KR20230099591A

KR20230099591A - Gas supply unit and substrate processing apparatus including same

Info

Publication number: KR20230099591A
Application number: KR1020220040960A
Authority: KR
Inventors: 박은우; 강종화; 이우람; 이성규; 박동운; 조용대; 강동훈; 엄기상
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-12-27
Filing date: 2022-04-01
Publication date: 2023-07-04

Abstract

The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes: a processing unit that processes a substrate; and a gas supply unit that supplies gas to the processing unit. The gas supply unit may include: a first housing having a first internal space in fluid communication with the processing space of the processing unit; a second housing disposed in the first internal space and having a second internal space in fluid communication with the first internal space; and a gas supply duct that supplies gas to the second internal space. Therefore, the substrate can be processed efficiently.

Description

Gas supply unit and substrate processing device including the same {GAS SUPPLY UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}

본 발명은 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit and a substrate processing apparatus including the same.

반도체 소자 또는 평판표시패널을 제조하기 위해 포토리소그라피 공정, 에칭 공정, 애싱 공정, 박막 증착 공정, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 반도체 기판에 포토레지스트를 공급하여 기판 표면에 도포 막을 형성하고, 마스크를 사용하여 형성된 도포 막에 대하여 노광 처리를 수행한 후, 현상 액을 공급하여 기판 상에 원하는 패턴을 얻는 공정이다. 특히, 최근에는 패턴의 선폭(CD : Critical Dimension)의 미세화를 달성하기 위해 도포 공정에서 형성하는 도포 막에 대하여 높은 수준의 균일성(Uniformity)이 요구되고 있다.Various processes such as a photolithography process, an etching process, an ashing process, a thin film deposition process, and a cleaning process are performed to manufacture a semiconductor device or a flat panel display panel. Among these processes, the photolithography process supplies photoresist to a semiconductor substrate to form a coated film on the surface of the substrate, performs exposure treatment on the coated film formed using a mask, and then supplies a developer to form a desired pattern on the substrate. is the process of obtaining In particular, recently, a high level of uniformity is required for a coating film formed in an application process in order to achieve miniaturization of a critical dimension (CD) of a pattern.

도 1은 기판 상에 도포 액을 공급하여 웨이퍼 등의 기판 상에 도포 막을 형성하는 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a general substrate processing apparatus for forming a coated film on a substrate such as a wafer by supplying a coating liquid onto a substrate.

도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치(1000)는 처리 유닛(1100)과 가스 공급 유닛(1300)을 포함한다. 처리 유닛(1100)은 챔버(1110)와 액 처리 모듈(1120)을 포함한다. 챔버(1110)는 베이스(1111)와 측벽(1113)을 포함한다. 챔버(1110) 내에는 회전하는 기판으로 포토레지스트를 공급하여 기판 표면에 도포막을 형성하는 액 처리 모듈(1120)이 제공된다. 챔버(1100) 내에는 복수의 액 처리 모듈(1120)이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a general substrate processing apparatus 1000 includes a processing unit 1100 and a gas supply unit 1300 . The processing unit 1100 includes a chamber 1110 and a liquid processing module 1120 . The chamber 1110 includes a base 1111 and sidewalls 1113. A liquid processing module 1120 is provided in the chamber 1110 to form a coating film on the surface of the substrate by supplying photoresist to the rotating substrate. A plurality of liquid processing modules 1120 may be provided in the chamber 1100 .

가스 공급 유닛(1300)은 액 처리 모듈(1120)에 의해 형성되는 도포 막이 균일한 두께로 형성될 수 있도록 챔버(1110) 내 공간으로 온도 및/또는 습도가 조절된 가스(G)를 공급한다. 가스 공급 유닛(1300)은 메인 덕트(1310)와 메인 덕트(1310)로부터 가스(G)를 전달받아 챔버(1110) 내로 공급하는 가스 공급 박스(1320)를 포함한다. 가스 공급 박스(1320) 내 공간은 챔버(1110) 내 공간과 유체 연통된다.The gas supply unit 1300 supplies gas (G) whose temperature and/or humidity are controlled to the space within the chamber 1110 so that the coated film formed by the liquid processing module 1120 can be formed with a uniform thickness. The gas supply unit 1300 includes a main duct 1310 and a gas supply box 1320 that receives gas G from the main duct 1310 and supplies it into the chamber 1110 . The space within the gas supply box 1320 is in fluid communication with the space within the chamber 1110 .

하나의 기판 처리 장치(1000)는 복수의 처리 유닛(1100)을 포함한다. 가스 공급 박스(1320)는 복수의 처리 유닛(1100) 각각에 대응되도록 제공된다. 메인 공급 덕트(1310)는 분기되어 각각의 가스 공급 박스(1320)로 가스(G)를 공급한다.One substrate processing apparatus 1000 includes a plurality of processing units 1100 . The gas supply box 1320 is provided to correspond to each of the plurality of processing units 1100 . The main supply duct 1310 is branched to supply gas G to each gas supply box 1320 .

복수의 처리 유닛(1100)은 반도체 제조 라인의 공간을 고려하여 상하 방향을 따라 서로 적층되어 배열된다. 복수의 처리 유닛(1100) 중 어느 하나로 가스(G)를 공급하는 가스 공급 박스(1320)의 위쪽에는 복수의 처리 유닛(1100) 중 다른 하나의 베이스(1111)가 배치될 수 있다.The plurality of processing units 1100 are stacked and arranged along the vertical direction in consideration of the space of the semiconductor manufacturing line. A base 1111 of another one of the plurality of processing units 1100 may be disposed above the gas supply box 1320 that supplies gas G to one of the plurality of processing units 1100 .

한편, 처리 유닛(1100)의 챔버(1100) 내에는 상술한 바와 같이 기판을 처리하기 위한 액 처리 모듈(1120)이 배치된다. 액 처리 모듈(1120)은, 기판을 처리하는 동작을 구현하기 위한 다양한 동력 발생 장치를 포함한다. 예를 들어, 액 처리 모듈(1120)은 모터나, 실린더 등의 동력 발생 장치를 포함한다. 이러한 동력 발생 장치는 동력을 발생시키는 과정에서 열을 발생시킨다. 동력 발생 장치가 발생시킨 열은 챔버(1110)의 베이스(1111)로 전달된다. 베이스(1111)에 전달된 열은 베이스(1111)의 아래에 배치되는 가스 공급 박스(1320)로 전달된다. 가스 공급 박스(1320)로 전달된 열은 가스 공급 박스(1320)로 공급된 가스(G)를 가열한다. Meanwhile, in the chamber 1100 of the processing unit 1100, the liquid processing module 1120 for processing the substrate is disposed as described above. The liquid processing module 1120 includes various power generating devices for realizing an operation of processing a substrate. For example, the liquid processing module 1120 includes a power generating device such as a motor or a cylinder. These power generating devices generate heat in the process of generating power. The heat generated by the power generator is transferred to the base 1111 of the chamber 1110. Heat transferred to the base 1111 is transferred to the gas supply box 1320 disposed below the base 1111 . The heat transferred to the gas supply box 1320 heats the gas G supplied to the gas supply box 1320 .

도 2는 도 1의 가스 공급 박스들 중 어느 하나를 상부에서 바라본 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이 가스 공급 박스(1320)에서 메인 덕트(1310)와 인접한 영역(도 2에서 A 영역)에서의 가스(G) 온도와 메인 덕트(1310)와 먼 영역(도 2에서 B 영역)에서의 가스(G) 온도는 서로 달라질 수 있다. 가스(G)가 가스 공급 박스(1320)로 유입되면, 가스(G)는 A 영역에서 B 영역을 향하는 방향으로 이동하는데, 가스(G)는 A 영역에서 B 영역을 향하는 방향으로 이동하는 과정에서 계속하여 가열된다. 이에, B 영역에서의 가스(G) 온도는 A 영역에서의 가스(G) 온도보다 높을 수 있다. 가스 공급 박스(1320)의 B 영역으로부터 챔버(1100)로 유입된 가스(G)의 온도는 높고, 가스 공급 박스(1320)의 A 영역으로부터 챔버(1100)로 유입된 가스(G)의 온도는 낮다. 요컨대, 가스 공급 박스(1320)를 통해 챔버(1100) 내로 공급되는 가스(G)의 온도가 챔버(1100) 내 영역에 따라 서로 달라질 수 있다. FIG. 2 is a view of one of the gas supply boxes of FIG. 1 viewed from above. As shown in FIG. 2, the temperature of the gas G in the area adjacent to the main duct 1310 (area A in FIG. 2) in the gas supply box 1320 and the area distant from the main duct 1310 (area B in FIG. 2) The temperature of the gas (G) in the region) may be different from each other. When the gas G is introduced into the gas supply box 1320, the gas G moves from area A to area B. In the process of moving from area A to area B, the gas G moves from area A to area B. continues to heat up Thus, the temperature of the gas (G) in region B may be higher than the temperature of gas (G) in region A. The temperature of the gas G introduced into the chamber 1100 from region B of the gas supply box 1320 is high, and the temperature of the gas G introduced into the chamber 1100 from region A of the gas supply box 1320 is low. In short, the temperature of the gas G supplied into the chamber 1100 through the gas supply box 1320 may vary depending on the region within the chamber 1100 .

