KR20240000430A - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각각 발광 영역과 비 발광 영역을 가지는 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되며, 발광 영역에 위치하는 복수의 발광층, 복수의 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 제2 전극 상에 배치되는 패시베이션층, 패시베이션층의 상부에 배치되는 컬러 필터층, 및 컬러 필터층 하부에 배치되며, 비 발광 영역에 대응하도록 위치하는 광흡수부를 포함하고, 복수의 발광층은 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 모두에 연속적으로 배치되고, 광흡수부는 패시베이션층과 컬러 필터층 사이에 배치된다. 유기 발광 소자를 구동하는 박막 트랜지스터가 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터일 경우, 수소와 화학반응하여 수소-금속 화합물을 형성할 수 있는 금속 또는 금속 합금에 의하여 확산성 활성 수소를 트랩할 수 있다.An organic light emitting display device is provided. An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate including red, green, and blue sub-pixel regions each having an emission region and a non-emission region, a first electrode disposed on the substrate, and a first electrode disposed on the substrate. , a plurality of light-emitting layers located in the light-emitting area, a second electrode disposed on the plurality of light-emitting layers, a passivation layer disposed on the second electrode, a color filter layer disposed on an upper part of the passivation layer, and a lower color filter layer, It includes a light absorption portion positioned to correspond to the light emitting area, the plurality of light emitting layers are continuously disposed in all red, green, and blue sub-pixel areas, and the light absorption portion is disposed between the passivation layer and the color filter layer. When the thin film transistor that drives the organic light emitting device is a thin film transistor using an oxide semiconductor, diffusible active hydrogen can be trapped by a metal or metal alloy that can chemically react with hydrogen to form a hydrogen-metal compound.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터가 수소에 의해 문턱 전압이 변동하는 문제를 최소화할 수 있는, 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more specifically, to an organic light emitting display device that can minimize the problem of threshold voltage fluctuations due to hydrogen in a thin film transistor using an oxide semiconductor.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.Organic light emitting display devices are self-emitting display devices, and unlike liquid crystal displays, they do not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, organic light emitting display devices are not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, but also have excellent color rendering, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and are being studied as next-generation displays.
유기 발광 표시 장치는 각각의 서브 픽셀에 배치된 유기 발광 소자가 구동됨에 의해 발광한다. 이 때, 액티브 매트릭스 형의 경우, 각각의 서브 픽셀의 유기 발광 소자를 독립적으로 구동하기 위해 각각의 서브 픽셀에는 유기 발광 소자와 전기적으로 연결된 하나 이상의 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)가 배치된다. 이들 박막 트랜지스터는 유기 발광 표시 장치에서 각각의 서브 픽셀에 배치된 유기 발광 소자에 대한 스위칭 소자 및/또는 구동 소자로서 사용되고 있다.The organic light emitting display device emits light when the organic light emitting element disposed in each subpixel is driven. At this time, in the case of the active matrix type, one or more thin film transistors (TFTs) electrically connected to the organic light emitting elements are disposed in each subpixel to independently drive the organic light emitting elements of each subpixel. These thin film transistors are used as switching elements and/or driving elements for organic light emitting elements disposed in each subpixel in organic light emitting display devices.
박막 트랜지스터는 액티브층으로 사용되는 물질에 따라 비정질 실리콘(amorphous-silicon)을 사용하는 박막 트랜지스터, 다결정 실리콘(poly-silicon)을 사용하는 박막 트랜지스터 및 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터로 나뉜다. 그 중에서, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 경우 비정질 실리콘을 사용하는 박막 트랜지스터 대비 이동도가 높고, 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘을 사용하는 박막 트랜지스터 대비 누설 전류(leakage current)가 현저히 낮으며, 신뢰성이 높다. 또한, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터는 다결정 실리콘을 사용하는 박막 트랜지스터 대비 문턱 전압의 산포가 균일한 특성이 확보된다는 유리함이 있다. 따라서, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터를 유기 발광 표시 장치에 적용하기 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Depending on the material used as the active layer, thin film transistors are divided into thin film transistors using amorphous-silicon, thin film transistors using poly-silicon, and thin film transistors using oxide semiconductors. Among them, thin film transistors using oxide semiconductors have higher mobility compared to thin film transistors using amorphous silicon, significantly lower leakage current and higher reliability than thin film transistors using amorphous silicon or polycrystalline silicon. . In addition, thin film transistors using oxide semiconductors have the advantage of ensuring uniform distribution of threshold voltage compared to thin film transistors using polycrystalline silicon. Therefore, research is being actively conducted to apply thin film transistors using oxide semiconductors to organic light emitting display devices.
그런데, 산화물 반도체의 전기적 특성은 일차적으로 산소의 빈격자점(Vacancy)과 공정 중에 도핑된 수소에 의해 좌우돤다. 산소의 빈격자점 형성이 용이하게 일어날수록 산화물 반도체 내의 캐리어 농도가 증가되고, 수소는 산화물 반도체를 환원시킴으로써, 역시 산화물 반도체의 캐리어 농도 증가에 결정적인 역할을 한다. 산화물 반도체는 캐리어 농도가 증가할수록 이동도가 증가하는 캐리어 농도 구간을 가지기 때문에, 적절한 캐리어 농도 조절이 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 특성을 좌우한다. However, the electrical properties of oxide semiconductors are primarily influenced by oxygen vacancies and hydrogen doped during the process. As the formation of empty lattice points of oxygen occurs more easily, the carrier concentration in the oxide semiconductor increases, and hydrogen plays a decisive role in increasing the carrier concentration of the oxide semiconductor by reducing the oxide semiconductor. Since an oxide semiconductor has a carrier concentration range in which mobility increases as the carrier concentration increases, appropriate carrier concentration control determines the characteristics of a thin film transistor using an oxide semiconductor.
그러나, 고온이나 전기적 스트레스 하에서 다양한 경로를 통해 수소가 산화물 반도체층으로 확산될 수 있다. 산화물 반도체층으로 확산된 수소는 산화물 반도체를 도체화 하고, NBTIS(Negative bias temperature illumination stress) 등의 신뢰성을 저하시킨다. 즉, 산화물 반도체층으로 확산된 수소는 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 특성 및 신뢰성을 저하킬 수 있다. 현재로서는, SiNx/SiO2 이중층과 같은, 절연막의 내부에 존재하는 수소 함유량을 최소화하는 방법이 효과적이라고 알려져 있다.However, hydrogen may diffuse into the oxide semiconductor layer through various paths under high temperature or electrical stress. Hydrogen diffused into the oxide semiconductor layer turns the oxide semiconductor into a conductor and reduces the reliability of NBTIS (Negative bias temperature illumination stress). In other words, hydrogen diffused into the oxide semiconductor layer may deteriorate the characteristics and reliability of a thin film transistor using an oxide semiconductor. Currently, methods for minimizing the hydrogen content present inside the insulating film, such as SiN x /SiO 2 double layer, are known to be effective.
[관련기술문헌][Related technical literature]
1. 적층형 유기발광소자 (특허출원번호 제10-2007-0005069호)One. Stacked organic light emitting device (Patent Application No. 10-2007-0005069)
2. 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 (특허출원번호 제10-2013-0131392호)2. Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof (Patent Application No. 10-2013-0131392)
3. THIN FILM TRANSISTOR HAVING A PATTERNED PASSIVATION LAYER (미국특허등록번호 제8,643,006호)3. THIN FILM TRANSISTOR HAVING A PATTERNED PASSIVATION LAYER (US Patent Registration No. 8,643,006)
본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같이 수소가 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 산화물 반도체 측으로 확산됨에 따라 박막 트랜지스터의 특성이 변동되어 유기 발광 표시 장치의 성능이 저하되는 문제점을 해결하기 위해, 확산성 활성 수소를 트랩(Trap)할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 새로운 구조를 발명하였다.As described above, the inventors of the present invention have developed a diffusion activity to solve the problem that the performance of an organic light emitting display device deteriorates due to changes in the characteristics of the thin film transistor as hydrogen diffuses into the oxide semiconductor side of the thin film transistor using the oxide semiconductor. A new structure for an organic light emitting display device that can trap hydrogen has been invented.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수소를 트랩(Trap)함으로써, 수소가 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 산화물 반도체 측으로 확산되지 못하도록 함으로써, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 특성이 변동이 최소화되는, 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to prevent hydrogen from diffusing into the oxide semiconductor side of a thin film transistor using an oxide semiconductor by trapping hydrogen, thereby minimizing variation in the characteristics of the thin film transistor using an oxide semiconductor. , to provide an organic light emitting display device.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수소를 트랩(Trap)함으로써, 수소가 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 산화물 반도체 측으로 확산되지 못하도록 함으로써, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 특성이 변동이 최소화하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. The problem to be solved by the present invention is to prevent hydrogen from diffusing into the oxide semiconductor side of a thin film transistor using an oxide semiconductor by trapping hydrogen, thereby minimizing variations in the characteristics of the thin film transistor using an oxide semiconductor. An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is provided.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 하부 기판, 금속 또는 금속 합금에 의해 활성 수소를 트랩함으로써 활성 수소의 확산을 최소화하는, 활성 수소 트랩부가 배치된 상부 기판 및 하부 기판과 상부 기판은 활성 수소가 포함된 접착층을 사이에 두고 서로 대향하고, 유기 발광 소자 및 활성 수소 트랩부는 하부 기판과 상부 기판 사이에 배치될 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate on which an organic light emitting element is disposed, an upper substrate on which an active hydrogen trap portion is disposed, which minimizes diffusion of active hydrogen by trapping active hydrogen with a metal or metal alloy, and The lower substrate and the upper substrate face each other with an adhesive layer containing active hydrogen interposed therebetween, and the organic light emitting device and the active hydrogen trap unit may be disposed between the lower substrate and the upper substrate.
이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 수소-금속 화합물의 형태로, 비활성 수소를 머금고 있는 것을 특징으로 한다. At this time, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap part is characterized in that it contains inactive hydrogen in the form of a hydrogen-metal compound.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 하부 기판을 향하여 확산해 나가지 않는, 수소를 포함하는 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion is characterized in that it contains hydrogen that does not diffuse toward the lower substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 티탄족 금속, 전이 후 금속 및 이들의 금속 합금 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the metal or metal alloy is at least one of an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a titanium metal, a post-transition metal, and a metal alloy thereof.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은 란탄-니켈 계 합금, 마그네??-니켈 계 합금, 지르코늄-망간 계 합금, 지르코늄-바나듐 계 합금, 티탄-망간 계 합금, 티탄-바나듐 계 합금, 티탄-철 계 합금, 티탄-코발트 계 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the metal or metal alloy is a lanthanum-nickel-based alloy, a magnesium-nickel-based alloy, a zirconium-manganese-based alloy, a zirconium-vanadium-based alloy, and a titanium-manganese-based alloy. It is characterized in that it contains at least one of an alloy, a titanium-vanadium-based alloy, a titanium-iron-based alloy, and a titanium-cobalt-based alloy.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 패턴 형상을 가지도록 배치되고, 패턴 형상 안에 스트라이프 형상, 브랜치 형상, 그리드 형상 또는 무정형의 형상 중 적어도 어느 하나의 서브 패턴 형상을 가지는 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion is arranged to have a pattern shape, and within the pattern shape, at least one of a stripe shape, a branch shape, a grid shape, or an amorphous shape is formed as a sub-pattern shape. It is characterized by having a.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부의 패턴 형상은 유기 발광 소자 주변 영역에 대응되는 패턴 형상인 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the pattern shape of the active hydrogen trap portion is characterized by a pattern shape corresponding to the area around the organic light emitting device.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부와 상부 기판 사이에, 유기 발광 소자의 주변 영역에 대응되는 패턴 형상을 가지도록 배치되는 광흡수부를 더 포함하고, 광흡수부는 블랙 카본을 포함하는 블랙 레진으로 구성되거나, 서로 다른 색 안료를 포함하는 컬러 필터들이 적층하여 구성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention further includes a light absorption part disposed between the active hydrogen trap part and the upper substrate to have a pattern shape corresponding to the peripheral area of the organic light emitting device, and absorbs the light. The part is composed of black resin containing black carbon, or is composed of color filters containing different color pigments stacked.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 광흡수부의 패턴 형상을 따르는 패턴 형상을 가지고, 패턴 형상 안에 스트라이프 형상, 브랜치 형상, 그리드 형상 또는 무정형의 형상 중 적어도 어느 하나의 서브 패턴 형상을 가지도록 배치되는 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion has a pattern shape that follows the pattern shape of the light absorption portion, and within the pattern shape is at least one of a stripe shape, a branch shape, a grid shape, and an amorphous shape. It is characterized in that it is arranged to have a sub-pattern shape.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부의 서브 패턴 형상은 광흡수부가 접착층에 직접 노출되는 영역인 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the sub-pattern shape of the active hydrogen trap portion is characterized in that the light absorption portion is a region directly exposed to the adhesive layer.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 하부 기판과 유기 발광 소자 사이에 배치된, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Additionally, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may further include a thin film transistor using an oxide semiconductor disposed between the lower substrate and the organic light emitting element.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 소자에서 발광한 광은 상부 기판을 통과하여 외부로 광을 방출하는 것을 특징으로 한다. In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, light emitted from the organic light emitting element passes through the upper substrate and emits light to the outside.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역으로 구획되는, 복수의 서브화소 영역, 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 발광 영역에 대응하여 배치되는 유기 발광 소자 및 활성 수소와 화학 반응하여 수소-금속 화합물을 형성할 수 있는 금속 또는 금속 합금과, 금속 또는 금속 합금이 활성 수소와 화학 반응하여 형성된 수소-금속 화합물을 포함하고, 비 발광 영역에 대응하여 배치되는 활성 수소 트랩부를 포함할 수 있다. An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of subpixel regions divided into a light emitting region and a non-light emitting region surrounding the light emitting region, a first electrode, an organic light emitting layer disposed on the first electrode, and an organic light emitting layer. A metal or metal alloy that includes a second electrode disposed on the organic light emitting element and that is disposed corresponding to the light emitting area and can chemically react with active hydrogen to form a hydrogen-metal compound, and the metal or metal alloy is active hydrogen. and a hydrogen-metal compound formed through a chemical reaction, and may include an active hydrogen trap portion disposed to correspond to a non-emission area.
