KR20230098593A - 점착 테이프 및 가공 방법 - Google Patents

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KR20230098593A
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치에 나카무라
도모아키 다나카
소타 도쿠이
미즈키 하스미
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덴카 주식회사
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Abstract

기재층과, 해당 기재층 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 테이프이고, 상기 점착제층이, 광 라디칼 개시제와, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머 A를 포함하고, 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R0과, 상기 점착제층을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부하여 24시간 방치 후에, 상기 점착제층에 자외선을 조사하고, 상기 점착제층을 박리한 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R1의 차 |R0-R1|가, 20° 이하인, 점착 테이프.

Description

점착 테이프 및 가공 방법
본 발명은 점착 테이프 및 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지나 반도체 웨이퍼(이하, 「피착체」라고도 한다) 등을 개편화할 때에는, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 피착체에 첩부하고, 다이싱 시에 피착체를 임시 고정한다. 이에 의해, 개편화 시에 칩 비산을 방지할 수 있다. 또한, 다이싱 후에는, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬딩하고, 개편화된 피착체는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프로부터 픽업(박리)한다.
이러한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프로서는, 자외선에 대하여 투과성을 갖는 필름 기재 상에 자외선 조사에 의해 경화 반응하는 점착제층이 도포된 점착 테이프가 주로 사용되고 있다. 이 자외선 경화형의 가공용 테이프에서는, 다이싱 후에 자외선을 점착제층에 조사하여, 경화 반응을 진행시킴으로써 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있기 때문에, 개편화된 피착체를 용이하게 픽업할 수 있다.
이러한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 픽업 시에, 피착체에 대한 접착제 잔여물을 저감하고, 고품질의 전자 부품을 제조할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
이러한 점에서, 상술한 자외선 조사형의 가공용 테이프에서는, 피착체에의 점착 테이프 첩부 시, 기포 등이 점착 테이프와 피착체 사이로 파고 들어가면, 자외선 조사 시에 산소 저해 등에 의한 점착제의 경화 불량을 야기하여, 피착체에 점착제가 경화하지 않은 채 잔류하는 경우가 있다. 또한, 피착체에 대한 점착력이 부족하면, 다이싱 시에 절삭수가 피착체와 점착 테이프 사이로 침입해서 피착체를 오염시키거나, 나아가 개편화한 피착체가 비산한다.
그래서, 점착력을 보충하기 위해서 점착제층의 두께를 증가시키거나, 점착제층의 탄성률을 저하시켜서 점착력을 높이는 방법이 생각된다. 그러나 이 경우, 다이싱 시의 블레이드의 회전에 의해 발생하는 마찰열에 의해 점착제가 융해되고, 긁어 올려지는 것으로 피착체에 점착제 부스러기가 부착되거나, 개편화된 피착체가 점착 테이프에 고정됨으로써, 픽업 시에 피착체와 계면에서 박리할 수 없어 점착제 자신의 파괴가 일어나서, 피착체에 점착제 부스러기가 잔류한다고 하는 문제가 발생한다.
이에 대해, 예를 들어 특허문헌 1에서는, 아크릴로일기를 5 내지 6개 갖는 방사선 중합성 화합물을 사용하여, 자외선 조사 및/또는 전자선 조사 후의 겔 분율을 90wt% 이상 등으로 함으로써, 접착제 잔여물을 억제하는 것이 개시되어 있다.
일본특허공개 2000-281993호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 방법으로는, 접착제 잔여물은 다소 억제할 수 있기는 하지만, 오히려 점착력이 저하되는 경향이 있고, 다이싱 시에 절삭수가 피착체와 점착 테이프 사이로 침입하여, 이면 오염이 발생하거나, 개편화한 피착체가 비산할 가능성이 있다.
또한, 근년의 반도체 웨이퍼나 디바이스의 고밀도화나 고성능화의 요청으로부터, 점착제의 접착제 잔여물이 없는 것처럼 보이는 반도체 웨이퍼나 디바이스 표면에서도, 점착제에 기인한 유기물에 의해 오염되어 있는 경우가 있고, 이와 같은 오염도 문제로 되고 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 단순히 「오염」이라고 할 때는, 이러한 눈으로 볼 수 없는 오염을 말하며, 눈으로 볼 수 있는 것에 대해서는 「접착제 잔여물」이라고 한다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 점착제층에서 유래하는 오염을 저감할 수 있는 점착 테이프 및 그것을 사용한 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해, 점착 테이프의 점착제 설계에 대해서 예의 검토했다. 그 결과, 자외선 경화 전후에 있어서, 소정의 접촉각 특성을 나타내도록 구성된 접착제층을 사용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 이하와 같다.
〔1〕
기재층과, 해당 기재층 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 테이프이고,
상기 점착제층이 광 라디칼 개시제와, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머 A를 포함하고,
실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R0과, 상기 점착제층을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부하여 24시간 방치 후에, 상기 점착제층에 자외선을 조사하고, 상기 점착제층을 박리한 후의 상기 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R1의 차 |R0-R1|가 20° 이하인,
점착 테이프.
〔2〕
상기 폴리머 A에 포함되는 중량 평균 분자량 20000 이하의 성분 A1의 함유량이, 겔 침투 크로마토그래피의 차트의 총 면적에 대하여, 15면적% 이하인,
청구항 1에 기재된 점착 테이프.
〔3〕
자외선 조사 전의 상기 점착제층의 실리콘 웨이퍼에 대한 180° 박리 강도가, 23℃에 있어서, 2.0 내지 20.0N/20㎜인,
〔1〕또는 〔2〕에 기재된 점착 테이프.
〔4〕
폴리머 A가, 수산기를 갖는
〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔5〕
상기 폴리머 A의 중량 평균 분자량이, 1.0×105 내지 2.0×106인,
〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔6〕
상기 폴리머 A의 유리 전이점이, -80 내지 23℃인,
〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔7〕
상기 폴리머 A가, (메트)아크릴산에스테르계 공중합체를 포함하고,
해당 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체가, 직쇄 형상, 분지 형상, 또는 가교 형상을 갖는,
〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔8〕
상기 점착제층이, 경화제를 더 포함하는,
〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔9〕
상기 경화제가, 이소시아네이트계 화합물을 포함하는,
〔8〕에 기재된 점착 테이프.
