KR20230118163A - 물체 세정용 시스템 및 물체 세정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 일반적으로 물체의 표면을 세정하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 물체의 표면으로부터 무기 오염물을 제거한 다음, 표면을 활성화하고, 표면으로부터 유기 오염물을 제거하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 물체 세정용 시스템은 적어도 하나의 탄성중합체 롤(122)을 포함하는 제1 클리너(120)를 포함하며, 탄성중합체 롤은 상기 제1 클리너에 회전 가능하게 장착되며, 무기 오염물을 제거하기 위해 물체의 제1 표면과 접촉하도록 구성된 대체로 원통형인 외면을 갖는다. 시스템은 또한 상기 제1 클리너에 회전 가능하게 장착되고, 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤의 일부와 접촉하는 대체로 원통형의 외면을 갖는 적어도 하나의 접착 롤(424, 434)을 포함한다. 추가로, 시스템은 상기 제1 클리너로부터 물체를 작동 가능하게 수용하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 클리너(440)를 포함하고, 제2 클리너는 적어도 제1 표면을 활성화하고 제1 표면으로부터 유기 오염물을 제거하도록 물체의 적어도 제1 표면을 조사하기 위해 10 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 된 전자기 복사선 소스(342)를 포함한다.

Description

물체 세정용 시스템 및 물체 세정 방법

관련출원

본 출원은 2020년 12월 11일자로 출원된, 발명이 명칭이 "물체 세정용 시스템 및 물체 세정 방법"인 영국(GB) 특허 출원 제2019613.5호 및 2021년 11월 12일자로 출원된, 발명의 명칭이 "물체 세정용 시스템 및 물체 세정 방법"인 영국(GB) 특허 출원 제2116286.2호의 이익을 주장한다. 영국 특허 출원 제2019613.5호 및 영국 특허 출원 제2116286.2호의 전체 내용은 참조에 의해 여기에 명시적으로 포함된다.

개시분야

본 발명은 일반적으로 물체의 표면을 세정하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 물체의 표면으로부터 무기 오염물을 제거한 다음, 표면을 활성화하고, 표면으로부터 유기물을 제거하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.

제조 시에, 다양한 이유로 많은 구성요소들은 조립 전에 세정을 필요로 한다. 예컨대, 텔레비전, 모니터, 태블릿, 전화기 등에서 이용가능한 액정 디스플레이(LCD) 패널은 광 편광 필름을 필요로 한다. 이러한 필름은, 오염물이 전체 LCD 패널의 이미지 품질을 저하시키거나 손상시키지 않도록 완전히 세정되어야 한다. 상기한 필름은 종종 연속적인 기판 또는 웹으로서 롤 상에 제공된다. 대안으로서, 별개의 기판 또는 물체가 컨베이어 시스템 상에 제공될 수 있다.

무기 오염물 및 다른 오염물들을 미크론 레벨까지 제거하는 것에 의해 기판의 한쪽 표면 또는 양쪽 표면을 세정할 수 있는 시스템이 존재한다. 그러나, 상기한 시스템은, 예컨대 그 자체가 입자(particle per)가 아니라 유기 화학 복합체인 올리고머와 같은 오염물을 나노미터 스케일까지 제거할 수 없다. 유기 오염물 소스는 오일 또는 지문을 포함할 수 있다.

유기 오염물을 세정 또는 제거하는 기지의 특정 방법은 오염물을 용해시키거나 또는 물리적으로 분리시키기 위해 용매를 이용한다. 다른 기지의 세정 방법은 상기한 유기 오염물을 제거하는 플라즈마 클리너를 채용한다. 여기에서, 플라즈마 클리너는 공기 이온화를 통해 플라즈마를 발생시키고, 기판 표면을 플라즈마를 통과하도록 이동시키는데, 이것은 올리고머 또는 기타 유기 오염물을 효과적으로 증발시키거나 분리시킨다.

종래기술에서 알려진 해결책의 결점들 중 적어도 한가지는, 이들 처리가 제어하기 매우 어렵기 때문에 기판 손상을 야기할 가능성이 있다는 것이다. 예컨대, 오염물을 제거하는 용매는 접촉 시에 특정 기판의 품질을 저하시킬 수 있다. 더욱이, 플라즈마 처리는 유기 오염물을 세정하기 위해 비교적 고출력 플라즈마를 사용할 것을 필요로 한다.

플라즈마 시스템은 또한 제어된 환경에서 동작하고 플라즈마를 전기적으로 제어 및 지향시키는 요건으로 인해 고가의 장비를 필요로 한다. 그 결과, 상기한 처리는 단지 기판 표면이 플라즈마를 통과할 때에 기판 표면을 가로지르는 좁은 영역에만 세정을 적용할 수 있다.

또한, 플라즈마로 세정된 기판은 추가적인 제조 프로세스들과 호환되기 위해 여전히 추가적인 프로세싱 단계를 필요로 한다.

게다가, 기판, 특히 박막 또는 특수 코팅을 지닌 필름을 세정할 때, 현재 알려진 방법은 세정되는 기판 표면을 손상시키거나 억제할 수 있다. 공격적인 세정에 의해 손상 또는 억제되는 기판 표면은 궁극적으로 임의의 후속 제조 단계들을 방해하거나 심지어 결함 있는 제품을 초래할 것이다. 마찬가지로, 부적절한 세정을 받는 기판 표면은 동일한 단점을 겪을 수 있다. 이에 따라, 본 시스템 및 기술은 열화 없이 유기 오염물들을 제거할 수 없기 때문에, 특정 기판들의 세정은 실현 가능하지 않을 수 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 위에서 언급한 결점들 중 적어도 몇몇이 없는, 간단하고 저렴한 세정 시스템 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 목적은 제어하기 쉽고, 특히 세정 대상 기판에 대해 수월하게 조정될 수 있는 세정을 제공하는 세정 시스템 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 민감하거나 깨지기 쉬운 기판을 위한 세정 시스템 및 방법을 제공하는 것이다. 이러한 방식으로, 본 발명의 시스템 및 방법은, 필름이나 그 표면을 억제, 방해 또는 손상시키지 않는 효과적인 세정을 제공할 수 있다.

