JP2017041139A - LDO circuit - Google Patents

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雄介 原田
Yusuke Harada
雄介 原田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LDO circuit controlling the rise time of output voltage of an LDO.SOLUTION: An LDO circuit 10 comprises a reference voltage generation circuit 11, a reference voltage rising control circuit 12 and an LDO 13. The reference voltage generation circuit 11 generates first reference voltage VREF from power supply voltage VDD1. The reference voltage rising control circuit 12 generates second reference voltage VREFSTUP on the basis of the first reference voltage VREF generated by the reference voltage generation circuit 11. The LDO 13, to which power supply voltage VDD2 is supplied, outputs output voltage LDOOUT on the basis of the second reference voltage VREFSTUP generated by the reference voltage rising control circuit 12.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、LDO(Low Drop Out)回路に関し、より詳細には、LDOの出力電圧の立ち上り時間を制御するLDO回路に関する。   The present invention relates to an LDO (Low Drop Out) circuit, and more particularly to an LDO circuit that controls a rise time of an output voltage of an LDO.

従来から、電子回路システムの設計において重要な決定事項の一つは、電源電圧レベルを決定することである。システムごとに最適な電源電圧レベルは異なり、そのため、外部電源電圧を特定値の内部電源電圧に変換する回路が必要である。このような目的のために使用される回路がレギュレータ(regulator)である。特に、入力電圧と出力電圧との差が小さいレギュレータをLDO(Low Drop Out Regulator;低ドロップアウト電圧レギュレータ)とし、この種のLDOは、入力と出力の電圧差が小さい回路でよく使用されている。   Traditionally, one important decision in the design of electronic circuit systems is to determine the power supply voltage level. The optimum power supply voltage level differs from system to system, and therefore a circuit for converting the external power supply voltage into a specific value of the internal power supply voltage is required. A circuit used for this purpose is a regulator. In particular, a regulator having a small difference between the input voltage and the output voltage is referred to as an LDO (Low Drop Out Regulator), and this type of LDO is often used in a circuit in which the voltage difference between the input and the output is small. .

一般的に、LDO回路の出力電圧の立ち上がり時間は、出力負荷と駆動電流で決められている。したがって、従来、LDOなどの出力電圧の立ち上がりを制御するためには、駆動能力である駆動電流を切り替えて制御を行う。
例えば、特許文献1は、入力端子と出力端子との間に比較的電流駆動能力の高い第1のFET(電界効果トランジスタ)と、これに並列接続された比較的電流駆動能力の低い第2のFETを設けている。電源起動直後の所定期間においては、第2のFETのみを駆動することにより出力電流を絞り、ラッシュ電流を防止する。所定期間経過後に第1のFETのゲートの接続先を切り替えるスイッチ回路が作動して第1のFETのゲートに駆動電圧を供給して第1のFETを駆動する。
In general, the rise time of the output voltage of the LDO circuit is determined by the output load and the drive current. Therefore, conventionally, in order to control the rise of the output voltage of an LDO or the like, the control is performed by switching the drive current as the drive capability.
For example, Patent Document 1 discloses a first FET (field effect transistor) having a relatively high current driving capability between an input terminal and an output terminal, and a second FET having a relatively low current driving capability connected in parallel thereto. An FET is provided. In a predetermined period immediately after the power is turned on, only the second FET is driven to restrict the output current and prevent the rush current. A switch circuit that switches the connection destination of the gate of the first FET operates after a predetermined period of time to supply a drive voltage to the gate of the first FET to drive the first FET.

