KR20230172012A - 기판 지지부를 위한 섀도우 링 정렬 - Google Patents

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Abstract

기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템은 기판 지지부의 베이스플레이트, 베이스플레이트의 상부 표면 내에 규정된 정렬 리세스, 섀도우 링, 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 (groove), 정렬 리세스 내에 배치된 (dispose) 정렬 블록, 및 섀도우 링과 정렬 블록 사이에 배치된 정렬 피처를 포함한다. 정렬 피처는 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 내로 연장한다.

Description

기판 지지부를 위한 섀도우 링 정렬
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2021년 4월 19일에 출원된 미국 특허 가출원 번호 제 63/176,683 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원들의 전체 개시들은 참조로서 본 명세서에 인용된다.
기술분야
본 개시는 기판 프로세싱 시스템들에서의 섀도우 링들의 정렬에 관한 것이다.
배경
본 명세서에 제공된 배경기술의 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시할 목적을 위한 것이다. 이러한 배경기술 섹션에 기술된 정도로의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들도 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
반도체 웨이퍼들과 같은 기판들의 제작 동안, 에칭 프로세스들 및 증착 프로세스들은 프로세싱 챔버 내에서 수행될 수도 있다. 기판은 프로세싱 챔버 내에서 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 또는 페데스탈과 같은 기판 지지부 상에 배치된다 (dispose). 프로세스 가스들이 도입되고, 일부 예들에서 플라즈마가 프로세싱 챔버 내에서 스트라이킹된다 (strike).
일부 기판 지지부들은 섀도우 링을 포함할 수도 있다. 증착 프로세스 및 에칭 프로세스 동안, 기판은 기판 지지부 상에 배치된다 (arrange). 섀도우 링은 증착 및 에칭으로부터 기판의 외측 에지들을 보호하도록 사용될 수도 있다. 예를 들면, 섀도우 링은 기판 지지부로의 기판의 이송을 용이하게 하도록 상승될 수도 있고 이어서 하강될 수도 있다. 섀도우 링의 내경은 기판의 외측 에지와 오버랩된다 (overlap).
요약
기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템은 기판 지지부의 베이스플레이트, 베이스플레이트의 상부 표면 내에 규정된 정렬 리세스, 섀도우 링, 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 (groove), 정렬 리세스 내에 배치된 (dispose) 정렬 블록, 및 섀도우 링과 정렬 블록 사이에 배치된 정렬 피처를 포함한다. 정렬 피처는 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 내로 연장한다.
다른 피처들에서, 정렬 리세스 및 정렬 블록은 인터로킹 배열을 갖는다. 정렬 리세스 및 정렬 블록은 상보적인 형상들을 갖는다. 정렬 리세스 및 정렬 블록 각각은 "T" 형상이다. 정렬 리세스는 기판 지지부에 대해 방사상으로 외향 방향으로부터 정렬 블록을 수용한다. 정렬 블록은 수직 채널을 포함하고 핀은 수직 채널 내에 배치된다. 핀은 정렬 블록 아래의 베이스플레이트로부터 상부 정렬 홈으로 연장한다. 핀은 정렬 피처의 방사상으로 내향으로 위치된다. 핀은 정렬 피처의 방사상으로 외향으로 위치된다.
다른 피처들에서, 상부 정렬 홈은 일반적으로 직사각형이다. 하부 정렬 홈은 반원형이다. 정렬 피처는 휠을 포함한다. 정렬 블록은 하부 정렬 홈에 수직이고 휠의 하부 부분을 수용하는 슬롯을 포함한다. 하부 정렬 홈은 정렬 블록의 상부 표면에 규정되고, 정렬 피처는 휠에 커플링된 샤프트를 포함하고, 그리고 샤프트는 하부 정렬 홈과 정렬된다.
다른 피처들에서, 시스템은 정렬 피처 상으로 섀도우 링을 하강시키기 위한 제어기를 더 포함한다. 시스템은 복수의 정렬 리세스들, 정렬 블록들, 및 정렬 피처들을 더 포함한다. 시스템은 3 개의 정렬 리세스들을 더 포함한다.
기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템은 기판 지지부의 베이스플레이트, 베이스플레이트의 상부 표면 내에 규정된 정렬 리세스, 섀도우 링, 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈, 정렬 리세스 내에 배치되고 정렬 리세스와의 인터로킹 배열을 갖는 정렬 블록, 정렬 블록의 상부 표면에 규정된 하부 정렬 홈, 베이스플레이트로부터 그리고 정렬 블록을 통해 연장하는 핀, 및 섀도우 링과 정렬 블록 사이에 배치된 정렬 피처를 포함한다. 정렬 피처들은 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 내로 그리고 하부 정렬 홈 내로 연장한다.
다른 피처들에서, 정렬 리세스 및 정렬 블록은 상보적인 형상들을 갖는다. 정렬 리세스 및 정렬 블록 각각은 "T" 형상이다. 정렬 리세스는 기판 지지부에 대해 방사상으로 외향 방향으로부터 정렬 블록을 수용한다. 정렬 블록은 수직 채널을 포함하고 핀은 상기 수직 채널 내에 배치된다. 정렬 피처는 휠을 포함한다. 정렬 블록은 하부 정렬 홈에 수직이고 휠의 하부 부분을 수용하는 슬롯을 포함한다.
본 개시의 추가 적용 가능한 영역들은 상세한 기술 (description), 청구항들 및 도면들로부터 자명해질 것이다. 상세한 기술 및 구체적인 예들은 단지 예시의 목적들을 위해 의도되고, 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 기술 (description) 및 첨부된 도면들로부터 더 완전히 이해될 것이다.
