KR20230071755A - Power-on Resetting Device - Google Patents

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KR20230071755A
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reset
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circuit
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KR1020220153271A
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장승현
공선우
박봉혁
이희동
현석봉
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한국전자통신연구원
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
    • GPHYSICS
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    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
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Abstract

구조가 단순하고 저전력으로 구동될 수 있으면서, 파워-온 리셋 대상이 되는 시스템을 안정적으로 파워-온 리셋시킬 수 있는 파워-온 리셋 장치를 제공한다. 본 발명의 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 장치는 파워-온 리셋 대상 회로에 리셋 신호를 공급하여 상기 파워-온 리셋 대상 회로를 파워-온 리셋시키는 것으로서, 전원전압에 감응하여 충전전류를 공급하는 전류원; 상기 충전전류에 의해 충전되며, 충전량에 상응한 충전 전압을 출력하는 커패시터; 상기 전원전압의 레벨을 조정하여, 레벨조정된 전원전압을 생성하는 조정전압 공급기; 및 상기 레벨조정된 전원전압으로 바이어스되며, 상기 충전 전압을 받아들이고 소정의 기준 전압과 비교하여, 상기 충전 전압이 상기 기준 전압보다 작은 시간구간 동안 활성화되는 상기 리셋 신호를 출력하는 전원 감응형 비교기를 구비한다.A power-on reset device capable of stably power-on resetting a system subject to power-on reset while having a simple structure and being able to be driven with low power is provided. A power-on reset device according to an exemplary embodiment of the present invention supplies a reset signal to a circuit subject to power-on reset to perform a power-on reset of the circuit subject to power-on reset, and in response to a power supply voltage, a charging current a current source that supplies; a capacitor charged by the charging current and outputting a charging voltage corresponding to the charging amount; a regulated voltage supply that adjusts the level of the power supply voltage to generate a level-adjusted power supply voltage; and a power sensitive comparator that is biased by the level-adjusted power supply voltage, receives the charging voltage, compares it with a predetermined reference voltage, and outputs the reset signal activated during a time period when the charging voltage is smaller than the reference voltage. do.

Description

파워-온 리셋 장치{Power-on Resetting Device}Power-on resetting device {Power-on Resetting Device}

본 발명은 전기회로 또는 전자회로로 구성되는 시스템을 리셋하기 위한 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 시스템에 새로 전력이 인가될 때 파워-온 리셋을 실행하기 위한 파워-온 리셋 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for resetting an electric circuit or a system composed of electronic circuits, and more particularly, to a power-on reset device for executing a power-on reset when power is newly applied to a system. .

파워-온 리셋(Power-On Reset) 회로는 시스템에 새로 전력이 인가할 때마다 시스템 내부의 회로들이 동일한 조건에서 시작될 수 있도록 일정 시간 동안 리셋 신호를 출력하는 기능을 수행하는 회로이다. 도 1a는 일반적인 파워-온 리셋 회로를 보여준다. 입력 전원(VDD)이 인가되면, 전류원(110)을 통해서 전류가 커패시터(120)로 흐르게 되며, 이로 인하여 커패시터(120)가 충전되고 커패시터 양단 전압(Vc)이 증가하게 된다. 신호 비교기(130)는 커패시터 양단 전압(Vc)을 입력받아 기준 전압과 비교하고, 비교 결과에 따라 레벨이 달라지는 리셋 신호(VRESET)를 출력한다. 리셋 신호(VRESET)는 액티브-로우 신호일 수 있으며, 커패시터 양단 전압(Vc)이 기준 전압보다 낮은 경우에는 0볼트(V)의 값을 가지고, 커패시터 양단 전압(Vc)이 기준 전압보다 높은 경우에는 하이 레벨을 가지게 된다. A power-on reset circuit is a circuit that outputs a reset signal for a certain period of time so that circuits inside the system can be started under the same conditions whenever power is newly applied to the system. 1A shows a typical power-on reset circuit. When the input power VDD is applied, current flows through the current source 110 to the capacitor 120, thereby charging the capacitor 120 and increasing the voltage Vc across the capacitor. The signal comparator 130 receives the voltage Vc across the capacitor, compares it with the reference voltage, and outputs a reset signal V RESET having a different level according to the comparison result. The reset signal (V RESET ) may be an active-low signal, has a value of 0 volts (V) when the voltage (Vc) across the capacitor is lower than the reference voltage, and has a value of 0 volts (V) when the voltage (Vc) across the capacitor is higher than the reference voltage. have a high level.

파워-온 리셋이 필요한 시스템을 확실하게 파워-온 리셋하기 위해서는 충분한 시간동안 리셋이 되게 할 필요가 있다. 즉, 도 1b에 도시된 바와 같이 리셋 신호 구간의 시간을 충분히 길게 하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 전류원(110)의 출력 전류를 작게 하여 커패시터 양단 전압(Vc)의 상승 기울기를 낮게 해야 한다. 전류원(110)의 출력 전류가 작으면, 커패시터(120)의 충전이 더디어지게 되고 커패시터 양단 전압(Vc)이 기준 전압보다 높아지는데 소요되는 시간이 길어져서, 리셋 시간이 길어지게 된다. In order to reliably power-on reset a system requiring a power-on reset, it needs to be reset for a sufficient amount of time. That is, as shown in FIG. 1B, it is preferable to sufficiently lengthen the period of the reset signal period. To this end, the output current of the current source 110 should be reduced to lower the rising slope of the voltage Vc across the capacitor. If the output current of the current source 110 is small, the charging of the capacitor 120 is delayed and the time required for the voltage across the capacitor (Vc) to become higher than the reference voltage increases, resulting in a longer reset time.

