KR20230154754A - Air flow forming device - Google Patents

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KR20230154754A
KR20230154754A KR1020230055343A KR20230055343A KR20230154754A KR 20230154754 A KR20230154754 A KR 20230154754A KR 1020230055343 A KR1020230055343 A KR 1020230055343A KR 20230055343 A KR20230055343 A KR 20230055343A KR 20230154754 A KR20230154754 A KR 20230154754A
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코시로 타카키
코헤이 카와카미
겐지 야다
카즈야 안도
히로시 아리마
유스케 미야쿠보
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

처리 공간 상 풍속의 변화를 억제하는 것에 의해 액 처리 후의 기판의 막 두께의 불균일을 억제하는 것이다. 기류 형성 유닛(2)은, 도포 처리부(100)의 상방으로부터 이 도포 처리부(100)의 처리 공간(PS)으로 향하는 하방으로 기류를 발생시키는 기류 형성 유닛이다. 기류 형성 유닛(2)은, 도입한 기체를, 처리 공간(PS)에 대향하는 분출면(12a)으로부터 하방으로 분출하는 기체 공급부(10)를 구비한다. 또한, 기류 형성 유닛(2)은, 분출면(12a)의 하방 또한 처리 공간(PS)의 상방에 있어서 처리 공간(PS)의 직상의 개구부(300)를 둘러싸도록 배치된 기류 제어판(50)을 구비한다. 기류 제어판(50)은, 분출면(12a)으로부터 하방으로 분출된 기체에 대하여, 개구부(300)의 주변에 그 외측의 영역보다 강한 기류가 발생한 환상의 강기류 형성 영역(SA)을 형성한다.By suppressing changes in wind speed in the processing space, unevenness in the film thickness of the substrate after liquid treatment is suppressed. The airflow forming unit 2 is an airflow forming unit that generates an airflow downward from above the application processing unit 100 toward the processing space PS of the application processing unit 100 . The air flow forming unit 2 is provided with a gas supply unit 10 that blows the introduced gas downward from the blowing surface 12a facing the processing space PS. In addition, the air flow forming unit 2 includes an air flow control panel 50 disposed below the blowing surface 12a and above the processing space PS so as to surround the opening 300 directly above the processing space PS. Equipped with The airflow control panel 50 forms an annular strong airflow formation area SA around the opening 300 in which a stronger airflow than the area outside the gas is ejected downward from the blowing surface 12a.

Figure P1020230055343
Figure P1020230055343

Description

기류 형성 장치 {AIR FLOW FORMING DEVICE}Air flow forming device {AIR FLOW FORMING DEVICE}

본 개시는 기류 형성 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to an airflow forming device.

액 처리부의 상방으로부터 이 액 처리부의 처리 공간으로 향하는 기류(다운 플로우)를 발생시키는 기류 형성 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1 참조).An airflow forming device that generates an airflow (downflow) from above the liquid processing unit toward the processing space of the liquid processing unit is known (see, for example, patent document 1).

일본특허공개공보 2005-93794호Japanese Patent Publication No. 2005-93794

여기서, 장치 환경 상태에 따라서는, 상술한 처리 공간으로 향하는 기류가 안정되지 않고, 이를 원인으로서, 액 처리 후의 기판의 막 두께에 불균일이 생겨 버리는(기판 간에서 막 두께가 불균일한) 경우가 있다. 예를 들면, 인접하는 도포 컵의 배기 상태, 또는 일간 차 요인으로서 들고 있는 장치 양압값에 따라서는, 처리 공간으로 향하는 기류가 안정되지 않고, 기판의 막 두께에 불균일이 생겨 버리는 경우가 있다. 특히, 기류 감도가 높은 약액 프로세스에 있어서는, 기류가 안정되지 않는 것에 따른 막 두께의 불균일이 현저하게 나타난다.Here, depending on the environmental conditions of the device, the airflow toward the above-mentioned processing space may not be stable, and as a result, there may be cases where unevenness occurs in the film thickness of the substrate after liquid treatment (film thickness is uneven between substrates). . For example, depending on the exhaust condition of adjacent application cups or the positive pressure value of the device held as a daily difference factor, the airflow toward the processing space may not be stable and unevenness may occur in the film thickness of the substrate. In particular, in a chemical liquid process with high air flow sensitivity, unevenness in film thickness due to unstable air flow appears significantly.

본 개시는 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 기류 변화의 파라미터로서 들고 있는 처리 공간 상 풍속의 변화를 억제하는 것에 의해, 액 처리 후의 기판의 막 두께의 불균일을 억제할 수 있는 기류 형성 장치를 제공한다.The present disclosure has been made in consideration of the above circumstances, and provides an airflow forming device capable of suppressing unevenness in the film thickness of a substrate after liquid treatment by suppressing the change in wind speed in the processing space, which is taken as a parameter of the airflow change. .

본 개시의 일측면에 따른 기류 형성 장치는, 액 처리부의 상방으로부터 상기 액 처리부의 처리 공간으로 향하는 하방으로 기류를 발생시키는 기류 형성 장치로서, 도입한 기체를, 처리 공간에 대향하는 제 1 면으로부터 하방으로 분출하는 기체 공급부와, 제 1 면의 하방 또한 처리 공간의 상방에 있어서 처리 공간의 직상(直上)의 개구부를 둘러싸도록 배치되고, 제 1 면으로부터 하방으로 분출된 기체에 대하여, 개구부의 주변에 그 외측의 영역보다 강한 기류가 발생한 환상(環狀)의 강기류 형성 영역을 형성하는 기류 형성부를 구비한다.An airflow forming device according to one aspect of the present disclosure is an airflow forming device that generates an airflow from above a liquid processing unit downward toward the processing space of the liquid processing unit, and directs the introduced gas from the first side facing the processing space. A gas supply unit blowing downward is arranged to surround an opening directly above the processing space below the first surface and above the processing space, and with respect to the gas blowing downward from the first surface, the periphery of the opening It is provided with an airflow forming portion that forms an annular strong airflow forming region in which a stronger airflow than the outer region occurs.

본 개시에 따르면, 처리 공간 상 풍속의 변화를 억제하는 것에 의해 액 처리 후의 기판의 막 두께의 불균일을 억제할 수 있는 기류 형성 장치를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide an airflow forming device that can suppress unevenness in the film thickness of a substrate after liquid treatment by suppressing changes in wind speed in the processing space.

