KR20230148808A - Laminate, display device and method of manufacturing display device - Google Patents

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KR20230148808A
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사토시 가메모토
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 UV 오존 처리 후에 높은 발액성을 갖는 수지 경화물을 구비하고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성이 높은 적층체를 얻는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 적층체는 기판, 해당 기판 상에 패터닝된 제1 전극, 수지 경화물의 순으로 적층되고, 상기 제1 전극 상에 있는 상기 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 적층체이며, X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석이 특정한 특성을 충족하는 적층체이다.The purpose of the present invention is to obtain a laminate that has a cured resin material that has high liquid repellency after UV ozone treatment and is highly durable when used in a display device. In order to achieve the above object, the laminate of the present invention is laminated in the order of a substrate, a first electrode patterned on the substrate, and a cured resin, and at least a portion of the cured resin on the first electrode is open. It is a laminate, and analysis of the cured resin by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) satisfies specific characteristics.

Description

적층체, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법Laminate, display device and method of manufacturing display device

본 발명은 적층체, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate, a display device, and a method of manufacturing the display device.

스마트폰, 태블릿 PC, 텔레비전 등, 박형 디스플레이를 갖는 표시 장치에 있어서, 잉크젯법에 대표되는 인쇄법에 의해 기능층의 형성을 하는 제품이 많이 개발되고 있다. 예를 들어, 유기 일렉트로루미네센스(이하, 「유기 EL」) 표시 장치의 경우, 기판 상에 격벽 패턴을 형성한 후에, 격벽간의 개구부에, 잉크젯법을 사용하여, 발광 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 등의 기능 재료 용액을 적하하고, 기능층을 갖는 유기 EL 표시 장치를 형성하는 방법이 알려져 있다.In display devices with thin displays, such as smartphones, tablet PCs, and televisions, many products are being developed in which functional layers are formed by a printing method typified by the inkjet method. For example, in the case of an organic electroluminescence (hereinafter referred to as “organic EL”) display device, after forming a barrier rib pattern on a substrate, an inkjet method is used to fill the openings between the barrier ribs with a light emitting material, a hole transport material, There is a known method of dropping a solution of a functional material such as an electron transport material and forming an organic EL display device having a functional layer.

일반적으로, 유기 EL 표시 장치는, 기판 상에, 구동 회로, 평탄화층, 제1 전극, 절연층, 발광층 및 제2 전극을 갖고, 대향하는 제1 전극과 제2 전극 사이에, 전압을 인가함으로써 발광할 수 있다. 이들 중, 평탄화층용 재료 및 절연층용 재료로서는, 자외선 조사에 의한 패터닝 가능한 감광성 수지 조성물이 일반적으로 사용되고 있다. 그 중에서도 폴리이미드 수지나 폴리벤조옥사졸 수지를 사용한 감광성 수지 조성물은, 수지의 내열성이 높고, 경화물로부터 발생하는 가스 성분이 적기 때문에, 고내구성의 유기 EL 표시 장치를 부여할 수 있는 점에서 적합하게 사용되고 있다(특허문헌 1).Generally, an organic EL display device has a driving circuit, a planarization layer, a first electrode, an insulating layer, a light emitting layer, and a second electrode on a substrate, and is operated by applying a voltage between the opposing first and second electrodes. It can emit light. Among these, photosensitive resin compositions that can be patterned by ultraviolet irradiation are generally used as materials for the planarization layer and the insulating layer. Among them, photosensitive resin compositions using polyimide resin or polybenzoxazole resin are suitable for providing highly durable organic EL display devices because the heat resistance of the resin is high and the gas component generated from the cured product is small. It is widely used (patent document 1).

잉크젯법에 의해 기능층을 형성하는 경우, 인접하는 개구부에 주입되는 잉크의 혼색을 방지할 목적 등으로, 격벽 상면에 발액성을 부여할 필요가 있다. 또한, 유기 EL 표시 장치의 백색 누락을 방지하기 위해서, 격벽간의 개구부는, 잉크에 대한 양호한 습윤성을 가질 필요가 있다.When forming a functional layer by an inkjet method, it is necessary to provide liquid repellency to the upper surface of the partition for the purpose of preventing color mixing of ink injected into adjacent openings. Additionally, in order to prevent white leakage of the organic EL display device, the openings between the partitions must have good wettability for ink.

이것을 실현하기 위해서, 기판 상의 격벽 패턴의 상층 면에, 플라스마 조사에 의한 불소화 처리를 실시해서 발액성을 발현시키는 방법이 검토되고 있다(특허문헌 2).In order to realize this, a method of developing liquid repellency by subjecting the upper layer surface of the partition pattern on the substrate to fluorination treatment by plasma irradiation is being studied (patent document 2).

또한, 그 외에는 알칼리 가용성 수지와 발액성을 갖는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물에 의해 격벽을 형성하는 방법이 검토되고 있다. 예를 들어, 불소계 아크릴 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물(특허문헌 3), 불화 알킬기를 갖는 폴리실록산을 포함하는 감광성 수지 조성물(특허문헌 4)이 검토되고 있다.In addition, a method of forming a partition using a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and a liquid-repelling compound is being studied. For example, a resist composition containing a fluorine-based acrylic polymer (Patent Document 3) and a photosensitive resin composition containing a polysiloxane having a fluorinated alkyl group (Patent Document 4) are being studied.

일본특허공개 제2002-91343호 공보Japanese Patent Publication No. 2002-91343 일본특허공개 제2002-207114호 공보Japanese Patent Publication No. 2002-207114 일본특허공개 제2012-220855호 공보Japanese Patent Publication No. 2012-220855 국제공개 제2019/159000호International Publication No. 2019/159000

특허문헌 1의 기술은 형성한 격벽 상면에 발액성을 갖지 않기 때문에, 잉크젯법에 의해 적하된 기능 재료 용액이 격벽을 넘어서 근방의 화소 내에 혼입하고, 발광 불량을 발생시킨다는 문제가 있다.Since the technology of Patent Document 1 does not have liquid repellency on the upper surface of the formed partition, there is a problem in that the functional material solution dropped by the inkjet method crosses the partition and mixes into nearby pixels, causing poor light emission.

특허문헌 2의 기술은 불소화 처리에 의해 격벽간의 개구부에도 발액 성분이 부착되고, 개구부의 잉크 습윤성이 불충분해진다고 하는 문제가 발생한다.In the technique of Patent Document 2, a problem arises in that the liquid-repellent component also adheres to the openings between the partitions due to the fluorination treatment, and the ink wettability of the openings becomes insufficient.

특허문헌 3 및 특허문헌 4의 기술은, 충분한 발액성을 구비하고, 감광성 수지 조성물로서 패턴 형성이 가능하다. 그러나, 특허문헌 3의 불소계 아크릴 폴리머는 UV 오존 내성이 떨어지고, UV 오존 처리 후에 격벽 상면의 발액성이 불충분하다.The techniques of Patent Document 3 and Patent Document 4 have sufficient liquid repellency and enable pattern formation as a photosensitive resin composition. However, the fluorine-based acrylic polymer of Patent Document 3 has poor UV ozone resistance, and the liquid repellency of the upper surface of the partition is insufficient after UV ozone treatment.

특허문헌 4의 불소 원자를 갖는 폴리실록산은, UV 오존 내성이 우수하고, UV 오존 처리 후의 격벽 상면에 충분한 발액성을 부여할 수 있다. 한편, 경화물의 흡수성이 높고, 표시 장치의 격벽에 사용한 경우에 내구성에 문제가 있다.The polysiloxane having a fluorine atom in Patent Document 4 is excellent in UV ozone resistance and can provide sufficient liquid repellency to the upper surface of the partition after UV ozone treatment. On the other hand, the cured product has high water absorption, and there is a problem with durability when used in a partition of a display device.

그래서, 본 발명은 UV 오존 처리 후에 높은 발액성을 갖는 수지 경화물을 구비하고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성이 높은 적층체를 얻는 것을 목적으로 한다.Therefore, the purpose of the present invention is to obtain a laminate that has a cured resin material that has high liquid repellency after UV ozone treatment and is highly durable when used in a display device.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.

즉, 본 발명의 적층체는,That is, the laminate of the present invention is,

기판, 해당 기판 상에 패터닝된 제1 전극, 수지 경화물의 순으로 적층되고, 상기 제1 전극 상에 있는 상기 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 적층체이며,A laminate in which a substrate, a first electrode patterned on the substrate, and a cured resin are laminated in that order, and at least a portion of the cured resin on the first electrode is open,

X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석이 특성 (i) 및 특성 (ii)를 충족하는 적층체.A laminate wherein analysis of the cured resin by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) satisfies properties (i) and (ii).

(i) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 상기 수지 경화물의 F 원자의 농도가 8.1atom% 이상 30.0atom% 이하 및 Si 원자의 농도가 1.0atom% 이상 6.0atom% 이하이다(i) the F atom concentration of the cured resin measured from at least a portion of the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 8.1 atom% or more and 30.0 atom% or less and the Si atom concentration is 1.0 atom % or more and 6.0 atom% or less

(ii) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정되는 상기 수지 경화물의 F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 8.0atom% 이하이다(ii) perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured resin from the substrate, and of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. The concentration of F atoms in the cured resin as measured within the range is 0.1 atom% or more and 8.0 atom% or less.

본 발명에 의해, UV 오존 처리 후에 높은 발액성을 갖는 수지 경화물을 구비하고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성이 높은 적층체를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a laminate that has a cured resin material that has high liquid repellency after UV ozone treatment and is highly durable when used in a display device.

도 1은 실시예에 있어서의 평가에 사용하는 적층체의 개략도이다.
도 2는 실시예에 있어서의 평가에 사용하는 격벽 패턴(12)의 개략도이다.
도 3은 실시예에 있어서의 평가에 사용하는 격벽 패턴(12)의 개략도이다.
도 4는 적층체의 일례의 단면의 개략도이다.
도 5는 적층체의 다른 일례의 단면의 개략도이다.
도 6은 실시예 7에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 7은 비교예 5에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 8은 실시예 11에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 9는 실시예 12에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 10은 실시예 13에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 11은 실시예 14에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 12는 실시예 16에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
도 13은 실시예 17에 있어서의 XPS 분석의 C1s 스펙트럼이다.
1 is a schematic diagram of a laminate used for evaluation in examples.
Fig. 2 is a schematic diagram of the partition pattern 12 used for evaluation in the example.
Fig. 3 is a schematic diagram of the partition pattern 12 used for evaluation in the example.
4 is a schematic diagram of a cross section of an example of a laminate.
Figure 5 is a schematic diagram of a cross section of another example of a laminate.
Figure 6 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 7.
Figure 7 is a C1s spectrum from XPS analysis in Comparative Example 5.
Figure 8 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 11.
Figure 9 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 12.
Figure 10 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 13.
Figure 11 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 14.
Figure 12 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 16.
Figure 13 is a C1s spectrum from XPS analysis in Example 17.

본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다.Embodiments of the present invention will be described in detail.

<적층체><Laminate>

본 발명의 적층체는 기판, 해당 기판 상에 패터닝된 제1 전극, 수지 경화물의 순으로 적층되고, 상기 제1 전극 상에 있는 상기 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 적층체이며,The laminate of the present invention is a laminate in which a substrate, a first electrode patterned on the substrate, and a cured resin are laminated in that order, and at least a portion of the cured resin on the first electrode is open,

X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석이 특성 (i) 및 특성 (ii)를 충족하는 적층체이다.Analysis of the cured resin by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) shows that the laminate satisfies properties (i) and (ii).

(i) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 상기 수지 경화물의 F 원자의 농도가 8.1atom% 이상 30.0atom% 이하 및 Si 원자의 농도가 1.0atom% 이상 6.0atom% 이하이다.(i) the F atom concentration of the cured resin measured from at least a portion of the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 8.1 atom% or more and 30.0 atom% or less and the Si atom concentration is 1.0 atom % or more and 6.0 atom% or less.

(ii) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정되는 상기 수지 경화물의 F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 8.0atom% 이하이다.(ii) perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured resin from the substrate, and of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. The concentration of F atoms in the cured resin as measured within the range is 0.1 atom% or more and 8.0 atom% or less.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물은, 표면의 특성으로서 특성 (i)을 갖고, 수지 경화물 내부에 있어서 특성 (ii)를 갖는다. 이러한 조성의 특성에 의해, 본 발명의 적층체는, UV 오존 처리 후에 높은 발액성을 갖는 수지 경화물을 구비하고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성이 우수하다.The cured resin of the laminate of the present invention has characteristic (i) as a surface characteristic and has characteristic (ii) inside the cured resin. Due to the characteristics of this composition, the laminate of the present invention has a cured resin material with high liquid repellency after UV ozone treatment and is excellent in durability when used in a display device.

이어서, X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 수지 경화물의 특성 (i)에 대해서 설명한다.Next, the characteristics (i) of the cured resin product according to X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) will be explained.

특성 (i)은 수지 경화물의, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정된다. 또한, 수지 경화물의 개구부의 단으로부터 100㎛의 범위의 어느 것에서 측정하는 것이 바람직하다. 이 범위를 측정함으로써, 기능성 잉크에 대한 수지 경화물 표면의 발액성을 분석할 수 있다.Property (i) is measured from at least a portion of the surface of the cured resin opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. Additionally, it is preferable to measure within a range of 100 ㎛ from the edge of the opening of the cured resin. By measuring this range, the liquid repellency of the surface of the cured resin material for functional ink can be analyzed.

특성 (i)의 첫번째로서, F 원자의 농도가 8.1atom% 이상 30.0atom% 이하이고, 보다 바람직하게는 15.0atom% 이상 26atom% 이하이다. F 원자의 농도가 8.1atom% 이상인 것으로, 수지 경화물의 표면은 발액성이 우수하다. 한편, F 원자의 농도가 30atom% 이하인 것으로, F 원자의 응집을 억제하고, 결함이 적은 수지 경화물을 얻을 수 있다. 또한, 특성 (i)의 두번째로서, Si 원자의 농도가 1.0atom% 이상 6.0atom% 이하이고, 보다 바람직하게는 1.5atom% 이상 4.5atom% 이하이다. Si 원자의 농도가 1.0atom% 이상인 것으로, 수지 경화물의 UV 오존 내성이 향상되고, UV 오존 처리 후에서도 양호한 발액성을 얻을 수 있다. 한편, Si 원자의 농도가 6.0atom% 이하인 것으로, Si 원자의 응집을 억제하고, 결함이 적은 수지 경화물을 얻을 수 있다.As the first characteristic (i), the concentration of F atoms is 8.1 atom% or more and 30.0 atom% or less, and more preferably 15.0 atom% or more and 26 atom% or less. Since the concentration of F atoms is 8.1 atom% or more, the surface of the cured resin material has excellent liquid repellency. On the other hand, if the concentration of F atoms is 30 atom% or less, aggregation of F atoms can be suppressed and a cured resin product with fewer defects can be obtained. Additionally, as the second characteristic (i), the Si atom concentration is 1.0 atom% or more and 6.0 atom% or less, and more preferably 1.5 atom% or more and 4.5 atom% or less. When the concentration of Si atoms is 1.0 atom% or more, the UV ozone resistance of the cured resin is improved, and good liquid repellency can be obtained even after UV ozone treatment. On the other hand, if the concentration of Si atoms is 6.0 atom% or less, aggregation of Si atoms can be suppressed and a cured resin product with fewer defects can be obtained.

본 발명의 적층체가, 특성 (i)을 충족하는 방법으로서는, 예를 들어, 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기를 갖는 화합물 (a-1), 및 실록산 구조를 갖는 화합물 (a-2)를 포함하는 감광성 수지 조성물로 수지 경화물을 형성하는 방법을 들 수 있다. 실록산 구조란, 규소(Si)와 산소(O)가 교호로 결합하고 있는 구조를 말한다. 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기를 갖는 화합물 (a-1)과 실록산 구조를 갖는 화합물 (a-2)의 2종류를 함유해도 되고, 후술하는 폴리실록산 (A)와 같이, 하나의 화합물에 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기와 실록산 구조를 가져도 된다.As a method for the laminate of the present invention to satisfy characteristic (i), for example, a compound (a-1) having a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine atoms and 5 to 12 carbon atoms, and a compound having a siloxane structure (a) -2) A method of forming a cured resin product using a photosensitive resin composition containing: The siloxane structure refers to a structure in which silicon (Si) and oxygen (O) are alternately bonded. It may contain two types of compound (a-1) having a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine numbers and 5 to 12 carbon atoms and compound (a-2) having a siloxane structure, such as polysiloxane (A) described later. The compound may have a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine atoms and 5 to 12 carbon atoms and a siloxane structure.

특성 (i)의 F 원자의 농도를 상기 범위로 하기 위한 방법으로서는, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 중의 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기를 갖는 화합물 (a-1)의 함유량을 조정하는 방법이 있다. 함유량을 증가시키면, 특성 (i)의 F 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 함유량을 저감시키면, 특성 (i)의 F 원자의 농도를 저감시킬 수 있다. 또한, 화합물 (a-1)이 갖는 불화 알킬기의 농도를 조정하는 방법도 있다. 불화 알킬기의 농도를 높이면 특성 (i)의 F 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 불화 알킬기의 농도를 저감시키면, 특성 (i)의 F 원자의 농도를 저감시킬 수 있다.As a method for adjusting the concentration of the F atom of characteristic (i) to the above range, for example, the content of compound (a-1) having a fluorinated alkyl group of 7 to 21 fluorine numbers and 5 to 12 carbon atoms in the photosensitive resin composition is adjusted. There is a way to adjust it. By increasing the content, the concentration of F atoms of characteristic (i) can be increased, and by decreasing the content, the concentration of F atoms of characteristic (i) can be reduced. Additionally, there is also a method of adjusting the concentration of the fluorinated alkyl group contained in compound (a-1). By increasing the concentration of the fluorinated alkyl group, the concentration of the F atoms of characteristic (i) can be increased, and by decreasing the concentration of the fluorinated alkyl group, the concentration of the F atoms of characteristic (i) can be reduced.

특성 (i)의 Si 원자의 농도를 상기 범위로 하기 위한 방법으로서는, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 중의 실록산 구조를 갖는 화합물 (a-2)의 함유량을 조정하는 방법이 있다. 함유량을 증가시키면, 특성 (i)의 Si 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 함유량을 저감시키면, 특성 (i)의 Si 원자의 농도를 저감시킬 수 있다. 또한, 화합물 (a-2)가 갖는 실록산 구조의 농도를 조정하는 방법도 있다. 실록산 구조의 농도를 높이면 특성 (i)의 Si 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 실록산 구조의 농도를 저감시키면, 특성 (i)의 Si 원자의 농도를 저감시킬 수 있다.As a method for adjusting the Si atom concentration of characteristic (i) to the above range, for example, there is a method of adjusting the content of the compound (a-2) having a siloxane structure in the photosensitive resin composition. By increasing the content, the concentration of Si atoms of characteristic (i) can be increased, and by decreasing the content, the concentration of Si atoms of characteristic (i) can be reduced. Additionally, there is also a method of adjusting the concentration of the siloxane structure of compound (a-2). By increasing the concentration of the siloxane structure, the concentration of Si atoms of characteristic (i) can be increased, and by decreasing the concentration of the siloxane structure, the concentration of Si atoms of characteristic (i) can be reduced.

불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기를 갖는 화합물 (a-1)의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 2-(퍼플루오로부틸)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로헥실)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종류 이상을 공중합한 아크릴 수지 및 후술하는 폴리실록산 (A) 등을 들 수 있다. UV 오존 내성의 관점에서, 후술하는 폴리실록산 (A)가 바람직하다.The structure of compound (a-1) having a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine atoms and 5 to 12 carbon atoms is not particularly limited. For example, consisting of 2-(perfluorobutyl)ethyl (meth)acrylate, 2-(perfluorohexyl)ethyl (meth)acrylate, and 2-(perfluorooctyl)ethyl (meth)acrylate. Acrylic resins copolymerized with one or more types selected from the group and polysiloxane (A) described later can be mentioned. From the viewpoint of UV ozone resistance, polysiloxane (A) described later is preferred.

실록산 구조를 갖는 화합물 (a-2)의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 알킬 변성 실리콘, 폴리에테르 변성 실리콘 및 후술하는 폴리실록산 (A) 등을 들 수 있다. 수지 경화물 표면에 편재시키는 관점에서 폴리에테르 변성 실리콘 및 후술하는 폴리실록산 (A)가 바람직하다. 또한, 발액성의 관점에서 후술하는 폴리실록산 (A)가 보다 바람직하다.The structure of compound (a-2) having a siloxane structure is not particularly limited. For example, alkyl-modified silicone, polyether-modified silicone, and polysiloxane (A) described later. From the viewpoint of localization on the surface of the cured resin, polyether-modified silicone and polysiloxane (A) described later are preferred. Moreover, polysiloxane (A) described later is more preferable from the viewpoint of liquid repellency.

폴리에테르 변성 실리콘으로서 시판되고 있는 제품에는, 예를 들어 KF-351A, KF-352A, KF-353, KF-354L, KF-355A, KF-642(신에쯔 가가꾸 고교(주)제), SH8400, SH8700, SF8410(도레이 다우코닝(주)제), BYK-300, BYK-306, BYK-307, BYK-320, BYK-325, BYK-330(빅 케미사제) 등을 들 수 있다.Products commercially available as polyether-modified silicone include, for example, KF-351A, KF-352A, KF-353, KF-354L, KF-355A, KF-642 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH8400, SH8700, SF8410 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), BYK-300, BYK-306, BYK-307, BYK-320, BYK-325, BYK-330 (manufactured by Big Chemistry), etc.

특성 (i)은 시료 표면에 대한 검출기의 기울기가 45°의 XPS 장치로 분석하는 것이 바람직하다. 검출기의 기울기가 45°인 것으로, 수지 경화물의 표면 근방의 영역을 분석할 수 있다.Characteristic (i) is preferably analyzed with an XPS device with a detector tilt of 45° with respect to the sample surface. Since the detector has an inclination of 45°, the area near the surface of the cured resin material can be analyzed.

이어서, X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 수지 경화물의 특성 (ii)에 대해서 설명한다.Next, the characteristics (ii) of the cured resin product by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) will be explained.

특성 (ii)는 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 기판으로부터 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정된다. 수지 경화물의 두께가 200㎚ 이하의 경우에는, 수지 경화물의 두께의 중앙값에서 측정한다. 수지 경화물 내부에 F 원자를 가짐으로써, 수지 경화물의 흡수성이 저하되어 전극의 부식을 억제하기 위해서, 표시 장치의 내구성을 향상시킬 수 있다.Property (ii) is perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and is in the direction of the cured material from the substrate, and is measured anywhere in the range of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. do. When the thickness of the cured resin material is 200 nm or less, measurement is made at the median value of the thickness of the cured resin material. By having an F atom inside the cured resin, the water absorption of the cured resin is reduced and corrosion of the electrode is suppressed, thereby improving the durability of the display device.

특성 (ii)에 있어서, F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 8.0atom% 이하이고, 바람직하게는 4.0atom% 이상 7.5atom% 이하이다. F 원자의 농도가 0.1atom% 이상인 것으로 수지 경화물의 흡수성이 저하되어 전극의 부식을 억제하기 위해서, 표시 장치의 내구성을 향상시킬 수 있다. 한편, F 원자의 농도가 8.0atom% 이하인 것으로, 표시 장치의 내구성과 수지 경화물이 양호한 기계 특성을 양립시킬 수 있다.In characteristic (ii), the concentration of F atoms is 0.1 atom% or more and 8.0 atom% or less, and preferably 4.0 atom% or more and 7.5 atom% or less. When the concentration of F atoms is 0.1 atom% or more, the water absorption of the cured resin decreases and corrosion of the electrode is suppressed, thereby improving the durability of the display device. On the other hand, when the concentration of F atoms is 8.0 atom% or less, the durability of the display device and the good mechanical properties of the cured resin can be achieved at the same time.

본 발명의 적층체가, 특성 (ii)를 충족하는 방법으로서는, 예를 들어, CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)을 포함하는 감광성 수지 조성물로 수지 경화물을 형성하는 방법을 들 수 있다. CF3기는 수지 경화물 표면에 편재되는 성질이 작아, 수지 경화물 내부에 F 원자를 고정시킬 수 있다.As a method for the laminate of the present invention to satisfy characteristic (ii), for example, a method of forming a cured resin from a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group can be cited. . The CF 3 group has a small tendency to be localized on the surface of the cured resin, so it can fix the F atom inside the cured resin.

특성 (ii)의 F 원자의 농도를 상기 범위로 하기 위한 방법으로서는, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 중의 CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)의 함유량을 조정하는 방법이 있다. 함유량을 증가시키면, 특성 (ii)의 F 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 함유량을 저감시키면, 특성 (ii)의 F 원자의 농도를 저감시킬 수 있다. 또한, 알칼리 가용성 수지 (b-1)이 갖는 CF3기의 농도를 조정하는 방법도 있다. CF3기의 농도를 높이면 특성 (ii)의 F 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, CF3기의 농도를 저감시키면, 특성 (ii)의 F 원자의 농도를 저감시킬 수 있다. CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)은, 수지를 구성하는 고분자의 주쇄 골격 및 측쇄의 종류는 한정되지 않는다. 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 폴리아미드이미드 수지, 아크릴 수지, 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌 수지, 페놀 수지, 폴리실록산 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 내열성의 관점에서, CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)은, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 이들 어느 것의 전구체 및 그들이 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종류 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 알칼리 가용성 수지는, 내열성이 높기 때문에, 표시 장치에 사용하면, 열처리 후의 200℃ 이상의 고온 하에 있어서의 아웃 가스량이 적어져서, 표시 장치의 내구성을 높일 수 있다.As a method for adjusting the concentration of the F atom of characteristic (ii) to the above range, for example, there is a method of adjusting the content of the alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group in the photosensitive resin composition. By increasing the content, the concentration of F atoms of characteristic (ii) can be increased, and by decreasing the content, the concentration of F atoms of characteristic (ii) can be reduced. Additionally, there is also a method of adjusting the concentration of the CF 3 group contained in the alkali-soluble resin (b-1). By increasing the concentration of CF 3 groups, the concentration of F atoms of characteristic (ii) can be increased, and by decreasing the concentration of CF 3 groups, the concentration of F atoms of characteristic (ii) can be reduced. For the alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group, the types of the main chain skeleton and side chains of the polymer constituting the resin are not limited. Examples include, but are not limited to, polyimide resin, polybenzoxazole resin, polyamidoimide resin, acrylic resin, novolak resin, polyhydroxystyrene resin, phenol resin, and polysiloxane resin. From the viewpoint of heat resistance, the alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group includes at least one selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, polyamidoimide, precursors of any of these, and copolymers thereof. It is desirable to do so. Since these alkali-soluble resins have high heat resistance, when used in a display device, the amount of outgassing at a high temperature of 200°C or higher after heat treatment is reduced, thereby improving the durability of the display device.

특성 (ii)는 Ar 가스 클러스터 이온(Ar-GCIB)에 의해 경화물을 굴삭하고, 제1 전극과 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 기판으로부터 경화물의 방향이며 제1 전극을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것을 폭로한 후에, X선 광전자 분광법(XPS)의 분석을 행하는 것으로 얻을 수 있다.Characteristic (ii) is that the cured product is excavated by Ar gas cluster ions (Ar-GCIB), and is perpendicular to the interface where the first electrode and the cured product are in contact, and is in the direction of the cured material from the substrate, and is 100 to 100 degrees from the first electrode. It can be obtained by performing analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) after exposing something in the range of 200 nm.

본 발명의 적층체에서는, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 하는 수지 경화물의 두께가 0.8 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 0.8㎛ 이상이면, 제1 전극 상에 있는 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 영역에 기능성 잉크 도포한 경우에, 기능성 잉크를 고정시키기 쉽게 할 수 있다. 또한, 포토리소그래피 등에서 가공하기 쉽게 하는 관점에서, 두께가 10㎛ 이하인 것이 바람직하다.In the laminate of the present invention, the thickness of the cured resin starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is preferably 0.8 to 10 μm. If it is 0.8 μm or more, it is possible to easily fix the functional ink when applying the functional ink to an area where at least a portion of the cured resin on the first electrode is open. Additionally, from the viewpoint of facilitating processing in photolithography or the like, it is preferable that the thickness is 10 μm or less.

본 발명의 적층체에 있어서, 제1 전극 상의 적어도 일부가 개구되어 있는 수지 경화물을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 이하에 설명하는 감광성 수지 조성물의 수지 경화물의 제조 방법을 사용함으로써 형성할 수 있다. 그 외의 방법으로서, 예를 들어 수지 경화물을 기판 전방면에 형성하고, 그 후 포토레지스트에서 임의의 영역을 마스크한 후에, 개구부를 에칭하는 방법이 있다.In the laminate of the present invention, the method of forming the cured resin in which at least a portion of the first electrode is open is not particularly limited. For example, it can be formed by using the method for producing a cured resin of the photosensitive resin composition described below. As another method, for example, there is a method of forming a cured resin on the front surface of the substrate, then masking an arbitrary area with photoresist, and then etching the opening.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물은, XPS를 사용한 분석에 의한 상기 특성 (i), 특성 (ii)를 갖는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 해당 특성을 갖는 수지 경화물은, 예를 들어 이하에 설명하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 특성 (i), 특성 (ii)를 양립하는 수지 경화물을 형성할 수 있다. 또한, 특성 (i)을 갖는 수지 경화물과 특성 (ii)를 갖는 수지 경화물을 적층해서 형성해도 된다.The cured resin material included in the laminate of the present invention is not particularly limited as long as it has the above-mentioned properties (i) and properties (ii) as determined by analysis using XPS. A cured resin product having the corresponding properties can be formed, for example, by using the photosensitive resin composition described below, and achieving both properties (i) and (ii). Additionally, it may be formed by laminating a cured resin material having characteristic (i) and a cured resin material having characteristic (ii).

본 발명의 적층체는 기판을 포함한다. 기판으로서는, 금속이나 유리, 수지 필름 등, 표시 장치의 지지나 후 공정의 반송에 바람직한 것을 적절히 선택할 수 있다. 유리 기판이면, 소다석회 유리나 무알칼리 유리 등을 사용할 수 있고, 또한 두께도 기계적 강도를 유지하기에 충분한 두께가 있으면 된다. 유리의 재질에 대해서는, 유리로부터의 용출 이온이 적은 쪽이 좋으므로 무알칼리 유리 쪽이 바람직하지만, SiO2 등의 배리어 코트를 실시한 소다석회 유리도 시판되고 있으므로 이것을 사용할 수 있다. 수지 필름이면, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드 및 폴리(p-크실릴렌)에서 선택되는 수지 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 이들 수지 재료를 단독으로 포함하고 있어도 되고, 복수종이 조합되어 있어도 된다. 예를 들어, 폴리이미드로 수지 필름을 형성하는 경우에는, 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산(일부가 이미드화된 폴리아믹산을 포함한다.) 또는 가용성 폴리이미드를 포함하는 용액을 지지 기판에 도포, 소성한 후, 지지 기판으로부터 폴리이미드의 수지 필름을 박리함으로써 형성할 수도 있다.The laminate of the present invention includes a substrate. As the substrate, one suitable for supporting the display device or conveying it in subsequent processes, such as metal, glass, or resin film, can be appropriately selected. If it is a glass substrate, soda-lime glass, alkali-free glass, etc. can be used, and the thickness may be sufficient to maintain mechanical strength. Regarding the material of the glass, alkali-free glass is preferable because fewer ions are eluted from the glass. However, soda-lime glass coated with a barrier coat such as SiO 2 is also commercially available, so this can be used. If it is a resin film, it preferably contains a resin material selected from polyimide, polyamide, polybenzoxazole, polyamidoimide, and poly(p-xylylene), and may contain these resin materials alone. Multiple species may be combined. For example, when forming a resin film with polyimide, a solution containing polyamic acid, which is a precursor of polyimide (including polyamic acid partially imidized) or soluble polyimide, is applied to a support substrate and fired. After this, it can also be formed by peeling the polyimide resin film from the support substrate.

본 발명의 적층체는 기판 상에 패터닝된 제1 전극을 포함한다. 제1 전극은 ITO(산화인듐·주석), IZO(산화인듐·아연), ZnO(산화아연), Ag, Al 등을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제1 전극의 패터닝은 공지된 방법으로 실시할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터법에 의해, 제1 전극을 기판 전체면에 형성하고, 그 후 포토레지스트에서 임의의 영역을 마스크한 후에, 개구부를 에칭하는 방법을 들 수 있다.The laminate of the present invention includes a first electrode patterned on a substrate. The first electrode preferably contains ITO (indium/tin oxide), IZO (indium/zinc oxide), ZnO (zinc oxide), Ag, Al, etc. Additionally, patterning of the first electrode can be performed by a known method. For example, there is a method of forming a first electrode on the entire surface of the substrate by a sputtering method, then masking an arbitrary area with photoresist, and then etching the opening.

