KR20240016939A - 반도체 장치의 제조 방법 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 Download PDF

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KR20240016939A
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다케히로 스가와라
나오히로 기무라
게이스케 오쿠보
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가부시끼가이샤 레조낙
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Abstract

다이싱·다이본딩 일체형 필름이 개시된다. 당해 다이싱·다이본딩 일체형 필름은, 기재층 및 기재층 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 마련된 접착제층을 구비한다. 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 접착제층에 대한 점착제층의 점착력은, 15N/25mm 이상이다.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름
본 개시는, 반도체 장치의 제조 방법 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 관한 것이다.
반도체 장치는 이하의 공정을 거쳐 제조된다. 먼저, 웨이퍼에 다이싱용 점착 필름을 첩부한 상태에서 다이싱 공정을 실시한다. 그 후, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 다이본딩 공정 등이 실시된다.
반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 다이싱·다이본딩 일체형 필름이라고 칭해지는 필름이 사용되고 있다. 이 필름은, 기재(基材)층과 점착제층과 접착제층이 이 순서로 적층된 구조를 가지며, 예를 들면, 다음과 같이 사용된다. 먼저, 웨이퍼에 대하여 접착제층 측의 면을 첩부함과 함께 다이싱 링으로 웨이퍼를 고정한 상태에서 웨이퍼를 다이싱한다. 이로써, 웨이퍼가 다수의 칩으로 개편화된다. 계속해서, 점착제층에 대하여 자외선을 조사(照射)함으로써 접착제층에 대한 점착제층의 점착력을 저하시킨 후, 접착제층이 개편화되어 이루어지는 접착제편과 함께 칩을 점착제층으로부터 픽업한다. 그 후, 접착제편을 개재하여 칩을 기판 등에 마운팅하는 공정을 거쳐 반도체 장치가 제조된다. 또한, 다이싱 공정을 거쳐 얻어지는 칩과, 이것에 부착된 접착제편으로 이루어지는 적층체는 접착제편 부착 칩이라고 칭해진다.
종래, 웨이퍼 및 접착제층의 다이싱 방법으로서는, 블레이드 등에 의한 절단인 블레이드 다이싱이 널리 알려져 있다. 최근, 반도체 패키지의 고집적화 및 웨이퍼의 박화에 따라, 스텔스 다이싱이 보급되고 있다(특허문헌 1, 2 참조). 스텔스 다이싱은, 레이저에 의하여 가공 대상물의 내부에 절단 예정 라인을 형성한 후, 절단 예정 라인을 따라 웨이퍼 및 접착제층을 절단함으로써, 접착제편 부착 칩을 얻는 방법이다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2002-192370호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2003-338467호
그런데, 박화된 칩을 이용한 접착제편 부착 칩의 제조에 있어서, 수율이 저하된다는 문제가 있다. 본 발명자들의 검토에 의하면, 접착제편 부착 칩을 점착제층으로부터 픽업하기 전에, 접착제편 부착 칩의 단부와 점착제층의 사이에서의 박리가 발생하는 경우가 있는 것이 발견되었다. 이와 같은 박리가 발생하면, 점착제층의 박리된 부분이 산소에 닿아 버려, 자외선을 조사했을 때에 점착력이 충분히 저하되지 않고, 픽업성이 저하되는 경향이 있다.
또, 칩에는 얼라인먼트 마크가 형성되어 있고, 점착제층으로부터 접착제편 부착 칩을 픽업하는 장치는, 이 얼라인먼트 마크를 인식함으로써, 픽업되는 접착제편 부착 칩의 위치를 특정하고 있다. 그 때문에, 이와 같은 박리가 발생하면, 점착제층의 박리된 부분이 변색되어 버려, 픽업되는 접착제편 부착 칩의 위치를 특정할 수 없고, 픽업성이 저하되는 경우가 있다.
따라서, 본 개시는, 픽업성의 저하를 억제하는 것이 가능한 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 제공한다. 또, 본 개시는, 이와 같은 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 개시의 일 측면은, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 당해 반도체 장치의 제조 방법은, 이하의 공정을 구비한다.
(A) 기재층 및 기재층 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 마련된 접착제층을 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정(준비 공정)
(B) 웨이퍼를 다이싱하는 공정(다이싱 공정)
(C) 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착제층에 대하여 웨이퍼를 첩부하는 공정(웨이퍼 첩부 공정)
(D) 기재층을 냉각 조건하에 있어서 익스팬딩함으로써, 웨이퍼 및 접착제층이 개편화되어 이루어지는 접착제편 부착 칩을 얻는 공정(냉각 익스팬드 공정)
(E) 점착제층에 자외선을 조사함으로써, 접착제편 부착 칩에 대한 점착제층의 점착력을 저하시키는 공정(자외선 조사 공정)
(F) 접착제편 부착 칩을 점착제층으로부터 픽업하는 공정(픽업 공정)
(G) 픽업된 접착제편 부착 칩을 기판 또는 다른 칩 상에 마운팅하는 공정(마운트 공정)
(A) 공정에서 준비되는 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 접착제층에 대한 점착제층의 점착력은 15N/25mm 이상이다.
이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 소정의 점착력을 갖는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 이용함으로써, 접착제편 부착 칩을 점착제층으로부터 픽업하기 전((F) 공정보다 전)에, 접착제편 부착 칩의 단부와 점착제층의 사이에서의 박리의 발생을 억제할 수 있어, 픽업성의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 이로써, 충분히 높은 수율로 반도체 장치를 제조하는 것이 가능해진다.
(A) 공정에서 준비되는 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 점착제층에 대하여 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선이 조사된 후에, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 접착제층에 대한 자외선 조사 후의 점착제층의 점착력은 1N/25mm 이하여도 된다.
(A) 공정에서 준비되는 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 다이싱 필름의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률은 100MPa 이상이어도 된다. 소정의 저장 탄성률을 갖는 다이싱 필름을 이용함으로써, 냉각 익스팬드 공정((D) 공정)에 있어서, 익스팬드 시의 충격 및 응력에 의하여, 접착제편 부착 칩의 외주부의 접착제가 파단되어, 개개의 접착제편 부착 칩에 분단되기 쉬워지는 경향이 있다.
본 개시의 다른 일 측면은, 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 관한 것이다. 당해 다이싱·다이본딩 일체형 필름은, 기재층 및 기재층 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 마련된 접착제층을 구비한다. 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 접착제층에 대한 점착제층의 점착력은 15N/25mm 이상이다. 점착제층에 대하여 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선이 조사된 후에, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 접착제층에 대한 자외선 조사 후의 점착제층의 점착력은 1N/25mm 이하여도 된다. 다이싱 필름의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률은 100MPa 이상이어도 된다.
본 개시에 의하면, 픽업성의 저하를 억제하는 것이 가능한 다이싱·다이본딩 일체형 필름이 제공된다. 또, 본 개시에 의하면, 이와 같은 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1의 (a)는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 일 실시형태를 나타내는 평면도이고, 도 1의 (b)는, 도 1의 (a)에 나타내는 B-B선을 따른 모식 단면도이다.
도 2는, 접착제층에 대한 점착제층의 30° 필(peel) 강도를 측정하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 반도체 장치의 일 실시형태의 모식 단면도이다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는, 접착제편 부착 칩을 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a), 도 5의 (b), 및 도 5의 (c)는, 접착제편 부착 칩을 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 도 3에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 개시의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 개시는 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중, "~"를 이용하여 나타난 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최댓값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어느 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 다른 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다. 또, 개별적으로 기재된 상한값 및 하한값은 임의로 조합 가능하다. 또, 본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"란, 아크릴레이트, 및, 그에 대응하는 메타크릴레이트 중 적어도 일방을 의미한다. "(메트)아크릴로일", "(메트)아크릴산" 등의 다른 유사한 표현에 있어서도 동일하다. 또, "(폴리)"란 "폴리"의 접두어가 있는 경우와 없는 경우의 쌍방을 의미한다. 또, "A 또는 B"란, A 및 B 중 어느 일방을 포함하고 있으면 되고, 양방 모두 포함하고 있어도 된다. 또, 이하에서 예시하는 재료는, 특별히 설명하지 않는 한, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 설명하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수의 물질의 합계량을 의미한다.
[다이싱·다이본딩 일체형 필름]
도 1의 (a)는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 일 실시형태를 나타내는 평면도이고, 도 1의 (b)는, 도 1의 (a)에 나타내는 B-B선을 따른 모식 단면도이다. 다이싱·다이본딩 일체형 필름(10)(이하, 경우에 따라, 간단히 "필름(10)"이라고 한다.)은, (A) 공정~(G) 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 프로세스에 적합하게 이용할 수 있다.
