KR20230138305A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20230138305A
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강현
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내부에 승하강 가능하게 설치되며, 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 접지 연결하는 적어도 하나의 접지부(300)를 포함하며, 상기 접지부(300)는, 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이에 설치되는 가이드샤프트(310)와, 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 전기적으로 연결하며 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 가변되는 스트랩부(320, 330)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing using plasma.
The present invention includes a process chamber (100) forming a processing space (S) therein for substrate processing; A substrate support portion 200 that is installed to be able to be raised and lowered inside the process chamber 100 and on which the substrate 1 is mounted; It includes at least one ground portion 300 that provides a ground connection between the substrate support portion 200 and the process chamber 100, and the ground portion 300 connects the substrate support portion 200 and the process chamber 100. ) electrically connects the guide shaft 310 installed between the substrate support portion 200 and the process chamber 100 and guides the guide shaft 310 according to the vertical movement of the substrate support portion 200. Disclosed is a substrate processing apparatus including strap units 320 and 330 that are variable.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing using plasma.

일반적으로 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장비는, 기판 제조 공정 중에 진공 상태에서 가스의 화학적 반응을 이용하여 박막을 기판에 증착시키기 위해 사용된다.Generally, plasma chemical vapor deposition (PECVD) equipment is used to deposit a thin film on a substrate using a chemical reaction of gas in a vacuum state during the substrate manufacturing process.

이때, 종래 기판처리장치는, 공정챔버, 공정챔버의 내부에 기판이 로딩되는 기판지지부, 기판지지부 상부에 설치되어 기판을 향해 공정가스를 분사하며 전극이 형성되는 가스분사부를 포함한다.At this time, the conventional substrate processing apparatus includes a process chamber, a substrate support unit on which the substrate is loaded into the process chamber, and a gas injection unit installed on top of the substrate support unit to spray process gas toward the substrate and form an electrode.

이 경우, 가스분사부를 통해 공정챔버 내부에 공정가스가 공급됨과 동시에 전극에 RF 전원이 인가됨에 따라 공정챔버의 내부에 공급된 공정가스는 플라즈마화 되어 기판지지부 상면에 안착된 기판 상에 증착될 수 있다.In this case, as the process gas is supplied inside the process chamber through the gas injection unit and RF power is applied to the electrode at the same time, the process gas supplied inside the process chamber is converted into plasma and can be deposited on the substrate seated on the upper surface of the substrate supporter. there is.

한편, 공정 중에는 기판지지부 상에 전하가 축적될 수 있는데, 기판지지부에 축적된 전하는 기생 방전을 발생시킬 수 있는 바, 보다 안정적이고 균일한 플라즈마를 발생시키기 위해서 기판지지부의 전하를 외부로 배출할 필요성이 있다.Meanwhile, charges may accumulate on the substrate support during the process, and the charges accumulated on the substrate support can generate parasitic discharges. Therefore, in order to generate a more stable and uniform plasma, there is a need to discharge the charges from the substrate support to the outside. There is.

이를 위해, 종래 기판처리장치는 기판지지부에 공정챔버와 연결되는 접지스트랩을 설치하고 기판지지부에 축적된 전하가 접지스트랩을 통해 외부로 빠져나갈 수 있게 하였으며, 기판지지부의 상하이동에 따라 접혀지거나 펴지게 유동되도록 접어지는 구조를 가진다.For this purpose, the conventional substrate processing device installs a grounding strap connected to the process chamber on the substrate supporter and allows the charge accumulated in the substrate supporter to escape to the outside through the grounding strap, and is folded or unfolded according to the vertical movement of the substrate supporter. It has a foldable structure that allows it to flow freely.

즉, 종래 기판처리장치는, 설치되는 다수의 접지스트랩이 중간부분에서 일방향으로 접힐 수 있도록 설치되었으며, 기판지지부의 가장자리에서 안쪽 방향으로 접히는 경우 기판지지부 하부 구성과의 간섭이 발생하는 바 기판지지부의 가장자리를 따라서 접히도록 설치되었다.That is, in the conventional substrate processing apparatus, a plurality of ground straps are installed so that they can be folded in one direction in the middle portion, and when folded inward from the edge of the substrate support, interference with the lower structure of the substrate support occurs. It was installed to fold along the edge.

그러나 종래 접지스트랩은, 중간부분에서 접히는 구성인 바, 기판지지부의 상하이동을 위해 접지스트랩의 길이가 길어짐에 따라 RF 귀환이 불리하며, 이로 인해 높은 전위차가 발생하여 아킹 및 공정불량이 발생하는 문제점이 있다.However, the conventional grounding strap is folded in the middle, and as the length of the grounding strap increases for the vertical movement of the substrate support, RF return is disadvantageous, which causes a high potential difference, causing arcing and process defects. There is.

또한, 종래 접지스트랩은, 기판지지부 가장자리를 따라서 접히도록 다수개 설치되는 바 기판지지부가 하강하여 접어질 때 이웃하는 접지스트랩과의 간섭 회피를 위해 충분한 간격을 두고 설치하여야 하는 바, 설치 개수 및 환경이 제한되는 문제점이 있다.In addition, conventional ground straps are installed in multiple numbers to be folded along the edge of the substrate support, so when the substrate support is lowered and folded, they must be installed at sufficient intervals to avoid interference with neighboring ground straps, and the number of installation and environment There is a problem with this limitation.

이와 같은 접지스트랩의 설치 개수 및 환경의 제한은, 안정적이고 충분한 RF귀환을 제공하지 못하는 문제점이 있다. Such limitations in the number and environment of ground strap installations have the problem of not providing stable and sufficient RF return.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 접지 안정성 및 효율성이 향상된 기판처리장치를 제공하는데 있다.The present invention was created to solve the above problems and provides a substrate processing device with improved grounding stability and efficiency.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내부에 승하강 가능하게 설치되며, 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 접지 연결하는 적어도 하나의 접지부(300)를 포함하며, 상기 접지부(300)는, 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이에 설치되는 가이드샤프트(310)와, 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 전기적으로 연결하며 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 가변되는 스트랩부(320, 330)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention includes a process chamber (100) forming a processing space (S) for processing a substrate therein; A substrate support portion 200 that is installed to be able to be raised and lowered inside the process chamber 100 and on which the substrate 1 is mounted; It includes at least one ground portion 300 that provides a ground connection between the substrate support portion 200 and the process chamber 100, and the ground portion 300 connects the substrate support portion 200 and the process chamber 100. ) electrically connects the guide shaft 310 installed between the substrate support portion 200 and the process chamber 100 and guides the guide shaft 310 according to the vertical movement of the substrate support portion 200. Disclosed is a substrate processing apparatus including strap units 320 and 330 that are variable.

상기 가이드샤프트(310)는, 측면 상 상기 스트랩부(320) 중앙부분을 수직방향으로 관통할 수 있다. The guide shaft 310 may vertically penetrate the central portion of the strap portion 320 on the side.

상기 스트랩부(320)는, 상기 가이드샤프트(310)가 관통하는 관통부(324)에 설치되는 세라믹재질의 보호부재(325)를 포함할 수 있다. The strap portion 320 may include a protective member 325 made of ceramic material that is installed in the penetrating portion 324 through which the guide shaft 310 passes.

