KR20230127826A - Display module and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
디스플레이 모듈이 개시된다. 상기 디스플레이 모듈은 다수의 TFT(thin film transistor)가 배열된 기판과, 다수의 TFT에 전기적으로 연결된 다수의 픽셀을 포함하고, 각 픽셀은 서로 다른 사이즈를 가지는 제1 발광 다이오드, 제2 발광 다이오드, 및 제3 발광 다이오드를 포함할 수 있다.A display module is disclosed. The display module includes a substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are arranged, and a plurality of pixels electrically connected to the plurality of TFTs, each pixel having a different size, a first light emitting diode, a second light emitting diode, and a third light emitting diode.
Description
본 개시는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a display module and a manufacturing method thereof.
자발광 디스플레이 소자는 컬러 필터 및 백 라이트 없이 영상을 표시하는 것으로, 스스로 빛을 내는 무기 발광 다이오드를 이용할 수 있다.The self-luminous display device displays an image without a color filter and a backlight, and may use an inorganic light emitting diode that emits light by itself.
디스플레이 모듈은 무기 발광 소자로 이루어진 픽셀 단위 또는 서브 픽셀 단위로 동작이 되면서 다양한 색을 표현하고 있다. 각각의 픽셀 또는 서브 픽셀은 다수의 TFT(thin film transistor)에 의해 동작이 제어된다. 다수의 TFT는 연성 가능한 기판, 글라스 기판 또는 플라스틱 기판에 배열되며, 이와 같이 다수의 TFT를 구비한 기판을 TFT 기판이라고 한다.The display module expresses various colors while being operated in units of pixels or sub-pixels made of inorganic light emitting devices. The operation of each pixel or sub-pixel is controlled by a plurality of thin film transistors (TFTs). A plurality of TFTs are arranged on a flexible substrate, a glass substrate or a plastic substrate, and a substrate having such a plurality of TFTs is called a TFT substrate.
본 개시는 고수율 및 고효율의 구조를 가지는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.An object of the present disclosure is to provide a display module having a high-yield and high-efficiency structure and a manufacturing method thereof.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해 다수의 TFT(thin film transistor)가 배열된 기판, 및 상기 다수의 TFT에 전기적으로 연결된 다수의 픽셀을 포함하고, 각 픽셀은 서로 다른 사이즈를 가지는 제1 발광 다이오드, 제2 발광 다이오드, 및 제3 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 모듈을 제공한다. According to various embodiments of the present disclosure, to achieve the above object, a substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are arranged, and a plurality of pixels electrically connected to the plurality of TFTs, each pixel having a different size. It provides a display module including a first light emitting diode, a second light emitting diode, and a third light emitting diode having a.
상기 제2 무기 발과 다이오드의 사이즈는 상기 제1 발광 다이오드의 사이즈보다 크고, 상기 제3 발광 다이오드의 사이즈는 상기 제2 무기발광 다이오드의 사이즈보다 클 수 있다.A size of the second inorganic light emitting diode may be larger than a size of the first light emitting diode, and a size of the third light emitting diode may be larger than a size of the second inorganic light emitting diode.
상기 제1 발광 다이오드는 청색 파장 대역의 광을 방출하고, 상기 제2 발광 다이오드는 녹색 파장 대역의 광을 방출하고, 상기 제3 발광 다이오드는 적색 파장 대역의 광을 방출할 수 있다.The first light emitting diode may emit light in a blue wavelength band, the second light emitting diode may emit light in a green wavelength band, and the third light emitting diode may emit light in a red wavelength band.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 발광면이 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.Each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode may have a trapezoidal light emitting surface.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 측면들이 경사지게 형성될 수 있다.Side surfaces of each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode may be inclined.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 발광면으로부터 상기 발광면의 반대면으로 갈수록 점차 좁아지는 단면을 가지질 수 있다.Each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode may have a cross section gradually narrowing from a light emitting surface to a surface opposite to the light emitting surface.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 발광면으로부터 상기 발광면의 반대면으로 갈수록 점차 넓어지는 단면을 가질 수 있다.Each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode may have a cross section gradually widening from a light emitting surface to a surface opposite to the light emitting surface.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해 다수의 제1 발광 다이오드가 삽입되는 제1 사이즈를 가지는 다수의 제1 삽입홈이 격자 배열된 제1 몰드, 상기 다수의 제1 사이즈에 대응하는 다수의 제2 발광 다이오드가 삽입되는 상기 제1 사이즈보다 큰 제2 사이즈를 가지는 다수의 제2 삽입홈이 격자 배열된 제2 몰드, 및 다수의 제3 발광 다이오드가 삽입되는 상기 제2 사이즈보다 큰 제3 사이즈를 가지는 다수의 제3 삽입홈이 격자 배열된 제3 몰드를 포함하고, 상기 제2 몰드는 상기 제1 사이즈에 해당하는 다수의 추가 제1 삽입홈이 격자 배열되고, 상기 제3 몰드는 상기 제1 사이즈에 해당하는 다수의 추가 제2 삽입홈이 격자 배열되고, 상기 제2 사이즈에 해당하는 다수의 추가 제3 삽입홈이 격자 배열되는 디스플레이 모듈의 제조를 위한 몰드 장치를 제공한다.According to various embodiments of the present disclosure, in order to achieve the above object, a first mold in which a plurality of first insertion grooves having a first size into which a plurality of first light emitting diodes are inserted is lattice-arranged, the plurality of first sizes A second mold in which a plurality of second insertion grooves having a second size larger than the first size into which a plurality of second light emitting diodes are inserted are lattice-arranged, and a plurality of third light emitting diodes of the second size into which a plurality of light emitting diodes are inserted A third mold comprising a grid array of a plurality of third insertion grooves having a larger third size, wherein the second mold has a grid array of a plurality of additional first insertion grooves corresponding to the first size; 3 The mold provides a mold device for manufacturing a display module in which a plurality of additional second insertion grooves corresponding to the first size are arranged in a grid and a plurality of additional third insertion grooves corresponding to the second size are arranged in a grid do.
상기 제2 몰드의 상기 다수의 추가 제1 삽입홈은 상기 제1 몰드의 상기 제1 삽입홈에 대응하는 위치에 배치되고, 상기 제3 몰드의 상기 다수의 추가 제2 삽입홈은 상기 제1 몰드의 상기 제1 삽입홈에 대응하는 위치에 배치되고, 상기 제3 몰드의 상기 다수의 추가 제3 삽입홈은 상기 제2 몰드의 상기 제2 삽입홈에 대응하는 위치에 배치될 수 있다.The plurality of additional first insertion grooves of the second mold are disposed at positions corresponding to the first insertion grooves of the first mold, and the plurality of additional second insertion grooves of the third mold are disposed in positions corresponding to the first insertion grooves of the first mold. The plurality of additional third insertion grooves of the third mold may be disposed at positions corresponding to the second insertion grooves of the second mold.
상기 제1 사이즈는 상기 다수의 제1 발광 다이오드의 사이즈보다 크거나 같고, 상기 제2 사이즈는 상기 다수의 제2 발광 다이오드의 사이즈보다 크거나 같고, 상기 제3 사이즈는 상기 다수의 제3 발광 다이오드의 사이즈보다 크거나 같을 수 있다.The first size is greater than or equal to the size of the plurality of first light emitting diodes, the second size is greater than or equal to the size of the plurality of second light emitting diodes, and the third size is greater than or equal to the size of the plurality of third light emitting diodes may be greater than or equal to the size of
상기 다수의 제1 삽입홈, 상기 다수의 제2 삽입홈, 상기 다수의 제3 삽입홈, 상기 다수의 추가 제1 삽입홈, 상기 다수의 추가 제2 삽입홈, 및 상기 다수의 추가 제3 삽입홈은 사다리꼴이 일 수 있다.The plurality of first insertion grooves, the plurality of second insertion grooves, the plurality of third insertion grooves, the plurality of additional first insertion grooves, the plurality of additional second insertion grooves, and the plurality of additional third insertion grooves The groove may be trapezoidal.
상기 다수의 제1 삽입홈, 상기 다수의 제2 삽입홈, 상기 다수의 제3 삽입홈 각각은, 측면들이 경사질 수 있다.Each of the plurality of first insertion grooves, the plurality of second insertion grooves, and the plurality of third insertion grooves may have inclined side surfaces.
상기 다수의 제1 삽입홈, 상기 다수의 제2 삽입홈, 상기 다수의 제3 삽입홈 각각은, 단면이 개구 측에서 바닥 측으로 갈수록 점차 좁아질 수 있다.Each of the plurality of first insertion grooves, the plurality of second insertion grooves, and the plurality of third insertion grooves may have a cross section gradually narrowing from the opening side to the bottom side.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해 제1 몰드에 다수의 제1 발광 다이오드를 배열하는 단계, 제2 몰드에 다수의 제2 발광 다이오드를 배열하는 단계, 제3 몰드에 다수의 제3 발광 다이오드를 배열하는 단계, 상기 제1 몰드, 상기 제2 몰드, 및 상기 제3 몰드로부터 중계 기판에 각각 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 이송하는 단계, 및 상기 중계 기판으로부터 TFT(thin film transistor) 기판에 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 순차적으로 전사하는 단계를 포함하고, 상기 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 발광 다이오드를 유체 자가 조립(fluidic self-assembly) 방식으로 상기 제1 몰드의 다수의 제1 삽입홈, 상기 제2 몰드의 다수의 제2 삽입홈, 및 상기 제3 몰드의 다수의 제3 삽입홈에 각각 삽입하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공한다.According to various embodiments of the present disclosure, arranging a plurality of first light emitting diodes in a first mold, arranging a plurality of second light emitting diodes in a second mold, and arranging a plurality of light emitting diodes in a third mold in order to achieve the above object. Arranging third light emitting diodes of the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of light emitting diodes, respectively, on a relay substrate from the first mold, the second mold, and the third mold. Transferring third light emitting diodes, and sequentially transferring the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes from the relay substrate to a thin film transistor (TFT) substrate. A plurality of first insertion grooves of the first mold, including the step of performing the first light emitting diode, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of light emitting diodes in a fluidic self-assembly manner; Provided is a method of manufacturing a display module that is inserted into a plurality of second insertion grooves of the second mold and a plurality of third insertion grooves of the third mold, respectively.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 서로 상이한 사이즈를 가지는 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 사용할 수 있다.The manufacturing method of the display module may use the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes having different sizes.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 사다리꼴 형상을 가지는 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 사용할 수 있다.The manufacturing method of the display module may use the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes having a trapezoidal shape.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해 제1 몰드에 다수의 제1 발광 다이오드를 배열하는 단계, 제2 몰드에 다수의 제2 발광 다이오드를 배열하는 단계, 제3 몰드에 다수의 제3 발광 다이오드를 배열하는 단계, 및 상기 제1 몰드, 상기 제2 몰드, 및 상기 제3 몰드로부터 TFT(thin film transistor) 기판에 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 순차적으로 전사하는 단계를 포함하고, 상기 제1 무기 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 무기 발광 다이오드, 및 상기 다수의 무기 발광 다이오드를 유체 자가 조립(fluidic self-assembly) 방식으로 상기 제1 몰드의 다수의 제1 삽입홈, 상기 제2 몰드의 다수의 제2 삽입홈, 및 상기 제3 몰드의 다수의 제3 삽입홈에 각각 삽입하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, arranging a plurality of first light emitting diodes in a first mold, arranging a plurality of second light emitting diodes in a second mold, and arranging a plurality of light emitting diodes in a third mold in order to achieve the above object. arranging third light emitting diodes, and the plurality of first light emitting diodes and the plurality of second light emitting diodes on a thin film transistor (TFT) substrate from the first mold, the second mold, and the third mold and sequentially transferring the plurality of third light emitting diodes, wherein the first inorganic light emitting diodes, the second plurality of inorganic light emitting diodes, and the plurality of inorganic light emitting diodes are assembled by fluidic self-assembly. assembly) method of manufacturing a display module that is inserted into a plurality of first insertion grooves of the first mold, a plurality of second insertion grooves of the second mold, and a plurality of third insertion grooves of the third mold, respectively. can provide
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치에 포함된 디스플레이 패널을 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2에 표시된 Ⅲ 부분의 픽셀을 확대한 도면이다.
