KR20230094980A - Method of manufacturing device chip - Google Patents

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KR20230094980A
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유키 오가와
고지 와타나베
가즈키 하시모토
지카시 아오야기
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 제조된 디바이스 칩을 적층하여 열 압착했을 때에 칩 불량을 발생시키지 않는다.
(해결 수단) 표면 및 이면을 갖고, 복수의 교차하는 분할 예정 라인에 의해 그 표면이 구획되고, 그 표면의 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 피가공물을 분할하여 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법으로서, 그 피가공물을 그 분할 예정 라인을 따라 가공하여 가공 홈을 형성하는 가공 홈 형성 스텝과, 그 가공 홈 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 표면측에 수지층을 형성하는 수지층 형성 스텝과, 그 수지층 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 분할 예정 라인을 따라 그 수지층을 분할하는 수지층 분할 스텝을 포함한다. 바람직하게는, 그 수지층 분할 스텝 전에 그 피가공물의 그 이면측에 테이프를 첩부하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고, 그 수지층 분할 스텝에서는, 그 피가공물의 그 이면측에 첩부된 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층을 분할한다.(Problem) When manufactured device chips are stacked and thermally compressed, chip defects are not generated.
(Solution Means) Manufacture of a device chip in which a device chip is manufactured by dividing a workpiece having a front surface and a back surface, the surface of which is partitioned by a plurality of intersecting division lines, and devices are formed in each partitioned region of the surface. The method includes a processing groove forming step of forming a processing groove by processing the workpiece along the line along which the workpiece is to be divided, and a resin layer forming step of forming a resin layer on the surface side of the workpiece after the processing groove forming step. and a resin layer dividing step of dividing the resin layer along the division line of the workpiece after the resin layer forming step. Preferably, a tape attaching step of attaching a tape to the back surface side of the workpiece is further included before the resin layer division step, and in the resin layer division step, the tape attached to the backside side of the workpiece By expanding the resin layer is divided.

Description

디바이스 칩의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING DEVICE CHIP}Manufacturing method of device chip {METHOD OF MANUFACTURING DEVICE CHIP}

본 발명은, 웨이퍼 등의 피가공물을 분할하여 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a device chip manufacturing method in which a device chip is manufactured by dividing a workpiece such as a wafer.

디바이스 칩의 제조 프로세스에서는, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (스트리트) 에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼가 사용된다. 이 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써, 디바이스를 각각 구비하는 복수의 디바이스 칩이 얻어진다. 디바이스 칩은, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 여러 가지 전자 기기에 삽입된다.In the manufacturing process of a device chip, a wafer in which devices are respectively formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of lines (streets) to be divided that intersect with each other is used. By dividing this wafer along the division line, a plurality of device chips each having a device are obtained. Device chips are inserted into various electronic devices such as mobile phones and personal computers.

웨이퍼 등의 피가공물의 분할에는, 절삭 장치가 사용된다. 절삭 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛을 구비한다. 절삭 유닛에는 스핀들이 내장되어 있고, 스핀들의 선단부에 환상의 절삭 블레이드가 장착된다. 피가공물을 척 테이블로 유지하고, 절삭 블레이드를 회전시키면서 피가공물에 절입시킴으로써, 피가공물이 분할 예정 라인을 따라 절삭되어 복수의 디바이스 칩으로 분할된다.A cutting device is used to divide workpieces such as wafers. A cutting device includes a chuck table holding a workpiece and a cutting unit that cuts the workpiece. A spindle is built into the cutting unit, and an annular cutting blade is mounted on the front end of the spindle. By holding the workpiece on a chuck table and inserting it into the workpiece while rotating a cutting blade, the workpiece is cut along the division plan line and divided into a plurality of device chips.

최근, 전자 기기의 소형화의 경향이 현저하여, 디바이스 칩에 대한 소형화·박형화에 대한 요구가 높아지고 있다. 그래서, 분할되기 전의 피가공물이 연삭 장치에 의해 이면측으로부터 연삭되어 박화된다. 그러나, 박화된 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하면, 피가공물의 이면측에 치핑이라고 불리는 결손이 발생하는 경우가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In recent years, the trend toward miniaturization of electronic equipment has become remarkable, and the demand for miniaturization and thinning of device chips is increasing. Therefore, the workpiece before being divided is ground from the back side by the grinding device to be thinned. However, when a thinned workpiece is cut with a cutting blade, a defect called chipping may occur on the back side of the workpiece.

그래서, 레이저 가공에 의해 피가공물을 분할하는 프로세스의 개발이 진행되고 있다. 예를 들어, 피가공물에 대해 흡수성을 갖는 (피가공물에 흡수되는) 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라 주사함으로써 피가공물을 어블레이션 가공하고, 분할 예정 라인을 따라 가공 홈을 피가공물에 형성한다. 가공 홈이 피가공물의 표리면을 관통하고 있는 경우, 피가공물이 분할된다. 또, 가공 홈이 피가공물의 표리면을 관통하고 있지 않은 경우, 새로운 공정을 실시함으로써 가공 홈을 기점으로 하여 피가공물을 분할할 수 있다.Therefore, development of a process for dividing a workpiece by laser processing is progressing. For example, the workpiece is subjected to ablation processing by scanning a laser beam having a wavelength that is absorptive to the workpiece (absorbed by the workpiece) along the line to be divided, and processing grooves are formed in the workpiece along the line to be divided. do. When the processing groove penetrates the front and back surfaces of the workpiece, the workpiece is divided. In addition, when the processing groove does not penetrate the front and back surfaces of the workpiece, the workpiece can be divided using the processing groove as the starting point by performing a new step.

피가공물의 분할에 의해 얻어진 디바이스 칩은, 와이어 본딩 실장, 플립 칩 실장 등의 여러 가지 실장 방식에 의해 실장된다. 예를 들어, 디바이스 칩은, 디바이스를 봉지하는 필름상의 수지층 (접착 필름) 을 개재하여, 실장 기판이나 다른 디바이스 칩에 접합된다 (특허문헌 1 참조).Device chips obtained by dividing the workpiece are mounted by various mounting methods such as wire bonding mounting and flip chip mounting. For example, a device chip is bonded to a mounting substrate or another device chip via a film-like resin layer (adhesive film) that seals the device (see Patent Document 1).

일본 공개특허공보 2016-92188호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-92188

수지층이 형성된 디바이스 칩을 제조하기 위해서는, 미리 수지층이 형성된 피가공물을 레이저 가공에 의해 분할하는 것이 생각된다. 그러나, 수지층이 배치 형성된 피가공물을 레이저 빔으로 어블레이션 가공하면, 레이저 빔의 조사에 의해 발생한 열에 의해 피조사 지점의 주위에서 수지층이 부분적으로 변질되어 경화되어 버린다. 그리고, 수지층의 경화 영역은, 복수의 칩을 적층하여 열 압착할 때에 신장 확산되기 어렵고, 수지층의 경화 영역에 비집고 들어간 기포도 빠지기 어렵다.In order to manufacture a device chip with a resin layer formed thereon, it is conceivable to divide a to-be-processed object on which a resin layer has been formed beforehand by laser processing. However, when a workpiece on which a resin layer is disposed is subject to ablation processing with a laser beam, the resin layer is partially altered and hardened around the irradiated spot due to heat generated by irradiation of the laser beam. Further, the cured region of the resin layer is less likely to expand and diffuse when a plurality of chips are laminated and thermally compressed, and air bubbles that have entered the cured region of the resin layer are less likely to escape.

그 때문에, 수지층에 경화 영역이 형성되면, 열 압착이 적절히 진행되지 않고 각 칩이 소정의 품질로 일체화되지 않는 경우나, 일체화된 각 칩이 분리되기 쉬워지는 경우, 기포를 개재하여 불필요한 전기적 접속이 형성되는 경우가 있었다. 즉, 수지층의 부분적인 경화가 칩 불량의 원인이 되는 경우가 있었다.Therefore, when a hardening region is formed in the resin layer, when thermal compression does not proceed properly and the individual chips are not integrated to a predetermined quality, or when the integrated chips become easily separated, unnecessary electrical connection is made through air bubbles. There have been cases where this has been formed. That is, partial curing of the resin layer sometimes caused chip defects.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 제조된 디바이스 칩을 적층하여 열 압착했을 때에 칩 불량이 발생하지 않는 디바이스 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of these problems, and its object is to provide a device chip manufacturing method in which chip defects do not occur when manufactured device chips are laminated and thermally compressed.

본 발명의 일 양태에 의하면, 표면 및 이면을 갖고, 복수의 교차하는 분할 예정 라인에 의해 그 표면이 구획되고, 그 표면의 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 피가공물을 분할하여 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법으로서, 그 피가공물을 그 분할 예정 라인을 따라 가공하여 가공 홈을 형성하는 가공 홈 형성 스텝과, 그 가공 홈 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 표면측에 수지층을 형성하는 수지층 형성 스텝과, 그 수지층 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 분할 예정 라인을 따라 그 수지층을 분할하는 수지층 분할 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, a device chip is manufactured by dividing a workpiece having a front surface and a back surface, the surface of which is partitioned by a plurality of intersecting division lines, and devices are formed in each partitioned region of the surface. A device chip manufacturing method comprising the steps of forming a processing groove by processing the workpiece along a line along which the workpiece is to be divided, and forming a resin layer on the surface side of the workpiece after the processing groove formation step. A method for manufacturing a device chip characterized by comprising a resin layer forming step and, after the resin layer forming step, a resin layer dividing step of dividing the resin layer along the line along which the workpiece is to be divided is provided.

바람직하게는, 그 수지층 분할 스텝 전에 그 피가공물의 그 이면측에 테이프를 첩부 (貼付) 하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고, 그 수지층 분할 스텝에서는, 그 피가공물의 그 이면측에 첩부된 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층을 분할한다.Preferably, a tape attaching step of attaching a tape to the back surface side of the workpiece is further included before the resin layer division step, and in the resin layer division step, the workpiece is attached to the backside side The resin layer is divided by expanding the tape.

또는, 바람직하게는, 그 수지층 분할 스텝 전에 그 피가공물의 그 표면측에 테이프를 첩부하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고, 그 수지층 분할 스텝에서는, 그 피가공물의 그 표면측에 첩부된 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층을 분할한다.Alternatively, preferably, a tape attaching step of attaching a tape to the surface side of the workpiece before the resin layer division step is further included, and in the resin layer division step, the tape attached to the surface side of the workpiece By expanding the tape, the resin layer is divided.

그리고, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면측에 지지 부재를 고정시키는 지지 부재 고정 스텝과, 그 지지 부재 고정 스텝 후, 그 피가공물의 그 이면측을 연삭하는 이면 연삭 스텝과, 그 이면 연삭 스텝 후, 그 피가공물의 그 이면에 도전층 및 절연층의 일방 또는 양방을 포함하는 패턴을 형성하는 이면 패턴 형성 스텝을 실시한다.And preferably, before the machining groove forming step, a support member fixing step of fixing the support member to the front surface side of the workpiece, and a back surface side of the workpiece grinding the back surface side after the support member fixing step. After the grinding step and the backside grinding step, a backside pattern forming step is performed to form a pattern including one or both of the conductive layer and the insulating layer on the backside of the workpiece.

더욱 바람직하게는, 그 이면 연삭 스텝 후, 그 가공 홈 형성 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면측에 첩부된 그 지지 부재를 제거하는 지지 부재 제거 스텝을 추가로 포함하고, 그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 표면측으로부터 그 피가공물을 가공하여 그 가공 홈을 형성한다.More preferably, after the back side grinding step and before the processing groove forming step, a supporting member removing step of removing the supporting member attached to the surface side of the workpiece is further included, and in the processing groove forming step, , the processing groove is formed by processing the workpiece from the surface side.

또는, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 피가공물의 그 표면측에 그 지지 부재가 첩부된 상태로 그 피가공물을 그 이면측으로부터 가공하여 그 가공 홈을 형성하고, 그 가공 홈 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 표면측에 첩부된 그 지지 부재를 제거하는 지지 부재 제거 스텝을 실시한다.Alternatively, preferably, in the process groove forming step, the workpiece is machined from the back side in a state where the support member is attached to the surface side of the workpiece to form the processing groove, and the processing groove is formed After the step, a support member removal step is performed to remove the support member attached to the surface side of the workpiece.

그리고, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 피가공물에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 그 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써 그 피가공물을 가공하여 그 피가공물에 그 가공 홈을 형성한다.And, preferably, in the process groove forming step, the workpiece is processed by irradiating a laser beam of a wavelength having absorption to the workpiece along the division line, and the processing groove is formed in the workpiece. .

또한, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면 또는 그 이면 중 그 레이저 빔이 조사되는 일방에 보호막을 형성하는 보호막 형성 스텝과, 그 가공 홈 형성 스텝 후에, 그 피가공물의 그 표면 또는 그 이면의 그 일방에 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급하여, 그 가공 홈의 측면에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리를 제거하는 플라즈마 에칭 스텝을 추가로 구비한다.Further, preferably, before the process groove formation step, a protective film formation step of forming a protective film on one of the surface or the back surface of the workpiece to which the laser beam is irradiated, and after the process groove formation step, the workpiece and a plasma etching step of supplying an etching gas in a plasma state to one of the surface or the back surface of the groove to remove processing strain or debris remaining on the side surface of the processing groove.

또는, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝에서는, 원환상의 절삭 블레이드로 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물을 절삭함으로써 그 가공 홈을 형성한다.Alternatively, preferably, in the processing groove forming step, the processing groove is formed by cutting the workpiece along the division line with an annular cutting blade.

또는, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물을 노출시키는 마스크층을 그 피가공물에 형성하고, 그 피가공물에 플라즈마화한 에칭 가스를 공급하고 그 마스크층으로부터 노출된 영역에 있어서 그 피가공물을 에칭함으로써 그 가공 홈을 형성한다.Alternatively, preferably, in the process groove forming step, a mask layer exposing the workpiece along the division line is formed on the workpiece, and an etching gas converted into plasma is supplied to the workpiece, and the mask layer is The machining groove is formed by etching the workpiece in the region exposed from the surface.

또, 바람직하게는, 그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 피가공물을 그 표면으로부터 그 이면까지 관통하는 그 가공 홈이 형성된다.Further, preferably, in the processing groove forming step, the processing groove penetrating the workpiece from the front surface to the back surface is formed.

본 발명의 일 양태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 가공하여 가공 홈을 형성한 후, 피가공물의 표면측에 수지층을 형성하고, 그 후, 수지층을 분할 예정 라인을 따라 분할하여 디바이스 칩을 제조한다. 이 경우, 분할 예정 라인을 따른 가공 홈이 형성되는 가공이 실시될 때, 피가공물에 수지층이 형성되어 있지 않기 때문에, 수지층이 가공에 의한 영향을 받는 경우가 없다. 그 때문에, 얻어진 디바이스 칩을 적층하여 열 압착했을 때에 수지층의 경화 영역에서 기인하는 칩 불량이 발생하지 않는다.In the device chip manufacturing method according to one aspect of the present invention, after forming a processing groove by processing a workpiece along a line along which the workpiece is to be divided, a resin layer is formed on the surface side of the workpiece, and then the resin layer is divided Device chips are manufactured by dividing along the planned line. In this case, when a process for forming a process groove along the line to be divided is performed, the resin layer is not affected by the process because the resin layer is not formed on the workpiece. Therefore, when the obtained device chips are laminated and thermally compressed, chip defects caused by the hardened region of the resin layer do not occur.

따라서, 본 발명의 일 양태에 의하면, 제조된 디바이스 칩을 적층하여 열 압착했을 때에 칩 불량이 발생하지 않는 디바이스 칩의 제조 방법이 제공된다.Therefore, according to one aspect of the present invention, there is provided a device chip manufacturing method in which chip defects do not occur when manufactured device chips are laminated and thermally compressed.

도 1(A) 는, 피가공물을 나타내는 사시도이고, 도 1(B) 는, 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 2(A) 는, 지지 부재 고정 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 사시도이고, 도 2(B) 는, 지지 부재 고정 스텝 후의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 3(A) 는, 이면 연삭 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 사시도이고, 도 3(B) 는, 이면 연삭 스텝 후의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 패턴층이 형성된 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 지지 부재 제거 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 사시도이다.
도 6(A) 는, 보호막 형성 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이고, 도 6(B) 는, 보호막 형성 스텝 후의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 7(A) 는, 제 1 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이고, 도 7(B) 는, 제 1 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝 후의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 플라즈마 에칭 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이다.
도 9(A) 는, 수지층 형성 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 사시도이고, 도 9(B) 는, 수지층 형성 스텝 후의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 10(A) 는, 제 1 예에 관련된 수지층 분할 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이고, 도 10(B) 는, 제 1 예에 관련된 수지층 분할 스텝 후의 피가공물을 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 12(A) 는, 제 2 예에 관련된 수지층 분할 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이고, 도 12(B) 는, 제 2 예에 관련된 수지층 분할 스텝 후의 피가공물을 나타내는 단면도이다.
도 13(A) 는, 제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이고, 도 13(B) 는, 제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝 후의 피가공물의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 14 는, 제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물을 나타내는 단면도이다.Fig. 1(A) is a perspective view showing a workpiece, and Fig. 1(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece.
Fig. 2(A) is a perspective view showing the workpiece in the support member fixing step, and Fig. 2(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece after the support member fixing step.
Fig. 3(A) is a perspective view showing a workpiece in the backside grinding step, and Fig. 3(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece after the backside grinding step.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing a part of a workpiece on which a pattern layer is formed.
5 is a perspective view showing a workpiece in a support member removal step.
Fig. 6(A) is a cross-sectional view showing a workpiece in the protective film formation step, and Fig. 6(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece after the protective film formation step.
Fig. 7(A) is a cross-sectional view showing a workpiece in the process groove formation step according to the first example, and Fig. 7(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece after the process groove formation step according to the first example. am.
8 is a cross-sectional view showing a workpiece in a plasma etching step.
Fig. 9(A) is a perspective view showing the workpiece in the resin layer formation step, and Fig. 9(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece after the resin layer formation step.
Fig. 10(A) is a cross-sectional view showing the workpiece in the resin layer dividing step according to the first example, and Fig. 10(B) is a cross-sectional view showing the workpiece after the resin layer dividing step according to the first example.
Fig. 11 is a cross-sectional view showing a part of the workpiece in the process groove forming step according to the second example.
Fig. 12(A) is a cross-sectional view showing the workpiece in the resin layer dividing step according to the second example, and Fig. 12(B) is a cross-sectional view showing the workpiece after the resin layer dividing step according to the second example.
Fig. 13(A) is a cross-sectional view showing a workpiece in a process groove forming step according to a third example, and Fig. 13(B) is a cross-sectional view showing a part of a workpiece after a machining groove formation step according to the third example. am.
Fig. 14 is a cross-sectional view showing a workpiece in a process groove forming step according to a fourth example.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태를 설명한다. 먼저, 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에 사용하는 것이 가능한 피가공물의 구성예에 대해 설명한다. 도 1(A) 는, 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment related to one aspect of this invention is described with reference to an accompanying drawing. First, an example of a configuration of a workpiece that can be used in the device chip manufacturing method according to the present embodiment will be described. 1(A) is a perspective view showing the workpiece 11.

