KR20230152103A - 안과용 디바이스 제조용 금형 - Google Patents

안과용 디바이스 제조용 금형 Download PDF

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아빈드 엠. 라오
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보오슈 + 롬 아일랜드 리미티드
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Abstract

본 발명의 방법은 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계; 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 포함한다.

Description

안과용 디바이스 제조용 금형
본 출원은 2021년 3월 05일 '안과용 디바이스 제조용 금형'이란 제목으로 출원된 미국 특허 가출원 제63/157,130호에 대한 우선권을 주장하며, 그 전문이 본원에 원용된다.
콘택트렌즈는 선반 및 주조 성형을 포함한 다양한 방법으로 제조되고 있다. 선반(lathing)은 대량 생산과 신속 생산에 대한 요구를 충족할 수 없다. 선반에 고유한 비용상의 단점을 줄이려는 노력의 결과 선반과 주조 성형이 혼합된 공정이 탄생하게 되었다. 예를 들어, 렌즈는 렌즈의 한 면을 주조하고 다른 면을 선반 가공하여 제조할 수 있다. 이 공정은 선반보다 저렴하지만 완전한 주조 성형 공정만큼 저렴하지는 않다.
주조 성형에는 두 개의 보완적인 금형을 사용해야 한다. 전방 반금형(mold half)은 렌즈의 전방 표면을 정의한다. 후방 반금형은 렌즈의 후방 표면을 정의한다. 반금형은 전통적으로 한 번만 사용한 다음 완성된 렌즈의 포장재로 사용되거나 폐기된다. 원하는 반경 또는 굴절력의 콘택트 렌즈 반금형을 제조하기 위해 후방 및 전방 단계 도구를 사용하여 기본 금형 배치(batch)를 제조한다. 기본 금형의 정확도를 측정한 다음 가공된 반금형이 원하는 치수에 도달할 때까지 일련의 단계 변경을 수행해야 한다. 원하는 최종 렌즈 제품에 따라 필요한 후방 및 전방 반금형의 디자인이 결정된다.
예를 들어, 콘택트 렌즈는 일반적으로 경화성 액체를 2개의 반금형에 의해 정의된 금형 캐비티에 증착하여 성형한다. 이러한 금형은 종종 일회용이며 각각의 새 렌즈에 대한 금형 교체 비용은 최종 렌즈의 총 비용의 상당 부분을 차지한다. 그런 다음 액체는 금형 캐비티 내에서 경화된다. 경화 공정 후 경화된 렌즈가 금형 캐비티에서 제거된다. 그런 다음 렌즈는 일반적으로 다른 후경화 단계를 거쳐 완성된 렌즈가 생산된다.
일 실시예에 따른 방법은 (a) 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계; (b) 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및 (c) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에 따른 시스템은 메모리에 연결된 프로세서를 포함하는 적어도 하나의 처리 장치를 포함한다. 상기 적어도 하나의 처리 장치는 (a) 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계; (b) 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및 (c) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 실행하도록 구성된다.
또 다른 실시예에 따른 제조품은 하나 이상의 소프트웨어 프로그램의 실행 가능한 코드를 내부에 인코딩한 프로세서 판독 가능 저장 매체를 포함하되, 상기 하나 이상의 소프트웨어 프로그램은, 하나 이상의 처리 장치로 실행될 때, (a) 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계; (b) 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및 (c) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 실행한다.
하기와 같이 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 좀 더 자세히 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 대표적인 금형 조립체의 개략적인 분해도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 콘택트 렌즈를 주조 성형하기 위한 도 1의 상기 금형 조립체의 개략적인 단면도이다.
도 3은 하나 이상의 실시예에 따른 금형 조립체를 제조하기 위한 공정의 흐름도를 보여준다.
도 4는 일 실시예에서 상기 방법의 단계들을 실행하기 위해 시스템에서 이용될 수 있는 처리 플랫폼의 예를 도시한다.
소프트 콘택트 렌즈와 같은 안과용 디바이스의 생산을 위한 금형을 제조하기 위한 예시적인 방법 및 시스템을 참조하여 본 발명의 실시예를 여기에서 설명한다. 그러나 본원에 기술된 실시예는 예시된 특정 방법 및 시스템과 함께 사용하는 것으로 제한되지 않는다는 점을 이해해야 한다.
안과용 디바이스를 대량으로 제조하는 과정에서 정상적인 대기 조건에 존재하는 산소 때문에 안과용 디바이스의 표면에서 반응성 단량체 혼합물의 경화가 억제되어 경화가 불완전하고 균일하지 않게 이루어질 수 있다. 이는 이어서 예를 들어 포획기포 접촉각(captive bubble contact angle)과 같은 안과용 디바이스의 물리적 특성을 불리하게 변경할 수 있다. 산소가 존재하기 때문에 일반적으로 안과용 디바이스를 제조하기 위해 사용되는 금형을 단량체 혼합물을 주조 및 경화하기 전에 최소 약 8 내지 약 12시간 동안 탈기해야 한다. 상기 탈기 시간은 금형 표면에 흡수 및 흡착된 산소를 제거하는 데 필요하다. 상기 탈기 시간을 거치지 않을 경우 생산된 안과용 디바이스가 접촉각과 같은 표면 특성에서 저열하게 되고, 안과용 디바이스가 금형로부터 방출되는 것을 저해할 수 있다.
본원에 기술된 방법 및 시스템은 탈기 시간을 약 8 내지 약 12시간에서 약 30분 내지 약 2시간으로 감소시키는 이점이 있다. 이는, 예를 들어, 금형부를 탈기하기 전에 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리함으로서 달성된다. 따라서 이러한 방법으로 성형된 안과용 디바이스는 약 8 내지 약 12시간 동안 금형부를 탈기하는 일반적인 공정 하에서 생산된 안과용 디바이스보다 상당히 짧은 시간에 그와 유사한 렌즈 저접촉각(CBCA)을 달성할 수 있다.
다음은 안과용 디바이스의 생산을 위한 금형 조립체와 관련된 실시예를 더 상세하게 논의한다. 본원에서 사용되는 용어 '안과용 디바이스(ophthalmic device)'는 눈 안에 또는 눈 위에 위치하는 디바이스를 지칭한다. 이러한 디바이스는 광학 교정, 상처 치료, 약물 전달, 진단 기능성 또는 미용 증진 또는 이들 특성들의 조합을 제공할 수 있다. 그러한 디바이스의 대표적인 예는 소프트 콘택트 렌즈, 예를 들어, 소프트, 하이드로겔 렌즈, 소프트, 비-하이드로겔 렌즈 등과 안내(intraocular) 렌즈, 오버레이 렌즈, 접안 삽입체, 광학적 삽입체, 보호용 렌즈 및 치료용 렌즈를 포함하며 그에 국한되지 않는다. 통상의 기술자는 렌즈가 깨지지 않고 뒤로 접힐 수 있다면 그런 렌즈를 '소프트(soft)'한 것으로 간주한다. 상기 실시예의 고함수율 콘택트 렌즈와 같은 안과용 디바이스는 구형, 원환체, 이중초점일 수 있고, 미용 색조, 불투명 미용 패턴, 이들의 조합 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 본원에 기술된 금형 조립체는 적어도 한 쌍의 결합 가능한 금형부를 포함한다. 본원의 용도를 위한 금형 조립체의 대표적인 예가 도 1 및 도 2의 금형 조립체(25)로 대략적으로 도시되어 있다. 특히, 금형 조립체(25)는 후방 금형 캐비티 정의 표면(31)을 갖는 (그래서 성형된 렌즈의 후방 표면을 형성하는) 후방 금형(30), 및 전방 금형 캐비티 정의 표면(41)을 갖는 (그래서 성형된 렌즈의 전방 표면을 형성하는) 전방 금형(40)을 포함한다. 금형 섹션이 조립될 때, 금형 캐비티(32)는 그에 성형된 콘택트 렌즈의 원하는 형상에 대응하는 2개의 정의 표면 사이에 형성된다. 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 전방 금형(40)은 전방 금형 캐비티 정의 표면(41)에 대향하는 표면(42)을 포함하며, 표면(41)과 표면(42)은 그 사이에 있는 전방 금형(40)의 세그먼트(43)를 정의한다. 전방 금형(40)의 대향 표면(42)은 콘택트 렌즈 주형 시 중합성 렌즈 혼합물과 접촉하지 않는다. 즉, 대향 표면(42)은 금형 캐비티(32)의 일부를 형성하지 않는다.
