KR20230170253A - 전극재 소성시스템 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극재 소성시스템에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전극재 소성시스템은 전극재 원료물질을 소성시키는 전극재 소성장치; 및 상기 전극재 소성장치로 상기 전극재 원료물질을 공급하는 전극재 공급장치를 포함하고, 상기 전극재 공급장치는, 상기 전극재 원료물질이 수용되어 이동되는 내부 공간이 형성된 공급튜브; 상기 공급튜브의 내부 공간을 냉각시키는 냉각부; 및 상기 공급튜브의 외측을 가열하는 가열부를 포함한다.
Description
본 발명은 전극재 소성시스템에 관한 것이다.
이차 전지는 일차 전지와는 달리 재충전이 가능하고, 또 소형 및 대용량화 가능성으로 인해 근래에 많이 연구 개발되고 있다. 모바일 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가함에 따라 에너지원으로서의 이차 전지의 수요가 급격하게 증가하고 있다.
이차 전지는 전지 케이스의 형상에 따라, 코인형 전지, 원통형 전지, 각형 전지, 및 파우치형 전지로 분류된다. 이차 전지에서 전지 케이스 내부에 장착되는 전극 조립체는 전극 및 분리막의 적층 구조로 이루어진 충방전이 가능한 발전소자이다.
이차 전지는 휴대폰, 디지털 카메라, 노트북 등의 모바일 기기뿐만 아니라, 전기 자전기, 전기 자동차, 하이브리드 전기 자동차 등의 동력 장치에 대한 에너지원으로도 많은 관심을 모으고 있다.
한편, 상기 리튬 이차전지는 양극활물질로 리튬 전이금속 산화물이 이용되고 있다. 즉, 양극활물질로는 작용전압이 높고 용량 특성이 우수한 리튬 코발트 산화물, 약 200 mAh/g의 높은 가역용량을 가지고 대용량의 전지 구현이 용이한 리튬 니켈 산화물, 니켈의 일부를 코발트로 치환한 리튬니켈코발트산화물, 니켈의 일부를 망간, 코발트 또는 알루미늄으로 치환한 리튬니켈코발트금속 산화물, 열적 안정성이 우수하고 저렴한 리튬 망간계 산화물, 안정성이 우수한 리튬철인산화물 등이 이용되고 있다.
상기한 양극 활물질은 양극 활물질 제조용 전구체와 리튬 원료물질을 혼합한 후, 전극재 소성시스템에 투입하여 고온에서 소성하는 방법을 통해 제조된다.
종래의 전극재 원료물질을 열을 가하여 소성시키는 전극재 소성시스템에서, 전극재 원료물질을 공급하는 전극재 공급장치는 전극재 원료물질을 이동시키도록 스크류(Screw)와 스크류를 감싸는 케이스(case)인 공급튜브의 단순 구조로 이루어져 있다. 또한, 공급튜브의 단부가 전극재 원료물질을 열을 가하여 소성시키는 메인 튜브(Main tube)의 내부에 위치되어 전극재 원료물질을 메인 튜브내로 공급하는 구조로 구성된다.
하지만, 메인 튜브의 내부로부터의 열전도에 의해 투입되는 원료가 공급튜브의 끝단 일부 영역에서부터 가열되는 문제가 발생되었다.
이로 인해, 열분해에 의해 발생한 수분을 머금은 원료가 공급튜브의 내부에서 응력을 발생시켜 설비의 내구성이 저하되는 문제가 발생되었다.
또한, 이로 인해 수분에 의해 원료의 분체특성(밀도, 점도, 유동 등) 변화로 중요한 공정조건 중 하나인 원료의 정량투입에 오류가 발생되는 문제가 발생되었다.
아울러, 이로 인해 공정설계 상 반응 구역 이외의 구역에서 제어하지 못한 열적 반응에 의한 중간생성물 발생으로 공정제어 오류가 발생되는 문제가 발생되었다.