예를 들어 피가공물 (11) 은, 실리콘 등의 반도체로 이루어지는 웨이퍼이고, 서로 대체로 평행한 표면 (제 1 면) (11a) 및 이면 (제 2 면) (11b) 을 구비한다. 단, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예를 들어 피가공물 (11) 은, 실리콘 이외의 반도체 (GaAs, SiC, InP, GaN 등), 사파이어, 유리, 세라믹스, 수지, 금속 등으로 이루어지는 기판이어도 된다.For example, the workpiece 11 is a wafer made of a semiconductor such as silicon, and has a surface (first surface) 11a and a back surface (second surface) 11b that are substantially parallel to each other. However, the material, shape, structure, size, etc. of the workpiece 11 are not limited. For example, the workpiece 11 may be a substrate made of a semiconductor other than silicon (GaAs, SiC, InP, GaN, etc.), sapphire, glass, ceramics, resin, metal, or the like.

피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에는, 적층된 복수의 박막을 포함하는 적층체 (13) 가 형성되어 있다. 적층체 (13) 는, 전극, 배선, 단자 등으로서 기능하는 도전막, 층간 절연막으로서 기능하는 절연막 (예를 들어, 저유전율 절연막 (Low-k 막)) 등의 각종 박막을 포함하고, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측의 전체에 걸쳐서 형성되어 있다.On the surface 11a side of the workpiece 11, a laminate 13 including a plurality of laminated thin films is formed. The laminate 13 includes various thin films such as a conductive film functioning as an electrode, wiring, terminal, etc., and an insulating film functioning as an interlayer insulating film (for example, a low dielectric constant insulating film (Low-k film)). It is formed over the whole surface 11a side of (11).

피가공물 (11) 은, 서로 교차하도록 격자상으로 배열된 복수의 분할 예정 라인 (스트리트) (15) 에 의해, 복수의 직사각형상의 영역으로 구획되어 있다. 그리고, 분할 예정 라인 (15) 에 의해 구획된 복수의 영역에는 각각, IC (Integrated Circuit), LSI (Large Scale Integration), LED (Light Emitting Diode), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 디바이스 등의 디바이스 (17) 가 형성되어 있다. 단, 디바이스 (17) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에 제한은 없다.The workpiece 11 is divided into a plurality of rectangular regions by a plurality of lines to be divided (streets) 15 arranged in a lattice pattern so as to intersect each other. And, in a plurality of areas partitioned by the line to be divided 15, devices such as IC (Integrated Circuit), LSI (Large Scale Integration), LED (Light Emitting Diode), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) devices ( 17) is formed. However, there is no restriction on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices 17.

디바이스 (17) 에는, 디바이스 (17) 의 표면으로부터 돌출되는 복수의 접속 전극 (범프) (19) 이 형성되어 있다. 예를 들어 접속 전극 (19) 은, 땜납 등의 금속 재료로 이루어지는 구상의 전극으로, 디바이스 (17) 에 포함되는 다른 전극 등과 접속되어 있다.The device 17 is formed with a plurality of connecting electrodes (bumps) 19 protruding from the surface of the device 17 . For example, the connection electrode 19 is a spherical electrode made of a metal material such as solder, and is connected to other electrodes included in the device 17 and the like.

도 1(B) 는, 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 적층체 (13) 중 분할 예정 라인 (15) 에 의해 둘러싸인 복수의 영역이, 각각 디바이스 (17) 를 구성하고 있다. 예를 들어, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측과 적층체 (13) 에 포함되는 박막에 의해 반도체 소자가 구성된다. 또, 적층체 (13) 에 포함되는 박막의 일부는, 분할 예정 라인 (15) 상에도 형성되어 있다. 또한, 적층체 (13) 중 분할 예정 라인 (15) 상에 형성된 부분은, 디바이스 (17) 의 검사에 사용되는 TEG 등을 구성하고 있어도 된다.1(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11. Among the multilayer body 13, a plurality of regions surrounded by the line to be divided 15 constitute the device 17, respectively. For example, a semiconductor element is constituted by the surface 11a side of the workpiece 11 and the thin film included in the laminate 13 . In addition, part of the thin film included in the laminate 13 is also formed on the line 15 to be divided. In addition, the portion formed on the line to be divided 15 of the stacked body 13 may constitute a TEG or the like used for inspection of the device 17 .

피가공물 (11) 의 분할 예정 라인 (15) 에 의해 구획된 복수의 영역의 내부에는 각각, 복수의 전극 (매립 전극, 관통 전극) (21) 이 매립되어 있다. 전극 (21) 은, 피가공물 (11) 의 두께 방향을 따라 기둥상으로 형성되고, 디바이스 (17) 에 접속되어 있다. 또한, 전극 (21) 의 재질에 제한은 없으며, 예를 들어, 구리, 텅스텐, 알루미늄 등의 금속이 사용된다.A plurality of electrodes (buried electrodes, penetration electrodes) 21 are respectively embedded in the inside of a plurality of regions of the workpiece 11 divided by the line 15 to be divided. The electrode 21 is formed in a columnar shape along the thickness direction of the workpiece 11 and is connected to the device 17 . In addition, there is no restriction on the material of the electrode 21, and metals, such as copper, tungsten, and aluminum, are used, for example.

전극 (21) 은 각각 디바이스 (17) 로부터 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 향하여 형성되어 있고, 전극 (21) 의 길이 (높이) 는 피가공물 (11) 의 두께 미만이다. 그 때문에, 전극 (21) 은 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에서 노출되어 있지 않고, 피가공물 (11) 의 내부에 매몰된 상태로 되어 있다. 또, 피가공물 (11) 과 전극 (21) 사이에는, 피가공물 (11) 과 전극 (21) 을 절연하는 절연층 (도시 생략) 이 형성되어 있다.The electrodes 21 are formed toward the back surface 11b side of the workpiece 11 from the device 17, respectively, and the length (height) of the electrodes 21 is less than the thickness of the workpiece 11. Therefore, the electrode 21 is not exposed from the back surface 11b side of the workpiece 11, but is buried inside the workpiece 11. Moreover, between the to-be-processed object 11 and the electrode 21, the insulating layer (not shown) which insulates the to-be-processed object 11 and the electrode 21 is formed.

다음으로, 피가공물 (11) 을 분할하여 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법의 구체예에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 적층체 (13) 등을 분단하는 가공 홈을 분할 예정 라인 (15) 을 따라 형성하고, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층을 형성한 후, 수지층을 분할 예정 라인 (15) 을 따라 분할함으로써, 디바이스 칩을 제조한다.Next, a specific example of a device chip manufacturing method for manufacturing a device chip by dividing the workpiece 11 will be described. In the device chip manufacturing method according to the present embodiment, processing grooves for dividing the laminated body 13 or the like are formed along the division line 15, and a resin layer is formed on the surface 11a side of the workpiece 11. After forming, the resin layer is divided along the line 15 to be divided, thereby manufacturing a device chip.

먼저, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 지지 부재 (지지 기판) 를 고정시킨다 (지지 부재 고정 스텝). 도 2(A) 는, 지지 부재 고정 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이다.First, a support member (support substrate) is fixed to the surface 11a side of the workpiece 11 (support member fixing step). Fig. 2(A) is a perspective view showing the workpiece 11 in the support member fixing step.

지지 부재 (23) 는, 후술하는 이면 연삭 스텝 (도 3(A) 참조) 에 있어서 피가공물 (11) 을 지지하는 부재이다. 예를 들어 지지 부재 (23) 로서, 유리, 실리콘, 수지, 세라믹스 등으로 이루어지는 원반상의 기판이 사용된다. 지지 부재 (23) 는, 접착층 (25) 을 개재하여 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측) 에 접합된다. 접착층 (25) 으로는, 에폭시계, 아크릴계, 또는 고무계의 접착제, 자외선 경화형의 수지 등을 사용할 수 있다.The support member 23 is a member that supports the workpiece 11 in a back surface grinding step described later (see Fig. 3(A)). For example, as the supporting member 23, a disk-shaped substrate made of glass, silicon, resin, ceramics or the like is used. The support member 23 is bonded to the surface 11a side (laminated body 13 side) of the workpiece 11 via the adhesive layer 25 . As the adhesive layer 25, epoxy-based, acrylic-based, or rubber-based adhesives, ultraviolet curable resins, and the like can be used.

도 2(B) 는, 지지 부재 고정 스텝 후의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 지지 부재 (23) 가 피가공물 (11) 에 고정되면, 피가공물 (11) 이 지지 부재 (23) 에 의해 지지된다. 또한, 지지 부재 (23) 로서, 유연한 시트상의 부재를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 후술하는 테이프 (31) (도 5 참조) 와 재질 및 구조가 동일한 지지 테이프를, 지지 부재 (23) 로서 피가공물 (11) 에 첩착 (貼着) 하여 고정시켜도 된다.2(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 after the support member fixing step. When the support member 23 is fixed to the workpiece 11, the workpiece 11 is supported by the support member 23. Further, as the support member 23, a flexible sheet-like member can also be used. For example, a support tape having the same material and structure as the tape 31 (see FIG. 5 ) described later may be attached to the workpiece 11 as the support member 23 to be fixed.

다음으로, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 연삭한다 (이면 연삭 스텝). 도 3(A) 는, 이면 연삭 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이다. 이면 연삭 스텝에서는, 연삭 장치 (2) 에 의해 피가공물 (11) 이 연삭된다.Next, the back surface 11b side of the workpiece 11 is ground (back surface grinding step). Fig. 3(A) is a perspective view showing the workpiece 11 in the backside grinding step. In the backside grinding step, the workpiece 11 is ground by the grinding device 2 .

연삭 장치 (2) 는, 피가공물 (11) 을 유지하는 척 테이블 (유지 테이블) (4) 을 구비한다. 척 테이블 (4) 의 상면은, 수평 방향과 대체로 평행한 원형의 평탄면으로, 피가공물 (11) 을 유지하는 유지면 (4a) 을 구성하고 있다. 유지면 (4a) 은, 척 테이블 (4) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략), 밸브 (도시 생략) 등을 개재하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.The grinding device 2 includes a chuck table (holding table) 4 that holds the workpiece 11 . The upper surface of the chuck table 4 is a circular flat surface substantially parallel to the horizontal direction, and constitutes a holding surface 4a for holding the workpiece 11 . The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path (not shown) formed inside the chuck table 4, a valve (not shown), or the like.

척 테이블 (4) 에는, 척 테이블 (4) 을 수평 방향을 따라 이동시키는 이동 기구 (도시 생략) 가 연결되어 있다. 또, 척 테이블 (4) 에는, 척 테이블 (4) 을 연직 방향 (높이 방향, 상하 방향) 과 대체로 평행한 회전축의 둘레에서 회전시키는 모터 등의 회전 구동원이 연결되어 있다.The chuck table 4 is coupled with a moving mechanism (not shown) that moves the chuck table 4 along the horizontal direction. In addition, a rotational drive source such as a motor for rotating the chuck table 4 around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction (height direction, vertical direction) is connected to the chuck table 4 .

척 테이블 (4) 의 상방에는, 연삭 유닛 (6) 이 형성되어 있다. 연삭 유닛 (6) 은, 연직 방향을 따라 배치된 원기둥상의 스핀들 (8) 을 구비한다. 스핀들 (8) 의 선단부 (하단부) 에는, 금속 등으로 이루어지는 원반상의 마운트 (10) 가 고정되어 있다. 또, 스핀들 (8) 의 기단부 (상단부) 에는, 스핀들 (8) 을 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있다.Above the chuck table 4, a grinding unit 6 is formed. The grinding unit 6 has a cylindrical spindle 8 disposed along the vertical direction. A disc-shaped mount 10 made of metal or the like is fixed to the distal end (lower end) of the spindle 8 . Further, a rotation drive source (not shown) such as a motor for rotating the spindle 8 is connected to the proximal end (upper end) of the spindle 8 .

마운트 (10) 에는, 환상의 연삭 휠 (12) 이 장착된다. 연삭 휠 (12) 은, 피가공물 (11) 을 연삭하는 가공 공구로, 볼트 등의 고정구에 의해 마운트 (10) 의 하면측에 고정된다. 연삭 휠 (12) 은, 회전 구동원으로부터 스핀들 (8) 및 마운트 (10) 를 통하여 전달되는 동력에 의해, 연직 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레를 회전한다.Mount 10 is equipped with an annular grinding wheel 12 . The grinding wheel 12 is a processing tool for grinding the workpiece 11, and is fixed to the lower surface side of the mount 10 with a fixture such as a bolt. The grinding wheel 12 rotates around a rotational axis generally parallel to the vertical direction by power transmitted from a rotational drive source through the spindle 8 and the mount 10.

연삭 휠 (12) 은, 환상의 기대 (基臺) (14) 를 구비한다. 기대 (14) 는, 알루미늄, 스테인리스 등의 금속으로 이루어지고, 마운트 (10) 와 대체로 동일한 직경으로 형성된다. 또, 기대 (14) 의 하면측에는, 복수의 연삭 지석 (16) 이 고정되어 있다. 예를 들어, 복수의 연삭 지석 (16) 은 직방체상으로 형성되고, 기대 (14) 의 둘레 방향을 따라 대체로 등간격으로 환상으로 배열된다.The grinding wheel 12 has an annular base 14. The base 14 is made of a metal such as aluminum or stainless steel, and is formed to have substantially the same diameter as the mount 10 . Further, on the lower surface side of the base 14, a plurality of grinding stones 16 are fixed. For example, the plurality of grinding stones 16 are formed in a rectangular parallelepiped shape and are annularly arranged at substantially equal intervals along the circumferential direction of the base 14 .

연삭 지석 (16) 은, 다이아몬드, cBN (cubic Boron Nitride) 등으로 이루어지는 지립과, 지립을 고정시키는 결합재 (본드재) 를 포함한다. 결합재로서, 메탈 본드, 레진 본드, 비트리파이드 본드 등이 사용된다. 단, 연삭 지석 (16) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 또, 연삭 지석 (16) 의 수도 임의로 설정할 수 있다.The grinding wheel 16 includes an abrasive grain made of diamond, cBN (cubic boron nitride), or the like, and a binding material (bond material) for fixing the abrasive grain. As the bonding material, metal bond, resin bond, vitrified bond or the like is used. However, the material, shape, structure, size, etc. of the grinding wheel 16 are not limited. Moreover, the number of grinding stones 16 can also be arbitrarily set.

이면 연삭 스텝에서는, 먼저, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (4) 에 의해 유지된다. 구체적으로는, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측, 지지 부재 (23) 측) 이 유지면 (4a) 에 대면하여 이면 (11b) 측이 상방으로 노출되도록, 척 테이블 (4) 상에 배치된다. 이 상태에서 유지면 (4a) 에 흡인원의 흡인력 (부압) 을 작용시키면, 피가공물 (11) 이 지지 부재 (23) 를 개재하여 척 테이블 (4) 에 의해 흡인 유지된다.In the back surface grinding step, first, the workpiece 11 is held by the chuck table 4 . Specifically, in the workpiece 11, the front surface 11a side (laminated body 13 side, support member 23 side) faces the holding surface 4a and the back surface 11b side is exposed upward. , placed on the chuck table 4. When the suction force (negative pressure) of the suction source is applied to the holding surface 4a in this state, the workpiece 11 is suction-held by the chuck table 4 via the support member 23 .

다음으로, 척 테이블 (4) 을 이동시키고, 피가공물 (11) 을 연삭 유닛 (6) 의 하방에 배치한다. 이 때, 척 테이블 (4) 의 회전축 (피가공물 (11) 의 중심) 과 연삭 지석 (16) 의 궤도 (회전 경로) 가 중첩되도록, 척 테이블 (4) 과 연삭 유닛 (6) 의 위치 관계가 조절된다.Next, the chuck table 4 is moved and the workpiece 11 is disposed below the grinding unit 6 . At this time, the positional relationship between the chuck table 4 and the grinding unit 6 is such that the axis of rotation of the chuck table 4 (the center of the workpiece 11) and the trajectory (rotational path) of the grinding stone 16 overlap. It is regulated.

그리고, 척 테이블 (4) 과 연삭 휠 (12) 을 각각 회전시키면서, 연삭 휠 (12) 을 하강시켜, 회전하는 복수의 연삭 지석 (16) 을 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 접촉시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측이 연삭되고, 피가공물 (11) 이 박화된다.Then, the grinding wheel 12 is lowered while the chuck table 4 and the grinding wheel 12 are rotated, respectively, so that the rotating plurality of grinding stones 16 are brought into contact with the back surface 11b side of the workpiece 11. let it Thereby, the back surface 11b side of the workpiece 11 is ground, and the workpiece 11 is thinned.

도 3(B) 는, 이면 연삭 스텝 후의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 피가공물 (11) 의 연삭은, 피가공물 (11) 에 매립된 전극 (21) 이 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에서 노출될 때까지 계속된다. 이로써, 피가공물 (11) 을 두께 방향으로 관통하는 관통 전극이 형성된다.3(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 after the back surface grinding step. Grinding of the workpiece 11 continues until the electrode 21 embedded in the workpiece 11 is exposed from the back surface 11b of the workpiece 11 . Thus, through-electrodes penetrating the workpiece 11 in the thickness direction are formed.

또한, 피가공물 (11) 의 연삭 후에 다른 처리를 실시함으로써, 전극 (21) 을 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에서 노출시켜도 된다. 예를 들어, 이면 연삭 스텝에 있어서 전극 (21) 이 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에서 노출되기 직전까지 피가공물 (11) 을 연삭한 후, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 드라이 에칭, 웨트 에칭, 연마 가공 등의 처리를 실시함으로써, 전극 (21) 을 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에서 노출시켜도 된다. 이 경우, 연삭 지석 (16) 이 전극 (21) 에 접촉하여 전극 (21) 에 포함되는 금속이 비산되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the electrode 21 may be exposed from the back surface 11b of the workpiece 11 by performing another treatment after grinding the workpiece 11 . For example, in the backside grinding step, after grinding the workpiece 11 until just before the electrode 21 is exposed on the backside 11b of the workpiece 11, the backside 11b side of the workpiece 11 The electrode 21 may be exposed from the back surface 11b of the workpiece 11 by subjecting the electrode 21 to processing such as dry etching, wet etching, or polishing. In this case, it is possible to prevent the grinding wheel 16 from contacting the electrode 21 and scattering of the metal contained in the electrode 21 .

