KR20230169850A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 Download PDF

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KR20230169850A
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Abstract

임프린트 장치는 기판에 대한 압력이 독립적으로 제어되는 복수의 보유지지 영역을 포함하고, 복수의 보유지지 영역에서 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지 유닛, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 몰드에 부여되는 가압력에 관한 제1 정보를 취득하도록 구성되는 제1 취득 유닛, 및 제1 취득 유닛에 의해 취득된 제1 정보에 기초하여, 가압력으로 인해 기판에 발생하는 변형이 허용 범위 내에 들어가도록, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서의 기판과 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등을 제조하기 위한 리소그래피 기술로서, 몰드를 사용해서 기판 상의 임프린트재(경화성 조성물)를 성형하는 임프린트 기술이 알려져 있다. 임프린트 기술을 사용한 임프린트 장치에서는, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로써, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성한다.
임프린트 장치는 몰드의 패턴을 기판에 정밀하게 전사하는 것이 요구되고 있다. 이를 위해, 몰드(의 패턴이 있는 패턴 영역)와 기판(의 전사 영역(샷 영역))을 정밀하게 중첩(정렬)시키는 기술이 일본 특허 공개 제2020-92178호에 제안되어 있다. 일본 특허 공개 제2020-92178호는, 기판의 형상 정보 또는 중첩 정보에 기초하여 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지 유닛의 압력을 제어하는 기술을 개시한다.
그러나, 종래 기술에서는, 몰드와 기판의 중첩을 조정할 때에, 몰드를 가압하는 힘(가압력)을 변화시키면, 이러한 변화로 인해 몰드나 기판이 변형되고, 중첩 정밀도를 의도한 정밀도로 설정하는 것이 불가능해질 수 있다.
본 발명은 몰드와 기판 사이의 중첩 정밀도의 점에서 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 기판에 대한 압력이 독립적으로 제어되는 복수의 보유지지 영역을 포함하고, 복수의 보유지지 영역에서 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지 유닛, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 몰드에 부여되는 가압력에 관한 제1 정보를 취득하도록 구성되는 제1 취득 유닛, 및 제1 취득 유닛에 의해 취득된 제1 정보에 기초하여, 가압력으로 인해 기판에 발생하는 변형이 허용 범위 내에 들어가도록, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서의 기판과 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 추가 양태는 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2a 내지 도 2e는 기판과 기판 보유지지 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 임프린트 처리에서의 몰드 및 기판의 형상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 임프린트 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5a 및 도 5b는 기판 보유지지 유닛을 상면으로부터 본 것을 도시하는 도면이다.
도 6은 기판 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 기판의 위치 어긋남을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 내지 도 7f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 다음의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다는 것에 유의한다. 실시형태에는 다수의 특징이 설명되어 있지만, 모든 이러한 특징을 필요로 하는 발명으로 제한되지 않으며, 다수의 이러한 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면에서, 동일하거나 유사한 구성에는 동일한 참조 번호가 부여되며, 그에 대한 중복하는 설명은 생략된다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 물품으로서의 반도체 소자, 액정 표시 소자, 또는 자기 저장 매체 등의 디바이스의 제조 단계인 리소그래피 단계에 채용되어 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 더 구체적으로는, 임프린트 장치(100)는, 기판 상에 공급(배치)된 미경화 임프린트재를 몰드와 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써, 몰드의 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다.
임프린트재로서는, 경화 에너지를 받는 것에 의해 경화되는 재료(경화성 조성물)가 사용된다. 사용되는 경화 에너지의 예는 전자기파, 열 등이다. 전자기파로서는, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 자외선 등이 사용된다.
경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다.
임프린트재는 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여될 수 있다. 임프린트재는, 액체 분사 헤드를 사용해서, 액적 형상, 또는, 복수의 액적이 연결되어서 형성된 섬 또는 막 형상으로 기판 상에 부여될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)이다.
기판으로서는, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라 기판의 재료와는 다른 재료로 이루어진 부재가 기판의 표면 상에 형성될 수 있다. 더 구체적으로는, 기판의 예는 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 실리카 유리 등을 포함한다.
본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판이 배치되는 평면에 평행한 방향을 X-Y 평면으로서 규정하는 XYZ 좌표계로 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계의 X축, Y축 및 Z축에 평행한 방향은 각각 X 방향, Y 방향 및 Z 방향이다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전 및 Z축 둘레의 회전은 각각 θX, θY 및 θZ이다.
임프린트 장치(100)는, 본 실시형태에서는, 임프린트재 경화 방법으로서, 임프린트재를 광으로 조사함으로써 임프린트재를 경화시키는 광경화법을 채용한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 임프린트 장치(100)는, 임프린트재 경화 방법으로서, 열을 부여함으로써 임프린트재를 경화시키는 열경화법을 채용할 수도 있다.
임프린트 장치(100)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 프리얼라인먼트 유닛(7), 디스펜서(8), 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9), 및 얼라인먼트 계측 시스템(10)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(100)는 광 투과 부재(13), 제어 유닛(14), 콘솔 유닛(15), 조사 유닛(16), 충전 모니터(17), 몰드 스테이지(50), 및 기판 스테이지(60)를 포함한다.