챔버(1100) 내로 공급되는 가스(G) 온도의 비균일성은 기판 상에 형성되는 도포 막의 두께에 영향을 미친다. 예를 들어, 메인 덕트(1310)와 인접한 액 처리 모듈(1120)에 의해 형성되는 도포 막의 두께와 메인 덕트(1310)와 먼 액 처리 모듈(1120)에 의해 형성되는 도포 막의 두께가 서로 달라질 수 있다. 또한, 기판 상에 형성되는 도포 막의 두께도 균일하지 않을 수도 있다. The non-uniformity of the temperature of the gas (G) supplied into the chamber 1100 affects the thickness of the coating film formed on the substrate. For example, the thickness of the coating film formed by the liquid processing module 1120 adjacent to the main duct 1310 and the thickness of the coating film formed by the liquid processing module 1120 distant from the main duct 1310 may be different from each other. . Also, the thickness of the coating film formed on the substrate may not be uniform.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of efficiently processing a substrate and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 챔버의 처리 공간으로 공급되는 가스의 온도를 비교적 균일하게 하는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a gas supply unit that makes the temperature of a gas supplied to a processing space of a chamber relatively uniform, and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 기판 상에 형성되는 도포 막의 균일성을 개선할 수 있는 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of improving the uniformity of a coating film formed on a substrate and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings. There will be.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 유닛; 및 상기 처리 유닛으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 가스 공급 유닛은: 상기 처리 유닛의 처리 공간과 유체 연통되는 제1내부 공간을 가지는 제1하우징; 상기 제1내부 공간에 배치되며, 상기 제1내부 공간과 유체 연통되는 제2내부 공간을 가지는 제2하우징; 및 상기 제2내부 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 덕트를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes a processing unit that processes a substrate; and a gas supply unit supplying gas to the processing unit, the gas supply unit including: a first housing having a first interior space in fluid communication with a processing space of the processing unit; a second housing disposed in the first internal space and having a second internal space in fluid communication with the first internal space; and a gas supply duct supplying gas to the second inner space.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2하우징은: 가스가 흐르는 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 분사 부; 및 상기 분사 부와 상기 가스 공급 덕트 사이에 배치되며, 일 단이 상기 분사 부와 연결되는 덕트 부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second housing may include: an injection unit having at least one hole through which gas flows; and a duct unit disposed between the injection unit and the gas supply duct, and having one end connected to the injection unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 복수 개가 상기 분사 부에 형성될 수 있다.According to one embodiment, a plurality of holes may be formed in the injection unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 분사 부는 상기 제1내부 공간의 중앙 영역에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the injection unit may be disposed in a central area of the first inner space.

일 실시 예에 의하면, 상기 분사 부는 원통 형상을 가지고, 상기 홀은 상기 분사 부의 측부에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the injection unit may have a cylindrical shape, and the hole may be formed on a side of the injection unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은: 제1처리 유닛; 및 상기 제1처리 유닛의 아래에 배치되는 제2처리 유닛을 포함하고, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징은 상기 제1처리 유닛과 상기 제2처리 유닛의 사이에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the processing unit includes: a first processing unit; and a second processing unit disposed below the first processing unit, wherein the first housing and the second housing may be disposed between the first processing unit and the second processing unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1하우징은 상면이 상기 제1처리 유닛의 하면과 서로 이격되도록 설치될 수 있다.According to an embodiment, an upper surface of the first housing may be installed to be spaced apart from a lower surface of the first processing unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은: 상기 제1하우징을 상기 제1처리 유닛에 고정시키는 단열 소재의 고정 수단을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the gas supply unit may further include a heat insulating material fixing means for fixing the first housing to the first processing unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은: 상기 제1하우징과 상기 제1처리 유닛 사이에 설치되며 단열 소재의 단열 패드를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the gas supply unit is installed between the first housing and the first processing unit and may further include a heat insulating pad made of a heat insulating material.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은: 상기 처리 공간으로 공급되는 단위 시간당 가스의 공급 유량을 조절하는 유량 조절 댐퍼를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the gas supply unit may further include a flow control damper for controlling a supply flow rate of gas per unit time supplied to the processing space.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 처리 유닛으로 온도 또는 습도가 조절된 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 제공한다. 가스 공급 유닛은, 이중 챔버 구조를 가지며 상기 처리 유닛의 처리 공간과 유체 연통하는 내부 공간을 가지는 가스 공급 하우징; 및 상기 가스 공급 하우징으로 가스를 공급하는 가스 공급 덕트를 포함할 수 있다. In addition, the present invention provides a gas supply unit that supplies a temperature or humidity-controlled gas to a processing unit that processes a substrate. The gas supply unit includes: a gas supply housing having a double chamber structure and having an inner space in fluid communication with a process space of the processing unit; and a gas supply duct supplying gas to the gas supply housing.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 하우징은: 제1내부 공간을 가지는 제1하우징 - 상기 제1하우징의 상기 처리 공간과 마주하는 면에는 상기 제1내부 공간과 상기 처리 공간을 유체 연통시키는 적어도 하나 이상의 타공이 형성됨 - ; 상기 제1내부 공간에 배치되며, 상기 가스 공급 덕트로부터 가스가 유입되는 제2내부 공간을 가지는 제2하우징을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the gas supply housing includes: a first housing having a first inner space, and at least one surface of the first housing facing the processing space, wherein the first inner space and the processing space are in fluid communication with each other. - More than one perforation is formed; A second housing disposed in the first inner space and having a second inner space into which gas is introduced from the gas supply duct.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2하우징은: 상기 제2내부 공간과 상기 제1내부 공간을 유체 연통시키는 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 분사 부; 및 상기 분사 부와 상기 가스 공급 덕트 사이에 배치되는 덕트 부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second housing may include: a spraying unit having at least one hole for fluid communication between the second inner space and the first inner space; and a duct unit disposed between the injection unit and the gas supply duct.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 분사 부의 상부, 측부, 그리고 하부 중 측부에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the hole may be formed in a side portion among an upper portion, a side portion, and a lower portion of the injection unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은: 상기 타공과 상기 제2하우징 사이에 배치되며 가스를 필터링하는 필터를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the gas supply unit may further include a filter disposed between the perforated hole and the second housing to filter gas.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은: 기 처리 공간으로 공급되는 가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절하는 유량 조절 댐퍼를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the gas supply unit may further include a flow control damper for controlling a supply flow rate per unit time of the gas supplied to the processing space.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판에 도포액을 공급하여 기판 상에 액막을 형성하는 처리 유닛; 및 상기 처리 유닛으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 처리 유닛은: 처리 공간을 가지는 챔버; 상부가 개방된 통 형상을 가지는 바울; 상기 바울 내에서 기판을 지지하는 척; 상기 척을 회전시키는 구동기; 상기 척에 지지된 기판으로 도포액을 공급하는 노즐; 및 상기 바울 내로 유입되는 가스를 배기하는 배기 배관을 포함하고, 상기 가스 공급 유닛은: 이중 챔버 구조를 가지며 상기 처리 공간과 유체 연통하는 내부 공간을 가지는 가스 공급 하우징; 및 상기 내부 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 덕트를 포함할 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a processing unit supplying a coating liquid to a substrate to form a liquid film on the substrate; and a gas supply unit supplying gas to the processing unit, wherein the processing unit includes: a chamber having a processing space; A bowl having a cylindrical shape with an open top; a chuck supporting a substrate within the bowl; an actuator that rotates the chuck; a nozzle supplying a coating liquid to the substrate supported by the chuck; and an exhaust pipe for exhausting gas introduced into the bowl, wherein the gas supply unit includes: a gas supply housing having a double chamber structure and having an inner space in fluid communication with the processing space; and a gas supply duct supplying gas to the inner space.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 하우징은: 상기 처리 공간과 유체 연통되는 제1내부 공간을 가지는 제1하우징; 및 상기 제1내부 공간에 배치되며, 상기 제1내부 공간과 유체 연통되는 제2내부 공간을 가지는 제2하우징을 포함하고, 상기 제2하우징은: 가스가 흐르는 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 분사 부; 및 상기 분사 부와 상기 가스 공급 덕트 사이에 배치되며, 일 단이 상기 분사 부와 연결되는 덕트 부를 포함하고, 상기 분사 부는 상기 제1내부 공간의 중앙 영역에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the gas supply housing includes: a first housing having a first inner space in fluid communication with the processing space; and a second housing disposed in the first internal space and having a second internal space in fluid communication with the first internal space, wherein the second housing includes: an injection unit having at least one hole through which gas flows; and a duct part disposed between the spraying unit and the gas supply duct, and having one end connected to the spraying unit, wherein the spraying unit may be disposed in a central region of the first internal space.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유닛은 복수 개로 제공되고, 상기 가스 공급 하우징은 복수 개로 제공될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of processing units may be provided, and a plurality of gas supply housings may be provided.

일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 덕트는 적어도 둘 이상의 상기 가스 공급 하우징으로 가스를 공급하도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the gas supply duct may be configured to supply gas to at least two or more of the gas supply housings.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate can be efficiently processed.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버의 처리 공간으로 공급되는 가스의 온도는 비교적 균일할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the temperature of the gas supplied to the processing space of the chamber may be relatively uniform.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 형성되는 도포 막의 균일성을 개선할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the uniformity of the coating film formed on the substrate can be improved.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 기판 상에 도포 액을 공급하여 웨이퍼 등의 기판 상에 도포 막을 형성하는 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 가스 공급 박스들 중 어느 하나를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 측부에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 3의 처리 유닛의 액 처리 모듈을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 가스 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 가스 공급 유닛의 가스 공급 하우징의 내부를 보여주는 도면이다.
도 7과 도 8은 가스 공급 유닛이 챔버의 처리 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 가스 공급 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 가스 공급 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 가스 공급 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a general substrate processing apparatus for forming a coated film on a substrate such as a wafer by supplying a coating liquid onto a substrate.
FIG. 2 is a view of one of the gas supply boxes of FIG. 1 viewed from above.
3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention viewed from the side.
FIG. 4 is a view showing a liquid processing module of the processing unit of FIG. 3 .
FIG. 5 is a view showing the gas supply unit of FIG. 3 .
FIG. 6 is a view showing the inside of the gas supply housing of the gas supply unit of FIG. 5 .
7 and 8 are views showing how the gas supply unit supplies gas to the processing space of the chamber.
9 is a view showing a state of a gas supply unit according to another embodiment of the present invention.
10 is a view showing a state of a gas supply unit according to another embodiment of the present invention.
11 is a view showing a state of a gas supply unit according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless otherwise stated. Specifically, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features or It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a gas supply unit and a substrate processing apparatus including the gas supply unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 측부에서 바라본 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 처리 유닛(100), 그리고 가스 공급 유닛(300)을 포함할 수 있다.3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention viewed from the side. Referring to FIG. 3 , a substrate processing apparatus 10 according to an exemplary embodiment may include a processing unit 100 and a gas supply unit 300 .