다음으로, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 도전층 및 절연층의 일방 또는 양방을 포함하는 패턴층을 형성한다 (이면 패턴 형성 스텝). 도 4 는, 패턴층 (27) 이 형성된 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다.Next, a pattern layer containing one or both of a conductive layer and an insulating layer is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11 (back surface pattern formation step). 4 is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 on which the pattern layer 27 is formed.

패턴층 (27) 은, 적층체 (13) 와 동일하게 소정의 기능을 갖는 기능층으로, 절연층 및 도전층의 일방 또는 양방을 포함하는 패턴이며, 이들 적층체여도 된다. 예를 들어 패턴층 (27) 은, 전극 (21) 에 접속되는 접속 전극, 접속 전극끼리를 절연하는 절연층, 접속 전극에 접속되는 배선, 단자, 소자 등을 포함한다.The pattern layer 27 is a functional layer having a predetermined function similarly to the laminate 13, and is a pattern including one or both of an insulating layer and a conductive layer, and may be a laminate of these. For example, the pattern layer 27 includes a connection electrode connected to the electrode 21, an insulating layer insulating the connection electrodes from each other, and wires, terminals, elements, and the like connected to the connection electrode.

패턴층 (27) 은, 피가공물 (11) 의 분할에 의해 얻어지는 디바이스 칩의 구조 및 기능, 디바이스 칩의 실장처의 구조 및 기능 등에 따라 적절히 설계된다. 또, 패턴층 (27) 의 형성이 불필요한 경우에는, 이면 패턴 형성 스텝을 생략할 수 있다.The pattern layer 27 is appropriately designed according to the structure and function of the device chip obtained by dividing the workpiece 11, the structure and function of the mounting location of the device chip, and the like. In addition, when formation of the pattern layer 27 is unnecessary, the back surface pattern formation step can be omitted.

다음으로, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 고정된 지지 부재 (23) 를 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측으로부터 제거한다 (지지 부재 제거 스텝). 도 5 는, 지지 부재 제거 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이다.Next, the support member 23 fixed to the surface 11a side of the workpiece 11 is removed from the surface 11a side of the workpiece 11 (support member removal step). 5 is a perspective view showing the workpiece 11 in the supporting member removal step.

지지 부재 제거 스텝에서는, 먼저, 피가공물 (11) 이 환상의 프레임 (29) 에 의해 지지된다. 프레임 (29) 은, SUS (스테인리스강) 등의 금속으로 이루어지는 환상의 부재로, 프레임 (29) 의 중앙부에는 프레임 (29) 을 두께 방향으로 관통하는 원형의 개구 (29a) 가 형성되어 있다. 또한, 개구 (29a) 의 직경은 피가공물 (11) 의 직경보다 크다.In the support member removal step, first, the workpiece 11 is supported by the annular frame 29 . The frame 29 is an annular member made of metal such as SUS (stainless steel), and a circular opening 29a is formed in the center of the frame 29 to penetrate the frame 29 in the thickness direction. Also, the diameter of the opening 29a is larger than the diameter of the workpiece 11.

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에는, 피가공물 (11) 보다 직경이 큰 원형의 테이프 (31) 가 첩착된다 (테이프 첩부 스텝). 예를 들어 테이프 (31) 는, 원형으로 형성된 필름상의 기재와, 기재 상에 형성된 점착층 (풀층) 을 포함한다. 기재는, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 수지로 이루어진다. 또, 점착층은, 에폭시계, 아크릴계, 또는 고무계의 접착제 등으로 이루어진다. 또한, 점착층은, 자외선의 조사에 의해 경화되는 자외선 경화형의 수지여도 된다.A circular tape 31 having a larger diameter than the workpiece 11 is attached to the back surface 11b side of the workpiece 11 (tape sticking step). For example, the tape 31 includes a film-like base material formed in a circular shape and an adhesive layer (glue layer) formed on the base material. The base material is made of a resin such as polyolefin, polyvinyl chloride, or polyethylene terephthalate. Further, the adhesive layer is made of an epoxy-based, acrylic-based, or rubber-based adhesive or the like. In addition, the adhesive layer may be an ultraviolet curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays.

피가공물 (11) 이 프레임 (29) 의 개구 (29a) 의 내측에 배치된 상태로, 테이프 (31) 의 중앙부가 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 첩착됨과 함께, 테이프 (31) 의 외주부가 프레임 (29) 에 첩착된다. 이로써, 피가공물 (11) 이 테이프 (31) 를 개재하여 프레임 (29) 에 의해 지지된다.With the workpiece 11 disposed inside the opening 29a of the frame 29, the center portion of the tape 31 is adhered to the back surface 11b side of the workpiece 11, and the tape 31 The outer periphery of is attached to the frame 29. In this way, the workpiece 11 is supported by the frame 29 via the tape 31 .

다음으로, 피가공물 (11) 을 유지한 상태로 지지 부재 (23) 를 피가공물 (11) 로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써, 지지 부재 (23) 를 피가공물 (11) 로부터 박리한다. 이로써, 피가공물 (11) 로부터 지지 부재 (23) 가 제거된다.Next, the support member 23 is separated from the workpiece 11 by moving the support member 23 in a direction away from the workpiece 11 while holding the workpiece 11 . In this way, the support member 23 is removed from the workpiece 11 .

또한, 지지 부재 (23) 를 박리할 때에는, 미리 접착층 (25) 에 소정의 처리를 실시하여, 접착층 (25) 의 점착력을 저하시켜도 된다. 이로써, 지지 부재 (23) 를 피가공물 (11) 로부터 분리하기 쉬워진다. 예를 들어, 접착층 (25) 이 자외선 경화형의 수지인 경우에는, 접착층 (25) 에 자외선을 조사한 후에 지지 부재 (23) 를 제거한다. 또, 지지 부재 (23) 의 제거 후에 피가공물 (11) 에 접착층 (25) 이 잔존하는 경우에는, 피가공물 (11) 에 세정 처리를 실시해도 된다.In addition, when peeling the support member 23, you may reduce the adhesive force of the adhesive layer 25 by giving a predetermined|prescribed process to the adhesive layer 25 in advance. Thereby, it becomes easy to separate the support member 23 from the to-be-processed object 11. For example, when the adhesive layer 25 is an ultraviolet curable resin, the support member 23 is removed after irradiating the adhesive layer 25 with ultraviolet rays. In addition, when the adhesive layer 25 remains on the workpiece 11 after the support member 23 is removed, the workpiece 11 may be subjected to a cleaning treatment.

다음으로, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측) 에 보호막을 형성한다 (보호막 형성 스텝). 도 6(A) 는, 보호막 형성 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. 예를 들어 보호막 형성 스텝에서는, 스핀 코터 (20) 에 의해 피가공물 (11) 에 보호막이 형성된다.Next, a protective film is formed on the surface 11a side (laminate 13 side) of the workpiece 11 (protective film formation step). 6(A) is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in the protective film formation step. For example, in the protective film formation step, a protective film is formed on the workpiece 11 by the spin coater 20 .

스핀 코터 (20) 는, 피가공물 (11) 을 유지하는 스피너 테이블 (척 테이블) (22) 을 구비한다. 스피너 테이블 (22) 의 상면은, 피가공물 (11) 을 유지하는 평탄한 유지면 (22a) 을 구성하고 있다. 유지면 (22a) 은, 스피너 테이블 (22) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략), 밸브 등을 개재하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.The spin coater 20 includes a spinner table (chuck table) 22 holding the workpiece 11 . The upper surface of the spinner table 22 constitutes a flat holding surface 22a holding the workpiece 11 . The holding surface 22a is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path (not shown) formed inside the spinner table 22, a valve, or the like.

스피너 테이블 (22) 에는, 스피너 테이블 (22) 을 연직 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레에서 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있다. 또, 스피너 테이블 (22) 의 주위에는, 프레임 (29) 을 파지하여 고정시키는 복수의 클램프 (24) 가 형성되어 있다.The spinner table 22 is coupled with a rotational drive source (not shown) such as a motor that rotates the spinner table 22 around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. Further, around the spinner table 22, a plurality of clamps 24 for gripping and fixing the frame 29 are formed.

스피너 테이블 (22) 의 상방에는, 보호막의 원료인 보호막재 (28) 를 공급하는 보호막재 공급 유닛 (26) 이 형성되어 있다. 예를 들어 보호막재 공급 유닛 (26) 은, 스피너 테이블 (22) 에 의해 유지된 피가공물 (11) 을 향하여 보호막재 (28) 를 적하하는 노즐을 구비한다.Above the spinner table 22, a protective film material supply unit 26 for supplying a protective film material 28 as a raw material of the protective film is provided. For example, the protective film material supply unit 26 includes a nozzle that drops the protective film material 28 toward the workpiece 11 held by the spinner table 22 .

보호막 형성 스텝에서는, 먼저, 피가공물 (11) 이 스피너 테이블 (22) 에 의해 유지된다. 구체적으로는, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측) 이 상방을 향하고 이면 (11b) 측 (테이프 (31) 측) 이 유지면 (22a) 에 대면하도록, 스피너 테이블 (22) 상에 배치된다. 또, 복수의 클램프 (24) 에 의해 프레임 (29) 이 고정된다. 이 상태에서 유지면 (22a) 에 흡인원의 흡인력 (부압) 을 작용시키면, 피가공물 (11) 이 테이프 (31) 를 개재하여 스피너 테이블 (22) 에 의해 흡인 유지된다.In the protective film forming step, first, the workpiece 11 is held by the spinner table 22 . Specifically, in the workpiece 11, the front surface 11a side (laminate 13 side) faces upward and the back surface 11b side (tape 31 side) faces the holding surface 22a, It is placed on the spinner table 22. In addition, the frame 29 is fixed by the plurality of clamps 24 . In this state, when the suction force (negative pressure) of the suction source is applied to the holding surface 22a, the workpiece 11 is suction-held by the spinner table 22 via the tape 31.

다음으로, 스피너 테이블 (22) 을 회전시키면서, 보호막재 공급 유닛 (26) 의 노즐로부터 피가공물 (11) 을 향하여 보호막재 (28) 를 공급한다. 이로써, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측이 보호막재 (28) 에 의해 덮인다. 그 후, 피가공물 (11) 에 도포된 보호막재 (28) 를 건조, 경화시킴으로써, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 보호막이 형성된다.Next, the protective film material 28 is supplied from the nozzle of the protective film material supply unit 26 toward the workpiece 11 while rotating the spinner table 22 . Thereby, the surface 11a side of the to-be-processed object 11 is covered with the protective film material 28. Then, by drying and curing the protective film material 28 applied to the workpiece 11, a protective film is formed on the surface 11a side of the workpiece 11.

도 6(B) 는, 보호막 형성 스텝 후의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에는, 보호막 (33) 이 적층체 (13) 및 접속 전극 (19) 를 덮도록 형성된다.6(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 after the protective film forming step. On the surface 11a side of the workpiece 11, a protective film 33 is formed so as to cover the laminate 13 and the connection electrode 19.

또한, 보호막 (33) 의 재질에 제한은 없다. 예를 들어, 보호막재 (28) (도 6(A) 참조) 로서, PVA (폴리비닐알코올), PEG (폴리에틸렌글리콜), PEO (산화 폴리에틸렌), PVP (폴리비닐피롤리돈) 등의 수용성의 수지가 사용된다. 이 경우에는, 수용성의 수지로 이루어지는 보호막 (33) 이 형성된다. 또, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지제의 테이프를 보호막 (33) 으로서 첩착해도 된다.In addition, the material of the protective film 33 is not limited. For example, as the protective film material 28 (see FIG. 6(A)), water-soluble materials such as PVA (polyvinyl alcohol), PEG (polyethylene glycol), PEO (polyethylene oxide), and PVP (polyvinylpyrrolidone) resin is used. In this case, the protective film 33 made of water-soluble resin is formed. Moreover, you may stick a resin tape as the protective film 33 to the surface 11a side of the to-be-processed object 11.

다음으로, 피가공물 (11) (적층체 (13)) 에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인 (15) 을 따라 조사함으로써 피가공물 (11) 을 가공하여 피가공물 (11) 에 가공 홈을 형성한다 (가공 홈 형성 스텝). 도 7(A) 는, 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. 가공 홈 형성 스텝에서는, 표면 (11a) 측으로부터 레이저 빔 (40) 이 피가공물 (11) 에 조사된다.Next, the workpiece 11 is processed by irradiating a laser beam of a wavelength having absorption to the workpiece 11 (laminate 13) along the line 15 to be divided, and the workpiece 11 is processed. Grooves are formed (machining groove formation step). 7(A) is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in the process groove forming step. In the processing groove forming step, the laser beam 40 is irradiated to the workpiece 11 from the surface 11a side.

가공 홈 형성 스텝에서는, 레이저 가공 장치 (30) 에 의해 피가공물 (11) 에 레이저 가공이 실시된다. 또한, X 축 방향 (가공 이송 방향, 제 1 수평 방향) 과 Y 축 방향 (산출 이송 방향, 제 2 수평 방향) 은, 서로 수직인 방향이다. 또, Z 축 방향 (연직 방향, 상하 방향, 높이 방향) 은, X 축 방향 및 Y 축 방향과 수직인 방향이다.In the processing groove forming step, laser processing is applied to the workpiece 11 by the laser processing device 30 . In addition, the X-axis direction (processing feed direction, first horizontal direction) and the Y-axis direction (calculation feed direction, second horizontal direction) are directions perpendicular to each other. Further, the Z-axis direction (vertical direction, vertical direction, height direction) is a direction perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction.

레이저 가공 장치 (30) 는, 피가공물 (11) 을 유지하는 척 테이블 (유지 테이블) (32) 을 구비한다. 척 테이블 (32) 의 상면은, 수평 방향 (XY 평면 방향) 에 대체로 평행한 원형의 평탄면으로, 피가공물 (11) 을 유지하는 유지면 (32a) 을 구성하고 있다. 유지면 (32a) 은, 척 테이블 (32) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략), 밸브 (도시 생략) 등을 개재하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.The laser processing device 30 includes a chuck table (holding table) 32 that holds the workpiece 11 . The upper surface of the chuck table 32 is a circular flat surface substantially parallel to the horizontal direction (XY plane direction), and constitutes a holding surface 32a for holding the workpiece 11 . The holding surface 32a is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path (not shown) formed inside the chuck table 32, a valve (not shown), or the like.

척 테이블 (32) 에는, 척 테이블 (32) 을 X 축 방향 및 Y 축 방향을 따라 이동시키는 볼 나사식의 이동 기구 (도시 생략) 가 연결되어 있다. 또, 척 테이블 (32) 에는, 척 테이블 (32) 을 유지면 (32a) 과 대체로 수직인 회전축의 둘레에서 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있다. 또한, 척 테이블 (32) 의 주위에는, 프레임 (29) 을 파지하여 고정시키는 복수의 클램프 (34) 가 형성되어 있다.The chuck table 32 is coupled with a ball screw-type movement mechanism (not shown) that moves the chuck table 32 along the X-axis direction and the Y-axis direction. In addition, a rotary drive source (not shown) such as a motor for rotating the chuck table 32 around a rotational shaft substantially perpendicular to the holding surface 32a is connected to the chuck table 32 . In addition, around the chuck table 32, a plurality of clamps 34 for gripping and fixing the frame 29 are formed.

또, 레이저 가공 장치 (30) 는, 레이저 조사 유닛 (36) 을 구비한다. 레이저 조사 유닛 (36) 은, YAG 레이저, YVO4 레이저, YLF 레이저 등의 레이저 발진기 (도시 생략) 와, 척 테이블 (32) 의 상방에 배치된 레이저 가공 헤드 (38) 를 구비한다. 레이저 가공 헤드 (38) 에는, 레이저 발진기로부터 출사된 펄스 발진의 레이저 빔을 피가공물 (11) 에 유도하는 광학계가 내장되어 있고, 광학계는 레이저 빔을 집광시키는 집광 렌즈 등의 광학 소자를 포함한다. 레이저 조사 유닛 (36) 으로부터 조사되는 레이저 빔 (40) 에 의해, 피가공물 (11) (적층체 (13)) 이 가공된다.In addition, the laser processing device 30 includes a laser irradiation unit 36 . The laser irradiation unit 36 includes a laser oscillator (not shown) such as a YAG laser, a YVO 4 laser, or a YLF laser, and a laser processing head 38 disposed above the chuck table 32 . The laser processing head 38 has a built-in optical system for guiding a laser beam of pulse oscillation emitted from a laser oscillator to the workpiece 11, and the optical system includes an optical element such as a condensing lens for condensing the laser beam. By the laser beam 40 irradiated from the laser irradiation unit 36, the to-be-processed object 11 (laminate body 13) is processed.

가공 홈 형성 스텝에서는, 먼저, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (32) 에 의해 유지된다. 구체적으로는, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측) 이 상방을 향하고 이면 (11b) 측 (테이프 (31) 측) 이 유지면 (32a) 에 대면하도록, 척 테이블 (32) 상에 배치된다. 또, 프레임 (29) 이 복수의 클램프 (34) 에 의해 고정된다. 이 상태에서, 유지면 (32a) 에 흡인원의 흡인력 (부압) 을 작용시키면, 피가공물 (11) 이 테이프 (31) 를 개재하여 척 테이블 (32) 에 의해 흡인 유지된다.In the machining groove forming step, first, the workpiece 11 is held by the chuck table 32 . Specifically, in the workpiece 11, the front surface 11a side (laminate 13 side) faces upward and the back surface 11b side (tape 31 side) faces the holding surface 32a, It is placed on the chuck table 32. Also, the frame 29 is fixed by a plurality of clamps 34 . In this state, when the suction force (negative pressure) of the suction source is applied to the holding surface 32a, the workpiece 11 is suction-held by the chuck table 32 via the tape 31.

