KR20240003294A - Method and apparatus for treating substrate - Google Patents

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KR20240003294A
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Abstract

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판의 엣지부를 식각하는 방법에 있어서, 기판의 중앙부에 DIW 막을 함께 형성하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것으로, 일실시예에서, 기판이 놓인 기판 지지부가 회전되는 기판 회전 단계, 웨팅액 공급부에서 상기 기판의 중앙부에 웨팅액이 토출되어 액막이 형성되는 막형성 단계 및 처리액 공급부에서 상기 기판의 엣지부를 향해 처리액이 토출되는 액처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention is intended to solve the above problems, and provides a substrate processing method and a substrate processing device for forming a DIW film in the center of the substrate in a method of etching the edge portion of the substrate. In one embodiment, the substrate A substrate rotation step in which the placed substrate support is rotated, a film forming step in which wetting liquid is discharged from the wetting liquid supply unit to the center of the substrate to form a liquid film, and a liquid treatment step in which the processing liquid is discharged from the processing liquid supply unit toward the edge of the substrate. Provides a substrate processing method comprising:

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing method and substrate processing apparatus {METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판의 엣지부를 에칭하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and substrate processing apparatus for etching the edge portion of a substrate.

일반적으로 반도체 소자는 박막 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 연마 공정 등과 같은 다양한 단위 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 상기 식각 공정 및 세정 공정은 기판 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.In general, semiconductor devices are manufactured by repeatedly performing various unit processes such as thin film deposition process, photographic process, etching process, cleaning process, and polishing process. The etching process and cleaning process are processes for removing foreign substances remaining on the substrate.

일반적으로 식각 공정 및 세정 공정 등의 기판 처리 공정을 수행하는 장치는 건식 장치와 습식 장치로 나뉜다. 이 중 건식 장치는 가스 플라즈마를 이용하는 방식이 대표적인데, 가스 플라즈마를 이용한 건식 식각 방식의 경우 기판 상의 목표하는 위치에 플라즈마를 정밀하게 전달하는 것이 어렵다. 예컨대, 기판 상의 가장자리 영역에 형성된 박막을 제거하는 베벨 식각 공정의 경우, 기판의 가장자리 영역 중 박막을 제거하고자 하는 영역에만 플라즈마를 전달하는 것이 중요하나, 가스 플라즈마가 가지는 불규칙적인 유동성으로 인하여 박막을 제거하고자 하는 영역 이외의 영역에까지 플라즈마가 전달되어 박막이 제거될 수 있다.In general, devices that perform substrate processing processes such as etching processes and cleaning processes are divided into dry devices and wet devices. Among these, a typical dry device uses gas plasma. In the case of a dry etching method using gas plasma, it is difficult to precisely deliver plasma to a target location on a substrate. For example, in the case of a bevel etching process that removes a thin film formed at the edge area on a substrate, it is important to deliver plasma only to the area where the thin film is to be removed among the edge area of the substrate, but due to the irregular fluidity of gas plasma, the thin film is removed. The thin film may be removed as the plasma is delivered to an area other than the desired area.

한편, 습식 장치는 복수의 처리액들, 예컨대, 식각액, 세정액, 그리고 린스액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 기판에 형성된 박막 중 불필요한 부분을 식각하는 공정, 그리고 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 세정하는 공정을 포함하며, 건식 장치에 비해 상대적으로 목표하는 위치의 박막을 제거하는 것이 용이하다. 예컨대, 반도체 제조 공정 중 기판에 감광액막을 형성한 후에는 기판의 엣지부 측의 베벨(bevel) 영역에 불필요한 감광액막을 제거하는 공정이 수행된다. 이러한 기판의 엣지부 식각공정은 불산(HF) 용액과 같은 처리액을 분사하여 불필요한 감광액막을 제거한다.Meanwhile, a wet device is a device that processes a substrate using a plurality of processing solutions, such as an etching solution, a cleaning solution, and a rinsing solution. This substrate processing device includes a process of etching unnecessary portions of the thin film formed on the substrate and a process of cleaning foreign substances remaining on the processing surface of the substrate, and it is relatively easier to remove the thin film at the target location than a dry device. do. For example, after forming a photoresist film on a substrate during the semiconductor manufacturing process, a process of removing unnecessary photoresist film is performed in the bevel area on the edge side of the substrate. This etching process for the edge of the substrate removes unnecessary photoresist film by spraying a treatment liquid such as hydrofluoric acid (HF) solution.

도 1 은 종래의 습식 식각 공정을 도시하고 있다.Figure 1 shows a conventional wet etching process.

도 1에 도시되어 있듯이, 베벨 노즐(1)은 기판(W)의 엣지부 측을 향해 고농도의 불산(2) 용액을 분사하여 상기 기판(W)의 엣지부에 위치한 막질(3)을 식각할 수 있으며, 이후 회수통(4) 측으로 배출될 수 있다. 한편, 상기 베벨 노즐(1)로부터 분사되는 고농도의 불산 용액(2)은 상기 기판(W)의 중앙부로 비산될 수 있으며, 이에 의하여 상기 기판(W)의 중앙부 막질(3)에 손상이 생기는 문제가 발생할 수 있다.As shown in FIG. 1, the bevel nozzle 1 sprays a high-concentration hydrofluoric acid (2) solution toward the edge of the substrate W to etch the film 3 located at the edge of the substrate W. and can then be discharged to the recovery bin (4). Meanwhile, the high-concentration hydrofluoric acid solution (2) sprayed from the bevel nozzle (1) may scatter to the center of the substrate (W), thereby causing damage to the central layer (3) of the substrate (W). may occur.

