KR20230115229A - 인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법 - Google Patents

인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법 Download PDF

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KR20230115229A
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Abstract

본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석 조성물은, 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지; 분말 수지; 무기 입자; 및 석영 분말을 포함하고, 상기 인조대리석 조성물 총중량을 기준으로, 상기 액상 바인더 수지의 함량은 7 중량% 내지 12 중량% 이고, 상기 분말 수지의 함량은 8 중량% 내지 14 중량% 이며, 상기 인조대리석 조성물의 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하이다.

Description

인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법{ARTIFICIAL MARBLE COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTIFICIAL MARBLE USING THE SAME}
본 출원은 2022년 1월 26일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2022-0011437호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법에 대한 것이다.
인조대리석의 대표적인 종류로는 폴리에스테르계 인조대리석, 에폭시계 인조대리석, 멜라민계 인조대리석, 엔지니어드 스톤(Engineered stone) 계열의 인조대리석 등이 있다. 이러한 인조대리석은 미려한 외관 및 우수한 가공성을 가지고, 천연대리석에 비하여 가벼우며, 강도가 우수하여 카운터 테이블 및 각종 인테리어 재료로서 널리 사용되고 있다. 현재까지 알려진 인조대리석은 주로 단색의 불투명 칩의 조합을 통하여 외관 효과를 구현하고 있다. 그러나, 이와 같은 방식으로는 인조대리석에 천연대리석이나 화강석 등과 유사한 패턴을 구현하기에는 한계가 있다. 이에 따라, 보다 천연대리석에 근접한 외관을 갖는 인조대리석을 개발하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.
또한, 엔지니어드 스톤은 이스톤이라고도 불리는 인조대리석으로, 천연석과 비슷한 질감과 느낌을 갖는 인테리어 소재이다. 업계에서는 인조대리석의 발색, 모양 등을 개선하여 미감을 증진시키는 연구들이 이루어져 왔는데, 예컨대, 대한민국 등록특허 제10-1270415호는 마블칩을 이용하여 무늬 및 외관을 다양화한 인조대리석을 개시하고 있다. 엔지니어드 스톤은 실내 바닥, 벽 장식, 주방 상판 등에서 수요가 점차 증가하고 있으며, 화강암과 대리석 계열의 천연 석종들을 모사한 제품들이 주를 이루어 왔다.
그러나, 최근 인테리어 시장에서는 보다 고급스러운 무늬를 갖는 규암(quartzite)에 대한 관심이 점차 높아지고 있는 추세이다. 이러한 트렌드를 반영하여 이스톤 업계에서도 해당 석종을 구현하고자 많은 노력을 기울이고 있다.
대한민국 등록특허 제10-1270415호
본 발명은 인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법을 제공하고자 한다. 보다 구체적으로, 본 발명은 흐름성이 우수한 인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시상태는,
불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지; 분말 수지; 무기 입자; 및 석영 분말을 포함하는 인조대리석 조성물이고,
상기 인조대리석 조성물 총중량을 기준으로, 상기 액상 바인더 수지의 함량은 7 중량% 내지 12 중량% 이고, 상기 분말 수지의 함량은 8 중량% 내지 14 중량% 이며,
상기 인조대리석 조성물의 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하인 것인 인조대리석 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시상태는,
수평으로 배향된 몰드에 베이스(base) 조성물을 분상하여 베이스층을 판상형으로 형성하는 단계;
상기 베이스층에 음각부 패턴을 형성하는 단계;
상기 음각부 패턴에 상기 인조대리석 조성물을 투입하는 단계; 및
진동 및 압축 공정을 수행한 후, 열경화 공정을 수행하여 베인 패턴이 구비된 인조대리석을 형성하는 단계
를 포함하는 인조대리석의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시상태는, 상기 인조대리석의 제조방법에 의하여 제조되는 것인 인조대리석을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석 조성물은, 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하인 특성을 만족하도록 액상 바인더 수지 및 분말 수지의 함량을 조절함으로써, 인조대리석 조성물의 흐름성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 인조대리석 조성물의 흐름성을 향상시킴으로써, 인조대리석 조성물의 토출시 발생될 수 있는 토출 설비 막힘 문제, 토출 불량 문제 등을 개선할 수 있고, 토출 설비의 청소가 용이하다는 특징이 있다.
도 1은 본 발명의 인조대리석의 제조방법에서, 열경화 공정을 개략적으로 나타낸 도이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 발명에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
종래에, 인조대리석의 베인(vein) 패턴 형성시 실리카 입자, 석영 입자 등과 같은 무기 입자와 무기 안료를 포함하는 조성물을 이용하였다. 그러나, 이와 같은 조성물은 무기 입자, 무기 안료 등과 같은 무기물을 잡아줄 수 있는 수지가 부족하므로, 인조대리석의 베인 패턴에 핀홀(pinhole)이 발생하는 문제점이 있었다. 이를 개선하기 위하여, 상기 베인 패턴 형성용 조성물에 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지를 적용하였으나, 액상 바인더 수지가 모여 있는 부분에 끓음 또는 기포가 발생하고, 이에 따라 여전히 인조대리석의 베인 패턴에 핀홀(pinhole)이 발생하였다.
