KR20230127633A - Digitizer Panel with Integral Shield Layer and Display Including the Same - Google Patents

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KR20230127633A
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오근태
최병진
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널은 기재층 및 기재층 상면에 전극층을 포함하는 디지타이저와 기재층 하면에 증착 형성된 차폐층을 구비한다.A digitizer panel having an integrated shielding layer includes a digitizer including a substrate layer and an electrode layer on an upper surface of the substrate layer and a shielding layer deposited on a lower surface of the substrate layer.

Description

일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널 및 이를 갖는 화상 표시 장치{Digitizer Panel with Integral Shield Layer and Display Including the Same}Digitizer panel with integral shielding layer and image display device having the same

본 발명은 디지타이저 패널에 관한 것으로, 상세하게는 차폐층을 일체로 구성하여 굴곡 특성을 향상시키고 제조 비용을 낮출 수 있는 디지타이저 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a digitizer panel, and more particularly, to a digitizer panel capable of improving bending characteristics and reducing manufacturing cost by integrally configuring a shielding layer.

화상 표시 장치(Display)는 사용자가 손가락이나 전자 펜을 이용하여 직접 화면을 터치하여 입력하는 터치 입력방식을 대부분 적용하고 있다.Most image display devices (Display) apply a touch input method in which a user directly touches and inputs a screen using a finger or an electronic pen.

터치 입력 방식은 사용자가 화면의 특정 위치를 직접 터치하여 입력할 수 있어 직관적이고 편리한 사용자 인터페이스를 제공할 수 있다. 특히, 펜을 이용한 터치 입력 방식은 손가락을 이용한 터치 입력보다 정밀한 좌표를 지정할 수 있어 캐드와 같은 그래픽 작업 등에 적합하다.In the touch input method, a user can input by directly touching a specific location on the screen, thereby providing an intuitive and convenient user interface. In particular, a touch input method using a pen can designate more precise coordinates than a touch input method using a finger, so it is suitable for graphic work such as CAD.

디지타이저는 펜의 좌표를 디지털 데이터로 바꾸어 입력하는 장치를 말하는데, 좌표를 검출하는 방식에 따라 저항막(Resistive) 방식, 정전용량(Capacitive) 방식, 전자기 공진(ElectroMagnetic Resonance, EMR) 방식 등이 있다.A digitizer refers to a device that converts the coordinates of a pen into digital data and inputs them. Depending on the method of detecting the coordinates, there are a resistive method, a capacitive method, and an electromagnetic resonance (EMR) method.

도 1은 종래기술의 디지타이저 패널을 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a prior art digitizer panel.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 디지타이저 패널은 디지타이저(10)와 디지타이저(10)의 후면에 부착되는 부착형 차폐층(20) 등으로 구성하고 있다. 여기서, 디지타이저(10)는 기재층(11), 디지타이저 접착층(12), 하부 전극층(13), 층간 절연층(14), 상부 전극층(15), 패시베이션층(16) 등을 포함하고 있다.As shown in FIG. 1, a conventional digitizer panel is composed of a digitizer 10 and an attachable shielding layer 20 attached to the rear surface of the digitizer 10. Here, the digitizer 10 includes a base layer 11, a digitizer adhesive layer 12, a lower electrode layer 13, an interlayer insulating layer 14, an upper electrode layer 15, a passivation layer 16, and the like.

도 1의 도시와 같이, 종래의 디지타이저 패널은 디지타이저(10)의 후면에 PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 필름과 같은 차폐 접착층(30)을 매개로 플레이트, 필름 등의 형태를 갖는 부착형 차폐층(20)을 부착하여, 전자파를 차폐하고 있는데, 여기서 필름 형태의 부착형 차폐층(20)은 보통 폴리머 재질의 필름에 은, 니켈, 구리 등과 같은 도전 금속의 박막 금속층을 형성한 필름 형태의 차폐층을 사용하고 있다.As shown in FIG. 1, the conventional digitizer panel has a shielding adhesive layer 30 such as a pressure sensitive adhesive (PSA) film on the rear surface of the digitizer 10 as a medium, and an attachable shielding layer (20) in the form of a plate or film. ) is attached to shield electromagnetic waves, where the film-type attachable shielding layer 20 is a film-type shielding layer in which a thin metal layer of conductive metal such as silver, nickel, copper, etc. is formed on a film of ordinary polymer material. are using

한편, 최근의 화상 표시 장치는 접히거나 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 각광받고 있는데, 그 결과 디지타이저 패널도 플렉시블 디스플레이에 적용할 수 있는 유연성, 굴곡성, 내구성 등의 특성이 요구되고 있다.On the other hand, as for recent image display devices, flexible displays that can be folded or bent are in the limelight. As a result, characteristics such as flexibility, bendability, and durability that can be applied to flexible displays are also required for digitizer panels.

그런데, 도 1에 도시한 종래의 디지타이저 패널은 부착형 차폐층(20)을 차폐 접착층(30)을 매개로 디지타이저(10)의 후면에 부착하는 방식하고 취하고 있어, 두께를 줄이는데 한계가 있고, 나아가 폴딩부에서 크랙이 자주 발생하는 등 플렉서블 디스플레이에서 요구하는 유연성, 굴곡성, 내구성의 특성을 충족시키는데 어려움이 있다.By the way, the conventional digitizer panel shown in FIG. 1 takes a method of attaching the attachable shielding layer 20 to the back of the digitizer 10 via the shielding adhesive layer 30, and there is a limit to reducing the thickness, further It is difficult to meet the characteristics of flexibility, bendability, and durability required by flexible displays, such as frequent cracks in the folding portion.