상기 스트랩부(320)는, 일단이 상기 기판지지부(200) 저면에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100) 바닥면에 결합하여, 상기 기판지지부(200) 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 압축 및 신장될 수 있다. The strap portion 320 has one end coupled to the bottom of the substrate support 200 and the other end coupled to the bottom of the process chamber 100, so that the guide shaft 310 moves in accordance with the vertical movement of the substrate support 200. It can be guided and compressed and expanded in the vertical direction.

상기 스트랩부(320)는, 상기 가이드샤프트(310)에 요철구조를 형성하여 설치될 수 있다. The strap portion 320 may be installed on the guide shaft 310 by forming a concavo-convex structure.

상기 스트랩부(320)는, 상기 기판지지부(200) 저면에 접촉하여 결합하는 상단부(321)와, 상기 공정챔버(100) 바닥면에 접촉하여 결합하는 하단부(322)와, 상기 가이드샤프트(310)에 관통되며 상기 상단부(321)와 하단부(322) 사이를 연결하는 연결부(323)를 포함할 수 있다. The strap portion 320 includes an upper portion 321 that contacts and couples with the bottom surface of the substrate support portion 200, a lower portion 322 that contacts and couples with the bottom surface of the process chamber 100, and the guide shaft 310. ) and may include a connection part 323 connecting the upper part 321 and the lower part 322.

상기 연결부(323)는, 상기 가이드샤프트(310)가 관통하는 평면부(323a)와, 상기 평면부(323a)와 상기 상단부(321) 및 상기 하단부(322)를 각각 연결하는 복수의 만곡부(323b)를 포함할 수 있다. The connecting portion 323 includes a flat portion 323a through which the guide shaft 310 passes, and a plurality of curved portions 323b connecting the flat portion 323a and the upper end 321 and the lower end 322, respectively. ) may include.

상기 평면부(323a)는, 수직방향으로 서로 이격되어 복수개 구비되며, 상기 만곡부(323b)는, 복수의 상기 평면부(323a)들 사이를 연결하도록 형성될 수 있다. The flat portions 323a may be provided in plural numbers spaced apart from each other in the vertical direction, and the curved portion 323b may be formed to connect a plurality of the flat portions 323a.

상기 스트랩부(330)는, 일단이 상기 기판지지부(200) 저면에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100) 바닥면에 결합하여, 상기 기판지지부(200) 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 겹쳐지고 확장될 수 있다. The strap portion 330 has one end coupled to the bottom of the substrate support 200 and the other end coupled to the bottom of the process chamber 100, so that the guide shaft 310 moves along the up and down movement of the substrate support 200. It can be guided and overlapped and expanded in the vertical direction.

상기 스트랩부(330)는, 가상의 원뿔 외주면을 둘러싸는 다단구조로 형성될 수 있다. The strap portion 330 may be formed in a multi-stage structure surrounding the outer peripheral surface of a virtual cone.

상기 가이드샤프트(310)는, 세라믹 재질로 형성될 수 있다. The guide shaft 310 may be made of ceramic material.

상기 가이드샤프트(310)는, 상단이 상기 기판지지부(200) 저면에 고정 설치되고, 하단이 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 대응하도록 상기 공정챔버(100) 하면에 형성되는 관통공(101)을 통해 상기 공정챔버(100)를 관통하여 설치될 수 있다. The guide shaft 310 has an upper end fixed to the bottom of the substrate support 200, and a lower end formed in the bottom of the process chamber 100 to correspond to the vertical movement of the substrate support 200. ) can be installed through the process chamber 100.

상기 공정챔버(100)는, 상기 관통공(101) 및 저면에서 돌출되는 상기 가이드샤프트(310)를 밀폐하도록 저면에 설치되는 커버부(140)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 may include a cover portion 140 installed on the bottom to seal the through hole 101 and the guide shaft 310 protruding from the bottom.

상기 가이드샤프트(310)는, 상단이 상기 기판지지부(200)를 관통하여 상측으로 돌출되어 설치될 수 있다. The guide shaft 310 may be installed with its upper end penetrating the substrate support 200 and protruding upward.

상기 가이드샤프트(310)는, 상단에 수평방향으로 확장형성되어 상기 기판지지부(200)의 상승에 따라 상기 기판지지부(200) 상면에 간섭하는 간섭부(311)를 포함하며, 상기 기판지지부(200)의 상승에도 상기 스트랩부(320, 330) 관통상태를 유지하도록 하단 측 적어도 일부가 상기 공정챔버(100) 바닥면에 형성되는 삽입홈(102)에 삽입되어 설치될 수 있다. The guide shaft 310 includes an interference portion 311 that extends horizontally at the top and interferes with the upper surface of the substrate support 200 as the substrate support 200 rises. ), at least a portion of the lower end may be installed by being inserted into the insertion groove 102 formed on the bottom of the process chamber 100 to maintain the penetrating state of the strap portions 320 and 330 even when the strap portions 320 and 330 rise.

상기 가이드샤프트(310)는, 상기 기판지지부(200) 최하위치에서 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 상기 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지할 수 있다. The guide shaft 310 protrudes upward from the lowest position of the substrate supporter 200 and can support the substrate 1 being introduced or unloaded at a distance from the substrate supporter 200 .

상기 기판지지부(200)를 관통하여 설치되며, 상기 기판지지부(200) 하강 시 적어도 일부가 상기 기판지지부(200) 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 상기 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지하는 기판지지핀부(400)를 추가로 포함할 수 있다. It is installed to penetrate the substrate support 200, and when the substrate support 200 is lowered, at least a portion protrudes upward from the substrate support 200 to separate the substrate 1 to be introduced or exported from the substrate support 200. It may additionally include a substrate support pin portion 400 that supports the substrate.

상기 기판지지부(200) 하강 시 상기 기판지지부(200) 상측으로 돌출되는 상기 기판지지핀부(400) 최상단 높이가 상기 가이드샤프트(310) 최상단 높이보다 높을 수 있다. When the substrate support 200 is lowered, the height of the top of the substrate support pin 400 protruding upward from the substrate support 200 may be higher than the height of the top of the guide shaft 310.

상기 기판(1)이 도입 및 반출되기 위한 게이트부(130)를 추가로 포함할 수 있다. It may additionally include a gate portion 130 through which the substrate 1 is introduced and exported.

상기 접지부(300)는, 상기 기판지지부(200) 가장자리 중 상기 게이트부(130) 측을 제외한 나머지 가장자리를 따라서 복수개 설치될 수 있다. The ground portion 300 may be installed in plural numbers along the edges of the substrate support portion 200 excluding the gate portion 130 side.

상기 접지부(300)는, 상기 기판지지부(200) 가장자리를 따라서 서로 이격되어 복수개 설치되며, 상기 스트랩부(320)는, 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 설치되는 상기 기판지지부(200) 변의 길이방향으로 평면 상 가변되도록 설치될 수 있다. The ground portion 300 is installed in plural numbers spaced apart from each other along the edge of the substrate support portion 200, and the strap portion 320 is installed along the vertical movement of the substrate support portion 200. ) It can be installed to vary on a plane in the longitudinal direction of the side.