도 1은 본 실시 형태에 따른 기류 형성 유닛을 포함한 레지스트 도포 장치의 개략 구성을 나타낸 수직 단면도이다.
도 2는 기류 제어판의 저면도이다.
도 3의 (a)는 기체 공급부 및 기류 제어판의 수직 단면도이며, 도 3의 (b)는 기류 제어판의 상면도이다.
도 4는 강기류 형성 영역을 설명하는 도이다.
도 5는 장치 양압값마다의 센터 풍속을 나타내는 도이다.
도 6은 장치 양압값마다의 기판 막 두께를 나타내는 도이다.1 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of a resist coating device including an airflow forming unit according to the present embodiment.
Figure 2 is a bottom view of the airflow control panel.
Figure 3 (a) is a vertical cross-sectional view of the gas supply unit and the air flow control panel, and Figure 3 (b) is a top view of the air flow control panel.
Figure 4 is a diagram explaining a strong airflow formation area.
Figure 5 is a diagram showing the center wind speed for each device positive pressure value.
Figure 6 is a diagram showing the substrate film thickness for each device positive pressure value.

도 1은 본 실시 형태에 따른 레지스트 도포 장치(1)의 개략 구성을 나타낸 수직 단면도이다. 레지스트 도포 장치(1)는, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 기판 처리 시스템에 포함되는 장치(기판 처리 장치)이다. 처리 대상의 기판으로서는, 반도체 웨이퍼, 글라스 기판, 마스크 기판, 또는 FPD(Flat Panel Display) 등을 들 수 있다. 기판은, 반도체 웨이퍼 등의 위에, 전단의 처리에 있어서 피막 등이 형성된 것도 포함한다. 레지스트 도포 장치(1)는, 기판 처리 시스템에 포함되는 노광 장치(미도시)에 의한 노광 처리의 전에, 기판의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행한다. 보다 구체적으로, 레지스트 도포 장치(1)는, 레지스트막 형성용의 도포액을 기판의 표면에 공급하고, 상기 베이크 전 레지스트막을 형성한다. 또한, 레지스트 도포 장치(1)는, 기판의 표면에 베이크 전 레지스트막을 형성한 후에, 기판의 주연부에 제거액을 공급함으로써, 베이크 전 레지스트막의 주연부를 제거한다.1 is a vertical cross-sectional view showing the schematic configuration of the resist coating device 1 according to the present embodiment. The resist coating device 1 is a device (substrate processing device) included in a substrate processing system that forms a photosensitive film on a substrate, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor wafer, glass substrate, mask substrate, or FPD (Flat Panel Display). The substrate includes a semiconductor wafer or the like on which a film or the like is formed during a shearing process. The resist coating device 1 performs a process of forming a resist film on the surface of the substrate before exposure treatment by an exposure device (not shown) included in the substrate processing system. More specifically, the resist coating device 1 supplies a coating liquid for forming a resist film to the surface of a substrate and forms the resist film before baking. Additionally, the resist coating device 1 forms a pre-bake resist film on the surface of a substrate and then supplies a removal liquid to the periphery of the substrate, thereby removing the periphery of the pre-bake resist film.

레지스트 도포 장치(1)는, 도 1에 나타나는 바와 같이, 도포 처리부(100)(액 처리부)와, 기류 형성 유닛(2)(기류 형성 장치)을 포함하여 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, the resist application device 1 is configured to include an application processing unit 100 (liquid processing unit) and an airflow forming unit 2 (airflow forming device).

도포 처리부(100)는 2 개의 처리부(100a, 100b)를 가지고 있다. 2 개의 처리부(100a, 100b)는, 서로 이웃하여 배열되어 배치되어 있고, 서로 동일한 구성으로 되어 있다. 2 개의 처리부(100a, 100b)는, 각각, 스핀 척(미도시) 및 컵(101)을 포함하여 구성되어 있다.The application processing unit 100 has two processing units 100a and 100b. The two processing units 100a and 100b are arranged adjacent to each other and have the same configuration. The two processing units 100a and 100b each include a spin chuck (not shown) and a cup 101.

스핀 척(미도시)은, 기판(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평으로 유지하고 또한 기판(W)을 회전시키는 회전 유지부이다. 스핀 척은, 회전축(미도시)을 개재하여 회전 구동 기구(미도시)와 접속되어 있다. 스핀 척은, 회전 구동 기구를 개재하여 기판(W)을 유지한 상태로 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 기판(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구는, 제어부(미도시)로부터의 제어 신호를 받아 스핀 척의 회전 속도를 제어한다.The spin chuck (not shown) is a rotation holding part that adsorbs the central portion of the back surface of the substrate W, maintains it horizontally, and rotates the substrate W. The spin chuck is connected to a rotation drive mechanism (not shown) via a rotation shaft (not shown). The spin chuck is configured to be rotatable around a vertical axis while holding the substrate W via a rotation drive mechanism, and is set so that the center of the substrate W is located on the rotation axis. The rotation drive mechanism controls the rotation speed of the spin chuck by receiving a control signal from a control unit (not shown).

컵(101)은, 스핀 척 상의 기판(W)을 둘러싸도록 하여 상방측에 개구가 형성되어 있다. 컵(101)으로 둘러싸인 영역이, 기판(W)에 대한 도포 처리의 처리 공간(PS)으로 되어 있다. 컵(101)의 하방에는 배기관로(미도시)가 마련되어 있다. 또한, 컵(101) 내에는, 3 개의 승강 핀(미도시)이 마련되어 있다. 승강 핀은, 승강 기구(미도시)에 의해 승강함으로써, 레지스트 도포 장치(1)로 기판(W)을 반송하는 도시하지 않는 기판 반송 기구와 스핀 척과의 사이에서 기판(W)의 전달을 행할 수 있다. 또한, 도포 처리부(100)는, 기판(W)에 레지스트액을 공급하기 위한, 도시하지 않는 각종 부품을 가지고 있다.The cup 101 has an opening formed on its upper side so as to surround the substrate W on the spin chuck. The area surrounded by the cup 101 serves as the processing space PS for the coating process on the substrate W. An exhaust pipe (not shown) is provided below the cup 101. Additionally, three lifting pins (not shown) are provided within the cup 101. The lifting pins can transfer the substrate W between the spin chuck and a substrate transport mechanism (not shown) that transports the substrate W to the resist coating device 1 by being raised and lowered by a lifting mechanism (not shown). there is. Additionally, the application processing unit 100 has various parts, not shown, for supplying resist liquid to the substrate W.