그런데, 반도체 공정이 점점 미세화되고 소자 크기가 작아짐에 따라, 상기 파워-온 리셋 회로는 안정적으로 동작하지 못할 수 있다. 집적회로 내에 있는 개별 소자들에서 발생하는 누설 전류가 증가함에 따라, 전류원(110)의 출력 전류가 누설되거나 캐패시터(120)의 전하가 누설될 수 있게 되어, 커패시터 양단 전압(Vc)이 기준 전압에 도달하지 못하는 경우가 간헐적으로 발생할 수 있기 때문이다. 이와 같은 경우, 상기 파워-온 리셋 회로는 로우 레벨의 리셋 신호(VRESET)를 계속 출력하여 시스템이 지속적으로 리셋되면서 정상적인 동작을 하지 못할 수 있다.However, as semiconductor processes become increasingly miniaturized and device sizes decrease, the power-on reset circuit may not operate stably. As the leakage current generated from individual elements in the integrated circuit increases, the output current of the current source 110 may leak or the charge of the capacitor 120 may leak, so that the voltage Vc across the capacitor corresponds to the reference voltage. This is because failure to reach may occur intermittently. In this case, the power-on reset circuit continuously outputs a low-level reset signal (V RESET ) so that the system is continuously reset and may not operate normally.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 구조가 단순하고 저전력으로 구동될 수 있으면서, 파워-온 리셋 대상이 되는 시스템을 안정적으로 파워-온 리셋시킬 수 있는 파워-온 리셋 장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a power-on reset device capable of stably power-on resetting a system subject to power-on reset while having a simple structure and being able to be driven with low power.

본 발명의 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 장치는 파워-온 리셋 대상 회로에 리셋 신호를 공급하여 상기 파워-온 리셋 대상 회로를 파워-온 리셋시키는 것으로서, 전원전압에 감응하여 충전전류를 공급하는 전류원; 상기 충전전류에 의해 충전되며, 충전량에 상응한 충전 전압을 출력하는 커패시터; 상기 전원전압의 레벨을 조정하여, 레벨조정된 전원전압을 생성하는 조정전압 공급기; 및 상기 레벨조정된 전원전압으로 바이어스되며, 상기 충전 전압을 받아들이고 소정의 기준 전압과 비교하여, 상기 충전 전압이 상기 기준 전압보다 작은 시간구간 동안 활성화되는 상기 리셋 신호를 출력하는 전원 감응형 비교기를 구비한다.A power-on reset device according to an exemplary embodiment of the present invention supplies a reset signal to a circuit subject to power-on reset to perform a power-on reset of the circuit subject to power-on reset, and in response to a power supply voltage, a charging current a current source that supplies; a capacitor charged by the charging current and outputting a charging voltage corresponding to the charging amount; a regulated voltage supply that adjusts the level of the power supply voltage to generate a level-adjusted power supply voltage; and a power sensitive comparator that is biased by the level-adjusted power supply voltage, receives the charging voltage, compares it with a predetermined reference voltage, and outputs the reset signal activated during a time period when the charging voltage is smaller than the reference voltage. do.

상기 레벨조정된 전원전압의 크기는 상기 전원전압의 크기보다 작을 수 있다.A magnitude of the level-adjusted power voltage may be smaller than that of the power voltage.

상기 조정전압 공급기는 전압 분배기를 포함할 수 있다. 상기 전압 분배기는 복수의 저항을 포함하는 회로로 구현될 수 있다.The regulated voltage supply may include a voltage divider. The voltage divider may be implemented as a circuit including a plurality of resistors.

상기 전원 감응형 비교기는 상기 레벨조정된 바이어스 전압에 따라 스위칭 포인트 전압이 달라지는 인버터 회로를 포함할 수 있다.The power sensitive comparator may include an inverter circuit that changes a switching point voltage according to the level-adjusted bias voltage.

상기 전원 감응형 비교기는 상기 레벨조정된 바이어스 전압에 따라 제1 및 제2 스위칭 포인트 전압이 달라지는 슈미트-트리거 회로를 포함할 수 있다.The power sensitive comparator may include a Schmitt-trigger circuit in which first and second switching point voltages are changed according to the level-adjusted bias voltage.

본 발명의 일 실시예에 따른 파워-온 리셋 장치에 따르면, 조정전압 공급기가 크기가 작게 조정된 전원 전압을 전원 감응형 비교기에 공급하고, 전원 감응형 비교기가 크기-조정된 전원 전압을 토대로 동작하여 리셋 신호를 발생한다. 파워-온 리셋 장치가 저전력 구동되어 그 내부를 흐르는 전류가 미약하고 누설 전류의 비중이 커지는 경우에도, 파워-온 리셋 대상이 되는 시스템을 안정적으로 파워-온 리셋시킬 수 있게 된다.According to the power-on reset device according to an embodiment of the present invention, the regulated voltage supply supplies a power supply voltage adjusted to a small size to the power sensitive comparator, and the power sensitive comparator operates based on the scaled power supply voltage. to generate a reset signal. Even when the power-on reset device is driven with low power and the current flowing therein is weak and the proportion of the leakage current increases, a system subject to power-on reset can be stably powered-on reset.

