KR20230093510A - 연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법 - Google Patents

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KR20230093510A
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시아 왕
젠 우
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씨노아펙스 써모 테크놀로지 (쑤저우) 씨오., 엘티디.
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Abstract

본 출원은 리튬이온전지 재료 가공 분야에 속하는 연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법에 관한 것이다. 연속식 킬른은 킬른로, 기류 공급 배출 장치 및 기류 제어 장치를 포함한다. 여기서, 기류 공급 배출 장치 및 기류 제어 장치는 킬른로 내의 분위기를 제어하기 위해 매칭된다. 기류 공급 배출 장치의 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐은 대향되어, 킬른로 길이 방향에 수직되는 횡방향 기류를 형성함으로써, 내부 분위기를 안정적으로 유지시킬 수 있다.

Description

연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법
본 출원은 리튬이온전지 재료가공 분야에 관한 것으로, 구체적으로는 연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법에 관한 것이다.
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2020년 12월 1일에 중국 국가지식재산권국에 제출된 출원 번호가 2020113884985이고, 출원 명칭이 "연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법"인 중국 특허 출원의 우선권과, 2020년 12월 1일에 중국 국가지식재산권국에 제출된 출원 번호가 2020228595682이고, 출원 명칭이 "연속식 킬른"인 중국 특허 출원의 우선권을 주장하는 바, 상기 출원의 전부 내용은 참조로서 본 출원에 포함된다.
연속식 킬른은 리튬이온전지 양극재를 생산하는 중요한 기기 중의 하나이다. 연속식 킬른은 주로 내화재, 보온재 및 건축재로 축조되어 형성된 킬른로(kiln furnace)이며, 일반적으로 양단이 개구된 터널 구조로 축조된다.
리튬이온전지 양극재의 생산 과정에서, 일반적으로 양극재의 열처리 또는 열화학 처리에 필요한 공정 분위기를 형성하기 위해 연속식 킬른 내에 특정 가스(예컨대, 건조 공기, 산소 또는 질소 등)를 통과시켜야 하며, 이러한 특정 가스를 공정가스라 지칭한다. 또한, 킬른 내에서 양극재의 열처리 또는 열화학 처리 시, 반응 과정에서 생성된 수증기 및 이산화탄소와 같은 일부 기체 부산물(폐가스라 지칭할 수 있음)이 방출되며, 그 외, 폐가스에는 종종 일부 잔류 부식성 가스가 더 포함되어 있다. 이러한 폐가스는 가능한 한 빨리 킬른 내에서 배출되어야 하며, 그렇지 않으면 킬른 내의 분위기 제어에 심각한 영향을 미쳐, 소성 후의 양극재의 성능이 저하된다.
기존의 킬른 내의 분위기 제어 문제를 개선하기 위해, 본 출원은 연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 출원은 다음과 같이 구현된다.
본 출원은 킬른로, 기류 공급 배출 장치 및 기류 제어 장치를 포함하는 연속식 킬른을 제공한다.
여기서, 킬른로는 노(Furnace) 헤드에서 노 테일로의 제1 방향을 따라 연장되는 노 챔버를 구비한다. 기류 공급 배출 장치는 노 챔버 내에 킬른로의 일측 노 벽에서 타측 노 벽으로의 제2 방향을 따라 유동 가능한 방향성 기류를 형성하도록 구성된다. 또한, 기류 공급 배출 장치는 공급 배출 그룹부를 구비하고, 공급 배출 그룹부는 노 벽에 연결되고 서로 매칭 및 대향되는 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐을 구비하며, 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐은 킬른로의 노정(furnace top)에서 노 바닥으로의 제3 방향을 따라 배치된다. 기류 제어 장치는 기류 공급 배출 장치와 매칭 연결되어, 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐을 제어한다.
선택적으로, 노 벽의 가스 공급 노즐과 연결되는 위치에는 가스 분배기가 설치되고, 가스 공급 노즐은 가스 분배기의 가스 챔버와 연통된다.
본 출원의 일부 가능한 구현방식에 있어서, 노 벽의 가스 석션 노즐과 연결된 위치에는 가스 흡입구가 구비되고, 가스 흡입구는 제3 방향을 따라 배치되며, 가스 석션 노즐은 가스 흡입구와 연통된다.
선택적으로, 가스 흡입구는 길고 좁은 형상으로 형성된다.
선택적으로, 가스 흡입구의 단면은 직사각형 또는 타원형이다. 선택적으로, 연속식 킬른은 소재를 담기 위한 내화갑(saggar)을 포함하고, 내화갑의 측벽에는 노치를 구비하고, 노치는 방향성 기류가 경유하는 내화갑의 통로를 구성하며, 노치는 각각 가스 흡입구 및 가스 공급 노즐을 향한다.
선택적으로, 가스 공급 노즐의 노즐구는 노치에 근접하여 있다.
선택적으로, 연속식 킬른은 검출 장치를 포함하며, 검출 장치는 킬른로를 검출하기 위한 노 압력 센서 및/또는 가스 농도 센서를 포함한다.
선택적으로, 검출 장치는 압력 센서 및/또는 유량 센서를 포함하며, 가스 석션 노즐 및 가스 공급 노즐 중 하나 또는 모두에 압력 센서 및/또는 유량 센서가 매칭 설치된다.
선택적으로, 검출 장치는 온도 센서를 더 포함한다. 선택적으로, 기류 제어 장치는 가스 공급 밸브 및 가스 배출 밸브를 포함하고, 가스 공급 밸브는 가스 공급 노즐과 매칭 연결되고, 가스 배출 밸브는 가스 석션 노즐과 연결되며, 가스 공급 밸브 및 가스 배출 밸브는 검출 장치에 응답하여 컨트롤되도록 구성된다.
선택적으로, 기류 제어 장치는 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐을 연동하여 제어 가능하도록 구성됨으로써, 킬른로 내의 가스 유입량 및 가스 배출량을 연동하여 제어할 수 있다.
선택적으로, 가스 공급 밸브 및 가스 배출 밸브는 모두 비례 솔레노이드 밸브이다.
선택적으로, 복수의 공급 배출 그룹부 중의 모든 가스 석션 노즐은 일측 노 벽에 위치하고, 복수의 공급 배출 그룹부 중의 모든 가스 공급 노즐은 타측 노 벽에 위치하거나;
또는, 일측 노 벽 및 타측 노 벽에는 모두 가스 석션 노즐 및 가스 공급 노즐이 설치되고, 동일측의 노 벽 상의 가스 석션 노즐 및 가스 공급 노즐은 제3 방향을 따라 교대로 이격되게 배치되거나;
또는, 기류 공급 배출 장치는 제1 방향을 따라 복수 개로 배열되고, 동일한 기류 공급 배출 장치의 가스 공급 노즐은 하나의 노 벽에 위치하고, 가스 석션 노즐은 다른 하나의 노 벽에 위치하며, 인접되어 있는 2 개의 기류 공급 배출 장치 중 가스 석션 노즐 및 가스 공급 노즐은 제1 방향을 따라 교대로 이격되게 배치된다. 선택적으로, 연속식 킬른은 히터를 포함하며, 히터는 킬른로와 연결된다.
선택적으로, 히터는 제3 방향을 따라 배치되고, 킬른로의 노 벽에 연결된다.
선택적으로, 인접되어 있는 2 개의 히터 사이에는 가스 공급 노즐 또는 가스 석션 노즐이 설치된다.
선택적으로, 킬른로의 양측 노 벽에는 모두 히터가 연결되어 있고, 양측 노 벽 상에 연결된 히터의 개수는 동일하다.
