KR20230169742A - Substate processing apparatus - Google Patents

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김주호
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 증착, 시각, 열처리 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 내부에 보호공간(S1)을 형성하는 아우터튜브(100)와; 내부에 반응공간(S2)을 형성하며, 적어도 일부가 상기 아우터튜브(100)에 수용되는 이너튜브(200)와; 상기 이너튜브(200)와 연통되어 상기 반응공간(S2)을 배기하는 이너배기부(300)와; 상기 이너배기부(300)와 제1연결지점(P1)에서 연결되어, 배기가스가 흐르는 상기 이너배기부(300) 내에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부(400)와; 상기 제1연결지점(P1) 전단에 설치되며, 상기 이너배기부(300) 중 적어도 일부가 내부에 위치하는 밀폐공간(S3)을 형성하는 리크방지부(500)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition, visual, and heat treatment on the substrate.
The present invention includes an outer tube (100) forming a protective space (S1) therein; an inner tube (200) forming a reaction space (S2) therein and at least a portion of which is accommodated in the outer tube (100); an inner exhaust unit 300 that communicates with the inner tube 200 and exhausts the reaction space (S2); an inert gas supply unit 400 connected to the inner exhaust unit 300 at a first connection point (P1) and supplying an inert gas into the inner exhaust unit 300 through which exhaust gas flows; Disclosed is a substrate processing apparatus including a leak prevention unit 500 installed at the front of the first connection point P1 and forming a closed space S3 in which at least a portion of the inner exhaust unit 300 is located. do.

Description

기판처리장치{Substate processing apparatus}Substate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 증착, 시각, 열처리 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition, visual, and heat treatment on the substrate.

기판처리장치는 웨이퍼와 같은 기판에 대한 공정을 처리하는 것으로서, 기판처리를 위하여 일정 매수 단위로 기판들이 로딩된 보트가 로딩영역에서 승강되거나, 기판처리된 기판들을 언로딩하기 위하여 보트가 로딩영역으로 하강하도록 구성된다.A substrate processing device processes substrates such as wafers. A boat loaded with a certain number of substrates is raised and lowered in the loading area for substrate processing, or a boat is moved to the loading area to unload processed substrates. It is configured to descend.

또한, 전술한 바와 다른 예로서, 기판처리장치는 매엽식 장비로서, 기판에 대한 공정을 처리하기 위한 반응공간을 형성하는 처리챔버가 구비되고 단수의 기판이 인입되어 기판처리가 수행될 수 있다. In addition, as a different example from the above, the substrate processing apparatus is a single-wafer type equipment, and is equipped with a processing chamber that forms a reaction space for processing a substrate, and substrate processing can be performed by inserting a single substrate.

한편, 이 경우 기판처리장치는 기판처리를 위하여 공급된 공정가스 및 각종 부산물을 포함하는 배기가스를 배기하는 배기부를 포함하며, 이때 배기부는 압력제어밸브가 설치됨에 따라 배기량을 적절히 조절하여 기판처리장치 내 압력을 제어할 수 있다.Meanwhile, in this case, the substrate processing device includes an exhaust unit that exhausts exhaust gas containing process gas and various by-products supplied for substrate processing. In this case, the exhaust unit appropriately adjusts the exhaust amount as a pressure control valve is installed to control the substrate processing device. I can control my pressure.

이때 배기되는 배기가스는, 각종 유해물질이 포함될 수 있으며, 특히 기판처리 시 폭발 위험이 존재하는 수소(H2) 가스를 포함할 수 있는 바, 배기부는 스크러버를 통해 각종 유해물질을 처리하여 배기하고 있다.The exhaust gas discharged at this time may contain various harmful substances, especially hydrogen (H2) gas, which poses a risk of explosion during substrate processing. The exhaust unit processes and exhausts various harmful substances through a scrubber. .

그러나 압력제어밸브를 포함한 배기부는 언제나 배기가스 누출에 대한 위험이 존재하고 있고, 배기부를 통해 배기가스가 외부로 누출되는 경우, 인체에 유해하고 폭발위험이 있는 문제점이 있다.However, there is always a risk of exhaust gas leaking from the exhaust part including the pressure control valve, and when exhaust gas leaks to the outside through the exhaust part, it is harmful to the human body and poses a risk of explosion.

이와 같은 배기가스의 외부누출을 방지하기 위하여 배기부에 각종 보호 구조물을 설치할 필요성이 있으나, 추가적인 보호 구조물 설치를 위한 공간적 제약이 따르는 문제점이 있다.In order to prevent external leakage of exhaust gas, there is a need to install various protective structures in the exhaust part, but there is a problem with space constraints for installing additional protective structures.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 배기가스의 외부누출을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다. The purpose of the present invention is to provide a substrate processing device that can prevent external leakage of exhaust gas in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 내부에 보호공간(S1)을 형성하는 아우터튜브(100)와; 내부에 반응공간(S2)을 형성하며, 적어도 일부가 상기 아우터튜브(100)에 수용되는 이너튜브(200)와; 상기 이너튜브(200)와 연통되어 상기 반응공간(S2)을 배기하는 이너배기부(300)와; 상기 이너배기부(300)와 제1연결지점(P1)에서 연결되어, 배기가스가 흐르는 상기 이너배기부(300) 내에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부(400)와; 상기 제1연결지점(P1) 전단에 설치되며, 상기 이너배기부(300) 중 적어도 일부가 내부에 위치하는 밀폐공간(S3)을 형성하고, 상기 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 리크방지부(500)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention includes an outer tube (100) forming a protective space (S1) therein; an inner tube (200) forming a reaction space (S2) therein and at least a portion of which is accommodated in the outer tube (100); an inner exhaust unit 300 that communicates with the inner tube 200 and exhausts the reaction space (S2); an inert gas supply unit 400 connected to the inner exhaust unit 300 at a first connection point (P1) and supplying an inert gas into the inner exhaust unit 300 through which exhaust gas flows; A leak is installed in front of the first connection point (P1), forms a closed space (S3) in which at least a portion of the inner exhaust portion (300) is located, and performs exhaust to the closed space (S3). A substrate processing apparatus including a prevention unit 500 is disclosed.

상기 배기가스는, 수소(H2) 가스를 포함할 수 있다.The exhaust gas may include hydrogen (H2) gas.

상기 이너배기부(300)는, 상기 이너튜브(200)와 외부배기장치를 연결하는 이너배기라인(310)과, 상기 이너배기라인(310) 상에 설치되어 상기 반응공간(S2)에 대한 배기를 제어하는 이너배기제어부(320)를 포함할 수 있다.The inner exhaust unit 300 is installed on the inner exhaust line 310 connecting the inner tube 200 and the external exhaust device, and the inner exhaust line 310 to exhaust the reaction space (S2). It may include an inner exhaust control unit 320 that controls.

상기 아우터튜브(100)에 연통되어 상기 보호공간(S1)을 배기하며, 적어도 일부가 상기 밀폐공간(S3)에 위치하는 아우터배기부(600)를 추가로 포함할 수 있다.It may further include an outer exhaust unit 600 that communicates with the outer tube 100 and exhausts the protective space (S1), and at least a portion of which is located in the sealed space (S3).

상기 아우터배기부(600)는, 상기 아우터튜브(100)와 외부배기장치를 연결하는 아우터배기라인(610)과, 상기 아우터배기라인(610) 상에 설치되어 상기 보호공간(S1)에 대한 배기를 제어하는 아우터배기제어부(620)를 포함할 수 있다.The outer exhaust unit 600 is installed on the outer exhaust line 610 connecting the outer tube 100 and the external exhaust device, and the outer exhaust line 610 to exhaust air to the protection space (S1). It may include an outer exhaust control unit 620 that controls.

상기 아우터배기라인(610)은, 상기 이너배기라인(310) 중 상기 제1연결지점(P1) 전단 제2연결지점(P2)에서 상기 이너배기라인(310)에 연통하도록 결합할 수 있다.The outer exhaust line 610 may be connected to the inner exhaust line 310 at a second connection point (P2) before the first connection point (P1) among the inner exhaust lines (310).

상기 아우터배기부(600)는, 상기 보호공간(S1)에 공급되는 불활성가스를 배기할 수 있다.The outer exhaust unit 600 may exhaust the inert gas supplied to the protection space (S1).