(특허문헌 1) KR 10-2022-0054016 A(Patent Document 1) KR 10-2022-0054016 A

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판의 엣지부를 식각하는 방법에 있어서, 기판의 중앙부에 DIW 막을 함께 형성하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing method and a substrate processing device for forming a DIW film at the center of the substrate in a method of etching the edge portion of the substrate.

본 발명은 위와 같은 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides the following substrate processing method and substrate processing device.

본 발명은 일실시예에서, 기판이 놓인 기판 지지부가 회전되는 기판 회전 단계, 웨팅액 공급부에서 상기 기판의 중앙부에 웨팅액이 토출되어 액막이 형성되는 막형성 단계 및 처리액 공급부에서 상기 기판의 엣지부를 향해 처리액이 토출되는 액처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.In one embodiment, the present invention includes a substrate rotation step in which the substrate support on which the substrate is placed is rotated, a film forming step in which a wetting liquid is discharged from the wetting liquid supply unit to the center of the substrate to form a liquid film, and a processing liquid supply unit is used to form a liquid film on the edge of the substrate. Provided is a substrate processing method including a liquid treatment step in which a processing liquid is discharged toward the substrate.

일실시예에서, 상기 막형성 단계 및 액처리 단계는 동시에 수행될 수 있다.In one embodiment, the film forming step and the liquid treatment step may be performed simultaneously.

일실시예에서, 상기 기판의 엣지부를 가열하는 가열 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a heating step of heating the edge portion of the substrate may be further included.

본 발명은 일실시예에서, 기판을 지지하고, 상기 기판을 회전시키는 기판 지지부, 상기 기판으로 처리액을 토출하는 처리액 공급부와 웨팅액을 토출하는 웨팅액 공급부를 포함하는 액 공급부 및 상기 기판의 엣지부 측에 구비되며, 상기 엣지부를 가열하는 열원 제공부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.In one embodiment of the present invention, the substrate supporter supports the substrate and rotates the substrate, the liquid supply unit including a processing liquid supply unit for discharging the processing liquid to the substrate and a wetting liquid supply unit for discharging the wetting liquid, and the substrate. Provided is a substrate processing device that is provided on an edge portion and includes a heat source providing portion that heats the edge portion.

일실시예에서, 상기 열원 제공부는 레이저빔을 상기 엣지부에 조사하는 레이저빔 조사부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the heat source provider may include a laser beam irradiation unit that irradiates a laser beam to the edge portion.

본 발명은 기판의 엣지부를 식각하는 방법에 있어서, 기판의 중앙부에 DIW 막을 함께 형성하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.The present invention can provide a substrate processing method and substrate processing apparatus for etching the edge of a substrate and forming a DIW film at the center of the substrate.

도 1 은 종래 기판의 엣지부를 식각하는 공정을 도시하고 있다.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법의 공정도이다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법의 순서를 간략하게 나타낸 단면도이다.Figure 1 shows a process for etching the edge of a conventional substrate.
Figure 2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a process diagram of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view briefly showing the sequence of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 또한, 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, preferred embodiments will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. However, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions. In addition, in this specification, terms such as 'upper', 'top', 'upper surface', 'lower', 'lower', 'lower surface', 'side', etc. are based on the drawings and are actually elements or components. It may vary depending on the direction in which it is placed.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is said to be 'connected' to another part, this does not only mean 'directly connected', but also 'indirectly connected' with another element in between. Includes. In addition, 'including' a certain component means that other components may be further included rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 설비(10)를 상부에서 바라본 평면도를 개략적으로 나타내고 있다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 모듈(200)을 포함한다.Figure 1 schematically shows a plan view of a substrate processing facility 10 according to an embodiment of the present invention as seen from the top. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes an index module 100 and a process module 200.

상기 인덱스 모듈(100)은 외부로부터 기판(W)을 반송 받아 상기 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송한다. 상기 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110) 및 이송 프레임(120)을 포함한다. 이때, 상기 로드 포트(110), 상기 이송 프레임(120) 및 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열되며, 이하에서는 상기 로드 포트(110), 상기 이송 프레임(120) 및 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 Y 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 Y 방향에 수직한 방향을 X 방향이라 하며, 상기 X 및 Y 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 Z 방향이라 한다.The index module 100 receives the substrate W from the outside and returns the substrate W to the processing module 200. The index module 100 includes a load port 110 and a transfer frame 120. At this time, the load port 110, the transfer frame 120, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the load port 110, the transfer frame 120, and the process processing module ( The direction in which 200) are arranged is called the Y direction, when viewed from above, the direction perpendicular to the Y direction is called the X direction, and the direction perpendicular to the plane including the X and Y directions is called the Z direction.

상기 로드 포트(110)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 상기 로드 포트(110)는 복수 개가 제공되며, 복수 개의 상기 로드 포트(110)는 상기 X 방향을 따라 일렬로 배치된다. 상기 로드 포트(110)의 개수는 상기 공정 처리 모듈(200)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 달라질 수 있다. 상기 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 상기 캐리어(130)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 130 containing a substrate W is seated in the load port 110. A plurality of load ports 110 are provided, and the plurality of load ports 110 are arranged in a row along the X direction. The number of load ports 110 may vary depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 200. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 to accommodate the substrates W arranged horizontally with respect to the ground. The carrier 130 may be a Front Opening Unified Pod (FOUP).