본 발명의 적층체는, 기판과 기판 상에 패터닝된 제1 전극 사이에, 더욱 평탄화층을 적층해도 된다. 본 발명의 적층체를 표시 장치에 사용하는 경우, 유리 등의 기판 상에 TFT(박막 트랜지스터)와 TFT의 측방부에 위치하고 TFT와 접속된 배선이 마련되는 경우가 많다. 제1 전극이 배선의 요철을 추종하면, 발광 불균일 등의 외관 불량이 발생한다. 그 때문에, 그 구동 회로 상에 요철을 덮도록 해서 평탄화층을 형성하고, 더욱 평탄화층 상에 제1 전극이 마련된다. 평탄화층에는, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 아크릴, 카르도 및 폴리(p-크실릴렌)에서 선택되는 수지 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 이들 수지 재료를 단독으로 포함하고 있어도 되고, 복수종이 조합되어 있어도 된다.In the laminate of the present invention, a planarization layer may be further laminated between the substrate and the first electrode patterned on the substrate. When the laminate of the present invention is used in a display device, a TFT (thin film transistor) and a wiring located on the side of the TFT and connected to the TFT are often provided on a substrate such as glass. If the first electrode follows the unevenness of the wiring, appearance defects such as uneven light emission occur. Therefore, a planarization layer is formed on the drive circuit to cover the unevenness, and a first electrode is further provided on the planarization layer. The flattening layer preferably contains a resin material selected from polyimide, polyamide, polybenzoxazole, polyamidoimide, acrylic, cardo, and poly(p-xylylene), and these resin materials may be used alone. It may be included, or multiple species may be combined.

도 4에 본 발명의 적층체의 일례의 단면의 개략도를 나타낸다. 기판(13) 상에 평탄화층(14), 패터닝된 제1 전극(8), 수지 경화물(16)의 순으로 적층되고, 패터닝된 제1 전극(8) 상에 있는 수지 경화물(16)의 적어도 일부가 개구되어 있다. X선 광전자 분광법(XPS)의 분석에 의한 수지 경화물의 특성 (i)은, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면(17)으로부터 측정된다. XPS는 수지 경화물(16)의 개구부의 단으로부터 100㎛의 범위의 어느 것에서 측정되는 것이 바람직하다. 또한, 특성 (ii)는, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면(18)에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100㎚(30)으로부터 또한 100㎚의 범위, 즉 제1 전극과 수지 경화물의 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위(19)의 어느 것에서 측정된다. 기판 상에 패터닝된 제1 전극의 개구부에 있어서는, 제1 전극과 수지 경화물의 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위(19)와 같이, 제1 전극이 존재하는 것으로서, 그 제1 전극의 높이로부터 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정한다. 또한, 제1 전극의 두께에 변동이 있는 경우, 패터닝된 제1 전극의 개구부에 있어서, 개구부 단부의 평균 두께의 제1 전극이 존재하는 것으로 한다.Figure 4 shows a schematic cross-section of an example of the laminate of the present invention. The planarization layer 14, the patterned first electrode 8, and the cured resin material 16 are laminated in that order on the substrate 13, and the cured resin material 16 is on the patterned first electrode 8. At least part of the is open. Characteristics (i) of the cured resin product by analysis of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) are measured from the surface 17 on the opposite side to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. XPS is preferably measured within a range of 100 μm from the edge of the opening of the cured resin 16. Additionally, characteristic (ii) is perpendicular to the interface 18 where the first electrode and the cured resin are in contact, and is in the direction of the cured resin from the substrate, starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. Range from 100 nm (30) to 100 nm, that is, perpendicular to the interface between the first electrode and the cured resin, and in the direction of the cured resin from the substrate, from 100 to 200 nm starting from the interface between the first electrode and the cured resin. It is measured anywhere in the range 19 nm. In the opening of the first electrode patterned on the substrate, it is perpendicular to the interface between the first electrode and the cured resin, and is oriented from the substrate to the cured resin, and is 100 to 200 degrees from the interface between the first electrode and the cured resin. As in the nm range (19), when the first electrode is present, the height is measured anywhere from 100 to 200 nm from the height of the first electrode. Additionally, when there is a change in the thickness of the first electrode, it is assumed that in the opening of the patterned first electrode, a first electrode having an average thickness at the end of the opening is present.

본 발명의 적층체는, X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석에 있어서,The laminate of the present invention is used in the analysis of the cured resin material by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS),

상기 수지 경화물의, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 상기 수지 경화물의 C1s 스펙트럼 [A]와,A C1s spectrum [A] of the cured resin measured from at least a portion of the surface of the cured resin opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact,

상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정되는 상기 수지 경화물의 C1s 스펙트럼 [B]가,It is perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and is in the direction of the cured resin from the substrate, and is measured anywhere in the range of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. The C1s spectrum [B] of the cured resin is,

특성 (iii) 및 특성 (iv)를 충족하는 것이 바람직하다.It is desirable to satisfy properties (iii) and (iv).

(iii) C1s 스펙트럼 [B]에 있어서의 결합 에너지 290 내지 292eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF2기 유래의 피크의 피크 높이보다, C1s 스펙트럼 [A]에 있어서의 동일 피크 높이 쪽이 높다.(iii) The same peak height in the C1s spectrum [A] is higher than the peak height of the peak derived from the CF 2 group with a peak top within the range of binding energy 290 to 292 eV in the C1s spectrum [B].

(iv) C1s 스펙트럼 [A]에 있어서의 결합 에너지 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크의 피크 높이보다, C1s 스펙트럼 [B]에 있어서의 동일 피크 높이 쪽이 높다.(iv) The peak height of the same peak in the C1s spectrum [B] is higher than the peak height of the peak derived from the CF 3 group with a peak top within the range of binding energy 292 to 294 eV in the C1s spectrum [A].

C1s 스펙트럼 [A]는 수지 경화물의, 상기 제1 전극과 상기 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 경화물 표면의 스펙트럼이다. 한편, C1s 스펙트럼 [B]는 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정되는 경화물 내부의 스펙트럼이다. 수지 경화물의 두께가 200㎚ 이하인 경우에는, 수지 경화물의 두께의 중앙값에서 측정한다.The C1s spectrum [A] is a spectrum of the surface of the cured resin measured from at least a portion of the surface of the cured resin opposite to the interface where the first electrode and the cured product are in contact. Meanwhile, the C1s spectrum [B] is perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and is in the direction of the resin cured material from the substrate, and is in the range of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. This is the spectrum inside the cured material measured from something. When the thickness of the cured resin is 200 nm or less, measurement is made at the median of the thickness of the cured resin.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물이, 특성 (iii)을 나타내는 것에 의해, 수지 경화물 표면은 발액성이 우수하다. 결합 에너지 290 내지 292eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF2기 유래의 피크를 나타내는 구조에는, 예를 들어 헵타플루오로펜틸기, 노나플루오로헥실기, 트리데카플루오로옥틸기, 헵타데카플루오로데실기, 5,5,6,6,7,7,7-헵타플루오로-4,4-비스(트리플루오로메틸)헵틸기 등이 있고, 수지 경화물 표면에 편재되는 성질을 갖고, 수지 경화물 표면에 양호한 발액성을 부여할 수 있다.Since the cured resin of the laminate of the present invention exhibits characteristic (iii), the surface of the cured resin has excellent liquid repellency. Structures showing peaks derived from the CF 2 group with peak tops within the range of binding energy 290 to 292 eV include, for example, heptafluoropentyl group, nonafluorohexyl group, tridecafluorooctyl group, and heptadecafluorode. It has a real group, a 5,5,6,6,7,7,7-heptafluoro-4,4-bis(trifluoromethyl)heptyl group, etc., and has the property of being localized on the surface of the cured resin. It can provide good liquid repellency to the cargo surface.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물이, 특성 (iv)를 나타내는 것에 의해, 수지 경화물의 흡수성이 저하되어 전극의 부식을 억제하기 위해서, 표시 장치의 내구성을 향상시킬 수 있다. CF3기는 수지 경화물 표면에 편재되는 성질이 작아, 수지 경화물 내부에 F 원자를 고정시킬 수 있다.Since the cured resin of the laminate of the present invention exhibits characteristic (iv), the water absorption of the cured resin decreases and corrosion of the electrode is suppressed, thereby improving the durability of the display device. The CF 3 group has a small tendency to be localized on the surface of the cured resin, so it can fix the F atom inside the cured resin.

특성 (iii) 및 특성 (iv)는, 동일한 XPS 장치로 측정된 C1s 스펙트럼 [A] 및 C1s 스펙트럼 [B]를 비교해서 구하는 것이 바람직하다. 수지 경화물의, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 C1s 스펙트럼 [A]를 측정한다. 계속해서, Ar 가스 클러스터 이온(Ar-GCIB)에 의해 수지 경화물을 굴삭하고, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 기판으로부터 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것을 폭로한 후에, C1s 스펙트럼 [B]를 측정할 수 있다.Characteristics (iii) and (iv) are preferably obtained by comparing the C1s spectrum [A] and C1s spectrum [B] measured with the same XPS device. The C1s spectrum [A] is measured from at least a portion of the surface of the cured resin opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. Subsequently, the cured resin is excavated using Ar gas cluster ions (Ar-GCIB), and the cured material is perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured material from the substrate, After exposing anything in the range of 100 to 200 nm starting from the interface, the C1s spectrum [B] can be measured.

도 4에, 본 발명의 적층체의 일례의 단면의 개략도를 나타낸다. 기판(13) 상에 평탄화층(14), 패터닝된 제1 전극(8), 수지 경화물(16)의 순으로 적층되고, 제1 전극(8) 상에 있는 수지 경화물(16)의 적어도 일부가 개구되어 있다. X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 수지 경화물의 분석에 있어서 C1s 스펙트럼 [A]는, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면(17)으로부터 측정된다. 수지 경화물(16)의 개구부의 단으로부터 100㎛의 범위의 어느 것에서 측정하는 것이 바람직하다. 또한, C1s 스펙트럼 [B]는, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면(18)에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100㎚(30)으로부터 또한 100㎚의 범위, 즉, 제1 전극과 수지 경화물의 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위(19)의 어느 것에서 측정된다. 패터닝된 제1 전극의 개구부에 있어서는, 제1 전극과 수지 경화물의 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위(19)와 같이, 제1 전극이 존재하는 것으로서, 그 제1 전극의 높이로부터 100 내지 200㎚의 범위(19)의 어느 것에서 측정한다. 또한, 제1 전극의 두께에 변동이 있는 경우, 패터닝된 제1 전극의 개구부에 있어서, 개구부 단부의 평균 두께의 제1 전극이 존재하는 것으로 한다.Figure 4 shows a schematic cross-section of an example of the laminate of the present invention. The planarization layer 14, the patterned first electrode 8, and the cured resin 16 are laminated on the substrate 13 in that order, and at least one of the cured resin 16 on the first electrode 8 Some parts are open. In the analysis of the cured resin material by It is preferable to measure within a range of 100 μm from the edge of the opening of the cured resin 16. In addition, the C1s spectrum [B] is perpendicular to the interface 18 where the first electrode and the cured resin are in contact, and is in the direction of the cured resin from the substrate, and starts at the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. In the range of 100 nm (30) to 100 nm, that is, perpendicular to the interface of the first electrode and the cured resin, and in the direction of the cured resin from the substrate, starting from the interface of the first electrode and the cured resin, 100 It is measured anywhere in the range (19) from 200 nm to 200 nm. The opening of the patterned first electrode is perpendicular to the interface between the first electrode and the cured resin, and is oriented from the substrate to the cured resin, and ranges from 100 to 200 nm starting from the interface between the first electrode and the cured resin. As shown in (19), when the first electrode is present, the height is measured within the range (19) of 100 to 200 nm from the height of the first electrode. Additionally, when there is a change in the thickness of the first electrode, it is assumed that in the opening of the patterned first electrode, a first electrode having an average thickness at the end of the opening is present.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 이하에 설명하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 특성 (i) 내지 특성 (iv)를 충족하는 수지 경화물을 형성할 수 있다. 또한, 특성 (i) 및 특성 (iii)을 갖는 수지 경화물과, 특성 (ii) 및 특성 (iv)를 갖는 수지 경화물을 적층해서 형성해도 된다.As a method of forming the resin cured product of the laminate of the present invention, for example, a resin cured product that satisfies characteristics (i) to (iv) can be formed by using the photosensitive resin composition described below. . Additionally, it may be formed by laminating a cured resin material having properties (i) and (iii) and a cured resin material having properties (ii) and (iv).

본 발명의 적층체에 있어서, 수지 경화물이 이미드환 구조를 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이미드환 구조를 갖는 화합물은, 폴리이미드 수지에 유래하는 구조 혹은 그 잔기인 것이 바람직하다. 폴리이미드 수지로서, 예를 들어 후술하는 알칼리 가용성 수지 (B)에 기재된 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 이들 전구체 및 그들의 공중합체를 들 수 있다. 수지 경화물이 이미드환 구조를 갖는 화합물을 포함함으로써, 고온 하에 있어서의 아웃 가스량이 적고, 적층체를 유기 EL 표시 장치에 사용한 경우, 화소 슈링크가 작고, 내구성이 우수한 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.In the laminate of the present invention, it is preferable that the cured resin contains a compound having an imide ring structure. The compound having an imide ring structure is preferably a structure derived from polyimide resin or a residue thereof. Examples of the polyimide resin include the polyimide described in the alkali-soluble resin (B) described later, polyamidoimide, these precursors, and their copolymers. Since the cured resin contains a compound having an imide ring structure, the amount of outgassing at high temperature is small, and when the laminate is used in an organic EL display device, an organic EL display device with small pixel shrinkage and excellent durability can be obtained. there is.

본 발명의 적층체에 있어서, 수지 경화물이 인덴 구조를 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 인덴 구조를 갖는 화합물은, 퀴논디아지드 화합물에서 유래하는 구조 혹은 그 잔기인 것이 바람직하다. 퀴논디아지드 화합물로서, 예를 들어, 후술하는 퀴논디아지드 화합물 (C-2)를 들 수 있다. 이하에 설명하는 감광성 수지 조성물에 퀴논디아지드 화합물을 함유함으로써, 포지티브 타입의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.In the laminate of the present invention, it is preferable that the cured resin contains a compound having an indene structure. The compound having an indene structure is preferably a structure derived from a quinonediazide compound or a residue thereof. Examples of the quinonediazide compound include the quinonediazide compound (C-2) described later. By containing a quinonediazide compound in the photosensitive resin composition described below, a positive type photosensitive resin composition can be obtained.

본 발명의 적층체에 있어서, 수지 경화물이, 포지티브 타입의 감광성 수지 조성물의 경화물인 경우, 후술하는 「하프 노광」으로 형성한 수지 경화물의 표면에 발액성은 없고, 양호한 잉크 도포성을 가질 수 있다. 즉, 1회의 포토리소그래피에서, 표면이 발액성의 수지 경화물과, 표면이 친액성의 수지 경화물을 형성할 수 있다.In the laminate of the present invention, when the cured resin is a cured product of a positive type photosensitive resin composition, the surface of the cured resin formed by “half exposure” described later has no liquid repellency and can have good ink applicability. there is. That is, in one photolithography, a cured resin material with a liquid-repellent surface and a cured resin material with a lyophilic surface can be formed.

본 발명의 적층체에 있어서, 수지 경화물이, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 한 두께가 0.8㎛ 내지 10.0㎛인 제1단, 및 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 한 두께가 0.1㎛ 내지 0.7㎛인 제2단을 갖는 단차 형상의 수지 경화물이며, 또한 X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석에 있어서 수지 경화물의 제1단이 상기 특성 (i)을 충족하고, 수지 경화물의 제2단이 특성 (v)를 충족하는 것이 바람직하다.In the laminate of the present invention, the cured resin material has a first stage having a thickness of 0.8 ㎛ to 10.0 ㎛ starting from the interface between the first electrode and the cured resin, and a first stage starting from the interface between the first electrode and the cured resin. It is a step-shaped cured resin material having a second stage with a thickness of 0.1 μm to 0.7 μm, and in the analysis of the cured resin material by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the first stage of the cured resin material has the characteristic (i) It is preferable that the second stage of the cured resin satisfies characteristic (v).

(v) 상기 수지 경화물의, 상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 20.0atom% 이하 및 Si 원자의 농도가 0.1atom% 이상 0.9atom% 이하이고, 또한 C1s 스펙트럼에 있어서의 결합 에너지 290 내지 295eV의 범위에 측정되는 최대 피크 높이를 갖는 피크가, 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크이다.(v) The concentration of F atoms measured from at least a portion of the surface of the cured resin opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 0.1 atom% or more and 20.0 atom% or less, and the concentration of Si atoms is 0.1 atom%. % or more but 0.9 atom% or less, and the maximum peak height measured in the range of 290 to 295 eV of binding energy in the C1s spectrum is a peak derived from the CF 3 group with the peak top in the range of 292 to 294 eV.

상기한 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 한 두께가 0.8㎛ 내지 10.0㎛인 제1단은, 특성 (i)을 갖는 표면이 발액성의 수지 경화물이다. 두께가 0.8㎛ 이상이면, 제1 전극 상에 있는 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 영역에 기능성 잉크 도포한 경우에, 기능성 잉크를 고정하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 포토리소그래피 등에서 가공하기 쉽게 하는 관점에서, 두께가 10.0㎛ 이하인 것이 바람직하다.The first stage, which has a thickness of 0.8 ㎛ to 10.0 ㎛ starting from the interface between the first electrode and the cured resin, is a cured resin with a liquid-repellent surface having characteristic (i). If the thickness is 0.8 μm or more, the functional ink can be easily fixed when the functional ink is applied to an area where at least a portion of the cured resin on the first electrode is open. Additionally, from the viewpoint of facilitating processing in photolithography or the like, it is preferable that the thickness is 10.0 μm or less.

상기한 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 한 두께가 0.1㎛ 내지 0.7㎛인 제2단은 특성 (v)를 갖는 표면이 친수성의 수지 경화물이다. 특성 (v)는 수지 경화물의 제2단에 있어서, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 경화물 표면의 특성이다. 수지 경화물이 특성 (v)를 나타내는 것에 의해, 표면이 친액성이며, 또한 흡수율이 낮고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성이 우수한 적층체를 얻을 수 있다. 두께가 0.1㎛ 이상인 것으로 수지 경화물이 절연성을 나타낼 수 있다. 한편, 두께가 0.7㎛ 이하인 것으로, 제1 전극 상에 있는 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 영역으로부터 수지 경화물의 제2단에 연속해서 기능성 잉크를 잉크젯 도포해서 기능층을 형성했을 때에, 기능층에 백색 누락이 발생하는 불량을 억제할 수 있다.The second stage, which has a thickness of 0.1 ㎛ to 0.7 ㎛ starting from the interface between the first electrode and the cured resin, is a cured resin with a hydrophilic surface having characteristic (v). Property (v) is a property of the surface of the cured product measured from at least a portion of the surface on the second stage of the cured resin product opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. When the cured resin exhibits characteristic (v), a laminate can be obtained that has a lyophilic surface, a low water absorption rate, and excellent durability when used in a display device. When the thickness is 0.1㎛ or more, the cured resin material can exhibit insulating properties. On the other hand, when the functional ink is continuously inkjet applied to the second stage of the resin cured material with a thickness of 0.7 μm or less from the area where at least a portion of the cured resin material on the first electrode is open to form a functional layer, the functional layer Defects that cause white omission can be suppressed.

특성 (v)에 있어서, 상기 수지 경화물의, 상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 20.0atom% 이하이고, 바람직하게는 8.0atom% 이상 18.0atom% 이하이다. F 원자의 농도가 0.1atom% 이상인 것으로, 수지 경화물의 흡수율이 낮고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성을 향상시킬 수 있다. 한편, F 원자의 농도가 20.0atom%인 것으로, F 원자의 응집을 억제할 수 있다. 또한, 특성 (v)는 상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 C1s 스펙트럼에 있어서의 결합 에너지 290 내지 295eV의 범위에 측정되는 최대 피크 높이를 갖는 피크가, 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크이다. 불소의 구조가 CF3기인 것으로, 수지 경화물 표면의 친액성과 표시 장치의 내구성을 양립시킬 수 있다.In characteristic (v), the concentration of F atoms measured from at least a portion of the surface of the cured resin opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 0.1 atom% or more and 20.0 atom% or less, preferably is 8.0 atom% or more and 18.0 atom% or less. When the concentration of F atoms is 0.1 atom% or more, the water absorption rate of the cured resin is low, and durability when used in a display device can be improved. On the other hand, when the concentration of F atoms is 20.0 atom%, aggregation of F atoms can be suppressed. In addition, characteristic (v) is a peak having a maximum peak height measured in the range of 290 to 295 eV of binding energy in the C1s spectrum measured from at least a portion of the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. , a peak derived from the CF 3 group with a peak top in the range of 292 to 294 eV. Since the fluorine structure is CF 3 group, it is possible to achieve both the lyophilicity of the surface of the cured resin and the durability of the display device.

특성 (v)에 있어서, 상기 수지 경화물의, 상기 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면으로부터 측정되는 Si 원자의 농도가 0.1atom% 이상 0.9atom% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1atom% 이상 0.5atom% 이하이다. Si 원자의 농도가 0.1atom% 이상인 것으로, 전극과의 접착성이 향상되고, 표시 장치의 내구성을 향상시킬 수 있다. Si 원자의 농도가 0.9atom% 이하인 것으로, 수지 경화물 표면은 양호한 친액성을 나타낼 수 있다.In characteristic (v), the concentration of Si atoms of the cured resin measured from the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 0.1 atom% or more and 0.9 atom% or less, more preferably 0.1 atom%. It is more than atom% and less than 0.5atom%. When the concentration of Si atoms is 0.1 atom% or more, adhesion to the electrode is improved and the durability of the display device can be improved. When the concentration of Si atoms is 0.9 atom% or less, the surface of the cured resin material can exhibit good lyophilicity.

특성 (i)은 수지 경화물의 제1단의 개구부의 단으로부터 100㎛의 범위의 어느 것에서 측정하는 것이 바람직하다. 이 범위를 측정함으로써, 기능성 잉크에 대한 수지 경화물 제1단의 표면 발액성을 분석할 수 있다. 또한, 특성 (v)는 수지 경화물의 제2단의 개구부의 단으로부터 100㎛의 범위의 어느 것에서 측정하는 것이 바람직하다. 이 범위를 측정함으로써, 기능성 잉크에 대한 수지 경화물 제2단의 표면 친수성을 분석할 수 있다.Property (i) is preferably measured within a range of 100 ㎛ from the end of the opening of the first stage of the cured resin. By measuring this range, the surface liquid repellency of the first stage of the cured resin material for functional ink can be analyzed. Additionally, property (v) is preferably measured within a range of 100 μm from the end of the opening of the second stage of the cured resin. By measuring this range, the surface hydrophilicity of the second stage of the cured resin material for the functional ink can be analyzed.

본 발명의 적층체가, 특성 (v)를 충족하는 방법으로서는, 예를 들어, CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1) 및 실록산 구조를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-2)를 포함하는 감광성 수지 조성물로 수지 경화물을 형성하는 방법을 들 수 있다. CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)이 실록산 구조를 가져도 된다. CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)을 포함함으로써, C1s 스펙트럼에 있어서의 결합 에너지 290 내지 295eV의 범위에 측정되는 최대 피크 높이를 갖는 피크가, 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크가 된다. CF3기는 수지 경화물 표면에 편재되는 성질이 작아, 수지 경화물 내부에 F 원자를 고정시킬 수 있다.As a method for the laminate of the present invention to satisfy characteristic (v), for example, a photosensitive resin comprising an alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group and an alkali-soluble resin (b-2) having a siloxane structure. A method of forming a cured resin product from the composition is included. The alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group may have a siloxane structure. By containing an alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group, a peak with a maximum peak height measured in the range of 290 to 295 eV of binding energy in the C1s spectrum is CF with a peak top in the range of 292 to 294 eV. The peak originates from stage 3 . The CF 3 group has a small tendency to be localized on the surface of the cured resin, so it can fix the F atom inside the cured resin.

특성 (v)의 F 원자의 농도를 상기 범위로 하기 위한 방법으로서는, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 중의 CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1)의 함유량을 조정하는 방법이 있다. 함유량을 증가시키면, 특성 (v)의 F 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 함유량을 저감시키면, 특성 (v)의 F 원자의 농도를 저감시킬 수 있다. 또한, 알칼리 가용성 수지 (b-1)이 갖는 CF3기의 농도를 조정하는 방법도 있다. CF3기의 농도를 높이면 특성 (v)의 F 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, CF3기의 농도를 저감시키면, 특성 (v)의 F 원자의 농도를 저감시킬 수 있다.As a method for adjusting the concentration of the F atom of characteristic (v) to the above range, for example, there is a method of adjusting the content of the alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group in the photosensitive resin composition. By increasing the content, the concentration of F atoms of characteristic (v) can be increased, and by decreasing the content, the concentration of F atoms of characteristic (v) can be reduced. Additionally, there is also a method of adjusting the concentration of the CF 3 group contained in the alkali-soluble resin (b-1). By increasing the concentration of CF3 groups, the concentration of F atoms of characteristic (v) can be increased, and by decreasing the concentration of CF3 groups, the concentration of F atoms of characteristic (v) can be reduced.

특성 (v)의 Si 원자의 농도를 상기 범위로 하기 위한 방법으로서는, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 중의 실록산 구조를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-2) 함유량을 조정하는 방법이 있다. 함유량을 증가시키면, 특성 (v)의 Si 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 함유량을 저감시키면, 특성 (v)의 Si 원자의 농도를 저감시킬 수 있다. 또한, 알칼리 가용성 수지 (b-2)가 갖는 실록산 구조의 농도를 조정하는 방법도 있다. 실록산 구조의 농도를 높이면 특성 (v)의 Si 원자의 농도를 증가시킬 수 있고, 실록산 구조의 농도를 저감시키면, 특성 (v)의 Si 원자의 농도를 저감시킬 수 있다.As a method for adjusting the Si atom concentration of characteristic (v) to the above range, for example, there is a method of adjusting the content of alkali-soluble resin (b-2) having a siloxane structure in the photosensitive resin composition. By increasing the content, the concentration of Si atoms of characteristic (v) can be increased, and by decreasing the content, the concentration of Si atoms of characteristic (v) can be reduced. There is also a method of adjusting the concentration of the siloxane structure of the alkali-soluble resin (b-2). By increasing the concentration of the siloxane structure, the concentration of Si atoms of characteristic (v) can be increased, and by decreasing the concentration of the siloxane structure, the concentration of Si atoms of characteristic (v) can be reduced.

특성 (v)는 시료 표면에 대한 검출기의 기울기가 45°의 XPS 장치로 분석하는 것이 바람직하다. 검출기의 기울기가 45°인 것으로, 수지 경화물의 표면 근방의 영역을 분석할 수 있다.Characteristic (v) is preferably analyzed with an XPS device with a detector tilt of 45° with respect to the sample surface. Since the detector has an inclination of 45°, the area near the surface of the cured resin material can be analyzed.

상기 제1단, 및 상기 제2단을 갖는 단차 형상의 수지 경화물을 구비하는 적층체는, 예를 들어 적어도, 특성 (i) 특성 (ii) 및 특성 (v)를 갖는 수지 경화물로 형성할 수 있다. 이러한 적층체는, 예를 들어 이하에 설명하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 형성할 수 있다. 구체적으로는, 포지티브형의 감광성 수지 조성물을 사용한 경우, 미노광부에서 특성 (i)을 갖는 제1단을 형성하고, 후술하는 「하프 노광부」에 의해 특성 (v)를 갖는 제2단을 형성할 수 있고, 또한 수지 경화물 내부는, 특성 (ii)를 나타낼 수 있다. 또한, 특성 (i)을 갖는 수지 경화물과 특성 (v)를 갖는 수지 경화물을 적층해서 형성해도 된다. 2종류의 수지 경화물을 적층하는 경우, 적어도 1종류의 수지 경화물이 특성 (ii) 갖는다. 표시 장치의 내구성의 관점에서, 2종류의 수지 경화물이 특성 (ii)를 갖는 것이 보다 바람직하다.The laminate including the step-shaped cured resin having the first step and the second step is, for example, formed of a cured resin having at least properties (i), (ii), and (v). can do. Such a laminate can be formed, for example, by using the photosensitive resin composition described below. Specifically, when a positive type photosensitive resin composition is used, a first stage having characteristic (i) is formed in the unexposed area, and a second stage having characteristic (v) is formed in the “half-exposed part” described later. It can be done, and the inside of the cured resin can exhibit characteristic (ii). Additionally, it may be formed by laminating a cured resin material having characteristic (i) and a cured resin material having characteristic (v). When two types of cured resins are laminated, at least one type of cured resin has characteristic (ii). From the viewpoint of durability of the display device, it is more preferable that the two types of cured resins have characteristic (ii).

상기 제1단, 및 상기 제2단을 갖는 단차 형상의 수지 경화물을 구비하는 적층체로서, 예를 들어 도 2 또는 도 3에 도시한 바와 같은, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8), 수지 경화물의 순으로 적층되고, 수지 경화물이 잉크젯 도포하는 영역을 규정하는 제1단(9)과, 상기 영역 내에 배열된 2 이상의 영역을 규정하는 제2단(10)을 포함하는 적층체가 있다. 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 연속해서 배치된 기능층(11)을 잉크젯 도포법에 의해 형성할 수 있다.A laminate comprising a step-shaped cured resin having the first step and the second step, for example, a first electrode (8) patterned on a substrate as shown in FIG. 2 or FIG. 3. , a laminate comprising a first stage 9 that defines an area where the cured resin material is applied by inkjet, and a second stage 10 that defines two or more regions arranged within the region. there is. The functional layer 11 continuously disposed on the first electrode 8 patterned on the substrate and the second end 10 of the cured resin can be formed by an inkjet coating method.

상기 제1단, 및 상기 제2단을 갖는 단차 형상의 수지 경화물을 구비하는 적층체는, 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 형성할 수 있다. 구체적으로는, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상에 포지티브형의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 감광성 수지 건조물을 제작하고, 그 후의 노광 공정에서 미노광부, 하프 노광부, 노광부를 형성한다. 계속해서, 현상 공정, 가열 처리 공정을 행하면, 미노광부에서 수지 경화물의 제1단(9), 하프 노광부에서 수지 경화물의 제2단(10)을 형성할 수 있고, 노광부는 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8)이 노출된다. 또한. 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상에 수지 경화물의 제2단(10), 수지 경화물의 제1단(9)의 순으로 적층해도 된다.A laminate including a step-shaped cured resin product having the first step and the second step can be formed by using a photosensitive resin composition. Specifically, a photosensitive resin dried product obtained from a positive type photosensitive resin composition is produced on the first electrode 8 patterned on a substrate, and an unexposed portion, a half-exposed portion, and an exposed portion are formed in the subsequent exposure process. Subsequently, by performing the development process and heat treatment process, the first stage 9 of the cured resin can be formed in the unexposed area, and the second stage 10 of the cured resin can be formed in the half-exposed area, and the exposed area can be patterned on the substrate. The first electrode 8 is exposed. also. As shown in FIG. 3, the second stage 10 of the cured resin material and the first stage 9 of the cured resin material may be laminated on the first electrode 8 patterned on the substrate in that order.

도 5에, 본 발명의 적층체 다른 일례의 단면의 개략도를 나타낸다. 기판(13) 상에 평탄화층(14), 패터닝된 제1 전극(8), 수지 경화물의 순으로 적층되어, 수지 경화물은 제1 전극(8) 상의 적어도 일부가 개구하고, 또한 수지 경화물의 제1단(9)와 수지 경화물의 제2단(10)을 갖는다. X선 광전자 분광법(XPS)의 분석에 의한 수지 경화물의 특성 (i)은 수지 경화물의 제1단의 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면(20)으로부터 측정된다. 특성 (v)는, 수지 경화물 제2단의 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면(21)으로부터 측정된다. 특성 (ii)는 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면(18)에 대하여 수직, 또한 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100㎚(30)으로부터 또한 100㎚의 범위, 즉 제1 전극과 수지 경화물의 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물의 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위(19)의 어느 것에서 측정된다. 패터닝된 제1 전극의 개구부에 있어서는, 제1 전극과 수지 경화물의 계면에 대하여 수직, 또한 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위(19)와 같이, 제1 전극이 존재하는 것으로서, 그 제1 전극의 높이로부터 100 내지 200㎚의 범위(19)의 어느 것에서 측정한다. 또한, 제1 전극의 두께에 변동이 있는 경우, 패터닝된 제1 전극의 개구부에 있어서, 개구부 단부의 평균 두께의 제1 전극이 존재하는 것으로 한다. 계속해서, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 연속해서 배치된 기능층(11)을 잉크젯 도포법에 의해 형성할 수 있다.Figure 5 shows a schematic cross section of another example of the laminate of the present invention. The planarization layer 14, the patterned first electrode 8, and the cured resin are laminated on the substrate 13 in that order, and the cured resin has at least a portion of the first electrode 8 open, and the cured resin also has It has a first stage (9) and a second stage (10) of cured resin. Characteristics (i) of the cured resin product by analysis of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) are measured from the surface 20 on the opposite side to the interface where the first electrode of the first stage of the cured resin product contacts the cured resin product. The characteristic (v) is measured from the surface 21 on the side opposite to the interface where the first electrode of the second stage of the cured resin and the cured resin come into contact. Characteristic (ii) is perpendicular to the interface 18 where the first electrode and the cured resin are in contact, and is in the direction of the cured resin from the substrate, and is 100 nm (30) starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. Also in the range of 100 nm, that is, perpendicular to the interface of the first electrode and the cured resin, and in the direction of the cured resin from the substrate, in the range of 100 to 200 nm starting from the interface of the first electrode and the cured resin (19 ) is measured in any of the In the opening of the patterned first electrode, it is perpendicular to the interface between the first electrode and the cured resin, and in the direction of the cured resin from the substrate, and has an opening of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. As in range 19, the first electrode is present, and the height is measured anywhere in range 19 from 100 to 200 nm from the height of the first electrode. Additionally, when there is a change in the thickness of the first electrode, it is assumed that in the opening of the patterned first electrode, a first electrode having an average thickness at the end of the opening is present. Subsequently, the functional layer 11 continuously disposed on the first electrode 8 patterned on the substrate and the second stage 10 of the cured resin can be formed by an inkjet coating method.

