KR20240002187A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

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Abstract

처리 용기 내의 열을 이용해서 에너지 절약화를 도모하면서, 기판 위에 형성되는 막의 특성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공한다. 기판을 처리하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 외벽에 적어도 일부가 접촉하고, 상기 처리 용기 내에 공급하는 가스를 저류하는 저류 용기와, 상기 저류 용기 내의 온도를 조정하는 온도 조정부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 기판에 성막할 때에, 가스 공급관에 마련된 탱크 내에 가스를 충전하고 나서, 탱크 내에 충전된 가스를 처리실 내로 공급하는 배치식의 기판 처리 장치를 사용하는 경우가 있다(예를 들어 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
일본 특허 공개 제2006-222265호 공보 일본 특허 공개 제2012-67328호 공보
매엽식의 기판 처리 장치에 있어서도, 고애스펙트비 구조의 기판에 대하여 커버리지 성능을 향상시키기 위해서, 처리 용기 내로 한번에 대량의 가스를 공급하는 탱크를 사용해서 처리하는 것을 예상할 수 있다. 또한, 이들의 탱크를 균일하게 따뜻하게 하기 위해서, 각각의 탱크를 가열하는 가열 장치가 필요해져, 에너지 절약화가 필요한 과제가 되고 있다.
본 개시는, 처리 용기 내의 열을 이용해서 에너지 절약화를 도모하면서, 기판 위에 형성되는 막의 특성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의하면, 기판을 처리하는 처리 용기와,
상기 처리 용기의 외벽에 적어도 일부가 접촉하고, 상기 처리 용기 내에 공급하는 가스를 저류하는 저류 용기와,
상기 저류 용기 내의 온도를 조정하는 온도 조정부를 갖는 기술이 제공된다.
본 개시에 의하면, 처리 용기 내의 열을 이용해서 에너지 절약화를 도모하면서, 기판 위에 형성되는 막의 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 양태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 종단면도로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 양태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 양태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 시퀀스를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 개시의 일 양태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 시퀀스의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 양태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 시퀀스의 변형예를 도시하는 도면이다.
이하, 본 개시의 일 양태에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서 사용되는 도면은, 모두 모식적인 것이며, 도면에 도시되는, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실의 것과 반드시 일치하는 것은 아니다. 또한, 복수의 도면의 상호간에 있어서도, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은 반드시 일치하고 있지는 않다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 처리 용기(202)를 구비하고 있다. 처리 용기(202)는, 예를 들어 횡단면이 원형이고 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(202)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성되어 있다. 처리 용기(202) 내에는, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 공간(205)과, 웨이퍼(W)를 처리 공간(205)에 반송할 때에 웨이퍼(W)가 통과하는 반송 공간(206)이 형성되어 있다. 처리 용기(202)는, 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)의 사이에는 칸막이판(208)이 마련된다.
하부 용기(202b)의 측면에는, 게이트 밸브(149)에 인접한 기판 반입출구(204)가 마련되어 있고, 웨이퍼(W)는 기판 반입출구(204)를 개재해서 도시하지 않은 반송실과 하부 용기(202b)의 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부에는, 리프트 핀(207)이 복수 마련되어 있다.
처리 공간(205)에는, 웨이퍼(W)를 지지하는 기판 지지부(210)가 배치된다. 기판 지지부(210)는, 웨이퍼(W)를 적재하는 기판 적재면(211)과, 기판 적재면(211)을 표면에 갖는 기판 적재대(212), 기판 적재대(212) 내에 마련된 가열원으로서의 히터(213)를 주로 갖는다. 기판 적재대(212)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍(214)이, 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 마련되어 있다. 히터(213)에는 히터 제어부(220)가 접속되어, 컨트롤러(280)의 지시에 의해 원하는 온도로 가열된다.
처리 공간(205)의 상부(즉 상류측)에는, 가스 분산 기구로서의 샤워 헤드(230)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(230)의 덮개(231)에는 가스 도입 구멍(231a 내지 231d)이 마련된다. 가스 도입 구멍(231a 내지 231d)은, 각각 제1 내지 제4 가스 공급관(242a 내지 242d)과 연통한다.
샤워 헤드(230)는, 가스를 분산시키기 위한 분산 기구로서의 분산판(234)을 구비하고 있다. 이 분산판(234)의 상류측이 버퍼 공간(232)이며, 하류측이 처리 공간(205)이다. 분산판(234)에는, 가스 공급구인 복수의 관통 구멍(234a)이 마련되어 있다. 분산판(234)은, 기판 적재면(211)과 대향하도록 배치되어 있다. 분산판(234)은 예를 들어 원반상으로 구성된다. 관통 구멍(234a)은 분산판(234)의 전체면에 걸쳐 마련되어 있다.
상부 용기(202a)는 플랜지를 갖고, 플랜지 위에 지지 블록(233)이 적재되어, 고정된다. 지지 블록(233)은 플랜지를 갖고, 플랜지 위에는 분산판(234)이 적재되어, 고정된다. 또한, 덮개(231)는 지지 블록(233)의 상면에 고정된다.
(가스 공급부)
샤워 헤드(230)의 덮개(231)에 마련된 가스 도입 구멍(231a 내지 231d)과 연통하도록, 덮개(231)에는 제1 내지 제4 가스 공급관(242a 내지 242d)이 각각 접속된다.