기류 형성 유닛(2)은, 도포 처리부(100)의 상방으로부터 이 도포 처리부(100)의 처리 공간(PS)으로 향하는 하방으로, 기류를 발생시키는 구성이다. 기류 형성 유닛(2)은 기체 공급부(10)와, 기류 제어판(50)(기류 형성부)과, 복수의 스페이서(70)(도 3의 (a) 및 도 3의 (b) 참조)를 가지고 있다.The airflow forming unit 2 is configured to generate an airflow from above the application processing unit 100 downward toward the processing space PS of the application processing unit 100. The air flow forming unit 2 has a gas supply part 10, an air flow control panel 50 (air flow forming part), and a plurality of spacers 70 (see Figure 3 (a) and Figure 3 (b)). there is.

기체 공급부(10)는, 도입한 기체를 처리 공간(PS)을 향해 분출하는 구성이다. 기체 공급부(10)는 분출 유닛(11)과, ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터(12)를 가지고 있다.The gas supply unit 10 is configured to eject the introduced gas toward the processing space PS. The gas supply unit 10 has an ejection unit 11 and an Ultra Low Penetration Air (ULPA) filter 12.

분출 유닛(11)은 편평한 상자 형상의 부재이며, 그 하면이 개구되어 분출면(11a)을 구성하고 있다. 분출 유닛(11)의 측부에는, 기체를 도입하기 위한 도입홀이 형성되어 있다. 분출 유닛(11)의 하부에는, ULPA 필터(12)가 장착되어 있다.The blowing unit 11 is a flat box-shaped member whose lower surface is open to form the blowing surface 11a. An introduction hole for introducing gas is formed on the side of the blowing unit 11. At the lower part of the blowing unit 11, a ULPA filter 12 is mounted.

ULPA 필터(12)는, 기체 중의 미세한 파티클을 제거하는 필터이다. ULPA 필터(12)는, 분출 유닛(11)의 분출면(11a)으로부터 하방으로 흘러나온 기체 중의 파티클을 제거하고, 그 하면인 분출면(12a)(제 1 면)으로부터 하방으로 기체를 분출한다. 분출면(12a)에 있어서는, 뚫린 개구로부터, 정류된 기체가 그대로 흘러나오는 구조로 되어 있다. 분출면(12a)으로부터 분출하는 기체의 풍량은, 영역에 관계없이 대략 일정하게 되어 있다. 즉, 2 개의 처리부(100a, 100b)의 컵(101) 간에서, ULPA 필터(12)로부터의 기체의 풍량의 차는 발생하고 있지 않다.The ULPA filter 12 is a filter that removes fine particles in gas. The ULPA filter 12 removes particles in the gas flowing downward from the blowing surface 11a of the blowing unit 11, and blows the gas downward from the blowing surface 12a (first surface), which is the lower surface. . The blowing surface 12a has a structure in which the rectified gas flows out as it is from the open opening. The wind volume of the gas blowing out from the blowing surface 12a is approximately constant regardless of the area. That is, there is no difference in the amount of gas flowing from the ULPA filter 12 between the cups 101 of the two processing units 100a and 100b.

기류 제어판(50)은, ULPA 필터(12)의 분출면(12a)의 하방 또한 처리부(100a, 100b)의 처리 공간(PS)의 상방에 배치되어 있다. 기류 제어판(50)은, 처리 공간(PS)의 직상의 개구부(300)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 기류 제어판(50)은, 분출면(12a)으로부터 하방으로 분출된 기체에 대하여, 개구부(300)의 주변에, 그 외측의 영역보다 강한 기류가 발생하는 환상의 강기류 형성 영역(SA)(도 1 및 도 4 참조. 상세는 후술)을 형성하는 기류 형성부이다. 또한, 평면에서 봤을 때, 개구부(300)의 영역은, 처리 공간(PS)에 배치되는 기판(W)의 영역보다 좁다. 즉, 개구부(300)는, 평면에서 봤을 시의 기판(W)의 외연부보다 내측의 영역에만 형성되어 있다. 기류 제어판(50)의 상세에 대하여, 도 2 ~ 도 4도 참조하여 설명한다. 도 2는 기류 제어판(50)의 저면도이다. 도 3의 (a)는 기체 공급부(10) 및 기류 제어판(50)의 수직 단면도이며, 도 3의 (b)는 기류 제어판(50)의 상면도이다. 도 4는 강기류 형성 영역을 설명하는 도이다.The air flow control panel 50 is disposed below the blowing surface 12a of the ULPA filter 12 and above the processing space PS of the processing units 100a and 100b. The air flow control panel 50 is arranged to surround the opening 300 directly above the processing space PS. The airflow control panel 50 has an annular strong airflow formation area SA (Figure 1 and 4. This is an airflow forming portion (detailed below). Additionally, when viewed in plan, the area of the opening 300 is narrower than the area of the substrate W disposed in the processing space PS. That is, the opening 300 is formed only in an area inside the outer edge of the substrate W when viewed from the top. Details of the air flow control panel 50 will be described with reference to FIGS. 2 to 4 as well. Figure 2 is a bottom view of the airflow control panel 50. Figure 3 (a) is a vertical cross-sectional view of the gas supply unit 10 and the air flow control panel 50, and Figure 3 (b) is a top view of the air flow control panel 50. Figure 4 is a diagram explaining a strong airflow formation area.