이제 금형 조립체를 제조하기 위한 방법 및 시스템의 일 실시예를 도 3의 흐름도를 참조하여 설명한다. 특히, 도 3은 방법(300)을 도시하는데, 여기에서 단계(310)은 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 것이다. 안과용 디바이스 금형 형성 재료의 건조 단계는 예를 들어 초임계 건조, 아임계 건조, 열 건조, 증발 공기 건조, 진공 건조 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 진공 건조된다.
일 실시예에서 상기 안과용 디바이스 금형-형성 재료는 예를 들면 약 0.25시간 내지 약 8시간 범위의 시간 동안 그리고 약 10mm Hg 내지 125mm Hg 범위의 압력에서 진공 건조로 건조될 수 있다. 또 다른 실시예에서 상기 안과용 디바이스 금형-형성 재료는 약 0.5시간 내지 약 2시간 범위의 시간 동안 그리고 약 15mm Hg 내지 약 50mm Hg 범위의 압력에서 진공 건조된다. 건조는 질소 기체 환경과 같은 불활성 기체 환경에서 진행될 수 있다. 일반적으로 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 후술하는 바와 같이 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계까지 불활성 기체 환경에서 유지된다.
일 실시예에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 적어도 약 60℃의 온도로 건조 전 또는 건조 동안에 가열될 수 있다. 일 실시예에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 약 60℃ 내지 약 100℃의 온도로 가열될 수 있다.
상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 일반적으로 렌즈에 특정 물리적 특성을 부여하는 플라스틱 재료로 구성된다. 적합한 플라스틱 재료는 예를 들어 일반적으로 비교적 높은 산소 투과성을 갖는 열가소성 수지를 포함한다. 일 실시예에서 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 예를 들어 주로 폴리올레핀을 함유하는 중합체 및 공중합체를 포함한다. 적합한 폴리올레핀은 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 등 및 이들의 혼합물을 포함한다. 일 실시예에서 플라스틱 금형 재료는 폴리프로필렌이다.
또 다른 실시예에서 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 예를 들어 환형 블록 공중합체를 포함한다. 적합한 환형 블록 공중합체는 예를 들어 스티렌-공액 디엔 환형 블록 공중합체 및 완전히 수소화된 스티렌-공액 디엔 블록 공중합체와 같은 환형 블록 공중합체를 포함한다. 일 실시예에서 환형 블록 공중합체는 아래에 예시된 바와 같이 비수소화 또는 완전 수소화 스티렌-부타디엔 공중합체일 수 있다.
스티렌-부타디엔 공중합체는 당업계의 통상적인 방법으로 제조하거나 예를 들어 USI Corporation(Kaohsiung City, Taiwan)의 ViviOnTM8210 환형 블록 공중합체와 같이 상용 제품을 사용할 수 있다. 전술한 비-수소화 또는 수소화 스티렌-부타디엔 공중합체와 같은 환형 블록 공중합체는 약 100,000 내지 약 900,000달톤 범위의 중량평균분자량을 가질 수 있다.
안과용 디바이스 형성 재료는 예를 들어 재료 필름, 용융 펠릿 또는 핫멜트와 같은 형태일 수 있다. 아래에서 그 각각의 형태에 대해 기술한다.
필름 - 재료 필름은 (i) 필름 압출 또는 (ii) 압축 성형의 두 가지 방법으로 제조할 수 있다. 필름 압출의 경우 안과용 디바이스 형성 재료의 펠릿을 압출기에 투입하면 용융된 재료가 슬릿 다이를 통해 압출되고 필름으로 냉각된다. 압축 성형의 경우 안과용 디바이스 형성 재료의 재료 펠릿을 단축 또는 이축 압출기 또는 공회전 또는 역회전 가열 혼련기(예: Banbury 또는 Brabender 믹서)로 약 100℃ 내지 약 150℃의 온도에서 용융한다. 이 공정에서 용융물을 하나의 플레이트 위로 압출한 다음 두 번째 플레이트로 덮어서 가열된 Carver 프레스로 약 135℃, 7000psi에서 약 10분 동안 압착하여 약 200 내지 약 1000미크론 두께의 필름을 제작한다. 이 필름의 상대적으로 작은 부분, 예를 들어 약 10 x 10mm가 성형기의 바닥 캐비티에 배치된다. 그런 다음 상단 캐비티가 정렬되고 렌즈를 형성하는 필름 위로 압착된다.
용융 펠릿 - 용융 펠릿은 단축 압출기에서 재료를 형성하는 안과용 디바이스 형성 재료의 펠릿을 녹인 다음 용융 펠릿의 원하는 직경보다 약 25% 더 작은 오리피스를 통과시키는 방식으로 제작된다. 재료가 오리피스에서 압출되면 다이페이스 나이프를 사용하여 용융된 재료 볼(ball)을 절단한다. 이러한 방식으로 용융 펠릿이 제작하고 성형 캐비티로 이송하여 렌즈로 압축 성형될 수 있도록 한다.
핫멜트 - 이 공정에서 재료 펠릿은 압출기 또는 가열된 실린더에서 용융된 다음 피스톤이나 압축 공기를 사용하여 직경 약 0.1 내지 2mm(바람직하게는 직경 0.5 내지 1mm)의 오리피스를 통해 용융물을 압출한다. 이렇게 하면 금형 캐비티에 작은 용융 비드가 직접 낙하 또는 분사되어 이후에 렌즈로 압축 성형된다.
도 3은 방법(300)을 더 도시하며 여기에서 단계(320)은 단계(310)에서 제작된 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부, 즉 후방 금형부 및 전방 금형부를 성형하여 도 1 및 2를 참조하여 상기한 금형 조립체를 형성하는 과정이다. 일 실시예에서 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부(즉, 전방 금형 및 후방 금형)은 당업계의 통상적인 임의의 적합한 사출 성형 장치에서 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 사출 성형된다.
도 3은 방법(300)을 더 도시하며 여기에서 단계(330)은 단계(320)에서 제작된 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부에 존재하는 모든 산소를 거의 완전하게 제거하기에 충분한 시간 동안 불활성 기체 환경으로 처리하는 과정이다. 일 실시예에서 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부는 질소 기체 환경에서 탈기된다. 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 탈기하는 시간은 약2시간 내지 약 8시간 범위일 수 있다. 일 실시예에서 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 탈기하는 시간은 약 2시간 내지 약 4시간 범위일 수 있다. 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 질소와 같은 불활성 기체 환경에 노출하면 그 표면의 산소 수준은 허용 한도 내에 있게 되며, 일반적으로는 산소 함량이 디바이스 성능 내에서 실질적으로 0, 즉 약 1중량% 미만 또는 0.5중량% 미만 또는 0.01중량% 미만이 된다.
본원에 기재된 금형 조립체는 예를 들어 유리기 중합 기술을 사용하는 주형 성형 공정으로 제조된 콘택트 렌즈의 표면 품질을 개선하는 데 특히 유용하다. 일반적으로, 콘택트 렌즈를 형성하기 위한 단량체 혼합물, 성형 공정 및 중합 공정은 공지되어 있으며, 본 발명은 주로 개선된 표면 특성을 갖는 콘택트 렌즈를 얻기 위한 금형 조립체를 형성하는 것에 관한 것이다. 또한 본원에 기술된 실시예에 따른 금형 조립체는 또한 최종 중합된 제품에 소정의 형상을 부여하기 위해 본원에 따라 제조된 금형부를 사용하는 임의의 유리기 중합 공정을 통해서 표면 품질을 개선하는 데 사용될 수 있다.
