KR20230168801A - 반도체 테스트 장치 - Google Patents

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KR20230168801A
KR20230168801A KR1020220069512A KR20220069512A KR20230168801A KR 20230168801 A KR20230168801 A KR 20230168801A KR 1020220069512 A KR1020220069512 A KR 1020220069512A KR 20220069512 A KR20220069512 A KR 20220069512A KR 20230168801 A KR20230168801 A KR 20230168801A
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전기영
한세희
주재훈
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와이아이케이 주식회사
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Abstract

반도체 테스트 장치가 제공된다. 반도체 테스트 장치는, 제1 제어 신호를 기초로 제공받은 교류 전압을 출력하는 제1 전자 접촉기(magnetic contractor), 제2 제어 신호를 기초로 제공받은 교류 전압을 출력하는 제2 전자 접촉기, 제3 제어 신호를 기초로 제1 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제1 파워 공급기, 제4 제어 신호를 기초로 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제2 파워 공급기, 제1 파워 공급기의 제1 출력과 제2 파워 공급기의 제1 출력을 제공받는 제1 버스바(bus bar), 제1 파워 공급기의 제2 출력과 제2 파워 공급기의 제2 출력을 제공받는 제2 버스바, 제1 버스바와 제2 버스바의 출력을 제공받는 복수의 하드웨어 보드, 제1 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 피드백 신호를 생성하는 제1 전류 센서, 제2 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 피드백 신호를 생성하는 제2 전류 센서, 및 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하고, 판단 결과를 기초로 제1 내지 제4 제어 신호를 생성하는 인터페이스 보드를 포함한다.

Description

반도체 테스트 장치{Semiconductor test apparatus}
본 개시는 반도체 테스트 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게는, 소비 전력을 절감할 수 있는 반도체 테스트 장치에 관한 것이다.
반도체 테스트 장치는 반도체 소자의 성능을 테스트하는 장치이다. 이러한 반도체 테스트 장치의 예로는 메모리 소자의 성능을 테스트하는 메모리 테스트 장치를 들 수 있다.
메모리 테스트 장치는 메모리 소자의 성능을 테스트 하기 위해 복수의 패턴 신호 및 테스터 전압을 생성하고, 이를 메모리 소자에 인가하여 메모리 소자의 성능을 테스트한다. 이러한 메모리 테스트는 메모리 소자의 종류, 메모리 테스트에 이용되는 프로그램의 종류에 따라 서로 다른 전력을 소비한다. 이에 따라, 반도체 테스트 장치의 소비 전력을 절감하기 위해서는 테스트 상황에 따라 동적으로(dynamically) 전력을 제공하는 방법에 대한 연구가 필요하다.
공개특허 제10-2013-0040259호 (2013년 4월 23일 공개)
본 개시가 해결하고자 하는 기술적 과제는, 소비 전력을 절감할 수 있는 반도체 테스트 장치를 제공하는 것이다.
본 개시의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 개시의 기술분야에서의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 제1 제어 신호를 기초로 제공받은 교류 전압을 출력하는 제1 전자 접촉기(magnetic contractor), 제2 제어 신호를 기초로 제공받은 교류 전압을 출력하는 제2 전자 접촉기, 제3 제어 신호를 기초로 제1 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제1 파워 공급기, 제4 제어 신호를 기초로 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제2 파워 공급기, 제1 파워 공급기의 제1 출력과 제2 파워 공급기의 제1 출력을 제공받는 제1 버스바(bus bar), 제1 파워 공급기의 제2 출력과 제2 파워 공급기의 제2 출력을 제공받는 제2 버스바, 제1 버스바와 제2 버스바의 출력을 제공받는 복수의 하드웨어 보드, 제1 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 피드백 신호를 생성하는 제1 전류 센서, 제2 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 피드백 신호를 생성하는 제2 전류 센서, 및 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하고, 판단 결과를 기초로 제1 내지 제4 제어 신호를 생성하는 인터페이스 보드를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 인터페이스 보드는, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기를 오프(off)시키고, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 온 마진 이상인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기를 온(on)시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 인터페이스 보드는, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기와 제1 파워 공급기를 오프시키고, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 온 마진 이상인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기와 제1 파워 공급기를 온시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 반도체 테스트 장치는 제5 제어 신호를 기초로 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제3 파워 공급기를 더 포함하고, 제1 버스바는 제3 파워 공급기의 제1 출력을 제공받고, 제2 버스바는 제3 파워 공급기의 제2 출력을 제공받고, 인터페이스 보드는 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하고, 판단 결과를 기초로 제1 내지 제5 제어 신호를 생성할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 인터페이스 