본 발명의 하나의 관점은 원하지 않는 부가적인 열적 반응을 방지할 수 있는 전극재 소성시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 전극재 소성시스템은 전극재 원료물질을 소성시키는 전극재 소성장치; 및 상기 전극재 소성장치로 상기 전극재 원료물질을 공급하는 전극재 공급장치를 포함하고, 상기 전극재 공급장치는, 상기 전극재 원료물질이 수용되어 이동되는 내부 공간이 형성된 공급튜브; 상기 공급튜브의 내부 공간을 냉각시키는 냉각부; 및 상기 공급튜브의 외측을 가열하는 가열부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전극재 원료물질을 소성시키는 전극재 소성시스템에서, 전극재 원료물질이 이동되는 공급튜브의 내부 공간을 냉각 시키는 냉각부가 구비되어, 원하지 않는 부가적인 열적 반응을 방지할 수 있다. 이에 따라, 설비의 내구성 저하를 방지하고, 원료의 정량투입에 문제가 없도록하며, 불필요한 중간생성물이 발생되지 않도록 하여 공정제어 오류의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 공급튜브의 외측을 가열하는 가열부가 구비되어, 열적반응으로 발생한 수증기가 공급튜브의 외부에 응축되어 원료와 다시 섞이거나, 공급튜브의 배출구를 막아 피딩(feeding)을 방해하는 것을 억제할 수 있는 효과가 있다.
아울러, 냉각부 및 가열부 사이에 단열부가 위치되어 냉각부 및 가열부 사이의 열전달을 차단할 수 있고, 이에 따라, 냉각부 및 가열부의 각각의 기능을 효과적으로 발휘 할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템을 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템을 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템을 나타낸 개략적인 단면도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템을 나타낸 개략적인 단면도이다. 여기서, 도 1에 도시된 회전부(230)는 설명의 편의상 단면처리 하지 않았다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템(10)은 전극재 원료물질(M)을 소성시키는 전극재 소성장치(200), 및 전극재 소성장치(200)로 전극재 원료물질(M)을 공급하는 전극재 공급장치(100)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템(10)은 가열 튜브(210)로부터 배출되는 가스 및 수증기를 포집하는 챔버(300)를 더 포함할 수 있다.
그리고, 전극재 공급장치(100)는, 전극재 원료물질(M)이 이동되는 공급튜브(110), 냉각부(120), 가열부(140), 단열부(130), 스크류(150), 차단부(170), 및 공급 호퍼(180)를 포함할 수 있다.
그리고, 전극재 소성장치(200)는 공급튜브(110)로부터 전극재 원료물질(M)이 이동되어 수용되는 가열 튜브(210), 히터(220), 회전부(230), 및 배플(240)을 포함할 수 있다.
보다 상세히, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템(10)의 전극재 공급장치(100)에서 공급튜브(110)는 전극재 원료물질(M)이 수용되어 이동되는 내부 공간(110a)이 형성될 수 있다. 여기서, 전극재 원료물질(M)은 예를 들어 양극재 원료물질일 수 있다.
공급튜브(110)는 통형의 관형태 형성될 수 있다. 이때, 공급튜브(110)는 예를 들어 원통형 관형태로 형성될 수 있다.
공급튜브(110)는 가열 튜브(210)의 외측에 위치된 제1 부분(111) 및 가열 튜브(210)의 내측에 위치된 제2 부분(112)을 포함할 수 있다.
이때, 가열부(140) 및 냉각부(120)는 공급튜브(110)의 제1 부분(111) 및 제2 부분(112)에 설치될 수 있다. 즉, 가열부(140) 및 냉각부(120)는 공급튜브(110)에서 가열 튜브(210)의 내측 및 외측에 위치된 부분에 설치될 수 있다.
냉각부(120)는 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)을 냉각시킬 수 있다.
냉각부(120)는 냉매 유체가 이동되며 주변을 일정온도 이하로 유지시키는 냉각라인(121)을 포함할 수 있다.
