KR20230101605A

KR20230101605A - Chemical liquid providing apparatus and substrate treating system including the same

Info

Publication number: KR20230101605A
Application number: KR1020210191851A
Authority: KR
Inventors: 윤태석; 전윤석; 최영섭
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-12-29
Filing date: 2021-12-29
Publication date: 2023-07-06

Abstract

Provided is a substrate-treating liquid-providing unit capable of minimizing the amount of waste liquid treated by controlling the supply amount of other fluids depending on the supply amount of a specific fluid, and a substrate-treating device comprising the same. The substrate-treating device comprises: a substrate-treating liquid-providing device that provides a substrate-treating liquid; and the substrate-treating device that treats a substrate using a substrate-treating liquid. The substrate-treating liquid-providing device comprises: a first fluid-providing module providing a first fluid to the substrate-treating device; a second fluid-providing module providing a second fluid to the substrate-treating device; a first pipe connecting the first fluid-providing module and the substrate-treating device; a second pipe connecting the second fluid-providing module and the substrate-treating device; and a third pipe connecting the first pipe and the second pipe. The flow rate of the second fluid varies depending on the flow rate of the first fluid moving along the third pipe to the second pipe or the flow rate of the first fluid moving to the substrate-treating device.

Description

Substrate treatment liquid providing apparatus and substrate treatment system including the same {Chemical liquid providing apparatus and substrate treating system including the same}

본 발명은 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 세정 공정에 적용되는 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for providing a substrate treatment liquid and a substrate treatment system including the same. More specifically, it relates to a substrate treatment liquid providing apparatus applied to a cleaning process and a substrate treatment system including the same.

반도체 소자 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(Fab)으로 정의되는 반도체 제조 공장, 예를 들어 클린 룸(Clean Room) 내에 설치될 수 있다.A semiconductor device manufacturing process may be continuously performed in a semiconductor manufacturing facility and may be divided into a pre-process and a post-process. Semiconductor manufacturing equipment may be installed in a semiconductor manufacturing plant defined as a fab, for example, a clean room to manufacture semiconductor devices.

전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 포토 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.The pre-process refers to a process of completing a chip by forming a circuit pattern on a wafer. The entire process includes a deposition process of forming a thin film on a wafer, a photo lithography process of transferring photoresist onto a thin film using a photo mask, and a desired circuit on the wafer. Etching process to selectively remove unnecessary parts using chemicals or reactive gases to form patterns, Ashing process to remove remaining photoresist after etching, parts connected to circuit patterns It may include an ion implantation process in which ions are implanted into the wafer to have characteristics of an electronic device, a cleaning process in which contaminants are removed from the wafer, and the like.

후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 우량품과 불량품을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.The post-process refers to the process of evaluating the performance of the finished product through the previous process. The post-process is the primary inspection process of sorting out good and bad products by inspecting whether each chip on the wafer is working, dicing, die bonding, wire bonding, and molding. Finally, the characteristics and reliability of the product are determined through the package process, which cuts and separates each chip through marking, etc. It may include a final inspection process that is inspected with

세정 공정을 통해 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 처리하는 경우, 플라즈마를 이용하는 건식 세정 방법과 케미칼(Chemical)을 이용하는 습식 세정 방법을 활용할 수 있다.When processing a substrate (eg, a wafer) through a cleaning process, a dry cleaning method using a plasma and a wet cleaning method using a chemical may be utilized.

케미칼을 이용하는 습식 세정 방법의 경우, 복수의 유체를 혼합하여 케미칼을 생성한 후 상기 케미칼을 챔버 내에 제공하여 기판을 처리할 수 있다. 그런데 상기 복수의 유체는 셋팅(Setting)된 값에 의해 고정된 양이 제공되기 때문에, 설비 상황이나 공정 상황에 따라 기판을 처리하는 데에 모두 사용되지 못하고, 많은 양이 폐액 처리되어 버려지는 문제가 있다.In the case of a wet cleaning method using chemicals, a plurality of fluids may be mixed to generate chemicals, and then the chemicals may be provided into a chamber to process the substrate. However, since the plurality of fluids are provided in a fixed amount by a set value, they are not all used to process the substrate depending on the facility or process conditions, and a large amount is treated as waste and discarded. there is.

본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는, 특정 유체의 공급량에 따라 다른 유체의 공급량을 제어하여 폐액 처리량을 최소화할 수 있는 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.A technical problem to be solved by the present invention is to provide a substrate treatment liquid supply apparatus capable of minimizing waste liquid treatment by controlling the supply amount of another fluid according to the supply amount of a specific fluid, and a substrate treatment system including the same.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면(Aspect)은, 기판 처리액을 제공하는 기판 처리액 제공 장치; 및 상기 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 포함하며, 상기 기판 처리액 제공 장치는, 상기 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈; 상기 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈; 상기 제1 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관; 상기 제2 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및 상기 제1 배관과 상기 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고, 상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변된다.One aspect (Aspect) of the substrate processing system of the present invention for achieving the above technical problem is a substrate treatment liquid providing device for providing a substrate treatment liquid; and a substrate processing device processing a substrate using the substrate processing liquid, wherein the substrate processing liquid providing device includes: a first fluid providing module configured to supply a first fluid to the substrate processing device; a second fluid providing module supplying a second fluid to the substrate processing apparatus; a first pipe connecting the first fluid supply module and the substrate processing apparatus; a second pipe connecting the second fluid providing module and the substrate processing apparatus; and a third pipe connecting the first pipe and the second pipe, wherein the flow rate of the second fluid is the flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe or the substrate processing apparatus. It is variable according to the flow rate of the first fluid moving to.

상기 제1 유체는 제1 유량으로 제공되고, 상기 제2 유체는 상기 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 제공되며, 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량이 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량보다 많을 수 있다.The first fluid is provided at a first flow rate, the second fluid is provided at a second flow rate less than the first flow rate, and the flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus is the same as the first flow rate along the third pipe. It may be greater than the flow rate of the first fluid moving to the second pipe.

상기 제1 유체는 제1 유량으로 제공되고, 상기 제2 유체는 상기 제2 유량보다 많고 상기 제1 유량보다 적은 유량으로 제공되며, 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량이 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량보다 적을 수 있다.The first fluid is provided at a first flow rate, the second fluid is provided at a flow rate greater than the second flow rate and less than the first flow rate, and the flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus is the third flow rate. It may be less than the flow rate of the first fluid moving along the pipe to the second pipe.

상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량에 비례하여 가변될 수 있다.The flow rate of the second fluid may vary in proportion to the flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe.

상기 제2 유체의 유량은 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 반비례하여 가변될 수 있다.A flow rate of the second fluid may vary in inverse proportion to a flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 및/또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정하는 유량 측정 센서; 상기 유량 측정 센서의 측정값을 토대로 상기 제2 유체의 가변 유량을 계산하는 연산 모듈; 및 상기 제2 유체의 가변 유량을 토대로 상기 제2 유체 제공 모듈을 제어하는 제1 제어 모듈을 더 포함할 수 있다.The substrate processing system may include a flow rate measuring sensor configured to measure a flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe and/or a flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus; an arithmetic module that calculates a variable flow rate of the second fluid based on the measured value of the flow sensor; and a first control module controlling the second fluid providing module based on the variable flow rate of the second fluid.

상기 제1 유체는 오존(O3)을 포함하고, 상기 제2 유체는 불산(HF)을 포함할 수 있다.The first fluid may include ozone (O3), and the second fluid may include hydrofluoric acid (HF).

