KR20230161502A - Polymers and their uses - Google Patents

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KR20230161502A
KR20230161502A KR1020237036905A KR20237036905A KR20230161502A KR 20230161502 A KR20230161502 A KR 20230161502A KR 1020237036905 A KR1020237036905 A KR 1020237036905A KR 20237036905 A KR20237036905 A KR 20237036905A KR 20230161502 A KR20230161502 A KR 20230161502A
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och
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코헤이 데라타니
유다이 모리모토
케이스케 슈토
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닛산 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 식(2)으로 표시되는 반복 단위로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 폴리머를 제공한다.
A polymer containing at least one selected from the repeating unit represented by the following formula (1) and the repeating unit represented by the following formula (2) is provided.

Description

폴리머 및 그 이용Polymers and their uses

본 발명은 폴리머 및 그 이용에 관한 것이다.The present invention relates to polymers and their uses.

유기 일렉트로루미네선스(EL) 소자에는, 발광층이나 전하주입층으로서, 유기 화합물로 이루어지는 전하수송성 박막이 사용된다. 특히, 정공주입층은 양극과, 정공수송층 또는 발광층과의 전하의 수수를 담당하고, 유기 EL 소자의 저전압 구동 및 고휘도를 달성하기 위해 중요한 기능을 한다.In organic electroluminescence (EL) devices, a charge-transporting thin film made of an organic compound is used as a light-emitting layer or charge injection layer. In particular, the hole injection layer is responsible for transferring charges between the anode and the hole transport layer or light emitting layer, and plays an important function in achieving low voltage driving and high brightness of the organic EL device.

지금까지, 유기 EL 소자를 고성능화하기 위해 다양한 궁리가 이루어져오고 있는데, 광 취출 효율을 향상시키는 등의 목적으로, 사용하는 기능막의 굴절률을 조정하는 대응이 이루어지고 있다. 구체적으로는 소자의 전체 구성이나 인접하는 다른 부재의 굴절률을 고려하여, 상대적으로 높거나 또는 낮은 굴절률의 정공주입층이나 정공수송층을 사용함으로써, 소자의 고효율화를 도모하는 시도가 이루어지고 있다(특허문헌 1, 2). 이와 같이, 굴절률은 유기 EL 소자의 설계상 중요한 요소이며, 유기 EL 소자용 재료에서는 굴절률도 고려해야 할 중요한 물성값으로 생각되고 있다.Until now, various inventions have been made to improve the performance of organic EL devices, and efforts have been made to adjust the refractive index of the functional film used for purposes such as improving light extraction efficiency. Specifically, attempts are being made to increase the efficiency of the device by using a hole injection layer or hole transport layer with a relatively high or low refractive index, taking into account the overall configuration of the device or the refractive index of other adjacent members (patent document 1, 2). In this way, the refractive index is an important factor in the design of organic EL devices, and the refractive index is also considered an important physical property value to be considered in materials for organic EL devices.

또 유기 EL 소자에 사용되는 전하수송성 박막의 착색은, 유기 EL 소자의 색순도 및 색재현성을 저하시키는 등의 사정으로부터, 최근 유기 EL 소자용의 전하수송성 박막은 가시 영역에서의 투과율이 높고, 고투명성을 가지는 것이 요망되고 있다(특허문헌 3 참조).In addition, because coloring of the charge-transporting thin film used in organic EL devices reduces the color purity and color reproducibility of the organic EL device, recent charge-transporting thin films for organic EL devices have high transmittance in the visible region and high transparency. It is desired to have (see Patent Document 3).

유기 EL 소자는 높은 내열성을 가지는 것이 요구되는 점에서, 유기 EL 소자에 사용되는 전하수송성 재료에는 고내열성이 요구되고 있다.Since organic EL devices are required to have high heat resistance, charge transport materials used in organic EL devices are required to have high heat resistance.

정공주입층의 형성 방법은 증착법으로 대표되는 드라이 프로세스와 스핀 코트법으로 대표되는 웨트 프로세스로 크게 구별된다. 이들 각 프로세스를 비교하면, 웨트 프로세스쪽이 대면적에 평탄성이 높은 박막을 효율적으로 제조할 수 있다. 그 때문에, 유기 EL 디스플레이의 대면적화가 진행되고 있는 현재, 웨트 프로세스 로 형성 가능하며, 굴절률, 투명성 및 내열성도 우수한 전하수송성 박막을 부여하는 웨트 프로세스용 재료가 항상 요구되고 있다.The method of forming the hole injection layer is largely divided into a dry process represented by a deposition method and a wet process represented by a spin coat method. Comparing these processes, the wet process can efficiently produce thin films with high flatness over a large area. Therefore, as organic EL displays are becoming larger in area, there is always a demand for wet process materials that can be formed by a wet process and provide a charge-transporting thin film with excellent refractive index, transparency, and heat resistance.

일본 특표 2007-536718호 공보Japanese Special Gazette No. 2007-536718 일본 특표 2017-501585호 공보Japanese Special Gazette No. 2017-501585 국제공개 제2013/042623호International Publication No. 2013/042623

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 높은 내열성을 가지고, 전하수송성이 양호하며, 고굴절률이고 고투명성의 박막을 부여하고, 이 박막을 정공주입층 등에 적용한 경우에 우수한 특성을 가지는 유기 EL 소자를 실현할 수 있는 폴리머를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides an organic EL device that has high heat resistance, good charge transport properties, a high refractive index, and high transparency, and has excellent characteristics when this thin film is applied to a hole injection layer, etc. The purpose is to provide a polymer that can realize.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 트리아릴아민 구조, 디아릴에테르 구조 또는 디아릴술피드 구조와, 디알킬플루오렌 구조를 측쇄에 가지는 폴리머를 포함하는 전하수송성 바니시가, 내열성이 높고, 우수한 전하수송성을 나타내며, 또한 고투명성 및 고굴절률의 박막을 부여하고, 이 박막을 정공주입층 등에 적용한 경우에 우수한 특성을 가지는 유기 EL 소자를 부여하는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.The present inventors have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, a charge-transporting varnish containing a polymer having a triarylamine structure, a diaryl ether structure, or a diaryl sulfide structure, and a dialkyl fluorene structure in the side chain, It was discovered that a thin film with high heat resistance, excellent charge transport properties, high transparency and high refractive index was provided, and that when this thin film was applied to a hole injection layer, etc., an organic EL device with excellent characteristics was provided, and the present invention was completed. I ordered it.

즉, 본 발명은 하기 폴리머 및 그 이용을 제공한다.That is, the present invention provides the following polymers and their uses.

1. 하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 식(2)으로 표시되는 반복 단위로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 폴리머.1. A polymer containing at least one selected from the repeating unit represented by the following formula (1) and the repeating unit represented by the following formula (2).

[식 중, RA는 수소 원자 또는 메틸기이다. R1~R4는 각각 독립적으로 단결합 또는 페닐렌기이며, 이 페닐렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.[In the formula, R A is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 to R 4 are each independently a single bond or a phenylene group, and some or all of the hydrogen atoms of this phenylene group are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, or meta. It may be substituted with a cryloyl group, an oxetane group, an epoxy group, an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group with 1 to 20 carbon atoms.

X1은 -N(Ar3)-, -S- 또는 -O-이다.X 1 is -N(Ar 3 )-, -S- or -O-.

X2는 -N(Ar6)-, -S- 또는 -O-이다.X 2 is -N(Ar 6 )-, -S- or -O-.

Ar1 및 Ar4는 각각 독립적으로 탄소수 6~20의 아릴렌기, 탄소수 3~20의 헤테로아릴렌기 또는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 2개 제거하여 얻어지는 2가의 기이며, 이들 기의 방향환 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.Ar 1 and Ar 4 are each independently obtained by removing two hydrogen atoms on the aromatic ring of an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, a heteroarylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a dialkyl fluorene represented by the formula (3) below. It is a divalent group, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of these groups are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, methacryloyl group, oxetane group, and epoxy group. , may be substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

Ar2, Ar3, Ar5 및 Ar6은 각각 독립적으로 탄소수 6~20의 아릴기 또는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 1개 제거하여 얻어지는 1가의 기이며, 이들 기의 방향환 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.Ar 2 , Ar 3 , Ar 5 and Ar 6 are each independently an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom on the aromatic ring of a dialkyl fluorene represented by the formula (3) below. and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of these groups are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, methacryloyl group, oxetane group, epoxy group, and carbon number 1. It may be substituted with an alkyl group of ~20 carbon atoms or a halogenated alkyl group of 1-20 carbon atoms.

X1이 -N(Ar3)-일 때, Ar2와 Ar3이 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성해도 되고, X2가 -N(Ar6)-일 때, Ar5와 Ar6이 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성해도 된다. When _ _ _ _ _ _ and Ar 6 may be bonded to each other to form a ring with the nitrogen atom to which they are bonded.

R2가 페닐렌기일 때, R2와 Ar2가 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자, 유황 원자 또는 산소 원자와 함께 환을 형성해도 되고, R4가 페닐렌기일 때, R4와 Ar5가 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자, 유황 원자 또는 산소 원자와 함께 환을 형성해도 된다.When R 2 is a phenylene group, R 2 and Ar 2 may be bonded to each other to form a ring with the nitrogen atom, sulfur atom, or oxygen atom to which they are bonded, and when R 4 is a phenylene group, R 4 and Ar 5 may be They may combine with each other to form a ring with the nitrogen atom, sulfur atom, or oxygen atom to which they are bonded.

단, Ar1~Ar3의 적어도 1개는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이며, Ar4~Ar6의 적어도 1개는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다.However, at least one of Ar 1 to Ar 3 is a group obtained by removing a hydrogen atom on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by the formula (3) below, and at least one of Ar 4 to Ar 6 is a group of the formula (3) below: It is a group obtained by removing the hydrogen atom on the aromatic ring of the dialkyl fluorene represented by 3).

(식 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 또는 적어도 1개의 에테르 구조를 포함하는 탄소수 2~20의 알킬기이다.)](In the formula, R 5 and R 6 are each independently an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 20 carbon atoms, or an alkyl group with 2 to 20 carbon atoms containing at least one ether structure.)]

2. 식(1)으로 표시되는 반복 단위가 하기 식(1A)으로 표시되는 것이며, 식(2)으로 표시되는 반복 단위가 하기 식(2A)으로 표시되는 것인 1의 폴리머.2. Polymer of 1, wherein the repeating unit represented by formula (1) is represented by the formula (1A) below, and the repeating unit represented by formula (2) is represented by the formula (2A) below.

(식 중, RA, R1~R4, Ar1~Ar6은 상기와 동일하다.)(In the formula, R A , R 1 to R 4 , and Ar 1 to Ar 6 are the same as above.)

3. R1 및 R3이 단결합인 1 또는 2의 폴리머.3. A polymer of 1 or 2 where R 1 and R 3 are single bonds.

4. R2 및 R4가 페닐렌기인 1 내지 3 중 어느 하나의 폴리머.4. The polymer of any one of 1 to 3, wherein R 2 and R 4 are phenylene groups.

5. Ar1 및 Ar4가 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2,7-디일기인 1 내지 4 중 어느 하나의 폴리머.5. The polymer of any one of 1 to 4 , wherein Ar 1 and Ar 4 are 9,9-dimethyl-9H-fluorene-2,7-diyl groups.

6. 1 내지 5 중 어느 하나의 폴리머로 이루어지는 전하수송성 물질.6. A charge-transporting material made of the polymer of any one of 1 to 5.

7. 1 내지 5 중 어느 하나의 폴리머를 포함하는 전하수송성 물질, 및 유기 용매를 포함하는 전하수송성 바니시.7. A charge-transporting material containing the polymer of any one of 1 to 5, and a charge-transporting varnish containing an organic solvent.

8. 또한 도펀트를 포함하는 7의 전하수송성 바니시.8. The charge-transporting varnish of 7, which also contains a dopant.

9. 7 또는 8의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 전하수송성 박막.9. Charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish of 7 or 8.

10. 9의 전하수송성 박막을 갖추는 유기 EL 소자.10. Organic EL device equipped with a charge-transporting thin film of 9.

본 발명의 폴리머는 내열성이 높고, 높은 투명성 및 높은 굴절률을 갖추며, 트리아릴아민 구조, 디아릴에테르 구조 또는 디아릴술피드 구조와, 디알킬플루오렌 구조를 측쇄에 가지는 점에서, 우수한 전하수송성을 갖춘다. 이와 같은 폴리머를 포함하는 본 발명의 전하수송성 바니시를 사용함으로써, 내열성이 높고, 고투명성 및 고굴절률의 박막을 제작할 수 있다. 본 발명의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 전하수송성 박막은, 유기 EL 소자를 비롯한 전자 소자용 박막으로서 적합하게 사용할 수 있고, 유기 EL 소자의 정공주입층이나 정공수송층, 특히 정공주입층으로서 사용함으로써, 특성이 우수한 유기 EL 소자가 얻어진다.The polymer of the present invention has high heat resistance, high transparency and high refractive index, and has excellent charge transport properties in that it has a triarylamine structure, diaryl ether structure or diaryl sulfide structure and a dialkyl fluorene structure in the side chain. . By using the charge-transporting varnish of the present invention containing such a polymer, a thin film with high heat resistance, high transparency, and high refractive index can be produced. The charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention can be suitably used as a thin film for electronic devices including organic EL devices, and by using it as a hole injection layer or hole transport layer, especially a hole injection layer, of an organic EL device, its properties are improved. An excellent organic EL device is obtained.

[폴리머][Polymer]

본 발명의 폴리머는 하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 식(2)으로 표시되는 반복 단위로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 것이다.The polymer of the present invention contains at least one selected from the repeating unit represented by the following formula (1) and the repeating unit represented by the following formula (2).

식(1) 및 (2) 중, RA는 수소 원자 또는 메틸기이다. R1~R4는 각각 독립적으로 단결합 또는 페닐렌기이며, 이 페닐렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.In formulas (1) and (2), R A is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 to R 4 are each independently a single bond or a phenylene group, and some or all of the hydrogen atoms of this phenylene group are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, or meta. It may be substituted with a cryloyl group, an oxetane group, an epoxy group, an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group with 1 to 20 carbon atoms.

페닐렌기로서는 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기 및 1,4-페닐렌기를 들 수 있는데, 1,4-페닐렌기가 바람직하다.Examples of the phenylene group include 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, and 1,4-phenylene group, with 1,4-phenylene group being preferable.

상기 탄소수 1~20의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등의 탄소수 1~20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 비시클로부틸기, 비시클로펜틸기, 비시클로헥실기, 비시클로헵틸기, 비시클로옥틸기, 비시클로노닐기, 비시클로데실기 등의 탄소수 3~20의 환상 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and sec-butyl group. , linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, such as tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decyl group; Cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, bicyclobutyl group, bicyclopentyl group, bicyclohexyl group, bicycloheptyl group Cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms, such as tyl group, bicyclooctyl group, bicyclononyl group, and bicyclodecyl group, are included.

상기 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기는 상기 탄소수 1~20의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로필기, 4,4,4-트리플루오로부틸기, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸기, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다.The halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is not particularly limited as long as some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Specific examples include trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2,2, 3,3,3-pentafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 3,3,4, 4,4-pentafluorobutyl group, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluo Robutyl group, etc. are mentioned.

R1 및 R3으로서는 단결합이 바람직하고, R2 및 R4로서는 페닐렌기가 바람직하다.A single bond is preferable as R 1 and R 3 , and a phenylene group is preferable as R 2 and R 4 .

식(1) 및 (2) 중, X1은 -N(Ar3)-, -S- 또는 -O-이다. X2는 -N(Ar6)-, -S- 또는 -O-이다.In formulas (1) and (2), X 1 is -N(Ar 3 )-, -S-, or -O-. X 2 is -N(Ar 6 )-, -S- or -O-.

식(1) 및 (2) 중, Ar1 및 Ar4는 각각 독립적으로 탄소수 6~20의 아릴렌기, 탄소수 3~20의 헤테로아릴렌기 또는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 2개 제거하여 얻어지는 2가의 기이며, 이들 기의 방향환 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다. 상기 탄소수 1~20의 알킬기 및 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기의 구체예로서는 상기 서술한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.In formulas (1) and (2), Ar 1 and Ar 4 each independently represent an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, a heteroarylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a dialkyl fluorene represented by the formula (3) below. It is a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms on the ring, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of these groups are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, It may be substituted with a methacryloyl group, an oxetane group, an epoxy group, an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group with 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and the halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include those similar to those described above.

(식 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 또는 적어도 1개의 에테르 구조를 포함하는 탄소수 2~20의 알킬기이다.)(In the formula, R 5 and R 6 are each independently an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 20 carbon atoms, or an alkyl group with 2 to 20 carbon atoms containing at least one ether structure.)

상기 탄소수 6~20의 아릴렌기로서는, 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-페닐렌기, 1,2-나프탈렌-디일기, 2,3-나프탈렌디일기, 1,4-나프탈렌디일기, 1,5-나프탈렌디일기, 2,6-나프탈렌디일기, 2,7-나프탈렌디일기, 1,8-나프탈렌디일기, 1,2-안트라센디일기, 1,3-안트라센디일기, 1,4-안트라센디일기, 1,5-안트라센디일기, 1,6-안트라센디일기, 1,7-안트라센디일기, 1,8-안트라센디일기, 2,3-안트라센디일기, 2,6-안트라센디일기, 2,7-안트라센디일기, 2,9-안트라센디일기, 2,10-안트라센디일기, 9,10-안트라센디일기 등을 들 수 있다.Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms include 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-phenylene group, 1,2-naphthalene-diyl group, 2,3-naphthalenediyl group, 1, 4-naphthalenediyl group, 1,5-naphthalenediyl group, 2,6-naphthalenediyl group, 2,7-naphthalenediyl group, 1,8-naphthalenediyl group, 1,2-anthracenediyl group, 1,3- Anthracene diyl group, 1,4-anthracene diyl group, 1,5-anthracene diyl group, 1,6-anthracene diyl group, 1,7-anthracene diyl group, 1,8-anthracene diyl group, 2,3-anthracene diyl group Examples include diyl group, 2,6-anthracene diyl group, 2,7-anthracene diyl group, 2,9-anthracene diyl group, 2,10-anthracene diyl group, and 9,10-anthracene diyl group.

상기 탄소수 3~20의 헤테로아릴렌기로서는, 9-페닐카르바졸-3,6-디일기, 9-페닐카르바졸-2,7-디일기, 9-페닐카르바졸-3,6-디메틸-2,7-디일기, 하기 식(H1)~(H33)으로 표시되는 기 등을 들 수 있다.Examples of the heteroarylene group having 3 to 20 carbon atoms include 9-phenylcarbazole-3,6-diyl group, 9-phenylcarbazole-2,7-diyl group, and 9-phenylcarbazole-3,6-dimethyl-2. , 7-diyl group, groups represented by the following formulas (H1) to (H33), etc.

식(3) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 또는 적어도 1개의 에테르 구조를 포함하는 탄소수 2~20의 알킬기이다.In formula (3), R 5 and R 6 are each independently an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 20 carbon atoms, or an alkyl group with 2 to 20 carbon atoms containing at least one ether structure.

상기 탄소수 1~20의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등의 탄소수 1~20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 비시클로부틸기, 비시클로펜틸기, 비시클로헥실기, 비시클로헵틸기, 비시클로옥틸기, 비시클로노닐기, 비시클로데실기 등의 탄소수 3~20의 환상 알킬기를 들 수 있다. 이들 중, 메틸기, 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and sec-butyl group. , linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, such as tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decyl group; Cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, bicyclobutyl group, bicyclopentyl group, bicyclohexyl group, bicycloheptyl group Cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms, such as tyl group, bicyclooctyl group, bicyclononyl group, and bicyclodecyl group, are included. Among these, a methyl group and an ethyl group are preferable, and a methyl group is more preferable.

상기 탄소수 1~20의 알콕시기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기 등의 탄소수 1~20의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기; 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기, 시클로옥틸옥시기, 시클로노닐옥시기, 시클로데실옥시기, 비시클로부틸옥시기, 비시클로펜틸옥시기, 비시클로헥실옥시기, 비시클로헵틸옥시기, 비시클로옥틸옥시기, 비시클로노닐옥시기, 비시클로데실옥시기 등의 탄소수 3~20의 환상 알콕시기를 들 수 있다.The alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, 1 to 20 carbon atoms, such as sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentyl group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, etc. A linear or branched alkoxy group; Cyclopropyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, cycloheptyloxy group, cyclooctyloxy group, cyclononyloxy group, cyclodecyloxy group, bicyclobutyloxy group, bicyclopentyloxy group cyclic alkoxy groups having 3 to 20 carbon atoms, such as bicyclohexyloxy group, bicycloheptyloxy group, bicyclooctyloxy group, bicyclononyloxy group, and bicyclodecyloxy group.

상기 적어도 1개의 에테르 구조를 포함하는 탄소수 2~20의 알킬기로서는, 적어도 1개의 메틸렌기가 산소 원자로 치환된 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있다. 단, 플루오렌 골격에 결합하는 메틸렌기가 산소 원자로 치환된 것이 아니며, 또한 인접하는 메틸렌기가 동시에 산소 원자에 치환된 것이 아니다. 이와 같은 기로서는 원료 화합물의 입수 용이성을 고려하면, 식(A)으로 표시되는 기가 바람직하고, 이 중 식(B)으로 표시되는 기가 보다 바람직하다.Examples of the alkyl group having 2 to 20 carbon atoms containing at least one ether structure include a straight-chain or branched alkyl group in which at least one methylene group is replaced with an oxygen atom. However, the methylene group bonded to the fluorene skeleton is not substituted with an oxygen atom, and the adjacent methylene group is not simultaneously substituted with an oxygen atom. Considering the ease of availability of raw material compounds, such groups are preferably those represented by the formula (A), and among these, the groups represented by the formula (B) are more preferable.

(식 중, R7은 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기를 나타내고, R8은 탄소수 1~[20-(R의 탄소수)×p]의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 나타내고, p는 1~9의 정수이다. p는 도펀트와의 상용성의 관점에서, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 3 이상이며, 원료 화합물의 입수 용이성의 관점에서, 바람직하게는 5 이하, 보다 바람직하게는 4 이하이다.)(In the formula, R 7 represents a straight-chain or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, R 8 represents a straight-chain or branched alkyl group having 1 to [20-(carbon number of R) x p], and p is an integer from 1 to 9. p is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, from the viewpoint of compatibility with the dopant, and preferably 5 or less, more preferably 3 or more, from the viewpoint of ease of availability of the raw material compound. is 4 or less.)