이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부와 제2 전극 사이에 배치되고, 복수의 서브화소 영역 전면에 연속적으로 배치되는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. At this time, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is disposed between the active hydrogen trap portion and the second electrode and further includes a passivation layer continuously disposed on the entire surface of the plurality of subpixel areas. .
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 패시베이션층 상에 배치되고 활성 수소를 포함하는 접착층을 더 포함하고, 활성 수소 트랩부와 접착층은 서로 직접 접촉하는 것을 특징으로 한다. In addition, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention further includes an adhesive layer disposed on the passivation layer and containing active hydrogen, and the active hydrogen trap portion and the adhesive layer are in direct contact with each other.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 티탄족 금속, 전이 후 금속 및 이들의 금속 합금 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다. In addition, the metal or metal alloy in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that it is at least one of an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a titanium metal, a post-transition metal, and a metal alloy thereof. .
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은, 란탄-니켈 계 합금, 마그네??-니켈 계 합금, 지르코늄-망간 계 합금, 지르코늄-바나듐 계 합금, 티탄-망간 계 합금, 티탄-바나듐 계 합금, 티탄-철 계 합금, 티탄-코발트 계 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the metal or metal alloy in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may be a lanthanum-nickel-based alloy, a magnesium-nickel-based alloy, a zirconium-manganese-based alloy, a zirconium-vanadium-based alloy, or a titanium-manganese-based alloy. It is characterized in that it contains at least one of a titanium-vanadium-based alloy, a titanium-iron-based alloy, and a titanium-cobalt-based alloy.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 불투명한 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion is characterized as being opaque.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명은 확산성 활성 수소를 트랩하는 활성 수소 트랩부에 의해, 접착층 내에 존재하는 확산성 활성 수소의 함량을 최소화 할 수 있다. 이로써 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터의 산화물 반도체층의 환원을 최소화 하여, 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변동을 최소화할 수 있다. The present invention can minimize the content of diffusible active hydrogen present in the adhesive layer by using an active hydrogen trap unit that traps diffusible active hydrogen. As a result, the reduction of the oxide semiconductor layer of the thin film transistor using an oxide semiconductor can be minimized, thereby minimizing the threshold voltage variation of the thin film transistor.
또한, 본 발명은 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변동을 최소화하여, 유기 발광 소자의 구동에 이상이 발생하지 않도록 할 수 있다. 이로써 유기 발광 표시 장치의 불량을 최소화할 수 있다. In addition, the present invention can minimize fluctuations in the threshold voltage of the thin film transistor to prevent abnormalities in driving the organic light-emitting device. As a result, defects in the organic light emitting display device can be minimized.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included in the present specification.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.1 to 3 are schematic cross-sectional views for explaining an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현된다. 단지 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것일 뿐, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의된다.The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but is implemented in various different forms. The examples are merely provided to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art of the present invention of the scope of the invention, and the present invention is defined by the scope of the claims. do.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로, 본 발명이 도면에 개시된 사항에 한정되는 것은 아니다.The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters disclosed in the drawings.
본 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout this specification.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상, 다른 부분이 추가될 수 있는 개방적인 의미를 가진다.When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, unless 'only' is used, they have an open meaning in which other parts can be added.
본 명세서에서 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한, 해당 구성 요소가 복수인 경우를 배제하는 것으로 해석되지 않는다.In this specification, when an element is expressed in the singular, it is not construed to exclude the case where the element is plural, unless specifically stated.
본 명세서에서 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 실질적으로 동일하다고 볼 수 있는 오차 범위까지를 감안하여 그 구성 요소를 해석하여야 한다.When interpreting the components in this specification, even if there is no separate explicit description, the components should be interpreted taking into account the error range that can be considered substantially the same.
본 명세서에서 구성 요소 간의 위치 관계에 대하여 설명함에 있어서, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등이 사용되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’ 또는 ‘접촉하여’가 함께 사용되지 않는 이상, 해당 구성 요소의 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 위치할 수도 있다.In explaining the positional relationship between components in this specification, for example, when 'on', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc. are used, 'right next to' is used. Alternatively, unless 'directly' or 'in contact' are used together, one or more other components may be located between the corresponding components.
본 명세서에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 ‘연결’, ‘결합’ 또는 ‘접속’된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수도 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 ‘개재’되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통하여 ‘연결’, ‘결합’ 또는 ‘접속’될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In this specification, when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but there is an interconnection between each component. It should be understood that other components may be 'interposed', or that each component may be 'connected', 'combined', or 'connected' through other components.
본 명세서에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소와 ‘중첩’된다고 기재된 경우, 이는 특별히 다른 설명이 없는 한, 상부 기판(116) 내지 하부 기판을 기준 평면이라고 보고, 그에 대하여 수직적으로 적층하여 중첩된다는 의미로 이해될 수 있다.In this specification, when a component is described as 'overlapping' with another component, unless otherwise specified, this means that the upper substrate 116 to the lower substrate is regarded as a reference plane and is vertically stacked and overlapped with the upper substrate 116 to the lower substrate. It can be understood.
본 명세서에서 어떤 구성 요소를 설명함에 있어서, ‘제1’, ‘제2’, ‘A’, ‘B’, ‘(a)’, ‘(b)’ 등이 사용될 수 있다. 해당 구성 요소를 해석함에 있어 이들 용어들에 의해 제한되지 않는다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지는 않는다. 따라서, 이하에서 언급되는 ‘제1’ 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 ‘제2’ 구성 요소일 수도 있다.When describing certain elements in this specification, ‘first’, ‘second’, ‘A’, ‘B’, ‘(a)’, ‘(b)’, etc. may be used. Interpretation of the relevant components is not limited by these terms. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term. Therefore, the ‘first’ component mentioned below may also be a ‘second’ component within the technical idea of the present invention.
본 발명의 여러 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or fully combined or combined with each other, and various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. .
본 발명의 다양한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성 요소 중 각종 층들이 편의상 직사각형으로 모식적으로 표현되어 있어, 각종 층들은 전면(前面)과 측면(側面)이 명확하게 구분되는 것처럼 보이나, 실제로는 그 형태가 전면과 측면이 명확하게 구분되지 않는 완만한 곡선형일 수 있다.Organic light emitting display devices according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In the drawing, the various layers among the components of the organic light emitting display device according to the present invention are schematically represented as rectangles for convenience, so the various layers appear to have clearly separated front and side surfaces, but in reality, the various layers are represented as rectangles for convenience. The shape may be a gently curved shape with no clear distinction between the front and sides.
본 발명의 발명자들은, 패시베이션층(115) 상에 접착층(140)이 배치됨에 따라, 패시베이션층(115)의 성막 과정에서 발생한 확산성 활성 수소가 점차 접착층(140)으로 확산되어 접착층(140)에 포함된 고분자들의 틈새 사이 사이에 존재하여 있다는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명의 발명자들은, 이렇게 접착층(140) 내에 존재하는 확산성 활성 수소가, 접착층(140) 내에 머물러 있지 않고 계속 확산되어 결국 산화물 반도체를 사용한 박막 트랜지스터의 산화물 반도체층을 환원시키는 요인으로 직용한다는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명의 발명자들은, 확산성 활성 수소에 의해 산화물 반도체층이 환원됨에 따라 산화물 반도체층의 캐리어 농도가 변하게 되고, 결국 박막 트랜지스터의 모빌리티(mobility) 및 문턱 전압이 변동되어 박막 트랜지스터의 특성이 변화된다는 것을 발견하였다. 이러한 현상은 유기 발광 표시 장치의 구동 이상 현상을 야기하여, 유기 발광 표시 장치의 불량으로 이어지는 이유가 된다. The inventors of the present invention have discovered that as the adhesive layer 140 is disposed on the passivation layer 115, the diffusible active hydrogen generated during the film formation process of the passivation layer 115 gradually diffuses into the adhesive layer 140. It was discovered that it exists between the gaps between the contained polymers. In addition, the inventors of the present invention believe that the diffusible active hydrogen present in the adhesive layer 140 does not remain in the adhesive layer 140 but continues to diffuse and is ultimately used as a factor in reducing the oxide semiconductor layer of a thin film transistor using an oxide semiconductor. found that it does. In addition, the inventors of the present invention found that as the oxide semiconductor layer is reduced by diffusible active hydrogen, the carrier concentration of the oxide semiconductor layer changes, and eventually the mobility and threshold voltage of the thin film transistor change, thereby changing the characteristics of the thin film transistor. found to be changing. This phenomenon causes abnormal operation of the organic light emitting display device, leading to defects in the organic light emitting display device.
