KR20230136039A - Polycyclic Aromatic Compound - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 다환방향족 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 상기 다환방향족 화합물을 사용한 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 및 유기 박막태양전지 등의 유기 디바이스, 및, 표시장치 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to polycyclic aromatic compounds. The present invention also relates to organic devices using the polycyclic aromatic compound, such as organic electroluminescent elements, organic field effect transistors, and organic thin-film solar cells, and display devices and lighting devices.
종래, 전계 발광하는 발광 소자를 사용한 표시 장치는, 저전력화나 박형화가 가능하기 때문에, 다양하게 연구되고, 또한, 유기 재료로부터 이루어지는 유기 전계 발광 소자는, 경량화나 대형화가 용이하여 활발하게 검토되어 왔다. 특히, 광의 삼원색 중 하나인 청색 등의 발광 특성을 가지는 유기 재료의 개발, 및 정공, 전자 등의 전하 수송 능력(반도체나 초전도체가 될 가능성을 가짐)을 구비한 유기 재료의 개발에 대해서는, 고분자 화합물, 저분자 화합물을 막론하고 지금까지 활발하게 연구되어 왔다. Conventionally, display devices using light-emitting elements that emit electroluminescence have been studied in various ways because they enable lower power consumption and reduction in thickness. Additionally, organic electroluminescent elements made of organic materials have been actively studied because they are easy to reduce in weight and size. In particular, regarding the development of organic materials with luminescent properties such as blue, one of the three primary colors of light, and the development of organic materials with charge transport capabilities such as holes and electrons (with the potential to become semiconductors or superconductors), polymer compounds , regardless of low molecular weight compounds, have been actively studied so far.
유기 전계 발광 소자는, 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 해당 한 쌍의 전극 사이에 배치되어, 유기 화합물을 포함하는 한층 또는 복수의 층으로 이루어지는 구조를 가진다. 유기 화합물을 포함하는 층에는, 발광층이나, 정공, 전자 등의 전하를 수송 또는 주입하는 전하 수송/주입층 등이 있으며, 이들 층에 적당한 다양한 유기 재료가 개발되고 있다. An organic electroluminescent element has a structure consisting of a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and one or multiple layers disposed between the pair of electrodes and containing an organic compound. Layers containing organic compounds include a light-emitting layer and a charge transport/injection layer that transports or injects charges such as holes and electrons, and various organic materials suitable for these layers are being developed.
그 중에서, 특허문헌 1~3에서는, 붕소를 함유하는 다환방향족 화합물이, 유기 전계 발광 소자 등의 재료로서 유용한 것이 개시되어 있다. 이 다환방향족 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자는, 양호한 외부양자효율을 가지는 것이 보고되어 있다.Among them, Patent Documents 1 to 3 disclose that polycyclic aromatic compounds containing boron are useful as materials for organic electroluminescent devices and the like. It has been reported that organic electroluminescent devices containing this polycyclic aromatic compound have good external quantum efficiency.
상술한 바와 같이, 유기 EL 소자에 사용되는 재료로서는 여러 재료가 개발되고 있지만, 유기 EL 소자용 재료의 선택지를 늘리기 위해서, 종래와는 다른 화합물로 이루어지는 재료의 개발이 기대되고 있다. As described above, various materials have been developed as materials for use in organic EL devices. However, in order to increase the selection of materials for organic EL devices, the development of materials made of compounds different from those of the past is expected.
본 발명은 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스용 재료로서 유용한 신규 화합물을 제공하는 것을 과제로 한다.The object of the present invention is to provide novel compounds useful as materials for organic devices such as organic EL elements.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토하여, 특허문헌 1~3에 기재된 화합물과 마찬가지로 붕소를 함유하는 구조를 가지고, 발광 특성에 우수함과 함께 발광 파장에 특징을 가지는 신규 다환방향족 화합물의 제조에 성공하였다. 또한, 이 다환방향족 화합물을 함유하는 층을 한 쌍의 전극 사이에 배치하여 유기 EL 소자를 구성함으로써, 뛰어난 유기 EL 소자가 얻어지는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성시켰다. 즉 본 발명은, 이하와 같은 다환방향족 화합물, 나아가 이하와 같은 다환방향족 화합물을 포함하는 유기 디바이스용 재료 등을 제공한다. In order to solve the above problems, the present inventors have conducted intensive studies to produce a novel polyaromatic compound that has a boron-containing structure similar to the compounds described in Patent Documents 1 to 3, has excellent luminescence properties, and has a characteristic luminescence wavelength. was successful. Furthermore, it was discovered that an excellent organic EL device could be obtained by disposing a layer containing this polycyclic aromatic compound between a pair of electrodes to form an organic EL device, and the present invention was completed. That is, the present invention provides polycyclic aromatic compounds as described below, and further materials for organic devices containing the polycyclic aromatic compounds as described below.
<1> 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물; <1> a polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2);
식(1)중, In equation (1),
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이며, Ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 상기 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 상기 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타내고, The broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the dashed line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line,
Z는 -C(-RZ)= 또는 -N=이며, RZ는 수소 또는 치환기이며, Z is -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent,
X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 되고, X is each independently a single bond, > NR NX , > O , >C ( -R C It is substituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted. It is substituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded,
Y는 각각 독립적으로, >B-, >P-, >P(=O)-, >P(=S)-, >Al-, >Ga-, >As-, >C(-RY)-, >Si(-RY)-, 또는 >Ge(-RY)-이며, RY는, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이며,Y is each independently, >B-, >P-, >P(=O)-, >P(=S)-, >Al-, >Ga-, >As-, >C(-R Y )- , >Si(-R Y )-, or >Ge(-R Y )-, where R Y is each independently optionally substituted aryl, optionally substituted heteroaryl, optionally substituted alkyl, or substituted It is a cycloalkyl that may be
상기 구조에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고, In the above structure, at least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring may be condensed with at least one cycloalkane, and the cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and the cycloalkane may be At least one -CH 2 - in may be substituted with -O-,
상기 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. At least one hydrogen in the above structure may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
<2> B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환이 각각 치환의 아릴환 또는 치환의 헤테로아릴환일 때의 치환기가 치환기군 Z 및 식(A30)으로 표현되는 치환기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기이며, <2> When the B ring, C ring, D ring, E ring, F ring, G ring, H ring, and I ring are each a substituted aryl ring or substituted heteroaryl ring, the substituent is substituent group Z and formula (A30) It is at least one substituent selected from the group consisting of substituents represented by,
치환기군 Z는, Substituent group Z is,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴; Aryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴; heteroaryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노(2개의 아릴은 서로 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다); diarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two aryls may be bonded to each other through a linking group);
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디헤테로아릴아미노(2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다); diheteroarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two heteroaryls may be bonded to each other through a linking group);
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴헤테로아릴아미노(아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다); Arylheteroarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (aryl and heteroaryl may be bonded to each other through a linking group);
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴보릴(2개의 아릴은 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다); diarylboryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two aryls may be bonded through a single bond or linking group);
아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알킬; alkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, and cycloalkyl;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬; Cycloalkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알콕시; alkoxy optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, and cycloalkyl;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴옥시; 및 aryloxy which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl; and
치환 실릴로부터 이루어지고, Consists of substituted silyl,
식(A30)중, In equation (A30),
Ak는 수소, 치환 혹은 무치환의 알킬, 치환 혹은 무치환의 알케닐, 치환 혹은 무치환의 시클로알킬 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알케닐이며, 해당 알킬, 알케닐, 시클로알킬 및 시클로알케닐에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O- 또는 -S-로 치환되어 있어도 되고, Ak is hydrogen, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted alkenyl, substituted or unsubstituted cycloalkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkenyl, and the alkyl, alkenyl, cycloalkyl and cycloalkenyl At least one -CH 2 - may be substituted with -O- or -S-,
RAk는, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RAk는 연결기 또는 단결합에 의해 Ak와 결합하고 있어도 되고, *은 결합 위치인, R Ak is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R Ak may be bonded to Ak through a linking group or single bond. , * is the binding position,
<1>에 기재된 다환방향족 화합물.The polycyclic aromatic compound described in <1>.
<3> 식(1)으로 표현되는 <2>에 기재된 다환방향족 화합물. <3> The polycyclic aromatic compound according to <2>, expressed by formula (1).
<4> 하기 식(1-b)으로 표현되는 <3>에 기재된 다환방향족 화합물; <4> A polycyclic aromatic compound according to <3>, represented by the following formula (1-b);
식(1-b)중, In equation (1-b),
Z는 각각 독립적으로, -C(-RZ)= 또는 -N=이며, Z is each independently -C(-R Z )= or -N=,
RZ는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기이며, R Z is each independently hydrogen or a substituent,
RZ가 치환기일 때의 치환기가 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기 또는 식(A30)으로 표현되는 치환기이며, When R Z is a substituent, the substituent is any one selected from the substituent group Z or a substituent represented by the formula (A30),
인접하는 2개의 RZ는 서로 결합해서 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하여도 되고, 상기 형성된 아릴환 또는 헤테로아릴환은, 각각, 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, Two adjacent R
Z=Z는 각각 독립적으로 >N-R, >O, >C(-R)2, >Si(-R)2, >S, 또는 >Se이어도 되고, 상기 >N-R, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 R은 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 2개의 R은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, Z=Z may each independently be >NR, >O, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , >S, or >Se, wherein the >NR and the >C(-R) 2 and R of >Si(-R) 2 is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, >C(-R) 2 and the two R of >Si(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring,
X는 각각 독립적으로, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX 및 RCX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고, X is each independently >NR NX , >O, >C(-R CX ) 2 , >S, or >Se, and R NX is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, is substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R C It is a cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and R NX and R CX are each bonded to one or two or more of the You can do it,
L은 단결합, >N-RNL, >O, >C(-RCL)2, >S, 또는 >Se이며, RNL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCL은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNL 및 RCL은 각각 자신을 포함하는 L이 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고, L is a single bond, >NR NL , >O, >C(-R CL ) 2 , >S, or >Se, and R NL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl. It is an alkyl, and two R CL may be bonded to each other to form a ring, and R NL and R CL are each bonded to one or two or more of Z bonded to the carbon atom to which L bonded, including itself, You can have it,
상기 구조에 있어서의, 아릴환 또는 헤테로아릴환의 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고, In the above structure, at least one aryl ring or heteroaryl ring may be condensed with at least one cycloalkane, the cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and at least one substituent in the cycloalkane may be substituted. -CH 2 - may be substituted with -O-,
상기 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. At least one hydrogen in the above structure may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
<5> Z가 모두 -C(-RZ)=이며, <5> All Zs are -C(-R Z )=,
X가 각각 독립적으로 >O, >N-RNX, 또는 >S인, <4>에 기재된 다환방향족 화합물. The polycyclic aromatic compound according to <4>, wherein X is each independently >O, >NR NX , or >S.
<6> RZ가 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 알킬로 치환되어 있어도 되는 페닐, 알킬로 치환되어 있어도 되는 디페닐아미노, 또는 알킬로 치환되어 있어도 되는 카르바졸릴인, <4> 또는 <5>에 기재된 다환방향족 화합물. <6> R Z is each independently hydrogen, alkyl, phenyl optionally substituted by alkyl, diphenylamino optionally substituted by alkyl, or carbazolyl optionally substituted by alkyl, <4> or <5 > Polycyclic aromatic compounds described in.
<7> 하기 식으로 표현되는 <3>에 기재된 다환방향족 화합물; <7> A polycyclic aromatic compound according to <3>, expressed by the following formula;
식중, Me는 메틸이다. where Me is methyl.
<8> 식(2)으로 표현되는 <2>에 기재된 다환방향족 화합물. <8> The polycyclic aromatic compound according to <2>, expressed by formula (2).
<9> 하기 식(2-b)으로 표현되는 <8>에 기재된 다환방향족 화합물; <9> A polycyclic aromatic compound according to <8>, represented by the following formula (2-b);
식(2-b)중, In equation (2-b),
Z는 각각 독립적으로, -C(-RZ)= 또는 -N=이며, Z is each independently -C(-R Z )= or -N=,
RZ는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기이며, R Z is each independently hydrogen or a substituent,
RZ가 치환기일 때의 치환기가 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기 또는 식(A30)으로 표현되는 치환기이며, When R Z is a substituent, the substituent is any one selected from the substituent group Z or a substituent represented by the formula (A30),
인접하는 2개의 RZ는 서로 결합해서 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하여도 되고, 상기 형성된 아릴환 또는 헤테로아릴환은, 각각, 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, Two adjacent R
Z=Z는 각각 독립적으로 >N-R, >O, >C(-R)2, >Si(-R)2, >S, 또는 >Se이어도 되고, 상기 >N-R, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 R은 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 2개의 R은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, Z=Z may each independently be >NR, >O, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , >S, or >Se, wherein the >NR and the >C(-R) 2 and R of >Si(-R) 2 is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, >C(-R) 2 and the two R of >Si(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring,
X는 각각 독립적으로, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX 및 RCX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고, X is each independently >NR NX , >O, >C(-R CX ) 2 , >S, or >Se, and R NX is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, is substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R C It is a cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and R NX and R CX are each bonded to one or two or more of the You can do it,
L은 단결합, >N-RNL, >O, >C(-RCL)2, >S, 또는 >Se이며, RNL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCL은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNL 및 RCL은 각각 자신을 포함하는 L이 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고, L is a single bond, >NR NL , >O, >C(-R CL ) 2 , >S, or >Se, and R NL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl. It is an alkyl, and two R CL may be bonded to each other to form a ring, and R NL and R CL are each bonded to one or two or more of Z bonded to the carbon atom to which L bonded, including itself, You can have it,
상기 구조에 있어서의, 아릴환 또는 헤테로아릴환의 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고, In the above structure, at least one aryl ring or heteroaryl ring may be condensed with at least one cycloalkane, the cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and at least one substituent in the cycloalkane may be substituted. -CH 2 - may be substituted with -O-,
상기 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. At least one hydrogen in the above structure may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
<10> Z가 모두 -C(-RZ)=이며, X가 각각 독립적으로 >O, >N-RNX, 또는 >S인, <9>에 기재된 다환방향족 화합물. <10> The polycyclic aromatic compound according to <9>, wherein all Zs are -C(-R Z )= and Xs are each independently >O, >NR NX , or >S.
<11> RZ가 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 알킬로 치환되어 있어도 되는 페닐, 알킬로 치환되어 있어도 되는 디페닐아미노, 또는 알킬로 치환되어 있어도 되는 카르바졸릴인, <9> 또는 <10>에 기재된 다환방향족 화합물. <11> R Z is each independently hydrogen, alkyl, phenyl optionally substituted by alkyl, diphenylamino optionally substituted by alkyl, or carbazolyl optionally substituted by alkyl, <9> or <10 > Polycyclic aromatic compounds described in.
<12> 하기 식으로 표현되는 <8>에 기재된 다환방향족 화합물; <12> A polycyclic aromatic compound according to <8>, expressed by the following formula;
식중, Me는 메틸이다. where Me is methyl.
<13> <1> ~ <12> 중 어느 하나에 기재된 다환방향족 화합물에 반응성 치환기가 치환한 반응성 화합물을 모노머로서 고분자화시킨 수평균 분자량 2000~1.0×108의 고분자화합물. <13> A polymer compound with a number average molecular weight of 2000 to 1.0×10 8 obtained by polymerizing a reactive compound in which the polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <12> is substituted with a reactive substituent as a monomer.
<14> <1> ~ <12> 중 어느 하나에 기재된 다환방향족 화합물을 함유하는, 유기 디바이스용 재료. <14> A material for an organic device containing the polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <12>.
<15> 상기 유기 디바이스용 재료가, 유기 전계 발광 소자용 재료, 유기 전계 효과 트랜지스터용 재료, 유기 박막태양전지용 재료, 또는 파장 변환 필터용 재료인, <14>에 기재된 유기 디바이스용 재료. <15> The organic device material according to <14>, wherein the organic device material is a material for an organic electroluminescent element, a material for an organic field effect transistor, a material for an organic thin film solar cell, or a material for a wavelength conversion filter.
<16> 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과 해당 한 쌍의 전극간에 배치되는 유기층을 가지고, 상기 유기층이 <1> ~ <12> 중 어느 하나에 기재된 다환방향족 화합물을 함유하는, 유기 전계 발광 소자. <16> Organic electroluminescence, which has a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode and an organic layer disposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer contains the polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <12>. device.
<17> 상기 유기층이 발광층인, <16>에 기재된 유기 전계 발광 소자. <17> The organic electroluminescent device according to <16>, wherein the organic layer is a light-emitting layer.
<18> <16> 또는 <17>에 기재된 유기 전계 발광 소자를 구비한 표시장치 또는 조명 장치. <18> A display or lighting device including the organic electroluminescent element according to <16> or <17>.
<19> <1> ~ <12> 중 어느 하나에 기재된 다환방향족 화합물의 제조방법으로서, <19> A method for producing a polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <12>,
식(Int)으로 표현되는 화합물에 붕소화제 및 브뢴스테드 염기를 첨가해서 반응시키는 것에 의해, 식(1)으로 표현되는 다환방향족 화합물과 식(2)으로 표현되는 다환방향족 화합물과의 혼합물을 얻는 것을 포함하는 제조방법; By adding a boronating agent and a Bronsted base to the compound represented by the formula (Int) and reacting it, a mixture of the polycyclic aromatic compound represented by the formula (1) and the polycyclic aromatic compound represented by the formula (2) is obtained. Manufacturing method including;
식(Int)중, In the expression (Int),
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이며, Ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 상기 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 상기 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타내고, The broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the dashed line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line,
Z는 -C(-RZ)= 또는 -N=이며, RZ는 수소 또는 치환기이며, Z is -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent,
X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 되고, X is each independently a single bond, > NR NX , > O , >C ( -R C It is substituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted. It is substituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded,
식(Int)에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고, At least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring in the formula (Int) may be condensed with at least one cycloalkane, and the cycloalkane may be substituted with at least one substituent. At least one -CH 2 - in the cycloalkane may be substituted with -O-,
식(Int)에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. At least one hydrogen in the formula (Int) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
<20> 식(Int)으로 표현되는 화합물; <20> A compound represented by the formula (Int);
식(Int)중, In the expression (Int),
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이며, Ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 상기 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 상기 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타내고, The broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the dashed line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line,
Z는 -C(-RZ)= 또는 -N=이며, RZ는 수소 또는 치환기이며, Z is -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent,
X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 되고, X is each independently a single bond, > NR NX , > O , >C ( -R C It is substituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted. It is substituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded,
식(Int)에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고, At least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring in the formula (Int) may be condensed with at least one cycloalkane, and the cycloalkane may be substituted with at least one substituent. At least one -CH 2 - in the cycloalkane may be substituted with -O-,
식(Int)에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. At least one hydrogen in the formula (Int) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
본 발명에 의해, 유기 전계 발광 소자 등의 유기 디바이스용 재료로서 유용한 신규 다환방향족 화합물이 제공된다. 본 발명의 다환방향족 화합물은 유기 전계 발광 소자 등의 유기 디바이스의 제조에 사용할 수 있다.According to the present invention, a novel polyaromatic compound useful as a material for organic devices such as organic electroluminescent elements is provided. The polycyclic aromatic compound of the present invention can be used in the production of organic devices such as organic electroluminescent elements.
도 1은 유기 전계 발광 소자에 일 예를 제시하는 개략단면도이다.
도 2는 일반적인 형광 도펀트를 사용한 TAF 소자의 호스트, 어시스팅 도펀트 및 이미팅 도펀트의 에너지 관계를 나타내는 에너지 준위도이다.
도 3은 본 발명의 일 양태의 유기 전계 발광 소자에 있어서의, 호스트, 어시스팅 도펀트 및 이미팅 도펀트의 에너지 관계의 일 예를 제시하는 에너지 준위도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic electroluminescent device.
Figure 2 is an energy level diagram showing the energy relationship between the host, assisting dopant, and emitting dopant of a TAF device using a general fluorescent dopant.
Figure 3 is an energy level diagram showing an example of the energy relationship between the host, assisting dopant, and emitting dopant in the organic electroluminescent device of one aspect of the present invention.
이하에 있어서, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 대표적인 실시 형태나 구체예에 기초하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 「~」을 사용하여 나타내어지는 수치 범위는 「~」전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서 구조식의 설명에 있어서의 「수소」는 「수소 원자(H)」를 의미한다. 마찬가지로 「탄소 원자(C)」를 「탄소」라고 하는 경우가 있다. Below, the present invention is explained in detail. The description of the structural requirements described below may be based on representative embodiments or specific examples, but the present invention is not limited to such embodiments. In addition, in this specification, the numerical range indicated using “~” means a range that includes the numerical values written before and after “~” as the lower limit and upper limit. In addition, in this specification, “hydrogen” in the description of the structural formula means “hydrogen atom (H).” Similarly, “carbon atom (C)” is sometimes referred to as “carbon.”
본 명세서에 있어서, 「인접하는 기」라고 할 때는, 구조식 중에서 인접하는 2개의 원자(공유 결합으로 직접 결합하는 2개의 원자)에 각각 결합하고 있는 2개의 기를 의미한다. In this specification, “adjacent groups” means two groups each bonded to two adjacent atoms (two atoms directly bonded by a covalent bond) in the structural formula.
본 명세서에 있어서 「Me」는 메틸, 「Et」는 에틸, 「nBu」는 n-부틸(노르말부틸), 「tBu」는 t-부틸(터셔리부틸), 「iBu」는 이소부틸, 「secBu」는 세컨더리부틸, 「nPr」은 n-프로필(노르말프로필), 「iPr」은 이소프로필, 「tAm」은 t-아밀, 「2EH」는 2-에틸헥실, 「tOct」는 t-옥틸, 「Ph」는 페닐, 「Mes」는 메시틸(2,4,6-트리메틸페닐), 「Ad」는 1-아다만틸, 「Tf」는 트리플루오로메탄술포닐, 「TMS」는 트리메틸실릴, 「D」는 중수소를 나타낸다. In this specification, “Me” is methyl, “Et” is ethyl, “nBu” is n-butyl (normal butyl), “tBu” is t-butyl (tertiary butyl), “iBu” is isobutyl, and “secBu” is " is secondaryributyl, "nPr" is n-propyl (normal propyl), "iPr" is isopropyl, "tAm" is t-amyl, "2EH" is 2-ethylhexyl, "tOct" is t-octyl, " “Ph” is phenyl, “Mes” is mesityl (2,4,6-trimethylphenyl), “Ad” is 1-adamantyl, “Tf” is trifluoromethanesulfonyl, “TMS” is trimethylsilyl, “D” represents deuterium.
본 명세서에 있어서, 유기 전계 발광 소자를 유기 EL 소자라고 하는 경우가 있다.In this specification, the organic electroluminescent device is sometimes referred to as an organic EL device.
본 명세서에 있어서 화학 구조나 치환기를 탄소수로 나타낸 것이 있으나, 화학 구조에 치환기가 치환한 경우나, 치환기에 치환기가 더 치환한 경우 등에 있어서의 탄소수는, 화학 구조나 치환기 각각의 탄소수를 의미하고, 화학 구조와 치환기의 합계 탄소수나, 치환기와 치환기의 합계 탄소수를 의미하는 것은 아니다. 예를 들면, 「탄소수 X의 치환기 A로 치환된 탄소수 Y의 치환기 B」란, 「탄소수 Y의 치환기 B」에 「탄소수 X의 치환기 A」가 치환하는 것을 의미하고, 탄소수 Y는 치환기 A 및 치환기 B의 합계의 탄소수가 아니다. 또한 예를 들면, 「치환기 A로 치환된 탄소수 Y의 치환기 B」란, 「탄소수 Y의 치환기 B」에 「(탄소수 한정이 없는) 치환기 A」가 치환하는 것을 의미하고, 탄소수 Y는 치환기 A 및 치환기 B의 합계의 탄소수가 아니다.In this specification, the chemical structure or substituent is expressed in terms of carbon number, but in the case where the chemical structure is substituted by a substituent or when the substituent is further substituted by a substituent, the number of carbon atoms refers to the number of carbon atoms in the chemical structure or each substituent, It does not mean the total carbon number of the chemical structure and substituents, or the total carbon number of substituents and substituents. For example, “substituent B of carbon number Y substituted by substituent A of carbon number X” means that “substituent A of carbon number It is not the total number of carbons in B. Also, for example, “substituent B of carbon number Y substituted by substituent A” means that “substituent A (with no limitation on carbon number)” replaces “substituent B of carbon number Y”, and carbon number Y is substituent A and It is not the total carbon number of substituent B.
0. 환 및 치환기의 설명0. Description of rings and substituents
먼저, 본 명세서에 있어서 사용하는 환 및 치환기의 상세에 대해 이하에 설명한다. First, details of the rings and substituents used in this specification will be described below.
본명세서에 있어서의 「아릴환」으로서는, 예를 들면, 탄소수 6~30의 아릴환을 들 수 있고, 탄소수 6~16의 아릴환이 바람직하고, 탄소수 6~12의 아릴환이 보다 바람직하고, 탄소수 6~10의 아릴환이 특히 바람직하다.The "aryl ring" in the present specification includes, for example, an aryl ring having 6 to 30 carbon atoms, an aryl ring having 6 to 16 carbon atoms is preferable, an aryl ring having 6 to 12 carbon atoms is more preferable, and an aryl ring having 6 to 12 carbon atoms is more preferable. An aryl ring of ~10 is particularly preferred.
구체적인 「아릴환」으로서는, 단환계인 벤젠환, 2환계인 비페닐환, 축합 2환계인 나프탈렌환, 인덴환, 3환계인 터페닐환(m-터페닐, o-터페닐, p-터페닐), 축합 3환계인, 아세나프틸렌환, 플루오렌환, 페날렌환, 페난트렌환, 안트라센환, 축합 4환계인 트리페닐렌환, 피렌환, 나프타센환, 크리센환, 축합 5환계인 페릴렌환, 펜타센환 등을 들 수 있다. 또한, 플루오렌환, 벤조플루오렌환 및 인덴환에는, 각각 플루오렌환, 벤조플루오렌환, 시클로펜탄환 등이 스피로 결합한 구조도 포함된다. 또한, 플루오렌환, 벤조플루오렌환 및 인덴환에는, 그 구조 중의 메틸렌의 2개의 수소 중 2개가 각각 후술하는 제1 치환기로서의 메틸 등의 알킬로 치환되어, 디메틸플루오렌환, 디메틸벤조플루오렌환, 디메틸인덴환 등으로 되어 있는 것도 포함된다. Specific examples of “aryl rings” include monocyclic benzene rings, bicyclic biphenyl rings, condensed bicyclic naphthalene rings, indene rings, and tricyclic terphenyl rings (m-terphenyl, o-terphenyl, p-terphenyl). ), acenaphthylene ring, fluorene ring, phenalene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, condensed 3-ring system, triphenylene ring, pyrene ring, naphthacene ring, chrysene ring, fused 5-ring system, perylene ring, Pentacene pills, etc. can be mentioned. Additionally, the fluorene ring, benzofluorene ring, and indene ring also include structures in which a fluorene ring, a benzofluorene ring, and a cyclopentane ring are spiro-bonded, respectively. In addition, in the fluorene ring, benzofluorene ring, and indene ring, two of the two hydrogens of methylene in the structure are each substituted with an alkyl such as methyl as the first substituent described later, resulting in dimethylfluorene ring and dimethylbenzofluorene. Rings, dimethylindene rings, etc. are also included.
본 명세서에 있어서의 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면, 탄소수 2~30의 헤테로아릴환을 들 수 있으며, 탄소수 2~25의 헤테로아릴환이 바람직하고, 탄소수 2~20의 헤테로아릴환이 보다 바람직하고, 탄소수 2~15의 헤테로아릴환이 보다 더 바람직하고, 탄소수 2~10의 헤테로아릴환이 특히 바람직하다. 또한, 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면 환구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 질소, 셀렌, 인, 텔루리움으로부터 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 5개 함유하는 복소환 등을 들 수 있다. Examples of the “heteroaryl ring” in this specification include heteroaryl rings having 2 to 30 carbon atoms, with heteroaryl rings having 2 to 25 carbon atoms being preferable, and heteroaryl rings having 2 to 20 carbon atoms being more preferable. And, a heteroaryl ring having 2 to 15 carbon atoms is more preferable, and a heteroaryl ring having 2 to 10 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the “heteroaryl ring” include heterocycles containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, nitrogen, selenium, phosphorus, and tellurium in addition to carbon as ring atoms.
구체적인 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면, 피롤환, 옥사졸환, 이소옥사졸환, 티아졸환, 이소티아졸환, 이미다졸환, 옥사디아졸환(푸라잔환 등), 티아디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피라졸환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환, 피라진환, 트리아진환, 인돌환, 이소인돌환, 1H-인다졸환, 벤조이미다졸환, 벤조피롤환, 벤조옥사졸환, 벤조티아졸환, 1H-벤조트리아졸환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 신놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퓨린환, 프테리딘환, 카르바졸환, 아크리딘환, 페녹사티인환, 페녹사진환, 벤조옥사지노페녹사진환, 페노티아진환, 페나진환, 페나자실린환, 인돌리진환, 푸란환, 벤조푸란환, 이소벤조푸란환, 디벤조푸란환, 티오펜환, 벤조티오펜환, 디벤조티오펜환, 티안트렌환, 인돌로카르바졸환, 벤조인돌로카르바졸환, 디벤조인돌로카르바졸환, 나프토벤조푸란환, 디옥신환, 디히드로아크리딘환, 잔텐환, 티오잔텐환, 디벤조디옥신환, 디옥사보라나프토안트라센환(5,9-디옥사-13b-보라-13bH-나프토[3,2,1-de]안트라센환 등), 벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다. 또한, 디히드로아크리딘환, 잔텐환, 티오잔텐환은, 그 구조 중의 메틸렌의 2개의 수소 중 2개가 각각 후술하는 제1 치환기로서의 메틸 등의 알킬로 치환되어, 디메틸디히드로아크리딘환, 디메틸잔텐환, 디메틸티오잔텐환 등으로 되어 있는 것도 바람직하다. 또한, 2환계인 비피리딘환, 페닐피리딘환, 피리딜페닐환, 3환계인 터피리딘환, 비스피리딜페닐환, 피리딜비페닐환도 「헤테로아릴환」으로서 들 수 있다. 또한, 「헤테로아릴환」에는 피란환도 포함되는 것으로 한다. Specific "heteroaryl rings" include, for example, pyrrole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring (furazane ring, etc.), thiadiazole ring, triazole ring, tetra. Sol ring, pyrazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, indole ring, isoindole ring, 1H-indazole ring, benzoimidazole ring, benzopyrrole ring, benzoxazole ring, benzothiazole ring. , 1H-benzotriazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, purine ring, pteridine ring, carbazole ring, acridine ring, pe Noxathiazine ring, phenoxazine ring, benzooxazinophenoxazine ring, phenothiazine ring, phenazine ring, phenazacillin ring, indolizine ring, furan ring, benzofuran ring, isobenzofuran ring, dibenzofuran ring, thiophene Ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, thiantrene ring, indolocarbazole ring, benzoindolocarbazole ring, dibenzoindolocarbazole ring, naphthobenzofuran ring, dioxine ring, dihydroa Cridine ring, xanthene ring, thioxanthene ring, dibenzodioxine ring, dioxaboranaphthoanthracene ring (5,9-dioxa-13b-bora-13bH-naphtho[3,2,1-de]anthracene ring etc.), benzoselenophen pill, etc. are mentioned. In addition, in the dihydroacridine ring, xanthene ring, and thioxanthene ring, two of the two hydrogens of methylene in the structure are each substituted with an alkyl such as methyl as the first substituent described later, and dimethyldihydroacridine ring, dimethylxanthene ring, It is also preferable that it is made of a dimethylthioxanthene ring or the like. Additionally, dicyclic bipyridine rings, phenylpyridine rings, and pyridylphenyl rings, and tricyclic terpyridine rings, bispyridylphenyl rings, and pyridylbiphenyl rings, can also be cited as “heteroaryl rings.” In addition, “heteroaryl ring” shall also include pyran ring.
본 명세서에 있어서, 치환기는, 다른 치환기로 치환되어 있는 경우가 있다. 예를 들면, 특정한 치환기에 관하여, 「치환 또는 무치환의」이라고 설명이 되는 경우가 있다. 이는 그 특정한 치환기가 적어도 하나의 다른 치환기로 치환되어 있거나, 또는 치환되어 있지 않는 것을 의미한다. 마찬가지 의미로 「치환되어 있어도 된다」라고 하는 경우도 있다. 본 명세서에 있어서, 이 때의 상기 특정 치환기를 「제1 치환기」, 상기 다른 치환기를 「제2 치환기」라고 하는 경우가 있다. In this specification, the substituent may be substituted with another substituent. For example, a specific substituent may be described as “substituted or unsubstituted.” This means that the specific substituent is substituted with at least one other substituent, or is not substituted. In the same sense, there are cases where it is said, “It may be substituted.” In this specification, the specific substituent at this time may be referred to as a “first substituent”, and the other substituent may be referred to as a “second substituent”.
본 명세서에 있어서, 치환기군 Z는, In this specification, substituent group Z is,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴, Aryl, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, Heteroaryl, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노(2개의 아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), Diarylamino, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl (two aryls may be bonded to each other through a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디헤테로아릴아미노(2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), Diheteroarylamino, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl (two heteroaryls may be bonded to each other through a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴헤테로아릴아미노(아릴과 헤테로아릴과는 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), Arylheteroarylamino, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl (aryl and heteroaryl may be bonded to each other through a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴보릴(2개의 아릴은 단결합 또는 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), Diarylboryl, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl (two aryls may be bonded through a single bond or linking group),
아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알킬, Alkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl and cycloalkyl,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬, Cycloalkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl,
아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알콕시, Alkoxy, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, and cycloalkyl,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴옥시, 및 Aryloxy, which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl, and
치환 실릴로부터 이루어진다. It is made from substituted silyl.
치환기군 Z의 각 기에 있어서의 제2 치환기인 아릴은, 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 또는 시클로알킬로 더 치환되어 있어도 되며, 마찬가지로, 제2 치환기인 헤테로아릴은 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다. Aryl, which is the second substituent in each group of substituent group Z, may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl. Similarly, heteroaryl, which is the second substituent, may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl. It may be substituted with alkyl.
본 명세서에 있어서, 「치환기」라고 하는 경우, 특별히 별도의 설명(예를 들면, A환 등에 있어서의 아릴환 등의 치환기나 RZ에 관한 별도의 설명)이 없을 때는, 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 기이면 된다. 예를 들면, 「치환 또는 무치환의」라고 된 기가 치환되어 있을 때, 해당 기는 치환기군 Z로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있으면 된다. In this specification, when referring to a “substituent”, unless there is a separate explanation (for example, a separate explanation regarding substituents such as an aryl ring in the A ring, etc. or R Z ), it refers to a substituent group selected from the substituent group Z. Any one type will do. For example, when a group described as “substituted or unsubstituted” is substituted, the group may be substituted with at least one group selected from the substituent group Z.
본 명세서에 있어서, 「아릴」은, 예를 들면 탄소수 6~30의 아릴이며, 바람직하게는, 탄소수 6~20의 아릴, 탄소수 6~16의 아릴, 탄소수 6~12의 아릴, 또는 탄소수 6~10의 아릴 등이다. In this specification, “aryl” refers to, for example, aryl with 6 to 30 carbon atoms, preferably, aryl with 6 to 20 carbon atoms, aryl with 6 to 16 carbon atoms, aryl with 6 to 12 carbon atoms, or aryl with 6 to 12 carbon atoms. Aryl of 10, etc.
구체적인 「아릴」은. 상술한 「아릴환」의 1가의 기를 들 수 있고, 예를 들면, 단환계인 페닐, 2환계인 비페닐릴(2-비페닐릴, 3-비페닐릴, 또는 4-비페닐릴), 축합 2환계인 나프틸(1-나프틸 또는 2-나프틸), 3환계인 터페닐릴(m-터페닐-2'-일, m-터페닐-4'-일, m-터페닐-5'-일, o-터페닐-3'-일, o-터페닐-4'-일, p-터페닐-2'-일, m-터페닐-2-일, m-터페닐-3-일, m-터페닐-4-일, o-터페닐-2-일, o-터페닐-3-일, o-터페닐-4-일, p-터페닐-2-일, p-터페닐-3-일, 또는 p-터페닐-4-일), 축합 3환계인, 아세나프틸렌-(1-, 3-, 4-, 또는 5-)일, 플루오렌-(1-, 2-, 3-, 4-, 또는 9-)일, 페날렌-(1- 또는 2-)일, 페난트렌-(1-, 2-, 3-, 4-, 또는 9-)일, 또는 안트라센-(1-, 2-, 또는 9-)일, 4환계인 쿼터페닐릴(5'-페닐-m-터페닐-2-일, 5'-페닐-m-터페닐-3-일, 5'-페닐-m-터페닐-4-일, 또는 m-쿼터페닐), 축합 4환계인, 트리 페닐렌-(1- 또는 2-)일, 피렌-(1-, 2-, 또는 4-)일, 또는 나프타센-(1-, 2-, 또는 5-)일, 또는, 축합 5환계인, 페릴렌-(1-, 2-, 또는 3-)일, 또는 펜타센-(1-, 2-, 5-, 또는 6-)일 등이다. 그 밖에, 스피로플루오렌의 1가의 기 등을 들 수 있다. The specific “aryl” is. Monovalent groups of the above-mentioned “aryl ring” include, for example, monocyclic phenyl, bicyclic biphenylyl (2-biphenylyl, 3-biphenylyl, or 4-biphenylyl), condensation dicyclic naphthyl (1-naphthyl or 2-naphthyl), tricyclic terphenylyl (m-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-4'-yl, m-terphenyl-5) '-yl, o-terphenyl-3'-yl, o-terphenyl-4'-yl, p-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-2-yl, m-terphenyl-3- 1, m-terphenyl-4-yl, o-terphenyl-2-yl, o-terphenyl-3-yl, o-terphenyl-4-yl, p-terphenyl-2-yl, p-ter phenyl-3-yl, or p-terphenyl-4-yl), condensed tricyclic, acenaphthylene-(1-, 3-, 4-, or 5-)yl, fluorene-(1-, 2) -, 3-, 4-, or 9-) days, phenalen-(1- or 2-) days, phenanthrene-(1-, 2-, 3-, 4-, or 9-) days, or anthracene -(1-, 2-, or 9-)yl, tetracyclic tetraphenylyl (5'-phenyl-m-terphenyl-2-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-3-yl, 5 '-phenyl-m-terphenyl-4-yl, or m-quarterphenyl), condensed tetracyclic, triphenylen-(1- or 2-)yl, pyrene-(1-, 2-, or 4- ) yl, or naphthacene-(1-, 2-, or 5-)yl, or, which is a condensed pentacyclic system, perylene-(1-, 2-, or 3-)yl, or pentacene-(1- , 2-, 5-, or 6-) days, etc. In addition, the monovalent group of spirofluorene, etc. can be mentioned.
또한, 제2 치환기로서의 아릴에는, 해당 아릴이, 페닐 등의 아릴(구체예는 상술한 기), 메틸 등의 알킬(구체예는 후술하는 기), 및 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬(구체예는 후술하는 기)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환된 구조도 포함된다. In addition, the aryl as the second substituent includes aryl such as phenyl (specific examples are groups described above), alkyl such as methyl (specific examples are groups described later), and cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl. Structures substituted with at least one group selected from the group consisting of (groups of which specific examples will be described later) are also included.
그 일 예로서는, 제2 치환기로서의 플루오레닐의 9위가, 페닐 등의 아릴, 메틸 등의 알킬, 또는 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬로 치환된 기를 들 수 있다. As an example, a group in which the 9th position of fluorenyl as the second substituent is substituted with aryl such as phenyl, alkyl such as methyl, or cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl.
「아릴렌」은, 예를 들면 탄소수 6~30의 아릴렌이며, 바람직하게는, 탄소수 6~20의 아릴렌, 탄소수 6~16의 아릴렌, 탄소수 6~12의 아릴렌, 또는 탄소수 6~10의 아릴렌 등이다. “Arylene” is, for example, arylene with 6 to 30 carbon atoms, preferably arylene with 6 to 20 carbon atoms, arylene with 6 to 16 carbon atoms, arylene with 6 to 12 carbon atoms, or arylene with 6 to 12 carbon atoms. Arylene of 10, etc.
구체적인 「아릴렌」은, 예를 들면, 상술한 「아릴」(1가의 기)로부터 하나의 수소를 제거한 2가의 기를 들 수 있다. Specific examples of “arylene” include a divalent group obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned “aryl” (monovalent group).
「헤테로아릴」은, 예를 들면 탄소수 2~30의 헤테로아릴이며, 바람직하게는, 탄소수 2~25의 헤테로아릴, 탄소수 2~20의 헤테로아릴, 탄소수 2~15의 헤테로아릴, 또는 탄소수 2~10의 헤테로아릴 등이다. 「헤테로아릴」은, 환구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 및 질소 등으로부터 선택되는 헤테로 원자를, 하나 이상, 바람직하게는 1~5개 함유한다. “Heteroaryl” is, for example, heteroaryl with 2 to 30 carbon atoms, preferably heteroaryl with 2 to 25 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 20 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, or 2 to 2 carbon atoms. 10 heteroaryl, etc. “Heteroaryl” contains one or more heteroatoms selected from oxygen, sulfur, nitrogen, etc. in addition to carbon as ring atoms, preferably 1 to 5 heteroatoms.
구체적인 「헤테로아릴」로서는, 상술한 「헤테로아릴환」의 1가의 기를 들 수 있고, 예를 들면, 피롤일, 옥사졸릴, 이소옥사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 이미다졸릴, 옥사디아졸릴, 티아디아졸릴, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 피리미디닐, 피리다지닐, 피라지닐, 트리아지닐, 인돌일, 이소인돌일, 1H-인다졸일, 벤조이미다졸릴, 벤조옥사졸릴, 벤조티아졸릴, 1H-벤조트리아졸릴, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 페난트롤리닐, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 퓨리닐, 프테리디닐, 카르바졸릴, 아크리디닐, 페녹사티이닐, 페녹사지닐, 페노티아지닐, 페나지닐, 페나자실리닐, 인돌리지닐, 푸라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 나프토벤조푸라닐, 티에닐, 벤조티에닐, 이소벤조티에닐, 디벤조티에닐, 나프토벤조티에닐, 벤조포스포릴, 디벤조포스포릴, 벤조포스폴옥사이드환의 1가의 기, 디벤조포스폴옥사이드환의 1가의 기, 푸라자닐, 티안트레닐, 인돌로카르바졸릴, 벤조인돌로카르바졸릴, 디벤조인돌로카르바졸릴, 이미다졸리닐, 또는 옥사졸리닐 등을 들 수 있다. 그 밖에, 스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]의 1가의 기, 스피로비[실라플루오렌]의 1가의 기, 벤조셀레노펜의 1가의 기를 들 수 있다. Specific examples of “heteroaryl” include the monovalent group of the “heteroaryl ring” described above, for example, pyrrolyl, oxazolyl, isoxazolyl, thiazolyl, isothiazolyl, imidazolyl, and oxadiazolyl. , thiadiazolyl, triazolyl, tetrazolyl, pyrazolyl, pyridyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, pyrazinyl, triazinyl, indolyl, isoindolyl, 1H-indazolyl, benzoimidazolyl, benzoxa. Zolyl, benzothiazolyl, 1H-benzotriazolyl, quinolinyl, isoquinolinyl, cinnolinyl, quinazolinyl, quinoxalinyl, phenanthrolinyl, phthalazinyl, naphthyridinyl, purinyl, pteri. Dinyl, carbazolyl, acridinyl, phenoxathiinyl, phenoxazinyl, phenothiazinyl, phenazinyl, phenazoxylinyl, indolizinyl, furanyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, dibenzofuranyl. Nyl, naphthobenzofuranyl, thienyl, benzothienyl, isobenzothienyl, dibenzothienyl, naphthobenzothienyl, benzophosphoryl, dibenzophosphoryl, benzophosphoryl oxide ring monovalent group, di Monovalent groups of the benzophosphole oxide ring, furazanyl, thianthrenyl, indolocarbazolyl, benzoindolocarbazolyl, dibenzoindolocarbazolyl, imidazolinyl, or oxazolinyl, etc. there is. In addition, the monovalent group of spiro[fluorene-9,9'-xanthene], the monovalent group of spirobi[silafluorene], and the monovalent group of benzoselenophene can be mentioned.
또한, 제2 치환기로서의 헤테로아릴에는, 해당 헤테로아릴이, 페닐 등의 아릴(구체예는 상술한 기), 메틸 등의 알킬(구체예는 후술하는 기) 및 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬(구체예는 후술하는 기)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환된 구조도 포함된다. In addition, heteroaryl as the second substituent includes aryl such as phenyl (specific examples are groups described above), alkyl such as methyl (specific examples are groups described later), and cyclo such as cyclohexyl or adamantyl. Structures substituted with at least one group selected from the group consisting of alkyl (a group whose specific examples will be described later) are also included.
그 일 예로서는, 제2 치환기로서의 카르바졸릴의 9위가, 페닐 등의 아릴, 메틸 등의 알킬, 또는 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬로 치환된 기를 들 수 있다. 또한, 피리딜, 피리미디닐, 트리아지닐, 카르바졸릴 등의 함질소 헤테로아릴이 페닐 또는 비페닐릴 등으로 더 치환된 기도 제2 치환기로서의 헤테로아릴에 포함된다. As an example, a group in which the 9th position of carbazolyl as the second substituent is substituted with aryl such as phenyl, alkyl such as methyl, or cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl. In addition, nitrogen-containing heteroaryls such as pyridyl, pyrimidinyl, triazinyl, and carbazolyl, which are further substituted with phenyl or biphenylyl, are also included in heteroaryl as the second substituent.
「헤테로아릴렌」은, 예를 들면 탄소수 2~30의 헤테로아릴렌이며, 바람직하게는, 탄소수 2~25의 헤테로아릴렌, 탄소수 2~20의 헤테로아릴렌, 탄소수 2~15의 헤테로아릴렌, 또는 탄소수 2~10의 헤테로아릴렌 등이다. 또한, 「헤테로아릴렌」은, 예를 들면 환구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 및 질소로부터 선택되는 헤테로 원자를 1~5개 함유하는 복소환 등의 2가의 기이다. “Heteroarylene” is, for example, heteroarylene having 2 to 30 carbon atoms, preferably heteroarylene having 2 to 25 carbon atoms, heteroarylene having 2 to 20 carbon atoms, heteroarylene having 2 to 15 carbon atoms. , or heteroarylene having 2 to 10 carbon atoms, etc. In addition, “heteroarylene” is, for example, a divalent group such as a heterocycle containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, and nitrogen in addition to carbon as ring atoms.
구체적인 「헤테로아릴렌」은, 예를 들면, 상술한 「헤테로아릴」(1가의 기)로부터 하나의 수소를 제거한 2가의 기를 들 수 있다. Specific examples of “heteroarylene” include a divalent group obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned “heteroaryl” (monovalent group).
「디아릴아미노」는, 2개의 아릴이 치환된 아미노이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. “Diarylamino” is amino in which two aryls are substituted, and the description of “aryl” described above can be cited for details on this aryl.
「디헤테로아릴아미노」는, 2개의 헤테로아릴이 치환된 아미노기이며, 이 헤테로아릴의 상세에 대해서는 상술한 「헤테로아릴」의 설명을 인용할 수 있다. “Diheteroarylamino” is an amino group in which two heteroaryls are substituted, and the description of “heteroaryl” described above can be cited for details on this heteroaryl.
「아릴헤테로아릴아미노」는, 아릴 및 헤테로아릴이 치환된 아미노기이며, 이 아릴 및 헤테로아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」 및 「헤테로아릴」의 설명을 인용할 수 있다. “Arylheteroarylamino” is an amino group in which aryl and heteroaryl are substituted. For details on aryl and heteroaryl, the explanation of “aryl” and “heteroaryl” described above can be cited.
제1 치환기로서의 디아릴아미노에 있어서의 2개의 아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 되고, 제1 치환기로서의 디헤테로아릴아미노에 있어서의 2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 되며, 제1 치환기로서의 아릴헤테로아릴아미노의 아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다. 여기서, 「연결기를 통하여 결합」이라고 하는 기재는, 하기에 나타낸 바와 같이 예를 들면 디페닐아미노의 2개의 페닐이 연결기로 결합을 형성하는 것을 나타낸다. 또한 이 설명은 아릴이나 헤테로아릴로 형성된, 디헤테로아릴아미노 및 아릴헤테로아릴아미노에 대해서도 적용된다.Two aryls in diarylamino as the first substituent may be bonded to each other through a linking group, and two heteroaryls in diheteroarylamino as the first substituent may be bonded to each other through a linking group, and the first substituent may be bonded to each other through a linking group. Aryl and heteroaryl of arylheteroarylamino as substituents may be bonded to each other through a linking group. Here, the description of “bonding through a linking group” indicates that, for example, two phenyls of diphenylamino form a bond through a linking group, as shown below. This description also applies to diheteroarylamino and arylheteroarylamino, formed from aryl or heteroaryl.
(*는 결합위치를 나타낸다)(* indicates binding position)
연결기로서는 구체적으로는, >O, >N-RX, >C(-RX)2, -C(-RX)=C(-RX)-, >Si(-RX)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2, 및 >Se을 들 수 있다. RX는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴이며, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 또한, >C(-RX)2, -C(-RX)=C(-RX)-, >Si(-RX)2 각각에 있어서의 2개의 RX는, 단결합 또는 연결기 XY를 통해서 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. XY로서는 >O, >N-RY, >C(-RY)2, >Si(-RY)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2, 및 >Se을 들 수 있으며, RY는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 단, XY가 >C(-RY)2 및 >Si(-RY)2인 경우에는, 2개의 RY는 결합하여 환을 더 형성하지 않는다. 나아가 연결기로서는, 알케닐렌도 들 수 있다. 해당 알케닐렌의 임의의 수소는 각각 독립적으로 R2X로 치환되어 있어도 되고, R2X는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 치환 실릴, 아릴 및 헤테로아릴이며, 이들은 알킬, 시클로알킬, 치환 실릴, 아릴로 치환되어 있어도 된다. -C(-RX)=C(-RX)-에 있어서의 2개의 RX는, 서로 결합하여 그들이 결합하는 C=C와 함께 아릴환(벤젠환 등) 또는 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 된다. 즉, -C(-RX)=C(-RX)-는, 아릴렌(1,2-페닐렌 등) 또는 헤테로아릴렌으로 되어 있어도 된다. As a linking group , specifically , > O , > NR >CO, >CS, >SO, >SO 2 , and >Se. R In addition , two R _ _ They may be combined with each other through Y to form a ring. X Y includes >O, >NR Y , >C(-R Y ) 2 , >Si(-R Y ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 , and >Se. and R Y is each independently alkyl, cycloalkyl, aryl, or heteroaryl, and these may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl, or heteroaryl. However , in the case where Furthermore, alkenylene can also be mentioned as a linking group. Any hydrogen of the alkenylene may each independently be substituted with R 2 It may be substituted. The two R do. That is , -C( -R
또한, 본 명세서에서 단순히 「디아릴아미노」, 「디헤테로아릴아미노」 또는 「아릴헤테로아릴아미노」라고 기재되어 있는 경우는, 특별히 한정하지 않는 한, 각각 「디아릴아미노의 2개의 아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」, 「상기 디헤테로아릴아미노의 2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」 및 「상기 아릴헤테로아릴아미노의 아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」라고 하는 설명이 더해져 있는 것으로 한다.In addition, in this specification, when it is simply described as “diarylamino”, “diheteroarylamino” or “arylheteroarylamino”, unless specifically limited, “two aryls of diarylamino are linked to each other.” may be bonded through”, “The two heteroaryls of the above diheteroarylamino may be bonded to each other through a linking group,” and “The aryl and heteroaryl of the above arylheteroarylamino may be bonded to each other through a linking group. It is assumed that the explanation “” is added.