図6は、従来のLDOとその周辺回路のブロック構成図で、図7は、従来の駆動能力を切り替える機能を有するLDOの回路構成図である。
図6に示すように、従来のLDO回路20は、電源電圧VDD1と接地電圧GNDから基準電圧VREFを出力する基準電圧生成回路21と、この基準電圧生成回路21からの基準電圧VREFに基づいてLDO出力するLDO22とを備えている。
従来のLDOは、図7に示すように、非反転入力端子(+)に基準電圧VREFが入力され、反転入力端子(−)にフィードバック電圧が入力される増幅器221と、この増幅器221の出力信号がゲートに入力されるPMOS1とPMOS2と、出力端子LDOOUTと接地電圧との間に接続される抵抗分部R1,R2とを備えている。また、増幅器221の出力端子とPMOS2のゲート端子との間にスイッチSが接続されている。
電源立上げ時は、スイッチSをオフし、駆動能力が低い状態で立上を行い、通常状態においては、スイッチSをオンして駆動能力を上げる。このように、電源立上げ時と通常時で動作するPMOSの数を切り替える構成が知られている。
FIG. 6 is a block configuration diagram of a conventional LDO and its peripheral circuits, and FIG. 7 is a circuit configuration diagram of an LDO having a function of switching a conventional driving capability.
As shown in FIG. 6, a conventional LDO circuit 20 includes a reference voltage generation circuit 21 that outputs a reference voltage VREF from a power supply voltage VDD1 and a ground voltage GND, and an LDO based on the reference voltage VREF from the reference voltage generation circuit 21. LDO22 which outputs.
As shown in FIG. 7, the conventional LDO has an amplifier 221 in which a reference voltage VREF is input to a non-inverting input terminal (+) and a feedback voltage is input to an inverting input terminal (−), and an output signal of the amplifier 221. Are input to the gate, and have resistance dividers R1 and R2 connected between the output terminal LDOOUT and the ground voltage. A switch S is connected between the output terminal of the amplifier 221 and the gate terminal of the PMOS 2.
When the power is turned on, the switch S is turned off to start up with a low driving capability. In the normal state, the switch S is turned on to increase the driving capability. Thus, a configuration is known in which the number of PMOSs that operate at the time of power-on and during normal operation is switched.

特開2009−146130号公報JP 2009-146130 A

LDOなどの出力電圧を急峻に立ち上げた場合、その出力電圧を電源として使用する外部回路に悪影響を与えてしまう可能性がある。
さらに、LDO起動時、LDOが出力しようとする電圧と出力端子電圧の差が大きいと、駆動能力が大きい場合、LDOの出力から大電流が流れ、LDOのPMOSから出力端子、そして出力端子からLDO出力を受ける側のICへの急激な変化を伴う電流よる配線破壊の可能性もある。
そのため、出力電圧の急峻な変化を抑制するために、起動時にはLDOの駆動能力などを低下させる切替を行い、先ほど挙げた影響等に関して回避させる場合がある。
When an output voltage such as LDO is suddenly raised, there is a possibility of adversely affecting an external circuit that uses the output voltage as a power source.
Further, when the LDO is activated, if the difference between the voltage to be output by the LDO and the output terminal voltage is large, if the driving capability is large, a large current flows from the output of the LDO, and the LDO from the PMOS to the output terminal and from the output terminal to the LDO. There is also a possibility of the destruction of the wiring due to the current accompanied by a sudden change to the IC on the output receiving side.
For this reason, in order to suppress a steep change in the output voltage, there is a case in which switching is performed to reduce the drive capability of the LDO at the start-up to avoid the effects mentioned above.

しかし、その構成により得られたLDO出力電圧を外部回路の電源として使用する場合、LDOには、起動時にその外部回路に流れる電流を駆動するだけの駆動能力を持たせておく必要がある。LDOの立ち上がり電圧の傾きは、LDOの駆動能力に依存するため、従来の構成では、LDOの駆動電流の大きさである駆動能力を下げずに、LDOの立ち上がり電圧を緩やかにすることは困難であった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、LDOの出力電圧の立ち上り時間を制御できるLDO回路を提供することにある。
However, when the LDO output voltage obtained by the configuration is used as a power supply for an external circuit, the LDO needs to have a driving capability for driving a current flowing in the external circuit at the time of startup. Since the slope of the rise voltage of the LDO depends on the drive capability of the LDO, it is difficult to moderate the rise voltage of the LDO without lowering the drive capability, which is the magnitude of the drive current of the LDO, in the conventional configuration. there were.
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an LDO circuit capable of controlling the rise time of the output voltage of the LDO.