보드는, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제2 제어 신호를 통해 제2 전자 접촉기를 온시키고, 제4 제어 신호를 통해 제2 파워 공급기를 온시키고, 제5 제어 신호를 통해 제3 파워 공급기를 오프시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 인터페이스 보드는, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제2 제어 신호를 통해 제2 전자 접촉기를 오프시키고, 제4 제어 신호를 통해 제2 파워 공급기를 오프시키고, 제5 제어 신호를 통해 제3 파워 공급기를 오프시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 인터페이스 보드는, 제1 모드에서, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제1 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기를 오프시키고, 제1 모드와 다른 제2 모드에서, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제2 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기를 오프시키되, 제1 오프 마진의 레벨은 제2 오프 마진의 레벨보다 낮을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 인터페이스 보드는, 제1 모드에서, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제1 온 마진 이상인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기를 온시키고, 제2 모드에서, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제2 온 마진 이상인 것에 응답하여, 제1 제어 신호를 통해 제1 전자 접촉기를 온시키되, 제1 온 마진의 레벨은 제2 온 마진의 레벨보다 낮을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 모드는 고전력 모드를 포함하고, 제2 모드는 저전력 모드를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 제공받은 교류 전압을 출력하는 제1 전자 접촉기, 제공받은 교류 전압을 출력하는 제2 전자 접촉기, 제1 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제1 파워 공급기, 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제2 파워 공급기, 제1 파워 공급기의 제1 출력과 제2 파워 공급기의 제1 출력을 제공받는 제1 버스바, 제1 파워 공급기의 제2 출력과 제2 파워 공급기의 제2 출력을 제공받는 제2 버스바, 제1 버스바와 제2 버스바의 출력을 제공받는 복수의 하드웨어 보드, 제1 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 피드백 신호를 생성하는 제1 전류 센서, 제2 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 피드백 신호를 생성하는 제2 전류 센서, 및 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하는 인터페이스 보드를 포함하되, 인터페이스 보드는, 제1 모드에서, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제1 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제1 전자 접촉기를 오프시키고, 제1 모드와 다른 제2 모드에서, 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제2 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 제1 전자 접촉기를 오프시키되, 제1 오프 마진의 레벨은 제2 오프 마진의 레벨과 다르다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치를 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 5는 고전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 감소시키는 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 고전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 증가시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 저전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 감소시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 저전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 증가시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자나 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자나 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자나 구성요소를 다른 소자나 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자나 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자나 구성요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 테스트 장치(1)는 인터페이스 보드(10), 전자 접촉기들(magnetic contractors)(22, 24), 파워 공급기들(power supplies)(32, 34, 36), 버스바(bus bars)들(42, 44), 전류 센서들(52, 54) 및 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 반도체 테스트 장치(1)는 메모리 소자(예를 들어, DRAM 메모리, NAND 메모리 등)의 성능을 테스트하는 메모리 테스트 장치일 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 도 1에 도시된 구성은 반도체 테스트 장치(1)가 테스트 동작을 수행하는데 필요한 전압을 공급하는 전압 공급부의 일부일 수 있으나, 역시 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
전자 접촉기(22)는 외부로부터 교류 전압(AC)(예를 들어, 3상의 교류 전압)을 제공받고 제어 신호(CON22)를 기초로 이를 출력할 수 있다. 예를 들어, 전자 접촉기(22)는 제어 신호(CON22)에 의해 온(on)될 경우, 교류 전압을 파워 공급기(32)에 출력하고, 제어 신호(CON22)에 의해 오프(off)될 경우, 교류 전압을 파워 공급기(32)에 출력하지 않을 수 있다.