〔10〕
상기 이소시아네이트계 화합물이, 2관능 이상의 다관능 이소시아네이트계 화합물을 포함하는,
〔9〕에 기재된 점착 테이프.
〔11〕
상기 경화제의 함유량은, 폴리머 A 100중량부에 대하여, 0.1 내지 5.0중량부인,
〔8〕 내지 〔10〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔12〕
반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스, 각종 반도체 패키지 가공용인,
〔1〕 내지 〔11〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프.
〔13〕
〔1〕 내지 〔12〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프와, 피착체를 접합하는 접합 공정과,
상기 점착 테이프와 상기 피착체를 접합한 상태에서, 상기 피착체를 개편화하는 다이싱 공정을 갖고,
상기 피착체가, 반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스, 또는 각종 반도체 패키지인,
가공 방법.
본 발명에 따르면, 점착제층에서 유래하는 오염을 저감할 수 있는 점착 테이프 및 그것을 사용한 가공 방법을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태(이하, 「본 실시 형태」라고 한다.)에 대해서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다.
〔점착 테이프〕
본 실시 형태의 점착 테이프는 기재층과, 해당 기재층 상에 마련된 점착제층을 갖고, 점착제층이, 광 라디칼 개시제와, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머 A를 포함하고, 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R0과, 점착제층을 실리콘 웨이퍼에 첩부하여 24시간 방치 후에, 점착제층에 자외선을 조사하고, 점착제층을 박리한 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R1의 차 |R0-R1|가 20° 이하가 되는 것이다.
종래의 점착제층은, 예를 들어 자외선 경화성을 갖지 않는 베이스 폴리머와, 자외선 경화성을 갖는 저분자량 성분에 의해 구성되어 있다. 그 때문에, 자외선 조사 후에 미반응의 상태에서 잔류하는 저분자량 성분이 피착체 표면을 오염시킬 가능성이 있다.
이에 비해, 본 실시 형태에 있어서는, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머 A를 사용함으로써, 자외선 조사에 의해 폴리머 A끼리가 더욱 중합하고, 서로 가교한다. 그 때문에, 저분자량 성분이 피착체 표면을 오염시킨다고 하는 문제를 회피 할 수 있고, 또한 가령 폴리머 A의 중합성 탄소 이중 결합의 일부가 미반응이어도, 저분자량 성분과 비교하여, 피착체 표면의 오염을 회피할 수도 있다. 또한, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 저분자량 성분을 사용한 경우에도, 저분자량 성분이 폴리머 A와도 결합 가능해지기 때문에, 점착제 안에 머물기 쉬워져, 피착체의 표면을 오염시키는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 폴리머 A를 포함하는 점착제층의 자외선 조사에 의한 경화 특성을, 접촉각 R0과 접촉각 R1의 차 |R0-R1|로 표현되는 접촉각 특성에 의해 더욱 규정한다. 이러한 접촉각 특성을 갖는 점착제층을 사용함으로써, 점착제층에서 유래하는 오염을 더 저감하는 것이 가능해진다. 이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.
(접촉각)
본 실시 형태에서는, 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R0과, 점착제층을 실리콘 웨이퍼에 첩부하여 24시간 방치 후에, 점착제층에 자외선을 조사하고, 점착제층을 박리한 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R1의 차 |R0-R1|을 사용하여, 자외선 조사 후의 점착제층 실리콘 웨이퍼에 대한 저오염성을 규정한다.
보다 구체적으로는, 차 |R0-R1|은 20° 이하이고, 바람직하게는 0 내지 17.5°이고, 보다 바람직하게는 0 내지 15°이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 12.5°이다. 차 |R0-R1|이 적을수록 피착체의 오염이 보다 적어진다.
특히, |R0-R1|이 20° 이하인 것에 의해, 보다 현저하게 오염성이 저하되고, 피착체의 그 후 제조 공정이나 실장시의 수율도 향상된다. 한편으로, 차 |R0-R1|이 20°보다 크면, 피착체 표면이 오염되기 쉽고, 나아가 피착체에 대한 접착제 잔여물까지 발생할 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼 표면은, 공기 중의 산소에 의해 산화되는 것으로 수산기가 최표면으로 나오고 있기 때문에, 일반적으로 친수성이 높다. 따라서 물에 대한 접촉각 R1이 작다는 것은, 점착 테이프 첩부 전의 깨끗한 실리콘 웨이퍼 표면의 상태에 가깝다는 것을 의미한다. 또한, 이것과는 반대로, 점착제층에 포함되는 유기 성분에 의해 실리콘 웨이퍼가 오염되면, 실리콘 웨이퍼 표면의 친수성이 낮아져 물에 대한 접촉각은 커진다.
또한, 접촉각 R1은 바람직하게는 5 내지 25°이고, 보다 바람직하게는 5 내지 28°이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 32°이다. 접촉각 R1이 상기 범위 내인 것에 의해, 자외선 조사 후의 점착제층 실리콘 웨이퍼에 대한 오염이 보다 억제된다.
차 |R0-R1| 및 접촉각 R1을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 점착제층에 포함되는 저분자량 성분을 저감하는 것, 폴리머 A의 저분자량 성분을 저감하는 것, 자외선 조사 시의 가교 밀도를 높이는 것 등을 들 수 있다. 저분자량 성분의 저감 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 기재층 상에 점착제층을 형성한 후에, 가온 하에서 에이징을 행하는 방법이나, 저분자량 성분의 함유량이 적은 폴리머 A를 사용하는 것을 예로 들 수 있다. 또한, 가교 밀도를 높이는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 중합성 탄소 이중 결합의 수나, 광 라디칼 개시제의 함유량을 조정하는 방법을 들 수 있다.