「디아릴보릴」은, 2개의 아릴이 치환된 보릴이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. 또한, 이 2개의 아릴은, 단결합 또는 연결기(예를 들면, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >N-R, >O, >S, >C(-R)2, >Si(-R)2, 또는 >Se)를 통하여 결합하고 있어도 된다. 여기서, 상기 -CR=CR-의 R, >N-R의 R, >C(-R)2의 R, 및 >Si(-R)의 R은, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬, 알콕시, 또는 아릴옥시이며, 해당 R에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 또는 시클로알킬로 더 치환되어 있어도 된다. 또한, 인접하는 2개의 R끼리가 결합하여 환을 형성하고, 시클로알킬렌, 아릴렌, 및 헤테로아릴렌을 형성하고 있어도 된다. 여기서 열거한 치환기의 상세에 대해서는, 상술한 「아릴」, 「아릴렌」, 「헤테로아릴」, 「헤테로아릴렌」, 및 「디아릴아미노」의 설명, 및, 후술하는 「알킬」, 「알케닐」, 「알키닐」, 「시클로알킬」, 「시클로알킬렌」, 「알콕시」, 및 「아릴옥시」의 설명을 인용할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 단순히 「디아릴보릴」이라고 기재되어 있는 경우는, 특별히 한정하지 않는 한, 「디아릴보릴의 2개의 아릴은 서로 단결합 또는 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」라고 하는 설명이 더해져 있는 것으로 한다.“Diarylboryl” is a boryl in which two aryls are substituted, and the description of “aryl” described above can be cited for details on this aryl. Additionally, these two aryls are single bonds or linking groups (e.g. -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >NR, >O, >S, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , or >Se) may be bonded. Here, R of -CR=CR-, R of >NR, R of >C(-R) 2 , and R of >Si(-R) are aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, alkenyl. , alkynyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and at least one hydrogen in R may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, alkenyl, alkynyl, or cycloalkyl. Additionally, two adjacent R groups may combine to form a ring, forming cycloalkylene, arylene, and heteroarylene. Details of the substituents listed here include the description of “aryl”, “arylene”, “heteroaryl”, “heteroarylene”, and “diarylamino” described above, and “alkyl” and “alkyl” described later. The descriptions of “kenyl”, “alkynyl”, “cycloalkyl”, “cycloalkylene”, “alkoxy”, and “aryloxy” may be cited. Additionally, in the case where "diarylboryl" is simply described in this specification, unless specifically limited, an explanation is added that "the two aryls of diarylboryl may be bonded to each other through a single bond or a linking group." Pretend it exists.
「알킬」은, 직쇄 및 분기쇄 중 어느 것이라도 되며, 예를 들면 탄소수 1~24의 직쇄 알킬 또는 탄소수 3~24의 분기쇄 알킬이고, 바람직하게는, 탄소수 1~18의 알킬(탄소수 3~18의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~12의 알킬(탄소수 3~12의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~6의 알킬(탄소수 3~6의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~5의 알킬(탄소수 3~5의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~4의 알킬(탄소수 3~4의 분기쇄 알킬)등이다. “Alkyl” may be either straight chain or branched chain, for example, straight chain alkyl with 1 to 24 carbon atoms or branched chain alkyl with 3 to 24 carbon atoms, preferably alkyl with 1 to 18 carbon atoms (3 to 2 carbon atoms). Branched chain alkyl with 18 carbon atoms), Alkyl with 1 to 12 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 12 carbon atoms), Alkyl with 1 to 6 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 6 carbon atoms), Alkyl with 1 to 5 carbon atoms (3 carbon atoms) branched chain alkyl of ~5), alkyl of 1 to 4 carbon atoms (branched chain alkyl of 3 to 4 carbon atoms), etc.
구체적인 「알킬」은, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 1-에틸-1-메틸프로필, 1,1-디에틸프로필, 1,1,2-트리메틸프로필, 1,1,2,2-테트라메틸프로필, 1-에틸-1,2,2-트리메틸프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 2-에틸부틸, 1,1-디메틸부틸, 3,3-디메틸부틸, 1,1-디에틸부틸, 1-에틸-1-메틸부틸, 1-프로필-1-메틸부틸, 1,1,3-트리메틸부틸, 1-에틸-1,3-디메틸부틸 , n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸(t-아밀), 1-메틸펜틸, 2-프로필펜틸, 1,1-디메틸펜틸, 1-에틸-1-메틸펜틸, 1-프로필-1-메틸펜틸, 1-부틸-1-메틸펜틸, 1,1,4-트리메틸펜틸, n-헥실, 1-메틸헥실, 2-에틸헥실, 1,1-디메틸헥실, 1-에틸-1-메틸헥실, 1,1,5-트리메틸헥실, 3,5,5-트리메틸헥실, n-헵틸, 1-메틸 헵틸, 1-헥실헵틸, 1,1-디메틸헵틸, 2,2-디메틸헵틸, 2,6-디메틸-4-헵틸, n-옥틸, t-옥틸(1,1,3,3-테트라메틸부틸), 1,1-디메틸옥틸, n-노닐, n-데실, 1-메틸데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, 또는 n-에이코실 등이다. Specific “alkyl” includes, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, 1-ethyl-1-methylpropyl, 1,1-diethylpropyl, 1,1,2-trimethylpropyl, 1,1 ,2,2-tetramethylpropyl, 1-ethyl-1,2,2-trimethylpropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, 2-ethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl, 3 ,3-dimethylbutyl, 1,1-diethylbutyl, 1-ethyl-1-methylbutyl, 1-propyl-1-methylbutyl, 1,1,3-trimethylbutyl, 1-ethyl-1,3-dimethyl Butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl (t-amyl), 1-methylpentyl, 2-propylpentyl, 1,1-dimethylpentyl, 1-ethyl-1-methylpentyl, 1-propyl -1-methylpentyl, 1-butyl-1-methylpentyl, 1,1,4-trimethylpentyl, n-hexyl, 1-methylhexyl, 2-ethylhexyl, 1,1-dimethylhexyl, 1-ethyl-1 -Methylhexyl, 1,1,5-trimethylhexyl, 3,5,5-trimethylhexyl, n-heptyl, 1-methyl heptyl, 1-hexylheptyl, 1,1-dimethylheptyl, 2,2-dimethylheptyl, 2,6-dimethyl-4-heptyl, n-octyl, t-octyl (1,1,3,3-tetramethylbutyl), 1,1-dimethyloctyl, n-nonyl, n-decyl, 1-methyldecyl , n-undecyl, n-dodecyl, n-tridecyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, or n-eicosyl.
「알킬렌」은, 「알킬」 중 어느 하나의 수소를 제거하여 얻어지는 2가의 기이며, 예를 들면 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌이다. “Alkylene” is a divalent group obtained by removing the hydrogen of any one of “alkyl”, for example, methylene, ethylene, and propylene.
「알케닐」에 대해서는, 상술한 「알킬」의 설명을 참고로 할 수 있고, 「알킬」의 구조 중의 C-C 단결합을 C=C 이중결합으로 치환한 기이며, 1개뿐만 아니라 2개 이상의 단결합이 이중결합으로 치환된 기(알카디엔-일이나 알카트리엔-일이라고도 불림)도 포함시킨다. Regarding "alkenyl", the explanation of "alkyl" mentioned above can be referred to. It is a group in which the C-C single bond in the structure of "alkyl" is replaced with a C=C double bond, and it has not only one but two or more single bonds. Also includes groups where the bond is replaced by a double bond (also called alkadiene-yl or alkatrien-yl).
「알케닐렌」은 「알케닐」 중 어느 하나의 수소를 제거하여 얻어지는 2가의 기이며, 예를 들면 비닐렌을 들 수 있다. “Alkenylene” is a divalent group obtained by removing any hydrogen of “alkenyl”, and examples include vinylene.
「알키닐」에 대해서는, 상술한 「알킬」의 설명을 참고로 할 수 있고, 「알킬」의 구조 중의 C-C 단결합을 C≡C 삼중결합으로 치환한 기이며, 1개뿐만 아니라 2개 이상의 단결합이 삼중결합으로 치환된 기(알카디인-일이나 알카트리엔-일이라고도 불림)도 포함시킨다. Regarding "alkynyl", the explanation of "alkyl" mentioned above can be referred to. It is a group in which the C-C single bond in the structure of "alkyl" is replaced with a C≡C triple bond, and it has not only one but two or more single bonds. Also includes groups where the bond is replaced by a triple bond (also called alkadiin-yl or alkatrien-yl).
「시클로알킬」은, 예를 들면 탄소수 3~24의 시클로알킬이며, 바람직하게는, 탄소수 3~20의 시클로알킬, 탄소수 3~16의 시클로알킬, 탄소수 3~14의 시클로알킬, 탄소수 3~12의 시클로알킬, 탄소수 5~10의 시클로알킬, 탄소수 5~8의 시클로알킬, 탄소수 5~6의 시클로알킬, 또는 탄소수 5의 시클로알킬 등이다. “Cycloalkyl” is, for example, cycloalkyl with 3 to 24 carbon atoms, preferably cycloalkyl with 3 to 20 carbon atoms, cycloalkyl with 3 to 16 carbon atoms, cycloalkyl with 3 to 14 carbon atoms, and 3 to 12 carbon atoms. cycloalkyl, cycloalkyl with 5 to 10 carbon atoms, cycloalkyl with 5 to 8 carbon atoms, cycloalkyl with 5 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 5 carbon atoms, etc.
구체적인 「시클로알킬」은, 예를 들면, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실, 또는 이들 탄소수 1~5나 탄소수 1~4의 알킬(특히 메틸) 치환체, 비시클로[1.1.0]부틸, 비시클로[1.1.1]펜틸, 비시클로[2.1.0]펜틸, 비시클로[2.1.1]헥실, 비시클로[3.1.0]헥실, 비시클로[2.2.1]헵틸(노보닐), 비시클로[2.2.2]옥틸, 아다만틸, 디아만틸, 데카히드로나프타레닐, 또는 데카히드로아줄레닐 등이다. Specific “cycloalkyl” includes, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, or alkyl of these with 1 to 5 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms (especially methyl) substituent, bicyclo[1.1.0]butyl, bicyclo[1.1.1]pentyl, bicyclo[2.1.0]pentyl, bicyclo[2.1.1]hexyl, bicyclo[3.1.0]hexyl, Cyclo[2.2.1]heptyl (norbornyl), bicyclo[2.2.2]octyl, adamantyl, diamantyl, decahydronaphtharenyl, or decahydroazulenyl.
「시클로알킬렌」은, 예를 들면 탄소수 3~24의 시클로알킬렌이며, 바람직하게는, 탄소수 3~20의 시클로알킬렌, 탄소수 3~16의 시클로알킬렌, 탄소수 3~14의 시클로알킬렌, 탄소수 3~12의 시클로알킬렌, 탄소수 5~10의 시클로알킬렌, 탄소수 5~8의 시클로알킬렌, 탄소수 5~6의 시클로알킬렌, 또는 탄소수 5의 시클로알킬렌 등이다. “Cycloalkylene” is, for example, cycloalkylene with 3 to 24 carbon atoms, preferably cycloalkylene with 3 to 20 carbon atoms, cycloalkylene with 3 to 16 carbon atoms, and cycloalkylene with 3 to 14 carbon atoms. , cycloalkylene with 3 to 12 carbon atoms, cycloalkylene with 5 to 10 carbon atoms, cycloalkylene with 5 to 8 carbon atoms, cycloalkylene with 5 to 6 carbon atoms, or cycloalkylene with 5 carbon atoms, etc.
구체적인 「시클로알킬렌」은, 예를 들면, 상술한 「시클로알킬」(1가의 기)로부터 하나의 수소를 제거하여 2가의 기로 한 구조를 들 수 있다. Specific examples of “cycloalkylene” include structures in which one hydrogen is removed from the above-mentioned “cycloalkyl” (monovalent group) to form a divalent group.
「시클로알케닐」은, 상술한 「시클로알킬」에 있어서의 적어도 하나의 조의 2개의 탄소 사이의 단결합이 이중 결합으로 된 구조를 가지는 기(예를 들면, -CH2-CH2-이 -CH=CH-로 치환된 기)이며, 아릴에 해당하지 않는 기를 들 수 있다. 구체적으로는, 1-시클로헥세닐, 1-시클로펜테닐 등을 들 수 있다. “Cycloalkenyl” is a group having a structure in which the single bond between two carbons of at least one group in the above-mentioned “cycloalkyl” is a double bond (for example, -CH 2 -CH 2 - is - CH=CH-substituted group) and groups that do not correspond to aryl can be mentioned. Specifically, 1-cyclohexenyl, 1-cyclopentenyl, etc. can be mentioned.
「알콕시」는, 「Alk-O-(Alk는 알킬)」로 나타내어지는 기이며, 이 알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」의 설명을 인용할 수 있다. “Alkoxy” is a group represented by “Alk-O- (Alk is alkyl),” and the above-mentioned explanation of “alkyl” can be cited for details on this alkyl.
「아릴옥시」는, 「Ar-O-(Ar은 아릴)」로 나타내어지는 기이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. “Aryloxy” is a group represented by “Ar-O- (Ar is aryl),” and the description of “aryl” described above can be cited for details on this aryl.
「치환 실릴」은, 예를 들면, 아릴, 알킬, 및 시클로알킬 중 적어도 하나로 치환된 실릴이며, 바람직하게는, 트리아릴실릴, 트리알킬실릴, 트리시클로알킬실릴, 디알킬시클로알킬실릴, 또는 알킬디시클로알킬실릴이다. “Substituted silyl” is, for example, silyl substituted with at least one of aryl, alkyl, and cycloalkyl, and is preferably triarylsilyl, trialkylsilyl, tricycloalkylsilyl, dialkylcycloalkylsilyl, or alkyl. It is dicycloalkylsilyl.
「트리아릴실릴」은, 3개의 아릴로 치환된 실릴기이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. “Triarylsilyl” is a silyl group substituted with three aryls, and the description of “aryl” described above can be cited for details on this aryl.
구체적인 「트리아릴실릴」은, 예를 들면, 트리페닐실릴, 디페닐모노나프틸실릴, 모노페닐디나프틸실릴, 또는 트리나프틸실릴 등이다. Specific “triarylsilyl” includes, for example, triphenylsilyl, diphenylmononaphthylsilyl, monophenyldinaphthylsilyl, or trinaphthylsilyl.
「트리알킬실릴」은, 3개의 알킬로 치환된 실릴기이며, 이 알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」의 설명을 인용할 수 있다. “Trialkylsilyl” is a silyl group substituted with three alkyls, and the description of “alkyl” described above can be cited for details on this alkyl.
구체적인 「트리알킬실릴」은, 예를 들면, 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리n-프로필실릴, 트리이소프로필실릴, 트리n-부틸실릴, 트리이소부틸실릴, 트리s-부틸실릴, 트리t-부틸실릴, 에틸디메틸실릴, n-프로필디메틸실릴, 이소프로필디메틸실릴, n-부틸디메틸실릴, 이소부틸디메틸실릴, s-부틸디메틸실릴, t-부틸디메틸실릴, 메틸디에틸실릴, n-프로필디에틸실릴, 이소프로필디에틸실릴, n-부틸디에틸실릴, s-부틸디에틸실릴, t-부틸디에틸실릴, 메틸디n-프로필실릴, 에틸 디n-프로필실릴, n-부틸디n-프로필실릴, s-부틸디n-프로필실릴, t-부틸디n-프로필실릴, 메틸이소프로필실릴, 에틸디이소프로필실릴, n-부틸디이소프로필실릴, s-부틸디이소프로필실릴, 또는 t-부틸디이소프로필실릴 등이다. Specific “trialkylsilyl” includes, for example, trimethylsilyl, triethylsilyl, trin-propylsilyl, triisopropylsilyl, trin-butylsilyl, triisobutylsilyl, tris-butylsilyl, trit- Butylsilyl, ethyldimethylsilyl, n-propyldimethylsilyl, isopropyldimethylsilyl, n-butyldimethylsilyl, isobutyldimethylsilyl, s-butyldimethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, methyldiethylsilyl, n-propyldi. Ethylsilyl, isopropyldiethylsilyl, n-butyldiethylsilyl, s-butyldiethylsilyl, t-butyldiethylsilyl, methyl din-propylsilyl, ethyl din-propylsilyl, n-butyl din- Propylsilyl, s-butyldin-propylsilyl, t-butyldin-propylsilyl, methylisopropylsilyl, ethyldiisopropylsilyl, n-butyldiisopropylsilyl, s-butyldiisopropylsilyl, or t -Butyldiisopropylsilyl, etc.
「트리시클로알킬실릴」은, 3개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이며, 이 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 「시클로알킬」의 설명을 인용할 수 있다. “Tricycloalkylsilyl” is a silyl group substituted with three cycloalkyls, and the description of “cycloalkyl” described above can be cited for details on this cycloalkyl.
구체적인 「트리시클로알킬실릴」은, 예를 들면, 트리시클로펜틸실릴 또는 트리시클로헥실실릴 등이다. Specific “tricycloalkylsilyl” includes, for example, tricyclopentylsilyl or tricyclohexylsilyl.
「디알킬시클로알킬실릴」은, 2개의 알킬 및 1개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이며, 이 알킬 및 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」 및 「시클로알킬」의 설명을 인용할 수 있다. “Dialkylcycloalkylsilyl” is a silyl group substituted with two alkyls and one cycloalkyl, and the description of “alkyl” and “cycloalkyl” above can be referred to for details of this alkyl and cycloalkyl. .
「알킬디시클로알킬실릴」은, 1개의 알킬 및 2개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이며, 이 알킬 및 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」 및 「시클로알킬」의 설명을 인용할 수 있다.“Alkyldicycloalkylsilyl” is a silyl group substituted with one alkyl and two cycloalkyl, and the description of “alkyl” and “cycloalkyl” mentioned above can be cited for details of this alkyl and cycloalkyl. .
<동일한 원자에 결합하는 2개의 기가 서로 결합하는 경우><When two groups bonded to the same atom bond to each other>
본 명세서에 있어서 동일한 원자에 결합하는 2개의 기에 대해서 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다고 하는 경우, 단결합 또는 연결기(이들을 합하여 결합기라고도 함)에 의해 결합하고 있으면 되고, 연결기로서는, -CH2-CH2-, -CHR-CHR-, -CR2-CR2-, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -Si(-R)2-, 또는 -Se-을 들 수 있으며, 예를 들면 이하의 구조를 들 수 있다. 또한, 상기 -CHR-CHR-의 R, -CR2-CR2-의 R, -CR=CR-의 R, -N(-R)-의 R, -C(-R)2-의 R, 및 -Si(-R)2-의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알킬, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알케닐, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알키닐, 또는 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이다. 또한, 인접하는 2개의 R끼리가 결합하여 환을 형성하여, 시클로알킬렌, 아릴렌, 또는 헤테로아릴렌을 형성하고 있어도 된다. In this specification, when two groups bonded to the same atom may be bonded to each other to form a ring, they may be bonded by a single bond or a linking group (together, they are also called a linking group), and the linking group may be -CH 2 - CH 2 -, -CHR-CHR-, -CR 2 -CR 2 -, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S -, -C(-R) 2 -, -Si(-R) 2 -, or -Se- can be mentioned, and examples include the following structures. In addition, R of -CHR-CHR-, R of -CR 2 -CR 2 -, R of -CR=CR-, R of -N(-R)-, R of -C(-R) 2 -, and R of -Si(-R) 2 - are each independently hydrogen, aryl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl, heteroaryl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl, or alkyl optionally substituted with cycloalkyl. , alkenyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, alkynyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, or cycloalkyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl. Additionally, two adjacent R groups may combine to form a ring to form cycloalkylene, arylene, or heteroarylene.
결합기로서는, 단결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -Si(-R)2-, 및 -Se-이 바람직하고, 단결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, 및 -C(-R)2-가 보다 바람직하고, 단결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, 및 -S-이 보다 더 바람직하고, 단결합이 가장 바람직하다. As a linking group, a single bond, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, -Si(-R) 2 -, and - as a linking group. Se- is preferred, a single bond, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, and -C(-R) 2 - as a linking group are more preferred, a single bond, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, and -S- as linking groups are more preferable, and a single bond is most preferable.
결합기에 의해 2개의 R이 결합하는 위치는, 결합 가능한 위치라면 특별히 한정되지 않지만, 가장 인접하는 위치에서 결합하는 것이 바람직하고, 예를 들면 2개의 기가 페닐인 경우, 페닐에 있어서의 「C」나 「Si」의 결합 위치(1위)를 기준으로서 오르토(2위)의 위치끼리에서 결합하는 것이 바람직하다(상기 구조식을 참조).The position where two R are bonded by the linking group is not particularly limited as long as it is a position where bonding is possible, but it is preferable to bond at the most adjacent position. For example, when the two groups are phenyl, "C" in phenyl or It is preferable to bond at ortho (second position) positions based on the bonding position (first position) of “Si” (refer to the structural formula above).
1. One. 다환방향족polycyclic aromatic 화합물 compound
<화합물의 전체구조의 설명> <Description of the overall structure of the compound>
본 발명의 다환방향족 화합물은, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가진다. The polycyclic aromatic compound of the present invention has a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2).
식(1) 및 식(2)중, B~I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이다. In formulas (1) and (2), rings B to I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring.
식(1)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은 바람직하게는 하기 식(1-a)~식(1-l)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 식으로 표현되는 구조를 가지는 화합물이다. 또한, 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은 바람직하게는 식(2-a)~식(2-l)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 식으로 표현되는 구조를 가지는 화합물이다. 그 의미에서, 각 식에 있어서의 각 환을 소문자의 「b」, 「c」, 「d」, 「e」, 「f」, 「g」, 「h」, 및 「i」로 나타냈다. A polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) preferably has a structure represented by any one formula selected from the group consisting of the following formulas (1-a) to (1-l): It is a compound that has . In addition, the polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (2) preferably has a structure represented by any one formula selected from the group consisting of formulas (2-a) to formulas (2-l). It is a compound that has . In that sense, each ring in each formula is represented by lowercase letters “b”, “c”, “d”, “e”, “f”, “g”, “h”, and “i”.
상기 각 식중의 기호의 정의나 바람직한 범위에 대해서는 후술한다. The definitions and preferred ranges of the symbols in each of the above formulas will be described later.
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은, 방향환을 붕소, 질소, 산소, 황 등의 헤테로 원소로 연결한 구조를 가지고, 큰 HOMO-LUMO갭(박막에 있어서의 밴드갭 Eg)을 가진다. 헤테로 원소를 포함하는 6원환은 방향족성이 낮고, 공역계의 확장에 따른 HOMO-LUMO갭의 감소가 억제되기 때문이다. 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물에 있어서는, 헤테로 원소의 종류 및 연결 방법에 따라 HOMO-LUMO갭을 임의로 변경할 수 있다. 이것은, 헤테로 원소의 공궤도 또는 론 페어의 공간적 퍼짐 및 에너지에 따라 HOMO, LUMO의 에너지를 임의로 움직일 수 있는 것이 원인이라고 생각된다. 예를 들면, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물로서 Y가 B(붕소)인 화합물은, B(Y)가 보다 적은 다환방향족 화합물에 비해 LUMO가 깊거나 밴드갭 Eg이 좁아져서 녹색의 발광을 나타낸다. Polycyclic aromatic compounds having a structure containing a structural unit expressed by formula (1) or formula (2) have a structure in which aromatic rings are connected to hetero elements such as boron, nitrogen, oxygen, and sulfur, and have a large HOMO-LUMO It has a gap (band gap Eg in a thin film). This is because the six-membered ring containing a hetero element has low aromaticity, and the reduction of the HOMO-LUMO gap due to expansion of the conjugate system is suppressed. In polycyclic aromatic compounds having a structure containing a structural unit represented by Formula (1) or Formula (2), the HOMO-LUMO gap can be arbitrarily changed depending on the type of hetero element and connection method. This is thought to be due to the fact that the energy of HOMO and LUMO can be moved arbitrarily depending on the spatial spread and energy of the coorbital or lone pair of the hetero element. For example, a polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2), where Y is B (boron), is compared to a polycyclic aromatic compound with less B (Y). Green light is emitted when the LUMO is deep or the band gap Eg is narrowed.
이들 다환방향족 화합물은, 헤테로 원소의 전자적인 섭동에 의해 여기 상태의 SOMO1 및 SOMO2이 각 원자 상에 국재화됨으로써, 형광 발광 피크의 반치폭이 좁고, 유기 EL 소자의 도펀트로서 이용할 경우에 높은 색순도의 발광이 얻어진다. 마찬가지 이유로 ΔES1T1이 작아져 열활성형 지연 형광을 나타내며, 유기 EL 소자의 이미팅 도펀트로서 이용한 경우에 높은 효율을 얻을 수 있다. In these polyaromatic compounds, the excited state SOMO1 and SOMO2 are localized on each atom due to electronic perturbation of the hetero element, so the half width of the fluorescence emission peak is narrow, and when used as a dopant in an organic EL device, they emit light with high color purity. This is obtained. For the same reason, ΔE S1T1 becomes small, showing thermally activated delayed fluorescence, and high efficiency can be obtained when used as an emitting dopant in organic EL devices.
더욱이, 치환기의 도입에 의해, HOMO와 LUMO의 에너지를 임의적으로 움직일 수 있기 때문에, 이온화 포텐셜이나 전자친화력을 주변재료에 따라 최적화하는 것이 가능하다. 단, 본 발명은 특별히 이 원리에 한정되는 것은 아니다.Moreover, since the energy of HOMO and LUMO can be arbitrarily moved by introducing a substituent, it is possible to optimize the ionization potential and electron affinity depending on the surrounding material. However, the present invention is not particularly limited to this principle.
<화합물 중의 환구조의 설명> <Explanation of ring structure in compounds>
식(1) 및 식(2) 각각에 있어서, 원내의 「B」, 「C」, 「D」, 「E」, 「F」, 「G」, 「H」, 및 「I」는 각 원으로 나타내지는 환구조를 나타내는 부호이다. 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조는, a환, B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환으로서의 적어도 9개의 방향족환을 붕소, 산소, 질소, 황 등의 헤테로 원소로 연결하여 더욱 환구조가 형성된 구조를 가진다. 형성된 환구조는 식(1)에 있어서는 적어도 17개, 식(2)에 있어서는 19개의 환으로 구성되는 축합환구조이다. In each of equations (1) and (2), “B”, “C”, “D”, “E”, “F”, “G”, “H”, and “I” within the circle are each circle. It is a symbol representing the ring structure represented by . The structure represented by formula (1) or formula (2) consists of at least nine aromatic rings as a ring, B ring, C ring, D ring, E ring, F ring, G ring, H ring, and I ring being boron. , it has a structure where a ring structure is formed by connecting with hetero elements such as oxygen, nitrogen, and sulfur. The formed ring structure is a condensed ring structure composed of at least 17 rings in formula (1) and 19 rings in formula (2).
식(1) 및 식(2) 각각에 있어서, B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이다. 식(1) 및 식(2) 각각으로 표현되는 구조의 B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환에 있어서의 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환에 있어서, 「치환 혹은 무치환의(치환 또는 무치환의)」이라고 할 때의 치환기로서는, 치환기군 Z에 후술하는 식(A30)으로 표현되는 치환기를 더한 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기를 들 수 있다. 또한, 치환기는 디페닐포스피노 등의 치환 혹은 무치환의 디아릴포스피노이어도 된다. 치환기의 바람직한 범위에 대해서는 후술하는 RZ의 바람직한 범위를 참조할 수 있다. 치환기가 복수 존재할 때는, 복수의 치환기는 서로 동일하여도 달라도 된다. In each of formulas (1) and (2), ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or It is a substituted or unsubstituted heteroaryl ring. A substituted or unsubstituted aryl ring in the B ring, C ring, D ring, E ring, F ring, G ring, H ring, and I ring of the structures represented by formula (1) and formula (2), respectively, or In a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, the substituent when saying “substituted or unsubstituted (substituted or unsubstituted)” is from the group obtained by adding a substituent expressed by the formula (A30) described later to the substituent group Z. At least one substituent may be selected. Additionally, the substituent may be substituted or unsubstituted diarylphosphino such as diphenylphosphino. For the preferable range of the substituent, refer to the preferable range of R Z described later. When a plurality of substituents exist, the plurality of substituents may be the same or different from each other.
식(1) 및 식(2) 각각에 있어서, C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타낸다. 식(1) 및 식(2)에 있어서의 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있을 때의, 단결합 또는 연결기를 「L」로 나타낼 경우가 있다. C환과 D환이 연결기를 통해서 결합할 경우의 연결기로서는, >N-RNL, >O, >C(-RCL)2, >S, 또는 >Se를 들 수 있다. RNL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCL은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNL 및 RCL은 각각 자신을 포함하는 연결기가 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 된다. C환과 D환은 파선의 위치에서 단결합을 통해서 결합하고 있거나, 또는 파선의 위치에서 결합하지 않는 것이 바람직하다. In each of Formulas (1) and (2), the broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the broken line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line. indicates. When bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line in formulas (1) and (2), the single bond or linking group may be indicated as “L”. When the C ring and the D ring are bonded through a linking group, the linking group may include >NR NL , >O, >C(-R CL ) 2 , >S, or >Se. R NL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CL may be bonded to each other to form a ring, and R NL and R CL each include themselves. The linking group may be bonded to one or two or more of Z bonded to the carbon atom to which it is bonded. It is preferable that the C ring and the D ring are bonded through a single bond at the position indicated by the broken line, or are not bonded at the position indicated by the broken line.
식(1) 및 식(2)에 있어서의 B환 및 E환은, 각각, 그 구조중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 연속하는 3개의 탄소에 결합손을 가지는 3가의 기를 형성하고 있다. 이 3개의 결합손에 의해 각각, N 및 2개의 Y에 결합한다. B환 및 E환 중에서 상기의 3개의 결합손을 가지는 탄소를 환구성 원소로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 다른 환과 더 축합하고 있어도 된다. 6원환의 예로서는, 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로서는, 푸란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환 등을 들 수 있다. 5원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 벤조푸란환, 벤조티오펜환, 인돌환 등을 들 수 있다. The B ring and E ring in formula (1) and formula (2) each form a trivalent group having a bond at three consecutive carbons in the ring of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. These three binding hands bind to N and two Y, respectively. Among the B ring and E ring, the ring containing carbon having the above three bonding elements as a ring element is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and more preferably a 6-membered ring. This ring may be further condensed with another ring. Examples of 6-membered rings include benzene rings, pyridine rings, pyrazine rings, and pyrimidine rings. Examples of a 6-membered ring further condensed with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring. Examples of 5-membered rings include furan rings, thiophene rings, pyrrole rings, and thiazole rings. Examples of a 5-membered ring further condensed with another ring include a benzofuran ring, a benzothiophene ring, and an indole ring.
식(1)에 있어서의 F환 및 G환은, 각각, 그 구조중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 연속하는 3개의 탄소에 결합손을 가지는 3가의 기를 형성하고 있으면 된다. 이 3개의 결합손에 의해 각각, N, Y 및 X에 결합한다. F환 및 G환이 RNX, RCX 또는 RIX에 결합하고 있을 때는, 4가의 기로 되어 있어도 된다. F환 및 G환 중에서 상기의 3개의 결합손을 가지는 탄소를 환구성 원소로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 다른 환과 더 축합하고 있어도 된다. 6원환의 예로서는, 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로서는, 푸란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환 등을 들 수 있다. 5원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 벤조푸란환, 벤조티오펜환, 인돌환 등을 들 수 있다. The F ring and G ring in formula (1) may each form a trivalent group having a bond at three consecutive carbon atoms in the ring of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. It binds to N, Y, and X, respectively, through these three binding hands. When the F ring and the G ring are bonded to R NX , R CX or R IX , they may be a tetravalent group. Among the F ring and G ring, the ring containing carbon having the above three bonding elements as a ring element is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and more preferably a 6-membered ring. This ring may be further condensed with another ring. Examples of 6-membered rings include benzene rings, pyridine rings, pyrazine rings, and pyrimidine rings. Examples of a 6-membered ring further condensed with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring. Examples of 5-membered rings include furan rings, thiophene rings, pyrrole rings, and thiazole rings. Examples of a 5-membered ring further condensed with another ring include a benzofuran ring, a benzothiophene ring, and an indole ring.
식(2)에 있어서의 F환 및 G환은, 각각, 그 구조중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 연속하는 4개의 탄소에 결합손을 가지는 4가의 기를 형성하고 있으면 된다. 이 4개의 결합손에 의해 각각, N, 2개의 Y 및 X에 결합한다. F환 및 G환이 RNX, RCX 또는 RIX에 결합하고 있을 때는, 5가의 기로 되어 있어도 된다. F환 및 G환 중에서 상기의 4개의 결합손을 가지는 탄소를 환구성 원소로 하는 환은, 6원환인 것이 바람직하다. 이 환은 다른 환과 더 축합하고 있어도 된다. 6원환의 예로서는, 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환 등을 들 수 있다. The F ring and G ring in formula (2) may each form a tetravalent group having a bond at four consecutive carbons in the ring of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. These four binding hands bind to N, two Y, and X, respectively. When the F ring and the G ring are bonded to R NX , R CX or R IX , they may be a pentavalent group. Among the F ring and G ring, the ring containing carbon having the above four bonding elements as a ring element is preferably a 6-membered ring. This ring may be further condensed with another ring. Examples of 6-membered rings include benzene rings, pyridine rings, pyrazine rings, and pyrimidine rings. Examples of a 6-membered ring further condensed with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring.
식(1) 및 식(2)에 있어서의 C환, D환, H환, 및 I환은 각각, 그 구조중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 서로 인접하는 2개의 탄소에 결합손을 가지는 2가의 기를 형성하고 있으면 된다. C환 및 D환은 각각 상기의 2개의 결합손에 의해 N 및 Y에 결합하고, H환 및 I환은 각각 상기의 2개의 결합손에 의해 Y 및 X에 결합하고 있다. C환 및 D환은, 서로 L을 통해서 결합하고 있을 때는, 각각 3가의 기로 되어 있어도 된다. H환 및 I환이 각각 더욱 RNX, RCX 또는 RIX에 결합하고 있을 때는, 3가의 기로 되어 있어도 된다. C환, D환, H환, 및 I환 중에서 상기의 2개의 결합손을 가지는 탄소를 환구성 원소로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 다른 환과 더 축합하고 있어도 된다. 6원환의 예로서는, 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로서는, 푸란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환 등을 들 수 있다. 5원환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 벤조푸란환, 벤조티오펜환, 인돌환 등을 들 수 있다. The C ring, D ring, H ring, and I ring in formula (1) and formula (2) each have bonding hands at two adjacent carbons in the ring of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. All you have to do is form a group. Ring C and D are each bonded to N and Y through the above two bonding hands, and ring H and I are bonded to Y and X through the above two bonding hands, respectively. When the C ring and the D ring are bonded to each other through L, each may be a trivalent group. When the H ring and the I ring are each further bonded to R NX , R CX or R IX , they may be a trivalent group. Among the C ring, D ring, H ring, and I ring, the ring containing carbon having the above two bonding hands as a ring member is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and more preferably a 6-membered ring. This ring may be further condensed with another ring. Examples of 6-membered rings include benzene rings, pyridine rings, pyrazine rings, and pyrimidine rings. Examples of a 6-membered ring further condensed with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring. Examples of 5-membered rings include furan rings, thiophene rings, pyrrole rings, and thiazole rings. Examples of a 5-membered ring further condensed with another ring include a benzofuran ring, a benzothiophene ring, and an indole ring.
또한, F환, G환, H환, 및 I환은, 그 구조중에 축합환을 가지고, 그 축합환 중의 다른 환상의 원자에 각각 1개씩 결합손을 가지고 있어도 된다. 예를 들면, 벤조이미다졸환 또는 벤조피롤환을 포함하고, 벤젠환상의 1개의 탄소에서 X 또는 Y 중 일방에 결합하고 이미다졸환 혹은 피롤환상의 1개의 탄소 혹은 질소에서 타방에 결합하고 있어도 된다. 이 때, X는 단결합인 것이 바람직하다. Additionally, the F ring, G ring, H ring, and I ring may have a condensed ring in their structures, and each may have one bond to another cyclic atom in the condensed ring. For example, it may contain a benzoimidazole ring or a benzopyrrole ring, and may be bonded to either X or Y at one carbon of the benzene ring and to the other side at one carbon or nitrogen of the imidazole ring or pyrrole ring. . At this time, it is preferable that X is a single bond.
식(1)에 있어서의, B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환의 바람직한 환구조가, 각각 식(1-a)~식(1-l)에 있어서의 b환, c환, d환, e환, f환, g환, h환, 및 i환으로서 나타내어진다. 식(2)에 있어서의, B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환의 바람직한 환구조가, 각각 식(2-a)~식(2-l)에 있어서의 b환, c환, d환, e환, f환, g환, h환, 및 i환으로서 나타내어진다. In formula (1), the preferred ring structures of ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are formulas (1-a) to (1-l), respectively. ) are represented as the b ring, c ring, d ring, e ring, f ring, g ring, h ring, and i ring. In formula (2), the preferred ring structures of ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are formulas (2-a) to (2-l), respectively. ) are represented as the b ring, c ring, d ring, e ring, f ring, g ring, h ring, and i ring.
<Z의 설명> <Explanation of Z>
식(1) 및 식(2)의 a환중의 Z는 각각, -C(-RZ)= 또는 -N=이다. RZ는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기이다. 치환기로서는, 치환기군 Z에 후술하는 식(A30)으로 표현되는 치환기를 더한 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기를 들 수 있고, 무치환의 알킬이 바람직하고, 메틸이 보다 바람직하다. RZ는 수소인 것이 바람직하다. a환중의 Z로서는, -C(-H)= 또는 -N=이 바람직하고, -C(-H)=이 보다 바람직하다. Z in the a ring of formulas (1) and (2) is -C(-R Z )= or -N=, respectively. R Z is each independently hydrogen or a substituent. The substituent includes at least one substituent selected from the group of substituent group Z plus a substituent represented by the formula (A30) described later, unsubstituted alkyl is preferable, and methyl is more preferable. R Z is preferably hydrogen. As Z in ring a, -C(-H)= or -N= is preferable, and -C(-H)= is more preferable.
식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l)의 a환중의 Z는, 식(1) 및 식(2)의 a환중의 Z와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다. Z in the a ring of formulas (1-a) to formula (1-l) and formulas (2-a) to formula (2-l) is the same as Z in the a ring of formulas (1) and (2). The meaning and desirable range are the same.
식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l)에 있어서, a환중의 Z이외의 Z는, a환중의 Z와 동일한 의미이며, 치환기로서는, 치환기군 Z에 후술하는 식(A30)으로 표현되는 치환기를 더한 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기를 들 수 있다. 또한, 치환기는 디페닐포스피노 등의 치환 혹은 무치환의 디아릴포스피노 이어도 된다. 바람직한 치환기로서는, 바람직한 치환기로서 후술하는 것을 들 수 있다. 또한, 인접하는 Z는 모두 이하의 구조일 수 있다. In formulas (1-a) to (1-l) and formulas (2-a) to (2-l), Z other than Z in ring a has the same meaning as Z in ring a, and is used as a substituent. , at least one substituent selected from the group of substituent group Z plus a substituent represented by the formula (A30) described later. Additionally, the substituent may be substituted or unsubstituted diarylphosphino such as diphenylphosphino. Preferred substituents include those described later as preferable substituents. Additionally, all adjacent Zs may have the following structures.
먼저, Z=Z중의 Z가 모두 -C(-RZ)=일 때 2개의 RZ는 서로 결합해서 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성해도 된다. 형성된 아릴환 또는 헤테로아릴환은, 각각, 치환기를 가지고 있어도 된다. 이 때의 치환기로서는, 치환기군 Z에 후술하는 식(A30)으로 표현되는 치환기를 더한 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기를 들 수 있다. 또한, 치환기는 디페닐포스피노 등의 치환 혹은 무치환의 디아릴포스피노 이어도 된다. 바람직한 범위는 RZ의 바람직한 범위와 동일하다. 또한, Z=Z는 각각 독립적으로 >N-R, >O, >C(-R)2, >Si(-R)2, >S, 또는 >Se이어도 된다. 이 때의 >N-R, >C(-R)2 및 >Si(-R)2의 R은 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이다. >C(-R)2의 2개의 R은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, >Si(-R)2의 2개의 R은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 된다. First, when all Zs in Z=Z are -C(-R Z )=, two R Z may be combined with each other to form an aryl ring or heteroaryl ring. The formed aryl ring or heteroaryl ring may each have a substituent. The substituent at this time includes at least one substituent selected from the group of substituent group Z plus a substituent represented by the formula (A30) described later. Additionally, the substituent may be substituted or unsubstituted diarylphosphino such as diphenylphosphino. The preferred range is the same as that of R Z. Additionally, Z=Z may each independently be >NR, >O, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , >S, or >Se. At this time, R of >NR, >C(-R) 2 and >Si(-R) 2 is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, or substituted or unsubstituted alkyl. , or substituted or unsubstituted cycloalkyl. The two R's of >C(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring, and the two R's of >Si(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring.
식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l) 각각에 있어서의 Z를 4개 포함하고, X 및 Y에 결합하는 구조의 예로서 이하에 나타낸다. 한편, 하기 식중, R은 RZ와 동일한 의미이지만, 수소를 의미하지 않고, R끼리 결합하는 것을 의미하지 않는 것으로 한다. 또한, n은 0~4의 정수이며, RN 및 Rc는, 수소, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 알킬로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이며, 2개의 Rc는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 된다.As an example of a structure containing four Z in each of Formulas (1-a) to Formula (1-l) and Formula (2-a) to Formula (2-l) and bonded to X and Y, indicates. Meanwhile, in the formulas below, R has the same meaning as R Z , but does not mean hydrogen and does not mean that R is bonded to each other. In addition, n is an integer of 0 to 4, and R N and R c are hydrogen, aryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, heteroaryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, and heteroaryl which may be substituted with cycloalkyl. It is alkyl or cycloalkyl which may be substituted with alkyl, and two R c may be bonded to each other to form a ring.
상기 각 부분 구조에 있어서, R은 알킬, 알킬로 치환되어 있어도 되는 페닐, 또는 식(A30)으로 표현되는 치환기인 것이 바람직하다. n은 0 또는 1이 바람직하고, 0인 것이 보다 바람직하다. In each of the above partial structures, R is preferably alkyl, phenyl optionally substituted with alkyl, or a substituent represented by the formula (A30). n is preferably 0 or 1, and is more preferably 0.
N 및 Y에 결합하는 구조나 Z를 3개 또는 2개 포함하는 구조에 대해서도 마찬가지의 구조예를 들 수 있다.Similar structural examples can be given for structures bonded to N and Y or structures containing three or two Zs.
식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l) 각각의 a~i환의 각 환에 있어서 Z는, 0~2개가 -N=이며 나머지가 -C(-RZ)=인 것이 바람직하고, 0~1개가 -N=이며 나머지가 -C(-RZ)=인 것이 보다 바람직하고, 모두 -C(-RZ)=인 것이 더욱 바람직하다. 각 식에 있어서 Z는, 0~8개가 -N=이며 나머지가 -C(-RZ)=인 것이 바람직하고, 0~3개가 -N=이며 나머지가 -C(-RZ)=인 것이 보다 바람직하고, 0~1개가 -N=이며 나머지가 -C(-RZ)=인 것이 더욱 바람직하고, 모두 -C(-RZ)=인 것이 특히 바람직하다. RZ 인 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기로서는, 알킬, 알킬로 치환되어 있어도 되는 페닐, 알킬 혹은 페닐 로 치환되어 있어도 되는 디페닐 아미노, 알킬 혹은 페닐로 치환되어 있어도 되는 카르바졸릴인 것이 바람직하다. 치환기인 RZ로서는 후술하는 바람직한 치환기의 기재도 참조할 수 있다. 각 식에 있어서 RZ는 0~3개가 치환기이며, 기타가 수소인 것이 바람직하다. 특히, 치환기인 RZ는, Y의 파라 위치에 있는 것이 바람직하다. 특히, 치환기인 RZ는, B의 파라 자리에 있는 것이 바람직하다. In each a to i ring of formulas (1-a) to (1-l) and formulas (2-a) to formula (2-l), 0 to 2 Zs are -N= and the rest are It is preferable that it is -C(-R Z )=, it is more preferable that 0 to 1 are -N= and the rest are -C(-R Z )=, and it is even more preferable that all of them are -C(-R Z )=. do. In each equation, it is preferable that 0 to 8 Zs are -N= and the remainder is -C(-R Z )=, and 0 to 3 Zs are preferably -N= and the remainder are -C(-R Z )=. It is more preferable that 0 to 1 number is -N= and the remainder is -C(-R Z )=, and it is especially preferable that all of them are -C(-R Z )=. As any one of the substituents selected from the substituent group Z that is R desirable. As the substituent R Z , reference may also be made to the description of preferred substituents described later. In each formula, 0 to 3 R Z are preferably substituents, and the others are hydrogen. In particular, it is preferable that the substituent R Z is located at the para position of Y. In particular, it is preferable that the substituent R Z is located at the para position of B.
<식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조> <Structure containing structural units expressed by formula (1) or formula (2)>
본 발명의 다환방향족 화합물은 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물이다. 상기 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물로서는, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 다환방향족 화합물을 들 수 있다. 더욱이, 상기 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물로서는, 상기 구조단위에 포함되는 임의의 환(단수 또는 복수)을 복수의 단위구조에서 공유하도록 하여 결합한 형태, 상기 단위구조에 포함되는 임의의 환끼리가 축합하도록 해서 결합한 형태를 들 수 있다. 또한, 상기 구조단위에 포함되는 임의의 환 및 그에 결합하는 X를 복수의 단위구조에서 공유하도록 해서 결합한 형태이어도 된다. 상기 단위구조가 단결합, 탄소수 1~3의 알킬렌, 페닐렌, 나프틸렌 등의 연결기로 복수결합한 형태이어도 된다. 이들 중, 복수의 환을 공유하도록 해서 결합한 형태가 바람직하다. The polycyclic aromatic compound of the present invention is a polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2). Examples of polycyclic aromatic compounds having a structure containing the above structural units include polycyclic aromatic compounds represented by formula (1) or formula (2). Moreover, as a polycyclic aromatic compound having a structure containing the above structural unit, a form in which any ring (single or plural) contained in the above structural unit is bonded so that it is shared in a plurality of unit structures, and any ring contained in the above unit structure. A form in which the rings are combined by condensing each other can be mentioned. Additionally, any ring included in the above structural unit and the The unit structure may be a single bond or a plurality of bonds formed by linking groups such as alkylene, phenylene, or naphthylene having 1 to 3 carbon atoms. Among these, a form in which a plurality of rings are shared and bonded together is preferable.
<L의 설명> <Explanation of L>
식(1-b), 식(1-d), 식(1-f), 식(2-b), 식(2-d), 및 식(2-f)에 있어서의 L은 단결합, >N-RNL, >O, >C(-RCL)2, >S, 또는 >Se이다. RNL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이고, 2개의 RCL은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되며, RNL 및 RCL은 각각 자신을 포함하는 L이 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 된다. RNL은 알킬 혹은 아릴이 치환하고 있어도 되는 아릴 또는 알킬 혹은 아릴이 치환하고 있어도 되는 헤테로아릴이 바람직하다. RCL은 알킬이 바람직하고, 메틸이 보다 바람직하다. L로서는 단결합이 바람직하다. In formula (1-b), formula (1-d), formula (1-f), formula (2-b), formula (2-d), and formula (2-f), L is a single bond, >NR NL , >O, >C(-R CL ) 2 , >S, or >Se. R NL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted Or it is unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CL may be bonded to each other to form a ring, and R NL and R CL each contain themselves. It may be bonded to one or two or more of Z bonded to the carbon atom to which L is bonded. R NL is preferably aryl which may be substituted by alkyl or aryl, or heteroaryl which may be substituted by alkyl or aryl. R CL is preferably alkyl, and more preferably methyl. As L, a single bond is preferable.
<XC의 설명> <Description of X C >
식(1-c), 식(1-d), 식(1-e), 식(1-f), 식(1-g), 식(1-h), 식(1-i), 식(1-j), 식(1-k), 식(1-l), 식(2-c), 식(2-d), 식(2-e), 식(2-f), 식(2-g), 식(2-h), 식(2-i), 식(2-j), 식(2-k), 및 식(2-l)에 있어서의 XC는 각각 독립적으로, >O, >N-R, >C(-R)2, >S, 또는 >Se이며, 상기 >N-R의 R은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >C(-R)2의 R은 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >N-R 및 상기 >C(-R)2은, 동일한 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과, R에서 결합하고 있어도 된다. XC는 >O 또는 >S가 바람직하다. Equation (1-c), Equation (1-d), Equation (1-e), Equation (1-f), Equation (1-g), Equation (1-h), Equation (1-i), Equation (1-j), Equation (1-k), Equation (1-l), Equation (2-c), Equation (2-d), Equation (2-e), Equation (2-f), Equation ( X C in 2-g), formula (2-h), formula (2-i), formula (2-j), formula (2-k), and formula (2-l) is each independently, >O, >NR, >C(-R) 2 , >S, or >Se, where R of >NR is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted It is alkyl, substituted or unsubstituted cycloalkyl, and the R of >C(-R) 2 is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or It is a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and >NR and >C(-R) 2 may be bonded at R to one or two or more of Z bonded to the same carbon atom. X C is preferably >O or >S.
<Y의 설명> <Explanation of Y>
식(1) 및 식(2) 각각에 있어서, Y는, 각각 독립적으로, >B-, >P-, >P(=O)-, >P(=S)-, >Al-, >Ga-, >As-, >C(-RY)-, >Si(-RY)-, 또는 >Ge(-RY)- 이다. RY는, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이다. Y는, 각각 독립적으로, >B-, >P-, >P(=O)-, 또는 >P(=S)-인 것이 바람직하고, 모두 >B-인 것이 보다 바람직하다. In each of equations (1) and (2), Y is independently >B-, >P-, >P(=O)-, >P(=S)-, >Al-, >Ga -, >As-, >C(-R Y )-, >Si(-R Y )-, or >Ge(-R Y )-. RY each independently represents optionally substituted aryl, optionally substituted heteroaryl, optionally substituted alkyl, or optionally substituted cycloalkyl. Y is each independently preferably >B-, >P-, >P(=O)-, or >P(=S)-, and more preferably all are >B-.
<X의 설명> <Explanation of X>
식(1) 및 식(2) 각각에 있어서, X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이다. RNX는, 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는, 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이고, 2개의 RCX는, 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되며, 2개의 RIX는, 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는, 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 된다. In each of Formulas ( 1 ) and (2) , Or >Se. R NX is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, It is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring, and R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded.
X로서는, 각각 독립적으로 >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >S, 또는 >Se인 것이 바람직하고, >O, >N-RNX, 또는 >S인 것이 보다 바람직하다. >N-RNX에 있어서의 RNX는 치환 또는 무치환의 아릴 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴이 바람직하고, 치환 또는 무치환의 페닐이 바람직하다. Y가 모두 B인 구조에 있어서, 녹색발광을 얻기 위해서는, X 중 적어도 1개는 >N-RNX인 것이 바람직하고, 모두의 X가 >N-RNX인 것이 보다 바람직하다. TADF성의 관점에서는 적어도 1개는 S인 것이 바람직하다. As X, it is each independently preferably >NR N >R NX in NR NX is preferably substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl, and is preferably substituted or unsubstituted phenyl. In a structure where all Y's are B, in order to obtain green light emission, it is preferable that at least one of the X's is >NR NX , and it is more preferable that all of the From the viewpoint of TADF properties, it is preferable that at least one is S.