적어도 1개의 에테르 구조를 포함하는 탄소수 2~20의 알킬기로서는, -CH2OCH3, -CH2OCH2CH3, -CH2O(CH2)2CH3, -CH2OCH(CH3)2, -CH2O(CH2)3CH3, -CH2OCH2CH(CH3)2, -CH2OC(CH3)3, -CH2O(CH2)4CH3, -CH2OCH(CH3)(CH2)2CH3, -CH2O(CH2)2CH(CH3)2, -CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3, -CH2O(CH2)5CH3, -CH2OCH2CH(CH3)(CH2)2CH3, -CH2O(CH2)2CH(CH3)CH2CH3, -CH2O(CH2)3CH(CH3)2, -CH2OC(CH3)2(CH2)2CH3, -CH2OCH(CH2CH3)(CH2)2CH3, -CH2OC(CH3)2CH(CH3)2, -CH2O(CH2)6CH3, -CH2O(CH2)7CH3, -CH2OCH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3, -CH2O(CH2)8CH3, -CH2O(CH2)9CH3, -CH2O(CH2)10CH3, -CH2O(CH2)11CH3, -CH2O(CH2)12CH3, -CH2O(CH2)13CH3, -CH2O(CH2)14CH3, -CH2O(CH2)15CH3, -CH2O(CH2)16CH3, -CH2O(CH2)17CH3, -CH2O(CH2)18CH3, -CH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2O(CH2)2CH3, -CH2CH2OCH(CH3)2, -CH2CH2O(CH2)3CH3, -CH2CH2OCH2CH(CH3)2, -CH2CH2OC(CH3)3, -CH2CH2O(CH2)4CH3, -CH2CH2OCH(CH3)(CH2)2CH3, -CH2CH2OCH2CH(CH3)2, -CH2CH2O(CH2)2CH(CH3)2, -CH2CH2OC(CH3)3, -CH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3, -CH2CH2O(CH2)5CH3, -CH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3, -CH2CH2OCH2CH(CH3)(CH2)2CH3, -CH2CH2O(CH2)2CH(CH3)CH2CH3, -CH2CH2O(CH2)3CH(CH3)2, -CH2CH2OC(CH3)2(CH2)2CH3, -CH2CH2OCH(CH2CH3)(CH2)2CH3, -CH2CH2OC(CH3)2CH(CH3)2, -CH2CH2O(CH2)6CH3, -CH2CH2O(CH2)7CH3, -CH2CH2OCH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3, -CH2CH2O(CH2)8CH3, -CH2CH2O(CH2)9CH3, -CH2CH2O(CH2)10CH3, -CH2CH2O(CH2)11CH3, -CH2CH2O(CH2)12CH3, -CH2CH2O(CH2)13CH3, -CH2CH2O(CH2)14CH3, -CH2CH2O(CH2)15CH3, -CH2CH2O(CH2)16CH3, -CH2CH2O(CH2)17CH3, -CH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)2CH3, -CH2CH2CH2OCH(CH3)2, -CH2CH2CH2O(CH2)3CH3, -CH2CH2CH2OCH2CH(CH3)2, -CH2CH2CH2OC(CH3)3, -CH2CH2CH2O(CH2)4CH3, -CH2CH2CH2OCH(CH3)(CH2)2CH3, -CH2CH2CH2OCH2CH(CH3)2, -CH2CH2CH2O(CH2)2CH(CH3)2, -CH2CH2CH2OC(CH3)3, -CH2CH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)5CH3, -CH2CH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3, -CH2CH2CH2OCH2CH(CH3)(CH2)2CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)2CH(CH3)CH2CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)3CH(CH3)2, -CH2CH2CH2OC(CH3)2(CH2)2CH3, -CH2CH2CH2OCH(CH2CH3)(CH2)2CH3, -CH2CH2CH2OC(CH3)2CH(CH3)2, -CH2CH2CH2O(CH2)6CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)7CH3, -CH2CH2CH2OCH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)8CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)9CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)10CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)11CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)12CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)13CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)14CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)15CH3, -CH2CH2CH2O(CH2)16CH3 등을 들 수 있다.Examples of alkyl groups having 2 to 20 carbon atoms containing at least one ether structure include -CH 2 OCH 3 , -CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 OCH(CH 3 ) 2 , -CH 2 O(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 OCH 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 OC(CH 3 ) 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 4 CH 3 , -CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 O (CH 2 ) 5 CH 3 , -CH 2 OCH 2 CH(CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 3 , -CH 2 O( CH 2 ) 3 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 OC(CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 OCH(CH 2 CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 OC (CH 3 ) 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 O(CH 2 ) 6 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 7 CH 3 , -CH 2 OCH 2 CH(CH 2 CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 8 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 9 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 10 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 11 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 12 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 13 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 14 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 15 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 16 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 17 CH 3 , -CH 2 O(CH 2 ) 18 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 4 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 3 , -CH 2 CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 5 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 3 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH(CH 2 CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 6 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 7 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH (CH 2 CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 8 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 9 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 10 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 11 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 12 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 13 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 14 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 15 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 16 CH 3 , -CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 17 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH (CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 4 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH(CH 3 ) (CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 5 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH(CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 3 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH(CH 2 CH 3 )(CH 2 ) 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OC(CH 3 ) 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 6 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 7 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(CH 2 CH 3 )(CH 2 ) 3 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 8 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 9 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 10 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 11 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 12 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 13 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 14 CH 3 , -CH 2 CH 2CH 2 O(CH 2 ) 15 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 O(CH 2 ) 16 CH 3 and the like.

식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 2개 제거하여 얻어지는 2가의 기로서는, 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디에틸-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디프로필-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디부틸-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디헥실-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디옥틸-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-비스(2-에틸헥실)-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디메톡시-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-디에톡시-9H-플루오렌-2,7-디일기, 9,9-비스[2-(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)에틸]-9H-플루오렌-2,7-디일기 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.As a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by formula (3), 9,9-dimethyl-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9- Diethyl-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9-dipropyl-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9-dibutyl-9H-fluorene-2,7- Diyl group, 9,9-dihexyl-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9-bis (2-ethyl Hexyl)-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9-dimethoxy-9H-fluorene-2,7-diyl group, 9,9-diethoxy-9H-fluorene-2,7- Diyl group, 9,9-bis[2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl]-9H-fluorene-2,7-diyl group, etc. are mentioned, but are not limited to these. .

이들 중, Ar1 및 Ar4로서는 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 2개 제거하여 얻어지는 기가 바람직하고, 특히 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2,7-디일기가 바람직하다.Among these, Ar 1 and Ar 4 are preferably groups obtained by removing two hydrogen atoms on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by formula (3), especially 9,9-dimethyl-9H-fluorene-2, 7-diyl group is preferred.

식(1) 및 (2) 중, Ar2, Ar3, Ar5 및 Ar6은 각각 독립적으로 탄소수 6~20의 아릴기 또는 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 1개 제거하여 얻어지는 1가의 기이며, 이들 기의 방향환 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다. 상기 탄소수 1~20의 알킬기 및 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기의 구체예로서는, 상기 서술한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.In formulas (1) and (2), Ar 2 , Ar 3 , Ar 5 and Ar 6 are each independently an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by formula (3). It is a monovalent group obtained by removing one, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of these groups are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, and methacryloyl group. , an oxetane group, an epoxy group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and the halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include those similar to those described above.

상기 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 비페닐-2-일기, 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기 등을 들 수 있다.Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, and 2-phenanthryl. group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, biphenyl-2-yl group, biphenyl-3-yl group, biphenyl-4-yl group, etc.

식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 1개 제거하여 얻어지는 1가의 기로서는, 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디메틸-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디에틸-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디에틸-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디프로필-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디프로필-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디부틸-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디부틸-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디헥실-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디헥실-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디옥틸-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디옥틸-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-비스(2-에틸헥실)-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-비스(2-에틸헥실)-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디메톡시-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디메톡시-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-디에톡시-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-디에톡시-9H-플루오렌-3-일기, 9,9-비스[2-(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)에틸]-9H-플루오렌-2-일기, 9,9-비스[2-(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)에틸]-9H-플루오렌-3-일기 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Monovalent groups obtained by removing one hydrogen atom on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by formula (3) include 9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl group and 9,9-dimethyl-9H. -Fluoren-3-yl group, 9,9-diethyl-9H-fluoren-2-yl group, 9,9-diethyl-9H-fluoren-3-yl group, 9,9-dipropyl-9H-flu oren-2-yl group, 9,9-dipropyl-9H-fluoren-3-yl group, 9,9-dibutyl-9H-fluoren-2-yl group, 9,9-dibutyl-9H-fluorene- 3-yl group, 9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl group, 9,9-dihexyl-9H-fluoren-3-yl group, 9,9-dioctyl-9H-fluorene-2- Diary group, 9,9-dioctyl-9H-fluoren-3-yl group, 9,9-bis(2-ethylhexyl)-9H-fluoren-2-yl group, 9,9-bis(2-ethylhexyl) -9H-fluoren-3-yl group, 9,9-dimethoxy-9H-fluoren-2-yl group, 9,9-dimethoxy-9H-fluoren-3-yl group, 9,9-diethoxy-9H -Fluoren-2-yl group, 9,9-diethoxy-9H-fluoren-3-yl group, 9,9-bis[2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl]-9H -Fluoren-2-yl group, 9,9-bis[2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl]-9H-fluoren-3-yl group, etc. are mentioned, but are limited to these. It doesn't work.

X1이 -N(Ar3)-일 때, Ar2 및 Ar3은 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성해도 된다. X2가 -N(Ar6)-일 때, Ar5 및 Ar6은 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성해도 된다. 이 때, 상기 환의 구조로서는 카르바졸환이 바람직하다. When _ _ _ When _ _ _ At this time, the structure of the ring is preferably a carbazole ring.

R2가 페닐렌기일 때, R2 및 Ar2는 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자, 유황 원자 또는 산소 원자와 함께 환을 형성해도 된다. R4가 페닐렌기일 때, R4 및 Ar5는 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자, 유황 원자 또는 산소 원자와 함께 환을 형성해도 된다. 이 때, 상기 환의 구조로서는 카르바졸환, 디벤조티오펜환 또는 디벤조푸란환이 바람직하다.When R 2 is a phenylene group, R 2 and Ar 2 may be bonded to each other to form a ring with the nitrogen atom, sulfur atom, or oxygen atom to which they are bonded. When R 4 is a phenylene group, R 4 and Ar 5 may be bonded to each other to form a ring with the nitrogen atom, sulfur atom, or oxygen atom to which they are bonded. At this time, the structure of the ring is preferably a carbazole ring, a dibenzothiophene ring, or a dibenzofuran ring.

단, Ar1~Ar3의 적어도 1개는 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이며, Ar4~Ar6의 적어도 1개는 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다.However, at least one of Ar 1 to Ar 3 is a group obtained by removing a hydrogen atom on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by formula (3), and at least one of Ar 4 to Ar 6 is a group of formula (3) It is a group obtained by removing the hydrogen atom on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by .

식(1)으로 표시되는 반복 단위로서는 X1이 -N(Ar3)-인 것이 바람직하고, 식(2)으로 표시되는 반복 단위로서는 X2가 -N(Ar6)-인 것이 바람직하다. 즉, 식(1)으로 표시되는 반복 단위로서는 하기 식(1A)으로 표시되는 것이 바람직하고, 식(2)으로 표시되는 반복 단위로서는 하기 식(2A)으로 표시되는 것이 바람직하다.As the repeating unit represented by formula (1), X 1 is preferably -N(Ar 3 )-, and as the repeating unit represented by formula (2), X 2 is preferably -N(Ar 6 )-. That is, the repeating unit represented by formula (1) is preferably represented by the following formula (1A), and the repeating unit represented by formula (2) is preferably represented by the following formula (2A).

(식 중, RA, R1~R4, Ar1~Ar6은 상기와 동일하다.)(In the formula, R A , R 1 to R 4 , and Ar 1 to Ar 6 are the same as above.)

또한 식(2A)으로 표시되는 반복 단위로서는 하기 식(2B)으로 표시되는 것이 바람직하다.Additionally, the repeating unit represented by formula (2A) is preferably represented by the following formula (2B).

(식 중, R3, R4 및 Ar4~Ar6은 상기와 동일하다.)(In the formula, R 3 , R 4 and Ar 4 to Ar 6 are the same as above.)

본 발명의 폴리머는 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위의 한쪽을 포함하는 것이어도 되고, 이들의 양쪽을 포함하는 것이어도 된다.The polymer of the present invention may contain one or both of the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2).

또 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위 이외의 반복 단위를 포함해도 된다. 그 밖의 반복 단위로서는 아크릴로일기, 아크릴아미드기, 메타크릴로일기, 메타크릴아미드기, 비닐에테르기, 무수 말레인산 등의 중합성 관능기를 포함하는 화합물을 들 수 있다. 또한 복수의 반복 단위를 포함하는 경우, 본 발명의 폴리머는 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 블록 공중합체의 어느 것이어도 된다.Moreover, within the range that does not impair the effect of the present invention, repeating units other than the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2) may be included. Other repeating units include compounds containing polymerizable functional groups such as acryloyl group, acrylamide group, methacryloyl group, methacrylamide group, vinyl ether group, and maleic anhydride. Additionally, when containing a plurality of repeating units, the polymer of the present invention may be any of random copolymers, alternating copolymers, and block copolymers.

식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위의 함유량은, 폴리머에 포함되는 전체 반복 단위 중 50몰% 이상이 바람직하고, 80몰% 이상이 보다 바람직하며, 90몰% 이상이 한층 더 바람직하고, 95몰% 이상이 더욱 바람직하며, 100몰%가 가장 바람직하다. 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위의 양쪽을 포함하는 경우, 이들 단위의 함유비는 몰비로 식(1)으로 표시되는 반복 단위:식(2)으로 표시되는 반복 단위=1:99~99:1이 바람직하고, 5:95~95:5가 보다 바람직하며, 10:90~90:10이 한층 더 바람직하다. 또한 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위의 함유량이 100몰%라는 표현은, 원료 중의 불순물 모노머나 폴리머 합성시의 부반응에 기인하는 미량 포함되는 불순물 반복 단위의 존재도 부정하는 것은 아니며, 예를 들면 원료로서 식(1)으로 표시되는 반복 단위를 부여하는 모노머 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위를 부여하는 모노머만을 사용하여 폴리머를 합성한 경우에, 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위의 함유량이 100몰%인 폴리머를 얻을 수 있다.The content of the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2) is preferably 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, and 90 mol% of all repeating units contained in the polymer. % or more is more preferable, 95 mol% or more is more preferable, and 100 mol% is most preferable. When containing both the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2), the content ratio of these units is expressed as the molar ratio: repeating unit represented by formula (1): represented by formula (2) The repeating unit = 1:99 to 99:1 is preferable, 5:95 to 95:5 is more preferable, and 10:90 to 90:10 is even more preferable. In addition, the expression that the content of the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2) is 100 mol% refers to the impurity repeating unit contained in trace amounts due to impurity monomers in the raw materials or side reactions during polymer synthesis. The existence is not denied. For example, when a polymer is synthesized using only a monomer that provides a repeating unit represented by formula (1) and a monomer that provides a repeating unit represented by formula (2) as raw materials, the formula A polymer having a content of 100 mol% of the repeating unit represented by (1) and the repeating unit represented by formula (2) can be obtained.

본 발명의 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은 통상적으로 2,000~1,000,000인데, 폴리머의 용해성을 향상시키고, 균일성이 우수한 바니시를 재현성 좋게 얻는 관점에서, 바람직하게는 500,000 이하, 보다 바람직하게는 200,000 이하이다. 또 그 분산도(Mw/Mn)는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상적으로 1.0~10.0이며, 바람직하게는 1.1~5.0이며, 보다 바람직하게는 1.2~3.0이다. 또한 본 발명에 있어서, 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)은 예를 들면 (주)시마즈세이사쿠쇼제 GPC 장치, 오토샘플러 SIL-10AF, 데구사 DGU-20As, 칼럼 오븐 CTO-20A, 시차 굴절률 검출기 RID-10A(칼럼:쇼와덴코(주)제, Shodex GPC KF-805L 및 KF-804L, 칼럼 온도 40℃, 검출기:UV 검출기(254nm), 용리액:테트라히드로푸란(THF), 칼럼 유속:1.0mL/분)를 사용하여 측정할 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer of the present invention is usually 2,000 to 1,000,000, but from the viewpoint of improving the solubility of the polymer and obtaining a varnish with excellent uniformity with good reproducibility, it is preferably 500,000 or less, more preferably 200,000 or less. am. Moreover, the dispersion degree (Mw/Mn) is not particularly limited, but is usually 1.0 to 10.0, preferably 1.1 to 5.0, and more preferably 1.2 to 3.0. In addition, in the present invention, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of the polymer are, for example, GPC equipment manufactured by Shimadzu Corporation, autosampler SIL-10AF, Degussa DGU-20As, and column oven CTO. -20A, differential refractive index detector RID-10A (column: Showa Denko Co., Ltd. product, Shodex GPC KF-805L and KF-804L, column temperature 40°C, detector: UV detector (254 nm), eluent: tetrahydrofuran (THF) ), column flow rate: 1.0 mL/min).

[폴리머의 제조 방법][Polymer manufacturing method]

본 발명의 폴리머는 하기 식(1')으로 표시되는 모노머 및 하기 식(2')으로 표시되는 모노머로부터 선택되는 적어도 1개를 중합시킴으로써 제조할 수 있다.The polymer of the present invention can be produced by polymerizing at least one monomer selected from the monomer represented by the following formula (1') and the monomer represented by the following formula (2').

(식 중, RA, R1~R4, X1, X2, Ar1, Ar2, Ar4 및 Ar5는 상기와 동일하다.)(In the formula, R A , R 1 to R 4 , X 1 , X 2 , Ar 1 , Ar 2 , Ar 4 and Ar 5 are the same as above.)

중합 반응은 특별히 한정되지 않고, 래디컬 중합, 아니온 중합, 카티온 중합 등을 채용할 수 있다. 이들 중, 특히 래디컬 중합이 바람직하고, 구체적으로는 용매 중 상기 모노머를 중합개시제의 존재하에서 가열하고 중합시키면 된다.The polymerization reaction is not particularly limited, and radical polymerization, anionic polymerization, cationic polymerization, etc. can be employed. Among these, radical polymerization is particularly preferable, and specifically, polymerization may be performed by heating the monomer in a solvent in the presence of a polymerization initiator.

상기 중합개시제로서는 종래 공지의 것으로부터 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면 과산화벤조일, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드 등의 과산화물; 과황산나트륨, 과황산칼륨, 과황산암모늄 등의 과황산염; 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아조비스메틸부티로니트릴, 아조비스이소발레로니트릴 등의 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.As the polymerization initiator, it can be appropriately selected and used from conventionally known ones. For example, peroxides such as benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, and tert-butyl hydroperoxide; persulfate such as sodium persulfate, potassium persulfate, and ammonium persulfate; Azo-based compounds such as azobisisobutyronitrile (AIBN), azobismethylbutyronitrile, and azobisisovaleronitrile can be mentioned. These may be used individually or in combination of two or more types.

중합개시제의 사용량은 상기 모노머 1mol에 대하여 0.01~0.05mol정도가 바람직하다. 반응 온도는 0℃로부터 사용하는 용매의 비점까지에서 적절하게 설정하면 되는데, 20~100℃정도가 바람직하다. 반응 시간은 0.1~30시간정도가 바람직하다.The amount of polymerization initiator used is preferably about 0.01 to 0.05 mol per 1 mol of the monomer. The reaction temperature can be appropriately set from 0°C to the boiling point of the solvent used, and is preferably around 20 to 100°C. The reaction time is preferably about 0.1 to 30 hours.

중합 반응에 사용되는 용매는 이러한 종류의 반응에서 일반적으로 사용되고 있는 각종 용매로부터 적절하게 선택하면 된다. 구체적으로는 물; 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 이소부탄올, tert-부탄올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 이소펜탄올, tert-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 2-헵탄올, 3-헵탄올, 2-옥탄올, 2-에틸-1-헥산올, 벤질알코올, 시클로헥산올 등의 알코올류; 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 시클로펜틸메틸에테르, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등의 에테르류; 클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 사염화탄소 등의 할로겐화탄화수소류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 이소프로필셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산온 등의 케톤류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 프로피온산에틸, 셀로솔브아세테이트 등의 에스테르류; n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸, 시클로펜탄, 메틸시클로펜탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 아니솔 등의 지방족 또는 방향족 탄화수소류; 메틸알, 디에틸아세탈 등의 아세탈류; 포름산, 아세트산, 프로피온산 등의 지방산류; 니트로프로판, 니트로벤젠, 디메틸아민, 모노에탄올아민, 피리딘, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 아세토니트릴 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The solvent used in the polymerization reaction may be appropriately selected from various solvents commonly used in this type of reaction. Specifically, water; Methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, isobutanol, tert-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, isopentanol, tert-pentanol , alcohols such as 1-hexanol, 1-heptanol, 2-heptanol, 3-heptanol, 2-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, benzyl alcohol, and cyclohexanol; ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane; Halogenated hydrocarbons such as chloroform, dichloromethane, dichloroethane, and carbon tetrachloride; Ether alcohols such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, isopropyl cellosolve, butyl cellosolve, and diethylene glycol monobutyl ether; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl propionate, and cellosolve acetate; n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane, cyclopentane, methylcyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, anisole, etc. aliphatic or aromatic hydrocarbons; Acetals such as methylal and diethylacetal; Fatty acids such as formic acid, acetic acid, and propionic acid; Nitropropane, nitrobenzene, dimethylamine, monoethanolamine, pyridine, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, acetonitrile, etc. These may be used individually, or two or more types may be mixed and used.

또한 본 발명의 폴리머가 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 식(2)으로 표시되는 반복 단위 이외의 다른 반복 단위를 포함하는 경우, 그 합성 방법으로서는 중합시에 상기 모노머와 다른 반복 단위를 부여하는 모노머를 공존시켜 중합하면 된다.In addition, when the polymer of the present invention contains repeating units other than the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2), the synthesis method is to provide a repeating unit different from the monomer at the time of polymerization. Polymerization can be done by allowing the following monomers to coexist.

식(1')으로 표시되는 모노머는 종래 공지의 반응을 이용하여 합성할 수 있다. 그 합성 방법의 일례로서는, 예를 들면 하기 스킴 A에 나타내는 바와 같이 무수 말레인산과 식(1'')으로 표시되는 아민 화합물을 용매 중에서 필요에 따라 촉매의 존재하에서 반응시키는 방법을 들 수 있다.The monomer represented by formula (1') can be synthesized using a conventionally known reaction. An example of the synthetic method includes a method of reacting maleic anhydride with an amine compound represented by the formula (1'') in a solvent, if necessary, in the presence of a catalyst, as shown in Scheme A below.

스킴 AScheme A

(식 중, R1, R2, X1, Ar1 및 Ar2는 상기와 동일하다.)(Wherein, R 1 , R 2 , X 1 , Ar 1 and Ar 2 are the same as above.)

상기 용매로서는 아세트산, 톨루엔, 아세트산에틸, 테트라히드로푸란, 메탄올, 에탄올, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다.Examples of the solvent include acetic acid, toluene, ethyl acetate, tetrahydrofuran, methanol, ethanol, dimethylformamide, and dimethyl sulfoxide.

상기 촉매로서는 아세트산, 아세트산나트륨, 아세트산칼륨, 톨루엔술폰산, 캄퍼술폰산 등을 들 수 있다. 상기 촉매의 사용량은 식(1'')으로 표시되는 아민 화합물에 대하여, 몰비로 1.0~10.0이 바람직하고, 2.0~5.0이 보다 바람직하다. 또한 상기 용매로서 아세트산을 사용하는 경우에는 촉매는 사용하지 않아도 된다.Examples of the catalyst include acetic acid, sodium acetate, potassium acetate, toluenesulfonic acid, and camphorsulfonic acid. The amount of the catalyst used is preferably 1.0 to 10.0, more preferably 2.0 to 5.0, in molar ratio with respect to the amine compound represented by formula (1''). Additionally, when acetic acid is used as the solvent, a catalyst does not need to be used.