처리 유닛(100)은 기판(W)을 처리하는 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리 유닛(100)은 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리 유닛(100)은 기판(W)에 도포액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 처리 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 처리 유닛(100)은 기판(W)에 포토레지스트를 공급하여 기판(W) 상에 포토레지스트 막(Photoresist Layer) 또는 반사방지 막(ARC, Anmti Reflective Coating Layer)을 형성하는 도포 공정을 수행할 수 있다. 또한, 처리 유닛(100)은 기판(W)에 현상액을 공급하여 노광 처리 된 기판(W) 상에 패턴을 형성하는 현상 공정을 수행할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)을 가열 처리 하여 기판(W) 상의 박막을 안정화시키는 가열 공정을 수행하는 베이크 유닛을 더 포함할 수 있다.The processing unit 100 may perform a processing process of processing the substrate W. The processing unit 100 may perform a processing process of processing the substrate W by supplying a processing liquid to the substrate W. The processing unit 100 may perform a treatment process of treating the substrate (W) by supplying a coating liquid to the substrate (W). For example, the processing unit 100 performs a coating process of supplying photoresist to the substrate W to form a photoresist layer or an anti-reflection coating layer (ARC) on the substrate W. can do. Also, the processing unit 100 may perform a developing process of forming a pattern on the exposed substrate W by supplying a developing solution to the substrate W. Also, although not shown, the substrate processing apparatus 10 may further include a bake unit performing a heating process of stabilizing the thin film on the substrate (W) by heating the substrate (W).

일 예로, 처리 유닛(100)들 중 어느 하나에서 기판(W)에 박막을 형성하는 제1도포 공정을 수행할 수 있다. 제1도포 공정에는 도포액을 공급하여 기판(W) 상에 반사 방지막(ARC)을 형성할 수 있다. 이후 베이크 유닛에서 반사 방지막(ARC)을 안정화시키는 ARC 베이크 공정을 수행할 수 있다. 이후 처리 유닛(100)들 중 다른 하나에서 기판(W)에 박막을 형성하는 제2도포 공정을 수행할 수 있다. 제2도포 공정에는 도포액을 공급하여 기판(W) 상에 포토레지스트 막을 형성할 수 있다. 이후 베이크 유닛에서 포토레지스트 막을 안정화시키는 Soft 베이크 공정을 수행할 수 있다. Soft 베이크 공정에서는 기판(W) 상에 남아 있을 수 있는 Solvent 성분을 증발시킬 수 있다.For example, a first coating process of forming a thin film on the substrate W may be performed in any one of the processing units 100 . In the first coating process, an anti-reflection film ARC may be formed on the substrate W by supplying a coating liquid. Thereafter, an ARC bake process for stabilizing the anti-reflection film ARC may be performed in a bake unit. Thereafter, another one of the processing units 100 may perform a second coating process of forming a thin film on the substrate W. In the second coating process, a photoresist layer may be formed on the substrate W by supplying a coating liquid. Thereafter, a soft bake process for stabilizing the photoresist film may be performed in the bake unit. In the soft bake process, solvent components that may remain on the substrate W may be evaporated.

Soft 베이크 공정이 수행된 이후, 도시되지 않은 노광 장치에 의해 기판(W) 은 노광 처리 될 수 있다. 노광 공정이 수행된 이후, 베이크 유닛에서 포토레지스트 막의 표면을 평탄화 시키고, Standing Wave(노광 처리시 광의 간섭으로 인해 포토레지스트 막 계면에 결이 생긴 것)을 개선하는 Post Exposure 베이크 공정을 수행할 수 있다. 이후 처리 유닛(100) 중 또 다른 하나에서 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행할 수 있다. 현상 공정이 수행된 이후, 베이크 유닛은 기판(W)에 대해 Hard 베이크 공정을 수행할 수 있다. Hard 베이크 공정은 기판(W) 상에 남아 있는 Solvent와 현상액을 제거하고, 포토레지스트 막의 열적 특성을 향상시키는 Hard 베이크 공정일 수 있다.After the soft bake process is performed, the substrate W may be exposed using an exposure device (not shown). After the exposure process is performed, a post exposure bake process can be performed in the bake unit to flatten the surface of the photoresist film and to improve the standing wave (texture at the interface of the photoresist film due to light interference during exposure process). . Thereafter, another one of the processing units 100 may supply a developing solution to the substrate W to perform a developing process on the substrate W. After the developing process is performed, the bake unit may perform a hard bake process on the substrate (W). The hard bake process may be a hard bake process that removes solvent and developer remaining on the substrate W and improves thermal characteristics of the photoresist film.

위 ARC 베이크 공정, Soft 베이크 공정, Post Exposure 베이크 공정, 그리고 Hard 베이크 공정은 하나의 베이크 유닛에서 수행될 수 있고, 또는 각각 서로 다른 베이크 유닛에서 수행될 수도 있다.The ARC bake process, the soft bake process, the post exposure bake process, and the hard bake process may be performed in one bake unit or in different bake units.

기판 처리 장치(10)는 처리 유닛(100)을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 처리 유닛(100)을 복수 개 포함할 수 있다. 처리 유닛(100)들 중 일부는 수평 방향으로 나란히 배열될 수 있다. 처리 유닛(100)들 중 다른 일부는 상하 방향으로 나란히 배열될 수 있다. 처리 유닛(100)들은 상하 방향으로 적층되어 제공될 수 있다. 처리 유닛(100)의 수는 기판 처리 장치(10)가 배치되는 반도체 제조 라인의 면적, 시간 당 처리가 요구되는 기판(W)의 수 등을 고려하여 다양하게 변형될 수 있다.The substrate processing apparatus 10 may include at least one processing unit 100 . For example, the substrate processing apparatus 10 may include a plurality of processing units 100 . Some of the processing units 100 may be arranged side by side in a horizontal direction. Some of the processing units 100 may be arranged side by side in a vertical direction. The processing units 100 may be provided by being stacked in a vertical direction. The number of processing units 100 may be variously modified in consideration of the area of a semiconductor manufacturing line in which the substrate processing apparatus 10 is disposed, the number of substrates W required to be processed per hour, and the like.

또한, 각각의 처리 유닛(100)은 챔버(110)와 액 처리 모듈(130)을 포함할 수 있다. 챔버(110)는 베이스(111)와 측벽(113)을 포함할 수 있다. 베이스(111)와 측벽(113)은 서로 조합되어 기판(W)을 처리하는 처리 공간(115)의 적어도 일부를 정의할 수 있다. 베이스(111)는 챔버(110)의 바닥부일 수 있다. 측벽(113)은 챔버(110)의 측부일 수 있다. 베이스(111)는 후술하는 액 처리 모듈(130)을 구동하기 위한 인터페이스 라인이 제공되는 공간을 포함할 수 있다. 또한, 베이스(111)는 후술하는 액 처리 모듈(130)의 배관 어셈블리(160)의 일 구성이 배치될 수 있는 공간을 포함할 수 있다. In addition, each processing unit 100 may include a chamber 110 and a liquid processing module 130 . The chamber 110 may include a base 111 and a side wall 113 . The base 111 and the sidewall 113 may be combined with each other to define at least a part of the processing space 115 in which the substrate W is processed. The base 111 may be a bottom portion of the chamber 110 . The side wall 113 may be a side of the chamber 110 . The base 111 may include a space provided with an interface line for driving a liquid processing module 130 to be described later. In addition, the base 111 may include a space in which one component of the pipe assembly 160 of the liquid processing module 130 to be described later may be disposed.

기판(W)에 대해 액 처리를 수행하는 액 처리 모듈(130)을 포함할 수 있다. 처리 유닛(100)은 액 처리 모듈(130)을 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예컨대, 처리 유닛(100)은 액 처리 모듈(130)을 복수 개 포함할 수 있다. 즉, 처리 유닛(100)은 챔버(110)의 처리 공간(115)에 복수 개의 액 처리 모듈(130)이 배치될 수 있다. 처리 유닛(100)들 중 일부(100a)는 액 처리 모듈(130)을 2 개 포함할 수 있고, 처리 유닛(100)들 중 다른 일부(100b)는 액 처리 모듈(130)을 3 개 포함할 수 있다. 그러나, 이는 하나의 예시이고, 액 처리 모듈(130)의 수는 처리 유닛(100)들의 배치 및 처리 유닛(100)들이 차지하는 면적에 따라 다양하게 변형될 수 있다.A liquid processing module 130 performing liquid processing on the substrate W may be included. The processing unit 100 may include at least one liquid processing module 130 . For example, the processing unit 100 may include a plurality of liquid processing modules 130 . That is, in the processing unit 100 , a plurality of liquid processing modules 130 may be disposed in the processing space 115 of the chamber 110 . Some of the processing units 100 (100a) may include two liquid processing modules 130, and some of the processing units 100 (100b) may include three liquid processing modules 130. can However, this is just one example, and the number of liquid processing modules 130 may be variously modified according to the arrangement of the processing units 100 and the area occupied by the processing units 100 .