일 실시예에 따른 파워-온 리셋 장치는 구조가 간단하고, 반도체 칩 상에서 차지하는 면적이 매우 적다는 추가적인 이점이 있다.A power-on reset device according to an embodiment has additional advantages in that it has a simple structure and occupies a very small area on a semiconductor chip.

도 1a는 일반적인 파워-온 리셋 회로의 블록도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 파워-온 리셋 회로의 동작과 문제점을 설명하기 위한 파형도이다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 장치의 사용 환경의 일 예를 보여주는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 장치의 블록도이다.
도 4는 도 3의 파워-온 리셋 장치의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.
도 5는 도 3에 도시된 전원 감응형 비교기의 일 실시예의 회로도이다.
도 6은 도 3에 도시된 전원 감응형 비교기의 다른 실시예의 회로도이다.
1A is a block diagram of a typical power-on reset circuit.
FIG. 1B is a waveform diagram for explaining the operation and problems of the power-on reset circuit shown in FIG. 1A.
2 is a block diagram showing an example of a use environment of a power-on reset device according to an exemplary embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a block diagram of a power-on reset device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the power-on reset device of FIG. 3 .
FIG. 5 is a circuit diagram of an embodiment of the power sensitive comparator shown in FIG. 3 .
FIG. 6 is a circuit diagram of another embodiment of the power sensitive comparator shown in FIG. 3 .

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제1, 제2, 등의 서수가 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. "및/또는"이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Ordinal numbers such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. The term “and/or” includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

본 출원의 실시예들에서, "A 및 B 중에서 적어도 하나"는 "A 또는 B 중에서 적어도 하나" 또는 "A 및 B 중 하나 이상의 조합들 중에서 적어도 하나"를 의미할 수 있다. 또한, 본 출원의 실시예들에서, "A 및 B 중에서 하나 이상"은 "A 또는 B 중에서 하나 이상" 또는 "A 및 B 중 하나 이상의 조합들 중에서 하나 이상"을 의미할 수 있다.In embodiments of the present application, “at least one of A and B” may mean “at least one of A or B” or “at least one of combinations of one or more of A and B”. Also, in the embodiments of the present application, “one or more of A and B” may mean “one or more of A or B” or “one or more of combinations of one or more of A and B”.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no other element exists in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어 전체적인 이해를 용이하게 하기 위하여 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In order to facilitate overall understanding in the description of the present invention, the same reference numerals are used for the same components in the drawings, and redundant descriptions of the same components are omitted.

도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 회로의 사용 환경의 일 예를 보여준다. 도 2에 도시된 시스템(200)은 전원 스위치(210), 파워-온 리셋 회로(220), 및 파워-온 리셋 대상 회로(290)를 구비할 수 있다. 전원 스위치(210)는 시스템(200)에 전력이 선택적으로 공급되게 할 수 있다. 즉, 전원 스위치(210)가 턴온된 상태에서는 파워-온 리셋 회로(220) 및 파워-온 리셋 대상 회로(290)에 전력이 공급된다. 전원 스위치(210)가 턴오프된 상태에서는 파워-온 리셋 회로(220) 및 파워-온 리셋 대상 회로(290)에 전력이 공급되지 않을 수 있다. 상기 시스템(200)은 반도체 집적회로(IC) 상에서 구현될 수 있다.2 shows an example of a use environment of a power-on reset circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. The system 200 shown in FIG. 2 may include a power switch 210 , a power-on reset circuit 220 , and a power-on reset target circuit 290 . Power switch 210 may allow power to be selectively supplied to system 200 . That is, when the power switch 210 is turned on, power is supplied to the power-on reset circuit 220 and the power-on reset target circuit 290 . In a state in which the power switch 210 is turned off, power may not be supplied to the power-on reset circuit 220 and the power-on reset target circuit 290 . The system 200 may be implemented on a semiconductor integrated circuit (IC).

파워-온 리셋 회로(220)는 파워-온 리셋 대상 회로(290)에 접속되어, 상기 파워-온 리셋 대상 회로(290)에 리셋 신호(VRESET)를 공급할 수 있다. 상기 리셋 신호(VRESET)는 파워-온 리셋 신호를 포함한다. 본 명세서에서 파워-온 리셋 신호는, 전원 스위치(210)가 턴오프 상태에서 턴온 상태로 스위칭되어 시스템(200)에 전력이 공급되기 시작할 때마다, 파워-온 리셋 대상 회로(290) 내부의 회로들이 동일한 조건에서 시작될 수 있도록 파워-온 리셋 대상 회로(290)를 리셋시키는 신호를 말한다. 이하의 설명에서, "리셋 신호(VRESET)"는 파워-온 리셋 신호를 지칭하는 의미로 사용된다. 일 실시예에 있어서, 리셋 신호(VRESET)는 액티브-로우 신호로서, 파워-온 직후에 로우 레벨로 활성화되어 파워-온 리셋 대상 회로(290)를 리셋시키고, 파워-온 이후의 정상 동작 상태에서는 하이 레벨로 비활성화되어 파워-온 리셋 대상 회로(290)의 동작에 영향을 미치지 않는다.The power-on reset circuit 220 may be connected to the power-on reset target circuit 290 and supply the reset signal V RESET to the power-on reset target circuit 290 . The reset signal V RESET includes a power-on reset signal. In this specification, the power-on reset signal is a circuit inside the power-on reset target circuit 290 whenever the power switch 210 is switched from a turn-off state to a turn-on state and power is supplied to the system 200. It refers to a signal that resets the power-on reset target circuit 290 so that they can be started under the same condition. In the following description, “reset signal (V RESET )” is used to refer to a power-on reset signal. In one embodiment, the reset signal (V RESET ) is an active-low signal, and is activated to a low level immediately after power-on to reset the power-on reset target circuit 290, and a normal operating state after power-on is deactivated at a high level and does not affect the operation of the circuit 290 subject to power-on reset.

