CN117203751A - 衬底支撑件的遮蔽环对准 - Google Patents

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拉维·韦兰基
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Abstract

一种在衬底支撑件上对准遮蔽环的系统包含衬底支撑件的底板、限定于底板的上表面内的对准凹部、遮蔽环、限定于遮蔽环的下表面中的上对准沟槽、设置于对准凹部内的对准块件、以及设置于遮蔽环及对准块件之间的对准特征。对准特征延伸至被限定在遮蔽环的下表面中的上对准沟槽中。

Description

衬底支撑件的遮蔽环对准
相关申请的交叉引用
本公开内容是主张于2021年4月19日申请的美国临时专利申请No.63/176,683的权益。上述申请的完整内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及衬底处理系统内的遮蔽环的对准。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
在制造例如半导体晶片的衬底期间，蚀刻处理和沉积处理可以在处理室内进行。衬底设置在处理室中在衬底支撑件上，例如静电卡盘(ESC)或基座。引入处理气体，并且在一些示例中，于处理室中激励等离子体。
一些衬底支撑件可以包含遮蔽环。在沉积和蚀刻处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。遮蔽环可用于保护衬底的外边缘不被沉积和蚀刻。例如，可以升高遮蔽环以促进将衬底转移到衬底支撑件，然后再降低。遮蔽环的内径与衬底的外边缘重叠。
发明内容
在衬底支撑件上对准遮蔽环的系统包含所述衬底支撑件的底板，限定于所述底板的上表面内的对准凹部，遮蔽环，限定于所述遮蔽环的下表面中的上对准沟槽，设置于所述对准凹部内的对准块件；以及设置于所述遮蔽环及所述对准块件之间的对准特征。所述对准特征延伸至被限定在所述遮蔽环的所述下表面中的所述上对准沟槽中。
在其他特征中，所述对准凹部及所述对准块件具有互锁配置。所述对准凹部及所述对准块件具有互补形状。所述对准凹部及所述对准块件中的每一个均为“T”形。所述对准凹部从相对于所述衬底支撑件的径向向外方向接收所述对准块件。所述对准块件包含竖直通道，且在所述竖直通道内设置销，其中所述销从所述对准块件下方的所述底板延伸至所述上对准沟槽中。所述销位于所述对准特征的径向内侧。所述销位于所述对准特征的径向外侧。
在其他特征中，所述上对准沟槽大致为矩形。所述上对准沟槽为半圆形。所述对准特征包含轮。所述对准块件包含与所述下对准沟槽垂直的狭缝，并接收所述轮的下部。下对准沟槽被限定于所述对准块件的上表面中，所述对准特征包含耦合至所述轮的轴，且所述轴对准所述下对准沟槽。
在其他特征中，所述系统还包含控制器，以将所述遮蔽环降低至所述对准特征上。所述系统还包含多个所述对准凹部、所述对准块件以及所述对准特征。所述系统还包含三个所述对准凹部。
在衬底支撑件上对准遮蔽环的系统包含所述衬底支撑件的底板，限定于所述底板的上表面内的对准凹部，遮蔽环，限定于所述遮蔽环的下表面中的上对准沟槽，设置于所述对准凹部内的对准块件，且所述对准块件与所述对准凹部具有互锁配置，限定于所述对准块件的上表面中的下对准沟槽，从所述底板延伸且穿过所述对准块件的销，以及设置于所述遮蔽环及所述对准块件之间的对准特征。所述对准特征延伸至被限定在所述遮蔽环的所述下表面中的所述上对准沟槽中且延伸至所述下对准沟槽中。
在其他特征中，所述对准凹部及所述对准块件具有互补形状。所述对准凹部及所述对准块件中的每一个均为“T”形。所述对准凹部从相对于所述衬底支撑件的径向向外方向接收所述对准块件。所述对准块件包含竖直通道，且所述销被设置在所述竖直通道内。所述对准特征包含轮。所述对准块件包含与所述下对准沟槽垂直的狭缝，并接收所述轮的下部。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1A为功能框图，说明根据本公开内容的包含示例性遮蔽环的衬底处理系统；
图1B显示根据本公开内容的一些实施方案中处于降低位置的示例性遮蔽环；
