KR20230087119A - 반도체 자재 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 자재 검사 방법 - Google Patents

반도체 자재 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 자재 검사 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 자재 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 자재 검사 방법으로서, 비젼 검사의 촬영 영역(FOV: Field of Vision)보다 크기가 더 큰 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하여 반도체 자재에 대한 품질을 검사할 수 있는 기술을 개시한다.

Description

반도체 자재 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 자재 검사 방법{Semiconductor material inspection device and semiconductor material inspection method using the same}
본 발명은 반도체 자재 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 자재 검사 방법으로서, 보다 상세하게는 비젼 검사의 촬영 영역(FOV: Field of Vision)보다 크기가 더 큰 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하여 반도체 자재에 대한 품질을 검사할 수 있는 기술을 개시한다.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정과 다이 본딩 공정 및 몰딩 공정을 통해 다수의 반도체 패키지들로 이루어진 반도체 스트립으로 제조될 수 있다.
이와 같이 제조된 반도체 스트립은 절단 및 분류(Sawing & Sorting) 공정을 통해 복수의 반도체 패키지들로 개별화되고, 양품 또는 불량품 판정에 따라 분류될 수 있다.
반도체 스트립을 개별 단위의 낱개 패키지로 절단하기에 앞서 해당 반도체 스트립에 대한 사이즈 등의 품질 검사가 수행될 수 있는데, 반도체 스트립의 사이즈가 비젼 검사의 촬영 영역(FOV: Field of Vision)보다 더 크기에 한번의 촬영으로 반도체 스트립의 사이즈를 파악할 수 없는 문제가 있다.
또한 고용량, 고집적화를 구현하기 위해 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package) 등의 다양한 반도체 패키징 기술이 적용되고 있는데, 패키지 온 패키지(PoP)는 한 개 이상의 반도체 칩을 내장한 패키지를 상하로 다층으로 적층하여 고용량, 고집적화를 구현하는 기술이다.
이러한 적층식 반도체 패키지를 제작시 개별 낱개 패키지를 일일이 적층하기 보다는 다수의 반도체 패키지를 포함하는 반도체 패키지 블록 단위를 적층하여 다수의 반도체 패키지 블록이 적층된 상태에서 개별 낱개 패키지로 절단함으로써 공정 수율을 향상시키고 있다.
반도체 패키지 블록의 경우도 그 사이즈가 비젼 검사의 촬영 영역(FOV)보다 더 크기에 한번의 촬영으로 반도체 패키지 블록의 사이즈를 파악할 수 없는 문제가 있다.
나아가서 디스플레이 패널에 대한 대면적 사이즈를 요구하는 추세에 따라 디스플레이용 반도체 기판의 경우도 그 사이즈가 비젼 검사의 촬영 영역(FOV)보다 더 크기에 한번의 촬영으로 디스플레이용 반도체 기판의 사이즈를 파악할 수 없는 문제가 있다.
이와 같은 다양한 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하기 위해 대면적 자재를 여러 영역으로 구분하여 각각의 영역마다 촬영하고 복수의 촬영 영상을 종합하여 대면적 자재의 전체 사이즈를 파악하고 있다.
이러한 사이즈 측정 방식은 반도체 자재의 모든 영역을 각각 촬영하여야 하기에 사이즈 측정에 여러 과정을 수행하고 오랜 시간이 소요되며, 반도체 자재의 사이즈가 더욱 커지는 경우에는 그만큼 더 많은 과정과 시간이 소요되는 문제가 있다.
반도체 자재의 사이즈 측정에 대한 다른 방식으로서, 반도체 자재가 안착되는 안착 테이블 상의 자재 모서리에 위치한 패턴과 자재 모서리 간의 거리를 측정하고 티칭 당시의 추정값을 이용하여 반도체 자재의 크기를 산출할 수 있다.
이러한 사이즈 측정 방식의 경우, 반도체 자재 내부의 패키지 상태와 자재의 휨(Warp) 상태 등 다양한 요인에 따른 편차를 반영하지 못하기에 정확도가 떨어지는 문제가 있다.
한국 특허등록공보 제10-1702752호
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 비젼 검사의 촬영 영역(FOV)보다 크기가 더 큰 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하여 반도체 자재에 대한 품질을 검사할 수 있는 방안을 제시하고자 한다.
특히, 대면적 자재에 대한 사이즈를 측정하기 위해 대면적 자재를 여러 영역으로 구분하여 각각의 영역마다 촬영하고 복수의 촬영 영상을 종합하여 대면적 자재의 전체 사이즈를 파악함에 따라 사이즈 측정에 여러 과정을 수행하는 번거로움과 오랜 시간이 소요되는 문제를 해결하고자 하며, 또한 자재의 사이즈가 더욱 커지는 경우에는 그만큼 더 많은 과정과 시간이 소요되는 문제를 해결하고자 한다.
나아가서 반도체 자재가 안착되는 안착 테이블 상의 자재 모서리에 위치한 패턴과 자재 모서리 간의 거리를 측정하고 티칭 당시의 추정값을 이용하여 자재의 크기를 산출하는 방식을 적용시, 반도체 자재 내부의 패키지 상태와 자재의 휨(Warp) 상태 등 다양한 요인에 따른 편차를 반영하지 못하기에 정확도가 떨어지는 문제를 해결하고자 한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법의 일실시예는, 반도체 자재에 대하여 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득하는 촬영 영상 획득 단계; 각각의 상기 촬영 영상에서 상기 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하는 모서리 지점 파악 단계; 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하는 촬영 지점 거리 파악 단계; 상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하는 변의 길이 산출 단계; 및 산출된 상기 변의 길이를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출하는 반도체 자재 사이즈 산출 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 촬영 영상 획득 단계는, 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상 및 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득할 수 있다.
나아가서 상기 모서리 지점 파악 단계는, 상기 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하고, 상기 촬영 영상의 중심점과 상기 모서리 지점 간의 이격 거리를 산출하며, 상기 변의 길이 산출 단계는, 상기 이격 거리와 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출할 수 있다.
일례로서, 상기 모서리 지점 파악 단계는, 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 영상에서 각각의 수평 이격 거리를 산출하며, 상기 촬영 지점 거리 파악 단계는, 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수평 촬영 지점 거리를 파악하며, 상기 변의 길이 산출 단계는, 상기 수평 이격 거리와 상기 수평 촬영 지점 거리를 기초로 수평 방향 변의 길이를 산출할 수 있다.
바람직하게는 상측 수평 방향의 양측 모서리 영역과 하측 수평 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대하여 상기 모서리 지점 파악 단계 내지 상기 변의 길이 산출 단계를 수행하며, 상측 수평 방향의 상측 수평 변의 길이와 하측 수평 방향의 하측 수평 변의 길이에 대한 평균을 상기 반도체 자재의 폭으로 설정하는 폭 설정 단계를 더 포함할 수 있다.
