KR20240008119A - 기판처리장치 - Google Patents

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엄용택
김강희
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)에 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되어 플라즈마를 형성하며, 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 복수의 플라즈마생성부(300)를 포함하며, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 중 어느 하나는 다른 하나와 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 서로 다른 높이에 배치되는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리공정 중 애싱공정(Ashing process)은, 감광막(Photo Resist)을 이용한 식각공정 후 잔류하는 감광막을 제거하는 공정을 지칭한다.
일반적으로, 애싱공정은, 해리된 공정가스 예컨대, 플라즈마를 통해 이온화(Ionization)된 라디칼을 사용하여 진행되며, 따라서 애싱공정을 위한 기판처리장치는 공정챔버 내부의 처리공간으로 해리된 공정가스를 공급하기 위한 플라즈마생성기를 구비한다.
한편, 기판이 대면적화됨에 따라 공정챔버 내부의 처리공간 평면적 및 부피가 급격히 증가하고 있으며, 이로 인해, 해리된 공정가스를 기판 전체에 균일하게 공급하기 어려워, 기판처리 균일도가 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판 처리 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 라디칼화하여 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되어 플라즈마를 형성하며, 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 복수의 플라즈마생성부(300)를 포함하며, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 중 어느 하나는 다른 하나와 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 서로 다른 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 중 적어도 하나와 상기 가스분사부(200) 상면 사이에 구비되어, 플라즈마생성부(300)를 상기 가스분사부(200) 상면으로부터 이격하여 지지하는 지지부(500)를 포함할 수 있다.
상기 지지부(500)는, 내부에 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이를 연통하는 공급유로(S2)가 형성될 수 있다.
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 구비되는 절연플레이트(600)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 절연플레이트(600)는, 상기 가스분사부(200)에 접촉하여 배치되며, 상측에 상기 지지부(500)가 설치될 수 있다.
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 구비되며, 내부에 열매체가 순환하는 순환유로가 형성되는 냉각플레이트(700)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 플라즈마생성부(300)와 상기 지지부(500) 사이에 구비되어 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 지지부(500) 사이를 연결하는 도킹어댑터(1000)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)가 배치되는 상면 중 적어도 일부에 상기 플라즈마생성부(300) 일부가 매립되어 설치되는 설치홈(201)이 형성될 수 있다.
상기 플라즈마생성부(300)는, 평면 상 상기 가스분사부(200) 중심 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제1플라즈마생성부(310)와, 평면 상 상기 가스분사부(200) 가장자리 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제2플라즈마생성부(320)를 포함할 수 있다.
상기 제1플라즈마생성부(310)는, 상기 제2플라즈마생성부(320) 보다 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 높은 위치에 배치될 수 있다.
상기 제2플라즈마생성부(320)는, 복수개이며, 상기 제1플라즈마생성부(310)에 대하여 평면 상 점대칭으로 배치될 수 있다.
복수의 상기 제2플라즈마생성부(320)들은, 상기 제1플라즈마생성부(310) 보다 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 낮은 위치로서, 서로 동일한 높이에 배치될 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 상기 개구부에 설치되며 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들에 대응되는 위치에 복수의 가스도입부(211)들이 형성되는 백킹플레이트(210)를 포함할 수 있다.
상기 백킹플레이트(210)는, RF전원이 인가될 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 상기 백킹플레이트(210) 하부 중 복수의 상기 가스도입부(211)들 각각에 평면 상 중첩되는 위치에 구비되는 복수의 확산플레이트(230)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 상기 백킹플레이트(210)와 사이에 상기 확산플레이트(230)가 설치되는 확산공간(S3)을 형성하도록 상기 백킹플레이트(210) 하부에 설치되며, 상기 처리공간(S1)으로 상기 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공(221)들이 형성되는 분사플레이트(220)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 상기 백킹플레이트(210) 하부에 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 상기 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공(221)들이 형성되는 분사플레이트(220)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 일단이 상기 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 상기 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 상기 확산플레이트(230)에 결합하여 상기 확산플레이트(230)를 지지하는 지지샤프트(240)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(200) 상면에 배치되어, 상기 플라즈마생성부(300)에 RF전원을 인가하는 전원인가부(400)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 전원인가부(400)는, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 각각에 독립적으로 RF전원 인가 가능할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 가스분사부 상측에 복수의 플라즈마생성부를 배치함으로써, 기판의 면적이 증가하더라도 기판 전체에 균일하게 해리된 공정가스를 제공할 수 있으며, 이를 통해 기판 처리 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 복수의 플라즈마생성부들 중 어느 하나가 다른 하나와 가스분사부 저면으로부터 서로 다른 높이에 배치됨으로써, 기판의 면적이 증가하더라도 보다 효과적으로 기판 전체에 균일하게 해리된 공정가스를 제공할 수 있으며, 이를 통해 기판 처리 균일도를 더욱 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 가스분사부 저면을 기준으로 복수의 플라즈마생성부들 각각의 설치 높이를 달리 제어함으로써, 복수의 플라즈마생성부 각각에 대한 RF파워 및 공정가스 공급량 제어 범위의 한계를 극복할 수 있으며, 이로써 전체적인 라디칼 생성효율 및 공정효율 저하 없이 정밀한 기판 각 영역에 대한 처리율 조절이 가능한 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 플라즈마생성부들 중 일부(예컨대, 가스분사부의 중심 측에 배치되는 제1플라즈마생성부)를 가스분사부 상측으로 이격하여 배치함으로써, 가스분사부 상측에 배치되는 구조물들 각각에 대한 작업자의 접근성 및 유지보수의 편의성을 증진시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는, 도 1에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도들로서, 도 2a는, A-A'방향의 단면을 보여주는 단면도이며, 도 2b는, B-B'방향의 단면을 보여주는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 가스분사부 및 플라즈마생성부의 모습을 보여주는 확대단면도들로서, 도 3a는, 제2플라즈마생성부(320) 측 모습을 보여주는 확대단면도이며, 도 3b는, 제1플라즈마생성부(310) 측 모습을 보여주는 확대단면도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 플라즈마생성부와 가스분사부의 구성을 보여주는 분해사시도이다.
