KR20240002945A - 유기 전계발광재료 및 그 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 전계발광재료 및 그 소자를 개시하였다. 상기 유기 전계발광재료는 M(La)m(Lb)n(Lc)q의 일반식을 갖는 금속 착물이다. 상기 금속 착물은 상이한 파장대의 발광 수요를 충족시킬 수 있고, 예상밖으로 대폭 좁아진 반치폭을 가지므로, 높은 포화도의 발광을 실현할 수 있으며, 상기 금속 착물을 전계발광소자의 발광 재료로 사용하는 경우, 소자의 발광 파장을 효과적으로 제어할 수 있으므로 소자가 낮은 전압, 높은 효율 및 초장수명 등 장점을 가질 수 있으며, 더 우수한 소자 성능을 제공할 수 있다. 본 발명은 전계발광소자 및 화합물 조성물을 더 개시하였다.
Description
본 발명은 유기 전자소자, 예를 들어 유기 발광소자에 사용되는 화합물에 관한 것이다. 더욱 특별하게, M(La)m(Lb)n(Lc)q의 일반식을 갖는 금속 착물, 및 상기 금속 착물을 포함하는 유기 전계발광소자와 화합물 조성물에 관한 것이다.
유기 전자소자는, 유기 발광다이오드(OLEDs), 유기 전계효과트랜지스터(O-FETs), 유기 발광트랜지스터(OLETs), 유기 광전소자(OPVs), 염료감응형 태양전지(DSSCs), 유기 광학검출기, 유기 광수용체, 유기 전계효과소자(OFQDs), 발광 전기화학전지(LECs), 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라즈마(plasma) 발광소자를 포함하되 이에 한정되지 않는다.
1987년, Eastman Kodak의 Tang 및 Van Slyke는, 전자 수송층 및 발광층으로서 아릴아민 정공 수송층 및 트리-8-히드록시퀴놀린-알루미늄층(tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer)을 포함하는 2 층 유기 전계 발광소자를 보도하였다(Applied Physics Letters, 1987,51(12): 913-915). 소자에 바이어스를 가하게 되면, 소자에서 녹색 빛이 방출된다. 상기 발명은 현대 유기 발광다이오드(OLEDs)의 발전에 토대를 마련하였다. 가장 선진적인 OLEDs는 전하 주입 및 수송층, 전하 및 엑시톤 차단층(exciton blocking layer), 및 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 하나 또는 복수의 발광층과 같은 복수 층을 포함할 수 있다. OLEDs는 자가발광 고체소자이기 때문에, 디스플레이 및 조명 응용에 엄청난 잠재력을 제공해준다. 또한, 유기 자재의 고유특성(예를 들어 이들의 가요성)은 이들이 특수한 응용(예를 들어 가요성 기판상에서의 제조)에 적합하도록 한다.
OLED는 이의 발광 매거니즘에 따라 세 가지의 다른 유형으로 분류될 수 있다. Tang과 van Slyke가 발명한 OLED는 형광 OLED이다. 이는 일중항 상태(singlet state) 발광만 사용한다. 소자에서 생성된 삼중항 상태(triplet state)는 비방사성 감쇠채널을 통해 낭비된다. 따라서, 형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 25%에 불과하다. 이러한 한정은 OLED의 상업화를 방해한다. 1997년, Forrest와 Thompson은, 착물을 함유하는 중금속으로부터의 삼중항 상태 발광을 발광체로 사용하는 인광 OLED를 리포트하였다. 따라서, 일중항 상태와 삼중항 상태를 획득할 수 있어 100%의 IQE를 달성할 수 있다. 이의 효율이 높기 때문에, 인광 OLED의 발견 및 발전은 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)의 상업화에 직접적인 공헌을 하였다. 최근에, Adachi는 유기 화합물의 열활성화지연형광(TADF)을 통해 고효율을 달성하였다. 이러한 발광체는 엑시톤(exciton)이 삼중항 상태에서 일중항 상태로 돌아갈 수 있도록 작은 일중항-삼중항 상태의 간격(gap)을 구비한다. TADF 소자에서, 삼중항 상태 엑시톤(triplet exciton)은 역항간교차(reverse intersystem crossing)를 통해 일중항 상태 엑시톤을 생성할 수 있어 높은 IQE를 달성할 수 있다.
OLEDs는 또한 사용되는 재료의 형태에 따라 저분자 및 고분자 OLED로 나눌 수 있다. 저분자는 고분자가 아닌 임의의 유기 또는 유기 금속재료를 지칭한다. 정확한 구조를 구비한다면 저분자의 분자량은 매우 클 수 있다. 명확한 구조를 구비하는 덴드리틱 고분자(dendritic polymer)는 소분자로 간주된다. 고분자 OLED는 공액 고분자(conjugated polymer) 및 펜던트 발광기(pendant emitting groups)를 구비하는 비공액 고분자를 포함한다. 제조과정에 포스트중합(post polymerization)이 발생하면, 저분자 OLED는 고분자 OLED로 변할 수 있다.
이미 다양한 OLED 제조방법이 존재한다. 저분자 OLED는 통상적으로 진공 열증착(vacuum thermal evaporation)을 통해 제조된다. 고분자 OLED는 용액공정, 예를 들어 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅 및 노즐 프린팅에 의해 제조된다. 재료가 용매에 용해되거나 분산될 수 있으면 저분자 OLED도 용액공정에 의해 제조될 수 있다.
OLED의 발광색은 발광재료 구조설계에 의해 실현될 수 있다. OLED는 원하는 스펙트럼을 실현할 수 있도록 하나의 발광층 또는 복수의 발광층을 포함할 수 있다. 녹색, 황색 및 적색 OLED에서, 인광재료는 이미 상업화를 성공적으로 실현하였다. 청색 인광소자는 여전히 청색 불포화, 짧은 소자수명 및 높은 작동전압 등 문제가 존재한다. 상업용 풀 컬러 OLED 디스플레이는 통상적으로 청색 형광과, 인광 황색 또는 적색과 녹색을 사용하는 혼합전략을 사용한다. 현재, 인광 OLED의 효율이 고휘도의 경우에 급격히 감소되는 문제가 여전히 존재한다. 이 외, 보다 포화된 발광 스펙트럼, 더 높은 효율 및 더 긴 소자수명을 구비하는 것을 원한다.
인광 발광 재료에 대해 선행 기술에서도 보고되었으나, 여전히 더 많은 연구를 통해 소자의 성능, 예를 들어 소자의 발광 색상, 발광포화도, 전압, 소자 효율, 소자 수명 등에 대해 나날이 향상되는 요구에 매칭되도록 해야 한다.
본 발명은 적어도 부분적인 상기 문제를 해결하기 위해, M(La)m(Lb)n(Lc)q의 일반식을 갖는 일련의 금속 착물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 금속 착물은 유기 전계발광소자의 발광 재료로 사용될 수 있다. 상기 금속 착물은 상이한 파장대의 발광 수요를 충족시킬 수 있고, 예상밖으로 대폭 좁아진 반치폭을 가지므로, 높은 포화도의 발광을 실현할 수 있으며, 본 발명의 금속 착물을 전계발광소자의 발광 재료로 사용하는 경우, 소자의 발광 파장을 효과적으로 제어할 수 있으므로 소자가 낮은 전압, 높은 효율 및 초장수명 등 장점을 가질 수 있으며, 더 우수한 소자 성능을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, M(La)m(Lb)n(Lc)q의 일반식을 구비하는 금속 착물을 개시하였고, 여기서, 상기 금속 M은 상대 원자 질량이 40보다 큰 금속에서 선택되며, La, Lb 및 Lc은 각각 상기 금속 M와 배위되는 제1 리간드, 제2 리간드 및 제3 리간드이고;
La, Lb 및 Lc은 임의로 연결되어 여러 자리 리간드(multidentate ligand)를 형성할 수 있으며;
m은 1 또는 2에서 선택되고, n은 1 또는 2에서 선택되며, q는 0 또는 1에서 선택되고, m+n+q의 합은 금속 M의 산화 상태와 같으며; m이 2인 경우, 두 개의 La은 동일하거나 상이하고, n이 2인 경우, 두 개의 Lb은 동일하거나 상이하며;
상기 제1 리간드 La은 식 1로 나타내는 구조를 가지고;
,
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 5원 불포화 탄소고리, 6~30 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되며;
고리 B는 2~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로 고리 또는 2~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되고;
RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내며;
RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
상기 제2 리간드 Lb은 식 2로 나타내는 구조를 가지고;
U1-U4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRU에서 선택되며;
W1-W4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRW에서 선택되고;
RU, RW은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RU, RW은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Lc은 일가 음이온 두 자리 리간드에서 선택된다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 전계발광소자를 더 개시하였으며, 이는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 전술한 실시예에 따른 금속 착물을 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 전술한 실시예에 따른 금속 착물을 포함하는 화합물 조성물을 더 개시하였다.
본 발명에서 개시한 신규 금속 착물은 전계발광소자의 발광 재료로 사용될 수 있다. 이러한 신규 금속 착물은 발광 파장을 예상밖으로 대폭 좁아지게 하여, 소자 발광의 포화도를 대폭 향상시킬 수 있고, 또한 소자를 낮은 전압, 높은 효율 및 초장수명을 가질 수 있도록 하고, 소자의 발광 파장을 효과적으로 제어할 수 있으므로 우수한 소자 성능을 제공할 수 있다.
도 1은 본문에서 개시된 금속 착물 및 화합물 조성물을 함유할 수 있는 유기발광장치의 개략도이다.
도 2는 본문에서 개시된 금속 착물 및 화합물 조성물을 함유할 수 있는 다른 유기발광장치의 개략도이다.
도 2는 본문에서 개시된 금속 착물 및 화합물 조성물을 함유할 수 있는 다른 유기발광장치의 개략도이다.
OLED는 여러 종류의 기판(예를 들어, 유리, 플라스틱 및 금속)상에서 제조될 수 있다. 도 1은 유기 발광장치(100)를 개략적으로 비 한정적으로 나타낸다. 도면은 반드시 비율에 따라 그려진 것이 아니며, 도면에서의 일부 층구조는 필요에 따라 생략될 수도 있다. 장치(100)는 기판(101), 양극(110), 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 음극(190)을 포함할 수있다. 장치(100)는 설명된 층들을 순차적으로 증착하여 제조될 수 있다. 각 층의 성질과 기능 및 예시적인 재료는 미국 특허 US7279704B2 제6-10 칼럼에서 더 구체적으로 설명하였으며, 상기 특허의 전부 내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.
이러한 층에서의 각 층은 더 많은 예시를 구비한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5844363호에 개시된 유연하고 투명한 기판-애노드 조합을 예로 들 수 있다. p-도핑된 정공 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 50:1의 몰비로 F4 -TCNQ가 도핑된 m-MTDATA이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6303238호(Thompson 등에게 수여됨)에서는 호스트 재료(host material)의 예시를 개시하였다. n-도핑된 전자 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 1:1의 몰비로 Li가 도핑된 BPhen이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5703436호 및 제5707745호에서는 음극의 예시를 개시하였으며, 이는 Mg:Ag와 같은 금속 박층, 오버라잉(overlying)된 투명하고 전도성을 가지며 스퍼터 증착(sputter-deposited)된 ITO층을 가지는 복합 음극을 포함한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6097147호 및 미국특허출원공개 제2003/0230980호에서는 차단층의 원리 및 사용에 대해 더 구체적으로 설명하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서는 주입층의 예시를 제공하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서 보호층에 대한 설명을 찾을 수 있다.
비 한정적인 실시예를 통해 상기 계층구조를 제공한다. OLED의 기능은 상술한 여러 종류의 층을 조합함으로써 구현할 수 있고, 또는 일부 층을 완전히 생략할 수 있다. 이는 명확하게 설명되지 않은 다른 층을 더 포함할 수 있다. 각 층 내에는 단일 재료 또는 여러 종류의 재료의 혼합물을 사용함으로써 최적의 성능을 구현할 수 있다. 임의의 기능층은 여러 개의 서브 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 원하는 발광 스펙트럼을 구현할 수 있도록 2 층의 서로 다른 발광재료를 구비할 수 있다.
일 실시예에서, OLED는 음극과 양극 사이에 배치된 "유기층"을 구비하는 것으로 설명될 수 있다. 해당 유기층은 하나 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.