상기 반응에 있어서, 무수 말레인산과 식(1'')으로 표시되는 아민 화합물의 도입비는, 무수 말레인산에 대하여, 식(1'')으로 표시되는 아민 화합물이 몰비로 0.5~3.0이 되는 양이 바람직하고, 1.0~1.5가 되는 양이 보다 바람직하다.In the above reaction, the introduction ratio of maleic anhydride and the amine compound represented by the formula (1'') is preferably such that the amine compound represented by the formula (1'') is 0.5 to 3.0 in molar ratio with respect to maleic anhydride. And, an amount of 1.0 to 1.5 is more preferable.

반응 온도는 사용하는 원료 화합물이나 촉매의 종류나 양을 고려하면서, 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적절하게 설정되는데, 통상적으로 40~150℃정도이며, 바람직하게는 80~120℃이다. 또 반응 시간은 사용하는 원료 화합물이나 반응 온도 등에 따라 상이하기 때문에 일괄하여 규정할 수는 없지만, 통상적으로 2~24시간정도이다.The reaction temperature is appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent, taking into consideration the type and amount of the raw material compound or catalyst used, and is usually about 40 to 150°C, preferably 80 to 120°C. In addition, the reaction time cannot be specified uniformly because it varies depending on the raw material compound used or reaction temperature, but is usually about 2 to 24 hours.

반응 종료 후에는 정법에 따라 후처리를 하여, 목적으로 하는 모노머를 얻을 수 있다.After completion of the reaction, post-processing is performed according to a conventional method to obtain the target monomer.

식(2')으로 표시되는 모노머는 각종 커플링 반응을 조합함으로써 합성할 수 있다. 그 합성 방법의 일례로서는, 예를 들면 하기 스킴 B에 나타내는 바와 같이 식(2'')으로 표시되는 스티렌 화합물과 하기 식(2''')으로 표시되는 아민 화합물을 커플링 반응시키는 방법을 들 수 있다.The monomer represented by formula (2') can be synthesized by combining various coupling reactions. As an example of the synthetic method, for example, as shown in Scheme B below, a method of coupling reaction between a styrene compound represented by formula (2'') and an amine compound represented by formula (2''') is given. You can.

스킴 BScheme B

(식 중, RA, R3, R4, X2, Ar4 및 Ar5는 상기와 동일하다.)(Wherein R A , R 3 , R 4 , X 2 , Ar 4 and Ar 5 are the same as above.)

스킴 B 중 XA는 커플링 반응에 사용되는 임의의 기이다. 이와 같은 기의 구체예로서는 예를 들면 스즈키·미야우라 커플링 반응을 이용하는 경우에는, -B(OH)2 등의 보론산기나 보론산에스테르기를 들 수 있다.In Scheme B, X A is any group used in the coupling reaction. Specific examples of such groups include, for example, when using the Suzuki-Miyaura coupling reaction, boronic acid groups such as -B(OH) 2 and boronic acid ester groups.

스킴 B 중 XB는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 유사할로겐기이다. XB로 표시되는 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있는데, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 바람직하다. XB로 표시되는 유사할로겐기로서는 메탄술포닐옥시기, 트리플루오로메탄술포닐옥시기, 노나플루오로부탄술포닐옥시기 등의 플루오로알킬술포닐옥시기; 벤젠술포닐옥시기, 톨루엔술포닐옥시기 등의 방향족 술포닐옥시기 등을 들 수 있다.In Scheme B, X B is each independently a halogen atom or a pseudohalogen group. The halogen atom represented by Examples of the pseudohalogen group represented by and aromatic sulfonyloxy groups such as benzenesulfonyloxy group and toluenesulfonyloxy group.

상기 커플링 반응에 있어서 사용하는 용매로서는, 반응에 악영향을 끼치지 않는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 지방족 탄화수소(펜탄, n-헥산, n-옥탄, n-데칸, 데칼린 등), 할로겐화 지방족 탄화수소(클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 사염화탄소 등), 방향족 탄화수소(벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌 등), 에테르(디에틸에테르, 디이소프로필에테르, tert-부틸메틸에테르, THF, 디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄 등), 아미드(N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드 등), 락탐 및 락톤(N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤 등), 요소 유도체(N,N-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아 등), 술폭시드(디메틸술폭시드, 술포란 등), 니트릴(아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴 등) 등을 들 수 있다. 이들 중, 목적물을 효율적으로 얻는 관점에서, 바람직한 용매는 지방족 탄화수소(펜탄, n-헥산, n-옥탄, n-데칸, 데칼린 등), 방향족 탄화수소(벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌 등), 에테르(디에틸에테르, 디이소프로필에테르, tert-부틸메틸에테르, THF, 디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄 등)이며, 보다 바람직하게는 방향족 탄화수소(벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌 등), 에테르(디에틸에테르, 디이소프로필에테르, tert-부틸메틸에테르, THF, 디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄 등)이다.The solvent used in the above coupling reaction is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction, but examples include aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatics, etc. Hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), ethers (diethyl ether, diisopropyl) Ether, tert-butylmethyl ether, THF, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, etc.), amides (N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetate amides, etc.), lactams and lactones (N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, etc.), urea derivatives (N,N-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, etc.), sulfoxides (dimethylsulfoxide, alcohol) phoran, etc.), nitriles (acetonitrile, propionitrile, butyronitrile, etc.), etc. Among these, from the viewpoint of efficiently obtaining the target product, preferred solvents are aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m -xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), ether (diethyl ether, diisopropyl ether, tert-butylmethyl ether, THF, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, etc. ), and more preferably aromatic hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), ethers (diethyl ether, diisopropyl ether, tert-butylmethyl ether) , THF, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, etc.).

상기 커플링 반응에 있어서 사용하는 촉매로서는, [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로리드(PdCl2(dppf)), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(Pd(PPh3)4), 비스(트리페닐포스핀)디클로로팔라듐(Pd(PPh3)2Cl2), 비스(벤질리덴아세톤)팔라듐(Pd(dba)2), 트리스(벤질리덴아세톤)디팔라듐(Pd2(dba)3), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(Pd(P-t-Bu3)2), 아세트산팔라듐(II)(Pd(OAc)2) 등의 팔라듐 촉매 등을 들 수 있다. 이들 촉매는 공지의 적절한 배위자와 함께 사용해도 된다.Catalysts used in the above coupling reaction include [1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene]palladium(II)dichloride (PdCl 2 (dppf)), tetrakis(triphenylphosphine)palladium. (Pd(PPh 3 ) 4 ), bis(triphenylphosphine)dichloropalladium (Pd(PPh 3 ) 2 Cl 2 ), bis(benzylideneacetone)palladium (Pd(dba) 2 ), tris(benzylideneacetone) Palladium catalysts such as dipalladium (Pd 2 (dba) 3 ), bis(tri-tert-butylphosphine) palladium (Pd(Pt-Bu 3 ) 2 ), palladium(II) acetate (Pd(OAc) 2 ), etc. can be mentioned. These catalysts may be used with known suitable ligands.

촉매의 사용량은, 식(2''')으로 표시되는 아민 화합물에 대하여, 몰비로 0.01~0.2가 되는 양이 바람직하고, 0.03~0.1이 되는 양이 보다 바람직하다. 또 배위자를 사용하는 경우, 그 사용량은 사용하는 금속 착체에 대하여 0.1~3.0당량으로 할 수 있지만, 0.8~1.5당량이 적합하다.The amount of the catalyst used is preferably 0.01 to 0.2, and more preferably 0.03 to 0.1, in molar ratio with respect to the amine compound represented by formula (2'''). Also, when using a ligand, the amount used can be 0.1 to 3.0 equivalents relative to the metal complex used, but 0.8 to 1.5 equivalents is suitable.

또 상기 커플링 반응에 있어서는 염기를 사용해도 된다. 상기 염기로서는 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 수산화 알칼리 금속; tert-부톡시리튬, tert-부톡시나트륨, tert-부톡시칼륨 등의 알콕시 알칼리 금속; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 탄산 알칼리 금속; 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 등의 탄산수소 알칼리 금속; 탄산칼슘 등의 탄산알칼리 토류 금속; n-부틸리튬, sec-부틸리튬, tert-부틸리튬 등의 유기 리튬; 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 피리딘 등의 아민류 등을 들 수 있는데, 이러한 종류의 반응에 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 특히, 취급이 용이한 점에서, 탄산나트륨, 탄산칼륨이 적합하다. 상기 염기의 사용량은 식(2''')으로 표시되는 아민 화합물에 대하여, 몰비로 통상적으로 1~20정도이며, 바람직하게는 4~8이다.Additionally, a base may be used in the above coupling reaction. Examples of the base include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, and potassium hydroxide; Alkoxy alkali metals such as tert-butoxylithium, tert-butoxy sodium, and tert-butoxy potassium; alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkali metal bicarbonate such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; alkaline earth metals such as calcium carbonate; organic lithium such as n-butyllithium, sec-butyllithium, and tert-butyllithium; Amines such as triethylamine, diisopropylethylamine, tetramethylethylenediamine, triethylenediamine, and pyridine may be included, but there is no particular limitation as long as they are used in this type of reaction. In particular, sodium carbonate and potassium carbonate are suitable because they are easy to handle. The amount of the base used is usually about 1 to 20, preferably 4 to 8, in molar ratio with respect to the amine compound represented by formula (2''').

상기 커플링 반응에 있어서, 식(2'')으로 표시되는 스티렌 화합물과 하기 식(2''')으로 표시되는 아민 화합물의 도입비는, 식(2'')으로 표시되는 스티렌 화합물에 대하여, 식(2''')으로 표시되는 아민 화합물이 몰비로 0.2~2.0이 되는 양이 바람직하고, 0.5~1.0이 되는 양이 보다 바람직하다.In the above coupling reaction, the introduction ratio of the styrene compound represented by formula (2'') and the amine compound represented by the following formula (2''') is, with respect to the styrene compound represented by formula (2''): The amount of the amine compound represented by the formula (2''') is preferably 0.2 to 2.0 in molar ratio, and the amount of 0.5 to 1.0 is more preferable.

상기 커플링 반응에 있어서, 반응 온도는 사용하는 원료 화합물이나 촉매의 종류나 양을 고려하면서, 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적절하게 설정되는데, 통상적으로 20~120℃정도이며, 바람직하게는 60~100℃이다. 또 반응 시간은 사용하는 원료 화합물이나 반응 온도 등에 따라 상이하기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 통상적으로 0.5~12시간정도이다.In the above coupling reaction, the reaction temperature is appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent, taking into consideration the type and amount of the raw material compound or catalyst used, and is usually about 20 to 120°C, preferably It is 60~100℃. In addition, the reaction time cannot be specified uniformly because it varies depending on the raw material compound used, reaction temperature, etc., but is usually about 0.5 to 12 hours.

반응 종료 후에는 정법에 따라 후처리를 하여, 목적으로 하는 모노머를 얻을 수 있다.After completion of the reaction, post-processing is performed according to a conventional method to obtain the target monomer.

[전하수송성 물질][Charge transport material]

본 발명의 폴리머는 전하수송성 물질로서 특히 정공수송성 물질로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 전하수송성이란 도전성과 동의이다. 전하수송성 물질이란 그 자체에 전하수송성이 있는 것이다. 또 전하수송성 바니시란 그 자체에 전하수송성이 있는 것이어도 되고, 그것에 의해 얻어지는 고체막이 전하수송성을 가지는 것이어도 된다.The polymer of the present invention can be suitably used as a charge transport material, particularly as a hole transport material. In the present invention, charge transport properties are synonymous with conductivity. A charge-transporting material is one that itself has charge-transporting properties. Additionally, the charge-transporting varnish may itself have charge-transporting properties, or the solid film obtained therefrom may have charge-transporting properties.

[전하수송성 바니시][Charge transport varnish]

본 발명의 전하수송성 바니시는 상기 폴리머로 이루어지는 전하수송성 물질 및 유기 용매를 포함하는 것이다. 상기 전하수송성 물질은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 상기 전하수송성 물질은 상기 폴리머 이외의 전하수송성 폴리머 화합물이나, 전하수송성 저분자 화합물, 전하수송성 올리고머-화합물을 포함하고 있어도 된다.The charge-transporting varnish of the present invention contains a charge-transporting material made of the above polymer and an organic solvent. The above charge-transporting substances may be used individually, or two or more types may be used in combination. The charge-transporting substance may contain a charge-transporting polymer compound other than the above polymer, a charge-transporting low-molecular-weight compound, or a charge-transporting oligomer-compound.

[유기 용매][Organic solvent]

상기 유기 용매로서는 상기 폴리머를 양호하게 용해할 수 있는 고극성 용매를 사용할 수 있다. 또 필요에 따라, 고극성 용매보다 프로세스 적합성이 우수한 점에서 저극성 용매를 사용해도 된다. 본 발명에 있어서, 저극성 용매란 주파수 100kHz에서의 비유전율이 7 미만인 것으로 정의하고, 고극성 용매란 주파수 100kHz에서의 비유전율이 7 이상인 것으로 정의한다.As the organic solvent, a highly polar solvent capable of well dissolving the polymer can be used. Additionally, if necessary, a low polarity solvent may be used because it has better process compatibility than a high polarity solvent. In the present invention, a low polarity solvent is defined as having a relative dielectric constant of less than 7 at a frequency of 100 kHz, and a high polarity solvent is defined as having a relative dielectric constant of 7 or more at a frequency of 100 kHz.

상기 저극성 용매로서는, 예를 들면 클로로포름, 클로로벤젠 등의 염소계 용매; 톨루엔, 크실렌, 테트랄린, 시클로헥실벤젠, 데실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 1-옥탄올, 1-노난올, 1-데칸올 등의 지방족 알코올계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산, 아니솔, 4-메톡시톨루엔, 3-페녹시톨루엔, 디벤질에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르 등의 에테르계 용매; 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산부틸, 벤조산이소아밀, 프탈산비스(2-에틸헥실), 프탈산디메틸, 말론산디이소프로필, 말레인산디부틸, 옥살산디부틸, 아세트산헥실, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매 등을 들 수 있다.Examples of the low polarity solvent include chlorine-based solvents such as chloroform and chlorobenzene; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, tetralin, cyclohexylbenzene, and decylbenzene; Aliphatic alcohol-based solvents such as 1-octanol, 1-nonanol, and 1-decanol; Tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butyl methyl Ether-based solvents such as ether; Methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, bis(2-ethylhexyl) phthalate, dimethyl phthalate, diisopropyl malonate, dibutyl maleate, dibutyl oxalate, hexyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ester-based solvents such as ethylene glycol monoethyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate.

상기 고극성 용매로서는, 예를 들면 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸이소부틸아미드, N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등의 아미드계 용매; 에틸메틸케톤, 이소포론, 시클로헥산온 등의 케톤계 용매; 아세토니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴 등의 시아노계 용매; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,3-부탄디올, 2,3-부탄디올 등의 다가 알코올계 용매; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 벤질알코올, 2-페녹시에탄올, 2-벤질옥시에탄올, 3-페녹시벤질알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올 등의 지방족 알코올 이외의 1가 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매 등을 들 수 있다.Examples of the highly polar solvent include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutylamide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imide. Amide-based solvents such as dazolidinone; Ketone-based solvents such as ethyl methyl ketone, isophorone, and cyclohexanone; Cyano-based solvents such as acetonitrile and 3-methoxypropionitrile; polyhydric alcohol-based solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, 1,3-butanediol, and 2,3-butanediol; Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, 2-phenoxyethanol, 2-benzyloxyethanol, 3 -Monohydric alcohol-based solvents other than aliphatic alcohols such as phenoxybenzyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol; and sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide.

상기 유기 용매의 사용량은, 전하수송성 물질의 석출을 억제하면서 충분한 막두께를 확보하는 관점에서, 본 발명의 바니시 중의 고형분 농도가 통상적으로 0.1~20질량%정도, 바람직하게는 0.5~10질량%가 되는 양이다. 또한 본 발명에 있어서 고형분이란 바니시에 포함되는 성분 중 용매 이외의 성분을 의미한다. 상기 유기 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The amount of the organic solvent used is such that the solid content concentration in the varnish of the present invention is usually about 0.1 to 20% by mass, preferably 0.5 to 10% by mass, from the viewpoint of securing a sufficient film thickness while suppressing precipitation of charge-transporting substances. This is the amount. In addition, in the present invention, solid content means components other than the solvent among the components included in the varnish. The above organic solvents may be used individually, or two or more types may be mixed.

본 발명의 전하수송성 바니시는 용매로서 물도 포함할 수 있지만, 통상적으로 용매로서 유기 용매만을 포함한다. 또한 「유기 용매만」이란 용매로서 의도적으로 사용되는 것이 유기 용매만이라는 의미이며, 화합물의 수화수나 고형분이나 유기 용매에 미량 포함되는 수분의 존재마저도 부정하는 것은 아니다.The charge-transporting varnish of the present invention may also contain water as a solvent, but usually contains only an organic solvent as a solvent. Additionally, “organic solvent only” means that only organic solvents are intentionally used as solvents, and does not deny the hydration water or solid content of the compound or even the presence of trace amounts of water contained in the organic solvent.

[도펀트(전하수용성 도펀트)][Dopant (charge-accepting dopant)]

본 발명의 전하수송성 바니시는 본 발명의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 박막의 전하수송성을 향상시키거나 할 목적에서 도펀트를 포함해도 된다. 도펀트로서는 바니시에 사용하는 적어도 1종의 용매에 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 무기계의 도펀트, 유기계의 도펀트의 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한 도펀트는 바니시로부터 고체막인 전하수송성 박막을 얻는 과정에서, 예를 들면 소성시의 가열과 같은 외부로부터의 자극에 의해, 분자 내의 일부가 빠짐으로써 도펀트로서의 기능이 비로소 발현 또는 향상되게 되는 물질, 예를 들면 술폰산기가 탈리하기 쉬운 기로 보호된 아릴술폰산에스테르 화합물이어도 된다.The charge-transporting varnish of the present invention may contain a dopant for the purpose of improving the charge-transporting properties of the thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention. The dopant is not particularly limited as long as it is soluble in at least one solvent used in the varnish, and either an inorganic dopant or an organic dopant can be used. In addition, a dopant is a substance whose function as a dopant is revealed or improved by losing part of the molecule due to external stimulation, such as heating during firing, in the process of obtaining a charge-transporting thin film, which is a solid film, from varnish. For example, it may be an arylsulfonic acid ester compound in which the sulfonic acid group is protected by a group that is easily desorbed.

상기 무기계 도펀트로서는, 헤테로폴리산이 바람직하고, 그 구체예로서는 인몰리브덴산, 규몰리브덴산, 인텅스텐산, 인텅스토몰리브덴산, 규텅스텐산 등을 들 수 있다.As the inorganic dopant, heteropoly acid is preferable, and specific examples thereof include phosphomolybdic acid, siliceous molybdic acid, phosphotungstic acid, phosphotungstomolybdic acid, and silicotungstic acid.

헤테로폴리산이란 대표적으로 하기 식(HPA1)으로 표시되는 Keggin형 또는 하기 식(HPA2)으로 표시되는 Dawson형의 화학 구조로 표시되는, 헤테로 원자가 분자의 중심에 위치하는 구조를 가지고, 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 산소산인 이소폴리산과, 이종 원소의 산소산이 축합하여 이루어지는 폴리산이다. 이와 같은 이종 원소의 산소산으로서는 주로 규소(Si), 인(P), 비소(As)의 산소산을 들 수 있다.Heteropoly acids have a structure in which a hetero atom is located at the center of the molecule, typically represented by a Keggin type chemical structure represented by the following formula (HPA1) or a Dawson type chemical structure represented by the following formula (HPA2), and include vanadium (V), molybdenum It is a polyacid formed by condensation of isopoly acid, which is an oxyacid such as (Mo) and tungsten (W), and oxyacid of a different element. Examples of such oxyacids of heterogeneous elements mainly include oxyacids of silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As).

상기 헤테로폴리산으로서는 인몰리브덴산, 규몰리브덴산, 인텅스텐산, 규텅스텐산, 인텅스토몰리브덴산 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또한 본 발명에서 사용하는 헤테로폴리산은 시판품으로서 입수 가능하며, 또 공지의 방법에 의해 합성할 수도 있다. 특히, 1종류의 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 1종류의 헤테로폴리산은 인텅스텐산 또는 인몰리브덴산이 바람직하고, 인텅스텐산이 최적이다. 또 2종류 이상의 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 2종류 이상의 헤테로폴리산의 하나는 인텅스텐산 또는 인몰리브덴산이 바람직하고, 인텅스텐산이 보다 바람직하다.Examples of the heteropoly acids include phosphomolybdic acid, siliceous molybdic acid, phosphotungstic acid, silicotungstic acid, and phosphotungstomolybdic acid. These may be used individually or in combination of two or more types. In addition, the heteropoly acid used in the present invention is available as a commercial product and can also be synthesized by a known method. In particular, when one type of heteropoly acid is used, the one type of heteropoly acid is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and phosphotungstic acid is optimal. Moreover, when two or more types of heteropoly acids are used, one of the two or more types of heteropoly acids is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and phosphotungstic acid is more preferable.

또한 헤테로폴리산은 원소 분석 등의 정량 분석에 있어서, 일반식으로 표시되는 구조로부터 원소의 수가 많은 것 또는 적은 것이어도, 그것이 시판품으로서 입수한 것, 또는 공지의 합성 방법에 따라 적절하게 합성한 것인 한, 본 발명에 있어서 사용할 수 있다.In addition, in quantitative analysis such as elemental analysis, heteropolyacid may have a large or small number of elements based on the structure expressed by the general formula, as long as it is obtained as a commercial product or synthesized appropriately according to a known synthesis method. , can be used in the present invention.

즉, 예를 들면 일반적으로 인텅스텐산은 화학식 H3(PW12O40)·nH2O이며, 인몰리브덴산은 화학식 H3(PMo12O40)·nH2O로 각각 표시되는데, 정량 분석에 있어서, 이 식 중의 P(인), O(산소) 또는 W(텅스텐) 혹은 Mo(몰리브덴)의 수가 많은 것 또는 적은 것이어도, 그것이 시판품으로서 입수한 것, 또는 공지의 합성 방법에 따라 적절하게 합성한 것인 한, 본 발명에 있어서 사용할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 규정되는 헤테로폴리산의 질량이란 합성물이나 시판품 중에 있어서의 순수한 인텅스텐산의 질량(인텅스텐산 함량)이 아니라, 시판품으로서 입수 가능한 형태 및 공지식의 합성법으로 단리 가능한 형태에 있어서, 수화수나 그 밖의 불순물 등을 포함한 상태에서의 전체 질량을 의미한다.That is, for example, phosphotungstic acid is generally represented by the chemical formula H 3 (PW 12 O 40 )·nH 2 O, and phosphomolybdic acid is represented by the chemical formula H 3 (PMo 12 O 40 )·nH 2 O, respectively. In quantitative analysis, , Even if the number of P (phosphorus), O (oxygen), W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it can be obtained as a commercial product or synthesized appropriately according to a known synthesis method. As long as it is, it can be used in the present invention. In this case, the mass of heteropoly acid specified in the present invention is not the mass (phosphotungstic acid content) of pure phosphotungstic acid in a composite or commercial product, but in the form available as a commercial product and in a form that can be isolated by a known synthetic method, It refers to the total mass including hydration water and other impurities.