도 4는 도 3에 표시된 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 나타낸 도면으로 제1 발광 다이오드가 TFT 기판에 실장된 예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드의 삽입홈에 제1 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드의 삽입홈에 제2 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.
도 12는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드를 나타낸 평면도이다.
도 13은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드를 나타낸 단면도이다.
도 14는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드의 삽입홈에 제3 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.
도 15는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 중계 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드로부터 다수의 제1 발광 다이오드를 중계 기판에 이송하기 위해 제1 몰드를 중계 기판에 밀착시킨 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드에 의해 중계 기판에 다수의 제1 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 중계 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드로부터 다수의 제2 발광 다이오드를 중계 기판에 이송하기 위해 제2 몰드를 중계 기판에 밀착시킨 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드에 의해 중계 기판에 다수의 제2 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드를 중계 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드로부터 다수의 제3 발광 다이오드를 중계 기판에 이송하기 위해 제3 몰드를 중계 기판에 밀착시킨 예를 나타낸 도면이다.
도 23은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드에 의해 중계 기판에 다수의 제3 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 본 개시의 일 실시 예에 따른 중계 기판을 TFT 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이다.
도 25는 본 개시의 일 실시 예에 따른 중계 기판을 TFT 기판에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.
도 26은 본 개시의 일 실시 예에 따른 중계 기판으로부터 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드가 TFT 기판에 전사된 예를 나타낸 도면이다.
도 27은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 발광 다이오드가 TFT 기판에 실장된 예를 나타낸 단면도이다.
도 28은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 29는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드의 삽입홈에 제1 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.
도 30은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 TFT 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이다.
도 31은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 TFT 기판에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.
도 32는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드에 의해 TFT 기판에 다수의 제1 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.
도 33은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 TFT 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이다.
도 34는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 TFT 기판에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.
도 35는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드에 의해 TFT 기판에 다수의 제3 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.1 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
2 is a plan view illustrating a display panel included in a display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
FIG. 3 is an enlarged view of pixels of part III shown in FIG. 2 .
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 3 and showing an example in which the first light emitting diode is mounted on a TFT substrate.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure.
6 is a plan view illustrating a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
7 is a cross-sectional view showing a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
8 is a cross-sectional view illustrating an example in which a first light emitting diode is inserted into an insertion groove of a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
9 is a plan view illustrating a second mold according to an embodiment of the present disclosure.
10 is a cross-sectional view showing a second mold according to an embodiment of the present disclosure.
11 is a cross-sectional view illustrating an example in which a second light emitting diode is inserted into an insertion groove of a second mold according to an embodiment of the present disclosure.
12 is a plan view illustrating a third mold according to an embodiment of the present disclosure.
13 is a cross-sectional view showing a third mold according to an embodiment of the present disclosure.
14 is a cross-sectional view illustrating an example in which a third light emitting diode is inserted into an insertion groove of a third mold according to an embodiment of the present disclosure.
15 is a diagram illustrating an example of aligning a first mold to a relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
16 is a diagram illustrating an example in which a first mold is brought into close contact with a relay substrate in order to transfer a plurality of first light emitting diodes from the first mold to the relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
17 is a diagram illustrating an example in which a plurality of first light emitting diodes are transferred to a relay substrate by a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
18 is a view illustrating an example of aligning a second mold to a relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
19 is a view illustrating an example in which a second mold is brought into close contact with a relay substrate in order to transfer a plurality of second light emitting diodes from the second mold to the relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
20 is a diagram illustrating an example in which a plurality of second light emitting diodes are transferred to a relay substrate by a second mold according to an embodiment of the present disclosure.
21 is a view illustrating an example of aligning a third mold to a relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
22 is a diagram illustrating an example in which a third mold is brought into close contact with a relay substrate in order to transfer a plurality of third light emitting diodes from the third mold to the relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
23 is a diagram illustrating an example in which a plurality of third light emitting diodes are transferred to a relay substrate by a second mold according to an embodiment of the present disclosure.
24 is a diagram illustrating an example of aligning a relay substrate to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
25 is a diagram illustrating an example of thermally compressing a relay substrate to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
26 is a diagram illustrating an example in which a plurality of first to third light emitting diodes are transferred to a TFT substrate from a relay substrate according to an embodiment of the present disclosure.
27 is a cross-sectional view illustrating an example in which a first light emitting diode is mounted on a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
28 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure.
29 is a cross-sectional view illustrating an example in which a first light emitting diode is inserted into an insertion groove of a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
30 is a view showing an example of aligning a first mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
31 is a diagram illustrating an example of thermally compressing a first mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
32 is a diagram illustrating an example in which a plurality of first light emitting diodes are transferred to a TFT substrate by a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
33 is a view showing an example of aligning a second mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
34 is a diagram illustrating an example of thermally compressing a second mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
35 is a view illustrating an example in which a plurality of third light emitting diodes are transferred to a TFT substrate by a third mold according to an embodiment of the present disclosure.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, various embodiments will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described in this specification may be modified in various ways. Particular embodiments may be depicted in the drawings and described in detail in the detailed description. However, specific embodiments disclosed in the accompanying drawings are only intended to facilitate understanding of various embodiments. Therefore, the technical idea is not limited by the specific embodiments disclosed in the accompanying drawings, and it should be understood to include all equivalents or substitutes included in the spirit and technical scope of the invention.
본 개시에서, 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In the present disclosure, terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various elements, but these elements are not limited by the above-mentioned terms. The terminology described above is only used for the purpose of distinguishing one component from another.
본 개시에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.In the present disclosure, terms such as “comprise” or “have” are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded. It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no other element exists in the middle.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.In the present disclosure, the expression 'same' means not only completely matching, but also including a degree of difference considering a processing error range.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.In addition, in describing the present disclosure, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present disclosure, the detailed description thereof will be abbreviated or omitted.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 영상 표시용 무기 발광 다이오드(inorganic light emitting diode)를 구비한 디스플레이 패널을 포함할 수 있다. 여기서, 디스플레이 패널은 평판 디스플레이 패널 또는 커브드 디스플레이 패널일 수 있으며, 100㎛ 이하인 다수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)(예를 들면, 마이크로 LED 또는 미니 LED)가 실장되어 있어 백라이트가 필요한 LCD에 비해 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다. 본 개시에서는 '무기 발광 다이오드'와 '무기 발광 소자'는 같은 의미로 사용될 수 있다.In the present disclosure, the display module may include a display panel having an inorganic light emitting diode for displaying an image. Here, the display panel may be a flat panel display panel or a curved display panel, and a plurality of inorganic light emitting diodes (eg, micro LEDs or mini LEDs) of 100 μm or less are mounted, compared to LCDs that require a backlight. It provides better contrast, response time and energy efficiency. In the present disclosure, 'inorganic light emitting diode' and 'inorganic light emitting device' may be used interchangeably.
본 개시에 적용하는 무기 발광 소자는 OLED보다 밝기, 발광 효율, 수명이 길다. 무기 발광 소자는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 무기 발광 소자인 마이크로 LED는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 예를 들면, 마이크로 LED는 기존 LCD 또는 OLED에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, 기존 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 "와트당 밝기"가 더 높다. 이에 따라 마이크로 LED는 기존의 LED(가로, 세로, 높이가 각각 100㎛를 초과한다) 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있게 된다. 이외에도 마이크로 LED는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다. 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일한 제1 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들이 형성된 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.The inorganic light emitting device applied to the present disclosure has higher brightness, luminous efficiency, and longer lifetime than OLED. The inorganic light emitting device may be a semiconductor chip capable of emitting light by itself when power is supplied. Micro LED, an inorganic light emitting device, has fast response speed, low power, and high luminance. For example, micro LEDs are more efficient at converting electricity into photons than conventional LCDs or OLEDs. That is, they have higher "brightness per watt" compared to conventional LCD or OLED displays. As a result, micro LEDs can produce the same brightness with about half the energy compared to conventional LEDs (width, length, and height each exceed 100 μm) or OLEDs. In addition, micro LED can realize high resolution, excellent color, contrast and brightness, so it can accurately express a wide range of colors, and it can implement a clear screen even in bright sunlight outdoors. In addition, micro LED is resistant to burn-in and generates little heat, guaranteeing a long lifespan without deformation. The micro LED may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same first surface and a light emitting surface is formed on a second surface opposite to the first surface on which the electrodes are formed.
본 개시에서, 기판은 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면(rear surface)에 TFT 회로에 전원을 공급하는 전원 공급 회로와 데이터 구동 드라이버, 게이트 구동드라이버 및 각 구동 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러가 배치될 수 있다. TFT 층에 배열된 다수의 픽셀은 TFT 회로에 의해 구동될 수 있다.In the present disclosure, a substrate has a thin film transistor (TFT) layer formed thereon on the front surface, and a power supply circuit for supplying power to the TFT circuit, a data drive driver, and a gate drive on the rear surface. A timing controller controlling the driver and each driving driver may be disposed. A plurality of pixels arranged in a TFT layer can be driven by a TFT circuit.
본 개시에서, 디스플레이 모듈에 제공되는 TFT는 LTPS(low-temperature polycrystalline silicon) TFT, LTPO(low-temperature polycrystalline oxide) TFT, 또는 산화물 TFT일 수 있다.In the present disclosure, the TFT provided in the display module may be a low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) TFT, a low-temperature polycrystalline oxide (LTPO) TFT, or an oxide TFT.
본 개시에서, 기판은 글라스 기판, 가요성(flexibility) 재질을 가지는 합성수지 계열(예를 들면, PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PES(polyethersulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등)의 기판이나 세라믹 기판을 사용할 수 있다.In the present disclosure, the substrate is a glass substrate, a synthetic resin series having a flexible material (eg, PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PES (polyethersulfone), PEN (polyethylene naphthalate), PC (polycarbonate) etc.) or a ceramic substrate can be used.
본 개시에서, 기판의 전면에는 TFT 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 기판의 후면에는 회로가 배치되지 않을 수 있다. TFT 층은 기판 상에 일체로 형성되거나 별도의 필름 형태로 제작되어 글라스 기판의 일면에 부착될 수 있다.In the present disclosure, a TFT layer having a TFT circuit is disposed on the front surface of the substrate, and no circuit may be disposed on the rear surface of the substrate. The TFT layer may be integrally formed on the substrate or made in the form of a separate film and attached to one surface of the glass substrate.
본 개시에서, 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.In the present disclosure, the front surface of the substrate may be divided into an active region and an inactive region. The active region may correspond to a region occupied by the TFT layer on the entire surface of the substrate, and the inactive region may be an area excluding the region occupied by the TFT layer on the entire surface of the substrate.