本発明の第1の態様は、電源電圧から第1の基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、前記第1の基準電圧と接地電位との間に接続される電流生成回路及び前記電流生成回路と前記接地電位との間に接続される容量素子を有し、前記電流生成回路と前記容量素子との間のノードから第2の基準電圧を生成する基準電圧立上制御回路と、前記第2の基準電圧に基づいて出力電圧を出力するLDOと、を備えているLDO回路である。   A first aspect of the present invention includes a reference voltage generation circuit that generates a first reference voltage from a power supply voltage, a current generation circuit connected between the first reference voltage and a ground potential, and the current generation circuit And a reference voltage start-up control circuit that generates a second reference voltage from a node between the current generation circuit and the capacitance element, and And an LDO that outputs an output voltage based on the reference voltage.

本発明によれば、LDOの駆動能力を起動時に下げることなく、LDOの出力電圧を電源として使用する際に必要な駆動能力を確保しつつ、立ち上がり電圧を緩やかにすることが出来る。   According to the present invention, the rising voltage can be moderated while ensuring the driving capability required when using the output voltage of the LDO as a power source without reducing the driving capability of the LDO at the time of startup.

本発明に係るLDO回路の実施形態1を説明するためのブロック構成図である。It is a block block diagram for demonstrating Embodiment 1 of the LDO circuit which concerns on this invention. 図1に示した基準電圧立上制御回路の具体的な回路構成図である。FIG. 2 is a specific circuit configuration diagram of a reference voltage rising control circuit shown in FIG. 1. 本発明に係るLDO回路の実施形態2を説明するためのブロック構成図である。It is a block block diagram for demonstrating Embodiment 2 of the LDO circuit which concerns on this invention. 図3に示したスイッチ制御回路を付加した場合の基準電圧立上制御回路の具体的な回路構成図である。FIG. 4 is a specific circuit configuration diagram of a reference voltage start-up control circuit when the switch control circuit shown in FIG. 3 is added. 図1に示した実施形態1のLDO回路や図3に示した実施形態2のLDO回路で使用する、一般的な駆動能力を切り替える機能がないLDOの回路構成図である。FIG. 4 is a circuit configuration diagram of an LDO that does not have a function of switching a general driving capability and is used in the LDO circuit according to the first embodiment illustrated in FIG. 1 or the LDO circuit according to the second embodiment illustrated in FIG. 3. 従来のLDOとその周辺回路のブロック構成図である。It is a block block diagram of the conventional LDO and its peripheral circuit. 従来の駆動能力を切り替える機能を有するLDOの回路構成図である。It is a circuit block diagram of LDO which has the function to switch the conventional drive capability.

以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかであろう。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。
以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。
In the following detailed description, numerous specific specific configurations are described to provide a thorough understanding of embodiments of the invention. However, it will be apparent that other embodiments may be practiced without limitation to such specific specific configurations. Further, the following embodiments do not limit the invention according to the claims, but include all combinations of characteristic configurations described in the embodiments.
Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

<実施形態1>
図1は、本発明に係るLDO回路の実施形態1を説明するためのブロック構成図である。本実施形態1のLDO回路10は、基準電圧生成回路11と基準電圧立上制御回路12とLDO13とを備えている。
基準電圧生成回路11は、電源電圧VDD1から第1の基準電圧VREFを生成する。基準電圧立上制御回路12は、基準電圧生成回路11により生成された第1の基準電圧VREFに基づいて第2の基準電圧VREFSTUPを生成する。LDO13は、電源電圧VDD2が供給され、基準電圧立上制御回路12により生成された第2の基準電圧VREFSTUPに基づいて出力電圧LDOOUTを出力する。
<Embodiment 1>
FIG. 1 is a block diagram for explaining a first embodiment of an LDO circuit according to the present invention. The LDO circuit 10 according to the first embodiment includes a reference voltage generation circuit 11, a reference voltage rise control circuit 12, and an LDO 13.
The reference voltage generation circuit 11 generates a first reference voltage VREF from the power supply voltage VDD1. The reference voltage startup control circuit 12 generates a second reference voltage VREFSTUP based on the first reference voltage VREF generated by the reference voltage generation circuit 11. The LDO 13 is supplied with the power supply voltage VDD2, and outputs the output voltage LDOOUT based on the second reference voltage VREFSTUP generated by the reference voltage rising control circuit 12.

