KR20230139771A

KR20230139771A - Wafer processing apparatus

Info

Publication number: KR20230139771A
Application number: KR1020230010972A
Authority: KR
Inventors: 후미오 마세
Original assignee: 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔
Priority date: 2022-03-28
Filing date: 2023-01-27
Publication date: 2023-10-05
Also published as: CN116810627A; TW202337638A; JP2023145215A; TWI823656B

Abstract

본 발명은, 척과 척 베이스를 고정하고 있는 고정 나사의 열팽창을 억제함으로써, 축력 변화를 저감시켜 고정밀도로 가공을 행할 수 있는 구조로 한 웨이퍼 가공 장치를 제공한다.
척 테이블(12)에 항온 칠러수를 공급하여 척(15)을 대략 일정한 온도로 유지하는 항온 칠러수원(23)과, 척 테이블(12)의 외주 측면으로부터 배출되는 항온 칠러수를 척 테이블(12)의 외주 측면 사이에 저류하여 고정 나사(17) 측에 공급하거나, 적어도 척(15)의 외주 측면 전체를 덮어 설치된 링 형상의 커버(27)를 구비한다.The present invention provides a wafer processing device with a structure capable of performing processing with high precision by suppressing thermal expansion of the fixing screws that secure the chuck and the chuck base, thereby reducing changes in axial force.
A constant temperature chiller water source 23 supplies constant temperature chiller water to the chuck table 12 to maintain the chuck 15 at an approximately constant temperature, and a constant temperature chiller water discharged from the outer peripheral side of the chuck table 12 is supplied to the chuck table 12. ) is stored between the outer peripheral sides of the chuck and supplied to the fixing screw 17 side, or at least a ring-shaped cover 27 is installed to cover the entire outer peripheral side of the chuck 15.

Description

Wafer processing equipment {WAFER PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 웨이퍼 가공 장치에 관한 것으로, 특히, 회전하는 척 테이블에 보유된 원판 형상의 웨이퍼에 대하여, 연삭 및 연마 등의 가공을 고정밀도로 실시하는 것이 가능한 웨이퍼 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly, to a wafer processing apparatus capable of performing processing such as grinding and polishing with high precision on a disk-shaped wafer held on a rotating chuck table.

종래, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)의 표면을 평탄하게 연삭 가공하는 가공 장치로서, 원판 형상의 웨이퍼를 흡인 보유하는 척 테이블과, 그 웨이퍼에 연삭을 실시하는 연삭용 숫돌을 가지는 회전 가공 휠을 구비하여, 연삭용 숫돌에 의해 웨이퍼의 표면 연삭을 행하는 장치는 알려져 있다.Conventionally, it is a processing device for grinding the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) to be flat, and has a chuck table for holding a disk-shaped wafer by suction, and a grinding wheel for grinding the wafer. There is a known device that includes a rotating processing wheel and grinds the surface of a wafer using a grinding wheel.

이러한 연삭 장치에서는, 연삭 가공을 행하는 경우에, 연삭용 숫돌 등에 축열된 가공열이 웨이퍼를 통하여 척 테이블에 축열된다. 그 결과, 척 테이블이 열팽창하여, 미크론 단위의 정밀도로 가공을 행하는 웨이퍼의 가공에는, 지장을 초래하는 경우가 있다.In such a grinding device, when grinding processing is performed, the processing heat stored in the grinding wheel or the like is stored in the chuck table through the wafer. As a result, the chuck table may thermally expand, causing problems in wafer processing with micron-level precision.

따라서, 종래, 냉각 기능을 구비한 척 테이블이 제안되어 있다. 이 척 테이블은 웨이퍼가 재치되는 원판 형상의 척(흡인판)과, 척의 이면 측에 냉각 수단을 구비하고 있다. 그리고, 척 내부의 유로에, 온도 조정된 물을 흘림으로써, 척의 열팽창을 저감하는 기술이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조).Therefore, conventionally, a chuck table with a cooling function has been proposed. This chuck table is equipped with a disk-shaped chuck (suction plate) on which the wafer is placed, and a cooling means on the back side of the chuck. Additionally, a technique has been proposed to reduce thermal expansion of the chuck by flowing temperature-adjusted water into the flow path inside the chuck (for example, see Patent Document 1 and Patent Document 2).

또한, 척과 일체로 회전하는 척 베이스 상에 유로를 제공하여, 척 베이스 상의 유로에 온도 조절된 물을 흘림으로써, 척의 열팽창을 저감하는 기술도 제안되어 있다(특허문헌 3 참조).Additionally, a technology has been proposed to reduce thermal expansion of the chuck by providing a flow path on a chuck base that rotates integrally with the chuck and flowing temperature-controlled water into the flow path on the chuck base (see Patent Document 3).

일본 공개특허공보 2014-237200호Japanese Patent Publication No. 2014-237200 일본 공개특허공보 2018-27588호Japanese Patent Publication No. 2018-27588 일본 공개특허공보 2017-69429호Japanese Patent Publication No. 2017-69429

그러나, 특허문헌 1, 특허문헌 2, 특허문헌 3에 기재되는 기술은, 척의 열팽창은 저감할 수 있지만, 척과 척 베이스 사이를 고정하고 있는 고정 나사 등의 체결 부재는, 일반적으로 척 및 척 베이스 등과는 다른 재료로 형성되어 있다. 그 때문에, 고정 나사에 척 및 척 베이스로부터의 열이 전달되어, 그 고정 나사가 척 및 척 베이스와 대략 같은 온도가 될 때까지 시간이 걸리고, 그 동안에 고정 나사 등이 열팽창을 일으킨다. 이 고정 나사의 열팽창은, 척을 고정하고 있는 축력에 변화를 가져오고, 그 결과, 척의 형상이 변화하게 된다. 그 때문에, 1번째 장의 가공으로부터 N번째 장의 가공까지의 동안에, 정밀도차가 생기기 쉽다는 문제점이 있었다.However, although the techniques described in Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3 can reduce the thermal expansion of the chuck, the fastening members such as set screws that secure between the chuck and the chuck base are generally connected to the chuck and the chuck base. is made of different materials. Therefore, heat from the chuck and the chuck base is transferred to the set screw, and it takes time for the set screw to reach approximately the same temperature as the chuck and the chuck base, and during this time, the set screw and the like cause thermal expansion. Thermal expansion of this set screw changes the axial force holding the chuck, and as a result, the shape of the chuck changes. Therefore, there was a problem that accuracy differences were likely to occur during the process from the processing of the first sheet to the processing of the Nth sheet.