전자 접촉기(24)는 외부로부터 교류 전압(AC)을 제공받고 제어 신호(CON24)를 기초로 이를 출력할 수 있다. 예를 들어, 전자 접촉기(24)는 제어 신호(CON24)에 의해 온될 경우, 교류 전압을 파워 공급기(34)와 파워 공급기(36)에 출력하고, 제어 신호(CON24)에 의해 오프될 경우, 교류 전압을 파워 공급기(34)와 파워 공급기(36)에 출력하지 않을 수 있다.
파워 공급기(32)는 전자 접촉기(22)로부터 교류 전압(AC)을 제공받고, 제어 신호(CON32)를 기초로 이를 직류 전압(DC)로 변환하여 제1 출력(P)과 제2 출력(N)을 통해 이를 출력할 수 있다. 파워 공급기(34)는 전자 접촉기(24)로부터 교류 전압(AC)을 제공받고, 제어 신호(CON34)를 기초로 이를 직류 전압(DC)로 변환하여 제1 출력(P)과 제2 출력(N)을 통해 이를 출력할 수 있다. 파워 공급기(36)는 전자 접촉기(24)로부터 교류 전압(AC)을 제공받고, 제어 신호(CON36)를 기초로 이를 직류 전압(DC)로 변환하여 제1 출력(P)과 제2 출력(N)을 통해 이를 출력할 수 있다.
본 실시예에서, 전자 접촉기(22)는 1개의 파워 공급기(32)에 교류 전압을 제공하나, 전자 접촉기(24)는 2개의 파워 공급기(34, 36)에 교류 전압을 제공하도록 구성될 수 있다. 이는 파워 공급기들(32, 34, 36)의 용량 및 테스트 환경을 고려한 것이며, 이에 따라 반도체 테스트 장치(1)가 보다 효율적으로 소비 전력을 절감할 수 있다.
비록 도면에는 2개의 전자 접촉기(22, 24)와 3개의 파워 공급기(32, 34, 36) 만을 도시하였으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니며, 전자 접촉기의 수와 파워 공급기의 수는 필요에 따라 더 추가될 수 있다.
버스바(42)는 파워 공급기(32)의 제1 출력(P)과, 파워 공급기(34)의 제1 출력(P)과, 파워 공급기(36)의 제1 출력(P)을 제공받을 수 있다. 즉, 파워 공급기들(32, 34, 36)의 제1 출력(P)은 버스바(42)에 집적될 수 있다.
버스바(44)는 파워 공급기(32)의 제2 출력(N)과, 파워 공급기(34)의 제2 출력(N)과, 파워 공급기(36)의 제2 출력(N)을 제공받을 수 있다. 즉, 파워 공급기들(32, 34, 36)의 제2 출력(N)은 버스바(44)에 집적될 수 있다.
버스바(42)와 버스바(44)에 제공된 전압은 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)에 분배될 수 있다.
도면에서는 파워 공급기들(32, 34, 36)과 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66) 간의 예시적인 매칭 관계를 표현하기 위해 제공되는 전력(또는 전류)의 흐름을 화살표로 표시하였으나, 본 실시예가 도시된 화살표의 흐름에 제한되는 것은 아니다.
즉, 하드웨어 보드(61)는 파워 공급기(32)의 출력만을 제공받는 것이 아니라, 버스바들(42, 44)을 통해 파워 공급기(34)나 파워 공급기(36)의 출력을 제공받을 수도 있다. 마찬가지로 하드웨어 보드(64)는 파워 공급기(34)의 출력만을 제공받는 것이 아니라, 버스바들(42, 44)을 통해 파워 공급기(32)나 파워 공급기(36)의 출력을 제공받을 수도 있다.
하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)은 메모리 소자의 성능 테스트를 위한 다양한 신호들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 하드웨어 보드(61)는 메모리 소자의 성능 테스트를 위한 제1 패턴 신호를 생성하고, 하드웨어 보드(62)는 메모리 소자의 성능 테스트를 위한 제2 패턴 신호를 생성하고, 하드웨어 보드(63)는 메모리 소자의 성능 테스트를 위한 전원 신호를 생성할 수 있다. 나머지 하드웨어 보드들(64, 65, 66)도 메모리 소자의 성능 테스트를 위한 이외의 다양한 신호들을 생성할 수 있다.
