KR101970491B1 - Organic electro-luminescence display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터, 제 1 및 제 2 캐피시터 전극; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 형성된 층간절연막 및 보호층; 상기 보호층 상에 형성된 화소전극; 상기 화소전극이 형성된 기판 상에 상기 화소전극이 노출되도록 형성된 유기층; 상기 노출된 화소전극 상에 형성된 유기발광다이오드; 및 상기 유기발광다이오드 상에 형성되고, 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 포함한다.
본 발명의 유기전계발광표시장치는, 유기발광층 상부에 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 형성하여 광효율과 시야각을 개선한 효과가 있다.
The present invention discloses an organic light emitting display. The organic electroluminescent display device of the present invention includes: a substrate; A thin film transistor formed on the substrate, first and second capacitor electrodes; An interlayer insulating film and a protective layer formed on the substrate on which the thin film transistor is formed; A pixel electrode formed on the protective layer; An organic layer formed on the substrate on which the pixel electrode is formed to expose the pixel electrode; An organic light emitting diode formed on the exposed pixel electrode; And a capping layer formed on the organic light emitting diode and having an inorganic material and an organic material mixed.
The organic light emitting display of the present invention has an effect of improving the light efficiency and the viewing angle by forming a capping layer in which an inorganic material and an organic material are mixed on the organic light emitting layer.

Description

유기전계발광표시장치{Organic electro-luminescence display device}[0001] Organic electro-luminescence display device [0002]

본 발명은 광효율 및 시야각을 개선한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting display having improved light efficiency and viewing angle.

유기전계 발광표시장치는 양극, 음극 및 상기 두 전극 사이에 개재된 유기발광층을 포함한다. 이와 같은 유기전계 발광표시장치는 상기 양극과 음극에서 각각 제공된 정공(hole)과 전자(electron)가 상기 유기발광층에서 재결합하여 빛을 발생하는 현상을 통해 화상을 구현하게 된다.The organic electroluminescence display device includes an anode, a cathode, and an organic light emitting layer interposed between the two electrodes. In such an organic light emitting display, an image is realized by recombining holes and electrons provided in the anode and the cathode, respectively, in the organic light emitting layer to generate light.

이로써, 상기 유기전계 발광표시장치는 자체발광형으로 LCD(Liquid Crystal Display Device)와 같이 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형화가 가능할 뿐만 아니라, 단순한 공정을 거쳐 제조될 수 있어 가격 경쟁력을 키울 수 있다. 또, 상기 유기전계 발광표시장치는 저전압 구동, 높은 발광효율, 넓은 시야각을 가짐에 따라, 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.As a result, the organic light emitting display device is self-luminous and does not require a backlight such as a liquid crystal display device, so that it can be made light and thin, and can be manufactured through a simple process, thereby improving price competitiveness. In addition, since the organic light emitting display device has a low voltage driving, a high luminous efficiency, and a wide viewing angle, it has rapidly increased as a next generation display.

상기 유기전계 발광표시장치는 상기 양극과 상기 유기발광층과, 상기 음극과 상기 유기발광층 사이에 각각 정공수송층과 전자수송층을 더 형성하여, 상기 유기발광층으로 정공과 전자가 효율적으로 주입될 수 있게 하여, 발광 효율을 향상시키고자 하였다.The organic light emitting display device may further include a hole transport layer and an electron transport layer between the anode and the organic light emitting layer and between the cathode and the organic light emitting layer to efficiently inject holes and electrons into the organic light emitting layer, So as to improve the luminous efficiency.

상기와 같은 유기전계 발광표시장치는 다양한 원인들에 의해 광효율이 저하되는 문제가 있다. 특히, 유기전계 발광표시장치의 제조 공정 중 유기발광층에 발생된 아웃가스가 외부로 발산되지 못하거나, 유기발광층 상부에 적층되는 다수의 층들에서 광학적 왜곡이 발생하여 광효율이 저하된다.The organic light emitting display device has a problem that the light efficiency is lowered due to various causes. Particularly, the outgas generated in the organic light emitting layer during the manufacturing process of the organic light emitting display may not be diffused to the outside, or optical distortion occurs in a plurality of layers stacked on the organic light emitting layer, thereby lowering the light efficiency.

