KR20240003422A - 멀티-스테이션 반도체 프로세싱 챔버에서 균일한 유체 전달을 위한 장치들 - Google Patents

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엘리 전
마이클 필립 로버츠
더글라스 월터 애그뉴
대니엘 보트라이트
아룬 아난드한 두라이사미
조셉 알. 아벨
윌리엄 로렌스 맥다니엘
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

본 개시는 반도체 프로세싱을 위한 시스템에 관한 것이다. 시스템은 복수의 프로세싱 스테이션들, 복수의 매니폴드 트렁크들 (manifold trunks), 복수의 밸브들, 및 복수의 유체 매니폴드들을 갖는 반도체 프로세싱 챔버를 포함한다. 매니폴드 트렁크 각각은 유출구, 공통 플로우 경로, 복수의 트렁크 유입구들, 복수의 오리피스들 (orifices), 및 복수의 밸브 인터페이스들을 포함한다.

Description

멀티-스테이션 반도체 프로세싱 챔버에서 균일한 유체 전달을 위한 장치들
반도체 프로세싱 동작들 동안, 기판은 통상적으로 프로세싱 챔버 내 페데스탈 상에 지지되고 그리고 프로세스 가스들은 기판 상에 하나 이상의 재료 층들을 증착하기 위해, 또는 기판으로부터 하나 이상의 재료 층들을 제거하기 위해 챔버 내로 흐른다. 상업적 규모의 제작 시, 기판, 또는 웨이퍼 각각은 제작될 특정한 반도체 디바이스의 많은 사본들을 포함하고, 많은 기판들이 디바이스들의 필요한 볼륨들을 달성하기 위해 요구된다. 반도체 프로세싱 동작의 상업적 실행 가능성은 대부분 프로세스 조건들의 웨이퍼 내 균일성 (within-wafer uniformity) 및 웨이퍼-대-웨이퍼 반복성 (wafer-to-wafer repeatability), 뿐만 아니라 스테이션-대-스테이션 균일성 (station-to-station uniformity) 에 종속된다. 따라서, 미리 결정된 웨이퍼의 부분 각각 및 프로세싱된 웨이퍼 각각이 동일한 프로세싱 조건들에 노출되는 것을 보장하기 위한 노력들이 이루어진다. 프로세싱 조건들 및 반도체 프로세싱 툴의 변동은 전체 프로세스 및 제품에서 용인할 수 없는 변동을 발생시키는 증착 조건들의 변동들을 유발할 수 있다. 프로세스 변동을 최소화하기 위한 장치들이 요구된다.
본 명세서에 포함된 배경기술 및 맥락적 기술들 (contextual descriptions) 은 단지 본 개시 (disclosure) 의 맥락을 일반적으로 제시할 목적으로 제공된다. 본 개시의 많은 부분은 발명자들의 업적을 제시하고, 단순히 이러한 업적이 배경기술 섹션에 기술되거나 본 명세서의 다른 곳에서 맥락으로 제시되기 때문에, 종래기술로 인정된다는 것을 의미하지 않는다.
참조로서 인용
PCT 신청 양식이 본 출원의 일부로서 본 명세서와 동시에 제출되었다. 본 출원이 동시에 제출된 PCT 신청 양식에서 식별된 바와 같이 우선권 또는 이익을 주장하는 출원 각각은 전체가 모든 목적들을 위해 본 명세서에 참조로서 인용되었다.
본 명세서에 기술된 주제의 하나 이상의 구현 예들의 세부사항들은 첨부된 도면들 및 이하의 기술에 제시된다. 다른 특징들, 양태들, 및 이점들은 기술, 도면들, 및 청구항으로부터 명백해질 것이다. 다음의 비제한적인 구현 예들은 본 개시 (disclosure) 의 일부로 간주된다; 다른 구현 예들은 본 개시 전체 및 첨부된 도면들로부터 또한 자명할 것이다.
본 명세서에 개시된 다양한 구현 예들은 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 참조하는 첨부된 도면들의 도면들에, 제한이 아니라 예로서 예시된다.
도 1은 개시된 실시 예들에 따른 예시적인 멀티-스테이션 반도체 프로세싱 툴을 도시한다.
도 2a는 오리피스 (orifice) 플레이트 내에 포지셔닝된 예시적인 오리피스의 각도를 벗어난 (off-angle) 도면을 도시한다.
도 2b는 도 2a의 오리피스 및 오리피스 플레이트의 분해도를 도시한다.
도 2c는 도 2a의 오리피스 및 오리피스 플레이트의 측단면도를 도시한다.
도 2d는 파이핑 (piping) 의 섹션과 함께 도 2c의 오리피스 및 오리피스 플레이트의 측단면도를 도시한다.
도 3은 도 1의 멀티-스테이션 툴의 확대된 부분을 도시한다.
도 4는 도 3의 일 매니폴드 트렁크, 대응하는 스테이션 유입구, 2 개의 오리피스들, 및 2 개의 매니폴드 레그들의 부분들의 확대된, 측단면도를 도시한다.
도 5a는 2 개의 오리피스 플레이트들 및 2 개의 밸브들을 갖는 또 다른 예시적인 매니폴드 트렁크의 각도를 벗어난 도면을 도시한다.
도 5b는 도 5a의 측단면도를 도시한다.
도 6은 또 다른 예시적인 매니폴드를 도시한다.
이하의 기술 (description) 에서, 제시된 실시 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적 상세들이 제시된다. 개시된 실시 예들은 이들 구체적인 상세들 중 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있다. 다른 예들에서, 공지된 프로세스 동작들은 개시된 실시 예들을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 상세히 기술되지 않았다. 개시된 실시 예들이 구체적인 실시 예들과 함께 기술될 것이지만, 이는 개시된 실시 예들을 제한하는 것으로 의도되지 않았다는 것이 이해될 것이다.
정의들
본 명세서에서, 용어들 "반도체 웨이퍼", "웨이퍼", "기판", "웨이퍼 기판" 및 "부분적으로 제조된 집적 회로"는 상호 교환 가능하게 사용된다. 당업자는 용어 "부분적으로 제조된 집적 회로"가 상부에서 집적 회로 제조의 많은 단계들 중 임의의 단계 동안의 실리콘 웨이퍼를 지칭할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 반도체 디바이스 산업계에 사용된 웨이퍼 또는 기판은 통상적으로 200 ㎜, 또는 300 ㎜, 또는 450 ㎜의 직경을 갖는다. 이하의 상세한 기술은 본 발명이 이러한 웨이퍼를 사용하여 구현된다는 것을 가정한다. 그러나, 본 발명은 이렇게 제한되지 않는다. 워크피스 (work piece) 는 다양한 형상들, 사이즈들, 및 재료들일 수도 있다. 반도체 웨이퍼들에 더하여, 본 발명의 장점을 취할 수도 있는 다른 워크피스들은 인쇄 회로 기판들, 자기 기록 매체, 자기 기록 센서들, 미러들, 광학 엘리먼트들, 마이크로-기계 디바이스들, 등과 같은 다양한 물품들을 포함한다.
본 개시의 목적들을 위해, 용어 "유체적으로 연결된 (fluidically connected)"은 용어 "전기적으로 접속된"이 전기적 접속을 형성하도록 함께 연결되는 컴포넌트들에 대해 사용되는 방법과 유사하게, 유체 연결을 형성하기 위해 서로 연결될 수도 있는, 볼륨들, 플레넘들, 홀들, 등에 대해 사용된다. 용어 "유체적으로 개재된 (fluidically interposed)"은, 사용된다면, 적어도 2 개의 다른 컴포넌트들, 볼륨들, 플레넘들, 또는 홀들과 유체적으로 연결된 컴포넌트, 볼륨, 플레넘, 또는 홀을 지칭하도록 사용될 수도 있어서, 이들 다른 컴포넌트들, 볼륨들, 플레넘들, 또는 홀들 중 하나로부터 이들 컴포넌트들, 볼륨들, 플레넘들, 또는 홀들 중 다른 것 또는 또 다른 것으로 흐르는 유체가 이들 컴포넌트들, 볼륨들, 플레넘들, 또는 홀들 중 다른 것 또는 또 다른 것에 도달하기 전에 "유체적으로 개재된" 컴포넌트를 통해 먼저 흐를 것이다. 예를 들어, 펌프가 저장부와 유출구 사이에 유체적으로 개재된다면, 저장부로부터 유출구로 흐르는 유체는 유출구에 도달하기 전에 먼저 펌프를 통해 흐를 것이다.
도입 및 맥락
멀티-스테이션 반도체 프로세싱 툴들 ("멀티-스테이션 툴들") 은 단일 프로세싱 챔버 내에 2 개 이상의 프로세싱 스테이션들을 갖고, 이는 복수의 웨이퍼들의 병렬 프로세싱을 가능하게 함으로써 (enable) 쓰루풋 (throughput) 을 증가시키는 동시에 다양한 스테이션들 사이에 공통 프로세싱 장비를 활용하는 것과 같은 수많은 이점들을 야기할 수 있다. 예를 들어, 4 개의 프로세싱 스테이션들을 갖는 챔버에서, 4 개의 분리된 스테이션들에 배치된 (place) 4 개의 기판들은 동시에 프로세싱될 수도 있다. 많은 멀티-스테이션 툴들은 프로세스 유체 각각을 공통 소스로부터 하나 이상의 접합 (junction) 지점들 및 복수의 레그들, 또는 플로우 경로들을 갖는 매니폴드를 통해 스테이션 각각의, 가스 분산 디바이스, 예를 들어, 샤워헤드로 흘림으로써, 프로세스 가스들, 액체들, 및/또는 증기들과 같은 수많은 프로세스 유체들을 스테이션 각각으로 전달하는 프로세스 유체 전달 시스템을 갖는다. 복수의 프로세스 유체들을 멀티-스테이션 챔버들로 전달하기 위해, 많은 멀티-스테이션 툴들은 스테이션들 각각에 상이한 유체 소스를 각각 연결하는 복수의 매니폴드들을 갖는다. 이러한 매니폴드들을 사용하여 단일 유체 소스로부터 복수의 스테이션들로 유체를 흘리는 것은 예를 들어, 증가된 효율들 및 감소된 비용들과 같은 수많은 이점들을 제시한다.
본 발명자들은 일부 멀티-스테이션 툴들에 대한 유체 전달 시스템들의 양태들이 스테이션-대-스테이션 불균일성 (station-to-station uniformity) 을 유발할 수 있는 다양한 바람직하지 않은 플로우 조건들을 야기할 수 있다는 것을 발견하였다. 이들 바람직하지 않은 효과들은 유체 플로우 레이트들이 약 2 slm, 약 1.5 slm, 약 1 slm, 또는 약 0.5 slm 이하를 포함하는, 약 3 slm (standard liters per minute) 미만으로 간주될 수도 있는 "저-플로우" 레짐 (regime) 에 있을 때 발생하는 것으로 밝혀졌다. 예를 들어, 멀티-스테이션 증착 툴에서, 재료는 저-플로우 레짐으로 흐른 프로세스 가스들을 사용하여 증착되고, 상이한 스테이션-대-스테이션 증착 레이트들은 증착된 재료의 두께에 영향을 주고 스테이션-대-스테이션 두께 불균일성을 증가시킨다.