도 2에 나타나는 바와 같이, 기류 제어판(50)은, 처리부(100a, 100b)에 대응하는 개구부(300, 300)의 영역을 제외하고(개구부(300, 300)를 둘러싸도록) 배치되어 있다. 도 2 및 도 3의 (a)에 나타나는 바와 같이, 기류 제어판(50)은, 개구부(300)를 둘러싸도록 상하 방향으로 연장되는 환상의 벽부(51)와, 벽부(51)의 하단에 연속하고, 또한 ULPA 필터(12)의 분출면(12a)에 대향하도록 수평으로 연장되는 저부(52)를 가지고 있다. 저부(52)는, 분출면(12a)의 하방의 영역 중, 개구부(300)에 대응하는 영역 이외의 모든 영역과 대향하도록, 수평으로 연장되어 있다.As shown in FIG. 2, the air flow control panel 50 is arranged (surrounding the openings 300, 300) except for the areas of the openings 300, 300 corresponding to the processing units 100a, 100b. As shown in Figures 2 and 3 (a), the air flow control panel 50 has an annular wall portion 51 extending in the vertical direction to surround the opening portion 300, and is continuous with the lower end of the wall portion 51. , It also has a bottom portion 52 extending horizontally to face the discharge surface 12a of the ULPA filter 12. The bottom portion 52 extends horizontally so as to face all regions other than the region corresponding to the opening 300 among the regions below the blowing surface 12a.

도 3의 (a)에 나타나는 바와 같이, 벽부(51)는, 그 상단과 ULPA 필터(12)의 분출면(12a)과의 사이에 좁은 갭(51a)이 형성되도록, 상하 방향으로 연장되어 있다. 좁은 갭(51a)은, 예를 들면 분출면(12a)과 저부(52)와의 이간 거리의 50% 정도의 길이로 되어 있고, 구체적으로, 예를 들면 1.5 ~ 4.5 mm 정도의 길이로 되어 있어도 된다. 이러한 구성에 의하면, 분출면(12a)과 저부(52)와의 사이에 한 번 축적된 기체가, 좁은 갭(51a)으로부터 개구부(300)측으로 분출되게 된다(도 1 참조). 좁은 갭(51a)에 있어서의 압력 손실에 의해, 좁은 갭(51a)으로부터 분출된 기체가 형성하는 기류의 유속이 빨라져, 개구부(300)의 주변에, 그 외측의 영역보다 강한 기류가 발생한 환상의 강기류 형성 영역(SA)이 형성된다(도 1 및 도 4 참조).As shown in Figure 3 (a), the wall portion 51 extends in the vertical direction so that a narrow gap 51a is formed between its upper end and the blowing surface 12a of the ULPA filter 12. . The narrow gap 51a may be, for example, about 50% of the distance between the blowing surface 12a and the bottom 52, and may be specifically, for example, about 1.5 to 4.5 mm long. . According to this configuration, the gas once accumulated between the blowing surface 12a and the bottom 52 is blown out from the narrow gap 51a toward the opening 300 (see Fig. 1). Due to the pressure loss in the narrow gap 51a, the flow rate of the airflow formed by the gas ejected from the narrow gap 51a increases, and an annular airflow stronger than the area outside the opening 300 is generated. A strong air current formation area (SA) is formed (see FIGS. 1 and 4).

도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 나타나는 바와 같이, 기류 제어판(50)은, 복수의 스페이서(70)를 개재하여 ULPA 필터(12)에 고정되어 있다. 스페이서(70)는, 상단이 ULPA 필터(12)의 분출면(12a)에 접속되고, 또한 하단이 저부(52)에 접속되어 있다. 복수의 스페이서(70)는, 서로 상하 방향에 있어서의 높이가 동일하다. 각 스페이서(70)는, 도 3의 (b)에 나타나는 바와 같이, 개구부(300)를 둘러싸도록 세워 마련된 환상의 벽부(51)를 따라, 일정한 간격으로 마련되어 있다. 또한, 스페이서(70)는, 벽부(51)를 따른 영역뿐 아니라, 스페이서(70) 간의 이간 거리가 너무 커지지 않을 정도로, 저부(52)의 각 영역에 마련되어 있다(도 3의 (b) 참조). 이와 같이, 서로 동일한 높이의 복수의 스페이서(70)가 빠짐없이 저부(52)에 마련되는 것에 의해, 분출면(12a)과 저부(52)와의 사이의 기체가 축적되는 공간의 크기를 일정하게 할 수 있어, 영역에 따라 차압이 발생하여 기류가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.As shown in Fig. 3(a) and Fig. 3(b), the air flow control panel 50 is fixed to the ULPA filter 12 via a plurality of spacers 70. The spacer 70 has its upper end connected to the blowing surface 12a of the ULPA filter 12, and its lower end connected to the bottom 52. The plurality of spacers 70 have the same height in the vertical direction. Each spacer 70 is provided at regular intervals along the annular wall portion 51 erected to surround the opening 300, as shown in FIG. 3(b). In addition, the spacers 70 are provided not only in the area along the wall 51 but also in each area of the bottom 52 so that the separation distance between the spacers 70 does not become too large (see Figure 3(b)). . In this way, by providing a plurality of spacers 70 of the same height to the bottom 52 without exception, the size of the space in which the gas accumulates between the blowing surface 12a and the bottom 52 can be made constant. This can prevent uneven airflow from occurring due to differential pressure depending on the area.