图1C显示根据本公开内容的一些实施方案中处于升高位置的示例性遮蔽环；
图1D为根据本公开内容的一些实施方案中的遮蔽环的平面图；
图2A为根据本公开内容的一些实施方案中的示例性遮蔽环对准组件的侧视图；
图2B为图2A的遮蔽环对准组件的等角视图；
图2C为根据本公开内容的一些实施方案中另一个示例性遮蔽环对准组件的侧视图；
图2D为图2C的遮蔽环对准组件的等角视图；
图2E为图2A的遮蔽环对准组件的平面图；
图2F显示根据本公开内容的一些实施方案中的示例性遮蔽环的仰视图；
图2G为图2F的遮蔽环的等角视图；
图3A为根据本公开内容的一些实施方案中另一个示例性遮蔽环对准组件的侧视图；
图3B为图3A的遮蔽环对准组件的等角视图；
图4A为根据本公开内容中包含配置成使衬底居中的升降销及遮蔽环的示例性衬底支撑件；
图4B显示图4A的升降销；
图4C为图4A的一部分衬底支撑件的等角视图；
图4D、4E、4F和4G显示根据本公开内容中用于使衬底和遮蔽环在衬底支撑件上居中的示例性处理；
图4H和4I显示根据本公开内容中用于升降销的示例性对准支架；
图5显示根据本公开内容中的另一示例性衬底支撑件；
图6A、6B和6C显示根据本公开内容中的其他示例性升降销配置。
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
衬底支撑件可包含遮蔽环以保护衬底的外边缘在处理期间不受沉积和蚀刻。在遮蔽环用于防止衬底外边缘上的沉积(例如钨沉积)的示例中，可以在遮蔽环和衬底之间供应吹扫气体以降低衬底边缘处的物质浓度，并进一步减少沉积。
遮蔽环可以配置成被升高和降低，且可以被传送往返衬底支撑件。因此，可以使用多种技术使遮蔽环相对于衬底支撑件而对准(例如居中)。例如，可以使用例如螺钉(例如陶瓷或金属螺钉)、螺母、弹簧、轮等的机械部件将遮蔽环与衬底支撑件对准。这些机械部件易受到腐蚀、断裂、高温(例如在高于400℃的温度下与氟存在相关的损坏)等而引起故障。
根据本公开内容的遮蔽环对准系统及方法实施各种特征以促进对准，同时减少或消除机械部件，如下文的更详细描述。
现在参考图1A，显示根据本公开内容中包含衬底支撑件(例如配置用于CVD及/或ALD沉积的基座)104的衬底处理系统100的示例。衬底支撑件104被布置在处理室108内。衬底112在处理期间乃布置在衬底支撑件104上。例如，在衬底112上进行沉积。移除衬底112并处理一或多个额外的衬底。
气体输送系统120包含连接到阀124-1、124-2、...和124-N(统称为阀124)和质量流量控制器126-1、126-2、...和126-N(统称为MFC126)的气体源122-1、122-2、...和122-N(统称为气体源122)。MFC126控制从气体源122到进行气体混合的歧管128的气体流动。歧管128的输出是经由可选的压力调节器132而供应到歧管136。歧管136的输出则是被输入到气体分配装置，例如多喷射器喷头140。尽管显示出歧管128和136，但可以使用单一歧管。
在一些示例中，可以使用电阻加热器144来控制衬底支撑件104的温度。衬底支撑件104可以包含冷却剂通道146。冷却液从流体储存器148和泵150供应到冷却剂通道146。压力传感器152、154可以分别布置在歧管128或歧管136中以测量压力。阀156和泵158可用于从处理室108排出反应物及/或控制处理室108内的压力。
控制器160包含控制由多喷射器喷头140提供剂量的给剂控制器162。控制器160还控制来自气体输送系统120的气体输送。控制器160控制处理室中的压力及/或使用阀156和泵158排出反应物。控制器160是基于温度反馈(例如，来自衬底支撑件中的传感器(未显示)及/或测量冷却剂温度的传感器(未显示))来控制衬底支撑件104和衬底112的温度。
虽然衬底处理系统100被描述为配置成执行沉积处理，但是衬底处理系统100也可以配置成执行蚀刻处理。在一些示例中，衬底处理系统100可以配置成在与沉积处理相同的处理室108内对衬底112进行蚀刻。因此，衬底处理系统100可包含RF产生系统164，RF产生系统164被配置成产生RF功率(例如作为电压源、电流源等)并将RF功率提供给下部电极(例如所示的衬底支撑件104的底板)和上部电极(例如喷头140)其中之一。下部电极和上部电极中的另一个可以是DC接地、AC接地或浮动的。