다음으로, 척 테이블 (32) 을 회전시켜, 소정의 분할 예정 라인 (15) 의 길이 방향을 가공 이송 방향 (X 축 방향) 에 맞춘다. 또, 레이저 빔 (40) 이 조사되는 영역과, 분할 예정 라인 (15) 의 폭 방향에 있어서의 양단의 내측의 영역 (예를 들어, 분할 예정 라인 (15) 의 폭 방향에 있어서의 중앙) 의 Y 축 방향에 있어서의 위치가 일치하도록, 척 테이블 (32) 의 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 에 있어서의 위치를 조절한다. 또한, 레이저 빔 (40) 의 집광점이 피가공물 (11) 의 소정의 높이 위치에 위치되도록, 레이저 가공 헤드 (38) 의 위치나 광학계의 배치를 조절한다.Next, the chuck table 32 is rotated to align the longitudinal direction of the predetermined division line 15 with the machining feed direction (X-axis direction). Further, the area to which the laser beam 40 is irradiated and the inner side of both ends of the line to be divided 15 in the width direction (for example, the center in the width direction of the line to be divided 15) The position of the chuck table 32 in the calculation feed direction (Y-axis direction) is adjusted so that the positions in the Y-axis direction coincide. In addition, the position of the laser processing head 38 or the arrangement of the optical system is adjusted so that the converging point of the laser beam 40 is located at a predetermined height of the workpiece 11.

그리고, 레이저 가공 헤드 (38) 로부터 레이저 빔 (40) 을 조사하면서, 척 테이블 (32) 을 가공 이송 방향 (X 축 방향) 을 따라 이동시킨다. 이로써, 척 테이블 (32) 과 레이저 빔 (40) 이 가공 이송 방향 (X 축 방향) 을 따라 소정의 속도 (가공 이송 속도) 로 상대적으로 이동한다. 그 결과, 레이저 빔 (40) 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측) 으로부터 분할 예정 라인 (15) 을 따라 조사된다.Then, while irradiating the laser beam 40 from the laser processing head 38, the chuck table 32 is moved along the processing transport direction (X-axis direction). Thereby, the chuck table 32 and the laser beam 40 are relatively moved at a predetermined speed (processing feed rate) along the processing feed direction (X-axis direction). As a result, the laser beam 40 is irradiated along the line to be divided 15 from the surface 11a side of the workpiece 11 (laminated body 13 side).

또한, 레이저 빔 (40) 의 조사 조건은, 피가공물 (11) (적층체 (13)) 에 어블레이션 가공이 실시되도록 설정된다. 구체적으로는, 레이저 빔 (40) 의 파장은, 적어도 레이저 빔 (40) 의 일부가 피가공물 (11) 등에 흡수되도록 설정된다. 즉, 레이저 빔 (40) 은, 피가공물 (11) 등에 대해 흡수성을 갖는 파장 (피가공물 (11) 등에 흡수되는 파장) 의 레이저 빔이다. 또, 레이저 빔 (40) 의 다른 조사 조건도, 피가공물 (11) 에 어블레이션 가공이 적절히 실시되도록 적절히 설정된다. 예를 들어, 레이저 빔 (40) 의 조사 조건은 이하와 같이 설정할 수 있다.In addition, the irradiation conditions of the laser beam 40 are set so that the ablation process is given to the to-be-processed object 11 (laminate body 13). Specifically, the wavelength of the laser beam 40 is set such that at least a part of the laser beam 40 is absorbed by the workpiece 11 or the like. In other words, the laser beam 40 is a laser beam having a wavelength that is absorbed by the workpiece 11 or the like (a wavelength absorbed by the workpiece 11 or the like). In addition, other irradiation conditions of the laser beam 40 are also appropriately set so that the ablation processing is appropriately performed on the workpiece 11 . For example, the irradiation conditions of the laser beam 40 can be set as follows.

파장 : 355 ㎚wavelength : 355 nm

평균 출력 : 2 Waverage output : 2W

반복 주파수 : 200 kHzrepetition frequency : 200 kHz

가공 이송 속도 : 400 ㎜/smachining feed rate : 400 mm/s

레이저 빔 (40) 이 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11) 에 조사되면, 피가공물 (11) (적층체 (13)) 중 레이저 빔 (40) 이 조사된 영역이 어블레이션 가공에 의해 제거된다. 그 결과, 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 선상 (線狀) 의 가공 홈 (35) 이 형성된다.When the laser beam 40 is irradiated to the workpiece 11 along the line 15 to be divided, the area to which the laser beam 40 is irradiated among the workpiece 11 (laminated body 13) is subject to ablation processing. is removed by As a result, linear processing grooves 35 are formed on the surface 11a side of the workpiece 11 along the division line 15 .

가공 홈 (35) 은, 예를 들어, 그 깊이가 피가공물 (11) 의 두께 이상이 되도록 형성된다. 이 경우, 가공 홈 (35) 이 형성되면, 피가공물 (11) 이 분할 예정 라인 (15) 을 따라 분단되고, 피가공물 (11) 이 개편화 (個片化) 되어 가공 홈 (35) 의 내측에서 피가공물 (11) 이 노출된다.The processing groove 35 is formed such that its depth is equal to or greater than the thickness of the workpiece 11 , for example. In this case, when the processing groove 35 is formed, the workpiece 11 is divided along the division line 15, and the workpiece 11 is divided into pieces, so that the inside of the processing groove 35 In this, the workpiece 11 is exposed.

또, 가공 홈 (35) 은, 그 깊이가 피가공물 (11) 의 두께에 미치지 않아도 된다. 이 경우, 가공 홈 (35) 의 바닥부에 피가공물 (11) 이 남아, 피가공물 (11) 이 개편화되지 않는다. 그 때문에, 그 후의 공정에 있어서 피가공물 (11) 을 이동시켰을 때에, 개편끼리가 서로 충돌하여 파손이 생긴다는 문제가 발생하지 않는다. 이 경우, 후술하는 수지층 분할 스텝에 있어서 수지층과 함께 피가공물 (11) 이 분할된다.In addition, the depth of the processing groove 35 does not have to exceed the thickness of the workpiece 11 . In this case, the workpiece 11 remains at the bottom of the processing groove 35, and the workpiece 11 is not fragmented. Therefore, when the to-be-processed object 11 is moved in the subsequent process, the problem that pieces collide with each other and breakage does not arise. In this case, the to-be-processed object 11 is divided together with the resin layer in a resin layer division step described later.

또한, 하나의 변형예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 각 분할 예정 라인 (15) 상의 동일한 영역에 레이저 빔 (40) 을 복수 회씩 조사함으로써, 원하는 깊이의 가공 홈 (35) 을 형성해도 된다. 이 경우에는, 레이저 빔 (40) 의 평균 출력을 억제하면서 깊은 가공 홈 (35) 을 형성하는 것이 가능해진다.Further, in the processing groove forming step according to one modified example, the processing groove 35 having a desired depth may be formed by irradiating the laser beam 40 to the same region on each of the scheduled division lines 15 a plurality of times. In this case, it becomes possible to form the deep processing groove 35 while suppressing the average output of the laser beam 40.

또, 다른 변형예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 레이저 빔 (40) 은, 피가공물 (11) 중 레이저 빔 (40) 이 조사되는 영역 (피조사 영역) 이 선상 또는 직사각형상이 되도록 정형되어도 된다. 이 경우에는, 피조사 영역의 길이 방향 (장수(長手) 방향) 이 분할 예정 라인 (15) 의 폭 방향을 따르도록 레이저 빔 (40) 이 피가공물 (11) 에 조사되어, 폭이 넓은 가공 홈 (35) 이 형성된다.Further, in the processing groove forming step according to another modified example, the laser beam 40 may be shaped such that a region to be irradiated with the laser beam 40 (irradiated region) of the workpiece 11 is linear or rectangular. In this case, the laser beam 40 is irradiated to the workpiece 11 so that the longitudinal direction (longevity direction) of the area to be irradiated is along the width direction of the line to be divided 15, resulting in a wide processing groove. (35) is formed.

또 다른 변형예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 각 분할 예정 라인 (15) 의 내측에 가공 홈 (35) 을 복수 개씩 형성해도 된다. 예를 들어, 분할 예정 라인 (15) 의 폭 방향에 있어서의 일단측과 타단측에, 서로 대체로 평행한 1 쌍의 가공 홈 (35) 이 형성되어도 된다. 그리고, 가공 홈 형성 스텝에서는, 이들 변형예가 조합되어 실시되어도 된다.In the processing groove forming step according to another modified example, a plurality of processing grooves 35 may be formed on the inside of each scheduled division line 15 . For example, a pair of process grooves 35 substantially parallel to each other may be formed on one end side and the other end side in the width direction of the line to be divided 15 . In the processing groove forming step, these modified examples may be combined and implemented.

피가공물 (11) 에 어블레이션 가공이 실시되면, 피가공물 (11) 의 용융물 (데브리) 이 발생하여 비산된다. 그러나, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 보호막 (33) 이 형성되어 있으면, 데브리가 피가공물 (11) 에 부착되기 어려워져, 피가공물 (11) 및 디바이스 (17) 의 오염이 방지된다.When ablation processing is performed on the workpiece 11, melt (debris) of the workpiece 11 is generated and scattered. However, when the protective film 33 is formed on the surface 11a side of the workpiece 11, it becomes difficult for debris to adhere to the workpiece 11, and contamination of the workpiece 11 and the device 17 is prevented. do.

그 후, 동일한 순서를 반복하여, 다른 분할 예정 라인 (15) 을 따라 레이저 빔 (40) 이 조사된다. 그 결과, 모든 분할 예정 라인 (15) 을 따라 가공 홈 (35) 이 형성된다. 도 7(B) 는, 가공 홈 형성 스텝 후의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 가공 홈 형성 스텝을 실시함으로써, 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11) 에 가공 홈 (35) 이 형성된다.After that, the same procedure is repeated, and the laser beam 40 is irradiated along another line 15 to be divided. As a result, processing grooves 35 are formed along all of the lines 15 to be divided. 7(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 after the process groove formation step. By performing the machining groove forming step, the machining groove 35 is formed in the workpiece 11 along the division line 15 .

가공 홈 형성 스텝이 완료된 후, 보호막 (33) 을 제거한다. 이로써, 보호막 (33) 에 부착된 데브리 등의 이물질이 보호막 (33) 과 함께 제거된다. 보호막 (33) 이 수용성의 수지로 이루어지는 경우에는, 피가공물 (11) 에 순수 등의 세정액을 공급하는 것만으로 보호막 (33) 을 용이하게 제거할 수 있어, 보호막 (33) 을 제거하는 공정이 간략화된다.After the processing groove forming step is completed, the protective film 33 is removed. In this way, foreign substances such as debris adhering to the protective film 33 are removed together with the protective film 33 . When the protective film 33 is made of a water-soluble resin, the protective film 33 can be easily removed simply by supplying a cleaning liquid such as pure water to the workpiece 11, and the process of removing the protective film 33 is simplified. do.

또한, 가공 홈 형성 스텝에 있어서 발생하는 데브리의 양이 적은 경우나, 데브리의 비산이 문제가 되지 않는 경우 등에는, 보호막 형성 스텝을 생략할 수도 있다. 이 경우에는, 가공 홈 형성 스텝 후에 보호막 (33) 을 제거하는 공정도 생략된다.In addition, when the amount of debris generated in the process groove forming step is small or when scattering of debris is not a problem, the protective film forming step may be omitted. In this case, the process of removing the protective film 33 after the process groove forming step is also omitted.

다음으로, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 또는 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급하여, 가공 홈 (35) 의 측면에 잔존하는 가공 변형 또는 이물질 (데브리) 을 제거한다 (플라즈마 에칭 스텝). 도 8 은, 플라즈마 에칭 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. 플라즈마 에칭 스텝에서는, 플라즈마 처리 장치 (50) 에 의해 피가공물 (11) 에 플라즈마 에칭을 실시한다. 또한, 플라즈마 에칭 스텝에 있어서, 피가공물 (11) 은 프레임 (29) 에 의해 지지되어 있지 않아도 된다.Next, an etching gas in a plasma state is supplied from the front surface 11a side or the back surface 11b side of the workpiece 11 to remove processing strain or foreign matter (debris) remaining on the side surface of the processing groove 35. (plasma etching step). 8 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in the plasma etching step. In the plasma etching step, the workpiece 11 is subjected to plasma etching by the plasma processing device 50 . In addition, in the plasma etching step, the workpiece 11 does not have to be supported by the frame 29 .

플라즈마 처리 장치 (50) 는, 진공 챔버 (52) 를 구비한다. 진공 챔버 (52) 의 내부는, 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간에 상당한다. 진공 챔버 (52) 의 측벽 (52a) 에는, 피가공물 (11) 의 반입 및 반출시에 피가공물 (11) 이 통과하는 개구 (52b) 가 형성되어 있다.The plasma processing apparatus 50 includes a vacuum chamber 52 . The inside of the vacuum chamber 52 corresponds to a processing space in which plasma processing is performed. The side wall 52a of the vacuum chamber 52 is formed with an opening 52b through which the workpiece 11 passes during loading and unloading of the workpiece 11 .

측벽 (52a) 의 외측에는, 개구 (52b) 를 개방 및 폐색하는 게이트 (54) 가 형성되어 있다. 또, 게이트 (54) 에는, 에어 실린더 등의 개폐 유닛 (56) 이 연결되어 있다. 개폐 유닛 (56) 에서 게이트 (54) 를 하방으로 이동시켜 개구 (52b) 를 노출시킴으로써, 피가공물 (11) 의 처리 공간으로의 반입, 및, 피가공물 (11) 의 처리 공간으로부터의 반출이 가능해진다. 또, 개폐 유닛 (56) 에서 게이트 (54) 를 상방으로 이동시켜 개구 (52b) 를 폐색함으로써, 처리 공간이 밀폐된다.A gate 54 for opening and closing the opening 52b is formed outside the side wall 52a. Moreover, an opening/closing unit 56 such as an air cylinder is connected to the gate 54. By moving the gate 54 downward in the opening/closing unit 56 to expose the opening 52b, the workpiece 11 can be carried into and taken out of the processing space. it gets done Further, the processing space is sealed by moving the gate 54 upward in the opening/closing unit 56 to close the opening 52b.

진공 챔버 (52) 의 바닥벽 (52c) 에는 파이프 등의 배관 (58) 이 접속되어 있고, 배관 (58) 에는 배기 펌프 등의 감압 유닛 (60) 이 접속되어 있다. 게이트 (54) 에서 개구 (52b) 를 폐색한 상태로 감압 유닛 (60) 을 작동시키면, 진공 챔버 (52) 의 내부가 배기되어, 감압된다.A pipe 58 such as a pipe is connected to the bottom wall 52c of the vacuum chamber 52, and a pressure reducing unit 60 such as an exhaust pump is connected to the pipe 58. When the decompression unit 60 is operated with the gate 54 closing the opening 52b, the inside of the vacuum chamber 52 is evacuated and the pressure is reduced.

진공 챔버 (52) 의 내부에는, 테이블 베이스 (62) 가 형성되어 있다. 테이블 베이스 (62) 는, 원기둥상의 유지부 (64) 와, 유지부 (64) 에 연결된 원기둥상의 지지부 (66) 를 구비한다. 지지부 (66) 의 직경은 유지부 (64) 의 직경보다 작고, 지지부 (66) 는 유지부 (64) 의 하면의 중앙부로부터 하방을 향하여 형성되어 있다.Inside the vacuum chamber 52, a table base 62 is formed. The table base 62 is equipped with the cylindrical holding part 64 and the cylindrical support part 66 connected to the holding part 64. The diameter of the support part 66 is smaller than the diameter of the holding part 64, and the support part 66 is formed downward from the center part of the lower surface of the holding part 64.

유지부 (64) 의 상면 상에는, 피가공물 (11) 을 유지하는 척 테이블 (유지 테이블) (68) 이 형성되어 있다. 척 테이블 (68) 은, 절연체로 이루어지는 원반상의 본체부 (70) 를 구비하고 있고, 본체부 (70) 의 내부에는 복수의 전극 (72) 이 매립되어 있다. 복수의 전극 (72) 은 각각, 전극 (72) 에 소정의 전압 (예를 들어, 5 ㎸ 정도의 고전압) 을 인가 가능한 DC 전원 (74) 에 접속되어 있다.On the upper surface of the holding part 64, a chuck table (holding table) 68 holding the workpiece 11 is formed. The chuck table 68 has a disk-shaped body portion 70 made of an insulator, and a plurality of electrodes 72 are embedded in the body portion 70. The plurality of electrodes 72 are each connected to a DC power source 74 capable of applying a predetermined voltage (for example, a high voltage of about 5 kV) to the electrodes 72 .

또, 척 테이블 (68) 의 본체부 (70) 에는, 본체부 (70) 의 상면에서 개구되는 복수의 흡인로 (70a) 가 형성되어 있다. 흡인로 (70a) 는, 테이블 베이스 (62) 의 내부에 형성된 흡인로 (62a) 를 개재하여 흡인 펌프 (76) 에 접속되어 있다.Further, in the body portion 70 of the chuck table 68, a plurality of suction passages 70a that open from the upper surface of the body portion 70 are formed. The suction path 70a is connected to the suction pump 76 via a suction path 62a formed inside the table base 62 .

척 테이블 (68) 에 의해 피가공물 (11) 을 유지할 때에는, 먼저, 척 테이블 (68) 상에 피가공물 (11) 을 배치하고, 흡인 펌프 (76) 를 작동시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 이 흡인 펌프 (76) 의 흡인력에 의해 척 테이블 (68) 의 상면에서 흡인된다. 이 상태에서, DC 전원 (74) 에 의해 복수의 전극 (72) 에 전압을 인가하여 전극 (72) 사이에 전위차를 발생시키면, 정전기의 힘에 의해 피가공물 (11) 이 흡착 유지된다. 이로써, 진공 챔버 (52) 의 내부가 감압된 상태여도 피가공물 (11) 을 척 테이블 (68) 상에서 유지하는 것이 가능해진다.When holding the workpiece 11 by the chuck table 68, first, the workpiece 11 is placed on the chuck table 68, and the suction pump 76 is operated. Thereby, the workpiece 11 is sucked from the upper surface of the chuck table 68 by the suction force of the suction pump 76 . In this state, when a voltage is applied to the plurality of electrodes 72 by the DC power supply 74 to generate a potential difference between the electrodes 72, the workpiece 11 is adsorbed and held by the force of static electricity. This makes it possible to hold the workpiece 11 on the chuck table 68 even when the inside of the vacuum chamber 52 is in a depressurized state.

또, 테이블 베이스 (62) 의 내부에는, 냉각 유로 (62b) 가 형성되어 있다. 냉각 유로 (62b) 의 양단은, 냉매를 순환시키는 순환 유닛 (78) 에 접속되어 있다. 순환 유닛 (78) 을 작동시키면, 냉매가 냉각 유로 (62b) 의 일단으로부터 타단을 향하여 흐르고, 테이블 베이스 (62) 가 냉각된다.Moreover, inside the table base 62, the cooling flow path 62b is formed. Both ends of the cooling passage 62b are connected to a circulation unit 78 that circulates the refrigerant. When the circulation unit 78 is operated, the refrigerant flows from one end toward the other end of the cooling passage 62b, and the table base 62 is cooled.