상기 리크방지부(500)는, 상기 제2연결지점(P2)이 상기 밀폐공간(S3)에 위치하도록 설치될 수 있다.The leak prevention unit 500 may be installed so that the second connection point (P2) is located in the sealed space (S3).

상기 리크방지부(500)는, 상기 이너배기제어부(320) 및 상기 아우터배기제어부(620)가 상기 밀폐공간(S3)에 위치하도록 설치될 수 있다.The leak prevention unit 500 may be installed so that the inner exhaust control unit 320 and the outer exhaust control unit 620 are located in the closed space (S3).

상기 리크방지부(500)는, 상기 밀폐공간(S3)을 형성하며 상기 밀폐공간(S3) 배기를 위한 배기구(511)가 구비되는 리크방지챔버(510)와, 일단이 상기 배기구(511)에 결합하고 타단이 외부 배기펌프(540)에 연결되는 배기라인(520)을 포함할 수 있다.The leak prevention unit 500 includes a leak prevention chamber 510 that forms the closed space S3 and is provided with an exhaust port 511 for exhausting the closed space S3, and one end is connected to the exhaust port 511. It may include an exhaust line 520 that is coupled and the other end is connected to an external exhaust pump 540.

상기 리크방지부(500)는, 상기 배기라인(520) 상에 설치되어 상기 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 제어하는 배기댐퍼부(530)를 포함할 수 있다.The leak prevention unit 500 may include an exhaust damper unit 530 installed on the exhaust line 520 to control exhaust to the closed space (S3).

상기 배기댐퍼부(530)의 배기방향에 수직한 단면적은 상기 배기구(511)의 배기방향에 수직한 단면적과 동일할 수 있다. The cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust damper unit 530 may be equal to the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511.

상기 리크방지부(500)는, 상기 이너배기부(300)로부터 상기 밀폐공간(S3)으로 상기 배기가스 누출여부를 센싱하는 감지센서(550)를 추가로 포함할 수 있다. The leak prevention unit 500 may further include a detection sensor 550 that senses whether the exhaust gas leaks from the inner exhaust unit 300 to the sealed space (S3).

상기 리크방지부(500)는, 상기 밀폐공간(S3)의 압력을 센싱하는 압력센서(560)를 추가로 포함할 수 있다.The leak prevention unit 500 may further include a pressure sensor 560 that senses the pressure of the sealed space (S3).

상기 리크방지부(500)는, 상기 밀폐공간(S3)에 대한 상시배기를 수행할 수 있다.The leak prevention unit 500 can perform regular exhaust to the closed space (S3).

상기 리크방지부(500)는, 상기 감지센서(550)를 통해 상기 밀폐공간(S3)에 상기 배기가스가 누출된 것으로 판단될 때, 상기 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행할 수 있다.The leak prevention unit 500 may perform exhaust gas to the enclosed space S3 when it is determined through the detection sensor 550 that the exhaust gas has leaked into the enclosed space S3.

상기 리크방지챔버(510) 및 상기 배기라인(520) 설치되는 내부공간(S4)을 형성하는 유틸리티챔버(10)를 추가로 포함할 수 있다.It may additionally include a utility chamber 10 forming an internal space S4 in which the leak prevention chamber 510 and the exhaust line 520 are installed.

상기 이너배기부(300) 끝단과 연결되어 배출되는 상기 배기가스 내 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(20)를 추가로 포함할 수 있다.It may further include a hazardous substance removal unit 20 that is connected to the end of the inner exhaust unit 300 and removes hazardous substances in the exhaust gas discharged.

상기 보호공간(S1)은, 상기 반응공간(S2)보다 높은 압력으로 유지될 수 있다.The protection space (S1) may be maintained at a higher pressure than the reaction space (S2).

본 발명에 따른 기판처리장치는, 배기가스를 배기하는 이너배기부 중 적어도 일부를 리크방지부 내 밀폐공간에 배치함으로써, 유해물질이 포함되는 배기가스의 외부 누출을 원천적으로 방지할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of fundamentally preventing external leakage of exhaust gas containing harmful substances by arranging at least a portion of the inner exhaust portion that exhausts exhaust gas in a sealed space within the leak prevention portion. there is.

이를 통해, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 유해물질의 외부누출을 방지함으로써, 높은 수준의 안전성을 담보할 수 있는 이점이 있다.Through this, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of ensuring a high level of safety by preventing external leakage of harmful substances.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 리크방지부 후단에서 이너배기부에 추가적인 불활성가스가 공급됨으로써, 배기가스 내 유해가스에 대한 충분한 희석이 수행되어 방폭피해 예방이 가능하고, 리크방지부 밀폐공간 내 배치가 필요한 구성을 최소화함으로써 밀폐공간의 부피를 줄일 수 있는 이점이 있다.In addition, in the substrate processing device according to the present invention, by supplying additional inert gas to the inner exhaust from the rear end of the leak prevention section, sufficient dilution of harmful gases in the exhaust gas is performed to prevent explosion damage, and the leak prevention section is sealed. There is an advantage in reducing the volume of the enclosed space by minimizing the configuration that requires placement within the space.

이를 통해, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 최소의 밀폐공간을 형성하는 리크방지부를 적용함으로써 밀폐공간에 대한 배기효율 및 성능을 담보하면서도 제한된 공간에서도 설치 가능한 이점이 있다.Through this, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to be installed even in a limited space while ensuring exhaust efficiency and performance in a confined space by applying a leak prevention part that forms a minimum enclosed space.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 일부모습을 개략적으로 보여주는 측면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 리크방지부의 상측 일부모습을 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 3에 따른 기판처리장치 중 리크방지부의 하측 나머지모습을 보여주는 사시도이다.1 is a diagram showing a schematic appearance of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a side view schematically showing a portion of the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
Figure 3 is a perspective view showing a portion of the upper side of the leak prevention part of the substrate processing apparatus according to Figure 1.
Figure 4 is a perspective view showing the remaining lower part of the leak prevention part of the substrate processing apparatus according to Figure 3.

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 내부에 보호공간(S1)을 형성하는 아우터튜브(100)와; 내부에 반응공간(S2)을 형성하며, 적어도 일부가 상기 아우터튜브(100)에 수용되는 이너튜브(200)와; 상기 이너튜브(200)와 연통되어 상기 반응공간(S2)을 배기하는 이너배기부(300)와; 상기 이너배기부(300)와 제1연결지점(P1)에서 연결되어, 배기가스가 흐르는 상기 이너배기부(300) 내에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부(400)와; 상기 제1연결지점(P1) 전단에 설치되며, 상기 이너배기부(300) 중 적어도 일부가 내부에 위치하는 밀폐공간(S3)을 형성하는 리크방지부(500)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes an outer tube 100 forming a protective space S1 therein; an inner tube (200) forming a reaction space (S2) therein and at least a portion of which is accommodated in the outer tube (100); an inner exhaust unit 300 that communicates with the inner tube 200 and exhausts the reaction space (S2); an inert gas supply unit 400 connected to the inner exhaust unit 300 at a first connection point (P1) and supplying an inert gas into the inner exhaust unit 300 through which exhaust gas flows; It is installed in front of the first connection point (P1) and includes a leak prevention portion (500) that forms a closed space (S3) in which at least a portion of the inner exhaust portion (300) is located.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 아우터튜브(100)에 연통되어 보호공간(S1)을 배기하며, 적어도 일부가 밀폐공간(S3)에 위치하는 아우터배기부(600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes an outer exhaust unit that communicates with the outer tube 100 and exhausts the protective space (S1), and at least a portion of which is located in the sealed space (S3). (600) may be additionally included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 이너배기부(300), 불활성가스공급부(400) 및 리크방지부(500)가 설치되는 내부공간(S4)을 형성하는 유틸리티챔버(10)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention additionally includes a utility chamber 10 forming an internal space S4 in which the inner exhaust part 300, the inert gas supply part 400, and the leak prevention part 500 are installed. It can be included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 이너배기부(300) 끝단과 연결되어 배출되는 배기가스 내 유해가스를 제거하는 유해가스제거부(20)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include a harmful gas removal unit 20 that is connected to the end of the inner exhaust unit 300 and removes harmful gases in the discharged exhaust gas.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판처리를 위한 이너튜브(200) 및 아우터튜브(100)에 적정온도를 형성하기 위하여, 아우터튜브(100)를 둘러싸고 설치되는 히터부(60)와, 아우터튜브(100) 보호공간(S1)에 불활성가스를 공급하는 보호가스공급부(40)와, 이너튜브(200) 반응공간(S2)에 공정가스를 공급하는 반응가스공급부(30)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a heater unit 60 installed surrounding the outer tube 100 to create an appropriate temperature in the inner tube 200 and the outer tube 100 for substrate processing; It additionally includes a protective gas supply unit 40 that supplies an inert gas to the protective space (S1) of the outer tube (100) and a reaction gas supply unit (30) that supplies a process gas to the reaction space (S2) of the inner tube (200). can do.