또한, 유기발광층 상부에 존재하는 층들이 균일한 유니포머티를 갖지 않거나 일정한 두께의 층들이 적층되더라도 유기발광층에서 발생하는 광파장의 종류에 따라 상부에 존재하는 층들의 굴절율에 따라 광효율이 저하되는 문제가 있다.
Also, even if the layers on the organic light emitting layer do not have uniform uniformity or layers of a certain thickness are laminated, there is a problem that the light efficiency is lowered according to the refractive index of the layers present on the organic light emitting layer depending on the type of light wavelength have.

본 발명은, 유기발광층 상부에 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 형성하여 광효율과 시야각을 개선한 유기전계발광표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display device in which a capping layer in which an inorganic material and an organic material are mixed is formed on an organic light emitting layer to improve a light efficiency and a viewing angle.

또한, 본 발명은, 유기발광층 상부에 유기발광층 보다 굴절율(n)이 높은 캡핑층을 형성함으로써, 광효율과 시야각을 향상시킨 유기전계발광표시장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display having improved light efficiency and viewing angle by forming a capping layer having a higher refractive index (n) than the organic light emitting layer on the organic light emitting layer.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 유기 전계 발광 물질을 포함하는 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극 상에 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: a first electrode; An organic light emitting layer including an organic electroluminescent material on the first electrode; A second electrode on the organic light emitting layer; And a capping layer in which an inorganic material and an organic material are mixed on the second electrode.

또한, 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터, 제 1 및 제 2 캐피시터 전극; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 형성된 층간절연막 및 보호층; 상기 보호층 상에 형성된 화소전극; 상기 화소전극이 형성된 기판 상에 상기 화소전극이 노출되도록 형성된 유기층; 상기 노출된 화소전극 상에 형성된 유기발광다이오드; 및 상기 유기발광다이오드 상에 형성되고, 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 포함한다.
Further, an organic light emitting display device of the present invention includes: a substrate; A thin film transistor formed on the substrate, first and second capacitor electrodes; An interlayer insulating film and a protective layer formed on the substrate on which the thin film transistor is formed; A pixel electrode formed on the protective layer; An organic layer formed on the substrate on which the pixel electrode is formed to expose the pixel electrode; An organic light emitting diode formed on the exposed pixel electrode; And a capping layer formed on the organic light emitting diode and having an inorganic material and an organic material mixed.

본 발명의 유기전계발광표시장치는, 유기발광층 상부에 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 형성하여 광효율과 시야각을 개선한 효과가 있다.The organic light emitting display of the present invention has an effect of improving the light efficiency and the viewing angle by forming a capping layer in which an inorganic material and an organic material are mixed on the organic light emitting layer.

또한, 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 유기발광층 상부에 유기발광층 보다 굴절율(n)이 높은 캡핑층을 형성함으로써, 광효율과 시야각을 향상시킨 효과가 있다.
In addition, the organic light emitting display of the present invention has an effect of improving the light efficiency and the viewing angle by forming a capping layer having a higher refractive index (n) than the organic light emitting layer on the organic light emitting layer.

