
상기 제1관통홀(401)이 형성되는 냉각플레이트(410)와, 상기 냉각플레이트(410) 내에 열매체가 흐르도록 구비되는 제1냉각유로(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 17에 있어서,
상기 냉각플레이트부(400)는,
상기 제1냉각유로(420)의 양단에 각각 구비되어 외부 열매체공급장치와 연결되는 도입부(430) 및 배출부(440)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 17에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
내부에 열매체가 흐르도록 미리 설정된 패턴으로 구비되며, 외부 열교환장치에 연결되어 내부에 상기 열매체가 순환하는 제2냉각유로(250)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 19에 있어서,
상기 제1냉각유로(420)는,
상기 제2냉각유로(250)로부터 상기 열매체를 공급받도록 상기 제2냉각유로(250)와 서로 연통하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마생성부(300)는, 복수개이며,
상기 냉각플레이트부(400)는,
복수의 상기 플라즈마생성부(300) 중 적어도 하나에 대응되어 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.