KR20230081613A - Processing apparatus, and method of determining a workpiece - Google Patents
Processing apparatus, and method of determining a workpiece Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230081613A KR20230081613A KR1020220142662A KR20220142662A KR20230081613A KR 20230081613 A KR20230081613 A KR 20230081613A KR 1020220142662 A KR1020220142662 A KR 1020220142662A KR 20220142662 A KR20220142662 A KR 20220142662A KR 20230081613 A KR20230081613 A KR 20230081613A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- workpiece
- unit
- processing
- imaging unit
- chuck table
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 13
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 116
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/06—Grinders for cutting-off
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 피가공물을 가공하는 가공 장치, 및, 피가공물의 종류를 판정하는 피가공물의 판정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a processing apparatus for processing a workpiece, and a workpiece determination method for determining the type of a workpiece.
디바이스 칩의 제조 프로세스에서는, 격자상으로 배열된 복수의 스트리트 (분할 예정 라인) 에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼가 사용된다. 이 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할함으로써, 디바이스를 각각 구비하는 복수의 디바이스 칩이 얻어진다. 디바이스 칩은, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 다양한 전자 기기에 장착된다. In the manufacturing process of a device chip, a wafer in which devices are respectively formed in a plurality of areas partitioned by a plurality of streets (lines to be divided) arranged in a lattice is used. By dividing this wafer along the street, a plurality of device chips each having a device are obtained. Device chips are installed in various electronic devices such as mobile phones and personal computers.
웨이퍼의 분할에는, 예를 들어 절삭 장치가 사용된다. 절삭 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛을 구비하고 있고, 절삭 유닛에는 환상 (環狀) 의 절삭 블레이드가 장착된다. 웨이퍼를 척 테이블로 유지하고, 절삭 블레이드를 회전시키면서 웨이퍼에 절입시킴으로써, 웨이퍼가 절삭, 분할된다 (특허문헌 1 참조). For dividing a wafer, a cutting device is used, for example. The cutting device includes a chuck table for holding a workpiece and a cutting unit for cutting the workpiece, and an annular cutting blade is attached to the cutting unit. The wafer is cut and divided by holding the wafer on a chuck table and incising the wafer while rotating a cutting blade (see Patent Document 1).
또, 최근에는, 전자 기기의 소형화에 수반하여, 디바이스 칩에 박형화가 요구되고 있다. 그래서, 연삭 장치를 사용하여 분할 전의 웨이퍼를 박화 (薄化) 하는 처리가 실시되는 경우가 있다. 연삭 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 피가공물을 연삭하는 연삭 유닛을 구비하고 있고, 연삭 유닛에는 연삭 지석을 포함하는 환상의 연삭 휠이 장착된다. 척 테이블로 웨이퍼를 유지하고, 척 테이블 및 연삭 휠을 회전시키면서 연삭 지석을 웨이퍼에 접촉시킴으로써, 웨이퍼가 연삭, 박화된다 (특허문헌 2 참조). Moreover, in recent years, along with miniaturization of electronic devices, device chips are required to be thinned. Therefore, a process of thinning the wafer before division using a grinding device may be performed. The grinding device includes a chuck table for holding a workpiece and a grinding unit for grinding the workpiece. The grinding unit is equipped with an annular grinding wheel including a grinding wheel. The wafer is ground and thinned by holding the wafer on a chuck table and bringing the grinding stone into contact with the wafer while rotating the chuck table and the grinding wheel (see Patent Document 2).
디바이스 등의 구조물이 형성된 피가공물을 절삭 장치 등의 가공 장치를 사용하여 분할할 때에는, 피가공물에 설정되어 있는 스트리트의 위치를 특정하고, 피가공물을 스트리트를 따라 가공할 필요가 있다. 그 때문에, 피가공물의 가공 전에, 가공 장치에 구비된 촬상 유닛으로 피가공물을 촬상하여 피가공물에 형성되어 있는 구조물의 위치를 검출하고, 구조물의 위치에 기초하여 스트리트의 위치를 특정하는 처리가 실시된다. When dividing a workpiece on which structures such as devices are formed using a processing device such as a cutting device, it is necessary to specify the position of a street set in the workpiece and to process the workpiece along the street. Therefore, before processing the workpiece, processing is performed to detect the position of the structure formed on the workpiece by capturing an image of the workpiece with an imaging unit provided in the processing device, and specifying the location of the street based on the position of the structure. do.
또, 가공 장치는 범용성이 높고, 디바이스 등의 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물의 가공에도 사용된다. 예를 들어, 적층된 복수의 디바이스 칩을 구비하는 적층 디바이스 칩을 제조할 때에는, 적층된 디바이스 칩의 사이에, 디바이스 칩끼리를 분리하는 중간층으로서 실리콘 웨이퍼의 개편 (個片) (실리콘 칩) 이 형성되는 경우가 있다. 이 실리콘 칩은, 디바이스가 형성되어 있지 않은 실리콘 웨이퍼를 가공 장치로 분할함으로써 형성된다. In addition, the processing apparatus is highly versatile and is also used for processing of workpieces on which structures such as devices are not formed. For example, when manufacturing a multilayer device chip having a plurality of stacked device chips, between the stacked device chips, a piece of silicon wafer (silicon chip) is used as an intermediate layer separating the device chips from each other. may be formed. This silicon chip is formed by dividing a silicon wafer on which devices are not formed with a processing device.
구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물을 가공 장치로 가공하는 경우에는, 구조물의 위치에 기초하여 가공 영역을 특정할 수 없다. 그 때문에, 피가공물의 형상, 치수 등에 따라 미리 가공 조건 (가공 영역의 위치, 간격 등) 이 선정되고, 가공 장치에 입력, 설정된다. 그리고, 가공 장치는, 피가공물을 촬상 유닛으로 촬상하여 구조물의 위치를 검출하는 처리를 생략하고, 설정된 가공 조건에 따라서 피가공물을 가공한다. In the case where a workpiece without a structure is machined with a machining device, a machining area cannot be specified based on the position of the structure. For this reason, processing conditions (positions of processing areas, intervals, etc.) are selected in advance according to the shape, size, etc. of the workpiece, and are input and set to the processing device. Then, the processing device processes the workpiece according to the set processing conditions, omitting the process of capturing an image of the workpiece with the imaging unit and detecting the position of the structure.
상기와 같이, 가공 장치는, 가공 대상물인 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부에 따라, 구조물의 위치를 검출하기 위한 촬상을 실시하는 동작 모드 (구조물 검출 모드), 또는, 구조물의 위치를 검출하기 위한 촬상을 실시하지 않는 동작 모드 (구조물 비검출 모드) 로 가동한다. 그러나, 구조물 비검출 모드로 가동 중인 가공 장치에 잘못해서 구조물이 형성된 피가공물이 세트되면, 구조물의 위치 검출이 실시되지 않은 채로 구조물이 형성된 피가공물의 가공이 속행되어 버린다. 그 결과, 피가공물에 구조물의 배열을 무시한 가공이 실시되어, 불량품이 발생한다. As described above, the processing device operates in an operation mode for performing imaging for detecting the position of a structure (structure detection mode) or for detecting the position of a structure, depending on whether or not a structure is formed in the workpiece, which is the object to be processed. It operates in an operation mode (structure non-detection mode) in which imaging is not performed for However, if a structure-formed workpiece is accidentally set in a machining device operating in the structure non-detection mode, processing of the structure-formed workpiece continues without detecting the position of the structure. As a result, machining is performed on the workpiece while ignoring the arrangement of the structures, resulting in defective products.
본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 피가공물의 잘못된 가공을 방지하는 것이 가능한 가공 장치 및 피가공물의 판정 방법의 제공을 목적으로 한다. The present invention has been made in view of such a problem, and aims at providing a processing apparatus capable of preventing erroneous processing of a workpiece and a method for determining a workpiece.
본 발명의 일 양태에 의하면, 피가공물을 가공하는 가공 장치로서, 그 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 척 테이블과, 그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 촬상하는 촬상 유닛과, 그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 제어 유닛을 구비하고, 그 제어 유닛은, 그 촬상 유닛으로 그 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 가공 장치가 제공된다. According to one aspect of the present invention, a processing apparatus for processing a workpiece includes a chuck table having a holding surface for holding the workpiece, an imaging unit for capturing an image of the workpiece held by the holding surface, and the holding surface. and a processing unit for processing the workpiece held therein, and a control unit, wherein the control unit determines whether or not a structure is formed in the workpiece based on a result of capturing an image of the workpiece with the imaging unit. A processing device for judging is provided.