도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 유기전계발광표시장치에 사용되는 캡핑층의 굴절율 특성을 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 유기전계발광표시장치에 사용되는 캡핑층의 광효율 특성을 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따라 캡핑층을 적용한 디스플레이 장치의 구체적인 단면도이다.
1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.
2 is a graph showing the refractive index characteristics of the capping layer used in the organic light emitting display of the present invention.
3 is a graph showing the light efficiency characteristics of the capping layer used in the organic light emitting display of the present invention.
4 is a specific sectional view of a display device to which a capping layer is applied according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광표시장치는 기판(101) 상에 제1 전극(110:cathode)과 유기발광층(120) 및 제 2 전극(130: anode)로 구성된 유기발광다이오드(LED)가 배치되어 있고, 유기발광다이오드의 제 2 전극(130) 상에는 유기물과 무기물이 혼합된 캡핑층(140: Capping layer)과 봉지층(150: Encapsulation)이 각각 형성되어 있다.1, the organic light emitting display of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) including a cathode 110, an organic light emitting layer 120, and an anode 130 on a substrate 101 A capping layer 140 and an encapsulation layer 150 are formed on the second electrode 130 of the organic light emitting diode in which organic and inorganic materials are mixed.

상기 유기발광층(120)은 백색광을 발생하는 유기물질로 형성되거나, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 유기물로 형성될 수 있다. 또한, 상기 유기발광층(120)은 다수개의 전하수송층을 더 포함하고, 전하수송층들은 전자 또는 정공을 수송하기 위한 물질로 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 120 may be formed of an organic material that generates white light or may be formed of red (R), green (G), and blue (B) organic materials. In addition, the organic light emitting layer 120 may further include a plurality of charge transporting layers, and the charge transporting layers may be formed of materials for transporting electrons or holes.

상기 제1 전극(110)은 제 2 전극(130) 보다 일함수가 작은 도전물질을 사용할 수 있는데, Mg, Ca, Al, Ag, Li, 이들의 합금일 수 있다.The first electrode 110 may use a conductive material having a work function smaller than that of the second electrode 130 and may be Mg, Ca, Al, Ag, Li, or an alloy thereof.

상기 제 2 전극(130)은 ITO(indium tin oxide)이나 IZO(indium zinc oxide)등의 투광성의 재료를 이용할 수 있다.The second electrode 130 may be made of a transparent material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

또한, 본 발명의 캡핑층(140)은 유기물질과 무기물질이 혼합된 층으로 형성될 수 있다. 무기물질은 무기 금속 함유 재료들과 금속을 함유하지 않는 무기 재료들을 포함한다. 금속을 포함하지 않는 예시적인 무기 물질들은, 예를 들어, C, Ge, Si, SiO, SiO2, 또는 Si3N4을 사용할 수 있다.In addition, the capping layer 140 of the present invention may be formed of a layer in which an organic material and an inorganic material are mixed. The inorganic material includes inorganic metal-containing materials and inorganic materials that do not contain a metal. Exemplary inorganic materials that do not contain a metal can be, for example, C, Ge, Si, SiO, SiO2, or Si3N4.

무기 금속 함유 물질들은, 예를 들어, 금속 산화물(예: MgO, Li2O, CaO, Cs2O, Al2O3, In2O3, Cr2O3, CuO, Cu2O, ZnO, ZrO2 및 SnO2); 금속 수화물 (예: Mg2(OH), Ca2(OH), LiOH, KOH, Cr(OH)3 및 NaOH; 금속 할로겐화물(예: LiF, CsF, MgF2, KF, 및 FeCl3); 금속 황화물(예: ZnS); 금속 질화물(예: TiSiN 및 TaN); 금속 실리사이드(예: WSi); 원소 금속들(예: Ag, Fe, Zn, Mg, Cr, Au, Ni, Ta, Cu, Ti, Pd 및 Pt); 그리고 금속 합금(예: Mg-Ag 합금, Li-Al 합금, Au-Pd 합금, Au-Pt 합금, Pt-Pd 합금a 및 Pd-Ag 합금)으로 형성될 수 있다.The inorganic metal-containing materials include, for example, metal oxides such as MgO, Li2O, CaO, Cs2O, Al2O3, In2O3, Cr2O3, CuO, Cu2O, ZnO, ZrO2 and SnO2; Metal hydrides such as Mg2 (OH), Ca2 (OH), LiOH, KOH, Cr (OH) 3 and NaOH; metal halides such as LiF, CsF, MgF2, KF, and FeCl3; Cu, Ti, Pd, and Pt (e.g., ZnS), metal nitrides (e.g., TiSiN and TaN), metal silicides (e.g., WSi), elemental metals such as Ag, Fe, Zn, Mg, Cr, Au, ) And a metal alloy (for example, Mg-Ag alloy, Li-Al alloy, Au-Pd alloy, Au-Pt alloy, Pt-Pd alloy a and Pd-Ag alloy).