본 발명자들은 프로세스 유체 전달 시스템들의 플로우 불균형들, 매니폴드들 사이의 크로스-토크 (cross-talk), 또는 둘 모두가 유체가 저-플로우 레짐으로 흐를 때 불균일한 스테이션-대-스테이션 플로우 레이트들과 같은 바람직하지 않은 스테이션-대-스테이션 불균일성을 야기할 수 있다는 것을 발견했다. 유체 소스 각각으로부터 웨이퍼로의 매니폴드들 및 유체 전달 플로우 경로들은 가능한 동일하고 균일하도록 설계되고 구축되지만, 그럼에도 불구하고 이들 플로우 경로들은 예를 들어, 밸브들, 유체 도관들 및 엘리먼트들, 및 가스 분배 디바이스들의 제작 또는 어셈블리 변동성들과 같은 고유의 변동성을 갖는다. 이들 고유한 변동성들은 대부분의 미리 결정된 프로세스 조건들에서 상대적으로 고정된 채로 남아 있는 스테이션-대-스테이션 플로우 레이트 불균일성을 발생시킬 수도 있다.
예를 들어, 3.5 slm 또는 5 slm 이상과 같이 상대적으로 높거나 낮지 않은 플로우 (non-low-flow) 플로우 레이트들에서, 고유한 스테이션-대-스테이션 플로우 레이트 차들은 이전 기술 노드들 또는 단일 스테이션 반응기들에서 반도체 디바이스 제조 동작들을 수행하기 위한 프로세스 조건들에 영향을 주지 않을 수도 있도록 유체 플로우 레이트와 비교하여 상대적으로 작다. 그러나, 저-플로우 플로우 레이트들에서, 스테이션-대-스테이션 플로우 레이트 차는 유체 플로우 레이트에 비해 상대적으로 크고, 스테이션들에서 그리고 스테이션들 사이의 플로우 조건들 및 플로우 균형에 상당한 영향을 줄 수 있다. 단순화된 예에서, 멀티-스테이션 툴은 5 slm과 같은 고 플로우 레이트들에 비해 상대적으로 작지만 4 개의 스테이션들 사이에 스플릿될 (split) 수도 있고 스테이션 각각으로 0.5 slm의 플로우 레이트를 발생시킬 수도 있는 2 slm의 플로우 레이트에 비해 상대적으로 큰, 대략 0.5 slm인 고유의 스테이션-대-스테이션 플로우 레이트 차를 가질 수도 있다. 이 간략화된 예시에서, 스테이션 각각으로의 0.5 slm의 플로우 레이트는 0.5 slm의 스테이션-대-스테이션 플로우 레이트 차와 거의 동일하고, 이는 이들 저 플로우 레이트들에서 상당한 스테이션-대-스테이션 변동성을 발생시킬 수 있다.
멀티-스테이션 툴의 복수의 매니폴드들 사이에서 바람직하지 않은 크로스-토크가 또한 관찰되었다. "크로스-토크"는 하나의 매니폴드로부터 또 다른 매니폴드로 의도하지 않게 흐르는 유체로 간주될 수도 있다. 상기 언급된 바와 같이, 다수의 프로세스 유체들은 복수의 매니폴드들을 통해 멀티-스테이션 툴의 스테이션들로 전달되고, 그리고 매니폴드 각각은 상이한 유체 소스와 대응할 수도 있고 각각 하나의 대응하는 스테이션에 유체적으로 연결된 복수의 레그들을 가질 수도 있다. 프로세스 유체 각각은 별개의 매니폴드를 통해 멀티-스테이션 툴의 스테이션들로 흐를 수도 있다. 스테이션 각각은 본 명세서에서 "매니폴드 트렁크"로 지칭되는 공통 접합부를 가질 수도 있고, 이는 스테이션 각각에 대한 유입구들은 합쳐지는, 즉, 복수의 매니폴드들 각각의 레그가 스테이션에 물리적으로 그리고 유체적으로 연결되는 공통 위치이다. 따라서 매니폴드 트렁크는 매니폴드 각각의 하나의 레그에 각각 유체적으로 연결된 복수의 입력부들을 가질 수도 있다. 본 발명자들은 일부 멀티-스테이션 툴들이 매니폴드 각각으로부터 매니폴드 트렁크를 유체적으로 격리하기 (isolate) 위한 밸브들을 갖지 않고, 이는 유체로 하여금 하나의 매니폴드의 하나의 레그로부터, 연결된 매니폴드 트렁크를 통해, 그리고 또 다른 매니폴드 내로 흐르게 한다는 것을 발견했고; 이는 매니폴드들 사이의 크로스-토크의 일 예이다. 이 크로스-토크는 유체가 의도적으로 흐르는 하나의 매니폴드 내에서 플로우 불균형을 생성할 수도 있고 유체로 하여금 다른 매니폴드 내로 그리고 하나 이상의 스테이션들로 흐르게 함으로써 스테이션들 사이에 부가적인 플로우 불균형을 생성할 수도 있다.
본 발명자들은 매니폴드 각각의 레그 각각에 초크 플로우 (choked flow) 를 생성하기 위해 플로우 제한기들 또는 오리피스들을 활용하는 것이 보다 균일하고 균형 잡힌 (balanced) 스테이션-대-스테이션 플로우를 발생시킬 수 있다고 결정하였다. 초크 플로우 레짐을 사용함으로써, 매니폴드 레그 각각으로부터 프로세싱 스테이션으로 흐르는 유체는 스테이션 각각에서 다운스트림 (downstream) 압력 변동들 및 고유한 변동성들에 둔감해진다 (insensitive). 또한, 본 발명자들은 스테이션 각각에서 매니폴드 각각의 레그 각각에 대해 매니폴드 트렁크에 격리 밸브들을 사용하는 것이 매니폴드들 사이의 크로스-토크를 방지할 수 있다고 결정하였다.
시스템들 및 장치들
본 개시의 양태들은 불균일한 스테이션-대-스테이션 유체 플로우를 감소시키고 멀티-스테이션 반도체 프로세싱 툴들에서 매니폴드들 사이의 크로스-토크를 감소시키는 것에 관한 것이다. 본 명세서에 제공된 멀티-스테이션 툴들은 스테이션 각각에서 대응하는 매니폴드 트렁크에 유체적으로 연결된 복수의 레그들을 각각 갖는 복수의 유체 전달 매니폴드들을 갖는다. 멀티-스테이션 툴들은 또한 매니폴드 트렁크들에 또는 그 근방에 포지셔닝되고 매니폴드 각각의 레그 각각 내에 초크 플로우를 생성하도록 사용되는 복수의 플로우 제한기들, 예컨대 오리피스들을 포함할 수도 있다. 매니폴드 트렁크 각각은 하나의 대응하는 스테이션과 유체적으로 연결될 수도 있고, 대응하는 매니폴드의 하나의 레그와 각각 유체적으로 연결되는 복수의 유입구들을 가질 수도 있고, 유입구 각각과 레그 사이에 유체적으로 개재된 오리피스를 가질 수도 있다.
매니폴드 트렁크 각각의 유입구 각각과 상기 유입구에 유체적으로 연결된 대응하는 레그 사이에 포지셔닝된 오리피스를 사용하여, 매니폴드 레그 각각으로부터 매니폴드 트렁크 각각 및 대응하는 스테이션으로 초크 플로우가 생성된다. 오리피스 각각은 오리피스 바디 및 오리피스 바디를 통한 홀을 가질 수도 있고, 그리고 일부 구현 예들에서, 오리피스 바디는 매니폴드 트렁크에 제거 가능하게 연결된 오리피스 플레이트 내로 스웨이징될 (swage) 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 오리피스 바디는 금속을 머시닝하는 것과 같은 제작 수단 및 다른 재료들보다 낮은 제작 공차들을 가능하게 하도록 루비로 이루어질 수도 있다.
일부 실시 예들에서, 동일한 길이 또는 실질적으로 동일한 길이일 수도 있는, 복수의 레그들 사이에 단일, 공통 멀티-레그 스플릿을 갖는 매니폴드를 갖는 일부 다른 구현 예들에서, 오리피스 각각은 매니폴드의 레그 각각 내에 초크 플로우를 생성하기 위해 공통 멀티-레그 스플릿에 상대적으로 가깝게 레그 각각을 따라 포지셔닝될 수도 있다. 일부 이러한 구현 예들에서, 오리피스 각각은 연결된 레그의 각각의 길이의 20 ％, 10 ％, 또는 5 ％ 이하인 거리만큼 멀티-레그 스플릿으로부터 이격되게 (away from) 포지셔닝될 수도 있다.
멀티-스테이션 툴들은 또한 매니폴드들 사이의 크로스-토크를 방지하기 위해 매니폴드 트렁크들의 유입구 각각에 각각 포지셔닝되는 복수의 밸브들을 가질 수도 있다. 이들 밸브들은 매니폴드 트렁크의 유입구 각각에 대응하는 오리피스와 매니폴드 레그 사이의 유체 플로우를 조절하도록 구성된다. 그러므로 매니폴드 트렁크 각각은 밸브들이 인터페이싱하고 연결하도록 구성된 밸브 인터페이스들을 포함할 수도 있다. 오리피스 플레이트를 사용하는 일부 구현 예들에서, 밸브 인터페이스는 오리피스 플레이트의 일부일 수도 있고 그리고 밸브는 오리피스 플레이트와 직접적으로 인터페이스할 수도 있다. 부가적으로, 일부 구현 예들에서, 매니폴드 각각의 레그는 밸브에서 종단될 수도 있는 한편, 다른 구현 예들에서, 레그는 매니폴드 트렁크의 밸브 인터페이스 표면에서 종단될 수도 있다.
도 1은 개시된 실시 예들에 따른 예시적인 멀티-스테이션 반도체 프로세싱 툴을 도시한다. 이 멀티-스테이션 툴 (100) 은 각각 점선 직사각형에 의해 에워싸인 (encompass) 4 개의 프로세싱 스테이션들 (104A 내지 104D) 을 갖는 프로세싱 챔버 (102) 를 포함한다. 프로세싱 챔버 (102) 는 적어도 스테이션들 (104A 내지 104D) 이 포지셔닝되는 챔버 내부 (103) 를 규정하는 상단부, 하단부, 및 측벽들을 갖는다. 스테이션 각각은 페데스탈 (106), 페데스탈 (106) 상의 기판 (108), 및 샤워헤드 (110) 를 포함하고; 이들 아이템들은 프로세싱 스테이션 (104A) 에서 라벨링된다.