상기 히터부(60)는, 기판처리를 위한 이너튜브(200) 및 아우터튜브(100)에 적정온도를 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The heater unit 60 is a component for forming an appropriate temperature in the inner tube 200 and the outer tube 100 for substrate processing, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 히터부(60)는, 상부에 구성되어 내부에 히팅공간을 갖으며, 히팅공간에는 아우터튜브(100)와 이너튜브(200)가 수용될 수 있다.For example, the heater unit 60 is located at the top and has a heating space therein, and the outer tube 100 and the inner tube 200 can be accommodated in the heating space.

또한, 상기 히터부(60)는, 높이 단위로 구분되는 복수의 히팅블록들(미도시)을 포함하는 것으로 예시될 수 있으며, 각 히팅블록 별로 가열 온도가 독립적으로 제어될 수 있다.Additionally, the heater unit 60 may be illustrated as including a plurality of heating blocks (not shown) divided by height, and the heating temperature for each heating block may be independently controlled.

상기 보호가스공급부(40)는, 아우터튜브(100) 내 보호공간(S1)에 불활성가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The protective gas supply unit 40 supplies an inert gas to the protective space S1 within the outer tube 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 보호가스공급부(40)는, 아우터튜브(100)에 구비되는 아우터튜브매니폴드(70) 측벽에 형성되는 아우터튜브가스공급구에 연결되어 보호공간(S1)에 보호공간(S1)의 압력조절을 위한 불활성가스를 공급할 수 있다.For example, the protective gas supply unit 40 is connected to the outer tube gas supply port formed on the side wall of the outer tube manifold 70 provided in the outer tube 100 and is connected to the protective space S1. Inert gas can be supplied for pressure control.

상기 반응가스공급부(30)는, 이너튜브(200) 내 반응공간(S2)에 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The reaction gas supply unit 30 is a component that supplies process gas to the reaction space (S2) within the inner tube 200, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 반응가스공급부(30)는, 이너튜브(200)에 구비되는 이너튜브매니폴드(80) 측벽에 형성되는 이너튜브가스공급구에 연결되어, 반응공간(S2)에 기판처리를 위한 공정가스를 공급할 수 있다.For example, the reaction gas supply unit 30 is connected to the inner tube gas supply port formed on the side wall of the inner tube manifold 80 provided in the inner tube 200 to process substrates in the reaction space S2. Process gas can be supplied for

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판에 막질을 형성하기 위한 공정이나 어닐(Anneal) 등이 예시될 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention may include a process for forming a film on a substrate or an annealing process.

본 발명의 기판처리장치는, 박막을 형성하기 전에, 반응공간(S2)이 상압보다 높은 고압을 갖는 고압공정과, 반응공간(S2)이 상압보다 낮은 저압을 갖는 저압공정을 진행할 수 있으며, 일 예로 고압공정을 진행한 후 저압공정을 진행할 수 있다.Before forming a thin film, the substrate processing apparatus of the present invention can perform a high-pressure process in which the reaction space (S2) has a high pressure higher than atmospheric pressure and a low-pressure process in which the reaction space (S2) has a low pressure that is lower than atmospheric pressure, For example, a high pressure process can be performed followed by a low pressure process.

한편, 본 발명의 기판처리장치는, H2, NH3, O2, H20, F 등을 이용한 공정에 적용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 H2와 같이 유해물질을 이용할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus of the present invention can be applied to processes using H2, NH3, O2, H20, F, etc., and more specifically, it can use hazardous substances such as H2.

즉, 반응공간(S2)을 통해 배기되는 배기가스는 수소(H2) 가스와 같은 유해물질을 포함하며, 따라서 이와 같은 유해물질이 외부로 누출, 특히 이너배기부(300)를 통해 배기될 때 외부로 누출되는 것을 방지할 필요가 있다.That is, the exhaust gas exhausted through the reaction space (S2) contains harmful substances such as hydrogen (H2) gas, and therefore, such harmful substances leak to the outside, especially when exhausted through the inner exhaust unit 300. It is necessary to prevent leakage.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 이너배기부(300), 상기 불활성가스공급부(400) 및 상기 리크방지부(500)가 설치되는 내부공간(S4)을 형성하는 유틸리티챔버(10)를 추가로 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a utility chamber 10 forming an internal space S4 in which the inner exhaust part 300, the inert gas supply part 400, and the leak prevention part 500 are installed. Includes.

즉, 유틸리티챔버(10) 내부공간(S4)에 이너배기부(300) 및 아우터배기부(600)가 설치되어 배기가스 누출 시 외부공간으로의 누출을 일부 방지할 수 있기는 하나, 내부공간(S4)은 각종 배관 및 제어수단의 설치로 인해 밀폐된 공간으로 형성하기 어렵고, 이에 따라 누출된 배기가스가 외부로 이동하는 문제점이 있다.In other words, the inner exhaust unit 300 and the outer exhaust unit 600 are installed in the internal space (S4) of the utility chamber (10) to partially prevent leakage into the external space when exhaust gas leaks, but the internal space ( S4) is difficult to form as a closed space due to the installation of various piping and control means, and as a result, there is a problem in that leaked exhaust gas moves to the outside.

또한, 유틸리티챔버(10)는, 내부에 다수의 부속품 및 구성이 설치되는 구성인 바, 내부공간(S4)의 부피가 매우 크고, 이에 따라 내부공간(S4)에 대한 배기성능 및 효율이 담보되지 못하는 문제점이 있다.In addition, the utility chamber 10 is configured with a large number of accessories and components installed inside, and the volume of the internal space S4 is very large, and accordingly, the exhaust performance and efficiency of the internal space S4 are not guaranteed. There is a problem that I cannot do.

이에 따라, 후술하는 리크방지부(500), 보다 구체적으로는 리크방지챔버(510) 및 배기라인(520)을 유틸리티챔버(10) 내에 설치함으로써, 배기가스 누출에 따른 위험성을 사전에 방지할 수 있다.Accordingly, by installing the leak prevention part 500, more specifically the leak prevention chamber 510 and the exhaust line 520, which will be described later, in the utility chamber 10, the risk due to exhaust gas leakage can be prevented in advance. there is.

상기 아우터튜브(100)는, 내부에 보호공간(S1)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The outer tube 100 is configured to form a protective space (S1) inside, and various configurations are possible.

상기 아우터튜브(100)는, 내부에 이너튜브(200)를 보호하기 위한 보호공간(S1)이 형성되어 이너튜브(200)가 수용되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer tube 100 is configured to accommodate the inner tube 200 by forming a protective space (S1) therein to protect the inner tube 200, and various configurations are possible.

보다 구체적으로 상기 아우터튜브(100)는, 전술한 이너튜브(200) 외각에 배치되어, 내부의 이너튜브(200)를 물리적으로 보호할 수 있다.More specifically, the outer tube 100 is disposed on the outside of the aforementioned inner tube 200 and can physically protect the inner tube 200 inside.

또한, 상기 아우터튜브(100)는, 이너튜브(200)와 내벽 사이에 형성되는 보호공간(S1)과 이너튜브(200) 내부의 반응공간(S2) 사이의 압력차를 형성하여, 이너튜브(200)를 보호하거나, 이너튜브(200)로부터 가스 누출 시, 형성된 압력차를 이용하여 아우터튜브(100) 외부로 유해가스가 누출되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the outer tube 100 forms a pressure difference between the protection space (S1) formed between the inner tube (200) and the inner wall and the reaction space (S2) inside the inner tube (200), thereby forming the inner tube ( 200) can be protected, or when gas leaks from the inner tube 200, harmful gas can be prevented from leaking out of the outer tube 100 by using the pressure difference formed.