또한, 유기물질은 예를 들어 구리 프탈로시아닌; 구리 테트라메틸 프탈로시아닌; 아연 프탈로시아닌; 티타늄 옥사이드 프탈로시아닌; 마그네슘 프탈로시아닌 등과 같은 물질들을 포함하는 3차 방향족 아민 유도체, 인돌카바졸 유도체 및 포르피린 유도체와 같은 정공 수송 물질들을 포함한다.  The organic material may also include, for example, copper phthalocyanine; Copper tetramethyl phthalocyanine; Zinc phthalocyanine; Titanium oxide phthalocyanine; Tertiary aromatic amine derivatives including substances such as magnesium phthalocyanine and the like, indolecarbazole derivatives, and hole transporting materials such as porphyrin derivatives.

또한, 상기 캡핑층(140)에 혼합되는 무기물질이 무기 금속인 경우에는 유기물 대비 최소 1% 이상이고 1~10% 비율로 혼합될 수 있다. 또한, 상기 캡핑층(140)의 두께는 100~1000Å 값을 가질 수 있고, 굴절율(n)은 1.7~2.5 사이의 값을 가질 수 있다.If the inorganic material to be mixed in the capping layer 140 is inorganic metal, the inorganic material may be mixed in a ratio of 1% to 10% of the organic material. The thickness of the capping layer 140 may range from 100 to 1000 Å, and the refractive index n may range from 1.7 to 2.5.

상기 기판(101)은 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 라인, 데이터 라인들이 형성되어 있는 어레이 기판일 수 있다.The substrate 101 may be an array substrate on which TFTs, gate lines, and data lines are formed.

도 2는 본 발명의 유기전계발광표시장치에 사용되는 캡핑층의 굴절율 특성을 도시한 그래프이고, 도 3은 본 발명의 유기전계발광표시장치에 사용되는 캡핑층의 광효율 특성을 도시한 그래프이다.FIG. 2 is a graph showing the refractive index characteristics of the capping layer used in the organic electroluminescence display of the present invention, and FIG. 3 is a graph showing the light efficiency characteristics of the capping layer used in the organic light emitting display of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광표시장치의 캡핑층에 무기금속인 Ag의 함량을 조절하면서 굴절율 변화와 흡광도(k) 특성을 도시하였다.Referring to FIGS. 2 and 3, the refractive index change and absorbance (k) characteristics are shown while controlling the content of Ag, which is an inorganic metal, in the capping layer of the organic light emitting display of the present invention.

도시된 바와 같이, 캡핑층의 Ag 함량이 0~5%로 증가할수록 가시광선 파장 영역에서 굴절율이 증가하는 것을 볼 수 있다. 또한, Ag 함량에 따라 흡광도(k) 역시 가시광선 파장 영역에서 증가하는 것을 볼 수 있다.As can be seen, the refractive index increases in the visible light wavelength region as the Ag content of the capping layer increases from 0 to 5%. Also, it can be seen that the absorbance (k) also increases in the visible light wavelength region according to the Ag content.