본 출원은 상술한 연속식 킬른을 통해 실시되는 열처리 또는 열화학 처리 방법을 제공한다. 상기 열처리 또는 열화학 처리 방법은, 킬른로의 노 챔버 내부를 열처리 또는 열화학 처리에 필요한 온도까지 가열하는 단계; 적재 수단에 의해 제1 방향을 따라 열처리 대상 또는 열화학 처리 대상을 노 챔버 내로 수송하고, 수송 과정에서, 노 챔버 내의 열처리 또는 열화학 처리에 필요한 공정 분위기를 유지하기 위해, 기류 제어 장치의 컨트롤하에 기류 공급 배출 장치를 통해 노 챔버내로 공정가스를 입력하는 동시에, 기류 제어 장치를 통해 노 챔버로부터 가스를 배출하는 단계를 포함한다.
본 출원의 연속식 킬른 및 열처리 또는 열화학 처리 방법은 연속식 킬른 내의 공정가스 농도를 균일하게 분포시켜, 소성 소재가 공정가스와 균일하고, 일관되게 접촉하여, 소성 후 제품의 일관성을 향상시킬 수 있다.
본 출원의 실시예의 기술방안을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하 실시예에서 사용되어야 할 도면을 간략하게 소개할 것이며, 다음 도면은 본 출원의 일부 실시예만을 도시하므로 범위를 한정하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 당업자라면 창조적 노력 없이 이러한 도면에 기반하여 다른 관련 도면을 얻을 수도 있다는 것을 이해할 수 있다.
도 1은 본 출원에 따른 연속식 킬른에서 킬른 몸체의 구조 모식도이다.
도 2는 본 출원에 따른 제1 시각(각도)에서의 연속식 킬른의 구조 모식도를 도시한다.
도 3은 본 출원에 따른 제2 시각(각도)에서의 연속식 킬른의 구조 모식도를 도시한다.
도 4는 본 출원에 따른 연속식 킬른에 사용되는 내화갑의 구조 모식도를 도시한다.
도 5는 본 출원에 따른 갭이 있는 가스 공급 노즐의 구조 모식도를 도시한다.
도 6은 본 출원에 따른 열처리 또는 열화학 처리 방법의 흐름도를 도시한다.
도 7은 본 출원에 따른 연속식 킬른에 설치된 각 검출 장치의 위치의 모식도를 도시한다.
리튬이온전지의 핵심 재료중 하나로서, 양극 활성재료(이하, 양극재로 지칭함)는 전지의 안전성, 종합 성능 및 원가에 중요한 역할을 한다.
생산 과정에서 양극재에 대한 열처리 또는 열화학 처리, 특히 고온 소성 처리는 재료 성능을 결정하는 핵심 단계이다. 또한 소성 과정에서, 많은 양극재는 특수한 분위기를 유지하기 위해 특정 공정가스를 소성된 킬른로 내로 유입시켜야 하며, 특수한 분위기에 대해서도 엄격하게 제어해야 한다. 예를 들어, 하이니켈 삼원계 재료와 같은 삼원계 양극재의 경우, 산소를 유입시켜야 하고, 인산철리튬 등과 같은 양극재의 경우 질소를 유입시켜야 한다. 소성 시 특별한 분위기를 필요로 하는 이러한 종류의 양극재는 소성 후 양극재의 성능에 영향을 미치기 때문에 소성 과정에서 분위기 제어가 매우 중요하며, 이에 따라, 양극재의 제조사 및 관련 연구자들은 킬른로의 양극재 소성 시 구비해야 할 분위기 제어 능력을 향상시키기 위해 노력해 왔다.
현재, 양극재의 소성은 일반적으로 연속식 킬른로(연속식 킬른이라고도 지칭함)를 통해 구현되며, 예를 들어, 푸시 플레이트 터널 킬른(푸시 킬른이라고 약칭함) 및 롤러 터널 킬른(롤러 킬른이라고 약칭함) 등은 모두 연속식 킬른의 구현 방식이다. 이른바 터널 킬른은 내화재, 보온재 및 건축재로 축조되어 형성된 양단이 개구된 터널 구조의 킬른로이다. 상이한 온도와 기능에 따라, 터널 킬른은 일반적으로 승온 구간, 보온 구간 및 냉각 구간을 분할 형성한다. 터널 킬른 내의 전기 히터 또는 연료(예를 들어, 천연가스, 중유(heavy oil) 등)를 분사하여 연소하는 방식으로 킬른 몸체를 가열한다. 캐리어에 적재된 열처리될 소재나 열화학 처리될 소재, 또는 소재를 로딩하는 캐리어(예컨대, 내화갑)는 터널의 일단(킬른 헤드)으로부터 터널 킬른으로 진입하여, 승온 구간, 보온 구간 및 냉각 구간을 차례로 통과한 후, 터널 킬른의 타단(킬른 테일)을 통과하여 킬른으로부터 나옴으로써, 열처리가 완료된다.
그러나, 실행을 통해, 본 출원의 발명자는 기존의 킬른로 모두가 상이한 정도의 결함을 가져서, 양극재의 소성이 수요를 충족시킬 수 없음을 발견하였다.
분석을 거쳐 발명자는 상기 문제가 주로 다음과 같은 이유로 발생한다고 생각한다.
소성 과정에서, 양극재와 공정가스는 반응에 참여하며, 반응을 촉진하기 위해서는, (1)공정가스와 소성된 소재가 충분히 접촉하고; (2)다량의 공정가스는 소재의 표면을 흐르면서 반응에서 생성된 가스 부산물을 가능한 한 빨리 제거하는; 두 가지 핵심 조건이 필요하다. 그러나 기존의 소성 양극재에 적용되는 연속식 킬른로는 이 두 가지 핵심 조건 중 적어도 하나를 충족시킬 수 없으며, 예를 들어, 푸시 킬른 또는 롤러 킬른의 가스 석션 및 가스 배출 시스템은 위의 조건을 충분히 충족시킬 수 없다.
이해의 편의를 위해, 리튬이온전지 양극재를 예로 들면, 리튬이온전지 양극재는 소성 전 일반적으로 분말 형태로 존재하며, 킬른로를 이용하여 분말 재료를 소성하는 경우, 일반적으로 소성하고자 하는 분말 재료를 내화갑 등과 같은 캐리어에 넣되, 킬른로의 생산 능력을 향상시키기 위해, 소재를 적재하는 내화갑은 일반적으로 적층 방식으로 캐리어에 배치되어야 하므로, 기류의 공급과 배출에 심각한 영향을 미치고, 공정가스와 적층된 내화갑 내의 분말 재료가 충분히 접촉할 수 없게 되고, 다량의 공정가스도 적층된 내화갑 내의 분말 재료의 표면을 흐를 수 없게 된다. 이해의 편의를 위한 자세한 설명은 다음과 같다.
가스가 킬른로의 바닥 및 측벽으로부터 유입되어, 킬른 꼭대기로부터 배출되는 기존의 전형적인 기술을 예로 들면, 킬른로 측벽의 가스 유입구로부터 유입되는 공정가스는 킬른 꼭대기의 가스 배출구의 부압의 흡인 하에, 위쪽으로 유동하고, 킬른 꼭대기의 가스 배출구를 통해 킬른로에서 배출된다.
바닥의 가스 유입구로부터 유입된 공정가스는 하단층 내화갑 바닥에 의해 차단되므로, 대부분 공정가스는 내화갑의 주변을 따라 유동하여, 위쪽으로 유동하는 주기류에 합류될 수밖에 없으며; 나머지 일부 공정가스는 내화갑 사이의 틈새를 통과하여 위쪽을 향해 가스 배출구를 통해 배출된다.
상단층 내화갑의 소재는 내화갑 꼭대기에 차단물이 없으므로 공정가스와 상대적으로 충분한 접촉을 할 수 있으며, 동시에 상단층 내화갑 내 소재에서 방출되는 폐가스도 주 기류와 함께 꼭대기의 가스 배출구로부터 상대적으로 원활하게 배출될 수 있다.
