KR20230076737A - 코팅을 가진 광학 어셈블리 및 사용 방법 - Google Patents

코팅을 가진 광학 어셈블리 및 사용 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230076737A
KR20230076737A KR1020220087751A KR20220087751A KR20230076737A KR 20230076737 A KR20230076737 A KR 20230076737A KR 1020220087751 A KR1020220087751 A KR 1020220087751A KR 20220087751 A KR20220087751 A KR 20220087751A KR 20230076737 A KR20230076737 A KR 20230076737A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanotubes
coating layer
carbide
layer
euv
Prior art date
Application number
KR1020220087751A
Other languages
English (en)
Inventor
웨이-하오 리
페이-청 수
후안-링 리
타-청 리엔
신-창 리
친-시앙 린
Original Assignee
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 filed Critical 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20230076737A publication Critical patent/KR20230076737A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

코팅된 나노튜브 및 나노튜브 번들이 EUV 포토리소그래피 시스템의 광학 어셈블리에 유용한 멤브레인 내로 형성된다. 이들 광학 어셈블리는 반도체 기판 상에 재료를 패터닝하는 방법에 유용하다. 이러한 방법은 UV 리소그래피 시스템에서 UV 복사선을 생성하는 단계를 포함한다. UV 복사선은 광학 어셈블리, 예를 들어 펠리클 어셈블리의 코팅 층을 통과한다. 코팅 층을 통과한 UV 복사선은 개별 나노튜브의 매트릭스 또는 나노튜브 번들의 매트릭스를 통과한다. 개별 나노튜브의 매트릭스 또는 나노튜브 번들의 매트릭스를 통과한 UV 복사선은 마스크로부터 반사되어 반도체 기판에서 수신된다.

Description

코팅을 가진 광학 어셈블리 및 사용 방법{OPTICAL ASSEMBLY WITH COATING AND METHODS OF USE}
우선권 주장 및 상호 참조
본 출원은 2021년 11월 24일에 출원된 미국 가특허 출원 번호 63/283,088의 이익을 주장하며, 이 출원은 여기에 참조로 통합된다.
기술분야
본 개시 내용은 자외선 및 극자외선 리소그래피의 분야에 관련된 것이며, 자외선 및 극자외선 리소그래피에 사용되는 광학 어셈블리에 관련된 것이다.
반도체 집적 회로(IC) 업계에서, IC 재료 및 설계의 기술적 발전으로 인해, 각 세대가 이전 세대보다 더 작고 복잡한 회로를 갖는 IC 세대가 생성되었다. IC 진화 과정에서, 기능 밀도(functional density)(즉, 칩 면적당 상호접속된 디바이스들의 수)는 일반적으로 증가한 반면 기하학적 구조 사이즈(geometry size)(즉, 제조 공정을 사용하여 생성될 수 있는 최소 컴포넌트(또는 라인))는 감소했다. 이러한 스케일링 다운(scaling down) 공정은 일반적으로 생산 효율을 높이고 관련 비용을 낮추는 이점을 제공한다. 이러한 스케일링 다운은 또한 IC 처리 및 제조의 복잡성도 증가시켰다.
포토리소그래피 공정은 에칭 또는 이온 주입과 같은 다양한 패터닝 공정을 위해 패터닝된 레지스트 층을 형성한다. 이러한 리소그래피 공정을 통해 패터닝될 수 있는 최소 피처 사이즈(minimum feature size)는 투영된 복사선 소스의 파장에 의해 제한된다. 리소그래피 머신은 365 나노미터의 파장을 가진 자외선광을 사용하는 것으로부터, 248 나노미터의 불화크립톤 레이저(KrF 레이저) 및 193 나노미터의 불화아르곤 레이저(ArF 레이저)를 포함한 심자외선(deep ultraviolet)(DUV) 광을 사용하는 것으로, 그리고 13.5 나노미터의 파장의 극자외선(extreme ultraviolet)(EUV) 광을 사용하는 것으로 변경되어, 모든 단계에서 분해능을 향상시켰다.
포토리소그래피 공정에서는 포토마스크(또는 마스크)가 사용된다. 마스크는 기판, 및 포토리소그래피 공정 동안 반도체 기판에 전사될 집적 회로를 정의하는 패터닝된 층을 포함한다. 마스크는 일반적으로 펠리클 어셈블리(pellicle assembly)와 함께 포함되며, 이는 집합적으로 마스크 시스템(mask system)이라고 지칭된다. 펠리클 어셈블리는 투명한 박막 멤브레인과 펠리클 프레임을 포함하며, 여기서 멤브레인은 펠리클 프레임 위에 장착된다. 펠리클은 낙하 입자로부터 마스크를 보호하고, 이들 입자가 초점을 벗어나게 하여, 마스크를 사용 중인 경우에 패터닝된 반도체 기판에 결함을 일으킬 수 있는 패터닝된 이미지를 생성하지 않도록 한다. 멤브레인은 일반적으로 펠리클 프레임 위에 신장되어 장착되며, 글루(glue) 또는 다른 접착제에 의해 펠리클 프레임에 부착된다. 마스크, 멤브레인, 및 펠리클 프레임에 의해 내부 공간이 형성될 수 있다.
도 1은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 개시 내용의 실시예에서 사용하기 위한 마스크의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 각각 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 마스크 펠리클 시스템의 평면도, 사시도, 및 A-A′ 라인에 따른 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본원에 기술된 실시예에 따른 몇몇 펠리클 멤브레인의 개략적인 단면도이다.
도 5a는 본 개시 내용의 실시예에 따른 커버 층이 일부 제거된 나노튜브의 개략적인 사시도이다.
도 5b는 본 개시 내용의 실시예에 따른 나노튜브의 외부 표면 및 내부 표면 상의 커버 층을 도시한 것이다.
도 5c는 본 개시 내용의 실시예에 따라 일부 제거된 커버 층과 접착 층을 포함하는 나노튜브의 개략적인 사시도이다.
도 6a는 본 개시 내용의 실시예에 따른 나노튜브 번들의 개략도이다.
도 6b는 본 개시 내용의 실시예에 따른 커버층을 포함하는 나노튜브 번들의 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 개시 내용의 실시예에 따른 코팅되지 않은 나노튜브 및 코팅 층 퇴적 후의 나노튜브의 개략적인 예시이다.
도 8은 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 방법을 도시한 흐름도이다.
도 9는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 방법을 도시한 흐름도이다.
도 10은 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 나노튜브에 보호 층 또는 코팅 층을 도포하기 위한 시스템의 개략도이다.
도 11은 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 방법을 도시한 흐름도이다.
도 12는 본 개시 내용의 실시예에 따른 유용한 나노튜브 구조물의 코어-쉘 구성의 개략적인 예시이다.
이하의 설명에서는 집적 회로 다이 내의 다양한 층 및 구조물에 대한 두께 및 재료가 기술될 수 있다. 특정 치수 및 재료는 다양한 실시예에 대한 예로서 제공된다. 본 기술 분야의 기술자는 본 개시 내용에 비추어, 많은 경우에 본 개시 내용의 범위를 벗어나지 않고 다른 치수 및 재료가 사용될 수 있음을 인식할 것이다.
이하의 개시 내용은 기술된 발명의 대상의 상이한 피처들을 구현하기 위한 많은 상이한 실시예 또는 예를 제공한다. 이하에서는 본 설명을 단순화하기 위해 특정 예의 컴포넌트 및 배열체가 기술된다. 이들은 물론 예에 불과할 뿐이며 제한하려는 것이 아니다. 예를 들어, 이하의 설명에서 제2 피처 위에 또는 제2 피처 상에 제1 피처를 형성하는 것은 제1 피처와 제2 피처가 직접 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수 있고, 또한 제1 피처와 제2 피처가 직접 접촉하지 않을 수 있도록 제1 피처와 제2 피처 사이에 추가적인 피처가 형성될 수 있는 실시예를 포함할 수 있다. 또한, 본 개시 내용은 다양한 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복할 수 있다. 이러한 반복은 단순성 및 명확성을 위한 것이며, 그 자체가 논의된 다양한 실시예들 및/또는 구성들 간의 관계를 나타내는 것은 아니다.
또한, "바로 아래", "아래", "하부", "위", "상부" 등과 같은 공간 관련 용어는 본원에서 하나의 요소 또는 피처의 다른 요소(들) 또는 피처(들)에 대한 관계를 도면에 도시한 바와 같이 기술하기 위한 설명의 편의를 위해 사용될 수 있다. 이들 공간 관련 용어는 도면에 도시된 방향 외에도 사용 중인 또는 동작 중인 디바이스의 다양한 방향을 포함하도록 의도된다. 장치는 다른 방식으로 배향될 수 있고(90도 또는 다른 방향으로 회전될 수 있고), 그에 따라 본원에서 사용되는 공간 관련 서술자가 마찬가지로 해석될 수 있다.
"수직 방향" 및 "수평 방향"은 상대적인 방향을 나타내는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 수평 방향은 수직 방향에 실질적으로 수직인 것으로 이해되어야 하고 그 반대도 마찬가지이다. 그럼에도 불구하고, 기술된 실시예 및 양태는, 수직 방향으로 지칭되는 치수가 수평으로 배향되고 동시에 수평 방향으로 지칭되는 치수가 수직으로 배향되도록, 그 전체가 회전될 수 있으며, 이는 본 개시 내용의 범위 내에 속한다.
이하의 설명에서는, 본 개시 내용의 다양한 실시예의 완전한 이해를 제공하기 위해 특정 세부 사항들이 제시되고 있다. 그러나, 본 기술 분야의 기술자는 본 개시 내용이 이들 특정 세부 사항 없이도 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 다른 사례에서, 전자 컴포넌트 및 제조 기법과 관련된 널리 알려진 구조물은 본 개시 내용의 실시예의 설명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 상세히 설명되지 않았다.
문맥이 달리 요구하지 않는 한, 본 명세서 및 후속하는 청구항 전체에서, "포함한다" 및 그 변형, 예를 들어, "포함하는"과 같은 단어는 개방적이고 포괄적인 의미, 즉 "구비하지만 이에 제한되는 것은 아닌 것"으로 해석되어야 한다.
제1, 제2 및 제3과 같은 서수의 사용은 반드시 순위 의미의 순서를 의미하는 것은 아니며, 동작 또는 구조물의 여러 사례를 구별만 할 수 있을 뿐이다.
본 명세서 전체에 걸쳐 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급은 그 실시예와 관련하여 설명된 특정 피처, 구조물 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 곳에서 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"라는 표현은 모두가 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정 피처, 구조물, 또는 특성은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적절한 방식으로 결합될 수 있다.
본 명세서 및 첨부된 청구항에 사용되는 바와 같이, 단수 형태는 내용상 명확하게 달리 지시하지 않는 한 복수의 대상을 포함한다. 용어 "또는"은 또한 일반적으로 내용상 명확하게 달리 지시하지 않는 한 "및/또는"을 포함하는 의미로 사용된다는 점에 주목해야 한다.