이때, 전극재 원료물질(M)은 수산화리튬을 포함하고, 냉각부(120)는 예를 들어 전극재 원료물질(M)의 온도가 10 ~ 80℃가 되도록 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)을 냉각시킬 수 있다. 여기서, 냉각부(120)는 구체적으로 예를 들어 전극재 원료물질(M)의 온도가 10 ~ 60℃가 되도록 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)을 냉각시킬 수 있다. 따라서, 냉각부(120)는 전극재 원료물질(M)의 온도가 60℃이하가 되도록 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)을 냉각시킴에 따라, 공정설계 상 반응 구역 이외의 구역에서 제어하지 못한 원하지 않는 부가적인 열적 반응을 방지하여 중간생성물 발생되지 않도록 함에 따라 공정제어 오류가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 결국, 열분해에 의해 발생한 수분을 머금은 원료가 공급튜브(110)의 내부에서 응력을 발생시켜 설비의 내구성이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 수분에 의해 원료의 분체특성(밀도, 점도, 유동 등) 변화로 중요한 공정조건 중 하나인 원료의 정량투입에 오류가 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 냉각부(120)는 전극재 원료물질(M)의 온도가 10℃이상이 되도록 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)을 냉각시킴에 따라, 원료의 부가열반응 혹은 변질을 방지하는 효과가 있다.
냉각라인(121)은 냉매 유체가 유입되는 냉매 유입부(121a) 및 냉매 유체가 배출되는 냉매 배출부(121b)를 포함할 수 있다.
냉각부(120)는 단열부(130)의 내측면을 따라 구비될 수 있다.
가열부(140)는 공급튜브(110)의 외측을 가열할 수 있다.
가열부(140)는 100 ~ 150℃의 온도로 공급튜브(110)의 외측을 가열시킬 수 있다. 따라서, 가열부(140)는 100℃이상의 온도로 공급튜브(110)의 외측을 가열 시킴에 따라, 가열 튜브(210)에서 열적반응으로 발생한 수증기가 공급튜브(110)의 외부에 응축되어 원료와 다시 섞이거나, 공급튜브(110)의 배출구를 막아 피딩(feeding)을 방해하는 것을 억제할 수 있는 효과가 있다. 아울러, 가열부(140)는 150℃이하의 온도로 공급튜브(110)의 외측을 가열 시킴에 따라, 가열온도가 높을수록 냉각효율이 떨어져 원료의 온도가 상승할 수 있으므로 이를 한정하여 일정 온도 범위내의 온도를 유지한 채로 원료가 투입될 수 있는 효과가 있다
가열부(140)는 공급튜브(110)의 내측면을 따라 구비되어, 공급튜브(110) 및 공급튜브(110)의 외부를 가열할 수 있다.
단열부(130)는 냉각부(120) 및 가열부(140) 사이에 위치되어 냉각부(120) 및 가열부(140) 사이의 열전달을 차단할 수 있다. 이에 따라, 냉각부(120) 및 가열부(140)의 각각의 기능을 충분히 발휘 할수 있도록 할 수 있다.
단열부(130)는 가열부(140)의 내측면을 따라 구비될 수 있다.
스크류(Screw)(150)는 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)에 위치되어 전극재 원료물질(M)을 이동시킬 수 있다.
스크류(150)는 예를 들어 회전축 및 회전축의 외주면을 따라 나선형 날개 형태가 구비될 수 있다.
스크류(150)의 단부는 스크류 모터(151)와 연결되어 스크류 모터(151)를 통해 회전되며, 공급튜브(110)의 내부 공간(110a)에 위치된 전극재 원료물질(M)을 가열 튜브(210) 측으로 이동시킬 수 있다.
차단부(170)는 공급튜브(110)의 외면에 구비되고, 공급튜브(110)의 외면에 위치된 응결된 수증기가 공급튜브(110)의 외면을 따라 전극재 소성장치(200)의 내부로 이동되는 것을 차단할 수 있다.
차단부(170)는 공급튜브(110)의 외면 둘레를 따라 구비되는 금속판으로 이루어질 수 있다.
차단부(170)는 중앙부에 홀이 형성된 원판 형태로 형성되어, 중앙부에 형성된 홀이 공급튜브(110)의 외면에 삽입될 수 있다.
공급 호퍼(180)는 공급튜브(110)로 전극재 원료물질(M)을 공급할 수 있다.
이때, 공급 호퍼(180)는 공급튜브(110)의 일측과 연결되고, 공급튜브(110)의 타측은 가열 튜브(210)의 내부에 위치될 수 있다.