따라서, 척과 척 베이스를 고정하고 있는 고정 나사의 열팽창을 억제함으로써, 축력 변화를 저감시켜 고정밀도로 가공을 행할 수 있는 구조로 한 웨이퍼 가공 장치를 제공하기 위해 해결해야 할 기술적 과제가 발생하게 되는 것이며, 본 발명은 이 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.Therefore, a technical problem that must be solved to provide a wafer processing device with a structure that can perform processing with high precision by reducing the change in axial force by suppressing the thermal expansion of the fixing screw that secures the chuck and the chuck base, arises, The present invention aims to solve this problem.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 제안된 것으로, 청구항 1에 기재된 발명은, 웨이퍼를 흡인 보유하는 척과, 상기 척과 일체로 회전하는 척 베이스 사이를 복수개의 고정 나사로 고정한 척 테이블을 구비하는 웨이퍼 가공 장치로서, 상기 척 테이블에 항온 칠러수를 공급하여 상기 척을 대략 일정한 온도로 유지하는 항온 칠러수 공급 수단과, 상기 척 테이블의 상기 외주 측면으로부터 배출되는 상기 항온 칠러수를 상기 척 테이블의 상기 외주 측면 사이에 저류하여 상기 고정 나사 측에 공급하는, 적어도 상기 척의 외주 측면의 대략 전체를 덮어 설치된 링 형상의 커버를 구비하는 웨이퍼 가공 장치를 제공한다.The present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention described in claim 1 is a wafer processing device comprising a chuck for holding a wafer and a chuck table fixed between the chuck and a chuck base that rotates integrally with a plurality of fixing screws. As a constant temperature chiller water supply means for supplying constant temperature chiller water to the chuck table to maintain the chuck at an approximately constant temperature, and supplying the constant temperature chiller water discharged from the outer peripheral side of the chuck table to the outer peripheral side of the chuck table. A wafer processing apparatus is provided, including a ring-shaped cover provided to cover at least the entire outer circumferential side of the chuck, which stores water therebetween and supplies it to the fixing screw side.

이 구성에 의하면, 항온 칠러수 공급 수단으로부터 항온 칠러수를 척 테이블에 흘림으로써, 척 및 척 베이스가 일정한 온도로 유지된다. 또한, 동시에, 척 테이블에 공급된 항온 칠러수를 척 테이블의 외주 측면으로부터 배출시키고, 그 배출된 항온 칠러수를, 척 테이블의 외주 측면의 대략 전체를 덮어 설치하고 있는 링 형상의 커버와 척 테이블의 사이에 형성하고 있는 간극에서 받을 수 있다. 그리고, 간극 내에 소정량의 항온 칠러수를 저장하고, 간극에 저장된 항온 칠러수를 고정 나사 측에 적극적으로 공급하면, 고정 나사가 척 및 척 테이블과 같은 온도가 될 때까지의 시간을 단축할 수 있다. 이것에 의해, 가공 시에 있어서의 고정 나사의 열팽창 변화를 최소한으로 억제할 수 있다. 따라서, 척을 고정하는 축력의 변화를 억제하여, 웨이퍼의 1번째 장의 가공으로부터 N번째 장의 가공까지의 동안의 가공 정밀도차를 없앨 수 있어, 웨이퍼의 고정밀도 가공이 가능하게 된다.According to this configuration, the chuck and the chuck base are maintained at a constant temperature by flowing constant temperature chiller water from the constant temperature chiller water supply means to the chuck table. Additionally, at the same time, the constant temperature chiller water supplied to the chuck table is discharged from the outer side of the chuck table, and the discharged constant temperature chiller water covers approximately the entire outer side of the chuck table and is installed on the chuck table. It can be received from the gap that forms between the. Also, by storing a predetermined amount of constant temperature chiller water in the gap and actively supplying the constant temperature chiller water stored in the gap to the fixing screw side, the time until the fixing screw reaches the same temperature as the chuck and chuck table can be shortened. there is. As a result, changes in thermal expansion of the fixing screw during processing can be suppressed to a minimum. Accordingly, by suppressing the change in the axial force that fixes the chuck, the difference in processing accuracy between processing the first wafer and processing the Nth wafer can be eliminated, making high-precision processing of the wafer possible.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 구성에 있어서, 상기 커버는, 상기 고정 나사의 머리 부분과 대략 같은 높이까지 연장되어, 상기 고정 나사의 머리 부분이 상기 항온 칠러수에 잠기는 위치까지 상기 항온 칠러수를 저류 가능한 웨이퍼 가공 장치를 제공한다.The invention recited in claim 2 is, in the configuration recited in claim 1, wherein the cover extends to approximately the same height as the head of the fixing screw, and is maintained at the constant temperature to a position where the head of the fixing screw is immersed in the constant temperature chiller water. A wafer processing device capable of storing chiller water is provided.

이 구성에 의하면, 커버가 고정 나사의 높이까지 연장되어 있으므로, 링 형상의 커버와 척 테이블과의 간극에서 받아진 항온 칠러수는, 고정 나사의 머리 부분이 잠기는 위치까지 저장된다. 따라서, 링 형상의 커버와 척 테이블과의 간극에서 받아진 항온 칠러수는, 고정 나사의 머리 부분을 통하여 고정 나사에 직접 접하여, 고정 나사의 온도 조절을 적극적으로 행할 수 있다.According to this configuration, since the cover extends to the height of the fixing screw, the constant temperature chiller water received in the gap between the ring-shaped cover and the chuck table is stored up to the position where the head of the fixing screw is locked. Therefore, the constant temperature chiller water received in the gap between the ring-shaped cover and the chuck table directly contacts the fixing screw through the head of the fixing screw, and can actively regulate the temperature of the fixing screw.

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 구성에 있어서, 상기 척은, 상기 척의 외주 측면에서 상기 고정 나사를 장착한 장착 구멍의 내주 측면까지 절결되어 있는 슬릿을 가지고 있는 웨이퍼 가공 장치를 제공한다.The invention described in claim 3 is a wafer processing device, in the configuration described in claim 1 or 2, wherein the chuck has a slit cut from an outer peripheral side of the chuck to an inner peripheral side of a mounting hole where the fixing screw is mounted. to provide.

이 구성에 의하면, 링 형상의 커버와 척 테이블과의 간극에서 받아진 항온 칠러수는, 슬릿을 통과하여 고정 나사의 외주 측면에 직접 접하면서, 고정 나사의 두정부(頭頂部)까지 저장된다. 따라서, 링 형상의 커버와 척 테이블과의 간극에서 받아진 항온 칠러수는 슬릿을 통과하여 나사 구멍 내에 나사 고정되어 있는 고정 나사의 외주 측면에서 머리 부분에 이르는 범위에 걸쳐 직접 접하여, 고정 나사의 온도 조절을 적극적으로 행할 수 있다.According to this configuration, the constant temperature chiller water received in the gap between the ring-shaped cover and the chuck table passes through the slit, directly contacts the outer peripheral side of the set screw, and is stored up to the crown of the set screw. Therefore, the constant temperature chiller water received in the gap between the ring-shaped cover and the chuck table passes through the slit and directly contacts the range from the outer peripheral side to the head of the set screw screwed into the screw hole, thereby increasing the temperature of the set screw. Control can be done actively.