본 개시 내용에 따른 실시예는, UV 또는 EUV 복사선을 투과하고 리소그래피 시스템의 UV 또는 EUV 반사 컴포넌트를 보호하기에 적합한 광학 어셈블리를 제공한다. 이들 광학 어셈블리는 바람직한 UV/EUV 투과 레벨을 나타내고, 광학 어셈블리로부터의 열 전달을 촉진시킨다. 광학 어셈블리는 또한 수소, 산소 및 H+ 가스와 같은 가스 노출로 인한 손상에 대한 저항성을 갖는다. 일부 실시예에서, 광학 어셈블리는 펠리클을 포함하거나 펠리클 자체인 리소그래피 마스크이다.
전술 및 후술되는 바와 같은 본 개시 내용에 따른 실시예의 다양한 이점 및 목적은 본 개시 내용의 양태에 따라 복수의 나노튜브 번들의 매트릭스 또는 개별 나노튜브의 매트릭스를 포함하는 광학 어셈블리를 제공함으로써 달성된다. 일부 실시예에서, EUV 처리 동안 투명 층이 노출될 수 있는 수소 및 산소 라디칼로부터 광학 어셈블리의 투명 층을 보호하는 코팅 층이 제공된다. 일부 실시예에서, 번들의 나노튜브 또는 개별 나노튜브는 코어 쉘 구조(core shell structure)를 갖는다. 일부 실시예에 따르면, 개별 나노튜브는 나노튜브를 보호하기 위해 코팅 층으로 코팅된다. 다른 실시예에서, 나노튜브 번들은 코팅 층으로 코팅되지만; 나노튜브 번들의 개별 나노튜브는 코팅 층으로 개별적으로 코팅되지는 않는다. 다른 실시예에서, 나노튜브 번들의 개별 나노튜브는 코팅 층으로 코팅되고, 나노튜브 번들은 이러한 코팅된 개별 나노튜브로부터 형성된다. 나노튜브가 코어 쉘 구조를 갖는 경우, 나노튜브의 쉘은 EUV 투과성 보호 코팅 층으로 코팅된다. 이들 광학 어셈블리는 반도체 기판 상에 재료를 패터닝하는 방법에 유용하다. 이러한 방법은 UV 리소그래피 시스템에서 UV 복사선을 생성하는 단계를 포함한다. UV 복사선은 광학 어셈블리, 예를 들어, 펠리클 어셈블리의 코팅 층을 통과한다. 일부 실시예에서, 코팅 층을 통과한 UV 복사선은 개별 나노튜브의 매트릭스 또는 나노튜브 번들의 매트릭스를 통과한다. 개별 나노튜브의 매트릭스 또는 나노튜브 번들의 매트릭스를 통과한 UV 복사선은 마스크에서 반사되어 반도체 기판에 수신된다. 다른 실시예에 따르면, 코팅 층은 나노튜브 또는 나노튜브의 번들을 포함하거나 포함하지 않을 수 있는 펠리클 어셈블리의 투명 층에 도포된다. 코팅 층에 사용되는 재료는 EUV 공정에서 사용되는 산소 또는 수소 라디칼과 같은 라디칼로부터 EUV 마스크의 펠리클과 같은 매트릭스 또는 멤브레인을 포함하는 나노튜브를 보호한다. 일부 실시예에서, 코팅 층의 재료는, 코팅 층의 재료를 통한 EUV % 투과율이 상대적으로 낮도록 선택되어, 그 재료는 투명 층을 보호할 목적으로 상대적으로 더 두꺼운 코팅을 제공할 수 있고 EUV 마스크의 수명을 연장한다는 관점에서 재료를 우수한 선택이 된다.
일부 실시예에 따른 리소그래피 시스템(100)의 개략도가 도 1에 도시되어 있다. 리소그래피 시스템(100)은 또한 일반적으로 특정 노광 모드에서 각각의 복사선 소스를 이용한 노광을 포함하는 리소그래피 공정을 수행하도록 동작가능한 스캐너로 지칭될 수 있다. 본 실시예 중 적어도 일부의 실시예에서, 리소그래피 시스템(100)은 레지스트 층을 UV 복사선, 즉 UV 광으로 노광하도록 설계된 자외선(UV) 리소그래피 시스템을 포함한다. 이를 고려하여, 다양한 실시예에서, 레지스트 층은 UV 광에 대한 민감성 재료(예를 들어, UV 레지스트)를 포함한다. 도 1의 리소그래피 시스템(100)은 복수의 서브시스템, 예를 들어, 복사선 소스(102), 조명기(104), 마스크(108)를 수용하도록 구성된 마스크 스테이지(106), 투영 광학계(110), 및 반도체 기판(116)을 수용하도록 구성된 기판 스테이지(118)를 포함한다. 본 개시 내용의 실시예에 따른 UV 포토리소그래피 시스템에 대한 이하의 설명은 자외선 복사선에 대한 예로서 극자외선 복사선을 참조한다. 본 개시 내용에 따른 실시예는 극자외선 복사선 리소그래피 시스템으로 제한되지는 않는다. 다시 말해서, 극자외선 리소그래피 시스템과 관련하여 기술된 실시예는 자외선 복사선을 활용하는 실시예를 포함한다. 리소그래피 시스템(100)의 동작에 대한 일반적인 설명은 다음과 같다: 복사선 소스(102)로부터의 EUV 광은 조명기(104)(반사 미러 세트를 포함함)를 향해 지향되고 반사 마스크(108) 상으로 투영된다. 반사된 마스크 이미지는 투영 광학계(110)를 향해 지향되고, 투영 광학계(110)는 EUV 광의 초점을 맞추고 EUV 광을 반도체 기판(116) 상에 투영하여 반도체 기판(116) 상에 퇴적된 EUV 레지스트 층을 노출시킨다. 추가적으로, 다양한 예에서, 리소그래피 시스템(100)의 각 서브시스템은, 예를 들어, 고진공 환경에 수용될 수 있고, 따라서 그 내부에서 동작하여 EUV 광의 대기 흡수를 감소시킬 수 있다.
본원에 기술된 실시예에서, 복사선 소스(102)는 EUV 광을 생성하는 데 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 복사선 소스(102)는, 예를 들어, 방전 발생형 플라즈마(discharge produced plasma)(DPP) 또는 레이저 발생형 플라즈마(laser produced plasma)(LPP)와 같은 플라즈마 소스를 포함한다. 일부 예에서, EUV 광은 약 1 ㎚ 내지 약 100 ㎚ 범위의 파장을 갖는 광을 포함할 수 있다. 하나의 특정 예에서, 복사선 소스(102)는 약 13.5 ㎚에 중심을 둔 파장을 갖는 EUV 광을 생성한다. 따라서, 복사선 소스(102)는 또한 EUV 복사선 소스(102)로 지칭될 수 있다. 일부 실시예에서, 복사선 소스(102)는 또한, 플라즈마 소스로부터 생성된 EUV 광을 수집하고, 수집된 EUV 광을 조명기(104)와 같은 이미징 광학계를 향해 지향시키는 데 사용될 수 있는 콜렉터(collector)를 포함한다.
위에서 기술된 바와 같이, 복사선 소스(102)로부터의 EUV 광은 조명기(104)를 향해 지향된다. 일부 실시예에서, 조명기(104)는 (예를 들어, EUV 리소그래피 시스템(100)을 위한) 반사 광학계, 예를 들어, 복사선 소스(102)로부터의 광을 마스크 스테이지(106) 상으로, 그리고 특히 마스크 스테이지(106)에 고정된 마스크(108)로 지향시키기 위해 단일 미러, 또는 다수의 미러를 갖는 미러 시스템을 포함할 수 있다. 일부 예에서, 조명기(104)는, 예를 들어, EUV 광의 초점을 개선하기 위한 존 플레이트(zone plate)(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 조명기(104)는 특정 동공 형상에 따라 그곳을 통과하는 EUV 광을 성형하도록 구성될 수 있으며, 예를 들어, 쌍극자 형상, 사중극자 형상, 환형 형상, 단일 빔 형상, 다중 빔 형상, 및/또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 조명기(104)는 마스크(108)에 원하는 조명을 제공하기 위한 미러(즉, 조명기(104)의 미러)를 구성하도록 동작 가능하다. 일 예에서, 조명기(104)의 미러는 EUV 광을 다양한 조명 위치로 반사시키도록 구성 가능하다. 일부 실시예에서, 조명기(104) 이전의 스테이지(도시되지 않음)는 EUV 광을 조명기(104)의 미러 내의 다양한 조명 위치로 지향시키는 데 사용될 수 있는 다른 구성 가능한 미러를 추가로 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 조명기(104)는 마스크(108)에 축상 조명(on-axis illumination)(ONI)을 제공하도록 구성된다. 일부 실시예에서, 조명기(104)는 마스크(108)에 축외 조명(OAI)을 제공하도록 구성된다. EUV 리소그래피 시스템(100)에 이용되는 광학계, 및 특히 조명기(104) 및 투영 광학계(110)에 사용되는 광학계는 브래그 반사기로 알려진 다층 박막 코팅을 갖는 미러를 포함할 수 있다는 점에 주목해야 한다. 예로서, 이러한 다층 박막 코팅은, EUV 파장(예를 들어, 약 13 ㎚)에서 고반사율을 제공하는 Mo와 Si의 교번 층을 포함할 수 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 리소그래피 시스템(100)은 또한 리소그래피 시스템 내에 마스크(108)를 고정하도록 구성된 마스크 스테이지(106)를 포함한다. 리소그래피 시스템(100)이 고진공 환경에 수용되어 그 내부에서 동작할 수 있기 때문에, 마스크 스테이지(106)는 마스크(108)를 고정하기 위한 정전 척(electrostatic chuck)(e-chuck)을 포함할 수 있다. EUV 리소그래피 시스템(100)의 광학계에서와 마찬가지로, 마스크(108)는 또한 반사성이다. 마스크(108)의 세부 사항은 도 2의 예를 참조하여 아래에서 더 상세히 논의된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 광은 마스크(108)로부터 반사되어 마스크(108)로부터 반사된 EUV 광을 수집하는 투영 광학계(110)를 향해 지향된다. 예로서, (마스크(108)로부터 반사되어) 투영 광학계(110)에 의해 수집된 EUV 광은 마스크(108)에 의해 정의된 패턴의 이미지를 운반한다. 다양한 실시예에서, 투영 광학계(110)는 리소그래피 시스템(100)의 기판 스테이지(118) 상에 고정된 반도체 기판(116) 상에 마스크(108)의 패턴을 이미징하기 위해 제공된다. 특히, 다양한 실시예에서, 투영 광학계(110)는 수집된 EUV 광의 초점을 맞추고, EUV 광을 반도체 기판(116) 상에 투영하여 반도체 기판(116) 상에 퇴적된 EUV 레지스트 층을 노출시킨다. 전술한 바와 같이, 투영 광학계(110)는 리소그래피 시스템(100)과 같은 EUV 리소그래피 시스템에서 사용되는 반사 광학계를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 조명기(104) 및 투영 광학계(110)는 집합적으로 리소그래피 시스템(100)의 광학 모듈로 지칭된다.