도 1a는 본 개시에 따른 예시적인 섀도우 링을 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 기능적 블록도이다.
도 1b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 하강된 포지션의 예시적인 섀도우 링을 도시한다.
도 1c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 상승된 포지션의 예시적인 섀도우 링을 도시한다.
도 1d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 섀도우 링의 평면도이다.
도 2a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 예시적인 섀도우 링 정렬 어셈블리의 측면도를 도시한다.
도 2b는 도 2a의 섀도우 링 정렬 어셈블리의 등각도이다.
도 2c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 또 다른 예시적인 섀도우 링 정렬 어셈블리의 측면도이다.
도 2d는 도 2c의 섀도우 링 정렬 어셈블리의 등각도이다.
도 2e는 도 2a의 섀도우 링 정렬 어셈블리의 평면도이다.
도 2f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 예시적인 섀도우 링의 저면도를 도시한다.
도 2g는 도 2f의 섀도우 링의 등각도이다.
도 3a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 또 다른 예시적인 섀도우 링 정렬 어셈블리의 측면도이다.
도 3b는 도 3a의 섀도우 링 정렬 어셈블리의 등각도이다.
도 4a는 본 개시에 따른 기판 및 섀도우 링을 센터링하도록 구성된 리프트 핀들을 포함하는 예시적인 기판 지지부이다.
도 4b는 도 4a의 리프트 핀들을 도시한다.
도 4c는 도 4a의 기판 지지부의 일부의 등각도이다.
도 4d, 도 4e, 도 4f 및 도 4g는 본 개시에 따라 기판 및 기판 지지부 상의 섀도우 링을 센터링하기 위한 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 4h 및 도 4i는 본 개시에 따른 리프트 핀들을 위한 예시적인 정렬 브래킷을 도시한다.
도 5는 본 개시에 따른 또 다른 예시적인 기판 지지부이다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 개시에 따른 다른 예시적인 리프트 핀 구성들을 도시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
기판 지지부는 프로세싱 동안 증착 및 에칭으로부터 기판의 외측 에지들을 보호하도록 섀도우 링을 포함할 수도 있다. 기판의 외측 에지들 상의 증착 (예를 들어, 텅스텐 증착) 을 방지하도록 섀도우 링이 사용되는 예들에서, 퍼지 가스는 기판의 에지에서 종 농도를 감소시키기 위해 그리고 또한 증착을 감소시키기 위해 섀도우 링과 기판 사이에 공급될 수도 있다.
섀도우 링은 상승 및 하강되도록 구성될 수도 있고, 기판 지지부로 그리고 기판 지지부로부터 이송될 수도 있다. 따라서, 다양한 기법들이 기판 지지부에 대해 섀도우 링을 정렬하도록 (예를 들어, 센터링하도록) 사용될 수도 있다. 예를 들어, 섀도우 링은 스크루들 (예를 들어, 세라믹 또는 금속 스크루들), 너트들, 스프링들, 휠들 등과 같은 기계적 컴포넌트들을 사용하여 기판 지지부와 정렬될 수도 있다. 이들 기계적 컴포넌트들은 부식, 파괴들, 고온들 (예를 들어, 400 ℃ 초과의 온도들에서 불소의 존재와 연관된 손상) 등에 의해 유발된 고장들에 민감하다.
본 개시에 따른 섀도우 링 정렬 시스템들 및 방법들은 이하에 더 상세히 기술되는 바와 같이 기계적 컴포넌트들을 감소시키거나 제거하면서 정렬을 용이하게 하기 위해 다양한 피처들을 구현한다.
이제 도 1a를 참조하면, 본 개시에 따른 기판 지지부 (예를 들어, 화학적 기상 증착 (chemical vapor deposition; CVD) 및/또는 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 증착을 위해 구성된 페데스탈) (104) 를 포함하는 기판 프로세싱 시스템 (100) 의 일 예가 도시된다. 기판 지지부 (104) 는 프로세싱 챔버 (108) 내에 배치된다 (arrange). 기판 (112) 이 프로세싱 동안 기판 지지부 (104) 상에 배치된다. 예를 들어, 증착은 기판 (112) 상에서 수행된다. 기판 (112) 이 제거되고 하나 이상의 부가적인 기판들이 처리된다.
가스 전달 시스템 (120) 은 밸브들 (124-1, 124-2, ... 및 124-N) (집합적으로 밸브들 (124)) 및 질량 유량 제어기들 (mass flow controllers) (126-1, 126-2, ... 및 126-N) (집합적으로 MFC들 (126)) 에 연결되는 가스 소스들 (122-1, 122-2, ... 및 122-N) (집합적으로 가스 소스들 (122)) 을 포함한다. MFC들 (126) 은 가스 소스들 (122) 로부터 가스들이 혼합되는 매니폴드 (128) 로의 가스들의 플로우를 제어한다. 매니폴드 (128) 의 출력이 선택 가능한 (optional) 압력 레귤레이터 (regulator) (132) 를 통해 매니폴드 (136) 로 공급된다. 매니폴드 (136) 의 출력이 멀티-인젝터 샤워헤드 (140) 와 같은 가스 분배 디바이스로 입력된다. 매니폴드 (128 및 136) 가 도시되지만, 단일 매니폴드가 사용될 수 있다.