본 발명의 발명자들은 이에 따른 문제를 해결하기 위하여 본 발명을 제안하게 되었다. 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명하기로 한다.The inventors of the present invention proposed the present invention to solve the problem. Hereinafter, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역(EA)와 발광 영역(EA)을 둘러싸는 비 발광 영역(Non-EA)으로 구획되는 복수의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B)이 정의되는 하부 기판(110), 하부 기판(110)에 배치되는 박막 트랜지스터(120) 및 유기 발광 소자(130), 하부 기판(110)과 서로 대향하는 상부 기판(116), 상부 기판(116)에 배치되는 광흡수부(150), 활성 수소 트랩부(160) 및 컬러 필터층(170)을 포함한다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 박막 트랜지스터(120), 유기 발광 소자(130), 광흡수부(150), 활성 수소 트랩부(160)가 하부 기판(110)과 상부 기판(116) 사이에 배치되도록 접착층(140)이 하부 기판(110)과 상부 기판(116)을 접착한다. 즉, 접착층(140)이 하부 기판(110)과 상부 기판(160) 사이에 배치되어 하부 기판(110)과 상부 기판(160)이 일체로 결합되도록 한다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of subpixels divided into an emission area (EA) and a non-emission area (Non-EA) surrounding the emission area (EA). A lower substrate 110 in which regions (SP_R, SP_G, SP_B) are defined, a thin film transistor 120 and an organic light emitting device 130 disposed on the lower substrate 110, and an upper substrate opposing the lower substrate 110 ( 116), and includes a light absorption portion 150, an active hydrogen trap portion 160, and a color filter layer 170 disposed on the upper substrate 116. In addition, the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor 120, an organic light emitting element 130, a light absorption part 150, and an active hydrogen trap part 160 connected to the lower substrate 110 and the lower substrate 110. The adhesive layer 140 is disposed between the upper substrate 116 and adheres the lower substrate 110 and the upper substrate 116. That is, the adhesive layer 140 is disposed between the lower substrate 110 and the upper substrate 160 so that the lower substrate 110 and the upper substrate 160 are integrally coupled.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 발광 영역(EA)에 대응하여 배치되고 박막 트랜지스터(120)를 통해 구동됨으로써 광을 방출하는 유기 발광 소자(130)가 배치된 하부 기판(110), 유기 발광 소자(130)에서 방출되는 광의 색을 필터링하는 컬러 필터층(170) 및 비 발광 영역(Non-EA)에 대응하여 배치되고 활성 수소의 확산을 최소화하는 활성 수소 트랩부(160)가 순차로 배치된 상부 기판(160)을 포함하고, 이 때, 하부 기판(110)과 상부 기판(116)은 접착층(140)을 사이에 두고 서로 대향하여 포개진다. 이 때, 양 기판들(110, 116) 사이에 박막 트랜지스터(120), 유기 발광 소자(130), 컬러 필터층(170) 및 활성 수소 트랩부(160)가 배치되게끔 하부 기판(110)과 상부 기판(116)이 포개진다. 포개지는 하부 기판(110)과 상부 기판(116)은 양 기판들(110, 116) 전면(全面)에 도포되는 접착층(140)에 의해 접착된다. That is, the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention has an organic light emitting element 130 disposed corresponding to the light emitting area EA and emitting light by being driven through the thin film transistor 120. The lower substrate 110, the color filter layer 170 that filters the color of light emitted from the organic light-emitting device 130, and the active hydrogen trap are disposed corresponding to the non-emission area (Non-EA) and minimize the diffusion of active hydrogen. The portion 160 includes an upper substrate 160 arranged sequentially, and at this time, the lower substrate 110 and the upper substrate 116 are overlapped to face each other with the adhesive layer 140 interposed therebetween. At this time, the lower substrate 110 and the upper substrate are disposed between the thin film transistor 120, the organic light emitting device 130, the color filter layer 170, and the active hydrogen trap unit 160 between the two substrates 110 and 116. The substrates 116 are overlapped. The overlapping lower substrate 110 and upper substrate 116 are bonded by an adhesive layer 140 applied to the entire surface of both substrates 110 and 116.
구체적으로, 하부 기판(110)은 적색 서브화소 영역(SP_R), 녹색 서브화소 영역(SP_G) 및 청색 서브화소 영역(SP_B)을 포함한다. 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B)은 각각의 발광 영역(EA_R, EA_G, EA_B)을 갖는다. 구체적으로, 적색 서브화소 영역(SP_R)은 적색 발광 영역(EA_R)을 갖고, 녹색 서브화소 영역(SP_G)은 녹색 발광 영역(EA_G)을 갖고, 청색 서브화소 영역(SP_B)은 청색 발광 영역(EA_B)을 갖는다. 컬러 필터층(170)은 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로 적색 컬러 필터(171), 녹색 컬러 필터(172) 및 청색 컬러 필터(173)를 포함한다. 경우에 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 백색 서브화소 영역을 더 포함할 수도 있고, 백색 서브화소 영역에는 컬러 필터가 배치되지 않을 수도 있다.Specifically, the lower substrate 110 includes a red sub-pixel area (SP_R), a green sub-pixel area (SP_G), and a blue sub-pixel area (SP_B). Each sub-pixel area (SP_R, SP_G, SP_B) has a respective emission area (EA_R, EA_G, EA_B). Specifically, the red sub-pixel area (SP_R) has a red light-emitting area (EA_R), the green sub-pixel area (SP_G) has a green light-emitting area (EA_G), and the blue sub-pixel area (SP_B) has a blue light-emitting area (EA_B). ) has. The color filter layer 170 includes a red color filter 171, a green color filter 172, and a blue color filter 173 for each sub-pixel area (SP_R, SP_G, SP_B). In some cases, the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention may further include a white sub-pixel area, and a color filter may not be disposed in the white sub-pixel area.
도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치이나, 이는 예시적인 구조일 뿐 이에 제한되지 않는다. The organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is a top emission type organic light emitting display device, but this is only an exemplary structure and is not limited thereto.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 박막 트랜지스터(120)는 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터(Oxide TFT)이다. 도 1을 참조하면, 하부 기판(110) 상에 게이트 전극(121), 게이트 절연층(112), 산화물 반도체층(122), 에치 스타퍼(112), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함하는 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. The thin film transistor 120 of the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention is a thin film transistor (Oxide TFT) using an oxide semiconductor. Referring to FIG. 1, a gate electrode 121, a gate insulating layer 112, an oxide semiconductor layer 122, an etch stopper 112, a source electrode 123, and a drain electrode 124 are formed on the lower substrate 110. ) A thin film transistor 120 including ) is disposed.
하부 기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 배치된다. 게이트 전극(121)은 전도성이 우수한, 금속 또는 금속 합금으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(121)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티탄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 또는 이들의 합금 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. A gate electrode 121 is disposed on the lower substrate 110. The gate electrode 121 may be made of a metal or metal alloy with excellent conductivity. For example, the gate electrode 121 is made of molybdenum (Mo), tungsten (W), platinum (Pt), tantalum (Ta), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), It may be made of at least one of nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), or an alloy thereof, but is not limited thereto, and may be formed of various materials.
게이트 전극(121) 상에 게이트 절연층(111)이 배치된다. 게이트 절연층(111)은 게이트 전극(121)을 전기적으로 절연시키며, 게이트 전극(121)에 직접 접촉하여 배치된다. 게이트 절연층(111)은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 금속 산화물로 구성될 수 있다. 구체적으로, 금속 산화물층은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티탄 산화물, 하프늄 산화물, 란타늄 산화물 등 중 하나로 이루어질 수 있다. A gate insulating layer 111 is disposed on the gate electrode 121. The gate insulating layer 111 electrically insulates the gate electrode 121 and is disposed in direct contact with the gate electrode 121. The gate insulating layer 111 may be composed of silicon oxide, silicon nitride, or metal oxide. Specifically, the metal oxide layer may be made of one of aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, and lanthanum oxide.
게이트 절연층(111) 상에 산화물 반도체층(122)이 배치된다. 산화물 반도체층(122)은 반도체 성질을 가지는, 금속 산화물로 구성될 수 있다. 이 때, 반도체 성질을 가지는 금속 산화물은 인듐 산화물(InO), 주석 산화물(SnO), 아연 산화물(ZnO), 카드뮴 산화물(CdO), 갈륨 산화물(GaO), 하프늄 인듐 아연 산화물(HfInZnO), 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO), 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 주석 아연 산화물(SnZnO) 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다. 이 때, 산화물 반도체층(122)의 두께는 약 10 내지 1000 nm 정도의 두께로 형성될 수 있으나, 다양하게 조정될 수 있다.An oxide semiconductor layer 122 is disposed on the gate insulating layer 111. The oxide semiconductor layer 122 may be composed of a metal oxide that has semiconductor properties. At this time, metal oxides with semiconductor properties include indium oxide (InO), tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), cadmium oxide (CdO), gallium oxide (GaO), hafnium indium zinc oxide (HfInZnO), and indium gallium. It may be made of at least one of zinc oxide (InGaZnO), indium tin zinc oxide (InSnZnO), indium zinc oxide (InZnO), and tin zinc oxide (SnZnO). At this time, the thickness of the oxide semiconductor layer 122 may be formed to be about 10 to 1000 nm thick, but may be adjusted in various ways.
산화물 반도체층(122) 상에 에치 스타퍼(112)가 배치된다. 보다 구체적으로, 에치 스타퍼(112)는 산화물 반도체층(122)의 백 채널(Back-channel) 상에서 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 사이에 배치된다. 에치 스타퍼(112)는 절연 물질로 구성된다. 이러한 에치 스타퍼(112)는 산화물 반도체층(122)이 포토 공정에 의해 화학물질과 접촉하는 것을 방지하고, 습식 또는 건식 식각 및 플라즈마 공정 등에 의해 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 즉, 에치 스타퍼(112)에 의해, 공정 수행 중 발생할 수 있는 산화물 반도체층(122)의 캐리어 농도 변화를 최소화 할 수 있다. An etch stopper 112 is disposed on the oxide semiconductor layer 122. More specifically, the etch stopper 112 is disposed between the source electrode 123 and the drain electrode 124 on the back-channel of the oxide semiconductor layer 122. The etch stopper 112 is made of an insulating material. The etch stopper 112 serves to prevent the oxide semiconductor layer 122 from coming into contact with chemicals during a photo process and from being damaged by wet or dry etching and plasma processes. That is, by using the etch stopper 112, changes in carrier concentration of the oxide semiconductor layer 122 that may occur during process performance can be minimized.
산화물 반도체층(122) 및 에치 스타퍼(112) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각은, 산화물 반도체층(122)과 직접 접촉하는 방식으로 산화물 반도체층(122)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은, 에치 스타퍼(112) 및 산화물 반도체층(122)의 양측 가장자리를 덮는 형태로 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티탄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 또는 이들의 합금 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 중 어느 하나는 이하에서 살펴볼 제1 전극(131)과 전기적으로 연결된다. A source electrode 123 and a drain electrode 124 are disposed on the oxide semiconductor layer 122 and the etch stopper 112. Each of the source electrode 123 and the drain electrode 124 is electrically connected to the oxide semiconductor layer 122 by directly contacting the oxide semiconductor layer 122 . The source electrode 123 and the drain electrode 124 are arranged to cover both edges of the etch stopper 112 and the oxide semiconductor layer 122. The source electrode 123 and the drain electrode 124 are made of molybdenum (Mo), tungsten (W), platinum (Pt), tantalum (Ta), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), and titanium (Ti). ), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), or an alloy thereof, but is not limited thereto, and may be formed of various materials. One of the source electrode 123 and the drain electrode 124 is electrically connected to the first electrode 131, which will be discussed below.
본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 유기 발광 표시 장치(100)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중 구동 박막 트랜지스터(120)만을 도시하였다. 또한, 본 명세서에서는 박막 트랜지스터(120)가 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조인 것으로 설명하나 코플래너(coplanar) 구조의 박막 트랜지스터도 사용될 수 있다.In this specification, for convenience of explanation, only the driving thin film transistor 120 is shown among various thin film transistors that can be included in the organic light emitting display device 100. Additionally, in this specification, the thin film transistor 120 is described as having an inverted staggered structure, but a thin film transistor with a coplanar structure may also be used.
박막 트랜지스터(120) 상에 오버 코팅층(113)이 배치된다. 오버 코팅층(113)은 절연 물질로 형성되고, 예를 들어, 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부텐 및 포토레지스트 중 하나로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.An overcoating layer 113 is disposed on the thin film transistor 120. The overcoating layer 113 is formed of an insulating material, for example, acrylic resin, epoxy resin, phenol resin, polyamide resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene resin, polyphenylene sulfide. It may be formed of one of resin, benzocyclobutene, and photoresist, but is not limited thereto.
오버 코팅층(113) 상에 유기 발광 소자(130) 및 뱅크(114)가 배치된다. 이 때, 유기 발광 소자(130)는 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 마다 배치되며, 제1 전극(131), 유기 발광층(132) 및 제2 전극(133)을 포함하고, 박막 트랜지스터(120)에 의해 구동됨에 따라 계조가 조절되면서 발광을 한다.The organic light emitting device 130 and the bank 114 are disposed on the overcoating layer 113. At this time, the organic light-emitting device 130 is disposed in each sub-pixel region (SP_R, SP_G, and SP_B), includes a first electrode 131, an organic light-emitting layer 132, and a second electrode 133, and is formed of a thin film. As it is driven by the transistor 120, the gradation is adjusted and light is emitted.
보다 구체적으로, 제1 전극(131)이 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로 독립하여 오버 코팅층(113) 상에 배치된다. 이 때, 제1 전극(131)은 정공(hole)을 유기 발광층(132)에 공급하는 전극일 수 있다. 평면상으로 보았을 때, 아일랜드 형상을 가지는 제1 전극(131)의 주변을 둘러서 뱅크(114)가 배치된다. 제1 전극(131) 및 뱅크(114) 상에 유기 발광층(132)이 배치되고, 유기 발광층(132) 상에 제2 전극(131)이 배치된다. 이 때, 제2 전극(133)은 전자(electron)를 유기 발광층(132)에 공급하는 전극일 수 있다.More specifically, the first electrode 131 is independently disposed on the overcoating layer 113 for each sub-pixel region (SP_R, SP_G, SP_B). At this time, the first electrode 131 may be an electrode that supplies holes to the organic light emitting layer 132. When viewed in plan, the bank 114 is arranged around the first electrode 131, which has an island shape. The organic emission layer 132 is disposed on the first electrode 131 and the bank 114, and the second electrode 131 is disposed on the organic emission layer 132. At this time, the second electrode 133 may be an electrode that supplies electrons to the organic light emitting layer 132.