図2は、図1に示した基準電圧立上制御回路の具体的な回路構成図である。図2に示すように、基準電圧立上制御回路12は、第1の基準電圧VREFと接地電位GNDとの間に接続される電流生成回路121及びこの電流生成回路121と接地電位GNDとの間に接続される容量素子Cを有し、電流生成回路121と容量素子Cとの間のノードから第2の基準電圧VREFSTUPを生成する。
また、電流生成回路121は、参照電流生成回路121aと第1のPMOSトランジスタPM1と第2のPMOSトランジスタPM2とを備えている。
FIG. 2 is a specific circuit configuration diagram of the reference voltage start-up control circuit shown in FIG. As shown in FIG. 2, the reference voltage rising control circuit 12 includes a current generation circuit 121 connected between the first reference voltage VREF and the ground potential GND, and between the current generation circuit 121 and the ground potential GND. The second reference voltage VREFSTUP is generated from a node between the current generation circuit 121 and the capacitor C.
The current generation circuit 121 includes a reference current generation circuit 121a, a first PMOS transistor PM1, and a second PMOS transistor PM2.

第1のPMOSトランジスタPM1は、ソース端子SP1が第1の基準電圧VREFに接続され、ドレイン端子DP1が参照電流生成回路121aに接続され、ゲート端子GP1がドレイン端子DP1と接続されている。また、第2のPMOSトランジスタPM2は、ソース端子SP2が第1の基準電圧VREFに接続され、ドレイン端子DP2が容量素子Cに接続され、ゲート端子GP2が第1のPMOSトランジスタPM1のゲート端子GP1と接続されている。
また、参照電流生成回路121aは、参照電流IREFが入力される入力端子と第1のNMOSトランジスタNM1と第2のNMOSトランジスタNM2とを備えている。
第1のNMOSトランジスタNM1は、ドレイン端子DN1が参照電流IREFに接続され、ソース端子SN1が接地電位GNDに接続され、ゲート端子GN1がドレイン端子DN1と接続されている。また、第2のNMOSトランジスタNM2は、ドレイン端子DN2が第1のPMOSトランジスタPM1のドレイン端子DP1に接続され、ソース端子SN2が接地電位GNDに接続され、ゲート端子GN2が第1のNMOSトランジスタNM1のゲート端子GN1と接続されている。
The first PMOS transistor PM1 has a source terminal SP1 connected to the first reference voltage VREF, a drain terminal DP1 connected to the reference current generation circuit 121a, and a gate terminal GP1 connected to the drain terminal DP1. The second PMOS transistor PM2 has a source terminal SP2 connected to the first reference voltage VREF, a drain terminal DP2 connected to the capacitor C, and a gate terminal GP2 connected to the gate terminal GP1 of the first PMOS transistor PM1. It is connected.
The reference current generation circuit 121a includes an input terminal to which a reference current IREF is input, a first NMOS transistor NM1, and a second NMOS transistor NM2.
The first NMOS transistor NM1 has a drain terminal DN1 connected to the reference current IREF, a source terminal SN1 connected to the ground potential GND, and a gate terminal GN1 connected to the drain terminal DN1. The second NMOS transistor NM2 has a drain terminal DN2 connected to the drain terminal DP1 of the first PMOS transistor PM1, a source terminal SN2 connected to the ground potential GND, and a gate terminal GN2 connected to the first NMOS transistor NM1. It is connected to the gate terminal GN1.

