KR20230128851A - 펠리클 구조체 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예들에 따르면, 펠리클 구조체 제조 방법은 임시 기판 상에 금속층을 형성하는 것; 상기 금속층 상에 멤브레인을 형성하는 것; 상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 물리적 방법에 의해 분리하여, 상기 금속층의 하면을 노출시키는 것; 및 상기 금속층의 상기 노출된 하면 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 하면을 노출시키는 것을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 펠리클 구조체, 보다 구체적으로 펠리클 구조체 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서, 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하기 위하여 리소그래피 공정을 이용할 수 있다. 리소그래피 공정에서는 원하는 패턴을 기판 상에 전사하기 위해 포토마스크를 이용한다. 포토마스크가 주변 환경으로부터의 파티클 등과 같은 이물질에 의해 오염되거나 주위 환경에 의해 변형되는 경우, 포토마스크의 패턴이 전사되는 웨이퍼 상에 결함이 발생할 수 있다. 따라서, 포토마스크가 이물질 또는 주변 환경으로 인해 오염되거나 변형되지 않도록 보호할 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 멤브레인의 손상을 방지하는 펠리클 구조체 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 대면적의 펠리클 구조체 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 펠리클 구조체 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 펠리클 구조체 제조 방법은 임시 기판 상에 금속층을 형성하는 것; 상기 금속층 상에 멤브레인을 형성하는 것; 상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 물리적 방법에 의해 분리하여, 상기 금속층의 하면을 노출시키는 것; 및 상기 금속층의 상기 노출된 하면 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 하면을 노출시키는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 펠리클 구조체 제조 방법은 임시 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 것; 상기 금속 촉매층 상에 멤브레인을 형성하는 것; 상기 멤브레인의 상면 상에 제1 지지층을 형성하는 것; 및 상기 임시 기판을 상기 금속 촉매층으로부터 분리하여, 상기 금속 촉매층의 하면을 노출시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 제1 지지층은: 상기 멤브레인의 엣지 영역 상의 바디부; 및 상기 바디부와 연결되는 핸들링부를 포함하되, 상기 핸들링부는 평면적 관점에서 상기 멤브레인과 이격될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 펠리클 구조체 제조 방법은 임시 기판 상에 금속층을 형성하는 것; 상기 금속층 상에 멤브레인을 형성하는 것, 상기 멤브레인은 엣지 영역 및 센터 영역을 갖고; 상기 멤브레인의 상기 엣지 영역 상에 제1 지지층을 형성하는 것; 상기 제1 지지층 상에 제2 지지층을 형성하는 것, 상기 제2 지지층은 상기 멤브레인의 상기 센터 영역의 상면과 수직적으로 이격되고; 상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 분리하여, 상기 금속층의 하면을 노출시키는 것; 상기 제2 지지층을 상기 제1 지지층으로부터 분리하는 것; 상기 멤브레인의 상기 센터 영역의 상기 상면을 덮는 승화성 지지층을 형성하는 것; 상기 금속층의 상기 노출된 하면 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 하면을 노출시키는 것; 상기 멤브레인의 상기 노출된 하면 상에 펠리클 프레임을 부착하되, 상기 펠리클 프레임은 상기 멤브레인의 센터 영역과 오버랩되는 것; 및 상기 멤브레인 상에 커팅 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 상기 엣지 영역을 제거하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 펠리클 구조체를 대면적으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따르면, 펠리클 구조체의 제조 공정 동안, 멤브레인의 손상이 방지될 수 있다.
도 1a 내지 도 12d는 실시예들에 따른 펠리클 구조체 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 실시예들에 따른 마스크 결합 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 실시예들에 따른 마스크 결합 구조체를 사용한 패터닝 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 실시예들에 따른 마스크 결합 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 실시예들에 따른 마스크 결합 구조체를 사용한 패터닝 공정을 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서에서, 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
이하, 실시예들에 따른 펠리클 구조체 제조 방법 및 이에 따라 제조된 펠리클 구조체에 대하여 설명한다.
도 1a 내지 도 12d는 실시예들에 따른 펠리클 구조체 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 1a, 도 2a, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 10a, 도 11a, 및 도 12a는 실시예들에 따른 펠리클 구조체 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들이다. 도 1b, 도 2b, 도 3b, 도 4c, 도 5b, 도 6b, 및 도 11b는 각각 도 1a, 도 2a, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 및 도 11a의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들이다. 도 1c, 도 2c, 도 3c, 도 4d, 도 5c, 도 6c, 및 도 11c는 각각 도 1a, 도 2a, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 및 도 11a의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면들이다. 도 4b는 실시예들에 따른 임시 기판의 박리 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 12b는 실시예들에 따른 펠리클 구조체의 저면도이다. 도 12c는 도 12a의 Ⅰ-Ⅰ'선 및 도 12b의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면이다. 도 12d는 도 12a의 Ⅱ-Ⅱ'선 및 도 12b의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면이다.
도 1a 내지 도 1c을 참조하면, 버퍼층(110), 금속층(200), 및 멤브레인(300)이 임시 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼가 임시 기판(100)으로 사용될 수 있다. 반도체 웨이퍼는 실리콘, 게르미늄, 및/또는 실리콘 게르미늄을 포함할 수 있다. 버퍼층(110)은 임시 기판(100)의 상면 상에 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 예를 들어, 실리콘 산화물과 같은 반도체 산화물을 포함할 수 있다. 버퍼층(110)의 두께는 대략 100nm 내지 300nm일 수 있다.