도 5는, 본 발명에 따른 기판처리장치 중 가스분사부의 다른 실시예를 보여주는 확대단면도이다.
이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명은, 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 처리를 수행하는 기판처리장치로서, 보다 구체적으로는 해리된 공정가스 예컨대, 플라즈마를 통해 이온화된 라디칼을 이용하여 기판에 대한 처리(예컨대, 애싱공정)를 수행하며, 이때 기판의 대면적화에 대응하여 기판 처리 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
이때, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 플라즈마를 통해 이온화된 라디칼을 이용하여 기판에 대한 소정의 처리를 수행하기 위하여 플라즈마생성부를 포함할 수 있는데, 기판의 대면적화로 인해 플라즈마생성부가 복수개 설치될 필요성이 있다.
여기서, 복수의 플라즈마생성부는, 기판에 대한 균일한 공정을 고려하여 적절히 대칭을 이루도록 설치될 수 있는데, 복수의 플라즈마생성부를 등간격으로 행열을 맞춰 배치할 경우 기판 중심 측에 대한 기판처리율이 저하되고 기판 중심 측과 가장자리 측에 플라즈마생성부를 각각 설치할 경우 기판 가장자리 측에 대한 기판처리율이 상대적으로 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 설치되는 플라즈마생성부에 따른 공정가스의 해리정도 및 이를 통한 기판 각 부분에 대한 처리율의 제어 필요성이 있다.
이 경우, 플라즈마생성부 각각에 대한 개별적인 RF파워 및 가스공급량 조절을 통한 기판 처리율의 제어는 라디칼 생성 효율을 일정 이상으로 유지하여야 하는 공정 효율 측면을 고려할 때 적정 수준 이하로 낮추기 어려운 바 그 한계가 명확한 문제점이 있다.
또한, 제한된 면적 내에 플라즈마생성부를 복수개 설치하는 경우, 설치 위치에 따라 플라즈마생성부, 더 나아가서는 가스분사부를 포함하는 구조물들에 대한 접근성 및 유지보수 편의성이 저하되는 문제점이 있다.
보다 구체적으로, 중심 측에 배치되는 플라즈마생성부가 가스분사부에 접촉되어 배치되는 경우, 주변 플라즈마생성부들이 모두 동일 높이에 배치된 상태에서 중심 측 플라즈마생성부에 접근하기 어려워 유지보수가 힘든 문제점이 있다.
더 나아가, 통상 플라즈마생성부와 확산플레이트는 평면 상 정렬되는 위치에 배치되어야 하고, 따라서 플라즈마생성부가 백킹플레이트에 접촉되어 설치되는 경우 확산플레이트 설치를 위한 볼트 등에 대한 백킹플레이트 상측에서의 노출 및 접근이 어려워 백킹플레이트를 공정챔버로부터 분리하여 확산플레이트에 대한 유지보수를 수행하여야 하는 바 가스분사부에 대한 유지보수 수행이 어렵고 불편한 문제점이 있다.
전술한 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)에 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200) 상측에 배치되어 플라즈마를 형성하며, 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 복수의 플라즈마생성부(300)를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100) 바닥면에 형성되어 처리공간(S1)을 배기하는 배기부(40)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 가스분사부(200) 상면에 배치되어, 상기 플라즈마생성부(300)에 RF전원을 인가하는 전원인가부(400)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 중 적어도 하나와 상기 가스분사부(200) 상면 사이에 구비되어, 플라즈마생성부(300)를 상기 가스분사부(200) 상면으로부터 이격하여 지지하는 지지부(500)를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 구비되는 절연플레이트(600)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 구비되며, 내부에 열매체가 순환하는 순환유로가 형성되는 냉각플레이트(700)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 공정챔버(100)와 상기 가스분사부(200) 사이에 배치되는 절연부재(800)를 추가로 포함할 수 있다.
여기서 기판처리의 대상인 기판(1)은, 식각, 증착 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 적용 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 상측이 개구된 챔버본체(120)와, 챔버본체(120)의 개구에 탈착가능하게 결합된 상부리드(110)를 포함할 수 있다.