전류 센서(52)는 버스바(42)에 흐르는 전류를 센싱하여 피드백 신호(FBP)를 생성하고 이를 인터페이스 보드(10)에 제공할 수 있다. 전류 센서(54)는 버스바(44)에 흐르는 전류를 센싱하여 피드백 신호(FBN)를 생성하고 이를 인터페이스 보드(10)에 제공할 수 있다.
버스바들(42, 44)에 흐르는 전류를 전류 센서들(52, 54)들을 이용하여 센싱할 경우, 현재 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)이 소비하는 전력량(또는 전류량)을 파악할 수 있다. 이러한 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)이 소비하는 전력량(또는 전류량)은 피드백 신호들(FBP, FBN)의 형태로 인터페이스 보드(10)에 제공될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 피드백 신호들(FBP, FBN)은 전류 센서들(52, 54)이 센싱한 전류 값들일 수도 있고, 전류 센서들(52, 54)이 센싱한 전류 값들에 인터페이스 보드(10)의 판단을 보조하는 소정 처리가 수행된 신호들일 수도 있다.
인터페이스 보드(10)는 피드백 신호들(FBP, FBN)을 기초로 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 소비 전력량(또는 전류량)을 파악하고, 제어 신호들(CON22, CON24, CON32, CON34, CON36)을 생성하여 출력할 수 있다.
본 실시예에서는 인터페이스 보드(10)가 전자 접촉기들(22, 24)과 파워 공급기들(32, 34, 36)에 각각 독립적인 제어 신호를 제공한다. 이는 다양한 파워 차단 시나리오에 따라 효율적으로 전력을 관리하기 위함이다. 예를 들어, 파워 공급기들(32, 34, 36)에 제공되는 제어 신호들(CON32, 34, 36)을 이용하여 파워 공급기들(32, 34, 36)을 오프시키는 경우, 전자 접촉기들(22, 24)에 제공되는 제어 신호들(CON22, 24)을 이용하여 전자 접촉기들(22, 24)을 오프시키는 경우에 비해 전력을 긴급 차단하는 상황에서 유리하다.
이하 도 2 내지 도 5를 참조하여, 고전력(high power) 모드에서, 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 감소시키는 동작에 대해 설명한다.
도 2 내지 도 5는 고전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 감소시키는 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저 도 2 및 도 3을 참조하면, 고전력 모드에서, 인터페이스 보드(10)에는 제1 오프 마진(OFFM1H)과 제2 오프 마진(OFFM2H)이 설정되어 있을 수 있다.
하드웨어 보드(63, 65)가 오프됨으로 인해 버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(CC)이 제1 오프 마진(OFFM1H) 이하가 되는 제1 시점(T1)에서, 인터페이스 보드(10)는 예를 들어 제어 신호(CON36)을 통해 파워 공급기(36)를 오프시킬 수 있다.
이에 따라, 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 소비 전력량(또는 전류량)에 부합되도록 버스바들(42, 44)에 제공되는 전압이 작아져, 반도체 테스트 장치(1)가 테스트에 필요한 전력만 소비하도록 구동될 수 있다. 즉, 반도체 테스트 장치(1)의 소비 전력이 불필요하게 낭비되지 않는다.
다음 도 2 및 도 4를 참조하면, 하드웨어 보드(61, 66)가 추가로 오프됨으로 인해 버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(CC)이 제2 오프 마진(OFFM2H) 이하가 되는 제2 시점(T2)에서, 인터페이스 보드(10)는 예를 들어 제어 신호(CON24)를 통해 전자 접촉기(24)를 오프시킬 수 있다.
이에 따라, 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 소비 전력량(또는 전류량)에 부합되도록 버스바들(42, 44)에 제공되는 전압이 더욱 작아져, 반도체 테스트 장치(1)가 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 상태에 따라 테스트에 필요한 전력만 소비하도록 구동될 수 있다.
한편, 하드웨어 보드(61, 66)가 추가로 오프됨으로 인해 버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(CC)이 제2 오프 마진(OFFM2H) 이하가 되는 제2 시점(T2)에서의 인터페이스 보드(10)의 제어 동작은 이와 다르게 변형되어 실시될 수도 있다.
