KR20230154606A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230154606A
KR20230154606A KR1020220054232A KR20220054232A KR20230154606A KR 20230154606 A KR20230154606 A KR 20230154606A KR 1020220054232 A KR1020220054232 A KR 1020220054232A KR 20220054232 A KR20220054232 A KR 20220054232A KR 20230154606 A KR20230154606 A KR 20230154606A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
injection
substrate processing
injection nozzle
substrate
processing space
Prior art date
Application number
KR1020220054232A
Other languages
English (en)
Inventor
위문호
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020220054232A priority Critical patent/KR20230154606A/ko
Publication of KR20230154606A publication Critical patent/KR20230154606A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 열처리 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간이 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간을 배기하는 가스배기부(300)와; 상기 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 상기 가스공급부(200)로부터 전달받은 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사하는 분사노즐(400)을 포함하며, 상기 분사노즐(400)은, 상기 처리공간 측 단부에 형성되어 상기 공정가스를 분사하는 분사면적을 결정하는 복수의 분사공(401)들을 포함하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 열처리 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 열처리 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 담당하는 장치이다.
대표적인 열처리 장치로는 AMOLED와 같은 고품질 디스플레이를 제조하기 위해 다결정 실리콘을 이용한 TFT를 유리기판에 형성하는 LTPS(Low Temperature Poly Crystallization Silicon) 장치 또는 플렉서블 기판을 형성하기 위해 폴리이미드를 기판 위에 형성하고 경화하기 위한 열처리 장치가 있다.
상기 열처리 장치는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 기판상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화시키는 열처리 장치도 포함할 수 있다.
이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 가열이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다.
예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 550℃내지 600℃범위의 온도에서 열처리가 필요하고, 플렉서블 기판을 형성하기 위해서는 기판상에 형성된 폴리이미드를 350℃내지 450℃범위의 온도에서 열처리가 필요하다.
통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수 개의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다.
종래의 배치식 열처리 장치는, 복수 개의 기판들이 로딩되며 복수 개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 공정챔버, 공정챔버 내에서 열처리 환경을 조성하기 위해 설치된 가열부, 처리공간 내부에 배치되는 기판의 상면에 대응되는 위치의 양측면에 설치되는 분사노즐과 가스배기포트를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 분사노즐을 통해 수평방향으로 공급되는 공정가스의 유속 및 직진성이 낮아 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판 상면을 따라서 가스배기포트까지 기류가 충분히 형성되지 못해 기판처리가 충분히 수행되지 못하는 문제점이 있다.
특히, 수직방향으로 배치되는 복수 개의 기판에 대한 열처리를 수행하는 배치식 기판처리장치의 경우, 상단측이 하단측에 비해 상대적으로 저온인 바 하단측에서 상단측의 수직방향 열기류가 형성되어 공정가스의 수평방향 이동을 방해하고 역류를 발생시키며, 이에 따라 상단측으로 갈수록 수평방향 기류가 약해지는 문제점이 있다.
더 나아가, 공급되는 공정가스의 하강에 따라 상대적으로 상단측 배기량이 하단측 배기량보다 작은 바, 공정가스의 상단 측 수평이동 기류가 형성되기 어려운 문제점이 있다.
또한, 종래 분사노즐을 통해 공정가스를 공급하는 경우, 공급 유량 대비 노즐의 단면적이 넓어 역류하는 가스 및 흄(fume)이 노즐 내로 침투하여 노즐 내부 오염이 발생하는 문제점이 있다.
또한, 종래 기판처리장치는 분사노즐 및 가스배기포트 설치 시 공정챔버 내외부가 단일의 동일재질로 형성됨으로써, 공정챔버 내외부 환경에 따라 최적의 재질로 구비되지 못하고, 설치 및 유지보수를 위한 교체가 어려운 문제점이 있다.
또한, 종래 기판처리장치는, 공정가스가 분사되는 분사노즐의 단부를 최소화하는데 제작상의 한계가 존재하며, 따라서 유속 향상 등을 위해 필요한 직경보다 큰 직경으로 제작될 수 밖에 없고, 이로 인해 유량 대비 분사노즐의 직경(분사면적)이 커 부산물이 분사노즐 내부로 유입되어 오염되는 문제점이 있다.
특히, 종래 기판처리장치는, 분사노즐의 단부 면적이 제작상의 문제로 인해 상대적으로 커 분사되는 공정가스의 유속이 낮아 충분한 수평 기류 형성이 불가하고 이에 따라 처리공간 내 파티클 배출이 원활하게 이루어지지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 공급되는 공정가스의 유속 및 직진성이 강화되는 기판처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간이 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간을 배기하는 가스배기부(300)와; 상기 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 상기 가스공급부(200)로부터 전달받은 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사하는 분사노즐(400)을 포함하며, 상기 분사노즐(400)은, 상기 처리공간 측 단부에 형성되어 상기 공정가스를 분사하는 분사면적을 결정하는 복수의 분사공(401)들을 포함하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 가스배기부(300)는, 상기 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되며 상기 처리공간 측 단부가 개방되는 배기포트(310)와, 상기 배기포트(310)가 결합하는 배기배관(320)과, 외부에서 상기 배기배관(320)과 연결되는 배기펌프(330)를 포함할 수 있다.