つまり、図1には、必要な駆動能力を確保しつつ、立ち上がり電圧を緩やかにするためのLDOとその周辺回路の構成例が示されている。電源電圧VDD1を電源とした基準電圧生成回路11と、その基準電圧生成回路11の出力を電源とした基準電圧立上制御回路12と、その基準電圧立上制御回路12の出力を入力とし、電源電圧VDD2を電源としたLDO13とから構成されている。なお、VDD1=VDD2でもよい。
このような構成により、基準電圧生成回路11で基準電圧VREFを生成し、基準電圧立上制御回路12に入力しており、基準電圧VREFを基準電圧制御回路の電源として使用している。基準電圧立上制御回路12の出力VREFSTUPをLDOに入力することで、出力VREFSTUPに準じた出力LDOOUTがLDO13から出力される。
That is, FIG. 1 shows a configuration example of an LDO and its peripheral circuit for relaxing the rising voltage while ensuring the necessary drive capability. A reference voltage generation circuit 11 using the power supply voltage VDD1 as a power supply, a reference voltage rise control circuit 12 using the output of the reference voltage generation circuit 11 as a power supply, and an output of the reference voltage rise control circuit 12 as inputs. The LDO 13 uses the voltage VDD2 as a power source. Note that VDD1 = VDD2 may be used.
With such a configuration, the reference voltage VREF is generated by the reference voltage generation circuit 11 and is input to the reference voltage start-up control circuit 12, and the reference voltage VREF is used as a power source for the reference voltage control circuit. By inputting the output VREFSTUP of the reference voltage rising control circuit 12 to the LDO, an output LDOOUT corresponding to the output VREFSTUP is output from the LDO 13.

図2には、上述したように、基準電圧を緩やかに起動させる基準電圧立上制御回路12が示されている。この基準電圧立上制御回路12は、基準電圧生成回路11からの基準電圧VREFを電源とした、カレントミラーと出力の容量によって構成されている。また、参照電流IREFが入力される入力端子と、第1のNMOSトランジスタNM1と第2のNMOSトランジスタNM2とで参照電流生成回路121aを構成している。
このような構成により、参照電流IREFからカレントミラーで所望の電流である基準電流を生成し、第2のPMOSトランジスタPM2から電流を出力している。この第2のPMOSトランジスタPM2からの基準電流を容量に蓄積させることで電圧VREFSTUPに変換している。出力電圧VREFSTUPの傾きは、この電流と容量によって決定される。
FIG. 2 shows the reference voltage rise control circuit 12 that gradually starts up the reference voltage as described above. The reference voltage start-up control circuit 12 is composed of a current mirror and an output capacitance using the reference voltage VREF from the reference voltage generation circuit 11 as a power source. Further, the input terminal to which the reference current IREF is input, the first NMOS transistor NM1, and the second NMOS transistor NM2 constitute a reference current generation circuit 121a.
With such a configuration, a reference current that is a desired current is generated from the reference current IREF by a current mirror, and a current is output from the second PMOS transistor PM2. The reference current from the second PMOS transistor PM2 is stored in a capacitor to be converted into a voltage VREFSTUP. The slope of the output voltage VREFSTUP is determined by this current and capacity.

この基準電圧立上制御回路12は、基準電圧VREFを電源とすることで、出力電圧VREFSTUPは電源とした基準電圧VREFとほぼ等しくなると、第2のPMOSトランジスタPM2のドレイン・ソース電圧Vdsが取れなくなる。したがって、自動的に第2のPMOSトランジスタPM2からの電流が止まることで、出力電圧VREFSTUP≒基準電圧VREFで安定出力することになる。
図1に示したように、基準電圧立上制御回路12とLDO13を組み合わせることで、LDO13の出力は、LDO13に入力される出力電圧VREFSTUPに基づいて電圧を出力するため、LDO13の駆動能力LDO出力段のMOSサイズによらず、出力の傾きは基準電圧立上制御回路12の傾きによって決められることになる。つまり、立上げ区間において、LDO13に入力される出力電圧VREFSTUPの立ち上がりに追随して、LDO13の出力電圧も立ち上がる。なお、出力電圧VREFSTUPの傾きと、LDO13の出力電圧の傾きとは、同じであっても、異なる値であってもよく、出力電圧VREFSTUPの傾きに相関して、LDO13の出力電圧が立ち上がる。
The reference voltage start-up control circuit 12 uses the reference voltage VREF as a power source, and when the output voltage VREFSTUP becomes substantially equal to the reference voltage VREF used as the power source, the drain / source voltage Vds of the second PMOS transistor PM2 cannot be obtained. . Therefore, when the current from the second PMOS transistor PM2 automatically stops, the output voltage VREFSTUP≈the reference voltage VREF is stably output.
As shown in FIG. 1, by combining the reference voltage start-up control circuit 12 and the LDO 13, the output of the LDO 13 outputs a voltage based on the output voltage VREFSTUP input to the LDO 13. Regardless of the MOS size of the stage, the slope of the output is determined by the slope of the reference voltage rising control circuit 12. That is, in the rise period, the output voltage of the LDO 13 rises following the rise of the output voltage VREFSTUP input to the LDO 13. The slope of the output voltage VREFSTUP and the slope of the output voltage of the LDO 13 may be the same or different values, and the output voltage of the LDO 13 rises in correlation with the slope of the output voltage VREFSTUP.