상기 챔버본체(120)는, 기판지지부(20) 등이 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 처리공간(S1)에 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 내측벽에 하나 이상의 게이트(130)가 형성될 수 있다.
상기 상부리드(110)는, 챔버본체(120)의 개구를 복개하여 챔버본체(120)와 함께 밀폐된 처리공간(S1)을 형성하는 구성으로서, 어떠한 구성도 적용 가능하다.
예를 들면, 상기 상부리드(110)는, 절연부재(800)가 개재되어 후술하는 가스분사부(200)가 관통되어 설치될 수 있도록 중앙부에 개구가 구비되는 프레임 형상 등 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(20)는, 공정챔버(100) 내 처리공간(S1) 하측에 설치되어 기판(1)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 기판지지부(20)는, 기판(1)이 안착되는 기판안착부(21)와, 기판안착부(21)가 상하이동 가능하도록 기판안착부(21)의 하측에 설치되는 지지축(22)을 포함할 수 있다.
상기 기판지지부(20)는, 게이트(130)를 통한 기판(1)의 도입 및 반출을 위하여 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있으며, 더 나아가 기판(1)을 가열하거나 냉각하는 등 온도제어를 위하여 히터 등 온도제어부재가 추가로 설치될 수 있다.
상기 배기부(40)는, 공정챔버(100) 바닥면에 형성되어 처리공간(S1)을 배기하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
상기 배기부(40)는, 공정챔버(100) 바닥면 중 일측에 형성되어 외부펌프와 연결되는 구성으로서, 처리공간(S1)에 대한 배기를 수행할 수 있다.
특히, 상기 처리공간(S1)은, 진공상태로 공정이 수행될 수 있는 바, 처리공간(S1)에 대한 진공분위기를 형성할 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 개구부에 결합하여 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 처리공간(S1)에 공정가스를 분사하는 구성일 수 있다.
이때, 상기 가스분사부(200)는, 복수의 플라즈마생성부(300)들 중 일부에 대한 설치 높이를 낮추기 위해 플라즈마생성부(300) 일부가 매립되어 설치되는 설치홈(201)이 상면에 형성될 수 있다.
이때, 상기 설치홈(201)은, 후술하는 백킹플레이트(210) 상면에 형성될 수 있으며, 설치되는 플라즈마생성부(300)의 필요 높이에 따라 깊이가 결정될 수 있다.
한편, 상기 설치홈(201)은 플라즈마생성부(300)와의 사이에 전기적 절연을 위해 절연부가 추가로 구비될 수 있다.
또한, 상기 가스분사부(200)는, 복수의 플라즈마생성부(300)들 중 일부에 대한 설치 높이를 높이기 위해 플라즈마생성부(300)를 돌출하여 지지하는 돌출지지부(미도시)가 상면에 형성될 수 있다.
즉, 백킹플레이트(210) 상면으로부터 돌출 형성되어, 플라즈마생성부(300)가 안착되어 지지되며, 이로써 플라즈마생성부(300)의 설치위치를 높일 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 개구부에 설치되며 복수의 플라즈마생성부(300)들에 대응되는 위치에 복수의 가스도입부(211)들이 형성되는 백킹플레이트(210)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스분사부(200)는, 백킹플레이트(210) 하부 중 복수의 상기 가스도입부(211)들 각각에 평면 상 중첩되는 위치에 구비되는 복수의 확산플레이트(230)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스분사부(200)는, 백킹플레이트(210)와 사이에 확산플레이트(230)가 설치되는 확산공간(S3)을 형성하도록 백킹플레이트(210) 하부에 설치되며, 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공(221)들이 형성되는 분사플레이트(220)를 포함할수 있다.
또한, 상기 가스분사부(200)는, 일단이 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 확산플레이트(230)에 결합하여 확산플레이트(230)를 지지하는 지지샤프트(240)를 포함할 수 있다.
상기 백킹플레이트(210)는, 공정챔버(100) 상단에 설치되며 각각 공정가스가 공급되는 가스도입부(211)들, 보다 구체적으로는 적어도 하나의 제1가스도입부(211a) 및 적어도 하나의 제2가스도입부(211b)가 형성되는 구성일 수 있다.
이때, 상기 백킹플레이트(210)는, 제1가스도입부(211a)가 후술하는 제1플라즈마생성부(310)와 연결되어 라디칼화된 공정가스를 공급받을 수 있으며, 제2가스도입부(211b)가 후술하는 제2플라즈마생성부(320)와 연결되어 라디칼화된 공정가스를 공급받을 수 있다.
이로써, 상기 백킹플레이트(210)는, 외부로부터 공정가스를 공급받을 수 있으며, 하측에 설치되는 확산플레이트(230)를 거쳐 처리공간(S1)에 공정가스를 전달할 수 있다.
또한, 상기 백킹플레이트(210)는, RF전원이 인가될 수 있으며, 이때 인가된 RF전원을 결합되어 설치되는 확산플레이트(230)에 전달할 수 있다.
이때, 상기 백킹플레이트(210) 가장자리와 공정챔버(100), 보다 구체적으로는 탑리드(110) 사이에 전기적 절연을 위한 절연부재(800)가 배치될 수 있으며, 이로써 서로 독립된 전기적 상태를 유지할 수 있다.