조사 유닛(16)은 몰드(3)를 통해서 기판 상의 임프린트재에 광(예를 들어, UV 선)을 조사한다. 조사 유닛(16)은, 예를 들어 기판 상의 임프린트재를 경화시키는 광을 사출하는 광원 유닛(161), 및 광원 유닛(161)으로부터 사출된 광을 기판 상의 임프린트재에 유도하도록 구성되는 광학 부재(162)를 포함한다. 광학 부재(162)는, 광원 유닛(161)으로부터 사출된 광을 임프린트 처리에 적절한 광으로 조정하도록 구성되는 광학 소자를 포함한다.
몰드(3)는 직사각형 외부 형상을 갖는다. 몰드(3)의 기판(1)에 대면하는 면(패턴면)에는 3차원 패턴(3a)이 형성된다. 몰드(3)는, 조사 유닛(16)으로부터의 광(UV 선)을 투과시킬 수 있는 재료, 예를 들어 실리카 유리로 이루어진다. 몰드(3)는 패턴(3a)의 변형을 용이하게 하도록 구성되는 캐비티(오목부)(3b)를 포함한다. 캐비티(3b)는 원형 평면 형상을 갖고, 그 깊이(두께)는 몰드(3)의 형상 또는 재료에 따라서 적절히 설정된다.
캐비티(3b)의 상방에는 광 투과 부재(13)가 배치된다. 광 투과 부재(13)는, 캐비티(3b)와 몰드 스테이지(50)에 제공된 개구 영역의 일부에 의해 둘러싸이는 공간(12)을 밀폐 공간으로 형성하도록 구성되는 부재이다. 공간(12)에 연결된 압력 조정 디바이스(도시되지 않음)를 통해서 공간(12)의 압력을 조정함으로써, 몰드(3)의 패턴(3a)이 변형될 수 있는 데, 예를 들어 몰드(3)의 패턴(3a)이 기판 측으로 볼록 형상으로 변형될 수 있다.
몰드 스테이지(50)는, 진공 흡인력이나 정전기력에 의해 몰드(3)를 보유지지하는 몰드 보유지지 유닛(51), 몰드 보유지지 유닛(51)을 Z 방향(수직 방향)으로 구동하는 몰드 구동 유닛(52), 및 몰드 변형 기구(53)를 포함한다. 몰드 보유지지 유닛(51) 및 몰드 구동 유닛(52)(몰드 스테이지(50)) 각각에는, 그 중심부에, 조사 유닛(16)으로부터의 광을 기판 상의 임프린트재에 조사하도록 구성되는 개구 영역이 제공된다.
몰드 구동 유닛(52)은, 액추에이터, 예를 들어 보이스 코일 모터나 에어 실린더를 포함한다. 몰드 구동 유닛(52)은, 기판 상의 임프린트재에 몰드(3)를 접촉시키거나 기판 상의 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리하기 위해서, 몰드 보유지지 유닛(51)(에 의해 보유지지된 몰드(3))을 Z 방향으로 구동한다. 몰드 구동 유닛(52)은 Z 방향뿐만 아니라 X 방향이나 Y 방향으로도 몰드 보유지지 유닛(51)을 구동하는 기능(즉, 몰드(3)의 X 방향이나 Y 방향의 위치를 조정하는 기능)을 가질 수 있다는 것에 유의한다. 또한, 몰드 구동 유닛(52)은 몰드 보유지지 유닛(51)의 θZ 방향의 위치를 조정하는 기능 또는 몰드 보유지지 유닛(51)의 기울기를 조정하기 위한 기능을 가질 수 있다.
몰드 변형 기구(53)는 몰드 보유지지 유닛(51)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 측면에 외력 또는 변위를 부여함으로써, 몰드(3)(의 패턴(3a))을 변형시킨다(몰드(3)의 형상을 보정한다). 몰드 변형 기구(53)는, 예를 들어 복수의 액추에이터를 포함하여 몰드(3)의 각각의 측면의 복수의 지점을 가압하도록 구성된다.
기판(1)에는, 복수의 샷 영역이 매트릭스로 배열되어 있다. 여기서, 샷 영역이란 1회의 임프린트 처리에 의해 몰드(3)의 패턴(3a)이 전사되는 영역(전사 영역)을 의미한다. 본 실시형태에서는, 기판(1)의 유효 면적(몰드(3)의 패턴(3a)이 전사되는 영역의 총 면적)을 최대화하기 위해서, 기판(1) 내측의 샷 영역뿐만 아니라 기판(1)의 외주를 포함하는 주변 샷 영역에도 임프린트 처리를 행한다. 주변 샷 영역이란 일부가 칩핑(chipped)된(기판(1)의 외주로부터 돌출하는) 샷 영역이며, 칩핑된 샷 영역이라고도 지칭된다.
기판 스테이지(60)는, 기판(1)을 보유지지하는 기판 보유지지 유닛(2), 및 기판 보유지지 유닛(2)(에 의해 보유지지된 기판(1))을 X 방향 및 Y 방향으로 구동하는 기판 구동 유닛(61)을 포함한다. 기판 구동 유닛(61)은, 예를 들어 리니어 모터를 포함하고, 조동 구동 시스템 및 미동 구동 시스템 같은 복수의 구동 시스템에 의해 형성될 수 있다. 또한, 기판 구동 유닛(61)은 X 방향 및 Y 방향뿐만 아니라 Z 방향으로도 기판 보유지지 유닛(2)을 구동하는 기능(즉, 기판(1)의 Z 방향의 위치를 조정하는 기능)을 가질 수 있다. 또한, 기판 구동 유닛(61)은 기판 보유지지 유닛(2)의 θZ 방향의 위치를 조정하는 기능 또는 기판 보유지지 유닛(2)의 기울기를 조정하는 기능을 가질 수 있다.