제1 전극(131) 상에 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로, 각각의 발광 영역(EA_R, EA_G, EA_B)이 구획된다. 각각의 발광 영역(EA_R, EA_G, EA_B)은, 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로 아일랜드 형상으로 배치된 각각의 제1 전극(131) 상에서, 뱅크(114)와 중첩되지 않는 제1 전극(131) 영역에 의해 구획된다. 즉, 뱅크(114)가 배치되지 않은 제1 전극(131) 영역에 의해 발광 영역(EA)이 정의되고, 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B)은 각각의 발광 영역(EA_R, EA_G, EA_B)과 그 이외의 영역인 비 발광 영역(Non-EA)으로 구획된다. 이 때, 뱅크(114)는 제1 전극(131)의 가장자리를 덮는 형상으로 배치될 수 있다. 이리하여, 유기 발광 소자(130)는 발광 영역(EA)에서 발광을 하게 되고, 평면상으로 보았을 때, 유기 발광 소자(130) 주변 영역은 비 발광 영역(Non-EA)에 대응된다.On the first electrode 131, each light-emitting area (EA_R, EA_G, EA_B) is divided for each sub-pixel area (SP_R, SP_G, SP_B). Each light-emitting area (EA_R, EA_G, EA_B) has a first electrode that does not overlap the bank 114 on each first electrode 131 arranged in an island shape for each sub-pixel area (SP_R, SP_G, SP_B). It is divided by 1 electrode 131 area. That is, the light-emitting area EA is defined by the area of the first electrode 131 where the bank 114 is not disposed, and each sub-pixel area SP_R, SP_G, SP_B is each light-emitting area EA_R, EA_G, EA_B) and the other area, the non-emission area (Non-EA). At this time, the bank 114 may be arranged to cover the edge of the first electrode 131. In this way, the organic light emitting device 130 emits light in the light emitting area (EA), and when viewed from a plan view, the area around the organic light emitting device 130 corresponds to the non-light emitting area (Non-EA).
뱅크(114)는 절연물질로 구성된다. 예를 들어, 뱅크(114)는 블랙 카본(Black carbon)을 포함하는 블랙 레진(Black-resin)으로 구성될 수 있다. Bank 114 is made of insulating material. For example, the bank 114 may be made of black-resin containing black carbon.
제1 전극(131)에 포함된 물질은 제2 전극(133)에 포함된 물질에 비해서 일함수가 높은 물질일 수 있다. 이러한 경우, 유기 발광 소자(130)에서 제1 전극(131)은 반사판을 포함하는 애노드로, 제2 전극(133)은 캐소드로 각각 작용할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 예시적으로 제1 전극(131)이 애노드로 작용하고, 제2 전극(133)이 캐소드로 작용하는 경우에 대하여 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.The material included in the first electrode 131 may have a higher work function than the material included in the second electrode 133. In this case, in the organic light emitting device 130, the first electrode 131 may function as an anode including a reflector, and the second electrode 133 may function as a cathode. In the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention, a case where the first electrode 131 acts as an anode and the second electrode 133 acts as a cathode is described, but in this case, The invention is not limited to this.
도 1에서는 제1 전극(131)이 단일층인 것으로 도시되었으나, 제1 전극(131)은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함할 수 있다. 제1 전극(131)의 반사층은 오버 코팅층(113) 상에 형성되고, 오버 코팅층(113)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 제1 전극(131)의 반사층은 광반사성이 우수한 금속 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 은 합금(Ag alloy) 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제1 전극(131)의 투명 도전층은 일함수가 높은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어질 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide) 등과 같은 물질로 이루어질 수 있다.Although the first electrode 131 is shown as a single layer in FIG. 1, the first electrode 131 may include a reflective layer and a transparent conductive layer on the reflective layer. The reflective layer of the first electrode 131 is formed on the overcoating layer 113 and is electrically connected to either the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor 120 through a contact hole formed in the overcoating layer 113. The reflective layer of the first electrode 131 may be made of a metal material with excellent light reflection properties, for example, a metal material such as silver alloy (Ag alloy). The transparent conductive layer of the first electrode 131 may be made of transparent conductive oxide (TCO) with a high work function, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
제2 전극(131)은 광반투과성의 도전층으로 구성된다. 즉, 제2 전극(131)은 유기 발광층(132)에서 발광된 광 중 일부는 통과시켜 외부로 방출되도록 하고, 다른 일부는 제1 전극(131) 방향으로 반사되도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 제2 전극(131)은 일함수가 낮은 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한 제2 전극(131)은 광투과성을 확보하기 위하여 매우 얇은 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(131)은 은(Ag), 티탄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속 물질이 500 A 보다 작은 두께로 아주 얇게 형성된 반투과층일 수 있다.The second electrode 131 is composed of a light semi-transmissive conductive layer. That is, the second electrode 131 may be configured to allow some of the light emitted from the organic light-emitting layer 132 to pass through and be emitted to the outside, and to reflect the other part in the direction of the first electrode 131. Specifically, the second electrode 131 may be formed of a metal material with a low work function. Additionally, the second electrode 131 may be formed to have a very thin thickness to ensure light transparency. For example, the second electrode 131 is made of a metal material such as silver (Ag), titanium (Ti), aluminum (Al), molybdenum (Mo), or an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg) at 500 A. It may be a semi-transmissive layer formed very thinly with a smaller thickness.
유기 발광 소자(130)는 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로 적색광, 녹색광 및 청색광이 방출될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(132)은 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로, 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층, 청색을 발광하는 청색 유기 발광층일 수 있다. The organic light emitting device 130 may emit red light, green light, and blue light for each sub-pixel region (SP_R, SP_G, and SP_B). For example, the organic light emitting layer 132 may be a red organic light emitting layer that emits red light, a green organic light emitting layer that emits green light, and a blue organic light emitting layer that emits blue light for each sub-pixel region (SP_R, SP_G, SP_B). .
또는, 유기 발광 소자(130)는 모든 서브화소 영역(SP)에서 백색광이 방출될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(132)이 모든 서브화소 영역(SP)에서 복수 개의 스택(Stack)을 이루고 있고, 각각의 스택에서의 유기 발광층(132)이 보색관계에 있는 색의 광이 각각 발생하여, 이들이 합쳐져 백색이 구현될 수 있다. 이러한 구조를 취함으로써 유기 발광 소자(130)에서는 백색이 방출될 수 있다. Alternatively, the organic light emitting device 130 may emit white light in all subpixel areas SP. For example, the organic light-emitting layer 132 forms a plurality of stacks in all sub-pixel areas (SP), and the organic light-emitting layer 132 in each stack generates light of complementary colors, respectively. , these can be combined to create white color. By adopting this structure, the organic light emitting device 130 can emit white color.
패시베이션층(115)은 제2 전극(133) 상에 배치된다. 즉, 패시베이션층(115)은 제2 전극(133) 상면의 형상을 따라, 모든 서브화소 영역(SP) 전면(全面)에 연속적으로 배치된다. 패시베이션층(115)은 산화규소, 질화규소, 산화알루미늄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화하프늄, 산화란타늄 중에서 적어도 하나의 무기물질로 구성되는 무기층을 포함할 수 있다. 또한 패시베이션층(115)은 이물 방지 및 평탄화 작용을 하는 유기물질로 구성되는 유기층을 포함할 수 있다. 이 때 유기물질은 에폭시, 아크릴레이트 또는 우레탄아크릴레이트를 포함하는 고분자 유기 화합물일 수 있다. 패시베이션층(115)은 산소 및 수분으로부터 유기 발광 소자(130)를 보호하는 역할을 한다. 이를 위해, 패시베이션층(115)은 10㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다.The passivation layer 115 is disposed on the second electrode 133. That is, the passivation layer 115 is continuously disposed on the entire surface of all subpixel areas SP, following the shape of the upper surface of the second electrode 133. The passivation layer 115 may include an inorganic layer composed of at least one inorganic material selected from silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, and lanthanum oxide. Additionally, the passivation layer 115 may include an organic layer made of an organic material that prevents foreign substances and acts as a planarizer. At this time, the organic material may be a high molecular weight organic compound including epoxy, acrylate, or urethane acrylate. The passivation layer 115 serves to protect the organic light emitting device 130 from oxygen and moisture. For this purpose, the passivation layer 115 may be formed to have a thickness of 10 μm or less.
패시베이션층(115)은 스퍼터링(Sputtering) 또는 열 증착(Thermal Deposition)과 같은 물리적 기상증착(Physical Vapor Deposition) 공정 또는 화학적 기상증착(Chemical Vapor Deposition) 공정에 의해 형성된다. 다만, 이러한 증착 공정 중 확산성 활성 수소가 발생될 수 있고, 이러한 확산성 활성 수소는 박막 트랜지스터의 산화물 반도체층(122)을 환원시켜, 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 변동시키고, 이로 인해 유기발광표시장치의 전기적, 화학적 특성에 문제가 생길 수 있다. The passivation layer 115 is formed by a physical vapor deposition process such as sputtering or thermal deposition or a chemical vapor deposition process. However, during this deposition process, diffusible active hydrogen may be generated, and this diffusible active hydrogen reduces the oxide semiconductor layer 122 of the thin film transistor, changing the threshold voltage of the thin film transistor, which causes the organic light emitting display device Problems may arise with the electrical and chemical properties of
보다 구체적으로, 패시베이션층(115)을 형성하기 위해 플라즈마 화학적 기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 공정으로 질화규소 무기층을 형성하는 경우를 예로 들어 설명하기로 한다. 이 때, 수소를 포함하는 물질들인, 실란(SiH4)과 암모니아(NH3)를 전구체로 사용하여 [화학식 1]과 같은 화학 반응이 일어남에 따라, 확산성 활성 수소가 발생된다.More specifically, the case of forming a silicon nitride inorganic layer through a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process to form the passivation layer 115 will be described as an example. At this time, as a chemical reaction as shown in [Chemical Formula 1] occurs using hydrogen-containing substances, such as silane (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ), as precursors, diffusible active hydrogen is generated.
특히, 유기 발광층(132)이 열에 취약하기 때문에 공정 온도가 섭씨 100도 이내로 제한됨에 따라서, 화학식 1과 같은 화학반응에 따른 활성 수소가 패시베이션층(115)으로부터 제거되지 못하고 남아있게 될 가능성이 크다. In particular, since the organic light-emitting layer 132 is vulnerable to heat, the process temperature is limited to within 100 degrees Celsius, so there is a high possibility that active hydrogen resulting from a chemical reaction as shown in Chemical Formula 1 will not be removed from the passivation layer 115 and will remain.
접착층(140)은 패시베이션층(115) 상에 배치된다. 접착층(140)은 수지(Resin)가 광경화 또는 열경화 됨으로써 형성되며, 투명하다. 예를 들어, 접착층(140)은 에폭시 계열의 수지로 구성될 수 있다. 본 발명의 발명자들은, 패시베이션층(115) 상에 접착층(140)이 배치됨에 따라, 패시베이션층(115)의 성막 과정에서 발생한 확산성 활성 수소가 점차 접착층(140)으로 확산되어 접착층(140)에 포함된 고분자들의 틈새 사이 사이에 존재하여 있다는 것을 발견하였다. 즉, 본 발명의 발명자들은 접착층(140)이 확산성 활성 수소를 포함하고 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명의 발명자들은, 이렇게 접착층(140) 내에 존재하는 확산성 활성 수소가, 접착층(140) 내에 머물러 있지 않고 계속 확산되어 결국 산화물 반도체를 사용한 박막 트랜지스터의 산화물 반도체층을 환원시키는 요인으로 직용한다는 것을 발견하였다. 확산성 활성 수소에 의해 산화물 반도체층이 환원됨에 따라 산화물 반도체층의 캐리어 농도가 변하게 되고, 결국 박막 트랜지스터의 모빌리티(mobility) 및 문턱 전압이 변동되어 박막 트랜지스터의 특성이 변화된다. 이러한 현상은 유기 발광 표시 장치의 구동 이상 현상을 야기하여, 유기 발광 표시 장치의 불량으로 이어지는 이유가 된다.The adhesive layer 140 is disposed on the passivation layer 115. The adhesive layer 140 is formed by photo-curing or heat-curing resin, and is transparent. For example, the adhesive layer 140 may be made of an epoxy-based resin. The inventors of the present invention have discovered that as the adhesive layer 140 is disposed on the passivation layer 115, the diffusible active hydrogen generated during the film formation process of the passivation layer 115 gradually diffuses into the adhesive layer 140. It was discovered that it exists between the gaps between the contained polymers. That is, the inventors of the present invention discovered that the adhesive layer 140 contains diffusible active hydrogen. In addition, the inventors of the present invention believe that the diffusible active hydrogen present in the adhesive layer 140 does not remain in the adhesive layer 140 but continues to diffuse and is ultimately used as a factor in reducing the oxide semiconductor layer of a thin film transistor using an oxide semiconductor. found that it does. As the oxide semiconductor layer is reduced by diffusible active hydrogen, the carrier concentration of the oxide semiconductor layer changes, and eventually the mobility and threshold voltage of the thin film transistor change, changing the characteristics of the thin film transistor. This phenomenon causes abnormal operation of the organic light emitting display device, leading to defects in the organic light emitting display device.