본 발명에 의하면, 항온 칠러수 공급 수단으로부터 항온 칠러수를 척 테이블에 흘려, 척을 일정한 온도로 유지할 수 있음과 동시에, 척 테이블에 공급한 항온 칠러수를 척 테이블의 외주 측면으로부터 배출시키고, 그 배출된 항온 칠러수를, 척 테이블의 외주 측면의 대략 전체를 덮어 설치되어 있는 링 형상의 커버와 척 테이블 사이에 형성되어 있는 간극에서 받고, 그 간극에서 받은 항온 칠러수를 고정 나사 측에 공급하여, 고정 나사의 온도가 항온 칠러수와 대략 같은 온도가 되도록 적극적으로 조정하고 있으므로, 고정 나사가 척 및 척 테이블과 같은 온도가 될 때까지의 시간을 단축할 수 있다. 또한, 가공 시에 있어서의 고정 나사의 열팽창 변화를 최소한으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 척을 고정하는 축력의 변화가 억제되어, 척의 형상을 대략 일정하게 유지할 수 있으므로, 웨이퍼 1번째 장의 가공으로부터 N번째 장의 가공까지의 동안의 정밀도차를 없애고, 웨이퍼의 고정밀도의 가공이 가능하게 된다.According to the present invention, the chuck can be maintained at a constant temperature by flowing constant temperature chiller water from the constant temperature chiller water supply means to the chuck table, and at the same time, the constant temperature chiller water supplied to the chuck table is discharged from the outer peripheral side of the chuck table, The discharged constant temperature chiller water is received in the gap formed between the chuck table and the ring-shaped cover installed to cover approximately the entire outer side of the chuck table, and the constant temperature chiller water received in the gap is supplied to the fixing screw side. Since the temperature of the set screw is actively adjusted to be approximately the same temperature as the constant temperature chiller water, the time until the set screw reaches the same temperature as the chuck and chuck table can be shortened. Additionally, changes in thermal expansion of the set screw during processing can be suppressed to a minimum. As a result, changes in the axial force that holds the chuck are suppressed, and the shape of the chuck can be kept approximately constant, thereby eliminating the difference in accuracy between processing the first wafer and processing the N-th wafer, enabling high-precision processing of the wafer. This becomes possible.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공 장치에 있어서의 회전 기구부의 주요부 구성을 개략적으로 도시하는 것으로, 도 1(A)는 그 회전 기구부의 사시도, 도 1(B)는 도 1(A)의 A-A선 단면시시도이다.
도 2는, 상기 회전 기구부에 있어서의 척 베이스에 형성되어 있는 항온 제어 통로의 구조 설명도이다.
도 3은, 도 1에 도시하는 회전 기구부의 부분 확대도이며, 도 3(A)는 그 사시도, 도 3(B)는 도 3(A)의 B-B선 단면시시도이다.
도 4는, 도 3에 도시하는 상기 회전 기구부의 일변형례를 나타내는 부분 확대도이며, 도 4(A)는 그 사시도, 도 4(B)는 도 4(A)의 C-C선 단면시시도이다.FIG. 1 schematically shows the main configuration of the rotation mechanism in the wafer processing device according to an embodiment of the present invention, where FIG. 1(A) is a perspective view of the rotation mechanism and FIG. 1(B) is a view of the rotation mechanism. A) is a cross-sectional perspective view of line AA.
Fig. 2 is a structural diagram of a constant temperature control passage formed in the chuck base of the rotary mechanism unit.
FIG. 3 is a partially enlarged view of the rotation mechanism shown in FIG. 1, FIG. 3(A) is a perspective view thereof, and FIG. 3(B) is a cross-sectional perspective view taken along line BB in FIG. 3(A).
FIG. 4 is a partial enlarged view showing a deformed example of the rotation mechanism shown in FIG. 3, FIG. 4(A) is a perspective view thereof, and FIG. 4(B) is a cross-sectional perspective view taken along line CC of FIG. 4(A). .

본 발명은, 척과 척 베이스를 고정하고 있는 고정 나사의 열팽창을 억제함으로써, 축력 변화를 저감시켜 고정밀도로 가공을 행할 수 있는 구조로 한 웨이퍼 가공 장치를 제공한다는 목적을 달성하기 위해, 웨이퍼를 흡인 보유하는 척과 상기 척과 일체로 회전하는 척 베이스 사이를 복수개의 고정 나사로 고정한 척 테이블을 구비하는 웨이퍼 가공 장치로서, 상기 척 테이블의 상기 외주 측면으로부터 배출되는 상기 항온 칠러수를 상기 척의 상기 외주 측면과의 사이에 저류하여 상기 고정 나사 측에 공급하도록 하고, 적어도 상기 척의 외주 측면의 대략 전체를 덮어 설치된 링 형상의 커버를 구비함으로써 실현되었다.The present invention is intended to achieve the object of providing a wafer processing device with a structure capable of performing processing with high precision by reducing changes in axial force by suppressing thermal expansion of the fixing screws that secure the chuck and the chuck base, and holding the wafer by suction. A wafer processing device comprising a chuck table fixed with a plurality of fixing screws between a chuck and a chuck base that rotates integrally with the chuck, wherein the constant temperature chiller water discharged from the outer peripheral side of the chuck table is provided between the chuck and the outer peripheral side of the chuck. This was achieved by providing a ring-shaped cover installed to cover at least the entire outer circumferential side of the chuck so that it is stored in the chuck and supplied to the fixing screw side.

[실시예][Example]

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 일실시예를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 구성 요소의 수, 수치, 양, 범위 등을 언급하는 경우, 특별히 명시한 경우 및 원리적으로 분명하게 특정 수로 한정되는 경우를 제외하고, 그 특정 수로 한정되는 것이 아니고, 특정의 수 이상이어도 이하여도 상관없다.Hereinafter, an embodiment according to an embodiment of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings. In addition, in the following examples, when the number, value, amount, range, etc. of components are mentioned, they are not limited to that specific number, except in cases where it is specifically specified and in cases where it is clearly limited to a specific number in principle. , it may be more than or less than a certain number.

또한, 구성 요소 등의 형상, 위치 관계를 언급할 때는, 특별히 명시한 경우 및 원리적으로 분명하게 그렇지 않다고 생각되는 경우 등을 제외하고, 실질적으로 그 형상 등에 근사 또는 유사한 것 등을 포함한다.In addition, when referring to the shape and positional relationship of components, etc., it includes substantially approximations or similar shapes, etc., except in cases where it is specifically specified or where it is clearly considered not to be so in principle.

또한, 도면은, 특징을 알기 쉽게 하기 위해 특징적인 부분을 확대하는 등 하여 과장하는 경우가 있으며, 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 같다고는 한정되지 않는다. 또한, 단면도에서는, 구성 요소의 단면 구조를 알기 쉽게 하기 위해, 일부의 구성 요소의 해칭을 생략하는 경우가 있다.In addition, the drawings may be exaggerated by enlarging characteristic parts to make the features easier to understand, and the dimensional ratios of the components are not limited to being the same as the actual drawings. Additionally, in cross-sectional views, hatching of some components may be omitted in order to make the cross-sectional structure of the components easier to understand.