상기 제3 배관은 상기 제1 유체의 이동만을 허용하는 밸브를 포함할 수 있다.The third pipe may include a valve allowing only movement of the first fluid.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 제1 배관에서 분기되는 제4 배관; 상기 제2 배관에서 분기되는 제5 배관; 상기 제4 배관을 통해 이동하는 제1 유체의 일부 및 상기 제2 배관을 통해 이동하는 제3 유체의 일부를 외부로 배출시키는 배수관; 상기 제4 배관 및 상기 제5 배관에 각각 설치되는 압력 측정 센서; 및 상기 압력 측정 센서의 측정값에 따라 상기 제1 유체 제공 모듈 및/또는 상기 제2 유체 제공 모듈을 제어하는 제2 제어 모듈을 더 포함할 수 있다.The substrate processing system may include a fourth pipe branching from the first pipe; a fifth pipe branching from the second pipe; a drain pipe discharging part of the first fluid moving through the fourth pipe and part of the third fluid moving through the second pipe to the outside; pressure measuring sensors installed in the fourth pipe and the fifth pipe, respectively; and a second control module controlling the first fluid providing module and/or the second fluid providing module according to the measured value of the pressure measuring sensor.

또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리액 제공 장치의 일 면은, 기판 처리액을 제공하는 장치로서, 상기 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈; 상기 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈; 상기 제1 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관; 상기 제2 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및 상기 제1 배관과 상기 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고, 상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변된다.In addition, one aspect of the apparatus for providing a substrate treatment liquid of the present invention for achieving the above technical problem is an apparatus for providing a substrate treatment liquid, wherein a first fluid is supplied to a substrate treatment apparatus that processes a substrate using the substrate treatment liquid. A first fluid providing module that provides; a second fluid providing module supplying a second fluid to the substrate processing apparatus; a first pipe connecting the first fluid supply module and the substrate processing apparatus; a second pipe connecting the second fluid providing module and the substrate processing apparatus; and a third pipe connecting the first pipe and the second pipe, wherein the flow rate of the second fluid is the flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe or the substrate processing apparatus. It is variable according to the flow rate of the first fluid moving to.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 4는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 5는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 6은 제1 유체의 분기된 후의 관계를 설명하기 위한 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제3 예시도이다.1 is a diagram schematically showing the internal configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically showing the internal structure of a substrate processing apparatus constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
3 is a first exemplary view for explaining a connection structure between a substrate treatment liquid providing device and a substrate treatment device constituting a substrate treatment system according to an embodiment of the present invention.
4 is a first exemplary diagram for explaining a relationship between a first fluid and a second fluid.
5 is a second exemplary view for explaining the relationship between the first fluid and the second fluid.
6 is an exemplary view for explaining the relationship after the first fluid is diverged.
FIG. 7 is a second exemplary view for explaining a connection structure between a substrate processing liquid providing device and a substrate processing device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
8 is a third exemplary view for explaining a connection structure between a substrate treatment liquid supply device and a substrate treatment device constituting a substrate treatment system according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as being "on" or "on" another element or layer, it is not only directly on the other element or layer, but also when another layer or other element is intervening therebetween. All inclusive. On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that another element or layer is not intervened.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as encompassing different orientations of elements in use or operation in addition to the orientations shown in the figures. For example, when flipping elements shown in the figures, elements described as “below” or “beneath” other elements may be placed “above” the other elements. Thus, the exemplary term “below” may include directions of both below and above. Elements may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, it is needless to say that these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section referred to below may also be a second element, second element, or second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.Terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" means that a stated component, step, operation, and/or element is present in the presence of one or more other components, steps, operations, and/or elements. or do not rule out additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used in a meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless explicitly specifically defined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components regardless of reference numerals are given the same reference numerals, Description is omitted.

본 발명은 케미칼(Chemical)을 이용하여 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 경우, 폐액 처리되는 양을 최소화할 수 있는 기판 처리액 제공 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.The present invention relates to a substrate treatment liquid supply unit capable of minimizing the amount of waste liquid treatment when processing a substrate (eg, a wafer) using a chemical, and a substrate treatment apparatus including the same . Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to drawings and the like.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 기판 처리액 제공 장치(120) 및 제어 장치(Controller; 130)를 포함하여 구성될 수 있다.1 is a diagram schematically showing the internal configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. According to FIG. 1 , a substrate processing system 100 may include a substrate processing device 110 , a substrate processing liquid providing device 120 , and a controller 130 .

기판 처리 장치(110)는 약액(예를 들어, 케미칼(Chemical))을 이용하여 기판을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(110)는 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 세정 공정 챔버(Cleaning Process Chamber)로 마련될 수 있다.The substrate processing apparatus 110 processes a substrate using a chemical (eg, chemical). The substrate processing apparatus 110 may be provided as a cleaning process chamber for cleaning a substrate using a chemical solution.

약액은 액체 상태의 물질(예를 들어, 유기용제)이거나, 기체 상태의 물질일 수 있다. 약액은 휘발성이 강하며, 흄(Fume)이 많이 발생하거나 점도가 높아 잔류성이 높은 물질들을 포함할 수 있다. 약액은 예를 들어, IPA(Iso-Propyl Alcohol) 성분을 포함하는 물질, 황산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, 황산 성분과 과산화수소 성분을 포함하는 SPM), 암모니아수 성분을 포함하는 물질(예를 들어, SC-1(H₂O₂+NH₄OH), 불산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)), 인산 성분을 포함하는 물질 등에서 선택될 수 있다. 이하에서는 기판을 처리하는 데에 사용되는 이러한 약액들을 기판 처리액으로 정의하기로 한다.The chemical solution may be a substance in a liquid state (eg, an organic solvent) or a substance in a gaseous state. The chemical liquid is highly volatile, and may contain substances with high persistence due to high fumes or high viscosity. The chemical solution is, for example, a substance containing an IPA (Iso-Propyl Alcohol) component, a substance containing a sulfuric acid component (eg, SPM containing a sulfuric acid component and a hydrogen peroxide component), a substance containing an ammonia water component (eg For example, it may be selected from SC-1 (H ₂ O ₂ +NH ₄ OH), a material containing a hydrofluoric acid component (eg, Diluted Hydrogen Fluoride (DHF)), a material containing a phosphoric acid component, etc. Hereinafter, the substrate These chemical liquids used to treat the substrate are defined as substrate treatment liquids.

기판 처리 장치(110)는 앞서 설명한 바와 같이 세정 공정에 적용되는 경우, 기판을 회전시키고 기판 상에 약액을 제공할 수 있다. 기판 처리 장치(110)가 이와 같이 액처리 챔버로 마련되는 경우, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 기판 지지 모듈(210), 처리액 회수 모듈(220), 승강 모듈(230) 및 분사 모듈(240)을 포함하여 구성될 수 있다.As described above, when applied to the cleaning process, the substrate treatment apparatus 110 may rotate the substrate and provide a liquid chemical to the substrate. When the substrate processing apparatus 110 is provided as a liquid processing chamber, for example, as shown in FIG. It may be configured to include (240).

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.2 is a diagram schematically showing the internal structure of a substrate processing apparatus constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 2 .

기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 처리할 때에, 제3 방향(30)에 대해 수직 방향(제1 방향(10) 및 제2 방향(20))으로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 처리시 사용되는 기판 처리액을 회수하기 위해, 처리액 회수 모듈(220)의 내부에 배치될 수 있다.The substrate supporting module 210 supports the substrate (W). When processing the substrate W, the substrate support module 210 may rotate the substrate W in directions perpendicular to the third direction 30 (first direction 10 and second direction 20). there is. The substrate support module 210 may be disposed inside the treatment liquid recovery module 220 to recover the substrate treatment liquid used when processing the substrate W.