금속층(200)이 버퍼층(110) 상에 제공될 수 있다. 버퍼층(110)을 형성하는 것은 예를 들어, 스퍼터링 방법에 의해 수행될 수 있다. 상기 스퍼터링 공정은 250W이하 또는 3.5kW이상의 전력 조건에서 수행될 수 있다. 스퍼터링 공정은 6mTorr이하의 압력 조건에서 수행될 수 있다. 금속층(200)은 금속 촉매층일 수 있다. 금속층(200)은 예를 들어, 니켈(Ni)을 포함할 수 있으나, 이에 제약되지 않는다. 금속층(200)은 보조 금속 물질을 더 포함할 수 있다. 보조 금속 물질은 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 금속층(200) 내의 보조 금속의 함량비는 4at% 이하일 수 있다. 보조 금속의 함량비가 0at%인 것은 보조 금속을 포함하지 않는 것을 의미할 수 있다. 금속층(200)의 두께(T1)는 400nm 내지 5μm일 수 있다. 금속층(200)의 응력(stress)은 비교적 낮을 수 있다. 상기 응력은 인장 응력 또는 압축 응력일 수 있다. 예를 들어, 금속층(200)의 응력은 200 MPa 이하일 수 있다. 구체적으로, 금속층(200)의 응력은 80 MPa 내지 100MPa 일 수 있다.
실시예들에 따르면, 버퍼층(110)의 물질 및 두께에 의해 금속층(200)의 결정 방향 및 결정면이 제어될 수 있다. 버퍼층(110)의 물질 및 두께를 조절하여, 금속층(200)의 상면이 원하는 결정면을 가질 수 있다. 예를 들어, 금속층(200)의 상면은 (100) 결정면을 가질 수 있다.
멤브레인(300)이 금속층(200) 상에 형성될 수 있다. 멤브레인(300)은 금속층(200)을 촉매로 사용한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 증착 공정은 화학적 기상 증착(CVD) 공정을 포함할 수 있으나, 이에 제약되지 않는다. 일 예로, 멤브레인(300)은 그라파이트, 그래핀, 및/또는 탄소 나노 튜브와 같은 탄소 함유 물질을 포함할 수 있다. 상기 탄소 함유 물질은 결정질 또는 비결정질일 수 있다. 멤브레인(300)이 탄소 함유 물질을 포함하는 경우, 상기 멤브레인(300)을 형성하는 것은 650℃ 내지 950℃에서 1 내지 60분 동안 상기 탄소 함유 물질을 소결하는 것은 포함할 수 있다. 멤브레인(300)을 형성하는 것은 C2H2, CH4, H2, 및 Ar 중에서 적어도 하나의 가스를 포함하는 환경에서 수행될 수 있다. 다른 예로, 멤브레인(300)은 지르코늄 및/또는 몰리브덴과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 멤브레인(300)은 단일층일 수 있다. 이 경우, 멤브레인(300)은 탄소 함유 물질 또는 금속 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, 멤브레인(300)은 다중층일 수 있다. 멤브레인(300)이 다중층인 경우, 멤브레인(300)에 포함된 복수의 층들 중 어느 하나는 탄소 함유 물질을 포함하고, 다른 하나는 금속을 포함할 수 있다. 다른 예로, 멤브레인(300)에 포함된 복수의 층들은 서로 다른 종류의 탄소 함유 물질을 포함하거나 서로 다른 종류의 금속 물질들을 포함할 수 있다. 멤브레인(300)의 두께(T2)는 금속층(200)의 두께(T1)보다 더 작을 수 있다. 일 예로, 멤브레인(300)의 두께(T2)는 1 nm 내지 200 nm일 수 있다.
실시예들에 다르면, 금속층(200)의 결정 특성에 따라 멤브레인(300)의 특성이 조절될 수 있다. 금속층(200)의 상면이 (100) 결정면을 가져, 멤브레인(300)이 원하는 광학 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 멤브레인(300)은 0.05 이상의 D/G ratio를 가질 수 있다. D/G ratio는 라만 스펙트럼에서 D 밴드(D band)에 대한 G 밴드(G band)의 비율이다. D 밴드(D band)는 SP2 결합된 탄소 원소들로부터 얻어진 값이고, G 밴드(G band)는 탄소 내의 결함(defects)으로부터 얻어진 값이다. 멤브레인(300)의 EUV 투과율은 80%이상이다. 멤브레인(300)의 EUV 반사율은 0.04%이하이다. 멤브레인(300)의 3시그마는 1%이하이다.
멤브레인(300)은 센터 영역(R1) 및 엣지 영역(R2)을 가질 수 있다. 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)은 평면적 관점에서 엣지 영역(R2)에 둘러싸일 수 있다. 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2)은 평면적 관점에서 멤브레인(300)의 측면들 및 센터 영역(R1) 사이에 제공될 수 있다.
제1 방향(D1)은 멤브레인(300)의 상면에 평행할 수 있다. 제2 방향(D2)은 멤브레인(300)의 상면에 평행하고, 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직할 수 있다. 제3 방향(D3)은 멤브레인(300)의 상면에 실질적으로 수직할 수 있다. 어떤 구성 요소의 두께는 제3 방향(D3)과 나란한 방향에서 측정될 수 있다. 수직적은 제3 방향(D3)에 나란한 것을 의미할 수 있다
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 제1 지지층(410)이 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2)의 상면 상에 제공될 수 있다. 제1 지지층(410)은 바디부(411) 및 핸들링부(415)를 포함할 수 있다. 바디부(411)는 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2)의 의 상면 상에 배치될 수 있다. 핸들링부(415)는 바디부(411)와 경계면 없이 연결될 수 있다. 핸들링부(415)는 바디부(411)로부터 수평적으로 연장될 수 있다. 수평적은 멤브레인(300)의 상면에 평행한 것을 의미할 수 있다. 핸들링부(415)는 평면적 관점에서 멤브레인(300)과 이격될 수 있다. 핸들링부(415)는 평면적 관점에서 멤브레인(300)의 일측(300c)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 핸들링부(415)는 평면적 관점에서 멤브레인(300)의 일측(300c)으로부터 제1 방향(D1)과 반대 방향을 향해 돌출될 수 있다.
제1 지지층(410)은 홀(419)을 가질 수 있다. 상기 홀(419)은 제1 지지층(410)의 상면 및 하면을 관통할 수 있다. 상기 홀(419)은 평면적 관점에서 멤브레인(300)의 센터 영역(R1) 상에 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 지지층(410)은 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면 상에 제공되지 않을 수 있다.