보다 구체적으로, 상기 아우터튜브(100)는, 이너튜브(200)와 내벽 사이에 형성되는 보호공간(S1)의 압력을 반응공간(S2)의 압력보다 높게 유지하여 이너튜브(200)로부터 아우터튜브(100)로의 가스 이동을 억제하여, 유해가스가 누출되는 것을 방지할 수 있다. More specifically, the outer tube 100 maintains the pressure of the protection space (S1) formed between the inner tube (200) and the inner wall higher than the pressure of the reaction space (S2) to separate the outer tube from the inner tube (200). By suppressing gas movement to (100), leakage of harmful gases can be prevented.

더 나아가, 상기 아우터튜브(100)는, 이너튜브(200)로부터 보호공간(S1)으로 누출된 누출가스를 아우터배기부(600)를 통해 배기함으로써 외부로의 가스 누출을 방지할 수 있으며, 특히, 누출가스가 유해물질인 경우 후술하는 유해물질제거부(20)를 거쳐 배기함으로써 유해가스 누출에 따른 인적, 물적 피해를 예방할 수 있다. Furthermore, the outer tube 100 can prevent gas leakage to the outside by exhausting the leaked gas leaked from the inner tube 200 into the protection space S1 through the outer exhaust unit 600, especially. , if the leaked gas is a hazardous substance, it is possible to prevent human and material damage due to the hazardous gas leak by exhausting it through the hazardous substance removal unit 20, which will be described later.

이때, 상기 아우터튜브(100)는, 하부를 지지하며 측벽둘레에 상기 보호공간(S1)에 불활성가스가 공급되기 위한 아우터튜브가스공급구와, 상기 보호공간(S1)을 배기하기 위한 아우터튜브가스배기구가 형성되는 아우터튜브매니폴드(70)를 포함할 수 있다.At this time, the outer tube 100 supports the lower part and has an outer tube gas supply port for supplying inert gas to the protective space (S1) around the side wall, and an outer tube gas exhaust port for exhausting the protective space (S1). It may include an outer tube manifold 70 formed.

상기 아우터튜브(100)는, 내부에 보호공간(S1)을 형성하며, 하부에 입구가 형성되어 이너튜브(200)가 수용되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer tube 100 forms a protective space (S1) inside, and an entrance is formed at the bottom to accommodate the inner tube 200, and various configurations are possible.

이때, 아우터튜브(100)는, 매엽식 기판처리장치에 따른 챔버구성일 수 있으며, 다른 예로서, 수직형 배치식 기판처리장치에 따른 구성일 수 있다.At this time, the outer tube 100 may have a chamber configuration according to a single wafer type substrate processing apparatus, or as another example, may have a configuration according to a vertical batch type substrate processing apparatus.

한편, 이하에서는 배치식 기판처리장치에 따른 구성을 전제로 설명한다. Meanwhile, the following description will be made assuming the configuration of a batch type substrate processing apparatus.

예를 들면, 상기 아우터튜브(100)는, 돔형천정을 갖는 수직 원통형으로 구성될 수 있으며, 이너튜브(200)가 수용될 수 있도록 큰 직경으로 형성될 수 있다.For example, the outer tube 100 may be configured as a vertical cylindrical shape with a dome-shaped ceiling, and may be formed to have a large diameter to accommodate the inner tube 200.

상기 아우터튜브매니폴드(70)는, 아우터튜브(100)의 하부를 지지하며 보호공간(S1)에 불활성가스를 공급 및 배기하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer tube manifold 70 supports the lower part of the outer tube 100 and is configured to supply and exhaust inert gas to the protective space S1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 아우터튜브매니폴드(70)는, 측벽둘레에 보호공간(S1)에 불활성가스를 공급하기 위한 아우터튜브가스공급구와, 보호공간(S1)을 배기하기 위한 아우터튜브가스배기구가 형성될 수 있으며, 더 나아가 후술하는 이너튜브매니폴드(80)와 일체로 구비될 수 있다.For example, the outer tube manifold 70 is formed around the side wall with an outer tube gas supply port for supplying inert gas to the protective space (S1) and an outer tube gas exhaust port for exhausting the protective space (S1). It can be provided, and furthermore, it can be provided integrally with the inner tube manifold 80, which will be described later.

상기 이너튜브(200)는, 내부에 기판이 처리되는 반응공간(S2)이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner tube 200 is configured to form a reaction space (S2) in which a substrate is processed, and various configurations are possible.

이때, 상기 이너튜브(200)는, 하부를 지지하며 측벽둘레에 상기 반응공간(S2)에 공정가스가 공급되기 위한 이너튜브가스공급구와, 상기 반응공간(S2)을 배기하기 위한 이너튜브가스배기구가 형성되는 이너튜브매니폴드(80)를 포함할 수 있다.At this time, the inner tube 200 supports the lower part and has an inner tube gas supply port for supplying process gas to the reaction space (S2) around the side wall, and an inner tube gas exhaust port for exhausting the reaction space (S2). It may include an inner tube manifold 80 formed.

상기 이너튜브(200)는, 내부에 기판이 처리되는 반응공간(S2)이 형성되며, 하부에 입구가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner tube 200 has a reaction space (S2) inside which a substrate is processed, and an inlet is formed at the bottom, and various configurations are possible.

이때, 이너튜브(200)는, 매엽식 기판처리장치에 따른 챔버구성일 수 있으며, 다른 예로서, 수직형 배치식 기판처리장치에 따른 구성일 수 있다.At this time, the inner tube 200 may have a chamber configuration according to a single wafer type substrate processing apparatus, or as another example, may have a configuration according to a vertical batch type substrate processing apparatus.

한편, 이하에서는 배치식 기판처리장치에 따른 구성을 전제로 설명한다. Meanwhile, the following description will be made assuming the configuration of a batch type substrate processing apparatus.

예를 들면, 상기 이너튜브(200)는, 돔형천정을 갖는 수직 원통형으로 구성될 수 있으며, 후술하는 아우터튜브(100)에 하측 일부가 돌출되도록 수용될 수 있다.For example, the inner tube 200 may be configured as a vertical cylindrical shape with a dome-shaped ceiling, and may be accommodated in the outer tube 100, which will be described later, so that a lower part protrudes.

상기 이너튜브매니폴드(80)는, 이너튜브(200)의 하부를 지지하며 반응공간(S2)에 공정가스를 공급 및 배기하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner tube manifold 80 supports the lower part of the inner tube 200 and is configured to supply and exhaust process gas to the reaction space S2, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 이너튜브매니폴드(80)는, 측벽둘레에 반응공간(S2)에 공정가스가 공급되기 위한 이너튜브가스공급구와, 반응공간(S2)을 배기하기 위한 이너튜브가스배기구가 형성될 수 있다.For example, the inner tube manifold 80 is formed around the side wall with an inner tube gas supply port for supplying process gas to the reaction space (S2) and an inner tube gas exhaust port for exhausting the reaction space (S2). It can be.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 반응공간(S2) 내에서 기판처리가 수행되고, 보호공간(S1)을 통해 반응공간(S2)으로부터 유해가스의 외부 누출을 방지하는 구성인 바, 전술한 바와 같이 보호공간(S1)이 반응공간(S2)보다 높은 압력으로 유지될 필요가 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured to process the substrate within the reaction space (S2) and prevent external leakage of harmful gases from the reaction space (S2) through the protection space (S1). As mentioned above, the protection space (S1) needs to be maintained at a higher pressure than the reaction space (S2).

이를 위해, 전술한 보호가스공급부(40)를 통해 보호공간(S1)에 불활성가스 공급을 제어하거나, 아우터가스배기부(600)를 통해 보호공간(S1) 배기를 제어함으로써, 보호공간(S1)의 압력을 반응공간(S2)보다 높게 유지할 수 있다.To this end, by controlling the supply of inert gas to the protection space (S1) through the above-described protection gas supply unit 40 or controlling the exhaust of the protection space (S1) through the outer gas exhaust unit 600, the protection space (S1) The pressure can be maintained higher than the reaction space (S2).