본 발명의 다른 목적은 물체의 표면으로부터 유기 오염물 및 무기 오염물 모두를 제거할 수 있고, 추가의 제조 단계에서 즉각적으로 사용하기 위해 표면을 활성화시키는 것이다.

본 발명의 제1 양태에 따르면, 물체 세정용 시스템으로서,

제1 클리너로서,

상기 제1 클리너에 회전 가능하게 장착되고, 무기 오염물을 제거하기 위해 물체의 제1 표면과 접촉하도록 구성된 대체로 원통형의 외면을 갖는 적어도 하나의 탄성중합체 롤; 및

상기 제1 클리너에 회전 가능하게 장착되고, 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤의 일부와 접촉하는 대체로 원통형의 외면

을 갖는 적어도 하나의 접착 롤을 포함하는 제1 클리너; 및

상기 제1 클리너로부터 물체를 작동 가능하게 수용하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 클리너를 포함하고, 제2 클리너는 적어도 제1 표면을 활성화하고 제1 표면으로부터 유기 오염물을 제거하도록 물체의 적어도 제1 표면을 조사하기 위해 10 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 된 전자기 복사선 소스를 포함하는 것인 물체 세정용 시스템이 제공된다. 바람직하게는, 상기 전자기 복사선 소스는 100 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 구성될 수 있다. 훨씬 더 바람직하게는, 상기 전자기 복사선 소스는 170 nm 내지 180 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 구성될 수 있다.

바람직하게는, 상기 제1 클리너는 제1 지지체를 포함할 수 있으며, 상기 제1 지지체가 물체의 대향하는 제2 표면과 접촉하도록 물체가 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤과 상기 제1 지지체 사이를 통과한다.

바람직하게는, 상기 제1 지지체는 적어도 하나의 프로세스 롤일 수 있다.

바람직하게는, 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤은 제1 탄성중합체 롤일 수 있고, 제1 지지체는 물체의 제2 표면으로부터 무기 오염물을 제거하도록 구성된 회전식 제2 탄성중합체 롤을 포함할 수 있다.

바람직하게는, 시스템은 상기 제2 탄성중합체 롤과 접촉식으로 맞물리는 제2 회전식 접착 롤을 더 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는 상기 제1 클리너와 작동 가능하게 연속적일 수 있다.

바람직하게는, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는 상기 제1 클리너로부터 직접 물체를 수용하도록 구성될 수 있다.

실제로, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는, 상기 전자기 복사선 소스를 차폐식으로 에워싸고, 상기 전자기 복사선 소스로부터 방출된 임의의 전자기 복사선을 물체의 적어도 제1 표면을 향해 다시 반사시키도록 구성된 하우징을 더 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 전자기 복사선 소스는 적어도 하나의 이미터를 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 적어도 하나의 이미터는 UVC 발광 다이오드일 수 있다.

바람직하게는, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는 제2 주 클리너와, 상기 제2 주 클리너에 작동 가능하게 인접하고 상기 제2 주 클리너로부터 물체를 수용하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 보조 클리너를 포함할 수 있다.

본 발명의 제2 양태에 따르면,

적어도 하나의 탄성중합체 롤을 포함하고, 탄성중합체 롤에 회전 가능하게 장착되며, 무기 오염물을 제거하기 위해 물체의 제1 표면과 접촉하도록 구성된 대체로 원통형인 외면을 갖는 제1 클리너에 물체를 수용하는 단계;

상기 물체의 적어도 제1 표면으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 상기 물체의 제1 표면을 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤과 접촉시키는 단계;

상기 제1 클리너로부터, 상기 제1 클리너로부터 상기 물체를 작동 가능하게 수용하도록 구성되고 전자기 복사선 소스를 포함하는 제2 클리너로 상기 물체를 전달하는 단계; 및

전자기 복사선 소스로부터 물체의 적어도 제1 표면 상으로 100 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 복사선을 방출하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.

바람직하게는, 상기 방법은 제2 대향 표면으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 물체의 제2 대향 표면을 제2 탄성중합체 롤과 접촉시키는 단계를 더 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 방법은

상기 물체를 제2 주 클리너로부터 이 제2 주 클리너에 작동 가능하게 인접하고 추가의 전자기 복사선 소스를 포함하는 제2 보조 클리너로 전달하는 단계; 및

상기 추가의 전자기 복사선 소스로부터 물체의 제1 및/또는 제2 표면 상으로 100 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 복사선을 방출하는 단계를 더 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 방법은, 상기 제2 주 클리너 또는 제2 보조 클리너의 상기 전자기 복사선 소스가 170 nm 내지 180 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 적응되는 것을 포함할 수 있다.

특정 실시예는 제어 가능한 방식으로 시스템을 사용하여 유기 오염물을 세정하는 장점을 제공한다. 이러한 방식으로, EM 복사선 소스에 의해 제공되는 EM 복사선은 EM 복사선 소스의 전력 또는 파장을 수정함으로써 쉽게 작동되고 조정될 수 있다. 이에 따라, 표면은 유기 오염물을 표면으로부터 휘발시킬 수 있는 더 작은 분자로 분해시키기에 충분한 파워로 세정될 수 있다.

특정 실시예는 EM 복사선 소스가 하나 이상의 특정 유기 오염물에 따라 조정될 수 있다는 장점을 제공한다. 특정 실시예는 EM 복사선 소스가 기판 표면에 대한 특정 활성화를 제공하도록 조정될 수 있다는 장점을 제공한다. 이에 따라, EM 복사선의 파장 또는 파장들은 표면 상의 유기 오염물에 따라 선택될 수 있다. 추가로 또는 대안으로서, 특정 광 파장은 의도적으로 배제되거나 필터링될 수 있다. 이러한 방식으로, 유기 클리너는 특별한 타입의 광에 대한 특정 재료나 코팅의 민감도를 회피하도록 조정될 수 있다.