또한, 이하의 설명에 있어서, 상하나 좌우 등의 방향을 나타내는 표현은, 절대적인 것이 아니고, 본 발명의 웨이퍼 가공 장치의 각 부가 그려져 있는 자세인 경우에 적절하지만, 그 자세가 변화한 경우에는 자세의 변화에 따라 변경하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 실시예의 설명의 전체를 통하여 같은 요소에는 같은 부호를 붙였다.In addition, in the following description, expressions indicating directions such as up or left and right are not absolute and are appropriate when each part of the wafer processing apparatus of the present invention is in a drawn posture, but when the posture changes, the posture It will have to be interpreted and changed according to changes. In addition, like symbols are assigned to like elements throughout the description of the embodiments.

이하, 본 발명의 실시 형태에 의한 웨이퍼 가공 장치를, 웨이퍼의 표면을 평탄하게 가공하는 연삭 장치에 적용한 경우를 예로 들어, 도 1 내지 도 3을 참조하면서 적합한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3, taking as an example the case where the wafer processing device according to the embodiment of the present invention is applied to a grinding device for processing the surface of a wafer to be flat.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 가공 장치에 있어서의 회전 기구부(10)의 주요부 구성을 개략적으로 도시한 것으로, 도 1(A)는 그 회전 기구부(10)의 사시도, 도 1(B)는 도 1(A)의 A-A선 단면시시도이다. 웨이퍼 가공 장치는 장치 본체(11)에 장착된 회전 기구부(10)를 가지고 있다. 또한, 웨이퍼 가공 장치의 전체는 제어 장치(50) 내의 프로그램에 의해 미리 결정된 수순에 따라 제어된다.FIG. 1 schematically shows the main configuration of the rotation mechanism 10 in the wafer processing device according to the present invention, where FIG. 1(A) is a perspective view of the rotation mechanism 10 and FIG. 1(B) is a drawing. This is a cross-sectional perspective view of line A-A in 1(A). The wafer processing device has a rotation mechanism 10 mounted on the device main body 11. Additionally, the entire wafer processing device is controlled according to a predetermined procedure by a program in the control device 50.

회전 기구부(10)는 도시하지 않은 웨이퍼를 보유하며 수평 회전하는 척 테이블(12)을 가지고 있다. 척 테이블(12)은 웨이퍼를 보유하며 도시하지 않은 연삭부의 하부에 배치되어, 연삭부의 회전하고 있는 연삭용 숫돌에 웨이퍼를 당접시켜 웨이퍼의 표면을 연삭 가공한다.The rotation mechanism unit 10 has a chuck table 12 that holds a wafer (not shown) and rotates horizontally. The chuck table 12 holds the wafer and is disposed below the grinding unit (not shown), and grinds the surface of the wafer by bringing the wafer into contact with a grinding wheel rotating in the grinding unit.

척 테이블(12)은 로터리 조인트(13)를 통하여 회전 가능하게 장착되어 있는 원판 형상의 척 베이스(14)와, 척 베이스(14) 상에 일체 회전 가능하게 장착되어 있는 동(同) 원판 형상의 척(15)과, 척(15)과 척 베이스(14) 사이에 위치하며 척 베이스(14)에 설치되어 있는 항온 제어부(16) 등을 구비하고 있다. 척(15)과 척 베이스(14) 사이는, 체결 부재인 고정 나사(17)로 고정되어 있다.The chuck table 12 includes a disc-shaped chuck base 14 rotatably mounted through a rotary joint 13, and a disc-shaped chuck base 14 rotatably mounted on the chuck base 14. It is provided with a chuck 15 and a constant temperature control unit 16, which is located between the chuck 15 and the chuck base 14 and is installed on the chuck base 14. The chuck 15 and the chuck base 14 are fixed with a set screw 17, which is a fastening member.

척(15)은 원판 형상으로 형성되어 있는 흡인판(18)과 척측 틀체(19)를 구비하고 있다. 척측 틀체(19)는 흡인판(18)의 외주 측면 및 하면을 둘러싸고, 흡인판(18)과 일체화되어 있다. 흡인판(18)은 다공질 보유 부재에 의해 구성되어 있고, 그 상면이 웨이퍼를 흡인 보유하는 흡착면(18A)으로 되어 있다. 그리고, 본 실시예에서는, 척(15)의 척측 틀체(19)는 알루미나(산화 알루미늄)로 형성되어 있고, 척 베이스(14)와 고정 나사(17)는 모두 스테인리스강(SUS)으로 형성되어 있다.The chuck 15 is provided with a suction plate 18 and a chuck side frame 19 formed in a disc shape. The ulnar side frame 19 surrounds the outer peripheral side and lower surface of the suction plate 18 and is integrated with the suction plate 18. The suction plate 18 is made of a porous holding member, and its upper surface serves as an adsorption surface 18A for suctioning and holding the wafer. In this embodiment, the chuck side frame 19 of the chuck 15 is made of alumina (aluminum oxide), and both the chuck base 14 and the fixing screw 17 are made of stainless steel (SUS). .

척측 틀체(19)에는, 흡인판(18)의 외주 외측에 있어서, 상하 방향으로 관통하고 있는 장착 구멍(20)을 복수개(본 실시예에서는 8개), 원주 방향을 따라 대략 등간격으로 형성되어 있다. 한편, 척 베이스(14) 측에는, 척측 틀체(19)의 장착 구멍(20)에 대응하여, 장착 구멍(20)과 같은 수의 나사 구멍(33)이 형성되어 있다. 그리고, 장착 구멍(20)과 나사 구멍(33)을 대응시키고, 척 베이스(14) 상에 척측 틀체(19)를 중첩하여, 척측 틀체(19)의 상측으로부터 장착 구멍(20)을 통하여 나사 구멍(33)에 각각 고정 나사(17)를 나사 고정하면, 척(15)과 척 베이스(14)가 척 테이블(12)의 중심(O)을 동심으로 하여 일체로 고정된다. 또한, 장착 구멍(20)의 상부에는, 스폿페이싱(20A)을 형성하고 있다. 또한, 스폿페이싱(20A)의 일부는 척측 틀체(19)의 외주면으로 개구되어 있어, 고정 나사(17)의 측부를 척측 틀체(19)의 외주면 측으로 노출시키고 있다.In the ulnar side frame 19, on the outer side of the outer circumference of the suction plate 18, a plurality of mounting holes 20 (eight in this embodiment) penetrating in the vertical direction are formed at approximately equal intervals along the circumferential direction. there is. Meanwhile, on the chuck base 14 side, the same number of screw holes 33 as the mounting holes 20 are formed corresponding to the mounting holes 20 of the chuck side frame 19. Then, the mounting hole 20 and the screw hole 33 are aligned, the ulnar side frame 19 is overlapped on the chuck base 14, and the screw hole is inserted from the upper side of the ulnar side frame 19 through the mounting hole 20. When the fixing screws 17 are respectively screwed into (33), the chuck 15 and the chuck base 14 are fixed integrally with the center O of the chuck table 12 being concentric. Additionally, spot facing 20A is formed on the upper part of the mounting hole 20. Additionally, a portion of the spot facing 20A is open to the outer peripheral surface of the ulnar side frame 19, exposing the side of the fixing screw 17 to the outer peripheral surface side of the ulnar side frame 19.