기판 지지 모듈(210)은 스핀 헤드(Spin Head; 211), 회전축(212), 회전 구동부(213), 서포트 핀(Support Pin; 214) 및 가이드 핀(Guide Pin; 215)을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate support module 210 may include a spin head 211, a rotation shaft 212, a rotation driver 213, a support pin 214, and a guide pin 215. there is.

스핀 헤드(211)는 회전축(212)의 회전 방향(제3 방향(30)의 수직 방향)을 따라 회전하는 것이다. 이러한 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 동일한 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 서로 다른 형상을 가지도록 제공되는 것도 가능하다.The spin head 211 rotates along the rotation direction of the rotation shaft 212 (vertical direction of the third direction 30). The spin head 211 may have the same shape as that of the substrate W. However, the present embodiment is not limited thereto. The spin head 211 may also be provided to have a shape different from that of the substrate W.

회전축(212)은 회전 구동부(213)로부터 제공되는 에너지를 이용하여 회전력을 발생시키는 것이다. 이러한 회전축(212)은 회전 구동부(213)와 스핀 헤드(211)에 각각 결합되어 회전 구동부(213)에 의한 회전력을 스핀 헤드(211)에 전달할 수 있다. 스핀 헤드(211)는 회전축(212)을 따라 회전하게 되며, 이 경우 스핀 헤드(211) 상에 안착되어 있는 기판(W)도 스핀 헤드(211)와 함께 회전할 수 있다.The rotating shaft 212 generates rotational force by using energy provided from the rotation driving unit 213 . The rotational shaft 212 may be coupled to the rotation driving unit 213 and the spin head 211 to transfer rotational force by the rotation driving unit 213 to the spin head 211 . The spin head 211 rotates along the rotation axis 212 , and in this case, the substrate W seated on the spin head 211 may also rotate together with the spin head 211 .

서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)을 위치 고정시키는 것이다. 서포트 핀(214)은 이를 위해 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하며, 가이드 핀(215)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에 각각 복수 개 설치될 수 있다.The support pins 214 and the guide pins 215 fix the position of the substrate W on the spin head 211 . The support pins 214 support the lower surface of the substrate W on the spin head 211 for this purpose, and the guide pins 215 support the side surface of the substrate W. A plurality of support pins 214 and guide pins 215 may be respectively installed on the spin head 211 .

서포트 핀(214)은 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 서포트 핀(214)은 이를 통해 기판(W)이 스핀 헤드(211)의 상부로부터 일정 거리 이격될 수 있도록 기판(W)의 저면을 지지할 수 있다.The support pin 214 may be disposed to have an annular ring shape as a whole. The support pins 214 may support the lower surface of the substrate W so that the substrate W may be separated from the top of the spin head 211 by a predetermined distance through this.

가이드 핀(215)은 척킹 핀(Chucking Pin)으로서, 스핀 헤드(211)가 회전할 때 기판(W)이 원래 위치에서 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지할 수 있다.The guide pin 215 is a chucking pin and may support the substrate W so that the substrate W does not depart from its original position when the spin head 211 rotates.

처리액 회수 모듈(220)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 기판 처리액을 회수하는 것이다. 처리액 회수 모듈(220)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이에 따라 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다.The treatment liquid recovery module 220 recovers the substrate treatment liquid used to process the substrate (W). The treatment liquid recovery module 220 may be installed to surround the substrate support module 210, and thus provide a space in which a treatment process for the substrate W is performed.

기판(W)이 기판 지지 모듈(210) 상에 안착 및 고정된 후, 기판 지지 모듈(210)에 의해 회전하기 시작하면, 분사 모듈(240)이 제어기 모듈(250)의 제어에 따라 기판(W) 상에 기판 처리액을 분사할 수 있다. 그러면, 기판 지지 모듈(210)의 회전력에 의해 발생되는 원심력으로 인해 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액은 처리액 회수 모듈(220)이 위치한 방향으로 분산될 수 있다. 이 경우, 처리액 회수 모듈(220)은 유입구(즉, 후술하는 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224), 제2 회수통(222)의 제2 개구부(225), 제3 회수통(223)의 제3 개구부(226) 등)을 통해 기판 처리액이 그 내부로 유입되면 기판 처리액을 회수할 수 있다.After the substrate W is seated and fixed on the substrate support module 210 and starts to rotate by the substrate support module 210, the spray module 240 controls the substrate W under the control of the controller module 250. ), the substrate treatment liquid may be sprayed on the substrate. Then, due to the centrifugal force generated by the rotational force of the substrate support module 210 , the substrate treatment liquid discharged onto the substrate W may be dispersed in the direction where the treatment liquid recovery module 220 is located. In this case, the treatment liquid recovery module 220 includes an inlet (that is, a first opening 224 of the first recovery tube 221 to be described later, a second opening 225 of the second recovery tube 222, and a third recovery tube 222). When the substrate treatment liquid flows into the tank 223 through the third opening 226 or the like), the substrate treatment liquid may be recovered.

처리액 회수 모듈(220)은 복수 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)은 예를 들어, 세 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)이 이와 같이 복수 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 복수 개의 회수통을 이용하여 기판 처리 공정에 사용되는 기판 처리액을 분리하여 회수할 수 있으며, 이에 따라 기판 처리액의 재활용이 가능해질 수 있다.The processing liquid recovery module 220 may include a plurality of recovery containers. The processing liquid recovery module 220 may include, for example, three recovery containers. When the treatment liquid recovery module 220 is configured to include a plurality of collection containers as described above, the substrate treatment liquid used in the substrate treatment process may be separated and recovered using the plurality of collection containers. Accordingly, the substrate treatment liquid may be recovered. can be recycled.

처리액 회수 모듈(220)은 세 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 포함할 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 예를 들어, 보울(Bowl)로 구현될 수 있다.When the treatment liquid recovery module 220 includes three recovery vessels, it may include a first recovery vessel 221 , a second recovery vessel 222 , and a third recovery vessel 223 . The first collection container 221, the second collection container 222, and the third collection container 223 may be implemented as bowls, for example.

제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 서로 다른 기판 처리액을 회수할 수 있다. 예를 들어, 제1 회수통(221)은 린스액(예를 들어, DI Water(Deionized Water))을 회수할 수 있고, 제2 회수통(222)은 제1 약액을 회수할 수 있으며, 제3 회수통(223)은 제2 약액을 회수할 수 있다.The first collection container 221 , the second collection container 222 , and the third collection container 223 may collect different substrate treatment liquids. For example, the first recovery container 221 may recover a rinsing liquid (eg, DI Water (Deionized Water)), and the second recovery container 222 may recover a first chemical solution. The third recovery container 223 may recover the second liquid medicine.

제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 그 저면에서 아래쪽 방향(제3 방향(30))으로 연장되는 회수 라인(227, 228, 229)과 연결될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 통해 회수되는 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용 가능하게 처리될 수 있다.The first collection container 221, the second collection container 222, and the third collection container 223 have collection lines 227, 228, and 229 extending downward from their bottom surfaces (third direction 30) and can be connected The first treatment liquid, the second treatment liquid, and the third treatment liquid recovered through the first collection container 221, the second collection container 222, and the third collection container 223 are treated by a treatment solution regeneration system (not shown). It can be processed to be reusable through

제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 제1 회수통(221)으로부터 제3 회수통(223)으로 갈수록(즉, 제2 방향(20)으로) 그 크기가 증가할 수 있다. 제1 회수통(221) 및 제2 회수통(222) 사이의 간격을 제1 간격으로 정의하고, 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 사이의 간격을 제2 간격으로 정의하면, 제1 간격은 제2 간격과 동일할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 간격은 제2 간격과 상이한 것도 가능하다. 즉, 제1 간격은 제2 간격보다 클 수 있으며, 제2 간격보다 작을 수도 있다.The first collection container 221 , the second collection container 222 , and the third collection container 223 may be provided in an annular ring shape surrounding the substrate supporting module 210 . The first collection container 221, the second collection container 222, and the third collection container 223 move from the first collection container 221 to the third collection container 223 (ie, in the second direction 20). ) may increase in size. The interval between the first collection container 221 and the second collection container 222 is defined as the first interval, and the interval between the second collection container 222 and the third collection container 223 is defined as the second interval. If so, the first interval may be the same as the second interval. However, the present embodiment is not limited thereto. It is also possible that the first interval is different from the second interval. That is, the first interval may be greater than the second interval or may be smaller than the second interval.