본 발명의 적층체에 있어서, 수지 경화물은 전술한 특성을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 특성 (i) 내지 특성 (v)를 충족하는 수지 경화물을 형성하는 방법으로서, 예를 들어 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기를 갖는 화합물 (a-1), 실록산 구조를 갖는 화합물 (a-2), CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1) 및 실록산 구조를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-2)를 포함하는 감광성 수지 조성물로 수지 경화물을 형성하는 방법을 들 수 있다.In the laminate of the present invention, the cured resin material is not particularly limited as long as it has the above-mentioned characteristics. A method of forming a cured resin that satisfies characteristics (i) to (v), for example, compound (a-1) having a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine atoms and 5 to 12 carbon atoms, having a siloxane structure A method of forming a cured resin product from a photosensitive resin composition comprising compound (a-2), an alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group, and an alkali-soluble resin (b-2) having a siloxane structure can be cited. .

수지 경화물의 UV 오존 내성 및 발액성의 관점에서, 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기를 갖는 화합물 (a-1), 실록산 구조를 갖는 화합물 (a-2)의 바람직한 구조로서는, 후술하는 실록산 (A)를 들 수 있다. 또한, 내열성의 관점에서, CF3기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-1) 및 실록산 구조를 갖는 알칼리 가용성 수지 (b-2)의 바람직한 구조로서는, 후술하는 알칼리 가용성 수지 (B)를 들 수 있다.From the viewpoint of UV ozone resistance and liquid repellency of the cured resin, the preferred structures of the compound (a-1) having a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine numbers and 5 to 12 carbon atoms and the compound (a-2) having a siloxane structure are: and siloxane (A) described later. In addition, from the viewpoint of heat resistance, preferred structures of the alkali-soluble resin (b-1) having a CF 3 group and the alkali-soluble resin (b-2) having a siloxane structure include the alkali-soluble resin (B) described later.

폴리실록산 (A)에 대해서 설명한다.Polysiloxane (A) will be explained.

감광성 수지 조성물에 폴리실록산 (A)를 함유함으로써, 수지 경화물 상면에 높은 발액성을 부여할 수 있다. 또한, 주쇄의 폴리실록산은 UV 오존 내성이 높고,UV 오존 처리 후의 수지 경화물 상면에 높은 발액성을 부여하기 쉽게 할 수 있다.By containing polysiloxane (A) in the photosensitive resin composition, high liquid repellency can be imparted to the upper surface of the cured resin material. In addition, the polysiloxane of the main chain has high UV ozone resistance and can easily provide high liquid repellency to the upper surface of the cured resin after UV ozone treatment.

폴리실록산 (A)는, 식 (1)로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (2)로 표시되는 반복 단위 구조를 갖는다.Polysiloxane (A) has a repeating unit structure represented by formula (1) and/or a repeating unit structure represented by formula (2).

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (1)로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (2)로 표시되는 반복 단위 구조 중의 Rf는 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기이다. 보다 바람직하게는, 불소수 9 내지 13 및 탄소수 6 내지 8의 불화 알킬기이다. 불소수 7 이상 및 탄소수 5 이상의 불화 알킬기인 것으로, 수지 경화물이 특성 (i)을 충족하기 쉬워져, 수지 경화물의 상면에 의해 양호한 발액성을 나타낼 수 있다. 또한, 불소수 21 이하 및 탄소수 12 이상의 불화 알킬기인 것으로, 후술하는 알칼리 가용성 수지와 양호한 상용성이 얻어지기 쉬워진다. 또한, 환경에의 부하를 저감하기 위해서, 불소수 13 이하 및 탄소수 8 이하의 불화 알킬기가 보다 바람직하다.R f in the repeating unit structure represented by formula (1) and/or the repeating unit structure represented by formula (2) is a fluorinated alkyl group having 7 to 21 fluorine atoms and 5 to 12 carbon atoms. More preferably, it is a fluorinated alkyl group having 9 to 13 fluorine atoms and 6 to 8 carbon atoms. By being a fluorinated alkyl group with a fluorine number of 7 or more and a carbon number of 5 or more, the cured resin product easily satisfies characteristic (i), and the upper surface of the cured resin product can exhibit good liquid repellency. In addition, by being a fluorinated alkyl group with a fluorine number of 21 or less and a carbon number of 12 or more, good compatibility with the alkali-soluble resin described later is easily obtained. Moreover, in order to reduce the load on the environment, a fluorinated alkyl group with a fluorine number of 13 or less and a carbon number of 8 or less is more preferable.

Rf의 불화 알킬기는 CF2기를 갖는 것이 바람직하다. 불화 알킬기가 CF2기를 가짐으로써, 수지 경화물이 특성 (iii)을 충족하기 쉬워져, 수지 경화물의 상면에 의해 양호한 발액성을 나타낼 수 있다. CF2기를 갖는 불화 알킬기의 구체예로서는, 헵타플루오로펜틸기, 노나플루오로헥실기, 트리데카플루오로옥틸기, 헵타데카플루오로데실기, 5,5,6,6,7,7,7-헵타플루오로-4,4-비스(트리플루오로메틸)헵틸기 등을 들 수 있다. 발액성 및, 환경에의 부하의 관점에서, 불소수 9 내지 13 및 탄소수 6 내지 8인 노나플루오로헥실기, 트리데카플루오로옥틸기가 바람직하다.The fluorinated alkyl group of R f preferably has a CF 2 group. When the fluorinated alkyl group has a CF 2 group, the cured resin tends to satisfy characteristic (iii), and the upper surface of the cured resin can exhibit good liquid repellency. Specific examples of fluorinated alkyl groups having a CF 2 group include heptafluoropentyl group, nonafluorohexyl group, tridecafluorooctyl group, heptadecafluorodecyl group, 5,5,6,6,7,7,7- Heptafluoro-4,4-bis(trifluoromethyl)heptyl group, etc. are mentioned. From the viewpoint of liquid repellency and environmental load, nonafluorohexyl and tridecafluorooctyl groups having 9 to 13 fluorine atoms and 6 to 8 carbon atoms are preferable.

폴리실록산 (A)는 폴리실록산 (A)의 전체 반복 단위 구조 100몰% 중에, 식 (1)로 표시되는 반복 단위 구조 및 식 (2)로 표시되는 반복 단위 구조의 합계를 5 내지 30몰% 포함하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 10 내지 25몰%이다. 식 (1)로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (2)로 표시되는 구조를 5몰% 이상 포함함으로써, 수지 경화물이 특성 (i)을 충족하기 쉬워져, 보다 양호한 발액성을 나타낼 수 있다. 또한, 30몰% 이하인 것으로 불화 알킬기의 응집을 저감할 수 있다.Polysiloxane (A) contains 5 to 30 mol% of the total of the repeating unit structure represented by formula (1) and the repeating unit structure represented by formula (2) out of 100 mol% of the total repeating unit structure of polysiloxane (A). It is desirable. More preferably, it is 10 to 25 mol%. By containing 5 mol% or more of the repeating unit structure represented by formula (1) and/or the structure represented by formula (2), the cured resin becomes easier to satisfy characteristic (i) and can exhibit better liquid repellency. there is. Additionally, if the amount is 30 mol% or less, aggregation of fluorinated alkyl groups can be reduced.

또한, 폴리실록산 (A)는 (I) 및 (II)의 반복 단위 구조를 갖는 것이 바람직하다.Additionally, polysiloxane (A) preferably has the repeating unit structures of (I) and (II).

(I) 식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조(I) repeating unit structure represented by formula (3) and/or repeating unit structure represented by formula (4)

(II) 식 (5)로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (6)으로 표시되는 반복 단위 구조(II) the repeating unit structure represented by formula (5) and/or the repeating unit structure represented by formula (6)

Figure pct00002
Figure pct00002

R1은 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 아실기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기이다. R2는 탄소수 6 내지 15의 아릴기, R3은 단결합 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기, Y는 1 또는 2이다. R4는 산성기를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 유기기이다. *은 공유 결합을 나타낸다.R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, an acyl group with 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 15 carbon atoms. R 2 is an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, R 3 is a single bond or an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and Y is 1 or 2. R 4 is an organic group having 2 to 20 carbon atoms containing an acidic group. * indicates a covalent bond.

폴리실록산 (A)는, (I) 식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조를 갖는 것이 바람직하다. 식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조는, 아릴기를 갖기 때문에, 아릴기의 입체 장애에 의해 전술한 불화 알킬기의 응집을 억제하고, 결함이 적은 경화물이 얻어지기 쉬워진다.Polysiloxane (A) preferably has a repeating unit structure represented by (I) formula (3) and/or a repeating unit structure represented by formula (4). Since the repeating unit structure represented by formula (3) and/or the repeating unit structure represented by formula (4) has an aryl group, aggregation of the above-described fluorinated alkyl group is suppressed due to steric hindrance of the aryl group, and defects are reduced. Hardened products become easier to obtain.

식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조중, R2는 탄소수 6 내지 15의 아릴기이고, 구체예로서는, 페닐기, 4-메틸페닐기, 4-히드록시페닐기, 4-메톡시페닐기, 4-t-부틸페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 2-페닐에틸기, 4-히드록시벤질기 및 식 (7)로 표시되는 구조 등을 들 수 있다.In the repeating unit structure represented by formula (3) and/or the repeating unit structure represented by formula (4), R 2 is an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and specific examples include phenyl group, 4-methylphenyl group, and 4-hydride. Roxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-phenylethyl group, 4-hydroxybenzyl group and the structure represented by formula (7), etc. there is.

Figure pct00003
Figure pct00003

여기서 *은, R3에 직결하는 공유 결합을 나타낸다. R3이 단결합의 경우에는, 규소 원자에 직결하는 공유 결합을 나타낸다. a는 1 내지 3의 정수이다. 내약품성의 관점에서 a는 1 내지 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 더욱 바람직하다. 이들 구체예를 일반식으로 나타내면 이하의 구조를 들 수 있다.Here, * represents a covalent bond directly connected to R 3 . When R 3 is a single bond, it represents a covalent bond directly linked to a silicon atom. a is an integer from 1 to 3. From the viewpoint of chemical resistance, a is preferably 1 to 2, and a is more preferably 1. If these specific examples are represented by a general formula, the following structures can be given.

Figure pct00004
Figure pct00004

식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조중, R2의 적어도 하나는, 불화 알킬기의 응집 억제의 효과와 중합성의 제어 관점에서, 1-나프틸기, 2-나프틸기 또는 식 (7)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. 또한, 중합성의 제어 관점에서 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조 중의 Y는 1인 것이 보다 바람직하다.Among the repeating unit structures represented by formula (3) and/or the repeating unit structures represented by formula (4), at least one of R 2 is a 1-naphthyl group from the viewpoint of the effect of suppressing aggregation of fluorinated alkyl groups and controlling polymerizability. , 2-naphthyl group or a structure represented by formula (7). Moreover, from the viewpoint of polymerizability control, it is more preferable that Y in the repeating unit structure represented by formula (4) is 1.

식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조중, R3은 단결합 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기이고, 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기 구체예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, t-부틸렌기 등을 들 수 있다.In the repeating unit structure represented by formula (3) and/or the repeating unit structure represented by formula (4), R 3 is a single bond or an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and specific examples of an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms are: Examples include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, and t-butylene group.

폴리실록산 (A)의 전체 반복 단위 구조 100몰% 중에, 식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조의 합계를 20 내지 70몰% 포함하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 30 내지 60몰%이다. 식 (3)으로 표시되는 반복 단위 구조 및 식 (4)로 표시되는 반복 단위 구조의 합계를 20몰% 이상 포함함으로써 양호한 불화 알킬기의 응집 억제의 효과를 나타내기 쉬워진다. 또한, 중합성의 제어 관점에서 70몰% 이하가 바람직하다.Of the total repeating unit structures of polysiloxane (A), 100 mol% preferably contains 20 to 70 mol% of the total of the repeating unit structures represented by formula (3) and the repeating unit structures represented by formula (4). More preferably, it is 30 to 60 mol%. By containing a total of 20 mol% or more of the repeating unit structure represented by formula (3) and the repeating unit structure represented by formula (4), it becomes easy to exhibit a good effect of suppressing aggregation of fluorinated alkyl groups. Additionally, from the viewpoint of polymerizability control, 70 mol% or less is preferable.

폴리실록산 (A)는, (II) 식 (5)로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (6)으로 표시되는 반복 단위 구조를 갖는다. 식 (5)로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (6)으로 표시되는 반복 단위 구조는, 산성기를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 유기기를 갖기 때문에, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 향상하기 쉬워져, 개구부의 잔사를 저감할 수 있다. 또한, 전술의 불화 알킬기의 응집을 억제하기 쉬워져, 결함이 적은 경화물이 얻어지기 쉬워진다.Polysiloxane (A) (II) has a repeating unit structure represented by formula (5) and/or a repeating unit structure represented by formula (6). Since the repeating unit structure represented by formula (5) and/or the repeating unit structure represented by formula (6) has an organic group having 2 to 20 carbon atoms including an acidic group, solubility in an alkaline developer is easy to improve, Residue in the opening can be reduced. Additionally, it becomes easy to suppress the aggregation of the above-described fluorinated alkyl groups, making it easy to obtain a cured product with fewer defects.

산성기를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 유기기는, 카르복실기, 카르복실산 무수물기, 히드록실기 및 술폰산기의 군에서 선택되는 적어도 하나의 산성기를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 유기기인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 식 (8) 또는 식 (9)로 표시되는 구조이다.The organic group having 2 to 20 carbon atoms containing an acidic group is preferably an organic group having 2 to 20 carbon atoms containing at least one acidic group selected from the group of carboxyl group, carboxylic acid anhydride group, hydroxyl group and sulfonic acid group. Preferably, it is a structure represented by formula (8) or formula (9).

Figure pct00005
Figure pct00005

R15는 단결합 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이다. *은 공유 결합을 나타낸다.R 15 is a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. * indicates a covalent bond.

개구부의 잔사 관점에서, R4는 카르복실기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 카르복실산 무수물 기를 가수 분해해서 얻어지는 디카르복시기인 것이 보다 바람직하다. 산성기를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 유기기 구체예로서는, 2-히드록시에틸기, 3-히드록시프로필기, 비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로필기, 카르복시메틸기, 2-카르복시에틸기, 3-카르복시프로필기 및 하기에 나타내는 구조 (α), 구조 (β)를 들 수 있다. 카르복실기를 갖는 구조로서는 카르복시메틸기, 2-카르복시에틸기, 3-카르복시프로필기, 구조 (α) 및 구조 (β)가 바람직하고, 구조 (α) 및 구조 (β)가 보다 바람직하다.From the viewpoint of the residue in the opening, it is more preferable that R 4 has a carboxyl group. Moreover, it is more preferable that it is a dicarboxy group obtained by hydrolyzing a carboxylic acid anhydride group. Specific examples of organic groups having 2 to 20 carbon atoms containing an acidic group include 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, bis(2-hydroxyethyl)-3-aminopropyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, Examples include 3-carboxypropyl group and structures (α) and structures (β) shown below. As structures having a carboxyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, 3-carboxypropyl group, structure (α) and structure (β) are preferable, and structure (α) and structure (β) are more preferable.

Figure pct00006
Figure pct00006

여기서 *은, 규소 원자에 직결하는 공유 결합을 나타낸다.Here, * represents a covalent bond directly connected to a silicon atom.

폴리실록산 (A)의 전체 반복 단위 구조 100몰% 중에, 식 (5)로 표시되는 반복 단위 구조 및 식 (6)으로 표시되는 반복 단위 구조의 합계를 1 내지 40몰% 포함하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 5 내지 30몰%이다. 식 (5)로 표시되는 반복 단위 구조 및 식 (6)으로 표시되는 반복 단위 구조의 합계를 1몰% 이상 포함함으로써 보다 양호한 개구부의 잉크 습윤성과 상용성을 나타낼 수 있다. 또한, 40몰% 이하인 것으로 보다 양호한 발액성을 얻을 수 있다.Of the total repeating unit structures of polysiloxane (A), 100 mol% preferably contains 1 to 40 mol% of the total of the repeating unit structures represented by formula (5) and the repeating unit structures represented by formula (6). More preferably, it is 5 to 30 mol%. By containing a total of 1 mol% or more of the repeating unit structure represented by formula (5) and the repeating unit structure represented by formula (6), better ink wettability and compatibility of the opening can be exhibited. Additionally, better liquid repellency can be obtained when the amount is 40 mol% or less.

폴리실록산 (A)는 (III) 식 (10)으로 표시되는 반복 단위 구조 및/또는 식 (11)로 표시되는 반복 단위 구조를 가져도 된다.Polysiloxane (A) may have (III) a repeating unit structure represented by formula (10) and/or a repeating unit structure represented by formula (11).

Figure pct00007
Figure pct00007

R1의 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 아실기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기, R5는, Rf, R2-R3-, R4 이외의 탄소수 1 내지 10의 유기기를 나타낸다.R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, an acyl group with 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 15 carbon atoms, and R 5 has 1 to 1 carbon atoms other than R f , R 2 -R 3 -, and R 4 It represents the organic group of 10.

R5는 Rf, R2-R3-, R4 이외의 탄소수 1 내지 10의 유기기이면 특별히 한정되지 않는다. R5의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 시클로헥실기, 등의 탄화수소기; 3-아미노프로필기, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필기, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필기, 등의 아미노기 함유기; β-시아노에틸기 등의 시아노기 함유기; 글리시독시메틸기, α-글리시독시에틸기, α-글리시독시프로필기, β-글리시독시프로필기, γ-글리시독시프로필기, α-글리시독시부틸기, β-글리시독시부틸기, γ-글리시독시부틸기, σ-글리시독시부틸기, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸기, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필기, 4-(3,4-에폭시시클로헥실)부틸기, 등의 에폭시기 함유기; 3-클로로프로필메틸기 등의 클로로기 함유기; 2,2,2-트리플루오로에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 플루오로기 함유기; γ-아크릴로일프로필기, γ-메타크릴로일프로필기, 등의 α,β-불포화 에스테르기 함유기; 비닐기, 스티릴기, 등의 비닐기 함유기; 등을 들 수 있다.R 5 is not particularly limited as long as it is an organic group having 1 to 10 carbon atoms other than R f , R 2 -R 3 -, and R 4 . Specific examples of R 5 include hydrocarbon groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, and cyclohexyl; Amino group-containing groups such as 3-aminopropyl group, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl group, and N-β-(aminoethyl)-γ-aminopropyl group; Cyano group-containing groups such as β-cyanoethyl group; Glycidoxymethyl group, α-glycidoxyethyl group, α-glycidoxypropyl group, β-glycidoxypropyl group, γ-glycidoxypropyl group, α-glycidoxybutyl group, β-glycidoxybutyl group group, γ-glycidoxybutyl group, σ-glycidoxybutyl group, (3,4-epoxycyclohexyl)methyl group, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl group, 4-(3,4- Epoxy group-containing groups such as epoxycyclohexyl)butyl group; Chloro group-containing groups such as 3-chloropropylmethyl group; Fluoro group-containing groups such as 2,2,2-trifluoroethyl group and 3,3,3-trifluoropropyl group; α,β-unsaturated ester group-containing groups such as γ-acryloylpropyl group, γ-methacryloylpropyl group, etc.; Vinyl group-containing groups such as vinyl group, styryl group, etc.; etc. can be mentioned.

식 (1), (3), (5) 및, (10) 중, R1은 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 아실기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기이고, 중합성의 제어 관점에서 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기의 바람직한, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, 중합성의 제어 관점에서, 수소 원자, 메틸기, 에틸기가 보다 바람직하다.In formulas (1), (3), (5), and (10), R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, an acyl group with 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 15 carbon atoms, and polymerization From the viewpoint of control of properties, preferred specific examples of alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms and hydrogen atoms include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, and t-butyl. etc. can be mentioned. Among these, from the viewpoint of polymerizability control, a hydrogen atom, a methyl group, and an ethyl group are more preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 알칼리 가용성 수지 (B) 100질량부에 대하여, 폴리실록산 (A)의 함유량이 0.1질량부 이상, 10질량부 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.2질량부 이상, 5질량부 이하이다. 폴리실록산 (A)의 함유량이 0.1질량부 이상인 것으로, 수지 경화물이 특성 (i)을 충족하기 쉬워져, 보다 양호한 발액성이 얻어지기 쉬워진다. 또한, 10질량부 이하인 것으로, 전술한 불화 알킬기의 응집을 억제하기 쉬워진다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the content of polysiloxane (A) is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (B). More preferably, it is 0.2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less. When the content of polysiloxane (A) is 0.1 parts by mass or more, the cured resin product easily satisfies characteristic (i), and better liquid repellency becomes easier to obtain. Moreover, if it is 10 parts by mass or less, it becomes easy to suppress the aggregation of the above-mentioned fluorinated alkyl groups.

(A) 폴리실록산은, 하기 일반식 (12), (13), (14) 및 (15)로 표시되는 알콕시실란을, 용매 중에서, 가수 분해 및 중축합시킴으로써 얻을 수 있다. (A) 폴리실록산은, 이와 같이 해서 얻은 폴리실록산인 것이 바람직하다.(A) Polysiloxane can be obtained by hydrolyzing and polycondensing alkoxysilanes represented by the following general formulas (12), (13), (14) and (15) in a solvent. (A) Polysiloxane is preferably polysiloxane obtained in this way.

Figure pct00008
Figure pct00008

Rf는 불소수 7 내지 21 및 탄소수 5 내지 12의 불화 알킬기, R1은 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 아실기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기이다. R2는 탄소수 6 내지 15의 아릴기, R3은 단결합 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기, Y는 1 또는 2이다. R4는 산성기를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 유기기이다. R5는 탄소수 1 내지 10의 유기기이다.R f is a fluorinated alkyl group with 7 to 21 fluorine atoms and 5 to 12 carbon atoms, and R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, an acyl group with 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 15 carbon atoms. R 2 is an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, R 3 is a single bond or an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and Y is 1 or 2. R 4 is an organic group having 2 to 20 carbon atoms containing an acidic group. R 5 is an organic group having 1 to 10 carbon atoms.

가수 분해 반응은, 용매 중, 일반식 (12), (13), (14) 및 (15)로 표시되는 알콕시실란에, 산 촉매 및 물을 첨가한 후, 실온 내지 110℃에서 1 내지 180분 반응시키는 것이 바람직하다. 이러한 조건에서 가수 분해 반응을 행함으로써, 급격한 반응을 억제할 수 있다. 반응 온도는, 보다 바람직하게는 40 내지 105℃이다.The hydrolysis reaction is performed by adding an acid catalyst and water to alkoxysilanes represented by general formulas (12), (13), (14) and (15) in a solvent, and then heating at room temperature to 110°C for 1 to 180 minutes. It is desirable to react. By carrying out the hydrolysis reaction under these conditions, rapid reaction can be suppressed. The reaction temperature is more preferably 40 to 105°C.

또한, 가수 분해 반응에 의해 실라놀 화합물을 얻은 후, 반응액을 50℃ 이상 용제의 비점 이하에서 1 내지 100시간 가열하고, 축합 반응을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 축합 반응에 의해 얻어지는 실록산 화합물의 중합도를 높이기 위해서, 산 또는 염기 촉매의 첨가, 또는 재가열을 행하는 것도 가능하다.Additionally, after obtaining the silanol compound through a hydrolysis reaction, it is preferable to heat the reaction solution at 50°C or higher and below the boiling point of the solvent for 1 to 100 hours to perform a condensation reaction. Additionally, in order to increase the degree of polymerization of the siloxane compound obtained by the condensation reaction, it is also possible to add an acid or base catalyst or perform reheating.

가수 분해 반응에 있어서의 각종 조건은, 반응 스케일, 반응 용기의 크기, 형상 등을 고려하여 적절히 설정할 수 있다. 예를 들어 산 농도, 반응 온도, 반응 시간 등을 설정함으로써, 목적의 중합도의 폴리실록산을 얻을 수 있다.Various conditions in the hydrolysis reaction can be appropriately set in consideration of the reaction scale, size and shape of the reaction vessel, etc. For example, by setting the acid concentration, reaction temperature, reaction time, etc., polysiloxane with the desired degree of polymerization can be obtained.

가수 분해 반응에 사용하는 물로서는, 이온 교환수가 바람직하다. 물의 양은 임의로 선택 가능하지만, 알콕시실란 화합물 1몰에 대하여, 1.0 내지 4.0몰의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.As water used in the hydrolysis reaction, ion-exchanged water is preferable. The amount of water can be selected arbitrarily, but it is preferably used in the range of 1.0 to 4.0 mol per 1 mol of the alkoxysilane compound.

가수 분해 반응에 사용하는 용매로서는, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소 부탄올, t-부탄올, 3-히드록시-3-메틸-2-부타논, 5-히드록시-2-펜타논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논(디아세톤 알코올), 락트산에틸, 락트산부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노t-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 3-메톡시-1-부탄올, 3-메틸-3-메톡시-1-부탄올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 벤질 알코올, 2-메틸벤질 알코올, 3-메틸벤질 알코올, 4-메틸벤질 알코올, 4-이소프로필벤질 알코올, 1-페닐에틸알코올, 2-페닐-2-프로판올, 2-에틸벤질 알코올, 3-에틸벤질 알코올, 4-에틸벤질 알코올 등의 알코올계 용매; 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디페닐에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄, 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르계 용매; γ-부티로락톤, δ-발레로락톤, 탄산프로필렌, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시-1-부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시-1-부틸아세테이트, 아세토아세트산에틸, 시클로헥산올아세테이트 등의 에스테르계 용매; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸이소부티르산아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N,N-디메틸프로필렌 요소 등의 아미드계 용매; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류 등을 들 수 있다.Solvents used in the hydrolysis reaction include methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, t-butanol, 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, and 5-hydroxy-2. -Pentanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone (diacetone alcohol), ethyl lactate, butyl lactate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monon-propyl ether, propylene. Glycol monon-butyl ether, propylene glycol monot-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, 3-methoxy-1-butanol, 3-methyl-3 -Methoxy-1-butanol, ethylene glycol, propylene glycol, benzyl alcohol, 2-methylbenzyl alcohol, 3-methylbenzyl alcohol, 4-methylbenzyl alcohol, 4-isopropylbenzyl alcohol, 1-phenylethyl alcohol, 2- Alcohol-based solvents such as phenyl-2-propanol, 2-ethylbenzyl alcohol, 3-ethylbenzyl alcohol, and 4-ethylbenzyl alcohol; Diethyl ether, diisopropyl ether, di-n-butyl ether, diphenyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, di Ether-based solvents such as propylene glycol dimethyl ether; γ-Butyrolactone, δ-valerolactone, propylene carbonate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxy-1- Ester solvents such as butyl acetate, 3-methyl-3-methoxy-1-butyl acetate, ethyl acetoacetate, and cyclohexanol acetate; N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutyric acid amide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N, amide-based solvents such as N-dimethylpropylene urea; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene can be mentioned.

가수 분해 반응에 사용하는 산 촉매로서는, 염산, 아세트산, 포름산, 질산, 옥살산, 황산, 인산, 폴리인산, 다가 카르복실산 혹은 그의 무수물, 이온 교환 수지 등의 산 촉매를 들 수 있다. 특히 포름산, 아세트산 또는 인산을 사용한 산성 수용액이 바람직하다.Examples of the acid catalyst used in the hydrolysis reaction include acid catalysts such as hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, nitric acid, oxalic acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, polyhydric carboxylic acid or its anhydride, and ion exchange resin. In particular, an acidic aqueous solution using formic acid, acetic acid or phosphoric acid is preferred.

산 촉매의 바람직한 함유량으로서는, 가수 분해 반응 시에 사용되는 전체 알콕시실란 화합물 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량부 이상이다. 또한, 산 촉매의 함유량은, 바람직하게는 10질량부 이하, 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다. 여기서, 전체 알콕시실란 화합물량과는, 알콕시실란 화합물, 그 가수 분해물 및 그 축합물의 모두를 포함한 양의 것을 의미하고, 이하 동일하게 한다. 산 촉매의 양을 0.05질량부 이상으로 함으로써 원활하게 가수 분해가 진행되고, 또한 10질량부 이하로 함으로써 가수 분해 반응의 제어가 용이하게 된다.The preferred content of the acid catalyst is preferably 0.05 parts by mass or more, more preferably 0.1 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of all alkoxysilane compounds used during the hydrolysis reaction. Moreover, the content of the acid catalyst is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less. Here, the total alkoxysilane compound amount means the amount including all of the alkoxysilane compound, its hydrolyzate, and its condensate, and the same applies hereinafter. By setting the amount of the acid catalyst to 0.05 parts by mass or more, hydrolysis proceeds smoothly, and by setting it to 10 parts by mass or less, control of the hydrolysis reaction becomes easy.

또한, 조성물의 저장 안정성의 관점에서, 가수 분해, 부분 축합 후의 폴리실록산 용액에는 상기 촉매가 포함되지 않는 것이 바람직하고, 필요에 따라 촉매의 제거를 행할 수 있다. 제거 방법에 특별히 제한은 없지만, 조작의 간편함과 제거성의 점에서, 물 세정, 및/또는 이온 교환 수지의 처리가 바람직하다. 물 세정이란, 폴리실록산 용액을 적당한 소수성 용제로 희석한 후, 물로 수회 세정해서 얻어진 유기층을 증발기 등에서 농축하는 방법이다. 이온 교환 수지에서의 처리란, 폴리실록산 용액을 적당한 이온 교환 수지에 접촉시키는 방법이다.Additionally, from the viewpoint of storage stability of the composition, it is preferable that the polysiloxane solution after hydrolysis and partial condensation does not contain the catalyst, and the catalyst can be removed as necessary. There are no particular restrictions on the removal method, but in terms of ease of operation and removal, water washing and/or treatment with ion exchange resin are preferable. Water washing is a method of diluting a polysiloxane solution with an appropriate hydrophobic solvent and then washing the resulting organic layer several times with water and concentrating it in an evaporator or the like. Treatment with an ion exchange resin is a method of bringing a polysiloxane solution into contact with a suitable ion exchange resin.

(A) 폴리실록산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 특별히 제한되지 않지만, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산으로, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 1,500 이상이다. 또한, 바람직하게는 20,000 이하, 더욱 바람직하게는 10,000 이하이다.(A) The weight average molecular weight (Mw) of the polysiloxane is not particularly limited, but is preferably 500 or more, more preferably 1,500 or more in terms of polystyrene as measured by gel permeation chromatography (GPC). Additionally, it is preferably 20,000 or less, and more preferably 10,000 or less.

이어서, 알칼리 가용성 수지 (B)에 대해서 설명한다.Next, the alkali-soluble resin (B) is explained.

본 발명에 있어서의 알칼리 가용성 수지란, 이하에 정의하는 용해 속도가 50㎚/분 이상인 수지를 말한다. 상세하게는, γ-부티로락톤에 수지를 용해한 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 120℃에서 4분간 프리베이크를 행하여 두께 10㎛±0.5㎛의 프리베이크막을 형성하고, 상기 프리베이크막을 23±1℃의 2.38질량% 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH) 수용액에 1분간 침지한 후, 순수로 린스 처리했을 때의 두께 감소로부터 구해지는 용해 속도가 50㎚/분 이상인 수지를 말한다.Alkali-soluble resin in the present invention refers to a resin having a dissolution rate of 50 nm/min or more, as defined below. In detail, a solution in which the resin is dissolved in γ-butyrolactone is applied on a silicon wafer, prebaked at 120°C for 4 minutes to form a prebaked film with a thickness of 10 μm ± 0.5 μm, and the prebaked film is heated at 23 ± 0.5 μm. It refers to a resin with a dissolution rate of 50 nm/min or more, which is determined from the thickness reduction when immersed in a 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution at 1°C for 1 minute and then rinsed with pure water.

알칼리 가용성 수지 (B)는, 알칼리 가용성을 부여하기 위해서, 수지의 구조 단위중 및/또는 그 주쇄 말단에 알칼리 가용성 기를 갖는 것이 바람직하다. 알칼리 가용성 기와는 알칼리와 상호 작용 또는 반응함으로써 알칼리 용액에 대한 용해성을 증가시키는 관능기를 가리킨다. 바람직한 알칼리 가용성 기로서는 카르복실기, 페놀성 수산기, 술폰산기, 티올기 등을 들 수 있다.In order to impart alkali solubility, the alkali-soluble resin (B) preferably has an alkali-soluble group in the structural units of the resin and/or at the terminals of its main chain. The alkali-soluble group refers to a functional group that increases solubility in an alkaline solution by interacting or reacting with alkali. Preferred alkali-soluble groups include carboxyl groups, phenolic hydroxyl groups, sulfonic acid groups, and thiol groups.

알칼리 가용성 수지 (B)는, 전술한 알칼리 가용성 기를 갖는 구조이면, 수지를 구성하는 고분자의 주쇄 골격 및 측쇄의 종류는 한정되지 않는다. 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 폴리아미드이미드 수지, 아크릴 수지, 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌 수지, 페놀 수지, 폴리실록산 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.The alkali-soluble resin (B) is not limited to the types of the main chain skeleton and side chains of the polymer constituting the resin, as long as it has a structure having the alkali-soluble group described above. Examples include, but are not limited to, polyimide resin, polybenzoxazole resin, polyamidoimide resin, acrylic resin, novolak resin, polyhydroxystyrene resin, phenol resin, and polysiloxane resin.