仅举例来说，RF产生系统164可以包含RF产生器166，RF产生器166被配置成产生由匹配和分配网络168所馈送的RF电压，以在处理室108内产生等离子体以蚀刻衬底112。在其他示例中，等离子体可以感应式地或远程地产生。尽管如出于示例性目的所示，RF产生系统164是对应于电容耦合等离子体(CCP)系统，但是本公开内容的原理也可以在其他合适的系统中实现，仅举例来说，例如变压器耦合等离子体(TCP)系统、CCP阴极系统、远程微波等离子体产生和输送系统等。
现在参考图1B和1C并继续参考图1A，衬底支撑件104包含遮蔽环170。遮蔽环170的内边缘172乃与衬底112的外边缘174重叠以保护外边缘174不受沉积及/或蚀刻。在一些示例中，遮蔽环170的外边缘176可以在衬底支撑件104的外边缘上方延伸。换句话说，遮蔽环170的外径大于衬底支撑件104的外径。因此，在一些实施方式中，遮蔽环170的一部分在衬底支撑件104上方延伸且可以与一或多个升降销178接合。在其他示例中，升降销178可以延伸穿过衬底支撑件104。在其他示例中，使用分度板来升高遮蔽环170。
致动器180(例如响应于控制器160的线性致动器)将升降销178升高和降低，以升高和降低遮蔽环170。如图1B和1C所示，遮蔽环170被配置成在降低位置(如图1B所示)和升高位置(如图1C所示)之间移动。在降低位置时，遮蔽环170的内边缘172与衬底112重叠且如上所述地保护衬底112的外边缘174。
在一些实施方案中，遮蔽环170包含从遮蔽环170径向向外延伸的臂或突出部184，如图1D中的平面图所示。在一些实施方案中，遮蔽环170包含三个突出部184。在一些实施方案中，遮蔽环170包含少于(例如两个)或多于三个的突出部184。突出部184在衬底支撑件104的外边缘的上方延伸。换句话说，由突出部184所限定的外径可以大于衬底支撑件104的外径。在一些实施方案中，可以使用突出部184来取回遮蔽环170(例如通过机器人、升降机或索引环等)。在其他实施方案中，突出部184可在衬底支撑件104上方延伸并与升降销178对准。以这种方式，突出部184可与升降销178接合以升高和降低遮蔽环170。
根据本公开内容的衬底支撑件104和遮蔽环170来实施如下更详细描述的对准特征。
现在参考图2A、2B、2C和2D，显示根据本公开内容的遮蔽环对准组件200(例如衬底支撑组件)的示例性侧视图(即从外周边径向向内观看视图，如图2A和2B所示)及等角视图(在图2C和2D中)。底板204支撑了遮蔽环208。底板204可以是导电的(例如由例如铝的金属构成)。一或多个对准凹部212(例如空腔或沟槽)被限定在底板204的上表面216内。仅举例来说，底板204包含沿圆周以120度间隔开的三个对准凹部212。在一些示例中，对准凹部212的其中之一可以偏离120度间隔(例如10度)。如图所示，对准凹部为“T”形的(例如具有倒“T”形)，但也可以使用其他合适的形状。
对准块件220被设置在对准凹部212内。例如，对准块件220具有与对准凹部212互补的形状。如图所示，对准块件220为“T”形的。因此，对准凹部212和对准块件220具有相对于彼此的互锁配置。对准块件220可以从径向向外的方向可插入地容纳在对准凹部212内。相反地，对准块件220在对准凹部212内的互锁配置是防止对准块件220相对于底板204横向和向上移动。仅举例来说，对准块件220由介电材料(例如氧化铝或其他陶瓷)组成。
对准块件220包含竖直通孔或通道224。销228被布置在通道224中。例如，销228从底板204中的对应通道232向上延伸，穿过对准块件220，并进入被限定在遮蔽环208的下表面240中的上对准沟槽(例如大致矩形的槽)236。上对准沟槽236是相对于底板204沿径向方向延伸。销228将对准块件220固定在相对于对准凹部212和底板204的位置。例如，销228防止对准块件220在横向和径向方向上移动。销228是由例如陶瓷的介电材料构成。
