KR20230127298A - filler array film - Google Patents

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KR20230127298A
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레이지 쓰카오
다이키 노다
도시키 시라이와
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

μLED의 전극 등의 미소한 제1 물품과 투명 디스플레이용 기판 등의 제2 물품을 필러 배열 필름을 이용하여 접속함으로써 얻어지는, 제1 물품과 제2 물품의 접속 구조체의 투명성을 향상시킨다. 이 때문에 이용되는 필러 배열 필름(1A)은, 절연 접착층(10)에 필러(2)가 배치되어 있으며, 필러의 고밀도 영역(4)이 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있고, 각 고밀도 영역(4)에, 필러(2)의 편재 영역(3)이 복수개 형성되어 있다. 필러 배열 필름의 평균 가시광 투과율이 40% 이상이다. Transparency of a connection structure between a first article and a second article obtained by connecting a minute first article such as an electrode of a μLED and a second article such as a substrate for a transparent display using a pillar array film is improved. In the filler array film 1A used for this purpose, the fillers 2 are disposed on the insulating adhesive layer 10, the high-density regions 4 of the filler are regularly arranged at intervals, and each high-density region 4 Then, a plurality of uneven distribution regions 3 of the filler 2 are formed. The average visible light transmittance of the filler array film is 40% or more.

Description

필러 배열 필름filler array film

본 발명은, 필러가 수지층에 배열되어 있는 필러 배열 필름, 필러 배열 필름을 이용하여 미소한 제1 물품을 기판 등의 제2 물품에 접속하는 방법, 및 그 방법에 의해 얻어진 접속 구조체에 관한 것이다. 여기서 미소한 제1 물품으로는, 예를 들면 미니 LED, μLED 등의 미소한 발광 소자를 들 수 있다. The present invention relates to a filler array film in which fillers are arranged in a resin layer, a method for connecting a minute first article to a second article such as a substrate using the filler array film, and a connection structure obtained by the method. . Examples of the minute first article include minute light emitting elements such as mini LEDs and μLEDs.

미소한 발광 소자인 μLED를 기판 상에 배열하여 이루어지는 μLED 디스플레이는, 액정 디스플레이에 필요해지는 백 라이트를 생략할 수 있음으로써 디스플레이를 박막화할 수 있고, 광색역화, 고정밀화, 전력 절약화도 실현할 수 있는 디스플레이로서 기대되고 있으며, 또한 투명 디스플레이 용도로서도 기대되고 있다. 광원으로서 사용하는 경우도 마찬가지이다. 종래보다 경량 박형화할 수 있기 때문에, 휴대성 등의 성능 향상을 기대할 수 있다. 최근 활발해지고 있는, 소위 「텔레워크」를 감안해도, 디스플레이에 대한 다양한 요청은 높아지고 있으며, 이들에 부응하는 것이 기대되고 있다. A μLED display formed by arranging μLEDs, which are microscopic light emitting elements, on a substrate can omit the backlight required for a liquid crystal display, so that the display can be made thinner, and a wide color gamut, high definition, and power saving can be realized. It is also expected as a transparent display application. The case of using as a light source is also the same. Since it can be made lighter and thinner than before, performance improvements such as portability can be expected. Even considering so-called "telework", which has recently become active, various requests for displays are increasing, and it is expected to meet them.

μLED를 배열한 디스플레이의 제작 방법으로서, 특허문헌 1에는 캐리어 기판 상에 형성한 적색, 청색, 녹색의 μLED 어레이를 이송 헤드로 픽업하여, 디스플레이 기판 등의 전사처(轉寫處) 기판에 배치하고, 땜납층의 용착에 의해 μLED 어레이와 전사처 기판을 접합하고, 다음에 그 위에 ITO 등으로 접촉선을 형성하는 것이 기재되어 있다. As a method for producing a display in which μLEDs are arranged, in Patent Document 1, a red, blue, and green μLED array formed on a carrier substrate is picked up with a transfer head and placed on a transfer target substrate such as a display substrate. , It is described that a μLED array and a transfer target substrate are bonded to each other by welding of a solder layer, and then a contact line is formed thereon with ITO or the like.

또, 특허문헌 2에는, 웨이퍼 상에 형성된 μLED를 기판에 배치하고, 수소첨가 에폭시 화합물 등을 이용한 접착제 성분 중에 도전 입자를 분산시킨 이방성 도전 필름을 사용하여 기판과 접속하고, 웨이퍼를 리프트 오프하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 2에 기재된 이방성 도전 필름을 사용하는 방법에 의하면 μLED를 이용한 디스플레이를 간편하게 얻을 수 있다. Further, in Patent Literature 2, a μLED formed on a wafer is disposed on a substrate, and an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in an adhesive component using a hydrogenated epoxy compound or the like is used to connect the substrate to the substrate, and the wafer is lifted off. This is listed. According to the method using the anisotropic conductive film described in Patent Literature 2, a display using μLED can be easily obtained.

특허문헌 3에는, 평면에서 보았을 때에 있어서의 도전 입자의 면적 점유율이 35% 이하의 도전 입자 배열층을 갖는 이방성 도전 필름을 이용하여 IC칩과 FPC를 접속하는데 있어서, 도전 입자의 포착 효율을 높이기 위해 펄스 히터식 본더를 사용하여, 1단계째에 IC칩과 FPC를 이방성 도전 필름의 절연성 수지층에 압입함으로써, 전극을 도전 입자 배열층에 접근시키는 가고정을 행하고, 2단계째에 본 압착을 행한다는 2단계 방식의 접속 방법이 기재되어 있다. In Patent Literature 3, in connecting an IC chip and an FPC using an anisotropic conductive film having a conductive particle array layer having an area occupancy rate of conductive particles of 35% or less in plan view, in order to increase the efficiency of trapping conductive particles, Using a pulse heater type bonder, in the first step, the IC chip and the FPC are press-fitted into the insulating resin layer of the anisotropic conductive film to bring the electrodes close to the conductive particle array layer for provisional fixation, and in the second step, main bonding is performed. describes a two-step connection method.

일본 특허공표 2015-500562호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-500562 일본 특허공개 2017-157724호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-157724 일본 특허공개 2019-216097호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-216097

디스플레이의 고정밀화를 위해 μLED의 사이즈가 작아지고, 그에 따라 LED 전극의 사이즈도 작아지면, 절연 재료 중에 도전 입자를 단순히 혼합한 이방성 도전 필름을 이용한 경우에는, 개개의 μLED의 전극에 확실히 도전 입자를 포착시키는 것이 곤란해진다. When the size of μLEDs is reduced for high-definition displays, and the size of LED electrodes is also reduced accordingly, in the case of using an anisotropic conductive film in which conductive particles are simply mixed in an insulating material, conductive particles are surely added to the electrodes of individual μLEDs. It becomes difficult to capture.

이에 반해, 입경이 작은 도전 입자를 사용하여, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도를 높이는 것을 생각할 수 있다. On the other hand, it is conceivable to use conductive particles having a small particle size to increase the number density of conductive particles in the anisotropic conductive film.

그러나, 입경이 작은 도전 입자를 높은 개수 밀도로 이방성 도전 필름의 전체면에 배치하면 쇼트 리스크가 높아지고, 또 광이 투과하기 어려워진다는 등의 설계에 대한 악영향도 염려된다. 그 때문에, 그와 같은 이방성 도전 필름을 이용하여 μLED를 투명 디스플레이용 기판에 접속해도 수율의 악화가 염려됨과 함께, 설계 자유도가 높은 투명 디스플레이를 얻을 수는 없다. However, if conductive particles having a small particle size are disposed on the entire surface of the anisotropic conductive film at a high number density, there are concerns about adverse effects on design, such as increased short risk and difficulty in transmitting light. Therefore, even if μLED is connected to a substrate for a transparent display using such an anisotropic conductive film, yield deterioration is concerned, and a transparent display with high design freedom cannot be obtained.

이에 본 발명의 과제는, 필러 배열 필름을 이용하여, μLED 등의 미소한 제1 물품과 투명 디스플레이용 기판 등의 제2 물품을 접속함으로써, 제1 물품과 제2 물품의 접속 구조체로서 투명한 것을 얻는 것을 가능하게 하는 필러 배열 필름을 제공하는 것, 및 그와 같은 필러 배열 필름을 이용하여 얻어진, 제1 물품과 제2 물품의 접속 구조체를 제공하는 것을 과제로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to obtain a transparent structure as a connection structure between a first article and a second article by connecting a minute first article such as a μLED and a second article such as a substrate for a transparent display using a pillar array film. It is an object of the present invention to provide a pillar array film enabling this, and to provide a connection structure between a first article and a second article obtained by using such a pillar array film.

본 발명자는, 도전 입자 등의 필러가 절연성 수지층에 배열된 필러 배열 필름을 이용하여 μLED의 전극 등의 미소한 제1 물품의 접속부를 투명 디스플레이용 기판의 전극 등의 제2 물품의 접속부에 접속하는 경우에, 필러 배열 필름에 있어서의 필러가, 제1 물품의 배열에 대응하여 규칙적으로 배열된 고밀도 영역을 형성하고 있고, 고밀도 영역 내에서는 필러가 제1 물품의 접속부에 대응하여 편재 영역을 형성하고 있으면, 접속에 관여하지 않는 불필요한 필러를 가능한 한 저감할 수 있고, 또 접속 시의 수지 유동이 필러의 고밀도 영역들 사이를 통과하여, 고밀도 영역 내에는 영향을 주기 어려워지므로 필러가 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부의 사이에 확실히 포착되고, 필름면 방향으로 서로 이웃하는 접속부들이 필러로 불필요하게 연결되는 쇼트를 방지할 수 있으며, 또한 제1 물품이 μLED 등의 발광 소자인 경우에는, 필러가 고밀도 영역에 집중되어 있음으로써, 발광 소자로부터의 광이 고밀도 영역 이외의 부분을 높은 투과율로 투과하므로, 발광 소자를 실장한 발광 장치의 발광 효율이 향상되는 것에 생각이 이르러, 본 발명을 완성했다. The present inventor connects the connection part of a minute first article such as an electrode of a μLED to the connection part of a second article such as an electrode of a substrate for a transparent display using a filler arrangement film in which fillers such as conductive particles are arranged in an insulating resin layer. In this case, the fillers in the filler array film form high-density regions regularly arranged corresponding to the arrangement of the first article, and in the high-density region, the fillers form uneven regions corresponding to the connecting parts of the first article. If this is done, unnecessary fillers not involved in the connection can be reduced as much as possible, and the resin flow during connection passes between the high-density regions of the filler and hardly affects the high-density regions, so that the filler is not a part of the first article. It is reliably captured between the connection part and the connection part of the second article, and it is possible to prevent a short circuit in which connection parts adjacent to each other in the direction of the film plane are unnecessarily connected with a filler, and also when the first article is a light emitting element such as μLED, When the filler is concentrated in the high-density area, the light from the light-emitting element transmits portions other than the high-density area with high transmittance, so the light-emitting efficiency of the light-emitting device in which the light-emitting element is mounted is improved, and the present invention was completed. did.