본원에 기재된 금형 조립체는 임의의 안과용 디바이스를 제조하는 데 사용될 수 있으며, 안과용 디바이스를 형성하기 위해 사용되는 단량체 혼합물 및 특정 단량체는 결정적이지 않다. 일 실시예에서 본원에 기술된 금형 조립체는 예를 들면 히드록시에틸 메타클릴레이트, N-비닐-피롤리돈, 그릴세롤 메타크릴레이트, 메타크릴산 및 산 에스터를 비제한적으로 포함하는 실리콘 및/또는 비실리콘 단량체로 제조한 실리콘 하이드로겔 렌즈와 같은 하이드로겔 렌즈로 통상적으로 지칭되는 소프트 콘택트 렌즈를 제작하기 위해서 사용된다. 그러나 콘택트 렌즈 제조에 유용한 중합체를 형성할 수 있는 단량체 혼합물에 렌즈 형성 단량체의 어떤 조합이든 사용할 수 있다. 실리콘 모이어티를 함유하는 것과 같은 소수성 렌즈 형성 단량체도 포함될 수 있다. 렌즈 표면의 중합도 및/또는 가교결합 밀도는 일반적으로 미용상 결함을 나타내지 않는 콘택트 렌즈를 포함하여 모든 콘택트 렌즈에서 개선된 것으로 여겨진다.
일 실시예에서 본원의 안과용 디바이스는 그 자체가 친수성이 아닌 물질로 만든 디바이스를 포함한다. 이러한 디바이스는 당업계에 공지된 물질로부터 형성되고, 예로서, 바람직하게는 다이옥솔, 예컨대, 퍼플루오로-2,2-다이메틸-1,3-다이옥솔과 조합하여, 폴리실록산, 퍼플루오로폴리에터, 플루오린화 폴리(메트)아크릴레이트, 또는, 예컨대, 기타 중합성 카복실산, 폴리알킬(메트)아크릴레이트 또는 기타 중합성 카복실산으로부터 유도된 등가의 알킬에스터 중합체로부터 유도된 등가의 플루오린화 중합체, 또는 플루오린화 폴리올레핀, 예컨대, 플루오린화 에틸렌 프로필렌 중합체, 또는 테트라플루오로에틸렌을 포함한다. 적합한 벌크 물질(bulk material)의 대표적인 예는 로트라필콘 A(lotrafilcon A), 네오포콘(neofocon), 파시포콘(pasifocon), 텔레포콘(telefocon), 플루오르실포콘(fluorsilfocon), 파플루포콘(paflufocon), 실라포콘(silafocon), 엘라스토필콘(elastofilcon), 플루오로포콘(fluorofocon) 또는 테프론(Teflon™) AF 물질, 예컨대, 테프론 AF 1600 또는 테프론 AF 2400(이들은 약 63 내지 약 73mol %의 퍼플루오로-2,2-다이메틸-1,3-다이옥솔과 약 37 내지 약 27mol %의 테트라플루오로에틸렌의, 또는 약 80 내지 약 90mol %의 퍼플루오로-2,2-다이메틸-1,3-다이옥솔과 약 20 내지 약 10mol %의 테트라플루오로에틸렌의 공중합체임)을 포함하지만, 이들로 제한되지 않는다.
또 다른 실시예에서 본원의 안과용 디바이스는 반응성 기, 예컨대, 카복시, 카바모일, 설페이트, 설포네이트, 포스페이트, 아민, 암모늄 또는 하이드록시 기가 물질에, 따라서 또한 이로부터 제조되는 안과용 디바이스의 표면에 내재하므로 그 자체가 친수성 물질로 형성되는 디바이스를 포함한다. 이러한 디바이스는 당업계에 공지된 물질로 형성되고, 예로써, 폴리하이드록시에틸 아크릴레이트, 폴리하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA), 폴리비닐 피롤리돈(PVP), 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리아크릴아마이드, 폴리다이메틸아크릴아마이드(DMA), 폴리비닐 알코올 등 및, 하이드록시에틸 아크릴레이트, 하이드록시에틸 메타크릴레이트, N-비닐 피롤리돈, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴아마이드, 다이메틸 아크릴아마이드, 비닐 알코올 등으로부터 선택된 둘 이상의 단량체로부터의, 이들의 공중합체를 포함한다. 적합한 벌크 물질의 대표적인 예는 폴리마콘(polymacon), 테필콘(tefilcon), 메타필콘(methafilcon), 델타필콘(deltafilcon), 부필콘(bufilcon), 펨필콘(phemfilcon), 오쿠필콘(ocufilcon), 포코필콘(focofilcon), 에타필콘(etafilcon), 헤필콘(hefilcon), 비필콘(vifilcon), 테트라필콘(tetrafilcon), 페르필콘(perfilcon), 드록시필콘(droxifilcon), 다이메필콘(dimefilcon), 아이소필콘(isofilcon), 마필콘(mafilcon), 넬필콘(nelfilcon), 아틀라필콘(atlafilcon) 등을 포함하지만, 이들로 제한되지 않는다. 기타 적합한 벌크 물질의 예는 삼필콘 A(samfilcon A), 발라필콘 A(balafilcon A), 힐라필콘 A(hilafilcon A), 알파필콘 A(alphafilcon A), 빌라필콘 B(bilafilcon B) 등을 포함한다.
또 다른 실시예에서 본원의 안과용 디바이스는 결합 또는 다리 부재를 통해서 연결되는 적어도 하나의 소수성 분절과 적어도 하나의 친수성 분절을 함유하는 양친매성 분절화 공중합체인 물질로 형성되는 디바이스를 포함한다.
콘택트 렌즈를 포함하는 안과 렌즈용으로 보통 사용되는 연성 물질과 강성 물질 둘 다를 포함하는 생체적합성 물질을 이용하는 것이 특히 유용하다. 일반적으로, 비-하이드로겔 물질은 평형 상태에서 물을 함유하지 않는 소수성 중합 재료이다. 전형적인 비-하이드로겔 물질은 실리콘 아크릴, 예컨대, 벌키 실리콘 단량체(예컨대, 트리스(트라이메틸실록시)실릴프로필 메타크릴레이트, 통상 "TRIS" 단량체로 알려짐), 메타크릴레이트 말단-캡핑된 폴리(다이메틸실록산)예비중합체, 또는 플루오로알킬 측기들을 갖는 실리콘(폴리실록산은 또한 통상 실리콘 중합체로 알려져 있음)으로 형성된 것들을 포함한다.
하이드로겔은 일반적으로 평형 상태에서 물을 함유하는 수화된, 가교된 중합체 시스템을 포함하는 잘 알려진 물질의 부류이다. 따라서, 하이드로겔은 친수성 단량체로 제조된 공중합체이다. 실리콘 하이드로겔의 경우에, 하이드로겔 공중합체는 일반적으로 적어도 하나의 디바이스-형성 실리콘-함유 단량체와 적어도 하나의 디바이스-형성 친수성 단량체를 함유하는 혼합물을 중합함으로써 제조된다. 실리콘-함유 단량체 또는 친수성 단량체 중 어느 한쪽은 가교제(가교제는 다수의 중합성 작용기를 갖는 단량체로서 정의됨)로 기능할 수 있거나 또는 별도의 가교제가 사용될 수 있다. 실리콘 하이드로겔은 전형적으로 약 10 내지 약 80 중령 퍼센트의 물 함량을 갖는다.