특정 실시예는, 필름 표면이 활성화될 수 있다는 장점을 제공한다. 즉, 클리너의 EM 복사선은 유기 오염물을 제거하고 기판을 추가적으로 처리하거나 또는 컨디셔닝한다. 이러한 방식으로, 기판 또는 표면은, 예컨대 추가 코팅 또는 기판을 용이하게 수용하도록 쉽게 수정될 수 있다. 또한, 표면의 활성화는 후속 제조 단계 동안에 특정 코팅 또는 처리와 반응하도록 기판 또는 표면을 컨디셔닝하도록 조정될 수 있다.

특정 실시예는, 클리너가 물체의 넓은 표면적에 걸쳐 그리고 입사각의 범위에 걸쳐 EM 복사선을 조사할 수 있다는 장점을 제공한다. 이러한 방식으로, 기판 표면은 유기 오염물의 활성화 및 오염 제거를 제공하기 위해 더 효과적으로 조사될 수 있다.

특정 실시예는 기판 표면이 하나 이상의 특정 파장의 EM 복사선으로 조사될 수 있다는 장점을 제공한다. 이러한 방식으로, 표면 상에 투영되는 EM 복사광은 상이한 유기 오염물을 겨냥할 수 있다.

특정 실시예는, 세정이 비교적 낮은 비용으로 다수의 또는 반복되는 단계로 제공될 수 있다는 장점을 제공한다. 이러한 방식으로, 세정 시스템은 다수의 세정 또는 활성화 단계를 포함할 수 있다. 즉, 세척 시스템은 장비의 과도한 비용 및 크기로 인해 단일 처리 단계로 제한되지 않는다.

특정 실시예는, 프로세싱 단계들 사이의 오염의 위험성 없이 표면의 무기물 및 유기물 세정 및 오염 제거가 수행될 수 있다는 장점을 제공한다. 더욱이, 표면은 또한, 기판 표면이 추가의 프로세싱 또는 처리 없이 추가의 제조 단계에서 직접 사용될 수 있도록 활성화된다.

특정 실시예는 EM 복사선 소스로부터 투영되는 EM 복사선을 제한 또는 제어한다. 이러한 방식으로, 조작자에게 노출될 위험 없이 오염물이 표면으로부터 용이하고 안전하게 제거될 수 있다.

이제, 이후에는 첨부도면을 참고하여 단지 예로써 본 발명의 실시예를 설명하겠다.
도 1은 본 발명의 제1 양태에 따른 제1의 예시적인 세정 시스템의 개략도를 보여주고,
도 2는, 제1 기판 표면을 세정하는 제2 보조 클리너를 더 포함하는 도 1의 예에 관한 개략도를 보여주며,
도 3은, 제2 클리너를 위한 하우징을 더 포함하는 도 1의 예에 관한 개략도를 보여주고,
도 4는, 제2 무기 클리너를 더 포함하는 도 1의 예에 관한 개략도를 보여주며,
도 5는, 제2 기판 표면을 세정하는 제2 보조 클리너를 더 포함하는 도 1의 예에 관한 개략도를 보여주고,
도 6은 개별 물체를 세정하도록 된, 본 발명의 양태에 따른 다른 예시적인 세정 시스템의 개략도를 보여주며,
도 7은 본 발명의 양태에 따른 예시적인 방법을 보여준다.
도면에서, 유사한 도면 부호는 유사한 부분을 나타낸다.

단지 편의상 특정 용어가 아래의 설명에서 사용되며, 제한하지 않는다. 더욱이, 여기에서 사용되는 “수용되는”, “이송되는”, “장착되는”이라는 용어는 임의의 다른 부재가 개재되지 않는 2개 부재들 간의 직접 연결 또는 관계와, 하나 이상의 다른 부재가 개재되는 부재들 간의 간접 연결을 포함하는 것으로 의도된다. 이러한 용어는 위에서 구체적으로 언급한 단어와 그 파생어 및 유사한 의미의 단어를 포함한다.

또한, 달리 특정되지 않는 한, “제1”, “제2”, “제3”, “주”, “보조” 등과 같은 서수 형용사의 사용은 단순히, 유사한 개체의 상이한 예가 참고되고 있는 것을 의미할 뿐, 그와 같이 설명되는 개체가 시간적으로나 공간적으로 순위 또는 임의의 다른 방식으로 주어진 순서로 있어야만 한다는 것을 의도하지는 않는다.

이제 도 1을 참고하면, 본 발명의 제1 양태에 따른, 물체(110)를 세정하는 세정 시스템(100)이 도시되어 있다. 도 1의 예에서, 물체(110)는 연속적인 시트 기판(110)이다. 세정 시스템(100)은 탄성중합체 롤(122)을 포함하고, 탄성중합체 롤에 회전 가능하게 장착되며, 세정면(123)으로 알려지고 무기 오염물을 제거하기 위해 물체 또는 시트 기판(110)의 제1 표면(112)과 접촉하도록 구성된 대체로 원통형의 외면을 갖는 제1 클리너(120)를 포함한다. 세정 시스템(100)은, 제1 클리너(120)로부터 시트 기판(110)을 수용하도록 구성되고, 시트 기판(110)의 제1 표면(112)을 조사하기 위해 10 nm(nm = 나노미터) 내지 280 nm의 파장을 지닌 전자기 복사선(144)을 선택적으로 방출하도록 된 전자기 복사선(EMR) 소스(142)를 포함하는 제2 클리너(140)를 더 포함한다. 전자기 복사선(144)을 사용하여 제1 표면(112)을 조사하는 것은 제1 표면(112)을 활성화시키고, 제1 표면으로부터 유기 오염물을 제거한다.

세정 시스템(100)은 제1 클리너(120)에 회전 가능하게 장착되는 접착 롤(124)을 갖는다. 접착 롤(124)은 접착면(125)으로 알려진 대체로 원통형의 외면을 갖는데, 접착 롤(124)의 접착면(125)은 탄성중합체 롤(122)에 있는 세정면(123)의 일부와 접촉하도록 배치된다. 접착면(125)은, 탄성중합체 롤(122)과 접착 롤(124)이 서로에 대해 회전할 때에 세정면(123)으로부터 축적된 무기 오염물을 제거하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 접착면(125)은 시트 기판(110)의 최적 세정을 위해 세정면(123)을 계속해서 리프레시한다.