상기 분사노즐(400)은, 상기 배기포트(310)에 수평방향으로 대향되어 설치될 수 있다.
상기 분사공(401)들은, 상기 분사노즐(400) 단부의 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원주 상에 배치될 수 있다.
상기 분사공(401)들은, 상기 분사노즐(400) 단부의 중심(C)에 1개가 배치되고, 나머지는 상기 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원주 상에 배치될 수 있다.
상기 분사공(401)들 각각의 단면적 총합인 A1과 상기 분사노즐(400) 단부의 단면적인 A2 사이의 비율 A1/A2의 값이 0.3 이상 0.45 이하일 수 있다.
상기 분사공(401)을 통해 분사되는 상기 공정가스의 속도는 15m/s 이상 45m/s 이하일 수 있다.
상기 분사노즐(400)은, 상하 방향으로 복수개 구비되며, 복수의 상기 분사노즐(400)들은, 각각 상기 분사공(401)들의 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다.
최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 각각의 단면적이 나머지 분사노즐(400)들에 형성되는 분사공(401)들 각각의 단면적보다 작을 수 있다.
최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 각각의 단면적 총합이 나머지 분사노즐(400)들에 형성되는 분사공(401)들 각각의 단면적 총합보다 클 수 있다.
최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 개수가 나머지 분사노즐(400)들 각각에 형성되는 분사공(401)들 개수보다 많을 수 있다.
상기 분사노즐(400)은, 수평 방향으로 복수개 구비되며, 복수의 상기 분사노즐(400)들은, 각각 상기 분사공(401)들의 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다.
일단에 상기 가스공급부(200)가 연결되고 타단에 상기 분사노즐(400)이 연결되어 상기 가스공급부(200)와 상기 분사노즐(400) 사이가 연통하도록 연결하는 배관연결부(500)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 가스공급부(200)는, 가스공급원(210)과, 일단이 상기 가스공급원(210)에 연결되고 타단이 상기 배관연결부(500)에 연결되며 상기 분사노즐(400)과 이종재질인 가스공급배관(220)을 포함할 수 있다.
상기 가스공급배관(220)은, SUS 재질이며, 상기 분사노즐(400)은, 석영 재질일 수 있다.
상기 배관연결부(500)는, 내부에 상기 공정가스가 흐르는 유로(511)가 형성되며 일단에 상기 가스공급배관(220)이 삽입되고 타단에 상기 분사노즐(400)이 삽입되는 배관연결본체(510)와, 상기 배관연결본체(510)와 나사결합되며 상기 분사노즐(400)이 관통하는 관통공(531)이 형성되는 너트부(530)를 포함할 수 있다.
상기 배관연결부(500)는, 상기 분사노즐(400) 외주면 및 상기 배관연결본체(510) 내주면 사이에 구비되는 실링부재(540)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 배관연결부(500)는, 상기 분사노즐(400) 외주면 중 상기 배관연결본체(510)와 상기 너트부(530) 사이에 배치되어, 상기 배관연결본체(510)와 상기 너트부(530)가 나사결합될 때 상기 실링부재(540)를 상기 너트부(530) 내주측으로 가압하여 밀착하는 가압밀착부(520)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은, 복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서, 상기 기판(1)들이 처리되는 처리공간을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측면에 상기 기판(1)들에 각각 대응되어, 상기 기판(1) 상부 측 수평방향으로 공정가스를 각각 분사하는 복수의 분사노즐(400)과; 상기 공정챔버(100) 일측면에 상기 기판(1)들에 각각 대응되어, 상기 기판(1) 상부에서 수평방향으로 이동하는 상기 공정가스를 배기하는 복수의 가스배기부(300)를 포함하며, 상기 분사노즐(400)들 중 최상단에 배치되는 분사노즐(400)은, 처리공간 측 단부에 복수의 분사공(401)들이 형성되어, 상기 분사공(401)들을 통해 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 분사노즐(400)들 중 최상단에 배치되는 분사노즐(400)을 제외한 나머지 분사노즐(400)들은, 각각 처리공간 측 단부가 개방될 수 있다.