상기 유기계 도펀트로서는, 아릴술폰산 화합물, 아릴술폰산에스테르, 소정의 아니온과 그 쌍 카티온으로 이루어지는 이온 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the organic dopant include arylsulfonic acid compounds, arylsulfonic acid esters, and ionic compounds consisting of a predetermined anion and its pair cation.

상기 아릴술폰산 화합물로서는, 본 발명의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 박막의 투명성의 점에서, 하기 식(A) 또는 (B)으로 표시되는 것이 바람직하다.The arylsulfonic acid compound is preferably one represented by the following formula (A) or (B) from the viewpoint of transparency of the thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention.

식(A) 중, A1은 -O- 또는 -S-이지만, -O-가 바람직하다. A2는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 (p2+1)가의 기(즉, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 (p2+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기)이지만, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 바람직하다. A3은 2~4가의 퍼플루오로비페닐기이다. p1은 A1과 A3과의 결합수이며, 2≤p1≤4를 만족시키는 정수이지만, A3이 2가의 퍼플루오로비페닐기이며, 또한 p1이 2인 것이 바람직하다. p2는 A2에 결합하는 술폰산기수이며, 1≤p2≤4를 만족시키는 정수이지만, 2가 적합하다.In formula (A), A 1 is -O- or -S-, but -O- is preferable. A 2 is a (p 2 +1) valent group derived from naphthalene or anthracene (i.e., a group obtained by removing (p 2 + 1) hydrogen atoms from naphthalene or anthracene), but a group derived from naphthalene is preferred. A 3 is a 2-4 valent perfluorobiphenyl group. p 1 is the number of bonds between A 1 and A 3 and is an integer that satisfies 2≤p 1 ≤4. However, it is preferable that A 3 is a divalent perfluorobiphenyl group and p 1 is 2. p 2 is the number of sulfonic acid groups bonded to A 2 and is an integer satisfying 1≤p 2 ≤4, but 2 is suitable.

식(B) 중, A4~A8은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기 또는 탄소수 2~20의 할로겐화알케닐기인데, A4~A8 중 적어도 3개는 할로겐 원자이다. q는 나프탈렌환에 결합하는 술폰산기수이며, 1≤q≤4를 만족시키는 정수이지만, 2~4가 바람직하고, 2가 보다 바람직하다.In formula (B), A 4 to A 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group with 2 to 20 carbon atoms, and A At least 3 of 4 to A 8 are halogen atoms. q is the number of sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring, and is an integer satisfying 1≤q≤4, but 2 to 4 are preferable, and 2 is more preferable.

상기 탄소수 1~20의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코사닐기 등의 직쇄상 또는 분기상 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 비시클로부틸기, 비시클로펜틸기, 비시클로헥실기, 비시클로헵틸기, 비시클로옥틸기, 비시클로노닐기, 비시클로데실기 등의 탄소수 3~20의 환상 알킬기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and sec-butyl group. , tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tride Straight-chain or branched groups such as actual group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosanyl group, etc. Alkyl group; Cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, bicyclobutyl group, bicyclopentyl group, bicyclohexyl group, bicycloheptyl group Cyclic alkyl groups with 3 to 20 carbon atoms, such as tyl group, bicyclooctyl group, bicyclononyl group, and bicyclodecyl group, are included.

상기 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 퍼플루오로에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 퍼플루오로프로필기, 4,4,4-트리플루오로부틸기, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸기, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸기, 퍼플루오로부틸기 등을 들 수 있다. 상기 탄소수 2~20의 할로겐화알케닐기로서는, 퍼플루오로에테닐기, 1-퍼플루오로프로페닐기, 퍼플루오로알릴기, 퍼플루오로부테닐기 등을 들 수 있다.As the halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, perfluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2,2,3,3 ,3-pentafluoropropyl group, perfluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 3,3,4,4,4-pentafluorobutyl group, 2,2,3,3 , 4,4,4-heptafluorobutyl group, perfluorobutyl group, etc. Examples of the halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include perfluoroethenyl group, 1-perfluoropropenyl group, perfluoroallyl group, and perfluorobutenyl group.

상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있는데, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, with the fluorine atom being preferred.

이들 중, A4~A8로서는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 할로겐화알킬기 또는 탄소수 2~10의 할로겐화알케닐기이며, 또한 A4~A8 중 적어도 3개는 불소 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 불화알킬기 또는 탄소수 2~5의 불화알케닐기이며, 또한 A4~A8 중 적어도 3개는 불소 원자인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 탄소수 1~5의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 1~5의 퍼플루오로알케닐기이며, 또한 A4, A5 및 A8이 불소 원자인 것이 한층 더 바람직하다. 또한 퍼플루오로알킬기란 알킬기의 수소 원자 전부가 불소 원자에 치환된 기이며, 퍼플루오로알케닐기란 알케닐기의 수소 원자 전부가 불소 원자에 치환된 기이다.Among these, A 4 to A 8 is a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group with 2 to 10 carbon atoms, and among A 4 to A 8 At least three are preferably fluorine atoms, and are hydrogen atom, fluorine atom, cyano group, alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, fluorinated alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, or fluorinated alkenyl group with 2 to 5 carbon atoms, and also A 4 to A It is more preferable that at least 3 of 8 are fluorine atoms, and are hydrogen atom, fluorine atom, cyano group, perfluoroalkyl group of 1 to 5 carbon atoms or perfluoroalkenyl group of 1 to 5 carbon atoms, and also A 4 , A It is further preferable that 5 and A 8 are fluorine atoms. Additionally, a perfluoroalkyl group is a group in which all hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a perfluoroalkenyl group is a group in which all hydrogen atoms of an alkenyl group are substituted with fluorine atoms.

적합한 아릴술폰산 화합물의 구체예로서는, 이하에 나타내는 것을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Specific examples of suitable arylsulfonic acid compounds include those shown below, but are not limited to these.

상기 아릴술폰산에스테르 화합물로서는, 본 발명의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 박막의 투명성의 점에서, 국제공개 제2017/217455호에 개시된 아릴술폰산에스테르 화합물, 국제공개 제2017/217457호에 개시된 아릴술폰산에스테르 화합물, 일본 특원 2017-243631에 기재된 아릴술폰산에스테르 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the arylsulfonic acid ester compound include, in view of the transparency of the thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention, the arylsulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217455, the arylsulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217457, The aryl sulfonic acid ester compound described in Japanese Patent Application No. 2017-243631, etc. are mentioned.

구체적으로는 저극성 용매로의 용해성의 관점에서, 아릴술폰산에스테르 화합물로서는 하기 식(C)~(E) 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하다.Specifically, from the viewpoint of solubility in low polar solvents, the arylsulfonic acid ester compound is preferably represented by any of the following formulas (C) to (E).

식(C)~(E) 중, m은 1≤m≤4를 만족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다. n은 1≤n≤4를 만족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다.In formulas (C) to (E), m is an integer that satisfies 1≤m≤4, but 2 is preferable. n is an integer that satisfies 1≤n≤4, but 2 is preferable.

식(C) 중, A11은 퍼플루오로비페닐로부터 유도되는 m가의 기(즉, 퍼플루오로비페닐로부터 m개의 불소 원자를 제거하여 얻어지는 기)이다. A12는 -O- 또는 -S-인데, -O-가 바람직하다. A13은 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 (n+1)가의 기(즉, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 (n+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기)이지만, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 바람직하다. Rs1~Rs4는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 탄소수 1~6의 알킬기이며, Rs5는 치환되어 있어도 되는 탄소수 2~20의 1가 탄화수소기이다.In formula (C), A 11 is an m-valent group derived from perfluorobiphenyl (that is, a group obtained by removing m fluorine atoms from perfluorobiphenyl). A 12 is -O- or -S-, with -O- being preferred. A 13 is a (n+1) valent group derived from naphthalene or anthracene (i.e., a group obtained by removing (n+1) hydrogen atoms from naphthalene or anthracene), but a group derived from naphthalene is preferred. R s1 to R s4 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R s5 is a monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms that may be substituted.

Rs1~Rs4로 표시되는 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1~6의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1~3의 알킬기가 바람직하다. 특히, Rs1~Rs4 중, Rs1 또는 Rs3이 탄소수 1~3의 직쇄 알킬기이며, 나머지가 수소 원자이거나, Rs1이 탄소수 1~3의 직쇄 알킬기이며, Rs2~Rs4가 수소 원자인 것이 바람직하다. 이 경우, 탄소수 1~3의 직쇄 알킬기로서는 메틸기가 바람직하다.Examples of linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms represented by R s1 to R s4 include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, and tert-. Butyl group, n-hexyl group, etc. are mentioned. Among these, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable. In particular, among R s1 to R s4 , R s1 or R s3 is a straight-chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and the remainder is a hydrogen atom, or R s1 is a straight-chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R s2 to R s4 are hydrogen atoms. It is desirable to be In this case, a methyl group is preferable as a straight-chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

Rs5로 표시되는 탄소수 2~20의 1가 탄화수소기는, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등의 알킬기; 페닐, 나프틸, 페난트릴기 등의 아릴기 등을 들 수 있다. 또 Rs5로서는 탄소수 2~4의 직쇄 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다.The monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms represented by R s5 may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, and isobutyl group. , sec-butyl group, tert-butyl group, etc.; Aryl groups such as phenyl, naphthyl, and phenanthryl groups can be mentioned. Moreover, R s5 is preferably a straight-chain alkyl group or phenyl group having 2 to 4 carbon atoms.

식(D) 중, A14는 치환되어 있어도 되는, 1개 이상의 방향환을 포함하는 탄소수 6~20의 m가의 탄화수소기이며, 이 탄화수소기는 1개 이상의 방향환을 포함하는 탄소수 6~20의 탄화수소 화합물로부터 m개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. 상기 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등을 들 수 있다. 이들 중, A14로서는 벤젠, 비페닐 등으로부터 유도되는 기가 바람직하다.In formula (D), A 14 is an m-valent hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms containing one or more aromatic rings, which may be substituted, and this hydrocarbon group is a hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms containing one or more aromatic rings. It is a group obtained by removing m hydrogen atoms from a compound. Examples of the hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and phenanthrene. Among these, A 14 is preferably a group derived from benzene, biphenyl, etc.

또한 A14로 표시되는 탄화수소기는, 그 수소 원자의 일부 또는 전부가 또한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 이와 같은 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 아미노기, 실란올기, 티올기, 카르복시기, 술폰산에스테르기, 인산기, 인산에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 1가 탄화수소기, 오르가노옥시기, 오르가노아미노기, 오르가노실릴기, 오르가노티오기, 아실기, 술포기 등을 들 수 있다.In addition, the hydrocarbon group represented by A 14 may have some or all of its hydrogen atoms substituted with a substituent, and such substituents include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, and an amino group. , silanol group, thiol group, carboxyl group, sulfonic acid ester group, phosphate group, phosphate ester group, ester group, thioester group, amide group, monovalent hydrocarbon group, organoxy group, organoamino group, organosilyl group, organothio group. , acyl groups, sulfo groups, etc.

식(D) 중, A15는 -O- 또는 -S-인데, -O-가 바람직하다.In formula (D), A 15 is -O- or -S-, but -O- is preferable.

식(D) 중, A16은 탄소수 6~20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기이며, 이 방향족 탄화수소기는 탄소수 6~20의 방향족 탄화수소 화합물의 방향환 상의 수소 원자를 (n+1)개 제거하여 얻어지는 기이다. 상기 방향족 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등을 들 수 있다. 이들 중, A16으로서는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 기가 바람직하고, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 보다 바람직하다.In formula (D), A 16 is a (n+1) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group is made up of (n+1) hydrogen atoms on the aromatic ring of an aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms. It is a group obtained by removing Examples of the aromatic hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and pyrene. Among these, A 16 is preferably a group derived from naphthalene or anthracene, and more preferably a group derived from naphthalene.

식(D) 중, Rs6 및 Rs7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 1가 지방족 탄화수소기이며, Rs8은 직쇄상 또는 분기상의 1가 지방족 탄화수소기이다. 단, Rs6, Rs7 및 Rs8의 탄소수의 합계는 6 이상이다. Rs6, Rs7 및 Rs8의 탄소수의 합계의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 20 이하가 바람직하고, 10 이하가 보다 바람직하다.In formula (D), R s6 and R s7 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group, and R s8 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group. However, the total number of carbon atoms of R s6 , R s7 and R s8 is 6 or more. The upper limit of the total number of carbon atoms of R s6 , R s7 and R s8 is not particularly limited, but is preferably 20 or less, and more preferably 10 or less.

Rs6, Rs7 및 Rs8로 표시되는 직쇄상 또는 분기상의 1가 지방족 탄화수소기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-헥실기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기 등의 탄소수 1~20의 알킬기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 헥세닐기 등의 탄소수 2~20의 알케닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, Rs6은 수소 원자가 바람직하고, Rs7 및 Rs8은 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 알킬기가 바람직하다.Specific examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon groups represented by R s6 , R s7 and R s8 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and sec-butyl group. alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, such as tert-butyl group, n-hexyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, and decyl group; 2 to 20 carbon atoms, such as vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, isopropenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, and hexenyl group alkenyl groups, etc. are mentioned. Among these, R s6 is preferably a hydrogen atom, and R s7 and R s8 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

식(E) 중, Rs9~Rs13은 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 할로겐화알킬기 또는 탄소수 2~10의 할로겐화알케닐기이다.In formula (E), R s9 to R s13 are each independently a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group with 2 to 10 carbon atoms. am.

Rs9~Rs13으로 표시되는 탄소수 1~10의 알킬기는, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R s9 to R s13 may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, Isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-de Examples include practical skills, etc.

Rs9~Rs13으로 표시되는 탄소수 1~10의 할로겐화알킬기는, 탄소수 1~10의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로필기, 4,4,4-트리플루오로부틸기, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸기, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸기, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다.The halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R s9 to R s13 is not particularly limited as long as it is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Specific examples include trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2,2, 3,3,3-pentafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 3,3,4, 4,4-pentafluorobutyl group, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluo Robutyl group, etc. are mentioned.

Rs9~Rs13으로 표시되는 탄소수 2~10의 할로겐화알케닐기로서는, 탄소수 2~10의 알케닐기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면 특별히 한정되지 않고, 그 구체예로서는 퍼플루오로비닐기, 퍼플루오로-1-프로페닐기, 퍼플루오로-2-프로페닐기, 퍼플루오로-1-부테닐기, 퍼플루오로-2-부테닐기, 퍼플루오로-3-부테닐기 등을 들 수 있다.The halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms represented by R s9 to R s13 is not particularly limited as long as it is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms, and specific examples include perfluoro. Vinyl group, perfluoro-1-propenyl group, perfluoro-2-propenyl group, perfluoro-1-butenyl group, perfluoro-2-butenyl group, perfluoro-3-butenyl group, etc. You can.

이들 중, Rs9로서는 니트로기, 시아노기, 탄소수 1~10의 할로겐화알킬기, 탄소수 2~10의 할로겐화알케닐기가 바람직하고, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1~4의 할로겐화알킬기, 탄소수 2~4의 할로겐화알케닐기가 보다 바람직하며, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로페닐기가 한층 더 바람직하다. Rs10~Rs13으로서는 할로겐 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다.Among these, R s9 is preferably a nitro group, a cyano group, a halogenated alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group with 2 to 10 carbon atoms, and a nitro group, a cyano group, a halogenated alkyl group with 1 to 4 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group with 2 to 4 carbon atoms. A halogenated alkenyl group is more preferable, and a nitro group, cyano group, trifluoromethyl group, and perfluoropropenyl group are even more preferable. As R s10 to R s13 , a halogen atom is preferable and a fluorine atom is more preferable.

식(E) 중, A17은 -O-, -S- 또는 -NH-이지만, -O-가 바람직하다.In formula (E), A 17 is -O-, -S- or -NH-, but -O- is preferred.

식(E) 중, A18은 탄소수 6~20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기이며, 이 방향족 탄화수소기는 탄소수 6~20의 방향족 탄화수소 화합물의 방향환 상의 수소 원자를 (n+1)개 제거하여 얻어지는 기이다. 상기 방향족 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등을 들 수 있다. 이들 중, A18로서는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 기가 바람직하고, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 보다 바람직하다.In formula (E), A 18 is a (n+1) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group is made up of (n+1) hydrogen atoms on the aromatic ring of an aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms. It is a group obtained by removing Examples of the aromatic hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and pyrene. Among these, as A 18 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

식(E) 중, Rs14~Rs17은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 탄소수 1~20의 1가 지방족 탄화수소기이다. 상기 1가 지방족 탄화수소기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기 등의 탄소수 1~20의 알킬기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 헥세닐기 등의 탄소수 2~20의 알케닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1~20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~8의 알킬기가 한층 더 바람직하다.In formula (E), R s14 to R s17 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon groups include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, n-pentyl, cyclopentyl, n- Alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, and n-dodecyl group; 2 to 20 carbon atoms, such as vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, isopropenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, and hexenyl group alkenyl groups, etc. are mentioned. Among these, an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group with 1 to 8 carbon atoms is even more preferable.

식(E) 중, Rs18은 직쇄상 혹은 분기상의 탄소수 1~20의 1가 지방족 탄화수소기, 또는 -ORs19이다. Rs19는 치환되어 있어도 되는 탄소수 2~20의 1가 탄화수소기이다.In formula (E), R s18 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or -OR s19 . R s19 is a monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted.

Rs18로 표시되는 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1~20의 1가 지방족 탄화수소기로서는, Rs14~Rs17의 설명에 있어서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. Rs18이 1가 지방족 탄화수소기인 경우, Rs18은 탄소수 1~20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~8의 알킬기가 한층 더 바람직하다.Examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R s18 include those similar to those exemplified in the description of R s14 to R s17 . When R s18 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group, R s18 is preferably an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkyl group with 1 to 8 carbon atoms.

Rs19로 표시되는 탄소수 2~20의 1가 탄화수소기로서는, 상기 서술한 1가 지방족 탄화수소기 중 메틸기 이외의 것 외에, 페닐, 나프틸, 페난트릴기 등의 아릴기 등을 들 수 있다. 이들 중, Rs19는 탄소수 2~4의 직쇄 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다.Examples of the monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms represented by R s19 include those other than the methyl group among the monovalent aliphatic hydrocarbon groups described above, as well as aryl groups such as phenyl, naphthyl, and phenanthryl groups. Among these, R s19 is preferably a straight-chain alkyl group or phenyl group having 2 to 4 carbon atoms.

또한 상기 1가 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 불소 원자, 탄소수 1~4의 알콕시기, 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있다.Additionally, substituents that the monovalent hydrocarbon group may have include a fluorine atom, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a nitro group, and a cyano group.

적합한 아릴술폰산에스테르 화합물의 구체예로서는, 이하에 나타내는 것을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Specific examples of suitable aryl sulfonic acid ester compounds include those shown below, but are not limited to these.

상기 소정의 아니온과 그 쌍 카티온으로 이루어지는 이온 화합물로서는, 하기 식(F1)으로 표시되는 1가 또는 2가의 아니온과 식(F2)~(F6) 중 어느 하나로 표시되는 쌍 카티온으로 이루어지는 전기적으로 중성인 오늄보레이트염이 바람직하다.As an ionic compound consisting of the above-mentioned predetermined anion and its pair cation, it consists of a monovalent or divalent anion represented by the following formula (F1) and a pair cation represented by any of formulas (F2) to (F6). Electrically neutral onium borate salts are preferred.

식(F1) 중, Ar11~Ar16은 서로 독립적으로 치환기를 가져도 되는 아릴기 또는 치환기를 가져도 되는 헤테로아릴기이다. L은 알킬렌기, -NH-, 산소 원자, 유황 원자 또는 -CN+-이다.In formula (F1), A r11 to A r16 each independently represent an aryl group that may have a substituent or a heteroaryl group that may have a substituent. L is an alkylene group, -NH-, an oxygen atom, a sulfur atom, or -CN + -.

상기 아릴기로서는 탄소수 6~20의 아릴기 등을 들 수 있다. 그 구체예로서는 페닐기, 톨릴기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기 등을 들 수 있다. 이들 중, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기가 바람직하다.Examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl group, tolyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3- Phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, etc. can be mentioned. Among these, phenyl group, tolyl group, and naphthyl group are preferable.

상기 헤테로아릴기로서는 탄소수 2~20의 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. 그 구체예로서는 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-푸라닐기, 3-푸라닐기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 3-이소옥사졸릴기, 4-이소옥사졸릴기, 5-이소옥사졸릴기, 2-티아졸릴기, 4-티아졸릴기, 5-티아졸릴기, 3-이소티아졸릴기, 4-이소티아졸릴기, 5-이소티아졸릴기, 2-이미다졸릴기, 4-이미다졸릴기, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-피라질기, 3-피라질기, 5-피라질기, 6-피라질기, 2-피리미딜기, 4-피리미딜기, 5-피리미딜기, 6-피리미딜기, 3-피리다질기, 4-피리다질기, 5-피리다질기, 6-피리다질기, 1,2,3-트리아진-4-일기, 1,2,3-트리아진-5-일기, 1,2,4-트리아진-3-일기, 1,2,4-트리아진-5-일기, 1,2,4-트리아진-6-일기, 1,3,5-트리아진-2-일기, 1,2,4,5-테트라진-3-일기, 1,2,3,4-테트라진-5-일기, 2-퀴놀리닐기, 3-퀴놀리닐기, 4-퀴놀리닐기, 5-퀴놀리닐기, 6-퀴놀리닐기, 7-퀴놀리닐기, 8-퀴놀리닐기, 1-이소퀴놀리닐기, 3-이소퀴놀리닐기, 4-이소퀴놀리닐기, 5-이소퀴놀리닐기, 6-이소퀴놀리닐기, 7-이소퀴놀리닐기, 8-이소퀴놀리닐기, 2-퀴녹사닐기, 5-퀴녹사닐기, 6-퀴녹사닐기, 2-퀴나졸리닐기, 4-퀴나졸리닐기, 5-퀴나졸리닐기, 6-퀴나졸리닐기, 7-퀴나졸리닐기, 8-퀴나졸리닐기, 3-신놀리닐기, 4-신놀리닐기, 5-신놀리닐기, 6-신놀리닐기, 7-신놀리닐기, 8-신놀리닐기 등을 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group include heteroaryl groups having 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-furanyl group, 3-furanyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 3-isoxazolyl group, 4- Isoxazolyl group, 5-isoxazolyl group, 2-thiazolyl group, 4-thiazolyl group, 5-thiazolyl group, 3-isothiazolyl group, 4-isothiazolyl group, 5-isothiazolyl group , 2-imidazolyl group, 4-imidazolyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4-pyridyl group, 2-pyrazyl group, 3-pyrazyl group, 5-pyrazyl group, 6-pyrazyl group, 2-pyrimidyl group, 4-pyrimidyl group, 5-pyrimidyl group, 6-pyrimidyl group, 3-pyridyl group, 4-pyrimidyl group, 5-pyrimidyl group, 6-pyrimidyl group, 1, 2,3-triazine-4-diyl, 1,2,3-triazine-5-diyl, 1,2,4-triazine-3-diyl, 1,2,4-triazine-5-diyl, 1,2,4-triazine-6-yl group, 1,3,5-triazine-2-yl group, 1,2,4,5-tetrazine-3-yl group, 1,2,3,4-tetra Jin-5-yl group, 2-quinolinyl group, 3-quinolinyl group, 4-quinolinyl group, 5-quinolinyl group, 6-quinolinyl group, 7-quinolinyl group, 8-quinolinyl group, 1- Isoquinolinyl group, 3-isoquinolinyl group, 4-isoquinolinyl group, 5-isoquinolinyl group, 6-isoquinolinyl group, 7-isoquinolinyl group, 8-isoquinolinyl group, 2-quinolinyl group Noxanyl group, 5-quinoxanyl group, 6-quinoxanyl group, 2-quinazolinyl group, 4-quinazolinyl group, 5-quinazolinyl group, 6-quinazolinyl group, 7-quinazolinyl group, 8-quinazolinyl group , 3-cinnolinyl group, 4-cinnolinyl group, 5-cinnolinyl group, 6-cinnolinyl group, 7-cinnolinyl group, 8-cinnolinyl group, etc.