위에서 논의된 바와 같이, 리소그래피 시스템(100)은 또한 패터닝될 반도체 기판(116)을 고정하기 위한 기판 스테이지(118)를 포함한다. 다양한 실시예에서, 반도체 기판(116)은 반도체 웨이퍼, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 게르마늄 웨이퍼, 실리콘-게르마늄 웨이퍼, III-V 웨이퍼, 또는 다른 타입의 웨이퍼를 포함한다. 반도체 기판(116)은 EUV 광에 대해 민감성인 레지스트 층(예를 들어, EUV 레지스트 층)으로 코팅될 수 있다. EUV 레지스트는 엄격한 성능 표준을 가질 수 있다. 예시의 목적을 위해, EUV 레지스트는 적어도 약 22㎚의 분해능, 적어도 약 2㎚의 선폭 거칠기(line-width roughness)(LWR), 및 적어도 약 15mJ/cm2의 감도를 제공하도록 설계될 수 있다. 본원에 기술된 실시예에서, 위에서 기술된 것을 포함하는 리소그래피 시스템(100)의 다양한 서브시스템이 통합되고, EUV 리소그래피 공정을 포함하는 리소그래피 노광 공정을 수행하도록 동작 가능하다. 확실히, 리소그래피 시스템(100)은 본원에 기술된 하나 이상의 서브시스템 또는 컴포넌트와 통합(또는 연결)될 수 있는 다른 모듈 또는 서브시스템을 더 포함할 수 있다.
리소그래피 시스템은 다른 컴포넌트를 포함할 수도 있고 다른 대안을 가질 수도 있다. 일부 실시예에서, 리소그래피 시스템(100)은, 마스크(108)로부터 지향된 EUV 광의 광학 위상을 변조하여, EUV 광이 투영 동공 평면(114)을 따라 위상 분포를 갖도록 하기 위한 동공 위상 변조기(112)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 동공 위상 변조기(112)는 위상 변조를 위해 투영 광학계(110)의 반사 미러를 조정하기 위한 메커니즘을 포함한다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 투영 광학계(110)의 미러는 동공 위상 변조기(112)를 통해 EUV 광을 반사하고, 이에 의해 투영 광학계(110)를 통해 이러한 광의 위상을 변조하도록 구성 가능하다. 일부 실시예에서, 동공 위상 변조기(112)는 투영 동공 평면(114) 상에 배치된 동공 필터를 활용한다. 예로서, 동공 필터는 마스크(108)로부터 반사된 EUV 광의 특정 공간 주파수 성분을 걸러내는 데 이용될 수 있다. 일부 실시예에서, 동공 필터는 투영 광학계(110)를 통해 지향되는 광의 위상 분포를 변조하는 위상 동공 필터로서 기능할 수 있다.
도 2를 참조하면, 마스크(108)는 반사 방지 코팅(anti-reflective coating)(ARC) 층(210)을 갖는 하나 이상의 흡수체(208)를 포함하는 패터닝된 이미지를 포함한다. 하나 이상의 흡수체(208) 및 반사 방지 코팅은 기판(202) 상에 위치한 다층 구조물(204), 예를 들어, Mo - Si 다층 상에 위치한다. 흡수체(208)를 위한 재료의 예는 탄탈륨 질화물 층 또는 TaxByOzNu를 포함한다. 반사 방지 코팅 층을 위한 재료의 예는 TaxByOzNu, HfxOy 층, 또는 SixOyNz 층을 포함한다. 기판(202)의 예는 TiO2 도핑된 SiO2와 같은 저열 팽창 재료 기판을 포함한다. 도 2의 예시된 실시예에서, 다층 구조물(204)은 캡핑 층(206)에 의해 덮이고, 기판(202)의 후면은 후면 코팅 층(203)으로 덮인다. 캡핑 층(206)을 위한 재료의 예는 루테늄을 포함한다. 후면 코팅 층(203)을 위한 재료의 예는 크롬 질화물을 포함한다.
위에서 논의된 바와 같이, 마스크(108)는 리소그래피 시스템(100)에 의해 회로 및/또는 디바이스 패턴을 반도체 웨이퍼(예를 들어, 반도체 기판(116)) 상으로 전사하는 데 사용된다. 패터닝된 마스크(108)로부터 반도체 기판(116)으로의 고충실도 패턴 전사를 달성하기 위해, 리소그래피 공정은 결함이 없어야 한다. 원하지 않는 입자, 예를 들어, 복사선 소스(102)에서 EUV 광을 생성하는 데 사용되는 Sn 입자는 캡핑 층(206)의 표면 상에 의도하지 않게 퇴적될 수 있고, 제거되지 않으면, 리소그래피로 전사된 패턴의 열화를 초래할 수 있다. 입자는 EUV 광 생성의 일부로서 외에도, 예를 들어, 에칭 공정, 세정 공정, 및/또는 EUV 마스크(108)의 핸들링 동안 다양한 방법 중 임의의 방법에 의해 도입될 수 있다. 따라서, 마스크(108)는 펠리클과 통합되고, 펠리클 어셈블리에 의해 보호된다. 마스크와 펠리클 어셈블리는 총칭하여 마스크 펠리클 시스템이라고 지칭된다. 예를 들어, 리소그래피 시스템(100)에 의한 리소그래피 패터닝 공정 동안, 마스크 펠리클 시스템은 마스크 스테이지(106)에 고정된다.
도 3a, 도 3b, 및 도 3c를 참조하면, 마스크 펠리클 시스템(300)의 평면도, 사시도, 및 A-A' 라인에 따른 단면도가 각각 도시되어 있다. 도 3a, 도 3b, 및 도 3c를 참조하여, 마스크 펠리클 시스템(300) 및 그 사용 방법을 설명한다. 본 개시 내용의 실시예가 EUV 포토리소그래피 시스템의 마스크를 참조하여 기술되지만, 본 개시 내용의 실시예는 UV 또는 EUV 복사선을 반사시키는 리소그래피 시스템의 다른 UV 또는 EUV 반사 컴포넌트와 함께 사용 가능하다는 것이 이해된다.
마스크 펠리클 시스템(300)은 마스크(302), 펠리클 프레임(304) 및 광학 어셈블리, 예를 들어, 접착 재료 층(308, 310)을 통해 함께 통합되는 멤브레인(또는 펠리클 멤브레인)(306)을 포함한다. 위에서 논의된 바와 같이, 마스크(302)는 또한 리소그래피 공정에 의해 반도체 기판을 패터닝하는 데 사용되는 패터닝된 표면(314)을 포함한다. 일부 실시예에서, 마스크(302)는 위에서 논의된 마스크(108)와 실질적으로 동일할 수 있다. 본 실시예에서, 마스크(302)는 마스크 펠리클 시스템(300)에 통합되고, 리소그래피 패터닝 공정 동안 멤브레인(306) 및 펠리클 프레임(304)과 함께 집합적으로 마스크 스테이지(106) 상에 고정된다.
멤브레인(306)은 마스크(302)에 근접하게 구성되고 접착 층(308)을 통해 펠리클 프레임(304)에 부착된다. 특히, 멤브레인(306)은 접착 재료 층(308)을 통해 펠리클 프레임(304)에 부착된다. 마스크(302)는 접착 재료 층(310)을 통해 펠리클 프레임(304)에 추가로 부착된다. 따라서, 마스크(302), 펠리클 프레임(304) 및 멤브레인(306)은 내부 공간(312)을 둘러싸도록 구성되고 통합된다. 마스크(302)의 패터닝된 표면(314)은 내부 공간(312)에 둘러싸여 있고, 따라서 리소그래피 패터닝 공정, 마스크 배송, 및 마스크 핸들링 동안 오염으로부터 보호된다. 도 3c의 예시된 실시예에서, 펠리클 프레임(304)에는 2개의 벤트 홀(320)이 제공된다. 본 개시 내용에 따른 실시예는 단일 벤트 홀(320)만을 포함할 수 있거나 2개 초과의 벤트 홀(320)을 포함할 수 있다. 벤트 홀은 펠리클 프레임(304)과 펠리클 멤브레인(306)으로 둘러싸인 개방 공간과 펠리클 프레임(304) 및 펠리클 멤브레인(306) 외부의 환경 간의 공기 압력을 등화시키는 기능을 한다. 벤트 홀(320)에는 입자가 벤트 홀(320) 내로 들어가는 것을 방지하도록 구성된 필터(도시되지 않음)가 제공될 수 있다.
멤브레인(306)은 리소그래피 패터닝 공정에서 사용되는 복사선 빔에 대해 투명한 박막으로 제조되며, 또한 열 전도성 표면을 갖는다. 멤브레인(306)은 또한 도 3c에 도시된 바와 같이 마스크(302) 상의 패터닝된 표면(314)에 근접하게 구성된다. 다양한 실시예에서, 멤브레인(306)은, 한 표면(또는 양 표면) 상에 열 전도성 막을 갖는 투명 재료 층을 포함한다.
도 4는 일부 실시예에 따라 구성된 멤브레인(306)의 단면도이다. 멤브레인(306)은 투명 층(402), 또는 실리콘을 포함하는 하나 이상의 재료의 코어 재료 층, 예를 들어, 다결정 실리콘(poly-Si), 비정질 실리콘(a-Si), 도핑된 실리콘(예를 들어, 인 도핑된 실리콘 SiP 또는 SiC), 또는 실리콘계 화합물, 예를 들어, SiN, MoSixNy 또는 조합(SiN/MoSiN)을 포함한다. 대안적으로, 투명 층(402)은 폴리머, 그래핀, 탄소 네트워크 멤브레인, 탄소 나노튜브, 실리콘 탄소 나노튜브 또는 이러한 나노튜브의 번들, 붕소 질화물 나노튜브 또는 이러한 나노튜브의 번들, 탄소 나노튜브 번들, 몰리브덴 이황화물 나노튜브(MoS2), 몰리브덴 이황화물 나노튜브의 번들, 몰리브덴 디셀레나이드 나노튜브(MoSe2), 몰리브덴 디셀레나이드 나노튜브의 번들, 텅스텐 이황화물 나노튜브(WS2), 텅스텐 이황화물 나노튜브의 번들, 텅스텐 디셀레나이드 나노튜브(WSe2), 텅스텐 디셀레나이드 나노튜브의 번들 또는 다른 적합한 재료를 포함할 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 나노튜브는 단일 벽 나노튜브, 이중 벽 나노튜브, 2개 이상의 벽을 포함하는 다중 벽 나노튜브 및 이러한 나노튜브의 조합을 지칭한다.
다른 실시예에서, 투명 층(402)은 코어-쉘 나노튜브를 포함한다. 도 12는 본 발명의 실시예에 따라 유용한 코어-쉘 나노튜브(1200)의 사시도이다. 코어-쉘 나노튜브는 코어 나노튜브(1202), 예를 들어 탄소 나노튜브, 및 상이한 재료의 쉘(1204), 예를 들어 탄소 나노튜브 또는 비탄소 나노튜브와 같은 나노튜브로 형성된 쉘 또는 탄소 또는 비탄소 함유 재료의 2D 층으로 형성된 쉘을 포함한다. 일부 실시예에서, 비탄소 나노튜브는 실리콘 탄화물 나노튜브, 붕소 질화물 나노튜브, 실리콘 탄화물 나노튜브 번들, 붕소 질화물 나노튜브 번들, 몰리브덴 이황화물 나노튜브(MoS2), 몰리브덴 이황화물 나노튜브의 번들, 몰리브덴 디셀레나이드 나노튜브(MoSe2), 몰리브덴 디셀레나이드 나노튜브 번들, 텅스텐 이황화물 나노튜브(WS2), 텅스텐 이황화물 나노튜브 번들, 텅스텐 디셀레나이드 나노튜브(WSe2), 텅스텐 디셀레나이드 나노튜브 번들 또는 다른 적합한 재료이다. 비탄소 재료의 2D 층을 위한 재료의 예는 실리콘 탄화물, 붕소 질화물, 몰리브덴 이황화물(MoS2), 몰리브덴 디셀레나이드(MoSe2), 텅스텐 이황화물(WS2), 텅스텐 디셀레나이드(WSe2) 또는 다른 적합한 재료를 포함한다.