일례로서, 상기 모서리 지점 파악 단계는, 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 영상에서 각각의 수직 이격 거리를 산출하며, 상기 촬영 지점 거리 파악 단계는, 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수직 촬영 지점 거리를 파악하며, 상기 변의 길이 산출 단계는, 상기 수직 이격 거리와 상기 수직 촬영 지점 거리를 기초로 수직 방향 변의 길이를 산출할 수 있다.
바람직하게는 좌측 수직 방향의 양측 모서리 영역과 우측 수직 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대하여 상기 모서리 지점 파악 단계 내지 상기 변의 길이 산출 단계를 수행하며, 좌측 수직 방향의 좌측 수직 변의 길이와 우측 수직 방향의 우측 수직 변의 길이에 대한 평균을 상기 반도체 자재의 높이로 설정하는 높이 설정 단계를 더 포함할 수 있다.
일례로서, 상기 촬영 지점 거리 파악 단계는, 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치와 다른 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치 간의 촬영 수단의 이동 거리를 기초로 상기 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
다른 일례로서, 상기 촬영 지점 거리 파악 단계는, 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치와 다른 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치 간의 안착 테이블의 이동 거리를 기초로 상기 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
나아가서 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상에서 파악된 양측 모서리 지점 간의 위치 차이를 기초로 변의 길이를 보정하는 변의 길이 보정 단계를 더 포함할 수 있다.
한걸음 더 나아가서 산출된 상기 반도체 자재에 대한 사이즈를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 품질을 판단하는 품질 판단 단계를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치의 일실시예는, 반도체 자재의 모서리 영역을 촬영하는 촬영 수단; 및 반도체 자재의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하고, 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하며, 상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하여 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출하는 자재 검사 수단을 포함할 수 있다.
일례로서, 상기 자재 검사 수단은, 반도체 자재의 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득하는 영상 획득부; 상기 반도체 자재에 대한 모서리 영역의 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하는 모서리 검출부; 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하는 촬영 지점 판단부; 상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하여 반도체 자재 사이즈를 산출하는 자재 사이즈 산출부; 및 상기 자재 사이즈 산출부에서 산출한 반도체 자재에 대한 사이즈를 기준 범위와 대비하여 반도체 자재에 대한 품질을 판단하는 품질 판단부를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 영상 획득부는, 수평 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대한 촬영 영상 및 수직 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
바람직하게는 상기 모서리 검출부는, 촬영 영상에서 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하고, 상기 촬영 영상의 중심점과 상기 모서리 지점 간의 이격 거리를 산출할 수 있다.
바람직하게는 상기 자재 사이즈 산출부는, 상측 수평 방향의 상측 수평 변의 길이와 하측 수평 방향의 하측 수평 변의 길이에 대한 평균을 반도체 자재의 폭으로 설정하고, 좌측 수직 방향의 좌측 수직 변의 길이와 우측 수직 방향의 우측 수직 변의 길이에 대한 평균을 반도체 자재의 높이로 설정하며, 상기 폭과 상기 높이를 기초로 반도체 자재의 사이즈를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
일례로서, 상기 촬영 수단의 카메라를 이동시키는 카메라 구동부; 및 상기 카메라 구동부의 동작을 측정하는 측정 센서를 포함하는 구동 수단을 더 포함하며, 상기 촬영 지점 판단부는, 상기 카메라 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
일례로서, 반도체 자체가 안착되는 안착 테이블; 및 상기 안착 테이블을 이동시키는 안착 테이블 구동부와; 상기 안착 테이블 구동부의 동작을 측정하는 측정 센서를 포함하는 구동 수단을 더 포함하며, 상기 촬영 지점 판단부는, 상기 안착 테이블 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
나아가서 상기 자재 사이즈 산출부는, 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상에서 파악된 양측 모서리 지점 간의 위치 차이를 기초로 변의 길이를 보정하여 반도체 자재 사이즈를 산출할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법의 바람직한 일실시예는, 반도체 자재에 대하여 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상 및 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득하는 촬영 영상 획득 단계; 수평 방향의 양측 모서리 영역 및 수직 방향의 양측 모서리 영역 각각의 상기 촬영 영상에서 상기 반도체 자재의 외곽선을 파악하고, 파악된 외곽선을 기초로 상기 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하고, 각각의 상기 촬영 영상의 중심점과 각각의 상기 모서리 지점 간의 수평 이격 거리와 수직 이격 거리를 산출하는 모서리 지점 파악 단계; 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수평 촬영 지점 거리를 파악하고, 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수직 촬영 지점 거리를 파악하는 촬영 지점 거리 파악 단계; 상기 수평 이격 거리와 상기 수평 촬영 지점 거리를 기초로 수평 방향 변의 길이를 산출하고, 상기 수직 이격 거리와 상기 수직 촬영 지점 거리를 기초로 수직 방향 변의 길이를 산출하는 변의 길이 산출 단계; 및 산출된 상기 변의 길이를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출하는 반도체 자재 사이즈 산출 단계를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 비젼 검사의 촬영 영역(FOV)보다 크기가 더 큰 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하여 반도체 자재에 대한 품질을 검사할 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 일실시예는, 반도체 자재의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 거리를 반영하여 반도체 자재의 변 길이를 파악하므로 반도체 자재 내부의 패키지 상태와 자재의 휨(Warp) 상태 등 다양한 요인이 반영된 실제 반도체 자재의 사이즈를 정확하게 측정할 수 있게 된다.
또한 본 발명에 따른 일실시예는, 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간 거리를 카메라를 이동시키는 모터의 동작 측정치 또는 반도체 테이블이 안착된 안착 테이블을 이동시키는 모터의 동작 측정치를 기초로 산출함으로써 보다 간단하면서도 정확한 반도체 자재의 크기를 측정할 수 있게 된다.
본 발명의 효과는 위에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치의 일실시예에 대한 구성도를 도시한다.
도 2는 본 발명에서 대면적 반도체 자재가 안착되는 안착 테이블의 일실시예를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치에서 구동 수단을 통해 촬영 수단의 카메라를 이동시키는 일례를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치에서 구동 수단을 통해 안착 테이블을 이동시키는 일례를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치에서 구동 수단을 통해 양측 모서리 영역의 카메라를 이동시키는 일례를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치의 자재 검사 수단에 대한 일실시예의 구성도를 도시한다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법의 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 8 내지 도 11은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 양측 모서리 영역 각각의 촬영 영상을 획득하는 과정에 대한 일례를 도시한다.
도 12는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 모서리 지점을 검출하는 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 13은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 모서리 지점과 촬영 영상의 중심점 간의 이격 거리를 산출하는 일례를 도시한다.
도 14는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간의 거리를 파악하는 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 15 및 도 16은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간의 거리를 산출하는 일례를 도시한다.
도 17은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 변 길이를 산출하는 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 18 및 도 19는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 수평 방향 변의 길이와 수직 방향 변의 길이를 산출하는 일례를 도시한다.
도 20은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 산출된 변의 길이를 보정하는 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 21 및 도 22는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 산출된 변의 길이를 보정하는 일례를 도시한다.
도 23은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 사이즈를 산출하는 일례를 도시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 한정되거나 제한되는 것은 아니다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.
먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명은 비젼 검사의 촬영 영역(FOV: Field of Vision)보다 크기가 더 큰 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하여 반도체 자재에 대한 품질을 검사할 수 있는 기술을 제시한다.
본 발명에서 언급하는 반도체 자재는, 다수의 반도체 패키지를 개별 낱개 단위로 절단하기 이전의 반도체 스트립 자재, 또는 반도체 스트립을 다수의 반도체 패키지들을 포함하는 소정 사이즈로 절단한 반도체 패키지 블록 자재, 또는 일정 수준 이상의 사이즈를 갖는 디스플레이 기판 자재 등 비젼 검사시 하나의 촬영 영역(FOV)으로 해당 자재 전체를 촬영할 수 없는 사이즈를 갖는 다양한 종류의 자재를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치의 일실시예에 대한 구성도를 도시한다.
반도체 자재 검사 장치는, 안착 테이블(100), 촬영 수단(200), 자재 검사 수단(300), 구동 수단(400) 등을 포함할 수 있다.
안착 테이블(100)은 대면적 반도체 자재가 안착되는 지지 테이블로서, 반도체 자재의 크기와 형태에 대응되어 안착 테이블(100)의 크기와 형태는 다양하게 변형될 수 있다.
안착 테이블(100)과 관련하여, 도 2에 도시된 본 발명에서 대면적 반도체 자재가 안착되는 안착 테이블의 일실시예를 함께 참조하여 살펴본다.
검사 대상의 반도체 자재(10)는 안착 테이블(100) 상에 안착되어 검사가 수행될 수 있다.
안착 테이블(100)은 하나의 반도체 자재가 안착될 수 있는 크기일 수도 있으나, 바람직하게는 복수개의 반도체 자재가 안착될 수 있는 크기를 가질 수 있다. 또한 안착 테이블(100)은 상황에 따라 일정 간격 이격되어 복수개가 배치될 수도 있다.
복수개의 반도체 자재가 안착될 수 있는 크기의 안착 테이블(100) 상에 촘촘하게 복수개의 반도체 자재를 안착시켜 검사를 수행할 수도 있으나, 반도체 자재 간을 구별하여 검사의 정확도를 향상시키기 위해 안착 테이블(100) 상에 서로 대칭되어 반도체 자재와 빈공간이 교번하도록 반도체 자재(10)를 안착시킬 수 있다.
안착 테이블(100)에는 기준 마크(110a, 110b)로서 피두셜 마크(Fiducial Mark)가 마련될 수 있다. 기준 마크(100a, 100b)는 안착 테이블(100a, 100b) 상에 복수개가 마련될 수 있으며, 각 기준 마크(100a, 100b)를 통해 위치 조절이 가능할 수 있다. 안착 테이블(100)에 안착된 반도체 자재(10)를 촬영하면, 촬영 영상에서 기준 마크(100a, 100b)를 기준으로 반도체 자재(10)의 위치를 파악할 수 있다. 물론, 기준 마크(100a, 100b)는 선택적인 사항으로서 안착 테이블(100)에 기준 마크가 마련되지 않을 수도 있다.
촬영 수단(200)은 안착 테이블(100)에 안착된 대면적 반도체 자재에 대한 일부 영역을 촬영할 수 있다. 촬영 수단(200)은 카메라를 포함하며, 카메라의 촬영 영역(FOV)보다 안착 테이블(100)에 안착되는 반도체 자재의 사이즈가 더 크므로 반도체 자재 전체에 대한 촬영이 불가능하여 반도체 자재의 일부 영역에 대한 촬영이 가능할 수 있다.
본 발명에서는 반도체 자재의 양측 모서리 영역을 촬영하고 촬영 지점 간의 거리를 기초로 반도체 자재의 사이즈를 측정하는데, 반도체 자재의 양측 모서리 영역을 촬영하기 위해 안착 테이블(100)이 고정된 상태에서 구동 수단(400)을 통해 촬영 수단(200)의 카메라를 이동시킬 수도 있고, 또는 촬영 수단(200)의 카메라가 고정된 상태에서 구동 수단(400)을 통해 안착 테이블(100)을 이동시킬 수도 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치에서 촬영 수단(200)을 이동시키거나 안착 테이블(100)을 이동시키는 구동 수단(400)에 대한 일례를 도 3 내지 도 5를 참조하여 살펴본다.
하나의 일례로서, 상기 도 3은 안착 테이블(100)이 고정된 상태에서 구동 수단(400)을 통해 해당 촬영 지점으로 촬영 수단의 카메라를 이동시키는 일례를 나타낸다.
구동 수단(400)은 안착 테이블(100) 상에 안착된 반도체 자재(10)의 일측 모서리 영역이 촬영 영역(FOV)에 포함되는 촬영 지점으로 촬영 수단의 카메라(210a)를 위치시킬 수 있다. 카메라(210a)는 반도체 자재(10)의 일측 모서리 영역을 촬영하여 일측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
그리고 구동 수단(400)은 반도체 자재(10)의 타측 모서리 영역이 촬영 영역(FOV)에 포함되는 촬영 지점으로 촬영 수단의 카메라(210b)를 이동시킬 수 있다. 카메라(210b)는 타측 모서리 영역의 촬영 지점에서 반도체 자재(10)의 반도체 자재(10)의 타측 모서리 영역을 촬영하여 타측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
여기서 구동 수단(400)은 반도체 자재의 상측과 하측 각각의 수평 방향 양측 모서리 영역에 대응되는 촬영 지점으로 촬영 수단의 카메라를 수평 이동시킬 수 있다. 또한 구동 수단(400)은 반도체 자재의 좌측과 우측 각각의 수직 방향 양측 모서리 영역에 대응되는 촬영 지점으로 촬영 수단의 카메라를 수직 이동시킬 수 있다.
이를 위해 구동 수단(400)은 카메라의 이동을 안내하는 가이드 레일(미도시)과 상기 안내 레일을 따라 카메라를 이동시키는 모터(미도시) 등을 포함할 수 있다.
또한 구동 수단(400)은 카메라를 이동시키는 모터의 동작을 측정하는 측정 센서(미도시)를 포함하여, 모터의 동작 측정치를 기초로 카메라의 촬영 지점에 대한 이동 거리를 파악할 수 있다.
촬영 수단의 카메라를 해당 촬영 지점으로 이동시키기 위한 구동 수단의 구성은 다양하게 변형될 수 있으며, 변형되는 구성에 맞춰서 촬영 지점 간의 이동 거리를 측정할 수 있는 측정 센서가 구비될 수 있다.
다른 일례로서, 상기 도 4는 촬영 수단의 카메라(210)가 고정된 상태에서 구동 수단(400)을 통해 해당 촬영 지점으로 안착 테이블을 이동시키는 일례를 나타낸다.
구동 수단(400)은 촬영 수단의 카메라(210) 촬영 영역(FOV)에 반도체 자재(10)의 일측 모서리 영역이 포함되는 촬영 지점으로 안착 테이블(100a)을 위치시킬 수 있다. 카메라(210)는 반도체 자재(10)의 일측 모서리 영역을 촬영하여 일측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
그리고 구동 수단(400)은 반도체 자재(10)의 타측 모서리 영역이 촬영 영역(FOV)에 포함되는 촬영 지점으로 안착 테이블(100b)을 이동시킬 수 있다. 안착 테이블(100b)의 이동에 따라 촬영 수단의 카메라(210)는 반도체 자재(10)의 타측 모서리 영역을 촬영하여 타측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
여기서 구동 수단(400)은 촬영 수단의 카메라(210) 촬영 영역(FOV)에 반도체 자재의 상측과 하측 각각의 수평 방향 양측 모서리 영역이 대응되는 촬영 지점으로 안착 테이블을 수평 이동시킬 수 있다. 또한 구동 수단(400)은 촬영 수단의 카메라(210) 촬영 영역(FOV)에 반도체 자재의 좌측과 우측 각각의 수직 방향 양측 모서리 영역이 대응되는 촬영 지점으로 안착 테이블을 수직 이동시킬 수 있다.
이를 위해 구동 수단(400)은 안착 테이블의 이동을 안내하는 가이드 레일(미도시)과 상기 안내 레일을 따라 안착 테이블을 이동시키는 모터(미도시) 등을 포함할 수 있다.
또한 구동 수단(400)은 안착 테이블을 이동시키는 모터의 동작을 측정하는 측정 센서(미도시)를 포함하여, 모터의 동작 측정치를 기초로 안착 테이블의 촬영 지점에 대한 이동 거리를 파악할 수 있다.
안착 테이블을 해당 촬영 지점으로 이동시키기 위한 구동 수단의 구성은 다양하게 변형될 수 있으며, 변형되는 구성에 맞춰서 촬영 지점 간의 이동 거리를 측정할 수 있는 측정 센서가 구비될 수 있다.
또 다른 일례로서, 상기 도 5는 안착 테이블(100)이 고정된 상태에서 구동 수단(400)을 통해 해당 촬영 지점으로 촬영 수단의 두 개 카메라를 동시에 이동시키는 일례를 나타낸다.
두 개의 카메라(220a, 230a)는 지지대(250a)에 연결되어 지지될 수 있으며, 구동 수단(400)은 지지대(250a)를 이동시켜 지지대(250a)에 의해 지지되는 두 개의 카메라(220a, 230a)를 이동시킬 수 있다.
구동 수단(400)은 안착 테이블(100) 상에 안착된 반도체 자재(10)의 하측에 위치된 수평 방향 양측 모서리 영역이 두 개의 카메라(220a, 230a) 촬영 영역(FOV)에 포함되는 촬영 지점으로 지지대(250a)를 위치시킬 수 있다. 아울러 지지대(250a)는 두 개의 카메라(220a, 230a) 사이의 이격 거리 조절이 가능하여 반도체 자재(10)의 수평 방향 양측 모서리 영역에 대응되도록 두 개의 카메라(220a, 230a) 사이 간격이 조절될 수 있다.
두 개의 카메라(220a, 230a)를 통해 반도체 자재(10)의 하측에 위치된 양측 모서리 영역을 촬영하여 수평 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 한번에 획득할 수 있다.
그리고 구동 수단(400)은 반도체 자재(10)의 상측 방향으로 지지대(250b)를 수직 이동시킬 수 있다. 지지대(250b)의 이동을 통해 반도체 자재(10)의 상측에 위치된 수평 방향 양측 모서리 영역이 촬영 영역(FOV)에 포함되는 촬영 지점으로 두 개의 카메라(220b, 230b)를 이동시킬 수 있다.
두 개의 카메라(220b, 230b)를 통해 반도체 자재(10)의 상측에 위치된 양측 모서리 영역을 촬영하여 수평 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 한번에 획득할 수 있다.
지지대를 이동시키는 구동 수단(400)은 지지대의 이동을 안내하는 가이드 레일(미도시)과 상기 안내 레일을 따라 지지대를 이동시키는 모터(미도시) 등을 포함할 수 있다.
또한 구동 수단(400)은 지지대를 이동시키는 모터의 동작을 측정하는 측정 센서(미도시)를 포함하여, 모터의 동작 측정치를 기초로 지지대의 이동에 따른 카메라의 촬영 지점에 대한 이동 거리를 파악할 수 있다.
상기 도 5의 실시예는 두 개의 카메라(220a, 230a)가 수평 방향으로 이격 위치되어 반도체 자재의 수평 방향 양측 모서리 영역을 촬영할 수 있는데, 이와 다르게 두 개의 카메라가 수직 방향으로 이격 위치되어 반도체 자재의 수직 방향 양측 모서리 영역을 촬영할 수 있도록 구성될 수도 있다. 이 경우 구동 수단은 수직 방향 양측 모서리 영역에 위치된 두 개의 카메라를 수평 방향으로 이동시킬 수 있으며, 이를 통해 좌측과 우측의 수직 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
복수의 카메라를 지지하는 지지대를 해당 촬영 지점으로 이동시키기 위한 구동 수단의 구성은 다양하게 변형될 수 있으며, 변형되는 구성에 맞춰서 촬영 지점 간의 이동 거리를 측정할 수 있는 측정 센서가 구비될 수 있다.
다시 상기 도 1로 회귀하여 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치의 구성을 계속하여 설명하도록 한다.
자재 검사 수단(300)은 반도체 자재의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하고, 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하며, 상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출할 수 있다. 그리고 자재 검사 수단(300)은 수직 방향 변의 길이와 수평 방향 변의 길이를 산출하여 이를 기초로 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출할 수 있다.
자재 검사 수단(300)과 관련하여, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치의 자재 검사 수단에 대한 일실시예의 구성도를 도시한다.
자재 검사 수단(300)은 영상 획득부(310), 모서리 검출부(330), 촬영 지점 판단부(350), 자재 사이즈 산출부(370), 품질 판단부(390) 등을 포함할 수 있다.
영상 획득부(310)는 촬영 수단(200)을 통해 반도체 자재의 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다. 영상 획득부(310)는 반도체 자재의 수평 방향 양측 모서리 영역 각각에 대한 촬영 영상과 수직 방향 양측 모서리 영역 각각에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
모서리 검출부(330)는 반도체 자재에 대한 모서리 영역의 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출할 수 있다. 바람직하게는 모서리 검출부(330)는 촬영 영상에서 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하고, 촬영 영상의 중심점과 모서리 지점 간의 이격 거리를 산출할 수 있다.
촬영 지점 판단부(350)는 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
일례로서, 구동 수단(400)을 통해 촬영 수단(200)의 카메라를 촬영 지점 간 이동시키는 경우, 촬영 지점 판단부(350)는 구동 수단(400)을 제어하면서 측정 센서가 측정한 카메라 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
다른 일례로서, 구동 수단(400)을 통해 반도체 자재가 안착된 안착 테이블(100)을 촬영 지점 간 이동시키는 경우, 촬영 지점 판단부(350)는 구동 수단(400)을 제어하면서 측정 센서가 측정한 안착 테이블 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
또 다른 일례로서, 구동 수단(400)을 통해 지지대를 이동시킴으로써 지지대에 의해 이격되어 위치된 두 개의 카메라를 이동시키는 경우, 촬영 지점 판단부(350)는 구동 수단(400)을 제어하면서 측정 센서가 측정한 지지대 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악할 수 있다.
자재 사이즈 산출부(370)는 반도체 자재의 모서리 지점과 촬영 지점 거리를 기초로 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하여 반도체 자재 사이즈를 산출할 수 있다.
자재 사이즈 산출부(370)는 반도체 자재의 상측과 하측 각각에 대하여 수평 방향 양측 모서리 지점에 대한 촬영 지점 거리와 촬영 영상의 중심점과 모시리 지점 간의 이격 거리를 기초로 상측 수평 변의 길이와 하측 수평 변의 길이를 산출할 수 있다. 또한 자재 사이즈 산출부(370)는 반도체 자재의 좌측과 우측 각각에 대하여 수직 방향 양측 모서리 지점에 대한 촬영 지점 거리와 촬영 영상의 중심점과 모시리 지점 간의 이격 거리를 기초로 좌측 수직 변의 길이와 우측 수직 변의 길이를 산출할 수 있다.
자재 사이즈 산출부(370)는 산출된 각 변의 길이를 보정할 수 있다.
바람직하게는 자재 사이즈 산출부(370)는 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상에서 파악된 양측 모서리 지점 간의 위치 차이를 기초로 변의 길이를 보정할 수 있다.
그리고 자재 사이즈 산출부(370)는 산출된 수평 방향 변의 길이와 수직 방향 변의 길이를 기초로 반도체 자재의 사이즈를 산출할 수 있다.
나아가서 자재 사이즈 산출부(370)는 상측 수평 변의 길이와 하측 수평 변의 길이에 대한 평균을 반도체 자재의 폭으로 설정하고, 좌측 수직 변의 길이와 우측 수직 변의 길이에 대한 평균을 반도체 자재의 높이로 설정할 수 있으며, 설정된 폭과 높이를 기초로 반도체 자재의 사이즈를 산출할 수도 있다.
품질 판단부(390)는 자재 사이즈 산출부(370)에서 산출된 반도체 자재 사이즈를 기초로 반도체 자재에 대한 품질을 판단할 수 있다. 가령, 품질 판단부(390)는 산출한 반도체 자재에 대한 사이즈를 기준 범위와 대비하여 반도체 자재에 대한 품질을 판단할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치는 대면적 반도체 자재의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 거리를 기초로 반도체 자재의 변 길이를 파악할 수 있다. 특히 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치는 반도체 자재의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 거리를 카메라 또는 안착 테이블을 이동시키는 모터 구동 측정치를 기초로 파악할 수 있어 간단하면서도 정확한 반도체 자재의 사이즈 측정을 가능하게 한다.
또한 본 발명에서는 상기에서 살펴본 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치를 이용하여 반도체 자재를 검사하는 방법을 제시하는데, 이하에서는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에 대하여 실시예를 통해 살펴보기로 한다.
본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법은 상기에서 살펴본 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 장치를 통해 구현되므로, 상기의 반도체 자재 검사 장치에 대한 각 실시예를 함께 참조하여 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법의 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
촬영 수단(200)의 카메라를 통해 반도체 자재의 양측 모서리 영역을 촬영(S110)하여 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득할 수 있다.
반도체 자재의 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득하는 과정을 도 8 내지 도 11에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 양측 모서리 영역 각각의 촬영 영상을 획득하는 과정에 대한 일례를 참조하여 살펴본다.
상기 도 8은 안착 테이블(100)에 안착된 반도체 자재(10)의 수평 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득하는 과정을 나타낸다.
자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 수평 방향의 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 카메라(220a)를 위치시키고 촬영을 수행하여 수평 방향 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510)을 획득할 수 있다.
그리고 자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 수평 방향의 양측 모서리 영역 중 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 카메라(220b)를 이동시키고, 촬영을 수행하여 수평 방향 양측 모서리 영역 중 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 영상(530)을 획득할 수 있다.
상기 도 9는 안착 테이블(100)에 안착된 반도체 자재(10)의 수직 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득하는 과정을 나타낸다.
자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 수직 방향의 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 카메라(220a)를 위치시키고 촬영을 수행하여 수직 방향 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510)을 획득할 수 있다.
그리고 자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 수직 방향의 양측 모서리 영역 중 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 카메라(220b)를 이동시키고, 촬영을 수행하여 수직 방향 양측 모서리 영역 중 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 영상(520)을 획득할 수 있다.
상기 도 10은 안착 테이블(100)에 안착된 반도체 자재(10)의 수평 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 두 개의 카메라를 통해 획득하는 과정을 나타낸다.
자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 반도체 자재(10)의 하측에 위치된 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 두 개의 카메라(220a, 230a)를 위치시키고 촬영을 수행하여 수평 방향의 양측 모서리 영역 모두에 대한 촬영 영상(510, 530)을 획득할 수 있다.
그리고 자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 반도체 자재(10)의 상측에 위치된 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 두 개의 카메라(220b, 230b)를 이동시키고 촬영을 수행하여 수평 방향의 양측 모서리 영역 모두에 대한 촬영 영상(520, 540)을 획득할 수 있다.
상기 도 11은 안착 테이블(100)에 안착된 반도체 자재(10)의 수직 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 두 개의 카메라를 통해 획득하는 과정을 나타낸다.
자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 반도체 자재(10)의 좌측에 위치된 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 두 개의 카메라(220a, 230a)를 위치시키고 촬영을 수행하여 수직 방향의 양측 모서리 영역 모두에 대한 촬영 영상(510, 520)을 획득할 수 있다.
또한 자재 검사 수단(300)은 구동 수단(400)을 제어하여 반도체 자재(10)의 우측에 위치된 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 촬영 수단(200)의 두 개의 카메라(220b, 230b)를 이동시키고 촬영을 수행하여 수직 방향의 양측 모서리 영역 모두에 대한 촬영 영상(530, 540)을 획득할 수 있다.
이와 같이 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재(10)의 수직 방향 및 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 위치로 카메라를 이동시키면서 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수 있다.
상기의 실시예에서는 촬영 수단의 카메라를 촬영 지점으로 이동시켰는데, 이와 다르게 반도체 자재가 안착된 안착 테이블을 촬영 지점으로 이동시키면서 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득할 수도 있다.
모서리 영역에 대한 촬영 영상이 획득되면, 자재 검사 수단(300)은 각각의 촬영 영상에서 반도체 자재의 모서리 지점을 검출(S120)할 수 있다.
촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하는 하나의 일례로서, 도 12에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 모서리 지점을 검출하는 일실시예에 대한 흐름도 및 도 13에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 모서리 지점과 촬영 영상의 중심점 간의 이격 거리를 산출하는 일례를 참조하여 살펴본다.
자재 검사 수단(300)은 영상 분석을 통해 촬영 영상(510)에서 반도체 자재(10)의 외곽선(511, 512)을 파악할 수 있다. 여기서 영상 분석은 영상에 포함된 패턴이나 형태를 추출하는 다양한 방식이 적용될 수 있다.
자재 검사 수단(300)은 촬영 영상(510)에서 파악된 외곽선(511, 512) 간의 교차점을 파악(S230)하고 파악된 교차점을 반도체 자재(10)의 모서리 지점(515)으로 검출(S250)할 수 있다.
아울러 자재 검사 수단(300)은 촬영 영상(510)의 중심점(513)과 모서리 지점(515) 간의 이격 거리를 산출(S270)할 수 있다. 바람직하게는 촬영 영상(510)의 중심점(513)과 모서리 지점(515) 간의 이격 거리를 수평 방향 이격 거리(WL)와 수직 방향 이격 거리(HL)로 산출할 수 있다.
그리고 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재의 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간의 거리를 파악(S130)할 수 있다.
여기서 양측 모서리 영역의 촬영 지점 거리 파악은, 앞서 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로부터 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 카메라 또는 안착 테이블을 이동시키는 과정에서 파악될 수도 있다.
양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점 거리를 파악하는 하나의 일례로서, 도 14에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간의 거리를 파악하는 일실시예에 대한 흐름도와 도 15 및 도 16에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간의 거리를 산출하는 일례를 참조하여 살펴본다.
자재 검사 수단(300)은 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점에 촬영 수단의 카메라가 위치된 상태(S310)에서 하나의 모서리 영역에 대한 촬영을 수행하고 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 카메라를 이동(S330)시킬 수 있다. 이때 촬영 수단의 카메라를 이동시키는 구동 수단(400)에 구비된 측정 센서를 통해 카메라의 이동 거리를 파악할 수 있다.
일례로서, 촬영 수단(200)의 카메라를 이동시키는 구동 수단(400)의 카메라 구동부에 대한 모터 동작 상태를 측정 센서로 측정(S350)하여 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로부터 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점에 도달(S370)시 모터에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 간의 이동 거리를 파악(S390)할 수 있다.
또는 위치 센서나 거리 센서를 통해 촬영 수단(200)의 카메라가 이동하는 정도를 파악하여 촬영 지점 간의 이동 거리를 파악할 수도 있다.
가령, 상기 도 15와 같이 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대응되어 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로부터 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 카메라(210a, 210b)를 수평 이동시키면서, 측정 센서로 모터 동작 상태를 측정하여 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점 거리 WD를 파악할 수 있다.
또한 상기 도 16와 같이 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대응되어 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로부터 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점으로 카메라(210a, 210b)를 수직 이동시키면서, 측정 센서로 모터 동작 상태를 측정하여 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 촬영 지점 거리 HD를 파악할 수 있다.
여기서 각 촬영 지점은 각 촬영 영상(510, 520, 530, 540)에서 촬영 영상의 중심점에 대응될 수 있다.
상기 실시예에서는 카메라를 이동시키면서 촬영 지점 거리를 파악하였으나, 안착 테이블을 이동시키는 경우, 안착 테이블을 이동시키는 모터에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악할 수도 있다.
자재 검사 수단(300)은 파악된 모서리 지점과 촬영 지점 거리를 기초로 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출(S140)할 수 있다.
반도체 자재의 각 변의 길이를 산출하는 과정과 관련하여, 도 17은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 변 길이를 산출하는 일실시예에 대한 흐름도를 도시하며, 도 18 및 도 19는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 수평 방향 변의 길이와 수직 방향 변의 길이를 산출하는 일례를 도시한다.
자재 검사 수단(300)은 반도체 자재(10)의 수평 방향 변의 길이를 산출(S410)하는데, 수평 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510, 530)을 통해 파악된 촬영 영상의 중심점(513, 513)과 모서리 지점(515, 535) 간의 이격 거리와 촬영 지점 간의 거리를 기초로 반도체 자재(10)의 수평 방향 변의 길이를 산출할 수 있다.
상기 도 18에서 보는 바와 같이 촬영 영상의 중심점(513, 533)과 모서리 지점(515, 535) 간의 수평 방향 이격 거리(WL1, WL3)에 촬영 지점 거리(WD)를 반영하여 반도체 자재(10)에 대한 수평 방향 변의 길이(W)를 산출할 수 있다.
수평 방향 변의 길이는 반도체 자재의 하측과 상측 각각에 대하여 산출할 수 있다.
자재 검사 수단(300)은 이와 같이 산출된 수평 방향 변의 길이를 반도체 자재(10)의 상측 폭과 하측 폭으로 설정(S430)할 수 있다.
또한 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재(10)의 수직 방향 변의 길이를 산출(S450)하는데, 수직 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510, 520)을 통해 파악된 촬영 영상의 중심점(513, 523)과 모서리 지점(515, 525) 간의 이격 거리와 촬영 지점 간의 거리를 기초로 반도체 자재(10)의 수직 방향 변의 길이를 산출할 수 있다.
상기 도 19에서 보는 바와 같이 촬영 영상의 중심점(513, 523)과 모서리 지점(515, 525) 간의 수직 방향 이격 거리(HL1, HL2)에 촬영 지점 거리(HD)를 반영하여 반도체 자재(10)에 대한 수직 방향 변의 길이(H)를 산출할 수 있다.
수직 방향 변의 길이는 반도체 자재의 좌측과 우측 각각에 대하여 산출할 수 있다.
자재 검사 수단(300)은 이와 같이 산출된 수직 방향 변의 길이를 반도체 자재(10)의 좌측 높이와 우측 높이로 설정(S470)할 수 있다.
나아가서 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재에 대하여 산출된 각 변의 길이를 조정할 수 있다.
안착 테이블 상에 반도체 자재가 틀어진 상태로 안착된 경우, 실제 반도체 자재의 외곽 절단면이 사선으로 기울어져 절단된 경우 등 다양한 요소로 인해 상기 과정을 통해 산출된 각 변의 길이와 반도체 자재의 실제 변의 길이에 오차가 존재할 수 있다.
이러한 다양한 요소를 고려하여 자재 검사 수단(300)은 산출된 각 변의 길이를 보정하여 반도체 자재의 실제 변의 길이를 파악할 수 있다.
이와 관련하여 도 20은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 산출된 변의 길이를 보정하는 일실시예에 대한 흐름도를 도시하며, 도 21 및 도 22는 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 산출된 변의 길이를 보정하는 일례를 도시한다.
앞서 살펴본 과정을 통해 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재에 대한 수평 방향 변의 길이를 산출(S510)한 후 수평 방향의 양측 모서리 지점에 대한 높이 차이를 대비하여 높이 차이에 따른 오차를 산출(S520)하고 이를 반영하여 수평 방향 변의 길이를 보정(S530)할 수 있다.
가령, 상기 도 21에 도시된 경우를 참조하면, 수평 방향의 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역을 촬영하여 촬영 영상(510)을 획득하고, 카메라를 수평 이동시켜 다른 하나의 모서리 영역을 촬영하여 촬영 영상(530)을 획득하므로, 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510, 530)에서 중심점(513, 533)은 동일한 수직 거리에 위치된다. 또한 안착 테이블에 반도체 자재가 정상적으로 안착되고 반도체 자재의 외곽이 정상적으로 절단된 경우, 수평 방향의 양측 모서리 지점(515, 535)도 동일한 수직 거리에 위치되어야 한다. 즉, 수평 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510, 530)에서 중심점(513, 533)과 모서리 지점(515, 535) 간의 수직 방향 이격 거리(HL1, HL3)가 동일하여야 한다.
만약, 수평 방향의 양측 모서리 지점(515, 535) 간에 높이 차이가 존재하면 이는 반도체 자재(10)가 틀어져 안착되어 있거나 반도체 자재(10)의 외곽 절단면이 사선으로 잘못 잘려진 경우 등으로 판단되므로 산출된 수평 방향의 변 길이에 대한 오차 보정이 요구된다.
수평 방향 양측 모서리 지점 중 하나의 모서리 지점(515)에 대한 수직 방향 이격 거리(HL1)와 다른 하나의 모서리 지점(535)에 대한 수직 방향 이격 거리(HL2) 간의 높이 차이(HM)는 산출된 수평 방향의 변 길이(W)와 반도체 자재(10)의 실제 수평 방향의 변 길이(RW) 간에 틀어진 높이 차이가 될 수 있다.
따라서 높이 차이(HM)와 산출된 수평 방향의 변 길이(W)를 통해 틀어진 오차 각도(A1)를 산출할 수 있으며, 오차 각도(A1)를 반영하여 반도체 자재(10)의 실제 수평 방향의 변 길이(RW)를 산출할 수 있다.
자재 검사 수단(300)은 실제 수평 방향의 변 길이(RW)를 반영함으로써 산출된 수평 방향의 변 길이(W)에 대한 오차를 보정할 수 있다.
수직 방향 변의 길에 대해서도 마찬가지 과정으로 보정이 수행될 수 있는데, 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재에 대한 수직 방향 변의 길이를 산출(S540)한 후 수직 방향의 양측 모서리 지점에 대한 폭 차이를 대비하여 폭 차이에 따른 오차를 산출(S550)하고 이를 반영하여 수직 방향 변의 길이를 보정(S560)할 수 있다.
가령, 상기 도 22에 도시된 경우를 참조하면, 수직 방향의 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역을 촬영하여 촬영 영상(510)을 획득하고, 카메라를 수직 이동시켜 다른 하나의 모서리 영역을 촬영하여 촬영 영상(520)을 획득하므로, 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510, 520)에서 중심점(513, 523)은 동일한 수평 거리에 위치된다. 또한 안착 테이블에 반도체 자재가 정상적으로 안착되고 반도체 자재의 외곽이 정상적으로 절단된 경우, 수직 방향의 양측 모서리 지점(515, 525)도 동일한 수평 거리에 위치되어야 한다. 즉, 수직 방향 양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상(510, 520)에서 중심점(513, 523)과 모서리 지점(515, 525) 간의 수평 방향 이격 거리(WL1, WL2)가 동일하여야 한다.
만약, 수직 방향의 양측 모서리 지점(515, 525) 간에 폭 차이가 존재하면 이는 반도체 자재(10)가 틀어져 안착되어 있거나 반도체 자재(10)의 외곽 절단면이 사선으로 잘못 잘려진 경우 등으로 판단되므로 산출된 수직 방향의 변 길이에 대한 오차 보정이 요구된다.
수직 방향 양측 모서리 지점 중 하나의 모서리 지점(515)에 대한 수평 방향 이격 거리(WL1)와 다른 하나의 모서리 지점(525)에 대한 수평 방향 이격 거리(WL2) 간의 폭 차이(WM)는 산출된 수직 방향의 변 길이(H)와 반도체 자재(10)의 실제 수평 방향의 변 길이(RH) 간에 틀어진 폭 차이가 될 수 있다.
따라서 폭 차이(WM)와 산출된 수직 방향의 변 길이(H)를 통해 틀어진 오차 각도(A2)를 산출할 수 있으며, 오차 각도(A2)를 반영하여 반도체 자재(10)의 실제 수직 방향의 변 길이(RH)를 산출할 수 있다.
자재 검사 수단(300)은 실제 수직 방향의 변 길이(RH)를 반영함으로써 산출된 수직 방향의 변 길이(H)에 대한 오차를 보정할 수 있다.
반도체 자재에 대한 각 변의 길이가 산출되면, 자재 검사 수단(300)은 산출된 각 변의 길이를 기초로 반도체 자재의 사이즈를 산출(S150)할 수 있다.
이와 관련하여 도 23은 본 발명에 따른 반도체 자재 검사 방법에서 반도체 자재의 사이즈를 산출하는 일례를 도시한다.
반도체 자재(10)의 하측과 상측에 대한 수평 방향의 양측 모서리 지점과 촬영 지점 거리를 기초로 반도체 자재(10)의 하측 변의 길이(W1)와 상측 변의 길이(W2)가 파악될 수 있고, 반도체 자재(10)의 좌측과 우측에 대한 수직 방향의 양측 모서리 지점과 촬영 지점 거리를 기초로 반도체 자재(10)의 좌측 변의 길이(H1)과 우측 변의 길이(H2)가 파악될 수 있다. 자재 검사 수단(300)은 이와 같은 각 변의 길이를 종합하여 반도체 자재(10)의 사이즈를 산출할 수 있다.
나아가서 자재 검사 수단(300)은 반도체 자재(10)의 하측 변의 길이(W1)와 상측 변의 길이(W2)에 대한 평균을 산출하고 평균치를 반도체 자재의 폭으로 설정할 수 있고, 반도체 자재(10)의 좌측 변의 길이(H1)와 우측 변의 길이(H2)에 대한 평균을 산출하고 평균치를 반도체 자재(10)의 높이로 설정할 수도 있다. 이러한 변의 길이에 대한 평균치로서 반도체 자재(10)의 사이즈를 산출할 수도 있다.
그리고 자재 검사 수단(300)은 산출된 반도체 자재에 대한 사이즈를 기초로 반도체 자재에 대한 품질을 판단할 수 있다. 가령, 산출된 반도체 자재의 사이즈가 기준 범위를 충족하는지 평가하여 반도체 자재에 대한 품질을 판단할 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명에 의하면, 비젼 검사의 촬영 영역(FOV)보다 크기가 더 큰 대면적 반도체 자재에 대한 사이즈를 측정하여 반도체 자재에 대한 품질을 검사할 수 있다.
특히, 양측 모서리 영역의 촬영 지점 간 거리를 카메라를 이동시키는 모터의 동작 측정치 또는 반도체 테이블이 안착된 안착 테이블을 이동시키는 모터의 동작 측정치를 기초로 산출함으로써 보다 간단하면서도 정확한 반도체 자재의 크기를 측정할 수 있게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 반도체 자재,
100, 100a, 100b : 안착 테이블,
200 : 촬영 수단,
210a, 210b, : 카메라,
300 : 자재 검사 수단,
310 : 영상 획득부,
330 : 모서리 검출부,
350 : 촬영 지점 판단부,
370 : 자재 사이즈 산출부,
390 : 품질 판단부,
400 : 구동 수단.

Claims (20)

  1. 반도체 자재에 대하여 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득하는 촬영 영상 획득 단계;
    각각의 상기 촬영 영상에서 상기 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하는 모서리 지점 파악 단계;
    하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하는 촬영 지점 거리 파악 단계;
    상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하는 변의 길이 산출 단계; 및
    산출된 상기 변의 길이를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출하는 반도체 자재 사이즈 산출 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 촬영 영상 획득 단계는,
    수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상 및 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 모서리 지점 파악 단계는,
    상기 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하고, 상기 촬영 영상의 중심점과 상기 모서리 지점 간의 이격 거리를 산출하며,
    상기 변의 길이 산출 단계는,
    상기 이격 거리와 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 모서리 지점 파악 단계는,
    수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 영상에서 각각의 수평 이격 거리를 산출하며,
    상기 촬영 지점 거리 파악 단계는,
    수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수평 촬영 지점 거리를 파악하며,
    상기 변의 길이 산출 단계는,
    상기 수평 이격 거리와 상기 수평 촬영 지점 거리를 기초로 수평 방향 변의 길이를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상측 수평 방향의 양측 모서리 영역과 하측 수평 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대하여 상기 모서리 지점 파악 단계 내지 상기 변의 길이 산출 단계를 수행하며,
    상측 수평 방향의 상측 수평 변의 길이와 하측 수평 방향의 하측 수평 변의 길이에 대한 평균을 상기 반도체 자재의 폭으로 설정하는 폭 설정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 모서리 지점 파악 단계는,
    수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 영상에서 각각의 수직 이격 거리를 산출하며,
    상기 촬영 지점 거리 파악 단계는,
    수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수직 촬영 지점 거리를 파악하며,
    상기 변의 길이 산출 단계는,
    상기 수직 이격 거리와 상기 수직 촬영 지점 거리를 기초로 수직 방향 변의 길이를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    좌측 수직 방향의 양측 모서리 영역과 우측 수직 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대하여 상기 모서리 지점 파악 단계 내지 상기 변의 길이 산출 단계를 수행하며,
    좌측 수직 방향의 좌측 수직 변의 길이와 우측 수직 방향의 우측 수직 변의 길이에 대한 평균을 상기 반도체 자재의 높이로 설정하는 높이 설정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 촬영 지점 거리 파악 단계는,
    양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치와 다른 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치 간의 촬영 수단의 이동 거리를 기초로 상기 촬영 지점 거리를 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 촬영 지점 거리 파악 단계는,
    양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치와 다른 하나의 모서리 영역을 촬영한 위치 간의 안착 테이블의 이동 거리를 기초로 상기 촬영 지점 거리를 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상에서 파악된 양측 모서리 지점 간의 위치 차이를 기초로 변의 길이를 보정하는 변의 길이 보정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    산출된 상기 반도체 자재에 대한 사이즈를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 품질을 판단하는 품질 판단 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
  12. 반도체 자재의 모서리 영역을 촬영하는 촬영 수단; 및
    반도체 자재의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하고, 양측 모서리 영역 중 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하며, 상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하여 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출하는 자재 검사 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 자재 검사 수단은,
    반도체 자재의 모서리 영역에 대한 촬영 영상을 획득하는 영상 획득부;
    상기 반도체 자재에 대한 모서리 영역의 촬영 영상에서 모서리 지점을 검출하는 모서리 검출부;
    하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점과 다른 하나의 모서리 영역에 대한 촬영 지점 간의 촬영 지점 거리를 파악하는 촬영 지점 판단부;
    상기 모서리 지점과 상기 촬영 지점 거리를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 변의 길이를 산출하여 반도체 자재 사이즈를 산출하는 자재 사이즈 산출부; 및
    상기 자재 사이즈 산출부에서 산출한 반도체 자재에 대한 사이즈를 기준 범위와 대비하여 반도체 자재에 대한 품질을 판단하는 품질 판단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 영상 획득부는,
    수평 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대한 촬영 영상 및 수직 방향의 양측 모서리 영역 각각에 대한 촬영 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 모서리 검출부는,
    촬영 영상에서 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하고, 상기 촬영 영상의 중심점과 상기 모서리 지점 간의 이격 거리를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 자재 사이즈 산출부는,
    상측 수평 방향의 상측 수평 변의 길이와 하측 수평 방향의 하측 수평 변의 길이에 대한 평균을 반도체 자재의 폭으로 설정하고, 좌측 수직 방향의 좌측 수직 변의 길이와 우측 수직 방향의 우측 수직 변의 길이에 대한 평균을 반도체 자재의 높이로 설정하며, 상기 폭과 상기 높이를 기초로 반도체 자재의 사이즈를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 촬영 수단의 카메라를 이동시키는 카메라 구동부; 및
    상기 카메라 구동부의 동작을 측정하는 측정 센서를 포함하는 구동 수단을 더 포함하며,
    상기 촬영 지점 판단부는,
    상기 카메라 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  18. 제 13 항에 있어서,
    반도체 자체가 안착되는 안착 테이블; 및
    상기 안착 테이블을 이동시키는 안착 테이블 구동부와; 상기 안착 테이블 구동부의 동작을 측정하는 측정 센서를 포함하는 구동 수단을 더 포함하며,
    상기 촬영 지점 판단부는,
    상기 안착 테이블 구동부에 대한 동작 측정치를 기초로 촬영 지점 거리를 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 자재 사이즈 산출부는,
    양측 모서리 영역에 대한 촬영 영상에서 파악된 양측 모서리 지점 간의 위치 차이를 기초로 변의 길이를 보정하여 반도체 자재 사이즈를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 장치.
  20. 반도체 자재에 대하여 수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상 및 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 각각의 촬영 영상을 획득하는 촬영 영상 획득 단계;
    수평 방향의 양측 모서리 영역 및 수직 방향의 양측 모서리 영역 각각의 상기 촬영 영상에서 상기 반도체 자재의 외곽선을 파악하고, 파악된 외곽선을 기초로 상기 반도체 자재의 모서리 지점을 검출하고, 각각의 상기 촬영 영상의 중심점과 각각의 상기 모서리 지점 간의 수평 이격 거리와 수직 이격 거리를 산출하는 모서리 지점 파악 단계;
    수평 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수평 촬영 지점 거리를 파악하고, 수직 방향의 양측 모서리 영역에 대한 두 개의 촬영 지점 간의 수직 촬영 지점 거리를 파악하는 촬영 지점 거리 파악 단계;
    상기 수평 이격 거리와 상기 수평 촬영 지점 거리를 기초로 수평 방향 변의 길이를 산출하고, 상기 수직 이격 거리와 상기 수직 촬영 지점 거리를 기초로 수직 방향 변의 길이를 산출하는 변의 길이 산출 단계; 및
    산출된 상기 변의 길이를 기초로 상기 반도체 자재에 대한 사이즈를 산출하는 반도체 자재 사이즈 산출 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 검사 방법.
KR1020210175771A 2021-12-09 2021-12-09 반도체 자재 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 자재 검사 방법 KR20230087119A (ko)

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