또한, 바람직하게는, 그 제어 유닛은, 그 촬상 유닛을 그 유지면에 대하여 접근 또는 이격시키면서 그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 그 촬상 유닛으로 촬상했을 때에, 그 촬상 유닛의 초점이 맞지 않는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정하고, 그 촬상 유닛의 초점이 맞는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정한다. 또, 바람직하게는, 그 가공 장치는, 그 제어 유닛이 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정한 경우에는 그 가공 유닛으로 그 피가공물을 가공하고, 그 제어 유닛이 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정한 경우에는 에러를 발한다.Further, preferably, the control unit causes the imaging unit to move closer to or away from the holding surface and captures an image of the workpiece held by the holding surface with the imaging unit, so that the imaging unit is out of focus. In this case, it is determined that no structure is formed on the workpiece, and when the imaging unit is focused, it is determined that a structure is formed on the workpiece. Also, preferably, the machining device processes the workpiece with the machining unit when the control unit determines that the structure is not formed on the workpiece, and the control unit determines that the structure is formed on the workpiece. If it is determined that it is formed, an error is issued.
또, 본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 피가공물의 종류를 판정하는 피가공물의 판정 방법으로서, 척 테이블의 유지면으로 그 피가공물을 유지하는 유지 스텝과, 그 유지 스텝 후, 촬상 유닛으로 그 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 판정 스텝을 포함하는 피가공물의 판정 방법이 제공된다. Further, according to another aspect of the present invention, as a workpiece judging method for determining the type of a workpiece, a holding step holding the workpiece on a holding surface of a chuck table, and after the holding step, an imaging unit to determine the workpiece A method for judging a to-be-processed object including a judgment step of determining whether or not a structure is formed in the to-be-processed object based on a result of capturing an image of the to-be-processed object is provided.
또한, 바람직하게는, 그 판정 스텝에서는, 그 촬상 유닛을 그 유지면에 대하여 접근 또는 이격시키면서 그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 그 촬상 유닛으로 촬상하고, 그 촬상 유닛의 초점이 맞지 않는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정하고, 그 촬상 유닛의 초점이 맞는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정한다. 또, 바람직하게는, 그 피가공물의 판정 방법은, 그 판정 스텝 후, 그 판정 스텝에 있어서 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정된 경우에는 그 피가공물을 가공하고, 그 판정 스텝에 있어서 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정된 경우에는 에러를 발하는 처리 스텝을 추가로 포함한다. Further, preferably, in the determination step, the imaging unit approaches or moves away from the holding surface to capture an image of the workpiece held by the holding surface with the imaging unit, and the imaging unit is out of focus. , it is determined that no structure is formed on the workpiece, and when the imaging unit is focused, it is determined that a structure is formed on the workpiece. Further, preferably, in the method of judging the workpiece, after the judgment step, if it is determined in the judgment step that no structure is formed on the workpiece, the workpiece is processed, and in the judgment step In the case where it is determined that a structure is formed on the workpiece, a processing step for issuing an error is further included.
본 발명의 일 양태에 관련된 가공 장치 및 피가공물의 판정 방법에서는, 촬상 유닛으로 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부가 판정된다. 이에 따라, 구조물이 형성되어 있는 피가공물이, 잘못해서 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물로서 가공되는 것을 회피하여, 불량품의 발생을 방지할 수 있다. In the processing apparatus and method for judging a workpiece according to one aspect of the present invention, whether or not a structure is formed in a workpiece is determined based on a result of capturing an image of the workpiece with an imaging unit. In this way, it is possible to prevent a workpiece having a structure from being processed as a workpiece without a structure by mistake, thereby preventing the occurrence of defective products.
도 1 은, 절삭 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2(A) 는 구조물이 형성되어 있는 피가공물을 나타내는 사시도이고, 도 2(B) 는 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물을 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 제어 유닛을 나타내는 블록도이다.
도 4 는, 피가공물의 판정 방법을 나타내는 플로 차트이다. 1 is a perspective view showing a cutting device.
Fig. 2(A) is a perspective view showing a workpiece with a structure formed thereon, and Fig. 2(B) is a perspective view showing a workpiece without a structure formed thereon.
3 is a block diagram showing a control unit.
4 is a flow chart showing a method for determining a workpiece.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태를 설명한다. 먼저, 본 실시형태에 관련된 가공 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 도 1 은, 절삭 장치 (2) 를 나타내는 사시도이다. 절삭 장치 (2) 는, 피가공물에 절삭 가공을 실시하는 가공 장치이다. 또한, 도 1 에 있어서, X 축 방향 (가공 이송 방향, 제 1 수평 방향, 전후 방향) 과 Y 축 방향 (산출 이송 방향, 제 2 수평 방향, 좌우 방향) 은 서로 수직인 방향이다. 또, Z 축 방향 (절입 방향, 연직 방향, 상하 방향, 높이 방향) 은, X 축 방향 및 Y 축 방향과 수직인 방향이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment related to one aspect of this invention is described with reference to an accompanying drawing. First, a configuration example of a processing device according to the present embodiment will be described. 1 is a perspective view showing the
절삭 장치 (2) 는, 절삭 장치 (2) 를 구성하는 각 구성 요소를 지지 또는 수용하는 기대 (4) 를 구비한다. 기대 (4) 의 상면 상에는, 이동 유닛 (이동 기구) (6) 이 설치되어 있다. 이동 유닛 (6) 은, X 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 X 축 가이드 레일 (8) 을 구비한다.The
1 쌍의 X 축 가이드 레일 (8) 에는, 평판상의 X 축 이동 테이블 (10) 이 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. X 축 이동 테이블 (10) 의 하면 (이면) 측에는, 너트부 (도시하지 않음) 가 설치되어 있다. 이 너트부에는, 1 쌍의 X 축 가이드 레일 (8) 의 사이에 X 축 방향을 따라 배치된 X 축 볼나사 (12) 가 나사 결합되어 있다. 또, X 축 볼나사 (12) 의 단부 (端部) 에는, X 축 펄스 모터 (14) 가 연결되어 있다. X 축 펄스 모터 (14) 로 X 축 볼나사 (12) 를 회전시키면, X 축 이동 테이블 (10) 이 X 축 가이드 레일 (8) 을 따라 X 축 방향으로 이동한다. A flat plate-shaped X-axis moving table 10 is slidably attached to the pair of
X 축 이동 테이블 (10) 의 상면 (표면) 상에는, 원기둥 모양의 테이블 베이스 (16) 가 설치되어 있다. 테이블 베이스 (16) 는, 절삭 장치 (2) 에 의한 가공의 대상물인 피가공물을 유지하는 척 테이블 (유지 테이블) (18) 을 지지하고 있다. 척 테이블 (18) 의 상면은, 수평면 (XY 평면) 과 대체로 평행한 평탄면이며, 피가공물을 유지하는 유지면 (18a) 을 구성하고 있다. 유지면 (18a) 은, 척 테이블 (18) 의 내부에 형성된 유로 (도시하지 않음), 밸브 (도시하지 않음) 등을 개재하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시하지 않음) 에 접속되어 있다.On the upper surface (surface) of the X-axis moving table 10, a