일부 예들에서, 기판 지지부 (104) 의 온도는 저항성 히터들 (144) 을 사용하여 제어될 수도 있다. 기판 지지부 (104) 는 냉각제 채널들 (146) 을 포함할 수도 있다. 냉각 유체가 유체 저장부 (148) 및 펌프 (150) 로부터 냉각제 채널들 (146) 에 공급된다. 압력 센서들 (152, 154) 은 압력을 측정하기 위해 각각 매니폴드 (128) 또는 매니폴드 (136) 내에 배치될 수도 있다. 밸브 (156) 및 펌프 (158) 가 프로세싱 챔버 (108) 로부터 반응 물질들을 배기하도록 그리고/또는 프로세싱 챔버 (108) 내의 압력을 제어하도록 사용될 수도 있다.
제어기 (160) 가 멀티-인젝터 샤워헤드 (140) 에 의해 제공된 도징 (dosing) 을 제어하는 도징 제어기 (162) 를 포함한다. 제어기 (160) 는 또한 가스 전달 시스템 (120) 으로부터의 가스 전달을 제어한다. 제어기 (160) 는 밸브 (156) 및 펌프 (158) 를 사용하여 프로세싱 챔버 내 압력 및/또는 반응 물질들의 배기를 제어한다. 제어기 (160) 는 (예를 들어, 기판 지지부 내의 센서들 (미도시) 및/또는 냉각제 온도를 측정하는 센서들 (미도시) 로부터의) 온도 피드백에 기반하여 기판 지지부 (104) 및 기판 (112) 의 온도를 제어한다.
증착 프로세스들을 수행하도록 구성되는 것으로 기술되었지만, 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 에칭 프로세스들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 일부 예들에서, 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 증착 프로세스들과 동일한 프로세싱 챔버 (108) 내에서 기판 (112) 상에서 에칭을 수행하도록 구성될 수도 있다. 따라서, 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 (예를 들어, 전압 소스, 전류 소스, 등으로서) RF 전력을 생성하고 하부 전극 (예를 들어, 도시된 바와 같이, 기판 지지부 (104) 의 베이스플레이트) 및 상부 전극 (예를 들어, 샤워헤드 (140)) 중 하나로 제공하도록 구성된 RF 생성 시스템 (164) 을 포함할 수도 있다. 하부 전극 및 상부 전극 중 다른 하나는 DC 접지되거나, AC 접지되거나 플로팅할 수도 있다.
단지 예를 들면, RF 생성 시스템 (164) 은 기판 (112) 을 에칭하기 위해 프로세싱 챔버 (108) 내에서 플라즈마를 생성하도록 매칭 및 분배 네트워크 (168) 에 의해 피딩되는 (feed) RF 전압을 생성하도록 구성된 RF 생성기 (166) 를 포함할 수도 있다. 다른 예들에서, 플라즈마는 유도적으로 또는 리모트로 (remotely) 생성될 수도 있다. 예시적인 목적들로 도시된 바와 같이, RF 생성 시스템 (164) 은 용량 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 시스템에 대응하지만, 본 개시의 원리들은 또한 단지 예를 들면, 변압기 커플링 플라즈마 (transformer coupled plasma; TCP) 시스템들, CCP 캐소드 시스템들, 리모트 마이크로파 플라즈마 생성 및 전달 시스템들 등과 같은 다른 적합한 시스템들에서 구현될 수도 있다.
이제 도 1b 및 도 1c를 참조하고 계속해서 도 1a를 참조하면, 기판 지지부 (104) 는 섀도우 링 (170) 을 포함한다. 섀도우 링 (170) 의 내측 에지 (172) 는 증착 및/또는 에칭으로부터 외측 에지 (174) 를 보호하도록 기판 (112) 의 외측 에지 (174) 와 오버랩한다 (overlap). 일부 예들에서, 섀도우 링 (170) 의 외측 에지 (176) 는 기판 지지부 (104) 의 외측 에지 위로 연장할 수도 있다. 즉, 섀도우 링 (170) 의 외경은 기판 지지부 (104) 의 외경보다 더 크다. 따라서, 일부 구현 예들에서, 섀도우 링 (170) 의 일부는 기판 지지부 (104) 위로 연장하고 하나 이상의 리프트 핀들 (178) 에 의해 인게이지될 (engage) 수 있다. 다른 예들에서, 리프트 핀들 (178) 은 기판 지지부 (104) 를 통해 연장할 수도 있다. 다른 예들에서, 인덱스 플레이트가 섀도우 링 (170) 을 상승시키기 위해 사용된다.
액추에이터들 (actuators) (180) (예를 들어, 제어기 (160) 에 응답하는 선형 액추에이터들) 은 섀도우 링 (170) 을 상승 및 하강시키도록 리프트 핀들 (178) 을 상승 및 하강시킨다. 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이, 섀도우 링 (170) 은 (도 1b에 도시된 바와 같이) 하강된 포지션과 (도 1c에 도시된 바와 같이) 상승된 포지션 사이에서 이동되도록 구성된다. 하강된 포지션에서, 섀도우 링 (170) 의 내측 에지 (172) 는 상기 기술된 바와 같이 기판 (112) 과 오버랩하고 기판 (112) 의 외측 에지 (174) 를 보호한다.