또한, 프로세스 롤(126)이 세정 시스템(100)에 장착된다. 프로세서 롤(126)은 지지면으로 알려진 대체로 원통형의 외면을 가지며, 이 외면은 시트 기판이 제1 클리너(120)에 의해 수용될 때에 제1 시트 기판(110)의 제2 표면(114)과 접촉하도록 배치된다. 즉, 프로세스 롤(126)은 탄성중합체 롤(122)과 맞물릴 때에 시트 기판(110)을 지지한다.

프로세스 롤(126)과 탄성중합체 롤(122)은 그 사이에 간격 또는 닙 간극이 형성되도록 대향하게 배치된다. 이에 따라, 프로세스 롤(126)과 탄성중합체 롤(122)은, 시트 기판(110)이 제1 클리너(120)에 의해 수용될 때에 시트 기판(110)의 제1 및 제2 표면(112, 114)의 대향 부분과 각각 맞물리도록 배치된다.

제2 세정 시스템(140)은, 시트 기판(110)이 제1 클리너(120)에 의해 세정된 후에 시트 기판(110)을 조사하도록 된 EMR 소스(142)를 포함하다. 방출된 전자기 복사선(144)는 제1 표면(112)의 일부를 조사한다. 즉, 방출된 전자기 복사선(144)은, 시트 기판(110)이 제2 클리너(140) 내에서 이송될 때에 제1 표면(112)의 영역을 조사한다.

EMR 소스(142)는 10 nm 내지 280 nm의 파장을 지닌 전자기 복사선(144)을 방출하도록 구성된다. 즉, EMR 소스(142)는 UV-C 광을 방출하도록 구성된다. 선택적으로, EMR 소스(142)는 100 nm 내지 280 nm의 파장을 지닌 전자기 복사선(144)을 방출하도록 구성된다. 보다 선택적으로 그리고 바람직하게, EMR 소스(142)는 170 nm 내지 180 nm의 파장을 지닌 전자기 복사선(144)을 방출하도록 구성된다.

방출된 전자기 복사선(144)은 이에 따라 제1 표면(112) 상의 임의의 유기 오염물을 조사하여, 유기 오염물이 분해되게 한다. 유기 오염물은 분해되고 나면 제1 표면(112)으로부터 쉽게 증발 또는 휘발하여, 제1 표면(112)으로부터 제거된다.

EMR 소스(142)에 의해 제공되는 방출된 전자기 복사선(144)은 또한 (오염물을 제거하는 동안) 시트 기판(110)의 제1 표면(112)을 활성화하도록 구성된다. 여기에서 사용되는 “활성화한다”는 용어는, 예컨대 (i) 기판(110)의 이온화를 제공하는 것, (ii) 기판(110)에 정전 표면을 제공하는 것, 또는 (iii) 기판(110)의 성분의 화학적 개질을 제공하는 것을 포함하여, 제1 표면에 하나 이상의 효과를 발생시키는 것을 의미한다. 이러한 방식으로, 기판(110)은 후속 프로세싱을 준비하도록 수정된다.

제2 클리너(140)의 EMR 소스(142)는 제어기(도시하지 않음)에 의해 활성화되고 조정(즉, 제어)될 수 있다. 제어기는 EMR 소스(142)를 선택적으로 활성화시키도록 구성될 수 있다. 여기에서, 선택적 활성화는, 예컨대 제2 클리너(140) 내의(예컨대, 미리 정해진 위치에서의) 시트 기판(110)의 존재를 검출하도록 된 하나 이상의 센서에 응답하여 이루어질 수 있다. 그러나, 당업자라면, EMR 소스(142)의 선택적 활성화는 EMR 소스(142)의 선택적 비활성화와 마찬가지로 임의의 다른 적절한 센서 입력(미리 정해진 파라메터 측정)에 응답하여 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다.

제어기는 또한 EMR 소스(142)에 의해 방출되는 전자기 복사선(144)의 특징을 조정하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 제어기는 방출된 전자기 복사선(144)의 파장, 파장 범위 및 파워 출력 중 어느 하나를 선택적으로 조정하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 전자기 복사선(144)은 세정 프로세스를 거치는 시트 기판(110)에 대해 "조정"될 수 있다. 이에 따라, 전자기 복사선(144)은 시트 기판(110) 상의 유기 오염에 최적화될 수 있다(즉, 효율을 최대화할 수 있다). 추가로 또는 대안으로서, 전자기 복사선(144)은 민감한 기판 및 필름의 손상 또는 열화를 방지하거나, 표면에 특정 유형의 활성화를 제공하기 위해 시트 기판(110)의 성분에 최적화될 수 있다.

사용 시, 세정 장치(100)는 시트 기판(110)을 도 1의 화살표로 표시한 방향으로 이송하도록 구성된다. 시트 기판(110)은 하나 이상의 알려진 구동 수단, 예컨대 세정 장치(100) 이전, 내부 및/또는 이후에 적절하게 배치된 컨베이어 벨트 또는 다수의 피동 프로세스 롤러(도시하지 않음)에 의해 이송된다.

추가로, 시트 기판(110)은 탄성중합체 롤(122) 및 프로세스 롤(126)의 회전을 구동함으로써 이송될 수 있다. 탄성중합체 롤(122)은 직접 구동 시스템에 의해 구동될 수도 있고, 피동 접착 롤과의 회전식 맞물림으로 인해 구성될 수도 있다.