그러나, 하단층 내화갑은 상단층 내화갑에 의해 차단되므로, 공정가스가 원활하게 유입될 수 없으며, 소재의 소성에 의해 방출되는 폐가스도 위쪽으로 유동하는 기류를 통해 원활하게 제거되지 못한다. 하단층 내화갑 내부와 외부의 가스 교환은 주로 확산을 통해 완료되며, 즉 하단층 내화갑 둘레의 일부분 공정가스가 확산 작용을 통해 내화갑 가장자리의 노치로부터 내화갑으로 유입된다. 마찬가지로, 하단층 내화갑 내에서 소재의 소성을 거쳐 방출되는 폐가스도 확산 작용을 통해 내화갑 가장자리의 노치를 통해 내화갑으로부터 유출된 후, 내화갑 주변의 기류와 함께 킬른 꼭대기를 향해 모여 가스 배출구를 통해 배출된다.
위의 설명으로부터, 가스가 킬른로의 바닥 및 측벽으로부터 유입되어, 킬른 꼭대기로부터 배출되는 기존의 전형적인 기술은 하단층 내화갑 소재의 가스 배출이 저항을 받는 문제 및 신선한 공정가스와의 불충분한 접촉 등 문제를 해결할 수 없으며, 마찬가지로, 가스가 킬른로 꼭대기로부터 유입되어, 바닥으로부터 배출되는 방식의 기존의 전형적인 기술 역시 하단층 내화갑 소재의 가스 배출이 저항을 받고 신선한 공정가스와의 접촉이 불충분한 등 문제를 해결할 수 없다.
요컨대, 내화갑이 적층된 경우, 상단층 내화갑이 하단층 내화갑을 차단하기 때문에, 공정가스가 하단층 내화갑으로 유입되든지, 폐가스가 하단층 내화갑으로부터 유출되든지를 막론하고 모두 확산 작용에 의존한다. 따라서, 하단층 내화갑 내부와 외부의 가스 교환 효율이 매우 낮다. 또한, 이 두 가스의 확산 방향이 반대되므로 가스 교환이 더욱 약해져, 하단층 내화갑 내의 공정가스의 농도가 상단층 내화갑 내의 공정가스의 농도보다 훨씬 낮아지고, 하단층 내화갑 내의 폐가스의 축적은 상단층 내화갑 내의 폐가스의 축적보다 훨씬 높아진다.
위의 현상은 상단층 및 하단층의 내화갑 내의 소재가 접촉하는 분위기에 큰 차이를 발생시켰고, 나아가 상단층 및 하단층의 내화갑 내의 양극재의 소성 후의 성능에도 매우 큰 차이를 발생시켜, 제품의 일관성을 저하시킨다. 설상가상으로, 양극재 제조사들은 비용을 절감하기 위해 일반적으로 킬른로 내에 더욱 많은 내화갑을 적층하는데, 적층된 내화갑의 층의 개수가 증가함에 따라, 전술한 문제는 더욱 악화된다.
또한, 킬른로의 가스 유입구의 기압이 높지 않아, 공정가스가 가스 유입구로부터 킬른 몸체 내의 더 넓은 공간으로 유입된 후, 기류의 속도는 크게 느려져, 폐가스의 배출 및 공정가스의 균일 분포가 저항을 받는다. 그러나, 가스 유입 압력이 너무 높으면, 양극재 분말에 과도한 교란을 일으켜, 분말이 흩날려 정상적인 수송에 불편하다.
위에서 언급한 현 상황에 대해, 발명자는 킬른로 내에서 질서 있고 방향성이 높은 기류를 형성함으로써, 양극 활성재가 공정가스와 충분히 접촉할수 있어, 충분한 반응을 일으키는 동시에, 또한 반응에 의해 생성된 폐가스를 제때에 배출하여 폐가스 반응에 의해 생성된 악영향을 억제할 수 있다.
상기와 같은 효과를 달성하기 위해, 본 출원에서 발명자는 연속식 킬른을 제안한다. 일부 구현방식에서, 연속식 킬른은 주로 킬른로, 기류 공급 배출 장치 및 기류 제어 장치 이 세 가지 주요 구성 부분을 포함하며, 아래에 자세히 설명하도록 한다.
(1) 킬른로
킬른로(101)의 구조는 도 1을 참조하며, 노 벽(1014), 노 바닥(1016) 및 노정(1015)을 구비한다. 특히, 노 내의 공정가스(18)의 제어를 용이하게 하고, 공정가스(18)의 비효율적인 소비를 감소시키기 위해, 킬른로(101) 내부의 단면을 슬림하고 긴 형태로 설계할 수 있으며, 킬른로(101) 내부의 노정(1015)(도 2의 꼭대기의 아크 구조, 볼트(vault)라고도 함)의 여유 공간(내화갑(2)이 없는 공간)이 차지하는 비율이 작다(아크 꼭대기 영역에서 노 챔버의 면적은 노 벽 영역에서 노 챔버의 면적보다 작음).
본 출원의 연속식 킬른에서 공정가스(18)의 유동 방향은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같다. 설명과 이해의 편의를 위해, 킬른로(101)는 3 개의 방향, 즉 제1 방향, 제2 방향 및 제3 방향으로 정의한다. 구체적으로, 노 헤드(1011)에서 노 테일(1012)로의 방향을 제1 방향(또는 길이 방향이라 함)으로 정의하고, 도 1에 도시된 방향(B)과 같으며; 일측 노 벽(1014)에서 타측 노 벽(1014)으로의 방향을 제2 방향(또는 폭 방향이라 함)으로 정의하고, 도 1에 도시된 방향(C)과 같으며; 노정(1015)에서 노 바닥(1016)으로의 방향을 제3 방향(또는 높이 방향이라고 함)으로 정의하고, 도 1에 도시된 방향(A)과 같다.
킬른로(101)는 연속식 킬른의 주요 구조를 구성하며, 열처리 또는 열화학 처리 등 작업도 주로 상기 킬른로(101) 내에서 수행된다. 열처리 또는 열화학 처리를 제공하기 위한 장소로서, 킬른로(101)는 노 벽(1014)에 의해 둘러싸인 노 챔버(1013)를 구비한다. 실제 사용 과정에서, 열처리 또는 열화학 처리 소재는 킬른로(101)의 노 헤드(1011)로부터 유입되어, 노 챔버(1013)의 상이한 구간(예를 들어, 순차적으로 분포된 승온 구간, 보온 구간 및 냉각 구간)으로 순차적으로 수행되어, 마지막으로 킬른로(10)의 노 테일(1012)을 통해 배출된다. 설명해야 할 것은, 킬른로(101)는 열처리 또는 열화학 처리를 제공하는 장소로서, 일반적으로 일정한 기밀성 및 밀폐성을 유지해야 하므로, 일반적으로 노 헤드(1011) 및 노 테일(1012)에는 선택적으로 개폐될 수 있는 게이트 등을 설치해야 하며, 또한 킬른로(101)는 쉘을 통해 밀폐되도록 구성된다. 본 출원에서는 이에 대해 도시하여 설명하지 않았다. 당업자는 게이트 및 쉘과 같은 전술한 기기가 종래 기술에서 제공될 수 있음을 이해할 수 있으며, 불필요한 반복 설명을 피하기 위해 본 출원에서는 이에 대해 간략하게 설명한다.
가열 작업을 수행하기 위해, 킬른로(101)는 일반적으로 가열 기기를 배치할 필요가 있다. 전술한 바와 같이, 가열 기기는 연료를 분사함으로써 킬른로(101) 내의 선택 위치를 직접 가열할 수 있다. 그러나 인입될 가능성이 있는 이물질 및 소성 반응에 미치는 영향을 고려하여, 일반적으로 히터(11)를 선택 사용하고, 히터(11)는 전기 히터, 예를 들어, 가열 로드 등 전기 히터를 사용하여 전기 가열을 수행할 수 있고, 또한 히터(11)는 연소 가열을 수행하기 위해 밴드 열 방사관을 사용할 수 있다. 히터는 저항 히터 등 특정 제품일 수 있으며, 여기에 한정되지 않는다.