멀티-스테이션 툴 (100) 은 또한 샤워헤드들 (110) 로 프로세스 유체들을 전달하기 위해 프로세싱 스테이션 (104A 내지 104D) 각각에 유체적으로 커플링된 (점선 직사각형 내에 에워싸인) 유체 전달 시스템 (114) 을 포함한다. 프로세스 유체들은 막 전구체들, 캐리어 가스 및/또는 퍼지 가스 및/또는 프로세스 가스, 2 차 반응 물질들, 등과 같은 액체들 및/또는 가스들을 포함할 수도 있다. 유체 전달 시스템 (114) 은 복수의 가스 소스들을 포함하고, 이들 중 2 개는 제 1 유체 소스 (116) 및 제 2 유체 소스 (118) 로 예시되고, 그리고 프로세스 유체들을 가스 소스 각각으로부터 프로세싱 스테이션 (104A 내지 104D) 각각으로 전달하기 위한 복수의 매니폴드들을 포함한다. 도시되지 않았지만, 유체 전달 시스템 (114) 은 적어도 3, 4, 6, 8, 10 또는 20 개의 유체 소스들과 같은 부가적인 유체 소스들, 하나 이상의 혼합 용기들, 혼합 용기로 공급되도록 액체 반응 물질을 기화하기 위한 기화 지점들, 뿐만 아니라 유체 전달 시스템 (114) 전체에 걸쳐 (throughout) 유체들의 플로우를 지시하고 제어하기 위한 다양한 밸브들, 매니폴드들, 히터들, 및 가스 라인들과 같은 다른 피처들을 포함할 수도 있고; 이들 피처들 중 일부는 이하에 보다 상세히 기술된다. 샤워헤드 (110) 는 대응하는 프로세싱 스테이션에서 기판 (108) 을 향해 프로세스 가스들 및/또는 반응 물질들 (예를 들어, 막 전구체들) 을 분배한다.
도 1에서, 유체 전달 시스템 (114) 은 2 개의 매니폴드들, 도면 범례로 나타낸 바와 같이, 두꺼운 실선으로 도시된 제 1 매니폴드 (120), 및 두꺼운 점선으로 도시된 제 2 매니폴드 (122) 로 예시된다. 제 1 매니폴드 (120) 는 제 1 유체 소스 (116) 와 단일 유체 연결을 형성할 수도 있는 공통 입력부 (124) 를 포함하고, 그리고 각각 하나의 대응하는 스테이션 (104A 내지 104D) 에 각각 유체적으로 연결된 복수의 레그들 (126A 내지 126D) 을 포함한다. 공통 입력부 (124) 는 매니폴드가 복수의 레그들로 처음 스플릿되는 곳을 나타내는 지점 (128) 을 가질 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 제 1 매니폴드 (120) 는 각각 상이한, 대응하는 스테이션 (104A 내지 104D) 에서 각각 종단되는 4 개의 개별적인 레그들 (126A 내지 126D) 을 갖는 제 1 매니폴드 (120) 를 발생시키는 복수의 분할들 (divisions) 및 스플릿들 (미도시) 을 가질 수도 있다. 예를 들어, 도 1에 예시된 바와 같이, 공통 입력부 (124) 의 지점 (128) 에서 또는 지점 (128) 후에 제 1 매니폴드 (120) 에 대해, 제 1 레그 (126A) 는 제 1 프로세싱 스테이션 (104A) 에 유체적으로 연결되고, 제 2 레그 (126B) 는 제 2 프로세싱 스테이션 (104B) 에 유체적으로 연결되고, 제 3 레그 (126C) 는 제 3 프로세싱 스테이션 (104C) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 제 4 레그 (126D) 는 제 4 프로세싱 스테이션 (104D) 에 유체적으로 연결된다. 일부 실시 예들에서, 레그들 (126A 내지 126D) 각각은 동일한 길이 또는 실질적으로 동일한 길이를 가질 수도 있다.
도 1의 제 2 매니폴드 (122) 는 제 2 유체 소스 (118) 와 단일 유체 연결을 형성할 수도 있는 공통 입력부 (124) 를 포함하고, 그리고 각각 하나의 대응하는 스테이션 (104A 내지 104D) 에 각각 유체적으로 연결된 복수의 레그들 (130A 내지 130D) 을 포함한다. 공통 입력부 (124) 는 제 2 매니폴드 (122) 가 복수의 레그들로 스플릿되는 지점 (132) 을 가질 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 제 2 매니폴드 (122) 는 각각 상이한, 대응하는 스테이션 (104A 내지 104D) 에서 각각 종단되는 4 개의 개별적인 레그들 (130A 내지 130D) 을 갖는 제 2 매니폴드 (122) 를 발생시키는 복수의 분할들 및 스플릿들 (미도시) 을 가질 수도 있다. 도 1에 예시된 바와 같이, 공통 입력부 (124) 의 지점 (132) 에서 또는 지점 (132) 후에, 제 2 매니폴드 (122) 에 대해, 제 1 레그 (130A) 는 제 1 프로세싱 스테이션 (104A) 에 유체적으로 연결되고, 제 2 레그 (130B) 는 제 2 프로세싱 스테이션 (104B) 에 유체적으로 연결되고, 제 3 레그 (130C) 는 제 3 프로세싱 스테이션 (104C) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 제 4 레그 (130D) 는 제 4 프로세싱 스테이션 (104D) 에 유체적으로 연결된다. 일부 실시 예들에서, 레그들 (130A 내지 130D) 각각은 동일한 길이 또는 실질적으로 동일한 길이를 가질 수도 있다. 이 도 1에서 개별 레그들을 예시하기 위해, 레그 (126A 내지 126D 및 130A 내지 130D) 각각은 각각의 제 1 매니폴드 또는 제 2 매니폴드의 대응하는 업스트림 (upstream), 실선 원으로부터 연장한다.
매니폴드 각각의 레그 각각이 프로세싱 스테이션 각각과 유체적으로 연결하기 위해, 멀티-스테이션 툴 (100) 은 프로세싱 스테이션들 (104A 내지 104D) 중 하나에 각각 대응하고, 그리고 매니폴드의 하나의 레그와 유체적으로 연결되도록 각각 구성된 트렁크 유입구들을 각각 갖는 복수의 매니폴드 트렁크들 (134A 내지 134D) 을 포함한다. 매니폴드 트렁크 (134A 내지 134D) 각각은 스테이션 (104A 내지 104D) 각각의 대응하는 스테이션 유입구 (136A 내지 136D) 에 각각 유체적으로 연결된다. 스테이션 유입구 (136A 내지 136D) 각각은 유체가 스테이션의 스테이션 유입구를 통해 스테이션의 샤워헤드로 흐르도록 대응하는 스테이션 (104A 내지 104D) 의 샤워헤드에 각각 유체적으로 연결된다. 예를 들어, 유체는 스테이션 유입구 (120A) 를 통해 스테이션 (104A) 의 샤워헤드 (110) 로 흐를 수도 있다. 도 1에 예시된 바와 같이, 매니폴드 트렁크 (134A) 는 스테이션 (104A) 에 대응하고 스테이션 유입구 (136A) 및 스테이션 (104A) 에 유체적으로 연결되고; 매니폴드 트렁크 (134B) 는 스테이션 (104B) 에 대응하고 스테이션 유입구 (136B) 및 스테이션 (104B) 에 유체적으로 연결되고; 매니폴드 트렁크 (134C) 는 스테이션 (104C) 에 대응하고 스테이션 유입구 (136C) 및 스테이션 (104C) 에 유체적으로 연결되고; 매니폴드 트렁크 (134D) 는 스테이션 (104D) 에 대응하고 스테이션 유입구 (136D) 및 스테이션 (104D) 에 유체적으로 연결된다.
매니폴드 트렁크 각각은 도 1에 예시된 바와 같이 2 개의 유입구들과 같은 복수의 트렁크 유입구들을 포함한다. 트렁크 유입구 각각은 하나의 매니폴드의 하나의 레그에 유체적으로 연결되고; 그러므로 매니폴드 각각의 레그 각각은 레그들이 상이한 프로세싱 스테이션에 각각 유체적으로 연결되도록 하나의 대응하는 스테이션에 대한 하나의 트렁크 매니폴드의 하나의 트렁크 유입구에 연결된다. 일부 구현 예들에서, 매니폴드 트렁크 각각은 적어도 매니폴드들과 동일한 수의 트렁크 유입구들을 갖고, 그리고 매니폴드 각각은 적어도 스테이션들과 동일한 수의 레그들을 포함한다. 예를 들어, 매니폴드 트렁크 (134A) 는 제 1 트렁크 유입구 (138A) 및 제 2 트렁크 유입구 (138B) (모두 타원들로 표현됨) 를 포함하고, 제 1 매니폴드 (120) 의 제 1 레그 (126A) 는 제 1 트렁크 유입구 (138A) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 제 2 매니폴드 (122) 의 제 1 레그 (130A) 는 제 2 트렁크 유입구 (138B) 에 유체적으로 연결된다.
유사하게, 매니폴드 트렁크 (134B) 는 제 1 트렁크 유입구 (140A) 및 제 2 트렁크 유입구 (140B) 를 포함하고, 제 1 매니폴드 (120) 의 제 2 레그 (126B) 는 제 1 트렁크 유입구 (140A) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 제 2 매니폴드 (122) 의 제 2 레그 (130B) 는 제 2 트렁크 유입구 (140B) 에 유체적으로 연결된다. 매니폴드 트렁크 (134C) 에 대해, 매니폴드 트렁크 (134C) 는 제 1 트렁크 유입구 (142A) 및 제 2 트렁크 유입구 (142B) 를 포함하고, 제 1 매니폴드 (120) 의 제 3 레그 (126C) 는 제 1 트렁크 유입구 (142A) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 제 2 매니폴드 (122) 의 제 3 레그 (130C) 는 제 2 트렁크 유입구 (142B) 에 유체적으로 연결된다. 마지막으로, 매니폴드 트렁크 (134D) 에 대해, 매니폴드 트렁크 (134D) 는 제 1 트렁크 유입구 (144A) 및 제 2 트렁크 유입구 (144B) 를 포함하고, 제 1 매니폴드 (120) 의 제 4 레그 (126D) 는 제 1 트렁크 유입구 (144A) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 제 2 매니폴드 (122) 의 제 4 레그 (130D) 는 제 2 트렁크 유입구 (144B) 에 유체적으로 연결된다.