전극재 소성장치(200)에서 가열 튜브(210)는 공급튜브(110)로부터 전극재 원료물질(M)이 이동되어 수용되는 수용 공간(210a)이 형성될 수 있다.
가열 튜브(210)는 통형의 관형태 형성될 수 있다. 이때, 가열 튜브(210)는 예를 들어 원통형 관형태로 형성될 수 있다. 또한, 가열 튜브(210)는 공급튜브(110) 보다 지름이 큰 형태로 형성될 수 있다.
히터(220)는 가열 튜브(210)를 가열 시켜 가열 튜브(210)의 수용 공간(210a)에 위치된 전극재 원료물질(M)을 가열할 수 있다.
회전부(230)는 가열 튜브(210)를 회전시킬 수 있다.
회전력을 제공하는 구동기어(231)와, 구동기어(231)로부터 회전력을 전달 받는 종동기어(232)를 포함할 수 있다.
구동기어(231)는 외주면에 구동 기어부가 형성되고, 구동모터의 회전축이 회전됨에 따라 회전될 수 있다.
종동기어(232)는 가열 튜브(210)의 외면을 따라 형성되고, 외주면에 구동기어(231)의 구동 기어부와 맞물림 기어 결합되는 종동 기어부가 형성될 수 있다.
배플(240)은 가열 튜브(210)의 내측에 구비되어 가열 튜브(210)가 회전될 때 가열 튜브(210)에 수용된 전극재 원료물질(M)의 교반을 유도할 수 있다.
배플(240)은 가열 튜브(210)의 내측부에 설치될 수 있다. 배플(240)은 가열 튜브(210)의 내면과 일정 간격 이격된 거리에 구비된 가로바를 포함할 수 있다. 가로바는 가열 튜브(210)의 길이방향을 따라 연장될 수 있다. 이때, 가로바는 예를 들어 전극재 원료물질(M)의 진행방향(G)과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.
챔버(300)는 공급튜브(110)의 제1 부분(111)을 수용하는 공간이 형성될 수 있다. 이때, 챔버(300)는 통형의 챔버 커버(310) 및 챔버 커버(310)의 하측부에 위치되는 챔버 호퍼(320)를 포함할 수 있다.
챔버(300)는 가열 튜브(210)의 제1 부분(111)으로부터 배출되는 가스 및 수증기를 포집할 수 있다.
여기서, 가열 튜브(210)의 외측에서 배출되는 가스 및 수증기가 챔버 커버(310)에 의해 챔버 호퍼(320)로 포집될 수 있다.
제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템
이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템을 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템을 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템(20)은 전극재 원료물질(M)을 소성시키는 전극재 소성장치(200), 및 전극재 소성장치(200)로 전극재 원료물질(M)을 공급하는 전극재 공급장치(1100)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2실시예에 따른 전극재 소성시스템(20)은 가열 튜브(210)로부터 배출되는 가스 및 수증기를 포집하는 챔버(300)를 더 포함할 수 있다.
그리고, 전극재 공급장치(1100)는, 전극재 원료물질(M)이 이동되는 공급튜브(1110), 냉각부(1120), 가열부(1140), 단열부(1130), 스크류(150), 차단부(170), 및 공급 호퍼(180)를 포함할 수 있다.
그리고, 전극재 소성장치(200)는 공급튜브(1110)로부터 전극재 원료물질(M)이 이동되어 수용되는 가열 튜브(210), 히터(220), 회전부(230), 및 배플(240)을 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템(20)은, 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템과 비교할 때, 가열부(1140) 및 냉각부(1120)가 공급튜브(1110)의 제1 부분(1111)에만 설치되는 차이가 있다. 따라서, 본 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템(20)에 대한 실시예는 전술한 제1 실시예에 따른 전극재 소성시스템과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 기술하고, 차이점을 중심으로 기술하도록 한다.
보다 상세히, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극재 소성시스템(20)의 전극재 공급장치(1100)에서 공급튜브(1110)는 전극재 원료물질(M)이 수용되어 이동되는 내부 공간(1110a)이 형성될 수 있다.