상기 접지부(300)는, 상기 기판지지부(200) 가장자리를 따라서 서로 이격되어 복수개 설치되며, 상기 스트랩부(320)는, 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 설치되는 상기 기판지지부(200) 변의 길이방향에 대하여 평면 상 교차방향으로 가변되도록 설치될 수 있다. The ground portion 300 is installed in plural numbers spaced apart from each other along the edge of the substrate support portion 200, and the strap portion 320 is installed along the vertical movement of the substrate support portion 200. ) It can be installed to vary in the cross direction on the plane with respect to the longitudinal direction of the side.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 제한된 공간 내에 다수의 접지부를 배치함으로써 주변구성과의 간섭을 방지하여 접지 안정성을 확보함과 동시에 접지 성능을 개선할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of ensuring grounding stability and improving grounding performance by preventing interference with surrounding structures by disposing a plurality of grounding units in a limited space.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 접지부 구성 및 형상 개선을 통해 종래 동일 면적 대비 설치 수량을 25% 추가 가능함으로써, 안정적이고 충분한 RF귀환을 유도할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate processing device according to the present invention has the advantage of being able to induce stable and sufficient RF return by enabling an additional 25% of the installation quantity compared to the existing same area by improving the configuration and shape of the ground part.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 종래 기판지지부의 상하이동에 따라 지속적이고 반복적으로 접혀 내구성이 취약한 접지부 구성을 개선함으로써, 접지부의 손상을 방지하고 내구성이 향상되는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of preventing damage to the ground portion and improving durability by improving the configuration of the ground portion, which is weak in durability due to continuous and repeated folding as the conventional substrate support moves up and down.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 기판지지부가 하강한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 접지부의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 접지부의 일 실시예에 따른 설치모습을 보여주는 단면도이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 접지부의 다른 실시예에 따른 설치모습을 보여주는 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는, 본 발명에 따른 기판처리장치 중 다른 실시예에 따른 접지부의 기판지지부 상승 및 하강 상태를 보여주는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate support part of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 is lowered.
Figure 3 is a perspective view showing the ground portion of the substrate processing apparatus according to Figure 1.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the installation of the ground portion of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 according to one embodiment.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the installation of the ground portion of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 according to another embodiment.
6A and 6B are cross-sectional views showing the raised and lowered state of the substrate support portion of the ground portion according to another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내부에 승하강 가능하게 설치되며, 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 접지 연결하는 적어도 하나의 접지부(300)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming a processing space (S) therein for substrate processing; A substrate support portion 200 that is installed to be able to be raised and lowered inside the process chamber 100 and on which the substrate 1 is mounted; It includes at least one ground portion 300 that provides a ground connection between the substrate support portion 200 and the process chamber 100.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지부(200)를 관통하여 설치되며, 기판지지부(200) 하강 시 적어도 일부가 상기 기판지지부(200) 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지하는 기판지지핀부(400)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention is installed to penetrate the substrate support 200, and when the substrate support 200 is lowered, at least a portion of the substrate protrudes upward from the substrate support 200 and is introduced or discharged. It may further include a substrate support pin portion 400 that supports and is spaced apart from the substrate support portion 200.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간(S) 중 기판지지부(200)에 대향하여 상측에 설치되어 기판처리를 위한 공정가스를 분사하며, 내부에 전극부가 설치되어 접지상태가 유지되는 기판지지부(200)와의 사이에 전위차를 형성하여 플라즈마를 유도하는 가스분사부(500)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention is installed on the upper side of the processing space (S) opposite to the substrate support portion 200, sprays process gas for substrate processing, and has an electrode installed inside to maintain a grounded state. It may include a gas injection unit 500 that induces plasma by forming a potential difference between the substrate support unit 200 and the substrate support unit 200 .

여기서 본 발명의 처리대상이 되는 기판(1)은, 반도체, LCD, LED, OLED, 글라스, 태양광 기판 등 처리대상이 되는 기판이면 어떠한 기판도 적용 가능하다.Here, the substrate 1 to be processed by the present invention can be any substrate as long as it is a semiconductor, LCD, LED, OLED, glass, or solar substrate.

특히, 본 발명의 처리대상이 되는 기판(1)은, 후술하는 기판지지부(200) 및 기판지지부(200) 상부면에 설치되는 가스분사부(500) 전극 사이의 전위차를 통해 형성되는 플라즈마 분위기 내에서 기판처리가 수행될 수 있다.In particular, the substrate 1, which is the subject of processing of the present invention, is in a plasma atmosphere formed through a potential difference between the substrate support 200, which will be described later, and the electrode of the gas injection unit 500 installed on the upper surface of the substrate support 200. Substrate processing may be performed.

상기 공정챔버(100)는, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is configured to form a processing space (S) for processing substrates therein, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 육면체의 공간을 형성하는 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 내부에 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 탑리드(120)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 100 includes a chamber body 110 that forms a hexahedral space, and a top lid ( 120) may be included.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 챔버본체(110)의 일측에 기판(1)이 도입 및 반출되기 위한 게이트부(130)가 추가로 형성될 수 있다.In addition, the process chamber 100 may additionally have a gate portion 130 formed on one side of the chamber body 110 for introducing and unloading the substrate 1.

상기 처리공간(S)은 밀폐된 진공상태를 유지할 수 있으며, 기판(1)에 대한 증착, 식각 등의 기판처리가 수행될 수 있다.The processing space S can be maintained in a sealed vacuum state, and substrate processing such as deposition and etching can be performed on the substrate 1.

상기 챔버본체(110)는, 상측에 개구부가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 110 has an opening formed on the upper side, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 챔버본체(110)는, 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 적용 가능하다.For example, the chamber body 110 is a configuration for forming the processing space S, and any configuration can be applied as long as it can withstand a certain vacuum pressure required to perform the process.

상기 챔버본체(110)는, 처리되는 기판(1)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 예로서, 육면체 형상으로 이루어질 수 있다.The chamber body 110 preferably has a shape corresponding to the shape of the substrate 1 to be processed, and may have a hexahedral shape, for example.

또한, 상기 챔버본체(110)는, 기판(1)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트부(130)가 형성되며, 처리공간(S) 내의 압력제어 및 부산물을 제거하기 위하여 진공펌프(미도시)와 연결되는 배기관(미도시)이 연결될 수 있다.In addition, the chamber body 110 is formed with one or more gate parts 130 for entering and exiting the substrate 1, and is equipped with a vacuum pump (not shown) and a vacuum pump (not shown) to control pressure and remove by-products in the processing space (S). A connected exhaust pipe (not shown) may be connected.

상기 탑리드(120)는, 챔버본체(110)의 상측에 형성되는 개구부에 결합하여, 밀폐된 처리공간(S)을 형성할 수 있다.The top lid 120 can be coupled to the opening formed on the upper side of the chamber body 110 to form a sealed processing space (S).

또한, 상기 공정챔버(100)는, 하면을 관통하여 설치되는 후술하는 가이드샤프트(310)를 밀폐하도록 저면에 설치되는 커버부(140)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 may further include a cover portion 140 installed on the bottom surface to seal the guide shaft 310, which will be described later, installed through the bottom surface.

상기 커버부(140)에 대한 상세한 설명은 후술한다.A detailed description of the cover portion 140 will be described later.

상기 기판지지부(200)는, 공정챔버(100) 내부에 승하강 가능하게 설치되며, 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support portion 200 is installed to be able to be raised and lowered inside the process chamber 100, and is a configuration on which the substrate 1 is seated, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지부(200)는, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지면이 형성되는 기판안착플레이트(210)와, 상기 기판안착플레이트(210)를 지지하는 지지샤프트(220)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support portion 200 includes a substrate mounting plate 210 on which a substrate support surface on which the substrate 1 is mounted is formed on the upper surface, and a support shaft 220 supporting the substrate mounting plate 210. may include.