상기 공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(210), 이송 챔버(220), 그리고 공정 챔버(230)를 포함한다. 상기 이송 챔버(220)는 상기 Y방향을 따라 평행하게 배치될 수 있으며, 상기 이송 챔버(220)의 양측에는 각각 상기 공정 챔버(230)들이 배치된다. 이때, 상기 공정 챔버(230)들은 상기 이송 챔버(220)의 일측 및 타측에 대칭되도록 구비될 수 있으며, 상기 공정 챔버(230)들은 상기 Y 방향을 따라 배치될 수 있으며, 그 중 일부는 복수 개가 Z 방향을 따라 적층되게 배치될 수 있다.The processing module 200 includes a buffer unit 210, a transfer chamber 220, and a process chamber 230. The transfer chamber 220 may be arranged in parallel along the Y direction, and the process chambers 230 are disposed on both sides of the transfer chamber 220, respectively. At this time, the process chambers 230 may be provided symmetrically on one side and the other side of the transfer chamber 220, and the process chambers 230 may be arranged along the Y direction, some of which may have a plurality. It may be arranged in a stacked manner along the Z direction.

상기 이송 프레임(120)은 상기 로드 포트(110)에 안착된 상기 캐리어(130)와 상기 버퍼 유닛(210) 간에 상기 기판(W)을 반송한다. 상기 이송 프레임(120)에는 인덱스 로봇(121)과 인덱스 레일(122)이 제공된다. 상기 인덱스 로봇(121)은 베이스(121a), 몸체(121b), 그리고 인덱스암(121c)을 가진다. 상기 베이스(121a)는 상기 인덱스 레일(122)을 따라 이동가능하며, 상기 몸체(121b)는 상기 베이스(121a)에 결합되며 상기 Z 방향을 따라 이동 가능하도록 제공되고, 상기 베이스(121a) 상에서 회전 가능하다. 상기 인덱스암(121c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공되며, 상기 인덱스암(121c)들은 상기 Z 방향을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 상기 인덱스암(121C)은 상기 공정 처리 모듈(200)에서 상기 캐리어(130)로 상기 기판(W)을 반송할 때 사용되며, 상기 캐리어(130)에서 상기 공정 처리 모듈(200)로 상기 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. The transfer frame 120 transfers the substrate W between the carrier 130 mounted on the load port 110 and the buffer unit 210. The transport frame 120 is provided with an index robot 121 and an index rail 122. The index robot 121 has a base 121a, a body 121b, and an index arm 121c. The base 121a is movable along the index rail 122, and the body 121b is coupled to the base 121a and movable along the Z direction, and rotates on the base 121a. possible. A plurality of index arms 121c are provided to be individually driven, and the index arms 121c are arranged to be stacked and spaced apart from each other along the Z direction. The index arm 121C is used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130, and transfers the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. Can be used when returning W).

상기 버퍼 유닛(210)은 상기 이송 프레임(120)과 상기 이송 챔버(220) 사이에 배치된다. 상기 버퍼 유닛(210)은 상기 이송 챔버(220)와 상기 이송 프레임(120) 간에 상기 기판(W)이 반송되기 전에 상기 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 이때, 상기 버퍼 유닛(210)의 내부에는 상기 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공될 수 있으며, 상기 슬롯(미도시)은 상기 Z 방향을 따라 이격되도록 복수 개가 제공될 수 있다.The buffer unit 210 is disposed between the transfer frame 120 and the transfer chamber 220. The buffer unit 210 provides a space for the substrate W to stay before it is transferred between the transfer chamber 220 and the transfer frame 120. At this time, a slot (not shown) in which the substrate W is placed may be provided inside the buffer unit 210, and a plurality of slots (not shown) may be provided to be spaced apart along the Z direction.

상기 이송 챔버(220)는 상기 버퍼 유닛(210)과 상기 공정 챔버(230) 간에 상기 기판(W)을 반송하고, 상기 공정 챔버(230)들 간에 상기 기판(W)을 반송한다. 상기 이송 챔버(220)는 메인 로봇(221)과 가이드 레일(222)을 포함하며, 상기 메인 로봇(221)은 상기 가이드 레일(222)을 따라 상기 Y 방향을 따라 직선 이동된다. 상기 메인 로봇(221)은 베이스(221a), 몸체(221b) 그리고 메인암(221c)을 포함하며, 상기 베이스(221a)는 상기 가이드 레일(222)을 따라 이동 가능하도록 설치되며, 상기 몸체(221b)는 상기 베이스(221a)에 결합되고, 상기 몸체(221b)는 상기 베이스(221a) 상에서 상기 Z 방향을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 상기 몸체(221b)는 상기 베이스(221a) 상에서 회전 가능하도록 제공되며, 상기 메인암(221c)은 상기 몸체(221b)에 결합되며 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 이때, 상기 메인암(221c)들은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공되며, 상기 Z 방향을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.The transfer chamber 220 transfers the substrate W between the buffer unit 210 and the process chamber 230, and transfers the substrate W between the process chambers 230. The transfer chamber 220 includes a main robot 221 and a guide rail 222, and the main robot 221 moves linearly along the Y direction along the guide rail 222. The main robot 221 includes a base 221a, a body 221b, and a main arm 221c. The base 221a is installed to be movable along the guide rail 222, and the body 221b ) is coupled to the base 221a, and the body 221b is provided to be movable along the Z direction on the base 221a. In addition, the body 221b is provided to be rotatable on the base 221a, and the main arm 221c is coupled to the body 221b and is provided to move forward and backward. At this time, a plurality of main arms 221c are provided to be individually driven, and are arranged to be stacked and spaced apart from each other along the Z direction.