공급튜브(1110)는 통형의 관형태 형성될 수 있다. 이때, 공급튜브(1110)는 예를 들어 원통형 관형태로 형성될 수 있다.
공급튜브(1110)는 가열 튜브(210)의 외측에 위치된 제1 부분(1111) 및 가열 튜브(210)의 내측에 위치된 제2 부분(1112)을 포함할 수 있다.
이때, 가열부(1140) 및 냉각부(1120)는 공급튜브(1110)의 제1 부분(1111)에 설치될 수 있다. 즉, 가열부(1140) 및 냉각부(1120)는 공급튜브(1110)에서 가열 튜브(210)의 외측에 위치된 부분에만 설치될 수 있다. 이에 따라, 가열부(1140) 및 냉각부(1120)가 가열 튜브(210)의 내측에 위치되는 공급튜브(1110)의 제2 부분(1112)에는 설치되지 않아, 가열 튜브(210) 내에서 가열 온도를 저하시키는 것을 방지할 수 있고, 제작이 용이할 수 있다.
냉각부(1120)는 공급튜브(1110)의 내부 공간(1110a)을 냉각시킬 수 있다.
냉각부(1120)는 냉매 유체가 이동되며 주변을 일정온도 이하로 유지시키는 냉각라인(1121)을 포함할 수 있다.
이때, 전극재 원료물질(M)은 수산화리튬을 포함하고, 냉각부(1120)는 전극재 원료물질(M)의 온도가 10 ~ 60℃가 되도록 공급튜브(1110)의 내부 공간(1110a)을 냉각시킬 수 있다.
냉각라인(1121)은 냉매 유체가 유입되는 냉매 유입부(1121a) 및 냉매 유체가 배출되는 냉매 배출부(1121b)를 포함할 수 있다.
냉각부(1120)는 단열부(1130)의 내측면을 따라 구비될 수 있다.
가열부(1140)는 공급튜브(1110)의 외측을 가열할 수 있다.
가열부(1140)는 100 ~ 150℃의 온도로 공급튜브(1110)의 외측을 가열시킬 수 있다.
가열부(1140)는 공급튜브(1110)의 내측면을 따라 구비되어, 공급튜브(1110) 및 공급튜브(1110)의 외부를 가열할 수 있다.
단열부(1130)는 냉각부(1120) 및 가열부(1140) 사이에 위치되어 냉각부(1120) 및 가열부(1140) 사이의 열전달을 차단할 수 있다.
단열부(1130)는 가열부(1140)의 내측면을 따라 구비될 수 있다.
스크류(150)는 공급튜브(1110)의 내부 공간(1110a)에 위치되어 전극재 원료물질(M)을 이동시킬 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 실시가 가능하다고 할 것이다.
또한, 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10,20: 전극재 소성시스템
100,1100: 전극재 공급장치
110,1110: 공급튜브
110a,1110a: 내부 공간
111,1111: 제1 부분
112,1112: 제2 부분
120,1120: 냉각부
121,1121: 냉각라인
121a,1121a: 냉매 유입부
121b,1121b: 냉매 배출부
130,1130: 단열부
140,1140: 가열부
150: 스크류
151: 스크류 모터
170: 차단부
180: 공급 호퍼
200: 전극재 소성장치
210: 가열 튜브
210a: 수용 공간
220: 히터
230: 회전부
231: 구동기어
232: 종동기어
240: 배플
300: 챔버
300a: 공간
310: 챔버 커버
320: 챔버 호퍼
G: 진행방향
M: 전극재 원료물질
100,1100: 전극재 공급장치
110,1110: 공급튜브
110a,1110a: 내부 공간
111,1111: 제1 부분
112,1112: 제2 부분
120,1120: 냉각부
121,1121: 냉각라인
121a,1121a: 냉매 유입부
121b,1121b: 냉매 배출부
130,1130: 단열부
140,1140: 가열부
150: 스크류
151: 스크류 모터
170: 차단부
180: 공급 호퍼
200: 전극재 소성장치
210: 가열 튜브
210a: 수용 공간
220: 히터
230: 회전부
231: 구동기어
232: 종동기어
240: 배플
300: 챔버
300a: 공간
310: 챔버 커버
320: 챔버 호퍼
G: 진행방향
M: 전극재 원료물질
Claims (16)
- 전극재 원료물질을 소성시키는 전극재 소성장치; 및
상기 전극재 소성장치로 상기 전극재 원료물질을 공급하는 전극재 공급장치를 포함하고,
상기 전극재 공급장치는,