즉, 본 발명은, 절연 접착층에 필러가 배치되어 있는 필러 배열 필름으로서, That is, the present invention is a filler array film in which a filler is disposed on an insulating adhesive layer,

필러의 고밀도 영역이 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있고, The high-density regions of the filler are regularly arranged at intervals,

각 고밀도 영역에 필러의 편재 영역이 복수개 형성되어 있으며, A plurality of regions of uneven distribution of fillers are formed in each high-density region,

필러 배열 필름의 평균 가시광 투과율이 40% 이상인 필러 배열 필름을 제공한다. A pillar array film having an average visible light transmittance of 40% or more is provided.

또 본 발명은, 복수의 제1 물품이 제2 물품 상에서 배열된 상태에서, 개개의 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부를, 절연성 수지층에 필러가 배열된 필러 배열 필름을 통하여 가열 또는 가압함으로써 접속하는 접속 방법으로서, In addition, in the present invention, in a state in which a plurality of first articles are arranged on the second article, the connection part of each first article and the connection part of the second article are heated or As a connection method for connecting by pressing,

필러 배열 필름으로서, As a filler array film,

절연 접착층에 필러의 고밀도 영역이 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있고, In the insulating adhesive layer, high-density regions of fillers are regularly arranged at intervals,

각 고밀도 영역에 필러의 편재 영역이 복수개 형성되어 있으며, A plurality of regions of uneven distribution of fillers are formed in each high-density region,

필러 배열 필름의 평균 가시광 투과율이 40% 이상인 필러 배열 필름을 사용하는 접속 방법을 제공한다. A connection method using a pillar array film having an average visible light transmittance of 40% or more is provided.

또한 본 발명은, 복수의 제1 물품이 제2 물품 상에서 배열된 상태에서, 개개의 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부가 필러를 통하여 접속되어 있는 접속 구조체로서, In addition, the present invention is a connection structure in which a connection part of each first article and a connection part of a second article are connected through a filler in a state in which a plurality of first articles are arranged on a second article,

필러가 제1 물품의 배열에 대응하여 고밀도 영역을 형성하고 있고, The filler forms a high-density region corresponding to the arrangement of the first article;

고밀도 영역 내에서 필러가 제1 물품의 접속부에 대응하여 편재하고 있는 접속 구조체를 제공한다. A connection structure in which fillers are unevenly distributed in the high-density region corresponding to the connection portion of the first article is provided.

본 발명의 필러 배열 필름을 사용하면, μLED의 전극 등의 미소한 제1 물품의 접속부를 투명 디스플레이용 기판의 전극 등의 제2 물품의 접속부에, 필러 배열 필름을 통하여 가열 또는 가압함으로써 접속하는 경우에, 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부의 사이에 확실히 1개 이상의 필러가 포착되고, 또한 필름면 방향으로 서로 이웃하는 접속부들, 즉 제1 물품의 접속부들, 또는 제2 물품의 접속부들의 사이에서 필러가 연결될 리스크가 낮다. 따라서, μLED 등의 전자 부품을 기판에 접속하는 경우의 쇼트의 리스크를 저감시킬 수 있다. When the pillar array film of the present invention is used, when connecting a minute first article connection portion such as an electrode of a μLED to a second article connection portion such as an electrode of a transparent display substrate by heating or pressing through a pillar array film For example, at least one filler is surely captured between the connection part of the first article and the connection part of the second article, and the connection parts adjacent to each other in the film plane direction, that is, the connection parts of the first article or the connection part of the second article There is a low risk that the filler will be connected between them. Therefore, the risk of short circuit in the case of connecting electronic components, such as microLED, to a board|substrate can be reduced.

또, 제1 물품이 μLED 등의 발광 소자인 경우에는, 발광 소자의 배열에 대응하여 필러의 고밀도 영역이 배열되어 있으므로, 발광 소자로부터의 광의 출사가 필러로 방해되기 어렵다. 따라서, 발광 소자를 실장한 발광 장치의 발광 효율이 향상된다. In addition, when the first article is a light-emitting element such as a μLED, since the high-density regions of the pillars are arranged corresponding to the arrangement of the light-emitting elements, emission of light from the light-emitting element is difficult to be hindered by the pillars. Accordingly, the light emitting efficiency of the light emitting device in which the light emitting element is mounted is improved.

도 1은, 실시예의 필러 배열 필름(1A)에 있어서의 필러의 배치도이다.
도 2는, 실시예의 필러 배열 필름(1A)에 있어서의 필러의 배치와, 필러 배열 필름(1A)으로 접속되는 물품의 접속부의 대응도이다.
도 3은, 실시예의 필러 배열 필름(1A)의 단면도이다.
도 4는, 실시예의 필러 배열 필름(1B)에 있어서의 필러의 배치도이다.
1 is a layout view of pillars in a pillar array film 1A of an example.
Fig. 2 is a diagram showing the correspondence between the arrangement of pillars in the pillar array film 1A of the embodiment and the connecting parts of articles connected by the pillar array film 1A.
Fig. 3 is a cross-sectional view of the pillar array film 1A of the embodiment.
Fig. 4 is a layout view of the pillars in the pillar array film 1B of the embodiment.

이하, 본 발명을, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면 중 동일 부호는, 동일 또는 동등한 구성 요소를 나타내고 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail, referring drawings. In each figure, the same reference numerals denote the same or equivalent components.

(필러 배치) (filler placement)

도 1은, 본 발명의 하나의 실시예의 필러 배열 필름(1A)에 있어서의 필러의 배치도이다. 이 필러 배열 필름은, 필러(2)로서 도전 입자를 절연성 수지층(10)에 배열시킨 것이다. 필러 배열 필름은 이방성 도전 필름으로서 이용해도 되고, 도전 필름으로서 이용해도 된다. 1 is a layout view of fillers in a filler array film 1A of one embodiment of the present invention. In this filler arrangement film, conductive particles are arranged as fillers 2 in the insulating resin layer 10. The pillar array film may be used as an anisotropic conductive film or as a conductive film.

본 발명의 필러 배열 필름은, 복수의 제1 물품이 제2 물품 상에서 배열된 상태에서 제1 물품과 제2 물품을 필러 배열 필름을 통하여 가열 또는 가압함으로써, 개개의 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부를 접속하는 것이며, 이 접속 상태에 있어서, 개개의 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부의 사이에 필러가 협지되어, 제1 물품과 제2 물품의 대향면들이 절연성 수지층으로 접착되도록 하는 것이다. 이 필러 배열 필름은, 평균 가시광 투과율이 40% 이상이기 때문에, 제1 물품을 μLED, 그 전극을 제1 물품의 접속부, 제2 물품을 μLED용의 배선 회로가 형성된 투명 디스플레이용 기판, 그 전극을 제2 물품의 접속부로 한 경우에, 제1 물품과 제2 물품을 이방 도전성 접속시키는 이방성 도전 필름으로서 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 필러 배열 필름은 미소한 부품의 접속에 사용하기 때문에, 접속 전에 제공하기 전에 필러 배열 필름을 통해 미크로(micro)한 물품을 충분히 시인할 수 있는 것이 필요하다. The filler array film of the present invention is obtained by heating or pressing the first and second articles through the filler array film in a state in which a plurality of first articles are arranged on the second article, so that the connection portion of each first article and the second article are connected to each other. In this connection state, a filler is sandwiched between the respective connecting parts of the first article and the connecting parts of the second article, and the opposing surfaces of the first article and the second article are made of an insulating resin layer. to make it adhere. Since this pillar array film has an average visible light transmittance of 40% or more, the first article is a μLED, the electrode is a connecting portion of the first article, the second article is a substrate for a transparent display formed with a wiring circuit for μLED, and the electrode. It can be used as an anisotropic conductive film for anisotropically conductively connecting the first article and the second article when used as a connecting portion for the second article. In addition, since the pillar array film of the present invention is used for connection of minute parts, it is necessary to be able to sufficiently visually recognize micro articles through the pillar array film before providing before connection.

여기서, 필러 배열 필름의 가시광 투과율은, 가시광 투과율 측정 장치를 이용하여 계측되는 가시광(파장 400~700nm)의 평균 투과율이다. 가시광 투과율은 필름의 경화 후의 상태에서 측정하고 있다. 이 평균 투과율은, 예를 들면 면적 10mm×10mm의 투과율을 계측하면 된다. Here, the visible light transmittance of the pillar array film is the average transmittance of visible light (wavelength 400 to 700 nm) measured using a visible light transmittance measuring device. The visible light transmittance is measured in the state after curing of the film. This average transmittance should just measure the transmittance of the area of 10 mm x 10 mm, for example.

이와 같이 가시광 투과율은 10×10mm의 범위에서 측정할 수 있다. 10×10mm의 영역을 랜덤으로 5개소, 바람직하게는 10개소 이상을 측정하고, 그 평균으로부터 가시광 투과율을 산출할 수 있다. As such, the visible light transmittance can be measured in the range of 10 × 10 mm. Randomly measuring 5 locations, preferably 10 or more locations in a 10×10 mm area, the visible light transmittance can be calculated from the average.

이와는 별도로, 가시광 투과율의 측정 영역을, 동일 영역에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도가, 평균의 개수 밀도에 대해 ±10% 정도의 범위 내가 되도록 하여 가시광 투과율을 측정해도 된다. 이와 같이 하면, 기판의 일면에 μLED가 배치되어 있는 경우에, 접속에 필요한 도전 입자가 편재하고 있는지 아닌지의 확인이 용이해져, 접속에 사용하는 필름의 적합 여부를 판정하기 쉬워진다. 또, 기판에 붙이는 필름에, 불필요한 도전 입자가 존재하고 있는지의 적합 여부에도 이용할 수 있기 때문에, 접속 구조체의 생산성에도 기여할 수 있다. 또, 접속 구조체의 설계에 대해서도 제약이 적어진다는 편리성의 향상에도 기여한다. 10×10mm의 범위는, 일면은 아니어도 복수개의 μLED가 배치된 범위(접속 영역)가 될 수도 있지만, 이 사이즈와 동일 혹은 그 이상의 크기로 필름을 잘라 사용하는 경우 등을 상정해도, 상술한 바와 같이 가시광 투과율을 산출하는 것은 생산성 등에 기여할 수 있다고 생각된다. Alternatively, the visible light transmittance may be measured in such a way that the number density of the conductive particles in the measurement region of the visible light transmittance is within a range of about ±10% of the average number density in the same region. In this way, when μLEDs are disposed on one surface of the substrate, it is easy to check whether or not conductive particles necessary for connection are unevenly distributed, and it is easy to determine whether or not the film used for connection is suitable. In addition, since it can be used to determine whether or not unnecessary conductive particles are present in the film attached to the substrate, it can also contribute to the productivity of the bonded structure. Moreover, it contributes to the improvement of convenience that restrictions are reduced also about the design of a connection structure. Although the range of 10 × 10 mm may be a range (connection area) in which a plurality of μLEDs are arranged even if not on one side, even if the case where the film is cut to a size equal to or larger than this size is assumed, as described above, Similarly, calculating the visible light transmittance is considered to be able to contribute to productivity and the like.