(제1 가스 공급계)
제1 가스 공급관(242a)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제1 가스 공급원(243a), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스플로우 컨트롤러(MFC; 244a) 및 개폐 밸브인 밸브(245a), 저류 용기로서의 탱크(246a), 밸브(247a)가 마련되어 있다.
제1 가스 공급관(242a)으로부터는, 처리 가스이며, 원료 가스인 제1 가스가, MFC(244a), 밸브(245a), 탱크(246a), 밸브(247a), 가스 도입 구멍(231a), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재해서 처리 공간(205)에 공급된다.
주로, 제1 가스 공급관(242a), MFC(244a), 밸브(245a), 탱크(246a), 밸브(247a)에 의해, 제1 가스 공급계가 구성된다. 또한, 제1 가스 공급원(243a)을, 제1 가스 공급계에 포함해도 된다.
(제2 가스 공급계)
제2 가스 공급관(242b)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제2 가스 공급원(243b), MFC(244b), 밸브(245b), 탱크(246b), 밸브(247b)가 마련되어 있다.
제2 가스 공급관(242b)으로부터는, 처리 가스이며, 반응 가스인 제2 가스가, MFC(244b), 밸브(245b), 탱크(246b), 밸브(247b), 가스 도입 구멍(231b), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재해서 처리 공간(205)에 공급된다.
주로, 제2 가스 공급관(242b), MFC(244b), 밸브(245b), 탱크(246b), 밸브(247b)에 의해, 제2 가스 공급계가 구성된다. 또한, 제2 가스 공급원(243b)을, 제2 가스 공급계에 포함해도 된다.
(제3 가스 공급계)
제3 가스 공급관(242c)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제3 가스 공급원(243c), MFC(244c), 밸브(245c), 탱크(246c), 밸브(247c)가 마련되어 있다.
제3 가스 공급관(242c)으로부터는, 불활성 가스가, MFC(244c), 밸브(245c), 탱크(246c), 밸브(247c), 가스 도입 구멍(231c), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재해서 처리 공간(205)에 공급된다.
주로, 제3 가스 공급관(242c), MFC(244c), 밸브(245c), 탱크(246c), 밸브(247c)에 의해, 제3 가스 공급계(불활성 가스 공급계라고도 한다)가 구성된다. 또한, 제3 가스 공급원(243c)을, 제3 가스 공급계에 포함해도 된다.
(제4 가스 공급계)
제4 가스 공급관(242d)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 제4 가스 공급원(243d), MFC(244d), 밸브(245d), 탱크(246d), 밸브(247d)가 마련되어 있다.
제4 가스 공급관(242d)으로부터는, 불활성 가스가, MFC(244d), 밸브(245d), 탱크(246d), 밸브(247d), 가스 도입 구멍(231d), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재해서 처리 공간(205)에 공급된다.
또한, 제4 가스 공급관(242d), MFC(244d), 밸브(245d), 탱크(246d), 밸브(247d)에 의해 제4 가스 공급계(불활성 가스 공급계라고도 한다)가 구성된다. 또한, 제4 가스 공급원(243d)을, 제4 가스 공급계에 포함해도 된다.
또한, 제3 가스 공급계와 제4 가스 공급계는, 기판 처리 공정에서는, 처리 용기(202) 내나 샤워 헤드(230) 내에 머무른 가스를 퍼지하는 퍼지 가스를 공급하는 퍼지가스 공급계로서도 작용한다.
(탱크)
탱크(246a 내지 246d)는, 처리 공간(205) 내로 공급하는 가스를, 처리 공간(205) 내로 공급하기 전에, 각각 저류하도록 구성되어 있다.
또한, 탱크(246a 내지 246d)는, 샤워 헤드(230)의 덮개(231)의 상면이며, 처리 용기(202)의 상면에 적재되어 있다. 즉, 처리 용기(202)의 외벽이며, 처리 용기(202)의 상면에, 탱크(246a 내지 246d)의 하면이 각각 접촉해서 마련되어 있다. 바꿔 말하면, 탱크(246a 내지 246d)는, 각각 처리 용기(202)의 외벽에 적어도 일부가 접촉해서 마련되어 있다. 탱크(246a 내지 246d)는 가스를 공급하는 가스 도입 구멍(231a 내지 231d)의 근방에 배치되게 되어, 가스 공급 시의 낭비도 적어진다.
또한, 탱크(246a 내지 246d)는, 각각의 가스 공급관(242a 내지 242d)으로부터 제1 압력으로 가스가 공급된 후, 제1 압력 이하의 제2 압력으로 가스를 저류하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 탱크(246a 내지 246d) 내의 저류 공간 내에서의 가스 분자끼리의 충돌에 의한 열분해의 촉진을 억제할 수 있다.
또한, 탱크(246a 내지 246d)에는, 탱크(246a 내지 246d) 내를 가열하는 탱크 히터(300a 내지 300d)가 각각 마련되어 있다. 탱크 히터(300a 내지 300d)에는 온도 조정부(302)가 접속되어 있다.