본 개시에서, 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 최 외곽 영역일 수 있다. 또한, 기판의 에지 영역은 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한, 기판의 에지 영역은 기판의 측면에 인접한 기판의 전면 일부와 기판의 측면에 인접한 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다.In the present disclosure, the edge region of the substrate may be the outermost region of the glass substrate. Also, the edge region of the substrate may be an area other than a region of the substrate where a circuit is formed. Also, the edge region of the substrate may include a portion of the front surface of the substrate adjacent to the side surface of the substrate and a portion of the rear surface of the substrate adjacent to the side surface of the substrate. The substrate may be formed in a quadrangle type. For example, the substrate may be formed in a rectangle or square. The edge region of the substrate may include at least one side of the four sides of the glass substrate.
본 개시에서, TFT 층(또는 백 플레인(backplane))을 구성하는 TFT는 특정 구조나 타입으로 한정되지 않는다, 예를 들면, 본 개시에서 인용된 TFT는 LTPS TFT(Low-temperature polycrystalline silicon TFT) 외 oxide TFT 및 Si TFT(poly silicon, a-silicon), 유기 TFT, 그래핀 TFT 등으로도 구현될 수 있으며, Si 웨이퍼 CMOS 공정에서 P 타입(or N 타입) MOSFET만 만들어 적용할 수도 있다.In the present disclosure, the TFTs constituting the TFT layer (or backplane) are not limited to a specific structure or type. For example, the TFTs cited in the present disclosure include LTPS TFTs (Low-temperature polycrystalline silicon TFTs) and others. It can be implemented with oxide TFT, Si TFT (poly silicon, a-silicon), organic TFT, graphene TFT, etc., and only P-type (or N-type) MOSFET can be made and applied in the Si wafer CMOS process.
본 개시에서는 디스플레이 모듈에 포함되는 기판을 TFT 기판에 한정하지 않는다. 예를 들면, 디스플레이 모듈은 TFT 회로가 형성된 TFT 층이 없는 기판일 수 있다. 이 경우, 디스플레이 모듈은 마이크로 IC를 별도로 실장하고 배선만 패터닝된 기판을 포함할 수 있다.In the present disclosure, the substrate included in the display module is not limited to the TFT substrate. For example, the display module may be a substrate without a TFT layer on which a TFT circuit is formed. In this case, the display module may include a substrate on which the micro IC is separately mounted and only the wiring is patterned.
본 개시에서, 디스플레이 모듈의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.In the present disclosure, the pixel driving method of the display module may be an active matrix (AM) driving method or a passive matrix (PM) driving method. The display module may form a wiring pattern to which each micro LED is electrically connected according to an AM driving method or a PM driving method.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 포함한다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 매트릭스 타입으로 다수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.In the present disclosure, a display module includes a glass substrate on which a plurality of LEDs are mounted and side wires are formed. Such a display module can be installed and applied to electronic products or electric vehicles that require wearable devices, portable devices, handheld devices, and various displays as a single unit, and can be applied as a matrix type. It can be applied to display devices such as monitors for personal computers (PCs), high-resolution TVs and signage (or digital signage), electronic displays, and the like through the assembly arrangement of .
본 개시의 디스플레이 모듈은 박막 트랜지스터가 일면에 형성된 기판 상에 배열된 다수의 영상 표시용 무기 발광 소자를 포함할 수 있다. 다수의 무기 발광 소자는 단일 픽셀을 이루는 서브 픽셀일 수 있다. 본 개시에서 하나의 '발광 소자'와, 하나의 '마이크로 LED'와, 하나의 '서브 픽셀'은 동일한 의미로서 혼용할 수 있다.The display module of the present disclosure may include a plurality of inorganic light emitting devices for image display arranged on a substrate having thin film transistors formed thereon. A plurality of inorganic light emitting devices may be sub-pixels constituting a single pixel. In the present disclosure, one 'light emitting element', one 'micro LED', and one 'sub-pixel' may be interchangeably used as the same meaning.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 개시의 실시 예에 대하여 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 개시는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present disclosure will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present disclosure. However, the present disclosure may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly describe the present disclosure in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.
나아가, 이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용을 참조하여 본 개시의 실시 예를 상세하게 설명하지만, 본 개시가 실시 예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Furthermore, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings and the contents described in the accompanying drawings, but the present disclosure is not limited or limited by the embodiments.
이하에서는 도면을 참고하여, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 설명한다.Hereinafter, a display device according to various embodiments of the present disclosure will be described with reference to drawings.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치(1)는 디스플레이 모듈(3)과 프로세서(5)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a
디스플레이 모듈(3)은 터치 센서와 결합된 터치 스크린, 플렉시블 디스플레이(flexible display), 롤러블 디스플레이(rollable display), 및/또는 3차원 디스플레이(3D display)일 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따르면 본 개시의 디스플레이 모듈을 다수 제공하고 이 모듈들을 물리적으로 연결하여 대형 디스플레이(예를 들면, LFD, large format display)를 구현할 수 있다.The
디스플레이 모듈(3)은 다양한 영상을 표시할 수 있다. 여기에서, 영상은 정지 영상 및/또는 동영상을 포함하는 개념이다. 디스플레이 모듈(3)은 방송 콘텐츠, 멀티미디어 콘텐츠 등과 같은 다양한 영상을 표시할 수 있다. 또한, 디스플레이 모듈(3)은 유저 인터페이스(user interface) 및 아이콘을 표시할 수도 있다.The
디스플레이 모듈(3)은 디스플레이 패널(10) 및 디스플레이 패널(10)을 제어하기 위한 디스플레이 드라이버 IC(DDI, display driver IC)(7)를 포함할 수 있다.The
디스플레이 드라이버 IC(7)는 인터페이스 모듈(7a), 메모리(7b)(예: 버퍼 메모리), 이미지 처리 모듈(7c), 또는 맵핑 모듈(7d)을 포함할 수 있다. 디스플레이 드라이버 IC(7)는, 예를 들면, 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(7a)을 통해 디스플레이 장치(1)의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(5)(예: 메인 프로세서(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다.The
디스플레이 드라이버 IC(7)는 센서 모듈(미도시)과 인터페이스 모듈(7a)을 통하여 커뮤니케이션 할 수 있다. 또한, 디스플레이 드라이버 IC(7)는 상기 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(7b)에, 예를 들면, 프레임 단위로 저장할 수 있다. 이미지 처리 모듈(7c)은, 예를 들면, 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이 패널(10)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다. 맵핑 모듈(7d)은 이미지 처리 모듈(7c)을 통해 전처리 또는 후처리된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이 패널(10)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다. 디스플레이 패널(10)의 적어도 일부 픽셀들은, 예를 들면, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이 패널(10)을 통해 표시될 수 있다.The
디스플레이 드라이버 IC(7)는, 프로세서(5)로부터 수신된 영상 정보에 기반하여, 디스플레이로 구동 신호(예: 드라이버 구동 신호, 게이트 구동 신호 등)를 전송할 수 있다.The
디스플레이 드라이버 IC(7)는 프로세서(5)로부터 수신된 영상 신호에 기초하여 영상을 표시할 수 있다. 일 예로, 디스플레이 드라이버 IC(7)는 프로세서(5)로부터 수신된 영상 신호에 기초하여 다수의 서브 픽셀들의 구동 신호를 생성하고, 구동 신호에 기초하여 다수의 서브 픽셀의 발광을 제어함으로써 영상을 표시할 수 있다.The
디스플레이 모듈(3)은 터치 회로(미도시)를 더 포함할 수 있다. 터치 회로는 터치 센서 및 이를 제어하기 위한 터치 센서 IC를 포함할 수 있다. 터치 센서 IC는, 예를 들면, 디스플레이 패널(10)의 지정된 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC는 디스플레이 패널(10)의 지정된 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(5)에 제공할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 터치 회로의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC)는 디스플레이 드라이버 IC(7), 또는 디스플레이 패널(10)의 일부로, 또는 디스플레이 모듈(3)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서)의 일부로 포함될 수 있다.The
프로세서(5)는 디지털 영상 신호를 처리하는 디지털 시그널 프로세서(digital signal processor(DSP), 마이크로 프로세서(microprocessor), GPU(graphics processing unit), AI(artificial intelligence) 프로세서, NPU (neural processing unit), TCON(time controller)으로 구현될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), MCU(micro controller unit), MPU(micro processing unit), 컨트롤러(controller), 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)), ARM 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함하거나, 해당 용어로 정의될 수 있다. 또한, 프로세서(50)는 프로세싱 알고리즘이 내장된 SoC(system on chip), LSI(large scale integration)로 구현될 수도 있고, ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array) 형태로 구현될 수도 있다.The
프로세서(5)는 운영 체제 또는 응용 프로그램을 구동하여 프로세서(5)에 연결된 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소들을 제어할 수 있고, 각종 데이터 처리 및 연산을 수행할 수 있다. 또한, 프로세서(5)는 다른 구성요소들 중 적어도 하나로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리에 로드하여 처리하고, 다양한 데이터를 비휘발성 메모리에 저장할 수 있다.The
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치에 포함된 디스플레이 패널을 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2에 표시된 Ⅲ 부분의 픽셀들을 확대한 도면이고, 도 4는 도 3에 표시된 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 나타낸 도면으로 제1 발광 다이오드가 TFT 기판에 실장된 예를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating a display panel included in a display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure, FIG. 3 is an enlarged view of pixels of a portion III shown in FIG. 2, and FIG. 4 is an enlarged view of pixels IV-IV shown in FIG. It is a cross-sectional view showing an example in which the first light emitting diode is mounted on a TFT substrate as a drawing along the line.