일부 실시 예들에서, 섀도우 링 (170) 은 도 1d의 평면도에 도시한 바와 같이 섀도우 링 (170) 으로부터 방사상으로 외향으로 연장하는 암들 (arms) 또는 탭들 (184) 을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 섀도우 링 (170) 은 3 개의 탭들 (184) 을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 섀도우 링 (170) 은 3 개 미만 (예를 들어, 2 개) 이거나 또는 4 개 이상의 탭들 (184) 을 포함한다. 탭들 (184) 은 기판 지지부 (104) 의 외측 에지 위로 연장한다. 즉, 탭들 (184) 에 의해 규정된 외경은 기판 지지부 (104) 의 외경보다 더 클 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 섀도우 링 (170) 은 탭들 (184) 을 사용하여 (예를 들어, 로봇, 리프팅 또는 인덱스 링 등에 의해) 회수될 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 탭들 (184) 은 기판 지지부 (104) 위로 연장할 수도 있고 리프트 핀들 (178) 과 정렬된다. 이러한 방식으로, 탭들 (184) 은 섀도우 링 (170) 을 상승 및 하강시키도록 리프트 핀들 (178)에 의해 인게이지될 수 있다.
본 개시에 따른 기판 지지부 (104) 및 섀도우 링 (170) 은 이하에 더 상세히 기술된 바와 같이 정렬 피처들을 구현한다.
이제 도 2a, 도 2b, 도 2c, 및 도 2d를 참조하면, 본 개시에 따른 예시적인 섀도우 링 정렬 어셈블리 (200) 의 (예를 들면, 기판 지지부 어셈블리의) 측면도 (즉, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 외측 주변부로부터 방사상으로 내향으로 본 도면) 및 (도 2c 및 도 2d에서) 등축도가 도시된다. 베이스플레이트 (204) 는 섀도우 링 (208) 을 지지한다. 베이스플레이트 (204) 는 전도성일 수도 있다 (예를 들어, 알루미늄과 같은 금속으로 구성됨). 하나 이상의 정렬 리세스들 (212) (예를 들어, 캐비티들 또는 홈들 (grooves)) 이 베이스플레이트 (204) 의 상부 표면 (216) 내에 규정된다. 단지 예를 들면,베이스플레이트 (204) 는 120 도 간격들로 원주 방향으로 이격된 3 개의 정렬 리세스들 (212) 을 포함한다. 일부 예들에서, 정렬 리세스들 (212) 중 하나는 120 도 간격으로부터 (예를 들어, 10 도 만큼) 오프셋될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 정렬 리세스는 "T" 형상이지만 (예를 들어, 뒤집힌 "T" 형상을 가짐), 다른 적합한 형상들이 사용될 수도 있다.
정렬 블록 (220) 은 정렬 리세스 (212) 내에 배치된다 (dispose). 예를 들어, 정렬 블록 (220) 은 정렬 리세스 (212) 의 형상에 상보적인 형상을 갖는다. 도시된 바와 같이, 정렬 블록 (220) 은 "T" 형상이다. 따라서, 정렬 리세스 (212) 및 정렬 블록 (220) 은 서로에 대해 인터로킹 배열 (interlocking arrangement) 을 갖는다. 정렬 블록 (220) 은 방사상으로 외향 방향으로부터 정렬 리세스 (212) 내에 삽입 가능하게 수용될 수도 있다. 반대로, 정렬 리세스 (212) 내 정렬 블록 (220) 의 인터로킹 배열은 베이스플레이트 (204) 에 대한 정렬 블록 (220) 의 측방향 및 상향 이동을 방지한다. 단지 예를 들면, 정렬 블록 (220) 은 유전체 재료 (예를 들어, 알루미나 또는 또 다른 세라믹) 로 구성된다.
정렬 블록 (220) 은 수직 비아 또는 채널 (224) 을 포함한다. 핀 (228) 은 채널 (224) 내에 배치된다. 예를 들어, 핀 (228) 은 베이스플레이트 (204) 의 대응하는 채널 (232) 로부터 정렬 블록 (220) 을 통해, 그리고 섀도우 링 (208) 의 하부 표면 (240) 에 규정된 상부 정렬 홈 (예를 들어, 일반적으로 직사각형 홈) (236) 내로 상향으로 연장한다. 상부 정렬 홈 (236) 은 베이스플레이트 (204) 에 대해 방사상 방향으로 연장한다. 핀 (228) 은 정렬 리세스 (212) 및 베이스플레이트 (204) 에 대한 정렬 블록 (220) 의 포지션을 고정한다. 예를 들어, 핀 (228) 은 측방향 및 방사상 방향으로 정렬 블록 (220) 의 이동을 방지한다. 핀 (228) 은 세라믹과 같은 유전체 재료로 구성된다.
하부 정렬 홈 (예를 들어, 반원형 홈) (244) 이 정렬 블록 (220) 의 상부 표면 (248) 내에 규정된다. 하부 정렬 홈 (244) 은 베이스플레이트 (204) 에 대해 방사상 방향으로 연장한다. 하부 정렬 홈 (244) 은 상부 정렬 홈 (236) 과 (예를 들어, 방사상 방향으로) 정렬된다. 하부 정렬 홈 (244) 및 상부 정렬 홈 (236) 은 정렬 블록 (220) 과 섀도우 링 (208) 사이에 배치된 정렬 피처, 예컨대 정렬 디스크 또는 휠 (250) 을 수용하고 유지하도록 구성된다. 휠 (250) 은 액슬 또는 샤프트 (252) 에 커플링된다. 휠 (250) 및 샤프트 (252) 는 세라믹과 같은 유전체 재료로 구성된다. 다른 예들에서, 정렬 피처는 정렬 블록 (220) 으로부터 상향으로 연장한다.