상기 치환기로서는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기 및 탄소수 2~20의 알키닐기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent include a halogen atom, nitro group, cyano group, alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group with 2 to 20 carbon atoms, and alkynyl group with 2 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 1~20의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등의 탄소수 1~20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기 등의 탄소수 3~20의 환상 알킬기를 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1~18의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기가 보다 바람직하다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and sec-butyl group. , linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, such as tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decyl group; Cyclic alkyl groups with 3 to 20 carbon atoms, such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, and cyclodecyl group, are included. Among these, an alkyl group with 1 to 18 carbon atoms is preferable, and an alkyl group with 1 to 8 carbon atoms is more preferable.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

상기 탄소수 2~20의 알케닐기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에테닐기, n-1-프로페닐기, n-2-프로페닐기, 1-메틸에테닐기, n-1-부테닐기, n-2-부테닐기, n-3-부테닐기, 2-메틸-1-프로페닐기, 2-메틸-2-프로페닐기, 1-에틸에테닐기, 1-메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, n-1-펜테닐기, n-1-데세닐기 등을 들 수 있다.The alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include ethenyl group, n-1-propenyl group, n-2-propenyl group, 1-methylethenyl group, n -1-butenyl group, n-2-butenyl group, n-3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1 -propenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, n-1-pentenyl group, n-1-decenyl group, etc.

상기 탄소수 2~20의 알키닐기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에티닐기, n-1-프로피닐기, n-2-프로피닐기, n-1-부티닐기, n-2-부티닐기, n-3-부티닐기, 1-메틸-2-프로피닐기, n-1-펜티닐기, n-2-펜티닐기, n-3-펜티닐기, n-4-펜티닐기, 1-메틸-n-부티닐기, 2-메틸-n-부티닐기, 3-메틸-n-부티닐기, 1,1-디메틸-n-프로피닐기, n-1-헥시닐기, n-1-데시닐기 등을 들 수 있다.The alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include ethynyl group, n-1-propynyl group, n-2-propynyl group, n-1-butynyl group, n -2-butynyl group, n-3-butynyl group, 1-methyl-2-propynyl group, n-1-pentynyl group, n-2-pentynyl group, n-3-pentynyl group, n-4-pentynyl group, 1-methyl-n-butynyl group, 2-methyl-n-butynyl group, 3-methyl-n-butynyl group, 1,1-dimethyl-n-propynyl group, n-1-hexynyl group, n-1-decy Nil group, etc. can be mentioned.

상기 아릴기 및 헤테로아릴기로서는 치환기로서 1 또는 2 이상의 전자 흡인성 기를 가지는 것이 바람직하다. 상기 서술한 치환기 중 전자 흡인성 기로서는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있고, 할로겐 원자가 바람직하고, 불소 원자가 특히 바람직하다.The aryl group and heteroaryl group preferably have one or two or more electron-withdrawing groups as substituents. Among the above-mentioned substituents, examples of the electron-withdrawing group include a halogen atom, a nitro group, and a cyano group. A halogen atom is preferable, and a fluorine atom is particularly preferable.

식(F1) 중, L은 알킬렌기, -NH-, 산소 원자, 유황 원자 또는 -CN+-이지만, -CN+-가 바람직하다.In formula (F1), L is an alkylene group, -NH-, an oxygen atom, a sulfur atom, or -CN + -, but -CN + - is preferable.

상기 알킬렌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 되고, 탄소수 1~20, 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬렌기를 들 수 있다. 그 구체예로서는 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다.The alkylene group may be linear, branched, or cyclic, and examples thereof include alkylene groups having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms. Specific examples include methylene group, methylmethylene group, dimethylmethylene group, ethylene group, trimethylene group, propylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, and hexamethylene group.

본 발명에서 적합하게 사용할 수 있는 식(F1)으로 표시되는 아니온으로서는, 식(F1')으로 표시되는 것을 들 수 있는데, 이것에 한정되지 않는다.Examples of the anion represented by the formula (F1) that can be suitably used in the present invention include those represented by the formula (F1'), but are not limited to this.

본 발명에 있어서, 상기 오늄보레이트염은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또 필요에 따라 공지의 그 밖의 오늄보레이트염을 병용해도 된다. 또한 상기 오늄보레이트염은 예를 들면 일본 특개 2005-314682호 공보 등에 기재된 공지의 방법을 참고로 합성할 수 있다.In the present invention, the above-mentioned onium borate salts may be used individually or in combination of two or more types. Additionally, if necessary, other known onium borate salts may be used together. Additionally, the onium borate salt can be synthesized by referring to known methods described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-314682.

상기 오늄보레이트염은 전하수송성 바니시로의 용해를 용이하게 하기 위해서, 바니시의 조제시에 미리 유기 용매에 녹여두어도 된다. 이와 같은 유기 용매로서는 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 1,2-부틸렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트 등의 카보네이트류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸이소아밀케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등의 다가 알코올 및 그 유도체류; 디옥산 등의 환식 에테르류; 포름산에틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루빈산메틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피루빈산에틸, 에톡시아세트산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸, 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌, 3-페녹시톨루엔, 4-메톡시톨루엔, 벤조산메틸, 시클로헥실벤젠, 테트랄린, 이소포론 등의 방향족 탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들의 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 그 사용량은 상기 오늄보레이트염 100질량부에 대하여, 15~1,000질량부가 바람직하고, 30~500질량부가 보다 바람직하다.In order to facilitate dissolution into the charge-transporting varnish, the onium borate salt may be dissolved in an organic solvent in advance when preparing the varnish. Examples of such organic solvents include carbonates such as propylene carbonate, ethylene carbonate, 1,2-butylene carbonate, dimethyl carbonate, and diethyl carbonate; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; Ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol, monomethyl ether of dipropylene glycol monoacetate, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl polyhydric alcohols and their derivatives such as ether or monophenyl ether; Cyclic ethers such as dioxane; Ethyl formate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate. , 2-hydroxypropionate methyl, 2-hydroxypropionate ethyl, 2-hydroxy-2-methylpropionate ethyl, 2-hydroxy-3-methylbutanoate methyl, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3 -Esters such as methoxybutyl acetate; and aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, 3-phenoxytoluene, 4-methoxytoluene, methyl benzoate, cyclohexylbenzene, tetralin, and isophorone. These solvents may be used individually or in combination of two or more types. The amount used is preferably 15 to 1,000 parts by mass, and more preferably 30 to 500 parts by mass, based on 100 parts by mass of the onium borate salt.

상기 도펀트의 함유량은 도펀트의 종류나 소망하는 전하수송성의 정도에 따라 상이하기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 통상적으로 전하수송성 물질에 대하여 질량비로 0.0001~1000의 범위이다.The content of the dopant cannot be collectively specified because it varies depending on the type of dopant or the desired degree of charge transport, but is usually in the range of 0.0001 to 1000 in terms of mass ratio to the charge transport material.

본 발명의 전하수송성 바니시는 얻어지는 전하수송성 박막의 막 물성의 조정 등을 목적으로 하여, 추가로 유기 실란 화합물을 포함해도 된다. 상기 유기 실란 화합물로서는 디알콕시실란 화합물, 트리알콕시실란 화합물 또는 테트라알콕시실란 화합물을 들 수 있다. 특히, 유기 실란 화합물로서는 디알콕시실란 화합물 또는 트리알콕시실란 화합물이 바람직하고, 트리알콕시실란 화합물이 보다 바람직하다. 유기 실란 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The charge-transporting varnish of the present invention may further contain an organic silane compound for the purpose of adjusting the film properties of the resulting charge-transporting thin film. Examples of the organic silane compound include dialkoxysilane compounds, trialkoxysilane compounds, or tetraalkoxysilane compounds. In particular, the organic silane compound is preferably a dialkoxysilane compound or a trialkoxysilane compound, and a trialkoxysilane compound is more preferable. Organic silane compounds may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

유기 실란 화합물의 함유량은, 전하수송성 물질 및 도펀트의 총질량에 대하여, 통상적으로 0.1~50질량%정도이지만, 얻어지는 박막의 전하수송성의 저하를 억제하고, 또한 본 발명의 전하수송성 박막으로 이루어지는 정공주입층에 접하도록 양극과는 반대측에 적층되는 층(예를 들면 정공수송층이나 발광층)으로의 정공주입능을 높이는 것을 고려하면, 바람직하게는 0.5~40질량%정도, 보다 바람직하게는 0.8~30질량%정도, 한층 더 바람직하게는 1~20질량%정도이다.The content of the organic silane compound is usually about 0.1 to 50% by mass relative to the total mass of the charge-transporting material and the dopant, but it suppresses a decrease in the charge-transporting property of the resulting thin film and further improves hole injection made of the charge-transporting thin film of the present invention. Considering increasing the hole injection ability into the layer (e.g., hole transport layer or light emitting layer) laminated on the side opposite to the anode so as to be in contact with the layer, the amount is preferably about 0.5 to 40% by mass, more preferably 0.8 to 30% by mass. %, more preferably about 1 to 20 mass %.

전하수송성 바니시의 조제 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상기 폴리머 및 필요에 따라 도펀트 등을 임의인 순서로 또는 동시에 유기 용매에 가하는 방법을 들 수 있다. 또 유기 용매가 복수 있는 경우에는, 우선 상기 폴리머 및 필요에 따라 도펀트 등을 1종의 유기 용매에 용해시키고, 그것에 다른 유기 용매를 가해도 되고, 복수의 유기 용매의 혼합 용매에 상기 폴리머 및 필요에 따라 도펀트 등을 순차적으로 또는 동시에 용해시켜도 된다.The method for preparing the charge-transporting varnish is not particularly limited, and examples include a method of adding the above polymer and, if necessary, a dopant, etc. to an organic solvent in a random order or simultaneously. In addition, when there are multiple organic solvents, the polymer and, if necessary, dopants, etc. may first be dissolved in one type of organic solvent, and then another organic solvent may be added thereto, or the polymer and the desired amount may be added to a mixed solvent of a plurality of organic solvents. Accordingly, dopants, etc. may be dissolved sequentially or simultaneously.

본 발명의 전하수송성 바니시는 보다 평탄성이 높은 박막을 재현성 좋게 얻는 관점에서, 상기 폴리머 및 필요에 따라 도펀트 등을 유기 용매에 용해시킨 후, 서브마이크로미터 오더의 필터 등을 사용하여 여과하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of obtaining a thin film with high flatness with good reproducibility, the charge transport varnish of the present invention is preferably dissolved in an organic solvent with the polymer and, if necessary, a dopant, etc., and then filtered using a filter of the submicrometer order. .

본 발명의 전하수송성 바니시의 점도는 통상적으로 25℃에서 1~50mPa·s이다. 또 본 발명의 전하수송성 바니시의 표면장력은 통상적으로 25℃에서 20~50mN/m이다. 또한 점도는 도키산교(주)제 TVE-25형 점도계로 측정한 값이다. 표면장력은 교와카이멘카가쿠(주)제, 자동 표면 장력계 CBVP-Z형으로 측정한 값이다. 바니시의 점도와 표면장력은 소망하는 막두께 등의 각종 요소를 고려하여, 상기 서술한 용매의 종류나 그들의 비율, 고형분 농도 등을 변경함으로써 조정 가능하다.The viscosity of the charge-transporting varnish of the present invention is typically 1 to 50 mPa·s at 25°C. Additionally, the surface tension of the charge-transporting varnish of the present invention is typically 20 to 50 mN/m at 25°C. In addition, the viscosity is a value measured with a TVE-25 type viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. The surface tension is a value measured with an automatic surface tension meter CBVP-Z type manufactured by Kyowakai Chemical Co., Ltd. The viscosity and surface tension of the varnish can be adjusted by considering various factors such as the desired film thickness and changing the types of solvents, their ratios, and solid concentration as described above.

본 발명의 전하수송성 바니시에 있어서, 고형분은 통상적으로 유기 용매에 균일하게 분산 또는 용해하고 있다.In the charge-transporting varnish of the present invention, the solid content is usually uniformly dispersed or dissolved in an organic solvent.

[전하수송성 박막][Charge transport thin film]

본 발명의 전하수송성 박막은 본 발명의 전하수송성 바니시를 기재 상에 도포하고 소성함으로써 형성할 수 있다.The charge-transporting thin film of the present invention can be formed by applying the charge-transporting varnish of the present invention onto a substrate and baking it.

바니시의 도포 방법으로서는 딥법, 스핀 코트법, 전사인쇄법, 롤 코트법, 솔칠, 잉크젯법, 스프레이법, 슬릿 코트법 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. 도포 방법에 따라, 바니시의 점도 및 표면장력을 조절하는 것이 바람직하다.Methods for applying varnish include, but are not limited to, dip method, spin coat method, transfer printing method, roll coat method, brushing, inkjet method, spray method, and slit coat method. Depending on the application method, it is desirable to control the viscosity and surface tension of the varnish.

또 도포 후의 전하수송성 바니시의 소성 분위기도 특별히 한정되지 않고, 대기 분위기 뿐만아니라, 질소 등의 불활성 가스나 진공 중이이라도 균일한 성막면 및 높은 전하수송성을 가지는 박막을 얻을 수 있다. 함께 사용하는 도펀트의 종류에 따라서는 바니시를 대기 분위기하에서 소성함으로써 전하수송성을 가지는 박막이 재현성 좋게 얻어지는 경우가 있다.Additionally, the firing atmosphere of the charge-transporting varnish after application is not particularly limited, and a thin film with a uniform film-forming surface and high charge-transporting properties can be obtained not only in an air atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or in a vacuum. Depending on the type of dopant used together, a thin film with charge transport properties may be obtained with good reproducibility by baking the varnish in an atmospheric atmosphere.

소성 온도는 얻어지는 박막의 용도, 얻어지는 박막에 부여하는 전하수송성의 정도, 용매의 종류나 비점 등을 감안하여, 100~260℃정도의 범위 내에서 적절하게 설정되며, 얻어지는 박막을 유기 EL 소자의 정공주입층으로서 사용하는 경우, 140~250℃정도가 바람직하고, 145~240℃정도가 보다 바람직하다. 또한 소성시 보다 높은 균일 성막성을 발현시키거나, 기재 상에서 반응을 진행시키거나 할 목적으로, 2단계 이상의 온도 변화를 두어도 되고, 가열은 예를 들면 핫플레이트나 오븐 등 적당한 기기를 사용하여 행하면 된다.The firing temperature is appropriately set within the range of about 100 to 260°C, taking into account the use of the resulting thin film, the degree of charge transport properties imparted to the resulting thin film, the type and boiling point of the solvent, etc., and the resulting thin film is used to heat the organic EL device. When used as an injection layer, the temperature is preferably about 140 to 250°C, and the temperature is more preferably about 145 to 240°C. In addition, for the purpose of achieving higher uniform film forming properties during firing or advancing the reaction on the substrate, a temperature change of two or more stages may be made, and heating may be performed using a suitable device such as a hot plate or oven, for example. .

전하수송성 박막의 막두께는 특별히 한정되지 않지만, 유기 EL 소자의 정공주입층, 정공수송층 또는 정공주입수송층 등의 양극과 발광층 사이에 마련되는 기능층으로서 사용하는 경우, 5~300nm가 바람직하다. 막두께를 변화시키는 방법으로서는 바니시 중의 고형분 농도를 변화시키거나, 도포시의 기판 상의 액량을 변화시키거나 하는 등의 방법이 있다.The film thickness of the charge-transporting thin film is not particularly limited, but when used as a functional layer provided between the anode and the light-emitting layer, such as a hole injection layer, hole transport layer, or hole injection and transport layer of an organic EL device, 5 to 300 nm is preferable. Methods for changing the film thickness include changing the solid content concentration in the varnish or changing the amount of liquid on the substrate at the time of application.

본 발명의 전하수송성 박막은 400~800nm의 파장 영역의 평균값으로, 1.6 이상의 굴절률과 0.030 이하의 소쇠계수를 나타내는데, 어느 태양에 있어서는 1.65 이상의 굴절률을, 그 밖의 어느 태양에 있어서는 1.70 이상의 굴절률을 나타내고, 또 어느 태양에 있어서는 0.020 이하의 소쇠계수를, 그 밖의 어느 태양에 있어서는 0.015 이하의 소쇠계수를 나타낸다. 또한 본 발명에 있어서, 굴절률 및 소쇠계수는 예를 들면 제이·에이·울람사제, 다입사각 분광 엘립소미터 VASE를 사용하여 측정할 수 있다.The charge-transporting thin film of the present invention exhibits a refractive index of 1.6 or more and an extinction coefficient of 0.030 or less as the average value of the wavelength range of 400 to 800 nm. In some embodiments, it exhibits a refractive index of 1.65 or more, and in other embodiments, a refractive index of 1.70 or more, In some embodiments, the extinction coefficient is 0.020 or less, and in other embodiments, the extinction coefficient is 0.015 or less. In addition, in the present invention, the refractive index and extinction coefficient can be measured using, for example, a multiple incidence spectroscopic ellipsometer VASE manufactured by J.A. Woolam.

[유기 EL 소자][Organic EL device]

본 발명의 유기 EL 소자는 한 쌍의 전극을 가지고, 이들 전극 사이에 본 발명의 전하수송성 박막으로 이루어지는 기능층을 가지는 것이다.The organic EL device of the present invention has a pair of electrodes, and has a functional layer made of the charge-transporting thin film of the present invention between these electrodes.

유기 EL 소자의 대표적인 구성으로서는, 이하의 (a)~(f)를 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. 또한 하기 구성에 있어서, 필요에 따라, 발광층과 양극 사이에 전자블록층 등을, 발광층과 음극 사이에 홀(정공)블록층 등을 마련할 수도 있다. 또 정공주입층, 정공수송층 또는 정공주입수송층이 전자블록층 등으로서의 기능을 겸비하고 있어도 되고, 전자주입층, 전자수송층 또는 전자주입수송층이 홀블록층 등으로서의 기능을 겸비하고 있어도 된다. 또한 필요에 따라 각 층 사이에 임의의 기능층을 마련하는 것도 가능하다.Representative structures of organic EL elements include (a) to (f) below, but are not limited to these. Additionally, in the following configuration, if necessary, an electron blocking layer or the like may be provided between the light emitting layer and the anode, and a hole blocking layer or the like may be provided between the light emitting layer and the cathode. Additionally, the hole injection layer, the hole transport layer or the hole injection and transport layer may have a function as an electron blocking layer, etc., and the electron injection layer, the electron transport layer or the electron injection and transport layer may have a function as a hole blocking layer and the like. Additionally, it is possible to provide arbitrary functional layers between each layer as needed.

(a)양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(a) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(b)양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자주입수송층/음극(b) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron injection and transport layer/cathode

(c)양극/정공주입수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(c) Anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(d)양극/정공주입수송층/발광층/전자주입수송층/음극(d) Anode/hole injection and transport layer/light emitting layer/electron injection and transport layer/cathode

(e)양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(e) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(f)양극/정공주입수송층/발광층/음극(f) Anode/hole injection transport layer/light emitting layer/cathode

「정공주입층」, 「정공수송층」 및 「정공주입수송층」이란 발광층과 양극 사이에 형성되는 층으로서, 정공을 양극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 가지는 것이다. 발광층과 양극 사이에 정공수송성 재료의 층이 1층만 마련되는 경우, 그것이 「정공주입수송층」이며, 발광층과 양극 사이에 정공수송성 재료의 층이 2층 이상 마련되는 경우, 양극에 가까운 층이 「정공주입층」이며, 그 이외의 층이 「정공수송층」이다. 특히, 정공주입(수송)층은 양극으로부터의 정공수용성 뿐만아니라, 정공수송(발광)층으로의 정공주입성도 우수한 박막이 사용된다.“Hole injection layer,” “hole transport layer,” and “hole injection and transport layer” are layers formed between a light-emitting layer and an anode, and have the function of transporting holes from the anode to the light-emitting layer. When only one layer of hole-transporting material is provided between the light-emitting layer and the anode, it is a “hole injection and transport layer,” and when two or more layers of hole-transporting material are provided between the light-emitting layer and the anode, the layer close to the anode is a “hole injection and transport layer.” It is an “injection layer,” and the other layers are a “hole transport layer.” In particular, the hole injection (transport) layer is a thin film that not only has excellent hole acceptance from the anode, but also has excellent hole injection properties into the hole transport (light emitting) layer.

「전자주입층」, 「전자수송층」 및 「전자주입수송층」이란 발광층과 음극 사이에 형성되는 층으로서, 전자를 음극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 가지는 것이다. 발광층과 음극 사이에 전자수송성 재료의 층이 1층만 마련되는 경우, 그것이 「전자주입수송층」이며, 발광층과 음극 사이에 전자수송성 재료의 층이 2층 이상 마련되는 경우, 음극에 가까운 층이 「전자주입층」이며, 그 이외의 층이 「전자수송층」이다.“Electron injection layer,” “electron transport layer,” and “electron injection and transport layer” are layers formed between a light-emitting layer and a cathode, and have the function of transporting electrons from the cathode to the light-emitting layer. When only one layer of electron-transporting material is provided between the light-emitting layer and the cathode, it is an “electron injection and transport layer,” and when two or more layers of electron-transporting material are provided between the light-emitting layer and the cathode, the layer close to the cathode is the “electron injection and transport layer.” It is an “injection layer,” and the other layers are “electron transport layers.”

「발광층」이란 발광 기능을 가지는 유기층으로서, 도핑 시스템을 채용하는 경우, 호스트 재료와 도펀트 재료를 포함하고 있다. 이 때, 호스트 재료는 주로 전자와 정공의 재결합을 촉진시키고, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가지며, 도펀트 재료는 재결합으로 얻어진 여기자를 효율적으로 발광시키는 기능을 가진다. 인광 소자의 경우, 호스트 재료는 주로 도펀트에서 생성된 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가진다.The “light-emitting layer” is an organic layer with a light-emitting function, and when a doping system is used, it contains a host material and a dopant material. At this time, the host material mainly promotes recombination of electrons and holes and has the function of confining excitons in the light-emitting layer, and the dopant material has the function of efficiently emitting excitons obtained through recombination. In the case of phosphorescent devices, the host material mainly has the function of confining excitons generated from dopants within the light-emitting layer.