한편, 상기 기판지지부(200)는, 후술하는 가스분사부(500)에 설치되는 전극부와의 관계에서 전위차를 형성하기 위하여 접지상태를 유지할 수 있으며, 이를 위하여 외부 접지와 후술하는 접지부(300)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, the substrate support part 200 can maintain a grounded state to form a potential difference in a relationship with an electrode part installed in the gas injection part 500, which will be described later, and for this purpose, the external ground and the ground part 300, which will be described later, ) can be electrically connected through.

상기 기판안착플레이트(210)는, 기판(1)에 대응되는 형상으로 형성되며, 도입 및 반출되는 기판(1)을 외부의 이송로봇과 교환하기 위하여 하강하고 기판(1)을 기판안착면에 안착한 상태에서 기판처리를 수행하도록 대향되는 상측에 설치되는 가스분사부(500) 측으로 상승할 수 있다.The substrate seating plate 210 is formed in a shape corresponding to the substrate 1, and descends to exchange the introduced and unloaded substrate 1 with an external transfer robot and seats the substrate 1 on the substrate seating surface. In this state, it can rise toward the gas injection unit 500 installed on the opposite upper side to perform substrate processing.

또한, 상기 기판안착플레이트(210)는, 안착되는 기판(1)에 대한 적절한 공정온도를 제공하기 위하여, 내부에 히터가 추가로 설치될 수 있다.In addition, the substrate seating plate 210 may have an additional heater installed therein to provide an appropriate process temperature for the substrate 1 to be placed.

상기 기판안착플레이트(210)는, 후술하는 접지부(300) 중 가이드샤프트(310)와 기판지지핀부(400) 적어도 일부가 관통하여 설치되도록 다수의 관통부가 형성될 수 있으며, 상면에 기판지지핀부(400)의 상단 및 가이드샤프트(310) 간섭부(311) 구성이 삽입되어 걸려 지지되도록 지지홈(211)이 형성될 수 있다.The substrate seating plate 210 may be formed with a plurality of penetrating portions so that at least a portion of the guide shaft 310 and the substrate support pin portion 400 of the ground portion 300, which will be described later, are installed through therethrough, and the substrate support pin portion is provided on the upper surface. A support groove 211 may be formed so that the upper end of 400 and the interference portion 311 of the guide shaft 310 are inserted and supported.

또한, 상기 기판안착플레이트(210)는, 접지부(300)를 통해 공정챔버(100)와 전기적으로 연결되도록 저면에 후술하는 접지스트랩(320, 330)이 결합될 수 있다.In addition, the substrate seating plate 210 may be coupled to the bottom of the substrate mounting plate 210 with ground straps 320 and 330, which will be described later, to be electrically connected to the process chamber 100 through the ground portion 300.

상기 지지샤프트(220)는, 기판안착플레이트(210)를 지지하기 위한 구성으로서, 기판안착플레이트(210) 저면 중심부에 결합하고 공정챔버(100) 하면을 관통하여 설치될 수 있다.The support shaft 220 is a component for supporting the substrate seating plate 210, and may be coupled to the center of the bottom of the substrate seating plate 210 and installed through the bottom of the process chamber 100.

이때, 상기 지지샤프트(220)는, 기판안착플레이트(210)가 승강하도록 외부의 상하구동부를 통해 상하로 이동할 수 있으며, 필요에 따라 기판안착플레이트(210)가 회전하도록 회전구동할 수 있다.At this time, the support shaft 220 can move up and down through an external vertical drive unit to raise and lower the substrate seating plate 210, and can be rotated so that the substrate seating plate 210 rotates as needed.

상기 접지부(300)는, 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 사이를 접지 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The ground portion 300 is a component that provides a ground connection between the substrate support portion 200 and the process chamber 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 접지부(300)는, 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 사이에 설치되는 가이드샤프트(310)와, 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 전기적으로 연결하며 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 가변되는 스트랩부(320, 330)를 포함할 수 있다.For example, the ground portion 300 electrically connects the guide shaft 310 installed between the substrate support portion 200 and the process chamber 100 and the substrate support portion 200 and the process chamber 100. and may include strap parts 320 and 330 that are guided by the guide shaft 310 and vary depending on the vertical movement of the substrate support part 200.

상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 사이에 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The guide shaft 310 is installed between the substrate support 200 and the process chamber 100, and various configurations are possible.

보다 구체적으로 상기 가이드샤프트(310)는, 적어도 일부가 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 사이에 위치하도록 설치되어 기판지지부(200)의 상하이동에 따른 스트랩부(320, 330)의 변형을 가이드할 수 있다.More specifically, the guide shaft 310 is installed so that at least a portion of it is located between the substrate support 200 and the process chamber 100 to prevent the deformation of the strap portions 320 and 330 according to the vertical movement of the substrate support 200. can guide you.

이때, 상기 가이드샤프트(310)는, 측면 상 스트랩부(320, 330) 중앙부분을 수직방향으로 관통하여 스트랩부(320, 330)가 설치되도록 할 수 있다.At this time, the guide shaft 310 can vertically penetrate the central portion of the strap portions 320 and 330 on the side so that the strap portions 320 and 330 are installed.

또한, 상기 가이드샤프트(310)는, 세라믹 재질로 형성되어 절연상태를 유지함으로써 기판지지부(200)의 안정적인 접지연결 환경을 제공할 수 있다.In addition, the guide shaft 310 is made of ceramic material and maintains an insulating state, thereby providing a stable ground connection environment for the substrate support 200.

한편, 상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200)의 상하이동에 대응되어 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 저면 사이에 설치상태를 유지하도록 충분한 길이로 형성 및 설치될 수 있다.Meanwhile, the guide shaft 310 may be formed and installed with a sufficient length to maintain the installed state between the substrate support 200 and the bottom of the process chamber 100 in response to the vertical movement of the substrate support 200.

일예로, 상기 가이드샤프트(310)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상단이 기판지지부(200)를 관통하여 상측으로 돌출되어 설치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the guide shaft 310 may be installed with its upper end protruding upward through the substrate support 200.

보다 구체적으로, 상기 가이드샤프트(310)는, 전술한 기판안착플레이트(210)의 관통부를 관통하여 설치될 수 있으며, 기판안착플레이트(210)의 상승에도 스트랩부(320, 330) 관통상태를 유지하도록 하단 측 적어도 일부가 공정챔버(100) 바닥면에 형성되는 삽입홈(102)에 삽입되어 설치될 수 있다.More specifically, the guide shaft 310 may be installed through the penetration part of the above-described substrate seating plate 210, and maintains the state of penetrating the strap portions 320 and 330 even when the substrate seating plate 210 rises. At least a portion of the bottom side may be installed by being inserted into the insertion groove 102 formed on the bottom surface of the process chamber 100.

이때, 상기 가이드샤프트(310)는, 상단에 수평방향으로 확장형성되어 기판지지부(200)의 상승에 따라 기판지지부(200) 상면에 간섭함으로써 가이드샤프트(310) 전체가 기판지지부(200)에 지지되도록 유도하는 간섭부(311)를 포함할 수 있다.At this time, the guide shaft 310 is extended horizontally at the top and interferes with the upper surface of the substrate support 200 as the substrate support 200 rises, so that the entire guide shaft 310 is supported on the substrate support 200. It may include an interference unit 311 that guides the interference as much as possible.