본 명세서에서 기재하는 「접촉각」은, 점착 테이프를 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 23℃의 조건 하 24시간 방치 후, 고압 수은등에 의해 자외선을 150mJ/㎠ 조사해서 박리하고, 물에 대한 접촉각을 액적법으로 측정한 접촉각이다.
(180° 박리 강도)
자외선 조사 전의 점착제층의 실리콘 웨이퍼에 대한 180° 박리 강도 S는, 23℃에 있어서, 바람직하게는 2.0 내지 20.0N/20㎜이고, 보다 바람직하게는 4.0 내지 16.0N/20㎜이고, 더욱 바람직하게는 6.0 내지 12.0N/20㎜이다.
180° 박리 강도 S가 2.0N/20㎜ 이상인 것에 의해, 자외선 조사 전의 점착력이 보다 우수한 경향이 있다. 그 때문에, 점착 테이프가 링 프레임으로부터 벗겨지기 어려워져, 다이싱 공정에 있어서 칩 비산도 발생하기 어려워진다.
또한, 180° 박리 강도 S가 20N/20㎜ 이하인 것에 의해, 다이싱 공정의 블레이드에 의해 점착제의 긁어 올림이 발생하기 어렵고, 긁어 올려진 점착제가 피착체의 측면 등에 부착되기 어려워지는 경향이 있다. 그 때문에, 긁어 올려진 점착제가 피착체 위에 접착제 잔여물로서 잔류하거나, 그대로 자외선 경화함으로써 칩을 고정화해버리거나, 픽업 불량이 발생하거나, 또한 고정화한 칩에 이지러짐이 발생하는 것이 보다 억제되는 경향이 있다.
본 명세서에서 기재하는 「실리콘 웨이퍼에 대한 180° 박리 강도」는, JIS Z0237(2009)의 점착력의 측정 방법에 준거해서 측정할 수 있다. 구체적으로는, 표면을 세정한 피착체(실리콘 웨이퍼)에 압착 장치(롤러의 질량 2㎏)를 사용해서 점착제층을 압착시켜서, 피착체에 대하여 180°로 떼어냈을 때의 점착력을, 온도 23℃ 습도 50%의 환경 하에서, 만능형 인장 시험기로 측정한다.
(점착제층)
점착제층은 광 라디칼 개시제와, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머 A를 포함하고, 필요에 따라, 경화제나 기타 성분을 포함하고 있어도 된다.
(폴리머 A)
폴리머 A는 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 중합체이고, 점착제층의 주성분을 구성하는 성분이다. 점착제층에 자외선을 조사하면 광 라디칼 개시제가 라디칼을 발생시키고, 그것에 의해 폴리머 A의 중합성 탄소 이중 결합이 각각 중합한다. 이에 의해, 자외선 조사 후에 있어서는, 폴리머 A는 서로 가교한 상태가 된다.
오염 저감의 관점에서, 폴리머 A에 포함되는 저분자량 성분은 적은 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 폴리머 A에 포함되는 중량 평균 분자량 20000 이하의 성분 A1의 함유량은, 겔 침투 크로마토그래피의 차트의 총 면적에 대하여, 바람직하게는 15면적% 이하이고, 보다 바람직하게는 10면적% 이하이고, 더욱 바람직하게는 8면적% 이하이고, 보다 더욱 바람직하게는 5면적% 이하이다. 성분 A1의 함유량의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 0면적%이다. 성분 A1의 함유량이 15면적% 이하인 것에 의해, 자외선 조사 후에 있어서 피착체의 표면에 잔존하는 저분자량 성분이 적어지고, 오염이 보다 저감되는 경향이 있다.
또한, 폴리머 A의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 1.0×105 내지 2.0×106이고, 보다 바람직하게는 2.0×105 내지 1.0×106, 더욱 바람직하게는, 2.5×105 내지 8.0×105이다. 폴리머 A의 중량 평균 분자량이 1.0×105 이상인 것에 의해, 고분자량 성분이 많아지는 것 외에, 분자량이 높을수록 하나의 폴리머 A가 다른 폴리머 A와 중합성 이중 결합으로 중합할 기회가 많아지기 때문에, 오염이 보다 저감되는 경향이 있다. 폴리머 A의 중량 평균 분자량이 2.0×106 이하인 것에 의해, 폴리머 A가 움직이기 쉬워, 하나의 폴리머 A가 다른 폴리머 A와 중합할 기회가 많아지기 때문에, 오염이 보다 저감되는 경향이 있다. 또한, 분자량이 작을수록 점착제의 탄성률이 지나치게 높아지지 않기 때문에, 평상 상태에 있어서의 점착력이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 피착체에의 추종성이 좋아져서 피착체의 단차에도 추종할 수 있기 때문에, 산소 저해가 원인인 UV 경화 불량에 의한 오염을 피할 수 있다. 또한 유연한 점착제는 UV 조사에 의해 충분히 경화 수축하기 쉽기 때문에, 경화 후의 점착력을 충분히 낮출 수 있다.
본 명세서에서 기재하는 「중량 평균 분자량」은, 폴리머 A를 테트라히드로푸란에 용해한 샘플을, 겔 침투 크로마토그래프 분석 장치를 사용하여 측정한 분자량이다. 성분 A1의 함유량은 폴리머 A의 크로마토그램의 면적을 100면적%로 하여, 스탠다드 폴리스티렌 환산의 분자량 검량선으로부터 중량 평균 분자량이 20000 이하가 되는 유지 시간에 있어서의 크로마토그램의 면적 비율을 산출함으로써 구할 수 있다.
또한, 폴리머 A의 유리 전이점은, 바람직하게는 -80 내지 23℃이고, 보다 바람직하게는 -70 내지 10℃이고, 더욱 바람직하게는 -60 내지 0℃이다. 폴리머 A의 유리 전이점이 -80℃ 이상인 것에 의해, 오염이 보다 저감되는 경향이 있다. 또한, 폴리머 A의 유리 전이점이 23℃ 이하인 것에 의해, 피착체에 대한 접착성이 보다 향상되는 경향이 있다.