<X와 환과의 결합에 의한 환구조의 변화 설명> <Explanation of changes in ring structure due to combination of X and ring>
X중의 RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 단결합 또는 연결기에 의해 결합하고 있어도 된다. 구체적으로는, 식(1) 및 식(2)에 있어서, F환과 H환에 결합하는 X중의 RNX, RCX 및 RIX는, 단결합 또는 연결기에 의해, F환 또는 H환의 적어도 일방과 결합하고 있어도 되고, G환과 I환에 결합하는 X중의 RNX, RCX 및 RIX는, 단결합 또는 연결기에 의해, G환 또는 I환의 적어도 일방과 결합하고 있어도 된다. 식(1B)에 있어서, f환과 h환에 결합하는 X중의 RNX, RCX 및 RIX는, 단결합 또는 연결기에 의해, f환 또는 h환의 적어도 일방에 있어서의 Z(X가 결합하는 탄소에 인접하는 Z)와 결합하고 있어도 되고, g환과 i환에 결합하는 X중의 RNX, RCX 및 RIX는, 단결합 또는 연결기에 의해, g환 또는 i환의 적어도 일방에 있어서의 Z(X가 결합하는 탄소에 인접하는 Z)와 결합하고 있어도 된다. R NX , R CX and R IX in Specifically, in formulas (1) and (2), R NX , R CX and R IX in R NX , R CX , and R IX in In formula (1B), R NX , R CX and R IX in may be bonded to the adjacent Z), and R NX , R CX and R IX in It may be bonded to Z) adjacent to the carbon to which is bonded.
RNX, RCX 및 RIX가 각각 환과 결합할 경우의 연결기로서는, -CH2-CH2-, -CHR-CHR-, -CR2-CR2-, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -Si(-R)2-, 또는 -Se- 등을 들 수 있다. 이들 중, -CH=CH-, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, 및 -C(-R)2-이 바람직하고, -CH=CH-, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, 및 -S-이 보다 바람직하고, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, 및 -S-이 더욱 바람직하다. 상기 「-CHR-CHR-」의 R, 「-CR2-CR2-」의 R, 「-CR=CR-」의 R, 「-N(-R)-」의 R, 「-C(-R)2-」의 R, 및 「-Si(-R)2-」의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알킬, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알케닐, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알키닐, 또는 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이다. 또한, 동일한 원소에 결합하는 2개의 R끼리가 결합해서 환을 형성하고 있어도 된다. 더욱이, 인접하는 2개의 R끼리가 결합하여, 시클로알킬렌환, 아릴렌환, 및 헤테로아릴렌 환을 형성하고 있어도 된다. 이 환도 또한, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다.When R NX , R CX and R IX are each bonded to a ring, the linking group is -CH 2 -CH 2 -, -CHR-CHR-, -CR 2 -CR 2 -, -CH=CH-, -CR=CR -, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, -Si(-R) 2 -, or -Se-, etc. there is. Among these, -CH=CH-, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, and -C(-R) 2 - are preferred, -CH=CH-, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, and -S- are more preferred, and -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, and -S- are more preferred. It is more desirable. R in “-CHR-CHR-” above, R in “-CR 2 -CR 2 -”, R in “-CR=CR-”, R in “-N(-R)-”, and “-C(-” R of “R) 2 -” and R of “-Si(-R) 2 -” are each independently hydrogen, aryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, hetero which may be substituted with alkyl or cycloalkyl. alkyl which may be substituted by aryl, alkyl or cycloalkyl, alkenyl which may be substituted by alkyl or cycloalkyl, alkynyl which may be substituted by alkyl or cycloalkyl, or cycloalkyl which may be substituted by alkyl or cycloalkyl. . Additionally, two R's bonded to the same element may bond to form a ring. Furthermore, two adjacent R groups may be bonded to form a cycloalkylene ring, an arylene ring, and a heteroarylene ring. This ring may also be substituted with alkyl or cycloalkyl.
RNX, RCX 및 RIX가 각각 환과 결합하고 있는 구조의 예로서는, 하기 식(1'-I)으로 표현되는, X가 축합환 I'에 포함된 환구조를 가지는 화합물, 및 하기 식(2'-F)으로 표현되는, X가 축합환 F'에 포함된 환구조를 가지는 화합물을 들 수 있다. 형성된 축합환으로서는, 예를 들면, 카르바졸환, 페녹사진환, 또는 페노티아진환을 들 수 있다. Examples of structures in which R NX , R CX and R IX are each bonded to a ring include compounds having a ring structure in which A compound having a ring structure represented by '-F) wherein X is contained in the condensed ring F' can be mentioned. Examples of the formed condensed ring include a carbazole ring, a phenoxazine ring, or a phenothiazine ring.
환구조와 환구조를 연결하는 X의 적어도 1개가, >N-RNX이며, 이 RNX가, 치환되어도 되는 알킬 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이며, 연결기 또는 단결합에 의해, F환, H환, G환, 또는 I환에 있어서의 아릴환 또는 헤테로아릴환과 연결된 구조를 가지고 있어도 된다. At least one of the It may have a structure linked to the aryl ring or heteroaryl ring in the G ring or the I ring.
예를 들면, 상기와 같은 연결에 의해, 이하의 부분 구조(A10)가 형성되어도 된다.For example, the following partial structure A10 may be formed by the above connection.
식(A10)중, RA1~RA4는 각각 독립적으로, 수소, 치환되어 있어도 되는 알킬 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이며, RA1~RA4의 임의의 2~4개는 연결기 또는 단결합에 의해 서로 결합하고 있어도 되고, 2개의 *의 위치에서 X가 결합하는 2개의 환 중 일방의 환에, **의 위치에서 타방의 환에 결합하고 있다. 즉, 식(A10)중의 N은 X가 >N-RNX일 때의 >N-RNX의 N이다. 2개의 *의 위치에서 결합하는 환상의 원자는 서로 인접하는 원자(탄소원자가 바람직하다)이면 된다. 식(A10)으로 표현되는 부분 구조는 결합 해리에너지(BDE)가 약한 N-C결합을 포함하지만, 환을 형성하는 또 하나의 결합이 있음으로써 N-C결합의 절단시에도 역반응(재결합반응)이 촉진되기 때문에, 보다 안정한 구조가 된다. 따라서, 이러한 구조를 가지는 다환방향족 화합물을 사용해서 제조되는 유기 EL 소자에서는 소자수명이 길어지는 것이 기대된다. 다환방향족 화합물에 식(A10)으로 표현되는 구조가 포함될 때, 그 수는 1개 또는 2개이면 된다. In formula (A10), R A1 to R A4 are each independently hydrogen, optionally substituted alkyl, or optionally substituted cycloalkyl, and any 2 to 4 of R A1 to R A4 are connected to a linking group or single bond. They may be bonded to each other, and X is bonded to one of the two rings at the * position and to the other ring at the ** position. That is, N in equation (A10) is N of >NR NX when X is >NR NX . The cyclic atoms bonded at the two * positions may be adjacent atoms (carbon atoms are preferred). The partial structure expressed by formula (A10) includes an NC bond with a weak bond dissociation energy (BDE), but because there is another bond forming a ring, the reverse reaction (recombination reaction) is promoted even when the NC bond is cut. , resulting in a more stable structure. Therefore, an organic EL device manufactured using a polycyclic aromatic compound having this structure is expected to have a longer device life. When the polycyclic aromatic compound contains the structure represented by formula (A10), the number may be one or two.
식(A10)중, RA1~RA4 중 임의의 2~4개는 연결기에 의해 서로 연결되어 있어도 된다. In formula (A10), any 2 to 4 of R A1 to R A4 may be connected to each other by a linking group.
RA1~RA4는, 임의의 2개(RA1 및 RA4, RA1 및 RA4, 및 RA2 및 RA3, RA1 및 RA2, RA3 및 RA4, RA1 및 RA2 및 RA3 및 RA4)가 연결기 또는 단결합에 의해 서로 결합하고 있는 것이 바람직하고, RA1 및 RA4이 연결기 또는 단결합에 의해 서로 결합하고 있는 것이 보다 바람직하다. 서로 결합해서 형성된 2가의 기로서는, 알킬렌을 들 수 있다. 해당 알킬렌에 있어서의 적어도 하나의 수소는 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 해당 알킬렌에 있어서의 적어도 1개(바람직하게는 1개)의 -CH2-는 -O- 및 -S- 로 치환되어 있어도 된다. 서로 결합해서 형성된 2가의 기로서는, 탄소수 2~5의 직쇄 알킬렌이 바람직하고, 탄소수 3 또는 4의 직쇄 알킬렌이 보다 바람직하고, 탄소수 4의 직쇄 알킬렌(-(CH2)4-)이 더욱 바람직하다. 탄소수 4의 직쇄 알킬렌(-(CH2)4-)은 무치환인 것이 특히 바람직하다. R A1 to R A4 are any two (R A1 and R A4 , R A1 and R A4 , and R A2 and R A3 , R A1 and R A2 , R A3 and R A4 , R A1 and R A2 and R It is preferable that A3 and R A4 ) are bonded to each other by a linking group or a single bond, and it is more preferable that R A1 and R A4 are bonded to each other by a linking group or a single bond. Examples of the divalent group formed by bonding with each other include alkylene. At least one hydrogen in the alkylene may be substituted with alkyl or cycloalkyl, and at least one (preferably one) -CH 2 - in the alkylene is -O- and -S- It may be replaced with . As the divalent group formed by bonding to each other, linear alkylene with 2 to 5 carbon atoms is preferable, linear alkylene with 3 or 4 carbon atoms is more preferable, and linear alkylene with 4 carbon atoms (-(CH 2 ) 4 -) is preferable. It is more desirable. It is particularly preferable that the straight-chain alkylene having 4 carbon atoms (-(CH 2 ) 4 -) is unsubstituted.
연결기에 의한 연결에 관여하지 않고 있는 나머지의 RA1~RA4은, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환되어 있어도 되는 알킬인 것이 바람직하고, 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~6의 알킬인 것이 보다 바람직하고, 무치환의 탄소수 1~6의 알킬인 것이 더욱 바람직하고, 모두 메틸인 것이 가장 바람직하다. The remaining R A1 to R A4 that are not involved in the connection by the linking group are each independently hydrogen or optionally substituted alkyl, and more preferably optionally substituted alkyl having 1 to 6 carbon atoms, It is more preferable that it is unsubstituted alkyl with 1 to 6 carbon atoms, and most preferably it is all methyl.
즉, 식(A10)으로 표현되는 부분 구조로서는, 이하 식(A11)으로 표현되는 구조가 바람직하다.That is, as the partial structure expressed by formula (A10), the structure expressed by formula (A11) below is preferable.
식(A11) 중, Me은 메틸이며, 2개의 *의 위치에서 X가 결합하는 2개의 환중 일방 환에, **의 위치에서 타방의 환에 결합하고 있다.In formula (A11), Me is methyl, and is bonded to one of the two rings to which X is bonded at the two * positions and to the other ring at the ** positions.
<바람직한 치환기> <Preferred substituents>
이미팅 도펀트로서 사용되는 다환방향족 화합물에 있어서(그 밖에 도펀트로서 사용되는 화합물에 있어서), 「알킬」을 포함하는 치환기로서, 하기 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬은 특히 바람직한 것 중 하나이다. 이와 같은 부피가 큰 치환기에 의해 분자간 거리가 증가하기 때문에 발광양자수율(PLQY)이 향상되기 때문이다. 또한, 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬이 제2 치환기로서 다른 치환기에 치환하고 있는 치환기도 바람직하다. 구체적으로는, 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬로 치환된 디아릴아미노, 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬로 치환된 카르바졸릴(바람직하게는, N-카르바졸릴) 또는 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬로 치환된 벤조카르바졸릴(바람직하게는, N-벤조 카르바졸릴)을 들 수 있다. 디아릴아미노, 카르바졸릴 및 벤조카르바졸릴에의 식(tR)의 기의 치환 형태로서는, 이들 기에 있어서의 아릴환 또는 벤젠환의 일부 또는 모든 수소가 식(tR)의 기로 치환된 예를 들 수 있다.In polycyclic aromatic compounds used as emitting dopants (in other compounds used as dopants), tertiary alkyl represented by the following formula (tR) is one of the particularly preferable substituents containing “alkyl”. This is because the distance between molecules increases due to such bulky substituents, thereby improving the luminescence quantum yield (PLQY). Additionally, a substituent in which the tertiary alkyl represented by the formula (tR) is substituted by another substituent as the second substituent is also preferable. Specifically, diarylamino substituted with tertiary alkyl represented by formula (tR), carbazolyl (preferably N-carbazolyl) substituted with tertiary alkyl represented by formula (tR), or formula and benzocarbazolyl (preferably N-benzocarbazolyl) substituted with tertiary alkyl represented by (tR). Examples of the substitution form of the group of the formula (tR) for diarylamino, carbazolyl and benzocarbazolyl include where some or all of the hydrogens of the aryl ring or benzene ring in these groups are substituted with the group of the formula (tR). You can.
식(tR) 중, Ra, Rb, 및 Rc는 각각 독립적으로 탄소수 1~24의 알킬이며, 상기 알킬에 있어서의 임의의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고, 식(tR)으로 나타내어지는 기는 *을 결합 위치로 한다. In formula (tR), R a , R b , and R c are each independently alkyl having 1 to 24 carbon atoms, and any -CH 2 - in the alkyl may be substituted with -O-, and the formula ( The group represented by (tR) uses * as the binding position.
Ra, Rb 및 Rc의 「탄소수 1~24의 알킬」로서는, 직쇄 및 분기쇄 중 어느 것이라도 되며, 예를 들면, 탄소수 1~24의 직쇄 알킬 또는 탄소수 3~24의 분기쇄 알킬, 탄소수 1~18의 알킬(탄소수 3~18의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~12의 알킬(탄소수 3~12의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~6의 알킬(탄소수 3~6의 분기쇄 알킬), 탄소수 1~4의 알킬(탄소수 3~4의 분기쇄 알킬)을 들 수 있다. The “alkyl having 1 to 24 carbon atoms” for R a , R b and R c may be either straight chain or branched chain, for example, straight chain alkyl having 1 to 24 carbon atoms or branched alkyl having 3 to 24 carbon atoms, Alkyl with 1 to 18 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 18 carbon atoms), alkyl with 1 to 12 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 12 carbon atoms), alkyl with 1 to 6 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 6 carbon atoms) , alkyl with 1 to 4 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 4 carbon atoms).
식(tR)에 있어서의 Ra, Rb, 및 Rc의 탄소수의 합계는 탄소수 3~20이 바람직하고, 탄소수 3~10이 특히 바람직하다. The total number of carbon atoms of R a , R b , and R c in the formula (tR) is preferably 3 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 3 to 10 carbon atoms.
Ra, Rb, 및 Rc의 구체적인 알킬로서는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, t-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 2,6-디메틸-4-헵틸, 3,5,5-트리메틸헥실, n-데실, n-운데실, 1-메틸데실, n-도데실, n-트리데실, 1-헥실헵틸, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, n-에이코실 등을 들 수 있다. Specific alkyls for R a , R b , and R c include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, t-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 2,6-dimethyl-4-heptyl, 3,5,5-trimethylhexyl, n-decyl, n -Undecyl, 1-methyldecyl, n-dodecyl, n-tridecyl, 1-hexylheptyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, n -Eicosil, etc. can be mentioned.
식(tR)으로 나타내어지는 기로서는, 예를 들면 t-부틸, t-아밀, 1-에틸-1-메틸프로필, 1,1-디에틸프로필, 1,1-디메틸부틸, 1-에틸-1-메틸부틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸, 1,1,4-트리메틸펜틸, 1,1,2-트리메틸프로필, 1,1-디메틸 옥틸, 1,1-디메틸펜틸, 1,1-디메틸헵틸, 1,1,5-트리메틸헥실, 1-에틸-1-메틸헥실, 1-에틸-1,3-디메틸부틸, 1,1,2,2-테트라메틸프로필, 1-부틸-1-메틸펜틸, 1,1-디에틸부틸, 1-에틸-1-메틸펜틸, 1,1,3-트리메틸부틸, 1-프로필-1-메틸펜틸, 1,1,2-트리메틸프로필, 1-에틸-1,2,2-트리메틸프로필, 1-프로필-1-메틸부틸, 1,1-디메틸헥실 등을 들 수 있다. 이들 중, t-부틸 및 t-아밀이 바람직하다.Examples of the group represented by the formula (tR) include t-butyl, t-amyl, 1-ethyl-1-methylpropyl, 1,1-diethylpropyl, 1,1-dimethylbutyl, and 1-ethyl-1. -Methylbutyl, 1,1,3,3-tetramethylbutyl, 1,1,4-trimethylpentyl, 1,1,2-trimethylpropyl, 1,1-dimethyl octyl, 1,1-dimethylpentyl, 1, 1-dimethylheptyl, 1,1,5-trimethylhexyl, 1-ethyl-1-methylhexyl, 1-ethyl-1,3-dimethylbutyl, 1,1,2,2-tetramethylpropyl, 1-butyl- 1-Methylpentyl, 1,1-diethylbutyl, 1-ethyl-1-methylpentyl, 1,1,3-trimethylbutyl, 1-propyl-1-methylpentyl, 1,1,2-trimethylpropyl, 1 -Ethyl-1,2,2-trimethylpropyl, 1-propyl-1-methylbutyl, 1,1-dimethylhexyl, etc. Among these, t-butyl and t-amyl are preferred.
치환기로서는 식(A30)으로 표현되는 치환기도 바람직하다. As the substituent, the substituent represented by formula (A30) is also preferable.
식(A30)중, In equation (A30),
Ak는 수소, 치환 혹은 무치환의 알킬, 치환 혹은 무치환의 알케닐, 치환 혹은 무치환의 시클로알킬 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알케닐이며, 해당 알킬, 시클로알킬 및 시클로알케닐에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O- 또는 -S-로 치환되어 있어도 되고, Ak is hydrogen, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted alkenyl, substituted or unsubstituted cycloalkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkenyl, and at least One -CH 2 - may be substituted with -O- or -S-,
RAk는, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RAk는 연결기 또는 단결합에 의해 Ak와 결합하고 있어도 되고, *은 결합 위치이다. R Ak is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R Ak may be bonded to Ak through a linking group or single bond. , * is the binding position.
식(A30)중, Ak가 상기의 치환기임으로써 N상의 비공유 전자쌍과 공역하지 않기 때문에, 비공유 전자쌍을 결합처의 π전자와 공역시킬 수 있고, 동일한 위치에 아릴 등이 있을 경우에 비해 보다 큰 파장변경이 가능하다. 또한, 다중 공명 효과에의 영향에 대해서도 마찬가지여서, 열활성형 지연 형광(TADF)성의 보다 큰 개선이 가능하다. In formula (A30), since Ak is the above-mentioned substituent and does not conjugate with the lone pair of electrons on N, the lone pair can be conjugated with the π electron of the binding site, and the wavelength is larger than when there is an aryl etc. at the same position. Change is possible. In addition, the same applies to the influence on the multiple resonance effect, so that greater improvement in thermally activated delayed fluorescence (TADF) properties is possible.
RAk는 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬인 것이 바람직하고, 알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬인 것이 보다 바람직하고, 알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴인 것이 더욱 바람직하고, 메틸로 치환되어 있어도 되는 페닐인 것이 특히 바람직하다. R Ak is preferably aryl which may be substituted by alkyl or cycloalkyl, heteroaryl which may be substituted by alkyl or cycloalkyl, alkyl or cycloalkyl, aryl which may be substituted by alkyl, or heteroaryl which may be substituted by alkyl. Aryl, alkyl or cycloalkyl is more preferable, aryl which may be substituted with alkyl is still more preferable, and phenyl which may be substituted with methyl is particularly preferable.
식(A30)중, Ak는 탄소수 1~6의 알킬 또는 탄소수 3~14의 시클로알킬인 것이 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬 또는 탄소수 3~8의 시클로알킬인 것이 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬인 것이 보다 바람직하고, 메틸인 것이 더욱 바람직하다. In formula (A30), Ak is preferably alkyl with 1 to 6 carbon atoms or cycloalkyl with 3 to 14 carbon atoms, preferably alkyl with 1 to 4 carbon atoms or cycloalkyl with 3 to 8 carbon atoms, and preferably has 1 to 4 carbon atoms. It is more preferable that it is alkyl, and even more preferably it is methyl.
RAk 및 Ak는 동일하여도 달라도 되고, 다른 것이 바람직하다. R Ak and Ak may be the same or different, and are preferably different.
RAk는 연결기 또는 단결합에 의해 Ak와 결합하고 있어도 된다. 이 때의 연결기로서는 >O, >S 또는 >Si(-R)2 등을 들 수 있다. >Si(-R)2의 R은, 수소, 탄소수 6~12의 아릴, 탄소수 1~6의 알킬 또는 탄소수 3~14의 시클로알킬이다. RAk가 연결기 또는 단결합에 의해 Ak와 결합한 구조의 예로서는 이하를 들 수 있다.R Ak may be bonded to Ak through a linking group or single bond. The linking group at this time includes >O, >S, or >Si(-R) 2 . >R in Si(-R) 2 is hydrogen, aryl with 6 to 12 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 14 carbon atoms. Examples of structures in which R Ak is bonded to Ak through a linking group or single bond include the following.
상기 각 식중, *은 결합 위치이다. In each of the above formulas, * represents a binding position.
도펀트(어시스팅 도펀트 또는 이미팅 도펀트)로서 사용되는 화합물이 가지는 치환기의 구조 입체 장해성, 전자 공여성 및 전자 구인성에 의해, 발광 파장을 조정할 수 있다. 바람직하게는 이하의 구조식으로 나타내어지는 기이며, 보다 바람직하게는, 메틸, t-부틸, t-아밀, t-옥틸, 네오펜틸, 아다만틸, 페닐, o-톨릴, p-톨릴, 2,4-크실릴, 2,5-크실릴, 2,6-크실릴, 2,4,6-메시틸, 디페닐아미노, 디-p-톨릴아미노, 비스(p-(t-부틸)페닐)아미노, 카르바졸릴, 3,6-디메틸카르바졸릴, 3,6-디-t-부틸카르바졸릴 및 페녹시이며, 보다 더 바람직하게는, 메틸, t-부틸, t-아밀, t-옥틸, 네오펜틸, 아다만틸, 페닐, o-톨릴, 2,6-크실릴, 2,4,6-메시틸, 디페닐아미노, 디-p-톨릴아미노, 비스(p-(t-부틸)페닐)아미노, 카르바졸릴, 3,6-디메틸카르바졸릴 및 3,6-디-t-부틸카르바졸릴 및 트리벤조아제피닐이다. 합성의 용이함의 관점에서는, 입체 장해가 큰 편이 선택적인 합성을 위해 바람직하고, 구체적으로는, t-부틸, t-아밀, t-옥틸, 아다만틸, o-톨릴, p-톨릴, 2,4-크실릴, 2,5-크실릴, 2,6-크실릴, 2,4,6-메시틸, 디-p-톨릴아미노, 비스(p-(t-부틸)페닐)아미노, 3,6-디메틸카르바졸릴 및 3,6-디-t-부틸카르바졸릴이 바람직하다. The emission wavelength can be adjusted by the structural steric hindrance, electron donating, and electron withdrawing properties of the substituent of the compound used as a dopant (assisting dopant or emitting dopant). Preferably, it is a group represented by the following structural formula, more preferably methyl, t-butyl, t-amyl, t-octyl, neopentyl, adamantyl, phenyl, o-tolyl, p-tolyl, 2, 4-xylyl, 2,5-xylyl, 2,6-xylyl, 2,4,6-mesityl, diphenylamino, di-p-tolylamino, bis(p-(t-butyl)phenyl) Amino, carbazolyl, 3,6-dimethylcarbazolyl, 3,6-di-t-butylcarbazolyl and phenoxy, more preferably methyl, t-butyl, t-amyl, t- Octyl, neopentyl, adamantyl, phenyl, o-tolyl, 2,6-xylyl, 2,4,6-mesityl, diphenylamino, di-p-tolylamino, bis(p-(t-butyl) )phenyl)amino, carbazolyl, 3,6-dimethylcarbazolyl and 3,6-di-t-butylcarbazolyl and tribenzoazepinyl. From the viewpoint of ease of synthesis, greater steric hindrance is preferable for selective synthesis, specifically, t-butyl, t-amyl, t-octyl, adamantyl, o-tolyl, p-tolyl, 2, 4-xylyl, 2,5-xylyl, 2,6-xylyl, 2,4,6-mesityl, di-p-tolylamino, bis(p-(t-butyl)phenyl)amino, 3, 6-dimethylcarbazolyl and 3,6-di-t-butylcarbazolyl are preferred.
하기 구조식에 있어서, *은 결합 위치를 나타낸다.In the structural formula below, * represents the binding position.
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은, 상술한 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬(t-부틸 또는 t-아밀 등), 네오펜틸 또는 아다만틸을 적어도 하나 포함하는 구조인 것이 바람직하고, 식(tR)으로 나타내어지는 터셔리알킬(t-부틸 또는 t-아밀 등)을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 부피가 큰 치환기에 의해 분자간 거리가 증가하기 때문에 발광양자수율(PLQY)이 향상되기 때문이다. 또한, 치환기로서는, 디아릴아미노도 바람직하다. 나아가, 식(tR)의 기로 치환된 디아릴아미노, 식(tR)의 기로 치환된 카르바졸릴(바람직하게는, N-카르바졸릴) 또는 식(tR)의 기로 치환된 벤조카르바졸릴(바람직하게는, N-벤조 카르바졸릴)도 바람직하다. 디아릴아미노, 카르바졸릴 및 벤조 카르바졸릴에의 식(tR)의 기의 치환 형태로서는, 이 기에 있어서의 아릴환 또는 벤젠환의 일부 또는 모든 수소가 식(tR)의 기로 치환된 예를 들 수 있다. Polycyclic aromatic compounds having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2) include tertiary alkyl (t-butyl or t-amyl, etc.), neopentyl, etc., represented by the above-mentioned formula (tR). Alternatively, it is preferable that the structure contains at least one adamantyl, and it is preferable that it contains a tertiary alkyl (t-butyl or t-amyl, etc.) represented by the formula (tR). This is because the distance between molecules increases due to such bulky substituents, thereby improving the luminescence quantum yield (PLQY). Moreover, as a substituent, diarylamino is also preferable. Furthermore, diarylamino substituted with a group of the formula (tR), carbazolyl (preferably N-carbazolyl) substituted with a group of the formula (tR), or benzocarbazolyl (preferably N-carbazolyl) substituted with a group of the formula (tR) Preferably, N-benzocarbazolyl) is also preferred. Examples of the substitution form of the group of formula (tR) for diarylamino, carbazolyl and benzocarbazolyl include where some or all of the hydrogens of the aryl ring or benzene ring in this group are substituted with a group of formula (tR). You can.
식(1) 또는 식(2)로 나타내어지는 구조단위를 포함하는 구조 중, 아릴환 또는 헤테로아릴환의 치환기는 이하의 식(A20)으로 나타내어지는 치환기여도 된다. In the structure containing the structural unit represented by Formula (1) or Formula (2), the substituent of the aryl ring or heteroaryl ring may be a substituent represented by the following formula (A20).
식(A20)으로 나타내어지는 치환기는, 2개의 *에서 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 인접하는 2개의 원자에 각각 결합한다. 식(A20) 중, L은 >N-R, >O, >Si(-R)2 또는 >S이고, 상기 >N-R의 R은, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >Si(-R)2의 R은, 수소, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있어도 되는 알킬 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이고, 또한 연결기에 의해 서로 결합하고 있어도 되며, 또한, 상기 >N-R 및 상기 >Si(-R)2의 R 중 적어도 하나는 연결기 또는 단결합에 의해 상기 아릴환 또는 헤테로아릴환과 결합하고 있어도 되고, The substituent represented by the formula (A20) is bonded to two atoms adjacent to each of the two * atoms in the ring of the aryl ring or heteroaryl ring. In formula (A20), L is >NR, >O, >Si(-R) 2 or >S, and R of >NR is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or It is unsubstituted alkyl or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R in >Si(-R) 2 is hydrogen, optionally substituted aryl, optionally substituted alkyl, or optionally substituted cycloalkyl, and is also a linking group. may be bonded to each other, and at least one of the >NR and the R of >Si(-R) 2 may be bonded to the aryl ring or heteroaryl ring through a linking group or single bond,
r은 1~4의 정수이며, r is an integer from 1 to 4,
RA는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이고, 임의의 RA는 다른 임의의 RA와 연결기 또는 단결합에 의해 서로 결합하고 있어도 된다. R A is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and any R A may be bonded to any other R A through a linking group or single bond.
상기의 치환기의 예로서는 이하 중 어느 하나로 나타내어지는 치환기를 들 수 있다.Examples of the above substituents include substituents represented by any of the following.
각 식 중, *에서, 어느 하나의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 연속(인접)하는 2개 또는 3개의 원자에 각각 결합하고 있으면 된다.In each formula, in *, it may be bonded to two or three consecutive (adjacent) atoms in the ring of any one aryl ring or heteroaryl ring, respectively.
<시클로알칸 축합><Cycloalkane condensation>
식(1) 또는 식(2)으로 나타내어지는 구조 단위를 포함하는 구조를 갖는 다환방향족 화합물에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 된다. 식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 식으로 나타내어지는 다환방향족 화합물도 마찬가지이며, 이 후의 설명은 이들 중 어느 하나의 식으로 나타내어지는 다환방향족 화합물에도 마찬가지로 적용된다. At least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring in a polyaromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2) is condensed with at least one cycloalkane. It can be done. The same applies to polycyclic aromatic compounds represented by any formula selected from the group consisting of formulas (1-a) to formula (1-l) and formulas (2-a) to formula (2-l), as described below. The same applies to polycyclic aromatic compounds expressed by any of these formulas.
시클로알칸으로서는, 탄소수 3~24의 시클로알칸이면 된다. 이 때의 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 탄소수 6~30의 아릴, 탄소수 2~30의 헤테로아릴, 탄소수 1~24의 알킬 또는 탄소수 3~24의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 된다. The cycloalkane may be any cycloalkane having 3 to 24 carbon atoms. At this time, at least one hydrogen in the cycloalkane may be substituted with aryl with 6 to 30 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 30 carbon atoms, alkyl with 1 to 24 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 24 carbon atoms, and the corresponding At least one -CH 2 - in the cycloalkane may be substituted with -O-.
시클로알칸은, 탄소수 3~20의 시클로알칸이며, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 수소가, 탄소수 6~16의 아릴, 탄소수 2~22의 헤테로아릴, 탄소수 1~12의 알킬 또는 탄소수 3~16의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 시클로알칸인 것이 바람직하다. Cycloalkane is a cycloalkane having 3 to 20 carbon atoms, and at least one hydrogen in the cycloalkane is aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 22 carbon atoms, alkyl with 1 to 12 carbon atoms, or 3 to 3 carbon atoms. It is preferable that it is a cycloalkane which may be substituted with cycloalkyl of 16.
「시클로알칸」으로서는, 탄소수 3~24의 시클로알칸, 탄소수 3~20의 시클로알칸, 탄소수 3~16의 시클로알칸, 탄소수 3~14의 시클로알칸, 탄소수 5~10의 시클로알칸, 탄소수 5~8의 시클로알칸, 탄소수 5~6의 시클로알칸, 탄소수 5의 시클로알칸 등을 들 수 있다. As “cycloalkane”, cycloalkane with 3 to 24 carbon atoms, cycloalkane with 3 to 20 carbon atoms, cycloalkane with 3 to 16 carbon atoms, cycloalkane with 3 to 14 carbon atoms, cycloalkane with 5 to 10 carbon atoms, cycloalkane with 5 to 8 carbon atoms. cycloalkanes, cycloalkanes with 5 to 6 carbon atoms, cycloalkanes with 5 carbon atoms, etc.
구체적인 시클로알칸으로서는, 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 시클로노난, 시클로데칸, 노보난(비시클로[2.2.1]헵탄), 비시클로[1.1.0]부탄, 비시클로[1.1.1]펜탄, 비시클로[2.1.0]펜탄, 비시클로[2.1.1]헥산, 비시클로[3.1.0]헥산, 비시클로[2.2.2]옥탄, 아다만탄, 디아만탄, 데카히드로나프탈렌 및 데카히드로아줄렌, 및, 이들 탄소수 1~5의 알킬(특히 메틸) 치환체, 할로겐(특히 불소) 치환체 및 중수소 치환체 등을 들 수 있다. Specific cycloalkanes include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclononane, cyclodecane, norbonane (bicyclo[2.2.1]heptane), and bicyclo[1.1.0]butane. , bicyclo[1.1.1]pentane, bicyclo[2.1.0]pentane, bicyclo[2.1.1]hexane, bicyclo[3.1.0]hexane, bicyclo[2.2.2]octane, adamantane, Diamantane, decahydronaphthalene, and decahydroazulene, and alkyl (especially methyl) substituted products thereof having 1 to 5 carbon atoms, halogen (particularly fluorine) substituted products, and deuterium substituted products.
상기 예 중에서도, 예를 들면 하기 구조식에 나타내는 것과 같은, 시클로알칸의 α위치의 탄소(아릴환 또는 헤테로아릴환으로 축합하는 시클로알칸에 있어서, 축합 부위의 탄소에 인접하는 위치의 탄소)에 적어도 하나의 치환기를 가지는 구조가 바람직하고, α위치의 탄소에 2개의 치환기를 가지는 구조가 보다 바람직하고, 2개의 α위치의 탄소가 모두 2개의 치환기를 가지는(합계 4개의 치환기를 가지는) 구조가 보다 더 바람직하다. 이 치환기로서는, 탄소수 1~5의 알킬(특히 메틸), 할로겐(특히 불소) 및 중수소 등을 들 수 있다. 특히, 아릴환 또는 헤테로아릴환에 있어서 인접하는 탄소 원자에 하기 식(B)으로 나타내어지는 부분 구조가 결합한 구조로 되어 있는 것이 바람직하다. Among the above examples, at least one carbon at the α position of the cycloalkane (the carbon adjacent to the carbon at the condensation site in cycloalkanes condensing to an aryl ring or heteroaryl ring), for example, as shown in the structural formula below: A structure with a substituent is preferable, a structure with two substituents on the carbon at the α position is more preferable, and a structure with both carbons at the α position having two substituents (a total of four substituents) is more preferable. desirable. Examples of this substituent include alkyl having 1 to 5 carbon atoms (especially methyl), halogen (especially fluorine), and deuterium. In particular, it is preferable to have a structure in which a partial structure represented by the following formula (B) is bonded to an adjacent carbon atom in the aryl ring or heteroaryl ring.
식(B) 중, *은 결합 위치를 나타낸다. In formula (B), * represents the binding position.
하나의 아릴환 또는 헤테로아릴환에 축합하는 시클로알칸의 수는, 1~3개가 바람직하고, 1개 또는 2개가 보다 바람직하고, 1개가 보다 더 바람직하다. 예를 들면 하나의 벤젠환(페닐)에 하나 또는 복수의 시클로알칸으로 축합된 예를 이하에 나타낸다. *은 결합 위치를 나타내고, 그 위치는 벤젠환을 구성하면서 또한 시클로알칸을 구성하지 않은 탄소 중 어느 것이어도 된다. 식(Cy-1-4) 및 식(Cy-2-4)과 같이 축합된 시클로알칸끼리가 축합해도 된다. 축합되는 환(기)이 벤젠환(페닐) 이외의 다른 아릴환 또는 헤테로아릴환인 경우여도, 축합하는 시클로알칸이 시클로펜탄 또는 시클로헥산 이외의 다른 시클로알칸인 경우여도, 마찬가지이다. The number of cycloalkanes condensed to one aryl ring or heteroaryl ring is preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1. For example, examples of condensation of one or more cycloalkanes on one benzene ring (phenyl) are shown below. * indicates a bonding position, and the position may be any of the carbons that form a benzene ring but do not form a cycloalkane. Condensed cycloalkanes may be condensed as shown in formula (Cy-1-4) and formula (Cy-2-4). This applies even if the ring (group) to be condensed is an aryl ring or heteroaryl ring other than a benzene ring (phenyl), and even if the cycloalkane to be condensed is a cycloalkane other than cyclopentane or cyclohexane.
시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면 하나의 벤젠환(페닐)에 축합된 시클로알칸에 있어서의 하나 또는 복수의 -CH2-가 -O-로 치환된 예를 이하에 나타낸다. 축합되는 환(기)이 벤젠환(페닐) 이외의 다른 아릴환 또는 헤테로아릴환인 경우여도, 축합하는 시클로알칸이 시클로펜탄 또는 시클로헥산 이외의 다른 시클로알칸인 경우여도, 마찬가지이다. At least one -CH 2 - in the cycloalkane may be substituted with -O-. For example, an example in which one or more -CH 2 - in a cycloalkane condensed to one benzene ring (phenyl) is replaced with -O- is shown below. This applies even if the ring (group) to be condensed is an aryl ring or heteroaryl ring other than a benzene ring (phenyl), and even if the cycloalkane to be condensed is a cycloalkane other than cyclopentane or cyclohexane.
시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 이 치환기로서는, 치환기군 Z로부터 선택된 어느 하나의 치환기를 들 수 있다. 이들 치환기 중에서도, 알킬(예를 들면 탄소수 1~6의 알킬), 시클로알킬(예를 들면 탄소수 3~14의 시클로알킬)이 바람직하다. 또한, 어느 하나의 수소가 할로겐(예를 들면 불소) 또는 중수소로 치환되어 있는 것도 바람직하다. 또한, 시클로알킬이 치환되는 경우는 스피로 구조를 형성하는 치환 형태이어도 되며, 예를 들면, 1개의 벤젠환(페닐)에 축합된 시클로알칸에 스피로 구조가 형성된 예를 이하에 나타낸다. 각 구조식에 있어서의 *은, 벤젠환일 경우에는 화합물의 골격구조에 포함되는 벤젠환인 것을 의미하고, 페닐일 경우에는 화합물의 골격구조에 치환되는 결합손을 의미한다.The cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and the substituent may be any one selected from the substituent group Z. Among these substituents, alkyl (for example, alkyl with 1 to 6 carbon atoms) and cycloalkyl (for example, cycloalkyl with 3 to 14 carbon atoms) are preferable. Additionally, it is also preferable that one of the hydrogens is replaced with halogen (for example, fluorine) or deuterium. Additionally, when cycloalkyl is substituted, it may be in a form of substitution that forms a spiro structure. For example, an example of a spiro structure formed in a cycloalkane condensed to one benzene ring (phenyl) is shown below. * in each structural formula means, in the case of a benzene ring, a benzene ring included in the skeletal structure of the compound, and in the case of phenyl, it means a bond substituted in the skeletal structure of the compound.
시클로알칸 축합의 형태로서는, 먼저, 식(1) 또는 식(2)으로 나타내어지는 구조 단위를 포함하는 구조를 갖는 다환방향족 화합물에 있어서의 B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환 각각에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환이 시클로알칸으로 축합된 형태를 들 수 있다. As a form of cycloalkane condensation, first, in a polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2), ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, Examples include forms in which the aryl ring and heteroaryl ring in each of the G ring, H ring, and I ring are condensed with cycloalkane.
시클로알칸 축합의 다른 형태로서는, 식(1) 또는 식(2)으로 나타내어지는 구조 단위를 포함하는 구조를 갖는 다환방향족 화합물이, 예를 들면, RNX가 시클로알칸으로 축합된 아릴인 >N-RNX, 시클로알칸으로 축합된 디아릴아미노(이 아릴 부분에 축합), 시클로알칸으로 축합된 카르바졸릴(이 벤젠환 부분에 축합) 또는 시클로알칸으로 축합된 벤조 카르바졸릴(이 벤젠환 부분에 축합)을 가지는 예를 들 수 있다. As another form of cycloalkane condensation, a polyaromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2), for example, >NR NX where R NX is an aryl condensed with cycloalkane. , diarylamino condensed with a cycloalkane (condensed at this aryl portion), carbazolyl condensed with a cycloalkane (condensed at this benzene ring portion), or benzocarbazolyl condensed with a cycloalkane (condensed at this benzene ring portion). ) can be given as an example.
또한, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물에 시클로알칸 구조를 도입함으로써, 융점이나 승화 온도의 저하를 더욱 기대할 수 있다. 이는, 높은 순도가 요구되는 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스용의 재료의 정제법으로서 거의 불가결한 승화 정제에 있어서, 비교적 저온으로 정제할 수 있기 때문에 재료의 열분해 등을 피할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 이는, 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스를 제작하는데 유력한 수단인 진공 증착 프로세스에 대해서도 마찬가지이며, 비교적 저온으로 프로세스를 실시할 수 있기 때문에, 재료의 열분해를 피할 수 있고, 결과적으로 고성능 유기 디바이스를 얻을 수 있다. 또한, 시클로알칸 구조의 도입에 의해 유기 용매로의 용해성이 향상되기 때문에, 도포 프로세스를 이용한 소자 제작에도 적용하는 것이 가능해진다. 단, 본 발명은 특히 이 원리에 한정되는 것은 아니다.Additionally, by introducing a cycloalkane structure into a polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2), a further decrease in melting point or sublimation temperature can be expected. This means that in sublimation purification, which is almost essential as a purification method for materials for organic devices such as organic EL elements that require high purity, thermal decomposition of the material can be avoided because purification can be done at a relatively low temperature. Additionally, this also applies to the vacuum deposition process, which is a powerful means for manufacturing organic devices such as organic EL elements. Since the process can be performed at a relatively low temperature, thermal decomposition of the material can be avoided, resulting in high-performance organic devices. You can get it. Additionally, since solubility in organic solvents is improved by introducing a cycloalkane structure, it becomes possible to apply it to device manufacturing using a coating process. However, the present invention is not particularly limited to this principle.
<중수소, 시아노, 또는 할로겐에 의한 치환> <Substitution by deuterium, cyano, or halogen>
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조중의 수소는, 그 모두 또는 일부가 중수소, 시아노, 또는 할로겐 이어도 된다. 식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 식으로 표현되는 구조도 마찬가지이고, 이 다음의 설명은 식(1-a)~식(1-l) 및 식(2-a)~식(2-l)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 식으로 표현되는 다환방향족 화합물에도 마찬가지로 적용된다. All or part of the hydrogen in the structure containing the structural unit expressed by formula (1) or formula (2) may be deuterium, cyano, or halogen. The same applies to a structure expressed by any formula selected from the group consisting of formulas (1-a) to formula (1-l) and formulas (2-a) to formula (2-l), and the following explanation is The same applies to polycyclic aromatic compounds expressed by any one formula selected from the group consisting of Formulas (1-a) to Formulas (1-l) and Formulas (2-a) to Formulas (2-l).
예를 들면, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조에 있어서는, B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환에 있어서의 아릴환 또는 헤테로아릴환, B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환에 있어서의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 치환기, 및, X가, >N-RNX, >C(-RCX)2, 또는 >Si(-RIX)2일 때의 RNX, RCX, 또는 RIX(=알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴)에 있어서의 수소가 중수소, 시아노 또는 할로겐으로 치환될 수 있지만, 이들중에서도 아릴이나 헤테로아릴에 있어서의 모든 또는 일부의 수소가 중수소, 시아노, 또는 할로겐으로 치환된 양태를 들 수 있다. 할로겐은, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이며, 바람직하게는 불소, 염소, 또는 브롬, 보다 바람직하게는 불소 또는 염소이며, 불소가 더욱 바람직하다. 또 내구성의 관점에서, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조중의 수소는, 그 모두 또는 일부가 중수소화되고 있는 것도 바람직하다. For example, in the structure containing the structural unit represented by formula (1) or formula (2), ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring Aryl ring or heteroaryl ring, B ring, C ring, D ring, E ring, F ring, G ring, H ring, and substituents of aryl ring or heteroaryl ring in I ring, and Hydrogen in R NX , R CX , or R IX (=alkyl, cycloalkyl, aryl, or heteroaryl) when NR NX , >C(-R CX ) 2 , or >Si(-R IX ) 2 may be substituted with deuterium, cyano, or halogen, but among these, an embodiment in which all or part of the hydrogen in aryl or heteroaryl is substituted with deuterium, cyano, or halogen can be mentioned. Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine, preferably fluorine, chlorine, or bromine, more preferably fluorine or chlorine, and fluorine is more preferable. Also, from the viewpoint of durability, it is preferable that all or part of the hydrogen in the structure containing the structural unit expressed by formula (1) or formula (2) is deuterated.
<본 발명의 다환방향족 화합물 구체예> <Specific examples of polycyclic aromatic compounds of the present invention>
본 발명의 다환방향족 화합물 구체예로서, 하기 구조식 중 어느 하나로 표현되는 화합물을 들 수 있다. Specific examples of the polycyclic aromatic compound of the present invention include compounds represented by any of the following structural formulas.
<다환방향족 화합물의 고분자량화의 설명> <Explanation of high molecular weight of polycyclic aromatic compounds>
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은, 이것에 반응성 치환기가 치환한 반응성 화합물을 모노머로서 고분자화시킨 고분자 화합물(이 고분자 화합물을 얻기 위한 상기 모노머는 중합성 치환기를 가진다), 또는 해당 고분자 화합물을 더 가교시킨 고분자 가교체(이 고분자 가교체를 얻기 위한 상기 고분자 화합물은 가교성 치환기를 가진다), 또는, 주사슬형 고분자와 상기 반응성 화합물을 반응시킨 펜던트형 고분자 화합물(이 펜던트형 고분자 화합물을 얻기 위한 상기 반응성 화합물은 반응성 치환기를 가진다), 또는 해당 펜던트형 고분자 화합물을 더 가교시킨 펜던트형 고분자 가교체(이 펜던트형 고분자 가교체를 얻기 위한 상기 펜던트형 고분자 화합물은 가교성 치환기를 가진다)로서도, 유기 디바이스용 재료, 예를 들면, 유기 전계 발광 소자용 재료, 유기 전계 효과 트랜지스터용 재료, 유기 박막 태양 전지용 재료, 또는 파장 변환 필터에 사용할 수 있다.A polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by Formula (1) or Formula (2) is a polymer compound obtained by polymerizing a reactive compound substituted with a reactive substituent as a monomer (see above for obtaining this polymer compound). monomer has a polymerizable substituent), or a polymer crosslinked product obtained by further crosslinking the polymer compound (the polymer compound to obtain this polymer crosslinked product has a crosslinkable substituent), or a main chain polymer and the reactive compound A reacted pendant-type polymer compound (the reactive compound to obtain this pendant-type polymer compound has a reactive substituent), or a pendant-type polymer cross-linked product further crosslinked with the pendant-type polymer compound (to obtain this pendant-type polymer cross-linked product) The pendant polymer compound has a crosslinkable substituent) and can also be used as a material for organic devices, such as a material for an organic electroluminescent device, a material for an organic field effect transistor, a material for an organic thin film solar cell, or a wavelength conversion filter. there is.
한편, 본명세서에 있어서, 「고분자 화합물」이란, 분자량 분포를 가지고, 또한 폴리스티렌 환산의 수평균 분자량이 1X103~1X108(1X10^3~1X10^8)인 중합체를 의미한다. 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수평균 분자량(Mn)은, 이동상에 테트라히드로푸란을 사용하고, 크기 배제 크로마토그래피(SEC)에 의해 구할 수 있다. 구체적으로는 측정하는 고분자 화합물을 약 0.05질량%의 농도로 테트라히드로푸란에 용해시키고, SEC에 10μL 주입한다. 이동상의 유량은, 1.0mL/분, 컬럼으로서는 PLgelMIXED_B(폴리머 래버러토리즈제)를 사용한다. 검출기에는 UV_VIS 검출기(토소제, 상품명:UV-8320GPC)를 사용할 수 있다.Meanwhile, in the present specification, “polymer compound” means a polymer that has a molecular weight distribution and a number average molecular weight of 1X10 3 to 1X10 8 (1X10^3 to 1X10^8) in terms of polystyrene. The number average molecular weight (Mn) of a polymer compound in terms of polystyrene can be determined by size exclusion chromatography (SEC) using tetrahydrofuran as the mobile phase. Specifically, the polymer compound to be measured is dissolved in tetrahydrofuran at a concentration of about 0.05% by mass, and 10 μL is injected into the SEC. The flow rate of the mobile phase is 1.0 mL/min, and PLgelMIXED_B (manufactured by Polymer Laboratories) is used as a column. A UV_VIS detector (Tosoh, brand name: UV-8320GPC) can be used as the detector.
본 발명의 고분자 화합물은 수평균 분자량이 2000~1X108인 것이 바람직하고, 5000~1X108인 것이 보다 바람직하다.The polymer compound of the present invention preferably has a number average molecular weight of 2000 to 1X10 8 , and more preferably 5000 to 1X10 8 .
상술한 반응성 치환기(상기 중합성 치환기, 상기 가교성 치환기, 및, 펜던트형 고분자를 얻기 위한 반응성 치환기를 포함하고, 이하, 간단히 「반응성 치환기」라고도 말한다)로서는, 상기 다환방향족 화합물을 고분자량화할 수 있는 치환기, 그와 같이 하여 얻어진 고분자 화합물을 더 가교화할 수 있는 치환기, 또한, 주사슬형 고분자에 펜던트 반응할 수 있는 치환기라면 특별히 한정되지 않지만, 이하의 구조의 치환기가 바람직하다. 각 구조식 중의 *은 결합 위치를 나타낸다.The above-mentioned reactive substituent (including the polymerizable substituent, the crosslinkable substituent, and the reactive substituent for obtaining a pendant polymer, hereinafter also simply referred to as “reactive substituent”) can increase the molecular weight of the polycyclic aromatic compound. There is no particular limitation as long as it is a substituent that is present, a substituent that can further crosslink the polymer compound thus obtained, and a substituent that can pendantly react with the main chain polymer, but a substituent with the following structure is preferable. * in each structural formula indicates the binding position.
L은, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, >C=O, -O-C(=O)-, 탄소수 1~12의 알킬렌, 탄소수 1~12의 옥시알킬렌 및 탄소수 1~12의 폴리옥시알킬렌이다. 상기 치환기 중에서도, 식(XLS-1), 식(XLS-2), 식(XLS-3), 식(XLS-9), 식(XLS-10) 또는 식(XLS-17)으로 나타내어지는 기가 바람직하고, 식(XLS-1), 식(XLS-3) 또는 식(XLS-17)으로 나타내어지는 기가 보다 바람직하다.L is each independently a single bond, -O-, -S-, >C=O, -O-C(=O)-, alkylene with 1 to 12 carbon atoms, oxyalkylene with 1 to 12 carbon atoms, and 1 carbon atom It is a polyoxyalkylene of ~12. Among the above substituents, groups represented by formula (XLS-1), formula (XLS-2), formula (XLS-3), formula (XLS-9), formula (XLS-10), or formula (XLS-17) are preferable. And, the group represented by formula (XLS-1), formula (XLS-3), or formula (XLS-17) is more preferable.
이러한 고분자 화합물, 고분자 가교체, 펜던트형 고분자 화합물, 및 펜던트형 고분자 가교체는, 식(1) 또는 식(2)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 되는 다환방향족 화합물의 반복 단위 이외에도, 치환 또는 무치환의 트리아릴아민, 치환 또는 무치환의 플루오렌, 치환 또는 무치환의 안트라센, 치환 또는 무치환의 테트라센, 치환 또는 무치환의 트리아진, 치환 또는 무치환의 카르바졸, 치환 또는 무치환의 테트라페닐실란, 치환 또는 무치환의 스피로 플루오렌, 치환 또는 무치환의 트리페닐포스핀, 치환 또는 무치환의 디벤조티오펜, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸란으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 반복 단위로서 포함해도 된다.These polymer compounds, polymer cross-linked products, pendant-type polymer compounds, and pendant-type polymer cross-linked products include in addition to the repeating units of the polycyclic aromatic compound consisting of one or two or more structural units represented by formula (1) or formula (2). , substituted or unsubstituted triarylamine, substituted or unsubstituted fluorene, substituted or unsubstituted anthracene, substituted or unsubstituted tetracene, substituted or unsubstituted triazine, substituted or unsubstituted carbazole, substituted or from the group consisting of unsubstituted tetraphenylsilane, substituted or unsubstituted spirofluorene, substituted or unsubstituted triphenylphosphine, substituted or unsubstituted dibenzothiophene, and substituted or unsubstituted dibenzofuran. At least one selected type may be included as a repeating unit.