본 출원에서, 연속식 킬른에는 히터(11)가 설치되고, 상기 히터(11)는 킬른로(101)와 연결된다. 선택적으로, 히터(11)는 노정(1015)로부터 노 챔버(1013) 내로 삽입되며, 또는 히터(11)는 노 바닥(1016) 또는 노 벽(1014)을 통해 노 챔버(1013) 내로 삽입될수 있다. 히터(11)가 노 챔버(1013) 내에서 수송되는 소성 대기 소재를 방해할 수 있다는 점을 고려하여, 본 출원에서 히터(11)는 노 벽(1014) 부근에 삽입 연결 및 고정되고, 노정(1015)에서 노 바닥(1016)으로의 방향(A)을 따라 삽입 연결되며, 도 1 및 도 3을 참조한다.
도 3의 개시된 내용에서, 킬른로(101)의 양측 노 벽(1014) 모두에 히터(11)가 설치된다. 양측 노 벽(1014)의 히터(11)의 개수는 동일하며, 방향(C) 상에서 일대일로 대향된다. 동일측 노 벽(1014)에서, 인접되어 있는 2 개의 히터(11)는 서로 간에 적당한 거리로 이격되어 있다. 물론, 히터(11)의 장착 위치 및 방식은 다른 옵션도 가질 수 있으나, 본 출원은 이에 대해 구체적으로 한정하지 않는다.
이 외에, 다양한 요구에 따라 또한 킬른로(101)에 검출 장치 등 다양한 적절한 장치 및 기기를 선택적으로 배치할 수 있으며, 구체적으로는 실제 상황에 따라 유연하게 설치할 수 있다.
예를 들어, 상이한 사용 방식에서, 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내에 다른 분위기를 제공할 필요가 있는 경우에, 다른 가스 공급 파이프라인 기기를 선택할 수도 있다.
다른 예를 들어, 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내의 온도를 모니터링하여, 제때에 온도를 조정하기 위해, 킬른로(101) 내에 온도 센서(55) 등과 같은 온도 검출 장치를 설치할 수도 있으며, 예를 들어, 구체적으로 적외선 온도 검출기 등을 사용할 수 있다.
노 챔버(1013) 내에서 소재 소성을 수행하려면 공정가스(18)를 제공할 필요가 있으며, 이에 따라, 킬른로(101)에는 검출 장치를 설치할 수도 있다. 여기서 검출 장치는 기압 검출기일 수 있고, 농도 검출기일 수도 있으며, 둘 모두를 설치할 수도 있다. 여기서 기압 검출기는 킬른로(101)를 검출하기 위한 노 압력 센서(88)일 수 있고, 여기서 농도 검출기는 킬른로(101) 내의 공정가스(18)(예컨대 산소)의 농도를 검출하기 위한 가스 농도 센서(89)일 수 있다.
이 밖에, 연속식 킬른에는 소성 소재(예컨대 양극재)을 담고 수송하기 위한 기기(예를 들어, 내화갑(2))가 배치될 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같다. 기류가 내화갑(2)을 용이하게 경과할 수 있도록, 내화갑(2)의 측벽에는 노치(38)가 개방 설치된다. 따라서, 복수의 내화갑(2)이 적층될 때, 상이한 내화갑(2)의 노치(38)는 방향성 기류가 내화갑(2)을 경과하는 통로를 구성할 수 있다. 내화갑(2)에 노치(38)를 설치함으로써 기류의 유동에 도움이 되어, 기류가 폐가스를 용이하게 제거하고, 기류의 난류를 감소시킨다.
(2) 기류 공급 배출 장치
본 출원에서, 기류 공급 배출 장치는 주로 기류 입력 부분 및 기류 배출 부분을 포함한다. 또한, 상기 두 부분은 서로 매칭되어, 킬른로(101) 내에서 연속적이고 방향성 있는 기류를 형성한다. 여기서의 '방향성'은 킬른로(101)의 방향(B)과 서로 교차(예컨대, 가로세로 교차)하는 방향(C), 즉 킬른로(101)의 일측 노 벽(1014)에서 타측 노 벽(1014)으로의 방향을 말한다. 다시 말해서, 소성 소재가 노 챔버(1013) 내에서 킬른 헤드에서 킬른 테일로 향하는 종방향 수송 과정에서, 상기 기류 공급 배출 장치를 통해 횡방향 기류가 형성될 수 있다.
여기서, 기류 입력 부분은 소성 과정에서의 반응 수요를 위해 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내로 공정가스(18)를 수송하기 위해 사용된다. 여기서, 기류 배출 부분은 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내의 폐가스(44)를 킬른로(101) 외부로 배출하기 위해 사용된다.
상기 기류 공급 배출 장치는 예를 들어, 신선한 공정가스(18)를 추가하는 동시에 폐가스(44)를 배출하는 등 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내의 분위기 갱신을 구현할 수 있다. 또한, 유속 및 유량 등과 같은 기류의 수송 상태를 제어함으로써, 일정한 정도에서 노 챔버(1013) 내의 온도를 제어할 수 있다. 폐가스(44)가 일부 열량을 끌어갈 수 있고, 신선한 입력의 공정가스(18)도 일부 열량을 흡수할 수 있다.
기류 공급 배출 장치는 공급 배출 그룹부를 구비한다. 공급 배출 그룹부는 임의의 개수의 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)을 포함한다. 또한 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 서로 간에 이격 대향되고, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 모두 노 벽(1014)과 연결되며, 이에 따라, 양자 간의 이격된 영역은 노 챔버(1013) 내에서 소성 소재를 수송하기 위한 통로가 된다.
공급 배출 그룹부 중의 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 킬른로(101)의 노정(1015)에서 노 바닥(1016)으로의 제3 방향을 따라 배치된다. 즉 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 킬른로의 높이 방향을 따라 배치된다. 따라서, 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내에 높이가 비교적 높은 소성 대상을 배치할 경우, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 제3 방향을 따라 배치되어 소성 대상을 효과적으로 커버할 수 있으므로, 소성 대상으로 하여금 방향성 기류의 작용 및 영향을 균일하게 받을 수 있도록 한다. 개선된 방안으로서, 소성 소재를 수용하기 위한 내화갑(2)의 노치(38)는 가스 공급 노즐(32)을 향한다. 나아가, 가스 공급 노즐(32)의 노즐구(가스 출구)는 노치(38)(내화갑의 정상적인 운송을 방해하지 않는 범위에서)에 근접함으로써, 가스를 내화갑(2)으로 정확하게 수송하는데 용이하다.
도 2는 연속식 킬른의 단면의 구조 개략도이고, 여기서, 8 개의 가스 공급 노즐(32) 및 3 개의 가스 석션 노즐(37)을 포함하는 하나의 공급 배출 그룹부를 도시한다. 선택적으로, 하나의 공급 배출 그룹부에서 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)의 개수는 동일하거나, 또는 가스 공급 노즐(32)의 개수는 가스 석션 노즐(37)의 개수보다 적을 수 있다. 다시 말해서, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 일대일로 배치될 수 있거나, 일대다로도 배치될 수 있으며, 또는 다대일로도 배치될 수 있으며, 여기에 한정되지 않는다.
위의 내용은 연속식 킬른이 하나의 기류 공급 배출 장치만을 가지는 것을 예로 들어 설명하였다. 물론 연속식 킬른은 복수의 기류 공급 배출 장치를 구비할 수도 있으며, 선택적으로, 연속식 킬른이 복수의 기류 공급 배출 장치를 구비할 경우, 이에 상응하는 복수의 공급 배출 그룹부를 구비한다. 따라서, 복수의 공급 배출 그룹부를 구비할 경우, 모든 공급 배출 그룹부는 킬른로(101)의 길이 방향을 따라 배치되며, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같다.
