KR20240008574A - 테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 ic 칩의 장착 방법 - Google Patents

테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 ic 칩의 장착 방법 Download PDF

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Abstract

테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 IC 칩의 장착 방법이 개시된다. 테라헤르츠 대역 도파관 모듈은, E-평면 기준 제1 크기의 채널을 가지는 도파관; 및 제2 크기의 폭을 가지며, 상기 도파관 내부에 미리 설정된 위치에 배치되는 IC칩을 포함하되, 상기 IC 칩은 적어도 두면에 에어 갭(air gap)을 두고 상기 도파관 내부에 배치될 수 있다.

Description

테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 IC 칩의 장착 방법{Terahertz band waveguide module and mounting method of IC chip}
본 발명은 테라헤르츠 대역 도파관 모듈, IC 칩의 장착 방법 및 IC 칩의 설계에 관한 것이다.
H-밴드로 알려진, WR-3.4 파장 밴드는 가장 최근 IEEE 무선 통신 표준 802.3.15d에 따라 252 ~ 320 GHz 범위의 주파수 통신 대역을 포함한다. 이 통신 대역은 단거리, 고속 통신 시스템에 적합한 낮은 대기 감쇠를 제공한다. 저주파 대역과 유사하게 WR 3.4 대역에서 통신 시스템을 편리하게 조립하려면 도파관 모듈에 패키징된 개별 회로 구성 요소가 필요하다.
WR-3.4 도파관에 IC 칩을 결합하기 위해 종래에는 본딩 와이어(bonding wire) 방법이 이용되었다. 그러나, 본딩 와이어 방법을 통해 WR-3.4 도파관에 IC 칩을 장착하는 경우, 기판과 IC 칩 사이의 상호 연결을 위해 큰 손실이 발생하고, 회로 조립의 복잡성이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 IC 칩의 장착 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 본딩 와이어(bonding wire)를 사용하지 않으며, 추가 기판 없이 도파관 내부에 반도체 IC 칩을 장착할 수 있는 테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 IC 칩의 장착 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 반도체 IC 칩 내부에 안테나를 포함시킴으로써 도파관과 직접적으로 전파 송수신이 가능한 테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 IC 칩의 장착 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면 테라헤르츠 대역 도파관 모듈이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, E-평면 기준 제1 크기의 채널을 가지는 도파관; 및 제2 크기의 폭을 가지며, 상기 도파관 내부에 미리 설정된 위치에 배치되는 IC칩을 포함하되, 상기 IC 칩은 에어 갭(air gap)을 두고 상기 도파관 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈이 제공될 수 있다.
상기 도파관은 WR-3.4 표준 도파관과 근사한 크기로써, 상기 제1 크기는 상기 제2 크기보다 크며, 상기 에어 갭은 상기 IC 칩의 상단과 하단에 각각 형성되되, 상기 에어 갭은 30μm 이하로 설정되되, 바람직하게는 20μm로 설정될 수 있다.
상기 IC 칩은 다이폴 안테나를 포함하되, 상기 IC 칩에 포함되는 다이폴 안테나는 에어 갭의 크기를 고려하여 설계될 수 있다.
상기 IC 칩은 상기 IC 칩 내부의 유전체 공진을 억제하기 위한 비아(via)가 형성되되, 상기 비아는 상기 IC 칩의 최외곽에서 355μm 이격된 위치를 비롯하여 IC 칩 크기에 따라 최적의 위치를 선정하여 형성될 수 있다.
상기 IC 칩에는 증폭기 회로 또는 복수의 증폭기 회로 유닛으로 구성된 배열 회로가 형성될 수 있다.
복수의 증폭기 회로 장착은 표준 도파관 크기가 아닌 확장 도파관 크기에서 형성될 수 있다.