도 2 및 3을 참조하면, 디스플레이 패널(10)은 TFT 기판(20) 상에 배열되는 복수의 픽셀을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the
디스플레이 패널(10)은 a-Si(amorphous silicon) TFT, LTPS(low temperature polycrystalline silicon) TFT, LTPO(low temperature polycrystalline oxide) TFT, HOP(hybrid oxide and polycrystalline silicon) TFT, LCP(liquid crystalline polymer) TFT, 또는 OTFT(organic TFT) 등과 같은 형태로 구현될 수 있는 기판을 포함할 수 있다.The
디스플레이 패널(10)은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 픽셀 영역들을 포함할 수 있다. 각 픽셀 영역(30)은 하나의 픽셀이 배치될 수 있으며, 하나의 픽셀은 청색 파장 대역의 광을 출사하는 제1 발광 다이오드(31), 녹색 파장 대역의 광을 출사하는 제2 발광 다이오드(33) 및 적색 파장 대역의 광을 출사하는 제3 발광 다이오드(35)를 포함할 수 있다. The
하나의 픽셀 영역(30)에서 제1 발광 다이오드(31), 제2 발광 다이오드(33) 및 제3 발광 다이오드(35)가 점유하지 않는 영역에는 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)을 구동하기 위한 다수의 TFT(thin film transistor)가 배치될 수 있다.In one
제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 일정한 간격을 두고 일렬로 배열될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)은 L자 형태로 배열되거나, 펜타일(pentile) RGBG 방식으로 배열될 수 있다. 펜타일 RGBG 방식은 인간이 파란색을 덜 식별하고 녹색을 가장 잘 식 별하는 특성을 이용하여 빨강, 초록 및 파랑의 발광 다이오드의 개수를 1:1:2(RGBG)의 비율로 배열하는 방식이다. 펜 타일 RGBG 방식은 수율을 높이고 단가를 낮추며 소화면에서 고해상도를 구현할 수 있어 효과적이다.The first to third
제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 발광면(31a, 33a, 35a)이 대략 사다리꼴로 이루어질 수 있다. 제2 발광 다이오드(33)의 사이즈는 제1 발광 다이오드(31)의 사이즈보다 클 수 있다. 제3 발광 다이오드(35)의 사이즈는 제2 발광 다이오드(33)의 사이즈보다 클 수 있다.The
제1 발광 다이오드(31)는 발광면(31a)의 반대면에 한 쌍의 전극(32a, 32b)이 배치될 수 있다. 한 쌍의 전극(32a, 32b)은 TFT 기판(20)의 일면에 배치된 한 쌍의 제1 전극 패드(22a, 22b)에 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.In the first
제2 발광 다이오드(33)는 발광면(33a)의 반대면에 한 쌍의 전극(34a, 34b)이 배치될 수 있다. 한 쌍의 전극(34a, 34b)은 TFT 기판(20)의 일면에 배치된 한 쌍의 제2 전극 패드(24a, 24b)에 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.In the second
제2 발광 다이오드(33)의 사이즈가 제1 발광 다이오드(31)의 사이즈보다 크기 때문에 제2 발광 다이오드(33)의 한 쌍의 전극(34a, 34b) 사이의 간격은 제1 발광 다이오드(31)의 한 쌍의 전극(32a, 32b) 사이의 간격보다 클 수 있다. 이에 따라, 한 쌍의 제2 전극 패드(24a, 24b) 사이의 간격은 한 쌍의 제1 전극 패드(22a, 22b) 사이의 간격보다 클 수 있다. 한 쌍의 제2 전극 패드(24a, 24b)의 사이즈는 한 쌍의 제1 전극 패드(22a, 22b)의 사이즈보다 클 수 있다.Since the size of the second
제3 발광 다이오드(35)는 발광면(35a)의 반대면에 한 쌍의 전극(36a, 36b)이 배치될 수 있다. 한 쌍의 전극(36a, 36b)은 TFT 기판(20)의 일면에 배치된 한 쌍의 제3 전극 패드(26a, 26b)에 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.In the third
제3 발광 다이오드(35)의 사이즈가 제2 발광 다이오드(33)의 사이즈보다 크기 때문에 제3 발광 다이오드(35)의 한 쌍의 전극(36a, 36b) 사이의 간격은 제2 발광 다이오드(33)의 한 쌍의 전극(34a, 34b) 사이의 간격보다 클 수 있다. 이에 따라, 한 쌍의 제3 전극 패드(26a, 26b) 사이의 간격은 한 쌍의 제2 전극 패드(24a, 24b) 사이의 간격보다 클 수 있다. 또한, 한 쌍의 제3 전극 패드(26a, 26b)의 사이즈는 한 쌍의 제2 전극 패드(24a, 24b)의 사이즈보다 클 수 있다.Since the size of the third
제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 발광면(31a, 33a, 35a)은 평면으로 이루어질 수 있고, 외곽이 좌우가 대칭인 사다리꼴일 수 있다. 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 발광면(31a, 33a, 35a)의 형상은 이에 제한되지 않고 좌우가 비대칭인 사다리꼴일 수도 있다.The
제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 약 50㎛ 이하의 크기를 가지는 마이크로 LED(light emitting diode)일 수 있다. 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 발광면(31a, 33a, 33b)의 반대면에 한 쌍의 전극(32a, 32b, 34a, 34b, 36a, 36b)이 배치된 플립 칩(flip chip) 타입의 구조를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정하지 않으며, 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 래터럴 칩(lateral chip) 타입 또는 버티컬 칩(vertical chip) 타입일 수 있다.The first to third
제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 사이즈가 상이하지만 실질적으로 동일한 구조로 이루어지므로, 이하에서는 도면을 참조하여 제1 발광 다이오드(31)의 구조에 대해서만 설명한다.Since the first to third
도 4를 참조하면, 제1 발광 다이오드(31)는 에피 기판(미도시)에서 성장한 제1 반도체층(S1), 제2 반도체층(S2), 제1 반도체층(S1)과 제2 반도체층(S2) 사이에 배치된 활성층(active layer)(A)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the first
제1 반도체층(S1)은 예를 들어, p형 반도체층(anode, 산화 전극)을 포함할 수 있다. p형 반도체층은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer S1 may include, for example, a p-type semiconductor layer (anode, oxide electrode). The p-type semiconductor layer may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, and AlInN, and may be doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
제2 반도체층(S2)은 예를 들어, n형 반도체층(cathode, 환원 전극)을 포함할 수 있다. n형 반도체층은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer S2 may include, for example, an n-type semiconductor layer (cathode, reduction electrode). The n-type semiconductor layer may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn.
제1 발광 다이오드(31)의 에피 성장된 부분은 전술한 구성으로 한정되지 않으며 예를 들면, 제1 반도체층(S1)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(S2)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다. 활성층은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The epitaxially grown portion of the first
활성층(A)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있으며, 단일 양자 우물(SQW: single quantum well) 구조 또는 다중 양자 우물(MQW: multi quantum well) 구조로 형성될 수 있다.The active layer (A) may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or polycrystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and may contain an organic semiconductor material or the like, and may have a single quantum well (SQW) structure or a multi quantum well (MQW) structure.
제1 발광 다이오드(31)는 발광면(31a)의 반대면에 위치한 면에 한 쌍의 전극(32a, 32b)가 배치될 수 있다. 하나의 전극(32a)이 양극 전극이면, 나머지 전극(32b)은 음극 전극일 수 있다. 한 쌍의 전극(32a, 32b)은 Ag 또는 Au를 함유한 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A pair of
제1 발광 다이오드(31)는 발광면(31a)과 발광면의 반대면(이하, '저면'이라 함) 사이에 제1 측면(31b), 제2 측면(31c), 제3 측면(31d) 및 제4 측면(31e)을 포함할 수 있다.The first
제1 발광 다이오드(31)의 저면의 사이즈가 발광면(31a)의 사이즈보다 작은 경우, 제1 내지 제4 측면(31b, 31c, 31d, 31e)은 경사지게 배치될 수 있다.When the size of the bottom surface of the first
예를 들면, 제1 발광 다이오드(31)의 제1 및 제2 측면(31b, 31c)은 도 4와 같이 제1 발광 다이오드(31)의 상측으로부터 하측으로 경사지게 배치될 수 있다. 제1 발광 다이오드(31)의 제1 측면(31b)은 발광면(31a)에 대하여 제1 각도(B1)로 경사지고, 제1 발광 다이오드(31)의 제2 측면(31c)은 발광면(31a)에 대하여 제2 각도(B2)로 경사질 수 있다. 이 경우, 제1 각도(B1)와 제2 각도(B2)는 모두 예각이며, 실질적으로 동일한 각도일 수 있다. 따라서, 제1 발광 다이오드(31)의 단면은 좌우 대칭인 역 사다리꼴일 수 있다. 제1 발광 다이오드(31)의 제3 및 제4 측면(31d, 31e)은 제1 및 제2 측면(31b, 31c)과 유사하게 발광면(31a)에 대하여 예각을 이룰 수 있다.For example, the first and second side surfaces 31b and 31c of the first
제1 발광 다이오드(31)의 저면은 평면으로 직사각 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 무기 발광 소자(31)의 저면은 정사각 형상 또는 사다리꼴 형상 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. 제1 발광 다이오드(31)의 저면에는 한 쌍의 전극(32a, 32b)이 간격을 두고 배치될 수 있다.The bottom surface of the first
제2 발광 다이오드(33)의 측면들과 제3 발광 다이오드(35)의 측면들은 제1 발광 다이오드(31)의 측면들(31b, 31c, 31d, 31e)과 유사하게 경사지도록 형성될 수 있다. The side surfaces of the second
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 나타낸 평면도이고, 도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 나타낸 단면도이고, 도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드의 삽입홈에 제1 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure, FIG. 6 is a plan view illustrating a first mold according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example in which a first light emitting diode is inserted into an insertion groove of the first mold according to an embodiment of the present disclosure.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 하기와 같은 개략적인 공정을 거칠 수 있다. 예를 들면, 다수의 발광 다이오드를 유체자가조립 방식으로 색상 별(청색, 녹색, 적색) 몰드에 각각 배열할 수 있다. 색상 별 몰드들로부터 순차적으로 중계 기판으로 다수의 발광 다이오드를 이송할 수 있다. 중계 기판에 배열된 서로 다른 색상의 다수의 발광 다이오드를 TFT 기판으로 전사할 수 있다.A manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present disclosure may go through the following schematic processes. For example, a plurality of light emitting diodes may be respectively arranged in a mold for each color (blue, green, red) in a fluid self-assembly method. A plurality of light emitting diodes may be sequentially transferred from the molds for each color to the relay substrate. A plurality of light emitting diodes of different colors arranged on the relay substrate may be transferred to the TFT substrate.
이하에서는, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 이루는 공정들을 상세히 설명한다.Hereinafter, processes constituting a manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present disclosure will be described in detail.
본 개시에서는, 청색 파장 계열을 광을 방출하는 다수의 제1 발광 다이오드(31)를 유체자가조립 방식으로 제1 몰드(100)에 배열할 수 있다(도 5의 501).In the present disclosure, a plurality of first
도 6을 참조하면, 제1 몰드(100)는 일면에 제1 발광 다이오드(31)가 각각 삽입되는 다수의 제1 삽입홈(110)이 형성될 수 있다. 다수의 제1 삽입홈(110)은 행 방향으로 일정한 간격(G1)을 두고 배치되고 열 방향으로 일정한 간격(G2)을 두고 배치될 수 있다. 이러한 간격들(G1, G2)은 TFT 기판(20, 도 26 참조)에 전사되는 픽셀 간 피치를 고려한 것일 수 있다. Referring to FIG. 6 , a plurality of
제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)은 평면에서 바라볼 때 개구가 대략 제1 발광 다이오드(31)의 발광면(31a)의 형상에 대응하는 형상일 수 있다. 예를 들면, 제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)의 개구는 사다리꼴일 수 있다.The
제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)의 개구의 사이즈는 제1 발광 다이오드(31)가 유체자가조립 시 제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)에 용이하게 삽입될 수 있도록 제1 발광 다이오드(31)의 사이즈보다 다소 크게 형성될 수 있다.The size of the opening of the
도 7을 참조하면, 제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)의 측면들(111, 113)은 경사지게 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)의 단면은 개구 측으로부터 바닥 측으로 갈수록 점차 폭이 좁아질 수 있다. Referring to FIG. 7 , side surfaces 111 and 113 of the
도 8을 참조하면, 제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)의 형상을 제1 발광 다이오드(31)의 형상과 유사하게 형성함에 따라, 유체자가조립 시 제1 발광 다이오드(31)가 일정한 방향으로 제1 몰드(100)의 제1 삽입홈(110)에 용이하게 삽입될 수 있다. Referring to FIG. 8 , as the shape of the
도 9는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 나타낸 평면도이고, 도 10은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 나타낸 단면도이고, 도 11은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드의 삽입홈에 제2 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.9 is a plan view showing a second mold according to an embodiment of the present disclosure, FIG. 10 is a cross-sectional view showing a second mold according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 11 is a second mold according to an embodiment of the present disclosure. 2 It is a cross-sectional view showing an example in which the second light emitting diode is inserted into the insertion groove of the mold.