본 발명의 전하수송성 박막은 유기 EL 소자에 있어서 양극과 발광층 사이에 마련되는 기능층으로서 적합하게 사용할 수 있고, 정공주입층, 정공수송층, 정공주입수송층으로서 보다 적합하게 사용할 수 있으며, 정공주입층으로서 한층 더 적합하게 사용할 수 있다.The charge-transporting thin film of the present invention can be suitably used as a functional layer provided between an anode and a light-emitting layer in an organic EL device, and can be more suitably used as a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole injection and transport layer, and as a hole injection layer. It can be used even more suitably.

본 발명의 전하수송성 바니시를 사용하여 유기 EL 소자를 제작하는 경우의 사용 재료나 제작 방법으로서는, 하기와 같은 것을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.When producing an organic EL device using the charge-transporting varnish of the present invention, the materials and production methods used include the following, but are not limited to these.

본 발명의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 전하수송성 박막으로 이루어지는 정공주입층을 가지는 유기 EL 소자의 제작 방법의 일례는 이하와 같다. 또한 전극은 전극에 악영향을 주지 않는 범위에서, 알코올, 순수 등에 의한 세정이나, UV 오존 처리, 산소-플라즈마 처리 등에 의한 표면 처리를 미리 행하는 것이 바람직하다.An example of a method for manufacturing an organic EL device having a hole injection layer made of a charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention is as follows. In addition, it is desirable to previously clean the electrode with alcohol, pure water, etc., or surface treat it with UV ozone treatment, oxygen-plasma treatment, etc., to the extent that it does not adversely affect the electrode.

양극 기판 상에, 상기 방법에 의해 본 발명의 전하수송성 바니시를 사용하여 정공주입층을 형성한다. 이것을 진공 증착 장치 내에 도입하고, 정공수송층, 발광층, 전자수송층/홀블록층, 전자주입층, 음극 금속을 순차적으로 증착한다. 또는 당해 방법에 있어서 증착으로 정공수송층과 발광층을 형성하는 대산에, 정공수송성 고분자를 포함하는 정공수송층 형성용 조성물과 발광성 고분자를 포함하는 발광층 형성용 조성물을 사용하여 웨트 프로세스에 의해 이들 층을 형성한다. 또한 필요에 따라, 발광층과 정공수송층 사이에 전자블록층을 마련하면 된다.On the anode substrate, a hole injection layer is formed using the charge-transporting varnish of the present invention by the above method. This is introduced into a vacuum deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer/hole blocking layer, an electron injection layer, and a cathode metal are sequentially deposited. Alternatively, in this method, a composition for forming a hole transport layer containing a hole transporting polymer and a composition for forming a light emitting layer containing a light emitting polymer are used as an alternative to forming the hole transport layer and the light emitting layer by vapor deposition, and these layers are formed by a wet process. . Additionally, if necessary, an electron blocking layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer.

상기 양극 재료로서는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)로 대표되는 투명 전극이나, 알루미늄으로 대표되는 금속, 또는 이들의 합금 등으로 구성되는 금속 양극을 들 수 있고, 평탄화 처리를 행한 것이 바람직하다. 고전하 수송성을 가지는 폴리티오펜 유도체나 폴리아닐린 유도체를 사용할 수도 있다. 또한 금속 양극을 구성하는 그 밖의 금속으로서는 금, 은, 구리, 인듐이나 이들의 합금 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the anode material include transparent electrodes such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), metal anodes made of metals such as aluminum, and alloys thereof, and those that have been subjected to planarization treatment. desirable. Polythiophene derivatives or polyaniline derivatives having high charge transport properties can also be used. Additionally, other metals constituting the metal anode include gold, silver, copper, indium, and alloys thereof, but are not limited to these.

상기 정공수송층을 형성하는 재료로서는 (트리페닐아민)다이머 유도체, [(트리페닐아민)다이머]스피로다이머, N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘(α-NPD), 4,4',4''-트리스[3-메틸페닐(페닐)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 4,4',4''-트리스[1-나프틸(페닐)아미노]트리페닐아민(1-TNATA) 등의 트리아릴아민류, 5,5''-비스-{4-[비스(4-메틸페닐)아미노]페닐}-2,2':5',2''-터티오펜(BMA-3T) 등의 올리고티오펜류 등을 들 수 있다.Materials forming the hole transport layer include (triphenylamine)dimer derivatives, [(triphenylamine)dimer]spirodimer, N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl) -benzidine (α-NPD), 4,4',4''-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine (m-MTDATA), 4,4',4''-tris[1-naph Triarylamines such as tyl(phenyl)amino]triphenylamine (1-TNATA), 5,5''-bis-{4-[bis(4-methylphenyl)amino]phenyl}-2,2':5' and oligothiophenes such as 2''-terthiophene (BMA-3T).

상기 발광층을 형성하는 재료로서는 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착체 등의 금속 착체, 10-히드록시벤조[h]퀴놀린의 금속 착체, 비스스티릴벤젠 유도체, 비스스티릴아릴렌 유도체, (2-히드록시페닐)벤조티아졸의 금속 착체, 실롤 유도체 등의 저분자 발광 재료; 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌], 폴리(3-알킬티오펜), 폴리비닐카르바졸 등의 고분자 화합물에 발광 재료와 전자 이동 재료를 혼합한 계 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Materials for forming the light-emitting layer include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline, metal complexes of 10-hydroxybenzo[h]quinoline, bistyrylbenzene derivatives, bistyrylarylene derivatives, and (2-hydroxyl). Low-molecular-weight light-emitting materials such as metal complexes of roxyphenyl)benzothiazole and silol derivatives; Poly(p-phenylenevinylene), poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene], poly(3-alkylthiophene), polyvinylcarboxylic Systems in which a light-emitting material and an electron transfer material are mixed with a polymer compound such as Bazole can be mentioned, but are not limited to these.

또 증착으로 발광층을 형성하는 경우, 발광성 도펀트와 공증착해도 되고, 상기 발광성 도펀트로서는 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)(Ir(ppy)3) 등의 금속 착체나, 루브렌 등의 나프타센 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 페릴렌 등의 축합 다환 방향족환 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.In addition, when forming the light-emitting layer by vapor deposition, it may be co-deposited with a light-emitting dopant, and the light-emitting dopant may be a metal complex such as tris(2-phenylpyridine)iridium(III) (Ir(ppy) 3 ) or a naphtha such as rubrene. Condensed polycyclic aromatic rings such as Cene derivatives, quinacridone derivatives, and perylene are included, but are not limited to these.

상기 전자수송층/홀블록층을 형성하는 재료로서는 옥시디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 페닐퀴녹살린 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 피리미딘 유도체 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Materials forming the electron transport layer/hole blocking layer include, but are not limited to, oxidiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, phenylquinoxaline derivatives, benzimidazole derivatives, and pyrimidine derivatives. .

상기 전자주입층을 형성하는 재료로서는 산화리튬(Li2O), 산화마그네슘(MgO), 알루미나(Al2O3) 등의 금속 산화물, 불화리튬(LiF), 불화나트륨(NaF)의 금속 불화물 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Materials forming the electron injection layer include metal oxides such as lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), and alumina (Al 2 O 3 ), and metal fluorides such as lithium fluoride (LiF) and sodium fluoride (NaF). can be mentioned, but it is not limited to these.

상기 음극 재료로서는 알루미늄, 마그네슘-은 합금, 알루미늄-리튬 합금 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the cathode material include aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, etc., but are not limited to these.

상기 전자블록층을 형성하는 재료로서는 트리스(페닐피라졸)이리듐 등을 들 수 있는데, 이것에 한정되지 않는다.Materials forming the electron blocking layer include, but are not limited to, tris(phenylpyrazole)iridium.

상기 정공수송성 고분자로서는 폴리[(9,9-디헥실플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,4-디아미노페닐렌)], 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,1'-비페닐렌-4,4-디아민)], 폴리[(9,9-비스{1'-펜텐-5'-일}플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,4-디아미노 페닐렌)], 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘]-엔드 캡드 위드 폴리실세스퀴옥산, 폴리[(9,9-디디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(p-부틸페닐))디페닐아민)] 등을 들 수 있다.Examples of the hole-transporting polymer include poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene) ], poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4,4 -diamine)], poly[(9,9-bis{1'-penten-5'-yl}fluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl} -1,4-diaminophenylene)], poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]-end capped with polysilsesquioxane, poly [(9,9-didioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)] and the like.

상기 발광성 고분자로서는 폴리(9,9-디알킬플루오렌)(PDAF) 등의 폴리플루오렌 유도체, 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥속시)-1,4-페닐렌비닐렌)(MEH-PPV) 등의 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리(3-알킬티오펜)(PAT) 등의 폴리티오펜 유도체, 폴리비닐카르바졸(PVCz) 등을 들 수 있다.Examples of the luminescent polymer include polyfluorene derivatives such as poly(9,9-dialkylfluorene) (PDAF), and poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinyl. Examples include polyphenylenevinylene derivatives such as ren) (MEH-PPV), polythiophene derivatives such as poly(3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).

양극, 음극 및 이들 사이에 형성되는 층을 구성하는 재료는, 바텀 에미션 구조, 탑 에미션 구조의 어느 것을 갖추는 소자를 제조할지에 따라 상이하기 때문에, 그 점을 고려하여 적절하게 재료를 선택한다.Since the materials constituting the anode, cathode, and the layer formed between them differ depending on whether a device having a bottom emission structure or a top emission structure is to be manufactured, the material is selected appropriately by taking that into consideration. .

통상적으로 바텀 에미션 구조의 소자에서는, 기판측에 투명 양극이 사용되고, 기판측으로부터 광이 취출되는 것에 대해, 탑 에미션 구조의 소자에서는, 금속으로 이루어지는 반사 양극이 사용되고, 기판과 반대 방향에 있는 투명 전극(음극)측으로부터 광이 취출된다. 그 때문에 예를 들면 양극 재료에 대해서 서술하면, 바텀 에미션 구조의 소자를 제조할 때는 ITO 등의 투명 양극을, 탑 에미션 구조의 소자를 제조할 때는 Al/Nd 등의 반사 양극을 각각 사용한다.Typically, in devices with a bottom emission structure, a transparent anode is used on the substrate side, and light is extracted from the substrate side, whereas in devices with a top emission structure, a reflective anode made of metal is used, and the light is extracted from the substrate side. Light is extracted from the transparent electrode (cathode) side. Therefore, for example, when talking about anode materials, transparent anodes such as ITO are used when manufacturing devices with a bottom emission structure, and reflective anodes such as Al/Nd are used when manufacturing devices with a top emission structure. .

본 발명의 유기 EL 소자는 특성 열화를 막기 위해서, 정법에 따라, 필요에 따라 포수제 등과 함께 밀봉해도 된다.In order to prevent deterioration of properties, the organic EL device of the present invention may be sealed with a catcher or the like according to a conventional method as necessary.

(실시예)(Example)

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기 실시예에 한정되지 않는다. 또한 사용한 장치는 이하와 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples, but the present invention is not limited to the following examples. Additionally, the device used is as follows.

(1)1H-NMR:브루커·바이오스핀(주)제, 핵자기 공명 분광계 AVANCE III HD 500MHz(1) 1 H-NMR: Nuclear magnetic resonance spectrometer AVANCE III HD 500MHz manufactured by Bruker Biospin Co., Ltd.

(2)기판 세정:조슈산교(주)제, 기판 세정 장치(감압 플라즈마 방식)(2) Substrate cleaning: Made by Joshu Sangyo Co., Ltd., substrate cleaning device (reduced pressure plasma method)

(3)바니시의 도포:미카사(주)제, 스핀 코터 MS-A100(3) Application of varnish: Mikasa Co., Ltd. product, spin coater MS-A100

(4)막두께 측정:(주)고사카켄큐쇼제, 미세 형상 측정기 서프코더 ET-4000(4)Film thickness measurement: Fine shape measuring instrument Surfcoder ET-4000, manufactured by Kosaka Kenkyusho Co., Ltd.

(5)단층 소자(SLD) 및 홀 온리 소자(HOD)의 제작:조슈산교(주)제, 다기능 증착 장치 시스템 C-E2L1G1-N(5) Fabrication of single-layer devices (SLD) and hole-only devices (HOD): Multifunctional deposition equipment system C-E2L1G1-N, manufactured by Choshu Sangyo Co., Ltd.

(6)SLD 및 HOD의 전기 특성 등의 측정:(주)이에이치씨제, 다채널 IVL 측정 장치(6) Measurement of electrical characteristics of SLD and HOD: EHC Co., Ltd., multi-channel IVL measurement device

(7)굴절률 및 소쇠계수의 측정:제이·에이·울람사제, 다입사각 분광 엘립소미터 VASE(7) Measurement of refractive index and extinction coefficient: Multiple incident angle spectroscopic ellipsometer VASE manufactured by J.A. Ulam.

(8)TG-DTA의 측정:(주)리가쿠제, 시차열 열중량 분석계 TG8120(8) Measurement of TG-DTA: Differential heat thermogravimetric analyzer TG8120, manufactured by Rigaku Co., Ltd.

(9)중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn) 측정:(주)시마즈세이사쿠쇼제 GPC 장치, 오토샘플러 SIL-10AF, 데구사 DGU-20As, 칼럼 오븐 CTO-20A, 시차 굴절률 검출기 RID-10A(칼럼:쇼와덴코(주)제, Shodex GPC KF-805L 및 KF-804L, 칼럼 온도 40℃, 검출기:UV 검출기(254nm), 용리액:THF, 칼럼 유속:1.0mL/분)(9) Measurement of weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn): GPC device manufactured by Shimadzu Corporation, autosampler SIL-10AF, Degusa DGU-20As, column oven CTO-20A, differential refractive index detector RID -10A (Column: Showa Denko Co., Ltd., Shodex GPC KF-805L and KF-804L, column temperature 40°C, detector: UV detector (254 nm), eluent: THF, column flow rate: 1.0 mL/min)

합성에 사용한 시약 및 용매로서는, Pd(dba)2, Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2, 아세트산칼륨, 비스(피나콜라토)디보론, 2-아미노-N-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N-(4-브로모페닐)-9,9디메틸플루오렌, 붕산트리메틸, 리튬비스(트리메틸실릴)아미드 1.3mol/L 테트라히드로푸란 용액, 무수 말레인산, 트리에틸아민, 4-비닐페닐보론산, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 및 아니솔은 도쿄카세이코교(주)제의 것을, 톨루엔, 헥산, 아세트산에틸, 에탄올, 아세토니트릴, 디메틸포름아미드 및 메탄올 준세이카가쿠(주)제의 것을, AIBN 및 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라토는 후지필름와코케미컬(주)제의 것을, 탄산나트륨, 디옥산, 부틸리튬 1.56mol/L 헥산 용액, 디클로로메탄 및 실리카겔 N60은 간토카가쿠(주)제의 것을, 1-브로모-4-(1-프로펜-2-일)벤젠은 Merck사제의 것을, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 및 2-브로모-7-요오도-9,9-디메틸-9H-플루오렌은 Suna Tech Inc사제의 것을 사용했다.Reagents and solvents used in the synthesis include Pd(dba) 2 , Pd(dppf)Cl 2 ·CH 2 Cl 2 , potassium acetate, bis(pinacolato)diborone, 2-amino-N-[(1,1' -Biphenyl)-4-yl]-N-(4-bromophenyl)-9,9dimethylfluorene, trimethyl borate, lithium bis(trimethylsilyl)amide 1.3mol/L tetrahydrofuran solution, maleic anhydride, trimethylbenzene Ethylamine, 4-vinylphenylboronic acid, tetrakistriphenylphosphine palladium, and anisole are from Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd., toluene, hexane, ethyl acetate, ethanol, acetonitrile, dimethylformamide, and methanol are from Junsei. Those manufactured by Kagaku Co., Ltd., AIBN and tri-tert-butylphosphonium tetrafluoroborato are manufactured by Fujifilm Wako Chemical Co., Ltd., sodium carbonate, dioxane, butyllithium 1.56 mol/L hexane solution, dichloro Methane and silica gel N60 were from Kanto Chemical Co., Ltd., 1-bromo-4-(1-propen-2-yl)benzene was from Merck, and 3-(7-bromo-9,9) -Dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole and 2-bromo-7-iodo-9,9-dimethyl-9H-fluorene are manufactured by Suna Tech Inc. did.

[1] 모노머의 합성[1] Synthesis of monomers

[비교합성예 1] 모노머 M-X의 합성[Comparative Synthesis Example 1] Synthesis of monomer M-X

국제공개 제2014/132834호의 합성예 1의 방법에 준한 방법에 의해, 4-아미노트리페닐아민을 합성했다. 또한 배위자로서, 트리(tert-부틸)포스핀 대신에 트리페닐-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라토를 사용했다.4-Aminotriphenylamine was synthesized by a method similar to the method of Synthesis Example 1 of International Publication No. 2014/132834. Additionally, as a ligand, triphenyl-tert-butylphosphonium tetrafluoroborato was used instead of tri(tert-butyl)phosphine.

가지가 있는 플라스크에, 4-아미노트리페닐아민 5.00g 및 무수 말레인산 2.06g을 가하여 잘 교반하고, 그것에 아세트산 35mL를 천천히 가하여, 혼합물이 균일하게 분산될 때까지 추가로 교반을 계속했다.To the branched flask, 5.00 g of 4-aminotriphenylamine and 2.06 g of maleic anhydride were added and stirred well, 35 mL of acetic acid was slowly added thereto, and stirring was continued until the mixture was uniformly dispersed.

이어서, 얻어진 혼합물을 120℃까지 승온시켜 20시간 가열 환류하고, 반응 혼합물을 방랭했다. 방랭한 반응 혼합물을 물 300mL에 가하고, 그것에 아세트산에틸 300mL를 가하여 분액 처리를 행하고, 유기층을 회수했다.Next, the temperature of the obtained mixture was raised to 120°C, heated to reflux for 20 hours, and the reaction mixture was left to cool. The reaction mixture left to cool was added to 300 mL of water, 300 mL of ethyl acetate was added thereto, a liquid separation treatment was performed, and the organic layer was recovered.

회수한 유기층을 물, 포화 식염수를 사용하여 순차적으로 세정한 후, 세정한 유기층으로부터 용매를 감압하에서 제거하여, 조생성물을 얻었다. 이 조생성물을 실리카 칼럼 크로마토그래피(전개 용매:헥산/아세트산에틸=4/1(v/v))로 정제하여, 목적으로 하는 모노머 M-X를 얻었다(수량 5.00g, 수율 76%).The recovered organic layer was sequentially washed with water and saturated saline solution, and then the solvent was removed from the washed organic layer under reduced pressure to obtain a crude product. This crude product was purified by silica column chromatography (developing solvent: hexane/ethyl acetate = 4/1 (v/v)) to obtain the target monomer M-X (amount 5.00 g, yield 76%).

[합성예 1] 모노머 M-A의 합성[Synthesis Example 1] Synthesis of monomer M-A

(1) 3-(7-아미노-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸의 합성(1) Synthesis of 3-(7-amino-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole

반응 용기에, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 10g, Pd(dba)2 0.89g 및 트리페닐-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라토 0.45g을 가하고, 반응 용기 내를 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, 10 g 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, 0.89 g Pd(dba) 2 and triphenyl-tert. - 0.45 g of butylphosphonium tetrafluoroborate was added, and the inside of the reaction vessel was degassed and then placed in a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응 용기 내에, 톨루엔 74mL를 가하고, 플라스크 내의 혼합물을 교반하면서, 그것에 천천히 리튬비스(트리메틸실릴)아미드 1.3mol/L 테트라히드로푸란 용액 26.1mL(리튬비스(트리메틸실릴)아미드 33.93mmol 상당)를 가했다. 그리고, TLC에 의해 반응을 추적하면서 플라스크 내의 혼합물을 20시간 교반하고, 원료인 4-브로모-N,N-디페닐아닐린의 소실을 확인한 후, 반응 혼합물을 0℃로 냉각했다. 냉각한 반응 혼합물에 1규정의 염산 수용액 100mL를 가하여, 혼합물의 pH를 3으로 조정하고, 이어서, 염화나트륨 수용액(농도 2mol/L)을 가하여, 혼합물의 pH를 12로 조정했다.Next, 74 mL of toluene was added to the reaction vessel, and while stirring the mixture in the flask, 26.1 mL of a 1.3 mol/L tetrahydrofuran solution of lithium bis(trimethylsilyl)amide (equivalent to 33.93 mmol of lithium bis(trimethylsilyl)amide) was slowly added thereto. I did it. Then, the mixture in the flask was stirred for 20 hours while tracking the reaction by TLC, and after confirming the disappearance of the raw material 4-bromo-N,N-diphenylaniline, the reaction mixture was cooled to 0°C. 100 mL of 1N aqueous hydrochloric acid solution was added to the cooled reaction mixture to adjust the pH of the mixture to 3, and then an aqueous sodium chloride solution (concentration of 2 mol/L) was added to adjust the pH of the mixture to 12.

이 pH를 조정한 혼합물을 KC 플록을 사용하여 흡인 여과하고, KC 플록을 톨루엔으로 세정하고, 이 톨루엔도 여과액으로서 회수했다. 여과액의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 여과액의 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 칼럼 크로마토그래피(칼럼:SiO2, 전개 용매:헥산/아세트산에틸=4/1(트리에틸아민, 1%))로 정제하여, 3-(7-아미노-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸을 얻었다(수량 7.52g, 수율 94%).This pH-adjusted mixture was suction filtered using KC floc, the KC floc was washed with toluene, and this toluene was also recovered as a filtrate. The aqueous layer and the organic layer of the filtrate were divided, the aqueous layer was mixed well with toluene to recover the toluene, combined with the organic layer of the filtrate, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a crude product. The obtained crude product was purified by column chromatography (column: SiO 2 , developing solvent: hexane/ethyl acetate = 4/1 (triethylamine, 1%)), and 3-(7-amino-9,9-dimethyl- 9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole was obtained (yield 7.52 g, yield 94%).

(2) 모노머 M-A의 합성(2) Synthesis of monomer M-A

4-아미노트리페닐아민 대신에 3-(7-아미노-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸을 사용한 것 이외에는 비교합성예 1과 동일한 방법으로 모노머 M-A를 얻었다(수량 3.24g, 수율 50%). 모노머 M-A의 1H-NMR 스펙트럼을 이하에 나타낸다.Same method as Comparative Synthesis Example 1 except that 3-(7-amino-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole was used instead of 4-aminotriphenylamine Monomer MA was obtained (yield 3.24 g, yield 50%). The 1 H-NMR spectrum of monomer MA is shown below.

[합성예 1-2] 모노머 M-B의 합성[Synthesis Example 1-2] Synthesis of monomer M-B

가지가 있는 플라스크에, 4-비닐페닐보론산 4.6g, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 8g, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 0.54g, 탄산나트륨 4.94g, 톨루엔 105mL, 에탄올 25mL 및 물 23mL를 가하여 잘 교반하고, 얻어진 혼합물을 80℃로 승온하여, 2시간 교반했다.In a branched flask, 4.6 g of 4-vinylphenylboronic acid, 8 g of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, tetra 0.54 g of kistriphenylphosphine palladium, 4.94 g of sodium carbonate, 105 mL of toluene, 25 mL of ethanol, and 23 mL of water were added and stirred well. The resulting mixture was heated to 80°C and stirred for 2 hours.