필름(10)은, 기재층(1) 및 기재층(1) 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층(3)을 포함하는 다이싱 필름(7)과, 다이싱 필름(7)의 점착제층(3) 상에 마련된 접착제층(5)을 구비한다. 필름(10)은, 기재층(1)과, 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층(3)과, 접착제층(5)을 이 순서로 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 정사각형의 기재층(1) 상에, 점착제층(3) 및 접착제층(5)의 적층체가 하나 형성된 양태를 예시하고 있지만, 기재층(1)이 소정의 길이(예를 들면, 100m 이상)를 갖고, 그 길이 방향으로 나열되도록, 점착제층(3) 및 접착제층(5)의 적층체가 소정의 간격으로 배치된 양태여도 된다.
<다이싱 필름>
다이싱 필름(7)은, 기재층(1) 및 기재층(1) 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층(3)을 포함한다.
(점착제층)
접착제층(5)에 대한(자외선 조사 전의) 점착제층(3)의 점착력은 15N/25mm 이상이다. 이 점착력은, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는 30° 필 강도이다. 도 2는, 접착제층에 대한 점착제층의 30° 필 강도를 측정하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 점착제층(3)의 30° 필 강도는, 지지판(80)에 측정 시료(폭 25mm×길이 100mm)의 접착제층(5)을 고정한 상태에서 측정된다. 접착제층(5)에 대한 점착제층(3)의 점착력(30° 필 강도)이 이와 같은 범위에 있으면, 접착제편 부착 칩을 점착제층으로부터 픽업하기 전((F) 공정보다 전)에, 접착제편 부착 칩의 단부와 점착제층의 사이에서의 박리의 발생을 억제할 수 있어, 픽업성의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 이로써, 충분히 높은 수율로 반도체 장치를 제조하는 것이 가능해진다. 접착제층(5)에 대한 점착제층(3)의 점착력은, 16N/25mm 이상, 18N/25mm 이상, 또는 20N/25mm 이상이어도 된다. 접착제층(5)에 대한 점착제층(3)의 점착력은, 예를 들면, 30N/25mm 이하여도 된다.
점착제층(3)에 대하여 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선(주(主)파장: 365nm)이 조사된 후의 접착제층(5)에 대한 자외선 조사 후의 점착제층(3)의 점착력은 1N/25mm 이하여도 되고, 0.9N/25mm 이하여도 된다. 접착제층(5)에 대한 자외선 조사 후의 점착제층(3)의 점착력이 이와 같은 범위에 있으면, 우수한 픽업성을 달성하는 것이 가능해진다. 접착제층(5)에 대한 자외선 조사 후의 점착제층(3)의 점착력은, 0.2N/25mm 이상, 0.4N/25mm 이상, 또는 0.6N/25mm 이상이어도 된다. 또한, 당해 점착력은, 상기와 동일하게, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는 30° 필 강도이다(도 2 참조).
본 실시형태에 있어서는, 예를 들면, 후술하는 (메트)아크릴계 수지 A에 있어서의 연쇄 중합 가능한 관능기의 함유량(관능기 도입 화합물의 함유량), (메트)아크릴계 수지 A를 가교시키기 위한 가교제의 함유량 등을 조정함으로써, 또는, 예를 들면, 그 외의 수지(아크릴 모노머 또는 올리고머, 유레테인 모노머 또는 올리고머 등), 점착성 부여제(태키파이어 등) 등을 첨가함으로써, 접착제층(5)에 대한 점착제층(3)의 점착력 및 접착제층(5)에 대한 자외선 조사 후의 점착제층(3)의 점착력을 조정할 수 있다.
점착제층(3)은, 예를 들면, 연쇄 중합 가능한 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 수지(본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴계 수지 A"라고 하는 경우가 있다.)와, 광중합 개시제를 포함하는 자외선 경화형 점착제로 이루어진다. (메트)아크릴계 수지 A는, 그 적어도 일부가 가교제에 의하여 가교되어 있어도 된다. 이하, 자외선 경화형 점착제의 함유 성분에 대하여 상세하게 설명한다.
·연쇄 중합 가능한 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 수지
자외선 경화형 점착제는, (메트)아크릴계 수지 A를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 (메트)아크릴계 수지 A를 포함하는 경우, 관능기는, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기로부터 선택되는 적어도 1종이어도 된다. (메트)아크릴계 수지에 있어서의 관능기의 함유량은, 1.0mmol/g 이상이어도 되고, 1.1mmol/g 이상 또는 1.2mmol/g 이상이어도 된다. (메트)아크릴계 수지 A에 있어서의 관능기의 함유량이 1.0mmol/g 이상이면, 접착제편 부착 칩을 점착제층으로부터 픽업하기 전((F) 공정보다 전)에, 접착제편 부착 칩의 단부와 점착제층의 사이에서의 박리의 발생을 억제할 수 있어, 픽업성의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. (메트)아크릴계 수지 A에 있어서의 관능기의 함유량은, 픽업성의 관점에서, 1.5mmol/g 이하여도 된다.
(메트)아크릴계 수지 A는, 수산기, 글리시딜기(에폭시기), 아미노기 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 수지(이하, "(메트)아크릴계 수지 a"라고 하는 경우가 있다.)와, 후술하는 관능기 도입 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. (메트)아크릴계 수지 A는, (메트)아크릴계 수지 a와 관능기 도입 화합물의 반응물이라고 할 수도 있다.
(메트)아크릴계 수지 a는, 이미 알려진 방법으로 합성함으로써 얻을 수 있다. 합성 방법으로서는, 예를 들면, 용액 중합법, 현탁 중합법, 유화 중합법, 괴상(塊狀) 중합법, 석출 중합법, 기상(氣相) 중합법, 플라즈마 중합법, 초임계 중합법을 들 수 있다. 또, 중합 반응의 종류로서는, 라디칼 중합, 양이온 중합, 음이온 중합, 리빙 라디칼 중합, 리빙 양이온 중합, 리빙 음이온 중합, 배위 중합, 이모탈 중합 등 외에, ATRP(원자 이동 라디칼 중합) 및 RAFT(가역적 부가 개열 연쇄 이동 중합)와 같은 수법도 들 수 있다. 이 중에서도, 용액 중합법을 이용하여 라디칼 중합에 의하여 합성하는 것은, 양호한 경제성, 높은 반응률, 중합 제어의 용이성 등 외에, 중합으로 얻어진 수지 용액을 그대로 이용하여 배합할 수 있는 등의 이점을 갖는다.
여기에서, 용액 중합법을 이용하여 라디칼 중합에 의하여, (메트)아크릴계 수지 a를 얻는 방법을 예로, (메트)아크릴계 수지 a의 합성법에 대하여 상세하게 설명한다.
(메트)아크릴계 수지 a를 합성할 때에 이용되는 모노머로서는, 1분자 중에 1개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 것이면 특별히 제한은 없다. 그 구체예로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 뷰틸(메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸(메트)아크릴레이트, tert-뷰틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 아이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸헵틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 트라이데실(메트)아크릴레이트, 테트라데실(메트)아크릴레이트, 펜타데실(메트)아크릴레이트, 헥사데실(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 베헨일(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)석시네이트 등의 지방족 (메트)아크릴레이트; 사이클로펜틸(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 사이클로펜틸(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜텐일(메트)아크릴레이트, 아이소보닐(메트)아크릴레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)테트라하이드로프탈레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)헥사하이드로프탈레이트 등의 지환식 (메트)아크릴레이트; 벤질(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, o-바이페닐(메트)아크릴레이트, 1-나프틸(메트)아크릴레이트, 2-나프틸(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, p-큐밀페녹시에틸(메트)아크릴레이트, o-페닐페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 1-나프톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-나프톡시에틸(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(o-페닐페녹시)프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(1-나프톡시)프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(2-나프톡시)프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향족 (메트)아크릴레이트; 2-테트라하이드로퍼퓨릴(메트)아크릴레이트, N-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈이미드, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-N-카바졸 등의 복소환식 (메트)아크릴레이트, 이들의 카프로락톤 변성체, ω-카복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, α-에틸글리시딜(메트)아크릴레이트, α-프로필글리시딜(메트)아크릴레이트, α-뷰틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-에틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-프로필글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시뷰틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, α-에틸-6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸(메트)아크릴레이트, o-바이닐벤질글리시딜에터, m-바이닐벤질글리시딜에터, p-바이닐벤질글리시딜에터 등의 에틸렌성 불포화기와 에폭시기를 갖는 화합물; (2-에틸-2-옥세탄일)메틸(메트)아크릴레이트, (2-메틸-2-옥세탄일)메틸(메트)아크릴레이트, 2-(2-에틸-2-옥세탄일)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(2-메틸-2-옥세탄일)에틸(메트)아크릴레이트, 3-(2-에틸-2-옥세탄일)프로필(메트)아크릴레이트, 3-(2-메틸-2-옥세탄일)프로필(메트)아크릴레이트 등의 에틸렌성 불포화기와 옥세탄일기를 갖는 화합물; 2-(메트)아크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트 등의 에틸렌성 불포화기와 아이소사이아네이트기를 갖는 화합물; 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트, 3-클로로-2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트 등의 에틸렌성 불포화기와 하이드록실기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들을 적절히 조합하여 목적으로 하는 (메트)아크릴계 수지 a를 얻을 수 있다.