상기 공정 챔버(230)는 상기 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300, 도 3 참조)가 제공된다. 상기 기판 처리 장치(300, 도 3 참조)는 수행하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있으며, 각각의 상기 공정 챔버(230) 내의 상기 기판 처리 장치(300, 도 3 참조)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 기판 처리 장치(300, 도 3 참조)는 상기 기판(W)을 액 처리하며, 본 발명의 일실시예의 기판 처리 장치(300, 도 3 참조)는 식각 공정으로 설명하고, 그 중에서 특히 습식 식각 공정을 설명하며, 이러한 액 처리 공정은 식각 공정에 한정되지 않으며, 애싱, 세정 등 다양하게 적용 가능하다.The process chamber 230 is provided with a substrate processing device 300 (see FIG. 3) that performs a liquid treatment process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 (see FIG. 3) may have a different structure depending on the type of process to be performed, and the substrate processing apparatus 300 (see FIG. 3) within each process chamber 230 has the same structure. You can have it. The substrate processing apparatus 300 (see FIG. 3) processes the substrate W with a liquid, and the substrate processing apparatus 300 (see FIG. 3) according to an embodiment of the present invention is described as an etching process, especially wet etching. The process is explained, and this liquid treatment process is not limited to the etching process and can be applied to a variety of applications such as ashing and cleaning.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(300)의 개략적인 단면도이다. 이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(300)를 설명한다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 기판 지지부(310), 액 공급부(320) 및 열원 제공부(330)를 포함한다. 상기 기판 지지부(310)는 처리 용기(301) 내부에 배치되며, 상기 처리 용기(301)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있으며, 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 아울러, 상기 처리 용기(301)는 내부 회수통(302) 및 외부 회수통(303)을 가지며, 상기 내부 회수통(302) 및 외부 회수통(303)은 상기 액 공급부(320)에서 토출되어 상기 기판(W)을 처리하고 남은 처리액을 회수할 수 있으며, 각각 서로 상이한 처리액을 회수한다. 상기 내부 회수통(302)은 상기 기판 지지부(310)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있으며, 상기 외부 회수통(303)은 상기 내부 회수통(302)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때, 상기 내부 회수통(302)의 내측 공간(302a)으로 처리액이 유입되는 제1 유입구(302a)일 수 있으며, 상기 외부 회수통(303)과 상기 내부 회수통(302) 사이의 공간(303a)은 상기 외부 회수통(303)으로 처리액이 유입되는 제2 유입구(303a)가 될 수 있다. 아울러, 상기 제1 유입구(302a) 및 제2 유입구(303a)는 각각 상이한 높이에 위치될 수 있으며, 각각의 회수통(302, 303)의 저면 아래에는 회수 라인(302b, 303b)이 연결될 수 있다. 이때, 각각의 회수통(302, 303)으로 유입된 처리액들은 각각의 회수 라인(302b, 303b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention includes a substrate support part 310, a liquid supply part 320, and a heat source providing part 330. The substrate supporter 310 is disposed inside the processing container 301, which may have a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space within which the substrate W is processed. In addition, the processing container 301 has an internal recovery container 302 and an external recovery container 303, and the internal recovery container 302 and the external recovery container 303 are discharged from the liquid supply unit 320 and The processing liquid remaining after processing the substrate W can be recovered, and different processing liquids are each recovered. The internal recovery container 302 may be provided in an annular ring shape surrounding the substrate support 310, and the external recovery container 303 may be provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 302. You can. At this time, it may be the first inlet 302a through which the processing liquid flows into the inner space 302a of the internal recovery container 302, and the space between the external recovery container 303 and the internal recovery container 302 ( 303a) may be a second inlet 303a through which the treatment liquid flows into the external recovery container 303. In addition, the first inlet 302a and the second inlet 303a may be located at different heights, and recovery lines 302b and 303b may be connected below the bottom of each recovery bin 302 and 303. . At this time, the treatment liquid flowing into each recovery tank (302, 303) can be reused by being provided to an external treatment liquid recovery system (not shown) through each recovery line (302b, 303b).

상기 기판 지지부(310)는 상기 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 상기 기판 지지부(310)는 공정 진행 중 상기 기판(W)을 지지하고 회전시킨다. 이때, 상기 기판 지지부(310)는 지지 플레이트(311)와 회전 구동축(312), 그리고 회전 구동부재(313)로 구성될 수 있다. 상기 회전 구동부재(313)는 상기 회전 구동축(312)과 상기 회전 구동축(312)에 연결된 상기 지지 플레이트(311)를 회전시키고, 이에 의하여 상기 지지 플레이트(311)에 의해 수평으로 유지된 상기 기판(W)이 연직 축선 둘레로 회전될 수 있다. 이때, 상기 지지 플레이트(311)는 버큠 척으로 이루어질 수 있다.The substrate supporter 310 supports the substrate W in the processing space. The substrate supporter 310 supports and rotates the substrate W during the process. At this time, the substrate support part 310 may be composed of a support plate 311, a rotation drive shaft 312, and a rotation drive member 313. The rotation drive member 313 rotates the rotation drive shaft 312 and the support plate 311 connected to the rotation drive shaft 312, and thereby the substrate held horizontally by the support plate 311 ( W) can be rotated around the vertical axis. At this time, the support plate 311 may be made of a vacuum chuck.

