KR20230092626A - Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same - Google Patents

Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20230092626A
KR20230092626A KR1020210182178A KR20210182178A KR20230092626A KR 20230092626 A KR20230092626 A KR 20230092626A KR 1020210182178 A KR1020210182178 A KR 1020210182178A KR 20210182178 A KR20210182178 A KR 20210182178A KR 20230092626 A KR20230092626 A KR 20230092626A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing pad
hydrophilic
polishing
polymer matrix
group
Prior art date
Application number
KR1020210182178A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
민병주
홍석지
김승근
김상만
오남규
송기천
Original Assignee
케이피엑스케미칼 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이피엑스케미칼 주식회사 filed Critical 케이피엑스케미칼 주식회사
Priority to KR1020210182178A priority Critical patent/KR20230092626A/en
Publication of KR20230092626A publication Critical patent/KR20230092626A/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001Manufacture of flexible abrasive materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Abstract

본 발명은 폴리머 매트릭스; 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산하여 임베드된 액상 미소요소; 및 상기 액상 미소요소들에 의해 정의되고 상기 액상 미소요소들의 이탈에 의해 연마면 표면으로 개방된 기공;을 포함하는 연마층을 포함하며, 상기 액상 미소요소들은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 및 이의 제조방법을 제공한다. The present invention is a polymer matrix; liquid microelements dispersed and embedded in the polymer matrix; and a polishing layer including pores defined by the liquid microelements and opened to the surface of the polishing surface by separation of the liquid microelements, wherein the liquid microelements contain a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group. It provides a polishing pad and a manufacturing method thereof, characterized in that it comprises.

Description

균일하게 분포된 액상 포어를 포함하는 연마 패드 및 이의 제조방법{Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same}Polishing pad containing uniformly distributed liquid pores and method for manufacturing the same}

본 발명은 균일하게 분포된 액상 포어를 포함하는 연마 패드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a polishing pad including uniformly distributed liquid pores and a manufacturing method thereof.

화학기계적 평탄화/연마(CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION / CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, 이하, CMP라 한다) 공정은 반도체 소자의 글로벌 평탄화를 위해 도입된 공정으로, 웨이퍼의 대구경화, 고집적화, 선폭의 미세화 및 배선구조의 다층화 추세에 따라 더욱 중요한 공정으로 부각되고 있다.The chemical mechanical planarization / polishing (CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION / CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, hereinafter referred to as CMP) process is a process introduced for global planarization of semiconductor devices, and the trend is for large-diameter wafers, high integration, miniaturization of line widths, and multi-layered wiring structures. As a result, it is emerging as a more important process.

CMP 공정에서는 연마속도와 평탄화도가 중요하며 이는 연마 장비의 공정조건 및 사용되는 소모성 부재인 연마 슬러리와 연마 패드에 의해 결정된다. 특히, 연마 패드는 웨이퍼의 표면과 접촉한 상태에서 공급된 연마 슬러리를 웨이퍼상에 균일하게 분산시키며 연마 슬러리 내부의 연마입자와 연마 패드의 표면돌기들에 의해 물리적인 제거 작용이 일어나도록 한다.In the CMP process, polishing speed and flatness are important, and they are determined by the process conditions of polishing equipment and the polishing slurry and polishing pad, which are consumable members used. In particular, the polishing pad uniformly distributes the supplied polishing slurry on the wafer while in contact with the surface of the wafer, and allows a physical removal action to occur by the abrasive particles inside the polishing slurry and the surface protrusions of the polishing pad.

이 때 웨이퍼와 직접 접촉하는 연마 패드 표면은 연마 슬러리가 포화된 상태를 유지해서 연마 슬러리의 유동이 원활하도록 해야 한다. 이를 위해 연마 패드 표면에는 미세한 구멍(예를 들어 기공)이 형성되도록 하는 기술들이 미국 특허 제5,578,362호, 대한민국 특허 공개 제2001-2696호, 대한민국 특허 공개 제2001-55971호 등에 개시되어 있다.At this time, the surface of the polishing pad in direct contact with the wafer should be kept saturated with the polishing slurry so that the polishing slurry flows smoothly. To this end, techniques for forming fine holes (eg, pores) on the surface of the polishing pad are disclosed in US Patent No. 5,578,362, Korean Patent Publication No. 2001-2696, and Korean Patent Publication No. 2001-55971.

이처럼 CMP 공정의 연마 패드의 역할 및 성능 증대를 위해서는 연마 패드 내에 연마 슬러리가 포화된 상태를 유지하는 것이 매우 중요하다. 따라서, 연마 패드상에 큰 슬러리 흐름을 형성하기 위한 여러 가지의 그루브(GROOVE)를 형성시키고 이에 더하여 상술한 바와 같이 연마 패드 표면에 미세 구멍을 미세 다공성 물질의 개방에 의해 형성시키고 있다.As such, it is very important to maintain a state in which the polishing slurry is saturated in the polishing pad in order to increase the role and performance of the polishing pad in the CMP process. Therefore, various grooves are formed on the polishing pad to form a large flow of slurry, and in addition, fine holes are formed on the surface of the polishing pad by opening the microporous material as described above.

상기 그루브 형성과 관련하여 다양한 패턴의 형성을 시도하는 방향으로 기술이 발전되어 왔으나, 미세 구멍의 형성을 위한 다공성 포어 기술은 특정 포어 형성 방법을 제한적으로 이용하는 것에 국한되고 있는 실정이다.Although technology has been developed in the direction of attempting to form various patterns in relation to the groove formation, the porous pore technology for forming fine holes is limited to using a specific pore formation method.

즉, 종래의 포어 형성 방법들에 따라 각각 장점과 단점이 존재하는데 실제 CMP 공정에서는 이러한 장단점을 감안하여 공정을 조절하여 사용하고 있다.That is, each of the conventional pore forming methods has advantages and disadvantages, and in the actual CMP process, the process is adjusted and used in consideration of these advantages and disadvantages.

그러나, 반도체 제조 공정에서 세밀성과 정교성이 점점 더 요구되고 있으므로, 연마 패드 상에 더 진화된 다공성 포어를 생성하는 기술 개발에 대한 요구가 커지고 있다.However, as fineness and sophistication are increasingly required in the semiconductor manufacturing process, there is a growing demand for developing a technology for creating more advanced porous pores on the polishing pad.

대한민국 특허공개 제10-2001-2696호Korean Patent Publication No. 10-2001-2696

본 발명은, 종래기술의 상기와 같은 문제를 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 균일하게 분포된 액상 포어를 포함함으로써 화학기계적 평탄화/연마(CMP) 공정 시, 우수한 연마 균일성 및 연마속도를 제공하며, 젖음성이 향상되어 우수한 연마 특성을 제공할 수 있는 연마 패드 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and provides excellent polishing uniformity and polishing rate during a chemical mechanical planarization / polishing (CMP) process by including uniformly distributed liquid pores, An object of the present invention is to provide a polishing pad capable of providing excellent polishing characteristics with improved wettability and a manufacturing method thereof.

또한, 본 발명은 연마 슬러리의 균일한 포집 및 공급이 가능하여 연마 균일성을 달성할 수 있고, 별도의 투명창을 형성하지 않고도 인-시츄로 평탄도 검사가 가능하고, 피연마 대상 표면에 스크래치를 발생시키지 않는 연마 패드 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention can uniformly collect and supply the polishing slurry, thereby achieving polishing uniformity, enabling in-situ flatness inspection without forming a separate transparent window, and preventing scratches on the surface to be polished. It is an object of the present invention to provide a polishing pad that does not generate and a manufacturing method thereof.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above object, the present invention

폴리머 매트릭스;polymer matrix;

상기 폴리머 매트릭스 내에 분산하여 임베드된 액상 미소요소; 및 liquid microelements dispersed and embedded in the polymer matrix; and

상기 액상 미소요소들에 의해 정의되고 상기 액상 미소요소들의 이탈에 의해 연마면 표면으로 개방된 기공;을 포함하는 연마층을 포함하며, A polishing layer including pores defined by the liquid microelements and opened to the surface of the polishing surface by separation of the liquid microelements;

상기 액상 미소요소들은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 연마 패드를 제공한다.The liquid microelements provide a polishing pad containing a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group.