상기 배열 회로에 포함된 복수의 증폭기 배열 회로 중 외곽에 위치된 두개의 증폭기 회로 셀은 상기 에어 갭으로 인해 내부에 위치된 복수의 증폭기 회로 셀과 안테나 구조가 다르게 설계될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 도파관 내부에 IC 칩을 장착하는 공정이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 다이폴 안테나를 가지는 IC 칩을 구비하는 제1 공정; 및 상기 IC 칩을 도파관 내부의 미리 설정된 영역에 장착하되, 본딩 와이어 결합 없이 상기 IC 칩의 적어도 두면에 에어 갭을 가지도록 상기 도파관 내부에 장착하는 제2 공정을 포함하되, 상기 도파관은 E-평면 기준 제1 크기의 채널을 가지며, 상기 IC 칩은 제2 크기의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 도파관 내부에 IC 칩을 장착하는 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 대역 도파관 모듈 및 IC 칩의 장착 방법을 제공함으로써, 본딩 와이어(bonding wire)를 사용하지 않으며, 추가 기판 없이 도파관 내부에 반도체 IC 칩을 장착한 도파관 모듈 제작이 가능한 이점이 있다.
또한, 본 발명은 반도체 IC 칩 내부에 안테나를 포함시킴으로써 도파관과 직접적으로 전파 송수신이 가능케 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 일부 영역을 확대한 도면.
도 3은 도 2의 측면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈의 프로토타입.
도 5는 도4의 회로도.
도 6 및 도 7는 에어 갭 변화에 따른 성능 변화를 실험한 결과를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈의 성능 및 트랜지션에 대한 손실을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도파관 모듈을 도시한 도면.
도 10은 도 9에 따른 증폭기 회로를 도시한 도면.
도 11은 표준 트랜지션 성능을 도시한 도면.
도 12는 내부 트랜지션만 사용하는 경우 성능을 도시한 도면.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 배열 회로에서 외곽 및 내부 회로의 안테나 트랜지션을 설명하기 위해 도시한 도면.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 IC 칩의 도파관 장착 방법을 나타낸 순서도.
본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 일부 영역을 확대한 도면이며, 도 3은 도 2의 측면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈의 프로토타입이고, 도 5는 도4의 회로도이며, 도 6 및 도 7는 에어 갭 변화에 따른 성능 변화를 실험한 결과를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈의 성능 및 트랜지션에 대한 손실을 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도파관 모듈을 도시한 도면이고, 도 10은 도 9에 따른 증폭기 회로를 도시한 도면이며, 도 11은 표준 트랜지션 성능을 도시한 도면이고, 도 12는 내부 트랜지션만 사용하는 경우 성능을 도시한 도면이고, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 배열 회로에서 외곽 및 내부 회로의 안테나 트랜지션을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈(100)은 제1 도파관 유닛(110)과 제2 도파관 유닛(120)을 포함하여 구성된다.
여기서, 제1 도파관 유닛(110)과 제2 도파관 유닛(120)은 상하부로 대면하도록 위치되는 구조로, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 도파관 유닛(110)과 제2 도파관 유닛(120)의 내부 구조는 동일하므로 제1 도파관 유닛(110)을 중심으로 설명하기로 한다.
제1 도파관 유닛(110)은 제1 크기의 채널 크기를 가지는 도파관이 형성된다. 도파관은 WR-3.4 표준 도파관으로 200 내지 330 GHz 주파수 대역에서 동작될 수 있다.
제1 도파관 유닛(110)과 제2 도파관 유닛(120)에 각각 형성되는 도파관은 E-평면(plane) 기준 채널 크기가 약 430μm일 수 있다.
이하의 설명에서 도파관은 제1 도파관 유닛(110) 또는 제2 도파관 유닛으로 이해되어야 할 것이다.
도파관(210) 내부의 소정 영역에 IC 칩(220)이 장착될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 IC 칩(220)이 증폭기 회로인 것을 가정하여 이를 중심으로 설명하나 반드시 증폭기 회로로 제한되는 것은 아니며, 전자 회로인 경우 제한 없이 적용될 수 있다.
IC 칩(220)의 폭(width)는 약 390μm로 설계될 수 있다.
IC 칩(220)이 도파관(210) 내부 소정 영역에 배치되는 경우, IC 칩(220)은 외곽에 에어 갭(air gap)(230)을 두고 도파관(210) 내부에 배치될 수 있다. 여기서, 에어 갭(230a, 230b)은 30μm 이하로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 20μm으로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 도파관(210) 내부에 IC 칩(220)이 배치된 상태에서 일부 영역을 확대한 도면이고, 도 3은 도 2의 측면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 약 430μm 채널 크기를 가지는 도파관(210) 내부에 약 390μm 너비(width)를 가지는 IC 칩(220)이 장착되되, 도 2 및 도 3에서 보여지는 바와 같이 IC 칩(220)은 본딩 와이어(bonding wire) 결합 또는 추가 기판 없이 결합될 수 있다.