(메트)아크릴계 수지 a는, 후술하는 관능기 도입 화합물 또는 가교제와의 반응점으로서, 수산기, 글리시딜기(에폭시기), 아미노기 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖고 있다. 수산기를 갖는 (메트)아크릴계 수지 a를 합성하기 위한 모노머로서는, 예를 들면, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트, 3-클로로-2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트 등의 에틸렌성 불포화기와 하이드록실기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
글리시딜기를 갖는 (메트)아크릴계 수지 a를 합성하기 위한 모노머로서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, α-에틸글리시딜(메트)아크릴레이트, α-프로필글리시딜(메트)아크릴레이트, α-뷰틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-에틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-프로필글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시뷰틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, α-에틸-6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸(메트)아크릴레이트, o-바이닐벤질글리시딜에터, m-바이닐벤질글리시딜에터, p-바이닐벤질글리시딜에터 등의 에틸렌성 불포화기와 에폭시기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
(메트)아크릴계 수지 A는, 연쇄 중합 가능한 관능기를 포함한다. 연쇄 중합 가능한 관능기는, 예를 들면, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기로부터 선택되는 적어도 1종이다. 연쇄 중합 가능한 관능기는, 예를 들면, 상술한 바와 같이 합성된 수산기, 글리시딜기(에폭시기), 아미노기 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 수지 a에, 이하의 화합물(관능기 도입 화합물)을 반응시킴으로써, 당해 (메트)아크릴계 수지 a 중에 도입할 수 있다. 관능기 도입 화합물의 구체예로서, 2-메타크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트, α,α-다이메틸-4-아이소프로펜일벤질아이소사이아네이트, 알릴아이소사이아네이트, 1,1-(비스아크릴옥시메틸)에틸아이소사이아네이트; 다이아이소사이아네이트 화합물 또는 폴리아이소사이아네이트 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트 또는 4-하이드록시뷰틸에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의하여 얻어지는 아크릴로일모노아이소사이아네이트 화합물; 다이아이소사이아네이트 화합물 또는 폴리아이소사이아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의하여 얻어지는 아크릴로일모노아이소사이아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 관능기 도입 화합물은, 2-메타크릴옥시에틸아이소사이아네이트여도 된다.
(메트)아크릴계 수지 A는, 주로, 수산기, 글리시딜기(에폭시기), 아미노기 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 반응점으로서, 그 반응점의 일부가 가교제에 의하여 가교되어 있어도 된다. 즉, (메트)아크릴계 수지 A의 적어도 일부는, 가교제에 의하여 가교되어 있어도 된다. 자외선 경화형 점착제는, (메트)아크릴계 수지 A로서, 연쇄 중합 가능한 관능기를 갖는, 가교제에 의하여 가교된 (메트)아크릴계 수지를 포함하고 있어도 된다.
가교제는, 예를 들면, 점착제층의 저장 탄성률 및/또는 점착성의 제어를 목적으로 이용된다. 가교제는, (메트)아크릴계 수지 A가 갖는 수산기, 글리시딜기, 아미노기 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이면 된다. (메트)아크릴계 수지 A와 가교제의 반응에 의하여 형성되는 결합으로서는, 예를 들면, 에스터 결합, 에터 결합, 아마이드 결합, 이미드 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합 등을 들 수 있다.
가교제는, 예를 들면, 1분자 중에 2개 이상의 아이소사이아네이트기를 갖는 다관능 아이소사이아네이트여도 된다. 이와 같은 다관능 아이소사이아네이트를 이용하면, (메트)아크릴계 수지 A가 갖는 수산기, 글리시딜기, 아미노기 등과 용이하게 반응하여, 강고한 가교 구조를 형성할 수 있다.
1분자 중에 2개 이상의 아이소사이아네이트기를 갖는 다관능 아이소사이아네이트로서는, 예를 들면, 2,4-톨릴렌다이아이소사이아네이트, 2,6-톨릴렌다이아이소사이아네이트, 1,3-자일릴렌다이아이소사이아네이트, 1,4-자일릴렌다이아이소사이아네이트, 다이페닐메테인-4,4'-다이아이소사이아네이트, 다이페닐메테인-2,4'-다이아이소사이아네이트, 3-메틸다이페닐메테인다이아이소사이아네이트, 헥사메틸렌다이아이소사이아네이트, 아이소포론다이아이소사이아네이트, 다이사이클로헥실메테인-4,4'-다이아이소사이아네이트, 다이사이클로헥실메테인-2,4'-다이아이소사이아네이트, 라이신아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트 화합물 등을 들 수 있다.
가교제는, 다관능 아이소사이아네이트와, 1분자 중에 2개 이상의 하이드록시기를 갖는 다가 알코올의 반응물(아이소사이아네이트기 함유 올리고머)이어도 된다. 1분자 중에 2개 이상의 하이드록시기를 갖는 다가 알코올로서는, 예를 들면, 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 뷰틸렌글라이콜, 1,6-헥세인다이올, 1,8-옥테인다이올, 1,9-노네인다이올, 1,10-데케인다이올, 1,11-운데케인다이올, 1,12-도데케인다이올, 글리세린, 트라이메틸올프로페인, 펜타에리트리톨, 다이펜타에리트리톨, 1,4-사이클로헥세인다이올, 1,3-사이클로헥세인다이올 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 가교제는, 1분자 중에 2개 이상의 아이소사이아네이트기를 갖는 다관능 아이소사이아네이트와, 1분자 중에 3개 이상의 하이드록시기를 갖는 다가 알코올의 반응물(아이소사이아네이트기 함유 올리고머)이어도 된다. 이와 같은 아이소사이아네이트기 함유 올리고머를 가교제로서 이용함으로써, 점착제층(3)이 치밀한 가교 구조를 형성하고, 이로써, 픽업 공정에 있어서 접착제층(5)에 점착제가 부착되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.
(메트)아크릴계 수지 A를 가교제와 반응시킬 때의 가교제의 함유량은, 점착제층에 대하여 요구되는 응집력, 파단 신장률, 접착제층과의 밀착성 등에 따라 적절히 설정할 수 있다. 구체적으로는, 가교제의 함유량은, (메트)아크릴계 수지 A의 총량 100질량부에 대하여, 예를 들면, 0.1~10질량부, 0.2~7질량부, 또는 0.3~5질량부여도 된다. 가교제의 함유량이 이와 같은 범위에 있으면, 다이싱 공정에 있어서 점착제층에 요구되는 특성과, 다이본딩 공정에 있어서 점착제층에 요구되는 특성을 양호한 밸런스로 양립시키는 것이 가능함과 함께, 우수한 픽업성도 달성할 수 있다.
가교제의 함유량이 (메트)아크릴계 수지 A의 총량 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상이면, 가교 구조의 형성이 불충분해지기 어렵고, 픽업 공정에 있어서, 접착제층과의 계면 밀착력이 충분히 저하되어 픽업 시에 불량이 발생되기 어려운 경향이 있다. 한편, 가교제의 함유량이 (메트)아크릴계 수지 A의 총량 100질량부에 대하여 10질량부 이하이면, 점착제층이 과도하게 단단해지기 어렵고, 익스팬드 공정에 있어서 칩이 박리되기 어려운 경향이 있다.
(메트)아크릴계 수지 A는, 자외선 경화형 점착제(또는 점착제층(3))의 주성분일 수 있다. (메트)아크릴계 수지 A의 함유량은, 자외선 경화형 점착제(또는 점착제층(3))의 전체량을 기준으로 하여, 80질량% 이상, 85질량% 이상, 90질량% 이상, 95질량% 이상, 또는 98질량% 이상이어도 된다.
·광중합 개시제
광중합 개시제는, 자외선을 조사함으로써 연쇄 중합 가능한 활성종을 발생하는 것이면, 특별히 제한은 없다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 광라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 여기에서 연쇄 중합 가능한 활성종이란, 연쇄 중합 가능한 관능기와 반응함으로써 중합 반응이 개시되는 것을 의미한다.