도 4는 도 3의 처리 유닛의 액 처리 모듈을 보여주는 도면이다. 이하에서는, 처리 유닛(100)들 중 상술한 제1도포 공정 또는 제2도포 공정을 수행하는 액 처리 모듈(130)을 예로 들어 설명한다. 또한, 상술한 현상 공정을 수행하는 액 처리 모듈(130)의 구조는 제1도포 공정 또는 제2도포 공정을 수행하는 액 처리 모듈(130)과 동일 또는 유사할 수 있다.FIG. 4 is a view showing a liquid processing module of the processing unit of FIG. 3 . Hereinafter, among the processing units 100, the liquid processing module 130 performing the above-described first coating process or second coating process will be described as an example. In addition, the structure of the liquid processing module 130 performing the above-described developing process may be the same as or similar to the liquid processing module 130 performing the first coating process or the second coating process.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 처리 유닛(100)의 액 처리 모듈(130)은 척 어셈블리(140), 바울 어셈블리(150), 배관 어셈블리(160), 그리고 액 공급 어셈블리(170)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the liquid processing module 130 of the processing unit 100 according to an embodiment of the present invention includes a chuck assembly 140, a bowl assembly 150, a pipe assembly 160, and a liquid supply assembly ( 170) may be included.

척 어셈블리(140)는 기판(W)을 지지 및 회전시킬 수 있다. 척 어셈블리(140)는 기판(W)에 처리액(예컨대, 포토레지스트 막이나, 반사방지 막을 형성하는 도포액)이 공급되는 동안 기판(W)을 지지 및/또는 회전시킬 수 있다. 척 어셈블리(140)는 척(141), 회전 축(142), 그리고 구동기(143)를 포함할 수 있다.The chuck assembly 140 may support and rotate the substrate (W). The chuck assembly 140 may support and/or rotate the substrate W while a treatment liquid (eg, a coating liquid forming a photoresist film or an antireflection film) is supplied to the substrate W. The chuck assembly 140 may include a chuck 141 , a rotation shaft 142 , and an actuator 143 .

척(141)은 기판(W)을 지지하는 안착면을 가질 수 있다. 또한, 척(141)은 후술하는 바울 어셈블리(150) 내에서 기판(W)을 지지 및 회전시킬 수 있다. 척(141)의 안착면에는 기판(W)의 하면이 지지될 수 있다. 척(141)은 측부에서 바라볼 때, 상면의 면적이 하면의 면적보다 큰 형상을 가질 수 있다. 척(141)은 상광하협의 형상을 가질 수 있다. 척(141)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 따라서, 기판(W)의 중앙 영역은 척(141)에 지지되고, 기판(W)의 가장자리 영역은 척(141)의 외측으로 돌출될 수 있다. 척(141)은 기판(W)을 진공 흡착 방식으로 기판(W)을 척킹(Chucking)할 수 있도록 구성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 척(141)은 기판(W)을 척킹(Chucking) 할 수 있는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예컨대, 척(141)은 기판(W)의 측부를 지지하는 복수의 척킹 핀을 포함하고, 척킹 핀들이 기판(W)의 측부를 기판(W)의 중심을 향하는 방향으로 힘을 가하여 기판(W)을 척킹할 수도 있다.The chuck 141 may have a seating surface supporting the substrate W. In addition, the chuck 141 may support and rotate the substrate W in a bowl assembly 150 to be described later. The lower surface of the substrate W may be supported on the seating surface of the chuck 141 . When viewed from the side, the chuck 141 may have an upper surface area larger than a lower surface area. The chuck 141 may have an upper and lower narrow shape. When viewed from the top, the chuck 141 may have a diameter smaller than that of the substrate W. Accordingly, the central region of the substrate W may be supported by the chuck 141 and the edge region of the substrate W may protrude outward from the chuck 141 . The chuck 141 may be configured to chuck the substrate W in a vacuum suction method. However, it is not limited thereto, and the chuck 141 may be deformed into various shapes capable of chucking the substrate (W). For example, the chuck 141 includes a plurality of chucking pins supporting the side of the substrate (W), and the chucking pins apply force to the side of the substrate (W) in a direction toward the center of the substrate (W). ) can also be chucked.

척(141)은 회전 축(142)의 일단과 연결될 수 있다. 회전 축(142)은 중공 축일 수 있다. 회전 축(142)은 척(141)을 회전시켜, 척(141)에 놓인 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 회전 축(142)은 중공 모터일 수 있는 구동기(143)와 연결될 수 있다. 구동기(143)는 척(141)을 회전시킬 수 있다. 구동기(143)는 회전 축(142)을 회전시키는 동력을 발생시킬 수 있다. 상술한 예에서는 구동기(143)가 중공 모터인 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 구동기(143)의 종류는 공지된 동력 발생 장치로 다양하게 변형될 수 있다.The chuck 141 may be connected to one end of the rotation shaft 142 . The rotational shaft 142 may be a hollow shaft. The rotating shaft 142 may rotate the chuck 141 to rotate the substrate W placed on the chuck 141 . The rotational shaft 142 may be connected to an actuator 143 which may be a hollow motor. The actuator 143 may rotate the chuck 141 . The actuator 143 may generate power for rotating the rotation shaft 142 . In the above example, the driver 143 has been described as an example of a hollow motor, but is not limited thereto. For example, the actuator 143 may be variously modified into a known power generating device.

바울 어셈블리(150)는 후술하는 액 공급 어셈블리(170)에서 공급하는 처리액을 회수하여 기판 처리 장치(10)의 외부로 배출할 수 있다. 액 공급 어셈블리(170)에서 공급된 처리액이 회전하는 기판(W)에 의해 기판(W)의 외측으로 비산될 수 있다. 바울 어셈블리(150)는 기판(W)의 외측으로 비산하는 처리액을 회수하여 기판 처리 장치(10)의 외부로 배출할 수 있다. 바울 어셈블리(150)는 후술하는 가스 공급 유닛(300)이 공급하는 가스를 빨아들여 기판 처리 장치(10)의 외부로 배출할 수 있다.The bowl assembly 150 may collect the processing liquid supplied from the liquid supply assembly 170 and discharge it to the outside of the substrate processing apparatus 10 . The treatment liquid supplied from the liquid supply assembly 170 may be scattered outside the substrate W by the rotating substrate W. The bowl assembly 150 may collect the processing liquid scattered outside the substrate W and discharge it to the outside of the substrate processing apparatus 10 . The bowl assembly 150 may suck in gas supplied by a gas supply unit 300 to be described later and discharge it to the outside of the substrate processing apparatus 10 .

바울 어셈블리(150)는 외측 바울(151), 외측 바울 승강기(152), 내측 바울(153), 그리고 내측 바울 승강기(154)를 포함할 수 있다. 외측 바울(151)은 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 외측 바울(151)은 바닥부, 바닥부로부터 수직한 방향으로 연장되는 벽부, 그리고 벽부로부터 기판(W)의 중심을 향하는 방향으로 경사지게 제공되는 경사부를 포함할 수 있다. 외측 바울 승강기(152)는 외측 바울(151)을 상하 방향으로 승강시킬 수 있다. 외측 바울 승강기(152)는 공압 실린더, 또는 유압 실린더이거나, 모터 등의 동력 발생 장치로 제공될 수 있다. The bowl assembly 150 may include an outer bowl 151 , an outer bowl elevator 152 , an inner bowl 153 , and an inner bowl elevator 154 . The outer bowl 151 may have a cylindrical shape with an open top. The outer bowl 151 may include a bottom portion, a wall portion extending in a vertical direction from the bottom portion, and an inclined portion inclined in a direction from the wall portion toward the center of the substrate W. The outer baul elevator 152 may lift the outer baul 151 in the vertical direction. The outer bowl elevator 152 may be provided with a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, or a power generating device such as a motor.

내측 바울(153)은 외측 바울(151) 내에 배치될 수 있다. 내측 바울 승강기(154)는 내측 바울(153)을 상하 방향으로 승강시킬 수 있다. 내측 바울 승강기(154)는 공압 실린더, 또는 유압 실린더이거나, 모터 등의 동력 발생 장치로 제공될 수 있다.The inner bowl 153 may be disposed within the outer bowl 151 . The inner bowl lift 154 may lift the inner bowl 153 in the vertical direction. The inner bowl elevator 154 may be provided with a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, or a power generating device such as a motor.

내측 바울(153)은 외측 바울(151)과 조합되어 처리액이 배출되는 드레인 경로, 또는 가스 공급 유닛(300)기 공급하는 가스를 배기하는 배기 경로를 정의할 수 있다. 내측 바울(153)은 외측 바울(151)과 서로 조합되어 드레인 경로 중 일부일 수 있는 드레인 공간(155)을 정의할 수 있다. 드레인 공간(155)은 후술하는 드레인 배관(161)과 서로 마주할 수 있다. 내측 바울(153)은 배기 경로 중 일부일 수 있는 버퍼 공간(156)을 정의할 수 있다. 버퍼 공간은 후술하는 배기 배관(162)과 마주할 수 있다.The inner bowl 153 may be combined with the outer bowl 151 to define a drain path through which the processing liquid is discharged or an exhaust path through which the gas supplied to the gas supply unit 300 is exhausted. The inner bowl 153 can be combined with the outer bowl 151 to define a drain space 155 that can be part of the drain path. The drain space 155 may face a drain pipe 161 to be described later. The inner bowl 153 may define a buffer space 156 that may be part of an exhaust path. The buffer space may face an exhaust pipe 162 to be described later.

기판(W)에 처리액이 공급되는 동안에는, 기판(W)으로부터 비산되는 처리액이 외측 바울(151)과 내측 바울(153) 사이로 회수되도록 외측 바울 승강기(152)와 내측 바울 승강기(154)는 외측 바울(151)과 내측 바울(153)의 높이를 조절할 수 있다.While the treatment liquid is supplied to the substrate W, the outer bowl elevator 152 and the inside bowl elevator 154 are operated so that the treatment liquid scattered from the substrate W is recovered between the outer bowl 151 and the inside bowl 153. The heights of the outer bowl 151 and the inner bowl 153 can be adjusted.

배관 어셈블리(160)는 드레인 배관(161), 배기 배관(162), 드레인 라인(163), 그리고 배기 라인(164)을 포함할 수 있다. The pipe assembly 160 may include a drain pipe 161 , an exhaust pipe 162 , a drain line 163 , and an exhaust line 164 .