승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 상하 방향(제3 방향(30))으로 직선 이동시키는 것이다. 승강 모듈(230)은 이를 통해 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 역할을 할 수 있다.The lifting module 230 linearly moves the treatment liquid recovery module 220 in the vertical direction (third direction 30). The elevation module 230 may serve to adjust the relative height of the treatment liquid recovery module 220 to the substrate support module 210 (or the substrate W) through this.

승강 모듈(230)은 브라켓(231), 제1 지지축(232) 및 제1 구동부(233)를 포함하여 구성될 수 있다.The elevation module 230 may include a bracket 231 , a first support shaft 232 and a first drive unit 233 .

브라켓(231)은 처리액 회수 모듈(220)의 외벽에 고정되는 것이다. 브라켓(231)은 제1 구동부(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1 지지축(232)과 결합할 수 있다.The bracket 231 is fixed to the outer wall of the treatment liquid recovery module 220 . The bracket 231 may be coupled with the first support shaft 232 moved in the vertical direction by the first driving unit 233 .

기판 지지 모듈(210) 상에 기판(W)을 안착시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 기판 지지 모듈(210) 상에서 기판(W)을 탈착시키는 경우에도, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 상기와 같은 경우, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 하강시키는 역할을 할 수 있다.When the substrate W is placed on the substrate supporting module 210 , the substrate supporting module 210 may be positioned higher than the processing liquid recovery module 220 . Similarly, even when the substrate W is detached from the substrate support module 210, the substrate support module 210 may be positioned higher than the treatment liquid recovery module 220. In the above case, the lifting module 230 may serve to lower the treatment liquid recovery module 220 .

기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 경우, 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액의 종류에 따라 해당 처리액이 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 중 어느 하나의 회수통으로 회수될 수 있다. 이와 같은 경우에도, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 해당 위치까지 승강시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액으로 제1 처리액을 사용하는 경우, 승강 모듈(230)은 기판(W)이 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224)에 대응하는 높이에 위치하도록 처리액 회수 모듈(220)을 승강시킬 수 있다.When a treatment process for the substrate (W) is performed, the corresponding treatment liquid is supplied to the first collection container 221, the second collection container 222, and the third collection container 221 according to the type of the substrate treatment liquid discharged onto the substrate W. It may be recovered to any one of the collection containers 223 . Even in this case, the elevating module 230 may serve to elevate the treatment liquid recovery module 220 to a corresponding position. For example, when the first treatment liquid is used as the substrate treatment liquid, the elevating module 230 processes the substrate W to be positioned at a height corresponding to the first opening 224 of the first collection container 221. The liquid recovery module 220 may be moved up and down.

한편, 본 실시예에서는 승강 모듈(230)이 기판 지지 모듈(210)을 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the present embodiment, the elevation module 230 linearly moves the substrate support module 210 in the vertical direction so that the relative height of the treatment liquid recovery module 220 relative to the substrate support module 210 (or the substrate W). It is also possible to adjust

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 승강 모듈(230)은 기판 지지 모듈(210) 및 처리액 회수 모듈(220)을 동시에 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.However, the present embodiment is not limited thereto. The lifting module 230 linearly moves the substrate support module 210 and the treatment liquid recovery module 220 in an up and down direction at the same time, so that the treatment liquid recovery module 220 with respect to the substrate support module 210 (or the substrate W) It is also possible to adjust the relative height of the .

분사 모듈(240)은 기판(W) 처리시 기판(W) 상에 기판 처리액을 공급하는 것이다. 이러한 분사 모듈(240)은 기판 처리 유닛(120) 내에 적어도 하나 설치될 수 있다. 분사 모듈(240)이 기판 처리 유닛(120) 내에 복수 개 설치되는 경우, 각각의 분사 모듈(240)은 서로 다른 기판 처리액을 기판(W) 상에 분사할 수 있다.The injection module 240 supplies a substrate treatment liquid onto the substrate W during processing of the substrate W. At least one such injection module 240 may be installed in the substrate processing unit 120 . When a plurality of spraying modules 240 are installed in the substrate processing unit 120 , each spraying module 240 may spray different substrate processing liquids onto the substrate W.

분사 모듈(240)은 노즐(241), 노즐 지지부(242), 제2 지지축(243) 및 제2 구동부(244)를 포함하여 구성될 수 있다.The injection module 240 may include a nozzle 241 , a nozzle support unit 242 , a second support shaft 243 and a second driving unit 244 .

노즐(241)은 노즐 지지부(242)의 단부에 설치되는 것이다. 이러한 노즐(241)은 제2 구동부(244)에 의해 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.The nozzle 241 is installed at the end of the nozzle support 242 . The nozzle 241 may be moved to a process position or a standby position by the second driving unit 244 .

상기에서, 공정 위치는 기판(W)의 상위 영역을 말하며, 대기 위치는 공정 위치를 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐(241)은, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 공정 위치로 이동될 수 있으며, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출한 후, 공정 위치를 벗어나 대기 위치로 이동될 수 있다.In the above, the process position refers to an upper region of the substrate W, and the standby position refers to an area other than the process position. The nozzle 241 may be moved to a process position when discharging the substrate treatment liquid onto the substrate W, and after discharging the substrate treatment liquid onto the substrate W, the nozzle 241 leaves the process position and moves to a standby position. It can be.

노즐 지지부(242)는 노즐(241)을 지지하는 것이다. 이러한 노즐 지지부(242)는 스핀 헤드(211)의 길이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 노즐 지지부(242)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다.The nozzle support 242 supports the nozzle 241 . The nozzle support 242 may extend in a direction corresponding to the longitudinal direction of the spin head 211 . That is, the length direction of the nozzle support 242 may be provided along the second direction 20 .

노즐 지지부(242)는 노즐 지지부(242)의 길이 방향에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 제2 지지축(243)과 결합될 수 있다. 제2 지지축(243)은 스핀 헤드(211)의 높이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제2 지지축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다.The nozzle support part 242 may be coupled with the second support shaft 243 extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle support part 242 . The second support shaft 243 may extend in a direction corresponding to the height direction of the spin head 211 . That is, the length direction of the second support shaft 243 may be provided along the third direction 30 .

제2 구동부(244)는 제2 지지축(243) 및 제2 지지축(243)과 연동되는 노즐 지지부(242)를 회전 및 승강시키는 것이다. 제2 구동부(244)의 이러한 기능에 따라, 노즐(241)은 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.The second drive unit 244 rotates and lifts the second support shaft 243 and the nozzle support unit 242 interlocked with the second support shaft 243 . According to this function of the second drive unit 244, the nozzle 241 can be moved to a process position or a stand-by position.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described with reference to FIG. 1 again.

기판 처리액 제공 장치(120)는 기판 처리 장치(110)에 기판 처리액을 제공하는 것이다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 기판 처리 장치(110)의 분사 모듈(240)과 연결될 수 있으며, 제어 장치(130)의 제어에 따라 작동할 수 있다.The substrate treatment liquid providing device 120 supplies the substrate treatment liquid to the substrate treatment device 110 . The substrate treatment liquid providing device 120 may be connected to the injection module 240 of the substrate treatment device 110 for this purpose, and may operate under the control of the control device 130 .