항온 제어부(16)는 척 베이스(14)의 상면에 척(15)과 대향하여 형성되어 있다. 항온 제어부(16)는 단면 U자로 굴착한 홈으로서 형성되어 있고, 그 홈의 상면을 척(15)의 하면(계면)에서 덮어 막은, 수로(21)로 이루어진다.The constant temperature control unit 16 is formed on the upper surface of the chuck base 14 to face the chuck 15. The constant temperature control unit 16 is formed as a groove excavated with a U-shaped cross section, and is composed of a water channel 21 whose upper surface is closed by covering the upper surface of the groove with the lower surface (interface) of the chuck 15.

그 수로(21)는 도 3에 도시하는 바와 같이, 동심 형상으로 하여 형성된 복수개(본 실시예에서는, 21A, 21B, 21C, 21D의 4개)의 링 형상 수로부(21A, 21B, 21C, 21D)와, 이들 각 링 형상 수로부(21A, 21B, 21C, 21D)들을 순차로 연통하고 있는 연통 수로부(21E)로 이루어진다.As shown in FIG. 3, the water channel 21 includes a plurality of ring-shaped water channel portions 21A, 21B, 21C, and 21D formed concentrically (in this embodiment, four, 21A, 21B, 21C, and 21D). ) and a communicating water channel portion 21E that sequentially communicates with each of these ring-shaped water channel portions 21A, 21B, 21C, and 21D.

또한, 척 베이스(14)의 중심 측에 형성된 링 형상 수로부(21A)에는, 급수구(21F)로서의 관통 구멍이 형성되고, 척 베이스(14)의 최외주 측에 형성된 링 형상 수로부(21D)에는 배수구(21G)가 형성되어 있다. 또한, 급수구(21F)는 로터리 조인트(13) 내를 통과하여 배치된 급수 배관(22)을 통하여, 항온 칠러수원(23)과 접속되어 있다. 한편, 배수구(21G)는 척 베이스(14)의 외주부로 개방되어 있다. 또한, 척 베이스(14)의 중심에는, 척용 배관(24)이 설치되어 있다. 이 척용 배관(24)의 일단 측은 흡인판(18)의 하단부에 연결되어 있다.In addition, a through hole as a water supply port 21F is formed in the ring-shaped water conduit portion 21A formed on the center side of the chuck base 14, and a ring-shaped water conduit portion 21D formed on the outermost peripheral side of the chuck base 14. ), a drain hole 21G is formed. Additionally, the water supply port 21F is connected to the constant temperature chiller water source 23 through the water supply pipe 22 disposed through the rotary joint 13. Meanwhile, the drain hole 21G is open to the outer periphery of the chuck base 14. Additionally, a chuck pipe 24 is installed at the center of the chuck base 14. One end of this chuck pipe 24 is connected to the lower end of the suction plate 18.

항온 칠러수원(23)은 수로(21) 내에 공급하는 항온 칠러수를 예를 들면 약 30℃의 온도로 조정하여 공급하는 것이며, 척(15)의 전체를 약 30℃로 온도 조정할 수 있게 되어 있다. 한편, 진공원(25)은 척용 배관(24)을 통하여 흡인판(18)에 진공 배기하여 흡인력을 부여하여, 흡인판(18)의 흡착면(18A)에 웨이퍼(W)를 흡착 보유할 수 있게 되어 있다.The constant temperature chiller water source 23 supplies constant temperature chiller water supplied into the water conduit 21 by adjusting the temperature to, for example, about 30°C, and the temperature of the entire chuck 15 can be adjusted to about 30°C. . Meanwhile, the vacuum source 25 provides suction force by evacuating the suction plate 18 through the chuck pipe 24, so that the wafer W can be adsorbed and held on the suction surface 18A of the suction plate 18. It is meant to be.

또한, 척 베이스(14)의 외주면에는, 링 형상을 한 베이스측 틀체(26)가 장착되어 있다. 베이스측 틀체(26)의 상면은 척 베이스(14)의 상면보다 약간 낮고, 수로(21)의 배수구(21G)의 앞면을 막지 않는 높이로 설정하여 설치되어 있다. 한편, 베이스측 틀체(26)의 하면에는, 하면으로부터 상면을 향하여 깊숙이 들어간 래비린스용의 오목홈(26A)이 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 래비린스(labyrinth)용의 오목홈(26A)에는 장치 본체(11) 내에 침입하려고 하는 처리수를 밀봉하고, 모터(29A), 동력 전달 벨트(29B), 풀리(29C), 풀리(29D) 등을 가지는 동력부(29)나 로터리 조인트(13) 등을 보호하는 래비린스 커버(30)의, 일부가 배치되어 있다.Additionally, a ring-shaped base side frame 26 is mounted on the outer peripheral surface of the chuck base 14. The upper surface of the base side frame 26 is slightly lower than the upper surface of the chuck base 14, and is installed at a height that does not block the front surface of the drain hole 21G of the water channel 21. On the other hand, on the lower surface of the base side frame 26, a concave groove 26A for a labyrinth is formed along the entire circumference, going deep from the lower surface toward the upper surface. The concave groove 26A for the labyrinth seals treated water trying to enter the device body 11, and the motor 29A, power transmission belt 29B, pulley 29C, pulley 29D, etc. A portion of the labyrinth cover 30 that protects the power unit 29 and the rotary joint 13, etc., is disposed.

또한, 척측 틀체(19)에는 척(15)의 외주 측면의 대략 전체를 덮어 링 형상을 한 커버(27)가 설치되어 있다. 커버(27)는 척측 틀체(19)와 같은 알루미나로 형성되어 있고, 본체부(27A)의 내경은 척(15)의 외경보다 크게 형성되어 있다. 그리고, 척측 틀체(19)와 척(15) 사이에, 배수구(21G)로부터 배출된 항온 칠러수를 저장하는 항온 칠러수 저류실(28)을 형성하여 이루어지는 간극이 형성되어 있다. 또한, 본체부(27A)의 하단 측에는, 외측으로 접어 구부러진 고정 플랜지부(27B)를 가지고, 상단 측에는, 척(15)의 외주 측면을 향하여 내측으로 접어 구부러진 간극 조정 플랜지부(27C)가 형성되어 있다. 또한, 고정 플랜지부(27B)에는 고정 플랜지부(27B)의 외주로부터 내주까지 통하여 있는 배출구(27D)가 설치되어 있다. 배출구(27D)는 단면이 대략 U자 형상으로 오목하게 된 홈으로 형성되어 있다.Additionally, a ring-shaped cover 27 is provided on the chuck side frame 19 to cover approximately the entire outer peripheral side of the chuck 15. The cover 27 is made of the same alumina as the chuck side frame 19, and the inner diameter of the main body portion 27A is formed to be larger than the outer diameter of the chuck 15. And, a gap is formed between the chuck side frame 19 and the chuck 15 by forming a constant temperature chiller water storage chamber 28 that stores the constant temperature chiller water discharged from the drain hole 21G. In addition, the lower end side of the main body portion 27A has a fixing flange portion 27B bent outward, and the upper end side has a gap adjustment flange portion 27C bent inward toward the outer peripheral side of the chuck 15. there is. Additionally, the fixed flange portion 27B is provided with an outlet 27D extending from the outer periphery to the inner periphery of the fixed flange portion 27B. The outlet 27D is formed as a concave groove whose cross-section is approximately U-shaped.