드레인 배관(161)은 상술한 드레인 공간(155)과 마주할 수 있다. 액 공급 어셈블리(170)가 공급하는 처리액은 내측 바울(153)과 외측 바울(151) 사이의 드레인 경로를 따라 회수될 수 있는데, 회수된 처리액은 드레인 공간(155)을 거쳐 드레인 배관(161)으로 유입될 수 있다. 드레인 배관(161)으로 유입된 처리액은 드레인 배관(161)과 연결되는 드레인 라인(163)을 통해 외부로 배출될 수 있다.The drain pipe 161 may face the drain space 155 described above. The treatment liquid supplied by the liquid supply assembly 170 may be recovered along a drain path between the inner bowl 153 and the outer bowl 151, and the recovered treatment fluid passes through the drain space 155 to drain pipe 161 ) can enter. The treatment liquid flowing into the drain pipe 161 may be discharged to the outside through the drain line 163 connected to the drain pipe 161 .

배기 배관(162)은 바울 어셈블리(150) 내로 유입되는 가스를 기판 처리 장치(10)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 배관(162)은 상술한 버퍼 공간(156)과 마주할 수 있다. 후술하는 가스 공급 유닛(300)이 공급하는 가스는 내측 바울(153)과 외측 바울(151) 사이의 배기 경로(배기 경로는 상술한 드레인 경로와 일부 중첩될 수 있음)을 따라 흐를 수 있는데, 가스는 버퍼 공간(156)을 거쳐 배기 배관(162)으로 유입될 수 있다. 배기 배관(162)으로 유입된 가스는 배기 배관(162)과 연결되는 배기 라인(164)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 또한, 상술한 배기 라인(164) 및 드레인 라인(163)은 상술한 베이스(111) 내 공간에 제공될 수 있다.The exhaust pipe 162 may exhaust gas introduced into the bowl assembly 150 to the outside of the substrate processing apparatus 10 . The exhaust pipe 162 may face the buffer space 156 described above. Gas supplied by the gas supply unit 300 described below may flow along an exhaust path between the inner bowl 153 and the outer bowl 151 (the exhaust route may partially overlap with the above-described drain path). may flow into the exhaust pipe 162 through the buffer space 156. Gas introduced into the exhaust pipe 162 may be discharged to the outside through the exhaust line 164 connected to the exhaust pipe 162 . In addition, the exhaust line 164 and the drain line 163 described above may be provided in the space within the base 111 described above.

액 공급 어셈블리(170)는 척 어셈블리(140)에 지지되어 회전하는 기판(W)으로 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 어셈블리(170)는 제1노즐(171), 제2노즐(172), 그리고 노즐 아암(173)을 포함할 수 있다. 제1노즐(171)은 기판(W)으로 제1처리액을 공급할 수 있다. 제2노즐(172)은 기판(W)으로 제2처리액을 공급할 수 있다. 노즐 아암(173)은 도시되지 않은 구동 장치와 연결되어, 제1노즐(171)과 제2노즐(172)의 위치를 변경시킬 수 있다. 제1노즐(171)이 공급하는 처리액은 프리 웨트 액일 수 있다. 프리 웨트 액은 기판(W)의 표면 성질이 소수성을 가질 수 있도록 변화시키는 시너(Thinner)일 수 있다. 제2노즐(172)이 공급하는 처리액은 도포액일 수 있다. 도포액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 도포액은 상술한 반사 방지막을 형성하는 도포액일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 제2노즐(172)이 공급하는 처리액의 종류는 다양하게 변형될 수 있다.The liquid supply assembly 170 may supply the processing liquid to the substrate W that is supported by the chuck assembly 140 and rotates. The liquid supply assembly 170 may include a first nozzle 171 , a second nozzle 172 , and a nozzle arm 173 . The first nozzle 171 may supply the first treatment liquid to the substrate (W). The second nozzle 172 may supply the second treatment liquid to the substrate (W). The nozzle arm 173 may be connected to a driving device (not shown) to change the positions of the first nozzle 171 and the second nozzle 172 . The treatment liquid supplied by the first nozzle 171 may be a pre-wet liquid. The pre-wet liquid may be a thinner that changes the surface properties of the substrate W to have hydrophobicity. The treatment liquid supplied by the second nozzle 172 may be a coating liquid. The coating liquid may be a photosensitive liquid such as a photoresist. The coating liquid may be a coating liquid forming the above-described antireflection film. However, it is not limited thereto, and the type of treatment liquid supplied by the second nozzle 172 may be variously modified.

다시 도 3을 참조하면, 가스 공급 유닛(300)은 처리 유닛(100)으로 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(300)이 공급하는 가스는 온도 및/또는 습도가 조절된 가스 일 수 있다. 가스 공급 유닛(300)이 공급하는 가스는 CDA(Clean Dry Air)일 수 있다. Referring back to FIG. 3 , the gas supply unit 300 may supply gas to the processing unit 100 . The gas supplied by the gas supply unit 300 may be a gas whose temperature and/or humidity are controlled. The gas supplied by the gas supply unit 300 may be clean dry air (CDA).

가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 덕트(310), 가스 공급 하우징(330), 고정 수단(350), 그리고 단열 패드(360)를 포함할 수 있다. 가스 공급 하우징(330)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 가스 공급 하우징(330)은 복수 개가 제공되며, 각각의 처리 유닛(100)에 대응되도록 제공될 수 있다. 가스 공급 하우징(330)은 각각의 처리 유닛(100)이 가지는 챔버(110) 내 처리 공간(115)으로 가스를 공급할 수 있도록 구성될 수 있다. 가스 공급 하우징(330)은 상술한 처리 공간(115)을 정의하는 구성들 중 하나 일 수 있다. 가스 공급 하우징(330)은 액 공급 모듈(130)의 위쪽에 배치되어 액 공급 모듈(130)을 향하는 하강 기류를 형성할 수 있다. 하강 기류는 가스 공급 하우징(330)이 공급하는 가스에 의해 형성될 수 있다. The gas supply unit 300 may include a gas supply duct 310 , a gas supply housing 330 , a fixing unit 350 , and an insulating pad 360 . At least one gas supply housing 330 may be provided. For example, a plurality of gas supply housings 330 may be provided and may be provided to correspond to each processing unit 100 . The gas supply housing 330 may be configured to supply gas to the processing space 115 in the chamber 110 of each processing unit 100 . The gas supply housing 330 may be one of the components defining the process space 115 described above. The gas supply housing 330 may be disposed above the liquid supply module 130 to form a descending airflow toward the liquid supply module 130 . The downdraft may be formed by gas supplied from the gas supply housing 330 .

가스 공급 하우징(330)은 인접한 처리 유닛(100)들 사이에 배치될 수 있다. 가스 공급 하우징(330)은 상하 방향으로 배치되는 처리 유닛(100)들 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 위쪽에 배치되는 처리 유닛(100)을 제1처리 유닛이라 하고, 제1처리 유닛의 아래쪽에 배치되는 처리 유닛(100)을 제2처리 유닛이라 할 때, 가스 공급 하우징(330)은 제1처리 유닛과 제2처리 유닛 사이에 배치될 수 있다. The gas supply housing 330 may be disposed between adjacent processing units 100 . The gas supply housing 330 may be disposed between the processing units 100 arranged in a vertical direction. For example, when the processing unit 100 disposed above is referred to as a first processing unit and the processing unit 100 disposed below the first processing unit is referred to as a second processing unit, the gas supply housing 330 is It may be disposed between the first processing unit and the second processing unit.

가스 공급 덕트(310)는 각각의 가스 공급 하우징(330)으로 상술한 온도 및/또는 습도가 조절된 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 덕트(310)는 복수 개가 제공될 수 있다. 가스 공급 덕트(310)는 기판 처리 장치(10)의 일 측에 배치되는 제1가스 공급 덕트, 기판 처리 장치(10)의 타 측에 배치되는 제2가스 공급 덕트를 포함할 수 있다. 제1가스 공급 덕트는 제1가스 공급 덕트와 인접한 가스 공급 하우징(330)들로 가스를 공급하고, 제2가스 공급 덕트는 제2가스 공급 덕트와 인접한 가스 공급 하우징(330)들로 가스를 공급할 수 있다. The gas supply duct 310 may supply the above-mentioned temperature and/or humidity controlled gas to each gas supply housing 330 . A plurality of gas supply ducts 310 may be provided. The gas supply duct 310 may include a first gas supply duct disposed on one side of the substrate processing apparatus 10 and a second gas supply duct disposed on the other side of the substrate processing apparatus 10 . The first gas supply duct supplies gas to the gas supply housings 330 adjacent to the first gas supply duct, and the second gas supply duct supplies gas to the gas supply housings 330 adjacent to the second gas supply duct. can

가스 공급 덕트(310)는 메인 덕트(311), 그리고 분기 덕트(313)를 포함할 수 있다. 가스 공급 덕트(310)는 메인 덕트(311)는 상하 방향으로 연장될 수 있다. 메인 덕트(311)는 가스 공급원(미도시)로부터 온도 및/또는 습도가 조절된 가스를 전달받을 수 있다. 가스 공급원이 공급하는 가스는, 온도가 20℃ 내지 25℃(바람직하게는 23℃)로 조절되고, 습도가 40 % 내지 50 %(바람직하게는 45 %)로 조절될 수 있다.The gas supply duct 310 may include a main duct 311 and a branch duct 313 . The main duct 311 of the gas supply duct 310 may extend vertically. The main duct 311 may receive gas whose temperature and/or humidity are controlled from a gas supply source (not shown). The gas supplied by the gas supply source may have a temperature of 20°C to 25°C (preferably 23°C) and a humidity of 40% to 50% (preferably 45%).