상기 분사노즐(400)들은, 최상단에 배치되는 분사노즐(400)과 나머지 분사노즐(400)들 사이에 분사되는 상기 공정가스의 분사면적이 서로 다를 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 분사 단면적을 제어하기 위해 단부에 복수의 분사공이 형성된 분사노즐을 구비함으로써, 분사되는 가스의 유속 및 직진성을 강화하여 수평방향으로의 기류형성이 용이한 이점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판 상부에서 가스분사노즐 측으로부터 가스배기포트 측으로 수평방향 기류가 형성되어, 기판처리 및 각종 부산물에 대한 배기가 원활한 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 분사되는 가스의 유속 및 직진성이 강화되고, 분사노즐로의 역류를 방지하여 분사노즐 내부 오염을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 분사노즐에 대하여 공정챔버 내외부 각각에 최적화된 이종재질을 적용하여 부작용을 최소화하고, 체결구조 적용에 따라 유지보수 및 교체작업이 용이한 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 제작 상의 한계로 인해 분사노즐 단부 면적을 필요한 수준으로 소형화하지 못한 상황에서도, 분사공을 형성함으로써 공정가스에 대한 분사면적을 필요한 수준으로 줄일 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 내부 모습을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치의 내부 모습을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 분사노즐의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 분사노즐의 다른 실시예의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 분사노즐과 가스공급부가 연결되기 위한 고정지지부의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는, 종래 기판처리장치와 본 발명에 따른 기판처리장치의 공정챔버 내부 유동장의 모습을 보여주는 도면들이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간이 형성되는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간을 배기하는 가스배기부(300)와; 상기 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되며, 처리공간 측 단부에 복수의 분사공(401)들이 형성되어 가스공급부(200)로부터 전달받은 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사하는 분사노즐(400)을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100) 외측에서 일단에 가스공급부(200)가 연결되고 타단에 분사노즐(400)이 연결되어 가스공급부(200)와 분사노즐(400) 사이가 연통하도록 연결하는 배관연결부(500)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간에 설치되어 기판(1)을 가열하는 가열부(700)와, 처리공간에 설치되어 로딩되는 기판(1)을 지지하는 기판지지부(600)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간 측, 즉 공정챔버(100) 내벽에 배치되어 상기 분사노즐(400)을 공정챔버(100)에 고정지지하는 고정지지부(800)를 추가로 포함할 수 있다.
여기서 본 발명에 따른 공정가스는, 기판처리를 위한 공정에서 사용되는 가스를 총칭하며, 보다 구체적으로는, 기판처리를 수행하기 위한 처리가스 및 공정 과정 중 발생할 수 있는 각종 흄(fume)과 흄을 통해 발생하는 각종 부산물을 배출하기 위한 퍼지가스, 가열된 기판을 쿨링하기 위한 쿨링가스 등을 통칭할 수 있다.
본 발명에 따른 처리대상인 기판(1)은, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리공정은 증착공정, 식각공정, 열처리공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 특히 논플렉서블 기판 상에 플렉서블 기판 형성, 플렉서블 기판 상에 패턴 형성, 플렉서블 기판 분리 등의 일련의 공정, 플렉서블 기판을 열처리하여 건조하는 공정 등을 포함할 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 전방에 기판(1)이 도입 및 배출되는 게이트가 형성되고, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 내부에 처리공간을 형성하는 챔버본체와, 챔버본체에 형성되는 개구부를 개폐하는 게이트밸브(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 챔버본체는, 내부에 처리공간을 형성하고, 전방에 기판(1)이 도입 및 배출되기 위한 개구부가 형성되는 구성으로서, 게이트밸브를 통해 개방 또는 폐쇄되어 기판(1)이 내부로 도입 및 반출될 수 있다.
한편, 상기 챔버본체는, 복수의 기판(1) 처리를 위하여 수직방향으로 길게 형성될 수 있으며, 육면체를 가지고 전방측에 기판(1)이 도입 및 반출되는 개구부가 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 챔버본체는, 도 1에 도시된 바와 같이, 전방 측 전면에 다수의 기판(1)들이 상하방향으로 도입 및 반출되도록 개구부가 형성될 수 있으며, 다른 예로서, 다수의 기판(1)들이 상하방향으로 서로 이격되어 각각 도입 및 반출되는 것에 대응되어 상하방향으로 다수의 슬롯(미도시)들이 형성되는 구성일 수 있다.
한편, 상기 챔버본체는, 단일의 기판(1)에 대한 처리를 수행하는 구성일 수 있음은 또한 물론이다.
상기 게이트밸브(미도시)는, 기판(1)을 도입 및 반출하기 위하여 개구부를 개폐할 수 있다.
상기 가열부(700)는, 공정챔버(100) 내에 설치되어 처리공간을 가열하는 구성일 수 있다.
예를 들면, 상기 가열부(700)는, 공정챔버(100) 내부에 처리공간을 가로지르도록 복수개 설치되며, 상하방향으로 다수 설치될 수 있다.
이로써, 상기 가열부(700)는, 이들 사이에 배치되는 기판(1)에 기판처리를 위한 열을 공급할 수 있으며, 처리공간 전체에 열을 공급할 수 있다.
상기 기판지지부(600)는, 처리공간에 설치되어 로딩 및 언로딩되는 기판(1)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 기판지지부(600)는, 기판(1)을 지지하는 구성이면 어떠한 구성도 적용 가능하며 일 예로, 도 1에 도시된 바와 같이 다수의 기판(1)들이 상하 간격을 두고 지지되도록 상하 간격을 두고 설치되는 사다리 형태의 구성일 수 있다.
이때, 상기 기판지지부(600)는, 처리공간 내에 가열부(700)에 의해 지지되거나, 처리공간 내에 좌우로 가로질러 설치될 수 있다.
이때, 상기 기판지지부(600)는, 상측에 기판(1) 저면을 지지하는 지지핀(602)이 구비될 수 있으며, 실시예에 따라 가열부(700) 또는 처리공간을 가로지르는 크로스바에 고정되기 위한 고정수단(604)이 구비될 수 있다.