폴리머 A로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 중합성 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체를 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르계 공중합체의 형상은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 직쇄 형상, 분지 형상, 또는 가교 형상을 들 수 있다. 이 중 에서도 가교 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 폴리머 A를 사용함으로써, 점착제층의 응집력이 향상하고 피착체에 대한 접착성이 보다 향상됨과 함께, 오염이 보다 저감되는 경향이 있다. 가교 형상 또는 분지 형상을 갖는 폴리머 A는, 직쇄 형상을 갖는 폴리머 A의 중합성 이중 결합의 일부가 에이징 등에 의해 결합한 것이어도 된다.
(메트)아크릴산에스테르계 공중합체를 구성하는 (메트)아크릴산에스테르의 단량체로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 및 도데실기 등의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 1종 단독으로 사용하거나 또는 2종류 이상을 병용해도 된다.
또한, 상기 알킬(메트)아크릴레이트 이외의 모노머 성분으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산이나 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산1-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 에톡시에톡시에틸(메트)아크릴레이트 등의 알킬렌 옥시기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸 아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 기타 모노머는, 1종 단독으로 사용하거나 또는 2종류 이상을 병용해도 된다.
이 중에서도, 알킬(메트)아크릴레이트와 히드록실기 함유 모노머를 포함하는 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체나, 알킬(메트)아크릴레이트와 카르복실기 함유 모노머를 포함하는 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체가 바람직하다.
(메트)아크릴산에스테르계 공중합체에의 중합성 이중 결합의 도입 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 카르복실기 함유 모노머의 카르복실기, 산 무수물 모노머의 무수 카르복실기, 또는 히드록실기 함유 모노머의 히드록실기에 대하여, 중합성 이중 결합을 갖는 변성제를 반응시키는 방법을 들 수 있다.
예를 들어, 히드록실기 함유 모노머 단위를 포함하는 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체에 대하여, 변성제로서 중합성 이중 결합을 갖는 이소시아네이트계 화합물을 반응시킴으로써, 히드록실기 함유 모노머 단위에 우레탄 결합을 통해서 중합성 이중 결합을 도입할 수 있다. 또한, 기타 예로서, 히드록실기 함유 모노머 단위를 포함하는 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체에 대하여, 변성제로서 중합성 이중 결합을 갖는 에폭시 화합물을 반응시킴으로써, 히드록실기 함유 모노머 단위에 에테르 결합을 통해서 중합성 이중 결합을 도입할 수 있다.
또한, 변성제로서는, (메트)아크릴산에스테르계 공중합체가 갖는 관능기와 반응하는 관능기를 가지며 또한 중합성 이중 결합을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 중합성 이중 결합을 갖는 이소시아네이트계 화합물, 중합성 이중 결합을 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 중합성 이중 결합의 도입량은, 폴리머 A를 구성하는 반응성 모노머 단위 100몰%에 대하여, 바람직하게는 20 내지 80몰%이고, 보다 바람직하게는 30 내지 75몰%이고, 더욱 바람직하게는 40 내지 70몰%이다. 또한, 여기서, 「반응성 모노머 단위」란, 카르복실기 함유 모노머, 산 무수물 모노머 및 히드록실기 함유 모노머를 말한다. 중합성 이중 결합의 도입량이 20몰% 이상인 것에 의해, 자외선 조사 시에 미반응의 폴리머 A가 남기 어려워져서, 오염이 보다 억제되는 경향이 있다. 또한, 중합성 이중 결합의 도입량이 80몰% 이하인 것에 의해, 과도한 가교를 억제할 수 있기 때문에, 픽업 시의 핀의 밀어올림에 의한 점착 테이프의 변형에 점착제층이 견디지 못하고 핀의 형으로 갈라지거나, 또한 그것에 의해 접착제 잔여물이 발생하는 것이 억제되는 경향이 있다. 또한, 중합성 이중 결합의 도입량이 80몰% 이하인 것에 의해, 미반응의 카르복실기 등의 극성기가 잔존하기 쉬워져서, 자외선 조사 전의 피착체에 대한 점착력이 보다 향상되는 경향이 있다.
폴리머 A는, 수산기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 당해 수산기는 히드록실기 함유 모노머 등에서 유래하는 것이어도 되고, 변성제에서 유래하는 수산기여도 되고, 히드록실기 함유 모노머와 변성제가 반응함으로써 발생하는 수산기여도 된다. 히드록실기 함유 모노머 등의 모노머 단위와 변성제가 반응함으로써 발생하는 수산기로서는, 예를 들어 히드록실기 함유 모노머에 중합성 이중 결합을 갖는 에폭시 화합물을 반응시키는 것과 같은 예를 들 수 있다.
폴리머 A가 수산기를 가짐으로써, 후술하는 경화제를 배합한 경우에, 수산기를 통해서 복수의 폴리머간을 더욱 가교할 수 있어, 점착제층의 응집력이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 기재 필름과 점착제층의 앵커성도 보다 향상되고, 응집 파괴나 투묘 파괴가 억제되어, 보다 안정된 점착 특성이 얻어지는 경향이 있다.
폴리머 A의 함유량은, 점착제층의 총량에 대하여, 바람직하게는 80 내지 99.5질량%이고, 보다 바람직하게는 85 내지 99.5질량%이고, 더욱 바람직하게는 90 내지 99.5질량% 이다. 폴리머 A의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해, 오염이 보다 억제되는 경향이 있다.
(광 라디칼 개시제)
광 라디칼 개시제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 알킬 페논계 광중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 티오크산톤계 광중합 개시제, 방향족케톤류, 방향족 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물(티오페닐기 함유 화합물 등), α-아미노알킬페논 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소 할로겐 결합을 갖는 화합물 및 알킬아민 화합물을 들 수 있다.
이 중에서도, 알킬 페논계 광중합 개시제가 바람직하다.
광 라디칼 개시제의 함유량은, 점착제층의 총량에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 5.0질량%이고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 4.0질량%이고, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 3.0질량% 이다. 광 라디칼 개시제의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해, 오염이 보다 억제되는 경향이 있다.