일부 실시예에서, 이러한 나노튜브가 하기 설명된 재료로 개별적으로 코팅되거나 이러한 나노튜브 번들가 하기에 기재된 재료로 코팅된다. 일부 실시예에서, 멤브레인(306)은 산소 함유 재료, 예를 들어, SiO2의 부재에 의해 특징지어진다. 산소 함유 재료가 없는 멤브레인(306)은 포토리소그래피 공정 동안 또는 포토리소그래피 시스템의 유지보수 동안 멤브레인(306)이 H+ 라디칼에 노출되어 야기되는 열화에 덜 민감하다. SiO2와 같은 산소 함유 재료를 포함하는 멤브레인(306)이 H+ 라디칼에 노출되는 경우, SiO2 상에 제공된 코팅이 벗겨지는 것이 관찰되었다. 투명 층(402)은 기계적 강도가 충분한 두께를 갖지만, 일부 실시예에서는 충분한 두께를 갖지 못하여, 복사선 소스로부터의 극자외선 복사선에 대한 멤브레인의 투명도를 일부 실시예에서는 15%를 초과하게, 일부 실시예에서는 10%를 초과하게, 또는 일부 실시예에서는 5%를 초과하게 열화시킨다. 일부 예에서, 투명 층(402)은 30㎚ 내지 50㎚ 범위의 두께를 갖는다.
일부 실시예에서, 멤브레인(306)은 투명 층(402)의 외부 표면(322) 상에 형성된 제1 코팅 층(404), 및 투명 층(402)의 내부 표면(324) 상에 형성된 제2 코팅 층(406)을 포함한다. 도 4a에서, 투명 층(402)의 외부 표면(322)은 자신의 상단 표면이고, 투명 층(402)의 내부 표면(324)은 자신의 하단 표면이다. 도 4a에 도시된 실시예에 따르면, 코팅 층(404)의 재료는 코팅 층(406)의 재료와 동일하다. 도 4a에 따른 다른 실시예에서, 코팅 층(404)의 재료는 코팅 층(406)의 재료와는 상이하다. 도 4a에 따른 또 다른 실시예에서, 코팅 층(404)은 다수의 재료 층을 포함한다. 유사하게, 다른 실시예에서, 코팅 층(406)은 다수의 재료 층을 포함한다. 이러한 다수의 재료 층은 동일한 재료 또는 상이한 재료를 포함할 수 있다. 게다가, 코팅 층(404) 및/또는 코팅 층(406)을 구성하는 다수의 재료 층은 동일한 두께일 수 있거나 상이한 두께일 수 있다. 도 4b에서, 코팅 층(406)은 외부 표면(322)이 아닌 내부 표면(324) 상에만 제공된다. 도 4b에 따른 다른 실시예에서, 코팅 층(406)은 다수의 재료 층을 포함한다. 게다가, 도 4b에서 코팅 층(406)을 구성하는 다수의 재료 층은 동일한 두께일 수 있거나 상이한 두께일 수 있다. 도 4c에서, 코팅 층(404)은 내부 표면(324)이 아닌 외부 표면(322) 상에만 제공된다. 도 4c에 따른 다른 실시예에서, 코팅 층(404)은 다수의 재료 층을 포함한다. 게다가, 도 4b에서 코팅 층(404)을 구성하는 다수의 재료 층은 동일한 두께일 수 있거나 상이한 두께일 수 있다. 코팅 층(404 또는 406)은, 예를 들어, 화학재료 및/또는 입자에 의한 공격으로부터 투명 층(402)을 보호한다. 일부 실시예에서, 코팅 층(404, 406)은 투명 층(402)으로부터의 열 전달을 촉진한다. 본 개시 내용의 다른 실시예에 따르면, 도 4d는, 제1 코팅 층(408a)이 투명 층(402) 상에 위치하고 제2 코팅 층(408b)이 제1 코팅 층(408a) 상에 위치하는 예를 도시하고 있다. 도 4d의 실시예에 따르면, 제1 코팅 층(408a)의 재료와 제2 코팅 층(408b)의 재료는 동일하거나 상이할 수 있다(예를 들어: 408a: MoSiN 및 408b:SiN2).
본 개시 내용의 일부 실시예에 따르면, 제1 코팅 층(404) 및/또는 제2 코팅 층(406)으로 사용하기 위한 특정 재료의 선택은, 컨포멀 코팅을 제공하는 데 필요한 재료 층의 두께, UV 또는 EUV에 대한 재료의 산란 효과, UV 또는 EUV의 투과율과 UV 또는 EUV의 반사율, UV 또는 EUV의 흡수력, 산소 탈착에 대한 저항성, 및 코팅 층과 접촉하는 이온화된 가스, 예를 들어, H+ 가스에 의한 공격을 포함하는 다수의 상이한 요인을 고려해야 한다.
예를 들어, 유사한 EUV 광 흡수 특성을 갖는 코팅 재료에 의해 흡수되는 EUV 광의 양을 최소화하기를 원하는 경우, 컨포멀 코팅을 제공하면서 보다 얇은 코팅으로서 도포되기 쉬운 재료는 컨포멀 코팅을 제공하기 위해 보다 두꺼운 코팅의 도포를 필요로 하는 재료보다 선호된다. 코팅 재료에 의해 제공되는 산소 또는 수소 라디칼로부터 투명 층(402)의 보호량을 최대화하기를 원하는 경우, 재료의 보다 두꺼운 코팅이 요구될 수 있다. 일부 실시예에서, 코팅 층(404 또는 406)은 대략 1 내지 10 나노미터의 두께를 갖는다. 일부 실시예에서, 코팅 층(404 또는 406)은 대략 0.5 내지 5 nm의 두께를 갖는다.
본 개시의 일부 실시예에서, 마스크로 지향되는 EUV 복사선을 덜 산란시키는 재료가 동일한 EUV 복사선을 더 많이 산란시키는 재료보다 선호된다. 본 개시의 실시예에 따른 코팅 층으로 유용한 재료의 예로는 붕소 또는 실리콘과 같은 비금속을 포함하는 화합물을 포함한다. 이러한 유형의 화합물의 예는 붕소 질화물(BN) 및 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함한다. 루테늄은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 코팅 층에 적합한 재료가 아닌데, 그 이유는 루테늄이 0도 및 360도에서 EUV 복사선에 대한 차등 산란 단면적을 나타내는데 이러한 차등 산란 단면적이 붕소 질화물 또는 실리콘 질화물로 코팅된 투명 재료에 대해 0도 및 360도에서 보여지는 EUV 복사선에 대한 차등 산란 단면적보다 약 6배 더 크기 때문이다. 일반적으로, 굴절률이 보다 낮은 재료는 굴절률이 보다 높은 재료에 비해 더 많은 산란을 발생시킨다. 따라서, 굴절률에만 기반하여 코팅 층(404, 406)을 위한 재료를 선택하는 경우, 굴절률이 보다 낮은 재료보다 굴절률이 보다 높은 재료가 선호될 것이다.
일반적으로, 보다 높은 복사선 흡수력을 나타내는 보다 높은 흡광 계수 k를 갖는 재료는 보다 낮은 흡광 계수 k를 나타내는 재료보다 덜 바람직한데, 그 이유는 보다 높은 흡광 계수를 갖는 재료는 UV 또는 EUV를 덜 투과시킬 것이기 때문이다. 따라서, 흡광 계수 k에만 기반하여 코팅 층(404, 406)을 위한 재료를 선택하는 경우, 보다 높은 흡광 계수를 가진 재료보다 보다 낮은 흡광 계수를 가진 재료가 선호될 것이다.
마스크로 지향되는 UV 또는 EUV 복사선을 더 많이 투과시키는 재료가 동일한 UV 또는 EUV 복사선을 덜 투과시키는 재료보다 선호된다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 마스크로 지향되는 복사선의 80% 이상을 투과시키는 재료가 적합하다. 다른 실시예에서, 마스크로 지향되는 복사선의 85% 이상을 투과시키는 재료가 적합하다. 또 다른 실시예에서, 마스크로 지향되는 복사선의 90% 이상을 투과시키는 재료가 적합하다. 다른 실시예에서, 마스크로 지향되는 복사선의 94% 이상을 투과시키는 재료가 적합하다. 더 많은 EUV 또는 UV 복사선을 투과하는 재료는 더 적은 EUV 또는 EUV 복사선을 투과하는 재료에 비해 더 두꺼운 코팅으로 도포될 수 있다. 더 얇은 코팅과 대조적으로 더 두꺼운 코팅을 적용하는 이점은 코팅된 기판이 산소 또는 수소 라디칼로부터 보호된다는 점이다. 본 개시의 일부 실시예에 따르면, 코팅의 나노미터의 두께에 대한 코팅으로서 사용되는 재료의 EUV % 투과율의 비는 40 미만 및 10 초과이다. 다른 실시예에서, 이 비는 38 미만 13 초과이다.
마스크로 지향될 EUV 복사선을 덜 반사시키는 재료가 동일한 EUV 복사선을 더 많이 반사시키는 재료보다 선호된다.
마스크로 지향될 EUV 복사선을 덜 흡수하는 재료가 동일한 EUV 복사선을 더 많이 흡수하는 재료보다 선호된다.
산소 탈착에 대한 저항성이 더 많은 재료가 산소 탈착에 대한 저항성이 덜한 재료보다 선호된다.
보다 높은 원자가 산화물을 포함하는 재료는 얕은 코어 레벨에서 생성된 정공에 의해 개시되는 복사선 자극 산소 탈착에 민감하기 때문에 코팅 층(404 또는 406)을 위한 재료로서 덜 적합하다. 이러한 결과적인 정공은, 보다 높은 원자가 산화물을 포함하지 않는 코팅 층의 반응성과 비교하여, 코팅 층이 포토리소그래피 공정 또는 유지보수 공정 동안 노출된 가스 분자와의 반응성이 더 높아지게 한다. 본 개시 내용의 실시예에 따르면, 보다 높은 원자가 산화물을 포함하는 재료보다 보다 높은 원자가 산화물을 포함하지 않는 재료가 선호된다.
