KR100495404B1 - Embedded liquid microelement containing polishing pad and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR100495404B1 KR10-2002-0077893A KR20020077893A KR100495404B1 KR 100495404 B1 KR100495404 B1 KR 100495404B1 KR 20020077893 A KR20020077893 A KR 20020077893A KR 100495404 B1 KR100495404 B1 KR 100495404B1
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Abstract

본 발명에 따른 연마 패드는 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베디드된 액상 미소요소들을 구비하는 연마층을 포함한다. 연마층 표면에는 임베디드 액상 미소요소들에 의해 정의되고 개방된 기공들이 분포되어 있다. 본 발명에 따른 연마 패드는 표면의 개방된 미세구조의 균일한 기공들에 의해 높은 정밀도로 연마 공정을 수행할 수 있으며, 연마 공정에서 일정한 연마성능을 나타내고 안정적인 사용이 가능하며 웨이퍼의 스크래치 형성이 없다. 또, 본 발명에 따른 연마 패드의 제조에 적합한 제조 방법이 제공된다. 제조시 사용되는 성분들이 모두 액상이므로 패드의 제조 공정이 용이하다.The polishing pad according to the present invention comprises a polishing layer having a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix. On the surface of the abrasive layer are pores defined and opened by embedded liquid microelements. In the present invention According to the polishing pad, the polishing process can be performed with high precision by uniform pores of the open microstructure of the surface, and exhibits a constant polishing performance in the polishing process, can be used stably, and there is no scratch formation of the wafer. Moreover, the manufacturing method suitable for manufacture of the polishing pad which concerns on this invention is provided. Since the components used in the manufacturing are all liquid, the manufacturing process of the pad is easy.

Description

임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조 방법 {Embedded liquid microelement containing polishing pad and manufacturing method thereof}Embedded liquid microelement containing polishing pad and manufacturing method thereof

본 발명은 연마 패드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 임베디드 액상 미소요소를 갖는 연마 패드 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a polishing pad and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a polishing pad having an embedded liquid microelement and a manufacturing method thereof.

화학기계적 평탄화/연마(CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION / CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, 이하, CMP라 한다) 공정은 반도체 소자의 글로벌 평탄화를 위해 도입된 공정으로, 웨이퍼의 대구경화, 고집적화, 선폭의 미세화 및 배선구조의 다층화 추세에 따라 더욱 중요한 공정으로 부각되고 있다. Chemical mechanical planarization / chemical polishing (hereinafter referred to as CMP) process is a process introduced for global planarization of semiconductor devices, and it has a trend of large wafer size, high integration, finer line width, and multilayered wiring structure. As a result, it is emerging as a more important process.

CMP 공정에서는 가공하고자 하는 웨이퍼에 일정한 하향 압력을 가하여 웨이퍼의 표면과 연마패드를 접촉한 상태에서 연마슬러리를 이들 접촉부위에 공급하면서 웨이퍼와 연마 패드를 상대적으로 이동시켜, 연마슬러리 내부에 있는 연마 입자와 연마 패드의 표면돌기들에 의해 물리적인 제거 작용이 일어나도록 함과 동시에 연마슬러리 내의 화학 성분에 의해 화학적인 제거 작용이 이루어지도록 한다. 이러한 CMP 공정의 성능은 연마속도와 웨이퍼의 평탄화도에 의해 평가되며, 이는 CMP 장비의 공정 조건, 연마 슬러리의 성능, 연마 패드의 성능 등에 의해 결정된다. In the CMP process, the wafer and the polishing pad are relatively moved by applying a constant downward pressure to the wafer to be processed and contacting the surface of the wafer with the polishing pad while supplying the polishing slurry to these contacting portions, thereby polishing the abrasive particles inside the polishing slurry. And physical removal by the surface protrusions of the polishing pad and the chemical removal in the polishing slurry. The performance of the CMP process is evaluated by the polishing rate and the planarization degree of the wafer, which are determined by the process conditions of the CMP equipment, the performance of the polishing slurry, and the performance of the polishing pad.

특히, 웨이퍼와 직접 접촉하는 연마 패드 표면은 연마 슬러리가 포화된 상태를 유지해서 연마 슬러리의 유동이 원활하도록 해야 한다. 이를 위해 연마슬러리를 포집 및 공급할 수 있는 중공 폴리머 미소요소(hollow polymeric microelements) 및/또는 세포조직 구조의 미세 중공 폴리머 다발들을 폴리머 매트릭스(polymeric matrix) 내에 포함하는 연마 패드들이 미국 특허 제5,578,362호, 한국 특허 공개 제2001-2696호, 한국 특허 공개 제2001-55971호 등에 개시되어 있다. In particular, the surface of the polishing pad in direct contact with the wafer should keep the polishing slurry saturated, so that the polishing slurry flows smoothly. To this end, polishing pads comprising hollow polymeric microelements capable of capturing and supplying abrasive slurries and / or micro hollow polymer bundles of cellular structure in a polymeric matrix are disclosed in US Pat. No. 5,578,362, Korea. Patent Publication No. 2001-2696, Korean Patent Publication No. 2001-55971 and the like.

그러나, 미국 특허 제5,578,362호에 개시되어 있는 연마 패드의 경우, 표면에 경도가 다른 두 종류의 성분 즉, 폴리머 매트릭스와 중공 폴리머 미소 요소가 존재한다. 이들의 경도 차이로 인해 연마 작업시 마찰 압력에 대해 서로 다른 지지력을 가지고 이는 패드 표면에 마모 정도의 차이를 발생시킨다. 이로 인해 연마 슬러리의 불균일한 공급 및 분포가 발생하여 웨이퍼의 연마가 불균일하게 일어날 수 있다. 그리고, 연마 패드 표면에 존재하는 폴리머 미소요소는 경도가 높아서 연마시 웨이퍼 표면에 스크래치를 발생시킬 수 있다. 그리고, 폴리머 미소요소는 비중이 낮은 분말상의 재질을 사용하여 형성한다. 따라서, 연마 패드를 제조하기 위해 이를 폴리머 매트릭스 형성 물질과 교반하여 혼합할 때, 분말상의 재질을 취급해야 하므로 작업성이 나쁘다. 또한 분말의 균일한 분산이 이루어지지 않을 경우 제조된 패드 표면의 기공 분포가 균일하지 않게 된다. 그러므로, 연마 슬러리의 불균일한 이송에 따른 웨이퍼 표면의 연마 균일성의 저하가 나타날 수 있다. 또, 분산되지 않은 분말 덩어리가 웨이퍼에 손상을 줄 수 있다. 이는 한국 특허 공개 제2001-55971호의 미세 중공 폴리머 다발 입자와 함께 중공 폴리머 미소요소를 포함하는 연마 패드의 경우에도 마찬가지이다. However, in the polishing pad disclosed in US Pat. No. 5,578,362, there are two kinds of components having different hardness on the surface, that is, the polymer matrix and the hollow polymer microelement. Due to their hardness difference, they have different bearing capacity against frictional pressure during polishing, which causes a difference in the degree of wear on the pad surface. This may result in uneven supply and distribution of the polishing slurry, resulting in uneven polishing of the wafer. In addition, the polymer microelements present on the polishing pad surface may have high hardness to cause scratches on the wafer surface during polishing. The polymer microelement is formed using a powdery material having a low specific gravity. Therefore, when stirring and mixing the polymer matrix forming material to prepare the polishing pad, the workability is poor because the powdery material has to be handled. In addition, when the powder is not uniformly dispersed, the pore distribution on the surface of the manufactured pad is not uniform. Therefore, a decrease in polishing uniformity of the wafer surface due to non-uniform transfer of the polishing slurry may appear. In addition, undispersed powder mass may damage the wafer. The same is true for the polishing pad including the hollow polymer microelement together with the fine hollow polymer bundle particles of Korean Patent Laid-Open No. 2001-55971.

한편, 한국 특허 공개 제2001-2696호의 연마패드는 평균 직경이 0.4∼2 ㎛정도인 미세 중공 폴리머 다발 입자만을 포함하기 때문에 연마 슬러리의 포집량이 적어서 필요한 연마 슬러리의 양이 적게 되어 연마 속도가 저하하는 문제가 발생할 수 있다. 이는 미세 중공 폴리머 다발을 주 성분으로 하는 한국 특허 공개 제2001-55971호의 연마 패드의 경우에도 마찬가지이다.On the other hand, since the polishing pad of Korean Patent Laid-Open Publication No. 2001-2696 includes only fine hollow polymer bundle particles having an average diameter of about 0.4 to 2 μm, the amount of the polishing slurry is small, so that the amount of the polishing slurry required is small and the polishing rate is lowered. Problems may arise. The same applies to the polishing pad of Korean Patent Laid-Open No. 2001-55971, which is mainly composed of fine hollow polymer bundles.

또한, 연마 공정에서는 공정 중에 웨이퍼의 평탄도(flatness)의 정확하고 신속하게 측정하는 것이 중요하다. 이를 위해 미국 특허 제5,893,796호 및 미국 특허 제6,171,181호에 평탄도를 인-시츄(in-situ)로 광학적으로 검출하는데 적합한 연마 패드가 개시되어 있다. 그러나, 미국 특허 제5,893,796호의 연마패드는 광빔의 투과가 가능한 투명창을 형성하기 위해 패드에 투명 플러그를 삽입하며 이를 위해 패드에 구멍을 만드는 공정과 투명 플러그의 부착을 위한 접착공정 등 별도의 제조공정이 추가되어야 한다. 미국 특허 제6,171,181호에는 주형 내의 일정 부분을 다른 부분에 비해 빠르게 냉각시킴으로써 패드에 투명한 부분을 형성하는데, 이는 온도를 다르게 조절할 수 있는 특별한 주형이 적용되어야 하므로 투자비가 과다하다. In addition, in the polishing process, it is important to accurately and quickly measure the flatness of the wafer during the process. For this purpose, US Pat. No. 5,893,796 and US Pat. No. 6,171,181 disclose a polishing pad suitable for optically detecting flatness in-situ. However, the polishing pad of US Patent No. 5,893,796 inserts a transparent plug into the pad to form a transparent window through which light beams can pass, and for this purpose, a separate manufacturing process such as a hole making process and an adhesive process for attaching the transparent plug. Should be added. U. S. Patent No. 6,171, 181 cools a portion of the mold faster than other portions to form a transparent portion of the pad, which is expensive because a special mold with different temperature control must be applied.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 연마슬러리의 균일한 포집 및 공급이 가능하여 연마 균일성을 달성할 수 있고, 별도의 투명창을 형성하지 않고도 인-시츄로 평탄도 검사가 가능하고, 피연마 대상 표면에 스크래치를 발생시키지 않으면서 제조가 용이한 연마 패드를 제공하고자 하는 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is to uniformly collect and supply the polishing slurry to achieve the polishing uniformity, and to check the flatness in-situ without forming a separate transparent window, subject to polishing It is an object of the present invention to provide a polishing pad that is easy to manufacture without scratching the surface.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 연마슬러리의 균일한 포집 및 공급이 가능하여 연마 균일성을 달성할 수 있고, 별도의 투명창을 형성하지 않고도 인-시츄로 평탄도 검사가 가능하고, 피연마 대상 표면에 스크래치를 발생시키지 않는 연마 패드의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. Another technical problem to be achieved by the present invention is to uniformly collect and supply the polishing slurry to achieve polishing uniformity, and to inspect the flatness in-situ without forming a separate transparent window, It is an object of the present invention to provide a method for producing a polishing pad that does not cause scratches on a target surface.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 상기 연마 패드는 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베디드된 액상 미소요소들을 구비하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층 표면에는 상기 액상 미소요소들에 의해 정의되고 개방된 기공들이 분포되어 있다. The polishing pad according to the present invention for achieving the technical problem includes a polishing layer having a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix, the polishing layer surface is defined by the liquid microelements Open pores are distributed.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 연마 패드의 제조 방법에 따르면, 먼저, 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 물질을 혼합한다. 이어서, 상기 혼합물을 겔화 및 경화시켜 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베디드된 액상 미소요소들을 구비하고, 그 표면에는 상기 액상 미소요소들에 의해 정의된 기공들이 형성되어 있는 연마층을 제조한다. 마지막으로 상기 제조된 연마층을 가공하여 연마 패드를 제조한다. According to the method of manufacturing a polishing pad according to the present invention for achieving the above another technical problem, first, a liquid material is mixed with a material for forming a polymer matrix. The mixture is then gelled and cured to produce a polishing layer having a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix, the surfaces of which are defined by the liquid microelements. Finally, the prepared polishing layer is processed to prepare a polishing pad.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명에 따른 연마 패드는 미세구조의 개방된 기공들에 의하여 연마슬러리의 포집과 공급이 균일하게 일어나 높은 정밀도로 연마 공정을 수행할 수 있다. 또, 연마공정 중에 연속적으로 개방된 기공들이 제공되므로 연마성능이 일정하게 유지되고, 패드의 조성 상 패드가 균일하게 마모되기 때문에 피연마 대상의 연마가 균일하게 일어난다. 또, 연마 패드표면에 경도가 높은 폴리머가 존재하지 않으므로 이로 인한 웨이퍼의 스크래치 형성이 없다. 또, 제조된 패드는 반투명하여 패드내에 별도의 광을 투과하기 위한 부분을 형성하지 않고도 연마공정 중에 인-시츄로 광학적인 방법에 의한 평탄도의 측정이 가능하다. 그리고, 제조시 사용되는 성분들이 모두 액상이므로 패드의 제조 공정이 용이하다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. The polishing pad according to the present invention can uniformly collect and supply the polishing slurry by the open pores of the microstructure, so that the polishing process can be performed with high precision. In addition, since the pores are continuously opened during the polishing process, polishing performance is kept constant, and polishing of the object to be polished occurs uniformly because the pad wears uniformly due to the composition of the pad. In addition, since there is no high hardness polymer on the polishing pad surface, there is no scratch formation of the wafer. In addition, the manufactured pads are translucent and can measure the flatness by an optical method in-situ during the polishing process without forming a part for transmitting a separate light in the pad. In addition, since the components used in the manufacture are all liquid, the manufacturing process of the pad is easy.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 연마 패드 및 그 제조 방법에 관한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 지지층과 연마층의 두께, 액상 미소요소의 크기 및 모양 등은 설명의 편의를 위하여 과장 또는 개략화된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 부재를 지칭한다. Hereinafter, embodiments of a polishing pad and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided for the purpose of full disclosure, and the invention is only defined by the scope of the claims. In the drawings, the thickness of the support layer and the polishing layer, the size and shape of the liquid microelements, etc. are exaggerated or outlined for convenience of description. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연마 패드(100)의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 연마 패드(100)가 장착된 연마 장치(1)의 개략도이다. 도 2에서는 회전형 연마 장치(1)에 적합하도록 연마 패드(100)의 모양이 원형인 경우를 도시하였으나, 연마 장치의 형태에 따라 직사각형, 정사각형 등의 다양한 형태로 변형이 가능함은 물론이다. 1 is a cross-sectional view of a polishing pad 100 according to a first embodiment of the present invention. 2 is a schematic diagram of a polishing apparatus 1 equipped with a polishing pad 100 according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 2, the shape of the polishing pad 100 is circular so as to be suitable for the rotary polishing apparatus 1. However, the shape of the polishing pad 100 may be modified in various shapes such as a rectangle and a square according to the shape of the polishing apparatus.