한편, 다른 예로서, 백킹플레이트(210)에 RF전원이 인가되고 확산플레이트(230)와 별도의 절연부재를 두고 결합됨에 따라 확산플레이트(230)로의 RF전원 전달을 차단할수도 있고, 백킹플레이트(210)에 RF전원이 미인가될 수도 있음은 또한 물론이다.
상기 제1가스도입부(211a)는, 백킹플레이트(210)에 공정가스를 도입하기 위해 형성되는 구성으로서, 보다 구체적으로는 백킹플레이트(210) 중심에 관통하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1가스도입부(211a)는, 수직방향으로 관통되어 형성될 수 있으며, 상측이 전술한 제1플라즈마생성부(310)에 연결되며, 하측으로 갈수록 내경이 증가하도록 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1가스도입부(211a)는, 통과하는 공정가스가 자연스럽게 수평방향으로 일정부분 확산할 수 있으며, 후술하는 확산부재 및 확산플레이트(230)를 통해 공정가스의 확산을 유도하여 공급할 수 있다.
상기 제2가스도입부(211b)는, 제1가스도입부(211a)와 같이 백킹플레이트(210)에 공정가스를 도입하기 위해 형성되는 구성으로서, 가장자리 측에 관통하여 형성될 수 있다.
일예로, 상기 제2가스도입부(211b)는, 제1가스도입부(211a)를 중심으로 가장자리에 복수개 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2가스도입부(211b)는, 수직방향으로 관통되어 형성될 수 있으며, 상측이 전술한 제2플라즈마생성부(320)에 연결되며 하측으로 갈수록 내경이 증가하도록 형성될 수 있다.
즉, 상기 제2가스도입부(211b) 또한, 제1가스도입부(211a)와 같이, 통과하는 공정가스가 자연스럽게 수평방향으로 일정부분 확산하도록 유도할 수 있으며, 후술하는 확산부재 및 확산플레이트(230)를 통해 공정가스의 확산을 유도하여 공급할 수 있다.
한편, 상기 백킹플레이트(210)는, 플레이트부재로서, 기판(1)의 형상에 대응되어 평면 상 사각형으로 형성될 수 있으며, 다른 예로서, 평면 상 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 백킹플레이트(210)는, 저면에 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b) 각각으로부터 연장되어 형성되는 설치홈(101)이 형성되며, 후술하는 지지샤프트(240)가 설치되어 후술하는 확산플레이트(230)를 지지할 수 있다.
또한, 상기 백킹플레이트(210)는, 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b) 각각에 배치되어, 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b)를 통해 공급되는 공정가스를 확산하도록 측면에 경사면이 형성되는 확산부재(미도시)를 추가로 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 확산부재는, 측면에 경사면이 형성되는 원뿔형 구조로서, 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b) 내에 정방향으로 설치되어 상측으로부터 도입되는 공정가스를 경사면을 타고 측면방향으로 일부 확산되도록 유도할 수 있다.
이때, 상기 확산부재는, 원뿔형으로 형성되어 백킹플레이트(210) 저면에 지지되도록 설치될 수 있으며, 다른 예로서, 후술하는 확산플레이트(230) 상면에 돌출되도록 구비될 수도 있다.
또한, 상기 확산부재는, 전술한 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b)의 하측으로 갈수록 확장되는 내면에 대응되는 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b)의 내면과 함께 공정가스의 수평방향으로 확산을 유도할 수 있다.
상기 확산플레이트(230)는, 백킹플레이트(210) 하측에 구비되어 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b)를 통해 공급되는 공정가스를 확산하여 처리공간(S1)으로 전달하는 구성일 수 있다.
즉, 상기 확산플레이트(230)는, 백킹플레이트(210)로부터 이격되도록 백킹플레이트(210) 저면에 지지되어 설치될 수 있다.
예를 들면, 상기 확산플레이트(230)는, 백킹플레이트(210) 하부 중 가스도입부(211)들에 대응되는 위치에 각각 개별적으로 복수개 설치될 수 있다.
상기 확산플레이트(230)는, 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b)에 대응되는 위치에서 대응되는 원형 또는 타원형으로 형성되어 공급되는 공정가스를 수평 사방으로 확산유도할 수 있다.
이때, 상기 확산플레이트(230)는, 전술한 바와 같이 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있으며, 다른 예로서 사각형의 플레이트 및 더 나아가 다각형의 플레이트일 수 있다.
또한, 상기 확산플레이트(230)는, 후술하는 확산공 형성을 포함한 가공이 용이하고 내구성이 뛰어난 금속재질로 제작될 수 있으며, 이때 처리공간(S1)에 노출되는 저면에 표면처리가 수행될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 확산플레이트(230)는, 금속재질로서, 처리공간에 노출되는 저면 중 적어도 일부에 대한 강화를 위해 표면처리가 수행될 수 있으며, 보다 구체적으로는, 알루미늄을 포함한 금속재질의 저면이 처리공간(S1)에 노출되는 점을 고려하여, 강성 및 내부식성을 강화하기 위해 아노다이징 처리되거나, Y203코팅이 수행될 수 있다.