또한, 도 2에 나타나는 바와 같이, 저부(52)에는, 기체를 하방으로 보내는 복수의 홀부(55)가 형성되어 있다. 저부(52)는, 벽부(51)에 연속하는 영역인 제 1 영역(52a)(중앙측의 영역)과, 제 1 영역(52a)보다 외측의 영역인 제 2 영역(52b)을 가지고 있다. 그리고, 상술한 복수의 홀부(55)에 관하여, 제 1 영역(52a)에 있어서의 복수의 홀부(55)가 차지하는 비율인 제 1 개구율은, 제 2 영역(52b)에 있어서의 복수의 홀부(55)가 차지하는 비율인 제 2 개구율보다 낮다. 즉, 제 1 영역(52a)과 제 2 영역(52b)을 동일한 면적의 조건으로 비교하면, 제 1 영역(52a)이, 하방으로 기체를 빼내는 홀부(55)의 영역이 작다. 이에 의해, 상대적으로, 제 1 영역(52a)으로부터 분출되는 기체가 형성하는 기류의 유속이 빨라져, 벽부(51)의 근방(즉, 개구부(300)의 주변)에, 강기류 형성 영역(SA)이 형성된다(도 1 및 도 4 참조). 또한, 예를 들면, 도 2에도 나타나 있는 바와 같이, 제 1 영역(52a)에 있어서의 복수의 홀부(55)는, 원 형상의 개구부(300)를 기준으로 한 둘레 방향의 간격으로 규칙성을 가지는, 개구부(300)로부터 외측을 향한 방사 형상의 배치로 되어 있다. 제 2 영역(52b)에 있어서의 복수의 홀부(55)는, 상기의 제 1 영역(52a)에 있어서의 배치와는 달리 전체적으로 균등한 배치로 되어 있다. 이 전체적으로 균등인 배치로서의 일례를, 도 2를 기초로 설명하면, 각 홀부(55) 간의 간격이 도 2에 있어서의 종방향과 횡방향에서 일정한 규칙성을 가지는 배치라 할 수 있다. 이와 같은 제 1 영역과 제 2 영역에서의 복수의 홀부(55)의 배치의 차이에 의해, 제 2 영역으로부터는 대략 균등한 다운 플로우를 발생시키고, 그 내측에 강기류 형성 영역(SA)을 둘레 형상으로 안정적으로 형성하기 쉬워진다고 상정된다.Additionally, as shown in FIG. 2, a plurality of holes 55 are formed in the bottom portion 52 to direct gas downward. The bottom portion 52 has a first region 52a (center-side region) that is continuous to the wall portion 51, and a second region 52b that is an region outside the first region 52a. And, regarding the plurality of hole portions 55 described above, the first aperture ratio, which is the ratio occupied by the plurality of hole portions 55 in the first area 52a, is the ratio of the plurality of hole portions in the second area 52b ( It is lower than the second aperture ratio, which is the ratio accounted for by 55). That is, when comparing the first area 52a and the second area 52b under the condition of the same area, the area of the hole portion 55 through which gas is extracted downward in the first area 52a is small. As a result, the flow speed of the air flow formed by the gas ejected from the first area 52a is relatively fast, and a strong air flow formation area SA is formed in the vicinity of the wall portion 51 (i.e., around the opening 300). is formed (see Figures 1 and 4). In addition, for example, as shown in FIG. 2, the plurality of hole portions 55 in the first area 52a are regular at intervals in the circumferential direction based on the circular opening 300. The branches are arranged radially outward from the opening 300. The plurality of hole portions 55 in the second area 52b are arranged uniformly as a whole, unlike the arrangement in the first area 52a. If an example of this overall uniform arrangement is explained based on FIG. 2, it can be said to be an arrangement in which the spacing between each hole portion 55 has certain regularity in the longitudinal and lateral directions in FIG. 2. Due to the difference in arrangement of the plurality of hole portions 55 in the first area and the second area, an approximately equal downflow is generated from the second area, and a strong airflow formation area SA is formed inside the area. It is assumed that it becomes easier to form the shape stably.

또한, 제 2 영역(52b)의 제 2 개구율은, 제 2 영역(52b)으로부터 하방으로 향하는 기류의 유속이, 개구부(300)의 중심 부근에 있어서 ULPA 필터(12)의 분출면(12a)으로부터 하방으로 향하는 기류의 유속보다 느려지도록 설정되어 있어도 된다. 이와 같이, 처리 공간(PS)보다 외측의 기류의 유속이 느려지게 됨으로써, 처리 공간 상 풍속의 변화가 보다 억제된다.In addition, the second opening ratio of the second area 52b is such that the flow rate of the airflow directed downward from the second area 52b is from the blowing surface 12a of the ULPA filter 12 near the center of the opening 300. It may be set to be slower than the flow speed of the downward airflow. In this way, the flow speed of the airflow outside the processing space PS becomes slower, thereby further suppressing changes in wind speed in the processing space.

도 4에서는, 각 처리부(100a, 100b)의 처리 공간(PS)에 있어서의 기류(AF)의 흐름이 화살표로 나타나 있다. 도 4에 나타나는 바와 같이, 환상의 강기류 형성 영역(SA)이 형성되어 있다. 이러한 강기류 형성 영역(SA)은, 에어 커튼의 기능을 하고, 에어 커튼인 강기류 형성 영역(SA)의 외측의 외란 인자의 영향이 강기류 형성 영역(SA)의 내측(즉 처리 공간(PS))의 영역에 미치는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 도 4에 나타나는 바와 같이, 처리 공간 상 풍속의 변화가 억제되어, 처리 공간(PS) 상의 기류(AF)의 흐름이 일정(대략 하방으로 향하는 일직선의 흐름)해진다.In FIG. 4, the flow of airflow AF in the processing space PS of each processing unit 100a and 100b is indicated by an arrow. As shown in Figure 4, an annular strong air flow formation area (SA) is formed. This strong air flow formation area (SA) functions as an air curtain, and the influence of disturbance factors on the outside of the strong air flow formation area (SA), which is an air curtain, affects the inside of the strong air flow formation area (SA) (i.e., the processing space (PS). )) can be suppressed from reaching the area. As a result, as shown in FIG. 4, the change in wind speed in the processing space is suppressed, and the flow of the airflow AF in the processing space PS becomes constant (a substantially straight flow heading downward).

다음으로, 본 실시 형태에 따른 기류 형성 유닛(2)(기류 형성 장치)의 작용 효과에 대하여 설명한다.Next, the effects of the airflow forming unit 2 (airflow forming device) according to the present embodiment will be described.

본 실시 형태에 따른 기류 형성 유닛(2)은, 도포 처리부(100)의 상방으로부터 이 도포 처리부(100)의 처리 공간(PS)으로 향하는 하방으로 기류를 발생시키는 기류 형성 유닛이다. 기류 형성 유닛(2)은, 도입한 기체를, 처리 공간(PS)에 대향하는 분출면(12a)으로부터 하방으로 분출하는 기체 공급부(10)를 구비한다. 또한, 기류 형성 유닛(2)은, 분출면(12a)의 하방 또한 처리 공간(PS)의 상방에 있어서 처리 공간(PS)의 직상의 개구부(300)를 둘러싸도록 배치된 기류 제어판(50)을 구비한다. 기류 제어판(50)은, 분출면(12a)으로부터 하방으로 분출된 기체에 대하여, 개구부(300)의 주변에 그 외측의 영역보다 강한 기류가 발생한 환상의 강기류 형성 영역(SA)을 형성한다.The airflow forming unit 2 according to the present embodiment is an airflow forming unit that generates an airflow downward from above the application processing unit 100 toward the processing space PS of the application processing unit 100. The air flow forming unit 2 is provided with a gas supply unit 10 that blows the introduced gas downward from the blowing surface 12a facing the processing space PS. In addition, the air flow forming unit 2 includes an air flow control panel 50 disposed below the blowing surface 12a and above the processing space PS so as to surround the opening 300 directly above the processing space PS. Equipped with The airflow control panel 50 forms an annular strong airflow formation area SA around the opening 300 in which a stronger airflow than the area outside the gas is ejected downward from the blowing surface 12a.