유용한 친수성 단량체의 대표적인 예는, 아마이드, 예컨대, N,N-다이메틸아크릴아마이드 및 N,N-다이메틸메타크릴아마이드; 환식 락탐, 예컨대, N-비닐-2-피롤리돈; 및 (메트)아크릴화 폴리(알켄 글리콜), 예컨대, 모노메타크릴레이트 또는 다이메타크릴레이트 말단 캡을 함유하는 다양한 사슬 길이의 폴리(다이에틸렌 글리콜)을 포함하지만, 이들로 제한되지 않는다. 또 다른 예에는 미국 특허 5,070,215호에 개시된 친수성 비닐 카보네이트 또는 비닐 카바메이트 단량체 그리고 미국 특허 4,910,277호에 개시된 친수성 옥사졸론 단량체이며 그 개시 내용이 본원에 원용된다. 기타 적합한 친수성 단량체는 통상의 기술자에게 자명한 것이다. 예를 들어, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트(HEMA)는 앞서 언급된 친수성 단량체와 혼합하여 사용될 수 있는 잘 알려진 친수성 단량체이다.
단량체 혼합물은 또한 공중합성 기와 반응성 작용기를 포함하는 제2 디바이스-형성 단량체를 포함할 수 있다. 공중합성 기는 바람직하게는 에틸렌계 불포화기이므로, 이러한 디바이스-형성 단량체는 초기 디바이스-형성 단량체 혼합물의 친수성 디바이스-형성 단량체 및 임의의 기타 디바이스-형성 단량체와 공중합된다. 부가적으로, 제2 단량체는 하나 이상의 중합성 다가 알코올과 하나 이상의 중합성 플루오린-함유 단량체의 반응 생성물인 공중합체의 상보적 반응성 기와 반응하는 반응성 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 디바이스-형성 단량체 혼합물을 공중합함으로써 디바이스가 형성된 후, 제2 디바이스-형성 단량체에 의해 제공되는 반응성 작용기는 공중합체의 상보적 반응성 모이어티와 반응되도록 남는다.
일 실시예에서 제2 디바이스 형성 단량체의 반응성 기는 에폭사이드기를 포함한다. 따라서, 제2 디바이스-형성 단량체는 (단량체가 친수성 디바이스-형성 단량체와 공중합시키는 것을 허용하는) 에틸렌계 불포화 기 및 (친수성 디바이스-형성 단량체와 반응하지 않고 잔류하여 하나 이상의 중합성 다가 알코올과 하나 이상의 중합성 플루오린-함유 단량체의 반응 생성물인 공중합체와 반응하는) 에폭사이드 기 둘 다를 포함하는 것들이다. 그 예는 글리시딜 메타크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 비닐카보네이트, 글리시딜 비닐카바메이트, 4-비닐-1-사이클로헥센-1,2-에폭사이드 등을 포함한다.
언급된 바와 같이, 한 부류의 안과용 디바이스 기재 물질은 실리콘 하이드로겔이다. 이 경우, 초기 디바이스-형성 단량체 혼합물은 실리콘-함유 단량체를 더 포함한다. 실리콘 하이드로겔의 형성에 사용하기 위한 적용 가능한 실리콘-함유 단량체 물질은 당업계에서 잘 알려져 있고, 많은 예가 미국 특허 제4,136,250호; 제4,153,641호; 제4,740,533호; 제5,034,461호; 제5,070,215호; 제5,260,000호; 제5,310,779호; 및 5,358,995호에 제공되어 있다. 본 명세서에서 사용하기에 적합한 물질의 구체 예는 미국 특허 제5,310,779호; 제5,387,662호; 제5,449,729호; 제5,512,205호; 제5,610,252호; 제5,616,757호; 제5,708,094호; 제5,710,302호; 제5,714,557호 및 제5,908,906호에 개시된 것들을 포함하며, 이들의 내용은 본 명세서에 참조에 의해 원용된다.
적용 가능한 실리콘-함유 단량체들의 대표적인 예는 벌키 폴리실록산일알킬(메트)아크릴 단량체를 포함한다. 벌키 폴리실록산일알킬(메트)아크릴 단량체의 예는 하기 식 I의 구조로 표현된다.
(I)
상기 식에서 X는 -O- 또는 -NR-을 나타내고, R은 수소 또는 C1 내지 C4 알킬을 나타내고; 각각의 R1은 독립적으로 수소 또는 메틸을 나타내고; 각각의 R2는 독립적으로 저급 알킬 라디칼, 페닐 라디칼 또는 하기로 표현되는 기를 나타낸다.
여기서 각각의 R2 ′는 독립적으로 저급 알킬 또는 페닐 라디칼을 나타내고; h는 1 내지 10이다.
벌키 단량체의 예는 메타크릴옥시프로필 트리스(트라이메틸-실록시)실란 또는 트리스(트라이메틸실록시)실릴프로필 메타크릴레이트(때때로 TRIS로 지칭됨) 및 트리스(트라이메틸실록시)실릴프로필 비닐 카바메이트(때때로 TRIS-VC로 지칭됨) 등이다.
이러한 벌키 단량체는, 분자의 둘 이상의 말단에서 불포화기로 캡핑되는 폴리(오르가노실록산)인 실리콘 거대단량체와 공중합될 수 있다. 미국 특허 제4,153,641호는, 예를 들어, 아크릴옥시기 또는 메타크릴옥시기와 같은 다양한 불포화 기를 개시한다.
대표적인 실리콘-함유 단량체의 또 다른 부류는, 예를 들어, 실리콘-함유 비닐 카보네이트 또는 비닐 카바메이트 단량체, 예를 들어, 1,3-비스[4-비닐옥시카보닐옥시)부트-1-일]테트라메틸-다이실록산; 3-(트라이메틸실릴)프로필 비닐 카보네이트; 3-(비닐옥시카보닐티오)프로필-[트리스(트라이메틸실록시)실란]; 3-[트리스(트라이메틸실록시)실릴]프로필 비닐 카바메이트; 3-[트리스(트라이메틸실록시)실릴]프로필 알릴 카바메이트; 3-[트리스(트라이메틸실록시)실릴]프로필 비닐 카보네이트; t-부틸다이메틸실록시에틸 비닐 카보네이트; 트라이메틸실릴에틸 비닐 카보네이트; 트라이메틸실릴메틸 비닐 카보네이트 등 및 이들의 혼합물을 포함한다.
실리콘-함유 단량체의 또 다른 부류는 폴리우레탄-폴리실록산 거대단량체(때때로 예비중합체로도 지칭됨)를 포함하고, 이는 전통적인 우레탄 탄성중합체와 같이 경질-연질-경질 블록을 가질 수 있다. 이들은 HEMA와 같은 친수성 단량체로 말단-캐핑될 수 있다. 이러한 실리콘 우레탄의 예는, 문헌[Lai, Yu-Chin, "The Role of Bulky Polysiloxanylalkyl Methacryates in Polyurethane-Polysiloxane Hydrogels," Journal of Applied Polymer Science, Vol. 60, 1193-1199 (1996)]을 포함하는 다양한 간행물에 개시되어 있다. PCT 출원 공개 번호 WO 96/31792는 이러한 단량체의 예를 개시하며, 이의 개시내용은 전문이 본 명세서에 참조에 의해 원용된다. 실리콘 우레탄 단량체의 추가의 예는 하기 식 II 및 식 III으로 표시된다:
E(*D*A*D*G) a *D*A*D*E’; 또는 (II)
E(*D*G*D*A)a *D*A*D*E’; 또는 (III)
여기서:
D는 독립적으로 6 내지 약 30개의 탄소 원자를 갖는, 알킬 다이라디칼, 알킬 사이클로알킬 다이라디칼, 사이클로알킬 다이라디칼, 아릴 다이라디칼 또는 알킬아릴 다이라디칼을 나타내고;
G는 독립적으로 1 내지 약 40개의 탄소 원자를 갖고 주쇄에 에터, 티오 또는 아민 연결을 함유할 수 있는, 알킬 다이라디칼, 사이클로알킬 다이라디칼, 알킬 사이클로알킬 다이라디칼, 아릴 다이라디칼 또는 알킬아릴 다이라디칼을 나타내고;
*는 우레탄 또는 우레이도 연결을 나타내고;
a는 적어도 1이고;
A는 독립적으로 하기 화학식 IV의 2가 중합체 라디칼을 나타낸다:
(IV)
식 중, 각각의 Rs는 독립적으로 1 내지 약 10개의 탄소원자를 갖고 탄소원자들 사이에 에터 연결을 함유할 수 있는 알킬 또는 플루오로-치환된 알킬기를 나타내고; m'은 적어도 1이고; p는 약 400 내지 약 10,000의 모이어티 중량을 제공하는 수이고;
각각의 E 및 E'는 독립적으로 하기 화학식 V로 표시되는 중합성 불포화 유기 라디칼을 나타내고:
(V)
여기에서 R3은 수소 또는 메틸이고;
R4는 수소, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, 또는 ―CO―Y―R6 라디칼(여기서 Y는 ―O―, ―S― 또는 ―NH―임)이고;
R5는 1 내지 약개의 10 탄소 원자를 갖는 2가 알킬렌 라디칼이고;
R6은 1 내지 약 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼이고;
X는 ―CO― 또는 ―OCO―를 나타내고;
Z는 ―O― 또는 ―NH―를 나타내고;
Ar은 약 6 내지 약 30개의 탄소 원자를 갖는 방향족 라디칼을 나타내고;
w는 0 내지 6이고; x는 0 또는 1이고; y는 0 또는 1이고; z는 0 또는 1이다.