본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플렉서블 디스플레이에서 요구하는 유연성, 굴곡성, 내구성의 특성을 충족시킬 수 있고, 나아가 제조 비용도 낮출 수 있는, 디지타이저 패널을 제공하고자 한다. The present invention is to solve the problems of the prior art, and to provide a digitizer panel that can satisfy the characteristics of flexibility, bendability, and durability required by flexible displays, and further reduce manufacturing costs.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 디지타이저 패널은 디지타이저, 차폐층을 포함할 수 있다.The digitizer panel of the present invention for achieving this object may include a digitizer and a shielding layer.

디지타이저는 기재층 및 기재층 상면에 전극층을 포함할 수 있다.The digitizer may include a substrate layer and an electrode layer on an upper surface of the substrate layer.

차폐층은 기재층 하면에 증착 형성된 차폐층을 포함할 수 있다.The shielding layer may include a shielding layer deposited on the lower surface of the base layer.

본 발명의 디지타이저 패널에서, 기재층 및 차폐층은 폴딩부를 포함할 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the substrate layer and the shielding layer may include a folding portion.

본 발명의 디지타이저 패널에서, 차폐층은 폴딩부에서 감소된 두께를 가질 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the shielding layer may have a reduced thickness at the folding portion.

본 발명의 디지타이저 패널에서, 차폐층은 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 바륨(Ba) 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 포함할 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the shielding layer may include titanium (Ti), iron (Fe), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), barium (Ba), or an alloy of two or more of these. there is.

본 발명의 디지타이저 패널에서, 차폐층은 산소를 더 함유할 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the shielding layer may further contain oxygen.

본 발명의 디지타이저 패널에서, 차폐층은 6 내지 7 g/㎤의 막밀도를 가질 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the shielding layer may have a film density of 6 to 7 g/cm 3 .

본 발명의 디지타이저 패널에서, 차폐층은 0.1 내지 1 %의 내/외측 변형율을 을 가질 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the shielding layer may have an internal/external strain of 0.1% to 1%.

본 발명의 디지타이저 패널에서, 차폐층은 400 내지 800 nm의 두께를 가질 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, the shielding layer may have a thickness of 400 to 800 nm.

본 발명에 따른 화상 표시 장치는 표시 패널과 표시 패널 아래에 배치되는 위에서 설명한 차폐층을 갖는 디지타이저 패널을 포함할 수 있다.An image display device according to the present invention may include a display panel and a digitizer panel having the above-described shielding layer disposed below the display panel.

본 발명에 따른 화상 표시 장치는 리어 커버를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 차폐층을 갖는 디지타이저 패널은 표시 패널과 리어 커버 사이에 배치될 수 있다.The image display device according to the present invention may further include a rear cover. In this case, a digitizer panel having a shielding layer may be disposed between the display panel and the rear cover.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 디지타이저 패널은 차폐층을 디지타이저 후면에 증착(스퍼터링 등)을 통해 일체로 형성함으로써 두께를 최소화할 수 있고, 이를 통해 플렉서블 디스플레이에서 요구하는 유연성, 굴곡성을 크게 개선할 수 있다.The digitizer panel of the present invention having such a configuration can minimize the thickness by integrally forming the shielding layer on the back side of the digitizer through deposition (sputtering, etc.), and through this, flexibility and flexibility required for flexible displays can be greatly improved. .

본 발명의 디지타이저 패널은 차폐층을 디지타이저 후면에 일체형으로 형성함으로써 플렉서블 디스플레이의 굴곡 환경에서 디지타이저의 내구성을 크게 높일 수 있다.In the digitizer panel of the present invention, since the shielding layer is integrally formed on the rear surface of the digitizer, durability of the digitizer can be greatly improved in a curved environment of a flexible display.

또한, 본 발명의 디지타이저 패널은 디지타이저 후면에 증착(스퍼터링 등)을 통해 차폐층을 형성함으로써 두께 조절이 자유롭고, 나아가 디지타이저 패널에 차폐층을 형성하는 비용도 낮출 수 있어, 제조 경쟁력을 높일 수 있다.In addition, the digitizer panel of the present invention can freely adjust the thickness by forming a shielding layer on the back side of the digitizer through deposition (sputtering, etc.), and furthermore, the cost of forming a shielding layer on the digitizer panel can be reduced, thereby increasing manufacturing competitiveness.

도 1은 종래기술의 디지타이저 패널을 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 디지타이저 패널을 도시하는 단면도이다.
도 3,4는 본 발명의 디지타이저 패널의 변형례를 도시하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a prior art digitizer panel.
2 is a cross-sectional view showing a digitizer panel of the present invention.
3 and 4 are cross-sectional views showing modified examples of the digitizer panel of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 디지타이저 패널을 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a digitizer panel of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 디지타이저 패널은 디지타이저(100)와 일체형 차폐층(200)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2 , the digitizer panel of the present invention may include a digitizer 100 and an integral shielding layer 200 .