또한, 본 발명은In addition, the present invention

a) 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 미소요소 형성 물질을 혼합하는 단계;a) mixing a material for forming a liquid microelement with a material for forming a polymer matrix;

b) 상기 혼합물을 겔화 및 경화시켜 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베드된 액상 미소요소들을 형성하는 단계; 및b) gelling and curing the mixture to form a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix; and

c) 상기 b) 단계에서 제조된 물건을 연마 패드 형상으로 가공하는 단계;를 포함하며,c) processing the product manufactured in step b) into a shape of a polishing pad;

상기 액상 미소요소 형성 물질은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 연마 패드의 제조 방법을 제공한다.The liquid microelement-forming material includes a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group, and a method for manufacturing a polishing pad is provided.

본 발명의 연마 패드는 균일하게 분포된 액상 포어를 포함함으로써 화학기계적 평탄화/연마(CMP) 공정 시, 우수한 연마 균일성 및 연마속도를 제공하며, 젖음성이 향상되어 우수한 연마 특성을 제공하는 효과를 제공한다.The polishing pad of the present invention includes uniformly distributed liquid pores, thereby providing excellent polishing uniformity and polishing speed during a chemical mechanical planarization/polishing (CMP) process, and providing excellent polishing characteristics due to improved wettability. do.

또한, 연마 슬러리의 균일한 포집 및 공급이 가능하여 연마 균일성을 달성할 수 있고, 별도의 투명창을 형성하지 않고도 인-시츄로 평탄도 검사가 가능하고, 피연마 대상 표면에 스크래치를 발생시키지 않는 효과를 제공한다.In addition, it is possible to uniformly collect and supply the polishing slurry, so that polishing uniformity can be achieved, flatness can be inspected in situ without forming a separate transparent window, and scratches cannot be generated on the surface to be polished. provides an effect that does not

또한, 본 발명은 상기 연마 패드를 효율적으로 제조할 수 있는 연마 패드의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a polishing pad capable of efficiently manufacturing the polishing pad.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 패드의 단면도이며,
도 2은 도 1의 연마 패드가 장착된 연마 장치의 개략도이며,
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 패드의 연마층 단면의 확대 이미지이며,
도 4는 본 발명에 의한 연마 패드의 Ramp up 성능을 측정하여 나타낸 그래프이며,
도 5는 본 발명에 의한 연마 패드의 연마성능을 나타낸 그래프이다.
1 is a cross-sectional view of a polishing pad according to an embodiment of the present invention;
2 is a schematic diagram of a polishing apparatus equipped with the polishing pad of FIG. 1;
3 is an enlarged image of a cross section of a polishing layer of a polishing pad according to an embodiment of the present invention;
Figure 4 is a graph showing the measured ramp up performance of the polishing pad according to the present invention,
5 is a graph showing the polishing performance of the polishing pad according to the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Like reference numerals have been assigned to like parts throughout the specification.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다, 구비된다, 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 한다. It should be understood that when a component is referred to as being “connected to, provided with, or installed” to another component, it may be directly connected or installed to the other component, but other components may exist in the middle. .

본 발명에서 “~~를 포함한다”는 의미는 포함되는 어떤 구성요소 이외에 다른 구성요소가 더 포함될 수 있다는 것을 의미하지만, 다른 구성요소 없이 상기 어떤 구성요소만으로 이루어지는 경우를 의미하기도 한다. In the present invention, the meaning of "including ~~" means that other components may be included in addition to certain components included, but also means a case consisting of only one of the above components without other components.

종래의 액상 포어 포함 연마 패드는 연마층에 임베드(embed)된 액상 미소요소가 폴리머 매트릭스에 불균일하게 분포되어 있어서, 기상 포어를 포함하는 연마 패드와 비교하여 ramp up이 부족한 문제가 있었다. 즉, 상기와 같은 불균일 분포로 인하여, 연마면에서 포어가 연마 슬러리로 치환되는 속도가 지연되고, 이에 따라 공정온도에 도달하는 속도가 느린 문제가 있었다. A conventional polishing pad including liquid-phase pores has a problem in that the ramp-up is insufficient compared to a polishing pad including gas-phase pores because the liquid microelements embedded in the polishing layer are non-uniformly distributed in the polymer matrix. That is, due to the non-uniform distribution as described above, the speed at which pores are replaced by the polishing slurry on the polishing surface is delayed, and accordingly, the speed at which the process temperature is reached is slow.

그러므로, 본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하여 액상 미소요소가 폴리머 매트릭스에 균일하게 분포되는 연마 패드를 제공하는 특징을 갖는다. Therefore, the present invention is characterized by solving the above problem and providing a polishing pad in which liquid microelements are uniformly distributed in a polymer matrix.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 패드의 단면도이며, 도 2은 도 1의 연마 패드가 장착된 연마 장치의 개략도이다. 1 is a cross-sectional view of a polishing pad according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view of a polishing apparatus equipped with the polishing pad of FIG. 1 .

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 연마 패드(100)는 폴리머 매트릭스(120); 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산하여 임베드(embed)된 액상 미소요소(141); 및 상기 액상 미소요소들에 의해 정의되고 상기 액상 미소요소들의 이탈에 의해 연마면 표면으로 개방된 기공(141');을 포함하는 연마층(120)을 포함하며, As shown in FIG. 1 , the polishing pad 100 of the present invention includes a polymer matrix 120; liquid microelements 141 dispersed and embedded in the polymer matrix; and a polishing layer 120 including; and pores 141' defined by the liquid microelements and opened to the surface of the polishing surface by separation of the liquid microelements,

상기 액상 미소요소들(141)은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.The liquid microelements 141 are characterized by including a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group.

상기에서 기공(141')이 액상 미소요소들에 의해 정의되고 상기 액상 미소요소들의 이탈에 의해 개방되었다는 의미는, 연마층(120)에 임베드된 액상 미소요소가 외부로 누출됨에 따라 해당 액상 미소요소가 있던 영역이 기공(141)으로 남아 외부로부터 소정 물질들을 포획가능하게 되었음을 의미하는 것이다.In the above, the meaning that the pores 141' are defined by the liquid microelements and opened by the separation of the liquid microelements means that the liquid microelements embedded in the abrasive layer 120 leak to the outside. This means that the area where was left as a pore 141 to capture certain substances from the outside.

연마공정 중에 연마 패드(100)의 연마층(120)이 마모됨에 따라 임베드된 액상 미소요소(141)는 연속적으로 연마층 표면(160)으로 노출되어 기공(141')을 형성하고 이는 연마 슬러리(13)에 의해 치환된다. 따라서 연마표면(160)에는 폴리머 매트릭스만이 존재하므로 연마 패드(100)의 불균일 마모가 일어나지 않고 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)를 균일하게 연마할 수 있다. 즉, 연마층 표면에 경도가 높은 폴리머가 존재하지 않으므로 이로 인한 웨이퍼의 스크래치가 발생하지 않는다.As the polishing layer 120 of the polishing pad 100 is worn during the polishing process, the embedded liquid microelements 141 are continuously exposed to the polishing layer surface 160 to form pores 141', which form the polishing slurry ( 13) is replaced by Therefore, since only the polymer matrix exists on the polishing surface 160, uneven wear of the polishing pad 100 does not occur, and the silicon wafer 7 to be polished can be uniformly polished. That is, since a polymer having high hardness does not exist on the surface of the polishing layer, the wafer is not scratched.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 연마층 표면(160)에는 연마 슬러리의 이송을 용이하게 하는 유동 채널을 포함하는 조직 또는 패턴들이 더 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the polishing layer surface 160 may be further formed with textures or patterns including flow channels that facilitate the transfer of the polishing slurry.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 연마 패드(100)는 상기 연마층(120)을 지지하는 지지층(110)을 더 포함할 수 있다. 상기 지지층(110)은 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 연마 패드(100)가 플레이튼(3)에 부착되도록 하는 부분이다. 지지층(110)은 플레이튼(3)과 대향하는 헤드(5)에 로딩되어 있는 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)를 가압하는 힘에 대응하여 복원성을 갖는 물질로 구성되어 그 위에 형성된 연마층(120)을 실리콘 웨이퍼(7)에 대응하여 균일한 탄성력으로 지지하는 역할을 수행한다. 따라서 주로 비다공성의 고체 균일 탄성체 재질로 이루어지며, 그 위에 형성되는 연마층(120)보다 경도가 낮다.In one embodiment of the present invention, the polishing pad 100 may further include a support layer 110 supporting the polishing layer 120 . As shown in FIGS. 1 and 2 , the support layer 110 is a portion for attaching the polishing pad 100 to the platen 3 . The support layer 110 is composed of a material having restorability in response to a force that presses the silicon wafer 7, which is an object to be polished, loaded on the head 5 facing the platen 3, and the polishing layer 120 formed thereon. ) with a uniform elastic force corresponding to the silicon wafer 7. Therefore, it is mainly made of a non-porous solid homogeneous elastic material, and has a lower hardness than the abrasive layer 120 formed thereon.