(경화제)
경화제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 이소시아네이트계 화합물, 에폭시계 화합물, 아민계 화합물 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 이소시아네이트계 화합물이 바람직하다. 이러한 경화제를 사용함으로써, 점착제층의 응집력이 보다 향상되는 경향이 있다. 이들 경화제는 1종 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 병용해도 된다.
이소시아네이트계 화합물로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 4,4-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트; 이소포론 디이소시아네이트, 메틸렌비스(4-시클로헥실 이소시아네이트) 등의 지환족 디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 병용해도 된다.
이 중에서도, 경화제는 2관능 이상의 다관능 이소시아네이트계 화합물이 바람직하다. 이러한 경화제를 사용함으로써, 복수의 폴리머 A간을 경화제에 의해서도 가교할 수 있기 때문에, 점착제층의 응집력이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 기재층과 점착제층의 앵커성도 향상되어, 보다 안정된 점착 특성이 얻어지는 경향이 있다.
경화제의 함유량은, 폴리머 A 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 5.0중량부이고, 보다 바람직하게는 0.3 내지 4.0중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 3.0중량부이다. 경화제의 함유량이, 0.1중량부 이상인 것에 의해, 점착제층의 가교 밀도가 보다 향상되고, 박리 시에 발생하는 응집 파괴가 보다 억제되어, 응집 파괴에 기인하는 오염이 보다 억제되는 경향이 있다. 또한, 경화제의 함유량 5.0 중량부 이하인 것에 의해, 가교 밀도가 보다 저하되고, 탄성률이 낮아지기 때문에, 점착력이 보다 향상되는 경향이 있다.
또한, 경화제의 함유량은, 점착제층의 총량에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 2.0질량%이고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 1.5질량%이고, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 1.0질량% 이다. 경화제의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해, 오염이 보다 억제되는 경향이 있다.
(기타 첨가제)
본 실시 형태의 점착제층은, 필요에 따라, 점착 부여제, 가교 지연제, 산화 방지제 등의 기타 첨가제를 포함하고 있어도 된다.
점착 부여제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 석유계 수지, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 방향족 변성 테르펜 수지, 쿠마론-인덴수지, 천연 수지 로진, 변성 로진, 글리세린에스테르 로진, 펜타에리트리톨에스테르 로진, 페놀 수지, 크실렌 수지, 지환족계 석유 수지, 스티렌계 수지, 디시클로펜타디엔 수지 등을 들 수 있다.
가교 지연제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 이소시아네이트계 경화제를 함유하는 점착제 조성물에 있어서, 경화제가 갖는 이소시아네이트기를 블록함으로써, 점착제 조성물의 과잉의 점도 상승을 억제할 수 있는 화합물이다. 이러한 가교 지연제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 아세틸아세톤, 헥산-2,4-디온, 헵탄-2,4-디온, 옥탄-2,4-디온 등의 β-디케톤류; 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세토아세트산프로필, 아세토아세트산부틸, 아세토아세트산옥틸, 아세토아세트산올레일, 아세토아세트산라우릴, 아세토아세트산스테아릴 등의 β-케토에스테르류; 벤조일아세톤 등을 들 수 있다.
산화 방지제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 메틸하이드로퀴논, 하이드로퀴논, 2,2-메틸렌-비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 카테콜, 하이드로퀴논 모노메틸에테르, 모노터셔리부틸하이드로퀴논, 2,5-디터셔리부틸하이드로퀴논, p-벤조퀴논, 2,5-디페닐-p-벤조퀴논, 2,5-디-tert 부틸-p-벤조퀴논, 피크르산, 시트르산, 페노티아진, tert-부틸카테콜, 2-부틸-4-히드록시아니솔, 2,6-디-tert 부틸-p-크레졸 및 4-[[4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진-2-일]아미노]-2,6-디터셔리부틸페놀을 들 수 있다.
(두께)
점착제층의 두께는, 통상은 1.0 내지 250㎛이고, 바람직하게는 2.0 내지 50㎛이고, 더욱 바람직하게는 5.0 내지 40㎛이다. 점착제층의 두께를 1.0㎛ 이상으로 함으로써, 충분한 점착력을 확보할 수 있기 때문에, 익스팬드에 의해 분할된 반도체의 칩 비산을 억제하는 것이 용이하게 된다. 또한, 점착제층의 두께가 250㎛ 이하인 것에 의해, 보다 비용이 억제되는 경향이 있다.
반도체 웨이퍼 가공용 테이프로서 사용하는 경우에는, 테이프의 총 두께는, 바람직하게는 60 내지 250㎛의 범위가 되도록, 기재층 및 점착제층의 두께를 상기 범위에 있어서 조정하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 두께는, 보다 바람직하게는 70 내지 200㎛, 더욱 바람직하게는 80 내지 180㎛의 범위이다.
(기재층)
기재층을 구성하는 재료로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산-아크릴산에스테르 필름, 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 프로필렌계 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체나 에틸렌-(메트)아크릴산-(메트)아크릴산에스테르계 공중합체 등을 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 들 수 있다. 기재층을 구성하는 기재 필름은, 이들 수지의 단독, 2종 이상의 혼합물, 공중합체, 또는 이들의 적층물이여도 된다.
기재층의 두께는 작업성을 손상시키지 않는 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 기재층의 두께는, 통상은 10 내지 500㎛이고, 바람직하게는 50 내지 200㎛이고, 더욱 바람직하게는 70 내지 150㎛이다. 기재층의 두께를 상기 범위 내로 조정함으로써, 실용적으로 문제 없고, 경제적으로도 유효하다. 기재층을 복수의 기재 필름으로 구성하는 경우, 기재층 전체의 두께가 상기 범위 내가 되도록 조정하는 것이 바람직하다.
기재층은, 점착제층과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 필요에 따라, 화학적 또는 물리적으로 표면 처리를 실시해도 된다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로 및 이온화 방사선 처리 등을 들 수 있다.