이들 배치들 (arrangements) 및 구성들에 기초하여, 제 1 매니폴드 (120) 의 레그 각각은 다른 레그들과 상이한 매니폴드 트렁크들 (134A 내지 134D) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 레그 각각은 대응하는 프로세싱 스테이션 (104A 내지 104D) 에 각각 유체적으로 연결된다. 따라서 제 1 매니폴드 (120) 는 제 1 매니폴드 (120) 를 하나의 대응하는 프로세싱 스테이션에 유체적으로 연결하는 하나의 레그를 사용하여 프로세싱 스테이션 (104A 내지 104D) 각각에 유체적으로 연결된다. 또한, 제 2 매니폴드 (122) 의 레그 각각은 다른 레그들과 상이한 매니폴드 트렁크들 (134A 내지 134D) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 레그 각각은 대응하는 프로세싱 스테이션 (104A 내지 104D) 에 각각 유체적으로 연결된다. 따라서 제 2 매니폴드 (122) 는 제 2 매니폴드 (122) 를 하나의 대응하는 프로세싱 스테이션에 유체적으로 연결하는 하나의 레그를 사용하여 프로세싱 스테이션 각각에 유체적으로 연결된다.
멀티-스테이션 툴 (100) 의 부가적인 피처들 및 플로우 엘리먼트들이 이제 논의될 것이다. 이들 피처들 중 일부는 명확성 목적들로 도 1에 포함되지 않았지만 본 명세서에 제공된 다른 도면들에 예시된다. 이들 피처들 중 일부는 오리피스들 및 밸브들을 포함한다. 상기 언급된 바와 같이, 매니폴드 트렁크 내로 흐르는 매니폴드 각각의 레그 각각에서 초크 플로우 레짐을 생성하기 위해, 본 명세서에 제공된 멀티-스테이션 툴들은 매니폴드 각각의 하나의 대응하는 레그에 유체적으로 각각 연결될 수도 있고 그리고 레그가 유체적으로 연결된 트랑크 유입구의 업스트림에 유체적으로 포지셔닝될 수도 있는, 복수의 플로우 제한기들, 예컨대 오리피스들을 사용할 수도 있다. 오리피스 각각은 상기 오리피스에 유체적으로 연결된 매니폴드 레그의 내경보다 보다 작은 홀 직경, 예컨대 레그 내경의 예를 들어 약 50 ％, 약 40 ％, 약 25 ％, 약 20 ％, 약 10 ％, 또는 약 5 ％ 이하의 홀 직경을 가짐으로써 초크 플로우를 생성한다.
예시적인 오리피스 및 오리피스 플레이트가 도 2a 내지 도 2d에 예시된다. 도 2a는 오리피스 플레이트 내에 포지셔닝된 예시적인 오리피스의 각도를 벗어난 (off-angle) 도면을 도시하고 그리고 도 2b는 도 2a의 오리피스 및 오리피스 플레이트의 분해도를 도시한다. (도 2b에서 점선 타원으로 둘러싸인) 오리피스 (246) 는 오리피스 바디 (247) 및 오리피스 바디 (247) 를 통해 연장하는 홀 (249) 을 갖는다. 오리피스 바디 (247) 는 오리피스 플레이트 (251) 내에 포지셔닝되고 그리고 도시된 실시 예에서, 오리피스 플레이트 (251) 의 보어 (257) 내의 시트 (seat) (253) 상에 포지셔닝된다. 일부 실시 예들에서, 오리피스 바디는 오리피스 플레이트 재료가 오리피스 플레이트 내로 오리피스를 캡슐화하도록 오리피스 바디 둘레에서 변형되는 (deform) 스웨이징 프로세스를 통해 오리피스 플레이트 내로 스웨이징될 수도 있다.
도 2c는 도 2a의 오리피스 및 오리피스 플레이트의 측단면도를 도시한다. 오리피스 (246), 오리피스 바디 (247), 및 홀 (249) 이 보이고 홀은 직경 D1을 갖는다. 오리피스 바디 (247) 는 오리피스 플레이트 (251) 의 시트 (253) 상에 포지셔닝되고 그리고 오리피스 플레이트는 오리피스 바디 (247) 둘레에서 변형된다 (일부 대표적인 변형은 식별자 (241) 로 식별된다). 도 2d는 파이핑 (piping) (253) 의 섹션과 함께 도 2c의 오리피스 및 오리피스 플레이트의 측단면도를 도시하고; 이 파이핑 (253) 은 오리피스에 유체적으로 연결된 매니폴드 레그 또는 매니폴드 파이핑을 나타낸다. 오리피스 (246) 는 상기 오리피스에 유체적으로 연결된 매니폴드 레그의 내경, 여기서 파이핑 (253) 의 내경 D2보다 보다 작은 홀 직경 D1을 가짐으로써 매니폴드 레그 내에 초크 플로우를 생성한다. 예를 들어, 홀 (249) 직경 D1은 예를 들어, 레그 내경 D2의 약 50 ％, 약 40 ％, 약 25 ％, 약 20 ％, 약 10 ％, 또는 약 5 ％ 이하일 수도 있다.
일부 실시 예들에서, 오리피스 바디는 루비 재료로 구성될 수도 있다. 이 재료는 보다 낮은 제작 공차들을 가능하게 할 수도 있고 따라서 보다 정확하고 정밀한 홀 직경 및 결과적인 플로우 제어를 가능하게 한다. 홀 직경 각각의 허용 오차들이 보다 낮을수록, 오리피스 바디 각각 사이에 보다 적은 변동이 있고 그리고 이러한 오리피스들을 사용하는 스테이션-대-스테이션 플로우는 보다 균일하다. 일부 실시 예들에서, 루비를 사용하는 것은, 일부 예들에서, 보다 낮은 공차들을 가질 수도 있고 따라서 보다 정밀한 머신 드릴링일 수도 있는 레이저 드릴링으로 홀이 형성되게 할 수도 있다. 다른 구현 예들에서, 홀은 머신 드릴링으로 형성될 수도 있다. 일부 다른 실시 예들에서, 오리피스 바디는 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 세라믹과 같은 유전체 재료와 같은 또 다른 재료 또는 재료들로 이루어질 수도 있다.
도 2a 내지 도 2d의 오리피스와 같은 복수의 플로우 제한기들은 도 1에 도시되지 않지만, 도 1의 멀티-스테이션 툴의 확대된 부분을 도시하는 도 3에 예시된다. 여기서, 멀티-스테이션 툴 (100) 의 수평 밴드가 도시되고 그리고 멀티-스테이션 툴 (100) 의 수평 밴드는 프로세싱 챔버 (102) 의 상단부, 스테이션 유입구들 (136A 내지 136D), 매니폴드 트렁크들 (134A 내지 134D) 및 매니폴드 트렁크들 (134A 내지 134D) 각각의 트렁크 유입구들 (138A, 138B, 140A, 140B, 142A, 142B, 144A, 및 144B), 제 1 매니폴드 (120) 의 레그들 (126A 내지 126D) 의 섹션들, 및 제 2 매니폴드 (122) 의 레그들 (130A 내지 130D) 의 섹션들을 포함한다. 복수의 오리피스들 (146A 내지 146H) 은 또한 도 3에 도시되고 수평 라인을 갖는 직사각형으로 나타낸다.
도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 복수의 오리피스들의 오리피스 (146A 내지 146H) 각각은 매니폴드 트렁크 (134A 내지 134D) 각각의 하나의 대응하는 트렁크 유입구 (138A, 138B, 140A, 140B, 142A, 142B, 144A, 및 144B) 와 각각 유체적으로 연결된다. 예를 들어, 오리피스 (146A) 는 트렁크 유입구 (138A) 에 유체적으로 연결되고 대응하고, 오리피스 (146B) 는 트렁크 유입구 (138B) 에 유체적으로 연결되고 대응하고, 오리피스 (146C) 는 트렁크 유입구 (140A) 에 유체적으로 연결되고 대응하고, 오리피스 (146D) 는 트렁크 유입구 (140B) 에 유체적으로 연결되고 대응하고, 그리고 오리피스 (146E) 는 트렁크 유입구 (142A) 에 유체적으로 연결되고 대응한다.
이들 오리피스들 (146A 내지 146H) 은 또한 레그로부터 트렁크 유입구로 유체가 오리피스를 통해 흐르도록 각각의 트렁크 유입구와 각각의 트렁크 유입구에 유체적으로 연결된 레그 사이에 유체적으로 개재된다. 일부 구현 예들에서, 제 1 매니폴드 및 제 2 매니폴드의 레그들 각각은 또한 오리피스 각각이 레그와 대응하는 트렁크 유입구 사이에 유체적으로 개재되도록 대응하는 오리피스에 유체적으로 연결된 종단 지점을 갖는다. 예를 들어, 제 1 매니폴드 (120) 의 레그 (126A) 는 오리피스 (146A) 의 업스트림이고, 오리피스 (146A) 및 트렁크 유입구 (138A) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 오리피스 (146A) 가 종단 지점 (148A) 과 대응하는 트렁크 유입구 (138A) 사이에 유체적으로 개재되도록 포지셔닝된 종단 지점 (148A) 을 갖는다. 이 유체 개재는 유체로 하여금 레그의 종단 지점 (148A) 으로부터 대응하는 오리피스 (146A) 를 통해 그리고 대응하는 트렁크 유입구 (138A) 로 흐르게 한다.
또 다른 예에서, 제 2 매니폴드 (122) 의 레그 (130A) 는 오리피스 (146B) 의 업스트림이고, 오리피스 (146B) 및 트렁크 유입구 (138B) 에 유체적으로 연결되고, 그리고 오리피스 (146B) 가 종단 지점 (148B) 과 대응하는 트렁크 유입구 (138B) 사이에 유체적으로 개재되도록 포지셔닝된 종단 지점 (148B) 을 갖는다. 이 유체 개재는 유체로 하여금 종단 지점 (148B) 으로부터 대응하는 오리피스 (146B) 를 통해 그리고 대응하는 트렁크 유입구 (138B) 로 흐르게 한다. 나머지 종단 지점들 (148C 내지 148H) 은 제 1 매니폴드 (120) 의 레그 (126B 내지 126D) 각각 및 제 2 매니폴드 (122) 의 레그 (130B 내지 130D) 각각에 대해 도 3에 포함되고 그리고 유사한 유체 포지셔닝으로 배치된다.
매니폴드 트렁크들의 일부 부가적인 특징들이 이제 논의될 것이다. 상기 제공된 바와 같이, 매니폴드 트렁크들은 유체로 하여금 트렁크 유입구 각각을 통해 그리고 대응하는 스테이션 유입구로 흐르게 하도록 구성된다. 이 구성은 대응하는 스테이션 유입구에 유체적으로 연결된 유출구 및 트렁크 유입구 및 스테이션 유입구 각각에 유체적으로 연결된 공통 플로우 경로를 갖고, 유입구 각각을 통해 흐르는 유체가 공통 플로우 경로를 통해 유출구로 이동하도록 배치된 매니폴드 트렁크 각각을 포함할 수도 있다. 도 4는 도 3의 일 매니폴드 트렁크, 대응하는 스테이션 유입구, 2 개의 오리피스들, 및 2 개의 매니폴드 레그들의 부분들의 확대된, 측단면도를 도시한다. 여기서 매니폴드 트렁크 (134A) 는 스테이션 유입구 (136A) 및 유체가 매니폴드 트렁크 (134A) 를 나가고 (exit) 스테이션 유입구 (136A) 로 들어가는 (enter) 포트에 유체적으로 연결된 유출구 (152) 를 갖는다.