도 3은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 회로(220)의 블록도이다. 예시적 실시예에 따른 파워-온 리셋 회로(220)는 전류원(230), 커패시터(240), 조정전압 공급기(250), 및 전원 감응형 비교기(260)를 구비할 수 있다.3 is a block diagram of a power-on reset circuit 220 according to an exemplary embodiment of the present invention. A power-on reset circuit 220 according to an exemplary embodiment may include a current source 230 , a capacitor 240 , a regulated voltage supply 250 , and a power sensitive comparator 260 .

전류원(230)은 입력 전원(VDD)을 통해 전력이 파워-온 리셋 회로(220)에 공급되는 동안에 노드(235)를 통해서 커패시터(240)에 일정한 전류를 출력한다. 일 실시예에 있어서, 전류원(230)이 출력하는 전류는 정전류로서, 전류의 크기가 충분히 작은 크기를 가지는 것이 바람직하며, 이에 따라 커패시터(240)의 충전 속도를 작게 하여 파워-온 리셋 대상 회로(290)에서 파워-온 리셋이 충분한 시간동안 이루어질 수 있도록 할 수 있다.Current source 230 outputs a constant current to capacitor 240 through node 235 while power is supplied to power-on reset circuit 220 through input power supply VDD. In one embodiment, the current output by the current source 230 is a constant current, and it is preferable that the size of the current is sufficiently small. Accordingly, the charging rate of the capacitor 240 is reduced to reduce the power-on reset target circuit ( In 290), the power-on reset can be performed for a sufficient period of time.

커패시터(240)는 일 단자가 노드(235)에서 전류원(230)의 출력 단자에 접속되어 있고, 타 단자는 접지되어 있다. 커패시터(240)는 전류원(230)이 공급하는 전류에 의하여 충전될 수 있다. 이에 따라, 커패시터 양단 전압(Vc) 즉, 노드(235)의 전위는 파워-온 리셋 회로(220)에 전력이 인가된 직후에 서서히 증가하게 된다.Capacitor 240 has one terminal connected to the output terminal of current source 230 at node 235 and the other terminal to ground. The capacitor 240 may be charged by the current supplied by the current source 230 . Accordingly, the voltage Vc across the capacitor, that is, the potential of the node 235 gradually increases immediately after power is applied to the power-on reset circuit 220 .

조정전압 공급기(250)는 입력된 전원전압(VDD)으로부터 레벨이 조정된 전원전압(VDD1)을 생성하여 전원 감응형 비교기(260)에 공급한다. 조정된 전원전압(VDD1)은 전원 감응형 비교기(260)의 판단 기준을 변경하기 위한 것으로서, 레벨조정된 전원전압(VDD1)의 레벨은 입력 전원전압(VDD)보다 작은 값을 갖는다. 레벨조정된 전원전압(VDD1)의 구체적인 크기는 상기 시스템(200) 내지 파워-온 리셋 대상 회로(290)에 따라 달라질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 조정전압 공급기(250)는 복수의 저항을 포함하는 전압 분배기 회로에 의해 구현될 수 있다.The regulated voltage supply 250 generates a level-adjusted power voltage VDD1 from the input power voltage VDD and supplies it to the power sensitive comparator 260 . The adjusted power supply voltage VDD1 is used to change the decision criterion of the power sensitive comparator 260, and the level of the level adjusted power supply voltage VDD1 has a smaller value than the input power voltage VDD. The specific magnitude of the level-adjusted power supply voltage VDD1 may vary depending on the system 200 or the power-on reset target circuit 290 . In one embodiment, the regulated voltage supply 250 may be implemented by a voltage divider circuit comprising a plurality of resistors.

전원 감응형 비교기(260)는 커패시터 양단 전압(Vc)을 입력으로 받아들이고, 커패시터 양단 전압(Vc)을 일정한 기준 전압과 비교하며, 비교 결과에 따라 레벨이 달라지는 리셋 신호(VRESET)를 출력한다. 리셋 신호(VRESET)는 액티브-로우 신호일 수 있으며, 커패시터 양단 전압(Vc)이 기준 전압보다 낮은 경우에는 0볼트(V)의 값을 가지고, 커패시터 양단 전압(Vc)이 기준 전압보다 높은 경우에는 하이 레벨을 가질 수 있된다.The power sensitive comparator 260 receives the voltage Vc across the capacitor as an input, compares the voltage across the capacitor Vc with a constant reference voltage, and outputs a reset signal V RESET whose level varies according to the comparison result. The reset signal (V RESET ) may be an active-low signal, has a value of 0 volts (V) when the voltage (Vc) across the capacitor is lower than the reference voltage, and has a value of 0 volts (V) when the voltage (Vc) across the capacitor is higher than the reference voltage. You can have a high level.