한편, 접착층(140)과 상부 기판(116) 사이에 컬러 필터층(170)이 배치된다. 유기 발광층(132)에서 발생한 광은, 유기 발광 표시 장치(100)의 외부로 방출되는 과정에서 컬러 필터층(170)을 통과한다. 컬러 필터층(170)은 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 별로 적색 컬러 필터(171), 녹색 컬러 필터(172) 및 청색 컬러 필터(173)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적색 컬러 필터(171)는 유기 발광층(132)에서 발광하여 외부로 방출되는 광의 색이 적색이 되도록 하고, 녹색 컬러 필터(172)는 유기 발광층(132)에서 발광하여 외부로 방출되는 광의 색이 녹색이 되도록 하고, 청색 컬러 필터(173)는 유기 발광층(132)에서 발광하여 외부로 방출되는 광의 색이 청색이 되도록 한다. 적색 컬러 필터(171), 녹색 컬러 필터(172) 및 청색 컬러 필터(173)는 상부 기판(116) 하에, 각각의 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B)에 대응하도록 배치될 수 있다. 컬러 필터층(170)은 비 발광 영역(Non-EA) 전 영역 및 발광 영역(EA) 전 영역에 대응하도록 배치될 수도 있고, 비 발광 영역(Non-EA)의 일부분 및 발광 영역(EA) 전 영역에 대응하도록 배치될 수도 있고, 발광 영역(EA) 전 영역에만 대응하도록 배치될 수도 있다. Meanwhile, a color filter layer 170 is disposed between the adhesive layer 140 and the upper substrate 116. Light generated in the organic light emitting layer 132 passes through the color filter layer 170 while being emitted to the outside of the organic light emitting display device 100. The color filter layer 170 may include a red color filter 171, a green color filter 172, and a blue color filter 173 for each sub-pixel area (SP_R, SP_G, SP_B). For example, the red color filter 171 emits light from the organic light-emitting layer 132 and causes the color of light emitted to the outside to be red, and the green color filter 172 emits light from the organic light-emitting layer 132 to cause the color of light to be emitted to the outside. The color of the light becomes green, and the blue color filter 173 emits light from the organic light emitting layer 132 so that the color of the light emitted to the outside becomes blue. The red color filter 171, green color filter 172, and blue color filter 173 may be arranged to correspond to each subpixel area (SP_R, SP_G, SP_B) under the upper substrate 116. The color filter layer 170 may be arranged to correspond to the entire non-emissive area (Non-EA) and the entire emissive area (EA), or a portion of the non-emission area (Non-EA) and the entire emissive area (EA). It may be arranged to correspond to , or it may be arranged to correspond only to the entire area of the light emitting area (EA).
접착층(140) 상에 광흡수부(150)가 배치된다. 이 때, 광흡수부(150)의 배치는 발광 영역(EA)에 대응하지 않는다. 즉, 광흡수부(150)는 발광 영역 이외의 영역 즉, 비 발광 영역(Non-EA)에만 대응하도록 배치된다. 이로써, 광흡수부(150)는 인접한 서브화소 영역(SP_R, SP_G, SP_B) 간에 생길 수 있는 혼색 현상을 방지한다. A light absorption portion 150 is disposed on the adhesive layer 140. At this time, the arrangement of the light absorption portion 150 does not correspond to the light emitting area EA. That is, the light absorption portion 150 is arranged to correspond only to areas other than the light-emitting area, that is, the non-emission area (Non-EA). As a result, the light absorption unit 150 prevents color mixing that may occur between adjacent sub-pixel areas (SP_R, SP_G, and SP_B).
보다 구체적으로, 광흡수부(150)는 뱅크(114)에 대응하도록 배치될 수 있다. 이 때, 광흡수부(150)와 뱅크(114) 사이에는 접착층(140)이 존재할 수 있다. More specifically, the light absorption unit 150 may be arranged to correspond to the bank 114. At this time, an adhesive layer 140 may exist between the light absorption portion 150 and the bank 114.
광흡수부(150)는 블랙매트릭스(151)일 수 있다. 블랙매트릭스(151)는 블랙 카본 또는 각종 색안료의 혼합물 또는 금속 산화물 입자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 레진(Resin)으로 구성될 수 있다. The light absorbing part 150 may be a black matrix 151. The black matrix 151 may be made of resin containing at least one of black carbon, a mixture of various color pigments, or metal oxide particles.
도 1을 참조하면 블랙매트릭스(151)는 컬러 필터층(170) 하에 배치되어 있다. 도시되지는 않았으나, 블랙매트릭스(151)는 컬러 필터들(171, 172, 173) 상에 배치될 수도 있다. 즉, 블랙매트릭스(151)와 상부 기판(116) 사이에 컬러 필터층(170)이 배치될 수도 있다. Referring to FIG. 1, the black matrix 151 is disposed under the color filter layer 170. Although not shown, the black matrix 151 may be disposed on the color filters 171, 172, and 173. That is, the color filter layer 170 may be disposed between the black matrix 151 and the upper substrate 116.
또한, 도 1을 참조하면 블랙매트릭스(151)는 컬러 필터층(170)과 중첩하는 것으로 도시되어 있으나, 블랙매트릭스(151)가 컬러 필터층(170)과 중첩하지 않고 각각의 컬러 필터들(171, 172, 173) 사이 사이에 배치될 수도 있다. 이 때, 각각의 컬러 필터들(171, 172, 173)에 비해 블랙매트릭스(151)가 뱅크(114) 쪽을 향하여 더 돌출된 형상일 수도 있고, 반대로 더 움푹 패인 형상일 수도 있다. 즉, 각각의 컬러 필터들(171)과 블랙매트릭스(151)가 이웃하는 계면에서 단차가 있을 수 있다. In addition, referring to FIG. 1, the black matrix 151 is shown to overlap the color filter layer 170, but the black matrix 151 does not overlap the color filter layer 170 and each of the color filters 171 and 172 , 173) can also be placed between. At this time, compared to the color filters 171, 172, and 173, the black matrix 151 may have a shape that protrudes more toward the bank 114, or, conversely, may have a more recessed shape. That is, there may be a step at the adjacent interface between each color filter 171 and the black matrix 151.
도시되지는 않았으나, 블랙매트릭스(151)는 테이퍼 형상을 가질 수도 있고, 역테이퍼 형상을 가질 수도 있다. 블랙매트릭스(151)를 형성하는 포토 리소그래피 공정에서의 노광 및 현상 조건을 조절함으로써 각 블랙매트릭스(151)의 형상을 형성할 수 있다.Although not shown, the black matrix 151 may have a tapered shape or an inverse taper shape. The shape of each black matrix 151 can be formed by controlling the exposure and development conditions in the photo lithography process for forming the black matrix 151.
컬러 필터층(170)과 패시배이션층(115) 사이에, 활성 수소 트랩부(160)가 배치된다. 활성 수소 트랩부(160)는 접착층(140) 내에 존재하는 확산성 활성 수소를 트랩하여, 확산성 활성 수소가 확산되어 박막 트랜지스터(120)의 산화물 반도체에 도달하여 이를 환원시키는 현상을 최소화 하는 역할을 한다. An active hydrogen trap unit 160 is disposed between the color filter layer 170 and the passivation layer 115. The active hydrogen trap unit 160 traps the diffusible active hydrogen present in the adhesive layer 140, and serves to minimize the phenomenon of diffusible active hydrogen diffusing and reaching the oxide semiconductor of the thin film transistor 120 to reduce it. do.
이상에서 살펴본 바와 같이, 패시베이션층(115) 성막 과정에서 발생한 확산성 활성 수소는 박막 트랜지스터의 성능을 저하시켜 궁극적으로 유기 발광 표시 장치의 성능을 저하시킬 수 있으므로, 접착층(140) 내에 존재하는 확산성 활성 수소가 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하게 할 필요가 있다.As seen above, the diffusible active hydrogen generated during the process of forming the passivation layer 115 can deteriorate the performance of the thin film transistor and ultimately deteriorate the performance of the organic light emitting display device, so the diffusive hydrogen present in the adhesive layer 140 There is a need to prevent active hydrogen from affecting thin film transistors.
활성 수소 트랩부(160)는 확산성 활성 수소와 화학반응하여 수소-금속 화합물을 형성하는 금속 또는 금속 합금을 포함한다. 즉, 활성 수소 트랩부(160)에 포함된 금속 또는 금속 합금이 확산성 활성 수소를 트랩함으로써 활성 수소의 확산이 최소화된다. 여기서, 확산성 활성 수소와 수소-금속 화합물을 형성하는 금속 또는 금속 합금은, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 티탄(Ti)족 금속, 전이 후 금속 및 이들의 금속 합금 중 적어도 하나일 수 있다. 예를 들어, 활성 수소 트랩부(160)는 란탄-니켈 계 합금(LaNi5), 마그네??-니켈 계 합금(MgNi), 지르코늄-망간 계 합금(ZrMn2), 지르코늄-바나듐 계 합금(ZrV2), 티탄-망간 계 합금(TiMn2), 티탄-바나듐 계 합금(TiV2), 티탄-철 계 합금(TiFe), 티탄-코발트 계 합금(TiCo) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. The active hydrogen trap unit 160 includes a metal or metal alloy that chemically reacts with diffusible active hydrogen to form a hydrogen-metal compound. That is, the metal or metal alloy included in the active hydrogen trap unit 160 traps diffusible active hydrogen, thereby minimizing diffusion of active hydrogen. Here, the metal or metal alloy that forms the diffusible active hydrogen and the hydrogen-metal compound may be at least one of an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a titanium (Ti) group metal, a post-transition metal, and a metal alloy thereof. . For example, the active hydrogen trap unit 160 is made of lanthanum-nickel-based alloy (LaNi 5 ), magnesium-nickel-based alloy (MgNi), zirconium-manganese-based alloy (ZrMn 2 ), and zirconium-vanadium-based alloy (ZrV). 2 ), titanium-manganese alloy (TiMn 2 ), titanium-vanadium alloy (TiV 2 ), titanium-iron alloy (TiFe), and titanium-cobalt alloy (TiCo).