매니폴드 트렁크 (134A) 는 또한 매니폴드 트렁크를 통해 연장하고, 그리고 일부 구현 예들에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 매니폴드 트렁크 (134A) 의 길이를 따라 연장하는 축 (156) 을 따르는 선형 경로를 따른하는 공통 플로우 경로 (154) 를 포함한다. 일부 예들에서, 공통 플로우 경로는 유출구와 매니폴드 트렁크 (도 4에서 매니폴드 트렁크 (134A) 의 상단부) 의 반대편 단부 사이에 걸쳐있다. 제 1 트렁크 유입구 (138A) 및 제 2 트렁크 유입구 (138B) 는 공통 플로우 경로 (154) 에 유체적으로 연결되고 그리고 작은 방향 화살표들로 나타낸 바와 같이 트렁크 유입구 각각을 통해 흐르는 유체가 공통 플로우 경로 (154) 내로, 유출구 (152) 로, 그리고 매니폴드 트렁크 (134A) 에 대해 대응하는 스테이션 유입구 (136A) 로 흐르도록 배치된다. 도 4는 또한 오리피스 (146A) 및 제 1 트렁크 유입구 (138A) 에 유체적으로 연결된 제 1 매니폴드 (120) 의 레그 (126A) 의 일부, 뿐만 아니라 오리피스 (146B) 및 제 2 트렁크 유입구 (138B) 에 유체적으로 연결된 제 2 매니폴드 (122) 의 레그 (130A) 의 일부를 포함한다.
상기 제공된 바와 같이, 바람직하지 않은 크로스-토크는 격리 밸브들을 갖지 않은 매니폴드들과 매니폴드 트렁크들 사이에서 발생할 수도 있다. 이 크로스-토크의 예시는 도 4에서 볼 수 있다. 여기서, 바람직하지 않은 크로스-토크는 제 1 매니폴드 (120) 의 레그 (126A) 를 통해 매니폴드 트렁크 (134A) 내로 흐르는 유체를 포함할 수도 있고, 그리고 스테이션 유입구 (136A) 로 흐르는 대신, 유체는 매니폴드 트렁크 (134A) 를 통해 트렁크 유입구 (138B) 밖으로 그리고 제 2 매니폴드 (122) 의 레그 (130A) 내로 흐를 수도 있다. 이 크로스-토크는 검은 색 화살표들 (158) 로 나타낸다. 이어서 이 크로스-토크 유체는 제 2 매니폴드 (122) 의 또 다른 레그, 예컨대 레그 (130B) 내로 그리고 스테이션 유입구 (136B) 및 대응하는 스테이션 (104B) (도 4에 도시되지 않음) 내로 흐를 수도 있다.
이 원치 않은 크로스-토크를 방지하기 위해, 본 명세서에 제공된 일부 실시 예들은 제 1 매니폴드와 제 2 매니폴드 사이의 크로스-토크를 방지하도록 밸브들을 사용할 수도 있다. 이는 유체가 하나의 매니폴드를 통해, 매니폴드 트렁크 내로, 그리고 다른 매니폴드 내로 흐르는 것을 방지하도록 매니폴드 트렁크 각각에 밸브들을 갖는 것을 포함할 수도 있다. 도 4는 제 1 레그 (126A) 에 유체적으로 연결되고 유체가 레그 (126A) 를 통해 트렁크 유입구 (138A) 로 흐르는 것을 방지하고, 또한 유체가 트렁크 유입구 (138A) 를 통해 그리고 레그 (126A) 내로 역방향으로 흐르는 것을 방지하도록 구성된 밸브 (150A) 를 포함한다. 또 다른 밸브 (150B) 는 또한 다른 레그 (130A) 에 유체적으로 연결되고 그리고 트렁크 유입구 (138B) 와 다른 레그 (130A) 사이의 플로우를 방지하도록 밸브 (150A) 와 동일한 방식으로 구성된 것으로 보인다.
이들 밸브들 및 이들의 배치들은 도 3에 대해 더 도시되고 설명된다. 여기서 멀티-스테이션 툴 (100) 은 매니폴드 각각의 레그 각각과 레그 각각에 대한 대응하는 트렁크 유입구 사이의 플로우를 조절하도록 구성된 복수의 밸브들 (150A 내지 150H) 을 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 밸브 (150A 내지 150H) 각각은 매니폴드의 하나의 대응하는 레그에 유체적으로 연결되고 그리고 상기 레그와 대응하는 트렁크 유입구 사이의 유체 플로우를 조절하도록 구성된다. 예를 들어, 도 4와 유사하게, 밸브 (150A) 는 제 1 매니폴드 (120) 의 레그 (126A), 오리피스 (146A), 및 매니폴드 트렁크 (134A) 의 트렁크 유입구 (138A) 에 유체적으로 연결된다. 이 밸브 (150A) 는 레그 (126A) 와 대응하는 오리피스 (146A) 뿐만 아니라 대응하는 트렁크 유입구 (138A) 사이의 유체 플로우를 조절하도록 구성된다. 또 다른 예에서, 밸브 (150D) 는 이 밸브 (150D) 가 레그 (130B) 와 대응하는 오리피스 (146D) 및 트렁크 유입구 (140B) 사이의 유체 플로우를 조절할 수 있도록 제 2 매니폴드 (122) 의 레그 (130B) 에, 오리피스 (146B) 에, 그리고 매니폴드 트렁크 (134B) 의 트렁크 유입구 (140B) 에 유체적으로 연결된다.
밸브들은 레그 각각과 상기 레그에 유체적으로 연결된 대응하는 오리피스 및 트렁크 유입구 사이의 유체 플로우를 조절하도록 다양한 방식들로 포지셔닝될 수도 있다. 일 예에서, 밸브는 오리피스와 직접적으로 인터페이싱되는 것을 포함하여, 오리피스에 유체적으로 연결될 수도 있고, 그리고 유체가 밸브를 통해 대응하는 오리피스 및 트렁크 유입구로 흐르도록 대응하는 매니폴드 레그가 밸브에서 종단될 수도 있다. 밸브들 (150E 내지 150H) 은 각각 오리피스들 (146E 내지 146H) 과 직접적으로 인터페이싱되는 밸브들의 예들로서 예시되고; 이들 밸브들 (150E 내지 150H) 은 또한 레그들 (126C, 130C, 126D 및 130D) 의 종단 지점들 (146E 내지 146H) 이 위치되는 곳이다. 또 다른 예에서, 밸브는 레그를 따라 포지셔닝될 수도 있고 레그의 종단 지점과 레그의 매니폴드의 공통 입력부 사이에 개재될 수도 있다. 이들 구현 예들에서, 레그는 밸브들 (150A 내지 150D), 오리피스들 (146A 내지 146D), 및 레그들 (126A, 130A, 126B, 및 130B) 의 종단 지점들 (148A 내지 148D) 로 각각 예시된 바와 같이 오리피스에서 종단될 수도 있다.
일부 구현 예들에서, 매니폴드 트렁크들은 밸브들 중 하나와 인터페이싱하도록 각각 구성된 밸브 인터페이스들을 포함할 수도 있다. 밸브 인터페이스는 평면형 표면 및 연결 피처들, 예컨대 쓰레드된 보어들 (threaded bores), 볼트들이 통과할 수도 있는 홀들, 쓰레드된 스크루들 (screws) 이 삽입될 수도 있는 쓰레드된 홀, 또는 밸브를 매니폴드 트렁크에 고정하는 (fasten) 것을 가능하게 하는 다른 피처들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 밸브 인터페이스는 표면 마운팅 인터페이스일 수도 있고 그리고 밸브는 표면 마운팅 밸브일 수도 있다. 밸브 인터페이스는 또한 밸브를 보어 내로 직접 쓰레드하기 위한 쓰레드된 보어를 포함할 수도 있다.
일부 실시 예들에서, 오리피스는 밸브 인터페이스를 포함할 수도 있고 그리고 밸브는 밸브 인터페이스 및 오리피스에 직접 연결될 수도 있다. 오리피스는 오리피스 바디의 일부와 같은 오리피스의 일부로서 제공된 밸브 인터페이스를 가질 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 오리피스는 인터페이스 피처를 갖는 도 2a 내지 도 2d의 오리피스 플레이트와 같은, 인터페이스 피처들을 포함하는 또 다른 부품에 연결될 수도 있다. 오리피스 플레이트의 인터페이스 피처들은 밸브 피스톤이 안착하고 (seat) 오리피스 홀을 시일링할 (seal) 수도 있는 평면형 표면, 뿐만 아니라 홀들, 쓰레드된 연결부들, 클램프들, 등을 포함하여 밸브를 오리피스 플레이트에 연결하기 위한 고정 피처들을 포함할 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 오리피스 플레이트는 매니폴드 트렁크에 제거 가능하게 연결될 수도 있다. 이 제거 가능한 연결부는 예를 들어 볼트들, 클램프들, 또는 스크루들을 수반할 수도 있다. 제거 가능한 연결을 사용하는 것은, 예를 들어 상이한 플로우 제어를 제공하기 위해 오리피스 플레이트가 상이한 사이즈의 오리피스로 교체되게 한다.
도 5a는 2 개의 오리피스 플레이트들 및 2 개의 밸브들을 갖는 또 다른 예시적인 매니폴드 트렁크의 각도를 벗어난 도면을 도시하고 도 5b는 도 5a의 측단면도를 도시한다. 도 5a에서, 매니폴드 트렁크 (534) 는 매니폴드 트렁크 (534) 를 통해 흐르고 매니폴드 트렁크 (534) 의 단부 (580) 를 통해 연장하는 공통 플로우 경로 (554) 를 따라 볼 수 있다. 매니폴드 트렁크 (534) 는 또한 공통 플로우 경로 (554) 에 유체적으로 연결된 유출구 (552) 를 포함한다. 제 1 밸브 (550A) 는 제 1 오리피스 플레이트 (551A) 와 인터페이싱되고, 제 2 밸브 (550B) 는 인터페이스 피처 (555B) 와 인터페이싱되고, 그리고 제 2 오리피스 플레이트 (551B) 는 인터페이스 피처 (555B) 와 인터페이싱되는 것으로 보인다. 제 1 오리피스 플레이트 (551A) 는 매니폴드 트렁크 (534) 의 마운팅 표면 (561A) 에 마운팅되거나 연결되고 그리고 제 2 오리피스 플레이트 (551B) 는 매니폴드 트렁크 (534) 의 인터페이스 피처 (555B) 의 또 다른 마운팅 표면 (561B) 에 마운팅되거나 연결된다. 매니폴드 트렁크의 마운팅 표면 각각은 오리피스 플레이트와 함께 시일링된 표면을 생성하는 평면형 표면, 시일 또는 다른 개스킷 (gasket), 부가적인 고정 플레이트, 볼트들, 스크루들을 수용하기 위한 홀들, 또는 클램프들을 수용하기 위한 피처들을 가지는 것을 포함할 수도 있는 오리피스 플레이트를 수용하고 연결하도록 구성될 수도 있다.