본 개시에서는, 녹색 파장 계열을 광을 방출하는 다수의 제2 발광 다이오드(33)를 유체자가조립 방식으로 제2 몰드(200)에 배열할 수 있다(도 5의 502).In the present disclosure, a plurality of second
도 9를 참조하면, 제2 몰드(200)는 일면에 제2 발광 다이오드(33)가 각각 삽입되는 다수의 제2 삽입홈(220)이 형성될 수 있다. 다수의 제2 삽입홈(220)은 행 방향으로 일정한 간격(G3)을 두고 배치되고 열 방향으로 일정한 간격(G4)을 두고 배치될 수 있다. 이러한 간격들(G3, G4)은 TFT 기판(20, 도 26 참조)에 전사되는 픽셀 간 피치를 고려한 것일 수 있다. Referring to FIG. 9 , a plurality of
제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)은 평면에서 바라볼 때 개구가 대략 제2 발광 다이오드(33)의 발광면(33a)의 형상에 대응하는 형상일 수 있다. 예를 들면, 제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)의 개구는 사다리꼴일 수 있다.The opening of the
제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)의 개구의 사이즈는 제2 발광 다이오드(33)가 유체자가조립 시 제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)에 용이하게 삽입될 수 있도록 제2 발광 다이오드(33)의 사이즈보다 다소 크게 형성될 수 있다.The size of the opening of the
도 10을 참조하면, 제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)의 측면들(221, 223)은 경사지게 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)의 단면은 개구 측으로부터 바닥 측으로 갈수록 점차 폭이 좁아질 수 있다. Referring to FIG. 10 , side surfaces 221 and 223 of the
도 11을 참조하면, 제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)의 형상을 제2 발광 다이오드(33)의 형상과 유사하게 형성함에 따라, 유체자가조립 시 제2 발광 다이오드(33)가 일정한 방향으로 제2 몰드(200)의 제2 삽입홈(220)에 용이하게 삽입될 수 있다.Referring to FIG. 11, as the shape of the
제2 몰드(200)는 다수의 제1 보조 삽입홈(210)이 형성될 수 있다. 다수의 제1 보조 삽입홈(210)은 각각 다수의 제2 삽입홈(220)의 좌측에 일정한 간격(G11)을 두고 배치될 수 있다. 제2 몰드(200)의 다수의 제1 보조 삽입홈(210)은 제1 몰드(100)의 다수의 제1 삽입홈(110)의 형상, 행 방향 간격 및 열 방향 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.The
다수의 제2 발광 다이오드(33)는 유체자가조립 시 다수의 제2 삽입홈(220)에 삽입되지만, 제2 발광 다이오드(33)의 사이즈가 다수의 제1 보조 삽입홈(210)의 사이즈보다 크기 때문에 제2 몰드(200)의 다수의 제1 보조 삽입홈(210)에는 다수의 제2 발광 다이오드(33)가 삽입되지 않는다.The plurality of second
도 12는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드를 나타낸 평면도이고, 도 13은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드를 나타낸 단면도이고, 도 14는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드의 삽입홈에 제3 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.12 is a plan view showing a third mold according to an embodiment of the present disclosure, FIG. 13 is a cross-sectional view showing a third mold according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 14 is a third mold according to an embodiment of the present disclosure. 3 It is a cross-sectional view showing an example in which the third light emitting diode is inserted into the insertion groove of the mold.
본 개시에서는, 적색 파장 계열을 광을 방출하는 다수의 제3 발광 다이오드(35)를 유체자가조립 방식으로 제3 몰드(300)에 배열할 수 있다(도 5의 503).In the present disclosure, a plurality of third
도 12를 참조하면, 제3 몰드(300)는 일면에 제3 발광 다이오드(35)가 각각 삽입되는 다수의 제3 삽입홈(330)이 형성될 수 있다. 다수의 제3 삽입홈(330)은 행 방향으로 일정한 간격(G5)을 두고 배치되고 열 방향으로 일정한 간격(G6)을 두고 배치될 수 있다. 이러한 간격들(G5, G6)은 TFT 기판(20, 도 26 참조)에 전사되는 픽셀 간 피치를 고려한 것일 수 있다. Referring to FIG. 12 , a plurality of
제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)은 평면에서 바라볼 때 개구가 대략 제3 발광 다이오드(35)의 발광면(35a)의 형상에 대응하는 형상일 수 있다. 예를 들면, 제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)의 개구는 사다리꼴일 수 있다.When viewed from a plane, the opening of the
제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)의 개구의 사이즈는 제3 발광 다이오드(35)가 유체자가조립 시 제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)에 용이하게 삽입될 수 있도록 제3 발광 다이오드(35)의 사이즈보다 다소 크게 형성될 수 있다.The size of the opening of the
도 13을 참조하면, 제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)의 측면들(331, 333)은 경사지게 형성될 수 있다. 이 경우, 제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)의 단면은 개구 측으로부터 바닥 측으로 갈수록 점차 폭이 좁아질 수 있다. Referring to FIG. 13 , side surfaces 331 and 333 of the
도 14를 참조하면, 제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)의 형상을 제3 발광 다이오드(35)의 형상과 유사하게 형성함에 따라, 유체자가조립 시 제3 발광 다이오드(35)가 일정한 방향으로 제3 몰드(300)의 제3 삽입홈(330)에 삽입될 수 있다.Referring to FIG. 14, as the shape of the
제3 몰드(300)는 다수의 제2 보조 삽입홈(310)과 다수의 제3 보조 삽입홈(320)이 형성될 수 있다. 다수의 제3 보조 삽입홈(320)은 각각 다수의 제3 삽입홈(330)의 좌측에 일정한 간격(G12)을 두고 배치될 수 있다. 다수의 제2 보조 삽입홈(310)은 각각 다수의 제3 보조 삽입홈(320)의 좌측에 일정한 간격(G11)을 두고 배치될 수 있다.The
제3 몰드(300)의 다수의 제2 보조 삽입홈(310)은 제1 몰드(100)의 다수의 제1 삽입홈(110)의 형상, 행 방향 간격 및 열 방향 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.The plurality of second
제3 몰드(300)의 다수의 제3 보조 삽입홈(320)은 제2 몰드(300)의 다수의 제2 삽입홈(220)의 형상, 행 방향 간격 및 열 방향 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.The plurality of third
다수의 제3 발광 다이오드(35)는 유체자가조립 시 다수의 제3 삽입홈(330)에 삽입되지만, 제3 발광 다이오드(35)의 사이즈가 다수의 제2 보조 삽입홈(310)과 다수의 제3 보조 삽입홈(320)의 사이즈보다 크기 때문에 제3 몰드(300)의 다수의 제2 보조 삽입홈(310)과 다수의 제3 보조 삽입홈(320)에는 다수의 제3 발광 다이오드(35)가 삽입되지 않는다.The plurality of third
도 15는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 중계 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이고, 도 16은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드로부터 다수의 제1 발광 다이오드를 중계 기판에 이송하기 위해 제1 몰드를 중계 기판에 밀착시킨 예를 나타낸 도면이고, 도 17은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드에 의해 중계 기판에 다수의 제1 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.15 is a view showing an example in which a first mold is aligned on a relay board according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 16 is a view showing a plurality of first light emitting diodes from the first mold according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 17 shows an example in which a plurality of first light emitting diodes are transferred to the relay substrate by the first mold according to an embodiment of the present disclosure. it is a drawing
본 개시에서는, 제1 몰드(100)에 배열된 다수의 제1 발광 다이오드(31), 제2 몰드(200)에 배열된 다수의 제2 발광 다이오드(33), 및 제3 몰드(300)에 배열된 다수의 제3 발광 다이오드(35)를 순차적으로 중계 기판(400)으로 이송할 수 있다(도 5의 504).In the present disclosure, a plurality of first
도 15를 참조하면, 제1 몰드(100)는 중계 기판(400)의 미리 설정된 위치로 다수의 제1 발광 다이오드(31)를 이송하기 위해, 중계 기판(400)의 상측에 간격을 두고 배치되고 중계 기판(400)과 정렬될 수 있다. 이때, 제1 몰드(100)에 배열된 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 발광면(31a)이 중계 기판(400)을 향할 수 있다.Referring to FIG. 15 , the
제1 몰드(100)의 다수의 제1 삽입홈(110)에는 소정의 점착층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 다수의 제1 삽입홈(110)에 삽입된 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 저면에 배치된 한 쌍의 전극(32a, 32b)이 점착층에 부착될 수 있다. 다수의 제1 삽입홈(110)에 삽입된 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 중계 기판(400)에 이송될 때 중계 기판(400)을 향해 정렬하는 동안 제1 몰드(100)로부터 분리되지 않을 수 있다.A predetermined adhesive layer may be formed in the plurality of
도 16을 참조하면, 제1 몰드(100)는 중계 기판(400)의 일면에 합착될 수 있다. 이 경우, 제1 몰드(100)는 일정한 압력으로 중계 기판(400) 측으로 가압될 수 있다.Referring to FIG. 16 , the
이에 따라, 제1 몰드(100)에 배열된 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 발광면(31a)이 중계 기판(400)의 일면에 형성된 점착층(410)에 부착될 수 있다.Accordingly, the plurality of first
도 17을 참조하면, 제1 몰드(100)는 중계 기판(400)으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIG. 17 , the
중계 기판(400)의 점착층(410)은 제1 몰드(100)의 다수의 제1 삽입홈(110)에 형성된 점착층보다 더 강한 점착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 제1 몰드(100)로부터 중계 기판(400)으로 이송될 수 있다.The
도 18은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 중계 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이고, 도 19는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드로부터 다수의 제2 발광 다이오드를 중계 기판에 이송하기 위해 제2 몰드를 중계 기판에 밀착시킨 예를 나타낸 도면이고, 도 20은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드에 의해 중계 기판에 다수의 제2 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.18 is a diagram illustrating an example of arranging a second mold according to an embodiment of the present disclosure on a relay board, and FIG. 19 is a view showing a plurality of second light emitting diodes from the second mold according to an embodiment of the present disclosure. 20 shows an example in which a plurality of second light emitting diodes are transferred to the relay substrate by the second mold according to an embodiment of the present disclosure. it is a drawing
도 18을 참조하면, 제2 몰드(200)는 중계 기판(400)의 미리 설정된 위치로 다수의 제2 발광 다이오드(33)를 이송하기 위해, 중계 기판(400)의 상측에 간격을 두고 배치되고 중계 기판(400)과 정렬될 수 있다. 이때, 제2 몰드(200)에 배열된 다수의 제2 발광 다이오드(33)는 발광면(33a)이 중계 기판(400)을 향할 수 있다.Referring to FIG. 18 , the
제2 몰드(200)의 다수의 제2 삽입홈(220)에는 소정의 점착층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 다수의 제2 삽입홈(220)에 삽입된 다수의 제2 발광 다이오드(33)는 저면에 배치된 한 쌍의 전극(34a, 34b)이 점착층에 부착될 수 있다. 다수의 제2 삽입홈(220)에 삽입된 다수의 제2 발광 다이오드(33)는 중계 기판(400)에 이송될 때 중계 기판(400)을 향해 정렬하는 동안 제2 몰드(200)로부터 분리되지 않을 수 있다.A predetermined adhesive layer may be formed in the plurality of
도 19를 참조하면, 제2 몰드(200)는 중계 기판(400)의 일면에 합착될 수 있다. Referring to FIG. 19 , the
중계 기판(400)에 먼저 이송된 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 제2 몰드(200)의 다수의 제1 보조 삽입홈(210)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 제2 몰드(200)에 배열된 다수의 제2 발광 다이오드(33)를 중계 기판(400)에 이송 시 중계 기판(400)에 먼저 이송된 다수의 제1 발광 다이오드(31)가 제2 몰드(200)에 간섭되지 않을 수 있다.The plurality of first