프리얼라인먼트 유닛(7)은, 기판(1)이 탑재되는 프리얼라인먼트 스테이지(도시되지 않음), 및 프리얼라인먼트 스테이지에 탑재된 기판(1)의 위치를 계측하는 프리얼라인먼트 센서(도시되지 않음)를 포함한다. 프리얼라인먼트 센서는 기판(1)에 제공된 노치 또는 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 검출함으로써, 기판(1)의 위치를 계측한다. 프리얼라인먼트 센서의 계측 결과에 기초하여 프리얼라인먼트 스테이지가 구동되고, 그 위치에서 프리얼라인먼트 스테이지에 탑재된 기판(1)을 반송 핸드(도시되지 않음)에 전달한다. 반송 핸드는 기판(1)을 기판 보유지지 유닛(2)에 배치한다. 프리얼라인먼트 스테이지를 구동하는 대신, 프리얼라인먼트 센서의 계측 결과에 기초하여, 프리얼라인먼트 스테이지로부터 기판(1)을 수취하는 반송 핸드의 위치(수취 위치) 또는 반송 핸드로부터 기판(1)을 수취하는 기판 보유지지 유닛(2)의 위치를 변경할 수 있다는 것에 유의한다.
기판 스테이지(60)의 위치는, 본 실시형태에서는, 하우징에 제공된 스케일과 기판 구동 유닛(61)에 제공된 헤드(광학 디바이스)를 포함하는 인코더 시스템을 사용해서 계측된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판 스테이지(60)의 위치는, 하우징에 제공된 간섭계 및 기판 구동 유닛(61)에 제공된 반사 미러를 포함하는 간섭계 시스템을 사용해서 계측될 수 있다.
오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9) 및 얼라인먼트 계측 시스템(10)은 몰드(3)와 기판(1)(의 각각의 샷 영역)의 상대 위치를 계측하기 위한 프리얼라인먼트 계측에 사용된다. 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9) 및 얼라인먼트 계측 시스템(10)은, 각각, 제어 유닛(14)의 제어 하에서 기준으로서의 장치 좌표(device coordinates)에 기초해서 기판(1) 및 몰드(3)의 위치를 개별적으로 계측한다. 얼라인먼트 계측 시스템(10)은, 몰드(3)에 제공된 마크를 검출(관찰)함으로써, 얼라인먼트 계측 시스템(10)의 위치 기준에 기초해서 몰드(3)의 위치를 계측한다. 한편, 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9)은, 기판 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 기판(1)에 제공된 복수의 마크를 검출함으로써, 기판 보유지지 유닛(2)의 위치 기준에 기초해서 기판(1)(의 각 샷 영역)의 위치를 계측한다. 그리고, 기판(1)의 모든 샷 영역의 위치 좌표를 추정하기 위한 통계 계산 처리(글로벌 얼라인먼트)가 실시된다.
또한, 얼라인먼트 계측 시스템(10)은, 기판(1)에 제공된 얼라인먼트 마크와 몰드(3)에 제공된 얼라인먼트 마크 사이의 X 방향 및 Y 방향의 위치 어긋남(즉, 기판(1)과 몰드(3) 사이의 위치 어긋남)을 계측한다. 제어 유닛(14)의 제어 하에서, 얼라인먼트 계측 시스템(10)에 의해 계측된 위치 어긋남에 기초하여 기판 스테이지(60)의 위치를 조정함으로써, 몰드(3)(의 패턴(3a))와 기판(1)(의 샷 영역)을 중첩시킨다(정렬한다).
디스펜서(8)는 기판 상에 임프린트재를 배치(공급)하는 기능을 갖는다. 디스펜서(8)는, 예를 들어 기판 상의 각각의 샷 영역에 임프린트재의 액적을 토출한다. 디스펜서(8)는, 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 임프린트재를 개별적으로 배치할 수 있거나 또는 여러 샷 영역에 임프린트재를 한 번에 배치할 수 있다.
충전 모니터(17)(스프레드 카메라)는, 기판 상(의 샷 영역)에 배치(공급)된 임프린트재와 몰드(3) 사이의 접촉 상태를 관찰한다. 충전 모니터(17)에 의해 기판 상의 임프린트재와 몰드(3) 사이의 접촉 상태를 관찰하면, 미충전 파티클 또는 임프린트재에 의해 야기되는 결함부를 특정할 수 있다. 충전 모니터(17)는, 예를 들어 광원, 촬상 소자, 및 광학 시스템을 포함한다. 광원으로서, 예를 들어, 임프린트재가 감광하지 않는 파장을 갖는 광을 발하는 LED가 사용되고, 촬상 소자로서, CCD 센서 같은 2차원 센서가 사용된다. 광학 시스템은, 광원으로부터의 광으로 기판(1)(의 샷 영역)을 균일하게 조명하는 조명 시스템, 및 기판(1)과 촬상 소자를 광학적으로 공액이 되게 하는 결상 시스템을 포함한다.