상기 이너배기부(300)는, 이너튜브(200)와 연통되어 반응공간(S2)을 배기하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner exhaust unit 300 is configured to communicate with the inner tube 200 to exhaust the reaction space (S2), and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 이너배기부(300)는, 이너튜브(200), 보다 구체적으로는 이너튜브매니폴드(80)에 형성되는 이너튜브가스배기구와 외부배기장치를 연결하는 이너배기라인(310)과, 이너배기라인(310) 상에 설치되어 반응공간(S2)에 대한 배기를 제어하는 이너배기제어부(320)를 포함할 수 있다.For example, the inner exhaust unit 300 is an inner tube 200, more specifically, an inner exhaust line 310 connecting the inner tube gas exhaust port formed in the inner tube manifold 80 and the external exhaust device. And, it may include an inner exhaust control unit 320 installed on the inner exhaust line 310 to control exhaust to the reaction space (S2).

또한, 상기 이너배기부(300)는, 이너배기라인(310) 중 이너배기제어부(320) 전단에 설치되어, 반응공간(S2)에 대한 압력을 센싱하는 이너압력센서(330)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the inner exhaust unit 300 is installed at the front of the inner exhaust control unit 320 of the inner exhaust line 310, and additionally includes an inner pressure sensor 330 that senses the pressure in the reaction space (S2). can do.

상기 이너배기라인(310)은, 일단이 이너튜브(200)에 결합하고 타단이 외부배기장치에 결합하는 구성으로서, 보다 구체적으로는 배기가스 내 유해가스가 포함된 점을 고려하여 외부배기장치, 즉 유해물질제거부(20)에 연결될 수 있으며, 이를 통해 배기가스를 외부로 배출할 수 있다.The inner exhaust line 310 is a configuration in which one end is coupled to the inner tube 200 and the other end is coupled to an external exhaust device. More specifically, considering that harmful gases in the exhaust gas are included, an external exhaust device, That is, it can be connected to the hazardous substance removal unit 20, and exhaust gas can be discharged to the outside.

한편, 상기 이너배기라인(310)은, 후술하는 아우터배기라인(610)과 제2연결지점(P2)에서 연결될 수 있고, 따라서 제2연결지점(P2) 후단에는 아우터배기라인(610)을 통해 공급되는 불활성가스가 배기가스에 함께 포함될 수 있다.Meanwhile, the inner exhaust line 310 may be connected to the outer exhaust line 610, which will be described later, at a second connection point (P2), and therefore, at the rear end of the second connection point (P2) through the outer exhaust line 610. The supplied inert gas may be included in the exhaust gas.

이로써, 제2연결지점(P2) 후단부터는 유해가스가 불활성가스의 공급으로 희석되어 누출에 따른 위험성이 크게 낮아질 수 있다.As a result, the harmful gas is diluted by the supply of inert gas from the rear end of the second connection point (P2), thereby greatly reducing the risk of leakage.

또한, 상기 이너배기라인(310)은, 후술하는 불활성가스공급부(400)와 제1연결지점(P1)에서 연결될 수 있으며, 이에 따라 제1연결지점(P1)에서 불활성가스를 공급받을 수 있다.In addition, the inner exhaust line 310 may be connected to an inert gas supply unit 400, which will be described later, at a first connection point (P1), and thus an inert gas can be supplied from the first connection point (P1).

따라서, 상기 이너배기라인(310)은, 제1연결지점(P1) 후단부터는 유해가스가 불활성가스의 공급으로 희석되어 누출에 따른 위험성이 또한 추가로 낮아질 수 있다.Accordingly, in the inner exhaust line 310, harmful gases are diluted by supply of inert gas from the rear end of the first connection point (P1), thereby further reducing the risk of leakage.

상기 이너배기제어부(320)는, 이너배기라인(310) 상에 설치되어 반응공간(S2)에 대한 배기를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner exhaust control unit 320 is installed on the inner exhaust line 310 to control exhaust to the reaction space (S2), and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 이너배기제어부(320)는, 이너배기라인(310) 상에 설치되어 이너배기라인(310)를 개방 또는 차단하는 이너배기벨브(322)와, 이너배기벨브(322) 후단에서 이너배기라인(310)을 통해 배기되는 배기가스의 유량을 조절하여 반응공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 이너압력조절부(323)를 포함할 수 있다.For example, the inner exhaust control unit 320 includes an inner exhaust valve 322 installed on the inner exhaust line 310 to open or block the inner exhaust line 310, and an inner exhaust valve 322 at the rear end of the inner exhaust valve 322. It may include an inner pressure control unit 323 that adjusts the pressure in the reaction space (S2) by controlling the flow rate of exhaust gas discharged through the inner exhaust line 310.

또한, 상기 이너배기제어부(320)는, 이너배기벨브(322) 전단과 이너압력조절부(323) 후단 사이를 연결하는 이너바이패스라인(321)과, 이너바이패스라인(321) 상에 설치되어 이상고압과 같은 유사 시 미리 설정된 고압 이상을 감지하면 자동으로 이너바이패스라인(321)을 개방하는 이너릴리프밸브(325)와, 이너바이패스라인(321) 상에 설치되어 반응공간(S2) 측으로의 역류를 방지하는 이너체크밸브(324)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the inner exhaust control unit 320 is installed on the inner bypass line 321 connecting the front end of the inner exhaust valve 322 and the rear end of the inner pressure control unit 323, and the inner bypass line 321. an inner relief valve 325 that automatically opens the inner bypass line 321 when it detects a preset high pressure or higher in an emergency such as abnormal high pressure, and is installed on the inner bypass line 321 to create a reaction space (S2) An inner check valve 324 that prevents backflow to the side may be additionally included.

상기 아우터배기부(600)는, 아우터튜브(100)와 연통되어 보호공간(S1)을 배기하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer exhaust unit 600 is in communication with the outer tube 100 and exhausts the protective space S1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 아우터배기부(600)는, 아우터튜브(100), 보다 구체적으로는 아우터튜브매니폴드(70)에 형성되는 아우터튜브가스배기구와 외부배기장치를 연결하는 아우터배기라인(610)과, 아우터배기라인(610) 상에 설치되어 보호공간(S1)에 대한 배기를 제어하는 아우터배기제어부(620)를 포함할 수 있다.For example, the outer exhaust unit 600 is an outer tube 100, more specifically, an outer exhaust line 610 connecting the outer tube gas exhaust port formed in the outer tube manifold 70 and the external exhaust device. And, it may include an outer exhaust control unit 620 installed on the outer exhaust line 610 to control exhaust to the protection space (S1).

또한, 상기 아우터배기부(600)는, 아우터배기라인(610) 중 아우터배기제어부(620) 전단에 설치되어, 보호공간(S1)에 대한 압력을 센싱하는 아우터압력센서(630)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the outer exhaust unit 600 is installed at the front of the outer exhaust control unit 620 in the outer exhaust line 610, and additionally includes an outer pressure sensor 630 that senses the pressure in the protection space (S1). can do.

상기 아우터배기라인(610)은, 일단이 아우터튜브(100)에 결합하고 타단이 전술한 이너배기라인(310)에 결합하는 구성으로서, 외부배기장치와 연결되어 불활성가스를 외부로 배출할 수 있다.The outer exhaust line 610 is configured to have one end coupled to the outer tube 100 and the other end coupled to the inner exhaust line 310 described above, and can be connected to an external exhaust device to discharge inert gas to the outside. .

즉, 상기 아우터배기라인(610)은, 전술한 이너배기라인(310)과 제2연결지점(P2)에서 연결될 수 있고, 따라서, 제2연결지점(P2)에서 이너배기라인(310)에 배기되는 불활성가스를 전달할 수 있다.That is, the outer exhaust line 610 may be connected to the above-described inner exhaust line 310 at the second connection point (P2), and therefore, exhaust exhaust is supplied to the inner exhaust line 310 at the second connection point (P2). Inert gas can be delivered.

이로써, 제2연결지점(P2) 후단부터는 이너배기라인(310)통해 배기되는 배기가스 내 유해가스가 불활성가스의 공급으로 희석되어 누출에 따른 위험성이 크게 낮아질 수 있다.As a result, the harmful gases in the exhaust gas discharged through the inner exhaust line 310 from the rear end of the second connection point (P2) are diluted by the supply of inert gas, and the risk of leakage can be greatly reduced.