이들 반복 단위에 있어서의 치환기로서는, 예를 들면, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디아릴보릴(2개의 아릴은 단결합 또는 연결기를 통해 결합하고 있어도 된다), 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 트리아릴실릴, 트리알킬실릴, 트리시클로알킬실릴, 디알킬시클로알킬실릴, 또는 알킬디시클로알킬실릴 등을 들 수 있다. 트리아릴아민의 「아릴」이나, 이들 치환기의 상세에 대해서는, 식(1) 및 식(2)에 있어서의 설명을 인용할 수 있다.Substituents in these repeating units include, for example, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, and diarylboryl (two aryls may be bonded through a single bond or a linking group. ), alkyl, cycloalkyl, alkoxy, aryloxy, trialrylsilyl, trialkylsilyl, tricycloalkylsilyl, dialkylcycloalkylsilyl, or alkyldicycloalkylsilyl. For details about “aryl” of triarylamine and these substituents, the explanations in Formulas (1) and (2) can be cited.
<다환방향족 화합물의 제조방법> <Method for producing polycyclic aromatic compounds>
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은, 기본적으로는, 먼저 a환, 및 B~I환(b~i환)을 연결기로 결합시키는 것에 의해 중간체 1을 제조하고(제1 반응), B환(b환)과 G환(g환) 및 I환(i환)과, E환(e환)과 F환(f환) 및 H환(h환)을 붕소로 결합시킴으로써 축합환을 형성해서 중간체 2를 얻고(제2 반응), 그 후에, a환, 및 B~I환(b~i환)을 포함하는 축합환을 붕소로 결합시킴으로써 최종 생성물을 제조할 수 있다(제3반응). A polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2) is basically formed by first bonding the a ring and the B to I ring (b to i ring) with a linking group. Intermediate 1 is prepared (first reaction), B ring (b ring), G ring (g ring), I ring (i ring), E ring (e ring), F ring (f ring), and H ring. (h ring) is bonded with boron to form a condensed ring to obtain intermediate 2 (second reaction), and then the condensed ring including the a ring and B to I rings (b to i rings) is bonded to boron. The final product can be manufactured by doing this (third reaction).
제1 반응에서는 버치왈드-하트윅 반응, 구핵 치환 반응, 골드버그 반응과 같은 일반적 반응을 이용할 수 있다. 또한, 제2 반응 및 제3 반응에서는, 탠덤 헤테로 프리델 크래프츠 반응(연속적인 방향족 구전자 치환 반응, 이하 마찬가지임)을 이용할 수 있다. 일 예를 스킴(0)에 나타낸다. In the first reaction, general reactions such as Birchwald-Hartwig reaction, nucleophilic substitution reaction, and Goldberg reaction can be used. Additionally, in the second and third reactions, a tandem hetero Friedel Crafts reaction (successive aromatic electron substitution reaction, the same applies hereinafter) can be used. An example is shown in scheme (0).
제2 반응은, 하기 스킴(1)이나 (2)에 나타낸 바와 같이, B환(b환)과 G환(g환) 및 I환(i환)과, E환(e환)과 F환(f환) 및 H환(h환)을 결합하는 붕소를 도입하는 반응이다. 중간체의 할로겐을 n-부틸리튬, sec-부틸리튬 또는 t-부틸리튬 등에 의해 할로겐-메탈 교환하고, 이어서, 붕소화제를 가해서 리튬-붕소의 금속교환을 행한 후, 브뢴스테드 염기의 첨가에 의해 탠덤 보라 프리델 크래프츠 반응시켜, 제3 반응의 전구체가 되는 중간체 2를 얻을 수 있다. The second reaction is, as shown in scheme (1) or (2) below, the B ring (b ring), the G ring (g ring), and the I ring (i ring), and the E ring (e ring) and F ring. This is a reaction that introduces boron that bonds the (f ring) and H ring (h ring). The halogen in the intermediate is halogen-metal exchanged with n-butyllithium, sec-butyllithium, or t-butyllithium, and then a boronating agent is added to perform lithium-boron metal exchange, followed by addition of a Brønsted base. By conducting a tandem Bora Friedel Crafts reaction, Intermediate 2, which becomes a precursor for the third reaction, can be obtained.
제3 반응은, 하기 스킴(1)이나 (2)에 나타낸 바와 같이, a환, 및 B~I환(b~i환)을 포함하는 축합환을 결합하는 붕소를 도입하는 반응이다. 중간체에 삼브롬화붕소나 삼요오드화붕소 등의 붕소화제, 및 N,N-디이소프로필에틸아민이나 2,6-디-터셔리부틸피리딘 등의 브뢴스테드 염기를 가함으로써, 탠덤 보라 프리델 크래프츠 반응시켜, 목적물을 얻을 수 있다. 제3 반응에 있어서는 반응을 촉진시키기 위해서 삼염화알루니늄 등의 루이스산을 가해도 된다. The third reaction is a reaction to introduce boron that binds the condensed ring including the a ring and the B to I rings (b to i rings), as shown in scheme (1) or (2) below. By adding a boronating agent such as boron tribromide or boron triiodide and a Bronsted base such as N,N-diisopropylethylamine or 2,6-di-tertiarybutylpyridine to the intermediate, tandem Bora Friedel Crafts By reacting, the target product can be obtained. In the third reaction, a Lewis acid such as aluminum trichloride may be added to promote the reaction.
한편, 상기 스킴(0) 및 하기 스킴중의 할로겐원자(Hal)는, F, Cl, Br, I 중 어느 것이라도 되고, 기질의 반응성을 고려해서 적당히 선택할 수 있다. Meanwhile, the halogen atom (Hal) in the above scheme (0) and the schemes below may be any of F, Cl, Br, and I, and can be appropriately selected in consideration of the reactivity of the substrate.
중간체 등을 나타내는 식에 있어서의 B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환에 있어서, 하기 식(IntC1)의 화살표 부분과 같이 결합을 표시하지 않은 부위에는 하기 식(IntC2)의 기재와 같이 수소가 결합하고 있는 것으로 한다. In the B ring, C ring, D ring, E ring, F ring, G ring, H ring, and I ring in the formula representing the intermediate, etc., the bond is not indicated as indicated by the arrow in the formula (IntC1) below. It is assumed that hydrogen is bonded to the site as shown in the formula (IntC2) below.
상기 스킴(1)이나 (2)는, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 1개 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물의 제조방법을 주로 나타내고 있지만, 상기 구조단위를 2개 이상 포함하는 다환방향족 화합물에 대해서는, 복수의 a환, 및 B~I환(b~i환)을 가지는 중간체를 사용함으로써 제조할 수 있다. The above scheme (1) or (2) mainly shows a method for producing a polycyclic aromatic compound having a structure containing one structural unit represented by formula (1) or formula (2), but two structural units are used. The polycyclic aromatic compounds included above can be produced by using an intermediate having a plurality of a rings and B to I rings (b to i rings).
사용하는 원료를 적당히 선택함으로써, 원하는 위치에 치환기를 가지는 다환방향족 화합물을 합성할 수 있다. By appropriately selecting the raw materials to be used, a polycyclic aromatic compound having a substituent at a desired position can be synthesized.
이상의 반응에서 사용되는 용매의 구체예는, 톨루엔, t-부틸 벤젠이나 크실렌 등이다. Specific examples of solvents used in the above reaction include toluene, t-butyl benzene, and xylene.
한편, 상기 스킴(1) 및 (2)에서 사용하는 오르토메탈화 시약으로서는, 메틸 리튬, n-부틸리튬, sec-부틸리튬, t-부틸리튬 등의 알킬 리튬, 리튬디이소프로필아미드, 리튬테트라메틸피페리디드, 리튬헥사메틸디실라지드, 칼륨헥사메틸디실라지드 등의 유기 알칼리 금속 화합물을 들 수 있다. On the other hand, as the orthometalation reagent used in the schemes (1) and (2), alkyl lithium such as methyl lithium, n-butyllithium, sec-butyllithium, and t-butyllithium, lithium diisopropylamide, and lithium tetra. Organic alkali metal compounds such as methyl piperidide, lithium hexamethyl disilazide, and potassium hexamethyl disilazide can be mentioned.
한편, 상기 스킴(1) 및 (2)에서 사용하는 메탈-붕소의 금속교환 시약으로서는, 삼불화붕소, 삼염화붕소, 삼브롬화붕소, 삼요오드화붕소 등의 붕소의 할로겐화물, 붕소의 알콕시화물, 붕소의 아릴옥시화물 등을 들 수 있다. On the other hand, as the metal-boron metal exchange reagent used in the above schemes (1) and (2), boron halides such as boron trifluoride, boron trichloride, boron tribromide, and boron triiodide, boron alkoxides, and boron Aryloxy compounds, etc. are mentioned.
한편, 상기 스킴(1) 및 (2)로 사용하는 브뢴스테드 염기로서는, 2,6-디-터셔리부틸피리딘, N,N-디이소프로필에틸아민, 트리에틸아민, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딘, N,N-디메틸아닐린, N,N-디메틸톨루이딘, 2,6-루티딘, 테트라페닐붕산나트륨, 테트라페닐붕산칼륨, 트리페닐보란, 테트라페닐실란, Ar4BNa, Ar4BK, Ar3B, Ar4Si(또한, Ar은 페닐 등의 아릴) 등을 들 수 있다.Meanwhile, the Bronsted base used in the above schemes (1) and (2) include 2,6-di-tertiarybutylpyridine, N,N-diisopropylethylamine, triethylamine, 2,2,6 ,6-Tetramethylpiperidine, 1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine, N,N-dimethylaniline, N,N-dimethyltoluidine, 2,6-lutidine, sodium tetraphenyl borate , potassium tetraphenylborate, triphenylborane, tetraphenylsilane, Ar 4 BNa, Ar 4 BK, Ar 3 B, Ar 4 Si (where Ar is an aryl such as phenyl).
상기 스킴(1) 및 (2)에서 사용하는 루이스 산으로서는, AlCl3, AlBr3, AlF3, BF3·OEt2, BCl3, BBr3, BI3, GaCl3, GaBr3, InCl3, InBr3, In(OTf)3, SnCl4, SnBr4, AgOTf, ScCl3, Sc(OTf)3, ZnCl2, ZnBr2, Zn(OTf)2, MgCl2, MgBr2, Mg(OTf)2, LiOTf, NaOTf, KOTf, Me3SiOTf, Cu(OTf)2, CuCl2, YCl3, Y(OTf)3, TiCl4, TiBr4, ZrCl4, ZrBr4, FeCl3, FeBr3, CoCl3, CoBr3 등을 들 수 있다.Lewis acids used in the schemes (1) and (2) include AlCl 3 , AlBr 3 , AlF 3 , BF 3 ·OEt 2 , BCl 3 , BBr 3 , BI 3 , GaCl 3 , GaBr 3 , InCl 3 , InBr 3 , In(OTf) 3 , SnCl 4 , SnBr 4 , AgOTf, ScCl 3 , Sc(OTf) 3 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , Zn(OTf) 2 , MgCl 2 , MgBr 2 , Mg(OTf) 2 , LiOTf , NaOTf, KOTf, Me 3 SiOTf, Cu(OTf) 2 , CuCl 2 , YCl 3 , Y(OTf) 3 , TiCl 4 , TiBr 4 , ZrCl 4 , ZrBr 4 , FeCl 3 , FeBr 3 , CoCl 3 , CoBr 3 etc. can be mentioned.
상기 스킴(1) 및 (2)에서는, 탠덤 헤테로 프리델 크래프츠 반응의 촉진을 위해서 브뢴스테드 염기 또는 루이스 산을 사용해도 된다. 단, 삼불화붕소, 삼염화붕소, 삼브롬화붕소, 삼요오드화붕소 등의 붕소의 할로겐화물을 사용한 경우에는, 방향족 구전자 치환 반응의 진행과 함께, 불화수소, 염화수소, 브롬화수소, 요오드화수소와 같은 산이 생성되기 때문에, 산을 포착하는 브뢴스테드 염기의 사용이 효과적이다. 한편, 붕소의 아미노화 할로겐화물, 붕소의 알콕시화물을 사용한 경우에는, 방향족 구전자 치환 반응의 진행과 함께, 아민, 알코올이 생성되기 때문에, 대부분의 경우, 브뢴스테드 염기를 사용할 필요는 없지만, 아미노나 알콕시의 탈리 능력이 낮기 때문에, 그 탈리를 촉진하는 루이스 산의 사용이 효과적이다.In the above schemes (1) and (2), a Bronsted base or Lewis acid may be used to promote the tandem hetero Friedel-Crafts reaction. However, when using boron halides such as boron trifluoride, boron trichloride, boron tribromide, and boron triiodide, acids such as hydrogen fluoride, hydrogen chloride, hydrogen bromide, and hydrogen iodide are formed as the aromatic electron substitution reaction progresses. Because it is produced, the use of a Brønsted base to capture the acid is effective. On the other hand, when an aminated halide of boron or an alkoxylate of boron is used, amines and alcohols are produced as the aromatic electron substitution reaction progresses, so in most cases, there is no need to use a Brønsted base. Since the detachment ability of amino or alkoxy is low, the use of a Lewis acid that promotes detachment is effective.
또한, 본 발명의 다환방향족 화합물에는, 적어도 일부의 수소원자가 중수소로 치환되어 있는 것이나 불소나 염소 등의 할로겐으로 치환되어 있는 것도 포함되는데, 이러한 화합물 등은 원하는 위치가 중수소화, 불소화 또는 염소화된 원료를 사용함으로써, 상기와 마찬가지로 합성할 수 있다.In addition, the polycyclic aromatic compounds of the present invention include those in which at least some of the hydrogen atoms are substituted with deuterium or those in which at least some of the hydrogen atoms are substituted with halogens such as fluorine or chlorine. These compounds are made from raw materials in which the desired position is deuterated, fluorinated, or chlorinated. It can be synthesized in the same manner as above by using .
2.유기2. Organic 디바이스device
본 발명의 다환방향족 화합물은, 유기 디바이스용 재료로서 사용할 수 있다. 유기 디바이스로서는, 예를 들면, 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막태양전지 등을 들 수 있다. The polycyclic aromatic compound of the present invention can be used as a material for organic devices. Examples of organic devices include organic electroluminescent elements, organic field-effect transistors, and organic thin-film solar cells.
본 발명에 관한 다환방향족 화합물은, 유기 디바이스용 재료로서 사용할 수 있다. 유기 디바이스로서는, 예를 들면, 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막태양전지 등을 들 수 있지만, 유기 전계 발광 소자인 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 다환방향족 화합물은, 유기 전계 발광 소자 재료인 것이 바람직하고, 발광층용 재료(발광재료)인 것이 보다 바람직하고, 발광층의 도펀트 재료인 것이 가장 바람직하다. The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used as a material for organic devices. Examples of organic devices include organic electroluminescent devices, organic field-effect transistors, and organic thin-film solar cells, but it is preferable that they are organic electroluminescent devices. The polycyclic aromatic compound according to the present invention is preferably an organic electroluminescent device material, more preferably a material for a light-emitting layer (light-emitting material), and most preferably a dopant material for the light-emitting layer.
2-1. 유기 2-1. abandonment 전계electric field 발광 소자 light emitting element
유기 전계 발광 소자는, 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 해당 한 쌍의 전극간에 배치되는 발광층을 가진다. 유기 전계 발광 소자는, 다른 유기층을 더 가지고 있어도 된다. An organic electroluminescent element has a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and a light-emitting layer disposed between the pair of electrodes. The organic electroluminescent element may further have other organic layers.
2-1-1. 유기 2-1-1. abandonment 전계electric field 발광 소자의 구조 Structure of light emitting device
도 1은, 유기 EL 소자의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic EL device.
도 1에 나타내어진 유기 EL 소자(100)는, 기판(101)과, 기판(101) 상에 설치된 양극(102)과, 양극(102) 상에 설치된 정공 주입층(103)과, 정공 주입층(103) 상에 설치된 정공 수송층(104)과, 정공 수송층(104) 상에 설치된 발광층(105)과, 발광층(105) 상에 설치된 전자 수송층(106)과, 전자 수송층(106) 상에 설치된 전자 주입층(107)과, 전자 주입층(107) 상에 설치된 음극(108)을 갖는다. The organic EL device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 101, an anode 102 provided on the substrate 101, a hole injection layer 103 provided on the anode 102, and a hole injection layer. A hole transport layer 104 provided on (103), a light-emitting layer 105 provided on the hole transport layer 104, an electron transport layer 106 provided on the light-emitting layer 105, and an electron provided on the electron transport layer 106. It has an injection layer 107 and a cathode 108 provided on the electron injection layer 107.
또한, 유기 EL 소자(100)는, 제작 순서를 반대로 하여, 예를 들면, 기판(101)과, 기판(101) 상에 설치된 음극(108)과, 음극(108) 상에 설치된 전자 주입층(107)과, 전자 주입층(107) 상에 설치된 전자 수송층(106)과, 전자 수송층(106) 상에 설치된 발광층(105)과, 발광층(105) 상에 설치된 정공 수송층(104)과, 정공 수송층(104) 상에 설치된 정공 주입층(103)과, 정공 주입층(103) 상에 설치된 양극(102)을 가지는 구성으로 해도 된다. In addition, the organic EL element 100 reverses the manufacturing order, for example, a substrate 101, a cathode 108 provided on the substrate 101, and an electron injection layer provided on the cathode 108 ( 107), an electron transport layer 106 provided on the electron injection layer 107, a light emitting layer 105 provided on the electron transport layer 106, a hole transport layer 104 provided on the light emitting layer 105, and a hole transport layer. It may be configured to include a hole injection layer 103 provided on (104) and an anode 102 provided on the hole injection layer 103.
상기 각 층 모두가 없으면 안되는 것은 아니고, 최소 구성 단위를 양극(102)과 발광층(105)과 음극(108)으로 이루어지는 구성으로서, 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송층(106), 전자 주입층(107)은 임의로 설치되는 층이다. 또한, 상기 각 층은, 각각 단일층으로 이루어져도 되고, 복수층으로 이루어져도 된다. It is not necessary to have all of the above layers, and the minimum structural unit is composed of an anode 102, a light emitting layer 105, and a cathode 108, and a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, and an electron transport layer 106. ), the electron injection layer 107 is a layer installed arbitrarily. In addition, each of the above layers may be composed of a single layer or may be composed of multiple layers.
유기 EL 소자를 구성하는 층의 양태로서는, 상술하는 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」의 구성 양태의 이외에, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자 주입층/음극」의 구성 양태여도 된다. As aspects of the layers constituting the organic EL element, in addition to the above-mentioned “substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole transport layer/cathode” Light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron injection layer” /cathode”, “substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole transport layer/light emitting layer” /electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole injection layer” /light-emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/light-emitting layer/electron transport layer/cathode”, or “substrate/anode/light-emitting layer/electron injection layer/cathode” may be used.
유기 EL 소자는 전자저지층(전자 블로킹층) 및 정공저지층(정공 블로킹층)으로부터 선택되는 어느 하나 또는 쌍방을 가지고 있어도 된다. 전자저지층은 발광층보다 얕은 LUMO 및 발광층 또는 정공수송층에 가까운 HOMO를 가지고, 발광층과 정공수송층의 사이에 배치된다. 전자가 발광층내에 머물러 정공수송층으로 새어 나오지 않기 때문에, 정공수송층의 열화에 의한 단수명화와 재결합 효율 저하에 의한 효율의 저하를 막을 수 있다. 정공저지층은 발광층보다 깊은 HOMO 및 발광층 또는 정공수송층에 가까운 LUMO를 가지고, 발광층과 전자수송층의 사이에 배치된다. 정공이 발광층내에 머물러 전자수송층으로 새어 나오지 않기 때문에, 전자수송층의 열화에 의한 단수명화와 재결합 효율 저하에 의한 효율의 저하를 막을 수 있다. 정공주입·수송층이 전자저지층을 겸하고 있어도 된다. 전자주입·수송층이 정공저지층을 겸하고 있어도 된다. The organic EL element may have one or both of an electron blocking layer (electron blocking layer) and a hole blocking layer (hole blocking layer). The electron blocking layer has a LUMO shallower than that of the light-emitting layer and a HOMO closer to the light-emitting layer or the hole transport layer, and is disposed between the light-emitting layer and the hole transport layer. Since electrons remain in the light-emitting layer and do not leak out to the hole transport layer, shortening of the lifespan due to deterioration of the hole transport layer and reduction in efficiency due to a decrease in recombination efficiency can be prevented. The hole blocking layer has a HOMO that is deeper than the light-emitting layer and a LUMO that is closer to the light-emitting layer or the hole transport layer, and is disposed between the light-emitting layer and the electron transport layer. Since the holes remain in the light-emitting layer and do not leak out to the electron transport layer, shortening of the lifespan due to deterioration of the electron transport layer and reduction in efficiency due to a decrease in recombination efficiency can be prevented. The hole injection/transport layer may also serve as an electron blocking layer. The electron injection/transport layer may also serve as a hole blocking layer.
유기 EL 소자는 고T1층을 더 가지고 있어도 된다. 고T1층은, 발광층에 사용되는 호스트 화합물, 어시스팅 도펀트 화합물 또는 이미팅 도펀트 화합물보다 높은 T1을 가지고, 발광층과 정공수송층의 사이 및/또는 발광층과 전자저지층의 사이에 배치된다. T1에너지의 값은 소자의 발광기구에 따라 다르지만, 호스트에 사용되는 화합물보다 높은 T1을 가진다. 발광층의 주위에 고T1층을 가짐으로써, 삼중항 에너지를 가두고, 통상 형광분자에서는 발광으로 연결되지 않는 삼중항 에너지를 일중항 에너지로 변환하여, 높은 효율을 얻을 수 있다. 정공주입·수송층 또는 전자저지층이 고T1층을 겸하고 있어도 된다. 전자주입·수송층 또는 정공저지층이 고T1층을 겸하고 있어도 된다.The organic EL element may further have a high T1 layer. The high T1 layer has a T1 higher than that of the host compound, assisting dopant compound, or emitting dopant compound used in the light emitting layer, and is disposed between the light emitting layer and the hole transport layer and/or between the light emitting layer and the electron blocking layer. The value of T1 energy varies depending on the light emitting mechanism of the device, but has a higher T1 than the compound used as the host. By having a high T1 layer around the light-emitting layer, triplet energy is confined and triplet energy, which does not normally lead to light emission in fluorescent molecules, is converted into singlet energy, thereby achieving high efficiency. The hole injection/transport layer or the electron blocking layer may also serve as the high T1 layer. The electron injection/transport layer or the hole blocking layer may also serve as the high T1 layer.
2-1-2. 유기 2-1-2. abandonment 전계electric field 발광 radiation 소자에 있어서의in the device 기판 Board
기판(101)은, 유기 EL 소자(100)의 지지체이며, 통상, 석영, 유리, 금속, 플라스틱 등이 사용된다. 기판(101)은, 목적에 따라 판상, 필름상, 또는 시트상으로 형성되고, 예를 들면, 유리판, 금속판, 금속박, 플라스틱 필름, 플라스틱 시트 등이 사용된다. 그 중에서도, 유리판, 및, 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리설폰 등의 투명한 합성 수지제의 판이 바람직하다. 유리 기판인 경우에는, 소다 석회 유리나 무알칼리 유리 등이 사용되며, 또한, 두께도 기계적 강도를 유지하는 데에 충분한 두께이면 된다. 또한, 기판(101)에는, 가스 배리어성을 높이기 위해, 적어도 편면(片面)에 치밀한 실리콘 산화막 등의 가스 배리어 막을 형성해도 되고, 특히 가스 배리어성이 낮은 합성 수지제의 판, 필름 또는 시트를 기판(101)으로 사용하는 경우에는 가스 배리어 막을 형성하는 것이 바람직하다. The substrate 101 is a support for the organic EL element 100, and usually quartz, glass, metal, plastic, etc. are used. The substrate 101 is formed in a plate shape, a film shape, or a sheet shape depending on the purpose, and for example, a glass plate, a metal plate, a metal foil, a plastic film, a plastic sheet, etc. are used. Among them, glass plates and plates made of transparent synthetic resins such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone are preferable. In the case of a glass substrate, soda lime glass, alkali-free glass, etc. are used, and the thickness may be sufficient to maintain mechanical strength. In addition, in order to increase the gas barrier property, the substrate 101 may be formed with a gas barrier film such as a dense silicon oxide film on at least one side. In particular, a plate, film or sheet made of synthetic resin with low gas barrier property may be used as the substrate. When using (101), it is desirable to form a gas barrier film.
2-1-3. 유기 2-1-3. abandonment 전계electric field 발광 radiation 소자에 있어서의in the device 양극 anode
양극(102)은, 발광층(105)에 정공을 주입하는 역할을 한다. 한편, 양극(102)과 발광층(105)과의 사이에 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104) 중 적어도 하나의 층이 설치되어 있는 경우에는, 이들을 통해 발광층(105)에 정공을 주입하게 된다.The anode 102 serves to inject holes into the light emitting layer 105. On the other hand, when at least one of the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 is provided between the anode 102 and the light emitting layer 105, holes are injected into the light emitting layer 105 through these layers. do.
양극(102)을 형성하는 재료로서는, 무기 화합물 및 유기 화합물을 들 수 있다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 금속(알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 크롬 등), 금속 산화물(인듐의 산화물, 주석의 산화물, 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등), 할로겐화 금속(요오드화 구리 등), 황화 구리, 카본블랙, ITO 유리나 네사 유리 등을 들 수 있다. 유기 화합물로서는, 예를 들면, 폴리(3-메틸티오펜) 등의 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 그 밖에, 유기 EL 소자의 양극으로서 사용되고 있는 물질 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다.Materials forming the anode 102 include inorganic compounds and organic compounds. Inorganic compounds include, for example, metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, etc.), metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO) etc.), halogenated metals (copper iodide, etc.), copper sulfide, carbon black, ITO glass, Nesa glass, etc. Examples of organic compounds include polythiophenes such as poly(3-methylthiophene), and conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. In addition, it can be used by appropriately selecting from among materials used as anodes for organic EL devices.
2-1-4. 유기 2-1-4. abandonment 전계electric field 발광 radiation 소자에 있어서의in the device 정공 hole 주입층injection layer , 정공 , hole 수송층transport layer
정공 주입층(103)은, 양극(102)으로부터 이동해 오는 정공을, 효율적으로 발광층(105) 내 또는 정공 수송층(104) 내로 주입하는 역할을 한다. 정공 수송층(104)은, 양극(102)으로부터 주입된 정공 또는 양극(102)으로부터 정공 주입층(103)을 통해 주입된 정공을, 효율적으로 발광층(105)으로 수송하는 역할을 한다. 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)은, 각각, 정공 주입·수송 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층 또는 혼합에 의해 형성된다. 또한, 정공 주입·수송 재료에 염화철(III)과 같은 무기염을 첨가하여 층을 형성해도 된다. The hole injection layer 103 serves to efficiently inject holes moving from the anode 102 into the light emitting layer 105 or the hole transport layer 104. The hole transport layer 104 serves to efficiently transport holes injected from the anode 102 or holes injected from the anode 102 through the hole injection layer 103 to the light emitting layer 105. The hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 are formed by laminating or mixing one or two or more types of hole injection/transport materials, respectively. Additionally, an inorganic salt such as iron (III) chloride may be added to the hole injection/transport material to form a layer.
정공 주입·수송성 물질로서는 전계가 가해진 전극 사이에서 정극(正極)으로부터의 정공을 효율적으로 주입·수송하는 것이 필요하고, 정공 주입 효율이 높고, 주입된 정공을 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 그러기 위해서는 이온화 포텐셜이 작고, 게다가 정공 이동도가 크고, 더욱 안정성이 우수하며, 트랩이 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. As a hole injection/transport material, it is necessary to efficiently inject and transport holes from the positive electrode between electrodes to which an electric field is applied, and it is desirable to have high hole injection efficiency and efficiently transport the injected holes. To achieve this, it is desirable to use a material that has a small ionization potential, has a large hole mobility, has excellent stability, and is unlikely to generate trapping impurities during production and use.
정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)을 형성하는 재료로서는, 광도전 재료에 있어서, 정공의 전하 수송 재료로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, p형 반도체, 유기 EL 소자의 정공 주입층 및 정공 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의의 화합물을 선택하여 사용할 수 있다. 이들의 구체예는, 카르바졸 유도체(N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등), 비스(N-아릴카르바졸) 또는 비스(N-알킬카르바졸) 등의 비스카르바졸 유도체, 트리아릴아민 유도체(방향족 제3급 아미노를 주사슬 또는 측사슬에 갖는 폴리머, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N4,N4 '-디페닐-N4,N4 '-비스(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, N4,N4,N4 ',N4'-테트라[1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민 등의 트리페닐 아민 유도체, 스타버스트아민 유도체 등), 스틸벤 유도체, 프탈로시아닌 유도체(무금속, 구리 프탈로시아닌 등), 피라졸린 유도체, 히드라존계 화합물, 벤조푸란 유도체나 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴녹살린 유도체(예를 들면, 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌-2,3,6,7,10,11-헥사카르보니트릴 등), 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물, 폴리실란 등이다. 폴리머계에서는 상기 단량체를 측사슬에 갖는 폴리카보네이트나 스티렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 및 폴리실란 등이 바람직하지만, 발광 소자의 제작에 필요한 박막을 형성하고, 양극으로부터 정공을 주입할 수 있으며, 나아가 정공을 수송할 수 있는 화합물이라면 특별히 한정되지 않는다. Materials forming the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 include compounds conventionally used as hole charge transport materials in photoconductive materials, p-type semiconductors, and hole injection layers and holes in organic EL devices. Any compound can be selected and used among known compounds used in the transport layer. Specific examples of these include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.), biscarbazole derivatives such as bis(N-arylcarbazole) or bis(N-alkylcarbazole), and triarylamine. Derivatives (polymers with aromatic tertiary amino in the main or side chain, 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane, N,N'-diphenyl-N,N'-di (3-methylphenyl)-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl -N,N'-di(3-methylphenyl)-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl-4,4'- Diphenyl-1,1'-diamine, N 4 ,N 4 ' -diphenyl-N 4 ,N 4 ' -bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-[1,1'-bi Phenyl]-4,4'-diamine, N 4 ,N 4 ,N 4 ' ,N 4' -tetra[1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]- Triphenylamine derivatives such as 4,4'-diamine, 4,4',4"-tris(3-methylphenyl(phenyl)amino)triphenylamine, starburstamine derivatives, etc.), stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives (free) metal, copper phthalocyanine, etc.), pyrazoline derivatives, hydrazone compounds, benzofuran derivatives or thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, quinoxaline derivatives (e.g. 1,4,5,8,9,12-hexaaza triphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile, etc.), heterocyclic compounds such as porphyrin derivatives, polysilanes, etc. In the polymer system, polycarbonate or styrene derivatives having the above-mentioned monomer in the side chain. , polyvinylcarbazole, polysilane, etc. are preferable, but there is no particular limitation as long as it is a compound that can form a thin film necessary for manufacturing a light-emitting device, can inject holes from the anode, and can further transport holes.
또한, 유기 반도체의 도전성은, 그 도핑에 의해, 강한 영향을 받는 것도 알려져 있다. 이와 같은 유기 반도체 매트릭스 물질은, 전자 공여성이 양호한 화합물, 또는, 전자 수용성이 양호한 화합물로 구성되어 있다. 전자 공여 물질의 도핑을 위해, 테트라시아노퀴논디메탄(TCNQ) 또는 2,3,5,6-테트라플루오로테트라시아노 -1,4-벤조퀴논디메탄(F4TCNQ) 등의 강한 전자 수용체가 알려져 있다(예를 들면, 문헌 「M.Pfeiffer, A.Beyer, T.Fritz, K.Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204(1998)」 및 문헌 「J.Blochwitz, M.Pfeiffer, T.Fritz, K.Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731(1998)」을 참조). 이들은, 전자 공여형 베이스 물질(정공 수송 물질)에 있어서의 전자 이동 프로세스에 의해, 이른바 정공을 생성한다. 정공의 수 및 이동도에 따라, 베이스 물질의 전도성이, 상당히 크게 변화된다. 정공 수송 특성을 갖는 매트릭스 물질로서는, 예를 들면 벤지딘 유도체(TPD 등) 또는 스타버스트아민 유도체(TDATA 등), 또는, 특정한 금속 프탈로시아닌(특히, 아연 프탈로시아닌(ZnPc) 등)이 알려져 있다(일본특허공개 2005-167175호 공보). Additionally, it is known that the conductivity of an organic semiconductor is strongly influenced by its doping. Such an organic semiconductor matrix material is composed of a compound with good electron donating properties or a compound with good electron accepting properties. For doping of electron-donating materials, strong electron acceptors such as tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinonedimethane (F4TCNQ) are used. It is known (e.g., “M.Pfeiffer, A.Beyer, T.Fritz, K.Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204 (1998)” and “J.Blochwitz , M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731 (1998)”). These generate so-called holes through an electron transfer process in an electron-donating base material (hole transport material). Depending on the number and mobility of holes, the conductivity of the base material changes significantly. As matrix materials having hole transport properties, for example, benzidine derivatives (TPD, etc.) or starburst amine derivatives (TDATA, etc.), or specific metal phthalocyanines (especially zinc phthalocyanine (ZnPc), etc.) are known (Japanese Patent Publication) Publication No. 2005-167175).
상술한 정공 주입층용 재료 및 정공 수송층용 재료는, 이들에 반응성 치환기가 치환한 반응성 화합물을 모노머로 하여 고분자화시킨 고분자 화합물, 또는 그 고분자 가교체, 또는, 주사슬형 고분자와 상기 반응성 화합물을 반응시킨 펜던트형 고분자 화합물, 또는 그 펜던트형 고분자 가교체로서도, 정공층용 재료에 사용할 수 있다.The above-described hole injection layer material and hole transport layer material are polymer compounds obtained by polymerizing a reactive compound substituted with a reactive substituent as a monomer, or a polymer crosslinked product thereof, or a main chain polymer reacted with the reactive compound. The pendant-type polymer compound or its pendant-type polymer crosslinked product can also be used in the material for the hole layer.
2-1-5. 유기 2-1-5. abandonment 전계electric field 발광 radiation 소자에 있어서의in elements 발광층luminescent layer
발광층(105)은, 전계가 부여된 전극 사이에 있어서, 양극(102)으로부터 주입된 정공과, 음극(108)으로부터 주입된 전자를 재결합시킴으로써 발광하는 층이다. 발광층(105)을 형성하는 재료는, 정공과 전자와의 재결합에 의해 여기되어 발광하는 화합물(발광성 화합물)이면 되고, 안정한 박막 형상을 형성할 수 있으며, 또한, 고체 상태에서 강한 발광(형광) 효율을 나타내는 화합물이 바람직하게 사용된다. The light-emitting layer 105 is a layer that emits light by recombining holes injected from the anode 102 and electrons injected from the cathode 108 between electrodes to which an electric field is applied. The material forming the light-emitting layer 105 can be any compound (luminescent compound) that is excited and emits light by recombination of holes and electrons, and can form a stable thin film shape, and has strong luminescence (fluorescence) efficiency in the solid state. Compounds representing are preferably used.
발광층은, 이미팅 도펀트와, 정공수송성 호스트 재료, 전자수송성 호스트 재료, 및 어시스팅 도펀트 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 2개를 포함하는 것이 바람직하다. 발광층은 단일층으로 되거나 복수층으로 되어도 어느 쪽이라도 되고, 각각 발광층용 재료에 의해 형성된다. 발광층이 복수층으로 되어 있을 경우, 임의의 1개의 층이 본 발명의 다환방향족 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 발광층은 단일층인 것이 바람직하다. 이미팅 도펀트는 호스트 재료의 전체적으로 포함되어 있어도, 부분적으로 포함되어 있어도, 어느 쪽이어도 된다. 도핑 방법으로서는, 호스트 재료와의 공증착법에 의해 형성할 수 있지만, 호스트 재료와 미리 혼합하고 나서 동시에 증착해도 된다. The light-emitting layer preferably contains at least two materials selected from the group consisting of an emitting dopant, a hole-transporting host material, an electron-transporting host material, and an assisting dopant material. The light-emitting layer may be a single layer or a plurality of layers, and each is formed from a material for the light-emitting layer. When the light-emitting layer is composed of multiple layers, it is preferable that any one layer contains the polycyclic aromatic compound of the present invention. The light emitting layer is preferably a single layer. The emitting dopant may be contained entirely or partially in the host material. As a doping method, it can be formed by co-deposition with the host material, but may be deposited simultaneously after mixing with the host material in advance.
호스트 재료의 사용량은 호스트 재료의 종류에 따라 다르고, 그 호스트 재료의 특성에 맞춰서 정하면 된다. 호스트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료의 전질량의 50~99.999 질량%이며, 보다 바람직하게는 80~99.95 질량%이며, 더욱 바람직하게는 90~99.9 질량%이다. 호스트 재료가, 정공수송성 호스트 재료와 전자수송성 호스트 재료와의 조합일 경우는, 호스트 재료의 사용량은 정공수송성 호스트 재료의 사용량과 전자수송성 호스트 재료의 사용량을 더한 질량이다. 정공수송성 호스트 재료와 전자수송성 호스트 재료와의 사용량의 비는 질량비로 1:9~9:1이면 되고, 4:6~6;4인 것이 바람직하고, 대략 1:1인 것이 보다 바람직하다. The amount of host material used varies depending on the type of host material, and can be determined according to the characteristics of the host material. The standard for the amount of host material used is preferably 50 to 99.999 mass% of the total mass of the light emitting layer material, more preferably 80 to 99.95 mass%, and even more preferably 90 to 99.9 mass%. When the host material is a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material, the amount of host material used is the mass obtained by adding the amount of the hole-transporting host material used and the amount of the electron-transporting host material used. The mass ratio of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material may be 1:9 to 9:1, preferably 4:6 to 6:4, and more preferably approximately 1:1.
이미팅 도펀트의 사용량은 이미팅 도펀트의 종류에 따라 다르고, 그 특성에 맞춰서 정하면 된다. 이미팅 도펀트의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료의 전질량에 0.001~50 질량%이며, 보다 바람직하게는 0.05~20 질량%이며, 더욱 바람직하게는 0.1~10 질량%이다. 상기의 범위라면, 예를 들면, 농도소광현상을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다. The amount of emitting dopant used varies depending on the type of emitting dopant, and can be determined according to its characteristics. The standard for the usage amount of the emitting dopant is preferably 0.001 to 50% by mass, more preferably 0.05 to 20% by mass, and even more preferably 0.1 to 10% by mass of the total mass of the light emitting layer material. The above range is preferable because, for example, concentration quenching phenomenon can be prevented.
어시스팅 도펀트 재료가 사용되는 경우에 있어서의, 호스트 재료, 어시스팅 도펀트 재료 및 이미팅 도펀트 재료의 사용량의 기준은, 각각, 발광층용 재료 전체 질량에 대하여 40~99 질량%, 59~1 질량% 및 20~0.001 질량%이며, 바람직하게는, 각각, 60~95 질량%, 39~5 질량% 및 10~0.01 질량%이며, 보다 바람직하게는, 70~90 질량%, 29~10 질량% 및 5~0.05 질량%이다. When an assisting dopant material is used, the standards for the usage amounts of the host material, assisting dopant material, and emitting dopant material are 40 to 99% by mass and 59 to 1% by mass, respectively, based on the total mass of the light emitting layer material. and 20 to 0.001 mass%, preferably 60 to 95 mass%, 39 to 5 mass% and 10 to 0.01 mass%, respectively, more preferably 70 to 90 mass%, 29 to 10 mass% and It is 5 to 0.05 mass%.
본 발명의 다환방향족 화합물은, 발광층을 형성하는 재료로서 사용되는 것이 보다 바람직하고, 특히 도펀트로서 사용되는 것이 보다 바람직하다. The polycyclic aromatic compound of the present invention is more preferably used as a material for forming a light-emitting layer, and is particularly preferably used as a dopant.
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은 「열활성형 지연 형광체」로서, 열활성형 지연 형광(TADF)을 나타내는 유기 EL 소자 (이하, 「TADF소자」라고 할 경우가 있다)의 이미팅 도펀트로서 사용해도 된다. 「열활성형 지연 형광체」에서는, 최저 여기 일중항 상태와 최저 여기 삼중항 상태의 에너지 차이를 작게 함으로써, 통상은 천이 확률이 낮은 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 고효율로 발생시키고, 일중항으로부터의 발광(열활성형 지연 형광, TADF)이 발현된다. 통상의 형광 발광에서는 전류 여기에 의해 생긴 75%의 삼중항 여기자는 열실활 경로를 통과하기 때문에 형광으로서 취출할 수는 없다. 한편, TADF에서는 모든 여기자를 형광 발광에 이용할 수 있고, 고효율의 유기 EL 소자를 실현할 수 있다.A polycyclic aromatic compound having a structure containing a structural unit represented by Formula (1) or Formula (2) is a “thermally activated delayed phosphor” and is an organic EL device that exhibits thermally activated delayed fluorescence (TADF) (hereinafter referred to as “thermally activated delayed phosphor”). It may also be used as an emitting dopant for a “TADF device”. In a “thermally activated delayed phosphor”, by reducing the energy difference between the lowest singlet excitation state and the lowest triplet excitation state, reverse intersystem crossing from the lowest triplet excitation state, which usually has a low transition probability, to the lowest singlet excitation state is achieved. It is generated with high efficiency, and light emission from a singlet (thermally activated delayed fluorescence, TADF) is expressed. In normal fluorescence emission, 75% of the triplet excitons generated by current excitation pass through the heat deactivation path and cannot be extracted as fluorescence. On the other hand, in TADF, all excitons can be used for fluorescence emission, and a highly efficient organic EL device can be realized.
식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물은, 「TADF소자」의 이미팅 도펀트, 호스트를 2종류 사용하는 TADF의 소자의 이미팅 도펀트, 별도의 열활성형 지연 형광체를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자(TAF소자)의 이미팅 도펀트, 인광재료를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자(인광 어시스트 소자: 인광 증감 형광(phosphor-sensitized fluorescent)소자, PSF 소자)의 이미팅 도펀트에 사용할 수 있다. 소자에 사용하는 재료가 적을 수록 제조하기 쉽다는 관점에서는 TADF소자의 이미팅 도펀트 또는 호스트를 2종류 사용하는 TADF의 소자의 이미팅 도펀트로서 사용하는 것이 바람직하고, 전자가 보다 바람직하다. 효율의 관점에서는 TAF소자의 이미팅 도펀트 및 인광 어시스트 소자의 이미팅 도펀트로서 사용하는 것이 바람직하고, TAF소자의 이미팅 도펀트로서 사용하는 것이 보다 바람직하다.The polycyclic aromatic compound having a structure containing the structural unit expressed by formula (1) or formula (2) is an emitting dopant of a “TADF device,” an emitting dopant of a TADF device using two types of hosts, and a separate dopant. An emitting dopant for an organic electroluminescent device (TAF device) using a thermally activated delayed phosphor as an assisting dopant, an organic electroluminescent device using a phosphorescent material as an assisting dopant (phosphor-sensitized assist device) It can be used as an emitting dopant for fluorescent devices and PSF devices. From the viewpoint that the smaller the material used in the device, the easier it is to manufacture, it is preferable to use it as an emitting dopant for a TADF device using two types of TADF device emitting dopants or hosts, with the former being more preferable. From the viewpoint of efficiency, it is preferable to use it as an emitting dopant of a TAF device and an emitting dopant of a phosphorescent assist device, and it is more preferable to use it as an emitting dopant of a TAF device.
일반적으로 지연 형광이 빠른 것이 뛰어난 TADF성을 가지는 것으로 여겨진다. 구체적으로는 지연 형광 수명이 100μsec 이하인 발광 재료를 발광 소자에 있어서의 이미팅 도펀트로서 사용했을 때에 높은 소자 효율 및 긴 소자 수명을 부여할 수 있다. 지연 형광 수명은 20μsec 미만이 바람직하고, 10μsec 이하가 보다 더 바람직하고, 5μsec 이하가 가장 바람직하다.In general, fast delayed fluorescence is considered to have excellent TADF properties. Specifically, when a light-emitting material with a delayed fluorescence lifetime of 100 μsec or less is used as an emitting dopant in a light-emitting device, high device efficiency and a long device life can be provided. The delayed fluorescence lifetime is preferably less than 20 μsec, more preferably 10 μsec or less, and most preferably 5 μsec or less.
또한, 일반적으로 △ES1T1의 값이 작을수록, 뛰어난 TADF성을 가진다. 한편, △ES1T1은 최저 여기 일중항 에너지 준위(ES1)와 최저 여기 삼중항 에너지 준위(ET1)의 에너지 차이이다. 구체적으로는, △ES1T1의 값이 0.20eV 이하인 것이 바람직하고, 0.15eV 이하인 것이 보다 더 바람직하고, 0.10eV 이하인 것이 특히 바람직하다. Additionally, generally, the smaller the value of ΔE S1T1 , the better the TADF properties. Meanwhile, △E S1T1 is the energy difference between the lowest singlet excited energy level (E S1 ) and the lowest triplet excited energy level (E T1 ). Specifically, the value of ΔE S1T1 is preferably 0.20 eV or less, more preferably 0.15 eV or less, and especially preferably 0.10 eV or less.
<호스트 재료> <Host material>
호스트 재료로서는, 이전부터 발광체로서 알려져 있었던 안트라센이나 피렌 등의 축합환 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 플루오렌 유도체, 벤조플루오렌 유도체, N-페닐카르바졸 유도체, 카르바조니트릴 유도체 등을 들 수 있다. As host materials, condensed ring derivatives such as anthracene and pyrene, which were previously known as light emitters, bistyryl derivatives such as bistyryl anthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, fluorene derivatives, Benzofluorene derivatives, N-phenylcarbazole derivatives, carbazonitrile derivatives, etc. can be mentioned.
호스트 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위(ET1)는, 발광층 내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층 내에 있어서 가장 높은 ET1을 가지는 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 ET1에 비해 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 호스트 재료의 ET1은, 상기의 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 ET1에 비해 0.01eV 이상 높은 것이 바람직하고, 0.03eV 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상 높은 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 호스트 재료의 ET1은 2.55eV 이상이 바람직하고, 2.58eV 이상이 보다 바람직하고, 2.65eV 이상이 보다 더 바람직하다.The lowest triplet excitation energy level (E T1 ) of the host material is higher than the E T1 of the dopant or assisting dopant with the highest E T1 in the light-emitting layer from the viewpoint of promoting rather than inhibiting the generation of TADF in the light-emitting layer. It is preferable that it is high, and specifically, the E T1 of the host material is preferably higher by 0.01 eV or more, more preferably by 0.03 eV or more, and higher by 0.1 eV or more compared to the E T1 of the above-mentioned dopant or assisting dopant. It is more desirable than Additionally, E T1 of the host material is preferably 2.55 eV or more, more preferably 2.58 eV or more, and even more preferably 2.65 eV or more.
호스트 재료에 TADF 활성인 화합물을 사용해도 된다. A compound with TADF activity may be used as the host material.
호스트 재료는, 1종류여도, 복수의 조합이어도 된다. 복수의 조합인 경우, 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료와의 조합인 것이 바람직하다.There may be one type of host material, or a combination of multiple types may be used. In the case of a plurality of combinations, it is preferable that it is a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material.
정공수송성 호스트 재료(HH) 및 전자수송성 호스트 재료(EH)는, HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 및 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)에 대해서, 이하의 관계를 만족시킨다. The hole-transporting host material (HH) and the electron-transporting host material (EH) satisfy the following relationships with respect to HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) and LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital).
정공수송성 호스트 재료(HH)의 HOMO는 전자수송성 호스트 재료(EH)의 HOMO보다 얕고, 또한 전자수송성 호스트 재료(EH)의 LUMO는 정공수송성 호스트 재료(HH)의 LUMO보다 깊다. The HOMO of the hole-transporting host material (HH) is shallower than the HOMO of the electron-transporting host material (EH), and the LUMO of the electron-transporting host material (EH) is deeper than the LUMO of the hole-transporting host material (HH).
또한, 이미팅 도펀트의 HOMO가 정공수송성 호스트 재료(HH)의 HOMO보다 얕거나, 또는, 이미팅 도펀트의 LUMO가 전자수송성 호스트 재료(EH)의 LUMO보다 깊은 것이 바람직하다. Additionally, it is preferable that the HOMO of the emitting dopant is shallower than the HOMO of the hole-transporting host material (HH), or that the LUMO of the emitting dopant is deeper than the LUMO of the electron-transporting host material (EH).
또한, 정공수송성 호스트 재료(HH) 및 전자수송성 호스트 재료(EH)의 최저 여기 삼중항 에너지 준위(ET1)는, 발광층내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층내에 있어서 가장 높은 ET1을 가지는 이미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 ET1에 비교해서 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 호스트 재료의 ET1은, 상기의 이미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 ET1에 비해 0.01eV 이상 높은 것이 바람직하고, 0.03eV 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상 높은 것이 더욱 바람직하다. 또한, 호스트 재료의 ET1은 2.47eV 이상이 바람직하고, 2.49eV 이상이 보다 바람직하고, 2.56eV 이상이 더 바람직하다. In addition, the lowest triplet excitation energy level (E T1 ) of the hole-transporting host material (HH) and the electron-transporting host material (EH) is the lowest in the light-emitting layer from the viewpoint of promoting rather than inhibiting the generation of TADF in the light-emitting layer. It is preferable that E T1 of the emitting dopant or assisting dopant having high ET1 is high, and specifically, E T1 of the host material is 0.01 eV or more compared to E T1 of the emitting dopant or assisting dopant. It is preferable that it is high, it is more preferable that it is 0.03 eV or more high, and it is still more preferable that it is 0.1 eV or more high. Additionally, E T1 of the host material is preferably 2.47 eV or more, more preferably 2.49 eV or more, and still more preferably 2.56 eV or more.
또한, 발광층에 인접하는 정공 수송층에 정공 수송성 호스트 재료를 사용하고, 또한 이 발광층에 인접하는 전자 수송층에 전자 수송성 호스트 재료를 사용하는 것도 바람직하다. 발광층으로부터 인접층으로의 캐리어 누설·에너지 누설이 일어나기 어려워져, 높은 효율의 유기 EL 소자가 얻어지기 때문이다. 발광층 중의 호스트 재료(정공 수송성 호스트 재료)와 정공 수송층 재료는 동일해도 되고, 달라도 된다. 또한, 발광층 중의 호스트 재료(전자 수송성 호스트 재료)와 전자 수송층의 재료는 동일해도 되고, 달라도 된다. Additionally, it is preferable to use a hole-transporting host material in the hole-transporting layer adjacent to the light-emitting layer, and to use an electron-transporting host material in the electron-transporting layer adjacent to the light-emitting layer. This is because carrier leakage and energy leakage from the light-emitting layer to adjacent layers become less likely to occur, and a highly efficient organic EL device can be obtained. The host material (hole-transporting host material) in the light-emitting layer and the hole-transporting layer material may be the same or different. In addition, the host material (electron-transporting host material) in the light-emitting layer and the material of the electron-transporting layer may be the same or different.
[정공 수송성 호스트 재료(HH)] [Hole transporting host material (HH)]
바람직한 정공 수송성 호스트 재료(HH)의 예로서는, 식(HH-1)으로 나타내어지거나, 또는, 식(HH-1)으로 나타내어지는 부분 구조를 가지고, 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 3개의 환을 포함하는 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이 화합물은, 이민 구조(-N=C-; 헤테로아릴환의 부분 구조를 포함함), 붕소(>B-), 및 시아노(CN)를 모두 포함하지 않는 것이 바람직하다.Examples of a preferred hole-transporting host material (HH) include at least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring, which is represented by the formula (HH-1), or has a partial structure represented by the formula (HH-1). Examples include compounds having a structure containing three rings. This compound preferably does not contain any imine structure (-N=C-; including the partial structure of the heteroaryl ring), boron (>B-), and cyano (CN).
식(HH-1)에 있어서, In formula (HH-1),
Q는, >O, >S, 또는, >N-AH이며, Q is >O, >S, or >NA H ,
식(HH-1)에 있어서의 2개의 페닐 각각에 있어서의 Q의 결합하는 탄소 원자의 옆의 하나의 탄소 원자는, 서로 L로 결합하고 있어도 되고, One carbon atom next to the carbon atom bonded to Q in each of the two phenyls in the formula (HH-1) may be bonded to each other with L,
L은, 단결합, >O, >S, 또는 >C(-AH)2이며, L is a single bond, >O, >S, or >C(-A H ) 2 ,
AH는, 수소, 아릴, 또는 헤테로아릴이고, >C(-AH)2에 있어서의 2개의 AH는 서로 결합하고 있어도 된다. A H is hydrogen, aryl, or heteroaryl, and two A H in >C(-A H ) 2 may be bonded to each other.