온도 조정부(302)는, 탱크(246a 내지 246d) 내의 온도를 조정하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 온도 조정부(302)는, 탱크(246a 내지 246d) 내의 온도를, 각각 탱크(246a 내지 246d) 내에 저류하는 가스의 분해 온도보다 낮은 온도로 조정한다. 또한, 온도 조정부(302)는, 탱크(246a 내지 246d) 내의 온도를, 웨이퍼(W)의 처리 온도보다 낮은 온도로 조정한다. 본 명세서에 있어서의 처리 온도란 웨이퍼(200)의 온도 또는 처리실(201) 내의 온도를 의미한다. 이것은, 이하의 설명에 있어서도 마찬가지이다.
샤워 헤드(230)는, 처리 용기(202) 내로 제1 가스 또는 제2 가스를 공급할 때에는, 제1 가스 공급부 또는 제2 가스 공급부로서 기능한다. 또한, 샤워 헤드(230)는, 처리 용기(202) 내로 불활성 가스를 공급할 때에는, 불활성 가스 공급부로서 기능한다.
기판 적재대(212)는, 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는, 처리 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 또한 처리 용기(202)의 외부에서 승강 기구(218)에 접속되어 있다.
승강 기구(218)를 작동시켜서 샤프트(217) 및 기판 적재대(212)를 승강시킴으로써, 기판 적재대(212)는, 기판 적재면(211) 위에 적재되는 웨이퍼(W)를 승강시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로우즈(219)에 의해 덮여 있고, 이에 의해 처리 공간(205) 내는 기밀하게 유지되고 있다.
기판 적재대(212)는, 웨이퍼(W)의 반송 시에는, 기판 적재면(211)이 기판 반입출구(204)에 대향하는 위치까지 하강한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 성막 시에는, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 처리 공간(205)의 하방의 소정의 위치가 될 때까지 상승한다.
(배기부)
처리 용기(202)의 분위기를 배기하는 배기부를 설명한다. 처리 용기(202)에는, 처리 공간(205)에 연통하도록, 배기관(262)이 접속된다. 배기관(262)은, 처리 공간(205)의 측방에 마련된다. 배기관(262)에는, 처리 공간(205) 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력 제어기인 APC(Auto Pressure Controller; 266)가 마련된다. APC(266)는 개방도 조정 가능한 밸브체(도시하지 않음)를 갖고, 컨트롤러(280)로부터의 지시에 따라서 배기관(262)의 컨덕턴스를 조정한다. 배기관(262)에 있어서 APC(266)의 상류측에는 밸브(267)가 마련된다.
배기관(262), 밸브(267), APC(266)를 통합해서 배기부라고 칭한다. 또한, 진공 펌프(269)가 마련된다. 도시된 바와 같이, 진공 펌프(269)는, 배기관(262)을 개재해서 처리 공간(205)의 분위기를 배기한다.
(컨트롤러)
기판 처리 장치(100)는, 기판 처리 장치(100)의 각 부 동작을 제어하는 컨트롤러(280)를 갖고 있다.
컨트롤러(280)의 개략을 도 2에 도시한다. 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(280)는, CPU(Central Processing Unit; 280a), RAM(Random Access Memory; 280b), 기억부로서의 기억 장치(280c), I/O포트(280d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(280b), 기억 장치(280c), I/O포트(280d)는, 내부 버스(280f)를 개재하여, CPU(280a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(280)에는, 예를 들어 키보드 등으로서 구성된 입력 장치(281)나, 외부 기억 장치(282)가 접속 가능하게 구성되어 있다. 또한, 상위 장치(270)에 네트워크를 통해서 접속되는 수신부(283)가 마련된다.
표시 장치(284)에는, 각 모니터부에서 검출된 데이터 등이 표시된다. 또한, 본 양태에 있어서는 표시 장치(284)가 입력 장치(281)와 다른 부품으로서 설명했지만, 거기에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어 입력 장치가 터치 패널 등 표시 화면을 겸하는 것이라면, 입력 장치(281)와 표시 장치(284)를 하나의 부품으로 해도 된다.
기억 장치(280c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(280c) 내에는, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피나 그것을 실현하기 위해서 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램으로서의 레시피 프로그램, 후술하는 테이블 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(280)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 단순히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 프로그램이라고 하는 말을 사용한 경우는, 프로세스 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우 또는, 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(280b)은, CPU(280a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O포트(280d)는, 게이트 밸브(149), 승강 기구(218), APC(266), 진공 펌프(269), MFC(244a 내지 244d), 밸브(245a 내지 245d, 247a 내지 247d), 히터 제어부(220), 온도 조정부(302) 등, 기판 처리 장치(100)의 각 구성에 접속되어 있다.
CPU(280a)는, 기억 장치(280c)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행함과 함께, 입력 장치(281)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(280c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(280a)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용에 따르도록, 게이트 밸브(149)의 개폐 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 진공 펌프(269)의 온/오프 제어, MFC(244a 내지 244d)의 유량 조정 동작, 밸브(245a 내지 245d, 247a 내지 247d), APC(266)의 개폐 동작, 히터 제어부(220)에 의한 히터(213)의 온도 제어, 온도 조정부(302)에 의한 탱크 히터(300a 내지 300d)의 온도 조정 등을 제어 가능하도록 구성되어 있다.