상기 흡광도(k: absorbance)는 광학 밀도(optical density)라고도 명명하며, 어떤 물질에 빛 등의 에너지 복사를 비추었을 때, 투과하는 복사량(I1)에 대한 비추어 준 복사량(I2)의 비율(I2/I1)의 로그 값으로 정의된다. 즉, 흡광도(k)가 증가하면 유기발광층에서 발생되는 복사광이 캡핑층을 투과하면서 증가하기 때문에 광효율이 증가된다.The absorbance k is also referred to as optical density. When the energy radiation such as light is irradiated to a substance, the ratio I2 / I2 of the radiation amount I2 to the transmitted radiation amount I1, I1). That is, when the absorbance k increases, the radiation efficiency increases because the radiation emitted from the organic light emitting layer increases while transmitting through the capping layer.

상기 캡핑층의 굴절율 증가 역시, 유기발광층에서 발생되는 광이 높은 굴절율을 갖는 캡핑층에 굴절되어 시야각 특성이 개선된다.The increase in the refractive index of the capping layer is also refracted in the capping layer having a high refractive index, thereby improving the viewing angle characteristics.

도 4는 본 발명에 따라 캡핑층을 적용한 디스플레이 장치의 구체적인 단면도이다.4 is a specific sectional view of a display device to which a capping layer is applied according to the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 도 1 내지 도 3에서 설명한 캡핑층을 포함하는 유기전계발광표시장치는 디스플레이 장치에 그대로 적용할 수 있다.Referring to FIG. 4, the organic light emitting display device including the capping layer illustrated in FIGS. 1 to 3 may be directly applied to a display device.

본 발명의 디스플레이 장치는, 기판(210) 상에 버퍼층(211)이 형성되고, 상기 버퍼층(211) 상에는 박막 트랜지스터, 제1 및 제 2 캐패시터 전극(221, 251)이 형성되어 있다.The display device of the present invention is characterized in that a buffer layer 211 is formed on a substrate 210 and a thin film transistor and first and second capacitor electrodes 221 and 251 are formed on the buffer layer 211.

상기 박막 트랜지스터는 상기 버퍼층(211) 상에 소스영역(231a), 채널영역(231b), 드레인영역(231c)을 포함하는 반도체층(231), 게이트절연막(240), 게이트 전극(250), 소스전극(219a) 및 드레인 전극(219b)이 형성된다. 상기 소스전극(219a)과 드레인전극(219b)은 상기 반도체층(231)의 소스영역(231a)과 드레인영역(231c)과 접속한다. 상기 캐패시터 영역은 캐패시터 제 1 전극(221), 게이트절연막(240), 캐패시터 제 2 전극(251), 층간절연막(260) 및 보호층(261)으로 형성된다.The thin film transistor includes a semiconductor layer 231 including a source region 231a, a channel region 231b and a drain region 231c, a gate insulating film 240, a gate electrode 250, An electrode 219a and a drain electrode 219b are formed. The source electrode 219a and the drain electrode 219b are connected to the source region 231a and the drain region 231c of the semiconductor layer 231, respectively. The capacitor region is formed of a capacitor first electrode 221, a gate insulating film 240, a capacitor second electrode 251, an interlayer insulating film 260, and a protective layer 261.

상기 버퍼층(211)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막과 같은 절연막을 이용하여 단층 또는 이들의 적층구조로 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인 전극(219a, 219b)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 또한, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명성 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 도면에서는 단일 금속층으로 형성되어 있지만 경우에 따라서는 적어도 2개 이상의 금속층들을 적층하여 형성할 수 있다.The source / drain electrodes 219a and 219b may be formed of a single layer or a stacked structure using an insulating layer such as a silicon oxide layer or a silicon nitride layer. The source / drain electrodes 219a and 219b may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), titanium (Ti) Any one of tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al) In addition, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) may be used. In the drawings, a single metal layer is formed. In some cases, however, at least two metal layers may be stacked.

상기 게이트 전극(250)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 또는 투명성 도전물질인 ITO, IZO 및 ITZO 중 적어도 하나 이상을 적층하여 형성할 수 있다. The gate electrode 250 may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum It may be formed by laminating at least one of ITO, IZO and ITZO which are transparent conductive materials.