したがって、LDO13の出力電圧の起動の傾きは、基準電圧立上制御回路12のカレントミラー電流と容量によって決められるため、LDO13の駆動能力を損なうことなく、LDO13の出力の傾きは自由度を高く設計することが出来る。
カレントミラー電流を小さく設定することによって、容量を十分小さくできるため、外付け容量ではなく、LSIチップへの搭載も難なく行うことが出来る。
また、簡単な回路で実現することが出来るため、従来駆動能力を切り替える信号を作るために、LDO13の出力電圧が所望付近の電圧になったことを判定するための回路(例、コンパレータなど)が不要なため、回路規模を縮小することが出来る。
Therefore, since the slope of the output voltage of the LDO 13 is determined by the current mirror current and the capacity of the reference voltage rising control circuit 12, the slope of the output of the LDO 13 is designed with a high degree of freedom without impairing the driving capability of the LDO 13. I can do it.
By setting the current mirror current to be small, the capacity can be made sufficiently small, so that it can be mounted on the LSI chip instead of an external capacity without difficulty.
In addition, since it can be realized with a simple circuit, a circuit for determining that the output voltage of the LDO 13 has become a voltage in the vicinity of a desired value in order to generate a signal for switching the conventional driving capability (eg, a comparator). Since it is unnecessary, the circuit scale can be reduced.

従来のLDO回路のように、LDOの駆動能力を小から大に切り替える場合、切り替え直後に駆動能力の大きなMOSのゲート電圧が、瞬間的に下げられることで、LDOの出力は跳ね上げられ、出力電圧はオーバーシュートする可能性がある。しかし、本発明の回路構成を採ることで、不連続な点は存在せず、駆動能力を切り替える必要が無いため、そのような現象は起こらない。
LDOは、起動時にその外部回路に流れる電流を駆動するだけの駆動能力は最低限必要となる。しかし、LDOの出力電圧の傾きは、駆動能力に依存するため、従来の切り替え構成では、出力電圧の傾きを下げるのには、限界があった。本実施形態によれば、LDOの駆動能力は下げずに、LDOの出力電圧の傾きを下げることが可能である。結果として、起動時の外部回路を駆動する必要な駆動能力をLDOが保持したまま、外部回路への悪影響を防止することができる。例えば、起動時において、LDOの出力電圧を電源として使用する外部回路が、急峻な電源立ち上がりによる外部回路内部の貫通電流を防ぐことが出来る。
When switching the driving capability of the LDO from small to large as in the conventional LDO circuit, the gate voltage of the MOS having a large driving capability is instantaneously lowered immediately after switching, so that the output of the LDO is jumped up and output. The voltage can overshoot. However, by adopting the circuit configuration of the present invention, there is no discontinuous point, and there is no need to switch the driving capability, so such a phenomenon does not occur.
The LDO is required to have at least a driving capability for driving a current flowing in the external circuit at the time of startup. However, since the slope of the output voltage of the LDO depends on the driving capability, the conventional switching configuration has a limit in reducing the slope of the output voltage. According to this embodiment, it is possible to reduce the slope of the output voltage of the LDO without reducing the drive capability of the LDO. As a result, it is possible to prevent adverse effects on the external circuit while the LDO retains the necessary driving capability for driving the external circuit at the time of startup. For example, an external circuit that uses the output voltage of the LDO as a power supply at startup can prevent a through current inside the external circuit due to a sharp power supply rise.