광라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, 2,2-다이메톡시-1,2-다이페닐에탄-1-온 등의 벤조인케탈; 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등의 α-하이드록시케톤; 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄-1-온, 1,2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노프로판-1-온 등의 α-아미노케톤; 1-[4-(페닐싸이오)페닐]-1,2-옥타다이온-2-(벤조일)옥심 등의 옥심에스터; 비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-다이메톡시벤조일)-2,4,4-트라이메틸펜틸포스핀옥사이드, 2,4,6-트라이메틸벤조일다이페닐포스핀옥사이드 등의 포스핀옥사이드; 2-(o-클로로페닐)-4,5-다이페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-다이(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-다이페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-다이페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-다이페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트라이아릴이미다졸 이량체; 벤조페논, N,N,N',N'-테트라메틸-4,4'-다이아미노벤조페논, N,N,N',N'-테트라에틸-4,4'-다이아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-다이메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논 화합물; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-뷰틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-다이페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-다이메틸안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 벤조인메틸에터, 벤조인에틸에터, 벤조인페닐에터 등의 벤조인에터; 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물; 벤질다이메틸케탈 등의 벤질 화합물; 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리딘일헵테인) 등의 아크리딘 화합물; N-페닐글라이신, 쿠마린 등을 들 수 있다.
자외선 경화형 점착제에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은, (메트)아크릴계 수지 A의 총량 100질량부에 대하여, 0.1~30질량부, 0.3~10질량부, 또는 0.5~5질량부여도 된다. 광중합 개시제의 함유량이, (메트)아크릴계 수지 A의 총량 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상이면, 점착제층이 자외선 조사 후에 있어서 충분히 경화되어, 픽업 불량이 일어나기 어려운 경향이 있다. 광중합 개시제의 함유량이, (메트)아크릴계 수지 A의 총량 100질량부에 대하여, 30질량부 이하이면, 접착제층에 대한 오염(광중합 개시제의 접착제층에 대한 전사(轉寫))을 방지할 수 있는 경향이 있다.
자외선 경화형 점착제는, 그 외의 성분을 포함하고 있어도 된다. 그 외의 성분으로서는, 예를 들면, 연쇄 중합 가능한 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 수지 이외의 수지(아크릴 모노머 또는 올리고머, 유레테인 모노머 또는 올리고머 등), 점착성 부여제(태키파이어 등) 등을 들 수 있다.
점착제층(3)의 두께는, 익스팬드 공정의 조건(온도, 장력 등)에 따라 적절히 설정하면 되고, 예를 들면, 1~100μm, 2~50μm, 3~20μm 또는 5~15μm여도 된다. 점착제층(3)의 두께가 1μm 이상이면, 점착성이 불충분해지기 어렵고, 100μm 이하이면, 익스팬드 시에 커프 폭이 넓어져(핀 밀어 올림 시에 응력을 완화하지 않고), 픽업이 불충분해지기 어려운 경향이 있다.
점착제층(3)은, 기재층(1) 상에 형성되어 있다. 점착제층(3)의 형성 방법으로서는, 이미 알려진 수법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 기재층(1)과 점착제층(3)의 적층체를 2층 압출법으로 형성해도 되고, 자외선 경화형 점착제의 바니시(점착제층 형성용의 바니시)를 조제하여, 이것을 기재층(1)의 표면에 도공하거나, 혹은, 이형(離型) 처리된 필름 상에 점착제층(3)을 형성하여, 이것을 기재층(1)에 전사해도 된다.
자외선 경화형 점착제의 바니시(점착제층 형성용의 바니시)는, (메트)아크릴계 수지 A, 광중합 개시제, 및 가교제를 용해할 수 있는 유기 용제이며 가열에 의하여 휘발되는 것이어도 된다. 유기 용제의 구체예로서는, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 큐멘, p-사이멘 등의 방향족 탄화 수소; 테트라하이드로퓨란, 1,4-다이옥세인 등의 환 형상 에터; 메탄올, 에탄올, 아이소프로판올, 뷰탄올, 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 등의 알코올; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등의 케톤; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤 등의 에스터; 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 탄산 에스터; 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜다이메틸에터, 에틸렌글라이콜다이에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜다이메틸에터, 프로필렌글라이콜다이에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이에틸에터 등의 다가 알코올알킬에터; 에틸렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트 등의 다가 알코올알킬에터아세테이트; N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아마이드 등을 들 수 있다.
이들 중에서, 유기 용제는, 용해성 및 비점의 관점에서, 예를 들면, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 아이소프로판올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 에틸렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 및 N,N-다이메틸아세트아마이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이어도 된다. 바니시의 고형분 농도는, 통상, 10~60질량%이다.
(기재층)
기재층(1)은, 이미 알려진 폴리머 시트 또는 필름을 이용할 수 있고, 저온 조건하에 있어서, 익스팬드 공정을 실시 가능한 것이면, 특별히 제한되지 않는다. 기재층(1)의 구체예로서는, 결정성 폴리프로필렌, 비정성 폴리프로필렌, 고밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 저밀도 직쇄 폴리에틸렌, 폴리뷰텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터(랜덤, 교호(交互)) 공중합체, 에틸렌-뷰텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리유레테인, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터에터케톤, 폴리이미드, 폴리에터이미드, 폴리아마이드, 전체 방향족 폴리아마이드, 폴리페닐설파이드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리 염화 바이닐, 폴리 염화 바이닐리덴, 셀룰로스계 수지, 실리콘 수지, 또는, 이들에 가소제를 혼합한 혼합물, 혹은, 전자선 조사에 의하여 가교를 실시한 경화물을 들 수 있다.
기재층(1)은, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌-폴리프로필렌 랜덤 공중합체, 및 폴리에틸렌-폴리프로필렌 블록 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지를 주성분으로 하는 표면을 가지며, 이 표면과 점착제층(3)이 접하고 있는 것이어도 된다. 이들 수지는, 영률, 응력 완화성, 융점 등의 특성, 가격면, 사용 후의 폐재(廢材) 리사이클 등의 관점에서도 양호한 기재가 될 수 있다. 기재층(1)은, 단층이어도 되고, 필요에 따라, 상이한 재질로 이루어지는 층이 적층된 다층 구조를 갖고 있어도 된다. 점착제층(3)과의 밀착성을 제어하는 관점에서, 기재층(1)은, 그 표면에 대하여, 매트 처리, 코로나 처리 등의 표면 조화(粗化) 처리를 실시해도 된다.
기재층(1)의 두께는, 예를 들면, 10~200μm 또는 20~170μm여도 된다.
다이싱 필름(7)(기재층(1) 및 기재층(1) 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층(3)을 포함하는 다이싱 필름(7))의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률은 100MPa 이상이어도 된다. 다이싱 필름(7)의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률이 이와 같은 범위에 있으면, 냉각 익스팬드 공정((D) 공정)에 있어서, 익스팬드 시의 충격 및 응력에 의하여, 접착제편 부착 칩의 외주부의 접착제가 파단되어, 개개의 접착제편 부착 칩에 분단되기 쉬워지는 경향이 있다. 다이싱 필름(7)의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률은 300MPa 이상 또는 500MPa 이상이어도 된다. 다이싱 필름(7)의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률은, 예를 들면, 1000MPa 이하여도 된다. 또한, 저장 탄성률은, 이하의 장치 및 조건에 의한 측정으로 얻어지는 값을 의미한다.
·동적 점탄성 측정 장치: Rheogel E-4000(주식회사 유비엠제)
·측정 대상: 자외선 경화형 점착제의 필름상 성형물(다이싱 필름)(폭: 4mm, 길이: 40mm)
·승온 속도: 3℃/분
·주파수: 1Hz
·척간 거리: 20mm,
·하중 조건: 자동 정하중
<접착제층>
접착제층(5)에는, 이미 알려진 다이본딩 필름을 구성하는 접착제 조성물을 적용할 수 있다. 구체적으로는, 접착제층(5)을 구성하는 접착제 조성물은, 에폭시 수지와, 에폭시 수지 경화제와, 반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체를 포함하고 있어도 된다. 접착제층(5)을 구성하는 접착제 조성물은, 경화 촉진제와, 필러를 더 포함하고 있어도 된다. 이들 성분을 포함하는 접착제층(5)에 의하면, 칩/기판 사이, 칩/칩 사이의 접착성이 우수하고, 또, 전극 매립성, 와이어 매립성 등도 부여 가능하며, 또한 다이본딩 공정에서는 저온에서 접착할 수 있고, 단시간에 우수한 경화가 얻어지는, 밀봉제로 몰드한 후에는 우수한 신뢰성을 갖는 등의 특징을 갖는 경향이 있다.