정공 수송성 호스트 재료가 식(HH-1)으로 나타내어지는 구조를 부분 구조로서 포함할 때, 이 부분 구조를 하나 포함하는 것이어도 되지만 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 2개 이상의 부분 구조는 서로 단결합으로 결합하고 있어도 되고, 부분 구조에 포함되는 임의의 환을 공유하도록 하여 결합하고 있어도 되며, 부분 구조에 포함되는 임의의 환끼리가 축합하도록 하여 결합하고 있어도 된다. 부분 구조는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 또는 아릴옥시에서 선택되는 치환기를 더 가지고 있어도 된다. When the hole-transporting host material contains the structure represented by formula (HH-1) as a partial structure, it may contain one partial structure, but it is also preferable that it contains two or more partial structures. When two or more are included, the partial structures of the two or more may be the same or different from each other. Two or more partial structures may be bonded to each other by a single bond, may be bonded by sharing any ring contained in the partial structure, or may be bonded by condensing any rings contained in the partial structure. The partial structure may further have a substituent selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.
상기의 식(HH-1)으로 나타내어지거나, 또는 식(HH-1)으로 나타내어지는 부분 구조를 갖는 화합물은, 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 3개의 환을 포함하는 구조를 가진다. 포함되는 환의 수는 6 이상인 것이 바람직하고, 8 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 20 이하인 것이 바람직하고, 15 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 환의 수는 단환으로서의 수를 의미하고, 축합환에 대해서는, 축합환을 구성하는 단환을 카운트한 수로 한다. The compound represented by the above formula (HH-1) or having a partial structure represented by the formula (HH-1) has a structure containing at least three rings selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring. have The number of rings included is preferably 6 or more, and more preferably 8 or more. Additionally, it is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and even more preferably 10 or less. The number of rings means the number as a single ring, and for a condensed ring, the number is the number of monocycles constituting the condensed ring.
정공 수송성 호스트 재료는, 트리아릴아민 구조, 카르바졸환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 및 페녹사진 또는 페노티아진을 포함하는 축합 다환으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 부분 구조를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다. 정공 수송성 호스트 재료는 이와 같은 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 되고 달라도 된다. The hole-transporting host material includes at least one partial structure selected from the group consisting of a triarylamine structure, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a phenoxazine or phenothiazine-containing condensed polycycle. It is preferable that it is a compound that The hole-transporting host material may contain one such partial structure, but may preferably contain two or more such partial structures. When two or more are included, the partial structures of the two or more may be the same or different from each other.
정공 수송성 호스트 재료의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of hole-transporting host materials include the following compounds.
상기 중, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4~HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92, HH-1-106~HH-1-108 및 HH-1-109~HH-1-113이 바람직하다. Among the above, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4 to HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20 to HH-1-24 , HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92, HH-1-106~HH-1-108 and HH-1-109~HH -1-113 is preferred.
[전자 수송성 호스트 재료(EH)][Electron transporting host material (EH)]
전자 수송성 호스트 재료(EH)의 예로서는, As an example of an electron transporting host material (EH),
식(EH-1A)~(EH-1D)으로 나타내어지거나, 또는 식(EH-1A)~(EH-1D)으로 나타내어지는 부분 구조를 가지며, 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 3개의 환을 포함하는 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.It is represented by the formula (EH-1A) to (EH-1D), or has a partial structure represented by the formula (EH-1A) to (EH-1D), and has at least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring. Examples include compounds having a structure containing three rings.
식(EH-1A)~(EH-1D)에 있어서, In formulas (EH-1A) to (EH-1D),
Ar은, N=C를 환을 구성하는 부분 구조로서 포함하는 헤테로아릴환이며, Ar is a heteroaryl ring containing N=C as a partial structure constituting the ring,
Z는, 단결합, -O-, -S-, 또는 -N(-AE)-이고, Z is a single bond, -O-, -S-, or -N(-A E )-,
Z의 결합하는 탄소 원자의 옆의 탄소 원자와 Z의 결합하는 AE는, 서로 L로 결합하고 있어도 되며, The carbon atom next to the bonded carbon atom of Z and A E bonded to Z may be bonded to each other by L,
L은, 단결합, >O, >S 또는 >C(-AE)2이고, L is a single bond, >O, >S or >C(-A E ) 2 ,
AE는, 아릴, 헤테로아릴, 또는 트리아릴실릴이며, >C(-AE)2에 있어서의 2개의 AE는 서로 결합하고 있어도 되고, A E is aryl, heteroaryl, or triarylsilyl, and two A E 's in >C(-A E ) 2 may be bonded to each other,
X는 C, P 또는 S이며, X is C, P or S,
X가 C일 때, n=2, m=1이고, When X is C, n=2, m=1,
X가 P일 때, n=3, m=1이며, When X is P, n=3, m=1,
X가 S일 때, n=2, m=1~2이다. When X is S, n=2, m=1~2.
상기 식(EH-1A)~(EH-1D)으로 나타내어지거나, 또는 식(EH-1A)~(EH-1D)으로 나타내어지는 부분 구조를 갖는 화합물은 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 3개의 환을 포함하는 구조를 가진다. 포함되는 환의 수는 4 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 보다 바람직하고, 8 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 20 이하인 것이 바람직하고, 15 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 환의 수는 단환으로서의 수를 의미하고, 축합환에 대해서는, 축합환을 구성하는 단환을 카운트한 수로 한다.Compounds having the above formulas (EH-1A) to (EH-1D) or partial structures represented by formulas (EH-1A) to (EH-1D) are selected from the group consisting of aryl rings and heteroaryl rings. It has a structure containing at least three rings. The number of rings included is preferably 4 or more, more preferably 6 or more, and even more preferably 8 or more. Additionally, it is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and even more preferably 10 or less. The number of rings means the number as a single ring, and for a condensed ring, the number is the number of monocycles constituting the condensed ring.
전자 수송성 호스트 재료가 식(EH-1A)~(EH-1D)으로 나타내어지는 구조를 부분 구조로서 포함할 때, 이 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 2개 이상의 부분 구조는 서로 단결합으로 결합하고 있어도 되며, 부분 구조에 포함되는 임의의 환을 공유하도록 하여 결합하고 있어도 되고, 부분 구조에 포함되는 임의의 환끼리가 축합하도록 하여 결합하고 있어도 된다. 부분 구조는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 또는 아릴옥시에서 선택되는 치환기를 더 가지고 있어도 된다. When the electron-transporting host material contains the structures represented by formulas (EH-1A) to (EH-1D) as partial structures, it may contain one partial structure, but it is also preferable to contain two or more of these partial structures. When two or more are included, the partial structures of the two or more may be the same or different from each other. Two or more partial structures may be bonded to each other by a single bond, may be bonded by sharing any ring contained in the partial structure, or may be bonded so that arbitrary rings contained in the partial structure are condensed. The partial structure may further have a substituent selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.
전자 수송성 호스트 재료의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of electron-transporting host materials include the following compounds.
전자 수송성 호스트 재료(식(EH-1)으로 나타내어지는 부분 구조를 갖는 화합물)의 다른 바람직한 예로서, 하기 식(EH-1b)으로 나타내어지는 다환방향족 화합물, 또는 하기 식(EH-1b)으로 나타내어지는 구조를 복수 가지는 다환방향족 화합물의 다량체를 들 수 있다.As another preferred example of the electron-transporting host material (a compound having a partial structure represented by formula (EH-1)), a polycyclic aromatic compound represented by the formula (EH-1b) below, or a compound represented by the formula (EH-1b) below: Examples include multimers of polycyclic aromatic compounds having multiple structures.
식(EH-1b)에 있어서, In formula (EH-1b),
R1, R2, R3, R4 및 R5(이후, 「R1 등」 이라고도 함)는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기이다. 이 치환기는 치환기군 Z에서 선택되는 것이면 된다. R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 (hereinafter also referred to as “R 1 etc.”) are each independently hydrogen or a substituent. This substituent may be selected from the substituent group Z.
식(EH-1b)에 있어서, X1 및 X2는, 각각 독립적으로, >N-R(아민성 질소), >O, >C(-R)2, >S 또는 >Se이며, X1 및 X2가 함께 >C(-R)2가 되는 경우는 없고, In the formula (EH-1b), X 1 and X 2 are each independently >NR (amine nitrogen), >O, >C(-R ) 2 , >S or >Se, and There is no case where 2 together becomes >C(-R) 2 ,
상기 >N-R 및 >C(-R)2에 있어서의 R은, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기군 Z에서 선택되는 치환기이며, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이상, 제2 치환기)로 더 치환되어 있어도 되고, 상기 >N-R 및 >C(-R)2의 R은 각각 독립적으로 연결기 또는 단결합에 의해 상기 a환, b환 및 c환 중 적어도 하나의 환과 결합하고 있어도 된다. R in the >NR and >C(-R) 2 is each independently hydrogen or a substituent selected from the substituent group Z, and may be further selected from aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl (above, second substituent). It may be substituted, and R of >NR and >C(-R) 2 may each independently be bonded to at least one of the a ring, b ring, and c ring through a linking group or single bond.
Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6(이후, 「Y1 등」 이라고도 함)은, 각각 독립적으로, =C(-R)- 또는 =N-(피리딘성 질소)이며, 적어도 하나는 =N-(피리딘성 질소)이다. Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 (hereinafter also referred to as “Y 1 etc.”) are each independently =C(-R)- or =N- (pyridine nitrogen) and at least one is =N- (pyridine nitrogen).
상기 =C(-R)-에 있어서의 R은, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기군 Z에서 선택되는 치환기이다. R in =C(-R)- is each independently hydrogen or a substituent selected from the substituent group Z.
상기 R1, R2, R3, R4 및 R5, 및, 상기 Y1~Y6으로서의 =C(-R)-의 R 중 인접하는 기끼리가 결합하여 a환, b환 및 c환 중 적어도 하나의 환과 함께 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디아릴보릴(2개의 아릴은 단결합 또는 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시(이상, 제1 치환기)로 치환되어 있어도 되며, 이들에 있어서의 적어도 하나의 수소는 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이상, 제2 치환기)로 더 치환되어 있어도 된다. Adjacent groups among R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 , and =C(-R)- as Y 1 to Y 6 combine to form a ring, b ring and c ring. may form an aryl ring or heteroaryl ring together with at least one ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, diaryl. It may be substituted with boryl (two aryls may be bonded through a single bond or linking group), alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy (above, first substituent), and at least one hydrogen in these is aryl. , heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl (above, second substituent) may be further substituted.
식(EH-1b)으로 나타내어지는 화합물 및 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. At least one hydrogen in the compound and structure represented by formula (EH-1b) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
식(EH-1b)에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 모두 수소이거나, 또는, R3 및 R4가 모두 수소이며, 또한 R1, R2 및 R5로 이루어지는 군에서 선택되는 임의의 하나 이상이 수소 이외의 치환기이고, 기타가 수소인 것이 바람직하다. 치환기로서는, 알킬, 알킬 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 또는 아릴로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 또는 알킬 또는 아릴로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노가 바람직하다. 이 때, 알킬로서는, 탄소수 1~6의 알킬(메틸, t-부틸 등)이 바람직하고, 아릴로서는 페닐 또는 비페닐이 바람직하고, 헤테로아릴로서는, 트리아지닐, 카르바졸릴(2-카르바졸릴, 3-카르바졸릴, 9-카르바졸릴 등), 피리미디닐, 피리디닐, 디벤조푸라닐 또는 디벤조티에닐이 바람직하다. 구체예로서는, 페닐, 비페닐, 디페닐트리아지닐, 카르바졸릴트리아지닐, 모노페닐피리미디닐, 디페닐피리미디닐, 카르바졸릴트리아지닐, 피리디닐, 디벤조푸라닐 및 디벤조티에닐을 들 수 있다. In formula (EH-1b), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are all hydrogen, or R 3 and R 4 are both hydrogen and R 1 , R 2 and R 5 It is preferable that any one or more selected from the group consisting of substituents other than hydrogen are substituents other than hydrogen, and the others are hydrogen. The substituent is preferably aryl, which may be substituted with alkyl or heteroaryl, heteroaryl which may be substituted with alkyl or aryl, or diarylamino which may be substituted with alkyl or aryl. At this time, the alkyl is preferably an alkyl with 1 to 6 carbon atoms (methyl, t-butyl, etc.), the aryl is preferably phenyl or biphenyl, and the heteroaryl is triazinyl or carbazolyl (2-carbazolyl). , 3-carbazolyl, 9-carbazolyl, etc.), pyrimidinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl or dibenzothienyl. Specific examples include phenyl, biphenyl, diphenyltriazinyl, carbazolyltriazinyl, monophenylpyrimidinyl, diphenylpyrimidinyl, carbazolyltriazinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl and dibenzothienyl. I can hear it.
Y1 등은, 각각 독립적으로, =C(-R)- 또는 =N-이며, 적어도 하나는 =N-이다. Y1~Y6 중 어느 것이 =N-여도 된다. 바람직하게는, Y1 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환), Y1 및 Y6이 =N-(a환이 피리딘환), Y2 및 Y5가 =N-(b환 및 c환이 피리딘환), Y3 및 Y4가 =N-(b환 및 c환이 피리딘환), Y2~Y5가 =N-(b환 및 c환이 피리미딘환), Y1, Y3, Y4 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환, b환 및 c환이 피리딘환), Y1, Y2, Y5 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환, b환 및 c환이 피리딘환), Y1~Y6이 =N-(a환, b환 및 c환이 피리미딘환), Y2 또는 Y5가 =N-(b환 또는 c환이 피리딘환)이다.Y 1 and the like are each independently =C(-R)- or =N-, and at least one is =N-. Any of Y 1 to Y 6 may be =N-. Preferably, Y 1 and Y 6 are =N- (a ring is a pyrimidine ring), Y 1 and Y 6 are =N- (a ring is a pyridine ring), Y 2 and Y 5 are =N- (b ring and c ring is a pyridine ring), Y 3 and Y 4 are =N- (b ring and c ring are pyridine ring), Y 2 to Y 5 are =N- (b ring and c ring are pyrimidine ring), Y 1 , Y 3 , Y 4 and Y 6 are =N- (ring a is a pyrimidine ring, ring b and ring c are pyridine rings), Y 1 , Y 2 , Y 5 and Y 6 are =N- (ring a is a pyrimidine ring, ring b and c ring is a pyridine ring), Y 1 to Y 6 are =N- (a ring, b ring and c ring are pyrimidine ring), Y 2 or Y 5 is =N- (b ring or c ring is pyridine ring).
또한, 이상의 =N-의 배치 관계에 더하여, X1 및 X2가 >O인 것이 바람직하고, 하기 식 중 어느 하나로 나타내어지는 부분 구조를 포함하는 다환방향족 화합물이 바람직하다. Furthermore, in addition to the above configuration relationship of =N-, it is preferable that X 1 and X 2 are >O, and a polycyclic aromatic compound containing a partial structure represented by any of the following formulas is preferable.
특히, 식(EH-1b-N1)으로 나타내어지는 부분 구조를 포함하는 다환방향족 화합물은, N이 없는 구조와 비교하여, 높은 ES1, 높은 ET1, 작은 ΔES1T1을 갖는다. In particular, the polyaromatic compound containing the partial structure represented by the formula (EH-1b-N1) has high E S1 , high E T1 , and small ΔE S1T1 compared to the structure without N.
식(EH-1b)으로 나타내어지는 다환방향족 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.Specific examples of the polycyclic aromatic compound represented by formula (EH-1b) are shown below.
상기 중, EH-1-1~EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-94~EH-1-98, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, EH-1-127~EH-1-130이 바람직하다.Among the above, EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51 ~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-94~EH -1-98, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1 -123, EH-1-127 to EH-1-130 are preferred.
[정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합] [Combination of hole-transporting host material and electron-transporting host material]
정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합은, 정공 수송성 호스트 재료, 전자 수송성 호스트 재료 및 도펀트 재료의 HOMO, LUMO 및 최저 여기 삼중항 에너지 준위(ET1)에 의해 선택된다. The combination of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material is selected by the HOMO, LUMO, and lowest excitation triplet energy level (E T1 ) of the hole-transporting host material, electron-transporting host material, and dopant material.
HOMO 및 LUMO에 관해서는, 정공 수송성 호스트 재료의 HOMO(HH)가 전자 수송성 호스트 재료의 HOMO(EH)보다 얕고, 전자 수송성 호스트 재료의 LUMO(EH)가 정공 수송성 호스트 재료의 LUMO(HH)보다 깊은 조합을 선택하고, 보다 구체적으로는, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.10eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.10eV 이상 깊은 조합이 바람직하고, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.20eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.20eV 이상 깊은 조합이 더 바람직하고, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.25eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.25eV 이상 깊은 조합이 보다 더 바람직하다. Regarding HOMO and LUMO, the HOMO(HH) of the hole-transporting host material is shallower than the HOMO(EH) of the electron-transporting host material, and the LUMO(EH) of the electron-transporting host material is deeper than the LUMO(HH) of the hole-transporting host material. Select a combination, and more specifically, it is preferable that HOMO(HH) is 0.10 eV or more shallower than HOMO(EH), LUMO(HH) is 0.10 eV or more deeper than HOMO(EH), and HOMO(HH) is 0.10 eV or more shallower than HOMO(EH). A combination that is more than 0.20 eV shallower than (EH), LUMO(HH) is more than 0.20 eV deeper than HOMO(EH), is more preferable, HOMO(HH) is more than 0.25 eV shallower than HOMO(EH), and LUMO(HH) is more than 0.25 eV shallower than HOMO(EH). A combination deeper than (EH) by 0.25 eV or more is more preferable.
정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료는 엑사이플렉스(exciplex)라고 불리는 회합체를 형성하는 조합이어도 된다. 엑사이플렉스는, 비교적 깊은 LUMO 준위를 갖는 재료와, 얕은 HOMO 준위를 갖는 재료 사이에서 형성하기 쉬운 것이 일반적으로 알려져 있다. 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 상호 작용, 구체적으로는 엑사이플렉스를 형성하고 있는지의 여부는, 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료만으로 이루어지는 단층막을 발광층의 형성 조건과 동일하게 형성하여 발광 스펙트럼(형광, 인광 스펙트럼)을 측정하고, 얻어진 발광 스펙트럼을, 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료 각각이 단독으로 나타내는 발광 스펙트럼을 비교함으로써 판단할 수 있다. 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료를 포함하는 혼합막의 스펙트럼이, 정공 수송성 호스트 재료의 막의 스펙트럼, 및 전자 수송성 호스트 재료의 막의 스펙트럼 어느 것과도 다른 발광 파장을 나타내는 지에 의해 판단할 수 있다. 구체적으로는, 스펙트럼의 피크 파장이 10nm 이상 다르다는 것을 지표로 하면 된다. The hole-transporting host material and the electron-transporting host material may be combined to form an association called an exciplex. It is generally known that exiplexes are easy to form between materials with a relatively deep LUMO level and materials with a shallow HOMO level. The interaction of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material, specifically whether or not an exciplex is formed, is determined by forming a monolayer film composed of only the hole-transporting host material and the electron-transporting host material under the same conditions as the formation conditions of the light-emitting layer. The spectrum (fluorescence, phosphorescence spectrum) can be measured, and the obtained emission spectrum can be judged by comparing the emission spectra shown individually by the hole-transporting host material and the electron-transporting host material. It can be judged by whether the spectrum of the mixed film containing the hole-transporting host material and the electron-transporting host material shows an emission wavelength that is different from either the spectrum of the film of the hole-transporting host material or the spectrum of the film of the electron-transporting host material. Specifically, an indicator may be that the peak wavelengths of the spectra differ by more than 10 nm.
엑사이플렉스를 형성하지 않는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합의 구체예로서는 이하의 조합을 들 수 있다. 상기의 HOMO, LUMO 및 ET1의 물성값을 만족시키기 위해, 정공 수송성 호스트 재료에 있어서는, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 트리아릴아민, 인돌로카르바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 카르바졸, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 카르바졸을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다. 마찬가지로, 전자 수송성 호스트 재료에 있어서는, 피리딘, 트리아진, 포스핀 옥사이드, 벤조푸로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 트리아진, 포스핀 옥사이드, 벤조푸로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 트리아진을 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다. Specific examples of combinations of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material that do not form an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the physical properties of HOMO, LUMO, and E T1 above, in the hole transporting host material, carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, triarylamine, indolocarbazole, and benzoxazinophenoxazine are partially used. Compounds having carbazole, dibenzofuran, and dibenzothiophene as partial structures are preferable, and compounds having carbazole as partial structures are still more preferable. Likewise, for the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine, and dibenzoxacillin as partial structures are preferred, and triazine, phosphine oxide, benzopyridine, and dibenzoxacillin are preferred. Compounds having siline as a partial structure are more preferable, and compounds having triazine are still more preferable.
보다 구체적으로는, 정공 수송성 호스트 재료는, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4~HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92, 및 HH-1-106~HH-1-108로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하고, 전자 수송성 호스트 재료는, EH-1-1~EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, 및 EH-1-127~EH-1-130으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 조합으로서 바람직한 예로서는, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-22, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-23, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-24, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-22, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-23, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-24, 또는 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-128을 들 수 있다. More specifically, the hole transport host material is HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4 to HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1 -20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92, and HH-1-106~HH-1- It is preferably selected from the group consisting of 108, and the electron transport host material is EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1 -32, EH-1-33, EH-1-51~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100 , EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 through EH-1-130. It is preferable to select from the group consisting of: Preferred examples of the combination include compound HH-1-1 and compound EH-1-22, compound HH-1-1 and compound EH-1-23, compound HH-1-1 and compound EH-1-24, and compound HH- 1-2 and Compound EH-1-22, Compound HH-1-2 and Compound EH-1-23, Compound HH-1-2 and Compound EH-1-24, or Compound HH-1-1 and Compound EH- It can be 1-128.
엑사이플렉스를 형성하는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합의 구체예로서는 이하의 조합을 들 수 있다. 상기, HOMO, LUMO 및 ET1의 물성값을 만족시키기 위해, 정공 수송성 호스트 재료에 있어서는, 카르바졸, 트리아릴아민, 인돌로카르바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 트리아릴아민, 인돌로카르바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 트리아릴아민을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다. 마찬가지로, 전자 수송성 호스트 재료에 있어서는, 피리딘, 트리아진, 포스핀옥사이드 및 벤조푸로피리딘을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조푸로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 포스핀옥사이드 및 트리아진을 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다. Specific examples of the combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material forming an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the above physical property values of HOMO, LUMO and E T1 , in the hole transporting host material, compounds having carbazole, triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are preferred, and triarylamine Compounds having arylamine, indolocarbazole, and benzoxazinophenoxazine as partial structures are more preferable, and compounds having triarylamine as partial structures are still more preferable. Similarly, for the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide, and benzofuropyridine as partial structures are preferable, and compounds having triazine, phosphine oxide, benzopyridine, and dibenzoxacillin as partial structures are preferable. Compounds having phosphine oxide and triazine are more preferable.
보다 구체적으로는, 정공 수송성 호스트 재료는, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-23 및 HH-1-24로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하고, 전자 수송성 호스트 재료는, EH-1-1~EH-1-4, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-51~EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-94, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, 및 EH-1-127~EH-1-130으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 조합으로서 바람직한 예로서는, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-21, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-21, 화합물 HH-1-12 및 화합물 EH-1-94, 화합물 HH-1-12 및 HH-1-117, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-130, 화합물 HH-1-33 및 화합물 EH-1-117, 화합물 HH-1-48 및 화합물 EH-1-117 또는 화합물 HH-1-49 및 화합물 EH-1-117을 들 수 있다. More specifically, the hole transporting host material is HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1 It is preferably selected from the group consisting of -23 and HH-1-24, and the electron transport host material is EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-21 to EH-1-25, EH- 1-51~EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-94, EH-1-100, EH-1- 101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 to EH-1-130. It is desirable. Preferred examples of the combination include compound HH-1-1 and compound EH-1-21, compound HH-1-2 and compound EH-1-21, compound HH-1-12 and compound EH-1-94, and compound HH- 1-12 and HH-1-117, Compound HH-1-1 and Compound EH-1-130, Compound HH-1-33 and Compound EH-1-117, Compound HH-1-48 and Compound EH-1- 117 or compound HH-1-49 and compound EH-1-117.
그 밖에, 구체적인 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료와의 조합에 대해서는, Organic Electronics 66 (2019)227-24, Advanced.Functional Materals 25 (2015) 361-366., Advanced Materials 26 (2014) 4730-4734., ACS Applied Materials and Interfaces 8 (2016) 32984-32991., ACS Applied Materals and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 6, 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, 및, Synthetic Metals, 201, 2015, 49 등의 기재를 참조할 수 있다. In addition, for specific combinations of hole-transporting host materials and electron-transporting host materials, see Organic Electronics 66 (2019)227-24, Advanced.Functional Materials 25 (2015) 361-366., Advanced Materials 26 (2014) 4730- 4734., ACS Applied Materials and Interfaces 8 (2016) 32984-32991., ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemistry C, 2018 , 6, 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, and Synthetic Metals, 201, 2015, 49.
<어시스팅 도펀트(열활성형 지연 형광체 또는 인광재료)> <Assisting dopant (thermally activated delayed phosphor or phosphorescent material)>
발광층은, 이미팅 도펀트 및 호스트 재료와 함께 어시스팅 도펀트를 포함하는 것이 바람직하다. 어시스팅 도펀트로서는 열활성형 지연 형광체 또는 인광재료가 바람직하다. The light-emitting layer preferably contains an assisting dopant along with an emitting dopant and a host material. As the assisting dopant, a thermally activated delayed phosphor or phosphorescent material is preferable.
본 양태에 있어서, 호스트 화합물로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 카르바졸환 및 푸란환의 적어도 일방을 가지는 화합물을 들 수 있고, 그 중에서도, 푸라닐 및 카르바졸릴의 적어도 일방과, 아릴렌 및 헤테로아릴렌의 적어도 일방이 결합한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 구체예로서, mCP나 mCBP 등을 들 수 있다. 또한, 호스트 화합물에 TADF활성인 화합물을 사용해도 된다. 본 양태에 있어서는, 호스트로서 정공수송성 호스트 재료와 전자수송성 호스트 재료와의 조합을 사용하는 것도 바람직하다. In this embodiment, known host compounds can be used, and examples include compounds having at least one of a carbazole ring and a furan ring, and among them, at least one of furanyl and carbazolyl, and an aryl ring. It is preferable to use a compound in which at least one of lene and heteroarylene is bonded. Specific examples include mCP and mCBP. Additionally, a compound with TADF activity may be used as the host compound. In this aspect, it is also preferable to use a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material as the host.
호스트 화합물의 인광 스펙트럼의 피크 단파장측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(1,T,Sh)는, 발광층내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층내에 있어서 가장 높은 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 가지는 이미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2,T,Sh), E(3,T,Sh)에 비해서 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 호스트 화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(1,T,Sh)는 E(2,T,Sh), E(3,T,Sh)에 비해, 0.01eV 이상 높은 것이 바람직하고, 0.03eV 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상 높은 것이 더욱 바람직하다. The lowest excitation triplet energy level E(1,T,Sh), obtained from the shoulder on the short wavelength side of the peak of the phosphorescence spectrum of the host compound, is the lowest in the light-emitting layer from the viewpoint of promoting rather than inhibiting the generation of TADF in the light-emitting layer. It is preferable that the lowest triplet excitation energy level of the emitting dopant or assisting dopant having a high lowest triplet excitation energy level is E(2,T,Sh), E(3,T,Sh), and specifically, , the lowest triplet excitation energy level E(1,T,Sh) of the host compound is preferably 0.01 eV or more higher than E(2,T,Sh) and E(3,T,Sh), and 0.03 eV or more. It is more preferable that it is high, and it is even more preferable that it is 0.1 eV or more high.
[열활성형 지연 형광체][Thermally activated delayed phosphor]
「열활성형 지연 형광체」란, 열 에너지를 흡수하여 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 일으키고, 그 최저 여기 일중항 상태로부터 방사 실활하여 지연 형광을 방사할 수 있는 화합물을 의미한다. 단, 「열활성형 지연 형광」은, 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 여기 과정에서 고차 삼중항을 거치는 것도 포함한다. 예를 들면, Durham 대학 Monkman들에 의한 논문(NATURE COMMUNICATIONS, 7:13680, DOI:10.1038/ncomms 13680), 산업기술종합연구소 호소가이들에 의한 논문(Hosokai et al., Sci.Adv. 2017; 3:e1603282), 교토대학 사토들에 의한 논문(Scientific Reports, 7:4820, DOI:10.1038/s41598-017-05007-7), 마찬가지로 교토대학 사토들에 의한 학회 발표(일본화학회 제98춘계 연회, 발표 번호: 2I4-15, DABNA를 발광 분자로서 사용한 유기 전계 발광에 있어서의 고효율 발광의 기구, 교토대학 대학원 공학 연구과), Bui들에 의한 리뷰(DOI:10.3762/bjoc.14.18), Duan들에 의한 리뷰(DOI:10.1063/1.5143501), Ding들에 의한 리뷰(DOI:10.1088/1674-4926/42/5/050201) 및 Xie들에 의한 리뷰(DOI:10.1002/adom.202002204) 등을 들 수 있다. 본 발명에서는, 대상 화합물을 포함하는 샘플에 대해, 300K에서 형광 수명을 측정했을 때, 느린 형광 성분이 관측된 것을 가지고 해당 대상 화합물이 「열활성형 지연 형광체」라고 판정하는 것으로 한다. 여기서, 느린 형광 성분이란, 형광 수명이 0.1μsec 이상의 것을 말한다. 형광 수명의 측정은, 예를 들면 형광 수명 측정 장치(하마마츠포토닉스사제, C11367-01)를 사용하여 행할 수 있다.“Thermal-activated delayed phosphor” refers to a substance that absorbs heat energy to cause reverse intersystem crossing from the lowest triplet excitation state to the lowest singlet excitation state, and is deactivated by radiation from the lowest singlet excitation state to emit delayed fluorescence. means a compound. However, “thermally activated delayed fluorescence” also includes passing through a higher order triplet in the excitation process from the lowest triplet excited state to the lowest singlet excited state. For example, a paper by Monkman of Durham University (NATURE COMMUNICATIONS, 7:13680, DOI:10.1038/ncomms 13680), a paper by Hosokai of the Institute of Industrial Technology (Hosokai et al., Sci.Adv. 2017; 3 :e1603282), a paper by Sato and others at Kyoto University (Scientific Reports, 7:4820, DOI:10.1038/s41598-017-05007-7), and also a conference presentation by Sato and others at Kyoto University (98th Spring Annual Meeting of the Chemical Society of Japan, Publication number: 2I4-15, Mechanism of highly efficient luminescence in organic electroluminescence using DABNA as a luminescent molecule, Kyoto University Graduate School of Engineering), review by Bui et al. (DOI:10.3762/bjoc.14.18), Duan et al. Reviews (DOI:10.1063/1.5143501), reviews by Dings (DOI:10.1088/1674-4926/42/5/050201), and reviews by Xies (DOI:10.1002/adom.202002204). In the present invention, when the fluorescence lifetime of a sample containing the target compound is measured at 300K, the target compound is determined to be a “heat-activated delayed phosphor” based on the observation of a slow fluorescence component. Here, the slow fluorescence component refers to a fluorescence lifetime of 0.1 μsec or more. Measurement of fluorescence lifetime can be performed, for example, using a fluorescence lifetime measuring device (C11367-01, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.).
어시스팅 도펀트로서의 「열활성형 지연 형광체」를 더 포함하는 발광층에 있어서는, 본 발명의 다환방향족 화합물은, 이미팅 도펀트로서 기능시킬 수 있다. 즉, 「열활성형 지연 형광체」는, 본 발명의 다환방향족 화합물의 발광을 어시스트하는 어시스팅 도펀트로서 기능할 수 있다. In a light-emitting layer further containing a “thermally activated delayed phosphor” as an assisting dopant, the polycyclic aromatic compound of the present invention can function as an emitting dopant. In other words, the “thermally activated delayed phosphor” can function as an assisting dopant that assists the light emission of the polycyclic aromatic compound of the present invention.
본 명세서에서는, 열활성형 지연 형광체를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자를, 「TAF 소자」(TADF Assisting Fluorescence 소자)라고 하는 경우가 있다. In this specification, an organic electroluminescent device using a thermally activated delayed phosphor as an assisting dopant may be referred to as a “TAF device” (TADF Assisting Fluorescence device).
TAF 소자에 있어서의 「호스트 화합물」이란, 형광 스펙트럼의 피크 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위가, 어시스팅 도펀트로서의 열활성형 지연 형광체, 및, 이미팅 도펀트보다 높은 화합물을 의미한다. “Host compound” in a TAF device refers to a compound whose lowest singlet excitation energy level, obtained from the shoulder on the short wavelength side of the peak of the fluorescence spectrum, is higher than that of the heat-activated delayed phosphor as an assisting dopant and the emitting dopant. do.
도 2에 일반적인 형광 도펀트를 이미팅 도펀트(ED)에 사용한 TAF 소자의 발광층의 에너지 준위도를 나타낸다. 도면 중, 호스트의 기저 상태의 에너지 준위를 E(1,G), 호스트의 형광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위를 E(1,S,Sh), 호스트의 인광스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 E(1,T,Sh), 어시스팅 도펀트의 기저 상태 에너지 준위를 E(2,G), 어시스팅 도펀트의 형광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위를 E(2,S,Sh), 어시스팅 도펀트의 인광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 E(2,T,Sh), 이미팅 도펀트의 기저 상태 에너지 준위를 E(3,G), 이미팅 도펀트의 형광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위를 E(3,S,Sh), 이미팅 도펀트의 인광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 E(3,T,Sh), 정공을 h+, 전자를 e-, 형광 공명 에너지 이동을 FRET(Fluorescence Resonance Energy Transfer)로 한다. TAF 소자에 있어서, 일반적인 형광 도펀트를 이미팅 도펀트(ED)로서 사용한 경우, 어시스팅 도펀트에서 업컨버전된 에너지는 이미팅 도펀트의 최저 여기 일중항 에너지 준위 E(3,S,Sh)로 이동하여 발광한다. 그러나, 어시스팅 도펀트 상의 일부의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2,T,Sh)가 이미팅 도펀트의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3,T,Sh)로 이동하거나, 이미팅 도펀트 상에서 최저 여기 일중항 에너지 준위 E(3,S,Sh)로부터 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3,T,Sh)로의 항간 교차가 일어나고, 계속하여 기저 상태 E(3, G)로 열적(熱的)으로 실활한다. 이 경로에 의해 일부의 에너지는 발광에 이용되지 않아, 에너지의 낭비가 생긴다. Figure 2 shows the energy level diagram of the light emitting layer of a TAF device using a general fluorescent dopant as an emitting dopant (ED). In the figure, E(1,G) is the energy level of the ground state of the host, E(1,S,Sh) is the lowest excitation singlet energy level obtained from the shoulder of the short wavelength side of the host's fluorescence spectrum, and E(1,S,Sh) is the short wavelength of the host's phosphorescence spectrum. The lowest excitation triplet energy level obtained from the shoulder on the side is E(1,T,Sh), the ground state energy level of the assisting dopant is E(2,G), and the fluorescence spectrum of the assisting dopant is obtained from the shoulder on the short wavelength side. E(2,S,Sh) is the lowest excitation singlet energy level, E(2,T,Sh) is the lowest triplet excitation energy level obtained from the shoulder of the short wavelength side of the phosphorescence spectrum of the assisting dopant, and E(2,T,Sh) is the lowest excitation triplet energy level of the emitting dopant. E(3,G) is the ground state energy level, E(3,S,Sh) is the lowest excitation singlet energy level obtained from the shoulder on the short-wavelength side of the fluorescence spectrum of the emitting dopant, and E(3,S,Sh) is the short-wavelength side of the phosphorescence spectrum of the emitting dopant. The lowest excitation triplet energy level obtained from the shoulder is E(3,T,Sh), holes are h+, electrons are e-, and fluorescence resonance energy transfer is FRET (Fluorescence Resonance Energy Transfer). In a TAF device, when a general fluorescent dopant is used as an emitting dopant (ED), the energy upconverted from the assisting dopant moves to the lowest excited singlet energy level E(3,S,Sh) of the emitting dopant and emits light. do. However, some of the lowest excitation triplet energy levels E(2,T,Sh) on the assisting dopant move to the lowest excitation triplet energy level E(3,T,Sh) on the emitting dopant, or An intersystem crossing occurs from the singlet excited energy level E(3,S,Sh) to the lowest triplet excited energy level E(3,T,Sh), and continues thermally to the ground state E(3,G). become deactivated by Due to this path, some of the energy is not used for light emission, resulting in energy waste.
이에 대하여, 본 양태의 유기 전계 발광 소자에서는, 어시스팅 도펀트부터 이미팅 도펀트로 이동한 에너지를 효율적으로 발광에 이용할 수 있고, 이에 따라 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 이는, 이하의 발광 메커니즘에 의한 것으로 추측된다.In contrast, in the organic electroluminescent device of this embodiment, the energy transferred from the assisting dopant to the emitting dopant can be efficiently used for light emission, and thus high light emission efficiency can be realized. This is presumed to be due to the following light emission mechanism.
본 양태의 유기 전계 발광 소자에 있어서의 바람직한 에너지 관계를 도 3에 나타낸다. 본 양태의 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 이미팅 도펀트로서의, 붕소 원자를 갖는 화합물이 높은 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3,T,Sh)를 갖는다. 이 때문에, 어시스팅 도펀트에서 업컨버전된 최저 여기 일중항 에너지가, 예를 들어, 이미팅 도펀트에서 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3,T,Sh)로 항간 교차한 경우에도, 이미팅 도펀트 상에서 업컨버전되거나, 어시스팅 도펀트(열활성형 지연 형광체) 상의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2,T,Sh)로 회수된다. 따라서, 생성한 여기 에너지를 낭비없이 발광에 이용할 수 있다. 또한, 업컨버전 및 발광의 기능을 각각 양호하게 할 수 있는 2종의 분자로 나눔으로써, 높은 에너지의 체류 시간이 감소하고, 화합물에 대한 부담이 감소할 것으로 예상된다. FIG. 3 shows a preferable energy relationship in the organic electroluminescent device of this embodiment. In the organic electroluminescent device of this embodiment, a compound having a boron atom as an emitting dopant has a high lowest triplet excitation energy level E(3,T,Sh). For this reason, the lowest excitation singlet energy upconverted in the assisting dopant, for example, crosses intersystemally to the lowest excitation triplet energy level E(3,T,Sh) in the emitting dopant. It is upconverted or recovered to the lowest excited triplet energy level E(2,T,Sh) on the assisting dopant (thermally activated delayed phosphor). Therefore, the generated excitation energy can be used for light emission without waste. In addition, by dividing the molecule into two types that can improve the functions of upconversion and light emission, it is expected that the residence time of high energy will be reduced and the burden on the compound will be reduced.
TAF 소자에서 사용하는 열활성형 지연 형광체(TADF 화합물)는, 도너라고 불리는 전자 공여성의 치환기와 억셉터라고 불리는 전자 수용성의 치환기를 사용하여 분자 내의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)와 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)를 국재화(局在化)시켜서, 효율적인 역항간 교차(reverse intersystem crossing)가 일어나게 디자인된, 도너-억셉터형 열활성형 지연 형광체(D-A형 TADF 화합물)인 것이 바람직하다.The thermally activated delayed phosphor (TADF compound) used in TAF devices uses an electron-donating substituent called a donor and an electron-accepting substituent called an acceptor to create HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) and LUMO (Lowest Unoccupied) within the molecule. It is preferable that it is a donor-acceptor type thermally activated delayed phosphor (D-A type TADF compound) designed to localize the molecular orbital and cause efficient reverse intersystem crossing.
여기서, 본 명세서 중에 있어서 「전자 공여성의 치환기」(도너)란, 열활성형 지연 형광체 분자 중에서 HOMO가 국재하는 치환기 및 부분 구조를 의미하고, 「전자 수용성의 치환기」(억셉터)란, 열활성형 지연 형광체 분자 중에서 LUMO가 국재하는 치환기 및 부분 구조를 의미하는 것으로 한다. Here, in this specification, “electron-donating substituent” (donor) refers to the substituent and partial structure where HOMO is localized in the heat-activated delayed phosphor molecule, and “electron-accepting substituent” (acceptor) refers to heat-activated delayed phosphor molecule. This refers to the substituents and partial structures in which LUMO is localized among active delayed phosphor molecules.
일반적으로, 도너나 억셉터를 사용한 열활성형 지연 형광체는, 구조에 기인하여 스핀 궤도 결합(SOC: Spin Orbit Coupling)이 크고, 동시에, HOMO와 LUMO의 교환 상호 작용이 작고 ΔES1T1이 작으므로, 매우 빠른 역항간 교차 속도가 얻어진다. 한편, 도너나 억셉터를 사용한 열활성형 지연 형광체는, 여기 상태에서의 구조 완화가 커지고(어떤 분자에 있어서는, 기저 상태와 여기 상태에서는 안정 구조가 상이하므로, 외부 자극에 의해 기저 상태로부터 여기 상태로의 변환이 일어나면, 그 후, 여기 상태에 있어서의 안정 구조로 구조가 변화됨), 폭이 넓은 발광 스펙트럼을 제공하므로, 발광 재료로서 사용하면 색순도를 저하시킬 가능성이 있다. In general, thermally activated delayed phosphors using donors or acceptors have large spin orbit coupling (SOC) due to their structure, and at the same time, the exchange interaction between HOMO and LUMO is small and ΔE S1T1 is small, Very fast inverse intersystem crossing rates are obtained. On the other hand, thermally activated delayed phosphors using donors or acceptors have greater structural relaxation in the excited state (for some molecules, the stable structures are different in the ground state and excited state, so external stimulation causes the structural relaxation to change from the ground state to the excited state). When the conversion occurs, the structure changes to a stable structure in the excited state) and provides a wide luminescence spectrum, so there is a possibility that color purity may be reduced when used as a luminescent material.
그러나, 본 발명의 다환방향족 화합물을 동시에 사용함으로써, 본 발명의 다환방향족 화합물은 이미팅 도펀트로서, TADF 재료는 어시스팅 도펀트로서 기능하고, 높은 색순도를 줄 수 있다. TADF 재료는, 그 발광 스펙트럼이 본 발명의 다환방향족 화합물의 흡수 스펙트럼과 적어도 일부 겹치는 화합물이라면 된다. 본 발명의 다환방향족 화합물과 TADF 재료는 모두 같은 층에 포함되어 있어도 되고, 인접하는 층 또는 그 외의 근접한 층에 포함되어 있어도 된다.However, by simultaneously using the polycyclic aromatic compound of the present invention, the polycyclic aromatic compound of the present invention functions as an emitting dopant and the TADF material functions as an assisting dopant, and can provide high color purity. The TADF material may be any compound whose emission spectrum overlaps at least part of the absorption spectrum of the polycyclic aromatic compound of the present invention. Both the polyaromatic compound of the present invention and the TADF material may be contained in the same layer, or may be contained in adjacent layers or other adjacent layers.
TAF 소자에 있어서의 열활성형 지연 형광체로서, 예를 들면 도너 및 억셉터가 직접 또는 스페이서를 통하여 결합하고 있는 화합물을 사용할 수 있다. 본 발명의 열활성형 지연 형광체에 사용되는 전자 공여성기(도너성의 구조) 및 전자 수용성기(억셉터성의 구조)로서는, 예를 들면, Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963에 기재된 구조를 사용할 수 있다. 도너성의 구조로서는, 카르바졸, 디메틸카르바졸, 디-tert-부틸카르바졸, 디메톡시카르바졸, 테트라메틸카르바졸, 벤조플루오로카르바졸, 벤조티에노카르바졸, 페닐디히드로인돌로카르바졸, 페닐비카르바졸, 비카르바졸, 터카르바졸, 디페닐카르바졸릴아민, 테트라페닐카르바졸릴디아민, 페녹사진, 디히드로페나진, 페노티아진, 디메틸디히드로아크리딘, 디페닐아민, 비스(tert-부틸 페닐)아민, N1-(4-(디페닐아미노)페닐)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민, 디메틸테트라페닐디히드로아크리딘디아민, 테트라메틸-디히드로인데노아크리딘 및 디페닐디히드로디벤조아자실린 등을 들 수 있다. 억셉터성의 구조로서는, 술포닐디벤젠, 벤조페논, 페닐렌비스(페닐메타논), 벤조니트릴, 이소니코티노니트릴, 프탈로니트릴, 이소프탈로니트릴, 파라프탈로니트릴, 벤젠트리카르보니트릴, 트리아졸, 옥사졸, 티아디아졸, 벤조티아졸, 벤조비스(티아졸), 벤조옥사졸, 벤조 비스(옥사졸), 퀴놀린, 벤조이미다졸, 디벤조퀴녹살린, 헵타아자페날렌, 티옥산톤디옥사이드, 디메틸안트라세논, 안트라센디온, 5H-시클로펜타[1,2-b:5,4-b']디피리딘, 플루오렌디카르보니트릴, 트리페닐트리아진, 피라진디카르보니트릴, 피리미딘, 페닐피리미딘, 메틸피리미딘, 피리딘디카르보니트릴, 디벤조퀴녹살린디카르보니트릴, 비스(페닐술포닐)벤젠, 디메틸티옥산텐디옥사이드, 티안트렌테트라옥사이드 및 트리스(디메틸페닐)보란을 들 수 있다. 특히, TAF 소자에 있어서의 열활성형 지연 형광을 갖는 화합물은, 부분 구조로서, 카르바졸, 페녹사진, 아크리딘, 트리아진, 피리미딘, 피라진, 티오잔텐, 벤조니트릴, 프탈로니트릴, 이소프탈로니트릴, 디페닐술폰, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸 및 벤조페논에서 선택되는 적어도 하나를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.As a thermally activated delayed phosphor in a TAF element, for example, a compound in which a donor and an acceptor are bonded directly or through a spacer can be used. As the electron donating group (donor structure) and electron accepting group (acceptor structure) used in the thermally activated delayed phosphor of the present invention, for example, the structure described in Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963 You can use it. Donor structures include carbazole, dimethylcarbazole, di-tert-butylcarbazole, dimethoxycarbazole, tetramethylcarbazole, benzofluorocarbazole, benzothienocarbazole, phenyldihydroindolocarbazole, Phenylbicarbazole, bicarbazole, tercarbazole, diphenylcarbazolylamine, tetraphenylcarbazolyldiamine, phenoxazine, dihydrophenazine, phenothiazine, dimethyldihydroacridine, diphenylamine, bis. (tert-butyl phenyl)amine, N1-(4-(diphenylamino)phenyl)-N4,N4-diphenylbenzene-1,4-diamine, dimethyltetraphenyldihydroacridinediamine, tetramethyl-dihydroinde Noacridine, diphenyldihydrodibenzoazacillin, etc. are mentioned. Acceptor structures include sulfonyl dibenzene, benzophenone, phenylenebis (phenylmethanone), benzonitrile, isonicotinonitrile, phthalonitrile, isophthalonitrile, paraphthalonitrile, benzene tricarbonitrile, and triazole. , oxazole, thiadiazole, benzothiazole, benzobis(thiazole), benzooxazole, benzobis(oxazole), quinoline, benzoimidazole, dibenzoquinoxaline, heptaazaphenalene, thioxanthone dioxide , dimethylanthracenone, anthracenedione, 5H-cyclopenta[1,2-b:5,4-b']dipyridine, fluorene dicarbonitrile, triphenyltriazine, pyrazine dicarbonitrile, pyrimidine, phenylpyridine Examples include midine, methylpyrimidine, pyridine dicarbonitrile, dibenzoquinoxaline dicarbonitrile, bis(phenylsulfonyl)benzene, dimethylthioxanethene dioxide, thianthrenetetroxide, and tris(dimethylphenyl)borane. In particular, compounds having heat-activated delayed fluorescence in the TAF device have partial structures such as carbazole, phenoxazine, acridine, triazine, pyrimidine, pyrazine, thioxanthene, benzonitrile, phthalonitrile, and isophene. It is preferable that it is a compound having at least one selected from talonitrile, diphenylsulfone, triazole, oxadiazole, thiadiazole and benzophenone.
TAF 소자에 있어서의 발광층의 어시스팅 도펀트로서 사용하는 화합물은, 열활성형 지연 형광체이며, 그 발광 스펙트럼이 이미팅 도펀트의 흡수 피크와 적어도 일부 중첩되는 화합물인 것이 바람직하다.The compound used as the assisting dopant of the light-emitting layer in the TAF element is a thermally activated delayed phosphor, and is preferably a compound whose emission spectrum overlaps at least partially with the absorption peak of the emitting dopant.
[인광 재료(어시스팅 도펀트)][Phosphorescent material (assisting dopant)]
발광층에 있어서는, 어시스팅 도펀트로서 인광 재료를 사용해도 된다. 본명세서에 있어서, 인광 재료를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자를 인광 어시스트 소자: 인광 증감 형광(phosphor-sensitized fluorescent) 소자, PSF소자라고 하는 경우가 있다. 인광 재료는 금속 원자에 의한 분자 내 스핀-궤도 상호 작용(중원자 효과)을 이용하여, 여기 삼중항 상태로부터의 발광을 얻는다. 이와 같은 인광 재료로서는, 예를 들면, 발광성 금속 착체를 사용할 수 있다. 발광성 금속 착체로서는, 예를 들면 하기 식(B-1) 및 하기 식(B-2)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.In the light-emitting layer, a phosphorescent material may be used as an assisting dopant. In the present specification, an organic electroluminescent device using a phosphorescent material as an assisting dopant is sometimes referred to as a phosphorescent assist device: a phosphor-sensitized fluorescent device, or a PSF device. Phosphorescent materials utilize intramolecular spin-orbit interactions (heavy atom effect) with metal atoms to obtain light emission from triplet excited states. As such a phosphorescent material, for example, a luminescent metal complex can be used. Examples of the luminescent metal complex include compounds represented by the following formula (B-1) and the following formula (B-2).
식(B-1)에 있어서, M은, Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이며, n은 1~3의 정수이고, 「X-Y」는 각각 독립적으로 2좌의 리간드이다.In formula (B-1), M is at least one selected from the group consisting of Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag and Cu, n is an integer of 1 to 3, and “X-Y” are each independently two-dentate ligands.
식(B-2)에 있어서, M은, Pt, Re 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이며, 「W-X-Y-Z」는 4좌의 리간드이다. In formula (B-2), M is at least one member selected from the group consisting of Pt, Re, and Cu, and “W-X-Y-Z” is a 4-dentate ligand.
식(B-1)에 있어서, 효율과 수명의 관점에서, M은 Ir이 바람직하고, n은 3이 바람직하다.In formula (B-1), from the viewpoint of efficiency and life, M is preferably Ir, and n is preferably 3.
식(B-2)에 있어서, 효율과 수명의 관점에서 M은 Pt가 바람직하다. In formula (B-2), M is preferably Pt from the viewpoint of efficiency and lifespan.
식(B-1)에 있어서의 리간드(X-Y)는, 이하로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 리간드를 가진다. 식(B-2)에 있어서의 리간드(W-X-Y-Z)는, 이하로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 리간드를 일부로서 가진다. The ligand (X-Y) in formula (B-1) has at least one ligand selected from the group consisting of the following. The ligand (W-X-Y-Z) in formula (B-2) has as part of at least one ligand selected from the group consisting of the following.