예를 들어, IC 칩(220)의 후면 또는 해당 IC 칩(220)이 장착될 도파관(210) 내부의 소정 영역에 접착 물질이 도포된 상태에서 IC 칩(220)이 도파관(210) 내부에 장착될 수 있다.
IC 칩(220)은 외곽에 20μm 에어 갭을 두고 도파관 내부에 배치되며, 이로 인해 IC 칩(220)이 도파관(210) 내부에 결합시 IC 칩(220)의 손상되지 않을 수 있다. 또한, 에어 갭(230a, 230b)은 IC 칩(220)에 포함되는 안테나의 성능에 영향을 미치지 않도록 30μm를 넘지 않도록 결정될 수 있다.
IC 칩(220)은 증폭기 회로이되, 전파를 도파관(210)으로부터 직접 송수신할 수 있도록 IC 칩(220) 내부에 안테나를 포함할 수 있다. 여기서, 안테나는 다이폴 안테나일 수 있다. IC 칩(220)에 포함되는 안테나는 IC 칩(220)과 도파관(210) 사이에 형성된 에어 갭(230a, 230b)의 크기를 고려하여 설계된다.
또한, IC 칩(220)에 포함되는 안테나의 길이는 동작하는 주파수에 따라 다르게 설계될 수 있다. 안테나의 저항은 기판 길이, 뒷 방향의 받침대(pedestal) 위치를 조정함으로써 조정될 수 있다.
도파관(210)을 통해 전달된 전파는 안테나를 피해서 기판을 타고 이동하는 기판 모드로 동작될 수도 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 기판 모드 제거를 위해 기판을 통과하는 비아(via)를 IC 칩(220) 기판에 형성할 수 있다. 기판 모드 제거를 위해서는 비아(via) 형성 위치는 IC 칩(220)의 최외곽에서 355μm 이격된 위치에 형성될 수 있다. 물론, 비아 형성 위치는 IC 칩의 크기에 따라 달라질 수 있음은 당연하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 IC 칩(220)은 추가 발룬 구조 없이 다이폴 안테나에 직접 전파를 연결하기 위해 차동 형태로 설계될 수 있다.
도파관(210)과 마이크로스트립 회로 사이의 전력 결합은 270GHz 공진에 대해 290μm 길이를 갖는 반파장 다이폴로 수행될 수 있다. 다이폴의 방사 패턴을 입력 도파관 방향으로 이동시키기 위해 80μm길이의 추가 기생 디렉터가 포함되나, 추가 기생 디렉터는 제거될 수도 있다.
IC 칩(220)의 기판 가장자리에 대한 다이폴 위치는 필드가 다이폴 이전에 기판에 결합하기 때문에 중요하다.
본 발명의 일 실시예에서는 280GHz 대역을 가정하여 다이폴 안테나를 설계하는 것을 가정하고 있다. 따라서, 다이폴의 위치는 기판 가장자리에서 다이폴까지 280GHz의 1/4 파장에 해당하는 130μm 거리에 위치될 수 있다.
IC 칩(220)의 양쪽에 20μm 에어 갭을 형성하는 것은 다이폴이 적정하게 동작하는데 매우 중요하다. 에어 갭은 다이폴이 향상된 매칭 대역폭을 달성하는데 도움이 된다. 도 4 및 도 5에는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 모듈의 프로토타입과 회로가 예시되어 있다.
도 6 및 도 7에는 에어 갭 변화에 따른 성능 변화를 실험한 결과가 도시되어 있다. IC 칩(220)에 내장된 다이폴 안테나는 에어 갭이 20μm인 것을 가정하여 설계하였다. 도 6 및 도 7에서 보여지는 바와 같이 에어 갭 변화에 따른 평균 손실은 크게 변화하지 않는 것을 알 수 있다. 다만, 에어 갭 변화에 따라 성능이 완만하게 저하되는 것이 확인되었다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, IC 칩(220)은 30μm 이하의 에어 갭을 두고 도파관(210)에 장착되되, 바람직하게는 에어 갭은 20μm로 형성될 수 있다.