분기 덕트(313)는 메인 덕트(311)로부터 분기될 수 있다. 분기 덕트(313)의 일단은 가스 공급 하우징(330)과 연결되고, 타단은 메인 덕트(311)와 연결될 수 있다. 분기 덕트(313)는 메인 덕트(311)와 별개의 구성으로 제공되어 용접 등의 방식으로 서로 합착될 수 있다. 또는, 분기 덕트(313)는 메인 덕트(311)와 일체의 구성으로 제공될 수도 있다. 분기 덕트(313)는 메인 덕트(311)로부터 온도 및/또는 습도가 조절된 가스를 전달 받아 가스 공급 하우징(330)으로 전달할 수 있다. 가스 공급 하우징(330)에 전달된 가스는 처리 유닛(100)의 처리 공간(115)으로 전달되어 하강 기류를 형성할 수 있다. The branch duct 313 may branch from the main duct 311 . One end of the branch duct 313 may be connected to the gas supply housing 330 and the other end may be connected to the main duct 311 . The branch duct 313 may be provided as a separate structure from the main duct 311 and bonded to each other by welding or the like. Alternatively, the branch duct 313 may be provided integrally with the main duct 311 . The branch duct 313 may receive gas whose temperature and/or humidity are controlled from the main duct 311 and deliver it to the gas supply housing 330 . The gas transferred to the gas supply housing 330 may be transferred to the processing space 115 of the processing unit 100 to form a descending airflow.

도 5는 도 3의 가스 공급 유닛을 보여주는 도면이고, 도 6은 도 5의 가스 공급 유닛의 가스 공급 하우징의 내부를 보여주는 도면이다. 도 6에서는 가스 공급 하우징(330)의 구조를 보다 명확하게 표현하기 위해, 필터(338), 그리고 고정 수단(350) 등의 구성은 생략하여 도시하였다.FIG. 5 is a view showing the gas supply unit of FIG. 3 , and FIG. 6 is a view showing the inside of a gas supply housing of the gas supply unit of FIG. 5 . In FIG. 6, to more clearly express the structure of the gas supply housing 330, components such as the filter 338 and the fixing unit 350 are omitted from the drawing.

도 5 및 도 6을 참조하면, 분기 덕트(313) 내에는 처리 공간(115)으로 공급되는 가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절하는 유량 조절 부재인, 유량 조절 댐퍼(315)가 설치될 수 있다. 유량 조절 댐퍼(315)는 분기 덕트(313)의 개방율을 조절하여 제2내부 공간(336)으로 공급되는 가스(G)의 단위 시간당 공급 유량을 조절할 수 있다. 또한, 가스 공급 하우징(330)은 고정 수단(350)에 의해 위쪽에 배치되는 처리 유닛(100)의 베이스(111)에 고정될 수 있다. 고정 수단(350)은 볼트, 또는 나사일 수 있다. 고정 수단(350)은 금속 소재로 제공될 수 있다. 고정 수단(350)은 스테인리스 강으로 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 고정 수단(350)은 열 전도도가 낮은 단열 소재, 예컨대 우레탄이나 PEEK 소재로 제공될 수도 있다. 또한, 고정 수단(350)에서, 후술하는 제1내부 공간(332)에 노출되는 부분은 가스 공급 유닛(300)이 공급하는 가스에 대해 내식성을 가지는 소재로 코팅될 수 있다. 또한, 가스 공급 하우징(330)과 베이스(111) 사이에는 단열 패드(360)가 설치될 수 있다. 단열 패드(360)는 링 형상을 가지며, 상술한 고정 수단(350)은 단열 패드(360)에 삽입될 수 있다. 단열 패드는 열 전도도가 낮은 단열 소재, 예컨대 우레탄이나 PEEK 소재로 제공될 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6 , a flow control damper 315 , which is a flow control member for controlling a flow rate of gas supplied to the processing space 115 per unit time, may be installed in the branch duct 313 . The flow control damper 315 may control the opening rate of the branch duct 313 to adjust the supply flow rate per unit time of the gas G supplied to the second inner space 336 . In addition, the gas supply housing 330 may be fixed to the base 111 of the processing unit 100 disposed thereon by the fixing means 350 . The fixing means 350 may be a bolt or a screw. The fixing unit 350 may be made of a metal material. The fixing means 350 may be provided in stainless steel. However, it is not limited thereto, and the fixing means 350 may be provided with an insulating material having low thermal conductivity, such as urethane or PEEK material. In addition, a portion of the fixing unit 350 exposed to the first inner space 332 to be described later may be coated with a material having corrosion resistance to the gas supplied by the gas supply unit 300 . In addition, an insulating pad 360 may be installed between the gas supply housing 330 and the base 111 . The insulating pad 360 has a ring shape, and the aforementioned fixing means 350 may be inserted into the insulating pad 360 . The insulating pad may be provided with an insulating material having low thermal conductivity, such as urethane or PEEK material.

또한, 가스 공급 하우징(330), 보다 구체적으로는 가스 공급 하우징(330)이 포함하는 제1하우징(331)의 상면은 베이스(111)의 하면과 이격되도록 고정 수단(350)에 의해 베이스(111)에 설치될 수 있다. 이는 베이스(111)로 전달된 열이 가스 공급 하우징(330)으로 전달되는 것을 최소화하기 위함이다.In addition, the gas supply housing 330, more specifically, the upper surface of the first housing 331 included in the gas supply housing 330 is spaced apart from the lower surface of the base 111 by means of a fixing means 350 so that the base 111 ) can be installed. This is to minimize the transfer of heat transferred to the base 111 to the gas supply housing 330 .

가스 공급 하우징(330)은 제1하우징(331, 외측 하우징의 일 예), 제2하우징(335, 내측 하우징의 일 예), 그리고 필터(338)를 포함할 수 있다. 제1하우징(331)은 가스 공급 하우징(330)의 외측 챔버이고, 제2하우징(335)은 가스 공급 하우징(330)의 내측 챔버일 수 있다. 즉, 가스 공급 하우징(330)은 이중 챔버 구조를 가질 수 있다.The gas supply housing 330 may include a first housing 331 (an example of an outer housing), a second housing 335 (an example of an inner housing), and a filter 338 . The first housing 331 may be an outer chamber of the gas supply housing 330 , and the second housing 335 may be an inner chamber of the gas supply housing 330 . That is, the gas supply housing 330 may have a double chamber structure.

제1하우징(331)은 외측 챔버로써, 제1내부 공간(332)을 가질 수 있다. 제2내부 공간(332)에는 내측 챔버인 제2하우징(335)이 배치될 수 있다. 제2하우징(335)은 가스 공급 덕트(310)로부터 공급되는 가스가 유입되는 하우징일 수 있다. The first housing 331 may have a first inner space 332 as an outer chamber. A second housing 335 serving as an inner chamber may be disposed in the second inner space 332 . The second housing 335 may be a housing into which gas supplied from the gas supply duct 310 flows.

제1하우징(331)의 하면, 구체적으로는 하부에 배치되는 처리 유닛(100)의 처리 공간(115)과 마주하는 면에는 제1내부 공간(332)과 처리 공간(115)을 서로 유체 연통시키는 적어도 하나 이상의 타공(333)이 형성될 수 있다. 즉, 제1하우징(331)은 타공(333)이 형성된 타공 플레이트를 포함할 수 있다. The lower surface of the first housing 331, specifically, the surface facing the processing space 115 of the processing unit 100 disposed thereunder, allows the first inner space 332 and the processing space 115 to be in fluid communication with each other. At least one perforated hole 333 may be formed. That is, the first housing 331 may include a perforated plate in which perforations 333 are formed.

제2하우징(335)은 가스 공급 덕트(310)가 공급하는 가스가 유입되는 공간인 제2내부 공간(336)을 포함할 수 있다. 또한, 제2하우징(335)은 분사 부(335a), 그리고 덕트 부(335b)를 포함할 수 있다. 분사 부(335a)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원통 형상을 가질 수 있다. 덕트 부(335a)는 분사 부(335a)와 분기 덕트(313) 사이에 배치되어, 가스 공급 덕트(310)가 공급하는 가스를 분사 부(335a)로 전달할 수 있다.The second housing 335 may include a second inner space 336 that is a space into which gas supplied by the gas supply duct 310 is introduced. In addition, the second housing 335 may include a spraying part 335a and a duct part 335b. The injection unit 335a may have a substantially cylindrical shape when viewed from above. The duct unit 335a may be disposed between the spray unit 335a and the branch duct 313 to deliver gas supplied from the gas supply duct 310 to the spray unit 335a.

덕트 부(335b)는 분사부로부터 연장되어 가스 공급 덕트(310)의 분기 덕트(313)와 연결될 수 있다. 분사 부(335a)는 제1내부 공간(332)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 분사 부(335a)는 상부에서 바라볼 때, 그리고 가스 공급 하우징(330)의 단면에서 바라볼 때, 제1내부 공간(332)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. The duct part 335b may extend from the injection part and be connected to the branch duct 313 of the gas supply duct 310 . The injection unit 335a may be disposed in a central region of the first inner space 332 . The injection unit 335a may be disposed in a central region of the first inner space 332 when viewed from above and when viewed from a cross-section of the gas supply housing 330 .

또한, 분사 부(335a)에는 제2내부 공간(336)과 제1내부 공간(332)을 서로 유체 연통시키는 적어도 하나 이상의 홀(337)이 형성될 수 있다. 예컨대, 홀(337)은 분사 부(335a)에 복수 개가 형성될 수 있다. 홀(337)은 분사 부(335a)의 상부, 측부, 그리고 하부 중 측부에 형성될 수 있다. 홀(337)은 분사 부(335a)의 측부에 서로 같은 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 홀(337)은 분사 부(335a)의 측부에 형성되되, 상부에서 바라본 분사 부(335a)의 외주의 원주 방향을 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다.In addition, at least one hole 337 may be formed in the injection unit 335a to allow the second inner space 336 and the first inner space 332 to fluidly communicate with each other. For example, a plurality of holes 337 may be formed in the injection unit 335a. The hole 337 may be formed on a side of the upper part, the side part, and the lower part of the injection part 335a. The holes 337 may be formed at the side of the injection unit 335a and spaced apart from each other at equal intervals. The holes 337 are formed on the side of the spraying part 335a, and may be spaced apart from each other along the circumferential direction of the outer circumference of the spraying part 335a viewed from above.