또한, 종래에는 인조대리석 조성물에 바인더 수지로서 액상 바인더 수지만을 적용하였기에, 인조대리석 조성물의 흐름성이 낮았고, 이에 따라 인조대리석 조성물의 토출 공정시 토출 설비가 막히거나 토출 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
이에, 본 발명에서는 흐름성이 우수하고 토출 특성이 우수한 인조대리석 조성물 및 이를 이용한 인조대리석의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석 조성물은, 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지; 분말 수지; 무기 입자; 및 석영 분말을 포함하고, 상기 인조대리석 조성물 총중량을 기준으로, 상기 액상 바인더 수지의 함량은 7 중량% 내지 12 중량% 이고, 상기 분말 수지의 함량은 8 중량% 내지 14 중량% 이며, 상기 인조대리석 조성물의 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하이다.
이하에서는 인조대리석 조성물의 각 성분들에 대하여 설명한다.
액상 바인더 수지
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 액상 바인더 수지는 불포화 폴리에스테르 수지 100 중량부에 대하여 경화제 0.4 중량부 내지 2.5 중량부, 촉매제 0.05 중량부 내지 0.3 중량부, 및 커플링제 0.5 중량부 내지 7 중량부를 혼합하고 분산시켜 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 액상 바인더 수지는 불포화 폴리에스테르 수지를 90 중량% 이상 포함하고, 상기 불포화 폴리에스테르 수지는 불포화 폴리에스테르 고분자 및 비닐계 단량체를 100 : 30 내지 70 중량비로 포함하는 조성물을 이용하여 제조될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 불포화 폴리에스테르 수지는 불포화 폴리에스테르 고분자 60 중량% 내지 75 중량%, 및 비닐계 단량체 25 중량% 내지 40 중량%로 이루어지는 조성물을 이용하여 제조될 수 있다.
상기 불포화 폴리에스테르 수지의 중량 평균 분자량은 1,000 g/mol 내지 10,000 g/mol 이다.
상기 불포화 폴리에스테르 고분자는 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 포화 또는 불포화 이염기산; 및 다가 알코올의 축합반응을 통해 제조되는 불포화 폴리에스테르 고분자를 사용할 수 있다. 상기 포화 또는 불포화 이염기산으로는 오쏘(ortho)-프탈산, 이소프탈산, 무수말레산, 시트라콘산, 푸마르산, 이타콘산, 프탈산, 무수프탈산, 테레프탈산, 호박산, 아디핀산, 세바신산 또는 테트라히드로프탈산을 사용할 수 있다. 또한, 상기 다가 알코올로는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 1,3-부틸렌 글리콜, 수소화 비스페놀 A, 트리메틸롤 프로판 모노아릴에테르, 네오펜틸 글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜타디올 및/또는 글리세린을 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 아크릴산, 프로피온산 또는 안식향산과 같은 일염기산; 또는 트리멜리트산 또는 벤졸의 테트라카본산과 같은 다염기산을 더 사용할 수 있다.
상기 비닐계 단량체의 종류로는 알킬 아크릴레이트 단량체 또는 방향족 비닐계 단량체를 사용할 수 있으나, 불포화 폴리에스테르 고분자와의 반응성을 고려하여, 방향족 비닐계 단량체를 사용하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 방향족 비닐계 단량체로는 스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐 톨루엔, 탄소수 1 내지 3의 알킬기로 치환된 알킬 스티렌, 및 할로겐으로 치환된 스티렌 중에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 스티렌 단량체를 사용할 수 있다.
상기 경화제는 바인더의 경화 반응을 위해 포함될 수 있는 것으로, 인조대리석, 특히 엔지니어드 스톤의 제조에 사용되는 경화제를 사용하면 되고 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 경화제는 유기퍼옥사이드계 화합물 또는 아조계 화합물일 수 있다. 상기 유기퍼옥사이드계 화합물은 터트부틸퍼옥시벤조에이트 열경화제(TBPB, Trigonox C, akzo nobel), 디아실퍼옥사이드, 하이드로퍼옥사이드, 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 알킬 퍼에스테르, 퍼카보네이트 및 퍼옥시디카보네이트 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 경화제는 터트부틸퍼옥시벤조에이트 열경화제, 벤조일퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠밀하이드로 퍼옥사이드, 과산화메틸에틸케톤, t-부틸 퍼옥시 말레산, t-부틸 하이드로 퍼옥사이드, 아세틸 퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, 또는 t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 아조계 화합물은 아조비스이소부티로니트릴(azobisisobutyronitrile)일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 바인더 수지는 불포화 폴리에스테르 수지 100 중량부에 대하여 경화제 0.4 중량부 내지 2.5 중량부를 포함할 수 있다. 상기 경화제가 0.4 중량부 이상으로 포함될 때 바인더의 경화가 충분히 일어날 수 있고, 2.5 중량부 이하일 경우 높은 발열반응에 의한 바인더의 변색과 끓음에 의한 기포가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 촉매제로는 저온에서 바인더의 경화를 촉진하기 위해 포함될 수 있는 것으로, 인조대리석, 특히 엔지니어드 스톤의 제조에 사용되는 촉매제를 사용하면 되고 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 촉매제는 코발트계, 바나듐계, 망간계 등의 금속 비누류; 제3급 아민류; 제4급 암모늄염; 및 메르캅탄류 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상일 수 있다. 예컨대, 코발트 6% 촉매제(Hex-Cem, Borchers)가 사용될 수 있다. 상기 바인더 수지는 불포화 폴리에스테르 수지 100 중량부에 대하여 상기 촉매제는 0.05 중량부 내지 0.3 중량부로 포함될 수 있다. 상기 촉매제가 0.05 중량부 이상으로 포함될 때 경화를 촉진하는 데 유리하고, 0.3 중량부 이하로 포함될 때 바인더의 변색 발생을 방지할 수 있다.