상기 아우터배기제어부(620)는, 아우터배기라인(610) 상에 설치되어 보호공간(S1)에 대한 배기를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer exhaust control unit 620 is installed on the outer exhaust line 610 to control exhaust to the protection space (S1), and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 아우터배기제어부(620)는, 아우터배기라인(610) 상에 설치되어 아우터배기라인(610)를 개방 또는 차단하는 아우터배기벨브(622)와, 아우터배기벨브(622) 후단에서 아우터배기라인(610)을 통해 배기되는 불활성가스의 유량을 조절하여 보호공간(S1)에 대한 압력을 조절하는 아우터압력조절부(623)를 포함할 수 있다.For example, the outer exhaust control unit 620 includes an outer exhaust valve 622 installed on the outer exhaust line 610 to open or block the outer exhaust line 610, and an outer exhaust valve 622 at the rear end of the outer exhaust valve 622. It may include an outer pressure control unit 623 that adjusts the pressure in the protection space (S1) by controlling the flow rate of the inert gas exhausted through the outer exhaust line 610.

또한, 상기 아우터배기제어부(620)는, 아우터배기벨브(622) 전단과 아우터압력조절부(623) 후단 사이를 연결하는 아우터바이패스라인(621)과, 아우터바이패스라인(621) 상에 설치되어 이상고압과 같은 유사 시 미리 설정된 고압 이상을 감지하면 자동으로 아우터바이패스라인(621)을 개방하는 아우터릴리프밸브(625)와, 아우터바이패스라인(621) 상에 설치되어 보호공간(S1) 측으로의 역류를 방지하는 아우터체크밸브(624)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the outer exhaust control unit 620 is installed on the outer bypass line 621 and the outer bypass line 621 connecting the front end of the outer exhaust valve 622 and the rear end of the outer pressure control unit 623. an outer relief valve 625 that automatically opens the outer bypass line 621 when it detects a preset high pressure or higher in an emergency such as abnormal high pressure, and is installed on the outer bypass line 621 to create a protective space (S1) An outer check valve 624 that prevents backflow to the side may be additionally included.

상기 불활성가스공급부(400)는, 이너배기부(300)와 제1연결지점(P1)에서 연결되어, 배기가스가 흐르는 이너배기부(300) 내에 불활성가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inert gas supply unit 400 is connected to the inner exhaust unit 300 at the first connection point (P1) and supplies inert gas into the inner exhaust unit 300 through which exhaust gas flows, and can be configured in various ways. do.

예를 들면, 상기 불활성가스공급부(400)는, 일단이 이너배기라인(310) 중 제1연결지점(P1)에 결합하고, 타단이 외부 불활성가스공급챔버(410)에 연결되어 불활성가스를 제1연결지점(P1)을 통해 이너배기라인(310)에 전달하는 불활성가스공급라인(420)과, 불활성가스공급라인(420) 상에 설치되어 공급되는 불활성가스 공급유량을 조절하는 불활성가스제어밸브(430)를 포함할 수 있다.For example, one end of the inert gas supply unit 400 is coupled to the first connection point (P1) of the inner exhaust line 310, and the other end is connected to the external inert gas supply chamber 410 to provide inert gas. An inert gas supply line 420 that is delivered to the inner exhaust line 310 through connection point 1 (P1), and an inert gas control valve installed on the inert gas supply line 420 to regulate the supply flow rate of the inert gas supplied. It may include (430).

이때, 상기 불활성가스공급라인(420)은, 이너배기라인(310)과 제1연결지점(P1)에서 결합할 수 있고, 이때 제1연결지점(P1)은, 전술한 바와 같이, 이너배기라인(310)이 아우터배기라인(610)과 결합하는 제2연결지점(P2) 후단 및 후술하는 리크방지부(500) 외부 인접한 위치에 설정될 수 있다.At this time, the inert gas supply line 420 may be connected to the inner exhaust line 310 at the first connection point (P1), and at this time, the first connection point (P1) is the inner exhaust line, as described above. (310) may be set at a position adjacent to the rear end of the second connection point (P2) coupled to the outer exhaust line 610 and outside the leak prevention portion 500, which will be described later.

즉, 이너배기라인(310)을 통해 배기되는 배기가스 내 유해물질에 대하여 불활성가스를 공급하여 희석함으로써, 위험성을 낮춰 제1연결지점(P1) 후단부터는 배기가스 누출에 따른 위험성을 크게 낮출 수 있다.In other words, by diluting the harmful substances in the exhaust gas discharged through the inner exhaust line 310 by supplying inert gas, the risk can be reduced and the risk due to exhaust gas leakage from the end after the first connection point (P1) can be greatly reduced. .

따라서, 후술하는 리크방지부(500)의 밀폐공간(S3) 외부 중 리크방지부(500) 최근접위치에 제1연결지점(P2)이 위치할 수 있고, 이를 통해 밀폐공간(S3)에 대한 부피를 최소화하여 밀폐공간(S3)에 대한 배기효율을 증대시킬 수 있다.Therefore, the first connection point (P2) may be located at the closest position to the leak prevention unit 500 outside the sealed space (S3) of the leak prevention unit 500, which will be described later, and through this, the sealed space (S3) By minimizing the volume, the exhaust efficiency for the closed space (S3) can be increased.

상기 리크방지부(500)는, 제1연결지점(P1) 전단에 설치되며, 이너배기부(300) 중 적어도 일부가 내부에 위치하는 밀폐공간(S3)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The leak prevention part 500 is installed in front of the first connection point (P1) and forms a closed space (S3) in which at least a part of the inner exhaust part 300 is located, and can be configured in various ways. do.

이때, 상기 리크방지부(500)는, 제2연결지점(P2)이 밀폐공간(S3)에 위치하고, 제1연결지점(P1)이 밀폐공간(S3) 외부에 위치하도록 적절한 위치에 배치될 수 있다.At this time, the leak prevention unit 500 can be placed in an appropriate position so that the second connection point (P2) is located in the closed space (S3) and the first connection point (P1) is located outside the closed space (S3). there is.

한편, 리크방지부(500)는, 전술한 바와 같이 이너배기제어부(320) 및 아우터배기제어부(620)가 밀폐공간(S3)에 위치하도록 설치될 수 있으며, 다른 예로서, 이너배기제어부(320)에 대해서만 밀폐공간(S3)에 위치하도록 설치될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, the leak prevention unit 500 may be installed so that the inner exhaust control unit 320 and the outer exhaust control unit 620 are located in the closed space (S3), as described above. As another example, the inner exhaust control unit 320 Of course, it can also be installed to be located in the closed space (S3) only.

이때, 상기 리크방지부(500)는, 비록 유해가스는 이너배기부(300)를 통해 배기되나 이너배기부(300)와 아우터배기부(600)가 제2연결지점(P2)을 통해 서로 연통하는 바, 이너배기부(300) 내 유해가스가 아우터배기부(600) 내로 일부 역류할 수 있으므로, 제2연결지점(P2) 전단, 특히 제1연결지점(P1) 전단에 대해서는 아우터배기부(600)의 적어도 일부를 포함하여 밀폐공간(S3) 내에 위치하도록 할 수 있다.At this time, in the leak prevention unit 500, although harmful gases are exhausted through the inner exhaust unit 300, the inner exhaust unit 300 and the outer exhaust unit 600 communicate with each other through the second connection point (P2). Since some of the harmful gases in the inner exhaust unit 300 may flow back into the outer exhaust unit 600, the front of the second connection point (P2), especially the front of the first connection point (P1), 600) can be located within the closed space (S3), including at least a portion of it.

예를 들면, 상기 리크방지부(500)는, 밀폐공간(S3)을 형성하며, 밀폐공간(S3) 배기를 위한 배기구(511)가 구비되는 리크방지챔버(510)와, 일단이 배기구(511)에 결합하고 타단이 외부 배기펌프(540)에 연결되는 배기라인(520)을 포함할 수 있다.For example, the leak prevention part 500 forms a closed space (S3) and includes a leak prevention chamber 510 that is provided with an exhaust port 511 for exhausting the closed space (S3), and one end has an exhaust port 511. ) and may include an exhaust line 520 whose other end is connected to the external exhaust pump 540.

이를 통해, 리크방지부(500)는, 밀폐공간(S3)을 제공할 뿐만 아니라, 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행함으로써, 밀폐공간(S3) 내 배기가스의 누출 시 배기가스를 외부로 배출할 수 있다.Through this, the leak prevention unit 500 not only provides a closed space (S3), but also performs exhaust to the closed space (S3), so that when exhaust gas leaks within the closed space (S3), the exhaust gas is discharged to the outside. can be discharged.

또한, 상기 리크방지부(500)는, 배기라인(520) 상에 설치되어 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 제어하는 배기댐퍼부(530)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the leak prevention unit 500 may further include an exhaust damper unit 530 installed on the exhaust line 520 to control exhaust to the closed space (S3).