제어 유닛(14)은, 예를 들어 CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터에 의해 형성되고, 메모리에 저장된 프로그램에 따라서 임프린트 장치(100)의 유닛을 통괄적으로 제어해서 임프린트 장치(100)를 동작시킨다.
제어 유닛(14)은, 본 실시형태에서는, 몰드(3)를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성(몰드(3)의 패턴(3a)을 기판 상의 임프린트재에 전사)하는 임프린트 처리 및 그것에 관련된 처리를 제어한다. 여기서, 임프린트 처리는, 전형적으로는, 배치 단계, 접촉 단계, 충전 단계, 경화 단계, 및 이형 단계를 포함한다. 배치 단계는 기판 상에 임프린트재를 배치(공급)하는 단계이다. 접촉 단계는 기판 상의 임프린트재를 몰드(3)와 접촉시키는 단계이다. 충전 단계는, 기판 상의 임프린트재와 몰드(3)가 접촉하는 상태에서, 몰드(3)의 패턴(3a)에 임프린트재를 충전시키는 단계이다. 경화 단계는, 기판 상의 임프린트재와 몰드(3)를 접촉하는 상태에서, 임프린트재를 경화시키는 단계이다. 이형 단계는, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리하는 단계이다.
콘솔 유닛(15)은, 키보드나 마우스 등의 입력 디바이스 및 디스플레이를 포함하는 컴퓨터를 포함하고, 임프린트 장치(100)(제어 유닛(14))와 유저 사이에서 정보를 공유하도록 구성되는 인터페이스이다. 콘솔 유닛(15)은, 유저에 의해 입력된 임프린트 처리에 관한 정보를 제어 유닛(14)에 출력(송신)한다. 콘솔 유닛(15)에 입력된 임프린트 처리에 관한 정보는, 로그로서 임프린트 장치(100)에 기록되고, 임프린트 처리 전 및 후에 확인될 수 있다. 여기서, 임프린트 처리에 관한 정보는, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성할 때의 다양한 임프린트 조건이 기술된 임프린트 레시피를 포함한다. 임프린트 레시피는, 예를 들어 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 접촉 시킬 때 몰드(3)에 부여되는 힘(가압력), 기판 상의 샷 영역의 배열을 나타내는 샷 레이아웃, 및 기판 상에 배치해야 할 임프린트재의 액적 배열을 나타내는 드롭 패턴을 포함한다.
도 2a 내지 도 2e를 참조하여, 기판(1) 및 기판 보유지지 유닛(2)의 구성을 설명한다. 도 2a는 기판 상의 샷 영역의 배열을 나타내는 샷 레이아웃을 도시하는 도면이다. 샷 영역은 기판 상의 구획된 영역이며, 각각의 영역에 대해 임프린트 처리가 행해진다. 도 2a에서, 기판 상의 복수의 샷 영역 중 샷 영역(11)은 임프린트 처리가 행해질 대상으로서의 샷 영역을 나타낸다는 것에 유의한다.
도 2b 내지 도 2e는 기판 보유지지 유닛(2)이 상세한 구성을 도시하는 도면이다. 도 2b는, 기판 보유지지 유닛(2)을 상면(기판(1)을 보유지지하는 보유지지면)으로부터 도시하는 도면이다. 기판 보유지지 유닛(2)(의 보유지지면)은, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 격벽(21a, 21b, 및 21c)에 의해 구획된 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)을 포함한다. 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)은, 도 2b에서는, 동심원 구조로, 즉, 동심원으로 구획된 영역이다.
도 2c 내지 도 2e는, 도 2b에 나타내는 기판 보유지지 유닛(2)의 A-A 선을 따라 취한 단면도이며, 기판 상의 샷 영역(11)에 대응하는 부분만을 나타낸다. 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)은 각각 관(23a, 23b, 및 23c)을 통해서 압력 조정 유닛(26)에 연결되어 있다. 압력 조정 유닛(26)은, 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)과 기판(1)(의 샷 영역(11)) 사이의 공간(SPa, SPb 및 SPc)의 압력을 조정하는 기능을 갖는다. 바꾸어 말하면, 압력 조정 유닛(26)은, 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c) 각각에서 기판(1)의 하면에 부여되는 압력을 조정하는 기능을 갖는다. 본 실시형태에서는, 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa, SPb, 및 SPc)의 압력은 제어 유닛(14)의 제어 하에서 압력 조정 유닛(26)을 통해서 독립적으로 제어된다.
예를 들어, 도 2c는, 기판(1)이 편평해지게, 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa, SPb 및 SPc)의 압력이 제어되는 상태를 나타낸다. 도 2d는, 도 2c에 나타내는 상태로부터, 보유지지 영역(22a)과 기판(1) 사이의 공간(SPa)의 압력을 양압 측으로 변화시켜, 기판(1)(의 단부)을 상향으로 변형시킨 상태를 나타내고 있다. 도 2e는, 도 2c에 나타내는 상태로부터, 보유지지 영역(22a)과 기판(1)의 사이의 공간(SPa)의 압력을 부압 측으로 변화시켜, 기판(1)(의 단부)을 하향으로 변형시킨 상태를 나타내고 있다.