일부 예들에서, 휠 (250) 은 샤프트 (252) 에 의해 규정된 축 상에서 정렬 블록 (220) 내에서 회전하도록 구성된다. 예를 들어, 도 2e에 도시된 바와 같이, 정렬 블록 (220) 은 하부 정렬 홈 (244) 에 수직인 리세스 또는 슬롯 (256) 을 포함한다. 샤프트 (252) 는 하부 정렬 홈 (244) 과 정렬되고 내부에 배치된다. 슬롯 (256) 은 휠 (250) 의 하부 부분을 수용하도록 구성된다. 슬롯 (256) 은 휠 (250) 이 정렬 블록 (220) 내에서 회전하게 한다. 도 2a, 도 2b 및 도 2e에 도시된 바와 같이, 샤프트 (252) 및 휠 (250) 은 핀 (228) 의 방사상으로 외향으로 위치된다. 반대로, 도 2c 및 도 2d에 도시된 바와 같이, 핀 (228) 은 샤프트 (252) 및 휠 (250) 의 방사상으로 외향으로 위치된다.
도 2f 및 도 2g에 더 상세하게 도시된 바와 같이, 상부 정렬 홈들 (236) 은 섀도우 링 (208) 및 베이스플레이트 (204) 에 대해 방사상으로 외향 방향으로 연장한다. 따라서, 상부 정렬 홈들 (236) 은 각각의 정렬 블록들 (220) 의 핀 (228) 및 휠 (250) 과 정렬하도록 구성된다. 일부 예들에서, 섀도우 링 (208) 은 섀도우 링 (208) 으로부터 방사상으로 외향으로 연장하는 2 개 이상의 (예를 들어, 3 개의) 암들 (260) 을 포함한다. 상부 정렬 홈들 (236) 은 상부 정렬 홈들 (236) 이 섀도우 링 (208) 의 바디로부터 암들 (260) 내로 연장하도록 암들 (260) 과 정렬될 수도 있다.
핀 (228) 및 휠 (250) 은 베이스플레이트 (204) 상의 섀도우 링 (208) 을 정렬 (예를 들어, 센터링) 하도록 구성된다. 예를 들어, 기판이 (예를 들어, 도 1c에 도시된 바와 같이 상승된 포지션에 있는 섀도우 링 (208) 과 함께) 베이스플레이트 (204) 상에 배치된다. 이어서 섀도우 링 (208) 은 베이스플레이트 (204) 상으로 하강된다. 예를 들어, 섀도우 링 (208) 은 암들 (260) 과 인터페이싱하도록 구성된 인덱스 플레이트를 사용하여 하강된다. 섀도우 링 (208) 이 하강됨에 따라, 상부 정렬 홈들 (236) 은 휠들 (250) 의 각각의 휠들과 콘택트한다. 휠들 (250) 과 상부 정렬 홈들 (236) 사이의 콘택트는 상부 정렬 홈들 (236) 각각이 각각의 휠들 (250) 및 핀들 (228) 에 대해 센터링될 때까지 섀도우 링 (208) 으로 하여금 회전하게 한다. 완전히 하강된 포지션에 있을 때, 핀들 (228) 각각은 상부 정렬 홈들 (236) 내에 수용되고 섀도우 링 (208) 의 부가적인 회전 이동을 방지한다.
반대로, 상부 정렬 홈들 (236) 의 배향은 방사상 방향으로 핀들 (228) 의 이동을 허용한다. 즉, 핀들 (228) 은 섀도우 링에 대해 방사상 내향 방향 및 방사상 외향 방향으로 상부 정렬 홈들 내에서 이동하게 된다. 예를 들어, 베이스플레이트 (204) 는 온도 변화들에 따라 팽창 및 수축하는 알루미늄과 같은 금속으로 구성될 수도 있다. 핀들 (228) 은 베이스플레이트 (204) 가 각각 팽창 및 수축함에 따라 방사상으로 외향 및 내향으로 이동한다. 따라서, 베이스플레이트 (204) 의 팽창 및 수축은 섀도우 링 (208) 의 오정렬, 섀도우 링 (208) 에 대한 손상 등을 유발하지 않는다.
본 개시에 따른 (예를 들어, 기판 지지부의) 또 다른 예시적인 섀도우 링 정렬 어셈블리 (300) 가 도 3a 및 도 3b에 도시된다. 섀도우 링 정렬 어셈블리 (300) 는 섀도우 링 (308) 을 지지하는 베이스플레이트 (304) 를 포함한다. 하나 이상의 (예를 들어, 3 개의) 정렬 리세스들 (312) 이 베이스플레이트 (304) 내에 규정된다. 정렬 리세스 (312) 내에 배치된 정렬 블록 (320) 은 정렬 리세스 (312) 의 형상에 상보적인 형상을 갖는다. 핀 (328) 은 베이스플레이트 (304) 로부터 정렬 블록 (320) 을 통해, 그리고 섀도우 링 (308) 의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 (336) 내로 상향으로 연장한다.
정렬 블록 (320) 은 정렬 피처 (350) 를 포함한다. 이 예에서, 정렬 피처 (350) 는 정렬 블록 (320) 으로부터 상부 정렬 홈 (336) 내로 상향으로 연장한다. 정렬 피처 (350) 는 정렬 블록 (320) 과 일체로 형성될 수도 있다. 정렬 피처 (350) 는 베이스플레이트 (304) 상의 섀도우 링 (308) 의 정렬을 용이하게 하도록 원뿔형, 원형 등일 수도 있다.