상기 커플링제는 상기 바인더 수지와 무기 입자 및/또는 석영 분말과의 결합력을 향상시켜 주기 위해 포함될 수 있는 것으로, 실란계 또는 실리케이트계일 수 있다. 상기 바인더 수지는 불포화 폴리에스테르 수지 100 중량부에 대하여 상기 커플링제는 0.5 중량부 내지 7 중량부로 포함될 수 있다. 상기 커플링제가 0.5 중량부 이상으로 포함될 때 상기 무기 입자 및/또는 석영 분말과의 결합력을 향상시키는 데 유리하고, 7 중량부 이하로 포함될 때 원재료 단가를 낮추는데 유리하다.
무기 입자
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 무기 입자는 입도가 0.1mm 내지 4.0mm인 무기 입자들을 의미한다. 상기 무기 입자는 입도가 서로 상이한 2종 이상의 무기 입자를 포함할 수 있고, 예컨대 입도가 0.1mm 이상 0.3mm 미만인 제1 무기 입자, 및 입도가 0.3mm 이상 0.7mm 이하인 제2 무기 입자를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 무기 입자는 비정질 실리카 입자, 유리 입자 및 결정질 석영 입자 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 무기 입자는 비정질 실리카 입자, 바륨 이온을 포함하는 유리 입자 및/또는 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%인 결정질 석영 입자이다. 바람직하게는, 본 발명의 무기 입자는 비정질 실리카 입자, 입자 내 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%인 유리 입자 및/또는 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%인 결정질 석영 입자이다. 더욱 바람직하게는, 본 발명의 무기 입자는 비정질 실리카 입자, 입자 내 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%인 유리 입자이다.
본 발명의 무기 입자로서 비정질 실리카 입자 또는 입자 내 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%인 유리 입자를 사용하여 제조한 인조대리석은, 무기 입자로서 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%인 결정질 석영 입자를 사용하여 제조한 인조대리석보다 광 투과도가 더 높다. 또한, 본 발명의 무기 입자로서 비정질 실리카 입자 또는 입자 내 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%인 유리 입자를 사용하여 제조한 인조대리석은, 무기 입자로 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%인 결정질 석영 입자를 사용하여 제조한 인조대리석보다 휘도가 더 높다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 무기 입자는 비정질 실리카 입자일 수 있다. 상기 실리카 입자는 인조대리석 분야에서 일반적으로 사용되는 용어로, SiO2 함량이 90 중량% 이상으로 높고 SiO2 외에도 광물 등의 다른 성분을 소량 함유하는 SiO2계 무기 입자를 의미하는 것이 일반적이다. 본 발명의 비정질 실리카 입자는 비정질 용융 실리카 입자일 수 있으며, 본 발명의 비정질 실리카 입자는 고투명 비정질 용융 실리카 입자로도 본 명세서에서 불릴 수 있다. 상기 비정질 용융 실리카 입자는 입도가 1.2mm 내지 5.0mm인 비정질 용융 실리카 입자일 수 있다. 또한, 상기 비정질 용융 실리카 입자는 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%, 바람직하게는 99.6 중량% 내지 100 중량%, 더욱 바람직하게는 99.7 중량% 내지 100 중량%이다. 또한, 상기 비정질 용융 실리카 입자는 알루미나 함량이 0.5 중량% 이하, 바람직하게는 0.4 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.3 중량% 이하, 더욱 더 바람직하게는 0.2 중량% 이하인 것일 수 있다. 비정질 실리카 입자 내 SiO2 함량이 99.5 중량% 이상, 바람직하게는 99.6 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 99.7 중량% 이상이면 인조대리석의 광 투과도는 더욱 좋아진다.
본 발명의 비정질 실리카 입자 및 결정질 석영 입자의 SiO2의 함량은 XRF(X-Ray Fluorescence spectroscopy)로 함량을 정량분석하여 확인할 수 있다. 또한, 결정질 입자들 및 비정질 입자들은 XRD(X-ray diffraction)로 확인이 가능하다. XRF는 일반적으로 입자들을 펠렛으로 만든 후 측정하여 확인할 수 있고, XRD는 입자 상태 또는 인조대리석 상태에서 측정하여 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 무기 입자는 바륨 이온을 포함하는 유리 입자일 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 유리 입자는 입자 내 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%이고, 더욱 바람직하게는 15 중량% 내지 25 중량%이다.
유리는 비정질이므로, 본 발명의 바륨 이온을 포함하는 유리 입자는 고투명 비정질 유리 입자로도 본 명세서에서 불릴 수 있다. 이 때, 고투명이란 가시광선의 투과도가 90% 내지 100%인 것을 의미하며, 구체적으로 입자로 분쇄 전 유리 판형 기준으로, UV/VIS 분광 광도계로 측정시 가시광선 영역에서 90% 이상의 투과도를 갖는 것을 의미한다.