식 중, During the ceremony,
---에 있어서 중심 금속 M과 결합하고, --- combines with the central metal M,
Y는, 각각 독립적으로, BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 또는 GeReRf이며 Y is, each independently, BR e , NR e , PR e , O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR e R f , SiR e R f , or GeR e R f
환에 있어서의 방향족 탄소 C-H는, 각각 독립적으로, N으로 치환되어도 되고, The aromatic carbons C-H in the ring may each independently be substituted with N,
Re 및 Rf는, 임의로 축합 또는 결합하여 환을 형성해도 되며, R e and R f may be arbitrarily condensed or combined to form a ring,
Ra, Rb, Rc, 및 Rd는, 각각 독립적으로, 무치환 또는 1~치환 가능한 최대수까지 치환해도 되고, R a , R b , R c , and R d may each independently be unsubstituted or substituted from 1 to the maximum number of possible substitutions,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf가, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐화물, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 또는, 이것들의 조합이며, R a , R b , R c , R d , R e , and R f are each independently hydrogen, deuterium, halide, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , cycloalkenyl, heteroalkenyl, aryl, heteroaryl, nitrile, isonitrile, sulfanyl, or a combination thereof,
단, Ra, Rb, Rc, 및 Rd에 있어서의 임의의 2개의 인접하는 치환기가 축합 또는 결합하여 환을 형성하거나, 또는 다좌 리간드를 형성해도 된다. However, any two adjacent substituents in R a , R b , R c , and R d may condense or combine to form a ring, or may form a multidentate ligand.
식(B-1)으로 나타내어지는 화합물로서는, 예를 들면, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mppy)3, Ir(PPy)2(m-bppy), BtpIr(acac), Ir(btp)2(acac), Ir(2-phq)3, Hex-Ir(phq)3, Ir(fbi)2(acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III), Eu(dbm)3(Phen), Ir(piq)3, Ir(piq)2(acac), Ir(Fliq)2(acac), Ir(Flq)2(acac), Ru(dtb-bpy)3·2(PF6), Ir(2-phq)3, Ir(BT)2(acac), Ir(DMP)3, Ir(Mphq)3IR(phq)2tpy, fac-Ir(ppy)2Pc, Ir(dp)PQ2, Ir(Dpm)(Piq)2, Hex-Ir(piq)2(acac), Hex-Ir(piq)3, Ir(dmpq)3, Ir(dmpq)2(acac), FPQIrpic 등을 들 수 있다. Examples of compounds represented by formula (B-1) include Ir(ppy) 3 , Ir(ppy) 2 (acac), Ir(mppy) 3 , Ir(PPy) 2 (m-bppy), and BtpIr( acac), Ir(btp) 2 (acac), Ir(2-phq) 3 , Hex-Ir(phq) 3 , Ir(fbi) 2 (acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl) phenyl)pyridine iridium(III), Eu(dbm) 3 (Phen), Ir(piq) 3 , Ir(piq) 2 (acac), Ir(Fliq) 2 (acac), Ir(Flq) 2 (acac), Ru(dtb-bpy) 3 2(PF 6 ), Ir(2-phq) 3 , Ir(BT) 2 (acac), Ir(DMP) 3 , Ir(Mphq) 3 IR(phq) 2 tpy, fac -Ir(ppy) 2 Pc, Ir(dp)PQ 2 , Ir(Dpm)(Piq) 2 , Hex-Ir(piq) 2 (acac), Hex-Ir(piq) 3 , Ir(dmpq) 3 , Ir (dmpq) 2 (acac), FPQIrpic, etc.
식(B-1)으로 나타내어지는 화합물로서는, 그 밖에는, 예를 들면 이하의 화합물을 들 수 있다.Other compounds represented by formula (B-1) include, for example, the following compounds.
또한, 일본특허공개 2006-089398호 공보, 일본특허공개 2006-080419호 공보, 일본특허공개 2005-298483호 공보, 일본특허공개 2005-097263호 공보, 및 일본특허공개 2004-111379호 공보, 미국 특허출원공개 제2019/0051845호 명세서 등에 기재된 이리듐 착체, 또는, Advanced Materials, 26:7116-7121, NPG Asia Materials 13, 53(2021), Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020), Light-Emitting Diode-An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5에 기재된 백금 착체를 사용해도 된다. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-089398, Japanese Patent Application Publication No. 2006-080419, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-298483, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-097263, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-111379, and US Patents Iridium complex described in Application Publication No. 2019/0051845, etc., or Advanced Materials, 26:7116-7121, NPG Asia Materials 13, 53 (2021), Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020), Light-Emitting Diode- The platinum complex described in An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5 may also be used.
<기타의 도펀트 재료> <Other dopant materials>
상기의 이미팅 도펀트는 다른 도펀트 재료와 조합시켜서 사용되어도 된다. 단, 다른 도펀트 재료는 1개의 발광층중에 있어서 상기의 이미팅 도펀트의 총질량에 대하여, 100 질량% 미만인 것이 바람직하고, 50 질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 30 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 10 질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 다른 도펀트 재료로서는, 공지의 화합물을 사용할 수 있고, 원하는 발광색에 따라 여러 가지 재료 중에서 선택할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 페난트렌, 안트라센, 피렌, 테트라센, 펜타센, 페릴렌, 나프토피렌, 디벤조피렌, 루브렌 및 크리센 등의 축합환 유도체, 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 티아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤 유도체, 티오펜 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체(일본특허공개 평1-245087호 공보), 비스스티릴아릴렌 유도체(일본특허공개 평2-247278호 공보), 디아자인다센 유도체, 푸란 유도체, 벤조푸란 유도체, 페닐이소벤조푸란, 디메시틸이소벤조푸란, 디(2-메틸페닐)이소벤조푸란, 디(2-트리플루오로메틸페닐)이소벤조푸란, 페닐이소벤조푸란 등의 이소벤조푸란 유도체, 디벤조푸란 유도체, 7-디알킬아미노쿠마린 유도체, 7-피페리디노쿠마린 유도체, 7-히드록시쿠마린 유도체, 7-메톡시쿠마린 유도체, 7-아세톡시쿠마린 유도체, 3-벤조티아졸릴쿠마린 유도체, 3-벤조이미다졸릴쿠마린 유도체, 3-벤조옥사졸릴쿠마린 유도체 등의 쿠마린 유도체, 디시아노메틸렌피란 유도체, 디시아노메틸렌티오피란 유도체, 폴리메틴 유도체, 시아닌 유도체, 옥소벤조안트라센 유도체, 잔텐 유도체, 로다민 유도체, 플루오레세인 유도체, 피릴륨 유도체, 카르보스티릴 유도체, 아크리딘 유도체, 옥사진 유도체, 페닐렌옥사이드 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 퀴나졸린 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 퓨로피리딘 유도체, 1,2,5-티아디아졸로피렌 유도체, 피로메텐 유도체, 페리논 유도체, 피롤로피롤 유도체, 스쿠아릴륨 유도체, 비오란트론 유도체, 페나진 유도체, 아크리돈 유도체, 데아자플라빈 유도체, 플루오렌 유도체 및 벤조플루오렌 유도체 등을 들 수 있다.The above emitting dopant may be used in combination with other dopant materials. However, the other dopant material is preferably less than 100% by mass, more preferably 50% by mass or less, even more preferably 30% by mass or less, relative to the total mass of the emitting dopant in one light emitting layer. It is particularly preferable that it is % or less. As other dopant materials, known compounds can be used, and various materials can be selected depending on the desired emission color. Specifically, for example, condensed ring derivatives such as phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopyrene, dibenzopyrene, rubrene, and chrysene, benzoxazole derivatives, and benzothiazole. Derivatives, benzoimidazole derivatives, benzotriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, Tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bistyryl derivatives such as bistyryl anthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives (Japanese Patent Application Laid-open No. 1-245087), bistyrylarylene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2) -247278 Publication), diazindacene derivatives, furan derivatives, benzofuran derivatives, phenylisobenzofuran, dimethylisobenzofuran, di(2-methylphenyl)isobenzofuran, di(2-trifluoromethylphenyl)iso Isobenzofuran derivatives such as benzofuran and phenylisobenzofuran, dibenzofuran derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7-methoxycoumarin derivatives, 7 -Coumarin derivatives such as acetoxycoumarin derivatives, 3-benzothiazolylcoumarin derivatives, 3-benzoimidazolylcoumarin derivatives, and 3-benzooxazolylcoumarin derivatives, dicyanomethylene pyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine Derivatives, cyanine derivatives, oxobenzoanthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyryl derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, phenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, Quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1,2,5-thiadiazolopyrene derivatives, pyromethene derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squaryllium derivatives, biolanthrone derivatives, phenazine Derivatives, acridone derivatives, deazaflavin derivatives, fluorene derivatives, benzofluorene derivatives, etc. may be mentioned.
다른 도펀트 재료로서는, 국제공개 제2015/102118호, 국제공개 제2020/162600호, 일본특허공개 2021-077890호 공보의 단락 0097~0269 등에 기재된 붕소를 포함하는 다환방향족 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. As another dopant material, it is also preferable to use a polycyclic aromatic compound containing boron described in paragraphs 0097 to 0269 of International Publication No. 2015/102118, International Publication No. 2020/162600, and Japanese Patent Application Publication No. 2021-077890.
2-1-6. 유기 2-1-6. abandonment 전계electric field 발광 radiation 소자에 있어서의in the device 전자 former 주입층injection layer , 전자 , former 수송층transport layer
전자 주입층(107)은, 음극(108)으로부터 이동해 오는 전자를, 효율적으로 발광층(105) 내 또는 전자 수송층(106) 내로 주입하는 역할을 한다. 전자 수송층(106)은, 음극(108)으로부터 주입된 전자 또는 음극(108)으로부터 전자 주입층(107)을 통해 주입된 전자를, 효율적으로 발광층(105)으로 수송하는 역할을 한다. 전자 수송층(106) 및 전자 주입층(107)은, 각각, 전자 수송·주입 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하거나, 전자 수송·주입 재료와 고분자 결착제의 혼합물에 의해 형성된다. The electron injection layer 107 serves to efficiently inject electrons moving from the cathode 108 into the light emitting layer 105 or the electron transport layer 106. The electron transport layer 106 serves to efficiently transport electrons injected from the cathode 108 or electrons injected from the cathode 108 through the electron injection layer 107 to the light emitting layer 105. The electron transport layer 106 and the electron injection layer 107 are formed by laminating or mixing one or two or more types of electron transport/injection material, or a mixture of an electron transport/injection material and a polymer binder, respectively.
전자 주입·수송층이란, 음극으로부터 전자가 주입되고, 또한 전자를 수송하는 것을 담당하는 층이며, 전자 주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 전자 친화력이 크고, 또한 전자 이동도가 크고, 나아가 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 그러나, 정공과 전자의 수송 밸런스를 고려한 경우, 양극으로부터의 정공이 재결합하지 않고 음극 측으로 흐르는 것을 효율적으로 저지할 수 있는 역할을 주로 하는 경우에는, 전자 수송 능력이 그다지 높지 않더라도, 발광 효율을 향상시키는 효과는 전자 수송 능력이 높은 재료와 동등하게 갖는다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서의 전자 주입·수송층은, 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 층의 기능도 포함되어도 된다.The electron injection/transport layer is a layer that injects electrons from the cathode and is responsible for transporting the electrons. It is desirable that the electron injection efficiency is high and the injected electrons are transported efficiently. For this purpose, it is desirable to use a material that has high electron affinity, high electron mobility, excellent stability, and that impurities that become traps are unlikely to be generated during production and use. However, when considering the transport balance between holes and electrons, if it mainly plays a role in efficiently preventing holes from the anode from flowing to the cathode without recombining, even if the electron transport ability is not very high, it improves luminous efficiency. The effect is equivalent to that of materials with high electron transport capacity. Therefore, the electron injection/transport layer in the present embodiment may also include a function of a layer that can efficiently prevent the movement of holes.
전자 수송층(106) 또는 전자 주입층(107)을 형성하는 재료(전자 수송 재료)로서는, 광도전 재료에 있어서 전자 전달 화합물로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, 유기 EL 소자의 전자 주입층 및 전자 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. The material (electron transport material) forming the electron transport layer 106 or the electron injection layer 107 includes compounds conventionally used as electron transport compounds in photoconductive materials, and compounds used in the electron injection layer and electron transport layer of organic EL devices. It can be used by arbitrarily selecting from among known compounds in use.
전자 수송층 또는 전자 주입층에 사용되는 재료로서는, 탄소, 수소, 산소, 황, 규소 및 인 중에서 선택되는 1종 이상의 원자로 구성되는 방향족환 또는 복소 방향족환으로 이루어지는 화합물, 피롤 유도체 및 그 축합환 유도체 및 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체 중에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 나프탈렌, 안트라센 등의 축합환계 방향족환 유도체, 4,4'-비스(디페닐에테닐)비페닐로 대표되는 스티릴계 방향족환 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논이나 디페노퀴논 등의 퀴논 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 아릴니트릴 유도체 및 인돌 유도체 등을 들 수 있다. 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체로서는, 예를 들면, 히드록시페닐옥사졸 착체 등의 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합하여 사용해도 상관없다. Materials used in the electron transport layer or electron injection layer include compounds made of an aromatic ring or heteroaromatic ring composed of one or more atoms selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon, and phosphorus, pyrrole derivatives and condensed ring derivatives thereof, and It is preferable to contain at least one type selected from metal complexes having electron-accepting nitrogen. Specifically, condensed ring aromatic ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives such as 4,4'-bis(diphenylethenyl)biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, and naphthalimide derivatives. , quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphine oxide derivatives, arylnitrile derivatives, and indole derivatives. Examples of metal complexes having electron-accepting nitrogen include hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complex, azomethine complex, tropolone metal complex, flavonol metal complex, and benzoquinoline metal complex. These materials can be used alone, but may be mixed with other materials.
또한, 다른 전자 전달 화합물의 구체예로서, 피리딘 유도체, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 페난트롤린 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논 유도체, 디페노퀴논 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 페릴렌 유도체, 옥사디아졸 유도체(1,3-비스[(4-t-부틸 페닐)1,3,4-옥사디아졸릴]페닐렌 등), 티오펜 유도체, 트리아졸 유도체(N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등), 티아디아졸 유도체, 옥신 유도체의 금속 착체, 퀴놀리놀계 금속 착체, 퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체의 폴리머, 벤자졸류 화합물, 갈륨 착체, 피라졸 유도체, 퍼플루오로화 페닐렌 유도체, 트리아진 유도체, 피라진 유도체, 벤조퀴놀린 유도체(2,2'-비스(벤조[h]퀴놀린-2-일)-9,9'-스피로플루오렌 등), 이미다조피리딘 유도체, 보란 유도체, 벤조이미다졸 유도체(트리스(N-페닐벤조이미다졸-2-일)벤젠 등), 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 퀴놀린 유도체, 터피리딘 등의 올리고 피리딘 유도체, 비피리딘 유도체, 터피리딘 유도체(1,3-비스 (2,2':6',2"-터피리딘-4'-일)벤젠 등), 나프티리딘 유도체(비스(1-나프틸)-4-(1,8-나프티리딘-2-일)페닐 포스핀옥사이드 등), 알다진 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 비스스티릴 유도체 등을 들 수 있다. Additionally, specific examples of other electron transfer compounds include pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, and diphenylquinone. Derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives (1,3-bis[(4-t-butyl phenyl)1,3,4-oxadiazolyl]phenylene, etc.), thiophene derivatives, triazole derivatives (N- (naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, etc.), thiadiazole derivatives, metal complexes of auxin derivatives, quinolinol-based metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazoles Compounds, gallium complex, pyrazole derivative, perfluorinated phenylene derivative, triazine derivative, pyrazine derivative, benzoquinoline derivative (2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9' -spirofluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benzoimidazole derivatives (tris(N-phenylbenzoimidazol-2-yl)benzene, etc.), benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, Oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives (1,3-bis (2,2':6',2"-terpyridin-4'-yl)benzene, etc.), naphthyridine derivatives (bis) (1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenyl phosphine oxide, etc.), aldazine derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, phosphine oxide derivatives, bistyryl derivatives, etc. I can hear it.
또한, 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체를 사용할 수도 있고, 예를 들면, 퀴놀리놀계 금속 착체나 히드록시페닐옥사졸 착체 등의 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다.Additionally, a metal complex having an electron-accepting nitrogen can also be used, for example, a quinolinol-based metal complex, a hydroxyazole complex such as a hydroxyphenyloxazole complex, an azomethine complex, a tropolone metal complex, or a flavonol metal complex. and benzoquinoline metal complexes.
상술한 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합하여 사용해도 상관없다. The above-mentioned materials can be used alone, but may also be used in combination with other materials.
상술한 재료 중에서도, 보란 유도체, 피리딘 유도체, 플루오란텐 유도체, BO계 유도체, 안트라센 유도체, 벤조플루오렌 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 피리미딘 유도체, 아릴니트릴 유도체, 트리아진 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 및 퀴놀리놀계 금속 착체가 바람직하다.Among the above-mentioned materials, borane derivatives, pyridine derivatives, fluoranthene derivatives, BO-based derivatives, anthracene derivatives, benzofluorene derivatives, phosphine oxide derivatives, pyrimidine derivatives, arylnitrile derivatives, triazine derivatives, benzimidazole derivatives, Phenanthroline derivatives and quinolinol-based metal complexes are preferred.
<환원성 물질><Reducing substances>
전자 수송층 또는 전자 주입층에는, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료를 환원할 수 있는 물질을 더 포함하고 있어도 된다. 이 환원성 물질은, 일정한 환원성을 가지는 물질이라면, 다양한 물질이 사용될 수 있고, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 바람직하게 사용할 수 있다.The electron transport layer or electron injection layer may further contain a substance capable of reducing the material forming the electron transport layer or electron injection layer. This reducing substance can be a variety of substances as long as it has a certain reducing property, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an oxide of an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkaline earth metal, At least one selected from the group consisting of halides of alkaline earth metals, oxides of rare earth metals, halides of rare earth metals, organic complexes of alkali metals, organic complexes of alkaline earth metals and organic complexes of rare earth metals can be preferably used. .
바람직한 환원성 물질로서는, Na(일함수 2.36eV), K(동 2.28eV), Rb(동 2.16eV) 또는 Cs(동 1.95eV) 등의 알칼리 금속이나, Ca(동 2.9eV), Sr(동 2.0~2.5eV) 또는 Ba(동 2.52eV) 등의 알칼리토류 금속을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하의 물질이 특히 바람직하다. 이들 중, 더 바람직한 환원성 물질은, K, Rb 또는 Cs의 알칼리 금속이며, 보다 더 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은, 특히 환원 능력이 높고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료에의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 긴 수명화가 도모된다. 또한, 일함수가 2.9eV 이하의 환원성 물질로서, 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하고, 특히, Cs를 포함한 조합, 예를 들면, Cs과 Na, Cs과 K, Cs과 Rb, 또는 Cs과 Na과 K과의 조합이 바람직하다. Cs를 포함함으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료에의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 긴 수명화가 도모된다.Preferred reducing substances include alkali metals such as Na (work function 2.36 eV), K (2.28 eV), Rb (2.16 eV), or Cs (1.95 eV), Ca (2.9 eV), and Sr (2.0 eV). alkaline earth metals such as (~2.5 eV) or Ba (copper, 2.52 eV), and materials with a work function of 2.9 eV or less are particularly preferred. Among these, more preferable reducing substances are alkali metals of K, Rb or Cs, even more preferably Rb or Cs, and most preferable is Cs. These alkali metals have a particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to the material forming the electron transport layer or electron injection layer, the luminance of the organic EL device can be improved and its lifespan can be improved. In addition, as a reducing material with a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more alkali metals is also preferable, especially a combination containing Cs, for example, Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or Cs. A combination of Na and K is preferred. By including Cs, the reducing ability can be efficiently exerted, and by adding it to the material forming the electron transport layer or the electron injection layer, the luminance of the organic EL device can be improved and its lifespan can be improved.
2-1-7. 유기 전계 발광 소자에 있어서의 음극 2-1-7. Cathode in organic electroluminescent device
음극(108)은, 전자 주입층(107) 및 전자 수송층(106)을 통하여, 발광층(105)에 전자를 주입하는 역할을 한다.The cathode 108 serves to inject electrons into the light emitting layer 105 through the electron injection layer 107 and the electron transport layer 106.
음극(108)을 형성하는 재료로서는, 전자를 유기층에 효율적으로 주입할 수 있는 물질이라면 특별히 한정되지 않지만, 양극(102)을 형성하는 재료와 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 주석, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은, 구리, 니켈, 크롬, 금, 백금, 철, 아연, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 및 마그네슘 등의 금속 또는 그들의 합금(마그네슘-은합금, 마그네슘-인듐 합금, 불화 리튬/알루미늄 등의 알루미늄-리튬 합금 등) 등이 바람직하다. 전자 주입 효율을 높여 소자 특성을 향상시키기 위해서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘, 칼슘, 마그네슘 또는 이들 저(低)일함수 금속을 포함하는 합금이 유효하다. 그러나, 이들 저일함수 금속은 일반적으로 대기 중에서 불안정한 경우가 많다. 이러한 점을 개선하기 위해, 예를 들면, 유기층에 미량의 리튬, 세슘이나 마그네슘을 도핑하여, 안정성이 높은 전극을 사용하는 방법이 알려져 있다. 그 밖의 도펀트로서는, 불화리튬, 불화세슘, 산화리튬 및 산화세슘과 같은 무기염도 사용할 수 있다. 단, 이들에 한정되지 않는다. The material forming the cathode 108 is not particularly limited as long as it is a material that can efficiently inject electrons into the organic layer, but the same material as the material forming the anode 102 can be used. Among them, metals such as tin, indium, calcium, aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum, iron, zinc, lithium, sodium, potassium, cesium and magnesium, or their alloys (magnesium-silver alloy, magnesium-silver alloy) Indium alloys, aluminum-lithium alloys such as lithium fluoride/aluminum, etc.) are preferable. In order to improve device characteristics by increasing electron injection efficiency, alloys containing lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or these low work function metals are effective. However, these low work function metals are generally unstable in the atmosphere. To improve this problem, there is a known method of using a highly stable electrode by doping a small amount of lithium, cesium or magnesium into the organic layer, for example. As other dopants, inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide, and cesium oxide can also be used. However, it is not limited to these.
나아가, 전극 보호를 위해 백금, 금, 은, 구리, 철, 주석, 알루미늄 및 인듐 등의 금속, 또는 이들 금속을 사용한 합금, 그리고 실리카, 티타니아 및 질화규소 등의 무기물, 폴리비닐알콜, 염화비닐, 탄화수소계 고분자 화합물 등을 적층하는 것을, 바람직한 예로서 들 수 있다. 이들 전극의 제작법도, 저항 가열, 전자빔 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 및 코팅 등, 도통(導通)을 취할 수 있으면 특별히 제한되지 않는다.Furthermore, to protect the electrode, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, inorganic substances such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, and hydrocarbons. Laminating a polymer compound or the like is a preferred example. The manufacturing method of these electrodes is not particularly limited as long as conduction can be achieved, such as resistance heating, electron beam evaporation, sputtering, ion plating, and coating.
2-1-8. 유기 전계 발광 소자의 제작 방법2-1-8. Manufacturing method of organic electroluminescent device
유기 EL 소자를 구성하는 각 층은, 각 층을 구성하는 재료를 증착법, 저항 가열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 분자 적층법, 인쇄법, 스핀 코트법 또는 캐스트법, 코팅법 등의 방법으로 박막으로 함으로써, 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 각 층의 막 두께에 대해서는 특별히 한정은 없고, 재료의 성질에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 통상 2nm~5000nm의 범위이다. 막 두께는 통상, 수정 발진식 막 두께 측정 장치 등으로 측정할 수 있다. 증착법을 이용하여 박막화하는 경우, 그 증착 조건은, 재료의 종류, 막의 목적으로 하는 결정 구조 및 회합 구조 등에 따라 다르다. 증착 조건은 일반적으로, 보트 가열 온도 +50~+400℃, 진공도 10-6~10-3Pa, 증착 속도 0.01~50nm/초, 기판 온도 -150~+300℃, 막 두께 2nm~5㎛의 범위에서 적절히 설정하는 것이 바람직하다. Each layer constituting the organic EL device is formed by forming the material constituting each layer into a thin film using methods such as vapor deposition, resistance heating deposition, electron beam deposition, sputtering, molecular stacking, printing, spin coating or casting, and coating methods. By doing so, it can be formed. There is no particular limitation on the film thickness of each layer formed in this way, and it can be set appropriately depending on the properties of the material, but is usually in the range of 2 nm to 5000 nm. The film thickness can usually be measured with a crystal oscillation type film thickness measuring device or the like. When thinning a film using a vapor deposition method, the deposition conditions vary depending on the type of material, the target crystal structure and association structure of the film, etc. Deposition conditions are generally boat heating temperature +50 to +400℃, vacuum degree of 10 -6 to 10 -3 Pa, deposition rate of 0.01 to 50nm/sec, substrate temperature of -150 to +300℃, film thickness of 2nm to 5㎛. It is desirable to set it appropriately within the range.
이와 같이 하여 얻어진 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가하는 경우에는, 양극을 +, 음극을 -의 극성으로 하여 인가하면 되고, 전압 2~40V 정도를 인가하면, 투명 또는 반투명의 전극측(양극 또는 음극, 및 양쪽)에서 발광을 관측할 수 있다. 또한, 이 유기 EL 소자는, 펄스 전류나 교류 전류를 인가한 경우에도 발광한다. 또한, 인가하는 교류의 파형은 임의여도 된다. When applying a direct current voltage to the organic EL device obtained in this way, the anode should be + and the cathode should be applied with the polarity of -. When a voltage of about 2 to 40 V is applied, the transparent or translucent electrode side (anode or cathode) can be applied. , and both sides) can be observed. Additionally, this organic EL element emits light even when pulse current or alternating current is applied. Additionally, the waveform of the applied alternating current may be arbitrary.
다음으로, 유기 EL 소자를 제작하는 방법의 일 예로서, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어지는 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어지는 유기 EL 소자의 제작법에 대하여 설명한다.Next, as an example of a method of manufacturing an organic EL device, a method of manufacturing an organic EL device composed of an anode/hole injection layer/hole transport layer/host material and a light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode made of a dopant material will be described. Explain.
<증착법><Deposition method>
적당한 기판 상에, 양극 재료의 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 양극을 제작한 후, 이 양극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층의 박막을 형성시킨다. 이 위에 호스트 재료와 도펀트 재료를 공증착하고 박막을 형성시켜 발광층으로 하고 이 발광층 상에 전자 수송층, 전자 주입층을 형성시키고, 또한 음극용 물질로 이루어지는 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 음극으로 함으로써, 원하는 유기 EL 소자가 얻어진다. 또한, 상술한 유기 EL 소자의 제작에 있어서는, 제작 순서를 반대로 하여, 음극, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 양극의 순으로 제작하는 것도 가능하다.After producing an anode by forming a thin film of an anode material by a vapor deposition method or the like on a suitable substrate, thin films of a hole injection layer and a hole transport layer are formed on this anode. A host material and a dopant material are co-deposited on this to form a thin film to form a light-emitting layer. An electron transport layer and an electron injection layer are formed on this light-emitting layer, and a thin film made of a cathode material is formed by a deposition method or the like to form a cathode, thereby forming the desired organic material. An EL device is obtained. In addition, when manufacturing the organic EL device described above, it is also possible to reverse the manufacturing order and fabricate the cathode, electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode in that order.
<습식 성막법><Wet film forming method>
습식 성막법은, 유기 EL 소자의 각 유기층을 형성할 수 있는 저분자 화합물을 액상의 유기층 형성용 조성물로서 준비하여, 이를 사용함으로써 실시된다. 이 저분자 화합물을 용해하는 적당한 유기 용매가 없을 경우에는, 해당 저분자 화합물에 반응성 치환기를 치환시킨 반응성 화합물로서 용해성 기능을 가지는 다른 모노머나 주사슬형 고분자와 함께 고분자화시킨 고분자 화합물 등으로부터 유기층 형성용 조성물을 준비해도 된다. The wet film forming method is performed by preparing a low-molecular-weight compound capable of forming each organic layer of an organic EL device as a liquid composition for forming an organic layer and using it. If there is no suitable organic solvent that dissolves the low-molecular compound, a composition for forming an organic layer can be prepared from a reactive compound obtained by substituting a reactive substituent on the low-molecular compound and polymerized with another monomer or main chain polymer having a soluble function. You may prepare.
습식 성막법은, 일반적으로는, 기판에 유기층 형성용 조성물을 도포하는 도포 공정 및 도포된 유기층 형성용 조성물로부터 용매를 제거하는 건조 공정을 거침으로써 도막을 형성한다. 상기 고분자 화합물이 가교성 치환기를 가지는 경우(이를 가교성 고분자 화합물이라고도 함)에는, 이 건조 공정에 의해 더 가교하여 고분자 가교체가 형성된다. 도포 공정의 차이에 따라, 스핀 코터를 사용하는 방법을 스핀 코트법, 슬릿 코터를 사용하는 방법을 슬릿 코트법, 판을 사용하는 방법을 그라비아 오프셋, 리버스 오프셋, 플렉소 인쇄법, 잉크젯 프린터를 사용하는 방법을 잉크젯법, 안개 형상으로 내뿜는 방법을 스프레이법이라고 부른다. 건조 공정에는, 풍건, 가열, 감압 건조 등의 방법이 있다. 건조 공정은 1회만 행해도 되고, 다른 방법이나 조건을 이용하여 복수 회 행해도 된다. 또한, 예를 들면, 감압 하에서의 소성과 같이, 다른 방법을 병용해도 된다. The wet film forming method generally forms a coating film by going through an application process of applying a composition for forming an organic layer to a substrate and a drying process of removing a solvent from the applied composition for forming an organic layer. When the polymer compound has a crosslinkable substituent (this is also referred to as a crosslinkable polymer compound), it is further crosslinked through this drying process to form a crosslinked polymer. Depending on the difference in the application process, the method using a spin coater is the spin coat method, the method using the slit coater is the slit coat method, and the method using the plate is the gravure offset, reverse offset, flexo printing method, and inkjet printer. The method of doing this is called the inkjet method, and the method of emitting it in the form of a mist is called the spray method. The drying process includes methods such as air drying, heating, and reduced pressure drying. The drying process may be performed only once, or may be performed multiple times using different methods or conditions. Additionally, other methods may be used together, for example, baking under reduced pressure.
습식 성막법이란 용액을 사용한 성막법으로서, 예를 들면, 일부의 인쇄법(잉크젯법), 스핀 코트법 또는 캐스트법, 코팅법 등이다. 습식 성막법은 진공 증착법과 달리 고가의 진공 증착 장치를 사용할 필요가 없고, 대기압 하에서 성막할 수 있다. 추가로, 습식 성막법은 대면적화나 연속 생산이 가능하여, 제조 비용의 저감으로 이어진다.A wet film formation method is a film formation method using a solution, for example, some printing methods (inkjet methods), spin coating methods, cast methods, coating methods, etc. Unlike the vacuum deposition method, the wet film deposition method does not require the use of expensive vacuum deposition equipment and can be formed under atmospheric pressure. Additionally, the wet film forming method enables large-area and continuous production, leading to a reduction in manufacturing costs.
한편, 진공 증착법에 비해, 습식 성막법은 적층화가 어려운 경우가 있다. 습식 성막법을 이용하여 적층막을 제작하는 경우, 상층의 조성물에 의한 하층의 용해를 방지할 필요가 있어, 용해성을 제어한 조성물, 하층의 가교 및 직교 용매(Orthogonal solvent, 서로 용해되지 않는 용매) 등이 구사된다. 그러나, 이들 기술을 사용하더라도, 모든 막의 도포에 습식 성막법을 이용하는 것은 어려운 경우가 있다. On the other hand, compared to the vacuum deposition method, the wet film forming method may be difficult to laminate. When producing a laminated film using a wet film forming method, it is necessary to prevent dissolution of the lower layer by the composition of the upper layer, so a composition with controlled solubility, crosslinking of the lower layer, and an orthogonal solvent (solvent that does not dissolve in each other), etc. This is used. However, even if these technologies are used, it is sometimes difficult to use the wet film forming method for application of all films.
이에, 일반적으로는, 몇 개의 층만을 습식 성막법을 이용하고, 나머지를 진공 증착법으로 유기 EL 소자를 제작하는 방법이 채용된다. Therefore, generally, a method of manufacturing an organic EL device using a wet film deposition method for only a few layers and a vacuum deposition method for the remaining layers is adopted.
예를 들면, 습식 성막법을 일부 적용하여 유기 EL 소자를 제작하는 절차를 이하에 나타낸다. For example, the procedure for manufacturing an organic EL device by partially applying a wet film forming method is shown below.
(절차 1) 양극의 진공 증착법에 의한 성막 (Procedure 1) Film formation by vacuum deposition of anode
(절차 2) 정공 주입층용 재료를 포함하는 정공 주입층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막 (Procedure 2) Film formation of a composition for forming a hole injection layer containing a hole injection layer material by a wet film forming method
(절차 3) 정공 수송층용 재료를 포함하는 정공 수송층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막 (Procedure 3) Film formation of a composition for forming a hole transport layer containing a hole transport layer material by a wet film forming method
(절차 4) 호스트 재료와 도펀트 재료를 포함하는 발광층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막 (Procedure 4) Film formation of a composition for forming an emitting layer containing a host material and a dopant material by a wet film forming method
(절차 5) 전자 수송층의 진공 증착법에 의한 성막 (Procedure 5) Film formation of electron transport layer by vacuum deposition method
(절차 6) 전자 주입층의 진공 증착법에 의한 성막 (Procedure 6) Film formation of electron injection layer by vacuum deposition method
(절차 7) 음극의 진공 증착법에 의한 성막 (Procedure 7) Film formation by vacuum deposition of cathode
이 순서를 거침으로써, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어지는 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어지는 유기 EL 소자가 얻어진다. By going through this procedure, an organic EL device is obtained which consists of an anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode made of a host material and a dopant material.
물론, 전자 수송층 및 전자 주입층에 대해서도, 각각 전자 수송층용 재료 및 전자 주입층용 재료를 포함하는 층형성용 조성물을 사용하여 습식 성막법에 의해 성막해도 된다. 이 때, 하층의 발광층의 용해를 막는 수단, 또는 상기 순서와는 반대로 음극측에서부터 성막하는 수단을 사용하는 것이 바람직하다. Of course, the electron transport layer and the electron injection layer may also be formed by a wet film forming method using a layer forming composition containing the electron transport layer material and the electron injection layer material, respectively. At this time, it is preferable to use a means to prevent dissolution of the lower light emitting layer, or a means to form a film from the cathode side in the reverse order of the above.
<그 밖의 성막법><Other tabernacle methods>
유기층 형성용 조성물의 성막화에는, 레이저 가열 묘화법(LITI)을 이용할 수 있다. LITI란 기재에 부착시킨 화합물을 레이저로 가열 증착하는 방법으로, 기재에 도포되는 재료에 유기층 형성용 조성물을 사용할 수 있다. Laser thermal imaging (LITI) can be used to form a film of the composition for forming an organic layer. LITI is a method of heating and depositing a compound attached to a substrate with a laser, and a composition for forming an organic layer can be used as the material applied to the substrate.
<임의의 공정><Random process>
성막의 각 공정의 전후에, 적절한 처리 공정, 세정 공정 및 건조 공정을 적절히 넣어도 된다. 처리 공정으로서는, 예를 들면, 노광 처리, 플라스마 표면 처리, 초음파 처리, 오존 처리, 적절한 용매를 사용한 세정 처리 및 가열 처리 등을 들 수 있다. 또한, 뱅크를 제작하는 일련의 공정도 들 수 있다. Appropriate treatment processes, cleaning processes, and drying processes may be appropriately added before and after each process of film formation. Examples of the treatment process include exposure treatment, plasma surface treatment, ultrasonic treatment, ozone treatment, washing treatment using an appropriate solvent, and heat treatment. Additionally, a series of processes for manufacturing a bank can also be mentioned.
뱅크의 제작에는 포토리소그래피 기술을 이용할 수 있다. 포토리소그래피가 이용 가능한 뱅크 재료로서는, 포지티브형 레지스트 재료 및 네가티브형 레지스트 재료를 사용할 수 있다. 또한, 잉크젯법, 그라비아 오프셋 인쇄, 리버스 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등의 패턴 가능한 인쇄법도 사용할 수 있다. 이 때에는 영구 레지스트 재료를 사용할 수도 있다. Photolithography technology can be used to produce banks. As bank materials that can be used for photolithography, positive resist materials and negative resist materials can be used. Additionally, patternable printing methods such as inkjet printing, gravure offset printing, reverse offset printing, and screen printing can also be used. In this case, a permanent resist material may be used.
뱅크에 사용되는 재료로서는, 다당류 및 그 유도체, 히드록실을 가지는 에틸렌성 모노머의 단독 중합체 및 공중합체, 생체 고분자 화합물, 폴리아크릴로일 화합물, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리술피드, 폴리설폰, 폴리페닐렌, 폴리페닐에테르, 폴리우레탄, 에폭시(메타)아크릴레이트, 멜라민(메타)아크릴레이트, 폴리올레핀, 환상 폴리올레핀, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합 폴리머(ABS), 실리콘 수지, 폴리염화비닐, 염소화폴리에틸렌, 염소화폴리프로필렌, 폴리아세테이트, 폴리노보난(비시클로 [2.2.1]헵탄), 합성 고무, 폴리플루오로비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리헥사플루오로프로필렌 등의 불화 폴리머, 플루오로올레핀-히드로카본올레핀의 공중합 폴리머, 플루오로 카본 폴리머를 들 수 있지만, 그것에만 한정되지 않는다.Materials used in the bank include polysaccharides and their derivatives, homopolymers and copolymers of hydroxyl-containing ethylenic monomers, biopolymer compounds, polyacryloyl compounds, polyester, polystyrene, polyimide, polyamidoimide, and polyether. Mead, polysulfide, polysulfone, polyphenylene, polyphenyl ether, polyurethane, epoxy (meth)acrylate, melamine (meth)acrylate, polyolefin, cyclic polyolefin, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS) ), silicone resin, polyvinyl chloride, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, polyacetate, polynorbonane (bicyclo [2.2.1]heptane), synthetic rubber, polyfluorobinylidene, polytetrafluoroethylene, polyhexamethylene Examples include, but are not limited to, fluorinated polymers such as fluoropropylene, copolymers of fluoroolefin-hydrocarbonolefin, and fluorocarbon polymers.
<습식 성막법에 사용되는 유기층 형성용 조성물><Composition for forming organic layer used in wet film forming method>
유기층 형성용 조성물은, 유기 EL 소자의 각 유기층을 형성할 수 있는 저분자 화합물, 또는 해당 저분자 화합물을 고분자화시킨 고분자 화합물을 유기 용매에 용해시켜 얻어진다. 예를 들면, 발광층 형성용 조성물은, 제1 성분으로서 적어도 1종의 도펀트 재료인 다환방향족 화합물(또는 그 고분자 화합물)과, 제2 성분으로서 적어도 1종의 호스트 재료와, 제3 성분으로서 적어도 1종의 유기 용매를 함유한다. 제1 성분은, 해당 조성물로부터 얻어지는 발광층의 도펀트 성분으로서 기능하고, 제2 성분은 발광층의 호스트 성분으로서 기능한다. 제3 성분은, 조성물 중의 제1 성분과 제2 성분을 용해하는 용매로서 기능하며, 도포 시에는 제3 성분 자체의 제어된 증발 속도에 의해 평활하고 균일한 표면 형상을 부여한다. The composition for forming an organic layer is obtained by dissolving a low-molecular compound capable of forming each organic layer of an organic EL device, or a high-molecular compound obtained by polymerizing the low-molecular compound, in an organic solvent. For example, the composition for forming a light-emitting layer includes at least one polycyclic aromatic compound (or a polymer compound thereof) as a dopant material as a first component, at least one host material as a second component, and at least one host material as a third component. Contains a variety of organic solvents. The first component functions as a dopant component of the light-emitting layer obtained from the composition, and the second component functions as a host component of the light-emitting layer. The third component functions as a solvent that dissolves the first and second components in the composition, and upon application, imparts a smooth and uniform surface shape by the controlled evaporation rate of the third component itself.
<유기 용매><Organic solvent>
유기층 형성용 조성물은 적어도 1종의 유기 용매를 포함한다. 성막 시에 유기 용매의 증발 속도를 제어함으로써, 성막성 및 도막의 결함 유무, 표면 거칠기, 평활성을 제어 및 개선할 수 있다. 또한, 잉크젯법을 사용한 성막 시는, 잉크젯 헤드의 핀홀에서의 메니스커스 안정성을 제어하여, 토출성을 제어·개선할 수 있다. 추가로, 막의 건조 속도 및 유도체 분자의 배향을 제어함으로써, 해당 유기층 형성용 조성물로부터 얻어지는 유기층을 갖는 유기 EL 소자의 전기 특성, 발광 특성, 효율, 및 수명을 개선할 수 있다. The composition for forming an organic layer includes at least one organic solvent. By controlling the evaporation rate of the organic solvent during film formation, film formability, presence of defects, surface roughness, and smoothness of the coating film can be controlled and improved. Additionally, when forming a film using the inkjet method, the meniscus stability in the pinhole of the inkjet head can be controlled to control and improve ejection properties. Additionally, by controlling the drying rate of the film and the orientation of the derivative molecules, the electrical properties, luminescence properties, efficiency, and lifespan of an organic EL device having an organic layer obtained from the composition for forming the organic layer can be improved.
(1) 유기 용매의 물성(1) Physical properties of organic solvents
적어도 1종의 유기 용매의 비점은, 130℃~300℃이며, 140℃~270℃가 보다 바람직하고, 150℃~250℃가 보다 더 바람직하다. 비점이 130℃보다 높을 경우, 잉크젯의 토출성의 관점에서 바람직하다. 또한, 비점이 300℃보다 낮을 경우, 도막의 결함, 표면 거칠기, 잔류 용매 및 평활성의 관점에서 바람직하다. 유기 용매는, 양호한 잉크젯의 토출성, 성막성, 평활성 및 낮은 잔류 용매의 관점에서, 2종 이상의 유기 용매를 포함하는 구성이 보다 바람직하다. 한편, 경우에 따라서는, 운반성 등을 고려하여, 유기층 형성용 조성물 중으로부터 용매를 제거함으로써 고형 상태로 한 조성물이라도 된다.The boiling point of at least one organic solvent is 130°C to 300°C, more preferably 140°C to 270°C, and even more preferably 150°C to 250°C. When the boiling point is higher than 130°C, it is preferable from the viewpoint of inkjet ejection properties. Additionally, a boiling point lower than 300°C is preferable from the viewpoint of defects in the coating film, surface roughness, residual solvent, and smoothness. The organic solvent more preferably contains two or more types of organic solvents from the viewpoints of good inkjet discharge properties, film forming properties, smoothness, and low residual solvent. On the other hand, in some cases, considering transportability, etc., the composition may be made into a solid state by removing the solvent from the composition for forming the organic layer.
나아가, 유기 용매가 용질의 적어도 1종에 대한 양용매(GS)와 빈용매(PS)를 포함하고, 양용매(GS)의 비점(BPGS)이 빈용매(PS)의 비점(BPPS)보다 낮은, 구성이 특히 바람직하다.Furthermore, the organic solvent includes a good solvent (GS) and a poor solvent (PS) for at least one type of solute, and the boiling point (BP GS ) of the good solvent (GS) is the boiling point (BP PS ) of the poor solvent ( PS ). A lower configuration is particularly preferred.
고비점의 빈용매를 가함으로써 성막시에 저비점의 양용매가 먼저 휘발하고, 조성물 중의 함유물의 농도와 빈용매의 농도가 증가하여 신속한 성막이 촉진된다. 이에 의해, 결함이 적고, 표면 거칠기가 작은, 평활성이 높은 도막이 얻어진다.By adding a poor solvent with a high boiling point, the good solvent with a low boiling point volatilizes first during film formation, and the concentration of the contents in the composition and the concentration of the poor solvent increase, thereby promoting rapid film formation. As a result, a coating film with few defects, small surface roughness, and high smoothness is obtained.
용해도의 차이(SGS-SPS)는, 1% 이상인 것이 바람직하고, 3% 이상인 것이 보다 바람직하고, 5% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 비점의 차이(BPPS-BPGS)는, 10℃이상인 것이 바람직하고, 30℃이상인 것이 보다 바람직하고, 50℃이상인 것이 보다 더 바람직하다.The difference in solubility (S GS -S PS ) is preferably 1% or more, more preferably 3% or more, and even more preferably 5% or more. The difference in boiling points (BP PS -BP GS ) is preferably 10°C or higher, more preferably 30°C or higher, and even more preferably 50°C or higher.
유기 용매는, 성막 후에, 진공, 감압, 가열 등의 건조 공정에 의해 도막으로부터 제거된다. 가열을 행하는 경우, 도포 성막성 개선의 관점에서는, 용질 중 적어도 1종의 유리 전이 온도(Tg) + 30℃ 이하에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 잔류 용매의 삭감 관점에서는, 용질 중 적어도 1종의 유리 전이점(Tg) - 30℃ 이상에서 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도가 유기 용매의 비점보다 낮아도 막이 얇기 때문에, 유기 용매는 충분히 제거된다. 또한, 다른 온도에서 복수 회 건조를 행해도 되고, 복수의 건조 방법을 병용해도 된다. After film formation, the organic solvent is removed from the coating film through a drying process such as vacuum, reduced pressure, or heating. When heating is performed, from the viewpoint of improving application film forming properties, it is preferably performed at a temperature below the glass transition temperature (Tg) of at least one type of solute + 30°C. Additionally, from the viewpoint of reducing residual solvent, it is preferable to heat at least 30°C or higher than the glass transition point (Tg) of at least one type of solute. Even if the heating temperature is lower than the boiling point of the organic solvent, the organic solvent is sufficiently removed because the film is thin. Additionally, drying may be performed multiple times at different temperatures, or multiple drying methods may be used in combination.
(2)유기 용매의 구체예 (2) Specific examples of organic solvents
유기층 형성용 조성물에 사용되는 유기 용매로서는, 알킬벤젠계 용매, 페닐에테르계 용매, 알킬에테르계 용매, 환상 케톤계 용매, 지방족 케톤계 용매, 단환성 케톤계 용매, 디에스테르 골격을 가지는 용매 및 함불소계 용매 등을 들 수 있고, 구체예로서, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노나놀, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올, 테트라데칸올, 헥산-2-올, 헵탄-2-올, 옥탄-2-올, 데칸-2-올, 도데칸-2-올, 시클로헥산올, α-터피네올, β-터피네올, γ-터피네올, δ-터피네올, 터피네올(혼합물), 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜이소프로필메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, p-크실렌, m-크실렌, o-크실렌, 2,6-루티딘, 2-플루오로-m-크실렌, 3-플루오로-o-크실렌, 2-클로로벤조삼불화물, 쿠멘, 톨루엔, 2-클로로-6-플루오로톨루엔, 2-플루오로아니솔, 아니솔, 2,3-디메틸피라진, 브로모벤젠, 4-플루오로아니솔, 3-플루오로아니솔, 3-트리플루오로메틸아니솔, 메시틸렌, 1,2,4-트리메틸벤젠, t-부틸벤젠, 2-메틸아니솔, 페네톨, 벤조디옥솔, 4-메틸아니솔, s-부틸벤젠, 3-메틸아니솔, 4-플루오로-3-메틸아니솔, 시멘, 1,2,3-트리메틸벤젠, 1,2-디클로로벤젠, 2-플루오로벤조니트릴, 4-플루오로베라트롤, 2,6-디메틸아니솔, n-부틸벤젠, 3-플루오로벤조니트릴, 데칼린(데카히드로나프탈렌), 네오펜틸벤젠, 2,5-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 벤조니트릴, 3,5-디메틸아니솔, 디페닐에테르, 1-플루오로-3,5-디메톡시벤젠, 안식향산메틸, 이소펜틸벤젠, 3,4-디메틸아니솔, o-톨니트릴, n-아밀벤젠, 베라트롤, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌, 안식향산에틸, n-헥실벤젠, 안식향산프로필, 시클로헥실벤젠, 1-메틸나프탈렌, 안식향산부틸, 2-메틸비페닐, 3-페녹시톨루엔, 2,2'-비톨릴, 도데실벤젠, 디펜틸벤젠, 테트라메틸벤젠, 트리메톡시벤젠, 트리메톡시톨루엔, 2,3-디히드로벤조푸란, 1-메틸-4-(프로폭시메틸)벤젠, 1-메틸-4-(부틸옥시메틸)벤젠, 1-메틸-4-(펜틸옥시메틸)벤젠, 1-메틸-4-(헥실옥시메틸)벤젠, 1-메틸-4-(헵틸옥시메틸)벤젠, 벤질부틸에테르, 벤질펜틸에테르, 벤질헥실에테르, 벤질헵틸에테르, 벤질옥틸에테르 등을 들 수 있지만, 그것에만 한정되지 않는다. 또한, 용매는 단일로 사용해도 되고, 혼합해도 된다.Organic solvents used in the composition for forming an organic layer include alkylbenzene-based solvents, phenyl ether-based solvents, alkyl ether-based solvents, cyclic ketone-based solvents, aliphatic ketone-based solvents, monocyclic ketone-based solvents, and solvents having a diester skeleton. Fluorine-based solvents and the like can be mentioned, and specific examples include pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol, tetradecanol, hexan-2-ol, and heptan-2-. ol, octan-2-ol, decane-2-ol, dodecane-2-ol, cyclohexanol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, δ-terpineol, terpineol Pineol (mixture), ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol isopropyl methyl ether, dipropylene glycol Monomethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, Triethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, polyethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, p-xylene, m-xylene, o-xylene, 2,6-lutidine , 2-fluoro-m-xylene, 3-fluoro-o-xylene, 2-chlorobenzotrifluoride, cumene, toluene, 2-chloro-6-fluorotoluene, 2-fluoroanisole, anisole, 2,3-dimethylpyrazine, bromobenzene, 4-fluoroanisole, 3-fluoroanisole, 3-trifluoromethylanisole, mesitylene, 1,2,4-trimethylbenzene, t-butylbenzene , 2-methylanisole, phenetol, benzodioxole, 4-methylanisole, s-butylbenzene, 3-methylanisole, 4-fluoro-3-methylanisole, cymene, 1,2,3- Trimethylbenzene, 1,2-dichlorobenzene, 2-fluorobenzonitrile, 4-fluoroberatrol, 2,6-dimethylanisole, n-butylbenzene, 3-fluorobenzonitrile, decalin (decahydronaphthalene) , neopentylbenzene, 2,5-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, benzonitrile, 3,5-dimethylanisole, diphenyl ether, 1-fluoro-3,5-dimethoxybenzene, benzoic acid. Methyl, isopentylbenzene, 3,4-dimethylanisole, o-tolnitrile, n-amylbenzene, veratrol, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, ethyl benzoate, n-hexylbenzene, propyl benzoate, Cyclohexylbenzene, 1-methylnaphthalene, butyl benzoate, 2-methylbiphenyl, 3-phenoxytoluene, 2,2'-vitolyl, dodecylbenzene, dipentylbenzene, tetramethylbenzene, trimethoxybenzene, trimethylbenzene Methoxytoluene, 2,3-dihydrobenzofuran, 1-methyl-4-(propoxymethyl)benzene, 1-methyl-4-(butyloxymethyl)benzene, 1-methyl-4-(pentyloxymethyl) Benzene, 1-methyl-4-(hexyloxymethyl)benzene, 1-methyl-4-(heptyloxymethyl)benzene, benzylbutyl ether, benzylpentyl ether, benzylhexyl ether, benzylheptyl ether, benzyl octyl ether, etc. It can be done, but it is not limited to that. In addition, solvents may be used singly or mixed.
<임의의 성분><Arbitrary ingredients>
유기층 형성용 조성물은, 그 성질을 손상하지 않는 범위에서, 임의의 성분을 포함하고 있어도 된다. 임의 성분으로서는, 바인더 및 계면 활성제 등을 들 수 있다.The composition for forming an organic layer may contain arbitrary components as long as its properties are not impaired. Optional components include binders and surfactants.
(1) 바인더 (1) Binder
유기층 형성용 조성물은, 바인더를 함유하고 있어도 된다. 바인더는, 성막시에는 막을 형성함과 함께, 얻어진 막을 기판과 접합한다. 또한, 해당 유기층 형성용 조성물 중에서 다른 성분을 용해 및 분산 및 결착시키는 역할을 한다.The composition for forming an organic layer may contain a binder. The binder forms a film during film formation and bonds the obtained film to the substrate. In addition, it serves to dissolve, disperse, and bind other components in the composition for forming the organic layer.