디지타이저(100)는 기재층(110), 디지타이저 접착층(120), 하부 전극층(130), 층간 절연층(140), 상부 전극층(150), 패시베이션층(160) 등을 포함할 수 있다.The digitizer 100 may include a base layer 110, a digitizer adhesive layer 120, a lower electrode layer 130, an interlayer insulating layer 140, an upper electrode layer 150, a passivation layer 160, and the like.

기재층(110)은 하부/상부 전극층(130,150)과 층간 절연층(140)을 형성하기 위한 지지층으로, 필름 형태의 것을 사용할 수 있다. 기재층(110)은 플렉서블 디스플레이에 적용할 수 있는 고분자 재질을 사용할 수 있는데, 예를 들어 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등으로 구성할 수 있다. 이들 재질 중에서, 폴리이미드가 가장 안정적인 폴딩 특성을 발휘하므로, 본 발명에서는 폴리이미드를 기재층(110)으로 사용하는 것이 바람직할 수 있다.The base layer 110 is a support layer for forming the lower/upper electrode layers 130 and 150 and the interlayer insulating layer 140, and may be in the form of a film. The base layer 110 may use a polymer material applicable to a flexible display, for example, cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI) , polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC) ), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), and polymethyl methacrylate (PMMA). Among these materials, since polyimide exhibits the most stable folding characteristics, it may be preferable to use polyimide as the base layer 110 in the present invention.

디지타이저 접착층(120)은 사용하는 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate, 연성동박적층체)의 형태에 따라 선택적으로 포함할 수 있다.The digitizer adhesive layer 120 may be selectively included according to the type of FCCL (Flexible Copper Clad Laminate) used.

FCCL은 도전체의 동박과 절연체의 폴리이미드(Polyimide) 등을 적층한 형태로서, 동박이 한쪽 면에만 존재하는 단면 FCCL(Single Side FCCL)과 양쪽 면에 존재하는 양면 FCCL(Double Side FCCL)이 있으며, 본 발명에서는 단면 FCCL을 사용할 수 있다.FCCL is a laminated form of copper foil as a conductor and polyimide as an insulator. There are single side FCCL (Single Side FCCL) where the copper foil exists on only one side and double side FCCL (Double Side FCCL) that exists on both sides. , a single-sided FCCL can be used in the present invention.

단면 FCCL은 폴리이미드 필름과 동박 사이에 접착층이 있는 3층 라미네이팅 FCCL, 동박에 폴리이미드 레진(Resin)을 녹여 붙이는 2층 캐스팅 FCCL, 그리고 폴리이미드 필름에 스퍼터링(Sputtering)으로 구리층을 증착하는 2층 스퍼터링 FCCL 등 다양한 형태가 있을 수 있다. 여기서, 3층 FCCL과 2층 캐스팅 FCCL은 전주 도금이나 압연 방식으로 제조되는 동박(두께는 보통 12~18㎛)이 형성되고, 2층 스퍼터링 FCCL은 구리를 플라즈마로 증착한 후 전해 동도금으로 두께를 올리므로 폴리이미드 필름 위에 구리층을 자유로운 두께로 성장시킬 수 있는데, 예를 들어 1~12 ㎛의 얇은 동박을 형성할 수 있다.Single-sided FCCL consists of a three-layer laminating FCCL with an adhesive layer between the polyimide film and copper foil, a two-layer casting FCCL that melts and attaches polyimide resin to the copper foil, and a copper layer deposited on the polyimide film by sputtering. It can take many forms, such as layer sputtering FCCL. Here, the 3-layer FCCL and the 2-layer casting FCCL are formed with copper foil (thickness is usually 12 to 18 μm) manufactured by electroplating or rolling, and the 2-layer sputtering FCCL is formed by depositing copper with plasma and then reducing the thickness by electrolytic copper plating. As a result, a copper layer can be grown with a free thickness on the polyimide film, for example, a thin copper foil of 1 to 12 μm can be formed.

이와 같이, FCCL은 접착층이 존재하는 형태와 존재하지 않는 형태가 있으므로, 본 발명은 사용하는 FCCL에 따라 디지타이저 접착층(120)을 선택적으로 포함할 수 있다.In this way, since the FCCL has a form in which an adhesive layer exists and a form in which an adhesive layer does not exist, the present invention may selectively include the digitizer adhesive layer 120 according to the FCCL used.

디지타이저 접착층(120)을 포함하는 경우, 디지타이저 접착층(120)은 절연성 접착제를 사용할 수 있는데, 절연층 접착제는 에폭시 수지 등의 열경화성 수지를 포함할 수 있고, 그 밖에 경화제, 바인더, 난연제 등도 포함할 수 있다.In the case of including the digitizer adhesive layer 120, the digitizer adhesive layer 120 may use an insulating adhesive. The insulating adhesive may include a thermosetting resin such as an epoxy resin, and may also include a curing agent, a binder, a flame retardant, and the like. there is.

디지타이저 접착층(120)은 5~50 ㎛ 두께로 구성할 수 있다. 두께가 5 ㎛ 미만이면, 회로 패턴, 즉 하부 전극층(130)을 형성하기에 두께가 충분하지 않을 수 있고, 두께가 50 ㎛를 초과하면 굴곡성이 악화될 수 있다. The digitizer adhesive layer 120 may have a thickness of 5 to 50 μm. If the thickness is less than 5 μm, the thickness may not be sufficient to form the circuit pattern, that is, the lower electrode layer 130, and if the thickness exceeds 50 μm, flexibility may be deteriorated.