본 실시 형태에 따른 기류 형성 유닛(2)에서는, 처리 공간(PS)의 직상의 개구부(300)의 주변에, 환상의 강기류 형성 영역(SA)이 형성되고, 이 강기류 형성 영역(SA)이 에어 커튼으로서 기능한다. 이와 같이 컵(101) 상의 기류에 분포를 부여하는 것에 의해, 예를 들면 강기류 형성 영역(SA)의 외측에 있어서 외란 인자가 발생해도, 강기류 형성 영역(SA)의 내측, 즉 처리 공간(PS)의 영역에서는, 외란 인자의 영향을 받는 것이 억제된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 기류 형성 유닛(2)에서는, 강기류 형성 영역(SA)이 에어 커튼으로서 기능하는 것에 의해, 처리 공간 상 풍속의 변화가 억제된다. 이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 기류 형성 유닛(2)에 의하면, 기류 변화의 파라미터로서 들 수 있는 처리 공간 상 풍속의 변화를 억제하여, 액 처리 후의 기판(W)의 막 두께의 불균일을 억제할 수 있다.In the air flow formation unit 2 according to the present embodiment, an annular strong air flow formation area SA is formed around the opening 300 directly above the processing space PS, and this strong air flow formation area SA This functions as an air curtain. By providing distribution to the airflow on the cup 101 in this way, for example, even if a disturbance factor occurs outside the strong airflow formation area SA, it is located inside the strong airflow formation area SA, that is, in the processing space ( In the area of PS), the influence of disturbance factors is suppressed. That is, in the air flow forming unit 2 according to the present embodiment, the strong air flow forming area SA functions as an air curtain, thereby suppressing changes in wind speed in the processing space. As described above, according to the air flow forming unit 2 according to the present embodiment, the change in wind speed in the processing space, which can be considered as a parameter of the air flow change, is suppressed, and the unevenness of the film thickness of the substrate W after liquid treatment is suppressed. can do.

도 5는 장치 양압값마다의 센터 풍속(처리 공간의 중앙에 있어서의 풍속)을 나타내는 도이다. 도 5에 있어서, 횡축은 각 장치 양압값(0 Pa, 0.4 Pa, 0.8 Pa, 1.5 Pa, 2.0 Pa)마다의 2 개의 처리부(100a, 100b)의 컵(101)(CUP1, CUP2)을 나타내고 있다. 또한, 종축은, 센터 풍속을 나타내고 있다. 여기서, 장치 양압값이 바뀌는 것에 의해, 처리 공간 상의 기류(즉 센터 풍속)가 변화하여, 기판(W)의 막 두께에 불균일이 생기는 것이 상정된다. 본 실시 형태에 따른 기류 제어판(50)을 구비하지 않는 비교예에 따른 구성에서는, 도 5에 나타나는 바와 같이, 각 장치 양압값 간에서, 최대 변동량(Fe1)만큼 센터 풍속이 변동한다. 이에 대하여, 본 실시 형태에 따른 기류 제어판(50)을 구비하는 구성에서는, 도 5에 나타나는 바와 같이, 각 장치 양압값 간에서의 센터 풍속의 변동량이, 상술한 비교예에 있어서의 변동량(Fe1)과 비교하면 명백히 작아, 센터 풍속의 불균일을 억제할 수 있었다.Figure 5 is a diagram showing the center wind speed (wind speed at the center of the processing space) for each device positive pressure value. In Figure 5, the horizontal axis represents the cups 101 (CUP1, CUP2) of the two processing units 100a and 100b for each device positive pressure value (0 Pa, 0.4 Pa, 0.8 Pa, 1.5 Pa, 2.0 Pa). . Additionally, the vertical axis represents the center wind speed. Here, it is assumed that as the device positive pressure value changes, the air flow (i.e., center wind speed) in the processing space changes, causing unevenness in the film thickness of the substrate W. In the configuration according to the comparative example without the airflow control panel 50 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the center wind speed varies by the maximum variation Fe1 between the positive pressure values of each device. On the other hand, in the configuration provided with the airflow control panel 50 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the amount of variation in center wind speed between the positive pressure values of each device is the amount of variation (Fe1) in the comparative example described above. It is obviously small compared to , and it was possible to suppress the unevenness of the center wind speed.

그리고, 센터 풍속의 불균일을 억제할 수 있었던 것에 의해, 도 6에 나타나는 바와 같이, 기판(W)의 막 두께의 불균일을 억제할 수 있다. 도 6은 장치 양압값마다의 기판 막 두께를 나타내는 도이다. 도 6에 있어서, 횡축은 기판(W)의 직경 방향의 위치를 나타내고 있고, 종축은 기판(W)의 막 두께를 나타내고 있다. 도 6의 각 그래프는, 조건을 바꾸어 복수 측정된 각 장치 양압값에 있어서의, 기판(W)의 직경 방향의 각 위치의 막 두께를 나타내고 있다. 예를 들면, 본 실시 형태에 따른 기류 제어판(50)을 구비하지 않는 비교예에 따른 구성에서는, 도 6에 나타나는 바와 같이, 기판(W)의 중심에 있어서, 각 장치 양압값 간에서 최대 변동량(Fe2)만큼 막 두께가 변동한다. 이에 대하여, 본 실시 형태에 따른 기류 제어판(50)을 구비하는 구성에서는, 도 6에 나타나는 바와 같이, 각 장치 양압값 간에서의 기판(W)의 중심에 있어서의 막 두께의 변동량이, 상술한 비교예에 있어서의 변동량(Fe2)과 비교해 명백히 작아, 기판(W)의 막 두께의 불균일을 억제할 수 있었다.And, by being able to suppress the unevenness of the center wind speed, the unevenness of the film thickness of the substrate W can be suppressed, as shown in FIG. 6 . Figure 6 is a diagram showing the substrate film thickness for each device positive pressure value. In Fig. 6, the horizontal axis represents the radial position of the substrate W, and the vertical axis represents the film thickness of the substrate W. Each graph in FIG. 6 shows the film thickness at each position in the radial direction of the substrate W in each device positive pressure value measured in plurality under different conditions. For example, in the configuration according to the comparative example without the air flow control panel 50 according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, at the center of the substrate W, the maximum amount of variation between the positive pressure values of each device ( The film thickness fluctuates as much as Fe2). On the other hand, in the configuration provided with the airflow control panel 50 according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, the amount of variation in the film thickness at the center of the substrate W between each device positive pressure value is as described above. It was clearly smaller than the variation (Fe2) in the comparative example, and unevenness in the film thickness of the substrate W could be suppressed.