실온까지 방랭한 후, 2층의 분리된 반응 혼합물의 수층을 회수하고, 회수한 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 회수한 톨루엔과 반응 혼합물의 유기층을 합쳐, 이것을 포화 식염수로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 아세토니트릴에 가하여 실온에서 1시간 잘 교반하고, 녹고 남은 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 모노머 M-B를 얻었다(수량 5.49g, 수율 66%). 모노머 M-B의 1H-NMR 스펙트럼을 이하에 나타낸다.After cooling to room temperature, the aqueous layer of the two separated reaction mixture was recovered, the recovered aqueous layer was well mixed with toluene to recover this toluene, the recovered toluene and the organic layer of the reaction mixture were combined, and this was washed with saturated saline solution. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure, and the crude product was obtained. The obtained crude product was added to acetonitrile and stirred at room temperature for 1 hour, and the dissolved solid was recovered by filtration. The recovered solid was dried under reduced pressure to obtain monomer MB (yield 5.49 g, yield 66%). The 1 H-NMR spectrum of monomer MB is shown below.

[합성예 1-3] 모노머 M-C의 합성[Synthesis Example 1-3] Synthesis of monomer M-C

(1) 1,4-디아미노벤젠-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌의 합성(1) Synthesis of 1,4-diaminobenzene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene

반응 용기에, 2-아미노-N-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N-(4-브로모페닐)-9,9디메틸플루오렌 7g, Pd(dba)2 0.39g 및 트리페닐-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라토 0.20g을 가하고, 반응 용기 내를 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, 7 g 2-amino-N-[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N-(4-bromophenyl)-9,9dimethylfluorene, Pd(dba) 2 0.39 g and 0.20 g of triphenyl-tert-butylphosphonium tetrafluoroborato were added, and the inside of the reaction vessel was degassed and then placed in a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응 용기 내에, 톨루엔 130mL를 가하고, 플라스크 내의 혼합물을 교반하면서, 그것에 천천히 리튬비스(트리메틸실릴)아미드 1.3mol/L 테트라히드로푸란 용액 11.5mL(리튬비스(트리메틸실릴)아미드 14.91mmol 상당)를 가했다. 그리고, TLC에 의해 반응을 추적하면서 플라스크 내의 혼합물을 30시간 교반하고, 원료인 2-아미노-N-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N-(4-브로모페닐)-9,9디메틸플루오렌의 소실을 확인한 후, 반응 혼합물을 0℃로 냉각했다. 냉각한 반응 혼합물에 1규정의 염산 수용액 100mL를 가하여, 혼합물의 pH를 3으로 조제하고, 이어서 염화나트륨 수용액(농도 2mol/L)을 가하여, 혼합물의 pH를 12로 조제했다.Next, 130 mL of toluene was added to the reaction vessel, and while stirring the mixture in the flask, 11.5 mL of a 1.3 mol/L tetrahydrofuran solution of lithium bis(trimethylsilyl)amide (equivalent to 14.91 mmol of lithium bis(trimethylsilyl)amide) was slowly added thereto. I did it. Then, the mixture in the flask was stirred for 30 hours while tracking the reaction by TLC, and the raw material 2-amino-N-[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N-(4-bromophenyl) )-9,9 After confirming the disappearance of dimethylfluorene, the reaction mixture was cooled to 0°C. 100 mL of 1 N aqueous hydrochloric acid solution was added to the cooled reaction mixture to adjust the pH of the mixture to 3, and then an aqueous sodium chloride solution (concentration of 2 mol/L) was added to adjust the pH of the mixture to 12.

이 pH를 조제한 혼합물을 KC 플록을 사용하여 흡인 여과하고, KC 플록을 톨루엔으로 세정하고, 이 톨루엔도 여과액으로서 회수했다. 여과액의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 여과액의 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 톨루엔 5g에 용해시켜, 헥산 100g에 적하하고, 실온에서 교반했다.The mixture with this pH adjusted was suction filtered using KC floc, the KC floc was washed with toluene, and this toluene was also recovered as a filtrate. The aqueous layer and the organic layer of the filtrate were divided, the aqueous layer was mixed well with toluene to recover the toluene, combined with the organic layer of the filtrate, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a crude product. The obtained crude product was dissolved in 5 g of toluene, added dropwise to 100 g of hexane, and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 1,4-디아미노벤젠-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9디메틸플루오렌을 얻었다(수량 4.84g, 수율 79%).Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain 1,4-diaminobenzene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9 dimethyl fluorene was obtained (yield 4.84 g, yield 79%).

(2) 모노머 M-C의 합성(2) Synthesis of monomer M-C

4-아미노트리페닐아민 대신에 1,4-디아미노벤젠-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌(4.84g)을 사용한 것 이외에는 비교합성예 1과 동일한 방법으로 모노머 M-C를 얻었다(수량 2.61g, 수율 46%). 모노머 M-C의 1H-NMR 스펙트럼을 이하에 나타낸다.Instead of 4-aminotriphenylamine, 1,4-diaminobenzene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene (4.84 g) Monomer MC was obtained in the same manner as Comparative Synthesis Example 1 except for what was used (yield 2.61 g, yield 46%). The 1 H-NMR spectrum of monomer MC is shown below.

[합성예 1-4] 모노머 M-D의 합성[Synthesis Example 1-4] Synthesis of monomer M-D

(1) (4-([1,1'-비페닐]-4-일(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노)페닐)보론산의 합성(1) Synthesis of (4-([1,1'-biphenyl]-4-yl(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino)phenyl)boronic acid

반응 용기에, 2-아미노-N-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N-(4-브로모페닐)-9,9-디메틸플루오렌 5g 및 테트라히드로푸란 20g을 가하고, 반응 용기 내를 -78℃까지 차게 하고, 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, add 5 g of 2-amino-N-[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N-(4-bromophenyl)-9,9-dimethylfluorene and 20 g of tetrahydrofuran. After addition, the inside of the reaction vessel was cooled to -78°C, degassed, and then placed in a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응 용기 내의 혼합물을 교반하면서, 천천히 부틸리튬 1.56mol/L 헥산 용액 7.15mL(부틸리튬 11.13mmol 상당)를 가했다. 그리고, 반응 용기 내를 -78℃로 유지하면서 혼합물을 1시간 교반했다. 그 후, 반응 용기 내의 혼합물을 교반하면서, 천천히 붕산트리메틸 1.3mL를 가했다. 그리고, 반응 용기 내를 -78℃로부터 실온으로 되돌리고, 혼합물을 2시간 교반했다. 반응 혼합물에 1규정의 염산 수용액을 혼합물의 pH가 3이 될 때까지 가했다.Next, while stirring the mixture in the reaction vessel, 7.15 mL of a 1.56 mol/L butyllithium hexane solution (equivalent to 11.13 mmol of butyllithium) was slowly added. Then, the mixture was stirred for 1 hour while maintaining the inside of the reaction vessel at -78°C. After that, 1.3 mL of trimethyl borate was slowly added while stirring the mixture in the reaction vessel. Then, the inside of the reaction vessel was returned to room temperature from -78°C, and the mixture was stirred for 2 hours. 1 N aqueous solution of hydrochloric acid was added to the reaction mixture until the pH of the mixture reached 3.

반응 혼합물의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 디클로로메탄과 잘 섞어 이 디클로로메탄을 회수하고, 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 디클로로메탄 5g에 용해시켜, 헥산 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.The reaction mixture was divided into an aqueous layer and an organic layer, the aqueous layer was mixed with dichloromethane to recover the dichloromethane, combined with the organic layer, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a crude product. The obtained crude product was dissolved in 5 g of dichloromethane, added dropwise to 50 g of hexane, and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, (4-([1,1'-비페닐]-4-일-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노)페닐)보론산을 얻었다(수량 3.26g, 수율 70%).Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to produce (4-([1,1'-biphenyl]-4-yl-(9,9-dimethyl-9H-fluorene) -2-yl) amino) phenyl) boronic acid was obtained (yield 3.26 g, yield 70%).

(2) 2-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌의 합성(2) Synthesis of 2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene

반응 용기에, (4-([1,1'-비페닐]-4-일-(9,9디메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노)페닐)보론산 3.26g, 2-브로모-7-요오도-9,9-디메틸-9H-플루오렌 2.71g, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 0.24g 및 톨루엔과 에탄올의 혼합 용매(4/1(V/V))를 가하고, 반응 용기 내를 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, 3.26 g of (4-([1,1'-biphenyl]-4-yl-(9,9dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino)phenyl)boronic acid, 2-bromo 2.71 g of -7-iodo-9,9-dimethyl-9H-fluorene, 0.24 g of tetrakistriphenylphosphine palladium, and a mixed solvent of toluene and ethanol (4/1 (V/V)) were added to the reaction vessel. After degassing the inside, a nitrogen atmosphere was created.

이어서, 반응 용기 내의 혼합물을 교반하면서, 미리 조제해둔 2M 탄산나트륨 수용액 10mL를 가했다. 그리고, 반응 용기 내의 혼합물을 환류시키면서 3시간 교반했다.Next, while stirring the mixture in the reaction vessel, 10 mL of a 2M aqueous sodium carbonate solution prepared in advance was added. Then, the mixture in the reaction vessel was stirred for 3 hours while refluxing.

반응 혼합물의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 톨루엔 5g에 용해시켜, 메탄올 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.The reaction mixture was divided into an aqueous layer and an organic layer, the aqueous layer was mixed well with toluene to recover the toluene, combined with the organic layer, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a crude product. The obtained crude product was dissolved in 5 g of toluene, added dropwise to 50 g of methanol, and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 2-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌을 얻었다(수량 3.26g, 수율 70%).Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain 2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl) -4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene was obtained (yield 3.26 g, yield 70%).

(3) 2-아미노-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌의 합성(3) Synthesis of 2-amino-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene

반응 용기에, 2-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌 5.0g, Pd(dba)2 0.20g 및 트리페닐-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라토 0.10g을 가하고, 반응 용기 내를 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, 2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene 5.0 g, 0.20 g of Pd(dba) 2 and 0.10 g of triphenyl-tert-butylphosphonium tetrafluoroborato were added, and the inside of the reaction vessel was degassed and then placed in a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응 용기 내에, 톨루엔 70mL를 가하고, 플라스크 내의 혼합물을 교반하면서, 그것에 천천히 리튬비스(트리메틸실릴)아미드 1.3mol/L 테트라히드로푸란 용액 6.0mL(리튬비스(트리메틸실릴)아미드 7.82mmol 상당)를 가했다. 그리고, TLC에 의해 반응을 추적하면서 플라스크 내의 혼합물을 20시간 교반하고, 원료인 2-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌의 소실을 확인한 후, 반응 혼합물을 0℃로 냉각했다. 냉각한 반응 혼합물에 1규정의 염산 수용액 20mL를 가하여, 혼합물의 pH를 3으로 조제하고, 이어서 염화나트륨 수용액(농도 2mol/L)을 가하여, 혼합물의 pH를 12로 조제했다.Next, 70 mL of toluene was added to the reaction vessel, and while stirring the mixture in the flask, 6.0 mL of a 1.3 mol/L tetrahydrofuran solution of lithium bis(trimethylsilyl)amide (equivalent to 7.82 mmol of lithium bis(trimethylsilyl)amide) was slowly added thereto. I did it. Then, the mixture in the flask was stirred for 20 hours while tracking the reaction by TLC, and the raw material 2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)- After confirming the disappearance of 4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene, the reaction mixture was cooled to 0°C. 20 mL of 1 N aqueous hydrochloric acid solution was added to the cooled reaction mixture to adjust the pH of the mixture to 3, and then an aqueous sodium chloride solution (concentration of 2 mol/L) was added to adjust the pH of the mixture to 12.

이 pH를 조제한 혼합물을 KC 플록을 사용하여 흡인 여과하고, KC 플록을 톨루엔으로 세정하고, 이 톨루엔도 여과액으로서 회수했다. 여과액의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 여과액의 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 톨루엔 5g에 용해시켜, 헥산 100g에 적하하고, 실온에서 교반했다.The mixture with this pH adjusted was suction filtered using KC floc, the KC floc was washed with toluene, and this toluene was also recovered as a filtrate. The aqueous layer and the organic layer of the filtrate were divided, the aqueous layer was mixed well with toluene to recover the toluene, combined with the organic layer of the filtrate, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a crude product. The obtained crude product was dissolved in 5 g of toluene, added dropwise to 100 g of hexane, and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 2-아미노-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌을 얻었다(수량 4.81g, 수율 100%).Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain 2-amino-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)- 4-yl]-N 1 -9,9-dimethylfluorene was obtained (quantity 4.81 g, yield 100%).

(2) 모노머 M-D의 합성(2) Synthesis of monomers M-D

4-아미노트리페닐아민 대신에 2-아미노-9,9-디메틸-9H-플루오렌-N1-[(1,1'-비페닐)-4-일]-N1-9,9-디메틸플루오렌(4.8g)을 사용한 것 이외에는 비교합성예 1과 동일한 방법으로 모노머 M-D를 얻었다(수량 3.28g, 수율 61%). 모노머 M-D의 1H-NMR 스펙트럼을 이하에 나타낸다.2-Amino-9,9-dimethyl-9H-fluorene-N 1 -[(1,1'-biphenyl)-4-yl]-N 1 -9,9-dimethyl instead of 4-aminotriphenylamine Monomer MD was obtained in the same manner as in Comparative Synthesis Example 1 except that fluorene (4.8 g) was used (quantity 3.28 g, yield 61%). The 1 H-NMR spectrum of monomer MD is shown below.

[합성예 1-5] 모노머 M-E의 합성[Synthesis Example 1-5] Synthesis of monomer M-E

(1) 3-(9,9-디메틸-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸의 합성(1) 3-(9,9-dimethyl-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-fluoren-2-yl)- Synthesis of 9-phenyl-9H-carbazole

반응 용기에, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 10g, 비스(피나콜라토)디보론 5.4g, Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2 0.32g, 아세트산칼륨 4.8g 및 디옥산 80mL를 가하고, 반응 용기 내를 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, 10 g of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, 5.4 g of bis(pinacolato)diborone, and Pd. (dppf) 0.32 g of Cl 2 ·CH 2 Cl 2 , 4.8 g of potassium acetate, and 80 mL of dioxane were added, and the inside of the reaction vessel was degassed and then placed in a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응 용기 내를 100℃로 승온했다. 그리고, TLC에 의해 반응을 추적하면서 플라스크 내의 혼합물을 5시간 교반하고, 원료인 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸의 소실을 확인한 후, 반응 혼합물을 실온으로 방랭했다.Next, the temperature inside the reaction vessel was raised to 100°C. Then, the mixture in the flask was stirred for 5 hours while tracking the reaction by TLC, and the raw material 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H- After confirming the disappearance of carbazole, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature.

이 방랭한 반응 혼합물을 KC 플록을 사용하여 흡인 여과하고, KC 플록을 톨루엔으로 세정하고, 이 톨루엔도 여과액으로서 회수했다. 여과액의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 여과액의 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 고체로서 얻었다.This cooled reaction mixture was suction filtered using KC floc, the KC floc was washed with toluene, and this toluene was also recovered as a filtrate. The aqueous layer and the organic layer of the filtrate were separated, the aqueous layer was mixed well with toluene to recover the toluene, combined with the organic layer of the filtrate, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain the crude product as a solid.

얻어진 조생성물을 유발에서 갈아으깨어, 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(4/1(V/V)) 250g에 가하고, 실온에서 교반했다. 마지막으로 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 3-(9,9-디메틸-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸을 얻었다(수량 10.57g, 수율 97%).The obtained crude product was ground in a mortar, added to 250 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (4/1 (V/V)), and stirred at room temperature. Finally, the solid was recovered by filtration, the recovered solid was dried under reduced pressure, and 3-(9,9-dimethyl-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane- 2-yl)-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole was obtained (quantity 10.57 g, yield 97%).

(2) 모노머 M-E의 합성(2) Synthesis of monomer M-E

반응 용기에 1-브로모-4-(1-프로펜-2-일)벤젠 4.0g, 3-(9,9-디메틸-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 10.57g, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 0.65g, 탄산나트륨 5.6g 및 톨루엔 200mL를 가하고 반응 용기 내를 탈기한 후에 질소 분위기로 했다.In a reaction vessel, 4.0 g of 1-bromo-4-(1-propen-2-yl)benzene, 3-(9,9-dimethyl-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2) Add 10.57 g of -dioxaborolan-2-yl)-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, 0.65 g of tetrakistriphenylphosphine palladium, 5.6 g of sodium carbonate, and 200 mL of toluene. After degassing the reaction vessel, a nitrogen atmosphere was created.

이어서, 반응 용기 내를 80℃로 승온했다. 그리고, TLC에 의해 반응을 추적하면서 반응 용기 내의 혼합물을 5시간 교반하고, 원료인 3-(9,9-디메틸-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸의 소실을 확인한 후, 반응 혼합물을 실온으로 방랭했다.Next, the temperature inside the reaction vessel was raised to 80°C. Then, the mixture in the reaction vessel was stirred for 5 hours while tracking the reaction by TLC, and the raw material 3-(9,9-dimethyl-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxa) After confirming the disappearance of borolan-2-yl)-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature.

이 방랭한 반응 혼합물을 KC 플록을 사용하여 흡인 여과하고, KC 플록을 톨루엔으로 세정하고, 이 톨루엔도 여과액으로서 회수했다. 여과액의 수층과 유기층을 나누고, 수층을 톨루엔과 잘 섞어 이 톨루엔을 회수하고, 여과액의 유기층과 합쳐, 이것을 물로 세정한 후, 감압하여 용매를 제거하고, 조생성물을 고체로서 얻었다.This cooled reaction mixture was suction filtered using KC floc, the KC floc was washed with toluene, and this toluene was also recovered as a filtrate. The aqueous layer and the organic layer of the filtrate were separated, the aqueous layer was mixed well with toluene to recover the toluene, combined with the organic layer of the filtrate, washed with water, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain the crude product as a solid.

얻어진 조생성물을 유발에서 갈아으깨어, 아세토니트릴 200g에 가하고, 실온에서 교반했다. 마지막으로 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 모노머 M-E를 얻었다(수량 6.73g, 수율 65%). 모노머 M-E의 1H-NMR 스펙트럼을 이하에 나타낸다.The obtained crude product was ground in a mortar, added to 200 g of acetonitrile, and stirred at room temperature. Finally, the solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain monomer ME (yield 6.73 g, 65% yield). The 1 H-NMR spectrum of monomer ME is shown below.

[2] 폴리머의 합성 및 그 평가[2] Synthesis of polymers and their evaluation

(1) 폴리머의 합성(1) Synthesis of polymers

[비교예 1] 폴리머 P-X의 합성[Comparative Example 1] Synthesis of polymer P-X

반응 용기에, 모노머 M-X 2.0g, AIBN 0.10g 및 디메틸포름아미드 11.9g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.2.0 g of monomer M-X, 0.10 g of AIBN, and 11.9 g of dimethylformamide were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(5/2(V/V)) 140g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 140 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (5/2 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 폴리머 X를 얻었다(수량:1.8g, 수율:90%). GPC 측정의 결과, 폴리머 X의 Mn은 2,600이며, Mw는 3,300이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain polymer X (amount: 1.8 g, yield: 90%). As a result of GPC measurement, the Mn of polymer X was 2,600 and the Mw was 3,300.

[실시예 1-1] 폴리머 P-A의 합성[Example 1-1] Synthesis of polymer P-A

반응 용기에, 모노머 M-A 3.0g, AIBN 0.150g 및 디메틸포름아미드 13g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.3.0 g of monomer M-A, 0.150 g of AIBN, and 13 g of dimethylformamide were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(1/1(V/V)) 150g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 150 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (1/1 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 폴리머 A를 얻었다(수량:2.1g, 수율:71%). GPC 측정의 결과, 폴리머 A의 Mw는 3,900이며, 분산도 Mw/Mn은 1.26이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain polymer A (yield: 2.1 g, yield: 71%). As a result of GPC measurement, the Mw of polymer A was 3,900, and the dispersion degree Mw/Mn was 1.26.

[실시예 1-2] 폴리머 P-B의 합성[Example 1-2] Synthesis of polymer P-B

반응 용기에, 모노머 M-B 1.0g, AIBN 0.030g 및 아니솔 7.6g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 7시간 교반했다.1.0 g of monomer M-B, 0.030 g of AIBN, and 7.6 g of anisole were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 7 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 아세트산에틸 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 50 g of ethyl acetate and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 폴리머 P-B를 얻었다(수량:0.62g, 수율:62%). GPC 측정의 결과, 폴리머 P-B의 Mw는 15,400이며, 분산도 Mw/Mn은 1.57이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain polymer P-B (yield: 0.62 g, yield: 62%). As a result of GPC measurement, the Mw of polymer P-B was 15,400, and the dispersion degree Mw/Mn was 1.57.

[실시예 1-3] 폴리머 P-C의 합성[Example 1-3] Synthesis of polymer P-C

반응 용기에, 모노머 M-C 1.0g, AIBN 0.050g 및 디메틸포름아미드 5.3g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.1.0 g of monomer M-C, 0.050 g of AIBN, and 5.3 g of dimethylformamide were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 아세트산에틸과 디메틸포름아미드의 혼합 용매(5/1(V/V)) 75g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 75 g of a mixed solvent of ethyl acetate and dimethylformamide (5/1 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 폴리머 P-C를 얻었다(수량:0.87g, 수율:87%). GPC 측정의 결과, 폴리머 P-C의 Mw는 4,700이며, 분산도 Mw/Mn은 1.50이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain polymer P-C (amount: 0.87 g, yield: 87%). As a result of GPC measurement, the Mw of polymer P-C was 4,700 and the dispersion degree Mw/Mn was 1.50.

[실시예 1-4] 폴리머 P-D의 합성[Example 1-4] Synthesis of polymer P-D

반응 용기에, 모노머 M-D 1.0g, AIBN 0.080g 및 디메틸포름아미드 5.3g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.1.0 g of monomer M-D, 0.080 g of AIBN, and 5.3 g of dimethylformamide were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 아세트산에틸과 디메틸포름아미드의 혼합 용매(5/1(V/V)) 75g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 75 g of a mixed solvent of ethyl acetate and dimethylformamide (5/1 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 폴리머 P-D를 얻었다(수량:0.42g, 수율:42%). GPC 측정의 결과, 폴리머 P-D의 Mw는 4,000이며, 분산도 Mw/Mn은 1.12였다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain polymer P-D (amount: 0.42 g, yield: 42%). As a result of GPC measurement, the Mw of polymer P-D was 4,000, and the dispersion degree Mw/Mn was 1.12.

[실시예 1-5] 폴리머 P-E의 합성[Example 1-5] Synthesis of polymer P-E

반응 용기에, 모노머 M-E 1.5g, AIBN 0.150g 및 아니솔 8.3g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.1.5 g of monomer M-E, 0.150 g of AIBN, and 8.3 g of anisole were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 아세트산에틸 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 50 g of ethyl acetate and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 폴리머 P-E를 얻었다(수량:0.50g, 수율:33%). GPC 측정의 결과, 폴리머 P-E의 Mw는 2,000이며, 분산도 Mw/Mn은 1.05였다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain polymer P-E (yield: 0.50 g, yield: 33%). As a result of GPC measurement, the Mw of polymer P-E was 2,000, and the dispersion degree Mw/Mn was 1.05.