활성 수소 트랩부(160)가 확산성 활성 수소를 트랩하는 메커니즘은 다음과 같다. 활성 수소 트랩부(160)의 금속 또는 금속 합금 표면에 확산성 활성 수소가 접촉하면, 수소는 금속 또는 금속 합금에 흡착된다. 흡착된 수소 중 일부는 [화학식 2] 와 같은 화학 반응에 의해 수소 원자로 분해되고, 수소 원자는 활성 수소 트랩부(160)의 금속결정격자 내부에 있는 틈새, 즉 격자간 위치에 배치된다. 이렇게 활성 수소 트랩부(160)의 금속결정격자 내부에 있는 틈새, 즉 격자간 위치에 배치된 수소 원자를 비활성 수소라고 한다. 비활성 수소는 수소-금속 화합물의 형태로 존재하게 되므로 확산해 나갈 수 없다. 즉, 활성 수소 트랩부(160)는 수소-금속 화합물의 형태로 비활성 수소를 머금고 있게 된다. 이리하여, 활성 수소 트랩부(160)는 확산성 활성 수소와 화학반응하여 수소-금속 화합물을 형성하는 금속 또는 금속 합금과, 수소-금속 화합물 포함한다.The mechanism by which the active hydrogen trap unit 160 traps diffusible active hydrogen is as follows. When diffusible active hydrogen contacts the metal or metal alloy surface of the active hydrogen trap unit 160, the hydrogen is adsorbed on the metal or metal alloy. Some of the adsorbed hydrogen is decomposed into hydrogen atoms by a chemical reaction as shown in [Formula 2], and the hydrogen atoms are placed in gaps, that is, interstitial positions, inside the metal crystal lattice of the active hydrogen trap unit 160. Hydrogen atoms disposed in gaps, that is, interstitial positions, inside the metal crystal lattice of the active hydrogen trap unit 160 are called inactive hydrogen. Inert hydrogen cannot diffuse because it exists in the form of a hydrogen-metal compound. That is, the active hydrogen trap unit 160 contains inactive hydrogen in the form of a hydrogen-metal compound. Thus, the active hydrogen trap unit 160 includes a metal or metal alloy that chemically reacts with diffusible active hydrogen to form a hydrogen-metal compound, and a hydrogen-metal compound.
[화학식 2]는 활성 수소 트랩부(160)의 금속이 확산성 활성 수소와 반응하여 수소 화합물(MeHx)을 생성하는 과정을 설명하는 화학식이다. 여기서, Me는 금속을 의미한다. 다만, 금속뿐만 아니라 금속 화합물 또는 금속 혼합물도 [화학식 2]에 기재된 바와 같이 수소와 화학반응하여, 수소-금속 화합물이 형성될 수 있다.[Formula 2] is a chemical formula that explains the process in which the metal of the active hydrogen trap unit 160 reacts with diffusible active hydrogen to generate a hydrogen compound (MeH x ). Here, Me means metal. However, not only metals but also metal compounds or metal mixtures may react chemically with hydrogen as described in [Formula 2] to form a hydrogen-metal compound.
[화학식 2]의 화학반응은 발열 반응이기 때문에 반응 환경이 저온일수록 [화학식 2]의 화학 반응이 정반응이 활발하게 일어날 수 있다. 즉, 반응 환경이 저온일수록 수소 화합물의 형성이 용이하다. 이에 따라, 확산성 활성 수소를 활성 수소 트랩부(160)에 의하여 트랩하기 위하여, 고온 환경이 요구되지 않는다. 활성 수소 트랩부(160)에 의한 확산성 활성 수소를 트랩하는 방안은 열에 취약한 유기 발광층(132)을 고려하였을 때 효과적임을 알 수 있다. Since the chemical reaction of [Formula 2] is an exothermic reaction, the lower the reaction environment, the more actively the forward reaction of the chemical reaction of [Formula 2] can occur. In other words, the lower the temperature of the reaction environment, the easier it is to form a hydrogen compound. Accordingly, in order to trap diffusible active hydrogen by the active hydrogen trap unit 160, a high temperature environment is not required. It can be seen that the method of trapping diffusible active hydrogen by the active hydrogen trap unit 160 is effective when considering the organic light-emitting layer 132, which is vulnerable to heat.
활성 수소 트랩부(160) 내에 포함된 비활성 수소가 다시 확산성 활성 수소가 되어 활성 수소 트랩부(160)를 빠져나가는 반응은 [화학식 2]의 역반응으로서 흡열 반응이므로, 통상 유기 발광 표시 장치를 사용하는 환경에서는 발생하지 않기 때문에, 활성 수소 트랩부(160) 내에 비활성 수소의 형태로 확산성 활성 수소가 트랩된 상태는 그대로 유지될 수 있다. 즉, 활성 수소 트랩부(160) 내에 포함된 비활성 수소는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 구성하는 여타의 구성 요소들로 확산해 나가지 않는다. The reaction in which the inactive hydrogen contained in the active hydrogen trap unit 160 becomes diffusible active hydrogen again and exits the active hydrogen trap unit 160 is the reverse reaction of [Formula 2] and is an endothermic reaction, so an organic light emitting display device is usually used. Since it does not occur in an environment where diffusive active hydrogen is trapped in the form of inert hydrogen within the active hydrogen trap unit 160, the trapped state can be maintained as is. That is, the inactive hydrogen contained in the active hydrogen trap unit 160 does not diffuse to other components constituting the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention.
활성 수소 트랩부(160)는 그 표면적 및 체적이 클수록 확산성 활성 수소를 가능한 많이 트랩하게 되므로, 접착층(140)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있다. 이 때, 뱅크(114) 상의 패시베이션층(115)과 활성 수소 트랩부(160)가 직접 접촉할 수 있다. 즉, 패시베이션층(115)과 활성 수소 트랩부(160) 사이에 접착층(140)이 개재되지 않는 영역이 생길 수 있다. 활성 수소 트랩부(160)가 패시베이션층(115)과 직접 접촉하는 경우라 하더라도, 접착층(140)의 두께는 적어도 10 μm 의 두께를 가지게 되기 때문에, 활성 수소 트랩부(160) 역시 10 μm 이하 두께를 가지도록 배치될 수 있다. 활성 수소 트랩부(160)가 10 μm 이하의 수 μm 의 두께를 가지도록 배치될 경우, 활성 수소 트랩부(160)는 불투명하다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 상부 기판을 통과하여 외부로 광을 방출하는 탑 에미션 방식을 취하는 경우에, 불투명한 활성 수소 트랩부(160)는 발광 영역(EA)과는 중첩하지 않게끔 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 불투명한 활성 수소 트랩부(160)는 비 발광 영역(Non-EA)에만 대응되게끔 배치되는 것이 바람직하다. 이 때, 공정 중의 미스 얼라인(miss-align)을 고려하여, 활성 수소 트랩부(160)의 폭은 비 발광 영역(Non-EA)의 폭보다 얇은 것이 바람직하다. The larger the surface area and volume of the active hydrogen trap portion 160 traps as much diffusible active hydrogen as possible, so it can have the same thickness as the thickness of the adhesive layer 140. At this time, the passivation layer 115 on the bank 114 and the active hydrogen trap unit 160 may be in direct contact. That is, a region in which the adhesive layer 140 is not interposed may be created between the passivation layer 115 and the active hydrogen trap portion 160. Even in the case where the active hydrogen trap portion 160 is in direct contact with the passivation layer 115, the thickness of the adhesive layer 140 is at least 10 μm, so the active hydrogen trap portion 160 also has a thickness of 10 μm or less. It can be arranged to have . When the active hydrogen trap portion 160 is arranged to have a thickness of several μm or less than 10 μm, the active hydrogen trap portion 160 is opaque. When the organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention adopts a top emission method that emits light to the outside through the upper substrate, the opaque active hydrogen trap portion 160 is located in the light emitting area EA. It is desirable to arrange them so that they do not overlap. That is, the opaque active hydrogen trap portion 160 is preferably disposed to correspond only to the non-emission area (Non-EA). At this time, in consideration of miss-alignment during the process, the width of the active hydrogen trap portion 160 is preferably thinner than the width of the non-emission area (Non-EA).
활성 수소 트랩부(160)는 접착층(140) 내에 존재하는 확산성 활성 수소와 직접 접촉해야 하기 때문에, 반드시 활성 수소 트랩부(160)와 접착층(140)이 직접 접촉하는 면이 존재한다. 즉, 어떠한 구조물도 개재되지 않은 채로 활성 수소 트랩부(160)와 접착층(140)이 직접 접촉하는 면이 존재한다.Since the active hydrogen trap portion 160 must directly contact the diffusible active hydrogen present in the adhesive layer 140, there must be a surface where the active hydrogen trap portion 160 and the adhesive layer 140 are in direct contact. That is, there is a surface where the active hydrogen trap portion 160 and the adhesive layer 140 are in direct contact without any structure intervening.
다음에서는 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하도록 한다. Next, with reference to FIG. 2, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 2의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어떠한 구성 요소가 도 1의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성 요소와 동일한 경우에는, 도 1에서 사용한 도면 번호를 동일하게 사용하였으며 도 1에서 설명한 내용을 동일하게 적용한다. 따라서 동일한 내용에 대하여는 반복적인 설명을 생략하고, 도 2의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 도 1의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 다른 부분에 대해서만 이하에서 추가의 설명을 하도록 한다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. If any component of the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention in FIG. 2 is the same as the component of the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention in FIG. 1, the drawing numbers used in FIG. 1 are the same. was used, and the contents described in Figure 1 are applied in the same manner. Therefore, repeated description of the same content will be omitted, and only the parts where the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention of FIG. 2 is different from the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention of FIG. 1 will be described below. Let me explain.
광흡수부(150)는 각각의 컬러 필터들(171, 172, 173)이 중첩 배치됨으로써 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 광흡수부(150)는 적색 컬러 필터(171)와 녹색 컬러 필터(172)가 중첩하여 배치됨으로써 구성될 수 있다. 또한, 광흡수부(150)는 녹색 컬러 필터(172)와 청색 컬러 필터(173)가 중첩하여 배치됨으로써 구성될 수 있다. 또한, 청색 컬러 필터(173)와 적색 컬러 필터(171)가 중첩하여 배치됨으로써 구성될 수 있다. 또한, 광흡수부(150)는 적색 컬러 필터(171), 녹색 컬러 필터(172) 및 청색 컬러 필터(173) 모두가 중첩하여 배치됨으로써 구성될 수 있다. 즉, 광흡수부(150)는 적색 컬러 필터(171), 녹색 컬러 필터(172) 및 청색 컬러 필터(173) 중 적어도 두 개 이상의 컬러 필터들이 중첩하여 배치된 광흡수부(150)일 수 있다. The light absorption unit 150 may be formed by overlapping the color filters 171, 172, and 173. More specifically, the light absorption unit 150 may be formed by arranging a red color filter 171 and a green color filter 172 to overlap. Additionally, the light absorption unit 150 may be formed by arranging the green color filter 172 and the blue color filter 173 to overlap each other. Additionally, the blue color filter 173 and the red color filter 171 may be arranged to overlap each other. Additionally, the light absorption unit 150 may be formed by arranging the red color filter 171, the green color filter 172, and the blue color filter 173 to overlap each other. That is, the light absorption unit 150 may be a light absorption unit 150 in which at least two color filters of the red color filter 171, green color filter 172, and blue color filter 173 are arranged to overlap. .
활성 수소 트랩부(160)는 광흡수부(150)와 뱅크(114) 사이에 배치될 수 있다. 이 때, 활성 수소 트랩부(160)는 비 발광 영역(Non-EA)에 대응되는 패턴 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 유기 발광 표시 장치에 광흡수부(150)가 존재하는 경우에는 활성 수소 트랩부(160)는 광흡수부(150)의 패턴 형상을 따르는 패턴 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 즉, 활성 수소 트랩부(160)는 유기 발광 소자(130)의 주변 영역에 대응되는 패턴 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 이 때, 활성 수소 트랩부(160)의 패턴 형상 안에 서브 패턴 형상을 더 가질 수 있다. The active hydrogen trap unit 160 may be disposed between the light absorption unit 150 and the bank 114. At this time, the active hydrogen trap unit 160 may be arranged to have a pattern shape corresponding to the non-emission area (Non-EA). When the light absorbing portion 150 is present in the organic light emitting display device, the active hydrogen trap portion 160 may be arranged to have a pattern shape that follows the pattern shape of the light absorbing portion 150. That is, the active hydrogen trap unit 160 may be arranged to have a pattern shape corresponding to the peripheral area of the organic light emitting device 130. At this time, the active hydrogen trap portion 160 may further have a sub-pattern shape within the pattern shape.