다양한 금속 패턴과 결합되는 IC 칩(220)의 기판은 다이폴 작동을 방해하는 주파수 공진을 유도한다. 따라서, 전술한 바와 같이, 특정 위치에서 상부 접지 금속을 후면 금속에 연결하는 기판 비아를 형성하여 기판 공진을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 전술한 바와 같이, 기판 가장자리에서 355μm 이격된 위치에 비아를 형성하여 기판 공진을 억제할 수 있다.
IC 칩(220)의 상단 접지 금속(metal)은 다이폴을 포함하는 금속 신호선 위에 있는 3μm 두께의 BCB(benzocyclobutene) 레이어 위에 배치될 수 있다. 신호선 아래에는 금속 받침대(pedestal)에 접착된 후면 금속 위에 75μm 두께의 기판이 위치될 수 있다.
금속 받침대는 기판 가장자리에서 230μm 떨어진 위치에 위치되며, 해당 금속 받침대의 위치는 다이폴에 대한 백쇼트 역할을 하고 동작 주파수 대역을 결정하기 때문에 매우 중요하다.
IC 칩(220)은 390 Х 710 μm2 영역에서 차동 스루-라인(differential thru-line)을 사용하여 함께 연결된 백투백 도파관 전이 다이폴을 가진다. 도 8의 (a)는 전체 스루-라인 IC 모듈에 대한 시뮬레이션 및 측정된 삽입 손실을 나타낸다. 도 6의 (a)에서 보여지는 바와 같이, 재료 손실이 없은 경우 반사 손실이 거의 없는 광대역 성능이 예측되었다.
비아 위치가 355μm에서 315μm로 기판 가장자리에 더 가깝게 형성되는 경우 대역폭은 220 ~ 320GHz 대역을 포함하도록 확장될 수 있다.
또한, 270GHz 근처에서 2.1dB의 최적 삽입 손실과 함께 220 ~ 300GHz 범위에서 3dB 이상의 삽입 손실이 나타났다. 측정된 미스매치 손실(mismatch loss)은 동일한 주파수 범위에서 -10dB 보다 낫다. 스루-라인 칩이 제거되는 경우 약 -0.7dB의 반사와 함께 40dB 이상의 절연을 보여준다.
도 8의 (b)에서 보여지는 바와 같이, 단일 구조에 대해 0.5dB의 추정 삽입 손실이 발생하는 것을 알 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도파관 모듈을 도시한 도면이고, 도 10은 도 9에 따른 증폭기 회로를 도시한 도면이다.
도 9에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 도파관(210) 내부의 소정 영역에 장착되는 IC 칩(220)은 N(자연수)개의 회로 유닛(910a, 910b, 910c, 910d)을 포함할 수 있다. 여기서, N개의 배열 회로를 포함하는 IC 칩은 표준 도파관이 아닌 확장 도파관 내에 장착되는 것으로 이해되어야 할 것이다.
N개의 회로 유닛(셀)(910a, 910b, 910c, 910d)은 각각 모두 동일한 폭을 가지도록 설계될 수 있다. 이때, N개의 회로 유닛(910a, 910b, 910c, 910d) 중 (N-2)개의 내부 회로 유닛은 도 9에서 보여지는 바와 같이, 각 회로 유닛의 위, 아래에 에어 갭이 존재하지 않는다.
반면 2개의 외곽 회로 유닛은 회로 유닛 한면에 에어 갭이 존재한다.
N개의 회로 유닛(910a, 910b, 910c, 910d)이 모두 동일한 폭을 가지도록 설계함에 있어, 에어 갭이 존재하는 회로 유닛은 에어 갭을 포함하여 에어 갭을 가지지 않은 회로 유닛과 동일한 폭을 가지도록 설계될 수 있다.
도 9에서 보여지는 바와 같이, N개의 회로 유닛 중 (N-2)개의 내부 회로 유닛과 2개의 외곽 회로 유닛은 에어 갭으로 인해 서로 다른 환경에서 안테나가 동작되어야 한다.
따라서, 복수의 회로 유닛(910a, 910b, 910c, 910d)은 내부에 에어 갭이 존재하지 않은 경우의 안테나와 외곽 에어 갭이 존재하는 경우 안테나로 두 종류로 설계될 수 있다.
에어 갭 존재 유무에 따라 다르게 설계된 각 회로 유닛(910a, 910b, 910c, 910d)내의 안테나들이 모두 정상 작동할 경우 모든 회로 유닛의 무반사로 전파를 흡수할 수 있게 된다.