이로써, 상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200) 하강 시 상측이 기판지지부(200)를 관통하여 상측으로 돌출될 수 있으며, 기판지지부(200) 상승 시 간섭부(311)가 기판안착플레이트(210) 상면에 형성되는 지지홈(211)에 삽입되어 간섭함으로써 기판지지부(200)에 지지되어 함께 상승할 수 있다.As a result, the guide shaft 310 can protrude upwardly through the substrate support 200 when the substrate support 200 is lowered, and when the substrate support 200 is raised, the interference portion 311 is connected to the substrate mounting plate. (210) By inserting and interfering with the support groove 211 formed on the upper surface, it can be supported by the substrate support 200 and rise together.

이때, 기판지지부(200) 상승에도 가이드샤프트(310)를 통한 스트랩부(320, 330)의 관통상태를 유지, 즉 기판지지부(200) 저면과 공정챔버(100) 바닥면 사이의 가이드샤프트(310) 배치를 유지하도록 가이드샤프트(310) 하단 측 적어도 일부는 삽입홈(102)에 삽입되어 설치될 수 있다.At this time, even as the substrate support 200 rises, the penetrating state of the strap portions 320 and 330 through the guide shaft 310 is maintained, that is, the guide shaft 310 between the bottom of the substrate support 200 and the bottom of the process chamber 100 ) At least a portion of the lower side of the guide shaft 310 may be installed by being inserted into the insertion groove 102 to maintain the arrangement.

이때, 상기 삽입홈(102)은, 가이드샤프트(310) 하단 측 적어도 일부가 삽입된 상태를 유지하도록 공정챔버(100) 하면에 대응되는 위치 및 깊이의 홈으로 형성될 수 있다.At this time, the insertion groove 102 may be formed as a groove with a position and depth corresponding to the lower surface of the process chamber 100 to maintain at least a portion of the lower side of the guide shaft 310 inserted.

상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200) 최하위치에서 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지할 수 있다. The guide shaft 310 protrudes upward from the lowest position of the substrate support 200 and can support the substrate 1 being introduced or unloaded at a distance from the substrate support 200 .

즉, 상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200) 하강 시 상측으로 돌출된 상태에서, 도입 또는 반출되는 기판(1)을 이송로봇으로부터 전달받아 지지할 수 있다.That is, the guide shaft 310 can receive the substrate 1 to be introduced or unloaded from the transfer robot and support it while protruding upward when the substrate supporter 200 is lowered.

이때 상기 가이드샤프트(310)는, 후술하는 기판지지핀부(400)와 함께 기판(1) 저면을 지지하여 기판(1)을 기판지지부(200)로부터 상측으로 일정간격 이격하여 지지할 수 있으며, 이후 기판지지부(200)가 상승함에 따라 기판(1)이 기판안착플레이트(210)에 안착될 수 있다.At this time, the guide shaft 310 can support the bottom of the substrate 1 together with the substrate support pin portion 400, which will be described later, to support the substrate 1 at a predetermined distance upward from the substrate support portion 200. As the substrate support 200 rises, the substrate 1 may be seated on the substrate mounting plate 210.

이를 위하여, 상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200) 최하위치 기준 최상단 높이가 기판지지핀부(400) 최상단 높이와 동일하게 유지될 수 있다.To this end, the height of the top of the guide shaft 310 based on the lowest position of the substrate support part 200 may be maintained the same as the height of the top of the substrate support pin part 400.

또한, 다른 예로서, 상기 가이드샤프트(310)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상단이 상기 기판지지부(200) 저면에 고정 설치되고, 하단이 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 대응하도록 상기 공정챔버(100) 하면에 형성되는 관통공(101)을 통해 상기 공정챔버(100)를 관통하여 설치될 수 있다.In addition, as another example, as shown in FIG. 5, the guide shaft 310 has its upper end fixed to the bottom of the substrate supporter 200 and its lower end corresponding to the vertical movement of the substrate supporter 200. It may be installed to penetrate the process chamber 100 through a through hole 101 formed on the lower surface of the process chamber 100.

보다 구체적으로, 상기 가이드샤프트(310)는, 상단이 기판지지부(200) 저면에 고정되어 설치되고, 하단이 공정챔버(100) 하면에 형성되는 관통공(101)을 관통하여 공정챔버(100) 하측으로 돌출되도록 설치될 수 있다.More specifically, the guide shaft 310 has its upper end fixed to the bottom of the substrate support 200, and its lower end penetrates the through hole 101 formed on the lower surface of the process chamber 100 to enter the process chamber 100. It can be installed to protrude downward.

이때, 기판지지부(200)는 전술한 바와 달리 기판안착플레이트(210)에 가이드샤프트(310)에 대응되는 관통부는 생략될 수 있다.At this time, unlike what was described above, the substrate support portion 200 may omit the through portion corresponding to the guide shaft 310 in the substrate seating plate 210.

이로써 상기 가이드샤프트(310)는, 기판지지부(200) 상승에 따라 상승한 상태에서도 지지스트랩(320, 330)에 대한 관통상태를 유지할 수 있다. Accordingly, the guide shaft 310 can maintain a penetrating state with respect to the support straps 320 and 330 even in a raised state as the substrate support portion 200 rises.

한편 기판지지부(200)가 하강한 상태에서 가이드샤프트(310) 하단 일부와 관통공(101)이 외부로 노출되는 바, 이를 막기 위해 전술한 커버부(140)가 관통공(101) 및 저면에서 돌출되는 가이드샤프트(310)를 밀폐하도록 설치될 수 있다.Meanwhile, when the substrate support part 200 is lowered, a portion of the lower part of the guide shaft 310 and the through hole 101 are exposed to the outside. To prevent this, the cover part 140 described above is installed at the through hole 101 and the bottom. It can be installed to seal the protruding guide shaft 310.

상기 커버부(140)는, 공정챔버(100) 저면에 설치되어 가이드샤프트(310)가 상하이동하기 위한 일정 공간을 형성하고, 관통공(101) 및 돌출되는 가이드샤프트(310)의 외부노출을 방지하고 밀폐할 수 있다.The cover part 140 is installed on the bottom of the process chamber 100 to form a certain space for the guide shaft 310 to move up and down, and to prevent external exposure of the through hole 101 and the protruding guide shaft 310. It can be prevented and sealed.

한편, 상기 커버부(140)는, 복수의 가이드샤프트(310)가 설치될 때 이들 각각에 대응되어 복수개가 각각 설치될 수 있으며, 다른 예로서 일정 개수의 복수의 가이드샤프트(310)들을 한번에 커버하도록 설치될 수 있다.Meanwhile, when a plurality of guide shafts 310 are installed, a plurality of cover parts 140 may be installed to correspond to each of them. As another example, it covers a certain number of guide shafts 310 at once. It can be installed to do so.

상기 스트랩부(320, 330)는, 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 사이를 전기적으로 연결하며 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 가이드샤프트(310)에 가이드되어 가변되는 구성일 수 있다.The strap portions 320 and 330 electrically connect the substrate support portion 200 and the process chamber 100 and may be configured to vary by being guided by the guide shaft 310 according to the vertical movement of the substrate support portion 200. there is.

일예로, 상기 스트랩부(320)는, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 일단이 상기 기판지지부(200) 저면에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100) 바닥면에 결합하여, 상기 기판지지부(200) 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 압축 및 신장될 수 있다.For example, as shown in FIGS. 1 to 5, the strap portion 320 has one end coupled to the bottom of the substrate support 200 and the other end coupled to the bottom of the process chamber 100 to support the substrate. As the support portion 200 moves up and down, it is guided by the guide shaft 310 and can be compressed and expanded in the vertical direction.