일 실시예에서 실리콘-함유 우레탄 단량체는 하기 화학식 VI으로 표시된다.
(VI)
식 중, m은 적어도 1이고, 바람직하게는 3 또는 4이고, a는 적어도 1이고, 바람직하게는 1이고, p는 약 400 내지 약 10,000의 모이어티 중량을 제공하는 수이고 바람직하게는 적어도 약 30이고, R7은 아이소사이아네이트기의 제거 후의 다이아이소사이아네이트의 다이라디칼, 예컨대, 아이소포론 다이아이소사이아네이트의 다이라디칼이고, 각각의 E"은 하기로 표시되는 기이다:
또 다른 실시형태에서, 실리콘 하이드로겔 물질은 (벌크 중, 즉, 공중합되는 단량체 혼합물 중) 약 5 내지 약 50 중량 퍼센트, 또는 약 10 내지 약 25 중량 퍼센트의 1종 이상의 실리콘 거대단량체, 약 5 내지 약 75 중량 퍼센트, 또는 약 30 내지 약 60 중량 퍼센트의 1종 이상의 폴리실록산일알킬 (메트)아크릴 단량체 및 약 10 내지 약 50 중량 퍼센트, 또는 약 20 내지 약 40 중량 퍼센트의 친수성 단량체를 포함한다. 일반적으로, 실리콘 거대단량체는 분자의 둘 이상의 말단에 불포화기로 캐핑된 폴리(오르가노실록산)이다. 상기 구조식에서 말단기 이외에, 미국 특허 제4,153,641호는 아크릴옥시 또는 메타크릴옥시를 포함하는 추가의 불포화기를 개시한다. 미국 특허 제5,310,779호; 제5,449,729호 및 제5,512,205호에 개시된 것들과 같은 푸마레이트-함유 물질은 또한 본 명세서에 기재된 실시형태에 따르면 유용한 기재이다. 실란 거대단량체는, 실리콘-함유 비닐 카보네이트 또는 비닐 카바메이트 또는 하나 이상의 경질-연질-경질 블록을 갖고 친수성 단량체로 말단-캐핑된 폴리우레탄-폴리실록산일 수 있다.
대표적인 실리콘-함유 단량체의 또 다른 부류는 플루오린화 단량체를 포함한다. 이러한 단량체는, 예를 들어, 미국 특허 제4,954,587호; 제5,010,141호 및 제5,079,319호에 개시된 바와 같이, 이로부터 제조된 콘택트 렌즈 상에 침착물의 퇴적을 저감시키기 위하여 플루오로실리콘 하이드로겔의 형성에 사용되었다. 또한, 소정의 플루오린화 측기, 즉, -(CF2)-H를 갖는 실리콘-함유 단량체의 사용은, 친수성 및 실리콘-함유 단량체 단위 간의 상용성을 개선하는 것으로 밝혀졌다. 예컨대, 미국 특허 제5,321,108호 및 제5,387,662호를 참조한다.
상기 실리콘 재료는 단지 예시일 뿐이며, 콘택트 렌즈 및 기타 의료 기기와 같은 안과용 디바이스를 제조하는 데 사용하기 위해 다양한 간행물에 개시되고 지속적으로 개발되고 있는 다른 재료도 사용될 수 있다. 예를 들어, 안과용 디바이스는 적어도 양이온성 단량체, 예컨대, 양이온성 실리콘-함유 단량체 또는 양이온성 플루오린화 실리콘-함유 단량체로 형성될 수 있다.
본원에 기술된 금형 조립체로 만든 안과용 디바이스를 형성하는 데 사용되는 단량체 혼합물은 또한 당업계의 통상적인 가교제, 강화제, 유리기 개시제 및/또는 촉매 등을 포함할 수 있다. 또한 중합 공정에 악영향을 미치거나 그를 저해하지 않는다면 적합한 용매 또는 희석제가 단량체 혼합물에 사용될 수 있다.
중합 또는 경화 방법은 본 발명의 실시에 결정적이지 않다. 따라서 중합은 사용된 특정 조성에 따라 다양한 기작으로 발생할 수 있다 예를 들어 유리기 중합 기술인 열, 광, X-선, 마이크로웨이브 및 이들의 조합이 본원에서 사용될 수 있다. 일 실시예에서 열 및 광중합이 사용된다. 다른 예시적인 실시예에서 광 경화가 사용된다.
일반적으로, 성형된 렌즈는 중합성 단량체(들) 및/또는 매크로머(들)와 같은 경화성 액체를 본원에 기술된 금형 조립체의 금형 섹션의 금형 캐비티 내로 침착시키고, 액체를 고체 상태로 경화시키고, 금형 캐비티를 열고 렌즈를 제거하는 식으로 만든다. 그런 다음 렌즈 수화와 같은 다른 처리 단계를 수행할 수 있다. 주조 성형 기술도 잘 알려져 있다 주조 성형 공정의 예는 미국 특허 4,113,224; 4,121,896; 4,208,364; 및 4,208,365호에 개시되어 있으며 그 개시 내용이 본원에 원용된다. 물론 많은 다른 통상적 주조 성형 기술도 본원에서 사용될 수 있다.
본원에 따라 만든 안과용 디바이스는 제조 직후에 고객/착용자에게 전달되기 전에 수성 포장 용액에 안과용 디바이스를 침지시켜 포장될 수 있다. 아니면 포장 용액에 포장 및 보관하는 것은 최종 고객(착용자)에게 전달하기 전이지만 건조 상태의 안과용 디바이스 제조 및 이송 후의 중간 지점에서 일어날 수 있으며, 여기서 건조한 안과용 디바이스는 포장 용액에 침지시킴으로써 수화된다. 결과적으로 고객에게 전달하기 위한 패키지는 본 발명에 따른 포장용 수용액에 침지된 하나 이상의 미사용 안과용 디바이스를 포함하는 밀봉된 용기를 포함할 수 있다.
상기로부터 명백한 바와 같이 본원에 기술된 방법은 금형 조립체 및 안과용 디바이스를 제조하는 방법의 단계를 수행하기 위한 시스템에서 실행될 수 있다. 일반적으로 상기 시스템은 적어도 하나 이상의 처리 모듈 또는 기타 구성 요소를 포함하며 이들 각각은 컴퓨터, 서버, 저장 장치 또는 다른 처리 플랫폼 요소에서 실행할 수 있다. 그러한 요소는 본원에서 '처리 장치'라고 더 일반적으로 언급되는 것의 한 예로 볼 수 있다. 처리 플랫폼의 예는 도 4에 도시된 처리 플랫폼(400)이다.
이 실시예에서 처리 플랫폼(400)은 시스템의 일부를 포함하고 402-1, 402-2, 402-3...402-K번으로 표시된, 네트워크(404)를 통해 서로 통신하는 복수의 처리 장치를 포함한다.