하부 정렬 홈 (예를 들어, 반원형 홈) (244) 이 정렬 블록 (220) 의 상부 표면 (248) 내에 규정된다. 하부 정렬 홈 (244) 은 베이스플레이트 (204) 에 대해 방사상 방향으로 연장한다. 하부 정렬 홈 (244) 은 상부 정렬 홈 (236) 과 (예를 들어, 방사상 방향으로) 정렬된다. 하부 정렬 홈 (244) 및 상부 정렬 홈 (236) 은 정렬 디스크 또는 휠 (250) 과 같은 정렬 메커니즘을 수용하고 유지하도록 구성된다. 휠 (250) 은 액슬 또는 샤프트 (252) 에 커플링된다. 휠 (250) 및 샤프트 (252) 는 세라믹과 같은 유전체 재료로 구성된다.
본 개시에 따른 섀도우 링 정렬 시스템들 및 방법들은 이하에 더 상세히 기술된 바와 같이 기판 및 섀도우 링을 정렬하도록 구성된 리프트 핀들을 더 구현할 수도 있다.
이제 도 4a, 도 4b 및 도 4c를 참조하면, 본 개시에 따른 예시적인 기판 지지부 (400) 는 기판 (408) 및 섀도우 링 (412) 을 센터링하도록 구성된 리프트 핀들 (404) 을 포함하는 리프트 핀 어셈블리들 (402) 을 포함한다. 예를 들어, 기판 지지부 (400) 는 120 도 간격들로 원주 방향으로 이격된 3 개의 리프트 핀들 (404) 을 포함한다. 일부 예에서, 리프트 핀들 (404) 은 상기 기술된 바와 같이 정렬 블록들 (220) 의 각각의 정렬 블록들과 방사상 방향으로 정렬될 수도 있다. 리프트 핀들 (404) 은 기판 (408) 의 외측 주변부의 방사상으로 외향으로 각각의 위치들에서 베이스플레이트 (414) 를 통해 연장한다. 리프트 핀들 (404) 은 휠들 (416) 을 포함한다. 예를 들어, 리프트 핀들 (404) 및 휠들 (416) 은 사파이어로 구성될 수도 있다. 휠들 (416) 은 기판 지지부 (400) 에 대해 방사상 방향으로 회전하도록 구성된다. 따라서, 기판 (408) 이 리프트 핀들 (404) 상으로 하강될 때, 휠들 (416) 은 기판 지지부 (400) 에 대해 센터링된 포지션으로 기판을 방사상으로 내향으로 바이어스한다.
기판 (408) 의 외측 에지는 리프트 핀 (404) 의 상부 단부 상의 플랜지 (422) 둘레에 배치된 슬리브 (420) 상에 지지된다. 플랜지 (422) 는 세라믹으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 슬리브 (420) 는 기판 (408) 을 지지하도록 구성된 최소 콘택트 면적 피처 (예컨대 범프 (424)) 를 포함할 수도 있다. 도 4c에 도시된 바와 같이, 슬리브 (420) 는 기판 지지부 (400) 내의 노치 (428) 내로 연장하는 돌출부 (426) 를 포함할 수도 있다. 돌출부 (426) 및 노치 (428) 는 리프트 핀들 (404) 의 회전을 방지한다. 범프 (424) 는 돌출부 (426) 상에 배치될 수도 있다.
이어서 섀도우 링 (412) 은 리프트 핀들 (404) 상으로 하강될 수 있다. 예를 들어, 섀도우 링 (412) 은 섀도우 링 (412) 의 하부 표면 (436) 상에 테이퍼링된 (taper) 슬롯들 또는 램프들 (432) 과 같은 센터링 피처들을 포함한다. 섀도우 링 (412) 의 하부 표면 (436) 의 오목부들 또는 노치들로 도시되지만, 다른 예들에서 램프들 (432) 은 하부 표면 (436) 으로부터 하향으로 연장하는 돌기들 또는 돌출부들로서 구성될 수도 있다. 섀도우 링 (412) 이 휠들 (416) 상으로 하강됨에 따라, 램프들 (432) 은 휠들 (416) 의 각각의 휠들을 수용한다. 램프들 (432) 과 휠들 (416) 사이의 콘택트는 섀도우 링 (412) 을 기판 지지부 (400) 에 대해 센터링된 포지션으로 바이어스한다. 슬리브 (420) 상에 지지된 기판 (408) 및 휠들 (416) 상에 지지된 섀도우 링 (412) 을 사용하여, 리프트 핀들 (404) 은 기판 지지부 (400) 상으로 기판 (408) 및 섀도우 링 (412) 을 하강시키도록 하강된다. 이러한 방식으로, 리프트 핀들 (404) 및 휠들 (416) 은 서로 그리고 기판 지지부 (400) 에 대해 기판 (408) 및 섀도우 링 (412) 모두를 센터링하도록 구성된다.
본 개시에 따라 기판 (408) 및 기판 지지부 (400) 상의 섀도우 링 (412) 을 센터링하기 위한 예시적인 프로세스가 도 4d, 도 4e, 도 4f 및 도 4g에 도시된다. 도 4d에 도시된 바와 같이, 기판 (408) 은 상승된 포지션의 리프트 핀들 (404) 과 함께 휠들 (416) 상으로 하강된다. 도 4e에 도시된 바와 같이, 기판 (408) 은 슬리브 (420) 상에 지지되도록 휠들 (416) 상에서 방사상으로 내향으로 슬라이딩한다 (그리고/또는 휠들 (416) 이 회전한다). 따라서, 기판 (408) 은 리프트 핀들 (404) 및 기판 지지부 (400) 의 배열에 대해 센터링된다. 도 4f에 도시된 바와 같이, 섀도우 링 (412) 은 휠들 (416) 상으로 하강된다. 따라서, 섀도우 링 (412) 은 기판 (408) 에 대해 센터링된다. 도 4g에 도시된 바와 같이, 리프트 핀들 (404) 은 기판 지지부 (400) 상으로 기판 (408) 및 섀도우 링 (412) 을 하강시키도록 하강된다.