또한, 지지층(110)은 적어도 일부가 투명 또는 반투명하여 피연마대상 표면의 평탄도를 검출하기 위해 사용되는 광빔(170)의 투과가 가능하다. 도 2에서는 금속, 절연층 등의 피연마막이 형성되어 있는 웨이퍼(7)를 피연마 대상으로 예시하였으나, TFT-LCD가 형성될 기판, 유리 기판, 세라믹 기판, 폴리머 플라스틱 기판 등 다양한 기판이 피연마 대상으로 사용 가능함은 물론이다. 그리고 경우에 따라서는 지지층(110) 없이도 연마 패드(100)를 구성할 수 있다.In addition, at least a part of the supporting layer 110 is transparent or translucent, so that the light beam 170 used to detect the flatness of the surface to be polished can pass through. In FIG. 2, the wafer 7 on which a film to be polished such as a metal or insulating layer is formed is exemplified as a subject to be polished, but various substrates such as a substrate on which a TFT-LCD is to be formed, a glass substrate, a ceramic substrate, and a polymer plastic substrate are to be polished. Of course, it can be used as a target. In some cases, the polishing pad 100 may be formed without the supporting layer 110 .

또한, 도 2에서는 회전형 연마 장치(1)에 적합하도록 연마 패드(100)의 모양이 원형인 경우를 도시하였으나, 연마 장치(1)의 형태에 따라 직사각형, 정사각형 등의 다양한 형태로 변형이 가능함은 물론이다.In addition, although FIG. 2 shows a case where the shape of the polishing pad 100 is circular to be suitable for the rotary polishing device 1, it can be transformed into various shapes such as rectangular and square depending on the shape of the polishing device 1 is of course

본 발명의 연마 패드(100)에서 연마층(120)은 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 피연마 대상인 웨이퍼(7)와 직접 접촉하는 부분이다. 상기 연마층(120)은 평탄화를 위한 화학 용액인 연마 슬러리(13)에 불용성인 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예컨대, 도 2과 같이, 연마 장비(1)의 노즐(11)을 통해 공급되는 연마 슬러리(13)가 침투할 수 없는 물질로 형성될 수 있다.In the polishing pad 100 of the present invention, the polishing layer 120 is a portion that directly contacts the wafer 7 to be polished, as shown in FIG. 2 . The polishing layer 120 is preferably formed of a material insoluble in the polishing slurry 13, which is a chemical solution for planarization. For example, as shown in FIG. 2 , the polishing slurry 13 supplied through the nozzle 11 of the polishing equipment 1 may be formed of a material that cannot penetrate.

상기 연마층(120)을 구성하는 상기 폴리머 매트릭스(130)는 친수성 폴리머 매트릭스, 소수성 폴리머 매트릭스, 또는 친수성 및 소수성을 모두 갖는 복합 폴리머 매트릭스일 수 있다.The polymer matrix 130 constituting the polishing layer 120 may be a hydrophilic polymer matrix, a hydrophobic polymer matrix, or a composite polymer matrix having both hydrophilic and hydrophobic properties.

상기 폴리머 매트릭스는 예를 들어, 폴리우레탄, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리아크릴, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌 이민, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 이미드, 폴리케톤, 멜라민, 나일론, 불화탄화수소 등으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 이들 중에서도, 폴리우레탄으로 제조되는 것이 바람직하다. 폴리우레탄은 이소시아네이트 예비중합체와 경화제로 이루어진 2액형의 저점도 액상 우레탄으로부터 얻어질 수 있다. 상기 폴리우레탄은 폴리우레탄 프리폴리머와 경화제를 반응시켜서 최종적으로 형성될 수 있다.The polymer matrix is, for example, polyurethane, polyether, polyester, polysulfone, polyacrylic, polycarbonate, polyethylene, polymethyl methacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyethylene imine, polyether sulfone, poly It may be any one selected from the group consisting of ether imide, polyketone, melamine, nylon, fluorocarbon and the like, or a mixture thereof. Among these, those made of polyurethane are preferred. Polyurethane can be obtained from a two-component, low-viscosity liquid urethane composed of an isocyanate prepolymer and a curing agent. The polyurethane may be finally formed by reacting a polyurethane prepolymer with a curing agent.

상기 경화제로는 4, 4-메틸렌-비스(2-클로로 아닐린)(이하 MOCA) 등의 아민 또는 폴리에테르계 및 폴리에스테르계의 다양한 폴리올이 사용될 수 있다. 상기 폴리우레탄은 구성 성분의 다양한 조합에 의해 물성의 조절이 가능하다.As the curing agent, amines such as 4,4-methylene-bis(2-chloroaniline) (hereinafter referred to as MOCA) or various polyether-based and polyester-based polyols may be used. The physical properties of the polyurethane can be controlled by various combinations of components.

상술한 연마층은 위에서 설명한 것 이외에도 다양한 물질을 포함하여 구성될 수 있음은 물론이다.Of course, the above-described polishing layer may be composed of various materials other than those described above.

상기 폴리머 매트릭스(130)를 구성하는 친수성 폴리머 매트릭스는 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 화학적 결합 또는 혼합에 의해 친수성 화합물이 도입된 것일 수 있다. The hydrophilic polymer matrix constituting the polymer matrix 130 may be one in which a hydrophilic compound is introduced by chemical bonding or mixing with a material for forming the polymer matrix.

상기 친수성 화합물은 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다. The hydrophilic compound is composed of polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, sorbitol fatty acid ester, etc. It may be any one selected from the group or a mixture thereof.

본 발명에서 상기 “알킬”은 탄소수 2 내지 15의 치환 또는 비치환된 알킬기를 의미한다.In the present invention, the "alkyl" means a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 15 carbon atoms.

상기 친수성 화합물로는 중량평균분자량이 200~10,000인 폴리에틸렌글리콜이 바람직하게 사용될 수 있다. As the hydrophilic compound, polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 200 to 10,000 may be preferably used.

상기 친수성 폴리머 매트릭스는 예를 들어, 이소시아네이트 예비중합체와, 상기 이소시아네이트 예비중합체 100 중량부를 기준으로 1 내지 20 중량부의 친수성 화합물을 화학적 결합 또는 혼합시켜 형성된 물질을 포함하는 것이 바람직할 수 있다.The hydrophilic polymer matrix may preferably include, for example, a material formed by chemically bonding or mixing an isocyanate prepolymer and 1 to 20 parts by weight of a hydrophilic compound based on 100 parts by weight of the isocyanate prepolymer.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 연마층(120)은 불활성 기체, 캡슐형 발포제와, 화학적 발포제 등의 주입에 의해 형성되는 기공을 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the polishing layer 120 may further include pores formed by injection of an inert gas, a capsular foaming agent, and a chemical foaming agent.