네트워크(404)는 예를 들면 인터넷과 같은 글로벌 컴퓨터 네트워크, WAN, LAN, 위성 네트워크, 전화 또는 케이블 네트워크, 셀룰러 네트워크, WiFi 또는 WiMAX 네트워크와 같은 무선 네트워크, 또는 이러한 네트워크와 다른 유형의 네트워크의 다양한 부분 또는 조합을 포함할 수 있다.
처리 플랫폼(400)의 처리 장치(402-1)는 메모리(412)에 연결된 프로세서(410)를 포함한다.
프로세서(410)는 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 주문형 집적회로 (application-specific integrated circuit, ASIC), 필드 프로그램 가능 게이트 어레이(field-programmable gate array, FPGA), 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU), 그래픽 처리 장치(graphical processing unit, GPU), 텐서 처리 장치(tensor processing unit, TPU), 비디오 처리 장치(video processing unit, VPU) 또는 기타 유형의 처리 회로 및 이러한 회로 요소의 일부 또는 조합을 포함할 수 있다.
메모리(412)는 등속호출 기억장치(random access memory, RAM), 읽기 전용 기억 장치(read-only memory, ROM), 플래시 메모리 또는 기타 유형 메모리의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 본원에 개시된 메모리(412) 및 다른 메모리는 하나 이상의 소프트웨어 프로그램의 실행 가능한 프로그램 코드를 저장하는 '프로세서 판독 가능 저장 매체'로 보다 일반적으로 지칭되는 것의 예시로 간주되어야 한다.
그러한 프로세서 판독 가능 저장 매체를 포함하는 제조품은 본원의 실시예로 간주된다. 그러한 제조품은 예를 들어 저장 어레이, 저장 디스크 또는 RAM, ROM, 플래시 메모리 또는 다른 전자 메모리를 포함하는 집적 회로, 또는 임의의 다양한 다른 유형의 컴퓨터 프로그램 제품을 포함할 수 있다. 본원에서 사용되는 '제조품'이라는 용어는 일시적인 전파 신호를 배제하는 것으로 이해되어야 한다. 프로세서 판독 가능 저장 매체를 포함하는 수많은 다른 유형의 컴퓨터 프로그램 제품이 사용될 수 있다.
처리 장치(402-1)에는 또한 처리 장치를 네트워크(404) 및 다른 시스템 구성요소와 연결하는 데 사용되는 네트워크 인터페이스 회로(414)가 포함되며, 종래의 트랜시버를 포함할 수 있다.
처리 플랫폼(400)의 다른 처리 장치(402)는 도면에서 처리 장치(402-1)로 도시된 것과 유사한 방식으로 구성되는 것으로 가정된다.
다시, 도면에 도시된 특정 처리 플랫폼(400)은 단지 예시로서 제시된 것이며 상기 시스템은 추가적인 또는 대안적인 프로세싱 플랫폼뿐만 아니라 다수의 개별 프로세싱 플랫폼을 임의의 조합으로 포함할 수 있으며, 이러한 각각의 플랫폼은 하나 이상의 컴퓨터, 서버, 저장 장치 또는 기타 처리 장치를 포함한다.
따라서 다른 실시예에서 추가 또는 대체 요소의 다른 배열이 사용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 이들 요소들의 적어도 하나의 부분 집합은 하나의 공통 처리 플랫폼에서 집합적으로 실행될 수 있거나, 그러한 각각의 요소가 별도의 처리 플랫폼에서 실행될 수 있다.
앞서 시사한 바와 같이, 금형 조립체 및 그에 따른 안과용 디바이스를 제조하는 방법의 단계를 실행하기 위해 본원에 개시된 시스템의 구성 요소는 적어도 부분적으로는 메모리에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램의 형태로 그리고 처리 장치의 프로세서를 통해서 실행될 수 있다. 예를 들어 본원에 개시된 금형 조립체 및 그에 따른 안과용 디바이스를 제조하기 위한 기능의 적어도 일부는 예를 들면 하나 이상의 처리 장치에서 실행되는 소프트웨어의 형태로 실행된다.
당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 다음의 실험예가 제공되며, 이는 단지 예시적이다. 실험예는 청구범위에 한정된 바와 같이 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 실험예에서 다음의 약어가 사용된다.
접촉각(CBCA): 포획기포 접촉각 데이터는 First Ten Angstroms FTA-1000 drop Shape Instrument로 수집되었다. 샘플 표면에서 패키징 용액의 성분을 제거하기 위해 분석 전에 모든 샘플을 HPLC 등급의 물로 헹구었다. 데이터 수집에 앞서 모든 실험에 사용된 물의 표면 장력은 펜던트 드롭 방법을 사용하여 측정되었다. 물이 사용에 적합하려면 그 표면 장력 값이 70~72dynes/cm이어야 한다. 모든 렌즈 샘플을 구부러진 샘플 홀더에 놓고 HPLC 등급 물로 채워진 석영 셀에 담갔다. 각 샘플에 대해 전진 및 후진 포획기포 접촉각을 수집했다 전진 접촉각은 기포가 렌즈 표면에서 후퇴할 때(물이 표면을 가로질러 전진함) 수중에서 측정된 각도로 정의된다. 모든 포획 기포 데이터는 샘플/기포 접촉면에 초점을 맞춘 고속 디지털 카메라를 사용하여 수집되었다. 샘플/기포 접촉면을 가로지르는 접촉 라인 이동 직전에 디지털 프레임에서 접촉각을 계산하였다. 후진 접촉각은 기포가 샘플 표면을 가로질러 팽창할 때(물이 표면에서 멀어짐) 물에서 측정된 각도로 정의된다.
실험예 1 내지 4
폴리프로필렌 펠릿을 3개의 분리된 챔버로 구성된 진공 건조기에 투입하였다. 폴리프로필렌 펠릿을 제1 챔버에 넣고 82℃로 가열된 공기를 챔버로 30분 동안 통과시켜 수지를 가열하였다. 그런 다음 폴리프로필렌 펠릿을 자동으로 제2 챔버로 옮기고 진공을 25mmHg에서 30분 동안 적용하여 폴리프로필렌 펠릿에 존재하는 모든 수분을 제거하였다. 진공 시간이 완료된 후 건조된 펠릿을 저장 호퍼 챔버로 옮겨 펠릿이 질소 하에 유지되도록 하였다. 그런 다음 펠렛을 질소 함유 튜브를 통해 사출 성형 기계의 호퍼로 옮겼다. 호퍼도 질소 하에 유지되었다. 그런 다음 펠릿을 금형 베이스 내의 광학 도구와 비광학 도구 사이에서 사출 성형하여 전방 및 후방 금형을 만들었다. 전방 금형부 및 후방 금형부를 산소 환원 환경 챔버에 놓고 각각 2, 4, 6 및 8시간의 기간(ODE 시간) 동안 질소에 노출시켰다.
탈기된 전방 금형부와 후방 금형부를 챔버에서 제거하였다. 다음으로, 삼필콘 A 실리콘 히드로겔 콘택트 렌즈 형성 단량체 혼합물을 탈기된 전방 금형부 및 후방 금형부 조립체에 주입하여 콘택트 렌즈로 주조하였다. 금형 조립체 및 단량체 혼합물을 광 경화시켜 콘택트 렌즈를 형성하였다. 제작된 콘택트 렌즈를 금형 조립체로부터 방출시키고 접촉각(CBCA)을 하기 표 1에 기재된 바와 같이 측정하였다.
비교예 1 및 2
실험예 1 내지 4에 대해 전술한 바와 같이 금형 조립체 및 콘택트 렌즈를 제작하였다. 단, 비교예 1의 금형 조립체는 진공 건조하지 않았으며, 비교예 2의 금형 조립체는 산소 환원 환경 챔버에 넣고 15분 미만의 최소 시간 동안 질소에 노출시켰다.
표 1
확인할 수 있는 바와 같이 실험예 1 내지 4의 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈는 비교예 1 및 2의 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈와 비교하여 유사하고 상당히 개선된 접촉각을 달성하였다.