상기 가스공급부(200)는, 처리공간과 연통되어 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 가스공급부(200)는, 외부에 배치되는 가스공급원(210)과, 일단이 가스공급원(210)에 연결되고 타단이 배관연결부(500)에 연결되며 분사노즐(400)과 이종재질인 가스공급배관(220)을 포함할 수 있다.
즉, 상기 가스공급부(200)는, 공정챔버(100) 외부에 배치되는 가스공급원(210)으로부터 공정가스를 공정챔버(100) 측으로 분사하기 위하여 분사노즐(400)에 공급하는 구성으로서, 가스공급원(210)과 분사노즐(400)과 가스공급원(210) 사이를 연결하여 공정가스를 전달하는 가스공급배관(220)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 가스공급배관(220)은, 공정챔버(100) 외부에 노출되는 구성으로서, 내구성, 제작 효율 및 비용을 고려하여 SUS재질로 구성될 수 있으며, 후술하는 분사노즐(400)은, 처리공간 내에 배치되는 구성으로서 가스공급배관(220)과의 배치 환경 차이를 고려할 때 이종재질로 구비될 수 있다.
한편, 상기 가스공급배관(220)은, 복수의 분사노즐(400)이 구비될 때 각각의 분사노즐(400)에 연결되는 복수의 연결배관(221)들과, 복수의 연결배관(221)들에 공정가스를 공급하는 메인배관(222)을 포함할 수 있다.
이때, 메인배관(222)은, 수직방향으로 복수의 연결배관(221)들이 결합하도록 상하방향으로 길이를 가지고 수평방향으로 복수개 구비될 수 있으며, 다른 예로서, 수평방향으로 복수의 연결배관(221)들이 결합하도록 수평방향으로 길이를 가지고 수직방향으로 복수개 구비될 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 분사노즐(400)은, 처리공간 내에 배치되는 구성으로서 각종 공정가스와의 반응이 적고 열변형을 최소화할 수 있는 재질로서 석영, 세라믹 등의 재질이 적용될 수 있다.
상기 가스배기부(300)는, 처리공간과 연통되어 처리공간을 배기하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 가스배기부(300)는, 후술하는 분사노즐(400)에 대향되어 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되며 처리공간 측 단부가 개방되는 배기포트(310)와, 배기포트(310)가 결합하는 배기배관(320)과, 외부에서 배기배관(320)과 연결되는 배기펌프(330)를 포함할 수 있다.
이때 상기 배기포트(310)는, 처리공간 측 단부가 개방되는 구성으로서, 배기효율을 증대시킬 수 있으며, 다른 예로서 후술하는 분사노즐(400)와 같이 단부가 폐쇄된 상태에서 별도의 배기공이 형성되어 배기를 수행할 수도 있다.
한편, 상기 배기포트(310)는, 공정챔버(100) 측벽에 수평방향 및 수직방향으로 복수개 구비될 수 있으며, 보다 상세하게는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 측벽 분사노즐(400)에 대향되어 수직방향으로 복수의 기판(1)들에 대응되는 위치에서 설치될 수 있으며, 각 기판(1)들의 위치에 대응되어 수평방향으로 복수개 구비될 수 있다.
상기 분사노즐(400)은, 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되며, 처리공간 측 단부에 복수의 분사공(401)들이 형성되어 가스공급부(200)로부터 전달받은 공정가스를 처리공간에 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 분사노즐(400)은, 공정챔버(100) 내에 분사되는 공정가스의 유속 및 직진성을 향상시켜, 공정가스의 안정적인 수평방향 기류 형성이 가능하도록 단부에 복수의 분사공(401)들이 형성되는 구성일 수 있다.
또한, 상기 분사노즐(400)은, 종래 단부를 개방하여 공정가스를 분사하는 방식과 달리 복수의 분사공(401)들을 통해 공정가스를 분사함으로써, 각각의 분사공(410)들의 크기를 다양화하고 조절하여 공정가스가 분사되는 분사단면적을 최적화하기 용이한 이점이 있다.
또한, 전체적으로 분사되는 공정가스의 분사단면적을 일정수준 이상으로 유지하면서도, 각각의 분사공(401)의 단면적은 종래에 비해 작은 바 부산물이 내부로 유입되는 것을 용이하고 효과적으로 방지할 수 있으며, 각각의 분사공(401) 단면적을 필요에 따라 적절한 크기로 결정함으로써, 분사되는 공정가스의 유속을 제어하기 용이한 이점이 있다.
이를 위하여, 상기 분사노즐(400)은, 처리공간 측 단부가 폐쇄된 상태에서 복수의 분사공(401)들이 형성되어, 분사되는 공정가스의 유속을 향상시킬 수 있으며 이를 위해 분사공(401)을 통해 분사되는 공정가스의 분사 압력을 향상시킬 수 있다.