도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 필러 배열 필름(1A)을 이용하여 접속하는 각 μLED(20)는 2개의 전극(21)을 갖고, 웨이퍼(22)에 격자 형상으로 규칙적으로 배열되어 있다. As shown in FIG. 2 , each µLED 20 connected using the pillar array film 1A of this embodiment has two electrodes 21 and is regularly arranged on a wafer 22 in a lattice shape.

μLED(20)의 외형과 사이즈에 대해서는, 예를 들면, 외형이 직사각형인 경우, 그 장변은 200μm 이하, 또는 150μm 미만, 또는 50μm 미만, 또는 20μm 미만이다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 10μm×20μm, 7μm×14μm, 5μm×5μm의 직사각형을 들 수 있다. 또한, μLED의 외형은 직사각형에 한정되지 않고, 예를 들면 능형이어도 된다. Regarding the outer shape and size of the μLED 20, for example, when the outer shape is a rectangle, the long side is 200 μm or less, or less than 150 μm, or less than 50 μm, or less than 20 μm. More specifically, for example, rectangles of 10 μm × 20 μm, 7 μm × 14 μm, and 5 μm × 5 μm are exemplified. Further, the outer shape of the μLED is not limited to a rectangle, and may be, for example, a rhombus shape.

또, 전극(21)의 외형과 사이즈로는, 특별히 한정되지 않지만, μLED가 작은 경우에는, 장변 5μm~50μm, 단변 3μm~40μm의 직사각형을 들 수 있으며, 하나의 μLED(20)에 있어서의 전극(21)들의 간격(Ls)은 사용 방법에 따라 적절히 선택할 수 있다. 하한은 재치(載置) 공정의 편리성에서, 바람직하게는 3μm 이상, 보다 바람직하게는 5μm 이상이다. 상한은 특별히 제한은 없다. μLED나 미니 LED보다 크고 단독으로 이용하는 소자의 경우에는 3000μm 이하여도 된다. 디스플레이 용도의 경우에는 1000μm 이하여도 되고, 500μm 이하여도 되고, 150μm 이하여도 되고, 20μm 이하여도 된다. In addition, the shape and size of the electrode 21 are not particularly limited, but when the μLED is small, a rectangle having a long side of 5 μm to 50 μm and a short side of 3 μm to 40 μm is exemplified. The interval Ls of (21) can be appropriately selected according to the usage method. The lower limit is preferably 3 μm or more, more preferably 5 μm or more, from the viewpoint of the convenience of the mounting process. The upper limit is not particularly limited. In the case of a device that is larger than μLED or mini LED and used alone, it may be 3000 μm or less. In the case of display use, it may be 1000 μm or less, 500 μm or less, 150 μm or less, or 20 μm or less.

필러 배열 필름(1A)에서는, 필러(2)의 고밀도 영역(4)이 μLED(제1 물품)(20)의 외형에 대응하여 형성되고, μLED의 배열에 대응하여 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있다. 각 고밀도 영역(4) 내에서는, 필러(2)가 μLED(제1 물품)(20)의 개개의 전극(접속부)(21)에 대응한 위치에 편재함으로써 편재 영역(3)을 형성하고 있다. 편재 영역(3)이나 고밀도 영역(4)은, 필러(2)의 집합체의 외형으로서 인식할 수 있다. In the pillar arrangement film 1A, the high-density regions 4 of the pillars 2 are formed corresponding to the outer shape of the μLED (first article) 20, and are regularly arranged at intervals corresponding to the arrangement of the μLEDs. . In each high-density region 4, the unevenly distributed region 3 is formed by the uneven distribution of the fillers 2 at positions corresponding to the individual electrodes (connection portions) 21 of the µLED (first article) 20. The unevenly distributed region 3 and the high-density region 4 can be recognized as the outer shape of the aggregate of the fillers 2 .

여기서, 편재 영역(3)이 μLED(20)의 전극(21)에 대응한 위치에 배치되어 있다는 것은, 소정의 배열 상태에 있는 복수의 μLED와 필러 배열 필름을 얼라인먼트한 경우에, 평면에서 볼 때에 개개의 μLED(20)의 전극(21)과 편재 영역(3)이 겹치고, 또한 개개의 μLED(20)의 전극(21) 간의 스페이스와 편재 영역(3) 간의 스페이스가 겹치는 것을 말하며, 바람직하게는 편재 영역(3) 내에 전극(21)이 위치하는 것, 또는 편재 영역(3)을 구성하는 도전 입자(2)의 1개 이상이 전극(21)과 겹치는 것을 말한다. Here, the fact that the unevenly distributed region 3 is disposed at a position corresponding to the electrode 21 of the μLED 20 means that when a plurality of μLEDs and the pillar array film are aligned in a predetermined arrangement, when viewed from a plane, This means that the electrode 21 of each μLED 20 and the uneven region 3 overlap, and the space between the electrodes 21 and the space between the uneven region 3 of each μLED 20 overlap, preferably. This means that the electrode 21 is positioned within the unevenly distributed region 3 or that one or more of the conductive particles 2 constituting the unevenly distributed region 3 overlap the electrode 21 .

또, 고밀도 영역(4)이 μLED(20)의 배열에 대응하여 배열되어 있다는 것은, 상술한 얼라인먼트에 의해 평면에서 볼 때에 각 μLED(20)와 고밀도 영역(4)이 겹치고, 또한 각 μLED 간의 스페이스와 고밀도 영역(4) 간의 스페이스가 겹치는 것을 말하며, 바람직하게는 각 μLED(20)에 대해서, 고밀도 영역(4)을 구성하는 도전 입자(2) 중 그 μLED(20)의 외형에서 벗어난 도전 입자(2)의 면적의 합계가 μLED(20)의 외형의 면적의 50% 이내인 것, 보다 바람직하게는 각 μLED(20)의 외형 내에 고밀도 영역(4)을 구성하는 모든 도전 입자(2)가 위치하는 것을 말한다. In addition, the fact that the high-density regions 4 are arranged corresponding to the arrangement of the μLEDs 20 means that each of the μLEDs 20 and the high-density region 4 overlap each other in a plan view due to the alignment described above, and also the space between the μLEDs. and the space between the high-density region 4 overlaps. Preferably, for each μLED 20, among the conductive particles 2 constituting the high-density region 4, the conductive particle deviating from the outer shape of the μLED 20 ( 2) is less than 50% of the area of the outer shape of the μLED 20, more preferably, all the conductive particles 2 constituting the high-density region 4 are located within the outer shape of each μLED 20 say to do

고밀도 영역(4)의 면적, 즉 고밀도 영역(4)을 구성하는 도전 입자(2) 중 외주부의 도전 입자(2)에 외접하는 고밀도 영역의 윤곽 형상의 면적은, 예를 들면 1변이 10μm~1000μm인 직사각형으로 할 수 있지만, 대응하는 μLED(20)의 외형에 대해 이하의 비율을 만족시키는 것이 바람직하다. 즉, 고밀도 영역(4)의 윤곽 형상의 면적과 μLED(20)의 외형의 평면에서 보았을 때의 면적의 비의 하한을 작게 하면, μLED(20) 외형 내에 도전 입자(2)가 들어가기 쉬워진다. 이 비는, 전극에서 도전 입자를 포착하기 쉽게 하기 위해 0.1배 이상이 바람직하고, 0.2배 이상이 보다 바람직하고, 0.5배 이상이 더 바람직하다. 한편, 상한을 크게 하면, 전극에 포착되는 도전 입자가 부족될 염려는 회피할 수 있지만, 투명성이나 미관을 해칠 우려가 있기 때문에, 1.5배 이하가 바람직하고, 1.3배 이하가 보다 바람직하고, 1.2배 이하가 더 바람직하다. The area of the high-density region 4, that is, the area of the contour shape of the high-density region circumscribed to the conductive particle 2 at the outer periphery among the conductive particles 2 constituting the high-density region 4, is, for example, 10 μm to 1000 μm per side. , but it is preferable to satisfy the following ratio with respect to the outer shape of the corresponding µLED 20. That is, if the lower limit of the ratio of the contour area of the high-density region 4 and the planar view area of the outer shape of the μLED 20 is reduced, the conductive particles 2 can easily enter the outer shape of the μLED 20. This ratio is preferably 0.1 times or more, more preferably 0.2 times or more, and still more preferably 0.5 times or more, in order to facilitate trapping of conductive particles by the electrode. On the other hand, if the upper limit is increased, the fear of insufficient conductive particles captured by the electrode can be avoided, but there is a risk of impairing transparency and aesthetics, so 1.5 times or less is preferable, 1.3 times or less is more preferable, and 1.2 times The following is more preferable.

또, 고밀도 영역(4)이 μLED의 배열에 대응하여 배열되어 있다는 것은, 고밀도 영역(4)의 배열 방향 및 배열 피치가 μLED의 배열 방향 및 배열 피치와 동일한 것을 말한다. Further, that the high-density regions 4 are arranged corresponding to the arrangement of μLEDs means that the arrangement direction and pitch of the high-density regions 4 are the same as the arrangement direction and pitch of the μLEDs.