도 4는 도 3의 파워-온 리셋 장치의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the power-on reset device of FIG. 3 .

도 4를 참조하면, 입력 전원(VDD)을 통해 전력이 파워-온 리셋 회로(220)에 공급되는 동안에 전류원(230)이 일정한 전류를 커패시터(240) 측으로 공급한다. 커패시터(240)는 전류원(230)이 공급하는 전류에 의하여 충전되며, 이에 따라 커패시터 양단 전압(Vc)은 전력이 파워-온 리셋 회로(220)에 인가된 직후에 서서히 증가하게 된다. 이 때, 상기 커패시터 양단 전압(Vc)은 수학식 1에 의해서 표현될 수 있다.Referring to FIG. 4 , a current source 230 supplies a constant current to the capacitor 240 while power is supplied to the power-on reset circuit 220 through the input power source VDD. The capacitor 240 is charged by the current supplied by the current source 230, and accordingly, the voltage Vc across the capacitor gradually increases immediately after power is applied to the power-on reset circuit 220. At this time, the voltage across the capacitor (Vc) can be expressed by Equation 1.

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, C는 커패시터(240)의 커패시턴스 값을 나타내고, i는 커패시터(240)에 입력되는 전류 값을 나타내며, t는 시간을 나타낸다.Here, C represents the capacitance value of the capacitor 240, i represents the current value input to the capacitor 240, and t represents time.

일반적으로 비교기 회로는 전원 전압 레벨에 따라서 따라서 비교 기준 전압이 변하는 특징을 가진다. 본 발명의 예시적 실시예에 따르면, 전원 감응형 신호 비교기(260)가 조정전압 공급기(250)로부터 공급되는 레벨조정된 전원전압(VDD1)에 의해 바이어스되기 때문에, 레벨이 조정되지 않은 전원전압(VDD)으로 바이어스되는 경우에 비하여 비교 기준 전압이 감소하게 된다. 이에 따라, 파워-온 리셋 회로(220)가 높은 레벨의 전원전압(VDD)에 의해 바이어스될 때에는 상대적으로 큰 비교 기준 전압을 사용하여 비교 동작을 수행하고, 파워-온 리셋 회로(220)가 낮은 레벨로 레벨조정된 전원전압(VDD1)에 의해 바이어스될 때에는 상대적으로 작은 비교 기준 전압을 사용하여 비교 동작을 수행한다.In general, a comparator circuit has a feature in which a comparison reference voltage changes according to a power supply voltage level. According to an exemplary embodiment of the present invention, since the power-sensitive signal comparator 260 is biased by the level-adjusted power supply voltage VDD1 supplied from the regulated voltage supply 250, the level-unregulated power supply voltage ( Compared to the case of being biased with VDD), the comparison reference voltage is reduced. Accordingly, when the power-on reset circuit 220 is biased by the high-level supply voltage VDD, the comparison operation is performed using a relatively large comparison reference voltage, and the power-on reset circuit 220 performs a comparison operation when the power-on reset circuit 220 has a low level. When biased by the level-adjusted power supply voltage VDD1, a comparison operation is performed using a relatively small comparison reference voltage.

본 발명의 예시적 실시예에 따르면 전원 감응형 신호 비교기(260)는, 인가되는 바이어스 전압(VDD1)의 크기에 따라서 달라지는 기준 신호를 사용하여, 상기 커패시터 양단 전압(Vc)을 비교한다. 앞에서 언급한 바와 같이 안정적인 파워-온 리셋을 위해 전류원(230)의 출력 전류를 작게 하는 경우에, 느리게 또는 불안정하게 증가하는 커패시터 양단 전압(Vc)을 토대로 파워-온 리셋 구간을 충분히 설정할 수 있도록, 전원 감응형 신호 비교기(260)에 인가되는 바이어스 전압(VDD1)은 이상적인 전압(VDD)에 비해서 낮게 설정될 수 있다. 조정전압 공급기(250)는 전원 감응형 신호 비교기(260)의 비교 기준 전압이 적정한 값을 가질 수 있게 해주는 바이어스 전압(VDD1)을 전원 감응형 신호 비교기(260)의 바이어스 단자에 공급한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the power-sensitive signal comparator 260 compares the voltage Vc across the capacitor using a reference signal that varies according to the applied bias voltage VDD1. As mentioned above, when the output current of the current source 230 is reduced for stable power-on reset, the power-on reset period can be set sufficiently based on the slowly or unstablely increasing voltage Vc across the capacitor, The bias voltage VDD1 applied to the power sensitive signal comparator 260 may be set lower than the ideal voltage VDD. The regulated voltage supply 250 supplies a bias voltage VDD1 for enabling the comparison reference voltage of the power sensitive signal comparator 260 to have an appropriate value to a bias terminal of the power sensitive signal comparator 260 .