이때, 상기 분사노즐(400)은, 배기포트(310)에 수평방향으로 대향되어 설치됨으로써, 배기포트(310)의 배기압과 함께 처리공간 내 공정가스의 수평방향 기류를 형성할 수 있으며, 후술하는 복수의 기판(1)들에 대한 기판처리가 수행되는 경우에는 각 기판(1)들에 대응되는 위치에 형성되어 공정가스를 분사할 수 있다.
한편, 상기 분사공(401)들은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 분사노즐(400)의 단부에 복수개로 구비되어 공정가스가 분사되도록 유도할 수 있으며, 공정가스의 압력 및 유속이 증가하도록 다양한 형상, 크기 및 개수로 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 분사공(401)들은, 분사노즐(400) 단부의 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원주 상에 배치될 수 있다.
즉, 상기 분사공(401)들은, 분사노즐(400) 단부의 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원에 일정 간격으로 배치됨으로써, 적정 각도 및 범위로 공정가스를 분사할 수 있다.
이때, 상기 분사공(401)들은, 도 3에 도시된 바와 같이, 3개로 형성될 수 있으며, 원주 상에 서로 등간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
즉, 상기 분사공(401)들은, 중심(C)을 기준으로 원주 상에 배치됨으로써 전체적으로 균일하면서도 단부가 개방되어 분사되는 분사형태와 유사한 형태를 유지할 수 있다.
한편, 다른 예로서, 상기 분사공(401)들은, 복수개이며 원주 상에 배치된 상태에서 중심(C)을 기준으로 점대칭 되도록 배치될 수도 있다.
또한, 다른 예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 분사공(401)들은, 분사노즐(400) 단부의 중심(C)에 1개가 배치되고, 나머지는 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원주 상에 배치될 수 있다.
한편, 상기 분사공(401)들은, 각각의 면적이 서로 다양하게 구비될 수 있으며, 다른 예로서 서로 동일한 면적을 가지도록 구성될 수 있다.
일예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 단부의 중심(C)에 배치되는 분사공(401)은 상대적으로 큰 면적을 가지고, 원주 상에 배치되는 분사공(401)들은 서로 동일하면서 중심(C)에 배치되는 분사공(401)보다 작은 면적 또는 상대적으로 더 큰 면적을 가지도록 설계될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 분사공(401)들 각각은 서로 동일한 면적을 가질 수 있으며, 대략 직경이 1.5mm를 가질 수 있다.
이때, 분사노즐(400)의 단부는 대략 직경이 8mm를 가질 수 있으며, 공급되는 공정가스의 양 등에 따라 사이즈는 변동될 수 있다.
보다 구체적으로, 분사공(401)들 각각의 단면적 총합인 A1과 분사노즐(400) 단부의 단면적인 A2 사이의 비율 A1/A2의 값이 0.3 이상 0.45 이하일 수 있다.
즉, 분사노즐(400) 단부의 전체 단면적 대비 분사공(401)들의 분사 단면적들의 합인 분사단면적을 30% 이상 45% 이하로 설정하여 최적의 분사속도 및 부산물의 침투효과를 기대할 수 있다.
이때, 분사노즐(400) 단부의 전체 단면적 대비 분사공(401)들의 분사 단면적들의 합을 30% 미만으로 설정할 경우, 처리공간 내 파티클이 용이하게 배출되지 못하는 문제점이 있을 수 있으며, 분사노즐(400) 단부의 전체 단면적 대비 분사공(401)들의 분사 단면적들의 합을 45% 초과로 설정할 경우 분사되는 공정가스의 유속이 지나치게 증가하여 대향되는 가스배기부(300)로 공정가스가 배기되지 못하고 처리공간 내부에서 기류 충돌이 발생하여 역류를 통해 기판 상부로 부산물 등이 재 고착되는 문제점이 있다.
이 경우, 상기 분사공(401)을 통해 분사되는 상기 공정가스의 속도는 15m/s 이상 45m/s 이하로 설정하여, 처리공간 내부에서의 기류 충돌 발생을 방지하고 적정 속도로 처리공간 내 파티클을 배출하여 최적의 공정효율을 갖도록 유도할 수 있다.
한편, 상기 분사노즐(400)은, 상하 방향 및 수평방향으로 복수개 구비될 수 있으며, 이를 통해 공정챔버(100) 측벽에 일정간격으로 배치되어 처리공간에 대한 공정가스 분사를 커버할 수 있다.
예를 들면, 상기 분사노즐(400)은, 상하 방향으로 복수개 구비되며, 이때 복수의 상기 분사노즐(400)들은, 각각 분사공(401)들의 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 분사노즐(400)들 중 상측에 배치되는 분사노즐(400)의 분사공(401)들이 하측에 배치되는 분사노즐(400)의 분사공(401)들에 비해 크기가 작고 개수가 많이 형성되어 분사되는 공정가스의 유속 및 압력을 증가시킬 수 있다.
즉, 상기 분사노즐(400)들 중 최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 분사공(401)들 각각의 단면적이 나머지 분사노즐(400)들에 형성되는 분사공(401)들 각각의 단면적보다 작게 형성될 수 있으며, 최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 개수가 나머지 분사노즐(400)들 각각에 형성되는 분사공(401)들 개수보다 많을 수 있다.