이와 같이, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa, SPb 및 SPc)의 압력을 제어함으로써, 기판(1)의 형상을 비교적 자유롭게 변화시킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 이러한 기능을 사용하여, 몰드(3)(의 패턴(3a))와 기판(1)(의 샷 영역(11)) 사이의 중첩 정밀도를 향상시킨다. 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩 정밀도는, 예를 들어 얼라인먼트 계측 시스템(10)을 사용해서 계측될 수 있거나, 또는 임프린트 장치(100)의 외부 장치인 중첩 검사 장치를 사용해서 계측될 수 있다는 것에 유의한다.
도 3a 내지 도 3c는, 임프린트 처리, 더 구체적으로는, 접촉 단계 및 충전 단계에서의 몰드(3)와 기판(1)의 형상(변형)을 개략적으로 도시하는 도면이다. 접촉 단계 및 충전 단계에서, 기판(1)은, 몰드(3)에 부여되는 가압력(5) 또는 보유지지 영역(22a 및 22b)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 및 SPb)의 압력(6a 및 6b)에 따라서 변형된다. 기판 상의 임프린트재(4)와 접촉하는, 몰드(3)의 표면에는, 상술한 바와 같이, 기판(1)에 전사해야 할 패턴(3a)이 형성된다.
도 3a는, 몰드(3)에 부여되는 가압력(5)이 작은 상태를 나타내고 있다. 도 3a를 참조하면, 몰드(3)에 부여되는 가압력(5)으로 인해 몰드(3)가 상향으로(오목 형상으로) 변형되기 때문에, 기판(1)에 대하여 몰드(3)(의 패턴(3a))가 상대적으로 신장되도록 변형된다.
도 3b는, 몰드(3)에 부여되는 가압력(5)이 큰 상태를 나타내고 있다. 도 3b를 참조하면, 몰드(3)에 부여되는 가압력(5)이 크기 때문에, 몰드(3)는 편평해진다. 한편, 기판(1)은 하향으로(볼록 형상으로) 변형되며, 따라서 기판(1)의 상면이 상대적으로 신장되도록 변형된다. 본 실시형태와 같이, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)을 구획하는 격벽(21a 내지 21c) 중, 최외주(최외측)의 격벽(21a)이 나머지 격벽(21b 및 21c)의 높이보다 낮은 높이를 갖는 경우, 기판(1)의 하향 변형이 현저해진다는 것에 유의한다.
도 3c는, 몰드(3)에 가압력(5)을 부여하는 동시에, 보유지지 영역(22a 및 22b)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 및 SPb)의 압력(6a 및 6b)을 제어(상승)하는 상태를 나타내고 있다. 도 3c를 참조하면, 몰드(3)에 부여되는 가압력(5)과 공간(SPa 및 SPb)의 압력(6a 및 6b)이 균형을 이루면, 몰드(3) 및 기판(1)을 편평하게 할 수 있다. 더 구체적으로는, 공간(SPa)의 압력(6a)은, 기판 상의 샷 영역(11)에서의 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재(4) 사이의 접촉 면적(211)에 따라 이하의 식 (1)에 의해 구할 수 있다. 공간(SPb)의 압력(6b)에 대해서도 압력(6a)과 마찬가지로 구할 수 있다. 식 (1)에서, PP는 가압력(5)이며, CA는 접촉 면적(211)이다.
압력 6a(6b)=PP/CA ...(1)
본 실시형태에서는, 기판(1)이 편평해지게, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 제어한다는 것에 유의한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 가압력(5)에 의해 기판(1)에 발생하는 변형이 허용 범위 내에 들어가도록(기판(1)이 목표 형상을 얻도록), 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 제어할 수 있다.
도 4를 참조하여, 임프린트 장치(100)의 동작(임프린트 방법)의 일 예에 대해서 설명한다. 이 동작은, 상술한 바와 같이, 제어 유닛(14)이 임프린트 장치(100)의 유닛을 통괄적으로 제어함으로써 행해진다.
단계 S101에서는, 임프린트 장치(100)에 몰드(3)를 반입한다. 더 구체적으로는, 몰드 반송 유닛(도시되지 않음)에 의해 임프린트 장치(100)에 몰드(3)를 반입하고, 몰드(3)를 몰드 스테이지(50)(몰드 보유지지 유닛(51))에 의해 보유지지한다.
단계 S102에서는, 임프린트 장치(100)에 기판(1)을 반입한다. 더 구체적으로는, 기판 반송 유닛(도시되지 않음)에 의해 임프린트 장치(100)에 기판(1)을 반입하고, 이러한 기판(1)을 프리얼라인먼트 유닛(7)을 통해서 기판 스테이지(60)(기판 보유지지 유닛(2))에 의해 보유지지한다.