진공 챔버 (52) 의 상부에는, 에칭 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 (80) 이 접속되어 있다. 가스 공급 유닛 (80) 은, 진공 챔버 (52) 의 외부에서 에칭 가스를 플라즈마화시키고, 플라즈마 상태의 에칭 가스를 진공 챔버 (52) 의 내부에 공급한다.A gas supply unit 80 for supplying an etching gas is connected to the upper part of the vacuum chamber 52 . The gas supply unit 80 converts the etching gas into plasma outside the vacuum chamber 52 and supplies the etching gas in a plasma state to the inside of the vacuum chamber 52 .

구체적으로는, 가스 공급 유닛 (80) 은, 진공 챔버 (52) 에 공급되는 에칭 가스가 흐르는 금속제의 공급관 (82) 을 구비한다. 공급관 (82) 의 일단측 (하류측) 은, 진공 챔버 (52) 의 상벽 (52d) 을 개재하여 진공 챔버 (52) 의 내부에 접속되어 있다. 또, 공급관 (82) 의 타단측 (상류측) 은, 밸브 (84a), 유량 컨트롤러 (86a), 밸브 (88a) 를 개재하여 가스 공급원 (90a) 에 접속되고, 밸브 (84b), 유량 컨트롤러 (86b), 밸브 (88b) 를 개재하여 가스 공급원 (90b) 에 접속되고, 밸브 (84c), 유량 컨트롤러 (86c), 밸브 (88c) 를 개재하여 가스 공급원 (90c) 에 접속되어 있다.Specifically, the gas supply unit 80 includes a metal supply pipe 82 through which an etching gas supplied to the vacuum chamber 52 flows. One end side (downstream side) of the supply pipe 82 is connected to the inside of the vacuum chamber 52 via an upper wall 52d of the vacuum chamber 52 . In addition, the other end (upstream side) of the supply pipe 82 is connected to the gas supply source 90a via a valve 84a, a flow controller 86a, and a valve 88a, and a valve 84b, a flow controller ( It is connected to the gas supply source 90b through 86b) and the valve 88b, and is connected to the gas supply source 90c through the valve 84c, the flow controller 86c, and the valve 88c.

가스 공급원 (90a, 90b, 90c) 으로부터 각각 소정의 가스가 소정의 유량으로 공급되면, 공급관 (82) 내에서 혼합 가스가 생성된다. 이 혼합 가스가, 피가공물 (11) 의 에칭에 사용되는 에칭 가스가 된다. 예를 들어, 가스 공급원 (90a) 은 SF6 등의 불소계 가스를 공급하고, 가스 공급원 (90b) 은 산소 가스 (O2 가스) 를 공급하고, 가스 공급원 (90c) 은 He 등의 불활성 가스를 공급한다. 단, 가스 공급원 (90a, 90b, 90c) 으로부터 공급되는 가스의 성분, 유량비 등은, 가공 대상물의 재질이나 가공 조건에 따라 임의로 변경할 수 있다.When a predetermined gas is supplied from the gas supply sources 90a, 90b, and 90c at a predetermined flow rate, a mixed gas is generated in the supply pipe 82. This mixed gas becomes an etching gas used for etching the workpiece 11 . For example, the gas supply source 90a supplies a fluorine-based gas such as SF 6 , the gas supply source 90b supplies an oxygen gas (O 2 gas), and the gas supply source 90c supplies an inert gas such as He. do. However, the components and flow rate ratio of the gas supplied from the gas supply sources 90a, 90b, 90c can be arbitrarily changed according to the material of the object to be processed or the processing conditions.

또, 가스 공급 유닛 (80) 은, 공급관 (82) 내에서 생성된 에칭 가스에 고주파 전압을 인가하는 전극 (92) 을 구비한다. 전극 (92) 은, 공급관 (82) 의 중류부에 공급관 (82) 을 둘러싸도록 형성되어 있고, 전극 (92) 에는 고주파 전원 (94) 이 접속되어 있다. 고주파 전원 (94) 은, 예를 들어 전압값이 0.5 ㎸ 이상 5 ㎸ 이하, 주파수가 450 kHz 이상 2.45 GHz 이하의 고주파 전압을 전극 (92) 에 인가한다.Further, the gas supply unit 80 includes an electrode 92 that applies a high-frequency voltage to the etching gas generated in the supply pipe 82 . The electrode 92 is formed in the midstream portion of the supply pipe 82 so as to surround the supply pipe 82, and a high frequency power source 94 is connected to the electrode 92. The high-frequency power supply 94 applies, for example, a high-frequency voltage having a voltage value of 0.5 kV or more and 5 kV or less, and a frequency of 450 kHz or more and 2.45 GHz or less to the electrode 92 .

전극 (92) 및 고주파 전원 (94) 을 사용하여 공급관 (82) 을 흐르는 에칭 가스에 고주파 전압을 작용시키면, 에칭 가스가 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태로 변화한다. 그리고, 플라즈마 상태의 에칭 가스가, 공급관 (82) 의 하류단에서 개구되는 공급구 (82a) 로부터 진공 챔버 (52) 의 내부에 공급된다. 이와 같이 하여, 진공 챔버 (52) 의 외부에서 플라즈마화한 에칭 가스가 진공 챔버 (52) 의 내부에 공급된다.When a high-frequency voltage is applied to the etching gas flowing through the supply pipe 82 using the electrode 92 and the high-frequency power supply 94, the etching gas changes to a plasma state containing ions and radicals. Then, an etching gas in a plasma state is supplied to the inside of the vacuum chamber 52 from a supply port 82a opened at the downstream end of the supply pipe 82 . In this way, the etching gas converted into plasma outside the vacuum chamber 52 is supplied to the inside of the vacuum chamber 52 .

진공 챔버 (52) 의 상벽 (52d) 의 내측에는, 분산 부재 (96) 가 공급구 (82a) 를 덮도록 장착되어 있다. 공급관 (82) 으로부터 진공 챔버 (52) 의 내부에 유입된 플라즈마 상태의 에칭 가스는, 분산 부재 (96) 에 의해 척 테이블 (68) 의 상방에서 분산된다.Inside the upper wall 52d of the vacuum chamber 52, a dispersing member 96 is attached so as to cover the supply port 82a. The etching gas in a plasma state that has flowed into the vacuum chamber 52 from the supply pipe 82 is dispersed above the chuck table 68 by the distributing member 96 .

또, 진공 챔버 (52) 의 측벽 (52a) 에는 파이프 등의 배관 (98) 이 접속되어 있고, 배관 (98) 에는 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원 (도시 생략) 이 접속되어 있다. 불활성 가스 공급원으로부터 배관 (98) 을 개재하여 진공 챔버 (52) 에 불활성 가스가 공급되면, 진공 챔버 (52) 의 내부가 불활성 가스 (이너 가스) 로 채워진다. 또한, 배관 (98) 은, 밸브 (도시 생략), 유량 컨트롤러 (도시 생략) 등을 개재하여 가스 공급원 (90c) 에 접속되어 있어도 된다. 이 경우에는, 가스 공급원 (90c) 으로부터 배관 (98) 을 개재하여 진공 챔버 (52) 의 내부에 불활성 가스가 공급된다.Further, a pipe 98 such as a pipe is connected to the side wall 52a of the vacuum chamber 52, and an inert gas supply source (not shown) for supplying an inert gas is connected to the pipe 98. When an inert gas is supplied from an inert gas supply source to the vacuum chamber 52 via the pipe 98, the inside of the vacuum chamber 52 is filled with the inert gas (inner gas). In addition, the pipe 98 may be connected to the gas supply source 90c via a valve (not shown), a flow controller (not shown), or the like. In this case, an inert gas is supplied from the gas supply source 90c to the inside of the vacuum chamber 52 via the pipe 98.

가스 공급 유닛 (80) 으로부터 공급된 에칭 가스는, 공급구 (82a) 의 하방에 형성된 분산 부재 (96) 에 의해 분산되고, 척 테이블 (68) 에 의해 유지된 피가공물 (11) 의 전체에 공급된다. 그리고, 플라즈마화한 에칭 가스가 피가공물 (11) 에 작용하여, 피가공물 (11) 에 플라즈마 에칭이 실시된다.The etching gas supplied from the gas supply unit 80 is dispersed by the distributing member 96 formed below the supply port 82a and supplied to the entire workpiece 11 held by the chuck table 68. do. Then, the etching gas converted into plasma acts on the workpiece 11, and the workpiece 11 is subjected to plasma etching.

가공 홈 형성 스텝 후의 피가공물 (11) 에 플라즈마 상태의 가스가 공급되면, 레이저 가공에 의해 가공 홈 (35) 의 내부나 가공 홈 (35) 의 주변에 형성된 가공 변형 (가공흔) 이 제거된다. 또, 피가공물 (11) 에 부착되어 있는 데브리 등의 이물질이 제거된다. 이로써, 최종적으로 피가공물 (11) 을 분할하여 얻어지는 디바이스 칩의 항절 강도의 저하나 품질 저하가 억제된다.When gas in a plasma state is supplied to the workpiece 11 after the process groove formation step, processing deformation (processing scars) formed inside the processing groove 35 or around the processing groove 35 is removed by laser processing. In addition, foreign matter such as debris adhering to the workpiece 11 is removed. As a result, a decrease in transverse strength and a decrease in quality of the device chip finally obtained by dividing the workpiece 11 are suppressed.

또한, 진공 챔버 (52) 의 외부에서 플라즈마화된 에칭 가스가 금속으로 이루어지는 공급관 (82) 을 통과할 때, 에칭 가스에 포함되는 이온이 공급관 (82) 의 내벽에 흡착되어, 진공 챔버 (52) 의 내부에 도달하기 어려워진다. 그 결과, 라디칼의 비율이 높은 에칭 가스가 진공 챔버 (52) 내에 도입되고, 피가공물 (11) 에 공급된다. 라디칼의 비율이 높은 에칭 가스는, 피가공물 (11) 의 내부가 좁은 영역에 비집고 들어가기 쉽기 때문에, 에칭 가스에 의해 가공 홈 (35) (도 7(B) 참조) 의 내측에 에칭 처리가 실시되기 쉬워진다.In addition, when the etching gas converted into plasma outside the vacuum chamber 52 passes through the supply pipe 82 made of metal, ions contained in the etching gas are adsorbed to the inner wall of the supply pipe 82, and the vacuum chamber 52 It becomes difficult to reach the inside of the As a result, an etching gas having a high proportion of radicals is introduced into the vacuum chamber 52 and supplied to the workpiece 11 . Since the etching gas with a high ratio of radicals easily penetrates into the narrow area of the workpiece 11, the inside of the processing groove 35 (see FIG. 7(B)) is subjected to etching treatment by the etching gas. It gets easier.

상기한 플라즈마 에칭을 실시할 때에는, 적층체 (13) 상에 마스크층을 형성해도 된다. 예를 들어 마스크층은, 피가공물 (11) 의 분할 예정 라인 (15) 과 중첩되는 영역이 노출되도록 패터닝된다. 이 마스크층을 통하여 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써, 피가공물 (11) 중 레이저 가공이 실시된 영역이 부분적으로 에칭된다.When performing the above-mentioned plasma etching, you may form a mask layer on the laminated body 13. For example, the mask layer is patterned so that a region overlapping with the division line 15 of the workpiece 11 is exposed. By supplying an etching gas in a plasma state through this mask layer, the laser-processed region of the workpiece 11 is partially etched.

마스크층의 재질이나 형성 방법에 제한은 없다. 예를 들어 마스크층은, 감광성의 수지로 이루어지는 레지스트 등에 의해 형성할 수 있다. 또, 가공 홈 형성 스텝 후에 보호막 (33) (도 7(B) 참조) 을 제거하지 않고, 보호막 (33) 을 마스크층으로서 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 플라즈마 에칭 스텝 후에 보호막 (33) 이 제거된다.There are no restrictions on the material or formation method of the mask layer. For example, the mask layer can be formed of a resist or the like made of photosensitive resin. Moreover, the protective film 33 can also be used as a mask layer, without removing the protective film 33 (refer FIG. 7(B)) after the process groove formation step. In this case, the protective film 33 is removed after the plasma etching step.

또한, 가공 홈 형성 스텝에 있어서 피가공물 (11) 이 가공 변형이나 데브리가 발생하기 어려운 가공 조건으로 가공되는 경우, 가공 홈 형성 스텝 후의 세정에 의해 데브리가 확실하게 제거되는 경우, 피가공물 (11) 에 가공 변형이나 데브리가 잔존해도 디바이스 칩의 동작 및 품질에 문제가 없는 경우 등에는, 플라즈마 에칭 스텝을 생략해도 된다.Further, in the machining groove formation step, when the workpiece 11 is machined under processing conditions in which machining deformation or debris are difficult to occur, and when debris is reliably removed by cleaning after the machining groove formation step, the workpiece 11 The plasma etching step may be omitted if, for example, there is no problem with the operation and quality of the device chip even if processing deformation or debris remains.

다음으로, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층을 형성한다 (수지층 형성 스텝). 도 9(A) 는, 수지층 형성 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이고, 도 9(B) 는, 수지층 형성 스텝 후의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다.Next, a resin layer is formed on the surface 11a side of the workpiece 11 (resin layer formation step). Fig. 9(A) is a perspective view showing the to-be-processed object 11 in the resin layer formation step, and Fig. 9(B) is a cross-sectional view showing a part of the to-be-processed object 11 after the resin layer formation step.

수지층 (37) 은, 피가공물 (11) 의 분할에 의해 얻어지는 디바이스 칩을 실장할 때의 언더필재에 상당한다. 예를 들어, 수지층 (37) 으로서 NCF (Non Conductive Film) 가 사용된다. NCF 는, 수지를 시트상으로 성형함으로써 얻어지는 필름으로, 접착성 및 절연성을 갖는다.The resin layer 37 corresponds to an underfill material obtained by dividing the workpiece 11 to mount a device chip. For example, NCF (Non Conductive Film) is used as the resin layer 37 . NCF is a film obtained by molding resin into a sheet shape, and has adhesive and insulating properties.

수지층 (37) (NCF) 은, 피가공물 (11) 과 대체로 동일한 직경으로 형성되고, 적층체 (13) 의 전체를 덮도록 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 첩착된다. 이로써, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층 (37) 이 형성되고, 디바이스 (17) 및 접속 전극 (19) 가 수지층 (37) 에 의해 봉지된다.The resin layer 37 (NCF) is formed to have substantially the same diameter as the workpiece 11, and is adhered to the surface 11a side of the workpiece 11 so as to cover the entire laminated body 13. Thereby, the resin layer 37 is formed on the surface 11a side of the workpiece 11, and the device 17 and the connection electrode 19 are sealed by the resin layer 37.

단, 수지층 (37) 의 종류에 제한은 없다. 예를 들어, NCP (Non Conductive Paste) 를 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 도포함으로써 수지층 (37) 을 형성해도 된다. 또, 수지층 (37) 의 재료에도 제한은 없다. 예를 들어, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드계 수지 등을 주성분으로 하는 수지층 (37) 이 사용된다. 또한, 수지층 (37) 에는, 산화제, 필러 등의 각종 첨가제가 함유되어 있어도 된다.However, there is no restriction on the type of the resin layer 37. For example, the resin layer 37 may be formed by applying Non Conductive Paste (NCP) to the surface 11a side of the workpiece 11 . Moreover, there is no restriction|limiting also in the material of the resin layer 37. For example, a resin layer 37 containing an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, a silicone resin, a polyimide resin or the like as a main component is used. Moreover, various additives, such as an oxidizing agent and a filler, may be contained in the resin layer 37.

수지층 형성 스텝 후, 피가공물 (11) 의 분할 예정 라인 (15) 을 따라 수지층 (37) 을 분할한다 (수지층 분할 스텝). 수지층 분할 스텝에서는, 테이프 (31) 를 외측을 향하게 하여 확장 (익스팬드) 함으로써 수지층 (37) 을 분할한다. 도 10(A) 는, 수지층 분할 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다.After the resin layer formation step, the resin layer 37 is divided along the division line 15 of the workpiece 11 (resin layer division step). In the resin layer division step, the resin layer 37 is divided by expanding (expanding) the tape 31 facing the outside. 10(A) is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in the resin layer dividing step.

수지층 분할 스텝에서는, 테이프 (31) 를 반경 방향 외측을 향하여 잡아당김으로써 확장시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 을 개재하여 수지층 (37) 에 외력이 부여되고, 수지층 (37) 이 분할 예정 라인 (15) 을 따라 분단된다.In the resin layer division step, the tape 31 is expanded by pulling outward in the radial direction. Thereby, an external force is applied to the resin layer 37 via the workpiece 11, and the resin layer 37 is divided along the line 15 to be divided.

테이프 (31) 의 확장은, 작업자가 수동으로 실시해도 되고, 전용의 확장 장치를 사용하여 자동으로 실시해도 된다. 도 10(A) 에는, 확장 장치 (100) 에 의해 테이프 (31) 가 확장되는 예를 나타내고 있다.The expansion of the tape 31 may be performed manually by a worker or may be performed automatically using a dedicated expansion device. In FIG. 10(A), an example in which the tape 31 is expanded by the expansion device 100 is shown.

확장 장치 (100) 는, 중공의 원기둥상으로 형성된 드럼 (102) 을 갖는다. 드럼 (102) 의 상단부에는, 복수의 굴림대 (104) 가 드럼 (102) 의 둘레 방향을 따라 배열되어 있다. 또, 드럼 (102) 의 외측에는, 복수의 기둥상의 지지 부재 (106) 가 배치되어 있다. 지지 부재 (106) 의 하단부에는 각각, 지지 부재 (106) 를 연직 방향을 따라 이동 (승강) 시키는 에어 실린더 (도시 생략) 가 연결되어 있다.The expansion device 100 has a drum 102 formed in the shape of a hollow cylinder. At the upper end of the drum 102, a plurality of rollers 104 are arranged along the circumferential direction of the drum 102. Further, outside the drum 102, a plurality of columnar support members 106 are disposed. Air cylinders (not shown) that move (elevate) the support member 106 along the vertical direction are connected to the lower ends of the support members 106, respectively.

복수의 지지 부재 (106) 의 상단부에는, 환상의 테이블 (108) 이 고정되어 있다. 테이블 (108) 의 중앙부에는, 테이블 (108) 을 두께 방향으로 관통하는 원형의 개구가 형성되어 있다. 또한, 테이블 (108) 의 개구의 직경은 드럼 (102) 의 직경보다 크고, 드럼 (102) 의 상단부는 테이블 (108) 의 개구에 삽입 가능하게 되어 있다. 또, 테이블 (108) 의 외주부에는, 프레임 (29) 을 파지하여 고정시키는 복수의 클램프 (110) 가 배치되어 있다.An annular table 108 is fixed to the upper ends of the plurality of supporting members 106 . At the central portion of the table 108, a circular opening penetrating the table 108 in the thickness direction is formed. In addition, the diameter of the opening of the table 108 is larger than the diameter of the drum 102, and the upper end of the drum 102 can be inserted into the opening of the table 108. Further, on the outer periphery of the table 108, a plurality of clamps 110 holding and fixing the frame 29 are arranged.