또한, 컨트롤러(280)는, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 하드 디스크 등의 자기 디스크, DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리; 282)를 사용해서 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 양태에 관한 컨트롤러(280)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(282)를 개재해서 공급하는 경우로 제한하지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(282)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억 장치(280c)나 외부 기억 장치(282)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기록 매체라는 말을 사용한 경우는, 기억 장치(280c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(282) 단체만을 포함하는 경우 또는, 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
이어서, 기판 처리 장치(100)를 사용하여, 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 웨이퍼(W) 위에 박막을 형성하는 처리를 실시하는 방법의 예에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(280)에 의해 제어된다.
이하, 본 양태의 기판 처리 공정을, 도 3을 사용해서 구체적으로 설명한다.
또한, 본 명세서에 있어서 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우는, 「웨이퍼 자체」를 의미하는 경우나, 「웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막 등과의 적층체(집합체)」를 의미하는 경우(즉, 표면에 형성된 소정의 층이나 막 등을 포함해서 웨이퍼라고 칭하는 경우)가 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「웨이퍼의 표면」이라는 말을 사용한 경우는, 「웨이퍼 자체의 표면(노출면)」을 의미하는 경우나, 「웨이퍼 위에 형성된 소정의 층이나 막 등의 표면, 즉, 적층체로서의 웨이퍼의 최표면」을 의미하는 경우가 있다.
따라서, 본 명세서에 있어서 「웨이퍼에 대하여 소정의 가스를 공급한다」라고 기재한 경우는, 「웨이퍼 자체의 표면(노출면)에 대하여 소정의 가스를 직접 공급한다」는 것을 의미하는 경우나, 「웨이퍼 위에 형성되어 있는 층이나 막 등에 대하여, 즉, 적층체로서의 웨이퍼의 최표면에 대하여 소정의 가스를 공급한다」는 것을 의미하는 경우가 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「웨이퍼 위에 소정의 층(또는 막)을 형성한다」라고 기재한 경우는, 「웨이퍼 자체의 표면(노출면) 위에 소정의 층(또는 막)을 직접 형성한다」는 것을 의미하는 경우나, 「웨이퍼 위에 형성되어 있는 층이나 막 등의 위, 즉, 적층체로서의 웨이퍼의 최표면 위에 소정의 층(또는 막)을 형성한다」는 것을 의미하는 경우가 있다.
또한, 본 명세서에 있어서 「기판」이라는 말을 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우와 마찬가지이며, 그 경우, 상기 설명에 있어서, 「웨이퍼」를 「기판」으로 치환해서 생각하면 된다.
(기판 반입·적재 공정: 스텝 S10)
기판 처리 장치(100)에서는 기판 적재대(212)를 웨이퍼(W)의 반송 위치까지 하강시킴으로써, 기판 적재대(212)의 관통 구멍(214)에 리프트 핀(207)을 관통시킨다. 그 결과, 리프트 핀(207)이, 기판 적재대(212) 표면보다 소정의 높이 분만큼 돌출된 상태로 된다. 계속해서, 게이트 밸브(149)를 개방하여, 도시하지 않은 웨이퍼 이동 탑재기를 사용하여, 처리 용기(202) 내로 웨이퍼(W)(처리 기판)를 반입하고, 리프트 핀(207) 위에 웨이퍼(W)를 이동 탑재한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는, 기판 적재대(212)의 표면으로부터 돌출된 리프트 핀(207) 위에 수평 자세로 지지된다.
처리 용기(202) 내로 웨이퍼(W)를 반입하면, 웨이퍼 이동 탑재기를 처리 용기(202)의 밖으로 퇴피시켜, 게이트 밸브(149)를 닫아서 처리 용기(202) 내를 밀폐한다. 그 후, 기판 적재대(212)를 상승시킴으로써, 기판 적재대(212)에 마련된 기판 적재면(211) 위에 웨이퍼(W)를 적재한다.
또한, 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 용기(202) 내로 반입할 때에는, 배기계에 의해 처리 용기(202) 내를 배기하면서, 불활성 가스 공급계로부터 처리 용기(202) 내로 불활성 가스로서의 N2 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 즉, 진공 펌프(269)를 작동시켜, APC(266)를 여는 것에 의해 처리 용기(202) 내를 배기한 상태에서, 적어도 불활성 가스 공급계의 밸브를 여는 것에 의해, 처리 용기(202) 내로 불활성 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 처리 용기(202) 내로의 파티클의 침입이나, 웨이퍼(W) 위로의 파티클의 부착을 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 진공 펌프(269)는, 적어도 기판 반입·적재 공정(S10)으로부터 후술하는 기판 반출 공정(S16)이 종료될 때까지의 사이에는, 항상 작동시킨 상태로 한다.
웨이퍼(W)를 기판 적재대(212) 위에 적재할 때는, 기판 적재대(212)의 내부에 매립된 히터(213)에 전력을 공급하고, 웨이퍼(W)의 표면이 소정의 온도가 되도록 제어된다. 이때, 히터(213)의 온도는, 온도 센서에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여, 히터 제어부(220)에 의해 히터(213)에 대한 통전 상태를 제어함으로써 조정된다. 그리고, 기판 적재대(212)를 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)를, 도 1에서 도시하는 위치로 이동시킨다.