상기 보호층(261) 상에 상기 드레인전극(219b)과 콘택홀에 의해 전기적으로 접속된 화소전극(220)이 형성된다.A pixel electrode 220 electrically connected to the drain electrode 219b by a contact hole is formed on the passivation layer 261. [

상기 화소전극(220)이 형성된 기판(210) 전면에는 유기층(270)이 형성되고, 상기 유기층(270)에는 상기 화소전극(220)이 노출되는 콘택홀이 형성된다. 상기 노출된 화소전극(220) 상에 유기발광다이오드(OLED)의 하부전극(290)이 형성된다. 상기 하부전극(290) 상에 유기발광층(291)이 형성되고, 상기 유기발광층(291) 상에는 상부전극(292)이 형성된다.An organic layer 270 is formed on a front surface of the substrate 210 on which the pixel electrode 220 is formed and a contact hole exposing the pixel electrode 220 is formed on the organic layer 270. A lower electrode 290 of the organic light emitting diode OLED is formed on the exposed pixel electrode 220. An organic light emitting layer 291 is formed on the lower electrode 290 and an upper electrode 292 is formed on the organic light emitting layer 291.

상기 유기발광층(291)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입막(hole injection layer), 정공수송막(hole transporting layer), 발광물질막(emitting material layer), 전자수송막(electron transporting layer) 및 전자주입막(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.The organic light emitting layer 291 may include a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting material layer, a light emitting material layer, , An electron transporting layer, and an electron injection layer.

상기 유기발광다이오드는 상기 유기발광층(291)에서 발광된 빛이 상부전극(292)을 향해 방출되는 상부발광방식으로 구동될 수 있다. The organic light emitting diode may be driven by a top emission type in which light emitted from the organic emission layer 291 is emitted toward the upper electrode 292.

상기와 같이, 유기발광다이오드(OLED)가 기판(210) 상에 형성되면, 기판(210)의 전 영역에 도 1에서 설명한 유기물질과 무기물질이 혼합된 캡핑층(340)과 봉지층(350)을 형성한다.When the organic light emitting diode OLED is formed on the substrate 210 as described above, the capping layer 340 and the sealing layer 350 (see FIG. 1) ).

상기 캡핑층(340)은 도 1에서 설명한 바와 같이, 유기물질과 무기물질의 혼합으로 가시광선 영역에서는 높은 굴절율과 흡광도 특성을 갖기 때문에 유기발광다이오드(OLED)에서 발생하는 광의 많은 양이 외부로 추출되고, 아울러 캡핑층의 고 굴절율 특성으로 시야각이 개선된다.
1, since the capping layer 340 has high refractive index and absorbance characteristics in the visible light region due to the mixing of the organic material and the inorganic material, a large amount of light generated in the organic light emitting diode (OLED) And the viewing angle is improved by the high refractive index characteristic of the capping layer.

101: 기판 110: 제 1 전극
120: 유기발광층 130: 제 2 전극
140: 캡핑층 150: 봉지층
101: substrate 110: first electrode
120: organic light emitting layer 130: second electrode
140: capping layer 150: sealing layer

Claims (13)