이동 유닛 (6) 에 의해 X 축 이동 테이블 (10) 을 X 축 방향으로 이동시킴으로써, 척 테이블 (18) 이 X 축 방향을 따라 이동한다. 또, 척 테이블 (18) 에는 모터 등의 회전 구동원 (도시하지 않음) 이 연결되어 있고, 이 회전 구동원은 척 테이블 (18) 을 Z 축 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레에서 회전시킨다.By moving the X-axis moving table 10 in the X-axis direction by the moving
X 축 이동 테이블 (10) 의 주위에는, 절삭 가공 시에 생성되는 폐액을 일시적으로 저류하는 워터 케이스 (20) 가 설치되어 있다. 워터 케이스 (20) 의 내측에 저류된 폐액은, 드레인 (도시하지 않음) 등을 통해서 절삭 장치 (2) 의 외부로 배출된다. Around the X-axis moving table 10, a
기대 (4) 의 상면측에는, 문형의 지지 구조 (22) 가 이동 유닛 (6) 을 가로지르도록 설치되어 있다. 지지 구조 (22) 의 전면측의 양단부에는, 1 쌍의 이동 유닛 (이동 기구) (24) 이 설치되어 있다. 구체적으로는, 지지 구조 (22) 의 전면측에는, 1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (26) 이 Y 축 방향을 따라 고정되어 있다.On the upper surface side of the base 4, a gate-shaped
1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (26) 에는, 1 쌍의 이동 유닛 (24) 이 각각 구비하는 평판상의 Y 축 이동 플레이트 (28) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. 또, 1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (26) 의 사이에는, 1 쌍의 Y 축 볼나사 (30) 가 Y 축 방향을 따라 설치되어 있다. To the pair of Y-axis guide rails 26, flat Y-
Y 축 이동 플레이트 (28) 의 후면 (이면) 측에는, 너트부 (도시하지 않음) 가 설치되어 있다. 이 너트부에는, Y 축 볼나사 (30) 가 나사 결합되어 있다. 또, 1 쌍의 Y 축 볼나사 (30) 의 단부에는 각각, Y 축 펄스 모터 (32) 가 연결되어 있다. Y 축 펄스 모터 (32) 로 Y 축 볼나사 (30) 를 회전시키면, Y 축 이동 플레이트 (28) 가 Y 축 가이드 레일 (26) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다.A nut portion (not shown) is provided on the rear (rear surface) side of the Y-
Y 축 이동 플레이트 (28) 의 전면 (표면) 측에는, 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (34) 이 Z 축을 따라 고정되어 있다. 그리고, 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (34) 에는, 평판상의 Z 축 이동 플레이트 (36) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다.On the front (surface) side of the Y-
Z 축 이동 플레이트 (36) 의 후면 (이면) 측에는, 너트부 (도시하지 않음) 가 설치되어 있다. 이 너트부에는, 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (34) 의 사이에 Z 축 방향을 따라 배치된 Z 축 볼나사 (38) 가 나사 결합되어 있다. 또, Z 축 볼나사 (38) 의 단부에는, Z 축 펄스 모터 (40) 가 연결되어 있다. Z 축 펄스 모터 (40) 로 Z 축 볼나사 (38) 를 회전시키면, Z 축 이동 플레이트 (36) 가 Z 축 가이드 레일 (34) 을 따라 Z 축 방향으로 이동 (승강) 한다.A nut portion (not shown) is provided on the rear (rear) side of the Z-
Z 축 이동 플레이트 (36) 의 하부에는, 피가공물에 절삭 가공을 실시하는 가공 유닛 (절삭 유닛) (42) 이 고정되어 있다. 가공 유닛 (42) 은, 중공의 통상으로 형성된 하우징 (44) 을 구비한다. 하우징 (44) 에는, Y 축 방향을 따라 배치된 원기둥 모양의 스핀들 (46) (도 3 참조) 이 수용되어 있다. 스핀들 (46) 의 선단부 (일단부) 는 하우징 (44) 으로부터 노출되어 있고, 스핀들 (46) 의 기단부 (타단부) 에는 스핀들 (46) 을 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시하지 않음) 이 연결되어 있다. A processing unit (cutting unit) 42 that cuts a workpiece is fixed to a lower portion of the Z-
스핀들 (46) 의 선단부에는, 피가공물을 절삭하는 환상의 절삭 블레이드 (48) 가 장착된다. 절삭 블레이드 (48) 로는, 예를 들어 허브 타입의 절삭 블레이드 (허브 블레이드) 가 사용된다. 허브 블레이드는, 금속 등으로 이루어지는 환상의 기대와, 기대의 외주 가장자리를 따라 형성된 환상의 절삭날을 일체화함으로써 형성된다. 허브 블레이드의 절삭날은, 다이아몬드 등으로 이루어지는 지립과, 지립을 고정시키는 니켈 도금층 등의 결합재를 포함하는 전기 주조 지석 등에 의해 구성된다. 단, 절삭 블레이드 (48) 로서 와셔 타입의 절삭 블레이드 (와셔 블레이드) 를 사용할 수도 있다. 와셔 블레이드는, 지립과, 금속, 세라믹스, 수지 등으로 이루어지고 지립을 고정시키는 결합재를 포함하는 환상의 절삭날에 의해서만 구성된다. An
절삭 블레이드 (48) 는, 회전 구동원으로부터 스핀들 (46) 을 개재하여 전달되는 동력에 의해, Y 축 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레를 회전한다. 그리고, 가공 유닛 (42) 은, 절삭 블레이드 (48) 를 회전시키면서 척 테이블 (18) 에 의해 유지된 피가공물에 절입시킴으로써, 피가공물을 절삭한다. The
또, 가공 유닛 (42) 에는, 순수 등의 액체 (절삭액) 를 공급하는 노즐 (50) 이 설치되어 있다. 절삭 가공 중에는, 노즐 (50) 로부터 피가공물 및 절삭 블레이드 (48) 에 절삭액이 공급된다. 이에 따라, 피가공물 및 절삭 블레이드 (48) 가 냉각됨과 함께, 피가공물의 절삭에 의해 생긴 부스러기 (절삭 부스러기) 가 씻겨 내어진다. In addition, the
1 쌍의 가공 유닛 (42) 에는, 1 쌍의 절삭 블레이드 (48) 가 서로 대면하도록 장착된다. 즉, 절삭 장치 (2) 는 소위 페이싱 듀얼 스핀들 타입의 절삭 장치이다. 단, 절삭 장치 (2) 가 구비하는 절삭 유닛의 수는 1 세트여도 된다.A pair of cutting
가공 유닛 (42) 에 인접하는 위치에는, 피가공물을 촬상하는 촬상 유닛 (52) 이 설치되어 있다. 촬상 유닛 (52) 은, CCD (Charged-Coupled Devices) 센서, CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 센서 등의 이미지 센서를 구비하고, 척 테이블 (18) 에 의해 유지된 피가공물의 상면측을 촬상한다. 예를 들어 촬상 유닛 (52) 으로서, 가시광 카메라나 적외선 카메라가 사용된다. 촬상 유닛 (52) 에 의해 취득된 화상은, 피가공물과 가공 유닛 (42) 의 위치맞춤 등에 사용된다. At a position adjacent to the
이동 유닛 (24) 은, 가공 유닛 (42) 및 촬상 유닛 (52) 을 척 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 에 대하여 접근 및 이격시킨다. 구체적으로는, 이동 유닛 (24) 에 의해 Y 축 이동 플레이트 (28) 를 Y 축 방향을 따라 이동시키면, 척 테이블 (18) 과 가공 유닛 (42) 및 촬상 유닛 (52) 이 Y 축 방향을 따라 상대적으로 이동한다. 또, 이동 유닛 (24) 에 의해 Z 축 이동 플레이트 (36) 를 Z 축 방향을 따라 이동 (승강) 시키면, 척 테이블 (18) 과 가공 유닛 (42) 및 촬상 유닛 (52) 이 Z 축 방향을 따라 상대적으로 이동 (승강) 한다.The moving
절삭 장치 (2) 의 전면측에는, 절삭 장치 (2) 에 관한 정보를 표시하는 표시 유닛 (표시부, 표시 장치) (54) 이 설치되어 있다. 표시 유닛 (54) 은, 각종 디스플레이에 의해 구성되고, 피가공물의 가공에 관한 정보 (가공 조건, 가공 상황등) 등을 표시한다. 예를 들어 표시 유닛 (54) 으로서, 터치 패널식 디스플레이가 사용된다. 이 경우, 표시 유닛 (54) 은 절삭 장치 (2) 에 정보를 입력하기 위한 입력 유닛 (입력부, 입력 장치) 으로서도 기능하고, 오퍼레이터는 표시 유닛 (54) 의 터치 조작에 의해 절삭 장치 (2) 에 정보를 입력할 수 있다. 즉, 표시 유닛 (54) 은 사용자 인터페이스로서 기능한다.On the front side of the
절삭 장치 (2) 의 상부에는, 오퍼레이터에게 정보를 알리는 알림 유닛 (알림부, 알림 장치) (56) 이 설치되어 있다. 예를 들어, 알림 유닛 (56) 으로서 표시등 (경고등) 이 설치되고, 절삭 장치 (2) 에서 이상이 발생하면 표시등이 점등 또는 점멸하여 에러를 발한다. 단, 알림 유닛 (56) 의 종류에 제한은 없다. 예를 들어 알림 유닛 (56) 은, 소리 또는 음성으로 오퍼레이터에게 정보를 통지하는 스피커여도 된다. An upper part of the
또한, 절삭 장치 (2) 는, 절삭 장치 (2) 를 제어하는 제어 유닛 (제어부, 제어 장치) (58) 을 구비한다. 제어 유닛 (58) 은, 절삭 장치 (2) 를 구성하는 각 구성 요소 (이동 유닛 (6), 척 테이블 (18), 이동 유닛 (24), 가공 유닛 (42), 촬상 유닛 (52), 표시 유닛 (54), 알림 유닛 (56) 등) 에 접속되어 있다.In addition, the
제어 유닛 (58) 은, 절삭 장치 (2) 의 각 구성 요소에 제어 신호를 출력함으로써, 각 구성 요소의 동작을 제어하고, 절삭 장치 (2) 를 가동시킨다. 예를 들어 제어 유닛 (58) 은, 컴퓨터에 의해 구성되고, 절삭 장치 (2) 의 가동에 필요한 연산을 실시하는 CPU (Central Processing Unit) 등의 프로세서와, 절삭 장치 (2) 의 가동에 사용되는 각종 정보 (데이터, 프로그램 등) 를 기억하는 ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory) 등의 메모리를 포함한다.The
다음으로, 절삭 장치 (2) 에 의해 가공되는 피가공물의 구체예에 대해서 설명한다. 도 2(A) 및 도 2(B) 에, 2 종류의 피가공물을 나타낸다. 도 2(A) 는 구조물이 형성되어 있는 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이고, 도 2(B) 는 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물 (17) 을 나타내는 사시도이다.Next, specific examples of workpieces processed by the
도 2(A) 에 나타내는 피가공물 (11) 은, 예를 들어 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 원반상의 웨이퍼이며, 서로 대체로 평행한 표면 (제 1 면) (11a) 및 이면 (제 2 면) (11b) 을 포함한다. 또, 피가공물 (11) 은, 서로 교차하도록 격자상으로 배열된 스트리트 (분할 예정 라인) (13) 에 의해, 복수의 직사각형상의 영역으로 구획되어 있다. The
스트리트 (13) 에 의해 구획된 복수의 영역의 표면 (11a) 측에는 각각, 구조물 (15) 이 형성되어 있다. 즉, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에는, 복수의 구조물 (15) 에 의해 구성되는 패턴이 나타나 있다. 예를 들어 구조물 (15) 은, IC (Integrated Circuit), LSI (Large Scale Integration), LED (Light Emitting Diode), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 디바이스 등의 디바이스이다. 절삭 장치 (2) 로 피가공물 (11) 을 스트리트 (13) 를 따라 분할함으로써, 구조물 (15) (디바이스) 을 각각 구비하는 칩 (디바이스 칩) 이 제조된다.
단, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예를 들어 피가공물 (17) 은, 실리콘 이외의 반도체 (GaAs, InP, GaN, SiC 등), 사파이어, 유리, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 웨이퍼 (기판) 여도 된다. 또, 피가공물 (11) 에 형성되는 구조물 (15) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다. 예를 들어 구조물 (15) 은, 전극, 배선 등이어도 된다. However, the material, shape, structure, size, etc. of the
도 2(B) 에 나타내는 피가공물 (17) 은, 예를 들어 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 원반상의 웨이퍼이며, 서로 대체로 평행한 표면 (제 1 면) (17a) 및 이면 (제 2 면) (17b) 을 포함한다. 피가공물 (17) 의 표면 (17a) 및 이면 (17b) 에는, 평탄화 처리 및 경면 마무리 처리가 실시되어 있다. 즉, 표면 (17a) 및 이면 (17b) 은 평탄면 또한 경면이다. The
절삭 장치 (2) 로 피가공물 (17) 을 격자상으로 절삭하여 분할함으로써, 피가공물 (17) 의 개편에 상당하는 칩 (실리콘 칩) 이 제조된다. 예를 들어 실리콘 칩은, 적층된 복수의 디바이스 칩을 구비하는 적층 디바이스 칩의 제조에 사용된다. 구체적으로는, 적층된 디바이스 칩의 사이에, 디바이스 칩끼리를 분리하는 중간층으로서 실리콘 칩이 설치되는 경우가 있다.By cutting and dividing the
단, 피가공물 (17) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 피가공물 (17) 의 재질의 예는, 피가공물 (11) 과 동일하다. 예를 들어 피가공물 (17) 은, 석영 유리, 붕규산 유리, 플라스틱, 사파이어, 불화칼슘, 불화리튬, 불화마그네슘 등의 재료로 이루어지는 투명체 또는 반투명체여도 된다. 이 경우, 피가공물 (17) 을 분할함으로써, 투명 또는 반투명의 부품 (광학 부품 등) 이 제조된다. However, the material, shape, structure, size, etc. of the
상기와 같이, 피가공물 (11) 과 피가공물 (17) 은, 디바이스 등의 구조물이 형성되어 있는지 여부의 점에서 상이하다. 그리고, 절삭 장치 (2) (도 1 참조) 는, 피가공물 (11, 17) 과 같은 상이한 종류의 피가공물의 가공에 사용할 수 있으며, 피가공물의 종류마다 설정된 가공 조건으로 피가공물을 절삭한다.As described above, the to-
또한, 피가공물 (11) 의 취급 (반송, 유지 등) 의 편의를 위해서, 피가공물 (11) 은 환상의 프레임 (19) 에 의해 지지된다. 프레임 (19) 은, SUS (스테인리스강) 등의 금속으로 이루어지는 환상의 부재이다. 프레임 (19) 의 중앙부에는, 피가공물 (11) 보다 직경이 큰 원기둥 모양의 개구 (19a) 가, 프레임 (19) 을 두께 방향으로 관통하도록 형성되어 있다.In addition, for the convenience of handling (transportation, maintenance, etc.) of the
피가공물 (11) 및 프레임 (19) 에는, 테이프 (다이싱 테이프) (21) 가 첩부 (貼付) 된다. 테이프 (21) 는, 원형으로 형성된 필름상의 기재와, 기재 상에 형성된 점착층 (풀층) 을 포함한다. 예를 들어 기재는, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 수지로 이루어진다. 또, 점착층은, 에폭시계, 아크릴계, 또는 고무계의 접착제 등으로 이루어진다. 또한, 점착층은, 자외선의 조사에 의해 경화하는 자외선 경화형 수지여도 된다.A tape (dicing tape) 21 is attached to the
피가공물 (11) 이 프레임 (19) 의 개구 (19a) 의 내측에 배치된 상태에서, 테이프 (21) 의 중앙부가 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 첩부되고, 테이프 (21) 의 외주부가 프레임 (19) 에 첩부된다. 이에 따라, 피가공물 (11) 이 테이프 (21) 를 개재하여 프레임 (19) 에 의해 지지된다.In a state where the
절삭 장치 (2) 로 피가공물 (11) 을 절삭할 때에는, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (18) 에 의해 유지된다 (도 3 참조). 구체적으로는, 먼저, 피가공물 (11) 이 테이프 (21) 를 개재하여 유지면 (18a) 상에 배치된다. 또, 척 테이블 (18) 의 주위에는 복수의 클램프 (18b) 가 설치되어 있고, 프레임 (19) 이 복수의 클램프 (18b) 에 의해 파지되어, 고정된다. 그리고, 유지면 (18a) 에 흡인원의 흡인력 (부압) 을 작용시키면, 피가공물 (11) 이 테이프 (21) 를 개재하여 척 테이블 (18) 에 의해 흡인 유지된다. When cutting the
다음으로, 척 테이블 (18) 을 회전시켜, 소정의 스트리트 (13) 의 길이 방향을 X 축 방향에 맞춘다. 또, 절삭 블레이드 (48) 가 소정의 스트리트 (13) 의 연장선 상에 배치되도록, 가공 유닛 (42) 의 Y 축 방향에 있어서의 위치를 조정한다. 또한, 절삭 블레이드 (48) 의 하단이 피가공물 (11) 의 이면 (11b) (테이프 (21) 의 상면) 보다 하방에 배치되도록, 가공 유닛 (42) 의 높이를 조정한다.Next, the chuck table 18 is rotated to align the longitudinal direction of the
그리고, 절삭 블레이드 (48) 를 회전시키면서, 척 테이블 (18) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다. 이에 따라, 척 테이블 (18) 과 절삭 블레이드 (48) 가 X 축 방향을 따라 상대적으로 이동하고 (가공 이송), 절삭 블레이드 (48) 가 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 에 절입한다. 그 결과, 피가공물 (11) 이 스트리트 (13) 를 따라 절삭, 분할된다. 그 후, 동일한 순서를 반복함으로써, 모든 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 이 분할되고, 구조물 (15) 을 각각 구비하는 복수의 칩이 얻어진다. Then, while rotating the
절삭 장치 (2) 로 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 을 절삭할 때에는, 피가공물 (17) 도 피가공물 (11) 과 마찬가지로, 테이프 (21) 를 개재하여 프레임 (19) 에 의해 지지되고, 척 테이블 (18) 에 의해 유지된다 (도 3 참조). 그리고, 절삭 블레이드 (48) 를 회전시켜 피가공물 (17) 에 절입시킴으로써, 피가공물 (17) 이 복수의 칩으로 분할된다. When cutting the workpiece 17 (see FIG. 2(B)) with the
여기서, 구조물 (15) 이 형성되어 있는 피가공물 (11) (도 2(A) 참조) 을 절삭 장치 (2) 로 가공할 때에는, 피가공물 (11) 의 가공 전에, 척 테이블 (18) 에 의해 유지된 피가공물 (11) 이 촬상 유닛 (52) 에 의해 촬상되어, 구조물 (15) 의 위치가 검출된다. 또, 구조물 (15) 의 위치에 기초하여 스트리트 (13) 의 위치가 특정되고, 스트리트 (13) 를 따라 절삭 블레이드 (48) 가 절입하도록 피가공물 (11) 과 절삭 블레이드 (48) 의 위치 관계가 조절된다. 즉, 절삭 장치 (2) 는, 구조물의 위치를 검출하기 위한 촬상을 실시하는 동작 모드 (구조물 검출 모드) 로 가동한다. Here, when processing the
한편, 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 을 절삭 장치 (2) 로 가공할 때에는, 구조물의 위치에 기초하여 가공 영역을 특정할 수 없다. 그 때문에, 피가공물 (17) 의 형상, 치수 등에 따라 미리 가공 조건 (가공 영역의 위치, 간격 등) 이 선정되고, 절삭 장치 (2) 에 입력, 설정된다. 그리고, 절삭 장치 (2) 는, 설정된 가공 조건에 따라서 피가공물 (17) 을 절삭한다. 즉, 절삭 장치 (2) 는, 구조물의 위치를 검출하기 위한 촬상을 실시하지 않는 동작 모드 (구조물 비검출 모드) 로 가동한다. On the other hand, when processing a workpiece 17 (see FIG. 2(B) ) on which no structure is formed with the
그러나, 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물 (17) 을 가공하기 위해서 절삭 장치 (2) 가 구조물 비검출 모드로 설정되어 있는 경우에, 잘못해서 구조물 (15) 이 형성되어 있는 피가공물 (11) 이 절삭 장치 (2) 에 세트되면, 구조물 (15) 의 위치 검출 및 스트리트 (13) 의 특정이 실시되지 않은 채로 피가공물 (11) 의 절삭이 속행되어 버린다. 그 결과, 피가공물 (11) 에 구조물 (15) 의 배열을 무시한 가공이 실시되어, 불량품이 발생한다.However, when the
그래서, 본 실시형태에서는, 절삭 장치 (2) 가 구조물 비검출 모드로 가동하고 있는 경우에 있어서도, 피가공물이 가공 유닛 (42) 에 의해 가공되기 전에 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상하고, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정한다. 이에 따라, 구조물 (15) 이 형성되어 있는 피가공물 (11) 이, 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물 (17) 로서 가공되는 것을 회피할 수 있어, 불량품의 발생을 방지할 수 있다. Therefore, in the present embodiment, even when the