또한, 알칼리 가용성 수지 (B)는 CF3기를 갖는 것이 바람직하다. CF3기를 가짐으로써, 수지 경화물이 특성 (ii) 및 특성 (iv)를 충족하기 쉬워져, 수지 경화물의 흡수성이 저하되어 전극의 부식을 억제하기 위해서, 표시 장치의 내구성을 보다 향상시킬 수 있다. CF3기는 수지 경화물 표면에 편재되는 성질이 작아, 수지 경화물 내부에 F 원자를 고정시킬 수 있다. 또한, CF3기를 가짐으로써, 수지 경화물의 특성 (v) 중의 F 원자의 농도 및 C1s 스펙트럼에 기여한다. CF3기는 발액성을 나타내지 않기 위해서, 수지 경화물 표면의 친액성과 표시 장치의 내구성을 양립하기 쉽게 할 수 있다.Additionally, the alkali-soluble resin (B) preferably has a CF 3 group. By having a CF 3 group, the cured resin becomes more likely to satisfy characteristics (ii) and (iv), and the durability of the display device can be further improved by suppressing corrosion of the electrode due to a decrease in water absorption of the cured resin. . The CF 3 group has a small tendency to be localized on the surface of the cured resin, so it can fix the F atom inside the cured resin. Additionally, by having a CF 3 group, it contributes to the concentration of F atoms in the characteristic (v) of the cured resin and to the C1s spectrum. Since the CF 3 group does not exhibit liquid repellency, it is easy to achieve both the lyophilicity of the surface of the cured resin and the durability of the display device.

알칼리 가용성 수지 (B)는, 실록산 구조를 갖는 것이 바람직하다. 실록산 구조를 가짐으로써, 수지 경화물의 특성 (v) 중의 Si 원자의 농도에 기여한다. 또한, 전극과의 접착성이 향상되고, 표시 장치의 내구성을 보다 향상시킬 수 있다.The alkali-soluble resin (B) preferably has a siloxane structure. By having a siloxane structure, it contributes to the concentration of Si atoms in characteristic (v) of the cured resin. Additionally, adhesion to electrodes is improved, and the durability of the display device can be further improved.

감광성 수지 조성물에 포함하는 알칼리 가용성 수지 (B)는, 이미드환 구조를 갖는 것이 바람직하다. 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 이들 전구체 및 그들이 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종류 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이들 알칼리 가용성 수지는 단독으로 사용해도 되고, 또한 복수의 알칼리 가용성 수지를 조합해서 사용해도 된다. 이미드환 구조를 가짐으로써, 고온 하에 있어서의 아웃 가스량이 적고, 적층체를 유기 EL 표시 장치에 사용한 경우, 화소 슈링크가 작고, 보다 내구성이 우수한 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한, 내열성이 높은 수지로서, 폴리벤조옥사졸 및/또는, 그 전구체를 함유해도 된다.It is preferable that the alkali-soluble resin (B) contained in the photosensitive resin composition has an imide ring structure. It is more preferable to contain at least one type selected from the group consisting of polyimide, polyamidoimide, their precursors, and their copolymers. These alkali-soluble resins may be used individually, or a plurality of alkali-soluble resins may be used in combination. By having an imide ring structure, the amount of outgassing at high temperature is small, and when the laminate is used in an organic EL display device, an organic EL display device with small pixel shrinkage and more excellent durability can be obtained. Moreover, as a resin with high heat resistance, polybenzoxazole and/or its precursor may be contained.

폴리이미드는, 예를 들어 테트라카르복실산 혹은 테트라카르복실산 이무수물, 테트라카르복실산디에스테르디클로라이드 등과, 디아민 혹은 디이소시아네이트 화합물, 트리메틸실릴화디아민 등을 반응시켜서 얻을 수 있다. 폴리이미드는, 테트라카르복실산 잔기와 디아민 잔기를 갖는다. 또한, 폴리이미드는, 예를 들어 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 반응시켜서 얻어지는 폴리이미드 전구체의 하나인 폴리아미드산을, 가열 처리에 의해 탈수 폐환하는 것에 의해 얻을 수 있다. 이 가열 처리시, m-크실렌 등의 물과 공비하는 용매를 첨가할 수도 있다. 혹은, 카르복실산 무수물이나 디시클로헥실카르보디이미드 등의 탈수 축합제나 트리에틸아민 등의 염기 등을 폐환 촉매로서 가해서, 화학 열처리에 의해 탈수 폐환하는 것에 의해 얻을 수도 있다. 또는, 약산성의 카르복실산 화합물을 더하여 100℃ 이하의 저온으로 가열 처리에 의해 탈수 폐환하는 것에 의해 얻을 수도 있다.Polyimide can be obtained, for example, by reacting tetracarboxylic acid, tetracarboxylic dianhydride, tetracarboxylic acid diester dichloride, etc. with diamine or diisocyanate compounds, trimethylsilylated diamine, etc. Polyimide has tetracarboxylic acid residues and diamine residues. In addition, polyimide can be obtained, for example, by dehydrating and ring-closing polyamic acid, which is one of the polyimide precursors obtained by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine, by heat treatment. During this heat treatment, a solvent azeotropic to water, such as m-xylene, may be added. Alternatively, it can also be obtained by adding a dehydration condensation agent such as carboxylic acid anhydride or dicyclohexylcarbodiimide or a base such as triethylamine as a ring-closure catalyst and dehydrating ring-closure by chemical heat treatment. Alternatively, it can be obtained by adding a weakly acidic carboxylic acid compound and subjecting it to dehydration and ring closure by heat treatment at a low temperature of 100°C or lower.

폴리벤조옥사졸은, 예를 들어 비스아미노페놀 화합물과, 디카르복실산 혹은 디카르복실산 클로라이드, 디카르복실산 활성 에스테르 등을 반응시켜서 얻을 수 있다. 폴리벤조옥사졸은, 디카르복실산 잔기와 비스아미노페놀 잔기를 갖는다. 또한, 폴리벤조옥사졸은, 예를 들어 비스아미노페놀 화합물과 디카르복실산을 반응시켜서 얻어지는 폴리벤조옥사졸 전구체의 하나인 폴리히드록시아미드를, 가열 처리에 의해 탈수 폐환하는 것에 의해 얻을 수 있다. 혹은 무수 인산, 염기, 카르보디이미드 화합물 등을 더하여, 화학 처리에 의해 탈수 폐환하는 것에 의해 얻을 수 있다.Polybenzoxazole can be obtained, for example, by reacting a bisaminophenol compound with dicarboxylic acid, dicarboxylic acid chloride, dicarboxylic acid active ester, etc. Polybenzoxazole has a dicarboxylic acid residue and a bisaminophenol residue. In addition, polybenzoxazole can be obtained, for example, by dehydrating polyhydroxyamide, which is one of the polybenzoxazole precursors obtained by reacting a bisaminophenol compound with a dicarboxylic acid, by heat treatment to ring-close it. . Alternatively, it can be obtained by adding anhydrous phosphoric acid, a base, a carbodiimide compound, etc., and dehydrating and ring-closing it through chemical treatment.

폴리이미드 전구체로서는, 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리아미드산아미드, 폴리이소이미드 등을 들 수 있다. 예를 들어, 폴리아미드산은, 테트라카르복실산 혹은 테트라카르복실산 이무수물, 테트라카르복실산디에스테르디클로라이드 등과 디아민 혹은 디이소시아네이트 화합물, 트리메틸실릴화디아민을 반응시켜서 얻을 수 있다. 폴리이미드는, 예를 들어 상기의 방법에서 얻은 폴리아미드산을, 가열 혹은 산이나 염기 등의 화학 처리로 탈수 폐환하는 것으로 얻을 수 있다.Examples of polyimide precursors include polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid amide, and polyisoimide. For example, polyamic acid can be obtained by reacting tetracarboxylic acid, tetracarboxylic dianhydride, tetracarboxylic acid diester dichloride, etc. with diamine or diisocyanate compound, trimethylsilylated diamine. Polyimide can be obtained, for example, by dehydrating and ring-closing the polyamic acid obtained by the above method by heating or chemical treatment with an acid or base.

폴리벤조옥사졸 전구체로서는, 폴리히드록시아미드 등을 들 수 있다. 예를 들어, 폴리히드록시아미드는, 비스아미노페놀과, 디카르복실산 혹은 디카르복실산 클로라이드, 디카르복실산 활성 에스테르 등을 반응시켜서 얻을 수 있다. 폴리벤조옥사졸은, 예를 들어 상기의 방법에서 얻은 폴리히드록시아미드를, 가열 혹은 무수 인산, 염기, 카르보디이미드 화합물 등의 화학 처리로 탈수 폐환하는 것으로 얻을 수 있다.Examples of polybenzoxazole precursors include polyhydroxyamide. For example, polyhydroxyamide can be obtained by reacting bisaminophenol with dicarboxylic acid, dicarboxylic acid chloride, dicarboxylic acid active ester, etc. Polybenzoxazole can be obtained, for example, by dehydrating and ring-closing the polyhydroxyamide obtained by the above method by heating or chemical treatment with anhydrous phosphoric acid, a base, or a carbodiimide compound.

폴리아미드이미드 전구체는, 예를 들어 트리카르복실산, 대응하는 트리카르복실산 무수물, 트리카르복실산 무수물 할라이드 등과 디아민이나 디이소시아네이트를 반응시켜서 얻을 수 있다. 폴리아미드이미드는, 예를 들어 상기의 방법에서 얻은 전구체를, 가열 혹은 산이나 염기 등의 화학 처리로 탈수 폐환하는 것에 의해 얻을 수 있다.The polyamideimide precursor can be obtained, for example, by reacting tricarboxylic acid, the corresponding tricarboxylic acid anhydride, tricarboxylic acid anhydride halide, etc. with diamine or diisocyanate. Polyamidoimide can be obtained, for example, by dehydrating and ring-closing the precursor obtained by the above method by heating or chemical treatment with an acid or base.

폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 이들 어느 것의 전구체의 공중합체로서는, 블록 공중합, 랜덤 공중합, 교대 공중합, 그래프트 공중합의 어느 것 또는 그들의 조합이어도 된다. 예를 들어, 폴리히드록시아미드에 테트라카르복실산, 대응하는 테트라카르복실산 이무수물, 테트라카르복실산디에스테르디클로라이드 등을 반응시켜서 블록 공중합체를 얻을 수 있다. 또한, 가열 혹은 산이나 염기 등의 화학 처리로 탈수 폐환할 수도 있다.The copolymer of polyimide, polybenzoxazole, polyamidoimide, and precursors of any of these may be any of block copolymerization, random copolymerization, alternating copolymerization, and graft copolymerization, or a combination thereof. For example, a block copolymer can be obtained by reacting polyhydroxyamide with tetracarboxylic acid, corresponding tetracarboxylic dianhydride, tetracarboxylic acid diester dichloride, etc. Additionally, dehydration and ring closure can be achieved by heating or chemical treatment such as acid or base.

폴리이미드, 폴리벤조옥사졸 혹은 폴리아미드이미드, 이들 어느 것의 전구체 및 그들의 공중합체는, 카르복실산 성분의 잔기 및/또는 디아민 성분의 잔기에 CF3기를 갖는 것이 바람직하고, 식 (16)으로 표시되는 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다. 식 (16)으로 표시되는 구조는 전술한 폴리실록산 (A)와의 상용성이 우수하기 때문에, 폴리실록산 (A)의 응집을 억제해서 결함이 적은 경화물을 얻을 수 있다. 또한, (16)으로 표시되는 구조가 갖는 CF3기는, 감광성 수지 조성물의 경화물 흡수성이 저하시키고, 표시 장치의 내구성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, CF3기는 발액성을 부여하지 않기 위해서, 후술하는 「하프 노광」에 의해, 표면이 친액성의 경화물을 형성할 수 있다. Polyimide, polybenzoxazole or polyamidoimide, precursors of any of these and their copolymers preferably have CF 3 groups in the residues of the carboxylic acid component and/or the residues of the diamine component, and are represented by formula (16) It is more desirable to have a structure that is Since the structure represented by formula (16) has excellent compatibility with the polysiloxane (A) described above, aggregation of the polysiloxane (A) can be suppressed and a cured product with few defects can be obtained. In addition, the CF 3 group of the structure represented by (16) reduces the water absorption of the cured product of the photosensitive resin composition and can further improve the durability of the display device. In addition, since the CF 3 group does not impart liquid repellency, a cured product with a lyophilic surface can be formed by “half exposure” described later.

Figure pct00009
Figure pct00009

*은 공유 결합을 나타낸다.* indicates a covalent bond.

전술한 폴리실록산 (A)와의 상용성 및, 수지 경화물의 흡수성 관점에서, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸 혹은 폴리아미드이미드, 이들 어느 것의 전구체 및 그들의 공중합체는, 카르복실산 성분의 잔기 및 디아민 성분의 잔기에 식 (16)으로 표시되는 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of compatibility with the above-mentioned polysiloxane (A) and water absorption of the cured resin, polyimide, polybenzoxazole or polyamidoimide, any of these precursors, and their copolymers contain the residue of the carboxylic acid component and the diamine component. It is more preferable that the residue has a structure represented by formula (16).

알칼리 가용성 수지 (B)는, 식 (17) 내지 (20)의 어느 것으로 표시되는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하고, 식 (20)으로 표시되는 구조 단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 이들 구조 단위를 갖는 2종 이상의 수지를 함유해도 되고, 2종 이상의 구조 단위를 공중합해도 된다. 알칼리 가용성 수지 (B)의 수지는, 식 (17) 내지 (20)의 어느 것으로 표시되는 구조 단위를 분자 중에 3 내지 1000 포함하는 것이 바람직하고, 20 내지 200 포함하는 것이 보다 바람직하다.The alkali-soluble resin (B) preferably has a structural unit represented by any of formulas (17) to (20), and more preferably has a structural unit represented by formula (20). Two or more types of resins having these structural units may be contained, and two or more types of structural units may be copolymerized. The alkali-soluble resin (B) preferably contains 3 to 1,000 structural units represented by any of the formulas (17) to (20) in the molecule, and more preferably contains 20 to 200 structural units.

Figure pct00010
Figure pct00010

식 (17) 내지 (20) 중, R6 및 R9는 4가의 유기기, R7, R8 및 R11은 2가의 유기기, R10은 3가의 유기기, R12는 2 내지 6가의 유기기, R13은 2 내지 12가의 유기기를 나타낸다. R14는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기를 나타낸다. p는 0 내지 2의 정수, q는 0 내지 10의 정수를 나타낸다. n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.In formulas (17) to (20), R 6 and R 9 are tetravalent organic groups, R 7 , R 8 and R 11 are divalent organic groups, R 10 is trivalent organic groups, and R 12 is 2 to 6 valent organic groups. The organic group, R 13 , represents a 2 to 12 valent organic group. R 14 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. p represents an integer from 0 to 2, and q represents an integer from 0 to 10. n represents an integer from 0 to 2.

R6 내지 R13은 모두 방향족환 및/또는 지방족환을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that R 6 to R 13 all have an aromatic ring and/or an aliphatic ring.

식 (17) 내지 (20) 중의 R6, R8, R10, R12(COOR14)n(OH)p를 포함하는 부분 구조는, 예를 들어 각각에 대응하는 카르복실산 성분을 사용함으로써 얻을 수 있다. 즉, 예를 들어 R6은 테트라카르복실산, R8은 디카르복실산, R10은 트리카르복실산, R12는 디-, 트리- 또는 테트라-카르복실산을 사용함으로써 얻을 수 있다. R6, R8, R10, R12(COOR14)n(OH)p를 얻기 위해서 사용되는 카르복실산 성분의 예로서는, 디카르복실산의 예로서, 테레프탈산, 이소프탈산, 디페닐에테르 디카르복실산, 비스(카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 비페닐 디카르복실산, 벤조페논 디카르복실산, 트리페닐 디카르복실산 등, 트리카르복실산의 예로서, 트리멜리트산, 트리메스산, 디페닐에테르트리카르복실산, 비페닐트리카르복실산 등, 테트라카르복실산의 예로서, 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산, 2,3,5,6-피리딘 테트라카르복실산, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 등의 방향족 테트라카르복실산이나, 부탄테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 등의 지방족 테트라카르복실산 등을 들 수 있다. 이들 중, 식 (18)에 있어서는, 트리카르복실산, 테트라카르복실산 각각 1개 또는 2개의 카르복실기가 COOR14기에 상당한다. 이들 산 성분은, 그대로, 혹은 산 무수물, 활성 에스테르 등으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 2종 이상의 산 성분을 조합해서 사용해도 된다.The partial structure containing R 6 , R 8 , R 10 , R 12 (COOR 14 ) n (OH) p in formulas (17) to (20) can be formed, for example, by using the corresponding carboxylic acid component, respectively. You can get it. That is, for example, R 6 can be obtained by using tetracarboxylic acid, R 8 is dicarboxylic acid, R 10 is tricarboxylic acid, and R 12 is di-, tri- or tetra-carboxylic acid. Examples of carboxylic acid components used to obtain R 6 , R 8 , R 10 , R 12 (COOR 14 ) n (OH) p include dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, and diphenyl ether dicarboxylic acid. Boxylic acid, bis(carboxyphenyl)hexafluoropropane, biphenyl dicarboxylic acid, benzophenone dicarboxylic acid, triphenyl dicarboxylic acid, etc. Examples of tricarboxylic acids include trimellitic acid and trimesic acid. , diphenyl ether tricarboxylic acid, biphenyl tricarboxylic acid, etc., examples of tetracarboxylic acids include pyromellitic acid, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3, 3',4'-Biphenyltetracarboxylic acid, 2,2',3,3'-Biphenyltetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,2 ',3,3'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)hexafluoro Propane, 1,1-bis(3,4-dicarboxyphenyl)ethane, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane, bis(2, 3-dicarboxyphenyl)methane, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone, bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3, Aromatic tetracarboxylic acids such as 6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3,5,6-pyridine tetracarboxylic acid, and 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid, or butane tetracarboxylic acid. and aliphatic tetracarboxylic acids such as boxylic acid and 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid. Among these, in formula (18), one or two carboxyl groups of tricarboxylic acid and tetracarboxylic acid respectively correspond to COOR 14 groups. These acid components can be used as is or as acid anhydrides, activated esters, etc. Additionally, these two or more types of acid components may be used in combination.

알칼리 가용성 수지 (B)는, 전술한 바와 같이, 카르복실산 성분의 잔기에 식 (16)으로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하기 때문에, 카르복실산 성분의 예로서, 비스(카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판이 바람직하다.As described above, the alkali-soluble resin (B) preferably has the structure represented by formula (16) in the residue of the carboxylic acid component. As an example of the carboxylic acid component, bis(carboxyphenyl)hexafluoro Propane, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane, and 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane are preferred.

식 (17) 내지 (20) 중의 R7, R9, R11, R13(OH)q를 포함하는 부분 구조는, 예를 들어 각각에 대응하는 디아민 성분을 사용함으로써 얻을 수 있다. R7, R9, R11, R13(OH)q를 얻기 위해서 사용되는 디아민 성분의 예로서는, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)메틸렌, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)에테르, 비스(3-아미노-4-히드록시)비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)플루오렌 등의 히드록실기 함유 디아민, 3-술폰산-4,4'-디아미노디페닐에테르 등의 술폰산 함유 디아민, 디머캅토 페닐렌디아민 등의 티올기 함유 디아민, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 벤진, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스 {4-(4-아미노페녹시)페닐}에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2',3,3'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3',4,4'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 등의 방향족 디아민이나, 이들 방향족환의 수소 원자의 일부를, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 트리플루오로메틸기, 할로겐 원자 등으로 치환한 화합물, 시클로헥실디아민, 메틸렌비스 시클로헥실아민 등의 지환식 디아민, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 등의 실록산계 디아민을 들 수 있다. 이들 디아민은, 그대로, 혹은 대응하는 디이소시아네이트 화합물, 트리메틸실릴화디아민으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 2종 이상의 디아민 성분을 조합해서 사용해도 된다. 내열성이 요구되는 용도로는, 방향족 디아민을 디아민 전체의 50몰% 이상 사용하는 것이 바람직하다.The partial structure containing R 7 , R 9 , R 11 , and R 13 (OH) q in formulas (17) to (20) can be obtained, for example, by using the diamine component corresponding to each. Examples of diamine components used to obtain R 7 , R 9 , R 11 , R 13 (OH) q include bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, bis(3-amino-4- Hydroxyphenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)methylene, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ether, bis( Hydroxyl group-containing diamines such as 3-amino-4-hydroxy)biphenyl and bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)fluorene, 3-sulfonic acid-4,4'-diaminodiphenyl ether, etc. Sulfonic acid-containing diamines, thiol group-containing diamines such as dimercaptophenylenediamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4 ,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-dia minodiphenyl sulfide, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, benzine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis( 4-aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(3-aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}ether, 1,4- Bis(4-aminophenoxy)benzene, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'- Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2',3,3'-tetramethyl-4,4'-diamino Biphenyl, 3,3',4,4'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, etc. Aromatic diamines, compounds in which some of the hydrogen atoms of these aromatic rings are replaced with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a halogen atom, etc., alicyclic diamines such as cyclohexyldiamine and methylenebiscyclohexylamine, 1, Siloxane-based diamines such as 3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane can be mentioned. These diamines can be used as is or as the corresponding diisocyanate compound, trimethylsilylated diamine. Additionally, you may use these two or more types of diamine components in combination. For applications requiring heat resistance, it is preferable to use aromatic diamine in an amount of 50 mol% or more of the total diamine.

알칼리 가용성 수지 (B)는, 전술한 바와 같이, 디아민 성분의 잔기에 식 (16)으로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하기 때문에, 디아민 성분의 예로서, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판이 바람직하다.As described above, the alkali-soluble resin (B) preferably has a structure represented by formula (16) in the residue of the diamine component. As an example of the diamine component, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl ) Hexafluoropropane is preferred.

또한, 알칼리 가용성 수지 (B)는, 전극과의 접착성의 관점에서, 디아민 성분에 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 등의 실록산계 디아민을 갖는 것이 바람직하다. 수지 경화물의 특성 (v) 중의 Si 원자의 농도에 기여한다.In addition, the alkali-soluble resin (B) preferably has a siloxane-based diamine such as 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane as the diamine component from the viewpoint of adhesiveness with the electrode. Contributes to the concentration of Si atoms in the properties (v) of the cured resin.

식 (17) 내지 (20)의 R6 내지 R13은, 그 골격중에 페놀성 수산기, 술폰산기, 티올기 등을 포함할 수 있다. 페놀성 수산기, 술폰산기 또는 티올기를 적절하게 갖는 수지를 사용함으로써 적당한 알칼리 가용성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 된다.R 6 to R 13 in formulas (17) to (20) may contain a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, etc. in the skeleton. By using a resin appropriately having a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, or a thiol group, a positive photosensitive resin composition with appropriate alkali solubility can be obtained.

또한, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시키기 위해서, 알칼리 가용성 수지 (B)의 수지는 주쇄 말단을 공지된 모노아민, 산 무수물, 모노카르복실산, 모노 산 클로라이드 화합물, 모노 활성 에스테르 화합물 등의 말단 밀봉제로 밀봉하는 것이 바람직하다. 말단 밀봉제로서 사용되는 모노아민의 도입 비율은, 전아민 성분에 대하여, 바람직하게는 0.1몰% 이상, 특히 바람직하게는 5몰% 이상이며, 바람직하게는 60몰% 이하, 특히 바람직하게는 50몰% 이하이다. 말단 밀봉제로서 사용되는 산 무수물, 모노카르복실산, 모노산 클로라이드 화합물 또는 모노 활성 에스테르 화합물의 도입 비율은, 디아민 성분에 대하여, 바람직하게는 0.1몰% 이상, 특히 바람직하게는 5몰% 이상이며, 바람직하게는 100몰% 이하, 특히 바람직하게는 90몰% 이하이다. 복수의 말단 밀봉제를 반응시킴으로써, 복수의 다른 말단기를 도입해도 된다.In addition, in order to improve the storage stability of the photosensitive resin composition, the main chain terminal of the alkali-soluble resin (B) is a known monoamine, acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound, or monoactive ester compound terminal. It is desirable to seal with a sealant. The introduction ratio of the monoamine used as the end cap agent is preferably 0.1 mol% or more, particularly preferably 5 mol% or more, preferably 60 mol% or less, especially preferably 50 mol% or more, relative to the total amine component. It is less than mol%. The introduction rate of the acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound or monoactive ester compound used as the end cap agent is preferably 0.1 mol% or more, particularly preferably 5 mol% or more, relative to the diamine component. , Preferably it is 100 mol% or less, especially preferably 90 mol% or less. A plurality of different end groups may be introduced by reacting a plurality of end capping agents.

식 (17) 내지 (19)의 어느 것으로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지에 있어서, 구조 단위의 반복수는 3 이상 200 이하가 바람직하다. 또한, 식 (20)으로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지에 있어서, 구조 단위의 반복수는 10 이상 1000 이하가 바람직하다. 이 범위이면, 두꺼운 수지 경화물을 용이하게 형성할 수 있다.In the resin having a structural unit represented by any of formulas (17) to (19), the repeating number of the structural unit is preferably 3 or more and 200 or less. In addition, in the resin having the structural unit represented by formula (20), the number of repeats of the structural unit is preferably 10 or more and 1000 or less. Within this range, a thick cured resin can be easily formed.

알칼리 가용성 수지 (B)는, 식 (17) 내지 (20)의 어느 것으로 표시되는 구조 단위만을 포함하는 것이어도 되고, 다른 구조 단위와의 공중합체 혹은 혼합체여도 된다. 그 때, 식 (17) 내지 (20)의 어느 것으로 표시되는 구조 단위를 수지 전체의 10질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 30질량% 이상이 보다 바람직하다. 공중합혹은 혼합에 사용되는 구조 단위의 종류 및 양은, 최종 가열 처리에 의해 얻어지는 수지 경화물의 기계 특성을 손상시키지 않는 범위에서 선택할 수 있다.The alkali-soluble resin (B) may contain only structural units represented by any of formulas (17) to (20), or may be a copolymer or mixture with other structural units. At that time, it is preferable to contain 10% by mass or more of the entire resin, and more preferably 30% by mass or more of the structural unit represented by any of formulas (17) to (20). The type and amount of structural units used for copolymerization or mixing can be selected within a range that does not impair the mechanical properties of the cured resin product obtained by final heat treatment.

감광성 수지 조성물은 감광제 (C)를 포함하는 것이 바람직하다. 감광제 (C)를 포함함으로써, 본 발명의 적층체에 있어서의 상기 제1 전극 상에 있는 상기 수지 경화물의 개구부를 포토리소그래피로 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition preferably contains a photosensitive agent (C). By including the photosensitive agent (C), the opening of the cured resin on the first electrode in the laminate of the present invention can be formed by photolithography.

감광제 (C)는 광에 의해 경화하는 네가티브 타입이거나, 광에 의해 가용화하는 포지티브 타입이어도 된다. 감광제 (C)로서, 중합성 불포화 화합물 및 광중합 개시제 (C-1), 또는 퀴논디아지드 화합물 (C-2) 등을 바람직하게 함유할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 중합성 불포화 화합물 및 광중합 개시제 (C-1)을 단순히 (C-1)이라 하는 경우가 있다. 퀴논디아지드 화합물 (C-2)를 함유함으로써, 포지티브 타입의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있고, 단차 형상의 수지 경화물을 후술하는 「하프 노광」에 의해 1회의 포토리소그래피로 형성할 수 있기 때문에, 바람직하다. 따라서, 감광성 수지 조성물에 있어서, 감광제 (C)가 퀴논디아지드 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitizer (C) may be a negative type that hardens with light, or a positive type that solubilizes with light. As the photosensitizer (C), a polymerizable unsaturated compound, a photopolymerization initiator (C-1), or a quinonediazide compound (C-2) may be preferably contained. In addition, in the present invention, the polymerizable unsaturated compound and photopolymerization initiator (C-1) may be simply referred to as (C-1). By containing the quinonediazide compound (C-2), a positive type photosensitive resin composition can be obtained, and a stepped resin cured product can be formed in one photolithography by “half exposure” described later. desirable. Therefore, in the photosensitive resin composition, it is preferable that the photosensitive agent (C) contains a quinonediazide compound.

(C-1) 중의 중합성 불포화 화합물로서는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 등의 불포화 이중 결합 관능기 및/또는 프로파르길기 등의 불포화 삼중 결합 관능기를 갖는 화합물 등 공지된 것을 들 수 있고, 이들 중에서도 공액형의 비닐기나 아크릴로일기, 메타크릴로일기가 중합성의 면으로 바람직하다. 또한 그 관능기가 함유되는 수로서는 안정성의 점에서 1 내지 4인 것이 바람직하고, 각각은 동일한 기가 아니더라도 상관없다. 또한, 여기서 말하는 화합물은, 분자량 30 내지 800의 것이 바람직하다. 분자량이 30 내지 800의 범위이면, 폴리머 및 반응성 희석제와의 상용성이 좋다. 구체적으로는, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 1,10-데칸디올디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 메틸렌비스아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, 2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐메타크릴레이트, 2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐아크릴레이트, N-메틸-2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐메타크릴레이트, N-메틸-2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 비스페놀 A 디아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 비스페놀 A 디메타크릴레이트, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.Examples of the polymerizable unsaturated compound in (C-1) include compounds having an unsaturated double bond functional group such as a vinyl group, allyl group, acryloyl group, or methacryloyl group, and/or an unsaturated triple bond functional group such as a propargyl group. These include known ones, and among these, conjugated vinyl, acryloyl, and methacryloyl groups are preferable in terms of polymerizability. In addition, the number of functional groups contained is preferably 1 to 4 from the viewpoint of stability, and each group may not be the same group. In addition, the compound referred to here preferably has a molecular weight of 30 to 800. When the molecular weight is in the range of 30 to 800, compatibility with polymers and reactive diluents is good. Specifically, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, penta. Erythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, methylenebisacrylamide , N,N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl methacrylate, 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, N -Methyl-2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl methacrylate, N-methyl-2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate, Examples include ethylene oxide-modified bisphenol A dimethacrylate, N-vinylpyrrolidone, and N-vinylcaprolactam. These are used individually or in combination of two or more types.

본 발명에 있어서, (C-1) 중의 중합성 불포화 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 가용성 수지 (B) 100질량부에 대하여, 알칼리 가용성 향상의 관점에서 5질량부 이상이 바람직하고, 양호한 패턴 형성의 관점에서 50질량부 이하가 바람직하다.In the present invention, the content of the polymerizable unsaturated compound in (C-1) is not particularly limited, but is preferably 5 parts by mass or more from the viewpoint of improving alkali solubility, based on 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (B). From the viewpoint of pattern formation, 50 parts by mass or less is preferable.

(C-1) 중의 광중합 개시제란, 자외 ~ 가시광 영역의 광이 조사됨으로써, 주로 라디칼을 발생함으로써 중합을 개시하는 것을 의미한다. 범용의 광원을 사용할 수 있는 점 및 속경화성의 관점에서, 아세토페논 유도체, 벤조페논 유도체, 벤조인에테르 유도체, 크산톤 유도체에서 선택되는 공지된 광중합 개시제가 바람직하다. 바람직한 광중합 개시제의 예로서는, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1-히드록시-시클로헥실페닐케톤, 이소부틸벤조인에테르, 벤조인메틸에테르, 티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등을 들 수 있지만 이들에 한정되지 않는다.The photopolymerization initiator in (C-1) means that polymerization is initiated mainly by generating radicals when irradiated with light in the ultraviolet to visible light range. From the viewpoint of being able to use a general-purpose light source and fast curing properties, a known photopolymerization initiator selected from acetophenone derivatives, benzophenone derivatives, benzoin ether derivatives, and xanthone derivatives is preferred. Examples of preferred photopolymerization initiators include diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, and 1-hydroxy-cyclohexylphenyl. Ketone, isobutyl benzoin ether, benzoin methyl ether, thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, Examples include, but are not limited to, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1.

(C-1) 중의 광중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 가용성 수지 (B) 100질량부에 대하여 1질량부 이상, 10질량부 이하가 바람직하다. 이 범위이면, 양호한 패턴 형성에 필요한 수지와의 상호 작용과, 적정한 감도를 얻기 위한 투과율을 확보하기 쉬워진다.The content of the photopolymerization initiator in (C-1) is not particularly limited, but is preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (B). Within this range, it becomes easy to ensure interaction with the resin necessary for forming a good pattern and transmittance for obtaining appropriate sensitivity.

퀴논디아지드 화합물 (C-2)로서는, 폴리히드록시 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르 결합한 것, 폴리아미노 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 술폰아미드 결합한 것, 폴리히드록시폴리아미노 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르 결합 및/또는 술폰아미드 결합한 것 등 공지된 것을 들 수 있다. 이들 폴리히드록시 화합물, 폴리아미노 화합물, 폴리히드록시폴리아미노 화합물의 모든 관능기가 퀴논디아지드로 치환되어 있지 않아도 되지만, 평균하여 관능기 전체의 40몰% 이상이 퀴논디아지드로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 퀴논디아지드로 치환되어 있는 관능기의 몰%를 퀴논디아지드 치환율이라고 칭한다. 이러한 퀴논디아지드 화합물을 사용함으로써 일반적인 자외선인 수은등의 i선(파장 365㎚), h선(파장 405㎚), g선(파장 436㎚)에 감광하는 포지티브형의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The quinonediazide compound (C-2) includes an ester bond of quinonediazide sulfonic acid to a polyhydroxy compound, a sulfonamide bond of quinonediazide sulfonic acid to a polyamino compound, and quinonediazide bond to a polyhydroxypolyamino compound. Known examples include those in which the sulfonic acid of azide is linked to an ester linkage and/or a sulfonamide linkage. Although not all functional groups of these polyhydroxy compounds, polyamino compounds, and polyhydroxypolyamino compounds need to be substituted with quinonediazide, it is preferable that on average, 40 mol% or more of all functional groups are substituted with quinonediazide. . In the present invention, the mole percent of the functional group substituted with quinonediazide is referred to as the quinonediazide substitution rate. By using such a quinonediazide compound, a positive photosensitive resin composition that is sensitive to the i-ray (wavelength 365 nm), h-ray (wavelength 405 nm), and g-ray (wavelength 436 nm) of a mercury lamp, which are common ultraviolet rays, can be obtained.