상기 유리 입자 내 바륨 이온의 함량은 엑스선 스캔에 의하여 측정할 수 있다. 엑스선 스캔에 의하여 검출 시 유리 입자 내 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%로 검출되는 것이 바람직하며, 15 중량% 내지 25 중량%로 검출되는 것이 더욱 바람직하다. 바륨 이온 함량이 상기 범위를 벗어나더라도 유리 입자 자체의 투명도는 양호하나, 유리 입자를 이용하여 인조대리석을 제조 시 육안으로 보아도 인조대리석이 푸른빛 내지 옥색 빛을 띠어 사용하기 부적합하다. 즉, 엑스선 스캔에 의하여 검출 시 바륨(Ba) 이온 함량이 10 중량% 내지 35 중량%로 검출되는 유리 입자를 이용하여 인조대리석을 만들어야 푸른빛 내지 옥색 빛을 띠지 않고 색상이 양호하고 제품성이 우수한 인조대리석을 제조할 수 있다.
인조대리석 내 바륨 이온의 함량은 하기와 같이 확인할 수 있다. 바륨 이온을 포함하는 유리 입자를 사용하여 인조대리석을 제조하는 경우, 인조대리석 내에 바륨 이온이 포함되게 된다. 이렇게 바륨 이온이 일정 함량 이상 포함된 인조대리석을 엑스선을 이용하여 스캔하면, 엑스선 촬영된 이미지에 인조대리석이 푸른색으로 나타나게 된다. 유리 입자 내 바륨 이온 함량도 같은 방법으로 측정한다.
바람직하게는, 본 발명의 유리 입자는 입도가 1.2mm 내지 5.0mm인 유리 입자일 수 있으며, 또한 입자로 분쇄 전 유리 판형 기준으로, UV/VIS 분광 광도계로 측정시 가시광선 영역에서 90% 이상의 투과도를 갖는 고투명 유리 입자일 수 있다.
본 발명의 무기 입자는 결정질 석영 입자일 수 있다. 본 발명의 결정질 석영 입자는 고투명 결정질 석영 입자로도 본 명세서에서 불릴 수 있다.
이 때, 결정질 석영 입자는 입도가 1.2mm 내지 5.0mm인 고투명 결정질 석영 입자일 수 있으며, 또한 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%, 바람직하게는 99.6 중량% 내지 100 중량%, 더욱 바람직하게는 99.7 중량% 내지 100 중량%이다. 또한, 결정질 석영 입자는 알루미나 함량이 0.5 중량% 이하, 바람직하게는 0.4 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.3 중량% 이하, 더욱 더 바람직하게는 0.2 중량% 이하인 것일 수 있다.
결정질 석영 입자 내 SiO2 함량이 99.5 중량% 미만, 예컨대, 99.4 중량% 이하가 되는 경우 인조대리석의 광 투과도가 낮아질 수 있다. 그러므로, SiO2 함량이 99.5 중량% 이상인 결정질 석영 입자인 것이 바람직하다.
상기 입도는 Beckman coulter LS 13 320 Particle size analyzer 입도분석기를 사용하여 측정할 수 있다.
석영 분말
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 석영 분말을 포함한다. 이 때, 상기 석영 분말이란 입도가 0.1mm 미만인 석영 분말을 의미한다. 예컨대, 상기 석영 분말은 입도가 55㎛ 미만의 분말 및 입도가 55㎛ 이상 0.1mm 미만의 분말 중 어느 한쪽 또는 둘 다를 포함할 수 있다.
상기 입도는 Beckman coulter LS 13 320 Particle size analyzer 입도분석기를 사용하여 측정할 수 있다. 본 발명의 석영 분말은 고투명 결정질 석영 분말로도 본 명세서에서 불릴 수 있다.
본 발명의 석영 분말은 결정질 석영 분말이며, 바람직하게는 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%인 결정질 석영 분말이다. 본 발명의 석영 분말은 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%, 바람직하게는 99.6 중량% 내지 100 중량%, 더욱 바람직하게는 99.7 중량% 내지 100 중량%이며, 알루미나 함량이 0.5 중량% 이하, 바람직하게는 0.4 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.3 중량% 이하, 더욱 더 바람직하게는 0.2 중량% 이하인 것일 수 있다.
본 발명의 석영 분말은 평균 SiO2 함량이 99.5 중량% 내지 100 중량%인 것이 바람직하며, 평균 알루미나 함량이 0.5 중량% 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 석영 분말의 SiO2의 함량은 XRF(X-Ray Fluorescence spectroscopy)로 함량을 정량분석하여 확인할 수 있다. 이 때, 일반적으로 분말들을 펠렛으로 만든 후 측정하여 확인한다.
석영 분말은 입자의 크기가 작기 때문에 자체 산란이 발생하게 된다. 그러므로, 인조대리석의 내부 광 투과도를 높이기 위하여 본 발명의 인조대리석은 SiO2 함량이 99.5 중량% 이상인 결정질 석영 분말을 포함한다. 만약 석영 분말의 SiO2 함량이 99.5 중량% 미만인 경우, 인조대리석의 내부 광 투과도가 낮아, 본 발명의 목적으로 하는 광 투과도가 높은 인조대리석을 제조하기 어려울 수 있다.