하부 전극층(130)은 예를 들어 송신측 전극층을 형성하는 것으로, 도전 금속을 회로 패턴으로 형성한 것일 수 있다. 도전 금속은 예를 들어 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 또는 이들 중 적어도 2 이상을 함유하는 합금을 사용할 수 있는데, 바람직하게는 구리 또는 구리 합금으로 구성할 수 있다.The lower electrode layer 130 forms, for example, a transmission-side electrode layer, and may be formed of a conductive metal as a circuit pattern. Conductive metals include, for example, silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W) , Niobium (Nb), Tantalum (Ta), Vanadium (V), Iron (Fe), Manganese (Mn), Cobalt (Co), Nickel (Ni), Zinc (Zn), Tin (Sn), Molybdenum (Mo) , calcium (Ca) or an alloy containing at least two of these may be used, preferably copper or a copper alloy.

층간 절연층(140)은 하부 전극층(130)을 매립하여 보호하는 것으로, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지 등과 같은 유기 절연 물질, 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질 등으로 구성할 수 있다.The interlayer insulating layer 140 buries and protects the lower electrode layer 130, and is an organic insulating material such as an epoxy-based resin, an acrylic-based resin, a siloxane-based resin, or a polyimide-based resin, or an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride. It can be composed of materials, etc.

층간 절연층(140)은 플렉서블 특성을 높이기 위해서 유기 절연 물질을 사용하는 것이 바람직하고, 두께는 15~20 ㎛로 형성할 수 있다.It is preferable to use an organic insulating material for the interlayer insulating layer 140 to increase flexibility, and may have a thickness of 15 to 20 μm.

상부 전극층(150)은 층간 절연층(140)에 형성되어 예를 들어 수신 전극을 형성하는 것으로, 도전 금속을 회로 패턴으로 형성한 것일 수 있다. 도전 금속은, 하부 전극층(130)과 동일하게, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 또는 이들 중 적어도 2 이상을 함유하는 합금으로 구성할 수 있고, 바람직하게는 구리 또는 구리 합금으로 구성할 수 있다.The upper electrode layer 150 is formed on the interlayer insulating layer 140 to form a receiving electrode, for example, and may be formed of a conductive metal as a circuit pattern. The conductive metal is silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium ( Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), tin ( Sn), molybdenum (Mo), calcium (Ca), or an alloy containing at least two of them, preferably copper or a copper alloy.

패시베이션층(160)은 상부 전극층(150)을 매립하여 보호하는 것으로, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지 등과 같은 유기 절연 물질, 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질로 구성할 수 있다.The passivation layer 160 buries and protects the upper electrode layer 150, and is an organic insulating material such as an epoxy-based resin, an acrylic-based resin, a siloxane-based resin, or a polyimide-based resin, or an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride. can be configured with

패시베이션층(160)은 플렉서블 특성을 높이기 위해서 유기 절연 물질을 사용하는 것이 바람직하고, 두께는 1.5~20㎛로 형성할 수 있다.The passivation layer 160 is preferably formed of an organic insulating material in order to increase flexibility, and may have a thickness of 1.5 to 20 μm.

일 실시예에 있어서, 층간 절연층(140) 및 패시베이션층(160) 각각은 무기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 약 100nm 내지 500nm의 두께를 가질 수 있다.In one embodiment, each of the interlayer insulating layer 140 and the passivation layer 160 may include an inorganic insulating material and may have a thickness of about 100 nm to about 500 nm.

일체형 차폐층(200)은 디지타이저(100)의 후면에 디지타이저(100)와 일체로 형성할 수 있다.The integrated shielding layer 200 may be integrally formed with the digitizer 100 on the rear surface of the digitizer 100 .

일체형 차폐층(200)은 디지타이저(100)의 후면, 즉 기재층(110)의 후면에 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 바륨(Ba) 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 포함하는 도전 금속을 증착, 예를 들어 스퍼터링 공정을 통해 금속 증착층을 형성하여 전자파 차폐층으로 기능하게 할 수 있다.The integrated shielding layer 200 is titanium (Ti), iron (Fe), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), barium ( Ba) or a conductive metal containing two or more types of alloys thereof may be deposited, for example, a metal deposition layer may be formed through a sputtering process to function as an electromagnetic wave shielding layer.

일체형 차폐층(200)은 전자파 차폐 성능이 우수한 은(Ag)을 사용하면 좋으나, 은(Ag)은 고가이기 때문에 제조 비용을 상승시킬 수 있다. 이에, 본 발명에서는 고가의 은(Ag) 성분을 사용하지 않고도 동등 이상의 전자파 차폐 성능을 발휘할 수 있는 금속 증착층을 형성할 수 있다. The integrated shielding layer 200 may use silver (Ag), which has excellent electromagnetic wave shielding performance, but since silver (Ag) is expensive, manufacturing cost may increase. Accordingly, in the present invention, it is possible to form a metal deposition layer capable of exhibiting equivalent or better electromagnetic wave shielding performance without using an expensive silver (Ag) component.