(보호 필름)
본 실시 형태의 점착 테이프는, 점착제층을 보호하기 위해서, 점착제층에 접합된 보호 필름을 갖고 있어도 된다. 보호 필름은, 점착 테이프의 사용 시에 박리되기 때문에, 박리성이 우수한 것이 바람직하다. 보호 필름으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 불소 수지를 포함하는, 표면 에너지가 낮은 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트의 표면을 실리콘계 박리제로 처리한 필름 등을 들 수 있다.
(용도)
본 실시 형태의 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스, 또는 각종 반도체 패키지의 가공 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 반도체 웨이퍼는 전자 회로 등이 형성된 개편이거나 앞의 것이어도 된다. 또한, 반도체 디바이스는 개편화된 후의 각종 반도체 칩 혹은 그것을 포함하는 소자를 말하고, 반도체 패키지란, 반도체 칩에 그것을 보호하기 위한 수지와 반도체 칩과 외부를 접속하는 접속 단자를 붙인 것을 말한다.
〔점착 테이프의 제조 방법〕
점착 테이프의 제조 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 기재층 상에 점착제층을 형성하는 방법을 들 수 있다.
본 실시 형태의 점착 테이프 기재층은, 주지의 기술을 따라 제조할 수 있다. 기재층을 성형하는 수단은, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 상기 각종 재료를 관용의 용융 혼련 등이나 각종 혼합 장치(1축 또는 이축 압출기, 롤, 밴버리 믹서, 각종 니더 등)를 사용해서 각 성분이 균일하게 분산되도록 혼합하고, 당해 혼합물을 T다이법, 캘린더법, 인플레이션법으로 기재에 성형한다. 바람직하게는, 두께 정밀도가 좋은 압출기에 의한 T다이법을 사용해서 제막하는 방법이다.
본 실시 형태의 점착 테이프 점착제층은, 주지의 기술을 따라 제조할 수 있다. 점착제층을 성형하는 수단은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 상기 각종 재료를 유기 용제 등의 용매에 용해시켜서 바니시화하고, 이것을 보호 필름 상에 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 또는 커튼 코트법 등에 의해 도공하고, 용매를 제거함으로써 점착제층을 형성한다. 이것을 기재층 상에 접합함으로써, 점착 테이프를 제작한다.
본 실시 형태에 있어서는, 점착제층을 형성 후에, 에이징 처리를 해도 된다. 에이징 처리에서는, 형성한 점착제층을 소정의 온도 하에서 보관한다. 온도 조건은, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 30 내지 50℃이고, 보다 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 또한, 보관 시간은, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 24 내지 150시간이고, 보다 바람직하게는 48 내지 100시간이다. 이 에이징 처리를 행함으로써, 점착제층의 점착력이나, 경화 특성이 변화한다. 또한, 자외선 조사 후의 인장 탄성률이나 파단 신장률에 대해서도 상기 바람직한 범위로 제어할 수 있다.
〔가공 방법〕
본 실시 형태의 가공 방법은, 상기 점착 테이프와, 피착체를 접합하는 접합 공정과, 점착 테이프와 피착체를 접합한 상태에서, 피착체를 가공하는 다이싱 공정을 갖고, 피착체로서 반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스, 또는 각종 반도체 패키지를 가공하는 방법이다. 또한, 본 실시 형태의 가공 방법은, 필요에 따라, 다이싱 공정 후의 점착 테이프에 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정이나, 자외선 조사 후의 점착 테이프로부터, 개편화한 칩을 픽업하는 픽업 공정을 갖고 있어도 된다.
다이싱 공정에 의한 개편화 방법은, 특별히 제한되지 않고 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 장치를 사용해서 다이아몬드 지립을 함유하는 다이싱 블레이드를 고속 회전시킴으로써, 실리콘 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단 할 수 있다.
자외선 조사 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 자외선 조사 장치를 사용하여, 다이싱 공정의 점착 테이프에 자외선을 조사한다.
그 후, 픽업 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 익스팬딩 장치를 사용하여, 자외선 조사 후의 점착 테이프를 면 방향으로 잡아늘이고, 각 칩을 분리시킨 상태에서 픽업 장치에 의해 칩을 픽업할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 사용해서 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
아크릴산2-에틸헥실 63중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 15중량부와, 에톡시에톡시에틸아크릴레이트 22중량부와, 개시제(아조비스이소부티로니트릴) 0.03중량부를 아세트산에틸 중에서, 65℃에서, 24시간, 공중합시켜서, 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 얻었다.
해당 아크릴계 폴리머 중 아크릴산2-히드록시에틸 단위의 수산기에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜서, 측쇄에 이중 결합을 도입한 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 얻었다. 이때 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 도입량이, 상기 아크릴계 폴리머의 아크릴산2-히드록시에틸 단위 100몰당, 50몰(50몰%)이 되도록, 양자를 반응시켰다.
계속해서, 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머 100중량부를 포함하는 용액에, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 경화제(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤: 코로네이트 L-45E) 0.5중량부와, 광 라디칼 개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(BASF사제: Omnirad 651) 2.1중량부를 첨가하고, 자외선 경화형 점착제인 수지 조성물을 조제했다.
이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 보호 필름의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착제층 두께가 20㎛가 되도록 도공하고, 100℃에서 1분간 건조시킨 후, 미리 점착제층이 맞붙여진 표면에 코로나 처리가 실시된 에틸렌-메타크릴산-아크릴산에스테르계 공중합체의 아이오노머 필름(기재 수지 필름)의 코로나 처리면과 접합해서 기재 수지 필름에 점착제를 전사시켰다. 이것을 40℃의 분위기 하에서 72시간 에이징하여, 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 2)
아크릴산부틸 67중량부와, 아크릴산메틸 28중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 5중량부와, 개시제(아조비스이소부티로니트릴) 0.03중량부를 톨루엔 중에서, 65℃에서, 24시간, 공중합시켜서, 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 얻었다. 해당 아크릴계 폴리머 중 아크릴산2-히드록시에틸 단위의 수산기에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜서, 측쇄에 이중 결합을 도입한 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 얻었다. 이때 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 도입량이, 상기 아크릴계 폴리머의 아크릴산2-히드록시에틸 단위 100몰당, 70몰(70몰%)이 되도록, 양자를 반응시켰다. 상기 아크릴계 폴리머를, 아세트산에틸:메탄올=1:20의 용액 중, 고형분 농도 20%로 세정함으로써, 저분자량 성분을 제거했다. 이것 이후는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 3)
아크릴계 폴리머의 세정 공정을 생략한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 4)
2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 도입량이, 아크릴계 폴리머의 아크릴산2-히드록시에틸 단위 100몰당, 30몰(30몰%)이 되도록, 양자를 반응시킨 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 5)
개시제의 양을 조정하고, 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량을 80만으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 6)
아크릴산2-에틸헥실 92중량부와, 아크릴산 8중량부와, 개시제(아조비스이소부티로니트릴) 0.05중량부를 아세트산에틸 중에서, 65℃에서, 24시간, 공중합시켜서, 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 얻었다.