이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이 전류원(230)의 출력 전류가 작아서 커패시터 양단 전압(Vc)이 느리게 증가하거나 증가 후의 레벨이 작은 경우에, 전원 감응형 신호 비교기(260)에서 사용하는 비교 기준 전압도 작아지게 되어, 파워-온 리셋 구간의 시간 길이가 충분히 확보되면서도, 파워-온 리셋 구간이 확실하게 종료될 수 있게 된다. 이와 같은 동작을 통하여, 본 발명에 따른 파워-온 리셋 회로(220)는 반도체 공정이 미세화되어 누설 전류가 있더라도 파워-온 리셋 대상 회로(290)에 대하여 보다 안정적인 파워-온 리셋 기능을 제공할 수 있게 된다. Accordingly, as shown in FIG. 4 , when the output current of the current source 230 is small so that the voltage across the capacitor (Vc) increases slowly or the level after the increase is small, the comparison criterion used by the power sensitive signal comparator 260 Since the voltage is also reduced, the power-on reset period can be reliably ended while the time length of the power-on reset period is sufficiently secured. Through this operation, the power-on reset circuit 220 according to the present invention can provide a more stable power-on reset function for the power-on reset target circuit 290 even if there is leakage current due to miniaturization of the semiconductor process. there will be

또한, 예시적 실시예에 따르면, 전원 감응형 비교기(260)의 비교 기준 전압을 변경하기 위하여 별도의 복잡한 회로나 별도의 제어 신호를 사용하지 않고, 구조가 간단한 조정전압 공급기(250)에 의해 입력 전원전압(VDD)으로부터 레벨조정된 전원 전압(VDD1)을 생성하기 때문에 회로 구조를 단순화할 수 있다. 이러한 구조 단순화로 인하여 반도체 면적 최소화 및 전력 소모를 줄일 수 있다는 추가적인 이점이 있다.In addition, according to an exemplary embodiment, a separate complicated circuit or a separate control signal is not used to change the comparison reference voltage of the power sensitive comparator 260, but is input by the regulated voltage supply 250 having a simple structure. Since the level-adjusted power supply voltage VDD1 is generated from the power supply voltage VDD, the circuit structure can be simplified. Due to this structural simplification, there are additional advantages of minimizing the semiconductor area and reducing power consumption.

도 5는 전원 감응형 비교기(260)의 일 실시예의 회로도이다. 본 실시예에 있어서, 전원 감응형 비교기(260)는 pMOS 트랜지스터(M1) 및 nMOS 트랜지스터(M2)를 포함하는 CMOS 인버터 회로를 포함하도록 구현될 수 있다.5 is a circuit diagram of one embodiment of a power sensitive comparator 260. In this embodiment, the power sensitive comparator 260 may be implemented to include a CMOS inverter circuit including a pMOS transistor M1 and an nMOS transistor M2.

CMOS 인버터 회로에서, 출력 신호의 상태가 변하는 입력 전압인 스위칭 포인트 전압(

Figure pat00002
)은 수학식 2로 표현될 수 있다. 수학식 2에서 보듯이, 스위칭 포인트 전압(
Figure pat00003
)은 반도체 공정 파라미터와 반도체 소자의 크기뿐만 아니라 CMOS 인버터에 인가되는 전원전압(
Figure pat00004
크기에 의해서도 달라지게 된다. 따라서, CMOS 인버터에 인가되는 전원전압(
Figure pat00005
의 크기를 조정함으로서 인버터의 스위칭 포인트 전압(
Figure pat00006
)을 제어할 수 있고, 이러한 동작을 통하여 누설 전류 등으로 인하여 커패시터(230)의 양단 전압(Vc)이 일정 크기의 전압에 도달하지 못하게 되었을 때에도, 더 낮은 비교 기준 전압을 사용하여 정상적인 파워-온 리셋 기능을 수행할 수 있게 된다. In a CMOS inverter circuit, the switching point voltage (
Figure pat00002
) can be expressed as Equation 2. As shown in Equation 2, the switching point voltage (
Figure pat00003
) is the semiconductor process parameter and the size of the semiconductor device as well as the power voltage applied to the CMOS inverter (
Figure pat00004
It also varies by size. Therefore, the power supply voltage applied to the CMOS inverter (
Figure pat00005
By sizing the inverter's switching point voltage (
Figure pat00006
) can be controlled, and even when the voltage (Vc) across the capacitor 230 does not reach a certain voltage due to leakage current through this operation, normal power-on using a lower comparison reference voltage The reset function can be performed.

Figure pat00007
Figure pat00007

수학식 2에서,

Figure pat00008
은 CMOS 인버터 내에 있는 nMOS 트랜지스터(M2)의 공정 파라미터와 크기로 결정되는 변수이고,
Figure pat00009
는 CMOS 인버터 내에 있는 pMOS 트랜지스터(M1)의 공정 파라미터와 크기로 결정되는 변수이다.
Figure pat00010
은 CMOS 인버터 내에 있는 nMOS 트랜지스터(M2)의 문턱 전압을 나타내고,
Figure pat00011
은 CMOS 인버터 내에 있는 pMOS 트랜지스터(M2)의 문턱 전압을 나타내며, VDD1은 레벨조정된 바이어스 전압이다.In Equation 2,
Figure pat00008
is a variable determined by the process parameters and size of the nMOS transistor M2 in the CMOS inverter,
Figure pat00009
is a variable determined by the process parameters and size of the pMOS transistor M1 in the CMOS inverter.
Figure pat00010
represents the threshold voltage of the nMOS transistor M2 in the CMOS inverter,
Figure pat00011
represents the threshold voltage of the pMOS transistor M2 in the CMOS inverter, and VDD1 is the level-adjusted bias voltage.