또한, 탱크 히터(300a 내지 300d)의 온도는, 각각의 탱크(246a 내지 246d)에 마련된 온도 센서에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여, 온도 조정부(302)에 의해 탱크 히터(300a 내지 300d)에 대한 통전 상태를 제어함으로써 조정된다.
이때, 온도 조정부(302)는, 탱크(246a 내지 246d) 내의 온도를, 각각의 탱크 내에 저류하는 가스의 분해 온도보다 낮은 온도로 조정한다. 이에 의해, 탱크 내에 가스가 충전되어 있을 때의 열분해가 억제되어, 열분해에 의해 발생하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 온도 조정부(302)는, 탱크(246a 내지 246d) 내의 온도를, 웨이퍼(W)의 처리 온도보다 낮은 온도로 조정한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 처리 시에 있어서의 열분해에 의해 발생하는 활성종 양이 적어져버리는 것을 억제할 수 있다.
여기서, 탱크(246a 내지 246d)의 하면(저면이라고도 한다)은, 처리 용기(202)의 상면에 각각 접촉해서 마련되어 있기 때문에, 탱크(246a 내지 246d)로부터의 방열 면적이 작아져, 탱크(246a 내지 246d)로부터의 방열량이 적어진다. 또한, 처리 용기(202) 내의 열을 탱크(246a 내지 246d) 내의 가열에 이용하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 온도 조정부(302)에 의한 탱크 히터(300a 내지 300d)에 대한 온도 조정을 작게 하는 것이 가능하게 되고, 에너지 절약화를 도모할 수 있다. 여기서, 탱크(246a 내지 246d)의 종횡비는 각각 1 이상이며, 처리 용기(202)와의 접촉면이 큰 편이 바람직하다. 이에 의해 탱크(246a 내지 246d)의, 처리 용기(202)로부터의 입열량을 많게 하고, 탱크(246a 내지 246d)로부터의 방열량을 적게 할 수 있다.
[박막 형성 공정]
(제1 가스 공급: 스텝 S11)
그리고, 처리 공간(205) 내의 웨이퍼(W)에 대하여, 제1 가스를 플래시 공급한다.
여기서, 플래시 공급이란, 한번에 대량의 가스를 버퍼 공간(232) 내로 공급하는 것을 말한다. 구체적으로는, 플래시 공급에서는, 가스 공급관에 마련되고, 탱크 히터에 의해 가열된 탱크 내에 미리 가스를 제1 압력으로 공급하고, 제1 압력 이하의 제2 압력으로 저류한다. 이에 의해, 탱크(246a 내지 246d) 내의 저류 공간 내에서의 가스 분자끼리의 충돌에 의한 열분해의 촉진을 억제할 수 있다. 그리고, 가스를 공급할 때에 탱크의 하류측에 마련된 밸브를 개방으로 하는 것에 의해, 탱크를 사용하지 않을 경우와 비교해서 대량의 가스를 빠른 속도로 공급할 수 있다.
본 스텝에서는, 밸브(245a)를 개방해서, MFC(244a)에 의해 유량 조정되어, 미리 제1 가스를 저류한 탱크(246a)로부터, 밸브(247a)를 개방해서 제1 가스 공급관(242a) 내로 제1 가스를 공급하고, 소정 시간 경과 후에, 밸브(247a)를 닫아서 제1 가스 공급관(242a) 내로의 제1 가스의 공급을 정지한다. 제1 가스는, 제1 가스 공급관(242a)으로부터, 가스 도입 구멍(231a), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재하여, 처리 공간(205) 내로 한번에 대량으로 공급되고, 배기관(262)으로부터 배기된다.
이때, 동시에 밸브(245c, 247c, 245d, 247d)를 개방하여, 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d)으로부터, 각각 불활성 가스로서 N2 가스를 공급 해도 된다. 유량 조정된 N2 가스는, 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d), 가스 도입 구멍(231c, 231d), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재하여, 처리 공간(205) 내로 공급되어, 배기관(262)으로부터 배기된다.
이때, 기판 적재대(212)에 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서, 처리 공간(205) 내로 제1 가스가 공급된다. 웨이퍼(W)에는 제1 가스가 공급된다.
제1 가스는, 예를 들어 금속 함유 가스이다. 금속 함유 가스로서는, 예를 들어 사염화티타늄(TiCl4) 가스 등이 사용된다.
(잔류 가스 제거: 스텝 S12)
이어서, 처리 공간(205) 내의 웨이퍼(W)에 대하여, 불활성 가스를 플래시 공급하고, 처리 공간(205) 내의 잔류 가스를 제거한다.
본 스텝에서는, 밸브(245c, 245d)를 개방하여, MFC(244c, 244d)에 의해 유량 조정되어, 미리 불활성 가스를 저류한 탱크(246c, 246d)로부터, 밸브(247c, 247d)를 개방해서 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d) 내로 각각 불활성 가스를 공급하고, 소정 시간 경과 후에, 밸브(247c, 247d)를 닫아서 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d) 내로의 불활성 가스의 공급을 정지한다. 불활성 가스는, 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d)으로부터, 각각 가스 도입 구멍(231c, 231d), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재하여, 처리 공간(205) 내로 한번에 대량으로 공급되고, 배기관(262)으로부터 배기된다. 이에 의해, 탱크를 사용하지 않을 경우와 비교해서 대량의 불활성 가스를 빠른 속도로 공급할 수 있다.