제1 지지층(410)은 폴리머 또는 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 지지층(410)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET, (C10H8O4)n), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 및 폴리프로필렌(PP) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 지지층(410)을 형성하는 것은 수지 필름을 부착하는 것을 포함할 수 있다. 제1 지지층(410)은 비교적 높은 항복 강도(yield strength)를 가질 수 있다. 제1 지지층(410)은 투명할 수 있으나, 이에 제약되지 않는다. 제1 지지층(410)은 접착제로 기능할 수 있으나, 이에 제약되지 않는다. 제1 지지층(410)의 두께는 50 μm 내지 500 μm 일 수 있다.
제1 접착층(510)이 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2) 및 제1 지지층(410) 사이에 개재될 수 있다. 제1 접착층(510)에 의해 제1 지지층(410)이 멤브레인(300)에 부착될 수 있다. 제1 접착층(510)은 예를 들어, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 또는 불소 수지와 같은 수지를 포함할 수 있다. 제1 접착층(510)의 두께는 제1 지지층(410)의 두께보다 더 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 접착층(510)의 두께는 1 μm 내지 10 μm일 수 있다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 제2 지지층(420)이 제1 지지층(410) 상에 배치될 수 있다. 제2 지지층(420)은 제1 지지층(410)과 직접 접촉할 수 있다. 제2 지지층(420)의 너비 및 길이는 멤브레인(300)의 너비 및 길이보다 작을 수 있다. 제2 지지층(420)의 너비 및 길이는 제1 지지층(410)의 홀(419)의 직경보다 더 클 수 있다. 제2 지지층(420)은 멤브레인(300)의 센터 영역(R1) 상에 제공되며, 제2 지지층(420)의 하면은 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면과 수직적으로 이격될 수 있다. 이에 따라, 빈 공간(490)이 멤브레인(300), 제1 지지층(410), 및 제2 지지층(420) 사이에 제공될 수 있다. 빈 공간(490)은 멤브레인(300), 제1 접착층(510), 제1 지지층(410), 및 제2 지지층(420)에 의해 둘러싸일 수 있다. 빈 공간(490)은 제1 접착층(510)의 홀(419) 내에 제공될 수 있다. 빈 공간(490)은 외부 공간과 분리될 수 있다. 빈 공간(490)은 진공 상태이거나 또는 공기에 의해 점유될 수 있다. 제2 지지층(420)은 제1 지지층(410)의 예에서 설명한 물질들을 포함할 수 있다. 제2 지지층(420)은 비교적 높은 항복 강도(yield strength)를 가질 수 있다. 제2 지지층(420)의 두께는 50 μm 내지 500 μm 일 수 있다.
제2 접착층(520)이 제1 지지층(410) 및 제2 지지층(420) 상에 제공될 수 있다. 제2 접착층(520)은 바디부(411)의 상면 및 제2 지지층(420)의 상면과 측면을 덮을 수 있다. 제2 접착층(520)은 제1 지지층(410) 및 제2 지지층(420) 사이로 연장되지 않을 수 있다. 제2 접착층(520)을 형성하는 것은 접착 테이프를 제1 지지층(410) 및 제2 지지층(420) 상에 부착하는 것을 포함할 수 있다. 제2 접착층(520)에 의해 제2 지지층(420)이 제1 지지층(410)에 부착될 수 있다. 제2 접착층(520)은 제1 접착층(510)의 예에서 설명한 물질들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 접착층(520)의 두께는 1 μm 내지 10 μm일 수 있다.
지금까지 설명한 예에 의해, 임시 구조체가 형성될 수 있다. 임시 구조체는 임시 기판(100), 버퍼층(110), 금속층(200), 제1 지지층(410), 제2 지지층(420), 제1 접착층(510), 및 제2 접착층(520)을 포함할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 임시 기판(100)이 금속층(200) 및 버퍼층(110)으로부터 분리되어, 금속층(200)의 하면(도 4c 및 도 4d의 200c)이 노출될 수 있다. 임시 기판(100)의 분리 이전에, 도 4b와 같이 임시 구조체가 용액(600) 내에 제공될 수 있다. 일 예로, 용액(600)은 물을 포함할 수 있다. 다른 예로, 용액(600)은 알코올을 포함할 수 있다. 임시 기판(100)을 분리하는 것은 상기 용액(600) 내에서 수행될 수 있다. 버퍼층(110)이 임시 기판(100)과 함께 금속층(200)으로부터 분리될 수 있다.
임시 기판(100)을 분리하는 것은 물리적 방법에 의해 수행될 수 있다. 임시 기판(100)을 분리하는 것은 박리(peeling) 공정에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 임시 기판(100)을 분리하는 것은 핸들링부(415)에 외력을 가하는 것을 포함할 수 있다. 상기 외력에 의해 제1 지지층(410)이 임시 기판(100)과 이격될 수 있다. 금속층(200) 및 멤브레인(300) 사이의 결합력은 금속층(200) 및 버퍼층(110) 사이의 결합력보다 더 클 수 있다. 이에 따라, 상기 외력에 의해 금속층(200) 및 멤브레인(300)이 버퍼층(110)으로부터 분리될 수 있다. 금속층(200)은 임시 기판(100)으로부터 0.1 mm/s 내지 2 mm/s의 속도로 분리될 수 있다. 금속층(200) 및 임시 기판(100)의 분리 속도가 2mm/s 보다 더 크면, 박리 공정에서 멤브레인(300)이 손상될 수 있다. 금속층(200) 및 임시 기판(100)의 분리 속도는 금속층(200) 및 버퍼층(110)의 분리 속도를 의미할 수 있다.
용액(600)은 버퍼층(110) 및 금속층(200) 사이의 계면으로 침투하여, 버퍼층(110) 및 금속층(200) 사이의 결합력을 감소시킬 수 있다. 용액(600)에 의해 금속층(200) 및 금속층(200) 사이의 박리 스트레스가 감소할 수 있다. 임시 기판(100) 및 버퍼층(110)을 금속층(200)으로부터 분리하는 것이 용액(600) 내에서 수행되므로, 버퍼층(110)이 금속층(200)으로부터 양호하게 분리될 수 있다. 이에 따라, 박리 공정 동안, 멤브레인(300)의 손상이 방지될 수 있다. 제1 지지층(410) 및 제2 지지층(420)은 비교적 큰 항복 강도를 가져, 상기 박리 공정 동안 멤브레인(300)의 손상을 더욱 방지할 수 있다.