해당 아크릴계 폴리머 중 아크릴산 단위의 카르복실기에, 메타크릴산글리시딜을 반응시켜서, 측쇄에 이중 결합을 도입한 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 얻었다. 이때 메타크릴산글리시딜의 도입량이, 상기 아크릴계 폴리머의 아크릴산 단위 100몰당, 80몰(80몰%)이 되도록, 양자를 반응시켰다. 상기 아크릴계 폴리머를, 아세트산에틸:메탄올=1:20의 용액 중, 고형분 농도 20%로 세정함으로써, 저분자량 성분을 제거했다.
계속해서, 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머 100중량부를 포함하는 용액에, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 경화제(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤: 코로네이트 L -45E) 0.1중량부와, 광 라디칼 개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(BASF사제:Omnirad 651) 2.1중량부를 첨가하고, 자외선 경화형 점착제인 수지 조성물을 조제했다. 이것 이후는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 7)
아크릴계 폴리머 중 아크릴산 단위의 카르복실기에, 메타크릴산글리시딜을 반응시켜서, 측쇄에 이중 결합을 도입한 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 얻었을 때, 메타크릴산글리시딜의 도입량이, 상기 아크릴계 폴리머의 아크릴산 단위 100몰당, 60몰(60몰%)이 되도록, 양자를 반응시킨 것과, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 경화제(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤: 코로네이트 L -45E)을 0.5중량부로 한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(비교예 1)
아크릴계 폴리머의 세정 공정을 생략한 것과, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 경화제(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤: 코로네이트 L -45E)을 0.5중량부로 한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 얻었다.
(비교예 2)
아크릴산2-에틸헥실 45중량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 10중량부와, 아크릴산메틸 40중량부와, 아크릴산 5.0중량부와, 개시제(아조비스이소부티로니트릴) 0.03중량부를 아세트산에틸 중에서, 65℃에서, 24시간, 공중합시켜서, 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 얻었다.
해당 아크릴계 폴리머에 대하여, 자외선 중합성 우레탄 아크릴레이트를 별도 첨가하고, 아울러 경화제와 개시제의 양을 조정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 제작했다.
상기와 같이 해서 조제한 각 샘플에 대해서 유기물 오염, 접촉각, 분자량, 180° 박리 대 실리콘 웨이퍼 점착력, 다이싱, 픽업에 대해서, 평가 시험을 이하와 같이 행하였다. 얻어진 결과를 통합해서 하기 표 1에 나타낸다.
<유기물 오염>
프라임 웨이퍼에, 상기와 같이 해서 제작한 점착 테이프를 첩부하여 24시간 방치 후, 고압 수은등에 의해 자외선을 150mJ/㎠ 조사하고, 박리했다. 그 후, TD-GC/MS에서 프라임 웨이퍼 표면의 휘발 유기물 성분을 측정했다. TD-GC/MS의 측정 조건을 이하에 나타낸다.
(측정 조건)
시료 전처리: 하기 장치에 의해 웨이퍼 상의 유기 흡착 물질을 TENAX관에 회수.
·장치: 「WA2560M」(지엘 사이언스사제)
·가열 조건: 실온 → 약 25℃/min 승온 → 400℃(15min 유지)
·흡착 조건: Tenax관(실온)
TD-GC/MS
·측정 장치: 「TD2530」(지엘 사이언스사제)
·Agilent Technologies 7890B GC System
·Agilent Technologies 5977A MSD
·TENAX관 탈착 온도: 270℃
·GC 도입법: -130℃에서 콜드 트랩 후, 270℃ 가열
·칼럼: InertCap 1MS(Length: 60m, Diam: 0.25㎜, Film: 0.25㎛)
·캐리어 가스: He
·이온화법: EI법
·GC 승온 조건: 40℃(5min 유지)→10℃/min 승온→280℃(11min 유지)
사용한 프라임 웨이퍼: 6inch, 파티클: 0.3㎛≤15개
<접촉각>
상기와 같이 해서 제작한 점착 테이프를 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 23℃의 조건 하 24시간 방치 후, 고압 수은등에 의해 자외선을 150mJ/㎠ 조사하고, 박리했다. 그 후, 실리콘 웨이퍼 표면의 증류수에 대한 접촉각 R1을 액적법으로 측정했다. 점착 테이프 첩부 전의 개봉 시의 실리콘 웨이퍼의 증류수에 대한 접촉각 R0에 대해서도 마찬가지로 측정하고, 차 |R0-R1|을 산출했다. 액적법의 측정 조건을 이하에 나타낸다.
(측정 조건)
·수적: 3mL
·30회/1 측정(1회/1초), 30회째의 값을 채용×n3
<중량 평균 분자량>
상기와 같이 해서 합성한 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머 10㎎을 테트라히드로푸란(THF, 안정화제 불포함, 와코 세이야꾸 고교 가부시키가이샤제) 10mL에 용해하고, 멤브레인 필터(PTFE제, 0.50㎛)로 여과한 것을 분석에 제공했다. 중량 평균 분자량의 측정 조건을 이하에 나타낸다.