절삭 가공 시에 있어서의 절삭 장치 (2) 의 동작은, 제어 유닛 (58) 에 의해 제어된다. 도 3 은, 제어 유닛 (58) 을 나타내는 블록도이다. 또한, 도 3 에는, 제어 유닛 (58) 의 기능적 구성을 나타내는 블록에 더하여, 절삭 장치 (2) 의 일부의 구성 요소 (척 테이블 (18), 이동 유닛 (24), 가공 유닛 (42), 촬상 유닛 (52), 표시 유닛 (54), 알림 유닛 (56)) 의 모식도를 나타내고 있다. The operation of the
제어 유닛 (58) 은, 절삭 장치 (2) 의 가동에 필요한 처리를 실행하는 처리부 (60) 와, 처리부 (60) 에 의한 처리에 사용되는 정보 (데이터, 프로그램 등) 를 기억하는 기억부 (70) 를 포함한다. 또, 처리부 (60) 는, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 판정부 (62) 와, 판정부 (62) 에 의한 판정의 결과에 기초하여 절삭 장치 (2) 의 구성 요소를 구동시키는 구동 제어부 (68) 를 포함한다. The
피가공물 (피가공물 (11) 또는 피가공물 (17)) 이 척 테이블 (18) 에 의해 유지되면, 촬상 유닛 (52) 은 피가공물을 촬상하고, 피가공물의 화상 (촬상 화상) 을 취득한다. 그리고, 판정부 (62) 는, 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정한다.When the workpiece (
구체적으로는, 판정부 (62) 는, 촬상 화상의 콘트라스트를 검출하는 콘트라스트 검출부 (64) 를 포함한다. 콘트라스트 검출부 (64) 에는, 촬상 유닛 (52) 에 의해 취득된 촬상 화상이 입력된다. 그리고, 콘트라스트 검출부 (64) 는, 촬상 화상에 화상 처리를 실시하고, 촬상 화상의 콘트라스트를 산출한다. 또, 콘트라스트 검출부 (64) 는, 산출된 콘트라스트를 기억부 (70) 에 포함되는 콘트라스트 기억부 (72) 에 기억한다. Specifically, the
예를 들어, 이동 유닛 (24) 에 의해 촬상 유닛 (52) 을 Z 축 방향을 따라 승강시키고, 촬상 유닛 (52) 을 유지면 (18a) 에 대하여 접근 또는 이격시키면서, 유지면 (18a) 으로 유지된 피가공물을 촬상 유닛 (52) 에 의해 연속적으로 촬상한다. 이에 따라, 촬상 유닛 (52) 의 초점과 피가공물의 위치 관계가 상이한 조건으로 취득된 복수의 촬상 화상이, 콘트라스트 검출부 (64) 에 순차 입력된다. 그리고, 콘트라스트 검출부 (64) 는, 각 촬상 화상의 콘트라스트를 산출하여, 콘트라스트 기억부 (72) 에 기억한다. For example, the
또, 판정부 (62) 는, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞는지 여부를 판정하는 포커스 판정부 (66) 를 포함한다. 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 화상의 콘트라스트에 기초하여, 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상했을 때에 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞았는지 여부의 판정 (포커스 판정) 을 실시한다.Also, the
촬상 유닛 (52) 에 의해 취득되는 촬상 화상의 콘트라스트는, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피사체에 맞는 경우에 최대가 되고, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피사체에 맞지 않는 경우에는 낮아진다. 그래서, 예를 들어 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 화상의 콘트라스트가 극대값을 취하고, 또한, 소정의 임계값 이상인 경우에, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피사체에 맞은 것으로 판정한다.The contrast of a captured image obtained by the
구체적으로는, 콘트라스트 기억부 (72) 에 기억되어 있는 복수의 촬상 화상의 콘트라스트가, 포커스 판정부 (66) 에 입력된다. 또, 기억부 (70) 는 촬상 화상의 콘트라스트의 임계값을 기억하는 임계값 기억부 (74) 를 포함하고, 임계값 기억부 (74) 에 기억된 소정의 임계값이 포커스 판정부 (66) 에 입력된다. 그리고, 포커스 판정부 (66) 는, 콘트라스트의 추이에 극대값이 포함되는지 여부, 및, 극대값이 임계값 이상인지 여부를 판정한다. Specifically, the contrast of a plurality of captured images stored in the
콘트라스트의 추이에 극대값이 포함되고, 또한, 극대값이 임계값 이상인 경우에는, 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상했을 때에 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물에 맞았다고 판정한다. 한편, 콘트라스트의 추이에 극대값이 포함되지 않고, 또는, 극대값이 임계값 미만인 경우에는, 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상했을 때에 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물에 맞지 않았다고 판정한다.When the maximum value is included in the transition of the contrast and the maximum value is equal to or greater than the threshold value, the
예를 들어, 피가공물 (11) (도 2(A) 참조) 이 척 테이블 (18) 에 의해 유지되고 있는 경우, 촬상 유닛 (52) 은 피가공물 (11) 에 대하여 접근 또는 이격하면서, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측을 연속적으로 촬상한다. 그리고, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 에 형성되어 있는 구조물 (15) 에 맞은 타이밍에, 콘트라스트가 임계값 이상의 극대값을 취하는 촬상 화상이 취득된다. 이 경우, 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 맞아, 피가공물 (11) 에 구조물이 형성되어 있다고 판정한다. For example, when the workpiece 11 (see FIG. 2(A) ) is being held by the chuck table 18, the
한편, 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 이 척 테이블 (18) 에 의해 유지되고 있는 경우, 촬상 유닛 (52) 은 피가공물 (17) 에 대하여 접근 또는 이격하면서, 피가공물 (17) 의 표면 (17a) 측을 연속적으로 촬상한다. 그러나, 피가공물 (17) 의 표면 (17a) 에는 경면 처리가 실시되어 있고, 또한, 구조물이 형성되어 있지 않다. 그 때문에, 피가공물 (17) 의 표면 (17a) 측에는 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞는 피사체가 존재하지 않는다. 그 결과, 촬상 화상의 콘트라스트의 극대값이 검출되지 않고, 만일 극대값이 존재해도 임계값보다 낮아진다. 이 경우, 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물 (17) 의 표면 (17a) 측에 맞지 않아, 피가공물 (17) 에는 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정한다.On the other hand, when the workpiece 17 (see FIG. 2(B)) is held by the chuck table 18, the
상기와 같이, 판정부 (62) 는, 포커스 판정에 기초하여 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정한다. 또한, 상기에서는 촬상 화상의 콘트라스트에 기초하는 포커스 판정에 대해서 설명했지만, 포커스 판정에는 다른 수법을 사용해도 된다. As described above, the
판정부 (62) 에 의한 판정 결과는, 구동 제어부 (68) 에 출력된다. 구체적으로는, 포커스 판정부 (66) 는, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는 취지를 나타내는 신호, 또는, 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않은 취지를 나타내는 신호를, 판정 결과로서 구동 제어부 (68) 에 출력한다. 그리고, 구동 제어부 (68) 는, 판정부 (62) 의 판정 결과에 기초하여 절삭 장치 (2) 의 각 구성 요소의 동작을 제어한다. The determination result by the
예를 들어, 절삭 장치 (2) 로 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 을 가공할 때에는, 절삭 장치 (2) 가 구조물 비검출 모드로 가동하고, 피가공물 (17) 이 척 테이블 (18) 에 의해 유지된다. 또, 콘트라스트가 낮은 피가공물 (17) 의 촬상 화상이 취득되어, 판정부 (62) 는 피가공물 (17) 에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정한다. For example, when machining the workpiece 17 (see FIG. 2(B)) with the
그리고, 판정부 (62) 의 판정 결과가 입력된 구동 제어부 (68) 는, 절삭 장치 (2) 의 구성 요소 (이동 유닛 (6), 척 테이블 (18), 이동 유닛 (24), 가공 유닛 (42) 등) 에 제어 신호를 출력하고, 미리 설정된 조건으로 절삭 블레이드 (48) 를 피가공물 (17) 에 절입시킨다. 이에 따라, 피가공물 (17) 이 가공 유닛 (42) 에 의해 가공된다. Then, the driving