도 6은 전원 감응형 비교기(260)의 다른 실시예의 회로도이다. 본 실시예에 있어서, 전원 감응형 비교기(260)는 슈미트-트리거 회로를 포함하도록 구현될 수 있다.6 is a circuit diagram of another embodiment of a power sensitive comparator 260. In this embodiment, power sensitive comparator 260 may be implemented to include a Schmitt-trigger circuit.

도 6에 도시된 슈미트-트리거 회로는 도 5에 도시된 CMOS 인버터 회로와는 달리 출력 신호 즉 리셋 신호(VRESET)의 상태가 변하는 스위칭 포인트 전압(

Figure pat00012
) 레벨이 일반적으로 2개(즉,
Figure pat00013
,
Figure pat00014
) 존재한다. 일반적인 CMOS 인버터 회로의 경우, 스위칭 포인트 전압(
Figure pat00015
)이 일반적으로 바이어스 전압의 1/2배 되는 레벨에서 형성되는데 반하여, 슈미트-트리거 회로는 상기 2개의 스위칭 포인트 전압(
Figure pat00016
,
Figure pat00017
) 레벨이 각각 바이어스 전압의 1/2배되는 레벨보다 더 크거나 더 낮게 설정될 수 있다는 특징을 가진다.Unlike the CMOS inverter circuit shown in FIG. 5, the Schmitt-trigger circuit shown in FIG. 6 changes the state of the output signal, that is, the reset signal VRESET, at a switching point voltage (
Figure pat00012
) levels are usually two (i.e.
Figure pat00013
,
Figure pat00014
) exist. For a typical CMOS inverter circuit, the switching point voltage (
Figure pat00015
) is generally formed at a level that is 1/2 times the bias voltage, whereas the Schmitt-trigger circuit is formed at the two switching point voltages (
Figure pat00016
,
Figure pat00017
) level can be set higher or lower than the level that is 1/2 times the bias voltage, respectively.

도 6에 도시된 슈미트-트리거 회로의 스위칭 포인트 전압(

Figure pat00018
,
Figure pat00019
)은 수학식 3과 수학식 4로 각각 표현될 수 있다.The switching point voltage of the Schmitt-trigger circuit shown in FIG. 6 (
Figure pat00018
,
Figure pat00019
) can be expressed as Equations 3 and 4, respectively.

Figure pat00020
Figure pat00020

Figure pat00021
Figure pat00021

수학식 3과 수학식 4에서,

Figure pat00022
은 슈미트-트리거 회로 내 pMOS 트랜지스터(M11)의 공정 파라미터와 크기로 결정되는 변수이고,
Figure pat00023
은 nMOS 트랜지스터(M13)의 공정 파라미터와 크기로 결정되는 변수이며,
Figure pat00024
는 pMOS 트랜지스터(M15)의 공정 파라미터와 크기로 결정되는 변수이고,
Figure pat00025
은 nMOS 트랜지스터(M16)의 공정 파라미터와 크기로 결정되는 변수이며,
Figure pat00026
은 nMOS 트랜지스터들(M13, M14, M16)의 문턱 전압이고,
Figure pat00027
는 pMOS 트랜지스터들(M11, M12, M15)의 문턱 전압이며,
Figure pat00028
은 레벨조정된 바이어스 전압을 나타낸다.In Equations 3 and 4,
Figure pat00022
is a variable determined by the process parameters and size of the pMOS transistor M11 in the Schmitt-trigger circuit,
Figure pat00023
is a variable determined by the process parameters and size of the nMOS transistor M13,
Figure pat00024
Is a variable determined by the process parameters and size of the pMOS transistor M15,
Figure pat00025
is a variable determined by the process parameters and size of the nMOS transistor M16,
Figure pat00026
Is the threshold voltage of the nMOS transistors M13, M14, and M16,
Figure pat00027
Is the threshold voltage of the pMOS transistors M11, M12, and M15,
Figure pat00028
represents the level-adjusted bias voltage.

수학식 3을 살펴보면, 슈미트-트리거 회로의 높은 스위칭 포인트 전압인

Figure pat00029
는 반도체 공정 파라미터와 소자의 크기뿐만 아니라 슈미트-트리거 회로에 인가되는 레벨조정된 바이어스 전압(
Figure pat00030
) 크기에 의해서도 영향을 받게 됨을 알 수 있다. 따라서, 슈미트-트리거 회로의 바이어스 전압(
Figure pat00031
)의 크기를 조정함으로서
Figure pat00032
를 추가적으로 더 제어를 할 수 있게 된다. Looking at Equation 3, the high switching point voltage of the Schmitt-trigger circuit is
Figure pat00029
is the semiconductor process parameter and device size as well as the level-adjusted bias voltage applied to the Schmitt-trigger circuit (
Figure pat00030
) is also affected by the size. Therefore, the bias voltage of the Schmitt-trigger circuit (
Figure pat00031
) by scaling
Figure pat00032
gives you more control.