시트 기판(110)은 탄성중합체 롤(122)과 프로세스 롤(126) 사이의 좁은 간극과 맞물리도록 제1 클리너(120)에 의해 수용된다. 즉, 시트 기판(110)의 제1 표면(112)은 탄성중합체 롤(122)의 세정면(123)과 접촉하고, 제2 표면(114)은 프로세스 롤(126)의 지지면과 접촉한다. 무기 오염물을 수집하기 위한 세정면(123)의 성향으로 인해, 시트 기판(110)이 닙 간극 사이에 이송됨에 따라 제1 표면(112)으로부터 제거된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 제2 클리너(140)는 제1 클리너(120) “하류에” (즉, 제1 클리너에 인접하게) 위치 설정된다. 제2 클리너(140)는 제1 클리너(120)로부터 직접 기판(110)을 수용한다. 이러한 방식으로, 시트 기판(110)은 제1 클리너(120)로부터 분배될 때에 오염 우려가 있을 수 있는 중간 노출 없이 제2 클리너(140)로 이송된다. 따라서, 사실상 제2 클리너(140)는 제1 클리너(120)에 작동 가능하게 인접한다.

시트 기판(110)은 제2 클리너(140)를 통과해 이송됨에 따라 전자기 복사선(144)에 의해 조사되어, 앞서 설명한 바와 같이 제1 표면(112)이 활성화되고 유기 오염물이 제거된다.

이제 도 2를 참고하면, 세정 시스템(200)의 예시적인 제2 실시예가 도시되어 있다. 피쳐들이 이전 예와 동일한 경우, 참조부호는 앞자리만 “2”로 대체되어, 이전 예와 동일하게 유지된다. 도 2에 도시한 예에서, 물체는 연속적인 시트 기판(210)이다.

더욱이, 도 2는 제1 클리너(220)와 제2 클리너(240)를 포함하는 세정 시스템(200)의 단순한 개략도를 보여준다. 제1 클리너(200)와 그 피쳐는 도 1에 도시한 예시적인 실시예의 제1 클리너(120)와 거의 동일하기 때문에, 간결함을 위해 여기에서는 상세한 설명을 반복하지 않는다.

도 2의 예의 제2 클리너(240)는 제2 EMR 소스(252)와 일렬로 배치된 제1 전자기 소스(EMR)(242)를 갖는다. 제1 및 제2 EMR 소스(242, 252) 각각은 도 1의 예에 도시한 EMR 소스(142)와 거의 동일하다. 제1 EMR 소스(242)에는 여기에서 설명하는 변형예의 범위 내에서 제2 EMR 소스(252)에 대해 상이한 구성이 마련될 수 있다.

사용 시, 제1 및 제2 EMR 소스(242, 252)는 각각 제1 및 제2 전자기 복사선(244, 254)으로 시트 기판(210)의 제1 표면(212)을 각각 조사하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 제1 표면(212)은 연속적으로 2회 활성화되고, 유기 오염물을 제거한다. 따라서, 2개의 연속적인 EMR 소스(242, 252)는 비교적 낮은 파워를 사용하여 제1 표면(212)을 조사하지만, 조합된 2개의 연속적인 EMR 소스(242, 252)와 동등한 총 파워 출력을 갖는 단일 EMR 소스(예컨대, 142)만을 사용하여 달성되는 것보다 더 효과적인 처리를 보장한다.

이제 도 3를 참고하면, 세정 시스템(300)의 예시적인 제3 실시예가 도시되어 있다. 피쳐들이 이전 예와 동일한 경우, 참조부호는 앞자리만 “3”로 대체되어, 이전 예와 동일하게 유지된다. 도 3에 도시한 예에서, 물체는 연속적인 시트 기판(310)이다.

또한, 도 3은 제1 클리너(320)와 제2 클리너(340)를 포함하는 세정 시스템(300)의 단순한 개략도를 보여주는데, 여기에서 제2 클리너(340)는 전자기 복사선 소스(342)를 차폐식으로 둘러싸도록 구성되고 EMR 소스(342)로부터 방출된 전자기 복사선(344)을 시트 기판(310)의 제1 표면(312)을 향해 다시 반사하도록 된 하우징(370)을 포함한다.

하우징(370)에는 입구 및 출구(상세히 도시되지 않음)가 마련되어, 사용 시에 시트 기판(310)이 제2 클리너(340)를 통과해 이송될 수 있다. 제2 클리너(340)는 제1 클리너(320)의 "하류"(즉, 제1 클리너(320)에 바로 인접함)에 위치되어, 시트 기판(310)이 제1 클리너(320)로부터 입구를 통해 직접 수용된다. 전자기 복사선(344)에 의한 조사 후에, 시트 기판(310)은 출구로부터 분배된다.

앞서 언급한 바와 같이, 하우징(370)은 EMR 소스(342)로부터 방출된 전자기 복사선(344)을 반사하도록 되어 있다. 즉, 예컨대 EMR 소스(342)로부터의 산란으로 인해 또는 제1 표면(312)과 같은 임의의 표면으로부터의 반사로 인해, 제1 표면(312)을 직접 조사하지 않는 전자기 복사선(344)이 이에 의해 제1 표면(312)으로 다시 반사된다. 이러한 방식으로, 제2 클리너(340)의 작동 중에, 기본적으로 모든 전자기 복사선(344)(임의의 가능한 누설 또는 흡수를 고려하지 않음)이 하우징(370) 내에서 유지되어(그리고 결국 제1 표면(312) 상에 반사됨), 전자기 복사로부터 오퍼레이터의 안전을 보장하고 제2 클리너(340)의 효율을 증가시킨다.

이제 도 4를 참고하면, 세정 시스템(400)의 예시적인 제4 실시예가 도시되어 있다. 피쳐들이 이전 예와 동일한 경우, 참조부호는 앞자리만 “4”로 대체되어, 이전 예와 동일하게 유지된다. 도 4의 예에서, 물체는 연속적인 시트 기판(410)이다.

또한, 도 4는 제1 및 제2 클리너(420, 440)를 포함하는 세정 시스템(400)의 단순화된 개략도를 보여준다 제1 클리너(420)는 시트 기판(410)의 제1 표면(412)과 접촉하여 이 표면으로부터 무기 오염물을 제거하도록 장착된 제1 탄성중합체 롤(422)과, 시트 기판(410)의 제2 표면(414)과 접촉하여 이 표면으로부터 무기 오염물을 제거하도록 장착된 제2 탄성중합체 롤(432)을 포함한다.