다른 예로 도 2 및 도 5를 참조하면, 하드웨어 보드(61, 66)가 추가로 오프됨으로 인해 버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(CC)이 제2 오프 마진(OFFM2H) 이하가 되는 제2 시점(T2)에서, 인터페이스 보드(10)는 예를 들어 제어 신호(CON24)를 통해 전자 접촉기(24)를 오프시키는 것이 아니라, 제어 신호(CON22)를 통해 전자 접촉기(22)를 오프시킬 수도 있다.
또한, 상세히 도시하지는 않았으나, 인터페이스 보드(10)는 예를 들어 제어 신호(CON24)를 통해 전자 접촉기(24)를 오프시키는 것이 아니라, 제어 신호(CON32)를 통해 파워 공급기(32)를 오프시킬 수도 있다. 또한, 인터페이스 보드(10)는 예를 들어 제어 신호(CON22)를 통해 전자 접촉기(22)를 오프시키고 동시에 또는 추가로 제어 신호(CON32)를 통해 파워 공급기(32)를 오프시킬 수도 있다.
이러한 동작에 따라, 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 소비 전력량(또는 전류량)에 부합되도록 버스바들(42, 44)에 제공되는 전압이 더욱 작아져, 반도체 테스트 장치(1)가 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 상태에 따라 테스트에 필요한 전력만 소비하도록 구동될 수 있다.
다음 도 6을 참조하여, 고전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 증가시키는 동작에 대해 설명한다.
도 6은 고전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 증가시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 고전력 모드에서, 인터페이스 보드(10)에는 제1 온 마진(ONM1H)과 제2 온 마진(ONM2H)이 설정되어 있을 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시된 것과 같이 하드웨어 보드들(61, 63, 64, 65, 66)이 오프된 상황에서, 도 3에 도시된 것과 같이 하드웨어 보드들(61, 64)이 온되어 버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(도 6의 CC)이 제1 온 마진(도 6의 ONM1H) 이상이 되는 제3 시점(T3)에서, 인터페이스 보드(10)는 앞서 설명한 동작과 반대 동작을 수행할 수 있다.
예를 들어, 인터페이스 보드(10)는 파워 공급기(32)가 오프된 경우, 제어 신호(CON32)를 통해 파워 공급기(32)를 온시키고, 전자 접촉기(22)가 오프된 경우, 제어 신호(CON22)를 통해 전자 접촉기(22)를 온 시키고, 전자 접촉기(24)가 오프된 경우, 제어 신호(CON24)를 통해 전자 접촉기(22)를 온 시킬 수 있다.
이러한 동작에 따라, 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 소비 전력량(또는 전류량)에 부합되도록 버스바들(42, 44)에 제공되는 전압이 증가하여, 반도체 테스트 장치(1)가 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 상태에 따라 테스트에 필요한 전력만 소비하도록 구동될 수 있다.
이후, 하드웨어 보드들(63, 65)이 추가로 온되어 버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(도 6의 CC)이 제2 온 마진(도 6의 ONM2H) 이상이 되는 제4 시점(T4)에서, 인터페이스 보드(10)는 오프된 전자 접촉기들(22, 24)과 오프된 파워 공급기들(32, 34, 36)을 온 시킬 수 있다.
이러한 동작에 따라, 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 소비 전력량(또는 전류량)에 부합되도록 버스바들(42, 44)에 제공되는 전압이 추가로 증가하여, 반도체 테스트 장치(1)가 하드웨어 보드들(61, 62, 63, 64, 65, 66)의 상태에 따라 테스트에 필요한 전력만 소비하도록 구동될 수 있다.
이하 도 7을 참조하여, 저전력(low power) 모드에서, 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 감소시키는 동작에 대해 설명한다.
도 7은 저전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 감소시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
저전력 모드는 고전력 모드에 비해 테스트 수행에 필요한 소비 전력이 작을 때 사용되는 모드이다. 수행되는 테스트의 종류 또는 테스트가 동작되는 환경에 따라 인터페이스 보드(10)에 고전력 모드 또는 저전력 모드가 셋팅될 수 있다.