도 5b에서, 부가적인 피처들을 볼 수 있다. 공통 플로우 경로 (554) 는 선형 축 (556) 을 따라 포함할 수도 있는, 매니폴드 트렁크 (534) 의 일 단부로부터 유출구 (552) 로 연장하고, 그리고 매니폴드 트렁크 (534) 의 제 1 트렁크 유입구 (538A) 및 제 2 트렁크 유입구 (538B) 에 유체적으로 연결된다. 도 2a 내지 도 2d에서와 동일한 제 1 오리피스 플레이트 (551A) 는 홀 (549) 을 포함하는 오리피스 (546) 가 제 1 트렁크 유입구 (538A) 에 유체적으로 연결되도록 매니폴드 트렁크 (534) 에 연결된다. 제 1 오리피스 플레이트 (551A) 는 제 1 밸브 (550A) 가 연결되고 인터페이싱될 수도 있는, 항목 (255) 으로서 도 2a에서 그리고 도 5b에서 식별된 표면 (555A) 을 포함하는 밸브 인터페이스를 포함한다. 제 1 밸브 (550A) 에 대해, 일 매니폴드의 매니폴드 레그 (526) 는 레그 (526) 가 제 1 밸브 (550A) 를 통해 오리피스 플레이트 (551A) 의 오리피스 (546) 및 제 1 트렁크 유입구 (538A) 에 유체적으로 연결되도록 제 1 밸브 (550A) 에서 종단된다. 따라서 유체는 레그 (526) 로부터 제 1 밸브 (550A) 로 그리고 이어서 오리피스 (546) 및 제 1 트렁크 유입구 (538A) 로 흐를 수도 있다. 오리피스 (546) 는 또한 제 1 유입구 (538A) 와 제 1 밸브 (550A) 및 레그 (526) 의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재된다.
제 2 유입구 (538B) 에 대해, 유체가 흐를 수도 있는 2 개의 플로우 경로들 (559A 및 559B) 을 갖는, 블록 (555B) 로 도시된 인터페이스 피처를 활용하는 상이한 배치가 도시된다. 또한 도 2a 내지 도 2d에서와 동일한 제 2 오리피스 플레이트 (551B) 는 인터페이스 피처, 블록 (555B) 에 연결되고, 그리고 매니폴드의 레그 (530) 는 제 2 오리피스 플레이트 (551B) 에서 종단된다. 오리피스를 포함하는 제 2 오리피스 플레이트 (551B) 는 제 2 유입구와 레그 (530) 의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재된다. 유체는 오리피스 플레이트 (551B) 의 오리피스를 통해, 2 개의 플로우 경로들 (559A 및 559B) 을 통해 그리고 제 2 밸브 (550B) 를 지나, 그리고 제 2 유입구 (538B) 를 통해 흐름으로써 레그 (530) 로부터 제 2 유입구 (538B) 로 흐를 수도 있다. 이 플로우 경로는 작은 선의 화살표들로 예시된다. 제 2 밸브 (550B) 는 인터페이스 피처, 블록 (555B) 과 인터페이싱되고, 플로우 경로들 (559A 및 559B) 사이에서 이동하는 플로우를 중지시키도록 이동 가능하고; 도 5b는 화살표들로 나타낸 바와 같이 플로우를 허용하는 개방 포지션을 예시한다.
일부 실시 예들에서, 매니폴드들 중 하나는, 일부 실시 예들에서, 서로 동일한 길이 또는 실질적으로 동일한 길이를 가질 수도 있고 공통 입력부로부터 단일 스플릿을 제공하는 단일 멀티-레그 접합부로부터 모두 이격되게 연장하는 복수의 레그들을 포함할 수도 있다. 도 6은 또 다른 예시적인 매니폴드를 도시한다. 이 매니폴드 (660) 는 가스 소스 (664) 에 유체적으로 연결된 공통 입력부 (662), 뿐만 아니라 레그들이 있는 것과 동일한 수의 플로우 경로들로 공통 입력부 (662) 를 스플릿하는 멀티-레그 접합부 (666) 를 포함한다. 이 예에서, 4 개의 레그들 (668A 내지 668D) 이 있고 따라서 멀티-레그 접합부는 레그 (668A 내지 668D) 각각에 대해 단일 4-방향 스플릿이고 그리고 레그 (668A 내지 668D) 각각은 이 멀티-레그 접합부 (666) 로부터 이격되게 연장한다. 도 6에서 스테이션들 (104A 내지 104D) 로 나타낸 바와 같이, 레그 (668A 내지 668D) 각각은 또한 멀티-스테이션 툴의 단일 스테이션에 각각 유체적으로 연결된다. 멀티-레그 접합부 (666) 는 공통 입력부 (662) 와 레그들 (668A 내지 668D) 사이에 유체적으로 개재될 수도 있다. 레그 각각은 또한 레그 각각과 일직선인 (in-line) 오리피스들 (646A 내지 646D) 과 같은 플로우 제한기를 포함한다. 오리피스들 (646A 내지 646D) 은 이들이 내부 피처들임을 나타내기 위해 점선들로 예시된다. 일부 예들에서, 이들 오리피스들의 홀들의 형상은, 도 6에 도시된 바와 같이 원통 형상일 수도 있지만, 다른 구현 예들에서, 이들 홀들은 테이퍼링된 (tapered) 또는 비선형 기하 구조를 가질 수도 있다.
상기와 유사하게, 이들 오리피스들 (646A 내지 646D) 각각은 연결되는 레그의 내경보다 보다 작은 직경을 갖는 홀 (649A 내지 649D) 을 각각 갖는다. 예를 들어, 홀들 (649A 내지 649D) 의 직경은 레그 내경의 약 50 ％, 약 40 ％, 약 25 ％, 약 20 ％, 약 10 ％, 또는 약 5 ％ 이하일 수도 있다. 오리피스 (646A 내지 646D) 각각은 또한 오리피스 (646A 내지 646D) 각각의 다운스트림의 초크 플로우로 하여금 균등하게 하고 또한 보다 긴 시간 기간 동안 가열되게 하는 것과 같은 하나 이상의 유리한 이유들로 인해 멀티-레그 접합부 (666) 에 상대적으로 가깝게 포지셔닝될 수도 있다. 이 포지셔닝은 오리피스가 연결되는 레그 각각의 전체 길이 D4의 20 ％, 15 ％, 10 ％, 또는 5 ％ 이하인 멀티-레그 접합부 (666) 로부터의 거리 D3일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 레그들은 모두 동일하거나 실질적으로 동일한 길이들을 가질 수도 있고; 일부 다른 실시 예들에서 이들은 동일한 길이들을 갖지 않을 수도 있다.
일부 실시 예들에서, 멀티-스테이션 툴은 복수의 밸브들과 연관된 복수의 센서들을 가질 수도 있고 밸브 각각이 개방 또는 폐쇄되었는지 여부를 결정하도록 구성될 수도 있고 그리고 멀티-스테이션 툴은 이 센서 데이터를 수신하도록, 밸브 각각이 폐쇄된 상태, 완전히 개방된 상태, 또는 부분적으로 개방된 상태에 있게 제어하도록 구성된다. 다시 도 3을 참조하면, 멀티-스테이션 툴 (100) 은 복수의 센서들을 포함하고, 각각은 음영 처리된 (shaded) 타원으로 나타내고 그리고 이들 중 일부는 식별자들 (171) 및 연결되는 밸브의 문자에 대응하는 문자로 라벨링된다. 예를 들어, 센서 (171G) 는 밸브 (150G) 에 대응하고 그리고 센서 (171E) 는 밸브 (150E) 에 대응한다. 알 수 있는 바와 같이, 센서 각각은 하나의 대응하는 밸브와 연관되고 센서 각각은 밸브가 폐쇄된 상태, 완전히 개방된 상태, 또는 부분적으로 개방된 상태에 있는지 여부와 연관된 센서 데이터를 생성하도록 구성된다.
일부 실시 예들에서, 본 명세서에 기술된 멀티-스테이션 툴들은 멀티-스테이션 툴의 다양한 양태들을 제어하도록 구성된 제어기를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 3을 참조하면, 제어기 (172) 는 하나 이상의 메모리 디바이스들 (174) 및 하나 이상의 프로세서들 (176) 을 갖는 것으로 도시된다. 제어기 (172) (하나 이상의 물리적 또는 논리적 제어기들을 포함할 수도 있음) 는 예를 들어 밸브들, 센서들 및 유체 소스들을 포함하는 멀티-스테이션 툴의 동작들 중 일부 또는 전부와 통신 가능하게 연결되고 제어한다. 제어기 (172) 는 제 1 유체 소스 (116) 및 제 2 유체 소스 (118) 와 같은 유체 소스들 각각으로부터의 유체로 하여금 가스 소스 각각에 유체적으로 연결된 매니폴드의 대응하는 공통 입력부 내로 흐르게 하도록 구성될 수도 있다.
제어기는 또한 센서들 각각으로부터 센서 데이터를 수신하도록, 센서 각각이 폐쇄된 상태, 완전히 개방된 상태, 또는 부분적으로 개방된 상태에 있는지 여부를 결정하도록, 그리고 센서 각각으로 하여금 폐쇄된 상태, 완전히 개방된 상태, 또는 부분적으로 개방된 상태에 있게 하도록 구성될 수도 있다. 이는 매니폴드들 사이의 크로스-토크를 방지하고 목표된 매니폴드 내에서 균일한 플로우를 갖는 데 유리할 수도 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 제 1 유체 소스 (116) 로부터 제 1 매니폴드 (120) 를 통해 유체를 흘리기 전 또는 흘리는 동안, 제어기는 수신된 센서 데이터에 기초하여, 제 1 매니폴드 (120) 의 밸브 (150A, 150C, 150E, 및 150G) 각각이 완전히 또는 부분적으로 개방되었는지 여부, 그리고 제 2 매니폴드 (122) 의 밸브 (150B, 150D, 150F, 및 150H) 각각이 폐쇄된 상태, 완전히 개방된 상태, 또는 부분적으로 개방된 상태인지 여부를 결정할 수도 있다. 제 2 매니폴드 (122) 내의 임의의 이들 밸브들 (150B, 150D, 150F, 및 150H) 이 제 1 유체 소스 (116) 로부터 제 1 매니폴드 (120) 를 통해 유체를 흘리기 전 또는 흐르는 동안 폐쇄된 상태, 완전히 개방된 상태, 또는 부분적으로 개방된 상태에 있다면, 제어기는 이들 밸브들 (150B, 150D, 150F, 및 150H) 로 하여금 폐쇄된 상태에 있게 할 수도 있다.