여기에서 사용하는 폴리히드록시 화합물은, 페놀성 수산기를 분자 내에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 갖는 것이다. 폴리히드록시 화합물은, 예를 들어 Bis-Z, BisP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, TrisP-SA, TrisOCR-PA, BisOCHP-Z, BisP-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, BisOCP-IPZ, BisP-CP, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, 메틸렌트리스-FR-CR, BisRS-26X, DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, 디메틸올-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-BP, TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP(이상 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), BIR-OC, BIP-PC, BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-F, TEP-BIP-A, 46DMOC, 46DMOEP, TM-BIP-A(이상 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), 2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸, 나프톨, 테트라히드록시벤조페논, 갈산메틸에스테르, 비스페놀 A, 비스페놀E, 메틸렌비스페놀, BisP-AP(상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), 노볼락 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.The polyhydroxy compound used herein has two or more, preferably three or more, phenolic hydroxyl groups in the molecule. Polyhydroxy compounds include, for example, Bis-Z, BisP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, TrisP-SA, TrisOCR-PA, BisOCHP-Z, BisP-MZ, BisP-PZ, BisP -IPZ, BisOCP-IPZ, BisP-CP, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, Methylene Tris-FR-CR, BisRS-26X, DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, Dimethylol-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-BP , TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP (trade names above, manufactured by Honshu Kagaku Kogyo Co., Ltd.), BIR-OC, BIP-PC, BIR- PC, BIR-PTBP, BIR-PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-F, TEP-BIP-A, 46DMOC, 46DMOEP, TM-BIP-A (above product names, Asahi Yukizai High School Co., Ltd.) 1st), 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol, naphthol, tetrahydroxybenzophenone , methyl gallate ester, bisphenol A, bisphenol E, methylene bisphenol, BisP-AP (brand name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), novolac resin, etc., but is not limited to these.

폴리아미노 화합물은, 예를 들어 1,4-페닐렌디아민, 1,3-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Polyamino compounds include, for example, 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4' -Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, etc. are mentioned, but are not limited to these.

또한, 폴리히드록시폴리아미노 화합물은, 예를 들어 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 3,3'-디히드록시벤지딘 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In addition, polyhydroxypolyamino compounds include, for example, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, 3,3'-dihydroxybenzidine, etc. It is not limited to

또한, 퀴논디아지드의 술폰산으로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In addition, examples of the sulfonic acid of quinonediazide include, but are not limited to, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid.

본 발명에서는, 퀴논디아지드 화합물 (C-2)로서, 폴리히드록시 화합물에 퀴논디아지드술폰산이 결합한 것이 바람직하게 사용된다. 이러한 퀴논디아지드 화합물을 사용함으로써 일반적인 자외선인 수은등의 i선(파장 365㎚), h선(파장 405㎚), g선(파장 436㎚)에 감광하고, 높은 감도와, 더 높은 해상도를 얻을 수 있다.In the present invention, a quinonediazide compound (C-2) in which quinonediazide sulfonic acid is bonded to a polyhydroxy compound is preferably used. By using these quinonediazide compounds, it is possible to obtain high sensitivity and higher resolution by being sensitive to the i-ray (wavelength 365 nm), h-ray (wavelength 405 nm), and g-ray (wavelength 436 nm) of mercury lamps, which are common ultraviolet rays. there is.

보다 바람직한 퀴논디아지드 화합물 (C-2)로서는, 식 (21) 또는 식 (22)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.A more preferable quinonediazide compound (C-2) includes a compound represented by formula (21) or formula (22).

Figure pct00011
Figure pct00011

식 (21) 및 식 (22) 중, Q는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 구조식 (23)로 표시되는 기 또는 구조식 (24)로 표시되는 기를 나타낸다.In formulas (21) and (22), Q each independently represents a hydrogen atom, a group represented by structural formula (23), or a group represented by structural formula (24).

Figure pct00012
Figure pct00012

상기 식 (21) 및 식 (22) 중의 Q가, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 구조식 (21)로 표시되는 기로 나타나는 것이, 감도의 관점에서 더욱 바람직하다.It is more preferable from the viewpoint of sensitivity that Q in the above formulas (21) and (22) each independently represents a hydrogen atom or a group represented by structural formula (21).

퀴논디아지드 치환율은, 폴리히드록시 화합물의 경우 「(퀴논디아지드술폰산 에스테르기 몰수)/(폴리히드록시 화합물의 에스테르화 전의 히드록시기 몰수)×100」으로 하고, 폴리아미노 화합물의 경우 「(퀴논디아지드술폰산아미드기 몰수)/(폴리아미노 화합물의 아미드화 전의 아미노기 몰수)×100」으로 하고, 폴리히드록시폴리아미노 화합물의 경우 {(퀴논디아지드술폰산 에스테르기 몰수)+(퀴논디아지드술폰산아미드기 몰수)}/{(폴리히드록시폴리아미노 화합물의 에스테르화 전의 히드록시기 몰수)+(폴리히드록시폴리아미노 화합물의 아미드화 전의 아미노기 몰수)}×100」으로 하여 구할 수 있다.The quinonediazide substitution rate is set as “(number of moles of quinonediazide sulfonic acid ester group)/(number of moles of hydroxy groups before esterification of the polyhydroxy compound) Number of moles of azide sulfonic acid amide group)/(number of moles of amino group before amidation of polyamino compound) Number of moles)}/{(Number of moles of hydroxy groups before esterification of the polyhydroxypolyamino compound)+(Number of moles of amino groups before amidation of the polyhydroxypolyamino compound)}×100.”

본 발명에서는 2종 이상의 퀴논디아지드 화합물을 사용할 수 있다. 이 경우, 퀴논디아지드 치환율로서, 하기 식과 같이, 각 퀴논디아지드 화합물의 퀴논디아지드 치환율에 전체 퀴논디아지드 화합물에 대한 비율을 곱한 값을 합계하는 것으로 구해진다.In the present invention, two or more types of quinonediazide compounds can be used. In this case, the quinonediazide substitution rate is calculated by summing the quinonediazide substitution rate of each quinonediazide compound multiplied by the ratio to all quinonediazide compounds, as shown in the following formula.

Σ((어느 퀴논디아지드 화합물의 퀴논디아지드 치환율)×(전체 퀴논디아지드 화합물에 대한 어떤 퀴논디아지드 화합물의 비율))Σ((Quinonediazide substitution rate of a certain quinonediazide compound) × (Ratio of a certain quinonediazide compound to all quinonediazide compounds))

또한, 감광성 수지 조성물 중의 퀴논디아지드 화합물의 퀴논디아지드 치환율은, 감광성 수지 조성물의 수지 성분을 재침전법 등으로 제거 후, 칼럼 분취법 등에서 함유 성분을 분리하고, NMR이나 IR에서 화학 구조를 동정함으로써 구할 수 있다.In addition, the quinonediazide substitution rate of the quinonediazide compound in the photosensitive resin composition can be determined by removing the resin component of the photosensitive resin composition by a reprecipitation method or the like, separating the contained components by a column preparative method, etc., and identifying the chemical structure by NMR or IR. You can get it.

퀴논디아지드 화합물의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 통상법에 따라서 퀴논디아지드술폰산 할라이드(바람직하게는 퀴논디아지드술폰산 클로라이드)를, 아세톤, 디옥산, 테트라히드로푸란 등의 용매 중에서 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화나트륨이나 수산화칼륨 등의 무기 염기, 또는 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 디이소프로필아민, 트리부틸아민, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 피리딘, 디시클로헥실아민 등의 유기 염기의 존재 하, 폴리히드록시 화합물과 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The method for producing the quinonediazide compound is not particularly limited, but according to a conventional method, quinonediazide sulfonic acid halide (preferably quinonediazide sulfonic acid chloride) is dissolved in sodium carbonate or sodium bicarbonate in a solvent such as acetone, dioxane, or tetrahydrofuran. , inorganic bases such as sodium hydroxide or potassium hydroxide, or trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, diisopropylamine, tributylamine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, pyridine, dicyclo It can be obtained by reacting with a polyhydroxy compound in the presence of an organic base such as hexylamine.

퀴논디아지드 화합물 (C-2)의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 가용성 수지 (B) 100질량부에 대하여, 퀴논디아지드 화합물 (C-2)의 함유량은, 10질량부 이상이 바람직하고, 20질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 50질량부 이하가 바람직하고, 40질량부 이하가 보다 바람직하다. 퀴논디아지드 화합물의 함유량을 이 범위로 함으로써, 발액성을 저해하지 않고 감광성을 얻을 수 있다.The content of the quinonediazide compound (C-2) is not particularly limited, but the content of the quinonediazide compound (C-2) is preferably 10 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (B). 20 parts by mass or more is more preferable. Moreover, 50 parts by mass or less is preferable, and 40 parts by mass or less is more preferable. By setting the content of the quinonediazide compound within this range, photosensitivity can be obtained without impairing the liquid repellency.

감광제 (C)에 퀴논디아지드 화합물 (C-2)를 포함하는 포지티브 타입의 감광성 수지 조성물로서 사용하는 경우, 알칼리 가용성 수지 (B)가 페놀 수지 및/또는 폴리히드록시스티렌 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 2종 이상의 페놀 수지 및/또는 폴리히드록시스티렌 수지를 조합해서 사용해도 된다. 퀴논디아지드 화합물 (C-2)와 페놀 수지 및/또는 폴리히드록시스티렌 수지를 포함함으로써, 후술하는 현상 공정에서 감광성 수지 건조물의 두께 감소량을 저하시킬 수 있기 때문에, 폴리실록산 (A)를 수지 경화물 표면에 고정시키기 쉽게 하는 효과가 있어, 보다 양호한 발액성을 얻을 수 있다.When used as a positive type photosensitive resin composition containing a quinonediazide compound (C-2) in the photosensitizer (C), it is preferable that the alkali-soluble resin (B) contains a phenol resin and/or a polyhydroxystyrene resin. do. Additionally, you may use these two or more types of phenol resin and/or polyhydroxystyrene resin in combination. By including the quinonediazide compound (C-2) and the phenol resin and/or polyhydroxystyrene resin, the amount of thickness reduction of the photosensitive resin dried product can be reduced in the developing process described later, so polysiloxane (A) is used in the cured resin. It has the effect of making it easier to fix to the surface, and better liquid repellency can be obtained.

페놀 수지는 노볼락 페놀 수지나 레졸 페놀 수지가 있고, 다양한 페놀 화합물의 단독 혹은 그들 복수종의 혼합물을 포르말린 등의 알데히드 화합물을 사용해서 공지된 방법으로 중축합함으로써 얻어진다.Phenol resins include novolac phenol resins and resol phenol resins, and are obtained by polycondensing various phenol compounds alone or a mixture of multiple types thereof using an aldehyde compound such as formalin by a known method.

노볼락 페놀 수지 및 레졸 페놀 수지를 구성하는 페놀 화합물로서는, 예를 들어 페놀, p-크레졸, m-크레졸, o-크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 메틸렌비스페놀, 메틸렌비스p-크레졸, 레조르신, 카테콜, 2-메틸레조르신, 4-메틸레조르신, o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로 페놀, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, p-부톡시페놀, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, p-이소프로필페놀, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는, 복수의 혼합물로서 사용할 수 있다. 또한, 알데히드 화합물로서는, 포르말린 외에, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 히드록시 벤즈알데히드, 클로로 아세트알데히드 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 복수의 혼합물로서 사용할 수 있다.Phenol compounds constituting the novolac phenol resin and resol phenol resin include, for example, phenol, p-cresol, m-cresol, o-cresol, 2,3-dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol, 2,5- Dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 2,3,4-trimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol , 2,4,5-trimethylphenol, methylenebisphenol, methylenebisp-cresol, resorcin, catechol, 2-methylresorcin, 4-methylresorcin, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chloro Phenol, 2,3-dichloro phenol, m-methoxy phenol, p-methoxy phenol, p-butoxy phenol, o-ethyl phenol, m-ethyl phenol, p-ethyl phenol, 2,3-diethyl phenol, Examples include 2,5-diethylphenol, p-isopropylphenol, α-naphthol, and β-naphthol, and these can be used individually or in a mixture of two or more. In addition to formalin, aldehyde compounds include paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, and chloroacetaldehyde, and these can be used individually or in a mixture of two or more.

폴리히드록시스티렌 수지로서는, 비닐페놀의 호모 폴리머 또는 스티렌과의 공중합체를 사용하는 것도 가능하다.As the polyhydroxystyrene resin, it is also possible to use a homopolymer of vinyl phenol or a copolymer of styrene.

페놀 수지, 폴리히드록시스티렌 수지의 바람직한 중량 평균 분자량은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산으로 2,000 내지 20,000, 바람직하게는 3,000 내지 10,000이다. 이 범위이면, 고농도 또한 저점도나 수지 조성물을 얻을 수 있다.The preferred weight average molecular weight of the phenol resin and polyhydroxystyrene resin is 2,000 to 20,000, preferably 3,000 to 10,000, in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography). Within this range, a resin composition with high concentration and low viscosity can be obtained.

감광성 수지 조성물은, 감광제 (C)에 퀴논디아지드 화합물 (C-2)를 포함하는 포지티브 타입의 감광성 수지 조성물로서 사용하는 경우, 발액성의 관점에서 알칼리 가용성 수지 (B) 100질량부 중에, 페놀 수지 및/또는 폴리히드록시스티렌 수지를 20질량부이상 포함하는 것이 바람직하고, 30질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 아웃 가스의 관점에서, 50질량부 이하가 바람직하고, 40질량부 이하가 보다 바람직하다.When the photosensitive resin composition is used as a positive type photosensitive resin composition containing a quinonediazide compound (C-2) as the photosensitive agent (C), from the viewpoint of liquid repellency, phenol is added to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (B). It is preferable that it contains 20 parts by mass or more of resin and/or polyhydroxystyrene resin, and 30 parts by mass or more is more preferable. Moreover, from the viewpoint of outgassing, 50 parts by mass or less is preferable, and 40 parts by mass or less is more preferable.

감광성 수지 조성물은, 유기 용제 (D)를 함유하는 것이 바람직하다. 유기 용제 (D)로서는, 예를 들어 에테르류, 아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 아미드류, 알코올류, 기타 각종 공지된 유기 용제 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition preferably contains an organic solvent (D). Examples of the organic solvent (D) include ethers, acetates, esters, ketones, aromatic hydrocarbons, amides, alcohols, and various other known organic solvents.

보다 구체적으로는, 예를 들어 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 혹은 테트라히드로푸란 등의 에테르류, 부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이하, 「PGMEA」라고 칭하는 경우가 있다.), 3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 3-메톡시-3-메틸-1-부틸아세테이트 등의 아세테이트류, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논 혹은 3-헵타논 등의 케톤류, 2-히드록시 프로피온산메틸 혹은 2-히드록시 프로피온산에틸 등의 락트산 알킬에스테르류, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 히드록시 아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄 산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, γ-부티로락톤, 등의 다른 에스테르류, 톨루엔 혹은 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 혹은 N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류, 또는 부틸알코올, 이소부틸 알코올, 펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-2-부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올 혹은 디아세톤 알코올 등의 알코올류 등을 들 수 있다.More specifically, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether. Ethers such as methyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether or tetrahydrofuran, butyl acetate, ethylene glycol mono. Methyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter sometimes referred to as “PGMEA”), 3-methoxybutyl acetate, propylene glycol diacetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, Acetates such as dipropylene glycol methyl ether acetate and 3-methoxy-3-methyl-1-butyl acetate, ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone or 3-heptanone, and 2-hydroxy Lactic acid alkyl esters such as methyl propionate or 2-hydroxy ethyl propionate, 2-hydroxy-2-methyl ethyl propionate, 3-methoxy methyl propionate, 3-methoxy ethyl propionate, 3-ethoxy methyl propionate, 3- Ethyl ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxy acetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3 -Other esters such as methoxybutylpropionate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, γ-butyrolactone, aromatic hydrocarbons such as toluene or xylene, N-methylpyrrolidone, N,N-dimethyl Amides such as formamide or N,N-dimethylacetamide, or butyl alcohol, isobutyl alcohol, pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 3-methyl-2-butanol, 3-methyl-3-meth Alcohols such as toxybutanol or diacetone alcohol can be mentioned.

상기 유기 용제 (D)의 사용량은, 필요로 하는 두께나 채용하는 도포 방법에 따라서 변경하기 위해서 특별히 한정되지 않지만, 감광성 수지 조성물의 고형분(유기 용제 (D)를 제외한 기타 성분) 100질량부에 대하여, 100 내지 2000질량부가 바람직하고, 특히 150 내지 900질량부가 바람직하다.The amount of the organic solvent (D) used is not particularly limited as it can be changed depending on the required thickness or the application method employed, but is based on 100 parts by mass of the solid content (other components excluding the organic solvent (D)) of the photosensitive resin composition. , 100 to 2000 parts by mass is preferable, and 150 to 900 parts by mass is particularly preferable.

감광성 수지 조성물은, 더욱 열 가교제를 함유할 수 있다. 열 가교제란, 메틸올기, 알콕시메틸기, 에폭시기, 옥세타닐기,기타 공지된 열 가교제를 비롯한 열반응성의 관능기를 분자 내에 적어도 2개 갖는 화합물을 가리킨다. 열 가교제는 알칼리 가용성 수지 (B) 또는 기타 성분을 가교하고, 수지 경화물의 내구성을 높일 수 있다.The photosensitive resin composition may further contain a heat crosslinking agent. The thermal crosslinking agent refers to a compound having at least two thermally reactive functional groups in the molecule, including methylol group, alkoxymethyl group, epoxy group, oxetanyl group, and other known thermal crosslinking agents. The thermal crosslinking agent can crosslink the alkali-soluble resin (B) or other components and increase the durability of the cured resin product.

알콕시메틸기 또는 메틸올기를 적어도 2개 갖는 화합물의 바람직한 예로서는, 예를 들어 HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), NIKALAC(등록상표) MX-290, NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC MX-279, NIKALAC MW-100LM, NIKALAC MX-750LM(이상, 상품명, (주)산와 케미컬제)을 들 수 있고, 각각 상기 각사에서 입수할 수 있다.Preferred examples of compounds having at least two alkoxymethyl groups or methylol groups include HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), NIKALAC (registered trademark) MX-290, and NIKALAC. Examples include MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC MX-279, NIKALAC MW-100LM, and NIKALAC MX-750LM (above, brand name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), each of which can be obtained from the companies mentioned above.

에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물로서는, VG3101L(상품명, (주)프린텍제), "테픽"(등록상표) S, "테픽" G, "테픽" P(이상 상품명, 닛산 가가쿠 고교(주)제), "에피클론" N660, "에피클론" N695, HP7200(이상 상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제), "데나콜" EX-321L(상품명, 나가세 켐텍스(주)제), NC6000, EPPN502H, NC3000(이상 상품명, 닛폰 가야쿠(주)제), "에포토토"(등록상표) YH-434L(상품명, 도또 가세이(주)제), EHPE-3150(상품명, (주)다이셀제), 옥세타닐기를 2개 이상 갖는 화합물로서는, OXT-121, OXT-221, OX-SQ-H, OXT-191, PNOX-1009, RSOX(이상 상품명, 도아 고세(주)제), "에터나콜"(등록상표) OXBP, "에터나콜" OXTP(이상 상품명, 우베 고산(주)제) 등을 들 수 있고, 각각 각사에서 입수 가능하다.Compounds having an epoxy group or oxetanyl group include VG3101L (trade name, manufactured by Printec Co., Ltd.), “Tepic” (registered trademark) S, “Tepic” G, and “Tepic” P (trade name, Nissan Chemical Industries, Ltd.) (manufactured by), "Epiclon" N660, "Epiclon" N695, HP7200 (trade name above, manufactured by Dainippon Ink Chemicals Co., Ltd.), "Denacol" EX-321L (trade name, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) , NC6000, EPPN502H, NC3000 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), "EPOTOT" (registered trademark) YH-434L (trade name, manufactured by Doto Kasei Co., Ltd.), EHPE-3150 (trade name, manufactured by Doto Kasei Co., Ltd.) ), manufactured by Daicel), compounds having two or more oxetanyl groups include OXT-121, OXT-221, OX-SQ-H, OXT-191, PNOX-1009, RSOX (trade names above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) , “Eternacol” (registered trademark) OXBP, “Eternacol” OXTP (trade name above, manufactured by Ube Kosan Co., Ltd.), etc., and each is available from each company.

열 가교제로서는, 1분자 중에 페놀성 수산기를 가지며, 또한 상기 페놀성 수산기의 양쪽 오르토 위치에 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기를 갖는 것이 바람직하다. 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기를 페놀성 수산기에 인접하는 것으로, 수지 경화물의 내구성을 더욱 높일 수 있다. 알콕시메틸기로서는, 예를 들어 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.As a thermal crosslinking agent, it is preferable to have a phenolic hydroxyl group in one molecule and also to have a methylol group and/or an alkoxymethyl group at both ortho positions of the phenolic hydroxyl group. By having a methylol group and/or an alkoxymethyl group adjacent to a phenolic hydroxyl group, the durability of the cured resin product can be further improved. Examples of the alkoxymethyl group include, but are not limited to, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, propoxymethyl group, and butoxymethyl group.

열 가교제의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 (B) 총량 100질량부에 대하여, 5질량부 이상이 바람직하고, 10질량부 이상이 보다 바람직하고, 15질량부 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 50질량부 이하가 바람직하고, 40질량부 이하가 보다 바람직하고, 30질량부 이하가 더욱 바람직하다. 열 가교제의 함유량을 5질량부 이상으로 함으로써 수지 경화물의 내열성이 향상되고, 50질량부 이하로 함으로써 수지 경화물의 신도 저하를 방지할 수 있다.The content of the thermal crosslinking agent is preferably 5 parts by mass or more, more preferably 10 parts by mass or more, and still more preferably 15 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of the alkali-soluble resin (B). Moreover, 50 parts by mass or less is preferable, 40 parts by mass or less is more preferable, and 30 parts by mass or less is still more preferable. By setting the content of the thermal crosslinking agent to 5 parts by mass or more, the heat resistance of the cured resin product is improved, and by setting it to 50 parts by mass or less, a decrease in elongation of the cured resin product can be prevented.

감광성 수지 조성물을 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 예를 들어, 상기 폴리실록산 (A) 내지 감광제 (C) 및 기타 성분을 유기 용제 (D)에 용해시킴으로써 얻을 수 있다. 용해 방법으로서는, 교반이나 가열 등을 들 수 있다. 가열하는 경우, 가열 온도는 수지 조성물의 성능을 손상시키지 않는 범위에서 설정하는 것이 바람직하고, 통상 20℃ 내지 80℃이다. 또한, 각 성분의 용해 순서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 용해성이 낮은 화합물로부터 순차 용해시키는 방법이 있다.A method for manufacturing the photosensitive resin composition will be described. For example, it can be obtained by dissolving the polysiloxane (A) to photosensitizer (C) and other components in an organic solvent (D). Dissolution methods include stirring and heating. In the case of heating, the heating temperature is preferably set in a range that does not impair the performance of the resin composition, and is usually 20°C to 80°C. Additionally, the order of dissolution of each component is not particularly limited, and for example, there is a method of sequentially dissolving the components starting from the less soluble compounds.

얻어진 감광성 수지 조성물은, 여과 필터를 사용해서 여과하고, 티끌이나 입자를 제거하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 예를 들어 1㎛, 0.5㎛, 0.2㎛, 0.1㎛, 0.05㎛ 등이 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 여과 필터의 재질에는, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 나일론(NY), 폴리테트라플루오로에티에렌(PTFE) 등이 있지만, 폴리에틸렌이나 나일론을 사용해서 여과하는 것이 바람직하다.It is preferable to filter the obtained photosensitive resin composition using a filtration filter to remove dust and particles. Filter hole diameters include, for example, 1 μm, 0.5 μm, 0.2 μm, 0.1 μm, and 0.05 μm, but are not limited to these. The materials of the filtration filter include polypropylene (PP), polyethylene (PE), nylon (NY), and polytetrafluoroethylene (PTFE), but it is preferable to use polyethylene or nylon for filtration.

다음에 감광성 수지 조성물의 수지 경화물의 제조 방법을 설명한다. 감광성 수지 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써 수지 경화물을 얻는다. 나아가, 하기 (1) 내지 (4)의 공정을 이 순으로 행함으로써, 제1 전극 상의 적어도 일부가 개구되어 있는 수지 경화물을 형성할 수 있다.Next, a method for producing a cured resin product of the photosensitive resin composition will be described. A cured resin product is obtained by applying the photosensitive resin composition and drying it. Furthermore, by performing the steps (1) to (4) below in this order, it is possible to form a cured resin in which at least a portion of the first electrode is open.

(1) 제1 전극을 갖는 기판 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고 감광성 수지 건조물을 형성하는 공정(1) A process of applying a photosensitive resin composition on a substrate having a first electrode and forming a dried photosensitive resin product.

(2) 상기 감광성 수지 건조물을 노광하는 공정(2) Process of exposing the dried photosensitive resin material to light.

(3) 노광한 감광성 수지 건조물을 현상하는 공정(3) Process of developing the exposed photosensitive resin dried product

(4) 현상한 감광성 수지 건조물을 가열 처리함으로써 수지 경화물을 형성하는 공정(4) Process of forming a cured resin product by heat treating the developed photosensitive resin dried product.

먼저, (1) 제1 전극을 갖는 기판에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 감광성 수지 건조물을 형성하는 공정을 설명한다.First, the process of (1) applying a photosensitive resin composition to a substrate having a first electrode and forming a dried photosensitive resin product will be described.

제1 전극을 갖는 기판 상에 감광성 수지 조성물을 도포하는 방법으로서, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 인쇄법 등을 들 수 있다. 도포에 앞서, 감광성 수지 조성물을 도포하는 기판을 미리 전술한 밀착 개량제로 전처리해도 된다. 예를 들어, 밀착 개량제를 이소프로판올, 에탄올, 메탄올, 물, 테트라히드로푸란, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 아디프산디에틸 등의 용매에 0.5 내지 20질량% 용해시킨 용액을 사용하여, 기재 표면을 처리하는 방법을 들 수 있다. 기재 표면의 처리 방법으로서는, 스핀 코트, 슬릿 다이 코트, 바 코트, 딥 코트, 스프레이 코트, 증기 처리 등의 방법을 들 수 있다.Methods for applying the photosensitive resin composition on the substrate having the first electrode include spin coating, slit coating, dip coating, spray coating, and printing. Prior to application, the substrate to which the photosensitive resin composition is applied may be pretreated with the adhesion improving agent described above. For example, 0.5 to 20 mass% of the adhesion improving agent was dissolved in a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, and diethyl adipate. A method of treating the surface of a substrate using a solution is included. Methods for treating the surface of the substrate include spin coating, slit die coating, bar coating, dip coating, spray coating, and steam treatment.

다음에, 예를 들어 도포한 감광성 수지 건조물을 필요에 따라서 감압 건조 처리를 실시하고, 그 후, 핫 플레이트, 오븐, 적외선 등을 사용하여, 50℃ 내지 180℃의 범위로 1분간 내지 수 시간의 열처리를 실시함으로써 건조한 감광성 수지 건조물을 얻을 수 있다.Next, for example, the applied photosensitive resin dried product is subjected to reduced pressure drying as needed, and then dried at a temperature of 50°C to 180°C for 1 minute to several hours using a hot plate, oven, infrared rays, etc. By performing heat treatment, a dried photosensitive resin product can be obtained.

이어서, (2) 상기 감광성 수지 건조물을 노광하는 공정에 대해서 설명한다.Next, (2) the process of exposing the dried photosensitive resin material to light is explained.

감광성 수지 건조물 상에 원하는 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 화학선을 조사한다. 노광에 사용되는 화학선으로서는 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등이 있지만, 본 발명에서는 수은등의 i선(365㎚), h선(405㎚), g선(436㎚)을 사용하는 것이 바람직하다. 화학선을 조사한 후, 노광 후 베이크를 해도 상관없다. 노광 후 베이크를 행함으로써, 현상 후의 해상도 향상 또는 현상 조건의 허용폭 증대 등의 효과를 기대할 수 있다. 노광 후 베이크는, 오븐, 핫 플레이트, 적외선, 플래시 어닐 장치 또는 레이저 어닐 장치 등을 사용할 수 있다. 노광 후 베이크 온도로서는, 50 내지 180℃가 바람직하고, 60 내지 150℃가 보다 바람직하다. 노광 후 베이크 시간은, 10초 내지 수 시간이 바람직하다. 노광 후 베이크 시간이 상기 범위 내이면, 반응이 양호하게 진행되어, 현상 시간을 짧게 할 수 있는 경우가 있다. 이때, 격자상의 포토마스크를 사용함으로써 격자상의 경화물을 얻을 수 있다.Actinic rays are irradiated onto the photosensitive resin dried product through a photomask with a desired pattern. Actinic rays used for exposure include ultraviolet rays, visible rays, electron rays, and do. It does not matter if you bake after exposure to actinic rays. By performing baking after exposure, effects such as improved resolution after development or increased allowable width of developing conditions can be expected. For baking after exposure, an oven, hot plate, infrared ray, flash annealing device, or laser annealing device can be used. The post-exposure bake temperature is preferably 50 to 180°C, and more preferably 60 to 150°C. The baking time after exposure is preferably 10 seconds to several hours. If the post-exposure bake time is within the above range, the reaction may proceed favorably and the development time may be shortened. At this time, a grid-shaped cured product can be obtained by using a grid-shaped photomask.

본 발명에서는, 「하프 노광」을 사용해도 된다. 「하프 노광」이란 현상 완료 시에 노광된 부분의 감광성 수지 건조물의 하지가 어느 정도 남도록 하는 프로세스를 말한다. 바꿔 말하면, 감광성 수지 건조물의 하층이 감광하지 않도록 노광을 행하는 프로세스를 말한다. 예를 들어, 포지티브 타입의 감광성 수지 건조물에 의해 도 5의 수지 경화물을 형성하는 경우, 두께가 두꺼운 수지 경화물의 제1단(9)이 되는 개소는 미노광이라 하고, 두께가 얇은 수지 경화물의 제2단(10)이 되는 개소는 감광성 수지 건조물의 하층이 감광하지 않는 화학선량으로 노광하는 「하프 노광」을 행하고, 그 후에 현상, 가열 처리함으로써 형성할 수 있다. 또한, 감광성 수지 건조물에 조사하는 화학선량을 조정함으로써, 현상 완료 후에 남는 감광성 수지 건조물의 두께를 조정할 수 있다. 구체적으로는, 감광성 수지 건조물이 포지티브 타입인 경우, 화학선량을 증가시키면, 현상 완료 후에 남는 감광성 수지 건조물의 두께가 얇아진다. 한편, 감광성 수지 건조물이 네가티브 타입인 경우, 화학선량을 증가시키면, 현상 완료 후에 남는 감광성 수지 건조물의 두께가 두꺼워진다. 투과율의 다른 2종류 이상의 에어리어를 갖는 포토마스크를 통해서 화학선을 조사하고, 화학선량을 조정해도 된다.In the present invention, “half exposure” may be used. “Half exposure” refers to a process in which the base of the photosensitive resin dried material in the exposed portion remains to some extent upon completion of development. In other words, it refers to a process of performing exposure so that the lower layer of the photosensitive resin dried product is not exposed to light. For example, when forming the cured resin of FIG. 5 with a dried positive-type photosensitive resin, the portion that becomes the first end 9 of the thick cured resin is said to be unexposed, and the portion of the cured resin of thin thickness is said to be unexposed. The portion that becomes the second stage 10 can be formed by performing “half exposure” in which the lower layer of the photosensitive resin dried material is exposed to a chemical dose that does not sensitize it, followed by development and heat treatment. Additionally, by adjusting the chemical dose irradiated to the photosensitive resin dried product, the thickness of the photosensitive resin dried product remaining after completion of development can be adjusted. Specifically, when the photosensitive resin dried product is a positive type, if the chemical dose is increased, the thickness of the photosensitive resin dried product remaining after development is completed becomes thinner. On the other hand, when the photosensitive resin dried product is a negative type, increasing the chemical dose increases the thickness of the photosensitive resin dried product remaining after development is completed. Actinic rays may be irradiated through a photomask having two or more areas with different transmittances, and the actinic dose may be adjusted.

본 발명의 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광성 수지 건조물이 포지티브 타입인 경우, 하프 노광해서 형성한 경화물의 표면에 발액성은 없고, 양호한 잉크 도포성을 가질 수 있다. 즉, 1회의 포토리소그래피에서, 표면이 발액성인 경화물과, 표면이 친액성인 경화물을 형성할 수 있다.When the photosensitive resin dried product formed from the photosensitive resin composition of the present invention is a positive type, the surface of the cured product formed by half exposure has no liquid repellency and can have good ink applicability. That is, in one photolithography, a cured product with a liquid-repellent surface and a cured product with a lyophilic surface can be formed.