상기 전극재 원료물질이 수용되어 이동되는 내부 공간이 형성된 공급튜브;
상기 공급튜브의 내부 공간을 냉각시키는 냉각부; 및
상기 공급튜브의 외측을 가열하는 가열부를 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 냉각부는
냉매 유체가 이동되며 주변을 일정온도 이하로 유지시키는 냉각라인을 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 2에 있어서,
상기 전극재 원료물질은 수산화리튬을 포함하고,
상기 냉각부는 상기 전극재 원료물질의 온도가 10 ~ 60℃가 되도록 상기 공급튜브의 내부 공간을 냉각시키는 전극재 소성시스템. - 청구항 2에 있어서,
상기 냉각라인은
상기 냉매 유체가 유입되는 냉매 유입부; 및
상기 냉매 유체가 배출되는 냉매 배출부를 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극재 공급장치는, 상기 공급튜브의 내부 공간에 위치되어 상기 전극재 원료물질을 이동시키는 스크류를 더 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 가열부는 100 ~ 150℃의 온도로 상기 공급튜브의 외측을 가열시키는 전극재 소성시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 냉각부 및 상기 가열부 사이에 위치되어 상기 냉각부 및 상기 가열부 사이의 열전달을 차단하는 단열부를 더 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 7에 있어서,
상기 공급튜브는 통형의 관형태 형성되고,
상기 가열부는 상기 공급튜브의 내측면을 따라 구비되어, 상기 공급튜브 및 상기 공급튜브의 외부를 가열하며,
상기 단열부는 상기 가열부의 내측면을 따라 구비되고,
상기 냉각부는 상기 단열부의 내측면을 따라 구비되는 전극재 소성시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극재 공급장치는, 상기 공급튜브의 외면에 구비되고, 상기 공급튜브의 외면에 위치된 응결된 수증기가 상기 공급튜브의 외면을 따라 상기 전극재 소성장치의 내부로 이동되는 것을 차단하는 차단부를 더 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 9에 있어서,
상기 차단부는 상기 공급튜브의 외면 둘레를 따라 구비되는 금속판으로 이루어지는 전극재 소성시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극재 소성장치는
상기 공급튜브로부터 상기 전극재 원료물질이 이동되어 수용되는 수용 공간이 형성된 가열 튜브; 및
상기 가열 튜브를 가열 시켜 상기 가열 튜브의 수용 공간에 위치된 상기 전극재 원료물질을 가열하는 히터를 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 11에 있어서,
상기 공급튜브는
상기 가열 튜브의 외측에 위치된 제1 부분; 및
상기 가열 튜브의 내측에 위치된 제2 부분을 포함하는 전극재 소성시스템. - 청구항 12에 있어서,
상기 가열부 및 상기 냉각부는 상기 공급튜브의 제1 부분에 설치되는 전극재 소성시스템. - 청구항 12에 있어서,
상기 가열부 및 상기 냉각부는 상기 공급튜브의 제1 부분 및 제2 부분에 설치되는 전극재 소성시스템. - 청구항 12에 있어서,
상기 공급튜브의 제1 부분을 수용하는 공간이 형성된 챔버를 포함하고,
상기 챔버는 상기 가열 튜브의 제1 부분으로부터 배출되는 가스 및 수증기를 포집하는 전극재 소성시스템. - 청구항 11에 있어서,
상기 전극재 소성장치는,
상기 가열 튜브를 회전시키는 회전부; 및
상기 가열 튜브의 내측에 구비되어 상기 가열 튜브가 회전될 때 상기 가열 튜브에 수용된 상기 전극재 원료물질의 교반을 유도하는 배플을 더 포함하는 전극재 소성시스템.
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| KR1020220070534A KR20230170253A (ko) | 2022-06-10 | 2022-06-10 | 전극재 소성시스템 |
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