일체형 차폐층(200)은 예를 들어 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 바륨(Ba), 아연(Zn)에서 선택되는 하나 이상의 도전 금속을 타켓(target) 물질로 하고, 챔버에는 반응 가스인 산소(O2)와 비반응 가스인 아르곤(Ar)을 선택적으로 주입하여, 스퍼터링 공정을 진행할 수 있다. 스퍼터링 공정은 고에너지를 갖는 입자들이 타겟(target)에 충돌하여 에너지를 전달할 때 타겟 원자들이 방출하는 현상을 이용하여 박막을 형성하는 방법으로, 증착 대상물인 기재층(110)과 타겟 사이에 전압을 인가하면, 아르곤 이온이 타겟에 충돌하면서 타겟 물질을 타겟에서 이탈시키고, 이탈된 타겟 물질(이온 상태 포함)이 반응 가스인 산소 이온과 선택적으로 결합하면서 기재층(110)에 증착될 수 있다. 본 발명에서는 스퍼터링 공정의 방법을 특별히 한정하지 않으며, 목적하는 일체형 차폐층(200)의 구성 물질, 두께 등에 따라 공지의 공정을 채용하여 수행할 수 있다.The integrated shielding layer 200 uses one or more conductive metals selected from, for example, copper (Cu), nickel (Ni), titanium (Ti), barium (Ba), and zinc (Zn) as a target material, A sputtering process may be performed by selectively injecting oxygen (O 2 ) as a reactive gas and argon (Ar) as a non-reactive gas into the chamber. The sputtering process is a method of forming a thin film using a phenomenon that target atoms emit when particles having high energy collide with a target and transmit energy, and a voltage is applied between the base layer 110, which is a deposition target, and the target. When applied, argon ions collide with the target to separate the target material from the target, and the released target material (including ionic state) can be deposited on the substrate layer 110 while selectively combining with oxygen ions, which are reactive gases. In the present invention, the method of the sputtering process is not particularly limited, and a known process may be employed and performed according to the desired constituent material and thickness of the integrated shielding layer 200 .

일체형 차폐층(200)은 예를 들어 CuNiO, BaTiO, NiZn 등의 박막 증착층일 수 있다.The integrated shielding layer 200 may be, for example, a thin film deposition layer of CuNiO, BaTiO, or NiZn.

CuNiO 증착층은 구리를 30~35중량부, 바람직하게는 32.5중량부, 니켈을 25~30중량부, 바람직하게는 27.5중량부, 산소를 23~27중량부, 바람직하게는 25중량부를 포함할 수 있다.The CuNiO deposited layer may contain 30 to 35 parts by weight of copper, preferably 32.5 parts by weight, 25 to 30 parts by weight of nickel, preferably 27.5 parts by weight, and 23 to 27 parts by weight of oxygen, preferably 25 parts by weight. can

BaTiO 증착층은 바륨을 20~25중량부, 바람직하게는 22.5중량부, 티타늄을 10~15중량부, 바람직하게는 13중량부, 산소를 43~47중량부, 바람직하게는 45중량부를 포함할 수 있다.The BaTiO deposited layer may contain 20 to 25 parts by weight of barium, preferably 22.5 parts by weight, 10 to 15 parts by weight of titanium, preferably 13 parts by weight, and 43 to 47 parts by weight of oxygen, preferably 45 parts by weight. can

NiZn 증착층은 니켈을 10~30중량부, 바람직하게는 30중량부, 아연을 50~70중량부, 바람직하게는 70중량부를 포함할 수 있다. NiZn 증착층은 아연의 함량이 증가할수록 차폐율은 증가하는데, 다만 70중량부를 초과하면 NiZn 구성 상이 불균형으로 되면서 차폐 성능을 잃을 수 있다.The NiZn deposition layer may include 10 to 30 parts by weight of nickel, preferably 30 parts by weight, and 50 to 70 parts by weight of zinc, preferably 70 parts by weight. In the NiZn deposited layer, the shielding rate increases as the zinc content increases. However, if the zinc content exceeds 70 parts by weight, the NiZn composition phase becomes imbalanced and shielding performance may be lost.

위에서 예시한 CuNiO, BaTiO, NiZn의 증착막 중에서는 CuNiO 증착막이 차폐 성능이 가장 우수하므로 CuNiO 증착막을 일체형 차폐층(200)으로 사용하는 것이 바람직할 수 있다.Among the deposited films of CuNiO, BaTiO, and NiZn exemplified above, since the CuNiO deposited film has the best shielding performance, it may be preferable to use the CuNiO deposited film as the integral shielding layer 200 .

일체형 차폐층(200)은 수백nm 의 두께로 구성할 수 있는데, 예를 들어 유무선 통신에 사용되는 100 MHz ~ 1 GHz 대역에서 400~800 nm의 두께로 구성할 수 있다. 두께가 400 nm 미만이면 차폐 성능이 떨어질 수 있고, 800 nm를 초과하면 폴딩부에 응력이 증가하여 폴딩부에서 크랙이 발생할 수 있다.The integral shielding layer 200 may be configured to have a thickness of several hundred nm, for example, to a thickness of 400 to 800 nm in a band of 100 MHz to 1 GHz used for wired and wireless communication. If the thickness is less than 400 nm, shielding performance may deteriorate, and if the thickness exceeds 800 nm, stress may increase in the folding portion and cracks may occur in the folding portion.