이어서, (3) 노광한 감광성 수지 건조물을 현상하는 공정에 대해서 설명한다.Next, (3) the process of developing the exposed photosensitive resin dried product is explained.

노광한 감광성 수지 건조물을 현상하는 현상 공정에서는, 노광한 감광성 수지 건조물을, 현상액을 사용해서 현상하고, 노광부 이외를 제거한다. 현상액으로서는, 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH), 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 알칼리성을 나타내는 화합물의 수용액이 바람직하다. 또한 경우에 따라서는, 이들 알칼리 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 디메틸아크릴아미드 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 등을 단독 혹은 수종을 조합한 것을 첨가해도 된다. 현상 방식으로서는, 스프레이, 패들, 침지, 초음파 등의 방식이 가능하다.In the development process of developing the exposed photosensitive resin dried product, the exposed photosensitive resin dried product is developed using a developing solution, and areas other than the exposed portion are removed. As a developer, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, and dimethylamino acetate. An aqueous solution of an alkaline compound such as ethyl, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, and hexamethylenediamine is preferred. In some cases, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, dimethylacrylamide, etc. are added to these aqueous alkaline solutions. polar solvents, alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, and ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, and methyl isobutyl ketone, etc. Or, you can add a combination of species. As a developing method, methods such as spray, paddle, immersion, and ultrasonic waves are possible.

이어서, 현상에 의해 형성한 패턴을 증류수로 린스 처리를 하는 것이 바람직하다. 여기에서도 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류 등을 증류수에 더해서 린스 처리를 해도 된다.Next, it is preferable to rinse the pattern formed by development with distilled water. Here too, alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, and esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate may be added to distilled water for rinsing treatment.

이어서, (4) 현상한 감광성 수지 건조물을 가열 처리함으로써 수지 경화물을 형성하는 공정에 대해서 설명한다.Next, the process of (4) forming a cured resin product by heat-treating the developed photosensitive resin dried product will be described.

현상한 감광성 수지 건조물을 가열 처리하는 공정에 의해 경화물을 얻는다. 본 발명에서는, 감광성 수지 조성물의 경화물을 유기 EL 표시 장치의 격벽에 적합하게 사용할 수 있다. 가열 처리에 의해 잔류 용제나 내열성이 낮은 성분을 제거할 수 있기 때문에, 내열성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다. 또한, 가교제를 함유함으로써, 가열 처리에 의해 열 가교 반응을 진행시킬 수 있고, 내열성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다. 이 가열 처리는 온도를 선택하고, 단계적으로 승온하거나, 어떤 온도 범위를 선택하여 연속적으로 승온하면서 5분간 내지 5시간 실시한다. 일례로서는, 150℃, 250℃에서 각 30분씩 열처리하는 방법을 들 수 있다. 혹은, 실온보다 300℃까지 2시간에 걸쳐 직선적으로 승온하는 방법 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서의 가열 처리 조건으로서는 180℃ 이상이 바람직하고, 200℃ 이상이 보다 바람직하고, 230℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한 가열 처리 조건은, 400℃ 이하가 바람직하고, 350℃ 이하가 보다 바람직하고, 300℃ 이하가 더욱 바람직하다.A cured product is obtained through a process of heat treating the developed photosensitive resin dried product. In the present invention, the cured product of the photosensitive resin composition can be suitably used for the partition wall of an organic EL display device. Since residual solvents and components with low heat resistance can be removed by heat treatment, heat resistance and chemical resistance can be improved. Additionally, by containing a crosslinking agent, a thermal crosslinking reaction can be promoted by heat treatment, and heat resistance and chemical resistance can be improved. This heat treatment is performed for 5 minutes to 5 hours by selecting a temperature and gradually increasing the temperature, or by selecting a certain temperature range and continuously increasing the temperature. An example is a method of heat treatment at 150°C and 250°C for 30 minutes each. Alternatively, a method of linearly raising the temperature from room temperature to 300°C over 2 hours may be used. As heat treatment conditions in the present invention, 180°C or higher is preferable, 200°C or higher is more preferable, and 230°C or higher is still more preferable. Additionally, the heat treatment conditions are preferably 400°C or lower, more preferably 350°C or lower, and even more preferably 300°C or lower.

<표시 장치><Display device>

본 발명의 표시 장치는, 본 발명의 적층체를 구비한다. 표시 장치의 구체예로서는, LCD, 유기 EL, 등을 들 수 있다.The display device of the present invention includes the laminate of the present invention. Specific examples of display devices include LCD, organic EL, and the like.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물은, UV 오존 처리 후의 경화물 표면에 높은 발액성을 갖기 때문에, 상기 제1 전극 상에 있는 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 영역 내에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성하는 표시 장치에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 유기 EL 발광 재료, 정공 주입 재료, 정공 수송 재료보다 선택되는 적어도 1종류 이상을 포함하는 유기 EL 발광층을 형성함으로써, 유기 EL 표시 장치로서 사용할 수 있다.Since the cured resin of the laminate of the present invention has high liquid repellency on the surface of the cured product after UV ozone treatment, functional ink is applied by inkjet to the area where at least a portion of the cured resin on the first electrode is open. It can be suitably used in display devices that form a functional layer by coating. For example, it can be used as an organic EL display device by forming an organic EL light-emitting layer containing at least one type selected from organic EL light-emitting materials, hole injection materials, and hole transport materials.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물은, 수지 경화물 내부에 F 원자를 가짐으로써, 수지 경화물의 흡수성이 저하되어 전극의 부식을 억제하기 때문에, 화소 슈링크가 작고, 내구성이 우수한 표시 장치를 얻을 수 있다.The cured resin material included in the laminate of the present invention has an F atom inside the cured resin material, which lowers the water absorption of the cured resin material and suppresses corrosion of the electrode, thereby producing a display device with small pixel shrinkage and excellent durability. You can get it.

본 발명의 적층체가 구비하는 수지 경화물은, 고온 하에 있어서의 아웃 가스량이 적기 때문에, 기능층에 유기 EL 발광 재료, 정공 주입 재료 및 정공 수송 재료로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류 이상을 포함하는 유기 EL 표시 장치에 사용하는 것이 바람직하다. 화소 슈링크가 작고, 내구성이 우수한 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.Since the cured resin material of the laminate of the present invention has a small amount of outgassing under high temperature, the functional layer contains at least one type selected from the group consisting of organic EL light-emitting materials, hole injection materials, and hole transport materials. It is preferable to use it in an organic EL display device. An organic EL display device with small pixel shrinkage and excellent durability can be obtained.

유기 EL 표시 장치는 기판 상에, 구동 회로, 평탄화층, 제1 전극, 격벽, 유기 EL 발광층 및 제2 전극을 갖는다. 액티브 매트릭스형의 표시 장치를 예로 들면, 유리나 수지 필름 등의 기판 상에, TFT와, TFT의 측방부에 위치해 TFT와 접속된 배선을 갖고, 그 위에 요철을 덮도록 해서 평탄화층을 갖고, 더욱 평탄화층 상에 표시 소자가 마련되어 있다. 표시 소자와 배선이란, 평탄화층에 형성된 콘택트 홀을 통해 접속된다.An organic EL display device has a driving circuit, a planarization layer, a first electrode, a partition, an organic EL light-emitting layer, and a second electrode on a substrate. Taking an active matrix display device as an example, on a substrate such as glass or resin film, there is a TFT, a wiring connected to the TFT located on the side of the TFT, and a planarization layer is placed on the top to cover the unevenness, further flattening the surface. A display element is provided on the layer. The display element and the wiring are connected through a contact hole formed in the planarization layer.

<표시 장치의 제조 방법><Method of manufacturing display device>

본 발명의 표시 장치 제조 방법 제1 양태는, 공정 (5) 및 (6)을 이 순으로 갖는다.The first aspect of the display device manufacturing method of the present invention has steps (5) and (6) in this order.

(5) 본 발명의 적층체에 있어서, 상기 제1 전극 상에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성하는 공정(5) In the laminate of the present invention, a step of forming a functional layer by applying functional ink to the first electrode by inkjet.

(6) 해당 기능층 상에 제2 전극을 형성하는 공정.(6) A process of forming a second electrode on the functional layer.

(5) 공정에서는, 본 발명의 적층체 제1 전극 상에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성한다. 예를 들어, 유기 EL 표시 장치의 경우, 유기 EL 발광 재료, 정공 주입 재료 및 정공 수송 재료로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류를 포함하는 조성물을 기능성 잉크로서 화소 내에 적하하고, 건조시킴으로써 유기 EL 발광층을 형성할 수 있다. 건조에는 핫 플레이트나 오븐을 사용하여, 150℃ 내지 250℃에서 0.5분에서 120분 가열하는 것이 바람직하다.In the step (5), a functional ink is applied by inkjet on the first electrode of the laminate of the present invention to form a functional layer. For example, in the case of an organic EL display device, a composition containing at least one type selected from the group consisting of an organic EL light-emitting material, a hole injection material, and a hole transport material is dropped into the pixel as a functional ink and dried to form an organic EL light-emitting layer. can be formed. For drying, it is preferable to heat at 150°C to 250°C for 0.5 to 120 minutes using a hot plate or oven.

(6) 공정에서는, 기능층 상에 제2 전극을 형성한다. 상기 제2 전극은, 격벽 및 기능층의 전체를 덮도록 형성하는 것이 바람직하다. 제2 전극의 형성 방법으로서는, 스퍼터법이나 증착법 등을 들 수 있다. 또한, 단선이 없고, 균일한 층 두께에서 제2 전극을 형성하는 것이 바람직하다.(6) In step, a second electrode is formed on the functional layer. The second electrode is preferably formed to cover the entire partition and the functional layer. Methods for forming the second electrode include sputtering and vapor deposition. Additionally, it is desirable to form the second electrode without disconnection and with a uniform layer thickness.

본 발명의 적층체가, 전술한 제1단 및 제2단을 갖는 단차 형상의 수지 경화물을 구비하는 경우, 본 발명의 표시 장치 제조 방법 제2 양태는, 공정 (7) 및 (8)을 이 순으로 갖는다.When the laminate of the present invention includes a step-shaped cured resin having the above-described first and second steps, the second aspect of the display device manufacturing method of the present invention includes steps (7) and (8). They are in order.

(7) 본 발명의 적층체에 있어서, 상기 제1 전극 상 및 상기 수지 경화물의 제2단 상에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성하는 공정(7) In the laminate of the present invention, a process of forming a functional layer by applying functional ink to the first electrode and the second stage of the cured resin by inkjet.

(8) 해당 기능층 상에 제2 전극 형성을 형성하는 공정.(8) A process of forming a second electrode formation on the functional layer.

(7) 공정에서는, 본 발명의 적층체 제1 전극상 및 수지 경화물의 제2단 상에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성한다. 예를 들어, 유기 EL 표시 장치의 경우, 유기 EL 발광 재료, 정공 주입 재료 및 정공 수송 재료로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류를 포함하는 조성물을 기능성 잉크로서 화소 내에 적하하고, 건조시킴으로써 유기 EL 발광층을 형성할 수 있다. 건조에는 핫 플레이트나 오븐을 사용하여, 150℃ 내지 250℃에서 0.5분 내지 120분 가열하는 것이 바람직하다.In step (7), a functional ink is applied by inkjet on the first electrode of the laminate of the present invention and on the second stage of the cured resin to form a functional layer. For example, in the case of an organic EL display device, a composition containing at least one type selected from the group consisting of an organic EL light-emitting material, a hole injection material, and a hole transport material is dropped into the pixel as a functional ink and dried to form an organic EL light-emitting layer. can be formed. For drying, it is preferable to heat at 150°C to 250°C for 0.5 to 120 minutes using a hot plate or oven.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같은, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8), 수지 경화물의 순으로 적층되고, 수지 경화물이 잉크젯 도포하는 영역을 규정하는 제1단(9)과, 상기 잉크젯 도포하는 영역 내에 배열된 2 이상의 화소 영역을 규정하는 제2단(10)을 갖는 적층체에 대하여, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 연속해서 배치된 기능층(11)을 잉크젯 도포법에 의해 형성하는 표시 장치의 제조 방법에 적합하게 사용할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, a first electrode 8 patterned on a substrate is stacked in that order with a cured resin, and a first stage 9 defines an area where the cured resin is applied by inkjet; , for a laminate having a second stage 10 defining two or more pixel regions arranged in the inkjet application area, a first electrode 8 patterned on a substrate and a second stage 10 of the cured resin. It can be suitably used in a manufacturing method of a display device in which the functional layer 11 disposed continuously on the surface is formed by an inkjet coating method.

(8) 공정에서는, 기능층 상에 제2 전극을 형성한다. 상기 제2 전극은, 격벽 및 기능층의 전체를 덮도록 형성하는 것이 바람직하다. 제2 전극의 형성 방법으로서는, 스퍼터법이나 증착법 등을 들 수 있다. 또한, 단선이 없고, 균일한 층 두께에서 제2 전극을 형성하는 것이 바람직하다.In step (8), a second electrode is formed on the functional layer. The second electrode is preferably formed to cover the entire partition and the functional layer. Methods for forming the second electrode include sputtering and vapor deposition. Additionally, it is desirable to form the second electrode without disconnection and with a uniform layer thickness.

실시예Example

이하, 실시예를 들어서 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해서 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

<실시예에서 사용하는 격벽 패턴><Partition wall pattern used in the example>

격벽 패턴(4): 수지 경화물의 개구부로부터 기판 상에 패터닝된 제1 전극을 노출시키는 격벽 패턴이며, 개구부의 크기가 폭 70㎛ 및 길이 260㎛이고, 개구부가 수지 경화물의 중앙에 1군데 배치된 격벽 패턴Barrier pattern (4): A partition pattern that exposes the first electrode patterned on the substrate from the opening of the cured resin. The size of the opening is 70㎛ in width and 260㎛ in length, and the opening is located at one location in the center of the cured resin. bulkhead pattern

격벽 패턴(5): 수지 경화물의 개구부로부터 기판 상에 패터닝된 제1 전극을 노출시키는 격벽 패턴이며, 개구부의 크기가 폭 70㎛ 및 길이 260㎛이고, 폭 방향으로 피치 155㎛ 및 길이 방향으로 피치 465㎛로 수지 경화물이 배치된 격벽 패턴Barrier pattern (5): A partition pattern that exposes the first electrode patterned on the substrate from the opening of the cured resin. The size of the opening is 70㎛ in width and 260㎛ in length, and the pitch in the width direction is 155㎛ and the pitch in the longitudinal direction is 155㎛. Bulkhead pattern with cured resin placed at 465㎛

격벽 패턴(12): 도 2 또는 도 3에 기재된 격벽 패턴이며, 폭 70㎛ 및 길이 260㎛의 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8)을 노출시키도록, 폭 a가 205㎛인 수지 경화물의 제2단(10)과, 폭b가 85㎛인 수지 경화물의 제1단(9)을 배치한 격벽 패턴Barrier pattern 12: This is the partition pattern shown in FIG. 2 or 3, and is made of cured resin with a width a of 205 μm to expose the patterned first electrode 8 on a substrate with a width of 70 μm and a length of 260 μm. A partition pattern in which a second stage (10) and a first stage (9) of a cured resin material with a width b of 85 μm are arranged.

먼저, 측정 방법 및 평가 방법에 대해서 설명한다.First, the measurement and evaluation methods are explained.

(1) 평균 분자량 측정(1) Average molecular weight measurement

합성예 1에서 합성한 폴리실록산 (P-1), 합성예 2에서 합성한 아크릴계 발액재 (Ac-1), 합성예 8에서 합성한 알칼리 가용성 수지 (d1) 및 합성예 9에서 합성한 알칼리 가용성 수지 (Ac-2)의 분자량은, GPC(겔 투과 크로마토그래피) 장치(Waters2690-996; 니혼 워터즈(주)제)를 사용하여, 전개 용매를 테트라히드로푸란으로서 측정하고, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량(Mw)을 산출했다.Polysiloxane (P-1) synthesized in Synthesis Example 1, acrylic liquid repellent (Ac-1) synthesized in Synthesis Example 2, alkali-soluble resin (d1) synthesized in Synthesis Example 8, and alkali-soluble resin synthesized in Synthesis Example 9 The molecular weight of (Ac-2) was measured using a GPC (gel permeation chromatography) device (Waters2690-996; manufactured by Nippon Waters Co., Ltd.) using tetrahydrofuran as a developing solvent, and the weight average molecular weight was converted to polystyrene. (Mw) was calculated.

또한, 합성예 4 내지 6에서 합성한 알칼리 가용성 수지 (b1) 내지 (b3)의 분자량은, 상술한 GPC 장치를 사용하여, 전개 용매를 N-메틸-2-피롤리돈(이후 NMP라고 칭한다)으로서 측정하고, 폴리스티렌 환산으로 수 평균 분자량(Mn)을 산출했다.In addition, the molecular weights of the alkali-soluble resins (b1) to (b3) synthesized in Synthesis Examples 4 to 6 were determined using the GPC apparatus described above, and the developing solvent was N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP). and calculated the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene.

(2) 발액성의 평가(2) Evaluation of liquid repellency

접촉각의 측정에는, 후술하는 방법에서 도 1에 있어서의 격벽 패턴(4)을 갖는 적층체를 형성하고, 격벽 패턴(4)의 수지 경화물 상에, 3μL의 PGMEA를 적하하고 접촉각을 측정했다. 측정에는, 접촉각 측정 장치(DMs-401; 교와 가이멘 가가꾸(주)제)를 사용하여, JIS-R3257:1999에 준거하고, 23℃에서 정적법으로 측정했다.To measure the contact angle, a laminate having the partition pattern 4 in FIG. 1 was formed by a method described later, 3 μL of PGMEA was dropped onto the resin cured material of the partition pattern 4, and the contact angle was measured. For the measurement, a contact angle measuring device (DMs-401; manufactured by Kyowa Kaimen Chemical Co., Ltd.) was used to measure the contact angle using the static method at 23°C in accordance with JIS-R3257:1999.

경화물 상의 PGMEA 접촉각의 측정 결과를 하기와 같이 판정하고, A를 우수, B를 양호, C를 가능으로 하고, D를 불가로 하였다.The measurement results of the PGMEA contact angle on the cured product were determined as follows, with A being excellent, B being good, C being possible, and D being unacceptable.

A: 접촉각이 45° 이상A: Contact angle is more than 45°

B: 접촉각이 35° 이상 45° 미만B: Contact angle is 35° or more but less than 45°

C: 접촉각이 25° 이상 35° 미만C: Contact angle is 25° or more but less than 35°

D: 접촉각이 25° 미만.D: Contact angle is less than 25°.

(3) UV 오존 내성의 평가(3) Evaluation of UV ozone resistance

전술한 (2) 발액성의 평가를 행한 적층체에 하기 조건에서 UV 오존 처리를 행하였다. 그 후, 격벽 패턴(4)의 수지 경화물 상에, 3μL의 PGMEA를 적하하고 접촉각을 측정했다. 측정에는 접촉각 측정 장치(DMs-401; 교와 가이멘 가가꾸(주)제)를 사용하여, JIS-R3257에 준거하고, 23℃에서 정적법으로 측정했다.The laminate for which the above-mentioned (2) liquid repellency evaluation was performed was subjected to UV ozone treatment under the following conditions. After that, 3 μL of PGMEA was dropped onto the cured resin material of the partition pattern 4, and the contact angle was measured. For the measurement, a contact angle measuring device (DMs-401; manufactured by Kyowa Kaimen Chemical Co., Ltd.) was used, and the measurement was carried out by a static method at 23°C in accordance with JIS-R3257.

전술한 (2) 발액성의 평가 결과와 비교하여, 접촉각의 변화가 10% 이하이면 A(합격), 접촉각의 변화가 10% 이상이면 B(불합격)로 하였다.Compared with the above-mentioned (2) liquid repellency evaluation results, if the change in contact angle was 10% or less, it was rated as A (pass), and if the change in contact angle was 10% or more, it was rated as B (fail).

·UV 오존 조건·UV ozone conditions

장치: PL16(SEN LIGHTS Corp.제)Device: PL16 (manufactured by SEN LIGHTS Corp.)

조도: 15mW/㎠Illuminance: 15mW/㎠

조사 거리: 75㎜Irradiation distance: 75mm

조사 시간: 120secInvestigation time: 120sec

(4) X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 수지 경화물의 분석(4) Analysis of cured resin material by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)

X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 수지 경화물의 분석 방법을 나타낸다.A method for analyzing cured resin products by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is shown.

<X선 광전자 분광법(XPS) 분석용 경화물의 제작><Production of cured material for X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis>

후술하는 방법에서 도 1에 있어서의 격벽 패턴(4)을 형성한 적층체를 제작하고, 격벽 패턴(4)에 있어서의 수지 경화물의 개구부의 단으로부터 100㎛의 범위의 어느 것의 개소에서 XPS 분석을 행하였다.By the method described later, a laminate forming the partition pattern 4 in FIG. 1 is produced, and It was done.

<수지 경화물의 X선 광전자 분광법(XPS) 분석 방법><X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis method of cured resin>

(4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석 특성 (i), 특성 (v)의 측정 방법(4-1) XPS analysis method for measuring characteristics (i) and characteristics (v) of the surface of cured resin

도 1에 있어서의 격벽 패턴(4) 또는 격벽 패턴(12)의 수지 경화물의 표면으로부터, 하기에 기재된 측정 조건에서 X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 분석을 행하였다. 측정 조건, 데이터 처리 조건을 하기에 기재한다.Analysis was performed on the surface of the resin cured product of the partition pattern 4 or partition pattern 12 in FIG. 1 by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) under the measurement conditions described below. Measurement conditions and data processing conditions are described below.

·측정 조건·Measuring conditions

장치 Quantera SXM(PHI 사제)Device Quantera SXM (manufactured by PHI)

여기 X선 monochromatic Al K 1, 2선(1486.6 eV)Excitation X-ray monochromatic Al K 1, 2 lines (1486.6 eV)

X선 직경 200㎛X-ray diameter 200㎛

광전자 검출 각도 45°(시료 표면에 대한 검출기의 기울기)Photoelectric detection angle 45° (tilt of detector relative to sample surface)

·데이터 처리 조건·Data processing conditions

스무딩 9-point smoothingSmoothing 9-point smoothing

횡축 보정 C1s 메인 피크(CHx, C-C, C=C)을 284.6 eV로 하였다.The horizontal axis corrected C1s main peak (CHx, C-C, C=C) was set to 284.6 eV.

(4-2) 수지 경화물 내부의 XPS 분석 특성 (ii)의 측정 방법(4-2) Measurement method for XPS analysis characteristics (ii) inside the cured resin material

도 1에 있어서의 격벽 패턴(4)의 수지 경화물에 대하여, 패터닝된 제1 전극(8)과 격벽 패턴(4)의 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 무알칼리 유리 기판(1)으로부터 격벽 패턴(4)의 방향이며, 패터닝된 제1 전극(8)과 격벽 패턴(4)의 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것이 폭로되도록 Ar 가스 클러스터 이온(Ar-GCIB)을 행하였다. 그 후, Ar-GCIB를 행한 개소에서 X선 광전자 분광법(XPS)의 분석을 행하였다. 측정 조건, 데이터 처리를 하기에 기재한다.The alkali-free glass substrate 1 is perpendicular to the interface where the patterned first electrode 8 and the resin cured material of the partition pattern 4 in FIG. 1 are in contact with the cured resin material of the partition pattern 4 in FIG. In the direction of the partition pattern 4, Ar gas cluster ions (Ar gas cluster ions ( Ar-GCIB) was performed. Afterwards, analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was performed at the location where Ar-GCIB was performed. Measurement conditions and data processing are described below.

·측정 조건·Measuring conditions

장치 K-Alpha(Thermo Fisher Scientific사제)Device K-Alpha (manufactured by Thermo Fisher Scientific)

여기 X선 monochromatic Al K 1, 2선(1486.6 eV)Excitation X-ray monochromatic Al K 1, 2 lines (1486.6 eV)

X선 직경 400㎛X-ray diameter 400㎛

광전자 탈출 각도 90°(시료 표면에 대한 검출기의 기울기)Photoelectron escape angle 90° (tilt of detector relative to sample surface)

이온 에칭 조건 Ar 가스 클러스터 이온(Ar-GCIB)Ion etching conditions Ar gas cluster ion (Ar-GCIB)

에칭 레이트 3.5㎚/minEtching rate 3.5㎚/min

·데이터 처리·Data processing

스무딩 11-point smoothingSmoothing 11-point smoothing

횡축 보정 C1s 메인 피크(CHx, C-C)을 284.6 eV로 하였다.The horizontal axis corrected C1s main peak (CHx, C-C) was set to 284.6 eV.

(4-3) 수지 경화물 표면과 내부의 XPS 비교 특성 (iii), 특성 (iv)의 측정 방법(4-3) XPS comparative measurement method for characteristics (iii) and characteristics (iv) of the surface and interior of the cured resin material

도 1에 있어서의 격벽 패턴(4)의 수지 경화물의 표면으로부터, 하기에 기재된 측정 조건에서 X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 분석을 행하였다. 계속해서, 격벽 패턴(4)의 수지 경화물에 대하여, 패터닝된 제1 전극(8)과 격벽 패턴(4)의 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 무알칼리 유리 기판(1)으로부터 격벽 패턴(4)의 방향이며, 패터닝된 제1 전극(8)과 격벽 패턴(4)의 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것이 폭로되도록 Ar 가스 클러스터 이온(Ar-GCIB)을 행하였다. 그 후, Ar-GCIB를 행한 개소에서 X선 광전자 분광법(XPS)의 분석을 행하였다. 측정 조건, 데이터 처리를 하기에 기재한다.Analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was performed on the surface of the cured resin material of the partition pattern 4 in FIG. 1 under the measurement conditions described below. Subsequently, with respect to the resin cured material of the partition pattern 4, the patterned first electrode 8 is perpendicular to the interface where the resin cured material of the partition pattern 4 is in contact, and the partition wall is formed from the alkali-free glass substrate 1. In the direction of the pattern 4, Ar gas cluster ions (Ar- GCIB) was performed. Afterwards, analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was performed at the location where Ar-GCIB was performed. Measurement conditions and data processing are described below.

·측정 조건·Measuring conditions

장치 K-Alpha(Thermo Fisher Scientific사제)Device K-Alpha (manufactured by Thermo Fisher Scientific)

여기 X선 monochromatic Al K 1, 2선(1486.6 eV)Excitation X-ray monochromatic Al K 1, 2 lines (1486.6 eV)

X선 직경 400㎛X-ray diameter 400㎛

광전자 탈출 각도 90°(시료 표면에 대한 검출기의 기울기)Photoelectron escape angle 90° (tilt of detector relative to sample surface)

이온 에칭 조건 Ar 가스 클러스터 이온(Ar-GCIB)Ion etching conditions Ar gas cluster ion (Ar-GCIB)

에칭 레이트 3.5㎚/minEtching rate 3.5㎚/min

·데이터 처리·Data processing

스무딩 11-point smoothingSmoothing 11-point smoothing

횡축 보정 C1s 메인 피크(CHx, C-C)를 284.6 eV로 하였다.The horizontal axis corrected C1s main peak (CHx, C-C) was set to 284.6 eV.

(5) 내구성의 평가(5) Evaluation of durability

감광성 수지 조성물의 경화물을 사용해서 격벽 패턴(5) 또는 격벽 패턴(12)을 형성한 도 1의 적층체에, 전술한 (3) UV 오존 내성의 평가 조건에서 UV 오존 처리를 행하였다. 그 후, 격벽 패턴(5)의 경우, 정공 주입층으로서, 벤조산메틸을 용매로 한 화합물 (HT-1)의 잉크를, 잉크젯 장치(ULVAC사제 Litlex142)를 사용하여, 수지 경화물에 둘러싸인 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상에 적하한 뒤, 200℃에서 소성하고, 정공 주입층을 형성했다. 이어서, 정공 수송층으로서, 4-메톡시톨루엔을 용매로 한 화합물 (HT-2)를, 잉크젯 장치를 사용하여, 수지 경화물에 둘러싸인 영역에 적하한 뒤, 190℃에서 소성하고, 정공 수송층을 형성했다. 또한, 발광층으로서, 4-메톡시톨루엔을 용매로 한 화합물 (GH-1)과 화합물 (GD-1)의 혼합물을, 잉크젯 장치를 사용하여, 수지 경화물에 둘러싸인 영역에 적하한 뒤, 130℃에서 소성하고, 발광층을 형성했다. 격벽 패턴(12)의 경우, 수지 경화물의 제1단으로 끼워진 영역에 있는 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 정공 주입층으로서, 벤조산메틸을 용매로 한 화합물 (HT-1)의 잉크를, 잉크젯 장치(ULVAC사제 Litlex142)를 사용하여, 연속해서 적하한 뒤, 200℃에서 소성하고, 정공 주입층을 형성했다. 이어서, 정공 수송층으로서, 4-메톡시톨루엔을 용매로 한 화합물 (HT-2)를, 잉크젯 장치를 사용하여, 마찬가지 영역에 적하한 뒤, 190℃에서 소성하고, 정공 수송층을 형성했다. 또한, 발광층으로서, 4-메톡시톨루엔을 용매로 한 화합물 (GH-1)과 화합물 (GD-1)의 혼합물을, 잉크젯 장치를 사용하여, 마찬가지 영역에 적하한 뒤, 130℃에서 소성하고, 발광층을 형성했다.The laminate shown in FIG. 1 in which the partition pattern 5 or the partition pattern 12 was formed using a cured product of the photosensitive resin composition was subjected to UV ozone treatment under the UV ozone resistance evaluation conditions (3) described above. Thereafter, in the case of the partition pattern 5, as a hole injection layer, an ink of a compound (HT-1) using methyl benzoate as a solvent was applied to the substrate surrounded by the cured resin using an inkjet device (Litlex142, manufactured by ULVAC). was dropped onto the patterned first electrode 8 and then fired at 200°C to form a hole injection layer. Next, as a hole transport layer, a compound (HT-2) using 4-methoxytoluene as a solvent was dropped onto the area surrounded by the cured resin using an inkjet device, and then fired at 190°C to form a hole transport layer. did. Additionally, as a light-emitting layer, a mixture of compound (GH-1) and compound (GD-1) using 4-methoxytoluene as a solvent was dropped onto the area surrounded by the cured resin using an inkjet device, and then cooled at 130°C. and fired to form a light-emitting layer. In the case of the partition pattern 12, as a hole injection layer on the first electrode 8 patterned on the substrate in the area sandwiched by the first end of the cured resin and on the second end 10 of the cured resin, methyl benzoate The ink of compound (HT-1) using as a solvent was continuously added dropwise using an inkjet device (Litlex142 manufactured by ULVAC) and then baked at 200°C to form a hole injection layer. Next, as a hole transport layer, a compound (HT-2) using 4-methoxytoluene as a solvent was dropped onto the same area using an inkjet device and then baked at 190°C to form a hole transport layer. Additionally, as a light-emitting layer, a mixture of compound (GH-1) and compound (GD-1) using 4-methoxytoluene as a solvent was dropped onto the same area using an inkjet device, and then fired at 130°C. A light emitting layer was formed.

그 후, 전자 수송 재료로서, 화합물 (ET-1)과 화합물 (LiQ)을, 체적비 1:1로 진공 증착법에 의해 순차 적층하고, 유기 EL층(6)을 형성했다. 이어서, 화합물 (LiQ)을 2㎚ 증착한 후, Mg과 Ag을 체적비 10:1로 10㎚ 증착해서 제2 전극(7)으로 하였다. 마지막으로, 저습 질소 분위기 하에서 에폭시 수지계 접착제를 사용해서 캡상 유리판을 접착함으로써 밀봉하고, 1매의 기판 상에 5㎜사방의 유기 EL 표시 장치를 제작했다.Thereafter, as an electron transport material, compound (ET-1) and compound (LiQ) were sequentially laminated at a volume ratio of 1:1 by vacuum evaporation to form the organic EL layer 6. Next, 2 nm of compound (LiQ) was deposited, and then 10 nm of Mg and Ag were deposited at a volume ratio of 10:1 to form the second electrode 7. Finally, the cap-shaped glass plate was sealed by bonding it with an epoxy resin adhesive under a low-humidity nitrogen atmosphere, and a 5 mm square organic EL display device was produced on one substrate.

Figure pct00013
Figure pct00013

상술한 방법으로 제작한 유기 EL 표시 장치를 10mA/㎠로 직류 구동으로 발광시켜서, 초기의 발광 면적을 관찰했다. 또한, 80℃에서 500시간 유지하고, 다시 10mA/㎠로 직류 구동으로 발광시켜서, 발광 면적에 변화가 없는지 확인하고, 하기와 같이 내구성을 판정하고, A를 우수, B를 양호, C를 가능으로 하고, D를 불가로 하였다.The organic EL display device produced by the above-described method was driven to emit light by direct current at 10 mA/cm2, and the initial light emission area was observed. In addition, the light was maintained at 80°C for 500 hours, and the light was emitted again by direct current driving at 10 mA/cm2 to confirm that there was no change in the light emitting area, and the durability was judged as follows, with A as excellent, B as good, and C as possible. And D was made impossible.

A: 발광 면적에 변화없음A: No change in light emitting area

B: 발광 면적이 90% 내지 99%로 변화B: Light emitting area changes from 90% to 99%

C: 발광 면적이 80% 내지 89%로 변화C: Light emitting area changes from 80% to 89%

D: 발광 면적이 79% 이하로 변화D: Light emitting area changes to 79% or less

(6) 수지 경화물의 조성 분석(6) Composition analysis of cured resin material

수지 경화물 중에 포함되는 성분의 분석 방법을 나타내지만, 조성 분석이 가능한 방법이면 되고, 기재된 방법에 한정되는 것은 아니다.Although a method for analyzing components contained in a cured resin is shown, any method that allows for composition analysis is sufficient and is not limited to the method described.