즉, 상기 스트랩부(320)는, 기판지지부(200) 상하이동에 따라 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 압축 및 신장되는 구성으로서, 기판지지부(200)의 상하이동에도 기판지지부(200)와 공정챔버(100) 사이의 전기적 연결을 안정적으로 유지할 수 있다.That is, the strap portion 320 is guided by the guide shaft 310 and compressed and expanded in the vertical direction according to the vertical movement of the substrate support portion 200, and the substrate support portion 200 also moves up and down. ) and the process chamber 100 can be stably maintained.

예를 들면, 상기 스트랩부(320)는, 가이드샤프트(310)에 요철구조를 수직방향으로 반복 형성하여 설치될 수 있다.For example, the strap portion 320 may be installed on the guide shaft 310 by repeatedly forming an uneven structure in the vertical direction.

보다 구체적으로, 상기 스트랩부(320)는, 기판지지부(200) 저면에 접촉하여 결합하는 상단부(321)와, 공정챔버(100) 바닥면에 접촉하여 결합하는 하단부(322)와, 가이드샤프트(310)에 관통되며 상단부(321)와 하단부(322) 사이를 연결하는 연결부(323)를 포함할 수 있다.More specifically, the strap portion 320 includes an upper portion 321 that contacts and couples to the bottom of the substrate support portion 200, a lower portion 322 that contacts and couples to the bottom of the process chamber 100, and a guide shaft ( It may include a connection portion 323 that penetrates through 310 and connects the upper end 321 and the lower end 322.

이때, 상기 연결부(323)는, 수직방향으로 압축 및 신장을 위하여, 가이드샤프트(310)가 관통하는 평면부(323a)와, 평면부(323a)와 상단부(321) 및 하단부(322)를 각각 연결하는 복수의 만곡부(323b)를 포함할 수 있다.At this time, the connection portion 323 includes a flat portion 323a through which the guide shaft 310 passes, the flat portion 323a, the upper end 321, and the lower end 322, respectively, for compression and expansion in the vertical direction. It may include a plurality of curved portions 323b connected to each other.

한편, 상기 연결부(323)는, 평면부(323a)가 수직방향으로 서로 이격되어 복수개 구비되며, 수직방향으로의 압축 및 신장을 위하여 복수의 평면부(323a)들 사이 및 평면부(323a)와 상단부(321), 평면부(323a)와 하단부(322) 사이에도 만곡부(323b)를 통해 연결될 수 있다.Meanwhile, the connection portion 323 is provided with a plurality of flat portions 323a spaced apart from each other in the vertical direction, and is connected between the plurality of flat portions 323a and with the flat portion 323a for compression and expansion in the vertical direction. The upper part 321, the flat part 323a, and the lower part 322 may also be connected through the curved part 323b.

이때, 상기 만곡부(323b)는, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 수직방향으로 요철구조를 형성하도록 좌우 번갈아가며 형성될 수 있다.At this time, the curved portions 323b may be formed alternately left and right to form a concavo-convex structure in the vertical direction, as shown in FIGS. 2 to 5.

한편, 상기 스트랩부(320)는, 가이드샤프트(310)가 관통하는 관통부(324)가 평면부(323a) 중앙에 형성될 수 있으며, 관통부(324)에 설치되는 세라믹재질의 보호부재(325)를 포함할 수 있다.On the other hand, the strap part 320 may have a penetrating part 324 through which the guide shaft 310 penetrates formed in the center of the flat part 323a, and a protective member made of ceramic installed in the penetrating part 324 ( 325) may be included.

한편, 상기 스트랩부(330)는, 다른 예로서 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 일단이 기판지지부(200) 저면에 결합하고 타단이 공정챔버(100) 바닥면에 결합하여, 기판지지부(200) 상하이동에 따라 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 겹쳐지고 확장될 수 있다.Meanwhile, as another example of the strap part 330, as shown in FIGS. 6A and 6B, one end is coupled to the bottom of the substrate support 200 and the other end is coupled to the bottom of the process chamber 100, forming a substrate support. (200) It is guided by the guide shaft 310 according to the vertical movement and can overlap and expand in the vertical direction.

보다 구체적으로, 상기 스트랩부(330)는, 가상의 원뿔 외주면을 둘러싸는 다단구조로 형성되어, 하단이 공정챔버(100) 바닥면에 고정 결합되고 상단이 기판지지부(200) 저면에 고정 결합될 수 있다.More specifically, the strap portion 330 is formed in a multi-stage structure surrounding the outer peripheral surface of a virtual cone, so that the lower end is fixedly coupled to the bottom surface of the process chamber 100 and the upper end is fixedly coupled to the bottom surface of the substrate support unit 200. You can.

이로써, 상기 스트랩부(330)는, 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 원뿔과 원뿔대 모양으로 확장하고 겹쳐져 변형될 수 있으며, 이때의 스트랩부(330)는, 다수의 스트랩을 상하방향으로 다단으로 일부가 겹쳐지도록 배치하거나, 단일의 스트랩을 가상의 원뿔 외주면을 둘러싸는 형태로 말아올라간 형태로 구비될 수 있다.As a result, the strap portion 330 can be deformed by expanding and overlapping into a cone or truncated cone shape according to the vertical movement of the substrate support portion 200. At this time, the strap portion 330 can be configured to connect a plurality of straps in multiple stages in the vertical direction. It can be arranged so that some parts overlap, or a single strap can be rolled up to surround the outer peripheral surface of a virtual cone.

상기 기판지지핀부(400)는, 기판지지부(200)를 관통하여 설치되며, 기판지지부(200) 하강 시 적어도 일부가 기판지지부(200) 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지하는 구성일 수 있다.The substrate support pin portion 400 is installed to penetrate the substrate support portion 200, and when the substrate support portion 200 is lowered, at least a portion of the substrate support pin portion 400 protrudes upward from the substrate support portion 200 to support the substrate 1 to be introduced or exported from the substrate support portion 200. It may be configured to be supported by being spaced apart from (200).

예를 들면, 상기 기판지지핀부(400)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판지지부(200) 하강 시 기판(1)을 외부 이송로봇과 교환하도록 기판지지부(200) 상측으로 돌출되는 복수의 기판지지핀과 복수의 기판지지핀들이 설치되는 핀지지대(미도시)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, the substrate support pin portion 400 has a plurality of protruding upwards of the substrate support portion 200 to exchange the substrate 1 with an external transfer robot when the substrate support portion 200 is lowered. It may include a pin support (not shown) on which a substrate support pin and a plurality of substrate support pins are installed.

보다 구체적으로, 상기 기판지지핀부(400)는, 전술한 가이드샤프트(310)의 간섭부(310) 구성과 같이, 기판지지부(200) 상승 시 기판안착플레이트(210) 상면에 형성되는 지지홈(211)에 간섭 및 지지되어 함께 상승할 수 있으며, 기판지지부(200) 하강 시 기판(1)을 기판안착플레이트(210)로부터 상측으로 이격하여 지지하도록 돌출될 수 있다.More specifically, the substrate support pin portion 400 is a support groove ( 211), it can rise together, and when the substrate supporter 200 is lowered, it can protrude to support the substrate 1 by being spaced upward from the substrate mounting plate 210.