또, 절삭 장치 (2) 에 잘못해서 피가공물 (11) (도 2(A) 참조) 이 세트되면, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (18) 에 의해 유지되고, 촬상 유닛 (52) 에 의해 촬상된다. 이 경우에는, 콘트라스트가 임계값 이상의 극대값을 취하는 피가공물 (11) 의 촬상 화상이 취득되고, 판정부 (62) 는 피가공물 (11) 에 구조물이 형성되어 있다고 판정한다. In addition, if the workpiece 11 (see FIG. 2(A)) is accidentally set on the
그리고, 판정부 (62) 의 판정 결과가 입력된 구동 제어부 (68) 는, 예를 들어 표시 유닛 (54) 및 알림 유닛 (56) 에 제어 신호를 출력하고, 절삭 장치 (2) 에 의도하지 않는 피가공물이 세트되어 있는 취지를 통지하는 에러를 발신시킨다. 예를 들어, 구동 제어부 (68) 는, 표시 유닛 (54) 에 이상의 발생 및 내용을 알리는 메시지를 표시시킴과 함께, 알림 유닛 (56) 을 점등 또는 점멸시킨다. 이에 따라, 절삭 장치 (2) 에 잘못된 피가공물이 세트되어 있는 취지가 오퍼레이터에게 통지된다. Then, the
다음으로, 상기의 절삭 장치 (2) 를 사용하여 피가공물의 종류를 판정하는 피가공물의 판정 방법의 구체예에 대해서 설명한다. 도 4 는, 피가공물의 판정 방법을 나타내는 플로 차트이다. 이하에서는, 절삭 장치 (2) 에 의한 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 의 가공이 예정되고, 절삭 장치 (2) 가 구조물 비검출 모드로 설정되어 있는 경우에 대해서, 도 3 및 도 4 를 참조하면서 설명한다.Next, a specific example of a method for determining the type of a workpiece using the
먼저, 척 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 으로 피가공물을 유지하는 유지 스텝을 실시한다 (스텝 S1). 절삭 장치 (2) 에 예정대로 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 이 세트되어 있는 경우에는, 피가공물 (17) 이 척 테이블 (18) 로 반송된다. 그리고, 피가공물 (17) 은, 표면 (17a) 측이 상방으로 노출되고 이면 (17b) 측 (테이프 (21) 측) 이 유지면 (18a) 과 대면하도록, 척 테이블 (18) 에 의해 흡인 유지된다. First, a holding step of holding a workpiece on the holding
한편, 절삭 장치 (2) 에 잘못해서 피가공물 (11) (도 2(A) 참조) 이 세트되어 있는 경우에는, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (18) 로 반송된다. 그리고, 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 측 (구조물 (15) 측) 이 상방으로 노출되고 이면 (11b) 측 (테이프 (21) 측) 이 유지면 (18a) 에 대면하도록, 척 테이블 (18) 에 의해 흡인 유지된다. On the other hand, when the workpiece 11 (refer to FIG. 2(A)) is accidentally set on the
다음으로, 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 판정 스텝을 실시한다 (스텝 S2). 판정 스텝에서는, 이동 유닛 (24) 에 의해 촬상 유닛 (52) 을 Z 축 방향을 따라 승강시키고, 촬상 유닛 (52) 을 유지면 (18a) 에 대하여 접근 또는 이격시키면서, 유지면 (18a) 으로 유지된 피가공물을 촬상 유닛 (52) 에 의해 연속적으로 촬상한다. 그리고, 촬상 시에 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞지 않는 경우에는, 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정된다 (스텝 S3 에서 YES). 한편, 촬상 시에 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞는 경우에는, 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정된다 (스텝 S3 에서 NO). Next, based on the result of imaging the to-be-processed object with the
구체적으로는, 촬상 유닛 (52) 을 승강시키면서 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 복수 회 촬상하면, 콘트라스트가 상이한 복수의 촬상 화상이 취득된다. 그리고, 복수의 촬상 화상은 제어 유닛에 판정부 (62) 에 입력되고, 각 촬상 화상의 콘트라스트가 콘트라스트 검출부 (64) 에 의해 산출된다. 그리고, 산출된 콘트라스트의 값이 콘트라스트 기억부 (72) 에 기억된다. Specifically, when the object to be processed is captured multiple times with the
다음으로, 콘트라스트 기억부 (72) 로부터 포커스 판정부 (66) 에 촬상 화상의 콘트라스트가 입력됨과 함께, 임계값 기억부 (74) 로부터 포커스 판정부 (66) 에 콘트라스트의 임계값이 입력된다. 그리고, 포커스 판정부 (66) 는, 촬상 화상의 콘트라스트의 추이 및 임계값에 기초하여, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물에 맞았는지 여부를 판정한다. Next, the contrast of the captured image is input from the
여기서, 척 테이블 (18) 에 예정대로 피가공물 (17) (도 2(B) 참조) 이 유지되고 있는 경우에는, 촬상 유닛 (52) 을 승강시켜도 피가공물 (17) 의 표면 (17a) 측에서 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞지 않는다. 그 때문에, 포커스 판정부 (66) 는 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정하고, 판정 결과가 구동 제어부 (68) 에 출력된다. Here, in the case where the workpiece 17 (see FIG. 2(B) ) is held on the chuck table 18 as scheduled, even if the
한편, 척 테이블 (18) 에 잘못해서 피가공물 (11) (도 2(A) 참조) 이 유지되고 있는 경우에는, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 에 형성되어 있는 구조물 (15) 에 맞은 타이밍에, 콘트라스트가 임계값 이상의 극대값을 취하는 촬상 화상이 취득된다. 그 때문에, 포커스 판정부 (66) 는 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정하고, 판정 결과가 구동 제어부 (68) 에 출력된다.On the other hand, when the workpiece 11 (see FIG. 2(A)) is held by mistake on the chuck table 18, the focal point of the
또한, 판정 스텝에서는, 피가공물의 상이한 2 개 지점 이상의 영역이 촬상 유닛 (52) 에 의해 촬상되어도 된다. 구체적으로는, 1 회째 촬상 후, 척 테이블 (18) 의 X 축 방향에 있어서의 위치, 또는, 촬상 유닛 (52) 의 Y 축 방향에 있어서의 위치가 변경되고, 2 회째 촬상이 실시된다. 그 후, 동일한 작업을 반복함으로써, 3 회째 이후의 촬상이 실시된다. 이와 같이, 피가공물에 포함되는 복수의 지점을 촬상함으로써, 구조물의 간과가 방지된다.In addition, in the determination step, the
상기의 판정 스텝에 있어서의 구조물의 유무 판정은, 구조물 검출 모드에 있어서 실시되는 처리 (구조물 (15) 의 위치 검출 및 스트리트 (13) 의 특정) 와 비교해서 간략하다. 그 때문에, 구조물 비검출 모드에 있어서 판정 스텝이 추가되어도, 절삭 장치 (2) 에 의한 피가공물의 일련의 핸들링이 크게 정체되는 일은 없다. The determination of whether or not there is a structure in the above determination step is simpler compared to the processing performed in the structure detection mode (detection of the position of the
다음으로, 판정 스텝에 있어서의 판정 결과에 따른 처리를 실시한다 (처리 스텝). 예를 들어, 판정 스텝에 있어서 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정된 경우에는, 피가공물이 통상대로 가공된다. 한편, 판정 스텝에 있어서 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정된 경우에는, 에러가 발신된다.Next, processing according to the judgment result in the judgment step is performed (process step). For example, when it is determined in the determination step that no structure is formed in the workpiece, the workpiece is processed as usual. On the other hand, when it is determined in the determination step that a structure is formed in the workpiece, an error is transmitted.