일체형 차폐층(200)을 스퍼터링 공정으로 형성하면, 보통 3~4 g/㎤의 막밀도를 갖는 스프레이 방식이나 파우더 방식보다 막밀도를 높일 수 있다. 예를 들어, CuNiO, BaTiO, NiZn의 증착막의 경우, 막밀도를 6~7 g/㎤, 바람직하게는 6.07~6.62 g/㎤의 막밀도를 유지할 수 있는데, 이 경우 박막 내에 기공이 없거나 최소화할 수 있어 차폐율을 높일 수 있다.When the integrated shielding layer 200 is formed through a sputtering process, the film density can be higher than that of a spray method or a powder method having a film density of 3 to 4 g/cm 3 . For example, in the case of deposited films of CuNiO, BaTiO, or NiZn, a film density of 6 to 7 g/cm 3 , preferably 6.07 to 6.62 g/cm 3 , can be maintained. Therefore, the shielding rate can be increased.

일체형 차폐층(200)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 디지타이저(100) 하부에 전체적으로 형성할 수도 있다. 이 경우, 일체형 차폐층(200)이 형성된 디지타이저(100)는 0.1 내지 1%의 내/외측 변형율(εmax)을 가질 수 있다. 여기서, 내/외측 변형율(εmax)은 내측면 또는 외측면의 최대 변형율을 나타내며, 아래의 식 1로 정의할 수 있다.As shown in FIG. 2 , the integrated shielding layer 200 may be entirely formed under the digitizer 100 . In this case, the digitizer 100 on which the integrated shielding layer 200 is formed may have an inner/outer strain (ε max ) of 0.1 to 1%. Here, the inner/outer strain (ε max ) represents the maximum strain of the inner or outer surface, and can be defined by Equation 1 below.

[식 1][Equation 1]

εmax = ±(t/2)/p = ±t/2(R-t/2)ε max = ±(t/2)/p = ±t/2(Rt/2)

여기서, t는 샘플 두께(센서층 + 차폐층), p는 중성면까지 거리, R은 곡률 반경을 의미한다.Here, t is the sample thickness (sensor layer + shielding layer), p is the distance to the neutral plane, and R is the radius of curvature.

아래의 표 1은 본 발명에 따른 일체형 차폐층이 결합된 디지타이저(실시예 1,2)와 종래의 부착형 차폐층이 결합된 디지타이저(비교예 1,2)의 내/외측 변형율(εmax)을 곡률 반경 5 mm와 3 mm에서 측정한 것을 보여주고 있다.Table 1 below shows the inner/outer strain (ε max ) of the digitizer combined with the integral shielding layer according to the present invention (Examples 1 and 2) and the digitizer combined with the conventional attachable shielding layer (Comparative Examples 1 and 2) is shown at a radius of curvature of 5 mm and 3 mm.

곡률 반경(mm)Bending radius (mm) 전체 두께(㎛)Overall thickness (μm) 내/외측 변형률(%)Inner/outer strain (%) 크랙 유무presence or absence of cracks 55 실시예 1Example 1 50.650.6 0.50.5 없음doesn't exist 비교예 1Comparative Example 1 550550 5.765.76 발생generation 33 실시예 2Example 2 50.650.6 0.850.85 없음doesn't exist 비교예 2Comparative Example 2 550550 9.919.91 발생generation

위의 표 1에서 보듯이, 본 발명에 따른 일체형 차폐층이 결합된 디지타이저(실시예 1,2)는 종래의 부착형 차폐층을 결합된 디지타이저(비교예 1,2)와 비교하여 내/외측 변형율(εmax)이 현저히 낮아지면서 크랙도 발생하지 않는 것은 확인할 수 있고, 나아가 본 발명에 따른 일체형 차폐층이 결합된 디지타이저(실시예 1,2)의 내/외측 변형율(εmax)이 1 % 이하로 유지되고 있음을 확인할 수 있다.As shown in Table 1 above, the digitizer combined with the integrated shielding layer according to the present invention (Examples 1 and 2) compared to the digitizer combined with the conventional attachable shielding layer (Comparative Examples 1 and 2), the inner/outer It can be confirmed that cracks do not occur while the strain (ε max ) is significantly lowered, and furthermore, the inner/outer strain (ε max ) of the digitizer (Examples 1 and 2) combined with the integral shielding layer according to the present invention is 1%. It can be seen that it is maintained below.

도 3,4는 본 발명의 디지타이저 패널의 변형례를 도시하는 단면도이다.3 and 4 are cross-sectional views showing modified examples of the digitizer panel of the present invention.

도 3,4에 도시한 바와 같이, 폴딩부(도 3,4에서 폴딩축 A를 중심으로 폴딩되는 영역)에 형성되는 일체형 차폐층(200)은 폴딩부의 두께를 감소시켜 폴딩성을 개선할 수 있다. 일체형 차폐층(200)에서 폴딩부의 두께 감소 영역(N)은 도 3,4에 도시한 바와 같이 단면이 사각 형태, 삼각 형태 등을 이룰 수도 있고, 그 밖에 곡면(원, 타원 등) 형태를 이룰 수도 있다.As shown in FIGS. 3 and 4 , the integral shielding layer 200 formed on the folding portion (the region folded around the folding axis A in FIGS. 3 and 4 ) can improve folding by reducing the thickness of the folding portion. there is. In the integrated shielding layer 200, the thickness reduction region N of the folding portion may have a cross section of a quadrangular shape, a triangular shape, etc., as shown in FIGS. 3 and 4, or a curved surface (circle, ellipse, etc.) may be