멤브레인(300)이 용액(600)과 직접 접촉하는 경우, 용액(600) 및 멤브레인(300)의 접촉면에서 화학 반응이 발생할 수 있다. 일 예로, 상기 화학 반응은 멤브레인(300)의 산화 반응을 포함할 수 있다. 실시예들에 따르면, 용액(600)은 제1 지지층(410) 및 제2 지지층(420)에 의해 빈 공간(490)으로 유입되지 않을 수 있다. 이에 따라, 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면은 용액(600)에 노출되지 않을 수 있다. 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 하면(300b)은 금속층(200)에 의해 용액(600)과 접촉하지 않을 수 있다. 이에 따라, 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)에 원하지 않는 화학 반응이 발생하는 현상이 방지될 수 있다.
임시 기판(100)을 분리하는 동안, 멤브레인(300)의 평면적이 크더라도, 멤브레인(300)이 손상되지 않을 수 있다. 이에 따라, 멤브레인(300)의 평면적에 대한 제약이 감소할 수 있다. 실시예들에 따르면, 펠리클 구조체의 제조 방법은 대면적 멤브레인(300)의 제조에 사용될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 제2 접착층(520) 및 제2 지지층(420)이 제거될 수 있다. 제2 접착층(520)이 제1 지지층(410) 및 제2 지지층(420) 사이로 연장되지 않으므로, 제2 지지층(420)이 제1 지지층(410)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 제2 지지층(420)의 제거에 의해 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면 및 제1 지지층(410)의 바디부(411)의 상면이 노출될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 상부 프레임(450)이 제1 지지층(410) 상에 형성될 수 있다. 상부 프레임(450)은 제1 지지층(410)의 바디부(411) 상에 제공될 수 있다. 상부 프레임(450)은 제1 지지부의 핸들링부(415) 상에 제공되지 않을 수 있다. 상부 프레임(450)은 바디부(411)의 적어도 일부 및 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면을 노출시킬 수 있다. 상부 프레임(450)은 예를 들어, 알루미늄 및/또는 스테인리스 스틸(SUS)과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 상부 프레임(450)은 후술할 공정들에서 제1 지지층(410) 및 멤브레인(300)을 고정할 수 있다.
상부 접착층(550)이 제1 지지층(410) 및 상부 프레임(450) 사이에 더 형성될 수 있다. 상부 프레임(450)은 상부 접착층(550)에 의해 제1 지지층(410)에 부착될 수 있다. 상부 접착층(550)은 제1 접착층(510)의 예에서 설명한 물질을 포함할 수 있다.
승화성 지지층(700)이 멤브레인(300) 상에 형성되어, 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면을 덮을 수 있다. 승화성 지지층(700)은 홀(419)의 측벽 및 제1 지지층(410) 상으로 더 연장될 수 있다. 예를 들어, 승화성 지지층(700)은 제1 접착층(510)의 내측벽들, 제1 지지층(410)의 내측벽들, 제1 지지층(410)의 상면, 상부 접착층(550)의 내측벽들, 제3 지지층(450)의 내측벽들, 및 제3 지지층(450)의 상면을 더 덮을 수 있다. 승화성 지지층(700)을 형성하는 것은 기상 증착과 같은 증착 공정에 의해 수행될 수 있다. 멤브레인(300)의 두께(T2)는 비교적 작을 수 있다. 실시예들에 따르면, 승화성 지지층(700)이 형성되므로, 후술할 공정들에서 멤브레인(300)의 손상 없이 멤브레인(300)이 용이하게 가공될 수 있다. 승화성 지지층(700)에 의해 멤브레인(300)이 용이하게 이송 및 핸들링될 수 있다.
승화성 지지층(700)은 탄화수소 화합물을 포함할 수 있다. 일 예로, 승화성 지지층(700)은 캠퍼(camphor)를 포함할 수 있다. 다른 예로, 승화성 지지층(700)은 캠핀(camphene), 멘톨(menthol, 2-isopropyl-5-methylcyclohexanol), 티몰(thymol), 나프탈렌(naphthalene), 1,7-나프탈렌디올(1,7-naphthalenediol), 페로센(ferrocene, bis(cyclopentadienyl)iron), 톨루엔(toluene), 브로모니트로벤젠(bromo-nitrobenzene), 파라디클로로벤젠(paradichlorobenzene, 1,4-dichlorobenzene), 2-디아조-5,5-디메틸사이클로헥산-1,3-디온(2-diazo-5,5-dimethylcyclohexane-1,3-dione), 보르네올(borneol, 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptan-2-ol), 부티르아미드(butyramide), 발레르아미드(valeramide, pentanamide), 4-터트-부틸페놀(4-tert-butylphenol), 푸란-2-카르복실산(furan-2-carboxylic acid), 숙시닉 안하이드리드(succinic anhydride), 1-아다만타놀(1-adamantanol), 2-아다만타논(2-adamantanone), 아다만틴(adamantine), 엔도-트리메틸렌노르보르난(endotrimethylenenorbornane), 시클로도데칸(cyclododecane), 트리메틸노르보르난(trimethylnorbornane), 노르보르난(norbornane), 디메틸 푸마레이트(dimethyl fumarate), 벤조산(benzoic acid), 트리-옥시메틸렌(trioxymethylene), 쿠마린(coumarin, 1-benzopyran-2-one), 카프로락탐(caprolactam), 1,4-시클로헥산디올(1,4-cyclohexanediol), 프탈리드(phthalide, isobenzofuran-1(3H)-one), 락티드(lactide), 트리이소프로필트리옥산(triisopropyltrioxane), 및/또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
도 7a, 도 7b, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 금속층(200)의 하면(200c) 상에 식각 공정에 수행되어, 금속층(200)을 제거할 수 있다. 상기 식각 공정은 습식 식각 공정일 수 있다. 상기 식각 공정 동안, FeCl3 수용액과 같은 식각액이 사용될 수 있다. 도 3a 내지 도 3c의 예와 같이 임시 기판(100)이 금속층(200)의 하면(200c) 상에 제공된 상태에서 식각 공정이 수행되는 경우, 식각액은 금속층(200)의 측면들과 접촉할 수 있다. 이 경우, 금속층(200)의 식각 공정 시간이 증가되고, 상기 식각 공정에서 멤브레인(300)이 손상될 수 있다. 실시예들에 따르면, 도 4a 내지 도 4d의 예와 같이 임시 기판(100)이 제거된 후, 노출된 금속층(200)의 하면(200c) 상에 식각 공정이 수행될 수 있다. 식각액은 금속층(200)의 하면(200c)과 직접 접촉할 수 있다. 식각액은 금속층(200)의 측면들과 더 접촉할 수 있다. 이에 따라, 금속층(200)과 식각액의 접촉 면적이 증가되어, 금속층(200)이 보다 빠르고 균일하게 식각될 수 있다. 예를 들어, 멤브레인(300)의 센터 영역(R1) 상의 금속층(200)의 하면(200c)과 엣지 영역(R2) 상의 금속층(200)의 하면(200c)은 실질적으로 동시에 식각될 수 있다. 식각 공정 시간은 15분 이하, 상세하게 약 5분 내지 15분 일 수 있다. 이에 따라, 금속층(200)의 식각 공정 동안 멤브레인(300)의 손상이 방지될 수 있다. 도 8a 및 도 8b와 같이 금속층(200)의 제거에 의해, 멤브레인(300)의 하면(300b)이 노출될 수 있다.