즉, 활성 수소 트랩부(160)는 비 발광 영역(Non-EA)에만 중첩되게끔 배치됨에 따라, 평면상으로 보았을 때, 비 발광 영역(Non-EA)의 패턴을 그대로 따르는 패턴으로 배치될 수도 있고, 격자(Grid) 패턴으로 배치될 수도 있고, 스트라이프(Stripe) 패턴으로 배치될 수도 있고, 브랜치(Branch) 패턴으로 배치될 수도 있다. 또한, 접착층(140)과 활성 수소 트랩부(160)가 직접 접촉하는 면의 면적을 크게 하기 위하여, 활성 수소 트랩부(160) 내에 서브 패턴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 격자 패턴의 활성 수소 트랩부(160)는 그 내부에 스트라이프 서브 패턴을 가짐으로써, 활성 수소 트랩부(160)와 접착층(140)이 직접 접촉하는 면의 면적을 넓힐 수 있다. 서브 패턴의 패턴 형상은 예시적으로, 격자 패턴일 수도 있고 스트라이프 패턴일 수도 있고 브랜치 패턴일 수도 있고 무정형의 패턴일 수도 있다. That is, since the active hydrogen trap unit 160 is arranged to overlap only the non-emission area (Non-EA), it may be arranged in a pattern that exactly follows the pattern of the non-emission area (Non-EA) when viewed from a plan view. It may be arranged in a grid pattern, a stripe pattern, or a branch pattern. Additionally, in order to increase the area of the surface in direct contact between the adhesive layer 140 and the active hydrogen trap portion 160, the active hydrogen trap portion 160 may have a sub-pattern shape. For example, the grid-patterned active hydrogen trap unit 160 has a stripe sub-pattern therein, so that the area of the surface in direct contact between the active hydrogen trap unit 160 and the adhesive layer 140 can be expanded. The pattern shape of the sub-pattern may be, for example, a grid pattern, a stripe pattern, a branch pattern, or an amorphous pattern.
활성 수소 트랩부(160)의 패턴 형상 및 서브 패턴 형상은, 전면(全面) 증착 후 패턴 형상 및 서브 패턴의 형상에 따른 에칭을 수행하거나 패턴 형상 및 서브 패턴의 형상에 따라 프린팅을 수행하는 방식으로 형성될 수 있다. The pattern shape and sub-pattern shape of the active hydrogen trap portion 160 are formed by performing etching according to the shape of the pattern and sub-pattern after deposition of the entire surface or performing printing according to the shape of the pattern and sub-pattern. can be formed.
이로써, 단순히 비 발광 영역(Non-EA)에 대응하는 패턴을 가지는 활성 수소 트랩부(160)에 비하여, 활성 수소 트랩부(160)와 뱅크(114) 사이에 배치되는 접착층(140)과, 활성 수소 트랩부(160)가 직접 맞닿게 되는 표면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 활성 수소 트랩부(160)와 패시베이션(115)이 실질적으로 맞붙어서, 양자 사이에 접착층(140)이 실질적으로 존재하지 않게 된다 하더라도, 활성 수소 트랩부(160)의 서브 패턴 형상에 의해 접착층(140)과 활성 수소 트랩부(160)가 직접 맞닿는 표면적은 여전히 확보할 수 있게 된다.Accordingly, compared to the active hydrogen trap unit 160 having a pattern simply corresponding to the non-emissive area (Non-EA), the adhesive layer 140 disposed between the active hydrogen trap unit 160 and the bank 114, and the active The surface area with which the hydrogen trap portion 160 directly contacts can be increased. In addition, even if the active hydrogen trap portion 160 and the passivation 115 are substantially adhered to each other and the adhesive layer 140 does not substantially exist between the two, the adhesive layer is formed by the sub-pattern shape of the active hydrogen trap portion 160. The surface area where 140 and the active hydrogen trap portion 160 are in direct contact can still be secured.
다음에서는 도 3을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하도록 한다. Next, with reference to FIG. 3, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 3의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어떠한 구성 요소가 도 1 및 도 2의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성 요소와 동일한 경우에는, 도 1 및 도 2에서 사용한 도면 번호를 동일하게 사용하였으며 도 1 및 도 2에서 설명한 내용을 동일하게 적용한다. 따라서 동일한 내용에 대하여는 반복적인 설명을 생략하고, 도 3의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 도 1 및 도 2의 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 다른 부분에 대해서만 이하에서 추가의 설명을 하도록 한다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. If any component of the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention in FIG. 3 is the same as the component of the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention in FIGS. 1 and 2, in FIGS. 1 and 2 The same drawing numbers are used, and the contents described in Figures 1 and 2 are applied in the same way. Therefore, repeated description of the same content will be omitted, and only the parts where the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention of FIG. 3 is different from the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention of FIGS. 1 and 2 will be described below. Additional explanation is given below.
유기 발광 표시 장치 내부로 입사된 외광이 제1 전극(131)의 반사판 또는 각종 메탈 배선에서 다시 외부로 반사되어 나감에 따라 외광에 의한 시인성 문제가 발생할 수 있다. 이 때, 입사된 외광이 다시 외부로 반사되어 나가지 않고, 광흡수부(150)에 의해 흡수될 수 있도록, 도 3에서와 같은 형상으로 활성 수소 트랩부(160)의 서브 패턴 형상이 구성될 수 있다. 즉, 활성 수소 트랩부(160)의 서브 패턴 형상은 광흡수부(150)가 접착층(140)에 직접 노출되는 영역일 수 있다. 광흡수부(150)의 표면이 드러나도록 활성 수소 트랩부(160)의 서브 패턴 형상을 패터닝함으로써 반사되어 나가는 외광이 서브 패턴 형상의 틈새에 노출된 광흡수부(150)의 표면에서 흡수될 수 있다. As external light incident on the inside of the organic light emitting display device is reflected back to the outside by the reflector of the first electrode 131 or various metal wires, visibility problems due to external light may occur. At this time, the sub-pattern shape of the active hydrogen trap unit 160 can be configured to have the same shape as in FIG. 3 so that the incident external light is absorbed by the light absorption unit 150 rather than being reflected back to the outside. there is. That is, the sub-pattern shape of the active hydrogen trap portion 160 may be a region where the light absorption portion 150 is directly exposed to the adhesive layer 140. By patterning the sub-pattern shape of the active hydrogen trap portion 160 to expose the surface of the light absorbing portion 150, reflected external light can be absorbed on the surface of the light absorbing portion 150 exposed in the gap of the sub-pattern shape. there is.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 다시 한번 요약하여 설명하면 다음과 같다. The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be briefly described again as follows.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 하부 기판, 금속 또는 금속 합금에 의해 활성 수소를 트랩함으로써 활성 수소의 확산을 최소화하는, 활성 수소 트랩부가 배치된 상부 기판 및 하부 기판과 상부 기판은 활성 수소가 포함된 접착층을 사이에 두고 서로 대향하고, 유기 발광 소자 및 활성 수소 트랩부는 하부 기판과 상부 기판 사이에 배치될 수 있다. An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate on which an organic light emitting element is disposed, an upper substrate on which an active hydrogen trap portion is disposed, which minimizes diffusion of active hydrogen by trapping active hydrogen with a metal or metal alloy, and The lower substrate and the upper substrate face each other with an adhesive layer containing active hydrogen interposed therebetween, and the organic light emitting device and the active hydrogen trap unit may be disposed between the lower substrate and the upper substrate.
이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 수소-금속 화합물의 형태로, 비활성 수소를 머금고 있는 것을 특징으로 한다. At this time, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap part is characterized in that it contains inactive hydrogen in the form of a hydrogen-metal compound.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 하부 기판을 향하여 확산해 나가지 않는, 수소를 포함하는 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion is characterized in that it contains hydrogen that does not diffuse toward the lower substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 티탄족 금속, 전이 후 금속 및 이들의 금속 합금 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the metal or metal alloy is at least one of an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a titanium metal, a post-transition metal, and a metal alloy thereof.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은 란탄-니켈 계 합금, 마그네??-니켈 계 합금, 지르코늄-망간 계 합금, 지르코늄-바나듐 계 합금, 티탄-망간 계 합금, 티탄-바나듐 계 합금, 티탄-철 계 합금, 티탄-코발트 계 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the metal or metal alloy is a lanthanum-nickel-based alloy, a magnesium-nickel-based alloy, a zirconium-manganese-based alloy, a zirconium-vanadium-based alloy, and a titanium-manganese-based alloy. It is characterized in that it contains at least one of an alloy, a titanium-vanadium-based alloy, a titanium-iron-based alloy, and a titanium-cobalt-based alloy.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 패턴 형상을 가지도록 배치되고, 패턴 형상 안에 스트라이프 형상, 브랜치 형상, 그리드 형상 또는 무정형의 형상 중 적어도 어느 하나의 서브 패턴 형상을 가지는 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion is arranged to have a pattern shape, and within the pattern shape, at least one of a stripe shape, a branch shape, a grid shape, or an amorphous shape is formed as a sub-pattern shape. It is characterized by having a.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부의 패턴 형상은 유기 발광 소자 주변 영역에 대응되는 패턴 형상인 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the pattern shape of the active hydrogen trap portion is characterized by a pattern shape corresponding to the area around the organic light emitting device.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부와 상부 기판 사이에, 유기 발광 소자의 주변 영역에 대응되는 패턴 형상을 가지도록 배치되는 광흡수부를 더 포함하고, 광흡수부는 블랙 카본을 포함하는 블랙 레진으로 구성되거나, 서로 다른 색 안료를 포함하는 컬러 필터들이 적층하여 구성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention further includes a light absorption part disposed between the active hydrogen trap part and the upper substrate to have a pattern shape corresponding to the peripheral area of the organic light emitting device, and absorbs the light. The part is composed of black resin containing black carbon, or is composed of color filters containing different color pigments stacked.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 광흡수부의 패턴 형상을 따르는 패턴 형상을 가지고, 패턴 형상 안에 스트라이프 형상, 브랜치 형상, 그리드 형상 또는 무정형의 형상 중 적어도 어느 하나의 서브 패턴 형상을 가지도록 배치되는 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion has a pattern shape that follows the pattern shape of the light absorption portion, and within the pattern shape is at least one of a stripe shape, a branch shape, a grid shape, and an amorphous shape. It is characterized in that it is arranged to have a sub-pattern shape.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부의 서브 패턴 형상은 광흡수부가 접착층에 직접 노출되는 영역인 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the sub-pattern shape of the active hydrogen trap portion is characterized in that the light absorption portion is a region directly exposed to the adhesive layer.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 하부 기판과 유기 발광 소자 사이에 배치된, 산화물 반도체를 사용하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Additionally, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may further include a thin film transistor using an oxide semiconductor disposed between the lower substrate and the organic light emitting element.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 소자에서 발광한 광은 상부 기판을 통과하여 외부로 광을 방출하는 것을 특징으로 한다. In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, light emitted from the organic light emitting element passes through the upper substrate and emits light to the outside.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역으로 구획되는, 복수의 서브화소 영역, 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 발광 영역에 대응하여 배치되는 유기 발광 소자 및 활성 수소와 화학 반응하여 수소-금속 화합물을 형성할 수 있는 금속 또는 금속 합금과, 금속 또는 금속 합금이 활성 수소와 화학 반응하여 형성된 수소-금속 화합물을 포함하고, 비 발광 영역에 대응하여 배치되는 활성 수소 트랩부를 포함할 수 있다. An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of subpixel regions divided into a light emitting region and a non-light emitting region surrounding the light emitting region, a first electrode, an organic light emitting layer disposed on the first electrode, and an organic light emitting layer. A metal or metal alloy that includes a second electrode disposed on the organic light emitting element and that is disposed corresponding to the light emitting area and can chemically react with active hydrogen to form a hydrogen-metal compound, and the metal or metal alloy is active hydrogen. and a hydrogen-metal compound formed through a chemical reaction, and may include an active hydrogen trap portion disposed to correspond to a non-emission area.
이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부와 제2 전극 사이에 배치되고, 복수의 서브화소 영역 전면에 연속적으로 배치되는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. At this time, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is disposed between the active hydrogen trap portion and the second electrode and further includes a passivation layer continuously disposed on the entire surface of the plurality of subpixel areas. .
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 패시베이션층 상에 배치되고 활성 수소를 포함하는 접착층을 더 포함하고, 활성 수소 트랩부와 접착층은 서로 직접 접촉하는 것을 특징으로 한다. In addition, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention further includes an adhesive layer disposed on the passivation layer and containing active hydrogen, and the active hydrogen trap portion and the adhesive layer are in direct contact with each other.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 티탄족 금속, 전이 후 금속 및 이들의 금속 합금 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다. In addition, the metal or metal alloy in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that it is at least one of an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a titanium metal, a post-transition metal, and a metal alloy thereof. .