본 발명은 기재층(110)을 전처리하는 공정을 추가로 수행할 수 있다. 전처리 공정은 예를 들어 기재층(110)에 이온빔 처리를 수행하는 공정을 포함할 수 있다. 이온빔 처리는 기재층(110)의 표면적을 넓혀 CuNiO, BaTiO, NiZn 등이 기재층(110)에 부착되는 힘을 높일 수 있다. 이온빔 전처리는 예를 들어 산소와 아르곤의 혼합가스를 사용하여 활성 가스인 산소가 플라즈마 상태로 기재층(110) 표면에 입사되게 하여 기재층(110) 표면에 화학적 연결 고리를 만들어 부착력을 높이는 방식일 수 있다.In the present invention, a process of pre-treating the base layer 110 may be additionally performed. The pretreatment process may include, for example, a process of performing ion beam treatment on the substrate layer 110 . The ion beam treatment increases the surface area of the base layer 110 and increases the adhesion of CuNiO, BaTiO, NiZn, and the like to the base layer 110 . The ion beam pretreatment is, for example, by using a mixed gas of oxygen and argon to cause oxygen, which is an active gas, to be incident on the surface of the base layer 110 in a plasma state to form a chemical link on the surface of the base layer 110 to increase adhesion. can

본 발명에 따른 화상 표시 장치는 위에서 설명한 디지타이저 패널과 디지타이저 패널에 결합하는 표시 패널 등을 포함할 수 있는데, 예를 들어 터치 패널, 표시 패널, 디지타이저 패널 등을 적층한 구조를 가질 수 있다.An image display device according to the present invention may include the digitizer panel described above and a display panel coupled to the digitizer panel, and may have a structure in which, for example, a touch panel, a display panel, and a digitizer panel are laminated.

본 발명의 디지타이저 패널은 사용자에게 시인되지 않도록 표시 패널 아래에 배치할 수 있는데, 이 경우 디지타이저 패널은 표시 패널 아래, 즉 표시 패널과 리어 커버 사이에 배치될 수 있다.The digitizer panel of the present invention may be disposed below the display panel so as not to be visually recognized by the user. In this case, the digitizer panel may be disposed below the display panel, that is, between the display panel and the rear cover.

표시 패널은 디스플레이 기판 상에 화소 전극, 화소 정의막, 표시층, 대향 전극, 인캡슐레이션층 등을 포함할 수 있다.The display panel may include a pixel electrode, a pixel defining layer, a display layer, a counter electrode, an encapsulation layer, and the like on a display substrate.

디스플레이 기판 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되고, 화소 회로의 상부에는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극은 절연막 상에서 예를 들어 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor (TFT) may be formed on the display substrate, and an insulating film may be formed on the pixel circuit. The pixel electrode may be electrically connected to, for example, a drain electrode of a TFT on an insulating film.

화소 정의막은 절연막 상에 형성되어 화소 전극을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극 상에는 표시층이 형성될 수 있다. 표시층은 예를 들어 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer may be formed on the insulating layer to expose a pixel electrode to define a pixel area. A display layer may be formed on the pixel electrode. The display layer may include, for example, a liquid crystal layer or an organic light emitting layer.

화소 정의막 및 표시층 상에는 대향 전극이 배치될 수 있다. 대향 전극은 예를 들어 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극 상에는 표시 패널을 보호하기 위한 인캡슐레이션층이 적층될 수 있다.A counter electrode may be disposed on the pixel defining layer and the display layer. The counter electrode may serve as, for example, a common electrode or a cathode of an image display device. An encapsulation layer for protecting the display panel may be stacked on the opposite electrode.

터치 패널은 표시 패널 상에 적층되어 최외측인 윈도우 기판을 향해 배치될 수 있다. 터치 패널은 윈도우 기판의 표면을 통해 입력된 사용자의 터치를 감지할 수 있다. 터치 패널은 사용자에게 시인되지 않도록 디지타이저 패널에 포함된 전극층보다 작은 두께의 센싱 전극 또는 센싱 채널들을 포함할 수 있다. 센싱 전극 또는 센싱 채널들은 각각 하나의 단일층 내에 독립적으로 배치되어 인접하는 센싱 전극 또는 센싱 채널과 상호 작용하여 정전 용량을 생성시킬 수 있다. 터치 패널은 점접착층을 통해 표시 패널과 결합될 수 있다.The touch panel may be stacked on the display panel and disposed toward the outermost window substrate. The touch panel may detect a user's touch input through the surface of the window substrate. The touch panel may include sensing electrodes or sensing channels having a thickness smaller than that of the electrode layer included in the digitizer panel so as not to be visually recognized by a user. Sensing electrodes or sensing channels may be independently disposed in one single layer to generate capacitance by interacting with adjacent sensing electrodes or sensing channels. The touch panel may be coupled to the display panel through an adhesive layer.

터치 패널의 전방에는 윈도우 패널을 결합할 수 있는데, 윈도우 패널은 예를 들어 하드 코팅 필름, 박형 글래스를 포함할 수 있으며, 윈도우 패널의 일면 주변부에는 차광 패턴을 형성할 수 있다. 차광 패턴에 의해, 화상 표시 장치는 베젤부 혹은 비표시 영역을 정의할 수 있다.A window panel may be coupled to the front of the touch panel. The window panel may include, for example, a hard coating film or thin glass, and a light blocking pattern may be formed around one surface of the window panel. By the light blocking pattern, the image display device may define a bezel part or a non-display area.