에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀(S)형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 바이페놀의 다이글리시딜에터화물, 나프탈렌다이올의 다이글리시딜에터화물, 페놀류의 다이글리시딜에터화물, 알코올류의 다이글리시딜에터화물, 및 이들의 알킬 치환체, 할로젠화물, 수소 첨가물 등의 2관능 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또, 다관능 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 등의 일반적으로 알려져 있는 그 외의 에폭시 수지를 적용해도 된다. 또한, 특성을 저해하지 않는 범위에서 에폭시 수지 이외의 성분이 불순물로서 포함되어 있어도 된다.
에폭시 수지 경화제로서는, 예를 들면, 페놀 화합물과 2가의 연결기인 자일릴렌 화합물을, 무촉매 또는 산촉매의 존재하에 반응시켜 얻을 수 있는 페놀 수지 등을 들 수 있다. 페놀 수지의 제조에 이용되는 페놀 화합물로서는, 예를 들면, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, p-에틸페놀, o-n-프로필페놀, m-n-프로필페놀, p-n-프로필페놀, o-아이소프로필페놀, m-아이소프로필페놀, p-아이소프로필페놀, o-n-뷰틸페놀, m-n-뷰틸페놀, p-n-뷰틸페놀, o-아이소뷰틸페놀, m-아이소뷰틸페놀, p-아이소뷰틸페놀, 옥틸페놀, 노닐페놀, 2,4-자일렌올, 2,6-자일렌올, 3,5-자일렌올, 2,4,6-트라이메틸페놀, 레조신, 카테콜, 하이드로퀴논, 4-메톡시페놀, o-페닐페놀, m-페닐페놀, p-페닐페놀, p-사이클로헥실페놀, o-알릴페놀, p-알릴페놀, o-벤질페놀, p-벤질페놀, o-클로로페놀, p-클로로페놀, o-브로모페놀, p-브로모페놀, o-아이오도페놀, p-아이오도페놀, o-플루오로페놀, m-플루오로페놀, p-플루오로페놀 등을 들 수 있다. 페놀 수지의 제조에 이용되는 2가의 연결기인 자일릴렌 화합물로서는, 다음으로 나타내는 자일릴렌다이할라이드, 자일릴렌다이글라이콜 및 그 유도체를 이용할 수 있다. 즉, 자일릴렌 화합물의 구체예로서는, α,α'-다이클로로-p-자일렌, α,α'-다이클로로-m-자일렌, α,α'-다이클로로-o-자일렌, α,α'-다이브로모-p-자일렌, α,α'-다이브로모-m-자일렌, α,α'-다이브로모-o-자일렌, α,α'-다이아이오도-p-자일렌, α,α'-다이아이오도-m-자일렌, α,α'-다이아이오도-o-자일렌, α,α'-다이하이드록시-p-자일렌, α,α'-다이하이드록시-m-자일렌, α,α'-다이하이드록시-o-자일렌, α,α'-다이메톡시-p-자일렌, α,α'-다이메톡시-m-자일렌, α,α'-다이메톡시-o-자일렌, α,α'-다이에톡시-p-자일렌, α,α'-다이에톡시-m-자일렌, α,α'-다이에톡시-o-자일렌, α,α'-다이-n-프로폭시-p-자일렌, α,α'-다이-n-프로폭시-m-자일렌, α,α'-다이-n-프로폭시-o-자일렌, α,α'-다이-아이소프로폭시-p-자일렌, α,α'-다이아이소프로폭시-m-자일렌, α,α'-다이아이소프로폭시-o-자일렌, α,α'-다이-n-뷰톡시-p-자일렌, α,α'-다이-n-뷰톡시-m-자일렌, α,α'-다이-n-뷰톡시-o-자일렌, α,α'-다이아이소뷰톡시-p-자일렌, α,α'-다이아이소뷰톡시-m-자일렌, α,α'-다이아이소뷰톡시-o-자일렌, α,α'-다이-tert-뷰톡시-p-자일렌, α,α'-다이-tert-뷰톡시-m-자일렌, α,α'-다이-tert-뷰톡시-o-자일렌 등을 들 수 있다.
페놀 화합물과 자일릴렌 화합물을 반응시킬 때에는, 염산, 황산, 인산, 폴리인산 등의 광산(鑛酸)류; 다이메틸 황산, 다이에틸 황산, p-톨루엔설폰산, 메테인설폰산, 에테인설폰산 등의 유기 카복실산류; 트라이플루오로메테인설폰산 등의 초강산류; 알케인설폰산형 이온 교환 수지 등의 강산성 이온 교환 수지류; 퍼플루오로알케인설폰산형 이온 교환 수지 등의 초강산성 이온 교환 수지류(상품명: 나피온, Nafion, Du Pont사제, "나피온"은 등록 상표); 천연 및 합성 제올라이트류; 활성 백토(산성 백토)류 등의 산성 촉매를 이용하여, 50~250℃에 있어서 실질적으로 원료인 자일릴렌 화합물이 소실되고, 또한 반응 조성이 일정해질 때까지 반응시킴으로써 페놀 수지를 얻을 수 있다. 반응 시간은, 원료 및 반응 온도에 의하여 적절히 설정할 수 있고, 예를 들면, 1~15시간 정도로 할 수 있으며, GPC(젤 퍼미에이션 크로마토그래피) 등에 의하여 반응 조성을 추적하면서 결정할 수 있다.
반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체는, 예를 들면, 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체여도 된다. 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체는, 원료로서 글리시딜(메트)아크릴레이트를, 얻어지는 공중합체에 대하여 0.5~6질량%가 되는 양 이용하여 얻어지는 공중합체여도 된다. 글리시딜(메트)아크릴레이트의 함유량이 0.5질량% 이상이면, 높은 접착력을 얻기 쉬워지고, 한편, 6질량% 이하임으로써 젤화를 억제할 수 있는 경향이 있다. 반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체의 잔부를 구성하는 모노머는, 예를 들면, 메틸(메트)아크릴레이트 등의 탄소수 1~8의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트, 스타이렌, 아크릴로나이트릴 등이어도 된다. 이들 중에서도, 반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체의 잔부를 구성하는 모노머는, 에틸(메트)아크릴레이트 및/또는 뷰틸(메트)아크릴레이트여도 된다. 혼합 비율은, 반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체의 Tg를 고려하여 조정할 수 있다. Tg가 -10℃ 이상이면 B 스테이지 상태에서의 접착제층(5)의 태킹(tacking)성이 과도하게 커지는 것을 억제할 수 있는 경향이 있고, 취급성이 우수한 경향이 있다. 또한, 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체의 유리 전이점(Tg)은, 예를 들면, 30℃ 이하여도 된다. 중합 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 펄 중합, 용액 중합 등을 들 수 있다. 시판 중인 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체로서는, 예를 들면, HTR-860P-3(상품명, 나가세 켐텍스 주식회사제)을 들 수 있다.
에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량은, 접착성 및 내열성의 관점에서, 10만 이상이어도 되고, 30만~300만 또는 50만~200만이어도 된다. 중량 평균 분자량이 300만 이하이면, 칩과, 이것을 지지하는 기판의 사이의 충전성이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 중량 평균 분자량은, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피법(GPC)에서 표준 폴리스타이렌에 의한 검량선을 이용한 폴리스타이렌 환산값이다.
경화 촉진제로서는, 예를 들면, 제3급 아민, 이미다졸류, 제4급 암모늄염류 등을 들 수 있다. 경화 촉진제의 구체예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸륨트라이멜리테이트를 들 수 있다.
필러는, 무기 필러여도 된다. 무기 필러의 구체예로서는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카를 들 수 있다.
접착제층(5)의 두께는, 예를 들면, 1~300μm, 5~150μm, 또는 10~100μm여도 된다. 접착제층(5)의 두께가 1μm 이상이면, 접착성이 보다 우수하고, 한편, 300μm 이하이면, 익스팬드 시의 분단성 및 픽업성이 보다 우수한 경향이 있다.
또한, 접착제층(5)은 열경화성 수지(에폭시 수지 및 에폭시 수지 경화제)를 포함하지 않는 양태여도 된다. 예를 들면, 접착제층(5)이 반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체를 포함하는 경우, 접착제층(5)은, 반응성기 함유 (메트)아크릴 공중합체와, 경화 촉진제와, 필러를 포함하는 것이어도 된다.
다이싱 필름(7)의 점착제층(3) 상에 접착제층(5)을 형성하는 방법은, 이미 알려진 수법을 채용할 수 있다. 접착제층(5)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 접착제 조성물의 바니시(접착제층 형성용의 바니시)를 조제하고, 이것을 점착제층(3)의 표면에 도공하는 방법, 이형 처리된 필름과, 이형 처리된 필름 상에 마련된 접착제층(5)을 포함하는 다이본딩 필름을 형성하여, 다이본딩 필름에 있어서의 접착제층(5)을 점착제층(3)에 첩부하는 방법 등을 들 수 있다. 접착제 조성물의 바니시(접착제층 형성용의 바니시)는, 필러 이외의 각 성분을 용해할 수 있는 유기 용제이며 가열에 의하여 휘발되는 것이어도 된다. 유기 용제의 구체예로서는, 자외선 경화형 점착제의 바니시에 있어서의 유기 용제와 동일한 것을 예시할 수 있다.