일부 실시 예들에서, 멀티-스테이션 툴들은 예를 들어, 개시된 실시 예들이 수행될 때, 플로우 레이트들 및 지속 기간들을 제어하기 위한 스위칭 시스템, 기판 가열 유닛, 기판 냉각 유닛, 챔버 내 기판의 로딩 및 언로딩, 기판의 열적 플로팅, 및 프로세스 가스 유닛을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 장치는 최대 약 500 ㎳, 또는 최대 약 750 ㎳의 스위칭 시간을 가질 수도 있다. 스위칭 시간은 플로우 화학 물질, 선택된 레시피, 반응기 아키텍처 및 다른 인자들에 종속될 수도 있다.
일부 구현 예들에서, 제어기 (172) 는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는, 장치 또는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들 또는 장치들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (가스 플로우 시스템, 기판 가열 유닛, 기판 냉각 유닛, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에, 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자 장치들과 통합될 수도 있다. 전자 장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는, "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기 (172) 는, 시스템의 프로세싱 파라미터들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정들, 진공 설정들, 전력 설정들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정들, RF 매칭 회로 설정들, 주파수 설정들, 플로우 레이트 설정들, 유체 전달 설정들, 포지션 및 동작 설정들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기 (172) 는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 가능하게 하고, 엔드포인트 측정들을 가능하게 하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자 장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (digital signal processors; DSPs), ASICs (application specific integrated circuits) 로서 규정되는 칩들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달된 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 동작들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기 (172) 는, 일부 구현 예들에서, 시스템에 포함되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 팹 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현재 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 검토하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 메트릭들 (metrics) 을 검토하고, 현재 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현재 프로세싱을 따르는 프로세싱 동작들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하도록 시스템에 대한 원격 액세스를 가능하게 할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정들의 입력 또는 프로그래밍을 가능하게 하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기 (172) 는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 동작들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성되는 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서 상기 기술된 바와 같이, 제어기 (172) 는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들과 같은, 공동의 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 일 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는 원격으로 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.
상술한 바와 같이, 장치에 의해서 수행될 프로세스 동작 또는 동작들에 따라서, 제어기 (172) 는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들 (load ports) 로 및 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터 웨이퍼들의 컨테이너들을 가져오는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 장치 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.
본 명세서에서 순서 지표들, 예를 들어, (a), (b), (c), … 의 사용은 단지 조직적인 목적들을 위한 것이고, 임의의 특정한 시퀀스 또는 중요성을 순서 지표 각각과 연관된 아이템들에 전달하도록 의도되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, "(a) 속도에 관한 정보 획득 및 (b) 포지션에 관한 정보 획득"은 속도에 관한 정보를 획득하기 전에 포지션에 관한 정보를 획득하는 것, 포지션에 관한 정보를 획득하기 전에 속도에 관한 정보를 획득하는 것, 및 포지션에 관한 정보를 속도에 관한 정보를 획득하는 것과 동시에 획득하는 것을 포함한다. 그럼에도 불구하고, 순서 지표들과 연관된 일부 아이템들이 본질적으로 특정한 시퀀스를 필요로 할, 예를 들어, "(a) 속도에 관한 정보를 획득하고, (b) 속도에 관한 정보에 기초하여 제 1 가속도를 결정하고, 그리고 (c) 포지션에 관한 정보를 획득할" 수도 있다; 이 예에서, (a) 는 (b) 가 (a) 에서 획득된 정보에 의존하기 때문에 (b) 전에 수행되어야 한다―하지만, (c) 는 (a) 또는 (b) 중 어느 하나 전 또는 후에 수행될 수 있다.
본 개시에 기술된 구현 예들에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 이의 없이 자명할 수도 있고, 본 명세서에 규정된 일반적인 원리들은 본 개시의 정신 또는 범위로부터 벗어나지 않고 다른 구현 예들에 적용될 수도 있다. 따라서, 청구항들은 본 명세서에 도시된 구현 예들로 제한되도록 의도되지 않고, 본 개시, 본 명세서에 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 가장 넓은 범위에 따른다.
별도의 구현 예들의 맥락에서 본 명세서에 기술된 특정한 특징들은 또한 단일 구현 예에서 조합하여 구현될 수 있다. 반대로, 단일 구현 예의 맥락에서 기술된 다양한 특징들은 또한 복수의 구현 예들에서 개별적으로 또는 임의의 적합한 서브조합으로 구현될 수 있다. 더욱이, 특징들이 특정한 조합들로 작용하는 것으로 상기 기술될 수도 있고 심지어 처음에 그렇게 주장될 수도 있지만, 청구된 조합으로부터 하나 이상의 피처들은 일부 경우들에서 조합으로부터 절제될 수 있고, 청구된 조합은 서브조합 또는 서브조합의 변형으로 지향될 수도 있다.
유사하게, 동작들이 특정한 순서로 도면들에 도시되지만, 이는 바람직한 결과들을 달성하기 위해 이들 동작들이 도시된 특정한 순서로 또는 순차적인 순서로 수행되거나, 모든 예시된 동작들이 수행될 것을 요구하는 것으로 이해되지 않아야 한다. 또한, 도면들은 흐름도의 형태로 하나 이상의 예시적인 프로세스들을 개략적으로 도시할 수도 있다. 그러나, 도시되지 않은 다른 동작들이 개략적으로 예시된 예시적인 프로세스들에 포함될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 부가적인 동작들이 예시된 동작들 전, 후, 동시에, 또는 임의의 예시된 동작들 사이에 수행될 수 있다. 특정한 상황들에서, 멀티태스킹 및 병렬 프로세싱이 유리할 수도 있다. 더욱이, 상기 기술된 구현 예들에서 다양한 시스템 컴포넌트들의 분리는 모든 구현 예들에서 이러한 분리를 필요로 하는 것으로 이해되지 않아야 하고, 그리고 기술된 프로그램 컴포넌트들 및 시스템들은 일반적으로 단일 소프트웨어 제품으로 함께 통합되거나 또는 복수의 소프트웨어 제품들로 패키징될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 부가적으로, 다른 구현 예들은 이하의 청구항들의 범위 내에 있다. 일부 경우들에서, 청구항들에 인용된 동작들은 상이한 순서로 수행될 수 있고, 여전히 바람직한 결과들을 달성한다.

Claims (24)

  1. 복수의 프로세싱 스테이션들을 갖는 반도체 프로세싱 챔버로서, 프로세싱 스테이션 각각은 스테이션 유입구를 포함하는, 상기 반도체 프로세싱 챔버;
    복수의 매니폴드 트렁크들 (manifold trunks) 로서, 매니폴드 트렁크 각각은 대응하는 프로세싱 스테이션에 유체적으로 연결되고 (fluidically connect), 그리고
    상기 대응하는 프로세싱 스테이션의 상기 스테이션 유입구에 유체적으로 연결된 유출구,
    상기 유출구에 유체적으로 연결된 공통 플로우 경로,
    유체가 상기 공통 플로우 경로를 통해 트렁크 유입구 각각으로부터 상기 유출구로 흐르도록 상기 공통 플로우 경로에 유체적으로 연결된 복수의 트렁크 유입구들,
    복수의 오리피스들 (orifices) 로서, 오리피스 각각은 오리피스 바디 및 상기 오리피스 바디를 통해 연장하는 홀을 갖고, 그리고 오리피스 각각은 트렁크 유입구 각각이 대응하는 오리피스와 상기 공통 플로우 경로 사이에 유체적으로 개재되도록 (interpose) 대응하는 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되는, 상기 복수의 오리피스들, 및
    복수의 밸브 인터페이스들로서, 밸브 각각은 상기 매니폴드 트렁크의 오리피스 각각에 대응하는, 상기 복수의 밸브 인터페이스들을 포함하는, 상기 복수의 매니폴드 트렁크들;
    복수의 밸브들로서, 밸브 각각은 매니폴드 트렁크 각각의 대응하는 밸브 인터페이스와 인터페이싱되는, 상기 복수의 밸브들; 및
    복수의 유체 매니폴드들을 포함하고,
    유체 매니폴드 각각은 복수의 레그들에 유체적으로 연결된 공통 입력부를 갖고,
    유체 매니폴드 각각에 대해, 레그 각각은,
    다른 레그들과 상이한 상기 매니폴드 트렁크들 중 매니폴드 트렁크에 유체적으로 연결되고, 그리고
    대응하는 오리피스가 종단 지점과 상기 대응하는 매니폴드 유입구 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 매니폴드 트렁크들 각각에서 대응하는 오리피스에 유체적으로 연결된 상기 종단 지점을 갖고, 그리고
    밸브 각각은 하나의 대응하는 레그와 상기 대응하는 오리피스 사이의 유체 플로우를 조절하도록 구성되는, 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드 트렁크들 중 하나는 오리피스 플레이트를 더 포함하고,
    상기 오리피스 플레이트는 상기 매니폴드 트렁크의 하나의 오리피스 및 하나의 밸브 인터페이스를 포함하고,
    상기 밸브들 중 하나는 상기 오리피스 플레이트의 상기 밸브 인터페이스와 인터페이싱되고, 그리고
    상기 오리피스 플레이트는 상기 하나의 밸브와 상기 하나의 오리피스에 대응하는 상기 트렁크 유입구 사이에 개재되는, 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 매니폴드 트렁크 각각은 복수의 오리피스 플레이트들을 더 포함하고,
    상기 오리피스 플레이트 각각은 상기 매니폴드 트렁크의 하나의 대응하는 오리피스 및 하나의 대응하는 밸브 인터페이스를 포함하고,
    상기 밸브 각각은 대응하는 오리피스 플레이트의 상기 밸브 인터페이스와 인터페이싱되고, 그리고
    상기 오리피스 플레이트 각각은 상기 대응하는 밸브 각각과 상기 대응하는 오리피스에 대응하는 상기 트렁크 유입구들 중 하나 사이에 개재되는, 시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 오리피스는 상기 오리피스 플레이트 내로 스웨이징되는 (swage), 시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 오리피스 플레이트는 상기 매니폴드 트렁크에 제거 가능하게 연결되는, 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 오리피스 바디는 루비를 포함하는, 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드 레그 각각은 내경을 갖는 전달 라인을 포함하고, 그리고