OLED도 캡슐화층이 필요하며, 도 2에서는 유기 발광장치(200)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 이와 도 1의 차이점은, 음극(190) 위에는 환경으로부터 유해물질(예를 들어, 수분 및 산소)을 방지하도록 캡슐화층(Encapsulation layer)(102)을 더 포함하는 것이다. 캡슐화 기능을 제공할 수 있는 임의의 재료는 모두 캡슐화층(예를 들어, 유리 또는 유기-무기 혼합층)으로 사용될 수 있다. 캡슐화층은 OLED소자의 외부에 직접적 또는 간접적으로 배치되어야 한다. 다중박막 캡슐화는 미국특허 US7968146B2에서 기술되었으며, 그 전부내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.
본 발명의 실시예에 따라 제조된 소자는 해당 소자의 하나 또는 복수의 전자부재모듈(또는 유닛)을 구비하는 여러 종류의 소비재에 통합될 수 있다. 이러한 소비재의 일부 예시는 평판 디스플레이, 모니터, 의료 모니터, 텔레비전, 광고판, 실내 또는 실외용 조명등 및/또는 신호 발사등, 헤드업 디스플레이(head-up display), 전체적으로 투명하거나 부분적으로 투명한 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 스마트폰, 태블릿, 태블릿 폰, 웨어러블 장치(wearable device), 스마트 시계, 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더(viewfinder), 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 차량 디스플레이 및 후미등을 포함한다.
본문에 기재된 재료 및 구조는 상기에 열거된 다른 유기 전자소자에 사용될 수도 있다.
본문에 사용된 "상단"은 기판과 가장 멀리 위치함을 의미하고, "하단"은 기판과 가장 가깝게 위치함을 의미한다. 제1 층이 제2 층 "상"에 "배치"된다고 설명되는 경우, 제1 층은 기판과 비교적 멀리 위치하도록 배치된다. 제1 층 "및" 제2 층이 "접촉"한다고 규정되지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 음극과 양극 사이에 여러 종류의 유기층이 존재하더라도 여전히 음극이 양극 "상"에 "배치"된다고 설명할 수 있다.
본문에 사용된 "용액 처리 가능"은, 용액 또는 현탁액의 형태로 액체 매질에서 용해, 분산 또는 수송될 수 있음 및/또는 액체 매질로부터 침전될 수 있음을 의미한다.
리간드가 발광재료의 감광성능에 직접적으로 작용한다고 사료되는 경우, 리간드는 "감광성 리간드"라 할 수 있다. 리간드가 발광재료의 감광성능에 작용하지 않는다고 사료되는 경우, 리간드는 "보조 리간드"라 할 수 있는데, 보조 리간드는 감광성 리간드의 성질을 변경할 수 있다.
형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 지연 형광을 통해 25%의 스핀 통계(spin statistics) 한계를 초과할 수 있는 것으로 여겨진다. 지연 형광은 일반적으로 두 가지 유형, 즉 P형 지연 형광 및 E형 지연 형광으로 나뉠 수 있다. P형 지연 형광은 삼중항-삼중항 소멸(TTA)에 의해 생성된다.
다른 측면으로, E형 지연 형광은 2 개의 삼중항 상태의 충돌에 의존하지 않고 삼중항 상태와 일중항 여기상태(singlet-excited state) 사이의 전이에 의존한다. E형 지연 형광을 생성할 수 있는 화합물은 에너지 상태 간의 전환을 진행할 수 있도록 매우 작은 일중항-삼중항 갭(gap)을 구비해야 한다. 열에너지는 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 전이(transition)를 활성화할 수 있다. 이러한 유형의 지연 형광은 또한 열활성 지연 형광(TADF)이라 한다. TADF의 현저한 특징으로는 지연요소는 온도가 높아짐에 따라 증가하는 것이다. 역계간교차(reverse intersystem crossing)(RISC)의 속도가 충분히 빨라 삼중항 상태에 의한 비방사성감쇠를 최소화한다면, 백필링(back-filling)된 일중항 여기상태의 비율은 75%에 도달할 수 있다. 일중항 상태의 총 비율은 100%일 수 있으며 이는 전계가 생성한 엑시톤의 스핀 통계의 25%를 훨씬 초과한다.
E형 지연 형광의 특징은 들뜬 복합체(exciplex system) 시스템 또는 단일 화합물에서 발견될 수 있다. 이론에 구속되지 안고, E형 지연 형광은 발광재료가 일중항-삼중항의 작은 에너지 갭(energy gap)(ΔES-T)을 구비해야 한다고 여겨진다. 비금속을 함유하는 유기 공예체-수용체 발광재료는 이러한 특징을 실현할 가능성이 있다. 이러한 물질의 방출은 일반적으로 공예체-수용체 전하이동(CT)형 방출로 표징된다. 이러한 공예체-수용체형 화합물에서 HOMO와 LUMO의 공간적 분리는 일반적으로 작은 ΔES-T을 생성한다. 이러한 상태는 CT 상태를 포함할 수 있다. 일반적으로, 공예체-수용체 발광재료는 전자 공예체부분(예를 들어, 아미노기 또는 카바졸 유도체)과 전자 수용체부분(예를 들어, N을 함유하는 6원 방향족고리)을 연결함으로써 구성된다.
치환기 용어의 정의에 관하여,
할로겐 또는 할로젠화물-은 본문에 사용된 바와 같이 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.
알킬기는 본 문에 사용된 바와 같이, 직쇄형 알킬기 및 분지형 알킬기를 포함한다. 알킬기는 1 내지 20개 탄소원자를 구비하는 알킬기일 수 있으며, 1 내지 12개 탄소원자를 구비하는 알킬기가 바람직하며, 1 내지 6개 탄소원자를 구비하는 알킬기가 더 바람직하다. 알킬기의 예시는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기(Sec-butyl), 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기를 포함한다. 상기에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기 및 n-헥실기가 바람직하다. 또한, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
시클로알킬기는 본 문에 사용된 바와 같이 고리형 알킬기를 포함한다. 시클로알킬기는 3 내지 20개 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 구비하는 시클로알킬기일 수 있으며, 4 내지 10개 탄소원자를 구비하는 시클로알킬기가 바람직하다. 시클로알킬기의 예시는 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보르닐기(1-norbornyl), 2- 노르보르닐기 등을 포함한다. 상기에서 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기가 바람직하다. 또한, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
헤테로알킬기는 본 문에 사용된 바와 같으며, 헤테로알킬기는 알킬기 사슬 중의 하나 또는 복수의 탄소가 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 인원자, 규소원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택된 헤테로 원자에 의해 치환되어 형성된 것을 포함한다. 헤테로알킬기는 1 내지 20개 탄소원자를 구비하는 헤테로알킬기일 수 있으며, 1 내지 10개 탄소원자를 구비하는 헤테로알킬기가 바람직하며, 1 내지 6개 탄소원자를 구비하는 헤테로알킬기가 더 바람직하다. 헤테로알킬기의 실예는 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 에톡시에틸기, 메틸티오메틸기(methylthiomethyl), 에틸티오메틸기, 에틸티오에틸기, 메톡시메톡시메틸기, 에톡시메톡시메틸기, 에톡시에톡시에틸기, 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기, 술파닐메틸기, 술파닐에틸기, 술파닐프로필기, 아미노메틸기, 아미노에틸기, 아미노프로필기, 디메틸아미노메틸기, 트리메틸게르마닐메틸기, 트리메틸게르마닐에틸기, 트리메틸게르마닐이소프로필기, 디메틸에틸게르마닐메틸기, 디메틸이소프로필게르마닐메틸기, tert-부틸디메틸게르마닐메틸기, 트리에틸게르마닐메틸기, 트리에틸게르마닐에틸기, 트리이소프로필게르마닐메틸기, 트리이소프로필게르마닐에틸기, 트리메틸실릴메틸기, 트리메틸실릴에틸기, 트리메틸실릴이소프로필기, 트리이소프로필실릴메틸기, 트리이소프로필실릴에틸기를 포함한다. 또한, 헤테로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
알케닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 올레핀기, 분지형 올레핀기 및 고리형 올레핀기를 포함한다. 알케닐기는 2 내지 20 개의 탄소원자를 함유하는 알케닐기일 수 있고, 바람직하게 2 내지 10 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기일 수 있다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기(1,3-butadienyl), 1-메틸비닐기, 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1,2-디메틸알릴기, 1-페닐-1-부테닐기, 3-페닐-1-부테닐기, 시클로펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기(cycloheptenyl), 시클로헵타트리에닐기, 시클로옥테닐기, 시클로옥타테트라에닐기(Cyclooctatetraenyl) 및 노르보네닐기(norbornenyl)를 포함한다. 또한, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.
알키닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알키닐기를 포함한다. 알키닐기는 2 내지 20 개의 탄소원자를 함유하는 알키닐기일 수 있고, 바람직하게 2 내지 10 개의 탄소원자를 갖는 알키닐기일 수 있다. 알키닐기의 실예는 에티닐기, 프로피닐기, 프로파길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 2-펜티닐기, 3,3-디메틸-1-부티닐기, 3-에틸-3-메틸-1-펜티닐기, 3,3-디이소프로필1-펜티닐기, 페닐에티닐기, 페닐프로피닐기 등을 포함한다. 상기에서, 에티닐기, 프로피닐기, 프로파길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 페닐에티닐기가 바람직하다. 또한, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴기 또는 방향족기는 본문에 사용된 바와 같이 융합 시스템(condensed systems)과 비융합 시스템을 고려한다. 아릴기는 6 내지 30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기일 수 있고, 바람직하게 6 내지 20 개의 탄소원자를 갖는 아릴기이며, 더 바람직하게는 6 내지 12 개의 탄소원자를 갖는 아릴기이다. 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 트리페닐렌(triphenylene)기, 테트라페닐렌기, 나프탈렌기, 안트라센기, 페날렌(phenalene)기, 페난트렌기, 플루오렌기, 피렌기(Pyrene), 크리센기(chrysene), 페릴렌기(perylene) 및 아줄렌기(azulene)를 포함하고, 바람직하게는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 트리페닐렌기, 플루오렌기 및 나프탈렌기를 포함한다. 비융합 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐-2-일기(biphenyl-2-yl), 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸비페닐릴기, 4''-터트부틸기-p-터페닐-4-일기, o-쿠메닐기(o-cumenyl), m-쿠메닐기, p-쿠메닐기, 2,3-크실릴기, 3,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 메시틸레닐기(Mesitylenyl group) 및 m-쿼테르페닐기(m-quaterphenyl)를 포함한다. 또한, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
헤테로시클릭기 또는 헤테로 시클릴은 본 문에 사용된 바와 같이, 비방향족 고리형 그룹을 고려한다. 비방향족 헤테로시클릭기는 3-20개의 고리원자를 갖는 포화 헤테로시클릭기 및 3-20개 고리원자를 갖는 불포화 비방향족 헤테로시클릭기를 포함하며, 여기서 적어도 하나의 고리원자는 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 규소원자, 인원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택되며, 바람직한 비방향족 헤테로시클릭기는 3 내지 7개의 고리원자를 포함하는 것으로, 질소, 산소, 규소 또는 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 비방향족 헤테로시클릭기의 실예는 에틸렌옥사이드기, 옥세타닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 디옥솔란기, 디옥산기, 아지리디닐기, 디히드로피롤릴기, 테트라히드로피롤릴기, 피페리디닐기, 옥사졸리디닐기, 모르폴리노기, 피페라지닐기, 옥세시클로헵타트리엔기, 티오시클로헵타트리엔기, 아자시클로헵타트리엔기 및 테트라히드로실롤기를 포함한다. 또한, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될수 있다.