下对准沟槽(例如半圆形槽)244被限定在对准块件220的上表面248中。下对准沟槽244相对于底板204而沿径向方向延伸。下对准沟槽244乃与上对准沟槽236对准(例如在径向方向上)。下对准沟槽244和上对准沟槽236被配置成容纳和保持布置在对准块件220和遮蔽环208之间的对准特征，例如对准盘或轮250。轮250被耦合至轴或杆252。轮250和轴252是由例如陶瓷之类的介电材料构成。在其他示例中，对准特征从对准块件220向上延伸。
在一些示例中，轮250被配置成在对准块件220内在轴252所限定的轴在线旋转。例如，如图2E所示，对准块件220包含垂直于下对准沟槽244的凹部或狭缝256。轴252与下对准沟槽244对准并设置在其内。狭缝256被配置成容纳轮250的下部。狭缝256允许轮250在对准块件220内旋转。如图2A、2B和2E所示，轴252和轮250位于销228的径向外侧。相反地，如图2C和2D所示，销228位于轴252和轮250的径向外侧。
如在图2F和2G中更详细地显示，上对准沟槽236乃相对于遮蔽环208和底板204而沿径向向外的方向延伸。因此，上对准沟槽236被配置成与相应对准块件220的销228和轮250对准。在一些示例中，遮蔽环208包含从遮蔽环208径向向外延伸的两个或更多个(例如三个)臂260。上对准沟槽236可以与臂260对准，使得上对准沟槽236从遮蔽环208的主体延伸至臂260。
销228和轮250被配置成在底板204上对准(例如居中)遮蔽环208。例如，衬底布置在底板204上(例如，如图1C所示，遮蔽环208处于升高位置)。然后将遮蔽环208降低到底板204上。例如，使用配置成与臂260接合的分度板来降低遮蔽环208。当遮蔽环208降低，上对准沟槽236便会接触到相应的轮250。轮250和上对准沟槽236之间的接触会导致遮蔽环208旋转，直到每个上对准沟槽236相对于相应的轮250和销228而居中。当处于完全降低的位置时，每个销228便被接收在上对准沟槽236内并防止遮蔽环208的额外旋转运动。
相反地，上对准沟槽236的方位允许销228在径向方向上移动。换言之，销228被允许在上对准沟槽内相对于遮蔽环沿径向向内方向和径向向外方向移动。例如，底板204可以由例如铝的金属构成而随着温度的变化膨胀和收缩。随着底板204的膨胀和收缩，销228便分别径向向外和向内移动。因此，底板204的膨胀和收缩并不会导致遮蔽环208的错位或造成遮蔽环208的损坏等。
在图3A和3B中显示根据本公开内容的(例如衬底支撑件的)另一示例性遮蔽环对准组件300。遮蔽环对准组件300包含支撑遮蔽环308的底板304。一或多个(例如三个)对准凹部312被限定在底板304内。设置在对准凹部312内的对准块件320具有与对准凹部312互补的形状。销328从底板304向上延伸，穿过对准块件320，并进入被限定在遮蔽环308的下表面中的上对准沟槽336。
对准块件320包含对准特征350。在此例中，对准特征350是从对准块件320向上延伸到上对准沟槽336中。对准特征350可以与对准块件320一体形成。对准特征350可以是圆锥形、圆形等，以便于遮蔽环308在底板304上对准。
下对准沟槽(例如半圆形槽)244限定在对准块件220的上表面248中。下对准沟槽244相对于底板204沿径向延伸。下对准沟槽244与上对准沟槽236(例如沿径向)对准。下对准沟槽244和上对准沟槽236被配置为接收和保持对准机构，例如对准盘或轮250。轮250耦合到轴或杆252。轮250和杆252由诸如陶瓷的介电材料构成。
根据本公开内容的遮蔽环对准系统和方法可以进一步实施配置成对准衬底和遮蔽环的升降销，如下文所进一步详细描述。
现在参考图4A、4B和4C，根据本公开内容的示例性衬底支撑件400包含升降销组件402，升降销组件402包含配置成使衬底408和遮蔽环412居中的升降销404。例如，衬底支撑件400包含三个升降销404以120度的间隔在圆周上间隔开。在一些示例中，升降销404可以在径向方向上与上述对准块件220中的相对应者对准。升降销404在衬底408的外周边径向向外的相应位置处延伸穿过底板414。升降销404包含轮416。例如，升降销404和轮416可以由蓝宝石构成。轮416被配置成相对于衬底支撑件400而在径向方向上旋转。因此，当衬底408下降到升降销404上时，轮416便将衬底径向向内偏位到相对于衬底支撑件400的居中位置。