필름(10)은, 예를 들면, 기재층(1) 및 기재층(1) 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층(3)을 포함하는 다이싱 필름(7)을 준비하는 공정과, 다이싱 필름(7)의 점착제층(3) 상에 접착제층(5)을 마련하는 공정을 구비하는 방법에 의하여 제조할 수 있다.
[반도체 장치 및 그 제조 방법]
도 3은, 반도체 장치의 일 실시형태의 모식 단면도이다. 도 3에 나타나는 반도체 장치(100)는, 기판(70)과, 기판(70)의 표면 상에 적층된 4개의 칩(S1, S2, S3, S4)과, 기판(70)의 표면 상의 전극(도시하지 않음)과, 4개의 칩(S1, S2, S3, S4)을 전기적으로 접속하는 와이어(W1, W2, W3, W4)와, 이들을 밀봉하고 있는 밀봉층(50)을 구비한다.
기판(70)은, 예를 들면, 유기 기판이어도 되고, 리드 프레임 등의 금속 기판이어도 된다. 반도체 장치(100)의 휨을 억제하는 관점에서, 기판(70)의 두께는, 예를 들면, 70~140μm여도 되고, 80~100μm여도 된다.
4개의 칩(S1, S2, S3, S4)은, 접착제편(5P)의 경화물(5C)을 개재하여 적층되어 있다. 평면시(平面視)에 있어서의 칩(S1, S2, S3, S4)의 형상은, 예를 들면 정사각형 또는 직사각형이다. 칩(S1, S2, S3, S4)의 면적은, 30~250mm2여도 되고, 40~200mm2 또는 50~150mm2여도 된다. 칩(S1, S2, S3, S4)의 한 변의 길이는, 예를 들면, 6.0mm 이상이고, 7.0~18mm 또는 8.0~15mm여도 된다. 칩(S1, S2, S3, S4)의 두께는, 예를 들면, 10~100μm이고, 20~80μm여도 된다. 또한, 4개의 칩(S1, S2, S3, S4)의 한 변의 길이는 동일해도 되고, 서로 상이해도 되며, 두께에 대해서도 동일하다. 또, 4개의 칩(S1, S2, S3, S4)은, 사이즈가 비교적 작은 것이어도 된다. 즉, 칩(S1, S2, S3, S4)의 면적은, 예를 들면, 30mm2 미만이어도 되고, 0.1~20mm2 또는 1~15mm2여도 된다.
반도체 장치(100)의 제조 방법은, 이하의 공정을 구비한다.
(A) 기재층 및 기재층 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 마련된 접착제층을 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정(준비 공정)
(B) 웨이퍼를 다이싱하는 공정(다이싱 공정)
(C) 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착제층에 대하여 웨이퍼를 첩부하는 공정(웨이퍼 첩부 공정)
(D) 기재층을 냉각 조건하에 있어서 익스팬딩함으로써, 웨이퍼 및 접착제층이 개편화되어 이루어지는 접착제편 부착 칩을 얻는 공정(냉각 익스팬드 공정)
(E) 점착제층에 자외선을 조사함으로써, 접착제편 부착 칩에 대한 점착제층의 점착력을 저하시키는 공정(자외선 조사 공정)
(F) 접착제편 부착 칩을 점착제층으로부터 픽업하는 공정(픽업 공정)
(G) 픽업된 접착제편 부착 칩을 기판 또는 다른 칩 상에 마운팅하는 공정(마운트 공정)
(A) 공정에서 준비되는 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 접착제층에 대한 점착제층의 점착력은 15N/25mm 이상이다. (A) 공정에서 준비되는 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 다이싱 필름의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률이 100MPa 이상이다.
도 4 및 도 5를 참조하면서, 접착제편 부착 칩(8)의 제작 방법의 일례에 대하여 설명한다. 먼저, 상기의 필름(10)을 준비한다((A) 공정(준비 공정)).
이어서, 웨이퍼(W)의 회로면(Wa)에 보호 필름("BG 테이프"라고도 칭해진다.)을 첩부하고, 웨이퍼(W)에 레이저를 조사하여 복수 개의 절단 예정 라인(L)을 형성한다((B) 공정(다이싱 공정), 도 4의 (a) 참조). 이것을 스텔스 다이싱이라고 한다. 스텔스 다이싱은, 두께의 얇은 웨이퍼(W)(예를 들면, 100μm 이하)에 대하여 적합하게 이용할 수 있다. 그 후, 필요에 따라, 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)의 두께를 조정하기 위한 백그라인딩 처리 및 웨이퍼(W)를 연마하기 위한 폴리싱 처리를 행해도 된다. 또한, 여기에서는 레이저에 의한 스텔스 다이싱을 설명하고 있지만, 스텔스 다이싱 대신에, 블레이드에 의하여 웨이퍼(W)를 하프 컷팅해도 된다. 이것을 하프 컷 다이싱이라고 한다. 하프 컷은, 웨이퍼(W)를 절단하는 것은 아니고, 웨이퍼(W)의 절단 예정 라인(L)에 대응한 노치를 형성하는 것을 의미한다.
이어서, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 필름(10)의 접착제층(5)에 대하여, 웨이퍼(W)의 이면(裏面)(Wb)을 첩부한다((B) 공정(웨이퍼 첩부 공정)). 이때, 점착제층(3)에 대하여 다이싱 링(DR)을 첩부해도 된다.
이어서, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, -15~0℃의 온도 조건하에서의 냉각 익스팬드에 의하여, 웨이퍼(W) 및 접착제층(5)을 개편화한다((D) 공정(냉각 익스팬드 공정)). 즉, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기재층(1)에 있어서의 다이싱 링(DR)의 내측 영역(1a)을 링(Ra)으로 밀어 올림으로써 기재층(1)에 장력을 부여한다. 이로써, 웨이퍼(W)가 절단 예정 라인(L)을 따라 분단됨과 함께, 이에 따라 접착제층(5)은 접착제편(5P)에 분단되어, 점착제층(3)의 표면 상에 복수의 접착제편 부착 칩(8)이 얻어진다. 접착제편 부착 칩(8)은, 칩(S)과, 접착제편(5P)에 의하여 구성된다.
이어서, 기재층(1)에 있어서의 다이싱 링(DR)의 내측 영역(1a)을 가열함으로써 내측 영역(1a)을 수축시킨다(히트 슈링크). 도 5의 (a)는, 히터(H)의 블로에 의하여 내측 영역(1a)을 가열하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 내측 영역(1a)을 환 형상으로 수축시켜 기재층(1)에 장력을 부여함으로써, 인접하는 접착제편 부착 칩(8)의 간격을 넓힐 수 있다. 이로써, 픽업 에러의 발생을 보다 더 억제할 수 있음과 함께, 픽업 공정에 있어서의 접착제편 부착 칩(8)의 시인성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 자외선의 조사에 의하여 점착제층(3)의 점착력을 저하시킨다((E) 공정(자외선 조사 공정)). 점착제층(3)에 대한 자외선의 조도는, 예를 들면, 1~200mW/cm2, 10~150mW/cm2, 또는 30~100mW/cm2여도 된다. 점착제층(3)에 대한 자외선의 조사량은, 예를 들면, 10~1000mJ/cm2이고, 50~700mJ/cm2, 또는 100~500mJ/cm2여도 된다. 그 후, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 밀어 올림 지그(42)로 접착제편 부착 칩(8)을 밀어 올림으로써 점착제층(3)으로부터 접착제편 부착 칩(8)을 박리시킴과 함께, 접착제편 부착 칩(8)을 흡인 콜릿(44)으로 흡인하여 픽업한다((F) 공정(픽업 공정)).
접착제편 부착 칩(8)은, 반도체 장치의 조립 장치(도시하지 않음)에 반송되어, 회로 기판 등에 압착된다((G) 공정(마운트 공정)). 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 접착제편(5P)을 개재하여 1단째의 칩(S1)(칩(S))을 기판(70)의 소정의 위치에 압착한다. 다음으로, 가열에 의하여 접착제편(5P)을 경화시킨다(다이본딩 공정). 이로써, 접착제편(5P)이 경화되어 경화물(5C)이 된다. 접착제편(5P)의 경화 처리는, 보이드의 저감의 관점에서, 가압 분위기하에서 실시해도 된다.