상술한 바와 같이 필러 배열 필름(1A)의 도전 입자의 편재 영역(3)은 μLED(20)의 전극(21)에 대응하고, 고밀도 영역(4)은 μLED(20)의 외형에 대응하고 있으므로, 고밀도 영역(4) 간의 최근접 거리(즉, 어느 고밀도 영역을 구성하는 도전 입자와, 그 고밀도 영역에 가장 근접한 고밀도 영역을 구성하는 도전 입자의 거리)를 L1로 하고, 개개의 고밀도 영역 내에 있어서의 편재 영역(3) 간의 최근접 거리(즉, 개개의 고밀도 영역(4) 내에 있어서, 어느 편재 영역을 구성하는 도전 입자와, 그 편재 영역에 가장 근접한 편재 영역을 구성하는 도전 입자의 거리)를 L2로 하고, 편재 영역(3) 내의 도전 입자(2) 간의 최근접 거리를 L3으로 한 경우에, As described above, the localized region 3 of the conductive particles of the pillar array film 1A corresponds to the electrode 21 of the μLED 20, and the high-density region 4 corresponds to the outer shape of the μLED 20, The closest distance between the high-density regions 4 (that is, the distance between a conductive particle constituting a certain high-density region and a conductive particle constituting the high-density region closest to the high-density region) is L1, and in each high-density region The closest distance between the unevenly distributed regions 3 (that is, the distance between a conductive particle constituting a certain unevenly distributed region in each high-density region 4 and a conductive particle constituting the unevenly distributed region closest to that unevenly distributed region) is L2 , and the closest distance between the conductive particles 2 in the unevenly distributed region 3 is L3,

L1>L2>L3L1>L2>L3

이 되는 것이 바람직하다. It is desirable to be

웨이퍼(22)에 배열된 복수의 μLED(20)와 기판을 필러 배열 필름(1A)을 통하여 가열 가압함으로써 접속하는 경우의 필러 배열 필름(1A)의 절연성 수지층(10)의 수지 유동이 고밀도 영역(4) 내의 도전 입자(2)의 배치에 영향을 주기 어렵게 하는 점에서, L1이나 L2는, 당해 μLED의 외형이나 배열 피치, 전극 간 거리 등에 따라 적당히 정한다. The resin flow of the insulating resin layer 10 of the pillar array film 1A in the case of connecting the plurality of μLEDs 20 arranged on the wafer 22 and the substrate by heating and pressing through the pillar array film 1A is in the high-density region. (4) From the point of making it difficult to influence the arrangement|positioning of the conductive particle 2 in (4), L1 or L2 is suitably determined according to the shape of the microLED, arrangement pitch, distance between electrodes, etc.

또, 필러 배열 필름(1A)의 편재 영역(3)과 μLED(20)의 전극(21)과 기판의 전극의 얼라인먼트에 ±10% 정도의 어긋남을 허용하는 점에서, 편재 영역(3)의 면적, 즉, 편재 영역(3)을 구성하는 도전 입자(2) 중 외주부의 필러에 외접하는 윤곽 형상의 면적은, 대응하는 μLED(20)의 전극(21)의 평면에서 보았을 때의 면적의 0.5배 이상 1.8배 이하여도 되고, 1.0배 이상 1.2배 이하로 하는 것이 바람직하다. 이 범위이면, 도전 입자수가 과부족 없이 존재하기 때문에 포착과 쇼트도 양립할 수 있고, 또 양호한 포착 상태를 얻기 쉬워 확인하기도 쉽다. In addition, a deviation of about ±10% is allowed in the alignment between the unevenly distributed region 3 of the pillar array film 1A, the electrode 21 of the μLED 20, and the electrode on the substrate, so that the area of the unevenly distributed region 3 That is, among the conductive particles 2 constituting the unevenly distributed region 3, the area of the outline circumscribed to the pillar at the outer periphery is 0.5 times the area of the electrode 21 of the corresponding μLED 20 when viewed in plan view. It may be more than 1.8 times or less, and it is preferable to set it as 1.0 times or more and 1.2 times or less. Within this range, since the number of conductive particles is present without excess or deficiency, trapping and short circuiting are compatible, and a good trapping state is easily obtained and easy to check.

본 발명에 있어서 하나의 고밀도 영역(4)에는, 하나의 제1 물품이 갖는 접속부의 개수에 따른 개수로 편재 영역(3)을 존재시킬 수 있으며, 특히 3개 이하를 존재시킬 수 있고, 본 실시예에서는 2개의 편재 영역(3)을 존재시키고 있다. In the present invention, in one high-density region 4, the number of unevenly distributed regions 3 can be present according to the number of connection portions of one first article, and in particular, three or less can be present. In the example, two unevenly distributed regions 3 exist.

편재 영역(3) 내에서의 도전 입자 간의 최근접 거리(L3)와 도전 입자(2)의 평균 입자경(D)의 관계에 대해서는, 이들 비(L3/D)의 하한이 바람직하게는 0.3 이상, 보다 바람직하게는 0.5 이상이며, 상한에 대해서는 바람직하게는 4 이하, 보다 바람직하게는 3 이하이다. Regarding the relationship between the closest distance L3 between conductive particles in the unevenly distributed region 3 and the average particle diameter D of the conductive particles 2, the lower limit of these ratios (L3/D) is preferably 0.3 or more; More preferably, it is 0.5 or more, and about the upper limit, it is preferably 4 or less, and more preferably 3 or less.

편재 영역(3)에 있어서의 도전 입자(2)의 배치는, 랜덤으로 해도, 규칙적 배치로 해도 되나, 각 전극(21)에 있어서의 도전 입자의 포착성을 향상시키는 점에서, 도전 입자가 소정 피치로 소정 방향으로 배치되어 있는 배열축을 1 이상 갖는 평면 격자 패턴이 바람직하고, 예를 들면, 사방 격자, 육방 격자, 정방 격자, 장방 격자, 평행체 격자 등을 들 수 있다. 또, 평면 격자 패턴이 상이한 영역이 있어도 된다. The disposition of the conductive particles 2 in the unevenly distributed region 3 may be random or regular, but from the point of view of improving the trapping ability of the conductive particles in each electrode 21, the conductive particles may be predetermined. A planar lattice pattern having at least one array axis arranged in a predetermined direction at a pitch is preferable, and examples thereof include a tetragonal lattice, a hexagonal lattice, a tetragonal lattice, a rectangular lattice, and a parallel lattice. In addition, there may be regions with different planar lattice patterns.

(필러의 개수 밀도) (number density of fillers)

필러 배열 필름(1A)의 편재 영역(3)에 있어서의 필러의 밀도 부분은, 필러 배열 필름(1A)을 접속하는 대상물에 따라 설계된다. 필러 배열 필름이 이방성 도전 필름인 경우, 이방성 도전 필름에 의해 미소한 부품을 안정적으로 접속할 수 있게 하기 위해, 또 쇼트 리스크를 회피하기 위해, 도전 입자의 불규칙한 배치 또는 응집은 적은 것이 바람직하다. 특히, 도전 입자의 입자경이 3μm 미만에서는 편재 영역(3)에 있어서의 도전 입자의 불규칙한 배치 또는 응집이 적은 것이 바람직하다. The density portion of the filler in the uneven distribution region 3 of the pillar array film 1A is designed according to the object to which the pillar array film 1A is connected. When the filler array film is an anisotropic conductive film, in order to stably connect small parts with the anisotropic conductive film and to avoid a short risk, it is preferable that the conductive particles are less irregularly arranged or agglomerated. In particular, when the particle size of the conductive particles is less than 3 μm, it is preferable that the conductive particles are less irregularly arranged or agglomerated in the unevenly distributed region 3 .

편재 영역(3)에 있어서의 필러의 개수 밀도는, 필러 배열 필름(1A)을 접속하는 대상물에 따라 설계된다. 일례로서, 50000개/mm2 이상이 바람직하고, 500000개/mm2 이상이 보다 바람직하다. 한편, 고밀도 영역(4)들의 사이에 있어서의 필러의 개수 밀도는, 1000개/mm2 이하가 바람직하고, 실질적으로 제로인 것이 보다 바람직하다. 따라서, 필러의 개수 밀도를 편재 영역(3)에서 높게 해도 고밀도 영역(4)들 사이의 가시광 투과율은 대체로 40% 이상으로 할 수 있고, 필러 배열 필름 전체로서의 가시광 투과성을 40% 이상, 바람직하게는 50% 이상으로 할 수 있다. The number density of the fillers in the unevenly distributed region 3 is designed according to the object to which the filler array film 1A is connected. As an example, 50000/mm 2 or more is preferable, and 500000/mm 2 or more is more preferable. On the other hand, the number density of fillers between the high-density regions 4 is preferably 1000 pieces/mm 2 or less, and more preferably substantially zero. Therefore, even if the number density of the fillers is high in the unevenly distributed region 3, the visible light transmittance between the high-density regions 4 can be generally 40% or more, and the visible light transmittance as a whole of the filler array film is 40% or more, preferably. 50% or more can be done.

또한, 필러 배열 필름(1A)이 μLED 등의 제1 물품과 투명 디스플레이용 기판 등의 제2 물품의 접속에 제공된 경우에, 고밀도 영역(4)은 제1 물품과 제2 물품으로 협지되는 영역이 되기 때문에, 제1 물품과 제2 물품의 접속 후의 광투과성을 향상시키는데 있어서, 고밀도 영역(4) 내의 편재 영역(3)들 사이의 개수 밀도는 반드시 제로가 아니어도 된다. 예를 들면, 도 4에 나타내는 필러 배열 필름(1B)과 같이, 고밀도 영역(4) 내의 2개의 편재 영역(3)의 사이에 필러(2)가 존재하고 있어도 된다. 접속에 관여하지 않는 불필요한 필러를 저감시키기 위해, 하나의 고밀도 영역(4) 내에 있어서 편재 영역(3)들 사이의 필러의 개수는 편재 영역(3)의 필러의 개수의 50% 이하가 바람직하고 20% 이하가 보다 바람직하다. Further, when the pillar array film 1A is provided to connect a first article such as μLED and a second article such as a substrate for a transparent display, the high-density region 4 is a region sandwiched by the first article and the second article. Therefore, the number density between the unevenly distributed regions 3 in the high-density region 4 does not necessarily have to be zero in order to improve the light transmittance after the first article and the second article are connected. For example, like the filler array film 1B shown in FIG. 4 , the filler 2 may be present between two unevenly distributed regions 3 in the high-density region 4 . In order to reduce unnecessary fillers not involved in connection, the number of fillers between unevenly distributed regions 3 in one high-density region 4 is preferably 50% or less of the number of fillers in unevenly distributed regions 3, and 20 % or less is more preferable.

필러의 편재 영역(3)에 있어서의 필러 면적 점유율은, 필러 배열 필름으로 접속되는 대상물의 레이아웃의 자유도를 유지할 수 있도록 정할 수 있으며, 5% 이상이어도 되고, 8% 이상이 바람직하고, 8% 이상 85% 이하가 보다 바람직하다. The filler area occupancy rate in the unevenly distributed region 3 of the filler can be determined so as to maintain the degree of freedom in the layout of objects connected by the filler array film, and may be 5% or more, preferably 8% or more, and 8% or more. 85% or less is more preferable.

필러 면적 점유율은, 본 실시예에서는 도전 입자 면적 점유율의 의미이며, 필러 배열 필름의 편재 영역(3)의 평면에서 보았을 때에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도(개/mm2)×도전 입자 1개의 평면에서 보았을 때의 면적의 평균(mm2/개)×100으로 구할 수 있다. The filler area occupancy is the meaning of the conductive particle area occupancy rate in this embodiment, and the number density of conductive particles when viewed from the plane of the unevenly distributed region 3 of the filler array film (piece/mm 2 ) × the plane of one conductive particle It can be obtained as the average of the area (mm 2 /piece) × 100 when viewed from .