또한, 상기 확산플레이트(230)는, 도입되는 공정가스의 수평방향 확산뿐만 아니라, 하측으로의 공정가스 전달을 위하여 공정가스가 통과하도록 관통 형성되는 다수의 확산공을 포함할 수 있다.
이때, 상기 확산공은, 상면 및 저면을 수직으로 관통하여 다수개 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 평면 상 균일한 간격으로 행과 열을 맞춰 형성될 수 있다.
상기 확산공은, 수직방향으로 각각 형성되는 제1가스도입부(211a) 및 제2가스도입부(211b)와 평행하도록 형성되고, 이에 따라 도입되는 공정가스가 진행방향의 변화없이 수직방향으로 전달되도록 유도할 수 있다.
상기 분사플레이트는, 백킹플레이트(210) 하부에 설치되어, 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공(221)들이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 전술한 바와 같이 생략될 수도 있다.
예를 들면, 상기 분사플레이트(220)는, 백킹플레이트(210)의 하측에 간격을 두고 설치되며, 처리공간(S1)으로 가스를 분사하기 위한 복수의 분사구(221)들이 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수의 분사구(221)는 처리공간(S1)으로 가스를 분사하기 위한 구성으로서, 다양한 형상, 개수, 배치가 가능하다.
즉, 상기 분사플레이트(220)는, 백킹플레이트(2100와의 사이에 확산플레이트(230)가 설치되기 위한 확산공간(S3)을 형성하여 확산공간(S3) 내 확산플레이트(230)가 설치되도록 유도할 수 있다.
또한, 다른 예로서, 상기 분사플레이트(220)가 생략되거나, 분사플레이트(220)가 설치되고 확산플레이트(230)가 생략될 수도 있다.
상기 지지샤프트(240)는, 일단이 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 확산플레이트(230)에 결합하여 확산플레이트(230)를 지지하는 구성일 수 있다.
즉, 상기 지지샤프트(240)는, 확산플레이트(230)를 백킹플레이트(210)에 형성되는 가스도입부(211)에 평면 상 중첩되도록 백킹플레이트(210)에 고정하여 지지하는 구성일 수 있다.
이를 위해, 상기 지지샤프트(240)는, 수직으로 설치되며 타단이 확산플레이트(230) 가장자리 측에 결합하고, 일단이 백킹플레이트(210) 중 설치홈(201) 위치에 결합하여 확산플레이트(230)를 안정적으로 지지할 수 있다.
한편, 상기 지지샤프트(240)는, 백킹플레이트(210) 및 확산플레이트(230)에 대한 유지보수 과정에서, 백킹플레이트(210) 상측에서 접근 가능하도록, 일단이 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합될 수 있으며, 이로써 플라즈마생성부(300)가 백킹플레이트(210)로부터 상측으로 이격하여 배치됨에 따라 보다 용이하게 유지보수가 수행될 수 있다.
상기 가스분사부(200) 상측에 배치되어 플라즈마를 형성하며, 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 복수의 플라즈마생성부(300)를 포함한다.
상기 플라즈마생성부(300)는, 공정챔버(100) 상측에서 가스도입부(211)에 연결되어 배치되며, 가스도입부(211)에 플라즈마를 통해 라디칼화된 공정가스를 공급하는 구성일 수 있다.
이때, 상기 플라즈마생성부(300)는, 종래 개시된 유도결합 플라즈마 소스가 적용될 수 있으며, 다른 예로서 상대적으로 낮은 파워에서도 고밀도의 플라즈마를 형성할 수 있고 수명 및 내구성이 뛰어난 페라이트(ferrite) 등 자성체를 코어로 이용하는 FMICP(Ferromagnetic ICP) 플라즈마 소스가 적용될 수 있다.
예를 들면, 상기 플라즈마생성부(300)는, 공정챔버(100) 상측, 보다 구체적으로는 백킹플레이트(210) 상부에서 가스도입부(211)에 대응되는 위치에 배치되는 플라즈마생성챔버와, 플라즈마생성챔버 내에 구비되는 플라즈마소스를 포함할 수 있다.
이때 상기 플라즈마생성부(300)는, 외부로부터 공정가스를 공급받아 플라즈마소스를 통과시킴으로써, 공정가스를 이온화하여 라디칼화 한 뒤 가스도입부(211)에 공정가스를 전달할 수 있다.
이를 위해 상기 플라즈마생성부(300)는, 복수의 가스도입부(211) 위치에 대응되어 백킹플레이트(210) 평면 상에 배치될 수 있다.
한편, 상기 플라즈마생성부(300)는, 복수의 가스도입부(211)에 대응되어 복수개 구비될 수 있으며, 가스도입부(211)와 일대일로 대응되어 배치되거나, 일정 수의 가스도입부(211)들에 한개씩 대응되어 복수개 구비될 수도 있다.
이때, 복수의 플라즈마생성부(300)들 중 어느 하나는 다른 하나와 가스분사부(200) 저면으로부터 서로 다른 높이에 배치될 수 있다.
즉, 복수의 플라즈마생성부(300)들 중 어느 하나는 다른 하나와 서로 다른 높이에 배치됨으로써, 처리되는 기판(1)과의 수직거리가 서로 다르게 배치될 수 있다.