척 테이블 (18) 에 예정대로 피가공물 (17) 이 유지되고 있으면, 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않음을 나타내는 판정 결과가 판정부 (62) 로부터 구동 제어부 (68) 에 출력된다 (스텝 S3 에서 YES). 이 경우, 구동 제어부 (68) 는, 이동 유닛 (6), 척 테이블 (18), 이동 유닛 (24), 가공 유닛 (42) 등에 제어 신호를 출력함으로써, 절삭 블레이드 (48) 를 피가공물 (17) 에 절입시키고, 가공 유닛 (42) 에 피가공물 (17) 을 가공시킨다 (스텝 S4).If the
한편, 척 테이블 (18) 에 잘못해서 피가공물 (11) 이 유지되고 있으면, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는 취지를 나타내는 판정 결과가 판정부 (62) 로부터 구동 제어부 (68) 에 출력된다 (스텝 S3로 NO). 이 경우, 구동 제어부 (68) 는, 가공 유닛 (42) 에 의한 피가공물 (11) 의 가공을 중지한다. 또, 구동 제어부 (68) 는, 표시 유닛 (54) 및 알림 유닛 (56) 에 제어 신호를 출력하고, 절삭 장치 (2) 에 잘못된 피가공물이 세트되어 있는 취지를 알리는 에러를 발신시킨다 (스텝 S5). On the other hand, if the
절삭 장치 (2) 가 에러를 발신하면, 이상을 해소하기 위한 조치가 취해진다 (스텝 S6). 예를 들어, 에러를 인식한 오퍼레이터가 절삭 장치 (2) 를 조작하여, 잘못해서 척 테이블 (18) 에 의해 유지되고 있는 피가공물 (11) 을 절삭 장치 (2) 로부터 꺼낸다. 또는, 절삭 장치 (2) 가 피가공물 (11) 을 가공하는 일 없이 자동으로 척 테이블 (18) 로부터 반출한다. 그 후, 다음의 피가공물이 척 테이블 (18) 로 반송된다 (스텝 S1). When the
상기의 일련의 스텝에 있어서의 제어 유닛 (58) 의 동작은, 기억부 (70) (메모리) 에 기억된 프로그램을 실행함으로써 실현된다. 구체적으로는, 기억부 (70) 에는, 스텝 S1 내지 스텝 S5 에 있어서의 처리를 기술하는 프로그램이 기억되고 있다. 그리고, 제어 유닛 (58) 은 기억부 (70) 로부터 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 절삭 장치 (2) 에 피가공물 (17) 의 반송, 판정, 가공 등을 실시시킨다. The operation of the
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 절삭 장치 (2) 및 피가공물의 판정 방법에서는, 촬상 유닛 (52) 으로 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부가 판정된다. 이에 따라, 구조물 (15) 이 형성되어 있는 피가공물 (11) 이, 잘못해서 구조물이 형성되어 있지 않은 피가공물 (17) 로서 가공되는 것을 회피하여, 불량품의 발생을 방지할 수 있다.As described above, in the
또한, 본 실시형태에서는, 촬상 유닛 (52) 의 초점이 맞는지 여부에 기초하여 피가공물의 종류를 판정하는 판정부 (62) 에 대해서 설명했지만, 판정부 (62) 는 다른 방법을 사용하여 피가공물의 종류를 판정해도 된다. 예를 들어 판정부 (62) 는, 촬상 유닛 (52) 에 의해 취득된 피가공물의 화상과 미리 준비된 참조용 화상을 비교하는 패턴 매칭에 의해, 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정할 수도 있다. In this embodiment, the
구체적으로는, 절삭 장치 (2) 에 의한 피가공물의 가공 전에, 미리 참조용 화상이 취득되고, 제어 유닛 (58) 의 기억부 (70) 에 기억된다. 예를 들어 참조용 화상은, 구조물 (15) 이 형성된 피가공물 (11) (도 2(A) 참조) 을 척 테이블 (18) 로 유지하고, 촬상 유닛 (52) 의 초점을 구조물 (15) 에 맞춘 상태에서, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측을 촬상 유닛 (52) 으로 촬상함으로써 취득된다. 즉, 참조용 화상은, 디바이스가 형성된 피가공물의 화상에 상당한다.Specifically, prior to machining of the workpiece by the
그 후, 가공 대상물인 피가공물이 척 테이블 (18) 에 의해 유지되고, 촬상 유닛 (52) 은 피가공물의 촬상 화상을 취득한다. 그리고, 판정부 (62) 는 촬상 화상과 참조용 화상을 비교하는 패턴 매칭을 실행하여, 피가공물의 종류를 판정한다. 구체적으로는, 판정부 (62) 는, 촬상 화상과 참조용 화상이 일치 또는 유사한 경우에는 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정하고, 촬상 화상과 참조용 화상이 비유사한 경우에는 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정한다. After that, the workpiece as the object to be processed is held by the chuck table 18, and the
또, 피가공물의 종류를 판정하는 타이밍은 자유롭게 설정할 수 있다. 예를 들어, 동종의 피가공물을 복수 장 수용하는 카세트가 절삭 장치 (2) 에 세트되는 경우에는, 카세트로부터 척 테이블 (18) 로 반송된 1 매째의 피가공물에 대하여판정이 실시된다. 단, 판정의 빈도에 제한은 없고, 예를 들어 척 테이블 (18) 에 피가공물이 반송될 때마다 판정을 실시해도 된다.In addition, the timing for determining the type of workpiece can be set freely. For example, when a cassette accommodating a plurality of workpieces of the same type is set in the
또한, 본 실시형태에 관련된 피가공물의 종류를 판정은, 절삭 장치 (2) 이외의 가공 장치에 있어서도 실시할 수 있다. 예를 들어, 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치에 있어서 피가공물 종류의 판정이 실시되어도 된다. 레이저 가공 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 피가공물에 레이저 빔을 조사하는 가공 유닛 (레이저 조사 유닛) 을 구비한다. 레이저 조사 유닛은, 소정의 파장의 레이저를 발진하는 레이저 발진기와, 레이저 발진기로부터 출사한 레이저 빔을 집광시키는 집광기를 구비한다. 레이저 조사 유닛으로부터 피가공물에 레이저 빔을 조사함으로써, 피가공물에 레이저 가공이 실시된다.In addition, the determination of the type of the workpiece according to the present embodiment can be performed also in a processing device other than the
레이저 가공 장치는, 절삭 장치 (2) 와 마찬가지로, 레이저 가공 장치의 각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛을 구비한다. 그리고, 레이저 가공 장치의 제어 유닛은, 제어 유닛 (58) (도 3 참조) 과 동일하게 구성된다. 이에 따라, 레이저 가공 장치에 의해 가공되는 피가공물에 디바이스 등의 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 것이 가능해진다. Like the
그 밖에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다. In addition, the structure, method, etc. related to the above embodiment can be appropriately changed and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
11 : 피가공물
11a : 표면 (제 1 면)
11b : 이면 (제 2 면)
13 : 스트리트 (분할 예정 라인)
15 : 구조물
17 : 피가공물
17a : 표면 (제 1 면)
17b : 이면 (제 2 면)
19 : 프레임
19a : 개구
21 : 테이프 (다이싱 테이프)
2 : 절삭 장치
4 : 기대
6 : 이동 유닛 (이동 기구)
8 : X 축 가이드 레일
10 : X 축 이동 테이블
12 : X 축 볼나사
14 : X 축 펄스 모터
16 : 테이블 베이스
18 : 척 테이블 (유지 테이블)
18a : 유지면
18b : 클램프
20 : 워터 케이스
22 : 지지 구조
24 : 이동 유닛 (이동 기구)
26 : Y 축 가이드 레일
28 : Y 축 이동 플레이트
30 : Y 축 볼나사
32 : Y 축 펄스 모터
34 : Z 축 가이드 레일
36 : Z 축 이동 플레이트
38 : Z 축 볼나사
40 : Z 축 펄스 모터
42 : 가공 유닛 (절삭 유닛)
44 : 하우징
46 : 스핀들
48 : 절삭 블레이드
50 : 노즐
52 : 촬상 유닛
54 : 표시 유닛 (표시부, 표시 장치)
56 : 알림 유닛 (알림부, 알림 장치)
58 : 제어 유닛 (제어부, 제어 장치)
60 : 처리부
62 : 판정부
64 : 콘트라스트 검출부
66 : 포커스 판정부
68 : 구동 제어부
70 : 기억부
72 : 콘트라스트 기억부
74 : 임계값 기억부 11: Workpiece
11a: surface (first surface)
11b: back side (second side)
13: Street (line to be divided)
15: structure
17: Workpiece
17a: surface (first surface)
17b: back side (second side)
19 : frame
19a: opening
21: tape (dicing tape)
2: cutting device
4: Expect
6: mobile unit (moving mechanism)
8: X axis guide rail
10: X-axis moving table
12: X axis ball screw
14: X axis pulse motor
16: table base
18: chuck table (retention table)
18a: holding surface
18b: clamp
20 : Water Case
22: support structure
24: mobile unit (moving mechanism)
26: Y axis guide rail
28: Y-axis moving plate
30: Y axis ball screw
32: Y axis pulse motor
34: Z axis guide rail
36: Z-axis moving plate
38: Z axis ball screw
40: Z axis pulse motor
42: processing unit (cutting unit)
44: housing
46: Spindle
48: cutting blade
50: nozzle
52: imaging unit
54: display unit (display unit, display device)
56: notification unit (notification unit, notification device)
58: control unit (control unit, control device)
60: processing unit
62: Judgment
64: contrast detection unit
66: focus determining unit
68: driving control unit
70: storage unit
72: contrast storage unit
74: threshold storage unit
Claims (6)
그 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 척 테이블과,
그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 촬상하는 촬상 유닛과,
그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
제어 유닛을 구비하고,
그 제어 유닛은, 그 촬상 유닛으로 그 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 것을 특징으로 하는 가공 장치. As a processing device for processing a workpiece,
A chuck table having a holding surface for holding the workpiece;