실시예들에 따르면, 식각 공정 시간이 비교적 짧아, 멤브레인(300)의 평면적이 크더라도 식각 공정에서 멤브레인(300)이 손상되지 않을 수 있다. 멤브레인(300)의 평면적에 대한 제약이 감소할 수 있다. 실시예들에 따르면, 펠리클 구조체의 제조 방법은 대면적 멤브레인(300)의 제조에 사용될 수 있다.
식각 공정 후, 세정 공정이 노출된 멤브레인(300)의 하면(300b) 상에 더 수행될 수 있다. 세정 공정은 예를 들어, 탈이온수(DIW)를 사용하여 수행될 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제3 지지층(430)이 노출된 멤브레인(300)의 하면(300b) 상에 형성될 수 있다. 제3 지지층(430)은 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2)의 하면(300b) 상에 배치될 수 있다. 제3 지지층(430)은 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 하면(300b) 상에 형성되지 않을 수 있다. 제3 지지층(430)은 제1 지지층(410)의 예에서 설명한 물질을 포함할 수 있다. 제3 지지층(430) 및 멤브레인(300)의 하면(300b) 사이에 제3 접착층(530)이 더 형성될 수 있다. 제3 지지층(430)은 제3 접착층(530)에 의해 멤브레인(300)에 부착될 수 있다. 제3 접착층(530)은 제1 접착층(510)의 예에서 설명한 물질을 포함할 수 있다.
펠리클 프레임(350)이 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 하면(300b) 상에 형성될 수 있다. 펠리클 프레임(350)은 제3 지지층(430)과 옆으로 이격 배치될 수 있다. 본 명세서에서 옆으로 배치된 것은 수평적으로 배치된 것을 의미할 수 있다. 펠리클 프레임(350)은 예를 들어, 알루미늄 및/또는 스테인리스 스틸(SUS)과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 펠리클 프레임(350)은 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 적어도 일부의 하면(300b)을 노출시킬 수 있다. 펠리클 프레임(350)의 외측벽들 및 내측벽들은 다각형 또는 원형의 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 펠리클 프레임(350)의 외측벽들은 후술할 도 12b와 같이 평면적 관점에서 사각형의 형상을 가질 수 있다. 펠리클 프레임(350)의 내측벽들은 도 12b와 같이 평면적 관점에서 사각형의 형상을 가질 수 있다. 제1 방향(D1)에서 펠리클 프레임(350)의 내측벽들 사이의 간격(A1)은 100mm 내지 130mm일 수 있다. 제2 방향(D2)에서 펠리클 프레임(350)의 내측벽들 사이의 간격(A2)은 100mm 내지 130mm일 수 있다. 제2 방향(D2)에서 펠리클 프레임(350)의 내측벽들 사이의 간격(A2)은 제1 방향(D1)에서 펠리클 프레임(350)의 내측벽들 사이의 간격(A1)과 동일 또는 상이할 수 있다.
제1 접착 패턴(310)이 펠리클 프레임(350) 및 멤브레인(300) 사이에 더 형성될 수 있다. 펠리클 프레임(350)은 제1 접착 패턴(310)에 의해 멤브레인(300)에 부착될 수 있다. 제1 접착 패턴(310)은 예를 들어, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 또는 불소 수지와 같은 수지를 포함할 수 있다. 제1 접착 패턴(310)을 형성하는 것은 수지 필름을 부착하는 것을 포함할 수 있다.
도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 승화성 지지층(700)이 제거되어, 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)의 상면이 노출될 수 있다. 더불어, 상부 프레임(450) 및 제1 지지층(410)이 노출될 수 있다. 승화성 지지층(700)을 제거하는 것은 승화성 지지층(700)을 승화시키는 것을 포함할 수 있다. 승화성 지지층(700)의 승화는 약 18 ℃ 내지 약 400 ℃의 온도 조건, 구체적으로, 약 18 ℃ 내지 약 40 ℃ 온도 조건에서 수행될 수 있다. 상기 승화는 상압 조건에서 수행될 수 있다. 상압은 대략 700 Torr 내지 800 Torr 일 수 있다. 보다 상세하게, 상압은 740 Torr 내지 780 Torr일 수 있다.
도 11a 내지 도 11c를 참조하면, 멤브레인(300) 상에 커팅 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 일점 쇄선을 따라 멤브레인(300)이 커팅되어, 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)과 엣지 영역(R2)이 서로 분리될 수 있다.