제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110)의 작동을 제어하는 것이다. 구체적으로, 제어 장치(130)는 기판 지지 모듈(210)의 회전 구동부(213), 승강 모듈(230)의 제1 구동부(233) 및 분사 모듈(240)의 제2 구동부(244)의 작동을 제어할 수 있다.The control device 130 controls the operation of the substrate processing device 110 . Specifically, the control device 130 controls the operation of the rotation driving unit 213 of the substrate support module 210, the first driving unit 233 of the lifting module 230, and the second driving unit 244 of the spraying module 240. You can control it.

제어 장치(130)는 프로세스 컨트롤러, 제어 프로그램, 입력 모듈, 출력 모듈(또는 표시 모듈), 메모리 모듈 등을 포함하여 컴퓨터나 서버 등으로 구현될 수 있다. 상기에서, 프로세스 컨트롤러는 기판 처리 장치(110)를 구성하는 각각의 구성에 대해 제어 기능을 실행하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있으며, 제어 프로그램은 프로세스 컨트롤러의 제어에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉, 처리 레시피가 저장되는 것이다.The control device 130 may be implemented as a computer or server, including a process controller, a control program, an input module, an output module (or display module), and a memory module. In the above, the process controller may include a microprocessor that executes a control function for each component constituting the substrate processing apparatus 110, and the control program is controlled by the process controller to perform various functions of the substrate processing apparatus 110. processing can be executed. The memory module stores programs for executing various processes of the substrate processing apparatus 110 according to various data and processing conditions, that is, processing recipes.

한편, 제어 장치(130)는 필요시 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 기판 처리 장치(110)로 기판 처리액이 공급될 수 있도록 기판 처리액 제공 장치(120)의 작동도 제어할 수 있다.Meanwhile, the control device 130 may also control the operation of the substrate treatment liquid supply device 120 so that the substrate treatment solution may be supplied from the substrate treatment solution provider 120 to the substrate treatment device 110 when necessary.

본 발명은 앞서 설명한 바와 같이 케미칼(Chemical)을 이용하여 기판을 처리하는 경우, 폐액 처리되어 버려지는 케미칼의 양을 최소화하기 위한 방법에 관한 것이다. 이하에서는 이에 대해 설명하기로 한다.As described above, the present invention relates to a method for minimizing the amount of chemicals that are discarded through waste treatment when treating a substrate using chemicals as described above. In the following, this will be explained.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제1 예시도이다. 도 3에 따르면, 기판 처리액 제공 장치(120)는 제1 유체 제공 모듈(310) 및 제2 유체 제공 모듈(320)을 포함하여 구성될 수 있다.3 is a first exemplary view for explaining a connection structure between a substrate treatment liquid providing device and a substrate treatment device constituting a substrate treatment system according to an embodiment of the present invention. According to FIG. 3 , the apparatus 120 for providing a substrate treatment liquid may include a first fluid providing module 310 and a second fluid providing module 320 .

제1 유체 제공 모듈(310)은 기판 처리 장치(110)에 제1 유체를 제공하는 것이다. 이러한 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 배관(410)을 통해 기판 처리 장치(110)와 연결될 수 있다. 제1 유체는 기체 성분의 오존(O3)을 포함할 수 있다. 제1 유체는 예를 들어, 기체 성분의 오존(O3)과 액체 성분의 초순수(DIW; De-Ionized Water)가 혼합된 유체(O3DI)일 수 있다.The first fluid providing module 310 provides a first fluid to the substrate processing apparatus 110 . The first fluid providing module 310 may be connected to the substrate processing apparatus 110 through the first pipe 410 . The first fluid may include gaseous ozone (O3). The first fluid may be, for example, a fluid (O3DI) in which gaseous ozone (O3) and liquid de-ionized water (DIW) are mixed.

제2 유체 제공 모듈(320)은 기판 처리 장치(110)에 제2 유체를 제공하는 것이다. 이러한 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 배관(420)을 통해 기판 처리 장치(110)와 연결될 수 있다. 제2 유체는 액체 성분의 불산(HF; Hydro-Fluoric acid)을 포함할 수 있다. 제2 유체는 예를 들어, 액체 성분의 불산(HF)과 액체 성분의 초순수(DIW)가 혼합된 유체, 즉 희석 불산(DHF; Diluted HF)일 수 있다.The second fluid providing module 320 provides a second fluid to the substrate processing apparatus 110 . The second fluid providing module 320 may be connected to the substrate processing apparatus 110 through the second pipe 420 . The second fluid may include liquid hydrofluoric acid (HF). The second fluid may be, for example, a fluid in which hydrofluoric acid (HF) as a liquid component and ultrapure water (DIW) as a liquid component are mixed, that is, diluted hydrofluoric acid (DHF).

제1 배관(410)은 제3 배관(430)을 통해 제2 배관(420)과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 배관(410)은 일 지점에서 분기되며, 이 분기 기점을 중심으로 어느 한 쪽은 기판 처리 장치(110)와 연결되고, 다른 한 쪽은 제2 배관(420)과 연결될 수 있다. 분기 지점에는 제1 밸브(440)가 설치될 수 있다.The first pipe 410 may be connected to the second pipe 420 through the third pipe 430 . Specifically, the first pipe 410 diverges at a point, and one end may be connected to the substrate processing apparatus 110 and the other end may be connected to the second pipe 420 around the starting point of the divergence. . A first valve 440 may be installed at the branching point.

제1 유체는 제3 배관(430)을 통해 제1 배관(410)에서 제2 배관(420)으로 이동할 수 있다. 따라서 제2 유체는 제1 유체와 혼합되어 기판 처리 장치(110)에 제공될 수 있다. 이하 설명에서는 제1 유체와 제2 유체의 혼합액을 제3 유체로 정의한다.The first fluid may move from the first pipe 410 to the second pipe 420 through the third pipe 430 . Accordingly, the second fluid may be mixed with the first fluid and provided to the substrate processing apparatus 110 . In the following description, a mixture of the first fluid and the second fluid is defined as a third fluid.

제3 유체는 기체 성분의 오존(O3)과 액체 성분의 불산(HF)을 포함할 수 있다. 제3 유체는 예를 들어, 오존(O3), 불산(HF) 및 초순수(DIW)가 혼합된 유체(O3HF)일 수 있다.The third fluid may include gaseous ozone (O3) and liquid hydrofluoric acid (HF). The third fluid may be, for example, a fluid (O3HF) in which ozone (O3), hydrofluoric acid (HF), and ultrapure water (DIW) are mixed.

제3 배관(430)에서는 제1 유체가 제1 배관(410)에서 제2 배관(420)으로 이동하며, 제2 유체가 제2 배관(420)에서 제1 배관(410)으로 이동하지 않는다. 제3 배관(430)에는 이를 위해 제2 밸브(450)가 설치될 수 있다. 제2 밸브(450)는 체크 밸브(Check Valve)일 수 있다.In the third pipe 430, the first fluid moves from the first pipe 410 to the second pipe 420, and the second fluid does not move from the second pipe 420 to the first pipe 410. A second valve 450 may be installed in the third pipe 430 for this purpose. The second valve 450 may be a check valve.

제3 유체는 앞서 설명한 바와 같이 제1 유체와 제2 유체가 혼합되어 생성될 수 있다. 이 경우, 제1 유체가 제2 유체보다 더 높은 혼합 비율을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 유체는 제2 유체와 상기 제2 유체의 L배의 양의 제1 유체가 혼합되어 생성될 수 있다(제1 유체 : 제2 유체 = L : 1, 여기서 L > 1).As described above, the third fluid may be generated by mixing the first fluid and the second fluid. In this case, the first fluid may have a higher mixing ratio than the second fluid. For example, the third fluid may be generated by mixing the second fluid and the first fluid in an amount L times the amount of the second fluid (first fluid : second fluid = L : 1, where L > 1) .