상술한 도 2 및 도 3은 본 출원의 공급 배출 그룹부의 한 가지 배열 방식을 개시한 것일 뿐이며, 선택적으로, 공급 배출 그룹부는 다른 배열 방식을 가질 수 있으며, 두 가지 상황을 예로 들어 상세히 설명하면 다음과 같다.
상황 1: 하나의 공급 배출 그룹부에서, 킬른로(101)의 방향(A)을 따라, 가스 공급 노즐(32) 모두가 하나의 노 벽(1014)에 설치되고, 가스 석션 노즐(37) 모두가 다른 하나의 노 벽(1014)에 설치된다.
상황 2: 하나의 공급 배출 그룹부에서, 킬른로(101)의 방향(A)을 따라, 일부 가스 공급 노즐(32)은 하나의 노 벽(1014)에 설치되고, 나머지 가스 공급 노즐(32)은 다른 노 벽(1014)에 설치된다. 상응하게, 상기 공급 배출 그룹부에서, 일부 가스 석션 노즐(37)은 하나의 노 벽(1014)에 설치되고, 나머지 가스 석션 노즐(37)은 다른 노 벽(1014)에 설치된다.
하나의 기류 공급 배출 장치(상응하게 하나의 공급 배출 그룹부를 구비함)만을 구비한 연속식 킬른에 있어서, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 전술한 상황 1 또는 상황 2를 임의로 선택하여 구조적 구성을 수행할 수 있다.
복수(예컨대 2 개 이상)의 기류 공급 배출 장치(상응하게 복수의 공급 배출 그룹부를 구비함)를 구비한 연속식 킬른에 있어서, 모든 공급 배출 그룹부는 킬른로(101)의 방향(B)을 따라 배치된다. 또한 각 공급 배출 그룹부 중의 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 모두 상황 1을 선택하는 방식으로 배치될 수 있을 뿐만 아니라, 모두 상황 2를 선택하는 방식으로 배치될 수도 있으며, 또는 모든 공급 배출 그룹부는 상황 1 및 상황 2의 조합 방식으로 배치될 수 있다.
본 출원에서 도시된 방안에서, 복수의 공급 배출 그룹부가 존재하며, 또한 전술한 상황 1이나 상황 2의 조합 방식을 채택하여 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)을 배치한다. 특히, 동일측 노 벽(1014)의 인접되어 있는 2 개의 공급 배출 그룹부에서 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 교대로 배치된다. 이러한 방식으로, 킬른로(101) 내의 소성 소재의 캐리어 상에는 1 열 이상(도 3에는 2 열로 도시됨)의 내화갑(2)이 킬른 내부를 통과할 경우, 각 측의 내화갑(2)은 가스 주입 장치(202) 또는 가스 배출 장치(203)를 마주할 기회가 모두 동등하며, 즉 캐리어 등은 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)과 동일한 확률로 마주한다. 이로써, 상이한 열에 있는 내화갑(2) 내의 소재의 소성 일관성을 향상시킬 수 있으므로, 각 내화갑(2)은 양측을 교대로 통과하는 기류를 갖게 된다. 더 나은 일관성을 보장하기 위해, 본 출원의 내화갑(2)은 도 3에 도시된 바와 같이 2 열로 적층된다.
기류 공급 배출 장치의 상이한 구조 방식은 연속식 킬른의 상이한 구현 형태를 충족시킬 수 있으며, 노 챔버 내의 분위기에 대해 상이한 정도의 갱신 및 온도 조절 효과를 구현할 수 있다.
가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)의 배치 방식을 고려할 때, 노 킬른의 히터(11)에 따라 위치 및 구조 조정을 맞춤형으로 수행할 수도 있다. 예를 들어, 인접되어 있는 2 개의 히터(11) 사이에 가스 공급 노즐(32) 또는 가스 석션 노즐(37)을 설치한다. 즉 복수의 공급 배출 그룹부에 대해, 인접되어 있는 2 개의 공급 배출 그룹부에서 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)이 교대로 배치됨에 따라, 히터(11)를 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37) 사이에 설치할 수 있다. 상응하게, 두 히터(11) 사이에 가스 공급 노즐(32) 또는 가스 석션 노즐(37)을 교대로 '클램핑'시킨다. 여기서, '교대' 방식은 하나의 히터(11), 하나의 가스 공급 노즐(32), 하나의 히터(11), 하나의 가스 공급 노즐(32) 등 방식과 같이 하나씩 이격되는 방식, 또는 2 개의 히터(11), 2 개의 가스 공급 노즐(32), 2 개의 히터(11), 2 개의 가스 공급 노즐(32) 등 방식과 같이 2 개씩 이격되는 방식일 수 있다. 전술한 배치 방식을 통해, 공정가스(18) 분사 시, 인접되어 있는 히터(11) 상에 가스가 직접 분사됨으로 인해 히터(11)의 가열 출력에 영향을 주는 것을 방지할 수 있으며, 또한 공정가스(18)를 다시 충분히 예열시킬 수도 있다.
위에서는 공급 배출 그룹부의 배치 방식에 대해 설명하였으며, 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐의 구체적인 구조는 이하에서 자세히 설명하도록 한다.
선택적으로, 가스 공급 노즐(32)은 원통형 중공관으로 구성된다. 또한, 가스 공급 노즐(32)의 일단은 노 벽(1014)에 삽입 연결되고, 타단은 노 챔버(1013) 내로 연장된다. 가스 공급 노즐(32)은 송풍기를 통해 공정가스(18)를 수송하기 위해 노 벽(1014)에 매립된 파이프라인을 기류 통로로 사용하며; 여기서, 전술한 파이프라인은 중공의 내화 벽돌로 조립된 것이며, 또는 하나의 세라믹 튜브이거나, 세라믹으로 라이닝된 내고온성 금속 튜브이며, 여기에 한정되지 않는다. 선택적으로, 가스 공급 노즐(32)은 킬른로(101) 밖에 배치될 수도 있으며, 노 벽(1014) 상의 구멍을 통해 가스 공급 노즐(32)과 연결된 주입관을 노 내에 삽입할 수 있으며; 또는, 노 챔버(1013)는 노 내로 삽입되는 주입관을 장착할 필요 없이, 노 밖의 가스 공급 노즐(32)에 의해 노 벽(1014) 상의 구멍을 통해 가스가 주입된다. 또는, 중공 벽돌은 킬른의 적층에 사용되며, 중공 벽돌에는 노 챔버(1013)와 연통되는 가스 구멍이 개방 설치되고, 가스 구멍을 통해 가스가 주입된다.
가스 공급 노즐(32)의 개수가 비교적 많은 경우, 각 가스 공급 노즐(32)마다 독립적인 파이프라인을 설치함으로써 공정 및 구조가 복잡해질 수 있다. 따라서, 파이프라인으로 바로 가스를 공급할 수 있도록, 노 벽(1014) 내에 하나의 캐비티를 미리 남겨두도록 선택한다. 가스 공급 노즐(32)은 상기 캐비티와 직접 연통될 수도 있다. 기능적으로, 상기 캐비티는 실질적으로 하나의 가스 분배기(31)를 구성한다. 다시 말해서, 노 벽(1014)의 가스 공급 노즐(32)과 연결된 위치에는 가스 분배기(31)가 설치되고, 가스 공급 노즐(32)은 가스 분배기(31)의 가스 챔버와 연통된다. 상기 가스 분배기(31) 내에는 차가운 공정가스(18)가 노 챔버(1013) 내로 직접 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 가스 분배기(31) 내로 유입된 공정가스(18)를 가열하기 위한 가열판이 더 설치될 수 있다. 물론, 공정가스(18)는 연속식 킬른 외부에서 예열된 후, 가스 분배기(31) 내로 유입한 다음, 가스 공급 노즐(32)을 통해 노 챔버(1013) 내로 분사될 수도 있다. 가스 분배기(31)는 가스 수송 구조를 단순화하는 효과를 달성함과 동시에, 기류 제어 장치의 제어 난이도를 감소시킬 수 있다.