상기 불활성 기체는 원자가가 '0'이어서 화학적으로 안정된 기체를 의미할 수 있는데, 헬륨(He), 네온(Ne), 알곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 라돈(Rn) 등이 이러한 불활성 기체에 포함된다. 더 나아가 불활성 기체는 주기율표상 8족 원소 이외에도 N2 등과 같이 폴리머 매트릭스와 반응하지 않는, 예를 들어 우레탄 반응에 참여하지 않는 기체면 모두 해당한다.The inert gas may mean a chemically stable gas because its valence is '0', such as helium (He), neon (Ne), argon (Ar), krypton (Kr), xenon (Xe), radon (Rn), etc. included in these inert gases. Furthermore, the inert gas corresponds to any gas that does not react with the polymer matrix, for example, does not participate in the urethane reaction, such as N2, in addition to elements of group 8 on the periodic table.

상기 발포제는 소정의 원료에 혼합되어 열에 의한 기화 또는 반응에 의해 다량의 기포를 발생시키는 것으로서, 크게는 화학적 발포제와 물리적 발포제로 구분될 수 있다.The foaming agent is mixed with a predetermined raw material and generates a large amount of bubbles by vaporization or reaction by heat, and can be largely divided into chemical foaming agents and physical foaming agents.

상기 화학적 발포제는 아이소사이아네이트기(基)의 활성을 이용해 물 등과의 반응으로 생기는 이산화탄소에서 발포하기 때문에 물이 발포제로 쓰이고, 물리적 발포제는 기체를 혼입하거나 분해형 또는 증발형 발포제를 사용해 반응열을 일으킴으로써 기포를 형성하기 때문에 고분자반응에는 참여하지 않는 것이다. 이러한 발포제의 종류 및 특징은 기 공지된 것에 불과하므로 보다 상세한 설명은 생략한다.Since the chemical foaming agent foams in carbon dioxide generated by reaction with water by using the activity of the isocyanate group, water is used as the foaming agent, and the physical foaming agent mixes gas or uses a decomposition type or evaporation type foaming agent to increase the reaction heat. It does not participate in the polymer reaction because it forms bubbles by raising it. Since the types and characteristics of these foaming agents are already known, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 액상 미소요소(141)는 상기 연마층(120) 총 중량에 대해 5 내지 60 중량%, 바람직하게는 20 내지 50 중량%로 포함될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 20 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 상기 액상 미소요소의 양이 60 중량%를 초과할 경우, 액상 미소요소(140)의 크기가 증가하여 결과적으로 패드 표면(160)에 형성되는 기공(141')의 크기가 증가하게 된다. 이 경우 연마 슬러리 입자의 포집량이 많아 상대적으로 높은 연마속도를 나타내지만 이로 인해 정밀한 연마가 어렵고, 연마 슬러리가 불균일하게 큰 입자를 포함하고 있을 경우 연마 슬러리의 큰 입자가 포집되어 웨이퍼에 스크래치를 발생시킬 수 있다. 또한, 액상 미소요소(141)의 양이 5 중량% 미만일 경우, 액상 미소요소(141)의 크기가 감소하여 결과적으로 패드 표면(160)에 형성되는 기공(141')의 크기가 감소하게 된다. 기공(14')의 크기가 감소하면 연마 슬러리 입자의 포집량이 적어 정밀한 연마가 가능하고 연마 슬러리내 포함된 큰 입자를 포집하지 않고 여과하는 역할을 하여 웨이퍼의 스크래치 발생을 감소시킬 수 있다. 그러나 과량의 액상 물질이 가공중 유출되어 성형물의 취급에 어려움이 있고 제조된 연마 패드는 낮은 연마속도를 나타내는 단점이 있다.In one embodiment of the present invention, the liquid microelements 141 may be included in an amount of 5 to 60% by weight, preferably 20 to 50% by weight, based on the total weight of the polishing layer 120, and more preferably It may be included in 20 to 40% by weight. When the amount of the liquid microelements exceeds 60% by weight, the size of the liquid microelements 140 increases, and as a result, the size of the pores 141' formed on the pad surface 160 increases. In this case, a relatively high polishing rate is exhibited due to the large amount of collected polishing slurry particles, but this makes precise polishing difficult, and when the polishing slurry contains non-uniformly large particles, the large particles of the polishing slurry are collected to cause scratches on the wafer. can In addition, when the amount of the liquid microelements 141 is less than 5% by weight, the size of the liquid microelements 141 is reduced, and consequently, the size of the pores 141' formed on the pad surface 160 is reduced. When the size of the pores 14' is reduced, the amount of collected polishing slurry particles is small, enabling precise polishing and filtering large particles included in the polishing slurry without capturing them, thereby reducing the occurrence of scratches on the wafer. However, an excessive amount of liquid material leaks out during processing, making it difficult to handle the molding, and the manufactured polishing pad has a disadvantage in that it exhibits a low polishing rate.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 연마층(120)은 폴리머 매트릭스(160)를 연마층 총 중량에 대해 25 내지 50 중량%로 포함할 수 있다. 또한, 상기 연마층(120)에는 상기 액상 미소요소 및 폴리머 매트릭스를 제외한 성분으로서 경화제 등이 25 내지 50 중량%로 포함될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the polishing layer 120 may include the polymer matrix 160 in an amount of 25 to 50% by weight based on the total weight of the polishing layer. In addition, the polishing layer 120 may contain 25 to 50% by weight of a curing agent as components other than the liquid microelements and the polymer matrix.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 액상 미소요소들은 상기 폴리머 매트릭스내에 균일하게 분포되며, 구형의 형태를 가지는 것이 바람직할 수 있다. 그러나, 상기 액상 미소요소들의 형태는 상기 구형으로 한정되는 것은 아니며, 타원형, 무정형 등으로 다양하게 형성될 수도 있다. In one embodiment of the present invention, the liquid microelements may be uniformly distributed in the polymer matrix and may have a spherical shape. However, the shape of the liquid microelements is not limited to the spherical shape, and may be variously formed such as an elliptical shape or an amorphous shape.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 액상 미소요소들 및 상기 기공의 평균 직경은 1㎛ 내지 60㎛일 수 있다. 상기 평균 직경은 5 ~ 40㎛ 인 것이 바람직하며, 10 ~ 30㎛ 인 것이 더욱 바람직할 수 있다. 상기 평균 직경이 상기 범위내에 있을 때, 연마 슬러리(13)의 포집 및 공급에 가장 적합하다. 그러나 사용되는 연마 슬러리(13)의 종류에 따라 직경은 변화할 수 있으며, 임베디드 액상 미소요소(141)의 크기 또한 이에 맞추어 변화할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the average diameter of the liquid microelements and the pores may be 1 μm to 60 μm. The average diameter is preferably 5 to 40 μm, and may be more preferably 10 to 30 μm. When the average diameter is within the above range, it is most suitable for collecting and supplying the abrasive slurry 13. However, the diameter may vary depending on the type of abrasive slurry 13 used, and the size of the embedded liquid microelements 141 may also vary accordingly.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 액상 미소요소는 연마용액에 용해되는 수용성 액상 물질인 것이 바람직할 수 있다.In one embodiment of the present invention, it may be preferable that the liquid microelement is a water-soluble liquid material dissolved in a polishing solution.

상기 액상 미소요소는 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하며, 상기 화합물은 분자량이 300 내지 5,000인 것이 바람직하게 사용될 수 있다.The liquid microelements include a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group, and the compound may preferably have a molecular weight of 300 to 5,000.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 지방산과 친수성 화합물의 에스테르 반응에 의해 형성된 화합물일 수 있다. 상기 에스테르 반응은 무용제 또는 용제하에서 이루어지는 것일 수 있으며, 상기 용제로는 비점이 120℃ 이상이며, 활성수소를 포함하지 않는 탄화수소 화합물이 바람직하게 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group may be a compound formed by an ester reaction between a fatty acid and a hydrophilic compound. The esterification reaction may be performed in the absence of a solvent or under a solvent, and as the solvent, a hydrocarbon compound having a boiling point of 120° C. or higher and not containing active hydrogen may be preferably used, but is not limited thereto.