입자, 예를 들어, EUV 복사선 소스로부터의 Sn 입자가 펠리클 표면 상에 낙하될 수 있다. 이러한 입자의 제거는 H+와 같은 이온화된 가스를 이용하여 펠리클 표면을 에칭함으로써 달성된다. 이온화된 가스가 입자, 예를 들어, 펠리클 표면으로부터의 Sn 입자를 에칭하는 능력은 부분적으로는 Sn과 펠리클 표면의 재료 사이의 전기 음성도 차이에 의존한다. 따라서, 코팅 층(404 및/또는 406)에 적합한 재료의 선택은, 에칭될 입자, 예를 들어, 1.96의 전기음성도를 갖는 Sn 입자와 코팅 층의 재료 사이의 전기 음성도 차이를 고려한다. 코팅 층 표면으로부터 에칭될 입자의 전기 음성도보다 큰 전기 음성도를 갖는 재료에 비해, 에칭될 입자의 전기 음성도보다 작은 전기 음성도를 갖는 재료가 코팅 층의 재료로서 선호된다. 일부 실시예에 따르면, 코팅 층(404 및/또는 406)에 적합한 재료는 1.96 미만의 전기 음성도를 갖는 재료, 예를 들어 1.96 내지 -0.2의 전기 음성도를 갖는 재료를 포함한다.
위에서 설명한 기준 중 하나 이상을 고려하여 코팅 층(404 및/또는 406)에 유용한 재료의 예가 아래에 제시되어 있다.
일부 실시예에서, 코팅 층(404)은 B 또는 Si와 같은 비금속 원소 또는 B 또는 Si와 같은 비금속을 포함하는 화합물을 포함한다. 일부 실시예에서, 코팅 층(404)은 Zr, Nb 또는 Mo와 같은 전이 금속 또는 Zr, Nb 또는 Mo와 같은 전이 금속을 포함하는 화합물을 포함한다. 본 개시에 따른 비금속 또는 전이 금속 원소를 포함하는 화합물의 예는, 비금속 실리사이드, 비금속 탄화물, 비금속 질화물, 전이 금속 실리사이드, 전이 금속 탄화물, 전이 금속 불화물 및 전이 금속 질화물을 포함할 수 있다. 일반적으로, 탄화물 및 실리사이드는 낮은 EUV 흡수 특성을 가지므로, 특히 펠리클의 투명 층(402)을 보호하고 펠리클의 수명을 연장하기 위해 더 두꺼운 두께의 코팅 층이 요구되는 경우 코팅 층 재료로서 우수한 후보가 된다. 비금속, 비금속 실리사이드, 비금속 탄화물, 비금속 질화물, 전이 금속, 전이 금속 실리사이드, 전이 금속 탄화물, 전이 금속 불화물 및 전이 금속 질화물 또는 화합물의 예는 붕소(B), 붕소 질화물(BN), 붕소 실리콘 질화물(BNSi), 붕소 탄화물(B4C), 붕소 실리콘 탄화물(BCSi), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 실리콘 일질화물(SiN), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 이질화물(SiN2), 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘 탄소 질화물(SiCxNy), 니오븀(Nb), 니오븀 질화물(NbN), 니오븀 모노실리사이드(NbSi), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 니오븀 실리콘 질화물(NbSiN), 니오븀 티타늄 질화물(NbTixNy), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 지르코늄 질화물(ZrN), 지르코늄 불화물(ZrF4), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 이트륨 질화물(YN), 이트륨 불화물(YF), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 질화물(MoN2), 몰리브덴 탄화물(Mo4C 및 Mo2C), 몰리브덴 디실리사이드(MoSi2), 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3), 몰리브덴 실리콘 질화물(MoSixNy), 루테늄-니오븀 합금(RuNb), 루테늄 실리콘 질화물(RuSiN), 티타늄 질화물(TiN), 티타늄 탄소 질화물(TiCxNy), 하프늄 질화물(HfNx), 하프늄 불화물(HfF4), 바나듐 질화물(VN)을 포함한다. 코팅 층(404)을 위한 재료는 보다 높은 원자가 산화물을 포함하는 재료, 예를 들어, TiO2, V2O5, ZrO2, Ta2O5, MoO3, WO3, CeO2, Er2O3, SiO2, Y2O3, Nb2O5, V2O3 및 HfO2를 제외한다.
일부 실시예에서, 코팅 층(404)을 위한 재료는 보다 높은 원자가 산화물을 포함하지 않는 재료, 예를 들어, 붕소(B), 붕소 실리콘 질화물(BNSi), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 이질화물(SiN2), 니오븀(Nb), 니오븀 질화물(NbN), 니오븀 모노실리사이드(NbSi), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 니오븀 실리콘 질화물(NbSiN), 니오븀 티타늄 질화물(NbTixNy), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 지르코늄 질화물(ZrN), 지르코늄 불화물(ZrF4), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 이트륨 질화물(YN), 이트륨 불화물(YF), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 질화물(MoN2), 몰리브덴 디실리사이드(MoSi2), 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3), 몰리브덴 실리콘 질화물(MoSixNy), 루테늄-니오븀 합금(RuNb), 루테늄 실리콘 질화물(RuSiN), 티타늄 질화물(TiN), 티타늄 탄소 질화물(TiCxNy), 하프늄 질화물(HfNx), 하프늄 불화물(HfF4), 또는 바나듐 질화물(VN)로부터 선택된다.
일부 실시예에서, 코팅 층(404)을 위한 재료는 루테늄 또는 몰리브덴을 포함하지 않는 재료, 예를 들어, 붕소(B), 붕소 실리콘 질화물(BNSi), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 이질화물(SiN2), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 니오븀(Nb), 니오븀 질화물(NbN), 니오븀 모노실리사이드(NbSi), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 니오븀 실리콘 질화물(NbSiN), 니오븀 티타늄 질화물(NbTixNy), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 지르코늄 질화물(ZrN), 지르코늄 불화물(ZrF4), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 이트륨 질화물(YN), 이트륨 불화물(YF), 티타늄 질화물(TiN), 티타늄 탄소 질화물(TiCxNy), 하프늄 질화물(HfNx), 하프늄 불화물(HfF4), 또는 바나듐 질화물(VN)로부터 선택된다.
일부 실시예에서, 코팅 층(404)은 붕소 실리콘 질화물(BNSi), 붕소 실리콘 탄화물(BCSi), 몰리브덴 탄화물(Mo4C), 또는 몰리브덴 탄화물(Mo2C)을 포함한다.
일부 실시예에서, 코팅 층(404)은 실리사이드, 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 몰리브덴 디실리사이드(MoSi2) 또는 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3) 중 하나 이상을 포함한다.
일부 실시예에서, 코팅 층(404)은 탄화물, 실리콘 탄화물(SiC), 몰리브덴 탄화물(MoC, Mo4C 및 Mo2C), 지르코늄 탄화물(ZrC), 니오븀 탄화물(Nb4C3) 또는 붕소 탄화물(B4C) 중 하나 이상을 포함한다.
코팅 층(404)은 얇고, UV 또는 EUV 광에 대한 멤브레인(306)의 투명도를 열화시키지 않는다. 일부 예에서, 코팅 층(404, 및 존재하는 경우 406)의 두께는 1㎚ 내지 10㎚의 범위에 있다. 다른 실시예에서, 코팅 층(404 및 406)의 두께는 0.5 내지 5 나노미터의 범위에 있다. 코팅 층의 일 예는 10% 이하의 변동의 5㎚의 두께를 갖는다. 코팅 층은 적합한 퇴적 기법, 예를 들어, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)(CVD), 원자 층 퇴적(atomic layer deposition)(ALD), 플라즈마 강화 ALD(plasma enhanced ALD)(PEALD), 물리 기상 증착(physical vapor deposition)(PVD), 전자빔 퇴적(e-beam deposition), 전착(electrodeposition), 무전해 퇴적(electroless deposition), 또는 다른 적합한 기법에 의해 형성될 수 있다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따르면, 코팅 층(404)은 또한 투명 층(402)으로부터 코팅 층(404 및/또는 406) 주변의 환경으로의 열 에너지 전달을 촉진하는 열 전도성 층으로서 기능한다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따르면, 코팅 층(404 및/또는 406)이 실리콘 코팅 투명 층(402)에 도포되거나, 실리콘 코팅 나노튜브, 투명 층(402)(코어 멤브레인) 또는 실리콘 코팅 나노튜브가 코팅 층(404) 또는 코팅 층(406)의 도포 이전에 처리되어, 투명 층(402) 또는 실리콘 함유 나노튜브의 표면에 사소한 결함을 생성하고/하거나 원하지 않는 실리콘 이산화물을 제거한다. 그러한 표면에 사소한 결함을 생성하고/하거나 원하지 않는 실리콘 이산화물을 제거하면, 표면에 대한 코팅 층(404) 또는 코팅 층(406)의 접착력이 향상된다. 코팅 층(404 또는 406)의 도포 전에 표면을 처리하기 위한 적합한 공정의 예는 질소, 산소, 탄소 불화물 또는 아르곤 가스 플라즈마 처리를 포함한다. 표면은 표면에 사소한 결함을 생성하기에 충분한 주파수, 전력, 압력 및 시간 주기의 조합을 사용하여 가스 플라즈마로 처리될 수 있으며, 이는 코팅 층의 접착력을 향상시키고/시키거나 원하지 않는 실리콘 이산화물이 제거할 것이다.
마스크 펠리클 시스템(300)은 또한 멤브레인(306)이 펠리클 프레임(304)에 부착 및 고정될 수 있도록 구성된 펠리클 프레임(304)을 포함한다. 펠리클 프레임(304)은 다양한 치수, 형상, 및 구성으로 설계될 수 있다. 이들 및 다른 대안들 중에서, 펠리클 프레임(304)은 하나의 단일 컴포넌트 또는 다수의 컴포넌트를 가질 수 있다. 펠리클 프레임(304)은 기계적 강도를 갖는 재료를 포함하고, 펠리클 프레임(304)의 전역에 걸쳐 멤브레인(306)을 적절하게 고정하기 위한 형상, 치수, 및 구성으로 설계된다. 일부 실시예에서, 펠리클 프레임(304)은 전체가 다공성 재료로 형성될 수 있다.
펠리클 프레임(304)은 환기 및 압력 균형을 위해 설계된 다공성 재료를 포함하는데, 그 이유는 마스크 펠리클 시스템(300)이 리소그래피 패터닝 공정 동안 마스크 스테이지(106) 상에 고정될 때 진공 환경에 있기 때문이다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(304)의 다공성 재료는 환기를 위해 펠리클 프레임(304)의 내부 표면(316)에서 외부 표면(318)으로 연장되는 접속된 기공 채널을 갖는다. 대안적으로, 위에서 논의된 바와 같이, 펠리클 프레임(304)은 환기 및 압력 균형을 위한 하나 이상의 벤트(320)를 포함한다.
본 개시 내용의 또 다른 실시예에 따르면, 투명 층은 나노튜브의 매트릭스를 형성하는 복수의 나노튜브, 예를 들어, 탄소 나노튜브(carbon nanotubes; CNT), 붕소 질화물 나노튜브(boron-nitride nanotubes; BNNT), 실리콘 탄화물(SiC) 나노튜브, 몰리브덴 이황화물 나노튜브(MoS2), 몰리브덴 디셀레나이드 나노튜브(MoSe2), 텅스텐 이황화물 나노튜브(WS2), 텅스텐 디셀레나이드 나노튜브(WSe2) 또는 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시예에서, 나노튜브를 포함하는 투명 층은 다공성이다. 복수의 나노튜브의 시트를 형성하는 기법은 알려져 있다. 본 개시 내용의 실시예에 따라 처리될 때 이러한 나노튜브의 시트는 본 개시 내용의 실시예에 따른 광학 어셈블리, 예를 들어, 펠리클 멤브레인에 유용한 투명 층 및 코팅 층의 조합을 형성한다. 다음 설명은 탄소 나노튜브를 참조하여 진행되지만; 설명은 탄소 나노튜브가 아닌 본 명세서에 설명된 나노튜브에 동일하게 적용가능하다.