이 경우 이송로봇의 하강을 통해 기판지지핀부(400)에 기판(1)이 지지될 수 있는 바, 이송로봇과 가이드샤프트(310)와의 간섭을 방지하기 위하여 가이드샤프트(310)의 최상단 높이는 기판지지핀부(400) 최상단 높이보다 낮을 수 있다.In this case, the substrate 1 can be supported on the substrate support pin portion 400 through the descent of the transfer robot. In order to prevent interference between the transfer robot and the guide shaft 310, the uppermost height of the guide shaft 310 is adjusted to support the substrate. It may be lower than the height of the top of the fin unit 400.

더 나아가, 이송로봇과 가이드샤프트(310)와의 간섭을 방지하기 위하여, 기판지지부(200) 중 게이트부(130) 측을 제외한 나머지 위치에 접지부(300)가 설치될 수 있다.Furthermore, in order to prevent interference between the transfer robot and the guide shaft 310, the ground portion 300 may be installed in the remaining positions of the substrate support portion 200 except for the gate portion 130 side.

보다 구체적으로, 상기 접지부(300)는, 복수개로 구비될 수 있으며, 이때 기판지지부(200) 가장자리를 따라서 설치될 수 있다.More specifically, the ground portion 300 may be provided in plural numbers, and may be installed along the edge of the substrate support portion 200.

이 경우, 전술한 바와 같이 이송로봇과 기판지지부(200)의 상측으로 돌출되는 가이드샤프트(310)와의 간섭을 방지하기 위하여, 가장자리 중 게이트부(130) 측을 제외한 나머지 가장자리를 따라서 복수개 설치될 수 있다.In this case, as described above, in order to prevent interference between the transfer robot and the guide shaft 310 protruding above the substrate support unit 200, a plurality of edges may be installed along the remaining edges excluding the gate portion 130 side. there is.

한편, 가이드샤프트(310)가 기판지지부(200) 상측으로 돌출되지 않도록 설치되는 실시예, 복수의 가이드샤프트(310)들 사이의 간격을 적절히 조절하여 설치하거나 돌출되는 가이드샤프트(310) 최상단의 높이를 적절히 제한하는 방법을 통해 게이트부(130) 측 가장자리에도 설치될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, in an embodiment in which the guide shaft 310 is installed so as not to protrude above the substrate support 200, the distance between the plurality of guide shafts 310 is adjusted appropriately, or the height of the top of the protruding guide shaft 310 is adjusted. Of course, it can also be installed on the edge of the gate portion 130 by appropriately limiting .

이때, 상기 스트랩부(320)는, 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 신장 및 압축되어 수직방향 뿐만 아니라 수평방향으로 가변될 수 있으며, 이때의 가변방향이 기판지지부(200) 변의 길이방향으로 가변되도록 복수개 설치될 수 있다.At this time, the strap portion 320 is stretched and compressed according to the vertical movement of the substrate support 200 and can be varied not only in the vertical direction but also in the horizontal direction. At this time, the variable direction is in the longitudinal direction of the side of the substrate support 200. Multiple units can be installed to vary.

보다 구체적으로, 상기 스트랩부(320)는, 길이가 기판지지부(200)의 변을 따라서 위치하도록 복수개 설치될 수 있다.More specifically, a plurality of strap parts 320 may be installed so that their length is located along the side of the substrate support part 200.

한편, 다른 예로서, 상기 스트랩부(320)는, 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 신장 및 압축되어 수평방향으로 가변될 수 있으며, 기판지지부(200)의 변의 길이방향에 대하여 교차방향으로 가변되도록 설치될 수 있다.Meanwhile, as another example, the strap portion 320 may be stretched and compressed according to the vertical movement of the substrate support portion 200 and may vary in the horizontal direction, and may be stretched in a cross direction with respect to the longitudinal direction of the side of the substrate support portion 200. It can be installed to be variable.

즉, 상기 스트랩부(320)는, 길이가 평면 상 기판지지부(200) 변과 교차하도록 복수개가 서로 평행하게 배치되어 설치될 수 있다.That is, a plurality of the strap parts 320 may be installed parallel to each other so that their length intersects the side of the substrate support part 200 on a plane.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명한 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the technical aspects of the present invention described above should not be construed. It will be said that all ideas and technical ideas that share their roots are included in the scope of the present invention.

100: 공정챔버 200: 기판지지부
300: 접지부 400: 기판지지핀부100: Process chamber 200: Substrate support
300: Ground portion 400: Board support pin portion

Claims (22)