<実施形態2>
図3は、本発明に係るLDO回路の実施形態2を説明するためのブロック構成図である。図1及び図2に示した実施形態1のLDO回路の基準電圧立上制御回路12にスイッチ制御回路14を設けたブロック構成図である。つまり、図3は、図1に示した実施形態1に、図4で挿入したスイッチ141を制御するためのスイッチ制御回路14を付加している。
<Embodiment 2>
FIG. 3 is a block diagram for explaining a second embodiment of the LDO circuit according to the present invention. FIG. 3 is a block configuration diagram in which a switch control circuit 14 is provided in the reference voltage rising control circuit 12 of the LDO circuit according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2. That is, in FIG. 3, the switch control circuit 14 for controlling the switch 141 inserted in FIG. 4 is added to the first embodiment shown in FIG.

図4は、図3に示したスイッチ制御回路を付加した場合の基準電圧立上制御回路の具体的な回路構成図である。出力電圧VREFSTUPが起動後(≒基準電圧VREF)ある一定期間を待ち、出力電圧VREFSTUPと基準電圧VREFを接続するスイッチ141を挿入した回路構成図を示している。
つまり、図4の基準電圧立上制御回路12は、第1の基準電圧VREFと、電流生成回路121と容量素子Cとの間のノードとの間に接続されるスイッチ141を有している。
図4の出力電圧VREFSTUPと基準電圧VREFを接続するスイッチ141は、図2のように、このスイッチ141が無い場合と比べて出力電圧VREFSTUPの電圧をより基準電圧VREFに一致させることが出来る効果がある。
FIG. 4 is a specific circuit configuration diagram of the reference voltage rising control circuit when the switch control circuit shown in FIG. 3 is added. A circuit configuration diagram is shown in which a switch 141 for connecting the output voltage VREFSTUP and the reference voltage VREF is inserted after waiting for a certain period after the output voltage VREFSTUP is started (≈reference voltage VREF).
That is, the reference voltage rising control circuit 12 in FIG. 4 includes the switch 141 connected between the first reference voltage VREF and a node between the current generation circuit 121 and the capacitor C.
The switch 141 connecting the output voltage VREFSTUP and the reference voltage VREF in FIG. 4 has the effect that the voltage of the output voltage VREFSTUP can be made to match the reference voltage VREF more than the case without the switch 141 as shown in FIG. is there.

図3に示すスイッチ制御回路14は、例えば、基準電圧立上制御回路12のパワーダウン解除信号等を受けて、デジタルカウンタやアナログ遅延回路などで基準電圧立上制御回路12が十分起動完了する時間以上の遅延時間を待って、スイッチ141をONするなど制御を行う。
スイッチ制御回路14からの制御信号STUPに基づいて、スイッチ141は、基準電圧VREFが入力されるノードと、出力電圧VREFSTUPを出力するノードとが同電位となるように(短絡するように)接続する。
The switch control circuit 14 shown in FIG. 3 receives, for example, a power down release signal from the reference voltage rise control circuit 12 and the reference voltage rise control circuit 12 is fully activated by a digital counter, an analog delay circuit, or the like. Control such as turning on the switch 141 is performed after waiting for the above delay time.
Based on the control signal STUP from the switch control circuit 14, the switch 141 is connected so that the node to which the reference voltage VREF is input and the node from which the output voltage VREFSTUP is output have the same potential (so as to be short-circuited). .

図5は、図1に示した実施形態1のLDO回路や図3に示した実施形態2のLDO回路で使用する、一般的な駆動能力を切り替える機能がないLDOの回路構成図である。
LDO13は、非反転入力端子(+)に基準電圧VREFが入力され、反転入力端子(−)にフィードバック電圧が入力される増幅器131と、この増幅器131の出力信号がゲートに入力されるPMOSと、出力端子LDOOUTと接地電圧GNDとの間に接続される抵抗分部R1,R2とを備えている。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は、上述した実施形態に記載の技術的範囲には限定されない。上述した実施形態に、多様な変更又は改良を加えることも可能であり、そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of an LDO that does not have a function of switching a general driving capability and is used in the LDO circuit of the first embodiment shown in FIG. 1 or the LDO circuit of the second embodiment shown in FIG.
The LDO 13 has an amplifier 131 in which a reference voltage VREF is input to a non-inverting input terminal (+) and a feedback voltage is input to an inverting input terminal (−), a PMOS in which an output signal of the amplifier 131 is input to a gate, Resistance dividers R1 and R2 connected between the output terminal LDOOUT and the ground voltage GND are provided.
As mentioned above, although each embodiment of this invention was described, the technical scope of this invention is not limited to the technical scope as described in embodiment mentioned above. It is possible to add various changes or improvements to the above-described embodiments, and it is possible to add such changes or improvements to the technical scope of the present invention. it is obvious.