예를 들면, 상기 플라즈마생성부(300)는, 평면 상 가스분사부(200) 중심 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 가스분사부(200)에 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제1플라즈마생성부(310)와, 평면 상 가스분사부(200) 가장자리 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 가스분사부(200)에 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제2플라즈마생성부(320)를 포함할 수 있다.
상기 제1플라즈마생성부(310)는, 가스분사부(200) 중심 측에 배치되어 플라즈마를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 제1플라즈마생성부(310)는, 가스분사부(200), 보다 구체적으로는 백킹플레이트(210) 중심 측에 형성되는 제1가스도입부(211a)에 평면 상 중첩하도록 적어도 한개 배치되어 제1가스도입부(211a)에 라디칼화된 공정가스를 공급할 수 있다.
즉, 상기 제1플라즈마생성부(310)는, 외부로부터 공정가스를 공급받아 플라즈마소스를 통과시킴으로써, 공정가스를 이온화하여 라디칼화 한 뒤 제1가스도입부(211a)에 공정가스를 전달할 수 있다.
상기 제2플라즈마생성부(320)는, 가스분사부(200) 가장자리 측에 배치되어 플라즈마를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 가스분사부(200), 보다 구체적으로는 백킹플레이트(210) 가장자리 측에 형성되는 제2가스도입부(211b)에 평면 상 중첩하도록 적어도 한개 배치되어 제2가스도입부(211b)에 라디칼화된 공정가스를 공급할 수 있다.
즉, 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 외부로부터 공정가스를 공급받아 플라즈마소스를 통과시킴으로써, 공정가스를 이온화하여 라디칼화 한 뒤 제2가스도입부(211b)에 공정가스를 전달할 수 있다.
이때, 제1플라즈마생성부(310)는, 평면 상 백킹플레이트(210) 중심에 단수개 구비될 수 있으며, 제2플라즈마생성부(320)는, 평면 상 백킹플레이트(210) 가장자리 측에 복수개 구비될 수 있다.
일예로, 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 사각형의 백킹플레이트(210)에 대하여 모서리, 즉 변부 측에 대응되어 4개가 구비될 수 있으며 다른 예로서, 코너측에 대응되어 4개가 구비될 수 있다.
즉, 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 복수개이며, 제1플라즈마생성부(310)에 대하여 평면 상 점대칭으로 배치될 수 있다.
한편, 상기 제1플라즈마생성부(310) 및 상기 제2플라즈마생성부(320)는, 서로 다른 높이에 배치될 수 있으며, 보다 구체적으로는 가스분사부(200) 저면으로부터 서로 거리에 이격되어 배치될 수 있다.
이때, 복수의 플라즈마생성부(300)들이 중심 및 가장자리에 모두 배치될 경우, 통상 처리공간(S1) 내 기판(1) 중심 측에 대한 처리율이 가장자리 측에 대한 처리율에 비해 높은 바, 제1플라즈마생성부(310)의 높이를 제2플라즈마생성부(320)의 높이보다 높게 배치할 수 있다.
즉, 상기 제1플라즈마생성부(310)는, 상기 제2플라즈마생성부(320) 보다 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 높은 위치에 배치될 수 있다.
한편, 처리되는 공정의 종류 및 공정환경에 따라 제1플라즈마생성부(310)의 높이가 제2플라즈마생성부(320)의 높이보다 낮게 배치될 수 있음은 또한 물론이다.
이때, 제1플라즈마생성부(310)의 높이를 제2플라즈마생성부(320)의 높이보다 높게 설치할 수 있으며, 복수의 제2플라즈마생성부(320)들은 제1플라즈마생성부(300) 보다 가스분사부(200) 저면으로부터 낮은 위치로서 서로 동일한 높이에 배치될 수 있다.
즉, 상기 제1플라즈마생성부(310)는, 제2플라즈마생성부(320) 보다 가스분사부(200) 저면으로부터의 수직거리가 클 수 있다.
상기 지지부(500)는, 복수의 플라즈마생성부(300)들 중 적어도 하나와 가스분사부(200) 상면 사이에 구비되어, 플라즈마생성부(300)를 가스분사부(200) 상면으로부터 이격하여 지지하는 구성일 수 있다.
즉, 상기 지지부(500)는, 플라즈마생성부(300)를 가스분사부(200) 상면으로부터 이격하여 지지함으로써, 복수의 플라즈마생성부(300)들 중 어느 하나를 다른 하나와 다른 높이에 배치되도록 유도할 수 있다.
이때, 상기 지지부(500)는, 내부에 플라즈마생성부(300)와 가스분사부(200), 보다 구체적으로는 가스도입부(211)를 연통하는 공급유로(S2)가 형성되어, 플라즈마생성부(300)로부터 가스도입부(211) 측으로 공정가스를 전달할 수 있다.
이를 위해, 상기 지지부(500)는, 중공이 형성되는 원기둥 형상으로서, 필요에 따라 적정 높이로 배치될 수 있으며, 사용자의 판단에 따라 다양한 높이의 지지부(500)들 중 어느 하나로 교체 및 설치될 수 있다.