<조성 분석용 수지 경화물의 제작><Production of cured resin for composition analysis>

감광성 수지 조성물을 도포 현상 장치 ACT-8(도쿄 일렉트론(주)제)을 사용하여, 8인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법으로 도포하고, 120℃에서 3분간 핫 플레이트에서 베이크를 했다. 그 후, 상기 ACT-8의 현상 장치를 사용하여, 2.38질량% TMAH 수용액을 사용해서 현상하고, 증류수로 린스 후, 털어내어 건조시켰다. 계속해서, 현상 후의 감광성 수지 건조물을, 고온 이너트 가스 오븐(INH-9CD-S; 고요 서모 시스템(주)제)을 사용하여, 질소 분위기 하(산소 농도: 100ppm 이하)에서, 5℃/분으로 250℃까지 승온하고, 250℃에서 1시간 가열 처리하는 열경화 공정을 행하고, 바니시의 수지 경화물을 제작했다. 그 수지 경화물의 두께는 약 2.0㎛였다.The photosensitive resin composition was applied by spin coating onto an 8-inch silicon wafer using a coating developer ACT-8 (manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd.), and baked on a hot plate at 120°C for 3 minutes. After that, using the ACT-8 developing device, it was developed using a 2.38% by mass TMAH aqueous solution, rinsed with distilled water, and then shaken off and dried. Subsequently, the dried photosensitive resin after development was heated at 5°C/min under a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 100ppm or less) using a high-temperature inert gas oven (INH-9CD-S; manufactured by Koyo Thermo Systems Co., Ltd.). The temperature was raised to 250°C, and a heat curing process of heating at 250°C for 1 hour was performed to produce a cured varnish resin. The thickness of the cured resin was about 2.0 μm.

<FT-IR에 의한 조성 분석><Composition analysis by FT-IR>

얻어진 수지 경화물에 대하여, 적외 현미경 Nicolet iN10(Thermo Fisher SCIENTIFIC제)을 사용하여, 파수 4000 내지 650㎝-1의 범위에 대하여, 검출기는 MCT를 사용하고, 분해능은 8㎝-1로 하고, 적산 횟수 64회에서, 측정 모드는 1회 반사 ATR법(Ge, 45°)에 의해 IR 스펙트럼을 얻었다.The obtained cured resin was subjected to integration using an infrared microscope Nicolet iN10 (manufactured by Thermo Fisher SCIENTIFIC), using MCT as a detector, with a resolution of 8 cm -1 , in the range of wave numbers 4000 to 650 cm -1 . At number 64, the IR spectrum was obtained by the measurement mode: single reflection ATR method (Ge, 45°).

<열분해 GC/MS에 의한 조성 분석><Composition analysis by pyrolysis GC/MS>

얻어진 수지 경화물에 대하여, 멀티샷·파이롤라이저 PY-3030D(프런티어 연구소제)를 사용하여, 가열 온도 600℃의 조건에서, 열분해를 행하고, 가스 크로마토그래프 질량 분석계 JMS-Q1050GC(니혼덴시제)를 사용하여, GC 칼럼은 스테인리스 캐필러리 컬럼(0.25㎜ 내경×30m, 고정상; 5% 페닐폴리디메틸실록산)을 사용하고, GC 온도는 40℃(3분 유지)로부터 20℃/분의 속도로 320℃까지 승온하고, 주입구 온도는 300℃, 칼럼 유량은 1.5mL/분, 이온화법은 EI(전자 이온화)법, 질량수 범위는 m/z10 내지 800으로 하고, 스캔 속도 0.5sec/scan으로서 분석을 행하였다.The obtained resin cured product was subjected to thermal decomposition using a Multishot Pyrolizer PY-3030D (manufactured by Frontier Laboratories) under the conditions of a heating temperature of 600°C, followed by gas chromatography mass spectrometer JMS-Q1050GC (manufactured by Nippon Electronics). Using a GC column, a stainless steel capillary column (0.25 mm inner diameter The temperature was raised to 320℃, the inlet temperature was 300℃, the column flow rate was 1.5mL/min, the ionization method was EI (electron ionization), the mass number range was m/z10 to 800, and the analysis was performed at a scan speed of 0.5sec/scan. It was done.

이하에, 실시예에서 사용한 성분의 약칭을 나타낸다.Below, the abbreviated names of the components used in the examples are shown.

<알콕시실릴><Alkoxysilyl>

MTMS: 메틸트리메톡시실란MTMS: Methyltrimethoxysilane

NapTMS: 1-나프틸 트리메톡시실란NapTMS: 1-naphthyl trimethoxysilane

TMSSucA: 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물TMSSucA: 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride

TfTMS: 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란TfTMS: Tridecafluorooctyltrimethoxysilane

<가교제><Cross-linking agent>

HMOM-TPHAP: (하기 화학식에 나타내는 화합물, 혼슈 가가쿠 고교(주)제)HMOM-TPHAP: (Compound represented by the following chemical formula, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.)

Figure pct00014
Figure pct00014

VG3101L: "테크모어"(등록상표) VG3101L(하기 화학식에 나타내는 화합물, (주)프린텍제).VG3101L: "Techmore" (registered trademark) VG3101L (compound shown in the following chemical formula, manufactured by Printec Co., Ltd.).

Figure pct00015
Figure pct00015

<유기 용제><Organic solvent>

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate

PGME: 프로필렌글리콜모노메틸에테르PGME: propylene glycol monomethyl ether

MAK: 2-헵타논MAK: 2-heptanone

IPA: 이소프로필알코올IPA: Isopropyl alcohol

실시예 및 비교예에서 사용한 화합물에 대해서 이하에 나타낸다.The compounds used in the examples and comparative examples are shown below.

합성예 1 폴리실록산 (P-1)의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of polysiloxane (P-1)

500mL의 3구 플라스크에 TfTMS를 39.80g(0.17mol), NapTMS를 62.09g(0.50mol), TMSSucA를 13.12g(0.10mol), MTMS를 15.66g(0.23mol), MAK를 131.05g, IPA를 14.56g 투입하고, 40℃로 교반하면서 물 27.90g, 인산 1.31g(투입해 모노머에 대하여 1.0질량%)을 혼화한 인산 용액을 첨가했다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 15분간에 걸쳐 130℃까지 승온했다. 승온 개시 10분 후에 용액의 내온이 100℃에 도달하고, 거기에서 1시간 가열 교반해(내온은 100 내지 125℃), 폴리실록산 (P-1)을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소를 0.07l(리터)/분으로 흘렸다. GPC를 사용해서 중량 평균 분자량을 구한 결과, 중량 평균 분자량 3000이었다.In a 500 mL three-neck flask, 39.80 g (0.17 mol) of TfTMS, 62.09 g (0.50 mol) of NapTMS, 13.12 g (0.10 mol) of TMSSucA, 15.66 g (0.23 mol) of MTMS, 131.05 g of MAK, and 14.56 g of IPA. g was added, and while stirring at 40°C, a phosphoric acid solution containing 27.90 g of water and 1.31 g of phosphoric acid (1.0 mass% based on the charged monomer) was added. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 130°C over 15 minutes. 10 minutes after the start of the temperature increase, the internal temperature of the solution reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 1 hour (internal temperature was 100 to 125°C) to obtain polysiloxane (P-1). Additionally, nitrogen was flowed at 0.07 l (liter)/min during temperature increase and heating and stirring. As a result of determining the weight average molecular weight using GPC, the weight average molecular weight was 3000.

합성예 2 아크릴계 발액재 (Ac-1)의 합성Synthesis Example 2 Synthesis of acrylic liquid repellent (Ac-1)

교반 장치, 환류 냉각관, 적하 깔때기, 온도계 및 질소 가스 취입구를 구비한 유리제의 반응 용기에, 시클로헥사논을 100g 더하고, 질소 가스 분위기 하에서 110℃로 승온했다. 시클로헥사논의 온도를 110℃로 유지하고, N,N-디메틸아크릴아미드 44g(0.65몰), 2-(퍼플루오로헥실)에틸메타크릴레이트 30g(0.10몰), 글리시딜 메타크릴레이트 21g(0.22몰), 3-페녹시벤질아크릴레이트 5g(0.03몰)을 포함하는 모노머 혼합 용액을 적하 깔때기에 의해 2시간으로 등속 적하하고, 각 모노머 용액을 조제했다. 적하 종료 후, 모노머 용액을, 115℃까지 승온시켜서, 2시간 반응시켜서 아크릴계 발액재 (Ac-1)을 얻었다. GPC를 사용해서 중량 평균 분자량을 구한 결과, 중량 평균 분자량 5500이었다.100 g of cyclohexanone was added to a glass reaction vessel equipped with a stirring device, a reflux cooling pipe, a dropping funnel, a thermometer, and a nitrogen gas inlet, and the temperature was raised to 110°C in a nitrogen gas atmosphere. The temperature of cyclohexanone was maintained at 110°C, and 44 g (0.65 mol) of N,N-dimethylacrylamide, 30 g (0.10 mol) of 2-(perfluorohexyl)ethyl methacrylate, and 21 g (0.10 mol) of glycidyl methacrylate were added. A monomer mixed solution containing 0.22 mol) and 5 g (0.03 mol) of 3-phenoxybenzyl acrylate was dropped at a constant rate over 2 hours using a dropping funnel to prepare each monomer solution. After completion of the dropwise addition, the temperature of the monomer solution was raised to 115°C and reaction was carried out for 2 hours to obtain an acrylic liquid repellent material (Ac-1). As a result of determining the weight average molecular weight using GPC, the weight average molecular weight was 5500.

합성예 3 히드록실기 함유 디아민 화합물의 합성Synthesis Example 3 Synthesis of diamine compound containing hydroxyl group

2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판 18.3g(0.05몰)을 아세톤 100mL, 프로필렌옥시드 17.4g(0.3몰)에 용해시켜서, -15℃로 냉각했다. 여기에 3-니트로벤조일클로라이드 20.4g(0.11몰)을 아세톤 100mL에 용해시킨 용액을 적하했다. 적하 종료 후, -15℃에서 4시간 반응시키고, 그 후 실온으로 되돌렸다. 석출한 백색 고체를 여과 분별하고, 50℃에서 진공 건조했다.18.3 g (0.05 mol) of 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane was dissolved in 100 mL of acetone and 17.4 g (0.3 mol) of propylene oxide, and cooled to -15°C. A solution of 20.4 g (0.11 mole) of 3-nitrobenzoyl chloride dissolved in 100 mL of acetone was added dropwise here. After the dropwise addition was completed, the reaction was performed at -15°C for 4 hours and then returned to room temperature. The precipitated white solid was filtered and dried under vacuum at 50°C.

고체 30g을 300mL의 스테인리스 오토클레이브로 넣고, 메틸셀로솔브 250mL에 분산시켜서, 5% 팔라듐-탄소를 2g 더했다. 여기에 수소를 풍선으로 도입하고, 환원 반응을 실온에서 행하였다. 약 2시간 후, 풍선이 이 이상 오므라지지 않는 것을 확인해서 반응을 종료시켰다. 반응 종료 후, 여과해서 촉매인 팔라듐 화합물을 제외하고, 로터리 증발기로 농축하고, 하기 식으로 표시되는 히드록실기 함유 디아민 화합물을 얻었다.30 g of solid was placed in a 300 mL stainless steel autoclave, dispersed in 250 mL of methyl cellosolve, and 2 g of 5% palladium-carbon was added. Hydrogen was introduced using a balloon, and the reduction reaction was performed at room temperature. After about 2 hours, it was confirmed that the balloon was no longer deflated, and the reaction was terminated. After completion of the reaction, it was filtered to exclude the palladium compound as a catalyst, and concentrated using a rotary evaporator to obtain a hydroxyl group-containing diamine compound represented by the following formula.

Figure pct00016
Figure pct00016

합성예 4 알칼리 가용성 수지 (b1)의 합성Synthesis Example 4 Synthesis of alkali-soluble resin (b1)

건조 질소 기류 하, 2,2-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물 88.8g(0.20몰)을 NMP 500g에 용해시켰다. 여기에 합성예 3에서 얻어진 히드록실기 함유 디아민 화합물 96.7g(0.16몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24g(0.005몰)을 NMP 100g과 함께 더해서, 20℃에서 1시간 반응시키고, 이어서 50℃에서 2시간 반응시켰다. 다음에 말단 밀봉제로서 3-아미노페놀 8.7g(0.08몰)을 NMP 50g과 함께 더해서, 50℃에서 2시간 반응시켰다. 그 후, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 47.7g(0.40몰)을 NMP 100g으로 희석한 용액을 투입했다. 투입 후, 50℃에서 3시간 교반했다. 교반 종료 후, 용액을 실온까지 냉각한 후, 용액을 물 5L에 투입해서 백색 침전을 얻었다. 이 침전을 여과로 모으고, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기에서 24시간 건조시키고, 목적의 폴리이미드 전구체인 알칼리 가용성 수지 (b1)을 얻었다. 알칼리 가용성 수지 (b1)의 수 평균 분자량은 12000이었다.Under a dry nitrogen stream, 88.8 g (0.20 mol) of 2,2-(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride was dissolved in 500 g of NMP. Here, 96.7 g (0.16 mol) of the hydroxyl group-containing diamine compound obtained in Synthesis Example 3 and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane were added along with 100 g of NMP, and the mixture was heated at 20°C. It was reacted for 1 hour, and then reacted at 50°C for 2 hours. Next, 8.7 g (0.08 mol) of 3-aminophenol as an end capping agent was added along with 50 g of NMP, and the mixture was allowed to react at 50°C for 2 hours. After that, a solution of 47.7 g (0.40 mol) of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal diluted with 100 g of NMP was added. After addition, it was stirred at 50°C for 3 hours. After the stirring was completed, the solution was cooled to room temperature, and then the solution was added to 5 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and dried in a vacuum dryer at 80°C for 24 hours to obtain alkali-soluble resin (b1), which is the target polyimide precursor. The number average molecular weight of the alkali-soluble resin (b1) was 12000.

합성예 5 알칼리 가용성 수지 (b2)의 합성Synthesis Example 5 Synthesis of alkali-soluble resin (b2)

건조 질소 기류 하, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물 62.0g(0.20몰)을 NMP 500g에 용해시켰다. 여기에 합성예 3에서 얻어진 히드록실기 함유 디아민 화합물 96.7g(0.16몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24g(0.005몰)을 NMP 100g과 함께 더해서, 20℃에서 1시간 반응시키고, 이어서 50℃에서 2시간 반응시켰다. 다음에 말단 밀봉제로서 3-아미노페놀 8.7g(0.08몰)을 NMP 50g과 함께 더해서, 50℃에서 2시간 반응시켰다. 그 후, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 47.7g(0.40몰)을 NMP 100g으로 희석한 용액을 투입했다. 투입 후, 50℃에서 3시간 교반했다. 교반 종료 후, 용액을 실온까지 냉각한 후, 용액을 물 5L에 투입해서 백색 침전을 얻었다. 이 침전을 여과로 모으고, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기에서 24시간 건조시키고, 목적의 폴리이미드 전구체인 알칼리 가용성 수지 (b2)를 얻었다. 알칼리 가용성 수지 (b2)의 수 평균 분자량은 11000이었다.Under a dry nitrogen stream, 62.0 g (0.20 mol) of 3,3',4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride was dissolved in 500 g of NMP. Here, 96.7 g (0.16 mol) of the hydroxyl group-containing diamine compound obtained in Synthesis Example 3 and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane were added along with 100 g of NMP, and the mixture was heated at 20°C. It was reacted for 1 hour, and then reacted at 50°C for 2 hours. Next, 8.7 g (0.08 mol) of 3-aminophenol as an end capping agent was added along with 50 g of NMP, and the mixture was allowed to react at 50°C for 2 hours. After that, a solution of 47.7 g (0.40 mol) of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal diluted with 100 g of NMP was added. After addition, it was stirred at 50°C for 3 hours. After the stirring was completed, the solution was cooled to room temperature, and then the solution was added to 5 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a vacuum dryer at 80°C for 24 hours to obtain alkali-soluble resin (b2), which is the target polyimide precursor. The number average molecular weight of the alkali-soluble resin (b2) was 11000.

합성예 6 알칼리 가용성 수지 (b3)의 합성Synthesis Example 6 Synthesis of alkali-soluble resin (b3)

건조 질소 기류 하, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물 62.0g(0.20몰)을 NMP 500g에 용해시켰다. 여기에 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰 44.85g(0.16몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24g(0.005몰)을 NMP 100g과 함께 더해서, 20℃에서 1시간 반응시키고, 이어서 50℃에서 2시간 반응시켰다. 다음에 말단 밀봉제로서 3-아미노페놀 8.7g(0.08몰)을 NMP 50g과 함께 더해서, 50℃에서 2시간 반응시켰다. 그 후, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 47.7g(0.40몰)을 NMP 100g으로 희석한 용액을 투입했다. 투입 후, 50℃에서 3시간 교반했다. 교반 종료 후, 용액을 실온까지 냉각한 후, 용액을 물 5L에 투입해서 백색 침전을 얻었다. 이 침전을 여과로 모으고, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기에서 24시간 건조시키고, 목적의 폴리이미드 전구체인 알칼리 가용성 수지 (b3)을 얻었다. 알칼리 가용성 수지 (b3)의 수 평균 분자량은 11000이었다.Under a dry nitrogen stream, 62.0 g (0.20 mol) of 3,3',4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride was dissolved in 500 g of NMP. Here, 44.85 g (0.16 mol) of bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane were added together with 100 g of NMP, It was reacted at 20°C for 1 hour, and then reacted at 50°C for 2 hours. Next, 8.7 g (0.08 mol) of 3-aminophenol as an end capping agent was added along with 50 g of NMP, and the mixture was allowed to react at 50°C for 2 hours. After that, a solution of 47.7 g (0.40 mol) of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal diluted with 100 g of NMP was added. After addition, it was stirred at 50°C for 3 hours. After the stirring was completed, the solution was cooled to room temperature, and then the solution was added to 5 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a vacuum dryer at 80°C for 24 hours to obtain alkali-soluble resin (b3), which is the target polyimide precursor. The number average molecular weight of the alkali-soluble resin (b3) was 11000.

합성예 7 퀴논디아지드 화합물 (c2)의 합성Synthesis Example 7 Synthesis of quinonediazide compound (c2)

건조 질소 기류 하, TrisP-PA(상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제) 21.23g(0.05몰)과 4-나프토퀴논디아지드술포닐산클로라이드 33.58g(0.125몰)을 1,4-디옥산 450g에 용해시켜서, 실온으로 하였다. 여기에, 1,4-디옥산 50g과 혼합시킨 트리에틸아민 12.65g(0.125몰)을 반응계 내가 35℃ 이상이 되지 않도록 적하했다. 적하 후 30℃에서 2시간 교반했다. 트리에틸아민염을 여과하고, 여액을 물에 투입시켰다. 그 후, 석출한 침전을 여과로 모았다. 이 침전을 진공 건조기에서 건조시키고, 나프토퀴논디아지드 화합물 (c2)를 얻었다. 이 나프토퀴논디아지드 화합물의 퀴논디아지드 치환율은 83%였다.Under a dry nitrogen stream, 21.23 g (0.05 mol) of TrisP-PA (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) and 33.58 g (0.125 mol) of 4-naphthoquinone diazidesulfonylic acid chloride were mixed with 1,4-dioxane. It was dissolved in 450 g and brought to room temperature. Here, 12.65 g (0.125 mol) of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane was added dropwise so that the temperature inside the reaction system did not exceed 35°C. After dropwise addition, it was stirred at 30°C for 2 hours. Triethylamine salt was filtered, and the filtrate was added to water. Afterwards, the precipitate that precipitated was collected by filtration. This precipitate was dried in a vacuum dryer to obtain naphthoquinonediazide compound (c2). The quinonediazide substitution rate of this naphthoquinonediazide compound was 83%.

Figure pct00017
Figure pct00017

합성예 8 알칼리 가용성 수지 (d1)의 합성Synthesis Example 8 Synthesis of alkali-soluble resin (d1)

건조 질소 기류 하, m-크레졸 108.0g(1.00몰), 37질량% 포름알데히드 수용액 75.5g(포름알데히드 0.93몰), 옥살산이수화물 0.63g(0.005몰), 메틸이소부틸케톤 264g을 넣은 후, 유욕 중에 침지하고, 반응액을 환류시키면서, 4시간 중축합 반응을 행하였다. 그 후, 유욕의 온도를 3시간에 걸쳐 승온하고, 그 후에, 플라스크 내의 압력을 4.0㎪ 내지 6.7㎪까지 감압하고, 휘발분을 제거하고, 용해하고 있는 수지를 실온까지 냉각하고, 노볼락형 페놀 수지인 알칼리 가용성 수지 (d1)을 얻었다. GPC로부터 중량 평균 분자량은 3,500이었다.Under a dry nitrogen stream, 108.0 g (1.00 mol) of m-cresol, 75.5 g (0.93 mol of formaldehyde) of 37 mass% formaldehyde aqueous solution, 0.63 g (0.005 mol) of oxalic acid dihydrate, and 264 g of methyl isobutyl ketone were added, followed by an oil bath. A polycondensation reaction was performed for 4 hours while immersed in the solution and refluxing the reaction solution. After that, the temperature of the oil bath was raised over 3 hours, and then the pressure in the flask was reduced to 4.0 kPa to 6.7 kPa, volatile matter was removed, the dissolved resin was cooled to room temperature, and the novolak-type phenol resin Phosphorus alkali-soluble resin (d1) was obtained. The weight average molecular weight from GPC was 3,500.

합성예 9 알칼리 가용성 수지 (Ac-2)의 합성Synthesis Example 9 Synthesis of alkali-soluble resin (Ac-2)

1000cc의 4구 플라스크에 이소프로필알코올을 100g 투입하고, 이것을 오일 배스 중에서 80℃로 유지하고 질소 시일, 교반을 행하면서 메타크릴산메틸 30g과 스티렌 40g, 메타크릴산 30g에 N.N-아조비스이소부티로니트릴 2g을 혼합해서 이것을 적하 깔때기에서 30분에 걸쳐 적하했다. 이 후, 4시간 반응을 계속한 후, 하이드로퀴논모노메틸에테르를 1g 첨가하고 나서 상온으로 되돌려 중합을 완료했다. 다음에 이소프로필알코올을 100g을 첨가한 후, 이것을 75℃로 유지하면서 메타크릴산글리시딜 40g과 트리에틸벤질암모늄클로라이드 3g을 첨가하고 3시간 반응시켜서, 공중합체 용액을 얻었다. 계속해서, 공중합체 용액을 실온까지 냉각한 후, 공중합체 용액을 물 5L에 투입해서 백색 침전을 얻었다. 이 침전을 여과로 모아서, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기에서 24시간 건조시키고, 목적의 아크릴 수지인 알칼리 가용성 수지 (Ac-2)를 얻었다. 이 알칼리 가용성 수지 (Ac-2)의 중량 평균 분자량은 10000이었다.Add 100 g of isopropyl alcohol to a 1000 cc four-necked flask, maintain it at 80°C in an oil bath, seal with nitrogen, and stir while adding N.N-azobisisobuty to 30 g of methyl methacrylate, 40 g of styrene, and 30 g of methacrylic acid. 2 g of Ronitrile was mixed and added dropwise over 30 minutes through a dropping funnel. After this, the reaction was continued for 4 hours, 1 g of hydroquinone monomethyl ether was added, and the temperature was returned to room temperature to complete polymerization. Next, 100 g of isopropyl alcohol was added, and while maintaining the temperature at 75°C, 40 g of glycidyl methacrylate and 3 g of triethylbenzylammonium chloride were added and reacted for 3 hours to obtain a copolymer solution. Subsequently, after cooling the copolymer solution to room temperature, the copolymer solution was added to 5 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a vacuum dryer at 80°C for 24 hours to obtain the alkali-soluble resin (Ac-2), which is the acrylic resin of interest. The weight average molecular weight of this alkali-soluble resin (Ac-2) was 10000.

실시예 1 내지 6 및 15, 비교예 1 내지 4 및 8Examples 1 to 6 and 15, Comparative Examples 1 to 4 and 8

도 1에, 평가에 사용하는 적층체의 개략도를 나타낸다.Figure 1 shows a schematic diagram of the laminate used for evaluation.

무알칼리 유리판(1)에, 스퍼터법에 의해, ITO 투명 도전막 10㎚를 무알칼리 유리판 전체면에 형성하고, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8)으로서 에칭했다. 또한, 제2 전극을 취출하기 위해서 보조 전극(3)도 동시에 형성했다. 얻어진 기판을 "세미코클린"(등록상표) 56(후르우찌 가가꾸(주)제)로 10분간 초음파 세정하고 나서 초순수로 세정하고, 건조시켜서 평가용 중간체로 하였다.10 nm of an ITO transparent conductive film was formed on the entire surface of the alkali-free glass plate 1 by sputtering, and was etched as the first electrode 8 patterned on the substrate. Additionally, in order to take out the second electrode, the auxiliary electrode 3 was also formed at the same time. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with "Semicoclean" (registered trademark) 56 (manufactured by Furuchi Chemical Co., Ltd.) for 10 minutes, then washed with ultrapure water and dried to prepare an intermediate for evaluation.

이어서, 황색 등 하, 표 1에 나타내는 배합비에서 각 성분을 혼합하고, 실온에서 충분히 교반을 행하여 용해시켰다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍 직경 0.45㎛의 필터로 여과하고, 감광성 수지 조성물 W1 내지 W12를 얻었다.Next, each component was mixed in the mixing ratio shown in Table 1, and stirred sufficiently at room temperature to dissolve the yellow color. Thereafter, the obtained solution was filtered through a filter with a pore diameter of 0.45 μm, and photosensitive resin compositions W1 to W12 were obtained.

Figure pct00018
Figure pct00018

계속해서, 상기 평가용 중간체 상에 얻어진 감광성 수지 조성물 W1 내지 W12를 스핀 코트법에 의해 도포하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이크해서 두께 약 2㎛의 감광성 수지 건조물을 형성한 후, 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 수은등의 전체 파장으로 노광량 120mJ/㎠(h선 환산)의 자외선을 조사한 후, 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고, 물로 린스하고, 격벽 패턴(4)의 미경화물을 제작한 것과, 격벽 패턴(5)의 미경화물을 형성한 것을 각각 2매 제작했다. 이어서, 250℃에서 클린 오븐(고요 서모 시스템(주)사제)을 사용하여, 질소 분위기 하에서 1시간 가열해서 경화시켜서, 격벽 패턴(4) 또는 격벽 패턴(5)을 형성한 적층체 A로 하였다.Subsequently, the obtained photosensitive resin compositions W1 to W12 were applied onto the intermediate for evaluation by spin coating, prebaked for 2 minutes on a hot plate at 120°C to form a photosensitive resin dried product with a thickness of about 2 μm, and then pre-baked for 2 minutes on a hot plate at 120°C. After irradiating ultraviolet rays with an exposure amount of 120 mJ/cm2 (equivalent to h-rays) with the entire wavelength of a mercury lamp through a photomask with a pattern of Two pieces were produced, one in which the cargo was manufactured and the other in which the uncured cargo of the partition pattern 5 was formed. Next, it was cured by heating at 250°C for 1 hour in a nitrogen atmosphere using a clean oven (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.) to obtain a laminate A in which the partition pattern 4 or the partition pattern 5 was formed.

격벽 패턴(4)을 형성한 적층체 A를 사용하여, (2) 발액성의 평가를 행하고, 그 후에 (3) UV 오존 내성의 평가를 행하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 2매째의 격벽 패턴(4)을 형성한 적층체 A를 사용하여, (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 그 후에 (4-2) 수지 경화물 내부의 XPS 분석을 행하였다. 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 2에 나타낸다.Using the laminate A in which the partition pattern (4) was formed, (2) liquid repellency was evaluated, and then (3) UV ozone resistance was evaluated. The results are shown in Table 2. In addition, using the laminate A on which the second partition pattern 4 was formed, (4-1) XPS analysis of the surface of the resin cured material was performed, and then (4-2) XPS analysis of the interior of the resin cured material was performed. It was done. The obtained element concentrations (atom%) of F atoms and Si atoms are shown in Table 2.

다음에 격벽 패턴(5)을 형성한 적층체 A를 사용하여, (5) 내구성의 평가를 행하고, 결과를 표 2에 나타낸다.Next, using the laminate A on which the partition pattern 5 was formed, (5) durability was evaluated, and the results are shown in Table 2.

Figure pct00019
Figure pct00019

실시예 7Example 7

감광성 수지 조성물 W3을 사용해서 실시예 1에 기재된 격벽 패턴(4)을 형성한 적층체 A를 제작하고, (4-3) 수지 경화물 표면과 내부의 XPS 비교의 평가를 행하였다. 감광성 수지 조성물 W3의 수지 경화물을 수지 경화물 W3이라고 기재한다. 얻어진 수지 경화물 W3 표면의 C1s 스펙트럼(22)과 수지 경화물 W3 내부의 C1s 스펙트럼(23)을 도 6에 도시한다.A laminate A having the partition pattern 4 described in Example 1 was produced using the photosensitive resin composition W3, and XPS comparison of the surface and interior of the cured resin (4-3) was evaluated. The resin cured product of photosensitive resin composition W3 is referred to as resin cured product W3. The C1s spectrum 22 on the surface of the obtained cured resin W3 and the C1s spectrum 23 inside the cured resin W3 are shown in Figure 6.

결합 에너지 290 내지 292eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF2기 유래의 피크의 피크 높이는, 수지 경화물 W3 표면의 C1s 스펙트럼(22) 쪽이 높은 결과였다. 한편, 결합 에너지 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크의 피크 높이는, 수지 경화물 W3 내부의 C1s 스펙트럼(23) 쪽이 높은 결과였다. 또한, 수지 경화물 W3은 UV 오존 처리 후에 높은 발액성을 갖고, 표시 장치에 사용한 경우의 내구성이 높은 결과였다.The peak height of the peak derived from the CF 2 group with a peak top in the range of binding energy 290 to 292 eV was found to be higher in the C1s spectrum (22) of the surface of the cured resin W3. On the other hand, the peak height of the peak derived from the CF 3 group with the peak top within the range of binding energy 292 to 294 eV was found to be higher in the C1s spectrum (23) inside the cured resin material W3. In addition, the cured resin W3 had high liquid repellency after UV ozone treatment and was highly durable when used in a display device.

비교예 5Comparative Example 5

감광성 수지 조성물 W10을 사용해서 실시예 1에 기재된 격벽 패턴(4)을 형성한 기판을 제작하고, (4-3) 수지 경화물 표면과 내부의 XPS 비교의 평가를 행하였다. 감광성 수지 조성물 W10의 수지 경화물을 수지 경화물 W10이라고 기재한다. 얻어진 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼(24)과 수지 경화물 W10 내부의 C1s 스펙트럼(25)을 도 7에 나타낸다. 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼(24)과 수지 경화물 W10 내부 C1s 스펙트럼(25)의 비교로, CF2기 유래의 피크의 피크 높이와 CF3기 유래의 피크의 피크 높이는 마찬가지였다. 또한, 수지 경화물 W10은 발액성의 평가가 불량했다.A substrate on which the partition pattern 4 described in Example 1 was formed was produced using photosensitive resin composition W10, and XPS comparison of the surface and interior of the cured resin (4-3) was evaluated. The cured resin product of photosensitive resin composition W10 is referred to as cured resin product W10. The C1s spectrum (24) on the surface of the obtained cured resin material W10 and the C1s spectrum (25) inside the cured resin material W10 are shown in Figure 7. Comparison of the C1s spectrum (24) on the surface of the cured resin W10 and the C1s spectrum (25) inside the cured resin W10 showed that the peak heights of the peaks derived from the CF 2 group and the peak heights of the peaks derived from the CF 3 group were the same. In addition, the cured resin W10 had a poor evaluation of liquid repellency.

실시예 8 비교예 6, 7Example 8 Comparative Examples 6 and 7

상기 <FT-IR에 의한 조성 분석>에 기재된 방법에서, 감광성 수지 조성물 W3(실시예 8), W7(비교예 6) 및 W8(비교예 7)로 형성한 수지 경화물의 IR 스펙트럼을 측정했다. 감광성 수지 조성물 W3과 W7의 수지 경화물의 IR 스펙트럼으로부터, 1775 내지 1780㎝-1 및 1720 내지 1725㎝-1에 이미드환 구조 중의 카르보닐기 신축 진동에 유래하는 피크가 얻어졌다. 한편, 감광성 수지 조성물 W8의 수지 경화물의 IR 스펙트럼으로부터는, 이미드환 구조의 존재를 닫는 스펙트럼은 보이지 않았다.In the method described in <Composition analysis by FT-IR>, the IR spectra of cured resin products formed from photosensitive resin compositions W3 (Example 8), W7 (Comparative Example 6), and W8 (Comparative Example 7) were measured. From the IR spectra of the cured resins of the photosensitive resin compositions W3 and W7, peaks at 1775 to 1780 cm -1 and 1720 to 1725 cm -1 resulting from the stretching vibration of the carbonyl group in the imide ring structure were obtained. On the other hand, the IR spectrum of the cured resin of photosensitive resin composition W8 did not show a spectrum confirming the presence of an imide ring structure.