단계 S103에서는, 기판 상의 샷 영역(11)에서의 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉 면적(도 3c에 나타내는 바와 같이, 몰드(3)의 패턴면의 전체면과 기판 상의 임프린트재(4)를 전체적으로 서로 접촉시킨 상태에서의 접촉 면적(211))을 취득한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은 콘솔 유닛(15)을 통해서 입력된 임프린트 처리에 관한 정보, 즉, 임프린트 레시피로부터 샷 레이아웃을 취득한다. 그리고, 제어 유닛(14)은, 샷 레이아웃으로부터 기판 상의 각각의 샷 영역의 면적을 추출하고, 이러한 면적을 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉 면적으로서 취득한다. 기판 상의 샷 영역(11)의 전체면에 임프린트재가 배치되지 않을 경우, 예를 들어 샷 영역(11)의 외주로부터 미리결정된 폭을 갖는 영역(여백 영역)에는 임프린트재가 배치되지 않는 경우도 생각할 수 있다는 것에 유의한다. 이러한 경우에는, 제어 유닛(14)은, 임프린트 레시피로부터 드롭 패턴을 취득하고, 샷 레이아웃 이외에도 드롭 패턴도 고려하여 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉 면적을 구한다. 이와 같이, 제어 유닛(14)은, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시켰을 때의 몰드와 임프린트재 사이의 접촉 면적에 관한 정보(제2 정보)를 취득한다(제2 취득 유닛으로서 기능한다).
단계 S104에서는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 몰드(3)에 부여되는 가압력을 취득한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은 콘솔 유닛(15)을 통해서 입력된 임프린트 처리에 관한 정보, 즉, 임프린트 레시피로부터 샷 레이아웃을 취득한다. 그리고, 제어 유닛(14)은, 샷 레이아웃으로부터 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 몰드(3)에 부여하는 힘을 추출하고, 이러한 힘을 가압력으로서 취득한다. 이와 같이, 제어 유닛(14)은, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 몰드(3)에 부여되는 가압력에 관한 정보(제1 정보)를 취득한다(제1 취득 유닛으로서도 기능한다). 몰드 스테이지(50)에 로드셀이 제공되어 있을 경우에는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 로드셀에 의해 얻어지는 계측값(실측값)을 가압력으로서 취득할 수 있다는 것에 유의한다.
단계 S105에서는, 단계 S103에서 취득된 접촉 면적과 단계 S104에서 취득된 가압력에 기초하여, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)과 기판 사이의 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 결정한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은, 단계 S103에서 취득된 접촉 면적과 단계 S104에서 취득된 가압력을, 상술한 식 (1)에 대입함으로써 얻어지는 값에 따라, 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 결정한다.
단계 S106에서는, 단계 S105에서 결정된 압력에 따라, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 설정한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은, 압력 조정 유닛(26)을 통해, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 단계 S105에서 결정된 압력으로 제어한다.
단계 S107에서는, 기판 상에 임프린트재를 배치(공급)하는 배치 단계를 행한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은 디스펜서(8)를 통해서 기판 상의 샷 영역(11)에 임프린트재를 배치한다.
단계 S108에서는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시키는 접촉 단계를 행한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은, 광 투과 부재(13)와 캐비티(3b)에 의해 규정되는 공간(12)에 연결된 압력 조정 디바이스를 통해서 몰드(3)의 패턴(3a)을 기판 측으로 볼록 형상으로 변형시킨 상태에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨다. 그리고, 압력 조정 기구로부터 공간(12)에 부여되는 압력을 서서히 감소시킴으로써, 몰드(3)의 전체면을 기판 상의 임프린트재에 접촉시킨다.
단계 S109에서는, 기판 상의 임프린트재와 몰드(3)를 서로 접촉시킨 상태에서, 몰드(3)의 패턴(3a)에 임프린트재를 충전시키는 충전 단계를 행한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은, 몰드(3)의 패턴(3a)에 임프린트재가 충전될 때까지, 몰드(3)의 전체면을 기판 상의 임프린트재에 접촉시킨 상태를 유지한다. 이때, 얼라인먼트 계측 시스템(10)의 계측 결과에 기초하여, 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩(정렬)을 조정하는 것이 바람직하다.
단계 S110에서는, 기판 상의 임프린트재와 몰드(3)를 서로 접촉시킨 상태에서, 임프린트재를 경화시키는 경화 단계를 행한다. 더 구체적으로는, 제어 유닛(14)은, 기판 상의 임프린트재와 몰드(3)를 서로 접촉시킨 상태에서, 임프린트재에 조사 유닛(16)으로부터 광을 조사하여, 기판 상의 임프린트재를 경화시킨다.
단계 S111에서는, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리하는 이형 단계를 행한다. 이에 의해, 기판 상에 경화된 임프린트재의 패턴이 형성된다.
단계 S112에서는, 기판 상의 모든 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성되었는지 여부를 판정한다. 기판 상의 모든 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성되어 있지 않은 경우에는, 처리는 다음 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하기 위해서 단계 S104로 복귀하고, 단계 S104 내지 S112를 반복한다. 한편, 기판 상의 모든 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성되어 있는 경우에는, 처리는 단계 S113으로 이행된다.
단계 S113에서는, 임프린트 장치(100)로부터 기판(1)을 반출한다. 더 구체적으로는, 기판 반송 유닛(도시되지 않음)에 의해, 각각의 샷 영역에 임프린트재의 패턴이 형성된 기판(1)을, 기판 스테이지(60)로부터 임프린트 장치(100)의 외부로 반출한다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 몰드(3)에 부여되는 가압력에 기초하여, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a 내지 22c)과 기판(1) 사이의 공간(SPa 내지 SPc)의 압력을 제어한다. 이에 의해, 임프린트 처리, 더 구체적으로는, 접촉 단계 및 충전 단계에서, 가압력으로 인해 기판(1)에 발생하는 변형을 허용 범위 내에 들어가게 할 수 있고, 예를 들어 기판(1)을 편평하게 할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 몰드(3)(의 패턴(3a))와 기판(1)(의 샷 영역) 사이의 중첩 정밀도를 유지 및 향상시킬 수 있다. 이러한 제어는, 최외주의 격벽(21a)의 높이가 나머지 격벽(21b 및 21c)의 높이보다 낮고, 몰드(3)에 부여되는 가압력으로 인해 기판(1)에 발생하는 하향 변형이 현저해지는 주변 샷 영역에서 특히 유용하다.