실험예 5 및 6
폴리프로필렌 펠릿을 제1 챔버에 넣고 82℃로 가열된 공기를 챔버로 30분 동안 통과시켜 수지를 가열하였다. 그런 다음 폴리프로필렌 펠릿이 자동으로 두 번째 챔버로 이송되었고 거기에서 진공을 25mmHg로 각각 30분 및 60분 동안 적용하여 폴리프로필렌 펠릿에 존재하는 수분을 제거하였다. 진공 시간이 완료된 후 건조된 펠릿을 저장 호퍼 챔버로 옮겨 펠릿이 질소 하에 유지되도록 하였다. 그런 다음 펠렛을 질소 함유 튜브를 통해 사출 성형 기계의 호퍼로 옮겼다. 호퍼도 질소 하에 유지되었다. 그런 다음 펠릿을 금형 베이스 내의 광학 도구와 비광학 도구 사이에서 사출 성형하여 전방 및 후방 금형을 만들었다. 전방 금형부 및 후방 금형부를 산소 환원 환경 챔버에 놓고 각각 2시간 및 1.25시간의 기간(ODE 시간) 동안 질소에 노출시켰다.
탈기된 전방 금형부와 후방 금형부를 챔버에서 제거하였다. 다음으로, 삼필콘 A 실리콘 히드로겔 콘택트 렌즈 형성 단량체 혼합물을 탈기된 전방 금형부 및 후방 금형부 조립체에 주입하여 콘택트 렌즈로 주조하였다. 금형 조립체 및 단량체 혼합물을 광 경화시켜 콘택트 렌즈를 형성하였다. 제작된 콘택트 렌즈를 금형 조립체로부터 방출시키고 접촉각(CBCA)을 하기 표 2에 기재된 바와 같이 측정하였다.
비교예 3
실시예 5 및 6에 대해 전술한 바와 같이 금형 조립체 및 콘택트 렌즈를 제작하였다. 단, 비교예 3의 금형 조립체는 진공 건조하지 않았고 산소 환원 환경 챔버에 넣고 16시간 동안 질소에 노출시켰다.
표 2
알 수 있는 바와 같이 실험예 5 및 6에서 제조된 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈는 비교예 3의 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈와 비교할 때 유사한 접촉각을 갖고 있다. 또한 실험예 5와 실험예 6을 비교하면 진공건조 시간을 30분에서 1시간으로 늘림으로써 ODE 시간을 약 45분 정도 줄일 수 있음을 알 수 있다.
실험예 7 내지 10
폴리프로필렌 펠릿을 3개의 분리된 챔버로 구성된 진공 건조기에 투입하였다. 폴리프로필렌 펠릿을 제1 챔버에 넣고 82℃로 가열된 공기를 챔버로 30분 동안 통과시켜 수지를 가열하였다. 그런 다음 폴리프로필렌 펠릿을 자동으로 제2 챔버로 옮기고 진공을 25mmHg에서 30분 동안 적용하여 폴리프로필렌 펠릿에 존재하는 모든 수분을 제거하였다. 진공 시간이 완료된 후 건조된 펠릿을 저장 호퍼 챔버로 옮겨 펠릿이 질소 하에 유지되도록 하였다. 그런 다음 펠렛을 질소 함유 튜브를 통해 사출 성형 기계의 호퍼로 옮겼다. 호퍼도 질소 하에 유지되었다. 그런 다음 펠릿을 금형 베이스 내의 광학 도구와 비광학 도구 사이에서 사출 성형하여 전방 및 후방 금형을 만들었다. 다음으로 전방 금형부 및 후방 금형부를 각각 15, 30, 45 및 60분 동안 공기에 노출시켰다. 각 실험예의 전방 금형부 및 후방 금형부를 산소 환원 환경 챔버에 놓고 2시간의 기간(ODE 시간) 동안 질소에 노출시켰다.
탈기된 전방 금형부와 후방 금형부를 챔버에서 제거하였다. 다음으로 삼필콘 A 실리콘 히드로겔 콘택트 렌즈 형성 단량체 혼합물을 탈기된 전방 금형부 및 후방 금형부 조립체에 주입하여 콘택트 렌즈로 주조하였다. 금형 조립체 및 단량체 혼합물을 광 경화시켜 콘택트 렌즈를 형성하였다. 제작된 콘택트 렌즈를 금형 조립체로부터 방출시키고 접촉각(CBCA)을 하기 표 3에 기재된 바와 같이 측정하였다.
비교예 4
실험예 7 내지 10에 대해 전술한 바와 같이 금형 조립체 및 콘택트 렌즈를 제작하였다. 단, 비교예 1의 금형 조립체는 진공 건조되지 않았다.
표 3
알 수 있는 바와 같이 실험예 7 내지 10의 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈는 비교예 4의 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈와 비교할 때 유사하고 상당히 개선된 접촉각을 갖고 있다.
실험예 11
ViviOnTM8210 환형 블록 공중합체(USI Corporation)에서 얻은 펠릿을 3개의 분리된 챔버로 구성된 진공 건조기에 투입하였다. 펠릿을 제1 챔버에 넣고 82℃로 가열된 공기를 챔버로 통과시켜 30분 동안 수지를 가열하였다. 그런 다음 펠릿이 자동으로 제2 챔버로 이송되었고 거기에서 진공을 25mmHg로 30분 동안 적용하여 펠릿에 존재하는 모든 수분을 제거하였다. 진공 시간이 완료된 후 건조된 펠릿을 저장 호퍼 챔버로 옮겨 펠릿이 질소 하에 유지되도록 하였다. 그런 다음 펠렛을 질소 함유 튜브를 통해 사출 성형 기계의 호퍼로 옮겼다. 호퍼도 질소 하에 유지되었다. 그런 다음 펠릿을 금형 베이스 내의 광학 도구와 비광학 도구 사이에서 사출 성형하여 전방 및 후방 금형을 만들었다. 전방 금형부 및 후방 금형부를 산소 환원 환경 챔버에 놓고 2시간의 시간 기간(ODE 시간) 동안 질소에 노출시켰다.
탈기된 전방 금형부와 후방 금형부를 챔버에서 제거하였다. 다음으로, 삼필콘 A 실리콘 히드로겔 콘택트 렌즈 형성 단량체 혼합물을 탈기된 전방 금형부 및 후방 금형부 조립체에 주입하여 콘택트 렌즈로 주조하였다. 금형 조립체 및 단량체 혼합물을 광 경화시켜 콘택트 렌즈를 형성하였다. 제작된 콘택트 렌즈를 금형 조립체로부터 방출시키고 접촉각(CBCA)을 하기 표 4에 기재된 바와 같이 측정하였다.
표 4
알 수 있는 바와 같이 실험예 11의 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈는 폴리프로필렌 펠릿으로부터 얻은 전술한 금형 조립체를 사용하여 제작한 콘택트 렌즈와 비교하여 유사한 접촉각을 갖고 있다.
간결함을 위해 본원에 기재된 다양한 특징들이 단일 실시예의 맥락에서 서술되었지만, 그러한 특징들은 서로 별개로 제공되거나 임의의 적합한 하위 조합으로 제공될 수 있다. 본원의 실시예의 모든 조합은 마치 그 각각 및 전부가 개별적으로 그리고 명시적으로 개시되는 것과 같이 본원에 기재된 실시예에 구체적으로 포괄된다. 또한 그러한 변형된 형태를 기술하는 본원의 실시예에 기재된 특징의 모든 하위 조합은 본원의 제형에 구체적으로 포괄되며 마치 그 각각 및 전부가 개별적으로 그리고 명시적으로 개시되는 것과 같이 본원에 개시된다.
전술한 실시예는 단지 예시의 목적으로 제공된다는 점을 다시 한 번 강조한다. 많은 변형 및 다른 대체 실시예가 사용될 수 있다. 예를 들어 시스템 및 장치 요소의 특정 구성 및 도면에 예시적으로 도시된 관련 처리 동작은 다른 실시예에서 변경될 수 있다. 또한 상기 다양한 실시예를 설명하는 과정에서 세운 다양한 가정은 본 발명의 요구 사항 또는 제한 사항이 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 첨부된 청구범위 내의 수많은 다른 대안적 실시예는 통상의 기술자에게 자명할 것이다.