윈도우 패널과 터치 패널 사이에는 편광층이 배치될 수 있다. 편광층은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 편광층은 윈도우 패널의 일면과 직접 접합되거나 점접착층을 매개로 부착될 수 있다. 터치 패널은 점접착층을 통해 편광층과 결합될 수 있다.A polarization layer may be disposed between the window panel and the touch panel. The polarization layer may include a coated polarizer or polarizer. The polarization layer may be directly bonded to one surface of the window panel or attached via an adhesive layer. The touch panel may be combined with the polarization layer through an adhesive layer.

이와 같이, 화상 표시 장치는 사용자의 시인측으로부터 윈도우 패널, 편광층, 터치 패널, 표시 패널, 디지타이저 패널의 순서로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 패널의 센싱 전극들은 편광층 아래에 배치되므로 센싱 전극의 시인 현상을 효과적으로 방지할 수 있다.In this way, the image display device may be disposed in the order of a window panel, a polarization layer, a touch panel, a display panel, and a digitizer panel from a user's viewing side. In this case, since the sensing electrodes of the touch panel are disposed under the polarization layer, visibility of the sensing electrodes may be effectively prevented.

한편, 터치 패널은 윈도우 패널 또는 편광층 상에 직접 전사될 수도 있다. 이 경우, 화상 표시 장치는 사용자의 시인측으로부터 윈도우 패널, 터치 패널, 편광층의 순서로 배치될 수 있다.Meanwhile, the touch panel may be directly transferred onto a window panel or a polarization layer. In this case, the image display device may be disposed in the order of a window panel, a touch panel, and a polarization layer from the user's viewing side.

이상, 본 발명을 실시예로서 설명하였는데, 이것은 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면 이러한 실시예를 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 아래의 특허청구범위에 의해 정해지므로, 그러한 변형이나 수정은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.In the above, the present invention has been described as examples, which are for illustrating the present invention. Those skilled in the art will be able to change or modify these embodiments in other forms. However, since the scope of the present invention is determined by the claims below, such variations or modifications may be construed as being included in the scope of the present invention.

10,100 : 디지타이저 11,110 : 기재층
12,120 : 디지타이저 접착층 13,130 : 하부 전극층
14,140 : 층간 절연층 15,150 : 상부 전극층
16,160 : 패시베이션층 20 : 부착 차폐층
30 : 차폐 접착층 200 : 일체형 차폐층
10,100: digitizer 11,110: substrate layer
12,120: digitizer adhesive layer 13,130: lower electrode layer
14,140: interlayer insulating layer 15,150: upper electrode layer
16,160: passivation layer 20: adhesion shielding layer
30: shielding adhesive layer 200: integral shielding layer

Claims (10)

기재층 및 상기 기재층 상면에 전극층을 포함하는 디지타이저; 및
상기 기재층 하면에 증착 형성된 차폐층을 포함하는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
A digitizer including a substrate layer and an electrode layer on an upper surface of the substrate layer; and
A digitizer panel having an integral shielding layer comprising a shielding layer deposited on the lower surface of the base layer.
청구항 1에 있어서, 상기 기재층 및 차폐층은
폴딩부를 포함하는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 1, wherein the base layer and the shielding layer
A digitizer panel having an integrated shielding layer including a folding portion.
청구항 1에 있어서, 상기 차폐층은
폴딩부에서 감소된 두께를 갖는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 1, wherein the shielding layer
A digitizer panel with an integral shielding layer having a reduced thickness in a folded portion.
청구항 1에 있어서, 상기 차폐층은
티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 바륨(Ba) 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 포함하는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 1, wherein the shielding layer
A digitizer panel having an integral shielding layer comprising titanium (Ti), iron (Fe), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), barium (Ba), or an alloy of two or more of these.
청구항 3에 있어서, 상기 차폐층은
산소를 더 함유하는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 3, wherein the shielding layer
A digitizer panel having an integral shielding layer, further containing oxygen.
청구항 1에 있어서, 상기 차폐층은
6 내지 7 g/㎤의 막밀도를 갖는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 1, wherein the shielding layer
A digitizer panel having an integral shielding layer having a film density of 6 to 7 g/cm 3 .
청구항 1에 있어서, 상기 차폐층은
0.1 내지 1 %의 내/외측 변형율을 갖는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 1, wherein the shielding layer
A digitizer panel having an integral shielding layer having an inner/outer strain of 0.1 to 1%.
청구항 1에 있어서, 상기 차폐층은
400 내지 800 nm의 두께를 갖는, 일체형 차폐층을 갖는 디지타이저 패널.
The method according to claim 1, wherein the shielding layer
A digitizer panel with an integral shielding layer having a thickness of 400 to 800 nm.
표시 패널; 및
상기 표시 패널 아래에 배치된 청구항 1에 따른 차폐층을 갖는 디지타이저 패널을 포함하는, 화상 표시 장치.
display panel; and
An image display device comprising a digitizer panel having the shielding layer according to claim 1 disposed below the display panel.
청구항 9에 있어서,
리어 커버를 더 포함하고,
상기 차폐층을 갖는 디지타이저 패널은 상기 표시 패널과 상기 리어 커버 사이에 배치된, 화상 표시 장치.
The method of claim 9,
Including more rear cover,
The digitizer panel having the shielding layer is disposed between the display panel and the rear cover.
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