또한, 접촉 단계 및 충전 단계에서 몰드(3)에 부여되는 가압력을 시계열적인 데이터로서 취득함으로써, 예를 들어 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩을 조정할 때에 가압력을 변화시킨 경우에도, 중첩 정밀도를 유지 및 향상시킬 수 있다. 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩을 조정할 때에 가압력을 변화시킨 경우에는, 상술한 바와 같이, 몰드 스테이지(50)에 제공된 로드셀에 의해 얻어지는 계측값을 가압력으로서 실시간으로 취득할 수 있다는 것에 유의한다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 2b에 도시한 바와 같이, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(22a, 22b, 및 22c)은 동심원으로 구획된 영역이다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역은, 도 5a 및 도 5b에 나타내는 바와 같이, 직사각형으로 구획된 영역일 수 있다. 도 5a 및 도 5b는, 기판 보유지지 유닛(2)을 상면(기판(1)을 보유지지하는 보유지지면)으로부터 본 것을 도시하는 도면이다.
도 5a에서는, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(27)은 격자 형상으로 구획되어 있다. 복수의 보유지지 영역(27) 각각은, 예를 들어 기판 상의 1개의 샷 영역과 동일한 형상 및 사이즈를 갖는 영역일 수 있다. 또한, 복수의 보유지지 영역(27) 각각은 기판 상의 1개의 샷 영역보다 작은 영역일 수 있다. 이에 의해, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(27)과 기판(1) 사이의 공간의 압력을 제어함으로써, 기판(1)의 형상을 더 자유롭게 변화시킬 수 있다. 따라서, 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩에서 더 우수한 정밀도를 제공할 수 있다. 복수의 보유지지 영역(27) 각각이 기판 상의 1개의 샷 영역과 동일한 형상 및 사이즈를 갖는 영역인 경우에는, 가압력과 접촉 면적으로부터 단순하게 압력을 설정(결정)할 수 있다는 것에 유의한다. 따라서, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(27)과 기판(1) 사이의 공간의 압력의 제어를 더 간소화할 수 있다.
도 5b에서는, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(28)을 스트립으로 구획하고 있다. 도 5b에 나타내는 기판 보유지지 유닛(2)(보유지지 영역(28))의 구조는 도 5a에 나타내는 기판 보유지지 유닛(2)(보유지지 영역(27))의 구조를 더 간소화함으로써 형성된다. 이와 같이, 기판 보유지지 유닛(2)의 구조를 간소화함으로써, 기판 보유지지 유닛(2)의 비용을 저감할 수 있으며, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역(28)과 기판(1) 사이의 공간의 압력의 제어를 더 간소화할 수 있다. 이것은 압력 제어의 응답성의 향상에 기여한다.
또한, 임프린트 장치(100)에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 기판 보유지지 유닛(2)이 기판(1)을 보유지지할 때에, 기판 보유지지 유닛(2)에 대하여 기판(1)의 위치 어긋남이 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 6에서는, 기판(1)의 중심 위치(1a)가 기판 보유지지 유닛(2)의 중심 위치(2a)로부터 어긋나기 때문에, 기판(1)의 위치 어긋남(ΔCx, ΔCy)이 발생한다. 기판 보유지지 유닛(2)에 대한 기판(1)의 위치 어긋남은, 예를 들어 기판 상의 샷 영역(11a, 11b, 및 11c) 각각에서 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉 면적(각각의 샷 영역의 면적)의 변화를 야기한다. 그 결과, 몰드(3)에 부여되는 가압력으로부터 구해지는 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역과 기판(1) 사이의 공간의 압력에 오차가 발생하고, 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩 정밀도가 저하된다.
기판 보유지지 유닛(2)에 대하여 기판(1)의 위치 어긋남이 발생하는 경우, 본 실시형태에서는, 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9)이 기판(1)에 제공되어 있는 얼라인먼트 마크의 위치와 기판(1)의 외측 에지의 위치를 계측한다. 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9)의 계측 결과에 기초해서, 제어 유닛(14)은 기판(1)의 위치 어긋남(ΔCx, ΔCy)을 구할 수 있다. 이와 같이, 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9)과 제어 유닛(14)은 기판 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 기판(1)의 기판 보유지지 유닛(2)에 대한 위치 어긋남에 관한 정보(제3 정보)를 취득한다(제3 취득 유닛으로서 기능한다). 기판 보유지지 유닛(2)에 대한 기판(1)의 위치 어긋남(ΔCx, ΔCy)이 구해지면, 위치 어긋남(ΔCx, ΔCy)에 기초하여, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉 면적을 얻을 수 있다(재산출할 수 있다). 이와 같이 하여 얻어진 접촉 면적을 상술한 식 (1)에 대입함으로써, 기판 보유지지 유닛(2)의 복수의 보유지지 영역과 기판(1) 사이의 공간의 압력을, 기판(1)의 위치 어긋남에 기인하는 오차를 발생시키지 않고, 결정할 수 있다. 이에 의해, 기판 보유지지 유닛(2)에 대하여 기판(1)의 위치 어긋남이 발생하는 경우에도, 몰드(3)와 기판(1) 사이의 중첩 정밀도의 저하를 억제(방지)할 수 있다. 기판(1)의 외측 에지의 위치를 계측하는 계측 디바이스는 오프-액시스 얼라인먼트 계측 시스템(9)에 한정되지 않고, 기판(1)의 높이를 계측하는 길이 계측 센서를 사용할 수 있다는 것에 유의한다.