또한, 도전 입자의 개수 밀도는, 금속 현미경을 이용해 관찰하여 구하는 것 외에, 화상 해석 소프트(예를 들면, WinROOF(미타니 상사 주식회사)나, A상군(등록상표)(아사히 화성 엔지니어링 주식회사) 등)에 의해 관찰 화상을 계측하여 구해도 된다. 필러 배열 필름 상에서 관찰된 개수를 계측한다. 필러 배열 필름을 현저하게 작은 개편(個片)으로 하는 경우는, 개편화 전의 상태에서 측정한 개수 밀도로 측정한다. In addition, the number density of conductive particles can be determined by observation using a metal microscope, as well as by image analysis software (e.g., WinROOF (Mitani Shoji Co., Ltd.) or Phase A (registered trademark) (Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.)). may be obtained by measuring the observation image by The number observed on the filler array film is counted. When the filler array film is made into remarkably small pieces, it is measured by the number density measured in a state before the pieces are made into pieces.

(필러) (filler)

본 실시예에 있어서 필러로 하는 도전 입자(2)의 입자경은 특별히 제한되지 않지만, 입자경의 하한은 1μm 이상인 것이 바람직하다. 입자경의 상한은, 예를 들면, 접속 구조체에 있어서의 도전 입자의 포착 효율의 관점에서, 예를 들면 50μm 이하인 것이 바람직하고, 20μm 이하인 것이 더 바람직하다. 전극의 사이즈에 따라서는, 도전 입자의 입자경은 3μm 미만, 바람직하게는 2.5μm 미만, 보다 바람직하게는 2μm 이하가 요구되는 경우가 있다. 입자경이 1μm 미만인 경우, 1μm 이상의 집합체로서 취급해도 된다. In this embodiment, the particle diameter of the conductive particles 2 serving as the filler is not particularly limited, but the lower limit of the particle diameter is preferably 1 μm or more. The upper limit of the particle diameter is, for example, preferably 50 μm or less, and more preferably 20 μm or less, for example, from the viewpoint of the capturing efficiency of conductive particles in the bonded structure. Depending on the size of the electrode, the particle diameter of the conductive particles is less than 3 μm, preferably less than 2.5 μm, and more preferably less than 2 μm in some cases. When the particle diameter is less than 1 μm, you may handle it as an aggregate of 1 μm or more.

평균 입자경은, 화상형 입도 분포계(일례로서, FPIA-3000:맬번사 제조)에 의해 측정한 값으로 할 수 있다. 이 경우, 입자 개수는 1000개 이상, 바람직하게는 2000개 이상인 것이 바람직하다. The average particle diameter can be a value measured by an image type particle size distribution analyzer (as an example, FPIA-3000: manufactured by Malvern Corporation). In this case, the number of particles is preferably 1000 or more, preferably 2000 or more.

또, 도전 입자의 종류로는, 공지된 이방 도전성 필름에 이용되고 있는 도전 입자 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 도전 입자로는, 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 땜납 등의 합금 입자, 금속 피복 수지 입자, 표면에 절연성 미립자가 부착되어 있는 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 2종 이상을 병용할 수도 있다. 그 중에서도 금속 피복 수지 입자가, 접속된 후에 수지 입자가 반발함으로써 단자와의 접촉이 유지되기 쉬워져, 도통 성능이 안정되는 점에서 바람직하다. 또, 도전 입자의 표면에는 공지의 기술에 의해, 도통 특성에 지장을 초래하지 않는 절연 처리가 실시되어 있어도 된다. Moreover, as the kind of conductive particle, it can be suitably selected from the conductive particle used for the well-known anisotropic conductive film. Examples of conductive particles include metal particles such as nickel, cobalt, silver, copper, gold, and palladium, alloy particles such as solder, metal-coated resin particles, and metal-coated resin particles having insulating fine particles attached to the surface thereof. can be heard You may use 2 or more types together. Among them, the metal-coated resin particles are preferred in that contact with the terminal is easily maintained by repelling the resin particles after being connected, and conduction performance is stable. Further, the surfaces of the conductive particles may be subjected to an insulation treatment that does not impede the conduction characteristics by a known technique.

또한, 본 발명의 필러 배열 필름에 있어서 필러로는, 당해 필러 배열 필름의 용도에 따라, 무기계 필러(금속 입자, 금속 산화물 입자, 금속 질화물 입자 등), 유기계 필러(수지 입자, 고무 입자 등), 유기계 재료와 무기계 재료가 혼재한 필러(예를 들면, 코어가 수지 재료로 형성되고, 표면이 금속 도금되어 있는 입자(금속 피복 수지 입자), 도전 입자의 표면에 절연성 미립자를 부착시킨 것, 도전 입자의 표면을 절연 처리한 것 등)로부터, 경도, 광학적 성능 등의 용도에 요구되는 성능에 따라 적절히 선택된다. Further, in the filler array film of the present invention, the filler is an inorganic filler (metal particles, metal oxide particles, metal nitride particles, etc.), an organic filler (resin particles, rubber particles, etc.), Fillers in which organic and inorganic materials are mixed (e.g., particles having a core formed of a resin material and having a metal plated surface (metal-coated resin particles), conductive particles having insulating fine particles adhered to the surface, conductive particles) of which the surface is insulated, etc.), it is appropriately selected according to the performance required for the application, such as hardness and optical performance.

예를 들면, 필러 배열 필름을 도전 필름, 이방성 도전 필름으로서 사용하는 경우, 필러로서 도전 입자를 함유시킨다. 필러 배열 필름의 용도에 따라 도전 입자 이외의 필러를 사용해도 된다. For example, when the filler array film is used as a conductive film or an anisotropic conductive film, conductive particles are contained as a filler. Depending on the purpose of the filler array film, fillers other than conductive particles may be used.

필러 배열 필름을 μLED 등의 미소 광학 소자의 발색의 조정이나, 컬러 디스플레이에 있어서의 블랙 매트릭스 등의 용도로 사용하는 경우, 필러로서 공지의 색소, 안료, 광산란성 입자 등을 사용해도 된다. 필러 배열 필름의 용도가 광학 필름이나 무광 필름인 경우, 실리카 필러, 산화 티탄 필러, 스티렌 필러, 아크릴 필러, 멜라민 필러나 다양한 티탄산 염 등을 사용할 수 있다. 콘덴서용 필름에서는, 산화 티탄, 티탄산 마그네슘, 티탄산 아연, 티탄산 비스무트, 산화 란탄, 티탄산 칼슘, 티탄산 스트론튬, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 티탄산 지르콘산 주석 및 이들 혼합물 등을 사용할 수 있다. 접착 필름에서는 폴리머계의 고무 입자, 실리콘 고무 입자 등을 함유시킬 수 있다. When the filler array film is used for adjustment of color development of microscopic optical elements such as μLEDs or for applications such as black matrices in color displays, known pigments, pigments, light scattering particles, etc. may be used as fillers. When the purpose of the filler array film is an optical film or a matte film, a silica filler, a titanium oxide filler, a styrene filler, an acrylic filler, a melamine filler, or various titanate salts may be used. For the capacitor film, titanium oxide, magnesium titanate, zinc titanate, bismuth titanate, lanthanum oxide, calcium titanate, strontium titanate, barium titanate, barium titanate, tin zirconate titanate, and mixtures thereof can be used. In the adhesive film, polymeric rubber particles, silicone rubber particles, and the like can be contained.

(필러 배열 필름의 단면 구조) (Cross-sectional structure of filler array film)

도 3은, 도 1에 나타낸 필러 배열 필름(1A)의 A-A 단면도이다. 본 실시예의 필러 배열 필름(1)의 편재 영역(3)에서는, 도전 입자(2)가 절연성 수지층(10)에 배열되어 있다. FIG. 3 is an A-A sectional view of the pillar array film 1A shown in FIG. 1 . In the unevenly distributed region 3 of the filler array film 1 of this embodiment, the conductive particles 2 are arranged in the insulating resin layer 10.

절연성 수지층(10)은 단일 절연성 수지층으로 구성되어 있어도 되고, 복수의 수지층의 적층체로 구성되어 있어도 된다. 도전 입자(2)의 단부의 위치는, 층의 한쪽의 면과 대략 위치되어 있는 것이 바람직하다. 대략 일치란, 예를 들면, 입자경의 ±10% 정도의 오차를 포함한다. 절연성 수지층을 복수의 수지층의 적층체로 하는 경우, 예를 들면, 도 3에 나타내는 바와 같이 도전 입자(2)를 유지하는 고점도 바인더 수지층(11)과, 고점도 바인더 수지층(11)보다도 저점도의 접착제층(12)으로 할 수 있다. 이 고점도 바인더 수지층(11)과 접착제층(12)을 구성하는 수지는, 예를 들면, 특허문헌 3에 기재된 절연성 수지층을 구성하는 바인더나 접착제층과 동일하게 할 수 있다. 상이한 층에 상이한 필러를 배치시켜 적층해도 된다. The insulating resin layer 10 may be composed of a single insulating resin layer or may be composed of a laminate of a plurality of resin layers. It is preferable that the position of the end part of the conductive particle 2 is substantially positioned with one surface of the layer. Rough agreement includes, for example, an error of about ±10% of the particle size. When the insulating resin layer is a laminate of a plurality of resin layers, for example, as shown in FIG. It can be used as the adhesive layer 12 of FIG. The resin constituting the high-viscosity binder resin layer 11 and the adhesive layer 12 can be the same as the binder or adhesive layer constituting the insulating resin layer described in Patent Literature 3, for example. Different fillers may be disposed on different layers and laminated.

단, 필러 배열 필름(1A)을 제1 물품과 제2 물품의 접속에 제공한 후의 절연성 수지층의 투명성을 향상시키기 위해, 절연성 수지층(10)(고점도 바인더 수지층(11), 접착제층(12))에는 무기 필러를 가능한 한 첨가하지 않는 것이 바람직하다. 또, 절연성 수지층(10)에 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 공역 이중 결합을 갖지 않는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. However, in order to improve the transparency of the insulating resin layer after the filler array film 1A is provided to connect the first and second articles, the insulating resin layer 10 (high viscosity binder resin layer 11, adhesive layer ( In 12)), it is preferable not to add an inorganic filler as much as possible. Moreover, when using an epoxy resin for the insulating resin layer 10, it is preferable to use the epoxy resin which does not have a conjugated double bond.