본 개시 내용의 실시예에 따르면, 탄소 나노튜브는 단일 벽 나노튜브 또는 다중 벽 나노튜브이다. 일부 실시예에서, 나노튜브는 탄소 나노튜브이다. 나노튜브는 배향된 나노튜브일 수 있거나 비 배향된 나노튜브일 수 있다. 나노튜브는 번들링되지 않은 개별 나노튜브일 수 있거나, 나노튜브는 번들링된 개별 나노튜브일 수 있다. 탄소 나노튜브는 포토리소그래피 시스템의 동작 또는 유지보수 중에 이용되는 타입과 같은 수소 가스 또는 산소 가스에 노출되면 열화되기 쉽다. 본 개시 내용의 실시예에 따르면, 이러한 탄소 나노튜브는 본 개시의 코팅 층에 의해 이러한 유해 가스로부터 보호된다.
도 5a를 참조하면, 본 개시 내용의 실시예는 코팅 층(404 및/또는 406)에 대해 전술한 하나 이상의 재료로부터의 외부 표면(504) 상에 형성된 코팅 층(502)을 포함하는 번들링되지 않은 단일 벽 탄소 나노튜브(500)를 포함한다. 이전에 설명된 실시예에서와 마찬가지로, 코팅 층(502)은 단일의 동일한 재료 층을 포함할 수 있거나 다수의 동일한 재료 층 또는 다수의 상이한 재료 층을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 나노튜브(500)는 코어 쉘 구조를 포함하고, 코팅 층은 코어 쉘 구조의 쉘 중 하나이다. 코팅 층(502)은 두께 t를 갖는다. 일부 실시예에서, t는 1 내지 10 나노미터이다. 다른 실시예에서, t는 0.5 내지 5 나노미터이다. 도 5b는 본 개시 내용의 실시예에 따른 코팅된 개별 탄소 나노튜브의 단면도이다. 도 5b는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따라 탄소 나노튜브(500)의 외부 표면(504)이 코팅 재료(502)로 코팅되는 방법을 예시한다. 다른 실시예에서, 탄소 나노튜브(500)의 외부 표면(504) 및 탄소 나노튜브(500)의 내부 표면(506) 모두가 코팅 재료(502)로 코팅된다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따르면, 외부 표면(504) 및 내부 표면(506) 상에 코팅 층(502)의 재료를 도포하기 전에 탄소 나노튜브(500)의 표면을 처리하여, 탄소 나노튜브(500)의 표면을 개질하고, 즉, 탄소 나노튜브(500)의 표면에 사소한 결함을 생성하고/하거나 탄소 나노튜브의 표면에 작용기, 예를 들어, 친수성기를 도입한다. 탄소 나노튜브(500)의 표면을 개질하면, 탄소 나노튜브(500)의 외부 표면(504) 또는 내부 표면(506) 상의 코팅 층(502)의 접착력이 향상된다. 코팅 층(502)의 도포 전에 탄소 나노튜브(500)의 표면을 처리하기 위한 적합한 공정의 예는 질소, 산소, 탄소 불화물 또는 아르곤 가스 플라즈마 처리를 포함한다. 일부 실시예에 따르면, 원하는 표면 개질을 달성하기에 충분한 주파수, 전력, 압력 및 시간 주기의 조합을 사용하여 가스 플라즈마로 탄소 나노튜브(500)의 표면을 처리하여, 나노튜브 표면에 대한 코팅 층(502)의 접착력을 향상시킨다. 일 실시예에 따르면, 탄소 나노튜브는 약 13.6 MHz의 주파수, 약 100 내지 200 W의 전력, 및 약 1 내지 200 mTorr의 압력에서 산소 플라즈마를 이용하여 처리된다. 탄소 나노튜브를 그렇게 처리하는 시간 길이는 탄소 나노튜브를 손상시키지 않고 원하는 표면 개질을 제공하기에 충분하다.
도 5c를 참조하면, 다른 실시예에서, 나노튜브(500), 예를 들어, 탄소 나노튜브의 표면은 탄소 나노튜브(500)의 표면과 코팅 층(502) 사이의 접착력을 촉진시키는 층(508)으로 코팅된다. 이러한 접착력 촉진 재료는 ALD 및 PEALD와 같은 퇴적 공정에 의해 탄소 나노튜브(500)의 표면 상에 코팅된다. 층(508)의 재료의 예는, ALD 또는 PEALD 공정에 의해 퇴적될 수 있고, 탄소 나노튜브(500)의 표면과 코팅 층(502) 사이의 접착력을 촉진시킬 수 있는 비정질 탄소 또는 다른 재료를 포함한다. 본 개시 내용의 다른 실시예에 따르면, 층(508)은 코팅 층(502)을 퇴적하는 데 사용되는 PEALD 공정의 플라즈마에 의한 열화로부터 나노튜브를 보호하는 기능을 하는 보호 층이다. 나노튜브 상에 보호 층을 형성하는 경우, 보호 층은 제1 퇴적 공정에 의해, 예를 들어, 어떠한 플라즈마도 없는 상태에서 열 원자 층 퇴적 공정에 의해 형성된다. 나노튜브 상에 다수의 보호 층을 형성하기 위해 제1 퇴적 공정의 다수의 사이클이 이용될 수 있다. 하나 이상의 보호 층이 나노튜브 상에 형성된 후, 코팅 층(502)은 제2 퇴적 공정을 사용하여, 예를 들어, 플라즈마 강화 원자 층 퇴적(PEALD) 기법을 사용하여 퇴적될 수 있다. 보호 층의 존재로 인해, 멤브레인의 나노튜브는 PEALD 공정의 플라즈마에 의해 손상되지는 않는다. 보호 층으로서 유용한 재료의 예는 코팅 층(502)을 형성하기 위해 위에서 설명한 것과 동일한 재료를 포함한다.
도 6a를 참조하면, 광학 어셈블리에서, 예를 들어, 펠리클 멤브레인(306)에서 나노튜브를 활용하는 다른 실시예는 다수의 개별 나노튜브를 번들링하는 것을 포함한다. 도 6a에서, 7개의 나노튜브(600a 내지 600g)가 번들링되어 나노튜브 번들(602)을 형성하게 된다. 본 개시 내용에 따른 실시예에서 유용한 나노튜브 번들(602)을 형성하기 위해 나노튜브를 번들링하는 기법은 알려져 있다. 다른 실시예에서, 나노튜브 번들(602)을 구성하는 나노튜브의 수는 7개 미만이거나 7개를 초과한다. 나노튜브 번들(602)을 형성하는 개별 탄소 나노튜브의 수를 감소시키면 나노튜브 번들(602)의 굴절률은 감소된다. 위에서 언급한 바와 같이, 굴절률을 감소시키면 입사 EUV 복사선의 산란이 감소되는 효과가 있고, 이는 입사 EUV 복사선의 투과율을 높이는 효과를 갖게 된다. 따라서, 일부 실시예에서, 보다 많은 수의 개별 나노튜브를 포함하는 나노튜브 번들보다 보다 적은 수의 개별 나노튜브를 포함하는 나노튜브 번들이 선호될 것이다.
도 6b를 참조하면, 본 개시 내용의 실시예에 따르면, 나노튜브 번들(602)은 코팅 층(604)으로 코팅되거나 코팅 층(604)에 의해 둘러싸여 있게 된다. 위의 코팅 층(404 및 406)에 유용한 재료에 대한 설명은 코팅 층(604)에 사용되는 재료에 적용 가능하다. 도 6b에 도시된 실시예에서, 코팅 층(604)은 나노튜브 번들(602)을 둘러싸는 것으로 도시되지만, 개별 나노튜브(600a 내지 600g)의 모든 표면을 덮지는 않는다. 다른 실시예에 따르면, 코팅 층(604)은 도 6b에 도시된 것보다 더 많은 개별 나노튜브(600a 및 600b)의 표면을 코팅한다. 예를 들어, 코팅 층(604)은 나노튜브 번들(602)의 외부에 노출된 나노튜브(600a 내지 600e 및 600g)의 표면을 코팅할 수 있다. 이러한 실시예에서, 나노튜브(600f)의 외부 표면은 코팅 층(604)으로 코팅되지는 않는다. 다른 실시예에서, 7개의 나노튜브(600a 내지 600g) 각각의 외부 표면은 코팅 층(604)을 구성하는 재료로 코팅된다. 다른 실시예에서, 투명 층은 개별 나노튜브를 포함하고, 개별 나노튜브는 코팅 층(604)으로 부분적으로 또는 완전히 코팅되고, 나노튜브 번들(602)을 형성하도록 번들링된 후, 나노튜브 번들은 추가적인 코팅 재료 층(604)으로 코팅/둘러싸인다. 일부 실시예에서, 코팅 층(604)은 자신이 상주하는 나노튜브의 전체 표면을 덮지만; 다른 실시예에서, 코팅 층은 자신이 상주하는 나노튜브의 전체 표면보다 덜 덮는다.
도 6a 및 도 6b의 실시예에서, 개별 나노튜브는 함께 밀접하고 조밀하게 패킹된 것으로 도시되어 있다. 다른 실시예에서, 개별 나노튜브는 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 밀접하고 조밀하게 패킹되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 나노튜브의 외부 표면의 일부는 서로 접촉하지 않을 수도 있다.
다른 실시예에서, 펠리클 멤브레인(306)은 복수의 나노튜브 번들(602) 및 복수의 번들링되지 않은 개별 나노튜브(500)를 포함한다. 이 실시예에서, 복수의 나노튜브 번들(602) 및 복수의 번들링되지 않은 개별 나노튜브(500)는 전술한 설명에 따라 코팅된다. 또한, 코팅 층(402 및/또는 406)이 개별 나노튜브 및/또는 번들링된 나노튜브로 형성된 멤브레인 상에 형성될 수 있다.
코팅 층(404)을 위한 특정 재료의 선택에 관한 위의 설명은 코팅 층(604)을 위한 특정 재료의 선택에도 동일하게 적용된다. 접착 층 또는 보호 층으로서의 층(508)에 관한 위의 설명은 도 6a 및 도 6b의 나노튜브 번들 및 코팅 층(604)과 조합된 층(508)의 사용에도 동일하게 적용된다.
도 5a, 도 5b, 도 6a 및 도 6b에 따른 나노튜브 실시예는 투명 층에 입사하는 UV 또는 EUV 복사선의 85% 이상을 투과시키는 펠리클 멤브레인(306)을 제공한다. 다른 실시예에서, 코팅된 나노튜브 또는 코팅된 나노튜브 번들을 포함하는 펠리클 멤브레인(306)은 투명 층에 입사하는 UV 또는 EUV 복사선의 90% 이상을 투과시킨다. 일부 실시예에서, 코팅된 나노튜브 또는 코팅된 나노튜브 번들을 포함하는 펠리클 멤브레인(306)은 투명 층에 입사하는 UV 또는 EUV 복사선의 94% 이상을 투과시킨다.