    상기 오리피스 각각의 홀 각각은 상기 내경의 40 ％ 미만인 직경을 갖는, 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 오리피스 각각의 홀 각각은 상기 내경의 20 ％ 미만인 직경을 갖는, 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 밸브 인터페이스 각각은 표면 마운팅 인터페이스이고, 그리고
    상기 밸브 각각은 표면 마운팅 밸브인, 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드 레그 각각은 대응하는 밸브에서 종단되고, 그리고
    상기 대응하는 밸브는 상기 오리피스에 유체적으로 연결되는, 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드 레그 각각은 대응하는 밸브 인터페이스에서 종단되는, 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드 트렁크는 상기 프로세싱 챔버 외부에 포지셔닝되는, 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 매니폴드 각각의 상기 레그들은 실질적으로 동일한 길이인, 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 프로세싱 챔버는 제 1 프로세싱 스테이션 및 제 2 프로세싱 스테이션을 포함하고,
    상기 복수의 매니폴드 트렁크들은 제 1 매니폴드 트렁크 및 제 2 매니폴드 트렁크를 포함하고,
    상기 복수의 매니폴드들은 제 1 매니폴드 및 제 2 매니폴드를 포함하고, 상기 매니폴드 각각은 2 개의 레그들을 갖고,
    상기 제 1 매니폴드 트렁크는 상기 제 1 프로세싱 스테이션의 제 1 스테이션 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 2 매니폴드 트렁크는 상기 제 2 프로세싱 스테이션의 제 2 스테이션 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 1 매니폴드의 제 1 레그는 상기 제 1 매니폴드 트렁크의 제 1 오리피스가 상기 제 1 매니폴드 트렁크의 제 1 트렁크 유입구와 상기 제 1 매니폴드의 상기 제 1 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 1 매니폴드 트렁크의 상기 제 1 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 1 매니폴드의 제 2 레그는 상기 제 2 매니폴드 트렁크의 제 1 오리피스가 상기 제 2 매니폴드 트렁크의 제 1 트렁크 유입구와 상기 제 1 매니폴드의 상기 제 2 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 2 매니폴드 트렁크의 상기 제 1 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 2 매니폴드의 제 1 레그는 상기 제 1 매니폴드 트렁크의 제 2 오리피스가 상기 제 1 매니폴드 트렁크의 제 2 트렁크 유입구와 상기 제 2 매니폴드의 상기 제 1 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 1 매니폴드 트렁크의 상기 제 2 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고, 그리고
    상기 제 2 매니폴드의 제 2 레그는 상기 제 2 매니폴드 트렁크의 제 2 오리피스가 상기 제 2 매니폴드 트렁크의 제 2 트렁크 유입구와 상기 제 2 매니폴드의 상기 제 2 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 2 매니폴드 트렁크의 상기 제 2 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되는, 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 반도체 프로세싱 챔버는 제 3 프로세싱 스테이션 및 제 4 프로세싱 스테이션을 더 포함하고,
    상기 제 1 매니폴드 및 제 2 매니폴드는 각각 4 개의 레그들을 갖고,
    상기 복수의 매니폴드 트렁크들은 제 3 매니폴드 트렁크 및 제 4 매니폴드 트렁크를 더 포함하고,
    상기 제 3 매니폴드 트렁크는 상기 제 3 프로세싱 스테이션의 제 3 스테이션 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 4 매니폴드 트렁크는 상기 제 4 프로세싱 스테이션의 제 4 스테이션 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 1 매니폴드의 제 3 레그는 상기 제 3 매니폴드 트렁크의 제 1 오리피스가 상기 제 3 매니폴드 트렁크의 제 1 트렁크 유입구와 상기 제 1 매니폴드의 상기 제 3 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 3 매니폴드 트렁크의 상기 제 1 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 1 매니폴드의 제 4 레그는 상기 제 4 매니폴드 트렁크의 제 1 오리피스가 상기 제 4 매니폴드 트렁크의 제 1 트렁크 유입구와 상기 제 1 매니폴드의 상기 제 4 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 4 매니폴드 트렁크의 상기 제 1 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고,
    상기 제 2 매니폴드의 제 3 레그는 상기 제 3 매니폴드 트렁크의 제 2 오리피스가 상기 제 3 매니폴드 트렁크의 제 2 트렁크 유입구와 상기 제 2 매니폴드의 상기 제 3 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 3 매니폴드 트렁크의 상기 제 2 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고, 그리고
    상기 제 2 매니폴드의 제 4 레그는 상기 제 4 매니폴드 트렁크의 제 2 오리피스가 상기 제 4 매니폴드 트렁크의 제 2 트렁크 유입구와 상기 제 2 매니폴드의 상기 제 4 레그의 종단 지점 사이에 유체적으로 개재되도록 상기 제 4 매니폴드 트렁크의 상기 제 2 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되는, 시스템.
  16. 제 1 항에 있어서,
    복수의 센서들로서, 센서 각각은 대응하는 밸브가 개방되었는지 또는 폐쇄되었는지 여부와 연관된 센서 데이터를 생성하도록 구성되는, 상기 복수의 센서들, 및
    상기 복수의 밸브들 및 상기 복수의 센서들에 통신 가능하게 연결되고, 그리고 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하는 제어기를 더 포함하고, 상기 메모리는,
    상기 복수의 센서들로부터 센서 데이터를 수신하는 단계,
    상기 센서 데이터에 기초하여, 하나의 매니폴드에 유체적으로 연결된 밸브들 각각이 개방 또는 폐쇄되었는지 여부를 결정하는 단계,
    상기 센서 데이터에 기초하여, 상기 복수의 매니폴드들의 다른 매니폴드들에 유체적으로 연결된 상기 밸브들 각각이 개방 또는 폐쇄되었는 여부를 결정하는 단계,
    상기 하나의 매니폴드에 유체적으로 연결된 밸브들 중 하나가 폐쇄된다는 결정에 응답하여, 하나의 밸브를 개방하게 하는 단계, 및
    상기 복수의 매니폴드들 중 상기 다른 매니폴드들에 유체적으로 연결된 상기 밸브들 중 하나가 개방된다는 결정에 응답하여, 하나의 밸브로 하여금 폐쇄되게 하는 단계를 위한 컴퓨터-실행 가능 인스트럭션들을 저장하는, 시스템.
  17. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 제 2 매니폴드를 더 포함하고,
    상기 제 2 매니폴드는 제 2 공통 입력부, 멀티-레그 접합부 (junction), 및 상기 멀티-레그 스플릿 (split) 이 상기 제 2 공통 입력부와 상기 복수의 제 2 레그들 사이에 개재되도록 상기 멀티-레그 접합부에 유체적으로 연결되고 상기 멀티-레그 접합부로부터 이격되게 (away from) 연장하는 복수의 제 2 레그들을 포함하고,
    상기 멀티-레그 접합부는 상기 제 2 레그들의 수와 매칭하는 다수의 스플릿들을 포함하고,
    상기 제 2 레그 각각은 제 2 내경을 갖는 제 2 전달 라인을 포함하고,
    상기 제 2 매니폴드는 복수의 제 2 오리피스들을 더 포함하고, 그리고
    상기 제 2 오리피스 각각은,
    홀 및 바디를 포함하고, 그리고 상기 홀은 상기 제 2 내경의 40 ％ 미만인 직경을 갖고,
    제 2 레그를 통해 흐르는 유체가 제 2 오리피스를 통해 흐르도록 대응하는 상기 제 2 레그를 따라 배치되고, 그리고
    상기 제 2 오리피스가 연결되는 상기 제 2 레그의 길이의 20 ％ 미만인 상기 멀티-레그 접합부로부터의 거리에 포지셔닝되는, 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 레그들은 실질적으로 길이가 동일한, 시스템.
  19. 복수의 프로세싱 스테이션들을 갖는 반도체 프로세싱 챔버로서, 프로세싱 스테이션 각각은 스테이션 유입구를 포함하는, 상기 반도체 프로세싱 챔버; 및
    공통 입력부, 멀티-레그 접합부, 복수의 오리피스들, 및 상기 멀티-레그 스플릿이 상기 공통 입력부와 복수의 레그들 사이에 개재되도록 상기 멀티-레그 접합부에 유체적으로 연결되고 상기 멀티-레그 접합부로부터 이격되게 연장하는 상기 복수의 레그들을 포함하는 매니폴드를 포함하고,
    상기 멀티-레그 접합부는 상기 레그들의 수와 매칭하는 다수의 스플릿들을 포함하고,
    상기 레그 각각은 상기 복수의 프로세싱 스테이션들의 대응하는 스테이션 유입구에 유체적으로 연결되고, 그리고
    상기 오리피스 각각은,
    레그를 통해 흐르는 유체가 오리피스를 통해 흐르도록 대응하는 상기 레그를 따라 배치되고, 그리고
    상기 멀티-레그 접합부로부터 상기 오리피스가 연결되는 상기 레그의 길이의 20 ％ 미만인 거리에 포지셔닝되는, 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 레그들은 실질적으로 길이가 동일한, 시스템.
  21. 반도체 프로세싱 툴에 사용하기 위한 매니폴드 트렁크에 있어서,
    유출구 및 상기 유출구 반대편의 단부;
    상기 유출구에 유체적으로 연결된 공통 플로우 경로;
    유체가 상기 공통 플로우 경로를 통해 트렁크 각각의 유입구로부터 상기 유출구로 흐르도록 상기 공통 플로우 경로에 유체적으로 연결된 복수의 트렁크 유입구들;
    하나 이상의 마운팅 표면들;
    복수의 오리피스 플레이트들로서, 상기 오리피스 플레이트 각각은,
    오리피스 바디 및 상기 오리피스 바디 내에 홀을 갖고, 상기 홀은 상기 트렁크 유입구 각각이 대응하는 오리피스와 상기 공통 플로우 경로 사이에 유체적으로 개재되도록 대응하는 트렁크 유입구에 유체적으로 연결되고, 그리고
    상기 마운팅 표면들 중 하나에 마운팅되는, 상기 복수의 오리피스 플레이트들; 및
    복수의 밸브 인터페이스들을 포함하고,
    상기 밸브 인터페이스 각각은 상기 오리피스 플레이트 각각에 대응하고,
    상기 밸브가 상기 밸브 인터페이스들 중 하나에서 인터페이싱될 때, 상기 밸브는 상기 오리피스와 매니폴드 레그 사이의 유체 플로우를 조절할 수 있고, 그리고 상기 오리피스 플레이트는 상기 밸브와 상기 오리피스 플레이트에 대응하는 상기 트렁크 유입구 사이에 개재되는, 매니폴드 트렁크.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 오리피스 각각은 상기 대응하는 오리피스 플레이트 내로 스웨이징되는, 매니폴드 트렁크.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 오리피스 플레이트는 상기 매니폴드 트렁크에 제거 가능하게 연결되는, 매니폴드 트렁크.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 오리피스 바디는 루비를 포함하는, 매니폴드 트렁크.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086672A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Applied Materials Inc リフロー方法及び装置、並びに、膜形成方法及び装置
US6932871B2 (en) * 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
KR100754386B1 (ko) * 2004-10-28 2007-08-31 삼성전자주식회사 양방향 화학기상증착 시스템 및 이를 이용한 펄스형 공정진행 방법
US20130104996A1 (en) * 2011-10-26 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method for balancing gas flow supplying multiple cvd reactors
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