또, 절연성 수지층(10)에는 필요에 따라 고무 성분을 첨가할 수 있다. 고무 성분을 접속 구조체의 휨이나 뒤틀림의 방지를 위해 배합해도 된다. 고무 성분은, 쿠션성(충격 흡수성)이 높은 엘라스토머이면 특별히 한정되는 것이 아니고, 구체예로서, 예를 들면, 아크릴 고무, 실리콘 고무, 부타디엔 고무, 폴리우레탄 수지(폴리우레탄계 엘라스토머) 등을 들 수 있다. Moreover, a rubber component can be added to the insulating resin layer 10 as needed. A rubber component may be incorporated to prevent warping or distortion of the bonded structure. The rubber component is not particularly limited as long as it is an elastomer having high cushioning properties (shock absorption), and examples thereof include acrylic rubber, silicone rubber, butadiene rubber, polyurethane resin (polyurethane-based elastomer), and the like.

절연성 수지층(10)의 층 두께는, 필러 배열 필름(1)을 통하여 μLED와 기판을 가열 가압함으로써 이들을 접속하는 경우에, 절연성 수지층에 불필요한 수지 유동이 생기지 않도록 하고, 또, 필러 배열 필름(1)을 권장체(捲裝體)로 하는 경우의 수지의 비어져나옴이나 블로킹을 방지하는 점에서, 층 두께의 하한에 대해서는 도전 입자(2)의 평균 입자경의 0.6배 이상, 바람직하게는 0.9배 이상, 더 바람직하게는 1배 이상이며, 상한에 대해서는 3배 이하, 바람직하게는 2배 이하, 더 바람직하게는 1.5배 이하이다. 절연성 수지층(10)의 층 두께가, 도전 입자(2)의 평균 입자경의 0.6배 미만이면, 절연성 수지층(10)으로부터 도전 입자(2)가 노출되어 버리므로, 필러 배열 필름(1)을 이용하여 μLED와 기판을 접속할 때에, 필러 배열 필름과 μLED 또는 기판을 가부착하기 어려워진다. 한편, 3배를 초과하면, μLED와 기판의 접속 시에 과도하게 수지 유동이 발생하여, 수지 유동에 의해 도전 입자(2)가 흐르게 되어, 전극에 있어서의 도전 입자의 포착성이 저하된다. The layer thickness of the insulating resin layer 10 is such that, when connecting the μLED and the substrate by heating and pressing the μLED through the pillar array film 1, unnecessary resin flow does not occur in the insulating resin layer, and the pillar array film ( From the point of preventing resin protrusion and blocking when 1) is used as a winding body, the lower limit of the layer thickness is 0.6 times or more of the average particle diameter of the conductive particles 2, preferably 0.9. It is twice or more, more preferably 1 time or more, and the upper limit is 3 times or less, preferably 2 times or less, and more preferably 1.5 times or less. If the layer thickness of the insulating resin layer 10 is less than 0.6 times the average particle diameter of the conductive particles 2, the conductive particles 2 will be exposed from the insulating resin layer 10. When connecting the μLED and the substrate by using the method, it becomes difficult to temporarily attach the pillar array film and the μLED or the substrate. On the other hand, when the ratio exceeds 3 times, excessive flow of resin occurs during connection between the μLED and the substrate, and the flow of the resin causes the conductive particles 2 to flow, degrading the ability to capture the conductive particles in the electrode.

또, 입자의 배열까지를 고려한 제조 상의 이유에서, 절연성 수지층(10)의 층 두께는, 하한에 대해서는 2μm 이상이 바람직하고, 3μm 이상이 보다 바람직하다. 상한에 대해서는, 층 두께가 너무 커지면 접속 시의 어긋남이 발생하기 쉬워지기 때문에, 32μm 이하가 바람직하고, 20μm 이하가 보다 바람직하고, 8μm 이하가 더 바람직하다. In addition, for manufacturing reasons considering even the arrangement of particles, the lower limit of the layer thickness of the insulating resin layer 10 is preferably 2 μm or more, and more preferably 3 μm or more. The upper limit is preferably 32 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 8 μm or less, since shifting at the time of connection tends to occur when the layer thickness is too large.

또, 본 발명의 경우는, μLED 그 자체가 작아, μLED의 크기와 도전 입자의 크기는 종래보다 가까워진다. μLED는 어긋나기 쉬워지는 것이 염려되지만, 접속 구조체로는 이 어긋남을 회피하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 이유에서도 절연성 수지층(10)의 두께는 상기의 범위 내에 들어가는 것이 요구된다. In addition, in the case of the present invention, since the μLED itself is small, the size of the μLED and the size of the conductive particles are closer than before. There is a concern that μLEDs tend to shift, but it is preferable that the connection structure avoids this shift. Also for this reason, the thickness of the insulating resin layer 10 is required to fall within the above range.

(필러 배열 필름의 제조 방법) (Method of manufacturing filler array film)

필러 배열 필름(1A)은, 도전 입자를 상술과 같이 특정의 배치로 하는 것 이외에는 공지의 이방성 도전 필름과 동일하게 제조할 수 있다. 예를 들면, 특허문헌 3에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법과 동일하게, 우선, 도전 입자의 배열 패턴에 따른 오목부가 형성된 형(型)을 준비하고, 그 형에 도전 입자(2)를 충전하고, 그 위에 박리 필름 상에 형성한 고점도 바인더 수지층(11)을 합착하여, 도전 입자(2)를 고점도 바인더 수지층(11)에 압입하여 전착하고, 그 전착면에 접착제층(12)을 적층한다. The pillar array film 1A can be manufactured in the same way as a known anisotropic conductive film, except that the conductive particles are arranged in a specific manner as described above. For example, in the same way as in the manufacturing method of an anisotropic conductive film described in Patent Document 3, first, a mold having concave portions corresponding to the arrangement pattern of conductive particles is prepared, and the mold is filled with conductive particles 2. The high-viscosity binder resin layer 11 formed on the release film is bonded thereon, the conductive particles 2 are press-fitted and electrodeposited into the high-viscosity binder resin layer 11, and the adhesive layer 12 is laminated on the electrodeposited surface. do.

(필러 배열 필름을 사용하는 접속 방법) (Connection method using filler array film)

필러 배열 필름(1A)을 이용하여, 복수의 μLED(20)가 웨이퍼(22) 상에서 규칙적으로 배열된 상태에서 μLED(20)의 전극과, 기판의 전극을 접속하는 방법은, 우선, 기판의 전극 상에 필러 배열 필름(1A)을 위치 맞춤하여 붙이고, 그 필러 배열 필름(1A)과, 웨이퍼(22) 상에 배열된 μLED(20)를 위치 맞춤하여 합착하고, 가열 가압하여 μLED(20)의 전극과 기판의 전극을 접속한다. 이 경우, 특허문헌 3에 기재된 바와 같이 2단계 방식으로 가열 가압함으로써 접속해도 된다. 또, 도전 입자가 땜납 입자 등인 경우에, 리플로우에 의해 접속해도 된다. A method of connecting the electrodes of the μLEDs 20 and the electrodes of the substrate in a state in which the plurality of μLEDs 20 are regularly arranged on the wafer 22 using the pillar array film 1A is, first, the electrodes of the substrate. A pillar array film 1A is aligned and pasted on the top, the pillar array film 1A and the µLEDs 20 arranged on the wafer 22 are aligned and bonded, and heated and pressed to form the µLEDs 20. The electrode and the electrode of the substrate are connected. In this case, as described in Patent Literature 3, you may connect by heating and pressurizing in a two-step method. In the case where the conductive particles are solder particles or the like, they may be connected by reflow.

이 가열 가압 시에, 필러 배열 필름(1)의 절연성 수지층은 유동하여, μLED(20)와 기판의 대향면의 간극에 충전되고, 경화됨으로써 μLED(20)와 기판을 접착하지만, 이 때의 수지의 유동성은, 도전 입자가 배치되지 않은 고밀도 영역(4)들의 사이에서 높고, 고밀도 영역(4) 내에서는 고밀도 영역(4)들의 사이에 비해 수지의 유동성이 낮다. 따라서, 고밀도 영역(4) 내에 있어서 μLED의 전극에 대응하여 배치되어 있는 편재 영역(3)의 도전 입자(2)는, 고밀도 영역(4)들 사이의 수지 유동의 영향을 받기 어려워, 각 μLED(20)의 전극(21)이 확실히 도전 입자(2)를 포착하는 것이 가능해진다. During this heating and pressing, the insulating resin layer of the pillar array film 1 flows, is filled in the gap between the opposite surface of the μLED 20 and the substrate, and is cured to bond the μLED 20 and the substrate. The fluidity of the resin is high between the high-density regions 4 where conductive particles are not disposed, and the fluidity of the resin is low within the high-density regions 4 compared to between the high-density regions 4 . Therefore, the conductive particles 2 in the unevenly distributed regions 3 disposed corresponding to the electrodes of the μLEDs in the high-density region 4 are less susceptible to the influence of the resin flow between the high-density regions 4, and each μLED ( It becomes possible for the electrode 21 of 20 to capture the conductive particle 2 reliably.

또한, 고밀도 영역(4) 내에서는, 전극(21)의 배치에 대응하여 편재 영역(3)들이 거리(L2)를 두고 배치되어 있으므로, 하나의 μLED 내의 전극(21)들의 쇼트의 발생이 억제된다. In addition, in the high-density region 4, since the unevenly distributed regions 3 are arranged at a distance L2 corresponding to the arrangement of the electrodes 21, the occurrence of short circuits of the electrodes 21 in one µLED is suppressed. .

이에 더하여, 필러 배열 필름(1)에 있어서, 고밀도 영역(4)들의 사이에는 도전 입자(2)가 실질적으로 존재하지 않기 때문에, 기판에 μLED를 접속한 후에 그 μLED(20)가 발하는 광이 이 사이의 도전 입자(2)로 가려지지 않는다. 따라서, 필름 전체면에 도전 입자가 균일하게 존재하고 있는 필러 배열 필름을 사용한 경우에 비해, μLED를 실장한 발광 장치의 발광 효율이 향상된다. In addition, since the conductive particles 2 are substantially absent between the high-density regions 4 in the pillar array film 1, the light emitted by the μLEDs 20 after connecting the μLEDs to the substrate is It is not covered by the conductive particles 2 between them. Therefore, the light emitting efficiency of the light emitting device in which the μLED is mounted is improved compared to the case where the pillar array film in which the conductive particles are uniformly present on the entire surface of the film is used.