내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와;
상기 공정챔버(100) 내부에 승하강 가능하게 설치되며, 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와;
상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 접지 연결하는 적어도 하나의 접지부(300)를 포함하며,
상기 접지부(300)는,
상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이에 설치되는 가이드샤프트(310)와, 상기 기판지지부(200)와 상기 공정챔버(100) 사이를 전기적으로 연결하며 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 가변되는 스트랩부(320, 330)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A process chamber 100 forming a processing space (S) for substrate processing therein;
A substrate support portion 200 that is installed to be able to be raised and lowered inside the process chamber 100 and on which the substrate 1 is mounted;
It includes at least one ground portion 300 that provides a ground connection between the substrate support portion 200 and the process chamber 100,
The ground portion 300 is,
A guide shaft 310 installed between the substrate support 200 and the process chamber 100, electrically connects the substrate support 200 and the process chamber 100, and A substrate processing device comprising strap parts (320, 330) that are guided by the guide shaft (310) and change depending on the vertical movement. 청구항 1에 있어서,
상기 스트랩부(320)는,
일단이 상기 기판지지부(200) 저면에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100) 바닥면에 결합하여, 상기 기판지지부(200) 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 압축 및 신장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The strap portion 320 is,
One end is coupled to the bottom of the substrate support 200 and the other end is coupled to the bottom of the process chamber 100, and is guided by the guide shaft 310 as the substrate support 200 moves up and down, compressing and compressing in the vertical direction. A substrate processing device characterized in that it is stretched. 청구항 2에 있어서,
상기 스트랩부(320)는,
상기 가이드샤프트(310)에 요철구조를 형성하여 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 2,
The strap portion 320 is,
A substrate processing device, characterized in that it is installed by forming a concave-convex structure on the guide shaft (310). 청구항 1에 있어서,
상기 스트랩부(320)는,
상기 기판지지부(200) 저면에 접촉하여 결합하는 상단부(321)와, 상기 공정챔버(100) 바닥면에 접촉하여 결합하는 하단부(322)와, 상기 가이드샤프트(310)에 관통되며 상기 상단부(321)와 하단부(322) 사이를 연결하는 연결부(323)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The strap portion 320 is,
An upper part 321 that contacts and couples to the bottom of the substrate support unit 200, a lower part 322 that contacts and couples to the bottom of the process chamber 100, and penetrates the guide shaft 310, and the upper part 321 ) and a connection portion 323 connecting the lower portion 322. 청구항 4에 있어서,
상기 연결부(323)는,
상기 가이드샤프트(310)가 관통하는 평면부(323a)와, 상기 평면부(323a)와 상기 상단부(321) 및 상기 하단부(322)를 각각 연결하는 복수의 만곡부(323b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 4,
The connection portion 323 is,
Characterized by comprising a flat portion 323a through which the guide shaft 310 passes, and a plurality of curved portions 323b connecting the flat portion 323a with the upper end 321 and the lower end 322, respectively. A substrate processing device. 청구항 5에 있어서,
상기 평면부(323a)는,
수직방향으로 서로 이격되어 복수개 구비되며,
상기 만곡부(323b)는,
복수의 상기 평면부(323a)들 사이를 연결하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 5,
The flat portion 323a is,
It is provided in plural pieces, spaced apart from each other in the vertical direction,
The curved portion 323b is,
A substrate processing device characterized in that it is formed to connect a plurality of the flat portions 323a. 청구항 1에 있어서,
상기 가이드샤프트(310)는,
측면 상 상기 스트랩부(320) 중앙부분을 수직방향으로 관통하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The guide shaft 310 is,
A substrate processing device characterized in that it penetrates the central portion of the strap portion 320 on the side in a vertical direction. 청구항 7에 있어서,
상기 스트랩부(320)는,
상기 가이드샤프트(310)가 관통하는 관통부(324)에 설치되는 세라믹재질의 보호부재(325)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 7,
The strap portion 320 is,
A substrate processing apparatus comprising a protective member 325 made of a ceramic material installed in a penetration portion 324 through which the guide shaft 310 passes. 청구항 1에 있어서,
상기 스트랩부(330)는,
일단이 상기 기판지지부(200) 저면에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100) 바닥면에 결합하여, 상기 기판지지부(200) 상하이동에 따라 상기 가이드샤프트(310)에 가이드되어 수직방향으로 겹쳐지고 확장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The strap portion 330 is,
One end is coupled to the bottom of the substrate support 200 and the other end is coupled to the bottom of the process chamber 100, and is guided by the guide shaft 310 according to the vertical movement of the substrate support 200 and overlaps in the vertical direction. A substrate processing device characterized by expansion. 청구항 9에 있어서,
상기 스트랩부(330)는,
가상의 원뿔 외주면을 둘러싸는 다단구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 9,
The strap portion 330 is,
A substrate processing device characterized in that it is formed in a multi-stage structure surrounding the outer peripheral surface of a virtual cone. 청구항 1에 있어서,
상기 가이드샤프트(310)는,
세라믹 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The guide shaft 310 is,
A substrate processing device characterized in that it is formed of a ceramic material. 청구항 1에 있어서,
상기 가이드샤프트(310)는,
상단이 상기 기판지지부(200) 저면에 고정 설치되고, 하단이 상기 기판지지부(200)의 상하이동에 대응하도록 상기 공정챔버(100) 하면에 형성되는 관통공(101)을 통해 상기 공정챔버(100)를 관통하여 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The guide shaft 310 is,
The upper end is fixed to the bottom of the substrate support 200, and the lower end is connected to the process chamber 100 through a through hole 101 formed in the lower surface of the process chamber 100 so as to correspond to the vertical movement of the substrate support 200. ) A substrate processing device characterized in that it is installed through the. 청구항 12에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 관통공(101) 및 저면에서 돌출되는 상기 가이드샤프트(310)를 밀폐하도록 저면에 설치되는 커버부(140)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 12,
The process chamber 100,
A substrate processing apparatus comprising a cover part 140 installed on a bottom surface to seal the through hole 101 and the guide shaft 310 protruding from the bottom surface. 청구항 1에 있어서,
상기 가이드샤프트(310)는,
상단이 상기 기판지지부(200)를 관통하여 상측으로 돌출되어 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The guide shaft 310 is,
A substrate processing device, characterized in that the upper end penetrates the substrate support portion 200 and protrudes upward. 청구항 14에 있어서,
상기 가이드샤프트(310)는,
상단에 수평방향으로 확장형성되어 상기 기판지지부(200)의 상승에 따라 상기 기판지지부(200) 상면에 간섭하는 간섭부(311)를 포함하며, 상기 기판지지부(200)의 상승에도 상기 스트랩부(320, 330) 관통상태를 유지하도록 하단 측 적어도 일부가 상기 공정챔버(100) 바닥면에 형성되는 삽입홈(102)에 삽입되어 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 14,
The guide shaft 310 is,
It includes an interference portion 311 that extends horizontally at the top and interferes with the upper surface of the substrate support 200 as the substrate support 200 rises, and the strap portion ( 320, 330) A substrate processing device, wherein at least a portion of the lower end is inserted into the insertion groove 102 formed on the bottom of the process chamber 100 to maintain the penetration state. 청구항 14에 있어서,
상기 가이드샤프트(310)는,
상기 기판지지부(200) 최하위치에서 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 상기 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 14,
The guide shaft 310 is,
A substrate processing apparatus, characterized in that the substrate (1), which protrudes upward from the lowest position of the substrate supporter (200) and is introduced or unloaded, is supported at a distance from the substrate supporter (200). 청구항 14에 있어서,
상기 기판지지부(200)를 관통하여 설치되며, 상기 기판지지부(200) 하강 시 적어도 일부가 상기 기판지지부(200) 상측으로 돌출되어 도입 또는 반출되는 기판(1)을 상기 기판지지부(200)로부터 이격하여 지지하는 기판지지핀부(400)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 14,
It is installed to penetrate the substrate support 200, and when the substrate support 200 is lowered, at least a portion protrudes upward from the substrate support 200 to separate the substrate 1 to be introduced or exported from the substrate support 200. A substrate processing device characterized in that it additionally includes a substrate support pin portion 400 that supports the substrate. 청구항 17에 있어서,
상기 기판지지부(200) 하강 시 상기 기판지지부(200) 상측으로 돌출되는 상기 기판지지핀부(400) 최상단 높이가 상기 가이드샤프트(310) 최상단 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 17,
A substrate processing apparatus, characterized in that the top height of the substrate support pin portion 400, which protrudes upward from the substrate support portion 200 when the substrate support portion 200 is lowered, is higher than the top height of the guide shaft 310. 청구항 14에 있어서,
상기 기판(1)이 도입 및 반출되기 위한 게이트부(130)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 14,
A substrate processing apparatus further comprising a gate portion 130 through which the substrate 1 is introduced and unloaded. 청구항 19에 있어서,
상기 접지부(300)는,
상기 기판지지부(200) 가장자리 중 상기 게이트부(130) 측을 제외한 나머지 가장자리를 따라서 복수개 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 19,
The ground portion 300 is,
A substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of substrate processing devices are installed along the edges of the substrate support portion 200 except for the gate portion 130 side. 청구항 1에 있어서,
상기 접지부(300)는,
상기 기판지지부(200) 가장자리를 따라서 서로 이격되어 복수개 설치되며,
복수의 상기 스트랩부(320)들은,
상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라, 설치되는 상기 기판지지부(200) 변의 길이방향으로 평면 상 가변되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The ground portion 300 is,
A plurality of them are installed spaced apart from each other along the edge of the substrate support portion 200,
The plurality of strap parts 320 are,
A substrate processing apparatus, wherein the longitudinal direction of the side of the substrate support 200 is variable in a plane as the substrate support 200 moves up and down. 청구항 1에 있어서,
상기 접지부(300)는,
상기 기판지지부(200) 가장자리를 따라서 서로 이격되어 복수개 설치되며,
복수의 상기 스트랩부(320)들은,
상기 기판지지부(200)의 상하이동에 따라, 설치되는 상기 기판지지부(200) 변의 길이방향에 대하여 평면 상 교차방향으로 가변되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.




In claim 1,
The ground portion 300 is,
A plurality of them are installed spaced apart from each other along the edge of the substrate support portion 200,
The plurality of strap parts 320 are,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is installed to vary in a cross direction on a plane with respect to the longitudinal direction of the side of the substrate supporter 200, as the substrate supporter 200 moves up and down.
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