여기서, 개선된 해결 방안으로서, 중공관 형태의 가스 공급 노즐(32)의 구조를 개진할 수도 있으며, 가스 분배기(31)와 맞물릴 수 있다. 예를 들어, 선택적으로, 가스 공급 노즐(32)이 가스 분배기(31)로 연장되는 일단에 갭이 설치되어, 'L'의 단부 구조를 형성한다. 또한, 공정가스(18)가 가스 분배기(31)로 유입되는 입사 방향은 가스 공급 노즐(32)의 갭으로부터 멀리 떨어져 있고 서로 배향되며, 도 5에 도시된 바와 같다. 이에 따라, 가스 분배기(31) 내의 공정가스(18)가 노즐에 유입되는 시간이 지연될 수 있어, 공정가스(18)가 분배기 내에서 가열 시간이 더 길어지므로, 가열 효과를 향상시킬 수 있다.
유사하게, 가스 석션 노즐(37) 역시 중공의 파이프라인으로 구성될 수 있다. 가스 석션 파이프라인에 의해 챔버(1013)로부터 폐가스(44)를 배출하기 위해 가스 석션 노즐(37)은 노 벽(1014) 내에 홈 구조를 설치할 수도 있다. 본 출원에서, 노 벽(1014)에서 가스 석션 노즐(37) 위치에 가스 흡입구(39)가 설치되며, 명백하게, 가스 석션 노즐(37)은 상기 가스 흡입구(39)와 연통된다. 또한, 상기 가스 흡입구(39)는 제3 방향을 따라 배치(즉 노 챔버(1013)의 깊이 방향)된다. 선택적으로, 가스 흡입구(39)는 길고 좁은 형상으로 형성되고, 예를 들어, 가스 흡입구(39)는 단면이 직사각형 구조이거나, 단면이 타원형 구조일 수 있다. 길고 좁은 형상의 가스 흡입구(39)는 더 큰 가스 흡입 면적을 제공하고, 더 많은 가스 석션 노즐(37)에 대응됨으로써, 각 위치에서 가스 흡입 배기의 균일성을 더욱 향상시킨다. 노 벽(1014)에 가스 흡입구(39)가 설치되는 경우, 가스 석션 노즐(37)의 일단은 가스 흡입구(39) 내로 삽입될 수 있고, 타단은 킬른로(101) 외부로 연장될 수 있다.
또한, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)로 가스를 수송하기 위한 동력원으로서, 기류 공급 배출 장치는 환풍기, 송풍기, 가스 배출 송풍기, 공기 펌프 등 기기 중 하나 또는 복수 개가 매칭되게 배치될 수 있다. 본 출원에서, 가스 공급 노즐(32)에 대응하도록, 연속식 킬른에는 주입 장치(202)가 배치되며; 가스 석션 노즐(37)에 대응하여, 연속식 킬른에는 가스 배출 장치(203)가 배치된다.
(3) 기류 제어 장치
기류 제어 장치는 기류 공급 배출 장치와 매칭되어 동작하는 기기로서, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)을 제어할 수 있으며, 또한 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)은 동시에 매칭하여 동작시킨다. 즉, 가스 공급 노즐(32)의 동작 상태는 가스 석션 노즐(37)의 동작 상태와 연관된다. 가스 공급 노즐(32)의 동작 상태가 조정되면, 가스 석션 노즐(37)의 상태도 대응되게 조정될 수 있다. 기류 제어 장치의 조정을 통해, 가스 공급 노즐(32)의 가스 유입량과 가스 석션 노즐(37)의 가스 배출량을 매칭시킬 수 있으며, 예를 들어, 가스 유입량을 가스 배출량과 동일하게 한다.
다시 말해서, 선택적으로, 기류 제어 장치는 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)을 연동하여 제어할 수 있다. 물론, 선택적으로 기류 제어 장치는 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐을 각각 독립적으로 제어할 수도 있다. 예를 들어, 연동 메커니즘 내 어느 한 자동 제어가 고장나거나, 자동 제어 조절 범위가 실제 수요를 충족시킬 수 없거나, 일부 특수하게 수동 작업으로 변경해야 하는 경우, 기류 제어 장치와 관련된 시스템은 프로그램을 통해 자동 제어를 수동 모드로 전환하고, 현장 계기(예를 들어 유량계, 차압계 및 증압기)에 의존하여, 현장 계기의 검출값에 기반하여 가스 유입 제어 밸브 및 가스 배출 제어 밸브를 수동으로 조절함으로써 노 내의 가스 균형을 달성할 수 있으며, 실제 응용에서, 가스 균형 여부는 산소 분압 값의 표시로 판단한다.
가스 유입량 및 가스 배출량을 제어하여 가스 유입량과 가스 배출량을 매칭시킬 수 있으며, 이로써 형성된 방향성 기류가 보다 안정될 수 있다. 또한, 이렇게 하면 가스 배출량이 상대적으로 큼으로써 발생하는 과도한 연기가 킬른로(101) 내의 다량의 열량을 빼앗아 가 에너지를 손상시키는 문제를 초래하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 동시에, 가스 배출량이 상대적으로 너무 적어 킬른로(101) 내의 폐가스(44) 잔류량이 너무 많은 문제도 효과적으로 방지할 수 있다.
선택적으로, 기류 제어 장치는 가스 공급 밸브(42)(수동 조절 핸들을 구비할 수 있는 자동 제어 밸브일 수 있음) 및 가스 배출 밸브(40)(수동 조절 핸들을 구비할 수 있는 자동 제어 내식성 고온 밸브일 수 있음)를 포함한다.
여기서, 가스 공급 밸브(42)는 가스 공급 노즐(32)과 매칭 연결되고, 가스 배출 밸브(40)는 가스 석션 노즐(37)과 연결된다. 공정가스(18)의 수송 상태 및 폐가스(44)의 수송 상태의 제어는 2 개의 밸브의 개방도를 조정함으로써 구현될 수 있다. 밸브는 다양한 버터플라이 밸브, 볼 밸브, 조절 밸브, 스로틀 밸브 등을 사용할 수 있으며, 여기에 한정되지 않는다. 제어의 정확성과 작업의 편의성을 향상시키기 위해, 가스 배출 밸브(40) 및 가스 공급 밸브(42)는 비례 솔레노이드 밸브를 선택 사용할 수 있다.
나아가, 연속식 킬른에는 검출 장치가 더 설치되어, 가스 공급 밸브(42) 및 가스 배출 밸브(40)는 검출 장치에 대응하여 컨트롤되도록 구성될 수 있다. 다시 말해서, 검출 장치를 통해 검출된 연속식 킬른의 작업 상황을 통해, 대응되게 가스 공급 밸브(42) 및 가스 배출 밸브(40)에 조절을 수행함으로써, 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)의 작업을 구현한다.
여기서 검출 장치는 압력 센서(65) 및/또는 유량 센서(66)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 압력 센서(65) 및 유량 센서(66)는 가스 공급 파이프라인 시스템에 연결되고, 가스 공급 노즐(32)의 상류에 위치할 수 있다. 또는, 압력 센서(65) 및 유량 센서(66)는 가스 흡입 파이프라인 시스템에 연결되고, 가스 석션 노즐(37)의 하류에 위치할 수도 있다.