한편, 상기 분사노즐(400)은, 수평 방향으로 복수개 구비될 수 있으며, 복수의 상기 분사노즐(400)뜰은, 각각 분사공(401)들의 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다.
이때, 상기 분사노즐(400)은, 수평 방향 중 기판(1)의 중심에 대응되는 위치에 분사되는 공정가스의 유속 및 분사압력이 증가하도록 복수의 분사노즐(400)들 중 중심부에 배치되는 분사노즐(400)의 분사공(401)의 크기가 작고 개수가 많을 수 있다.
다른 실시예로서, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 기판처리를 수행하는 구성으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판(1)들이 처리되는 처리공간을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측면에 상기 기판(1)들에 각각 대응되어, 상기 기판(1) 상부 측 수평방향으로 공정가스를 각각 분사하는 복수의 분사노즐(400)과; 상기 공정챔버(100) 일측면에 상기 기판(1)들에 각각 대응되어, 상기 기판(1) 상부에서 수평방향으로 이동하는 상기 공정가스를 배기하는 복수의 가스배기부(300)를 포함하고, 이때 상기 분사노즐(400)들 중 상측에 배치되는 분사노즐(400)은, 처리공간 측 단부에 복수의 분사공(401)들이 형성되어, 상기 분사공(401)들을 통해 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사한다.
즉, 복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 처리하도록, 전술한 분사노즐(400)이 기판(1)들에 대응되어 수직방향으로 복수개 구비되고, 이에 대응되어 배기포트(310), 기판지지부(600) 및 가열부(700) 또한 각 기판(1)에 대응되어 수직방향으로 복수개 구비될 수 있다.
이 경우, 최상부에 배치되는 분사노즐(400)의 단부는 폐쇄되어 복수의 분사공(401)이 형성됨으로써, 공정가스를 분사할 수 있으며, 나머지 분사노즐(400)들은 단부가 개방되어 공정가스가 분사될 수 있다.
즉, 최상부에서 분사되는 공정가스의 하강에 따른 직진성 및 유속이 상대적으로 낮아 수평방향 기류 형성이 약하고 와류가 발생되는 문제점을 개선하고자, 최상부에 배치되는 분사노즐(400)의 단부는 폐쇄되어 복수의 분사공(401)이 형성됨으로써, 분사되는 공정가스의 분사압력 및 유속을 선택적으로 증가시킬 수 있다.
상기 배관연결부(500)는, 공정챔버(100) 외부에 구비되어 일단에 가스공급부(200)가 연결되고 타단에 분사노즐(400)이 연결되어 가스공급부(200)와 분사노즐(400) 사이가 연통하도록 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 배관연결부(500)는, 외부 가스공급원(210)에 연결되어 공정가스를 전달하는 가스공급배관(220)이 일단에 연결되고 처리공간을 향해 공정가스를 분사하는 분사노즐(400)이 타단에 연결되어 이들 사이를 연통하고 공정가스를 전달하는 구성일 수 있다.
특히, 상기 배관연결부(500)는, 분사노즐(400) 및 가스공급배관(220)을 단순히 삽입하여 연결하는 구성으로서, 결합 및 해제 방식이 용이할 뿐만 아니라, 이종재질로 구비되는 가스공급배관(210)과 분사노즐(400) 사이를 용이하게 연결할 수 있다.
즉, 전술한 바와 같이, SUS재질의 가스공급배관(220)과 석영 재질인 분사노즐(400) 사이를 연결하여 이들 사이를 연통하도록 함으로써, 분사노즐(400)에 대한 손쉬운 교체 및 유지보수가 가능한 이점이 있다.
예를 들면, 상기 배관연결부(500)는, 내부에 공정가스가 흐르는 유로(511)가 형성되며 일단에 가스공급배관(220)이 삽입되고 타단에 분사노즐(400)이 삽입되는 배관연결본체(510)와, 배관연결본체(510)와 나사결합되며 분사노즐(400)이 관통하는 관통공(531)이 형성되는 너트부(530)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 배관연결부(500)는, 상기 분사노즐(400) 외주면 및 상기 배관연결본체(510) 내주면 사이에 구비되는 실링부재(540)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 상기 배관연결부(500)는, 분사노즐(400) 외주면 중 배관연결본체(510)와 너트부(530) 사이에 배치되어, 배관연결본체(510)와 너트부(530)가 나사결합될 때 실링부재(540)를 너트부(530) 내주측으로 가압하여 밀착하는 가압밀착부(520)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 배관연결본체(510)는, 내부에 공정가스가 흐르는 유로(511)가 형성되고 양단에 각각 가스공급배관(220) 단부와 분사노즐(400) 단부가 각각 삽입되는 구성일 수 있다.
이를 위하여, 상기 배관연결본체(510)는, 양단이 각각 가스공급배관(220) 및 분사노즐(400)에 대응되는 형상으로 관통되어 형성될 수 있으며, 내부에 공정가스가 흐르는 유로(511)가 형성될 수 있다.