제3 유체는 기판 처리 장치(110) 내에 제공되어 기판(W)의 표면에 잔류하는 산화막이나 유기 오염물질을 제거하는 역할을 한다. 여기서, 산화막은 화학적 산화막(Chemical Oxide)이나 자연 산화막(Native Oxide)일 수 있다. 또는, 화학적 산화막과 자연 산화막 모두일 수 있다.The third fluid serves to remove an oxide film or organic contaminants remaining on the surface of the substrate W by being provided in the substrate processing apparatus 110 . Here, the oxide film may be a chemical oxide film or a native oxide film. Alternatively, it may be both a chemical oxide film and a natural oxide film.

예를 들어, 산화막의 두께가 기준값에 해당하는 두께를 가지는 경우, 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 유체를 제1 유량으로 제공할 수 있다. 그리고, 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 유체를 제2 유량으로 제공할 수 있다. 여기서, 제2 유량은 제1 유량보다 적은 값이다.For example, when the thickness of the oxide film has a thickness corresponding to the reference value, the first fluid providing module 310 may provide the first fluid at a first flow rate. Also, the second fluid providing module 320 may provide the second fluid at a second flow rate. Here, the second flow rate is less than the first flow rate.

상기에서, 제1 유량의 제1 유체 중 상대적으로 더 많은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배를 초과하는 유량)의 제1 유체가 제1 배관(410)을 따라 기판 처리 장치(110)로 이동하며, 상대적으로 더 적은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배 미만인 유량)의 제1 유체가 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동할 수 있다. 즉, 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양이 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양보다 많을 수 있다(제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양 : 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양 = M : 1 - M, 여기서 0.5 < M < 1).In the above, the first fluid having a relatively larger flow rate (ie, a flow rate exceeding 0.5 times the first flow rate) among the first fluids having a first flow rate flows to the substrate processing apparatus 110 along the first pipe 410 . While moving, a relatively small flow rate (ie, a flow rate less than 0.5 times the first flow rate) of the first fluid may move to the second pipe 420 along the third pipe 430 . That is, the amount of the first fluid continuously moving along the first pipe 410 may be greater than the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 (first pipe 430). Amount of the first fluid continuously moving along the 410: Amount of the first fluid moving along the third pipe 430 to the second pipe 420 = M: 1 - M, where 0.5 < M < 1 ).

예를 들어, 산화막의 두께가 기준값보다 더 큰 값에 해당하는 두께를 가지는 경우, 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 유체를 제1 유량으로 제공할 수 있다. 반면, 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 유체를 제2 유량보다 많은 유량으로 제공할 수 있다. 여기서, 제2 유량보다 많은 유량 역시 제1 유량보다 적은 값이다.For example, when the thickness of the oxide film has a thickness corresponding to a value greater than a reference value, the first fluid providing module 310 may provide the first fluid at a first flow rate. On the other hand, the second fluid providing module 320 may provide the second fluid at a higher flow rate than the second flow rate. Here, the flow rate greater than the second flow rate is also a value smaller than the first flow rate.

상기에서, 제1 유량의 제1 유체 중 상대적으로 더 많은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배를 초과하는 유량)의 제1 유체가 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하며, 상대적으로 더 적은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배 미만인 유량)의 제1 유체가 제1 배관(410)을 따라 기판 처리 장치(110)로 이동할 수 있다. 즉, 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양이 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양보다 적을 수 있다(제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양 : 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양 = M : 1 - M, 여기서 0 < M < 0.5).In the above, the first fluid at a relatively higher flow rate (ie, a flow rate exceeding 0.5 times the first flow rate) among the first fluids at the first flow rate flows along the third pipe 430 to the second pipe 420. While moving, a relatively small flow rate (ie, a flow rate less than 0.5 times the first flow rate) of the first fluid may move along the first pipe 410 to the substrate processing apparatus 110 . That is, the amount of the first fluid continuously moving along the first pipe 410 may be less than the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 (first pipe 430). Amount of the first fluid continuously moving along the 410: Amount of the first fluid moving along the third pipe 430 to the second pipe 420 = M: 1 - M, where 0 < M < 0.5 ).

예를 들어, 산화막의 두께가 기준값보다 더 작은 값에 해당하는 두께를 가지는 경우, 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 유체를 제1 유량으로 제공할 수 있다. 그리고, 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 유체를 제2 유량으로 제공할 수 있다.For example, when the thickness of the oxide film has a thickness corresponding to a value smaller than the reference value, the first fluid providing module 310 may provide the first fluid at a first flow rate. Also, the second fluid providing module 320 may provide the second fluid at a second flow rate.

상기에서와 같이, 제1 유체 제공 모듈(310) 및 제2 유체 제공 모듈(320)은 산화막의 두께가 기준값에 해당하는 두께를 가지는 경우와 산화막의 두께가 기준값보다 더 작은 값에 해당하는 두께를 가지는 경우에 동일한 조건으로 제1 유체와 제2 유체를 제공할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 유체 제공 모듈(310) 및 제2 유체 제공 모듈(320)은 산화막의 두께가 기준값에 해당하는 두께를 가지는 경우와 산화막의 두께가 기준값보다 더 작은 값에 해당하는 두께를 가지는 경우에 상이한 조건으로 제1 유체와 제2 유체를 제공하는 것도 가능하다.As described above, the first fluid providing module 310 and the second fluid providing module 320 determine the case where the thickness of the oxide film has a thickness corresponding to the reference value and the thickness of the oxide film corresponding to a value smaller than the reference value. In the case of having, it is possible to provide the first fluid and the second fluid under the same conditions. However, the present embodiment is not limited thereto. The first fluid providing module 310 and the second fluid providing module 320 have different conditions when the thickness of the oxide film has a thickness corresponding to the reference value and when the thickness of the oxide film has a thickness corresponding to a value smaller than the reference value. It is also possible to provide the first fluid and the second fluid as.

제2 배관(420)을 따라 제2 유체 제공 모듈(320)에서 기판 처리 장치(110)로 이동하는 제2 유체의 양은 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변될 수 있다. 또는, 제2 배관(420)을 따라 제2 유체 제공 모듈(320)에서 기판 처리 장치(110)로 이동하는 제2 유체의 양은 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변될 수 있다.The amount of the second fluid moving from the second fluid providing module 320 to the substrate processing apparatus 110 along the second pipe 420 is equal to the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430. It can be varied according to the amount of fluid. Alternatively, the amount of the second fluid moving from the second fluid providing module 320 to the substrate processing apparatus 110 along the second pipe 420 is the amount of the first fluid continuously moving along the first pipe 410. can be varied according to

예를 들어, 제2 유체의 양은 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양과 비례 관계를 형성한다. 구체적으로 설명하면, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 증가하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체(520)의 양도 증가하며, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 감소하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체(520)의 양도 감소한다. 도 4는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제1 예시도이다.For example, the amount of the second fluid forms a proportional relationship with the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 . Specifically, as shown in (a) of FIG. 4, when the amount of the second fluid 510 increases, the first fluid 520 moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 The amount of increases, and as shown in (b) of FIG. 4, when the amount of the second fluid 510 decreases, the first fluid 520 moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 amount of is also reduced. 4 is a first exemplary diagram for explaining a relationship between a first fluid and a second fluid.