본 발명의 제1 실시예에 따른 연마 패드(100)는 지지층(110) 및 연마층(120)으로 구성된다. 지지층(110)은 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 연마패드(100)가 플레이튼(3)에 부착되도록 하는 부분이다. 지지층(110)은 플레이튼(3)과 대향하는 헤드(5)에 로딩되어 있는 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)를 가압하는 힘에 대응하여 복원성을 갖는 물질로 구성되어 그 위에 형성된 연마층(120)을 실리콘 웨이퍼(7)에 대응하여 균일한 탄성력으로 지지하는 역할을 수행한다. 따라서, 주로 비다공성의 고체 균일 탄성체 재질로 이루어지며, 그 위에 형성되는 연마층(120)보다 경도가 낮다. 또한, 지지층(110)은 적어도 일부가 투명 또는 반투명하여 피연마대상 표면의 평탄도를 검출하기 위해 사용되는 광빔(170)의 투과가 가능하다. 도 2에서는 금속, 절연층 등의 피연마막이 형성되어 있는 웨이퍼(7)를 피연마 대상으로 예시하였으나, TFT-LCD가 형성될 기판, 유리 기판, 세라믹 기판, 폴리머 플라스틱 기판 등 다양한 기판이 피연마 대상으로 사용 가능함은 물론이다. 그리고, 경우에 따라서는 지지층(110) 없이도 연마 패드(100)를 구성할 수 있다. The polishing pad 100 according to the first embodiment of the present invention is composed of a support layer 110 and a polishing layer 120. As shown in FIG. 2, the support layer 110 is a portion for attaching the polishing pad 100 to the platen 3. The support layer 110 is made of a material having restorability in response to a force for pressing the silicon wafer 7 to be polished, which is loaded on the head 5 facing the platen 3, and the polishing layer 120 formed thereon. ) To support the silicon wafer 7 with a uniform elastic force. Therefore, it is mainly made of a non-porous solid uniform elastic material, the hardness is lower than the polishing layer 120 formed thereon. In addition, at least a portion of the support layer 110 may be transparent or translucent to transmit the light beam 170 used to detect flatness of the surface to be polished. In FIG. 2, the wafer 7 on which a to-be-polished film, such as a metal or an insulating layer, is formed is illustrated as a target to be polished, but various substrates such as a substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, and a polymer plastic substrate, on which a TFT-LCD is to be formed, are polished. Of course, it can be used as a target. In some cases, the polishing pad 100 may be configured without the support layer 110.

연마층(120)은 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 피연마 대상인 웨이퍼(7)와 직접 접촉하는 부분이다. 연마층(120)은 폴리머 매트릭스(130)와 폴리머 매트릭스(130) 내에 균일하게 분포된 임베디드(embeded) 액상 미소요소(140)로 구성된다. 웨이퍼(7)와 직접적으로 접촉하는 연마층 표면(160)에는 임베디드 액상 미소요소(140)에 의해 정의되고 개방된 미세구조의 다수의 기공들(140')이 균일하게 배열되어 있다. 이 경우, 연마층(120)은 폴리머 매트릭스(130)와 액상 미소요소들(140)로 구성된 불균일계를 형성하는데, 이는 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)의 표면 상태, 즉 평탄도를 광학적으로 검출할 수 있는 광원(170)에 대해 반투명하다. 따라서 전체 연마패드(100)는 적어도 일부가 투명 또는 반투명한 지지층(110)과 전체가 반투명한 연마층(120)으로 구성되며, 이러한 연마패드(100)를 사용시 연마공정 중에 인-시츄(in-situ)로 광학적으로 피연마 대상 표면의 평탄도를 용이하게 검출할 수 있다. As shown in FIG. 2, the polishing layer 120 is a portion in direct contact with the wafer 7 to be polished. The abrasive layer 120 is composed of a polymer matrix 130 and an embedded liquid microelement 140 uniformly distributed within the polymer matrix 130. The polishing layer surface 160 in direct contact with the wafer 7 is uniformly arranged with a plurality of pores 140 ′ of microstructure defined and opened by the embedded liquid microelement 140. In this case, the polishing layer 120 forms a heterogeneous system composed of the polymer matrix 130 and the liquid microelements 140, which optically detects the surface state, that is, flatness, of the silicon wafer 7 to be polished. It is translucent with respect to the light source 170 which can be made. Therefore, the entire polishing pad 100 is composed of at least a part of the transparent or semi-transparent support layer 110 and the entire semi-transparent polishing layer 120, the in-situ during the polishing process using the polishing pad 100 situ) to easily detect the flatness of the surface to be polished optically.

폴리머 매트릭스(130)는 평탄화를 위한 화학 용액인 연마 슬러리에 불용성인 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예컨대, 도 2와 같이, 연마 장비(1)의 노즐(11)을 통해 공급되는 연마 슬러리(13)가 침투할 수 없는 물질로 형성된다. 또, 폴리머 매트릭스(130)는 주물(casting) 및 압출 성형(extrusion)이 가능한 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서 폴리머 매트릭스(130)의 재질로, 폴리우레탄, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리아크릴, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌 이민, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 이미드, 폴리케톤, 멜라민, 나일론 및 불화탄화수소로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물 등을 예로 들 수 있다. 이중에서도, 폴리우레탄으로 제조되는 것이 바람직하다. 폴리우레탄은 이소시아네이트 예비중합체와 경화제로 이루어진 2액형의 저점도 액상 우레탄으로부터 얻어진다. 예비중합체는 최종 중합체에 대한 전구체로서 올리고머 또는 모노머를 포괄한다. 이소시아네이트 예비중합체는 평균 2 이상의 이소시아네이트 관능기를 가지고 반응성 이소시아네이트의 함량이 4~16 중량%이며, 폴리에테르, 폴레에스테르, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 폴리올과 톨루엔 디이소시아네이트 또는 메틸렌 디페닐 디이소시아네이트와의 반응에 의해 얻어진다. 이소시아네이트 예비중합체는 이소시아네이트 반응성기를 가지는 경화제와 반응하여 최종적으로 폴리우레탄을 형성한다. 경화제로는 4, 4-메틸렌-비스(2-클로로 아닐린)(이하 MOCA) 등의 아민 또는 폴리에테르계 및 폴리에스테르계의 다양한 폴리올이 사용될 수 있다. 폴리우레탄은 구성 성분의 다양한 조합에 의해 물성의 조절이 가능하다. The polymer matrix 130 is preferably formed of a material that is insoluble in the polishing slurry, which is a chemical solution for planarization. For example, as shown in FIG. 2, the polishing slurry 13 supplied through the nozzle 11 of the polishing equipment 1 is formed of a material that cannot penetrate. In addition, the polymer matrix 130 is preferably formed of a material capable of casting and extrusion. Thus, as the material of the polymer matrix 130, polyurethane, polyether, polyester, polysulfone, polyacrylic, polycarbonate, polyethylene, polymethyl methacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyethylene imine, polyether sulfone , Any one selected from the group consisting of polyether imide, polyketone, melamine, nylon and hydrocarbon fluoride, or a mixture thereof. Among them, it is preferable to be made of polyurethane. The polyurethane is obtained from a two-part, low viscosity liquid urethane consisting of an isocyanate prepolymer and a curing agent. Prepolymers encompass oligomers or monomers as precursors to the final polymer. Isocyanate prepolymers have an average of 2 or more isocyanate functional groups and have a content of 4 to 16% by weight of reactive isocyanates. Obtained by The isocyanate prepolymer reacts with a curing agent having an isocyanate reactive group to finally form a polyurethane. As the curing agent, various polyols of amines such as 4, 4-methylene-bis (2-chloro aniline) (hereinafter MOCA) or polyether-based and polyester-based may be used. Polyurethane can control the physical properties by various combinations of components.

연마층 표면(160)에 배열되어 있는 다수의 기공들(140')과 임베디드 액상 미소요소(140)는 연마슬러리를 포집하고 공급이 원활히 일어나도록 해서 연마 균일도를 향상시키기 위한 것이다. 구체적으로, 패드 표면(160)에 배열되어 있는 다수의 기공들(140')은 도 2와 같이 연마 패드(100)가 연마 장비(1)에 장착되어 웨이퍼(7)의 표면과 접촉한 상태에서 노즐(11)을 통해 연마 슬러리(13)가 이들 접촉 부위에 공급될 때 연마 슬러리(13)를 포집하여 이를 웨이퍼(7) 표면에 고르게 공급하는 기능을 한다. 이어서, 웨이퍼(7)와 연마 패드(100)가 상대적으로 이동하면서 웨이퍼(7) 표면 평탄화 공정이 지속적으로 수행되면 연마 패드 표면(160)의 일부도 마모 또는 연삭되어 임베디드 액상 미소요소(140)가 표층에 노출되어 다시 연마슬러리의 포집과 공급이 가능한 기공(140')을 생성한다. 따라서, 연마층 표면(160)의 기공(140')과 임베디드 액상 미소요소(140)는 폴리머 매트릭스(130) 내에 균일하게 분포되는 것이 바람직하다. The plurality of pores 140 ′ and the embedded liquid microelements 140 arranged on the polishing layer surface 160 are intended to collect polishing slurry and to smoothly feed to improve polishing uniformity. Specifically, the plurality of pores 140 ′ arranged on the pad surface 160 have a polishing pad 100 mounted on the polishing equipment 1 in contact with the surface of the wafer 7 as shown in FIG. 2. When the polishing slurry 13 is supplied to these contact sites through the nozzle 11, the polishing slurry 13 is collected and evenly supplied to the surface of the wafer 7. Subsequently, when the wafer 7 and the polishing pad 100 are relatively moved and the wafer 7 surface planarization process is continuously performed, a part of the polishing pad surface 160 may be worn or ground to form the embedded liquid microelement 140. Exposure to the surface layer creates pores 140 'that allow for the collection and supply of abrasive slurries. Thus, the pores 140 ′ of the polishing layer surface 160 and the embedded liquid microelements 140 are preferably uniformly distributed within the polymer matrix 130.

임베디드 액상 미소요소(140)는 폴리머 매트릭스(130)와 상용성이 없는 액상 물질로 형성된다. 예를 들어 지방족 광유, 방향족 광유, 분자 말단에 수산기가 없는 실리콘 오일, 대두유, 야자유, 팜유, 면실유, 동백유, 경화유로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물 등이 액상 미소요소(140) 형성 물질로 사용될 수 있다. 액상 물질은 분자량이 200∼5000인 것이 바람직하고, 200∼1000인 것이 더욱 바람직하다. 분자량이 200이하일 경우에는 경화 과정에서 액상 물질이 유출되어 폴리머 매트릭스(130) 내에 생성되는 임베디드 액상 미소요소(140)의 밀도가 저하된다. 분자량이 5000이상인 경우에는 점도가 높아 폴리머 매트릭스(130) 형성용 물질과의 혼합이 어려워 균일한 임베디드 액상 미소요소(140)를 형성하기 어렵다. The embedded liquid microelement 140 is formed of a liquid material that is incompatible with the polymer matrix 130. For example, the aliphatic mineral oil, aromatic mineral oil, silicone oil without a hydroxyl group at the end of the molecule, soybean oil, palm oil, palm oil, cottonseed oil, camellia oil, hardened oil or any one selected from the group consisting of liquid microelement 140 is formed of the material Can be used as It is preferable that molecular weights are 200-5000, and, as for a liquid substance, it is more preferable that it is 200-1000. When the molecular weight is 200 or less, the liquid substance flows out during the curing process, and thus the density of the embedded liquid microelement 140 generated in the polymer matrix 130 is reduced. When the molecular weight is 5000 or more, it is difficult to form a uniform embedded liquid microelement 140 because of its high viscosity and difficult mixing with the material for forming the polymer matrix 130.