커버(27)는 베이스측 틀체(26)의 상면에 고정 플랜지부(27B)를 대략 밀착시켜, 고정 나사(32)로 베이스측 틀체(26)에 고정되어 있다. 또한, 도 3(B)에 도시하는 바와 같이, 커버(27)가 베이스측 틀체(26)에 고정된 상태에서의 커버(27)의 높이(H)는 척 베이스(14)에 척(15)을 장착하고 있는 고정 나사(17)의 머리부(17A)의 높이와 대략 같다. 즉, 커버(27)는 고정 나사(17)의 머리부(17A)와 대략 같은 높이까지 연장되어 있다. 또한, 본체부(27A)의 내주면과 척 베이스(14)의 외주면 사이에는, 수로(21)의 배수구(21G)를 막지 않도록 전체 둘레에 걸쳐 간극(δ1)이 형성되어 있다. 또한, 커버(27)의 간극 조정 플랜지부(27C)의 내주면과 척(15)의 외주면 사이에도, 소정의 간극(δ2)이 형성되어 있다. 간극 조정 플랜지부(27C)의 내주면과 척(15)의 외주면 사이의 간극(δ2)은 항온 칠러수 저류실(28) 내에 저장된 항온 칠러수가 상승했을 때에, 그 항온 칠러수가 고정 나사(17)의 머리부(17A)의 측면으로 흘러 들어가기 쉽게 하는 기능과, 항온 칠러수 저류실(28) 내로부터 배출구(27D)로 다 배출하지 못하고 흘러 넘친 항온 칠러수를 간극(δ2)을 통하여 커버(27)의 외측으로 흘려보내는 기능을 가지게 하고 있다.The cover 27 is fixed to the base side frame 26 with a fixing screw 32, with a fixing flange portion 27B in substantially close contact with the upper surface of the base side frame 26. In addition, as shown in FIG. 3(B), the height H of the cover 27 in a state in which the cover 27 is fixed to the base side frame 26 is the difference between the chuck 15 and the chuck base 14. is approximately equal to the height of the head 17A of the fixing screw 17 that is mounted. That is, the cover 27 extends to approximately the same height as the head 17A of the fixing screw 17. Additionally, a gap δ1 is formed between the inner peripheral surface of the main body portion 27A and the outer peripheral surface of the chuck base 14 over the entire circumference so as not to block the drain hole 21G of the water channel 21. Additionally, a predetermined gap δ2 is also formed between the inner peripheral surface of the gap adjustment flange portion 27C of the cover 27 and the outer peripheral surface of the chuck 15. The gap δ2 between the inner peripheral surface of the gap adjustment flange portion 27C and the outer peripheral surface of the chuck 15 increases when the constant temperature chiller water stored in the constant temperature chiller water storage chamber 28 rises, and the constant temperature chiller water is adjusted to the pressure of the fixing screw 17. It has a function of making it easy to flow into the side of the head 17A, and a cover 27 through a gap δ2 to prevent overflow of constant temperature chiller water from inside the constant temperature chiller water storage chamber 28 to the outlet 27D. It has the function of flowing to the outside of.

동력부(29)는 제어 장치(50)의 제어로 회전하는 모터(29A)의 회전을, 모터(29A)의 출력 축에 설치한 풀리(29D)와 로터리 조인트(13)의 회전부에 설치한 풀리(29C) 사이에 건너지른 동력 전달 벨트(29B)를 통하여 척 테이블(12) 측에 전달하고, 또한, 척 테이블(12)을 소정의 속도로 정속 회전시킨다.The power unit 29 controls the rotation of the motor 29A, which rotates under the control of the control device 50, by a pulley 29D installed on the output shaft of the motor 29A and a pulley installed on the rotating part of the rotary joint 13. It is transmitted to the chuck table 12 side through the power transmission belt 29B crossed between 29C, and the chuck table 12 is rotated at a constant speed.

다음에, 이와 같이 구성된 가공 장치의 동작을 설명한다, 우선, 연삭 가공이 행해지기 전에, 항온 칠러수원(23)으로부터 급수 배관(22)을 통과하여, 항온 제어부(16)를 향하여 대략 30℃의 항온 칠러수가 흘러간다. 이 항온 칠러수는 급수구(21F)로부터 수로(21) 내로 들어가고, 그 후, 배수구(21G)로부터 나와 항온 칠러수 저류실(28) 내로 배출된다. 이 항온 칠러수의 배출량은 커버(27)의 배출구(27D)로부터 배출되는 양보다 약간 많아지도록 제어 장치(50)에서 조정된다. 그리고, 척 테이블(12)의 척 베이스(14) 및 척(15)의 전체가, 각각 항온 칠러수와 같은 약 30℃에 가까워지는 온도로 조정된다. Next, the operation of the processing device configured as described above will be described. First, before grinding is performed, water from the constant temperature chiller water source 23 passes through the water supply pipe 22 toward the constant temperature control unit 16 at a temperature of approximately 30°C. Constant temperature chiller water flows. This constant temperature chiller water enters the water conduit 21 from the water supply port 21F, and then exits the drain port 21G and is discharged into the constant temperature chiller water storage chamber 28. The discharge amount of this constant temperature chiller water is adjusted by the control device 50 so that it is slightly larger than the amount discharged from the discharge port 27D of the cover 27. Then, the entire chuck base 14 and chuck 15 of the chuck table 12 are adjusted to a temperature approaching approximately 30°C, which is the same as the constant temperature chiller number.

또한, 배수구(21G)로부터 배출된 항온 칠러수는 항온 칠러수 저류실(28) 내에 저장되어, 시간의 경과와 함께 항온 칠러수 저류실(28) 내를 상승한다. 여기서의 커버(27)의 높이는 고정 나사(17)의 머리부(17A)와 대략 같은 높이까지 연장되어 있으므로, 항온 칠러수 저류실(28) 내에 배출된 항온 칠러수는 고정 나사(17)의 머리부(17A)의 대략 꼭대기부까지 상승한다. 그리고, 항온 칠러수가 고정 나사(17)의 머리부(17A)의 측면까지 상승하면, 그 항온 칠러수 내에 고정 나사(17)의 머리부(17A)의 측면이 서서히 잠긴다. 이것에 의해, 항온 칠러수의 열로, 고정 나사(17)도 항온 칠러수와 대략 같은 온도로 조정된다. 즉, 척 테이블(12)의 전체가 항온 칠러수의 온도(30℃)와 근사한 온도로 조정된다. Additionally, the constant temperature chiller water discharged from the drain 21G is stored in the constant temperature chiller water storage chamber 28, and rises within the constant temperature chiller water storage chamber 28 with the passage of time. Here, the height of the cover 27 extends to approximately the same height as the head 17A of the fixing screw 17, so the constant temperature chiller water discharged into the constant temperature chiller water storage chamber 28 is connected to the head of the fixing screw 17. It rises to approximately the top of section 17A. Then, when the constant temperature chiller water rises to the side of the head 17A of the set screw 17, the side of the head 17A of the set screw 17 is gradually submerged in the constant temperature chiller water. As a result, the fixing screw 17 is also adjusted to approximately the same temperature as the constant temperature chiller water by the heat of the constant temperature chiller water. That is, the entire chuck table 12 is adjusted to a temperature close to the temperature of the constant temperature chiller water (30°C).