이 외에, 킬른로(101)에 대응하여, 킬른로(101)에 설치된 노 압력 센서(88) 및 공정가스(18)의 가스 농도 센서(89)도 검출 장치의 구성 부분으로서 작용한다. 노 압력 센서(88) 및 가스 농도 센서(89)는 킬른로의 노 챔버 내의 압력 및 분위기 농도를 각각 반영할 수 있어, 사용자가 노 챔버 내의 분위기 상황을 검출하는데 용이하다. 압력 센서(65) 및 유량 센서(66)는 가스 공급 노즐(32) 및 가스 석션 노즐(37)의 작업 상태 및 노 챔버(1013)로 유입되는 기류 및 노 챔버(1013)로부터 배출되는 기류의 상황을 반영할 수 있어, 노 챔버(1013) 내의 분위기 제어에 더 효과적이고 효율적이다. 따라서, 검출 장치는 주입 가스와 배출 가스 및 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내 가스의 다양한 상태를 진실되게 반영할 수 있어, 기류 제어 장치의 작업을 보다 정확하게 할 수 있다.
자동화 제어를 향상시키는 수요에 기반하여, 컨트롤러를 사용하여 가스 공급 밸브(42) 및 가스 배출 밸브(40)를 제어하고, 검출 장치와 컨트롤러를 매칭 연결시킴으로써, 검출 정보의 수집, 처리 및 제어 정보의 발송이 서로 협력되도록 할 수 있다. 여기서 컨트롤러는 일정한 데이터를 저장 및 처리하는 다양한 전자 소자이거나 그 집합체일 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(CPU), 마이크로 컨트롤러(MCU), 프로그래밍 가능한 논리 컨트롤러(PLC), 프로그래밍 가능한 자동화 컨트롤러(PAC), 산업용 제어 컴퓨터(IPC), 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이(Field-Programmable Gate Array, FPGA), 주문형 집적회로 칩(ASIC 칩, 주문형 집적회로(Application Specific Integrated Circuit)) 등이다. 이러한 구조 설계를 통해, 연속식 킬른은 가스 주입 및 배출의 폐쇄 루프 작업을 구현할 수 있다.
이해의 편의를 위해, 컨트롤러의 동작 원리에 대한 예시적 개요는 다음과 같다.
노 압력 센서(88) 및 가스 농도 센서(89)를 통해 노 챔버(1013)의 공정가스(18)의 분압 데이터를 수집하고, 컨트롤러는 수집된 데이터에 기반하여 노 내의 가스 교환 효율을 판단한 다음, 가스 공급 노즐(32)의 가스 공급 밸브(42)의 가스 유입량에 대해 하나의 목표 가스 유입량을 설정하여, 목표 가스 유입량을 근거로 실제 가스 유입량을 조절한다. 아울러, 컨트롤러는 또한 가스 공급 밸브(42)의 유량 데이터를 파라미터로 사용하여, 가스 배출 시스템의 가스 배출 밸브(40)의 목표 개방도를 계산하며, 목표 개방도를 근거로 가스 배출 시스템의 가스 배출량을 조절함으로써, 가스 배출량과 가스 유입량의 연동 제어를 구현한다.
공정가스(18)의 분압이 설정값의 일정 백분율보다 낮으면, 가스 공급 밸브(42)의 개방도를 증가하고, 가스 배출 제어 밸브의 개방도를 증가하며; 공정가스(18)의 분압이 설정값의 일정 백분율보다 높으면, 가스 유입량 제어 밸브를 닫아 작게 하고, 가스 배출 제어 밸브의 개방도를 감소하며; 공정가스(18)의 분압이 설정값의 일정 백분율 이내로 유지되면, 가스 유입량 제어 밸브 및 가스 배출 제어 밸브는 변하지 않고 유지된다. 이 외에, 이 피드백 시스템이 원활하게 작동하도록, 동작이 너무 크거나 너무 느린 불안정한 상황이 발생하지 않기 위해, 킬른로(101)의 노 챔버(1013) 내의 노 압력을 하나의 중간 평형 상수로서 사용할 수 있으며, 그 어떤 조정이라도 노 압력을 설정된 변동 범위 내로 유지시킬 필요가 있다.
요약하면, 본 출원에서 제안하는 연속식 킬른은 킬른 내의 공정가스(18) 농도가 균일하게 분포되도록 우수한 사용 효과를 달성할 수 있음으로써, 소성소재가 공정가스(18)와 균일하고 일관되게 접촉하여, 소성 후 제품의 일관성을 향상시킨다.
하나의 응용으로서, 본 출원은 또한 열처리 또는 열화학 처리 방법을 제안하였으며, 도 6에 도시된 열처리 또는 열화학 처리 방법의 흐름도를 참조하며, 주로 다음의 단계 S100 및 단계 S200을 포함한다.
단계 S100에 있어서, 킬른로의 노 챔버 내에서 열처리 또는 열화학 처리를 위한 온도를 제공한다.
여기서, 열처리 또는 열화학 처리 온도는 연속식 킬른에 설치된 킬른로(101)의 히터(11)에 의해 제공될 수 있다. 킬른로(101)의 상이한 온도 구간(승온 구간, 가열 구간 및 냉각 구간 등)에 대해, 작업 상태에 있는 히터(11)의 개수 및 위치는 적응적으로 조정될 수 있다.
단계 S200에 있어서, 적재 수단에 의해 제1 방향을 따라 열처리 대상 또는 열화학 처리 대상을 노 챔버 내로 수송되고, 수송 과정에서 노 챔버 내의 열처리 또는 열화학 처리에 필요한 공정 분위기를 유지하기 위해, 기류 제어 장치의 컨트롤하에 기류 공급 배출 장치를 통해 노 챔버내로 공정가스를 입력하는 동시에, 기류 제어 장치를 통해 노 챔버로부터 가스를 배출한다.
여기서, 예를 들어, 내화갑(2) 등 적재 수단은 롤러, 푸시 또는 킬른차 등 운송 수단에 의해 수송된다. 생산량을 늘리는 점과 함께 공정가스(18)의 활용을 고려하여, 운송 수단 상의 내화갑(2)은 2 열로 배열되고, 각 열은 8 개 층으로 배치된다. 킬른차는 킬른 헤드로부터 승온 구간, 보온 구간 및 냉각 구간을 연속적으로 거쳐 내화갑(2)을 수송하며, 이 과정에서 공정가스(18)는 킬른 테일을 통해 킬른 밖으로 배출되어 소성 과정을 완료할 때까지 끊임없이 주입될 수 있고, 폐가스(44)도 연속적으로 배출될 수 있다.
본 출원에서 제안하는 연속식 킬른을 활용하면, 내화갑(2)을 비교적 높은 층수로 적층하는 경우의 열처리 또는 열화학 처리 작업에 대해, 하단층의 내화갑(2) 내의 소성 재료가 공정가스(18)에 접촉하는 농도를 향상시킬 수 있으며, 하단층 내화갑(2)의 폐가스(44)의 축적을 감소시킬 수 있어, 상단층 및 하단층 내화갑(2) 내의 분위기의 일관성을 보장하고, 소성 후 제품 성능의 일관성도 개선된다. 또한, 가스 유입량 및 가스 배출량의 선택적 연동 제어를 통해, 방향성 기류의 안정성을 향상시키고; 가스 주입 장치(202) 및 가스 배출 장치(203)를 각 측의 킬른 벽 상에 엇갈리게 배치시킴으로써, 여러 열로 내화갑(2)을 적층시킬 경우, 가장 바깥 측의 내화갑(2)이 가스 주입 장치(202) 및 가스 배출 장치(203)와 동등한 비율로 마주할 수 있으며, 양측 내화갑(2) 내 분위기의 일관성도 향상시킨다.
설명해야 할 것은, 본 출원에서, 연속식 킬른은 소성에 의한 리튬이온전지의 제조를 위한 양극재로서 제안되었으나, 본 출원은 이에 대한 사용만을 한정하려는 것은 아니다. 선택적으로, 상기 연속식 킬른은 세라믹 재료 또는 기타 합금 재료 등을 소성하는 데에도 사용될 수 있다.
이상의 설명은 본 출원의 실시예일 뿐이며, 본 출원을 한정하기 위한 것이 아니며, 본 출원의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 본 출원은 다양한 수정 및 변경이 가능하다. 본 출원의 사상 및 원칙 내에서 이루어지는 모든 수정, 동등한 교체, 개선 등은 모두 본 출원의 보호 범위에 포함된다.