도 7을 참조하면, 저전력 모드에서, 인터페이스 보드(10)에는 고전력 모드와 마찬가지로 제1 오프 마진(OFFM1L)과 제2 오프 마진(OFFM2L)이 설정되어 있을 수 있다. 다만, 저전력 모드는 일시적인 소비 전력(또는 전류)의 증가가 있더라도 테스트 전체에서 소비하는 전력(또는 전류)의 양이 고전력 모드에서 소비하는 전력(또는 전류)의 양보다 작을 것이다.
따라서, 인터페이스 보드(10) 내의 저전력 모드의 제1 오프 마진(OFFM1L)의 레벨은 도시된 것과 같이, 고전력 모드의 제1 오프 마진(OFFM1H)의 레벨 보다 높게 설정된다. 그리고, 저전력 모드의 제2 오프 마진(OFFM2L)의 레벨은 도시된 것과 같이, 고전력 모드의 제2 오프 마진(OFFM2H)의 레벨 보다 높게 설정된다.
이에 따라, 저전력 모드에서는 고전력 모드에 비해 전력 공급 차단을 빠르게 수행하여 전력 소모를 최소화함으로써 반도체 테스트 장치(1)의 전력 소비 절감 효율을 향상시킬 수 있다.
버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(도 7의 CC)이 제1 오프 마진(OFFM1L) 이하가 되거나, 제2 오프 마진(OFFM2L) 이하가 되는 시점에서의 반도체 테스트 장치의 동작은 앞서 설명한 고전력 모드에서의 동작과 유사하므로 중복된 설명은 생략한다.
이하 도 8을 참조하여, 저전력 모드에서, 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 증가시키는 동작에 대해 설명한다.
도 8은 저전력 모드에서 소비 전력에 따라 동적으로 전력 공급을 증가시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 저전력 모드에서, 인터페이스 보드(10)에는 고전력 모드와 마찬가지로 제1 온 마진(ONM1L)과 제2 온 마진(ONM2L)이 설정되어 있을 수 있다.
마찬가지로, 저전력 모드는 일시적인 소비 전력(또는 전류)의 증가가 있더라도 테스트 전체에서 소비하는 전력(또는 전류)의 양이 고전력 모드에서 소비하는 전력(또는 전류)의 양보다 작을 것이다.
따라서, 인터페이스 보드(10) 내의 저전력 모드의 제1 온 마진(ONM1L)의 레벨은 도시된 것과 같이, 고전력 모드의 제1 온 마진(ONM1H)의 레벨 보다 높게 설정된다. 그리고, 저전력 모드의 제2 온 마진(ONM2L)의 레벨은 도시된 것과 같이, 고전력 모드의 제2 온 마진(ONM2H)의 레벨 보다 높게 설정된다.
이에 따라, 저전력 모드에서는 고전력 모드에 비해 전력 추가 공급을 느리게 수행하여 전력 소모를 최소화함으로써 반도체 테스트 장치(1)의 전력 소비 절감 효율을 향상시킬 수 있다.
버스바들(42, 44)에 흐르는 전류량(도 8의 CC)이 제1 온 마진(ONM1L) 이상이 되거나, 제2 온 마진(ONM2L) 이상이 되는 시점에서의 반도체 테스트 장치의 동작은 앞서 설명한 고전력 모드에서의 동작과 유사하므로 중복된 설명은 생략한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 인터페이스 보드
22, 24: 전자 접촉기
32, 34, 36: 파워 공급기
42, 44: 버스바
52, 54: 전류 센서

Claims (10)

  1. 제1 제어 신호를 기초로 제공받은 교류 전압을 출력하는 제1 전자 접촉기(magnetic contractor);
    제2 제어 신호를 기초로 제공받은 교류 전압을 출력하는 제2 전자 접촉기;
    제3 제어 신호를 기초로 상기 제1 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제1 파워 공급기;
    제4 제어 신호를 기초로 상기 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제2 파워 공급기;
    상기 제1 파워 공급기의 제1 출력과 상기 제2 파워 공급기의 제1 출력을 제공받는 제1 버스바(bus bar);
    상기 제1 파워 공급기의 제2 출력과 상기 제2 파워 공급기의 제2 출력을 제공받는 제2 버스바;
    상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바의 출력을 제공받는 복수의 하드웨어 보드;
    상기 제1 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 피드백 신호를 생성하는 제1 전류 센서;
    상기 제2 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 피드백 신호를 생성하는 제2 전류 센서; 및
    상기 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하고, 판단 결과를 기초로 상기 제1 내지 제4 제어 신호를 생성하는 인터페이스 보드를 포함하는 반도체 테스트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인터페이스 보드는,
    상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기를 오프(off)시키고,
    상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 온 마진 이상인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기를 온(on)시키는 반도체 테스트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 인터페이스 보드는,
    상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기와 상기 제1 파워 공급기를 오프시키고,
    상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 온 마진 이상인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기와 상기 제1 파워 공급기를 온시키는 반도체 테스트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    제5 제어 신호를 기초로 상기 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제3 파워 공급기를 더 포함하고,
    상기 제1 버스바는 상기 제3 파워 공급기의 제1 출력을 제공받고,
    상기 제2 버스바는 상기 제3 파워 공급기의 제2 출력을 제공받고,
    상기 인터페이스 보드는 상기 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하고, 판단 결과를 기초로 상기 제1 내지 제5 제어 신호를 생성하는 반도체 테스트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 인터페이스 보드는,
    상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여,
    상기 제2 제어 신호를 통해 상기 제2 전자 접촉기를 온시키고, 상기 제4 제어 신호를 통해 상기 제2 파워 공급기를 온시키고, 상기 제5 제어 신호를 통해 상기 제3 파워 공급기를 오프시키는 반도체 테스트 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 인터페이스 보드는,
    상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 오프 마진 이하인 것에 응답하여,
    상기 제2 제어 신호를 통해 상기 제2 전자 접촉기를 오프시키고, 상기 제4 제어 신호를 통해 상기 제2 파워 공급기를 오프시키고, 상기 제5 제어 신호를 통해 상기 제3 파워 공급기를 오프시키는 반도체 테스트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 인터페이스 보드는,
    제1 모드에서, 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제1 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기를 오프시키고,
    상기 제1 모드와 다른 제2 모드에서, 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제2 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기를 오프시키되,
    상기 제1 오프 마진의 레벨은 상기 제2 오프 마진의 레벨보다 낮은 반도체 테스트 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 인터페이스 보드는,
    상기 제1 모드에서, 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제1 온 마진 이상인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기를 온시키고,
    상기 제2 모드에서, 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제2 온 마진 이상인 것에 응답하여, 상기 제1 제어 신호를 통해 상기 제1 전자 접촉기를 온시키되,
    상기 제1 온 마진의 레벨은 상기 제2 온 마진의 레벨보다 낮은 반도체 테스트 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 모드는 고전력 모드를 포함하고,
    상기 제2 모드는 저전력 모드를 포함하는 반도체 테스트 장치.
  10. 제공받은 교류 전압을 출력하는 제1 전자 접촉기;
    제공받은 교류 전압을 출력하는 제2 전자 접촉기;
    상기 제1 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제1 파워 공급기;
    상기 제2 전자 접촉기의 출력을 직류 전압으로 변환하여 출력하는 제2 파워 공급기;
    상기 제1 파워 공급기의 제1 출력과 상기 제2 파워 공급기의 제1 출력을 제공받는 제1 버스바;
    상기 제1 파워 공급기의 제2 출력과 상기 제2 파워 공급기의 제2 출력을 제공받는 제2 버스바;
    상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바의 출력을 제공받는 복수의 하드웨어 보드;
    상기 제1 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제1 피드백 신호를 생성하는 제1 전류 센서;
    상기 제2 버스바에 흐르는 전류를 센싱하여 제2 피드백 신호를 생성하는 제2 전류 센서; 및
    상기 제1 및 제2 피드백 신호를 기초로 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량을 판단하는 인터페이스 보드를 포함하되,
    상기 인터페이스 보드는,
    제1 모드에서, 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제1 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 상기 제1 전자 접촉기를 오프시키고,
    상기 제1 모드와 다른 제2 모드에서, 상기 복수의 하드웨어 보드의 소비 전류량이 미리 정한 제2 오프 마진 이하인 것에 응답하여, 상기 제1 전자 접촉기를 오프시키되,
    상기 제1 오프 마진의 레벨은 상기 제2 오프 마진의 레벨과 다른 반도체 테스트 장치.
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