제2 몰드(200)는 일정한 압력으로 중계 기판(400) 측으로 가압될 수 있다. 이에 따라, 제2 몰드(200)에 배열된 다수의 제2 발광 다이오드(33)는 발광면(33a)이 중계 기판(400)의 일면에 형성된 점착층(410)에 부착될 수 있다. The
도 20을 참조하면, 제2 몰드(200)는 중계 기판(400)으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIG. 20 , the
중계 기판(400)의 점착층(410)은 제2 몰드(200)의 다수의 제2 삽입홈(220)에 형성된 점착층보다 더 강한 점착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 다수의 제2 발광 다이오드(33)는 제2 몰드(200)로부터 중계 기판(400)으로 이송될 수 있다.The
이에 따라, 중계 기판(400)에는 다수의 제1 발광 다이오드(31)와 다수의 제2 발광 다이오드(33)가 격자 배열될 수 있다.Accordingly, the plurality of first
도 21은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드를 중계 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이고, 도 22는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드로부터 다수의 제3 발광 다이오드를 중계 기판에 이송하기 위해 제3 몰드를 중계 기판에 밀착시킨 예를 나타낸 도면이고, 도 23은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드에 의해 중계 기판에 다수의 제3 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.21 is a view showing an example in which a third mold according to an embodiment of the present disclosure is aligned on a relay board, and FIG. 22 is a view showing a plurality of third light emitting diodes from the third mold according to an embodiment of the present disclosure. 23 shows an example in which a plurality of third light emitting diodes are transferred to the relay substrate by the second mold according to an embodiment of the present disclosure. it is a drawing
도 21을 참조하면, 제3 몰드(300)는 중계 기판(400)의 미리 설정된 위치로 다수의 제3 발광 다이오드(35)를 이송하기 위해, 중계 기판(400)의 상측에 간격을 두고 배치되고 중계 기판(400)과 정렬될 수 있다. 이때, 제3 몰드(300)에 배열된 다수의 제3 발광 다이오드(35)는 발광면(35a)이 중계 기판(400)을 향할 수 있다.Referring to FIG. 21 , the
제3 몰드(300)의 다수의 제3 삽입홈(330)에는 소정의 점착층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 다수의 제3 삽입홈(330)에 삽입된 다수의 제3 발광 다이오드(35)는 저면에 배치된 한 쌍의 전극(36a, 36b)이 점착층에 부착될 수 있다. 다수의 제3 삽입홈(330)에 삽입된 다수의 제3 발광 다이오드(35)는 중계 기판(400)에 이송될 때 중계 기판(400)을 향해 정렬하는 동안 제3 몰드(300)로부터 분리되지 않을 수 있다.A predetermined adhesive layer may be formed in the plurality of
도 22를 참조하면, 제3 몰드(300)는 중계 기판(400)의 일면에 합착될 수 있다. Referring to FIG. 22 , the
중계 기판(400)에 먼저 이송된 다수의 제1 발광 다이오드(31)는 제3 몰드(200)의 다수의 제2 보조 삽입홈(310)에 삽입될 수 있고, 다수의 제2 발광 다이오드(33)는 제3 몰드(200)의 다수의 제3 보조 삽입홈(320)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 제3 몰드(300)에 배열된 다수의 제3 발광 다이오드(35)를 중계 기판(400)에 이송 시 중계 기판(400)에 먼저 이송된 다수의 제1 발광 다이오드(31) 및 다수의 제2 발광 다이오드(33)가 제3 몰드(300)에 간섭되지 않을 수 있다.The plurality of first
제3 몰드(300)는 일정한 압력으로 중계 기판(400) 측으로 가압될 수 있다. 이에 따라, 제3 몰드(300)에 배열된 다수의 제3 발광 다이오드(35)는 발광면(35a)이 중계 기판(400)의 일면에 형성된 점착층(410)에 부착될 수 있다. The
도 22를 참조하면, 제3 몰드(300)는 중계 기판(400)으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIG. 22 , the
중계 기판(400)의 점착층(410)은 제3 몰드(300)의 다수의 제3 삽입홈(330)에 형성된 점착층보다 더 강한 점착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 다수의 제3 발광 다이오드(35)는 제3 몰드(300)로부터 중계 기판(400)으로 이송될 수 있다.The
이에 따라, 중계 기판(400)에는 다수의 제1 발광 다이오드(31), 다수의 제2 발광 다이오드(33), 및 다수의 제3 발광 다이오드(35)가 격자 배열될 수 있다.Accordingly, a plurality of first
도 24는 본 개시의 일 실시 예에 따른 중계 기판을 TFT 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이고, 도 25는 본 개시의 일 실시 예에 따른 중계 기판을 TFT 기판에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이고, 도 26은 본 개시의 일 실시 예에 따른 중계 기판으로부터 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드가 TFT 기판에 전사된 예를 나타낸 도면이고, 도 27은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 발광 다이오드가 TFT 기판에 실장된 예를 나타낸 단면도이다.24 is a diagram showing an example of aligning a relay substrate to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 25 is a diagram illustrating an example of thermally compressing a relay substrate to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure. 26 is a diagram illustrating an example in which a plurality of first to third light emitting diodes are transferred to a TFT substrate from a relay substrate according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 27 is a view showing a first light emitting diode according to an embodiment of the present disclosure. It is a cross-sectional view showing an example in which a diode is mounted on a TFT substrate.
본 개시에서는, 중계 기판(400)에 배열된 다수의 제1 발광 다이오드(31), 다수의 제2 발광 다이오드(33), 및 다수의 제3 발광 다이오드(35)를 TFT 기판(20)으로 전사할 수 있다(도 5의 505).In the present disclosure, the plurality of first
도 24를 참조하면, 중계 기판(400)은 TFT 기판(20)의 미리 설정된 위치로 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)를 이송하기 위해, TFT 기판(20)의 상측에 간격을 두고 배치되고 TFT 기판(20)과 정렬될 수 있다. 이때, 중계 기판(400)에 배열된 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 발광면(31a, 33a, 35a)이 TFT 기판(20)을 향할 수 있다.Referring to FIG. 24 , the
중계 기판(400)을 향하는 TFT 기판(20)의 일면에는 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 전극들(32a, 32b, 34a, 34b, 36a, 36b)에 대응하는 전극 패드들(22a, 22b, 24a, 24b, 26a, 26b)가 배열될 수 있다.On one surface of the
중계 기판(400)의 일면에는 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 견고하게 실장될 수 있도록 접착층(예를 들면, ACF(anisotropic conductive film), ACP(anisotropic conductive paste), NCF(non-conductive film), NCP0(non-conductive paste) 등)이 적층될 수 있다. 이 경우, 전극 패드들(22a, 22b, 24a, 24b, 26a, 26b)은 접착층에 의해 덮일 수 있다.On one surface of the
도 25를 참조하면, 중계 기판(400)은 가압 부재에 의해 TFT 기판(20)에 열 압착될 수 있다.Referring to FIG. 25 , the
다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 전극들(32a, 32b, 34a, 34b, 36a, 36b)은 이에 대응하는 TFT 기판(20)의 전극 패드들(22a, 22b, 24a, 24b, 26a, 26b)에 본딩될 수 있다.The
도 26을 참조하면, 중계 기판(400)은 TFT 기판(20)으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIG. 26 , the
다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 전극들(32a, 32b, 34a, 34b, 36a, 36b)은 이에 대응하는 TFT 기판(20)의 전극 패드들(22a, 22b, 24a, 24b, 26a, 26b)에 본딩됨에 따라, 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 중계 기판(400)으로부터 용이하게 분리될 수 있다.The
이와 같은 공정을 거쳐 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)는 중계 기판(400)으로부터 TFT 기판(20)으로 전사될 수 있다.Through this process, the plurality of first to third
한편, 전술한 바와 같이 TFT 기판(20)에 전사되는 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 단면이 역사다리꼴일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 단면은 사다리꼴일 수 있다. 이와 같이, 제1 내지 제3 발광 다이오드(31, 33, 35)의 단면은 사다리꼴인 경우, 디스플레이 모듈의 제조 방법은 중계 기판(400)을 이용하는 공정을 생략할 수 있으며, 이하에서 상세하게 설명한다.Meanwhile, as described above, cross sections of the first to third
도 27은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 발광 다이오드가 TFT 기판에 실장된 예를 나타낸 단면도이다.27 is a cross-sectional view illustrating an example in which a first light emitting diode is mounted on a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure.
도 27을 참조하면, TFT 기판(20') 기판에 실장된 제1 발광 다이오드(31')는 발광면(31a')이 전술한 제1 발광 다이오드(31)의 발광면(31a)의 형상과 유사할 수 있다. 예를 들면, 제1 발광 다이오드(31')의 발광면(31a')은 좌우가 대칭인 사다리꼴 또는 좌우가 비대칭인 사다리꼴일 수 있다.Referring to FIG. 27, the first light emitting diode 31' mounted on the TFT substrate 20' has a shape similar to that of the
제1 발광 다이오드(31')의 발광면(31a')의 사이즈가 저면의 사이즈보다 작은 경우, 제1 발광 다이오드(31')의 4개의 측면은 경사지게 배치될 수 있다.When the size of the
예를 들면, 제1 발광 다이오드(31')의 제1 및 제2 측면(31b', 31c')은 제1 발광 다이오드(31')의 상측으로부터 하측으로 경사지게 배치될 수 있다. 제1 발광 다이오드(31')의 제1 측면(31b')은 발광면(31a')에 대하여 제3 각도(B3)로 경사지고, 제1 발광 다이오드(31')의 제2 측면(31c')은 발광면(31a')에 대하여 제4 각도(B4)로 경사질 수 있다. 이 경우, 제3 각도(B1)와 제4 각도(B2)는 모두 둔각이며, 실질적으로 동일한 각도일 수 있다.For example, the first and second side surfaces 31b' and 31c' of the first light emitting diode 31' may be inclined from the upper side to the lower side of the first light emitting diode 31'. The
도면에 도시하지는 않았으나, 제1 발광 다이오드(31')의 제3 및 제4 측면은 제1 및 제2 측면(31b', 31c')과 유사하게 발광면(31a')에 대하여 둔각을 이룰 수 있다.Although not shown in the drawings, the third and fourth side surfaces of the first light emitting diode 31' may form an obtuse angle with respect to the
제1 발광 다이오드(31')의 저면은 평면으로 직사각 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 무기 발광 소자(31')의 저면은 정사각 형상 또는 사다리꼴 형상 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. The bottom surface of the first light emitting diode 31' may have a rectangular shape in plan, but is not limited thereto. For example, the bottom surface of the inorganic light emitting element 31' may be formed in various shapes such as a square shape or a trapezoidal shape.
제1 발광 다이오드(31')의 저면은 발광면(31a')보다 더 넓을 수 있다. 이에 따라, 제1 발광 다이오드(31')의 단면은 사다리꼴일 수 있다.The bottom surface of the first light emitting diode 31' may be wider than the
제1 발광 다이오드(31')의 저면에는 한 쌍의 전극(32a', 32b')이 간격을 두고 배치될 수 있다. 한 쌍의 전극(32a', 32b')은 TFT 기판(20')의 한 쌍의 제1 전극 패드(22a', 22b')에 각각 접속될 수 있다.A pair of
제1 발광 다이오드(31')는 에피 기판(미도시)에서 성장한 제1 반도체층(S1'), 제2 반도체층(S2'), 제1 반도체층(S1')과 제2 반도체층(S2') 사이에 배치된 활성층(A')을 포함할 수 있다.The first light emitting diode 31' includes a first semiconductor layer S1', a second semiconductor layer S2', a first semiconductor layer S1', and a second semiconductor layer S2 grown on an epitaxial substrate (not shown). ') may include an active layer (A') disposed between them.