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 금속 또는 금속 합금은, 란탄-니켈 계 합금, 마그네??-니켈 계 합금, 지르코늄-망간 계 합금, 지르코늄-바나듐 계 합금, 티탄-망간 계 합금, 티탄-바나듐 계 합금, 티탄-철 계 합금, 티탄-코발트 계 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the metal or metal alloy in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may be a lanthanum-nickel-based alloy, a magnesium-nickel-based alloy, a zirconium-manganese-based alloy, a zirconium-vanadium-based alloy, or a titanium-manganese-based alloy. It is characterized in that it contains at least one of a titanium-vanadium-based alloy, a titanium-iron-based alloy, and a titanium-cobalt-based alloy.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 활성 수소 트랩부는 불투명한 것을 특징으로 한다. Additionally, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the active hydrogen trap portion is characterized as being opaque.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.
100, 200: 유기 발광 표시 장치
110: 하부 기판
111: 게이트 절연층
116: 상부 기판
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 산화물 반도체층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
112: 에치 스타퍼
113: 오버 코팅층
130: 유기 발광 소자
131: 애노드
132: 유기 발광층
133: 제2 전극
114: 뱅크
115: 패시베이션층
140: 접착층
150: 광흡수부
151: 블랙매트릭스
160: 활성 수소 트랩부
170: 컬러 필터층
171: 적색 컬러 필터
172: 녹색 컬러 필터
173: 청색 컬러 필터100, 200: Organic light emitting display device
110: lower substrate
111: Gate insulating layer
116: upper substrate
120: thin film transistor
121: Gate electrode
122: Oxide semiconductor layer
123: source electrode
124: drain electrode
112: Etch Stopper
113: Overcoating layer
130: Organic light emitting device
131: anode
132: Organic light-emitting layer
133: second electrode
114: bank
115: Passivation layer
140: Adhesive layer
150: Light absorption part
151: Black Matrix
160: Active hydrogen trap unit
170: Color filter layer
171: Red color filter
172: Green color filter
173: Blue color filter
Claims (26)
상기 기판 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되며, 상기 발광 영역에 위치하는 복수의 발광층;
상기 복수의 발광층 상에 배치되는 제2 전극;
상기 제2 전극 상에 배치되는 패시베이션층;
상기 패시베이션층의 상부에 배치되는 컬러 필터층; 및
상기 컬러 필터층 하부에 배치되며, 상기 비 발광 영역에 대응하도록 위치하는 광흡수부를 포함하고,
상기 복수의 발광층은 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 모두에 연속적으로 배치되고,
상기 광흡수부는 상기 패시베이션층과 상기 컬러 필터층 사이에 배치되는, 유기 발광 표시 장치.A substrate including red, green, and blue sub-pixel regions, each having an emitting region and a non-emitting region;
a first electrode disposed on the substrate;
a plurality of light-emitting layers disposed on the first electrode and located in the light-emitting area;
a second electrode disposed on the plurality of light emitting layers;
a passivation layer disposed on the second electrode;
a color filter layer disposed on top of the passivation layer; and
It is disposed below the color filter layer and includes a light absorption portion positioned to correspond to the non-emission area,
The plurality of light emitting layers are continuously disposed in all red, green and blue sub-pixel areas,
The organic light emitting display device wherein the light absorption part is disposed between the passivation layer and the color filter layer.
상기 컬러 필터층은 상기 적색 서브 화소 영역에 배치되는 적색 컬러 필터, 상기 녹색 서브 화소 영역에 배치되는 녹색 컬러 필터, 및 상기 청색 서브 화소 영역에 배치되는 청색 컬러 필터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The color filter layer includes a red color filter disposed in the red sub-pixel area, a green color filter disposed in the green sub-pixel area, and a blue color filter disposed in the blue sub-pixel area.
상기 컬러 필터층 하부에 배치되며, 상기 비 발광 영역에 대응하도록 위치하는 광흡수부를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The organic light emitting display device further includes a light absorption portion disposed below the color filter layer and positioned to correspond to the non-emission area.
상기 비 발광 영역에 위치하고, 상기 제1 전극의 가장자리를 덮는 형상으로 배치되는 뱅크를 더 포함하고,
상기 광흡수부는 상기 뱅크와 중첩하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 3,
It is located in the non-emission area and further includes a bank arranged in a shape that covers an edge of the first electrode,
The organic light emitting display device wherein the light absorption portion overlaps the bank.
상기 광흡수부는 블랙 카본을 포함하는 블랙 레진으로 이루어지거나, 각종 색안료의 혼합물 또는 금속 산화물 입자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 레진으로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 3,
An organic light emitting display device, wherein the light absorption part is made of black resin containing black carbon, or is made of resin containing at least one of a mixture of various color pigments or metal oxide particles.
상기 복수의 발광층은 상기 광흡수부와 중첩하도록 배치되는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 3,
An organic light emitting display device, wherein the plurality of light emitting layers are arranged to overlap the light absorption portion.
상기 비 발광 영역에 위치하고, 상기 제1 전극의 가장자리를 덮는 형상으로 배치되는 뱅크를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The organic light emitting display device further includes a bank located in the non-emission area and arranged to cover an edge of the first electrode.
상기 복수의 발광층은 상기 뱅크 상에 배치되는, 유기 발광 표시 장치.In clause 7,
An organic light emitting display device, wherein the plurality of light emitting layers are disposed on the bank.
상기 뱅크는 블랙 카본(Black carbon)을 포함하는 블랙 레진(Black-resin)으로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.In clause 7,
An organic light emitting display device, wherein the bank is made of black-resin containing black carbon.
상기 컬러 필터층은 상기 복수의 발광층에서 방출되는 광의 색을 필터링하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The color filter layer filters colors of light emitted from the plurality of light emitting layers.
상기 컬러 필터층은 상기 적색 서브 화소 영역에 배치되는 적색 컬러 필터, 상기 녹색 서브 화소 영역에 배치되는 녹색 컬러 필터, 및 상기 청색 서브 화소 영역에 배치되는 청색 컬러 필터를 포함하고,
상기 광흡수부는 상기 적색 컬러 필터, 상기 녹색 컬러 필터 또는 상기 청색 컬러 필터 중 적어도 하나 이상의 컬러 필터들이 중첩하여 배치된, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 3,
The color filter layer includes a red color filter disposed in the red sub-pixel area, a green color filter disposed in the green sub-pixel area, and a blue color filter disposed in the blue sub-pixel area,
The organic light emitting display device wherein the light absorption unit is arranged to overlap at least one of the red color filter, the green color filter, and the blue color filter.
상기 컬러 필터층은 상기 적색 서브 화소 영역에 배치되는 적색 컬러 필터, 상기 녹색 서브 화소 영역에 배치되는 녹색 컬러 필터, 및 상기 청색 서브 화소 영역에 배치되는 청색 컬러 필터를 포함하고,
상기 광흡수부는 상기 적색 컬러 필터, 상기 녹색 컬러 필터 또는 상기 청색 컬러 필터 중 적어도 두 개 이상의 컬러 필터들이 중첩하여 배치된, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 3,
The color filter layer includes a red color filter disposed in the red sub-pixel area, a green color filter disposed in the green sub-pixel area, and a blue color filter disposed in the blue sub-pixel area,
The organic light emitting display device wherein the light absorption unit is disposed to overlap at least two color filters selected from the group consisting of the red color filter, the green color filter, and the blue color filter.
상기 패시베이션층은 무기물질로 구성된 무기층 및 유기물질로 구성된 유기층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The passivation layer includes an inorganic layer made of an inorganic material and an organic layer made of an organic material.
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The organic light emitting display device further includes a thin film transistor disposed between the substrate and the first electrode and electrically connected to the first electrode.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 산화물 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 14,
The thin film transistor includes a gate electrode, an oxide semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode.
상기 산화물 반도체층은 반도체 성질을 가지는 금속 산화물로 구성되는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 15,
An organic light emitting display device, wherein the oxide semiconductor layer is composed of a metal oxide having semiconductor properties.
상기 산화물 반도체층은 인듐 산화물(InO), 주석 산화물(SnO), 아연 산화물(ZnO), 카드뮴 산화물(CdO), 갈륨 산화물(GaO), 하프늄 인듐 아연 산화물(HfInZnO), 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO), 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 주석 아연 산화물(SnZnO) 중 적어도 어느 하나로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 15,
The oxide semiconductor layer is indium oxide (InO), tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), cadmium oxide (CdO), gallium oxide (GaO), hafnium indium zinc oxide (HfInZnO), and indium gallium zinc oxide (InGaZnO). , an organic light emitting display device made of at least one of indium tin zinc oxide (InSnZnO), indium zinc oxide (InZnO), and tin zinc oxide (SnZnO).
상기 박막 트랜지스터는,
상기 산화물 반도체층 상에 배치되는 에치 스타퍼를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 15,
The thin film transistor is,
The organic light emitting display device further includes an etch stopper disposed on the oxide semiconductor layer.
상기 산화물 반도체층은 구동 박막 트랜지스터인, 유기 발광 표시 장치.According to clause 15,
An organic light emitting display device, wherein the oxide semiconductor layer is a driving thin film transistor.
상기 컬러 필터층 상에 배치되어, 금속 또는 금속 합금에 의해 활성 수소를 트랩함으로써 활성 수소의 확산을 최소화하는, 활성 수소 트랩부를 더 포함하고,
상기 활성 수소 트랩부는 패턴 형상을 가지도록 배치되고,
상기 패턴 형상 안에 스트라이프 형상, 브랜치 형상, 그리드 형상 또는 무정형의 형상 중 적어도 어느 하나의 서브 패턴 형상을 가지는, 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1
It further includes an active hydrogen trap portion disposed on the color filter layer to minimize diffusion of active hydrogen by trapping active hydrogen with a metal or metal alloy,
The active hydrogen trap portion is arranged to have a pattern shape,
An organic light emitting display device having at least one sub-pattern shape selected from a stripe shape, a branch shape, a grid shape, or an amorphous shape within the pattern shape.
상기 활성 수소 트랩부는 수소-금속 화합물의 형태로, 비활성 수소를 머금고 있는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.In paragraph 20
An organic light emitting display device, wherein the active hydrogen trap part contains inactive hydrogen in the form of a hydrogen-metal compound.
상기 복수의 발광층은 복수 개의 스택(Stack)을 이루고,
상기 복수 개의 스택(Stack)의 각각에서는 보색관계에 있는 색의 광이 발생하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The plurality of light emitting layers form a plurality of stacks,
An organic light emitting display device in which light of complementary colors is generated from each of the plurality of stacks.
상기 발광층은 백색을 발광하는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 22,
An organic light emitting display device, wherein the light emitting layer emits white light.
상기 복수의 발광층은 상기 적색 서브 화소 영역에 대응되는 적색 발광층, 상기 녹색 서브 화소 영역에 대응되는 녹색 발광층, 및 상기 청색 서브 화소 영역에 대응되는 청색 발광층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.According to paragraph 1,
The plurality of light emitting layers include a red light emitting layer corresponding to the red sub-pixel region, a green light emitting layer corresponding to the green sub-pixel region, and a blue light emitting layer corresponding to the blue sub-pixel region.
상기 컬러 필터층은 상기 적색 서브 화소 영역에 배치되는 적색 컬러 필터, 상기 녹색 서브 화소 영역에 배치되는 녹색 컬러 필터, 및 상기 청색 서브 화소 영역에 배치되는 청색 컬러 필터를 포함하고,
상기 적색 컬러 필터는 상기 적색 발광층에 대응되고, 상기 녹색 컬러 필터는 상기 녹색 발광층에 대응되고, 상기 청색 컬러 필터는 상기 청색 발광층에 대응되는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 24,
The color filter layer includes a red color filter disposed in the red sub-pixel area, a green color filter disposed in the green sub-pixel area, and a blue color filter disposed in the blue sub-pixel area,
The red color filter corresponds to the red light-emitting layer, the green color filter corresponds to the green light-emitting layer, and the blue color filter corresponds to the blue light-emitting layer.
상기 적색 컬러 필터는 상기 적색 발광층에서 방출되는 광의 색이 적색이 되게 하고, 상기 녹색 컬러 필터는 상기 녹색 발광층에서 방출되는 광의 색이 녹색이 되게 하고, 상기 청색 컬러 필터는 상기 청색 발광층에서 방출되는 광의 색이 청색이 되게 하는, 유기 발광 표시 장치.According to clause 25,
The red color filter causes the color of light emitted from the red light-emitting layer to be red, the green color filter causes the color of light emitted from the green light-emitting layer to be green, and the blue color filter changes the color of light emitted from the blue light-emitting layer. An organic light emitting display device that changes color to blue.
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