衬底408的外边缘被支撑在套管420上，而套管420则是设置在升降销404上端上的凸缘422周围。凸缘422可以由陶瓷构成。例如，套管420可以包含配置成支撑衬底408的最小接触面积特征(例如凸块424)。如图4C所示，套管420可以包含延伸到衬底支撑件400中的凹口428中的突出部426。突出部426和凹口428防止升降销404的旋转。凸块424可以设置在突出部426上。
接着可以将遮蔽环412降低到升降销404上。例如，遮蔽环412包含居中特征，例如在遮蔽环412的下表面436上的锥形狭缝或斜坡432。尽管在图中显示为在遮蔽环412的下表面436上的凹部或凹口，在其他示例中，斜坡432可以配置为从下表面436向下延伸的突起或突出部。当遮蔽环412降低到轮416上时，斜坡432便接收相应的轮416。斜坡432和轮416之间的接触便将遮蔽环412偏位到相对于衬底支撑件400的居中位置。有着衬底408支撑在套管420上且遮蔽环412支撑在轮416上，升降销404便被降低以将衬底408和遮蔽环412降低到衬底支撑件400上。以这种方式，升降销404和轮416被配置成使衬底408和遮蔽环412两者相对于彼此及衬底支撑件400居中。
在图4D、4E、4F和4G中显示根据本公开内容中用于使衬底408和遮蔽环412在衬底支撑件400上居中的示例性过程。如图4D所示，在升降销404处于升高位置的情形下，衬底408被降低到轮416上。如图4E所示，衬底408在轮416上径向向内滑动(及/或轮416旋转)以受支撑在套管420上。因此，衬底408便相对于升降销404和衬底支撑件400的配置居中。如图4F所示，遮蔽环412下降到轮416上。因此，遮蔽环412便相对于衬底408居中。如图4G所示，升降销404被降低以将衬底408和遮蔽环412降低到衬底支撑件400上。
现在参考图4H和4I，衬底支撑件400可以包含对准支架440。图4I显示对准支架440之一的平面图。如图所示，对准支架440被配置在底板414的下表面444中。对准支架440被配置成保持和对准升降销404。例如，穿过对准支架440中的矩形开口448的升降销404的部分包含一或多个平坦侧面452。因此，开口448的构造便防止升降销404旋转。对准支架440可以使用例如螺钉456之类的紧固件固定到底板414。
图5显示根据本公开内容的另一示例性衬底支撑件500。衬底支撑件500包含升降销组件502。升降销组件502包含配置成和轮516使衬底508和遮蔽环512居中的升降销504。在此例中，升降销组件502(例如，升降销504和轮516配置成当遮蔽环512降低到轮516上时径向向内倾斜)。例如，当遮蔽环512下降到轮516上时，限定在遮蔽环512的下表面中的锥形狭缝或斜坡532可以使升降销504径向向内偏位。
图6A、6B和6C显示根据本公开内容的衬底支撑件602的其他示例性升降销600。如图6A所示，升降销600的上端为圆形或锥形。当衬底604下降到升降销600上时，衬底604便被升降销600的锥形上端径向向内偏位。当居中时，衬底604被支撑在环绕升降销600的环形边缘或凸缘608上。当升降销600下降时，衬底604便被支撑在衬底支撑件602上。
如图6B所示，升降销600包含可拆卸和可更换的盖612。盖612包含内腔614，其配置被用以容纳升降销600的上端。盖612的上表面为圆形的或锥形的。因此，当衬底604下降到升降销600上时，衬底604便被盖612的锥形上表面径向向内偏位。盖612包含支撑衬底604的环形凸缘616。
如图6C所示，升降销600包含轮组件620。轮组件620包含轮夹624，其被配置成接收升降销600的上端并受支撑于其上。例如，轮夹624是使用螺钉628而固定到升降销600。轮夹624包含从升降销600径向向内延伸的凸缘632。凸缘632被配置成保持轮636。因此，当衬底604下降到轮636上时，衬底604便被轮636径向向内偏位。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改方案将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出与具体系统连接或通过接口连接的工具和其他转移工具和/或装载锁。