an imaging unit that captures an image of the workpiece held by the holding surface;
a processing unit for processing the workpiece held by the holding surface;
Equipped with a control unit,
The control unit determines whether or not a structure is formed in the workpiece based on a result of capturing an image of the workpiece with the imaging unit.
그 제어 유닛은, 그 촬상 유닛을 그 유지면에 대하여 접근 또는 이격시키면서 그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 그 촬상 유닛으로 촬상했을 때에, 그 촬상 유닛의 초점이 맞지 않는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정하고, 그 촬상 유닛의 초점이 맞는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정하는 것을 특징으로 하는 가공 장치. According to claim 1,
The control unit approaches or separates the image pickup unit from the holding surface, and when the image pickup unit captures an image of the workpiece held by the holding surface, if the image pickup unit is out of focus, the workpiece A processing apparatus that determines that no structure is formed and, when the imaging unit is focused, determines that a structure is formed in the workpiece.
그 제어 유닛이 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정한 경우에는 그 가공 유닛으로 그 피가공물을 가공하고, 그 제어 유닛이 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정한 경우에는 에러를 발하는 것을 특징으로 하는 가공 장치. According to claim 1 or 2,
To process the workpiece with the machining unit when the control unit determines that no structure is formed on the workpiece, and to generate an error when the control unit determines that a structure is formed on the workpiece. characterized processing equipment.
척 테이블의 유지면으로 그 피가공물을 유지하는 유지 스텝과,
그 유지 스텝 후, 촬상 유닛으로 그 피가공물을 촬상한 결과에 기초하여, 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있는지 여부를 판정하는 판정 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 판정 방법. As a method for judging a workpiece for determining the type of a workpiece,
a holding step for holding the workpiece on the holding surface of the chuck table;
After the maintenance step, a determination step of determining whether or not a structure is formed in the workpiece based on a result of capturing an image of the workpiece with an imaging unit is included.
그 판정 스텝에서는, 그 촬상 유닛을 그 유지면에 대하여 접근 또는 이격시키면서 그 유지면으로 유지된 그 피가공물을 그 촬상 유닛으로 촬상하고, 그 촬상 유닛의 초점이 맞지 않는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정하고, 그 촬상 유닛의 초점이 맞는 경우에는 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 판정 방법.According to claim 4,
In the judgment step, the imaging unit is brought closer to or separated from the holding surface while capturing an image of the workpiece held by the holding surface with the imaging unit, and when the imaging unit is out of focus, a structure A method for judging a workpiece characterized in that it is determined that the workpiece is not formed, and when the imaging unit is focused, it is determined that a structure is formed on the workpiece.
그 판정 스텝 후, 그 판정 스텝에 있어서 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있지 않다고 판정된 경우에는 그 피가공물을 가공하고, 그 판정 스텝에 있어서 그 피가공물에 구조물이 형성되어 있다고 판정된 경우에는 에러를 발하는 처리 스텝을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 판정 방법. According to claim 4 or 5,
After the judgment step, if it is determined in the judgment step that no structure is formed in the workpiece, the workpiece is processed, and if it is determined in the judgment step that a structure is formed in the workpiece, an error is made. A method for judging a workpiece characterized in that it further comprises a processing step for issuing.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021194642A JP2023081008A (en) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | Processing device and determination method of workpiece |
JPJP-P-2021-194642 | 2021-11-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230081613A true KR20230081613A (en) | 2023-06-07 |
Family
ID=86513666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220142662A KR20230081613A (en) | 2021-11-30 | 2022-10-31 | Processing apparatus, and method of determining a workpiece |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023081008A (en) |
KR (1) | KR20230081613A (en) |
CN (1) | CN116197803A (en) |
TW (1) | TW202322975A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009090389A (en) | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer grinder |
JP2011159823A (en) | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
-
2021
- 2021-11-30 JP JP2021194642A patent/JP2023081008A/en active Pending
-
2022
- 2022-10-31 KR KR1020220142662A patent/KR20230081613A/en unknown
- 2022-11-24 CN CN202211480898.8A patent/CN116197803A/en active Pending
- 2022-11-25 TW TW111145286A patent/TW202322975A/en unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009090389A (en) | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer grinder |
JP2011159823A (en) | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023081008A (en) | 2023-06-09 |
CN116197803A (en) | 2023-06-02 |
TW202322975A (en) | 2023-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5198203B2 (en) | Processing equipment | |
US7655541B2 (en) | Wafer processing method and laser processing apparatus | |
US7625810B2 (en) | Wafer processing method | |
KR20170116580A (en) | Wafer producing mathod and method for detecting processing feed direction | |
US10799987B2 (en) | Laser processing apparatus | |
KR20130121718A (en) | Laser machining apparatus and laser machining method | |
CN108511382B (en) | Application method of electrostatic chuck workbench | |
JP2013202646A (en) | Laser beam machining method | |
JP2021027071A (en) | Laser processing device | |
KR20230081613A (en) | Processing apparatus, and method of determining a workpiece | |
US20230022951A1 (en) | Laser processing apparatus | |
JP2011056576A (en) | Method for working planar object | |
CN114734332A (en) | Grinding device | |
CN112908891A (en) | Processing device | |
JP2010040727A (en) | Method of dividing plate-like body | |
US20230364707A1 (en) | Laser processing apparatus | |
CN110571146B (en) | Method for processing rectangular workpiece | |
US20230294230A1 (en) | Treatment method of workpiece | |
US20220258369A1 (en) | Method of processing workpiece | |
JP2023091817A (en) | Cutting device | |
JP2024004575A (en) | Laser processing device | |
JP2022030668A (en) | Image processing method | |
KR20230171386A (en) | Processing apparatus | |
JP2022188409A (en) | Processing device and registration method of street detection condition | |
JP2023159511A (en) | holding unit |