또한, 상기 리크방지부(500)는, 이너배기부(300)로부터 밀폐공간(S3)으로 배기가스 누출여부를 센싱하는 감지센서(550)를 추가로 포함할 수 있으며, 더 나아가 밀폐공간(S3)에 대한 압력을 센싱하는 압력센서(560)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the leak prevention unit 500 may further include a detection sensor 550 that senses whether exhaust gas leaks from the inner exhaust unit 300 to the enclosed space (S3), and further ) may additionally include a pressure sensor 560 that senses the pressure.

상기 리크방지챔버(510)는, 밀폐공간(S2)을 형성하며, 밀폐공간(S3) 배기를 위한 배기구(511)가 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The leak prevention chamber 510 forms a closed space (S2) and is provided with an exhaust port 511 for exhausting the closed space (S3), and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 리크방지챔버(510)는, 내부에 이너배기제어부(320)를 포함하는 이너배기부(300) 중 적어도 일부 및 아우터배기제어부(620)를 포함하는 아우터배기부(600) 중 적어도 일부가 설치되는 구성으로서, 보다 구체적으로는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1연결지점(P1) 및 제2연결지점(P2) 사이를 경계로 배치될 수 있다.For example, the leak prevention chamber 510 includes at least a portion of the inner exhaust section 300 including the inner exhaust control section 320 and the outer exhaust section 600 including the outer exhaust control section 620. As a configuration in which at least a portion is installed, more specifically, as shown in FIG. 1, it may be placed at the boundary between the first connection point (P1) and the second connection point (P2).

이때, 상기 리크방지챔버(510)는, 밀폐공간(S3) 내 배기가스 누출 시 외부로 배기가스가 추가 누출되는 것을 방지하도록 밀폐된 밀폐공간(S3)을 형성할 수 있으며, 배기라인(520)과 연결되어 밀폐공간(S3)을 배기하기 위한 배기구(511)가 바닥면에 형성될 수 있다.At this time, the leak prevention chamber 510 can form a sealed closed space (S3) to prevent additional exhaust gas from leaking to the outside when exhaust gas leaks within the closed space (S3), and the exhaust line 520 An exhaust port 511 may be formed on the bottom surface to connect to and exhaust the closed space S3.

또한, 상기 리크방지챔버(510)는, 배기가스의 유해물질 위험성이 크게 낮아지는 제2연결지점(P2) 전단에 설치됨으로써, 밀폐공간(S3)에 대한 최소의 부피를 형성하여 배기가스 누출에 따른 위험성은 방지하면서도 배기성능 및 효율을 담보할 수 있다.In addition, the leak prevention chamber 510 is installed in front of the second connection point (P2), where the risk of harmful substances in exhaust gas is greatly reduced, thereby forming the minimum volume for the closed space (S3) to prevent exhaust gas leakage. Exhaust performance and efficiency can be guaranteed while preventing risks.

상기 배기라인(520)은, 일단이 배기구(511)에 결합하고 타단이 외부 배기펌프(540)에 연결되는 구성으로서, 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 구성일 수 있다.The exhaust line 520 has one end coupled to the exhaust port 511 and the other end connected to the external exhaust pump 540, and may be configured to exhaust the closed space S3.

이때, 상기 배기라인(520)은, 배기구(511)에 결합하는 덕트구조로서, 외부 배기펌프(540)를 통해 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행할 수 있다.At this time, the exhaust line 520 is a duct structure coupled to the exhaust port 511, and can exhaust the closed space S3 through the external exhaust pump 540.

또한, 상기 배기라인(520)은, 전술한 유해물질제거부(20)와 연결됨으로써, 밀폐공간(S3)에 존재하는 유해물질에 대한 제거를 수행할 수 있다.In addition, the exhaust line 520 is connected to the above-described hazardous substance removal unit 20, so that it is possible to remove hazardous substances present in the closed space (S3).

상기 배기댐퍼부(530)는, 배기라인(520) 상에 설치되어 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The exhaust damper unit 530 is installed on the exhaust line 520 to control exhaust to the closed space S3, and various configurations are possible.

즉, 상기 배기댐퍼부(530)는, 배기라인(520)의 개방 여부 및 정도를 결정함으로써, 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행하거나, 그 압력정도를 결정할 수 있다.That is, the exhaust damper unit 530 can perform exhaust to the closed space S3 or determine its pressure level by determining whether and to what extent the exhaust line 520 is opened.

이때, 상기 배기댐퍼부(530)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 배기라인(520)과 연결되는 제1연결배관(531)과, 내부에 압력조절을 위한 밸브가 구비되는 밸브부(532)와, 밸브부(532) 후단에 연결되어 외부 배기펌프(540)와 연결되는 제2연결배관(533)을 포함할 수 있다.At this time, as shown in FIG. 4, the exhaust damper unit 530 includes a first connection pipe 531 connected to the exhaust line 520, and a valve unit 532 equipped with a valve for pressure control therein. ) and a second connection pipe 533 connected to the rear end of the valve unit 532 and connected to the external exhaust pump 540.

한편, 배기효율을 증대하기 위하여 배기라인(520)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적은 배기구(511)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적과 동일할 수 있다.Meanwhile, in order to increase exhaust efficiency, the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust line 520 may be equal to the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511.

더 나아가, 배기댐퍼부(530)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적은 배기구(511)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적과 동일할 수 있으며, 보다 구체적으로 제2연결배관(533)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적과 동일할 수 있다.Furthermore, the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust damper unit 530 may be the same as the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511, and more specifically, in the exhaust direction of the second connection pipe 533. It may be equal to the vertical cross-sectional area.

이때, 배기댐퍼부(530)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적이 배기구(511)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적보다 작을 경우 배기 세기가 낮아지고 배기구(511)의 단면적이 배기댐퍼부(530) 단면적보다 작을 경우 배기 용량이 낮아지므로, 상기 배기댐퍼부(530)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적을 배기구(511)의 배기방향에 대한 수직방향 단면적과 동일하게 구성함으로써, 배기효율을 최대화할 수 있다.At this time, if the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust damper unit 530 is smaller than the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511, the exhaust intensity is lowered and the cross-sectional area of the exhaust port 511 is smaller than the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511. If it is smaller than the cross-sectional area, the exhaust capacity is lowered, so the exhaust efficiency can be maximized by configuring the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust damper unit 530 to be the same as the cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511. there is.

한편, 이 경우, 배기구(511) 및 배기라인(520)은 사각형 형상을 가지고, 배기댐퍼부(530)의 제2연결배관(533)은 원형일 수 있으며, 형상이 상이한 경우에도 단면적은 동일하게 형성될 수 있다.Meanwhile, in this case, the exhaust port 511 and the exhaust line 520 have a rectangular shape, and the second connection pipe 533 of the exhaust damper unit 530 may be circular, and even if the shapes are different, the cross-sectional area is the same. can be formed.

상기 감지센서(550)는, 밀폐공간(S3), 배기댐퍼부(530) 중 적어도 하나에 설치되어 밀폐공간(S3)으로의 배기가스 누출여부를 센싱하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The detection sensor 550 is installed in at least one of the closed space S3 and the exhaust damper unit 530 to sense whether exhaust gas is leaking into the closed space S3, and various configurations are possible.

이때, 리크방지부(500)는, 감지센서(550)에 따른 배기가스 누출여부에 따라서 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행할 수 있으며, 다른 예로서, 밀폐공간(S3)에 대한 상시배기를 수행할 수도 있다.At this time, the leak prevention unit 500 may perform exhaust to the enclosed space (S3) depending on whether the exhaust gas leaks according to the detection sensor 550, and as another example, regular exhaust to the enclosed space (S3) You can also perform .

상기 압력센서(560)는, 밀폐공간(S3) 및 배기댐퍼부(530) 중 적어도 하나에 설치되어 밀폐공간(S3)에 대한 압력을 센싱하는 구성으로서, 일예로, 배기댐퍼부(530)에 설치되어 배기라인(520)에 대한 압력 센싱을 통해 밀폐공간(S3)에 대한 압력을 간접적으로 센싱할 수 있다.The pressure sensor 560 is installed in at least one of the closed space (S3) and the exhaust damper unit 530 to sense the pressure on the closed space (S3). For example, the pressure sensor 560 is installed in the closed space (S3) and the exhaust damper unit 530. It is installed to indirectly sense the pressure in the closed space (S3) through pressure sensing in the exhaust line 520.

한편, 상기 리크방지부(500)는, 압력센서(560) 값이 미리 설정된 값을 초과할 때 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행할 수 있으며, 다른 예로서, 밀폐공간(S3)에 대한 상시배기를 수행할 수도 있다.Meanwhile, the leak prevention unit 500 may perform exhaust to the closed space (S3) when the value of the pressure sensor 560 exceeds a preset value. As another example, the leak prevention unit 500 may perform exhaust to the closed space (S3). Regular exhaust can also be performed.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

100: 아우터튜브 200: 이너튜브
300: 이너배기부 400: 불활성가스공급부
500: 리크방지부 600: 아우터배기부100: Outer tube 200: Inner tube
300: Inner exhaust unit 400: Inert gas supply unit
500: Leak prevention part 600: Outer exhaust part

Claims (19)

내부에 보호공간(S1)을 형성하는 아우터튜브(100)와;
내부에 반응공간(S2)을 형성하며, 적어도 일부가 상기 아우터튜브(100)에 수용되는 이너튜브(200)와;
상기 이너튜브(200)와 연통되어 상기 반응공간(S2)을 배기하는 이너배기부(300)와;
상기 이너배기부(300)와 제1연결지점(P1)에서 연결되어, 배기가스가 흐르는 상기 이너배기부(300) 내에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부(400)와;
상기 제1연결지점(P1) 전단에 설치되며, 상기 이너배기부(300) 중 적어도 일부가 내부에 위치하는 밀폐공간(S3)을 형성하고 상기 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 리크방지부(500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.an outer tube (100) forming a protective space (S1) therein;
an inner tube (200) forming a reaction space (S2) therein and at least a portion of which is accommodated in the outer tube (100);
an inner exhaust unit 300 that communicates with the inner tube 200 and exhausts the reaction space (S2);
an inert gas supply unit 400 connected to the inner exhaust unit 300 at a first connection point (P1) and supplying an inert gas into the inner exhaust unit 300 through which exhaust gas flows;
It is installed in front of the first connection point (P1), forms a closed space (S3) in which at least a part of the inner exhaust portion (300) is located, and performs exhaust to the closed space (S3). A substrate processing device comprising a unit (500). 청구항 1에 있어서,
상기 배기가스는,
수소(H2) 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The exhaust gas is
A substrate processing device comprising hydrogen (H2) gas. 청구항 1에 있어서,
상기 이너배기부(300)는,
상기 이너튜브(200)와 외부배기장치를 연결하는 이너배기라인(310)과, 상기 이너배기라인(310) 상에 설치되어 상기 반응공간(S2)에 대한 배기를 제어하는 이너배기제어부(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The inner exhaust unit 300,
An inner exhaust line 310 connecting the inner tube 200 and an external exhaust device, and an inner exhaust control unit 320 installed on the inner exhaust line 310 to control exhaust to the reaction space (S2) A substrate processing device comprising: 청구항 3에 있어서,
상기 아우터튜브(100)에 연통되어 상기 보호공간(S1)을 배기하며, 적어도 일부가 상기 밀폐공간(S3)에 위치하는 아우터배기부(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 3,
A substrate processing apparatus further comprising an outer exhaust unit 600 that communicates with the outer tube 100 to exhaust the protective space S1, and at least a portion of the exhaust unit 600 is located in the sealed space S3. 청구항 4에 있어서,
상기 아우터배기부(600)는,
상기 아우터튜브(100)와 외부배기장치를 연결하는 아우터배기라인(610)과, 상기 아우터배기라인(610) 상에 설치되어 상기 보호공간(S1)에 대한 배기를 제어하는 아우터배기제어부(620)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 4,
The outer exhaust unit 600,
An outer exhaust line 610 connecting the outer tube 100 and an external exhaust device, and an outer exhaust control unit 620 installed on the outer exhaust line 610 to control exhaust to the protection space (S1). A substrate processing device comprising: 청구항 5에 있어서,
상기 아우터배기라인(610)은,
상기 이너배기라인(310) 중 상기 제1연결지점(P1) 전단 제2연결지점(P2)에서 상기 이너배기라인(310)에 연통하도록 결합하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 5,
The outer exhaust line 610 is,
A substrate processing device characterized in that it is coupled to communicate with the inner exhaust line 310 at a second connection point (P2) in front of the first connection point (P1) among the inner exhaust lines (310). 청구항 4에 있어서,
상기 아우터배기부(600)는,
상기 보호공간(S1)에 공급되는 불활성가스를 배기하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 4,
The outer exhaust unit 600,
A substrate processing device characterized in that the inert gas supplied to the protection space (S1) is exhausted. 청구항 6에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 제2연결지점(P2)이 상기 밀폐공간(S3)에 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 6,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing apparatus, characterized in that the second connection point (P2) is installed so that it is located in the closed space (S3). 청구항 5에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 이너배기제어부(320) 및 상기 아우터배기제어부(620)가 상기 밀폐공간(S3)에 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 5,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing apparatus, characterized in that the inner exhaust control unit 320 and the outer exhaust control unit 620 are installed to be located in the closed space (S3). 청구항 1에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 밀폐공간(S3)을 형성하며 상기 밀폐공간(S3) 배기를 위한 배기구(511)가 구비되는 리크방지챔버(510)와, 일단이 상기 배기구(511)에 결합하고 타단이 외부 배기펌프(540)에 연결되는 배기라인(520)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The leak prevention unit 500,
A leak prevention chamber 510 that forms the closed space S3 and is provided with an exhaust port 511 for exhausting the closed space S3, one end of which is coupled to the exhaust port 511, and the other end of which is connected to an external exhaust pump 540. ) A substrate processing device comprising an exhaust line 520 connected to ). 청구항 10에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 배기라인(520) 상에 설치되어 상기 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 제어하는 배기댐퍼부(530)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 10,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing apparatus comprising an exhaust damper unit 530 installed on the exhaust line 520 to control exhaust to the closed space (S3). 청구항 11에 있어서,
상기 배기댐퍼부(530)의 배기방향에 수직한 단면적은 상기 배기구(511)의 배기방향에 수직한 단면적과 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 11,
A substrate processing apparatus, wherein a cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust damper unit 530 is equal to a cross-sectional area perpendicular to the exhaust direction of the exhaust port 511. 청구항 1에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 이너배기부(300)로부터 상기 밀폐공간(S3)으로 상기 배기가스 누출여부를 센싱하는 감지센서(550)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing apparatus further comprising a detection sensor 550 that senses whether the exhaust gas leaks from the inner exhaust portion 300 to the sealed space S3. 청구항 1에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 밀폐공간(S3)의 압력을 센싱하는 압력센서(560)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing apparatus further comprising a pressure sensor 560 that senses the pressure of the sealed space (S3). 청구항 1에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 밀폐공간(S3)에 대한 상시배기를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing device characterized in that it performs regular exhaust to the sealed space (S3). 청구항 13에 있어서,
상기 리크방지부(500)는,
상기 감지센서(550)를 통해 상기 밀폐공간(S3)에 상기 배기가스가 누출된 것으로 판단될 때, 상기 밀폐공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 13,
The leak prevention unit 500,
A substrate processing apparatus, characterized in that when it is determined through the detection sensor 550 that the exhaust gas has leaked into the closed space (S3), exhaust gas is discharged from the closed space (S3). 청구항 10에 있어서,
상기 리크방지챔버(510) 및 상기 배기라인(520) 설치되는 내부공간(S4)을 형성하는 유틸리티챔버(10)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 10,
A substrate processing apparatus further comprising a utility chamber (10) forming an internal space (S4) in which the leak prevention chamber (510) and the exhaust line (520) are installed. 청구항 1에 있어서,
상기 이너배기부(300) 끝단과 연결되어 배출되는 상기 배기가스 내 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(20)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a hazardous substance removal unit 20 that is connected to an end of the inner exhaust unit 300 and removes hazardous substances in the exhaust gas discharged. 청구항 1에 있어서,
상기 보호공간(S1)은,
상기 반응공간(S2)보다 높은 압력으로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The protection space (S1) is,
A substrate processing device characterized in that it is maintained at a higher pressure than the reaction space (S2).
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