유기층 형성용 조성물에 사용되는 바인더로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-비닐알콜 공중합체, 아크릴로니트릴-에틸렌-스티렌 공중합체(AES) 수지, 아이오노머, 염소화폴리에테르, 디알릴프탈레이트 수지, 불포화 폴리에스테르수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리초산비닐, 테플론, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(ABS) 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체(AS) 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 요소 수지, 알키드 수지, 폴리우레탄, 및, 상기 수지 및 폴리머의 공중합체를 들 수 있지만, 그에만 한정되지 않는다. The binder used in the composition for forming the organic layer includes, for example, acrylic resin, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, acrylonitrile-ethylene-styrene copolymer (AES) resin, Ionomer, chlorinated polyether, diallyl phthalate resin, unsaturated polyester resin, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyvinyl acetate, Teflon, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS) Resins, acrylonitrile-styrene copolymer (AS) resins, phenol resins, epoxy resins, melamine resins, urea resins, alkyd resins, polyurethanes, and copolymers of these resins and polymers, but are not limited thereto. No.
유기층 형성용 조성물에 사용되는 바인더는, 1종만이어도 되고 복수 종을 혼합하여 사용해도 된다.The binder used in the composition for forming an organic layer may be one type or may be used in mixture of multiple types.
(2)계면 활성제(2)Surfactant
유기층 형성용 조성물은, 예를 들면, 유기층 형성용 조성물의 막면 균일성, 막표면의 친용매성 및 발액성의 제어를 위해서 계면 활성제를 함유해도 된다. 계면 활성제는, 친수성기의 구조로부터 이온성 및 비이온성으로 분류되고, 나아가, 소수성기의 구조로부터 알킬계 및 실리콘계 및 불소계로 분류된다. 또한, 분자의 구조로부터, 분자량이 비교적 작고 단순한 구조를 가지는 단분자계 및 분자량이 크고 측쇄나 분기를 가지는 고분자계로 분류된다. 또한, 조성으로부터, 단일계, 2종 이상의 계면 활성제 및 기재를 혼합한 혼합계로 분류된다. 해당 유기층 형성용 조성물에 사용할 수 있는 계면 활성제로서는, 모든 종류의 계면 활성제를 사용할 수 있다.The composition for forming an organic layer may contain a surfactant, for example, to control the uniformity of the film surface, the solvent-philicity, and the liquid repellency of the film surface of the composition for forming the organic layer. Surfactants are classified into ionic and nonionic based on the structure of the hydrophilic group, and further classified into alkyl-based, silicone-based, and fluorine-based based on the structure of the hydrophobic group. In addition, from the molecular structure, it is classified into a single molecule system with a relatively small molecular weight and a simple structure, and a polymer system with a large molecular weight and side chains or branches. Additionally, based on composition, it is classified into a single system and a mixed system in which two or more types of surfactants and a base material are mixed. As a surfactant that can be used in the composition for forming the organic layer, all types of surfactants can be used.
계면 활성제로서는, 예를 들면, 폴리플로우 No.45, 폴리플로우 KL-245, 폴리플로우 No.75, 폴리플로우 No.90, 폴리플로우 No.95(상품명, 교에이샤 화학공업(주)제), 디스퍼베이크(Disperbyk) 161, 디스퍼베이크 162, 디스퍼베이크 163, 디스퍼베이크 164, 디스퍼베이크 166, 디스퍼베이크 170, 디스퍼베이크 180, 디스퍼베이크 181, 디스퍼베이크 182, BYK300, BYK306, BYK310, BYK320, BYK330, BYK342, BYK344, BYK346(상품명, 빅케미·재팬(주)제), KP-341, KP-358, KP-368, KF-96-50CS, KF-50-100CS(상품명, 신에츠 화학공업(주)제), 서플론 SC-101, 서플론 KH-40(상품명, 세이미 케미컬(주)제), 프타젠트 222F, 프타젠트 251, FTX-218(상품명, (주)네오스제), EFTOP EF-351, EFTOP EF-352, EFTOP EF-601, EFTOP EF-801, EFTOP EF-802(상품명, 미쓰비시 매테리얼(주)제), 메가팍 F-470, 메가팍 F-471, 메가팍 F-475, 메가팍 R-08, 메가팍 F-477, 메가팍 F-479, 메가팍 F-553, 메가팍 F-554(상품명, DIC(주)제), 플루오로알킬벤젠술폰산염, 플루오로알킬카르본산염, 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 플루오로알킬암모늄아이오다이드, 플루오로알킬베타인, 플루오로알킬술폰산염, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬트리메틸암모늄염, 플루오로알킬아미노술폰산염, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌라우레이트, 폴리옥시에틸렌올레이트, 폴리옥시에틸렌스테아레이트, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 소르비탄라우레이트, 소르비탄팔미테이트, 소르비탄스테아레이트, 소르비탄올레이트, 소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄올레이트, 폴리옥시에틸렌나프틸에테르, 알킬벤젠술폰산염 및 알킬디페닐에테르디술폰산염을 들 수 있다.As surfactants, for example, Polyflow No. 45, Polyflow KL-245, Polyflow No. 75, Polyflow No. 90, Polyflow No. 95 (brand name, manufactured by Kyoeisha Chemical Industry Co., Ltd.) , Disperbake 161, Disperbake 162, Disperbake 163, Disperbake 164, Disperbake 166, Disperbake 170, Disperbake 180, Disperbake 181, Disperbake 182, BYK300 , BYK306, BYK310, BYK320, BYK330, BYK342, BYK344, BYK346 (product name, Big Chemi Japan Co., Ltd.), KP-341, KP-358, KP-368, KF-96-50CS, KF-50-100CS (Product name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Suplon SC-101, Suplon KH-40 (Brand name, manufactured by Semi Chemical Co., Ltd.), Ptagent 222F, Ptagent 251, FTX-218 (Product name, ( (made by Neos Co., Ltd.), EFTOP EF-351, EFTOP EF-352, EFTOP EF-601, EFTOP EF-801, EFTOP EF-802 (brand name, made by Mitsubishi Materials Co., Ltd.), Megapak F-470, Megapak F-471, Megapak F-475, Megapak R-08, Megapak F-477, Megapak F-479, Megapak F-553, Megapak F-554 (brand name, manufactured by DIC Co., Ltd.), Fluo Roalkyl benzene sulfonate, fluoroalkyl carboxylate, fluoroalkyl polyoxyethylene ether, fluoroalkyl ammonium iodide, fluoroalkyl betaine, fluoroalkyl sulfonate, diglycerin tetrakis (fluoroalkyl poly oxyethylene ether), fluoroalkyl trimethyl ammonium salt, fluoroalkyl amino sulfonate, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene laurate, polyoxyethylene oleate, Polyoxyethylene stearate, polyoxyethylene laurylamine, sorbitan laurate, sorbitan palmitate, sorbitan stearate, sorbitan oleate, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan laurate, polyoxyethylene sorbitan Examples include bitan palmitate, polyoxyethylene sorbitan stearate, polyoxyethylene sorbitan oleate, polyoxyethylene naphthyl ether, alkylbenzene sulfonate, and alkyl diphenyl ether disulfonate.
또한, 계면 활성제는 1종으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.In addition, surfactants may be used alone or two or more types may be used in combination.
<유기층 형성용 조성물의 조성 및 물성><Composition and physical properties of composition for forming organic layer>
유기층 형성용 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량은, 유기층 형성용 조성물 중의 각 성분의 양호한 용해성, 보존 안정성 및 성막성, 및, 해당 유기층 형성용 조성물로부터 얻어지는 도막의 양질의 막질, 또한, 잉크젯법을 사용한 경우의 양호한 토출성, 해당 조성물을 사용하여 제작된 유기층을 갖는 유기 EL 소자의, 양호한 전기 특성, 발광 특성, 효율, 수명의 관점을 고려하여 결정된다. 예를 들면, 발광층 형성용 조성물의 경우에는, 제1 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 0.0001질량%~2.0질량%, 제2 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 0.0999질량%~8.0질량%, 제3 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 90.0질량%~99.9질량%가 바람직하다. The content of each component in the composition for forming an organic layer is determined by the good solubility, storage stability, and film forming properties of each component in the composition for forming an organic layer, the high quality of the coating film obtained from the composition for forming an organic layer, and the inkjet method. It is determined taking into consideration the viewpoints of good discharge properties when used, good electrical characteristics, luminescence characteristics, efficiency, and lifespan of an organic EL device having an organic layer produced using the composition. For example, in the case of a composition for forming a light-emitting layer, the first component is 0.0001% to 2.0% by mass with respect to the total mass of the composition for forming a light-emitting layer, and the second component is 0.0999% by mass with respect to the total mass of the composition for forming a light-emitting layer. % to 8.0% by mass, and the third component is preferably 90.0% to 99.9% by mass relative to the total mass of the composition for forming the light emitting layer.
보다 바람직하게는, 제1 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 0.005질량%~1.0질량%, 제2 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 0.095질량%~4.0질량%, 제3 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 95.0질량%~99.9질량%이다. 보다 더 바람직하게는, 제1 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 0.05질량%~0.5질량%, 제2 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 0.25질량%~2.5질량%, 제3 성분이 발광층 형성용 조성물의 전체 질량에 대해, 97.0질량%~99.7질량%이다. More preferably, the first component is 0.005 mass% to 1.0 mass% with respect to the total mass of the composition for forming a light-emitting layer, and the second component is 0.095 mass% to 4.0 mass% with respect to the total mass of the composition for forming a light-emitting layer. The three components are 95.0% by mass to 99.9% by mass with respect to the total mass of the composition for forming a light emitting layer. Even more preferably, the first component is 0.05 mass% to 0.5 mass% with respect to the total mass of the composition for forming a light-emitting layer, and the second component is 0.25 mass% to 2.5 mass% with respect to the total mass of the composition for forming a light-emitting layer. The third component is 97.0% by mass to 99.7% by mass with respect to the total mass of the composition for forming a light emitting layer.
유기층 형성용 조성물은, 상술한 성분을, 공지의 방법으로 교반, 혼합, 가열, 냉각, 용해, 분산 등을 적절히 선택하여 행함으로써 제조할 수 있다. 또한, 조제 후에, 여과, 탈가스(디가스라고도 함), 이온 교환 처리 및 불활성 가스 치환·봉입 처리 등을 적절히 선택해서 행해도 된다. The composition for forming an organic layer can be produced by appropriately selecting and performing the above-mentioned components by stirring, mixing, heating, cooling, dissolving, dispersing, etc., by a known method. In addition, after preparation, filtration, degassing (also called degassing), ion exchange treatment, and inert gas substitution/encapsulation treatment may be selected and performed as appropriate.
유기층 형성용 조성물의 점도로서는, 고점도인 것이, 양호한 성막성과 잉크젯법을 사용했을 경우의 양호한 토출성이 얻어진다. 한편, 저점도인 것이 얇은 막을 만들기 쉽다. 이로부터, 해당 유기층 형성용 조성물의 점도는, 25℃에 있어서의 점도가 0.3~3mPa·s인 것이 바람직하고, 1~3mPa·s인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서, 점도는 원추 평판형 회전 점도계(콘플레이트 타입)를 사용하여 측정한 값이다.As for the viscosity of the composition for forming an organic layer, a high viscosity provides good film forming properties and good ejection properties when using the inkjet method. On the other hand, it is easy to create a thin film with a low viscosity. From this, the viscosity of the composition for forming the organic layer is preferably 0.3 to 3 mPa·s at 25°C, and more preferably 1 to 3 mPa·s. In the present invention, the viscosity is a value measured using a cone-plate rotational viscometer (cone plate type).
유기층 형성용 조성물의 표면 장력으로서는, 낮은 것이 양호한 성막성 및 결함이 없는 도막이 얻어진다. 한편, 높은 것이 양호한 잉크젯 토출성을 얻어진다. 이로부터, 해당 유기층 형성용 조성물은, 25℃에 있어서의 표면 장력이 20~40mN/m인 것이 바람직하고, 20~30mN/m인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서, 표면 장력은 현적법을 사용하여 측정한 값이다.As for the surface tension of the composition for forming an organic layer, the lower the surface tension, the better film forming properties and a defect-free coating film are obtained. On the other hand, the higher the value, the better inkjet ejection properties are obtained. From this, the composition for forming the organic layer preferably has a surface tension of 20 to 40 mN/m at 25°C, and more preferably 20 to 30 mN/m. In the present invention, surface tension is a value measured using the drop method.
<가교성 고분자 화합물:식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물> <Crosslinkable polymer compound: compound represented by formula (XLP-1)>
다음으로, 상술한 고분자 화합물이 가교성 치환기를 가지는 경우에 대해서 설명한다. 이러한 가교성 고분자 화합물은 예를 들면 하기 식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물이다.Next, a case where the above-mentioned polymer compound has a crosslinkable substituent will be described. Such a crosslinkable polymer compound is, for example, a compound represented by the following formula (XLP-1).
식(XLP-1)에 있어서, In equation (XLP-1),
MU는 각각 독립적으로 방향족 화합물로부터 임의의 2개의 수소 원자를 제거하여 나타내어지는 2가의 기, EC는 각각 독립적으로 방향족 화합물로부터 임의의 1개의 수소 원자를 제거하여 나타내어지는 1가의 기이며, MU 중의 2개의 수소가 EC 또는 MU로 치환되고, k는 2~50000의 정수이다. 단, 식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물은 적어도 하나의 가교성 치환기(XLS)를 가지고, 바람직하게는 가교성 치환기를 가지는 1가 또는 2가의 방향족 화합물의 함유량은, 분자 중 0.1~80질량%이다.MU is each independently a divalent group expressed by removing any two hydrogen atoms from an aromatic compound, EC is each independently a monovalent group expressed by removing any one hydrogen atom from an aromatic compound, and 2 in MU Hydrogen is replaced with EC or MU, and k is an integer from 2 to 50000. However, the compound represented by the formula (XLP-1) has at least one crosslinkable substituent (XLS), and preferably the content of the monovalent or divalent aromatic compound having a crosslinkable substituent is 0.1 to 80 mass per molecule. %am.
보다 구체적으로는, More specifically,
MU는, 각각 독립적으로, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 디아릴렌아릴아미노, 디아릴렌아릴보릴, 옥사보린-디일, 아자보린-디일이며, MU is each independently arylene, heteroarylene, diarylenearylamino, diarylenearylboryl, oxaborine-diyl, azaborine-diyl,
EC는, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노 또는 아릴옥시이며, EC is each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, or aryloxy,
MU 및 EC에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬 및 시클로알킬로 더 치환되어 있어도 되고,At least one hydrogen in MU and EC may be further substituted with aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, and cycloalkyl,
k는 2~50000의 정수이다.k is an integer from 2 to 50000.
k는 20~50000의 정수인 것이 바람직하고, 100~50000의 정수인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that k is an integer of 20 to 50,000, and it is more preferable that it is an integer of 100 to 50,000.
식(XLP-1) 중의 MU 및 EC에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 탄소수 1~24의 알킬, 탄소수 3~24의 시클로알킬, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되고, 나아가, 상기 알킬에 있어서의 임의의 -CH2-는 -O- 또는 -Si(CH3)2-로 치환되어 있어도 되고, 상기 알킬에 있어서의 식(XLP-1) 중의 EC에 직결되어 있는 -CH2-를 제외한 임의의 -CH2-는 탄소수 6~24의 아릴렌로 치환되어 있어도 되고, 상기 알킬에 있어서의 임의의 수소는 불소로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in MU and EC in formula (XLP-1) may be substituted with alkyl having 1 to 24 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 24 carbon atoms, halogen or deuterium, and further, in the alkyl Any -CH 2 - may be substituted with -O- or -Si(CH 3 ) 2 -, and any -CH 2 - excluding -CH 2 - directly linked to EC in formula (XLP-1) in the above alkyl -CH 2 - may be substituted with arylene having 6 to 24 carbon atoms, and any hydrogen in the alkyl may be substituted with fluorine.
MU로서는, 예를 들면, 이하 중 어느 하나의 화합물로부터 임의의 2개의 수소 원자를 제거하여 나타내어지는 2가의 기를 들 수 있다.Examples of MU include a divalent group expressed by removing two arbitrary hydrogen atoms from any of the following compounds.
보다 구체적으로는, 이하 중 어느 하나의 구조로 나타내어지는 2가의 기를 들 수 있다. 이들에 있어서, MU는 *에 있어서 다른 MU 또는 EC와 결합한다.More specifically, a divalent group represented by any of the structures below can be mentioned. In these, the MU combines with another MU or EC in *.
또한, EC로서는, 예를 들면 이하의 어느 하나의 구조로 표현되는 1가의 기를 들 수 있다. 이들에 있어서, EC는 *에서 MU와 결합한다.In addition, as EC, for example, a monovalent group represented by any of the structures below can be mentioned. In these, EC combines with MU at *.
식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물은, 용해성 및 도포 제막성의 관점에서, 분자 중의 MU 총수(k)의 10~100%의 MU가 탄소수 1~24의 알킬을 가지는 것이 바람직하고, 분자 중의 MU총수(k)의 30~100%의 MU가 탄소수 1~18의 알킬(탄소수 3~18의 분기쇄 알킬)을 가지는 것이 보다 바람직하고, 분자 중의 MU 총수(k)의 50~100%의 MU가 탄소수 1~12의 알킬(탄소수 3~12의 분기쇄 알킬)을 가지는 것이 보다 더 바람직하다. 한편, 면내 배향성 및 전하 수송의 관점에서는, 분자 중의 MU 총수(k)의 10~100%의 MU가 탄소수 7~24의 알킬을 가지는 것이 바람직하고, 분자 중의 MU 총수(k)의 30~100%의 MU가 탄소수 7~24의 알킬(탄소수 7~24의 분기쇄 알킬)을 가지는 것이 보다 바람직하다.In the compound represented by the formula (XLP-1), from the viewpoint of solubility and coating film forming properties, it is preferable that 10 to 100% of the MU in the molecule (k) total number (k) has alkyl having 1 to 24 carbon atoms, and MU in the molecule It is more preferable that 30 to 100% of the total number (k) of MU has alkyl with 1 to 18 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 18 carbon atoms), and 50 to 100% of MU in the total number (k) of the MU in the molecule is more preferred. It is more preferable to have an alkyl with 1 to 12 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 12 carbon atoms). On the other hand, from the viewpoint of in-plane orientation and charge transport, it is preferable that 10 to 100% of the MUs in the molecule have alkyls of 7 to 24 carbon atoms, and 30 to 100% of the total number (k) of the MUs in the molecule are alkyl. It is more preferable that MU has an alkyl with 7 to 24 carbon atoms (branched chain alkyl with 7 to 24 carbon atoms).
가교성 치환기를 가지는 1가 또는 2가의 방향족 화합물의 함유량은, 0.5~50질량%가 바람직하고, 1~20질량%가 보다 바람직하다.The content of the monovalent or divalent aromatic compound having a crosslinkable substituent is preferably 0.5 to 50% by mass, and more preferably 1 to 20% by mass.
가교성 치환기(XLS)로서는, 상술한 고분자 화합물을 더 가교화할 수 있는 기라면 특별히 한정되지 않지만, 이하의 구조의 치환기가 바람직하다. 각 구조식 중의 *은 결합 위치를 나타낸다.The crosslinkable substituent (XLS) is not particularly limited as long as it is a group capable of further crosslinking the above-mentioned polymer compound, but a substituent with the following structure is preferable. * in each structural formula indicates the binding position.
L은, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, >C=O, -O-C(=O)-, 탄소수 1~12의 알킬렌, 탄소수 1~12의 옥시알킬렌 및 탄소수 1~12의 폴리옥시알킬렌이다. 상기 치환기 중에서도, 식(XLS-1), 식(XLS-2), 식(XLS-3), 식(XLS-9), 식(XLS-10) 또는 식(XLS-17)으로 나타내어지는 기가 바람직하고, 식(XLS-1), 식(XLS-3) 또는 식(XLS-17)으로 나타내어지는 기가 보다 바람직하다. L is each independently a single bond, -O-, -S-, >C=O, -O-C(=O)-, alkylene with 1 to 12 carbon atoms, oxyalkylene with 1 to 12 carbon atoms, and 1 carbon atom It is a polyoxyalkylene of ~12. Among the above substituents, groups represented by formula (XLS-1), formula (XLS-2), formula (XLS-3), formula (XLS-9), formula (XLS-10), or formula (XLS-17) are preferable. And, the group represented by formula (XLS-1), formula (XLS-3), or formula (XLS-17) is more preferable.
가교성 치환기를 가지는 2가의 방향족 화합물로서는, 예를 들면 하기 부분 구조를 가지는 화합물을 들 수 있다. 하기 구조식 중의 *은 결합 위치를 나타낸다.Examples of divalent aromatic compounds having a crosslinkable substituent include compounds having the following partial structures. * in the structural formula below indicates a binding position.
<고분자 화합물 및 가교성 고분자 화합물의 제조 방법> <Method for producing polymer compounds and crosslinkable polymer compounds>
고분자 화합물 및 가교성 고분자 화합물의 제조 방법에 대해서, 상술한 식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물을 예로 하여 설명한다. 이들 화합물은, 공지의 제조 방법을 적절히 조합하여 합성할 수 있다.The method for producing a polymer compound and a crosslinkable polymer compound will be explained taking the compound represented by the above-mentioned formula (XLP-1) as an example. These compounds can be synthesized by appropriately combining known production methods.
반응에서 사용되는 용매로서는, 방향족 용매, 포화/불포화 탄화수소 용매, 알코올 용매, 에테르계 용매 등을 들 수 있고, 예를 들면, 디메톡시에탄, 2-(2-메톡시에톡시)에탄, 2-(2-에톡시에톡시)에탄 등을 들 수 있다.Solvents used in the reaction include aromatic solvents, saturated/unsaturated hydrocarbon solvents, alcohol solvents, and ether-based solvents, for example, dimethoxyethane, 2-(2-methoxyethoxy)ethane, 2- (2-ethoxyethoxy)ethane, etc. can be mentioned.
또한, 반응은 2상계로 행해도 된다. 2상계로 반응시키는 경우에는, 필요에 따라, 제4급 암모늄염 등의 상간 이동 촉매를 가해도 된다.Additionally, the reaction may be performed in a two-phase system. When reacting in a two-phase system, a phase transfer catalyst such as quaternary ammonium salt may be added as needed.
식(XLP-1)의 화합물을 제조할 때, 1단계로 제조해도 되고, 다단계를 거쳐 제조해도 된다. 또한, 원료를 반응 용기에 모두 넣고 나서 반응을 시작하는 일괄 중합법에 의해 행해도 되고, 원료를 반응 용기에 적하하여 가하는 적하 중합법에 의해 행해도 되고, 생성물이 반응의 진행에 따라 침전하는 침전 중합법에 의해 행해도 되고, 이들을 적절히 조합하여 합성할 수 있다. 예를 들면, 식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물을 1단계로 합성할 때, 모노머 유닛(MU)에 중합성기가 결합한 모노머 및 엔드캡 유닛(EC)에 중합성기가 결합한 모노머를 반응 용기에 가한 상태에서 반응을 행함으로써 목적물을 얻는다. 또한, 식(XLP-1)으로 나타내어지는 화합물을 다단계로 합성할 때, 모노머 유닛(MU)에 중합성기가 결합한 모노머를 원하는 분자량까지 중합한 후, 엔드캡 유닛(EC)에 중합성기가 결합한 모노머를 가하여 반응시킴으로써 목적물을 얻는다. 다단계로 다른 종류의 모노머 유닛(MU)에 중합성기가 결합한 모노머를 가하여 반응을 행하면, 모노머 유닛의 구조에 대해서 농도 구배를 가지는 폴리머를 만들 수 있다. 또한, 전구체 폴리머를 조제한 후, 후반응에 의해 목적물 폴리머를 얻을 수 있다.When producing a compound of formula (XLP-1), it may be produced in one step or may be produced in multiple steps. Additionally, it may be carried out by a batch polymerization method in which the reaction is started after putting all the raw materials into the reaction vessel, or by a drop polymerization method in which the raw materials are added dropwise to the reaction vessel, or by precipitation in which the product precipitates as the reaction progresses. It may be carried out by a polymerization method, or it can be synthesized by appropriately combining them. For example, when synthesizing a compound represented by formula (XLP-1) in one step, a monomer with a polymerizable group bonded to the monomer unit (MU) and a monomer with a polymerizable group bonded to the end cap unit (EC) are placed in a reaction vessel. The target product is obtained by performing a reaction under the applied conditions. In addition, when synthesizing the compound represented by formula (XLP-1) in multiple steps, the monomer with the polymerizable group bonded to the monomer unit (MU) is polymerized to the desired molecular weight, and then the monomer with the polymerizable group bonded to the end cap unit (EC) The target product is obtained by adding and reacting. By performing a reaction in multiple steps by adding a monomer to which a polymerizable group is bonded to different types of monomer units (MU), a polymer having a concentration gradient with respect to the structure of the monomer unit can be produced. Additionally, after preparing the precursor polymer, the target polymer can be obtained through a post-reaction.
또한, 모노머 유닛(MU)의 중합성기를 선택하면 폴리머의 1차 구조를 제어할 수 있다. 예를 들면, 합성 스킴의 1~3에 나타낸 바와 같이, 랜덤한 1차 구조를 가지는 폴리머(합성 스킴의 1), 규칙적인 1차 구조를 가지는 폴리머(합성 스킴의 2 및 3) 등을 합성하는 것이 가능하고, 목적물에 따라 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 나아가, 중합성기를 3개 이상 가지는 모노머를 사용하면, 하이퍼 브랜치 폴리머나 덴드리머를 합성할 수 있다.Additionally, the primary structure of the polymer can be controlled by selecting the polymerizable group of the monomer unit (MU). For example, as shown in synthesis schemes 1 to 3, polymers with random primary structures (synthesis scheme 1), polymers with regular primary structures (synthesis schemes 2 and 3), etc. are synthesized. It is possible, and can be used in appropriate combination depending on the target. Furthermore, by using a monomer having three or more polymerizable groups, hyperbranched polymers and dendrimers can be synthesized.
본 발명에서 사용할 수 있는 모노머는, 일본특허공개 2010-189630호 공보, 국제공개 제2012/086671호, 국제공개 제2013/191088호, 국제공개 제2002/045184호, 국제공개 제2011/049241호, 국제공개 제2013/146806호, 국제공개 제2005/049546호, 국제공개 제2015/145871호, 일본특허공개 2010-215886호, 일본특허공개 2008-106241호 공보, 국제공개 제2016/031639호, 일본특허공개 2011-174062호 공보에 기재된 방법에 준하여 합성할 수 있다.Monomers that can be used in the present invention include Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-189630, International Publication No. 2012/086671, International Publication No. 2013/191088, International Publication No. 2002/045184, International Publication No. 2011/049241, International Publication No. 2013/146806, International Publication No. 2005/049546, International Publication No. 2015/145871, Japanese Patent Publication No. 2010-215886, Japanese Patent Publication No. 2008-106241, International Publication No. 2016/031639, Japan It can be synthesized according to the method described in Patent Publication No. 2011-174062.
또한, 구체적인 폴리머 합성 순서에 대해서는, 일본특허공개 2012-036388호 공보, 국제공개 제2015/008851호, 일본특허공개 2012-36381호 공보, 일본특허공개 2012-144722호 공보, 국제공개 제2015/194448호, 국제공개 제2013/146806호, 국제공개 제2015/145871호, 국제공개 제2016/031639호, 국제공개 제2016/125560호, 국제공개 제2011/049241호에 기재된 방법을 참조할 수 있다.In addition, regarding the specific polymer synthesis sequence, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-036388, International Publication No. 2015/008851, Japanese Patent Application Publication No. 2012-36381, Japanese Patent Application Publication No. 2012-144722, International Publication No. 2015/194448 The methods described in International Publication No. 2013/146806, International Publication No. 2015/145871, International Publication No. 2016/031639, International Publication No. 2016/125560, and International Publication No. 2011/049241 may be referred to.
2-1-9. 유기 2-1-9. abandonment 전계electric field 발광 소자의 light emitting element 응용예Application example
본 발명은, 유기 EL 소자를 구비한 표시 장치 또는 유기 EL 소자를 구비한 조명 장치 등에도 응용할 수 있다. The present invention can also be applied to a display device provided with an organic EL element or a lighting device provided with an organic EL element.
유기 EL 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치는, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 소자와 공지의 구동 장치를 접속하는 등 공지의 방법에 의해 제조할 수 있고, 직류 구동, 펄스 구동, 교류 구동 등 공지의 구동 방법을 적절히 사용하여 구동할 수 있다.A display device or lighting device including an organic EL element can be manufactured by known methods, such as connecting the organic EL element according to the present embodiment and a known driving device, and known methods such as direct current drive, pulse drive, and alternating current drive. It can be driven by appropriately using the driving method.
표시 장치로서는, 예를 들면, 컬러 플랫 패널 디스플레이 등의 패널 디스플레이, 플렉서블 컬러 유기 전계 발광(EL) 디스플레이 등의 플렉서블 디스플레이 등을 들 수 있다(예를 들면, 일본특허공개 평10-335066호 공보, 일본특허공개 2003-321546호 공보, 일본특허공개 2004-281086호 공보 등 참조). 또한, 디스플레이의 표시 방식으로서는, 예를 들면, 매트릭스 및 세그먼트 방식 등을 들 수 있다. 또한, 매트릭스 표시와 세그먼트 표시는 같은 패널 안에 공존하고 있어도 된다. Examples of display devices include panel displays such as color flat panel displays, and flexible displays such as flexible color organic electroluminescence (EL) displays (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-335066, See Japanese Patent Publication No. 2003-321546, Japanese Patent Publication No. 2004-281086, etc.). Additionally, examples of display methods include matrix and segment methods. Additionally, the matrix display and segment display may coexist in the same panel.
매트릭스에서는, 표시를 위한 화소가 격자상이나 모자이크상 등 2차원적으로 배치되어 있고, 화소의 집합으로 문자나 화상을 표시한다. 화소의 형상이나 사이즈는 용도에 따라 결정된다. 예를 들면, 컴퓨터, 모니터, 텔레비전의 화상 및 문자 표시에는, 통상 한 변이 300㎛ 이하의 사각형의 화소가 사용되며, 또한, 표시 패널과 같은 대형 디스플레이의 경우는, 한 변이 mm 오더의 화소를 사용하게 된다. 모노크롬 표시의 경우는, 같은 색의 화소를 배열하면 되지만, 컬러 표시의 경우에는, 적색, 녹색, 청색 화소를 나열하여 표시시킨다. 이 경우, 전형적으로는 델타 타입과 스트라이프 타입이 있다. 그리고, 이 매트릭스의 구동 방법으로서는, 선 순차(線順次) 구동 방법이나 액티브 매트릭스 중 어느 것이어도 된다. 선순차 구동이 구조가 간단하다는 이점이 있지만, 동작 특성을 고려한 경우, 액티브 매트릭스법이 우수한 경우가 있으므로, 이것도 용도에 따라 구분하여 사용하는 것이 필요하다.In a matrix, pixels for display are arranged two-dimensionally, such as in a grid or mosaic, and characters or images are displayed as a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined depending on the purpose. For example, for image and text display on computers, monitors, and televisions, square pixels with a side of 300 ㎛ or less are usually used, and in the case of large displays such as display panels, pixels on the order of mm per side are used. I do it. In the case of monochrome display, pixels of the same color can be arranged, but in the case of color display, red, green, and blue pixels are displayed in a row. In this case, there are typically delta types and stripe types. The driving method of this matrix may be either a linear sequential driving method or an active matrix driving method. Line-sequential driving has the advantage of having a simple structure, but when considering operation characteristics, the active matrix method is sometimes superior, so it is necessary to use it separately depending on the application.
세그먼트 방식(타입)에서는, 미리 정해진 정보를 표시하도록 패턴을 형성하고, 정해진 영역을 발광시키게 된다. 예를 들면, 디지털 시계나 온도계에 있어서의 시각이나 온도 표시, 오디오 기기나 전자 조리기 등의 동작 상태 표시 및 자동차의 패널 표시 등을 들 수 있다.In the segment method (type), a pattern is formed to display predetermined information, and a defined area is emitted. Examples include time and temperature displays in digital clocks and thermometers, operating status displays in audio devices and electronic cookers, and panel displays in automobiles.
조명 장치로서는, 예를 들면, 실내 조명 등의 조명 장치, 액정 표시 장치의 백라이트 등을 들 수 있다(예를 들면, 일본특허공개 2003-257621호 공보, 일본특허공개 2003-277741호 공보, 일본특허공개 2004-119211호 공보 등 참조). 백라이트는, 주로 자발광하지 않는 표시 장치의 시인성을 향상시키는 목적으로 사용되며, 액정 표시 장치, 시계, 오디오 장치, 자동차 패널, 표시판 및 표식 등에 사용된다. 특히, 액정 표시 장치, 그 중에서도 박형화가 과제가 되고 있는 컴퓨터 용도의 백라이트로서는, 종래 방식이 형광등이나 도광판으로 이루어져 있기 때문에 박형화가 곤란하다는 것을 고려하면, 본 실시 형태에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트는 박형이고 경량인 것이 특징이 된다.Examples of lighting devices include lighting devices such as indoor lighting, backlights of liquid crystal display devices, etc. (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-257621, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-277741, Japanese Patents (See Public Notice No. 2004-119211, etc.). Backlights are mainly used to improve the visibility of display devices that do not emit light themselves, and are used in liquid crystal displays, clocks, audio devices, automobile panels, displays, and signs. In particular, considering that it is difficult to reduce the thickness of liquid crystal display devices, especially computer-use backlights where thinness is an issue, because the conventional method consists of a fluorescent lamp or a light guide plate, the backlight using the light emitting element according to the present embodiment is thin. It is characterized by being lightweight.
2-2. 그 밖의 유기 디바이스 2-2. Other organic devices
본 발명에 따른 다환방향족 화합물은, 상술한 유기 전계 발광 소자의 이외에, 유기 전계 효과 트랜지스터, 또는 유기 박막 태양 전지 등의 제작에 사용할 수 있다.The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used in the production of organic field effect transistors, organic thin film solar cells, etc. in addition to the organic electroluminescent devices described above.
유기 전계 효과 트랜지스터는, 전압 입력에 의해 발생시킨 전계에 의해 전류를 제어하는 트랜지스터를 말하며, 소스 전극과 드레인 전극의 이외에 게이트 전극이 설치되어 있다. 게이트 전극에 전압을 인가하면 전계가 생기고, 소스 전극과 드레인 전극간을 흐르는 전자(또는 홀)의 흐름을 임의로 멈추어 전류를 제어할 수 있는 트랜지스터이다. 전계 효과 트랜지스터는, 단순한 트랜지스터(바이폴라 트랜지스터)에 비해 소형화가 용이하여, 집적 회로 등을 구성하는 소자로서 자주 사용되고 있다.An organic field effect transistor refers to a transistor that controls current by an electric field generated by voltage input, and has a gate electrode in addition to the source and drain electrodes. It is a transistor that generates an electric field when a voltage is applied to the gate electrode and can control the current by arbitrarily stopping the flow of electrons (or holes) flowing between the source and drain electrodes. Field effect transistors are easier to miniaturize than simple transistors (bipolar transistors), and are often used as elements constituting integrated circuits and the like.
유기 전계 효과 트랜지스터의 구조는, 통상, 본 발명에 관한 다환방향족 화합물을 사용하여 형성되는 유기 반도체 활성층에 접하게 소스 전극 및 드레인 전극이 설치되어 있고, 나아가 유기 반도체 활성층에 접한 절연층(유전체층)을 사이에 두고 게이트 전극이 설치되어 있으면 된다. 그 소자 구조로서는, 예를 들면 이하의 구조를 들 수 있다.The structure of an organic field effect transistor usually has a source electrode and a drain electrode provided in contact with an organic semiconductor active layer formed using the polycyclic aromatic compound according to the present invention, and an insulating layer (dielectric layer) in contact with the organic semiconductor active layer. It is sufficient as long as the gate electrode is installed. Examples of the device structure include the following structure.
(1) 기판/게이트 전극/절연체층/소스 전극·드레인 전극/유기 반도체 활성층 (1) Substrate/gate electrode/insulator layer/source electrode/drain electrode/organic semiconductor active layer
(2) 기판/게이트 전극/절연체층/유기 반도체 활성층/소스 전극·드레인 전극 (2) Substrate/gate electrode/insulator layer/organic semiconductor active layer/source electrode/drain electrode
(3) 기판/유기 반도체 활성층/소스 전극·드레인 전극/절연체층/게이트 전극 (3) Substrate/organic semiconductor active layer/source electrode/drain electrode/insulator layer/gate electrode
(4) 기판/소스 전극·드레인 전극/유기 반도체 활성층/절연체층/게이트 전극 (4) Substrate/source electrode/drain electrode/organic semiconductor active layer/insulator layer/gate electrode
이와 같이 구성된 유기 전계 효과 트랜지스터는, 액티브 매트릭스 구동 방식의 액정 디스플레이나 유기 일렉트로 루미네선스 디스플레이의 화소 구동 스위칭 소자 등으로서 적용할 수 있다.The organic field effect transistor configured in this way can be applied as a pixel driving switching element of an active matrix driving liquid crystal display or an organic electroluminescence display.
유기 박막 태양 전지는, 유리 등의 투명 기판 상에 ITO 등의 양극, 홀 수송층, 광전 변환층, 전자 수송층, 음극이 적층된 구조를 가진다. 광전 변환층은 양극측에 p형 반도체층을 가지고, 음극측에 n형 반도체층을 가지고 있다. 본 발명에 관한 다환방향족 화합물은, 그 물성에 따라, 홀 수송층, p형 반도체층, n형 반도체층, 전자 수송층의 재료로서 사용하는 것이 가능하다. 본 발명에 관한 다환방향족 화합물은, 유기 박막 태양 전지에 있어서 홀 수송 재료나 전자 수송 재료로서 기능할 수 있다. 유기 박막 태양 전지는, 상기의 이외에 홀 블록층, 전자 블록층, 전자 주입층, 홀 주입층, 평활화층 등을 적절히 구비하고 있어도 된다. 유기 박막 태양 전지에는, 유기 박막 태양 전지에 사용되는 기지의 재료를 적절히 선택하여 조합하여 사용할 수 있다.Organic thin film solar cells have a structure in which an anode such as ITO, a hole transport layer, a photoelectric conversion layer, an electron transport layer, and a cathode are stacked on a transparent substrate such as glass. The photoelectric conversion layer has a p-type semiconductor layer on the anode side and an n-type semiconductor layer on the cathode side. The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used as a material for a hole transport layer, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an electron transport layer, depending on its physical properties. The polycyclic aromatic compound according to the present invention can function as a hole transport material or electron transport material in an organic thin film solar cell. The organic thin film solar cell may be appropriately provided with a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron injection layer, a hole injection layer, a smoothing layer, etc. in addition to the above. For an organic thin film solar cell, known materials used in organic thin film solar cells can be appropriately selected and used in combination.
3. 파장변환 재료3. Wavelength conversion materials
본 발명의 다환방향족 화합물은, 파장변환 재료로서 사용할 수 있다. 현재, 색변환방식에 의한 멀티색채화기술을, 액정 모니터나 유기EL 디스플레이, 조명 등에 응용하는 것이 열심히 검토되고 있다. 색변환이란, 발광체로부터의 발광을 보다 장파장의 광으로 파장변환하는 것이며, 예를 들면, 자외광이나 청색광을 녹색광이나 적색발광으로 변환하는 것을 나타낸다. 이 색변환기능을 가지는 파장변환 재료를 필름화하고, 예를 들면 청색광원과 조합시키는 것에 의해, 청색광원으로부터, 청, 녹, 적색의 3원색을 취출하는 것, 즉 백색광을 취출하는 것이 가능해진다. 이러한 청색광원과 색변환기능을 가지는 파장변환 필름을 조합시킨 백색광원을 광원 유닛으로 하여 액정구동 부분과, 칼라 필터에 조합시킴으로써, 풀 컬러 디스플레이의 제작이 가능해진다. 또한, 액정구동 부분이 없으면, 그대로 백색광원으로서 사용할 수 있고, 예를 들면 LED조명 등의 백색광원으로서 응용할 수 있다. 또한, 청색 유기 EL 소자를 광원으로 하여, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환하는 파장변환 필름과 조합시켜서 사용함으로써 메탈 마스크를 사용하지 않는 풀 컬러 유기EL 디스플레이의 제작이 가능해진다. 게다가, 청색 마이크로 LED를 광원으로서, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환하는 파장변환 필름과 조합시켜서 사용함으로써 저비용의 풀 컬러 마이크로 LED 디스플레이의 제작이 가능해진다. The polycyclic aromatic compound of the present invention can be used as a wavelength conversion material. Currently, the application of multi-color technology based on color conversion method to liquid crystal monitors, organic EL displays, lighting, etc. is being actively studied. Color conversion refers to converting light emission from a light emitting body into light of a longer wavelength, for example, converting ultraviolet light or blue light into green light or red light emission. By forming a wavelength conversion material with this color conversion function into a film and combining it with a blue light source, for example, it becomes possible to extract the three primary colors of blue, green, and red from the blue light source, that is, to extract white light. . By using a white light source that combines a blue light source and a wavelength conversion film with a color conversion function as a light source unit and combining it with a liquid crystal driving part and a color filter, it is possible to produce a full color display. In addition, if there is no liquid crystal driving part, it can be used as a white light source, for example, it can be applied as a white light source such as LED lighting. Additionally, by using a blue organic EL device as a light source and using it in combination with a wavelength conversion film that converts blue light into green light and red light, it becomes possible to produce a full-color organic EL display without using a metal mask. In addition, by using blue micro LED as a light source in combination with a wavelength conversion film that converts blue light into green light and red light, it becomes possible to produce a low-cost, full-color micro LED display.
본 발명의 다환방향족 화합물은, 이 파장변환 재료로서 사용할 수 있다. 본 발명의 다환방향족 화합물을 포함하는 파장변환 재료를 사용하여, 자외광이나 보다 단파장의 청색광을 생성하는 광원이나 발광소자로부터의 광을, 표시장치(유기 EL 소자를 이용한 표시장치나 액정표시장치)에서의 이용에 적합한 색순도가 높은 청색광이나 녹색광으로 변환할 수 있다. 변환된 색의 조정은, 본 발명의 다환방향족 화합물의 치환기, 후술하는 파장변환용 조성물로 사용하는 바인더 수지 등을 적당히 선택하는 것에 의해 행할 수 있다. 파장변환 재료는 본 발명의 다환방향족 화합물을 포함하는 파장변환용 조성물로서 조제할 수 있다. 또한, 이 파장변환용 조성물을 사용해서 파장변환 필름을 형성해도 된다. The polycyclic aromatic compound of the present invention can be used as this wavelength conversion material. Using the wavelength conversion material containing the polycyclic aromatic compound of the present invention, light from a light source or light-emitting device that generates ultraviolet light or shorter wavelength blue light is transmitted to a display device (a display device or a liquid crystal display device using an organic EL device). It can be converted into blue or green light with high color purity suitable for use in. Adjustment of the converted color can be performed by appropriately selecting the substituent of the polycyclic aromatic compound of the present invention, the binder resin used in the composition for wavelength conversion described later, etc. The wavelength conversion material can be prepared as a composition for wavelength conversion containing the polycyclic aromatic compound of the present invention. Additionally, a wavelength conversion film may be formed using this composition for wavelength conversion.
파장변환용 조성물은, 본 발명의 다환방향족 화합물 이외에, 바인더 수지, 기타의 첨가제, 및 용매를 포함하고 있어도 된다. 바인더 수지로서는, 예를 들면 국제공개 제2016/190283호의 단락 0173~0176에 기재된 것을 사용할 수 있다. 기타의 첨가제로서는, 국제공개 제2016/190283호의 단락 0177~0181에 기재된 화합물을 사용할 수 있다. 용매로서는, 상기의 발광층 형성용 조성물에 포함되는 용매의 기재를 참조할 수 있다. The composition for wavelength conversion may contain a binder resin, other additives, and a solvent in addition to the polycyclic aromatic compound of the present invention. As the binder resin, for example, those described in paragraphs 0173 to 0176 of International Publication No. 2016/190283 can be used. As other additives, compounds described in paragraphs 0177 to 0181 of International Publication No. 2016/190283 can be used. As the solvent, reference may be made to the description of the solvent contained in the composition for forming the emitting layer.
파장변환 필름은 파장변환용 조성물의 경화에 의해 형성되는 파장변환층을 포함한다. 파장변환용 조성물로부터의 파장변환층의 제작 방법으로서는 공지의 필름 형성 방법을 참조할 수 있다. 파장변환 필름은 본 발명의 다환방향족 화합물을 포함하는 조성물로부터 형성되는 파장변환층만으로 이루어져 있어도 되고, 다른 파장변환층(예를 들면, 청색광을 녹색광이나 적색광으로 변환하는 파장변환층, 청색광이나 녹색광을 적색광으로 변환하는 파장변환층)을 포함하고 있어도 된다. 파장변환 필름은 기재층이나, 색변환층의 산소, 수분, 또는 열에 의한 열화를 막기 위한 배리어층을 더 포함하고 있어도 된다. The wavelength conversion film includes a wavelength conversion layer formed by curing the composition for wavelength conversion. As a method of producing a wavelength conversion layer from a composition for wavelength conversion, a known film forming method may be referred to. The wavelength conversion film may consist only of a wavelength conversion layer formed from a composition containing the polycyclic aromatic compound of the present invention, or another wavelength conversion layer (for example, a wavelength conversion layer that converts blue light into green light or red light, It may also contain a wavelength conversion layer that converts to red light. The wavelength conversion film may further include a barrier layer to prevent the base layer or the color conversion layer from being deteriorated by oxygen, moisture, or heat.
[실시예][Example]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples, but the present invention is not limited to these.
<<합성예>> <<Synthesis example>>
합성예(1): 화합물(1-1) 및 화합물(2-1)의 합성 Synthesis Example (1): Synthesis of Compound (1-1) and Compound (2-1)
화합물(I-1)(1.09g) 및 tert-부틸벤젠(7.0ml)이 들어간 플라스크에, 질소분위기하, -30℃에서, 1.6M의 tert-부틸리튬펜탄 용액(1.6ml)을 더했다. 적하 종료후, 60℃까지 승온하여 2시간 교반한 후, tert-부틸벤젠보다 저비점의 성분을 감압 증류하여 제거했다. -30℃까지 냉각해서 삼브롬화붕소(0.63g)를 더하고, 실온까지 승온 해서 0.5시간 동안 교반했다. 그 후, 다시 0℃까지 냉각해서 N,N-디이소프로필에틸아민 (0.43ml)을 더하고, 발열이 잦아들 때까지 실온에서 교반한 후, 120℃까지 승온하여 3시간 가열 교반했다. 반응액을 실온까지 냉각하고, 빙욕에 의해 차게 한 초산 나트륨 수용액, 이어서 헵탄을 가해서 분액했다. 그 다음에, 실리카겔쇼트패스컬럼(전개액: 톨루엔)에 의해 정제한 후, 용매를 감압 증류 제거하여 얻어진 고체를 톨루엔에 녹이고, 헵탄을 가해서 재침전시켜, 화합물(I-2) (0.35g)을 얻었다. To a flask containing compound (I-1) (1.09 g) and tert-butylbenzene (7.0 ml), 1.6 M tert-butyllithium pentane solution (1.6 ml) was added at -30°C under a nitrogen atmosphere. After the dropwise addition was completed, the temperature was raised to 60°C and stirred for 2 hours, and components with a lower boiling point than tert-butylbenzene were removed by distillation under reduced pressure. It was cooled to -30°C, boron tribromide (0.63 g) was added, the temperature was raised to room temperature, and the mixture was stirred for 0.5 hours. After that, the mixture was cooled to 0°C again, N,N-diisopropylethylamine (0.43 ml) was added, and the mixture was stirred at room temperature until the heat generation subsided, then the temperature was raised to 120°C and heated and stirred for 3 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, and an aqueous solution of sodium acetate cooled in an ice bath, followed by heptane, was added to separate the layers. Next, after purification by silica gel short pass column (eluent: toluene), the solvent was distilled off under reduced pressure, the obtained solid was dissolved in toluene, heptane was added, and heptane was reprecipitated, resulting in compound (I-2) (0.35 g). got it
화합물(I-2)(78.1mg, 0.075mmol), 삼요오드화붕소(470.3mg, 1.20mmol), 2,6-디-tert-부틸피리딘(102μL, 0.45mmol) 및 톨루엔(2.0ml)이 들어간 슐렌크를 60℃에서 4시간 교반했다. 그 후, 0℃에서 인산완충용액(pH=6.8, 10ml)을 반응 혼합물에 가해, 수층을 분리하고, 톨루엔에 의해 추출했다(20ml, 3회). 그 후, 얻어진 조생성물에 실리카겔 크로마토그래피(전개 용매: 헥산/디클로로메탄=4/1, 3/1, 3/2, 초산 에틸)을 행하여 생성물을 분리하고, 각각 용매를 감압 증류 제거한 후, 헥산(10ml)으로 세정함으로써, 화합물(2-1)(2.9 mg)을 황색고체로서 얻었다. 동시에, 화합물(1-1) (3.4mg)을 적색고체로서 얻었다. A solution containing compound (I-2) (78.1 mg, 0.075 mmol), boron triiodide (470.3 mg, 1.20 mmol), 2,6-di-tert-butylpyridine (102 μL, 0.45 mmol), and toluene (2.0 ml). Lenk was stirred at 60°C for 4 hours. Afterwards, phosphate buffer solution (pH=6.8, 10 ml) was added to the reaction mixture at 0°C, the aqueous layer was separated, and extracted with toluene (20 ml, 3 times). Thereafter, the obtained crude product was subjected to silica gel chromatography (developing solvent: hexane/dichloromethane = 4/1, 3/1, 3/2, ethyl acetate) to separate the products, and each solvent was distilled off under reduced pressure, followed by hexane. By washing with (10 ml), compound (2-1) (2.9 mg) was obtained as a yellow solid. At the same time, compound (1-1) (3.4 mg) was obtained as a red solid.
NMR측정에 의해 얻어진 화합물(2-1)의 구조를 확인했다. The structure of compound (2-1) obtained was confirmed by NMR measurement.
1H-NMR (500MHz, CDCl3):δ=2.41(s, 6H), 2.58(s, 6H), 2.73(s, 6H), 2.86(s, 6H), 6.29(d, 2H), 6.71(d, 2H), 7.13(d, 2H), 7.22(d, 4H), 7.32(d, 4H), 7.47 (t, 2H), 7.53(d, 2H), 7.78(s, 1H), 8.21(s, 2H), 8.30(s, 2H), 8.48(s, 2H), 8.69(s, 2H), 8.83(s, 2H). 1 H-NMR (500MHz, CDCl 3 ): δ=2.41(s, 6H), 2.58(s, 6H), 2.73(s, 6H), 2.86(s, 6H), 6.29(d, 2H), 6.71( d, 2H), 7.13(d, 2H), 7.22(d, 4H), 7.32(d, 4H), 7.47 (t, 2H), 7.53(d, 2H), 7.78(s, 1H), 8.21(s , 2H), 8.30(s, 2H), 8.48(s, 2H), 8.69(s, 2H), 8.83(s, 2H).
NMR측정에 의해 얻어진 화합물(1-1)의 구조를 확인했다. The structure of compound (1-1) obtained was confirmed by NMR measurement.
1H-NMR (500MHz, CDCl3):δ=2.41(s, 6H), 2.58(s, 6H), 2.73(s, 6H), 2.86(s, 6H), 6.29(d, 2H), 6.71(d, 2H), 7.13(d, 2H), 7.22(d, 4H), 7.32(d, 4H), 7.47 (t, 2H), 7.53(d, 2H), 7.78(s, 1H), 8.21(s, 2H), 8.30(s, 2H), 8.48(s, 2H), 8.69(s, 2H), 8.83(s, 2H). 1 H-NMR (500MHz, CDCl 3 ): δ=2.41(s, 6H), 2.58(s, 6H), 2.73(s, 6H), 2.86(s, 6H), 6.29(d, 2H), 6.71( d, 2H), 7.13(d, 2H), 7.22(d, 4H), 7.32(d, 4H), 7.47 (t, 2H), 7.53(d, 2H), 7.78(s, 1H), 8.21(s , 2H), 8.30(s, 2H), 8.48(s, 2H), 8.69(s, 2H), 8.83(s, 2H).