상기 너트부(530)는, 배관연결본체(510)와 나사결합되며 분사노즐(400)이 관통하는 관통공(531)이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 너트부(530)는, 배관연결본체(510) 양단에 삽입되는 분사노즐(400) 및 가스공급배관(220)이 관통하여 배관연결본체(510)에 나사결합됨으로써 분사노즐(400) 및 가스공급배관(220)의 삽입을 가이드하는 구성일 수 있다.
이때, 상기 너트부(530)는, 관통공(531)이 형성되어, 각각 분사노즐(400) 및 가스공급배관(220)이 관통될 수 있으며, 배관연결본체(510) 단부, 즉 외주면에 나사결합될 수 있다.
상기 실링부재(540)는, 상기 분사노즐(400) 외주면 및 상기 배관연결본체(510) 내주면 사이에 구비되는 구성으로서, 일 예로 오링이 구비될 수 있다.
상기 가압밀착부(520)는, 분사노즐(400) 외주면 중 배관연결본체(510)와 너트부(530) 사이에 배치되어, 배관연결본체(510)와 너트부(530)가 나사결합될 때 실링부재(540)를 너트부(530) 내주측으로 가압하여 밀착하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 가압밀착부(520)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 관통공이 형성되어 각각 분사노즐(400) 및 가스공급배관(220)이 관통하며, 배관연결본체(510)의 외주면과 너트부(530) 내주면 사이에 배치되어 너트부(530)의 배관연결본체(510)와의 나사결합에 따라 가압 이동하여 실링부재(540)를 너트부(530) 내주측으로 가압하여 밀착할 수 있다.
상기 고정지지부(800)는, 공정챔버(100) 외벽에 설치되어 분사노즐(400)을 공정챔버(100)에 고정지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 고정지지부(800)는, 분사노즐(400)을 비교적 간편하게 끼워 결합하고 당겨 해제할 수 있도록 간단한 결합구조를 가질 수 있다.
예를 들면, 상기 고정지지부(800)는, 전술한 배관연결부(500) 구성과 유사한 구성으로서, 공정챔버(100) 외벽 홀에 용접 등을 통해 결합되어 설치되며 분사노즐(400)이 관통하기 위한 중공이 형성되는 관고정지지부(810)와, 관고정지지부(810)와 나사결합되며 분사노즐(400)이 관통하는 관통구가 형성되는 고정너트부(830)와, 분사노즐(400) 외주면 및 관고정지지부(810) 내주면 사이에 구비되는 오링(840)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 고정지지부(800)는, 분사노즐(400) 외주면 중 관고정지지부(810)와 고정너트부(830) 사이에 배치되어 관고정지지부(810)와 고정너트부(830)가 나사결합될 때 설치된 오링(840)을 고정너트부(830) 내주측으로 가압하여 실링할 수 있다.
또한, 상기 고정지지부(800)는, 전술한 구성을 통해 분사노즐(400)을 공정챔버(100)에 고정하여 지지할 수 있으며, 이로써 분사노즐(400)을 간편하고 용이하게 교체 및 보수할 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명한 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
1: 기판 100: 공정챔버
200: 가스공급부 300: 가스배기부
400: 분사노즐 500: 배관연결부
600: 기판지지부 700: 가열부

Claims (21)

  1. 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간이 형성되는 공정챔버(100)와;
    상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와;
    상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간을 배기하는 가스배기부(300)와;
    상기 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 상기 가스공급부(200)로부터 전달받은 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사하는 분사노즐(400)을 포함하며,
    상기 분사노즐(400)은,
    상기 처리공간 측 단부에 형성되어 상기 공정가스를 분사하는 분사면적을 결정하는 복수의 분사공(401)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스배기부(300)는,
    상기 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되며 상기 처리공간 측 단부가 개방되는 배기포트(310)와, 상기 배기포트(310)가 결합하는 배기배관(320)과, 외부에서 상기 배기배관(320)과 연결되는 배기펌프(330)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 분사노즐(400)은,
    상기 배기포트(310)에 수평방향으로 대향되어 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사공(401)들은,
    상기 분사노즐(400) 단부의 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원주 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사공(401)들은,
    상기 분사노즐(400) 단부의 중심(C)에 1개가 배치되고, 나머지는 상기 중심(C)을 중심으로 하는 가상의 원주 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사공(401)들 각각의 단면적 총합인 A1과 상기 분사노즐(400) 단부의 단면적인 A2 사이의 비율 A1/A2의 값이 0.3 이상 0.45 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사공(401)을 통해 분사되는 상기 공정가스의 속도는 15m/s 이상 45m/s 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사노즐(400)은, 상하 방향으로 복수개 구비되며,
    복수의 상기 분사노즐(400)들은,
    각각 상기 분사공(401)들의 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 각각의 단면적이 나머지 분사노즐(400)들에 형성되는 분사공(401)들 각각의 단면적보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 8에 있어서,
    최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 각각의 단면적 총합이 나머지 분사노즐(400)들에 형성되는 분사공(401)들 각각의 단면적 총합보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 8에 있어서,
    최상단에 배치되는 분사노즐(400)에 형성되는 상기 분사공(401)들 개수가 나머지 분사노즐(400)들 각각에 형성되는 분사공(401)들 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사노즐(400)은, 수평 방향으로 복수개 구비되며,