도 12a 내지 도 12d를 도 11a 내지 도 11c와 함께 참조하면, 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2)이 제거될 수 있다. 이 때, 제1 지지층(410), 제1 접착층(510), 상부 프레임(450), 상부 접착층(550), 제3 지지층(430), 및 제3 접착층(530)이 멤브레인(300)의 엣지 영역(R2)과 함께 제거될 수 있다. 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)이 남아, 펠리클 멤브레인(300')을 형성할 수 있다. 즉, 펠리클 멤브레인(300')은 분리된 멤브레인(300)의 센터 영역(R1)일 수 있다. 펠리클 프레임(350) 및 제1 접착 패턴(310)은 펠리클 멤브레인(300')의 하면 상에 배치될 수 있다. 제1 접착 패턴(310)은 펠리클 프레임(350) 및 펠리클 멤브레인(300') 사이에 개재될 수 있다. 이에 따라, 펠리클 구조체(30)가 제조될 수 있다. 펠리클 구조체(30)는 펠리클 멤브레인(300'), 펠리클 프레임(350), 및 제1 접착 패턴(310)을 포함할 수 있다. 펠리클 멤브레인(300')의 크기는 다양하게 변형될 수 있다.
도 13은 실시예들에 따른 마스크 결합 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 13을 참조하면, 마스크 결합 구조체(10)는 펠리클 구조체(30) 및 포토 마스크(20)를 포함할 수 있다. 펠리클 구조체(30)는 도 12a 내지 도 12d에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 펠리클 구조체(30)는 펠리클 멤브레인(300'), 펠리클 프레임(350), 및 제1 접착 패턴(310)을 포함할 수 있다. 마스크 결합 구조체(10)는 제2 접착 패턴(21)을 더 포함할 수 있다. 제2 접착 패턴(21)은 펠리클 프레임(350) 및 포토 마스크(20) 사이에 개재될 수 있다. 제2 접착 패턴(21)은 예를 들어, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 또는 불소 수지와 같은 수지를 포함할 수 있다.
포토 마스크(20)는 예를 들어, EUV 포토 마스크일 수 있다. 예를 들어, 포토 마스크(20)는 EUV 파장 범위, 13nm 내지 14nm의 파장을 이용하는 포토리소그래피 공정에 사용될 수 있다. 포토 마스크(20)는 그 일면 상에 패턴들을 가질 수 있다. 예를 들어, 패턴들은 반도체 웨이퍼 또는 반도체칩의 구성 요소들을 패터닝하기 위해 묘화된 패턴의 이미지들을 포함할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼 또는 반도체칩의 구성 요소들은 집적 회로들일 수 있다. 포토 마스크(20)의 상기 일면은 포토 마스크(20)의 상면일 수 있으나, 이에 제약되지 않는다. 노광 공정에서 조사된 빛은 포토 마스크(20) 및 펠리클 멤브레인(300')을 더 통과할 수 있다.
펠리클 멤브레인(300')의 광학 특성은 앞서 도 1a 내지 도 1c의 예들에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 펠리클 멤브레인(300')의 은 0.05 이상의 D/G ratio, 80%이상의 EUV 투과율, 및 0.04%이하 EUV 반사율을 가질 수 있다.
실시예들에 따르면, 마스크 결합 구조체(10)를 형성하는 것은 펠리클 프레임(350)이 포토 마스크(20)를 향하도록, 펠리클 구조체(30)를 포토 마스크(20) 상에 배치하는 것을 포함할 수 있다. 제2 접착 패턴(21)이 펠리클 프레임(350) 및 포토 마스크(20) 사이에 형성될 수 있다. 제2 접착 패턴(21)에 의해 펠리클 구조체(30)가 포토 마스크(20)에 부착될 수 있다.
마스크 결합 구조체(10)는 캐비티를 가질 수 있다. 캐비티는 포토 마스크(20), 펠리클 멤브레인(300'), 펠리클 프레임(350), 및 제1 접착 패턴(310)에 의해 둘러싸일 수 있다. 캐비티는 공기에 의해 점유된 공간 또는 진공 상태의 공간일 수 있다.
실시예들에 따르면, 펠리클 구조체(30) 또는 이를 포함하는 마스크 결합 구조체(10)는 펠리클(pellicle), 광학 필터(Optic filter), 동적 가스 잠금 멤브레인 (Dynamic gas lock membrane), 또는 광학 보호체(protector of optics)에 사용될 수 있다.
도 14는 실시예들에 따른 마스크 결합 구조체를 사용한 패터닝 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 참조하면, 반도체 소자 제조 장치(800)는 빛을 이용하여 포토 마스크(20)에 묘화된 패턴의 이미지들을 투영광학계(projection optical system)에서 진공 하에 웨이퍼에 축소 전사하는 노광 장치일 수 있다. 상기 빛은 EUV일 수 있으나, 이에 제약되지 않는다.
반도체 소자 제조 장치(800)는 마스크 스테이지 영역(800A), 투영 광학계 영역(800B), 및 웨이퍼 스테이지 영역(800C)을 포함할 수 있다. 마스크 스테이지(810)가 마스크 스테이지 영역(800A) 내에 제공될 수 있다. 마스크 스테이지(810)는 스테이지 지지체(812)와 및 마스크 홀더(818)를 포함할 수 있다. 마스크 홀더(818)는 스테이지 지지체(812)의 하면 상에 제공될 수 있다. 마스크 홀더(818)는 포토 마스크(20)를 고정하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 마스크 홀더(818)는 정전 척(electrostatic chuck)을 포함하고, 마스크 홀더(818)는 포토 마스크(20)를 정전기력에 의해 흡착하여 유지시킬 수 있다.