상기 지방산은 아세트산, 라우릴산, 올레인산, 팔미트산, 스테아린산, 리놀레산 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다.The fatty acid may be any one selected from the group consisting of acetic acid, laurylic acid, oleic acid, palmitic acid, stearic acid, linoleic acid, and the like, or a mixture thereof.

상기 친수성 화합물은 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다.The hydrophilic compound is composed of polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, sorbitol fatty acid ester, etc. It may be any one selected from the group or a mixture thereof.

상기 친수성 화합물로는 중량평균분자량이 200~4,000인 폴리에틸렌글리콜이 바람직하게 사용될 수 있다.As the hydrophilic compound, polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 200 to 4,000 may be preferably used.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 분자내 친수성 그룹의 중량이 1 내지 95 중량%, 바람직하게는 2 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 20 중량%일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group has 1 to 95% by weight, preferably 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 20% by weight of the hydrophilic group in the molecule. may be %.

상기에서 친수성 그룹의 중량이 1 중량% 미만일 경우, 액상포어 재료의 상분리 현상이 일어나지 않아 포어 형성에 효과적이지 않다. 또한 95 중량%를 초과하는 경우는 연마패드의 내마모성 저하로 연마유지력 감소와 수명 단축등의 문제가 발생하므로 바람직하지 않다.When the weight of the hydrophilic group is less than 1% by weight, the phase separation of the liquid pore material does not occur, which is not effective in forming pores. In addition, if it exceeds 95% by weight, it is not preferable because problems such as reduction in polishing holding power and shortened lifespan occur due to a decrease in abrasion resistance of the polishing pad.

또한, 상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 분자내 소수성 그룹의 중량이 5 내지 99중량%, 바람직하게는 50 내지 98 중량%, 더욱 바람직하게는 80 내지 95 중량%일 수 있다. In addition, in the compound including the hydrophobic group and the hydrophilic group, the weight of the hydrophobic group in the molecule may be 5 to 99% by weight, preferably 50 to 98% by weight, and more preferably 80 to 95% by weight.

상기에서 소수성 그룹의 중량이 5 중량% 미만일 경우, 마모성 문제가 발생하므로 바람직하지 않으며, 99 중량%를 초과하는 경우는 포어 형성의 문제, 연마 균일성, 연마속도, 및 젖음성이 저하되므로 바람직하지 않다.If the weight of the hydrophobic group is less than 5% by weight, it is not preferable because abrasion problems occur, and if it exceeds 99% by weight, it is not preferable because the problem of pore formation, polishing uniformity, polishing rate, and wettability are lowered .

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 예를 들어, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound including the hydrophobic group and the hydrophilic group may be, for example, a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서 In Formula 1 above

n은 5 내지 300일 수 있으며,n may be 5 to 300,

상기 R1 및 R2는 서로 같거나 다르며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 17개의 알킬기, 알케닐기, 또는 알키닐기일 수 있다. The R 1 and R 2 are the same as or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 17 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group.

본 발명에서 상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 사용하여 액상 미소요소를 형성하는 경우, 웨팅성이 개선되는 원리를 예를 들어 설명하면 다음과 같다.In the present invention, when liquid microelements are formed using the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group, the principle of improving the wetting property will be described as follows.

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 그림에 표시된 바와 같이, 예를 들어, 폴리우레탄 프리폴리머를 연마층의 폴리머 매트릭스 소재로 사용하는 경우, 위에 도시된 바와 같이, 폴리머 매트릭스 구조에 친수성 그룹이 포함된다. 그러므로, 액상 미소요소 재료에도 친수성 그룹이 포함되는 경우, 액상 미소요소의 분산도가 향상될 수 있으며, 연마 패드의 웨팅성도 향상된다. As shown in the figure above, for example, when a polyurethane prepolymer is used as the polymer matrix material of the polishing layer, as shown above, a hydrophilic group is included in the polymer matrix structure. Therefore, when the hydrophilic group is also included in the liquid microelement material, the dispersion of the liquid microelements can be improved, and the wettability of the polishing pad is also improved.

또한, 본 발명은 In addition, the present invention

a) 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 미소요소 형성 물질을 혼합하는 단계;a) mixing a material for forming a liquid microelement with a material for forming a polymer matrix;

b) 상기 혼합물을 겔화 및 경화시켜 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베드된 액상 미소요소들을 형성하는 단계; 및b) gelling and curing the mixture to form a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix; and

c) 상기 b) 단계에서 제조된 물건을 연마 패드 형상으로 가공하는 단계;를 포함하며,c) processing the product manufactured in step b) into a shape of a polishing pad;

상기 액상 미소요소 형성 물질은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 연마 패드의 제조 방법에 관한 것이다.The liquid microelement-forming material relates to a method for manufacturing a polishing pad including a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group.

상기 제조방법에는 위에서 기술된 연마 패드에 관한 내용이 모두 동일하게 적용될 수 있다. 그러므로, 중복되는 내용에 관한 설명은 생략한다.All of the contents of the polishing pad described above may be equally applied to the manufacturing method. Therefore, descriptions of overlapping contents are omitted.

상기 a) 단계에서 폴리머 매트릭스 형성용 물질은, 예를 들어, 이소시아네이트 예비중합체와, 상기 이소시아네이트 예비중합체 100 중량부를 기준으로 1 내지 20 중량부의 친수성 화합물을 화학적 결합 또는 혼합시켜 형성된 물질을 포함하는 것일 수 있다.In step a), the material for forming the polymer matrix may include, for example, a material formed by chemically bonding or mixing an isocyanate prepolymer and 1 to 20 parts by weight of a hydrophilic compound based on 100 parts by weight of the isocyanate prepolymer. there is.

구체적으로, 상기 폴리머 매트릭스 형성용 물질은 폴리우레탄 프리폴리머일 수 있다. Specifically, the material for forming the polymer matrix may be a polyurethane prepolymer.

상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 지방산과 친수성 화합물의 에스테르 반응에 의해 형성된 화합물일 수 있다. The compound including the hydrophobic group and the hydrophilic group may be a compound formed by esterification of a fatty acid and a hydrophilic compound.

상기 지방산은 아세트산, 라우릴산, 올레인산, 팔미트산, 스테아린산, 리놀레산 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다. The fatty acid may be any one selected from the group consisting of acetic acid, laurylic acid, oleic acid, palmitic acid, stearic acid, linoleic acid, and the like, or a mixture thereof.

상기 친수성 화합물은 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다.The hydrophilic compound is composed of polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, sorbitol fatty acid ester, etc. It may be any one selected from the group or a mixture thereof.

상기 b) 단계는 폴리머 매트릭스 형성용 물질과 액상 미소요소 형성 물질의 혼합물을 소정 형상의 주형 내부에 주입하여 겔화 및 경화시키는 과정을 포함한다. 상기 겔화 반응은 80 내지 90℃에서 5 내지 30분간 진행할 수 있으며, 상기 경화 반응은 80 내지 120℃에서 20 내지 24시간 진행되도록 할 수도 있지만, 구체적인 공정 온도 및 시간은 최적 조건을 찾기 위해 다양하게 변화될 수 있음은 물론이다.Step b) includes a process of injecting a mixture of a material for forming a polymer matrix and a material for forming liquid microelements into a mold having a predetermined shape to gel and harden the mixture. The gelation reaction may proceed for 5 to 30 minutes at 80 to 90 ° C, and the curing reaction may proceed for 20 to 24 hours at 80 to 120 ° C, but the specific process temperature and time may vary in order to find optimal conditions. Of course it can be.