또한, 필러 배열 필름은 개편 형상으로 해도 된다. 개편 형상의 크기는, 대상물에 맞추어 설계할 수 있지만, 예를 들면 1변이 5μm 이상, 150m 이하로 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 후술하는 색이나 광을 조정하는 용도로도 전개할 수 있는 것을 기대할 수 있다. 즉, 개편 형상으로 한 필름으로 제1 물품과 제2 물품을 접속해도 되고, 개편 형상으로 한 필름을 전극 상에만 배치해도 된다. 개편화는, 기계적 방법, 화학적 방법, 레이저 등을 이용하여 절입(切入)을 형성하거나 하여 형성할 수 있다. 또한, 절입은, 기재에 이를 때까지 깊지 않아도 되고, 하프 컷이어도 된다. In addition, the pillar array film may be in the shape of a single piece. Although the size of the singular shape can be designed according to the object, for example, one side can be 5 μm or more and 150 m or less. By doing in this way, it can be expected that it can also be developed for the purpose of adjusting color and light, which will be described later. That is, the first article and the second article may be connected with a film made into a piece shape, or the film made into a piece shape may be disposed only on the electrode. Segmentation can be formed by forming an incision using a mechanical method, a chemical method, a laser, or the like. In addition, the incision does not have to be deep until it reaches the base material, and may be a half cut.

필러 배열 필름의 가부착이나 필름 전사 및 μLED의 기판 상으로의 탑재는, 스탬프재나 레이저를 이용한 수법(레이저 리프트 오프법)과 같은 공지의 수법이나 그것을 응용한 수법을 이용할 수 있으며(예를 들면, 일본 특허공개 평9-124020호 공보, 일본 특허공개 2011-76808호 공보, 일본 특허 6636017호 공보, 일본 특허 6187665호 공보 등에 기재된 방법), 발명의 효과를 발휘할 수 있는 수법이면 특별히 한정되지는 않는다. For temporary attachment of the pillar array film, film transfer, and mounting of the μLED on the substrate, a known method such as a method using a stamp material or a laser (laser lift-off method) or a method applied thereto can be used (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-124020, Japanese Patent Laid-Open No. 2011-76808, Japanese Patent No. 6636017, Japanese Patent No. 6187665, etc.), as long as it is a technique capable of exhibiting the effect of the invention, it is not particularly limited.

(접속 구조체) (connection structure)

실시예의 필러 배열 필름(1A)을 이용하여 상술한 방법으로 접속된 μLED(20)와 기판의 접속 구조체는, 편재 영역(3) 내의 필러(2)가 μLED(20)의 전극(21)과 기판의 전극의 접속 개소를 구성하고 있다. 실시예는 μLED를 예로 설명하고 있지만, 본 발명에 있어서 접속 구조체는 미니 LED여도 된다. In the connection structure between the µLED 20 and the substrate connected by the above-described method using the pillar array film 1A of the embodiment, the pillar 2 in the uneven distribution region 3 connects the electrode 21 of the µLED 20 to the substrate. It constitutes the connection point of the electrode of [0040] Although the examples are described using µLED as an example, the connection structure may be a mini LED in the present invention.

상술한 바와 같이 접속 시의 수지 유동의 영향이 고밀도 영역(4) 내의 도전 입자(2)의 배치에 영향을 주기 어렵기 때문에, 접속 전과 마찬가지로, 접속 후에 있어서도 편재 영역이 복수 집합된 고밀도 영역이 μLED의 탑재 위치에 대응하여 존재하고, 고밀도 영역이 μLED의 배열에 대응하여 배열되어 있다. As described above, since the influence of the flow of the resin at the time of connection hardly affects the arrangement of the conductive particles 2 in the high-density region 4, the high-density region in which a plurality of unevenly distributed regions are aggregated after the connection as well as before the connection is a μLED. It exists corresponding to the mounting position of , and high-density regions are arranged corresponding to the arrangement of μLEDs.

따라서, 필러 배열 필름에 μLED 및 기판이 접속되어 있지 않은 부분의 접속 구조체에 있어서의 가시광 투과율은, 필러 배열 필름의 평균 가시광 투과율 40%보다 높고, 바람직하게는 50% 이상이다. 따라서, 이 접속 구조체의 발광 효율은, 필러 배열 필름으로서, 이 접속 구조체의 편재 영역(3)의 도전 입자(2)의 개수 밀도로 필름 전체면에 도전 입자가 균일하게 존재하고 있는 것을 사용한 경우에 비해 현저하게 향상되어 있다. 또, 각 전극에 있어서의 도전 입자의 포착성도 높고, 쇼트의 발생 비율도 저하되어 있다. Therefore, the visible light transmittance of the connection structure of the portion of the pillar array film to which the μLED and substrate are not connected is higher than the average visible light transmittance of the pillar array film of 40%, and is preferably 50% or more. Therefore, the luminous efficiency of this connected structure is obtained when a filler array film in which conductive particles are uniformly present on the entire surface of the film at the number density of the conductive particles 2 in the unevenly distributed region 3 of this connected structure is used. markedly improved compared to In addition, the ability to capture conductive particles in each electrode is high, and the rate of occurrence of short circuits is also low.

이상, 본 발명의 필러 배열 필름을 이용한 접속 방법과 그에 의해 얻어지는 접속 구조체를, 제1 물품을 μLED로 하고, 제2 물품을 μLED용의 배선 회로가 형성된 기판으로 하고, 필러 배열 필름의 필러를 도전 입자로 하는 경우에 의거하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. As described above, in the connection method using the pillar array film of the present invention and the connection structure obtained thereby, the first article is a μLED, the second article is a substrate on which a μLED wiring circuit is formed, and the pillars of the pillar array film are conductive. Although the description was made based on the case of using particles, the present invention is not limited to this.

예를 들면, 제1 물품을 광산란 필름, 블랙 매트릭스층 등으로 하고, 제2 물품을 투명 기판(μLED를 탑재하는 기판) 등으로 하고, 필러를 실리카나 흑색으로 착색한 입자 등으로 함으로써 제1 물품과 제2 물품의 접속 구조체의 색감을 조정해도 된다. For example, the first article is made of a light scattering film, a black matrix layer, etc. as the first article, a transparent substrate (a substrate on which μLEDs are mounted), etc. as the second article, and silica or black colored particles as the filler. and the color of the connection structure of the second article may be adjusted.

[실시예] [Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples.

실시예 1~4, 비교예 1~4 Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 4

(이방성 도전 필름의 제작) (Production of anisotropic conductive film)

표 1의 수지 조성으로 수지를 혼합하여, 박리 필름 상에 도포하고, 건조(60℃, 3분)시킴으로써 접착 필름을 얻었다. An adhesive film was obtained by mixing resin with the resin composition of Table 1, applying it on a peeling film, and drying (60°C, 3 minutes).

한편, 도전 입자(평균 입자경 2.2μm 또는 3.2μm, 0.2μm Ni 도금 수지 입자, 세키스이 화학공업 주식회사)가 표 2에 나타내는 배치가 되도록, 일본 특허 제6187665호 공보에 기재된 방법과 동일하게 하여 도전 입자를 충전하는 오목부를 갖는 형을 제작하고, 그 오목부에 도전 입자를 충전하여, 표 1의 접착 필름을 씌우고, 그 접착 필름에 도전 입자를 압입하여, 이방성 도전 필름을 제작했다. On the other hand, conductive particles (average particle diameter of 2.2 μm or 3.2 μm, 0.2 μm Ni-plated resin particles, Sekisui Chemical Industry Co., Ltd.) are arranged in the same manner as described in Japanese Patent No. 6187665, so that the conductive particles are arranged as shown in Table 2. A mold having a concave portion filled with was prepared, the concave portion was filled with conductive particles, the adhesive film of Table 1 was covered, and the conductive particle was press-injected into the adhesive film to prepare an anisotropic conductive film.

(이방성 도전 필름의 평가) (Evaluation of anisotropic conductive film)

실시예 1~4 및 비교예 1~4의 이방성 도전 필름을 이용하여 입자 포착성, 도통 저항, 절연성, 가시광 투과율을 다음과 같이 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다. Using the anisotropic conductive films of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, particle trapping properties, conduction resistance, insulation properties, and visible light transmittance were evaluated as follows. The results are shown in Table 2.

(i) 입자 포착성 (i) Particle entrapment

실시예 1~4 및 비교예 1~4의 이방성 도전 필름을 ITO/NdMo 패턴 유리에 붙이고, 그 위에, μLED를 본뜬 평가용 IC칩을 가열 압착(도달 온도 150℃, 가압 30Mpa, 10초)하여, 실장체를 얻었다. 이 평가용 IC칩은, 범프 10μm×10μm가 2개(범프간 스페이스 7μm)로 1세트로 된 것이, 1.5cm×1.5cm의 범위에 대략 일면에 30μm 피치로 늘어놓아진 전극 레이아웃을 갖는다. The anisotropic conductive films of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were attached to ITO/NdMo patterned glass, and an IC chip for evaluation imitating a μLED was heat-pressed (attained temperature: 150°C, pressurization: 30 Mpa, 10 seconds) on top of it. , a mounting body was obtained. This IC chip for evaluation has an electrode layout in which two bumps of 10 μm × 10 μm (space between bumps of 7 μm) are arranged as a set in a range of 1.5 cm × 1.5 cm at a pitch of 30 μm on one surface.

이 실장체의 100개의 범프를 관찰함으로써, 범프에 포착되어 있는 도전 입자수를 계측했다. 이 계측수의 100개의 범프에 있어서의 최저수에 의해, 이하의 기준으로 평가했다. By observing 100 bumps of this mounting body, the number of conductive particles captured by the bumps was measured. The lowest number in 100 bumps of this number of measurements was evaluated according to the following criteria.

A:5개 이상 A: 5 or more

B:3~4개 B: 3-4

C:1~2개 C: 1-2

D:0개 D: 0

(ii) 도통 저항 (ii) conduction resistance

상술한 실장체의 100개의 도통 저항을 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다. The conduction resistance of 100 of the mounting bodies described above was measured and evaluated according to the following criteria.

A:30Ω 미만 A: Less than 30Ω

B:30Ω 이상 100Ω 미만 B: 30 Ω or more and less than 100 Ω

C:100Ω 이상 300Ω 미만 C: 100 Ω or more and less than 300 Ω

D:300Ω 이상 D: 300Ω or more

(iii) 절연성 (iii) insulation

상술한 실장체의 100개의 범프간 스페이스에 대해서 도통 저항을 측정하고, 107Ω 이하를 쇼트로 판정했다. 이 쇼트수에 의해, 이하의 기준으로 평가했다. The conduction resistance was measured for the space between 100 bumps of the mounting body described above, and a resistance of 10 7 Ω or less was determined to be a short circuit. The number of shots was evaluated according to the following criteria.