헤테로아릴기는 본 문에 사용된 바와 같이, 1~5 개의 헤테로원자를 함유할 수 있는 비융합 및 융합된 헤테로방향족 그룹을 포함하고, 여기서 적어도 하나의 헤테로원자는 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 규소원자, 인원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택된다. 이소아릴기도 헤테로아릴기를 의미한다. 헤테로아릴기는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기일 수 있고, 바람직하게 3~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기이며, 더 바람직하게는 3~12 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜기(dibenzothiophene), 디벤조푸란기(dibenzofuran), 디벤조셀레노펜기(dibenzoselenophene), 푸란기, 티오펜기, 벤조푸란기, 벤조티오펜기, 벤조셀레노펜기(benzoselenophene), 카바졸기(carbazole), 인돌로카바졸기(indolocarbazole), 피리딘인돌로기(pyridine indole), 피롤로피리딘기(Pyrrolopyridine), 피라졸기, 이미다졸기, 트리아졸기(Triazole), 옥사졸기(oxazole), 티아졸기, 옥사디아졸기, 옥사트리아졸기, 디옥사졸기, 티아디아졸기, 피리딘, 피리다진(pyridazine), 피리미딘, 피라진(pyrazine), 트리아진기(triazine), 옥사진기(oxazine), 옥사티아진기(oxathiazine), 옥사디아진기(oxadiazine), 인돌기(Indole), 벤즈이미다졸기(benzimidazole), 인다졸기, 인독사진기(indoxazine), 벤조옥사졸기, 벤지스옥사졸기(benzisoxazole), 벤조티아졸기, 퀴놀린기(quinoline), 이소퀴놀린기, 신놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 나프티리딘기, 프탈라진기(phthalazine), 프테리딘기(pteridine), 크산텐기(xanthene), 아크리딘기, 페나진기, 페노티아진기, 벤조티에노피리딘기(benzothienopyridine), 티에노디피리딘기(thienodipyridine), 벤조푸라노피리딘기(Benzofuranopyridine), 푸라노디피리딘기(Furanodipyridine), 벤조셀레노페노피리딘기 (benzoselenophenopyridine), 셀레노페노디피리딘기(selenophenodipyridine)을 포함하고, 바람직하게는 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 디벤조셀레노펜기, 카바졸기, 인돌로카바졸기, 이미다졸기, 피리딘기, 트리아진기, 벤즈이미다졸기, 1,2-아자보란기(1,2-azaborane), 1,3-아자보란기, 1,4- 아자보란기, 보라진기(borazine) 및 이들의 아자 유사체를 포함한다. 또한, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
알콕시기는 본문에 사용된 바와 같이 -O-알킬기, -O-시클로알킬기, -O-헤테로알킬기 또는 -O-헤테로시클릭기로 표시된다. 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기 및 헤테로시클릭기의 예와 바람직한 예는 상기와 같다. 알콕시기는 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기일 수 있고, 바람직하게 1~6 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기이다. 알콕시기의 예시는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 테트라히드로퓨라닐옥시기, 테트라히드로피라닐옥시기, 메톡시프로필옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메톡시메틸옥시기 및 에톡시메틸옥시기를 포함한다. 또한, 알콕시기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴옥시기는 본문에 사용된 바와 같이 -O-아릴기 또는 -O-헤테로아릴기로 표시된다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 바람직한 예는 상기와 같다. 아릴옥시기는 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기일 수 있고, 바람직하게 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기이다. 아릴옥시기의 예시는 페녹시기 및 비페닐옥시기를 포함한다. 또한, 아릴옥시기는 임의로 치환될 수 있다.
아랄킬기(Arylalkyl group)는 본 문에 사용된 바와 같이 아릴기로 치환된 알킬기를 포함한다. 아랄킬기는 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기일 수 있고, 바람직하게 7~20 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기이며, 더 바람직하게는 7~13 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기이다. 아랄킬기의 예시는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸-에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸-에틸기, 2-β-나프틸-에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 2-β-나프틸이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기(p-chlorobenzyl), m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기(p-bromobenzyl), m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오드벤질기 (p-iodobenzyl), m-요오드벤질기, o-요오드벤질기, p-하이드록시벤질기(p-hydroxybenzyl), m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-니트로벤질기, m-니트로벤질기, o-니트로벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐이소프로필기 및 1-클로로-2-페닐이소프로필기를 포함한다. 상기에서, 벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기 및 2-페닐이소프로필기가 바람직하다. 또한, 아랄킬기는 임의로 치환될 수 있다.
알킬실릴기(alkylsilyl group)는 본문 사용된 바와 같이 알킬기로 치환된 실릴기를 포함한다. 알킬실릴기는 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기일 수 있고, 바람직하게 3~10 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기이다. 알킬실릴기의 예시는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 메틸디에틸실릴기, 에틸디메틸실릴기, 트리프로필실릴기, 트리부틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 메틸디이소프로필실릴기, 디메틸이소프로필실릴기, 트리-t-부틸실릴기, 트리이소부틸실릴기, 디메틸-t-부틸실릴기, 메틸-di-t-부틸실릴기를 포함한다. 또한, 알킬실릴기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴실릴기는 본 문에 사용된 바와 같이 적어도 하나의 아릴기로 치환된 실릴기를 포함한다. 아릴실릴기는 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기일 수 있고, 바람직하게 8~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기이다. 아릴실릴기의 예시는 트리페닐실릴기, 페닐디비페닐실릴기(phenyldibiphenylsilyl group), 디페닐비페닐실릴기, 페닐디에틸실릴기, 디페닐에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 디페닐메틸실릴기, 페닐디이소프로필실릴기, 디페닐이소프로필실릴기, 디페닐부틸실릴기, 디페닐이소부틸실릴기, 디페닐-t-부틸실릴기를 포함한다. 또한, 아릴실릴기는 임의로 치환될 수 있다.
알킬게르마닐기(alkylgermanyl)는 본문에 사용된 바와 같이 알킬로 치환된 게르마닐기를 포함한다. 알킬게르마닐기는 3~20개의 탄소원자를 갖는 알킬게르마닐기일 수 있고, 바람직하게는 3~10개의 탄소원자를 갖는 알킬게르마닐기다. 알킬게르마닐기의 예시는 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 메틸디에틸게르마닐기, 에틸디메틸게르마닐기, 트리프로필게르마닐기, 트리부틸게르마닐기, 트리이소프로필게르마닐기, 메틸디이소프로필게르마닐기, 디메틸이소프로필게르마닐기, 트리t-부틸게르마닐기, 트리이소부틸게르마닐기, 디메틸t-부틸게르마닐기, 메틸디-t-부틸게르마닐기를 포함한다. 또한, 알킬게르마닐기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴게르마닐기(arylgermanyl)는 본문에 사용된 바와 같이 적어도 하나의 아릴 또는 헤테로 아릴로 치환된 게르마닐기를 포함한다. 아릴게르마닐기는 6~30개의 탄소원자를 갖는 아릴게르마닐기일 수 있고, 바람직하게는 8~20개의 탄소원자를 갖는 아릴게르마닐기다. 아릴게르마닐기의 예시는 트리페닐게르마닐기, 페닐디비페닐게르마닐기, 디페닐비페닐게르마닐기, 페닐디에틸게르마닐기, 디페닐에틸게르마닐기, 페닐디메틸게르마닐기, 디페닐메틸게르마닐기, 페닐디이소프로필게르마닐기, 디페닐이소프로필게르마닐기, 디페닐부틸게르마닐기, 디페닐이소부틸게르마닐기, 디페닐t-부틸게르마닐기를 포함한다. 또한, 아릴게르마닐기는 임의로 치환될 수 있다.
아자디벤조푸란(azadibenzofuran), 아자디벤조티오펜 등에서의 용어 "아자"는 상응하는 방향족 단편에서의 하나 또는 복수의 C-H 그룹이 질소원자로 대체됨을 의미한다. 예를 들어, 아자트리페닐렌(azatriphenylene)은 디벤조[f, h]퀴녹살린, 디벤조[f, h]퀴놀린 및 고리계에 2 개 또는 그 이상의 질소를 갖는 기타 유사체를 포함한다. 본 분야 당업자는 상술한 아자 유도체의 기타 질소 유사체를 쉽게 생각해낼 수 있으며, 이러한 모든 유사체는 본문에 기재된 용어에 포함되는 것으로 확정된다.
본 발명에서, 달리 정의되지 않는 한, 치환된 알킬기, 치환된 시클로알킬기, 치환된 헤테로알킬기, 치환된 헤테로시클릭기, 치환된 아랄킬기, 치환된 알콕시기, 치환된 아릴옥시기, 치환된 알케닐기, 치환된 알키닐기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 알킬실릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 알킬게르마닐기, 치환된 아릴게르마닐기, 치환된 아미노기, 치환된 아실기, 치환된 카르보닐기, 치환된 카르복실산기, 치환된 에스테르기, 치환된 술피닐기, 치환된 술포닐기, 치환된 포스피노기로 이루어진 군 중의 임의의 하나의 용어가 사용되는 경우, 이는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기, 헤테로시클릭기, 아랄킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬게르마닐기, 아릴게르마닐기, 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 술피닐기, 술포닐기 및 포스피노기 중의 임의의 하나의 그룹이, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로알킬기, 3~20 개의 고리원자를 갖는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 3~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들 조합에서 선택된 하나 또는 복수 개에 의해 치환될 수 있음을 의미한다.
이해해야 할 것은, 분자 단편이 치환기로 설명되거나 기타 형태로 기타 부분에 연결되는 경우, 그것이 단편(예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 디벤조푸란기)인지 또는 그것이 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌기(naphthalene group), 디벤조푸란기)인지에 따라 명명된다. 본문에 사용된 바와 같이, 치환기 또는 단편연결을 지정하는 이러한 상이한 방식은 동일한 것으로 간주한다.
본 출원에 언급된 화합물에서, 수소원자는 부분적 또는 전체적으로 듀테륨으로 대체될 수 있다. 탄소 및 질소와 같은 다른 원소도 이들의 기타 안정적인 동위원소로 대체될 수 있다. 이는 소자의 효율 및 안정성을 향상시키므로, 화합물에서 기타 안정적인 동위원소를 대체하는 것은 바람직할 수 있다.
본 출원에 언급된 화합물에서, 다중치환은 이중치환을 포함한 최대 사용가능한 치환까지의 범위를 나타낸다. 본 출원에서 언급된 화합물에서, 어느 치환기가 다중치환(이치환, 삼치환, 사치환 등을 포함)을 나타낼 경우, 해당 치환기가 그 연결 구조에서의 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재할 수 있음을 나타내고, 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재하는 치환기는 동일한 구조일 수 있고 상이한 구조일 수도 있다.
본 발명에 언급된 화합물에서, 예를 들어 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다고 명확하게 한정하지 않는 한, 상기 화합물에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 없다. 본 발명에 언급된 화합물에서, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우를 포함하고, 또한 인접한 치환기가 연결되지 않아 고리를 형성하지 않는 경우도 포함한다. 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 연결할 수 있는 경우, 형성된 고리는 단환식 고리, 다환식 고리(스피로고리, 가교고리, 축합고리를 포함)지환식(alicyclic) 고리, 헤테로지환식(heteroalicyclic) 고리, 방향족 고리 또는 헤테로방향족 고리일 수 있다. 이러한 표현에서, 인접한 치환기는 동일한 원자에 결합된 치환기, 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기, 또는 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 치환기는 동일한 탄소원자에 결합된 치환기 및 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭한다.
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 동일한 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 더 멀리 떨어진 탄소원자와 결합된 2개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:
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이외, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기 중 하나가 수소를 나타낼 경우, 두 번째 치환기는 수소원자가 결합된 위치 측에 결합되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이다. 이는 하기 식을 통해 예시된다:
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본 발명의 일 실시예에 따르면, M(La)m(Lb)n(Lc)q의 일반식을 구비하는 금속 착물을 개시하였고, 여기서, 상기 금속 M은 상대 원자 질량이 40보다 큰 금속에서 선택되며, La, Lb 및 Lc은 각각 상기 금속 M와 배위되는 제1 리간드, 제2 리간드 및 제3 리간드이고;
La, Lb 및 Lc은 임의로 연결되어 여러 자리 리간드를 형성할 수 있으며;
m은 1 또는 2에서 선택되고, n은 1 또는 2에서 선택되며, q는 0 또는 1에서 선택되고, m+n+q의 합은 금속 M의 산화 상태와 같으며; m이 2인 경우, 두 개의 La은 동일하거나 상이하고, n이 2인 경우, 두 개의 Lb은 동일하거나 상이하며;
상기 제1 리간드 La은 식 1로 나타내는 구조를 가지고;
,
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 5원 불포화 탄소고리, 6~30 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되며;
고리 B는 2~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로 고리 또는 2~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되고;
RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내며;
RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
상기 제2 리간드 Lb은 식 2로 나타내는 구조를 가지고;
U1-U4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRU에서 선택되며;
W1-W4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRW에서 선택되고;
RU, RW은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RU, RW은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Lc은 일가 음이온 두 자리 리간드에서 선택된다.
본 문에서, "인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다"는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 RA 사이, 인접한 치환기 RB 사이, 인접한 치환기 RC 사이, 인접한 치환기 RD 사이, 인접한 치환기 RA와 RB 사이, 인접한 치환기 RA와 RD 사이, 및 인접한 치환기 RB와 RC 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 인접한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 문에서, "인접한 치환기 RU, RW은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다"는 것은, 식 2의 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 RU 사이, 인접한 치환기 RW 사이, 인접한 치환기 RU와 RW 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 인접한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 실시예에서, La, Lb 및 Lc은 임의로 연결되어 여러 자리 리간드를 형성할 수 있고, 예를 들어, La, Lb 및 Lc 중 임의의 2개 또는 3개는 연결되어 네 자리 리간드 또는 여섯 자리 리간드를 형성할 수 있다. 자명한 것은, La, Lb 및 Lc은 모두 연결되지 않아 여러 자리 리간드를 형성하지 않을 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 La에서, 고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6-18 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-18 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되고; 고리 B는 2-18 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 La에서, 고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 아자나프탈렌 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 이소옥사졸 고리, 이소티아졸 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 벤조푸란 고리, 벤조티오펜 고리, 아자벤조푸란 고리 혹은 아자벤조티오펜 고리에서 선택되고; 고리 B는 피롤 고리, 인돌 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 트리아졸 고리, 아자인돌 고리에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 La에서, 고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 피리딘 고리, 피리미딘 고리에서 선택되고; 고리 B는 피롤 고리, 인돌 고리, 아자인돌 고리에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 La은 식 3 내지 식 20 중 임의의 하나로 나타내는 구조에서 선택되며,
, , , , , , , , , , , , , , , , , ;
여기서,
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
A1-A5는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRA에서 선택되며;
B1-B4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRB에서 선택되고;
C1-C4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRC에서 선택되며;
D1-D4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRD에서 선택되고;
X1는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRC, CRCRC, SiRCRC 또는 PRC에서 선택되며;
X2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRD, CRDRD, SiRDRD 또는 PRD에서 선택되고;
Z3는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRZ, CRZRZ, SiRZRZ 또는 PRZ에서 선택되며;
RA, RB, RC, RD 및 RZ은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC, RD 및 RZ은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 치환기 RA, RB, RC, RD 및 RZ가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 RA 사이, 인접한 치환기 RB 사이, 인접한 치환기 RC 사이, 인접한 치환기 RD 사이, 인접한 치환기 RA와 RB 사이, 인접한 치환기 RA와 RD 사이, 인접한 치환기 RB와 RC 사이, 인접한 치환기 RA와 RZ 사이, 인접한 치환기 RD와 RZ 사이, 인접한 치환기 RZ 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 인접한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, La은 식 3, 식 4, 식 8, 식 9, 식 10 또는 식 13으로 나타내는 구조에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, La는 식 3, 식 4 또는 식 13으로 나타내는 구조에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 1, 식 3 내지 식 20에서 W는 B 또는 N이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 1, 식 3 내지 식 20에서 W는 N이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 19에서 Z1은 N이고, D1 및 D2 중 적어도 하나는 N이며; 또는 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서 Z2는 N이고, C1 및 C2 중 적어도 하나는 N이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 19에서 Z1은 N이고, D1 및 D2 중 하나는 N이며; 또는 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서 Z2는 N이고, C1 및 C2 중 하나는 N이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 19에서 Z1은 N이고, D2는 N이며; 또는 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서 Z2는 N이고, C1은 N이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 20에서, A1-A5는 각각 독립적으로 CRA에서 선택되고, B1-B4는 각각 독립적으로 CRB에서 선택되며, 상기 식 3 내지 식 18, 식 20에서, C1-C4는 각각 독립적으로 CRC에서 선택되고, 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-D4는 각각 독립적으로 CRD에서 선택되며; 상기 RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 문에서, 인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 RA 사이, 인접한 치환기 RB 사이, 인접한 치환기 RC 사이, 인접한 치환기 RD 사이, 인접한 치환기 RA와 RB 사이, 인접한 치환기 RA와 RD 사이, 인접한 치환기 RB와 RC 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 인접한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 20에서, A1-A5는 각각 독립적으로 CRA에서 선택되고, B1-B4는 각각 독립적으로 CRB에서 선택되며, 상기 식 3 내지 식 18, 식 20에서, C1-C4는 각각 독립적으로 CRC에서 선택되고, 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-D4는 각각 독립적으로 CRD에서 선택되며; 상기 RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 20에서 A1-A5는 각각 독립적으로 CRA에서 선택되고, B1-B4는 각각 독립적으로 CRB에서 선택되며, 상기 식 3 내지 식 18, 식 20에서, C1-C4는 각각 독립적으로 CRC에서 선택되고, 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-D4는 각각 독립적으로 CRD에서 선택되며; 상기 RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 시아노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 20에서, A1-An 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되고, 상기 An는 상기 A1-A5에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 상기 RA은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 문에서, 인접한 치환기 RA가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 임의의 인접한 치환기 RA 사이는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 임의의 인접한 치환기 RA 사이는 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 실시예에서, 상기 식 3 내지 식 20에서, A1-An 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되고, 상기 An는 상기 A1-A5에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 예를 들어, 식 3의 경우, 상기 An는 상기 A1-A5에서 식 3에 존재하는 번호가 가장 큰 A3에 대응되고, 즉 식 3에서, A1-A3 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되며; 또 예를 들어 식 5의 경우, 상기 An는 상기 A1-A5에서 식 5에 존재하는 번호가 가장 큰 A5에 대응되고, 즉 식 5에서, A1-A5 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되며; 또 예를 들어 식 16의 경우, 상기 An는 상기 A1-A5에서 식 16에 존재하는 번호가 가장 큰 A1에 대응되고, 즉 식 16에서, A1는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 3 내지 식 15, 식 19 및 식 20에서, A1-A3 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되고, 식 16 내지 식 18에서, A1는 CRA에서 선택되며; 상기 RA은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 3, 식 4, 식 6 내지 식 9, 식 11 내지 식 15, 식 19 및 식 20에서, A2는 CRA에서 선택되고; 식 5, 식 10, 식 16 내지 식 18에서, A1은 CRA에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 3, 식 4, 식 6 내지 식 9, 식 11 내지 식 15, 식 19 및 식 20에서, A2는 CRA에서 선택되고; 식 5, 식 10, 식 16 내지 식 18에서, A1은 CRA에서 선택되며; 상기 RA은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 불소, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 아미노기, 메톡시기, 페녹시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 디메틸아미노기, 디페닐아미노기, 메틸페닐아미노기, 비닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로티오펜기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 벤질기, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 2차부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 피리딘기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서, C1, C2 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRC에서 선택되고, 상기 RC은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서, C2는 CRC에서 선택되고, 상기 RC은 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서, C1, C2 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRC에서 선택되고, 상기 RC은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 시아노기, 불소, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 피리딘기, 트리아지닐기, 듀테로화된 메틸기, 듀테로화된 에틸기, 듀테로화된 이소프로필기, 듀테로화된 이소부틸기, 듀테로화된 t-부틸기, 듀테로화된 시클로펜틸기, 듀테로화된 시클로펜틸메틸기, 듀테로화된 시클로헥실기, 듀테로화된 네오펜틸기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서, C2는 CRC에서 선택되고, 상기 RC은 듀테륨, 시아노기, 불소, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 피리딘기, 트리아지닐기, 듀테로화된 메틸기, 듀테로화된 에틸기, 듀테로화된 이소프로필기, 듀테로화된 이소부틸기, 듀테로화된 t-부틸기, 듀테로화된 시클로펜틸기, 듀테로화된 시클로펜틸메틸기, 듀테로화된 시클로헥실기, 듀테로화된 네오펜틸기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 20에서, B1-Bn 중 적어도 하나는 CRB에서 선택되고, 상기 Bn는 상기 B1-B4에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 및/또는 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-Dn 중 적어도 하나는 CRD에서 선택되고, 상기 Dn는 상기 D1-D4에서 식 3 내지 식 19 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되며; 상기 RB, RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 실시예에서, 상기 식 3 내지 식 20에서, B1-Bn 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRB에서 선택되고, 상기 Bn는 상기 B1-B4에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 예를 들어, 식 3의 경우, 상기 Bn는 상기 B1-B4에서 식 3에 존재하는 번호가 가장 큰 B4에 대응되고, 즉 식 3에서, B1-B4 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRB에서 선택되며; 또 예를 들어 식 14의 경우, 상기 Bn는 상기 B1-B4에서 식 14에 존재하는 번호가 가장 큰 B2에 대응되고, 즉 식 14에서, B1-B2 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRB에서 선택된다.
본 실시예에서, 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-Dn 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRD에서 선택되고, 상기 Dn는 상기 D1-D4에서 식 3 내지 식 19 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 예를 들어, 식 3의 경우, 상기 Dn는 상기 D1-D4에서 식 3에 존재하는 번호가 가장 큰 D2에 대응되고, 즉 식 3에서, D1-D2 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRD에서 선택되며; 또 예를 들어 식 13의 경우, 상기 Dn는 상기 D1-D4에서 식 13에 존재하는 번호가 가장 큰 D4에 대응되고, 즉 식 13에서, D1-D4 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRD에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 20에서, B1-Bn 중 적어도 하나는 CRB에서 선택되고, 상기 Bn는 상기 B1-B4에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 및/또는 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-Dn 중 적어도 하나는 CRD에서 선택되고, 상기 Dn는 상기 D1-D4에서 식 3 내지 식 19 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되며; 상기 RB, RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 13, 식 17, 식 19 및 식 20에서, B2 및/또는 B3은 CRB에서 선택되고; 상기 식 14 내지 식 16 및 식 18에서, B1 및/또는 B2는 CRB에서 선택되며; 상기 식 3 내지 식 19에서, D1 및/또는 D2는 CRD에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 3 내지 식 13, 식 17, 식 19 및 식 20에서, B2 및/또는 B3은 CRB에서 선택되고; 상기 식 14 내지 식 16 및 식 18에서, B1 및/또는 B2는 CRB에서 선택되며; 상기 식 3 내지 식 19에서, D1 및/또는 D2는 CRD에서 선택되며; 또한 상기 RB, RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 아미노기, 메톡시기, 페녹시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 디메틸아미노기, 디페닐아미노기, 메틸페닐아미노기, 비닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로티오펜기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 벤질기, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 피리딘기, 트리아지닐기, 듀테로화된 메틸기, 듀테로화된 에틸기, 듀테로화된 이소프로필기, 듀테로화된 이소부틸기, 듀테로화된 t-부틸기, 듀테로화된 시클로펜틸기, 듀테로화된 시클로펜틸메틸기, 듀테로화된 시클로헥실기, 듀테로화된 네오펜틸기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 La은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택된다. 여기서, 상기 La1 내지 La1820의 구체적인 구조는 청구항 10을 참조한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 La은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La1856로 이루어진 군에서 선택된다. 상기 La1 내지 La1820의 구체적인 구조는 청구항 10을 참조하고, 상기 La1821 내지 La1856의 구체적인 구조는 다음과 같다.
상기 구조에서, TMS는 트리메틸실릴기를 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 La1 내지 La1820 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 La1 내지 La1856 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 리간드 Lb은 식 21로 나타내며,
여기서, R1-R8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 R1-R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 문에서, 인접한 치환기 R1-R8가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 R1와 R2 사이, 인접한 치환기 R2와 R3 사이, 인접한 치환기 R3와 R4 사이, 인접한 치환기 R4와 R5 사이, 인접한 치환기 R5와 R6 사이, 인접한 치환기 R6와 R7 사이, 및 인접한 치환기 R7와 R8 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 치환기 사이는 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 21에서, R1-R8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 R1-R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 21에서, R1-R8 중 적어도 하나 또는 두 개는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 혹은 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 R1-R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 21에서, R2, R3, R6, R7 중 적어도 하나 또는 적어도 2개 또는 적어도 3개 또는 전부는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 21에서, R2, R3, R6, R7 중 적어도 하나 또는 적어도 2개 또는 적어도 3개 또는 전부는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 21에서, R2, R3, R6, R7 중 적어도 하나 또는 적어도 2개 또는 적어도 3개 또는 전부는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 네오펜틸기, t-아밀기, 및 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환되는 상기 임의의 기(group)로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 상기 Lb은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택된다. 상기 Lb1 내지 Lb379의 구체적인 구조는 청구항 13을 참조한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 Lb1 내지 Lb379 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, Lc는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되고:
여기서, Ra, Rb, 및 Rc은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내며;
Xb는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRN1 및 CRC1RC2로 이루어진 군에서 선택되고;
Ra, Rb, Rc, RN1, RC1 및 RC2은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, RN1, RC1 및 RC2은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, RN1, RC1 및 RC2가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 상기 Lc의 구조 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 Ra 사이, 인접한 치환기 Rb 사이, 인접한 치환기 Rc 사이, 인접한 치환기 Ra와 Rb 사이, 인접한 치환기 Rb와 Rc 사이, 인접한 치환기 Ra와 Rc 사이, 인접한 치환기 Ra와 RN1 사이, 인접한 치환기 Ra와 RC1 사이, 인접한 치환기 Ra와 RC2 사이, 인접한 치환기 Rb와 RN1 사이, 인접한 치환기 Rc와 RN1 사이, 인접한 치환기 Rb와 RC1 사이, 인접한 치환기 Rb와 RC2 사이, 인접한 치환기 Rc와 RC1 사이, 인접한 치환기 Rc와 RC2 사이, 인접한 치환기 RC1와 RC2 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 치환기 사이는 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, Lc은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lc1 내지 Lc329로 이루어진 군에서 선택된다. 상기 Lc1 내지 Lc329의 구체적인 구조는 청구항 14를 참조한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 Lc1 내지 Lc329 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 M은 Ir, Rh, Re, Os, Pt, Au 또는 Cu에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 M은 Ir, Pt 또는 Os에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 M은 Ir에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 착물은 Ir(La)m(Lb)3-m의 일반식을 구비하고, 식 22로 나타내는 구조를 구비하며;
여기서, m은 1 또는 2이고;
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
A1-A3는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRA에서 선택되며;
B1-B4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRB에서 선택되고;
C1-C2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRC에서 선택되며;
D1-D2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRD에서 선택되고;
U1-U4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRU에서 선택되며;
W1-W4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRW에서 선택되고;
RA, RB, RC, RD, RU 및 RW은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC, RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
인접한 치환기 RU, RW은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 22에서, A1-A3 중 적어도 하나는 CRA에서 선택되고, 및/또는 B1-B4 중 적어도 하나는 CRB에서 선택되며, 상기 RA, RB은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 22에서, A1-A3 중 적어도 하나는 CRA에서 선택되고, 및/또는 B1-B4 중 적어도 하나는 CRB에서 선택되며, 상기 RA, RB은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, A2는 CRA에서 선택되고, 및/또는 B2, B3 중 하나는 CRB에서 선택되며, 상기 RA, RB은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 혹은 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, A2는 CRA에서 선택되고, 및/또는 B2, B3 중 하나는 CRB에서 선택되며, 상기 RA, RB은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 불소, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 아미노기, 메톡시기, 페녹시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 디메틸아미노기, 디페닐아미노기, 메틸페닐아미노기, 비닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로티오펜기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 벤질기, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 2차부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 피리딘기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 착물은 Ir(La)(Lb)2 또는 Ir(La)2(Lb) 또는 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하고;
여기서, 상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하는 경우, La은 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이고, Lb은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나 또는 두 개이며; 상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lb)의 구조를 구비하는 경우, La은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나 또는 임의의 두 개이고, Lb은 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며; 상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하는 경우, La은 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이고, Lb은 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며, Lc은 Lc1 내지 Lc329로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며; 선택적으로, 상기 금속 착물의 구조 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 착물은 Ir(La)(Lb)2 또는 Ir(La)2(Lb) 또는 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하고;
여기서, 상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하는 경우, La은 La1 내지 La1856로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이고, Lb은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나 또는 두 개이며; 상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lb)의 구조를 구비하는 경우, La은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La1856로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나 또는 임의의 두 개이고, Lb은 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며; 상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하는 경우, La은 La1 내지 La1856로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이고, Lb은 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며, Lc은 Lc1 내지 Lc329로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며; 선택적으로, 상기 금속 착물의 구조 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 착물은 화합물 1 내지 화합물 1826로 이루어진 군에서 선택된다. 상기 화합물 1 내지 화합물 1826의 구체적인 구조는 청구항 17을 참조한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 착물은 화합물 1 내지 화합물 1856로 이루어진 군에서 선택된다. 상기 화합물 1 내지 화합물 1826의 구체적인 구조는 청구항 17을 참조하고, 상기 화합물 1827 내지 화합물 1856은 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하며, 여기서 두 개의 Lb은 동일하고, La과 Lb은 각각 아래 표에서 선택되는 구조에 대응되며;
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화합물 1 지 화합물 1826의 구조 중 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화합물 1 내지 화합물 1856의 구조 중 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전계발광소자를 더 개시하였으며, 이는,
양극,
음극, 및
상기 양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 금속 착물을 포함하며, 상기 금속 착물의 구체적인 구조는 전술한 임의의 실시예에 나타낸 바와 같다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 상기 유기층은 발광층이고, 상기 화합물은 발광 재료이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전계발광소자는 적색광을 방출한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전계발광소자는 백색광을 방출한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 상기 발광층은 적어도 하나의 호스트 재료를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 상기 적어도 1종의 호스트 재료는 페닐기, 피리딘기, 피리미딜기, 트리아진기, 카바졸기, 아자카바졸기, 인돌로카바졸기, 디벤조티오펜기, 아자디벤조티오펜기, 디벤조퓨란기, 아자디벤조퓨란기, 디벤조셀레노펜기, 트리페닐렌기, 아자트리페닐렌기, 플루오렌기, 실라플루오렌기, 나프틸기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페난트렌기, 아자페난트렌기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 화학 그룹을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 상기 적어도 1종의 호스트 재료는 기존 기술에서의 통상적인 호스트 재료일 수 있으며, 예를 들어 전형적인 아래 호스트 재료를 포함하나 이에 한정되지 않는다:
, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , .
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 화합물 조성물을 더 개시하였으며, 이는 금속 착물을 포함하고, 상기 금속 착물의 구체적인 구조는 전술한 임의의 실시예에 나타낸 바와 같다.
기타 재료와의 조합
본 발명에 기재된 유기 발광소자에서의 특정층에 사용되는 재료는, 소자에 존재하는 다양한 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 미국특허출원 US2016/0359122A1의 제0132~0161 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.
본문에서는, 유기 발광소자에서의 구체적인 층에 사용가능한 재료는 상기 소자에 존재하는 여러 종류의 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있는 것으로 설명된다. 예를 들어, 본문에 개시된 발광 도판트(dopant)는 여러 종류의 호스트, 수송층, 차단 층, 주입 층, 전극 및 존재할 수있는 다른 층과 조합하여 사용될 수있다. 이러한 재료의 조합은 특허출원 US2015/0349273A1의 제0080-0101 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.
재료합성의 실시예에서, 별도로 언급되지 않는 한 모든 반응은 질소 보호하에서 진행된다. 모든 반응용매는 무수(anhydrous)이고 상업적 공급원으로부터 받은 그대로 사용된다. 합성된 생성물은 본 분야 상규적인 하나 또는 여러 종류의 설비(BRUKER의 핵자기공명분광기, SHIMADZU의 액체 크로마토그래피(liquid chromatography), 크로마토그래프 질량 분석계(liquid chromatograph-mass spectrometry), 가스 크로마토그래프 질량 분석계(gas chromatograph-mass spectrometry), 시차주사 열량계(differential scanning calorimeter), 상해 LENGGUANG TECH.의 형광분광광도계, 우한 CORRTEST의 전기화학 워크스테이션 및 안후이 BEQ의 승화장치(sublimation apparatus) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 구조가 확인되고 특성이 테스트된다. 소자의 실시예에서, 소자의 특성도 본 분야 상규적인 설비(ANGSTROM ENGINEERING) 에서 생산한 증착기, 소주 FSTAR에서 생산한 광학 테스트시스템 및 수명테스트 시스템, 북경 ELLITOP에서 생산한 타원계측기(ellipsometer) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 테스트된다. 본 분야 당업자는 상기 설비의 사용, 테스트 방법 등 관련내용을 잘 알고 있어 시료의 고유 데이터를 확실하면서도 영향을 받지 않고 얻을 수 있으므로, 본원에서 상기 관련내용을 더이상 설명하지 않는다.
재료 합성 실시예
본 발명의 화합물의 제조방법에 대해 한정하지 않으며, 전형적으로는 하기 화합물을 예로 하나 이에 한정되지 않으며, 이의 합성경로 및 제조방법은 다음과 같다:
합성 실시예 1: 화합물 263의 합성
단계 1: 중간물 3의 합성
중간물 1 (4.3g, 14.2mmol), 중간물 2 (3.3g, 14.2mmol), Pd(PPh3)4 (809mg, 0.7mmol) 및 Na2CO3 (2.3g, 21.3mmol)을 1,4-디옥산/H2O (56mL/14mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 80℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 3 (3.4g)을 얻는다.
단계 2: 중간물 4의 합성
중간물 3 (3.4g, 9mmol), CuBr (129mg, 0.9mmol), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이온 (TMDH, 1.33g, 7.2mmol) 및 Cs2CO3 (7.33g, 22.5mmol)을 DMF (90mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 135℃에서 5시간 반응시킨 후, 실온으로 냉각시키고 물을 첨가하며 생성물이 석출되면 이를 여과하고, 적당량의 물과 PE로 필터케이크를 세척하고 건조한 다음, EtOH에서 3시간 환류한 후 여과하여 중간물 4 (2.6g)를 얻는다.
단계 3: 중간물 A의 합성
중간물 4 (2.6g, 7.63mmol), Pd2(dba)3 (137.4mg, 0.15mmol), tBuDavePhos (307.3mg, 0.9mmol, 6mol%) 및 LiOAc (2.52g, 38.2mmol)를 DMF (24mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 이에 TMS-TMS (2.22g, 15.2mmol)와 H2O (275mg, 15.3mmol)를 첨가하고 100℃에서 밤새 반응시킨다. 냉각된 후, 반응액에 물을 첨가하고, EA로 추출하며, 유기상을 수집하고, 농축한 후 잔여물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 A (2.4g)를 얻는다.
단계 4: 화합물 263의 합성
이리듐 착물 1 (3.0g, 3.7mmol)과 중간물 A (900mg, 2.5mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 1이 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 263 (300mg, 수율 12.3%)을 얻는다. 생성물은 분자량이 976.4인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 2: 화합물 1524의 합성
이리듐 착물 2 (3.5g, 3.7mmol)와 중간물 A (900mg, 2.5mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 2가 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 1524 (200mg, 수율 7.3%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 1088.5인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 3: 화합물 1272의 합성
이리듐 착물 3 (3.5g, 3.7mmol)과 중간물 A (900mg, 2.5mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 3이 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 1272 (250mg, 수율 9.2%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 1088.5인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 4: 화합물 257의 합성
이리듐 착물 1 (2.3g, 2.8mmol)과 중간물 B (700mg, 1.9mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 1이 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 257 (200mg, 수율 10.8%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 974.4인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 5: 화합물 5의 합성
이리듐 착물 4 (2.0g, 2.8mmol)와 중간물 B (700mg, 1.9mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 4가 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 5 (300mg, 수율 17.7%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 890.3인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 6: 화합물 367의 합성
단계 1: 중간물 7의 합성
중간물 5 (1-클로로-9-(에톡시메톡시)-9H-피리도[3,4-b]인돌, 2.19g, 8.4mmol), 중간물 6 (1.9g, 9.2mmol), Pd(PPh3)2Cl2 (295mg, 0.42mmol) 및 탄산나트륨 (1.34g, 12.6mmol)을 1,4-디옥산/물 (32mL/8mL)에 혼합하고, 질소가스 보호 하에서, 85℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하며, 물을 첨가하여 추출하고, 유기상을 수집하며, 농축한 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:에틸아세테이트 (4:1, v/v)로 용출하여, 중간물 7 (1.55g, 수율 56.4%)을 얻는다.
단계 2: 중간물 8의 합성
중간물 7 (1.55g, 4mmol), 트리메틸 오르토포르메이트 (4.25g, 40mmol) 및 메탄올 (1.28g, 40mmol)을 니트로메탄 (20mL) 중에 혼합하고, 0℃에서 냉각시키고, 트리플루오로메탄설폰산 (1.8g, 12mmol)을 떨어 뜨린 후, 100℃에서 반응시키며, TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 포화 식염수로 세척하고 무수황산나트륨으로 건조한 후 중간물 8을 얻으며, 추가 정제할 필요 없이 다음 반응에 바로 사용한다.
단계 3: 중간물 C의 합성
중간물 8과 탄산세슘 (2.44g, 7.5mmol)을 DMF (30mL) 중에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 135℃에서 1시간 반응시키며, TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 물을 첨가하며 생성물이 석출되면 여과 및 건조한 후 조생성물을 석유에테르 (20mL)에서 1시간 환류하고, 여과한 후 중간물 C (530mg, 수율 45.4%)를 얻는다.
단계 4: 화합물 367의 합성
이리듐 착물 1 (250mg, 0.4mmol)과 중간물 C (100mg, 0.3mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (10mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (10mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 1이 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 367 (25mg, 수율 9%)을 얻는다. 생성물은 분자량이 904.3인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 7: 화합물 375의 합성
이리듐 착물 1 (2.3g, 2.8mmol)과 중간물 D (850mg, 1.9mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 1이 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 375 (300mg, 수율 15.0%)을 얻는다. 생성물은 분자량이 1050.4인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 8: 화합물 1636의 합성
이리듐 착물 2(3.5g, 3.7mmol)와 중간물 D(1100mg, 2.5mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, TLC가 이리듐 착물 2가 사라진 것으로 나타내면 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 1636(300mg, 수율 10.3%)을 얻는다. 생성물은 분자량이 1162.5인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 9: 화합물 1829의 합성
단계 1: 중간물 10의 합성
중간물 1 (1.6g, 6.8mmol), 중간물 9 (2.0g, 6.8mmol), Pd(PPh3)4 (690mg, 0.6mmol) 및 K2CO3 (1.9g, 13.8mmol)을 1,4-디옥산/H2O (56mL/14mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 80℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 10(1.5g, 수율 60.8%)을 얻는다.
단계 2: 중간물 11의 합성
중간물 10 (1.5g, 4.0mmol), CuBr (57mg, 0.4mmol), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이온 (TMDH, 0.59g, 3.2mmol) 및 Cs2CO3 (3.25g, 10.0mmol)을 DMF (40mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 135℃에서 5시간 반응시킨 후, 실온으로 냉각시키고 물을 첨가하며 생성물이 석출되면 이를 여과하고, 적당량의 물과 PE로 필터케이크를 세척하고 건조한 다음, EtOH에서 3시간 환류한 후 여과하여 중간물 11 (1.0g, 수율 76.4%)을 얻는다.
단계 3: 중간물 E의 합성
중간물 11 (1.0g, 3.1mmol), Pd2(dba)3 (142mg, 0.16mmol), Sphos (123mg, 0.3mmol) 및 탄산칼륨 (855mg, 6.2mmol)을 톨루엔과 물 (10mL+2mL)의 혼합용액에 혼합한다. 질소가스로 치환한 후, 이에 네오펜틸보론산(720mg, 6.2mmol)을 첨가하고, 100℃에서 밤새 반응시킨다. 냉각된 후, 반응액에 물을 첨가하고, EA로 추출하며, 유기상을 수집하고, 농축한 후 잔여물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 E (0.9g, 수율 79%)를 얻는다.
단계 4: 화합물 1829의 합성
이리듐 착물 1 (660mg, 0.8mmol)과 중간물 E (360mg, 1.0mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (5mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (5mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 1829 (100mg, 수율 12.8%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 975.4인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 10: 화합물 1847의 합성
단계 1: 중간물 12의 합성
2-아미노-3-클로로페닐보론산 (12.4g, 50.8mmol), 2-브로모-3-클로로티오펜 (10g, 50.8mmol), Pd(PPh3)4 (1.2g, 1.0mmol) 및 K2CO3 (14.0g, 101.5mmol)을 1,4-디옥산/H2O(560mL/140mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 80℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 12 (9.3g, 수율 75.3%)를 얻는다.
단계 2: 중간물 13의 합성
중간물 12 (9.3g, 38.3mmol), Pd(OAc)2 (342mg, 1.52mmol), 트리-시클로헥실포스핀 테트라플루오로보레이트 (1.1g, 3.04mmol) 및 K2CO3 (10.5g, 76mmol)를 DMF (70mL)에서 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 130℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 13 (3.2g, 수율 34.5%)을 얻는다.
단계 3: 중간물 14의 합성
중간물 13 (3.2g, 13.2mmol), B2Pin2 (Bis(pinacolato)diboron, 5.0 g, 19.7 mmol), Pd(dppf)Cl2 (942mg, 1.3mmol) 및 KOAc (2.5g, 26mmol)를 1,4-디옥산 (90mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 100℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 14 (2.0g, 수율 51.5%)를 얻는다.
단계 4: 중간물 15의 합성
중간물 1 (1.6g, 6.8mmol), 중간물 14 (2.0g, 6.8mmol), Pd(PPh3)4 (690mg, 0.6mmol) 및 K2CO3 (1.9g, 13.8mmol)을 1,4-디옥산/H2O (56mL/14mL) 에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 80℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 15 (1.2g, 수율 47.8%)를 얻는다.
단계 5: 중간물 16의 합성
중간물 15 (1.0g, 2.7mmol), CuBr (43mg, 0.3mmol), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이온 (TMDH, 0.55g, 3.0mmol) 및 Cs2CO3 (2.0g, 6.0mmol)을 DMF (20mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 135℃에서 5시간 반응시킨 후, 실온으로 냉각시키고 물을 첨가하며 생성물이 석출되면 이를 여과하고, 적당량의 물과 PE로 필터케이크를 세척하고 건조한 다음, EtOH에서 3시간 환류한 후 여과하여 중간물 16 (780mg, 수율 87%)을 얻는다.
단계 6: 중간물 F의 합성
중간물 16 (780mg, 2.3mmol), Pd2(dba)3 (110mg, 0.12mmol), Sphos (98mg, 0.24mmol) 및 탄산칼륨 (640mg, 4.6mmol)을 톨루엔과 물 (10mL+2mL)의 혼합용액에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 네오펜틸보론산 (540mg, 4.6mmol)을 첨가하고, 100℃에서 밤새 반응시킨다. 냉각된 후, 반응액에 물을 첨가하고, EA로 추출하며, 유기상을 수집하고, 농축한 후 잔여물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 F (600mg, 수율 70%)를 얻는다.
단계 7: 화합물 1847의 합성
이리듐 착물 1 (1.0g, 1.2mmol)과 중간물 F (600mg, 1.6mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (15mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (15mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 1847 (200mg, 수율 17.0%)을 얻는다. 생성물은 분자량이 980.3인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 11: 화합물 1853의 합성
단계 1: 중간물 18의 합성
중간물 1 (1.7g, 7.2mmol), 중간물 17 (2.5g, 7.22mmol), Pd(PPh3)4 (920mg, 0.8mmol) 및 K2CO3 (1.9g, 13.8mmol)를 1,4-디옥산/H2O (56mL/14mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 80℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 18 (1.8g, 수율 59.5%)을 얻는다.
단계 2: 중간물 19의 합성
중간물 18 (1.8g, 4.3mmol), CuBr (70mg, 0.5mmol), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이온 (TMDH, 0.9g, 5.0mmol) 및 Cs2CO3 (2.6g, 8.0mmol)을 DMF (20mL)에 혼합시키고, 질소가스로 치환한 후, 135℃에서 5시간 반응시킨 후, 실온으로 냉각시키고 물을 첨가하며 생성물이 석출되면 이를 여과하고, 적당량의 물과 PE로 필터케이크를 세척하고 건조한 다음, EtOH에서 3시간 환류한 후 여과하여 중간물 19 (900mg, 수율 54%)을 얻는다.
단계 3: 중간물 G의 합성
중간물 19 (900mg, 2.3mmol), Pd2(dba)3 (110mg, 0.12mmol), Sphos (98mg, 0.24mmol) 및 탄산칼륨 (640mg, 4.6mmol)을 톨루엔과 물 (10mL+2mL)의 혼합용액에 혼합한다. 질소가스로 치환한 후, 이에 네오펜틸보론산 (540mg, 4.6mmol)을 첨가하고, 100℃에서 밤새 반응시킨다. 냉각된 후, 반응액에 물을 첨가하고, EA로 추출하며, 유기상을 수집하고, 농축한 후 잔여물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 G (820mg, 수율 85.3%)를 얻는다.
단계 4: 화합물 1853의 합성
이리듐 착물 1 (1.3g, 1.6mmol)과 중간물 G (820mg, 2.0mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (15mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (15mL)의 혼합용매에 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, 실온으로 냉각시킨다. 용매를 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여, 제품 화합물 1853 (220mg, 수율 13.4%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 1030.4인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
합성 실시예 12: 화합물 1835의 합성
단계 1: 중간물 21의 합성
중간물 20 (2.8g, 10.0mmol), 중간물 2 (2.9g, 10.0mmol), Pd(PPh3)4 (580mg, 0.5mmol) 및 K2CO3 (2.7g, 20mmol)을 1,4-디옥산/H2O (56mL/14mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 80℃에서 밤새 반응시킨다. TLC로 반응의 완료를 검출한 후, 이를 실온으로 냉각시키고, 에틸아세테이트로 희석하고 추출하며, 유기상을 농축한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 21 (2.9g, 수율 70%)를 얻는다.
단계 2: 중간물 22의 합성
중간물 21 (2.3g, 5.6mmol), CuBr (86mg, 0.6mmol), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이온 (TMDH, 1.1g, 6.0mmol) 및 Cs2CO3 (4.2g, 12.2mmol)을 DMF (30mL)에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 135℃에서 5시간 반응시킨 후, 실온으로 냉각시키고 물을 첨가하며 생성물이 석출되면 이를 여과하고, 적당량의 물과 PE로 필터케이크를 세척하고 건조한 다음, EtOH에서 3시간 환류한 후 여과하여 중간물 22 (2.0g, 수율 95%)를 얻는다.
단계 3: 중간물 H의 합성
중간물 22 (2.0g, 5.3mmol), Pd2(dba)3 (242mg, 0.26mmol), Sphos (213mg, 0.52mmol) 및 탄산칼륨 (1.5g, 10.6mmol)을 톨루엔과 물 (20mL+4mL)의 혼합용액에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 네오펜틸보론산 (1.3g, 10.6mmol)을 첨가하고, 100℃에서 밤새 반응시킨다. 냉각된 후, 반응액에 물을 첨가하고, EA로 추출하며, 유기상을 수집하고, 농축한 후 잔여물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 H(1.1g, 수율 50%)를 얻는다.
단계 4: 화합물 1835의 합성
중간물 22 (2.0g, 5.3mmol), Pd2(dba)3 (242mg, 0.26mmol), Sphos (213mg, 0.52mmol) 및 탄산칼륨 (1.5g, 10.6mmol)을 톨루엔과 물 (20mL+4mL)의 혼합용액에 혼합하고, 질소가스로 치환한 후, 네오펜틸보론산 (1.3g, 10.6mmol)을 첨가하고, 100℃에서 밤새 반응시킨다. 냉각된 후, 반응액에 물을 첨가하고, EA로 추출하며, 유기상을 수집하고, 농축한 후 잔여물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 H(1.1g, 수율 50%)를 얻는다.
단계 4: 화합물 1835의 합성
이리듐 착물 1 (1.6g, 2.0mmol)과 중간물 H (1.1g, 2.5mmol)를 100mL의 삼구 플라스크에 첨가하고, 에톡시에탄올 (25mL)과 N,N-디메틸포름아미드 (25mL)의 혼합용매를 첨가한다. 질소가스 보호 하에서, 100℃까지 가열하고 120시간 반응시키며, 실온으로 냉각시킨다. 용매를 제거하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하며, 석유에테르:디클로로메탄 (2:1, v/v)로 용출하여 제품 화합물 1835 (100mg, 수율 4.8%)를 얻는다. 생성물은 분자량이 1024.4인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
해당 분야 당업자가 알 수 있다시피, 상기 제조방법은 단지 하나의 예시적인 예일뿐이며, 해당 분야 당업자는 이를 개진함으로써 본 발명의 기타 화합물의 구조를 획득할 수 있다.
스펙트럼 데이터
상하이 LENGGUANG TECH.에서 제조한 모델 LENGGUANG F98의 형광분광광도계를 사용하여 본 발명의 화합물 및 비교 화합물의 광발광 스펙트럼(PL) 데이터를 측정하였다. 실시예 화합물 및 비교 화합물의 시료를 각각 HPLC 등급의 디클로로메탄으로 3Х10-5mol/L 농도의 용액으로 제조한 후, 실온 (298K)에서 500nm 파장의 광으로 여기하여 이의 방출 스펙트럼을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
| 화합물 번호 | λmax (nm) | FWHM (nm) |
| 화합물 263 | 613 | 26.1 |
| 화합물 1524 | 616 | 29.3 |
| 화합물 1272 | 615 | 28.3 |
| 화합물 257 | 600 | 27.1 |
| 화합물 5 | 604 | 26.8 |
| 화합물 367 | 698 | 24.6 |
| 화합물 375 | 610 | 30.2 |
| 화합물 1636 | 614 | 33.1 |
| 화합물 1829 | 599 | 27.4 |
| 화합물 1847 | 574 | 33.2 |
| 화합물 1853 | 591 | 32.2 |
| 화합물 1835 | 591 | 22.2 |
| 화합물 RD-A | 655 | 61.1 |
표 1의 관련된 화합물의 구조는 다음과 같다.
표 1의 데이터로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 금속 착물은 주황색에서 진한 빨간색에 이르기까지 상이한 파장대의 발광을 실현할 수 있으며, 이는 본 발명의 화합물이 발광 파장을 효과적으로 조절할 수 있고, 상이한 파장대의 발광 수요를 충족할 수 있음을 나타내며; 또한 모두 매우 좁은 반치폭을 가지며, 그의 반치폭은 모두 34nm보다 작으며, 대부분의 예시에서는 더구나 30nm보다 작은 매우 좁은 반치폭 수준에 도달하였다. 특히, 화합물 1835는 놀랍게도 22.2nm의 매우 좁은 반치폭을 가지고 있다. 이전의 보도에서는 페닐피리딘계 리간드의 도입은 금속 착물의 발광 스펙트럼 폭이 넓어지는 경우가 많았으나, 본 발명의 금속 착물은 예상밖으로 좁은 폭을 나타내고, 비교 화합물 RD-A보다 절반 이상이나 대폭 좁아졌으며, 이는 본 발명의 금속 착물이 우수한 발광 특성을 가지며, 소자가 매우 포화된 적색 발광을 실현할 수 있음을 나타낸다. 본 발명의 금속 착물의 소자에서의 성능을 추가로 검증하기 위해, 여기서 발광 재료로서 본 발명의 금속 착물을 사용하는 소자 실시예를 제공한다.
전계발광소자의 제조방법은 한정되지 않으며, 하기 실시예의 제조방법은 예시일 뿐, 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 해당 분야 당업자는 선행 기술에 따라 하기 실시예의 제조방법을 합리적으로 개선할 수 있다. 예시적으로, 발광층 중 각종 재료의 비율은 특별히 한정되지 않으며, 본 분야 당업자는 선행 기술에 따라 일정한 범위 내에서 합리적으로 선택할 수 있다. 예를 들어, 발광층 재료의 총 중량을 기준으로, 호스트 재료는 80~99%, 발광 재료는 1~20%를 차지할 수 있고; 혹은 호스트 재료는 90~99%, 발광 재료는 1~10%를 차지할 수 있으며; 혹은 호스트 재료는 95%-99%, 발광 재료는 1%-5%를 차지할 수 있다. 또한, 호스트 재료는 한 가지 또는 두 가지의 재료일 수 있으며, 여기서 두 가지 호스트 재료가 호스트 재료에서 차지하는 비율은 100:0 내지 1:99이거나, 80:20 내지 20:80이거나, 60:40 내지 40:60일 수 있다.
소자 실시예
소자 실시예 1
먼저, 120nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 양극을 구비하는 유리기판을 세정한 다음, 산소 플라스마 및 UV 오존을 사용하여 처리한다. 처리 후, 기판을 글로브 박스에서 드라이하여 수분을 제거한다. 다음, 기판을 기판 홀더에 장착하고 진공실에 넣는다. 아래에서 지정된 유기층을 약 10-8토르(Torr)의 진공도에서 0.2-2옹스트롬(angstrom)/초의 속도로 열진공 증착을 통해 ITO 양극 상에 순차적으로 증착시킨다. 화합물 HT와 도판트로 사용되는 HI를 정공 주입층(HIL, 중량비 97:3)으로 사용하고, 두께는 100Å이다. 정공 수송층(HTL)으로서 화합물 HT를 사용하고, 두께는 400Å이다. 전자 차단층(EBL)으로서 화합물 EB를 사용하고, 두께는 50Å이다. 그리고, 본 발명의 화합물 263을 제1 호스트인 화합물 RH-A과 제2 호스트인 화합물 RH-B에 도핑하여 발광층(EML, 중량비 2:49:49)으로 사용하고, 두께는 400Å이다. 정공 차단층(HBL)으로서 화합물 HB를 사용하고, 두께는 50Å이다. HBL 상에, 화합물 ET와 8-히드록시 퀴놀린-리튬(Liq)을 공증착시켜 전자 수송층(ETL, 중량비 40:60)으로 사용하고, 두께는 350Å이다. 마지막으로, 1nm 두께의 Liq를 증착시켜 전자 주입층으로 하며, 120nm의 Al를 증착시켜 음극으로 사용한다. 다음, 해당 소자를 글로브 박스로 다시 옮기고, 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.
소자 실시예 2
발광층(EML)에서 본 발명의 화합물 263 대신 본 발명의 화합물 1524를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2의 제조방법은 소자 실시예 1과 동일하다.
소자 실시예 3
발광층(EML)에서 본 발명의 화합물 263 대신 본 발명의 화합물 257을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3의 제조방법은 소자 실시예 1과 동일하다.
소자 실시예 4
발광층(EML)에서 본 발명의 화합물 263 대신 본 발명의 화합물 5를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 4의 제조방법은 소자 실시예 1과 동일하다.
소자 실시예 5
발광층(EML)에서 본 발명의 화합물 263 대신 본 발명의 화합물 375를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 5의 제조방법은 소자 실시예 1과 동일하다.
소자 실시예 6
발광층(EML)에서 본 발명의 화합물 263 대신 본 발명의 화합물 1636을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 6의 제조방법은 소자 실시예 1과 동일하다.
소자의 일부 층 구조와 두께는 아래 표와 같다. 여기서 사용되는 재료가 2종 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.
| 소자 번호 | HIL | HTL | EBL | EML | HBL | ETL |
| 실시예 1 | 화합물 HT:화합물 HI (97:3) (100 Å) |
화합물 HT (400 Å) |
화합물 EB (50 Å) |
화합물 RH-A:화합물 RH-B:화합물 263 (49:49:2) (400 Å) |
화합물 HB (50 Å) |
화합물 ET:Liq (40:60) (350 Å) |
| 실시예 2 | 화합물 HT:화합물 HI (97:3)(100 Å) | 화합물 HT (400 Å) |
화합물 EB (50 Å) |
화합물 RH-A:화합물 RH-B:화합물 1524 (49:49:2) (400 Å) |
화합물 HB (50 Å) |
화합물 ET:Liq (40:60) (350 Å) |
| 실시예 3 | 화합물 HT:화합물 HI (97:3)(100 Å) | 화합물 HT (400 Å) |
화합물 EB (50 Å) |
화합물 RH-A:화합물 RH-B:화합물 257 (49:49:2) (400 Å) |
화합물 HB (50 Å) |
화합물 ET:Liq (40:60) (350 Å) |
| 실시예 4 | 화합물 HT:화합물 HI (97:3)(100 Å) | 화합물 HT (400 Å) |
화합물 EB (50 Å) |
화합물 RH-A:화합물 RH-B:화합물 5 (49:49:2) (400 Å) |
화합물 HB (50 Å) |
화합물 ET:Liq (40:60) (350 Å) |
| 실시예 5 | 화합물 HT:화합물 HI (97:3) (100 Å) |
화합물 HT (400 Å) |
화합물 EB (50 Å) |
화합물 RH-A:화합물 RH-B:화합물 375 (49:49:2) (400 Å) |
화합물 HB (50 Å) |
화합물 ET:Liq (40:60) (350 Å) |
| 실시예 6 | 화합물 HT:화합물 HI (97:3)(100 Å) | 화합물 HT (400 Å) |
화합물 EB (50 Å) |
화합물 RH-A:화합물 RH-B:화합물 1636 (49:49:2) (400 Å) |
화합물 HB (50 Å) |
화합물 ET:Liq (40:60) (350 Å) |
소자에 사용되는 재료 구조는 아래와 같다:
소자의 IVL 및 수명 특성을 측정하였다. 표 3은 15mA/cm2의 전류밀도에서 측정된 최대방출파장( max), 반치폭(FWHM), 구동 전압(Voltage) 및 외부 양자 효율(EQE)의 데이터이고; 및 80mA/cm2의 전류밀도에서 측정된 소자수명(LT99)의 데이터이다.
| 소자 번호 | λmax (nm) |
FWHM (nm) |
Voltage (V) |
EQE (%) |
LT99 (h) |
| 실시예1 | 614 | 26.7 | 3.52 | 19.5 | 96 |
| 실시예2 | 616 | 30.2 | 3.71 | 20.7 | 81 |
| 실시예3 | 602 | 28.4 | 3.74 | 19.9 | 60 |
| 실시예4 | 605 | 27.3 | 3.82 | 17.9 | 150 |
| 실시예5 | 614 | 32.6 | 3.47 | 21.7 | 90 |
| 실시예6 | 616 | 34.8 | 3.62 | 21.3 | 60 |
토론:표 3의 데이터로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 금속 착물은 소자가 아주 우수한 성능을 갖도록 할 수 있다. 실시예 1 내지 6의 반치폭은 모두 매우 좁으므로, 본 발명의 금속 착물이 소자가 매우 높은 포화도의 발광을 실현하도록 할 수 있음을 나타낸다. 또한, 실시예 1 내지 6은 낮은 전압, 높은 효율의 장점을 구비하고; 더 중요한 것은, 표 3의 데이터로부터 알 수 있듯이, 실시예 1 내지 6에서, 80mA/cm2의 높은 전류밀도에서의 소자 수명(LT99)은 60시간 이상에 달할 수 있고, 실시예 4에서의 LT99는 더 나아가 150시간이나 달하며, 이는 본 발명의 금속 착물이 소자가 일반적인 적색 인광재료의 수준을 훨씬 뛰어넘는 초장수명을 얻도록 할 수 있으며, 본 발명의 금속 착물을 발광 재료로 사용하면 소자의 발광 파장을 효과적으로 조절할 수 있다는 것을 나타낸다. 이러한 데이터는 본 발명에 개시된 금속 착물이 우수한 성능과 양호한 응용 전망을 가지고 있음을 입증한다.종합하면, 본 발명에 개시된 금속 착물은 상이한 파장대의 발광 요구사항을 충족할 수 있고, 예상밖으로 매우 좁은 반치폭을 가지고, 고포화도의 발광을 실현할 수 있으며; 또한, 본 발명의 금속 착물을 전계발광소자에서의 발광 재료로 사용할 경우, 소자의 발광 파장을 효과적으로 조절할 수 있고, 소자가 낮은 전압, 높은 효율 및 초장수명 등 장점을 가질 수 있으며, 더 우수한 소자 성능을 제공할 수 있다. 이는 본 발명에 개시된 금속 착물이 우수한 성능과 양호한 응용 전망을 가지고 있음을 입증한다.
본문에 기재된 다양한 실시예는 단지 예시일뿐이며 본 발명의 범위를 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 따라서, 청구하려는 본 발명은 본문에 기재된 구체적인 실시예 및 바람직한 실시예의 변경을 포함할 수 있다는 것은 본 분야 당업자에게 자명한 것이다. 본문에 기재된 재료 및 구조에서의 다수는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한, 기타 재료 및 구조로 대체하여 사용할 수 있다. 본 발명이 작용되는 이유에 대한 다양한 이론은 한정적인 것이 아님을 이해해야 한다.
Claims (22)
- M(La)m(Lb)n(Lc)q의 일반식을 구비하는 금속 착물:
여기서, 상기 금속 M은 상대 원자 질량이 40보다 큰 금속에서 선택되며, La, Lb 및 Lc은 각각 상기 금속 M와 배위되는 제1 리간드, 제2 리간드 및 제3 리간드이고;
La, Lb 및 Lc은 임의로 연결되어 여러 자리 리간드를 형성할 수 있으며;
m은 1 또는 2에서 선택되고, n은 1 또는 2에서 선택되며, q는 0 또는 1에서 선택되고, m+n+q의 합은 금속 M의 산화 상태와 같으며; m이 2인 경우, 두 개의 La은 동일하거나 상이하고, n이 2인 경우, 두 개의 Lb은 동일하거나 상이하며;
상기 제1 리간드 La은 식 1로 나타내는 구조를 가지고;
,
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 5원 불포화 탄소고리, 6~30 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되며;
고리 B는 2~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로 고리 또는 2~30 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되고;
RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내며;
RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
상기 제2 리간드 Lb은 식 2로 나타내는 구조를 가지고;
U1-U4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRU에서 선택되며;
W1-W4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRW에서 선택되고;
RU, RW은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RU, RW은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Lc은 일가 음이온 두 자리 리간드에서 선택된다. - 제 1 항에 있어서, 상기 La에서, 고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6-18 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-18 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되고; 고리 B는 2-18 개 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되고;
바람직하게, 고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 아자나프탈렌 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 이소옥사졸 고리, 이소티아졸 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 벤조푸란 고리, 벤조티오펜 고리, 아자벤조푸란 고리 혹은 아자벤조티오펜 고리에서 선택되고; 고리 B는 피롤 고리, 인돌 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 트리아졸 고리, 아자인돌 고리에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 고리 A, 고리 C 및 고리 D는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 피리딘 고리, 피리미딘 고리에서 선택되고; 고리 B는 피롤 고리, 인돌 고리, 아자인돌 고리에서 선택되는 금속 착물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 La은 식 3 내지 식 20 중 임의의 하나로 나타내는 구조에서 선택되며,
, , , , , , , , , , , , , , , , , ;
여기서,
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
A1-A5는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRA에서 선택되며;
B1-B4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRB에서 선택되고;
C1-C4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRC에서 선택되며;
D1-D4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRD에서 선택되고;
X1는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRC, CRCRC, SiRCRC 또는 PRC에서 선택되며;
X2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRD, CRDRD, SiRDRD 또는 PRD에서 선택되고;
Z3는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRZ, CRZRZ, SiRZRZ 또는 PRZ에서 선택되며;
RA, RB, RC, RD 및 RZ은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC, RD 및 RZ은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
바람직하게, La은 식 3, 식 4, 식 8, 식 9, 식 10 또는 식 13으로 나타내는 구조에서 선택되며;
더욱 바람직하게, La는 식 3, 식 4 또는 식 13으로 나타내는 구조에서 선택되는 금속 착물. - 제 3 항에 있어서, 상기 식 1, 식 3 내지 식 20에서 W는 B 또는 N이고; 바람직하게, W는 N인 금속 착물.
- 제 3 항에 있어서, 상기 식 3 내지 식 19에서 Z1은 N이고, D1 및 D2 중 적어도 하나는 N이며; 또는 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서 Z2는 N이고, C1 및 C2 중 적어도 하나는 N이며;
바람직하게, 상기 식 3 내지 식 19에서 Z1은 N이고, D1 및 D2 중 하나는 N이며; 또는 상기 식 3, 식 18 및 식 20에서 Z2는 N이고, C1 및 C2 중 하나는 N이며;
더욱 바람직하게, 상기 식 3 내지 식 19에서 Z1은 N이고, D2는 N이며; 또는 상기 식 2 내지 식 18 및 식 20에서 Z2는 N이고, C1은 N인 금속 착물. - 제 3 항에 있어서, 상기 식 3 내지 식 20에서, A1-A5는 각각 독립적으로 CRA에서 선택되고, B1-B4는 각각 독립적으로 CRB에서 선택되며, 상기 식 3 내지 식 18, 식 20에서, C1-C4는 각각 독립적으로 CRC에서 선택되고, 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-D4는 각각 독립적으로 CRD에서 선택되며; 상기 RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC 및 RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
바람직하게, 상기 RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
더욱 바람직하게, 상기 RA, RB, RC 및 RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 시아노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 3 항에 있어서, 상기 식 3 내지 식 20에서, A1-An 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되고, 상기 An는 상기 A1-A5에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 상기 RA은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
바람직하게, 식 3 내지 식 15, 식 19 및 식 20에서, A1-A3 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRA에서 선택되고, 식 16 내지 식 18에서, A1는 CRA에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 식 3, 식 4, 식 6 내지 식 9, 식 11 내지 식 15, 식 19 및 식 20에서, A2는 CRA에서 선택되고; 식 5, 식 10, 식 16 내지 식 18에서, A1은 CRA에서 선택되며;
가장 바람직하게, 상기 RA은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 불소, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 아미노기, 메톡시기, 페녹시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 디메틸아미노기, 디페닐아미노기, 메틸페닐아미노기, 비닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로티오펜기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 벤질기, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 2차부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 피리딘기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 3 항에 있어서, 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서, C1, C2 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CRC에서 선택되고, 상기 RC은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게, 상기 식 3 내지 식 18 및 식 20에서, C2는 CRC에서 선택되고, 더욱 바람직하게, 상기 RC은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 시아노기, 불소, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 피리딘기, 트리아지닐기, 듀테로화된 메틸기, 듀테로화된 에틸기, 듀테로화된 이소프로필기, 듀테로화된 이소부틸기, 듀테로화된 t-부틸기, 듀테로화된 시클로펜틸기, 듀테로화된 시클로펜틸메틸기, 듀테로화된 시클로헥실기, 듀테로화된 네오펜틸기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 3 항에 있어서, 상기 식 3 내지 식 20에서, 상기 식 3 내지 식 20에서, B1-Bn 중 적어도 하나는 CRB에서 선택되고, 상기 Bn는 상기 B1-B4에서 식 3 내지 식 20 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되고; 및/또는 상기 식 3 내지 식 19에서, D1-Dn 중 적어도 하나는 CRD에서 선택되고, 상기 Dn는 상기 D1-D4에서 식 3 내지 식 19 중 어느 하나에 존재하는 번호가 가장 큰 것에 대응되며; 상기 RB, RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게, 상기 식 3 내지 식 13, 식 17, 식 19 및 식 20에서, B2 및/또는 B3은 CRB에서 선택되고; 상기 식 14 내지 식 16 및 식 18에서, B1 및/또는 B2는 CRB에서 선택되며; 상기 식 3 내지 식 19에서, D1 및/또는 D2는 CRD에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 상기 RB, RD은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 아미노기, 메톡시기, 페녹시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 디메틸아미노기, 디페닐아미노기, 메틸페닐아미노기, 비닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로티오펜기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 벤질기, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 피리딘기, 트리아지닐기, 듀테로화된 메틸기, 듀테로화된 에틸기, 듀테로화된 이소프로필기, 듀테로화된 이소부틸기, 듀테로화된 t-부틸기, 듀테로화된 시클로펜틸기, 듀테로화된 시클로펜틸메틸기, 듀테로화된 시클로헥실기, 듀테로화된 네오펜틸기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 1 항에 있어서, 상기 La은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물:
상기 구조에서, TMS는 트리메틸실릴기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타내며;
선택적으로, 상기 La1 내지 La1820 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다. - 제 1 항에 있어서, 상기 제2 리간드 Lb은 식 21로 나타내며,
여기서, R1-R8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 R1-R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
바람직하게, R1-R8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
더욱 바람직하게, R1-R8 중 적어도 하나 또는 두 개는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 혹은 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 11 항에 있어서, R2, R3, R6, R7 중 적어도 하나 또는 적어도 2개 또는 적어도 3개 또는 전부는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게, R2, R3, R6, R7 중 적어도 하나 또는 적어도 2개 또는 적어도 3개 또는 전부는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
더욱 바람직하게, R2, R3, R6, R7 중 적어도 하나 또는 적어도 2개 또는 적어도 3개 또는 전부는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 네오펜틸기, t-아밀기, 및 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환되는 상기 임의의 기(group)로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 10 항에 있어서, Lb은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물:
선택적으로, 상기 Lb1 내지 Lb379 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다. - 제 1 항에 있어서, Lc은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물:
여기서, Ra, Rb, 및 Rc은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내며;
Xb는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, NRN1 및 CRC1RC2로 이루어진 군에서 선택되고;
Ra, Rb, Rc, RN1, RC1 및 RC2은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, RN1, RC1 및 RC2은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
바람직하게, Lc은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되고;
선택적으로, 상기 Lc1 내지 Lc329 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다. - 제 1 항에 있어서, 금속 M은 Ir, Rh, Re, Os, Pt, Au 또는 Cu에서 선택되고; 바람직하게, 금속 M은 Ir, Pt 또는 Os에서 선택되며; 더욱 바람직하게, 금속 M은 Ir인 금속 착물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 금속 착물은 Ir(La)m(Lb)3-m의 일반식을 구비하고, 식 22로 나타내는 구조를 구비하며;
여기서, m은 1 또는 2이고;
Z1와 Z2는 각각 독립적으로 C 또는 N에서 선택되고, Z1와 Z2는 상이하며;
W는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B, N 또는 P에서 선택되고;
A1-A3는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRA에서 선택되며;
B1-B4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRB에서 선택되고;
C1-C2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRC에서 선택되며;
D1-D2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRD에서 선택되고;
U1-U4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRU에서 선택되며;
W1-W4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 N 또는 CRW에서 선택되고;
RA, RB, RC, RD, RU 및 RW은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 RA, RB, RC, RD은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
인접한 치환기 RU, RW은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있고;
바람직하게, A1-A3 중 적어도 하나는 CRA에서 선택되고, 및/또는 B1-B4 중 적어도 하나는 CRB에서 선택되며, 상기 RA, RB은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
더욱 바람직하게, A2는 CRA에서 선택되고, 및/또는 B2, B3 중 하나는 CRB에서 선택되며;
가장 바람직하게, 상기 RA, RB은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 불소, 시아노기, 히드록시기, 술파닐기, 아미노기, 메톡시기, 페녹시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 디메틸아미노기, 디페닐아미노기, 메틸페닐아미노기, 비닐기, 테트라히드로푸란기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로티오펜기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 벤질기, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 2차부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 피리딘기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 착물. - 제 1 항에 있어서, 상기 금속 착물은 Ir(La)(Lb)2 또는 Ir(La)2(Lb) 또는 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하는 금속 착물:
여기서, 상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하는 경우, La은 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이고, Lb은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나 또는 두 개이며; 상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lb)의 구조를 구비하는 경우, La은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나 또는 임의의 두 개이고, Lb은 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며; 상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하는 경우, La은 La1 내지 La1820로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이고, Lb은 Lb1 내지 Lb379로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며, Lc은 Lc1 내지 Lc329로 이루어진 군에서 선택되는 임의의 하나이며; 선택적으로, 상기 금속 착물의 구조 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있으며;
바람직하게, 상기 금속 착물은 화합물 1 내지 화합물 1826로 이루어진 군에서 선택되고;
여기서 상기 화합물 1 내지 화합물 1638은 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하고, 여기서 두 개의 Lb은 동일하고, La과 Lb은 각각 아래 표에서 선택되는 구조에 대응되며;
상기 화합물 1639 내지 화합물 1766은 Ir(La)2(Lb)의 구조를 구비하고, 여기서 두 개의 La은 동일하고, La과 Lb은 각각 아래 표에서 선택되는 구조에 대응되며;
상기 화합물 1767 내지 화합물 1826은 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비하고, La, Lb과 Lc은 각각 아래 표에서 선택되는 구조에 대응되며;
선택적으로, 상기 화합물 1 내지 합물 1826의 구조 중의 수소원자는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다. - 양극,
음극, 및
상기 양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물을 포함하는 전계발광소자. - 제 18 항에 있어서, 상기 유기층은 발광층이고, 상기 금속 착물은 발광 재료인 전계발광소자.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 전계발광소자는 적색광 또는 백색광을 방출하는 전계발광소자.
- 제 19 항에 있어서, 상기 발광층은 적어도 1종의 호스트 재료를 더 포함하고;
바람직하게, 상기 적어도 1종의 호스트 재료는 페닐기, 피리딘기, 피리미딜기, 트리아진기, 카바졸기, 아자카바졸기, 인돌로카바졸기, 디벤조티오펜기, 아자디벤조티오펜기, 디벤조퓨란기, 아자디벤조퓨란기, 디벤조셀레노펜기, 트리페닐렌기, 아자트리페닐렌기, 플루오렌기, 실라플루오렌기, 나프틸기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페난트렌기, 아자페난트렌기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 화학 그룹을 포함하는 전계발광소자. - 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물을 포함하는 화합물 조성물.
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