상기 c) 단계는 소정 형상으로 경화된 결과물을 가공하는 과정을 포함한다. 상기 가공은 탈형, 재단, 표면가공처리 및 세정 과정 등을 포함한다. 구체적으로, 먼저, 경화된 반응물을 주형에서 꺼내어 소정 두께와 모양 및 형상을 갖도록 절단하고, 공지의 방법으로 표면가공처리 및 세정 과정을 실시할 수 있다. 한편, 생산성의 향상을 위해 주물 및 압출 성형 등의 폴리머 시트(sheet) 제조 분야의 공지방법에 의해, 연마층(120)을 시트상으로 형성하는 것도 가능하다.Step c) includes a process of processing the cured product into a predetermined shape. The processing includes demolding, cutting, surface processing, and cleaning. Specifically, first, the cured reactant is taken out of the mold and cut to have a predetermined thickness, shape, and shape, and surface processing and cleaning may be performed by a known method. Meanwhile, it is also possible to form the abrasive layer 120 in a sheet shape by a known method in the field of polymer sheet manufacturing, such as casting and extrusion molding, in order to improve productivity.

상기 가공 공정은 연마층(120)의 표면에 연마 슬러리(13)가 연마층(120)의 작업 표면에 골고루 공급되게 하는 다양한 형태의 그루브(groove)를 형성하는 공정을 포함할 수 있다. The machining process may include a process of forming grooves of various shapes on the surface of the polishing layer 120 to allow the polishing slurry 13 to be evenly supplied to the working surface of the polishing layer 120 .

상기 세정 공정에 의해 연마층 표면(160)의 액상 미소요소(141)가 용출되어 연마층 표면(160)에 개방된 기공(141')이 분포하게 된다. 이때, 용출된 액상 미소요소(141)가 연마층 표면(160)에 잔류하지 않도록 하는 세정액을 사용하여 세정 공정을 진행하는 것이 바람직하다.The liquid microelements 141 on the surface of the polishing layer 160 are eluted by the cleaning process, and open pores 141' are distributed on the surface of the polishing layer 160. At this time, it is preferable to perform the cleaning process using a cleaning solution that prevents the eluted liquid microelements 141 from remaining on the surface 160 of the polishing layer.

상기에서 제조된 연마층(120)만으로도 연마 패드(100)를 완성할 수 있으나, 필요에 따라서는 연마 패드(100) 제조 공정 분야에서 널리 알려진 방법에 의해 지지층(110)을 제조하고 지지층(110)과 연마층(120)을 결합시켜 연마 패드(100)를 완성할 수도 있다.Although the polishing pad 100 can be completed with only the polishing layer 120 prepared above, if necessary, the support layer 110 is manufactured by a method widely known in the field of manufacturing the polishing pad 100 and the support layer 110 The polishing pad 100 may be completed by combining the polishing layer 120 with the polishing layer 120 .

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail to explain the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

실시예 1 - 4 및 비교예 1 - 3: 연마 패드의 제조Examples 1 - 4 and Comparative Examples 1 - 3: Manufacture of polishing pads

1 단계) 폴리우레탄 프리폴리머 제조 Step 1) Production of polyurethane prepolymer

TDI(toluene diisocyanate) 80g 및 H12MDI(4,4′-diisocyanato dicyclohexylmethane) 400g을 넣고 온도를 약 30℃ 정도로 유지하였다. 여기에 PTMG(Poly(tetramethylene ether)glycol, Mw: 1000) 320g을 2회에 걸쳐 분할 투입한 후 반응 온도를 약 70℃로 유지하였다. 이후, 폴리에틸렌글리콜(Mw: 2000) 120g과 폴리프로필렌(Mw: 1000) 140g을 투입한 후 온도를 80℃ 유지하면서 반응시켰다. 80 g of TDI (toluene diisocyanate) and 400 g of H12MDI (4,4'-diisocyanato dicyclohexylmethane) were added and the temperature was maintained at about 30°C. Here, 320 g of PTMG (Poly (tetramethylene ether) glycol, Mw: 1000) was dividedly added twice, and the reaction temperature was maintained at about 70 ° C. Thereafter, 120 g of polyethylene glycol (Mw: 2000) and 140 g of polypropylene (Mw: 1000) were added and reacted while maintaining the temperature at 80 °C.

이후 1,4-부틸렌글리콜 30g을 투입하고, 80℃에서 반응시켜 NCO 11.5~12.5%인 폴리우레탄 프리폴리머를 제조하였다.Thereafter, 30 g of 1,4-butylene glycol was added and reacted at 80° C. to prepare a polyurethane prepolymer having an NCO of 11.5 to 12.5%.

2단계) 연마 패드의 제조 Step 2) Manufacture of polishing pad

상기 1 단계에서 제조된 폴리우레탄 프리폴리머와 탄화수소로 이루어진 소수성 액상 미소요소 재료(화학식 3), 친수성 액상 미소요소 재료(화학식 4), 및 친수성 및 소수성 그룹을 포함하는 액상 미소요소 재료(화학식 2), 경화제로서 MOCA(4,4-methylenenis(2-chloroaniline)를 아래 표 1과 같은 구성비로 혼합하여 케이크(cake)를 제조하고, 상기 케이크를 사각의 주형에 주입하고, 30분 동안 겔화시킨 후 100℃ 오븐에서 20 시간 동안 경화시켰다.A hydrophobic liquid microelement material (Formula 3) composed of the polyurethane prepolymer and hydrocarbon prepared in step 1, a hydrophilic liquid microelement material (Formula 4), and a liquid microelement material containing hydrophilic and hydrophobic groups (Formula 2), MOCA (4,4-methylenenis (2-chloroaniline) as a curing agent was mixed in the composition ratio shown in Table 1 below to prepare a cake, and the cake was injected into a square mold, gelled for 30 minutes, and then heated to 100 ° C. Cured in an oven for 20 hours.

상기에서 제조된 경화물을 주형에서 꺼내어 재단 및 세정하여 연마 패드를 제조하였다.The cured product prepared above was taken out of the mold, cut and washed to prepare a polishing pad.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 식에서 n은 50이다.In the above formula, n is 50.

소수부 및 친수부의 중량비(95 / 5)일 경우, n은 10이다(실시예 1).In the case of a weight ratio (95 / 5) of the hydrophobic part and the hydrophilic part, n is 10 (Example 1).

소수부 및 친수부의 중량비(90 / 10)일 경우, n은 20이다(실시예 2).In the case of a weight ratio (90 / 10) of the hydrophobic part and the hydrophilic part, n is 20 (Example 2).

소수부 및 친수부의 중량비(80 / 20)일 경우, n은 50이다(실시예 3).In the case of a weight ratio (80 / 20) of the hydrophobic part and the hydrophilic part, n is 50 (Example 3).

소수부 및 친수부의 중량비(50 / 50)일 경우, n은 100이다(실시예 4).In the case of a weight ratio (50 / 50) of the hydrophobic part and the hydrophilic part, n is 100 (Example 4).

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 식에서 n은 50이다.In the above formula, n is 50.

액상 미소요소 소재liquid microelement material 액상 미소요소 재료 함량 (중량%)Liquid microelement material content (% by weight) Prepolymer / MOCA의 중량비Weight ratio of Prepolymer/MOCA 소수성 또는 친수성 액상 미소요소 소재Hydrophobic or hydrophilic liquid microelement material 친수성 및 소수성 그룹을 포함하는 액상 미소요소 소재Liquid microelement material containing hydrophilic and hydrophobic groups 비교예 1Comparative Example 1 화학식 3
(소수성)
Formula 3
(hydrophobic)
-- 4040 100 / 38100/38
비교예 2Comparative Example 2 화학식 3(소수성)Formula 3 (hydrophobic) -- 2525 100 / 38100/38 비교예 3Comparative Example 3 화학식 4(친수성)Formula 4 (hydrophilic) -- 2525 100 / 38100/38 실시예 1Example 1 -- 화학식 2 소수성 그룹 및 친수성 그룹의 중량비
(95 / 5)
Formula 2 Weight ratio of hydrophobic and hydrophilic groups
(95/5)
2525 100 / 38100/38
실시예 2Example 2 -- 화학식 2 소수성 그룹 및 친수성 그룹의 중량비
(90 / 10)
Formula 2 Weight ratio of hydrophobic and hydrophilic groups
(90/10)
2525 100 / 38100/38
실시예 3Example 3 -- 화학식 2 소수성 그룹 및 친수성 그룹의 중량비
(80 / 20)
Formula 2 Weight ratio of hydrophobic and hydrophilic groups
(80/20)
2525 100 / 38100/38
실시예 4Example 4 -- 화학식 2 소수성 그룹 및 친수성 그룹의 중량비
(50 / 50)
Formula 2 Weight ratio of hydrophobic and hydrophilic groups
(50/50)
2525 100 / 38100/38

주) MOCA: 4,4-methylenenis(2-chloroanilineNote) MOCA: 4,4-methylenenis (2-chloroaniline

실험예 1: 연마 패드의 물성 평가Experimental Example 1: Evaluation of Physical Properties of Polishing Pad

상기 실시예 1 - 4 및 비교예 1 - 3에서 제조된 연마 패드의 물성을 다음과 같이 측정하고 그 결과를 표 2에 나타내었다.Physical properties of the polishing pads prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were measured as follows, and the results are shown in Table 2.