(분석 장치)
겔 침투 크로마토그래프 분석 장치(DGU-20AC 등, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)
(측정 조건)
표준 물질: Shodex STANDARD(Type:SM-105, 쇼와 덴코 가부시키가이샤제)
시료 도입량: 20μL
이동상: THF
유량: 1mL/min
칼럼: Shim-pack GPC-80M(300㎜×8.0㎜I.D.)
칼럼 온도: 40℃
검출기: 시차 굴절률 검출기(RID)
또한, 중량 평균 분자량 20000 이하의 성분 A1의 함유량은, 측쇄 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머의 크로마토그램 면적을 100면적%로 하여, 스탠다드 폴리스티렌 환산의 분자량 검량선으로부터 중량 평균 분자량이 20000 이하가 되는 유지 시간에 있어서의 크로마토그램의 면적 비율을 산출함으로써 구하였다.
<유리 전이점>
폴리머 A의 유리 전이점의 측정은, JIS K7121에 기초하여, 시차 주사 열량 측정법(DSC법)에 의해 측정했다.
<180° 박리 강도>
점착 테이프의 점착력은 JIS Z0237(2009)의 점착력의 측정 방법(방법 1: 테이프 및 시트를 스테인리스 시험판에 대하여 180°로 떼어내는 시험 방법)에 준거해서 측정했다. 구체적으로는, 표면을 세정한 실리콘 웨이퍼에 점착 테이프를 압착 장치(롤러의 질량 2㎏)를 사용해서 압착시켜서, 실리콘 웨이퍼에 대하여 180°로 점착 테이프를 떼어냈을 때의 180° 박리 강도를, 온도 23℃ 습도 50%의 환경 하에서, 만능형 인장 시험기(ORIENTEC사제 텐실론 형식 번호: RTG-1210)로 측정했다.
(측정 조건)
측정 모드: 인장
인장 속도: 300㎜/min
척간 거리: 50㎜
측정 샘플폭: 20㎜
<다이싱 공정>
직경 8인치×두께 0.1㎜의 실리콘 웨이퍼의 이면에, 롤러를 구비한 테이프 마운터 장치를 사용하여, 상기와 같이 해서 제작한 점착 테이프를 접합했다. 이어서, 다이싱 블레이드로 실리콘 웨이퍼를 0.49㎜×0.3㎜의 반도체 칩으로 다이싱했다. 다이싱의 주된 설정 조건은, 이하와 같다.
(설정 조건)
다이싱 장치: DISCO사제 DAD341
다이싱 블레이드: DISCO사제 NBC-ZH205O-27HEEE
다이싱 블레이드 회전수: 40,000rpm
다이싱 블레이드 이송 속도: 50㎜/초
절삭수 온도: 25℃
절삭수량: 1.0리터/분
<픽업 공정>
다이싱 공정 후에, 자외선을 150mJ/㎠ 조사해서 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 점착 테이프로부터 반도체 칩을 픽업해서 박리했다. 픽업의 주된 설정 조건은, 이하와 같다.
(설정 조건)
픽업 장치: 캐논 머시너리사제 CAP-300II
니들 핀 형상: 250㎛R
니들 핀 밀어올림 높이: 0.5㎜
익스팬드양 :8㎜
들어올림 속도: 10,000㎛/초
<픽업 수율>
픽업시 핀 하이트에 대해서, 0.1㎜에서 1.5㎜까지 0.1㎜ 간격으로 픽업 시험을 행하였다. 보다 구체적으로는, 각 핀 하이트에서 100개의 칩의 픽업을 시도하고, 픽업할 수 있었던 칩의 비율(픽업 수율)을, 핀 하이트마다 확인했다. 그리고, 칩의 픽업 수율이 95% 이상으로 된 핀 하이트의 최솟값을 표에 기재했다.
Figure pct00001
※R0은 5.0이었다.
본 발명의 점착 테이프는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프, 특히 다이싱 공정에서 사용하는 점착 테이프로서, 산업상 이용가능성을 갖는다.

Claims (13)

  1. 기재층과, 해당 기재층 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 테이프이고,
    상기 점착제층이, 광 라디칼 개시제와, 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 폴리머 A를 포함하고,
    실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R0과, 상기 점착제층을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부하여 24시간 방치 후에, 상기 점착제층에 자외선을 조사하고, 상기 점착제층을 박리한 후의 상기 실리콘 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각 R1의 차 |R0-R1|가 20° 이하인,
    점착 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리머 A에 포함되는 중량 평균 분자량 20000 이하의 성분 A1의 함유량이, 겔 침투 크로마토그래피의 차트의 총 면적에 대하여, 15면적% 이하인, 점착 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 자외선 조사 전의 상기 점착제층의 실리콘 웨이퍼에 대한 180° 박리 강도가, 23℃에 있어서, 2.0 내지 20.0N/20㎜인, 점착 테이프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리머 A가, 수산기를 갖는, 점착 테이프.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머 A의 중량 평균 분자량이, 1.0×105 내지 2.0×106인, 점착 테이프.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머 A의 유리 전이점이, -80 내지 23℃인, 점착 테이프.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머 A가, (메트)아크릴산에스테르계 공중합체를 포함하고,
    해당 (메트)아크릴산에스테르계 공중합체가, 직쇄 형상, 분지 형상, 또는 가교 형상을 갖는, 점착 테이프.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층이, 경화제를 더 포함하는, 점착 테이프.
  9. 제8항에 있어서, 상기 경화제가, 이소시아네이트계 화합물을 포함하는, 점착 테이프.
  10. 제9항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 화합물이, 2관능 이상의 다관능 이소시아네이트계 화합물을 포함하는, 점착 테이프.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화제의 함유량은, 폴리머 A 100중량부에 대하여, 0.1 내지 5.0중량부인, 점착 테이프.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스, 또는 각종 반도체 패키지의 가공용인, 점착 테이프.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 점착 테이프와, 피착체를 접합하는 접합 공정과,
    상기 점착 테이프와 상기 피착체를 접합한 상태에서, 상기 피착체를 개편화하는 다이싱 공정을 갖고,
    상기 피착체가, 반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스, 또는 각종 반도체 패키지인,
    가공 방법.
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