상기 액 공급부(320)는 처리액 공급부(321) 및 웨팅액 공급부(322)를 포함하며, 상기 처리액 공급부(321) 및 상기 웨팅액 공급부(322)는 상기 기판(W)의 엣지부를 식각하기 위한 공정에 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 처리액 공급부(321)는 처리액 공급 노즐(321a) 및 처리액 이동 부재(321b)를 포함할 수 있으며, 상기 처리액 공급 노즐(321a)은 상기 기판(W)의 엣지부 측에서 상기 엣지부를 향해 처리액을 토출할 수 있고, 상기 처리액 공급 노즐(321a)은 상기 처리액 이동 부재(321b)에 연결되어 이동될 수 있으며, 대기 위치 및 공정 위치로 이동될 수 있으며, 상기 기판(W)의 엣지부를 향하도록 회전되게 결합될 수 있다. 이때, 상기 처리액은 불산(HF)일 수 있으며, 상기 기판(W)에 형성된 막질을 제거할 수 있다면 이에 제한되지 않으며, 상기 처리액 공급 노즐(321a)은 복수 개로 제공될 수 있고, 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(W)에 불산을 공급하는 제1 노즐(미도시), 린스액으로서 순수(DIW)를 공급하는 제2 노즐(미도시), 그리고 전처리액으로서의 유기물 세정제(SC-1, SPM 등)를 공급하는 제3 노즐(미도시)을 포함할 수 있다. 아울러, 상기 처리액 공급부(321)는 상기 기판(W)의 하면 부분에 처리액을 공급하는 하부 공급부(321c)를 포함할 수 있으며, 상기 하부 공급부(321c)는 상기 처리액 공급 노즐(321a)과 마찬가지로 복수 개의 공급 노즐을 포함할 수 있으며, 상기 처리액 공급 노즐(321a)과 동일한 처리액 공급 기구로 마련될 수 있다.The liquid supply unit 320 includes a processing liquid supply unit 321 and a wetting liquid supply unit 322, and the processing liquid supply unit 321 and the wetting liquid supply unit 322 are used to etch the edge portion of the substrate (W). It can be used in processes for: More specifically, the processing liquid supply unit 321 may include a processing liquid supply nozzle 321a and a processing liquid moving member 321b, and the processing liquid supply nozzle 321a is located at an edge portion of the substrate W. The processing liquid may be discharged from the side toward the edge portion, and the processing liquid supply nozzle 321a may be connected to the processing liquid moving member 321b and moved to a standby position and a process position. It can be rotated and coupled to face the edge of the substrate (W). At this time, the processing liquid may be hydrofluoric acid (HF), and is not limited thereto as long as it can remove the film formed on the substrate W. The processing liquid supply nozzles 321a may be provided in plural numbers, and may be different from each other. Various types of treatment liquids can be supplied. For example, a first nozzle (not shown) supplies hydrofluoric acid to the substrate (W), a second nozzle (not shown) supplies pure water (DIW) as a rinse liquid, and an organic cleaner (SC-1) as a pretreatment liquid. , SPM, etc.) may include a third nozzle (not shown). In addition, the processing liquid supply unit 321 may include a lower supply unit 321c that supplies processing liquid to the lower surface of the substrate W, and the lower supply unit 321c is connected to the processing liquid supply nozzle 321a. Similarly, it may include a plurality of supply nozzles and may be provided with the same processing liquid supply mechanism as the processing liquid supply nozzle 321a.

상기 웨팅액 공급부(322)는 웨팅액 공급 노즐(322a) 및 웨팅액 이동 부재(322b)를 포함할 수 있으며, 상기 웨팅액 공급 노즐(322a)은 상기 기판(W)의 중앙부에서 상기 중앙부 측으로 웨팅액을 토출할 수 있고, 상기 웨팅액 공급 노즐(322a)은 상기 웨팅액 이동 부재(322b)에 연결되어 이동될 수 있으며, 대기 위치 및 공정 위치로 이동될 수 있다. 이때, 상기 웨팅액은 순수(DIW)일 수 있으며, 상기 웨팅액 공급부(322)에서 토출되는 순수(DIW)는 상기 기판 지지부(310)가 회전함에 따라 원심력에 의하여 상기 기판(W)에 전체적으로 액막을 형성할 수 있다. 더하여, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 상기 액 공급부(320)에 연결되는 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부(미도시)는 상기 기판(W)의 엣지부 식각 공정이 진행될 때, 상기 처리액 공급부(321) 및 웨팅액 공급부(322)를 동시에 구동시킬 수 있다. 아울러, 상기 제어부(미도시)는 상기 기판 지지부(310)에 연결될 수 있으며, 상기 액막의 형성 범위 및 시간을 조절하기 위해 상기 회전 구동부재(313)의 회전율(rpm)을 조절할 수 있고, 이와 동시에 상기 웨팅액 공급부(322)에서 토출되는 순수(DIW)의 양을 조절할 수 있다.The wetting liquid supply unit 322 may include a wetting liquid supply nozzle 322a and a wetting liquid moving member 322b, and the wetting liquid supply nozzle 322a moves from the center of the substrate W toward the center. The wetting liquid can be discharged, and the wetting liquid supply nozzle (322a) can be connected to the wetting liquid moving member (322b) and moved, and can be moved to a standby position and a process position. At this time, the wetting liquid may be pure water (DIW), and the pure water (DIW) discharged from the wetting liquid supply unit 322 forms a liquid film entirely on the substrate W by centrifugal force as the substrate supporter 310 rotates. can be formed. In addition, the substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention may further include a control unit (not shown) connected to the liquid supply unit 320. The control unit (not shown) may simultaneously drive the processing liquid supply unit 321 and the wetting liquid supply unit 322 when the edge portion etching process of the substrate W progresses. In addition, the control unit (not shown) may be connected to the substrate support unit 310 and may adjust the rotation rate (rpm) of the rotation driving member 313 to control the formation range and time of the liquid film. The amount of pure water (DIW) discharged from the wetting liquid supply unit 322 can be adjusted.