제2 클리너(440)와 그 피쳐는 도 1에 도시한 예시적인 실시예의 제2 클리너(140)와 거의 동일하기 때문에, 간결함을 위해 여기에서는 상세한 설명을 반복하지 않는다.

제1 클리너(420)는 도 1에 도시한 예시적인 실시예의 탄성중합체 롤(122)과 동일한 방식으로 시트 기판(410)의 제1 표면(412)과 접촉하여 이 표면으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 장착되는 제1 탄성중합체 롤(422)을 포함한다. 이에 따라, 사용 시에 제1 탄성중합체 롤(422)의 세정면(423)은 제1 표면(412)으로부터 무기 오염물을 제거하도록 작동 가능하고, 세정면(423)은 제1 접착 롤(424)의 접착면(425)과의 맞물림으로 인해 축적된 무기 오염물의 제거에 의해 리프레시된다.

제1 클리너(420)는 또한, 시트 기판(410)의 제2 표면(414)과 접촉하여 이 표면으로부터 무기 오염물들을 제거하기 위해 장착되는 제2 탄성중합체 롤(432)을 포함한다. 제2 접착 롤(434)은 제2 탄성중합체 롤(432)에 근접하게 회전 가능하게 장착된다. 제2 접착 롤(434)은 제1 접착 롤(424)의 대응하는 접착면(425)과 실질적으로 동일한 방식으로 작동하도록 구성 및 배열된 외측 접착면을 포함한다. 이에 따라, 제2 접착 롤(434)의 접착면과의 맞물림에 의해, 제2 탄성중합체 롤(432)의 세정면이 축적된 무기 오염물을 제거하는 것에 의해 리프레시된다.

제1 및 제2 탄성중합체 롤(422, 432)은 그 사이에 공간 또는 닙 간극을 갖도록 대향 배치된다. 즉, 제1 및 제2 탄성중합체 롤(422, 432)은, 시트 기판(410)이 제1 클리너(420)에 의해 수용될 때에 시트 기판(410)의 제1 및 제2 표면(412, 414)의 대향 부분과 각각 맞물리도록 배치된다.

사용 시, 세정 시스템(400)은 도 1에 도시한 예시적인 실시예와 관련하여 설명한 것과 동일한 방향 및 방식으로 시트 기판(410)을 처리하도록 되어 있다. 제1 및 제2 표면(412, 414)은 제1 클리너(420)의 제1 및 제2 탄성중합체 롤(422, 432)에 의해 무기 오염물이 제거된다. 이어서, 시트 기판(410)은 이송되어 제2 클리너(440)에 의해 직접 수용된다. 제2 클리너(440)의 EMR 소스(442)는 제1 표면을 활성화하도록 그리고 유기 오염물을 제1 표면으로부터 제거하도록 제1 표면(412)을 조사한다.

이제 도 5을 참고하면, 본 발명의 예시적인 제5 실시예에 따른 세정 시스템(500)이 도시되어 있다. 피쳐들이 이전 예와 동일한 경우, 참조부호는 앞자리만 “5”로 대체되어, 이전 예와 동일하게 유지된다. 도 5의 예에서, 물체는 연속적인 시트 기판(510)이다.

또한, 도 5는 제1 주 클리너(520) 및 제2 클리너(540) 뿐만 아니라 제2 보조 클리너(550)를 포함하는 세정 시스템(500)의 단순화된 개략도를 보여준다. 제2 보조 클리너(550)는, 기판 시트(510)의 제2 표면(514)을 활성화하고, 제2 표면(514)으로부터 유기 오염물들을 제거하기 위해, 시트 기판(510)의 제2 표면(514)을 조사하도록 된 추가의 EMR 소스(552)를 포함한다.

제1 주 클리너(520)와 제2 주 클리너(540) 및 이들의 각각의 피쳐는 도 1에 도시한 예시적인 실시예의 제1 클리너(120)및 제2 클리너(140)와 실질적으로 동일하게 배열되고 구성되므로, 여기에서는 상세한 설명을 반복하지 않는다.

제2 보조 클리너(550)와 그 피쳐는, EMR 소스(552)가 시트 기판(510)의 제2 표면(514)을 조사하는 것을 제외하고는 제2 주 클리너(540)와 거의 동일하게 배열되고 구성된다.

사용 시, 제1 표면(512)은 제1 클리너(520)의 제1 주 탄성중합체 롤(522)에 의해 무기 오염물이 제거된다. 이어서, 시트 기판(510)은 이송되어 제2 주 클리너(540)에 의해 직접 수용된다. 제2 주 클리너(540)의 EMR 소스(542)는 제1 표면을 활성화하도록 그리고 유기 오염물을 제1 표면으로부터 제거하도록 제1 표면(512)을 조사한다.

이어서, 시트 기판(510)은 이송되어 제2 보조 클리너(550)에 의해 직접 수용된다. 제2 보조 클리너(550)의 EMR 소스(552)는 제2 표면을 활성화하도록 그리고 유기 오염물을 제2 표면으로부터 제거하도록 제2 표면(514)을 조사한다.

선택적으로, 세정 시스템(500)은 제2 표면(514)으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 제1 보조 클리너(530)를 포함할 수 있다. 세정 시스템(500)은 이에 따라 다수의 적절한 구성으로 마련될 수 있다. 예컨대, 제1 보조 클리너(530)는 제1 주 클리너(520)와 제2 주 클리너(540) 모두의 “하류”에 위치 설정될 수 있다. 이러한 방식으로, 제2 표면(514)은 제1 표면(512) 후에 작동 가능하게 세정된다.

대안으로서, 제2 보조 클리너(530)는 도 4의 예에 관하여 전술한 방식으로 제1 주 클리너(520)와 대향 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 무기 오염물은 제1 표면(512)과 제2 표면(514)의 조사 이전에 제1 표면(512)과 제2 표면(514) 양자 모두로부터 제거된다. 즉, 모든 유기 오염물은 시트 기판(510) 표면(512, 514)의 활성화 및 유기 오염물의 각각의 제거 이전에 시트 기판(510)으로부터 제거된다.