분말 수지
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 분말 수지를 포함한다. 상기 분말 수지의 용융온도는 50℃ 이상일 수 있고, 60℃ 이상일 수 있으며, 70℃ 이상일 수 있다. 또한, 상기 분말 수지의 용융온도는 130℃ 이하일 수 있고, 125℃ 이하일 수 있으며, 120℃ 이하일 수 있다.
상기 분말 수지는 유리전이온도(Tg)가 40℃ 이상이고, 경화가 시작하는 온도(Tcc)가 120℃ 초과일 수 있다. 또한, 상기 분말 수지는 유리전이온도(Tg)가 42℃ 이상이고, 경화가 시작하는 온도(Tcc)가 130℃ 이상일 수 있다.
상기 분말 수지는 열경화형 분말 수지를 이용할 수 있다. 즉, 상기 분말 수지는 상온에서 반응하지 않고 안정화 상태의 분말로 존재하고, 상기 분말 수지에 열을 가하는 경우에는 상기 분말 수지가 녹으면서 조성물에 포함된 무기물을 잡아주는 바인더 역할을 수행할 수 있다.
상기 분말 수지는 에폭시 아크릴레이트 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 글리시딜메타크릴레이트 수지, 부틸메타크릴레이트 수지 및 메틸메타크릴레이트 수지 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 분말 수지의 평균 입도는 5㎛ 내지 60㎛ 일 수 있고, 약 30㎛ 내외일 수 있다. 또한, 상기 분말 수지는 130℃ 이상의 온도에서 10분 이상 동안 열이 가해지면 경화반응이 일어날 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물의 총중량을 기준으로, 상기 액상 바인더 수지의 함량은 7 중량% 내지 12 중량%이고, 상기 분말 수지의 함량은 8 중량% 내지 14 중량% 일 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 액상 바인더 수지의 함량은 8 중량% 내지 11 중량%이고, 상기 분말 수지의 함량은 9 중량% 내지 13 중량% 일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물의 총중량을 기준으로, 상기 무기 입자의 함량은 45 중량% 내지 55 중량%이고, 상기 석영 분말의 함량은 25 중량% 내지 35 중량% 일 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 무기 입자의 함량은 48 중량% 내지 52 중량%이고, 상기 석영 분말의 함량은 27 중량% 내지 33 중량% 일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 전술한 인조대리석 조성물을 구성하는 성분의 함량범위를 만족할 때, 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하일 수 있다.
상기 아발란체 에너지 값은 동적 분말 흐름성 측정 장비를 사용하여 측정할 수 있고, 상기 아발란체 에너지 값이 낮을수록 조성물의 흐름성이 좋은 것으로 판단할 수 있다.
종래의 인조대리석 조성물은 상기 아발란체 에너지 값이 약 36 mJ/Kg 내외의 수준이었다. 즉, 종래의 인조대리석 조성물은 낮은 흐름성으로 인하여, 인조대리석 조성물의 토출 공정시 토출 설비가 막히거나 토출 불량이 발생하는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석 조성물은, 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지와 분말 수지를 동시에 적용함과 동시에, 전술한 인조대리석 조성물을 구성하는 성분의 함량범위를 만족함으로써, 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하인 높은 흐름성 특성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값은 18 mJ/Kg 이하일 수 있고, 15 mJ/Kg 이하일 수 있으며, 그 하한값은 특별히 한정되지 않는다.
상기 동적 분말 흐름성 측정장비는 Rev2015(마텍무역)를 사용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 동적 분말 흐름성 측정장비는 흐름성을 측정하는 본체, 혼합물의 무게를 측정할 수 있는 샘플컵, 및 혼합물을 담아서 상기 본체에 넣을 수 있는 샘플드럼을 포함할 수 있고, 상기 샘플컵에 담을 수 있는 혼합물의 무게는 80g 내지 120g일 수 있다. 상기 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값은 전술한 동적 분말 흐름성 측정장비를 이용하여 상온에서 측정할 수 있다.
무기 안료
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 무기 안료를 추가로 포함할 수 있다. 상기 무기 안료는 당 기술분야에 알려진 무기 안료를 이용할 수 있고, 특별히 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 무기 안료는 TiO2, NiO·Sb2O3·20TiO2, Fe2O3, 및 Fe3O4 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 무기 안료는 인조대리석 조성물에 균질하게 분포하지 않도록 살짝 섞는 방법을 이용할 수 있다. 이렇게 무기 안료가 불균일하게 존재함으로써 베인 패턴이 투명하게 유지될 수 있고, 무기 안료로 인하여 베인 패턴을 포함하는 영역이 더 투명해 보이는 미감을 갖게 된다.