또한, 제2하우징(335)과 제1하우징(331)의 타공 플레이트 사이에는, 필터(338)가 배치될 수 있다. 필터(338)는 헤파 필터(HEPA FILTER, High Efficiency Particulate Air Filter)일 수 있다. 필터(338)는 타공(333)과 제2하우징(335) 사이에 배치되며, 처리 공간(115)으로 유입되는 가스를 필터링 할 수 있다.In addition, a filter 338 may be disposed between the second housing 335 and the perforated plate of the first housing 331 . The filter 338 may be a HEPA filter (High Efficiency Particulate Air Filter). The filter 338 is disposed between the perforated hole 333 and the second housing 335 and may filter gas flowing into the processing space 115 .

도 7과 도 8은 가스 공급 유닛이 챔버의 처리 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 7과 도 8을 참조하면, 가스 공급 덕트(310)가 공급하는 가스(G)는, 메인 덕트(311)를 통해 각각의 분기 덕트(313)로 전달되고, 분기 덕트(313)로 전달된 가스(G)는 분기 덕트(313) 각각과 연결되는 가스 공급 하우징(330)의 내부 공간(332, 336)으로 전달될 수 있다. 분기 덕트(313)로 전달된 가스(G)는 제2내부 공간(336)으로 유입되고, 제2내부 공간(336)으로 유입된 가스(G)는 홀(337)을 통해 제1내부 공간(332)으로 유입될 수 있다. 제1내부 공간(332)으로 유입된 가스는 필터(338)와 타공(333)을 거쳐 처리 공간(115)으로 유입될 수 있다. 처리 공간(115)으로 공급되는 가스(G)는 처리 공간(115)에서 하강 기류를 형성할 수 있다. 처리 공간(115)으로 공급된 가스(G)는 바울 어셈블리(150)의 배기 경로로 유입되고, 배기 경로로 유입된 가스(G)는 버퍼 공간(156)을 거쳐 배기 배관(162)을 통해 외부로 배기될 수 있다.7 and 8 are views showing how the gas supply unit supplies gas to the processing space of the chamber. Referring to FIGS. 7 and 8 , the gas G supplied by the gas supply duct 310 is delivered to each branch duct 313 through the main duct 311 and delivered to the branch duct 313. The gas G may be delivered to the inner spaces 332 and 336 of the gas supply housing 330 connected to each of the branch ducts 313 . The gas G delivered to the branch duct 313 flows into the second inner space 336, and the gas G introduced into the second inner space 336 passes through the hole 337 to the first inner space ( 332) can be introduced. The gas introduced into the first internal space 332 may flow into the processing space 115 through the filter 338 and the perforated hole 333 . The gas G supplied to the processing space 115 may form a downward air current in the processing space 115 . The gas (G) supplied to the processing space 115 flows into the exhaust path of the bowl assembly 150, and the gas (G) introduced into the exhaust path passes through the buffer space 156 to the outside through the exhaust pipe 162. can be exhausted with

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스 공급 덕트(310)가 공급하는 가스(G)는 덕트 부(335b)를 거쳐 분사 부(335a)로 유입된다. 즉, 가스(G)는 덕트 부(335b)를 통해 제1내부 공간(332)의 중앙 영역에 배치되는 분사 부(335a)로 유입되어 제1내부 공간(332)의 중앙 영역으로 선 분사될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 메인 덕트(1310)로부터 유입되는 가스는 가스 공급 박스(1320)로 전달되고, 가스 공급 박스(1320)로 전달된 가스는 메인 덕트(1310)로부터 멀어지는 방향으로 흐르면서 지속 가열된다. 이에 가스 공급 박스(1320)에서 메인 덕트(1310)와 인접한 영역에서의 가스(G) 온도와, 메인 덕트(131)와 먼 영역에서의 가스(G) 온도가 서로 상이한 문제가 있었다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 가스 공급 하우징(330)이 이중 챔버 구조를 가지며, 가스 공급 하우징(330)으로 공급된 가스(G)가 제1하우징(331)의 중앙 영역에서 분사된 이후, 제1내부 공간(332)에서 확산되어 처리 공간(115)으로 유입된다. 즉, 가스 공급 덕트(310)의 위치에 근거하여 편심 공급된 가스(G)를 제1내부 공간(332)의 중앙 영역에 선 분사하고, 이후 처리 공간(115)으로 가스(G)를 유입시키므로, 외부 발열원(예컨대, 가스 공급 하우징(330)의 상부에 배치되는 처리 유닛(100)의 구동기(143) 등)의 영향성 최소화하여 온도 및/또는 습도가 조절된 가스(G)를 처리 공간(115)에 균일하게 공급할 수 있게 된다. 이에, 처리 공간(115)으로 유입되는 가스(G)의 온도 편차를 개선할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the gas (G) supplied by the gas supply duct 310 is introduced into the injection unit 335a via the duct unit 335b. That is, the gas G may flow into the injection unit 335a disposed in the central region of the first internal space 332 through the duct part 335b and be pre-injected into the central region of the first internal space 332. there is. As described above, the gas introduced from the main duct 1310 is delivered to the gas supply box 1320, and the gas delivered to the gas supply box 1320 is continuously heated while flowing in a direction away from the main duct 1310. Accordingly, in the gas supply box 1320, the temperature of the gas (G) in an area adjacent to the main duct 1310 and the temperature of the gas (G) in an area far from the main duct 131 are different from each other. However, according to an embodiment of the present invention, the gas supply housing 330 has a double chamber structure, and after the gas G supplied to the gas supply housing 330 is injected from the central area of the first housing 331 , is diffused in the first inner space 332 and introduced into the processing space 115 . That is, based on the location of the gas supply duct 310, the gas G supplied eccentrically is pre-injected into the central region of the first inner space 332, and then the gas G is introduced into the processing space 115. , By minimizing the influence of an external heat source (eg, the actuator 143 of the processing unit 100 disposed above the gas supply housing 330), the gas (G) whose temperature and / or humidity is controlled is supplied to the processing space ( 115) can be uniformly supplied. Accordingly, a temperature deviation of the gas G flowing into the processing space 115 may be improved.

처리 공간(115)으로 유입되는 가스(G)의 온도 편차가 개선되는 경우, 기판(W) 상에 형성되는 박막의 두께의 균일성도 개선될 수 있다. 구체적으로, 바울 어셈블리(150)를 기준으로, 좌우 온도 편차가 0.1 ℃ 이상인 경우, 기판(W) 상에 형성되는 박막의 두께에 영향을 미칠 수 있는데, 본원 발명은 처리 공간(115)으로 유입되는 가스(G)의 온도 편차를 개선(구체적으로, 바울 어셈블리(150)를 기준으로, 좌우 온도 편차가 0.1 ℃ 미만이 되도록 관리)하여 기판(W) 상에 형성되는 박막 두께가 균일해지지 못하는 문제점을 개선할 수 있다.When the temperature deviation of the gas G flowing into the processing space 115 is improved, the uniformity of the thickness of the thin film formed on the substrate W may also be improved. Specifically, when the temperature difference between the left and right sides of the bowl assembly 150 is greater than or equal to 0.1 ° C, the thickness of the thin film formed on the substrate W may be affected. The problem that the thickness of the thin film formed on the substrate W is not uniform is solved by improving the temperature deviation of the gas G (specifically, managing the temperature deviation of the left and right sides to be less than 0.1 ° C based on the bowl assembly 150). can be improved

또한, 앞서 설명한 바와 같이 하나의 처리 유닛(100)은 복수 개의 액 처리 모듈(130)을 포함할 수 있는데, 하나의 처리 공간(115)에 공급되는 가스(G)의 온도 편차가 개선되므로, 각각의 액 처리 모듈(130)에서 형성되는 기판(W) 상의 박막의 두께 편차 또한 개선(즉, 두께 편차의 정도가 감소)될 수 있다. 즉, 액 처리 모듈(130)들 간의 처리 정도의 균일성(Tool To Tool Matching, TTTM 이라고도 함)을 개선할 수 있다.In addition, as described above, one processing unit 100 may include a plurality of liquid processing modules 130, and since the temperature deviation of the gas G supplied to one processing space 115 is improved, each The thickness variation of the thin film on the substrate W formed in the liquid processing module 130 of the liquid processing module 130 may also be improved (ie, the degree of thickness variation is reduced). That is, the uniformity of the degree of processing between the liquid processing modules 130 (also referred to as Tool To Tool Matching, TTTM) can be improved.

또한, 상술한 바와 같이 가스 공급 하우징(330)은 그 상면이 베이스(111)의 하면과 이격되도록 설치된다. 이에, 베이스(111)의 열이 가스 공급 하우징(330)에 전달되어 가스 공급 하우징(330)이 공급하는 가스(G)의 온도에 영향을 주는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 가스 공급 하우징(330)과 베이스(111) 사이에는 단열 패드(360)가 제공되어, 베이스(111)의 열이 가스 공급 하우징(330)에 전달되는 것을 최소화 할 수 있다.Also, as described above, the upper surface of the gas supply housing 330 is installed to be spaced apart from the lower surface of the base 111 . Thus, the heat of the base 111 is transferred to the gas supply housing 330 and the effect on the temperature of the gas G supplied by the gas supply housing 330 can be minimized. In addition, as described above, the heat insulating pad 360 is provided between the gas supply housing 330 and the base 111 to minimize the transfer of heat from the base 111 to the gas supply housing 330 .