도 7a는 코팅 층을 퇴적하기 전의 나노튜브 매트릭스의 개략적인 예시이다. 도 7b는 코팅 층이 도포된 후의 도 7a의 나노튜브 매트릭스의 개략적인 예시이다.
도 8을 참조하면, EUV 포토리소그래피 시스템에서 반도체 기판 상의 재료를 패터닝하기 위한 본 개시 내용의 실시예에 따른 방법(800)이 도 1 및 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 예시되고 설명된다. 방법은 단계 820에서 EUV 복사선을 생성하는 단계를 포함한다. EUV 복사선은, 예를 들어, 위에서 설명된 바와 같이 도 1의 복사선 소스(102)를 이용하여 생성될 수 있다. 생성된 EUV 복사선은 단계 830에서 펠리클 멤브레인의 코팅 층을 통과한다. 코팅 층의 예는 코팅 층(404, 406, 502 또는 604)을 포함한다. 생성된 EUV 복사선이 코팅 층을 통과하는 것은 이를 수행하기 위한 위의 설명에 따라 달성된다. 펠리클 멤브레인의 예는 펠리클 멤브레인(306)이다. 단계 840에서, EUV 복사선은 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통과한다. 펠리클 멤브레인의 투명 층의 예는 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 위에 설명된 투명 층(402) 또는 도 5a 내지 도 5c의 개별 나노튜브로부터 형성된 펠리클 멤브레인 또는 도 6a 및 도 6b의 나노튜브 번들을 포함한다. EUV 복사선이 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통과하는 것은 위의 설명에 따라 수행될 수 있다. 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통과한 EUV 복사선은 단계 850에서 마스크로부터 반사된다. EUV 복사선을 반사시키기에 적합한 마스크의 예는 위에 설명된 마스크(108)이다. 마스크(108)는 전술한 바와 같이 EUV 복사선을 반사시킨다. 단계 860에서, EUV 복사선은 반도체 기판에 수신된다. 반도체 기판의 예는 위에 설명된 반도체 기판(116)이다.
도 9를 참조하면, EUV 포토리소그래피 시스템에서 반도체 기판 상의 재료를 패터닝하기 위한 본 개시 내용의 실시예에 따른 방법(900)이 도 1 및 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 예시되고 설명된다. 방법은 단계 920에서 EUV 복사선을 생성하는 단계를 포함한다. EUV 복사선은, 예를 들어, 위에서 설명된 바와 같이 도 1의 복사선 소스(102)를 이용하여 생성될 수 있다. 생성된 EUV 복사선은 단계 930에서 펠리클 멤브레인의 코팅 층을 통과한다. 코팅 층의 예는 코팅 층(404, 406, 502 또는 604)을 포함한다. 생성된 EUV 복사선이 코팅 층을 통과하는 것은 이를 수행하기 위한 위의 설명에 따라 달성된다. 펠리클 멤브레인의 예는 펠리클 멤브레인(306)이다. 단계 940에서, EUV 복사선은 펠리클 멤브레인의 나노튜브 매트릭스를 통과한다. 펠리클 멤브레인의 나노튜브의 예는 도 5a, 도 5b, 도 6a, 및 도 6b를 참조하여 위에 설명된 나노튜브 및 나노튜브 번들을 포함한다. EUV 복사선이 펠리클 멤브레인의 나노튜브 매트릭스를 통과하는 것은 위의 설명에 따라 수행될 수 있다. 펠리클 멤브레인의 나노튜브 매트릭스를 통과한 EUV 복사선은 단계 950에서 마스크로부터 반사된다. EUV 복사선을 반사시키기에 적합한 마스크의 예는 위에 설명된 마스크(108)이다. 마스크(108)는 전술한 바와 같이 EUV 복사선을 반사시킨다. 단계 962에서, EUV 복사선은 반도체 기판에 수신된다. 반도체 기판의 예는 위에 설명된 반도체 기판(116)이다.
도 11은 멤브레인(950)으로 형성되는 투명 층(402) 또는 나노튜브 매트릭스 상에 보호 층, 접착 층 또는 코팅 층을 형성하기 위한 본 개시 내용에 따른 방법을 예시하는 흐름도이다. 도 11의 방법(1000)에서, 단계(1020)에서, 예를 들어, 프레임 또는 경계(952) 상에서, 멤브레인(960)으로서 제공되는 투명 층(402) 또는 나노튜브 매트릭스는, 열 ALD 또는 CVD 공정 및 플라즈마 강화 ALD 또는 CVD 공정을 수행할 수 있는 챔버(942)에서, 예를 들어, 수직으로 지지된다. 투명 층(402) 또는 프레임(952)은 다수의 이동 자유도를 갖도록 챔버(942) 내에서 지지된다. 예를 들어, 도 10에 도시된 실시예에서, 프레임(952)은 수직 축을 중심으로 회전될 수 있거나 수평 축을 중심으로 틸팅될 수 있다. 본 개시 내용에 따른 실시예는 수직 축을 중심으로 프레임을 회전시키거나 수평 축을 중심으로 프레임을 틸팅시키는 것에 제한되지는 않는다. 다른 실시예에서, 프레임은 수직 축을 중심으로 회전하거나 수평 축을 중심으로 틸팅되는 것 외에도 이동 자유도를 갖는다. 이러한 회전 및 틸팅은 열 공정 및/또는 플라즈마 강화 단계 공정 동안 구현되어, 코팅 층, 접착 층 또는 보호 층과 함께 멤브레인(960)의 나노튜브의 균일한 코팅을 촉진할 수 있다. 챔버 내의 조건은 코팅 층, 접착 층 또는 보호 층의 균일한 퇴적을 촉진하도록, 예를 들어, 섭씨 500도 내지 섭씨 1200도 범위의 온도로 유지된다. 이러한 온도는 챔버 벽 또는 챔버 벽과 연관된 히터로부터의 열 에너지를 제공함으로써 제공된다. 나노튜브 매트릭스 또는 투명 층(402) 상에 보호 층, 접착 층 또는 코팅 층을 형성하기 위한 본 개시 내용에 따른 실시예는 열 PVD 또는 CVD 및 플라즈마 강화 PVD 또는 CVD를 이용하는 것에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 이러한 층은 이온 빔 퇴적 기법을 사용하여 형성될 수 있다. 열 PVD 또는 CVD 및 플라즈마 강화 PVD 또는 CVD를 이용하는 것에 관한 위의 설명은 또한 이온 빔 퇴적의 사용에도 적용된다. 단계 1030에서, 열 원자 층 퇴적 공정에 의해 멤브레인의 투명 층 또는 나노튜브 상에 보호 층을 형성한다. 단계(1040)에서, 코팅 층이 플라즈마 강화 원자층 퇴적에 의해 보호 층 위에 형성된다. 도 10에 도시된 챔버(942)는 열 원자 층 퇴적 및 플라즈마 강화 원자 층 퇴적이 모두 수행될 수 있는 챔버의 예이다. 방법(1000)은 열 및 플라즈마 강화 원자 층 퇴적이 모두 수행되는 단일 챔버를 이용하는 것에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 열 퇴적 공정은 하나의 챔버에서 수행될 수 있고, 플라즈마 강화 퇴적은 다른 상이한 챔버에서 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 본 개시 내용은 광학 어셈블리, 예를 들어 코어 쉘 구조를 갖는 복수의 나노튜브의 매트릭스를 포함하는, EUV 마스크의 펠리클 어셈블리를 기술한다. 이러한 실시예에서 나노튜브의 매트릭스 상에 코팅 층이 제공된다. 코팅 층은 비금속 탄화물, 비금속 실리사이드, 전이 금속 탄화물, 전이 금속 실리사이드 또는 전이 금속 불화물로부터 선택된 화합물을 포함한다.
본원에 개시된 실시예의 제2 양태에 따르면, EUV 리소그래피 시스템에서 EUV 복사선을 생성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. EUV 복사선은 펠리클 멤브레인의 코팅 층을 통해 통과된다. 코팅 층은, 나노미터의 두께에 대한 EUV % 투과율의 비가 40 내지 10을 나타내는, 비금속 탄화물 화합물, 비금속 실리사이드 화합물, 전이 금속 탄화물 화합물 및 전이 금속 실리사이드 화합물로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 포함한다. 코팅 층을 통과한 EUV 복사선은 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통해 통과된다. 투명 층을 통과한 EUV 복사선은 마스크로부터 반사되어 반도체 기판에서 수신된다.
본원에 개시된 실시예의 제3 양태에 따르면, 나노튜브의 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 이러한 실시예에서, 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖고 코어 쉘 구조의 쉘 상에 보호 층을 포함한다. 제1 공정에 의해 나노튜브의 매트릭스 상에 제1 코팅 층이 형성되고, 제2 공정은 제1 코팅 층 상에 제2 코팅 층을 형성한다. 일부 실시예에서, 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖는다. 다른 실시예에서, 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖지 않는다. 다른 실시예에서, 나노튜브는 번들링된 개별 나노튜브이고 복수의 나노튜브 번들을 제공한다.
전술한 다양한 실시예들은 추가 실시예를 제공하기 위해 조합될 수 있다. 실시예의 양태는 필요에 따라 다양한 특허, 출원물 및 공개물의 개념을 이용하여 또 다른 실시예를 제공하도록 수정될 수 있다.
위의 상세한 설명에 비추어 본 실시예에 대해 이러한 변경 및 다른 변경이 행해질 수 있다. 일반적으로, 다음의 청구항에서, 사용된 용어는 청구항을 본 명세서 및 청구항에 개시된 특정 실시예로 제한하는 것으로 해석되어서는 안 되며, 그러한 청구항의 권리가 부여된 등가물의 전체 범위와 함께 모든 가능한 실시예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 따라서, 청구항은 본 개시 내용에 의해 제한되지는 않는다.
실시예
1. 광학 어셈블리에 있어서,
코어 쉘 구조(core shell structure)를 갖는 나노튜브를 포함하는 복수의 나노튜브의 매트릭스; 및
상기 매트릭스 상의 코팅 층 - 상기 코팅 층은 비금속 탄화물, 비금속 실리사이드, 전이 금속 탄화물 또는 전이 금속 실리사이드로부터 선택된 화합물을 포함함 -
을 포함하는, 광학 어셈블리.
2. 제1항에 있어서,
상기 코팅 층의 화합물은 붕소, 실리콘, 지르코늄, 니오븀 또는 몰리브덴의 탄화물 또는 실리사이드인 것인, 광학 어셈블리.
3. 제2항에 있어서,
상기 코팅 층의 화합물은, 붕소 탄화물(B4C), 붕소 실리콘 탄화물(BCSi), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 실리콘 탄화물(SiC), 니오븀 모노실리사이드(NbSi), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 몰리브덴 탄화물(Mo2, Mo4C 및 Mo2C), 몰리브덴 디실리사이드(MoSi2), 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3) 중 하나 이상을 포함하는 것인, 광학 어셈블리.