이 때, 다양한 색상을 가지는 베인 패턴을 제조하기 위하여, 각각의 색상을 나타낼 수 있는 무기 안료가 적용된 인조대리석 조성물을 복수로 이용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 인조대리석의 베인(vein) 패턴 형성용일 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 인조대리석의 제조방법은, 수평으로 배향된 몰드에 베이스(base) 조성물을 분상하여 베이스층을 판상형으로 형성하는 단계; 상기 베이스층에 음각부 패턴을 형성하는 단계; 상기 음각부 패턴에 상기 인조대리석 조성물을 투입하는 단계; 및 진동 및 압축 공정을 수행한 후, 열경화 공정을 수행하여 베인 패턴이 구비된 인조대리석을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석의 제조방법은, 수평으로 배향된 몰드에 베이스(base) 조성물을 분상하여 베이스층을 판상형으로 형성하는 단계를 포함한다.
상기 몰드는 상기 호퍼로부터 배출된 인조대리석 조성물이 일정 형태로 담길 수 있도록 일정 형상을 가진 용기일 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시상태는, 몰드가 수평으로 배향되어 베이스층을 판상형으로 형성하는 것으로서, 종래와 같이 천연 석영, 불포화 폴리에스터 액상형 수지 및 고체 피그먼트의 혼합물을 서로 다른 종류로 준비하여 수직으로 적층시켜 제조하는 공정과는 상이하다.
상기 베이스층은 디지털 분상기에 의해 제어되는 복수 개의 호퍼에 베이스 조성물을 주입한 후, 이를 몰드 내에 분상하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 베이스 조성물은 액상 바인더 수지, 무기 입자 및 석영 분말을 포함할 수 있다. 상기 베이스 조성물의 액상 바인더 수지, 무기 입자 및 석영 분말에 대한 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석의 제조방법은, 상기 베이스층에 음각부 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 베이스층에 음각부 패턴을 형성하는 단계는 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, 상기 베이스층에 음각부 패턴을 형성하는 단계는 베인 패턴 제조용 나이프를 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 이 때, 상기 음각부 패턴의 깊이는 상기 베이스층의 두께의 100% 이하일 수 있고, 80% 이하일 수 있으며, 75% 이하일 수 있고, 50% 이상일 수 있다.
상기 음각부 패턴의 깊이가 상기 베이스층의 두께의 80%를 초과하는 경우에는, 베이스층에 음각부 패턴의 형성공정시 상기 베인 패턴 제조용 나이프가 하부 바닥에 닿을 수 있으며, 베인 패턴의 폭이 15mm 내지 70mm에서는 완전 건조가 가능하다. 또한, 상기 음각부 패턴의 깊이가 100%인 경우에는 인조대리석을 수직면으로 절단시 옆에서도 음각부 패턴을 볼 수 있는 디자인 패턴을 구현할 수 있다. 또한, 상기 음각부 패턴의 깊이가 상기 베이스층의 두께의 50% 미만인 경우에는, 제조된 인조대리석의 밴딩, Cut down 등과 같은 후공정시 베인 패턴이 제거되는 문제가 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석의 제조방법은, 상기 음각부 패턴에 본 발명에 따른 인조대리석 조성물을 투입하는 단계를 포함한다.
상기 인조대리석 조성물의 혼합은 세라믹 분말 혼합 공정에서 적용되는 건식 혼합(dry mixer) 또는 습식 혼합(wet mixer)으로 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 음각부 패턴에 인조대리석 조성물을 투입하는 단계는, 인조대리석 조성물의 토출 방식의 분상공정으로 수행될 수 있다. 이와 같은 공정에 의하여, 상기 인조대리석의 베인 패턴을 다양한 색상의 형태로 구현할 수 있고, 1종 또는 2종 이상의 색상을 가지면서 가늘고 선명한 베인 패턴을 서로 인접하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 그라데이션(gradation) 색상과 같은 자연스러운 흐름무늬, 번짐무늬 등의 형태도 구현할 수 있는 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시상태에 따른 베인 패턴은 2가지 이상의 색상, 그라데이션(gradation) 색상, 또는 이들의 조합의 색상을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 베인 패턴은 직선 패턴, 곡선 패턴, 또는 이들의 조합 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 음각부 패턴에 인조대리석 조성물을 투입하는 단계 이후에, 진동 및 압축 공정을 수행한 후, 열경화 공정을 수행하여 베인 패턴이 구비된 인조대리석을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 진동 및 압축 공정에 의하여 패턴을 가지는 고체상이 자리를 잡게 되고, 이후 열경화 공정에 의하여 분말 수지가 용융되어 액상 수지로 전환된 후 경화될 수 있다. 특히, 상기 분말 수지가 용융된 액상 수지는 무기 입자들 간의 공간을 연결시키는 역할을 수행할 수 있고, 상기 분말 수지가 용융된 액상 수지는 투명하므로 전체적으로 무기 입자들이 서로 연결된 형상을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 진동 및 압축 공정은 당 기술분야에 알려진 공정을 이용할 수 있다. 예컨대, 상기 진동 및 압축 공정은 300mm × 300mm × 20mm 크기의 슬라브를 제조하는 것을 기준으로, 초기 2,500rpm에서 20초간 진동 압착을 시킨 후, 연속해서 2,600rpm으로 올려 50초간 진동 바이브레이터 프레스를 실시할 수 있다. 이 때, 압력은 진동 바이브레이터가 손상되지 않는 범위인 약 1.5bar로 설정할 수 있다. 상기 진동 및 압축 공정은 전술한 내용에 따라 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 열경화 공정은 120℃ 이상의 온도에서 10분 이상 동안 수행될 수 있다. 이와 같은 열경화 공정에 의하여, 상기 인조대리석 조성물의 분말 수지가 용융되어 액상 수지로 전환된 후, 경화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 분말 수지의 용융 및 경화공정은 동시에 수행될 수 있다.