제2 발광 다이오드(33')와 제3 발광 다이오드(35')는 제1 발광 다이오드(31')와 구조가 유사하게 이루어질 수 있다. 제2 발광 다이오드(33')의 측면들과 제3 발광 다이오드(35')의 측면들은 제1 발광 다이오드(31')의 측면들과 유사하게 경사지도록 형성될 수 있다.The second light emitting diode 33' and the third light emitting diode 35' may have structures similar to those of the first light emitting diode 31'. The side surfaces of the second light emitting diode 33' and the side surfaces of the third light emitting diode 35' may be inclined similarly to the side surfaces of the first light emitting diode 31'.
이하, 단면이 사다리꼴인 제1 내지 제3 발광 다이오드(31', 33', 35')를 적용하는 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device using the first to third light emitting diodes 31', 33', and 35' having trapezoidal cross sections will be described.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 하기와 같은 개략적인 공정을 거칠 수 있다. 예를 들면, 다수의 발광 다이오드를 유체자가조립 방식으로 색상 별(청색, 녹색, 적색) 몰드에 각각 배열할 수 있다. 색상 별 몰드들로부터 순차적으로 TFT 기판으로 다수의 발광 다이오드를 이송할 수 있다. 이 경우, 중계 기판을 이용하는 공정을 생략할 수 있다.A manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present disclosure may go through the following schematic processes. For example, a plurality of light emitting diodes may be respectively arranged in a mold for each color (blue, green, red) in a fluid self-assembly method. A plurality of light emitting diodes may be sequentially transferred from the molds for each color to the TFT substrate. In this case, the process of using a relay substrate can be omitted.
도 28은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 29는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드의 삽입홈에 제1 발광 다이오드가 삽입된 예를 나타낸 단면도이다.28 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating an example in which a first light emitting diode is inserted into an insertion groove of a first mold according to an embodiment of the present disclosure. am.
본 개시에서는, 청색 파장 계열을 광을 방출하는 다수의 제1 발광 다이오드(31)를 유체자가조립 방식으로 제1 몰드(100)에 배열할 수 있다(도 28의 2801).In the present disclosure, a plurality of first
도 29를 참조하면, 제1 몰드(100')는 전술한 제1 몰드(100, 도 6 및 7 참조)와 실질적으로 동일한 구조일 수 있다. 예를 들면, 제1 몰드(100')의 제1 삽입홈(110')의 측면들(111', 113')은 경사지게 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 몰드(100')의 제1 삽입홈(110')의 단면은 개구 측으로부터 바닥 측으로 갈수록 점차 폭이 좁아질 수 있다.Referring to FIG. 29 , the first mold 100' may have substantially the same structure as the first mold 100 (see FIGS. 6 and 7) described above. For example, the side surfaces 111' and 113' of the first insertion groove 110' of the first mold 100' may be inclined. In this case, the cross section of the first insertion groove 110' of the first mold 100' may gradually become narrower from the opening side to the bottom side.
제1 몰드(100')의 제1 삽입홈(110')의 형상을 제1 발광 다이오드(31')의 형상과 유사하게 형성함에 따라, 유체자가조립 시 제1 발광 다이오드(31')가 일정한 방향으로 제1 몰드(100')의 제1 삽입홈(110')에 용이하게 삽입될 수 있다. 이 경우, 제1 발광 다이오드(31')는 발광면(31a')이 제1 몰드(100')의 제1 삽입홈(110')의 바닥에 안착될 수 있다.As the shape of the first insertion groove 110' of the first mold 100' is formed to be similar to that of the first light emitting diode 31', the first light emitting diode 31' is constant during fluid self-assembly. direction, it can be easily inserted into the first insertion groove 110' of the first mold 100'. In this case, the
본 개시에서는, 녹색 파장 계열을 광을 방출하는 다수의 제2 발광 다이오드를 유체자가조립 방식으로 제2 몰드에 배열할 수 있다(도 28의 2802).In the present disclosure, a plurality of second light emitting diodes emitting green wavelength light may be arranged in the second mold in a fluid self-assembly method ( 2802 in FIG. 28 ).
본 개시에서는, 적색 파장 계열을 광을 방출하는 다수의 제3 발광 다이오드를 유체자가조립 방식으로 제3 몰드에 배열할 수 있다(도 28의 2803).In the present disclosure, a plurality of third light emitting diodes emitting light of a red wavelength series may be arranged in a third mold in a fluid self-assembly method ( 2803 in FIG. 28 ).
도 30은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 TFT 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이고, 도 31은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드를 TFT 기판에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이고, 도 32는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제1 몰드에 의해 TFT 기판에 다수의 제1 발광 다이오드가 이송된 예를 나타낸 도면이다.30 is a view showing an example of aligning a first mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 31 illustrates an example of thermally compressing the first mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 32 is a diagram illustrating an example in which a plurality of first light emitting diodes are transferred to a TFT substrate by a first mold according to an embodiment of the present disclosure.
본 개에서는, 제1 내지 제3 몰드에 각각 배열된 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31', 33', 35')를 TFT 기판(20')으로 순차적으로 전사한다(도 28의 2804).In this case, the plurality of first to third light emitting diodes 31', 33', and 35' arranged in the first to third molds are sequentially transferred to the TFT substrate 20' (2804 in FIG. 28). ).
도 30을 참조하면, 제1 몰드(100')는 TFT 기판(20')의 미리 설정된 위치로 다수의 제1 발광 다이오드(31')를 이송하기 위해, TFT 기판(20')의 상측에 간격을 두고 배치되고 TFT 기판(20')과 정렬될 수 있다. 이때, 제1 몰드(100')에 배열된 다수의 제1 발광 다이오드(31')는 전극(32a')이 TFT 기판(20')을 향할 수 있다.Referring to FIG. 30 , the first mold 100' is spaced on the upper side of the TFT substrate 20' to transfer the plurality of first light emitting diodes 31' to a preset position on the
도 31을 참조하면, 제1 몰드(100')는 가압 부재에 의해 TFT 기판(20')에 열 압착될 수 있다. 이에 따라, 다수의 제1 발광 다이오드(31')의 전극(32a')은 각각 대응하는 TFT 기판(20')의 전극 패드(22a')에 본딩될 수 있다. 제1 발광 다이오드(31')의 전극은 한 쌍(애노드 전극 및 캐소드 전극)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 31 , the first mold 100' may be thermally compressed to the TFT substrate 20' by a pressing member. Accordingly, the
도 32를 참조하면, 제1 몰드(100')는 TFT 기판(20')으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIG. 32 , the first mold 100' may be separated from the TFT substrate 20'.
다수의 제1 발광 다이오드(31')의 전극은 이에 대응하는 TFT 기판(20')의 전극 패드에 본딩됨에 따라, 다수의 제1 발광 다이오드(31')는 제1 몰드(100')로부터 용이하게 분리될 수 있다.As the electrodes of the plurality of first light emitting diodes 31' are bonded to the corresponding electrode pads of the TFT substrate 20', the plurality of first light emitting diodes 31' are easily removed from the first mold 100'. can be separated.
이와 같은 공정을 거쳐 다수의 제1 발광 다이오드(31')는 제1 몰드(100')으로부터 TFT 기판(20')으로 전사될 수 있다.Through this process, the plurality of first light emitting diodes 31' can be transferred from the first mold 100' to the TFT substrate 20'.
도 33은 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 TFT 기판에 정렬한 예를 나타낸 도면이고, 도 34는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제2 몰드를 TFT 기판에 열 압착하는 예를 나타낸 도면이다.33 is a view showing an example of aligning a second mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 34 illustrates an example of thermally compressing a second mold to a TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure. it is a drawing
도 33을 참조하면, 제2 몰드(200')는 TFT 기판(20')의 미리 설정된 위치로 다수의 제2 발광 다이오드(33')를 이송하기 위해, TFT 기판(20')의 상측에 간격을 두고 배치되고 TFT 기판(20')과 정렬될 수 있다. 이때, 제2 몰드(200')에 배열된 다수의 제2 발광 다이오드(33')는 전극(34a')이 TFT 기판(20')을 향할 수 있다.Referring to FIG. 33, a second mold 200' is spaced on the upper side of the TFT substrate 20' to transfer a plurality of second light emitting diodes 33' to a preset position on the
도 34를 참조하면, 제2 몰드(200')는 가압 부재에 의해 TFT 기판(20')에 열 압착될 수 있다. TFT 기판(20')에 먼저 전사된 다수의 제1 발광 다이오드(31')는 제2 몰드(200')의 다수의 제1 보조 삽입홈(210')에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 제2 몰드(200')에 배열된 다수의 제2 발광 다이오드(33')를 TFT 기판(20')에 이송 시 TFT 기판(20')에 먼저 이송된 다수의 제1 발광 다이오드(31')가 제2 몰드(200')에 간섭되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 34 , the second mold 200' may be thermally compressed to the TFT substrate 20' by a pressing member. The plurality of first light emitting diodes 31' first transferred to the TFT substrate 20' may be inserted into the plurality of first auxiliary insertion grooves 210' of the second mold 200'. Accordingly, when transferring the plurality of second light emitting diodes 33' arranged in the second mold 200' to the TFT substrate 20', the plurality of first light emitting diodes first transferred to the TFT substrate 20' ( 31') may not interfere with the second mold 200'.
열 압착에 의해 다수의 제2 발광 다이오드(33')의 전극(34a')은 각각 대응하는 TFT 기판(20')의 전극 패드(24a')에 본딩될 수 있다. 제2 발광 다이오드(33')의 전극은 한 쌍(애노드 전극 및 캐소드 전극)을 구비할 수 있다.The
제2 몰딩(200')을 TFT 기판(20')으로부터 분리시킨 후, 제3 몰딩에 배열된 다수의 제3 발광 다이오드(35')를 TFT 기판(20')에 전사할 수 있다. 제3 몰딩으로부터 다수의 제3 발광 다이오드(35')를 TFT 기판(20')에 전사하는 공정에 대한 설명은 생략한다.After the second molding 200' is separated from the TFT substrate 20', a plurality of third light emitting diodes 35' arranged on the third molding may be transferred to the TFT substrate 20'. A description of the process of transferring the plurality of third light emitting diodes 35' from the third molding to the TFT substrate 20' will be omitted.
도 35는 본 개시의 일 실시 예에 따른 제3 몰드에 의해 TFT 기판에 다수의 제3 발광 다이오드가 전사된 예를 나타낸 도면이다.35 is a diagram illustrating an example in which a plurality of third light emitting diodes are transferred to a TFT substrate by a third mold according to an embodiment of the present disclosure.
도 35를 참조하면, TFT 기판(20')에는 제1 몰딩(100'), 제2 몰딩(200') 및 제3 몰딩으로부터 순차적으로 전사된 다수의 제1 내지 제3 발광 다이오드(31', 33', 35')가 배열될 수 있다.Referring to FIG. 35, a plurality of first to third light emitting diodes 31' sequentially transferred from the first molding 100', the second molding 200', and the third molding are formed on the
이와 같이, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 방법은 단면이 사다리꼴인 제1 내지 제3 발광 다이오드(31', 33', 35')를 적용하는 경우 중간 기판을 사용하지 않고 제1 내지 제3 몰드로부터 직접 TFT 기판(20')으로 제1 내지 제3 발광 다이오드(31', 33', 35')를 전사할 수 있다.As such, in the method of manufacturing a display module according to an embodiment of the present disclosure, when the first to third light emitting diodes 31', 33', and 35' having trapezoidal cross sections are applied, the first to third light emitting diodes 31', 33', and 35' are applied without using an intermediate substrate. The first to third light emitting diodes 31', 33', and 35' may be directly transferred from the to third molds to the TFT substrate 20'.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 본 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해돼서는 안될 것이다.Although the above has been shown and described with respect to preferred embodiments of the present disclosure, the present disclosure is not limited to the specific embodiments described above, and is commonly used in the technical field belonging to the present disclosure without departing from the gist of the present disclosure claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present disclosure.