상술한 예에서는 가스 공급 하우징(330)과 베이스(111) 사이에 링 형상의 단열 패드(360)가 배치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이 가스 공급 하우징(330)과 베이스(111) 사이에는 판 형상의 단열 플레이트(370)가 배치될 수 있다. 단열 플레이트(370)는 단열 패드(360)와 유사하게 단열 소재, 예컨대 우레탄이나 PEEK와 같은 소재로 제공될 수 있다.In the above example, it has been described that the ring-shaped insulation pad 360 is disposed between the gas supply housing 330 and the base 111 as an example, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 9 , a plate-shaped insulating plate 370 may be disposed between the gas supply housing 330 and the base 111 . Similar to the insulation pad 360, the insulation plate 370 may be provided with an insulation material such as urethane or PEEK.

상술한 예에서는 가스 공급 하우징(330)과 베이스(111) 사이에 링 형상의 단열 패드(360)가 배치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이 가스 공급 하우징(330)과 베이스(111) 사이에는 진공 공간(381)을 가지는 단열 하우징(380)이 제공될 수 있다. 단열 하우징(330)은 단열 소재, 예컨대 우레탄이나 PEEK와 같은 소재로 제공될 수 있으며, 내부가 진공 분위기인 진공 공간(381)으로 제공될 수 있다. 진공의 경우 열 전도율이 매우 낮으므로, 베이스(111)의 열이 가스(G)의 온도에 영향을 미치는 것을 최소화 할 수 있다. 단열 하우징(380)이 제공되는 경우 가스 공급 하우징(330)은 단열 하우징(380)에 체결 수단(I)에 의해 고정 및 체결될 수 있다. 체결 수단(I)은 볼트, 또는 나사일 수 있다.In the above example, it has been described that the ring-shaped insulation pad 360 is disposed between the gas supply housing 330 and the base 111 as an example, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 10 , a heat insulation housing 380 having a vacuum space 381 may be provided between the gas supply housing 330 and the base 111 . The insulation housing 330 may be provided with an insulation material, for example, a material such as urethane or PEEK, and may be provided as a vacuum space 381 having a vacuum atmosphere therein. Since the thermal conductivity is very low in the case of vacuum, it is possible to minimize the effect of the heat of the base 111 on the temperature of the gas (G). When the insulating housing 380 is provided, the gas supply housing 330 may be fixed and fastened to the insulating housing 380 by the fastening means I. The fastening means (I) may be a bolt or a screw.

상술한 예에서는 분사 부(335a)가 덕트 부(335b)에 의해서 고정되는 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 분사 부(335a)의 위치가 보다 안정적으로 고정될 수 있도록, 가스 공급 유닛(300)은 분사 부(335a)를 제1하우징(331)에 고정시키는 고정 부재(390)를 더 포함할 수 있다.In the above example, it has been illustrated that the injection unit 335a is fixed by the duct unit 335b as an example, but is not limited thereto. For example, the gas supply unit 300 may further include a fixing member 390 for fixing the spraying part 335a to the first housing 331 so that the spraying part 335a can be more stably fixed. there is.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

처리 유닛 : 1100
챔버 : 1110
베이스 : 1111
측벽 : 1113
액 처리 모듈 : 1120
가스 공급 유닛 : 1300
메인 덕트 : 1310
가스 공급 박스 : 1320
기판 처리 장치 : 10
처리 유닛 : 100
챔버 : 110
베이스 : 111
측벽 : 113
처리 공간 : 115
액 처리 모듈 : 130
척 어셈블리 : 140
척 : 141
회전 축 : 142
구동기 : 143
바울 어셈블리 : 150
외측 바울 : 151
외측 바울 승강기 : 152
내측 바울 : 153
내측 바울 승강기 : 154
드레인 공간 : 155
버퍼 공간 : 156
배관 어셈블리 : 160
드레인 배관 : 161
배기 배관 : 162
드레인 라인 : 163
배기 라인 : 164
액 공급 어셈블리 : 170
제1노즐 : 171
제2노즐 : 172
노즐 아암 : 173
가스 공급 유닛 : 300
가스 공급 덕트 : 310
메인 덕트 : 311
분기 덕트 : 313
유량 조절 댐퍼 : 315
가스 공급 하우징 : 330
제1하우징 : 331
제1내부 공간 : 332
타공 : 333
제2하우징 : 335
분사부 : 335a
덕트부 : 335b
제2내부 공간 : 336
홀 : 337
필터 : 338
고정 수단 : 350
단열 패드 : 360
단열 플레이트 : 370
단열 하우징 : 380
체결 수단 : IProcessing unit: 1100
Chamber: 1110
Base: 1111
Sidewall: 1113
Liquid processing module: 1120
Gas supply unit: 1300
Main duct: 1310
Gas supply box: 1320
Substrate processing unit: 10
Processing unit: 100
Chamber: 110
Base: 111
Sidewall: 113
Processing space: 115
Liquid treatment module: 130
Chuck Assembly: 140
Chuck: 141
Axis of Rotation: 142
Actuator: 143
Paul Assembly: 150
Outer Paul: 151
Outside baul lift: 152
Medial Paul: 153
Inner baul lift: 154
Drain space: 155
Buffer space: 156
Piping Assemblies: 160
Drain Piping: 161
Exhaust Piping: 162
Drain Line: 163
Exhaust line: 164
Liquid supply assembly: 170
Nozzle 1: 171
2nd nozzle: 172
Nozzle Arm: 173
Gas Supply Unit: 300
Gas supply duct: 310
Main duct: 311
Branch Duct: 313
Flow control damper: 315
Gas supply housing: 330
1st housing : 331
1st inner space: 332
Perforated: 333
2nd housing : 335
Injection part: 335a
Duct section: 335b
2nd inner space: 336
Halls: 337
Filter: 338
Fixed Means: 350
Insulation Pad: 360
Insulation plate: 370
Insulation Housing: 380
Fastening method: I

Claims

In the apparatus for processing a substrate:
a processing unit that processes the substrate; and
a gas supply unit supplying gas to the processing unit;
The gas supply unit:
a first housing having a first interior space in fluid communication with a processing space of the processing unit;
a second housing disposed in the first internal space and having a second internal space in fluid communication with the first internal space; and
and a gas supply duct supplying gas to the second inner space.

According to claim 1,
The second housing is:
a spraying unit having at least one hole through which gas flows; and
A substrate processing apparatus comprising a duct part disposed between the ejection part and the gas supply duct, one end of which is connected to the ejection part.

According to claim 2,
A plurality of holes are formed in the injection unit.

According to claim 2,
The spraying unit is disposed in a central region of the first inner space.

According to claim 4,
The injection unit has a cylindrical shape,
The hole is formed on the side of the injection unit substrate processing apparatus.

According to any one of claims 1 to 5,
The processing unit:
a first processing unit; and
A second processing unit disposed under the first processing unit,
The first housing and the second housing are disposed between the first processing unit and the second processing unit.

According to claim 6,
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein an upper surface of the first housing is installed to be spaced apart from a lower surface of the first processing unit.

According to claim 7,
The gas supply unit:
The substrate processing apparatus further includes a heat insulating material fixing means for fixing the first housing to the first processing unit.

According to claim 7,
The gas supply unit:
The substrate processing apparatus further includes a heat insulating pad installed between the first housing and the first processing unit and made of a heat insulating material.

According to any one of claims 1 to 5,
The gas supply unit:
The substrate processing apparatus further comprises a flow control damper for controlling a supply flow rate of gas per unit time supplied to the processing space.

In the gas supply unit for supplying a temperature or humidity controlled gas to a processing unit for processing a substrate:
a gas supply housing having a double chamber structure and having an inner space in fluid communication with a process space of the processing unit; and
A gas supply unit including a gas supply duct supplying gas to the gas supply housing.

According to claim 11,
The gas supply housing:
a first housing having a first inner space, wherein at least one perforated hole is formed on a surface of the first housing facing the processing space to fluidly communicate the first inner space and the processing space; and
and a second housing disposed in the first inner space and having a second inner space into which gas flows from the gas supply duct.

According to claim 12,
The second housing is:
a spraying unit having at least one hole through which the second inner space and the first inner space are in fluid communication with each other; and
A gas supply unit comprising a duct part disposed between the injection part and the gas supply duct.

According to claim 13,
The gas supply unit of claim 1 , wherein the hole is formed in a side portion of an upper portion, a side portion, and a lower portion of the injection unit.

According to any one of claims 12 to 14,
The gas supply unit:
The gas supply unit further includes a filter disposed between the perforated hole and the second housing to filter gas.

According to claim 15,
The gas supply unit:
The gas supply unit further comprises a flow control damper for controlling a supply flow rate per unit time of the gas supplied to the processing space.

In the apparatus for processing a substrate:
a processing unit supplying a coating liquid to the substrate to form a liquid film on the substrate; and
a gas supply unit supplying gas to the processing unit;
The processing unit:
a chamber having a processing space;
A bowl having a cylindrical shape with an open top;
a chuck supporting a substrate within the bowl;
an actuator that rotates the chuck;
a nozzle supplying a coating liquid to the substrate supported by the chuck; and
Including an exhaust pipe for exhausting the gas flowing into the bowl,
The gas supply unit:
a gas supply housing having a double chamber structure and having an inner space in fluid communication with the processing space; and
A substrate processing apparatus comprising a gas supply duct for supplying gas into the inner space.

According to claim 17,
The gas supply housing:
a first housing having a first interior space in fluid communication with the processing space; and
a second housing disposed in the first interior space and having a second interior space in fluid communication with the first interior space;
The second housing is:
a spraying unit having at least one hole through which gas flows; and
A duct part disposed between the spraying part and the gas supply duct, one end of which is connected to the spraying part,
The spraying unit is disposed in a central region of the first inner space.

The method of claim 17 or 18,
The processing unit is provided in plurality,
The substrate processing apparatus provided with a plurality of gas supply housings.

According to claim 19,
The gas supply duct is configured to supply gas to at least two or more of the gas supply housings.