상기 열원 제공부(330)는 상기 기판(W)의 엣지부 측에 구비되며, 상기 엣지부를 가열할 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 플레이트(311)에 상기 기판(W)의 엣지부 측에 열원을 제공하는 히터(미도시)가 제공될 수 있으며, 상기 엣지부를 가열할 수 있다면 이에 제한되지 않는다. 나아가, 상기 열원 제공부(330)는 레이저빔을 상기 엣지부에 조사하는 레이저빔 조사부(331)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 레이저빔 조사부(331)는 상기 기판(W)의 엣지부에 레이저빔을 발진시키며, 이때, 레이저빔은 불산 또는 순수(DIW)에서 에너지의 흡수가 되지 않고 투과성이 우수하여 레이저빔의 에너지 전달이 가능한 영역대의 파장일 수 있다. 이에 의하여, 습식 식각 공정이 진행 중에 상기 레이저빔은 처리액 또는 순수(DIW)를 통과하여 상기 기판(W)의 엣지부를 가열할 수 있다.The heat source provider 330 is provided on the edge portion of the substrate W and can heat the edge portion. For example, a heater (not shown) that provides a heat source to the edge portion of the substrate W may be provided on the support plate 311, and is not limited thereto as long as it can heat the edge portion. Furthermore, the heat source providing unit 330 may include a laser beam irradiating unit 331 that irradiates a laser beam to the edge portion. At this time, the laser beam irradiation unit 331 oscillates a laser beam at the edge of the substrate (W). At this time, the laser beam does not absorb energy in hydrofluoric acid or pure water (DIW) and has excellent transmittance, so the laser beam It may be a wavelength in a range where energy transfer is possible. Accordingly, while the wet etching process is in progress, the laser beam may pass through the processing liquid or pure water (DIW) to heat the edge portion of the substrate W.

즉, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 상기 기판(W)의 엣지부를 식각하는 공정에 있어서, 상기 처리액 공급부(321)에 의해 불산(HF)과 같은 고농도의 처리액을 상기 엣지부를 향하여 토출함과 동시에 상기 웨팅액 공급부(322)에 의해 상기 기판(W)에 액막을 형성하는 것이 가능하다. 이에 의하여, 상기 처리액 공급부(321)에서 토출되는 고농도의 불산(HF)이 상기 기판(W)의 중앙부에 비산되는 것을 방지할 수 있으며, 순수(DIW)에 의해 형성된 액막이 비산된 약액에 의한 손상을 최소화할 수 있다. 아울러, 상기 액막(DIW 막)이 형성됨에 따라 상기 엣지부의 에칭 레이트(ER)도 함께 저하될 수 있는데, 상기 열원 제공부(330)가 상기 엣지부를 가열하여 온도를 상승시킴에 따라 감소한 에칭 레이트(ER)를 보상할 수 있다.That is, in the process of etching the edge portion of the substrate W, the substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention uses a high-concentration processing liquid such as hydrofluoric acid (HF) by the processing liquid supply unit 321. It is possible to form a liquid film on the substrate W by the wetting liquid supply unit 322 while discharging the liquid toward the edge portion. As a result, the high concentration of hydrofluoric acid (HF) discharged from the processing liquid supply unit 321 can be prevented from scattering on the central part of the substrate W, and the liquid film formed by pure water (DIW) can be prevented from being damaged by the scattered chemical liquid. can be minimized. In addition, as the liquid film (DIW film) is formed, the etching rate (ER) of the edge portion may also decrease. As the heat source provider 330 heats the edge portion to increase the temperature, the etching rate (ER) decreases. ER) can be compensated.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)의 공정도이며, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)의 순서를 개략적으로 도시하고 있다. 이하에서는 도 4 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)을 설명한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)은 상기 기판(W)의 엣지부를 식각하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 회전 단계(S110), 막형성 단계(S120) 및 액처리 단계(S130)를 포함한다. 상기 기판 회전 단계(S110)는 상기 기판(W)이 놓인 기판 지지부(310)를 회전시키며, 상기 기판 지지부(310, 도 3 참고)는 회전 구동축(312, 도 3 참고)을 중심으로 상기 기판(W)과 함께 회전될 수 있다. FIG. 4 is a process diagram of a substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 schematically shows the sequence of the substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5. The substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention is a substrate processing method of etching the edge portion of the substrate (W), including a substrate rotation step (S110), a film forming step (S120), and a liquid treatment step (S130). ) includes. The substrate rotation step (S110) rotates the substrate support 310 on which the substrate W is placed, and the substrate support 310 (see FIG. 3) rotates the substrate (see FIG. 3) around the rotation drive shaft 312 (see FIG. 3). W) can be rotated together.