20: TFT 패널
31, 33, 35: 발광 다이오드
100: 제1 몰드
110: 제1 삽입홈
200: 제2 몰드
210: 제1 보조 삽입홈
220: 제2 삽입홈
300: 제3 몰드
310: 제2 보조 삽입홈
320: 제3 보조 삽입홈
330: 제3 삽입홈
400: 중계 기판20: TFT panel
31, 33, 35: light emitting diode
100: first mold
110: first insertion groove
200: second mold
210: first auxiliary insertion groove
220: second insertion groove
300: third mold
310: second auxiliary insertion groove
320: third auxiliary insertion groove
330: third insertion groove
400: relay board
Claims (19)
다수의 TFT(thin film transistor)가 배열된 기판; 및
상기 다수의 TFT에 전기적으로 연결된 다수의 픽셀;을 포함하고,
각 픽셀은 서로 다른 사이즈를 가지는 제1 발광 다이오드, 제2 발광 다이오드, 및 제3 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 모듈. In the display module,
a substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are arranged; and
A plurality of pixels electrically connected to the plurality of TFTs;
Each pixel includes a first light emitting diode, a second light emitting diode, and a third light emitting diode having different sizes.
상기 제2 무기 발과 다이오드의 사이즈는 상기 제1 발광 다이오드의 사이즈보다 크고,
상기 제3 발광 다이오드의 사이즈는 상기 제2 무기발광 다이오드의 사이즈보다 큰 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The size of the second inorganic foot and the diode is larger than the size of the first light emitting diode,
The size of the third light emitting diode is larger than the size of the second inorganic light emitting diode display module.
상기 제1 발광 다이오드는 청색 파장 대역의 광을 방출하고,
상기 제2 발광 다이오드는 녹색 파장 대역의 광을 방출하고,
상기 제3 발광 다이오드는 적색 파장 대역의 광을 방출하는 디스플레이 모듈.According to claim 2,
The first light emitting diode emits light in a blue wavelength band,
The second light emitting diode emits light in a green wavelength band,
The third light emitting diode is a display module that emits light in a red wavelength band.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 발광면이 사다리꼴 형상을 가지는 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The display module of claim 1 , wherein each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode has a trapezoidal light emitting surface.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 측면들이 경사지게 형성된 디스플레이 모듈. According to claim 4,
The display module of claim 1 , wherein side surfaces of each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode are formed to be inclined.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 발광면으로부터 상기 발광면의 반대면으로 갈수록 점차 좁아지는 단면을 가지는 디스플레이 모듈.According to claim 5,
The display module of claim 1 , wherein each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode has a cross section gradually narrowing from a light emitting surface to a surface opposite to the light emitting surface.
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드 각각은, 발광면으로부터 상기 발광면의 반대면으로 갈수록 점차 넓어지는 단면을 가지는 디스플레이 모듈.According to claim 5,
The display module of claim 1 , wherein each of the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode has a cross section gradually widening from a light emitting surface to a surface opposite to the light emitting surface.
다수의 제1 발광 다이오드가 삽입되는 제1 사이즈를 가지는 다수의 제1 삽입홈이 격자 배열된 제1 몰드;
상기 다수의 제1 사이즈에 대응하는 다수의 제2 발광 다이오드가 삽입되는 상기 제1 사이즈보다 큰 제2 사이즈를 가지는 다수의 제2 삽입홈이 격자 배열된 제2 몰드; 및
다수의 제3 발광 다이오드가 삽입되는 상기 제2 사이즈보다 큰 제3 사이즈를 가지는 다수의 제3 삽입홈이 격자 배열된 제3 몰드;를 포함하고,
상기 제2 몰드는 상기 제1 사이즈에 해당하는 다수의 추가 제1 삽입홈이 격자 배열되고,
상기 제3 몰드는 상기 제1 사이즈에 해당하는 다수의 추가 제2 삽입홈이 격자 배열되고, 상기 제2 사이즈에 해당하는 다수의 추가 제3 삽입홈이 격자 배열되는 몰드 장치.In the mold apparatus for manufacturing a display module,
A first mold in which a plurality of first insertion grooves having a first size into which a plurality of first light emitting diodes are inserted are arranged in a grid;
a second mold in which a plurality of second insertion grooves having a second size larger than the first size into which a plurality of second light emitting diodes corresponding to the plurality of first sizes are inserted are arranged in a grid; and
A third mold in which a plurality of third insertion grooves having a third size larger than the second size into which a plurality of third light emitting diodes are inserted are arranged in a grid,
In the second mold, a plurality of additional first insertion grooves corresponding to the first size are arranged in a grid,
The third mold has a plurality of additional second insertion grooves corresponding to the first size in a grid arrangement, and a plurality of additional third insertion grooves corresponding to the second size in a grid arrangement.
상기 제2 몰드의 상기 다수의 추가 제1 삽입홈은 상기 제1 몰드의 상기 제1 삽입홈에 대응하는 위치에 배치되고,
상기 제3 몰드의 상기 다수의 추가 제2 삽입홈은 상기 제1 몰드의 상기 제1 삽입홈에 대응하는 위치에 배치되고,
상기 제3 몰드의 상기 다수의 추가 제3 삽입홈은 상기 제2 몰드의 상기 제2 삽입홈에 대응하는 위치에 배치되는 몰드 장치.According to claim 8,
The plurality of additional first insertion grooves of the second mold are disposed at positions corresponding to the first insertion grooves of the first mold;
The plurality of additional second insertion grooves of the third mold are disposed at positions corresponding to the first insertion grooves of the first mold;
The plurality of additional third insertion grooves of the third mold are disposed at positions corresponding to the second insertion grooves of the second mold.
상기 제1 사이즈는 상기 다수의 제1 발광 다이오드의 사이즈보다 크거나 같고,
상기 제2 사이즈는 상기 다수의 제2 발광 다이오드의 사이즈보다 크거나 같고,
상기 제3 사이즈는 상기 다수의 제3 발광 다이오드의 사이즈보다 크거나 같은 몰드 장치.According to claim 8,
The first size is greater than or equal to the size of the plurality of first light emitting diodes,
The second size is greater than or equal to the size of the plurality of second light emitting diodes,
The third size is greater than or equal to the size of the plurality of third light emitting diodes.
상기 다수의 제1 삽입홈, 상기 다수의 제2 삽입홈, 상기 다수의 제3 삽입홈, 상기 다수의 추가 제1 삽입홈, 상기 다수의 추가 제2 삽입홈, 및 상기 다수의 추가 제3 삽입홈은 사다리꼴인 몰드 장치.According to claim 8,
The plurality of first insertion grooves, the plurality of second insertion grooves, the plurality of third insertion grooves, the plurality of additional first insertion grooves, the plurality of additional second insertion grooves, and the plurality of additional third insertion grooves A molded device in which the groove is trapezoidal.
상기 다수의 제1 삽입홈, 상기 다수의 제2 삽입홈, 상기 다수의 제3 삽입홈 각각은, 측면들이 경사진 몰드 장치.According to claim 11,
Wherein each of the plurality of first insertion grooves, the plurality of second insertion grooves, and the plurality of third insertion grooves has inclined side surfaces.
상기 다수의 제1 삽입홈, 상기 다수의 제2 삽입홈, 상기 다수의 제3 삽입홈 각각은, 단면이 개구 측에서 바닥 측으로 갈수록 점차 좁아지는 몰드 장치.According to claim 12,
The plurality of first insertion grooves, the plurality of second insertion grooves, and the plurality of third insertion grooves, each of which has a cross section gradually narrowing from the opening side to the bottom side.
제1 몰드에 다수의 제1 발광 다이오드를 배열하는 단계;
제2 몰드에 다수의 제2 발광 다이오드를 배열하는 단계;
제3 몰드에 다수의 제3 발광 다이오드를 배열하는 단계;
상기 제1 몰드, 상기 제2 몰드, 및 상기 제3 몰드로부터 중계 기판에 각각 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 이송하는 단계; 및
상기 중계 기판으로부터 TFT(thin film transistor) 기판에 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 순차적으로 전사하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 발광 다이오드를 유체 자가 조립(fluidic self-assembly) 방식으로 상기 제1 몰드의 다수의 제1 삽입홈, 상기 제2 몰드의 다수의 제2 삽입홈, 및 상기 제3 몰드의 다수의 제3 삽입홈에 각각 삽입하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.In the display manufacturing method,
arranging a plurality of first light emitting diodes in a first mold;
arranging a plurality of second light emitting diodes in a second mold;
arranging a plurality of third light emitting diodes in a third mold;
transferring the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes, respectively, from the first mold, the second mold, and the third mold to a relay substrate; and
Sequentially transferring the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes from the relay substrate to a thin film transistor (TFT) substrate,
The first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of light emitting diodes are assembled into a plurality of first insertion grooves of the first mold and a plurality of second molds in a fluidic self-assembly method. A method of manufacturing a display module that is inserted into the second insertion groove of the second insertion groove and the plurality of third insertion grooves of the third mold, respectively.
서로 상이한 사이즈를 가지는 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 사용하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.According to claim 14,
A method of manufacturing a display module using the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes having different sizes.
사다리꼴 형상을 가지는 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 사용하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.According to claim 15,
A method of manufacturing a display module using the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes having a trapezoidal shape.
제1 몰드에 다수의 제1 발광 다이오드를 배열하는 단계;
제2 몰드에 다수의 제2 발광 다이오드를 배열하는 단계;
제3 몰드에 다수의 제3 발광 다이오드를 배열하는 단계; 및
상기 제1 몰드, 상기 제2 몰드, 및 상기 제3 몰드로부터 TFT(thin film transistor) 기판에 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 순차적으로 전사하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 발광 다이오드를 유체 자가 조립(fluidic self-assembly) 방식으로 상기 제1 몰드의 다수의 제1 삽입홈, 상기 제2 몰드의 다수의 제2 삽입홈, 및 상기 제3 몰드의 다수의 제3 삽입홈에 각각 삽입하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.In the display manufacturing method,
arranging a plurality of first light emitting diodes in a first mold;
arranging a plurality of second light emitting diodes in a second mold;
arranging a plurality of third light emitting diodes in a third mold; and
The plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes are sequentially applied to a thin film transistor (TFT) substrate from the first mold, the second mold, and the third mold. Including; transcribing to
The first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of light emitting diodes are assembled into a plurality of first insertion grooves of the first mold and a plurality of second molds in a fluidic self-assembly method. A method of manufacturing a display module that is inserted into the second insertion groove of the second insertion groove and the plurality of third insertion grooves of the third mold, respectively.
상기 다수의 제1 발광 다이오드의 사이즈보다 큰 사이즈를 가지는 상기 다수의 제2 발광 다이오드를 사용하고,
상기 다수의 제2 발광 다이오드의 사이즈보다 큰 사이즈를 가지는 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 사용하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.According to claim 17,
Using the plurality of second light emitting diodes having a size larger than the size of the plurality of first light emitting diodes,
A method of manufacturing a display module using the plurality of third light emitting diodes having a size larger than the size of the plurality of second light emitting diodes.
사다리꼴 형상을 가지는 상기 다수의 제1 발광 다이오드, 상기 다수의 제2 발광 다이오드, 및 상기 다수의 제3 발광 다이오드를 사용하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.According to claim 17,
A method of manufacturing a display module using the plurality of first light emitting diodes, the plurality of second light emitting diodes, and the plurality of third light emitting diodes having a trapezoidal shape.
Priority Applications (2)
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