4. 제2항에 있어서,
상기 코팅 층의 화합물은, 붕소 탄화물(B4C), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 실리콘 탄화물(SiC), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3) 및 몰리브덴 탄화물(MoC, Mo2C 및 Mo4C) 중 하나 이상을 포함하는 것인, 광학 어셈블리.
5. 제1항에 있어서,
코어 쉘 구조를 갖는 상기 복수의 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브를 포함하는 복수의 번들(bundle)을 포함하는 것인, 광학 어셈블리.
6. 제5항에 있어서,
코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브의 정해진 번들의 각각의 개별 나노튜브 상에 코팅 층이 존재하는 것인, 광학 어셈블리.
7. 제5항에 있어서,
코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브의 정해진 번들의 각각의 개별 나노튜브 상에 코팅 층이 존재하지 않는 것인, 광학 어셈블리.
8. 제1항에 있어서,
상기 코팅 층은 비탄소 함유 나노튜브를 포함하거나 2차원 막인 것인, 광학 어셈블리.
9. 방법에 있어서,
극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 리소그래피 시스템에서 EUV 복사선을 생성하는 단계;
상기 극자외선 복사선을 펠리클 멤브레인(pellicle membrane)의 코팅 층을 통해 통과시키는 단계 - 상기 코팅 층은, 나노미터의 두께에 대한 EUV % 투과율의 비가 40 내지 10을 나타내는, 비금속 탄화물 화합물, 비금속 실리사이드 화합물, 전이 금속 탄화물 화합물 및 전이 금속 실리사이드 화합물로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 포함함 - ;
상기 코팅 층을 통과한 상기 극자외선 복사선을 상기 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통해 통과시키는 단계;
상기 투명 층을 통과한 상기 극자외선 복사선을 마스크로부터 반사시키는 단계; 및
상기 마스크에 의해 반사된 상기 극자외선 복사선을 반도체 기판에서 수신하는 단계를 포함하는, 방법.
10. 제9항에 있어서,
나노미터의 두께에 대한 상기 EUV % 투과율의 비는 38 내지 13인 것인, 방법.
11. 제9항에 있어서,
상기 극자외선 복사선을 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통해 통과시키는 단계는, 다결정질 실리콘(poly-Si), 도핑된 실리콘, 도핑된 실리콘계 화합물, 탄소 나노튜브, 실리콘 탄소 나노튜브, 붕소 질화물 나노튜브, 몰리브덴 황화물 나노튜브, 몰리브덴 셀레나이드 나노튜브, 텅스텐 황화물 나노튜브 또는 텅스텐 셀레나이드 나노튜브를 포함하는 투명 층을 통해 상기 극자외선 복사선을 통과시키는 단계를 포함하는 것인, 방법.
12. 제11항에 있어서,
상기 극자외선 복사선을 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통해 통과시키는 단계는, 상기 투명 층의 탄소 나노튜브, 실리콘 탄소 나노튜브, 붕소 질화물 나노튜브, 몰리브덴 황화물 나노튜브, 몰리브덴 셀레나이드 나노튜브, 텅스텐 황화물 나노튜브 또는 텅스텐 셀레나이드 나노튜브 상의 코팅 층을 통해 상기 극자외선을 통과시키는 단계를 포함하는 것인, 방법.
13. 제9항에 있어서,
상기 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통과한 상기 극자외선 복사선을 상기 펠리클 멤브레인의 제2 코팅 층 내로 통과시키는 단계
를 더 포함하는, 방법.
14. 제9항에 있어서,
상기 극자외선 복사선을 펠리클 멤브레인의 코팅 층을 통해 통과시키는 단계는, 상기 극자외선 복사선을 제1 코팅 층을 통해 통과시킨 후, 상기 극자외선 복사선을 상기 투명 층을 통해 통과시키기 전에, 상기 제1 코팅 층을 통과한 상기 극자외선 복사선을 제2 코팅 층을 통해 통과시키는 단계를 포함하는 것인, 방법.
15. 방법에 있어서,
나노튜브의 매트릭스를 형성하는 단계 - 상기 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖고 상기 나노튜브의 코어 쉘 구조의 쉘 상에 보호 층을 포함함 - ;
제1 공정에 의해, 상기 나노튜브의 매트릭스 상에 제1 코팅 층을 형성하는 단계; 및
제2 공정에 의해, 상기 제1 코팅 층 위에 제2 코팅 층을 형성하는 단계
를 포함하는, 방법.
16. 제15항에 있어서,
코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브는 복수의 개별 번들링되지 않은 나노튜브를 포함하는 것인, 방법.
17. 제15항에 있어서,
코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브는 번들링되어 복수의 나노튜브 번들을 제공하는 것인, 방법.
18. 제17항에 있어서,
상기 나노튜브 번들은 코어 쉘 구조를 갖는 7개 이상의 개별 나노튜브를 포함하는 것인, 방법.
19. 제15항에 있어서,
상기 나노튜브의 코어는 탄소 나노튜브인 것인, 방법.
20. 제19항에 있어서,
상기 코어 쉘 구조의 쉘은 복수의 비탄소 나노튜브를 포함하는 것인, 방법.

Claims (10)

  1. 광학 어셈블리에 있어서,
    코어 쉘 구조(core shell structure)를 갖는 나노튜브를 포함하는 복수의 나노튜브의 매트릭스; 및
    상기 매트릭스 상의 코팅 층 - 상기 코팅 층은 비금속 탄화물, 비금속 실리사이드, 전이 금속 탄화물 또는 전이 금속 실리사이드로부터 선택된 화합물을 포함함 -
    을 포함하는, 광학 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코팅 층의 화합물은 붕소, 실리콘, 지르코늄, 니오븀 또는 몰리브덴의 탄화물 또는 실리사이드인 것인, 광학 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 코팅 층의 화합물은, 붕소 탄화물(B4C), 붕소 실리콘 탄화물(BCSi), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 실리콘 탄화물(SiC), 니오븀 모노실리사이드(NbSi), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 몰리브덴 탄화물(Mo2, Mo4C 및 Mo2C), 몰리브덴 디실리사이드(MoSi2), 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3) 중 하나 이상을 포함하는 것인, 광학 어셈블리.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 코팅 층의 화합물은, 붕소 탄화물(B4C), 실리콘 육붕화물(B6Si/보로실리사이드), 실리콘 탄화물(SiC), 니오븀 탄화물(Nb4C3), 니오븀 실리사이드(NbSi2 및 Nb5Si3), 지르코늄 실리사이드(ZrSi2), 지르코늄 탄화물(ZrC), 몰리브덴 실리사이드(Mo5Si3) 및 몰리브덴 탄화물(MoC, Mo2C 및 Mo4C) 중 하나 이상을 포함하는 것인, 광학 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서,
    코어 쉘 구조를 갖는 상기 복수의 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브를 포함하는 복수의 번들(bundle)을 포함하는 것인, 광학 어셈블리.
  6. 제5항에 있어서,
    코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브의 정해진 번들의 각각의 개별 나노튜브 상에 코팅 층이 존재하는 것인, 광학 어셈블리.
  7. 제5항에 있어서,
    코어 쉘 구조를 갖는 상기 나노튜브의 정해진 번들의 각각의 개별 나노튜브 상에 코팅 층이 존재하지 않는 것인, 광학 어셈블리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 코팅 층은 비탄소 함유 나노튜브를 포함하거나 2차원 막인 것인, 광학 어셈블리.
  9. 방법에 있어서,
    극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 리소그래피 시스템에서 EUV 복사선을 생성하는 단계;
    상기 극자외선 복사선을 펠리클 멤브레인(pellicle membrane)의 코팅 층을 통해 통과시키는 단계 - 상기 코팅 층은, 나노미터의 두께에 대한 EUV % 투과율의 비가 40 내지 10을 나타내는, 비금속 탄화물 화합물, 비금속 실리사이드 화합물, 전이 금속 탄화물 화합물 및 전이 금속 실리사이드 화합물로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 포함함 - ;
    상기 코팅 층을 통과한 상기 극자외선 복사선을 상기 펠리클 멤브레인의 투명 층을 통해 통과시키는 단계;
    상기 투명 층을 통과한 상기 극자외선 복사선을 마스크로부터 반사시키는 단계; 및
    상기 마스크에 의해 반사된 상기 극자외선 복사선을 반도체 기판에서 수신하는 단계를 포함하는, 방법.
  10. 방법에 있어서,
    나노튜브의 매트릭스를 형성하는 단계 - 상기 나노튜브는 코어 쉘 구조를 갖고 상기 나노튜브의 코어 쉘 구조의 쉘 상에 보호 층을 포함함 - ;
    제1 공정에 의해, 상기 나노튜브의 매트릭스 상에 제1 코팅 층을 형성하는 단계; 및
    제2 공정에 의해, 상기 제1 코팅 층 위에 제2 코팅 층을 형성하는 단계
    를 포함하는, 방법.
KR1020220087751A 2021-11-24 2022-07-15 코팅을 가진 광학 어셈블리 및 사용 방법 KR20230076737A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163283088P 2021-11-24 2021-11-24
US63/283,088 2021-11-24
US17/745,576 2022-05-16
US17/745,576 US20230161261A1 (en) 2021-11-24 2022-05-16 Optical assembly with coating and methods of use

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230076737A true KR20230076737A (ko) 2023-05-31

Family

ID=86227285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220087751A KR20230076737A (ko) 2021-11-24 2022-07-15 코팅을 가진 광학 어셈블리 및 사용 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230161261A1 (ko)
KR (1) KR20230076737A (ko)
CN (1) CN115903372A (ko)
DE (1) DE102022122517A1 (ko)
TW (1) TW202321808A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
TW202321808A (zh) 2023-06-01
CN115903372A (zh) 2023-04-04
DE102022122517A1 (de) 2023-05-25
US20230161261A1 (en) 2023-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL2022557B1 (en) A membrane for euv lithography
US11624980B2 (en) Method for manufacturing a membrane assembly
KR20120101983A (ko) 스펙트럼 퓨리티 필터, 리소그래피 장치, 및 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법
TWI810289B (zh) 薄膜總成、製備薄膜的方法、用於微影設備之薄膜、及薄膜的用途
TWI724186B (zh) 罩幕結構與罩幕製程方法
KR102464044B1 (ko) 비정질 캡핑 층을 갖는 리소그래피 마스크
KR102317053B1 (ko) 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클 및 그의 제조 방법
CN110998435B (zh) 制造用于光刻设备的表膜的方法
US11982936B2 (en) Photomask and method of fabricating a photomask
US20230161261A1 (en) Optical assembly with coating and methods of use
US20220260932A1 (en) Optical assembly with coating and methods of use
KR20210018519A (ko) 극자외선 마스크 블랭크 결함 감소
CN115356890A (zh) 用于极紫外掩模的间隙型吸收体
US11923196B2 (en) Photomask pellicle and method of forming the same
TW202336524A (zh) 使用於微影設備中之表膜及護膜
TW202305500A (zh) 用於極紫外光微影之薄膜
TW202331406A (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩、反射型光罩之製造方法
KR20230058782A (ko) 탄화이트륨 기반의 극자외선 노광용 펠리클
KR20100076686A (ko) 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 그 제조방법