임베디드 액상 미소요소(140)는 미세한 구형으로 폴리머 매트릭스(130) 내에 분산되어 형성되는 것이 바람직하다. 구형의 직경은 5 ~ 60㎛ 인 것이 바람직하며, 10 ~ 30㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 구형의 직경이 상기 범위내에 있을 때, 연마슬러리의 포집 및 공급에 가장 적합하다. 그러나, 사용되는 연마슬러리의 종류에 따라 적합한 구형의 직경은 변화할 수 있으며, 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기 또한 이에 맞추어 변화할 수 있다. The embedded liquid microelement 140 is preferably formed by being dispersed in the polymer matrix 130 in a fine spherical shape. It is preferable that the diameter of a spherical shape is 5-60 micrometers, and it is more preferable that it is 10-30 micrometers. When the diameter of the sphere is in the above range, it is most suitable for collecting and supplying the polishing slurry. However, a suitable spherical diameter may vary according to the type of abrasive slurry used, and the size of the embedded liquid microelement 140 may also change accordingly.

임베디드 액상 미소요소(140)의 크기, 즉 구형의 직경은 폴리머 매트릭스(130) 형성용 물질에 대한 임베디드 액상 미소요소(140) 형성용 액상 물질의 중량비에 의해 용이하고 다양하게 조절된다. 바람직하기로는 폴리머 매트릭스(130) 형성용 물질, 예컨대 폴리 우레탄 기재의 총 중량을 기준으로 20 내지 50 중량%로, 더욱 바람직하기로는 30 내지 40 중량%로 액상 물질을 혼합하는 것이 원하는 크기를 달성할 수 있다. 액상 물질의 양이 20 중량% 이하인 경우에는 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기가 증가하여 결과적으로 패드 표면(160)에 형성되는 기공(140')의 크기가 증가하게 된다. 이 경우 연마슬러리 입자의 포집량이 많아 상대적으로 높은 연마속도를 나타내지만 이로 인해 정밀한 연마가 어렵고, 연마슬러리가 불균일하게 큰 입자를 포함하고 있을 경우 연마슬러리의 큰 입자가 포집되어 웨이퍼에 스크래치를 발생시킬 수 있다. 액상물질의 양이 50 중량% 이상일 경우에는 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기가 감소하여 결과적으로 패드 표면(160)에 형성되는 기공(140')의 크기가 감소하게 된다. 기공(140')의 크기가 감소하면 연마슬러리 입자의 포집량이 적어 정밀한 연마가 가능하고 연마 슬러리내 포함된 큰 입자를 포집하지 않고 여과하는 역할을 하여 웨이퍼의 스크래치 발생을 감소시킬 수 있다. 그러나 과량의 액상 물질이 가공중 유출되어 성형물의 취급에 어려움이 있고 제조된 연마 패드는 낮은 연마속도를 나타내는 단점이 있다.The size of the embedded liquid microelement 140, that is, the diameter of the sphere, is easily and variously controlled by the weight ratio of the liquid material for forming the embedded liquid microelement 140 to the material for forming the polymer matrix 130. Preferably mixing the liquid material to 20 to 50% by weight, more preferably to 30 to 40% by weight, based on the total weight of the material for forming the polymer matrix 130, such as a polyurethane substrate, will achieve the desired size. Can be. When the amount of the liquid material is 20% by weight or less, the size of the embedded liquid microelement 140 is increased, and as a result, the size of the pores 140 ′ formed on the pad surface 160 is increased. In this case, a large amount of abrasive sludge particles are collected, resulting in a relatively high polishing rate. However, precise polishing is difficult, and when the abrasive slurries contain unevenly large particles, large particles of abrasive slurries are collected and scratches occur on the wafer. Can be. When the amount of the liquid material is 50% by weight or more, the size of the embedded liquid microelement 140 is reduced, and as a result, the size of the pores 140 ′ formed on the pad surface 160 is reduced. When the pore 140 ′ is reduced in size, the amount of the abrasive slurry particles is collected to enable precise polishing and to filter the large particles contained in the polishing slurry without collecting the particles, thereby reducing scratches on the wafer. However, excess liquid material flows out during processing, which makes it difficult to handle the molded article, and the manufactured polishing pad has a disadvantage of showing a low polishing rate.

또, 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기는 분산제의 사용량에 의해서도 용이하고 다양하게 조절된다. 폴리머 매트릭스(130) 형성용 물질, 예컨대 폴리 우레탄 기재의 총 중량을 기준으로 1 내지 5 중량%로 분산제를 혼합하는 것이 바람직하다. 분산제의 양이 1 중량% 이하이면 액상물질의 분산능이 떨어져 균일한 분산이 되지 않는다. 분산제의 양이 5 중량% 이상일 경우에는 반응계의 표면장력저하로 인해 반응계내에 존재하는 미세한 가스가 반응열에 의해 팽창하여 핀홀을 형성하는 문제가 있다. 분산제로는 계면활성제가 가장 바람직하며, 계면활성제로는 고급알콜 황산에스테르염, 고급알킬에테르 황산에스테르염, 알킬벤젠술폰산나트륨, α- 올레핀술폰산염, 인산에스테르염 등의 음이온성 계면활성제, 고급알킬아민형, 4급암모늄염형 등의 양이온성 계면활성제, 아미노산형, 베타인형 등의 양성계면활성제, 실록산-옥시알킬렌 공중합체, 폴리옥시에틸렌중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르 및 이들의 혼합물 등을 예로 들 수 있다. In addition, the size of the embedded liquid microelement 140 is easily and variously adjusted by the amount of dispersant used. It is preferable to mix the dispersant at 1 to 5% by weight based on the total weight of the material for forming the polymer matrix 130, such as a polyurethane substrate. If the amount of the dispersant is 1% by weight or less, the dispersibility of the liquid substance is lowered, so that the dispersion is not uniform. When the amount of the dispersant is 5% by weight or more, there is a problem in that the fine gas existing in the reaction system expands by the heat of reaction to form pinholes due to the decrease in surface tension of the reaction system. The dispersant is most preferably a surfactant, and the surfactant is an anionic surfactant such as a higher alcohol sulfate ester salt, a higher alkyl ether sulfate ester salt, an alkyl benzene sulfonate salt, an α-olefin sulfonate salt or a phosphate ester salt. Cationic surfactants such as amine type and quaternary ammonium salt type, amphoteric surfactants such as amino acid type and betaine type, siloxane-oxyalkylene copolymer, polyoxyethylene polymer, polyoxyethylene-polyoxypropylene copolymer, glycerin fatty acid Esters, sugar fatty acid esters, sorbitol fatty acid esters, mixtures thereof, and the like.

즉, 임베디드 액상 미소요소(140) 및 이에 의해 정의되는 기공(140')의 크기는 액상 물질의 양 및/또는 분산제의 양에 의해 다양하게 조절이 가능하므로 피연마 대상의 종류 및/또는 연마 슬러리의 종류에 따라 다양한 연마 성능을 가진 연마패드의 제조가 가능하다는 장점이 있다. That is, the size of the embedded liquid microelement 140 and the pores 140 ′ defined therein may be variously controlled by the amount of the liquid material and / or the amount of the dispersant, and thus the type and / or polishing slurry to be polished. There is an advantage that it is possible to manufacture a polishing pad having a variety of polishing performance according to the type of.

바람직하기로는 연마층 표면(160)에는 연마 슬러리의 이송을 용이하게 하는 유동 채널을 포함하는 조직 또는 패턴들이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다. Preferably, the polishing layer surface 160 further includes tissue or patterns including flow channels that facilitate the transfer of the polishing slurry.

이상에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 연마 패드(100)의 경우, 기공의 크기 조절을 위해 액상물질의 농도를 증가시키거나 계면활성제를 사용하게 되는데, 액상물질의 농도가 증가함에 따라 계면활성제의 분산력이 저하하여 폴리머 매트릭스와 액상물질의 균일한 혼합이 이루어지지 않고, 경화 후 액상물질의 유출현상이 일어날 수 있다. 또한, 연마 패드(100) 제조시 액상물질의 분산을 위해 사용되는 계면활성제는 이소시아네이트 예비중합체와 반응하여 패드의 물성저하를 일으킬 수 있고, 계면활성제의 사용으로 인해 패드의 구성성분이 증가하므로 제조기계의 부대 장치가 증가되는 문제가 있다. 따라서, 이하에서는 계면활성제를 사용하지 않고 제조할 수 있는, 본 발명의 제2 실시예에 따른 연마 패드에 대하여 설명한다.In the case of the polishing pad 100 according to the first embodiment of the present invention described above, the concentration of the liquid substance is increased or a surfactant is used to control the size of the pores. As the dispersing power of the active agent decreases, uniform mixing of the polymer matrix and the liquid material may not be achieved, and spillage of the liquid material may occur after curing. In addition, the surfactant used for the dispersion of the liquid material in the manufacturing of the polishing pad 100 may react with the isocyanate prepolymer to cause the physical properties of the pad to decrease, and the composition of the pad increases due to the use of the surfactant, thereby producing a manufacturing machine. There is a problem that the auxiliary device is increased. Therefore, hereinafter, a polishing pad according to a second embodiment of the present invention, which can be manufactured without using a surfactant, will be described.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연마 패드(200)의 단면도이다. 도 3에서는 회전형 연마 장치(1)에 적합하도록 연마 패드(200)의 모양이 원형인 경우를 도시하였으나, 연마 장치의 형태에 따라 직사각형, 정사각형 등의 다양한 형태로 변형이 가능함은 물론이다. 3 is a cross-sectional view of the polishing pad 200 according to the second embodiment of the present invention. Although FIG. 3 illustrates a case in which the shape of the polishing pad 200 is circular to be suitable for the rotary polishing apparatus 1, the shape of the polishing pad 200 may be modified in various shapes such as a rectangle and a square according to the shape of the polishing apparatus.

본 발명의 제2 실시예에 따른 연마 패드(200)는 지지층(110) 및 연마층(180)으로 구성되며 이들은 화학적으로 상용성이 있는 물질로 형성하여 각 층간의 구조적인 경계부가 존재하지 않는 일체형의 패드(도 3에서는 점선으로 가상적인 경계부가 표시된다)로 제조된다. 연마층과 지지층이 화학적으로 상용성을 가지고 있어 제조중 일체화가 이루어지는 과정은 각층의 물질이 화학적으로 동일한 구조를 가지고 있어 계면에서 용융이나 용해에 의해 균일한 혼합물이 되거나, 화학구조내에 물리적인 결합을 형성할 수 있는 관능기를 포함하고 있어 층의 계면에서 용융이나 용해에 의해 균일한 혼합물이 되거나, 또는 화학적으로 서로 다른 물질이라도 상용화제가 존재시 계면에서 용융이나 용해에 의해 균일한 혼합물이 되고 이들 혼합물이 겔화와 경화과정을 거쳐 하나의 상으로 되는 것을 의미한다. 따라서 두층을 연결하기 위한 접착제와 같은 별도의 재료나 접착 공정이 필요없다. The polishing pad 200 according to the second embodiment of the present invention is composed of a support layer 110 and a polishing layer 180, which are formed of a chemically compatible material, so that there is no structural boundary between the layers. Pads (imaginary boundaries are indicated by dashed lines in FIG. 3). Since the polishing layer and the support layer are chemically compatible, the process of integration is performed during the manufacturing process, and the materials of each layer have chemically identical structures, resulting in a uniform mixture by melting or dissolving at the interface, or physical bonding within the chemical structure. It contains a functional group that can be formed to form a homogeneous mixture by melting or dissolving at the interface of the layer, or even when chemically different materials are present, when the compatibilizer is present, it becomes a homogeneous mixture by melting or dissolving at the interface. It means to gel and harden into one phase. Thus, no separate material or adhesive process is required, such as an adhesive for connecting the two layers.

지지층(110)은 연마패드(200)가 도 2의 플레이튼(3)에 부착되도록 하는 부분이다. 지지층(110)은 플레이튼(3)과 대향하는 헤드(5)에 로딩되어 있는 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)를 가압하는 힘에 대응하여 복원성을 갖는 물질로 구성되어 그 위에 형성된 연마층(180)을 실리콘 웨이퍼(7)에 대응하여 균일한 탄성력으로 지지하는 역할을 수행한다. 따라서, 주로 비다공성의 고체 균일 탄성체 재질로 이루어지며, 그 위에 형성되는 연마층(180)보다 경도가 낮다. 또한, 지지층(110)은 적어도 일부가 투명 또는 반투명하여 피연마대상 표면의 평탄도를 검출하기 위해 사용되는 광빔(170)의 투과가 가능하다. 또, 지지층(110)은 도 2에서는 금속, 절연층 등의 피연마막이 형성되어 있는 웨이퍼(7)를 피연마 대상으로 예시하였으나, TFT-LCD가 형성될 기판, 유리 기판, 세라믹 기판, 폴리머 플라스틱 기판 등 다양한 기판이 피연마 대상으로 사용 가능함은 물론이다. 그리고, 경우에 따라서는 지지층(110)없이도 연마 패드(200)를 구성할 수 있다. The support layer 110 is a portion for attaching the polishing pad 200 to the platen 3 of FIG. 2. The support layer 110 is formed of a material having a restorability in response to a force for pressing the silicon wafer 7 to be polished, which is loaded on the head 5 facing the platen 3, and the polishing layer 180 formed thereon. ) To support the silicon wafer 7 with a uniform elastic force. Therefore, it is mainly made of a non-porous solid homogeneous elastic material, and has a lower hardness than the polishing layer 180 formed thereon. In addition, at least a portion of the support layer 110 may be transparent or translucent to transmit the light beam 170 used to detect flatness of the surface to be polished. In addition, although the support layer 110 exemplifies the wafer 7 on which the to-be-polished film, such as a metal and an insulating layer, was formed in FIG. 2 as a to-be-polished object, the board | substrate to which TFT-LCD is formed, a glass substrate, a ceramic substrate, a polymer plastic Of course, various substrates such as substrates can be used as the target of polishing. In some cases, the polishing pad 200 may be configured without the support layer 110.

연마층(180)은 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 피연마 대상인 웨이퍼(7)와 직접 접촉하는 부분으로 평탄화 효율을 향상시키기 위해 지지층(110)보다 경도가 높은 것이 바람직하다. 연마층(180)은 친수성 화합물을 포함하는 폴리머 매트릭스(190)(이하에서 친수성 폴리머 매트릭스라 한다)와 상기의 친수성 폴리머 매트릭스(190) 내에 균일하게 분포된 임베디드(embeded) 액상 미소요소(140)로 구성된다. 웨이퍼(7)와 직접적으로 접촉하는 연마층 표면(160)에는 임베디드 액상 미소요소(140)에 의해 정의되고 개방된 다수의 미세 기공들(140')이 균일하게 배열되어 있다. 이 경우, 연마층(180)은 친수성 폴리머 매트릭스(190)와 액상 미소요소들(140)로 구성된 불균일계를 형성하는데, 이는 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)의 표면 상태 즉 평탄도를 광학적으로 검출할 수 있는 광원(170)에 대해 반투명하다. 따라서 전체 연마패드(200)는 적어도 일부가 투명 또는 반투명한 지지층(110)과 전체가 반투명한 연마층(180)으로 구성되며 이러한 연마패드(200)를 사용시 연마공정 중에 인-시츄(in-situ)로 광학적으로 피연마 대상 표면의 평탄도를 용이하게 검출할 수 있다. 또한 연마공정 중에 연마패드가 마모됨에 따라 임베디드된 액상 미소요소(140)들은 연속적으로 연마층 표면(160)으로 노출되고 이는 연마슬러리에 의해 치환된다. 따라서 연마표면(160)에는 폴리머 매트릭스만이 존재하므로 연마패드(200)의 불균일 마모가 일어나지 않고 피연마 대상인 실리콘 웨이퍼(7)를 균일하게 연마할 수 있다. As shown in FIG. 2, the polishing layer 180 is in direct contact with the wafer 7 to be polished, and is preferably higher in hardness than the support layer 110 in order to improve planarization efficiency. The abrasive layer 180 is composed of a polymer matrix 190 containing a hydrophilic compound (hereinafter referred to as a hydrophilic polymer matrix) and an embedded liquid microelement 140 uniformly distributed within the hydrophilic polymer matrix 190. It is composed. The polishing layer surface 160 in direct contact with the wafer 7 is uniformly arranged with a plurality of micropores 140 ′ defined and opened by the embedded liquid microelement 140. In this case, the polishing layer 180 forms a heterogeneous system composed of the hydrophilic polymer matrix 190 and the liquid microelements 140, which optically detects the surface state or flatness of the silicon wafer 7 to be polished. It is translucent with respect to the light source 170 which can be made. Therefore, the entire polishing pad 200 is composed of at least a portion of the transparent or semi-transparent support layer 110 and the entire semi-transparent polishing layer 180 and in-situ during the polishing process using the polishing pad 200. ), The flatness of the surface to be polished can be easily detected. In addition, as the polishing pad is worn during the polishing process, the embedded liquid microelements 140 are continuously exposed to the polishing layer surface 160, which is replaced by the polishing slurry. Therefore, since only the polymer matrix is present on the polishing surface 160, the non-uniform wear of the polishing pad 200 does not occur and the silicon wafer 7 to be polished can be uniformly polished.

친수성 폴리머 매트릭스(190)는 평탄화를 위한 화학 용액인 연마 슬러리에 불용성인 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예컨대, 도 2와 같이, 연마 장비(1)의 노즐(11)을 통해 공급되는 연마 슬러리(13)가 침투할 수 없는 물질로 형성된다. 또, 친수성 폴리머 매트릭스(190)는 주물(casting) 및 압출 성형(extrusion)이 가능한 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 친수성 폴리머 매트릭스(190)는 폴리우레탄, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리아크릴, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌 이민, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 이미드, 폴리케톤, 멜라민, 나일론 및 불화탄화수소로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물에 친수성 화합물을 화학적 또는 물리적인 방법으로 결합시킨 것이 사용되어질 수 있다. 이 때 친수성 화합물로는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물 등을 예로 들 수 있으며, 이중에서도 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것이 바람직하다. The hydrophilic polymer matrix 190 is preferably formed of a material that is insoluble in the polishing slurry, which is a chemical solution for planarization. For example, as shown in FIG. 2, the polishing slurry 13 supplied through the nozzle 11 of the polishing equipment 1 is formed of a material that cannot penetrate. In addition, the hydrophilic polymer matrix 190 is preferably formed of a material capable of casting and extrusion. The hydrophilic polymer matrix 190 is made of polyurethane, polyether, polyester, polysulfone, polyacrylic, polycarbonate, polyethylene, polymethyl methacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyethylene imine, polyether sulfone, polyether A chemical or physical method of combining a hydrophilic compound with any one or a mixture thereof selected from the group consisting of imide, polyketone, melamine, nylon and hydrocarbon fluoride may be used. The hydrophilic compounds include polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkyl phenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester, sorbitol fatty acid ester. Any one selected from the group consisting of these, or a mixture thereof and the like can be exemplified, of which polyethylene glycol is preferably used.

친수성 폴리머 매트릭스(190)는 친수성 화합물을 포함하는 폴리우레탄으로 제조되는 것이 바람직하다. 폴리우레탄은 이소시아네이트 예비중합체와 이소시아네이트 반응성기를 가지는 경화제의 반응에 의해 형성하며 경화제로는 4, 4-메틸렌-비스(2-클로로 아닐린)(이하 MOCA) 등의 아민 또는 폴리에테르계 및 폴리에스테르계의 다양한 폴리올이 사용될 수 있다. 이소시아네이트 예비중합체는 평균 2 이상의 이소시아네이트 관능기를 가지고 반응성 이소시아네이트의 함량이 4~16 중량%이며, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 폴리올과 톨루엔 디이소시아네이트 또는 메틸렌 디페닐 디이소시아네이트와의 반응에 의해 얻어진다. 친수성 폴리머 매트릭스(190)는 친수성 화합물인 폴리에틸렌글리콜을 이소시아네이트 예비중합체내에 도입하거나 경화제 또는 기타 구성성분과 혼합하여 사용함으로써 제조한다.Hydrophilic polymer matrix 190 is preferably made of polyurethane comprising a hydrophilic compound. Polyurethane is formed by the reaction of an isocyanate prepolymer and a curing agent having an isocyanate-reactive group, and the curing agent may be an amine or polyether-based polyester such as 4, 4-methylene-bis (2-chloro aniline) (hereinafter referred to as MOCA). Various polyols can be used. Isocyanate prepolymers have an average of 2 or more isocyanate functional groups and have a content of 4 to 16% by weight of reactive isocyanates. Obtained by Hydrophilic polymer matrix 190 is prepared by introducing polyethylene glycol, a hydrophilic compound, into an isocyanate prepolymer or by mixing with a curing agent or other component.

연마층 표면(160)에 배열되어 있는 다수의 기공들(140')과 임베디드 액상 미소요소(140)는 연마슬러리를 포집하고 공급이 원활히 일어나도록 해서 연마 균일도를 향상시키기 위한 것이다. 따라서, 연마층 표면(160)의 기공(140')과 임베디드 액상 미소요소(140)는 친수성 폴리머 매트릭스(190) 내에 균일하게 분포되는 것이 바람직하다. 임베디드 액상 미소요소(140)는 친수성 폴리머 매트릭스(190)와 상용성이 없는 액상 물질로 형성되는데, 지방족 광유, 방향족 광유, 분자 말단에 수산기가 없는 실리콘 오일, 대두유, 야자유, 팜유, 면실유, 동백유, 경화유로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물 등이 사용될 수 있다.The plurality of pores 140 ′ and the embedded liquid microelements 140 arranged on the polishing layer surface 160 are intended to collect polishing slurry and to smoothly feed to improve polishing uniformity. Thus, the pores 140 ′ of the polishing layer surface 160 and the embedded liquid microelements 140 are preferably uniformly distributed within the hydrophilic polymer matrix 190. The embedded liquid microelement 140 is formed of a liquid material which is incompatible with the hydrophilic polymer matrix 190, and includes an aliphatic mineral oil, an aromatic mineral oil, a silicone oil having no hydroxyl group at the molecular end, soybean oil, palm oil, palm oil, cottonseed oil, camellia oil, Any one selected from the group consisting of hydrogenated oil or mixtures thereof may be used.

임베디드 액상 미소요소(140)는 미세한 구형으로 친수성 폴리머 매트릭스(190) 내에 분산되어 형성되는 것이 바람직하다. 구형의 평균 직경은 1 ~ 30㎛ 인 것이 바람직하며, 2 ~ 10㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 구형의 직경이 상기 범위내에 있을 때, 연마슬러리의 포집 및 공급에 가장 적합하다. 그러나, 사용되는 연마슬러리의 종류에 따라 적합한 구형의 직경은 변화할 수 있으며, 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기 또한 이에 맞추어 변화할 수 있다. The embedded liquid microelement 140 is preferably formed by being dispersed in the hydrophilic polymer matrix 190 in a fine spherical shape. It is preferable that it is 1-30 micrometers, and, as for a spherical average diameter, it is more preferable that it is 2-10 micrometers. When the diameter of the sphere is in the above range, it is most suitable for collecting and supplying the polishing slurry. However, a suitable spherical diameter may vary according to the type of abrasive slurry used, and the size of the embedded liquid microelement 140 may also change accordingly.

임베디드 액상 미소요소(140)의 형태, 즉 구형의 평균 직경 및 농도 등은 친수성 폴리머 매트릭스(190)의 친수성 정도의 변화에 의해 용이하고 다양하게 조절된다. 즉, 폴리에틸렌글리콜을 이소시아네이트 예비중합체 총 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%로, 더욱 바람직하기로는 5 내지 10중량%로 사용함으로서 원하는 임베디드 액상 미소요소(140)의 형태를 달성할 수 있다. 폴리에틸렌글리콜의 양이 1 중량% 이하인 경우에는 폴리머 매트릭스의 친수성에 변화가 없으며 이에 따라 임베디드 액상 미소요소(140)의 형태에 변화가 없다. 폴리에틸렌글리콜의 양이 증가함에 따라 폴리머 매트릭스의 친수성은 증가하며 이에 따라 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기가 감소하고 농도가 증가한다. 그러나 폴리에틸렌글리콜의 양이 20 중량% 이상일 경우에는 더 이상 친수성이 증가하지 않으며 이에 따라 임베디드 액상 미소요소(140)의 형태 변화가 없다. 폴리에틸렌글리콜의 분자량은 200~10000인 것이 바람직하고, 400~1000인 것이 더욱 바람직하다. 분자량이 200이하인 경우에는 계면활성력의 저하로 폴리머 매트릭스 형성용 물질내에 액상물질을 균일하게 분산시키지 못한다. 분자량이 1000이상인 경우에는 성상이 고상으로 취급에 어려움이 있다. 폴리에틸렌글리콜의 양과 분자량이 상기 범위내에 있을 때, 임베디드 액상 미소요소(140)의 형태 조절을 가장 용이하게 수행할 수 있다. 그러나, 사용되는 이소시아네이트 예비중합체의 조성, 액상물질의 종류 등에 따라 폴리에틸렌글리콜의 양은 변화할 수 있으며, 임베디드 액상 미소요소(140)의 형태 또한 이에 맞추어 변화할 수 있다. The shape of the embedded liquid microelement 140, that is, the average diameter and the concentration of the spherical particles is easily and variously controlled by the change of the degree of hydrophilicity of the hydrophilic polymer matrix 190. That is, by using polyethylene glycol in an amount of 1 to 20% by weight, more preferably 5 to 10% by weight based on the total weight of the isocyanate prepolymer, a desired embedded liquid microelement 140 may be achieved. When the amount of polyethylene glycol is less than 1% by weight, there is no change in the hydrophilicity of the polymer matrix, and thus there is no change in the shape of the embedded liquid microelement 140. As the amount of polyethylene glycol increases, the hydrophilicity of the polymer matrix increases, thereby decreasing the size and concentration of the embedded liquid microelements 140. However, when the amount of polyethylene glycol is more than 20% by weight, the hydrophilicity no longer increases, and thus there is no change in the shape of the embedded liquid microelement 140. It is preferable that it is 200-10000, and, as for the molecular weight of polyethyleneglycol, it is more preferable that it is 400-1000. If the molecular weight is 200 or less, it is impossible to uniformly disperse the liquid substance in the material for forming the polymer matrix due to the decrease in the surfactant activity. If the molecular weight is 1000 or more, the properties are difficult to handle as a solid phase. When the amount and molecular weight of the polyethylene glycol is within the above range, it is possible to easily control the shape of the embedded liquid microelement 140. However, the amount of polyethylene glycol may vary according to the composition of the isocyanate prepolymer used, the kind of the liquid material, and the like, and the shape of the embedded liquid microelement 140 may also change accordingly.

또, 임베디드 액상 미소요소(140)의 형태는 액상 물질의 중량비에 의해 용이하고 다양하게 조절된다. 바람직하기로는 폴리머 매트릭스 형성용 물질, 예컨대 폴리 우레탄 기재의 총 중량을 기준으로 20 내지 50 중량%로, 더욱 바람직하기로는 30 내지 40 중량%로 액상 물질을 혼합하는 것이 원하는 형태의 미소요소를 달성할 수 있다. 액상 물질의 양이 20 중량% 이하인 경우에는 임베디드 액상 미소요소(140)의 크기가 증가하여 결과적으로 패드 표면(160)에 형성되는 기공(140')의 크기가 증가하게 된다. 이 경우 연마슬러리 입자의 포집량이 많아 상대적으로 높은 연마속도를 나타내지만 이로 인해 정밀한 연마가 어렵고, 연마슬러리가 불균일하게 큰 입자를 포함하고 있을 경우 연마슬러리의 큰 입자가 포집되어 웨이퍼에 스크래치를 발생시킬 수 있다. 액상물질의 양이 50 중량% 이상일 경우에는 임베디드 액상 미소요소(140)의 농도 증가에 따른 미소요소간의 합체로 큰 크기의 기공(140')이 형성되는 단점이 있다. In addition, the shape of the embedded liquid microelement 140 is easily and variously controlled by the weight ratio of the liquid material. Preferably mixing the liquid material at 20 to 50% by weight, more preferably at 30 to 40% by weight, based on the total weight of the material for forming the polymer matrix, such as a polyurethane substrate, will achieve the desired element of microelements. Can be. When the amount of the liquid material is 20% by weight or less, the size of the embedded liquid microelement 140 is increased, and as a result, the size of the pores 140 ′ formed on the pad surface 160 is increased. In this case, a large amount of abrasive sludge particles are collected, resulting in a relatively high polishing rate. However, precise polishing is difficult, and when the abrasive slurries contain unevenly large particles, large particles of abrasive slurries are collected and scratches occur on the wafer. Can be. If the amount of the liquid material is more than 50% by weight, there is a disadvantage in that pores 140 'of a large size are formed by coalescing between the microelements according to an increase in the concentration of the embedded liquid microelement 140.

즉, 임베디드 액상 미소요소(140) 및 이에 의해 정의되는 기공(140')의 크기 및 농도는 폴리머 매트릭스의 친수성 정도 및/또는 액상물질의 양에 의해 다양하게 조절이 가능하므로 피연마 대상의 종류 및/또는 연마 슬러리의 종류에 따라 다양한 연마 성능을 가진 연마패드의 제조가 가능하다는 장점이 있다. That is, the size and concentration of the embedded liquid microelement 140 and the pores 140 ′ defined therein may be variously controlled by the degree of hydrophilicity and / or the amount of the liquid substance of the polymer matrix, and thus And / or there is an advantage that it is possible to manufacture a polishing pad having a variety of polishing performance depending on the type of polishing slurry.

바람직하기로는 연마층 표면(160)에는 연마 슬러리의 이송을 용이하게 하는 유동 채널을 포함하는 조직 또는 패턴들이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다. Preferably, the polishing layer surface 160 further includes tissue or patterns including flow channels that facilitate the transfer of the polishing slurry.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 연마 패드(300)의 단면도이다. 제3 실시예의 연마층(210)은 액상 미소요소(140)와 함께 중공 폴리머 미소요소(150)가 함께 내포되어 있다는 점에 있어서 제1 실시예의 연마층(120) 및 제2 실시예의 연마층(180)과 차이가 있다. 이렇게 중공 폴리머 미소요소(150)를 더 포함함으로써 패드 표면(160)에 제공되는 기공이 액상 미소요소(140)에 의해 정의된 기공(140')과 중공 폴리머 미소요소(150)에 의해 정의되는 기공(150')으로 기공의 크기 및 종류를 다양화시켜서 연마 성능을 다양화시킬 수 있다. 4 is a cross-sectional view of the polishing pad 300 according to the third embodiment of the present invention. The abrasive layer 210 of the third embodiment includes the hollow polymer microelement 150 together with the liquid microelement 140, and the abrasive layer 120 of the first embodiment and the abrasive layer of the second embodiment ( 180). By further including the hollow polymer microelement 150, the pores provided on the pad surface 160 are defined by the pores 140 ′ defined by the liquid microelement 140 and the pores defined by the hollow polymer microelement 150. 150 'may be used to vary the size and type of pores to vary the polishing performance.

중공 폴리머 미소요소(150)는 무기염, 당, 수용성 검(gum) 또는 레진등으로 형성될 수 있다. 폴리비닐 알코올, 펙틴, 폴리비닐 피롤리돈, 하이드록시에틸셀룰로즈, 메틸셀룰로즈, 하이드로프로필메틸셀룰로즈, 카르복시메틸셀룰로즈, 하이드록시프로필셀룰로즈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리하이드록시에테르아크릴레이트, 전분, 말레인산 공중합체, 폴리우레탄 및 그 혼합물 등이 중공 폴리머 미소요소(150) 형성용 중공 폴리머로 사용될 수 있다. 이들 물질들 및 이들의 등가물들은 당업계에 공지된 임의의 방법에 의해 제조될 수 있다. The hollow polymer microelement 150 may be formed of an inorganic salt, a sugar, a water soluble gum, a resin, or the like. Polyvinyl alcohol, pectin, polyvinyl pyrrolidone, hydroxyethylcellulose, methylcellulose, hydropropylmethylcellulose, carboxymethylcellulose, hydroxypropylcellulose, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyethylene glycol, polyhydroxyetheracrylate Starch, maleic acid copolymer, polyurethane, and mixtures thereof may be used as the hollow polymer for forming the hollow polymer microelement 150. These materials and their equivalents can be prepared by any method known in the art.

미소요소 형성용 물질인 액상 물질과 중공 폴리머의 총량은 폴리머 매트릭스(130) 또는 친수성 폴리머 매트릭스(190) 형성용 물질의 총 중량에 대해 10 내지 30 중량%인 것이 바람직하다. 그리고, 미소요소 형성용 물질인 액상 물질/중공 폴리머의 중량비는 8 이상인 것이 바람직하다. 중량비가 8 이하인 경우 중공 폴리머에 의한 웨이퍼 스크래치 등이 발생할 수 있기 때문이다.The total amount of the liquid material and the hollow polymer which is the material for forming the microelement is preferably 10 to 30% by weight based on the total weight of the material for forming the polymer matrix 130 or the hydrophilic polymer matrix 190. In addition, the weight ratio of the liquid substance / hollow polymer which is the substance for forming the microelement is preferably 8 or more. When the weight ratio is 8 or less, wafer scratches due to the hollow polymer may occur.

이하 본 발명에 따른 연마패드의 연마층의 제조 방법에 대하여 도 5의 흐름도를 참고하여 설명한다. 연마층을 구성하는 물질들의 종류 및 이들의 함량비는 앞에서 기술하였으므로 구체적인 설명은 생략한다. Hereinafter, a method of manufacturing a polishing layer of a polishing pad according to the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. 5. The kind of materials constituting the polishing layer and the content ratio thereof are described above, so a detailed description thereof will be omitted.

먼저, 연마층 형성용 물질들을 혼합한다(S500). 구체적으로, 폴리머 매트릭스 또는 친수성 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 물질을 앞에서 설명한 함량비로 혼합한다. 혼합은 분산제를 사용하여 액상 물질이 폴리머 매트릭스 형성용 물질내에 균일하게 분산되도록 하거나, 액상 물질이 친수성 폴리머 매트릭스 형성용 물질 내에 균일하게 분산되도록 하는 것이 바람직하다. 분산 혼합은 교반 방식에 의해 진행하는 것이 바람직하다. 필요에 따라서는 액상 물질과 함께 중공 폴리머를 혼합하여 사용할 수도 있다. First, materials for forming an abrasive layer are mixed (S500). Specifically, the liquid substance is mixed with the material for forming the polymer matrix or the hydrophilic polymer matrix in the content ratio described above. Mixing preferably uses a dispersant so that the liquid material is uniformly dispersed in the material for forming the polymer matrix, or the liquid material is uniformly dispersed in the material for forming the hydrophilic polymer matrix. It is preferable to advance dispersion mixing by the stirring system. If necessary, the hollow polymer may be mixed with the liquid material.

이어서, 겔화 및 경화 반응을 진행한다(S510). 혼합물을 소정 형상의 주형 내부에 주입하여 겔화 및 경화 과정을 통하여 고체화한다. 겔화 반응은 80 내지 90℃ 에서 5 내지 30분간 진행하고, 경화 반응은 80 내지 120℃ 에서 20 내지 24시간 진행되도록 한다. 그러나, 구체적인 공정 온도 및 시간은 최적 조건을 찾기 위해 다양하게 변화될 수 있음은 물론이다. Then, the gelation and curing reaction proceeds (S510). The mixture is injected into a mold of a predetermined shape to solidify through the gelation and curing process. The gelation reaction proceeds at 80 to 90 ° C. for 5 to 30 minutes, and the curing reaction is allowed to proceed at 80 to 120 ° C. for 20 to 24 hours. However, of course, the specific process temperature and time may be variously changed to find the optimum conditions.

마지막으로, 소정 형상으로 경화된 결과물을 가공한다(S520). 가공은 탈형, 재단, 표면가공처리 및 세정 과정등을 포함한다. 먼저, 경화된 반응물을 주형에서 꺼내어 소정 두께와 모양 및 형상을 갖도록 절단한다. 생산성의 향상을 위해 주물 및 압출 성형 등의 폴리머 시트(sheet) 제조 분야의 당업계에 공지된 임의의 방법에 의해서 연마층을 시트상으로 형성할 수 있음은 물론이다. 그리고 연마층의 표면에는 연마 슬러리가 연마층의 작업 표면에 골고루 공급되도록 할 수 있는 다양한 형태의 그르부(groove)를 형성하는 것이 바람직하다. 그 후, 세정 공정을 거쳐 연마층을 완성한다. 세정 공정시 연마층 표면의 액상 미소요소가 용출되어 연마층 표면에 개방된 기공이 분포되게 된다. 이때, 용출된 액상 미소요소가 연마층 표면에 잔류하지 않도록 하는 세정액을 사용하여 세정 공정을 진행하는 것이 바람직하다. Finally, the resultant cured to a predetermined shape is processed (S520). Processing includes demolding, cutting, surface finishing and cleaning processes. First, the cured reactant is taken out of the mold and cut to have a predetermined thickness, shape and shape. It is a matter of course that the abrasive layer can be formed into a sheet by any method known in the art of polymer sheet manufacturing, such as casting and extrusion molding, to improve productivity. In addition, it is desirable to form various types of grooves on the surface of the polishing layer to allow the polishing slurry to be evenly supplied to the working surface of the polishing layer. Thereafter, the polishing layer is completed through a washing step. During the cleaning process, liquid microelements on the surface of the polishing layer are eluted, and pores open on the surface of the polishing layer are distributed. At this time, it is preferable to proceed with the cleaning process using a cleaning liquid so that the eluted liquid microelement does not remain on the surface of the polishing layer.

연마층만으로도 연마 패드를 완성할 수도 있으나, 필요에 따라서는 연마 패드 제조 공정 분야에서 널리 알려진 방법에 의해 지지층(110)을 제조하고 지지층(110)과 연마층(120, 180, 210)을 결합시켜 연마패드(100, 200, 300)를 완성할 수도 있다. The polishing pad may be completed using only the polishing layer, but if necessary, the support layer 110 may be manufactured by a method well known in the polishing pad manufacturing process, and the support layer 110 may be combined with the polishing layers 120, 180, and 210. The polishing pads 100, 200, and 300 may also be completed.

본 발명에 관한 보다 상세한 내용은 다음의 구체적인 실험예들을 통하여 설명하며, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 설명을 생략한다. 물론 이하의 실험예들에 의해 본 발명의 범주가 제한되는 것은 아니다. More detailed information about the present invention will be described through the following specific experimental examples, and details not described herein will be omitted because it can be inferred technically by those skilled in the art. Of course, the scope of the present invention is not limited by the following experimental examples.

<실험예 1>Experimental Example 1

폴리에테르계 이소시아네이트 예비중합체(NCO함량 11%) 100g, 광유(이하 KF-70이라 한다)(서진화학 제조) 46g, 노닐페놀에톡실레이트(이하 NP-2라 한다)(한국포리올 주식회사 제조) 5g 및 MOCA 33g을 상온에서 혼합하고, 즉시 사각의 주형에 주입하고 30분 동안 겔화시킨 후 100℃ 오븐에서 20시간 동안 경화시켰다. 제조된 경화물을 주형에서 꺼내어 표면을 재단하여 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 6에 도시되어 있다. 도 6로부터 제조된 연마층의 표면에 10∼30 ㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었다. 100 g of polyether isocyanate prepolymer (NCO content 11%), mineral oil (hereinafter referred to as KF-70) (manufactured by Seojin Chemical) 46 g, nonylphenol ethoxylate (hereinafter referred to as NP-2) (manufactured by Korea Polyol Co., Ltd.) 5 g And 33 g of MOCA were mixed at room temperature, immediately injected into a square mold, gelled for 30 minutes, and cured in an oven at 100 ° C. for 20 hours. The prepared cured product was taken out of the mold and the surface was cut to prepare a polishing layer of the polishing pad. An SEM photograph of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 6. It can be seen that open pores having an average diameter of about 10 to 30 μm exist on the surface of the polishing layer prepared from FIG. 6.

비교예로서 미국특허 5,578,362호에 개시되어 있는 연마층의 제조 방법에 따라 폴리에테르계 이소시아네이트 예비중합체(NCO함량 11%) 100g, 중공 폴리머 미소요소인 익스판셀 2.4g 및 MOCA 33g을 사용하여 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 7에 도시되어 있다. 도 7으로부터 종래의 방법에 의해 제조된 연마층에는 본 발명의 연마층에 비해 큰 직경인 30∼50 ㎛정도의 평균 직경을 가지는 폴리머 미소요소가 존재함을 확인할 수 있었다. 본 발명에 비해 미소요소의 표면이 거칠고 불균일함을 알 수 있다.As a comparative example, the polishing layer was prepared using 100 g of polyether isocyanate prepolymer (11% of NCO), 2.4 g of hollow polymer microelements, and 2.4 g of MOCA according to the method for preparing the polishing layer disclosed in US Pat. No. 5,578,362. Prepared. An SEM photograph of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 7. It can be seen from FIG. 7 that the polymer microelement having an average diameter of about 30 to 50 μm, which is larger than the abrasive layer of the present invention, is present in the polishing layer manufactured by the conventional method. It can be seen that the surface of the microelements is rough and uneven compared to the present invention.

<실험예 2>Experimental Example 2

KF-70의 투입량을 40g으로 하였다는 점을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 8에 도시되어 있다. 도 8로부터 제조된 연마층의 표면에 30∼40 ㎛정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었다. A polishing layer of a polishing pad was prepared in the same manner as in Experiment 1 except that the dosage of KF-70 was 40 g. An SEM photograph of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 8. It can be seen that open pores having an average diameter of about 30 to 40 μm exist on the surface of the polishing layer prepared from FIG. 8.

<실험예 3>Experimental Example 3

KF-70의 투입량을 53g으로 하였다는 점을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 9에 도시되어 있다. 도 9로부터 제조된 연마층의 표면에 5∼15㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었다. A polishing layer of the polishing pad was prepared in the same manner as in Experiment 1 except that the loading amount of KF-70 was 53 g. An SEM photograph of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 9. It was confirmed that open pores having an average diameter of about 5 to 15 μm exist on the surface of the polishing layer prepared from FIG. 9.

<실험예 4>Experimental Example 4

폴리에테르계 이소시아네이트 예비중합체 (NCO함량 11%) 100g, KF-70 33g, NP-2 6g을 혼합하고 여기에 중합체성 미소요소로 내부 기공의 크기가 30∼130㎛인 분말의 익스판셀 091 DE 0.7 g을 투입하고 호모믹스에서 2000 rpm의 속도로 2분동안 교반하여 균일하게 분산하였다. 상기의 혼합물에 MOCA 33g을 상온에서 혼합하고, 즉시 사각의 주형에 주입하고 30분 동안 겔화시킨 후 100℃ 오븐에서 20시간 동안 경화시켰다. 제조된 경화물을 주형에서 꺼내어 표면을 재단하여 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 10에 도시되어 있다. 도 10으로부터 제조된 연마층의 표면에 30∼50㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었다. 도 10을 액상 물질인 광유를 사용하여 제조한 연마층의 SEM 사진인 도 6과 중공 폴리머인 익스판셀을 사용하여 제조한 연마층의 SEM 사진인 도 7과 비교하면, 연마층의 표면에 익스판셀에 의해 나타난 큰 기공과 광유에 의해 나타난 작은 기공이 함께 존재함을 확인할 수 있다. 100 g of polyether isocyanate prepolymer (11% of NCO), 33 g of KF-70, and 6 g of NP-2 are mixed with polymeric microelements, which are powders of Excell 091 DE 0.7 with an internal pore size of 30 to 130 μm. g was added and uniformly dispersed by stirring for 2 minutes at a speed of 2000 rpm in a homomix. 33 g of MOCA was mixed in the mixture at room temperature, immediately injected into a square mold, gelled for 30 minutes, and cured in an oven at 100 ° C. for 20 hours. The prepared cured product was taken out of the mold and the surface was cut to prepare a polishing layer of the polishing pad. An SEM image of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 10. It was confirmed that open pores having an average diameter of about 30 to 50 μm exist on the surface of the polishing layer prepared from FIG. 10. Compared to FIG. 6, which is an SEM photograph of the polishing layer manufactured using mineral oil, which is a liquid material, and FIG. 7, which is an SEM photograph of the polishing layer manufactured using excelcel, which is a hollow polymer, It can be seen that the large pores indicated by and the small pores indicated by the mineral oil exist together.

<실험예 5>Experimental Example 5

익스판셀의 투입량을 1.7g으로 하고 KF-70의 투입량을 14g으로 한 것을 제외하고는 상기 실험예 4와 동일하게 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 11에 도시되어 있다. 도 11로부터 제조된 연마층의 표면에 실험예 4의 경우보다 익스판셀에 의해 정의된 큰 기공의 분포가 많이 존재함을 확인할 수 있었다. A polishing layer of the polishing pad was prepared in the same manner as in Experiment 4 except that the dosage of the excel cell was 1.7g and the dosage of KF-70 was 14g. An SEM photograph of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 11. On the surface of the polishing layer prepared from FIG. 11, it was confirmed that there were more distributions of large pores defined by the excel than in the case of Experimental Example 4.

<실험예 6>Experimental Example 6

2ℓ사구플라스크에 폴리테트라메칠렌글리콜(분자량 1000) 100g, 톨루엔디이소시아네이트 52g을 투입하고 70 ~ 80℃의 온도에서 4 ~ 5시간 반응시키며 최종 제품의 NCO함량을 11.0%로 하였다. 제조된 이소시아네이트 예비중합체의 점도는 8,000 cPs(25℃)였다.100 g of polytetramethylene glycol (molecular weight 1000) and 52 g of toluene diisocyanate were added to a 2 l four-necked flask, and the reaction was carried out for 4 to 5 hours at a temperature of 70 to 80 ° C., whereby the NCO content of the final product was 11.0%. The viscosity of the prepared isocyanate prepolymer was 8,000 cPs (25 ° C.).

<실험예 7>Experimental Example 7

2ℓ사구플라스크에 폴리테트라메칠렌글리콜(분자량 1000) 95g, 폴리에틸렌글리콜(분자량 400) 5g, 톨루엔디이소시아네이트 53.7g을 투입하고 70 ~ 80℃의 온도에서 4 ~ 5시간 반응시키며 최종 제품의 NCO함량을 11.0%로 하였다. 제조된 이소시아네이트 예비중합체의 점도는 7,000 cPs(25℃)였다.95 g of polytetramethylene glycol (molecular weight 1000), 5 g polyethylene glycol (molecular weight 400) and 53.7 g of toluene diisocyanate were added to a 2 l four-necked flask and reacted for 4 to 5 hours at a temperature of 70 to 80 ° C. 11.0% was set. The viscosity of the prepared isocyanate prepolymer was 7,000 cPs (25 ° C.).

<실험예 8>Experimental Example 8

2ℓ사구플라스크에 폴리테트라메칠렌글리콜(분자량 1000) 90g, 폴리에틸렌글리콜(분자량 1000) 10g, 톨루엔디이소시아네이트 52g을 투입하고 70 ~ 80℃의 온도에서 4 ~ 5시간 반응시키며 최종 제품의 NCO함량을 11.0%로 하였다. 제조된 이소시아네이트 예비중합체의 점도는 6,200 cPs(25℃)였다.90 g of polytetramethylene glycol (molecular weight 1000), 10 g polyethylene glycol (molecular weight 1000), and 52 g of toluene diisocyanate were added to a 2 l four-necked flask, and the reaction was carried out for 4 to 5 hours at a temperature of 70 to 80 ° C. It was set as%. The viscosity of the prepared isocyanate prepolymer was 6,200 cPs (25 ° C.).

<실험예 9>Experimental Example 9

2ℓ사구플라스크에 폴리테트라메칠렌글리콜(분자량 1000) 85g, 폴리에틸렌글리콜(분자량 1500) 15g, 톨루엔디이소시아네이트 50.9g을 투입하고 70 ~ 80℃의 온도에서 4 ~ 5시간 반응시키며 최종 제품의 NCO함량을 11.0%로 하였다. 제조된 이소시아네이트 예비중합체의 점도는 5,600 cPs(25℃)였다.85 g of polytetramethylene glycol (molecular weight 1000), 15 g of polyethylene glycol (molecular weight 1500) and 50.9 g of toluene diisocyanate were added to a 2 l four-necked flask and reacted for 4 to 5 hours at a temperature of 70 to 80 ° C. 11.0% was set. The viscosity of the prepared isocyanate prepolymer was 5,600 cPs (25 ° C.).

<실험예 10>Experimental Example 10

실험예 8의 이소시아네이트 예비중합체 100g, 광유(이하 KF-70)(서진화학 제조) 46g을 기계식 교반기를 사용하여 균일하게 혼합하고 80℃, 10 torr의 진공오븐에 10분간 방치하여 혼합물내의 기포를 제거하고 혼합물의 최종 온도를 80℃로 조정하였다. 미리 계량하여 80℃로 온도를 조절하여둔 MOCA 33g을 상기의 혼합물에 붓고 기계식 교반기를 사용하여 3000 rpm에서 30초간 혼합하고, 즉시 사각의 주형에 주입한다. 주입된 반응액은 30분 동안 겔화시킨 후 100℃ 오븐에서 20시간 동안 경화시켰다. 제조된 경화물을 주형에서 꺼내어 표면을 재단하여 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 12에 도시되어 있다. 제조된 패드의 연마층은 70도의 접촉각을 나타내었으며 표면에 4 ~ 6 ㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었고 이들 기공의 농도는 50 ~ 60 개/0.01mm2 정도를 나타내었다.100 g of the isocyanate prepolymer of Experimental Example 8 and 46 g of mineral oil (hereinafter referred to as KF-70) (manufactured by Seojin Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed using a mechanical stirrer and left in a vacuum oven at 80 ° C. for 10 minutes to remove air bubbles in the mixture. And the final temperature of the mixture was adjusted to 80 ° C. 33 g of MOCA, previously weighed and adjusted to 80 ° C., is poured into the mixture, mixed for 30 seconds at 3000 rpm using a mechanical stirrer, and immediately injected into a square mold. The injected reaction solution was gelled for 30 minutes and then cured in an oven at 100 ° C. for 20 hours. The prepared cured product was taken out of the mold and the surface was cut to prepare a polishing layer of the polishing pad. An SEM image of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 12. The polishing layer of the prepared pad exhibited a contact angle of 70 degrees and the presence of open pores having an average diameter of about 4 to 6 μm was present on the surface, and the concentration of these pores was about 50 to 60 / 0.01 mm 2 . Indicated.

비교예로서 실험예 1의 이소시아네이트 예비중합체(NCO함량 11%) 100g, KF-70 46g 및 MOCA 33g을 사용하여 제조된 연마층의 SEM 사진은 도 6에 도시되어 있는데, 패드의 연마층은 78도의 접촉각을 나타내었다. 이러한 결과로부터 실험예 8의 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 이소시아네이트 예비중합체를 사용시 연마 패드의 친수성정도를 향상시킬 수 있음을 알 수 있다. 그리고 도 6으로부터 실험예 1의 방법에 의해 제조된 연마층에는 실험예 10의 방법에 의해 제조된 연마층에 비해 큰 직경인 20 ~ 30 ㎛정도의 평균 직경을 가지는 기공이 형성되고 그 농도도 10 ~ 20 개/0.01mm2 정도로 낮음을 확인할 수 있었다.As a comparative example, an SEM image of an abrasive layer prepared using 100 g of the isocyanate prepolymer (NCO content 11%) of Experimental Example 1, 46 g of KF-70 and 33 g of MOCA is shown in FIG. The contact angle is shown. From these results, it can be seen that the hydrophilicity of the polishing pad can be improved by using the isocyanate prepolymer including polyethylene glycol of Experimental Example 8. 6, pores having an average diameter of about 20 to 30 μm, which are larger than those of the polishing layer prepared by the method of Experimental Example 10, are formed in the polishing layer prepared by the method of Experimental Example 1, and the concentration thereof is 10. It can be confirmed that the low ~ ~ 20 / 0.01mm 2 degree.

<실험예 11>Experimental Example 11

KF-70의 투입량을 53g으로 하였다는 점을 제외하고는 실험예 10과 동일하게 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 13에 도시되어 있다. 도 13으로부터 제조된 연마층은 표면에 2 ~ 4 ㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었고, 이들 기공의 농도는 90 ~ 100 개/0.01mm2 정도를 나타내었다.A polishing layer of the polishing pad was prepared in the same manner as in Experiment 10 except that the loading amount of KF-70 was 53 g. An SEM image of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 13. The abrasive layer prepared from FIG. 13 was found to have open pores having an average diameter of about 2 to 4 μm on the surface, and the concentration of these pores was about 90 to about 100 / 0.01 mm 2 .

<실험예 12>Experimental Example 12

KF-70의 투입량을 60g으로 하였다는 점을 제외하고는 실험예 10과 동일하게 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 14에 도시되어 있다. 도 14로부터 제조된 연마층은 표면에 5 ~ 6 ㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었고 이들 기공의 농도는 55 ~ 65 개/0.01mm2 정도를 나타내었다.A polishing layer of the polishing pad was prepared in the same manner as in Experiment 10 except that the dosage of KF-70 was 60 g. An SEM image of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 14. In the polishing layer prepared from FIG. 14, open pores having an average diameter of about 5 to 6 μm existed on the surface thereof, and the concentrations of the pores showed about 55 to 65 / 0.01 mm 2 .

<실험예 13>Experimental Example 13

실험예 6의 이소시아네이트 예비중합체 90g, KF-70 46g을 기계식 교반기를 사용하여 균일하게 혼합하고 80℃, 10 torr의 진공오븐에 10분간 방치하여 혼합물내의 기포를 제거하고 혼합물의 최종 온도를 80℃로 조정하였다. 미리 계량하여 80℃로 온도를 조절하여둔 MOCA 30g에 폴리에틸렌글리콜(분자량 1000) 10g을 추가하여 혼합 용액을 만들고 이것을 상기의 혼합물에 붓고 기계식 교반기를 사용하여 3000 rpm에서 30초간 혼합하고, 즉시 사각의 주형에 주입한다. 주입된 반응액은 30분 동안 겔화시킨 후 100℃ 오븐에서 20시간 동안 경화시켰다. 제조된 경화물을 주형에서 꺼내어 표면을 재단하여 연마패드의 연마층을 제조하였다. 제조된 연마층의 SEM 사진이 도 15에 도시되어 있다. 제조된 패드의 연마층은 70도의 접촉각을 나타내었으며 표면에 4 ~ 6 ㎛ 정도의 평균 직경을 가지는 개방된 기공이 존재함을 확인할 수 있었고 이들 기공의 농도는 50 ~ 60 개/0.01mm2 정도를 나타내었다.90 g of the isocyanate prepolymer of Experimental Example 6 and 46 g of KF-70 were mixed uniformly using a mechanical stirrer and left in a vacuum oven at 80 ° C. for 10 minutes to remove bubbles in the mixture, and the final temperature of the mixture was changed to 80 ° C. Adjusted. 10 g of polyethylene glycol (molecular weight 1000) was added to 30 g of MOCA, which had been pre-weighed and adjusted to a temperature of 80 ° C., to make a mixed solution, which was then poured into the mixture and mixed at 3000 rpm for 30 seconds using a mechanical stirrer. Inject into the mold. The injected reaction solution was gelled for 30 minutes and then cured in an oven at 100 ° C. for 20 hours. The prepared cured product was taken out of the mold and the surface was cut to prepare a polishing layer of the polishing pad. An SEM photograph of the prepared abrasive layer is shown in FIG. 15. The polishing layer of the prepared pad exhibited a contact angle of 70 degrees and the presence of open pores having an average diameter of about 4 to 6 μm was present on the surface, and the concentration of these pores was about 50 to 60 / 0.01 mm 2 . Indicated.

<실험예 14>Experimental Example 14

미소요소형성용 물질로 액상물질을 사용하여 실험예 10에 따라 제조한 연마층(액상물질 연마층)의 빛 투과율을 미소요소형성용 물질로 중공폴리머를 사용하여 미국 특허 5,587,362호에 개시되어 있는 제조방법에 따라 제조한 연마층(중공폴리머 연마층)의 빛 투과율과 비교하였다. 액상물질 연마층과 중공폴리머 연마층의 샘플 두께를 각각 2㎜로 하고, 측정 파장 400~700 nm로 하여 각각의 투과율을 측정한 결과, 중공폴리머 연마층의 경우 17%의 투과율을 보인데 비하여, 액상물질 연마층의 경우 52%의 투과율을 보임으로써, 본 발명에 의한 연마층의 경우 별도의 투명창을 형성하지 않고도 인-시츄로 광학적인 방법으로 평탄도 측정이 가능함을 알 수 있다.The light transmittance of the polishing layer (liquid material polishing layer) prepared according to Experimental Example 10 using the liquid material as the microelement forming material is disclosed in US Pat. No. 5,587,362 using the hollow polymer as the material for forming the microelement. It was compared with the light transmittance of the polishing layer (hollow polymer polishing layer) prepared according to the method. The sample thicknesses of the liquid abrasive layer and the hollow polymer abrasive layer were set to 2 mm and the measurement wavelength was 400 to 700 nm, respectively. As a result, the transmittance of the hollow polymer abrasive layer was 17%. By showing a transmittance of 52% in the case of the liquid material polishing layer, it can be seen that in the case of the polishing layer according to the present invention, the flatness can be measured in-situ optically without forming a separate transparent window.

본 발명에 따른 연마패드는 폴리머 매트릭스내에 임베디드된 액상 미소요소를 포함하여 표면에 미세구조의 개방된 기공들이 균일하게 분포하고 있다. 따라서, 연마슬러리의 포집과 공급이 균일하게 일어나서 피연마 대상을 균일하게 연마할 수 있어서 높은 정밀도로 연마 공정을 수행할 수 있다. 또, 연마 패드 표면이 연마 공정에 의해 마모 또는 연삭되면 임베디드 액상 미소요소들이 표면으로 노출되어 연속적으로 개방된 기공들을 제공하므로 연마 패드를 사용한 CMP 공정에서 일정한 연마성능을 나타낸다. 그리고, 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 표면은 경도가 높은 성분이 없이 폴리머 매트릭스를 구성하고 있는 한가지 성분으로 이루어져 있으므로 패드 표면의 마모가 균일하게 일어나 안정적으로 사용이 가능하다. 또한 경도가 높은 폴리머 재질이 존재하지 않고 액상의 물질로 표면 기공을 형성하므로 종래의 패드에서 발생하던 폴리머 재질의 미소요소에 의한 웨이퍼의 스크래치 발생이 없다. 그리고, 액상 미소요소만을 포함하는 연마 패드는 피연마 대상의 표면 상태 검출용 광원에 대해 반투명하므로, 연마 공정 중에 인-시츄(in-situ)로 피연마 대상 표면의 평탄도를 용이하게 검출하는데 사용될 수 있다. The polishing pad according to the present invention includes a liquid microelement embedded in a polymer matrix, in which open pores of microstructures are uniformly distributed on the surface. Therefore, the collection and supply of the polishing slurry occurs uniformly so that the object to be polished can be uniformly polished, and the polishing process can be performed with high precision. In addition, when the polishing pad surface is worn or ground by the polishing process, the embedded liquid microelements are exposed to the surface to provide continuously open pores, thereby exhibiting a constant polishing performance in the CMP process using the polishing pad. In addition, since the surface of the polishing pad containing the liquid microelement is composed of one component constituting the polymer matrix without a high hardness component, the surface of the pad is uniformly worn and thus can be stably used. In addition, since the polymer material having high hardness does not exist and the surface pores are formed by the liquid material, there is no scratch generation of the wafer due to the micro element of the polymer material generated in the conventional pad. In addition, since the polishing pad including only the liquid microelement is translucent with respect to the light source for detecting the surface state of the object to be polished, it is used to easily detect the flatness of the surface to be polished in-situ during the polishing process. Can be.

그리고 연마 패드의 제조시에 액상의 물질을 사용하기 때문에, 종래의 분말상의 폴리머 물질을 사용하는 경우에 비해, 작업성이 우수하다. 또, 액상의 물질은 폴리머 매트릭스 형성용 물질과의 균일한 혼합이 가능하다. 따라서, 분말상의 폴리머 물질이 제대로 분산되지 않고 연마 패드내에 분말 덩어리로 존재하여 웨이퍼 스크래치 발생원으로 작용하는 종래의 문제점이 없다. 그리고, 연마 패드 표면에 존재하는 기공의 크기 및 분포는 사용되는 액상 물질의 함량비, 사용되는 분산제의 종류와 함량비, 사용되는 폴리머 매트릭스의 친수성 정도, 중공 폴리머 미소요소와의 혼용 등의 방법을 사용하여 다양하게 조절이 가능하다. 따라서, 다양한 연마슬러리의 포집 및 공급에 적합하고, 다양한 성질을 가지는 피연마 대상의 가공에 적합한 연마 패드를 용이하게 제조할 수 있다.And since a liquid substance is used at the time of manufacture of a polishing pad, it is excellent in workability compared with the case of using the conventional powdery polymer substance. In addition, the liquid substance can be uniformly mixed with the substance for forming the polymer matrix. Thus, there is no conventional problem in that the powdery polymer material is not dispersed properly but exists as a powder mass in the polishing pad to act as a source of wafer scratches. In addition, the size and distribution of the pores present on the surface of the polishing pad include a method of content ratio of a liquid material used, a type and content ratio of a dispersant used, a degree of hydrophilicity of a polymer matrix used, and a mixture with a hollow polymer microelement. Can be adjusted in various ways. Therefore, it is possible to easily manufacture a polishing pad suitable for collecting and supplying various polishing slurries and suitable for processing of a polishing target having various properties.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 임베디드 액상 미소요소를 포함하는 연마 패드의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a polishing pad including an embedded liquid microelement according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 연마 패드가 장착된 연마 장치의 개략도이다. 2 is a schematic view of a polishing apparatus equipped with a polishing pad.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 친수성 폴리머 매트릭스를 사용하고 임베디드 액상 미소요소를 포함하는 연마 패드의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a polishing pad using a hydrophilic polymer matrix according to a second embodiment of the present invention and including an embedded liquid microelement.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 임베디드 액상 미소요소와 중공 폴리머 미소요소를 포함하는 연마 패드의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of a polishing pad including an embedded liquid microelement and a hollow polymer microelement according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 임베디드 액상 미소요소를 포함하는 연마 패드의 제조 공정 흐름도이다. 5 is a process flow diagram of a polishing pad comprising an embedded liquid microelement in accordance with the present invention.

도 6은 액상 물질의 함량이 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 35 중량%인 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.FIG. 6 is an SEM photograph of the surface of a polishing pad having a liquid content of 35% by weight relative to the total weight of the material for forming a polymer matrix.

도 7은 종래의 중공 폴리머 미소 요소를 포함하는 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.7 is a SEM photograph of a polishing pad surface including conventional hollow polymer microelements.

도 8은 액상 물질의 함량이 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 30 중량%인 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.FIG. 8 is an SEM photograph of the surface of a polishing pad having a content of liquid material of 30% by weight relative to the total weight of the material for forming a polymer matrix.

도 9는 액상 물질의 함량이 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 40 중량%인 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.FIG. 9 is an SEM photograph of the surface of a polishing pad having a liquid content of 40% by weight relative to the total weight of the material for forming a polymer matrix.

도 10은 액상 물질/중공 폴리머의 중량비가 46 인 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.FIG. 10 is an SEM image of the surface of a polishing pad having a weight ratio of liquid material / hollow polymer of 46. FIG.

도 11은 액상 물질/중공 폴리머의 중량비가 8 인 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.FIG. 11 is an SEM photograph of the surface of a polishing pad having a weight ratio of liquid material / hollow polymer of 8. FIG.

도 12는 친수성 폴리머 매트릭스를 사용한 연마 패드 표면의 SEM 사진이다.12 is an SEM photograph of a polishing pad surface using a hydrophilic polymer matrix.

도 13은 액상 물질의 함량이 친수성 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 40 중량%인 연마 패드 표면의 SEM사진이다.FIG. 13 is an SEM image of the surface of a polishing pad having a liquid content of 40% by weight relative to the total weight of the material for forming a hydrophilic polymer matrix.

도 14는 액상 물질의 함량이 친수성 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 45 중량%인 연마 패드 표면의 SEM사진이다.FIG. 14 is an SEM image of the surface of a polishing pad having a liquid content of 45% by weight relative to the total weight of the material for forming a hydrophilic polymer matrix.

도 15는 친수성 화합물을 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 조성물 중 이소시아네이트 예비중합체 총 중량에 대해 10 중량% 첨가하여 제조한 연마 패드 표면의 SEM사진이다.FIG. 15 is an SEM image of the surface of a polishing pad prepared by adding a hydrophilic compound to 10 wt% of the total weight of the isocyanate prepolymer in the composition of the material for forming the polymer matrix.

Claims (31)

피연마 대상의 표면과 접촉하여 이동함으로써 연마 공정을 수행하기 위한 연마 패드에 있어서, A polishing pad for performing a polishing process by moving in contact with a surface to be polished, 상기 연마 패드는 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베디드된 액상 미소요소들을 구비하는 연마층을 포함하고, The polishing pad comprises a polishing layer having a polymer matrix and liquid microelements embedded within the polymer matrix, 상기 연마층 표면에는 상기 액상 미소요소들에 의해 정의되고 개방된 기공들이 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.And the pores defined and opened by the liquid microelements are distributed on the surface of the polishing layer. 제 1항에 있어서, 상기 폴리머 매트릭스는 친수성 폴리머 매트릭스임을 특징으로 하는 연마패드. The polishing pad of claim 1, wherein the polymer matrix is a hydrophilic polymer matrix. 제 2항에 있어서, 상기 친수성 폴리머 매트릭스는 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 화학적 결합 또는 혼합에 의해 친수성 화합물이 도입되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad according to claim 2, wherein the hydrophilic polymer matrix has a hydrophilic compound introduced into the polymer matrix forming material by chemical bonding or mixing. 제 3항에 있어서, 상기 친수성 폴리머 매트릭스는 친수성 화합물을 이소시아네이트 예비중합체 총 중량에 대해 1 내지 20 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.4. The polishing pad of claim 3 wherein said hydrophilic polymer matrix comprises from 1 to 20 weight percent hydrophilic compound relative to the total weight of the isocyanate prepolymer. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 친수성 화합물이 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드. The method according to claim 3 or 4, wherein the hydrophilic compound is polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, Polishing pad, characterized in that any one or a mixture thereof selected from the group consisting of sugar fatty acid ester, sorbitol fatty acid ester. 제 5항에 있어서, 상기 친수성 화합물이 분자량이 200~10000인 폴리에틸렌글리콜인 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad according to claim 5, wherein the hydrophilic compound is polyethylene glycol having a molecular weight of 200 to 10,000. 제 2항에 있어서, 상기 연마층과 연속되는 경계면을 가지고 피연마 대상 표면의 상태 검출용 광원에 대해 투명 또는 반투명한 지지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad according to claim 2, further comprising a support layer transparent or translucent to a light source for detecting a state of the surface to be polished, having a boundary surface continuous with the polishing layer. 제 1항에 있어서, 상기 폴리머 매트릭스내에 임베디드된 중공 폴리머 미소요소들을 더 포함하고, The method of claim 1, further comprising hollow polymer microelements embedded within the polymer matrix, 상기 연마층 표면에는 상기 중공 폴리머 미소요소들에 의해 정의되고 개방된 기공들도 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.And the pores defined and opened by the hollow polymer microelements are also distributed on the surface of the polishing layer. 제 1항 또는 제2항 또는 제8항에 있어서, 상기 연마층 표면이 연마 공정에 의해 마모 또는 연삭되면 상기 임베디드 액상 미소요소들이 표면으로 노출되어 연속적으로 상기 개방된 기공들을 형성하는 것을 특징으로 하는 연마 패드. 9. The method according to claim 1 or 2 or 8, wherein when the surface of the polishing layer is worn or ground by a polishing process, the embedded liquid microelements are exposed to the surface to continuously form the open pores. Polishing pads. 제 1항 또는 제2항 또는 제8항에 있어서, 상기 임베디드 액상 미소요소들은 상기 폴리머 매트릭스내에 균일하게 분포되어 있는 구형의 미소요소들인 것을 특징으로 하는 연마패드.9. The polishing pad of claim 1 or 2 or 8, wherein the embedded liquid microelements are spherical microelements uniformly distributed in the polymer matrix. 제 10항에 있어서, 상기 액상 미소요소들 및 상기 기공의 평균 직경은 1 내지 60㎛ 인 것을 특징으로 하는 연마 패드. The polishing pad of claim 10, wherein the average diameter of the liquid microelements and the pores is 1 to 60 μm. 제 1항 또는 제2항 또는 제8항에 있어서, 상기 액상 미소요소들의 재질은 상기 폴리머 매트릭스와 화학적으로 상용성이 없는 액상 물질인 것을 특징으로 하는 연마 패드.9. The polishing pad of claim 1, 2 or 8, wherein the material of the liquid microelements is a liquid material which is not chemically compatible with the polymer matrix. 제 12항에 있어서, 상기 액상 물질은 지방족 광유, 방향족 광유, 분자말단에 수산기가 없는 실리콘 오일, 대두유, 야자유, 팜유, 면실유, 동백유 및 경화유로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드. The method of claim 12, wherein the liquid material is any one selected from the group consisting of aliphatic mineral oil, aromatic mineral oil, silicone oil without a hydroxyl group at the end of the molecule, soybean oil, palm oil, palm oil, cottonseed oil, camellia oil and hardened oil. Polishing pad. 제 12항에 있어서, 상기 액상 물질은 상기 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 20 내지 50 중량%로 포함된 것을 특징으로 하는 연마 패드. The polishing pad of claim 12, wherein the liquid material is included in an amount of 20 to 50 wt% based on the total weight of the material for forming the polymer matrix. 제 1항 또는 제2항 또는 제8항에 있어서, 상기 연마층 표면에는 연마 슬러리의 이송을 용이하게 하는 유동 채널을 포함하는 조직 또는 패턴들이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드. 9. The polishing pad of claim 1 or 2 or 8, wherein the polishing layer surface further comprises tissue or patterns comprising flow channels that facilitate the transport of the polishing slurry. 제 1항 또는 제2항 또는 제8항에 있어서, 상기 연마층은 상기 피연마 대상 표면의 상태 검출용 광원에 대해 반투명한 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad according to claim 1 or 2 or 8, wherein the polishing layer is translucent to a light source for detecting a state of the surface to be polished. 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 물질을 혼합하는 단계;Mixing the liquid material with the material for forming the polymer matrix; 상기 혼합물을 겔화 및 경화시켜 폴리머 매트릭스와 상기 폴리머 매트릭스 내에 임베디드된 액상 미소요소들을 구비하고, 그 표면에는 상기 액상 미소요소들에 의해 정의된 기공들이 형성되어 있는 연마층을 제조하는 단계; 및Gelling and curing the mixture to produce a polishing layer having a polymer matrix and liquid microelements embedded in the polymer matrix, the surfaces of which are formed with pores defined by the liquid microelements; And 상기 제조된 연마층을 가공하여 연마 패드를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. Manufacturing a polishing pad by processing the prepared polishing layer. 제 17항에 있어서, 상기 혼합단계는 상기 액상 물질을 분산제와 함께 혼합하는 단계인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법.18. The method of claim 17, wherein said mixing step comprises mixing said liquid material with a dispersant. 제 18항에 있어서, 상기 분산제는 상기 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 1 내지 5 중량%로 혼합하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 19. The method of claim 18, wherein the dispersing agent is mixed at 1 to 5% by weight based on the total weight of the material for forming the polymer matrix. 제 18항에 있어서, 상기 분산제는 고급알콜 황산에스테르염, 고급알킬에테르 황산에스테르염, 알킬벤젠술폰산나트륨, α- 올레핀술폰산염, 인산에스테르염 등의 음이온성 계면활성제, 고급알킬아민형, 4급암모늄염형 등의 양이온성 계면활성제, 아미노산형, 베타인형 등의 양성계면활성제, 실록산-옥시알킬렌 공중합체, 폴리옥시에틸렌중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르 및 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나인 계면활성제 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 19. The dispersing agent according to claim 18, wherein the dispersing agent is anionic surfactant such as higher alcohol sulfate ester salt, higher alkyl ether sulfate ester salt, sodium alkylbenzene sulfonate, α-olefin sulfonate salt, phosphate ester salt, higher alkylamine type, quaternary. Cationic surfactants such as ammonium salt type, amphoteric surfactants such as amino acid type and betaine type, siloxane-oxyalkylene copolymer, polyoxyethylene polymer, polyoxyethylene-polyoxypropylene copolymer, glycerin fatty acid ester, sugar fatty acid ester And a surfactant or a mixture thereof, which is any one selected from the group consisting of sorbitol fatty acid esters. 제 17항에 있어서, 상기 폴리머 매트릭스는 친수성 폴리머 매트릭스임을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 18. The method of claim 17, wherein the polymer matrix is a hydrophilic polymer matrix. 제 21항에 있어서, 상기 친수성 폴리머 매트릭스는 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 화학적 결합 또는 혼합에 의해 친수성 화합물이 도입되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 22. The method of claim 21, wherein the hydrophilic polymer matrix has a hydrophilic compound introduced into the polymer matrix forming material by chemical bonding or mixing. 제 22항에 있어서, 상기 친수성 폴리머 매트릭스는 친수성 화합물을 이소시아네이트 예비중합체 총 중량에 대해 1 내지 20 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 23. The method of claim 22, wherein the hydrophilic polymer matrix comprises from 1 to 20% by weight, based on the total weight of the isocyanate prepolymer. 제 22항 또는 제 23항에 있어서, 상기 친수성 화합물이 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민에테르, 글리세린지방산에스테르, 설탕지방산에스테르, 솔비톨지방산에스테르로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. The method according to claim 22 or 23, wherein the hydrophilic compound is polyethylene glycol, polyethylene propylene glycol, polyoxyethylene alkyl phenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine ether, glycerin fatty acid ester, Method for producing a polishing pad, characterized in that any one or a mixture thereof selected from the group consisting of sugar fatty acid ester, sorbitol fatty acid ester. 제 24항에 있어서, 상기 친수성 화합물이 분자량이 200~10000인 폴리에틸렌글리콜인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. The manufacturing method of the polishing pad of Claim 24 whose said hydrophilic compound is polyethyleneglycol whose molecular weight is 200-10000. 제 17항에 있어서, 상기 혼합 단계시 중공 폴리머를 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 18. The method of claim 17, wherein the hollow polymer is further mixed during the mixing step. 제 26항에 있어서, 상기 액상 물질/중공 폴리머의 중량비는 8 이상인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the weight ratio of liquid material / hollow polymer is at least 8. 제 17항 또는 제 21항 또는 제 26항에 있어서, 상기 액상 물질은 상기 폴리머 매트릭스 형성용 물질과 화학적으로 상용성이 없는 물질인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 27. The method of claim 17, 21 or 26, wherein the liquid material is a material which is not chemically compatible with the material for forming the polymer matrix. 제 28항에 있어서, 상기 액상 물질은 지방족 광유, 방향족 광유, 분자말단에 수산기가 없는 실리콘 오일, 대두유, 야자유, 팜유, 면실유, 동백유 및 경화유로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 29. The method of claim 28, wherein the liquid material is any one selected from the group consisting of aliphatic mineral oil, aromatic mineral oil, silicone oil without a hydroxyl group at the end of the molecule, soybean oil, palm oil, palm oil, cottonseed oil, camellia oil and hardened oil. Method for producing a polishing pad. 제 29항에 있어서, 상기 액상 물질의 분자량은 200∼5000인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 30. The method of claim 29, wherein the molecular weight of the liquid substance is between 200 and 5000. 제 17항 또는 제 21항 또는 제 26항에 있어서, 상기 액상 물질은 상기 폴리머 매트릭스 형성용 물질의 총 중량에 대해 20 내지 50 중량%로 혼합하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법. 27. The method of claim 17 or 21 or 26, wherein the liquid material is mixed at 20 to 50% by weight relative to the total weight of the polymer matrix forming material.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101669283B1 (en) 2009-04-27 2016-10-25 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 A method for manufacturing chemical mechanical polishing pad polishing layers having reduced gas inclusion defects
KR20170072261A (en) * 2014-10-17 2017-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR20180055116A (en) 2016-11-16 2018-05-25 에스케이씨 주식회사 Method for preparing porous polyurethane polishing pad

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130095430A (en) * 2012-02-20 2013-08-28 케이피엑스케미칼 주식회사 Polishing pad and manufacturing method thereof
US10005172B2 (en) * 2015-06-26 2018-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled-porosity method for forming polishing pad
US20230076804A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-09 Cmc Materials, Inc. Textured cmp pad comprising polymer particles

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578362A (en) * 1992-08-19 1996-11-26 Rodel, Inc. Polymeric polishing pad containing hollow polymeric microelements
JPH11285961A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Nikon Corp Polishing pad and polishing method
KR19990081877A (en) * 1906-01-22 1999-11-15 로데릭 더블류 루이스 A polishing pad comprising covalently bonded particles and a method of manufacturing the same
KR20010055971A (en) * 1999-12-13 2001-07-04 김진우 Polymeric polising pad
KR20010109154A (en) * 2000-05-31 2001-12-08 마쯔모또 에이찌 Composition for Polishing Pad and Polishing Pad Using the Same
KR20020095034A (en) * 2001-06-13 2002-12-20 동성에이앤티 주식회사 Polishing pad and forming methode of the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990081877A (en) * 1906-01-22 1999-11-15 로데릭 더블류 루이스 A polishing pad comprising covalently bonded particles and a method of manufacturing the same
US5578362A (en) * 1992-08-19 1996-11-26 Rodel, Inc. Polymeric polishing pad containing hollow polymeric microelements
JPH11285961A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Nikon Corp Polishing pad and polishing method
KR20010055971A (en) * 1999-12-13 2001-07-04 김진우 Polymeric polising pad
KR20010109154A (en) * 2000-05-31 2001-12-08 마쯔모또 에이찌 Composition for Polishing Pad and Polishing Pad Using the Same
KR20020095034A (en) * 2001-06-13 2002-12-20 동성에이앤티 주식회사 Polishing pad and forming methode of the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101669283B1 (en) 2009-04-27 2016-10-25 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 A method for manufacturing chemical mechanical polishing pad polishing layers having reduced gas inclusion defects
KR20170072261A (en) * 2014-10-17 2017-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR102351409B1 (en) * 2014-10-17 2022-01-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR20220011210A (en) * 2014-10-17 2022-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR102456039B1 (en) 2014-10-17 2022-10-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR20220142548A (en) * 2014-10-17 2022-10-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR102598725B1 (en) 2014-10-17 2023-11-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR20180055116A (en) 2016-11-16 2018-05-25 에스케이씨 주식회사 Method for preparing porous polyurethane polishing pad

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