(1) 경도 측정(1) hardness measurement

경도계 (ASKER사, shore D)를 사용하여 연마 패드의 경도를 측정하였다.The hardness of the polishing pad was measured using a durometer (ASKER, shore D).

(2) 포어 사이즈 측정(2) Pore size measurement

FE-SEM (주사전자현미경, JEOL사 제조)를 사용하여 연마 패드에 포함된 FE-SEM (scanning electron microscope, manufactured by JEOL) was used to

포어의 사이즈를 측정하였다. The size of the pores was measured.

(3) 웨팅성(wetting) 평가(3) Evaluation of wetting

연마 패드를 CMP 평가 장비에 장착하고 DI water 공급하에서 Disk에 의한 break-in 진행시 표면 wetting성을 육안으로 관찰하여 웨팅성을 평가하였다. The polishing pad was mounted on a CMP evaluation device, and surface wetting was visually observed during break-in by the disk under the supply of DI water to evaluate the wetting property.

액상 포어 소재liquid pore material Pad 경도 (D)Pad Hardness (D) Pore size (㎛)Pore size (㎛) 필요 Break in time
[Wetting성, 육안 확인]
Need Break in time
[Wetting property, visual confirmation]
소수성 액상 포어 소재Hydrophobic liquid pore material 친수성 및 소수성 그룹을 포함하는 액상 포어 소재Liquid pore material containing hydrophilic and hydrophobic groups 비교예 1Comparative Example 1 화학식 3Formula 3 -- 5454 3131 20 min20min 비교예 2Comparative Example 2 화학식 3Formula 3 -- 5757 2525 20 min20min 비교예 3Comparative Example 3 화학식 4formula 4 -- 5656 55 2 min2min 실시예 1Example 1 -- 화학식 2 소수부 및 친수부의 중량비
(95 / 5)
Weight ratio of hydrophobic part and hydrophilic part of Formula 2
(95/5)
5656 3030 5 min5min
실시예 2Example 2 -- 화학식 2 소수부 및 친수부의 중량비
(90 / 10)
Weight ratio of hydrophobic part and hydrophilic part of Formula 2
(90/10)
5656 2323 5 min5min
실시예 3Example 3 -- 화학식 2 소수부 및 친수부의 중량비
(80 / 20)
Weight ratio of hydrophobic part and hydrophilic part of Formula 2
(80/20)
5656 1717 3 min3min
실시예 4Example 4 -- 화학식 2 소수부 및 친수부의 중량비
(50 / 50)
Weight ratio of hydrophobic part and hydrophilic part of Formula 2
(50/50)
5656 1010 2 min2min

실험예 2: 연마 패드의 성능 평가Experimental Example 2: Performance evaluation of polishing pad

상기 실시예 1 - 4 및 비교예 1 - 3에서 제조된 연마 패드를 CMP 평가 장비에 장착하고 아래 표 3의 조건으로 성능을 평가하였다.The polishing pads prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were mounted in CMP evaluation equipment and their performance was evaluated under the conditions shown in Table 3 below.

EquipmentEquipment GnP-Poli762 300mm PolisherGnP-Poli762 300mm Polisher Wafer Pressure[psi]Wafer Pressure [psi] R-ringR-ring 5.0 5.0 MembraneMembrane 3.8 3.8 Rotation[rpm]Rotation[rpm] PlatenPlaten 9393 CarrierCarrier 8787 ConditionerConditioner Load[lbf]Load [lbf] 66 Rotation[rpm]Rotation[rpm] 8585 Sweep [cycle/min]Sweep [cycle/min] 1414 TypeType 80C1(Saesol)80C1 (Saesol) SlurrySlurry Flow[ml/min]Flow[ml/min] 240240 SP6700@Cabot (1:2, 4%H2O2) SP6700@Cabot (1:2, 4%H 2 O 2)

(1) Ramp up 평가(1) Ramp up evaluation

상기 표 3의 CMP 조건에서 CMP 공정 1 min 진행 시의 실시간 pad 표면 온도를 측정하여 Ramp up을 측정하였다. 측정결과는 도 4에 나타내었다. Ramp up was measured by measuring the real-time pad surface temperature during the CMP process of 1 min under the CMP conditions of Table 3 above. The measurement results are shown in FIG. 4 .

(2) 연마성능 평가 (2) Evaluation of polishing performance

텅스텐(W) Wafer를 사용하여 상기 표 3의 CMP 조건으로 CMP 공정 1 min 진행 시 CMP 전후의 wafer 박막 두께를 측정하여 두께 변화율로부터 연마성능을 산출하였다. 상기 연마성능에 대한 측정결과는 도 5에 나타내었다.Using a tungsten (W) wafer, the wafer thin film thickness before and after CMP was measured when the CMP process was performed for 1 min under the CMP conditions of Table 3 above, and the polishing performance was calculated from the thickness change rate. The measurement results for the polishing performance are shown in FIG. 5 .

Claims (23)