이때, 배기관(262)의 밸브(267), APC(266)는 개방한 채로서, 진공 펌프(269)에 의해 처리 공간(205) 내를 진공 배기하고, 처리 공간(205) 내에 잔류하는 미반응 혹은 제1 가스의 흡착에 기여한 후의 제1 가스나 반응 부생성물을 처리 공간(205) 내로부터 배제한다(잔류 가스 제거). N2 가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해, 처리 공간(205) 내에 잔류하는 미반응 혹은 제1 가스의 흡착에 기여한 후의 제1 가스나 반응 부생성물을 처리 공간(205) 내로부터 배제하는 효과를 높일 수 있다.
(제2 가스 공급: 스텝 S13)
그리고, 처리 공간(205) 내의 웨이퍼(W)에 대하여, 제2 가스를 플래시 공급한다.
본 스텝에서는, 밸브(245b)를 개방하여, MFC(244b)에 의해 유량 조정되어, 미리 제2 가스를 저류한 탱크(246b)로부터, 밸브(247b)를 개방해서 제2 가스 공급관(242b) 내로 제2 가스를 공급하고, 소정 시간 경과 후에, 밸브(247b)를 닫아서 제2 가스 공급관(242b) 내로의 제2 가스의 공급을 정지한다. 제2 가스는, 제2 가스 공급관(242b)으로부터, 가스 도입 구멍(231b), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재하여, 처리 공간(205) 내로 한번에 대량으로 공급되고, 배기관(262)으로부터 배기된다.
이때, 동시에 밸브(245c, 247c, 245d, 247d)를 개방하여, 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d)으로부터, 각각 불활성 가스로서 N2 가스를 공급 해도 된다. 유량 조정된 N2 가스는, 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d), 가스 도입 구멍(231c, 231d), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재하여, 처리 공간(205) 내로 공급되고, 배기관(262)으로부터 배기된다.
이때, 기판 적재대(212)에 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서, 처리 공간(205) 내로 제2 가스가 공급된다. 웨이퍼(W)에는 제2 가스가 공급된다.
제2 가스는, 제1 가스와는 다른 가스이며, 제1 가스와 반응하는 가스이다. 여기에서는, 제2 가스는, 예를 들어 질소(N) 함유 가스로서 설명한다. 구체적으로는, N 함유 가스로서, 암모니아(NH3) 가스가 사용된다. 제1 가스와 제2 가스가 반응하여, 웨이퍼(W) 위에 질화티타늄(TiN) 막을 형성한다.
(잔류 가스 제거: 스텝 S14)
그리고, 처리 공간(205) 내의 웨이퍼(W)에 대하여, 불활성 가스를 플래시 공급하여, 처리 공간(205) 내의 잔류 가스를 제거한다.
본 스텝에서는, 밸브(245c, 245d)를 개방하여, MFC(244c, 244d)에 의해 유량 조정되어, 미리 불활성 가스를 저류한 탱크(246c, 246d)로부터, 밸브(247c, 247d)를 개방해서 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d) 내로 각각 불활성 가스를 공급하고, 소정 시간 경과 후에, 밸브(247c, 247d)를 닫아서 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d) 내로의 불활성 가스의 공급을 정지한다. 불활성 가스는, 제3 가스 공급관(242c), 제4 가스 공급관(242d)으로부터, 각각 가스 도입 구멍(231c, 231d), 버퍼 공간(232), 관통 구멍(234a)을 개재하여, 처리 공간(205) 내에 한번에 대량으로 공급되고, 배기관(262)로부터 배기된다.
이때, 배기관(262)의 밸브(267), APC(266)는 개방한 채로서, 진공 펌프(269)에 의해 처리 공간(205) 내를 진공 배기하여, 처리 공간(205) 내에 잔류하는 미반응 혹은 제2 가스의 흡착에 기여한 후의 제2 가스나 반응 부생성물을 처리 공간(205) 내로부터 배제한다(잔류 가스 제거). N2 가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해, 처리 공간(205) 내에 잔류하는 미반응 혹은 제2 가스의 흡착에 기여한 후의 제2 가스나 반응 부생성물을 처리 공간(205) 내로부터 배제하는 효과를 높일 수 있다.
(소정 횟수 실시: 스텝 S15)
상술한 스텝 S11 내지 S14를 1사이클로 하여, 이 사이클을 소정 횟수(n회, n은 1 이상의 정수) 행함으로써, 웨이퍼(W) 위에 소망의 막 두께의 박막이 형성된다.
(기판 반출 공정: 스텝 S16)
이어서, 기판 적재대(212)를 하강시켜, 기판 적재대(212)의 표면으로부터 돌출시킨 리프트 핀(207) 위에 웨이퍼(W)를 지지시킨다. 그 후, 게이트 밸브(149)를 개방하여, 웨이퍼 이동 탑재기를 사용해서 웨이퍼(W)를 처리 용기(202)의 밖으로 반출한다. 그 후, 기판 처리 공정을 종료하는 경우는, 불활성 가스 공급계로부터 처리 용기(202) 내에 불활성 가스를 공급하는 것을 정지한다.
즉, 처리 공간(205) 내의 열을 이용해서 탱크(246a 내지 246d)를 가열하는 것이 가능하게 되고, 가열에 필요한 전력량의 삭감으로 연결되어 에너지 절약화를 도모할 수 있다. 또한, 탱크(246a 내지 246d)를 사용함으로써 웨이퍼(W) 위에 형성되는 막의 커버리지 성능 등의 막의 특성을 향상시킬 수 있다.
(3) 변형예
상술한 양태에 있어서의 기판 처리 시퀀스는, 이하에 나타내는 변형예와 같이 변형할 수 있다. 이하에 있어서, 특히 설명이 없는 한, 변형예에 있어서의 구성은, 상술한 양태에 있어서의 구성과 마찬가지이며, 설명을 생략한다.
[변형예 1]
도 4는, 변형예 1에 관한 기판 처리 시퀀스를 도시하는 도면이다.
본 변형예에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 상술한 양태의 기판 처리 공정에서의 스텝 S12를 행하지 않는다. 즉, 웨이퍼(W) 위에 제1 가스의 플래시 공급(S11)과, 제2 가스의 플래시 공급(S13)을 연속해서 행하고, 그후 잔류 가스 제거(S14)를 행한다. 본 변형예에 있어서도, 상술한 양태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 본 변형예에 있어서는, 또한 상술한 양태의 기판 처리 공정과 비교해서 처리 시간을 짧게 할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 본 명세서에 있어서의 처리 시간이란, 그 처리를 계속하는 시간을 의미한다. 이것은, 이하의 설명에 있어서도 마찬가지이다.
[변형예 2]
도 5는, 변형예 2에 관한 기판 처리 시퀀스를 도시하는 도면이다.
본 변형예에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 제1 가스의 플래시 공급(S11)을 개시하고, 제1 가스의 플래시 공급을 정지하기 전에, 제2 가스의 플래시 공급(S13)을 개시한다. 그리고, 제2 가스의 플래시 공급(S13)의 개시 후에, 제1 가스의 플래시 공(S11)급을 정지하고, 제1 가스의 플래시 공급을 정지한 후에, 제2 가스의 플래시 공급을 정지한다. 즉, 제1 가스의 플래시 공급(S11)과, 제2 가스의 플래시 공급(S13)을, 일부 겹치도록 행한다. 본 변형예에 있어서도, 상술한 양태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 본 변형예에 있어서는, 또한 상술한 양태의 기판 처리 공정 및 변형예 1과 비교해서 더욱 처리 시간을 짧게 할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 개시의 양태 및 변형예를 구체적으로 설명했다. 그러나, 본 개시는 상술한 양태 및 변형예에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능이다.
예를 들어, 상술한 양태에 있어서는, 탱크(246a 내지 246d)에 각종 가스를 저류하고, 처리 공간(205) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 플래시 공급하는 구성을 사용해서 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되는 것이 아니라, 제1 가스와 제2 가스 가운데 적어도 하나의 가스를 탱크에 저류해서 플래시 공급하도록 해도 되고, 불활성 가스는, 탱크를 사용하지 않고 처리 공간(205) 내로 공급하도록 해도 된다. 본 양태에 있어서도, 상술한 양태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 상기 양태에 있어서, 탱크(246a 내지 246d)의 각각에 탱크 히터(300a 내지 300d)를 마련하고, 이들의 탱크 히터(300a 내지 300d)를 온도 조정부(302)에 의해 조정하는 경우를 사용해서 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되는 것이 아니라, 온도 조정부를 구비한 탱크를 사용해도 된다. 본 형태에 있어서도, 상술한 양태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 상기 양태에 있어서의 가스는, 상술한 가스종에 한정되는 것은 아니다. 또한, 박막 형성 공정으로서는, 제1 가스와 제2 가스를 사용해서 박막을 형성하는 경우를 예로서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 1개의 가스나, 3개 이상의 가스를 사용해도 된다. 본 형태에 있어서도, 상술한 양태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 상기 양태에서는, 제1 가스 공급계 내지 제4 가스 공급계를 각각 덮개(231)에 접속하여, 각각의 가스 공급관으로부터 각각의 가스를 처리 공간(205) 내에 공급하는 경우를 사용해서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 제1 가스 공급계 내지 제4 가스 공급계를 1개의 가스 공급관에 접속하여, 1개의 가스 공급관에 의해 각각의 가스를 처리 공간(205) 내로 공급하도록 해도 된다. 본 형태에 있어서도, 상술한 양태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 기판 처리에 사용되는 레시피는, 처리 내용에 따라 개별로 준비하고, 전기 통신 회선이나 외부 기억 장치(282)를 개재해서 기억 장치(280c) 내에 저장해 두는 것이 바람직하다. 그리고, 기판 처리를 개시할 때, CPU(280a)가, 기억 장치(280c) 내에 저장된 복수의 레시피 중에서 기판 처리의 내용에 따라, 적정한 레시피를 적절히 선택하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 1대의 기판 처리 장치에서 각양각색의 막종, 조성비, 막질, 막 두께의 막을, 재현성 좋게 형성할 수 있게 된다. 또한, 오퍼레이터의 부담을 저감할 수 있고, 조작 미스를 회피하면서, 처리를 신속히 개시할 수 있게 된다.