수학식 4를 살펴보면, 슈미트-트리거 회로의 낮은 스위칭 포인트 전압인

Figure pat00033
역시 비슷한 것을 확인할 수 있으며,
Figure pat00034
경우와 마찬가지로, 바이어스 전압(
Figure pat00035
)의 크기를 조정함으로서
Figure pat00036
를 추가적으로 더 제어할 수 있게 된다.Looking at Equation 4, the low switching point voltage of the Schmitt-trigger circuit is
Figure pat00033
You can also see something similar
Figure pat00034
As in the case, the bias voltage (
Figure pat00035
) by scaling
Figure pat00036
gives you more control.

일반적으로 반도체 집적회로(IC)에는 일정한 전원전압이 공급되지만, IC가 실제로 사용되는 시스템에서는 IC에 공급되는 전원전압에 오차가 발생할 수 있다. 또한 IC 내부에서 전원전압은 디바이스 온도, 부하 등에 따라 내부적으로 변동될 수도 있으며, 반도체 공정이 미세화되고 디바이스 크기가 작아짐에 따른 공정 편차로 인하여 디바이스 간 편차도 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 예컨대 IC에 인가되는 전원전압이 1 볼트(V)로 설계되었다 하더라도, 실제 시스템에서는 상당한 오차 예컨대 ±10% 정도의 오차가 발생할 수 있다. 이러한 전원전압의 변동을 발생시키는 요인을 PVT(Process, Voltage, Temperature) 변동 요소(variation)라고 칭하기도 한다.In general, a constant power voltage is supplied to a semiconductor integrated circuit (IC), but in a system in which the IC is actually used, an error may occur in the power voltage supplied to the IC. In addition, the power supply voltage inside the IC may vary internally depending on the device temperature, load, etc., and deviation between devices may also have an effect due to process deviation due to miniaturization of the semiconductor process and decrease in device size. Accordingly, even if, for example, the power supply voltage applied to the IC is designed to be 1 volt (V), a significant error, for example, an error of about ±10% may occur in an actual system. A factor that causes the variation of the power supply voltage is also referred to as a PVT (process, voltage, temperature) variation factor.

이와 같은 전원전압의 오차로 인하여, 파워-온 리셋 장치에도 항상 같은 레벨의 전원전압이 인가되지 못하며 전원전압은 변동될 수 있다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 예컨대 조정전압 공급기가 고정된 저항 값들을 가지는 복수의 저항으로 구성되는 전압 분배기로 되어 있어서 전원 분배 비율이 고정되어 있다고 하더라도, 입력 전원전압이 예컨대 0.9V, 1.0V, 1.1V로 다를 때 비교기 회로의 스위칭 기준 전압이 달라지게 된다. 이처럼 입력 전원전압에 감응하여 전원 감응형 비교기의 기준 전압이 변동됨에 따라, 입력 전원전압에 따라 파워-온 리셋이 제대로 행해지지 않을 수 있는 가능성이 크게 감소될 수 있게 된다.Due to such an error in the power supply voltage, the power supply voltage of the same level cannot always be applied even to the power-on reset device, and the power supply voltage may fluctuate. According to an exemplary embodiment of the present invention, for example, even if the power distribution ratio is fixed because the regulated voltage supply is a voltage divider composed of a plurality of resistors having fixed resistance values, the input power supply voltage is, for example, 0.9V or 1.0V. When V differs from 1.1V, the switching reference voltage of the comparator circuit changes. As the reference voltage of the power sensitive comparator fluctuates in response to the input power voltage, the possibility that the power-on reset may not properly be performed depending on the input power voltage can be greatly reduced.

위에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that you can.

Claims (1)

파워-온 리셋 대상 회로에 리셋 신호를 공급하여 상기 파워-온 리셋 대상 회로를 파워-온 리셋시키는 파워-온 리셋 장치로서,
전원전압에 감응하여 충전전류를 공급하는 전류원;
상기 충전전류에 의해 충전되며, 충전량에 상응한 충전 전압을 출력하는 커패시터;
상기 전원전압의 레벨을 조정하여, 레벨조정된 전원전압을 생성하는 조정전압 공급기; 및
상기 레벨조정된 전원전압으로 바이어스되며, 상기 충전 전압을 받아들이고 소정의 기준 전압과 비교하여, 상기 충전 전압이 상기 기준 전압보다 작은 시간구간 동안 활성화되는 상기 리셋 신호를 출력하는 전원 감응형 비교기;
를 포함하는 파워-온 리셋 장치.
A power-on reset device supplying a reset signal to a power-on reset target circuit to power-on reset the power-on reset target circuit,
a current source supplying a charging current in response to a power supply voltage;
a capacitor charged by the charging current and outputting a charging voltage corresponding to the charging amount;
a regulated voltage supply that adjusts the level of the power supply voltage to generate a level-adjusted power supply voltage; and
a power sensitive comparator that is biased with the level-adjusted power supply voltage, receives the charging voltage, compares it with a predetermined reference voltage, and outputs the reset signal activated during a time period when the charging voltage is smaller than the reference voltage;
A power-on reset device comprising a.
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