Claims (41)

  1. (a) 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계;
    (b) 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및
    (c) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    (d) 소정량의 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 상기 제1 안과용 디바이스 금형부에 투입하는 단계;
    (e) 상기 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 사이에 두고 상기 제1 안과용 디바이스 금형부와 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 조립하는 단계;
    (f) 상기 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 중합하여 안과용 디바이스를 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 제2 안과용 디바이스 금형부로부터 상기 제1 안과용 디바이스 금형부를 분리하고 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 또는 상기 제2 안과용 디바이스 금형부로부터 상기 안과용 디바이스를 분리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 안과용 디바이스 금형부는 안과용 디바이스 후면을 제공하도록 형성된 금형 표면을 갖는 후방 금형 섹션을 포함하고, 상기 제2 안과용 디바이스 금형부는 안과용 디바이스 전면을 제공하도록 형성된 금형 표면을 갖는 전방 금형 섹션을 포함하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항에 있어서, 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 적어도 약 60℃의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항에 있어서, 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 상기 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계(b)까지 상기 제1 불활성 기체 환경에서 유지하는 것인 방법.
  6. 제1항 내지 제5항에 있어서, 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계는 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 사출성형하는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항에 있어서, 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 불활성 기체 환경에서 건조 조건으로 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 처리하기 전에 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 가열하여 승온시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항에 있어서, 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료는 폴리올레핀 또는 환형 블록 공중합체 중 하나인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 폴리올레핀이 폴리프로필렌인 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 환형 블록 공중합체가 완전 수소화된 스티렌-공액 디엔 환형 블록 공중합체인 방법.
  11. 제1항 내지 제10항에 있어서, 상기 하나 이상의 안과용 디바이스 금형 형성 재료가 중합체 필름, 용융 펠릿 및 핫멜트 중 하나를 포함하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항에 있어서, 상기 단계 (a)은 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 진공 건조하는 단계를 포함하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부는 약 30분 내지 약 2시간 동안 상기 제1 불활성 기체 환경에서 처리되는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 불활성 기체 환경은 질소 기체 환경인 방법.
  15. 제1항 내지 제14항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 1 중량% 미만인 방법.
  16. 제1항 내지 제14항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 0.5 중량% 미만인 방법.
  17. 제1항 내지 제14항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 0.01 중량% 미만인 방법.
  18. 메모리에 연결된 프로세서를 포함하는 적어도 하나의 처리 장치를 포함하되,
    상기 적어도 하나의 처리 장치는
    (a) 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계;
    (b) 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및
    (c) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 포함하는 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리 장치는
    (d) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부에 소정량의 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물 투입하여 안과용 디바이스를 형성하는 단계;
    (e) 상기 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 사이에 두고 상기 제1 안과용 디바이스 금형부와 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 조립하는 단계;
    (f) 상기 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 중합하여 안과용 디바이스를 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 제2 안과용 디바이스 금형부로부터 상기 제1 안과용 디바이스 금형부를 분리하고 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 또는 상기 제2 안과용 디바이스 금형부로부터 상기 안과용 디바이스를 분리하는 단계를 더 포함하는 시스템.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계는 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 사출성형하는 단계를 포함하는 시스템.
  21. 제18항 내지 제20항에 있어서, 상기 처리 장치는 단계 (a) 이전에 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 가열하여 승온시키는 단계를 실행하도록 더 구성되는 시스템.
  22. 제18항 내지 제21항에 있어서, 상기 단계 (a)은 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 진공 건조시키는 것을 포함하는 시스템.
  23. 제18항 내지 제22항에 있어서, 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부가 약 30분 내지 약 2시간 동안 상기 제1 불활성 기체 환경으로 처리되는 시스템.
  24. 제18항 내지 제23항에 있어서, 상기 제1 불활성 기체 환경은 질소 기체 환경인 시스템.
  25. 제18항 내지 제24항에 있어서, 상기 처리 장치는 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 적어도 약 60℃의 온도로 가열하는 단계를 실행하도록 더 구성되는 시스템.
  26. 제18항 내지 제25항에 있어서, 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 상기 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계 (b)까지 상기 제1 불활성 기체 환경에서 유지하는 것인 시스템.
  27. 제18항 내지 제26항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 1 중량% 미만인 시스템.
  28. 제18항 내지 제26항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 0.5 중량% 미만인 시스템.
  29. 제18항 내지 제26항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 0.01 중량% 미만인 시스템.
  30. 하나 이상의 소프트웨어 프로그램의 실행 가능한 코드가 내부에 인코딩된 프로세서 판독 가능 저장 매체를 포함하되, 상기 하나 이상의 소프트웨어 프로그램은, 하나 이상의 처리 장치로 실행될 때, (a) 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 제1 불활성 기체 환경에서 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 거의 완전히 건조시키기에 충분한 시간 동안 건조 조건으로 처리하는 단계; (b) 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계; 및 (c) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부에 있는 모든 산소를 거의 완전히 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 제2 불활성 기체 환경으로 처리하는 단계를 실행하는 제조품.
  31. 제30항에 있어서, 상기 하나 이상의 소프트웨어 프로그램은 상기 하나 이상의 처리 장치에 의해 실행될 때,
    (d) 상기 제1 안과용 디바이스 금형부에 소정량의 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물 투입하여 안과용 디바이스를 형성하는 단계;
    (e) 상기 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 사이에 두고 상기 제1 안과용 디바이스 금형부와 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 조립하는 단계;
    (f) 상기 안과용 디바이스 형성 단량체 혼합물을 중합하여 안과용 디바이스를 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 제2 안과용 디바이스 금형부로부터 상기 제1 안과용 디바이스 금형부를 분리하고 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 또는 상기 제2 안과용 디바이스 금형부로부터 상기 안과용 디바이스를 분리하는 단계를 실행하는 제조품.
  32. 제30항 내지 제31항에 있어서, 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료로부터 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계는 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 사출성형하는 단계를 포함하는 제조품.
  33. 제30항 내지 제32항에 있어서, 상기 하나 이상의 소프트웨어 프로그램이 하나 이상의 처리 장치에 의해 실행될 때 단계 (a) 전에 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 가열하여 승온시키는 단계를 더 실행하는 제조품.
  34. 제30항 내지 제33항에 있어서, 상기 단계 (a)은 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 진공 건조시키는 것을 포함하는 제조품.
  35. 제30항 내지 제34항에 있어서, 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부가 약 30분 내지 약 2시간 동안 상기 제1 불활성 기체 환경으로 처리되는 제조품.
  36. 제30항 내지 제35항에 있어서, 상기 제1 불활성 기체 환경은 질소 기체 환경인 제조품.
  37. 제30항 내지 제36항에 있어서, 상기 하나 이상의 소프트웨어 프로그램이 하나 이상의 처리 장치에 의해 실행될 때 상기 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 적어도 약 60℃의 온도로 가열하여 승온시키는 단계를 더 실행하는 제조품.
  38. 제30항 내지 제37항에 있어서, 상기 건조된 안과용 디바이스 금형 형성 재료를 상기 제1 및 제2 안과용 디바이스 금형부를 성형하는 단계 (b)까지 상기 제1 불활성 기체 환경에서 유지하는 것인 제조품.
  39. 제30항 내지 제38항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 1 중량% 미만인 제조품.
  40. 제30항 내지 제38항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 0.5 중량% 미만인 제조품.
  41. 제30항 내지 제38항에 있어서, 상기 단계 (c) 후에 상기 제1 안과용 디바이스 금형부 및 상기 제2 안과용 디바이스 금형부의 산소 함량이 약 0.01 중량% 미만인 제조품.
KR1020237032994A 2021-03-05 2022-02-24 안과용 디바이스 제조용 금형 KR20230152103A (ko)

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