이제 도 4h 및 도 4i를 참조하면, 기판 지지부 (400) 는 정렬 브래킷들 (440) 을 포함할 수도 있다. 도 4i는 정렬 브래킷들 (440) 중 하나의 평면도를 도시한다. 도시된 바와 같이, 정렬 브래킷들 (440) 은 베이스플레이트 (414) 의 하부 표면 (444) 에 배치된다. 정렬 브래킷들 (440) 은 리프트 핀들 (404) 을 유지하고 정렬하도록 구성된다. 예를 들어, 정렬 브래킷들 (440) 내의 직사각형 개구부들 (448) 을 통과하는 리프트 핀들 (404) 의 부분들은 하나 이상의 편평한 측면들 (452) 을 포함한다. 따라서, 개구부들 (448) 의 구성은 리프트 핀들 (404) 의 회전을 방지한다. 정렬 브래킷들 (440) 은 스크루들 (456) 과 같은 패스너들 (fasteners) 을 사용하여 베이스플레이트 (414) 에 고정될 수도 있다.
도 5는 본 개시에 따른 또 다른 예시적인 기판 지지부 (500) 를 도시한다. 기판 지지부 (500) 는 리프트 핀 어셈블리 (502) 를 포함한다. 리프트 핀 어셈블리 (502) 는 기판 (508) 및 섀도우 링 (512) 을 센터링하도록 구성된 리프트 핀 (504) 및 휠 (516) 을 포함한다. 이 예에서, 리프트 핀 어셈블리 (502) (예를 들어, 리프트 핀 (504) 및 휠 (516))은 섀도우 링 (512) 이 휠 (516) 상으로 하강될 때 방사상으로 내향으로 틸팅하도록 구성된다. 예를 들어, 섀도우 링 (512) 의 하부 표면에 규정된 테이퍼링된 슬롯 또는 램프 (532) 는 섀도우 링 (512) 이 휠 (516) 상으로 하강됨에 따라 리프트 핀 (504) 을 방사상으로 내향으로 바이어스할 수도 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 개시에 따른 기판 지지부 (602) 의 다른 예시적인 리프트 핀들 (600) 을 도시한다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 (600) 의 상부 단부는 라운딩되거나 테이퍼링된다. 기판 (604) 이 리프트 핀 (600) 상으로 하강됨에 따라, 기판 (604) 은 리프트 핀 (600) 의 테이퍼링된 상부 단부에 의해 방사상으로 내향으로 바이어스된다. 센터링될 때, 기판 (604) 은 리프트 핀 (600) 을 둘러싸는 환형 림 또는 플랜지 (608) 상에 지지된다. 리프트 핀 (600) 이 하강될 때, 기판 (604) 은 기판 지지부 (602) 상에 지지된다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 (600) 은 제거 가능하고 교체 가능한 캡 (612) 을 포함한다. 캡 (612) 은 리프트 핀 (600) 의 상부 단부를 수용하도록 구성된 내측 캐비티 (614) 를 포함한다. 캡 (612) 의 상부 표면은 라운딩되거나 테이퍼링된다. 따라서, 기판 (604) 이 리프트 핀 (600) 상으로 하강됨에 따라, 기판 (604) 은 캡 (612) 의 테이퍼링된 상부 표면에 의해 방사상으로 내향으로 바이어스된다. 캡 (612) 은 기판 (604) 을 지지하는 환형 선반 (616) 을 포함한다.
도 6c에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 (600) 은 휠 어셈블리 (620) 를 포함한다. 휠 어셈블리 (620) 는 리프트 핀 (600) 의 상부 단부를 수용하고 지지하도록 구성된 휠 클립 (624) 을 포함한다. 예를 들어, 휠 클립 (624) 은 스크루 (628) 를 사용하여 리프트 핀 (600) 에 패스닝된다 (fastened). 휠 클립 (624) 은 리프트 핀 (600) 으로부터 방사상으로 내향으로 연장하는 플랜지 (632) 를 포함한다. 플랜지 (632) 는 휠 (636) 을 유지하도록 구성된다. 따라서, 기판 (604) 이 휠 (636) 상으로 하강됨에 따라, 기판 (604) 은 휠 (636) 에 의해 방사상으로 내향으로 바이어스된다.