    복수의 상기 분사노즐(400)들은,
    각각 상기 분사공(401)들의 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    일단에 상기 가스공급부(200)가 연결되고 타단에 상기 분사노즐(400)이 연결되어 상기 가스공급부(200)와 상기 분사노즐(400) 사이가 연통하도록 연결하는 배관연결부(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 가스공급부(200)는,
    가스공급원(210)과, 일단이 상기 가스공급원(210)에 연결되고 타단이 상기 배관연결부(500)에 연결되며 상기 분사노즐(400)과 이종재질인 가스공급배관(220)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 가스공급배관(220)은, SUS 재질이며,
    상기 분사노즐(400)은, 석영 재질인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 배관연결부(500)는,
    내부에 상기 공정가스가 흐르는 유로(511)가 형성되며 일단에 상기 가스공급배관(220)이 삽입되고 타단에 상기 분사노즐(400)이 삽입되는 배관연결본체(510)와, 상기 배관연결본체(510)와 나사결합되며 상기 분사노즐(400)이 관통하는 관통공(531)이 형성되는 너트부(530)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 배관연결부(500)는,
    상기 분사노즐(400) 외주면 및 상기 배관연결본체(510) 내주면 사이에 구비되는 실링부재(540)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 배관연결부(500)는,
    상기 분사노즐(400) 외주면 중 상기 배관연결본체(510)와 상기 너트부(530) 사이에 배치되어, 상기 배관연결본체(510)와 상기 너트부(530)가 나사결합될 때 상기 실링부재(540)를 상기 너트부(530) 내주측으로 가압하여 밀착하는 가압밀착부(520)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 복수의 기판(1)을 수직방향으로 상호 이격배치하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서,
    상기 기판(1)들이 처리되는 처리공간을 형성하는 공정챔버(100)와;
    상기 처리공간과 연통되어, 상기 처리공간에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 가스공급부(200)와;
    상기 공정챔버(100) 일측면에 상기 기판(1)들에 각각 대응되어, 상기 기판(1) 상부 측 수평방향으로 공정가스를 각각 분사하는 복수의 분사노즐(400)과;
    상기 공정챔버(100) 일측면에 상기 기판(1)들에 각각 대응되어, 상기 기판(1) 상부에서 수평방향으로 이동하는 상기 공정가스를 배기하는 복수의 가스배기부(300)를 포함하며,
    상기 분사노즐(400)들 중 최상단에 배치되는 분사노즐(400)은,
    처리공간 측 단부에 복수의 분사공(401)들이 형성되어, 상기 분사공(401)들을 통해 상기 공정가스를 상기 처리공간에 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 분사노즐(400)들 중 최상단에 배치되는 분사노즐(400)을 제외한 나머지 분사노즐(400)들은,
    각각 처리공간 측 단부가 개방되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 청구항 19에 있어서,
    상기 분사노즐(400)들은,
    최상단에 배치되는 분사노즐(400)과 나머지 분사노즐(400)들 사이에 분사되는 상기 공정가스의 분사면적이 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020220054232A 2022-05-02 2022-05-02 기판처리장치 KR20230154606A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220054232A KR20230154606A (ko) 2022-05-02 2022-05-02 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220054232A KR20230154606A (ko) 2022-05-02 2022-05-02 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230154606A true KR20230154606A (ko) 2023-11-09

Family

ID=88748163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220054232A KR20230154606A (ko) 2022-05-02 2022-05-02 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230154606A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100747735B1 (ko) 반도체 제조 장치
KR101120029B1 (ko) 배치식 기판 처리 장치
KR20140033659A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20080112437A (ko) 박막증착장치용 샤워헤드 및 박막증착장치 세정방법
KR20230154606A (ko) 기판처리장치
KR20080048243A (ko) 플라즈마 화학기상 증착장치
KR20000002834A (ko) 에어커튼이 형성되는 반도체 제조용 확산설비 및 이를 제어하는방법
KR101440415B1 (ko) 진공처리장치
TWI783963B (zh) 氣體噴射裝置、包括氣體噴射裝置的基板加工設施以及使用基板加工設施來加工基板的方法
KR20090026899A (ko) 반도체 제조장치
KR101698021B1 (ko) 대면적 원자층 증착장치
KR101668868B1 (ko) 원자층 증착장치
KR20070069122A (ko) 반도체 제조 장치
KR20210007281A (ko) 기판처리장치
KR20090009572A (ko) 퍼니스형 반도체 설비
KR20200102725A (ko) 기판 적재부 및 기판처리 장치
KR20230155835A (ko) 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
KR20240053368A (ko) 열매체공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR101151624B1 (ko) 가스 분사 균일도가 우수한 구획형 가스 분배 모듈
KR20240053367A (ko) 기판처리장치
KR20230168463A (ko) 기판처리장치
KR200379906Y1 (ko) 쿨링 수단이 구비되는 샤워헤드 및 이를 이용하는 챔버
KR101130037B1 (ko) 보트
KR20240062595A (ko) 기판처리장치
KR101317333B1 (ko) 기판 변형 방지용 보트