A:쇼트 없음 A: No short

B:쇼트 1개 B: 1 short

C:쇼트 2개 C: 2 shorts

D:쇼트 3개 이상 D: 3 or more shorts

(iv) 가시광 투과율 (iv) visible light transmittance

실시예 1~4 및 비교예 1~4의 이방성 도전 필름의 가시광 투과율(400~700nm)을 측정하고, 그 평균의 투과율(계측 면적 10mm×10mm)에 의해, 이하의 기준으로 평가했다. 또한, 투과율 측정에는 UV-2450((주) 시마즈 제작소 제조/JIS Z 8729)를 사용했다. 이 경우, 가시광 투과율의 측정 시료는, 이방성 도전 필름을 기판에 붙인 상태에서, 200℃ 환경 하에서 1분간 방치하여, 경화된 상태의 것으로 했다. 가시광 투과율에 의해 접속 구조체에 있어서 비어져나온 수지가 어떻게 영향을 주는지를 볼 수 있다. 또, 접속에 사용하는 개소에 적절한 도전 입자의 배치가 되어 있는지의 판정이나, 접속 구조체에 사용하기에 충분한 투명성이 확보되어 있는지를 확인할 수 있다. The visible light transmittance (400 to 700 nm) of the anisotropic conductive films of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 was measured, and the average transmittance (measurement area: 10 mm × 10 mm) was evaluated according to the following criteria. In addition, UV-2450 (manufactured by Shimadzu Corporation/JIS Z 8729) was used for transmittance measurement. In this case, the measurement sample for the visible light transmittance was left to stand for 1 minute in a 200°C environment in a state where the anisotropic conductive film was attached to the substrate to be in a cured state. It is possible to see how the resin protruding in the bonded structure affects the visible light transmittance. In addition, it is possible to determine whether conductive particles are properly disposed at the location used for connection, and to check whether sufficient transparency is ensured for use in a bonded structure.

A:50% 이상 A: 50% or more

B:35% 이상 B: 35% or more

C:20% 이상 C: 20% or more

D:20% 미만 D: Less than 20%

표 2로부터, 도전 입자를 μ칩 또는 μLED의 범프에 편재시킨 실시예의 이방성 도전 필름을 이용하면, 입자 포착성, 도통 저항, 절연성, 가시광 투과율 모두 B 이상의 우수한 평가가 되는 것을 알 수 있다. From Table 2, it can be seen that when the anisotropic conductive film of the example in which conductive particles are unevenly distributed on the bumps of the μ-chip or μLED is used, all of the particle trapping properties, conduction resistance, insulation, and visible light transmittance are rated B or better.

이에 반해, 실시예 1의 편재 영역에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도와 동일한 개수 밀도로 필름 전체에 도전 입자가 균일하게 존재하는 비교예 1에서는 가시광 투과율이 떨어져 있다. 또, 필름 전체의 개수 밀도가 낮은 비교예 2에서는 가시광 투과율이 B 평가이지만, 입자 포착성 및 도통 저항이 떨어져 있다. 비교예 4에서는 필름 전체에 있어서의 개수 밀도가 실시예 1의 편재 영역에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도와 동일하지만, 도전 입자가 랜덤으로 배치되어 있기 때문에, 절연성 및 가시광 투과율의 평가가 현저하게 떨어지고, 비교예 4보다 필름 전체에 있어서의 개수 밀도가 낮은 비교예 3에서는, 도전 입자가 랜덤으로 배치되어 있기 때문에 입자 포착성 및 도통 저항의 평가가 현저하게 떨어져 있다. In contrast, in Comparative Example 1, in which conductive particles are uniformly present throughout the film at the same number density as the number density of conductive particles in the unevenly distributed region of Example 1, the visible light transmittance is low. Further, in Comparative Example 2, where the number density of the entire film was low, the visible light transmittance was rated B, but the particle trapping ability and conduction resistance were poor. In Comparative Example 4, the number density of the entire film is the same as the number density of conductive particles in the unevenly distributed region of Example 1, but since the conductive particles are randomly arranged, the evaluation of insulation properties and visible light transmittance is remarkably poor. , In Comparative Example 3, in which the number density of the entire film was lower than in Comparative Example 4, the evaluation of the particle trapping ability and the conduction resistance was remarkably inferior because the conductive particles were randomly arranged.

1A, 1B 필러 배열 필름 2 필러, 도전 입자
3 편재 영역 4 고밀도 영역
10 절연성 수지층 11 고점도 바인더 수지층
12 접착제층 20 제1 물품, μLED
21 전극 22 웨이퍼
L1 고밀도 영역 간의 최근접 거리 L2 편재 영역 간의 최근접 거리
L3 편재 영역 내의 필러 간의 최근접 거리
Ls μLED의 전극 간 거리
1A, 1B filler array film 2 filler, conductive particles
3 ubiquitous region 4 high-density region
10 Insulating resin layer 11 High viscosity binder resin layer
12 adhesive layer 20 first article, μLED
21 electrode 22 wafer
L1 Closest distance between high-density regions L2 Nearest distance between ubiquitous regions
L3 closest distance between fillers in localization region
Distance between electrodes of Ls μLED

Claims (17)

절연 접착층에 필러가 배치되어 있는 필러 배열 필름으로서,
필러의 고밀도 영역이 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있고,
각 고밀도 영역에 필러의 편재 영역이 복수 개 형성되어 있으며,
필러 배열 필름의 평균 가시광 투과율이 40% 이상인, 필러 배열 필름.
A filler array film in which a filler is disposed on an insulating adhesive layer,
The high-density regions of the filler are regularly arranged at intervals,
A plurality of regions of uneven distribution of fillers are formed in each high-density region,
A pillar array film having an average visible light transmittance of 40% or more.
청구항 1에 있어서,
고밀도 영역이 1변 10μm~1000μm의 직사각형인, 필러 배열 필름.
The method of claim 1,
A filler array film in which the high-density region is a rectangle with a side of 10 μm to 1000 μm.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
고밀도 영역 내의 필러의 편재 영역에 있어서의 필러의 개수 밀도가 50000개/mm2 이상인, 필러 배열 필름.
According to claim 1 or claim 2,
A filler array film having a number density of 50,000 fillers/mm 2 or more in a region where the fillers are unevenly distributed in a high-density region.
청구항 3에 있어서,
고밀도 영역 내의 필러의 편재 영역에 있어서의 필러의 개수 밀도가 500000개/mm2 이상인, 필러 배열 필름.
The method of claim 3,
A filler array film having a number density of 500,000 fillers/mm 2 or more in a region where fillers are unevenly distributed in a high-density region.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
고밀도 영역 간의 필러의 개수 밀도가 1000개/mm2 이하인, 필러 배열 필름.
The method according to any one of claims 1 to 4,
A filler array film in which the number density of fillers between high-density regions is 1000 pieces/mm 2 or less.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
고밀도 영역 내의 편재 영역 간의 필러의 개수가 편재 영역의 필러의 개수의 50% 이하인, 필러 배열 필름.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The filler array film, wherein the number of fillers between unevenly distributed regions in the high-density region is 50% or less of the number of fillers in unevenly distributed regions.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
필러의 편재 영역에 있어서의 필러의 면적 점유율이 5% 이상인, 필러 배열 필름.
The method according to any one of claims 1 to 6,
A filler array film having an area occupancy rate of 5% or more in a region where fillers are unevenly distributed.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
편재 영역에 있어서 필러가, 정방 격자, 장방 격자 또는 육방 격자로 배열되어 있는, 필러 배열 필름.
According to any one of claims 1 to 7,
A filler array film in which fillers are arranged in a tetragonal lattice, a rectangular lattice, or a hexagonal lattice in a unevenly distributed region.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
고밀도 영역 간의 가시광 투과율이 50% 이상인, 필러 배열 필름.
The method according to any one of claims 1 to 8,
A pillar array film having a visible light transmittance between high-density regions of 50% or more.
복수의 제1 물품이 제2 물품 상에서 배열된 상태에서, 개개의 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부를, 절연성 수지층에 필러가 배열된 필러 배열 필름을 통해 가열 또는 가압함으로써 접속하는 접속 방법으로서,
필러 배열 필름으로서,
절연 접착층에 필러의 고밀도 영역이 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있고,
각 고밀도 영역에 필러의 편재 영역이 복수 개 형성되어 있으며,
필러 배열 필름의 평균 가시광 투과율이 40% 이상인, 필러 배열 필름을 사용하는 접속 방법.
A connection in which a plurality of first articles are arranged on a second article, and a connection portion of each first article and a connection portion of the second article are connected by heating or pressing through a filler arrangement film in which a filler is arranged in an insulating resin layer. As a method,
As a filler array film,
In the insulating adhesive layer, high-density regions of fillers are regularly arranged at intervals,
A plurality of regions of uneven distribution of fillers are formed in each high-density region,
A connection method using a pillar array film, wherein the average visible light transmittance of the pillar array film is 40% or more.
청구항 10에 있어서,
개개의 고밀도 영역의 윤곽 형상의 면적이, 제1 물품의 평면에서 보았을 때의 면적의 0.1배 이상 1.5배 이하인, 접속 방법.
The method of claim 10,
A connection method in which the area of the contour shape of each high-density region is 0.1 times or more and 1.5 times or less the planar view area of the first article.
청구항 10에 있어서,
개개의 편재 영역의 면적이, 제1 물품의 접속부의 평면에서 보았을 때의 면적의 0.5배 이상 1.8배 이하인, 접속 방법.
The method of claim 10,
A connection method in which the area of each unevenly distributed region is 0.5 times or more and 1.8 times or less the area of the connection part of the first article in plan view.
청구항 10 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
절연성 수지층의 두께가 필러의 평균 입자경의 3배 이하인, 접속 방법.
According to any one of claims 10 to 12,
The connection method in which the thickness of an insulating resin layer is 3 times or less of the average particle diameter of a filler.
청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
제1 물품이 μLED이며, 제2 물품이 투명 디스플레이용 기판인, 접속 방법.
According to any one of claims 10 to 13,
A connection method wherein the first article is a μLED and the second article is a substrate for a transparent display.
복수의 제1 물품이 제2 물품 상에서 배열된 상태에서, 개개의 제1 물품의 접속부와 제2 물품의 접속부가 필러를 통해 접속되어 있는 접속 구조체로서,
필러가 제1 물품의 배열에 대응하여 고밀도 영역을 형성하고 있고,
고밀도 영역 내에서 필러가 제1 물품의 접속부에 대응하여 편재하고 있는, 접속 구조체.
A connection structure in which a connection portion of each first article and a connection portion of a second article are connected via a filler in a state in which a plurality of first articles are arranged on a second article,
The filler forms a high-density region corresponding to the arrangement of the first article;
A connection structure in which fillers are unevenly distributed in a high-density region corresponding to a connection portion of a first article.
청구항 15에 있어서,
접속 구조체에 있어서 제1 물품 및 제2 물품이 접속되어 있지 않은 부분의 가시광 투과율이 50% 이상인, 접속 구조체.
The method of claim 15
A connection structure in which a visible light transmittance of a portion where the first and second articles are not connected in the connection structure is 50% or more.
청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
제1 물품이 μLED이며, 제2 물품이 투명 디스플레이용 기판인, 접속 구조체.
According to claim 15 or claim 16,
A connection structure in which the first article is a μLED and the second article is a substrate for a transparent display.
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