폴리머 매트릭스;
상기 폴리머 매트릭스 내에 분산하여 임베드된 액상 미소요소; 및
상기 액상 미소요소들에 의해 정의되고 상기 액상 미소요소들의 이탈에 의해 연마면 표면으로 개방된 기공;을 포함하는 연마층을 포함하며,
상기 액상 미소요소들은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 연마 패드.
polymer matrix;
liquid microelements dispersed and embedded in the polymer matrix; and
A polishing layer including pores defined by the liquid microelements and opened to the surface of the polishing surface by separation of the liquid microelements;
The liquid microelements include a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group.
제1항에 있어서,
상기 상기 폴리머 매트릭스는 친수성 폴리머 매트릭스, 소수성 폴리머 매트릭스, 또는 친수성 및 소수성을 모두 갖는 복합 폴리머 매트릭스인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad according to claim 1 , wherein the polymer matrix is a hydrophilic polymer matrix, a hydrophobic polymer matrix, or a composite polymer matrix having both hydrophilic and hydrophobic properties.
제2항에 있어서,
상기 친수성 폴리머 매트릭스는 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 화학적 결합 또는 혼합에 의해 친수성 화합물이 도입된 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 2,
The hydrophilic polymer matrix is a polishing pad, characterized in that a hydrophilic compound is introduced into the material for forming the polymer matrix by chemical bonding or mixing.
제3항에 있어서,
상기 친수성 폴리머 매트릭스는 이소시아네이트 예비중합체와, 상기 이소시아네이트 예비중합체 100 중량부를 기준으로 1 내지 20 중량부의 친수성 화합물을 화학적 결합 또는 혼합시켜 형성된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 3,
The hydrophilic polymer matrix comprises a material formed by chemically bonding or mixing an isocyanate prepolymer and 1 to 20 parts by weight of a hydrophilic compound based on 100 parts by weight of the isocyanate prepolymer.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 친수성 화합물이 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 및 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 3 or 4,
The hydrophilic compound is composed of polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, and sorbitol fatty acid ester. A polishing pad, characterized in that any one selected from the group or a mixture thereof.
제5항에 있어서,
상기 친수성 화합물이 중량평균분자량이 200~10,000인 폴리에틸렌글리콜인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 5,
The polishing pad, characterized in that the hydrophilic compound is polyethylene glycol having a weight average molecular weight of 200 to 10,000.
제1항에 있어서,
상기 액상 미소요소는 상기 연마층 총 중량에 대해 5 내지 60 중량%로 포함된 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the liquid microelement is included in 5 to 60% by weight with respect to the total weight of the polishing layer.
제1항에 있어서,
상기 연마면 표면은 연마 공정에 의해 마모 또는 연삭되면서 상기 임베디드 액상 미소요소들이 표면으로 이탈되어 연속적으로 개방된 기공들을 형성하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the surface of the polishing surface is worn or ground by a polishing process, and the embedded liquid microelements are separated from the surface to form continuously opened pores.
제1항에 있어서,
상기 임베디드 액상 미소요소들은 상기 폴리머 매트릭스내에 균일하게 분포되어 있는 구형의 미소요소들인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the embedded liquid microelements are spherical microelements uniformly distributed in the polymer matrix.
제1항에 있어서,
상기 액상 미소요소들 및 상기 기공의 평균 직경은 1㎛ 내지 60㎛인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the average diameter of the liquid microelements and the pores are 1㎛ to 60㎛.
제1항에 있어서,
상기 액상 미소요소는 연마용액에 용해되는 수용성 액상 물질인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the liquid microelement is a water-soluble liquid material dissolved in a polishing solution.
제1항에 있어서,
상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 분자량이 300 내지 5,000인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group has a molecular weight of 300 to 5,000.
제1항에 있어서,
상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 지방산과 친수성 화합물의 에스테르 반응에 의해 형성된 화합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 1,
The polishing pad, characterized in that the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group is a compound formed by an ester reaction of a fatty acid and a hydrophilic compound.
제13항에 있어서,
상기 지방산은 아세트산, 라우릴산, 올레인산, 팔미트산, 스테아린산, 및 리놀레산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 13,
The abrasive pad, characterized in that the fatty acid is any one selected from the group consisting of acetic acid, laurylic acid, oleic acid, palmitic acid, stearic acid, and linoleic acid, or a mixture thereof.
제13항에 있어서,
상기 친수성 화합물은 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 및 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 13,
The hydrophilic compound is composed of polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, and sorbitol fatty acid ester. A polishing pad, characterized in that any one selected from the group or a mixture thereof.
제13항에 있어서,
상기 친수성 그룹은 중량평균분자량이 200 내지 4,000인 폴리에틸렌글리콜 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 13,
The hydrophilic group comprises a polyethylene glycol derivative having a weight average molecular weight of 200 to 4,000.
제13항에 있어서,
상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 분자내 친수성 그룹의 중량이 1 내지 95 중량%인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 13,
The polishing pad, characterized in that the weight of the hydrophilic group in the molecule of the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group is 1 to 95% by weight.
제17항에 있어서,
상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 분자내 소수성 그룹의 중량이 1 내지 95 중량%인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
According to claim 17,
The polishing pad, characterized in that the weight of the hydrophobic group in the molecule of the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group is 1 to 95% by weight.
a) 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 미소요소 형성 물질을 혼합하는 단계;
b) 상기 혼합물을 겔화 및 경화시켜 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베드된 액상 미소요소들을 형성하는 단계; 및
c) 상기 b) 단계에서 제조된 물건을 연마 패드 형상으로 가공하는 단계;를 포함하며,
상기 액상 미소요소 형성 물질은 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물을 포함하는 연마 패드의 제조 방법.
a) mixing a material for forming a liquid microelement with a material for forming a polymer matrix;
b) gelling and curing the mixture to form a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix; and
c) processing the product manufactured in step b) into a shape of a polishing pad;
The method of manufacturing a polishing pad according to claim 1 , wherein the liquid microelement-forming material includes a compound containing a hydrophobic group and a hydrophilic group.
제19항에 있어서,
상기 폴리머 매트릭스 형성용 물질은 이소시아네이트 예비중합체와, 상기 이소시아네이트 예비중합체 100 중량부를 기준으로 1 내지 20 중량부의 친수성 화합물을 화학적 결합 또는 혼합시켜 형성된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.
According to claim 19,
The material for forming the polymer matrix comprises a material formed by chemically bonding or mixing an isocyanate prepolymer and a hydrophilic compound in an amount of 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the isocyanate prepolymer.
제19항에 있어서,
상기 소수성 그룹과 친수성 그룹을 포함하는 화합물은 지방산과 친수성 화합물의 에스테르 반응에 의해 형성된 화합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.
According to claim 19,
The method of manufacturing a polishing pad, characterized in that the compound containing the hydrophobic group and the hydrophilic group is a compound formed by an ester reaction of a fatty acid and a hydrophilic compound.
제21항에 있어서,
상기 지방산은 아세트산, 라우릴산, 올레인산, 팔미트산, 스테아린산, 및 리놀레산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.
According to claim 21,
The method of manufacturing a polishing pad, characterized in that the fatty acid is any one selected from the group consisting of acetic acid, laurylic acid, oleic acid, palmitic acid, stearic acid, and linoleic acid, or a mixture thereof.
제21항에 있어서,
상기 친수성 화합물은 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 및 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조방법.
According to claim 21,
The hydrophilic compound is composed of polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, and sorbitol fatty acid ester. Method for producing a polishing pad, characterized in that any one selected from the group or a mixture thereof.
KR1020210182178A 2021-12-17 2021-12-17 Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same KR20230092626A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210182178A KR20230092626A (en) 2021-12-17 2021-12-17 Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210182178A KR20230092626A (en) 2021-12-17 2021-12-17 Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230092626A true KR20230092626A (en) 2023-06-26

Family

ID=86947458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210182178A KR20230092626A (en) 2021-12-17 2021-12-17 Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230092626A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010002696A (en) 1999-06-16 2001-01-15 고석태 polymeric polishing pad containing hollow polymeric microelements bundle of cellular tissue and manufacturing method there of

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010002696A (en) 1999-06-16 2001-01-15 고석태 polymeric polishing pad containing hollow polymeric microelements bundle of cellular tissue and manufacturing method there of

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6986705B2 (en) Polishing pad and method of making same
KR101186531B1 (en) Polyurethane porous product and manufacturing method thereof and Polishing pad having Polyurethane porous product
JP3920829B2 (en) Polishing pad containing embedded liquid microelement and method of manufacturing the same
JP5543494B2 (en) Chemical mechanical planarization pad containing patterned structural domains
TWI475056B (en) Grinding pad manufacturing method
EP3213868B1 (en) Nonporous molded article for polishing layer, polishing pad, and polishing method
TWI567119B (en) Polishing pad and preparing method thereof
KR20070032609A (en) Aqueous Polishing Pad with Improved Adhesion and Manufacturing Method
CN107000157B (en) Molded body for polishing layer and polishing pad
JP6849389B2 (en) Chemical mechanical polishing method
CN113334243B (en) Chemical mechanical polishing pad, preparation method and application thereof
DE102016007771A1 (en) Method for producing a polishing layer for a chemical-mechanical polishing pad
KR101924566B1 (en) Multilayer polishing pad for high-aspect ratio removal
JP2022056422A (en) Polishing pad, method for manufacturing polishing pad and method for manufacturing semiconductor element using the same
KR20230092626A (en) Polishing pad containing uniformly distriputed liquid pores and method for manufacturing the same
CN114762953B (en) Polishing pad, method for producing polishing pad, and method for producing semiconductor device
KR100495404B1 (en) Embedded liquid microelement containing polishing pad and manufacturing method thereof
JP2008246639A (en) Method of manufacturing polishing pad
DE102016007775A1 (en) Chemical-mechanical polishing pad and process for its production
KR101165440B1 (en) Chemical Mechanical Polishing Pad with Non-directional and Non-uniform Surface Roughness
KR101878814B1 (en) Porous polishing pad including multipores and preparing method of the same
KR20010055971A (en) Polymeric polising pad
JP6444507B2 (en) Polishing pad manufacturing method
KR102497825B1 (en) Polishing pad, manufacturing method thereof and preparing method of semiconductor device using the same
TWI612084B (en) Method of manufacturing polishing pad

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal