KR20230168383A - 잔해 차폐 막 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 극자외선 광을 생성하는 광원에 사용되는 잔해 차폐 막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 a) 기판의 일면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계와, b) 상기 잔해 차폐 막 층 위에 메시 형태의 금속 패턴 층을 형성하는 단계와, c) 상기 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 상기 기판의 반대 면을 식각하는 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 잔해 차폐 막은 높은 투과도를 유지하면서도 강도를 확보할 수 있으므로, 수명이 늘어난다. 따라서 잔해 차폐 막의 교체에 의한 노광 장비의 이용 불가 시간이 줄어든다는 장점이 있다.

Description

잔해 차폐 막 및 그 제조방법{Debris shielding membrane and manufacturing method of the same}
본 발명은 극자외선 광을 생성하는 광원에 사용되는 잔해 차폐 막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다.
광원에서 극자외선 광을 만들어 내는 과정은 EUV 범위 내의 방출 라인을 갖는 재료, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 플라스마 상태로 전환하는 단계를 포함한다.
플라스마 상태로 전환하는 방법으로는 액적, 스트림 또는 클러스터와 같은 타겟 재료에 레이저 빔을 조사함으로써 플라스마를 생성하는 레이저 생성 플라스마(Laser Produced Plasma, LPP) 방법, 한 쌍의 전극들 사이의 전기 방전을 통해 플라스마를 생성하는 전기 방전 생성 플라스마(Discharge Produced Plasma, DPP) 방법 등이 있다.
이러한 플라스마 상태로 전환하는 단계에서는 다량의 부산물이 발생하는 데 이를 통상 잔해(Debris)라 부른다. 잔해는 예를 들어, 플라스마 공정에서 완전히 이온화되지 않는 소스 재료의 파면 및 덩어리들을 포함할 수 있다.
잔해는 광원의 다양한 광학 요소들을 오염시킨다. 특히, 반사경 등에 부착되어 반사효율을 감소시킨다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 극자외선 소스와 반사경 사이에 잔해 차폐물(Debris Shield)을 위치시켜 잔해의 비산을 방지하는 방법이 개발 및 사용되고 있다.
예를 들어, 한국등록특허 제10-1591686호에는 플라스마 소스를 포함하는 리소그래피 장치로서, 플라스마 소스는 플라스마 형성 위치를 둘러싸는 용기와, 용기로 광학 방사선을 전달하도록 구성된 광학 디바이스와, 플라스마 형성 위치와 광학 디바이스 사이에 배치된 차폐물(Shield)과, 반사기를 포함하는 리소그래피 장치가 개시되어 있다.
또한, 한국공개특허 제10-2019-0131815호에는 플라스마 형성 공간을 가지는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치된 광학 소자와, 상기 챔버 내에서 상기 광학 소자와 상기 플라스마 형성 공간 사이에 배치된 파편 차단 조립체(debris shielding assembly)를 포함하는 광 발생 장치가 개시되어 있다.
여기서 파편 차단 조립체는 광 경로를 포함하는 보호 공간을 사이에 두고 상기 광학 소자로부터 이격된 위치에서 상기 광학 소자를 덮는 보호막과, 상기 보호막을 지지하도록 구성되고 상기 보호 공간을 상기 플라스마 형성 공간으로부터 차폐시키는 보호 프레임을 포함한다.
보호막은 탄소 나노튜브(Carbon Nanotube), 다이아몬드, 흑연, 그래핀, 풀러렌(Fullerene), 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
그런데 이러한 보호막은 극자외선 투과도를 확보하기 위해서 두께가 매우 얇아서 충분한 강도가 확보되지 않아 수명이 수일에 불과하다는 문제가 있다.
한국등록특허 제10-1591686호 한국공개특허 제10-2019-0131815호 미국공개특허 US2013-0234597A1
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 높은 투과도를 유지하면서도 강도를 확보할 수 있는 새로운 잔해 차폐 막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 기판의 일면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계와, b) 상기 잔해 차폐 막 층 위에 메시 형태의 금속 패턴 층을 형성하는 단계와, c) 상기 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 상기 기판의 반대 면을 식각하는 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 잔해 차폐 막 층은 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 잔해 차폐 막 층은 금속 실리사이드를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 금속 실리사이드는 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 이트륨 실리사이드(YSi2) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 잔해 차폐 막 층은 복수의 서브 층들을 구비하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 c) 단계는, c-1) 금속 배리어 층을 형성하는 단계와, c-2) 상기 금속 배리어 층 위에 금속 시드 층을 형성하는 단계와, c-3) 상기 금속 시드 층 위에 포토레지스트 패턴 층을 형성하는 단계와, c-4) 상기 포토레지스트 패턴 층이 형성된 상기 금속 시드 층 위에 도금 층을 형성하는 단계와, c-5) 상기 포토레지스트 패턴 층을 제거하는 단계와, c-6) 도금이 되지 않은 영역의 상기 금속 배리어 층과 상기 금속 시드 층을 제거하여 상기 잔해 차폐 막 층을 노출시키는 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 금속 배리어 층은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)을 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 금속 시드 층은 금(Au)을 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 c-4) 단계는 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 도금하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 b) 단계 이후에, 상기 금속 패턴 층과 상기 잔해 차폐 막 층을 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2) 중에서 선택된 적어도 하나의 소재로 코팅하는 단계를 더 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 잔해 차폐 막 층과, 상기 잔해 차폐 막 층 위에 형성된 메시 형태의 금속 패턴 층을 포함하는 잔해 차폐 막을 제공한다.
또한, 상기 잔해 차폐 막 층의 둘레부에 상기 금속 패턴 층이 형성된 면의 반대 면에 결합하는 프레임을 더 포함하는 잔해 차폐 막을 제공한다.
본 발명에 따른 잔해 차폐 막은 높은 투과도를 유지하면서도 강도를 확보할 수 있으므로, 수명이 늘어난다. 따라서 잔해 차폐 막의 교체에 의한 노광 장비의 이용 불가 시간이 줄어든다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 잔해 차폐 막을 나타낸 도면이다.
도 2는 금속 패턴 층의 평면 형상들을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법의 순서도이다.
도 4는 도 1의 금속 패턴 층 형성단계의 순서도이다.
도 5는 잔해 차폐 막의 제조방법의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 잔해 차폐 막 및 그 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 잔해 차폐 막을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 잔해 차폐 막은, 잔해 차폐 막 층(20)과, 잔해 차폐 막 층(20) 위에 형성된 메시 형태의 금속 패턴 층(60)과, 잔해 차폐 막 층(20) 아래에 결합하는 프레임(19)을 포함한다.
잔해 차폐 막 층(20)의 평면 형상은 원형일 수 있다. 잔해 차폐 막 층(20)은 극자외선(EUV)에 대한 높은 투과율이 요구된다. 또한, 필요한 경우에는 극자외선 생성을 위한 플라스마 생성에 사용되는 레이저에 대한 높은 투과율이 요구될 수도 있다. 잔해 차폐 막 층(20)은, 예를 들어, 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 금속 실리사이드 등에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함할 수 있다. 금속 실리사이드는 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 이트륨 실리사이드(YSi2) 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 잔해 차폐 막 층(20)은 단층일 수도 있으나, 10층 이내의 서브 층들을 포함할 수 있다. 각각의 서브 층의 두께는 2 내지 100㎚일 수 있다.
금속 패턴 층(60)은 잔해 차폐 막 층(20)을 보강하는 역할을 한다. 금속 패턴 층(60)은 메시 형태를 가진다. 좀 더 상세하게는 판에 구멍들이 뚫려있는 메시 플레이트(mesh plate) 형태를 가진다. 금속 패턴 층(60)은 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)을 포함하는 금속 배리어 패턴 층(32)과, 금(Au)을 포함하는 금속 시드 패턴 층(37)과, 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 도금 층(50)이 순차적으로 형성되어 금속 패턴 층(60)을 형성할 수 있다.
도 2는 금속 패턴 층의 평면 형상들을 나타낸 도면이다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 금속 패턴 층(60)은 육각형의 개구를 구비하는 허니컴 구조일 수 있다. 또한, 도 2의 (b) 내지 (d)에 도시된 바와 같이, 금속 패턴 층(60)은 사각형, 삼각형과 같은 다각형이나 원형 개구를 구비할 수도 있다. 금속 패턴 층(60)에서 개구가 차지하는 비율이나, 개구의 형태를 조절하는 방법으로 잔해 차폐 막의 강도를 조절할 수 있다.
프레임(19)은 잔해 차폐 층(20)의 둘레부에 결합하여, 잔해 차폐 층(20)을 지지하는 역할을 한다. 프레임(19)은 주로 실리콘으로 이루어질 수 있다.
이하, 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법을 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해 차폐 막의 제조방법의 순서도이며, 도 4는 도 1의 금속 패턴 층 형성단계의 순서도이며, 도 5는 잔해 차폐 막의 제조방법의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 잔해 차폐 막의 제조방법은 기판의 일면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계(S1)와, 잔해 차폐 막 층 위에 메시 형태의 금속 패턴 층을 형성하는 단계(S2)와, 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 기판의 반대 면을 식각하는 단계(S3)를 포함한다.
이하, 도 3 내지 5를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.
먼저, 기판(10)의 일면에 잔해 차폐 막 층(20)을 형성하는 단계(S1)에 대해서 설명한다. 도 5의 (a)는 기판(10)을 나타내며, 도 5의 (b)는 잔해 차폐 막 층(20)이 형성된 기판(10)을 나타낸다.
본 단계에서 기판(10)은, 예를 들어, 실리콘 기판(11)과 실리콘 기판(11)의 일면에 식각 저지층(15)을 포함할 수 있다. 실리콘 기판(11)의 결정 방향은 <100> 방향인 것이 바람직하다. 실리콘 기판(11)의 두께는 600 내지 800㎛일 수 있다. 식각 저지층(15)으로는 질화규소(SixNy) 층이나 이산화규소(SiO2) 층이 사용될 수 있다.
잔해 차폐 막 층(20)은 CVD나 PVD와 같은 증착 방법으로 형성할 수 있다. 잔해 차폐 막 층(20)은 기판(10)의 식각 저지층(15)이 형성된 면의 반대 면에 형성된다. 상술한 바와 같이, 잔해 차례 막 층(20)은 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 금속 실리사이드 등에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함할 수 있다. 금속 실리사이드는 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 이트륨 실리사이드(YSi2) 등 에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 잔해 차폐 막 층(20)은 단층일 수도 있으나, 상술한 소재로 이루어진 복수의 서브 층들을 연속적으로 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.
다음, 잔해 차폐 막 층(20) 위에 메시 형태의 금속 패턴 층(60)을 형성하는 단계(S2)에 대해서 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 단계는 금속 배리어 층(30)을 형성하는 단계(S21)로 시작된다.
금속 배리어 층(30)을 형성하는 단계(S21)는, 예를 들어, PVD와 같은 증착 방법으로 금속 층을 형성하는 단계일 수 있다. 금속 배리어 층(30)은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)을 포함하는 금속 층일 수 있다. 금속 배리어 층(30)은 5 내지 50㎚의 두께로 형성할 수 있다. 도 5의 (c)는 금속 배리어 층(30)이 형성된 상태를 나타낸다.
다음, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 금속 시드 층(35)을 형성한다(S22). 금속 시드 층(35)은 금속 배리어 층(30) 위에 형성된다. 금속 시드 층(35)은 PVD와 같은 증착 방법으로 형성할 수 있다. 금속 시드 층(35)은 금(Au)을 포함하는 금속 층일 수 있다. 금속 시드 층(35)은 5 내지 50㎚의 두께로 형성할 수 있다.
다음, 도 5의 (e)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴 층(40)을 형성한다(S23). 포토레지스트 패턴 층(40)은 금속 매시 형태의 개구가 형성된 패턴 층이다. 포토레지스트 패턴 층(40)은 금속 시드 층(35) 위에 포토레지스트 층을 스핀 코팅 등의 방법으로 도포한 후에 포토레지스트 층을 노광 및 현상하는 포토 리소그라피 방법으로 형성할 수 있다. 포토레지스트 패턴 층(40)은 5 내지 60㎛의 두께로 형성할 수 있다. 포토레지스트 패턴 층(40)의 개구의 선 폭은 0.01 내지 0.1㎜로 형성할 수 있으며, 간격은 1 내지 5㎜로 형성할 수 있다.
다음, 도 5의 (f)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴 층(40)의 개구 내부, 금속 시드 층(35) 위에 도금 층(50)을 형성한다(S24). 도금 층(50)은 전기 도금 방법으로 형성할 수 있다. 도금 층(50)은 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
다음, 도 5의 (g)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴 층(40)을 제거한다(S25). 포토레지스트 패턴 층(40)이 제거되고 나면, 금속 시드 층(35) 위에 형성된 메시 형태의 도금 층(50)이 노출된다.
다음, 도 5의 (h)에 도시된 바와 같이, 도금이 되지 않은 영역의 금속 배리어 층(30)과 금속 시드 층(35)을 제거하여 잔해 차폐 막 층(20)을 노출시킨다(S26). 그러면, 금속 배리어 패턴 층(32)과 금속 시드 패턴 층(37) 및 도금 층(50)으로 이루어진 금속 패턴 층(60)이 형성된다. 잔해 차폐 막 층(20)의 일부는 외부로 노출되고 일부는 금속 패턴 층(60)에 의해서 덮인다.
다음, 도 5의 (j)에 도시된 바와 같이, 잔해 차폐 막 층(20)이 노출될 때까지 기판(10)의 반대 면을 식각한다(S3).
본 단계에서는 식각 저지층(15)을 패터닝하여, 식각 저지 패턴 층(18)을 형성하고, 이를 식각 마스크로 사용하여, 실리콘 기판(11)을 식각한다. 본 단계는 습식 식각으로 진행될 수 있으며, 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 등을 에칭액으로 사용할 수 있다.
본 단계를 거치면 도 1에 도시된 잔해 차폐 막이 완성된다. 잔해 차폐 막 층(20) 중에서 외부로 노출된 부분은 극자외선(EUV)이 투과시키는 역할을 한다. 금속 패턴 층(60)은 잔해 차폐 막 층(20)을 보강하는 역할을 한다. 그리고 식각 후에 남아 있는 기판(10)의 외곽부는 잔해 차폐 막 층(20)을 지지하는 프레임(19)이 된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 잔해 차폐 막 및 그 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 실시예의 제조방법은, 도 5의 (h)에 도시된 단계 이후에, 금속 패턴 층(60)과 잔해 차폐 막 층(20)을 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2) 중에서 선택된 적어도 하나의 소재로 코팅하는 단계를 더 포함한다는 점에서, 도 3 내지 5에 도시된 실시예와 차이가 있다. 코팅 층(70)을 형성하는 것은 뒤따르는 식각 공정에서 금속 패턴 층(60)이 손상되는 것을 방지하기 위함이다. 코팅 층(70)은 CVD 또는 PVD와 같은 증착 공정을 통해서 형성할 수 있다. 코팅 층(70)은 단층일 수 있으며, 10층 이내의 복수의 서브 층을 포함할 수 있다. 각각의 서브 층은 2 내지 100㎚의 두께로 형성할 수 있다.
도 6의 (a)는 코팅 층(70)이 형성된 상태를 나타내며, 도 6의 (b)는 본 실시예에 따른 잔해 차폐 막을 나타낸다. 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 금속 패턴 층(60)과 잔해 차폐 막 층(20)이 코팅 층(70)에 의해서 덮인다는 점에서 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
10: 기판
15: 시각 저지층
19: 프레임
20: 잔해 차폐 막 층
30: 금속 배리어 층
35: 금속 시드 층
40: 포토레지스트 패턴 층
50: 도금 층
60: 금속 패턴 층

Claims (12)

  1. a) 기판의 일면에 잔해 차폐 막 층을 형성하는 단계와,
    b) 상기 잔해 차폐 막 층 위에 메시 형태의 금속 패턴 층을 형성하는 단계와,
    c) 상기 잔해 차폐 막 층이 노출될 때까지 상기 기판의 반대 면을 식각하는 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 잔해 차폐 막 층은 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 잔해 차폐 막 층은 금속 실리사이드를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드는 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 이트륨 실리사이드(YSi2) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 잔해 차폐 막 층은 복수의 서브 층들을 구비하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 c) 단계는,
    c-1) 금속 배리어 층을 형성하는 단계와,
    c-2) 상기 금속 배리어 층 위에 금속 시드 층을 형성하는 단계와,
    c-3) 상기 금속 시드 층 위에 포토레지스트 패턴 층을 형성하는 단계와,
    c-4) 상기 포토레지스트 패턴 층이 형성된 상기 금속 시드 층 위에 도금 층을 형성하는 단계와,
    c-5) 상기 포토레지스트 패턴 층을 제거하는 단계와,
    c-6) 도금이 되지 않은 영역의 상기 금속 배리어 층과 상기 금속 시드 층을 제거하여 상기 잔해 차폐 막 층을 노출시키는 단계를 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 금속 배리어 층은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)을 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 금속 시드 층은 금(Au)을 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 c-4) 단계는 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 도금하는 단계인 잔해 차폐 막의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 b) 단계 이후에, 상기 금속 패턴 층과 상기 잔해 차폐 막 층을 질화규소(SiN), 탄화규소(SiC), 이산화규소(SiO2) 중에서 선택된 적어도 하나의 소재로 코팅하는 단계를 더 포함하는 잔해 차폐 막의 제조방법.
  11. 잔해 차폐 막 층과,
    상기 잔해 차폐 막 층 위에 형성된 메시 형태의 금속 패턴 층을 포함하는 잔해 차폐 막.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 잔해 차폐 막 층의 둘레부에 상기 금속 패턴 층이 형성된 면의 반대 면에 결합하는 프레임을 더 포함하는 잔해 차폐 막.
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