상기 막형성 단계(S120)는 상기 액 공급부(320)에서 상기 기판(W)의 중앙부에 웨팅액을 토출하여 액막을 형성하는 단계이며, 보다 구체적으로 웨팅액 공급부(322)에서 상기 기판(W)의 중앙부에 웨팅액을 토출하여 액막을 형성할 수 있다. 이때, 상기 웨팅액은 순수(DIW)일 수 있으며, 상기 기판 회전 단계(S110)에 의하여, 상기 기판(W)의 전면에 액막(DIW 막)이 형성될 수 있다. 이후 상기 액처리 단계(S130)는 상기 처리액 공급부(321)에서 상기 기판(W)의 엣지부를 향해 처리액을 토출할 수 있으며, 상기 처리액은 고농도의 불산(HF)일 수 있다. 이에 의하여, 상기 기판(W)의 엣지부의 식각 과정이 진행될 수 있다.The film forming step (S120) is a step of forming a liquid film by discharging a wetting liquid from the liquid supply unit 320 to the center of the substrate (W). More specifically, the wetting liquid supply unit 322 forms a liquid film on the substrate (W). A liquid film can be formed by discharging the wetting liquid in the central part of . At this time, the wetting liquid may be pure water (DIW), and a liquid film (DIW film) may be formed on the entire surface of the substrate (W) by the substrate rotation step (S110). Afterwards, in the liquid treatment step (S130), the processing liquid may be discharged from the processing liquid supply unit 321 toward the edge portion of the substrate W, and the processing liquid may be high-concentration hydrofluoric acid (HF). Accordingly, the etching process of the edge portion of the substrate W may proceed.

이때, 상기 막형성 단계(S120) 및 액처리 단계(S130)는 동시에 수행될 수 있다. 종래의 식각 공정은 처리액을 분사하여 식각이 진행된 후 순수(DIW)가 토출되어 세정이 진행되나, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)은 상기 막형성 단계(S120) 및 액처리 단계(S130)가 동시에 수행됨에 따라 처리액의 분사과정에서 상기 기판(W)의 중앙부로 처리액이 비산되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 기판(W)의 중앙부의 막질 손상을 방지할 수 있다.At this time, the film forming step (S120) and the liquid treatment step (S130) may be performed simultaneously. In the conventional etching process, etching is carried out by spraying a processing liquid and then cleaning is carried out by discharging pure water (DIW). However, the substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention includes the film forming step (S120) and the liquid As the processing step (S130) is performed simultaneously, it is possible to prevent the processing liquid from scattering to the center of the substrate (W) during the spraying process, and to prevent damage to the film quality of the central portion of the substrate (W). .

나아가, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)은 상기 기판(W)의 엣지부를 가열하는 가열 단계(S140)를 더 포함할 수 있다. 상기 막형성 단계(S120)는 상기 기판(W)의 엣지부까지 액막을 형성하여 에칭 레이트(ER)가 감소될 수 있다. 이때, 상기 가열 단계(S140)에 의하여 상기 기판(W)의 엣지부를 가열함에 따라 식각율이 감소되는 것을 보상할 수 있다. 아울러, 상기 가열 단계(S140)는 레이저빔 조사부(331)에 의해 레이저를 조사하여 가열할 수 있다. 이때, 상기 레이저빔 조사부(331)는 상기 기판(W)의 엣지부에 레이저빔을 발진시키며, 이때, 레이저빔은 불산 또는 순수(DIW)에서 에너지의 흡수가 되지 않고 투과성이 우수하여 레이저빔의 에너지 전달이 가능한 영역대의 파장일 수 있다. 이에 의하여, 습식 식각 공정이 진행 중에 상기 레이저빔은 처리액 또는 순수(DIW)를 통과하여 상기 기판(W)의 엣지부를 가열할 수 있다.Furthermore, the substrate processing method (S100) according to an embodiment of the present invention may further include a heating step (S140) of heating the edge portion of the substrate (W). In the film forming step (S120), the etching rate (ER) can be reduced by forming a liquid film up to the edge portion of the substrate (W). At this time, the decrease in the etch rate as the edge portion of the substrate W is heated through the heating step (S140) can be compensated for. In addition, the heating step (S140) can be performed by irradiating a laser using the laser beam irradiation unit 331. At this time, the laser beam irradiation unit 331 oscillates a laser beam at the edge of the substrate (W). At this time, the laser beam does not absorb energy in hydrofluoric acid or pure water (DIW) and has excellent transmittance, so the laser beam It may be a wavelength in a range where energy transfer is possible. Accordingly, while the wet etching process is in progress, the laser beam may pass through the processing liquid or pure water (DIW) to heat the edge portion of the substrate W.

이상에서는 본 발명을 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상의 변화 없이 통상의 기술자에 의해서 변형되어 실시될 수 있음은 물론이다.In the above, the present invention has been described focusing on the embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be modified and implemented by those skilled in the art without changing the technical spirit of the present invention as claimed in the claims. Of course.