원료의 화합물을 적당히 변경함으로써, 상술한 합성예에 준한 방법으로, 본 발명의 다른 화합물을 합성할 수 있다. By appropriately changing the raw material compounds, other compounds of the present invention can be synthesized by a method similar to the above-described synthesis example.
<<흡수 특성과 발광특성의 평가>> <<Evaluation of absorption characteristics and luminescence characteristics>>
샘플의 흡수 스펙트럼 측정은, 자외가시근적외선 분광광도계((주) 시마즈제작소, UV-2600)를 사용하여 행하였다. 또한, 상기 샘플의 형광 스펙트럼 또는 인광 스펙트럼의 측정은, 분광형광광도계(히다치하이테크(주)제, F-7000)를 사용하여 행하였다. The absorption spectrum of the sample was measured using an ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer (UV-2600, Shimadzu Corporation). In addition, the fluorescence spectrum or phosphorescence spectrum of the sample was measured using a spectrofluorometer (Hitachi Hi-Tech Co., Ltd., F-7000).
형광 스펙트럼의 측정에 대하여는, 실온에서 적절한 여기 파장으로 여기하여 포토루미네선스를 측정했다. 인광 스펙트럼의 측정에 대하여는, 부속의 냉각 유닛을 사용하여, 상기 샘플을 액체질소에 담근 상태(온도 77K)에서 측정했다. 인광 스펙트럼을 관측하기 위해서, 광학 쵸퍼를 사용하여 여기광 조사로부터 측정 개시까지의 지연 시간을 조정했다. 샘플은 적절한 여기 파장으로 여기해 포토루미네선스를 측정했다. Regarding the measurement of the fluorescence spectrum, photoluminescence was measured by excitation with an appropriate excitation wavelength at room temperature. The measurement of the phosphorescence spectrum was performed while the sample was immersed in liquid nitrogen (temperature 77K) using the included cooling unit. In order to observe the phosphorescence spectrum, the delay time from excitation light irradiation to the start of measurement was adjusted using an optical chopper. The sample was excited with an appropriate excitation wavelength and photoluminescence was measured.
또한, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(하마마츠포토닉스(주)제, C9920-02G)를 사용하여 형광양자수율(PLQY)을 측정했다. Additionally, the fluorescence quantum yield (PLQY) was measured using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920-02G, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.).
형광 수명(지연 형광)의 평가Evaluation of fluorescence lifetime (delayed fluorescence)
형광 수명 측정 장치(하마마츠 포토닉스(주)제, C11367-01)를 사용하여 300K에서 형광 수명을 측정하였다. 구체적으로는, 적절한 여기 파장에 의해 측정되는 극대 발광 파장에 있어서 형광 수명이 빠른 발광 성분과 느린 발광 성분을 관측하였다. 형광을 발광하는 일반적인 유기 EL 재료의 실온에서의 형광 수명 측정에서는, 열에 의한 삼중항 성분의 실활에 의해, 인광에 유래하는 삼중항 성분이 관여하는 느린 발광 성분이 관측되는 일은 거의 없다. 평가 대상의 화합물에 있어서 느린 발광 성분이 관측되었을 경우는, 여기 수명이 긴 삼중항 에너지가 열 활성에 의해 일중항 에너지로 이동하여 지연 형광으로서 관측된 것을 나타내게 된다. The fluorescence lifetime was measured at 300K using a fluorescence lifetime measuring device (C11367-01, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.). Specifically, the emission component with fast fluorescence lifetime and the emission component with slow fluorescence lifetime were observed at the maximum emission wavelength measured by an appropriate excitation wavelength. In measuring the fluorescence lifetime of general organic EL materials that emit fluorescence at room temperature, a slow emission component involving a triplet component derived from phosphorescence is rarely observed due to deactivation of the triplet component by heat. When a slow luminescence component is observed in the compound being evaluated, the triplet energy with a long excitation life moves to the singlet energy due to thermal activity, resulting in observation as delayed fluorescence.
에너지갭(Eg)의 산출 Calculation of energy gap (Eg)
전술한 방법으로 얻어진 흡수 스펙트럼의 장파장 말단 A(nm)로부터 Eg=1240/A로 산출하였다. Eg = 1240/A was calculated from A (nm) at the long-wavelength end of the absorption spectrum obtained by the above-described method.
E(E( S,ShS,Sh ), E(), E( T,ShT,Sh ) 및 ) and ΔE(ST)의of ΔE(ST) 산출 Calculation
최저 여기 일중항 에너지 준위 E(S,Sh)는, 형광 스펙트럼의 피크 단파장측 변곡점을 통과하는 접선과 베이스라인과의 교점에 있어서의 파장 BSh(nm)로부터, E(S,Sh)=1240/BSh 에 의해 산출했다. 또한, 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(T,Sh)는, 인광 스펙트럼의 피크 단파장측의 변곡점을 통과하는 접선과 베이스라인과의 교점에 있어서의 파장 CSh(nm)로부터, E(T,Sh)=1240/CSh 에 의해 산출했다. The lowest singlet excitation energy level E(S,Sh) is obtained from the wavelength BSh(nm) at the intersection of the baseline and the tangent passing through the peak short-wavelength side inflection point of the fluorescence spectrum, E(S,Sh)=1240/ Calculated by BSh. Additionally, the lowest triplet excitation energy level E(T,Sh) is obtained from the wavelength CSh(nm) at the intersection of the baseline and the tangent passing through the inflection point on the peak short wavelength side of the phosphorescence spectrum, E(T,Sh) Calculated by =1240/CSh.
ΔE(ST)는 E(S,Sh)와 E(T,Sh)의 에너지 차이인 ΔE(ST)=E(S,Sh)-E(T,Sh) 에 의해 정의된다. 또한, ΔE(ST)는, 예를 들면, "Purely organic electroluminescent material realizing 100% conversion from electricity to light", H.Kaji, H.Suzuki, T.Fukushima, K.Shizu, K.Katsuaki, S.Kubo, T.Komino, H.Oiwa, F.Suzuki, A.Wakamiya, Y.Murata, C.Adachi, Nat.Commun.2015, 6, 8476.에 기재된 방법으로도 산출할 수 있다. ΔE(ST) is defined by ΔE(ST)=E(S,Sh)-E(T,Sh), which is the energy difference between E(S,Sh) and E(T,Sh). In addition, ΔE(ST) is, for example, “Purely organic electroluminescent material realizing 100% conversion from electricity to light”, H.Kaji, H.Suzuki, T.Fukushima, K.Shizu, K.Katsuaki, S.Kubo , T.Komino, H.Oiwa, F.Suzuki, A.Wakamiya, Y.Murata, C.Adachi, Nat.Commun.2015, 6, 8476.
<실시예 A1> <Example A1>
화합물(1-1)의 기초물성의 평가 Evaluation of basic properties of compound (1-1)
화합물(1-1)을 1E-5M의 농도로 톨루엔에 용해한 용액을 준비하고, 흡수 특성, 발광특성을 측정했다. 그 용액을 질소 버블링하여 용존산소를 제거한 후, PLQY와 형광수명을 측정했다. A solution was prepared by dissolving compound (1-1) in toluene at a concentration of 1E-5M, and the absorption and luminescence characteristics were measured. The solution was bubbled with nitrogen to remove dissolved oxygen, and then PLQY and fluorescence lifetime were measured.
<실시예 A2, 비교예 A1> <Example A2, Comparative Example A1>
실시예 A1의 평가에 있어서, 화합물(1-1)을 화합물(2-1), new-DABNA로 변경한 이외는 마찬가지의 조건으로 평가했다. 결과는 표 1에 정리했다. In the evaluation of Example A1, the evaluation was conducted under the same conditions except that compound (1-1) was changed to compound (2-1), new-DABNA. The results are summarized in Table 1.
<<증착형 유기 EL 소자의 제작과 평가>> <<Manufacturing and evaluation of vapor-deposited organic EL devices>>
다음으로, 본 발명의 다환방향족 화합물을 사용한 유기 EL 소자의 제작과 평가에 대해서 기재한다. Next, the fabrication and evaluation of an organic EL device using the polycyclic aromatic compound of the present invention are described.
평가 항목으로서는, 구동 전압(V), 발광 파장(nm), CIE 색도(x, y), 외부 양자 효율(%), 발광 스펙트럼의 최대 파장(nm) 및 반치폭(nm) 등이 있다. 이들 평가 항목은, 적절한 발광 휘도시의 값을 사용할 수 있다.Evaluation items include driving voltage (V), emission wavelength (nm), CIE chromaticity (x, y), external quantum efficiency (%), maximum wavelength of emission spectrum (nm), and full width at half maximum (nm). For these evaluation items, appropriate values of light emission luminance can be used.
발광 소자의 양자 효율에는, 내부 양자 효율과 외부 양자 효율이 있는데, 내부 양자 효율은, 발광 소자의 발광층에 전자(또는 정공)로서 주입되는 외부 에너지가 순수하게 광자로 변환되는 비율을 나타내고 있다. 한편, 외부 양자 효율은, 이 광자가 발광 소자의 외부에까지 방출된 양에 기초하여 산출되는데, 발광층에 있어서 발생한 광자는, 그 일부가 발광 소자의 내부에서 흡수되거나 또는 계속 반사되거나 하여, 발광 소자의 외부로 방출되지 않기 때문에, 외부 양자 효율은 내부 양자 효율보다도 낮아진다. The quantum efficiency of a light-emitting device includes internal quantum efficiency and external quantum efficiency. The internal quantum efficiency represents the rate at which external energy injected as electrons (or holes) into the light-emitting layer of the light-emitting device is converted purely into photons. On the other hand, the external quantum efficiency is calculated based on the amount of photons emitted to the outside of the light-emitting device, but some of the photons generated in the light-emitting layer are absorbed or continuously reflected inside the light-emitting device, thereby causing the photons to be emitted to the outside of the light-emitting device. Because it is not emitted to the outside, the external quantum efficiency is lower than the internal quantum efficiency.
분광 방사 휘도(발광 스펙트럼)와 외부 양자 효율의 측정 방법은 다음과 같다. 어드밴티스트사제 전압/전류발생기 R6144를 사용하여, 전압을 인가하는 것에 의해 소자를 발광시켰다. TOPCON사제 분광 방사 휘도계 SR-3AR을 사용하여, 발광면에 대하여 수직 방향으로부터 가시광 영역의 분광 방사 휘도를 측정하였다. 발광면이 완전 확산면이라고 가정하고, 측정한 각 파장 성분의 분광 방사 휘도의 값을 파장 에너지로 나누어 π를 곱한 수치가 각 파장에 있어서의 광자수이다. 그 다음에, 관측된 전 파장 영역에서 광자수를 적산하고, 소자로부터 방출된 전 광자수로 하였다. 인가 전류값을 기본 전하로 나눈 수치를 소자에 주입한 캐리어수로 하고, 소자로부터 방출된 전 광자수를 소자에 주입한 캐리어수로 나눈 수치가 외부 양자 효율이다. 또한, 발광 스펙트럼의 반치폭은, 극대 발광 파장을 중심으로 하여, 그 강도가 50%가 되는 상하의 파장 간의 폭으로서 구해진다.The measurement methods for spectral radiance (emission spectrum) and external quantum efficiency are as follows. The device was made to emit light by applying voltage using a voltage/current generator R6144 manufactured by Advantist. Using a spectral radiance meter SR-3AR manufactured by TOPCON, the spectral radiance in the visible region was measured from the direction perpendicular to the light emitting surface. Assuming that the light-emitting surface is a completely diffusing surface, the value of the measured spectral radiance of each wavelength component divided by the wavelength energy and multiplied by π is the number of photons at each wavelength. Next, the number of photons was integrated in the entire observed wavelength range, and was taken as the total number of photons emitted from the device. The value of the applied current divided by the basic charge is the number of carriers injected into the device, and the number of total photons emitted from the device divided by the number of carriers injected into the device is the external quantum efficiency. Additionally, the half width of the emission spectrum is calculated as the width between the upper and lower wavelengths at which the intensity is 50%, with the maximum emission wavelength as the center.
[비교예 1-1] [Comparative Example 1-1]
스퍼터링에 의해 200nm의 두께로 제막한 ITO를 120nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주) 옵토사이언스제)을 투명 지지 기판으로 하였다. 이 투명 지지 기판을 시판의 증착 장치(쇼와진공(주)제)의 기판 홀더에 고정하고, HAT-CN, HTL-1, TcTa, ETL-1, new-DABNA 및 ET7을 각각 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, LiF 및 알루미늄을 각각 넣은 텅스텐제 증착용 보트를 장착하였다. A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (manufactured by Opto Science Co., Ltd.) made by polishing ITO to a thickness of 200 nm by sputtering to 120 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and HAT-CN, HTL-1, TcTa, ETL-1, new-DABNA, and ET7 were added thereto, respectively. A wearing boat, a tungsten deposition boat containing LiF and aluminum, respectively, were installed.
투명 지지 기판의 ITO막 상에 순차로, 하기 각 층을 형성하였다. 진공조를 5X10-4Pa까지 감압하고, 먼저, HAT-CN을 가열해서 막 두께 5nm가 되도록 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 다음으로, HTL-1을 가열해서 막 두께 90nm가 되도록 증착하여 정공수송층 1을 형성하고, 나아가 TcTa를 가열해서 막 두께 10nm가 되도록 증착하여 정공수송층 2를 형성하였다. 다음으로, ETL-1과 new-DABNA를 동시에 가열해서 막 두께 20nm가 되도록 증착하여 발광층을 형성하였다. ETL-1과 new-DABNA의 질량비가 약 99대 1이 되도록 증착 속도를 조절하였다. 다음으로, ETL-1을 가열해서 막 두께 20nm가 되도록 증착하여 전자수송층 1을 형성하고, 나아가 ET7을 가열해서 막 두께 10nm가 되도록 증착하여 전자수송층 2를 형성하였다. 각 층의 증착 속도는 0.01~1nm/초였다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm가 되도록 0.01~0.1nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm가 되도록 증착해서 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 얻었다. 이 때, 알루미늄의 증착 속도는 1~10nm/초가 되도록 조절하였다.Each of the following layers was formed sequentially on the ITO film of the transparent support substrate. The pressure of the vacuum chamber was reduced to 5X10 -4 Pa, and first, HAT-CN was heated and deposited to a film thickness of 5 nm to form a hole injection layer. Next, HTL-1 was heated and deposited to a film thickness of 90 nm to form hole transport layer 1, and TcTa was further heated and deposited to a film thickness of 10 nm to form hole transport layer 2. Next, ETL-1 and new-DABNA were simultaneously heated and deposited to a film thickness of 20 nm to form a light-emitting layer. The deposition rate was adjusted so that the mass ratio of ETL-1 and new-DABNA was about 99:1. Next, ETL-1 was heated and deposited to a film thickness of 20 nm to form electron transport layer 1, and ET7 was further heated and deposited to a film thickness of 10 nm to form electron transport layer 2. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm/sec. After that, LiF was heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to a film thickness of 1 nm, and then aluminum was heated and deposited to a film thickness of 100 nm to form a cathode, thereby obtaining an organic EL device. At this time, the deposition rate of aluminum was adjusted to be 1 to 10 nm/sec.
[실시예 1-1 및 실시예 1-2] [Example 1-1 and Example 1-2]
비교예 1-1의 new-DABNA를 표 2에 기재된 화합물로 변경한 것 이외에는 비교예 1-1과 마찬가지의 순서로 실시예 1-1 및 실시예 1-2의 유기 EL 소자를 얻었다. Organic EL devices of Examples 1-1 and 1-2 were obtained in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that new-DABNA in Comparative Example 1-1 was changed to the compounds shown in Table 2.
[실시예 2-1~2, 실시예 3-1~2, 실시예 4-1~2, 비교예 2-1, 비교예 3-1, 및 비교예 4-1] [Examples 2-1 to 2, Examples 3-1 to 2, Examples 4-1 to 2, Comparative Example 2-1, Comparative Example 3-1, and Comparative Example 4-1]
비교예 1-1의 ETL-1(호스트)을 표 3에 기재된, TcTa 및 ETL-1(호스트 1 및 호스트 2)에, new-DABNA를 표 3에 기재된 이미팅 도펀트, 또는 어시스팅 도펀트 및 이미팅 도펀트로 변경하는 것 이외에는 비교예 1-1과 마찬가지의 순서로 실시예 2-1~2, 실시예 3-1~2, 실시예 4-1~2, 비교예 2-1, 비교예 3-1, 및 비교예 4-1의 유기 EL 소자를 얻었다. ETL-1 (host) of Comparative Example 1-1 was added to TcTa and ETL-1 (host 1 and host 2) shown in Table 3, and new-DABNA was added to the emitting dopant or assisting dopant and imitating dopant shown in Table 3. Examples 2-1 to 2, Examples 3-1 to 2, Examples 4-1 to 2, Comparative Examples 2-1, and Comparative Example 3 in the same order as Comparative Example 1-1 except for changing to a dopant. -1, and the organic EL device of Comparative Example 4-1 were obtained.
한편, 표 3에 있어서, 「호스트 1」은 정공수송성 호스트 재료에 해당하고, 「호스트 2」은 전자수송성 호스트 재료에 해당한다. Meanwhile, in Table 3, “Host 1” corresponds to a hole-transporting host material, and “Host 2” corresponds to an electron-transporting host material.
상기 각소자의 제조에 사용한 화합물의 화학구조를 이하에 나타낸다. The chemical structures of the compounds used in the production of each of the above devices are shown below.
실시예 1-1~2, 실시예 2-1~2, 실시예 3-1~2, 실시예 4-1~2, 비교예 1-1, 비교예 2-1, 비교예 3-1 및 비교예 4-1의 유기 EL 소자에 대해서, ITO전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여 직류 전압을 인가하고, 휘도 1000cd/m2에 있어서의, 극대발광파장(EL), 외부양자효율(EQE) 및 LT50(초기 휘도 1000cd/m2에 있어서의 전류밀도로 연속 구동시켰을 때에 500cd/m2이 될 때까지의 시간)을 측정했다. Examples 1-1 to 2, Examples 2-1 to 2, Examples 3-1 to 2, Examples 4-1 to 2, Comparative Example 1-1, Comparative Example 2-1, Comparative Example 3-1 and For the organic EL device of Comparative Example 4-1, a direct current voltage was applied using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode, and the maximum emission wavelength (EL) and external quantum efficiency at a luminance of 1000 cd/m 2 (EQE) and LT50 (the time until the initial luminance reaches 500 cd/m 2 when continuously driven at a current density of 1000 cd/m 2 ) were measured.
각 소자의 평가 결과를 표 4에 나타낸다. Table 4 shows the evaluation results of each device.
비교예와의 비교로부터, 식(1) 또는 식(2)으로 표현되는 구조를 가지는 다환방향족 화합물을 사용한 유기 EL 소자에서는 녹색이고 고효율인 발광이 얻어지고, 동시에, 장수명이 됨을 알 수 있다. From comparison with the comparative example, it can be seen that green and highly efficient light emission is obtained in an organic EL device using a polycyclic aromatic compound having a structure expressed by formula (1) or formula (2), and at the same time, it has a long lifespan.
<<도포형 유기 EL 소자의 제작과 평가>> <<Fabrication and evaluation of coated organic EL devices>>
다음으로, 유기층을 도포 형성하여 얻어지는 유기 EL 소자에 대해 설명한다.Next, an organic EL device obtained by applying and forming an organic layer will be described.
<고분자 호스트 화합물: SPH-101의 합성><Synthesis of polymer host compound: SPH-101>
국제 공개 제2015/008851호에 기재된 방법에 따라, SPH-101을 합성하였다. M1의 옆에는 M2 또는 M3이 결합한 공중합체가 얻어지고, 주입비로부터 각 유닛은 50:26:24(몰비)인 것으로 추측된다. 하기 구조식 중, Bpin은 피나콜라트보릴, *은 각 유닛의 연결 위치이다.SPH-101 was synthesized according to the method described in International Publication No. 2015/008851. A copolymer in which M2 or M3 is bonded next to M1 is obtained, and from the injection ratio, each unit is estimated to be 50:26:24 (molar ratio). In the structural formula below, Bpin is pinacolat boryl, and * is the connection position of each unit.
<고분자 정공 수송 화합물: XLP-101의 합성><Synthesis of polymer hole transport compound: XLP-101>
일본특허공개 2018-61028호 공보에 기재된 방법에 따라, XLP-101을 합성하였다. M4의 옆에는 M5 또는 M6이 결합한 공중합체가 얻어지고, 주입비로부터 각 유닛은 40:10:50(몰비)인 것으로 추측된다. Bpin은 피나콜라트보릴, *은 각 유닛의 연결 위치이다.XLP-101 was synthesized according to the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-61028. A copolymer in which M5 or M6 is bonded next to M4 is obtained, and from the injection ratio, each unit is estimated to be 40:10:50 (molar ratio). Bpin is pinacolatboril, and * is the connection position of each unit.
<실시예 5-1~실시예 5-9><Example 5-1 to Example 5-9>
각 층을 형성하는 재료의 도포용 용액을 조제하여 도포형 유기 EL 소자를 제작한다.A coating solution for the materials forming each layer is prepared to produce a coating-type organic EL device.
<실시예 5-1~실시예 5-3의 유기 EL 소자의 제작><Production of organic EL devices of Examples 5-1 to 5-3>
유기 EL 소자에 있어서의, 각 층의 재료 구성을 표 5에 나타낸다.Table 5 shows the material composition of each layer in the organic EL device.
표 5에 있어서의, 「ET1」의 구조를 이하에 나타낸다.The structure of “ET1” in Table 5 is shown below.
<발광층 형성용 조성물(1)의 조제><Preparation of composition (1) for forming light-emitting layer>
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(1)을 조제한다. 조제한 발광층 형성용 조성물을 유리 기판에 스핀 코팅하고, 감압하에서 가열 건조함으로써, 막 결함이 없고 평활성이 뛰어난 도포막이 얻어진다.The composition (1) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following ingredients until a uniform solution is formed. By spin-coating the prepared composition for forming a light-emitting layer on a glass substrate and heating and drying it under reduced pressure, a coating film with no film defects and excellent smoothness is obtained.
화합물(A) 0.04 질량% Compound (A) 0.04% by mass
SPH-101 1.96 질량% SPH-101 1.96% by mass
크실렌 69.00 질량% Xylene 69.00% by mass
데칼린 29.00 질량%Decalin 29.00% by mass
한편, 화합물(A)은, 식(1) 또는 식(2)으로 나타내어지는 구조단위를 포함하는 구조를 가지는 다환방향족 화합물(예를 들면, 화합물(1-1)), 상기 다환방향족 화합물을 모노머(즉 해당 모노머는 반응성 치환기를 가진다)로서 고분자화시킨 고분자 화합물, 또는 해당 고분자 화합물을 더 가교시킨 고분자 가교체이다. 고분자 가교체를 얻기 위한 고분자 화합물은 가교성 치환기를 가진다.On the other hand, compound (A) is a polycyclic aromatic compound (e.g., compound (1-1)) having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2), and the polycyclic aromatic compound is used as a monomer (That is, the monomer has a reactive substituent), which is a polymer compound polymerized or a polymer crosslinked product obtained by further crosslinking the polymer compound. The polymer compound for obtaining a cross-linked polymer has a cross-linkable substituent.
<PEDOT: PSS 용액><PEDOT: PSS solution>
시판의 PEDOT:PSS 용액(Clevios(TM) P VP AI4083, PEDOT:PSS의 물 분산액, Heraeus Holdings사제)을 사용한다.A commercially available PEDOT:PSS solution (Clevios(TM) P VP AI4083, water dispersion of PEDOT:PSS, manufactured by Heraeus Holdings) was used.
<OTPD 용액의 조제><Preparation of OTPD solution>
OTPD(LT-N159, Luminescence Technology Corp사제) 및 IK-2(광 카티온 중합 개시제, 산아프로사제)를 톨루엔에 용해시켜, OTPD 농도 0.7 질량%, IK-2농도 0.007 질량%의 OTPD 용액을 조제한다.OTPD (LT-N159, manufactured by Luminescence Technology Corp.) and IK-2 (photocation polymerization initiator, manufactured by San Apro Corporation) were dissolved in toluene to prepare an OTPD solution with an OTPD concentration of 0.7% by mass and an IK-2 concentration of 0.007% by mass. do.
<XLP-101 용액의 조제><Preparation of XLP-101 solution>
크실렌에 XLP-101을 0.6질량%의 농도로 용해시켜, 0.6 질량% XLP-101 용액을 조제한다.XLP-101 was dissolved in xylene at a concentration of 0.6 mass% to prepare a 0.6 mass% XLP-101 solution.
<PCz 용액의 조제><Preparation of PCz solution>
PCz(폴리비닐카르바졸)를 디클로로벤젠에 용해시켜, 0.7 질량% PCz 용액을 조제한다.PCz (polyvinylcarbazole) is dissolved in dichlorobenzene to prepare a 0.7% by mass PCz solution.
<실시예5-1><Example 5-1>
ITO가 150nm의 두께로 증착된 유리 기판 상에, PEDOT:PSS 용액을 스핀 코팅하고, 200℃의 핫 플레이트 상에서 1시간 소성함으로써, 막두께 40nm의 PEDOT:PSS막을 성막한다(정공 주입층). 그 다음에, OTPD 용액을 스핀 코팅하고, 80℃의 핫 플레이트 상에서 10분간 건조한 후, 노광기로 노광 강도 100mJ/cm2로 노광하고, 100℃의 핫 플레이트 상에서 1시간 소성함으로써, 용액에 불용인 막두께 30nm의 OTPD막을 성막한다(정공 수송층). 그 다음에, 발광층 형성용 조성물(1)을 스핀 코팅하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 1시간 소성함으로써, 막두께 20nm의 발광층을 성막한다.A PEDOT:PSS solution is spin-coated on a glass substrate on which ITO has been deposited to a thickness of 150 nm, and baked on a hot plate at 200°C for 1 hour to form a PEDOT:PSS film with a film thickness of 40 nm (hole injection layer). Next, the OTPD solution is spin-coated, dried on a hot plate at 80°C for 10 minutes, exposed with an exposure machine at an exposure intensity of 100 mJ/cm 2 , and baked on a hot plate at 100°C for 1 hour to form a film insoluble in the solution. An OTPD film with a thickness of 30 nm is formed (hole transport layer). Next, the composition for forming a light-emitting layer (1) is spin-coated and baked on a hot plate at 120°C for 1 hour to form a light-emitting layer with a film thickness of 20 nm.
제작한 다층막을 시판의 증착 장치(쇼와 진공(주)제)의 기판 홀더에 고정하고, ET1을 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, LiF를 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, 알루미늄을 넣은 텅스텐제 증착용 보트를 장착한다. 진공조를 5Х10-4Pa까지 감압한 후, ET1을 가열하여 막두께 30nm가 되도록 증착하여 전자 수송층을 형성한다. 전자 수송층을 형성할 때의 증착 속도는 1nm/초로 한다. 그 후, LiF를 가열하여 막두께 1nm가 되도록 0.01~0.1nm/초의 증착 속도로 증착한다. 그 다음에, 알루미늄을 가열하여 막두께 100nm가 되도록 증착하여 음극을 형성한다. 이와 같이 하여 유기 EL 소자를 얻는다.The produced multilayer film was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and a molybdenum deposition boat containing ET1, a molybdenum deposition boat containing LiF, and a tungsten deposition boat containing aluminum were used. Install. After reducing the pressure of the vacuum bath to 5Х10 -4 Pa, ET1 is heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form an electron transport layer. The deposition rate when forming the electron transport layer is 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm. Next, aluminum is heated and deposited to a film thickness of 100 nm to form a cathode. In this way, an organic EL device is obtained.
<실시예 5-2><Example 5-2>
실시예 5-1과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 얻는다. 한편, 정공 수송층은, XLP-101 용액을 스핀 코팅하고, 200℃의 핫 플레이트 상에서 1시간 소성함으로써, 막두께 30nm의 막을 성막한다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5-1. Meanwhile, for the hole transport layer, a film with a thickness of 30 nm is formed by spin-coating an XLP-101 solution and baking it on a hot plate at 200°C for 1 hour.
<실시예5-3> <Example 5-3>
실시예 5-1과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 얻는다. 한편, 정공 수송층은, PCz 용액을 스핀 코팅하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 1시간 소성함으로써, 막두께 30nm의 막을 성막한다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5-1. Meanwhile, for the hole transport layer, a 30 nm thick film is formed by spin coating a PCz solution and baking it on a hot plate at 120°C for 1 hour.
<실시예 5-1~실시예 5-3의 유기 EL 소자의 평가><Evaluation of organic EL devices of Examples 5-1 to 5-3>
상기한 바와 같이 하여 얻어진 도포형 유기 EL 소자도 증착형 유기 EL 소자와 마찬가지로 뛰어난 구동 전압 및 외부 양자 효율을 가질 것으로 예상할 수 있다.The application-type organic EL device obtained as described above can be expected to have excellent driving voltage and external quantum efficiency, similar to the deposition-type organic EL device.
<실시예 5-4~실시예 5-6의 유기 EL 소자의 제작><Production of organic EL devices of Examples 5-4 to 5-6>
유기 EL 소자에 있어서의, 각 층의 재료 구성을 표 6에 나타낸다.Table 6 shows the material composition of each layer in the organic EL device.
<발광층 형성용 조성물(2)~(4)의 조제> <Preparation of compositions (2) to (4) for forming a light-emitting layer>
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(2)을 조제한다.The composition (2) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following ingredients until a uniform solution is formed.
화합물(A) 0.02 질량% Compound (A) 0.02% by mass
mCBP 1.98 질량% mCBP 1.98% by mass
톨루엔 98.00 질량%Toluene 98.00% by mass
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(3)을 조제한다.The composition (3) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following ingredients until a uniform solution is formed.
화합물(A) 0.02 질량%Compound (A) 0.02% by mass
SPH-101 1.98 질량%SPH-101 1.98% by mass
크실렌 98.00 질량%Xylene 98.00% by mass
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(4)을 조제한다.The composition (4) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following ingredients until a uniform solution is formed.
화합물(A) 0.02 질량%Compound (A) 0.02% by mass
DOBNA 1.98 질량%DOBNA 1.98% by mass
톨루엔 98.00 질량%Toluene 98.00% by mass
표 7에 있어서, 「mCBP」은 3,3'-비스(N-카르바졸릴)-1,1'-비페닐이며, 「DOBNA」는 3,11-디-o-톨릴-5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센이며, 「TSPO1」은 디페닐[4-(트리페닐실릴)페닐]포스핀옥사이드이다. 이하에 화학 구조를 나타낸다.In Table 7, "mCBP" is 3,3'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl, and "DOBNA" is 3,11-di-o-tolyl-5,9- Dioxa-13b-boranaphtho[3,2,1-de]anthracene, and “TSPO1” is diphenyl[4-(triphenylsilyl)phenyl]phosphine oxide. The chemical structure is shown below.
<실시예 5-4><Example 5-4>
ITO가 45nm의 두께로 성막된 유리 기판 상에, ND-3202(닛산 화학공업제) 용액을 스핀 코팅한 후, 대기 분위기하에서, 50℃ 3분간 가열하고, 230℃ 15분간 더 가열함으로써, 막두께 50nm의 ND-3202막을 성막한다(정공 주입층). 그 다음에, XLP-101 용액을 스핀 코팅하고, 질소 가스 분위기하에서, 핫 플레이트 상에서 200℃ 30분간 가열시킴으로써, 막두께 20nm의 XLP-101막을 성막한다(정공 수송층). 그 다음에, 발광층 형성용 조성물(2)을 스핀 코팅하고, 질소 가스 분위기하에서, 130℃ 10분간 가열시킴으로써, 20nm의 발광층을 성막한다.A solution of ND-3202 (manufactured by Nissan Chemical Industries) was spin-coated on a glass substrate on which ITO had been deposited to a thickness of 45 nm, and then heated at 50°C for 3 minutes in an air atmosphere and further heated at 230°C for 15 minutes to increase the film thickness. A 50 nm ND-3202 film is formed (hole injection layer). Next, the XLP-101 solution is spin-coated and heated on a hot plate at 200°C for 30 minutes in a nitrogen gas atmosphere to form an XLP-101 film with a film thickness of 20 nm (hole transport layer). Next, the composition for forming a light-emitting layer (2) is spin-coated and heated at 130°C for 10 minutes in a nitrogen gas atmosphere to form a 20 nm light-emitting layer.
제작한 다층막을 시판의 증착 장치(쇼와 진공(주)제)의 기판 홀더에 고정하고, TSPO1을 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, LiF를 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, 알루미늄을 넣은 텅스텐제 증착용 보트를 장착한다. 진공조를 5Х10-4Pa까지 감압한 후, TSPO1을 가열하여 막두께 30nm가 되도록 증착하여 전자 수송층을 형성한다. 전자 수송층을 형성할 때의 증착 속도는 1nm/초로 한다. 그 후, LiF를 가열하여 막두께 1nm가 되도록 0.01~0.1nm/초의 증착 속도로 증착한다. 그 다음에, 알루미늄을 가열하여 막두께 100nm가 되도록 증착하여 음극을 형성한다. 이와 같이 하여 유기 EL 소자를 얻는다.The produced multilayer film was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and a molybdenum deposition boat containing TSPO1, a molybdenum deposition boat containing LiF, and a tungsten deposition boat containing aluminum were used. Install. After reducing the pressure of the vacuum bath to 5Х10 -4 Pa, TSPO1 is heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form an electron transport layer. The deposition rate when forming the electron transport layer is 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm. Next, aluminum is heated and deposited to a film thickness of 100 nm to form a cathode. In this way, an organic EL device is obtained.
<실시예 5-5 및 실시예 5-6><Example 5-5 and Example 5-6>
발광층 형성용 조성물(3) 또는 (4)을 사용하여, 실시예 5-4와 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 얻는다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5-4 using the composition (3) or (4) for forming the light emitting layer.
<실시예 5-4~실시예 5-6의 유기 EL 소자의 평가><Evaluation of organic EL devices of Examples 5-4 to 5-6>
상기한 바와 같이 하여 얻어진 도포형 유기 EL 소자도 증착형 유기 EL 소자와 마찬가지로 뛰어난 구동 전압 및 외부 양자 효율을 가질 것으로 예상할 수 있다.The application-type organic EL device obtained as described above can be expected to have excellent driving voltage and external quantum efficiency, similar to the deposition-type organic EL device.
<실시예 5-7~실시예 5-9의 유기 EL 소자의 제작><Production of organic EL devices of Examples 5-7 to 5-9>
유기 EL 소자에 있어서의, 각 층의 재료 구성을 표 7에 나타낸다.Table 7 shows the material composition of each layer in the organic EL device.
<발광층 형성용 조성물(5)~(7)의 조제><Preparation of compositions (5) to (7) for forming a light-emitting layer>
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(5)을 조제한다.The composition (5) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following ingredients until a uniform solution is formed.
화합물(A) 0.02 질량%Compound (A) 0.02% by mass
2PXZ-TAZ 0.18 질량%2PXZ-TAZ 0.18% by mass
mCBP 1.80 질량% mCBP 1.80% by mass
톨루엔 98.00 질량%Toluene 98.00% by mass
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(6)을 조제한다.The composition (6) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following components until a uniform solution is formed.
화합물(A) 0.02 질량%Compound (A) 0.02% by mass
2PXZ-TAZ 0.18 질량%2PXZ-TAZ 0.18% by mass
SPH-101 1.80 질량%SPH-101 1.80% by mass
크실렌 98.00 질량%Xylene 98.00% by mass
하기 성분을 균일한 용액이 될 때까지 교반함으로써 발광층 형성용 조성물(7)을 조제한다.The composition (7) for forming a light-emitting layer is prepared by stirring the following ingredients until a uniform solution is formed.
화합물(A) 0.02 질량%Compound (A) 0.02% by mass
2PXZ-TAZ 0.18 질량%2PXZ-TAZ 0.18% by mass
DOBNA 1.80 질량%DOBNA 1.80% by mass
톨루엔 98.00 질량%Toluene 98.00% by mass
표 7에 있어서, 「2PXZ-TAZ」는 10,10'-((4-페닐-4H-1,2,4-트리아졸-3,5-디 일)비스(4,1-페닐렌))비스(10H-페녹사진)이다. 이하에 화학 구조를 나타낸다.In Table 7, “2PXZ-TAZ” is 10,10'-((4-phenyl-4H-1,2,4-triazole-3,5-diyl)bis(4,1-phenylene)) It is bis(10H-phenoxazine). The chemical structure is shown below.
<실시예 5-7><Example 5-7>
ITO가 45nm의 두께로 성막된 유리 기판 상에, ND-3202(닛산 화학공업제) 용액을 스핀 코팅한 후, 대기 분위기하에서, 50℃ 3분간 가열하고, 230℃ 15분간 더 가열함으로써, 막두께 50nm의 ND-3202막을 성막한다(정공 주입층). 그 다음에, XLP-101 용액을 스핀 코팅하고, 질소 가스 분위기하에서, 핫 플레이트 상에서 200℃ 30분간 가열시킴으로써, 막두께 20nm의 XLP-101막을 성막한다(정공 수송층). 그 다음에, 발광층 형성용 조성물(5)을 스핀 코팅하고, 질소 가스 분위기하에서, 130℃ 10분간 가열시킴으로써, 20nm의 발광층을 성막한다.A solution of ND-3202 (manufactured by Nissan Chemical Industries) was spin-coated on a glass substrate on which ITO had been deposited to a thickness of 45 nm, and then heated at 50°C for 3 minutes in an air atmosphere and further heated at 230°C for 15 minutes to increase the film thickness. A 50 nm ND-3202 film is formed (hole injection layer). Next, the XLP-101 solution is spin-coated and heated on a hot plate at 200°C for 30 minutes in a nitrogen gas atmosphere to form an XLP-101 film with a film thickness of 20 nm (hole transport layer). Next, the composition 5 for forming a light-emitting layer is spin-coated and heated at 130°C for 10 minutes in a nitrogen gas atmosphere to form a 20 nm light-emitting layer.
제작한 다층막을 시판의 증착 장치(쇼와 진공(주)제)의 기판 홀더에 고정하고, TSPO1을 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, LiF를 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, 알루미늄을 넣은 텅스텐제 증착용 보트를 장착한다. 진공조를 5Х10-4Pa까지 감압한 후, TSPO1을 가열하여 막두께 30nm가 되도록 증착하여 전자 수송층을 형성한다. 전자 수송층을 형성할 때의 증착 속도는 1nm/초로 한다. 그 후, LiF를 가열하여 막두께 1nm가 되도록 0.01~0.1nm/초의 증착 속도로 증착한다. 그 다음에, 알루미늄을 가열하여 막두께 100nm가 되도록 증착하여 음극을 형성한다. 이와 같이 하여 유기 EL 소자를 얻는다.The produced multilayer film was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and a molybdenum deposition boat containing TSPO1, a molybdenum deposition boat containing LiF, and a tungsten deposition boat containing aluminum were used. Install. After reducing the pressure of the vacuum bath to 5Х10 -4 Pa, TSPO1 is heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form an electron transport layer. The deposition rate when forming the electron transport layer is 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm. Next, aluminum is heated and deposited to a film thickness of 100 nm to form a cathode. In this way, an organic EL device is obtained.
<실시예 5-8 및 실시예 5-9><Example 5-8 and Example 5-9>
발광층 형성용 조성물(6) 또는 (7)을 사용하여, 실시예 5-7과 마찬가지의 방법으로 유기 EL 소자를 얻는다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5-7 using the composition (6) or (7) for forming the light emitting layer.
<실시예 5-7~실시예 5-9의 유기 EL 소자의 평가><Evaluation of organic EL devices of Examples 5-7 to 5-9>
상기한 바와 같이 하여 얻어진 도포형 유기 EL 소자도 증착형 유기 EL 소자와 마찬가지로 뛰어난 구동 전압 및 외부 양자 효율을 가질 것으로 예상할 수 있다.The application-type organic EL device obtained as described above can be expected to have excellent driving voltage and external quantum efficiency, similar to the deposition-type organic EL device.
100 유기 전계 발광 소자
101 기판
102 양극
103 정공 주입층
104 정공 수송층
105 발광층
106 전자 수송층
107 전자 주입층
108 음극100 Organic electroluminescent device
101 substrate
102 anode
103 hole injection layer
104 hole transport layer
105 emitting layer
106 electron transport layer
107 electron injection layer
108 cathode
Claims (20)
식(1)중,
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이며,
C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 상기 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 상기 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타내고,
Z는 -C(-RZ)= 또는 -N=이며, RZ는 수소 또는 치환기이며,
X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 되고,
Y는 각각 독립적으로, >B-, >P-, >P(=O)-, >P(=S)-, >Al-, >Ga-, >As-, >C(-RY)-, >Si(-RY)-, 또는 >Ge(-RY)-이며, RY는, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이며,
상기 구조에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고,
상기 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. Polycyclic aromatic compounds having a structure containing a structural unit represented by formula (1) or formula (2);
In equation (1),
Ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
The broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the dashed line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line,
Z is -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent,
X is each independently a single bond, > NR NX , > O , >C ( -R C It is substituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted. It is substituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded,
Y is each independently, >B-, >P-, >P(=O)-, >P(=S)-, >Al-, >Ga-, >As-, >C(-R Y )- , >Si(-R Y )-, or >Ge(-R Y )-, where R Y is each independently optionally substituted aryl, optionally substituted heteroaryl, optionally substituted alkyl, or substituted It is a cycloalkyl that may be
In the above structure, at least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring may be condensed with at least one cycloalkane, and the cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and the cycloalkane may be At least one -CH 2 - in may be substituted with -O-,
At least one hydrogen in the above structure may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환이 각각 치환의 아릴환 또는 치환의 헤테로아릴환일 때의 치환기가 치환기군 Z 및 식(A30)으로 표현되는 치환기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기이며,
치환기군 Z는,
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노(2개의 아릴은 서로 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다);
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디헤테로아릴아미노(2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다);
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴헤테로아릴아미노(아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다);
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴보릴(2개의 아릴은 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있어도 된다);
아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알킬;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬;
아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알콕시;
아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴옥시; 및
치환 실릴로부터 이루어지고,
식(A30)중,
Ak는 수소, 치환 혹은 무치환의 알킬, 치환 혹은 무치환의 알케닐, 치환 혹은 무치환의 시클로알킬 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알케닐이며, 해당 알킬, 알케닐, 시클로알킬 및 시클로알케닐에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O- 또는 -S-로 치환되어 있어도 되고,
RAk는, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RAk는 연결기 또는 단결합에 의해 Ak와 결합하고 있어도 되고, *은 결합 위치인,
다환방향족 화합물.According to paragraph 1,
When the B ring, C ring, D ring, E ring, F ring, G ring, H ring, and I ring are each a substituted aryl ring or a substituted heteroaryl ring, the substituents are represented by the substituent group Z and formula (A30). At least one substituent selected from the group consisting of substituents,
Substituent group Z is,
Aryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl;
heteroaryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
diarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two aryls may be bonded to each other through a linking group);
diheteroarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two heteroaryls may be bonded to each other through a linking group);
Arylheteroarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (aryl and heteroaryl may be bonded to each other through a linking group);
diarylboryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two aryls may be bonded through a single bond or linking group);
alkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, and cycloalkyl;
Cycloalkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
alkoxy optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, and cycloalkyl;
aryloxy which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, and cycloalkyl; and
Consists of substituted silyl,
In equation (A30),
Ak is hydrogen, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted alkenyl, substituted or unsubstituted cycloalkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkenyl, and the alkyl, alkenyl, cycloalkyl and cycloalkenyl At least one -CH 2 - may be substituted with -O- or -S-,
R Ak is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R Ak may be bonded to Ak through a linking group or single bond. , * is the binding position,
Polycyclic aromatic compounds.
식(1-b)중,
Z는 각각 독립적으로, -C(-RZ)= 또는 -N=이며,
RZ는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기이며,
RZ가 치환기일 때의 치환기가 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기 또는 식(A30)으로 표현되는 치환기이며,
인접하는 2개의 RZ는 서로 결합해서 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하여도 되고, 상기 형성된 아릴환 또는 헤테로아릴환은, 각각, 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고,
Z=Z는 각각 독립적으로 >N-R, >O, >C(-R)2, >Si(-R)2, >S, 또는 >Se이어도 되고, 상기 >N-R, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 R은 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 2개의 R은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고,
X는 각각 독립적으로, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX 및 RCX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고,
L은 단결합, >N-RNL, >O, >C(-RCL)2, >S, 또는 >Se이며, RNL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCL은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNL 및 RCL은 각각 자신을 포함하는 L이 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고,
상기 구조에 있어서의, 아릴환 또는 헤테로아릴환의 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고,
상기 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. The polycyclic aromatic compound according to claim 3, represented by the following formula (1-b);
In equation (1-b),
Z is each independently -C(-R Z )= or -N=,
R Z is each independently hydrogen or a substituent,
When R Z is a substituent, the substituent is any one selected from the substituent group Z or a substituent represented by the formula (A30),
Two adjacent R
Z=Z may each independently be >NR, >O, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , >S, or >Se, wherein the >NR and the >C(-R) 2 and R of >Si(-R) 2 is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, >C(-R) 2 and the two R of >Si(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring,
X is each independently >NR NX , >O, >C(-R CX ) 2 , >S, or >Se, and R NX is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, is substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R C It is a cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and R NX and R CX are each bonded to one or two or more of the You can do it,
L is a single bond, >NR NL , >O, >C(-R CL ) 2 , >S, or >Se, and R NL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl. It is an alkyl, and two R CL may be bonded to each other to form a ring, and R NL and R CL are each bonded to one or two or more of Z bonded to the carbon atom to which L bonded, including itself, You can have it,
In the above structure, at least one aryl ring or heteroaryl ring may be condensed with at least one cycloalkane, the cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and at least one substituent in the cycloalkane may be substituted. -CH 2 - may be substituted with -O-,
At least one hydrogen in the above structure may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
식중, Me는 메틸이다. According to claim 3, a polycyclic aromatic compound represented by the following formula;
where Me is methyl.
식(2-b)중,
Z는 각각 독립적으로, -C(-RZ)= 또는 -N=이며,
RZ는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기이며,
RZ가 치환기일 때의 치환기가 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기 또는 식(A30)으로 표현되는 치환기이며,
인접하는 2개의 RZ는 서로 결합해서 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하여도 되고, 상기 형성된 아릴환 또는 헤테로아릴환은, 각각, 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고,
Z=Z는 각각 독립적으로 >N-R, >O, >C(-R)2, >Si(-R)2, >S, 또는 >Se이어도 되고, 상기 >N-R, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 R은 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 상기 >C(-R)2 및 상기 >Si(-R)2의 2개의 R은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고,
X는 각각 독립적으로, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX 및 RCX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고,
L은 단결합, >N-RNL, >O, >C(-RCL)2, >S, 또는 >Se이며, RNL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCL은 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCL은 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNL 및 RCL은 각각 자신을 포함하는 L이 결합하는 탄소원자에 결합하고 있는 Z 중 1개 또는 2개 이상과 결합하고 있어도 되고,
상기 구조에 있어서의, 아릴환 또는 헤테로아릴환의 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고,
상기 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. The polycyclic aromatic compound according to claim 8, represented by the following formula (2-b);
In equation (2-b),
Z is each independently -C(-R Z )= or -N=,
R Z is each independently hydrogen or a substituent,
When R Z is a substituent, the substituent is any one selected from the substituent group Z or a substituent represented by the formula (A30),
Two adjacent R
Z=Z may each independently be >NR, >O, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , >S, or >Se, wherein the >NR and the >C(-R) 2 and R of >Si(-R) 2 is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, >C(-R) 2 and the two R of >Si(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring,
X is each independently >NR NX , >O, >C(-R CX ) 2 , >S, or >Se, and R NX is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, is substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R C It is a cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and R NX and R CX are each bonded to one or two or more of the You can do it,
L is a single bond, >NR NL , >O, >C(-R CL ) 2 , >S, or >Se, and R NL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CL is hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl. It is an alkyl, and two R CL may be bonded to each other to form a ring, and R NL and R CL are each bonded to one or two or more of Z bonded to the carbon atom to which L bonded, including itself, You can have it,
In the above structure, at least one aryl ring or heteroaryl ring may be condensed with at least one cycloalkane, the cycloalkane may be substituted with at least one substituent, and at least one substituent in the cycloalkane may be substituted. -CH 2 - may be substituted with -O-,
At least one hydrogen in the above structure may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
식중, Me는 메틸이다. The polycyclic aromatic compound according to claim 8, represented by the following formula;
where Me is methyl.
식(Int)으로 표현되는 화합물에 붕소화제 및 브뢴스테드 염기를 첨가해서 반응시키는 것에 의해, 식(1)으로 표현되는 다환방향족 화합물과 식(2)으로 표현되는 다환방향족 화합물과의 혼합물을 얻는 것을 포함하는 제조방법;
식(Int)중,
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이며,
C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 상기 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 상기 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타내고,
Z는 -C(-RZ)= 또는 -N=이며, RZ는 수소 또는 치환기이며,
X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 되고,
식(Int)에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고,
식(Int)에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. A method for producing a polycyclic aromatic compound according to any one of claims 1 to 12, comprising:
By adding a boronating agent and a Bronsted base to the compound represented by the formula (Int) and reacting it, a mixture of the polycyclic aromatic compound represented by the formula (1) and the polycyclic aromatic compound represented by the formula (2) is obtained. Manufacturing method including;
In the expression (Int),
Ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
The broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the dashed line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line,
Z is -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent,
X is each independently a single bond, > NR NX , > O , >C ( -R C It is substituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted. It is substituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded,
At least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring in the formula (Int) may be condensed with at least one cycloalkane, and the cycloalkane may be substituted with at least one substituent. At least one -CH 2 - in the cycloalkane may be substituted with -O-,
At least one hydrogen in the formula (Int) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
식(Int)중,
B환, C환, D환, E환, F환, G환, H환, 및 I환은 각각 독립적으로, 치환 혹은 무치환의 아릴환 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴환이며,
C환과 D환을 연결하는 파선은, C환과 D환이 상기 파선의 위치에서 결합하지 않거나, 또는 상기 파선의 위치에서 단결합 또는 연결기를 통해서 결합하고 있는 것을 나타내고,
Z는 -C(-RZ)= 또는 -N=이며, RZ는 수소 또는 치환기이며,
X는 각각 독립적으로, 단결합, >N-RNX, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S, 또는 >Se이며, RNX는 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, RCX 및 RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환의 아릴, 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환의 알킬, 또는 치환 혹은 무치환의 시클로알킬이며, 2개의 RCX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIX는 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 되고, RNX, RCX 및 RIX는 각각 자신을 포함하는 X가 결합하는 1개 또는 2개의 환과 결합하고 있어도 되고,
식(Int)에 있어서의 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개는, 적어도 하나의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸은 적어도 하나의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 해당 시클로알칸에 있어서의 적어도 하나의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 되고,
식(Int)에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐, 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. A compound represented by the formula (Int);
In the expression (Int),
Ring B, ring C, ring D, ring E, ring F, ring G, ring H, and ring I are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
The broken line connecting the C ring and the D ring indicates that the C ring and the D ring are not bonded at the position of the dashed line, or are bonded through a single bond or linking group at the position of the broken line,
Z is -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent,
X is each independently a single bond, > NR NX , > O , >C ( -R C It is substituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R CX and R IX are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted. It is substituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R NX , R CX and R IX may each be bonded to one or two rings to which X containing itself is bonded,
At least one selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring in the formula (Int) may be condensed with at least one cycloalkane, and the cycloalkane may be substituted with at least one substituent. At least one -CH 2 - in the cycloalkane may be substituted with -O-,
At least one hydrogen in the formula (Int) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
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