概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。
示例性系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (23)

1.在衬底支撑件上对准遮蔽环的系统，所述系统包含:
所述衬底支撑件的底板；
限定于所述底板的上表面内的对准凹部；
遮蔽环；
限定于所述遮蔽环的下表面中的上对准沟槽；
设置于所述对准凹部内的对准块件；以及
设置于所述遮蔽环及所述对准块件之间的对准特征，其中所述对准特征延伸至被限定在所述遮蔽环的所述下表面中的所述上对准沟槽中。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准凹部及所述对准块件具有互锁配置。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准凹部及所述对准块件具有互补形状。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准凹部及所述对准块件中的每一个均为“T”形。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准凹部从相对于所述衬底支撑件的径向向外方向接收所述对准块件。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准块件包含竖直通道，且在所述竖直通道内设置销，其中所述销从所述对准块件下方的所述底板延伸至所述上对准沟槽中。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述销位于所述对准特征的径向内侧。
8.根据权利要求6所述的系统，其中所述销位于所述对准特征的径向外侧。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述上对准沟槽大致为矩形。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述下对准沟槽为半圆形。
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准特征包含轮。
12.根据权利要求11所述的系统，其中所述对准块件包含与所述下对准沟槽垂直的狭缝，并接收所述轮的下部。
13.根据权利要求11所述的系统，其中下对准沟槽被限定于所述对准块件的上表面中，所述对准特征包含耦合至所述轮的轴，且所述轴对准所述下对准沟槽。
14.根据权利要求1所述的系统，其中还包含控制器，以将所述遮蔽环降低至所述对准特征上。
15.根据权利要求1所述的系统，其中还包含多个所述对准凹部、所述对准块件以及所述对准特征。
16.根据权利要求1所述的系统，其中还包含三个所述对准凹部。
17.在衬底支撑件上对准遮蔽环的系统，所述系统包含:
所述衬底支撑件的底板；
限定于所述底板的上表面内的对准凹部；
遮蔽环；
限定于所述遮蔽环的下表面中的上对准沟槽；
设置于所述对准凹部内的对准块件，且所述对准块件与所述对准凹部具有互锁配置；
限定于所述对准块件的上表面中的下对准沟槽；
从所述底板延伸且穿过所述对准块件的销；以及
设置于所述遮蔽环及所述对准块件之间的对准特征，其中所述对准特征延伸至被限定在所述遮蔽环的所述下表面中的所述上对准沟槽中且延伸至所述下对准沟槽中。
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述对准凹部及所述对准块件具有互补形状。
19.根据权利要求17所述的系统，其中所述对准凹部及所述对准块件中的每一个均为“T”形。
20.根据权利要求17所述的系统，其中所述对准凹部从相对于所述衬底支撑件的径向向外方向接收所述对准块件。
21.根据权利要求17所述的系统，其中所述对准块件包含竖直通道，且所述销被设置在所述竖直通道内。
22.根据权利要求17所述的系统，其中所述对准特征包含轮。
23.根据权利要求22所述的系统，其中所述对准块件包含与所述下对准沟槽垂直的狭缝，并接收所述轮的下部。
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