1: 베벨 노즐 2: 불산 용액
3: 막질 4: 회수통
10: 기판 처리 설비 100: 인덱스 모듈
110: 로드 포트 120: 이송 프레임
121: 인덱스 로봇 121a: 베이스
121b: 몸체 121c: 인덱스암
122: 인덱스 레일 130: 캐리어
200: 공정 처리 모듈 210: 버퍼 유닛
220: 이송 챔버 221: 메인 로봇
221a: 베이스 221b: 몸체
221c: 메인암 222: 가이드 레일
230: 공정 챔버 300: 기판 처리 장치
301: 처리 용기 302: 내부 회수통
302a: 제1 유입구 302b: 회수 라인
303: 외부 회수통 303a: 제2 유입구
303b: 회수 라인 310: 기판 지지부
311: 지지 플레이트 312: 회전 구동축
313: 회전 구동부재 321: 처리액 공급부
321a: 처리액 공급 노즐 321b: 처리액 이동부재
321c: 하부 공급부 322: 웨팅액 공급부
322a: 웨팅액 공급 노즐 322b: 웨팅액 이동부재
330: 열원 제공부 331: 레이저빔 조사부
W: 기판1: Bevel nozzle 2: Hydrofluoric acid solution
3: Membrane 4: Recovery container
10: Substrate processing equipment 100: Index module
110: load port 120: transfer frame
121: Index robot 121a: Base
121b: Body 121c: Index arm
122: index rail 130: carrier
200: Process processing module 210: Buffer unit
220: transfer chamber 221: main robot
221a: Base 221b: Body
221c: main arm 222: guide rail
230: Process chamber 300: Substrate processing device
301: Processing vessel 302: Internal recovery bin
302a: first inlet 302b: return line
303: external recovery bin 303a: second inlet
303b: recovery line 310: substrate support
311: support plate 312: rotation drive shaft
313: Rotating driving member 321: Treatment liquid supply unit
321a: Processing liquid supply nozzle 321b: Processing liquid moving member
321c: lower supply part 322: wetting liquid supply part
322a: Wetting liquid supply nozzle 322b: Wetting liquid moving member
330: heat source providing unit 331: laser beam irradiation unit
W: substrate

Claims (8)

기판이 놓인 기판 지지부가 회전되는 기판 회전 단계;
웨팅액 공급부에서 상기 기판의 중앙부에 웨팅액이 토출되어 액막이 형성되는 막형성 단계; 및
처리액 공급부에서 상기 기판의 엣지부를 향해 처리액이 토출되는 액처리 단계;
를 포함하는 기판 처리 방법.
A substrate rotation step in which the substrate support on which the substrate is placed is rotated;
A film forming step in which a wetting liquid is discharged from a wetting liquid supply unit to the center of the substrate to form a liquid film; and
A liquid processing step in which a processing liquid is discharged from a processing liquid supply unit toward an edge portion of the substrate;
A substrate processing method comprising:
 제 1 항에 있어서,
상기 막형성 단계 및 액처리 단계는,
동시에 수행되는 기판 처리 방법.
According to claim 1,
The film formation step and liquid treatment step are,
Methods of processing substrates performed simultaneously.
 제 2 항에 있어서,
상기 기판의 엣지부를 가열하는 가열 단계;
를 더 포함하는 기판 처리 방법.
According to claim 2,
A heating step of heating the edge portion of the substrate;
A substrate processing method further comprising:
 제 3 항에 있어서,
상기 가열 단계는,
레이저빔 조사부에 의해 레이저를 조사하여 가열하는 기판 처리 방법.
According to claim 3,
The heating step is,
A substrate processing method that heats a substrate by irradiating a laser through a laser beam irradiation unit.
 제 4 항에 있어서,
상기 웨팅액은,
순수(DIW)인 기판 처리 방법.
According to claim 4,
The wetting liquid is,
Method of processing a substrate that is pure water (DIW).
 기판을 지지하고, 상기 기판을 회전시키는 기판 지지부;
상기 기판으로 처리액을 토출하는 처리액 공급부와 웨팅액을 토출하는 웨팅액 공급부를 포함하는 액 공급부; 및
상기 기판의 엣지부 측에 구비되며, 상기 엣지부를 가열하는 열원 제공부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
a substrate supporter that supports a substrate and rotates the substrate;
a liquid supply unit including a processing liquid supply unit that discharges a processing liquid to the substrate and a wetting liquid supply unit that discharges a wetting liquid; and
a heat source providing unit provided on an edge portion of the substrate and heating the edge portion;
A substrate processing device comprising:
 제 6 항에 있어서,
상기 열원 제공부는,
레이저빔을 상기 엣지부에 조사하는 레이저빔 조사부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 6,
The heat source provider,
a laser beam irradiation unit that irradiates a laser beam to the edge portion;
A substrate processing device comprising:
 제 7 항에 있어서,
상기 액 공급부에 연결되는 제어부;
를 더 포함하며,
상기 제어부는,
상기 처리액 공급부 및 웨팅액 공급부를 동시에 구동시키는 기판 처리 장치.According to claim 7,
a control unit connected to the liquid supply unit;
It further includes,
The control unit,
A substrate processing device that simultaneously operates the processing liquid supply unit and the wetting liquid supply unit.
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