또한, 척 테이블(12)의 전체, 즉 척 베이스(14)와 척(15)과 고정 나사(17) 등이 각각 항온 칠러수와 대략 같은 온도로 조정될 때를 가늠하여, 척(15)에 있어서의 흡인판(18)의 흡착면(18A) 상에 웨이퍼(W)를 배치한다. 그리고, 제어 장치(50)의 제어에 의해, 진공원(25)이 흡착면(18A) 상을 부압하면, 웨이퍼(W)가 흡착면(18A) 상에 흡착 보유된다. 그 후, 제어 장치(50)의 제어에 의해 모터(29A)가 회전 구동되어, 모터(29A)의 구동력에 의해 척 테이블(12)이 회전한다. 또한, 동시에, 도시하지 않은 연삭부가 구동되어, 웨이퍼의 표면의 연삭 가공이 행해진다.In addition, by estimating when the entire chuck table 12, that is, the chuck base 14, chuck 15, fixing screw 17, etc., is adjusted to a temperature approximately equal to the constant temperature chiller number, the chuck 15 The wafer W is placed on the suction surface 18A of the suction plate 18. Then, when the vacuum source 25 exerts negative pressure on the suction surface 18A under the control of the control device 50, the wafer W is adsorbed and held on the suction surface 18A. After that, the motor 29A is driven to rotate under the control of the control device 50, and the chuck table 12 is rotated by the driving force of the motor 29A. Additionally, at the same time, a grinding unit (not shown) is driven to grind the surface of the wafer.

또한, 연삭 가공 중, 척 베이스(14)에는 항온 칠러수원(23)으로부터, 항온 제어부(16)를 향하여 약 30℃의 항온 칠러수가 급수 배관(22)을 통하여 흘러가, 척 베이스(14) 및 척(15)이 일정한 온도로 유지됨과 동시에, 배수구(21G)로부터 배출되어 항온 칠러수 저류실(28) 내에 저장된 항온 칠러수가 고정 나사(17)의 머리부(17A)의 측면을 잠기게 하여, 그 항온 칠러수의 열로 고정 나사(17)도 항온 칠러수와 대략 같은 온도로 조정된다. 이것에 의해, 연삭 가공 중에는 척 테이블(12)의 전체, 즉 척 베이스(14)와 척(15) 및 고정 나사(17)가, 각각 항온 칠러수와 대략 같은 온도로 유지된다.In addition, during grinding processing, constant temperature chiller water of about 30°C flows from the constant temperature chiller water source 23 toward the constant temperature control unit 16 through the water supply pipe 22 to the chuck base 14, thereby causing the chuck base 14 and the chuck. At the same time that (15) is maintained at a constant temperature, the constant temperature chiller water discharged from the drain port (21G) and stored in the constant temperature chiller water storage chamber (28) submerges the side of the head portion (17A) of the fixing screw (17), Due to the heat of the constant temperature chiller water, the fixing screw 17 is also adjusted to approximately the same temperature as the constant temperature chiller water. As a result, during grinding processing, the entire chuck table 12, that is, the chuck base 14, the chuck 15, and the fixing screw 17, are maintained at approximately the same temperature as the constant temperature chiller water.

따라서, 본 실시예에 있어서의 가공 장치에서는, 항온 칠러수 공급 수단인 항온 칠러수원(23)으로부터 항온 칠러수를 척 테이블(12)에 흘림으로써, 척(15) 및 흡인판(18)이 대략 일정한 온도로 유지된다. 또한, 척 테이블(12)에 공급된 항온 칠러수를 척 테이블(12)의 외주 측면으로부터 배출시키고, 그 배출된 항온 칠러수를, 척 테이블(12)의 외주 측면 전체를 덮어 설치되어 있는 링 형상의 커버(27)와 척 테이블(12)과의 간극인 항온 칠러수 저류실(28)에서 받아, 항온 칠러수 저류실(28) 내에 저장된 항온 칠러수로 고정 나사(17)의 온도 조정을 적극적으로 행하므로, 고정 나사(17)가 척(15) 및 척 테이블(12)과 같은 온도가 될 때까지의 시간을 단축할 수 있음과 동시에, 가공 시에 있어서의 고정 나사(17)의 열팽창 변화를 최소한으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 척(15)을 고정하는 축력의 변화를 억제하여 척(15)의 형상을 대략 일정하게 유지할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼의 1번째 장의 가공으로부터 N번째 장의 가공까지의 동안의 가공 정밀도차를 없앨 수 있어, 웨이퍼의 고정밀도의 가공이 가능하게 된다. 또한, 링 형상의 커버(27)와 척 테이블(12)과의 간극에서 남은 항온 칠러수는 커버(27)에 설치되어 있는 배출구(27D) 및 커버(27)와 척(15)과의 사이에 형성된 간극(δ1)을 통하여 척 테이블(12)의 밖으로 배출할 수 있다.Therefore, in the processing device of this embodiment, by flowing constant temperature chiller water from the constant temperature chiller water source 23, which is a constant temperature chiller water supply means, to the chuck table 12, the chuck 15 and the suction plate 18 are approximately It is maintained at a constant temperature. In addition, the constant temperature chiller water supplied to the chuck table 12 is discharged from the outer side of the chuck table 12, and the discharged constant temperature chiller water is formed into a ring shape installed to cover the entire outer side of the chuck table 12. The temperature of the fixing screw (17) is actively adjusted with the constant temperature chiller water stored in the constant temperature chiller water storage chamber (28), which is the gap between the cover (27) and the chuck table (12). Therefore, the time for the set screw 17 to reach the same temperature as the chuck 15 and the chuck table 12 can be shortened, and at the same time, the thermal expansion change of the set screw 17 during processing can be reduced. can be suppressed to a minimum. As a result, changes in the axial force that secures the chuck 15 can be suppressed and the shape of the chuck 15 can be kept approximately constant. As a result, the difference in processing accuracy between the processing of the first wafer and the processing of the Nth wafer can be eliminated, enabling high-precision processing of the wafer. In addition, the constant temperature chiller water remaining in the gap between the ring-shaped cover 27 and the chuck table 12 is stored in the discharge port 27D installed on the cover 27 and between the cover 27 and the chuck 15. It can be discharged out of the chuck table 12 through the formed gap δ1.