마스크 스테이지 영역(800A) 내에서 펠리클 구조체(30)가 포토 마스크(20)의 일면 상에 고정되어, 마스크 결합 구조체(10)를 형성할 수 있다. 펠리클 구조체(30)는 도 13의 예에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 도 14의 펠리클 구조체(30)는 도 13의 펠리클 구조체(30)와 상하 대칭 관계일 수 있다. 다른 예로, 마스크 결합 구조체(10)는 도 13의 예에 예시한 마스크 결합 구조체(10)로부터 다양하게 변형 및 변경된 구조를 가질 수 있다. 마스크 스테이지(810)는 스테이지 지지체(812)에 고정된 포토 마스크(20)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
웨이퍼(W), 웨이퍼 스테이지(850), 및 웨이퍼 척(852)이 웨이퍼 스테이지 영역(800C) 내에 제공될 수 있다. 웨이퍼 척(852)은 웨이퍼 스테이지(850) 상에 제공될 수 있다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 척(852) 상에 고정될 수 있다. 웨이퍼 척(852)은 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
투영 광학계 영역(800B)은 마스크 스테이지 영역(800A) 및 투영 광학계 영역(800B) 사이에 제공될 수 있다. 투영 광학계(840)가 투영 광학계 영역(800B) 내에 배치될 수 있다. 투영 광학계(840)는 포토 마스크(20)에 형성된 패턴을 웨이퍼 스테이지 영역(800C) 내의 웨이퍼(W)에 전사할 수 있다.
제1 게이트 밸브(862A)가 제공되어, 마스크 스테이지 영역(800A) 및 투영 광학계 영역(800B)를 서로 분리시킬 수 있다. 제2 게이트 밸브(862B)가 제공되어, 투영 광학계 영역(800B) 및 웨이퍼 스테이지 영역(800C)을 분리시킬 수 있다.
진공 배기 장치들(864)이 마스크 스테이지 영역(800A), 투영 광학계 영역(800B), 및 웨이퍼 스테이지 영역(800C)에 각각 연결될 수 있다. 이에 따라, 마스크 스테이지 영역(800A)의 압력, 투영 광학계 영역(800B)의 압력, 및 웨이퍼 스테이지 영역(800C)의 압력이 독립적으로 제어될 수 있다.
반도체 소자 제조 장치(800)는 로드락 챔버(800D)를 더 포함할 수 있다. 로드락 챔버(800D)는 웨이퍼 스테이지 영역(800C)과 인접하여 제공될 수 있다. 제1 반송핸드(871)가 제공되어, 웨이퍼 스테이지 영역(800C) 및 로드락 챔버(800D)와 연결될 수 있다. 웨이퍼(W)는 제1 반송핸드(871)를 통해 웨이퍼 스테이지 영역(800C)과 로드락 챔버(800D) 사이를 이동할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 웨이퍼 스테이지 영역(800C) 내에 반입 또는 반출할 수 있다. 제1 챔버 진공 배기 장치(864D)가 로드락 챔버(800D)에 더 연결될 수 있다.
반도체 소자 제조 장치(800)는 웨이퍼 로드 포트(load port)(800E)를 더 포함할 수 있다. 웨이퍼 로드 포트(load port)(800E)는 로드락 챔버(800D)와 인접하여 제공될 수 있다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 로드 포트(800E) 내에 일시적으로 보관될 수 있다.
제2 반송 핸드(872)가 제공되어, 로드락 챔버(800D) 및 웨이퍼 로드 포트(800E)와 연결될 수 있다. 웨이퍼(W)는 제2 반송 핸드(872)를 통해 로드락 챔버(800D) 및 웨이퍼 로드 포트(800E)) 사이를 이동할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 로드락 챔버(800D) 내에 반입 또는 반출할 수 있다.
제3 게이트 밸브(876A)가 웨이퍼 스테이지 영역(800C)과 로드락 챔버(800D)와의 사이에는 개재될 수 있다. 제4 게이트 밸브(876B)가 로드락 챔버(800D) 및 웨이퍼 로드 포트(800E) 사이에 개재될 수 있다.
반도체 소자 제조 장치(800)는 마스크 로드락 챔버(800F)를 더 포함할 수 있다. 마스크 로드락 챔버(800F)는 마스크 스테이지 영역(800A)과 인접하여 제공될 수 있다. 제3 반송 핸드(873)가 제공되어, 마스크 스테이지 영역(800A) 및 마스크 로드락 챔버(800F)와 연결될 수 있다. 포토 마스크(20)는 제3 반송 핸드(873)를 통해 마스크 스테이지 영역(800A) 및 마스크 로드락 챔버(800F) 사이를 이동할 수 있다. 제3 반송 핸드(873)를 통해 포토 마스크(20)가 마스크 스테이지 영역(800A) 내에 반입 또는 반출할 수 있다.
반도체 소자 제조 장치(800)는 마스크 로드 포트(800G)를 더 포함할 수 있다. 포토 마스크(20)는 마스크 로드 포트(800G) 내에 일시적으로 보관될 수 있다. 제4 반송 핸드(874)가 제공되어, 마스크 로드락 챔버(800F) 및 마스크 로드 포트(800G)를 연결할 수 있다. 포토 마스크(20)는 제4 반송 핸드(874)를 통해 마스크 로드락 챔버(800F) 및 마스크 로드 포트(800G) 사이를 이동할 수 있다. 포토 마스크(20)는 제4 반송 핸드(874)를 통해 마스크 로드락 챔버(800F) 내로 반입 또는 반출될 수 있다.
제5 게이트 밸브(886A)가 마스크 스테이지 영역(800A)과 마스크 로드락 챔버(800F) 사이에 제공될 수 있다. 제6 게이트 밸브(886B)가 마스크 로드락 챔버(800F)와 마스크 로드 포트(800G) 사이에 제공될 수 있다.
포토 마스크(20)는 외부로부터 반도체 소자 제조 장치(800)까지 포토마스크 캐리어(880) 내에 수용된 상태로 저장 및 운반될 수 있다. 예를 들어, 포토 마스크(20)는 포토마스크 캐리어(880) 내에 수용된 상태에서 마스크 로드 포트(800G)까지 운반될 수 있다. 이에 따라, 포토 마스크(20)가 외부 환경과의 불필요한 접촉 및 외부의 입자 오염으로부터 효과적으로 보호될 수 있다. 포토마스크 캐리어(880)는 내측 포드(inner pod)(882) 및 외측 포드(outer pod)(884)를 포함할 수 있다. 내측 포드(882) 및 외측 포드(884)는 포토 마스크(20)가 이송될 때 포토 마스크(20)를 보호하는 역할을 할 수 있다.