피가공물 (11) 을 분할할 때에는, 먼저, 에어 실린더 (도시 생략) 에 의해 지지 부재 (106) 를 이동시키고, 굴림대 (104) 의 상단과 테이블 (108) 의 상면을 대체로 동일한 높이 위치에 배치한다. 그리고, 테이블 (108) 상에 프레임 (29) 을 배치하여, 복수의 클램프 (110) 에 의해 프레임 (29) 을 고정시킨다. 이 때 피가공물 (11) 은, 드럼 (102) 의 내측의 영역과 중첩되도록 배치된다.When dividing the workpiece 11, first, the support member 106 is moved by an air cylinder (not shown), and the upper end of the rolling table 104 and the upper surface of the table 108 are placed at substantially the same height. do. And the frame 29 is arrange|positioned on the table 108, and the frame 29 is fixed with the some clamp 110. At this time, the workpiece 11 is arranged so as to overlap the inner region of the drum 102 .

다음으로, 에어 실린더 (도시 생략) 에 의해 지지 부재 (106) 를 하강시켜, 테이블 (108) 을 끌어내린다. 이로써, 테이프 (31) 가 굴림대 (104) 에 의해 지지된 상태로 반경 방향 외측을 향하여 잡아당겨진다. 그 결과, 테이프 (31) 가 방사상으로 확장된다.Next, the support member 106 is lowered by an air cylinder (not shown), and the table 108 is pulled down. Thereby, the tape 31 is pulled outward in the radial direction in a state supported by the rolling table 104 . As a result, the tape 31 expands radially.

도 10(B) 는, 수지층 분할 스텝 후의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 테이프 (31) 가 확장되면, 테이프 (31) 가 첩착되어 있는 피가공물 (11) 에 외력이 부여된다. 가공 홈 (35) 이 피가공물 (11) 및 패턴층 (27) 을 관통하고 있지 않은 경우, 이 때에 가공 홈 (35) 의 하방에서 피가공물 (11) 및 패턴층 (27) 이 분할된다. 그리고, 분할된 피가공물 (11) 의 각 개편 사이의 간격이 넓어지고, 그 결과, 수지층 (37) 이 분할 예정 라인 (15) 을 따라 분할된다.10(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 after the resin layer division step. When the tape 31 expands, an external force is applied to the workpiece 11 to which the tape 31 is attached. When the processing groove 35 does not pass through the workpiece 11 and the pattern layer 27, the workpiece 11 and the pattern layer 27 are divided below the processing groove 35 at this time. Then, the interval between each piece of the divided workpiece 11 widens, and as a result, the resin layer 37 is divided along the line 15 to be divided.

피가공물 (11) 등이 분할 예정 라인 (15) 을 따라 분할되면, 디바이스 (17) 가 수지층 (37) 의 개편에 의해 봉지된 복수의 디바이스 칩 (39) 이 제조된다. 그리고, 디바이스 칩 (39) 은 테이프 (31) 로부터 박리되어 픽업되고, 실장 기판이나 다른 디바이스 칩에 실장된다. 테이프 (31) 의 확장에 의해 디바이스 칩 (39) 사이에 넓은 간극이 형성되어 있으면, 픽업이 용이해진다.When the workpiece 11 or the like is divided along the division line 15, a plurality of device chips 39 in which the device 17 is sealed by reorganization of the resin layer 37 are manufactured. Then, the device chip 39 is peeled from the tape 31, picked up, and mounted on a mounting substrate or another device chip. If a wide gap is formed between the device chips 39 by the expansion of the tape 31, pick-up becomes easy.

이상에 설명하는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 가공 홈 형성 스텝 후에 수지층 형성 스텝 및 수지층 분할 스텝을 실시하기 때문에, 가공 홈 형성 스텝시에 수지층 (37) 이 가공되는 경우가 없다. 그 때문에, 가공 홈 (35) 이 형성될 때의 가공에 의해 수지층 (37) 이 변질되어 경화되는 경우가 없고, 수지층 (37) 에 경화 영역이 생기는 경우도 없다. 경화되어 있지 않은 수지층 (37) 은, 복수의 칩을 적층하여 열 압착할 때에 신장 확산되기 쉽고, 수지층 (37) 에 비집고 들어간 기포도 빠지기 쉽다.As described above, in the device chip manufacturing method according to the present embodiment, since the resin layer forming step and the resin layer dividing step are performed after the processing groove forming step, the resin layer 37 is formed during the processing groove forming step. There is no case of processing. Therefore, the resin layer 37 is not altered and hardened by processing when the processing groove 35 is formed, and there is no case where a hardened region is formed in the resin layer 37 . The uncured resin layer 37 is easily stretched and diffused when a plurality of chips are stacked and thermocompressed, and air bubbles that get into the resin layer 37 are easily released.

그 때문에, 수지층 (37) 에 경화 영역이 형성되어 있지 않으면, 열 압착이 적절히 진행되고 각 칩이 소정의 품질로 일체화된다. 그리고, 일체화된 각 칩이 분리되기 어려워, 기포를 개재하여 불필요한 전기적 접속이 형성되는 경우도 없다. 즉, 가공 홈 (35) 을 형성하는 가공에 의한 영향에 의해 수지층 (37) 이 부분적으로 변질되는 경우는 없어, 가공에서 기인하는 칩 불량이 발생하지 않는다.For this reason, if no curing region is formed in the resin layer 37, thermal bonding proceeds appropriately and each chip is integrated with a predetermined quality. In addition, there is no case in which the integrated chips are difficult to separate, and unnecessary electrical connections are not formed through bubbles. That is, the resin layer 37 is not partially altered in quality due to the influence of processing to form the processing grooves 35, and chip defects due to processing do not occur.

다음으로, 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법의 변형예에 대해 설명한다. 상기한 가공 홈 형성 스텝 (제 1 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝) 에서는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측으로부터 레이저 빔 (40) 을 조사하여 피가공물 (11) 에 가공 홈 (35) 을 형성하였다. 그러나, 가공 홈 형성 스텝은 이것으로 한정되지 않는다. 피가공물 (11) 은 이면 (11b) 측으로부터 가공되어 가공 홈이 형성되어도 된다.Next, a modified example of the manufacturing method of the device chip according to the present embodiment will be described. In the processing groove forming step (process groove forming step related to the first example) described above, the laser beam 40 is irradiated from the surface 11a side of the workpiece 11 to form the processing groove 35 in the workpiece 11. was formed. However, the processing groove forming step is not limited to this. The workpiece 11 may be processed from the back surface 11b side to form a processing groove.

도 11 은, 제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 미리 지지 부재 고정 스텝 및 이면 연삭 스텝이 실시되어, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 지지 부재 (23) 가 첩부된 상태로 피가공물 (11) 을 이면 (11b) 측으로부터 가공하여 가공 홈 (35a) 을 형성한다. 그리고, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 미리 이면 패턴 형성 스텝이 실시되어 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에는 도전층 및 절연층의 일방 또는 양방을 포함하는 패턴층 (27) 이 형성되어 있어도 된다.11 is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 in the process groove forming step according to the second example. In the processing groove forming step according to the second example, the support member fixing step and the back surface grinding step are performed in advance, and the workpiece 11 ) is processed from the back surface 11b side to form the processing groove 35a. And, as shown in FIG. 11, the back surface pattern formation step is performed in advance, and the pattern layer 27 containing one or both of a conductive layer and an insulating layer may be formed on the back surface 11b side of the workpiece 11. .

제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝은, 특별히 설명하지 않는 한 이면 (11b) 측으로부터 레이저 빔 (40) 을 피가공물 (11) 에 조사하는 것 이외에는 상기 서술한 제 1 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝과 동일하게 실시할 수 있다. 특히, 제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 피가공물 (11) 을 연삭할 때에 표면 (11a) 측을 보호하고 있던 지지 부재 (23) 를 개재하여 레이저 가공 장치 (30) 의 척 테이블 (도시 생략) 로 피가공물 (11) 을 흡인 유지할 수 있다.Unless otherwise specified, the processing groove forming step related to the second example is the processing groove forming step related to the first example described above except that the laser beam 40 is irradiated to the workpiece 11 from the back surface 11b side. can be carried out in the same way. In particular, in the processing groove forming step according to the second example, when grinding the workpiece 11, the chuck table (shown in the figure) of the laser processing device 30 is interposed through the support member 23 protecting the surface 11a side omitted), the workpiece 11 can be suctioned and held.

또한, 제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서 피가공물 (11) 에 형성되는 가공 홈 (35a) 은, 피가공물 (11) 을 상하로 관통해도 되고, 관통하고 있지 않아도 된다. 가공 홈 (35a) 이 피가공물 (11) 을 상하로 관통하고 있지 않은 경우, 후술하는 수지층 분할 스텝에 있어서 수지층과 함께 피가공물 (11) 이 분할된다.Further, the processing groove 35a formed in the workpiece 11 in the processing groove forming step according to the second example may or may not penetrate the workpiece 11 vertically. When the processing groove 35a does not vertically penetrate the workpiece 11, the workpiece 11 is divided along with the resin layer in a resin layer division step described later.

제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서도, 수지층 (37) 이 가공되는 경우가 없다. 그 때문에, 레이저 빔 (40) 의 조사에 의한 변질 등이 수지층 (37) 에 발생하는 경우는 없고, 최종적으로 얻어진 디바이스 칩을 적층하여 열 압착했을 때에 수지층 (37) 의 변질에서 기인하는 칩 불량이 발생하지 않는다.Also in the processing groove forming step according to the second example, the resin layer 37 is not processed. Therefore, the resin layer 37 does not suffer from deterioration due to irradiation with the laser beam 40, and chips resulting from the deterioration of the resin layer 37 when finally obtained device chips are laminated and thermocompressed. Defects do not occur.

제 2 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝을 실시한 후, 지지 부재 제거 스텝을 실시하여, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 첩부된 지지 부재 (23) 를 제거한다. 그 후, 수지층 형성 스텝을 실시하여, 지지 부재 (23) 가 제거된 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층 (37) 을 형성하고, 수지층 분할 스텝을 실시하여 피가공물 (11) 의 분할 예정 라인 (15) 을 따라 수지층 (37) 을 분할한다.After the processing groove formation step according to the second example is performed, the support member removal step is performed to remove the support member 23 attached to the surface 11a side of the workpiece 11 . Thereafter, a resin layer forming step is performed to form a resin layer 37 on the surface 11a side of the workpiece 11 from which the support member 23 has been removed, and a resin layer dividing step is performed to form a workpiece ( The resin layer 37 is divided along the division line 15 of 11).

또한, 상기 서술한 도 10(A) 에서 설명한 수지층 분할 스텝에서는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 미리 테이프 (31) 를 첩부하고, 테이프 (31) 를 개재하여 프레임 (29) 으로 피가공물 (11) 을 지지하는 경우에 대해 설명하였다. 그러나, 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법은 이것으로 한정되지 않는다. 즉, 테이프 첩부 스텝에 있어서, 테이프 (31) 는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 첩부되어도 된다.In addition, in the resin layer dividing step described in FIG. 10(A) described above, the tape 31 is previously affixed to the back surface 11b side of the workpiece 11, and the frame 29 is formed through the tape 31. The case where the workpiece 11 is supported has been described. However, the manufacturing method of the device chip according to this embodiment is not limited to this. That is, in the tape attaching step, the tape 31 may be attached to the surface 11a side of the workpiece 11 .

도 12(A) 는 제 2 예에 관련된 수지층 분할 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이고, 도 12(B) 는 제 2 예에 관련된 수지층 분할 스텝 후의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다.Fig. 12(A) is a sectional view showing the workpiece 11 in the resin layer division step according to the second example, and Fig. 12(B) shows the workpiece 11 after the resin layer division step according to the second example. It is a cross section that represents

제 2 예에 관련된 수지층 분할 스텝에서는, 도 10(A) 에서 설명한 제 1 예에 관련된 수지층 분할 스텝과 비교하여, 확장되는 테이프 (31) 에 수지층 (37) 이 가까워진다. 이 경우, 테이프 (31) 가 확장되었을 때, 분할 대상이 되는 수지층 (37) 에 반경 방향 외측을 향한 힘이 보다 직접적으로 인가된다. 그 때문에, 수지층 (37) 을 분할하기 쉽다.In the resin layer dividing step related to the second example, the resin layer 37 is brought closer to the tape 31 to be expanded compared to the resin layer dividing step related to the first example described in FIG. 10(A). In this case, when the tape 31 is expanded, a force directed outward in the radial direction is more directly applied to the resin layer 37 to be divided. Therefore, it is easy to divide the resin layer 37.

다음으로, 제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 대해 설명한다. 도 13(A) 는, 제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. 제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 절삭 장치 (112) 에 의해 피가공물 (11) 에 절삭 홈이 형성된다.Next, the processing groove forming step according to the third example will be described. Fig. 13(A) is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in the process groove forming step according to the third example. In the machining groove forming step according to the third example, a cutting groove is formed in the workpiece 11 by the cutting device 112 .

절삭 장치 (112) 는, 피가공물 (11) 을 유지하는 척 테이블 (유지 테이블) (114) 을 구비한다. 척 테이블 (114) 은, 도 7(A) 등에서 설명한 레이저 가공 장치 (30) 의 척 테이블 (32) 과 동일하게 구성된다. 즉, 척 테이블 (114) 의 상면은, 피가공물 (11) 을 유지하는 유지면 (114a) 을 구성하고 있다. 척 테이블 (114) 의 주위에는, 프레임 (29) 을 파지하여 고정시키는 복수의 클램프 (116) 가 형성되어 있다.The cutting device 112 includes a chuck table (holding table) 114 that holds the workpiece 11 . The chuck table 114 is configured similarly to the chuck table 32 of the laser processing apparatus 30 described in FIG. 7(A) and the like. That is, the upper surface of the chuck table 114 constitutes the holding surface 114a holding the workpiece 11 . A plurality of clamps 116 for gripping and fixing the frame 29 are formed around the chuck table 114 .

척 테이블 (114) 의 상방에는, 절삭 유닛 (118) 이 형성되어 있다. 절삭 유닛 (118) 은, 통상의 하우징 (120) 을 구비한다. 하우징 (120) 에는, Y 축 방향을 따라 배치된 원기둥상의 스핀들 (122) 이 수용되어 있다. 스핀들 (122) 의 선단부 (일단부) 는 하우징 (120) 의 외부에 노출되어 있고, 스핀들 (122) 의 기단부 (타단부) 에는 모터 등의 회전 구동원이 연결되어 있다.A cutting unit 118 is formed above the chuck table 114 . The cutting unit 118 has a normal housing 120 . In the housing 120, a cylindrical spindle 122 disposed along the Y-axis direction is accommodated. The front end (one end) of the spindle 122 is exposed to the outside of the housing 120, and a rotation drive source such as a motor is connected to the base end (the other end) of the spindle 122.

스핀들 (122) 의 선단부에는, 원환상의 절삭 블레이드 (124) 가 장착된다. 절삭 블레이드 (124) 는, 회전 구동원으로부터 스핀들 (122) 을 통하여 전달되는 동력에 의해, Y 축 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레를 회전한다.An annular cutting blade 124 is attached to the front end of the spindle 122 . The cutting blade 124 rotates around a rotational axis substantially parallel to the Y-axis direction by power transmitted from a rotational drive source through the spindle 122 .

절삭 블레이드 (124) 로는, 예를 들어 허브 타입의 절삭 블레이드 (허브 블레이드) 가 사용된다. 허브 블레이드는, 금속 등으로 이루어지는 환상의 기대와, 기대의 외주 가장자리를 따라 형성된 환상의 절삭날이 일체가 되어 구성된다. 허브 블레이드의 절삭날은, 다이아몬드 등으로 이루어지는 지립과, 지립을 고정시키는 니켈 도금층 등의 결합재를 포함하는 전기 주조 지석에 의해 구성된다. 단, 절삭 블레이드 (124) 로서 와셔 타입의 절삭 블레이드 (와셔 블레이드) 를 사용할 수도 있다. 와셔 블레이드는, 지립과, 금속, 세라믹스, 수지 등으로 이루어져 지립을 고정시키는 결합재를 포함하는 환상의 절삭날에 의해서만 구성된다.As the cutting blade 124, a hub-type cutting blade (hub blade) is used, for example. The hub blade is formed by integrating an annular base made of metal or the like and an annular cutting edge formed along the outer periphery of the base. The cutting edge of the hub blade is constituted by an electroformed grindstone containing an abrasive grain made of diamond or the like and a binding material such as a nickel plating layer for fixing the abrasive grain. However, as the cutting blade 124, a washer type cutting blade (washer blade) may be used. The washer blade is constituted only by an annular cutting edge including an abrasive grain and a binding material made of metal, ceramics, resin, or the like to fix the abrasive grain.

절삭 유닛 (118) 에는, 볼 나사식의 이동 기구 (도시 생략) 가 연결되어 있연결되있 있다. 이 이동 기구는, 절삭 유닛 (118) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킴과 함께, Z 축 방향을 따라 승강시킨다.A ball screw-type moving mechanism (not shown) is connected to the cutting unit 118. This movement mechanism moves the cutting unit 118 along the Y-axis direction and raises and lowers it along the Z-axis direction.

제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 먼저, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (114) 에 의해 유지된다. 구체적으로는, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측 (적층체 (13) 측) 이 상방을 향하고 이면 (11b) 측 (테이프 (31) 측) 이 유지면 (114a) 에 대면하도록, 척 테이블 (114) 상에 배치된다. 또, 프레임 (29) 이 복수의 클램프 (116) 에 의해 고정된다. 이 상태에서, 유지면 (114a) 에 흡인원의 흡인력 (부압) 을 작용시키면, 피가공물 (11) 이 테이프 (31) 를 개재하여 척 테이블 (114) 에 의해 유지된다.In the machining groove forming step according to the third example, first, the workpiece 11 is held by the chuck table 114 . Specifically, in the workpiece 11, the front surface 11a side (laminate 13 side) faces upward and the back surface 11b side (tape 31 side) faces the holding surface 114a, It is placed on the chuck table 114. Also, the frame 29 is fixed by a plurality of clamps 116 . In this state, when the suction force (negative pressure) of the suction source is applied to the holding surface 114a, the workpiece 11 is held by the chuck table 114 via the tape 31.