상술한 레시피는, 새롭게 작성하는 경우에 한하지 않고, 예를 들어 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 변경함으로써 준비해도 된다. 레시피를 변경하는 경우는, 변경 후의 레시피를, 전기 통신 회선이나 당해 레시피를 기록한 기록 매체를 개재하여, 기판 처리 장치에 인스톨해도 된다. 또한, 기존의 기판 처리 장치가 구비하는 입력 장치(281)를 조작하고, 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 직접 변경하도록 해도 된다.
상술한 양태에서는, 한번에 1매 또는 수매의 기판을 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명했다. 본 개시는 상술한 양태에 한정되지 않고, 예를 들어 한번에 복수매의 기판을 처리하는 배치식의 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도, 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 상술한 양태에서는, 콜드월형의 처리로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명했다. 본 개시는 상술한 양태에 한정되지 않고, 핫월형의 처리로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도, 적합하게 적용 할 수 있다.
이들의 기판 처리 장치를 사용하는 경우에 있어서도, 상술한 양태나 변형예와 마찬가지의 처리 수순, 처리 조건으로 기판 처리를 행할 수 있고, 이것들과 마찬가지의 효과가 얻어진다.
100: 기판 처리 장치
202: 처리 용기
246a, 246b, 246c, 246d: 탱크(저류 용기)
302: 온도 조정부
W: 웨이퍼(기판)

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 외벽에 적어도 일부가 접촉하고, 상기 처리 용기 내에 공급하는 가스를 저류하는 저류 용기와,
    상기 저류 용기 내의 온도를 조정하는 온도 조정부를 갖는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 조정부는, 상기 저류 용기 내의 온도를, 당해 저류 용기 내에 저류하는 가스의 분해 온도보다 낮은 온도로 조정하는 것이 가능하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 온도 조정부는, 상기 저류 용기 내의 온도를, 상기 기판의 처리 온도보다 낮은 온도로 조정하는 것이 가능하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    제1 압력으로 상기 가스가 상기 저류 용기에 공급된 후, 상기 제1 압력 이하의 제2 압력으로 상기 가스를 저류하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 저류 용기와는 다른 저류 용기 내에 불활성 가스를 저류하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 처리 용기 내에 제1 가스를 공급한 후에, 상기 제1 가스와는 다른 제2 가스를 공급하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 저류 용기 내에는, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나의 가스를 저류하는, 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리하는 처리 용기의 외벽에 적어도 일부가 접촉하고, 온도 조정부에 의해 내부의 온도가 조정되는 저류 용기 내에 가스를 저류하는 공정과,
    상기 저류 용기 내에 저류한 가스를 상기 처리 용기 내에 공급하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가스를 저류하는 공정에서는, 상기 온도 조정부에 의해 상기 저류 용기 내의 온도를, 당해 저류 용기 내에 저류하는 상기 가스의 분해 온도보다 낮은 온도로 조정하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 온도 조정부는, 상기 저류 용기 내의 온도를, 상기 기판의 처리 온도보다 낮은 온도로 조정하는 것이 가능하도록 구성되는, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 가스를 제1 압력으로 상기 저류 용기 내에 공급하는 공정을 갖고,
    상기 가스를 저류하는 공정에서는, 상기 가스를 상기 제1 압력으로 상기 저류 용기 내에 공급한 후, 상기 제1 압력 이하의 제2 압력으로 상기 저류 용기 내에 상기 가스를 저류하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 저류 용기와는 다른 저류 용기 내에 불활성 가스를 저류하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 처리 용기 내에 제1 가스를 공급한 후에, 상기 제1 가스와는 다른 제2 가스를 공급하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 가스를 저류하는 공정에서는, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나의 가스를 상기 저류 용기 내에 저류하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 기판을 처리하는 처리 용기의 외벽에 적어도 일부가 접촉하고, 온도 조정부에 의해 내부의 온도가 조정되는 저류 용기 내에 가스를 저류하는 수순과,
    상기 저류 용기 내에 저류한 가스를 상기 처리 용기 내에 공급하는 수순을 컴퓨터를 사용해서 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 가스를 저류하는 수순에서는, 상기 온도 조정부에 의해 상기 저류 용기 내의 온도를, 당해 저류 용기 내에 저류하는 상기 가스의 분해 온도보다 낮은 온도로 조정하도록, 컴퓨터를 사용해서 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 프로그램.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 가스를 제1 압력으로 상기 저류 용기 내에 공급하는 수순을 갖고,
    상기 가스를 저류하는 수순에서는, 상기 가스를 상기 제1 압력으로 상기 저류 용기 내에 공급한 후, 상기 제1 압력 이하의 제2 압력으로 상기 저류 용기 내에 상기 가스가 저류되도록, 컴퓨터를 사용해서 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 프로그램.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 저류 용기 내에 불활성 가스를 저류하는 수순을, 컴퓨터를 사용해서 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 프로그램.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 처리 용기 내에 제1 가스를 공급한 후에, 상기 제1 가스와는 다른 제2 가스를 공급하는 수순을, 컴퓨터를 사용해서 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 프로그램.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 가스를 저류하는 수순에서는, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나의 가스를 상기 저류 용기 내에 저류하도록, 컴퓨터를 사용해서 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 프로그램.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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