또한, 상기 지지부(500)는, 플라즈마생성부(300)와 결합을 위하여 별도로 구비되는 도킹어댑터(1000)에 결합될 수 있으며, 보다 구체적으로는 원형 플레이트 형상의 도킹어댑터(1000) 하측에 볼트 체결을 통해 결합되며, 도킹어댑터(1000)가 플라즈마생성부(300) 저면에 볼트 결합을 통해 결합되어 지지부(500)가 플라즈마생성부(300)에 연결 및 고정될 수 있다.
한편, 상기 지지부(500)는, 다른 예로서, 길이조절이 가능한 구성일 수 있으며, 이로써 필요에 따라 플라즈마생성부(300)의 높이 조절이 필요한 경우 길이가 조절될 수 있다.
일예로, 상기 지지부(500)는, 도킹어댑터(1000)와의 볼트결합 시, 체결되는 볼트를 이용하여 높이를 적절히 조절할 수 있으며, 이때 공정가스가 전달되는 공급유로(S2)를 고려하여 벨로우즈가 추가로 구비될 수 있다.
또한, 상기 지지부(500)는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1플라즈마생성부(310) 및 제1가스도입부(211a) 사이에 설치되어 제1플라즈마생성부(310)의 높이를 제2플라즈마생성부(320) 보다 높게 유지할 수 있다.
상기 절연플레이트(600)는, 플라즈마생성부(300)와 가스분사부(200) 사이에 구비되는 구성으로서, 가스분사부(200)와 플라즈마생성부(300) 사이의 전기적 절연을 수행하는 구성일 수 있다.
즉, 상기 절연플레이트(600)는, 전기적 절연이 가능한 절연재질로 구비될 수 있으며, 후술하는 전원인가부(400)를 통해 플라즈마생성부(300)에 RF전원 인가 시 가스분사부(200)와의 사이에 차폐 및 전기적 절연을 수행할 수 있다.
또한, 상기 절연플레이트(600)는, 백킹플레이트(210)에 대한 RF전원 인가 시 플라즈마생성부(300)와의 전기적 절연을 통해 이들 사이의 전기, 자기적 간섭을 차단할 수 있다.
이를 위해, 상기 절연플레이트(600)는, 가스분사부(200)에 접촉하여 배치되며, 상면에 지지부(500)가 설치될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 절연플레이트(600)는, 가스분사부(200) 상면에 접촉하여 설치될 수 있으며, 상측에 후술하는 냉각플레이트(700)가 구비되고 냉각플레이트(700) 상측에 지지부(500)가 설치될 수 있다.
이때, 절연플레이트(600) 중심에 절연플레이트중공(601)이 형성됨으로써, 지지부(500)에 의한 공급유로(S2)가 가스도입부(211)와 연통될 수 있다.
상기 냉각플레이트(700)는, 플라즈마생성부(300)와 가스분사부(200) 사이에 구비되며, 내부에 열매체가 순환하는 순환유로가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 냉각플레이트(700)는, 가스분사부(200)와 플라즈마생성부(300) 사이에 공정가스를 공급하는 과정에서 발생할 수 있는 누출을 방지하기 위하여, 도킹어댑터(1000)와 플라즈마생성부(300), 도킹어댑터(1000)와 지지부(500), 지지부(500)와 냉각플레이트(700), 냉각플레이트(700)와 절연플레이트(600), 절연플레이트(600)와 백킹플레이트(210) 사이들 중 적어도 하나에 배치되는 실링부재(미도시)에 대한 냉각을 위해 설치될 수 있다.
즉, 고온환경에서 손상 및 내구성 저하가 발생하고 이에 따른 파티클 문제를 유발할 수 있는 실링부재를 냉각함으로써, 실링부재의 내구성을 강화하고 유지보수 및 교체주기를 증가시킬 수 있다.
이를 위해, 상기 냉각플레이트(700)는, 내부에 순환유로가 형성되며, 순환유로에 저온의 열매체를 공급함으로써, 열교환을 수행하고 순환유로를 통해 재차 열교환 후 공급되어 반복 순환할 수 있다.
상기 냉각플레이트(700) 또한, 전술한 절연플레이트(600)와 같이 공급유로(S2)가 가스도입부(211)와 연통하도록 중심을 관통하는 냉각플레이트중공(701)이 대응되는 위치에 형성될 수 있다.
한편, 상기 냉각플레이트(700)와 절연플레이트(600)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 각각을 수직으로 관통하여 결합하는 복수의 제1체결부재(720)를 통해 서로 결합될 수 있으며, 이 상태에서 냉각플레이트(700) 상면에 복수의 제2체결부재(710)가 결합되어 도킹어댑터(1000) 또는 플라즈마생성부(300) 저면을 관통하여 결합 또는 삽입됨으로써 설치될 수 있다.
이때 절연플레이트(600)또는 냉각플레이트(700)가 생략되거나, 이들의 위치가 지지부(500)와 플라즈마생성부(300) 사이에 위치하는 등 다양하게 변경될 수 있음은 또한 물론이다.
상기 전원인가부(400)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 가스분사부(200) 상면에 배치되어, 플라즈마생성부(300)에 RF전원을 인가하는 구성일 수 있다.