다음으로, 척 테이블 (114) 을 회전시켜, 소정의 분할 예정 라인 (15) 의 길이 방향을 가공 이송 방향 (X 축 방향) 에 맞춘다. 또, 절삭 블레이드 (124) 가 소정의 분할 예정 라인 (15) 의 연장선 상에 배치되도록, 절삭 유닛 (118) 의 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 에 있어서의 위치를 조절한다. 또한, 절삭 블레이드 (124) 의 하단이 테이프 (31) 의 상면보다 하방에 배치되도록, 절삭 유닛 (118) 의 높이를 조정한다. 이 때의 적층체 (13) 의 상면과 절삭 블레이드 (124) 의 하단의 높이의 차가, 절삭 블레이드 (124) 의 절입 깊이에 상당한다.Next, the chuck table 114 is rotated to align the longitudinal direction of the predetermined division line 15 with the machining feed direction (X-axis direction). In addition, the position of the cutting unit 118 in the calculation feed direction (Y-axis direction) is adjusted so that the cutting blade 124 is disposed on the extension line of the predetermined dividing line 15 . In addition, the height of the cutting unit 118 is adjusted so that the lower end of the cutting blade 124 is disposed below the upper surface of the tape 31. The difference between the heights of the upper surface of the laminated body 13 and the lower end of the cutting blade 124 at this time corresponds to the cutting depth of the cutting blade 124 .

그리고, 절삭 블레이드 (124) 를 회전시키면서, 척 테이블 (114) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다. 이로써, 척 테이블 (114) 과 절삭 블레이드 (124) 가 X 축 방향을 따라 상대적으로 이동하고 (가공 이송), 절삭 블레이드 (124) 가 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11), 적층체 (13), 패턴층 (27) 에 절입된다. 그 결과, 피가공물 (11) 에 가공 홈 (35b) 이 형성된다. 그 후, 동일한 순서를 반복하여, 모든 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11), 적층체 (13), 패턴층 (27) 을 절삭한다.Then, while rotating the cutting blade 124, the chuck table 114 is moved along the X-axis direction. As a result, the chuck table 114 and the cutting blade 124 move relatively along the X-axis direction (processing feed), and the cutting blade 124 moves along the line 15 to be divided along the workpiece 11, the laminate (13), it cuts into the pattern layer (27). As a result, a processing groove 35b is formed in the workpiece 11 . After that, the same procedure is repeated to cut the workpiece 11, the layered product 13, and the pattern layer 27 along all of the division lines 15.

도 13(B) 는, 가공 홈 (35b) 이 형성된 피가공물 (11) 의 일부를 나타내는 단면도이다. 절삭 후의 피가공물 (11) 에는, 예를 들어, 패턴층 (27) 의 하면에 이르는 가공 홈 (35b) 이 분할 예정 라인 (15) 을 따라 격자상으로 형성된다. 그 결과, 피가공물 (11) 이 분할된다.13(B) is a cross-sectional view showing a part of the workpiece 11 in which the processing groove 35b is formed. In the workpiece 11 after cutting, for example, processing grooves 35b reaching the lower surface of the pattern layer 27 are formed in a lattice shape along the line 15 to be divided. As a result, the workpiece 11 is divided.

단, 제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 절삭 블레이드 (124) 의 하단이 테이프 (31) 에 도달해 있지 않아도 되며, 형성되는 가공 홈 (35b) 이 피가공물 (11) 등을 상하로 관통하고 있을 필요는 없다. 이 경우, 피가공물 (11) 이 가공 홈 (35b) 에서 분단되지 않기 때문에, 그 후에 피가공물 (11) 을 이동시킬 때에 피가공물 (11) 의 개편끼리가 충돌하여 손상을 일으킨다는 문제가 발생하지 않는다. 또, 이 경우, 이후에 실시되는 수지층 분할 스텝에 있어서 수지층 (37) 과 함께 피가공물 (11) 등이 가공 홈 (35b) 을 기점으로 하여 분할된다.However, in the processing groove forming step according to the third example, the lower end of the cutting blade 124 does not have to reach the tape 31, and the processing groove 35b to be formed vertically penetrates the workpiece 11 or the like. You don't have to be doing it. In this case, since the workpiece 11 is not parted at the processing groove 35b, when moving the workpiece 11 thereafter, the problem that pieces of the workpiece 11 collide with each other and cause damage does not occur. don't In this case, in the resin layer division step to be performed later, the workpiece 11 and the like together with the resin layer 37 are divided starting from the processing groove 35b.

제 3 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서도, 수지층 (37) 이 가공되는 경우는 없다. 즉, 절삭 블레이드 (124) 가 수지층 (37) 에 절입되는 경우는 없다. 그 때문에, 절삭 블레이드 (124) 에 의한 절삭이 수지층 (37) 에 영향을 미치는 경우는 없어, 수지층 (37) 에 절삭에서 기인하는 막 박리나 변질이 발생하는 경우는 없다. 따라서, 최종적으로 얻어진 디바이스 칩을 적층하여 열 압착했을 때에 수지층 (37) 의 변질에서 기인하는 칩 불량이 발생하지 않는다.Also in the processing groove forming step according to the third example, the resin layer 37 is not processed. That is, there is no case where the cutting blade 124 is cut into the resin layer 37 . Therefore, the cutting by the cutting blade 124 does not affect the resin layer 37, and the resin layer 37 does not suffer from peeling or deterioration due to cutting. Therefore, when the finally obtained device chips are laminated and thermocompressed, chip defects due to deterioration of the resin layer 37 do not occur.

다음으로, 제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 대해 설명한다. 도 14 는, 제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에 있어서의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. 제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11) 을 노출시키는 마스크층 (도시 생략) 을 피가공물 (11) 에 형성한다. 그리고, 피가공물 (11) 에 플라즈마화한 에칭 가스를 공급하고 그 마스크층으로부터 노출된 영역에 있어서 피가공물 (11) 을 에칭함으로써 가공 홈을 형성한다.Next, the processing groove formation step according to the fourth example will be described. Fig. 14 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in the process groove forming step according to the fourth example. In the process groove forming step according to the fourth example, a mask layer (not shown) exposing the workpiece 11 along the division line 15 is formed on the workpiece 11 . Then, a processing groove is formed by supplying an etching gas converted into plasma to the workpiece 11 and etching the workpiece 11 in a region exposed from the mask layer.

마스크층은, 예를 들어, 피가공물 (11) (적층체 (13)) 의 분할 예정 라인 (15) 과 중첩되는 영역이 노출되도록 패터닝된다. 이 마스크층을 통하여 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써, 피가공물 (11) (적층체 (13)) 의 마스크층으로부터 노출된 부분에 에칭 처리를 실시한다. 마스크층의 재질이나 형성 방법에 제한은 없다. 예를 들어 마스크층은, 감광성의 수지로 이루어지는 레지스트 등에 의해 형성할 수 있다.The mask layer is patterned so that a region overlapping with the line to be divided 15 of the workpiece 11 (laminate 13) is exposed, for example. By supplying an etching gas in a plasma state through this mask layer, the part exposed from the mask layer of the workpiece 11 (layered body 13) is etched. There are no restrictions on the material or formation method of the mask layer. For example, the mask layer can be formed of a resist or the like made of photosensitive resin.

제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 도 14 에 나타내는 플라즈마 처리 장치 (126) 에 의해 피가공물 (11) 에 가공 홈이 형성된다. 먼저, 플라즈마 처리 장치 (126) 에 대해 설명한다. 플라즈마 처리 장치 (126) 는, 내부에 처리 공간 (128) 이 형성된 진공 챔버 (130) 를 구비하고 있다. 진공 챔버 (130) 의 측벽 (130a) 에는, 피가공물 (11) 을 반출입하기 위한 개구 (132) 가 형성되어 있다.In the process groove forming step according to the fourth example, a process groove is formed in the workpiece 11 by the plasma processing device 126 shown in FIG. 14 . First, the plasma processing device 126 will be described. The plasma processing device 126 includes a vacuum chamber 130 in which a processing space 128 is formed. An opening 132 for carrying in and out of the workpiece 11 is formed in the side wall 130a of the vacuum chamber 130 .

개구 (132) 의 외부에는, 개구 (132) 를 개폐하는 게이트 (134) 가 부착되어 있다. 게이트 (134) 의 하방에는, 개폐 유닛 (136) 이 형성되어 있고, 게이트 (134) 는 이 개폐 유닛 (136) 에 의해 상하로 이동한다. 개폐 유닛 (136) 에 의해 게이트 (134) 를 하방으로 이동시켜 개구 (132) 를 열면, 개구 (132) 를 통해서 피가공물 (11) 을 진공 챔버 (130) 의 처리 공간 (128) 에 반입 가능해지거나, 또는, 피가공물 (11) 을 처리 공간 (128) 으로부터 반출 가능해진다.Outside the opening 132, a gate 134 that opens and closes the opening 132 is attached. An opening/closing unit 136 is formed below the gate 134, and the gate 134 moves up and down by the opening/closing unit 136. When the opening 132 is opened by moving the gate 134 downward by the opening and closing unit 136, the workpiece 11 can be carried into the processing space 128 of the vacuum chamber 130 through the opening 132, or Alternatively, the workpiece 11 can be carried out from the processing space 128 .

진공 챔버 (130) 의 바닥벽 (130b) 에는, 배기구 (138) 가 형성되어 있다. 이 배기구 (138) 는, 진공 펌프 등의 감압 유닛 (140) 과 접속되어 있다. 진공 챔버 (130) 의 처리 공간 (128) 에는, 하부 전극 (142) 과 상부 전극 (144) 이 대향하도록 배치되어 있다.An exhaust port 138 is formed in the bottom wall 130b of the vacuum chamber 130 . This exhaust port 138 is connected to a decompression unit 140 such as a vacuum pump. In the processing space 128 of the vacuum chamber 130, the lower electrode 142 and the upper electrode 144 are arranged to face each other.

하부 전극 (142) 은, 도전성의 재료로 형성되어 있고, 원반상의 유지부 (척 테이블) (146) 와, 유지부 (146) 의 하면 중앙으로부터 하방으로 신장되는 원기둥상의 지지부 (148) 를 포함한다. 지지부 (148) 는, 진공 챔버 (130) 의 바닥벽 (130b) 에 형성된 개구 (150) 에 삽입 통과되어 있다.The lower electrode 142 is made of a conductive material and includes a disc-shaped holding portion (chuck table) 146 and a cylindrical supporting portion 148 extending downward from the center of the lower surface of the holding portion 146. . The support portion 148 is inserted through an opening 150 formed in the bottom wall 130b of the vacuum chamber 130 .

개구 (150) 내에 있어서, 바닥벽 (130b) 과 지지부 (148) 사이에는, 절연성의 베어링 (152) 이 배치되어 있고, 진공 챔버 (130) 와 하부 전극 (142) 은 절연되어 있다. 하부 전극 (142) 은, 진공 챔버 (130) 의 외부에 있어서 고주파 전원 (154) 과 접속되어 있다.In the opening 150, an insulating bearing 152 is disposed between the bottom wall 130b and the support portion 148, and the vacuum chamber 130 and the lower electrode 142 are insulated from each other. The lower electrode 142 is connected to the high frequency power supply 154 outside the vacuum chamber 130 .

유지부 (146) 의 상면에는, 피가공물 (11) 을 싣기 위한 다공질 부재가 배치 형성되어 있다. 다공질 부재에는 하부 전극 (142) 의 내부에 형성된 흡인로 (158) 가 접속되어 있고, 이 흡인로 (158) 는 흡인 펌프 (160) 와 접속되어 있다.On the upper surface of the holding portion 146, a porous member for carrying the workpiece 11 is disposed. A suction passage 158 formed inside the lower electrode 142 is connected to the porous member, and the suction passage 158 is connected to the suction pump 160 .

또, 유지부 (146) 의 내부에는, 냉각 유로 (162) 가 형성되어 있다. 냉각 유로 (162) 의 일단은, 지지부 (148) 에 형성된 냉매 공급로 (164) 를 통해서 순환 유닛 (166) 과 접속되어 있고, 냉각 유로 (162) 의 타단은, 지지부 (148) 에 형성된 냉매 배출로 (168) 를 통해서 순환 유닛 (166) 과 접속되어 있다. 이 순환 유닛 (166) 을 작동시키면, 냉매는, 냉매 공급로 (164), 냉각 유로 (162), 냉매 배출로 (168) 의 순서로 흘러, 하부 전극 (142) 을 냉각시킨다.Further, inside the holding portion 146, a cooling passage 162 is formed. One end of the cooling passage 162 is connected to the circulation unit 166 via a refrigerant supply passage 164 formed in the support part 148, and the other end of the cooling passage 162 is connected to the refrigerant discharge formed in the support part 148. It is connected to the circulation unit 166 via the furnace 168. When this circulation unit 166 is operated, the refrigerant flows through the refrigerant supply passage 164, the cooling passage 162, and the refrigerant discharge passage 168 in this order to cool the lower electrode 142.

상부 전극 (144) 은, 도전성의 재료로 형성되어 있고, 원반상의 가스 분출부 (170) 와, 가스 분출부 (170) 의 상면 중앙으로부터 상방으로 신장되는 원기둥상의 지지부 (172) 를 포함한다. 지지부 (172) 는, 진공 챔버 (130) 의 상벽 (130c) 에 형성된 개구 (174) 에 삽입 통과되어 있다.The upper electrode 144 is made of a conductive material, and includes a disk-shaped gas blowing portion 170 and a cylindrical support portion 172 extending upward from the center of the upper surface of the gas blowing portion 170 . The support portion 172 is inserted through an opening 174 formed in the upper wall 130c of the vacuum chamber 130 .

개구 (174) 내에 있어서, 상벽 (130c) 과 지지부 (172) 사이에는, 절연성의 베어링 (176) 이 배치되어 있고, 진공 챔버 (130) 와 상부 전극 (144) 은 절연되어 있다. 상부 전극 (144) 은, 진공 챔버 (130) 의 외부에 있어서 고주파 전원 (154) 과 접속되어 있다. 또, 지지부 (172) 의 상단부는, 승강 기구 (180) 의 지지 아암 (182) 에 연결되어 있고, 상부 전극 (144) 은, 이 승강 기구 (180) 에 의해 상하로 이동한다.In the opening 174, an insulating bearing 176 is disposed between the upper wall 130c and the support portion 172, and the vacuum chamber 130 and the upper electrode 144 are insulated from each other. The upper electrode 144 is connected to the high frequency power supply 154 outside the vacuum chamber 130 . Moreover, the upper end of the support part 172 is connected to the support arm 182 of the lifting mechanism 180, and the upper electrode 144 moves up and down by this lifting mechanism 180.

가스 분출부 (170) 의 하면에는, 복수의 가스 분출구 (184) 가 형성되어 있다. 이 가스 분출구 (184) 는, 유로 (186) 등을 통해서 가스 공급원 (188) 에 접속되어 있다. 가스 공급원 (188) 은, CF4 가스 또는 SF6 가스와, C4F8 가스와, SF6 및 O2 의 혼합 가스를 전환 가능하게 공급할 수 있고, 밸브 (190) 를 개재하여 유로 (186) 에 접속되어 있다. 이로써, 플라즈마 처리용의 원료 가스를 진공 챔버 (130) 내의 처리 공간 (128) 에 공급할 수 있다.A plurality of gas outlets 184 are formed on the lower surface of the gas outlet 170 . This gas outlet 184 is connected to the gas supply source 188 via a flow path 186 or the like. The gas supply source 188 can switchably supply CF 4 gas, SF 6 gas, C 4 F 8 gas, and a mixed gas of SF 6 and O 2 , and passes through the valve 190 to the flow path 186 . is connected to In this way, source gas for plasma processing can be supplied to the processing space 128 in the vacuum chamber 130 .

제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 먼저, 개폐 유닛 (136) 에 의해 게이트 (134) 를 하강시킨다. 다음으로, 개구 (132) 를 통해서 피가공물 (11) 을 진공 챔버 (130) 의 처리 공간 (128) 에 반입하고, 하부 전극 (142) 의 유지부 (146) 에 재치 (載置) 한다. 이 때, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 또는 이면 (11b) 측이 상부 전극 (144) 을 향하게 된다. 또, 피가공물 (11) 의 반입시에는, 승강 기구 (180) 에 의해 상부 전극 (144) 를 상승시켜, 피가공물 (11) 의 반입 스페이스를 확보해 둔다.In the processing groove forming step according to the fourth example, first, the gate 134 is lowered by the opening/closing unit 136 . Next, the workpiece 11 is carried into the processing space 128 of the vacuum chamber 130 through the opening 132, and is placed on the holding part 146 of the lower electrode 142. At this time, the front surface 11a side or the back surface 11b side of the workpiece 11 faces the upper electrode 144 . Moreover, at the time of carrying in of the to-be-processed object 11, the upper electrode 144 is raised by the lifting mechanism 180, and the carrying-in space of the to-be-processed object 11 is secured.

그 후, 흡인 펌프 (160) 의 부압을 작용시켜, 피가공물 (11) 을 유지부 (146) 상에 고정시킨다. 또, 개폐 유닛 (136) 에 의해 게이트 (134) 를 상승시켜, 처리 공간 (128) 을 밀폐한다. 또한, 하부 전극 (142) 과 상부 전극 (144) 이 에칭에 적합한 소정의 위치 관계가 되도록, 승강 기구 (180) 에 의해 상부 전극 (144) 을 하강시킨다. 또, 감압 유닛 (140) 을 작동시켜, 처리 공간 (128) 을 진공 (저압) 으로 한다. 또, 도시되지 않은 불활성 가스 공급원 등으로부터 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 처리 공간 (128) 에 공급해도 된다.After that, the negative pressure of the suction pump 160 is applied to fix the workpiece 11 on the holding portion 146 . Further, the gate 134 is raised by the opening/closing unit 136 to seal the processing space 128 . Further, the upper electrode 144 is lowered by the lifting mechanism 180 so that the lower electrode 142 and the upper electrode 144 come into a predetermined positional relationship suitable for etching. Further, the decompression unit 140 is operated to make the processing space 128 vacuum (low pressure). In addition, an inert gas such as argon gas may be supplied to the processing space 128 from an inert gas supply source (not shown).