[실시예 1-6] 코폴리머 P-AB의 합성[Example 1-6] Synthesis of copolymer P-AB

반응 용기에, 모노머 M-A 0.5g, 모노머 M-B 0.5g, AIBN 0.050g 및 아니솔 4. 1g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.In a reaction vessel, 0.5 g of monomer M-A, 0.5 g of monomer M-B, 0.050 g of AIBN, and 4.1 g of anisole were placed, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(1/4(V/V)) 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 50 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (1/4 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 코폴리머 P-AB를 얻었다(수량:0.78g, 수율:78%). GPC 측정의 결과, 코폴리머 P-AB의 Mw는 147,000이며, 분산도 Mw/Mn은 2.26이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain copolymer P-AB (yield: 0.78 g, yield: 78%). As a result of GPC measurement, the Mw of copolymer P-AB was 147,000, and the dispersion degree Mw/Mn was 2.26.

[실시예 1-7] 코폴리머 P-AE의 합성[Example 1-7] Synthesis of copolymer P-AE

반응 용기에, 모노머 M-A 0.72g, 모노머 M-E 0.75g, AIBN 0.147g 및 아니솔 8.1g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.In a reaction vessel, 0.72 g of monomer M-A, 0.75 g of monomer M-E, 0.147 g of AIBN, and 8.1 g of anisole were placed, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(1/4(V/V)) 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 50 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (1/4 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 코폴리머 P-AB를 얻었다(수량:1.18g, 수율:73%). GPC 측정의 결과, 코폴리머 P-AB의 Mw는 33,000이며, 분산도 Mw/Mn은 5.19였다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain copolymer P-AB (amount: 1.18 g, yield: 73%). As a result of GPC measurement, the Mw of copolymer P-AB was 33,000, and the dispersion degree Mw/Mn was 5.19.

[실시예 1-8] 코폴리머 P-CB의 합성[Example 1-8] Synthesis of copolymer P-CB

반응 용기에, 모노머 M-C 0.5g, 모노머 M-B 0.5g, AIBN 0.050g 및 아니솔 7.0g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.In a reaction vessel, 0.5 g of monomer M-C, 0.5 g of monomer M-B, 0.050 g of AIBN, and 7.0 g of anisole were placed, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(1/4(V/V)) 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 50 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (1/4 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 코폴리머 P-CB를 얻었다(수량:0.42g, 수율:42%). GPC 측정의 결과, 코폴리머 P-CB의 Mw는 277,000이며, 분산도 Mw/Mn은 3.38이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain copolymer P-CB (yield: 0.42 g, yield: 42%). As a result of GPC measurement, the Mw of copolymer P-CB was 277,000, and the dispersion degree Mw/Mn was 3.38.

[실시예 1-9] 코폴리머 P-DB의 합성[Example 1-9] Synthesis of copolymer P-DB

반응 용기에, 모노머 M-D 0.6g, 모노머 M-B 0.45g, AIBN 0.050g 및 아니솔 5.49g을 넣고, 반응 용기 내를 질소로 치환한 후, 80℃에서 20시간 교반했다.0.6 g of monomer M-D, 0.45 g of monomer M-B, 0.050 g of AIBN, and 5.49 g of anisole were placed in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen, followed by stirring at 80°C for 20 hours.

반응 혼합물을 실온까지 방랭한 후, 방랭한 반응 혼합물을 메탄올과 아세트산에틸의 혼합 용매(1/4(V/V)) 50g에 적하하고, 실온에서 교반했다.After the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, the reaction mixture was added dropwise to 50 g of a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (1/4 (V/V)) and stirred at room temperature.

마지막으로, 석출된 고체를 여과로 회수하고, 회수한 고체를 감압하에서 건조시켜, 코폴리머 P-DB를 얻었다(수량:0.25g, 수율:24%). GPC 측정의 결과, 코폴리머 P-DB의 Mw는 74,000이며, 분산도 Mw/Mn은 3.10이었다.Finally, the precipitated solid was recovered by filtration, and the recovered solid was dried under reduced pressure to obtain copolymer P-DB (amount: 0.25 g, yield: 24%). As a result of GPC measurement, the Mw of copolymer P-DB was 74,000, and the dispersion degree Mw/Mn was 3.10.

(2) 내열성의 평가(2) Evaluation of heat resistance

모노머 M-A, 폴리머 P-A, 폴리머 P-B, 폴리머 P-C, 폴리머 P-D, 폴리머 P-E, 코폴리머 P-AE 및 폴리머 P-X를 사용하여, TG의 측정을 행했다. 대기하에서, 10℃/1분의 승온 속도로 500℃까지 승온하고, 5% 중량 감소했을 때의 온도를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한 500℃에서 중량 감소가 5% 미만인 경우에는, >500이라고 기재했다.TG was measured using Monomer M-A, Polymer P-A, Polymer P-B, Polymer P-C, Polymer P-D, Polymer P-E, Copolymer P-AE, and Polymer P-X. Under atmospheric air, the temperature was raised to 500°C at a temperature increase rate of 10°C/1 minute, and the temperature at which the weight was reduced by 5% was measured. The results are shown in Table 1. Also, if the weight loss at 500°C was less than 5%, it was written as >500.

화합물compound 5% 중량 감소 온도(℃)5% weight loss temperature (℃) M-AM-A >500>500 P-AP-A >500>500 P-BP-B 431431 P-CP-C 413413 P-DP-D 431431 P-EP-E 389389 P-AEP-AE 418418 P-XP-X 370370

본 발명의 폴리머는 비교예의 폴리머보다 우수한 내열성을 나타냈다. 또 본 발명의 폴리머의 모노머도 우수한 내열성을 나타냈다.The polymer of the present invention exhibited superior heat resistance than the polymer of the comparative example. In addition, the monomer of the polymer of the present invention also showed excellent heat resistance.

[3] 전하수송성 바니시의 조제 및 그 평가[3] Preparation and evaluation of charge-transporting varnish

(1) 전하수송성 바니시의 조제(1) Preparation of charge-transporting varnish

[실시예 2-1][Example 2-1]

폴리머 P-A 124mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 292mg을, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르 5g, 벤조산부틸 3g 프탈산디메틸 2g의 혼합 용매에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 A를 얻었다. 또한 아릴술폰산에스테르 SE-A는 국제공개 제2017/217455호에 기재된 방법에 따라 합성했다. 또 아릴술폰산에스테르 SE-A의 구조를 이하에 나타낸다.124 mg of polymer P-A and 292 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to a mixed solvent of 5 g of triethylene glycol butyl methyl ether, 3 g of butyl benzoate, and 2 g of dimethyl phthalate, and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish A was obtained. Additionally, aryl sulfonic acid ester SE-A was synthesized according to the method described in International Publication No. 2017/217455. Additionally, the structure of arylsulfonic acid ester SE-A is shown below.

[실시예 2-2][Example 2-2]

폴리머 P-B 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 278mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 B를 얻었다.139 mg of polymer P-B and 278 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish B was obtained.

[실시예 2-3][Example 2-3]

코폴리머 P-AB 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 292mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 C를 얻었다.139 mg of copolymer P-AB and 292 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish C was obtained.

[실시예 2-4][Example 2-4]

폴리머 P-C 208mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 208mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 D를 얻었다.208 mg of polymer P-C and 208 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish D was obtained.

[실시예 2-5][Example 2-5]

폴리머 P-D 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 278mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 E를 얻었다.139 mg of polymer P-D and 278 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish E was obtained.

[실시예 2-6][Example 2-6]

폴리머 P-E 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 278mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 F를 얻었다.139 mg of polymer P-E and 278 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish F was obtained.

[실시예 2-7][Example 2-7]

코폴리머 P-AE 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 278mg을, 4-메톡시톨루엔10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 G를 얻었다.139 mg of copolymer P-AE and 278 mg of aryl sulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish G was obtained.

[실시예 2-8][Example 2-8]

코폴리머 P-CB 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 278mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 H를 얻었다.139 mg of copolymer P-CB and 278 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish H was obtained.

[실시예 2-9][Example 2-9]

코폴리머 P-DB 139mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 278mg을, 4-메톡시톨루엔 10g에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 I를 얻었다.139 mg of copolymer P-DB and 278 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to 10 g of 4-methoxytoluene and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish I was obtained.

[비교예 2][Comparative Example 2]

폴리머 P-X 186mg과 아릴술폰산에스테르 SE-A 340mg을, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르 5g, 벤조산부틸 3g 및 프탈산디메틸 2g의 혼합 용매에 넣고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2μm의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 전하수송성 바니시 J를 얻었다.186 mg of polymer P-X and 340 mg of arylsulfonic acid ester SE-A were added to a mixed solvent of 5 g of triethylene glycol butyl methyl ether, 3 g of butyl benzoate, and 2 g of dimethyl phthalate, and stirred to dissolve at room temperature. The obtained solution was filtered using a PTFE filter with a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish J was obtained.

(2)굴절률(n) 및 소쇠계수(k)의 평가(2) Evaluation of refractive index (n) and extinction coefficient (k)

전하수송성 바니시 A~D를 각각 스핀 코터를 사용하여 석영 기판에 도포한 후, 대기 분위기하, 120℃에서 1분간, 200℃에서 15분간 순차적으로 가열하여, 석영 기판 상에 50nm의 균일한 박막을 형성했다.Charge-transporting varnishes A to D were applied to a quartz substrate using a spin coater, and then sequentially heated at 120°C for 1 minute and 200°C for 15 minutes under an air atmosphere to form a uniform thin film of 50 nm on the quartz substrate. formed.

얻어진 박막 부착 석영 기판을 사용하여, 파장 400~800nm에 있어서의 평균 굴절률(n) 및 파장 400~800nm에 있어서의 평균 소쇠계수(k)의 측정을 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.Using the obtained quartz substrate with a thin film, the average refractive index (n) in a wavelength of 400 to 800 nm and the average extinction coefficient (k) in a wavelength of 400 to 800 nm were measured. The results are shown in Table 2.

전하수송성 바니시Charge transport varnish nn kk 실시예2-1Example 2-1 AA 1.6551.655 0.0160.016 실시예2-2Example 2-2 BB 1.7251.725 0.0100.010 실시예2-3Example 2-3 CC 1.7161.716 0.0110.011 비교예2Comparative example 2 JJ 1.6291.629 0.0230.023

표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 전하수송성 박막은 비교예에 비해 굴절률이 높고, 소쇠계수가 낮은 값이었다. 또 그 값은 굴절률이 1.65 이상으로 높고, 소쇠계수가 0.020 이하로 낮았다. 이것은 알킬플루오렌을 포함하는 골격이 고굴절, 고투명이기 때문이다.As shown in Table 2, the charge-transporting thin film of the present invention had a higher refractive index and lower extinction coefficient than the comparative example. Also, the value was high with a refractive index of 1.65 or more and a low extinction coefficient of 0.020 or less. This is because the skeleton containing alkyl fluorene has high refraction and high transparency.

[4] SLD의 제작 및 특성 평가[4] Fabrication and characteristic evaluation of SLD

[실시예 3][Example 3]

전하수송성 바니시 A를 스핀 코터를 사용하여 ITO 기판 상에 도포한 후, 대기 분위기하, 120℃에서 1분간, 230℃에서 15분간 순차적으로 가열하여, ITO 기판 상에 막두께 50nm의 전하수송성 박막을 형성했다. 또한 ITO 기판으로서는 패터닝된 두께 50nm의 ITO막이 표면에 형성된, 25mm×25mm×0.7t의 유리 기판을 사용하고, 사용 전에 O2 플라즈마 세정 장치(150W, 30초간)에 의해 표면 상의 불순물을 제거했다.Charge-transporting varnish A was applied on the ITO substrate using a spin coater, and then sequentially heated at 120°C for 1 minute and 230°C for 15 minutes under an air atmosphere to form a charge-transporting thin film with a film thickness of 50 nm on the ITO substrate. formed. Additionally, as an ITO substrate, a 25 mm x 25 mm x 0.7t glass substrate with a patterned ITO film with a thickness of 50 nm formed on the surface was used, and impurities on the surface were removed with an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds) before use.

이 위에, 증착 장치(진공도 1.0×10-5Pa)를 사용하여 0.2nm/초로 막두께 80nm의 알루미늄 박막을 형성했다. 그 후, 공기 중의 산소, 물 등의 영향에 따른 특성 열화를 방지하기 위해서, 밀봉 기판에 의해 밀봉했다. 밀봉은 이하의 순서로 행했다. 산소 농도 2ppm 이하, 노점 -76℃ 이하의 질소 분위기 중에서, SLD를 밀봉 기판 사이에 넣고, 밀봉 기판을 접착제((주)MORESCO제, 모레스코모이스처커트 WB90US(P))에 의해 첩합했다. 이 때, 포수제(다이닉(주)제 HD-071010W-40)를 SLD와 함께 밀봉 기판 내에 넣었다. 첩합한 밀봉 기판에 대하여, UV광을 조사(파장:365nm, 조사량:6,000mJ/cm2)한 후, 80℃에서 1시간 어닐링 처리하여 접착제를 경화시켰다.On this, an aluminum thin film with a thickness of 80 nm was formed at 0.2 nm/sec using a vapor deposition device (vacuum degree: 1.0 x 10 -5 Pa). After that, it was sealed with a sealing substrate to prevent property deterioration due to the influence of oxygen, water, etc. in the air. Sealing was performed in the following procedure. In a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 2 ppm or less and a dew point of -76°C or less, the SLD was placed between the sealing substrates, and the sealing substrates were bonded together with an adhesive (Moresco Moisture Cut WB90US(P), manufactured by Moresco Co., Ltd.). At this time, a catcher (HD-071010W-40 manufactured by Dynic Co., Ltd.) was placed into the sealing substrate together with the SLD. The bonded sealing substrate was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ/cm 2 ) and then annealed at 80°C for 1 hour to cure the adhesive.

제작한 SLD에 전압 4V를 가했을 때의 전류밀도를 측정했다. 결과를 표 3에 나타낸다.The current density was measured when a voltage of 4V was applied to the manufactured SLD. The results are shown in Table 3.

전류밀도 (mA/cm3)Current density (mA/cm 3 ) 실시예3Example 3 213213

표 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 전하수송성 바니시로부터 제작한 전하수송성 박막은 양호한 전하수송성을 나타냈다.As shown in Table 3, the charge-transporting thin film produced from the charge-transporting varnish of the present invention exhibited good charge-transporting properties.

[5] HOD의 제작 및 특성 평가[5] Fabrication and characteristic evaluation of HOD

[실시예 4-1~4-6][Examples 4-1 to 4-6]

전하수송성 바니시 C, D, E, G, H 및 I를 각각 스핀 코터를 사용하여 ITO 기판 상에 도포한 후, 대기 분위기하, 120℃에서 1분간, 180℃에서 15분간 순차적으로 가열하여, ITO 기판 상에 막두께 50nm의 전하수송성 박막을 형성했다. 또한 ITO 기판으로서는 패터닝된 두께 150nm의 ITO막이 표면에 형성된, 25mm×25mm×0.7t의 유리 기판을 사용하고, 사용 전에 O2 플라즈마 세정 장치(150W, 30초간)에 의해 표면 상의 불순물을 제거했다.Charge-transporting varnishes C, D, E, G, H, and I were each applied on an ITO substrate using a spin coater, and then sequentially heated at 120°C for 1 minute and 180°C for 15 minutes under an air atmosphere to form ITO. A charge-transporting thin film with a film thickness of 50 nm was formed on the substrate. Additionally, as an ITO substrate, a 25 mm x 25 mm x 0.7t glass substrate with a patterned ITO film with a thickness of 150 nm formed on the surface was used, and impurities on the surface were removed with an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds) before use.

이 위에, 증착 장치(진공도 1.0×10-5Pa)를 사용하여, 0.2nm/초로 막두께 30nm의 α-NPD의 박막을 형성하고, 또한 이 위에, 0.2nm/초로 막두께 80nm의 알루미늄의 박막을 형성했다. 실시예 1-1과 마찬가지의 방법으로 밀봉 기판에 의해 밀봉하고, HOD를 얻었다.On top of this, a thin film of α-NPD with a film thickness of 30 nm is formed at 0.2 nm/sec using a vapor deposition device (vacuum degree of 1.0×10 -5 Pa), and on top of this, a thin film of aluminum with a film thickness of 80 nm is formed at 0.2 nm/sec. formed. It was sealed with a sealing substrate in the same manner as in Example 1-1, and HOD was obtained.

제작한 HOD에 전압 4V를 가했을 때의 전류밀도를 측정했다. 결과를 표 4에 나타낸다.The current density was measured when a voltage of 4V was applied to the manufactured HOD. The results are shown in Table 4.

전하수송성 바니시Charge transport varnish 전류밀도 (mA/cm3)Current density (mA/cm 3 ) 실시예4-1Example 4-1 CC 13941394 실시예4-2Example 4-2 DD 10301030 실시예4-3Example 4-3 EE 250250 실시예4-4Example 4-4 GG 276276 실시예4-5Example 4-5 HH 11801180 실시예4-6Example 4-6 II 163163

표 4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 전하수송성 바니시로부터 제작한 전하수송성 박막은, 정공수송층으로서 자주 사용되는 α-NPD에 대한 양호한 홀 주입성을 나타냈다.As shown in Table 4, the charge-transporting thin film produced from the charge-transporting varnish of the present invention exhibited good hole injection properties for α-NPD, which is frequently used as a hole transport layer.

Claims (10)

하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 식(2)으로 표시되는 반복 단위로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 폴리머.

[식 중, RA는 수소 원자 또는 메틸기이다. R1~R4는 각각 독립적으로 단결합 또는 페닐렌기이며, 이 페닐렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.
X1은 -N(Ar3)-, -S- 또는 -O-이다.
X2는 -N(Ar6)-, -S- 또는 -O-이다.
Ar1 및 Ar4는 각각 독립적으로 탄소수 6~20의 아릴렌기, 탄소수 3~20의 헤테로아릴렌기 또는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 2개 제거하여 얻어지는 2가의 기이며, 이들 기의 방향환 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.
Ar2, Ar3, Ar5 및 Ar6은 각각 독립적으로 탄소수 6~20의 아릴기 또는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 1개 제거하여 얻어지는 1가의 기이며, 이들 기의 방향환 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자, 비닐기, 트리플루오로비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄기, 에폭시기, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 할로겐화알킬기로 치환되어 있어도 된다.
X1이 -N(Ar3)-일 때, Ar2와 Ar3이 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성해도 되고, X2가 -N(Ar6)-일 때, Ar5와 Ar6이 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성해도 된다.
R2가 페닐렌기일 때, R2와 Ar2가 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자, 유황 원자 또는 산소 원자와 함께 환을 형성해도 되고, R4가 페닐렌기일 때, R4와 Ar5가 서로 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자, 유황 원자 또는 산소 원자와 함께 환을 형성해도 된다.
단, Ar1~Ar3의 적어도 1개는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이며, Ar4~Ar6의 적어도 1개는 하기 식(3)으로 표시되는 디알킬플루오렌의 방향환 상의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다.

(식 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 또는 적어도 1개의 에테르 구조를 포함하는 탄소수 2~20의 알킬기이다.)]
A polymer comprising at least one selected from the repeating unit represented by the following formula (1) and the repeating unit represented by the following formula (2).

[In the formula, R A is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 to R 4 are each independently a single bond or a phenylene group, and some or all of the hydrogen atoms of this phenylene group are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, or meta. It may be substituted with a cryloyl group, an oxetane group, an epoxy group, an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group with 1 to 20 carbon atoms.
X 1 is -N(Ar 3 )-, -S- or -O-.
X 2 is -N(Ar 6 )-, -S- or -O-.
Ar 1 and Ar 4 are each independently obtained by removing two hydrogen atoms on the aromatic ring of an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, a heteroarylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a dialkyl fluorene represented by the formula (3) below. It is a divalent group, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of these groups are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, methacryloyl group, oxetane group, and epoxy group. , may be substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
Ar 2 , Ar 3 , Ar 5 and Ar 6 are each independently an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom on the aromatic ring of a dialkyl fluorene represented by the formula (3) below. and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of these groups are cyano group, nitro group, halogen atom, vinyl group, trifluorovinyl group, acryloyl group, methacryloyl group, oxetane group, epoxy group, and carbon number 1. It may be substituted with an alkyl group of ~20 carbon atoms or a halogenated alkyl group of 1-20 carbon atoms.
When _ _ _ _ _ _ and Ar 6 may be bonded to each other to form a ring with the nitrogen atom to which they are bonded.
When R 2 is a phenylene group, R 2 and Ar 2 may be bonded to each other to form a ring with the nitrogen atom, sulfur atom, or oxygen atom to which they are bonded, and when R 4 is a phenylene group, R 4 and Ar 5 may be They may combine with each other to form a ring with the nitrogen atom, sulfur atom, or oxygen atom to which they are bonded.
However, at least one of Ar 1 to Ar 3 is a group obtained by removing a hydrogen atom on the aromatic ring of dialkyl fluorene represented by the formula (3) below, and at least one of Ar 4 to Ar 6 is a group of the formula (3) below: It is a group obtained by removing the hydrogen atom on the aromatic ring of the dialkyl fluorene represented by 3).

(In the formula, R 5 and R 6 are each independently an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 20 carbon atoms, or an alkyl group with 2 to 20 carbon atoms containing at least one ether structure.)]
제1항에 있어서, 식(1)으로 표시되는 반복 단위가 하기 식(1A)으로 표시되는 것이며, 식(2)으로 표시되는 반복 단위가 하기 식(2A)으로 표시되는 것인 폴리머.

(식 중, RA, R1~R4, Ar1~Ar6은 상기와 동일하다.)
The polymer according to claim 1, wherein the repeating unit represented by formula (1) is represented by the following formula (1A), and the repeating unit represented by formula (2) is represented by the following formula (2A).

(In the formula, R A , R 1 to R 4 , and Ar 1 to Ar 6 are the same as above.)
제1항 또는 제2항에 있어서, R1 및 R3이 단결합인 폴리머.The polymer according to claim 1 or 2, wherein R 1 and R 3 are single bonds. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, R2 및 R4가 페닐렌기인 폴리머.The polymer according to any one of claims 1 to 3, wherein R 2 and R 4 are phenylene groups. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, Ar1 및 Ar4가 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2,7-디일기인 폴리머.The polymer according to any one of claims 1 to 4, wherein Ar 1 and Ar 4 are 9,9-dimethyl-9H-fluorene-2,7-diyl groups. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 폴리머로 이루어지는 전하수송성 물질.A charge-transporting material consisting of the polymer of any one of claims 1 to 5. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 폴리머를 포함하는 전하수송성 물질, 및 유기 용매를 포함하는 전하수송성 바니시.A charge-transporting varnish containing a charge-transporting material containing the polymer of any one of claims 1 to 5, and an organic solvent. 제7항에 있어서, 추가로 도펀트를 포함하는 전하수송성 바니시.The charge-transporting varnish according to claim 7, further comprising a dopant. 제7항 또는 제8항의 전하수송성 바니시로부터 얻어지는 전하수송성 박막.A charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish of claim 7 or 8. 제9항의 전하수송성 박막을 갖추는 유기 일렉트로루미네선스 소자.An organic electroluminescent device comprising the charge-transporting thin film of claim 9.
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