본 발명의 인조대리석의 제조방법에서, 열경화 공정을 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다. 하기 도 1과 같이, 본 발명에 따른 인조대리석 조성물은 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지(10); 분말 수지(40); 무기 입자(20); 및 석영 분말(30)을 포함하고, 열경화 공정에 의하여 분말 수지(40)가 용융되어 액상 수지(50)로 전환된 후 경화될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석의 제조방법은, 상기 인조대리석 조성물을 경화시킨 후, 상기 몰드를 제거하여 인조대리석을 제조하는 단계; 및 상기 인조대리석을 재단하고 표면을 매끄럽게 연마하는 후가공 단계를 포함할 수 있다. 상기 몰드를 제거하는 방법, 후가공 방법 등은 특별히 한정되는 것은 아니고, 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시상태는, 상기 인조대리석의 제조방법에 의하여 제조되는 것인 인조대리석을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석 조성물은, 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하인 특성을 만족하도록 액상 바인더 수지 및 분말 수지의 함량을 조절함으로써, 인조대리석 조성물의 흐름성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 인조대리석 조성물의 흐름성을 향상시킴으로써, 인조대리석 조성물의 토출시 발생될 수 있는 토출 설비 막힘 문제, 토출 불량 문제 등을 개선할 수 있고, 토출 설비의 청소가 용이하다는 특징이 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<실시예>
<실시예 1>
입도가 0.1mm 내지 4.0mm인 무기 입자(Sibelco 사의 쿼츠 샌드) 및 액상 바인더 수지(미국 Polynt 사의 불포화 폴리에스테르 수지)를 1분간 균일하게 혼합하였다. 그 후, 입도가 45㎛ 이하인 석영 분말(Sibelco 사의 석영 분말)을 투입하고 1분간 2회 반복적으로 혼합하였다. 마지막으로 분말 수지(Akzonobel 사, 아크릴계 분말 수지)를 투입한 후 60초 내지 120초 동안 혼합하여, 베인 패턴용 인조대리석 조성물을 제조하였다.
상기 베인 패턴용 인조대리석 조성물에서, 상기 액상 바인더 수지, 분말 수지, 무기 입자 및 석영 분말의 함량은 하기 표 1에 나타내었다.
<실시예 2 ~ 3 및 비교예 1 ~ 4>
하기 표 1과 같이, 상기 액상 바인더 수지, 분말 수지, 무기 입자 및 석영 분말의 함량을 조절한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
[표 1]
<실험예 1> 베인 패턴용 인조대리석 조성물의 평가
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 베인 패턴용 인조대리석 조성물의 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다. 상기 아발란체 에너지 값은 동적 분말 흐름성 측정 장비(Rev2015, 마텍무역)를 사용하여 측정하였다. 또한, 상기 실시예 및 비교예에서 제조한 베인 패턴용 인조대리석 조성물의 품질을 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
상기 표 2의 품질 평가는, 상기 실시예 및 비교예의 베인 패턴용 인조대리석 조성물로 제조한 베인 패턴층이, 후술하는 인조대리석의 베이스층의 품질과 동등 수준을 가지는지 여부를 기준으로 판단하였다. 보다 구체적으로, 상기 베인 패턴층이 핀홀 및 크랙이 없고, 미경화된 부분이 없이 완전히 경화된 경우를 "OK"로 판정하였고, 상기 핀홀, 크랙 및 미경화 영역 특성 중 어느 하나를 만족하지 않는 경우를 "NG"로 판정하였다.
상기 분말 수지의 함량이 높아지면 흐름성이 좋아질 수 있다. 그러나, 상기 비교예 2의 결과에 따르면, 본 발명과 같은 액상 바인더 수지의 함량범위를 만족하지 않음으로써, 인조대리석의 베인 패턴층의 품질이 "NG"로 판정되는 것을 확인할 수 있다.
또한, 상기 비교예 3은 아발란체 에너지 값이 18 mJ/Kg 초과인 경우로서, 상기 베인 패턴용 인조대리석 조성물의 제조시 분말 수지가 뭉치는 현상이 발생하였고, 이에 따라 인조대리석의 베인 패턴 형성시 토출기에서 베인 패턴 형성용 조성물의 토출이 안되는 현상이 발생하였다.
따라서, 본 발명의 일 실시상태에 따른 인조대리석 조성물은, 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하인 특성을 만족하도록 액상 바인더 수지 및 분말 수지의 함량을 조절함으로써, 인조대리석 조성물의 흐름성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 제조되는 인조대리석의 베인 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 인조대리석 조성물의 흐름성을 향상시킴으로써, 인조대리석 조성물의 토출시 발생될 수 있는 토출 설비 막힘 문제, 토출 불량 문제 등을 개선할 수 있고, 토출 설비의 청소가 용이하다는 특징이 있다.