반면, 제2 유체의 양은 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양과 반비례 관계를 형성한다. 구체적으로 설명하면, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 증가하면 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양은 감소하며, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 감소하면 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양은 증가한다. 도 5는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제2 예시도이다.On the other hand, the amount of the second fluid forms an inversely proportional relationship with the amount of the first fluid continuously moving along the first pipe 410 . Specifically, as shown in (a) of FIG. 5, when the amount of the second fluid 510 increases, the amount of the first fluid 530 continuously moving along the first pipe 410 decreases, As shown in (b) of FIG. 5 , when the amount of the second fluid 510 decreases, the amount of the first fluid 530 continuously moving along the first pipe 410 increases. 5 is a second exemplary view for explaining the relationship between the first fluid and the second fluid.

한편, 제1 유체 제공 모듈(310)에 의해 제공되는 제1 유체의 양은 항상 일정하다. 따라서 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양은 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양과 반비례 관계를 형성한다.Meanwhile, the amount of the first fluid provided by the first fluid providing module 310 is always constant. Therefore, the amount of the first fluid continuously moving along the first pipe 410 forms an inversely proportional relationship with the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 .

구체적으로 설명하면, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양이 증가하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양은 감소하며, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양이 감소하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양은 증가한다. 도 6은 제1 유체의 분기된 후의 관계를 설명하기 위한 예시도이다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 6, when the amount of the first fluid 530 continuously moving along the first pipe 410 increases, the second pipe along the third pipe 430 The amount of the first fluid moving to 420 decreases, and when the amount of the first fluid 530 continuously moving along the first pipe 410 decreases, as shown in (b) of FIG. 6, the third The amount of the first fluid moving along the pipe 430 to the second pipe 420 increases. 6 is an exemplary view for explaining the relationship after the first fluid is diverged.

앞서 설명한 바와 같이, 제2 유체의 양은 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양, 또는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변될 수 있다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 유량 측정 센서(610), 연산 모듈(620) 및 제1 제어 모듈(630)을 더 포함할 수 있다.As described above, the amount of the second fluid is the amount of the first fluid continuously moving along the first pipe 410 or the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430. It can be varied according to quantity. The apparatus 120 for providing the substrate treatment liquid may further include a flow rate sensor 610 , an arithmetic module 620 , and a first control module 630 for this purpose.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제2 예시도이다.FIG. 7 is a second exemplary view for explaining a connection structure between a substrate processing liquid providing device and a substrate processing device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

제1 유체 제공 모듈(310), 제2 유체 제공 모듈(320), 제1 배관(410), 제2 배관(420), 제3 배관(430), 제1 밸브(440) 및 제2 밸브(450)에 대해서는 도 3을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.The first fluid providing module 310, the second fluid providing module 320, the first pipe 410, the second pipe 420, the third pipe 430, the first valve 440 and the second valve ( 450) has been described above with reference to FIG. 3, and a detailed description thereof is omitted here.

유량 측정 센서(610)는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정하는 것이다. 유량 측정 센서(610)는 이를 위해 제3 배관(430) 내에 설치될 수 있으며, 제2 밸브(450)의 전단에 설치될 수 있다.The flow rate sensor 610 measures the flow rate of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 . The flow measurement sensor 610 may be installed in the third pipe 430 for this purpose and may be installed at the front end of the second valve 450 .

유량 측정 센서(610)는 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정할 수도 있다. 이 경우, 유량 측정 센서(610)는 분기 지점 이후의 제1 배관(410) 내에 설치될 수 있다.The flow rate sensor 610 may measure the flow rate of the first fluid continuously moving along the first pipe 410 . In this case, the flow measurement sensor 610 may be installed in the first pipe 410 after the divergence point.

유량 측정 센서(610)는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 유량, 및 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 유량 중 어느 하나의 유량을 측정할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 유량 측정 센서(610)는 상기 두 유량을 모두 측정하는 것도 가능하다.The flow rate sensor 610 is any one of the flow rate of the first fluid moving to the second pipe 420 along the third pipe 430 and the flow rate of the first fluid continuously moving along the first pipe 410. One flow can be measured. However, the present embodiment is not limited thereto. The flow measurement sensor 610 may also measure both of the flow rates.

연산 모듈(620)은 유량 측정 센서(610)의 측정값을 토대로 제2 유체의 가변 유량을 계산하는 것이다. 그리고, 제1 제어 모듈(630)은 연산 모듈(620)에 의해 계산된 값을 토대로 제2 유체 제공 모듈(320)을 제어하는 것이다. 본 실시에에서는 연산 모듈(620) 및 제1 제어 모듈(630)의 이러한 역할에 따라 제2 유체의 양을 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양, 또는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변할 수 있는 것이다.The calculation module 620 calculates the variable flow rate of the second fluid based on the measured value of the flow sensor 610 . Also, the first control module 630 controls the second fluid providing module 320 based on the value calculated by the arithmetic module 620 . In this embodiment, according to the roles of the calculation module 620 and the first control module 630, the amount of the second fluid continuously moves along the first pipe 410, or the amount of the third pipe It can be varied according to the amount of the first fluid moving to the second pipe 420 along the 430.

한편, 기판 처리 장치(110)로 제공되는 제1 유체 및 제3 유체는 전부 제공되지 않고, 그 일부는 외부로 배출될 수 있다.Meanwhile, not all of the first fluid and the third fluid provided to the substrate processing apparatus 110 may be discharged to the outside.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제3 예시도이다.8 is a third exemplary view for explaining a connection structure between a substrate treatment liquid supply device and a substrate treatment device constituting a substrate treatment system according to an embodiment of the present invention.

제4 배관(710)은 기판 처리 장치(110)에 인접하여 제1 배관(410)에 연결되고, 제5 배관(720)은 기판 처리 장치(110)에 인접하여 제2 배관(420)에 연결될 수 있다. 제4 배관(710) 및 제5 배관(720)은 배수관(730)와 연결되며, 기판 처리 장치(110)에 제공되고 남은 제1 유체와 제3 유체를 외부로 배출시킬 수 있다.The fourth pipe 710 is adjacent to the substrate processing apparatus 110 and connected to the first pipe 410, and the fifth pipe 720 is adjacent to the substrate processing apparatus 110 and connected to the second pipe 420. can The fourth pipe 710 and the fifth pipe 720 are connected to the drain pipe 730 and may discharge the first fluid and the third fluid remaining after being provided to the substrate processing apparatus 110 to the outside.

제4 배관(710) 및 제5 배관(720)에는 각각 압력 측정 센서(740a, 740b)가 설치될 수 있다. 제2 제어 모듈(750)은 압력 측정 센서(740a, 740b)의 측정값에 따라 제1 유체 제공 모듈(310) 및/또는 제2 유체 제공 모듈(320)을 제어할 수 있다. 구체적으로, 제2 제어 모듈(750)은 압력 측정 센서(740a, 740b)의 측정값이 기준값 미만이면 상기 압력 측정 센서(740a, 740b)의 측정값이 기준값 이상이 되도록 제1 유체 제공 모듈(310) 및/또는 제2 유체 제공 모듈(320)을 제어할 수 있다.Pressure measuring sensors 740a and 740b may be installed in the fourth pipe 710 and the fifth pipe 720, respectively. The second control module 750 may control the first fluid providing module 310 and/or the second fluid providing module 320 according to the measured values of the pressure measuring sensors 740a and 740b. Specifically, the second control module 750 controls the first fluid providing module 310 so that the measured values of the pressure sensors 740a and 740b are greater than or equal to the reference value when the measured values of the pressure measuring sensors 740a and 740b are less than the reference value. ) and/or the second fluid providing module 320 may be controlled.