이와 같이, IC 칩(220)이 에어 갭을 두고 도파관 내부에 장착됨에 따라 단일 칩에 통합 제작된 배열 회로는 에어 갭 유무에 따라 내부 회로 유닛과 외부 회로 유닛에 포함된 각각의 안테나가 서로 다른 환경에서 동작됨에 따라 에어 갭 유무에 따라 다르게 설계되어야 한다.
도 11은 표준 트랜지션 성능을 도시한 도면이고, 도 12는 내부 트랜지션만 사용하는 경우 성능을 도시한 도면이며, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 배열 회로에서 외곽 및 내부 회로의 안테나 트랜지션을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
내부 트랜지션은 단일 모듈에서 표준 트랜지션과 유사한 구조와 특성을 가지나, 외곽 트랜지션은 에어 갭으로 인한 불균형 형태로 인해 내부 트랜지션과는 근본적인 구조적 차이점이 존재한다(도 13 참조).
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단일 IC 칩(220)에 배열 회로를 포함하는 경우, 에어 갭 유무를 고려하여 내부 회로 유닛과 외부 회로 유닛이 다르게 설계될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 IC 칩의 도파관 장착 방법을 나타낸 순서도이다.
단계 1410에서 IC 칩을 설계한다.
여기서, IC 칩은 전술한 바와 같이, 표준 WR-3.4 도파관 내부의 소정 영역에 장착되므로, 정해진 폭(width)로 설계될 수 있다.
또한, IC 칩은 안테나를 포함하며, 해당 안테나는 에어 갭을 고려하여 설계될 수 있다. 또한, IC 칩(220)은 기판 공진을 제거하기 위한 비아가 형성되며, 해당 비아는 기판 외곽에서 355μm 이격된 위치에 형성될 수 있다.
이외의, IC 칩(220)의 상세 구조에 대해서는 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
단계 1420에서 IC 칩을 도파관 내부의 소정 영역에 장착한다.
이때, IC 칩(220)은 에어 갭을 두고 도파관(210) 내부의 소정 영역에 장착될 수 있다. IC 칩(220)은 본딩 와이어 없이 도파관 내부에 결합될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 도파관 모듈
110: 제1 도파관 유닛
120: 제2 도파관 유닛
210: 도파관
220: IC 칩
230a, 230b: 에어 갭

Claims (8)

  1. E-평면 기준 제1 크기의 채널을 가지는 도파관; 및
    제2 크기의 폭을 가지며, 상기 도파관 내부에 미리 설정된 위치에 배치되는 IC칩을 포함하되,
    상기 IC 칩은 적어도 두면에 에어 갭(air gap)을 두고 상기 도파관 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 도파관은 WR-3.4 표준 도파관이되,
    상기 제1 크기는 상기 제2 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 에어 갭은 상기 IC 칩의 상단과 하단에 각각 형성되되,
    상기 에어 갭은 30μm 이하로 설정되되, 바람직하게는 20μm로 설정되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 IC 칩은 다이폴 안테나를 포함하되,
    상기 IC 칩에 포함되는 다이폴 안테나는 에어 갭의 크기 고려하여 설계되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 IC 칩은 상기 IC 칩 내부의 유전체 공진을 억제하기 위한 비아(via)가 형성되되,
    상기 비아는 상기 IC 칩의 최외곽에서 355μm 이격된 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 IC 칩에는 증폭기 회로 또는 복수의 증폭기 회로 유닛으로 구성된 배열 회로가 형성되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 배열 회로에 포함된 복수의 증폭기 회로 유닛 중 외곽에 위치된 두개의 증폭기 회로 유닛은 상기 에어 갭으로 인해 내부에 위치된 복수의 증폭기 회로 유닛과 안테나 구조가 다르게 설계되는 것을 특징으로 하는 도파관 모듈.
  8. 다이폴 안테나를 가지는 IC 칩을 구비하는 제1 공정; 및
    상기 IC 칩을 도파관 내부의 미리 설정된 영역에 장착하되, 본딩 와이어 결합 없이 상기 IC 칩의 적어도 두면에 에어 갭을 가지도록 상기 도파관 내부에 장착하는 제2 공정을 포함하되,
    상기 도파관은 E-평면 기준 제1 크기의 채널을 가지며, 상기 IC 칩은 제2 크기의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 도파관 내부에 IC 칩을 장착하는 방법.
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