기판(70)에 대한 칩(S1)의 마운팅과 동일하게 하여, 칩(S1)의 표면 상에 2단째의 칩(S2)을 마운팅한다. 또한, 3단째 및 4단째의 칩(S3, S4)을 마운팅함으로써 도 6의 (b)에 나타내는 구조체(60)가 제작된다. 칩(S1, S2, S3, S4)과 기판(70)을 와이어(W1, W2, W3, W4)로 각각 전기적으로 접속한 후, 반도체 소자 및 와이어를 밀봉하기 위한 밀봉층(50)을 형성함으로써, 반도체 소자 및 와이어를 밀봉함으로써, 도 3에 나타나는 반도체 장치(100)를 제작할 수 있다.
실시예
이하, 본 개시에 대하여, 실시예에 근거하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, 약품은 모두 시약(시판품)을 사용했다.
<제조예 1>
[(메트)아크릴계 수지 (A-1)의 합성]
스리 원 모터, 교반 날개, 및 질소 도입관이 구비된 용량 2000mL의 플라스크에 이하의 성분을 넣었다.
·아세트산 에틸(용제): 635질량부
·2-에틸헥실아크릴레이트: 395질량부
·2-하이드록시에틸아크릴레이트: 100질량부
·메타크릴산: 5질량부
·아조비스아이소뷰티로나이트릴: 0.08질량부
충분히 균일해질 때까지 내용물을 교반한 후, 유량 500mL/분으로 60분간 버블링을 실시하여, 계 내의 용존 산소를 탈기했다. 1시간 동안 78℃까지 승온하고, 승온 후 6시간 중합시켰다. 다음으로, 스리 원 모터, 교반 날개, 및 질소 도입관이 구비된 용량 2000mL의 가압솥에 반응 용액을 옮기고, 120℃, 0.28MPa의 조건에서 4.5시간 가온 후, 실온(25℃, 이하 동일)으로 냉각했다.
다음으로 아세트산 에틸을 490질량부 더하여 교반하고, 내용물을 희석했다. 이것에, 유레테인화 촉매로서, 다이옥틸 주석 다이라우레이트를 0.10질량부 첨가한 후, 2-메타크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트(쇼와 덴코 주식회사제, 카렌즈 MOI(상품명))를 105.3질량부 더하여, 70℃에서 6시간 반응시킨 후, 실온으로 냉각했다. 이어서, 아세트산 에틸을 더 더하고, (메트)아크릴계 수지 용액 중의 불휘발분 함유량이 35질량%가 되도록 조정하여, 제조예 1의 연쇄 중합 가능한 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 수지 (A-1)을 포함하는 용액을 얻었다.
<제조예 2>
[(메트)아크릴계 수지 (A-2)의 합성]
표 1의 제조예 1에 나타내는 원료 모노머 조성을, 표 1의 제조예 2에 나타내는 원료 모노머 조성으로 변경한 것 이외에는, 제조예 1과 동일한 수법으로 제조예 2의 (메트)아크릴계 수지 (A-2)를 포함하는 용액을 얻었다. 제조예 2의 (메트)아크릴계 수지 (A-2)의 성상(性狀)의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
<제조예 3>
[(메트)아크릴계 수지 (A-3)의 합성]
표 1의 제조예 1에 나타내는 원료 모노머 조성을, 표 1의 제조예 3에 나타내는 원료 모노머 조성으로 변경한 것 이외에는, 제조예 1과 동일한 수법으로 제조예 3의 (메트)아크릴계 수지 (A-3)을 포함하는 용액을 얻었다. 제조예 3의 (메트)아크릴계 수지 (A-3)의 성상의 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
<실시예 1>
[다이싱 필름(점착제층)의 제작]
이하의 성분을 혼합함으로써, 자외선 경화형 점착제의 바니시(점착제층 형성용의 바니시)를 조제했다(표 2 참조). 아세트산 에틸(용제)의 양은, 바니시의 총 고형분 함유량이 25질량%가 되도록 조정했다.
·제조예 1의 (메트)아크릴계 수지 (A-1)을 포함하는 용액: 100질량부(고형분)
·광중합 개시제 (B-1) 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤(IGM RESINS B.V.사제, Omnirad 184, "Omnirad"는 등록 상표): 1.0질량부
·광중합 개시제 (B-2) 페닐비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)포스핀옥사이드(IGM RESINS B.V.사제, Omnirad 819, "Omnirad"는 등록 상표): 0.2질량부
·가교제 (C-1)(다관능 아이소사이아네이트(톨릴렌다이아이소사이아네이트와 트라이메틸올프로페인의 반응물), 닛폰 폴리유레테인 고교 주식회사제, 콜로네이트(L), 고형분: 75%): 2.0질량부(고형분)
·아세트산 에틸(용제)
일방의 면에 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(폭 450mm, 길이 500mm, 두께 38μm)을 준비했다. 이형 처리가 실시된 면에, 애플리케이터를 이용하여 자외선 경화형 점착제의 바니시를 도포한 후, 80℃에서 3분간 건조했다. 이로써, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름과, 그 위에 형성된 두께 8μm의 점착제층으로 이루어지는 적층체(다이싱 필름)를 얻었다.
일방의 면에 코로나 처리가 실시된 폴리올레핀 필름(폭 450mm, 길이 500mm, 두께 90μm)을 준비했다. 코로나 처리가 실시된 면과, 상기 적층체의 점착제층을 실온에서 첩합했다. 이어서, 고무 롤로 압압함으로써 점착제층을 폴리올레핀 필름(커버 필름)에 전사했다. 그 후, 실온에서 3일간 방치함으로써 커버 필름 포함 다이싱 필름을 얻었다.
[다이본딩 필름(접착제층)의 제작]
이하의 성분을 혼합함으로써, 접착제층 형성용의 바니시를 조제했다. 먼저, 이하의 성분을 포함하는 혼합물에 대하여, 사이클로헥산온(용제)을 더하여 교반 혼합한 후, 비즈 밀을 이용하여 90분 더 혼련했다.
·에폭시 수지(YDCN-700-10(상품명), 신닛테츠 스미킨 가가쿠 주식회사제, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 210, 분자량: 1200, 연화점: 80℃): 11.0질량부
·에폭시 수지(EXA-830CRP(상품명), DIC 주식회사제, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 160, 분자량: 1800, 연화점: 85℃): 13.0질량부
·페놀 수지(밀렉스 XLC-LL(상품명), 미쓰이 가가쿠 주식회사제, 페놀 수지, 수산기 당량: 175, 흡수율: 1.8%, 350℃에 있어서의 가열 중량 감소율: 4%): 18.7질량부
·실레인 커플링제(NUC A-189(상품명), 주식회사 NUC제, γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인): 0.1질량부
·실레인 커플링제(NUC A-1160(상품명), 닛폰 유니카 주식회사제, γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인): 0.2질량부
·필러(SC2050-HLG(상품명), 아드마텍스 주식회사제, 실리카, 평균 입경 0.500μm): 39질량부
상기와 같이 하여 얻어진 혼합물에 이하의 성분을 더 더한 후, 교반 혼합 및 진공 탈기의 공정을 거쳐 접착제층 형성용의 바니시를 얻었다.
·에폭시기 함유 아크릴 공중합체(HTR-860P-3(상품명), 나가세 켐텍스 주식회사제, 중량 평균 분자량: 80만): 16질량부
·경화 촉진제(큐어졸 2PZ-CN(상품명), 시코쿠 가세이 고교 주식회사제, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, "큐어졸"은 등록 상표): 0.1질량부
일방의 면에 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 35μm)을 준비했다. 이형 처리가 실시된 면에, 애플리케이터를 이용하여 접착제층 형성용의 바니시를 도포한 후, 140℃에서 5분간 가열 건조했다. 이로써, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(캐리어 필름)과, 그 위에 형성된 두께 25μm의 접착제층(B 스테이지 상태)으로 이루어지는 적층체(다이본딩 필름)를 얻었다.
[다이싱·다이본딩 일체형 필름의 제작]
접착제층과 캐리어 필름으로 이루어지는 다이본딩 필름을, 캐리어 필름마다 직경 312mm의 원형으로 커팅했다. 커팅한 다이본딩 필름에, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리한 다이싱 필름을 실온에서 첩부한 후, 실온에서 1일 방치했다. 그 후, 직경 370mm의 원형으로 다이싱 필름을 커팅했다. 이와 같이 하여, 후술하는 다양한 평가 시험에 제공하기 위한 복수의 실시예 1의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 얻었다.
<실시예 2>
점착제층의 두께를 8μm에서 10μm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 복수의 실시예 2의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 얻었다.