기류 제어판(50)은, 개구부(300)를 둘러싸도록 상하 방향으로 연장되는 환상의 벽부(51)와, 벽부(51)의 하단에 연속하고 또한 분출면(12a)과 대향하도록 수평으로 연장되는 저부(52)를 가진다. 벽부(51)는, 그 상단과 분출면(12a)과의 사이에 좁은 갭(51a)이 형성되도록 상하 방향으로 연장되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 기체 공급부(10)로부터 하방으로 분출된 기체가, 저부(52)와 분출면(12a)과의 사이에 한 번 축적되고, 축적된 기체가 벽부(51)와 분출면(12a)과의 사이의 좁은 갭(51a)으로부터 분출되게 된다. 좁은 갭(51a)에서의 압력 손실에 의해, 분출된 기체가 형성하는 기류의 유속이 빨라져, 상술한 강기류 형성 영역(SA)이 형성된다. 이에 의해, 개구부(300)의 주변에 환상의 강기류 형성 영역(SA)을 확실하게 형성할 수 있다.The air flow control panel 50 includes an annular wall portion 51 extending in the vertical direction to surround the opening 300, and a bottom portion continuous to the lower end of the wall portion 51 and extending horizontally to face the blowing surface 12a. We have (52). The wall portion 51 extends in the vertical direction so that a narrow gap 51a is formed between its upper end and the blowing surface 12a. According to this configuration, the gas ejected downward from the gas supply part 10 is accumulated once between the bottom part 52 and the ejection surface 12a, and the accumulated gas is emitted between the wall part 51 and the ejection surface 12a. ) is ejected from the narrow gap 51a between the Due to the pressure loss in the narrow gap 51a, the flow rate of the airflow formed by the ejected gas increases, and the strong airflow formation area SA described above is formed. As a result, the annular strong air flow formation area SA can be reliably formed around the opening 300.

저부(52)에는, 도 2에 나타나는 바와 같이, 기체를 하방으로 보내는 복수의 홀부(55)가 형성되어 있다. 저부(52)는, 벽부(51)의 하단에 연속하는 영역인 제 1 영역(52a)과, 제 1 영역(52a)보다 외측의 영역인 제 2 영역(52b)을 가진다. 제 1 영역(52a)에 있어서의 복수의 홀부(55)가 차지하는 비율인 제 1 개구율은, 제 2 영역(52b)에 있어서의 복수의 홀부(55)가 차지하는 비율인 제 2 개구율보다 낮아도 된다. 이와 같이, 저부(52)에 있어서의 벽부(51)쪽의 제 1 영역(52a)의 개구율이, 외측의 제 2 영역(52b)의 개구율보다 낮게 됨으로써, 상대적으로, 제 1 영역(52a)의 홀부(55)로부터 분출되는 기체가 형성하는 기류의 유속이 빨라진다. 이로써, 벽부(51)의 근방(즉 개구부(300)의 주변)에 강기류 형성 영역(SA)을 확실하게 형성할 수 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of holes 55 for sending gas downward are formed in the bottom portion 52. The bottom portion 52 has a first region 52a, which is a continuous region at the lower end of the wall portion 51, and a second region 52b, which is an region outside the first region 52a. The first aperture ratio, which is the ratio occupied by the plurality of hole portions 55 in the first area 52a, may be lower than the second aperture ratio, which is the ratio occupied by the plurality of hole portions 55 in the second area 52b. In this way, the aperture ratio of the first region 52a on the wall portion 51 side of the bottom portion 52 becomes lower than the aperture ratio of the outer second region 52b, so that the aperture ratio of the first region 52a is relatively high. The flow speed of the airflow formed by the gas ejected from the hole portion 55 increases. As a result, the strong air flow formation area SA can be reliably formed in the vicinity of the wall portion 51 (i.e., around the opening portion 300).

기류 형성 유닛(2)은, 상단이 분출면(12a)에 접속되고 또한 하단이 저부(52)에 접속된 복수의 스페이서(70)를 더 구비하고, 복수의 스페이서(70)는, 서로, 상하 방향에 있어서의 높이가 동일해도 된다. 이러한 구성에 의하면, 서로 동일한 높이의 복수의 스페이서(70)에 의해, 분출면(12a)과 저부(52)와의 이간 거리(간극)를 일정값으로 할 수 있다. 이와 같이, 기체가 축적되는 공간의 크기가 일정값으로 됨으로써, 영역에 따라(예를 들면 서로 이웃하는 복수의 처리 공간(PS) 간에서) 차압이 생겨 기류가 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.The air flow forming unit 2 further includes a plurality of spacers 70 whose upper ends are connected to the blowing surface 12a and whose lower ends are connected to the bottom 52, and the plurality of spacers 70 are positioned above and below each other. The height in the direction may be the same. According to this configuration, the separation distance (gap) between the blowing surface 12a and the bottom 52 can be set to a constant value by using a plurality of spacers 70 of the same height. In this way, by setting the size of the space in which gas is accumulated to a constant value, it is possible to suppress the occurrence of differential pressure in different areas (for example, between a plurality of processing spaces PS that are adjacent to each other), thereby preventing the airflow from becoming non-uniform.