본 발명은 O3DI Inline Mixer 혼합 비율 자동 제어 방법에 관한 것이다. 구체적으로, O3DI와 O3HF에 동시에 공급되는 O3DI 유량을 가변하여 미사용 라인의 유량을 사용량이 많은 라인 쪽으로 더 공급하여 프로세스 처리시 미사용으로 버려지는 유량을 최소화하는 O3DI Inline Mixer 혼합 비율 자동 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for automatically controlling a mixing ratio of an O3DI Inline Mixer. Specifically, the present invention relates to a method for automatically controlling the mixing ratio of an O3DI Inline Mixer that minimizes the amount of unused waste during process processing by varying the flow rate of O3DI supplied to O3DI and O3HF at the same time and supplying more flow rate of an unused line to a line with a large amount of usage. .

O3DI와 O3HF 공급 유량을 고정하여 사용하면, 설비 IDLE이나 공정 중 고정 유량으로 공급하여 폐액 처리하여 버려지는 유량이 많다. 또한, 원활한 유량 공급을 위해 정압 밸브의 압력을 0.2MPa보다 높여서 사용해야 하는데 그 이하의 압력에서는 오존수에 용해된 오존이 용출되어 기포가 발생한다.If O3DI and O3HF supply flow rate are fixed and used, a lot of flow rate is discarded by treating waste liquid by supplying it at a fixed flow rate during facility idle or process. In addition, the pressure of the constant pressure valve must be higher than 0.2 MPa for smooth flow supply, but at a pressure below that, ozone dissolved in ozone water is eluted and bubbles are generated.

본 실시예에서는 O3 Generator에서 공급되는 O3DI가 O3DI로 공급되거나 DHF와 Mixing하여 O3HF로 공급된다. 오존 기체가 용출되지 되지 않도록 하려면 공급되는 압력이 0.2MPa 이상을 유지해야 하는데, 전체 O3DI 유량이 22LPM으로 줄어들어 유량 가변을 통해 사용하는 유량만큼 O3DI와 O3HF에 공급할 수 있다.In this embodiment, O3DI supplied from the O3 Generator is supplied as O3DI or mixed with DHF to be supplied as O3HF. In order to prevent ozone gas from being eluted, the supplied pressure must be maintained at 0.2 MPa or more, but the total O3DI flow rate is reduced to 22 LPM, so that the amount of O3DI and O3HF can be supplied as much as the flow rate used through the variable flow rate.

본 실시예에서는 O3DI와 DHF 유량을 혼합 가변 제어할 수 있다. 즉, O3DI 유량 Data를 기준으로 DHF 공급량을 연산하여 유량 가변 혼합 제어로 운영할 수 있는 것이다. 정리하여 보면, 본 실시예에서는 Inline Mixer에 약액을 혼합하여 실시간 약액 Condition을 유지 운영할 수 있으며, 유량 사용량 감소/증가에 따라 설정된 약액 혼합비에 맞는 유량을 실시간 연산하여 약액 가변 혼합함으로서 약액 혼합 공급량을 자동으로 연산하여 약액 Condition을 실시간 유지 운영할 수 있다.In this embodiment, the O3DI and DHF flow rates can be mixed and variably controlled. That is, the DHF supply amount can be calculated based on the O3DI flow rate data and operated as a variable flow rate mixing control. In summary, in this embodiment, the chemical solution can be maintained and operated in real time by mixing the chemical solution in the inline mixer, and the flow rate suitable for the chemical solution mixing ratio set according to the decrease/increase in the flow amount is calculated in real time and the chemical solution is variable mixed, thereby increasing the amount of chemical mixture supply. It is possible to maintain and operate the chemical liquid condition in real time through automatic calculation.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.

100: 기판 처리 시스템 110: 기판 처리 장치
120: 기판 처리액 제공 장치 130: 제어 장치
210: 기판 지지 모듈 220: 처리액 회수 모듈
230: 승강 모듈 240: 분사 모듈
310: 제1 유체 제공 모듈 320: 제2 유체 제공 모듈
410: 제1 배관 420: 제2 배관
430: 제3 배관 440: 제1 밸브
450: 제2 밸브 510: 제2 유체
520: 제2 배관으로 이동하는 제1 유체
530: 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체
610: 유량 측정 센서 620: 연산 모듈
630: 제1 제어 모듈 710: 제4 배관
720: 제5 배관 730: 배수관
740a, 740b: 압력 측정 센서 750: 제2 제어 모듈100: substrate processing system 110: substrate processing device
120: substrate treatment liquid providing device 130: control device
210: substrate support module 220: treatment liquid recovery module
230: lifting module 240: injection module
310: first fluid providing module 320: second fluid providing module
410: first pipe 420: second pipe
430: third pipe 440: first valve
450: second valve 510: second fluid
520: the first fluid moving to the second pipe
530: the first fluid moving to the substrate processing apparatus
610: flow measurement sensor 620: calculation module
630: first control module 710: fourth pipe
720: fifth pipe 730: drain pipe
740a, 740b: pressure measuring sensor 750: second control module

Claims

a substrate treatment liquid providing device for supplying a substrate treatment liquid; and
A substrate processing apparatus for processing a substrate using the substrate processing liquid,
The substrate treatment liquid providing device,
a first fluid providing module supplying a first fluid to the substrate processing apparatus;
a second fluid providing module supplying a second fluid to the substrate processing apparatus;
a first pipe connecting the first fluid providing module and the substrate processing apparatus;
a second pipe connecting the second fluid providing module and the substrate processing apparatus; and
A third pipe connecting the first pipe and the second pipe,
A substrate processing system in which the flow rate of the second fluid is variable according to the flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe or the flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus.

According to claim 1,
The first fluid is provided at a first flow rate,
The second fluid is provided at a second flow rate less than the first flow rate,
The substrate processing system of claim 1 , wherein a flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus is greater than a flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe.

According to claim 1,
The first fluid is provided at a first flow rate,
The second fluid is provided at a flow rate greater than the second flow rate and less than the first flow rate,
The substrate processing system of claim 1 , wherein a flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus is less than a flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe.

According to claim 1,
The substrate processing system of claim 1 , wherein a flow rate of the second fluid is variable in proportion to a flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe.

According to claim 1,
A substrate processing system in which the flow rate of the second fluid is variable in inverse proportion to the flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus.

According to claim 1,
a flow rate measuring sensor measuring a flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe and/or a flow rate of the first fluid moving to the substrate processing apparatus;
an arithmetic module that calculates a variable flow rate of the second fluid based on the measured value of the flow sensor; and
The substrate processing system further comprises a first control module for controlling the second fluid providing module based on the variable flow rate of the second fluid.

According to claim 1,
The first fluid includes ozone (O3),
The substrate processing system of claim 1 , wherein the second fluid includes hydrofluoric acid (HF).

According to claim 1,
The third pipe includes a valve allowing only movement of the first fluid.

According to claim 1,
a fourth pipe branching from the first pipe;
a fifth pipe branching from the second pipe;
a drain pipe discharging part of the first fluid moving through the fourth pipe and part of the third fluid moving through the second pipe to the outside;
pressure measuring sensors installed in the fourth pipe and the fifth pipe, respectively; and
The substrate processing system further comprises a second control module that controls the first fluid providing module and/or the second fluid providing module according to the measured value of the pressure measuring sensor.

An apparatus for providing a substrate treatment liquid,
a first fluid providing module supplying a first fluid to a substrate processing apparatus that processes a substrate using the substrate processing liquid;
a second fluid providing module supplying a second fluid to the substrate processing apparatus;
a first pipe connecting the first fluid supply module and the substrate processing apparatus;
a second pipe connecting the second fluid providing module and the substrate processing apparatus; and
A third pipe connecting the first pipe and the second pipe,
A flow rate of the second fluid is variable according to a flow rate of the first fluid moving to the second pipe along the third pipe or a flow rate of the first fluid moving to the substrate processing device.