10,20 LDO回路
11,21 基準電圧生成回路
12 基準電圧立上制御回路
13,22 LDO
14 スイッチ制御回路
121 電流生成回路
121a 参照電流生成回路
131,221 増幅器
141 スイッチ
10, 20 LDO circuits 11, 21 Reference voltage generation circuit 12 Reference voltage rise control circuits 13, 22 LDO
14 switch control circuit 121 current generation circuit 121a reference current generation circuit 131, 221 amplifier 141 switch

Claims (4)

電源電圧から第1の基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記第1の基準電圧と接地電位との間に接続される電流生成回路及び前記電流生成回路と前記接地電位との間に接続される容量素子を有し、前記電流生成回路と前記容量素子との間のノードから第2の基準電圧を生成する基準電圧立上制御回路と、
前記第2の基準電圧に基づいて出力電圧を出力するLDOと、
を備えているLDO回路。
A reference voltage generation circuit for generating a first reference voltage from the power supply voltage;
A current generation circuit connected between the first reference voltage and a ground potential; and a capacitance element connected between the current generation circuit and the ground potential; and the current generation circuit, the capacitance element, A reference voltage rising control circuit for generating a second reference voltage from a node between
An LDO that outputs an output voltage based on the second reference voltage;
An LDO circuit comprising:
前記電流生成回路が、
参照電流生成回路と、
ソース端子が前記第1の基準電圧に接続され、ドレイン端子が前記参照電流生成回路に接続され、ゲート端子が前記ドレイン端子と接続される第1のPMOSトランジスタと、
ソース端子が前記第1の基準電圧に接続され、ドレイン端子が前記容量素子に接続され、ゲート端子が前記第1のPMOSトランジスタの前記ゲート端子と接続される第2のPMOSトランジスタと、
を有している請求項1に記載のLDO回路。
The current generating circuit is
A reference current generation circuit;
A first PMOS transistor having a source terminal connected to the first reference voltage, a drain terminal connected to the reference current generation circuit, and a gate terminal connected to the drain terminal;
A second PMOS transistor having a source terminal connected to the first reference voltage, a drain terminal connected to the capacitive element, and a gate terminal connected to the gate terminal of the first PMOS transistor;
The LDO circuit according to claim 1, comprising:
前記参照電流生成回路が、
ドレイン端子が参照電流に接続され、ソース端子が前記接地電位に接続され、ゲート端子が前記ドレイン端子と接続される第1のNMOSトランジスタと、
ドレイン端子が第1のPMOSトランジスタのドレイン端子に接続され、ソース端子が前記接地電位に接続され、ゲート端子が前記第1のNMOSトランジスタのゲート端子と接続される第2のNMOSトランジスタと、
を有している請求項2に記載のLDO回路。
The reference current generating circuit is
A first NMOS transistor having a drain terminal connected to a reference current, a source terminal connected to the ground potential, and a gate terminal connected to the drain terminal;
A second NMOS transistor having a drain terminal connected to the drain terminal of the first PMOS transistor, a source terminal connected to the ground potential, and a gate terminal connected to the gate terminal of the first NMOS transistor;
The LDO circuit according to claim 2, comprising:
前記第1の基準電圧と、前記電流生成回路と前記容量素子との間のノードとの間に接続されるスイッチをさらに有している請求項2又は3に記載のLDO回路。   4. The LDO circuit according to claim 2, further comprising a switch connected between the first reference voltage and a node between the current generation circuit and the capacitor. 5.
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