제 1 전극;
유기 전계 발광 물질을 포함하고, 상기 제1 전극 상에 형성되어 상부로 빛을 발광하는 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 형성되는 제 2 전극; 및
상기 제 2 전극 상에 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 포함하고,
상기 제2 전극은 투광성의 산화물로 이루어지고, 상기 캡핑층을 구성하는 상기 무기물질은 Ag를 포함하는 금속 합금으로 이루어지는 유기전계발광표시장치.
A first electrode;
An organic light emitting layer including an organic electroluminescent material and formed on the first electrode to emit light upward;
A second electrode formed on the organic light emitting layer; And
And a capping layer in which an inorganic material and an organic material are mixed on the second electrode,
Wherein the second electrode is made of a light-transmitting oxide, and the inorganic material constituting the capping layer is made of a metal alloy containing Ag.
제1항에 있어서, 상기 유기물질에 대한 상기 무기물질의 비율은 1~5%인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the ratio of the inorganic material to the organic material is 1 to 5%.
제1항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께는 100~1000Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic light emitting display as claimed in claim 1, wherein the capping layer has a thickness of 100 to 1000 ANGSTROM.
제1항에 있어서, 상기 캡핑층의 굴절율은 1.7~2.5인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the refractive index of the capping layer is 1.7 to 2.5.
제1항에 있어서, 상기 캡핑층의 무기물질은 Fe, Zn, Mg, Cr, Au, Ni, Ta, Cu, Ti, Pd 및 Pt 중 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the inorganic material of the capping layer further comprises one of Fe, Zn, Mg, Cr, Au, Ni, Ta, Cu, Ti, Pd, .
기판;
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터, 제 1 및 제 2 캐패시터 전극;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 형성된 층간절연막 및 보호층;
상기 보호층 상에 형성된 화소전극;
상기 화소전극 중 일부가 상기 박막 트랜지스터, 상기 제1 및 제2 캐패시터 전극과 수직적으로 중첩되지 않게 노출되도록 형성된 유기층;
하부전극, 유기발광층 및 상부전극을 포함하고, 상기 노출된 화소전극 상에 형성되어 상부로 빛을 발광하는 유기발광다이오드; 및
상기 유기발광다이오드 상에 형성되고, 무기물질과 유기물질이 혼합된 캡핑층을 포함하고,
상기 상부전극은 투광성의 산화물로 이루어지고, 상기 캡핑층을 구성하는 상기 무기물질은 Ag를 포함하는 금속 합금으로 이루어지는 유기전계발광표시장치.
Board;
A thin film transistor formed on the substrate, first and second capacitor electrodes;
An interlayer insulating film and a protective layer formed on the substrate on which the thin film transistor is formed;
A pixel electrode formed on the protective layer;
An organic layer formed so that a part of the pixel electrodes are exposed so as not to vertically overlap with the thin film transistor, the first and second capacitor electrodes;
An organic light emitting diode including a lower electrode, an organic light emitting layer, and an upper electrode, the organic light emitting diode being formed on the exposed pixel electrode and emitting light upward; And
A capping layer formed on the organic light emitting diode and having an inorganic material and an organic material mixed,
Wherein the upper electrode is made of a light-transmitting oxide, and the inorganic material constituting the capping layer is made of a metal alloy containing Ag.
삭제delete 제6항에 있어서, 상기 유기물질에 대한 상기 무기물질의 비율은 1~5%인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The organic light emitting display as claimed in claim 6, wherein the ratio of the inorganic material to the organic material is 1 to 5%.
제6항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께는 100~1000Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
7. The organic light emitting display as claimed in claim 6, wherein the capping layer has a thickness of 100 to 1000 ANGSTROM.
제6항에 있어서, 상기 캡핑층의 굴절율은 1.7~2.5인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
7. The organic light emitting display as claimed in claim 6, wherein the refractive index of the capping layer is 1.7 to 2.5.
제6항에 있어서, 상기 캡핑층의 무기물질은 Fe, Zn, Mg, Cr, Au, Ni, Ta, Cu, Ti, Pd 및 Pt 중 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
7. The organic electroluminescent display device according to claim 6, wherein the inorganic material of the capping layer further comprises any one of Fe, Zn, Mg, Cr, Au, Ni, Ta, Cu, Ti, Pd and Pt. .
제6항에 있어서, 상기 상부전극을 이루는 투광성의 산화물은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)인 유기전계발광표시장치.
7. The organic electroluminescent display device according to claim 6, wherein the transparent oxide forming the upper electrode is indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
제1항에 있어서, 상기 제2 전극을 이루는 투광성의 산화물은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)인 유기전계발광표시장치.The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the light-transmitting oxide of the second electrode is indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
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