스페이서(70)는, 벽부(51)를 따라 마련되어 있어도 된다. 이에 의해, 좁은 갭(51a)의 크기가 불균일한 것이 회피되어, 영역에 따른 기류의 불균일을 보다 억제할 수 있다. 또한, 벽부(51)를 따라 마련된 스페이서(70)가 기체의 흐름에 대한 저항으로서 기능하는 것에 의해, 좁은 갭(51a)의 저항으로서의 기능과 더불어, 좁은 갭(51a)으로부터 분출되는 기류의 유속을 빠르게 하여 강기류 형성 영역(SA)을 보다 적합하게 형성할 수 있다.The spacer 70 may be provided along the wall portion 51 . As a result, non-uniformity in the size of the narrow gap 51a is avoided, and non-uniformity of airflow depending on the area can be further suppressed. In addition, the spacer 70 provided along the wall 51 functions as a resistance to the flow of gas, so that in addition to functioning as a resistance to the narrow gap 51a, it also controls the flow rate of the airflow ejected from the narrow gap 51a. By doing this quickly, the strong airflow formation area (SA) can be formed more appropriately.

평면에서 보면, 개구부(300)의 영역은, 처리 공간(PS)에 배치되는 기판(W)의 영역보다 좁아도 된다. 처리 공간(PS)의 직상에 마련되는 개구부(300)의 영역이, 처리 공간(PS)에 배치되는 기판(W)의 영역보다 좁게 됨으로써, 개구부(300)의 주변에 강기류 형성 영역(SA)을 형성한 경우에 있어서, 기판(W) 상의 영역에 적절히 에어 커튼을 형성할 수 있다. 이에 의해, 액 처리 후의 기판(W)의 막 두께의 불균일을 보다 확실하게 억제할 수 있다.When viewed in plan, the area of the opening 300 may be narrower than the area of the substrate W disposed in the processing space PS. The area of the opening 300 provided directly above the processing space PS is narrower than the area of the substrate W disposed in the processing space PS, thereby creating a strong air flow formation area SA around the opening 300. In the case where is formed, an air curtain can be appropriately formed in the area on the substrate W. As a result, unevenness in the film thickness of the substrate W after liquid treatment can be more reliably suppressed.

이상, 본 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기류 형성 유닛(2)이, 레지스트 도포 장치(1)의 도포 처리부(100)의 처리 공간(PS)으로 향하는 기류를 발생시키는 것으로서 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기류 형성 장치는, 그 외의 액 처리부(예를 들면 현상 처리부)의 처리 공간으로 향하는 기류를 발생시키는 장치여도 된다.Although the present embodiment has been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiment. For example, the airflow forming unit 2 has been described as generating an airflow toward the processing space PS of the application processing unit 100 of the resist application device 1, but the present invention is not limited to this. For example, the airflow forming device may be a device that generates an airflow toward the processing space of another liquid processing unit (for example, a development processing unit).

Claims (6)

액 처리부의 상방으로부터 상기 액 처리부의 처리 공간으로 향하는 하방으로 기류를 발생시키는 기류 형성 장치로서,
도입한 기체를, 상기 처리 공간에 대향하는 제 1 면으로부터 하방으로 분출하는 기체 공급부와,
상기 제 1 면의 하방 또한 상기 처리 공간의 상방에 있어서 상기 처리 공간의 직상의 개구부를 둘러싸도록 배치되고, 상기 제 1 면으로부터 하방으로 분출된 기체에 대하여, 상기 개구부의 주변에 그 외측의 영역보다 강한 기류가 발생하는 환상의 강기류 형성 영역을 형성하는 기류 형성부를 구비하는, 기류 형성 장치.An airflow forming device that generates an airflow from above the liquid processing unit downward toward the processing space of the liquid processing unit,
a gas supply unit that ejects the introduced gas downward from a first surface facing the processing space;
It is disposed below the first surface and above the processing space to surround an opening directly above the processing space, and with respect to the gas ejected downward from the first surface, there is more space around the opening than an area outside it. An airflow forming device comprising an airflow forming unit that forms an annular strong airflow forming area in which a strong airflow occurs. 제 1 항에 있어서,
상기 기류 형성부는, 상기 개구부를 둘러싸도록 상하 방향으로 연장되는 환상의 벽부와, 상기 벽부의 하단에 연속하고 또한 상기 제 1 면과 대향하도록 수평으로 연장되는 저부를 가지고,
상기 벽부는, 그 상단과 상기 제 1 면과의 사이에 좁은 갭이 형성되도록 상기 상하 방향으로 연장되어 있는, 기류 형성 장치.According to claim 1,
The airflow forming portion has an annular wall portion extending in a vertical direction to surround the opening, and a bottom portion that is continuous with the lower end of the wall portion and extends horizontally to face the first surface,
The airflow forming device wherein the wall portion extends in the vertical direction so that a narrow gap is formed between its upper end and the first surface. 제 2 항에 있어서,
상기 저부에는, 기체를 하방으로 보내는 복수의 홀부가 형성되어 있고,
상기 저부는, 상기 벽부의 하단에 연속하는 영역인 제 1 영역과, 상기 제 1 영역보다 외측의 영역인 제 2 영역을 가지고,
상기 제 1 영역에 있어서의 복수의 상기 홀부가 차지하는 비율인 제 1 개구율은, 상기 제 2 영역에 있어서의 복수의 상기 홀부가 차지하는 비율인 제 2 개구율보다 낮은, 기류 형성 장치.According to claim 2,
At the bottom, a plurality of holes are formed to direct the gas downward,
The bottom portion has a first region that is continuous to the bottom of the wall portion, and a second region that is outside the first region,
The air flow forming device wherein the first aperture ratio, which is the ratio occupied by the plurality of hole portions in the first area, is lower than the second aperture ratio, which is the ratio occupied by the plurality of hole portions in the second area. 제 2 항에 있어서,
상단이 상기 제 1 면에 접속되고 또한 하단이 상기 저부에 접속된 복수의 스페이서를 더 구비하고,
상기 복수의 스페이서는, 서로, 상하 방향에 있어서의 높이가 동일한, 기류 형성 장치.According to claim 2,
further comprising a plurality of spacers whose upper ends are connected to the first surface and whose lower ends are connected to the bottom;
The airflow forming device wherein the plurality of spacers have the same height in the vertical direction. 제 4 항에 있어서,
상기 스페이서는, 상기 벽부를 따라 마련되어 있는, 기류 형성 장치.According to claim 4,
The spacer is provided along the wall portion. 제 1 항에 있어서,
평면에서 보면, 상기 개구부의 영역은, 상기 처리 공간에 배치되는 기판의 영역보다 좁은, 기류 형성 장치.According to claim 1,
When viewed in plan, the area of the opening is narrower than the area of the substrate disposed in the processing space.
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