도 4는, 도 3에 나타낸 회전 기구부(10)의 일변형례를 나타내는 부분 확대도이며, 도 4(A)는 그 사시도, 도 4(B)는 도 4(A)의 C-C선 단면시시도이다. 또한, 도 4에 나타내는 변형예는, 척(15)과 척 베이스(14)를 고정하고 있는 고정 나사(17)를 통과하는, 척(15) 측의 장착 구멍(20)의 개소에 있어서, 척(15)의 외주 측면에서 장착 구멍(20)의 내주 측면 내까지 연통하는 상태로 하여 절결되고, 장착 구멍(20) 내에 개구하고 있는 슬릿(31)을 척(15)에 형성한 것이다. 또한, 도 4에서의 다른 구성은, 도 1 내지 도 3의 구성과 같으므로 도 1 내지 도 3과 같은 구성 부재에는 같은 부호를 붙이며 설명을 생략하고, 다른 구조의 부분에 대해서만 설명한다. 또한, 슬릿(31)의 개구폭은, 고정 나사(17)의 나사 직경보다 작아, 슬릿(31)으로부터 고정 나사(17)가 빠져 나오지 않게 고려된다.FIG. 4 is a partial enlarged view showing a deformed example of the rotation mechanism 10 shown in FIG. 3, FIG. 4(A) is a perspective view thereof, and FIG. 4(B) is a cross-sectional perspective view taken along line C-C of FIG. 4(A). am. In addition, in the modified example shown in FIG. 4, at the location of the mounting hole 20 on the chuck 15 side that passes through the fixing screw 17 that secures the chuck 15 and the chuck base 14, the chuck The chuck 15 is formed with a slit 31 that is cut in a state that communicates from the outer peripheral side of the 15 to the inner peripheral side of the mounting hole 20, and opens in the mounting hole 20. In addition, since the other configurations in FIG. 4 are the same as those in FIGS. 1 to 3, the same reference numerals are given to the same components as those in FIGS. 1 to 3, description is omitted, and only the parts of the different structures are described. Additionally, the opening width of the slit 31 is smaller than the screw diameter of the fixing screw 17, so that the fixing screw 17 does not come out of the slit 31.

도 4에 도시한 회전 기구부(10)의 구조에서는, 항온 칠러수원(23)으로부터, 항온 제어부(16)에 공급되어, 척(15) 및 척 베이스(14)의 온도 조정을 행하고, 그 후, 척 베이스(14)의 배수구(21G)로부터 배출되어, 항온 칠러수 저류실(28) 내에 저류된 항온 칠러수는, 슬릿(31)을 통과하여 장착 구멍(20) 내에 들어가, 고정 나사(17)의 외주 측면을 보다 많이 잠기게 한다. 이것에 의해, 고정 나사(17)도, 항온 칠러수의 열로 항온 칠러수와 대략 같은 온도로 적극적으로 조정된다. 이 경우, 고정 나사(17)가 항온 칠러수에 잠기는 면적은 도 3에 도시한 구조의 경우보다 많으므로, 고정 나사(17)가 항온 칠러수의 온도와 대략 같아질 때까지의 시간이 빨라진다. 따라서, 척 테이블(12)의 척 베이스(14)와 척(15) 및 고정 나사(17)의 전체가 각각 항온 칠러수와 같은 약 30℃에 가까워지는 온도가 보다 빨라진다.In the structure of the rotary mechanism unit 10 shown in FIG. 4, water is supplied from the constant temperature chiller source 23 to the constant temperature control unit 16 to adjust the temperature of the chuck 15 and the chuck base 14, and thereafter, The constant temperature chiller water discharged from the drain port 21G of the chuck base 14 and stored in the constant temperature chiller water storage chamber 28 passes through the slit 31 and enters the mounting hole 20, and is connected to the fixing screw 17. The outer circumferential side of the is more submerged. As a result, the fixing screw 17 is also actively adjusted to approximately the same temperature as the constant temperature chiller water by the heat of the constant temperature chiller water. In this case, the area where the fixing screw 17 is immersed in the constant temperature chiller water is larger than in the case of the structure shown in FIG. 3, so the time until the fixing screw 17 becomes approximately the same as the temperature of the constant temperature chiller water becomes faster. Accordingly, the temperature of the entire chuck base 14, chuck 15, and fixing screw 17 of the chuck table 12 approaches approximately 30°C, which is the same as the constant temperature chiller number, more quickly.

또한, 본 발명은, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 한 다양한 개변을 할 수 있으며, 본 발명이 상기 개변된 것에 이르는 것은 당연하다.In addition, the present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the present invention, and it is natural that the present invention will have the above-mentioned modifications.

10: 회전 기구부
11: 장치 본체
12: 척 테이블
14: 척 베이스
15: 척
16: 항온 제어부
17: 고정 나사
17A: 머리부
18: 흡인판
18A: 흡착면
20: 장착 구멍
20A: 스폿페이싱
21: 수로
21F: 급수구
21G: 배수구
22: 급수 배관
23: 항온 칠러수원(항온 칠러수 공급 수단)
24: 척용 배관
25: 진공원
26: 베이스측 틀체
26A: 오목홈
27: 커버
27D: 배출구
28: 항온 칠러수 저장실
31: 슬릿
33: 나사 구멍
50: 제어 장치
W: 웨이퍼
δ1, δ2: 간극10: Rotation mechanism part
11: device body
12: Chuck table
14: Chuck base
15: Chuck
16: constant temperature control unit
17: fixing screw
17A: head
18: Suction plate
18A: Suction surface
20: mounting hole
20A: Spotfacing
21: waterway
21F: Water inlet
21G: Drain
22: Water supply pipe
23: Constant temperature chiller water source (constant temperature chiller water supply means)
24: Piping for chuck
25: vacuum source
26: Base side frame
26A: Concave groove
27: cover
27D: outlet
28: Constant temperature chiller water storage room
31: slit
33: screw hole
50: control device
W: wafer
δ1, δ2: gap

Claims

A wafer processing device comprising a chuck for holding a wafer and a chuck table fixed between the chuck and a chuck base that rotates integrally with the chuck with a plurality of fixing screws,
Constant temperature chiller water supply means for supplying constant temperature chiller water to the chuck table to maintain the chuck at an approximately constant temperature;
A ring-shaped cover provided to cover at least the entire outer peripheral side of the chuck is provided to store the constant temperature chiller water discharged from the outer peripheral side of the chuck table between the outer peripheral sides of the chuck table and supply it to the fixing screw side. wafer processing equipment.

According to claim 1,
The wafer processing apparatus, wherein the cover extends to approximately the same height as the head of the fixing screw, and is capable of storing the constant temperature chiller water up to a position where the head of the fixing screw is immersed in the constant temperature chiller water.

The method of claim 1 or 2,
The chuck is a wafer processing device characterized in that it has a slit cut from the outer circumferential side of the chuck to the inner circumferential side of the mounting hole where the fixing screw is mounted.