<실험예 2> 인조대리석의 제조
1) 베이스(base) 조성물의 제조
입도가 0.1mm 내지 4.0mm인 무기 입자(Sibelco 사의 쿼츠 샌드) 및 액상 바인더 수지(미국 Polynt 사의 불포화 폴리에스테르 수지)를 1분간 균일하게 혼합하였다. 그 후, 입도가 45㎛ 이하인 석영 분말(Sibelco 사의 석영 분말)을 투입하고 1분간 2회 반복적으로 혼합하여, 베이스 조성물을 제조하였다.
이 때, 상기 베이스 조성물 총중량을 기준으로, 액상 바인더 수지 14 중량%, 무기 입자 47 중량% 및 석영 분말 39%를 사용하였다.
2) 인조대리석의 제조
상기 베이스 조성물을 고무 몰드(mold)에 투입하고, 베인 패턴 제조용 나이프를 이용하여 음각부 패턴을 형성하였다. 상기 음각부 패턴에 상기 실시예 또는 비교예에서 제조한 베인 패턴용 인조대리석 조성물을 투입한 후, 진동 및 압축 공정을 수행하였다. 이 때, 상기 진동 및 압축 공정은 초기 2,500rpm에서 20초간 진동 압착을 시킨 후, 연속해서 2,600rpm으로 올려 50초간 진동 바이브레이터 프레스를 실시하였다.
그 후, 120℃ 이상에서 1시간 동안 경화시키고, 경화가 완료된 후 실온으로 식히고 그 후 몰드에서 빼내 인조대리석을 제조하였다. 상기 인조대리석의 사방을 재단한 후 표면을 매끄럽게 연마하여 베인 패턴이 구비된 인조대리석을 제조하였다.
본 발명에 따른 실시예 1 내지 3의 베인 패턴용 인조대리석 조성물을 적용한 경우에는, 베인 패턴 형성시 토출기에서 베인 패턴 형성용 조성물의 토출이 원할하게 진행되었다. 그러나, 상기 아발란체 에너지 값이 18 mJ/Kg 초과인 비교예 1 및 3의 베인 패턴용 인조대리석 조성물을 적용한 경우에는, 베인 패턴 형성시 토출기에서 베인 패턴 형성용 조성물의 토출이 원할하게 진행되지 않았고, 이에 따라 토출기가 막히는 문제가 발생하였다.
10: 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지
20: 무기 입자
30: 석영 분말
40: 분말 수지
50: 분말 수지가 용융되어 전환된 액상 수지

Claims (14)

  1. 불포화 폴리에스테르 수지를 포함하는 액상 바인더 수지; 분말 수지; 무기 입자; 및 석영 분말을 포함하는 인조대리석 조성물이고,
    상기 인조대리석 조성물 총중량을 기준으로, 상기 액상 바인더 수지의 함량은 7 중량% 내지 12 중량% 이고, 상기 분말 수지의 함량은 8 중량% 내지 14 중량% 이며,
    상기 인조대리석 조성물의 아발란체 에너지(Avalanche Energy) 값이 18 mJ/Kg 이하인 것인 인조대리석 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 액상 바인더 수지는 불포화 폴리에스테르 수지를 90 중량% 이상 포함하고,
    상기 불포화 폴리에스테르 수지는 불포화 폴리에스테르 고분자 및 비닐계 단량체를 100 : 30 내지 70 중량비로 포함하는 것인 인조대리석 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 분말 수지의 용융온도는 50℃ 이상인 것인 인조대리석 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 분말 수지는 에폭시 아크릴레이트 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 글리시딜메타크릴레이트 수지, 부틸메타크릴레이트 수지 및 메틸메타크릴레이트 수지 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 인조대리석 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 무기 입자는 비정질 실리카 입자, 유리 입자 및 결정질 석영 입자 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 인조대리석 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 인조대리석 조성물 총중량을 기준으로,
    상기 무기 입자의 함량은 45 중량% 내지 55 중량% 이고, 상기 석영 분말의 함량은 25 중량% 내지 35 중량%인 것인 인조대리석 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 무기 안료를 추가로 포함하는 것인 인조대리석 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 무기 안료는 TiO2, NiO·Sb2O3·20TiO2, Fe2O3, 및 Fe3O4 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 인조대리석 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 인조대리석 조성물은 인조대리석의 베인(vein) 패턴 형성용인 것인 인조대리석 조성물.
  10. 수평으로 배향된 몰드에 베이스(base) 조성물을 분상하여 베이스층을 판상형으로 형성하는 단계;
    상기 베이스층에 음각부 패턴을 형성하는 단계;
    상기 음각부 패턴에 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항의 인조대리석 조성물을 투입하는 단계; 및
    진동 및 압축 공정을 수행한 후, 열경화 공정을 수행하여 베인 패턴이 구비된 인조대리석을 형성하는 단계
    를 포함하는 인조대리석의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 열경화 공정은 120℃ 이상의 온도에서 10분 이상 동안 수행되는 것인 인조대리석의 제조방법.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 열경화 공정에 의하여 상기 인조대리석 조성물의 분말 수지가 용융되어 액상 수지로 전환된 후, 경화되는 것인 인조대리석의 제조방법.
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 베인 패턴은 직선 패턴, 곡선 패턴, 또는 이들의 조합 패턴인 것인 인조대리석의 제조방법.
  14. 청구항 10의 인조대리석의 제조방법에 의하여 제조되는 것인 인조대리석.
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