이때, 상기 전원인가부(400)는, 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 각각에 독립적으로 RF전원 인가 가능함으로써, 이들 플라즈마생성부(300)를 독립적으로 제어할 수 있다.
또한, 상기 전원인가부(400)는, 상기 가스분사부(200) 상면, 플라즈마생성부(300) 및 전원인가부(400)에 인접한 위치에 배치되는 매칭부(900)를 통해 전원인가부(400)로부터 공급되는 RF전원을 임피던스매칭하여 제공할 수 있다.
상기 매칭부(900)는, 플라즈마를 발생시키는 고주파 RF전력을 플라즈마생성부(300)로 공급할 때 임피던스정합을 통해 효과적인 전력의 전달을 위하여 전원인가부(400)와 플라즈마생성부(300) 사이를 연결하도록 설치될 수 있다.
상기 매칭부(900)는, 모터에 의해 구동되는 에어 가변 커패시터(AVC;Air Variable Capacity), 진공 가변 커패시터(VVC;Vacuuum Variable Capacity)로 구성될 수 있다.
따라서, 상기 매칭부(900)는, 전원인가부(400)의 출력 임피던스와 플라즈마생성부(300) 부하 임피던스를 서로 정합이 되도록 임피던스를 조절함으로써, 전원인가부(400) 출력이 플라즈마생성부(300)에 전부 공급되지 못하고 일부가 반사되어다시 되돌아오는 현상에 의하여 발생될 수 있는 파워손실과 전원인가부(400) 손상을 방지할 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100: 공정챔버 200: 가스분사부
300: 플라즈마생성부

Claims (20)

  1. 상부에 개구부가 형성되는 공정챔버(100)와;
    상기 개구부에 결합하여 상기 공정챔버(100)와 함께 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와;
    상기 가스분사부(200) 상측에 배치되어 플라즈마를 생성하며, 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 라디칼화하여 공급하는 복수의 플라즈마생성부(300)를 포함하며,
    복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 중 어느 하나는 다른 하나와 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 서로 다른 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 중 적어도 하나와 상기 가스분사부(200) 상면 사이에 구비되어, 플라즈마생성부(300)를 상기 가스분사부(200) 상면으로부터 이격하여 지지하는 지지부(500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 지지부(500)는,
    내부에 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이를 연통하는 공급유로(S2)가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 구비되는 절연플레이트(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 절연플레이트(600)는,
    상기 가스분사부(200)에 접촉하여 배치되며, 상측에 상기 지지부(500)가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마생성부(300)와 상기 가스분사부(200) 사이에 구비되며, 내부에 열매체가 순환하는 순환유로가 형성되는 냉각플레이트(700)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 플라즈마생성부(300)와 상기 지지부(500) 사이에 구비되어 상기 플라즈마생성부(300)와 상기 지지부(500) 사이를 연결하는 도킹어댑터(1000)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    복수의 상기 플라즈마생성부(300)가 배치되는 상면 중 적어도 일부에 상기 플라즈마생성부(300) 일부가 매립되어 설치되는 설치홈(201)이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마생성부(300)는,
    평면 상 상기 가스분사부(200) 중심 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제1플라즈마생성부(310)와, 평면 상 상기 가스분사부(200) 가장자리 측에 배치되어 플라즈마를 형성하며 상기 가스분사부(200)에 상기 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 제2플라즈마생성부(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1플라즈마생성부(310)는,
    상기 제2플라즈마생성부(320) 보다 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 높은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 제2플라즈마생성부(320)는, 복수개이며,
    상기 제1플라즈마생성부(310)에 대하여 평면 상 점대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    복수의 상기 제2플라즈마생성부(320)들은,
    상기 제1플라즈마생성부(310) 보다 상기 가스분사부(200) 저면으로부터 낮은 위치로서, 서로 동일한 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    상기 개구부에 설치되며 복수의 상기 플라즈마생성부(300)들에 대응되는 위치에 복수의 가스도입부(211)들이 형성되는 백킹플레이트(210)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 백킹플레이트(210)는,
    RF전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    상기 백킹플레이트(210) 하부 중 복수의 상기 가스도입부(211)들 각각에 평면 상 중첩되는 위치에 구비되는 복수의 확산플레이트(230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    상기 백킹플레이트(210)와 사이에 상기 확산플레이트(230)가 설치되는 확산공간(S3)을 형성하도록 상기 백킹플레이트(210) 하부에 설치되며, 상기 처리공간(S1)으로 상기 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공(221)들이 형성되는 분사플레이트(220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    상기 백킹플레이트(210) 하부에 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 상기 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사공(221)들이 형성되는 분사플레이트(220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    일단이 상기 백킹플레이트(210) 상면에서 접근 가능하도록 상기 백킹플레이트(210)를 관통하여 결합하고, 타단이 상기 확산플레이트(230)에 결합하여 상기 확산플레이트(230)를 지지하는 지지샤프트(240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스분사부(200) 상면에 배치되어, 상기 플라즈마생성부(300)에 RF전원을 인가하는 전원인가부(400)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 전원인가부(400)는,
    복수의 상기 플라즈마생성부(300)들 각각에 독립적으로 RF전원 인가 가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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