101-킬른로; 1011-노 헤드; 1012-노 테일; 1013-노 챔버; 1014-노 벽;
1015-노정; 1016-노 바닥; 11-히터; 32-가스 공급 노즐;
202-주입 장치; 203-가스 배출 장치; 31-가스 분배기; 2-내화갑;
38-노치; 39-가스 흡입구; 40-가스 배출 밸브; 42-가스 공급 밸브;
18-공정가스; 37-가스 석션 노즐; 44-폐가스; 55-온도 센서;
65-압력 센서; 66-유량 센서; 88-노 압력 센서; 89-가스 농도 센서

Claims (19)

  1. 연속식 킬른에 있어서,
    노 헤드에서 노 테일로의 제1 방향을 따라 연장되는 노 챔버를 구비하는 킬른로;
    상기 노 챔버 내에 상기 킬른로의 일측 노 벽에서 타측 노 벽으로의 제2 방향을 따라 유동 가능한 방향성 기류를 형성하도록 구성된 기류 공급 배출 장치 - 상기 기류 공급 배출 장치는 공급 배출 그룹부를 구비하고, 상기 공급 배출 그룹부는 노 벽에 연결되고 서로 매칭 및 대향되는 가스 공급 노즐 및 가스 석션 노즐을 구비하며, 상기 가스 공급 노즐 및 상기 가스 석션 노즐은 상기 킬른로의 노정에서 노 바닥으로의 제3 방향을 따라 배치됨 - ; 및
    상기 가스 공급 노즐 및 상기 가스 석션 노즐을 제어할 수 있도록 상기 기류 공급 배출 장치에 매칭 연결되는 기류 제어 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노 벽의 상기 가스 공급 노즐과 연결되는 위치에는 가스 분배기가 설치되고, 상기 가스 공급 노즐은 상기 가스 분배기의 가스 챔버와 연통되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 노 벽의 상기 가스 석션 노즐과 연결되는 위치에는 가스 흡입구가 구비되고, 상기 가스 흡입구는 상기 제3 방향을 따라 배치되며, 상기 가스 석션 노즐은 상기 가스 흡입구와 연통되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스 흡입구는 길고 좁은 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가스 흡입구의 단면은 직사각형 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연속식 킬른은 소재를 담기 위한 내화갑을 포함하고, 상기 내화갑의 측벽에는 노치를 구비하고, 상기 노치는 상기 방향성 기류가 상기 내화갑을 경유하는 통로를 구성하며, 상기 노치는 각각 상기 가스 흡입구 및 상기 가스 공급 노즐을 향하는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스 공급 노즐의 노즐구는 상기 노치에 근접한 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 연속식 킬른은 검출 장치를 포함하며, 상기 검출 장치는 상기 킬른로를 검출하기 위한 노 압력 센서 및/또는 가스 농도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 검출 장치는 압력 센서 및/또는 유량 센서를 포함하며, 상기 가스 석션 노즐 및 상기 가스 공급 노즐 중 하나 또는 모두에 상기 압력 센서 및/또는 유량 센서가 매칭 설치되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 검출 장치는 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기류 제어 장치는 가스 공급 밸브 및 가스 배출 밸브를 포함하고, 상기 가스 공급 밸브는 상기 가스 공급 노즐과 매칭 연결되고, 상기 가스 배출 밸브는 상기 가스 석션 노즐과 연결되며, 상기 가스 공급 밸브 및 상기 가스 배출 밸브는 상기 검출 장치에 응답하여 컨트롤되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기류 제어 장치는 상기 가스 공급 노즐 및 상기 가스 석션 노즐을 연동하여 제어 가능하도록 구성됨으로써, 킬른로 내의 가스 유입량 및 가스 배출량을 연동하여 제어하는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 가스 공급 밸브 및 가스 배출 밸브는 모두 비례 솔레노이드 밸브인 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 배출 그룹부 중의 모든 가스 석션 노즐은 상기 일측 노 벽에 위치하고, 상기 공급 배출 그룹부 중의 모든 가스 공급 노즐은 상기 타측 노 벽에 위치하며;
    또는, 상기 일측 노 벽 및 상기 타측 노 벽에는 모두 상기 가스 석션 노즐 및 상기 가스 공급 노즐이 설치되되, 동일측의 노 벽 상의 상기 가스 석션 노즐 및 상기 가스 공급 노즐이 상기 제3 방향을 따라 교대로 이격되게 배치되며;
    또는, 상기 기류 공급 배출 장치는 상기 제1 방향을 따라 복수 개로 배열되고, 동일한 기류 공급 배출 장치의 가스 공급 노즐은 하나의 노 벽에 위치하고, 가스 석션 노즐은 다른 하나의 노 벽에 위치하며, 인접되어 있는 2 개의 상기 기류 공급 배출 장치에서 가스 석션 노즐 및 가스 공급 노즐은 상기 제1 방향을 따라 교대로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연속식 킬른은 히터를 포함하며, 상기 히터는 상기 킬른로와 연결되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 히터는 상기 제3 방향을 따라 배치되고, 상기 킬른로의 노 벽에 연결되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  17. 제16항에 있어서,
    인접되어 있는 2 개의 상기 히터 사이에는 가스 공급 노즐 또는 가스 석션 노즐이 설치되는 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 킬른로의 양측 노 벽에는 모두 상기 히터가 연결되어 있고, 양측의 상기 노 벽 상에 연결된 상기 히터의 개수는 동일한 것을 특징으로 하는 연속식 킬른.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 연속식 킬른에 의해 실시되는 열처리 또는 열화학 처리 방법에 있어서,
    상기 열처리 또는 열화학 처리 방법은,
    상기 킬른로의 노 챔버 내부를 열처리 또는 열화학 처리에 필요한 온도까지 가열하는 단계;
    적재 수단에 의해 상기 제1 방향을 따라 열처리 대상 또는 열화학 처리 대상을 노 챔버 내로 수송하고, 수송 과정에서 상기 노 챔버 내의 열처리 또는 열화학 처리의 공정 분위기를 유지하도록 상기 기류 제어 장치의 컨트롤하에 상기 기류 공급 배출 장치를 통해 상기 노 챔버 내로 가스를 입력하는 동시에, 상기 기류 제어 장치를 통해 상기 노 챔버로부터 가스를 배출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 또는 열화학 처리 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116067175B (zh) * 2023-03-17 2024-04-26 湖南经源科技有限公司 一种辊道窑气氛智能监控及处理系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4291471A (en) * 1980-03-20 1981-09-29 Cts Corporation Exhaust system and method for venting a tunnel kiln
DE3138232C2 (de) * 1981-09-25 1983-09-22 Carl Prof. Dr.-Ing. Kramer Tunnelofen
CN105783507B (zh) * 2016-03-28 2018-01-26 格林美（无锡）能源材料有限公司 生产锂离子正极材料的双层辊道窑及其生产工艺
CN207365694U (zh) * 2017-08-16 2018-05-15 苏州鸿昱莱机电科技有限公司 一种新型辊道窑炉
CN209166115U (zh) * 2018-10-18 2019-07-26 Ngk (苏州) 热工技术有限公司 连续式加热炉
CN209926846U (zh) * 2019-04-09 2020-01-10 苏州云栖谷智能系统装备有限公司 具有气氛稳定功能的辊道窑
CN211626062U (zh) * 2019-12-30 2020-10-02 湖南金炉科技股份有限公司 一种辊道窑
CN111578697A (zh) * 2020-05-15 2020-08-25 广东中鹏新能科技有限公司 一种高效多层多列气氛保护辊道窑
CN112414112A (zh) * 2020-12-01 2021-02-26 王霞 一种连续窑和热处理或者热化学处理方法

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