상기 <열분해 GC/MS에 의한 조성 분석>에 기재된 방법으로, 감광성 수지 조성물 W3, W7 및 W8의 수지 경화물의 열분해물을 분석했다. 분석의 결과, 감광성 수지 조성물 W3과 W7의 수지 경화물로부터, 이미드환 구조에 귀속되는 피크(840 내지 850초)가 얻어졌다. 한편, 감광성 수지 조성물 W8의 경화물로부터는, 이미드환 구조에 귀속되는 피크는 보이지 않았다.Thermal decomposition products of the cured resins of the photosensitive resin compositions W3, W7, and W8 were analyzed by the method described in <Composition analysis by thermal decomposition GC/MS>. As a result of the analysis, a peak (840 to 850 seconds) attributed to the imide ring structure was obtained from the cured resins of the photosensitive resin compositions W3 and W7. On the other hand, no peak attributable to the imide ring structure was observed from the cured product of photosensitive resin composition W8.

실시예 8에서 사용한 감광성 수지 조성물 W3의 (5) 내구성의 평가 결과는 실시예 3이고, 발광 면적에 변화는 없고, 판정은 A였다.The evaluation result of (5) durability of the photosensitive resin composition W3 used in Example 8 was Example 3, there was no change in the emission area, and the judgment was A.

비교예 6에서 사용한 감광성 수지 조성물 W7의 (5) 내구성의 평가 결과는 비교예 1이고, 발광 면적이 83%로 축소했기 때문에, 판정은 C였다. 감광성 수지 조성물 W7의 수지 경화물로부터 이미드환 구조의 존재를 확인할 수 있었지만, 비교예 1의 (4-2) 수지 경화물 내부의 XPS 분석으로 불소 원자가 0atom%였기 때문에 발광 면적이 축소했다고 추정한다.The evaluation result of (5) durability of photosensitive resin composition W7 used in Comparative Example 6 was Comparative Example 1, and since the light emitting area was reduced to 83%, the judgment was C. Although the presence of an imide ring structure could be confirmed from the cured resin of photosensitive resin composition W7, the XPS analysis inside the cured resin of (4-2) of Comparative Example 1 showed that the fluorine atom was 0 atom%, so it is assumed that the emission area was reduced.

비교예 7에서 사용한 감광성 수지 조성물 W8의 (5) 내구성의 평가 결과는 비교예 2이고, 발광 면적이 60%로 축소했기 때문에, 판정은 D였다.The evaluation result of (5) durability of photosensitive resin composition W8 used in Comparative Example 7 was Comparative Example 2, and since the light emitting area was reduced to 60%, the judgment was D.

이와 같이, 이미드환 구조를 갖는 화합물 포함하는 수지 경화물을 격벽에 사용하면, 가속 조건에서의 내구성 시험 후에서도 발광 소자로서의 성능이 유지되어, 높은 내구성을 갖는 유기 EL 표시 장치가 얻어지는 것이 확인되었다.In this way, it was confirmed that when a resin cured material containing a compound having an imide ring structure is used for a partition, the performance as a light emitting element is maintained even after a durability test under accelerated conditions, and an organic EL display device with high durability is obtained.

실시예 9, 10Examples 9 and 10

상기 <열분해 GC/MS에 의한 조성 분석>에 기재된 방법에서, 감광성 수지 조성물 W3(실시예 9) 및 W6(실시예 10)의 수지 경화물의 열분해물을 분석했다. 분석의 결과, 감광성 수지 조성물 W3의 수지 경화물로부터, 인덴에 귀속되는 피크(450 내지 455초)가 얻어졌다. 한편, 감광성 수지 조성물 W6의 수지 경화물로부터는, 인덴에 귀속되는 피크는 보이지 않았다.By the method described in <Composition analysis by thermal decomposition GC/MS>, the thermal decomposition products of the cured resins of photosensitive resin compositions W3 (Example 9) and W6 (Example 10) were analyzed. As a result of the analysis, a peak (450 to 455 seconds) attributed to indene was obtained from the cured resin of photosensitive resin composition W3. On the other hand, no peak attributable to indene was observed from the cured resin of photosensitive resin composition W6.

이어서, 기판 상에, 감광성 수지 조성물 W3 및 W6을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이크해서 두께 약 2㎛의 감광성 수지 건조물을 형성했다. 계속해서, 감광성 수지 건조물의 절반의 면적을 현상 후의 두께가 0.5㎛가 되도록 수은등의 전체 파장으로 자외선을 조사하는 「하프 노광」을 행하였다. 나머지의 절반 면적에 대해서, 포지티브형의 감광 특성을 갖는 W3의 감광성 수지 건조물은, 현상 공정에서 두께가 감소하지 않도록 미노광으로 하였다. 한편, 네가티브형의 감광 특성을 갖는 W6은, 현상 공정에서 두께가 감소하지 않도록 노광량 120mJ/㎠(h선 환산)의 자외선을 조사했다. 이어서, 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고, 계속해서 물로 린스해서 감광성 수지 건조물 구비 중간체를 제작했다. 이어서, 얻어진 감광성 수지 건조물 구비 중간체를, 250℃에서 클린 오븐(고요 서모 시스템(주)사제)을 사용하여, 질소 분위기 하에서 1시간 가열해서 경화시켜서, 수지 경화물을 갖는 적층체 B를 제작했다.Next, the photosensitive resin compositions W3 and W6 were applied onto the substrate by spin coating and prebaked for 2 minutes on a hot plate at 120°C to form a dried photosensitive resin product with a thickness of about 2 μm. Subsequently, “half exposure” was performed in which half the area of the photosensitive resin dried material was irradiated with ultraviolet rays at all wavelengths of a mercury lamp so that the thickness after development was 0.5 μm. For the remaining half area, the dried photosensitive resin of W3, which has positive photosensitive characteristics, was left unexposed so as not to reduce its thickness during the development process. Meanwhile, W6, which has negative photosensitive characteristics, was irradiated with ultraviolet rays at an exposure amount of 120 mJ/cm2 (equivalent to h-rays) to prevent its thickness from decreasing during the development process. Next, it was developed with a 2.38% by mass TMAH aqueous solution for 60 seconds and then rinsed with water to produce an intermediate with a photosensitive resin dried product. Next, the obtained intermediate with the photosensitive resin dried product was cured by heating for 1 hour in a nitrogen atmosphere using a clean oven (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.) at 250°C to produce a laminate B with a cured resin product.

감광성 수지 조성물 W3의 수지 경화물의 표면에서 측정한 PGMEA에서의 접촉각에 대해서, 미노광부가 46°이고, 하프 노광부는 5° 이하였다. 이와 같이, 인덴을 갖는 화합물 포함하는 감광성 수지 조성물을 하프 노광으로 제작한 수지 경화물의 표면은 친액성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 즉, 1회의 포토리소그래피에서, 표면이 발액성의 수지 경화물과, 표면이 친액성의 수지 경화물을 형성할 수 있다. 한편, 감광성 수지 조성물 W6의 수지 경화물의 표면에서 측정한 PGMEA에서의 접촉각에 대해서, 노광부가 46°, 하프 노광부는 40°이고, 양쪽의 에어리어에서 발액성이 확인되었다.With respect to the contact angle in PGMEA measured on the surface of the cured resin of photosensitive resin composition W3, the unexposed area was 46° and the half-exposed area was 5° or less. In this way, it was confirmed that the surface of a cured resin product produced by half exposure of a photosensitive resin composition containing an indene-containing compound exhibits lyophilicity. That is, in one photolithography, a cured resin material with a liquid-repellent surface and a cured resin material with a lyophilic surface can be formed. On the other hand, the contact angle in PGMEA measured on the surface of the cured resin of photosensitive resin composition W6 was 46° in the exposed area and 40° in the half-exposed area, and liquid repellency was confirmed in both areas.

실시예 11Example 11

도 1에, 평가에 사용하는 적층체의 개략도를 나타낸다.Figure 1 shows a schematic diagram of the laminate used for evaluation.

무알칼리 유리판(1)에, 스퍼터법에 의해, ITO 투명 도전막 10㎚를 무알칼리 유리판 전체면에 형성하고, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8)으로서 에칭했다. 또한, 제2 전극을 취출하기 위해서 보조 전극(3)도 동시에 형성했다. 얻어진 기판을 "세미코클린"(등록상표) 56(후르우찌 가가꾸(주)제)으로 10분간 초음파 세정하고 나서 초순수로 세정하고, 건조시켜서 평가용 중간체로 하였다.10 nm of an ITO transparent conductive film was formed on the entire surface of the alkali-free glass plate 1 by sputtering, and was etched as the first electrode 8 patterned on the substrate. Additionally, in order to take out the second electrode, the auxiliary electrode 3 was also formed at the same time. The obtained substrate was ultrasonic cleaned with "Semicoclean" (registered trademark) 56 (manufactured by Furuchi Chemical Co., Ltd.) for 10 minutes, then washed with ultrapure water and dried to prepare an intermediate for evaluation.

또한, 상기 평가용 중간체 상에 얻어진 감광성 수지 조성물 W3을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이크해서 두께 약 2㎛의 감광성 수지 건조물을 형성했다. 이어서, 소정의 패턴 및 하프 노광을 할 수 있도록 투과율을 조정한 개소를 갖는 포토마스크를 통해 수은등의 전체 파장으로 노광량 120mJ/㎠(h선 환산)의 자외선을 조사한 후, 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고, 물로 린스하고, 격벽 패턴(12)의 미경화물을 형성했다. 이어서, 격벽 패턴(12)을 형성한 기판을, 250℃에서 클린 오븐(고요 서모 시스템(주)사제)을 사용하여, 질소 분위기 하에서 1시간 가열해서 경화시켜서, 격벽 패턴(12)을 형성한 적층체 A를 얻었다. 형성한 격벽 패턴(12)은, 제1단의 두께가 1.8㎛, 제2단의 두께가 0.5㎛였다.Additionally, the obtained photosensitive resin composition W3 was applied onto the intermediate for evaluation by spin coating and prebaked for 2 minutes on a hot plate at 120°C to form a dried photosensitive resin product with a thickness of about 2 μm. Next, after irradiating ultraviolet rays with an exposure amount of 120 mJ/cm2 (equivalent to h-rays) at the full wavelength of a mercury lamp through a photomask with a point where the transmittance is adjusted to enable a predetermined pattern and half exposure, 60% UV rays are added with a 2.38% by mass TMAH aqueous solution. It was developed for a few seconds, rinsed with water, and an uncured product of the partition pattern 12 was formed. Next, the substrate on which the partition pattern 12 was formed was cured by heating at 250° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere using a clean oven (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.), thereby forming the partition pattern 12. Sieve A was obtained. The formed partition wall pattern 12 had a thickness of 1.8 μm at the first stage and 0.5 μm at the second stage.

하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W3(제2단), 및 미노광으로 형성한 수지 경화물 W3(제1단)에 대해서, (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 3에 나타낸다. 또한, 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W3(제2단) 표면의 C1s 스펙트럼(26)을 도 8에 도시한다. 또한 (5) 내구성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.For the cured resin material W3 (second stage) formed by half exposure and the cured resin material W3 (first stage) formed by unexposed, (4-1) XPS analysis of the surface of the cured resin material was performed, and the obtained F The elemental concentrations (atom%) of atoms and Si atoms are shown in Table 3. Additionally, the C1s spectrum 26 of the surface of the cured resin W3 (second stage) formed by half exposure is shown in FIG. Additionally, (5) the durability evaluation results are shown in Table 3.

하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W3(제2단) 표면의 XPS 분석 결과는, 특성 (v)를 충족하는 결과였다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W3(제2단) 표면은 친액성이며, (5) 내구성의 평가에서, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 기능성 잉크(11)를 백색 누락하지 않고, 연속해서 적하할 수 있었다.The XPS analysis results of the surface of the cured resin W3 (second stage) formed by half exposure were results that satisfied characteristic (v). The surface of the cured resin W3 (second stage) formed by half exposure is lyophilic, and (5) in the evaluation of durability, as shown in FIG. 2, the first electrode 8 patterned on the substrate and the resin The functional ink 11 was able to be continuously dripped onto the second stage 10 of the cured product without leaving any white spots.

Figure pct00020
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실시예 12Example 12

감광성 수지 조성물을 W5로 변경한 것 이외에는 실시예 11과 마찬가지로 평가했다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단), 및 미노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제1단)에 대해서, (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 3에 나타낸다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단) 표면의 C1s 스펙트럼(27)을 도 9에 나타낸다. 또한 (5) 내구성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.Evaluation was performed in the same manner as in Example 11, except that the photosensitive resin composition was changed to W5. For the cured resin material W5 (second stage) formed by half exposure and the cured resin material W5 (first stage) formed by unexposed, (4-1) XPS analysis of the surface of the cured resin material was performed, and the obtained F The elemental concentrations (atom%) of atoms and Si atoms are shown in Table 3. The C1s spectrum (27) of the surface of the cured resin W5 (second stage) formed by half exposure is shown in Figure 9. Additionally, (5) the durability evaluation results are shown in Table 3.

하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단) 표면의 XPS 분석 결과는, 특성 (v)를 충족하는 결과였다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단) 표면은 친액성이며, (5) 내구성의 평가에서, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 기능성 잉크(11)를 백색 누락하지 않고, 연속해서 적하할 수 있었다.The XPS analysis results of the surface of the cured resin W5 (second stage) formed by half exposure were results that satisfied characteristic (v). The surface of the cured resin W5 (second stage) formed by half exposure is lyophilic, and (5) in the evaluation of durability, as shown in FIG. 2, the first electrode 8 patterned on the substrate and the resin The functional ink 11 was able to be continuously dripped onto the second stage 10 of the cured product without leaving any white spots.

실시예 11과 비교하여, 하프 노광으로 형성한 수지 경화물(제2단)의 F원자 농도가 낮았기 때문에, 내구성 시험이 나빠졌다고 추측한다.Compared to Example 11, it is assumed that the durability test deteriorated because the F atom concentration of the cured resin (second stage) formed by half exposure was low.

실시예 13Example 13

격벽 패턴(12)의 제작 방법을 다음과 같이 변경한 것 이외에는 실시예 11과 마찬가지로 평가했다.The evaluation was performed in the same manner as in Example 11, except that the manufacturing method of the partition pattern 12 was changed as follows.

평가용 중간체 상에 감광성 수지 조성물 W10을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이크해서 두께 약 0.6㎛의 감광성 수지 건조물을 형성했다. 이어서, 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 수은등의 전체 파장으로 노광량 60mJ/㎠(h선 환산)의 자외선을 조사한 후, 2.38질량% TMAH 수용액으로 50초간 현상하고, 물로 린스했다. 이어서, 250℃에서 클린 오븐(고요 서모 시스템(주)사제)을 사용해서, 질소 분위기 하에서 1시간 가열해서 경화시키고, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 전극 상에 수지 경화물의 제2단(10)을 형성했다. 이어서, 감광성 수지 조성물 W3을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이크해서 두께 약 2.0㎛의 감광성 수지 건조물을 형성했다. 이어서, 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 수은등의 전체 파장으로 노광량 120mJ/㎠(h선 환산)의 자외선을 조사한 후, 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고, 물로 린스했다. 이어서, 250℃에서 클린 오븐(고요 서모 시스템(주)사제)을 사용하여, 질소 분위기 하에서 1시간 가열해서 경화시키고, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 전극 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 수지 경화물의 제1단(9)을 형성하고, 격벽 패턴(12)을 형성한 적층체 A를 2매 제작했다.Photosensitive resin composition W10 was applied onto the intermediate for evaluation by spin coating, and prebaked for 2 minutes on a hot plate at 120°C to form a dried photosensitive resin product with a thickness of about 0.6 μm. Next, after irradiating ultraviolet rays with an exposure amount of 60 mJ/cm2 (h-ray equivalent) with all wavelengths of a mercury lamp through a photomask with a predetermined pattern, it was developed with a 2.38% by mass TMAH aqueous solution for 50 seconds and rinsed with water. Next, it was cured by heating at 250°C for 1 hour under a nitrogen atmosphere using a clean oven (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.), and the second stage (10) of the cured resin was placed on the first electrode as shown in FIG. 3. ) was formed. Next, photosensitive resin composition W3 was applied by spin coating and prebaked for 2 minutes on a hot plate at 120°C to form a dried photosensitive resin product with a thickness of about 2.0 μm. Next, after irradiating ultraviolet rays with an exposure amount of 120 mJ/cm2 (h-ray equivalent) with all wavelengths of a mercury lamp through a photomask with a predetermined pattern, it was developed with a 2.38% by mass TMAH aqueous solution for 60 seconds and rinsed with water. Next, it was cured by heating at 250°C for 1 hour under a nitrogen atmosphere using a clean oven (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.), and as shown in FIG. 3, the first electrode and the second stage 10 of the cured resin were formed. Two layers of laminate A were produced on which the first stage 9 of the cured resin was formed and the partition pattern 12 was formed.

형성한 격벽 패턴(12)은, 제1단의 두께가 1.8㎛, 제2단의 두께가 0.5㎛였다.The formed partition wall pattern 12 had a thickness of 1.8 μm at the first stage and 0.5 μm at the second stage.

수지 경화물 W10(제2단), 및 수지 경화물 W3(제1단)에 대해서, 제2단의 (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 3에 나타낸다. 또한, 제2단인 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼28을 도 10에 나타낸다. 또한 (5) 내구성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.For the cured resin W10 (second stage) and the cured resin W3 (first stage), XPS analysis was performed on the surface of the second stage (4-1) resin cured material, and the elements of the F atoms and Si atoms were obtained. Concentrations (atom%) are shown in Table 3. Additionally, C1s spectrum 28 of the surface of the second stage cured resin material W10 is shown in Figure 10. Additionally, (5) the durability evaluation results are shown in Table 3.

수지 경화물 W10(제2단) 표면의 XPS 분석 결과는, 특성 (v)를 충족하는 결과였다. 수지 경화물 W10(제2단) 표면은 친액성이며, (5) 내구성의 평가에서, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(9) 상에 기능성 잉크(11)를 백색 누락하지 않고, 연속해서 적하할 수 있었다.The XPS analysis results of the surface of the cured resin W10 (second stage) were results that satisfied characteristic (v). The surface of the cured resin W10 (second stage) is lyophilic, and (5) in the evaluation of durability, as shown in FIG. 3, the first electrode 8 patterned on the substrate and the second stage of the cured resin (9) The functional ink (11) was able to be continuously dripped onto the surface without leaving white spots.

실시예 14Example 14

감광성 수지 조성물을 표 3에 기재된 종류로 변경한 것 이외에는 실시예 13과 마찬가지로 평가했다. 제1단 및 제2단의 (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 3에 나타낸다. 또한, 제2단인 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼(29)을 도 11에 나타낸다. 또한 (5) 내구성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.Evaluation was performed in the same manner as in Example 13, except that the photosensitive resin composition was changed to the type shown in Table 3. XPS analysis was performed on the surface of the cured resin (4-1) in the first and second stages, and the obtained element concentrations (atom%) of F atoms and Si atoms are shown in Table 3. Additionally, the C1s spectrum (29) of the surface of the second stage cured resin W10 is shown in FIG. 11. Additionally, (5) the durability evaluation results are shown in Table 3.

수지 경화물 W10(제2단) 표면의 XPS 분석 결과는, 특성 (v)를 충족하는 결과였다. 수지 경화물 W10(제2단) 표면은 친액성이며, (5) 내구성의 평가에서, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(9) 상에 기능성 잉크(11)를 백색 누락하지 않고, 연속해서 적하할 수 있었다.The XPS analysis results of the surface of the cured resin W10 (second stage) were results that satisfied characteristic (v). The surface of the cured resin W10 (second stage) is lyophilic, and (5) in the evaluation of durability, as shown in FIG. 3, the first electrode 8 patterned on the substrate and the second stage of the cured resin (9) The functional ink (11) was able to be continuously dripped onto the surface without leaving white spots.

실시예 13과 비교하여, 실시예 14는 표시 장치의 내구성 평가에서 발광 면적에 축소가 보였다. 제1단에 사용한 감광성 수지 조성물 W8은, 비교예 2의 XPS에 의한 수지 경화물 내부의 분석으로, F 원자의 농도가 0atom%였기 때문에 발광 면적이 축소했다고 추측한다.Compared to Example 13, Example 14 showed a reduction in the light emitting area in the durability evaluation of the display device. In the photosensitive resin composition W8 used in the first stage, it is assumed that the emission area was reduced because the concentration of F atoms was 0 atom%, based on analysis of the inside of the cured resin material by XPS in Comparative Example 2.

실시예 16Example 16

감광성 수지 조성물을 W11로 변경한 것 이외에는 실시예 11과 마찬가지로 평가했다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W11(제2단), 및 미노광으로 형성한 수지 경화물 W11(제1단)에 대해서, (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 3에 나타낸다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단) 표면의 C1s 스펙트럼(31)을 도 12에 나타낸다. 또한 (5) 내구성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.Evaluation was performed in the same manner as in Example 11, except that the photosensitive resin composition was changed to W11. For the cured resin material W11 (second stage) formed by half exposure and the cured resin material W11 (first stage) formed by unexposed, (4-1) XPS analysis of the surface of the cured resin material was performed, and the obtained F The elemental concentrations (atom%) of atoms and Si atoms are shown in Table 3. The C1s spectrum 31 of the surface of the cured resin W5 (second stage) formed by half exposure is shown in FIG. 12. Additionally, (5) the durability evaluation results are shown in Table 3.

하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W11(제2단) 표면의 XPS 분석 결과는, 특성 (v)를 충족하는 결과였다. 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W11(제2단) 표면은 친액성이며, (5) 내구성의 평가에서, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(10) 상에 기능성 잉크(11)를 백색 누락하지 않고, 연속해서 적하할 수 있었다.The XPS analysis result of the surface of the cured resin W11 (second stage) formed by half exposure was a result that satisfied characteristic (v). The surface of the cured resin W11 (second stage) formed by half exposure is lyophilic, and (5) in the evaluation of durability, as shown in FIG. 2, the first electrode 8 patterned on the substrate and the resin The functional ink (11) was able to be continuously dripped onto the second stage (10) of the cured product without white spots.

실시예 17Example 17

감광성 수지 조성물을 표 3에 기재된 종류로 변경한 것 이외에는 실시예 13과 마찬가지로 평가했다. 제1단 및 제2단의 (4-1) 수지 경화물 표면의 XPS 분석을 행하고, 얻어진 F 원자와 Si 원자의 원소 농도(atom%)를 표 3에 나타낸다. 또한, 제2단인 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼(32)을 도 13에 나타낸다. 또한 (5) 내구성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.Evaluation was performed in the same manner as in Example 13, except that the photosensitive resin composition was changed to the type shown in Table 3. XPS analysis was performed on the surface of the cured resin (4-1) in the first and second stages, and the obtained element concentrations (atom%) of F atoms and Si atoms are shown in Table 3. Additionally, the C1s spectrum 32 of the surface of the second stage cured resin W10 is shown in FIG. 13. Additionally, (5) the durability evaluation results are shown in Table 3.

수지 경화물 W10(제2단) 표면의 XPS 분석 결과는, 특성 (v)를 충족하는 결과였다. 수지 경화물 W10(제2단) 표면은 친액성이며, (5) 내구성의 평가에서, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 상에 패터닝된 제1 전극(8) 상 및 수지 경화물의 제2단(9) 상에 기능성 잉크(11)를 백색 누락하지 않고, 연속해서 적하할 수 있었다.The XPS analysis results of the surface of the cured resin W10 (second stage) were results that satisfied characteristic (v). The surface of the cured resin W10 (second stage) is lyophilic, and (5) in the evaluation of durability, as shown in FIG. 3, the first electrode 8 patterned on the substrate and the second stage of the cured resin (9) The functional ink (11) was able to be continuously dripped onto the surface without leaving white spots.

실시예 13과 비교하여, 실시예 17은 표시 장치의 내구성 평가에서 발광 면적에 축소가 보였다. 제1단에 사용한 감광성 수지 조성물 W12는, 비교예 8의 XPS에 의한 수지 경화물 내부의 분석으로, F 원자의 농도가 0atom%였기 때문에 발광 면적이 축소했다고 추측한다.Compared to Example 13, Example 17 showed a reduction in the light emitting area in the durability evaluation of the display device. In the photosensitive resin composition W12 used in the first stage, it is assumed that the emission area was reduced because the concentration of F atoms was 0 atom%, based on analysis of the inside of the cured resin material by XPS in Comparative Example 8.

1: 무알칼리 유리 기판
3: 보조 전극
4: 격벽 패턴
5: 격벽 패턴
6: 유기 EL층
7: 제2 전극
8: 기판 상에 패터닝된 제1 전극
9: 수지 경화물의 제1단
10: 수지 경화물의 제2단
11: 기능층
12: 격벽 패턴
13: 기판
14: 평탄화층
16: 수지 경화물
17: 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면
18: 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면
19: 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위
20: 수지 경화물 제1단의 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면
21: 수지 경화물 제2단의 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면
22: 수지 경화물 W3 표면의 C1s 스펙트럼
23: 수지 경화물 W3 내부의 C1s 스펙트럼
24: 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼
25: 수지 경화물 W10 내부의 C1s 스펙트럼
26: 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W3(제2단) 표면의 C1s 스펙트럼
27: 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단) 표면의 C1s 스펙트럼
28: 제2단인 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼
29: 제2단인 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼
30: 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며, 제1 전극과 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100㎚
31: 하프 노광으로 형성한 수지 경화물 W5(제2단) 표면의 C1s 스펙트럼
32: 제2단인 수지 경화물 W10 표면의 C1s 스펙트럼
1: Alkali-free glass substrate
3: Auxiliary electrode
4: Bulkhead pattern
5: Bulkhead pattern
6: Organic EL layer
7: second electrode
8: First electrode patterned on the substrate
9: First stage of cured resin
10: Second stage of cured resin
11: Functional layer
12: Bulkhead pattern
13: substrate
14: Flattening layer
16: Resin cured material
17: Surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin come into contact
18: Interface where the first electrode and the cured resin are in contact
19: Perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured resin from the substrate, in the range of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact.
20: Surface opposite to the interface where the first electrode of the first stage of the cured resin and the cured resin come into contact
21: Surface opposite to the interface where the first electrode of the second stage of the cured resin and the cured resin come into contact
22: C1s spectrum of the surface of cured resin W3
23: C1s spectrum inside cured resin W3
24: C1s spectrum of the surface of cured resin W10
25: C1s spectrum inside cured resin W10
26: C1s spectrum of the surface of the cured resin W3 (second stage) formed by half exposure
27: C1s spectrum of the surface of the cured resin W5 (second stage) formed by half exposure
28: C1s spectrum of the surface of second stage resin cured material W10
29: C1s spectrum of the surface of second stage resin cured material W10
30: Perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured resin from the substrate, 100 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact.
31: C1s spectrum of the surface of the cured resin W5 (second stage) formed by half exposure
32: C1s spectrum of the surface of second stage resin cured material W10

Claims (10)

기판, 해당 기판 상에 패터닝된 제1 전극, 수지 경화물의 순으로 적층되고, 상기 제1 전극 상에 있는 상기 수지 경화물의 적어도 일부가 개구되어 있는 적층체이며,
X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석이 특성 (i) 및 특성 (ii)를 충족하는 적층체.
(i) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 상기 수지 경화물의 F 원자의 농도가 8.1atom% 이상 30.0atom% 이하 및 Si 원자의 농도가 1.0atom% 이상 6.0atom% 이하이다
(ii) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 상기 수지 경화물의 방향이며, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정되는 상기 수지 경화물의 F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 8.0atom% 이하이다
A laminate in which a substrate, a first electrode patterned on the substrate, and a cured resin are laminated in that order, and at least a portion of the cured resin on the first electrode is open,
A laminate wherein analysis of the cured resin by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) satisfies properties (i) and (ii).
(i) the F atom concentration of the cured resin measured from at least a portion of the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 8.1 atom% or more and 30.0 atom% or less and the Si atom concentration is 1.0 atom % or more and 6.0 atom% or less
(ii) perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured resin from the substrate, and of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. The concentration of F atoms in the cured resin as measured within the range is 0.1 atom% or more and 8.0 atom% or less.
제1항에 있어서, 상기 특성 (ii)에 있어서의 F 원자의 농도가, 4.0atom% 이상 7.5atom% 이하인, 적층체.The laminate according to claim 1, wherein the concentration of F atoms in characteristic (ii) is 4.0 atom% or more and 7.5 atom% or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 상기 수지 경화물의 C1s 스펙트럼 [A]와,
상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면에 대하여 수직, 또한 상기 기판으로부터 수지 경화물의 방향이며, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 100 내지 200㎚의 범위의 어느 것에서 측정되는 상기 수지 경화물의 C1s 스펙트럼 [B]가,
특성 (iii) 및 특성 (iv)를 충족하는, 적층체.
(iii) C1s 스펙트럼 [B]에 있어서의 결합 에너지 290 내지 292eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF2기 유래의 피크의 피크 높이보다, C1s 스펙트럼 [A]에 있어서의 동일 피크 높이 쪽이 높다
(iv) C1s 스펙트럼 [A]에 있어서의 결합 에너지 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크의 피크 높이보다, C1s 스펙트럼 [B]에 있어서의 동일 피크 높이 쪽이 높다
The method of claim 1 or 2, wherein in the analysis of the cured resin material by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS),
C1s spectrum [A] of the cured resin measured from at least a portion of the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact,
Perpendicular to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and in the direction of the cured resin from the substrate, within a range of 100 to 200 nm starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact. The C1s spectrum [B] of the cured resin to be measured is,
A laminate satisfying properties (iii) and (iv).
(iii) The same peak height in the C1s spectrum [A] is higher than the peak height of the peak derived from the CF 2 group with a peak top within the range of binding energy 290 to 292 eV in the C1s spectrum [B].
(iv) The peak height of the same peak in the C1s spectrum [B] is higher than the peak height of the peak derived from the CF 3 group with a peak top within the range of binding energy 292 to 294 eV in the C1s spectrum [A].
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 경화물이 이미드환 구조를 갖는 화합물을 포함하는, 적층체.The laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin cured product contains a compound having an imide ring structure. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 경화물이 인덴 구조를 갖는 화합물을 포함하는, 적층체.The laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the cured resin contains a compound having an indene structure. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 경화물이, 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 한 두께가 0.8㎛ 내지 10.0㎛인 제1단, 및 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면을 기점으로 한 두께가 0.1㎛ 내지 0.7㎛인 제2단을 갖는 단차 형상의 수지 경화물이며, 또한 X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 상기 수지 경화물의 분석에 있어서, 상기 수지 경화물의 제1단이 상기 특성 (i)을 충족하고, 상기 수지 경화물의 제2단이 특성 (v)를 충족하는, 적층체.
(v) 상기 제1 전극과 상기 수지 경화물이 접하는 계면과 반대측의 표면의 적어도 일부로부터 측정되는 F 원자의 농도가 0.1atom% 이상 20.0atom% 이하 및 Si 원자의 농도가 0.1atom% 이상 0.9atom% 이하이고, 또한 C1s 스펙트럼에 있어서의 결합 에너지 290 내지 295eV의 범위에 측정되는 최대 피크 높이를 갖는 피크가, 292 내지 294eV의 범위 내에 피크 톱이 있는 CF3기 유래의 피크이다
The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the cured resin has a first stage having a thickness of 0.8 ㎛ to 10.0 ㎛ starting from an interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and It is a stepped resin cured material having a second stage with a thickness of 0.1 ㎛ to 0.7 ㎛ starting from the interface where the first electrode and the cured resin are in contact, and the cured resin is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In the analysis, the first stage of the cured resin satisfies the characteristic (i), and the second stage of the cured resin satisfies the characteristic (v).
(v) The concentration of F atoms measured from at least a portion of the surface opposite to the interface where the first electrode and the cured resin are in contact is 0.1 atom% or more and 20.0 atom% or less, and the concentration of Si atoms is 0.1 atom% or more and 0.9 atoms. % or less, and the peak with the maximum peak height measured in the range of 290 to 295 eV of binding energy in the C1s spectrum is the peak derived from the CF 3 group with the peak top in the range of 292 to 294 eV.
제6항에 있어서, 상기 특성 (v)에 있어서의 F 원자의 농도가, 8.0atom% 이상 18.0atom% 이하인, 적층체.The laminate according to claim 6, wherein the concentration of F atoms in the characteristic (v) is 8.0 atom% or more and 18.0 atom% or less. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 적층체를 구비하는, 표시 장치.A display device comprising the laminate according to any one of claims 1 to 7. 공정 (5) 및 (6)을 이 순으로 갖는, 표시 장치의 제조 방법.
(5) 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 적층체에 있어서, 상기 제1 전극 상에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성하는 공정
(6) 해당 기능층 상에 제2 전극을 형성하는 공정
A method for manufacturing a display device, comprising steps (5) and (6) in this order.
(5) In the laminate according to any one of claims 1 to 7, a step of forming a functional layer by applying a functional ink to the first electrode by inkjet.
(6) Process of forming a second electrode on the functional layer
공정 (7) 및 (8)을 이 순으로 갖는, 표시 장치의 제조 방법.
(7) 제6항 또는 제7항에 기재된 적층체에 있어서, 상기 제1 전극 상 및 상기 수지 경화물의 제2단 상에 기능성 잉크를 잉크젯으로 도포해서 기능층을 형성하는 공정
(8) 해당 기능층 상에 제2 전극을 형성하는 공정
A method for manufacturing a display device, comprising steps (7) and (8) in this order.
(7) In the laminate according to claim 6 or 7, a step of forming a functional layer by applying a functional ink on the first electrode and on the second stage of the cured resin by inkjet.
(8) Process of forming a second electrode on the functional layer
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