제2 보조 클리너(550)는 제2 주 클리너(540)와 대향 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 사용 시에 제1 및 제2 표면(512, 514)은 동시에 작동 가능하게 조사된다. 대안으로서, 제2 보조 클리너(550)는 제2 주 클리너(540)의 “하류”에 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 사용 시에 제1 표면(512)은 제2 표면(514) 전에 작동 가능하게 조사된다. 주 및 보조 EMR 소스(542, 552) 각각은 도 1에 도시한 예시적인 실시예와 거의 동일하다. 제1 소스(542)에는 여기에서 설명하는 변형예의 범위 내에서 제2 소스(552)에 대해 상이한 구성이 마련될 수 있다.

이제 도 6을 참고하면, 세정 시스템(600)의 예시적인 제6 실시예가 도시되어 있다. 피쳐들이 이전 예와 동일한 경우, 참조부호는 앞자리만 “6”으로 대체되어, 이전 예와 동일하게 유지된다. 도 6의 예에서, 물체는 개별 물체이다.

또한, 도 6은 각각 개별 물체를 세정하도록 된 제1 클리너(620)와 제2 클리너(640)를 포함하는 세정 시스템(600)의 단순한 개략도를 보여준다.

제1 클리너(620) 및 제2 클리너(640)와 이들의 각각의 피쳐는 도 1에 도시한 예시적인 실시예의 제1 클리너(120) 및 제2 클리너(140)와 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 상세한 설명을 반복하지 않는다.

세정 시스템(600)은 물체(615, 615’)들을 세정 시스템(600)을 통과하게 이송하도록 된 컨베이어 시스템을 포함한다. 컨베이어 시스템은 세정 시스템(600) 내에서의 물체(615, 615’)를 위한 지지체인 벨트(660)를 포함한다. 이러한 방식으로, 물체(615, 615’)는 각각의 제1 표면(612, 612’)이 벨트(660)로부터 멀어지는 방향을 향하도록 안착된다.

쉽게 알 수 있는 바와 같이, 사용 시에 컨베이어 시스템은 물체(615, 615)의 치수 및 컨베이어 시스템의 공간 용량에 따라 세정 시스템(600) 내에서 다수의 물체를 지지할 수 있다. 복수 개의 물체(615, 615’)가 한번에 벨트(660)의 가공 방향(화살표 참조)으로 배치될 수 있다. 하나 이상의 물체(615, 615’)는 또한 벨트(660)를 (예컨대, 평행하게) 가로질러 횡방향으로 배치될 수도 있다. 도 6의 예시적인 실시예는 대표적인 제1 및 제2 물체(615, 615’)만을 보여준다.

사용 시, 물체(615, 615’)는 세정 시스템(600)을 순차적으로 통과하여 이송된다. 제1 클리너(620) 내에서, 탄성중합체 롤(622)은 물체, 이 경우 제1 물체(615)와 접촉식으로 맞물려, 이전의 예시적인 실시예들 중 임의의 실시예를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 방식으로 제1 표면(612)으로부터 무기 오염물을 제거한다.

이어서, 물체(615')는 제2 클리너(640)로 이송되며, 이 경우에 EMR 소스(642)는 제1 표면(612')을 활성화하고 이 제1 표면으로부터 유기 오염물을 제거하기 위해 제1 표면(612’)을 전자기 복사선(644)으로 조사한다.

앞서 언급한 바와 같이, 제2 클리너(640)의 EMR 소스(642)는 제어기(도시하지 않음)에 의해 활성화되고 조정될 수 있다. 이에 따라, 도 6에 도시한 예에서 제어기는 적어도 하나의 센서가, 제2 클리너(640)에 접근함에 따라, 예컨대 각각의 물체(615, 615')의 존재를 검출하는 것에 응답하여 EMR 소스(642)를 선택적으로 활성화하도록 구성될 수 있다. 물체(615, 615')가 제2 클리너(640)를 넘어 이동하고 나면, EMR 소스(642)는 센서가, 예컨대 물체(615, 615’)의 부재를 검출하는 것에 응답하여 선택적으로 비활성화될 수 있다. EMR 소스(642)의 선택적(자동) 활성화 및 비활성화는 에너지 사용을 최소화하여, 그 효율을 최적화한다.

도 7은 본 발명의 제2 양태에 따른 물체 세정 방법(700)을 예시하는 흐름도를 보여준다. 방법(700)은, 여기에서 설명하는 예시적인 실시예와 실질적으로 동일한 방식으로 장착되고 배열된 적어도 하나의 탄성중합체 롤을 포함하는 제1 클리너에 물체를 수용하는 것(700)으로 시작된다.

다음 단계 720에서, 물체의 적어도 제1 표면으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 상기 물체의 제1 표면이 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤과 맞물린다. 단계 703에서, 물체는 제1 클리너에서 제2 클리너 - 이 제2 클리너는 제1 클리너로부터 물체를 수용하도록 구성되고 EMR 소스를 가짐 - 로 전달된다. 마지막 단계 740에서, 제2 클리너는 EMR 소스로부터 물체의 적어도 제1 표면 상으로 100 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 복사선을 방출하여, 물체의 적어도 제1 표면의 오염을 제거하고, 물체의 적어도 제1 표면을 활성화시킨다.

위에서 상술한 예시들은 단지 예시로서 설명되었을 뿐이며, 어떠한 제한적인 의미로도 설명되지 않았으며, 첨부된 청구범위에 의해 규정되는 본 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이 다양한 변경 및 수정이 가능하다는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다. 전술한 상세한 예시들에 대한 다양한 수정이 가능하며, 예컨대, 탄성중합체 롤, 세정면, 접착 롤 또는 접착면의 수, 형상, 크기, 배열, 조립 등에 변동이 존재할 수 있다.