임프린트 장치(100)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM 등의 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA 등의 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품을 제조하는 구체적인 방법에 대해서 설명한다. 도 7a에 나타내는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재의 표면에 임프린트재를 부여한다. 여기에서는, 임프린트재가 복수의 액적으로서 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 7b에 나타내는 바와 같이, 한 측면에 돌출부 및 홈 패턴을 갖는 임프린트용 몰드를 형성하고 이를 기판 상의 임프린트재에 대면하게 한다. 도 7c에 나타내는 바와 같이, 임프린트재가 부여된 기판을 몰드와 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재는 몰드와 피가공재 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 몰드를 통해서 경화 에너지로서 기능하는 광으로 임프린트재를 조사하면, 임프린트재는 경화된다.
도 7d에 나타내는 바와 같이, 임프린트재를 경화시킨 후, 몰드를 기판으로부터 분리한다. 이에 의해, 기판 상에 임프린트재의 경화물 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 홈은 경화물의 돌출부에 대응하며, 몰드의 돌출부는 경화물의 홈에 대응한다. 즉, 임프린트재에 몰드의 돌출부 및 홈 패턴이 전사된다.
도 7e에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용해서 에칭을 행하면, 피가공재의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 또는 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈이 형성된다. 도 7f에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 패턴을 가공 후도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고해서 설명했지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 다음의 청구항의 범위는 모든 이러한 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (13)

  1. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판에 대한 압력이 독립적으로 제어되는 복수의 보유지지 영역을 포함하고, 상기 복수의 보유지지 영역에서 상기 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지 유닛;
    상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 상기 몰드에 부여되는 가압력에 관한 제1 정보를 취득하도록 구성되는 제1 취득 유닛; 및
    상기 제1 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제1 정보에 기초하여, 상기 가압력으로 인해 상기 기판에 발생하는 변형이 허용 범위 내에 들어가도록, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서의 상기 기판과 상기 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하고, 상기 가압력이 상기 몰드에 부여되어 있는 상태에서, 상기 기판이 편평해지도록, 상기 기판과 상기 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 보유지지 영역 각각에서, 상기 보유지지 영역과 상기 기판 사이의 압력이 상기 가압력과 균형을 이루도록, 상기 기판과 상기 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몰드의 패턴면의 전체면과 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서의 상기 몰드와 상기 기판 사이의 접촉 면적에 관한 제2 정보를 취득하도록 구성되는 제2 취득 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 제2 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제2 정보에도 기초하여, 상기 가압력으로 인해 상기 기판에 발생하는 변형이 상기 허용 범위 내에 들어가도록, 상기 기판과 상기 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 보유지지 영역 각각에서, 상기 보유지지 영역과 상기 기판 사이의 압력을 PP/CA로 제어하는, 임프린트 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 기판 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 상기 기판 보유지지 유닛에 대한 위치 어긋남에 관한 제3 정보를 취득하도록 구성되는 제3 취득 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 제3 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제3 정보에도 기초하여, 상기 가압력으로 인해 상기 기판에 발생하는 변형이 상기 허용 범위 내에 들어가도록, 상기 기판과 상기 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판에 제공된 마크의 위치와 상기 기판의 외측 에지의 위치를 계측하도록 구성되는 계측 시스템을 추가로 더 포함하며,
    상기 계측 시스템에 의해 계측된 상기 마크의 위치 및 상기 외측 에지의 위치로부터 상기 위치 어긋남을 구하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 보유지지 영역은 동심원으로 구획된 영역인, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 보유지지 영역은 직사각형으로 구획된 영역인, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 보유지지 영역 각각은 상기 기판 상의 1개의 샷 영역보다 작은 영역인, 임프린트 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 보유지지 영역을 구획하기 위해 상기 기판 보유지지 유닛에 제공되는 복수의 격벽을 더 포함하며,
    상기 복수의 격벽 중, 최외측의 격벽은 나머지 격벽의 높이보다 낮은 높이를 갖는, 임프린트 장치.
  12. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 기판에 대한 압력이 독립적으로 제어되는 복수의 보유지지 영역을 포함하는 기판 보유지지 유닛에 의해 상기 기판을 보유지지하는 단계;
    상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때 상기 몰드에 부여하는 가압력에 관한 정보를 취득하는 단계; 및
    상기 정보에 기초하여, 상기 가압력으로 인해 상기 기판에 발생하는 변형이 허용 범위 내에 들어가도록, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서의 상기 기판과 상기 복수의 보유지지 영역 각각 사이의 압력을 제어하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  13. 물품 제조 방법이며,
    제12항에서 규정된 임프린트 방법을 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계;
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    상기 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
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