<실시예 3>
다이싱 필름(점착제층)의 제작에 있어서의 가교제 (C-1)의 함유량을 2.0질량부(고형분)로부터 4.0질량부(고형분)로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여, 복수의 실시예 3의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 얻었다.
<비교예 1>
표 2의 실시예 2의 점착제층의 조성을, 표 2의 비교예 1의 점착제층의 조성으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여, 복수의 비교예 1의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 얻었다.
<비교예 2>
표 2의 실시예 2의 점착제층의 조성을, 표 2의 비교예 2의 점착제층의 조성으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여, 복수의 비교예 1의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 얻었다.
[평가 시험]
(1) 접착제층에 대한 점착제층의 점착력(30° 필 강도)의 측정
접착제층에 대한 자외선 조사 전의 점착제층의 점착력 및 자외선 조사 후의 점착제층의 점착력을, 30° 필 강도를 측정함으로써 평가했다. 자외선 조사 전의 점착제층의 측정 시료는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 폭 25mm 및 길이 100mm로 잘라냄으로써 얻었다. 자외선 조사 후의 점착제층의 측정 시료는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 폭 25mm 및 길이 100mm로 잘라내고, 이에 대하여, 자외선 조사 장치(주식회사 지에스·유아사 코퍼레이션, 컨베이어 UV 조사 장치 CS60)를 이용하여, 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선(주파장: 365nm)을 조사함으로써 얻었다. 인장 시험기(교와 가이멘 가가쿠 주식회사제, 인장 시험기 "VPA-2")를 이용하여, 각각의 측정 시료로부터 접착제층에 대한 점착제층의 필 강도를 측정했다. 측정 조건은, 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분으로 했다. 시료의 보존 및 필 강도의 측정은, 온도 23℃, 상대 습도 40%의 환경하에서 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 필 강도의 측정 상한은 "20N/25mm"이며, 표 2 중의 ">20"은 측정 상한을 초과한 것을 의미한다.
(2) 다이싱 필름의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률의 측정
다이싱 필름에 대하여, 동적 점탄성 측정을 행하여, -15℃에 있어서의 저장 탄성률을 측정했다. 다이싱 필름을 폭 4mm 및 길이 40mm로 잘라내어, 시험편을 얻었다. 잘라낸 시험편을, 동적 점탄성 측정 장치(Rheogel E-4000(주식회사 유비엠제))를 이용하여, 주파수 1Hz, 승온 속도 3℃/min, 척간 거리 20mm, 자동 정하중 조건에서 저장 탄성률을 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 표 2에 있어서, "-"는 미측정인 것을 의미한다.
(3) 픽업성의 평가
12인치의 웨이퍼 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하고, 다이싱 공정, 웨이퍼 첩부 공정, 냉각 익스팬드 공정, 자외선 조사 공정, 및 픽업 공정을 이 순서로 행했다. 다이싱 공정에서는, 12mm×6mm의 직사각형에 스텔스 다이싱을 행함으로써, 웨이퍼에 분리 예정 라인을 형성했다. 그 후, 웨이퍼의 두께를 조정하기 위하여, 백그라인딩 처리를 행하여, 웨이퍼의 두께를 35μm로 조정했다. 웨이퍼 첩부 공정에서는, 상기에서 제작한 각각의 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착제층에 대하여 웨이퍼를 70℃에서 첩부했다. 냉각 익스팬드 공정에서는, 냉각 익스팬드 및 그에 계속되는 히트 슈링크를 다이 세퍼레이터(주식회사 디스코제, 형번 DDS-2300)를 이용하여, 이하의 조건으로 행했다. 계속해서, 당해 다이 세퍼레이터 내의 세정 기구에 의하여, 이하의 조건으로 세정 및 건조를 행했다.
(냉각 익스팬드 조건)
냉각 온도: -15℃, 냉각 시간: 90초, 익스팬드양: 10mm, 익스팬드 속도: 200mm/s, 익스팬드 후의 유지 시간: 3초
(히트 슈링크 조건)
히터 온도: 220℃, 히터 회전 속도: 5°/초, 익스팬드양: 8mm
(세정 조건)
세정 시간: 120초, 회전수: 600회전/분
(건조 조건)
건조 시간: 60초, 회전수: 1500회전/분
자외선 조사 공정에서는, 자외선 조사 장치(주식회사 지에스·유아사 코퍼레이션, 컨베이어 UV 조사 장치 CS60)를 이용하여, 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선(주파장: 365nm)을 조사했다. 픽업 공정에서는, 이하의 조건으로 20개의 접착제편 부착 칩을 픽업했다.
(픽업 조건)
·다이본더 장치: DB800-HSD(주식회사 히타치 하이테크놀로지즈제)
·밀어 올림 핀: EJECTOR NEEDLE SEN2-83-05(직경: 0.7mm, 선단 형상: 반경 350μm의 반구, 마이크로 메카닉스사제)
·밀어 올림 높이: 100μm
·밀어 올림 속도: 10mm/분
또한, 픽업성은, 픽업의 성공 개수가 20개(100%)였던 경우를 "A", 픽업의 성공률이 16~19개였던 경우를 "B", 픽업의 성공률이 15개 이하였던 경우를 "C"로 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(4) 접착제층의 분단성 및 접착제편 부착 칩의 박리성
(3) 픽업성의 평가 후에, 픽업한 접착제편 부착 칩을 육안으로 관찰했다. 실시예 1~3 및 비교예 1, 2의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 이용한 경우이더라도, 접착제층의 분단성은 양호했다. 다음으로, 픽업한 접착제편 부착 칩의 접착제층 표면 및 점착제층 표면을 육안으로 관찰했다. 비교예 1, 2의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 이용한 경우에 있어서, 당해 접착제층 표면에는, 익스팬딩하는 공정((D) 공정)으로부터 자외선 조사 공정((E) 공정)의 사이에 발생한, 접착제편 부착 칩의 단부와 점착제층의 사이에서의 박리의 흔적이 전사되어 있는 것이 확인되었다. 한편, 실시예 1~3의 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 이용한 경우에 있어서, 접착제편 부착 칩의 단부와 점착제층의 사이에서의 박리의 흔적은 관측되지 않고, 접착제편 부착 칩의 박리성은 양호했다.
[표 2]
표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 1~3의 다이싱·다이본딩 일체형 필름은, 비교예 1, 2의 다이싱·다이본딩 일체형 필름보다 픽업성이 양호했다. 이상의 결과로부터, 본 개시의 다이싱·다이본딩 일체형 필름이, 픽업성의 저하를 억제하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
1…기재층
3…점착제층
5…접착제층
7…다이싱 필름
8…접착제편 부착 칩
10…다이싱·다이본딩 일체형 필름
W…웨이퍼

Claims (6)

  1. (A) 기재층 및 상기 기재층 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과, 상기 다이싱 필름의 상기 점착제층 상에 마련된 접착제층을 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정과,
    (B) 웨이퍼를 다이싱하는 공정과,
    (C) 상기 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 상기 접착제층에 대하여 상기 웨이퍼를 첩부하는 공정과,
    (D) 상기 기재층을 냉각 조건하에 있어서 익스팬딩함으로써, 상기 웨이퍼 및 상기 접착제층이 개편화되어 이루어지는 접착제편 부착 칩을 얻는 공정과,
    (E) 상기 점착제층에 자외선을 조사함으로써, 상기 접착제편 부착 칩에 대한 상기 점착제층의 점착력을 저하시키는 공정과,
    (F) 상기 접착제편 부착 칩을 상기 점착제층으로부터 픽업하는 공정과,
    (G) 픽업된 상기 접착제편 부착 칩을 기판 또는 다른 칩 상에 마운팅하는 공정을 구비하고,
    상기 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 상기 접착제층에 대한 상기 점착제층의 점착력이 15N/25mm 이상인, 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 상기 점착제층에 대하여 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선이 조사된 후에, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 상기 접착제층에 대한 자외선 조사 후의 상기 점착제층의 점착력이 1N/25mm 이하인, 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 있어서, 상기 다이싱 필름의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률이 100MPa 이상인, 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 기재층 및 상기 기재층 상에 마련된 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과, 상기 다이싱 필름의 상기 점착제층 상에 마련된 접착제층을 구비하고,
    온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 상기 접착제층에 대한 상기 점착제층의 점착력이 15N/25mm 이상인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 점착제층에 대하여 조도 70mW/cm2 및 조사량 150mJ/cm2의 자외선이 조사된 후에, 온도 23℃에 있어서 박리 각도 30° 및 박리 속도 600mm/분의 조건으로 측정되는, 상기 접착제층에 대한 자외선 조사 후의 상기 점착제층의 점착력이 1N/25mm 이하인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
  6. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 다이싱 필름의 -15℃에 있어서의 저장 탄성률이 100MPa 이상인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
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