전술한 기술 (description) 은 본질적으로 단지 예시이고, 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 적용 예, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들 (teachings) 은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서 및 이하의 청구항들의 연구시 자명해질 것이기 때문에 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법의 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시 예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시 예에 대해 기술된 이들 피처들 중 임의의 하나 이상의 피처들은, 조합이 명시적으로 기술되지 않아도, 임의의 다른 실시 예들의 피처들로 및/또는 임의의 다른 실시 예들의 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시 예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시 예들의 또 다른 실시 예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 관계 및 기능적 관계는, "연결된 (connected)", "인게이지된 (engaged)", "커플링된 (coupled)", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "~의 상단에 (on top of)", "위에 (above)", "아래에 (below)" 및 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. "직접적 (direct)"인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트들이 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 구 A, B 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B 및 적어도 하나의 C"를 의미하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
일부 구현 예들에서, 제어기는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱을 위한 플랫폼 또는 플랫폼들 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에, 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자 장치 (electronics) 와 통합될 수도 있다. 전자 장치는 시스템들 또는 시스템의 서브 파트들 또는 다양한 컴포넌트들을 제어할 수도 있는 "제어기 (controller)"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정들, 진공 설정들, 전력 설정들, 무선 주파수 (radio frequency; RF) 생성기 설정들, RF 매칭 회로 설정들, 주파수 설정들, 플로우 레이트 설정들, 유체 전달 설정들, 위치 및 동작 설정들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드 록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 가능하게 하고, 엔드포인트 측정들을 가능하게 하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자 장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (digital signal processors; DSPs), ASICs로서 규정되는 칩들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 수행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기와 통신하는 또는 시스템과 통신하는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
일부 구현 예들에서, 제어기는 시스템과 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 그렇지 않으면 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 컴퓨터의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 팹 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하거나, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하거나, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하거나, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하거나, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하거나, 새로운 프로세스를 시작하기 위해서, 시스템으로의 원격 액세스를 가능하게 할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 가 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는, 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정들의 입력 또는 프로그래밍을 가능하게 하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성되는 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들과 같은, 공통 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 일 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는 원격으로 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.
제한 없이, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, 물리적 기상 증착 (physical vapor deposition; PVD) 챔버 또는 모듈, 화학적 기상 증착 (CVD) 챔버 또는 모듈, 원자 층 증착 (ALD) 챔버 또는 모듈, 원자 층 에칭 (atomic layer etch; ALE) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상기 주지된 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims (23)

  1. 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템에 있어서,
    기판 지지부의 베이스플레이트;
    상기 베이스플레이트의 상부 표면 내에 규정된 정렬 리세스;
    섀도우 링;
    상기 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 (groove);
    상기 정렬 리세스 내에 배치된 (dispose) 정렬 블록; 및
    상기 섀도우 링과 상기 정렬 블록 사이에 배치된 정렬 피처를 포함하고, 상기 정렬 피처는 상기 섀도우 링의 상기 하부 표면에 규정된 상기 상부 정렬 홈 내로 연장하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스 및 상기 정렬 블록은 인터로킹 배열 (interlocking arrangement) 을 갖는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스 및 상기 정렬 블록은 상보적인 형상들을 갖는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스 및 상기 정렬 블록 각각은 "T" 형상인, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스는 상기 기판 지지부에 대해 방사상으로 외향 방향으로부터 상기 정렬 블록을 수용하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 블록은 수직 채널을 포함하고, 그리고 핀이 상기 수직 채널 내에 배치되고, 그리고 상기 핀은 상기 정렬 블록 아래의 상기 베이스플레이트로부터 상기 상부 정렬 홈 내로 연장하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 핀은 상기 정렬 피처의 방사상으로 내향으로 위치되는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 핀은 상기 정렬 피처의 방사상으로 외향으로 위치되는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 정렬 홈은 일반적으로 직사각형인, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 정렬 홈은 반원형인, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 피처는 휠을 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 정렬 블록은 상기 하부 정렬 홈에 수직이고 상기 휠의 하부 부분을 수용하는 슬롯을 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    하부 정렬 홈은 상기 정렬 블록의 상부 표면 내에 규정되고, 상기 정렬 피처는 상기 휠에 커플링된 샤프트를 포함하고, 그리고 상기 샤프트는 상기 하부 정렬 홈과 정렬되는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 정렬 피처 상으로 상기 섀도우 링을 하강시키기 위한 제어기를 더 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  15. 제 1 항에 있어서,
    복수의 상기 정렬 리세스들, 상기 정렬 블록들, 및 상기 정렬 피처들을 더 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  16. 제 1 항에 있어서,
    3 개의 상기 정렬 리세스들을 더 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  17. 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템에 있어서,
    기판 지지부의 베이스플레이트;
    상기 베이스플레이트의 상부 표면 내에 규정된 정렬 리세스;
    섀도우 링;
    상기 섀도우 링의 하부 표면에 규정된 상부 정렬 홈 (groove);
    상기 정렬 리세스 내에 배치되고 상기 정렬 리세스와 인터로킹 배열을 갖는 정렬 블록;
    상기 정렬 블록의 상부 표면에 규정된 하부 정렬 홈;
    상기 베이스플레이트로부터 그리고 상기 정렬 블록을 통해 연장하는 핀; 및
    상기 섀도우 링과 상기 정렬 블록 사이에 배치된 정렬 피처를 포함하고, 상기 정렬 피처는 상기 섀도우 링의 상기 하부 표면에 규정된 상기 상부 정렬 홈 내로 그리고 상기 하부 정렬 홈 내로 연장하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스 및 상기 정렬 블록은 상보적인 형상들을 갖는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스 및 상기 정렬 블록 각각은 "T"-형상인, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 정렬 리세스는 상기 기판 지지부에 대해 방사상으로 외향 방향으로부터 상기 정렬 블록을 수용하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 정렬 블록은 수직 채널을 포함하고 그리고 상기 핀은 상기 수직 채널 내에 배치되는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 정렬 피처는 휠을 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 정렬 블록은 상기 하부 정렬 홈에 수직이고 상기 휠의 하부 부분을 수용하는 슬롯을 포함하는, 기판 지지부 상에 섀도우 링을 정렬하기 위한 시스템.
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