도 1 내지 도 6과 관련하여 설명된 예시들에서, 복사선 소스에 의해 조사되는 시트 기판 표면의 면적은 시트 기판의 전체 폭뿐만 아니라, 가공 방향으로의 시트 기판의 길이를 포함한다. 적절하다면, EMR 소스는 제1 표면 상의 임의의 적절한 영역을 조사하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 영역은 제1 표면 상에 라인 또는 좁은 밴드(narrow band)를 형성할 수도 있고, 대안으로서 가공 방향으로 상당한 길이로 연장될 수 있다. 선택적으로, 조사된 영역은 단지 시트 기판의 폭의 일부에 걸쳐서만 연장될 수 있다. 이러한 방식으로, 전자기 복사선 소스는, 시트 기판이 제2 클리너를 통과해 이동될 때에 시트 기판의 특별한 부분을 활성화하고 오염 제거하도록 구성될 수 있다.

더욱이, EMR 소스는 특정 파장의 복사선뿐만 아니라 10 nm 내지 280 nm 범위의 파장의 스펙트럼을 갖는 복사선을 방출하도록 구성될 수 있다. 추가로 또는 대안으로서, EMR 소스는 EMR 소스로부터 방출되는 전자기 복사선의 예정된 파장 또는 파장 범위(들)를 선택적으로 전달하도록 구성된 필터(광학)를 포함할 수 있다.

방출된 전자기 복사선의 파장 또는 파장 범위는 특정 오염물에 대해 “조절”될 수 있고/있거나, 필름 자체(기판 표면)의 특정 타겟 화학적 작용기를 활성화시키도록 "조절"될 수 있다.

Claims (17)

1. 물체 세정용 시스템으로서,
   제1 클리너로서,
   상기 제1 클리너에 회전 가능하게 장착되고, 무기 오염물을 제거하기 위해 물체의 제1 표면과 접촉하도록 구성된 대체로 원통형의 외면을 갖는 적어도 하나의 탄성중합체 롤; 및
   상기 제1 클리너에 회전 가능하게 장착되고, 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤의 상기 외면의 일부와 접촉하는 대체로 원통형의 외면을 갖는 적어도 하나의 접착 롤
   을 포함하는 제1 클리너; 및
   상기 제1 클리너로부터 물체를 작동 가능하게 수용하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 클리너
   를 포함하고, 제2 클리너는 적어도 제1 표면을 활성화하고 제1 표면으로부터 유기 오염물을 제거하도록 물체의 적어도 제1 표면을 조사하기 위해 10 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 된 전자기 복사선 소스를 포함하는 것인 물체 세정용 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 전자기 복사선 소스는 파장 범위가 100 nm 내지 280 nm인 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 구성되는 것인 물체 세정용 시스템.
3. 제2항에 있어서, 상기 전자기 복사선 소스는 170 nm 내지 180 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 구성되는 것인 물체 세정용 시스템.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 클리너는 제1 지지체를 포함하며, 상기 제1 지지체가 물체의 대향하는 제2 표면과 접촉하도록 물체가 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤과 상기 제1 지지체 사이를 통과하는 것인 물체 세정용 시스템.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1 지지체는 적어도 하나의 프로세스 롤인 것인 물체 세정용 시스템.
6. 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤은 제1 탄성중합체 롤이고, 상기 제1 지지체는 물체의 제2 표면으로부터 무기 오염물을 제거하도록 구성된 회전식 제2 탄성중합체 롤을 포함하는 것인 물체 세정용 시스템.
7. 제6항에 있어서, 상기 제2 탄성중합체 롤과 접촉식으로 맞물리는 제2 회전식 접착 롤을 더 포함하는 물체 세정용 시스템.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는 상기 제1 클리너와 작동 가능하게 연속적인 것인 물체 세정용 시스템.
9. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는 상기 제1 클리너로부터 직접 물체를 수용하도록 구성되는 것인 물체 세정용 시스템.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는, 상기 전자기 복사선 소스를 차폐식으로 에워싸고, 상기 전자기 복사선 소스로부터 방출된 임의의 전자기 복사선을 물체의 적어도 제1 표면을 향해 다시 반사시키도록 구성된 하우징을 더 포함하는 것인 물체 세정용 시스템.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자기 복사선 소스는 적어도 하나의 이미터를 포함하는 것인 물체 세정용 시스템.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 이미터는 UVC 발광 다이오드인 것인 물체 세정용 시스템.
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제2 클리너는 제2 주 클리너와, 상기 제2 주 클리너에 작동 가능하게 인접하고 상기 제2 주 클리너로부터 물체를 수용하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 보조 유기 클리너를 포함하는 것인 물체 세정용 시스템.
14. 물체 세정 방법으로서,
    제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 제1 클리너에 물체를 수용하는 단계;
    상기 물체의 적어도 제1 표면으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 상기 물체의 제1 표면을 상기 적어도 하나의 탄성중합체 롤과 접촉시키는 단계;
    물체를 상기 제1 클리너에서 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 제2 클리너로 전달하는 단계; 및
    전자기 복사선 소스로부터 물체의 적어도 제1 표면 상으로 100 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 복사선을 방출하는 단계
    를 포함하는 물체 세정 방법.
15. 제14항에 있어서,
    물체의 제2 대향 표면으로부터 무기 오염물을 제거하기 위해 물체의 제2 대향 표면을 제2 탄성중합체 롤과 접촉시키는 단계
    를 더 포함하는 물체 세정 방법.
16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 물체를 제2 주 클리너로부터 이 제2 주 클리너에 작동 가능하게 인접하고 추가의 전자기 복사선 소스를 포함하는 제2 보조 클리너로 전달하는 단계; 및
    상기 추가의 전자기 복사선 소스로부터 물체의 제1 및/또는 제2 표면 상으로 100 nm 내지 280 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 복사선을 방출하는 단계
    를 더 포함하는 물체 세정 방법.
17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 주 클리너 또는 상기 제2 보조 클리너의 상기 전자기 복사선 소스는 170 nm 내지 180 nm 범위의 파장을 지닌 전자기 복사선을 선택적으로 방출하도록 구성되는 것인 물체 세정 방법.

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