반도체 소자 제조 장치(800)는 도 1a 내지 도 12d의 예에서 설명한 바와 같이 제조된 펠리클 구조체(30)를 사용하여 포토 마스크(20)를 보호할 수 있다. 펠리클 멤브레인(300')이 비교적 큰 면적의 프리스탠딩 구조를 가지는 경우에도 펠리클 구조체(30)를 제조하는 과정에서 펠리클 멤브레인(300')의 손상이 방지될 수 있다. 따라서, 노광 공정, 펠리클 멤브레인(300')의 편평도 열화로 인한 에러의 발생이 방지/감소될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 또는 반도체칩의 정확한 위치에 원하는 형상의 패턴을 효과적으로 전사할 수 있다.
이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (20)
- 임시 기판 상에 금속층을 형성하는 것;
상기 금속층 상에 멤브레인을 형성하는 것;
상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 물리적 방법에 의해 분리하여, 상기 금속층의 하면을 노출시키는 것; 및
상기 금속층의 상기 노출된 하면 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 하면을 노출시키는 것을 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 멤브레인의 상면 상에 제1 지지층을 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 제1 지지층은:
상기 멤브레인의 엣지 영역 상의 바디부; 및
상기 바디부와 연결되고, 상기 바디부로부터 수평적으로 연장된 핸들링부를 포함하고,
상기 핸들링부는 평면적 관점에서 상기 멤브레인과 이격된 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,
상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 분리하는 것은 상기 제1 지지층의 상기 핸들링부에 외력을 가하여 상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 이격시키는 것을 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 임시 기판, 상기 금속층, 및 상기 멤브레인을 용액 내에 제공하는 것을 더 포함하되,
상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 분리하는 것은 상기 용액 내에서 수행되는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 4항에 있어서,
상기 멤브레인의 엣지 영역 상에 제1 지지층을 형성하여, 상기 멤브레인의 센터 영역을 노출시키 것; 및
상기 제1 지지층 상에 제2 지지층을 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 제2 지지층은 상기 멤브레인의 상기 센터 영역과 수직적으로 이격되는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 5항에 있어서,
상기 제1 지지층, 상기 제2 지지층 및 상기 멤브레인에 둘러싸인 빈 공간이 제공되고,
상기 멤브레인의 상기 센터 영역은 상기 용액에 노출되지 않는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 멤브레인의 상기 노출된 하면 상에 펠리클 프레임을 부착하는 것을 더 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 멤브레인의 센터 영역의 상면을 덮는 승화성 지지층을 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 승화성 지지층을 형성하는 것 이후 상기 식각 공정을 수행하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 임시 기판 및 상기 금속층 사이에 버퍼층을 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 분리하는 것은 상기 버퍼층을 상기 금속층으로부터 분리하는 것을 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 임시 기판의 분리 속도는 0.1 mm/s 내지 2 mm/s이고,
상기 식각 공정은 5분 내지 15분 동안 수행되는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 임시 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 것;
상기 금속 촉매층 상에 멤브레인을 형성하는 것;
상기 멤브레인의 상면 상에 제1 지지층을 형성하는 것; 및
상기 임시 기판을 상기 금속 촉매층으로부터 분리하여, 상기 금속 촉매층의 하면을 노출시키는 것을 포함하되,
상기 제1 지지층은:
상기 멤브레인의 엣지 영역 상의 바디부; 및
상기 바디부와 연결되는 핸들링부를 포함하되,
상기 핸들링부는 평면적 관점에서 상기 멤브레인과 이격된 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 임시 기판을 상기 금속 촉매층으로부터 분리하는 것은 상기 제1 지지층의 상기 핸들링부에 외력을 가하여 상기 임시 기판을 상기 금속 촉매층으로부터 이격시키는 것을 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 금속 촉매층의 상기 노출된 하면 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 하면을 노출시키는 것을 더 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 금속 촉매층의 상면은 (100) 결정면을 가지고,
상기 금속 촉매층의 두께는 400nm 내지 5μm인 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 제1 지지층 상에 제2 지지층을 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 제1 지지층, 상기 제2 지지층 및 상기 멤브레인에 둘러싸인 빈 공간이 제공되는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 임시 기판 상에 금속층을 형성하는 것;
상기 금속층 상에 멤브레인을 형성하는 것, 상기 멤브레인은 엣지 영역 및 센터 영역을 갖고;
상기 멤브레인의 상기 엣지 영역 상에 제1 지지층을 형성하는 것;
상기 제1 지지층 상에 제2 지지층을 형성하는 것, 상기 제2 지지층은 상기 멤브레인의 상기 센터 영역의 상면과 수직적으로 이격되고;
상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 분리하여, 상기 금속층의 하면을 노출시키는 것;
상기 제2 지지층을 상기 제1 지지층으로부터 분리하는 것;
상기 멤브레인의 상기 센터 영역의 상기 상면을 덮는 승화성 지지층을 형성하는 것;
상기 금속층의 상기 노출된 하면 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 하면을 노출시키는 것;
상기 멤브레인의 상기 노출된 하면 상에 펠리클 프레임을 부착하되, 상기 펠리클 프레임은 상기 멤브레인의 센터 영역과 오버랩되는 것; 및
상기 멤브레인 상에 커팅 공정을 수행하여, 상기 멤브레인의 상기 엣지 영역을 제거하는 것을 포함하는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,
상기 임시 기판을 상기 금속층으로부터 분리하는 것은 용액 내에서 수행되는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,
상기 제2 지지층을 형성하는 것은 상기 멤브레인, 상기 제1 지지층, 및 상기 제2 지지층에 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 멤브레인의 상기 센터 영역의 상기 상면은 상기 빈 공간에 노출된 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,
상기 식각 공정을 수행하는 것 및 상기 펠리클 프레임을 부착하는 것은 상기 승화성 지지층이 형성된 후 수행되는 펠리클 구조체 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,
상기 멤브레인의 상기 노출된 하면 상에 제3 지지층을 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 제3 지지층은 상기 멤브레인의 상기 엣지 영역과 오버랩되고, 상기 펠리클 프레임과 수평적으로 이격된 펠리클 구조체 제조 방법.
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