다음으로, 피가공물 (11) 을 플라즈마 에칭한다. 플라즈마 에칭에서는, 예를 들어, CF4 가스 또는 SF6 가스의 플라즈마를 사용한 등방성 에칭과, 등방성 에칭에 의해 노출된 영역에 대한 C4F8 가스의 플라즈마를 사용한 페시베이션막의 피복을 교대로 반복한다. 이로써 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11) 에 가공 홈을 형성한다. 즉, 이른바 보슈 프로세스에 의해 가공 홈이 형성된다.Next, the workpiece 11 is plasma etched. In the plasma etching, for example, isotropic etching using a plasma of a CF 4 gas or SF 6 gas, and coating of a passivation film using plasma of a C 4 F 8 gas on a region exposed by the isotropic etching are alternately repeated. . In this way, a processing groove is formed in the workpiece 11 along the division line 15 . That is, the processing groove is formed by the so-called Bosch process.

등방성 에칭을 실시할 때에는, 가스 공급원 (188) 으로부터 에칭용의 원료 가스 (CF4 가스 또는 SF6 가스) 를 소정의 유량으로 처리 공간 (128) 의 내부에 공급한다. 이 상태에서, 고주파 전원 (154) 에서 하부 전극 (142) 및 상부 전극 (144) 에 소정의 고주파 전력을 공급하면, 하부 전극 (142) 및 상부 전극 (144) 사이에 플라즈마가 발생한다.When isotropic etching is performed, source gas for etching (CF 4 gas or SF 6 gas) is supplied from the gas supply source 188 into the processing space 128 at a predetermined flow rate. In this state, when predetermined high frequency power is supplied from the high frequency power supply 154 to the lower electrode 142 and the upper electrode 144, plasma is generated between the lower electrode 142 and the upper electrode 144.

이로써, 피가공물 (11) 이 등방성 에칭되어, 피가공물 (11) 에 분할 예정 라인 (15) 을 따른 홈이 형성된다. 여기서, 한 번의 등방성 에칭에 있어서의 에칭 깊이는, 피가공물 (11) 의 두께와 비교하여 대폭 작게 한다.Thereby, the workpiece 11 is isotropically etched, and a groove along the line 15 to be divided is formed in the workpiece 11 . Here, the etching depth in one isotropic etching is made significantly smaller than the thickness of the workpiece 11 .

등방성 에칭에 의해 노출된 영역에 대한 페시베이션막의 피복을 실시할 때에는, 가스 공급원 (188) 으로부터 페시베이션막의 원료 가스 (C4F8 가스) 를 소정의 유량으로 처리 공간 (128) 의 내부에 공급한다. 이 상태에서, 고주파 전원 (154) 에서 하부 전극 (142) 및 상부 전극 (144) 에 소정의 고주파 전력을 공급하면, 하부 전극 (142) 및 상부 전극 (144) 사이에 플라즈마가 발생한다.When covering the region exposed by isotropic etching with the passivation film, a source gas (C 4 F 8 gas) of the passivation film is supplied from the gas supply source 188 to the inside of the processing space 128 at a predetermined flow rate. do. In this state, when predetermined high frequency power is supplied from the high frequency power supply 154 to the lower electrode 142 and the upper electrode 144, plasma is generated between the lower electrode 142 and the upper electrode 144.

이로써, 플라즈마 상태의 원료 가스에 의해 등방성 에칭에 의해 노출된 홈의 측벽이나 바닥부에 플루오로카본 중합막 등으로 형성되는 페시베이션막이 형성된다. 이 다음으로, 다시 등방성 에칭을 실시하지만, 홈의 측벽과 비교하여, 바닥부에 있어서의 페시베이션막의 에칭 레이트는 높아지기 때문에, 홈의 바닥부에서 피가공물 (11) 이 다시 노출되어, 에칭된다.As a result, a passivation film formed of a fluorocarbon polymer film or the like is formed on the sidewall or bottom of the groove exposed by isotropic etching by the raw material gas in a plasma state. After this, isotropic etching is performed again, but since the etching rate of the passivation film at the bottom portion is higher than that of the side wall of the groove, the workpiece 11 is again exposed and etched at the bottom portion of the groove.

제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 이렇게 하여, 등방성 에칭과, 페시베이션막의 성막을 반복함으로써, 피가공물 (11) 에 가공 홈을 형성한다. 단, 플라즈마 에칭에 의해 가공 홈을 형성하는 방법은 이것으로 한정되지 않고, 등방성 에칭만으로 피가공물 (11) 이 가공되어도 된다. 가공 홈은, 피가공물 (11) 을 상하로 관통해도 되고, 관통하지 않아도 된다. 가공 홈이 피가공물 (11) 을 상하로 관통하고 있지 않은 경우, 수지층 분할 스텝에서 수지층 (37) 과 함께 피가공물 (11) 이 분할된다.In the process groove formation step according to the fourth example, a process groove is formed in the workpiece 11 by repeating isotropic etching and film formation of the passivation film in this way. However, the method of forming the processing groove by plasma etching is not limited to this, and the workpiece 11 may be processed only by isotropic etching. The processing groove may or may not penetrate the workpiece 11 vertically. When the processing grooves do not penetrate the workpiece 11 vertically, the workpiece 11 is divided along with the resin layer 37 in the resin layer dividing step.

제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝에서는, 소정의 깊이의 가공 홈이 피가공물 (11) 에 형성되었을 때에 플라즈마 에칭을 종료하고, 마스크층을 제거한다. 그 후, 수지층 형성 스텝 및 수지층 분할 스텝을 실시한다. 즉, 수지층 (37) 은, 가공 홈 형성 스텝 후에 피가공물 (11) 에 형성되기 때문에, 수지층 (37) 이 플라즈마 에칭의 영향을 받는 경우는 없다.In the processing groove forming step according to the fourth example, when a processing groove having a predetermined depth is formed in the workpiece 11, the plasma etching is terminated and the mask layer is removed. After that, a resin layer forming step and a resin layer dividing step are performed. That is, since the resin layer 37 is formed on the workpiece 11 after the process groove formation step, the resin layer 37 is not affected by plasma etching.

또한, 수지층 (37) 이 플라즈마 에칭 전에 피가공물 (11) 에 배치 형성되는 경우, 마스크층과 함께 수지층 (37) 이, 또는, 마스크층으로서 기능하는 수지층 (37) 이 패터닝되어, 분할 예정 라인 (15) 을 따라 피가공물 (11) 등이 노출된다. 그리고, 그 후에 등방성 에칭을 진행시키는 과정에 있어서 가공 홈의 주위의 수지층 (37) 의 하방에서 마스크 언더 컷이 발생하는 것이 생각된다.In addition, when the resin layer 37 is disposed on the workpiece 11 before plasma etching, the resin layer 37 together with the mask layer or the resin layer 37 functioning as the mask layer is patterned and divided. The workpiece 11 and the like are exposed along the planned line 15 . Then, in the process of advancing isotropic etching after that, it is considered that mask undercut occurs below the resin layer 37 around the processing groove.

이 경우, 피가공물 (11) 이 최종적으로 분할되어 디바이스 칩 (39) 이 형성되었을 때, 디바이스 칩 (39) 으로부터 주위로 비어져 나오도록 수지층 (37) 이 디바이스 칩 (39) 에 남는다. 수지층 (37) 이 NCF 인 경우, 열 압착에 의해 소정의 실장 대상에 수지층 (37) 을 개재하여 디바이스 칩 (39) 이 첩부된다. 이 때, 수지층 (37) 이 디바이스 칩 (39) 의 주위에 비어져 나와 있으면, 디바이스 칩 (39) 과 실장 대상 사이에서 수지층 (37) 이 충분히 신장 확산되지 않아, 실장 불량의 원인이 되는 것이 생각된다.In this case, when the work piece 11 is finally divided to form the device chip 39, the resin layer 37 remains on the device chip 39 so as to protrude from the device chip 39 to the periphery. When the resin layer 37 is NCF, the device chip 39 is attached to a predetermined mounting object via the resin layer 37 by thermocompression bonding. At this time, if the resin layer 37 protrudes around the device chip 39, the resin layer 37 is not sufficiently stretched and diffused between the device chip 39 and the mounting target, which causes mounting defects. it is thought

이 실장 불량을 방지하기 위해서는 디바이스 칩 (39) 으로부터 비어져 나온 수지층 (37) 만을 제거하면 되지만, 그와 같은 공정은 시간이 걸린다. 이에 반하여, 수지층 (37) 이 플라즈마 에칭 (제 4 예에 관련된 가공 홈 형성 스텝) 후에 실시되는 경우, 이와 같은 실장 불량이 발생하는 경우는 없다.In order to prevent this mounting defect, it is sufficient to remove only the resin layer 37 protruding from the device chip 39, but such a process takes time. In contrast, when the resin layer 37 is formed after plasma etching (process groove formation step related to the fourth example), such a mounting defect does not occur.

그 외에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structure, method, etc. related to the above embodiment can be appropriately changed and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

11 : 피가공물
11a : 표면
11b : 이면
13 : 적층체
15 : 분할 예정 라인
17 : 디바이스
19 : 접속 전극
21 : 전극
23 : 지지 부재
25 : 접착층
27 : 패턴층
29 : 프레임
29a : 개구
31 : 테이프
33 : 보호막
35, 35a, 35b : 가공 홈
37 : 수지층
39 : 디바이스 칩
2 : 연삭 장치
4, 32, 68, 114 : 척 테이블
4a, 22a, 32a, 114a : 유지면
6 : 연삭 유닛
8, 122 : 스핀들
10 : 마운트
12 : 연삭 휠
14 : 기대
16 : 연삭 지석
20 : 스핀 코터
22 : 스피너 테이블
24, 34, 110, 116 : 클램프
26 : 보호막재 공급 유닛
28 : 보호막재
30 : 레이저 가공 장치
36 : 레이저 조사 유닛
38 : 레이저 가공 헤드
40 : 레이저 빔
50, 126 : 플라즈마 처리 장치
52, 130 : 진공 챔버
52a, 130a : 측벽
52b, 132, 150, 174 : 개구
52c, 130b : 바닥벽
52d, 130c : 상벽
54, 134 : 게이트
56, 136 : 개폐 유닛
58, 98 : 배관
60, 140 : 감압 유닛
62 : 테이블 베이스
62a, 70a, 158 : 흡인로
62b, 162 : 냉각 유로
64, 146 : 유지부
66, 148, 172 : 지지부
70 : 본체부
72, 92 : 전극
74 : DC 전원
76, 160 : 흡인 펌프
78, 166 : 순환 유닛
80 : 가스 공급 유닛
82 : 공급관
82a : 공급구
84a, 84b, 84c, 88a, 88b, 88c, 190 : 밸브
86a, 86b, 86c : 유량 컨트롤러
90a, 90b, 90c, 188 : 가스 공급원
94, 154 : 고주파 전원
96 : 분산 부재
100 : 확장 장치
102 : 드럼
104 : 굴림대
106 : 지지 부재
108 : 테이블
112 : 절삭 장치
118 : 절삭 유닛
120 : 하우징
122 : 스핀들
124 : 절삭 블레이드
128 : 처리 공간
138 : 배기구
142 : 하부 전극
144 : 상부 전극
152, 176 : 베어링
164 : 냉매 공급로
168 : 냉매 배출로
170 : 가스 분출부
180 : 승강 기구
182 : 지지 아암
184 : 가스 분출구
186 : 유로11: Workpiece
11a: surface
11b: back side
13: laminate
15: Scheduled division line
17: device
19: connection electrode
21: electrode
23: support member
25: adhesive layer
27: pattern layer
29: frame
29a: opening
31: tape
33: shield
35, 35a, 35b: processing groove
37: resin layer
39: device chip
2: grinding device
4, 32, 68, 114: chuck table
4a, 22a, 32a, 114a: holding surface
6: grinding unit
8, 122: spindle
10 : mount
12: grinding wheel
14: Expect
16: grinding stone
20: spin coater
22: spinner table
24, 34, 110, 116: clamp
26: protective film supply unit
28: protective film material
30: laser processing device
36: laser irradiation unit
38: laser processing head
40: laser beam
50, 126: plasma processing device
52, 130: vacuum chamber
52a, 130a: side wall
52b, 132, 150, 174: opening
52c, 130b: bottom wall
52d, 130c: upper wall
54, 134: gate
56, 136: open/close unit
58, 98: Piping
60, 140: decompression unit
62: table base
62a, 70a, 158: suction path
62b, 162: cooling passage
64, 146: holding part
66, 148, 172: support
70: body part
72, 92: electrode
74: DC power
76, 160: suction pump
78, 166: circulation unit
80: gas supply unit
82: supply pipe
82a: supply port
84a, 84b, 84c, 88a, 88b, 88c, 190: valve
86a, 86b, 86c: flow controller
90a, 90b, 90c, 188: gas supply source
94, 154: high frequency power supply
96: dispersion member
100: extension device
102: drum
104: rolling table
106: support member
108: table
112: cutting device
118: cutting unit
120: housing
122: spindle
124: cutting blade
128: processing space
138: exhaust vent
142: lower electrode
144: upper electrode
152, 176: bearing
164: refrigerant supply path
168: refrigerant discharge path
170: gas ejection unit
180: lifting mechanism
182: support arm
184: gas outlet
186: Euro

Claims (11)

표면 및 이면을 갖고, 복수의 교차하는 분할 예정 라인에 의해 그 표면이 구획되고, 그 표면의 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 피가공물을 분할하여 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법으로서,
그 피가공물을 그 분할 예정 라인을 따라 가공하여 가공 홈을 형성하는 가공 홈 형성 스텝과,
그 가공 홈 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 표면측에 수지층을 형성하는 수지층 형성 스텝과,
그 수지층 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 분할 예정 라인을 따라 그 수지층을 분할하는 수지층 분할 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.A device chip manufacturing method in which a device chip is manufactured by dividing a workpiece having a front surface and a back surface, the surface of which is partitioned by a plurality of intersecting division lines, and devices are formed in each partitioned region of the surface,
a machining groove forming step of forming a machining groove by machining the workpiece along the division line;
After the processing groove forming step, a resin layer forming step of forming a resin layer on the surface side of the workpiece;
After the resin layer forming step, a resin layer dividing step of dividing the resin layer along the line along which the workpiece is to be divided is included. 제 1 항에 있어서,
그 수지층 분할 스텝 전에 그 피가공물의 그 이면측에 테이프를 첩부하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고,
그 수지층 분할 스텝에서는, 그 피가공물의 그 이면측에 첩부된 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층을 분할하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 1,
Further comprising a tape attaching step of attaching a tape to the back side of the workpiece before the resin layer dividing step,
In the resin layer dividing step, the resin layer is divided by spreading the tape attached to the back side of the workpiece. 제 1 항에 있어서,
그 수지층 분할 스텝 전에 그 피가공물의 그 표면측에 테이프를 첩부하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고,
그 수지층 분할 스텝에서는, 그 피가공물의 그 표면측에 첩부된 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층을 분할하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 1,
Further comprising a tape attaching step of attaching a tape to the surface side of the workpiece before the resin layer dividing step,
In the resin layer dividing step, the resin layer is divided by spreading the tape attached to the surface side of the workpiece. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝 전에,
그 피가공물의 그 표면측에 지지 부재를 고정시키는 지지 부재 고정 스텝과,
그 지지 부재 고정 스텝 후, 그 피가공물의 그 이면측을 연삭하는 이면 연삭 스텝과,
그 이면 연삭 스텝 후, 그 피가공물의 그 이면에 도전층 및 절연층의 일방 또는 양방을 포함하는 패턴을 형성하는 이면 패턴 형성 스텝을 실시하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 3,
Before the machining groove forming step,
a support member fixing step for fixing the support member to the surface side of the workpiece;
a backside grinding step of grinding the back side of the workpiece after the support member fixing step;
A device chip manufacturing method characterized by performing a back surface pattern forming step of forming a pattern including one or both of a conductive layer and an insulating layer on the back surface of the workpiece after the back surface grinding step. 제 4 항에 있어서,
그 이면 연삭 스텝 후, 그 가공 홈 형성 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면측에 첩부된 그 지지 부재를 제거하는 지지 부재 제거 스텝을 추가로 포함하고,
그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 표면측으로부터 그 피가공물을 가공하여 그 가공 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 4,
After the back surface grinding step and before the machining groove forming step, a support member removal step of removing the support member attached to the surface side of the workpiece is further included,
In the processing groove forming step, the workpiece is processed from the surface side to form the processing groove. 제 4 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 피가공물의 그 표면측에 그 지지 부재가 첩부된 상태로 그 피가공물을 그 이면측으로부터 가공하여 그 가공 홈을 형성하고,
그 가공 홈 형성 스텝 후, 그 피가공물의 그 표면측에 첩부된 그 지지 부재를 제거하는 지지 부재 제거 스텝을 실시하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 4,
In the processing groove forming step, the processing groove is formed by processing the workpiece from the back side in a state where the support member is attached to the front surface side of the workpiece,
A method of manufacturing a device chip characterized by performing a support member removal step of removing the support member attached to the surface side of the workpiece after the processing groove forming step. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 피가공물에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 그 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써 그 피가공물을 가공하여 그 피가공물에 그 가공 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 6,
In the process groove forming step, the workpiece is processed by irradiating a laser beam having a wavelength that has absorption to the workpiece along the division line, and the processing groove is formed in the workpiece. manufacturing method. 제 7 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면 또는 그 이면 중 그 레이저 빔이 조사되는 일방에 보호막을 형성하는 보호막 형성 스텝과,
그 가공 홈 형성 스텝 후에, 그 피가공물의 그 표면 또는 그 이면의 그 일방에 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급하고, 그 가공 홈의 측면에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리를 제거하는 플라즈마 에칭 스텝을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 7,
a protective film forming step of forming a protective film on one of the surface or rear surface of the workpiece to which the laser beam is irradiated, before the processing groove forming step;
After the processing groove forming step, a plasma etching step is added to supply an etching gas in a plasma state to either the surface or the back surface of the workpiece to remove processing strain or debris remaining on the side surface of the processing groove. A method for manufacturing a device chip comprising: 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝에서는, 원환상의 절삭 블레이드로 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물을 절삭함으로써 그 가공 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 6,
In the processing groove forming step, the processing groove is formed by cutting the workpiece along the dividing line with an annular cutting blade. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물을 노출시키는 마스크층을 그 피가공물에 형성하고, 그 피가공물에 플라즈마화한 에칭 가스를 공급하고 그 마스크층으로부터 노출된 영역에 있어서 그 피가공물을 에칭함으로써 그 가공 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 6,
In the processing groove forming step, a mask layer exposing the workpiece is formed on the workpiece along the line to be divided, and a plasma etching gas is supplied to the workpiece, and in the area exposed from the mask layer. A device chip manufacturing method characterized by forming the processing groove by etching the workpiece. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 가공 홈 형성 스텝에서는, 그 피가공물을 그 표면으로부터 그 이면까지 관통하는 그 가공 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 8,
In the processing groove forming step, the processing groove penetrating the workpiece from its front surface to its back surface is formed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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